CN116360220A - 套刻偏差的补偿方法 - Google Patents

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CN116360220A CN202111613638.9A CN202111613638A CN116360220A CN 116360220 A CN116360220 A CN 116360220A CN 202111613638 A CN202111613638 A CN 202111613638A CN 116360220 A CN116360220 A CN 116360220A
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Abstract

一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供待补偿晶圆，待补偿晶圆包括中心区和边缘区，中心区具有若干第一量测点，边缘区具有若干第二量测点；获取第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取第二量测点的第二待补偿偏差；采用第一全局补偿模型对第一量测点进行第一补偿处理，获取第一已补偿信息；采用第二全局补偿模型对第二量测点进行第二补偿处理，获取第二已补偿信息；采用局部补偿模型对每个第一量测点的第一剩余偏差、以及每个第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息。通过对待补偿晶圆进行三重细化补偿，分别获取第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，能够有效提升对待补偿晶圆的补偿效果。

Description

套刻偏差的补偿方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种套刻偏差的补偿方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光或反光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图形，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图形对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。
套刻精度(overlay，OVL)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层叠加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作。因此，在形成当层的过程中，减小套刻精度、确保套刻精度在偏差范围内是极为重要的一件事情。
在现有技术中，通常通过若干次的套刻偏差补偿处理，不断提高当前批次的晶圆的套刻精度。所述套刻偏差补偿处理包括：在前一批次的晶圆中获取待测晶圆；对待测晶圆进行套刻精度检测，获取前一批次套刻精度信息；根据前一批次套刻精度信息，获取套刻偏差模型；根据套刻偏差模型，对当前批次的晶圆进行套刻偏差补偿。
然而，现有技术中的套刻偏差补偿处理仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种套刻偏差的补偿方法，以提升补偿效果。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括中心区、以及包围所述中心区的边缘区，所述中心区具有若干第一量测点，所述边缘区具有若干第二量测点；获取所述第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取所述第二量测点的第二待补偿偏差；采用第一全局补偿模型对每个所述第一量测点的第一待补偿偏差进行第一补偿处理，以使每个所述第一量测点具有第一剩余偏差，获取第一已补偿信息；在所述第一补偿处理之后，采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，以使每个所述第二量测点具有第二剩余偏差，获取第二已补偿信息；在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息。
可选的，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差的方法包括：采用第三全局补偿模型对所述待补偿晶圆进行第四补偿处理，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差。
可选的，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差的方法包括：从在所述第二补偿处理后的所述待补偿晶圆上，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差。
可选的，获取所述第三已补偿信息的方法包括：提供偏差阈值；采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，直至所述第一量测点的剩余偏差、以及所述第二量测点的剩余偏差小于或等于所述所述偏差阈值为止，获取所述第三已补偿信息。
可选的，所述待补偿晶圆包括：第一前层、位于所述第一前层上的第一待刻蚀层、以及位于所述第一待刻蚀层上的第一光阻层，所述第一光阻层已经过曝光及显影步骤。
可选的，获取所述第一待补偿偏差和所述第二待补偿偏差的方法包括：采用成像和图像识别的套刻精度测量方法检测所述第一光阻层的套刻精度，获取所述第一待补偿偏差和所述第二待补偿偏差。
可选的，在所述第三补偿处理之后，还包括：根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，对所述待补偿晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆。
可选的，根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，对所述待补偿晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆的方法包括：去除所述第一光阻层；在所述第一待刻蚀层上形成第二光阻层；将所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息生成曝光菜单，对所述第二光阻层进行曝光及显影处理，获取所述补偿晶圆。
可选的，在所述第三补偿处理之后，还包括：根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息对新批次晶圆进行图形化处理。
可选的，所述新批次晶圆包括：第二前层、以及位于所述第二前层上的第二待刻蚀层，所述第二前层和所述第一前层相同，所述第二待刻蚀层与所述第一待刻蚀层相同。
可选的，根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息对新批次晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆的方法包括：在所述第二待刻蚀层上形成第三光阻层；将所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息生成曝光菜单，对所述第三光阻层进行曝光显影处理，获取所述补偿晶圆。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的套刻偏差的补偿方法，通过对所述待补偿晶圆进行三重细化补偿，分别获取所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，通过所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息能够有效提升对所述待补偿晶圆的补偿效果。另外，先采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，再在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，能够有效减少对每个所述第二量测点过补偿的问题。
附图说明
图1是一种套刻偏差的补偿方法的流程示意图；
图2是本发明实施例中一种套刻偏差的补偿方法的流程示意图；
图3至图9是本发明实施例的套刻偏差的补偿方法中各步骤的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有技术中的套刻偏差补偿处理仍存在诸多问题，以下将进行详细说明。
图1是一种套刻偏差的补偿方法的流程示意图。
请参考图1，所述套刻偏差的补偿方法包括：
步骤S101，提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括中心区、以及包围所述中心区的边缘区，所述中心区具有若干第一量测点，所述边缘区具有若干第二量测点；
步骤S102，获取所述第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取所述第二量测点的第二待补偿偏差；
步骤S103，采用第一全局补偿模型对每个所述第一量测点的第一待补偿偏差进行第一补偿处理，以使每个所述第一量测点具有第一剩余偏差，获取第一已补偿信息；
步骤S104，在所述第一补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，获取第二已补偿信息。
在本实施例中，通过对所述待补偿晶圆进行双重细化补偿，分别获取所述第一已补偿信息和所述第二已补偿信息。然而，现有的所述待补偿晶圆的每个曝光区域具有40多个量测点，每个所述待补偿晶圆中一共超过4000个量测点，仅采用双重细化对所述待补偿晶圆进行补偿是不够的。而且直接采用全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行补偿处理，还会产生很多过补偿问题。
在此基础上，本发明提供一种套刻偏差的补偿方法，通过对所述待补偿晶圆进行三重细化补偿，分别获取所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，通过所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息能够有效提升对所述待补偿晶圆的补偿效果。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2是本发明实施例的套刻偏差的补偿方法的流程示意图。
请参考图2，所述套刻偏差的补偿方法包括：
步骤S201，提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括中心区、以及包围所述中心区的边缘区，所述中心区具有若干第一量测点，所述边缘区具有若干第二量测点；
步骤S202，获取所述第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取所述第二量测点的第二待补偿偏差；
步骤S203，采用第一全局补偿模型对每个所述第一量测点的第一待补偿偏差进行第一补偿处理，以使每个所述第一量测点具有第一剩余偏差，获取第一已补偿信息；
步骤S204，在所述第一补偿处理之后，采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，以使每个所述第二量测点具有第二剩余偏差，获取第二已补偿信息；
步骤S205，在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息。
以下结合附图对所述套刻偏差的补偿方法的步骤进行详细说明。
图3至图9是本发明实施例的套刻偏差的补偿方法中各步骤的结构示意图。
请参考图3和图4，图4是图3中沿A-A线截面示意图，提供待补偿晶圆100，所述待补偿晶圆100包括中心区I、以及包围所述中心区I的边缘区II，所述中心区I具有若干第一量测点a1，所述边缘区II具有若干第二量测点a2。
需要说明的是，图3中的所述中心区I仅示出部分所述第一量测点a1，所述边缘区II也仅示出部分所述第二量测点a2。
在本实施例中，所述待补偿晶圆100包括：第一前层101、位于所述第一前层101上的第一待刻蚀层102、以及位于所述第一待刻蚀层102上的第一光阻层103，所述第一光阻层103已经过曝光及显影步骤。
在本实施例中，所述第一前层101为刻蚀后的图形层，所述第一光阻层103为曝光显影后、刻蚀前的光刻胶层。所述第一光阻层103作为掩膜用于后续刻蚀所述第一待刻蚀层102。
在本实施例中，所述第一前层101包括若干第一标记图形101a，所述第一光阻层103包括若干第二标记图形103a，且在垂直于所述第一光阻层103的表面的方向上，每个所述第一标记图形101a与一个第二标记图形103a相互对应。若干所述第一标记图形101a和若干所述第二标记图形103a，一方面，在形成所述第一光阻层103的曝光显影步骤中，作为所述第一光阻层103的图形与所述第一前层101的图形的对准标记，使形成的所述第一光阻层103的图形与所述第一前层101的图形对准，从而后续以所述第一光阻层103为掩膜刻蚀所述第一待刻蚀层102时，所述第一待刻蚀层102在刻蚀后形成的图形能够与所述第一前层101的图形对准；另一方面，形成所述第一光阻层103后，用于后续检测形成的第一光阻层103的套刻精度，即，用于检测每个所述第一标记图形101a与对应的所述第二标记图形103a之间的偏移程度。
在其他实施例中，所述第一前层仅包括1个第一标记图形或不包括第一标记图形，所述第一光阻层仅包括1个第二标记图形或不包括第二标记图形。若所述第一光阻层和所述第一前层不包括标记图形，在形成所述第一光阻层的曝光显影过程中，所述第一光阻层通过光阻层图形，即，所述第一光阻层中具有器件功能或电互连功能的图形与第一前层对准。
在本实施例中，以所述待补偿晶圆100的中心为原点O，所述中心区I的范围为：0nm～140nm，所述边缘区II的范围为：140nm～147nm。
请参考图5，图5与图4的视图方向一致，获取所述第一量测点a1的第一待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000061
以及获取所述第二量测点a2的第二待补偿偏差/>
Figure BDA0003436133280000062
在本实施例中，获取所述第一待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000071
和所述第二待补偿偏差/>
Figure BDA0003436133280000072
的方法包括：采用成像和图像识别的套刻精度测量方法检测所述第一光阻层103的套刻精度，获取所述第一待补偿偏差/>
Figure BDA0003436133280000073
和所述第二待补偿偏差/>
Figure BDA0003436133280000074
在本实施例中，采用成像和图像识别的套刻精度测量方法检测所述第一光阻层103的套刻精度，是指检测所述待补偿晶圆100中每个曝光区域内的第二标记图形103a的套刻精度，即，在平行于所述第一光阻层103表面的方向上，所述第二标记图形103a相对于对应的第一标记图形101a的偏移方向及偏移大小，即可获取所述第一待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000075
和所述第二待补偿偏差/>
Figure BDA0003436133280000076
在其他实施例中，还可以采用衍射的套刻精度测量方法(Diffraction basedoverlay，DBO)检测所述第一光阻层的套刻精度，以获取所述第一待补偿偏差和所述第二待补偿偏差。
请参考图6，采用第一全局补偿模型对每个所述第一量测点a1的第一待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000077
进行第一补偿处理，以使每个所述第一量测点a1具有第一剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000078
获取第一已补偿信息。
在本实施例中，所述第一全局补偿模型为140nm全局补偿模型(140nm Globalmodel)。
在本实施例中，由于所述第一量测点a1的第一待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000079
利用所述第一全局补偿模型并不可以将其全部进行补偿，因此在进行了所述第一补偿处理之后，每个所述第一量测点a1还会具有第一剩余偏差/>
Figure BDA00034361332800000710
所述第一剩余偏差/>
Figure BDA00034361332800000711
即为将所述第一补偿偏差/>
Figure BDA00034361332800000712
进行一定补偿之后剩余的偏差。
在本实施例中，所述第一已补偿信息为将所述第一待补偿偏差
Figure BDA00034361332800000713
进行了一定补偿的量，即为一组能用函数表示的所述待补偿晶圆100上的矢量。
需要说明的是，所述矢量的方向与大小即为所述第二标记图形103a相对于对应的所述第一标记图形101a的偏移方向及偏移大小。
请参考图7，在所述第一补偿处理之后，采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点a2的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，以使每个所述第二量测点a2具有第二剩余偏差
Figure BDA00034361332800000714
获取第二已补偿信息。
在本实施例中，所述第二全局补偿模型为147nm全局补偿模型(147nm Globalmodel)。
在本实施例中，由于所述第二量测点a2的第二待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000081
利用所述第二全局补偿模型并不可以将其全部进行补偿，因此在进行了所述第二补偿处理之后，每个所述第二量测点a2还会具有第二剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000082
所述第二剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000083
即为将所述第二补偿偏差/>
Figure BDA0003436133280000084
进行一定补偿之后剩余的偏差。
在本实施例中，所述第二已补偿信息为将所述第二待补偿偏差
Figure BDA0003436133280000085
进行了一定补偿的量，即为一组能用函数表示的所述待补偿晶圆100上的矢量。
需要说明的是，所述矢量的方向与大小即为所述第二标记图形103a相对于对应的所述第一标记图形101a的偏移方向及偏移大小。
请参考图8，在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第一量测点a1的第一剩余偏差
Figure BDA0003436133280000086
以及每个所述第二量测点a2的第二剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000087
进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息。
在本实施例中，通过对所述待补偿晶圆进行三重细化补偿，分别获取所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，通过所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息能够有效提升对所述待补偿晶圆的补偿效果。另外，先采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，再在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，能够有效减少对每个所述第二量测点过补偿的问题。
在本实施例中，所述局部补偿模型为147nm局部补偿模型(147nm local model)。
在本实施例中，所述局部补偿模型即为对每个曝光区域进行独立修正(correction-per-exposure，CPE)的模型。在现有的套刻偏差补偿的过程中，不管是线性修正还是高阶修正，都是建立在光刻胶图形和晶圆参考层图形偏差可以通过一定的数学模型来描述。而在实际中，造成套刻误差的原因是多种多样的，往往不能仅通过一组数学参数就能够描述出来。而面对这种情况，对每个曝光区域独立进行修正的模型应运而生。
对每个曝光区域进行独立修正的模型的补偿过程可以被归纳为：同样通过测量曝光区域的套刻误差，利用修正模型得到每一个曝光区域的修正参数(根据需求采用线性修正模型或是高阶修正模型)；光刻机对每一个曝光区域使用与其对应的修正参数，可以叠加在线性修正的基础上。相较于线性修正模型和高阶修正模型，对每个曝光区域进行独立修正的模型拥有较高的套刻精度和普适性。
在本实施例中，获取所述第三已补偿信息的方法包括：提供偏差阈值
Figure BDA0003436133280000091
采用局部补偿模型对每个所述第一量测点a1的第一剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000092
以及每个所述第二量测点a2的第二剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000093
进行第三补偿处理，直至所述第一量测点a1的剩余偏差、以及所述第二量测点a2的剩余偏差小于或等于所述所述偏差阈值/>
Figure BDA0003436133280000094
为止，获取所述第三已补偿信息。
在本实施例中，所述第三已补偿信息为将若干所述第一剩余偏差
Figure BDA0003436133280000095
和若干所述第二剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000096
进行了一定补偿的量，即为一组能用函数表示的所述待补偿晶圆100上的矢量。
需要说明的是，所述矢量的方向与大小即为所述第二标记图形103a相对于对应的所述第一标记图形101a的偏移方向及偏移大小。
在本实施例中，获取每个所述第一量测点a1的第一剩余偏差
Figure BDA0003436133280000097
以及每个所述第二量测点a2的第二剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000098
的方法包括：采用第三全局补偿模型对所述待补偿晶圆100进行第四补偿处理，获取每个所述第一量测点a1的第一剩余偏差/>
Figure BDA0003436133280000099
以及每个所述第二量测点a2的第二剩余偏差/>
Figure BDA00034361332800000910
在本实施例中，所述第三全局补偿模型为147nm全局补偿模型(147nm Globalmodel)。
在其他实施例中，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差的方法还可以包括：从在所述第二补偿处理后的所述待补偿晶圆上，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差。
请参考图9，图9和图4的视图方向一致，在所述第三补偿处理之后，还包括：根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，对所述待补偿晶圆100进行图形化处理，获取补偿晶圆。
在本实施例中，根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，对所述待补偿晶圆100进行图形化处理，获取补偿晶圆的方法包括：去除所述第一光阻层103；在所述第一待刻蚀层102上形成第二光阻层104；将所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息生成曝光菜单，对所述第二光阻层104进行曝光及显影处理，获取所述补偿晶圆。
在其他实施例中，在所述第三补偿处理之后，还包括：根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息对新批次晶圆进行图形化处理。
所述新批次晶圆包括：第二前层、以及位于所述第二前层上的第二待刻蚀层，所述第二前层和所述第一前层相同，所述第二待刻蚀层与所述第一待刻蚀层相同。
需要说明的是，所述第二前层和所述第一前层相同指的是：所述第一前层和所述第二前层经过了相同的半导体制程，所述第一前层和所述第二前层的材料以及结构等均相同；所述第二待刻蚀层和所述第一待刻蚀层相同指的是，所述第二待刻蚀层和所述第一待刻蚀层的材料、厚度等均相同。即所述新批次晶圆需要与所述待补偿晶圆保持一致。
根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息对新批次晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆的方法包括：在所述第二待刻蚀层上形成第三光阻层；将所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息生成曝光菜单，对所述第三光阻层进行曝光显影处理，获取所述补偿晶圆。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (11)

1.一种套刻偏差的补偿方法，其特征在于，包括：
提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括中心区、以及包围所述中心区的边缘区，所述中心区具有若干第一量测点，所述边缘区具有若干第二量测点；获取所述第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取所述第二量测点的第二待补偿偏差；
采用第一全局补偿模型对每个所述第一量测点的第一待补偿偏差进行第一补偿处理，以使每个所述第一量测点具有第一剩余偏差，获取第一已补偿信息；
在所述第一补偿处理之后，采用第二全局补偿模型对每个所述第二量测点的第二待补偿偏差进行第二补偿处理，以使每个所述第二量测点具有第二剩余偏差，获取第二已补偿信息；
在所述第二补偿处理之后，采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息。
2.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差的方法包括：采用第三全局补偿模型对所述待补偿晶圆进行第四补偿处理，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差。
3.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差的方法包括：从在所述第二补偿处理后的所述待补偿晶圆上，获取每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差。
4.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取所述第三已补偿信息的方法包括：提供偏差阈值；采用局部补偿模型对每个所述第一量测点的第一剩余偏差、以及每个所述第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，直至所述第一量测点的剩余偏差、以及所述第二量测点的剩余偏差小于或等于所述所述偏差阈值为止，获取所述第三已补偿信息。
5.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述待补偿晶圆包括：第一前层、位于所述第一前层上的第一待刻蚀层、以及位于所述第一待刻蚀层上的第一光阻层，所述第一光阻层已经过曝光及显影步骤。
6.如权利要求5所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取所述第一待补偿偏差和所述第二待补偿偏差的方法包括：采用成像和图像识别的套刻精度测量方法检测所述第一光阻层的套刻精度，获取所述第一待补偿偏差和所述第二待补偿偏差。
7.如权利要求5所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，在所述第三补偿处理之后，还包括：根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，对所述待补偿晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆。
8.如权利要求7所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，对所述待补偿晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆的方法包括：去除所述第一光阻层；在所述第一待刻蚀层上形成第二光阻层；将所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息生成曝光菜单，对所述第二光阻层进行曝光及显影处理，获取所述补偿晶圆。
9.如权利要求5所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，在所述第三补偿处理之后，还包括：根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息对新批次晶圆进行图形化处理。
10.如权利要求9所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述新批次晶圆包括：第二前层、以及位于所述第二前层上的第二待刻蚀层，所述第二前层和所述第一前层相同，所述第二待刻蚀层与所述第一待刻蚀层相同。
11.如权利要求10所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，根据所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息对新批次晶圆进行图形化处理，获取补偿晶圆的方法包括：在所述第二待刻蚀层上形成第三光阻层；将所述第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息生成曝光菜单，对所述第三光阻层进行曝光显影处理，获取所述补偿晶圆。
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