CN103779188A - 覆盖预测的方法 - Google Patents

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Abstract

一种方法包括：接收衬底，该衬底具有内嵌在衬底中的材料部件，其中，接收衬底包括接收形成材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的抗蚀图案，其中，使用预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用第一水准数据、第一覆盖数据和第二水准数据计算预测的覆盖校正数据。本发明还提供了覆盖预测的方法。

Description

覆盖预测的方法
技术领域
本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及半导体器件的图案化方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)工业已经经历了指数式增长。IC材料和设计方面的技术进步已经制造了多代IC，每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，单位芯片面积上互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小部件(或线路))减小。这种逐渐缩小的工艺是包括更精确的光刻的多种工艺改变和改进的结果。这种逐渐缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，对于这些要被实现的进步，需要IC处理和制造方面的类似发展。
随着部件变得越来越小以及图案化技术变得越来越精确，其上制造部件的衬底的形貌变得越来越重要。例如，如果半导体晶圆的形貌变成非平面的或者复杂的，则结果会对光刻曝光工具的对准性能产生负面影响。而且，结果会对抗蚀图案对内嵌在半导体晶圆中的材料部件的覆盖产生负面影响。因此，需要一种方法来提高用于曝光诸如半导体晶圆的衬底的图案化工艺。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种形成抗蚀图案的方法，所述方法包括：接收衬底，所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件，其中，接收所述衬底包括接收形成所述材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在所述衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对所述抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的抗蚀图案，其中，使用所述预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据计算所述预测的覆盖校正数据。
该方法进一步包括：对曝光的抗蚀膜进行显影。
该方法，进一步包括：进行所述第一覆盖数据的覆盖测量。
在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。
该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据来修正所述区域间校正数据。
该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。
在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。
该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域内校正数据。
该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。
根据本发明的另一方面，提供了一种形成抗蚀图案的方法，所述方法包括：接收衬底，所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件，其中，接收所述衬底包括接收形成与所述衬底上的所述材料部件相关的第一抗蚀图案时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在所述衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据，根据一图案对所述抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的第二抗蚀图案，其中，使用所述预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据计算所述预测的覆盖校正数据。
该方法进一步包括：进行覆盖测量。
在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括使用所述第一覆盖数据计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。
该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域间校正数据。
该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。
在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括使用所述第一覆盖数据计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。
该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域内校正数据。
该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。
根据本发明的又一方面，提供了一种图案化衬底的方法，所述方法包括：对所述衬底上的第一图案进行曝光并获得第一水准数据；确定第一覆盖数据；通过所述第一图案处理所述衬底；将处理过的衬底与第二图案对准并获得第二水准数据；根据所述第二水准数据和所述第一覆盖数据预测第二覆盖数据；以及使用所述第二覆盖数据对所述衬底上的所述第二图案进行曝光。
在该方法中，所述第一水准数据和所述第二水准数据是与所述衬底的顶面相对应的z高度图。
在该方法中，所述衬底是涂覆有抗蚀剂的晶圆。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
图1a和1b是根据一个或多个实施例的形成抗蚀图案的示例性方法的流程图；
图2a和2b是有益于一个或多个实施例的光刻曝光工具的示意图；
图3a至图4e是根据一个或多个实施例的区域间参数和区域内参数的示例；
图5是有益于一个或多个实施例的使用水准数据(leveling data)的示例。
具体实施方式
以下发明提供了用于实现本发明的不同特征的多种不同实施例或实例。以下将描述部件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括以直接接触的方式形成第一部件和第二部件的实施例，也可以包括其他部件形成在第一部件和第二部件之间使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚，且其本身没有规定所述多个实施例和/或结构之间的关系。
以下发明将参照图1a和1b来描述用于实施本发明的一个或多个实施例的方法。以下发明也参照图2a和2b描述了用于实施图1a和1b的方法的示例性系统。此后，参照图3a至5，以下发明提供了与图1b的方法的不同实施例相对应的示例。
参照图1a，用参考标号100指示根据本公开一个或多个实施例的图案化衬底的方法。该方法用于在衬底上形成多个图案，其中，这些图案彼此对准。在步骤102处开始执行，其中，将衬底提供给工具，并且对衬底进行扫描以通过工具确定衬底的整体平整度。从而获得用于衬底的第一水准数据。此外，在衬底上形成第一材料部件(例如，图案)。在步骤104处，确定用于第一材料部件的第一覆盖数据，在步骤106处，存储该第一覆盖数据以备将来使用。当使用覆盖工具对衬底进行覆盖测量时，生成第一覆盖数据。
该方法进行到步骤108，其中，在衬底上实施一种或多种处理操作，诸如，沉积各种薄膜层和/或去除沉积的层的部分。
在步骤110处，实施对准操作。该对准操作将形成在衬底中的第一材料部件与待形成在衬底中的第二材料部件对准。该对准操作包括生成第二水准数据的水准操作。在步骤112处，使用来自步骤110的第二水准数据以及来自步骤106的第一覆盖数据以预测第二覆盖数据。在步骤114处，第二材料部件形成在衬底上。使用第二覆盖数据，第二材料部件进一步与第一材料部件对准。
图2a描述用于实施图1的方法100的覆盖系统150的实施例。该系统150包括图案化工具152、计算机系统154以及覆盖工具156。图2b描述图案化工具152的实施例，并且下文中单独讨论。计算机154是标准的、通用计算机，其包括处理器、存储器和接口。计算机可以是单个计算机或者分布式计算机，并且连接至光刻系统152和覆盖工具156的多个部件，包括但不限于图2a所示的连接。计算机154包括用于计算并预测覆盖数据的一个或多个软件程序。
覆盖工具156被配置成连接至计算机系统154。该覆盖工具156接收衬底，实施衬底的材料部件的覆盖测量并将覆盖测量数据发送至计算机。覆盖工具可以是传统的扫描器件，诸如，通常用于显影后检查(ADI)。
参照图2b，为了进一步的示例，图案化工具152是光刻系统。光刻系统152用于对沉积在衬底上的抗蚀膜进行曝光。在本实施例中，光刻曝光系统也称为曝光系统。光刻曝光系统152包括辐射源182、辐射束184、聚光透镜186、图案生成器188和工作台190。然而，其他结构和包括或者省略曝光系统152也是可能的。
在本实施例中，辐射源182包括提供辐射束184的源。辐射源182包括光刻曝光系统中的光源或者带电粒子光刻曝光系统中的带电粒子源。例如，在光刻曝光系统中，辐射源182包括提供具有UV波长(诸如，G线(436nm)或者I线(365nm))的光的汞灯或者提供具有诸如248nm、193nm或157nm的DUV波长或者13.7nm的EUV波长的光的激光。在另一实例中，在带电粒子光刻曝光系统中，辐射源182包括提供电子束的电子源或者提供离子束的离子源。
聚光透镜186包括光刻曝光系统中的多个光学透镜或者带电粒子光刻曝光系统中的多个电磁透镜。聚光透镜186被设置成引导平行于图案生成器188的辐射束184，以生成图案化的辐射束。在光刻曝光系统的一个实施例中，图案生成器188包括掩模。掩模阻挡一部分辐射束184并提供辐射束184的虚像。掩模包括二元掩模(BIM)或者相移掩模(PSM)。相移掩模可以是交替型相移掩模(alt.PSM)或者衰减型相移掩模(att.PSM)。掩模也称为光掩模或者中间掩模(reticle)。
图案生成器188也包括多个光学物镜，用于将辐射束184的虚像引导至沉积在衬底上的抗蚀膜，其中，衬底固定在工作台190上。在本实施例中，光学透镜可以包括透射镜或者反射透镜。在带电粒子光刻曝光系统的另一实施例中，图案生成器188包括生成图案化的带电粒子的多个孔。图案生成器188也包括多个电磁物镜用，用于将图案化的带电粒子引导至沉积在衬底上的抗蚀膜，其中，衬底固定在工作台190上。
衬底工作台190包括电动机、滚子导向件以及工作台，并通过真空固定衬底；并且，在光刻曝光系统152中在对准、聚焦、水准以及曝光步骤过程中在X、Y和Z方向提供衬底的精确位置和移动，使得以重复的方式将掩模图像或者图案化的电子束的图像转印到衬底上。光刻曝光系统152或者其部分可以包括其他零件，诸如，真空单元、环境控制单元以及晶圆处理单元。
参照图2a，图案化工具152为用于计算预测的覆盖数据的计算机系统154提供第一水准数据和第二水准数据。图案化工具152接收预测的覆盖数据作为覆盖校正数据，以对沉积在具有内嵌在晶圆中的材料部件的晶圆上的抗蚀膜进行曝光，以在晶圆上形成抗蚀图案，使得最小化抗蚀图案与材料部件的覆盖误差。图案化工具152也为覆盖工具156提供抗蚀图案形成在其上的晶圆，该覆盖工具156实施用于第一覆盖数据的覆盖测量。
图1b详细描述了图1a的方法100，并且根据本发明的一个或多个实施例，通过分别使用图2a和图2b的覆盖系统150和光刻曝光系统152，描述了在衬底上形成抗蚀图案的方法200。
该方法200开始于接收晶圆的步骤202。为了示例，晶圆包括半导体衬底，并且可以包括位于衬底上方的一个或多个导电或非导电薄膜。半导体衬底包括硅。可选地或者另外地，晶圆包括其他元素半导体，诸如，锗；化合物半导体，包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟；或者合金半导体，包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP。在又一可选实施例中，晶圆是绝缘体上半导体(SOI)。多个导电和非导电薄膜可以包括绝缘体或者导电材料。例如，半导体材料包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)和铂(Pt)的金属以及其金属合金。绝缘材料可以包括氧化硅和氮化硅。
继续该示例，半导体衬底可以包括通过离子注入或者扩散形成的掺杂部件，诸如，n型阱和/或p型阱，或者通过外延(EPI)生长所形成的变形部件。材料部件也可以包括诸如浅沟槽隔离件(STI)的各种隔离部件，其中，通过诸如包括蚀刻以形成多个沟槽、然后进行沉积以用介电材料填充沟槽的工艺的工艺来形成各种隔离部件。
方法200进行到步骤204，其中，例如，通过旋涂工艺在晶圆上沉积抗蚀膜。在本实施例中，抗蚀膜也称为光刻胶膜。抗蚀膜可以包括单个抗蚀层或多个抗蚀层。步骤204可以包括对晶圆施加抗蚀膜之前进行脱水工艺，从而可以提高抗蚀膜与晶圆的粘附力。脱水工艺可以包括：在高温下持续烘烤晶圆，或者在高温下对晶圆施加诸如六甲基二硅胺烷(HMDS)的化学物质。步骤204也可以包括软烘(SB)，从而从沉积在晶圆上的抗蚀膜中逐出溶剂，并且增加抗蚀膜的机械强度。步骤204可以包括：施加底部抗反射涂层(BARC)，用于改善抗蚀图案轮廓。
在步骤206处，将晶圆提供给曝光工具，确定第一水准数据并且在晶圆上形成第一材料部件(例如，图案)。在本实施例中，晶圆置于光刻曝光系统152(图2b)中的卡盘上并确定晶圆上表面的形貌。下文中，参照步骤214和图3a至图5来进一步描述水准数据。在确定第一水准数据之后，光刻曝光系统152对抗蚀膜进行曝光以形成第一抗蚀图案。步骤206包括在曝光的抗蚀膜上施加显影剂，诸如，四甲基氢氧化铵(TMAH)。步骤206可以包括曝光后烘烤(PEB)、显影后烘烤(PDB)或者这两者。步骤208也包括最后的冲洗工艺。
在步骤208处，确定第一覆盖数据。覆盖测量在晶圆坐标系测量点(X，Y)处提供沿X方向的抗蚀图案位移DX和沿Y方向的抗蚀图案位移DY。DX和DY用于计算如公式1至5所述的预测的覆盖数据。步骤208包括在衬底上对区域间水平面进行多点测量。步骤208也包括在衬底上对在区域内水平面进行多点测量。步骤208还包括将DX和DY传输至步骤220，以计算用于接下来的水平面抗蚀图案的预测的覆盖数据。下面，参照步骤220和图3a至5进一步讨论覆盖数据。
在步骤210处，晶圆经历多个工艺，诸如，蚀刻工艺、注入/扩散工艺、薄膜沉积工艺(例如，化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)或者电镀)或者化学机械抛光工艺(CMP)。这些工艺可能会影响抗蚀图案相对于材料部件的覆盖精确性。
方法200继续到步骤212，该步骤在晶圆上沉积另一抗蚀膜。该步骤可以类似于上面讨论的步骤204。
继续执行到步骤214，该步骤首先进行对准操作。该对准操作将投射在抗蚀膜上的图案化的电磁波图像与形成在晶圆上的(先前的)材料部件(图案)对准。该对准操作包括使用改进的对准方法进行阶段对准以设置TIS板和SPM之间的关系。对准操作还包括使用改进的对准方法进行晶圆的粗对准操作。晶圆的粗对准操作包括使用形成在晶圆中的一个或多个对准标记。对准操作还包括进行晶圆细对准操作。
步骤214也包括进行水准操作以产生第二水准数据。对沉积在晶圆上的抗蚀膜进行水准操作，其中，晶圆固定在晶圆台上。水准操作使得抗蚀膜处于图案化的电磁波图像(其投射在抗蚀膜上)的聚焦范围内。水准操作包括使用调零传感器(zero sensor)进行调零操作以使抗蚀膜变平。该调零操作也包括粗调零、细调零、相位捕获(phase capture)、明场(bright field，BF)调零。例如，抗蚀膜的水准从粗调零处的大约10μm达到BF调零处的大约0.1μm。水准操作进一步包括生成沉积在晶圆上的抗蚀膜的全局水准轮廓(global leveling contour，GLC)。生成GLC包括测量抗蚀膜边缘拓扑。水准操作也包括生成Z型图。生成Z型图包括使用水准传感器测量局部抗蚀剂高度形貌。
步骤214包括为步骤220提供第二水准数据，步骤220用于使用第一水准数据、第二水准数据和第一覆盖数据计算预测的覆盖数据。
描述的用于220的以下公式是通常的覆盖校正和对准校正参数(也称为6参数)。然而，随着透镜开发的发展，覆盖校正能力已经被延伸到“全域校正(per-field correction)”。步骤220使用第一水准数据和在形成与内嵌在晶圆中的(先前的)材料部件相关的先前的抗蚀图案(第一抗蚀图案)时生成的第一覆盖数据以及在步骤214处生成的第二水准数据来计算预测的覆盖数据。
在本实施例中，步骤220包括使用第一覆盖数据生成区域间或栅格参数，诸如，沿X、Y方向的区域间平移、区域间均匀和不均匀放大以及区域间均匀和不均匀旋转。步骤220也包括使用第一覆盖数据生成区域内参数，诸如，沿X、Y方向的区域内平移、区域内均匀和/或不均匀放大以及区域内均匀和/或不均匀旋转。在本实施例中，区域间参数也称为区域间覆盖校正数据，而区域内参数也称为区域内覆盖校正数据。
在本实施例中，通过以下公式计算区域间参数：
DX＝TX-(RS-RA)*Y+(MS+MA)*X+X_residual    公式1
DY＝TY-(RS-RA)*X+(MS+MA)*Y+Y_residual    公式2
其中，在晶圆坐标系的点(X，Y)处，分别地，DX和DY是沿X和Y方向的第一覆盖测量数据，TX和TY是沿X和Y方向的区域间平移，RS和RA是区域间均匀和不均匀旋转，并且MS和MA是区域间均匀和不均匀放大。X_residual和Y_residual是高阶项。
在本实施例中，通过以下公式来计算区域内参数：
dx＝tx-(rs-ra)*y+(ms+ma)*x+x_residual    公式3
dy＝ty-(rs-ra)*x+(ms+ma)*y+y_residual    公式4
其中，在区域内坐标系的点(x，y)处，分别地，dx和dy是沿X和Y方向的第一覆盖测量数据，tx和ty是沿X和Y方向的区域内平移，rs和ra是区域内均匀和不均匀旋转，ms和ma区域内均匀和不均匀放大。可以通过去除栅格效应分别根据DX和DY来计算dx和dy。x_residual和y_residual是高阶项。
步骤220包括生成第一水准数据和第二水准数据之间的水准差值数据。步骤220也包括通过进行对水准差值数据的二维(2D)多项式拟合产生Z高度图。步骤220包括通过使用Z高度图修正区域间参数和区域内参数来生成预测的覆盖数据。
在本实施例中，在计算机上进行：计算区域间参数、区域内参数以及Z高度图，并使用Z高度图修正区域内参数和区域间参数。预测的覆盖数据可以表达如下：
P＝F{PZ1，Z2[(X，Y，)，(x，y)]，PO[(X，Y)，(x，y)]，}    公式5
其中，P是预测的覆盖数据，PO[(X，Y)，(x，y)]包括区域间参数和区域内参数，而PZ1，Z2[(X，Y)，(x，y)]包括对区域间参数和区域内参数的水准变化影响。下面将更详细地讨论计算机。
步骤220也包括为光刻系统提供预测的覆盖数据作为覆盖校正数据来对沉积在晶圆(具有内嵌在该晶圆中的材料部件)上的抗蚀膜，以形成覆盖内嵌在晶圆中的材料部件的抗蚀图案。在本实施例中，预测的覆盖数据也称为预测的覆盖校正数据。
参照图3a至图3e和图4a至图4e，示出了区域间参数和区域内参数的示例。例如，区域间参数包括沿X/Y方向的区域间平移322(例如，TX和TY)(图3a)、均匀的区域间放大324(例如，MS)(图3b)、不均匀的区域间放大326(例如，MA)(图3c)、均匀的区域间旋转328(例如，RS)(图3d)以及不均匀区域间旋转330(例如，RA)(图3e)。
如图4a至图4e所示，区域内参数包括沿X/Y方向的区域内平移362(例如，tx和ty)(图4a)、均匀的区域内放大364(例如，ms)(图4b)、不均匀的区域内放大366(例如，ma)(图4c)、均匀的区域内旋转368(例如，rs)(图4d)、以及不均匀的区域内旋转370(例如，ra)(图4e)。“平移”表示沿X方向或Y方向的覆盖偏移。由于区域间平移和区域内平移是一样的，因此，没有位于区域内平移和区域间平移之间的分离区(separation)。
参照图5，根据一个或多个实施例示出使用第一水准数据和第二水准数据计算预测的覆盖数据390的示例。对第一水准数据382和第二水准数据384进行建模以生成水准差值数据386。通过水准差值数据386的2D拟合来生成Z高度图388。通过使用Z高度图388修正区域间参数和区域内参数来计算预测的覆盖数据390。预测的覆盖数据390包括区域间校正数据和区域内校正数据。
返回参照图2b，方法200进行到步骤216，该步骤形成抗蚀图案，该抗蚀图案覆盖步骤206中的第一材料部件并与该材料部件对准。除了预测的覆盖数据可以用于进一步增强光刻曝光系统152中的晶圆的对准之外，该操作可以类似于步骤206。
在某种程度上，执行更多的光刻操作，进行到实施步骤208，其中，确定新的覆盖数据。然后，该新的覆盖数据可以用于预测用于后续曝光操作的其他覆盖数据。可以在方法200之前、期间以及之后提供额外的步骤，对于该方法200的其他实施例来说，可以替换、省略或者改变所描述的一些步骤。
因此，本发明描述了形成抗蚀图案的方法。该方法包括：接收具有内嵌在衬底中的有材料部件的衬底，其中，接收衬底包括接收形成材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的抗蚀图案，其中，使用预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用第一水准数据、第一覆盖数据和第二水准数据计算预测的覆盖校正数据。该方法进一步包括对曝光的抗蚀膜进行显影。该方法进一步包括进行第一覆盖数据的覆盖测量。计算预测的覆盖校正数据包括计算预测的覆盖校正数据的区域间校正数据、使用第一水准数据和第二水准数据之间的水准差值数据修正区域间校正数据以及使用水准差值数据计算Z高度图。计算预测的覆盖校正数据也包括计算预测的覆盖校正数据的区域内校正数据、使用第一水准数据和第二水准数据之间的水准差值数据修正区域内校正数据以及使用水准差值数据计算Z高度图。
在一个或多个实施例中，描述了形成抗蚀图案的方法。该方法包括接收具有内嵌在衬底中的材料部件的衬底，其中，接收衬底包括接收形成与衬底上的材料部件相关的第一抗蚀图案时生成的第一水准数据和第二水准数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及根据使用预测的覆盖校正数据的图案对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的第二抗蚀图案，其中，使用预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并且使用第一水准数据、第一覆盖数据和第二水准数据计算预测的覆盖校正数据。该方法进一步包括进行覆盖测量。计算预测的覆盖校正数据包括使用第一覆盖数据计算预测的覆盖校正数据的区域间校正数据、使用第一水准数据和第二水准数据之间的水准差值数据修正区域间校正数据，并且包括使用水准差值数据计算Z高度图。计算预测的覆盖校正数据也包括使用第一覆盖数据计算预测的覆盖校正数据的区域内校正数据、使用第一水准数据和第二水准数据之间的水准差值数据修正区域内校正数据以及使用水准差值数据计算Z高度图。
在一些实施例中，描述了用于形成抗蚀图案的设置。该方法包括：对衬底上的第一图案进行曝光并获得第一水准数据、确定第一覆盖数据、通过第一图案处理衬底、将处理过的衬底与第二图案对准并获得第二水准数据、根据第二水准数据和第一覆盖数据预测第二覆盖数据、以及使用第二覆盖数据对衬底上的第二图案进行曝光。第一水准数据和第二水准数据是与衬底的顶面相对应的z高度图。衬底是涂覆有抗蚀剂的晶圆。
以上论述了多个实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明。本领域技术人员应该想到，可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改其他用于实现相同目的和/或实现在此介绍的实施例的相同优点的工艺和结构。本领域技术人员还将认识到，这种等效结构没有背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行多种改变、替换和变更。

Claims (10)

1.一种形成抗蚀图案的方法，所述方法包括：
接收衬底，所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件，其中，接收所述衬底包括接收形成所述材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；
在所述衬底上沉积抗蚀膜；以及
使用预测的覆盖校正数据对所述抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的抗蚀图案，其中，使用所述预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据计算所述预测的覆盖校正数据。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：对曝光的抗蚀膜进行显影。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：进行所述第一覆盖数据的覆盖测量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据来修正所述区域间校正数据。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域内校正数据。
9.一种形成抗蚀图案的方法，所述方法包括：
接收衬底，所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件，其中，接收所述衬底包括接收形成与所述衬底上的所述材料部件相关的第一抗蚀图案时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；
在所述衬底上沉积抗蚀膜；以及
使用预测的覆盖校正数据，根据一图案对所述抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的第二抗蚀图案，其中，使用所述预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据计算所述预测的覆盖校正数据。
10.一种图案化衬底的方法，所述方法包括：
对所述衬底上的第一图案进行曝光并获得第一水准数据；
确定第一覆盖数据；
通过所述第一图案处理所述衬底；
将处理过的衬底与第二图案对准并获得第二水准数据；
根据所述第二水准数据和所述第一覆盖数据预测第二覆盖数据；以及
使用所述第二覆盖数据对所述衬底上的所述第二图案进行曝光。
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