KR20010001155A - 얼라인먼트 정밀도의 개선 방법 - Google Patents

얼라인먼트 정밀도의 개선 방법 Download PDF

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Abstract

노광 장치 내에서의 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있는 방법이 개시되어 있다. 노광 공정시 다수의 서로 다른 선행 층들에서 각각 만들어진 얼라인먼트 마크들의 좌표값들을 노광 장치 내에서 측정한 후, 각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 환산하여 얼라인먼트 보정값을 산출함으로써 다수의 서로 다른 선행 층들에 대한 얼라인을 실시한다. 별도의 샘플 사진 공정을 진행하지 않고도 다수의 서로 다른 선행 층들 각각에 대한 얼라인을 노광 장치 내에서 동시에 만족시킬 수 있다.

Description

얼라인먼트 정밀도의 개선 방법{METHOD FOR IMPROVING ALIGNMENT ACCURACY}
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다수의 서로 다른 선행 층들에서 만들어진 얼라인먼트 마크(alignment mark)를 사용하여 노광 장치 내에서의 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있는 방법에 관한 것이다.
집적 회로의 제조는 실리콘 기판의 소 영역들 내에 불순물들을 주입하는 공정과, 이 영역들을 상호 연결하여 회로 구성물들을 형성하는 공정을 요구한다. 이러한 영역들을 정의하는 패턴들은 사진 공정에 의해 형성된다. 즉, 먼저 웨이퍼의 상부에 포토레지스트를 스핀 코팅한 후, 자외선, 전자-빔 또는 X-선과 같은 광선의 조사에 의해 포토레지스트층을 선택적으로 노광시킨다. 포토레지스트층 내의 패턴들은 웨이퍼가 그 후에 수반되는 현상 단계를 거칠 때 형성된다. 현상 후에 남아있는 포토레지스트 영역들은 그것이 커버하고 있는 기판 영역들을 보호한다. 포토레지스트가 제거되어진 영역들은 기판의 표면 위로 패턴을 전사하기 위한 여러 가지 공정들, 즉 리프트-오프나 식각 공정을 겪게 된다.
상술한 사진 공정에서 패턴들을 포토레지스트가 도포되어 있는 웨이퍼 상에 전사시키기 위해 사용되는 장치, 즉 프린터(printer), 노광 도구(exposure tool) 또는 정렬기(aligner)로 불리우는 장치는 다음과 같은 부시스템을 포함한다; 즉 (a) 포토레지스트를 변형시키기 위한 광학 에너지를 제공하는 광원, (b) 패턴들을 웨이퍼의 표면 상에 포커싱하고 노광 시간을 제어하기 위한 광학 부시스템, (c) 노광되어질 웨이퍼를 지탱하기 위한 이동성 스테이지(stage), (d) 수동 얼라인먼트와 같은 얼라인먼트 부시스템, (e) 웨이퍼 핸들링 부시스템, 및 (f) 노광계를 포함한다. 여기서, 스테이지의 위치는 마스크나 레티클(reticle)과 같은 광학적 패턴 전사 도구로부터의 이미지가 웨이퍼의 상부에 이미 인쇄되어 있는 패턴들에 대해 얼라인될 수 있도록 매우 정교하게 조절되어야 한다.
사진 공정의 노광 장치들은 난반사되는 빛을 측정하여 얼라인시키는 레이저 주사(laser scanning) 방법을 이용한 자동 얼라인먼트나 광학 현미경을 통한 육안 측정을 이용한 수동 얼라인먼트를 수행한다.
도 1은 종래의 노광 장치에서의 얼라인먼트 순서도를 도시한다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼를 로딩한 후 웨이퍼의 원점을 찾기 위해 웨이퍼 전체를 회전 및 이동시키는 글로벌 얼라인먼트(global alignment) 또는 프리-얼라인먼트(pre-alignment)를 실시한다.
이어서, 선행 사진 공정의 단계에서 하나의 층으로부터 만들어진 얼라인먼트 마크를 사용하여 정밀 얼라인먼트(fine alignment)를 실시한다. 즉, 레이저나 광학 현미경을 이용하여 선행 제작된 얼라인먼트 마크의 좌표값을 읽고 기준 마크와의 오차 산출 과정을 통해 보정값을 산출한 후 얼라인 및 노광을 진행한다.
상술한 종래 방법에 의하면, 노광 공정시 다수의 선행 사진 공정 단계들을 거쳤더라도 단지 하나의 층에서 만들어진 얼라인먼트 마크만을 사용하여 얼라인 및 노광을 진행한다. 따라서, 다수의 서로 다른 선행 층들에 동시에 얼라인시켜야 하는 노광 공정에 있어서 기준 얼라인먼트 마크를 형성한 층에 대해서는 양호하게 얼라인시킬 수 있으나, 다른 층들에 대해서는 노광시 얼라인먼트가 불가능하다.
즉, 도 2에 도시한 바와 같이 임의의 사진 공정 단계에서 제3 층을 선행 사진 공정 단계로부터 각각 형성된 제1 층 및 제2 층에 동시에 얼라인시켜야 할 경우, 종래의 얼라인먼트 방법에 의하면 단지 하나의 층에서 만들어진 얼라인먼트 마크에만 얼라인시킬 수 있으므로 기준 얼라인먼트 마크를 제1 층에서 만들었다면 제3 층은 제1 층에 대해서는 완벽하게 얼라인되지만 제2 층에 대해서는 정확하게 얼라인되지 못한다. 도 2에서, ⓐ는 제1 층의 X축 얼라인 점을 나타내고, ⓑ는 제1 층의 Y축 얼라인 점을 나타낸다. ⓒ 및 ⓓ는 각각 제2 층의 X축 및 Y축 얼라인 점들을 나타내며, ⓔ 및 ⓕ는 각각 제3 층의 X축 및 Y축 얼라인 점들을 나타낸다.
따라서, 이러한 문제를 해결하기 위하여 현재 사용하고 있는 사진 공정에서는 전 웨이퍼에 대한 노광 공정을 진행하기 전에 샘플로 웨이퍼 1매만 노광/현상 공정을 진행한 후 별도의 오버레이(overlay) 측정 장치에서 제3 층의 제1 층 및 제2 층에 대한 오버레이 값을 측정한다. 그리고, 노광 장치에서 읽은 얼라인먼트 마크의 좌표값과 오버레이 측정값을 합하여 보정값을 산출함으로써, 전체 노광시 제3 층이 제1 층의 얼라인먼트 마크를 사용하면서 제1 층 및 제2 층에 대해 동시에 얼라인될 수 있도록 진행한다.
그러나, 상술한 종래 방법에 의하면 다음과 같은 문제점들이 발생한다.
첫째, 후속하는 사진 공정 단계시 다수의 서로 다른 선행 단계들 중 하나의 기준 단계에만 얼라인을 진행하므로, 노광 장치만으로는 나머지 단계들에 대한 얼라인먼트가 불가능하다.
둘째, 노광 장치의 얼라인먼트 마크와 오버레이 측정 장치의 오버레이 마크가 서로 다른 형태의 패턴을 가지므로, 보정값의 오차가 발생하게 된다.
셋째, 노광 장치는 다크 필드(dark field) 측정 방식을 사용하는 반면 오버레이 측정 장치는 브라이트 필드(bright field) 측정 방식을 사용하므로, 하드웨어적인 측정 방식의 차이로 인하여 두 개 이상의 선행 층들에 대한 얼라인먼트를 완벽하게 보정할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 노광 장치 내에서 다수의 서로 다른 선행 층들 각각에 대한 얼라인먼트를 동시에 만족시킴으로써 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 노광 장치에서의 얼라인먼트 순서도.
도 2는 종래의 얼라인먼트 방법을 설명하기 위한 평면도.
도 3은 본 발명에 의한 노광 장치에서의 얼라인먼트 순서도.
도 4는 본 발명에 의한 얼라인먼트 방법을 설명하기 위한 평면도.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 노광 공정시, 다수의 서로 다른 선행 층들에서 각각 만들어진 얼라인먼트 마크들의 좌표값들을 노광 장치 내에서 측정하는 단계; 및 각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 환산하여 얼라인먼트 보정값을 산출함으로써 상기 다수의 서로 다른 선행 층들에 대한 얼라인을 실시하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
바람직하게는, 얼라인먼트 보정값은 각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 평균화하여 산출한다.
바람직하게는, 얼라인먼트 보정값은 각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 일정 비율로 환산하여 산출한다.
바람직하게는, 얼라인먼트 보정값은 각 얼라인먼트 마크의 특정 축의 값만을 선택적으로 선정하여 산출한다.
본 발명에 의하면, 노광 장치 내에서 다수의 서로 다른 선행 단계에서 형성된 동일 형태의 얼라인먼트 마크들의 좌표값을 측정한 후, 그 측정값들을 평균화 또는 일정 비율로 환산시키거나 특정 축의 값만을 선택적으로 선정하여 얼라인먼트 보정값을 산출한다. 따라서, 샘플 웨이퍼에 대한 별도의 사진 공정을 진행하지 않고도 다수의 서로 다른 선행 층들 각각에 대한 얼라인을 노광 장치 내에서 동시에 만족시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명에 의한 노광 장치에서의 얼라인먼트 순서도이다.
도 3을 참조하면, 웨이퍼를 로딩한 후 웨이퍼의 원점을 찾기 위해 웨이퍼 전체를 회전 및 이동시키는 프리-얼라인먼트를 실시한다. 이때, 프리-얼라인먼트는 종래 방법과 마찬가지로 하나의 선행 층만을 사용한다.
이어서, 다수의 서로 다른 선행 층들에서 만들어진 얼라인먼트 마크들을 사용하여 정밀 얼라인먼트를 실시한다. 즉, 레이저나 광학 현미경을 이용하여 제1 층, 제2 층, … 등 서로 다른 선행 층들에서 제작된 얼라인먼트 마크들의 좌표값을 측정한 후, 이 측정값들을 환산하여 최종 보정될 얼라인먼트 조건을 산출한다. 참고로, 얼라인먼트 마크는 X축 및 Y축의 등기 정보를 얻기 위하여 웨이퍼 상에 제작된 스테이지 모션의 방향에 대해 45°의 각을 갖는 두 개의 직각 패턴들로 구성되거나 십자형의 패턴으로 구성된다. 예를 들어, 광학 현미경을 사용하여 얼라인먼트 마크의 좌표값을 측정하는 방법은 다음과 같다. 즉, 얼라인먼트 마크의 패턴들은 레티클 상에 위치하고, 그 이미지들이 웨이퍼 상에 투사된다. 중첩된 얼라인 타겟과 레티클 이미지들이 노광 장치의 주 광학 요소 내로 다시 반사된 후, 현미경으로 반사된다. 이어서, 현미경으로부터 이미지가 TV 카메라의 전면에 포커싱된 후 컴퓨터로 분석할 수 있도록 연속적으로 계수화된다.
상술한 방법을 통해 산출된 얼라인먼트 보정값을 이용하여 다수의 서로 다른 선행 층들에 대한 얼라인을 실시한 후, 노광 공정을 진행한다.
본 발명에 의하면, 얼라인먼트 보정값은 각 층의 얼라인먼트 마크 측정값들을 평균화하는 방법, 각 층의 얼라인먼트 마크 측정값들을 일정 비율로 환산하는 방법, 또는 각 층의 얼라인먼트 마크의 특정 축 값만을 선택적으로 선정하는 방법에 의해 산출할 수 있다. 각 층의 얼라인먼트 마크 측정값들을 평균화하여 각 파라미터의 보정값들을 산출하는 식은 다음과 같다.
오프-셋(off-set) 보정 :
스케일링(scaling) 보정 :
여기서, N은 선행 단계들의 횟수를 나타낸다.
상술한 파라미터 외에도 웨이퍼 회전, 직교성(orthogonality), 필드 회전 등의 파라미터들에도 동일한 방법을 적용하여 얼라인먼트 보정값을 산출할 수 있다. 또한, 상기 식은 Y축의 좌표값들에도 동일하게 적용된다.
도 4는 본 발명에 의한 얼라인먼트 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
임의의 사진 공정 단계에서 제3 층을 선행 사진 공정 단계로부터 각각 형성된 제1 층 및 제2 층에 동시에 얼라인시켜야 할 경우, 종래 방법에서는 노광 장치가 하나의 얼라인먼트 마크만을 사용하기 때문에 제3 층이 제1 층에 완벽하게 얼라인되었다 하더라도 제3 층의 제2 층에 대한 얼라인을 실시하지 않으므로 제2 층과 제3 층이 쇼트되는 문제가 발생한다(도 2 참조).
이에 반하여 도 4에 도시한 바와 같이 본 발명의 얼라인먼트 방법에 의하면,제1 층에서 만들어진 얼라인먼트 마크의 좌표값과 제2 층에서 만들어진 얼라인먼트 마크의 좌표값을 모두 읽은 후 이 측정값들을 평균화하거나 일정 비율로 환산하거나 또는 특정 축의 값만을 선택적으로 선정하여 얼라인먼트 보정값을 산출한다. 따라서, 제3 층을 제1 층과 제2 층에 대해 동시에 얼라인하여 노광 공정을 진행할 수 있으므로 제3 층이 제1 층과 제2 층에 대해 각각 완벽하게 얼라인된다.
도 4에서, ⓐ는 제1 층의 X축 얼라인 점을 나타내고, ⓑ는 제1 층의 Y축 얼라인 점을 나타낸다. ⓒ 및 ⓓ는 각각 제2 층의 X축 및 Y축 얼라인 점들을 나타내며, ⓔ 및 ⓕ는 각각 제3 층의 X축 및 Y축 얼라인 점들을 나타낸다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 노광 장치 내에서 다수의 서로 다른 선행 단계에서 형성된 동일 형태의 얼라인먼트 마크들의 좌표값을 측정한 후, 그 측정값들을 평균화 또는 일정 비율로 환산시키거나 특정 축의 값만을 선택적으로 선정하여 얼라인먼트 보정값을 산출한다. 따라서, 샘플 웨이퍼에 대한 별도의 사진 공정을 진행하지 않고도 다수의 서로 다른 선행 층들 각각에 대한 얼라인을 노광 장치 내에서 동시에 만족시킬 수 있다.
또한, 종래 방법에서는 노광 장치와 오버레이 측정 장치를 이용하여 얼라인먼트 보정값을 산출한 후 다수의 서로 다른 선행 층들에 대한 얼라인을 진행하였으나, 본 발명에서는 노광 장치에서 산출된 보정값만으로 다수의 서로 다른 선행 층들에 대한 얼라인을 진행할 수 있으므로 측정 설비의 차이 및 측정 방식의 차이로 인한 보정값의 오차가 발생하지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 노광 공정시, 다수의 서로 다른 선행 층들에서 각각 만들어진 얼라인먼트 마크들의 좌표값들을 노광 장치 내에서 측정하는 단계; 및
    각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 환산하여 얼라인먼트 보정값을 산출함으로써 상기 다수의 서로 다른 선행 층들에 대한 얼라인을 실시하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 얼라인먼트 보정값은 각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 평균화하여 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 얼라인먼트 보정값은 각 얼라인먼트 마크의 측정값들을 일정 비율로 환산하여 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 얼라인먼트 보정값은 각 얼라인먼트 마크의 특정 축의 값만을 선택적으로 선정하여 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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