WO2024071511A1 - 냉가열소켓을 이용한 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템 - Google Patents

냉가열소켓을 이용한 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템 Download PDF

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WO2024071511A1
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cooling
semiconductor
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actual operation
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PCT/KR2022/017683
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김영형
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금오공과대학교 산학협력단
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Definitions

  • the present invention relates to semiconductor testing technology, and more specifically, to technology for performing high-temperature testing and low-temperature testing with a semiconductor chip mounted.
  • SiC high-temperature semiconductors which are one of the pillars of the development of next-generation system semiconductors, is underway, and the market is in a situation where an operating temperature of 150°C is required in the automotive standard Q100/200. Accordingly, semiconductor designers and manufacturers need a mounting tester that can automatically perform high and low temperature tests.
  • the present invention was proposed to solve the above technical problems, and is a semiconductor high-temperature and low-temperature real-time operation system that allows test engineers to conduct and monitor high- and low-temperature tests in real time without using a chamber and with the semiconductor chip mounted. Provides a verification system.
  • a semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system is provided that includes a test expansion board that provides and controls the cooling or heating operation of the cooling and heating socket and has a vision camera that photographs the semiconductor chip.
  • the vision camera is characterized in that it takes images multiple times while moving vertically from the top to the bottom of the design pattern of the semiconductor chip by the camera transfer unit.
  • the cooling and heating socket is cooled and heated by an input temperature control voltage, and includes a thermoelectric element that cools or heats the enclosed space according to the application direction and voltage magnitude of the temperature control voltage, and control of the test mode signal. It is characterized by including a plurality of semiconductor relays that selectively transmit temperature control voltages of different sizes to the thermoelectric element, and a temperature sensor that detects the temperature of the enclosed space.
  • cooling and heating socket in the present invention is characterized by further including a semiconductor dehumidifying element for removing moisture in the closed space.
  • cooling and heating socket in the present invention is characterized by including a blowing fan for supplying external air to the closed space.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system allows a test engineer to conduct and monitor high-temperature and low-temperature tests in real time while a semiconductor chip is mounted without using a chamber.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 2 is an illustration of the circuit board 100 and the cooling and heating socket 300 in the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1.
  • Figure 3 is a configuration diagram of a semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 4 is an example of the temperature control voltage applied to the cooling and heating socket 300.
  • Figure 1 is a conceptual diagram of a semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 according to an embodiment of the present invention
  • Figure 2 is a circuit board 100 and a cooling and heating socket 300 in the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1. This is an example of a part.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 includes only a brief configuration to clearly explain the technical idea to be proposed.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 includes a circuit board 100, a semiconductor chip 110, a test expansion board 200, a cooling and heating socket 300, and a server 400. and a user terminal 500.
  • the proposed semiconductor high-temperature and low-temperature real-time operation verification system (1) is configured to enable testing at temperatures ranging from -40 to 150°C in the actual operating environment of semiconductor chips without using a chamber.
  • the circuit board 100 is a board on which the semiconductor chip 110, which is a test target, is mounted and operates.
  • the test expansion board 200 accommodates the circuit board 100 and provides an enclosed space in which the cooling and heating socket 300 can seal and cool or heat the semiconductor chip 110, and provides a closed space for cooling or heating the cooling and heating socket 300. It is configured to control the heating operation.
  • the circuit board 100 on which the semiconductor chip 110 to be tested is embedded is sealed with the cooling and heating socket 300 through the test expansion board 200 processed in the form of a test jig, so that the semiconductor chip 110 actually operates. It is configured so that high-temperature tests and low-temperature tests on the semiconductor chip 110 can be performed in real time in an environment where
  • the server 400 provides data on the operating state of the test expansion board 200 to the test application installed on the user terminal 500, and the user can control the test operation of the test expansion board 200 through the test application. It is structured so that
  • the user terminal 500 is a general term for devices that users can carry and use, such as mobile phones, smartphones, smart pads, etc., as well as personal computers and business computers.
  • the user terminal is composed of a smartphone. Let me explain.
  • Figure 3 is a configuration diagram of a semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 according to an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system 1 includes a circuit board 100, a semiconductor chip 110, a test expansion board 200, a cooling and heating socket 300, a server 400, and a user terminal. It consists of 500.
  • the cooling and heating socket 300 includes a thermoelectric element 310, a semiconductor relay 320, a temperature sensor 330, a dehumidifying element 340, and a blowing fan 350.
  • test expansion board 200 includes a main body 210, a control unit 220, a communication module 230, a vision camera 240, and a camera transfer unit 250.
  • the circuit board 100 is a board on which the semiconductor chip 110, which is a test target, is mounted and operates.
  • the test expansion board 200 accommodates the circuit board 100 and provides an enclosed space in which the cooling and heating socket 300 can seal and cool or heat the semiconductor chip 110, and provides a closed space for cooling or heating the cooling and heating socket 300. It is configured to control the heating operation.
  • the test expansion board 200 includes a main body 210, a control unit 220, a communication module 230, a vision camera 240, and a camera transfer unit 250.
  • the main body 210 accommodates the circuit board 100 on which the semiconductor chip 110 is mounted and provides a frame on which the cooling and heating socket 300 can be mounted on the semiconductor chip 110.
  • the communication module 230 serves to exchange data between the control unit 220 and the server 400, and the control unit 220 controls the test operation of the cooling and heating socket 300.
  • the vision camera 240 moves vertically from the top to the bottom of the design pattern of the semiconductor chip by the camera transfer unit 250 to capture images multiple times.
  • the control unit or control unit 220 of the vision camera 240 determines appearance defects based on a plurality of image data captured for each design pattern by height, that is, assigns a plurality of colors according to the brightness value of the image data. Defects are determined based on the area of each color, but appearance defects are determined by additionally reflecting the amount of change in the area of each color at each shooting height.
  • the cooling and heating socket 300 includes a thermoelectric element 310, a semiconductor relay 320, a temperature sensor 330, a dehumidifying element 340, and a blowing fan 350.
  • thermoelectric element 310 Each side of the thermoelectric element 310 is cooled and heated by the input temperature control voltage, and performs an operation of cooling or heating the enclosed space depending on the application direction and voltage magnitude of the temperature control voltage.
  • the thermoelectric element 310 is also referred to as a Peltier element and is formed as a semiconductor element whose specific surface is heated or cooled depending on the direction of voltage application.
  • the plurality of semiconductor relays 320 selectively transmit temperature control voltages of different magnitudes to the thermoelectric element 310 according to the control of the test mode signal.
  • the test mode signal can be defined as a high temperature test signal or a low temperature test signal.
  • the temperature sensor 330 detects the temperature of the enclosed space and detects whether the semiconductor chip 110 exposed to the enclosed space reaches a preset test temperature while operating.
  • the cooling and heating socket 300 may be equipped with a semiconductor dehumidifying element 340 to remove moisture in the closed space.
  • the semiconductor dehumidifying device 340 is defined as a device that absorbs moisture from the dehumidifying side and then releases it to the opposite side.
  • the cooling and heating socket 300 may be equipped with a blowing fan 350 to supply external air to the closed space. That is, the cooling and heating socket 300 is equipped with at least one of the dehumidifying element 340 and the blowing fan 350 and operates to remove moisture in the closed space generated during the test process.
  • the cooling and heating socket 300 may be provided with a sensor board for detecting volatile organic compounds in a closed space, and a separator may be inserted to protect the sensor board from moisture.
  • the sensor board is protected by a case, and an opening is formed in the case around the detection sensor for detecting volatile organic compounds.
  • a separator to protect from moisture can be inserted into the opening.
  • the separator formed at the opening of the case can be defined as a gas permeable membrane, and is basically made of a material that blocks moisture and allows volatile organic compounds to pass through.
  • the separator according to the first embodiment is formed by applying and impregnating a porous support with a coating solution on the porous support.
  • the porous support has pores formed inside, and serves to diffuse volatile organic compounds along the internal pores.
  • the porous support may be made of any one of the following polymers: polyimide, polydimethylphenylene oxide, polysulfone, polyestersulfone, polyetherimide, polyvinylidene fluoride, or a combination thereof.
  • the coating liquid has a high affinity for volatile organic compounds and has a high free volume to facilitate diffusion of volatile organic compounds.
  • the coating solution may be any one of polydimethylsiloxane (PDMS), poly(1-trimethylsilyl-1-propyne) (PTMSP), polyether block amide (PEBAX), or a combination thereof.
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • PTMSP poly(1-trimethylsilyl-1-propyne)
  • PEBAX polyether block amide
  • the separator according to the second embodiment further includes porous inorganic particles in addition to the separator according to the first embodiment, and the porous inorganic particles are mixed in a coating solution and applied and impregnated on the porous support.
  • the porous inorganic particles may be any one of silica, zeolite, alumina, titanium dioxide, or a combination thereof.
  • the separator according to the third embodiment is a composite separator that further includes a moisture absorption film at the tip of the separator according to the first embodiment or the separator according to the second embodiment, and reduces moisture and reduces moisture before detecting volatile organic compounds. This has the effect of reducing noise and preventing contamination of the separator.
  • the moisture-absorbing membrane is coated with a hydrophilic polymer on the above-described porous support or subjected to hydrophilic modification through plasma, and the hydrophilic polymer is polyvinyl alcohol (PVA, polyacrylic acid (PAA), polymethacrylic acid (PMAA), and cellulose polymer. , polyethylene glycol (PEG), polypropylene glycol (PPG), or a combination thereof.
  • PVA polyvinyl alcohol
  • PAA polyacrylic acid
  • PMAA polymethacrylic acid
  • cellulose polymer cellulose polymer
  • PEG polyethylene glycol
  • PPG polypropylene glycol
  • any one of a carboxyl group, a hydroxyl group, an amine group, or a combination thereof may be introduced.
  • the moisture absorption film may further include super absorption polymer (SAP) particles to further improve moisture absorption and retention characteristics.
  • SAP super absorption polymer
  • the server 400 provides data on the operating state of the test expansion board 200 to the test application installed on the user terminal 500, and the user can control the test operation of the test expansion board 200 through the test application. It is structured so that
  • a timer can be set to sequentially execute a plurality of preset test patterns.
  • thermoelectric element 310 and the temperature sensor 330 are operating normally, so that the accuracy of the sensor can be checked in advance before proceeding with the test.
  • Figure 4 is an example diagram of the temperature control voltage applied to the cooling and heating socket 300.
  • the most important temperature control for the system (1) for verifying actual operation of semiconductor heat resistance can be divided into low-temperature test and high-temperature test.
  • thermoelectric element 310 three types of power sources required for this were designed: 7V, 12V, and 24V. Additionally, at least 7 semiconductor relays are used to control the thermoelectric element 310.
  • the high temperature test is defined as a section where the temperature is tested by changing the temperature from 25°C to 150°C.
  • a relay connected to a 12V power source is operated through the control unit 220 to apply voltage to the thermoelectric element 310, thereby performing a high temperature test while changing the temperature from room temperature to 150 degrees.
  • the low temperature test is defined as a section where the temperature is tested by changing the temperature from 25°C to -40°C.
  • a relay connected to 24V and 7V power sources is operated through the control unit 220 to apply voltage to the thermoelectric element 310, thereby changing the temperature from 25°C to -40°C to perform a low-temperature test.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system (1) has a built-in function to monitor and generate a user alarm when a problem occurs with the temperature sensor, such as temperature sensor malfunction or temperature sensor disconnection.
  • the user when there is a problem such as the temperature sensor not being attached, malfunctioning, or disconnection of the temperature sensor, the user is notified of the problem with the temperature sensor through a notification window or light emitting device, and the test application displays this.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system (1) has a built-in function to check the connection status of each relay that performs temperature control.
  • the 7V+ relay read pin is ON, the 7V GND relay lead pin is 0, and the 12V GND relay read pin is also ON. The opposite happens when the 12V relay is activated.
  • the relay can be operated and the currently operating test mode (TEST MODE) through the relay status can be transmitted and displayed on the own liquid crystal display and test application.
  • TEST MODE currently operating test mode
  • the test mode and the received relay status are automatically compared to automatically detect a relay error.
  • the test application receives the sensor value measured from the temperature sensor, and the test application detects the trend of temperature change by applying the least squares method to the temperature value. In other words, it is possible to check whether normal operation is performed according to the amount of temperature change (change trend).
  • the measured temperature value is subdivided into the change amount over the last 1 hour, the change amount over 30 minutes, and the change amount over 15 minutes using the least squares method to calculate the change amount, and detect and set the final temperature change amount from the calculated results. It is configured to give an alarm if it exceeds the allowable range.
  • the Method of Least Squares is a method of processing the measurement results by creating an appropriate sum of squares based on the measured values and finding the minimum value.
  • the experiment is performed N times to obtain N measured data and This is a method that finds the regularity of and expresses the correlation as a function.
  • the test application can display the current temperature of the enclosed space where each semiconductor chip is located, and the current temperature, highest temperature, average temperature, and lowest temperature are displayed. Additionally, the trend of temperature change over time can be displayed in graph form.
  • test application can display the current temperature, highest temperature, average temperature, and lowest temperature of the semiconductor chip in the form of a pop-up window each time each semiconductor chip is selected.
  • the semiconductor high-temperature and low-temperature actual operation verification system allows a test engineer to conduct and monitor high-temperature and low-temperature tests in real time while a semiconductor chip is mounted without using a chamber.

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Abstract

본 발명의 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템은, 테스트 대상인 반도체칩이 실장되어 동작하는 회로기판과, 회로기판을 수용하면서 냉가열소켓이 반도체칩을 밀폐하여 냉각 또는 가열할 수 있는 밀폐공간을 제공하고 냉가열소켓의 냉각 또는 가열 동작을 제어하고, 반도체칩을 촬영하는 비전 카메라를 구비하는 테스트 확장보드를 포함한다.

Description

냉가열소켓을 이용한 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템
본 발명은 반도체 테스트 기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체칩이 실장된 상태에서 고온 테스트 및 저온 테스트를 진행하는 기술에 관한 것이다.
종래의 신뢰성 테스트 장치는 반도체칩이 실제로 사용되는 실장상태가 아닌 상태에서 내열성 테스트를 진행하고 있다.
즉, 고온 동작 반도체의 개발 및 양산은 이루어지고 있으나 실장상태에서 고온(150℃) 및 저온(-40℃) 테스트를 실행하고 제품의 성능을 확인 할 수 있는 시스템은 현재 미비한 상황이다.
차세대 시스템 반도체의 개발의 한축인 Sic 고온반도체의 개발이 이루어지고 있고 자동차 규격인 Q100/200규격에서 150℃의 동작 온도를 요구하고 있는 시장 상황이다. 이에 반도체 설계 및 제조사에서는 고온 및 저온 테스트를 자동으로 실행할 수 있는 실장 테스트기가 필요한 시점이다.
본 발명은 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 챔버를 사용하지 않고, 반도체칩이 실장된 상태에서 테스트 엔지니어가 고온 및 저온 테스트를 실시간으로 진행하고 모니터링 할 수 있는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템을 제공한다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 테스트 대상인 반도체칩이 실장되어 동작하는 회로기판과, 회로기판을 수용하면서 냉가열소켓이 반도체칩을 밀폐하여 냉각 또는 가열할 수 있는 밀폐공간을 제공하고 냉가열소켓의 냉각 또는 가열 동작을 제어하고, 반도체칩을 촬영하는 비전 카메라를 구비하는 테스트 확장보드를 포함하는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템이 제공된다.
또한, 본 발명에서 비전 카메라는, 카메라 이송부에 의해 반도체칩의 디자인패턴의 상부에서 하부방향으로 수직 이동하면서 복수 번 영상촬영을 진행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 냉가열소켓은, 입력되는 온도제어전압에 의해 냉각 및 가열되되, 온도제어전압의 인가방향 및 전압크기에 따라 밀폐공간을 냉각시키거나 가열시키는 열전소자와, 테스트 모드신호의 제어에 따라 서로 다른 크기의 온도제어전압을 열전소자에 선택적으로 전달하는 복수의 반도체 릴레이와, 밀폐공간의 온도를 감지하는 온도센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 냉가열소켓은, 밀폐공간의 습기를 제거하기 위한 반도체 제습소자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서 냉가열소켓은, 밀폐공간에 외부공기를 공급하기 위한 송풍팬을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템은, 챔버를 사용하지 않고, 반도체칩이 실장된 상태에서 테스트 엔지니어가 고온 및 저온 테스트를 실시간으로 진행하고 모니터링 할 수 있다.
즉, 챔버를 사용하지 않는 소형화된 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템을 통해 반도체칩의 고온 및 저온환경에서의 실사용 환경 테스트를 신뢰성 있게 진행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)의 개념도
도 2는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)에서 회로기판(100)과 냉가열소켓(300) 부분의 예시도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)의 구성도
도 4는 냉가열소켓(300)에 인가되는 온도제어전압의 예시도
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)의 개념도이고, 도 2는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)에서 회로기판(100)과 냉가열소켓(300) 부분의 예시도이다.
본 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)은 제안하고자 하는 기술적인 사상을 명확하게 설명하기 위한 간략한 구성만을 포함하고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)은 회로기판(100), 반도체칩(110), 테스트 확장보드(200), 냉가열소켓(300), 서버(400) 및 사용자 단말기(500)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성되는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)의 세부구성과 주요동작을 살펴보면 다음과 같다.
모든 반도체는 고온에서의 안정성 및 신뢰성을 확보하기 위하여 산업용은 85℃, 군사용은 125℃의 동작온도가 요구되며, 항공, 자동차, 항공/우주 등의 특정 영역에서는 온도범위가 150℃ 이상의 동작온도를 필요로 하고 있다. 제안된 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)은 챔버를 사용하지 않고 반도체칩의 실제 동작 환경에서 -40 ~ 150℃의 온도로 테스트할 수 있도록 구성된다.
회로기판(100)은 테스트 대상인 반도체칩(110)이 실장되어 동작하는 보드이다.
테스트 확장보드(200)는 회로기판(100)을 수용하면서 냉가열소켓(300)이 반도체칩(110)을 밀폐하여 냉각 또는 가열할 수 있는 밀폐공간을 제공하고 냉가열소켓(300)의 냉각 또는 가열 동작을 제어하도록 구성된다.
즉, 테스트할 반도체칩(110)이 내장된 회로기판(100)을 테스트 지그 형태로 가공된 테스트 확장보드(200)를 통해 냉가열소켓(300)을 밀폐 장착하여 반도체칩(110)이 실제로 동작하는 환경에서 반도체칩(110)에 대한 고온테스트 및 저온테스트를 실시간으로 진행할 수 있도록 구성된다.
서버(400)는 사용자 단말기(500)에 설치된 테스트 애플리케이션에 테스트 확장보드(200)의 동작상태에 대한 데이터를 제공하고, 사용자는 테스트 애플리케이션을 통해 테스트 확장보드(200)의 테스트 동작을 제어할 수 있도록 구성된다.
즉, 챔버를 사용하지 않는 소형화된 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)을 통해 반도체칩의 고온 및 저온환경에서의 실사용 환경 테스트를 신뢰성 있게 진행할 수 있다.
여기에서 사용자 단말기(500)는 휴대폰, 스마트폰, 스마트 패드 등과 같이 사용자가 휴대하면서 사용할 수 있는 기기와, 개인용 컴퓨터, 업무용 컴퓨터를 총칭하는 것이며, 본 실시예에서는 스마트폰으로 구성된 사용자 단말기로 가정하고 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)의 구성도이다.
도 3을 참조하면, 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)은 회로기판(100), 반도체칩(110), 테스트 확장보드(200), 냉가열소켓(300), 서버(400) 및 사용자 단말기(500)를 포함하여 구성된다.
여기에서 냉가열소켓(300)은 열전소자(310), 반도체 릴레이(320), 온도센서(330), 제습소자(340), 송풍팬(350)을 포함하여 구성된다.
또한, 테스트 확장보드(200)는 본체(210), 제어부(220), 통신모듈(230), 비전 카메라(240) 및 카메라 이송부(250)를 포함하여 구성된다.
회로기판(100)은 테스트 대상인 반도체칩(110)이 실장되어 동작하는 보드이다.
테스트 확장보드(200)는 회로기판(100)을 수용하면서 냉가열소켓(300)이 반도체칩(110)을 밀폐하여 냉각 또는 가열할 수 있는 밀폐공간을 제공하고 냉가열소켓(300)의 냉각 또는 가열 동작을 제어하도록 구성된다.
테스트 확장보드(200)는 본체(210), 제어부(220), 통신모듈(230), 비전 카메라(240) 및 카메라 이송부(250)를 구비하는데,
본체(210)는 반도체칩(110)이 장착된 회로기판(100)을 수용하면서 냉가열소켓(300)이 반도체칩(110) 상부에 장착될 수 있는 프레임을 제공한다.
통신모듈(230)은 제어부(220)와 서버(400) 사이에서 데이터를 교환하는 역할을 수행하고, 제어부(220)는 냉가열소켓(300)의 테스트 동작을 제어한다.
비전 카메라(240)는 카메라 이송부(250)에 의해 반도체 칩의 디자인패턴의 상부에서 하부방향으로 수직 이동하면서 복수 번 영상촬영을 진행한다.
비전 카메라(240)의 제어부 또는 제어부(220)는, 각각의 디자인패턴을 높이별로 촬영한 복수의 영상 데이터를 기반으로 외관불량을 판별하는데, 즉 영상 데이터의 밝기값에 따라 복수의 색상을 부여하고 각 색상의 면적을 토대로 불량을 판별하되, 촬영 높이별 각 색상의 면적 변화량을 추가적으로 반영하여 외관불량을 판별한다.
특히, 냉가열소켓(300)은 열전소자(310), 반도체 릴레이(320), 온도센서(330), 제습소자(340), 송풍팬(350)을 포함하여 구성되는데,
열전소자(310)는 입력되는 온도제어전압에 의해 각 면이 냉각 및 가열되는데, 온도제어전압의 인가방향 및 전압크기에 따라 밀폐공간을 냉각시키거나 가열시키는 동작을 수행한다. 열전소자(310)는 펠티어 소자라고 지칭하기도 하며 전압의 인가방향에 따라 특정면이 가열 또는 냉각되는 반도체 소자로 형성된다.
복수의 반도체 릴레이(320)는 테스트 모드신호의 제어에 따라 서로 다른 크기의 온도제어전압을 열전소자(310)에 선택적으로 전달한다. 여기에서 테스트 모드신호는 고온테스트신호 또는 저온테스트신호로 정의될 수 있다.
온도센서(330)는 밀폐공간의 온도를 감지하여, 밀폐공간에 노출된 반도체칩(110)이 동작하는 상태에서 미리 설정된 테스트 온도에 도달하는지를 감지한다.
반도체칩(110)이 밀폐공간에서 저온 테스트되는 경우, 온도 차이에 의해서 응축수가 발생할 수도 있으므로, 냉가열소켓(300)은 밀폐공간의 습기를 제거하기 위한 반도체 제습소자(340)를 구비할 수 있다. 반도체 제습소자(340)는 제습면에서 습기를 흡수한 후 반대면으로 방출하는 기능을 수행하는 소자로 정의된다.
이때, 냉가열소켓(300)은 밀폐공간에 외부공기를 공급하기 위한 송풍팬(350)을 구비할 수도 있다. 즉, 냉가열소켓(300)은 제습소자(340) 및 송풍팬(350) 중 적어도 어느 하나 이상을 구비하여 테스트 과정에서 발생하는 밀폐공간의 습기를 제거할 수 있도록 동작한다.
한편, 냉가열소켓(300)은 밀폐공간에 휘발성 유기 화합물을 감지하기 위한 센서보드를 구비시키고, 센서보드를 수분으로부터 보호하기 위한 분리막이 삽입될 수 있다.
즉, 센서보드는 케이스에 의해 보호되고 휘발성 유기 화합물을 감지하기 위한 감지센서 주변의 케이스에 개구부가 형성되는데, 해당 개구부에 수분으로부터 보호하기 위한 분리막이 삽입될 수 있다.
참고적으로 본 발명에서 케이스의 개구부에 형성된 분리막은 가스투과성 막(Gas permeable membrane)으로 정의될 수 있으며, 기본적으로 수분을 차단하고 휘발성 유기 화합물을 통과시키는 재질로 형성된다.
제 1 실시예에 따른 분리막은 다공성 지지체와 상기 다공성 지지체에 코팅액이 도포 및 함침되어 형성된다.
상기 다공성 지지체는 내부에 기공이 형성되며, 내부 기공을 따라 휘발성 유기화합물이 확산시키는 역할을 수행한다.
이때, 상기 다공성 지지체는 폴리이미드, 폴리디메틸페닐렌 옥사이드, 폴리설폰, 폴리에스터설폰, 폴리에터이미드, 폴리비닐리덴플루라이드 또는 이들의 조합 중 어느 하나의 고분자를 사용할 수 있다.
상기 코팅액은 휘발성 유기화합물과 친화도가 높고, 높은 자유용적을 가져 휘발성 유기화합물의 확산을 용이하게 한다.
이때, 상기 코팅액은 폴리디메틸실록산(PDMS), poly(1-trimethylsilyl-1-propyne) (PTMSP), 폴리에테르블록아미드(PEBAX) 또는 이들의 조합 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
또한, 제 2 실시예에 따른 분리막은 상기 제 1 실시예 따른 분리막에 다공성 무기입자를 더 포함하는 것으로, 상기 다공성 무기입자는 코팅액에 혼합되어 다공성 지지체에 도포 및 함침된다. 상기 다공성 무기입자는 실리카, 제올라이트, 알루미나, 이산화티탄 또는 이들의 조합 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
또한, 제 3 실시예에 따른 분리막은 제 1 실시예에 따른 분리막 또는 제2 실시예에 따른 분리막의 선단에 수분흡수막을 더 포함하는 복합형 분리막으로 휘발성 유기 화합물을 감지하기에 앞서 수분을 감소 및 제거하여 노이즈를 줄이고, 분리막의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기 수분흡수막은 상술된 다공성 지지체에 친수성 고분자가 코팅되거나 플라즈마를 통해 친수성 개질처리된 것으로, 상기 친수성 고분자는 폴리비닐알코올(PVA, 폴리아크릴산(PAA), 폴리메타크릴산(PMAA), 셀룰로스계 고분자, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG) 또는 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
플라즈마 처리시에는 카르복실기, 하이드록실기, 아민기 또는 이들의 조합 중 어느 하나의 친수성기를 도입할 수 있다.
이때 상기 수분흡수막은 고흡수성 고분자(Super Absorbtion Polymer, SAP)입자를 더 포함하여, 수분흡수 및 보유특성을 더욱 향상시키는 것도 가능하다.
서버(400)는 사용자 단말기(500)에 설치된 테스트 애플리케이션에 테스트 확장보드(200)의 동작상태에 대한 데이터를 제공하고, 사용자는 테스트 애플리케이션을 통해 테스트 확장보드(200)의 테스트 동작을 제어할 수 있도록 구성된다.
한편, 사용자는 테스트 애플리케이션을 통해 저온 테스트 및 고온 테스트를 진행하는 온도 및 시간을 설정할 수 있고, 내부 온도를 실시간으로 확인할 수 있다. 또한, 타이머를 설정하여 미리 설정된 복수의 테스트 패턴을 순차적으로 실행할 수 있도록 설정할 수 있다.
또한, 열전소자(310) 및 온도센서(330)의 정상동작여부를 확인하는 초기화 모드가 구비되어 테스트를 진행하기 전에 센서의 정확도를 미리 확인할 수 있다.
도 4는 냉가열소켓(300)에 인가되는 온도제어전압의 예시도이다.
도 4를 참조하면, 반도체 내열성(-40 ~ 150℃) 실동작 검증을 위한 시스템(1)에 가장 중요한 온도 컨트롤의 경우 저온 테스트와 고온테스트로 나눌 수 있다.
본 실시예에서는 이를 위하여 필요한 전원은 3종류로 7V, 12V, 24V로 설계되었다. 또한 열전소자(310)를 컨트롤 하기 위한 반도체 릴레이가 최소 7개 이상이 사용된다.
- 고온 테스트(섭씨 25도에서 150도에 도달하는 시간은 90초 이내)
고온테스트는 25℃에서 150℃도까지 온도 변화를 주어 온도 테스트를 하는 구간으로 정의한다. 제어부(220)를 통해 12V 전원과 연결된 릴레이를 작동시켜 열전소자(310)에 전압을 가해 이를 통해 상온에서 150도까지 온도 변화를 주면서 고온테스트를 진행한다.
목표된 온도에 도달 했을 때는 모든 반도체 릴레이 작동을 턴오프(TURN OFF)시켜 온도를 낮춰 주며 목표온도에서 일정 퍼센트만큼 온도가 떨어지면 다시 릴레이를 턴온(TURN ON)시켜 12V전압을 가해 가열시켜 해당 온도를 유지하도록 동작한다.
- 저온 테스트(섭씨 25도에서 -40도에 도달하는 시간은 6분 이내)
저온테스트는 25℃에서 -40℃까지 온도 변화를 주어 온도 테스트를 하는 구간으로 정의한다. 제어부(220)를 통해 24V, 7V 전원과 연결된 릴레이를 작동시켜 열전소자(310)에 전압을 가해, 이를 통해 25℃에서 -40℃까지 온도 변화를 주어 저온테스트를 진행한다.
목표된 온도에 도달 했을 때는 모든 반도체 릴레이 작동을 턴오프(TURN OFF)시켜 온도를 높여 주며 목표 온도에서 일정 퍼센트만큼 온도가 높아지면 다시 릴레이를 턴온(TURN ON)시켜 24V, 7V전압을 가해 냉각시켜 해당 온도를 유지하도록 동작한다.
반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)은 온도 센서 오동작, 온도 센서 단선과 같이 온도 센서에 문제가 생길 경우 이를 모니터링 하여 사용자 알람을 발생시키는 기능이 내장된다.
이를 위하여 온도센서 미부착 및 오동작, 온도 센서의 단선과 같이 문제가 있을 시 알림창 또는 발광소자를 통해 온도센서에 문제가 있음을 사용자에게 알려 주고 테스트 애플리케이션은 이를 표시한다.
또한, 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템(1)은 온도제어를 수행하는 각 릴레이의 연결 상태를 확인 할 수 있는 기능이 내장된다.
Relay1_read
(7V +)		 Relay2_read
(7V GND)		 Relay3_read
(12V +)		 Relay4_read
(12V GND)		 Relay5_read
(24V +)		 Relay6_read
(24V GND)
ALL OFF 0 0 0 0 0 0
COLD TEST 1 0 0 1 1 0
HOT TEST 0 1 1 0 0 0
표 1는 테스트모드에 따른 반도체 릴레이의 동작를 나타낸 표이다.즉, 각 릴레이의 연결 상태를 확인 할 수 있는 기능이 내장되는데 이를 위해 7V와 12V는 같은 커넥터를 사용한다. 동시에 전압을 공급하지 않고 극이 바뀌어서 전압을 공급한다. 즉, 7V+ = 12V GND, 12V+ = 7V GND 의 경우와 같이 설계 될 수 있다.
표 1과 같이 7V 전압 릴레이가 작동 시 7V+ 릴레이 리드(read)핀은 ON, 7V GND 릴레이 리드(read)핀은 0, 12V GND 릴레이 리드(read)핀 또한 ON상태가 된다. 12V 릴레이를 작동 시켰을 때는 그 반대가 된다.
이와 같은 방법으로 릴레이를 작동시키고 현재 릴레이 상태를 통해 작동되고 있는 테스트모드(TEST MODE)를 자체 액정디스플레이 및 테스트 애플리케이션으로 전송하여 표시할 수 있다. 이때, 테스트모드와 수신한 릴레이 상태가 자동비교되어 릴레이 에러(Relay Error)를 자동 검출할 수 있다.
한편, 테스트 애플리케이션은 온도센서로부터 측정된 센서값을 수신하고, 테스트 애플리케이션은 온도값을 최소자승법을 적용함으로써 온도 변화의 추이를 검출한다. 즉, 온도 변화량(변화추이)에 따른 정상동작 여부를 확인 할 수 있다.
즉, 측정된 온도값을 최소자승법을 이용하여 최근 1시간동안의 변화량, 30분 동안의 변화량, 15분 동안의 변화량 등으로 세분화하여 변화량을 계산하고 계산된 결과에서 최종적인 온도 변화량을 감지하여 설정한 허용범위를 벗어날 경우 알람을 줄 수 있도록 구성된다.
최소자승법(Method of Least Squares)은 측정값을 기초로 하여 적당한 제곱합을 만들고 그것을 최소로 하는 값을 구하여 측정결과를 처리하는 방법으로 실험을 N회 실시하여 측정된 N개의 데이터를 확보하고 이 데이터 사이의 규칙성을 찾아내어 상관관계를 함수로 표현할 수 있는 방법이다.
테스트 애플리케이션은 각 반도체칩이 있는 밀폐공간의 현재 온도를 표시할 수 있으며, 현재 온도, 최고온도, 평균온도, 최저온도가 표시된다. 또한, 시간별 온도변화의 추세가 그래프 형태로 표시할 수 있다.
또한 복수의 반도체칩이 동시에 테스트 되고 있을 경우, 테스트 애플리케이션은 각 반도체칩을 선택할 때마다 팝업창 형태로 해당 반도체칩의 현재 온도, 최고온도, 평균온도, 최저온도로 표시할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템은, 챔버를 사용하지 않고, 반도체칩이 실장된 상태에서 테스트 엔지니어가 고온 및 저온 테스트를 실시간으로 진행하고 모니터링 할 수 있다.
즉, 챔버를 사용하지 않는 소형화된 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템을 통해 반도체칩의 고온 및 저온환경에서의 실사용 환경 테스트를 신뢰성 있게 진행할 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (5)

  1. 테스트 대상인 반도체칩이 실장되어 동작하는 회로기판; 및
    상기 회로기판을 수용하면서 냉가열소켓이 상기 반도체칩을 밀폐하여 냉각 또는 가열할 수 있는 밀폐공간을 제공하고 상기 냉가열소켓의 냉각 또는 가열 동작을 제어하고, 상기 반도체칩을 촬영하는 비전 카메라를 구비하는 테스트 확장보드;
    를 포함하는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비전 카메라는,
    카메라 이송부에 의해 상기 반도체칩의 디자인패턴의 상부에서 하부방향으로 수직 이동하면서 복수 번 영상촬영을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 냉가열소켓은,
    입력되는 온도제어전압에 의해 냉각 및 가열되되, 상기 온도제어전압의 인가방향 및 전압크기에 따라 상기 밀폐공간을 냉각시키거나 가열시키는 열전소자;
    테스트 모드신호의 제어에 따라 서로 다른 크기의 온도제어전압을 상기 열전소자에 선택적으로 전달하는 복수의 반도체 릴레이; 및
    상기 밀폐공간의 온도를 감지하는 온도센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 냉가열소켓은,
    상기 밀폐공간의 습기를 제거하기 위한 반도체 제습소자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 냉가열소켓은,
    상기 밀폐공간에 외부공기를 공급하기 위한 송풍팬;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 고온 저온 실동작 검증 시스템.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060025640A (ko) * 2004-09-17 2006-03-22 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 영상촬영장치
KR101489369B1 (ko) * 2013-12-09 2015-02-04 (주)제이디 범프필름 및 프루브유닛 검사장치
US20150234005A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-20 Solid Meca Co., Ltd. Memory package test jig having harsh condition creating structure
KR101697119B1 (ko) * 2016-07-07 2017-01-18 에스에스오트론 주식회사 반도체소자의 비전검사장치
KR20210141027A (ko) * 2020-05-15 2021-11-23 주식회사 라온솔루션 반도체 내열성 실동작 검증 시스템

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101751451B1 (ko) 2015-08-17 2017-06-29 (주) 예스티 반도체 부품 고온 및 저온 신뢰성 테스트 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060025640A (ko) * 2004-09-17 2006-03-22 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 영상촬영장치
KR101489369B1 (ko) * 2013-12-09 2015-02-04 (주)제이디 범프필름 및 프루브유닛 검사장치
US20150234005A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-20 Solid Meca Co., Ltd. Memory package test jig having harsh condition creating structure
KR101697119B1 (ko) * 2016-07-07 2017-01-18 에스에스오트론 주식회사 반도체소자의 비전검사장치
KR20210141027A (ko) * 2020-05-15 2021-11-23 주식회사 라온솔루션 반도체 내열성 실동작 검증 시스템

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