WO2024029490A1 - エンコーダ用反射型光学式スケール、反射型光学式エンコーダ、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法、およびエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体 - Google Patents

エンコーダ用反射型光学式スケール、反射型光学式エンコーダ、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法、およびエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体 Download PDF

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encoder
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reflective optical
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剛 今井
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大日本印刷株式会社
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales

Definitions

  • the present disclosure relates to a reflective optical scale for an encoder, a reflective optical encoder, a method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder, and a multi-sided reflective optical scale mount for an encoder.
  • optical encoders have been used in servo motors and the like equipped with control mechanisms.
  • Optical encoders include transmissive encoders and reflective encoders, but reflective encoders have a shorter optical path than transmissive encoders, making it easier to make them smaller and thinner, and also make it easier to position the light-emitting element and light-receiving element. It has the advantage that it is easy to assemble.
  • a reflective optical encoder includes a reflective optical scale, a light source such as an LED that illuminates the scale, and a photodetector that detects reflected light from the scale.
  • Reflective optical scales have reflective areas (high reflective areas) and non-reflective areas (low reflective areas) arranged alternately, and the reflectance of light in the reflective areas is higher than the reflectance of light in the non-reflective areas (for example, Patent Document 1).
  • the intensity of the light reflected from the scale and incident on the photodetector varies depending on the change in the position of the scale.
  • the photodetector detects the intensity of light caused by the movement of the scale in the length measurement direction.
  • the reflective optical encoder can process the displacement information of the position of the scale according to the intensity of the detected light to obtain position information.
  • reflective optical scales are manufactured by cutting into pieces a multi-faceted body in which a plurality of reflective optical scales are arranged side by side.
  • the pieces are often singulated by etching.
  • individualization by etching is disadvantageous in terms of cost.
  • periphery sag occurs on the outer periphery (hereinafter also referred to as periphery sag).
  • periphery sag occurs on the outer periphery
  • the inventors of the present application have found that when outer periphery sag occurs in the low-reflection region where the low-reflection layer is formed, peeling or cracking of the low-reflection layer may occur. Therefore, we considered not placing the low-reflection layer in advance in areas where the outer periphery would sag due to punching.
  • an optical scale for an encoder is usually required to have a low-reflection area of a predetermined size depending on the encoder device.
  • the scale size becomes large. Therefore, there is a need for a reflective optical scale for encoders in which the outer periphery sagging area due to punching is reduced.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its main purpose is to provide a reflective optical scale for an encoder with a reduced peripheral sagging area.
  • An embodiment of the present disclosure includes a disk-shaped metal base material having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a metal base material on the first surface side of the metal base material. and a low reflection layer arranged in a pattern along the circumferential direction of the encoder, the metal base material having a reflectance of at least 50% on the first surface side.
  • the thickness of the metal base material is 0.05 mm or more and 0.60 mm or less, the metal base material has a sag on the outer peripheral edge on the first surface side, and the width of the sag is 500 ⁇ m or less.
  • a reflective optical scale for encoders is provided.
  • Another embodiment of the present disclosure includes the above-mentioned reflective optical scale for an encoder, and a light source that irradiates measurement light onto the surface of the reflective optical scale for an encoder on the side where the low reflection layer is arranged. , and a photodetector for detecting reflected light from the reflective optical scale for an encoder.
  • Another embodiment of the present disclosure has a first surface and a second surface opposite to the first surface, the reflectance of at least the first surface side is 50% or more, and the metal base material has a reflectance of 50% or more.
  • a metal base material for processing having a thickness of 0.05 mm or more and 0.60 mm or less, and a pattern shape arranged in a circumferential manner in multiple faces on the first surface side of the metal base material for processing.
  • a method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder which includes a singulating step of obtaining a reflective optical scale for an encoder by punching out the mounting body along the above-mentioned outer circumferential punch line and dividing it into pieces.
  • Another embodiment of the present disclosure has a first surface and a second surface opposite to the first surface, the reflectance of at least the first surface is 50% or more, and the metal base material has a thickness of A metal base material for processing having a length of 0.05 mm or more and 0.60 mm or less; a low-reflection layer, and a planned line for punching out the outer periphery of the reflective optical scale for an encoder is formed outside the outer peripheral surface of each of the low-reflection layers, the multi-sided body having a low-reflection layer; Provided is a reflective optical scale multi-sided mounting body for an encoder, in which the distance between the planned outer peripheral punching line of the optical scale and the outer peripheral surface of the low reflection layer is 500 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less.
  • the present disclosure has the advantage that it is possible to provide a reflective optical scale for an encoder with a reduced outer peripheral sagging area.
  • FIG. 2 is a schematic top view illustrating a reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating a reflective optical encoder according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic top view illustrating a reflective optical scale multi-sided mounting body for an encoder according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a punching device used in the singulation step in the method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure. 2 is a graph showing the results of Experimental Examples 1-1 to 1-6 and Experimental Examples 2-1 to 2-5.
  • Embodiments of the present disclosure include a reflective optical scale for an encoder, a reflective optical encoder, a method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder, and a multi-sided reflective optical scale mount for an encoder.
  • a reflective optical scale for an encoder a reflective optical encoder
  • a method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder a multi-sided reflective optical scale mount for an encoder.
  • the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual form, but this is just an example and does not limit the interpretation of the present disclosure. It's not something you do.
  • the same elements as those described above with respect to the previously shown figures are denoted by the same reference numerals, and detailed explanations may be omitted as appropriate.
  • optical scale for encoder may be simply referred to as "optical scale.”
  • FIG. 1 is a schematic top view showing an example of a reflective optical scale for encoder according to the present disclosure.
  • FIG. 2(a) is an enlarged cross-sectional view taken along the line AA of the dotted line frame a in FIG.
  • FIG. 2(b) is an enlarged cross-sectional view taken along the line BB of the dotted line frame b in FIG.
  • the reflective optical scale 10 for encoders shown in FIGS. 1 and 2 includes a disk-shaped metal base 1 having a first surface 1a and a second surface 1b opposite to the first surface; It has a low reflection layer 2 arranged in a pattern along the circumferential direction of the metal base material 1 on the first surface 1a side.
  • the metal base material 1 has a reflectance of at least the first surface 1a that is equal to or greater than a predetermined value, and the thickness of the metal base material 1 itself is within a predetermined range. Furthermore, as shown in FIG.
  • the metal base material 1 has a sag P on the outer peripheral edge on the first surface 1a side, and the width X of the sag P is equal to or less than a predetermined value.
  • the reflective optical scale 10 for an encoder shown in FIG. 1 has a perforated disk shape, and has a low reflection region R2 where the low reflection layer 2 is provided and an area where the low reflection layer 2 is not provided.
  • the high reflection regions R1 are arranged alternately in the circumferential direction.
  • the low reflection region R2 includes a metal base material 1 and a low reflection layer 2 in the thickness direction of the reflective optical scale 10 for an encoder.
  • the high reflection region R1 has a metal base material 1.
  • the light reflectance in the high reflection region R1 is higher than the light reflectance in the low reflection region R2. Note that the light reflectance in the high reflection region R1 and the light reflectance in the low reflection region R2 indicate the reflectance at the same wavelength and the same incident angle.
  • the reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure has a sag on the outer peripheral edge on the first surface side of the metal base material, and the width of the sag is less than or equal to a predetermined value.
  • Such an optical scale having a sag on the outer periphery of a metal base material is usually manufactured by punching. Therefore, it is advantageous in terms of cost compared to optical scales manufactured by etching.
  • optical scales with reduced peripheral sagging areas of metal substrates can narrow the width of the area where the low-reflection layer is not formed. Peeling and cracking of the layer can be suppressed.
  • the reflective optical scale for encoders of the present disclosure will be described in detail.
  • Metal base material (1) outer periphery sag The metal base material in the present disclosure is disc-shaped, has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a sag on the outer periphery edge on the first surface side. has. Furthermore, the width of the sagging of the metal base material in the present disclosure is 500 ⁇ m or less, preferably 450 ⁇ m or less, more preferably 400 ⁇ m or less, and particularly preferably 350 ⁇ m or less. If the width of the sag is too large, it overlaps with the formation area of the low-reflection layer, which may cause peeling or cracking of the low-reflection layer.
  • the width of the sagging of the metal base material in the present disclosure is, for example, 10 ⁇ m or more, may be 100 ⁇ m or more, may be 200 ⁇ m or more, or may be 250 ⁇ m or more. If the width of the sag is too small, there is a risk that undulations will occur in the scale.
  • the width of the sagging of the metal base material in the present disclosure is, for example, 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or more and 450 ⁇ m or less, more preferably 200 ⁇ m or more and 400 ⁇ m or less, and 250 ⁇ m or more and 350 ⁇ m or less. Particularly preferred.
  • the width of sagging is the distance between the point at which the first surface 1a of the metal base material 1 starts to sag and the extension line of the outer peripheral surface 1c of the metal base material 1, as shown in FIG. 2(b).
  • the method for measuring the width of the sag, that is, the distance X is as follows. First, a metal substrate is cut perpendicularly to the first surface using a method such as metal scissors, shearing, or laser cutting, and the cut surface is polished to a flat surface using a polishing machine to obtain a measurement sample. .
  • the point at which the first surface 1a of the metal base material 1 starts to sag is defined as a point where it is no longer parallel to the plane portion of the first surface of the metal base material 1, specifically, a point separated by 3 ⁇ m or more in the vertical direction.
  • the width of the outer periphery sag is the average value observed and measured at a total of 12 points in 30° increments around the circumference of the scale.
  • the amount of sagging of the metal base material in the present disclosure is, for example, 500 ⁇ m or less, preferably 450 ⁇ m or less, more preferably 400 ⁇ m or less, and particularly preferably 350 ⁇ m or less. If the amount of sag is too large, there is a risk of damage due to insufficient strength of the scale. On the other hand, the amount of sagging of the metal base material in the present disclosure is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 200 ⁇ m or more, more preferably 250 ⁇ m or more, and particularly preferably 300 ⁇ m or more. If the amount of sagging is too small, there is a risk that undulations will occur in the scale.
  • the amount of sagging of the metal base material in the present disclosure is, for example, 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, preferably 200 ⁇ m or more and 450 ⁇ m or less, more preferably 250 ⁇ m or more and 400 ⁇ m or less, and 300 ⁇ m or more and 350 ⁇ m or less. Particularly preferred.
  • the amount of sag refers to the upper end of the outer circumferential surface 1c of the metal base material 1 (the boundary point between the sag and the outer circumferential surface 1c) and the first This refers to the distance Y from the extension line of surface 1a.
  • the distance Y a measurement sample is prepared in the same manner as the method for measuring the width of the sag described above, and the distance Y is measured.
  • the upper end of the outer circumferential surface 1c of the metal base material 1 (the boundary point between the sag and the outer circumferential surface 1c) is a point that is no longer parallel to the outer circumferential surface 1c of the metal base material 1, specifically, a point separated by 3 ⁇ m or more in the plane direction. point.
  • the ratio (T2/T1) of the thickness T2 at the outer peripheral end of the metal base material to the thickness T1 of the metal base material is, for example, 0.70 or more, and may be 0.80 or more. If T2/T1 is too small, there is a risk of damage due to insufficient strength of the scale. On the other hand, the above ratio is, for example, 0.90 or less, and may be 0.87 or less. If T2/T1 is too large, waviness may occur in the scale.
  • the ratio (T2/T1) of the thickness T2 at the outer peripheral edge of the metal base material to the thickness T1 of the metal base material in the present disclosure is preferably 0.70 or more and 0.90 or less, and 0.80 Above, 0.87 or less is more preferable.
  • the metal base material in the present disclosure may have a perforated disk shape, it may have a sag (hereinafter also referred to as an inner periphery sag) on the inner peripheral edge on the first surface side.
  • the width and amount of the inner periphery sag may be the same as or different from the width and amount of the outer periphery sag.
  • the metal base material in the present disclosure has a reflectance on at least the first surface of 50% or more, which may be 55% or more, or may be 60% or more.
  • the reflectance is, for example, 100% or less.
  • the reflectance of the first surface of the metal base material in the present disclosure is, for example, 50% or more and 100% or less, preferably 55% or more and 100% or less, and 60% or more and 100% or less. More preferred.
  • the reflectance here refers to the reflectance for detection light used in an optical encoder, for example, and when the incident light has a wavelength within the range of 500 nm to 1000 nm, the incident angle is 5°. It is more preferable that the reflectance is within the above range within the range of 70°.
  • SolidSpec 3700DUV manufactured by Shimadzu Corporation can be used, and an irradiation beam size of about 6 mm x 15 mm can be used. By measuring both P-polarized light and S-polarized light and taking the average of the sums, 45° linearly polarized light is calculated, and the reflectance is calculated. If the reflectance of the metal base material is within the above range, the difference between the reflectance in the high reflection area and the reflectance in the low reflection area is large, which prevents false detection by the photodetector and improves signal detection accuracy. I can do it.
  • the thickness T1 of the metal base material in the present disclosure is 0.05 mm or more, preferably 0.1 mm or more, and more preferably 0.3 mm or more. If the thickness of the metal base material is within the above range, the strength as a reflective optical scale for an encoder will be sufficient. On the other hand, the thickness T1 of the metal base material is 0.60 mm or less, preferably 0.50 mm or less, and more preferably 0.4 mm or less. If the thickness of the metal base material is within the above range, it becomes easy to set the width of the outer periphery sag within the above range. Note that the thickness T1 of the metal base material refers to the average thickness of the metal base material excluding the sagging area.
  • the thickness T1 of the metal base material in the present disclosure is 0.05 mm or more and 0.60 mm or less, preferably 0.10 mm or more and 0.50 mm or less, and 0.30 mm or more and 0.40 mm or less. is more preferable.
  • the metal base material in the present disclosure is disk-shaped, and for example, it may be in the shape of a perforated disk with a center hole, or may not have a center hole.
  • the outer diameter is, for example, 15 mm or more, and may be 20 mm or more in plan view.
  • the outer diameter is, for example, 70 mm or less, and may be 60 mm or less.
  • the outer diameter is, for example, 15 mm or more and 70 mm or less, and may be 20 mm or more and 60 mm or less.
  • the inner diameter is, for example, 5 mm or more and 20 mm or less.
  • the difference between the outer diameter and the inner diameter (outer-inner diameter difference) is, for example, 8 mm or more and 13 mm or less. Within this range, scale waviness that occurs during punching can be suppressed.
  • the low reflection layer in the present disclosure is provided in a pattern along the circumferential direction of the metal base material on the first surface side of the metal base material.
  • the low reflection region which is the region in which the low reflection layer is provided, has a reflectance of 10% or less at any wavelength within the wavelength range of 500 nm to 1000 nm, for example, 5% or less. It may be present, and may be 1% or less.
  • the reflectance of the low reflection region is, for example, 0% or more.
  • the reflectance of the low reflection region in the present disclosure is, for example, 0% or more and 10% or less, preferably 0% or more and 5% or less, and more preferably 0% or more and 1% or less.
  • the reflective optical scale for an encoder of the present disclosure does not have a low-reflection layer in a region from the outer peripheral surface of the metal base material to 500 ⁇ m inside.
  • the metal base material in the reflective optical scale for an encoder of the present disclosure has an outer peripheral sag, and the width of the sag is 500 ⁇ m or less.
  • the distance D1 between the outer peripheral surface 1c of the metal base material 1 and the outer peripheral surface 2c of the low reflection layer 2 is preferably 500 ⁇ m or more, more preferably 550 ⁇ m or more, Particularly preferred is 600 ⁇ m or more.
  • the distance D1 is, for example, 1500 ⁇ m or less, preferably 1000 ⁇ m or less, and more preferably 900 ⁇ m or less. If the distance D1 is within the above range, it is possible to suppress the size of the reflective optical scale for an encoder from increasing.
  • the distance D1 is, for example, 500 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less, preferably 550 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, and more preferably 600 ⁇ m or more and 900 ⁇ m or less.
  • the value of the distance D1 is based on a disk-shaped metal base material having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the metal base material on the first surface side of the metal base material.
  • the present invention is also applied to a reflective optical scale for an encoder, which has a low reflection layer arranged in a pattern along the circumferential direction of the material.
  • the low reflection layer in the present disclosure is provided in a pattern along the circumferential direction of the metal base material on the first surface side of the metal base material.
  • the structure of the low-reflection layer is not particularly limited as long as the reflectance of light incident on the low-reflection area, which is the area where the low-reflection layer is provided, is lower than the reflectance of light incident on the high-reflection area. .
  • the reflectance of light incident on the low reflection region at any wavelength within the wavelength range of 500 nm to 1000 nm is 10% or less, preferably 5% or less, and even 1 It can be reduced to below %.
  • the reflectance of the low reflection region is, for example, 0% or more.
  • the reflectance of the low reflection region in the present disclosure is, for example, 0% or more and 10% or less, preferably 0% or more and 5% or less, and more preferably 0% or more and 1% or less.
  • the reflectance of the low reflection region preferably satisfies the above range at any angle within the incident angle range of 5° to 70°. Therefore, the difference between the reflectance in the high reflection area and the reflectance in the low reflection area can be increased. Moreover, if only metallic chromium is prepared, a chromium oxide film and a chromium nitride film can be easily formed by using reactive sputtering or the like. Furthermore, high-definition patterning can be performed more easily than with silicon oxide films.
  • a chromium oxide film and a chromium nitride film formed in random order on a metal chromium film may be a metal chromium film, a chromium oxide film, and a chromium nitride film formed in this order. This means that a metal chromium film, a chromium nitride film, and a chromium oxide film may be formed in this order.
  • the low reflection layer 2 of the reflective optical scale 10 for an encoder shown in FIG. 2b and a chromium oxide film 2a formed on the chromium nitride film 2b.
  • the low reflection layer 2 of the reflective optical scale 10 for encoders shown in FIG. 2a and a chromium nitride film 2b formed on the chromium oxide film 2a.
  • the outermost surface of the low reflection region is preferably the surface of the chromium oxide film or chromium nitride film of the low reflection layer, and particularly preferably the surface of the chromium oxide film. This is because the reflectance in the low reflection region can be reduced more effectively.
  • a low reflection layer in which a metal chromium film, a chromium nitride film, and a chromium oxide film are arranged in this order will be referred to as a low reflection layer of the first specification, and "a low reflection layer in which a metal chromium film, a chromium oxide film, and a chromium nitride film are arranged in this order.”
  • the low-reflection layer according to the second specification is referred to as the second-specification low-reflection layer.
  • the low reflection layer of this specification includes a metal chromium film, a chromium nitride film, and a chromium oxide film arranged in this order from the base material side.
  • the low reflection area with the low reflection layer according to this specification shall reduce the reflectance of light emitted from the light source at any wavelength within the wavelength range of 500 nm to 1000 nm to 5% or less, especially 0.5% or less.
  • the reflectance changes slowly with respect to wavelength changes, making it easy to control the reflectance. Specifically, the reflectance can be lowered to 0% or more and 5% or less, particularly 0% or more and 0.5% or less.
  • the metal chromium film is provided on the metal base material.
  • the metallic chromium film is a layer made of metallic chromium.
  • the metal chromium film is a layer that does not substantially transmit the light irradiated from the light source, and preferably has a transmittance of 0.0% or more and 1.0% or less. Transmittance can be measured using a spectrophotometer (MPC-3100) manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the film thickness is, for example, 40 nm or more, preferably 70 nm or more.
  • the "thickness" of each member refers to the thickness obtained by a general measurement method.
  • methods for measuring thickness include a stylus method that calculates the thickness by tracing the surface with a stylus and detecting irregularities, and an optical method that calculates the thickness based on the spectral reflection spectrum. .
  • the thickness can be measured using a stylus-type film thickness meter P-15 manufactured by KLA-Tencor Co., Ltd. Note that the average value of thickness measurement results at multiple locations on the target member may be used as the thickness.
  • PVD physical vapor deposition
  • Chromium nitride film The chromium nitride film in this specification is placed between the metal chromium film and the chromium oxide film. Unlike chromium oxynitride, chromium oxynitride carbide, and the like, the chromium nitride film has chromium and nitrogen as its main components and does not substantially contain impurities other than chromium and nitrogen.
  • x which represents the atomic ratio of Cr and N in the chromium nitride (CrNx) film, be 0.4 or more and 1.1 or less.
  • the purity of the chromium nitride film is preferably within the range of 80% or more and 100% or less, particularly 90% or more and 100% or less, with the ratio of chromium and nitrogen being 100 atomic % for the entire film.
  • the impurities may include, for example, hydrogen, oxygen, carbon, etc.
  • the thickness (T N ) of the chromium nitride film is preferably in the range of 5 nm or more and 100 nm or less, particularly preferably in the range of 10 nm or more and 80 nm or less.
  • the thickness (T O ) of the chromium oxide film which will be described later, when the wavelength is 850 nm, the sum of T N and T O is 40 nm or more, and when the wavelength is 550 nm, the sum of T N and T O It is preferable that the total thickness with T O is 20 nm or more.
  • the reflectance in the low reflection region can be easily lowered to 10% or less, particularly 5% or less, compared to a case outside the above range.
  • the film thickness (T N ) of the chromium nitride film is preferably within the range of 10 nm or more and 80 nm or less, since it is easy to reduce the reflectance in the entire region from green to infrared (approximately 500 nm or more and 1000 nm or less). .
  • a physical vapor deposition method such as a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vacuum evaporation method is used, for example.
  • PVD physical vapor deposition method
  • a chromium nitride film can be formed by introducing nitrogen into argon (Ar) gas and using a reactive sputtering method using a Cr target.
  • the composition of the chromium nitride film can be controlled by controlling the ratio of Ar gas and nitrogen gas.
  • Chromium oxide film A chromium oxide film is formed on a chromium nitride film, and its main components are chromium and oxygen. Contains substantially no.
  • y which represents the atomic ratio of Cr and O in the chromium oxide (CrOy) film, is 1.4 or more and 2.1 or less.
  • the purity of the chromium oxide film is preferably within the range of 80% to 100%, particularly 90% or more and 100% or less, with the ratio of chromium and oxygen being 100 atomic % for the entire film. Hydrogen, nitrogen, carbon, etc. may be included as impurities.
  • the thickness of the chromium oxide film is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 nm or more and 100 nm or less, particularly preferably in the range of 10 nm or more and 80 nm or less.
  • the total film thickness of the chromium oxide film (T O ) and the film thickness of the chromium nitride film (T N ) is described in "(1) Low reflection layer of the first specification (b) Chromium nitride film" above. It is preferable that the range is within the above range.
  • the film thickness (T O ) of the chromium oxide film is preferably within the range of 10 nm or more and 65 nm or less, since it is easy to reduce the reflectance in the entire green to infrared (approximately 500 to 1000 nm) range. .
  • a physical vapor deposition method such as a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vacuum evaporation method is used as a method for forming chromium oxide.
  • PVD physical vapor deposition method
  • a chromium oxide film can be formed by introducing oxygen into argon (Ar) gas and using a reactive sputtering method using a Cr target.
  • the composition of the chromium oxide film can be controlled by controlling the ratio of Ar gas and oxygen gas.
  • the low reflection layer of this specification includes a metal chromium film, a chromium oxide film, and a chromium nitride film arranged in this order from the metal base material side.
  • the low reflection area with the low reflection layer of this specification can reduce the reflectance of the light emitted from the light source to 5% or less, especially 1% or less at any wavelength within the wavelength range of 500 nm to 1000 nm. can. Specifically, the reflectance can be lowered to 0% or more and 5% or less, particularly 0% or more and 1% or less.
  • the chromium oxide film in this specification is placed between the metal chromium film and the chromium nitride film.
  • the film thickness is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 nm to 60 nm, particularly 10 nm to 50 nm. Furthermore, it is preferable that the relationship with the thickness of the chromium nitride film, which will be described later, be satisfied. This is because the reflectance at any wavelength within the wavelength range of 500 nm to 1000 nm in the low reflection region can be more reliably lowered to 10% or less, particularly 5% or less.
  • the thickness (T O ) of the chromium oxide film is preferably within the range of 5 nm to 35 nm, since it is easy to reduce the reflectance in the entire green to infrared (approximately 500 to 1000 nm) region.
  • Chromium nitride film The chromium nitride film of this specification is formed on a chromium oxide film.
  • the thickness of the chromium nitride film according to this specification is not particularly limited, but for example, it is preferably in the range of 5 nm or more and 100 nm or less, particularly preferably in the range of 10 nm or more and 80 nm or less.
  • the film thickness (T O ) of the chromium oxide film when the wavelength is 850 nm, the sum of T N and T O is 30 nm or more, and when the wavelength is 550 nm, the sum of T N and T O It is preferable that the total thickness of the above-mentioned and Furthermore, the film thickness (T N ) of the chromium nitride film of this specification is 10 nm or more and 60 nm or less because it is easy to reduce the reflectance in the entire region from green to infrared (approximately 500 nm or more and 1000 nm or less). Preferably within this range.
  • the method of forming the low reflection layer in the present disclosure is not particularly limited, but it can be manufactured by selective etching or lift-off. Specifically, a metal chromium film is formed on a metal base material by, for example, a sputtering method, and then a chromium nitride film and a chromium oxide film are formed. Next, a patterned low-reflection layer can be manufactured by patterning the metal chromium film, chromium nitride film, and chromium oxide film by photolithography and etching.
  • a resist pattern is formed on a metal base material, and a metal chromium film, a chromium nitride film, and a chromium oxide film are formed using a known vacuum film forming method such as a sputtering method. After that, by removing the resist pattern, the metallic chromium film, chromium nitride film, and chromium oxide film formed directly above the resist pattern are lifted off, and patterns of chromium nitride film and chromium oxide film can also be obtained. .
  • the low reflection region has a reflectance of 10% or less, may be 5% or less, or 1% or less at any wavelength within a wavelength range of 500 nm or more and 1000 nm or less. You can.
  • the reflectance of the low reflection region in the present disclosure is, for example, 0% or more and 10% or less, preferably 0% or more and 5% or less, and more preferably 0% or more and 1% or less. Note that it is preferable that the reflectance of the low reflection region satisfies the above range at any angle within the range of an incident angle of 5° or more and 70° or less.
  • the outermost surface of the low reflection region is preferably the surface of the chromium oxide film or chromium nitride film of the low reflection layer, and particularly preferably the surface of the chromium oxide film. This is because the reflectance in the low reflection region can be reduced more effectively.
  • the reflective optical scale for encoders in the present disclosure may have other layers in addition to the metal base material and the low reflection layer.
  • the reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure may have a protective layer between the metal base material and the low reflection layer.
  • the protective layer preferably has transparency and also has the function of protecting the metal base material. By providing the protective layer, there is no risk that the surface of the metal base material will become rough and the surface roughness will increase during etching when forming the low reflection layer in a pattern. Therefore, diffuse reflection of light can be suppressed.
  • the protective layer may be provided over the entire area of the metal base material, or may be provided in a partial area, in a plan view.
  • the material for the protective layer is not particularly limited as long as it has transparency and can protect the high reflection layer, and may be either an organic material or an inorganic material.
  • the organic material contains resin.
  • the resin used for the protective layer is not particularly limited as long as it can provide a transparent protective layer, and examples thereof include ionizing radiation-curable resins that are cured by irradiation with ionizing radiation such as ultraviolet rays and electron beams; Examples include thermosetting resins that harden by heating.
  • novolak resins, polyolefin resins, polyester resins, urethane resins, polyimide resins, acrylic resins, and epoxy resins are preferred.
  • phenol novolak resins are preferred. This is because it has excellent electrical properties and can suppress problems caused by charging.
  • the acrylic resins trifunctional or higher functional acrylates such as pentaerythritol tetraacrylate and dipentaerythritol tetraacrylate are preferred. This is because photocurability can be improved.
  • an epoxy acrylate resin having a fluorene structure is preferable. This is because heat resistance, adhesion, and chemical resistance are improved.
  • cardo epoxy resin is also preferred. This is because it can provide excellent transparency, heat resistance, surface hardness, and flatness.
  • the organic material may contain a polymerization initiator, various additives, and the like.
  • Examples of the inorganic material include inorganic compounds.
  • Examples of inorganic compounds include oxides, oxynitrides, and nitrides of metallic elements or nonmetallic elements such as silicon, aluminum, magnesium, calcium, potassium, tin, sodium, titanium, boron, yttrium, zirconium, cerium, and zinc. , oxidized carbides, oxidized carbonitrides, and the like. Particularly preferred is silicon dioxide (SiO 2 ).
  • the inorganic compound may be used alone, or the above-mentioned materials may be mixed in any proportion.
  • the reflective optical scale for encoders of the present disclosure is usually used as an optical scale for rotary encoders.
  • the reflective optical scale for an encoder has a disk shape, and for example, it may have a holed disk shape with a center hole, or it may not have a center hole.
  • the outer diameter is, for example, 15 mm or more, and may be 20 mm or more, in plan view. On the other hand, the outer diameter is, for example, 70 mm or less, and may be 60 mm or less.
  • the outer diameter is, for example, 15 mm or more and 70 mm or less, and may be 20 mm or more and 60 mm or less.
  • the inner diameter is, for example, 5 mm or more and 20 mm or less.
  • the difference between the outer diameter and the inner diameter is, for example, 8 mm or more and 13 mm or less. Within this range, scale waviness that occurs during punching can be suppressed.
  • the reflective optical scale for encoders of the present disclosure can be manufactured by "C. Manufacturing method of reflective optical scale for encoders" described below.
  • the present disclosure includes the above-described reflective optical scale for an encoder, and a light source that irradiates measurement light onto the surface of the reflective optical scale for an encoder on the side where the low reflection layer is disposed. , and a photodetector for detecting reflected light from the reflective optical scale for an encoder.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view showing an example of a reflective optical encoder including a reflective optical scale for encoders according to the present disclosure.
  • a reflective optical encoder 100 according to the present disclosure includes a reflective optical scale 10 for an encoder, and further includes a light source 21 and a photodetector 22.
  • a fixed slit 23 is arranged between the photodetector 22 and the reflective optical scale 10 for encoder.
  • the encoder of the present disclosure has a reflective optical scale for an encoder with reduced outer periphery sag, which is advantageous in terms of cost for the reasons described above, and also suppresses peeling and cracking of the low-reflection layer. It has good encoder characteristics.
  • Reflective Optical Scale for Encoder The reflective optical scale for encoder is the same as that described in "A. Reflective optical scale for encoder" above, so the explanation here will be omitted.
  • the light source is, for example, an LED (light emitting diode) or a laser.
  • the wavelength ⁇ of the light emitted from the light source is, for example, in the range from green to infrared (approximately 500 nm or more and 1000 nm or less).
  • the angle of incidence of light on the optical scale 10 is, for example, 5° or more and 70° or less.
  • Photodetector detects light reflected from an optical scale.
  • the photodetector includes, for example, a light receiving element (for example, a photoelectric conversion element) such as a photodiode or an image sensor.
  • the reflective optical encoder according to the present disclosure may include a fixed slit between the photodetector and the reflective optical scale for encoder. Providing the fixed slit increases the change in the amount of light received by the photodetector, making it possible to improve detection sensitivity.
  • a fixed slit may be provided between the light source and the reflective optical scale for the encoder.
  • the reflective optical scale has a first surface and a second surface opposite to the first surface, the reflectance of at least the first surface is 50% or more, and the reflective optical scale has a thickness of A metal substrate for processing having a length of 0.05 mm or more and 0.60 mm or less, and a pattern-like pattern arranged in a circumferential manner, which is applied on the first surface side of the metal substrate for processing.
  • a method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder which includes a singulation step of obtaining a reflective optical scale for an encoder by punching the body along the above-mentioned outer circumferential punch line and dividing the body into pieces.
  • FIG. 5 is a schematic top view of the multi-sided mounting body 50 produced in the above-mentioned multi-sided mounting body manufacturing process.
  • the multi-sided body 50 according to the present disclosure includes a metal substrate 51 for processing, in which the reflectance of at least the first surface is greater than or equal to a predetermined value, and a thickness within a predetermined range; It has a pattern-like low reflection layer 2 arranged in a circumferential manner and provided with multiple surfaces on one side.
  • an outer periphery punching planned line L of a reflective optical scale for an encoder is formed on the outside of each low reflection layer 2.
  • a reflective optical scale for an encoder is obtained by punching along the outer circumferential punch line L and dividing into pieces.
  • Multi-sided body production process In this process, a metal base material for processing whose reflectance of at least the first surface is 50% or more and a thickness of 0.05 mm or more and 0.60 mm or less; A reflective optical scale for an encoder is provided on the outside of the outer peripheral surface of each low-reflection layer. A multi-faceted body having a planned outer circumferential punching line is produced.
  • the reflectance and thickness of the first surface of the metal base material to be processed are the same as the reflectance and thickness of the first surface of the metal base material described above.
  • the size of the metal base material to be processed in plan view is not particularly limited as long as it is large enough to allow patterned low-reflection layers to be applied on multiple surfaces.
  • the low reflection layer is the same as the low reflection layer described in "A. Reflective optical scale for encoder” above.
  • the method for forming a low-reflection layer described in "A. Reflective optical scale for encoders” above is available. It is similar to
  • the planned outer circumferential punch line L of the reflective optical scale for an encoder is formed on the outer side of the outer circumferential surface of each low reflection layer 2.
  • the distance D2 between the planned outer peripheral punching line L of the reflective optical scale for encoders and the outer peripheral surface of the low reflection layer 2 is preferably 500 ⁇ m or more, more preferably 550 ⁇ m or more, and particularly preferably 600 ⁇ m or more. If the distance D2 is within the above range, the outer periphery will not sag easily in the area where the low reflection layer is formed during punching, so peeling and cracking of the low reflection layer can be suppressed.
  • the distance D2 is, for example, 1500 ⁇ m or less, preferably 1000 ⁇ m or less, and more preferably 900 ⁇ m or less. If the distance D2 is within the above range, it is possible to suppress the size of the reflective optical scale for an encoder from increasing. Specifically, the distance D2 is, for example, 500 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less, preferably 550 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, and more preferably 600 ⁇ m or more and 900 ⁇ m or less.
  • the multi-sided mounting body produced in the above-mentioned multi-sided mounting body manufacturing step is punched out along the above-mentioned outer periphery punching schedule line and separated into pieces, thereby obtaining a reflective optical scale for an encoder.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a punching device used in the singulation step in the method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder according to the present disclosure.
  • the multi-sided mounting body 50 mounted on multiple surfaces is placed on a lower stage 62 having a lower blade 61, and the lower stage 62 is turned upward and the upper blade 64 is placed on the lower stage 62.
  • the multifaceted body 50 can be punched out to obtain individual reflective optical scales 10 for encoders.
  • a holding member 65 made of a metal base material at a position opposite to the upper blade 64.
  • the holding member 65 holds the metal base material together with the upper blade 64 during punching, and punching can be performed with less burrs and sag.
  • the width of the clearance in this step is set to, for example, 0.020 mm or less, preferably 0.017 mm or less, and more preferably 0.015 mm or less. It becomes easy to set the width within the above range.
  • the width of the clearance is, for example, 0.003 mm or more, preferably 0.004 mm or more, and more preferably 0.006 mm or more.
  • the width of the clearance refers to the distance C in the width direction between the end surface of the upper blade 64 and the end surface of the lower blade 61, as shown in FIG. 6(b).
  • the width of the clearance is, for example, 0.003 mm or more and 0.020 mm or less, preferably 0.004 mm or more and 0.017 mm or less, and more preferably 0.006 mm or more and 0.015 mm or less.
  • the reflective optical scale for encoders obtained in this step is the same as the reflective optical scale for encoders described in "A. Reflective optical scale for encoders" above.
  • D. Reflective optical scale multi-sided mounting body for encoder In the present disclosure, it has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the reflectance of at least the first surface is 50% or more, A metal substrate for processing having a thickness of 0.05 mm or more and 0.60 mm or less, and a pattern shape arranged in a circumferential manner in multiple faces on the first surface side of the metal substrate for processing.
  • the multi-sided body for the encoder Provided is a reflective optical scale multi-sided mounting body for an encoder, in which the distance between the planned outer peripheral punching line of the reflective optical scale and the outer peripheral surface of the low reflection layer is 500 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less.
  • the distance between the planned outer peripheral punching line of the reflective optical scale for encoders and the outer peripheral surface of the low reflection layer is within a predetermined range. Since the outer periphery sagging that occurs during punching is less likely to occur in the region where the low reflective layer is formed, peeling and cracking of the low reflective layer can be suppressed. Furthermore, it is possible to suppress the increase in size of the reflective optical scale for the encoder.
  • the reflective optical scale multi-sided mounting body for encoders of the present disclosure is similar to the content described in the above "C. Method for manufacturing reflective optical scales for encoders", so the explanation here will be omitted.
  • Example 1-1 A SUS base material for processing with a thickness of 0.3 mm was prepared. Using the punching device shown in FIG. 6, the SUS base material to be processed was punched to obtain a perforated disc-shaped SUS base material with an outer diameter of 23.5 mm and an inner diameter of 15.0 mm. At this time, the width C of the clearance was set to 0.004 mm. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(a).
  • Example 1-2 Further, a perforated disk-shaped SUS base material was obtained in the same manner as in Experimental Example 1-1 except that the width of the clearance was changed to 0.015 mm. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(a).
  • Example 1-3 A perforated disc-shaped SUS base material was obtained in the same manner as in Experimental Example 1-1, except that the thickness of the SUS base material to be processed was changed to 0.4 mm. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(a).
  • Example 1-4 A perforated disc-shaped SUS base material was obtained in the same manner as in Experimental Example 1-1, except that the thickness of the SUS base material to be processed was changed to 0.4 mm, and the width of the clearance was changed to 0.009 mm. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(a).
  • Example 1-5 A perforated disc-shaped SUS base material was obtained in the same manner as in Experimental Example 1, except that the thickness of the SUS base material to be processed was changed to 0.4 mm, and the width of the clearance was changed to 0.012 mm. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(a).
  • Example 1-6 A perforated disc-shaped SUS base material was obtained in the same manner as in Experimental Example 1, except that the thickness of the SUS base material to be processed was changed to 0.4 mm, and the width of the clearance was changed to 0.015 mm. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(a).
  • Example 2-1 A SUS base material for processing with a thickness of 0.3 mm was prepared. Using the punching device shown in Fig. 6, the SUS base material to be processed is punched to form a perforated disc-shaped SUS base material with an outer diameter of 23.5 mm, an inner diameter of 15.0 mm, and a difference in outer and inner diameters of 8.5 mm. I got the material. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(b).
  • Example 2-2 A perforated disc-shaped SUS base material having an outer diameter of 21.96 mm, an inner diameter of 9.16 mm, and a difference in outer and inner diameters of 12.8 mm was obtained in the same manner as in Experimental Example 2-1. The width of the outer peripheral sag of the obtained perforated disk-shaped SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(b).
  • Example 2-3 A hole with an outer diameter of 23.5 mm, an inner diameter of 15.0 mm, and a difference in outer and inner diameters of 8.5 mm was prepared in the same manner as in Experimental Example 2-1, except that the thickness of the SUS base material for processing was 0.4 mm. A disk-shaped SUS base material was obtained. The width of the outer peripheral sag of the obtained SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(b).
  • Example 2-4 A hole with an outer diameter of 25.3 mm, an inner diameter of 13.8 mm, and a difference in outer and inner diameters of 11.5 mm was prepared in the same manner as in Experimental Example 2-1, except that the thickness of the SUS base material for processing was 0.4 mm. A disk-shaped SUS base material was obtained. The width of the outer peripheral sag of the obtained SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(b).
  • Example 2-5 A hole with an outer diameter of 21.96 mm, an inner diameter of 9.16 mm, and a difference in outer and inner diameters of 12.8 mm was prepared in the same manner as in Experimental Example 2-1, except that the thickness of the SUS base material for processing was 0.4 mm. A disk-shaped SUS base material was obtained. The width of the outer peripheral sag of the obtained SUS base material was measured. The results are shown in FIG. 7(b).
  • a disk-shaped metal base material having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
  • a reflective optical scale for an encoder comprising a low reflection layer arranged in a pattern, wherein the metal base material has a reflectance of at least 50% or more on the first surface and a thickness of 0. 05 mm or more and 0.60 mm or less, the metal base material has a sag on the outer peripheral edge on the first surface side, and the width of the sag is 500 ⁇ m or less.
  • a disk-shaped metal base material having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
  • a reflective optical scale for an encoder comprising: a low reflection layer arranged in a pattern along the circumferential direction of the metal base on the first surface side of the metal base;
  • a reflective optical scale for an encoder wherein a distance D1 between the outer peripheral surface of the base material and the outer peripheral surface of the low reflection layer is 500 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less.
  • a reflective optical encoder comprising: a light source; and a photodetector that detects reflected light from the encoder reflective optical scale.
  • the coating has a first surface and a second surface opposite to the first surface, the reflectance of at least the first surface is 50% or more, and the thickness is 0.05 mm or more and 0.60 mm or less. It has a metal base material for processing, and a patterned low reflection layer arranged in a circumferential manner, which is multifaceted on the first surface side of the metal base material for processing, and the low reflection layer is a step of producing a multi-sided body in which a planned outer circumferential punching line of the reflective optical scale for an encoder is formed on the outside of the outer peripheral surface; and a step of punching out the multi-sided body on the planned outer circumferential punching line to separate the multi-sided body into pieces.
  • a method for manufacturing a reflective optical scale for an encoder comprising: a singulation step of obtaining a reflective optical scale for an encoder.
  • the coating has a first surface and a second surface opposite to the first surface, the reflectance of at least the first surface is 50% or more, and the thickness is 0.05 mm or more and 0.60 mm or less. It has a metal base material for processing, and a patterned low reflection layer arranged in a circumferential manner, which is multifaceted on the first surface side of the metal base material for processing, and the low reflection layer is A multi-faceted body in which a planned outer circumferential punching line of the reflective optical scale for an encoder is formed on the outside of the outer circumferential surface, the planned outer circumferential punching line of the reflective optical scale for an encoder and the planar punching line of the low reflective layer. A reflective optical scale multi-sided mounting body for an encoder, the distance from the outer peripheral surface being 500 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less.

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Abstract

本開示は、第１面、および上記第１面に対向する第２面を有する、円盤状の金属基材と、上記金属基材の前記第１面側に、上記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールであって、上記金属基材は、少なくとも上記第１面側の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下であり、上記金属基材は前記第１面側の外周縁にダレを有し、上記ダレの幅が５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケールを提供する。

Description

エンコーダ用反射型光学式スケール、反射型光学式エンコーダ、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法、およびエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体
　本開示は、エンコーダ用反射型光学式スケール、反射型光学式エンコーダ、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法、およびエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体に関するものである。
　従来、制御機構を備えるサーボモータ等に光学式エンコーダが使用されている。光学式エンコーダには、透過型エンコーダと反射型エンコーダがあるが、反射型エンコーダは透過型エンコーダに比べて光路が短く、小型化、薄型化が容易であり、また、発光素子や受光素子の位置決めが不要であり組み立てが容易であるという利点を有する。
　反射型光学式エンコーダは、反射型光学式スケール、スケールに光を照射するＬＥＤ等の光源、及びスケールからの反射光を検出する光検出器を含む。反射型光学式スケールは、反射領域（高反射領域）と非反射領域（低反射領域）が交互に配置され、反射領域における光の反射率は、非反射領域における光の反射率よりも高い（例えば、特許文献１）。
　これにより、スケールから反射し光検出器に入射する光の強さは、スケールの位置の変化により強弱を生じる。光検出器は、スケールの位置が測長方向に移動することによって生じる光の強弱を検出する。反射型光学式エンコーダは、検出された光の強弱にしたがって、このスケールの位置の変位情報を処理し、位置情報を取得しうる。
特開２００５－２４１２４８号公報
　従来、反射型光学式スケールは、複数の反射型光学式スケールが並んで配置されている多面付け体を個片化することによって製造される。個片化工程においては、加工精度が良好であることから、エッチング加工によって個片化する場合が多い。しかしながら、エッチング加工による個片化は、コスト面で不利である。
　そのため、本願の発明者は、反射型光学式スケールの多面付け体を、打ち抜き加工により個片化する方法を試みた。しかしながら、打ち抜き加工により個片化されたスケールは、外周縁にダレ（以下、外周ダレともいう）が生じる。本願の発明者は、低反射層が形成されている領域である低反射領域に外周ダレが生じると、低反射層の剥がれやヒビが発生する場合があることを知見した。従って、打ち抜き加工により外周ダレが生じる領域には、予め低反射層を配置しないことを検討した。一方で、通常、エンコーダ用の光学式スケールにはエンコーダ装置に応じて所定サイズの低反射領域が求められるため、光学式スケールの外周端部に低反射層の非形成領域を設けると、実際のスケールサイズが大きくなってしまう。そこで、打ち抜き加工による外周ダレ領域が低減されたエンコーダ用反射型光学式スケールが求められている。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、外周ダレ領域が低減されたエンコーダ用反射型光学式スケールを提供することを主目的とする。
　本開示の一実施形態は、第１面、及び上記第１面に対向する第２面を有する、円盤状の金属基材と、上記金属基材の上記第１面側に、上記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールであって、上記金属基材は、少なくとも上記第１面側の反射率が５０％以上であり、上記金属基材の厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下であり、上記金属基材は上記第１面側の外周縁にダレを有し、上記ダレの幅が５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケールを提供する。
　本開示の他の一実施形態は、上述のエンコーダ用反射型光学式スケールと、上記エンコーダ用反射型光学式スケールの上記低反射層が配置された側の表面に、測定光を照射する光源と、上記エンコーダ用反射型光学式スケールからの反射光を検出する光検出器と、を備えることを特徴とする反射型光学式エンコーダを提供する。
　本開示の他の一実施形態は、第１面、及び上記第１面に対向する第２面を有し、少なくとも上記第１面側の反射率が５０％以上であり、上記金属基材の厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材、並びに上記被加工用金属基材の上記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層、を有し、各々の上記低反射層の外周面よりも外側に上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体を作製する工程と、上記多面付け体を上記外周打ち抜き予定線で打ち抜いて個片化することにより、エンコーダ用反射型光学式スケールを得る個片化工程と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法を提供する。
　本開示の他の一実施形態は、第１面、及び上記第１面に対向する第２面を有し、少なくとも上記第１面の反射率が５０％以上であり、上記金属基材の厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材と、上記被加工用金属基材の上記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層と、を有し、各々の上記低反射層の外周面よりも外側に上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体であって、上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線と、上記低反射層の外周面との距離が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体を提供する。
　本開示においては、外周ダレ領域が低減されたエンコーダ用反射型光学式スケールを提供できるという効果を奏する。
本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールを例示する概略上面図である。 本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールを例示する部分拡大断面図である。 本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールを例示する概略断面図である。 本開示における反射型光学式エンコーダを例示する概略斜視図である。 本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体を例示する概略上面図である。 本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法における個片化工程で用いる打ち抜き加工装置を例示する概略断面図である。 実験例１－１～１－６および実験例２－１～２－５の結果を示すグラフである。
　本開示は、エンコーダ用反射型光学式スケール、反射型光学式エンコーダ、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法、およびエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体を実施態様に含む。以下、本開示の実施態様を、図面等を参照しながら説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
　本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」、あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含む。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面側に」または「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含む。
　また、本明細書において、「エンコーダ用反射型光学式スケール」を単に「光学式スケール」と称する場合がある。
　以下、本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケール、反射型光学式エンコーダ、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法、およびエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体について詳細に説明する。
Ａ．エンコーダ用反射型光学式スケール
　図１は、本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールの一例を示す概略上面図である。図２（ａ）は、図１の点線枠ａ部分のＡ－Ａ拡大断面図である。図２（ｂ）は、図１の点線枠ｂ部分のＢ－Ｂ拡大断面図である。
　図１および図２に示すエンコーダ用反射型光学式スケール１０は、第１面１ａと、第１面に対向する第２面１ｂとを有する、円盤状の金属基材１と、金属基材１の第１面１ａ側に、金属基材１の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層２とを有する。本開示において、金属基材１は、少なくとも第１面１ａの反射率が所定の値以上であり、金属基材１自体の厚さが所定の範囲である。さらに、金属基材１は、図２（ｂ）に示すように、第１面１ａ側の外周縁にダレＰを有し、ダレＰの幅Ｘが所定の値以下である。図１のエンコーダ用反射型光学式スケール１０は、有孔円盤状を有しており、低反射層２が設けられた領域である低反射領域Ｒ２と、低反射層２が設けられていない領域である高反射領域Ｒ１とが周方向に交互に配置されている。低反射領域Ｒ２は、エンコーダ用反射型光学式スケール１０の厚さ方向において、金属基材１および低反射層２を有する。高反射領域Ｒ１は、金属基材１を有する。上記高反射領域Ｒ１における光の反射率は、上記低反射領域Ｒ２における光の反射率よりも高い。なお、上記高反射領域Ｒ１における光の反射率、および上記低反射領域Ｒ２における光の反射率は、同一の波長および同一の入射角での反射率を示すものである。
　本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールは、金属基材の第１面側の外周縁にダレを有し、ダレの幅が所定の値以下である。このような金属基材の外周縁にダレを有する光学式スケールは、通常、打ち抜き加工により製造されたものである。そのため、エッチング加工により製造された光学式スケールに比べ、コスト面で有利である。また、このような金属基材の外周ダレ領域が低減された光学式スケールは、低反射層の非形成領域の幅を狭くすることができるため、スケールのサイズの拡大を抑制しつつ、低反射層の剥がれやヒビを抑制することができる。以下、本開示のエンコーダ用反射型光学式スケールについて詳細に説明する。
１．金属基材
（１）外周ダレ
　本開示における金属基材は、円盤状であり、第１面と、上記第１面に対向する第２面とを有し、第１面側の外周縁にダレを有する。さらに、本開示における金属基材のダレの幅は、５００μｍ以下であり、４５０μｍ以下が好ましく、４００μｍ以下がより好ましく、３５０μｍ以下が特に好ましい。ダレの幅が大きすぎると低反射層の形成領域に重複してしまい、低反射層の剥がれやヒビが生じるおそれがある。一方、本開示における金属基材のダレの幅は、例えば１０μｍ以上であり、１００μｍ以上であってもよく、２００μｍ以上であってもよく、２５０μｍ以上であってもよい。ダレの幅が小さすぎるとスケールにうねりが生じてしまうおそれがある。
　具体的には、本開示における金属基材のダレの幅は、例えば、１０μｍ以上、５００μｍ以下であり、１００μｍ以上、４５０μｍ以下が好ましく、２００μｍ以上、４００μｍ以下がより好ましく、２５０μｍ以上、３５０μｍ以下が特に好ましい。
　本明細書において、ダレの幅とは、図２（ｂ）に示すように、金属基材１の第１面１ａがダレ始める点と、金属基材１の外周面１ｃの延長線上との距離Ｘをいう。
　上記ダレの幅、すなわち距離Ｘの測定方法としては、以下の通りである。まず、金切り鋏、シャーリング、レーザーカットなどの方法を用いて、金属基材を第１面に対して垂直方向に切断し、切断面を研磨機を用いて平面に研磨して測定サンプルを得る。測定サンプルの切断面を、切断面に対して垂直方向から顕微鏡にて観察し、金属基材１の第１面１ａがダレ始める点と、金属基材１の外周面１ｃの延長線上との距離Ｘを測定する。金属基材１の第１面１ａがダレ始める点とは、金属基材１の第１面の平面部分と平行ではなくなる点、具体的に、垂直方向に３μｍ以上離れた点とする。また、上記外周ダレの幅は、スケールの円周を３０°刻み、合計１２ポイントで観察および測定した平均値とする。
　本開示における金属基材のダレの量は、例えば、５００μｍ以下であり、４５０μｍ以下が好ましく、４００μｍ以下がより好ましく、３５０μｍ以下が特に好ましい。ダレの量が大きすぎるとスケールの強度不足による破損などのおそれがある。一方、本開示における金属基材のダレの量は、例えば、１０μｍ以上であり、２００μｍ以上が好ましく、２５０μｍ以上がより好ましく、３００μｍ以上が特に好ましい。ダレの量が小さすぎるとスケールにうねりが生じてしまうおそれがある。
　具体的には、本開示における金属基材のダレの量は、例えば、１０μｍ以上、５００μｍ以下であり、２００μｍ以上、４５０μｍ以下が好ましく、２５０μｍ以上、４００μｍ以下がより好ましく、３００μｍ以上、３５０μｍ以下が特に好ましい。
　本明細書において、ダレの量とは、図２（ｂ）に示すように、金属基材１の外周面１ｃの上端（ダレと外周面１ｃとの境界点）と、金属基材の第１面１ａの延長線との距離Ｙをいう。
　上記ダレの量、すなわち距離Ｙの測定方法としては、上述したダレの幅の測定方法と同様の方法で測定サンプルを作製し、距離Ｙを測定する。なお、金属基材１の外周面１ｃの上端（ダレと外周面１ｃとの境界点）とは、金属基材１の外周面１ｃと平行ではなくなる点、具体的に、平面方向に３μｍ以上離れた点とする。
　また、後述する金属基材の厚さＴ１に対する金属基材の外周端における厚さＴ２の割合（Ｔ２／Ｔ１）は、例えば、０．７０以上であり、０．８０以上であってもよい。Ｔ２／Ｔ１が小さすぎるとスケールの強度不足による破損などのおそれがある。一方、上記割合は、例えば、０．９０以下であり、０．８７以下であってもよい。Ｔ２／Ｔ１が大きすぎるとスケールにうねりが生じてしまうおそれがある。
　具体的には、本開示における金属基材の厚さＴ１に対する金属基材の外周端における厚さＴ２の割合（Ｔ２／Ｔ１）は、０．７０以上、０．９０以下が好ましく、０．８０以上、０．８７以下がより好ましい。
　本開示における金属基材が有孔円盤状である場合、第１面側の内周縁にダレ（以下、内周ダレともいう）を有していてもよい。内周ダレの幅および量は、上記外周ダレの幅および量と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
（２）反射率
　本開示における金属基材は、少なくとも第１面の反射率が５０％以上であり、５５％以上であってもよく、６０％以上であってもよい。上記反射率は、例えば、１００％以下である。
　具体的には、本開示における金属基材の第１面の反射率は、例えば、５０％以上、１００％以下であり、５５％以上、１００％以下が好ましく、６０％以上、１００％以下がより好ましい。
　なお、ここでいう反射率とは、例えば光学式エンコーダで用いられる検出光に対する反射率であり、入射する光が５００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内のいずれかの波長である場合に、入射角が５°～７０°の範囲において、反射率が上記範囲であることがより好ましい。反射率の測定方法としては、株式会社島津製作所製　ＳｏｌｉｄＳｐｅｃ　３７００ＤＵＶを使用し、照射ビームサイズ：約６ｍｍ×１５ｍｍを用いることができる。Ｐ偏光、Ｓ偏光とも測定を行い、和の平均をとることで、４５°直線偏光を計算し、反射率を算出する。金属基材の反射率が上記範囲であれば、高反射領域での反射率と低反射領域での反射率の差が大きいため、光検出器による誤検出を防ぎ、信号の検出精度を高めることができる。
（３）厚さ
　本開示における金属基材は、厚さＴ１が、０．０５ｍｍ以上であり、０．１ｍｍ以上が好ましく、０．３ｍｍ以上がより好ましい。金属基材の厚さが上記範囲であれば、エンコーダ用の反射型光学式スケールとしての強度が十分となる。一方、金属基材の厚さＴ１は、０．６０ｍｍ以下であり、０．５０ｍｍ以下が好ましく、０．４ｍｍ以下がより好ましい。金属基材の厚さが上記範囲であれば、外周ダレの幅を上記範囲とすることが容易となる。なお、金属基材の厚さＴ１とは、ダレ領域を除いた、金属基材の平均厚さをいう。
　具体的には、本開示における金属基材の厚さＴ１は、０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下であり、０．１０ｍｍ以上、０．５０ｍｍ以下が好ましく、０．３０ｍｍ以上、０．４０ｍｍ以下がより好ましい。
（４）その他
　上記反射率を有し、かつ、上記外周ダレ幅が得られる金属基材の材質としては、ステンレス（ＳＵＳ）、銅、アルミニウム等が挙げられる。
　また、本開示における金属基材は円盤状であり、例えば、中心孔を備えた有孔円盤状であってもよいし、中心孔を備えていなくてもよい。金属基材が有孔円盤状である場合、平面視において、外径は、例えば１５ｍｍ以上であり、２０ｍｍ以上であってもよい。一方、外径は、例えば７０ｍｍ以下であり、６０ｍｍ以下であってもよい。具体的には、外径は、例えば１５ｍｍ以上、７０ｍｍ以下であり、２０ｍｍ以上、６０ｍｍ以下であってもよい。また、内径は、例えば、５ｍｍ以上、２０ｍｍ以下である。また、外径と内径との差（外内径差）は、例えば、８ｍｍ以上、１３ｍｍ以下である。この範囲であれば、打ち抜き加工の際に生じるスケールのうねりを抑制できる。
２．低反射層
　本開示における低反射層は、金属基材の第１面側に、金属基材の円周方向に沿ってパターン状に設けられる。本開示において、低反射層が設けられている領域である低反射領域は、波長領域５００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内のいずれかの波長における反射率が、例えば、１０％以下であり、５％以下であってもよく、１％以下であってもよい。一方、低反射領域の上記反射率は、例えば、０％以上である。具体的には、本開示における低反射領域の上記反射率は、例えば、０％以上、１０％以下であり、０％以上、５％以下が好ましく、０％以上、１％以下がより好ましい。
　本開示のエンコーダ用反射型光学式スケールは、金属基材の外周面から、５００μｍ内側までの領域に、低反射層を有さないことが好ましい。本開示のエンコーダ用反射型光学式スケールにおける金属基材は外周ダレを有し、ダレの幅が５００μｍ以下である。金属基材の外周面から、５００μｍ内側までの領域に、低反射層を有さないことにより、低反射層の剥がれやヒビを抑制することができる。
　具体的には、図２（ｂ）に示すように、金属基材１の外周面１ｃと、低反射層２の外周面２ｃとの距離Ｄ１は、５００μｍ以上が好ましく、５５０μｍ以上がより好ましく、６００μｍ以上が特に好ましい。距離Ｄ１が上記範囲であれば、低反射層の剥がれやヒビを容易に抑制することができる。一方、上記距離Ｄ１は、例えば、１５００μｍ以下であり、１０００μｍ以下が好ましく、９００μｍ以下がより好ましい。上記距離Ｄ１が、上記範囲であれば、エンコーダ用反射型光学式スケールのサイズの拡大を抑制することができる。
　具体的には、上記距離Ｄ１は、例えば５００μｍ以上、１５００μｍ以下であり、５５０μｍ以上、１０００μｍ以下が好ましく、６００μｍ以上、９００μｍ以下がより好ましい。
　なお、上記距離Ｄ１の値は、第１面、および上記第１面に対向する第２面を有する、円盤状の金属基材と、上記金属基材の上記第１面側に、上記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールにおいても、適用されるものである。
　本開示における低反射層は、金属基材の第１面側に、金属基材の円周方向に沿ってパターン状に設けられる。低反射層としては、低反射層が設けられている領域である低反射領域に入射する光の反射率が、高反射領域に入射する光の反射率よりも小さければ、その構成は特に限定されない。
　本開示においては、金属基材側から、金属クロム膜と、金属クロム膜上に順不同に形成された酸化クロム膜及び窒化クロム膜との３層構造を有することが好ましい。このような低反射層であれば、波長領域５００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内のいずれかの波長において、低反射領域に入射する光の反射率が、１０％以下、好ましくは５％以下、更には１％以下まで下げることができる。一方、低反射領域の上記反射率は、例えば、０％以上である。具体的には、本開示における上記低反射領域の反射率は、例えば、０％以上、１０％以下であり、０％以上、５％以下が好ましく、０％以上、１％以下がより好ましい。
　なお、上記低反射領域の反射率は、入射角５°～７０°の範囲内のいずれかの角度において、上記範囲を満たすことが好ましい。そのため、高反射領域での反射率と低反射領域での反射率との差を大きくすることができる。また、金属クロムのみを準備すれば、反応性スパッタ等を利用することにより、容易に酸化クロム膜及び窒化クロム膜を形成することができる。更に、高精細のパターニングも酸化ケイ素膜と比較して容易に行うことができる。
　本明細書において、「金属クロム膜上に順不同に形成された、酸化クロム膜及び窒化クロム膜」とは、金属クロム膜、酸化クロム膜、および窒化クロム膜の順で形成されていてもよいし、金属クロム膜、窒化クロム膜、および酸化クロム膜の順で形成されていてもよいことを意味する。
　例えば、図３（ａ）に示すエンコーダ用反射型光学式スケール１０の低反射層２は、金属基材１側から、金属クロム膜２ｃと、上記金属クロム膜２ｃ上に形成された窒化クロム膜２ｂと、窒化クロム膜２ｂ上に形成された酸化クロム膜２ａと、を有する。一方、図３（ｂ）に示すエンコーダ用反射型光学式スケール１０の低反射層２は、金属基材１側から、金属クロム膜２ｃと、上記金属クロム膜２ｃ上に形成された酸化クロム膜２ａと、酸化クロム膜２ａ上に形成された窒化クロム膜２ｂと、を有する。
　低反射領域の最表面は、低反射層の酸化クロム膜又は窒化クロム膜の表面であることが好ましく、特に、酸化クロム膜の表面であることが好ましい。より効果的に、低反射領域での反射率を低減できるからである。
　以下、「金属クロム膜、窒化クロム膜、酸化クロム膜がこの順に配置された低反射層」を第一仕様の低反射層、「金属クロム膜、酸化クロム膜、窒化クロム膜がこの順に配置された低反射層」を第二仕様の低反射層と称する。　
　（１）第一仕様の低反射層
　本仕様の低反射層は、基材側から、金属クロム膜、窒化クロム膜、酸化クロム膜がこの順に配置されている。本仕様の低反射層を有する低反射領域は、光源から照射された光の波長領域５００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内のいずれかの波長における反射率を５％以下、特に０．５％以下まで下げることができるとともに、波長変化に対する反射率変化が緩やかであり、反射率の制御が容易となる。具体的には、上記反射率を０％以上、５％以下に、特に、０％以上、０．５％以下に下げることができる。以下、各層について詳細に説明する。
（ａ）金属クロム膜
　本仕様においては、金属クロム膜は金属基材上に設けられている。金属クロム膜は、金属クロムからなる層である。金属クロム膜は、実質的に光源から照射された光を透過しない層であり、透過率が０．０％以上１．０％以下であることが好ましい。透過率は、（株）島津製作所製の分光光度計（ＭＰＣ－３１００）等を用いて測定することができる。膜厚は、例えば、４０ｎｍ以上、好ましくは、７０ｎｍ以上である。
　ここで、各部材の「厚み」とは、一般的な測定方法によって得られる厚みをいう。厚みの測定方法としては、例えば、触針で表面をなぞり凹凸を検出することによって厚みを算出する触針式の方法や、分光反射スペクトルに基づいて厚みを算出する光学式の方法等が挙げられる。具体的には、ケーエルエー・テンコール株式会社製の触針式膜厚計Ｐ－１５を用いて厚みを測定することができる。なお、厚みとして、対象となる部材の複数箇所における厚み測定結果の平均値が用いられてもよい。　
　金属クロム膜の形成方法としては、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）が用いられる。
（ｂ）窒化クロム膜
　本仕様における窒化クロム膜は、金属クロム膜と酸化クロム膜との間に配置されている。窒化クロム膜は、酸化窒化クロムや酸化窒化炭化クロム等とは異なり、その主成分がクロム及び窒素であり、クロム及び窒素以外の不純物を実質的に含有しない。
　窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜のＣｒとＮとの原子比率を表すｘとしては、０．４以上１．１以下であることが好ましい。
　また、窒化クロム膜は、膜全体を１００原子％として、クロム及び窒素の割合が８０％以上１００％以下の範囲内、中でも、９０％以上１００％以下の範囲内の純度が好ましい。不純物としては、例えば、水素、酸素、炭素等が含まれていても良い。
　窒化クロム膜の膜厚（ＴＮ）は、好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内、特に１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、後述する酸化クロム膜の膜厚（ＴＯ）との関係において、波長が８５０ｎｍの場合には、ＴＮとＴＯとの合計が４０ｎｍ以上、波長が５５０ｎｍの場合には、ＴＮとＴＯとの合計が２０ｎｍ以上であることが好ましい。このような膜厚範囲であれば、上記範囲外である場合に比べ、低反射領域における反射率を容易に、１０％以下、特には５％以下と低くすることができる。更には、窒化クロム膜の膜厚（ＴＮ）は、緑色から赤外（５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度）領域全域における反射率を低減することが容易となるため、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内が好ましい。
　窒化クロムの形成方法としては、例えば反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）が用いられる。反応性スパッタ法の利用に際しては、アルゴン（Ａｒ）ガス中に窒素を導入し、Ｃｒターゲットを用いた反応性スパッタリング法にて窒化クロム膜を成膜することができる。この際、窒化クロム膜の組成の制御は、Ａｒガス、窒素ガスの割合を制御することにより行うことができる。
（ｃ）酸化クロム膜
　酸化クロム膜は、窒化クロム膜上に形成されており、その主成分がクロム及び酸素であり、酸化窒化クロムや酸化窒化炭化クロム等とは異なり、クロム及び酸素以外の不純物を実質的に含有しない。　
　酸化クロム（ＣｒＯｙ）膜のＣｒとＯとの原子比率を表すｙとしては、１．４以上２．１以下であることが好ましい。
　具体的には、酸化クロム膜は、膜全体を１００原子％として、クロム及び酸素の割合が８０～１００％の範囲内、中でも、９０％以上１００％以下の範囲内の純度が好ましい。
不純物として、水素、窒素、炭素等が含まれていても良い。
　酸化クロム膜の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内、特に１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、酸化クロムの膜厚（ＴＯ）は、窒化クロム膜の膜厚（ＴＮ）との合計膜厚が上記「（１）第一仕様の低反射層　（ｂ）窒化クロム膜」で記載した範囲となることが好ましい。更には、酸化クロム膜の膜厚（ＴＯ）は、緑色～赤外（５００以上１０００ｎｍ以下程度）領域全域における反射率を低減することが容易となるため、１０ｎｍ以上６５ｎｍ以下の範囲内が好ましい。
　酸化クロムの形成方法としては、例えば反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）が用いられる。反応性スパッタ法の利用に際しては、アルゴン（Ａｒ）ガス中に酸素を導入し、Ｃｒターゲットを用いた反応性スパッタリング法にて酸化クロム膜を成膜することができる。この際、酸化クロム膜の組成の制御は、Ａｒガス、酸素ガスの割合を制御することにより行うことができる。
（２）第二仕様の低反射層
　本仕様の低反射層は、金属基材側から、金属クロム膜、酸化クロム膜、窒化クロム膜がこの順に配置されている。本仕様の低反射層を有する低反射領域は、光源から照射された光の波長領域５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内のいずれかの波長における反射率を５％以下、特に１％以下まで下げることができる。具体的には、上記反射率を０％以上、５％以下に、特に、０％以上、１％以下に下げることができる。以下、各層について詳細に説明する。
（ａ）金属クロム膜
　本仕様における金属クロム膜は、基材上に形成されている。金属クロム膜の詳細は上述した「（１）第一仕様の低反射層　（ａ）金属クロム膜」と同様であるため、ここでの説明は省略する。
（ｂ）酸化クロム膜
　本仕様における酸化クロム膜は、金属クロム膜と窒化クロム膜との間に配置されている。膜厚は、特に限定されないが、例えば、好ましくは５ｎｍ～６０ｎｍ、特に１０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。さらに、後述する窒化クロム膜の膜厚との関係を満たすことが好ましい。より確実に、低反射領域の波長領域５００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内のいずれかの波長における反射率を１０％以下、特には５％以下と低くすることができるからである。
　更には、酸化クロム膜の膜厚（ＴＯ）は、緑色～赤外（５００～１０００ｎｍ程度）領域全域における反射率を低減することが容易となるため、５ｎｍ～３５ｎｍの範囲内が好ましい。
　その他の酸化クロム膜の物性、組成及び形成方法の詳細は、上述した「（１）第一仕様の低反射層　（ｃ）酸化クロム膜」と同様であるため、ここでの説明は省略する。
（ｃ）窒化クロム膜
　本仕様の窒化クロム膜は、酸化クロム膜上に形成されている。本仕様の窒化クロム膜の膜厚は特に限定されないが、例えば、好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内、特に１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。更に、酸化クロム膜の膜厚（ＴＯ）との関係において、波長が８５０ｎｍの場合には、ＴＮとＴＯとの合計が３０ｎｍ以上、波長が５５０ｎｍの場合には、ＴＮとＴＯとの合計が１５ｎｍ以上であることが好ましい。更には、本仕様の窒化クロム膜の膜厚（ＴＮ）は、緑色から赤外（５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度）領域全域における反射率を低減することが容易となるため、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下の範囲内が好ましい。
　本開示における低反射層の形成方法は特に限定されないが、選択エッチングやリフトオフによって製造することができる。具体的には、金属基材上に、例えば、スパッタ法等により、金属クロム膜を形成し、その後、窒化クロム膜及び酸化クロム膜を形成する。次に、金属クロム膜、窒化クロム膜及び酸化クロム膜をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングすることで、パターン状の低反射層を製造することができる。
　また、別の方法としては、金属基材上にレジストパターンを形成し、スパッタリング法等の公知の真空製膜法を用いて、金属クロム膜、窒化クロム膜及び酸化クロム膜を形成する。その後、レジストパターンを除去することでレジストパターン直上に形成された金属クロム膜、窒化クロム膜、酸化クロム膜をリフトオフし、窒化クロム膜及び酸化クロム膜のパターンを得る方法によっても形成することができる。
　本開示における低反射領域は、波長領域５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲内のいずれかの波長における反射率が、例えば、１０％以下であり、５％以下であってもよく、１％以下であってもよい。
　具体的には、本開示における低反射領域の上記反射率は、例えば、０％以上、１０％以下であり、０％以上、５％以下が好ましく、０％以上、１％以下がより好ましい。なお、低反射領域の反射率は、入射角５°以上７０°以下の範囲内のいずれかの角度において、上記範囲を満たすことが好ましい。低反射領域の最表面は、低反射層の酸化クロム膜又は窒化クロム膜の表面であることが好ましく、特に、酸化クロム膜の表面であることが好ましい。より効果的に、低反射領域での反射率を低減することができるからである。
３．他の層構成
　本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールは、上記金属基材および上記低反射層以外に、他の層を有していてもよい。例えば、本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールは、金属基材と低反射層との間に保護層を有していてもよい。
　保護層は、透明性を有し、また、金属基材を保護する機能を有することが好ましい。保護層を設けることにより、低反射層をパターン状に形成する際のエッチング時に、金属基材の表面が荒れて表面粗さが大きくなる恐れがない。そのため、光の乱反射を抑制することができる。保護層は、平面視において、金属基材の全域に設けられていてもよいし、一部領域に設けられていてもよい。
　保護層の材料としては、透明性を有し、高反射層を保護することができる材料であれば特に限定されず、有機材料、無機材料のいずれであってもよい。
　有機材料は、樹脂を含むことが好ましい。保護層に用いられる樹脂としては、透明性を有する保護層を得ることができる樹脂であれば特に限定されず、例えば、紫外線や電子線等の電離放射線の照射により硬化する電離放射線硬化性樹脂、加熱により硬化する熱硬化性樹脂等が挙げられる。具体的には、ノボラック系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂が好ましい。ノボラック系樹脂としては、中でもフェノールノボラック樹脂が好ましい。電気特性に優れ、帯電による不具合を抑制することができるためである。アクリル系樹脂としては、中でもペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの三官能以上のアクリレートが好ましい。光硬化性を高めることができるためである。エポキシ系樹脂としては、フルオレン構造を有するエポキシアクリレート樹脂が好ましい。耐熱性、密着性、耐薬品性が向上するためである。エポキシ系樹脂としては、カルドエポキシ樹脂も好ましい。優れた透明性、耐熱性、表面硬度、平坦性を付与できるためである。有機材料は、樹脂の他に、重合開始剤や各種添加剤等が含まれていてもよい。
　無機材料としては、無機化合物が挙げられる。無機化合物としては、例えば、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、カリウム、スズ、ナトリウム、チタン、ホウ素、イットリウム、ジルコニウム、セリウム、亜鉛等の金属元素または非金属元素の酸化物、酸化窒化物、窒化物、酸化炭化物、酸化炭化窒化物等が挙げられる。特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。無機化合物は、単独で用いてもよいし、上述の材料を任意の割合で混合して用いてもよい。
４．エンコーダ用反射型光学式スケール
　本開示のエンコーダ用反射型光学式スケールは、通常、ロータリーエンコーダ用の光学式スケールとして用いられる。エンコーダ用反射型光学式スケールは円盤状であり、例えば、中心孔を備えた有孔円盤状であってもよく、中心孔を備えていなくてもよい。本開示のエンコーダ用反射型光学式スケールが有孔円盤状である場合、平面視において、外径は、例えば１５ｍｍ以上であり、２０ｍｍ以上であってもよい。一方、外径は、例えば７０ｍｍ以下であり、６０ｍｍ以下であってもよい。具体的には、外径は、例えば１５ｍｍ以上、７０ｍｍ以下であり、２０ｍｍ以上、６０ｍｍ以下であってもよい。また、内径は、例えば、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。また、外径と内径との差（外内径差）は、例えば、８ｍｍ以上、１３ｍｍ以下である。この範囲であれば、打ち抜き加工の際に生じるスケールのうねりを抑制できる。
　また、本開示のエンコーダ用反射型光学式スケールは、後述する「Ｃ．エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法」により製造することができる。
Ｂ．反射型光学式エンコーダ
　本開示においては、上述したエンコーダ用反射型光学式スケールと、上記エンコーダ用反射型光学式スケールの上記低反射層が配置された側の表面に、測定光を照射する光源と、上記エンコーダ用反射型光学式スケールからの反射光を検出する光検出器と、を備えることを特徴とする反射型光学式エンコーダを提供する。
　図４は本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールを備える反射型光学式エンコーダの一例を示す概略斜視図である。本開示における反射型光学式エンコーダ１００は、エンコーダ用反射型光学式スケール１０を含み、更に、光源２１と、光検出器２２とを含む。図４においては、固定スリット２３が光検出器２２とエンコーダ用反射型光学式スケール１０との間に配置されている。本開示のエンコーダは、上述した外周ダレが低減されたエンコーダ用反射型光学式スケールを有するため、上述した理由により、コスト面で有利であり、また、低反射層の剥がれやヒビを抑制することができるため、良好なエンコーダ特性を有する。
１．エンコーダ用反射型光学式スケール
　エンコーダ用反射型光学式スケールとしては、上述した「Ａ．エンコーダ用反射型光学式スケール」で説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。　
２．光源
　光源としては、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）やレーザー等である。光源から照射される光の波長λは、例えば、緑色から赤外（５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度）領域である。光学式スケール１０に対する光の入射角度は、例えば、５°以上７０°以下である。
３．光検出器
　光検出器は、光学式スケールで反射された光を検出する。光検出器は、例えば、フォトダイオードや撮像素子などの受光素子（例えば、光電変換素子）を含む。　
４．その他
　本開示における反射型光学式エンコーダは、光検出器とエンコーダ用反射型光学式スケールとの間に固定スリットを含んでもよい。固定スリットを設けることで、光検出器が受光する光量の変化が大きくなり、検出感度を向上させることができる。固定スリットは、光源とエンコーダ用反射型光学式スケールとの間に設けてもよい。
Ｃ．エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法
　本開示においては、第１面、及び上記第１面に対向する第２面を有し、少なくとも上記第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材、並びに上記被加工用金属基材の上記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層、を有し、各々の上記低反射層の外周面よりも外側に上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体を作製する工程と、上記多面付け体を上記外周打ち抜き予定線で打ち抜いて個片化することにより、エンコーダ用反射型光学式スケールを得る個片化工程と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法を提供する。
　図５は、上記多面付け体作製工程において作製する多面付け体５０の概略上面図である。本開示における多面付け体５０は、少なくとも第１面の反射率が所定の値以上であり、厚さが所定の範囲である被加工用金属基材５１と、被加工用金属基材５１の第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層２とを有する。本開示における多面付け体５０は、各々の低反射層２の外側にエンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線Ｌが形成されている。個片化工程において外周打ち抜き予定線Ｌで打ち抜いて個片化することにより、エンコーダ用反射型光学式スケールが得られる。
１．多面付け体作製工程
　本工程では、少なくとも第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材と、被加工用金属基材の第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層と、を有し、各々の低反射層の外周面よりも外側にエンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体を作製する。
　被加工用金属基材の第１面の反射率および厚さとしては、上記金属基材の第１面の反射率および厚さと同様である。被加工用金属基材の平面視における大きさは、パターン状の低反射層が多面付け可能な大きさであれば、特に限定されない。
　低反射層としては、上記「Ａ．エンコーダ用反射型光学式スケール」に記載した低反射層と同様である。また、被加工用金属基材の第１面側に、パターン状の低反射層を多面付けする方法としては、上記「Ａ．エンコーダ用反射型光学式スケール」に記載した低反射層の形成方法と同様である。
　本開示における多面付け体は、図５に示すように、各々の低反射層２の外周面よりも外側にエンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線Ｌが形成されている。エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線Ｌと、低反射層２の外周面との距離Ｄ２は、５００μｍ以上が好ましく、５５０μｍ以上がより好ましく、６００μｍ以上が特に好ましい。上記距離Ｄ２が、上記範囲であれば、打ち抜き加工時に低反射層が形成されている領域に外周ダレが生じにくいため、低反射層の剥がれやヒビを抑制することができる。一方、距離Ｄ２は、例えば１５００μｍ以下であり、１０００μｍ以下が好ましく、９００μｍ以下がより好ましい。上記距離Ｄ２が、上記範囲であれば、エンコーダ用反射型光学式スケールのサイズの拡大を抑制することができる。具体的には、距離Ｄ２は、例えば５００μｍ以上、１５００μｍ以下であり、５５０μｍ以上、１０００μｍ以下が好ましく、６００μｍ以上、９００μｍ以下がより好ましい。
　なお、有孔円盤状のエンコーダ用反射型光学式スケールを製造するための多面付け体には、エンコーダ用反射型光学式スケールの中心孔を打ち抜くための内周打ち抜き予定線が形成されていてもよい。
２．個片化工程
　本工程においては、上記多面付け体作製工程で作製した多面付け体を、上記外周打ち抜き予定線で打ち抜いて個片化することにより、エンコーダ用反射型光学式スケールを得る。
　図６は、本開示におけるエンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法における個片化工程で用いる打ち抜き加工装置の一例を示す概略図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、多面付けされた多面付け体５０を下刃６１を有する下ステージ６２上に載置し、下ステージ６２を上方向に、上刃６４を有する上ステージ６３を下方向に動かし、押し込むことによって、多面付け体５０を打ち抜き、個々のエンコーダ用反射型光学式スケール１０を得ることができる。この際、外周打ち込み予定線および内周打ち込み予定線に、上刃の位置を合わせる。また、上刃６４の対向となる位置に、金属基材の押さえ部材６５を配置することが好ましい。押さえ部材６５により、打ち抜き加工時に上刃６４とセットで金属基材を挟み込み、バリ、ダレの少ない打ち抜き加工を行う事ができる。
　本開示においては、本工程におけるクリアランスの幅を、例えば０．０２０ｍｍ以下、好ましくは０．０１７ｍｍ以下、より好ましくは０．０１５ｍｍ以下とすることにより、エンコーダ用反射型光学式スケールの上記外周ダレの幅を上記範囲とすることが容易となる。一方、クリアランスの幅は、例えば０．００３ｍｍ以上であり、０．００４ｍｍ以上が好ましく、０．００６ｍｍ以上がより好ましい。クリアランスの幅が上記範囲であることにより、打ち抜き装置の刃への負担を低減することができる。なお、クリアランスの幅とは、図６（ｂ）に示すように、上刃６４の端面と下刃６１の端面との幅方向の距離Ｃをいう。具体的には、クリアランスの幅は、例えば０．００３ｍｍ以上、０．０２０ｍｍ以下であり、０．００４ｍｍ以上、０．０１７ｍｍ以下が好ましく、０．００６ｍｍ以上、０．０１５ｍｍ以下がより好ましい。
　本工程で得られるエンコーダ用反射型光学式スケールは、上記「Ａ．エンコーダ用反射型光学式スケール」に記載したエンコーダ用反射型光学式スケールの内容と同様である。
Ｄ．エンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体
　本開示においては、第１面と、上記第１面に対向する第２面とを有し、少なくとも上記第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材と、上記被加工用金属基材の上記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層と、を有し、各々の上記低反射層の外周面よりも外側に上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体であって、上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線と、上記低反射層の外周面との距離が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体を提供する。
　本開示のエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体によれば、エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線と、上記低反射層の外周面との距離が、所定の範囲であることにより、打ち抜き加工時に生じる外周ダレが低反射層が形成されている領域にまで生じにくくなるため、低反射層の剥がれやヒビを抑制することができる。また、エンコーダ用反射型光学式スケールのサイズの拡大を抑制することができる。
　本開示のエンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体は、上記「Ｃ．エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法」に記載した内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
　なお、本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本開示の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示の技術的範囲に包含される。
　以下、実験例を示し、本開示をさらに説明する。
（実験例１－１）
　厚さ０．３ｍｍの被加工用ＳＵＳ製基材を準備した。図６に示す打ち抜き加工用装置を用い、被加工用ＳＵＳ製基材に打ち抜き加工を施し、外径２３．５ｍｍ、内径１５．０ｍｍの有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。この際、クリアランスの幅Ｃを０．００４ｍｍとした。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ａ）に示す。
（実験例１－２）
　また、クリアランスの幅を０．０１５ｍｍに変更した以外は、実験例１－１と同様に、有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ａ）に示す。
（実験例１－３）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍに変更した以外は、実験例１－１と同様に、有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ａ）に示す。
（実験例１－４）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍ、クリアランスの幅を０．００９ｍｍに変更した以外は、実験例１－１と同様に、有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ａ）に示す。
（実験例１－５）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍ、クリアランスの幅を０．０１２ｍｍに変更した以外は、実験例１と同様に、有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ａ）に示す。
（実験例１－６）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍ、クリアランスの幅を０．０１５ｍｍに変更した以外は、実験例１と同様に、有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ａ）に示す。
　図７（ａ）の結果から、外周ダレの幅は、クリアランスの幅によって変化しないことが確認された。一方、実験例１－１～実験例１－２と、実験例１－３～実験例１－６とを比較すると、金属基材の厚さが厚いほど、外周ダレの幅が大きいことが確認された。
（実験例２－１）
　厚さ０．３ｍｍの被加工用ＳＵＳ製基材を準備した。図６に示す打ち抜き加工用装置を用い、被加工用ＳＵＳ製基材に打ち抜き加工を施し、外径２３．５ｍｍ、内径１５．０ｍｍ、外内径差８．５ｍｍの有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ｂ）に示す。
（実験例２－２）
　実験例２－１と同様の方法で、外径２１．９６ｍｍ、内径９．１６ｍｍ、外内径差１２．８ｍｍの有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られた有孔円盤状のＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ｂ）に示す。
（実験例２－３）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍとした以外は、実験例２－１と同様の方法で、外径２３．５ｍｍ、内径１５．０ｍｍ、外内径差８．５ｍｍの有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られたＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ｂ）に示す。
（実験例２－４）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍとした以外は、実験例２－１と同様の方法で、外径２５．３ｍｍ、内径１３．８ｍｍ、外内径差１１．５ｍｍの有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られたＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ｂ）に示す。
（実験例２－５）
　被加工用ＳＵＳ製基材の厚さを０．４ｍｍとした以外は、実験例２－１と同様の方法で、外径２１．９６ｍｍ、内径９．１６ｍｍ、外内径差１２．８ｍｍの有孔円盤状のＳＵＳ製基材を得た。得られたＳＵＳ製基材の外周ダレの幅を測定した。結果を図７（ｂ）に示す。
　上記図７（ｂ）の結果から、外周ダレは、ＳＵＳ製基材の外内径差によらないことが確認された。一方、金属基材の厚さが厚いほど、外周ダレが大きいことが確認された。
　すなわち、本開示においては、以下の発明を提供できる。
［１］
　第１面と、上記第１面に対向する第２面とを有する、円盤状の金属基材と、上記金属基材の上記第１面側に、上記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールであって、上記金属基材は、少なくとも上記第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下であり、上記金属基材は上記第１面側の外周縁にダレを有し、上記ダレの幅が５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール。
［２］
　上記金属基材がＳＵＳ製基材である、［１］に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［３］
　前記金属基材は中心孔を備えた有孔円盤状である、［１］または［２］に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［４］
前記金属基材は前記第１面側の内周縁にダレを有し、前記ダレの幅が５００μｍ以下である、［３］に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［５］
　前記有孔円盤状の金属基材の外内径差が８ｍｍ以上、１３ｍｍ以下である、［３］または［４］に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［６］
　前記金属基材の厚さＴ１に対する前記金属基材の外周端における厚さＴ２の割合（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０以上、０．９０以下である、［１］から［５］までのいずれかに記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［７］
　前記金属基材の外周面と、前記低反射層の外周面との距離Ｄ１が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、［１］から［６］までのいずれかに記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［８］
　前記金属基材は、ダレの量が１０μｍ以上、５００μｍ以下である、［１］から［７］までのいずれかに記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
［９］
　第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する、円盤状の金属基材と、
　前記金属基材の前記第１面側に、前記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールであって、前記金属基材の外周面と、前記低反射層の外周面との距離Ｄ１が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール。
［１０］
　［１］から［９］までのいずれかに記載のエンコーダ用反射型光学式スケールと、上記エンコーダ用反射型光学式スケールの上記低反射層が配置された側の表面に、測定光を照射する光源と、上記エンコーダ用反射型光学式スケールからの反射光を検出する光検出器と、を備えることを特徴とする反射型光学式エンコーダ。
［１１］
　第１面と、上記第１面に対向する第２面とを有し、少なくとも上記第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材と、上記被加工用金属基材の上記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層と、を有し、上記低反射層の外周面よりも外側に上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体を作製する工程と、上記多面付け体を上記外周打ち抜き予定線で打ち抜いて個片化することにより、エンコーダ用反射型光学式スケールを得る個片化工程と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法。
［１２］
　第１面と、上記第１面に対向する第２面とを有し、少なくとも上記第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材と、上記被加工用金属基材の上記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層と、を有し、上記低反射層の外周面よりも外側に上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体であって、上記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線と、上記低反射層の外周面との距離が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体。
　１　…　金属基材
　２　…　低反射層
　Ｐ　…　ダレ
　１０…　エンコーダ用反射型光学式スケール
　５０…　エンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体
１００…　反射型光学式エンコーダ

Claims (12)

  1. 　第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する、円盤状の金属基材と、
    　前記金属基材の前記第１面側に、前記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールであって、
    　前記金属基材は、少なくとも前記第１面側の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下であり、
    　前記金属基材は前記第１面側の外周縁にダレを有し、前記ダレの幅が５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール。
  2. 　前記金属基材がステンレス製基材である、請求項１に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  3. 　前記金属基材は中心孔を備えた有孔円盤状である、請求項１に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  4. 前記金属基材は前記第１面側の内周縁にダレを有し、前記ダレの幅が５００μｍ以下である、請求項３に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  5. 　前記有孔円盤状の金属基材の外内径差が８ｍｍ以上、１３ｍｍ以下である、請求項３に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  6. 　前記金属基材の厚さＴ１に対する前記金属基材の外周端における厚さＴ２の割合（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０以上、０．９０以下である、請求項１に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  7. 　前記金属基材の外周面と、前記低反射層の外周面との距離Ｄ１が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、請求項１に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  8. 　前記金属基材は、ダレの量が１０μｍ以上、５００μｍ以下である、請求項１に記載のエンコーダ用反射型光学式スケール。
  9. 　第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する、円盤状の金属基材と、
    　前記金属基材の前記第１面側に、前記金属基材の円周方向に沿ってパターン状に配置された低反射層と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールであって、
    　前記金属基材の外周面と、前記低反射層の外周面との距離Ｄ１が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール。
  10. 　請求項１から請求項９までのいずれかの請求項に記載のエンコーダ用反射型光学式スケールと、
    　前記エンコーダ用反射型光学式スケールの前記低反射層が配置された側の表面に、測定光を照射する光源と、
    　前記エンコーダ用反射型光学式スケールからの反射光を検出する光検出器と、を備えることを特徴とする反射型光学式エンコーダ。
  11. 　第１面、及び前記第１面に対向する第２面を有し、少なくとも前記第１面側の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材、並びに前記被加工用金属基材の前記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層、を有し、各々の前記低反射層の外周面よりも外側に前記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体を作製する工程と、
    　前記多面付け体を前記外周打ち抜き予定線で打ち抜いて個片化することにより、エンコーダ用反射型光学式スケールを得る個片化工程と、を有する、エンコーダ用反射型光学式スケールの製造方法。
  12. 　第１面と、前記第１面に対向する第２面とを有し、少なくとも前記第１面の反射率が５０％以上であり、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．６０ｍｍ以下である被加工用金属基材と、前記被加工用金属基材の前記第１面側に多面付けされた、円周状に配置されたパターン状の低反射層と、を有し、各々の前記低反射層の外周面よりも外側に前記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線が形成された多面付け体であって、
    　前記エンコーダ用反射型光学式スケールの外周打ち抜き予定線と、前記低反射層の外周面との距離が、５００μｍ以上、１５００μｍ以下である、エンコーダ用反射型光学式スケール多面付け体。
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