WO2024004262A1

WO2024004262A1 - 基板

Info

Publication number: WO2024004262A1
Application number: PCT/JP2023/005686
Authority: WO
Inventors: 竜一久保
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-06-27
Filing date: 2023-02-17
Publication date: 2024-01-04

Abstract

第１面１１及び第１面１１と反対側の第２面１２を有し、内部に開口部１３が設けられたコア基板１０と、開口部１３に少なくとも複数設けられ、コア基板１０の第２面１２に対して直交する方向であって第１面１１側に向かう第１方向Ｄ１に第１電極２１を有すると共に第１方向Ｄ１と反対の第２方向Ｄ２に第２電極２２を有する同種の電子部品２０と、開口部１３と複数の電子部品２０の間と、複数の電子部品２０間とに設けられ、第１面１１側の第３面３１及び第２面１２側の第４面３２を有する封止材３０と、封止材３０の第３面３１を貫通し、複数の電子部品２０の第１電極２１に電気的に接続された複数の第１ビア導体４０と、複数の電子部品２０の第２電極２２に電気的に接続された複数の第２ビア導体５０と、を備え、第１電極２１は、第１面１１側に位置する第１端面２３を有し、第２面１２を水平に配置したときに、第２面１２と平行な基準面Ｐに対する複数の電子部品２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１は、第２面１２に対して直交する断面において、互いに異なっている、基板１００。

Description

基板

　本発明は、基板に関する。

　特許文献１には、コア部材と、コア部材を貫通する貫通孔と、貫通孔に配置された一つ以上の受動部品と、受動部品の少なくとも一部を覆い、貫通孔の少なくとも一部を満たす封止材と、を備える半導体パッケージが記載されている（例えば図９参照）。

　特許文献２には、コア材を貫通する開口が設けられたコア基板と、開口内に収容された複数の種類の電子部品と、開口内に形成され、複数の種類の電子部品をコア基板に固定する樹脂と、を備えるプリント配線板が記載されている（例えば図１参照）。

特許第６６９４９３１号公報特開２０１９－２０７９７８号公報

　しかしながら、特許文献１に記載された半導体パッケージにおいては、受動部品は、その一対の電極がコア部材と平行な方向に配置されているため、当該受動部品として一般的な一対の電極が長手方向の端部に位置する長手形状のチップ部品を配置すると、実装面積が増加してしまう。すなわち、特許文献１に記載された半導体パッケージは、受動部品の配置密度をより向上するという点で改善の余地がある。

　また、特許文献２に記載されたプリント配線板においては、樹脂を開口内に充填する際に、樹脂を加熱し上面から圧力をかけ開口に押し込むことになる。しかしながら、複数の電子部品の高さが揃っており、ばらつきが無いため、その際に、応力の方向が比較的揃ってしまい、電子部品のエッジ等に応力が集中しやすくなり、電子部品にダメージが入るおそれがある。また、残留応力の方向も揃いやすくなる。その結果、基板の反りや信頼性の低下等を誘発するおそれがある。また、特許文献２に記載されたプリント配線板では、電子部品は、その一対の電極がコア材と直交する方向に配置されているため、当該受動部品として一般的な一対の電極が長手方向の端部に位置する長手形状のチップ部品を配置すると、応力が加わる電極面積が小さくなる。したがって、樹脂を充填する際に当該部品に加わる応力がより大きくなってしまう。

　本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、電子部品を高密度に配置でき、基板の反りを低減可能な信頼性に優れた基板を提供することを目的とする。

　本発明の基板は、第１面及び上記第１面と反対側の第２面を有し、内部に開口部が設けられたコア基板と、上記開口部に少なくとも複数設けられ、上記コア基板の上記第２面に対して直交する方向であって上記第１面側に向かう第１方向に第１電極を有すると共に上記第１方向と反対の第２方向に第２電極を有する同種の電子部品と、上記開口部と上記複数の電子部品の間と、上記複数の電子部品間とに設けられ、上記第１面側の第３面及び上記第２面側の第４面を有する封止材と、上記封止材の上記第３面を貫通し、上記複数の電子部品の上記第１電極に電気的に接続された複数の第１ビア導体と、上記複数の電子部品の上記第２電極に電気的に接続された複数の第２ビア導体と、を備え、上記第１電極は、上記第１面側に位置する第１端面を有し、上記第２面を水平に配置したときに、上記第２面と平行な基準面に対する上記複数の電子部品の上記第１電極の上記第１端面の高さは、上記第２面に対して直交する断面において、互いに異なっている。

　本発明によれば、電子部品を高密度に配置でき、基板の反りを低減可能な信頼性に優れた基板を提供することができる。

図１は、本発明の実施形態に係る基板の一例を模式的に示す断面図であり、コア基板の第２面を水平に配置した状態を示す。図２は、図１に示す基板が備えるコア基板及び電子部品の一例を模式的に示す平面図である。図３は、同種の電子部品を封止材で封止するときを模式的に示す断面図である。図４は、図１に示す基板を示す別の断面図であり、複数の第１ビア導体の第１電極に接触する面の最大幅を説明するための図である。図５は、図１に示す基板の変形例を模式的に示す断面図である。図６は、図１に示す基板の変形例を模式的に示す断面図である。図７は、コア基板に電子部品固定用の粘着フィルムを貼り付ける工程の一例を模式的に示す図である。図８は、電子部品を粘着フィルム上に配置する工程の一例を模式的に示す断面図である。図９は、電子部品及び半導体チップを粘着フィルム上に配置する工程の一例を模式的に示す断面図である。図１０は、コア基板の開口部に封止材を充填する工程の一例を模式的に示す断面図である。図１１は、ビアを形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。図１２は、配線層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。図１３は、ビルドアップ層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。

　以下、本発明の基板について説明する。
　しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

［基板］
　図１は、本発明の実施形態に係る基板の一例を模式的に示す断面図であり、コア基板の第２面を水平に配置した状態を示す。図２は、図１に示す基板が備えるコア基板及び電子部品の一例を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２に示すＸ－Ｘ線に沿った断面図である。

　図１及び図２に示す基板１００は、第１面１１及び第１面１１と反対側の第２面１２を有し、内部に開口部１３が設けられたコア基板１０と、開口部１３に少なくとも複数設けられ、コア基板１０の第２面１２に対して直交する方向であって第１面１１側に向かう第１方向Ｄ１に第１電極２１を有すると共に第１方向Ｄ１と反対の第２方向Ｄ２に第２電極２２を有する同種の電子部品２０と、開口部１３と電子部品２０の間と、複数の電子部品２０間とに設けられ、第１面１１側の第３面３１及び第２面１２側の第４面３２を有する封止材３０と、封止材３０の第３面３１を貫通し、複数の電子部品２０の第１電極２１に電気的に接続された複数の第１ビア導体４０と、複数の電子部品２０の第２電極２２に電気的に接続された複数の第２ビア導体５０と、コア基板１０の第１面１１及び封止材３０の第３面３１上に設けられた第１ビルドアップ層（再配線層）６０と、コア基板１０の第２面１２及び封止材３０の第４面３２上に設けられた第２ビルドアップ層（再配線層）７０と、を備えている。

　コア基板１０としては、樹脂基板、ガラス基板、セラミック基板等を用いることができる。コア基板１０は、その表面又は内部に導体配線が設けられているプリント配線板であってもよい。コア基板１０として好ましくは、エポキシ樹脂等の樹脂とガラスクロス等の補強材とから形成された絶縁性の支持基板（コア材）を使用することができる。支持基板には、シリカ粒子、アルミナ粒子等の無機粒子が含まれていてもよい。

　コア基板１０の第１面１１及び第２面１２は、互いに平行な面であり、コア基板１０の対向する一対の主面を構成している。

　コア基板１０の開口部１３は、コア基板１０を貫通している。コア基板１０を平面視したときの開口部１３の形状は、特に限定されず、図２に示す矩形の他、円形、楕円形、長円形、ｎ角形（ｎは５以上の整数）等であってもよい。

　基板１００は、複数の電子部品２０が埋め込まれた部品埋め込み基板であり、各電子部品２０は、コア基板１０の第１面１１及び第２面１２上ではなく、コア基板１０の開口部１３内に収納されている。

　電子部品２０は、図２に示したように開口部１３内に二次元的に配置されてもよいし、開口部１３内に一次元的に配置されてもよい。前者の場合は、電子部品２０は、例えば、マトリクス状に配列されてもよいし（図２）、千鳥状に配列されてもよい。

　電子部品２０は、特に限定されず、例えば、コンデンサ（例えば積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ））、インダクタ等の受動部品が挙げられる。電子部品２０は、直方体状、円柱状等の長手形状を有するチップ部品である。

　また、各電子部品２０の寸法は、コア基板１０の第２面１２と平行な方向よりも第２面１２に対して直交する方向（第１方向Ｄ１又は第２方向Ｄ２）においてより大きい。これにより、電子部品２０をより高密度に配置することができる。なお、電子部品２０を高密度に配置する観点から、隣接する複数の電子部品２０間の間隔は、当該電子部品２０の最大幅よりも小さいことが好ましい。

　同種の電子部品２０とは、チップ部品のサイズ表記で規格された同一サイズの部品である。サイズ表記は、ＪＩＳ（Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ：日本工業規格）とＥＩＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ　Ａｌｌｉａｎｃｅ：電子工業会）で定められた表記であり、ＪＩＳでいえば、例えば０６０３等の表記が挙げられる。
　また、同種の電子部品２０とは、例えば、コンデンサ同士やインダクタ同士のように、電気回路の基本構成部品のうちの同じ種類の部品であってもよい。
　また、同種の電子部品２０とは、例えば、コンデンサ同士やインダクタ同士のうち、同一の型式を有する部品であってもよい。

　なお、同じ１つの開口部１３内には、１種のみの電子部品２０が配置されていてもよいし、２種以上の電子部品２０が配置（混在）されていてもよい。ただし、後者の場合、少なくとも１種の電子部品２０が少なくとも複数設けられればよいが、各種の電子部品２０が、それぞれ少なくとも複数設けられてもよい。

　各電子部品２０において、第１電極２１は、第１面１１側に位置する第１端面２３を有し、第２電極２２は、第２面１２側に位置する第２端面２４を有している。第１電極２１及び第２電極２２は、それぞれ、長手形状の電子部品２０の長手方向における一方及び他方の端部に位置し、第１端面２３及び第２端面２４は、それぞれ、長手形状の電子部品２０の長手方向における一方及び他方の端面に相当する。第１端面２３及び第２端面２４は、通常は平面状であるが、曲面状（例えば凸状）であってもよい。

　封止材３０は、開口部１３内に電子部品２０を封止するための部材であり、開口部１３内において各電子部品２０の周囲に充填されている。封止材３０は、エポキシ樹脂等の樹脂と、シリカ粒子、アルミナ粒子等の無機粒子から構成されるフィラーとを含んでいる。

　第１ビア導体４０は、各電子部品２０に少なくとも１つずつ設けられており、各電子部品２０は、第１ビア導体４０を介して第１ビルドアップ層６０に電気的に接続されている。各第１ビア導体４０は、第１ビルドアップ層６０の最もコア基板１０に近い絶縁層６１と、封止材３０の第３面３１とを少なくとも貫通し、対応する電子部品２０の第１電極２１まで達している。

　第２ビア導体５０は、各電子部品２０に少なくとも１つずつ設けられており、各電子部品２０は、第２ビア導体５０を介して第２ビルドアップ層７０に電気的に接続されている。各第２ビア導体５０は、第２ビルドアップ層７０の最もコア基板１０に近い絶縁層７１を少なくとも貫通し、対応する電子部品２０の第２電極２２まで達している。

　第１ビルドアップ層６０は、電子部品２０同士や、電子部品２０と他の部品やスルーホール、端子等とを電気的に接続しており、少なくとも１つの絶縁層６１と少なくとも１つの配線層６２とが交互に積層されている。

　第２ビルドアップ層７０も同様に、電子部品２０同士や、電子部品２０と他の部品やスルーホール、端子等とを電気的に接続しており、少なくとも１つの絶縁層７１と少なくとも１つの配線層７２とが交互に積層されている。

　本実施形態では、各電子部品２０の第１電極２１及び第２電極２２は、コア基板１０の第２面１２に対して直交する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２にそれぞれ配置されているため、長手形状の電子部品２０を、すなわち一般的な形状を有する電子部品（チップ部品）を基板１００の開口部１３に高密度に配置することができる。

　図３は、同種の電子部品を封止材で封止するときを模式的に示す断面図である。

　また、図１及び図３に示すように、コア基板１０の第２面１２を水平に配置したときに、第２面１２と平行な基準面Ｐに対する複数の電子部品（すなわち、同種の電子部品）２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１は、第２面１２に対して直交する断面（以下、垂直断面と言う）において、互いに異なっている。これにより、図３に示すように、電子部品２０を封止材形成用の未硬化のフィルム８１で封止する際に、応力の方向がアトランダムになり、応力集中が起こりにくくなるため、電子部品２０にかかるダメージを低減できる。その結果、基板１００の信頼性を向上できる。また、残留応力も低減できると共に、その方向もアトランダムになるため、基板１００の反りを抑制することができる。さらに、高さＨ１にばらつきがあることで、アンカー効果により、封止材３０と電子部品２０の密着性が増す。このことも基板１００の信頼性向上に寄与する。

　なお、本実施形態では、同じ１つの開口部１３内に設けられた少なくとも１種の電子部品２０において、上述のように複数の第１端面２３の高さＨ１が互いに異なっていてもよいが、同じ１つの開口部１３内に設けられた各種類（１種のみの場合も含む）の電子部品２０において、上述のように複数の第１端面２３の高さＨ１が互いに異なっていることが好ましい。

　また、開口部１３内には他に、第１電極の第１端面の高さが実質的に同じである同種の電子部品が複数設けられていてもよいが、そのような電子部品は設けられないことが好ましい。すなわち、同じ１つの開口部１３内には、電子部品として、複数の第１端面２３の高さＨ１が互いに異なる同種（１種でも２種以上でもよい）の電子部品２０のみが配置されることが好ましい。

　第１端面２３の高さＨ１は、基準面Ｐから、第１端面２３の基準面Ｐから最も離れた地点までの距離に相当する。基準面Ｐは、図１に示したように、コア基板１０の第２面１２と同じ平面上に位置していてもよい。

　コア基板１０の第２面１２を水平に配置したときに、基準面Ｐに対する複数の電子部品（同種の電子部品）２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１は、垂直断面において、それらの平均高さに対して－１０％以上、＋１０％以下のばらつきであることが好ましい。これにより、第１ビア導体４０用のビアの加工性を向上できる。具体的には、レーザー加工における通常の加工マージン内でビアの加工ができるため、ビア毎に加工条件を調整したり、より安全なマージン形成のために加工速度を遅くしたりしなくてもよい。他方、複数の第１端面２３の高さＨ１が、それらの平均高さに対して±１０％より大きなばらつきであると、第１ビア導体４０用のビアの加工性が悪化し、レーザーで加工する際に加工速度が低下したり、第１電極２１にダメージを与えたりするおそれがある。また、第１ビア導体４０の第１電極２１に接触する面の面積が大幅にばらついてしまい、電気抵抗（接触抵抗）が大きくばらつき、その結果、特性面で不具合が生じる可能性がある。ただし、後述するように、第１ビア導体４０の第１電極２１に接触する面の面積（最大幅）は、ある程度はばらついていてもよい。

　コア基板１０の第２面１２を水平に配置したときに、基準面Ｐに対する複数の電子部品（同種の電子部品）２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１は、垂直断面において、１０μｍ以上ばらついていることが好ましい。各第１端面２３の高さＨ１のばらつきは、当該断面に存在する複数の電子部品２０の高さのうちの最大高さと、最小高さの差として定める。

　第１電極２１及び第２電極２２は、第１１族元素とその合金との少なくとも一方を含むことが好ましく、銅とその合金との少なくとも一方を含むことがより好ましい。第１１族元素は、ＣＯ_２レーザーの波長である波長１０μｍ付近の光に対して吸収率が小さいので、第１ビア導体４０用のビアの加工に比較的高出力なＣＯ_２レーザーを用いることができる。その結果、第１ビア導体４０用のビアの加工が容易になると共に高速で処理できるため低コスト化が図れる。また、銅及びその合金は、他の第１１族元素やその合金に比べてコスト面で有利である。

　本実施形態では、コア基板１０の第２面１２を水平に配置したときに、基準面Ｐに対する複数の電子部品（同種の電子部品）２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１のばらつきは、垂直断面において、基準面Ｐに対するそれらの電子部品２０の第２電極２２の第２端面２４の高さのばらつきよりも大きい。

　第２端面２４の高さは、基準面Ｐから、第２端面２４の基準面Ｐから最も離れた地点までの距離に相当する。図１に示したように、基準面Ｐをコア基板１０の第２面１２と同じ平面上に設定した場合は、各第２端面２４の高さは、実質的に０であってもよい。すなわち、各第２端面２４は、基準面Ｐ上に位置していてもよい。

　図４は、図１に示す基板を示す別の断面図であり、複数の第１ビア導体の第１電極に接触する面の最大幅を説明するための図である。

　図４に示すように、複数の第１ビア導体４０の第１電極２１に接触する面の最大幅Ｗ１は、互いに異なっていてもよい。これにより、第１ビア導体４０用のビアをレーザーで加工する際に同一条件でトレパリング加工を行うことができるため、第１ビア導体４０用のビアの加工性を向上できる。より詳細には、ビアはすり鉢状になっているため、ビアが深くなるほど底面部の面積は小さくなる。したがって、第１ビア導体４０の最大幅Ｗ１は、第１端面２３の高さＨ１がより低い第１電極２１に接触するものほど、より小さくなっていてもよい。

　他方、複数の第２ビア導体５０の第２電極２２に接触する面の最大幅は、実質的に同じであってもよい。

　なお、第１ビア導体４０の第１電極２１に接触する面の最大幅Ｗ１とは、当該面（例えば円形）の中心を通る幅であってもよい。第２ビア導体５０の第２電極２２に接触する面の最大幅についても同様である。

　図１に示したように、本実施形態では、封止材３０の第３面３１は、封止材３０の第４面３２よりも凹凸が大きい。より詳細には、封止材３０の第３面３１は、複数の電子部品２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１のばらつきに応じた凹凸を有していてもよく、封止材３０の第４面３２は、実質的に平坦であり、実質的に同一の平面上に位置していてもよい。

　基板１００は、封止材３０の第３面３１側に設けられ、複数の第１ビア導体４０の少なくとも１つに接続された第１配線６３と、封止材３０の第４面３２側に設けられ、複数の第２ビア導体５０の少なくとも１つに接続された第２配線７３と、をさらに備えている。第１配線６３は、第１ビルドアップ層６０の配線層６２に含まれる配線であり、第２配線７３は、第２ビルドアップ層７０の配線層７２に含まれる配線である。

　上述のように、封止材３０の第４面３２は、封止材３０の第３面３１に比べてより平坦であるため、この面を有効に活用することが好ましい。具体的には、以下の態様が好ましく、いずれの場合も、電子部品２０の機能をより有効に活用することができる。

　すなわち、第２配線７３の配線の幅（ライン）のうち最も小さい値である最小のラインは、第１配線６３の配線の幅（ライン）のうち最も小さい値である最小のラインよりも細いことが好ましい。これにより、封止材３０の第３面３１に比べてより平坦な封止材３０の第４面３２側に、より高精細なビアや配線を形成することができる。
　また、複数の配線が等間隔で並んでいる場合の配線と配線の間隔をスペースと呼ぶが、第２配線７３の最小のスペースが、第１配線６３の最小のスペースよりも細いことが好ましい。
　ライン及びスペースを合わせてラインアンドスペースと呼び、ラインアンドスペースが細いと、より高精細な配線となる。第２配線７３により高精細な配線を形成できることから、第２配線７３の最小のラインアンドスペースが第１配線６３の最小のラインアンドスペースより細いことが好ましい。

　より詳細には、基板１００を平面視したときに、コア基板１０の開口部１３と重なる領域内において、封止材３０の第４面３２側に設けられる再配線（ＲＤＬ）である第２配線７３のラインの最小値が、封止材３０の第３面３１側に設けられる第１配線６３のラインの最小値よりも小さいことが好ましい。
　また、基板１００を平面視したときに、コア基板１０の開口部１３と重なる領域内において、封止材３０の第４面３２側に設けられる再配線（ＲＤＬ）である第２配線７３のスペースの最小値が、封止材３０の第３面３１側に設けられる第１配線６３のスペースの最小値よりも小さいことが好ましい。
　また、基板１００を平面視したときに、コア基板１０の開口部１３と重なる領域内において、封止材３０の第４面３２側に設けられる再配線（ＲＤＬ）である第２配線７３のラインアンドスペースの最小値が、封止材３０の第３面３１側に設けられる第１配線６３のラインアンドスペースの最小値よりも小さいことが好ましい。

　また、コア基板１０の第２面１２に平行な平面において、第２配線７３の配線密度は、第１配線６３の配線密度よりも高いことが好ましい。これにより、封止材３０の第３面３１に比べてより平坦な封止材３０の第４面３２側に、より高密度にビアや配線を形成することができる。

　より詳細には、基板１００を平面視したときに、コア基板１０の開口部１３と重なる領域内において、封止材３０の第４面３２側に設けられる再配線（ＲＤＬ）である第２配線７３の占有面積の割合が、封止材３０の第３面３１側に設けられる第１配線６３の占有面積の割合よりも大きくてもよい。

　さらに、封止材３０の第４面３２側には、封止材３０の第３面３１側に比べて、より多層の配線層が設けられていることが好ましい。すなわち、第２ビルドアップ層７０の配線層７２の層数は、第１ビルドアップ層６０の配線層６２の層数よりも多いことが好ましい。

　図５は、図１に示す基板の変形例を模式的に示す断面図である。
　図５に示す基板１００では、封止材３０の第４面３２側に設けられる配線層７２の層数が４層であり、封止材３０の第３面３１側に設けられる配線層６２の層数が２層である。すなわち、配線層７２の層数が配線層６２の層数より多くなっている。

　図６は、図１に示す基板の変形例を模式的に示す断面図である。

　図６に示すように、コア基板１０の開口部１３には、電子部品２０と共に、集積回路（ＩＣ）等の半導体チップ２０Ａが混載されていてもよい。この場合、電子部品２０と半導体チップ２０Ａは同種の電子部品ではなく、電子部品２０と半導体チップ２０Ａの端面の高さの関係は特に限定されない。

［基板の製造方法］
　基板１００は、以下の方法により製造することができる。図７は、コア基板に電子部品固定用の粘着フィルムを貼り付ける工程の一例を模式的に示す図である。

　まず、図７に示すように、コア基板１０に開口部１３を形成し、コア基板１０の第２面１２に電子部品固定用の粘着フィルム８０を貼り付ける。

　図８は、電子部品を粘着フィルム上に配置する工程の一例を模式的に示す断面図である。図９は、電子部品及び半導体チップを粘着フィルム上に配置する工程の一例を模式的に示す断面図である。

　次に、図８に示すように、同種の電子部品２０を粘着フィルム８０上に縦に配置する。すなわち、第１電極２１が上方向を、第２電極２２が下方向を向くように電子部品２０を粘着フィルム８０上に配置する。これにより、第２電極２２の第２端面２４が粘着フィルム８０に貼り付けられる。このとき、図９に示すように、電子部品２０と半導体チップ２０Ａとを混載してもよい。

　図１０は、コア基板の開口部に封止材を充填する工程の一例を模式的に示す断面図である。

　次に、図１０に示すように、電子部品２０を封止材３０で封止する。具体的には、真空下においてコア基板１０の第１面１１上に、熱硬化性樹脂とフィラーとを含む未硬化のフィルムを積層する。その後、このフィルムを加熱プレスして軟化させることによって、開口部１３内において各電子部品２０の周囲に熱硬化性樹脂及びフィラーを充填する。このとき、同種の電子部品２０の第１電極２１の第１端面２３の高さＨ１は、互いに異なっていることから、上述のように、応力集中が起こりにくく、電子部品２０にかかるダメージを低減できる。そして、熱硬化性樹脂を硬化させることによって封止材３０が形成される。封止材３０は、粘着フィルム８０が配置された平らな面側では平坦であるが（第４面３２）、その反対側では凹凸がある（第３面３１）。

　図１１は、ビアを形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。

　次に、図１１に示すように、粘着フィルム８０を剥がした後、コア基板１０の第１面１１及び封止材３０の第３面３１上に絶縁層６１を形成すると共に、コア基板１０の第２面１２及び封止材３０の第４面３２上に絶縁層７１を形成する。なお、粘着フィルム８０は、剥がさずにそのまま用いることも可能である。そして、レーザー等により、絶縁層６１にビア８２を形成して第１電極２１の第１端面２３を露出させると共に、絶縁層７１にビア８３を形成して第２電極２２の第２端面２４を露出させる。このとき、ＣＯ_２レーザーを用いれば高速で処理できる。

　図１２は、配線層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。

　次に、図１２に示すように、めっき（例えばセミアディティブ工法）を用いて、ビア８２及び８３を埋めて第１ビア導体４０及び第２ビア導体５０を形成すると共に配線層６２及び７２を形成する。

　図１３は、ビルドアップ層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。

　その後、図１３に示すように、必要に応じてレイヤーを追加して、第１ビルドアップ層６０及び第２ビルドアップ層７０を形成する。

　以上により、基板１００を製造することができる。

　本明細書には、以下の内容が開示されている。

＜１＞
　第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有し、内部に開口部が設けられたコア基板と、
　前記開口部に少なくとも複数設けられ、前記コア基板の前記第２面に対して直交する方向であって前記第１面側に向かう第１方向に第１電極を有すると共に前記第１方向と反対の第２方向に第２電極を有する同種の電子部品と、
　前記開口部と前記複数の電子部品の間と、前記複数の電子部品間とに設けられ、前記第１面側の第３面及び前記第２面側の第４面を有する封止材と、
　前記封止材の前記第３面を貫通し、前記複数の電子部品の前記第１電極に電気的に接続された複数の第１ビア導体と、
　前記複数の電子部品の前記第２電極に電気的に接続された複数の第２ビア導体と、
　を備え、
　前記第１電極は、前記第１面側に位置する第１端面を有し、
　前記第２面を水平に配置したときに、前記第２面と平行な基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さは、前記第２面に対して直交する断面において、互いに異なっている、基板。

＜２＞
　前記第２面を水平に配置したときに、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さは、前記断面において、それらの平均高さに対して－１０％以上、＋１０％以下のばらつきである、＜１＞に記載の基板。

＜３＞
　前記第２面を水平に配置したときに、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さは、前記断面において、１０μｍ以上ばらついている、＜１＞に記載の基板。

＜４＞
　前記第１電極及び前記第２電極は、第１１族元素とその合金との少なくとも一方を含む、＜１＞から＜３＞のいずれか１つに記載の基板。

＜５＞
　前記第１電極及び前記第２電極は、銅とその合金との少なくとも一方を含む、＜４＞に記載の基板。

＜６＞
　前記第２電極は、前記第２面側に位置する第２端面を有し、
　前記第２面を水平に配置したときに、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さのばらつきは、前記断面において、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第２電極の前記第２端面の高さのばらつきよりも大きい、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の基板。

＜７＞
　前記複数の第１ビア導体の前記第１電極に接触する面の最大幅は、互いに異なっている、＜６＞に記載の基板。

＜８＞
　前記封止材の前記第３面は、前記封止材の前記第４面よりも凹凸が大きい、＜６＞又は＜７＞に記載の基板。

＜９＞
　前記封止材の前記第３面側に設けられ、前記複数の第１ビア導体の少なくとも１つに接続された第１配線と、
　前記封止材の前記第４面側に設けられ、前記複数の第２ビア導体の少なくとも１つに接続された第２配線と、
　をさらに備える、＜８＞に記載の基板。

＜１０＞
　前記第２配線の最小のラインが前記第１配線の最小のラインより細い、又は、前記第２配線の最小のスペースが前記第１配線の最小のスペースより細い、＜９＞に記載の基板。

＜１１＞
　前記第２面に平行な平面において、前記第２配線の配線密度は、前記第１配線の配線密度よりも高い、＜９＞又は＜１０＞に記載の基板。

＜１２＞
　前記封止材の前記第４面側には、前記封止材の前記第３面側に比べて、より多層の配線層が設けられている、＜９＞から＜１１＞のいずれか１つに記載の基板。

　１０　コア基板
　１１　第１面
　１２　第２面
　１３　開口部
　２０　電子部品
　２０Ａ　半導体チップ
　２１　第１電極
　２２　第２電極
　２３　第１端面
　２４　第２端面
　３０　封止材
　３１　第３面
　３２　第４面
　４０　第１ビア導体
　５０　第２ビア導体
　６０　第１ビルドアップ層
　６１　絶縁層
　６２　配線層
　６３　第１配線
　７０　第２ビルドアップ層
　７１　絶縁層
　７２　配線層
　７３　第２配線
　８０　粘着フィルム
　８１　未硬化のフィルム
　８２、８３　ビア
　１００　基板
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｐ　基準面
　Ｈ１　第１端面の高さ
　Ｗ１　第１ビア導体の第１電極に接触する面の最大幅

Claims

　第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有し、内部に開口部が設けられたコア基板と、
　前記開口部に少なくとも複数設けられ、前記コア基板の前記第２面に対して直交する方向であって前記第１面側に向かう第１方向に第１電極を有すると共に前記第１方向と反対の第２方向に第２電極を有する同種の電子部品と、
　前記開口部と前記複数の電子部品の間と、前記複数の電子部品間とに設けられ、前記第１面側の第３面及び前記第２面側の第４面を有する封止材と、
　前記封止材の前記第３面を貫通し、前記複数の電子部品の前記第１電極に電気的に接続された複数の第１ビア導体と、
　前記複数の電子部品の前記第２電極に電気的に接続された複数の第２ビア導体と、
　を備え、
　前記第１電極は、前記第１面側に位置する第１端面を有し、
　前記第２面を水平に配置したときに、前記第２面と平行な基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さは、前記第２面に対して直交する断面において、互いに異なっている、基板。
　前記第２面を水平に配置したときに、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さは、前記断面において、それらの平均高さに対して－１０％以上、＋１０％以下のばらつきである、請求項１に記載の基板。
　前記第２面を水平に配置したときに、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さは、前記断面において、１０μｍ以上ばらついている、請求項１に記載の基板。
　前記第１電極及び前記第２電極は、第１１族元素とその合金との少なくとも一方を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板。
　前記第１電極及び前記第２電極は、銅とその合金との少なくとも一方を含む、請求項４に記載の基板。
　前記第２電極は、前記第２面側に位置する第２端面を有し、
　前記第２面を水平に配置したときに、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第１電極の前記第１端面の高さのばらつきは、前記断面において、前記基準面に対する前記複数の電子部品の前記第２電極の前記第２端面の高さのばらつきよりも大きい、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板。
　前記複数の第１ビア導体の前記第１電極に接触する面の最大幅は、互いに異なっている、請求項６に記載の基板。
　前記封止材の前記第３面は、前記封止材の前記第４面よりも凹凸が大きい、請求項６又は７に記載の基板。
　前記封止材の前記第３面側に設けられ、前記複数の第１ビア導体の少なくとも１つに接続された第１配線と、
　前記封止材の前記第４面側に設けられ、前記複数の第２ビア導体の少なくとも１つに接続された第２配線と、
　をさらに備える、請求項８に記載の基板。
　前記第２配線の最小のラインが前記第１配線の最小のラインより細い、又は、前記第２配線の最小のスペースが前記第１配線の最小のスペースより細い、請求項９に記載の基板。
　前記第２面に平行な平面において、前記第２配線の配線密度は、前記第１配線の配線密度よりも高い、請求項９又は１０に記載の基板。
　前記封止材の前記第４面側には、前記封止材の前記第３面側に比べて、より多層の配線層が設けられている、請求項９～１１のいずれか１項に記載の基板。