WO2023281993A1 - 光偏向器 - Google Patents

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WO2023281993A1
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inner frame
optical deflector
piezoelectric cantilever
piezoelectric actuator
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Inventor
春輝 田中
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スタンレー電気株式会社
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    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10—Scanning systems

Definitions

  • the present invention relates to an optical deflector.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2021-112248 filed on July 6, 2021, the contents of which are incorporated herein.
  • a galvanomirror or a polygon mirror is generally used as an example of an optical deflector that deflects and scans a light beam such as a laser beam.
  • the galvanomirror is an optical deflector in which a plane mirror for polarization is attached to a rotating shaft, and an electromagnetic motor is driven according to an electric signal to change the rotation angle of the mirror. Since this galvanomirror is a non-resonant optical deflector, it can be driven by a sawtooth type or random electric signal.
  • the polygon mirror is an optical deflector in which a polarizing multifaceted mirror is attached to a rotating shaft, and can scan at a higher speed than the galvanomirror.
  • galvanometer mirrors and polygon mirrors use an electromagnetic motor as a drive source, it is difficult to reduce their size and weight, making it difficult to use them in applications that require space saving.
  • micromachining technology that finely processes silicon and glass by applying semiconductor manufacturing technology
  • mechanical parts such as mirrors and elastic bodies are integrally formed on a semiconductor substrate.
  • a deflector also called a micromirror
  • this optical deflector a plurality of piezoelectric elements having electrodes on upper and lower portions of a piezoelectric body are arranged on a support plate, and a piezoelectric actuator is used in which an elastic body is connected to the piezoelectric elements. ing.
  • a piezoelectric actuator an AC voltage is applied between upper and lower electrodes to cause a piezoelectric body to reciprocate linearly up and down. deflect to
  • optical deflector is a MEMS device composed entirely of minute mechanical structures, it is easy to reduce the size and weight of the device. Furthermore, since a plurality of devices can be manufactured from one wafer at the same time as in a semiconductor process, mass production is easy and costs can be reduced.
  • a resonant piezoelectric actuator in order to obtain a large amount of displacement and a large deflection angle with a minute force generated by driving the piezoelectric actuator, a resonant piezoelectric actuator is configured to drive the mirror section at a unique resonance frequency. It is common to obtain a large deflection angle by this resonance drive.
  • the amount of displacement of the actuator is determined in proportion to the square of the length of the cantilever in the longitudinal direction (see Non-Patent Document 1 above). Therefore, in order to improve the deflection angle efficiency per drive voltage, it is necessary to increase the length of the cantilever.
  • the cantilever lowers the primary resonance frequency.
  • the primary resonance frequency becomes low, the device itself becomes more susceptible to external vibrations and is more likely to be damaged.
  • the cantilever is lengthened, the chip size becomes large.
  • the thickness of the Si substrate that serves as the support is reduced, the primary resonance frequency is also lowered.
  • An aspect of the present invention provides a compact and lightweight optical deflector with good swing angle efficiency and high primary resonance frequency.
  • the present invention provides the following configurations.
  • a mirror section including a reflecting surface; a first piezoelectric actuator positioned around the mirror section to swing the mirror section around a first central axis; a second piezoelectric actuator positioned around the first piezoelectric actuator to swing the mirror section around a second central axis perpendicular to the first central axis; a torsion bar connecting between the mirror portion and one end of the first piezoelectric actuator; an inner frame connecting the other end of the first piezoelectric actuator and one end of the second piezoelectric actuator; an outer frame positioned around the second piezoelectric actuator and connected to the other end of the second piezoelectric actuator;
  • the first piezoelectric actuator includes a first piezoelectric cantilever portion driven in a resonant state by a piezoelectric element provided between the torsion bar and the inner frame; including a second piezoelectric cantilever portion driven in a non-resonant state by a piezo
  • a plurality of the second piezoelectric cantilever portions are arranged side by side, and one end and the other end of the mutually adjacent second piezoelectric cantilever portions are aligned with the second center.
  • FIG. 1 is a plan view showing the configuration of an optical deflector according to a first embodiment of the invention
  • FIG. FIG. 2 shows the cross-sectional structure of the optical deflector shown in FIG. 1 and is a cross-sectional view of the optical deflector taken along line AA shown in FIG. 1
  • 2 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the optical deflector shown in FIG. 1 and showing the lamination structure of each layer constituting the optical deflector
  • FIG. 5 is a plan view showing the configuration of an optical deflector as a comparative example; 5 is a graph showing the relationship between the distance between the inner frame and the second piezoelectric cantilever portion and the primary resonance frequency; It is a top view which shows the dimension of each part of the optical deflector used as an Example.
  • FIG. 5 is a plan view showing the configuration of an optical deflector according to a second embodiment of the present invention.
  • an XYZ orthogonal coordinate system is set, the X-axis direction is the second central axis direction (horizontal direction) in the plane of the optical deflector, and the Y-axis direction is in the plane of the optical deflector.
  • the direction of the first central axis (longitudinal direction) perpendicular to the second direction and the Z-axis direction are indicated as the thickness direction (height direction) perpendicular to the plane of the optical deflector.
  • FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the optical deflector 1.
  • FIG. 2A shows the cross-sectional structure of the optical deflector 1, and is a cross-sectional view of the optical deflector 1 taken along line AA shown in FIG.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the optical deflector 1 and showing the lamination structure of each layer constituting the optical deflector 1.
  • the optical deflector 1 of the present embodiment includes a mirror section 2 and a mirror section 2 positioned around the mirror section 2.
  • a second piezoelectric actuator 4 that oscillates around an orthogonal second central axis (a direction along the X-axis in this embodiment) AX, the mirror section 2 and the first piezoelectric actuator 3 are connected.
  • the optical deflector 1 of this embodiment uses MEMS technology to form a mirror section 2, first and second piezoelectric actuators 3 and 4, a torsion bar 5 and a It consists of a micromirror in which an inner frame 6 and an outer frame 7 are integrally formed.
  • a SiO 2 layer 12 and a Si/SiO 2 layer 13 are laminated in order on one surface (lower surface) of a Si substrate 11 serving as a support. It has a structure in which a Pt layer 14, a PZT (lead zirconate titanate) layer 15, and a Pt layer 16 are laminated in this order on (upper surface).
  • the mirror section 2 is composed of a laminate of a Si/SiO 2 layer 13 , a SiO 2 layer 12 , a Si substrate 11 and a Pt layer 14 .
  • the first and second piezoelectric actuators 3 and 4 are composed of laminates of Si substrate 11 , Pt layer 14 , PZT layer 15 and Pt layer 16 .
  • the torsion bar 5 and the inner frame 6 are composed of a laminate of the Si/ SiO2 layer 13, the SiO2 layer 12, the Si substrate 11 and the Pt layer 14, but the Pt layer 14 can be omitted. be.
  • the outer frame 7 is composed of a laminate of a Si/SiO 2 layer 13 , a SiO 2 layer 12 , a Si substrate 11 , a Pt layer 14 , a PZT layer 15 and a Pt layer 16 .
  • the thickness of the Si/SiO 2 layer 13 forming the mirror section 2, the first and second piezoelectric actuators 3 and 4, the torsion bar 5, and the inner frame 6 is the same as the thickness of the Si/SiO 2 layer forming the outer frame 7. It is thinner than the thickness of the second layer 13 .
  • the mirror section 2 includes a reflecting surface 2a having a circular shape in plan view and formed of a Pt layer 14 serving as a reflector, and a mirror frame 2b formed of a Si substrate 11, a SiO 2 layer 12 and a Si/SiO 2 layer 13. have.
  • the optical deflector 1 of this embodiment has a space K between the mirror section 2 and a substantially rectangular outer frame 7 surrounding the mirror section 2 .
  • a pair of first piezoelectric actuators 3 arranged symmetrically in the direction of the second central axis AX with the mirror section 2 interposed therebetween and the mirror section 2 have a pair of A pair of second piezoelectric actuators 4 and a pair of first piezoelectric actuators 3 connected via a torsion bar 5 and arranged symmetrically in the direction of the second central axis AX with the mirror section 2 interposed therebetween. It has a structure in which the space is connected via the inner frame 6 .
  • the pair of torsion bars 5, the pair of first piezoelectric actuators 3, the inner frame 6, and the pair of second piezoelectric actuators 4 are arranged symmetrically with the mirror section 2 interposed therebetween. It has an arranged structure.
  • connection positions of the pair of second piezoelectric actuators 4 and the outer frame 7 are arranged symmetrically in the diagonal direction of the outer frame 7, the structure is not necessarily limited to such a structure. Instead, they may be arranged symmetrically in the direction of the first central axis AY.
  • the pair of first piezoelectric actuators 3 are each formed in a long semicircular arc shape extending in the direction of the first central axis AY in a plan view, and both ends thereof are connected to a pair of torsion bars 5 . As a result, it is formed in an oval ring shape as a whole so as to surround the periphery of the mirror section 2 .
  • the pair of torsion bars 5 are formed linearly while extending in the direction of the first central axis AY in a plan view, and extend between the mirror section 2 and the pair of first piezoelectric actuators 3 in the first direction. are connected along the central axis AY.
  • Each first piezoelectric actuator 3 has a first piezoelectric cantilever portion 32 provided with a driving piezoelectric element 31a and a detecting piezoelectric element 31b.
  • the piezoelectric elements 31a and 31b are formed by stacking a Pt layer 14 as a lower electrode, a PZT layer 15 as a piezoelectric body, and a Pt layer 16 as an upper electrode on a Si substrate 11 as a vibration plate. It is
  • a plurality (three in this embodiment) of the driving piezoelectric elements 31a are arranged side by side in the direction in which the first piezoelectric cantilever portion 32 extends.
  • the three piezoelectric elements 31a are arranged symmetrically in the direction of the first central axis AY with the piezoelectric element 31a at both ends sandwiching the central piezoelectric element 31a.
  • a central piezoelectric element 31a provided on one of the first piezoelectric cantilever portions 32 and both ends provided on the other first piezoelectric cantilever portion 32 are arranged. and the piezoelectric element 31a are electrically connected via a pair of connection wirings 33a.
  • the sensing piezoelectric element 31b is arranged side by side with the plurality of piezoelectric elements 31a on one end side (-Y axis side) in the direction in which the first piezoelectric cantilever portion 32 extends.
  • the inner frame 6 extends in the direction of the first central axis AY in a plan view and is formed in a long semicircular arc shape. It is formed in an oval ring shape as a whole so as to surround the periphery of the first piezoelectric actuator 3 .
  • the inner frame 6 connects the pair of first piezoelectric actuators 3 and the inner frame 6 via a pair of connecting portions 6a which are linearly formed while extending in the direction of the first central axis AY in plan view. are connected along the first central axis AY.
  • the inner frame 6 connects the pair of first piezoelectric actuators 3 and the inner frame 6 via a pair of connecting portions 6b which are linearly formed while extending in the direction of the second central axis AX in plan view. are connected along the second central axis AX.
  • the pair of second piezoelectric actuators 4 are each formed in a long semicircular arc shape extending in the direction of the first central axis AY in a plan view, and connect the inner frame 6 and the outer frame 7 together. ing.
  • Each second piezoelectric actuator 4 has a second piezoelectric cantilever portion 34 provided with a driving piezoelectric element 31c. That is, the second piezoelectric actuator 4 has a structure in which a pair of second piezoelectric cantilever portions 34 are arranged between the inner frame 6 and the outer frame 7 .
  • the piezoelectric element 31c has a Pt layer 14 as a lower electrode, a PZT layer 15 as a piezoelectric body, a Pt layer 15 as an upper electrode, and a Pt layer 14 as a lower electrode on the Si substrate 11 as a diaphragm. It is configured by stacking layers 16 . Moreover, the piezoelectric element 31c is provided between one end side and the other end side in the direction in which the second piezoelectric cantilever portion 34 extends.
  • a plurality of (six in this embodiment) electrode pads 35a, 35b, and 35c are provided on the surface of the outer frame 7 corresponding to each of the piezoelectric elements 31a, 31b, and 31c.
  • the plurality of electrode pads 35a, 35b, 35c are positioned on both sides in the direction of the second central axis AX and arranged side by side in the direction of the first central axis AY.
  • the driving piezoelectric element 31a is electrically connected to a pair of connection wirings 33a, and is connected to the inner frame 6, the second piezoelectric actuator 4, and the outer frame 7 from the connecting portion 6b. It is electrically connected to a pair of electrode pads 35a through a pair of connection wirings 33b routed. This makes it possible to apply a drive voltage (for example, an AC voltage such as a sine wave) to the piezoelectric element 31a via the pair of electrode pads 35a, the pair of connection wires 33b, and the pair of connection wires 33a.
  • a drive voltage for example, an AC voltage such as a sine wave
  • the piezoelectric element 31b for detection is connected to the inner frame 6, the second piezoelectric actuator 4, and the outer frame 7 from one connecting portion 6a via a pair of connection wirings 33c. It is electrically connected to the electrode pad 35b. As a result, the voltage output from the piezoelectric element 31b as the first piezoelectric cantilever portion 32 deforms can be detected via the pair of connection wirings 33c and the pair of electrode pads 35b.
  • the driving piezoelectric element 31c is electrically connected to a pair of electrode pads 35c via a pair of connection wirings 33d routed on the surface of the outer frame 7. As a result, it is possible to apply a drive voltage (for example, an AC voltage such as a sine wave) to the piezoelectric element 31c via the pair of electrode pads 35c and the pair of connection wirings 33d.
  • a drive voltage for example, an AC voltage such as a sine wave
  • the pair of first piezoelectric actuators 3 are piezoelectrically driven so that the mirror section 2 can be oscillated about the first central axis AY. is.
  • the mirror portion 2 can be oscillated around the first central axis AY. It is possible.
  • the first piezoelectric actuator 3 is a resonance-type piezoelectric actuator, and applies a driving voltage near the resonance frequency to the driving piezoelectric element 31a.
  • the driving voltage is applied to the driving piezoelectric element 31a so that the first piezoelectric cantilever portion 32 resonates while the detecting piezoelectric element 31b detects the bent state of the first piezoelectric cantilever portion 32. to control.
  • This makes it possible to oscillate the mirror section 2 at a larger deflection angle while driving the first piezoelectric cantilever section 32 (first piezoelectric actuator 3) in a resonant state (resonant drive).
  • piezoelectric driving of the pair of second piezoelectric actuators 4 allows the mirror section 2 to swing around the second central axis AX.
  • the mirror portion 2 can be swung around the second central axis AX. It is possible.
  • the second piezoelectric actuator 4 is a non-resonant piezoelectric actuator, and the piezoelectric element 31c for driving is driven at a frequency at which the second piezoelectric cantilever portion 34 does not resonate. Apply voltage.
  • the mirror section 2 is swung around the second central axis AX while the second piezoelectric cantilever section 34 (second piezoelectric actuator 4) is driven in a non-resonant state (non-resonant drive). is possible.
  • the second piezoelectric cantilever portion 34 (second piezoelectric actuator 4) has a curved shape along the curved shape of the inner frame 6 described above.
  • the inner frame 6 has a linear region E1 extending linearly and a curved region E2 curved in an arc shape from the linear region E1 toward both ends.
  • the second piezoelectric cantilever portion 34 has a linear region E3 extending linearly along the shape of the inner frame 6 and a curved region E4 curved in an arc shape from the linear region E3 toward both ends. are doing.
  • the first piezoelectric cantilever portion 32 (first piezoelectric actuator 3) has a curved shape along the curved shape of the inner frame 6 described above.
  • the first piezoelectric cantilever portion 32 has a linear region E5 extending linearly along the shape of the inner frame 6 and a curved region E6 curved in an arc shape from the linear region E5 toward both ends.
  • the above-described inner frame 6 includes the curved region E2, so that stress relaxation and chip size reduction can be achieved more than when the inner frame 6 is configured only with the straight region E1. is possible.
  • the second piezoelectric cantilever portion 34 (second piezoelectric actuator 4) has a curved shape along the curved shape of the inner frame 6 described above.
  • the distance W2 between the curved regions E2 and E4 between the inner frame 6 and the second piezoelectric cantilever portion 34 can be narrowed while securing the length of the two piezoelectric cantilever portions 34. As shown in FIG.
  • the driving voltage of the second piezoelectric actuator 4 is higher than in the case where the second piezoelectric cantilever portion 34 (second piezoelectric actuator 4) is composed only of the linear region E3. It is possible to improve the sway angle efficiency and increase the primary resonance frequency. Also, it is possible to reduce the chip size.
  • FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the optical deflector 100 as a comparative example.
  • the optical deflector 100 has basically the same configuration as the optical deflector 1 of the embodiment, except that the second piezoelectric cantilever portion 34 (second piezoelectric actuator 4) is composed only of the linear region E3. there is
  • the optical deflector 100 of the comparative example has a configuration in which the interval W5 between the inner frame 6 and the second piezoelectric cantilever portion 34 is wider than the interval W2 of the optical deflector 1 of the embodiment.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the distances W2 and W5 between the inner frame 6 and the second piezoelectric cantilever portion 34 and the primary resonance frequency. Also, the plotted points shown in FIG. 4 are simulations when the distance between the distance W2 and the distance W5 is increased in the direction in which the second piezoelectric cantilever portion 34 is separated from the inner frame 6. shows the results.
  • the analysis method is to statically calculate the primary resonance frequency [Hz] by modal analysis using the outer frame 7 as a fixed portion, and dynamically apply a driving voltage of 50 V to the second piezoelectric actuator 4 to determine the mirror portion 2 .
  • a deflection angle ( ⁇ ) [deg] was calculated from the displacement amount of .
  • Table 1 below shows the primary resonance frequency, deflection angle, and chip size of the optical deflector 1 of the example.
  • Table 1 below shows the primary resonance frequency, deflection angle, and chip size of the optical deflector 100 as a comparative example.
  • the second piezoelectric cantilever portion 34 (the second piezoelectric actuator 4) is composed only of the linear region E3 as in the optical deflector 100 of the comparative example, the curved region E2 of the inner frame 6 and the linear region E2 2 becomes far from the piezoelectric cantilever portion 34 .
  • the primary resonance frequency is the movement that causes the second piezoelectric actuator 4 to oscillate the mirror section 2 around the second central axis AX.
  • the length of the second piezoelectric cantilever portion 34 is constant, the ease of deformation of the second piezoelectric cantilever portion 34 changes depending on the distance from the center of gravity of the mass positioned inside the inner frame 6 . Therefore, when the distance between the inner frame 6 and the second piezoelectric cantilever portion 34 is shortened, the second piezoelectric cantilever portion 34 becomes stiffer and the primary resonance frequency is improved.
  • the distance W2 between the inner frame 6 and the second piezoelectric cantilever portion 34 is preferably 25 ⁇ m or more. If the distance W2 is made closer than this, the inner frame 6 and the second piezoelectric actuator 4 may collide when the deflection angle of the mirror section 2 increases. On the other hand, increasing the interval W2 leads to an increase in chip size. In addition, since the connection position between the inner frame 6 and the second piezoelectric actuator 4 becomes distant, the primary resonance frequency is lowered.
  • the outer frame 7 is a portion that is larger than the mass positioned inside the second piezoelectric actuator 4 and is fixed. Therefore, since the outer frame 7 can be assumed to be a completely fixed end, it does not contribute to the primary resonance frequency at all. Further, the distance to the outer frame 7 has no relation to the primary resonance frequency and the contact angle efficiency.
  • the optical deflector 1 that has a good swing angle efficiency, a high primary resonance frequency, and is small and lightweight.
  • FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the optical deflector 1A. Further, in the following description, the description of parts equivalent to those of the optical deflector 1 will be omitted, and the same reference numerals will be given in the drawings.
  • the optical deflector 1A of this embodiment has basically the same configuration as the optical deflector 1 described above, except that the second piezoelectric actuator 4A shown in FIG. 6 is provided.
  • a plurality of (three in this embodiment) second piezoelectric cantilever portions 34 are arranged side by side in the direction of the second central axis AX, and are arranged adjacent to each other. It has a meander structure in which one end and the other end of the matching second piezoelectric cantilever portion 34 are folded back and connected via a connecting portion 34a extending in the direction of the second central axis AX.
  • the intervals between the second piezoelectric cantilever portions 34 adjacent to each other are constant.
  • the lengths of the second piezoelectric cantilever portions 34 are the same, and the interval between the adjacent second piezoelectric cantilever portions 34 is constant and has the same width in both the linear region E3 and the curved region E4. ing.
  • the interval in the curved region E4 is the width in the direction perpendicular to the tangential line of the second piezoelectric cantilever portion 34. As shown in FIG.
  • the plurality of second piezoelectric cantilever portions 34 (second Since the piezoelectric actuator 4) has a curved shape, while securing the length of the plurality of second piezoelectric cantilever portions 34, the curved regions E2 and E4 between the inner frame 6 and the second piezoelectric cantilever portions 34 are The interval W2 can be narrowed.
  • the optical deflector 1A of the present embodiment similarly to the optical deflector 1, it is possible to improve the deflection angular efficiency per driving voltage of the second piezoelectric actuator 4 and increase the primary resonance frequency. . Also, it is possible to reduce the chip size.
  • the inner frame 6 includes the linear region E1 and the curved region E2 described above, but may be configured to include only the curved region E2 that is entirely curved in an arc shape.
  • the second piezoelectric cantilever portion 34 may also be configured to include only the curved region E4 that is entirely curved in an arc along the shape of the inner frame 6 .
  • the first piezoelectric cantilever portion 32 may be configured to include only the curved region E6 that is curved in an arc along the shape of the inner frame 6 as a whole.
  • the inner frame 6 may have a configuration in which at least a portion of the inner frame 6 is curved between the first piezoelectric cantilever portion 32 and the second piezoelectric cantilever portion 34 . may have a configuration in which at least a portion thereof is curved along the curved shape of the inner frame 6 .

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Abstract

第１の圧電アクチュエータ（３）は、トーションバー（５）とインナーフレーム（６）との間に設けられた圧電素子（３１ａ）により共振状態で駆動される第１の圧電カンチレバー部（３２）を含み、第２の圧電アクチュエータ（４）は、インナーフレーム（６）とアウターフレーム（７）との間に設けられた圧電素子（３１ｃ）により非共振状態で駆動される第２の圧電カンチレバー部（３４）を含み、インナーフレーム（６）は、第１の圧電カンチレバー部（３２）と第２の圧電カンチレバー部（３４）との間で、少なくとも一部が湾曲した形状を有し、第２の圧電カンチレバー部（３４）は、インナーフレーム（６）の湾曲した形状に沿って、少なくとも一部が湾曲した形状を有する。

Description

光偏向器
　本発明は、光偏向器に関する。
　本願は、２０２１年７月６日に出願された日本国特願２０２１－１１２２４８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
  従来、レーザー光等の光ビームを偏向・走査する光偏向器の例として、ガルバノミラーやポリゴンミラーが一般的に用いられている。このうち、ガルバノミラーは、偏光用の平面ミラーを回転軸に取り付け、電気信号に応じて電磁モータを駆動してミラーの回転角を可変にした光偏向器である。このガルバノミラーは、非共振型の光偏向器なので、ノコギリ歯型やランダムな電気信号で駆動できる。一方、ポリゴンミラーは、偏光用の多面ミラーを回転軸に取り付けた光偏向器であり、ガルバノミラーに比べ高速に走査可能である。
　しかしながら、ガルバノミラーやポリゴンミラーは、駆動源に電磁モータを使用しているため、小型化や軽量化が困難であり、省スペースを必要とするアプリケーションに使用することが困難である。
  これに対して、半導体製造技術を応用してシリコンやガラスを微細加工するマイクロマシニング技術（いわゆるＭＥＭＳ技術）を用いて、半導体基板上にミラーや弾性体等の機構部品を一体的に形成した光偏向器（マイクロミラーともいう。）が提案されている（例えば、下記特許文献１，２を参照。）。
　具体的に、この光偏向器では、支持板上に、圧電体の上部及び下部に電極を有した複数の圧電素子を配置し、この圧電素子の上に弾性体を接続させた圧電アクチュエータを用いている。圧電アクチュエータは、上下電極間に印加される交流電圧により圧電体に上下に直線往復振動を生じさせ、この振動が弾性体を介して反射板へと伝わり、回転支持体を中心として反射板を左右に偏向させる。
  このような光偏向器では、その全体が微小な機械構造体で構成されたＭＥＭＳデバイスであるため、小型化や軽量化が容易である。さらに、半導体プロセスと同様に１枚のウェハから複数のデバイスを同時に作製できるため、量産が容易でコストを抑えることが可能である。
　また、このような光偏向器では、圧電アクチュエータの駆動により発生する微小な力で大きな変位量や偏向角を得るために、共振型の圧電アクチュエータを構成し、ミラー部を固有の共振周波数で駆動させ、この共振駆動によって大きな偏向角を得るのが一般的である。
特開２００８－０４０２４０号公報 特開２０１３－００７７７９号公報
Q-M. Wang & L. E. Cross;Performance Analysis of Piezoelectric Cantilever Bending Actuators,Ferroelectrics, 215, 187-213, 1998
　ところで、上述した光偏向器では、チップサイズがコストに影響することから、デバイス自体をなるべく小さく設計したいといった要求がある。このような要求に対応したデバイス構造の一つとして、水平軸及び鉛直軸の両方を共振させる共振×共振構造が考えられる。
　しかしながら、このような共振×共振構造では、水平軸及び垂直軸の両方を共振させる際の駆動周波数をある程度高くする必要があり、スキャナの画質の悪化を招くなどの問題が発生してしまう。また、ノコギリ波で駆動させた際に、リンギングによる縞状のノイズが投影画像に現れるなどの問題がある。
　このため、駆動周波数の遅い非共振を用いた非共振×共振のデバイス構造が必要となるが、非共振型の圧電アクチュエータでは、共振型の圧電アクチュエータと比べて、駆動電圧当たりの振れ角効率が悪くなる。
　一方、振れ角効率を良くするためには、非共振の圧電アクチュエータのカンチレバーを長くする、若しくは支持体となるＳｉ基板の厚みを薄くする必要がある。通常、アクチュエータの変位量は、カンチレバーの長手方向の長さの２乗に比例して決まる（上記非特許文献１を参照。）。このため、駆動電圧当たりの振れ角効率を良くするためには、カンチレバーの長さを伸ばす必要がある。
　しかしながら、カンチレバーを長くすると、一次共振周波数が低くなってしまう。一次共振周波数が低くなると、外部振動の影響を受け易くなり、デバイス自体が破損し易くなる。また、カンチレバーを長くすると、チップサイズが大きくなってしまう。さらに、支持体となるＳｉ基板の厚みを薄くした場合も、一次共振周波数が低くなってしまう。
　このように、振れ角効率と一次共振周波数とは、トレードオフの関係にあるため、振れ角効率が良く、一次共振周波数が高い、なお且つ、小型軽量のデバイスを作製することは難しい。
　本発明の態様は、振れ角効率が良く、一次共振周波数が高い、なお且つ、小型軽量の光偏向器を提供する。
　上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を提供する。
〔１〕　反射面を含むミラー部と、
　前記ミラー部の周囲に位置して、前記ミラー部を第１の中心軸の軸回りに揺動させる第１の圧電アクチュエータと、
　前記第１の圧電アクチュエータの周囲に位置して、前記ミラー部を前記第１の中心軸とは直交する第２の中心軸の軸周りに揺動させる第２の圧電アクチュエータと、
　前記ミラー部と前記第１の圧電アクチュエータの一端との間を連結するトーションバーと、
　前記第１の圧電アクチュエータの他端と前記第２の圧電アクチュエータの一端との間を連結するインナーフレームと、
　前記第２の圧電アクチュエータの周囲に位置して、前記第２の圧電アクチュエータの他端と連結されたアウターフレームとを備え、
　前記第１の圧電アクチュエータは、前記トーションバーと前記インナーフレームとの間に設けられた圧電素子により共振状態で駆動される第１の圧電カンチレバー部を含み、　前記第２の圧電アクチュエータは、前記インナーフレームと前記アウターフレームとの間に設けられた圧電素子により非共振状態で駆動される第２の圧電カンチレバー部を含み、
　前記インナーフレームは、前記第１の圧電カンチレバー部と前記第２の圧電カンチレバー部との間で、少なくとも一部が湾曲した形状を有し、
　前記第２の圧電カンチレバー部は、前記インナーフレームの湾曲した形状に沿って、少なくとも一部が湾曲した形状を有することを特徴とする光偏向器。
〔２〕　前記第２の圧電カンチレバー部は、前記インナーフレームの形状に沿った形状を有することを特徴とする前記〔１〕に記載の光偏向器。
〔３〕　前記第２の圧電カンチレバー部は、少なくとも前記インナーフレームの湾曲した形状に沿った部分において、前記インナーフレームとの間隔が一定となっていることを特徴とする前記〔１〕又は〔２〕に記載の光偏向器。
〔４〕　前記第１の圧電カンチレバー部は、前記インナーフレームの形状に沿った形状を有することを特徴とする前記〔１〕～〔３〕の何れか一項に記載の光偏向器。
〔５〕　前記第２の圧電アクチュエータは、前記インナーフレームと前記アウターフレームとの間に一対の前記第２の圧電カンチレバー部が配置された構造を有することを特徴とする前記〔１〕～〔４〕の何れか一項に記載の光偏向器。
〔６〕　前記第２の圧電アクチュエータは、前記第２の圧電カンチレバー部が複数並んで配置されると共に、互いに隣り合う前記第２の圧電カンチレバー部の一端と他端とを、前記第２の中心軸の方向に延在する連結部を介して折り返し連結し、なお且つ、互いに隣り合う前記第２の圧電カンチレバー部の間隔が一定となるミアンダ構造を有することを特徴とする前記〔１〕～〔４〕の何れか一項に記載の光偏向器。
　本発明の態様によれば、振れ角効率良く、一次共振周波数が高い、なお且つ、小型軽量の光偏向器を提供することが可能である。
本発明の第１の実施形態に係る光偏向器の構成を示す平面図である。 図１に示す光偏向器の断面構造を示し、図１中に示す線分Ａ－Ａによる光偏向器の断面図である。 図１に示す光偏向器の断面構造を示し、光偏向器を構成する各層の積層構造を示す断面図である。 比較例となる光偏向器の構成を示す平面図である。 インナーフレームと第２の圧電カンチレバー部との間隔と一次共振周波数との関係を示すグラフである。 実施例となる光偏向器の各部の寸法を示す平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る光偏向器の構成を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
　なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
　また、以下に示す図面では、ＸＹＺ直交座標系を設定し、Ｘ軸方向を光偏向器の平面内における第２の中心軸の方向（横方向）、Ｙ軸方向を光偏向器の平面内において第２の方向と直交する第１の中心軸の方向（縦方向）、Ｚ軸方向を光偏向器の平面内に対して直交する厚み方向（高さ方向）として、それぞれ示すものとする。
（第１の実施形態）
　先ず、本発明の第１の実施形態として、例えば図１及び図２Ａ、図２Ｂに示す光偏向器１について説明する。
　なお、図１は、光偏向器１の構成を示す平面図である。図２Ａは、光偏向器１の断面構造を示し、図１中に示す線分Ａ－Ａによる光偏向器１の断面図である。図２Ｂは、（Ｂ）は、光偏向器１の断面構造を示し、光偏向器１を構成する各層の積層構造を示す断面図である。
　本実施形態の光偏向器１は、図１及び図２Ａ、図２Ｂに示すように、ミラー部２と、ミラー部２の周囲に位置して、ミラー部２を第１の中心軸（本実施形態ではＹ軸に沿った方向）ＡＹの軸回りに揺動させる第１の圧電アクチュエータ３と、第１の圧電アクチュエータ３の周囲に位置して、ミラー部２を第１の中心軸ＡＹとは直交する第２の中心軸（本実施形態ではＸ軸に沿った方向）ＡＸの軸周りに揺動させる第２の圧電アクチュエータ４と、ミラー部２と第１の圧電アクチュエータ３との間を連結するトーションバー５と、第１の圧電アクチュエータ３と第２の圧電アクチュエータ４との間を連結するインナーフレーム６と、第２の圧電アクチュエータ４の周囲に位置して、第２の圧電アクチュエータ４と連結されたアウターフレーム７とを備えている。
　また、本実施形態の光偏向器１は、ＭＥＭＳ技術を用いて、支持体となる半導体基板の上に、ミラー部２と、第１及び第２の圧電アクチュエータ３，４と、トーションバー５及びインナーフレーム６と、アウターフレーム７とを一体的に形成したマイクロミラーからなる。
　例えば、本実施形態の光偏向器１は、支持体となるＳｉ基板１１の一面（下面）に、ＳｉＯ２層１２と、Ｓｉ／ＳｉＯ２層１３とが順に積層され、Ｓｉ基板１１の他面（上面）に、Ｐｔ層１４と、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）層１５と、Ｐｔ層１６とが順に積層された構造を有している。
　このうち、ミラー部２は、Ｓｉ／ＳｉＯ２層１３、ＳｉＯ２層１２、Ｓｉ基板１１及びＰｔ層１４の積層体により構成されている。一方、第１及び第２の圧電アクチュエータ３，４は、Ｓｉ基板１１、Ｐｔ層１４、ＰＺＴ層１５及びＰｔ層１６の積層体により構成されている。一方、トーションバー５及びインナーフレーム６は、Ｓｉ／ＳｉＯ２層１３、ＳｉＯ２層１２、Ｓｉ基板１１及びＰｔ層１４の積層体により構成されているが、Ｐｔ層１４を省略することも可能である。一方、アウターフレーム７は、Ｓｉ／ＳｉＯ２層１３、ＳｉＯ２層１２、Ｓｉ基板１１、Ｐｔ層１４、ＰＺＴ層１５及びＰｔ層１６の積層体により構成されている。また、ミラー部２と、第１及び第２の圧電アクチュエータ３，４と、トーションバー５及びインナーフレーム６とを構成するＳｉ／ＳｉＯ２層１３の厚みは、アウターフレーム７を構成するＳｉ／ＳｉＯ２層１３の厚みよりも薄くなっている。
　ミラー部２は、反射体となるＰｔ層１４により構成された平面視で円形状の反射面２ａと、Ｓｉ基板１１、ＳｉＯ２層１２及びＳｉ／ＳｉＯ２層１３により構成されたミラーフレーム２ｂとを有している。
　本実施形態の光偏向器１は、ミラー部２と、この周囲を囲む略矩形枠状のアウターフレーム７との間に空間Ｋを有している。また、本実施形態の光偏向器１は、ミラー部２を挟んで第２の中心軸ＡＸの方向に対称に配置された一対の第１の圧電アクチュエータ３とミラー部２との間が一対のトーションバー５を介して連結されると共に、ミラー部２を挟んで第２の中心軸ＡＸの方向に対称に配置された一対の第２の圧電アクチュエータ４と一対の第１の圧電アクチュエータ３との間がインナーフレーム６を介して連結された構造を有している。
　したがって、本実施形態の光偏向器１では、ミラー部２を挟んで一対のトーションバー５、一対の第１の圧電アクチュエータ３、インナーフレーム６及び一対の第２の圧電アクチュエータ４が、それぞれ対称に配置された構造となっている。
　なお、一対の第２の圧電アクチュエータ４とアウターフレーム７との連結位置は、アウターフレーム７の対角方向に対称に配置された構成となっているが、このような構成に必ずしも限定されるものではなく、第１の中心軸ＡＹの方向に対称に配置された構成であってもよい。
　一対の第１の圧電アクチュエータ３は、それぞれ平面視で第１の中心軸ＡＹの方向に延在しながら長半円弧状に形成されると共に、互いの両端部が一対のトーションバー５と連結されることによって、ミラー部２の周囲を囲むように全体として長円リング状に形成されている。
　一対のトーションバー５は、それぞれ平面視で第１の中心軸ＡＹの方向に延在しながら直線状に形成されると共に、ミラー部２と一対の第１の圧電アクチュエータ３との間を第１の中心軸ＡＹに沿って連結している。
　各第１の圧電アクチュエータ３は、駆動用の圧電素子３１ａと検知用の圧電素子３１ｂとが設けられた第１の圧電カンチレバー部３２を有している。
　圧電素子３１ａ，３１ｂは、振動板となるＳｉ基板１１の上に、下部電極となるＰｔ層１４と、圧電体となるＰＺＴ層１５と、上部電極となるＰｔ層１６とを積層することによって構成されている。
　駆動用の圧電素子３１ａは、第１の圧電カンチレバー部３２が延在する方向に複数（本実施形態では３つ）並んで配置されている。また、３つの圧電素子３１ａは、中央の圧電素子３１ａを挟んで両端の圧電素子３１ａが第１の中心軸ＡＹの方向に対称に配置されている。
　一対の第１の圧電アクチュエータ３の間では、何れか一方の第１の圧電カンチレバー部３２に設けられた中央の圧電素子３１ａと、何れか他方の第１の圧電カンチレバー部３２に設けられた両端の圧電素子３１ａとが一対の接続配線３３ａを介して電気的に接続されている。
　検知用の圧電素子３１ｂは、複数の圧電素子３１ａと共に、第１の圧電カンチレバー部３２が延在する方向の一端側（－Ｙ軸側）に並んで配置されている。
　インナーフレーム６は、平面視で第１の中心軸ＡＹの方向に延在しながら長半円弧状に形成されると共に、互いの両端部が一対のトーションバー５と連結されることによって、一対の第１の圧電アクチュエータ３の周囲を囲むように全体として長円リング状に形成されている。
　また、インナーフレーム６は、平面視で第１の中心軸ＡＹの方向に延在しながら直線状に形成された一対の連結部６ａを介して一対の第１の圧電アクチュエータ３とインナーフレーム６との間を第１の中心軸ＡＹに沿って連結している。
　また、インナーフレーム６は、平面視で第２の中心軸ＡＸの方向に延在しながら直線状に形成された一対の連結部６ｂを介して一対の第１の圧電アクチュエータ３とインナーフレーム６との間を第２の中心軸ＡＸに沿って連結している。
　一対の第２の圧電アクチュエータ４は、それぞれ平面視で第１の中心軸ＡＹの方向に延在しながら長半円弧状に形成されると共に、インナーフレーム６とアウターフレーム７との間を連結している。
　各第２の圧電アクチュエータ４は、駆動用の圧電素子３１ｃが設けられた第２の圧電カンチレバー部３４を有している。すなわち、この第２の圧電アクチュエータ４は、インナーフレーム６とアウターフレーム７との間に一対の第２の圧電カンチレバー部３４が配置された構造を有している。
　圧電素子３１ｃは、上述した圧電素子３１ａ，３１ｂと同様に、振動板となるＳｉ基板１１の上に、下部電極となるＰｔ層１４と、圧電体となるＰＺＴ層１５と、上部電極となるＰｔ層１６とを積層することによって構成されている。また、圧電素子３１ｃは、第２の圧電カンチレバー部３４が延在する方向の一端側と他端側との間に亘って設けられている。
　アウターフレーム７の面上には、圧電素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃの各々に対応した複数（本実施形態では６つ）の電極パッド３５ａ，３５ｂ，３５ｃが設けられている。複数の電極パッド３５ａ，３５ｂ，３５ｃは、第２の中心軸ＡＸの方向の両側に位置して、それぞれ第１の中心軸ＡＹの方向に並んで配置されている。
　駆動用の圧電素子３１ａは、一対の接続配線３３ａと電気的に接続されると共に、一方の連結部６ｂから一方のインナーフレーム６、一方の第２の圧電アクチュエータ４及びアウターフレーム７の面上において引き回された一対の接続配線３３ｂを介して一対の電極パッド３５ａと電気的に接続されている。これにより、一対の電極パッド３５ａ、一対の接続配線３３ｂ及び一対の接続配線３３ａを介して圧電素子３１ａに駆動電圧（例えば正弦波などの交流電圧）を印加することが可能となっている。
　検知用の圧電素子３１ｂは、一方の連結部６ａから他方のインナーフレーム６、他方の第２の圧電アクチュエータ４及びアウターフレーム７の面上において引き回された一対の接続配線３３ｃを介して一対の電極パッド３５ｂと電気的に接続されている。これにより、第１の圧電カンチレバー部３２の変形に伴って圧電素子３１ｂから出力される電圧を一対の接続配線３３ｃ及び一対の電極パッド３５ｂを介して検知することが可能となっている。
　駆動用の圧電素子３１ｃは、アウターフレーム７の面上において引き回された一対の接続配線３３ｄを介して一対の電極パッド３５ｃと電気的に接続されている。これにより、一対の電極パッド３５ｃ及び一対の接続配線３３ｄを介して圧電素子３１ｃに駆動電圧（例えば正弦波などの交流電圧）を印加することが可能となっている。
　以上のような構成を有する本実施形態の光偏向器１では、一対の第１の圧電アクチュエータ３の圧電駆動によって、ミラー部２を第１の中心軸ＡＹの軸周りに揺動させることが可能である。
　具体的には、駆動用の圧電素子３１ａに駆動電圧を印加し、第１の圧電カンチレバー部３２を屈曲させることで、ミラー部２を第１の中心軸ＡＹの軸周りに揺動させることが可能である。
　また、本実施形態の光偏向器１では、第１の圧電アクチュエータ３が共振型の圧電アクチュエータとして、駆動用の圧電素子３１ａに対して共振周波数付近の駆動電圧を印加する。このとき、検知用の圧電素子３１ｂが第１の圧電カンチレバー部３２の屈曲状態を検知しながら、第１の圧電カンチレバー部３２が共振するように、駆動用の圧電素子３１ａに印加される駆動電圧を制御する。これにより、第１の圧電カンチレバー部３２（第１の圧電アクチュエータ３）を共振状態で駆動（共振駆動）させながら、ミラー部２をより大きな偏向角で揺動させることが可能である。
　一方、本実施形態の光偏向器１では、一対の第２の圧電アクチュエータ４の圧電駆動によって、ミラー部２を第２の中心軸ＡＸの軸周りに揺動させることが可能である。
　具体的には、駆動用の圧電素子３１ｃに駆動電圧を印加し、第２の圧電カンチレバー部３４を屈曲させることで、ミラー部２を第２の中心軸ＡＸの軸周りに揺動させることが可能である。
　また、本実施形態の光偏向器１では、第２の圧電アクチュエータ４が非共振型の圧電アクチュエータとして、第２の圧電カンチレバー部３４が共振しない周波数で、駆動用の圧電素子３１ｃに対して駆動電圧を印加する。これにより、第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）を非共振状態で駆動（非共振駆動）させながら、ミラー部２を第２の中心軸ＡＸの軸周りに揺動させることが可能である。
　ところで、本実施形態の光偏向器１では、上述したインナーフレーム６の湾曲した形状に沿って、第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）が湾曲した形状を有している。
　具体的に、このインナーフレーム６は、直線状に延在した直線領域Ｅ１と、この直線領域Ｅ１から両端に向かって円弧状に湾曲した曲線領域Ｅ２とを有している。第２の圧電カンチレバー部３４は、このインナーフレーム６の形状に沿って、直線状に延在した直線領域Ｅ３と、この直線領域Ｅ３から両端に向かって円弧状に湾曲した曲線領域Ｅ４とを有している。
　また、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との直線領域Ｅ１，Ｅ３における間隔Ｗ１が一定となり、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との曲線領域Ｅ２，Ｅ４における間隔Ｗ２が一定となっている。さらに、本実施形態では、Ｗ１＝Ｗ２となっている。なお、曲線領域Ｅ２，Ｅ４においては、インナーフレーム６又は第２の圧電カンチレバー部３４の接線に対して垂直な方向の幅を間隔Ｗ２としている。
　さらに、本実施形態の光偏向器１では、上述したインナーフレーム６の湾曲した形状に沿って、第１の圧電カンチレバー部３２（第１の圧電アクチュエータ３）が湾曲した形状を有している。
　具体的に、第１の圧電カンチレバー部３２は、インナーフレーム６の形状に沿って、直線状に延在した直線領域Ｅ５と、この直線領域Ｅ５から両端に向かって円弧状に湾曲した曲線領域Ｅ６とを有している。
　また、インナーフレーム６と第１の圧電カンチレバー部３２との直線領域Ｅ１，Ｅ５における間隔Ｗ３が一定となり、インナーフレーム６と第１の圧電カンチレバー部３２との曲線領域Ｅ２，Ｅ６における間隔Ｗ４が一定となっている。さらに、本実施形態では、Ｗ３＝Ｗ４となっている。なお、曲線領域Ｅ２，Ｅ６においては、インナーフレーム６又は第２の圧電カンチレバー部３４の接線に対して垂直な方向の幅を間隔Ｗ４としている。
　本実施形態の光偏向器１では、上述したインナーフレーム６が曲線領域Ｅ２を含むことで、インナーフレーム６を直線領域Ｅ１のみで構成する場合よりも、応力緩和やチップサイズの縮小化を図ることが可能である。
　また、本実施形態の光偏向器１では、上述したインナーフレーム６の湾曲した形状に沿って、第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）が湾曲した形状を有することで、第２の圧電カンチレバー部３４の長さを確保しながら、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との曲線領域Ｅ２，Ｅ４における間隔Ｗ２を狭めることができる。
　これにより、本実施形態の光偏向器１では、第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）を直線領域Ｅ３のみで構成する場合よりも、第２の圧電アクチュエータ４の駆動電圧当たりの振れ角効率を良くし、一次共振周波数を高めることが可能である。また、チップサイズの縮小化を図ることが可能である。
　ここで、比較例として、図３に示す光偏向器１００について説明する。
　なお、図３は、比較例となる光偏向器１００の構成を示す平面図である。
　光偏向器１００は、第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）を直線領域Ｅ３のみで構成する以外は、実施例となる光偏向器１と基本的に同じ構成を有している。
　したがって、比較例となる光偏向器１００は、実施例となる光偏向器１の間隔Ｗ２よりも、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との間隔Ｗ５を拡げた構成となっている。
　次に、実施例となる光偏向器１と、比較例となる光偏向器１００とを用いて、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との間隔Ｗ２，Ｗ５と一次共振周波数との関係をシミュレーションにより求めた。そのシミュレーション結果を図４に示す。
　なお、図４は、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との間隔Ｗ２，Ｗ５と一次共振周波数との関係を示すグラフである。また、図４中に示すプロットの点は、間隔Ｗ２と間隔Ｗ５との間で、インナーフレーム６に対して第２の圧電カンチレバー部３４が離間する方向に間隔とを拡げていったときのシミュレーション結果を示している。
　また、本シミュレーションでは、IntelliSense社製のIntelliSuiteを用いている。シミュレーション条件としては、Ｓｉ基板１１を１００μｍ、Ｓｉ／ＳｉＯ２層１３を１０μｍ、ＰＺＴ層１５を５μｍとし、簡易化のため、Ｐｔ層１４，１６及びＳｉＯ２層１２を省略している。また、光偏向器１の各部の寸法［ｍｍ］を図５に示す。
　解析方法は、スタティックにてアウターフレーム７をフィックス部としてモーダル解析にて一次共振周波数［Ｈｚ］を算出し、ダイナミックにて第２の圧電アクチュエータ４に５０Ｖの駆動電圧を印加した場合のミラー部２の変位量から振れ角（θ）［ｄｅｇ］を算出した。
　実施例となる光偏向器１の一次共振周波数、振れ角及びチップサイズを下記表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　また、比較例となる光偏向器１００の一次共振周波数、振れ角及びチップサイズを下記表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　図４及び表１，２に示すように、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との間隔Ｗ２が狭くなるほど、一次共振周波数が向上することがわかる。
　具体的に、比較例となる光偏向器１００のように、第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）を直線領域Ｅ３のみで構成した場合、インナーフレーム６の曲線領域Ｅ２と第２の圧電カンチレバー部３４との距離が遠くなる。
　この場合、一次共振周波数は、第２の圧電アクチュエータ４によってミラー部２を第２の中心軸ＡＸの軸回りに揺動させる動きである。第２の圧電カンチレバー部３４の長さを一定とした場合、インナーフレーム６の内側に位置する質量の重心からの距離によって、この第２の圧電カンチレバー部３４の変形し易さが変化する。このため、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との距離が短くなると、第２の圧電カンチレバー部３４が固くなり、一次共振周波数が向上する。
　また、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との間隔Ｗ２は、２５μｍ以上とすることが好ましい。間隔Ｗ２をこれ以上近づけると、ミラー部２の振れ角が大きくなった際に、インナーフレーム６と第２の圧電アクチュエータ４とが衝突する可能性がある。一方、間隔Ｗ２を大きくすると、チップサイズの大型化を招くことなる。また、インナーフレーム６と第２の圧電アクチュエータ４との連結位置が遠くなるため、一次共振周波数が低下してしまう。
　なお、アウターフレーム７は、第２の圧電アクチュエータ４の内側に位置する質量よりも大きく、固定される部分である。したがって、アウターフレーム７は、完全固定端と仮定できるため、一次共振周波数には全く寄与しない。また、アウターフレーム７までの距離は、一次共振周波数と触れ角効率には関係がない。
　以上のようにして、本実施形態では、振れ角効率が良く、一次共振周波数が高い、なお且つ、小型軽量の光偏向器１を提供することが可能である。
（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態として、例えば図６に示す光偏向器１Ａについて説明する。
　なお、図６は、光偏向器１Ａの構成を示す平面図である。また、以下の説明では、上記光偏向器１と同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
　本実施形態の光偏向器１Ａは、図６に示す第２の圧電アクチュエータ４Ａを備える以外は、上記光偏向器１と基本的に同じ構成を有している。
　具体的に、この第２の圧電アクチュエータ４Ａは、第２の中心軸ＡＸの方向に向かって第２の圧電カンチレバー部３４が複数（本実施形態では３つ）並んで配置されると共に、互いに隣り合う第２の圧電カンチレバー部３４の一端と他端とを第２の中心軸ＡＸの方向に延在する連結部３４ａを介して折り返し連結したミアンダ構造を有している。
　また、第２の圧電アクチュエータ４Ａでは、互いに隣り合う第２の圧電カンチレバー部３４の間隔が一定となっている。さらに、本実施形態では、各第２の圧電カンチレバー部３４の長さが同じであり、隣り合う第２の圧電カンチレバー部３４の間隔は、直線領域Ｅ３でも曲線領域Ｅ４でも一定で同じ幅となっている。なお、曲線領域Ｅ４における間隔は、第２の圧電カンチレバー部３４の接線に対して垂直な方向の幅としている。
　以上のような構成を有する本実施形態の光偏向器１Ａでは、上記光偏向器１と同様に、インナーフレーム６の湾曲した形状に沿って、複数の第２の圧電カンチレバー部３４（第２の圧電アクチュエータ４）が湾曲した形状を有することで、これら複数の第２の圧電カンチレバー部３４の長さを確保しながら、インナーフレーム６と第２の圧電カンチレバー部３４との曲線領域Ｅ２，Ｅ４における間隔Ｗ２を狭めることができる。
　これにより、本実施形態の光偏向器１Ａでは、上記光偏向器１と同様に、第２の圧電アクチュエータ４の駆動電圧当たりの振れ角効率を良くし、一次共振周波数を高めることが可能である。また、チップサイズの縮小化を図ることが可能である。
　なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　例えば、上記インナーフレーム６は、上述した直線領域Ｅ１と曲線領域Ｅ２とを含んだ構成となっているが、その全体が円弧状に湾曲した曲線領域Ｅ２のみを含む構成であってもよい。
　この場合、第２の圧電カンチレバー部３４についても、インナーフレーム６の形状に沿って、その全体が円弧状に湾曲した曲線領域Ｅ４のみを含む構成とすればよい。また、第１の圧電カンチレバー部３２についても、インナーフレーム６の形状に沿って、その全体が円弧状に湾曲した曲線領域Ｅ６のみを含む構成とすればよい。
　また、上記インナーフレーム６は、第１の圧電カンチレバー部３２と第２の圧電カンチレバー部３４との間で、少なくとも一部が湾曲した形状を有する構成であればよく、第２の圧電カンチレバー部３４は、このインナーフレーム６の湾曲した形状に沿って、少なくとも一部が湾曲した形状を有する構成であればよい。
　１，１Ａ…光偏向器　２…ミラー部　２ａ…反射面　３…第１の圧電アクチュエータ　４，４Ａ…第２の圧電アクチュエータ　５…トーションバー　６…インナーフレーム　７…アウターフレーム　１１…Ｓｉ基板　１２…ＳｉＯ２層　１３…Ｓｉ／ＳｉＯ２層　１４…Ｐｔ層　１５…ＰＺＴ層　１６…Ｐｔ層　３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…圧電素子　３２…第１の圧電カンチレバー部　３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ…接続配線　３４…第２の圧電カンチレバー部　３５ａ，３５ｂ，３５ｃ…電極パッド　ＡＸ…第２の中心軸　ＡＹ…第１の中心軸　Ｋ…空間

Claims (6)

  1. 　反射面を含むミラー部と、
    　前記ミラー部の周囲に位置して、前記ミラー部を第１の中心軸の軸回りに揺動させる第１の圧電アクチュエータと、
    　前記第１の圧電アクチュエータの周囲に位置して、前記ミラー部を前記第１の中心軸とは直交する第２の中心軸の軸周りに揺動させる第２の圧電アクチュエータと、
    　前記ミラー部と前記第１の圧電アクチュエータの一端との間を連結するトーションバーと、
    　前記第１の圧電アクチュエータの他端と前記第２の圧電アクチュエータの一端との間を連結するインナーフレームと、
    　前記第２の圧電アクチュエータの周囲に位置して、前記第２の圧電アクチュエータの他端と連結されたアウターフレームとを備え、
    　前記第１の圧電アクチュエータは、前記トーションバーと前記インナーフレームとの間に設けられた圧電素子により共振状態で駆動される第１の圧電カンチレバー部を含み、　前記第２の圧電アクチュエータは、前記インナーフレームと前記アウターフレームとの間に設けられた圧電素子により非共振状態で駆動される第２の圧電カンチレバー部を含み、
    　前記インナーフレームは、前記第１の圧電カンチレバー部と前記第２の圧電カンチレバー部との間で、少なくとも一部が湾曲した形状を有し、
    　前記第２の圧電カンチレバー部は、前記インナーフレームの湾曲した形状に沿って、少なくとも一部が湾曲した形状を有することを特徴とする光偏向器。
  2. 　前記第２の圧電カンチレバー部は、前記インナーフレームの形状に沿った形状を有することを特徴とする、
    　請求項１に記載の光偏向器。
  3. 　前記第２の圧電カンチレバー部は、少なくとも前記インナーフレームの湾曲した形状に沿った部分において、前記インナーフレームとの間隔が一定となっていることを特徴とする、
    　請求項１又は２に記載の光偏向器。
  4. 　前記第１の圧電カンチレバー部は、前記インナーフレームの形状に沿った形状を有することを特徴とする、
    　請求項１～３の何れか一項に記載の光偏向器。
  5. 　前記第２の圧電アクチュエータは、前記インナーフレームと前記アウターフレームとの間に一対の前記第２の圧電カンチレバー部が配置された構造を有することを特徴とする、
    　請求項１～４の何れか一項に記載の光偏向器。
  6. 　前記第２の圧電アクチュエータは、前記第２の圧電カンチレバー部が複数並んで配置されると共に、互いに隣り合う前記第２の圧電カンチレバー部の一端と他端とを、前記第２の中心軸の方向に延在する連結部を介して折り返し連結し、なお且つ、互いに隣り合う前記第２の圧電カンチレバー部の間隔が一定となるミアンダ構造を有することを特徴とする請求項１～４の何れか一項に記載の光偏向器。
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