WO2023273276A1 - 发光器件及其制备方法 - Google Patents
发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023273276A1 WO2023273276A1 PCT/CN2021/143763 CN2021143763W WO2023273276A1 WO 2023273276 A1 WO2023273276 A1 WO 2023273276A1 CN 2021143763 W CN2021143763 W CN 2021143763W WO 2023273276 A1 WO2023273276 A1 WO 2023273276A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light
- layer
- black phosphorus
- emitting device
- type black
- Prior art date
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 330
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 231
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 78
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 46
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 44
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 44
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- -1 Alq 3 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 claims description 3
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 claims description 3
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical group C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N p-aminodiphenylamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 12
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N lithium peroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][O-] HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical group O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/50—Current conducting connections for cells or batteries
- H01M50/531—Electrode connections inside a battery casing
- H01M50/54—Connection of several leads or tabs of plate-like electrode stacks, e.g. electrode pole straps or bridges
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
Definitions
- the material of the electron transport layer 220 is nanoparticles.
- the mass ratio of nanoparticles to N-type black phosphorus is 85-99:1-15.
- the mass ratio of nanoparticles to N-type black phosphorus can be 85:15, 87:13, 90:10, 92:8, 94:6, 95:5, 97:3 or 99:1, etc.
- the massive P-type black phosphorus crystals are ground into powder; then, cumene hydroperoxide and NaOH are added, stirred vigorously at 60 degrees Celsius for 8 hours, and the rotation speed is 8000 revolutions per centrifugation for 20 minutes to obtain supernatant to obtain a solution containing P-type black phosphorus; the number of layers of P-type black phosphorus is 10 layers, and the lateral dimension of P-type black phosphorus is 10 microns.
- the solution containing nanoparticles and the solution containing N-type black phosphorus are mixed at a mass ratio of 85-99:1-15 to obtain the material of the electronic functional layer 200 .
- FIG. 5 is the current density-voltage curves of the light emitting devices provided in Example 2 and Comparative Example 2 of the present application.
- the current density of the light-emitting device 10 using ZnO and N-type black phosphorus to form the electron transport layer 220 and the protective layer 210 respectively can reach 65 mA/cm 2 when the input voltage is 6 volts.
- the light-emitting device that does not use N-type black phosphorus and only uses ZnO to form the electron transport layer can only reach a maximum current density of 20 mA/cm 2 when inputting a voltage of 6 volts.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种发光器件及其制备方法，发光器件包括发光层和电子功能层，电子功能层设置于发光层上，其中，电子功能层的材料包括N型黑磷。
Description
本申请要求申请日为2021年06月30日，申请号为“202110732972X”，申请名称为“发光器件及其制备方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件及其制备方法。
量子点电致发光二极管由于发光色纯度高、发光波长可调和可溶液加工特性，使其在显示方面应用前景广阔。
目前在量子点电致发光二极管器件中，一般从下往上叠层设置有基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入层、电子传输层和阴极。但是，空穴注入层和空穴传输层之间的能级不匹配，导致载流子注入不平衡，进而导致发光器件的性能不稳定。
本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法，以解决现有技术中载流子注入不平衡的问题。
本申请实施例提供一种发光器件，其包括：
发光层；
电子功能层，所述电子功能层设置于所述发光层上，其中，所述电子功能层的材料包括N型黑磷。
在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的材料还包括纳米颗粒，所述纳米颗粒为金属氧化物。
在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒选自ZnO、TiO
2、Alq
3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO
3中的一种或几种组合。
在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒与所述N型黑磷的质量比为85-99:1-15。
在本申请的一些实施例中，所述电子功能层包括保护层和电子传输层，所述保护层和所述电子传输层依次层叠设置于所述发光层上，所述保护层的材料为N型黑磷。
在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料为纳米颗粒，所述纳米颗粒选自ZnO、TiO
2、Alq
3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO
3中的一种或几种组合。
在本申请的一些实施例中，所述N型黑磷的层数为1层-5层，所述N型黑磷的横向尺寸为1纳米-20微米。
在本申请的一些实施例中，所述N型黑磷的层数为1层-3层，所述N型黑磷的横向尺寸为1纳米-20微米。
在本申请的一些实施例中，所述N型黑磷的层数为8层-15层，所述N型黑磷的横向尺寸为20微米-50微米。
在本申请的一些实施例中，所述N型黑磷的层数为10层-15层，所述N型黑磷的横向尺寸为5微米-15微米。
在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括衬底、阳极、空穴传输层以及阴极，所述阳极设置于所述衬底上，所述空穴传输层设置于所述阳极上，所述发光层设置于所述空穴传输层上，所述阴极设置于所述电子功能层上。
在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述阳极与所述空穴传输层之间。
在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料包括聚(9，9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N， N'双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9，9-二辛基芴-共-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)（PFB）、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4，4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺（TPD）、N，N’-二苯基-N，N’-（1-萘基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯和C
60中的一种或几种组合。
在本申请的一些实施例中，所述空穴注入层的材料选自聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2，3，5，6-四氟-7，7'，8，8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲（HATCN）、MoO
3、VO
2、WO
3、CuO、MoS
2、MoSe
2、WS
2、WSe
2和CuS。
在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒与所述N型黑磷的质量比为85-95:1-15。
在本申请的一些实施例中，所述发光层的材料选自Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶和Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶。
在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的厚度为10-150纳米。
在本申请的一些实施例中，所述空穴注入层的厚度为10-150纳米。
在本申请的一些实施例中，所述阳极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝和氧化铟镓锌中的一种或几种组合。
本申请还提供一种发光器件的制备方法，其包括：
提供发光层；
在所述发光层上形成电子功能层，其中，所述电子功能层的材料包括N型黑磷。
本申请实施例公开了一种发光器件及其制备方法，发光器件包括发光层和电子功能层，电子功能层设置于发光层上，其中，电子功能层的材料包括N型黑磷。在本申请中，在电子功能层中采用N型黑磷，使得电子功能层的能带与发光层的能带相匹配，进而使得载流子注入平衡，提高了发光器件的发光效率。
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的发光器件的第一种结构示意图。
图2是本申请实施例提供的发光器件的第二种结构示意图。
图3是本申请实施例提供的发光器件的制备方法流程图。
图4是本申请实施例1和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图5是本申请实施例2和对比例2提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图6是本申请实施例3和对比例3提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图7是本申请实施例4和对比例4提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图8是本申请实施例5和对比例5提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图9是本申请实施例6和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图10是本申请实施例7和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图11是本申请实施例8和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
图12是本申请实施例9和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
本申请的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的发光器件的第一种结构示意图。本申请提供一种发光器件10。发光器件10包括发光层100、电子功能层200和阴极300。具体描述如下：
在一实施例中，发光器件10还包括衬底400。衬底400可以为刚性衬底或柔性衬底。刚性衬底可以为玻璃衬底。柔性衬底的材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的一种或几种组合。
在一实施例中，发光器件10还包括阳极500。阳极500设置在衬底400上。
在一实施例中，阳极500的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝和氧化铟镓锌中的一种或几种组合。在本实施例中，阳极500的材料为氧化铟锡。
在一实施例中，发光器件10还包括空穴注入层600。空穴注入层600设置在阳极500上。
在一实施例中，空穴注入层600的材料选自聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2，3，5，6-四氟-7，7'，8，8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲（HATCN）、MoO
3、VO
2、WO
3、CuO、MoS
2、MoSe
2、WS
2、WSe
2和CuS。
在一实施例中，空穴注入层600的厚度W为10纳米-150纳米。具体的，空穴注入层600的厚度W可以为10纳米、20纳米、40纳米、60纳米、80纳米、100纳米、140纳米或150纳米等。
在本申请中，将空穴注入层600的厚度W设置在10纳米-150纳米之间，保证空穴注入层600的注入效率，使得发光器件10可以正常显示，避免发光器件10的显示性能受到影响。
在一实施例中，发光器件10还包括空穴传输层700。空穴传输层700设置于所述空穴注入层600上。
在一实施例中，空穴传输层700的材料包括聚(9，9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N， N'双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9，9-二辛基芴-共-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)（PFB）、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4，4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺（TPD）、N，N’-二苯基-N，N’-（1-萘基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯和C
60中的一种或几种组合。
在一实施例中，空穴传输层700的厚度H为10纳米-150纳米。具体的，空穴传输层700的厚度H可以为10纳米、20纳米、40纳米、60纳米、80纳米、100纳米、140纳米或150纳米等。
在本申请中，将空穴传输层700的厚度H设置在10纳米-150纳米之间，保证附空穴传输层700的传输效率，使得发光器件10可以正常显示，避免发光器件10的显示性能受到影响。
发光层100设置于空穴传输层700上。发光层100的材料选自Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶和Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶。
电子功能层200设置于发光层100上。电子功能层200的材料为N型黑磷和纳米颗粒。N型黑磷附着在纳米颗粒上。N型黑磷为低纬度N型黑磷，即单层或多层的二维纳米片，或者零维量子点。
在一实施例中，N型黑磷的层数为1层-20层，其横向尺寸为1纳米-100微米。
在本申请中，采用层数为1层-20层且横向尺寸为1纳米-100微米的N型黑磷，使得N型黑磷具有较大的比表面积，将其应用于电子功能层200，提高了纳米颗粒的分散性，进而提高了电子功能层200的铺展度，进而优化电子功能层200和发光层100之间的界面接触，进而提高了发光器件10的性能。采用层数为1层-20层且横向尺寸为1纳米-100微米的N型黑磷，当N型黑磷的层数大于10层时，其带隙为小于或等于0.3 eV，当N型黑磷的层数为1层-10层时，其带隙为0.3eV-2.5eV，即N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，将其应用于电子功能层200，使得其作为发光层100和电子传输层之间能级梯度，提高了电子的传输，避免电子在界面之间聚集，即，使得载流子注入平衡，进而提高了发光器件10的稳定性，且改善了发光器件10的漏电流，即提高了发光器件10的性能。
在一实施例中，N型黑磷的层数为8层-15层，其横向尺寸为20微米-50微米。
在一实施例中，N型黑磷的层数可以为8层、10层、12层或15层等。
在一实施例中，层数为8层-15层的N型黑磷，其横向尺寸可以为20微米、25微米、30微米、40微米、48微米或50微米等。
在本申请中，采用层数为8层-15层且横向尺寸为20微米-50微米的N型黑磷，进一步提高了纳米颗粒的分散性，进而进一步提高了电子功能层200的铺展度，进而进一步优化电子功能层200和发光层100之间的界面接触，进而提高了发光器件10的性能。
在一实施例中，N型黑磷的层数为10层-15层，其横向尺寸为5微米-15微米。
在本申请中，采用层数为10层-15层且横向尺寸为5微米-15微米的N型黑磷，进一步提高了纳米颗粒的分散性，进而进一步提高了电子功能层200的铺展度，进而进一步优化电子功能层200和发光层100之间的界面接触，进而提高了发光器件10的性能。
在一实施例中，N型黑磷的层数为1层-5层，其横向尺寸为1纳米-20微米。
在本申请中，采用层数为1层-5层且横向尺寸为1纳米-20微米的N型黑磷，使得N型黑磷的带隙大，当其形成电子功能层200时，使得其作为发光层100和电子传输层220之间能级梯度，进一步提高了电子的传输，进而进一步提高了发光器件10的稳定性，且改善了发光器件10的漏电流，即提高了发光器件10的性能。
在一实施例中，N型黑磷的层数为1层-3层。
在一实施例中，层数为1层-3层的N型黑磷，其横向尺寸为1纳米-5纳米。
在本申请中，采用层数为1层-3层且横向尺寸为1纳米-5纳米的N型黑磷，使得N型黑磷的带隙大，当其形成电子功能层200时，使得其作为发光层100和电子传输层220之间能级梯度时，提高了电子的传输，避免电子在界面之间聚集，即，使得载流子注入平衡，进而提高了发光器件10的稳定性，且改善了发光器件10的漏电流，即提高了发光器件10的性能。
在一实施例中，纳米颗粒与N型黑磷的质量比为85-99:1-15。具体的，纳米颗粒与N型黑磷的质量比可以为85：15、87：13、90：10、92：8、94：6、95：5、97：3或99：1等。
在本申请中，将纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-99:1-15，保证了电子功能层200的电子迁移率，进而提高了发光器件10的性能。将纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-99:1-15，提高了纳米颗粒的分散性，进而提高了发光器件10的成膜性，且使得形成的能级梯度可以提高电子的转移以及注入，进而提高了发光器件10的性能。若将纳米颗粒与N型黑磷的质量比不设置为85-99:1-15区间内，如N型黑磷在其中的质量比大于15时，过多的N型黑磷会限制电子功能层200的电子迁移率。如N型黑磷在其中的质量比小于1时，使得N型黑磷含量少，进而使得纳米颗粒无法更好的分散，导致电子功能层200的成膜性差，即电子功能层200膜层不均匀，同时，形成的能级梯度无法更好的促进电子的转移转入。
在一实施例中，纳米颗粒与N型黑磷的质量比为85-95:5-15。具体的，纳米颗粒与N型黑磷的质量比可以为85：15、87：13、90：10、92：8、94：6或95：5等。
在本申请中，将纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-95:5-15，保证了电子功能层200的电子迁移率，进而提高了发光器件10的性能。将纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-95:5-15，提高了纳米颗粒的分散性，进而提高了发光器件10的成膜性，且使得形成的能级梯度可以提高电子的转移以及注入，进而提高了发光器件10的性能。若将纳米颗粒与N型黑磷的质量比不设置为85-95:5-15区间内，如N型黑磷在其中的质量比大于15时，过多的N型黑磷会限制电子功能层200的电子迁移率。如N型黑磷在其中的质量比小于5时，使得N型黑磷含量少，进而使得纳米颗粒无法更好的分散，导致电子功能层200的成膜性差，即电子功能层200膜层不均匀，同时，形成的能级梯度无法更好的促进电子的转移转入。
在一实施例中，纳米颗粒为金属氧化物。
在一实施例中，纳米颗粒选自ZnO、TiO
2、Alq
3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO
3中的一种或几种组合。
在一实施例中，N型黑磷附着在AlZnO上。
在一实施例中，N型黑磷附着在CsCO
3上。
在一实施例中，N型黑磷附着在Alq
3上。
在一实施例中，N型黑磷附着在ZrO上。
在一实施例中，N型黑磷附着在ZrO上。
在本申请中，N型黑磷的层数为1层-10层时，其带隙为0.3eV-2.5eV，当N型黑磷的层数大于10层时，其带隙为小于或等于0.3eV，即N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中作为发光器件10的电子传输层220，使得其具有电子传输性能的同时，可以通过N型黑磷的可调节带隙控制电子的传输，并可以防止空穴注入到电子功能层200，抑制了电子和空穴的重组，即，保证载流子注入平衡，进而保证发光器件10的发光性能。
在本申请中，将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200，因N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，使得发光层100的能级和电子功能层200的能级相匹配，进而提高了电子迁移率，同时，可以避免现有技术中采用石墨烯形成的电子传输层所带来的电子在膜层之间聚集，即，N型黑磷具有良好电流调制能力，且其对电路的漏电流调制率可高达石墨烯的104倍，从而可以有效的防护发光器件10，进而避免出现发光层100失活的情况。
在本申请中，将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中，N型黑磷具有较大的比表面积和柔性，N型黑磷从块状到薄层，其张力也跟着改变，所以调节其厚度可以有效降低电子功能层200和发光层100之间的应力，改善了发光器件10中电子功能层200界面和发光层100之间的接触性能，进而提高了发光器件10的性能。
在本申请中，将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中，N型黑磷可以作为附着不同尺寸过渡金属氧化物纳米颗粒的载体，充当了载流子传输的介质，并因N型黑磷分布在纳米颗粒的表面以及填充在纳米颗粒的空隙中，降低了纳米颗粒的表面能，进而降低电子功能层200和其他膜层界面的应力，从而提高发光器件10膜层的铺展度，从而改善发光层100和电子功能层200之间的界面接触。将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中，因N型黑磷具有良好的界面电学接触性能，进而可以改善电极接触。
在一实施例中，阴极300设置在电子功能层200上。
在一实施例中，阴极300的材料包括镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡、氟化锂、二氧化锂、氟化钡和8-羟基喹啉-锂中的一种或几种组合。
在一实施例中，阴极300可以为一层或多层。
请参阅图2，图2是本申请实施例提供的发光器件的第二种结构示意图。需要说明的是，第二种结构和第一种结构的不同之处在于：
电子功能层200包括保护层210和电子传输层220。保护层210和电子传输层220依次层叠设置于发光层100上。保护层210的材料为N型黑磷。
在一实施例中，电子传输层220的材料为纳米颗粒。
在一实施例中，在一实施例中，纳米颗粒为金属氧化物。
在一实施例中，纳米颗粒选自ZnO、TiO
2、Alq
3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO
3中的一种或几种组合。
在本申请中，N型黑磷的层数为1层-10层时，其带隙为0.3eV-2.5eV，当N型黑磷的层数大于10层时，其带隙为小于或等于0.3eV，即N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，采用N型黑磷形成保护层210，可以通过N型黑磷的可调节带隙控制电子的传输，并可以防止空穴注入到电子功能层200，抑制了电子和空穴的重组，即，保证载流子注入平衡，进而保证发光器件10的发光性能。
在本申请中，采用N型黑磷形成保护层210，因N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，使得发光层100的能级和电子传输层220能级相匹配，提高了电子迁移率，同时，可以避免现有技术中采用石墨烯形成的电子传输层所带来的电子在膜层之间聚集，即，N型黑磷具有良好电流调制能力，且其对电路的漏电流调制率可高达石墨烯的104倍，从而可以有效的防护发光器件10，进而避免出现发光层100失活的情况。
在本申请中，采用N型黑磷形成保护层210，N型黑磷具有较大的比表面积和柔性，N型黑磷从块状到薄层其张力也跟着改变，所以调节其厚度可以有效降低电子功能层200和发光层100之间的应力，改善了器件中电子传输层220和发光层100之间的接触性能，进而提高了发光器件10的性能。
在本申请中，采用N型黑磷形成保护层210，降低了表面能，进而降低空穴传输层700和其他膜层界面的应力，从而提高发光器件10膜层的铺展度，从而改善发光层100和电子传输层220之间的界面接触。采用N型黑磷形成保护层210，因N型黑磷具有良好的界面电学接触性能，进而可以改善电极接触。
请参阅图3，图3是本申请实施例提供的发光器件的制备方法的流程图。本申请还提供一种发光器件10的制备方法，具体描述如下：
实施例1：
B11、发光层100。
在一实施例中，在步骤B11之前，还包括：
提供衬底400，然后，在衬底400上设置阳极500。衬底层400为柔性衬底。柔性衬底的材料为聚酰亚胺。阳极500的材料为氧化铟锡。
在一实施例中，在衬底400上设置阳极500的步骤之后，还包括：
在阳极500上依次层叠形成空穴注入层600和空穴传输层700。空穴注入层600的材料为PEDOT:PSS。空穴传输层700的材料为聚乙烯咔唑。
然后，在空穴传输层700旋涂、喷墨打印或涂覆发光层100的材料形成发光层100。在本实施例中，以旋涂为例进行说明。发光层100的材料为Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶。
B12、在发光层100上形成电子功能层200，其中，电子功能层200的材料包括N型黑磷。
具体的，在发光层100上旋涂、喷墨打印或涂覆电子功能层200的材料形成电子功能层200。在本实施例中，电子功能层200的材料为N型黑磷和纳米颗粒，以旋涂为例进行说明。电子功能层200的材料为N型黑磷和纳米颗粒。
在一实施例中，N型黑磷的层数为1层-20层，其横向尺寸为1纳米-100微米。
在一实施例中，N型黑磷的层数为8层-15层。
在一实施例中，层数为8层-15层的N型黑磷，其横向尺寸为20微米-50微米。
在一实施例中，N型黑磷的层数为10层-15层，其横向尺寸为5微米-15微米。
在一实施例中，N型黑磷的层数为1层-5层。
在一实施例中，层数为1层-5层的N型黑磷，其横向尺寸为1纳米-20微米。
在一实施例中，N型黑磷的层数为1层-3层。
在一实施例中，层数为1层-3层的N型黑磷，其横向尺寸为1纳米-5纳米。
在本实施例中，电子功能层200的材料为层数为1层-20层且横向尺寸为1纳米-100微米的N型黑磷的层数。
在一实施例中，纳米颗粒与N型黑磷的质量比为85-99:1-15。具体的，纳米颗粒与N型黑磷的质量比可以为85：15、87：13、90：10、92：8、94：6、95：5、97：3或99：1等。
在本申请中，将纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-99:1-15，保证了电子功能层200的电子迁移率，进而提高了发光器件10的性能。将纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-99:1-15，提高了纳米颗粒的分散性，进而提高了发光器件10的成膜性，且使得形成的能级梯度可以提高电子的转移以及注入，进而提高了发光器件10的性能。若将纳米颗粒与N型黑磷的质量比不设置为85-99:1-15区间内，如N型黑磷在其中的质量比大于15时，过多的N型黑磷会限制电子功能层200的电子迁移率。如N型黑磷在其中的质量比小于1时，使得N型黑磷含量少，进而使得纳米颗粒无法更好的分散，导致电子功能层200的成膜性差，即电子功能层200膜层不均匀，同时，形成的能级梯度无法更好的促进电子的转移转入。
在一实施例中，纳米颗粒为金属氧化物。
在一实施例中，纳米颗粒选自ZnO、TiO
2、Alq
3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO
3中的一种或几种组合。在本实施例中，以纳米颗粒为ZnO为例进行说明。
电子功能层200的材料的制备：
层数为1层-20层且横向尺寸为1纳米-100微米的N型黑磷可以采用购买得到，或者采用下述方法制备得到。
层数为1层-20层且横向尺寸为1纳米-100微米的N型黑磷的制备：
将块状P型黑磷晶体研磨成粉末；然后，加入溶剂和NaOH，在10摄氏度-200摄氏度下剧烈搅拌1小时-1000小时，转速为1000转每分-15000转每分离心10分钟-100分钟，取上清液，得到含P型黑磷的溶液；P型黑磷的层数为1层-20层左右，P型黑磷的横向尺寸为1纳米-100微米。
在一实施例中，溶剂选自N-环己基-吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮、乙烯基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二乙二醇二甲醚、四氢呋喃、N，N-二甲基甲酰胺和过氧化氢异丙苯。
在一实施例中，将块状P型黑磷晶体研磨成粉末；然后，加入过氧化氢异丙苯和NaOH，在10摄氏度下剧烈搅拌1小时，转速为1000转每分离心10分钟，取上清液，得到含P型黑磷的溶液；P型黑磷的层数为20层，P型黑磷的横向尺寸为100微米。
在一实施例中，将块状P型黑磷晶体研磨成粉末；然后，加入过氧化氢异丙苯和NaOH，在60摄氏度下剧烈搅拌8小时，转速为8000转每分离心20分钟，取上清液，得到含P型黑磷的溶液；P型黑磷的层数为10层，P型黑磷的横向尺寸为10微米。
在一实施例中，将块状P型黑磷晶体研磨成粉末；然后，加入过氧化氢异丙苯和NaOH，在150摄氏度下剧烈搅拌500小时，转速为10000转每分离心60分钟，取上清液，得到含P型黑磷的溶液；P型黑磷的层数为5层，P型黑磷的横向尺寸为20纳米。
在一实施例中，将块状P型黑磷晶体研磨成粉末；然后，加入过氧化氢异丙苯和NaOH，在200摄氏度下剧烈搅拌1000小时，转速为15000转每分离心100分钟，取上清液，得到含P型黑磷的溶液；P型黑磷的层数为1-2层，P型黑磷的横向尺寸为1纳米。
然后，采用表面生长有二氧化硅的硅基板捞出上述层状的P型黑磷，在60摄氏度下烘干，除去水分，得到P型黑磷膜层；然后，通过离子注入工艺，将氧化镁或氧掺入P型黑磷膜层中，得到N型黑磷。
然后，将含有纳米颗粒的溶液与含有N型黑磷的溶液按质量比为85-99:1-15混合得到电子功能层200的材料。
在本申请中，在60摄氏度下烘干和P型黑磷，使得P型黑磷与硅基板结合得更牢固，进而提高了产量。
在一实施例中，在步骤B12之后，还包括：
具体的，在电子功能层200上设置阴极300的材料形成阴极300。
对比例1：
将实施例1中由ZnO和N型黑磷形成的电子功能层200改为只由ZnO形成电子功能层200，即只由纳米颗粒形成电子功能层为现有技术中的电子传输层。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
请参阅图4，图4是本申请实施例1和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
由此可知，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到168mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到20mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例2：
将实施例1中的纳米颗粒为ZnO改为纳米颗粒为ZnMgO。将实施例1中的纳米颗粒与N型黑磷的质量比为85-99:1-15改为纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-85:5-15。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
对比例2：
将实施例2中由ZnMgO和N型黑磷形成的电子功能层200改为只由ZnMgO形成电子功能层，即只由纳米颗粒形成电子功能层200为现有技术中的电子传输层。其他与实施例2相同，此处不再赘述。
请参阅图5，图5是本申请实施例2和对比例2提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
由此可知，采用附着在ZnMgO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到120mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnMgO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到17mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnMgO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例3：
将实施例1中的纳米颗粒为ZnO改为纳米颗粒为TiO
2。将实施例1中的纳米颗粒与N型黑磷的质量比为85-99:1-15改为纳米颗粒与N型黑磷的质量比设置为85-85:5-15。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
对比例3：
将实施例3中由TiO
2和N型黑磷形成的电子功能层200改为只由TiO
2形成电子功能层，即只由纳米颗粒形成电子功能层为现有技术中的电子传输层。其他与实施例3相同，此处不再赘述。
请参阅图6，图6是本申请实施例3和对比例3提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
由此可知，采用附着在TiO
2上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到130mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用TiO
2形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到19mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在TiO
2上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例4：
将实施例1中的只采用一种层数的N型黑磷改为采用两种层数的N型黑磷，一种是层数为10层-15层以及横向尺寸为5微米-15微米的N型黑磷。另一种是层数为1层-3层以及横向尺寸为1纳米-5纳米的N型黑磷。将实施例1中的纳米颗粒与N型黑磷的质量比为85-99:1-15改为ZnO：层数为1层-3层以及横向尺寸为1纳米-5纳米的N型黑磷：10层-15层以及横向尺寸为5微米-15微米的N型黑磷为90：2：8。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
对比例4：
将实施例4中由ZnO和N型黑磷形成的电子功能层200改为只由ZnO形成电子功能层，即只由纳米颗粒形成电子功能层为现有技术中的电子传输层。其他与实施例4相同，此处不再赘述。
请参阅图7，图7是本申请实施例4和对比例4提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
由此可知，采用附着在ZnO上的两种不同层数的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到230mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到19mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的两种不同层数的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例5：
将实施例1中的N型黑磷设置在发光层100上形成保护层210。然后，在保护层210上设置ZnO形成电子传输层220。保护层210和电子传输层220构成电子功能层200。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
对比例5：
将实施例5中由ZnO和N型黑磷形成的电子功能层200改为只由ZnO形成电子功能层200，即只由纳米颗粒形成电子功能层为现有技术中的电子传输层。其他与实施例5相同，此处不再赘述。
请参阅图8，图8是本申请实施例5和对比例5提供的发光器件的电流密度-电压曲线。
由此可知，采用ZnO和N型黑磷分别形成电子传输层220和保护层210的发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到65mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到20mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例6：
将实施例1中由1-20层且横向尺寸为1纳米-20微米的N型黑磷改为层数为1层-5层且横向尺寸为1纳米-20微米的N型黑磷。其他与实施例1相同，此处不再赘述。
请参阅图9，图9是本申请实施例6和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。采用ZnO和附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200，且N型黑磷的层数为1层-5层以及横向尺寸为1纳米-20微米，其发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到150mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到20mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例7：
将实施例6中，层数为1层-5层的N型黑磷改为层数为1层-3层的N型黑磷。其他与实施例6相同，此处不再赘述。
请参阅图10，图10是本申请实施例7和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。采用ZnO和附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200，且N型黑磷的层数为1层-3层以及横向尺寸为1纳米-20微米，其发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到70mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到20mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例8：
将实施例7中，层数为1层-5层且横向尺寸为1纳米-20微米的N型黑磷改为层数为8层-15层且横向尺寸为20微米-50微米的N型黑磷。其他与实施例7相同，此处不再赘述。
请参阅图11，图11是本申请实施例8和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。采用ZnO和附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200，且N型黑磷的层数为8层-15层以及横向尺寸为20微米-50微米，其发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到170mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到20mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
实施例9：
将实施例8中，层数为8层-15层的N型黑磷改为层数为8层-15层的N型黑磷。其他与实施例8相同，此处不再赘述。
请参阅图12，图12是本申请实施例9和对比例1提供的发光器件的电流密度-电压曲线。采用ZnO和附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200，且N型黑磷的层数为10层-15层以及横向尺寸为20微米-50微米，其发光器件10，其在输入6伏电压时，电流密度最高可以达到130mA/cm
2。而现有技术中，不采用N型黑磷，且只采用ZnO形成电子传输层的发光器件，其在输入6伏电压时，电流密度最高仅仅可以达到20mA/cm
2。因此，在本申请中，采用附着在ZnO上的N型黑磷形成电子功能层200的发光器件10，发光层100和电子功能层200之间的界面接触，使发光器件10的膜层更加均匀，进而提高了电子的注入效率，避免了电子在发光层100和电子功能层200之间的聚集所导致的漏电流和发光层100的失活，进而提高了器件的稳定性，进而提高了发光器件10的性能。
本申请实施例公开了一种发光器件10及其制备方法，N型黑磷的层数为1层-10层时，其带隙为0.3eV-2.5eV，当N型黑磷的层数大于10层时，其带隙为小于或等于0.3eV，即N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，在电子功能层中采用N型黑磷，使得电子功能层的能带与发光层的能带相匹配，进而使得载流子注入平衡，提高了发光器件的发光效率。N型黑磷的层数为1层-10层时，其带隙为0.3eV-2.5eV，当N型黑磷的层数大于10层时，其带隙为小于或等于0.3eV，即N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中作为电子传输层220，使得其具有电子传输性能的同时，可以通过N型黑磷的可调节带隙控制电子的传输，并可以防止空穴注入到电子功能层200，抑制了电子和空穴的重组，即，保证载流子注入平衡，进而保证发光器件10的发光性能。将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200，因N型黑磷可以通过调节厚度来调节其带隙，使得发光层100的能级和电子功能层200能级相匹配，提高了电子迁移率，同时，可以避免现有技术中采用石墨烯形成的电子传输层所带来的电子在膜层之间聚集，即，N型黑磷具有良好电流调制能力，且其对电路的漏电流调制率可高达石墨烯的104倍，从而可以有效的防护发光器件10，进而避免出现发光层100失活的情况。将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中，N型黑磷具有较大的比表面积和柔性，N型黑磷从块状到薄层其张力也跟着改变，所以调节其厚度可以有效降低电子功能层200和发光层100之间的应力，改善了器件中电子功能层200界面和发光层100之间的接触性能，进而大幅度提高了发光器件10的性能。将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中，N型黑磷可以作为附着不同尺寸过渡金属氧化物纳米颗粒的载体，充当了载流子传输的介质，并因N型黑磷分布在纳米颗粒的表面以及填充在纳米颗粒的空隙中，降低了表面能，进而降低电子传输层220和其他膜层界面的应力，从而提高发光器件10膜层的铺展度，从而改善发光层100和电子功能层200之间的界面接触。将附着在纳米颗粒上的N型黑磷应用于电子功能层200中，因N型黑磷具有良好的界面电学接触性能，进而可以改善电极接触。
以上对本申请实施例所提供的一种发光器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (20)
- 一种发光器件，其包括：发光层；电子功能层，所述电子功能层设置于所述发光层上，其中，所述电子功能层的材料包括N型黑磷。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子功能层的材料还包括纳米颗粒，所述纳米颗粒为金属氧化物。
- 根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述纳米颗粒选自ZnO、TiO 2、Alq 3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO 3中的一种或几种组合。
- 根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述纳米颗粒与所述N型黑磷的质量比为85-99:1-15。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子功能层包括保护层和电子传输层，所述保护层和所述电子传输层依次层叠设置于所述发光层上，所述保护层的材料为N型黑磷。
- 根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述电子传输层的材料为纳米颗粒，所述纳米颗粒选自ZnO、TiO 2、Alq 3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnMgO、ZnSnO和CsCO 3中的一种或几种组合。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述N型黑磷的层数为1层-5层，所述N型黑磷的横向尺寸为1纳米-20微米。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述N型黑磷的层数为1层-3层，所述N型黑磷的横向尺寸为1纳米-20微米。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述N型黑磷的层数为8层-15层，所述N型黑磷的横向尺寸为20微米-50微米。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述N型黑磷的层数为10层-15层，所述N型黑磷的横向尺寸为5微米-15微米。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括衬底、阳极、空穴传输层以及阴极，所述阳极设置于所述衬底上，所述空穴传输层设置于所述阳极上，所述发光层设置于所述空穴传输层上，所述阴极设置于所述电子功能层上。
- 根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述阳极与所述空穴传输层之间。
- 根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述空穴传输层的材料包括聚(9，9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N， N'双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9，9-二辛基芴-共-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)（PFB）、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4，4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺（TPD）、N，N’-二苯基-N，N’-（1-萘基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯和C 60中的一种或几种组合。
- 根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述空穴注入层的材料选自聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2，3，5，6-四氟-7，7'，8，8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲（HATCN）、MoO 3、VO 2、WO 3、CuO、MoS 2、MoSe 2、WS 2、WSe 2和CuS。
- 根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述纳米颗粒与所述N型黑磷的质量比为85-95:1-15。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光层的材料选自Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶和Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶。
- 根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述空穴传输层的厚度为10-150纳米。
- 根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述空穴注入层的厚度为10-150纳米。
- 根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述阳极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝和氧化铟镓锌中的一种或几种组合。
- 一种发光器件的制备方法，其包括：提供发光层；在所述发光层上形成电子功能层，其中，所述电子功能层的材料包括N型黑磷。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110732972.XA CN115548222A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 发光器件及其制备方法 |
| CN202110732972.X | 2021-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2023273276A1 true WO2023273276A1 (zh) | 2023-01-05 |
Family
ID=84689771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/143763 WO2023273276A1 (zh) | 2021-06-30 | 2021-12-31 | 发光器件及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115548222A (zh) |
| WO (1) | WO2023273276A1 (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110970569A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN112071992A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-11 | 中国计量大学 | 一种磷烯/二氧化锡复合物钙钛矿太阳能电池电子传输层及其制备方法 |
| WO2021099317A1 (en) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | Cambridge Enterprise Limited | Device fabrication techniques |
| CN113046077A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | Tcl集团股份有限公司 | 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法 |
-
2021
- 2021-06-30 CN CN202110732972.XA patent/CN115548222A/zh active Pending
- 2021-12-31 WO PCT/CN2021/143763 patent/WO2023273276A1/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110970569A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| WO2021099317A1 (en) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | Cambridge Enterprise Limited | Device fabrication techniques |
| CN113046077A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | Tcl集团股份有限公司 | 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN112071992A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-11 | 中国计量大学 | 一种磷烯/二氧化锡复合物钙钛矿太阳能电池电子传输层及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115548222A (zh) | 2022-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10439155B2 (en) | Quantum dot light-emitting diode and quantum dot light-emitting device having the same | |
| CN109713098B (zh) | 发光二极管以及包括该发光二极管的发光设备 | |
| KR102349593B1 (ko) | 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치 | |
| US20220359845A1 (en) | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting element | |
| WO2023273276A1 (zh) | 发光器件及其制备方法 | |
| CN111223999A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN112331787B (zh) | 金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置 | |
| CN110544746B (zh) | 发光二极管及其制备方法 | |
| KR20210143567A (ko) | 양자점-발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| WO2023005708A1 (zh) | 量子点发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| CN113130794A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN113046077A (zh) | 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN113130835A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| WO2023193427A1 (zh) | 一种发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| WO2023051197A1 (zh) | 发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| CN115589742A (zh) | 发光器件及其制备方法和显示面板 | |
| US20240090255A1 (en) | Electron transport material and preparation method therefor, and manufacturing method for display device | |
| WO2022143828A1 (zh) | 光电器件 | |
| WO2022143830A1 (zh) | 光电器件 | |
| JP7075476B2 (ja) | 架橋ナノ粒子薄膜及び製造方法、並びに薄膜光電子デバイス | |
| WO2022227683A1 (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN116437694A (zh) | 电致发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| CN116437683A (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法、光电装置 | |
| KR20220000303A (ko) | 전자 수송층, 이를 포함하는 양자점 발광 소자, 이러한 전자 수송층 평가를 위한 단일 전하 소자 및 그 제조 방법 | |
| CN114695684A (zh) | 发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |