WO2023228397A1 - レーザ加工装置、およびレーザ加工装置の制御方法 - Google Patents

レーザ加工装置、およびレーザ加工装置の制御方法 Download PDF

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Abstract

レーザ加工装置(1A)は、レーザ光を出力するレーザ発振器(10)と、レーザ発振器(10)から出力されたレーザ光が伝搬する伝送ファイバ(12)と、レーザ発振器(10)と伝送ファイバ(12)の入射端との間に配置され、伝送ファイバ(12)の入射端へ入射するレーザ光の入射開口数を変化させる第1の機構(11)と、レーザ光を収束させ、かつ、伝送ファイバ(12)の出射端からワーク(2)までの間におけるレーザ光のズーム倍率を変化させる第2の機構(14)と、第1の機構(11)の制御により入射開口数を変化させ、第2の機構(14)の制御によりズーム倍率を変化させることによって、レーザ光の結像位置におけるレーザ光のビーム径の調整と、伝送ファイバ(12)の出射端から出射するレーザ光の出射開口数の調整とを互いに独立して行う制御装置(17A)と、を備える。

Description

レーザ加工装置、およびレーザ加工装置の制御方法
 本開示は、レーザ光の照射によってワークを加工するレーザ加工装置、およびレーザ加工装置の制御方法に関する。
 レーザ光を用いたレーザ加工では、さまざまな材質またはさまざまな厚みのワークについて、高品質な加工が可能であること、または、高い効率での加工が可能であることが期待される。そのために、集光位置におけるレーザ光のビーム径または集光位置におけるレーザ光の収束角といった、レーザ光の照射条件を、ワークの加工に適する状態へ調整することが求められる。
 特許文献1には、伝送ファイバへ入射するレーザ光の収束角を変化させることによってビーム径を連続的に変更させるレーザシステムが開示されている。
特表2015-500571号公報
 特許文献1に開示される従来技術によると、集光位置におけるビーム径は調整できる一方、集光位置におけるレーザ光の収束角は調整されない。このため、従来技術によると、ワークの加工に適したレーザ光を照射させるための調整が困難であるという問題があった。
 本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、ワークの加工に適したレーザ光を照射させるための調整を可能とするレーザ加工装置を得ることを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示にかかるレーザ加工装置は、レーザ光を出力するレーザ発振器と、レーザ発振器から出力されたレーザ光が伝搬する伝送ファイバと、レーザ発振器と伝送ファイバの入射端との間に配置され、伝送ファイバの入射端へ入射するレーザ光の入射開口数を変化させる第1の機構と、レーザ光を収束させ、かつ、伝送ファイバの出射端からワークまでの間におけるレーザ光のズーム倍率を変化させる第2の機構と、第1の機構の制御により入射開口数を変化させ、第2の機構の制御によりズーム倍率を変化させることによって、レーザ光の結像位置におけるレーザ光のビーム径の調整と、伝送ファイバの出射端から出射するレーザ光の出射開口数の調整とを互いに独立して行う制御装置と、を備える。
 本開示にかかるレーザ加工装置は、ワークの加工に適したレーザ光を照射させるための調整が可能となるという効果を奏する。
実施の形態1にかかるレーザ加工装置の構成例を示す図 実施の形態1にかかるレーザ加工装置が有する第1の機構による発散角の変化について説明するための図 実施の形態1にかかるレーザ加工装置による動作の手順を示すフローチャート 実施の形態2にかかるレーザ加工装置の構成例を示す図 実施の形態2にかかるレーザ加工装置が有する第3の機構によるビームプロファイルの切り換えについて説明するための第1の図 実施の形態2にかかるレーザ加工装置が有する第3の機構によるビームプロファイルの切り換えについて説明するための第2の図 実施の形態1または2にかかる制御回路の構成例を示す図 実施の形態1または2にかかる専用のハードウェア回路の構成例を示す図
 以下に、実施の形態にかかるレーザ加工装置、およびレーザ加工装置の制御方法を図面に基づいて詳細に説明する。
実施の形態1.
 図1は、実施の形態1にかかるレーザ加工装置1Aの構成例を示す図である。レーザ加工装置1Aは、レーザ光の照射によってワーク2を加工する。
 レーザ加工装置1Aは、光源であるレーザ発振器10と、入射開口数(Numerical Aperture:NA)切換装置である第1の機構11と、レーザ光が伝搬する伝送ファイバ12と、加工ヘッド13と、ズーム倍率可変装置である第2の機構14と、ノズル15と、ワーク2を支持するステージ16と、レーザ加工装置1Aの全体を制御する制御装置17Aとを備える。
 レーザ発振器10は、レーザビームであるレーザ光を出力する。レーザ発振器10から出力されたレーザ光は、第1の機構11を通り、伝送ファイバ12へ入射する。第1の機構11は、レーザ発振器10と伝送ファイバ12の入射端との間に配置され、伝送ファイバ12の入射端へ入射するレーザ光の入射NAを変化させる。なお、以下の説明では、伝送ファイバ12の入射端へ入射するレーザ光の入射NAを、伝送ファイバ12の入射NAと称する。図1では、第1の機構11を模式的に表す。図1において、レーザ発振器10と伝送ファイバ12の入射端との間に示す破線矢印は、第1の機構11をレーザ光が通る様子を表す。
 伝送ファイバ12の出射端は、加工ヘッド13に接続されている。伝送ファイバ12を伝搬したレーザ光は、加工ヘッド13へ入射する。第2の機構14は、加工ヘッド13の内部に設けられている。第2の機構14は、レーザ光を収束させる。また、第2の機構14は、伝送ファイバ12の出射端からワーク2までの間におけるレーザ光のズーム倍率を変化させる。図1では、第2の機構14を模式的に表す。ノズル15は、加工ヘッド13に取り付けられている。ノズル15は、ワーク2へ向けてレーザ光を出射させ、かつ加工ガスを送り出す。
 レーザ光は、加工ヘッド13の内部において第2の機構14を通り、ノズル15から加工ヘッド13の外部へ出射する。加工ヘッド13から出射したレーザ光は、ワーク2へ入射する。図1において、伝送ファイバ12の出射端とワーク2との間の破線矢印は、伝送ファイバ12の出射端から出射したレーザ光が第2の機構14を通り、ノズル15を経てワーク2へ到達する様子を表す。また、レーザ加工装置1Aは、ノズル15からワーク2へ加工ガスを噴射する。加工ガスを噴射する要素の図示は省略する。
 レーザ加工装置1Aは、加工ヘッド13に対してステージ16を移動させることによって、レーザ光とワーク2とを相対移動させる。なお、レーザ加工装置1Aは、ステージ16を移動させずに、レーザ光とワーク2とを相対移動させるものであっても良い。レーザ加工装置1Aは、ステージ16の位置を固定するとともに、ワーク2におけるレーザ光の入射位置を制御するものであっても良い。
 制御装置17Aは、レーザ発振器10と、第1の機構11と、第2の機構14と、ステージ16との各々へ制御信号を送る。レーザ発振器10は、制御信号に従ってレーザ光を出力する。第1の機構11は、制御信号に従って動作する。第2の機構14は、制御信号に従って動作する。ステージ16は、制御信号に従って動作する。このように、制御装置17Aは、レーザ発振器10と、第1の機構11と、第2の機構14と、ステージ16との各々を制御する。
 制御装置17Aは、第2の機構14の制御によりズーム倍率を変化させることによって、レーザ光の結像位置におけるレーザ光のビーム径を調整する。制御装置17Aは、第1の機構11の制御により伝送ファイバ12の入射NAを変化させることによって、伝送ファイバ12の出射端から出射するレーザ光の出射NAを調整する。なお、以下の説明では、伝送ファイバ12の出射端から出射するレーザ光の出射NAを、伝送ファイバ12の出射NAと称する。制御装置17Aは、第1の機構11の制御により伝送ファイバ12の入射NAを変化させ、かつ第2の機構14の制御によりズーム倍率を変化させることによって、レーザ光の結像位置におけるレーザ光のビーム径の調整と、伝送ファイバ12の出射NAの調整とを互いに独立して行う。
 次に、第1の機構11および第2の機構14の詳細について説明する。第1の機構11は、レーザ光を発散させる光学素子を備える。第1の機構11は、光学素子を動作させることによって、発散角を変化させる。第1の機構11により、伝送ファイバ12の入射端へ入射するレーザ光の発散角を変化させることによって、伝送ファイバ12の出射端から出射するレーザ光の発散角が変化する。
 図2は、実施の形態1にかかるレーザ加工装置1Aが有する第1の機構11による発散角の変化について説明するための図である。図2には、伝送ファイバ12の入射端へ入射するレーザ光の発散角を表す入射NAと、伝送ファイバ12の出射端から出射するレーザ光の発散角を表す出射NAとの関係を表すグラフを示す。図2に示すグラフによると、入射NAの増加に伴い、出射NAが増加する。すなわち、伝送ファイバ12の入射端へ入射するレーザ光の発散角を変化させることによって、伝送ファイバ12の出射端から出射するレーザ光の発散角が変化する。図2に示す例では、出射NAは、入射NAに比例する。
 例えば、第1の機構11は、焦点距離が互いに異なる複数のレンズを備える。各レンズは、光軸上の位置と光軸から外れた位置とに移動可能とされる。第1の機構11は、各レンズについて光軸上への挿入と光軸上からの抜き出しとを行うことによって、レーザ光が通るレンズを切り換える。第1の機構11は、レーザ光が通るレンズを切り換えることによって、発散角を変化させる。なお、第1の機構11は、光軸の方向に各レンズを適宜移動させることによって、発散角を変化させても良い。第1の機構11は、レーザ光の光路からレンズを完全に抜き出すのではなく光路にレンズを残した状態で、レンズの中心位置を光軸からずらすことによって、発散角を変化させても良い。第1の機構11の構成は上記の構成に限られず、任意であるものとする。
 第2の機構14は、伝送ファイバ12の出射端の像を結像させる光学素子を備える。第2の機構14は、光学素子を動作させることによって、ズーム倍率を変化させる。第2の機構14は、ズーム倍率を変化させることによって、結像位置におけるビーム径を変化させる。例えば、第2の機構14は、光軸上に配置された複数のレンズを備える。第2の機構14は、光軸の方向に各レンズを適宜移動させることによって、ズーム倍率を変化させる。第2の機構14の構成は上記の構成に限られず、任意であるものとする。
 伝送ファイバ12の出射端におけるビーム径をd1、結像位置におけるビーム径をd2、第2の機構14のズーム倍率をMとすると、d2=M×d1が成り立つ。また、伝送ファイバ12の出射端におけるレーザ光の広がり角をr1、結像位置におけるレーザ光の収束角をr2とすると、r2=(1/M)×r1が成り立つ。なお、d1はおおよそ伝送ファイバ12のコア径で決められることから、d2はMにより制御可能である。r2は、ビーム径変化量に相当する。ビーム径変化量は、結像位置からの距離に対するビーム径の変化量である。
 r1は、伝送ファイバ12の出射NAに比例する。r1は、伝送ファイバ12の入射NAにほぼ比例して変化する。よって、r2、すなわちビーム径変化量は、伝送ファイバ12の入射NAにより制御可能である。以上により、結像位置におけるビーム径の制御と、ビーム径変化量の制御とを、互いに別の機構を使用して行うことができる。制御装置17Aは、第1の機構11と第2の機構14とによって結像位置におけるビーム径の調整と伝送ファイバ12の出射NAの調整とを互いに独立して行うことで、結像位置におけるビーム径の調整とビーム径変化量の調整とを互いに独立して行うことができる。レーザ加工装置1Aは、結像位置におけるビーム径と、ビーム径変化量すなわち収束角との2つを、レーザ光の照射条件を変更するための制御パラメータとすることができる。
 次に、レーザ加工装置1Aによる、ビーム径の調整と伝送ファイバ12の出射NAの調整とのための動作について説明する。図3は、実施の形態1にかかるレーザ加工装置1Aによる動作の手順を示すフローチャートである。図3には、ビーム径の調整と伝送ファイバ12の出射NAの調整とのための動作の手順を示す。図3に示す手順による動作は、制御装置17Aによる制御によって実現される。
 ステップS1において、レーザ加工装置1Aは、第2の機構14の制御によりズーム倍率を変化させることによって、レーザ光の結像位置におけるビーム径を調整する。ステップS1により、結像位置におけるビーム径が決定される。
 次に、ステップS2において、レーザ加工装置1Aは、第1の機構11の制御により伝送ファイバ12の入射NAを変化させることによって、伝送ファイバ12の出射NAを調整する。ステップS2により伝送ファイバ12の出射NAが調整されることによって、ビーム径変化量が調整される。以上により、レーザ加工装置1Aは、図3に示す手順による動作を終了する。
 実施の形態1によると、レーザ加工装置1Aは、第1の機構11と第2の機構14とを備え、第1の機構11の制御により伝送ファイバ12の入射NAを変化させ、第2の機構14の制御によりズーム倍率を変化させることによって、結像位置におけるビーム径の調整と、伝送ファイバ12の出射NAの調整とを互いに独立して行う。レーザ加工装置1Aは、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じたビーム径の調整が可能となる。また、レーザ加工装置1Aは、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じた収束角の調整が可能となる。以上により、レーザ加工装置1Aは、ワーク2の加工に適したレーザ光を照射させるための調整が可能となるという効果を奏する。
 レーザ加工装置1Aは、ビーム径変化量を、ビーム径とは別の制御パラメータとして制御可能であることによって、ワーク2の厚み方向における、ビームエネルギーの供給量の最適化を図り得る。これにより、レーザ加工装置1Aは、高品質な加工が可能となる。また、レーザ加工装置1Aは、加工速度を向上でき、高い効率での加工が可能となる。レーザ加工装置1Aは、特に、中厚板、または、中厚板よりも厚い板について、加工品質の向上と加工速度の向上とを図ることができる。
実施の形態2.
 実施の形態2では、実施の形態1の構成に、レーザ光の照射条件を変更するための制御パラメータを追加する例について説明する。図4は、実施の形態2にかかるレーザ加工装置1Bの構成例を示す図である。
 レーザ加工装置1Bは、ビームプロファイル切換装置である第3の機構21と、結像位置可変装置である第4の機構22と、ノズル位置可変装置である第5の機構23とを備える点が、図1に示すレーザ加工装置1Aとは異なる。第5の機構23は、図1に示すノズル15に代えて設けられている。また、レーザ加工装置1Bには、図1に示す制御装置17Aとは異なる制御装置17Bが設けられている。制御装置17Bは、レーザ加工装置1Bの全体を制御する。実施の形態2では、上記の実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付し、実施の形態1とは異なる構成について主に説明する。
 第2の機構14と、第3の機構21と、第4の機構22とは、加工ヘッド13の内部に設けられている。第2の機構14と、第3の機構21と、第4の機構22とは、伝送ファイバ12の出射端からワーク2までの間に配置されている。第3の機構21は、伝送ファイバ12の出射端からワーク2までの間においてレーザ光のビームプロファイルを変化させる。第4の機構22は、結像位置からワーク2の表面までの距離を変化させる。図4では、第3の機構21と第4の機構22との各々を模式的に表す。レーザ光は、加工ヘッド13の内部において第2の機構14、第3の機構21および第4の機構22を順次通り、第5の機構23から加工ヘッド13の外部へ出射する。
 第5の機構23は、図1に示すノズル15を光軸の方向へ動作可能としたものである。第5の機構23は、ノズル15からワーク2の表面までの距離を変化させる。図4に示す例では、第5の機構23には、ノズル15と、ノズル15を動作させる機構とが含まれるものとする。図4では、第5の機構23を、図1に示すノズル15と同様の形態として示す。ここでは、加工ヘッド13とは別にノズル15を光軸の方向へ移動させるものとする。第5の機構23は、加工ヘッド13とは別にノズル15を移動させるものに限られない。第5の機構23は、加工ヘッド13を光軸の方向へ移動させることによって、加工ヘッド13と一体のノズル15を光軸の方向へ移動させるものであっても良い。
 制御装置17Bは、レーザ発振器10と、第1の機構11と、第2の機構14と、第3の機構21と、第4の機構22と、第5の機構23と、ステージ16との各々へ制御信号を送る。第3の機構21と、第4の機構22と、第5の機構23との各々は、制御信号に従って動作する。制御装置17Bは、レーザ発振器10と、第1の機構11と、第2の機構14と、第3の機構21と、第4の機構22と、第5の機構23と、ステージ16との各々を制御する。
 制御装置17Bは、第3の機構21の制御により、結像位置におけるビーム径の調整と伝送ファイバ12の出射NAの調整との各々に対して独立して、ビームプロファイルの切り換えを行う。制御装置17Bは、第4の機構22の制御により、結像位置におけるビーム径の調整と伝送ファイバ12の出射NAの調整との各々に対して独立して、結像位置からワーク2の表面までの距離の調整を行う。制御装置17Bは、第5の機構23の制御により、結像位置におけるビーム径の調整と伝送ファイバ12の出射NAの調整との各々に対して独立して、ノズル15からワーク2の表面までの距離の調整を行う。さらに、制御装置17Bは、第3の機構21の制御によるビームプロファイルの切り換えと、第4の機構22の制御による結像位置からワーク2の表面までの距離の調整と、第5の機構23の制御によるノズル15からワーク2の表面までの距離の調整とを、互いに独立して行う。
 次に、第3の機構21、第4の機構22および第5の機構23の詳細について説明する。第3の機構21は、ビームプロファイルを変換する光学素子を備える。第3の機構21は、光学素子を動作させることによって、ビームプロファイルを切り換える。第3の機構21の光学素子は、例えば、アキシコンレンズである。第3の機構21は、光軸上へのアキシコンレンズの挿入と、光軸上からのアキシコンレンズの抜き出しとを行う。第3の機構21は、光軸上にアキシコンレンズが挿入された場合におけるモードと、光軸外へアキシコンレンズが抜き出された場合におけるモードとに、ビームプロファイルを切り換える。第3の機構21の構成は上記の構成に限られず、任意であるものとする。
 図5は、実施の形態2にかかるレーザ加工装置1Bが有する第3の機構21によるビームプロファイルの切り換えについて説明するための第1の図である。
 図5には、ビーム径と、光軸の方向における位置との関係を表すグラフを示す。図5において、縦軸は、ビーム径を表す。横軸は、光軸の方向における位置を表す。横軸である矢印の方向は、ワーク2へ向かう方向とする。当該矢印の方向とは逆の方向は、レーザ発振器10へ向かう方向とする。図5に示すグラフの傾きは、ビーム径変化量を表す。モードAは、光軸上にアキシコンレンズが挿入された場合におけるモードとする。モードBは、光軸外へアキシコンレンズが抜き出された場合におけるモードとする。図5において、モードAの複数のグラフは、モードAにおいて第1の機構11により発散角を変化させた場合の各々についての、ビーム径と光軸の方向における位置との関係を表す。図5において、モードBの複数のグラフは、モードBにおいて第1の機構11により発散角を変化させた場合の各々についての、ビーム径と光軸の方向における位置との関係を表す。
 図6は、実施の形態2にかかるレーザ加工装置1Bが有する第3の機構21によるビームプロファイルの切り換えについて説明するための第2の図である。図6には、モードAとモードBとの各々について、結像位置におけるビームプロファイルを示す。図6において、縦軸は、ビーム強度を表す。横軸は、ビーム径の方向における位置を表す。モードAは、リング状のビームプロファイルである。モードBは、トップハット状のビームプロファイルである。
 図5に示すように、ビームプロファイルがモードAである場合において、第1の機構11により発散角を変化させることによって、光軸の方向において結像位置から離れた位置におけるビーム径が変化する。すなわち、発散角の変化によりビーム径変化量が変化する。結像位置におけるビーム径は、発散角が変化しても一定である。また、ビームプロファイルがモードBである場合において、光軸の方向において結像位置から離れた位置におけるビーム径が変化する。すなわち、第1の機構11により発散角を変化させることによって、ビーム径変化量が変化する。結像位置におけるビーム径は、発散角が変化しても一定である。さらに、モードAとモードBにおいてビームプロファイルが切り換えられると、ビーム径変化量が変化する。モードAとモードBとにおいてビームプロファイルが切り換えられることにより、結像位置におけるビーム径は変化する。
 レーザ加工装置1Bは、第3の機構21によって、ワーク2へ照射させるレーザ光のビームプロファイルを切り換えることができる。なお、第3の機構21は、複数のモードにビームプロファイルを切り換えることが可能であれば良く、図6に示すモードAとモードBとにビームプロファイルを切り換えるものに限られない。
 第4の機構22は、1つまたは複数のレンズを備える。第4の機構22は、光軸の方向にレンズを動作させることによって、光軸の方向へ結像位置を移動させる。第4の機構22は、結像位置を移動させることによって、結像位置からワーク2の表面までの距離を変化させる。第4の機構22の構成は上記の構成に限られず、任意であるものとする。
 レーザ加工装置1Bは、第4の機構22により結像位置からワーク2の表面までの距離を変化させることによって、ワーク2上におけるビーム径を切り換えることができる。また、レーザ加工装置1Bは、第4の機構22により結像位置からワーク2の表面までの距離を変化させることによって、ビーム径変化量を切り換えることができる。
 第5の機構23は、ノズル15を光軸の方向へ移動させる機構、または、加工ヘッド13を光軸の方向へ移動させる機構を備える。ノズル15を移動させる機構、または、加工ヘッド13を移動させる機構には、任意の機構を適用できる。
 レーザ加工装置1Bは、第5の機構23によりノズル15からワーク2の表面までの距離を変化させることによって、ノズル15から供給される加工ガスの流れとレーザ光との相対位置関係を切り換えることができる。
 実施の形態1の制御装置17Aと同様に、制御装置17Bは、第1の機構11と第2の機構14とによって、結像位置におけるビーム径の調整と、伝送ファイバ12の出射NAの調整とを、互いに独立して行う。さらに、制御装置17Bは、第3の機構21によって、ビームプロファイルを切り換える。制御装置17Bは、第4の機構22によって、結像位置からワーク2の表面までの距離を調整する。レーザ加工装置1Bは、結像位置におけるビーム径と、ビーム径変化量すなわち収束角と、ビームプロファイルと、結像位置からワーク2の表面までの距離との4つを、レーザ光の照射条件を変更するための制御パラメータとすることができる。
 また、制御装置17Bは、第5の機構23によって、ノズル15からワーク2の表面までの距離を調整する。レーザ加工装置1Bは、ノズル15からワーク2の表面までの距離を、加工ガスの流れとレーザ光との相対位置関係についての制御パラメータとすることができる。レーザ加工装置1Bは、加工ガスの流れとレーザ光との相対位置関係を切り換えることができる。
 実施の形態2によると、レーザ加工装置1Bは、実施の形態1の場合と同様に、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じたビーム径の調整と、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じた収束角の調整とが可能となる。さらに、レーザ加工装置1Bは、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じたビームプロファイルの切り換えが可能となる。レーザ加工装置1Bは、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じた、結像位置からワーク2の表面までの距離の調整が可能となる。以上により、レーザ加工装置1Bは、ワーク2の加工に適したレーザ光を照射させるための調整が可能となるという効果を奏する。
 また、レーザ加工装置1Bは、ワーク2の厚みまたはワーク2の材質に応じて、加工ガスの流れとレーザ光との相対位置関係を切り換えることができる。レーザ加工装置1Bは、加工ガスの流れとレーザ光との相対位置関係を切り換えることによって、加工ガスの流れとレーザ光の照射とによる化学的な相互反応の最適化を図り得る。これにより、レーザ加工装置1Bは、加工品質の向上と加工速度の向上とを図ることができる。
 なお、実施の形態2では、第1の機構11および第2の機構14に併せて、第3の機構21、第4の機構22および第5の機構23が備えられる例を示したが、これに限られない。レーザ加工装置1Bは、第3の機構21、第4の機構22および第5の機構23のうち少なくとも1つを備えるものであれば良い。レーザ加工装置1Bは、第3の機構21、第4の機構22および第5の機構23のうち少なくとも1つを備えることによって、加工品質の向上と加工速度の向上とを図ることができる。
 次に、実施の形態1にかかる制御装置17Aまたは実施の形態2にかかる制御装置17Bを実現するハードウェア構成について説明する。制御装置17A,17Bは、処理回路により実現される。処理回路は、プロセッサがソフトウェアを実行する回路であっても良いし、専用の回路であっても良い。
 処理回路がソフトウェアにより実現される場合、処理回路は、例えば、図7に示す制御回路30である。図7は、実施の形態1または2にかかる制御回路30の構成例を示す図である。制御回路30は、入力部31、プロセッサ32、メモリ33および出力部34を備える。
 入力部31は、制御回路30の外部から入力されたデータを受信してプロセッサ32に与えるインターフェース回路である。出力部34は、プロセッサ32またはメモリ33からのデータを制御回路30の外部に送るインターフェース回路である。処理回路が図7に示す制御回路30である場合、プロセッサ32がメモリ33に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより、制御装置17A,17Bの機能が実現される。メモリ33は、プロセッサ32が実施する各処理における一時メモリとしても使用される。
 プロセッサ32は、CPU(Central Processing Unit、中央処理装置、処理装置、演算装置、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、プロセッサ、またはDSP(Digital Signal Processor)ともいう)である。メモリ33は、例えば、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、フラッシュメモリ、EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)、EEPROM(登録商標)(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)等の、不揮発性または揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスクまたはDVD(Digital Versatile Disc)等が該当する。
 図7は、汎用のプロセッサ32およびメモリ33により制御装置17A,17Bを実現する場合のハードウェアの例であるが、制御装置17A,17Bは、専用のハードウェア回路により実現されても良い。図8は、実施の形態1または2にかかる専用のハードウェア回路35の構成例を示す図である。
 専用のハードウェア回路35は、入力部31、出力部34および処理回路36を備える。処理回路36は、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)、またはこれらを組み合わせた回路である。なお、制御装置17A,17Bは、制御回路30とハードウェア回路35とが組み合わされて実現されても良い。
 以上の各実施の形態に示した構成は、本開示の内容の一例を示すものである。各実施の形態の構成は、別の公知の技術と組み合わせることが可能である。各実施の形態の構成同士が適宜組み合わせられても良い。本開示の要旨を逸脱しない範囲で、各実施の形態の構成の一部を省略または変更することが可能である。
 1A,1B レーザ加工装置、2 ワーク、10 レーザ発振器、11 第1の機構、12 伝送ファイバ、13 加工ヘッド、14 第2の機構、15 ノズル、16 ステージ、17A,17B 制御装置、21 第3の機構、22 第4の機構、23 第5の機構、30 制御回路、31 入力部、32 プロセッサ、33 メモリ、34 出力部、35 ハードウェア回路、36 処理回路。

Claims (5)

  1.  レーザ光を出力するレーザ発振器と、
     前記レーザ発振器から出力された前記レーザ光が伝搬する伝送ファイバと、
     前記レーザ発振器と前記伝送ファイバの入射端との間に配置され、前記伝送ファイバの前記入射端へ入射する前記レーザ光の入射開口数を変化させる第1の機構と、
     前記レーザ光を収束させ、かつ、前記伝送ファイバの出射端からワークまでの間における前記レーザ光のズーム倍率を変化させる第2の機構と、
     前記第1の機構の制御により前記入射開口数を変化させ、前記第2の機構の制御により前記ズーム倍率を変化させることによって、前記レーザ光の結像位置における前記レーザ光のビーム径の調整と、前記伝送ファイバの前記出射端から出射する前記レーザ光の出射開口数の調整とを互いに独立して行う制御装置と、
     を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
  2.  前記伝送ファイバの前記出射端から前記ワークまでの間において前記レーザ光のビームプロファイルを変化させる第3の機構をさらに備え、
     前記制御装置は、前記第3の機構の制御により、前記ビーム径の調整と前記出射開口数の調整との各々に対して独立して前記ビームプロファイルの切り換えを行うことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
  3.  前記結像位置から前記ワークの表面までの距離を変化させる第4の機構をさらに備え、
     前記制御装置は、前記第4の機構の制御により、前記ビーム径の調整と前記出射開口数の調整との各々に対して独立して、前記結像位置から前記ワークの表面までの距離の調整を行うことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ加工装置。
  4.  前記ワークへ向けて前記レーザ光を出射させ、かつ加工ガスを送り出すノズルと、
     前記ノズルから前記ワークの表面までの距離を変化させる第5の機構と、をさらに備え、
     前記制御装置は、前記第5の機構の制御により、前記ビーム径の調整と前記出射開口数の調整との各々に対して独立して、前記ノズルから前記ワークの表面までの距離の調整を行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。
  5.  レーザ光を出力するレーザ発振器と、前記レーザ発振器から出力された前記レーザ光が伝搬する伝送ファイバと、前記レーザ発振器と前記伝送ファイバの入射端との間に配置され、前記伝送ファイバの前記入射端へ入射する前記レーザ光の入射開口数を変化させる第1の機構と、前記レーザ光を収束させ、かつ、前記伝送ファイバの出射端からワークまでの間における前記レーザ光のズーム倍率を変化させる第2の機構と、を備えるレーザ加工装置を制御するレーザ加工装置の制御方法であって、
     前記第2の機構の制御により前記ズーム倍率を変化させることによって、前記レーザ光の結像位置における前記レーザ光のビーム径を調整するステップと、
     前記第1の機構の制御により前記入射開口数を変化させることによって、前記伝送ファイバの前記出射端から出射する前記レーザ光の出射開口数を調整するステップと、
     を含むことを特徴とするレーザ加工装置の制御方法。
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