WO2023210937A1 - 표시 장치 - Google Patents

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WO2023210937A1
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light absorption
absorption filter
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김수동
권선영
권영수
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Samsung Display Co Ltd
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Definitions

  • the display device includes a light emitting layer and a plurality of color conversion patterns. Light is emitted from the light emitting layer, and the color conversion patterns change the color of the light.
  • the color conversion patterns may include quantum dots and are divided into a red color conversion pattern, a green color conversion pattern, a blue color conversion pattern (or scattering pattern), and a scattering pattern.
  • the red color conversion pattern implements a red pixel
  • the green color conversion pattern implements a green pixel
  • the blue color conversion pattern implements a blue pixel
  • the scattering pattern implements a white pixel.
  • An object of the present invention is to provide a display device.
  • a display device is disposed on a substrate, has a color conversion pattern including a first red quantum dot, and is disposed on the substrate, and the color conversion pattern includes a first red quantum dot. adjacent to the color reinforcement pattern including second red quantum dots, and a light emitting layer disposed on the color reinforcement pattern, wherein the concentration of the second red quantum dots included in the color reinforcement pattern is determined by the first color conversion pattern. It may be smaller than the concentration of the first red quantum dot included in .
  • the concentration of the second red quantum dots included in the color reinforcement pattern may be approximately 1 wt% to approximately 40 wt%.
  • the color reinforcement pattern may further include a monomer and a dispersant.
  • the monomer may include at least one selected from the group consisting of epoxy-based monomers and ester-based monomers.
  • the terminal of the monomer may include at least one selected from the group consisting of acrylate, diacrylate, and methacrylate.
  • the surface energy of the monomer may be approximately 1 dyne/cm to approximately 30 dyne/cm.
  • the viscosity of the monomer may be approximately 1 cps to approximately 40 cps.
  • the dispersant may include at least one selected from the group consisting of polyacrylate polymer, polyurethane polymer, and polyethylene polymer.
  • the second red quantum dot may include the same material as the first red quantum dot.
  • the thickness of the color reinforcement pattern may be approximately 1 ⁇ m to approximately 15 ⁇ m in cross section.
  • the display device may further include a light absorption filter disposed between the substrate and the color reinforcement pattern and absorbing light in a wavelength range.
  • the wavelength range may be approximately 550 nm to approximately 620 nm.
  • the light absorption filter may include a dipyromethene-based compound.
  • the light absorption filter may further include particles formed of an inorganic material.
  • the refractive index of the light absorption filter may be smaller than the refractive index of the color reinforcement pattern.
  • the thickness of the light absorption filter may be approximately 1um to approximately 10um in cross section.
  • the light absorption filter may overlap the color reinforcement pattern on a plane.
  • the transmittance of light having a wavelength of approximately 550 nm to approximately 600 nm may be less than or equal to approximately 60%.
  • the transmittance of light having a wavelength of less than approximately 500 nm or greater than approximately 650 nm may be greater than or equal to approximately 80%.
  • the reflectance of light having a wavelength of approximately 550 nm to approximately 600 nm may be less than or equal to approximately 10%.
  • the display device further includes a color filter disposed between the substrate and the color conversion pattern, the light absorption filter is disposed on the color filter, the color conversion pattern and the color reinforcement pattern. and can overlap on a plane.
  • the display device further includes a color filter disposed between the light absorption filter and the color conversion pattern and a low refractive index layer disposed on the color filter, wherein the light absorption filter is located in the color conversion pattern. And it can overlap with the color reinforcement pattern on a plane.
  • the display device may further include an auxiliary light absorption filter disposed between the color reinforcement pattern and the light emitting layer.
  • the display device may further include an auxiliary light absorption filter disposed on the light emitting layer.
  • the display device further includes a color filter disposed between the substrate and the color conversion pattern, wherein the light absorption filter overlaps the color reinforcement pattern on a plane, and overlaps the color filter on a plane. You may not.
  • the display device may further include an auxiliary light absorption filter disposed between the color reinforcement pattern and the light emitting layer.
  • the display device further includes an auxiliary light absorption filter disposed on the light emitting layer and overlapping the light absorption filter on a plane, and a metal layer disposed on the light emitting layer and covering the auxiliary light absorption filter. can do.
  • a display device includes a light absorption filter disposed on a substrate, absorbing light in a wavelength range, a color conversion pattern disposed on the light absorption filter, And it may include a light emitting layer disposed on the color conversion pattern.
  • the wavelength range may be approximately 550 nm to approximately 650 nm.
  • the light absorption filter may include a dipyromethene-based compound.
  • a display device includes a light-emitting layer disposed on a substrate, a color conversion pattern disposed on the light-emitting layer and including first red quantum dots, and the It is disposed on the light-emitting layer, adjacent to the color conversion pattern, and includes a color reinforcement pattern including second red quantum dots, and the concentration of the first red quantum dots included in the color conversion pattern is included in the color reinforcement pattern. It may be greater than the concentration of the second red quantum dot.
  • a light absorption filter disposed on the color reinforcement pattern and absorbing light in the wavelength range may be further included.
  • the display device further includes a color filter disposed on the light absorption filter, and the light absorption filter may overlap the color conversion pattern and the color reinforcement pattern on a plane.
  • the display device further includes a color filter disposed on the color conversion pattern, and the light absorption filter may overlap the color reinforcement pattern on a plane and may not overlap the color filter on a plane. there is.
  • the display device may further include a low refractive index layer disposed between the color reinforcement pattern and the light absorption filter.
  • Display devices may include a red color conversion pattern, a green color conversion pattern, a blue color conversion pattern, a color reinforcement pattern, and a light absorption filter.
  • the red color conversion pattern, the green color conversion pattern, and the blue color conversion pattern may be placed in the RGB pixel area, and the color reinforcement pattern may be placed in the W pixel area.
  • the red color conversion pattern and the color reinforcement pattern may include red quantum dots, and the concentration of the red quantum dots included in the color reinforcement pattern may be lower than the concentration of the red quantum dots included in the red color conversion pattern.
  • the light absorption filter may mainly absorb light in a preset wavelength band (for example, a wavelength band corresponding to yellow).
  • the light in the W pixel area can have high intensity in the wavelength range of red light. Additionally, the light absorption filter may reduce the transmittance and reflectance of light in the yellow wavelength range. Accordingly, the color coordinate deviation between the color coordinates of light emitted from the RGB pixel area and the color coordinates of light emitted from the W pixel area can be reduced.
  • the light absorption filter may be formed only in the W pixel area. Accordingly, the light efficiency of the RGB pixel area can be improved.
  • FIG. 1 is a perspective view for explaining a display device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view for explaining the display device of FIG. 1 .
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining an equivalent circuit of a sub-pixel included in the display device of FIG. 1 .
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the display device of FIG. 1 .
  • FIG. 5 is an enlarged view for explaining the first color conversion pattern included in the display device of FIG. 4.
  • FIG. 6 is an enlarged view for explaining the color reinforcement pattern included in the display device of FIG. 4.
  • FIG. 7 is a graph for explaining the light transmittance according to the wavelength band measured in region II of FIG. 4.
  • FIG. 8 is a graph for explaining the reflectance of light according to the wavelength band measured in region II of FIG. 4.
  • FIG. 9 is a graph illustrating the spectrum of white light measured in region I of FIG. 4.
  • FIG. 10 is a graph explaining the spectrum of white light measured in region II of FIG. 4.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view for explaining a display device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view for explaining the display device of FIG. 1
  • FIG. 3 is an equivalent view of a sub-pixel included in the display device of FIG. 1. This is a schematic diagram to explain the circuit.
  • the display device 1000 may be divided into a display area (DA) and a non-display area (NDA).
  • DA display area
  • NDA non-display area
  • the display area DA may have a certain shape (eg, a square shape).
  • the non-display area (NDA) may be adjacent to the display area (DA).
  • the non-display area NDA may be positioned to surround the display area DA.
  • a pixel PX, a gate line GL, and a data line DL may be disposed in the display area DA.
  • the pixel PX may include a plurality of sub-pixels.
  • the pixel PX may include a first sub-pixel (R), a second sub-pixel (G), a third sub-pixel (B), and a fourth sub-pixel (W).
  • the first sub-pixel (R) may emit red light
  • the second sub-pixel (G) may emit green light
  • the third sub-pixel (B) may emit blue light
  • the fourth sub-pixel (W) can emit white light.
  • the gate line GL may extend in the first direction D1 and may transmit a gate signal to the first to fourth sub-pixels R, G, B, and W.
  • the data line DL may extend in a second direction D2 crossing the first direction D1, and may provide a data voltage to the first to fourth sub-pixels R, G, B, and W. can be transmitted.
  • a gate driver (GDV) and a data driver (DDV) may be disposed in the non-display area (NDA).
  • the gate driver (GDV) is electrically connected to the gate wire (GL) and may generate the gate signal.
  • the data driver DDV is electrically connected to the data line DL and may generate the data voltage.
  • the first sub-pixel (R) includes a first transistor (T1), a second transistor (T2), a third transistor (T3), a storage capacitor (CST), and a light emitting device (LED). can do.
  • Each of the second to fourth sub-pixels (G, B, W) may have substantially the same circuit structure as the first sub-pixel (R).
  • the first transistor T1 may include a gate terminal, a first terminal, and a second terminal.
  • the gate terminal may be electrically connected to the second transistor T2.
  • the first terminal may be electrically connected to a first power source (ELVDD).
  • the second terminal may be electrically connected to the light emitting device (LED).
  • the first transistor T1 may provide driving current to drive the light emitting device (LED).
  • the second transistor T2 may include a gate terminal, a first terminal, and a second terminal.
  • the gate terminal may receive a first gate signal (SC).
  • the first terminal may receive the data voltage (DATA).
  • the second terminal may be electrically connected to the first transistor T1.
  • the second transistor T2 may transmit the data voltage DATA in response to the first gate signal SC.
  • the third transistor T3 may include a gate terminal, a first terminal, and a second terminal.
  • the gate terminal may receive a second gate signal (SS).
  • the first terminal may be provided with an initialization voltage (VINT).
  • the second terminal may be electrically connected to the light emitting device (LED).
  • the third transistor T3 may transmit the initialization voltage VINT in response to the second gate signal SS.
  • the storage capacitor CST may include a first terminal and a second terminal.
  • the first terminal may be electrically connected to the gate terminal of the first transistor T1.
  • the second terminal may be electrically connected to the second terminal of the first transistor T1.
  • the light emitting device may include a first terminal and a second terminal.
  • the first terminal may be electrically connected to the first transistor T1.
  • the second terminal may be electrically connected to a second power source (ELVSS).
  • the light emitting device (LED) may emit light based on the driving current.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the display device of FIG. 1
  • FIG. 5 is an enlarged view for explaining the first color conversion pattern included in the display device of FIG. 4
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining the display device of FIG. 4. This is an enlarged view to explain the included color reinforcement pattern.
  • the display device 1000 includes a substrate (SUB), a transistor layer (TL), a passivation layer (PVX), a first color filter (RCF), a second color filter (GCF), and a third color filter.
  • BCF light absorption filter
  • LAF light absorption filter
  • first separation layer SL1
  • BM light blocking pattern
  • CV1 first color conversion pattern
  • CV2 second color conversion pattern
  • SCP scattering pattern
  • ML metal layer
  • light emitted from the light emitting layer EL may travel in the third direction D3.
  • light emitted from the light emitting layer (EL) may sequentially pass through the color reinforcement pattern (CR), the light absorption filter (LAF), and the substrate (SUB).
  • the display device 1000 may be a bottom-emitting display device.
  • the substrate SUB may include a transparent material.
  • examples of materials that can be used as the substrate (SUB) may include glass, quartz, and plastic. These can be used alone or in combination with each other.
  • the transistor layer TL may be disposed on the substrate SUB.
  • the transistor layer TL may include insulating layers and conductive patterns.
  • the conductive patterns may be formed between the insulating layers and may configure the transistors described above.
  • the passivation layer (PVX) may be disposed on the transistor layer (TL).
  • the passivation layer (PVX) may include an inorganic material and/or an organic material.
  • inorganic materials that can be used in the passivation layer (PVX) may include silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
  • organic materials that can be used in the passivation layer (PVX) may include photoresist, polyacrylic resin, polyimide resin, and acrylic resin. These can be used alone or in combination with each other.
  • area I and area II may be defined in the display device 1000.
  • the I area may be an area where the first to third color filters (RCF, GCF, and BCF) are disposed.
  • the I area may be referred to as an RGB pixel area.
  • the I area may be an area where the color reinforcement pattern CR and the light absorption filter LAF do not overlap.
  • the II area may be an area where the first to third color filters (RCF, GCF, BCF) are not disposed.
  • the II area may be referred to as the W pixel area.
  • the II area may be an area where the color reinforcement pattern (CR) and the light absorption filter (LAF) overlap.
  • the first color filter (RCF) may be disposed on the passivation layer (PVX).
  • light emitted from the light emitting layer EL and passing through the first color filter RCF may have a red color.
  • the first color filter (RCF) may only pass light having a wavelength corresponding to red.
  • the second color filter (GCF) may be disposed on the passivation layer (PVX) and adjacent to the first color filter (RCF).
  • light emitted from the light emitting layer EL and passing through the second color filter GCF may have a green color.
  • the second color filter (GCF) may only pass light having a wavelength corresponding to green.
  • the third color filter (BCF) may be disposed on the passivation layer (PVX) and adjacent to the second color filter (GCF).
  • light emitted from the light emitting layer EL and passing through the third color filter BCF may have a blue color.
  • the third color filter (BCF) may pass only light having a wavelength corresponding to blue.
  • the light absorption filter (LAF) may be disposed on the passivation layer (PVX). In one embodiment, the light absorption filter (LAF) may be disposed on the entire area of the passivation layer (PVX). For example, the light absorption filter (LAF) overlaps the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF), and the first color filter (RCF) ), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF).
  • the light absorption filter LAF may have a first thickness TH1 in a cross-section, and the first thickness TH1 may be approximately 1 ⁇ m to approximately 10 ⁇ m.
  • the light absorption filter (LAF) may mainly absorb light in the wavelength range.
  • the wavelength range may be approximately 550 nm to approximately 620 nm.
  • the light absorption filter (LAF) may mainly absorb light in the yellow wavelength range.
  • the light absorption filter (LAF) may include a dispersant, a dipyrromethene compound, and particles.
  • the light absorption filter (LAF) may further include a leveling agent, a photoinitiator, a UV initiator, a thermal initiator, a thermosetting catalyst, an adhesion imparting agent, a plasticizer, an ultraviolet absorber, an antioxidant, an antistatic agent, an inorganic filler, a pigment, a dye, etc. You can.
  • the light absorption filter (LAF) further includes the leveling agent, the light absorption filter (LAF) may have a substantially flat top surface.
  • the dispersant may include at least one selected from the group consisting of polyacrylate polymer, polyurethane polymer, polyethylene polymer, epoxy polymer, and ester polymer.
  • a low refractive index compound eg, silicon (Si), silicon oxide (SiO2), magnesium fluoride (MgF2), etc.
  • LAF light absorption filter
  • the light absorption filter may include a dispersant having the structure of Formula 1 below.
  • R1 may be an amine compound or an acid compound.
  • n may be an integer between 1 and 1000.
  • the light absorption filter may include a dispersant having the structure of Formula 2 below.
  • R3 may be a low refractive index compound (eg, a silicon (Si) compound).
  • n may be an integer between 1 and 1000.
  • the light absorption filter may include a dispersant having the structure of Formula 3 below.
  • R1 and R2 may each independently be an amine compound or an acid compound.
  • n may be an integer between 1 and 1000.
  • the dipyrromethene compound may include a compound having the structure of Formula 4 below. Accordingly, the light absorption filter (LAF) can mainly absorb light in the wavelength range corresponding to yellow.
  • LAF light absorption filter
  • the particles may include inorganic substances.
  • the light absorption filter may include silica particles.
  • the first separation layer SL1 may be disposed on the light absorption filter LAF.
  • the first separation layer SL1 may include an inorganic material and/or an organic material.
  • the light blocking pattern BM may be disposed on the first separation layer SL1.
  • the light blocking pattern (BM) may have openings, and the openings include the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern. (CR) can be placed respectively.
  • the first color conversion pattern (CV1) may be disposed on the first separation layer (SL1).
  • the first color conversion pattern CV1 may convert the color of incident light to red.
  • the first color conversion pattern CV1 may convert light emitted from the light emitting layer EL into red light.
  • the first color conversion pattern CV1 may overlap the light absorption filter LAF.
  • the first color conversion pattern CV1 may have a thickness of approximately 1 ⁇ m to approximately 15 ⁇ m in cross section.
  • the first color conversion pattern (CV1) may include a monomer (MN), a first red quantum dot (RQD1), a dispersant (DP), and a scatterer (SC).
  • the first color conversion pattern CV1 may further include a compound such as a photoinitiator.
  • the first red quantum dot (RQD1) can convert the color of incident light into red.
  • the first red quantum dot (RQD1) may be a quantum dot, and may be a group consisting of a group II-VI compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and a combination thereof. can be selected from
  • the second color conversion pattern CV2 may be disposed on the first separation layer SL1 and adjacent to the first color conversion pattern CV1.
  • the second color conversion pattern CV2 may convert the color of incident light to green.
  • the second color conversion pattern CV2 may convert light emitted from the light emitting layer EL into green light.
  • the scattering pattern (SCP) or third color conversion pattern may be disposed on the first separation layer (SL1) and adjacent to the second color conversion pattern (CV2).
  • the third color conversion pattern may convert the color of incident light to blue.
  • the third color conversion pattern may convert light emitted from the light emitting layer EL into blue light.
  • the scattering pattern (SCP) may scatter incident light.
  • the scattering pattern (SCP) may scatter blue light emitted from the light emitting layer (EL).
  • the color reinforcement pattern (CR) may be disposed on the first separation layer (SL1) and adjacent to the scattering pattern (SCP).
  • the color reinforcement pattern CR may have a second thickness TH2 in a cross-section, and the second thickness TH2 may be approximately 1 ⁇ m to approximately 15 ⁇ m.
  • the color reinforcement pattern (CR) may include a monomer (MN), a second red quantum dot (RQD2), a dispersant (DP), and a scatterer (SC). Additionally, the color reinforcement pattern (CR) may further include a compound such as a photoinitiator.
  • the concentration of the second red quantum dots (RQD2) included in the color reinforcement pattern (CR) is greater than the concentration of the first red quantum dots (RQD1) included in the first color conversion pattern (CV1). It can be small.
  • the concentration of the second red quantum dots (RQD2) included in the color reinforcement pattern (CR) may be approximately 1 wt% to approximately 40 wt%.
  • the monomer (MN) may include at least one selected from the group consisting of an epoxy monomer and an ester monomer.
  • the terminal of the monomer (MN) may be at least one selected from the group consisting of acrylate, diacrylate, and methacrylate.
  • the monomer (MN) when the terminal of the monomer (MN) is composed of diacrylate, the monomer (MN) may include a compound having the structure of Formula 5 below.
  • the surface energy of the monomer (MN) may be approximately 1 dyne/cm to approximately 30 dyne/cm, at approximately 10 -6 to approximately 10 -3 mmHg, and the viscosity of the monomer (MN) may be It may be approximately 1 cps to approximately 40 cps.
  • the second red quantum dot (RQD2) may include the same material as the first red quantum dot (RQD1).
  • the second red quantum dot (RQD2) may be a quantum dot, and may be a group consisting of a group II-VI compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and a combination thereof. can be selected from The second red quantum dot (RQD2) can convert the color of incident light into red.
  • the dispersant (DP) may include at least one selected from the group consisting of polyacrylate polymer, polyurethane polymer, polyethylene polymer, epoxy polymer, and ester polymer. there is.
  • the color reinforcement filter may include a dispersant having the structure of Formula 6 below.
  • R1 may be an amine compound or an acid compound.
  • n may be an integer between 1 and 1000.
  • the color reinforcement filter (CR) may include a dispersant having the structure of Formula 7 below.
  • R2 may be an amine compound or an acid compound.
  • n may be an integer between 1 and 1000.
  • the color reinforcement filter (CR) may include a dispersant having the structure of Formula 8 below.
  • R1 and R2 may be an amine compound or an acid compound.
  • n may be an integer between 1 and 1000.
  • the scatterer (SC) may include at least one selected from the group consisting of titanium dioxide (TiO2), zinc oxide (ZnO), aluminum oxide (Al2O3), silicon oxide (SiO2), and hollow silica. .
  • the color reinforcement pattern (CR) may further include a photoinitiator, and the photoinitiator may be TPO, Lucirin TPO-L, oxime ester, etc.
  • the second separation layer (SL2) includes the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). ) can be placed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). ) can be placed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). ) can be placed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). ) can be placed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). ) can be placed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). ) can be placed on the first color conversion pattern (
  • the light emitting layer (EL) may be disposed on the second separation layer (SL2).
  • the light emitting layer (EL) can emit light.
  • the light emitting layer EL may have a structure in which a first organic light emitting layer emitting blue light, a second organic light emitting layer emitting yellow light, and a third organic light emitting layer emitting blue light are sequentially stacked. .
  • the metal layer ML may be disposed on the light emitting layer EL.
  • the metal layer ML may function as a reflector. Accordingly, light emitted from the light emitting layer EL may travel in the third direction D3.
  • FIG. 7 is a graph for explaining the light transmittance according to the wavelength band measured in region II of FIG. 4
  • FIG. 8 is a graph for explaining the light reflectance according to the wavelength band measured in region II of FIG. 4
  • FIG. 9 is a graph to explain the spectrum of white light measured in area I of FIG. 4
  • FIG. 10 is a graph to explain the spectrum of white light measured in area II of FIG. 4.
  • the light transmittance was measured according to the wavelength band.
  • A1 is the result of measuring the light transmittance when the first thickness TH1 of the light absorption filter LAF is approximately 0.5um.
  • A2 is the result of measuring the light transmittance when the first thickness TH1 of the light absorption filter LAF is approximately 1.5um.
  • the transmittance of light with a wavelength of approximately 550 nm was measured to be approximately 82%, and the transmittance of light with a wavelength of approximately 600 nm was measured to be approximately 40%. Additionally, the transmittance of light with a wavelength smaller than approximately 500 nm was measured to be greater than or equal to approximately 80%, and the transmittance of light with a wavelength greater than approximately 620 nm was measured to be greater than or equal to approximately 80%.
  • the color reinforcement pattern (CR) includes the second red quantum dot (RQD2) and the light absorption filter (LAF) mainly absorbs light having a wavelength range of approximately 550 nm to approximately 620 nm, approximately 550 nm The transmittance of light having a wavelength range from about 620 nm was reduced.
  • the color reinforcement pattern (CR) includes the second red quantum dot (RQD2) and the light absorption filter (LAF) mainly absorbs light having a wavelength of approximately 550 nm to approximately 620 nm, the wavelength is less than or approximately 500 nm.
  • the transmittance of light with a wavelength greater than 620 nm was maintained relatively high.
  • the transmittance of light with a wavelength of approximately 550 nm was measured to be approximately 60%, and the transmittance of light with a wavelength of approximately 600 nm was measured to be approximately 10%.
  • the transmittance of light with a wavelength smaller than approximately 500 nm was measured to be greater than approximately 80%, and the transmittance of light with a wavelength greater than approximately 650 nm was measured to be greater than approximately 80%.
  • the transmittance of light with a wavelength of approximately 550 nm to approximately 600 nm was measured to be less than or equal to approximately 60%, and the transmittance of light with a wavelength of less than approximately 500 nm or greater than approximately 650 nm was measured to be greater than or equal to approximately 80%. It was measured.
  • the color reinforcement pattern (CR) includes the second red quantum dot (RQD2) and the light absorption filter (LAF) mainly absorbs light having a wavelength range of approximately 550 nm to approximately 620 nm, approximately 550 nm The transmittance of light having a wavelength range from about 620 nm was reduced.
  • the color reinforcement pattern (CR) includes the second red quantum dot (RQD2) and the light absorption filter (LAF) mainly absorbs light having a wavelength of approximately 550 nm to approximately 620 nm, the wavelength is less than approximately 500 nm.
  • the transmittance of light with a wavelength greater than approximately 620 nm was maintained relatively high.
  • the transmittance of light having a wavelength range of approximately 550 nm to approximately 620 nm further decreases.
  • the reflectance of light was measured according to the wavelength band.
  • the reflectance of light with a wavelength of approximately 550 nm was measured to be approximately 4%
  • the reflectance of light with a wavelength of approximately 600 nm was measured to be approximately 0%
  • the reflectance of light with a wavelength of approximately 620 nm was measured to be approximately 5%.
  • the reflectance of light with a wavelength of approximately 550 nm to approximately 620 nm has been measured to be less than or equal to approximately 10%.
  • the color reinforcement pattern (CR) includes the second red quantum dot (RQD2) and the light absorption filter (LAF) mainly absorbs light having a wavelength range of approximately 550 nm to approximately 620 nm, approximately 550 nm The reflectance of light having a wavelength range from about 620 nm was reduced.
  • the spectrum of white light measured in region I is a wavelength range of approximately 400 nm to approximately 450 nm (e.g., a wavelength range of blue light), a wavelength range of approximately 500 nm to approximately 550 nm (e.g., a wavelength range of green light), and has a peak in a wavelength range of approximately 620 nm to approximately 680 nm (eg, the wavelength range of red light). Additionally, the spectrum of white light measured in the region I has a lowest point in the wavelength range of approximately 580 nm to approximately 620 nm (eg, the wavelength range of yellow light).
  • the spectrum of white light emitted from region I has peaks in the blue wavelength band, green wavelength band, and red wavelength band, and has a minimum point in the yellow wavelength band.
  • the spectrum of white light measured in region II is a wavelength range of approximately 400 nm to approximately 450 nm (e.g., a wavelength range of blue light), a wavelength range of approximately 500 nm to approximately 550 nm (e.g., a wavelength range of green light), and has a peak in a wavelength range of approximately 620 nm to approximately 680 nm (eg, the wavelength range of red light). Additionally, the spectrum of white light measured in region II has its lowest point in the wavelength range of approximately 580 nm to approximately 620 nm (eg, the wavelength range of yellow light).
  • the white light measured in the II region peaks in a wavelength range of approximately 620 nm to approximately 680 nm (e.g., the wavelength of red light). It can have (peak).
  • the display device 1000 includes the light absorption filter (LAF) in the region II, the white light measured in the region II has a lowest point in the wavelength range of approximately 580 nm to approximately 620 nm (e.g., the wavelength range of yellow light). You can have
  • the spectrum of white light measured in region II may be substantially similar to the spectrum of white light measured in region I. Accordingly, the color coordinate deviation between the color coordinates of light emitted from region I and the color coordinates of light emitted from region II can be reduced.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
  • a display device 2000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the light absorption filter (LAF), and the first Color filter (RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), the low refractive index layer (LR), the first separation layer (SL1), the light blocking pattern (BM), the first Color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the second separation layer (SL2), the light emitting layer (EL), and the metal layer (ML) may be included.
  • the display device 2000 may be substantially the same as the display device 1000 described with reference to FIG. 4, except for the light absorption filter (LAF) and the low refractive layer (LR).
  • LAF light absorption filter
  • LR low refractive layer
  • the light absorption filter (LAF) may be disposed on the passivation layer (PVX). In one embodiment, the light absorption filter (LAF) may be disposed on the entire area of the passivation layer (PVX). For example, the light absorption filter (LAF) is disposed below the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF), and the first color filter (RCF) (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF). The light absorption filter (LAF) may overlap the color reinforcement filter (CR).
  • CR color reinforcement filter
  • the first color filter (RCF) may be disposed between the light absorption filter (LAF) and the first color conversion pattern (CV1), and the second color filter (GCF) may be disposed between the light absorption filter (LAF) and the first color conversion pattern (CV1). It may be disposed between the second color conversion pattern (CV2), and the third color filter (BCF) may be disposed between the light absorption filter (LAF) and the scattering pattern (SCP).
  • the low refractive index layer (LR) may be disposed on the light absorption filter (LAF). In one embodiment, the low refractive index layer (LR) may be entirely disposed on the light absorption filter (LAF). For example, the low refractive index layer (LR) overlaps the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF), and the first color filter (RCF) ), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF).
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • the display device 3000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the light absorption filter (LAF), and the first 1 color filter (RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), the low refractive layer (LR), the first separation layer (SL1), the light blocking pattern (BM), the The first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the second separation layer (SL2), and the auxiliary light absorption filter (LAF1) , the light emitting layer (EL), and the metal layer (ML).
  • the display device 3000 may be substantially the same as the display device 2000 described with reference to FIG. 11 except for the auxiliary light absorber LAF1.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed between the color reinforcement pattern CR and the light emitting layer EL.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed on the entire area of the second separation layer SL2.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may include the same material as the light absorption filter LAF.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • the display device 4000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the light absorption filter (LAF), and the first 1 color filter (RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), the low refractive layer (LR), the first separation layer (SL1), the light blocking pattern (BM), the The first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the second separation layer (SL2), and the auxiliary light absorption filter (LAF1) , the light emitting layer (EL), and the metal layer (ML).
  • the display device 4000 may be substantially the same as the display device 2000 described with reference to FIG. 11 except for the auxiliary light absorber LAF1.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed on the entire area of the light emitting layer EL.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed between the light emitting layer EL and the metal layer ML.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may include the same material as the light absorption filter LAF.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • the display device 5000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the first color filter (RCF), and the The second color filter (GCF), the third color filter (BCF), the light absorption filter (LAF), the low refractive index layer (LR), the first separation layer (SL1), the light blocking pattern (BM), and the first Color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the second separation layer (SL2), the light emitting layer (EL), and the metal layer (ML) may be included.
  • the display device 5000 may be substantially the same as the display device 1000 described with reference to FIG. 4, except for the light absorption filter (LAF) and the low refractive layer (LR).
  • LAF light absorption filter
  • LR low refractive layer
  • the light absorption filter (LAF) may be disposed on the passivation layer (PVX). In one embodiment, the light absorption filter (LAF) may overlap the color reinforcement pattern (CR). Accordingly, the color coordinate deviation between the color coordinates of light emitted from region I and the color coordinates of light emitted from region II can be reduced.
  • the light absorption filter (LAF) may not overlap with the first to third color filters (RCF, GCF, and BCF).
  • the light absorption filter (LAF) may be formed by patterning. Accordingly, light efficiency in the I area can be improved.
  • the low refractive layer LR may be disposed on the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), and the light absorption filter (LAF).
  • the low refractive index layer (LR) overlaps the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), and the light absorption filter (LAF).
  • the light absorption filter (LAF) may cover the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), and the light absorption filter (LAF).
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • a display device 6000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the first color filter (RCF), and the The second color filter (GCF), the third color filter (BCF), the light absorption filter (LAF), the low refractive index layer (LR), the first separation layer (SL1), the light blocking pattern (BM), The first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the auxiliary light absorption filter (LAF1), and the second separation layer (SL2) , the light emitting layer (EL), and the metal layer (ML).
  • the display device 6000 may be substantially the same as the display device 5000 described with reference to FIG. 14 except for the auxiliary light absorption filter LAF1.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed between the color reinforcement pattern CR and the light emitting layer EL. In one embodiment, the auxiliary light absorption filter LAF1 may overlap the light absorption filter LAF and the color reinforcement pattern CR. Accordingly, the color coordinate deviation between the color coordinates of light emitted from region I and the color coordinates of light emitted from region II can be reduced.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may not overlap with the first to third color filters RCF, GCF, and BCF.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be formed by patterning. Accordingly, light efficiency in the I area can be improved.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • a display device 7000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the first color filter (RCF), and the The second color filter (GCF), the third color filter (BCF), the light absorption filter (LAF), the low refractive index layer (LR), the first separation layer (SL1), the light blocking pattern (BM), The first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the second separation layer (SL2), the light emitting layer (EL), and auxiliary It may include a light absorption filter (LAF1) and the metal layer (ML).
  • LAF1 light absorption filter
  • ML metal layer
  • the display device 7000 may be substantially the same as the display device 5000 described with reference to FIG. 14 except for the auxiliary light absorption filter LAF1.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed on the light emitting layer EL.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be disposed between the light emitting layer EL and the metal layer ML.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may overlap the light absorption filter LAF and the color reinforcement pattern CR. Accordingly, the color coordinate deviation between the color coordinates of light emitted from region I and the color coordinates of light emitted from region II can be reduced.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may not overlap with the first to third color filters RCF, GCF, and BCF.
  • the auxiliary light absorption filter LAF1 may be formed by patterning. Accordingly, light efficiency in the I area can be improved.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • a display device 8000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the light emitting layer (EL), and the light blocking pattern (BM). ), the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the light absorption filter (LAF), the first color filter ( RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), and an encapsulation layer (ENC).
  • light emitted from the light emitting layer EL may travel in a direction opposite to the third direction D3.
  • light emitted from the light emitting layer (EL) may sequentially pass through the color reinforcement pattern (CR), the light absorption filter (LAF), and the encapsulation layer (ENC).
  • the display device 8000 may be a front-emitting display device.
  • the light emitting layer (EL) may be disposed on the passivation layer (PVX).
  • the light emitting layer (EL) can emit light.
  • the light emitting layer EL includes a first organic light emitting layer that emits blue light, a second organic light emitting layer that emits blue light, a third organic light emitting layer that emits blue light, and a fourth organic light emitting layer that emits green light. This may have a sequentially stacked structure.
  • the light blocking pattern BM may be disposed on the light emitting layer EL.
  • the light blocking pattern (BM) may have openings, and the openings include the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern. (CR) can be placed respectively.
  • the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR) may be disposed on the light emitting layer (EL).
  • the light absorption filter (LAF) may be disposed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). In one embodiment, the light absorption filter (LAF) overlaps the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). So that it can be formed as a whole.
  • the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF) may be disposed on the light absorption filter (LAF).
  • the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF) include the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), and the Each can overlap with the scattering pattern (SCP).
  • the encapsulation layer (ENC) may be disposed on the light absorption filter (LAF).
  • the encapsulation layer (ENC) may cover the first color filter (RCF), the second color filter (GCF), and the third color filter (BCF).
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
  • a display device 9000 includes the substrate (SUB), the transistor layer (TL), the passivation layer (PVX), the light emitting layer (EL), and the light blocking pattern (BM). ), the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), the color reinforcement pattern (CR), the low refractive layer (LR), the first color filter ( RCF), the second color filter (GCF), the third color filter (BCF), a light absorption filter (LAF), and an encapsulation layer (ENC).
  • the display device 9000 may be substantially the same as the display device 8000 described with reference to FIG. 17 except for the low refractive index layer (LR) and the light absorption filter (LAF).
  • LR low refractive index layer
  • LAF light absorption filter
  • the low refractive index layer (LR) may be disposed on the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). In one embodiment, the low refractive index layer (LR) overlaps the first color conversion pattern (CV1), the second color conversion pattern (CV2), the scattering pattern (SCP), and the color reinforcement pattern (CR). So that it can be formed as a whole.
  • the light absorption filter (LAF) may be disposed on the low refractive index layer (LR). In one embodiment, the light absorption filter (LAF) may overlap the color reinforcement pattern (CR). Accordingly, the color coordinate deviation between the color coordinates of light emitted from region I and the color coordinates of light emitted from region II can be reduced.
  • the light absorption filter (LAF) may not overlap with the first to third color filters (RCF, GCF, and BCF).
  • the light absorption filter (LAF) may be formed by patterning. Accordingly, light efficiency in the I area can be improved.
  • the present invention can be applied to a display device.
  • the present invention can be applied to display devices such as high-resolution smartphones, mobile phones, smart pads, smart watches, tablet PCs, vehicle navigation systems, televisions, computer monitors, and laptops.

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Abstract

표시 장치는 제1 적색 양자점을 포함하는 색변환 패턴, 색변환 패턴과 인접하며 제2 적색 양자점을 포함하는 색 보강 패턴, 및 색 보강 패턴 상에 배치되는 발광층을 포함하고, 색 보강 패턴에 포함된 제2 적색 양자점의 농도는 색변환 패턴에 포함된 제1 적색 양자점의 농도보다 작다.

Description

표시 장치
표시 장치는 발광층 및 복수의 색변환 패턴들을 포함한다. 상기 발광층에서는 광이 방출되며, 상기 색변환 패턴들은 상기 광의 색을 변환한다.
상기 색변환 패턴들은 퀀텀닷을 포함할 수 있으며, 적색 색변환 패턴, 녹색 색변환 패턴, 청색 색변환 패턴(또는 산란 패턴), 및 산란 패턴으로 구분된다. 상기 적색 색변환 패턴은 적색 화소를 구현하고, 상기 녹색 색변환 패턴은 녹색 화소를 구현하며, 상기 청색 색변환 패턴은 청색 화소를 구현하고, 상기 산란 패턴은 백색 화소를 구현한다.
본 발명의 목적은 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되고, 제1 적색 양자점을 포함하는 색변환 패턴, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 색변환 패턴과 인접하며, 제2 적색 양자점을 포함하는 색 보강 패턴, 및 상기 색 보강 패턴 상에 배치되는 발광층을 포함하고, 상기 색 보강 패턴에 포함된 상기 제2 적색 양자점의 농도는 상기 제1 색변환 패턴에 포함된 상기 제1 적색 양자점의 농도보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴에 포함된 상기 제2 적색 양자점의 농도는 대략 1wt% 내지 대략 40wt% 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴은 모노머 및 분산제를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 모노머는 에폭시계 모노머 및 에스테르계 모노머로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 모노머의 말단은 아크릴레이트, 디아크릴레이트 및 메타아크릴레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 모노머의 표면 에너지는 대략 1 dyne/cm 내지 대략 30 dyne/cm 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 모노머의 점도는 대략 1 cps 내지 대략 40 cps 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분산제는 폴리아크릴레이트 중합체, 폴리우레탄 중합체, 및 폴리에틸렌 중합체로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 적색 양자점은 상기 제1 적색 양자점과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴의 두께는 단면 상에서 대략 1um 내지 대략 15um 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 색 보강 패턴 사이에 배치되고, 파장대의 광을 흡수하는 광 흡수 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 파장대는 대략 550nm 내지 대략 620nm 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 흡수 필터는 디피로메텐계화합물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 흡수 필터는 무기물로 형성된 파티클을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 흡수 필터의 굴절률은 상기 색 보강 패턴의 굴절률보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 흡수 필터의 두께는 단면 상에서 대략 1um 내지 대략 10um 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 흡수 필터는 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터가 중첩하는 영역에서, 대략 550nm 내지 대략 600nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 60% 보다 작거나 같을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터가 중첩하는 영역에서, 대략 500nm 보다 작거나 대략 650nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 80% 보다 크거나 같을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터가 중첩하는 영역에서, 대략 550nm 내지 대략 600nm 의 파장을 갖는 광의 반사율은 대략 10% 보다 작거나 같을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 색변환 패턴 사이에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고, 상기 광 흡수 필터는 상기 컬러 필터 상에 배치되고, 상기 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 광 흡수 필터와 상기 색변환 패턴 사이에 배치되는 컬러 필터 및 상기 컬러 필터 상에 배치되는 저굴절층을 더 포함하고, 상기 광 흡수 필터는 상기 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 색 보강 패턴과 상기 발광층 사이에 배치되는 보조 광 흡수 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 발광층 상에 배치되는 보조 광 흡수 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 색변환 패턴 사이에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고, 상기 광 흡수 필터는 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩하고, 상기 컬러 필터와 평면 상에서 중첩하지 않을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 색 보강 패턴과 상기 발광층 사이에 배치되는 보조 광 흡수 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 발광층 상에 배치되고, 상기 광 흡수 필터와 평면 상에서 중첩하는 보조 광 흡수 필터 및 상기 발광층 상에 배치되고, 상기 보조 광 흡수 필터를 커버하는 금속층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되고, 파장대의 광을 흡수하는 광 흡수 필터, 상기 광 흡수 필터 상에 배치되는 색변환 패턴, 및 상기 색변환 패턴 상에 배치되는 발광층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 파장대는 대략 550nm 내지 대략 650nm 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 흡수 필터는 디피로메텐계 화합물을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되고, 제1 적색 양자점을 포함하는 색변환 패턴, 및 상기 발광층 상에 배치되고, 상기 색변환 패턴과 인접하며, 제2 적색 양자점을 포함하는 색 보강 패턴을 포함하고, 상기 색변환 패턴에 포함된 상기 제1 적색 양자점의 농도는 상기 색 보강 패턴에 포함된 상기 제2 적색 양자점의 농도보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 색 보강 패턴 상에 배치되고, 파장대의 광을 흡수하는 광 흡수 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 광 흡수 필터 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고, 상기 광 흡수 필터는 상기 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 색변환 패턴 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고, 상기 광 흡수 필터는 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩하고, 상기 컬러 필터와 평면 상에서 중첩하지 않을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터 사이에 배치되는 저굴절층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 적색 색변환 패턴, 녹색 색변환 패턴, 청색 색변환 패턴, 색 보강 패턴, 및 광 흡수 필터를 포함할 수 있다. 상기 적색 색변환 패턴, 상기 녹색 색변환 패턴, 및 상기 청색 색변환 패턴은 RGB 화소 영역에 배치될 수 있고, 상기 색 보강 패턴은 W 화소 영역에 배치될 수 있다. 또한, 상기 적색 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴은 적색 양자점을 포함할 수 있고, 상기 색 보강 패턴에 포함되는 상기 적색 양자점의 농도는 상기 적색 색변환 패턴에 포함되는 상기 적색 양자점의 농도보다 작을 수 있다. 상기 광 흡수 필터는 기설정된 파장대(예를 들어, 노란색에 해당하는 파장대)의 광을 주로 흡수할 수 있다.
상기 색 보강 패턴에 의해, W 화소 영역의 광은 적색 광의 파장대에서 높은 강도를 가질 수 있다. 또한, 상기 광 흡수 필터에 의해, 노란색에 해당하는 파장대의 광의 투과율 및 반사율이 감소될 수 있다. 그에 따라, RGB 화소 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 및 W 화소 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 사이의 색 좌표 편차가 감소될 수 있다.
또한, 상기 광 흡수 필터가 상기 W 화소 영역에만 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 RGB 화소 영역의 광 효율이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 서브 화소의 등가 회로를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 4는 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 표시 장치에 포함된 제1 색변환 패턴을 설명하기 위한 확대도이다.
도 6은 도 4의 표시 장치에 포함된 색 보강 패턴을 설명하기 위한 확대도이다.
도 7은 도 4의 II 영역에서 측정된, 파장대에 따른 광의 투과율을 설명하기 위한 그래프이다.
도 8은 도 4의 II 영역에서 측정된, 파장대에 따른 광의 반사율을 설명하기 위한 그래프이다.
도 9는 도 4의 I 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
도 10은 도 4의 II 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 서브 화소의 등가 회로를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 영역(DA)은 일정한 형상(예를 들어, 사각형 형상)을 가질 수 있다. 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)과 인접할 수 있다. 예를 들어, 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 위치할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 화소(PX), 게이트 배선(GL), 및 데이터 배선(DL)이 배치될 수 있다.
상기 화소(PX)는 복수의 서브 화소들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 화소(PX)는 제1 서브 화소(R), 제2 서브 화소(G), 제3 서브 화소(B), 및 제4 서브 화소(W)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 화소(R)는 적색 광을 방출할 수 있고, 상기 제2 서브 화소(G)는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 상기 제3 서브 화소(B)는 청색 광을 방출할 수 있고, 상기 제4 서브 화소(W)는 백색 광을 방출할 수 있다.
상기 게이트 배선(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 상기 제1 내지 제4 서브 화소들(R, G, B, W)로 게이트 신호를 전달할 수 있다. 상기 데이터 배선(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장할 수 있고, 상기 제1 내지 제4 서브 화소들(R, G, B, W)로 데이터 전압을 전달할 수 있다.
상기 비표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(GDV) 및 데이터 구동부(DDV)가 배치될 수 있다. 상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 게이트 배선(GL)과 전기적으로 연결되고, 상기 게이트 신호를 생성할 수 있다. 상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 전압을 생성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 서브 화소(R)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 스토리지 커패시터(CST), 및 발광 소자(LED)를 포함할 수 있다. 상기 제2 내지 제4 서브 화소들(G, B, W) 각각은 상기 제1 서브 화소(R)와 실질적으로 동일한 회로 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 상기 게이트 단자는 상기 제2 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 단자는 제1 전원(ELVDD)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 단자는 상기 발광 소자(LED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)는 상기 발광 소자(LED)를 구동하는 구동 전류를 제공할 수 있다.
상기 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 상기 게이트 단자는 제1 게이트 신호(SC)를 제공받을 수 있다. 상기 제1 단자는 상기 데이터 전압(DATA)을 제공받을 수 있다. 상기 제2 단자는 상기 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 제1 게이트 신호(SC)에 응답하여 상기 데이터 전압(DATA)을 전달할 수 있다.
상기 제3 트랜지스터(T3)는 게이트 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 상기 게이트 단자는 제2 게이트 신호(SS)를 제공받을 수 있다. 상기 제1 단자는 초기화 전압(VINT)을 제공받을 수 있다. 상기 제2 단자는 상기 발광 소자(LED)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 제2 게이트 신호(SS)에 응답하여 상기 초기화 전압(VINT)을 전달할 수 있다.
상기 스토리지 커패시터(CST)는 제1 단자 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 상기 제1 단자는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 게이트 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 단자는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 상기 제2 단자와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 소자(LED)는 제1 단자 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 상기 제1 단자는 상기 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 단자는 제2 전원(ELVSS)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 소자(LED)는 상기 구동 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 4의 표시 장치에 포함된 제1 색변환 패턴을 설명하기 위한 확대도이며, 도 6은 도 4의 표시 장치에 포함된 색 보강 패턴을 설명하기 위한 확대도이다.
도 4를 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 기판(SUB), 트랜지스터층(TL), 패시베이션층(PVX), 제1 컬러 필터(RCF), 제2 컬러 필터(GCF), 제3 컬러 필터(BCF), 광 흡수 필터(LAF), 제1 분리층(SL1), 차광 패턴(BM), 제1 색변환 패턴(CV1), 제2 색변환 패턴(CV2), 산란 패턴(SCP)(또는, 제3 색변환 패턴), 색 보강 패턴(CR), 제2 분리층(SL2), 발광층(EL), 및 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광층(EL)에서 방출된 광은 제3 방향(D3)으로 진행할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(EL)에서 방출된 광은 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 광 흡수 필터(LAF), 및 상기 기판(SUB)을 순차적으로 통과할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 장치(1000)는 배면 발광형 표시 장치일 수 있다.
상기 기판(SUB)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 기판(SUB)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는 유리, 석영, 플라스틱 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
상기 트랜지스터층(TL)은 상기 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 상기 트랜지스터층(TL)은 절연층들 및 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 도전 패턴들은 상기 절연층들 사이에 형성될 수 있으며, 상술한 트랜지스터들을 구성할 수 있다.
상기 패시베이션층(PVX)은 상기 트랜지스터층(TL) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 패시베이션층(PVX)은 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 상기 패시베이션층(PVX)에 사용될 수 있는 무기 물질의 예로는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등이 있을 수 있다. 상기 패시베이션층(PVX)에 사용될 수 있는 유기 물질의 예로는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 표시 장치(1000)에는 I 영역 및 II 영역이 정의될 수 있다.
상기 I 영역은 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(RCF, GCF, BCF)이 배치되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 I 영역은 RGB 화소 영역으로 지칭될 수 있다. 상기 I 영역은 상기 색 보강 패턴(CR)과 상기 광 흡수 필터(LAF)가 중첩하지 않는 영역일 수 있다.
상기 II 영역은 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(RCF, GCF, BCF)이 배치되지 않는 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 II 영역은 W 화소 영역으로 지칭될 수 있다. 상기 II 영역은 상기 색 보강 패턴(CR)과 상기 광 흡수 필터(LAF)가 중첩하는 영역일 수 있다.
상기 제1 컬러 필터(RCF)는 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 발광층(EL)으로부터 방출되어 상기 제1 컬러 필터(RCF)를 통과한 광은 적색을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 컬러 필터(RCF)는 적색에 해당하는 파장대를 갖는 광만을 통과시킬 수 있다.
상기 제2 컬러 필터(GCF)는 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있고, 상기 제1 컬러 필터(RCF)와 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 발광층(EL)으로부터 방출되어 상기 제2 컬러 필터(GCF)를 통과한 광은 녹색을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 컬러 필터(GCF)는 녹색에 해당하는 파장대를 갖는 광만을 통과시킬 수 있다.
상기 제3 컬러 필터(BCF)는 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있고, 상기 제2 컬러 필터(GCF)와 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 발광층(EL)으로부터 방출되어 상기 제3 컬러 필터(BCF)를 통과한 광은 청색을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 컬러 필터(BCF)는 청색에 해당하는 파장대를 갖는 광만을 통과시킬 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 패시베이션층(PVX)의 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)와 중첩하며, 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)를 커버할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 단면 상에서 제1 두께(TH1)를 가질 수 있고, 상기 제1 두께(TH1)는 대략 1um 내지 대략 10um 일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 파장대의 광을 주로 훕수할 수 있다. 예를 들어, 상기 파장대는 대략 550nm 내지 대략 620nm 일 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 노란색에 해당하는 파장대의 광을 주로 흡수할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 분산제, 디피로메텐계(dipyrromethene) 화합물, 및 파티클을 포함할 수 있다. 상기 광 흡수 필터(LAF)는 레벨링제, 광 개시제, UV 개시제, 열 개시제, 열경화 촉매, 밀착성 부여제, 가소제, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 대전 방지제, 무기 충전재, 안료, 염료 등을 더 포함할 수 있다. 상기 광 흡수 필터(LAF)가 상기 레벨링제를 더 포함함에 따라, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 분산제는 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중합체, 폴리우레탄(polyurethane) 중합체, 폴리에틸렌(polyethylene) 중합체, 에폭시계 중합체, 및 에스테르계 중합체로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 분산제에는 저굴절 화합물(예를 들어, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), 불화 마그네슘(MgF2) 등)이 결합될 수 있다. 그에 따라, 상기 광 흡수 필터(LAF)의 굴절률이 감소될 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리아크릴레이트 중합체에 실리콘이 결합된 경우, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 분산제를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000001
상기 화학식 1에서, R1은 아민(amine) 화합물 또는 산(acid) 화합물일 수 있다. 여기서, n은 1 이상 1000 이하의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리우레탄 중합체에 실리콘이 결합된 경우, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 분산제를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000002
상기 화학식 2에서, R3는 저굴절 화합물(예를 들어, 실리콘(Si) 화합물)일 수 있다. 여기서, n은 1 이상 1000 이하의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리에틸렌 중합체에 실리콘이 결합된 경우, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 하기 화학식 3의 구조를 갖는 분산제를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000003
상기 화학식 3에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 아민(amine) 화합물 또는 산(acid) 화합물일 수 있다. 여기서, n은 1 이상 1000 이하의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 디피로메텐계(dipyrromethene) 화합물은 하기 화학식 4의 구조를 갖는 화합물을 포함할 수 있다. 그에 따라, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 노란색에 해당하는 파장대의 광을 주로 흡수할 수 있다.
[화학식 4]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000004
예를 들어, 상기 파티클은 무기물을 포함할 수 있다. 상기 무기물이 실리콘인 경우, 상기 광 흡수 필터(LAF)에는 실리카(silica) 파티클이 포함될 수 있다.
상기 제1 분리층(SL1)은 상기 광 흡수 필터(LAF) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 분리층(SL1)은 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 차광 패턴(BM)은 상기 제1 분리층(SL1) 상에 배치될 수 있다. 상기 차광 패턴(BM)은 개구들을 구비할 수 있으며, 상기 개구들에는 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR)이 각각 배치될 수 있다.
상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 상기 제1 분리층(SL1) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 입사광의 색을 적색으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 상기 발광층(EL)으로부터 방출된 광을 적색 광으로 변환할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 상기 광 흡수 필터(LAF)와 중첩할 수 있다. 상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 단면 상에서 대략 1um 내지 대략 15um 의 두께를 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 모노머(MN), 제1 적색 양자점(RQD1), 분산제(DP), 및 산란체(SC)를 포함할 수 있다. 상기 제1 색변환 패턴(CV1)은 광 개시제 등의 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 적색 양자점(RQD1)은 입사광의 색을 적색으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 적색 양자점(RQD1)은 퀀텀닷(quantum dot)일 수 있고, II-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 상기 제2 색변환 패턴(CV2)은 상기 제1 분리층(SL1) 상에 배치되고, 상기 제1 색변환 패턴(CV1)과 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 색변환 패턴(CV2)은 입사광의 색을 녹색으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 색변환 패턴(CV2)은 상기 발광층(EL)으로부터 방출된 광을 녹색 광으로 변환할 수 있다.
상기 산란 패턴(SCP) 또는 제3 색변환 패턴은 상기 제1 분리층(SL1) 상에 배치되고, 상기 제2 색변환 패턴(CV2)과 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제3 색변환 패턴은 입사광의 색을 청색으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 색변환 패턴은 상기 발광층(EL)으로부터 방출된 광을 청색 광으로 변환할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 산란 패턴(SCP)은 입사광을 산란시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 산란 패턴(SCP)은 상기 발광층(EL)으로부터 방출된 청색 광을 산란시킬 수 있다.
상기 색 보강 패턴(CR)은 상기 제1 분리층(SL1) 상에 배치되고, 상기 산란 패턴(SCP)과 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 색 보강 패턴(CR)은 단면 상에서 제2 두께(TH2)를 가질 수 있고, 상기 제2 두께(TH2)는 대략 1um 내지 대략 15um 일 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 색 보강 패턴(CR)은 모노머(MN), 제2 적색 양자점(RQD2), 분산제(DP), 및 산란체(SC)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 색 보강 패턴(CR)은 광 개시제 등의 화합물을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 색 보강 패턴(CR)에 포함된 상기 제2 적색 양자점(RQD2)의 농도는, 상기 제1 색변환 패턴(CV1)에 포함된 상기 제1 적색 양자점(RQD1)의 농도보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 색 보강 패턴(CR)에 포함된 상기 제2 적색 양자점(RQD2)의 농도는 대략 1wt% 내지 대략 40wt% 일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 모노머(MN)는 에폭시계(epoxy) 모노머 및 에스테르계(ester)계 모노머로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 모노머(MN)의 말단은 아크릴레이트(acrylate), 디아크릴레이트(diacrylate), 및 메타아크릴레이트(methacrylate)로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 모노머(MN)의 말단이 디아크릴레이트로 구성되는 경우, 상기 모노머(MN)는 하기 화학식 5의 구조를 갖는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 5]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000005
일 실시예에서, 상기 모노머(MN)의 표면 에너지는, 대략 10-6 내지 대략 10-3 mmHg에서, 대략 1 dyne/cm 내지 대략 30 dyne/cm 일 수 있고, 상기 모노머(MN)의 점도는 대략 1 cps 내지 대략 40 cps 일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 적색 양자점(RQD2)은 상기 제1 적색 양자점(RQD1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 적색 양자점(RQD2)은 퀀텀닷(quantum dot)일 수 있고, II-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 상기 제2 적색 양자점(RQD2)은 입사광의 색을 적색으로 변환할 수 있다.
예를 들어, 상기 분산제(DP)는 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중합체, 폴리우레탄(polyurethane) 중합체, 폴리에틸렌(polyethylene) 중합체, 에폭시계 중합체, 및 에스테르계 중합체로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리아크릴레이트 중합체를 상기 분산제(DP)로 사용하는 경우, 상기 색 보강 필터(CR)는 하기 화학식 6의 구조를 갖는 분산제를 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000006
상기 화학식 6에서, R1은 아민 화합물 또는 산 화합물일 수 있다. 여기서, n은 1 이상 1000 이하의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리우레탄 중합체를 상기 분산제(DP)로 사용하는 경우, 상기 색 보강 필터(CR)는 하기 화학식 7의 구조를 갖는 분산제를 포함할 수 있다.
[화학식 7]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000007
상기 화학식 7에서, R2는 아민 화합물 또는 산 화합물일 수 있다. 여기서, n은 1 이상 1000 이하의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리에틸렌 중합체를 상기 분산제(DP)로 사용하는 경우, 상기 색 보강 필터(CR)는 하기 화학식 8의 구조를 갖는 분산제를 포함할 수 있다.
[화학식 8]
Figure PCTKR2023002209-appb-img-000008
상기 화학식 8에서, R1 및 R2는 아민 화합물 또는 산 화합물일 수 있다. 여기서, n은 1 이상 1000 이하의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 산란체(SC)는 이산화 티타늄(TiO2), 산화 아연 (ZnO), 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘 산화물(SiO2), 및 중공 실리카로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 색 보강 패턴(CR)은 광 개시제를 더 포함할 수 있으며, 상기 광 개시제는 TPO, Lucirin TPO-L, oxime ester 등일 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 상기 제2 분리층(SL2)은 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR) 상에 배치될 수 있다.
상기 발광층(EL)은 상기 제2 분리층(SL2) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(EL)은 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(EL)은 청색 광을 방출하는 제1 유기 발광층, 노란색 광을 방출하는 제2 유기 발광층, 및 청색 광을 방출하는 제3 유기 발광층이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 금속층(ML)은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 금속층(ML)은 반사판 역할을 할 수 있다. 그에 따라, 상기 발광층(EL)에서 방출되는 광이 상기 제3 방향(D3)으로 진행할 수 있다.
도 7은 도 4의 II 영역에서 측정된, 파장대에 따른 광의 투과율을 설명하기 위한 그래프이고, 도 8은 도 4의 II 영역에서 측정된, 파장대에 따른 광의 반사율을 설명하기 위한 그래프이며, 도 9는 도 4의 I 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이고, 도 10은 도 4의 II 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4 및 7을 참조하면, 상기 II 영역에서, 광의 투과율을 파장대에 따라 측정하였다. A1은, 상기 광 흡수 필터(LAF)의 상기 제1 두께(TH1)가 대략 0.5um 인 경우, 광의 투과율을 측정한 결과이다. A2는, 상기 광 흡수 필터(LAF)의 상기 제1 두께(TH1)가 대략 1.5um 인 경우, 광의 투과율을 측정한 결과이다.
A1에대하여, 대략 550nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 82%로 측정되었고, 대략 600nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 40%로 측정되었다. 또한, 대략 500nm 보다 작은 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 80% 보다 크거나 같은 것으로 측정되었으며, 대략 620nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 80% 보다 크거나 같은 것으로 측정되었다.
예를 들어, 상기 색 보강 패턴(CR)이 상기 제2 적색 양자점(RQD2)을 포함하고, 상기 광 흡수 필터(LAF)가 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광을 주로 흡수함에 따라, 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광의 투과율이 감소되었다. 상기 색 보강 패턴(CR)이 상기 제2 적색 양자점(RQD2)을 포함하고, 상기 광 흡수 필터(LAF)가 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장을 갖는 광을 주로 흡수함에 따라, 대략 500nm 보다 작거나 대략 620nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 상대적으로 높게 유지되었다.
A2에대하여, 대략 550nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 60%로 측정되었고, 대략 600nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 10%로 측정되었다. 대략 500nm 보다 작은 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 80%보다 큰 것으로 측정되었으며, 대략 650nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 80% 보다 큰 것으로 측정되었다.
예를 들어, 대략 550nm 내지 대략 600nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 60% 보다 작거나 같은 것으로 측정되었으며, 대략 500nm 보다 작거나 대략 650nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 대략 80% 보다 크거나 같은 것으로 측정되었다.
예를 들어, 상기 색 보강 패턴(CR)이 상기 제2 적색 양자점(RQD2)을 포함하고, 상기 광 흡수 필터(LAF)가 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광을 주로 흡수함에 따라, 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광의 투과율이 감소되었다. 또한, 상기 색 보강 패턴(CR)이 상기 제2 적색 양자점(RQD2)을 포함하고, 상기 광 흡수 필터(LAF)가 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장을 갖는 광을 주로 흡수함에 따라, 대략 500nm 보다 작거나 대략 620nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 상대적으로 높게 유지되었다.
상기 광 흡수 필터(LAF)의 상기 제1 두께(TH1)가 증가함에 따라, 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광의 투과율이 더욱 감소되었다.
도 4 및 8을 참조하면, 상기 II 영역에서, 광의 반사율을 파장대에 따라 측정하였다.
대략 550nm 의 파장을 갖는 광의 반사율은 대략 4%로 측정되었고, 대략 600nm 의 파장을 갖는 광의 반사율은 대략 0%로 측정되었으며, 대략 620nm 의 파장을 갖는 광의 반사율은 대략 5%로 측정되었다. 예를 들어, 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장을 갖는 광의 반사율은 대략 10% 보다 작거나 같은 것으로 측정되었다.
예를 들어, 상기 색 보강 패턴(CR)이 상기 제2 적색 양자점(RQD2)을 포함하고, 상기 광 흡수 필터(LAF)가 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광을 주로 흡수함에 따라, 대략 550nm 내지 대략 620nm 의 파장대를 갖는 광의 반사율이 감소되었다.
도 9를 참조하면, 상기 I 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼은 대략 400nm 내지 대략 450nm 의 파장대(예를 들어, 청색 광의 파장대), 대략 500nm 내지 대략 550nm 의 파장대(예를 들어, 녹색 광의 파장대), 및 대략 620nm 내지 대략 680nm 의 파장대(예를 들어, 적색 광의 파장대)에서 피크(peak)를 가진다. 또한, 상기 I 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼은 대략 580nm 내지 대략 620nm 의 파장대(예를 들어, 노란색 광의 파장대)에서 최저점을 가진다.
예를 들어, 상기 I 영역에서 방출되는 백색 광의 스펙트럼은 청색 파장대, 녹색 파장대, 및 적색 파장대에서 피크를 가지며, 노란색 파장대에서 최저점을 가진다.
도 10을 참조하면, 상기 II 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼은 대략 400nm 내지 대략 450nm 의 파장대(예를 들어, 청색 광의 파장대), 대략 500nm 내지 대략 550nm 의 파장대(예를 들어, 녹색 광의 파장대), 및 대략 620nm 내지 대략 680nm 의 파장대(예를 들어, 적색 광의 파장대)에서 피크(peak)를 가진다. 또한, 상기 II 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼은 대략 580nm 내지 대략 620nm 의 파장대(예를 들어, 노란색 광의 파장대)에서 최저점을 가진다.
상기 표시 장치(1000)가 상기 II 영역에서 상기 색 보강 패턴(CR)을 포함함에 따라, 상기 II 영역에서 측정된 백색 광은 대략 620nm 내지 대략 680nm 의 파장대(예를 들어, 적색 광의 파장대)에서 피크(peak)를 가질 수 있다. 상기 표시 장치(1000)가 상기 II 영역에서 상기 광 흡수 필터(LAF)를 포함함에 따라, 상기 II 영역에서 측정된 백색 광은 대략 580nm 내지 대략 620nm 의 파장대(예를 들어, 노란색 광의 파장대)에서 최저점을 가질 수 있다.
도 9 및 10에 도시된 바와 같이, 상기 II 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼은 상기 I 영역에서 측정된 백색 광의 스펙트럼과 실질적으로 유사할 수 있다. 그에 따라, I 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 및 II 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 사이의 색 좌표 편차가 감소될 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(2000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 광 흡수 필터(LAF), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 저굴절층(LR), 상기 제1 분리층(SL1), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 제2 분리층(SL2), 상기 발광층(EL), 및 상기 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(2000)는, 상기 광 흡수 필터(LAF) 및 상기 저굴절층(LR)을 제외하고는, 도 4를 참조하여 설명한 표시 장치(1000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 패시베이션층(PVX) 의 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)의 하부에 배치되며, 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)와 중첩할 수 있다. 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 색 보강 필터(CR)과 중첩할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터(RCF)는 상기 광 흡수 필터(LAF)와 상기 제1 색변환 패턴(CV1) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 컬러 필터(GCF)는 상기 광 흡수 필터(LAF)와 상기 제2 색변환 패턴(CV2) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제3 컬러 필터(BCF)는 상기 광 흡수 필터(LAF)와 상기 산란 패턴(SCP) 사이에 배치될 수 있다.
상기 저굴절층(LR)은 상기 광 흡수 필터(LAF) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 저굴절층(LR)은 상기 광 흡수 필터(LAF) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절층(LR)은 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)와 중첩하며, 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)를 커버할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(3000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 상기 광 흡수 필터(LAF), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 상기 저굴절층(LR), 상기 제1 분리층(SL1), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 제2 분리층(SL2), 보조 광 흡수 필터(LAF1), 상기 발광층(EL), 및 상기 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(3000)는, 상기 보조 광 흡수 ?터(LAF1)를 제외하고는, 도 11을 참조하여 설명한 상기 표시 장치(2000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 색 보강 패턴(CR)과 상기 발광층(EL) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 제2 분리층(SL2)의 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 광 흡수 필터(LAF)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(4000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 상기 광 흡수 필터(LAF), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 상기 저굴절층(LR), 상기 제1 분리층(SL1), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 제2 분리층(SL2), 보조 광 흡수 필터(LAF1), 상기 발광층(EL), 및 상기 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(4000)는, 상기 보조 광 흡수 ?터(LAF1)를 제외하고는, 도 11을 참조하여 설명한 상기 표시 장치(2000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 발광층(EL)의 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 발광층(EL) 및 상기 금속층(ML) 사이에 배치될 수 있다. 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 광 흡수 필터(LAF)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(5000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 광 흡수 필터(LAF), 저굴절층(LR), 상기 제1 분리층(SL1), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 제2 분리층(SL2), 상기 발광층(EL), 및 상기 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(5000)는, 상기 광 흡수 필터(LAF) 및 상기 저굴절층(LR)을 제외하고는, 도 4를 참조하여 설명한 상기 표시 장치(1000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 색 보강 패턴(CR)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, I 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 및 II 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 사이의 색 좌표 편차가 감소될 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(RCF, GCF, BCF)과 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 패터닝되어 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 I 영역에서의 광 효율이 향상될 수 있다.
상기 저굴절층(LR)은 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 및 상기 광 흡수 필터(LAF) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절층(LR)은 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 및 상기 광 흡수 필터(LAF)와 중첩하며, 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 및 상기 광 흡수 필터(LAF)를 커버할 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(6000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 상기 광 흡수 필터(LAF), 상기 저굴절층(LR), 상기 제1 분리층(SL1), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 보조 광 흡수 필터(LAF1), 상기 제2 분리층(SL2), 상기 발광층(EL), 및 상기 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(6000)는, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)를 제외하고는, 도 14를 참조하여 설명한 상기 표시 장치(5000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 색 보강 패턴(CR)과 상기 발광층(EL) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 광 흡수 필터(LAF) 및 상기 색 보강 패턴(CR)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, I 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 및 II 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 사이의 색 좌표 편차가 감소될 수 있다.
상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(RCF, GCF, BCF)과 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 패터닝되어 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 I 영역에서의 광 효율이 향상될 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(7000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 상기 광 흡수 필터(LAF), 상기 저굴절층(LR), 상기 제1 분리층(SL1), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 제2 분리층(SL2), 상기 발광층(EL), 보조 광 흡수 필터(LAF1), 및 상기 금속층(ML)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(7000)는, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)를 제외하고는, 도 14를 참조하여 설명한 상기 표시 장치(5000)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 발광층(EL)과 상기 금속층(ML) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 광 흡수 필터(LAF) 및 상기 색 보강 패턴(CR)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, I 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 및 II 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 사이의 색 좌표 편차가 감소될 수 있다.
상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(RCF, GCF, BCF)과 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 보조 광 흡수 필터(LAF1)는 패터닝되어 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 I 영역에서의 광 효율이 향상될 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(8000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 발광층(EL), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 광 흡수 필터(LAF), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 및 봉지층(ENC)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광층(EL)에서 방출된 광은 상기 제3 방향(D3)의 반대 방향으로 진행할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(EL)에서 방출된 광은 상기 색 보강 패턴(CR), 상기 광 흡수 필터(LAF), 및 상기 봉지층(ENC)을 순차적으로 통과할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 장치(8000)는 전면 발광형 표시 장치일 수 있다.
상기 발광층(EL)은 상기 패시베이션층(PVX) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(EL)은 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(EL)은 청색 광을 방출하는 제1 유기 발광층, 청색 광을 방출하는 제2 유기 발광층, 청색 광을 방출하는 제3 유기 발광층, 및 녹색 광을 방출하는 제4 유기 발광층이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 차광 패턴(BM)은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 차광 패턴(BM)은 개구들을 구비할 수 있으며, 상기 개구들에는 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR)이 각각 배치될 수 있다.
상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR)은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및상기 색 보강 패턴(CR)과 중첩하도록, 전체적으로 형성될 수 있다.
상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)는 상기 광 흡수 필터(LAF) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)는 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 및 상기 산란 패턴(SCP)과 각각 중첩할 수 있다.
상기 봉지층(ENC)은 상기 광 흡수 필터(LAF) 상에 배치될 수 있다. 상기 봉지층(ENC)은 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 및 상기 제3 컬러 필터(BCF)를 커버할 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(9000)는 상기 기판(SUB), 상기 트랜지스터층(TL), 상기 패시베이션층(PVX), 발광층(EL), 상기 차광 패턴(BM), 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 상기 색 보강 패턴(CR), 저굴절층(LR), 상기 제1 컬러 필터(RCF), 상기 제2 컬러 필터(GCF), 상기 제3 컬러 필터(BCF), 광 흡수 필터(LAF), 및 봉지층(ENC)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(9000)는, 상기 저굴절층(LR) 및 상기 광 흡수 필터(LAF)를 제외하고는, 도 17을 참조하여 설명한 상기 표시 장치(8000)과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 저굴절층(LR)은 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 저굴절층(LR)은 상기 제1 색변환 패턴(CV1), 상기 제2 색변환 패턴(CV2), 상기 산란 패턴(SCP), 및 상기 색 보강 패턴(CR)과 중첩하도록, 전체적으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 저굴절층(LR) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 색 보강 패턴(CR)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, I 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 및 II 영역에서 방출되는 광의 색 좌표 사이의 색 좌표 편차가 감소될 수 있다.
상기 광 흡수 필터(LAF)는 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(RCF, GCF, BCF)과 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수 필터(LAF)는 패터닝되어 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 I 영역에서의 광 효율이 향상될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등의 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (35)

  1. 기판 상에 배치되고, 제1 적색 양자점을 포함하는 색변환 패턴
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 색변환 패턴과 인접하며, 제2 적색 양자점을 포함하는 색 보강 패턴 및
    상기 색 보강 패턴 상에 배치되는 발광층을 포함하고,
    상기 색 보강 패턴에 포함된 상기 제2 적색 양자점의 농도는 상기 색변환 패턴에 포함된 상기 제1 적색 양자점의 농도보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 색 보강 패턴에 포함된 상기 제2 적색 양자점의 농도는 1wt% 내지 40wt% 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 색 보강 패턴은 모노머 및 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 모노머는 에폭시계 모노머 및 에스테르계 모노머로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 모노머의 말단은 아크릴레이트, 디아크릴레이트 및 메타아크릴레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 모노머의 표면 에너지는 1 dyne/cm 내지 30 dyne/cm 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제4 항에 있어서, 상기 모노머의 점도는 1 cps 내지 40 cps 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제3 항에 있어서, 상기 분산제는 폴리아크릴레이트 중합체, 폴리우레탄 중합체, 및 폴리에틸렌 중합체로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 제2 적색 양자점은 상기 제1 적색 양자점과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 색 보강 패턴의 두께는 단면 상에서 1um 내지 15um 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 색 보강 패턴 사이에 배치되고, 파장대의 광을 흡수하는 광 흡수 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 파장대는 550nm 내지 620nm 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제11 항에 있어서, 상기 광 흡수 필터는 디피로메텐계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 광 흡수 필터는 무기물로 형성된 파티클을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 광 흡수 필터의 굴절률은 상기 색 보강 패턴의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제11 항에 있어서, 상기 광 흡수 필터의 두께는 단면 상에서 1um 내지 10um 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제11 항에 있어서, 상기 광 흡수 필터는 상기 색 보강 패턴과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터가 중첩하는 영역에서, 550nm 내지 600nm 의 파장을 갖는 광의 투과율은 60% 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터가 중첩하는 영역에서, 500nm 보다 작거나 650nm 보다 큰 파장을 갖는 광의 투과율은 80% 보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제17 항에 있어서, 상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터가 중첩하는 영역에서, 550nm 내지 600nm 의 파장을 갖는 광의 반사율은 10% 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 제11 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 색변환 패턴 사이에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고,
    상기 광 흡수 필터는 상기 컬러 필터 상에 배치되고, 상기 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  22. 제11 항에 있어서,
    상기 광 흡수 필터와 상기 색변환 패턴 사이에 배치되는 컬러 필터 및
    상기 컬러 필터 상에 배치되는 저굴절층을 더 포함하고,
    상기 광 흡수 필터는 상기 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 색 보강 패턴과 상기 발광층 사이에 배치되는 보조 광 흡수 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  24. 제22 항에 있어서,
    상기 발광층 상에 배치되는 보조 광 흡수 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  25. 제11 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 색변환 패턴 사이에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고,
    상기 광 흡수 필터는 평면 상에서 상기 색 보강 패턴과 중첩하고, 상기 컬러 필터와 평면 상에서 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  26. 제25 항에 있어서,
    상기 색 보강 패턴과 상기 발광층 사이에 배치되는 보조 광 흡수 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  27. 제25 항에 있어서,
    상기 발광층 상에 배치되고, 상기 광 흡수 필터와 평면 상에서 중첩하는 보조 광 흡수 필터 및
    상기 발광층 상에 배치되고, 상기 보조 광 흡수 필터를 커버하는 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  28. 기판 상에 배치되고, 파장대의 광을 흡수하는 광 흡수 필터
    상기 광 흡수 필터 상에 배치되는 색변환 패턴 및
    상기 색변환 패턴 상에 배치되는 발광층을 포함하는 표시 장치.
  29. 제28 항에 있어서, 상기 파장대는 550nm 내지 650nm 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  30. 제28 항에 있어서, 상기 광 흡수 필터는 디피로메텐계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  31. 기판 상에 배치되는 발광층
    상기 발광층 상에 배치되고, 제1 적색 양자점을 포함하는 색변환 패턴 및
    상기 발광층 상에 배치되고, 상기 색변환 패턴과 인접하며, 제2 적색 양자점을 포함하는 색 보강 패턴을 포함하고,
    상기 색변환 패턴에 포함된 상기 제1 적색 양자점의 농도는 상기 색 보강 패턴에 포함된 상기 제2 적색 양자점의 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  32. 제31 항에 있어서,
    상기 색 보강 패턴 상에 배치되고, 파장대의 광을 흡수하는 광 흡수 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  33. 제32 항에 있어서,
    상기 광 흡수 필터 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고,
    상기 광 흡수 필터는 상기 색변환 패턴 및 상기 색 보강 패턴과 평면 상에서 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  34. 제32 항에 있어서,
    상기 색변환 패턴 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하고,
    상기 광 흡수 필터는 평면 상에서 상기 색 보강 패턴과 중첩하고, 상기 컬러 필터와 평면 상에서 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  35. 제34 항에 있어서,
    상기 색 보강 패턴과 상기 광 흡수 필터 사이에 배치되는 저굴절층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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