WO2023199863A1

WO2023199863A1 - 弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2023199863A1
Application number: PCT/JP2023/014389
Authority: WO
Inventors: ▲琢▼真黒▲柳▼; 嘉弘吉村; 清志相川; 貴弘山下; 悠介鈴木
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2022-04-12
Filing date: 2023-04-07
Publication date: 2023-10-19
Anticipated expiration: 2024-10-12
Also published as: US20250007496A1; CN119013895A

Abstract

第１送信フィルタ及び第２送信フィルタの温度上昇による第１送信フィルタ及び第２送信フィルタそれぞれのフィルタ特性の劣化を抑制する。弾性波装置（ＳＴ１）では、第１送信フィルタ（１０）の第１機能面（１１１）と第２送信フィルタ（２０）の第２機能面（２１１）とが所定距離（Ｈ１）隔てて対向配置されている。第１送信フィルタ（１０）は、第１入力端子（１５）に最も近い第１弾性波共振子（１４Ａ）を有する。第２送信フィルタ（２０）は、第２入力端子（２５）に最も近い第２弾性波共振子（２４Ａ）を有する。第１弾性波共振子（１４Ａ）は、第１機能面（１１１）に形成されている第１機能電極（１８Ａ）を有する。第２弾性波共振子（２４Ａ）は、第２機能面（２１１）に形成されている第２機能電極（２８Ａ）を有する。平面視で、第１機能電極（１８Ａ）の形成領域及び第２機能電極（２８Ａ）の形成領域は互いに重ならない。

Description

弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に、弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、第１送信フィルタと第２送信フィルタとを備える弾性波装置、弾性波装置を備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。

　特許文献１には、実装基板と、第１送信用フィルタと、第２送信用フィルタと、パワーアンプと、を備える高周波モジュールが開示されている。

　実装基板は、第１主面及び第２主面を有する。第１の送信用フィルタ及び第２の送信用フィルタは、実装基板の厚さ方向において実装基板の第１主面側から第１の送信用フィルタ、第２の送信用フィルタの順に積層された状態で実装基板の第１主面に設けられている。

国際公開第２０２０／２６１７７７号

　高周波モジュールは、例えば、キャリアアグリゲーションのような同時通信に利用される２つの送信フィルタ（第１送信フィルタ及び第２送信フィルタ）が実装基板の厚さ方向において重なるように配置されている場合、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタの温度上昇によるフィルタ特性の劣化を防ぐ必要がある。

　本発明の目的は、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタの温度上昇による第１送信フィルタ及び第２送信フィルタそれぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能な弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

　本発明の一態様に係る弾性波装置は、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタを備える。前記弾性波装置では、前記第１送信フィルタと前記第２送信フィルタとがスタックされており、前記第１送信フィルタの第１機能面と前記第２送信フィルタの第２機能面とが所定距離隔てて対向配置されている。前記第１送信フィルタは、第１入力端子と、前記第１入力端子に最も近い第１弾性波共振子と、を有する。前記第２送信フィルタは、第２入力端子と、前記第２入力端子に最も近い第２弾性波共振子と、を有する。前記第１弾性波共振子は、前記第１機能面に形成されている第１機能電極を有する。前記第２弾性波共振子は、前記第２機能面に形成されている第２機能電極を有する。前記第２送信フィルタの厚さ方向からの平面視で、前記第１機能電極の形成領域及び前記第２機能電極の形成領域は互いに重ならない。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、上記の弾性波装置と、を備える。前記実装基板は、主面を有する。前記弾性波装置は、前記実装基板の前記主面に配置されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１送信フィルタと、第２送信フィルタと、を備える。前記第１送信フィルタは、前記実装基板に配置されている。前記第２送信フィルタは、前記実装基板と接続された導電性接続部材を介して前記第１送信フィルタ上に配置されている。前記第１送信フィルタは、第１パワーアンプに接続される第１入力端子と、前記第１入力端子に最も近い第１弾性波共振子と、を有する。前記第２送信フィルタは、第２パワーアンプに接続される第２入力端子と、前記第２入力端子に最も近い第２弾性波共振子と、を有する。前記第１弾性波共振子は、第１機能面に形成されている第１機能電極を有する。前記第２弾性波共振子は、第２機能面に形成されている第２機能電極を有する。前記第２送信フィルタは、前記第２送信フィルタの厚さ方向において前記第１送信フィルタに対向配置されている。前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第１機能電極の形成領域及び前記第２機能電極の形成領域は互いに重ならない。

　本発明の一態様に係る通信装置は、上記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。

　本発明の上記態様に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置は、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタの温度上昇による第１送信フィルタ及び第２送信フィルタそれぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。図２Ａは、同上の高周波モジュールにおける第１送信フィルタの回路図である。図２Ｂは、同上の高周波モジュールにおける第２送信フィルタの回路図である。図３は、同上の高周波モジュールの平面図である。図４は、同上の高周波モジュールの他の平面図である。図５は、同上の高周波モジュールを示し、図３のＸ１－Ｘ１線断面図である。図６は、実施形態１に係る弾性波装置における第１送信フィルタの平面図である。図７は、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。図８は、同上の弾性波装置を示し、図６及び図７のＸ２－Ｘ２線断面に対応する断面図である。図９は、実施形態１の変形例１に係る弾性波装置における第１送信フィルタの平面図である。図１０は、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。図１１は、実施形態１の変形例２に係る弾性波装置における第１送信フィルタの平面図である。図１２は、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。図１３は、実施形態１の変形例３に係る弾性波装置における第１送信フィルタの平面図である。図１４は、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。図１５Ａは、実施形態１の変形例４に係る弾性波装置における第１送信フィルタの回路図である。図１５Ｂは、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの回路図である。図１６は、同上の弾性波装置における第１送信フィルタの平面図である。図１７は、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。図１８Ａは、実施形態１の変形例５に係る弾性波装置における第１送信フィルタの回路図である。図１８Ｂは、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの回路図である。図１９は、同上の弾性波装置における第１送信フィルタの平面図である。図２０は、同上の弾性波装置における第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。図２１は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。図２２は、実施形態３に係る高周波モジュールの断面図である。図２３は、実施形態４に係る高周波モジュールの断面図である。図２４は、同上の高周波モジュールにおける第１送信フィルタの上面側から第１送信フィルタの下面を透視した透視図である。図２５は、同上の高周波モジュールにおける第２送信フィルタの上面側から第２送信フィルタの下面を透視した透視図である。

　以下の実施形態１～４等において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１（図５及び８参照）、高周波モジュール１００及び通信装置３００について、図１～８に基づいて説明する。

　（１）概要
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１は、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０を備える。弾性波装置ＳＴ１では、図８に示すように、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とがスタックされている。実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図８に示すように、実装基板９と、弾性波装置ＳＴ１と、を備える。したがって、高周波モジュール１００は、実装基板９と、第１送信フィルタ１０と、第２送信フィルタ２０と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。第１送信フィルタ１０は、実装基板９の主面９１に配置されている。第１送信フィルタ１０は、第１入力端子１５を有する。第１送信フィルタ１０の第１入力端子１５は、第１パワーアンプ１０１（図３参照）に接続される。第２送信フィルタ２０は、第１送信フィルタ１０における実装基板９側とは反対側に位置している。第２送信フィルタ２０は、第２入力端子２５を有する。第２送信フィルタ２０の第２入力端子２５は、第２パワーアンプ１０２（図３参照）に接続される。第１送信フィルタ１０は、第１入力端子１５に最も近い第１弾性波共振子１４Ａを有し、第１通信バンドの周波数帯を含む通過帯域を有する第１弾性波フィルタを含む。第２送信フィルタ２０は、第２入力端子２５に最も近い第２弾性波共振子２４Ａを有し、第２通信バンドの周波数帯を含む通過帯域を有する第２弾性波フィルタを含む。第１通信バンドと第２通信バンドとは同時通信で利用可能な通信バンドである。実装基板９の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａは互いに重ならない。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第２通信バンドは、第１通信バンドとは異なる通信バンドである。

　高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００（図１参照）に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。高周波モジュール１００は、アップリンクで２つの周波数帯域を同時に用いる２アップリンクキャリアアグリゲーションにも対応可能である。

　通信装置３００は、図１に示すように、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１００が実装された回路基板（図示せず）を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　（２）詳細
　以下、高周波モジュール１００及び通信装置３００の回路構成について説明した後で、弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００それぞれの構造について、より詳細に説明する。

　（２．１）高周波モジュールの回路構成
　実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成について、図１を参照して説明する。

　高周波モジュール１００は、例えば、アンテナ３１０から入力された受信信号を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号を増幅してアンテナ３１０に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００の構成要素ではなく、高周波モジュール１００を備える通信装置３００の構成要素である。高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００の備える信号処理回路３０１によって制御される。

　高周波モジュール１００は、複数（例えば、３つ）の送信フィルタ（第１送信フィルタ１０、第２送信フィルタ２０、第３送信フィルタ３０）と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（例えば、２つ）のパワーアンプ（第１パワーアンプ１０１、第２パワーアンプ１０２）と、複数（例えば、２つ）の受信フィルタ（第１受信フィルタ４０、第２受信フィルタ５０）と、複数（例えば、２つ）のローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ１０７、第２ローノイズアンプ１０８）と、第１スイッチ６と、第２スイッチ７と、第３スイッチ８と、複数の外部接続端子Ｔ０と、を備える。複数の外部接続端子Ｔ０は、アンテナ端子Ｔ３と、複数の信号入力端子（第１信号入力端子Ｔ１、第２信号入力端子Ｔ２）と、複数の信号出力端子（第１信号出力端子Ｔ４、第２信号出力端子Ｔ５、第３信号出力端子Ｔ６及び第４信号出力端子Ｔ７）と、複数の外部グランド端子Ｔ８（図５参照）と、を含む。また、高周波モジュール１００は、複数（例えば、２つ）の出力整合回路（第１出力整合回路１０３、第２出力整合回路１０４）と、複数（例えば、２つ）の入力整合回路（第１入力整合回路１０９、第２入力整合回路１１０）と、複数（例えば、２つ）の整合回路（第１整合回路１０５、第２整合回路１０６）と、を備える。

　以下、高周波モジュール１００の回路構成について、より詳細に説明する。

　第１送信フィルタ１０、第２送信フィルタ２０及び第３送信フィルタ３０は、互いに異なる周波数帯域を通過帯域とする送信フィルタである。第１送信フィルタ１０は、第１通信バンドの送信帯域を含む通過帯域を有する。第２送信フィルタ２０は、第１通信バンドとは異なる第２通信バンドの送信帯域を含む通過帯域を有する。第３送信フィルタ３０は、第１通信バンド及び第２通信バンドとは異なる第３通信バンドの送信帯域を含む通過帯域を有する。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ４１である。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ３である。第３通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１である。第１通信バンドは、通信方式としてＴＤＤ（Time Division Duplex）に対応した通信に利用される通信バンドであるが、これに限らず、通信方式としてＦＤＤ（Frequency Division Duplex）に対応した通信に利用される通信バンドであってもよい。第２通信バンドは、通信方式としてＦＤＤに対応した通信に利用される通信バンドであるが、これに限らず、通信方式としてＴＤＤに対応した通信に利用される通信バンドであってもよい。第３通信バンドは、通信方式としてＦＤＤに対応した通信に利用される通信バンドであるが、これに限らず、通信方式としてＴＤＤに対応した通信に利用される通信バンドであってもよい。第１送信フィルタ１０は、第１入力端子１５及び第１出力端子１６を有する（図２Ａ参照）。第２送信フィルタ２０は、第２入力端子２５及び第２出力端子２６を有する（図２Ｂ参照）。第３送信フィルタ３０は、第３入力端子３５及び第３出力端子３６を有する（図３参照）。

　第１受信フィルタ４０及び第２受信フィルタ５０は、互いに異なる周波数帯域を通過帯域とする受信フィルタである。第１受信フィルタ４０は、第２通信バンドの受信帯域を含む通過帯域を有する。第２受信フィルタ５０は、第３通信バンドの受信帯域を含む通過帯域を有する。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ３である。第３通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１である。

　第１パワーアンプ１０１は、入力端子及び出力端子を有する。第１パワーアンプ１０１は、第１パワーアンプ１０１の入力端子に入力された送信信号を電力増幅して第１パワーアンプ１０１の出力端子から出力する。第１パワーアンプ１０１の入力端子は、第１信号入力端子Ｔ１に接続されている。第１信号入力端子Ｔ１は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１００に入力するための端子である。第１パワーアンプ１０１の入力端子は、例えば、第１信号入力端子Ｔ１を介して信号処理回路３０１に接続される。第１パワーアンプ１０１の出力端子は、第１出力整合回路１０３を介して第１送信フィルタ１０の第１入力端子１５に接続されている。

　第２パワーアンプ１０２は、入力端子及び出力端子を有する。第２パワーアンプ１０２は、第２パワーアンプ１０２の入力端子に入力された送信信号を増幅して第２パワーアンプ１０２の出力端子から出力する。第２パワーアンプ１０２の入力端子は、第２信号入力端子Ｔ２に接続されている。第２信号入力端子Ｔ２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１００に入力するための端子である。第２パワーアンプ１０２の入力端子は、例えば、第２信号入力端子Ｔ２を介して信号処理回路３０１に接続される。第２パワーアンプ１０２の出力端子は、第２出力整合回路１０４を介して第２スイッチ７の共通端子７０に接続されており、第２スイッチ７を介して第２送信フィルタ２０及び第３送信フィルタ３０に接続可能となっている。第２パワーアンプ１０２は、第２送信フィルタ２０の通過帯域の高周波信号と、第３送信フィルタ３０の通過帯域の高周波信号とを増幅可能なパワーアンプである。

　第１パワーアンプ１０１及び第２パワーアンプ１０２は、互いに異なるパワークラスに対応している。「パワークラス」とは、最大出力パワー等で定義される端末（通信装置３００）の出力パワーの分類（User Equipment Power Class）であり、「パワークラス」の次に記載されている数字が小さいほど、高い出力パワーに対応することを示す。例えば、パワークラス　１の最大出力パワー（２９ｄＢｍ）は、パワークラス　２の最大出力パワー（２６ｄＢｍ）よりも大きく、パワークラス２の最大出力パワー（２６ｄＢｍ）は、パワークラス　３の最大出力パワー（２３ｄＢｍ）よりも大きい。最大出力パワーの測定は、例えば、３ＧＰＰ等によって規定された方法で行われる。第１パワーアンプ１０１は、第１パワークラス（例えば、パワークラス　３）に対応し、第２パワーアンプ１０２は、第１パワークラスよりも最大出力パワーの大きな第２パワークラス（例えば、パワークラス　２）に対応している。

　高周波モジュール１００は、コントローラを更に備えていてもよい。コントローラは、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号に従って第１パワーアンプ１０１及び第２パワーアンプ１０２を制御する。

　第１出力整合回路１０３は、第１パワーアンプ１０１の出力端子と第１送信フィルタ１０の第１入力端子１５（図２Ａ参照）との間に接続されている。第１出力整合回路１０３は、第１パワーアンプ１０１と第１送信フィルタ１０とのインピーダンス整合をとるための回路であり、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む。第２出力整合回路１０４は、第２パワーアンプ１０２の出力端子と第２スイッチ７の共通端子７０との間に接続されている。第２出力整合回路１０４は、第２パワーアンプ１０２と第２送信フィルタ２０及び第３送信フィルタ３０とのインピーダンス整合をとるための回路であり、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む。

　第１ローノイズアンプ１０７は、入力端子及び出力端子を有する。第１ローノイズアンプ１０７は、第１ローノイズアンプ１０７の入力端子に入力された受信信号を増幅して第１ローノイズアンプ１０７の出力端子から出力する。第１ローノイズアンプ１０７の入力端子は、第１入力整合回路１０９を介して第１受信フィルタ４０に接続されている。第１ローノイズアンプ１０７の出力端子は、第３スイッチ８の第１共通端子８０Ａに接続されている。第１ローノイズアンプ１０７の出力端子は、例えば、第１信号出力端子Ｔ４又は第２信号出力端子Ｔ５を介して信号処理回路３０１に接続される。第１信号出力端子Ｔ４及び第２信号出力端子Ｔ５は、第１ローノイズアンプ１０７からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。

　第２ローノイズアンプ１０８は、入力端子及び出力端子を有する。第２ローノイズアンプ１０８は、第２ローノイズアンプ１０８の入力端子に入力された受信信号を増幅して第２ローノイズアンプ１０８の出力端子から出力する。第２ローノイズアンプ１０８の入力端子は、第２入力整合回路１１０を介して第２受信フィルタ５０に接続されている。第２ローノイズアンプ１０８の出力端子は、第３スイッチ８の第２共通端子８０Ｂに接続されている。第２ローノイズアンプ１０８の出力端子は、例えば、第３信号出力端子Ｔ６又は第４信号出力端子Ｔ７を介して信号処理回路３０１に接続される。第３信号出力端子Ｔ６及び第４信号出力端子Ｔ７は、第２ローノイズアンプ１０８からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。

　第１入力整合回路１０９は、第１ローノイズアンプ１０７と第１受信フィルタ４０とのインピーダンス整合をとるための回路である。第１入力整合回路１０９は、例えば、インダクタＬ９（図３参照）を含む。第２入力整合回路１１０は、第２ローノイズアンプ１０８と第２受信フィルタ５０とのインピーダンス整合をとるための回路である。第２入力整合回路１１０は、例えば、インダクタＬ１０（図３参照）を含む。

　第１スイッチ６は、共通端子６０と、複数（例えば、２つ）の選択端子６１、６２と、を有する。第１スイッチ６では、共通端子６０が、アンテナ端子Ｔ３に接続されている。高周波モジュール１００は、共通端子６０とアンテナ端子Ｔ３とが他の回路素子を介さずに接続される場合に限らず、例えば、ローパスフィルタ及びカプラを介して接続されてもよい。選択端子６１は、第１整合回路１０５を介して第１送信フィルタ１０の第１出力端子１６（図２Ａ参照）に接続されている。選択端子６２は、第２整合回路１０６を介して、第２送信フィルタ２０の第２出力端子２６（図２参照）と第３送信フィルタ３０の第３出力端子３６（図３参照）と第１受信フィルタ４０と第２受信フィルタ５０との接続点に接続されている。第１スイッチ６は、例えば、共通端子６０に複数の選択端子６１、６２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第１スイッチ６は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。

　第１スイッチ６は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ６は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子６０と複数の選択端子６１、６２との接続状態を切り替える。

　第２スイッチ７は、共通端子７０と、複数（例えば、２つ）の選択端子７１、７２と、を有する。第２スイッチ７では、共通端子７０が、第２出力整合回路１０４を介して、第２パワーアンプ１０２の出力端子に接続されている。選択端子７１は、第２送信フィルタ２０の第２入力端子２５（図２Ｂ参照）に接続されている。選択端子７２は、第３送信フィルタ３０の第３入力端子３５（図３参照）に接続されている。第２スイッチ７は、例えば、共通端子７０に複数の選択端子７１、７２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ７は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第２スイッチ７は、例えば、スイッチＩＣである。

　第２スイッチ７は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ７は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子７０と複数の選択端子７１、７２との接続状態を切り替える。

　第３スイッチ８は、第１共通端子８０Ａと、第２共通端子８０Ｂと、第１共通端子８０Ａに接続可能な複数（例えば、２つ）の第１選択端子８１、８２と、第２共通端子８０Ｂに接続可能な複数（例えば、２つ）の第２選択端子８３、８４と、を有する。第３スイッチ８では、第１共通端子８０Ａが第１ローノイズアンプ１０７の出力端子に接続されている。また、第３スイッチ８では、第２共通端子８０Ｂが第２ローノイズアンプ１０８の出力端子に接続されている。また、第３スイッチ８では、第１選択端子８１が第１信号出力端子Ｔ４に接続されている。また、第３スイッチ８では、第１選択端子８２が第２信号出力端子Ｔ５に接続されている。また、第３スイッチ８では、第２選択端子８３が第３信号出力端子Ｔ６に接続されている。また、第３スイッチ８では、第２選択端子８４が第４信号出力端子Ｔ７に接続されている。第３スイッチ８は、例えば、第１共通端子８０Ａと２つの第１選択端子８１，８２のうち一方との接続と、第２共通端子８０Ｂと２つの第２選択端子８３、８４のうち一方との接続と、を同時に行うことが可能なスイッチである。また、第３スイッチ８は、例えば、第１共通端子８０Ａと複数（４つ）の選択端子（第１選択端子８１、８２、第２選択端子８３、８４）のうち１つとの接続のみを行うことも可能なスイッチである。また、第３スイッチ８は、第２共通端子８０Ｂと複数（４つ）の選択端子（第１選択端子８１、８２、第２選択端子８３、８４）のうち１つとの接続のみを行うことも可能なスイッチである。第３スイッチ８は、例えば、スイッチＩＣである。

　第３スイッチ８は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。この場合、第３スイッチ８は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、第１共通端子８０Ａ及び第２共通端子８０Ｂと４つの選択端子（第１選択端子８１、第１選択端子８２、第２選択端子８３及び第２選択端子８４）との接続状態を切り替える。

　（２．２）第１送信フィルタ及び第２送信フィルタの回路構成
　第１送信フィルタ１０は、図２Ａに示すように、複数（図示例では、７つ）の弾性波共振子１４を有する第１弾性波フィルタを含む。第１送信フィルタ１０に含まれる第１弾性波フィルタは、例えば、ラダー型フィルタである。７つの弾性波共振子１４は、４つの直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４と、３つの並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１３と、を含む。４つの直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４は、第１入力端子１５と第１出力端子１６との間の第１信号経路Ｒｕ１（以下、直列腕経路Ｒｕ１ともいう）上に設けられている。４つの直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４は、直列腕経路Ｒｕ１上において、直列に接続されている。第１弾性波フィルタでは、直列腕経路Ｒｕ１上において、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４が、第１入力端子１５側から、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４の順に並んでいる。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕経路Ｒｕ１における直列腕共振子Ｓ１１及び直列腕共振子Ｓ１２間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ１１上に設けられている。並列腕共振子Ｐ１２は、直列腕経路Ｒｕ１における直列腕共振子Ｓ１２及び直列腕共振子Ｓ１３間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ１２に設けられている。並列腕共振子Ｐ１３は、直列腕経路Ｒｕ１における直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ１３上に設けられている。

　複数の弾性波共振子１４は、第１弾性波共振子１４Ａを含む。第１弾性波共振子１４Ａは、複数の弾性波共振子１４において、第１入力端子１５に最も近い弾性波共振子１４である。「第１入力端子１５に最も近い弾性波共振子１４」とは、他の弾性波共振子１４を介さずに第１入力端子１５に接続される弾性波共振子１４である。言い換えれば、「第１入力端子１５に最も近い弾性波共振子１４」とは、物理的な距離に関わらず電気的に第１入力端子１５に最も近い弾性波共振子１４である。第１入力端子１５に最も近い直列腕共振子Ｓ１１と第１入力端子１５に最も近い並列腕共振子Ｐ１１とが存在する場合には、第１入力端子１５に最も近い直列腕共振子Ｓ１１と第１入力端子１５に最も近い並列腕共振子Ｐ１１との少なくとも一方が第１弾性波共振子１４Ａである。また、複数の弾性波共振子１４は、第１送信フィルタ１０の第１出力端子１６に最も近い第３弾性波共振子１４Ｂを含む。

　第２送信フィルタ２０は、図２Ｂに示すように、複数（図示例では、９つ）の弾性波共振子２４を有する第２弾性波フィルタを含む。第２送信フィルタ２０に含まれる第２弾性波フィルタは、例えば、ラダー型フィルタである。９つの弾性波共振子２４は、５つの直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５と、４つの並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４と、を含む。５つの直列腕共振子Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５は、第２入力端子２５と第２出力端子２６との間の第２信号経路Ｒｕ２（以下、直列腕経路Ｒｕ２ともいう）上に設けられている。５つの直列腕共振子Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５は、直列腕経路Ｒｕ２上において、直列に接続されている。第２弾性波フィルタでは、直列腕経路Ｒｕ２上において、直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、直列腕共振子Ｓ２３、直列腕共振子Ｓ２４及び直列腕共振子Ｓ２５が、第２入力端子２５側から、直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、直列腕共振子Ｓ２３、直列腕共振子Ｓ２４及び直列腕共振子Ｓ２５の順に並んでいる。並列腕共振子Ｐ２１は、直列腕経路Ｒｕ２における直列腕共振子Ｓ２１及び直列腕共振子Ｓ２２間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ２１上に設けられている。並列腕共振子Ｐ２２は、直列腕経路Ｒｕ２における直列腕共振子Ｓ２２及び直列腕共振子Ｓ２３間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ２２に設けられている。並列腕共振子Ｐ２３は、直列腕経路Ｒｕ２における直列腕共振子Ｓ２３及び直列腕共振子Ｓ２４間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ２３に設けられている。並列腕共振子Ｐ２４は、直列腕共振子Ｓ２４及び直列腕共振子Ｓ２５間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ２４上に設けられている。

　複数の弾性波共振子２４は、第２弾性波共振子２４Ａを含む。第２弾性波共振子２４Ａは、複数の弾性波共振子２４において、第２入力端子２５に最も近い弾性波共振子２４である。「第２入力端子２５に最も近い弾性波共振子２４」とは、他の弾性波共振子２４を介さずに第２入力端子２５に接続される弾性波共振子２４である。第２入力端子２５に最も近い直列腕共振子Ｓ２１と第２入力端子２５に最も近い並列腕共振子Ｐ２１とが存在する場合には、第２入力端子２５に最も近い直列腕共振子Ｓ２１と第２入力端子２５に最も近い並列腕共振子Ｐ２１との少なくとも一方が第２弾性波共振子２４Ａである。また、複数の弾性波共振子２４は、第２送信フィルタ２０の第２出力端子２６に最も近い第４弾性波共振子２４Ｂを含む。

　（２．３）通信装置の回路構成
　図１に示すように、通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００に接続されている。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通信装置３００のユーザの通話のために使用される。高周波モジュール１００は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。

　（２．４）高周波モジュールの構造
　以下、高周波モジュール１００の構造について、図３～８を参照しながら説明する。

　高周波モジュール１００は、図３及び４に示すように、実装基板９と、第１送信フィルタ１０（図５及び８参照）と、第２送信フィルタ２０と、第３送信フィルタ３０と、を備える。また、高周波モジュール１００は、第１パワーアンプ１０１と、第２パワーアンプ１０２と、を備える。また、高周波モジュール１００は、電子部品１４０を備える。電子部品１４０は、第１受信フィルタ４０（図１参照）と第２受信フィルタ５０（図１参照）とを有する。電子部品１４０は、第１受信フィルタ４０の入力端子と第２受信フィルタ５０の入力端子とが共通接続された共通入力端子１４３と、第１受信フィルタ４０の出力端子１４１と、第２受信フィルタ５０の出力端子１４２と、を有する（図３参照）。また、高周波モジュール１００は、第１出力整合回路１０３（図１参照）と、第２出力整合回路１０４（図１参照）と、第１スイッチ６（図４参照）と、第２スイッチ７（図４及び５参照）と、第３スイッチ８（図４参照）と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子Ｔ０（図１及び５参照）を備える。また、高周波モジュール１００は、図５に示すように、樹脂層１５０（以下、第１樹脂層１５０ともいう）と、金属電極層１６０と、第２樹脂層１７０と、を備える。なお、図３及び４では、第１樹脂層１５０及び金属電極層１６０の図示を省略してある。

　実装基板９は、主面９１を有する。実装基板９の厚さ方向Ｄ０（図５及び８参照）からの平面視で、実装基板９の外縁は四角形状である。実装基板９は、図５及び８に示すように、実装基板９の厚さ方向Ｄ０において互いに対向する主面９１（以下、第１主面９１ともいう）及び第２主面９２を有する。ここにおいて、「対向する」とは物理的ではなく幾何学的に対向することを意味する。また、実装基板９は、外周面９３を有する。実装基板９の外周面９３は、例えば、実装基板９の第１主面９１の外縁と第２主面９２の外縁とをつないでいる４つの側面を含み、第１主面９１及び第２主面９２を含まない。実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ０において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ０に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１００では、複数の外部グランド端子Ｔ８とグランド層とが、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板９は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板は、プリント配線板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

　また、実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板９の第１主面９１であり、第２面が実装基板９の第２主面９２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ０において離れており、実装基板９の厚さ方向Ｄ０に交差する。実装基板９における第１主面９１は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ０に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ０に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９における第２主面９２は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ０に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ０に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。例えば、実装基板９の第１主面９１に凹部が形成されている場合、凹部の内面は、第１主面９１に含まれる。

　高周波モジュール１００では、複数の第１電子部品が、実装基板９の第１主面９１に実装されている。「第１電子部品が、実装基板９の第１主面９１に実装されている」とは、第１電子部品が実装基板９の第１主面９１に配置されていること（機械的に接続されていること）と、第１電子部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。実装基板９の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第１電子部品の各々の外縁は、例えば、四角形状である。複数の第１電子部品は、第１送信フィルタ１０と、第３送信フィルタ３０と、第１パワーアンプ１０１と、第２パワーアンプ１０２と、電子部品１４０と、を含む。第２送信フィルタ２０は、第１送信フィルタ１０上に配置されている。つまり、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とを有する弾性波装置ＳＴ１が、実装基板９の第１主面９１に実装されている。また、複数の第１電子部品は、第１出力整合回路１０３（図１参照）の複数の回路素子（複数のインダクタ及び複数のキャパシタ）と、第２出力整合回路１０４（図１参照）の複数の回路素子（複数のインダクタ及び複数のキャパシタ）と、を含む。また、複数の第１電子部品は、第１入力整合回路１０９（図１参照）のインダクタＬ９と、第２入力整合回路１１０（図１参照）のインダクタＬ１０と、第１整合回路１０５（図１参照）のインダクタＬ５と、第２整合回路１０６（図１参照）のインダクタＬ６と、を含む。なお、図３及び４では、実装基板９の第１主面９１において第１出力整合回路１０３の複数の回路素子が配置されるエリアＡ１０３を一点鎖線で図示してある。第１出力整合回路１０３の複数の回路素子のうち一部の回路素子は、実装基板９に内蔵されていてもよい。また、図３及び４では、実装基板９の第１主面９１において第２出力整合回路１０４の複数の回路素子が配置されるエリアＡ１０４を一点鎖線で図示してある。第２出力整合回路１０４の複数の回路素子のうち一部の回路素子は、実装基板９に内蔵されていてもよい。また、図５では、実装基板９の導体部の図示を省略してある。

　第１送信フィルタ１０は、第１弾性波フィルタを含む。第２送信フィルタ２０は、第２弾性波フィルタを含む。第３送信フィルタ３０は、第３弾性波フィルタを含む。第１弾性波フィルタ、第２弾性波フィルタ及び第３弾性波フィルタの各々は、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。第１パワーアンプ１０１及び第２パワーアンプ１０２の各々は、電力増幅用ＩＣチップである。電力増幅用ＩＣチップは、増幅用トランジスタがＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）の場合、例えばＧａＡｓ系ＩＣチップである。また、電力増幅用ＩＣチップは、例えば、増幅用トランジスタがバイポーラトランジスタ又はＦＥＴ（Field Effect Transistor）の場合、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップである。第１受信フィルタ４０は、第４弾性波フィルタを含む。第２受信フィルタ５０は、第５弾性波フィルタを含む。第４弾性波フィルタ及び第５弾性波フィルタの各々は、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。

　高周波モジュール１００では、複数の第２電子部品が、実装基板９の第２主面９２に実装されている。複数の第２電子部品は、第１スイッチ６と、第２スイッチ７と、第３スイッチ８と、を含む。「第２電子部品が、実装基板９の第２主面９２に実装されている」とは、第２電子部品が実装基板９の第２主面９２に配置されていること（機械的に接続されていること）と、第２電子部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。実装基板９の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第２電子部品の各々の外縁は、例えば、四角形状である。

　第１スイッチ６、第２スイッチ７及び第３スイッチ８の各々は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）を含むＳｉ系ＩＣチップである。

　複数の外部接続端子Ｔ０（図１及び５参照）は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。「外部接続端子Ｔ０が実装基板９の第２主面９２に配置されている」とは、外部接続端子Ｔ０が実装基板９の第２主面９２に機械的に接続されていることと、外部接続端子Ｔ０が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。

　複数の外部接続端子Ｔ０は、アンテナ端子Ｔ３と、第１信号入力端子Ｔ１と、第２信号入力端子Ｔ２と、第１信号出力端子Ｔ４と、第２信号出力端子Ｔ５と、第３信号出力端子Ｔ６と、第４信号出力端子Ｔ７と、複数の外部グランド端子Ｔ８（図５参照）と、を含んでいる。複数の外部グランド端子Ｔ８は、実装基板９のグランド層と電気的に接続されている。グランド層は高周波モジュール１００の回路グランドであり、高周波モジュール１００の複数の第１電子部品は、グランド層と電気的に接続されている電子部品を含む。また、高周波モジュール１００の複数の第２電子部品は、グランド層と電気的に接続されている電子部品を含む。

　複数の外部接続端子Ｔ０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板９の構成要素ではないが、実装基板９の構成要素であってもよい。複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、柱状電極（例えば、円柱状の電極）である。複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板９の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。実装基板９の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、円形状である。

　第１樹脂層１５０は、図５に示すように、実装基板９の第１主面９１に配置されている。第１樹脂層１５０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層１５０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第１樹脂層１５０は、電気絶縁性を有する。

　第１樹脂層１５０は、実装基板９の第１主面９１に配置されている複数の第１電子部品の各々の少なくとも一部を覆っている。第１樹脂層１５０は、第１送信フィルタ１０の外周面１３の少なくとも一部及び第２送信フィルタ２０の外周面２３の少なくとも一部を覆っている。第１送信フィルタ１０の外周面１３は、例えば、第２送信フィルタ２０側の第１主面１１と、第２送信フィルタ２０側とは反対側の第２主面１２とつないでいる４つの側面を含み、第１主面１１及び第２主面１２を含まない。第２送信フィルタ２０の外周面２３は、例えば、第１送信フィルタ１０側の第３主面２１と、第１送信フィルタ１０側とは反対側の第４主面２２とつないでいる４つの側面を含み、第３主面２１及び第４主面２２を含まない。

　第２樹脂層１７０は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。第２樹脂層１７０は、実装基板９の第２主面９２に実装されている複数（例えば、３つ）の第２電子部品それぞれの外周面と、複数の外部接続端子Ｔ０それぞれの外周面と、を覆っている。複数の第２電子部品の各々の外周面は、第２電子部品の４つの側面を含む。第２樹脂層１７０は、３つの第２電子部品それぞれにおける実装基板９側とは反対側の主面を覆っていない。３つの第２電子部品は、上述のように、第１スイッチ６と、第２スイッチ７と、第３スイッチ８と、を含む。第２樹脂層１７０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層１７０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１７０の材料は、第１樹脂層１５０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

　金属電極層１６０は、樹脂層１５０の少なくとも一部を覆っている。金属電極層１６０は、第２送信フィルタ２０における第１送信フィルタ１０側とは反対側の主面である第４主面２２に接している。

　金属電極層１６０は、導電性を有する。高周波モジュール１００では、金属電極層１６０は、高周波モジュール１００の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層１６０は、実装基板９の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、金属電極層１６０の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。金属電極層１６０は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層１６０は、複数の金属層を積層した多層構造を有する場合、例えば、第１金属層（例えば、第１ステンレス鋼層）と、第１金属層上の第２金属層（例えば、Ｃｕ層）と、第２金属層上の第３金属層（例えば、第２ステンレス鋼層）と、を含む。第１ステンレス鋼層及び第２ステンレス鋼層の各々の材料は、ＦｅとＮｉとＣｒとを含む合金である。また、金属電極層１６０は、１つの金属層の場合、例えば、Ｃｕ層である。

　金属電極層１６０は、第１樹脂層１５０における実装基板９側とは反対側の主面１５１と、第１樹脂層１５０の外周面１５３と、実装基板９の外周面９３と、第２樹脂層１７０の外周面１７３と、を覆っている。第２樹脂層１７０における実装基板９側とは反対側の主面１７１は、金属電極層１６０に覆われておらず、露出している。

　以下、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とを有する弾性波装置（スタック構造体）ＳＴ１について図６～８を参照しながら説明する。

　第１送信フィルタ１０は、図６に示すように、第１入力端子１５、第１出力端子１６及び複数（例えば、３つ）のグランド端子１７を有する。第１送信フィルタ１０の第１弾性波フィルタ１０Ａは、図６及び８に示すように、第１基板１２０と、第１基板１２０上に設けられており、複数の弾性波共振子１４それぞれの一部を構成する複数の機能電極１８と、を含む。高周波モジュール１００では、第１弾性波フィルタ１０Ａが表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、複数の機能電極１８の各々は、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極である。したがって、複数の弾性波共振子１４の各々は、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。第１送信フィルタ１０では、実装基板９の厚さ方向Ｄ０に直交する第１方向Ｄ１において、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４が、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４の順に並んでいる。また、第１送信フィルタ１０では、第１方向Ｄ１において、並列腕共振子Ｐ１１、並列腕共振子Ｐ１２及び並列腕共振子Ｐ１３が、並列腕共振子Ｐ１１、並列腕共振子Ｐ１２及び並列腕共振子Ｐ１３の順に並んでいる。また、第１送信フィルタ１０は、第１基板１２０上に配置された複数の反射器１９を含む。複数の反射器１９は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、複数のＩＤＴ電極ごとにＩＤＴ電極に隣り合うように配置されている２つの反射器１９を含む。２つの反射器１９は、隣り合うＩＤＴ電極の有する複数の電極指の並んでいる方向を弾性波伝搬方向とする弾性波を反射する。また、第１送信フィルタ１０は、第１基板１２０上に配置された複数の配線部Ｗ１０を含む。図６では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、断面を表すものではなく、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０と第１基板１２０との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。第１送信フィルタ１０では、複数の機能電極１８のうち、第１弾性波共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１１）の一部を構成する機能電極１８が第１機能電極１８Ａである。

　第１基板１２０は、図８に示すように、圧電体層１２３（以下では、第１圧電体層１２３とも称する）と、高音速部材１２１（以下では、第１高音速部材１２１とも称する）と、を含む。高音速部材１２１は、圧電体層１２３を挟んで機能電極１８とは反対側に位置している高音速支持基板である。高音速部材１２１では、圧電体層１２３を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速部材１２１を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、高音速部材１２１を伝搬するバルク波は、高音速部材１２１を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。また、第１基板１２０は、高音速部材１２１と圧電体層１２３との間に介在している低音速膜１２２（以下では、第１低音速膜１２２ともいう）を更に含む。低音速膜１２２は、圧電体層１２３を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜１２２を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。

　第２送信フィルタ２０の第２弾性波フィルタ２０Ａは、図７及び８に示すように、第２基板２２０と、第２基板２２０上に設けられており、複数の弾性波共振子２４それぞれの一部を構成する複数の機能電極２８と、を含む。高周波モジュール１００では、第２弾性波フィルタ２０Ａが表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、複数の機能電極２８の各々は、ＩＤＴ電極である。したがって、複数の弾性波共振子２４の各々は、ＳＡＷ共振子である。第２送信フィルタ２０では、実装基板９の厚さ方向Ｄ０に直交する第１方向Ｄ１において、直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、直列腕共振子Ｓ２３、直列腕共振子Ｓ２４及び直列腕共振子Ｓ２５が、直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、直列腕共振子Ｓ２３、直列腕共振子Ｓ２４及び直列腕共振子Ｓ２５の順に並んでいる。また、第２送信フィルタ２０では、第１方向Ｄ１において、並列腕共振子Ｐ２１、並列腕共振子Ｐ２２、並列腕共振子Ｐ２３及び並列腕共振子Ｐ２４が、並列腕共振子Ｐ２１、並列腕共振子Ｐ２２、並列腕共振子Ｐ２３及び並列腕共振子Ｐ２４の順に並んでいる。また、第２送信フィルタ２０は、第２基板２２０上に配置された複数の反射器２９を含む。複数の反射器２９は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、複数のＩＤＴ電極ごとにＩＤＴ電極に隣り合うように配置されている２つの反射器２９を含む。２つの反射器２９は、隣り合うＩＤＴ電極の有する複数の電極指の並んでいる方向を弾性波伝搬方向とする弾性波を反射する。また、第２送信フィルタ２０は、第２基板２２０上に配置された複数の配線部Ｗ２０を含む。図７では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、断面を表すものではなく、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０と第２基板２２０との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。第２送信フィルタ２０では、複数の機能電極２８のうち、第２弾性波共振子２４Ａ（直列腕共振子Ｓ２１）の一部を構成する機能電極２８が第２機能電極２８Ａである。

　第２基板２２０は、図８に示すように、圧電体層２２３（以下では、第２圧電体層２２３とも称する）と、高音速部材２２１（以下では、第２高音速部材２２１とも称する）と、を含む。高音速部材２２１は、圧電体層２２３を挟んで機能電極２８とは反対側に位置している高音速支持基板である。高音速部材２２１では、圧電体層２２３を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速部材２２１を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、高音速部材２２１を伝搬するバルク波は、高音速部材２２１を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。また、第２基板２２０は、高音速部材２２１と圧電体層２２３との間に介在している低音速膜２２２（以下では、第２低音速膜２２２ともいう）を更に含む。低音速膜２２２は、圧電体層２２３を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜２２２を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。

　第１圧電体層１２３及び第２圧電体層２２３の各々の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトを含む。

　第１高音速部材１２１及び第２高音速部材２２１の各々の材料は、例えば、シリコンを含む。第１高音速部材１２１及び第２高音速部材２２１の各々の材料は、例えば、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

　第１低音速膜１２２及び第２低音速膜２２２の各々の材料は、例えば、酸化ケイ素を含む。第１低音速膜１２２及び第２低音速膜２２２の各々の材料は、酸化ケイ素に限定されない。第１低音速膜１２２及び第２低音速膜２２２の各々の材料は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。

　弾性波装置ＳＴ１は、図８に示すように、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０との間に介在しているスペーサ部１３０を有する。スペーサ部１３０は、枠状である。弾性波装置ＳＴ１は、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とスペーサ部１３０とで囲まれた中空空間１３１を有する。スペーサ部１３０の材料は、例えば、金属及びはんだの少なくとも一方を含む。なお、スペーサ部１３０の材料は、樹脂であってもよい。

　第１送信フィルタ１０では、図８に示すように、第１機能電極１８Ａのほうが第１基板１２０よりも第２送信フィルタ２０側に位置している。第２送信フィルタ２０では、第２機能電極２８Ａのほうが第２基板２２０よりも第１送信フィルタ１０側に位置している。

　第１送信フィルタ１０では、第１基板１２０は、第１主面１２０１及び第２主面１２０２を有する。第１送信フィルタ１０では、複数の機能電極１８は、第１基板１２０の第１主面１２０１に配置されている。第１送信フィルタ１０では、第１基板１２０の第１主面１２０１が、第１機能面１１１を構成している。第１機能面１１１は、第１送信フィルタ１０において、第１機能電極１８Ａが形成されている面である。第１送信フィルタ１０では、第１入力端子１５、第１出力端子１６及び複数（例えば、３つ）のグランド端子１７は、第１基板１２０の第２主面１２０２に配置されている。第１入力端子１５、第１出力端子１６及び複数のグランド端子１７の各々は、例えば、導電性バンプである。導電性バンプの材料は、例えば、はんだを含む。第１送信フィルタ１０は、第１基板１２０の第２主面１２０２上に配置されたレジスト層１２８を更に有する。レジスト層１２８は、複数の導電性バンプそれぞれを露出させる複数の開口を有する。レジスト層１２８は、電気絶縁性を有する。レジスト層１２８の材料は、例えば、ポリイミドを含む。また、第１送信フィルタ１０は、第２送信フィルタ２０の第２入力端子２５に接続される接続端子１２５と、第２送信フィルタ２０の第２出力端子２６に接続される接続端子１２６と、を有する。また、第１送信フィルタ１０の複数（例えば、３つ）のグランド端子１７には、第２送信フィルタ２０の複数（例えば、２つ）のグランド端子２７が接続される。以下では、説明の便宜上、３つのグランド端子１７を区別するために、３つのグランド端子１７を、それぞれ、グランド端子１７Ａ、グランド端子１７Ｂ及びグランド端子１７Ｃと称することもある。また、２つのグランド端子２７を区別するために、２つのグランド端子２７を、それぞれ、グランド端子２７Ａ、グランド端子２７Ｂと称することもある。

　第１送信フィルタ１０は、第１基板１２０の厚さ方向に貫通している複数のビア導体Ｖ０を有する。複数のビア導体Ｖ０の各々は、例えば、シード層Ｖ０１と、めっき部Ｖ０２と、を含む。第１基板１２０の高音速部材１２１がシリコン基板の場合には、複数のビア導体Ｖ０と高音速部材１２１との間には、電気絶縁膜１２４が介在しているのが好ましい。電気絶縁膜１２４の材料は、例えば、酸化ケイ素を含む。複数のビア導体Ｖ０は、第１入力端子１５に接続されている第１入力ビア導体Ｖ１５と、第１出力端子１６（図６参照）に接続されている第１出力ビア導体と、複数のグランド端子１７（図６参照）に接続されている複数のグランドビア導体と、接続端子１２５に接続されている第２入力ビア導体Ｖ１２５と、接続端子１２６（図６参照）に接続されている第２出力ビア導体と、を含む。

　また、第１送信フィルタ１０では、複数の配線部Ｗ１０は、第１基板１２０の第１主面１２０１上に配置されている。複数の配線部Ｗ１０は、図６に示すように、第１配線部Ｗ１１と、第２配線部Ｗ１２と、第３配線部Ｗ１３と、第４配線部Ｗ１４と、第５配線部Ｗ１５と、第６配線部Ｗ１６と、第７配線部Ｗ１７と、を含む。第１配線部Ｗ１１は、直列腕共振子Ｓ１１と第１入力端子１５との間で直列腕共振子Ｓ１１及び第１入力ビア導体Ｖ１５に接続されている。第２配線部Ｗ１２は、直列腕共振子Ｓ１４と第１出力端子１６との間で直列腕共振子Ｓ１４及び第１出力ビア導体に接続されている。第３配線部Ｗ１３は、並列腕共振子Ｐ１１とグランド端子１７Ａとの間で並列腕共振子Ｐ１１及びグランドビア導体に接続されている。第４配線部Ｗ１４は、並列腕共振子Ｐ１２とグランド端子１７Ｂとの間で並列腕共振子Ｐ１２及びグランドビア導体に接続されている。第５配線部Ｗ１５は、並列腕共振子Ｐ１３とグランド端子１７Ｃとの間で並列腕共振子Ｐ１３及びグランドビア導体に接続されている。第６配線部Ｗ１６は、第２入力ビア導体Ｖ１２５を介して接続端子１２５に接続されている。第７配線部Ｗ１７は、第２出力ビア導体を介して接続端子１２６に接続されている。第１配線部Ｗ１１及び第２配線部Ｗ１２は、信号経路Ｒｕ１（図２Ａ参照）の一部を構成している。第３配線部Ｗ１３は、経路Ｒｕ１１（図２Ａ参照）の一部を構成している。第４配線部Ｗ１４は、経路Ｒｕ１２（図２Ａ参照）の一部を構成している。第５配線部Ｗ１５は、経路Ｒｕ１３（図２Ａ参照）の一部を構成している。

　図８に示すように、第２送信フィルタ２０では、第２基板２２０は、第３主面２２０１及び第４主面２２０２を有する。第２送信フィルタ２０では、複数の機能電極２８は、第２基板２２０の第３主面２２０１に配置されている。第２送信フィルタ２０では、第２基板２２０の第３主面２２０１が、第２機能面２１１を構成している。第２機能面２１１は、第２送信フィルタ２０において、第２機能電極２８Ａが形成されている面である。第２送信フィルタ２０では、第２入力端子２５、第２出力端子２６及び複数（例えば、２つ）のグランド端子２７は、第２基板２２０の第３主面２２０１に配置されている。

　また、第２送信フィルタ２０では、複数の配線部Ｗ２０は、第２基板２２０の第３主面２２０１上に配置されている。複数の配線部Ｗ２０は、図７に示すように、第１配線部Ｗ２１と、第２配線部Ｗ２２と、第３配線部Ｗ２３と、第４配線部Ｗ２４と、を含む。第１配線部Ｗ２１は、直列腕共振子Ｓ２１と第２入力端子２５とに接続されている。第２配線部Ｗ２２は、直列腕共振子Ｓ２５と第２出力端子２６とに接続されている。第３配線部Ｗ２３は、並列腕共振子Ｐ２１、並列腕共振子Ｐ２２及び並列腕共振子Ｐ２３とグランド端子２７Ａとに接続されている。第４配線部Ｗ２４は、並列腕共振子Ｐ２４とグランド端子２７Ｂとに接続されている。第１配線部Ｗ２１及び第２配線部Ｗ２２は、信号経路Ｒｕ２（図２Ｂ参照）の一部を構成している。第３配線部Ｗ２３は、経路Ｒｕ２１～Ｒｕ２３（図２Ｂ参照）それぞれの一部を構成している。第４配線部Ｗ２４は、経路Ｒｕ２４（図２Ｂ参照）の一部を構成している。

　また、弾性波装置ＳＴ１は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３において第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０との間に介在している複数の接続導体部を有する。第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３は、第２基板２２０の厚さ方向である。複数の接続導体部は、第１接続導体部Ｒ１と、第２接続導体部と、第３接続導体部と、第４接続導体部と、を含む。第１接続導体部Ｒ１は、第２送信フィルタ２０の第２入力端子２５と第１送信フィルタ１０の第６配線部Ｗ１６とを接続している。第２接続導体部は、第２送信フィルタ２０の第２出力端子２６（図７参照）と第１送信フィルタ１０の第７配線部Ｗ１７（図６参照）とを接続している。第３接続導体部（グランド導体部）は、第２送信フィルタ２０のグランド端子２７Ａ（図７参照）と第１送信フィルタ１０の第３配線部Ｗ１３（図６参照）とを接続している。第４接続導体部（グランド導体部）は、第２送信フィルタ２０のグランド端子２７Ｂ（図７参照）と第５配線部Ｗ１５（図６参照）とを接続している。弾性波装置ＳＴ１を備える高周波モジュール１００では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３と実装基板９の厚さ方向Ｄ０とが平行である。第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３と実装基板９の厚さ方向Ｄ０とは、平行であるが、厳密に平行である場合に限らず、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３と実装基板９の厚さ方向Ｄ０とのなす角度が１０°以下であればよい。

　弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。「第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない」とは、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１弾性波共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１１）の第１機能電極１８Ａの形成領域１１２と第２弾性波共振子２４Ａ（直列腕共振子Ｓ２１）の第２機能電極２８Ａの形成領域２１２とが完全に重ならない、つまり一部同士も重ならないことを意味する。したがって、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１では、第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａの形成領域１１２と第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａの形成領域２１２とが完全に重ならない。第１機能電極１８Ａの形成領域１１２は、第１機能面１１１において第１機能電極１８Ａが形成されている領域を含み、第１機能面１１１において第１機能電極１８Ａに隣接する２つの反射器１９それぞれが形成されている領域を含まず、第１機能電極１８Ａに接続されている配線部Ｗ１０の形成領域を含まない。第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は、第２機能面２１１において第２機能電極２８Ａが形成されている領域を含み、第２機能面２１１において第２機能電極２８Ａに隣接する２つの反射器２９それぞれが形成されている領域を含まず、第２機能電極２８Ａに接続されている配線部Ｗ２０の形成領域を含まない。実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１では、第１機能電極１８Ａは、ＩＤＴ電極であり、図６に示すように、第１バスバー１８３と、第２バスバー１８４と、複数の第１電極指１８１と、複数の第２電極指１８２と、を有する。第１機能電極１８Ａを構成するＩＤＴ電極では、第１バスバー１８３と第２バスバー１８４とは、第１方向Ｄ１において対向し合っている。第１バスバー１８３及び第２バスバー１８４は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状である。複数の第１電極指１８１は、第１バスバー１８３に接続されており、第１方向Ｄ１において第１バスバー１８３から第２バスバー１８４側に延びている。複数の第２電極指１８２は、第２バスバー１８４に接続されており、第１方向Ｄ１において第２バスバー１８４から第１バスバー１８３側に延びている。第１機能電極１８Ａを構成するＩＤＴ電極では、複数の第１電極指１８１と複数の第２電極指１８２とが、第２方向Ｄ２において、例えば、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１では、第２機能電極２８Ａは、ＩＤＴ電極であり、図７に示すように、第１バスバー２８３と、第２バスバー２８４と、複数の第１電極指２８１と、複数の第２電極指２８２と、を有する。第２機能電極２８Ａを構成するＩＤＴ電極では、第１バスバー２８３と第２バスバー２８４とは、第１方向Ｄ１において対向し合っている。第１バスバー２８３及び第２バスバー２８４は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状である。複数の第１電極指２８１は、第１バスバー２８３に接続されており、第１方向Ｄ１において第１バスバー２８３から第２バスバー２８４側に延びている。複数の第２電極指２８２は、第２バスバー２８４に接続されており、第１方向Ｄ１において第２バスバー２８４から第１バスバー２８３側に延びている。第２機能電極２８Ａを構成するＩＤＴ電極では、複数の第１電極指２８１と複数の第２電極指２８２とが、第２方向Ｄ２において、例えば、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。

　また、弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１送信フィルタ１０の第１弾性波共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１１）は、第２送信フィルタ２０の第２弾性波共振子２４Ａ（直列腕共振子Ｓ２１）以外のいずれの弾性波共振子２４とも重ならない。

　また、弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第２送信フィルタ２０の第２弾性波共振子２４Ａ（直列腕共振子Ｓ２１）は、第１送信フィルタ１０の第１弾性波共振子１４Ａ以外の１つの弾性波共振子１４（直列腕共振子Ｓ１２）と重なる。第２弾性波共振子２４Ａ（直列腕共振子Ｓ２１）は、第１弾性波共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１１）以外の１つの弾性波共振子１４に限らず、２つ以上の弾性波共振子１４と重なってもよい。

　弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第３弾性波共振子１４Ｂ及び第４弾性波共振子２４Ｂは互いに重なる。弾性波装置ＳＴ１では、第３弾性波共振子１４Ｂの一部と第４弾性波共振子２４Ｂの一部とが重なるが、これに限らず、第３弾性波共振子１４Ｂの一部が第４弾性波共振子２４Ｂの全部に重なってもよいし、第３弾性波共振子１４Ｂの全部が第４弾性波共振子２４Ｂの一部に重なってもよいし、第３弾性波共振子１４Ｂの全部が第４弾性波共振子２４Ｂの全部に重なってもよい。

　（２．５）通信装置の構造
　通信装置３００は、上述のように、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１を構成する複数の電子部品は、例えば、上述の回路基板に実装されていてもよいし、高周波モジュール１００が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。

　（３）効果
　（３．１）弾性波装置
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１は、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０を備える。弾性波装置ＳＴ１では、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とがスタックされており、第１送信フィルタ１０の第１機能面１１１と第２送信フィルタ２０の第２機能面２１１とが所定距離Ｈ１隔てて対向配置されている。第１送信フィルタ１０は、第１入力端子１５と、第１入力端子１５に最も近い第１弾性波共振子１４Ａと、を有する。第２送信フィルタ２０は、第２入力端子２５と、第２入力端子２５に最も近い第２弾性波共振子２４Ａと、を有する。第１弾性波共振子１４Ａは、第１機能面１１１に形成されている第１機能電極１８Ａを有する。第２弾性波共振子２４Ａは、第２機能面２１１に形成されている第２機能電極２８Ａを有する。第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。

　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１によれば、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタの温度上昇による第１送信フィルタ及び第２送信フィルタそれぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。送信フィルタでは、入力端子に最も近い第１弾性波共振子が他の弾性波共振子よりも発熱しやすい。２つの送信フィルタ（第１送信フィルタ及び第２送信フィルタ）を備え、２つの送信フィルタがスタックされており、第１送信フィルタにおいて入力端子に近い機能電極の形成領域と、第２送信フィルタにおいて入力端子に近い機能電極の形成領域とが重なるように配置されている比較例に係る弾性波装置では、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタにおいて互いに熱の影響を受け、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタそれぞれにおいて入力端子に近い弾性波共振子の温度上昇によりフィルタ特性が劣化する可能性が高くなる。これに対して、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａの形成領域２１２が互いに重ならないので、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａそれぞれの温度上昇を抑制することが可能となる。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１は、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれの耐電力の低下を抑制することが可能となるとともに、温度上昇によるフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第２送信フィルタ２０の第２弾性波共振子２４Ａは、第１送信フィルタ１０の複数の弾性波共振子１４のうち第１弾性波共振子１４Ａ以外の少なくとも１つの弾性波共振子１４と重なる。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１は、第２送信フィルタ２０のサイズアップを抑制することが可能となる。

　また、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第３弾性波共振子１４Ｂ及び第４弾性波共振子２４Ｂは互いに重なる。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１は、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０のサイズアップを抑制することが可能となる。

　（３．２）高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９と、弾性波装置ＳＴ１と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。弾性波装置ＳＴ１は、実装基板９の主面９１に配置されている。実施形態１に係る高周波モジュール１００によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、樹脂層１５０と、金属電極層１６０と、を更に備える。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、金属電極層１６０は、第２送信フィルタ２０における第１送信フィルタ１０側とは反対側の主面（第４主面２２）に接している。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、放熱性を向上させることが可能となる。よって、高周波モジュール１００によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　（３．３）通信装置
　実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００に接続されている。

　実施形態１に係る通信装置３００によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備えるので、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０を利用する同時通信時の第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の低下を抑制することが可能となる。

　（４）変形例
　（４．１）変形例１
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１（図８参照）の変形例１では、図８における弾性波装置ＳＴ１における第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の代わりに、図９に示す第１送信フィルタ１０と、図１０に示す第２送信フィルタ２０とがスタックされている。図９に示す第１送信フィルタ１０は、図６に示す第１送信フィルタ１０とは、第１入力端子１５と接続端子１２５との位置が逆であり、第１出力端子１６と接続端子１２６との位置が異なり、複数の直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４及び複数の並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１３のレイアウトが異なる。図１０に示す第２送信フィルタ２０は、図７に示す第２送信フィルタ２０とは、第２入力端子２５及び第２出力端子２６の位置が異なり、複数の直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５及び複数の並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４のレイアウトが異なる。図９では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図６と同様、断面を表すものではない。また、図１０では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図７と同様、断面を表すものではない。また、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例１では、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様の構成要素には同一の符号を付してある。

　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例１においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例１によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（４．２）変形例２
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１（図８参照）の変形例２では、図８における弾性波装置ＳＴ１における第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の代わりに、図１１に示す第１送信フィルタ１０と、図１２に示す第２送信フィルタ２０とがスタックされている。

　変形例２では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３（図８参照）からの平面視で、第１送信フィルタ１０の直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、並列腕共振子Ｐ１１及び並列腕共振子Ｐ１２が、第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、並列腕共振子Ｐ２１及び並列腕共振子Ｐ２２のいずれとも重ならない。第１送信フィルタ１０の直列腕共振子Ｓ１１は、複数の直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４のうち第１入力端子１５に最も近い弾性波共振子１４である。第１送信フィルタ１０の直列腕共振子Ｓ１２は、複数の直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４のうち第１入力端子１５に２番目に近い弾性波共振子１４である。また、第１送信フィルタ１０の並列腕共振子Ｐ１１は、複数の並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１３のうち第１入力端子１５に最も近い弾性波共振子１４である。また、第１送信フィルタ１０の並列腕共振子Ｐ１２は、複数の並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１３のうち第１入力端子１５に２番目に近い弾性波共振子１４である。図１１では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図６と同様、断面を表すものではない。また、変形例２では、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様の構成要素には同一の符号を付してある。

　第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２１は、複数の直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５のうち第２入力端子２５に最も近い弾性波共振子２４である。第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２２は、複数の直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５のうち第２入力端子２５に２番目に近い弾性波共振子２４である。また、第２送信フィルタ２０の並列腕共振子Ｐ２１は、複数の並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４のうち第２入力端子２５に最も近い弾性波共振子２４である。また、第２送信フィルタ２０の並列腕共振子Ｐ２２は、複数の並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４のうち第２入力端子２５に２番目に近い弾性波共振子２４である。図１２では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図７と同様、断面を表すものではない。

　第１送信フィルタ１０では、複数の直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４のうち第１入力端子１５に最も近い直列腕共振子Ｓ１１が発熱しやすく、直列腕共振子Ｓ１１の次に直列腕共振子Ｓ１２が発熱しやすい。また、第１送信フィルタ１０では、複数の並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１３のうち第１入力端子１５に最も近い並列腕共振子Ｐ１１が発熱しやすく、並列腕共振子Ｐ１１の次に並列腕共振子Ｐ１２が発熱しやすい。第２送信フィルタ２０では、複数の直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５のうち第２入力端子２５に最も近い直列腕共振子Ｓ２１が発熱しやすく、直列腕共振子Ｓ２１の次に直列腕共振子Ｓ２２が発熱しやすい。また、第２送信フィルタ２０では、複数の並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４のうち第２入力端子２５に最も近い並列腕共振子Ｐ２１が発熱しやすく、並列腕共振子Ｐ２１の次に並列腕共振子Ｐ２２が発熱しやすい。

　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例２においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例２によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、変形例２では、上述のように、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３（図８参照）からの平面視で、第１送信フィルタ１０の直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、並列腕共振子Ｐ１１及び並列腕共振子Ｐ１２が、第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、並列腕共振子Ｐ２１及び並列腕共振子Ｐ２２のいずれとも重ならない。これにより、変形例２では、同時通信時の第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の放熱性を更に向上させることが可能となる。

　また、変形例２では、第１送信フィルタ１０の複数の弾性波共振子１４は、第１送信フィルタ１０の第１出力端子１６に最も近い第３弾性波共振子１４Ｂを含む。変形例２では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第２弾性波共振子２４Ａと第３弾性波共振子１４Ｂとが重なる。これにより、変形例２では、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０のサイズアップを抑制することが可能となる。

　（４．３）変形例３
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１（図８参照）の変形例３では、図８における弾性波装置ＳＴ１における第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の代わりに、図１３に示す第１送信フィルタ１０と、図１４に示す第２送信フィルタ２０とがスタックされている。変形例３では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３（図８参照）からの平面視で、第３弾性波共振子１４Ｂ及び第４弾性波共振子２４Ｂは互いに重なる。変形例３では、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と比べて、送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第３弾性波共振子１４Ｂにおいて第４弾性波共振子２４Ｂと重なるエリアが広く、第４弾性波共振子２４Ｂにおいて第３弾性波共振子１４Ｂと重なるエリアが広い。実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１では、第３弾性波共振子１４ＢのＩＤＴ電極（機能電極１８）の交差領域と第４弾性波共振子２４ＢのＩＤＴ電極（機能電極２８）の交差領域とが重なっていないのに対して、変形例３では、第３弾性波共振子１４ＢのＩＤＴ電極の交差領域と第４弾性波共振子２４ＢのＩＤＴ電極の交差領域とが重なっている。ＩＤＴ電極（機能電極１８）の交差領域とは、ＩＤＴ電極の有する複数の第１電極指１８１と複数の第２電極指１８２とで規定される。ＩＤＴ電極（機能電極１８）の交差領域は、複数の第１電極指１８１の先端の包絡線と複数の第２電極指１８２の先端の包絡線との間の領域である。ＩＤＴ電極（機能電極２８）の交差領域とは、ＩＤＴ電極の有する複数の第１電極指２８１と複数の第２電極指２８２とで規定される。ＩＤＴ電極（機能電極２８）の交差領域は、複数の第１電極指２８１の先端の包絡線と複数の第２電極指２８２の先端の包絡線との間の領域である。図１３では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図６と同様、断面を表すものではない。また、図１４では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図７と同様、断面を表すものではない。また、変形例３では、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様の構成要素には同一の符号を付してある。

　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例３においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例３によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（４．４）変形例４
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１（図８参照）の変形例４では、図１５Ａに示すように、第１送信フィルタ１０の有する複数の弾性波共振子１４が、２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２と、１つの直列腕共振子Ｓ１１と、１つの並列腕共振子Ｐ１１と、を含む点で、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と相違する。変形例４では、複数の弾性波共振子１４のうち縦結合型共振子ＤＭＳ１が、第１弾性波共振子１４Ａを構成している。また、変形例４では、複数の弾性波共振子１４のうち直列腕共振子Ｓ１１が、第３弾性波共振子１４Ｂを構成している。図１５Ｂに示すように、第２送信フィルタ２０は、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様、複数（例えば、９つ）の弾性波共振子２４を有する。

　第１送信フィルタ１０は、複数（図示例では、４つ）の弾性波共振子１４を有する第１弾性波フィルタを含む。４つの弾性波共振子１４は、２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２と、１つの直列腕共振子Ｓ１１と、１つの並列腕共振子Ｐ１１と、を含む。２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２及び１つの直列腕共振子Ｓ１１は、第１入力端子１５と第１出力端子１６との間の信号経路Ｒｕ１（以下、直列腕経路Ｒｕ１ともいう）上に設けられている。２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２及び１つの直列腕共振子Ｓ１１は、直列腕経路Ｒｕ１上において、直列に接続されている。第１弾性波フィルタでは、直列腕経路Ｒｕ１上において、縦結合型共振子ＤＭＳ１、縦結合型共振子ＤＭＳ２及び１つの直列腕共振子Ｓ１１が、第１入力端子１５側から、縦結合型共振子ＤＭＳ１、縦結合型共振子ＤＭＳ２及び１つの直列腕共振子Ｓ１１の順に並んでいる。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕経路Ｒｕ１における縦結合型共振子ＤＭＳ２及び直列腕共振子Ｓ１１間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ１１上に設けられている。

　変形例４では、図８における弾性波装置ＳＴ１における第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の代わりに、図１６に示す第１送信フィルタ１０と、図１７に示す第２送信フィルタ２０とがスタックされている。

　第１送信フィルタ１０における縦結合型共振子ＤＭＳ１は、第２方向Ｄ２において離れている２つの反射器１９の間に配置されている３つの機能電極１８を含む。縦結合型共振子ＤＭＳ１における３つの機能電極１８の各々は、ＩＤＴ電極である。また、縦結合型共振子ＤＭＳ２は、第２方向Ｄ２において離れている２つの反射器１９の間に配置されている３つの機能電極１８を含む。縦結合型共振子ＤＭＳ２における３つの機能電極１８の各々は、ＩＤＴ電極である。図１６では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図６と同様、断面を表すものではない。また、変形例４では、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様の構成要素には同一の符号を付してある。

　第２送信フィルタ２０は、図１７に示すように、第２基板２２０の１つの対角線の方向において第２入力端子２５と第２出力端子２６とが離れており、図７に示した第２送信フィルタ２０とは複数の直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５、複数の並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４及び複数のグランド端子２７等のレイアウトが相違する。図１７では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図７と同様、断面を表すものではない。

　変形例４では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３（図８参照）からの平面視で、第１送信フィルタ１０の第１弾性波共振子１４Ａと第２送信フィルタ２０の第２弾性波共振子２４Ａとが重ならない。つまり、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例４においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例４によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、変形例４では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２１（第２弾性波共振子２４Ａ）、並列腕共振子Ｐ２１及び直列腕共振子Ｓ２２が、第１送信フィルタ１０の縦結合型共振子ＤＭＳ１（第１弾性波共振子１４Ａ）に重ならない。これにより、変形例４では、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　（４．５）変形例５
　実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例５では、図１８Ａに示すように、第１送信フィルタ１０の有する複数の弾性波共振子１４が、２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２と、１つの直列腕共振子Ｓ１１と、１つの並列腕共振子Ｐ１１と、を含む点で、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と相違する。変形例５では、複数の弾性波共振子１４のうち２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２が、第１弾性波共振子１４Ａを構成している。また、変形例５では、複数の弾性波共振子１４のうち直列腕共振子Ｓ１１が、第３弾性波共振子１４Ｂを構成している。図１８Ｂに示すように、第２送信フィルタ２０は、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様、複数の弾性波共振子２４を有する。

　第１送信フィルタ１０は、複数（図示例では、４つ）の弾性波共振子１４を有する第１弾性波フィルタを含む。４つの弾性波共振子１４は、２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２と、１つの直列腕共振子Ｓ１１と、１つの並列腕共振子Ｐ１１と、を含む。２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２の並列回路が、第１入力端子１５と直列腕共振子Ｓ１１とに接続されている。第１弾性波フィルタでは、直列腕経路Ｒｕ１上において、２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２の並列回路及び１つの直列腕共振子Ｓ１１が、第１入力端子１５側から、２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２の並列回路及び１つの直列腕共振子Ｓ１１の順に並んでいる。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕経路Ｒｕ１における２つの縦結合型共振子ＤＭＳ１、ＤＭＳ２の並列回路及び直列腕共振子Ｓ１１間の経路と、グランドと、の間の経路Ｒｕ１１上に設けられている。

　変形例５では、図８における弾性波装置ＳＴ１における第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の代わりに、図１９に示す第１送信フィルタ１０と、図２０に示す第２送信フィルタ２０とがスタックされている。

　第１送信フィルタ１０における縦結合型共振子ＤＭＳ１は、第２方向Ｄ２において離れている２つの反射器１９の間に配置されている３つの機能電極１８を含む。縦結合型共振子ＤＭＳ１における３つの機能電極１８の各々は、ＩＤＴ電極である。また、縦結合型共振子ＤＭＳ２は、第２方向Ｄ２において離れている２つの反射器１９の間に配置されている３つの機能電極１８を含む。縦結合型共振子ＤＭＳ２における３つの機能電極１８の各々は、ＩＤＴ電極である。図１９では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図６と同様、断面を表すものではない。また、変形例５では、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と同様の構成要素には同一の符号を付してある。

　第２送信フィルタ２０は、図２０に示すように、第２基板２２０の１つの対角線の方向において第２入力端子２５と第２出力端子２６とが離れており、図７に示した第２送信フィルタ２０とは複数の直列腕共振子Ｓ２１～Ｓ２５、複数の並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２４及び複数のグランド端子２７等のレイアウトが相違する。図２０では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図７と同様、断面を表すものではない。

　変形例５では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第１送信フィルタ１０の第１弾性波共振子１４Ａと第２送信フィルタ２０の第２弾性波共振子２４Ａとが重ならない。つまり、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例５においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。これにより、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１の変形例５によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、変形例５では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２１（第２弾性波共振子２４Ａ）、並列腕共振子Ｐ２１及び直列腕共振子Ｓ２２が、第１送信フィルタ１０の縦結合型共振子ＤＭＳ１（第１弾性波共振子１４Ａ）及び縦結合型共振子ＤＭＳ２（第１弾性波共振子１４Ａ）に重ならない。これにより、変形例５では、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　（４．６）実施形態１のその他の変形例
　第１送信フィルタ１０における第１基板１２０（図８参照）は、例えば、高音速部材１２１の代わりに、第１支持基板と、第１支持基板と低音速膜１２２との間に介在する第１高音速膜と、を有する構成であってもよい。第１高音速膜は、圧電体層１２３を伝搬する弾性波の音速よりも、第１高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。また、第２送信フィルタ２０における第２基板２２０（図８参照）は、例えば、高音速部材２２１の代わりに、第２支持基板と、第２支持基板と低音速膜２２２との間に介在する第２高音速膜と、を有する構成であってもよい。第２高音速膜は、圧電体層２２３を伝搬する弾性波の音速よりも、第２高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。第１高音速膜及び第２高音速膜の各々の材料は、例えば、窒化ケイ素であるが、窒化ケイ素に限定されず、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料であってもよい。

　また、第１基板１２０は、例えば、低音速膜１２２と圧電体層１２３との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、第１基板１２０は、低音速膜１２２と圧電体層１２３との間、圧電体層１２３上、又は低音速膜１２２下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。また、第２基板２２０は、例えば、低音速膜２２２と圧電体層２２３との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、第２基板２２０は、低音速膜２２２と圧電体層２２３との間、圧電体層２２３上、又は低音速膜２２２下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。また、第１送信フィルタ１０は、圧電体層１２３上に設けられて複数の機能電極１８及び複数の反射器１９を覆っている第１保護膜を更に備えていてもよい。第１保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。また、第２送信フィルタ２０は、圧電体層２２３上に設けられて複数の機能電極２８及び複数の反射器２９を覆っている第２保護膜を更に備えていてもよい。第２保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。

　また、第１送信フィルタ１０では、第１基板１２０は、高音速部材１２１と低音速膜１２２と圧電体層１２３とを含む積層型基板の代わりに、圧電基板を含んでもよい。圧電基板は、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。また、第２送信フィルタ２０では、第２基板２２０は、高音速部材２２１と低音速膜２２２と圧電体層２２３とを含む積層型基板の代わりに、圧電基板を含んでもよい。圧電基板は、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。

　（実施形態２）
　実施形態２に係る弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００ａについて、図２１を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　（１）構成
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、弾性波装置ＳＴ１がシールド電極１３５を更に備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。高周波モジュール１００ａにおける弾性波装置ＳＴ１では、シールド電極１３５は、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とスペーサ部１３０とで囲まれた中空空間１３１に配置されている。シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３において第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０との間に配置されており、第２機能電極２８Ａに重なる。実装基板９は、シールド電極１３５が接続されているグランド電極９５を更に有する。

　シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３において第２送信フィルタ２０から離れている第１シールド部１３５１と、第２送信フィルタ２０と第１シールド部１３５１とをつないでいる第２シールド部１３５２と、を有する。第１シールド部１３５１と第２シールド部１３５２とは一体である。シールド電極１３５の材料は、金属を含む。高周波モジュール１００ａでは、弾性波装置ＳＴ１が、シールド電極１３５と第２基板２２０の第３主面２２０１及び第２機能電極２８Ａとの間に形成された空洞１３８を有する。シールド電極１３５と第２基板２２０の第３主面２２０１及び第２機能電極２８Ａとの間の空洞１３８は、例えば、犠牲層エッチング技術を利用して形成することができる。

　（２）効果
　実施形態２に係る弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａは互いに重ならない。つまり、実施形態２に係る弾性波装置ＳＴ１においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２（図６参照）及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２（図７参照）は互いに重ならない。これにより、実施形態２に係る弾性波装置ＳＴ１によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、弾性波装置ＳＴ１がシールド電極１３５を備え、シールド電極１３５が実装基板９のグランド電極９５に接続されている。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とのアイソレーションを向上させることが可能となる。

　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、グランド電極９５は、第１弾性波共振子１４Ａと重なる。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、第１弾性波共振子１４Ａで発生する熱がグランド電極９５を介して放熱されやすくなり、放熱性を更に向上させることが可能となる。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、弾性波装置ＳＴ１がグランド導体部１３７を更に備える。グランド導体部１３７は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３において第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０との間に位置する。グランド導体部１３７は、第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とを接続している。第１送信フィルタ１０は、グランド導体部１３７を介して第２送信フィルタ２０のグランド端子２７に接続されているビア導体Ｖ０（グランドビア導体Ｖ７）を更に含む。グランドビア導体Ｖ７は、第１基板１２０の厚さ方向に貫通している。グランドビア導体Ｖ７は、実装基板９のグランド電極９５に接続されている。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、第１送信フィルタ１０の第１弾性波共振子１４Ａで発生する熱が第２送信フィルタ２０へ伝わりにくくなる。

　（実施形態３）
　実施形態３に係る弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００ｂについて、図２２を参照して説明する。実施形態３に係る弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００ｂに関し、実施形態２に係る弾性波装置ＳＴ１及び高周波モジュール１００ａそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　（１）構成
　実施形態３に係る弾性波装置ＳＴ１は、複数の弾性波共振子１４がＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であり、複数の弾性波共振子２４がＢＡＷ共振子である点で、実施形態１に係る弾性波装置ＳＴ１と相違する。

　第１送信フィルタ１０における第１基板１２０は、例えば、シリコン基板又はスピネル基板である。弾性波共振子１４を構成するＢＡＷ共振子は、第１基板１２０の第１主面１２０１側に設けられている下部電極１７８と、下部電極１７８上の圧電体膜１７９と、圧電体膜１７９上の上部電極１８０と、を含む。第１送信フィルタ１０では、各弾性波共振子１４の各々の上部電極１８０が機能電極１８を構成している。また、第１送信フィルタ１０では、第１弾性波共振子１４Ａの上部電極１８０が第１機能電極１８Ａを構成している。圧電体膜１７９の材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ、ＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３又はＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）ある。弾性波共振子１４を構成するＢＡＷ共振子は、下部電極１７８における圧電体膜１７９側とは反対側に空洞１７７を有する。したがって、第１機能電極１８Ａは、第１送信フィルタ１０における第１機能面１１１上に空洞１７７、下部電極１７８及び圧電体膜１７９を介して形成されている。第１機能電極１８Ａの形成領域は、第１機能面１１１において空洞１７７に重なる領域である。弾性波共振子１４を構成するＢＡＷ共振子は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）であるが、これに限らず、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）であってもよい。

　第２送信フィルタ２０における第２基板２２０は、例えば、シリコン基板又はスピネル基板である。弾性波共振子２４を構成するＢＡＷ共振子は、第２基板２２０の第３主面２２０１側に設けられている下部電極２７８と、下部電極２７８上の圧電体膜２７９と、圧電体膜２７９上の上部電極２８０と、を含む。第２送信フィルタ２０では、各弾性波共振子２４の各々の上部電極２８０が機能電極２８を構成している。また、第２送信フィルタ２０では、第２弾性波共振子２４Ａの上部電極２８０が第２機能電極２８Ａを構成している。圧電体膜２７９の材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ、ＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３又はＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）ある。弾性波共振子２４を構成するＢＡＷ共振子は、下部電極２７８における圧電体膜２７９側とは反対側に空洞２７７を有する。したがって、第２機能電極２８Ａは、第２送信フィルタ２０における第２機能面２１１上に空洞２７７、下部電極２７８及び圧電体膜２７９を介して形成されている。第２機能電極２８Ａの形成領域は、第２機能面２１１において空洞２７７に重なる領域である。弾性波共振子２４を構成するＢＡＷ共振子は、ＦＢＡＲであるが、これに限らず、ＳＭＲであってもよい。

　（２）効果
　実施形態３に係る弾性波装置ＳＴ１では、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａは互いに重ならない。つまり、実施形態３に係る弾性波装置ＳＴ１においても、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域及び第２機能電極２８Ａの形成領域は互いに重ならない。これにより、実施形態３に係る弾性波装置ＳＴ１によれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態４）
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃについて、図２３～２５を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　（１）構成
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３において第２送信フィルタ２０と第１送信フィルタ１０とが互いに重なる点で実施形態１に係る高周波モジュール１００と類似しているが、第２送信フィルタ２０が第１送信フィルタ１０にスタックされていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１である。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ４１である。

　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第２送信フィルタ２０の外形サイズ（チップサイズ）が第１送信フィルタ１０の外形サイズ（チップサイズ）よりも大きい。図２３における第１送信フィルタ１０は、図２４における第１送信フィルタ１０のＹ１－Ｙ１線断面図に対応し、図２３における第２送信フィルタ２０は、図２５における第２送信フィルタ２０のＹ１－Ｙ１線断面図に対応している。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１送信フィルタ１０における複数の弾性波共振子１４のレイアウトが、実施形態１に係る高周波モジュール１００の第１送信フィルタ１０における複数の弾性波共振子１４のレイアウトと相違する。また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第２送信フィルタ２０における複数の弾性波共振子２４のレイアウトが、実施形態１に係る高周波モジュール１００の第２送信フィルタ２０における複数の弾性波共振子２４のレイアウトと相違する。図２４では、各機能電極（ＩＤＴ電極）１８、各反射器１９及び各配線部Ｗ１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図６と同様、断面を表すものではない。また、図２５では、各機能電極（ＩＤＴ電極）２８、各反射器２９及び各配線部Ｗ２０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、図７と同様、断面を表すものではない。

　高周波モジュール１００ｃでは、第１送信フィルタ１０は、第１基板１２０の第１主面１２０１が実装基板９側に位置し、第１基板１２０の第２主面１２０２が第２送信フィルタ２０側に位置するように、実装基板９の第１主面９１に実装されている。また、第２送信フィルタ２０は、第２基板２２０の第３主面２２０１が第１送信フィルタ１０側に位置し、第４主面２２０２が第１送信フィルタ１０側とは反対側に位置するように、実装基板９の第１主面９１に実装されている。

　高周波モジュール１００ｃにおける第１送信フィルタ１０は、実施形態１に係る高周波モジュール１００の第１送信フィルタ１０における第１基板１２０の厚さ方向に貫通する複数のビア導体Ｖ０（図８参照）を有していない。高周波モジュール１００ｃにおける第１送信フィルタ１０では、第１基板１２０の第１主面１２０１上に第１入力端子１５、第１出力端子１６及び複数のグランド端子１７が配置されている。また、高周波モジュール１００ｃは、第２送信フィルタ２０の第２入力端子２５、第２出力端子２６及び複数のグランド端子２７に一対一に接続されている複数の導電性接続部材１３９を有し、複数の導電性接続部材１３９により実装基板９と接続されている。複数の導電性接続部材１３９の各々は、導電性を有する。複数の導電性接続部材１３９の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の導電性接続部材１３９の各々は、柱状電極（例えば、円柱状の電極）である。実装基板９の厚さ方向Ｄ０における複数の導電性接続部材１３９の各々の長さは、第１送信フィルタ１０の厚さよりも長く、第２送信フィルタ２０と第１送信フィルタ１０との間に中空空間１３１が形成されるように決められている。複数の導電性接続部材１３９は、柱状電極を実装基板９の第１主面９１に接合することで実装基板９の第１主面９１に配置してあるが、これに限らない。複数の導電性接続部材１３９は、めっき成長により形成されていてもよいし、銅コアボールを実装基板９の第１主面９１に接合することで配置されてもよいし、はんだにより形成されていてもよい。

　（２）効果
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、実装基板９と、第１送信フィルタ１０と、第２送信フィルタ２０と、を備える。第１送信フィルタ１０は、実装基板９に配置されている。第２送信フィルタ２０は、実装基板９と接続された導電性接続部材１３９を介して第１送信フィルタ１０上に配置されている。第１送信フィルタ１０は、第１パワーアンプ１０１（図１及び３参照）に接続される第１入力端子１５と、第１入力端子１５に最も近い第１弾性波共振子１４Ａと、を有する。第２送信フィルタ２０は、第２パワーアンプ１０２（図１及び３参照）に接続される第２入力端子２５と、第２入力端子２５に最も近い第２弾性波共振子２４Ａと、を有する。第１弾性波共振子１４Ａは、第１機能面１１１に形成されている第１機能電極１８Ａを有する。第２弾性波共振子２４Ａは、第２機能面２１１に形成されている第２機能電極２８Ａを有する。第２送信フィルタ２０は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３において第１送信フィルタ１０に対向配置されている。第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２機能電極２８Ａの形成領域２１２は互いに重ならない。

　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃによれば、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。２つの送信フィルタ（第１送信フィルタ及び第２送信フィルタ）を備え、２つの送信フィルタがスタックされており、第１送信フィルタにおいて入力端子に近い機能電極の形成領域と、第２送信フィルタにおいて入力端子に近い機能電極の形成領域とが重なるように配置されている比較例に係る弾性波装置では、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタにおいて互いに熱の影響を受け、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタそれぞれにおいて入力端子に近い弾性波共振子の温度上昇によりフィルタ特性が劣化する可能性が高くなる。これに対して、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、実装基板９に配置された第１送信フィルタ１０と、導電性接続部材１３９を介して実装基板９に接続され第１送信フィルタ１０上において第１送信フィルタ１０に対向配置された第２送信フィルタ２０と、を備え、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａの形成領域１１２及び第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａの形成領域２１２が互いに重ならない。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａそれぞれの温度上昇を抑制することが可能となる。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれの耐電力の低下を抑制することが可能となるとともに、温度上昇によるフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１送信フィルタ１０の直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、並列腕共振子Ｐ１１及び並列腕共振子Ｐ１２が、第２送信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２１、直列腕共振子Ｓ２２、並列腕共振子Ｐ２１及び並列腕共振子Ｐ２２のいずれとも重ならない。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、同時通信時の第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０の温度上昇によるフィルタ特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１送信フィルタ１０の複数の弾性波共振子１４の機能電極１８が実装基板９側に位置している。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１機能面１１１と第２機能面２１１とが対向せず、第１機能電極１８Ａの形成領域１１２と第２機能電極２８Ａの形成領域２１２とは対向しない。これにより、高周波モジュール１００ｃは、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａが互いの熱の影響を更に受けにくくなる。よって、高周波モジュール１００ｃは、第１弾性波共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４Ａの温度上昇による第１送信フィルタ１０及び第２送信フィルタ２０それぞれのフィルタ特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　（その他の変形例）
　上記の実施形態１～４等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～４等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能であり、互いに異なる実施形態の互いに異なる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

　例えば、高周波モジュール１００、１００ａ、１００ｃにおける弾性波装置ＳＴ１では、複数の弾性波共振子１４のうち少なくとも１つの弾性波共振子１４が、例えば、複数（例えば、２つ又は３つ）の分割共振子により構成されていてもよい。複数の分割共振子は、１つの弾性波共振子１４が分割された共振子であり、分割された共振子の間に他の弾性波共振子１４を介することなく、かつ、他の弾性波共振子１４を含む経路との接続ノードを介することなく、直列に接続されている。

　また、高周波モジュール１００、１００ａ、１００ｃにおける弾性波装置ＳＴ１では、複数の弾性波共振子２４のうち少なくとも１つの弾性波共振子２４が、例えば、複数（例えば、２つ又は３つ）の分割共振子により構成されていてもよい。複数の分割共振子は、１つの弾性波共振子２４が分割された共振子であり、分割された共振子の間に他の弾性波共振子２４を介することなく、かつ、他の弾性波共振子２４を含む経路との接続ノードを介することなく、直列に接続されている。

　また、高周波モジュール１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃは、フィルタとして、少なくとも第１送信フィルタ１０と第２送信フィルタ２０とを備えていればよく、第３送信フィルタ３０、第１受信フィルタ４０及び第２受信フィルタ５０を備えていない構成であってもよい。

　高周波モジュール１００ａ、１００ｂでは、シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａと第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａとのうち第２機能電極２８Ａのみに重なるように配置されることに限定されない。例えば、シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａと第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａとのうち第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａのみに重なるように配置されていてもよい。また、シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａと第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａとの両方に重なるように配置されていてもよい。また、シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａと第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａとの少なくとも一方と、第１弾性波共振子１４Ａ以外の１以上の弾性波共振子１４の機能電極１８と、に重なるように配置されていてもよい。また、シールド電極１３５は、第２送信フィルタ２０の厚さ方向Ｄ３からの平面視で第２弾性波共振子２４Ａの第２機能電極２８Ａと第１弾性波共振子１４Ａの第１機能電極１８Ａとの少なくとも一方と、第２弾性波共振子２４Ａ以外の１以上の弾性波共振子２４の機能電極２８と、に重なるように配置されていてもよい。

　第１通信バンドと第２通信バンドとの組み合わせは、上述の例に限らない。例えば、第１通信バンドが、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９又は３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であり、第２通信バンドが、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１であってもよい。また、第１通信バンドが、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９又は３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であり、第２通信バンドが、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３であってもよい。

　また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子Ｔ０がボールバンプであり、かつ、第２樹脂層１７０を備えていない構成であってもよい。この場合、高周波モジュール１００は、実装基板９の第２主面９２に実装されている第１スイッチ６、第２スイッチ７及び第３スイッチ８それぞれと実装基板９の第２主面９２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。複数の外部接続端子Ｔ０の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。複数の外部接続端子Ｔ０は、ボールバンプにより構成された外部接続端子Ｔ０と、柱状電極により構成された外部接続端子Ｔ０と、が混在してもよい。

　また、実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００の代わりに、高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃのいずれかを備えていてもよい。

　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）は、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）を備える。弾性波装置（ＳＴ１）では、第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）とがスタックされており、第１送信フィルタ（１０）の第１機能面（１１１）と第２送信フィルタ（２０）の第２機能面（２１１）とが所定距離（Ｈ１）隔てて対向配置されている。第１送信フィルタ（１０）は、第１入力端子（１５）と、第１入力端子（１５）に最も近い第１弾性波共振子（１４Ａ）と、を有する。第２送信フィルタ（２０）は、第２入力端子（２５）と、第２入力端子（２５）に最も近い第２弾性波共振子（２４Ａ）と、を有する。第１弾性波共振子（１４Ａ）は、第１機能面（１１１）に形成されている第１機能電極（１８Ａ）を有する。第２弾性波共振子（２４Ａ）は、第２機能面（２１１）に形成されている第２機能電極（２８Ａ）を有する。第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第１機能電極（１８Ａ）の形成領域及び第２機能電極（２８Ａ）の形成領域は互いに重ならない。

　第１の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）によれば、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）の温度上昇による第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第２の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第１の態様において、第１送信フィルタ（１０）は、第１弾性波フィルタ（１０Ａ）を含む。第１弾性波フィルタ（１０Ａ）は、第１弾性波共振子（１４Ａ）を有し第１通信バンドの周波数帯を含む通過帯域を有する。第２送信フィルタ（２０）は、第２弾性波フィルタ（２０Ａ）を含む。第２弾性波フィルタ（２０Ａ）は、第２弾性波共振子（２４Ａ）を有し第２通信バンドの周波数帯を含む通過帯域を有する。第１通信バンドと第２通信バンドとは同時通信で利用可能な通信バンドである。

　第２の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、同時通信に利用されたときに第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれの温度上昇を抑制でき、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第３の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第２の態様において第１通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９又は３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であり、第２通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１である。

　第４の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第２の態様において、第１通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９又は３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であり、第２通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である。

　第５の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、第１送信フィルタ（１０）は、第１弾性波共振子（１４Ａ）を含む複数の弾性波共振子（１４）を有するラダー型フィルタであり、第２送信フィルタ（２０）は、第２弾性波共振子（２４Ａ）を含む複数の弾性波共振子（２４）を有するラダー型フィルタである。

　第６の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第５の態様において、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第１送信フィルタ（１０）の第１弾性波共振子（１４Ａ）は、第２送信フィルタ（２０）の複数の弾性波共振子（２４）のうち第２弾性波共振子（２４Ａ）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（２４）と重なる。

　第６の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）によれば、第２送信フィルタ（２０）のサイズアップを抑制することが可能となる。

　第７の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第６の態様において、第２送信フィルタ（２０）は、出力端子（第２出力端子２６）を含む。第２送信フィルタ（２０）の複数の弾性波共振子（２４）は、第２送信フィルタ（２０）の出力端子（第２出力端子２６）に最も近い第４弾性波共振子（２４Ｂ）を含む。第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第１弾性波共振子（１４Ａ）と第４弾性波共振子（２４Ｂ）とが重なる。

　第７の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）によれば、第２送信フィルタ（２０）のサイズアップを抑制することが可能となる。

　第８の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第５の態様において、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第２送信フィルタ（２０）の第２弾性波共振子（２４Ａ）は、第１送信フィルタ（１０）の複数の弾性波共振子（１４）のうち第１弾性波共振子（１４Ａ）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（１４）と重なる。

　第８の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）によれば、第２送信フィルタ（２０）のサイズアップを抑制することが可能となる。

　第９の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第８の態様において、第１送信フィルタ（１０）は、出力端子（第１出力端子１６）を含む。第１送信フィルタ（１０）の複数の弾性波共振子（１４）は、第１送信フィルタ（１０）の出力端子（第１出力端子１６）に最も近い第３弾性波共振子（１４Ｂ）を含む。第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第２弾性波共振子（２４Ａ）と第３弾性波共振子（１４Ｂ）とが重なる。

　第９の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）によれば、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）のサイズアップを抑制することが可能となる。

　第１０の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第１又は２の態様において、第１送信フィルタ（１０）は、第１出力端子（１６）を含む。第２送信フィルタ（２０）は、第２出力端子（２６）を含む。第１送信フィルタ（１０）は、第１送信フィルタ（１０）の第１出力端子（１６）に最も近い第３弾性波共振子（１４Ｂ）を含む。第２送信フィルタ（２０）は、第２送信フィルタ（２０）の第２出力端子（２６）に最も近い第４弾性波共振子（２４Ｂ）を含む。第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第３弾性波共振子（１４Ｂ）及び第４弾性波共振子（２４Ｂ）は互いに重なる。

　第１０の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）によれば、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）のサイズアップを抑制することが可能となる。

　第１１の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、第１弾性波共振子（１４Ａ）及び第２弾性波共振子（２４Ａ）の各々は、ＳＡＷ共振子である。

　第１２の態様に係る弾性波装置（ＳＴ１）では、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、第１弾性波共振子（１４Ａ）及び第２弾性波共振子（２４Ａ）の各々は、ＢＡＷ共振子である。

　第１３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）は、実装基板（９）と、第１～１２の態様のいずれか一つの弾性波装置（ＳＴ１）と、を備える。実装基板（９）は、主面（９１）を有する。弾性波装置（ＳＴ１）は、実装基板（９）の主面（９１）に配置されている。

　第１３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）によれば、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）の温度上昇による第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第１４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）は、第１３の態様において、樹脂層（１５０）と、金属電極層（１６０）と、を更に備える。樹脂層（１５０）は、実装基板（９）の主面（９１）上に配置されている。樹脂層（１５０）は、第１送信フィルタ（１０）の外周面（１３）の少なくとも一部及び第２送信フィルタ（２０）の外周面（２３）の少なくとも一部を覆っている。金属電極層（１６０）は、樹脂層（１５０）の少なくとも一部を覆っている。金属電極層（１６０）は、第２送信フィルタ（２０）における第１送信フィルタ（１０）側とは反対側の主面（第４主面２２）に接している。

　第１４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）によれば、放熱性を向上させることが可能となる。

　第１５の態様に係る高周波モジュール（１００ａ）では、第１３又は１４の態様において、弾性波装置（ＳＴ１）は、スペーサ部（１３０）と、シールド電極（１３５）と、を更に備える。スペーサ部（１３０）は、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）において第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）との間に介在する。シールド電極（１３５）は、第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）とスペーサ部（１３０）とで囲まれた中空空間（１３１）に配置されている。第１送信フィルタ（１０）は、第１機能面（１１１）を有する第１基板（１２０）を含む。第２送信フィルタ（２０）は、第２機能面（２１１）を有する第２基板（２２０）を含む。シールド電極（１３５）は、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）において第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）との間に配置されており、第２機能電極（２８Ａ）に重なる。弾性波装置（ＳＴ１）は、シールド電極（１３５）と第２機能電極（２８Ａ）との間に空洞（１３８）を有する。実装基板（９）は、シールド電極（１３５）が接続されているグランド電極（９５）を更に有する。

　第１５の態様に係る高周波モジュール（１００ａ）によれば、第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）とのアイソレーションを向上させることが可能となる。

　第１６の態様に係る高周波モジュール（１００ａ）では、第１５の態様において、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、グランド電極（９５）は、第１弾性波共振子（１４Ａ）と重なる。

　第１６の態様に係る高周波モジュール（１００ａ）によれば、第１弾性波共振子（１４Ａ）で発生する熱がシールド電極（１３５）及びグランド電極（９５）を介して放熱されやすくなり、放熱性を更に向上させることが可能となる。

　第１７の態様に係る高周波モジュール（１００ａ）では、第１５又は１６の態様において、弾性波装置（ＳＴ１）は、グランド導体部（１３７）を更に備える。グランド導体部（１３７）は、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）において第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）との間に位置する。グランド導体部（１３７）は、第１送信フィルタ（１０）と第２送信フィルタ（２０）とを接続している。第２送信フィルタ（２０）は、グランド端子（２７）を更に有する。第１送信フィルタ（１０）は、グランドビア導体（Ｖ７）を更に有する。グランドビア導体（Ｖ７）は、第１基板（１２０）の厚さ方向に貫通しており、グランド導体部（１３７）を介して第２送信フィルタ（２０）のグランド端子（２７）に接続されている。グランドビア導体（Ｖ７）は、グランド電極（９５）に接続されている。

　第１７の態様に係る高周波モジュール（１００ａ）によれば、第１送信フィルタ（１０）の第１弾性波共振子（１４Ａ）で発生する熱が第２送信フィルタ（２０）へ伝わりにくくなる。

　第１８の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）は、実装基板（９）と、第１送信フィルタ（１０）と、第２送信フィルタ（２０）と、を備える。第１送信フィルタ（１０）は、実装基板（９）に配置されている。第２送信フィルタ（２０）は、実装基板（９）と接続された導電性接続部材（１３９）を介して第１送信フィルタ（１０）上に配置されている。第１送信フィルタ（１０）は、第１パワーアンプ（１０１）に接続される第１入力端子（１５）と、第１入力端子（１５）に最も近い第１弾性波共振子（１４Ａ）と、を有する。第２送信フィルタ（２０）は、第２パワーアンプ（１０２）に接続される第２入力端子（２５）と、第２入力端子（２５）に最も近い第２弾性波共振子（２４Ａ）と、を有する。第１弾性波共振子（１４Ａ）は、第１機能面（１１１）に形成されている第１機能電極（１８Ａ）を有する。第２弾性波共振子（２４Ａ）は、第２機能面（２１１）に形成されている第２機能電極（２８Ａ）を有する。第２送信フィルタ（２０）は、第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）において第１送信フィルタ（１０）に対向配置されている。第２送信フィルタ（２０）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で、第１機能電極（１８Ａ）の形成領域（１１２）及び第２機能電極（２８Ａ）の形成領域（２１２）は互いに重ならない。

　第１８の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）によれば、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）の温度上昇による第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第１９の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）では、第１８の態様において、第１機能電極（１８Ａ）の形成領域（１１２）と第２機能電極（２８Ａ）の形成領域（２１２）とは対向しない。

　第１９の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）によれば、第１機能電極（１８Ａ）の形成領域（１１２）と第２機能電極（２８Ａ）の形成領域（２１２）とが対向しないことによって、第１弾性波共振子（１４Ａ）及び第２弾性波共振子（２４Ａ）が互いの熱の影響を更に受けにくくなり、第１弾性波共振子（１４Ａ）及び第２弾性波共振子（２４Ａ）の温度上昇による第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれのフィルタ特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　第２０の態様に係る通信装置（３００）は、第１３～１９の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）に接続されている。

　第２０の態様に係る通信装置（３００）によれば、第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）の温度上昇による第１送信フィルタ（１０）及び第２送信フィルタ（２０）それぞれのフィルタ特性の劣化を抑制することが可能となる。

　６　第１スイッチ
　６０　共通端子
　６１、６２　選択端子
　７　第２スイッチ
　７０　共通端子
　７１、７２　選択端子
　８　第３スイッチ
　８０Ａ　第１共通端子
　８０Ｂ　第２共通端子
　８１、８２　第１選択端子
　８３、８４　第２選択端子
　９　実装基板
　９１　第１主面
　９２　第２主面
　９３　外周面
　９５　グランド電極
　１０　第１送信フィルタ
　１０Ａ　第１弾性波フィルタ
　１１　第１主面
　１２　第２主面
　１１１　第１機能面
　１１２　形成領域
　１２０　第１基板
　１２０１　第１主面
　１２０２　第２主面
　１２１　高音速部材
　１２２　低音速膜
　１２３　圧電体層
　１２５　接続端子
　１２６　接続端子
　１３　外周面
　１４　弾性波共振子
　１４Ａ　第１弾性波共振子
　１４Ｂ　第３弾性波共振子
　１５　第１入力端子
　１６　第１出力端子
　１７　グランド端子
　１８　機能電極
　１８Ａ　第１機能電極
　１８１　第１電極指
　１８２　第２電極指
　１８３　第１バスバー
　１８４　第２バスバー
　１９　反射器
　２０　第２送信フィルタ
　２０Ａ　第２弾性波フィルタ
　２１　第３主面
　２２　第４主面
　２１１　第２機能面
　２１２　形成領域
　２２０　第２基板
　２２０１　第３主面
　２２０２　第４主面
　２２１　高音速部材
　２２２　低音速膜
　２２３　圧電体層
　２３　外周面
　２４　弾性波共振子
　２４Ａ　第２弾性波共振子
　２４Ｂ　第４弾性波共振子
　２５　第２入力端子
　２６　第２出力端子
　２７　グランド端子
　２８　機能電極
　２８Ａ　第２機能電極
　２８１　第１電極指
　２８２　第２電極指
　２８３　第１バスバー
　２８４　第２バスバー
　２９　反射器
　３０　第３送信フィルタ
　３５　第３入力端子
　３６　第３出力端子
　４０　第１受信フィルタ
　５０　第２受信フィルタ
　１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ　高周波モジュール
　１０１　第１パワーアンプ
　１０２　第２パワーアンプ
　１０３　第１出力整合回路
　１０４　第２出力整合回路
　１０５　第１整合回路
　１０６　第２整合回路
　１０７　第１ローノイズアンプ
　１０８　第２ローノイズアンプ
　１０９　第１入力整合回路
　１１０　第２入力整合回路
　１２４　電気絶縁膜
　１２８　レジスト層
　１３０　スペーサ部
　１３１　中空空間
　１３５　シールド電極
　１３７　グランド導体部
　１３８　空洞
　１３９　導電性接続部材
　１４０　電子部品
　１４１　出力端子
　１４２　出力端子
　１４３　共通入力端子
　１５０　樹脂層（第１樹脂層）
　１６０　金属電極層
　１７０　第２樹脂層
　１７７　空洞
　１７８　下部電極
　１７９　圧電体膜
　１８０　上部電極
　３００　通信装置
　３０１　信号処理回路
　３０２　ＲＦ信号処理回路
　３０３　ベースバンド信号処理回路
　３１０　アンテナ
　Ａ１０３　エリア
　Ａ１０４　エリア
　Ｄ０　厚さ方向
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　厚さ方向
　ＤＭＳ１　縦結合型共振子
　ＤＭＳ２　縦結合型共振子
　Ｈ１　所定距離
　Ｌ５　インダクタ
　Ｌ６　インダクタ
　Ｌ９　インダクタ
　Ｌ１０　インダクタ
　Ｒｕ１　信号経路（直列腕経路）
　Ｒｕ１１　経路
　Ｒｕ１２　経路
　Ｒｕ１３　経路
　Ｒｕ２　信号経路（直列腕経路）
　Ｒｕ２１　経路
　Ｒｕ２２　経路
　Ｒｕ２３　経路
　Ｒｕ２４　経路
　Ｓ１１～Ｓ１４　直列腕共振子
　Ｓ２１～Ｓ２５　直列腕共振子
　Ｐ１１～Ｐ１３　並列腕共振子
　Ｐ２１～Ｐ２４　並列腕共振子
　Ｒ１　第１接続導体部
　ＳＴ１　弾性波装置
　Ｔ０　外部接続端子
　Ｔ１　第１信号入力端子
　Ｔ２　第２信号入力端子
　Ｔ３　アンテナ端子
　Ｔ４　第１信号出力端子
　Ｔ５　第２信号出力端子
　Ｔ６　第３信号出力端子
　Ｔ７　第４信号出力端子
　Ｔ８　外部グランド端子
　Ｖ０　ビア導体
　Ｖ７　グランドビア導体
　Ｗ１０　配線部
　Ｗ１１　第１配線部
　Ｗ１２　第２配線部
　Ｗ１３　第３配線部
　Ｗ１４　第４配線部
　Ｗ１５　第５配線部
　Ｗ１６　第６配線部
　Ｗ１７　第７配線部
　Ｗ２０　配線部
　Ｗ２１　第１配線部
　Ｗ２２　第２配線部
　Ｗ２３　第３配線部
　Ｗ２４　第４配線部

Claims

　第１送信フィルタ及び第２送信フィルタを備え、前記第１送信フィルタと前記第２送信フィルタとがスタックされており、前記第１送信フィルタの第１機能面と前記第２送信フィルタの第２機能面とが所定距離隔てて対向配置されている弾性波装置であって、
　前記第１送信フィルタは、
　　第１入力端子と、
　　前記第１入力端子に最も近い第１弾性波共振子と、を有し、
　前記第２送信フィルタは、
　　第２入力端子と、
　　前記第２入力端子に最も近い第２弾性波共振子と、を有し、
　前記第１弾性波共振子は、前記第１機能面に形成されている第１機能電極を有し、
　前記第２弾性波共振子は、前記第２機能面に形成されている第２機能電極を有し、
前記第２送信フィルタの厚さ方向からの平面視で、前記第１機能電極の形成領域及び前記第２機能電極の形成領域は互いに重ならない、
　弾性波装置。
　前記第１送信フィルタは、前記第１弾性波共振子を有し第１通信バンドの周波数帯を含む通過帯域を有する第１弾性波フィルタを含み、
　前記第２送信フィルタは、前記第２弾性波共振子を有し第２通信バンドの周波数帯を含む通過帯域を有する第２弾性波フィルタを含み、
　前記第１通信バンドと前記第２通信バンドとは同時通信で利用可能な通信バンドである、
　請求項１に記載の弾性波装置。
　前記第１通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９又は３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であり、
　前記第２通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１である、
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記第１通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９又は３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０であり、
　前記第２通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である、
　請求項２に記載の弾性波装置。
　前記第１送信フィルタは、前記第１弾性波共振子を含む複数の弾性波共振子を有するラダー型フィルタであり、
　前記第２送信フィルタは、前記第２弾性波共振子を含む複数の弾性波共振子を有するラダー型フィルタである、
　請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第１送信フィルタの前記第１弾性波共振子は、前記第２送信フィルタの前記複数の弾性波共振子のうち前記第２弾性波共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子と重なる、
　請求項５に記載の弾性波装置。
　前記第２送信フィルタは、出力端子を含み、
　前記第２送信フィルタの前記複数の弾性波共振子は、前記第２送信フィルタの前記出力端子に最も近い第４弾性波共振子を含み、
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第１弾性波共振子と前記第４弾性波共振子とが重なる、
　請求項６に記載の弾性波装置。
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第２送信フィルタの前記第２弾性波共振子は、前記第１送信フィルタの前記複数の弾性波共振子のうち前記第１弾性波共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子と重なる、
　請求項５に記載の弾性波装置。
　前記第１送信フィルタは、出力端子を含み、
　前記第１送信フィルタの前記複数の弾性波共振子は、前記第１送信フィルタの前記出力端子に最も近い第３弾性波共振子を含み、
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第２弾性波共振子と前記第３弾性波共振子とが重なる、
　請求項８に記載の弾性波装置。
　前記第１送信フィルタは、第１出力端子を含み、
　前記第２送信フィルタは、第２出力端子を含み、
　前記第１送信フィルタは、前記第１送信フィルタの前記第１出力端子に最も近い第３弾性波共振子を含み、
　前記第２送信フィルタは、前記第２送信フィルタの前記第２出力端子に最も近い第４弾性波共振子を含み、
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第３弾性波共振子及び前記第４弾性波共振子は互いに重なる、
　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
　前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の各々は、ＳＡＷ共振子である、
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
　前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の各々は、ＢＡＷ共振子である、
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
　主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記主面に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の弾性波装置と、を備える、
　高周波モジュール。
　前記実装基板の前記主面上に配置されており、前記第１送信フィルタの外周面の少なくとも一部及び前記第２送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆っている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っている金属電極層と、を更に備え、
　前記金属電極層は、前記第２送信フィルタにおける前記第１送信フィルタ側とは反対側の主面に接している、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記弾性波装置は、
　　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向において前記第１送信フィルタと前記第２送信フィルタとの間に介在するスペーサ部と、
　　前記第１送信フィルタと前記第２送信フィルタと前記スペーサ部とで囲まれた中空空間に配置されているシールド電極と、を更に備え、
　前記第１送信フィルタは、
　　前記第１機能面を有する第１基板を含み
を含み、
　前記第２送信フィルタは、
　　前記第２機能面を有する第２基板を含み、
　前記シールド電極は、前記第２送信フィルタの前記厚さ方向において前記第２弾性波共振子の前記第２機能電極に重なり、
　前記弾性波装置は、前記シールド電極と前記第２機能電極との間に空洞を有し、
　前記実装基板は、前記シールド電極が接続されているグランド電極を更に有する、
　請求項１３又は１４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記グランド電極は、前記第１弾性波共振子と重なる、
　請求項１５に記載の高周波モジュール。
　前記弾性波装置は、
　　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向において前記第１送信フィルタと前記第２送信フィルタとの間に位置し、前記第１送信フィルタと前記第２送信フィルタとを接続しているグランド導体部を更に備え、
　前記第２送信フィルタは、グランド端子を更に有し、
　前記第１送信フィルタは、前記第１基板の厚さ方向に貫通しており、前記グランド導体部を介して前記グランド端子に接続されているビア導体を更に含み、
　前記ビア導体は、前記グランド電極に接続されている、
　請求項１５又は１６に記載の高周波モジュール。
　実装基板と、
　前記実装基板に配置されている第１送信フィルタと、
　前記実装基板と接続された導電性接続部材を介して前記第１送信フィルタ上に配置されている第２送信フィルタと、を備え、
　前記第１送信フィルタは、
　　第１パワーアンプに接続される第１入力端子と、
　　前記第１入力端子に最も近い第１弾性波共振子と、を有し、
　前記第２送信フィルタは、
　　第２パワーアンプに接続される第２入力端子と、
　　前記第２入力端子に最も近い第２弾性波共振子と、を有し、
　前記第１弾性波共振子は、第１機能面に形成されている第１機能電極を有し、
　前記第２弾性波共振子は、第２機能面に形成されている第２機能電極を有し、
　前記第２送信フィルタは、前記第２送信フィルタの厚さ方向において前記第１送信フィルタに対向配置されており、
　前記第２送信フィルタの前記厚さ方向からの平面視で、前記第１機能電極の形成領域及び前記第２機能電極の形成領域は互いに重ならない、
　高周波モジュール。
　前記第１機能電極の形成領域と前記第２機能電極の形成領域とは対向しない、
　請求項１８に記載の高周波モジュール。
　請求項１３～１９のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
　通信装置。