WO2023182722A1 - 신호 손실 방지용 테스트 소켓 - Google Patents

신호 손실 방지용 테스트 소켓 Download PDF

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WO2023182722A1
WO2023182722A1 PCT/KR2023/003450 KR2023003450W WO2023182722A1 WO 2023182722 A1 WO2023182722 A1 WO 2023182722A1 KR 2023003450 W KR2023003450 W KR 2023003450W WO 2023182722 A1 WO2023182722 A1 WO 2023182722A1
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conductive
insulating support
test socket
signal loss
support part
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PCT/KR2023/003450
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이제형
김석민
박준철
주학재
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주식회사 새한마이크로텍
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Definitions

  • the present invention relates to a test socket used to measure the electrical characteristics of electrical devices.
  • test sockets equipped with an anisotropic conductive sheet including a contact part where conductive particles are arranged in the direction of the thickness of the silicone rubber and an insulating part that insulates and supports adjacent contact parts absorb mechanical shock or deformation, allowing flexible connection. It has the advantage of low manufacturing cost.
  • the anisotropic conductive sheet 5 of the test socket of the prior art is composed of a contact portion 6 in contact with the terminal 2 of the semiconductor element 1 and an insulating portion 8 that insulates and supports the adjacent contact portions 6.
  • the upper and lower ends of the contact portion 6 respectively contact the terminal 2 of the semiconductor element 1 and the contact pad 4 of the semiconductor inspection device 3, thereby electrically connecting the terminal 2 and the contact pad 4.
  • the contact portion 6 is made by mixing small spherical conductive particles 7 in silicone resin and hardening them, and acts as a conductor through which electricity flows.
  • the insulating portion 8 is made of only an insulating material, signal interference between the contact portions 6 cannot be avoided when transmitting a high-frequency signal, so there is a problem in that the high-frequency signal transmission characteristics are deteriorated.
  • the present invention is intended to improve the above-described problems and aims to provide a test socket for preventing signal loss with a new structure with improved accuracy by minimizing signal loss at high frequencies.
  • the present invention provides a test socket disposed between opposing terminals to electrically connect the terminals, including an insulating support portion in the form of a plate; a first conductive portion including a plurality of first conductive particles arranged along the thickness direction of the insulating support portion inside the insulating support portion, and both ends of which are in contact with opposing power or signal terminals; A plurality of second conductive particles are arranged inside the insulating support part along the thickness direction of the insulating support part, both ends of which are in contact with opposing ground terminals, and electrically connected to the first conductive part by the insulating support part.
  • a plurality of third conductive particles are arranged inside the insulating support part along the thickness direction of the insulating support part, are configured to surround the first conductive part, and are electrically separated from the first conductive part by the insulating support part. It provides a test socket for preventing signal loss, comprising a shield part electrically connected to the second conductive part.
  • test socket for preventing signal loss wherein at least one surface of the first conductive part protrudes outside the insulating support part.
  • test socket for preventing signal loss wherein at least one surface of the second conductive part protrudes outside the insulating support part.
  • a test socket for preventing signal loss which includes a connection part that electrically connects the second conductive part and the shield part.
  • connection part provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that it is provided with a plurality of fourth conductive particles arranged along the thickness direction of the insulating support part.
  • the insulating support portion provides a test socket for preventing signal loss, wherein the insulating support portion includes silicone-based resin or polytetrafluoroethylene (PTFE)-based resin.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • test socket for preventing signal loss minimizes signal loss at high frequencies. Therefore, accuracy is improved in high-frequency inspection.
  • FIG. 1 is a diagram showing a test socket according to the prior art.
  • Figure 2 is a diagram showing a test socket for preventing signal loss according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view from below of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 2.
  • Figure 2 is a diagram showing a test socket for preventing signal loss according to an embodiment of the present invention
  • Figure 3 is a diagram showing the test socket for preventing signal loss shown in Figure 2 as seen from above.
  • the test socket 100 for preventing signal loss is disposed between opposing terminals and serves to electrically connect the terminals.
  • the test socket 100 for preventing signal loss serves to electrically connect the terminals 4a and 4b of the test device 3 and the terminals 2a and 2b of the semiconductor device 1.
  • the test socket 100 for preventing signal loss includes an insulating support part 10, a first conductive part 20, a second conductive part 30, and a shield. It includes a part 40 and a connection part 50. Although eight first conductive parts 20 are shown in FIG. 3, the number of first conductive parts 20 may be tens to thousands.
  • the insulating support portion 10 is generally in the form of a plate and forms the overall appearance of the test socket 100 for preventing signal loss.
  • the insulating support portion 10 serves to support the first conductive portion 20, the second conductive portion 30, the shield portion 40, and the connection portion 50. Additionally, it serves to insulate the first conductive portion 20 from the second conductive portion 30, the shield portion 40, and the connection portion 50.
  • the first conductive part 20, the second conductive part 30, the shield part 40, and the connection part 50 are built into the insulating support part 10.
  • the insulating support portion 10 can be formed of various types of polymer materials. For example, it can be implemented with diene-type rubber such as silicone, polybutadiene, polyisoprene, SBR, NBR, etc., and their hydrogen compounds. Additionally, it may be implemented as a block copolymer such as styrene butadiene block copolymer, styrene isoprene block copolymer, etc., and their hydrogen compounds. Additionally, it may be implemented with chloroprene, urethane rubber, polyethylene-type rubber, epichlorohydrin rubber, ethylene-propylene copolymer, ethylenepropylene diene copolymer, etc.
  • diene-type rubber such as silicone, polybutadiene, polyisoprene, SBR, NBR, etc.
  • a block copolymer such as styrene butadiene block copolymer, styrene isoprene block copoly
  • the insulating support portion 10 is preferably made of silicone resin or polytetrafluoroethylene (PTFE) resin.
  • the insulating support portion 10 can be obtained by curing liquid resin.
  • Each first conductive portion 20 serves to electrically connect power terminals or signal terminals 2a and 4a facing each other.
  • the first conductive part 20 includes a plurality of first conductive particles 25 built into the insulating support part 10.
  • At least one end of both ends of the first conductive portion 20 may protrude outside the insulating support portion 10 . This is because the end of the first conductive portion 20 must protrude relative to the insulating support portion 10 to easily contact the terminal 4a.
  • the first conductive particles 25 are arranged in the longitudinal direction of the first conductive portion 20 (thickness direction of the insulating support portion 10). The first conductive particles 25 contact each other and provide conductivity in the longitudinal direction of the first conductive portion 20. When pressure is applied to the first conductive portion 20 in the longitudinal direction to inspect the semiconductor device 1, the first conductive portion 20 is compressed in the longitudinal direction. And as the first conductive particles 25 become closer to each other, the longitudinal electrical conductivity of the first conductive portion 20 increases.
  • the first conductive particles 25 may be made of a single conductive metal such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum, etc., or an alloy of two or more of these metal materials.
  • the first conductive particles 25 may be implemented by coating the surface of the core metal with a highly conductive metal such as gold, silver, rhodium, palladium, platinum, or silver and gold, silver and rhodium, or silver and palladium. .
  • the first conductive particles 25 are magnetic particles.
  • it can be implemented by coating the surface of a core made of magnetic metal with a highly conductive metal.
  • Each second conductive portion 30 serves to electrically connect the ground terminals 2b and 4b facing each other.
  • the second conductive part 30 includes a plurality of second conductive particles 35 built into the insulating support part 10.
  • both ends of the second conductive portion 30 may protrude outside the insulating support portion 10 . This is because the end of the second conductive portion 30 must protrude relative to the insulating support portion 10 to easily contact the terminal 4b.
  • the second conductive particles 35 are arranged in the longitudinal direction of the second conductive portion 30 (thickness direction of the insulating support portion 10).
  • the second conductive particles 35 contact each other and provide conductivity in the longitudinal direction of the second conductive portion 30.
  • the second conductive portion 30 is compressed in the longitudinal direction. And as the second conductive particles 35 become closer to each other, the longitudinal electrical conductivity of the second conductive portion 30 increases.
  • the second conductive particles 35 may be implemented as a single conductive metal such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum, or an alloy of two or more of these metal materials. You can.
  • the second conductive particles 35 may be implemented by coating the surface of the core metal with a highly conductive metal such as gold, silver, rhodium, palladium, platinum, or silver and gold, silver and rhodium, or silver and palladium. .
  • the second conductive particles 35 are preferably magnetic particles.
  • it can be implemented by coating the surface of a core made of magnetic metal with a highly conductive metal.
  • the second conductive particles 35 may be the same particles as the first conductive particles 25 .
  • the shield portion 40 serves to minimize signal loss of the first conductive portion 20.
  • the shield portion 40 has a cylindrical shape surrounding the side surface of the first conductive portion 20. As shown in FIG. 3, the shield portion 40 may be cylindrical, or may be polygonal, such as a square or hexagon.
  • the inner surface of the shield part 40 is spaced apart from the outer surface of the first conductive part 20 at regular intervals.
  • the shield part 40 includes a plurality of third conductive particles 45 built into the insulating support part 10.
  • the third conductive particles 45 are arranged in the longitudinal direction of the shield portion 40 (thickness direction of the insulating support portion 10). The third conductive particles 45 contact each other and provide conductivity in the longitudinal direction of the shield portion 40.
  • the third conductive particles 45 may be implemented as a single conductive metal such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum, or an alloy of two or more of these metal materials. You can.
  • the third conductive particles 45 may be implemented by coating the surface of the core metal with a highly conductive metal such as gold, silver, rhodium, palladium, platinum, or silver and gold, silver and rhodium, or silver and palladium. .
  • the third conductive particles 45 are preferably magnetic particles.
  • it can be implemented by coating the surface of a core made of magnetic metal with a highly conductive metal.
  • the third conductive particles 45 may be the same particles as the first conductive particles 25.
  • connection part 50 serves to electrically connect the shield part 40 and the second conductive part 30.
  • the connection part 50 includes a plurality of fourth conductive particles 55 built into the insulating support part 10.
  • the fourth conductive particles 55 are arranged in the longitudinal direction of the connection portion 50 (thickness direction of the insulating support portion 10). The fourth conductive particles 55 contact each other and provide conductivity in the longitudinal direction of the connection portion 50.
  • the fourth conductive particles 55 may be implemented as a single conductive metal such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum, or an alloy of two or more of these metal materials. You can.
  • the fourth conductive particles 55 may be implemented by coating the surface of the core metal with a highly conductive metal such as gold, silver, rhodium, palladium, platinum, silver and gold, silver and rhodium, or silver and palladium. .
  • the fourth conductive particles 55 are preferably magnetic particles.
  • it can be implemented by coating the surface of a core made of magnetic metal with a highly conductive metal.
  • the fourth conductive particles 55 may be the same particles as the first conductive particles 25 .
  • the second conductive part 30 is in contact with the ground terminals 2b and 4b, and the shield part 40 and the second conductive part 30 are electrically connected through the connection part 50, so the shield parts 40 It is also connected to ground.
  • test socket 100 for preventing signal loss described above will be described.
  • magnetic force lines are passed only through the positions corresponding to the first conductive part 20, the second conductive part 30, the shield part 40, and the connection part 50, so that the conductive particles are formed in the first conductive part 20. ), are focused only on positions corresponding to the second conductive part 30, the shield part 40, and the connection part 50.
  • the cured liquid resin becomes the insulating support part 10, and the conductive particles embedded in the insulating support part 10 form the first conductive part 20, the second conductive part 30, the shield part 40, and the connection part depending on the location. (50).

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Abstract

본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다. 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 판 형태의 절연성 지지부와; 상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하며, 그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하는 제1 도전부와; 상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하고, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하며, 상기 절연성 지지부에 의해서 상기 제1 도전부와 전기적으로 분리된 제2 도전부와; 상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제3 전도성 입자들을 구비하고, 상기 제1 도전부를 둘러싸도록 구성되며, 상기 절연성 지지부에 의해서 상기 제1 도전부와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 실드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다. 본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 고주파에서 신호 손실이 최소화된다. 따라서 고주파 검사에서 정확도가 향상된다. [대표도] 도 2

Description

신호 손실 방지용 테스트 소켓
본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자가 제조되면, 제조된 반도체 소자에 대한 성능 검사가 필요하다. 반도체 소자의 검사에는 검사 장치의 접촉 패드와 반도체 소자의 단자를 전기적으로 연결하는 테스트 소켓이 필요하다.
테스트 소켓 중에서 전도성 입자들을 실리콘 고무의 두께 방향으로 배치한 접촉부와 인접한 접촉부들을 절연시키며 지지하는 절연부를 구비한 이방 전도성 시트를 구비한 테스트 소켓은 기계적인 충격이나 변형을 흡수하여 유연한 접속이 가능하며, 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술의 테스트 소켓을 나타내는 도면이다. 종래 기술의 테스트 소켓의 이방 전도성 시트(5)는 반도체 소자(1)의 단자(2)와 접촉하는 접촉부(6)와 인접한 접촉부(6)들을 절연시키며 지지하는 절연부(8)로 구성된다. 접촉부(6)의 상단부와 하단부는 각각 반도체 소자(1)의 단자(2)와 반도체 검사 장치(3)의 접촉 패드(4)와 접촉하여, 단자(2)와 접촉 패드(4)를 전기적으로 연결한다. 접촉부(6)는 실리콘 수지에 크기가 작은 구형의 전도성 입자(7)들을 혼합하여 굳힌 것으로서 전기가 흐르는 도체로 작용한다.
그런데 이러한 종래의 테스트 소켓은 절연부(8)가 절연성 소재만으로 이루어지므로, 고주파 신호 전달시 접촉부(6) 간 신호의 간섭을 피할 수 없어서, 고주파 신호 전송 특성이 저하된다는 문제가 있었다.
[선행기술문헌]
한국 공개실용신안 제2009-0006326호
한국 공개특허 제10-2017-0066981호
한국 등록특허 제10-0375117호
한국 등록특허 제10-2133675호
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 고주파에서 신호 손실을 최소화하여 정확도가 향상된 새로운 구조의 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 판 형태의 절연성 지지부와; 상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하며, 그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하는 제1 도전부와; 상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하고, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하며, 상기 절연성 지지부에 의해서 상기 제1 도전부와 전기적으로 분리된 제2 도전부와; 상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제3 전도성 입자들을 구비하고, 상기 제1 도전부를 둘러싸도록 구성되며, 상기 절연성 지지부에 의해서 상기 제1 도전부와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 실드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 제1 도전부의 적어도 한쪽 표면은 상기 절연성 지지부 외부로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 제2 도전부의 적어도 한쪽 표면은 상기 절연성 지지부 외부로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 제2 도전부와 상기 실드부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 연결부는 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제4 전도성 입자들을 구비하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 절연 지지부는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 고주파에서 신호 손실이 최소화된다. 따라서 고주파 검사에서 정확도가 향상된다.
도 1은 종래기술에 따른 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 아래에서 바라본 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이며, 도 3은 도 2에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 위에서 바라본 도면이다.
신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 예를 들어, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 검사 장치(3)의 단자(4a, 4b)와 반도체 소자(1)의 단자(2a, 2b)를 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
도 2와 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 절연성 지지부(10), 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40) 및 연결부(50)를 포함한다. 도 3에는 8개의 제1 도전부(20)들이 도시되어 있으나, 제1 도전부(20)의 개수는 수십 내지 수천 개일 수도 있다.
절연성 지지부(10)는 대체로 판 형태로서 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)의 전체적인 외관을 이룬다. 절연성 지지부(10)는 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40) 및 연결부(50)를 지지하는 역할을 한다. 또한, 제1 도전부(20)를 제2 도전부(30), 실드부(40) 및 연결부(50)로부터 절연시키는 역할을 한다. 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40) 및 연결부(50)는 절연성 지지부(10)에 내장된다.
절연성 지지부(10)는 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 절연성 지지부(10)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 절연성 지지부(10)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
각각의 제1 도전부(20)는 서로 마주보는 전원 단자 또는 신호 단자(2a, 4a)들을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 제1 도전부(20)는 절연성 지지부(10)의 내부에 내장되는 다수의 제1 전도성 입자(25)들을 구비한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 도전부(20)의 양단부 중에서 적어도 일단부가 절연성 지지부(10) 외부로 돌출될 수 있다. 제1 도전부(20)의 단부가 절연성 지지부(10)에 비해서 돌출되어야 단자(4a)와 접촉하기 용이하기 때문이다.
제1 전도성 입자(25)들은 제1 도전부(20)의 길이방향(절연성 지지부(10)의 두께 방향)으로 배열된다. 제1 전도성 입자(25)들은 서로 접촉하여 제1 도전부(20)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제1 도전부(20)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제1 도전부(20)가 길이방향으로 압축된다. 그리고 제1 전도성 입자(25)들이 서로 더욱 가까워지면서 제1 도전부(20)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.
제1 전도성 입자(25)들은 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제1 전도성 입자(25)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제1 전도성 입자(25)들은 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
각각의 제2 도전부(30)는 서로 마주보는 접지 단자들(2b, 4b)을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 제2 도전부(30)는 절연성 지지부(10)의 내부에 내장되는 다수의 제2 전도성 입자(35)들을 구비한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제2 도전부(30)의 양단부 중에서 적어도 일단부가 절연성 지지부(10) 외부로 돌출될 수 있다. 제2 도전부(30)의 단부가 절연성 지지부(10)에 비해서 돌출되어야 단자(4b)와 접촉하기 용이하기 때문이다.
제2 전도성 입자(35)들은 제2 도전부(30)의 길이방향(절연성 지지부(10)의 두께 방향)으로 배열된다. 제2 전도성 입자(35)들은 서로 접촉하여 제2 도전부(30)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제2 도전부(30)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제2 도전부(30)가 길이방향으로 압축된다. 그리고 제2 전도성 입자(35)들이 서로 더욱 가까워지면서 제2 도전부(30)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.
제2 전도성 입자(35)들은, 제1 전도성 입자(25)들과 마찬가지로, 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제2 전도성 입자(35)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제2 전도성 입자(35)들은, 제1 전도성 입자(25)들과 마찬가지로, 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
제2 전도성 입자(35)들은 제1 전도성 입자(25)들과 동일한 입자들일 수 있다.
실드부(40)는 제1 도전부(20)의 신호 손실을 최소화하는 역할을 한다. 실드부(40)는 제1 도전부(20)의 측면을 둘러싸는 통 형태이다. 실드부(40)는 도 3에 도시된 바와 같이, 원통형일 수도 있으며, 사각이나 육각 등 다각통형일 수도 있다. 실드부(40)의 내측면은 제1 도전부(20)의 외측면과 일정한 간격으로 떨어져 있다. 실드부(40)는 절연성 지지부(10)의 내부에 내장되는 다수의 제3 전도성 입자(45)들을 구비한다.
제3 전도성 입자(45)들은 실드부(40)의 길이방향(절연성 지지부(10)의 두께 방향)으로 배열된다. 제3 전도성 입자(45)들은 서로 접촉하여 실드부(40)의 길이방향으로 전도성을 부여한다.
제3 전도성 입자(45)들은, 제1 전도성 입자(25)들과 마찬가지로, 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제3 전도성 입자(45)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제3 전도성 입자(45)들은, 제1 전도성 입자(25)들과 마찬가지로, 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
제3 전도성 입자(45)들은 제1 전도성 입자(25)들과 동일한 입자들일 수 있다.
연결부(50)는 실드부(40)와 제2 도전부(30)를 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 연결부(50)는 절연성 지지부(10)의 내부에 내장되는 다수의 제4 전도성 입자(55)들을 구비한다.
제4 전도성 입자(55)들은 연결부(50)의 길이방향(절연성 지지부(10)의 두께 방향)으로 배열된다. 제4 전도성 입자(55)들은 서로 접촉하여 연결부(50)의 길이방향으로 전도성을 부여한다.
제4 전도성 입자(55)들은, 제1 전도성 입자(25)들과 마찬가지로, 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제4 전도성 입자(55)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제4 전도성 입자(55)들은, 제1 전도성 입자(25)들과 마찬가지로, 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
제4 전도성 입자(55)들은 제1 전도성 입자(25)들과 동일한 입자들일 수 있다.
제2 도전부(30)가 접지 단자(2b, 4b)와 접촉하며, 실드부(40)와 제2 도전부(30)는 연결부(50)를 통해서 전기적으로 연결되므로, 실드부(40)들도 접지와 연결된다.
이하, 상술한 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)의 제조방법의 일 예를 설명한다.
먼저, 금형에 액상 수지와 자성을 가진 전도성 입자들의 혼합물을 투입한다.
다음, 자석을 이용하여 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40) 및 연결부(50)에 대응하는 위치에만 자력선을 통과시켜서 전도성 입자들이 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40) 및 연결부(50)에 대응하는 위치에만 몰리도록 한다.
그리고 자력선의 형성과 동시에 액상 수지에 열을 가하여, 액상 수지를 경화한다. 그러면 도 2와 3에 도시된 바와 같이 전도성 입자들이 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40), 연결부(50)에 대응하는 위치에 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)의 두께 방향으로 정렬된 상태로 액상 수지가 경화되어 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)이 제조된다.
경화된 액상 수지는 절연성 지지부(10)가 되며, 절연성 지지부(10)에 내장된 전도성 입자들은 위치에 따라서 제1 도전부(20), 제2 도전부(30), 실드부(40), 연결부(50)를 이룬다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
[부호의 설명]
100: 신호 손실 방지용 테스트 소켓
10: 절연성 지지부
20: 제1 도전부
25: 제1 전도성 입자
30: 제2 도전부
35: 제2 전도성 입자
40: 실드부
45: 제3 전도성 입자
50: 연결부
55: 제4 전도성 입자

Claims (6)

  1. 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서,
    판 형태의 절연성 지지부와,
    상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하며, 그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하는 제1 도전부와,
    상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하고, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하며, 상기 절연성 지지부에 의해서 상기 제1 도전부와 전기적으로 분리된 제2 도전부와,
    상기 절연성 지지부의 내부에 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제3 전도성 입자들을 구비하고, 상기 제1 도전부를 둘러싸도록 구성되며, 상기 절연성 지지부에 의해서 상기 제1 도전부와 전기적으로 분리되며, 상기 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 실드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전부의 적어도 한쪽 표면은 상기 절연성 지지부 외부로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전부의 적어도 한쪽 표면은 상기 절연성 지지부 외부로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전부와 상기 실드부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 연결부는 상기 절연성 지지부의 두께 방향을 따라서 배열되는 다수의 제4 전도성 입자들을 구비하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 절연 지지부는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
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