WO2023181507A1 - 有機電界発光素子の発光層用材料、発光層形成用組成物、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、広いエネルギーギャップと適切な電荷輸送性を有するために、高い発光効率を示す有機電界発光素子を与えることができる有機電界発光素子の発光層用材料を提供することである。本発明は、少なくとも、発光材料、並びに、下記（Ａ群）、下記（Ｂ群）及び下記（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含む、有機電界発光素子の発光層用材料に関する。　（Ａ群）下記式（１－Ａ）で表される化合物及び下記式（１－Ｂ）で表される化合物からなる群　（Ｂ群）下記式（２）で表される化合物　（Ｃ群）下記式（３）で表される化合物、下記式（１－１）で表される化合物、及び下記式（１－２）で表される化合物からなる群 （（Ａ群）～（Ｃ群）に含まれる各式の詳細は明細書に記載されるとおりである。）

Description

有機電界発光素子の発光層用材料、発光層形成用組成物、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法

　本発明の第一の態様としては、層形成用組成物；有機電界発光素子、表示装置及び照明装置の製造方法；並びに有機電界発光素子、表示装置及び照明装置に関する。
　本発明の第二の態様としては、有機電界発光素子の発光層形成用組成物、有機電界発光素子の製造方法；並びに有機電界発光素子、表示装置及び照明装置に関する。

　塗布法を用いた有機電界発光素子、表示装置、照明の製造は大型基板を用いることができるという観点で好ましく、開発が精力的に行われている。塗布法の中でも、インクジェット法を用いた表示装置の製造については、特に精力的に開発が行われている。
　塗布法を用いて有機電界発光素子、表示装置、照明を製造するにあたっては、当然のことながら上層を塗布する際に下層が溶出してしまわない必要がある。例えば、発光層を塗布形成する際の下層に相当する、正孔輸送層・正孔注入層については架橋基を導入し、塗布後に加熱、紫外線露光などの手段により架橋させることで発光層を塗布形成する際の溶剤に対する耐性を獲得している。

　上層を塗布形成する際に用いられる方法としては、前記下層への架橋基導入のほかに、下層の材料が溶解しない溶媒を用いる方法がある。メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどを用いて有機電界発光素子を作製した例が報告されている。

　特許文献１では、発光層の上の電子輸送層を１－ブタノールを溶媒とした組成物を用いてインクジェット法により塗布成膜し、有機電界発光素子を作製した例が報告されている。
　非特許文献１では、発光層の上の電子輸送層をメタノール、あるいは２－プロパノールを溶媒とした組成物からスピンコート法によって塗布成膜し、有機電界発光素子を作製した例が報告されている。

日本国特許第５３８１７１９号公報

Ｎａｔ．Ｃｏｍｍｕｎ．２０１４，Ｖｏｌ．５，５７５６

　特許文献１には、１－ブタノールを溶媒とした組成物を用いて、インクジェット法により有機電界発光素子の層を塗布形成した例が開示されている。しかしながら、インクジェットヘッドの詰まりに関しての記載はなく、連続してインクジェット塗布を実施するために適した方法か否かについて必ずしも明確には記載されていない。
　非特許文献１には、メタノール、あるいは２－プロパノールを溶媒とした組成物を用いて、スピンキャスト法により有機電界発光層の層を形成した例が開示されている。しかしながら、当該組成物がインクジェット法に適用できるかどうかは不明である。

　その他、発光層の上の電子輸送層を塗布形成する際に、発光層に架橋基を導入する方法が知られている。しかしながら、発光層に含まれる化合物には、加熱、紫外線露光等の架橋処理に対する耐性への懸念があり、また、発光層に残留する未反応の架橋基と発光層に含まれる化合物とが駆動時の通電により反応することで輝度低下を引き起こす懸念があるため、有用な方法とは考えられていない。

　かかる状況のもと、塗布法により有機電界発光素子を製造する場合であっても、発光層までを塗布法により形成するのがせいぜいであって、発光層よりも上層については真空蒸着法を用いて検討されることがもっぱらである。このため、塗布法を用いるメリットが十分に活かされているとは言えない状態である。

　本発明は上記従来の実情に鑑みてなされたものであり、広いエネルギーギャップと適切な電荷輸送性を有するために、高い発光効率を示す有機電界発光素子を与えることができる有機電界発光素子の発光層用材料（以下、「発光層用材料」ともいう。）を提供することを課題とする。また、本発明は、インクジェット法を用いて発光層の上層を好適に塗布、形成することができる層形成用組成物を提供することを課題とする。

　また、本発明は、当該発光層用材料を用いた有機電界発光素子、表示装置及び照明装置の製造方法、並びに、当該製造方法により得られる有機電界発光素子、表示装置及び照明装置を提供することを課題とする。

　本発明者らが鋭意検討した結果、少なくとも、発光材料、並びに、特定の群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含む発光層用材料により、上記課題を解決できることを見出し、本発明に到達した。

　即ち、本発明の要旨は次のとおりである。

　本発明の態様１は、
　少なくとも、発光材料、並びに、下記（Ａ群）、下記（Ｂ群）及び下記（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含む、有機電界発光素子の発光層用材料である。
　（Ａ群）下記式（１－Ａ）で表される化合物及び下記式（１－Ｂ）で表される化合物からなる群
　（Ｂ群）下記式（２）で表される化合物
　（Ｃ群）下記式（３）で表される化合物、下記式（１－１）で表される化合物、及び下記式（１－２）で表される化合物からなる群

（式（１－Ａ）中、Ｇ^１及びＧ^２は各々独立して、芳香族炭化水素基を表し、Ｇ^１の炭素数及びＧ^２の炭素数の合計炭素数が４２以上、２４０以下であるか、又は、Ｇ^１及びＧ^２の少なくとも一方の炭素数が５４以上、２４０以下である。Ｘ^１～Ｘ^７は各々独立に、ＣＲ^１Ａまたは窒素原子であり、Ｒ^１Ａは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。Ｇは、水素原子、重水素原子、ＣＮ、又は置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。
　式（１－Ｂ）中、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５は各々独立して、芳香族炭化水素基を表し、Ｇ^３の炭素数、Ｇ^４の炭素数及びＧ^５の炭素数の合計炭素数が４２以上、２４０以下であるか、又は、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２８以上、２４０以下である。Ｘ^８～Ｘ^２１は各々独立に、ＣＲ^１Ｂまたは窒素原子であり、Ｒ^１Ｂは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。）

（式（２）中、
　Ａｒ^１～Ａｒ^５は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
　Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５の少なくとも一つは、下記式（４）又は下記式（５）で表され、
　Ａｒ^３及びＡｒ^４は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
　Ｌ^１～Ｌ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
　Ｒは、各々独立に、置換基を表し、
　ｍ１、ｍ２及びｍ５は、各々独立に、０～５の整数を表し、
　ｍ３及びｍ４は、各々独立に、１～５の整数を表し、
　ｎは、０～１０の整数を表し、
　ａ１及びａ２は、各々独立に、０～３の整数を表し、
　ａ３は０～４の整数を表し、
　ａ４は０又は１の整数を表す。
　ただし、ａ３が４の場合はａ４は０である。
　式（２）中、Ａｒ^１－（Ｌ^１）_ｍ１－、Ａｒ^２－（Ｌ^２）_ｍ２－、Ａｒ^３－（Ｌ^３）_ｍ３－、Ａｒ^４－（Ｌ^４）_ｍ４－は、いずれも水素原子にはならない。）

（式（４）又は式（５）中、
　アスタリスク（＊）は、式（２）との結合を表し、
　Ｒ^２１～Ｒ^４６は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。）

（式（３）中、Ｇ^３１及びＧ^３２は各々独立に、下記式（７）を表し、Ｇ^３３は、下記式（８）を表す。）

（式（７）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
　Ｌ^３２は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　Ａｒ^３２は、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　ａ^３２は０～５の整数を表す。）

（式（８）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
　Ｌ^３３は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　ａ^３３は０～５の整数を表す。）

（式（１－１）中、
　Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子であり、
　Ｘａ^１、Ｙａ^１、及びＺａ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基又は置換基を有していてもよい１，４－フェニレン基を表し、
　Ｚａ^１の少なくとも一つは、１，３－フェニレン基であり、
　Ｘａ^２及びＹａ^２は、各々独立に、置換基を有してもよいフェニル基を表し、
　Ｚａ^２は、置換基を有してもよいＮ－カルバゾリル基を表し、
　ｆ１１は１又は２であり、
　ｇ１１は１～５の整数であり、
　ｈ１１は２～５の整数であり、
　ｊ１１は１～６の整数であり、
　ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は５以上であり、
　Ｒ^１１は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。）

（式（１－２）中、
　Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子であり、
　Ｘａ^１、Ｙａ^１、及びＺａ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基又は置換基を有していてもよい１，４－フェニレン基を表し、
　Ｙａ^１及びＺａ^１の少なくとも一つは、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基であり、
　Ｘａ^２は、置換基を有してもよいフェニル基を表し、
　Ｙａ^２及びＺａ^２は、各々独立に、置換基を有してもよいＮ－カルバゾリル基を表し、
　ｆ１１は１又は２であり、
　ｇ１１は１～５の整数であり、
　ｈ１１は２～５の整数であり、
　ｊ１１は２～５の整数であり、
　ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は６以上であり、
　Ｒ^１１は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。）

　本発明の態様２は、
　前記式（１－Ａ）及び前記式（１－Ｂ）における前記Ｇ^１～Ｇ^５の少なくとも一つが、下記式（１１）～下記式（１６）から選択される少なくとも一つの部分構造を含む、態様１に記載の発光層用材料である。

（式（１１）～式（１６）それぞれにおいて、アスタリスク（＊）は、隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。）

　本発明の態様３は、
　前記式（２）におけるＬ^１～Ｌ^５が、各々独立に、置換基を有していてもよい、フェニレン基又はフェニレン基が２個以上直接結合で連結した基である、態様１又は２に記載の発光層用材料である。

　本発明の態様４は、
　前記式（２）におけるＬ^１～Ｌ^５が、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基である、態様１～３のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様５は、
　前記式（２）で表される化合物が下記式（１７）～下記式（１９）、下記式（２１）、下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造を有する、態様１～４のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

（式（１７）～式（１９）、式（２１）及び式（２２）それぞれにおいて、アスタリスク（＊）は、隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す結合を表す。）

　本発明の態様６は、
　前記式（３）におけるＧ^３１が、下記式（６）で表される、態様１～５のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

（式（６）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
　Ｌ^３１は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　Ａｒ^３１は、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　ａ^３１は０～５の整数を表す。）

　本発明の態様７は、
　前記式（７）及び前記式（８）におけるＬ^３２及びＬ^３３が、各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基である、態様１～６のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様８は、
　前記式（７）及び前記式（８）におけるＬ^３２及びＬ^３３、並びに、前記式（６）におけるＬ^３１が各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基である、態様６に記載の発光層用材料である。

　本発明の態様９は、
　前記式（３）で表される化合物が下記式（１７）～下記式（１９）、下記式（２１）、下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造を有する、態様１～８のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

（式（１７）～式（１９）、式（２１）及び式（２２）それぞれにおいて、アスタリスク（＊）は、隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す結合を表す。）

　本発明の態様１０は、
　前記式（１－２）におけるＹａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であり、かつＺａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基である、態様１～９のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様１１は、
　前記式（１－２）におけるＸａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基である、態様１～１０のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様１２は、
　前記式（１－１）において、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２は下記式（Ｘａ－１）の構造群から選ばれ、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２は下記式（Ｙａ－１）の構造群から選ばれ、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２は下記式（Ｚａ－１）の構造群から選ばれ、
　前記式（１－２）において、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２は下記式（Ｘａ－２）の構造群から選ばれ、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２は下記式（Ｙａ－２）の構造群から選ばれ、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２は下記式（Ｚａ－２）の構造群から選ばれる、態様１～１１のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様１３は、
　前記式（１－１）で表される化合物及び前記式（１－２）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物を含み、前記少なくとも１つの化合物におけるＷ_１、Ｗ_２及びＷ_３の全てが窒素原子である、態様１～１２のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様１４は、
　前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）又は前記（Ｃ群）の化合物として含まれる化合物及び発光材料の分子量が全て１２００以上である、態様１～１３のいずれか１つに記載の発光層用材料である。

　本発明の態様１５は、
　陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有し、
　前記発光層が態様１～１４のいずれか１つに記載の発光層用材料を含む、有機電界発光素子である。

　本発明の態様１６は、
　態様１～１４のいずれか１つに記載の発光層用材料及び、第２の有機溶剤を含む、発光層形成用組成物である。

　本発明の態様１７は、
　前記第２の有機溶剤として少なくとも２種の有機溶剤を含み、少なくとも１種の前記有機溶剤の沸点が２００℃以上である、態様１６に記載の発光層形成用組成物である。

　本発明の態様１８は、
　陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法であって、
　前記発光層を、態様１６又は１７に記載の発光層形成用組成物を用いて湿式成膜法にて形成する工程を含む、有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明の態様１９は、
　陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層と、前記発光層の前記陰極側に接する層とを少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法であって、
　前記発光層は、態様１６又は１７に記載の発光層形成用組成物を用いた湿式成膜法により形成され、
　前記発光層の前記陰極側に接する層を形成する工程は、
　機能性材料と第１の有機溶剤とを含み、第１の有機溶剤は少なくとも２種の有機溶剤を含み、前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上である層形成用組成物をインクジェット法により前記発光層の表面に塗布して、前記発光層の前記陰極側に接する層を形成する工程と、前記発光層の前記陰極側に接する前記層を乾燥する工程とをこの順で含む、有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明の態様２０は、
　前記機能性材料が電子輸送性化合物である、態様１９に記載の有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明の態様２１は、
　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２３０℃以上である、態様１９又は２０に記載の有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明の態様２２は、
　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃未満である、態様１９～２１のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明の態様２３は、
　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種がプロトン性極性有機溶剤である、態様１９～２２のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明の態様２４は、
　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種がアルコール系有機溶剤である、態様１９～２３のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法である。

　本発明により、広いエネルギーギャップと適切な電荷輸送性を有するために、高い発光効率を示す有機電界発光素子を与えることができる発光層用材料を提供することができる。

　また、本発明により、当該発光層用材料を用いた有機電界発光素子、表示装置及び照明装置の製造方法、並びに、当該製造方法により得られる有機電界発光素子、表示装置及び照明装置を提供することができる。

図１は、本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。

　以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。なお、本明細書において「～」という表現を用いる場合、その前後の数値又は物性値を含む表現として用いる。

［層形成用組成物］
　本発明の層形成用組成物は、発光層の陰極側に接する有機層をインクジェット法により塗布形成するための層形成用組成物であって、機能性材料と第１の有機溶剤を含み、第１の有機溶剤は少なくとも２種の有機溶剤を含み、前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上である。本明細書において、層形成用組成物が含む有機溶剤を第１の有機溶剤と称する。
　なお、本明細書において言及される「沸点」とは、特段の注釈を加えない限り、常圧（１ａｔｍ）下で測定された沸点を指す。

（第１の有機溶剤）
　本発明の層形成用組成物は第１の有機溶剤として少なくとも２種の有機溶剤を含み、前記有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上である。
　本発明において用いることができる沸点が２００℃以上の有機溶剤は、沸点が２００℃以上のものであれば特に制限がない。インクジェットヘッドの詰まりを抑制できる点から、第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２３０℃以上であることが好ましく、沸点が２４０℃以上であることがより好ましい。
　また、本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の有機溶剤としては、例えば、アルコール系有機溶剤、芳香族系有機溶剤、含ハロゲン系有機溶剤、脂肪族エーテル系有機溶剤、芳香族エーテル系有機溶剤、脂肪族エステル系有機溶剤、芳香族エステル系有機溶剤等を挙げることができる。その中でも、電子輸送材料をよく溶解し、発光層の材料を溶かしにくい観点から、プロトン性極性有機溶剤であることが好ましく、酸素や窒素に結合した水素原子を有するプロトン性極性有機溶剤であることがより好ましい。このようなプロトン性極性有機溶剤としては、例えば、アルコール系有機溶剤、アミド系有機溶剤、フェノール系有機溶剤を挙げることができる。これらのうち、アルコール系有機溶剤、アミド系有機溶剤が好ましく、アルコール系有機溶剤がより好ましい。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上のアルコール系有機溶剤の具体例として、例えば、２－ブチル－１－ｎ－オクタノール、ノナノール、デカノール、ベンジルアルコール、ジエチレングリコール、フェノキシエタノール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、フェノキシエトキシエタノール等を挙げることができる。これらのうち、粘度の点から、２－ブチル－１－ｎ－オクタノール、デカノール、ジエチレングリコール、が好ましく、２－ブチル－１－ｎ－オクタノール、ジエチレングリコールがより好ましく、２－ブチル－１－ｎ－オクタノールがさらに好ましい。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の芳香族系有機溶剤の具体例として、例えば、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の含ハロゲン系有機溶剤の具体例として、例えば、１，２，４－トリクロロベンゼン等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の脂肪族エーテル系有機溶剤の具体例として、例えば、エチレングリコールジブチルエーテル等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の芳香族エーテル系有機溶剤の具体例として、例えば、１，２－ジメトキシベンゼン等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の脂肪族エステル系有機溶剤の具体例として、例えば、炭酸プロピレン等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃以上の芳香族エステル系有機溶剤の具体例として、例えば、プロピオン酸フェニル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等を挙げることができる。

　本発明の層形成用組成物に第１の有機溶剤として含まれる少なくとも２種の有機溶剤は、いずれも沸点が２００℃以上の有機溶剤であってもよく、また、沸点が２００℃未満の有機溶剤を少なくとも１種含んでいてもよい。

　本発明の層形成用組成物が第１の有機溶剤として含んでもよい２００℃未満の有機溶剤としては、例えば、アルコール系有機溶剤、芳香族系有機溶剤、含ハロゲン系有機溶剤、脂肪族エーテル系有機溶剤、芳香族エーテル系有機溶剤、脂肪族エステル系有機溶剤、芳香族エステル系有機溶剤等を挙げることができる。その中でも、電子輸送材料をよく溶解し、発光層の材料を溶かしにくい観点から、酸素や窒素に結合した水素原子を有するプロトン性極性有機溶剤であることが好ましい。このようなプロトン性極性有機溶剤としては、例えば、アルコール系有機溶剤、アミド系有機溶剤、フェノール系有機溶剤を挙げることができる。これらのうち、アルコール系有機溶剤、アミド系有機溶剤が好ましく、アルコール系有機溶剤がより好ましい。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満のアルコール系有機溶剤の具体例として、例えば、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｉｓｏ－ブチルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、ｉｓｏ－ペンチルアルコール、ｔｅｒｔ－ペンチルアルコール、３－メチル－２－ブタノール、ネオペンチルアルコール、１－ヘキサノール、２－メチル－１－ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、２－エチル－１－ブタノール、１－ヘプタノール、２－ヘプタノール、３－ヘプタノール、４－ヘプタノール、２－メチル－１－ヘキサノール、エチレングリコール等を挙げることができる。これらのうち、発光層用材料を溶解しにくいことから、１－ブタノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、エチレングリコールが好ましく、１－ブタノール、１－ヘプタノール、エチレングリコールがより好ましく、１－ブタノール及び１－ヘプタノールがさらに好ましい。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満の芳香族系有機溶剤の具体例として、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満の含ハロゲン系有機溶剤の具体例として、例えば、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満の脂肪族エーテル系有機溶剤の具体例として、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満の芳香族エーテル系有機溶剤の具体例として、例えば、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，４－ジメチルアニソール等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満の脂肪族エステル系有機溶剤の具体例として、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル等を挙げることができる。

　本発明の第１の有機溶剤として用いることができる沸点が２００℃未満の芳香族エステル系有機溶剤の具体例として、例えば、酢酸フェニル、安息香酸メチル等を挙げることができる。

　本発明の層形成用組成物が第１の有機溶剤として含む少なくとも２種の有機溶剤は、その少なくとも１種の沸点が２００℃以上であることにより、これを用いてインクジェット法により発光層の陰極側に接する有機層を形成した場合に、吐出性が良く、インクジェットヘッドの詰まりがなく、かつ、発光層の一部溶解による変質の恐れを少なくすることができる。

　本発明の層形成用組成物を用いることにより、吐出性が良く、インクジェットヘッドの詰まりがなく、かつ、発光層の一部溶解による変質の恐れを少なくすることができることについての理由は明らかではないが、下記のように考えられる。

　まず、吐出性が良く、インクジェットヘッドの詰まりが抑えられることについて、本発明の層形成用組成物に含まれる第１の有機溶剤が蒸発しにくいことにより達成されると考えられる。
　より詳細には、第１の有機溶剤として沸点が２００℃以上の有機溶剤を少なくとも１種含むことにより、インクジェット法による塗布の際に層形成用組成物から有機溶剤が蒸発することが抑制され、有機溶剤の蒸発による機能性材料の濃度の上昇、これに伴う層形成用組成物の粘度の上昇及び機能性材料の一部析出を防止することができると考えられる。そして、粘度が上昇した層形成用組成物及び析出した機能性材料による吐出性の悪化、インクジェットの詰まりを防止することができると考えられる。

　また、発光層の一部溶解による変質の恐れを少なくすることができることについて、本発明の層形成用組成物に含まれる第１の有機溶剤の粘度が比較的高いことにより達成されると考えられる。
　一般的に、有機溶剤分子どうしの相互作用が大きいほど、沸点及び粘度が高くなる傾向があり、また、有機溶剤の粘度が高いほど、有機溶剤を塗布した下地に浸透しにくい傾向がある。本発明の層形成用組成物に第１の有機溶剤として含まれる沸点が２００℃以上の有機溶剤は、これよりも沸点が低い有機溶剤に比して粘度が高い傾向があり、下地に相当する発光層への有機溶剤の浸透及びこれに伴う発光層の一部溶解による変質が抑えられると考えられる。

　また、本発明の層形成用組成物の第１の有機溶剤に沸点が２００℃未満の有機溶剤が含まれる場合、沸点２００℃未満の有機溶剤はインクジェット塗布後の微小液滴状態においては比較的早く乾燥する。これにより、インクジェット塗布後の層形成用組成物中の機能性材料の濃度が高くなることで、層形成用組成物の粘度が上昇し、より効果的に発光層の一部溶解による変質の恐れを少なくすることができると考えられる。

　本発明の層形成用組成物が第１の有機溶剤として含む有機溶剤は少なくとも２種であればよく、粘度、蒸気圧を調節できることから、２～５種であることが好ましく、２～４種であることがより好ましく、２～３種であることがさらに好ましい。

　本発明の層形成用組成物に第１の有機溶剤として含まれる有機溶剤が、沸点が２００℃以上の有機溶剤及び沸点が２００℃未満の有機溶剤の両方により構成される場合、沸点が２００℃以上の有機溶剤と沸点が２００℃未満の有機溶剤との組成比（ｖｏｌ．：ｖｏｌ．）には特に制限がない。発光層の一部溶解による変質の恐れを少なくできる観点の点から、２０：８０～９０：１０であることが好ましく、４０：６０～８０：２０であることがより好ましく、５０：５０～７０：３０であることがさらに好ましい。
　なお、第１の有機溶剤において、沸点が２００℃以上の有機溶剤が２種以上の有機溶剤により構成される場合は、これらの有機溶剤の体積の合算に基づき、上記組成比を求める。沸点が２００℃未満の有機溶剤が２種以上の有機溶剤により構成される場合も同様である。

　上述のとおり、本発明の層形成用組成物に第１の有機溶剤として含まれる有機溶剤の少なくとも１種がプロトン性極性有機溶剤であることが好ましい。該プロトン性極性有機溶剤の沸点が２００℃以上であっても２００℃未満であっても、かかる有機溶剤を含むことにより、発光層の材料を溶かしにくくなる効果が得られる。このようなプロトン性極性有機溶剤としては、例えば、アルコール系有機溶剤、アミド系有機溶剤、フェノール系有機溶剤を挙げることができる。これらのうち、アルコール系有機溶剤、アミド系有機溶剤が好ましく、アルコール系有機溶剤がより好ましい。

（機能性材料）
　本発明の層形成用組成物は、機能性材料を含む。機能性材料としては発光層の陰極側に接する有機層に用いることができるものであれば特に制限がなく、例えば、電子輸送性化合物、正孔阻止性化合物等を挙げることができる。これらのうち、陰極から発光層へと効率よく電子を輸送する観点から、電子輸送性化合物、正孔阻止性化合物が好ましく、電子輸送性化合物がより好ましい。
　なお、本明細書でいう電子輸送性化合物及び正孔阻止性化合物とは、それぞれ、電子輸送材料及び正孔阻止材料とも呼ばれる化合物を指す。

　本発明における機能性材料は単一の構造を有する低分子化合物でも繰り返し単位を有する高分子化合物でも特に制限はない。
　本発明における低分子化合物の機能性材料の分子量には特に制限がなく、例えば、３００～１００００であることができる。これらのうち、溶解性、耐熱性の点から、４００～５０００であることが好ましく、５００～４０００であることがより好ましく、７００～３０００であることがさらに好ましい。
　また、本発明における高分子化合物の機能性材料の分子量には特に制限がなく、例えば、５，０００～１，０００，０００であることができる。これらのうち、１０，０００～５００，０００であることが好ましく、１２，０００～１００，０００であることがより好ましく、１５，０００～５０，０００であることがさらに好ましい。本発明の高分子化合物の平均重量分子量が前記上限以下であることで、第１の有機溶剤に対する溶解性が得られやすくなり、本発明の高分子化合物の平均受領分子量が上限以上であることで、有機層の耐熱性が向上する。
　なお、本明細書において用いる化合物が高分子化合物である場合、特段の注釈がない限り、分子量とは重量平均分子量（Ｍｗ）を指す。

　本発明における機能性材料としては、後述の正孔阻止性化合物及び電子輸送性化合物を用いることができ、好ましくは電子輸送性化合物である。

　本発明の層形成用組成物には、機能性材料の１種のみが含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。

　本発明の層形成用組成物が含む機能性材料の濃度には特に制限がなく、例えば、層形成用組成物に含まれる第１の有機溶剤の全量に対して、０．１ｍｇ／ｍＬ～５０ｍｇ／ｍＬであることができる。組成物としての粘度の点から、０．５ｍｇ／ｍＬ～３０ｍｇ／ｍＬであることが好ましく、１ｍｇ／ｍＬ～２５ｍｇ／ｍＬであることがより好ましく、５ｍｇ／ｍＬ～２０ｍｇ／ｍＬであることがさらに好ましい。

（用途）
　本発明の層形成用組成物は、一態様として、発光層の陰極側に接する有機層をインクジェット法により塗布形成するための組成物であることができる。より詳細には、有機電界発光素子の発光層の陰極側に接する有機層をインクジェット法により塗布形成するための組成物であることが好ましく、有機電界発光素子の電子輸送層又は正孔阻止層をインクジェット法により塗布形成するための組成物であることが好ましく、有機電界発光素子の電子輸送層をインクジェット法により塗布形成するための組成物であることがより好ましい。

［有機層］
　本発明の層形成用組成物を用いてインクジェット法により塗布形成される有機層は、発光層の陰極側に接する有機層である。該有機層は発光層の陰極側に接してなる層につき、陰極から発光層へと効率よく電子を輸送し、また発光層で生成する励起状態を発光層外に逃がさないような機能を有することが好ましい。

　本発明の層形成用組成物を用いてインクジェット法により塗布形成される有機層の厚さ（膜厚）には特に制限がなく、例えば、１ｎｍ～１００ｎｍであることができる。素子の消費電力の観点の点から、２ｎｍ～８０ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～５０ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～３０ｎｍであることがさらに好ましい。

［インクジェット法による有機層の塗布形成］
　本発明における発光層は、通常、電極が設けられた基板に、発光画素をバンクと呼ばれる隔壁で区画された微小領域を有する。このバンクで区画された微小領域内に本発明の層形成用組成物をインクジェット法によって塗布し、乾燥することによって有機層を形成する。

　インクジェット法は、インクジェットヘッドの微小なノズルからバンクで区画された微小領域よりも小さい液滴を吐出する方法であり、複数の液滴を吐出することによってバンクで区画された微小領域を層形成用組成物で満たすことが好ましい。

　例えば、バンクで区画された微小領域を層形成用組成物で満たしたのち、乾燥する。乾燥の例として、例えば、減圧することにより有機溶剤を揮発させる真空乾燥を挙げることができる。

　本発明において使用することができるインクジェット装置としては、当該技術分野において使用されるものであれば特に制限がなく、例えば、富士フイルム製マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１、キヤノン株式会社製のＰＪ－１０８０Ａ等を挙げることができる。

［有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子］
（有機電界発光素子の製造方法）
　本発明における有機電界発光素子の製造方法は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層と、前記発光層の前記陰極側に接する層とを少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記発光層の前記陰極側に接する層は、機能性材料と第１の有機溶剤とを含み、第１の有機溶剤は少なくとも２種の有機溶剤とを含み、前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上である層形成用組成物をインクジェット法により前記発光層の表面に塗布して、前記発光層の前記陰極側に接する前記層を形成する工程と、前記発光層の前記陰極側に接する前記層を乾燥する工程と、をこの順で含む。前記製造方法における発光層は、後述する発光層形成用組成物を用いた湿式成膜法にて形成されることが好ましい。

　本発明における有機電界発光素子の製造方法において用いる第１の有機溶剤及び機能性材料の具体例及び好ましい態様は、上述したとおりである。

　以下、本発明の層形成用組成物を用いて製造される有機電界発光素子の層構成の好ましい例を、図１を参照して説明する。

　図１は本発明における有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図である。図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。この場合、本発明における有機電界発光素子１０の製造方法において、発光層５の陰極９側に接する層は正孔阻止層６に相当する。

　また、本発明における有機電界発光素子１０は、正孔阻止層６を省略して、電子輸送層７を発光層５に接するように形成することもできる。この場合、本発明における有機電界発光素子１０の製造方法において、発光層５の陰極９側に接する層は電子輸送層７に相当する。

　本発明における有機電界発光素子の製造方法において、発光層の陰極側に接する層は、電子輸送層であることが好ましい。また、機能性材料は電子輸送性化合物であることが好ましい。

　本発明における有機電界発光素子は、陽極、発光層、発光層の陰極側に接する層及び陰極を必須の構成層とするが、必要に応じて、図１に示すように陽極２と発光層５及び陰極９と発光層５との間に他の機能層を有していてもよい。

（基板）
　基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものである。基板１としては、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板；ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合には、ガスバリア性に留意するのが好ましい。基板のガスバリア性は、基板を通過した外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いので、大きいことが好ましい。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

（陽極）
　陽極２は、発光層５側の層への正孔注入の役割を果たす電極である。
　陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。

　陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法により行われることが多い。
　銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、これらの微粒子などを適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより、陽極２を形成することもできる。
　導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成することもできる。
　基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

　陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。

　陽極２の厚みは、必要とする透明性などに応じて適宜選択すればよい。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は、陽極２の厚みは任意である。陽極２の機能を兼ね備えた基板１を用いてもよい。上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。

　陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。

（正孔注入層）
　正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層である。正孔注入層３を設ける場合は、正孔注入層３は、通常、陽極２上に形成される。

　正孔注入層３の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔注入層３は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。
　正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

＜正孔輸送材料＞
　正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層３の構成材料として正孔輸送材料及び溶剤を含有する。

　正孔輸送材料は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層３に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。

　正孔輸送材料としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ～６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送材料の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。

　本発明において誘導体とは、例えば芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。

　正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送材料は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送材料を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送材料１種又は２種以上とを併用することが好ましい。

　正孔輸送材料としては、上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。

　芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（５１）又は下記式（６１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。

（式（５１）中、Ａｒ^３は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、Ａｒ^４は、置換基を有していてもよい、二価の芳香族炭化水素基又は二価の芳香族複素環基、若しくは、該芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、直接又は連結基を介して、複数個連結した二価の基を表す。）

　前記式（５１）において、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、連結基を介して複数個連結したものである場合の連結基は、二価の連結基であり、例えば－Ｏ－基、－Ｃ（＝Ｏ）－基及び（置換基を有していてもよい）－ＣＨ_２－基から選ばれる基を任意の順番で１～３０個、好ましくは１～５個、更に好ましくは１～３個連結してなる基が挙げられる。
　連結基の中では、発光層への正孔注入に優れる点で、式（５１）中のＡｒ^４が、下記式（５２）で表される連結基を介して複数個連結された芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。

（式（５２）中、ｄは１～１０の整数を表し、Ｒ^８及びＲ^９は、各々独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基を表す。
　Ｒ^８、Ｒ^９が複数個存在する場合、同じであっても異なっていてもよい。）

　上記式（６１）中、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐは、各々独立に、０以上の整数を表す。但し、ｌ＋ｍ≧１である。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２、Ａｒ^１４は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い炭素数３０以下の２価の芳香環基を表す。Ａｒ^１３は、置換基を有していても良い炭素数３０以下の２価の芳香環基または下記式（６２）で表される２価の基を表し、Ｑ^１１、Ｑ^１２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、置換基を有していても良い炭素数６以下の炭化水素鎖を表し、Ｓ^１～Ｓ^４は、各々独立に、下記式（６３）で表される基で表される。
　なお、ここでいう芳香環基とは、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基のことを言う。

　Ａｒ^１１、Ａｒ^１２、Ａｒ^１４の芳香環基の例としては、単環、２～６縮合環又はこれらの芳香族環が２つ以上連結した基が挙げられる。単環又は２～６縮合環の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の２価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の２価の基またはビフェニル基が好ましい。
　Ａｒ^１３の芳香環基の例としては、Ａｒ^１１、Ａｒ^１２、Ａｒ^１４の場合と同様である。

　上記式（６２）中、Ｒ^１１は、アルキル基、芳香環基または炭素数４０以下のアルキル基と芳香環基からなる３価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ｒ^１２は、アルキル基、芳香環基または炭素数４０以下のアルキル基と芳香環基からなる２価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ａｒ^３１は、１価の芳香環基、又は１価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していても良い。ｑは１～４を表す。ｑが２以上の場合、複数のＲ^１２は同一であっても異なっていてもよく、複数のＡｒ^３１は同一であっても異なっていてもよい。アスタリスク（＊）は式（６１）の窒素原子との結合手を示す。

　Ｒ^１１の芳香環基としては、炭素数３以上３０以下の単環又は縮合環である芳香環基１つであるか、又はそれらが２～６連結した基が好ましく、具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが２～６連結した基由来の３価の基が挙げられる。
　Ｒ^１１のアルキル基としては、炭素数１以上１２以下の直鎖、分岐、又は環を含むアルキル基が好ましく、具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン由来の基等が挙げられる。
　Ｒ^１１の炭素数４０以下のアルキル基と芳香環基からなる基としては、好ましくは炭素数１以上１２以下の直鎖、分岐、又は環を含むアルキル基と、炭素数３以上３０以下の単環又は縮合環である芳香環基１つ又は２～６連結した基とが連結した基が挙げられる。

　Ｒ^１２の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが連結した炭素数３０以下の連結環由来の２価の基が挙げられる。
　Ｒ^１２のアルキル基の具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン由来の２価の基等が挙げられる。

　Ａｒ^３１の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが連結した炭素数３０以下の連結環由来の１価の基が挙げられる。

　式（６２）の好ましい構造の例としては以下の構造が挙げられ、Ｒ^１１の部分構造である下記構造における主鎖のベンゼン環またはフルオレン環はさらに置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^３１の架橋基の例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環またはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。化合物の安定性からベンゾシクロブテン環またはナフトシクロブテン環由来の基が好ましい。

　上記式（６３）中、ｘ，ｙは、０以上の整数を表す。Ａｒ^２１、Ａｒ^２３は、それぞれ独立に、２価の芳香環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^２２は置換基を有していても良い１価の芳香環基を表し、Ｒ^１３は、アルキル基、芳香環基、またはアルキル基と芳香環基からなる２価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ａｒ^３２は１価の芳香環基又は１価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していても良い。アスタリスク（＊）は式（６１）の窒素原子との結合手を示す。

　Ａｒ^２１、Ａｒ^２３の芳香環基の例としては、Ａｒ^１１、Ａｒ^１２、Ａｒ^１４の場合と同様である。

　Ａｒ^２２、Ａｒ^３２の芳香環基の例としては、単環、２～６縮合環又はこれらの芳香族環が２つ以上連結した基が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の１価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の１価の基またはビフェニル基が好ましい。

　Ｒ^１３のアルキル基または芳香環基の例としては、Ｒ^１２と同様である。

　Ａｒ^３２の架橋基は特に限定しないが、好ましい例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環もしくはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。

　上記Ａｒ^１１～Ａｒ^１４、Ｒ^１１～Ｒ^１３、Ａｒ^２１～Ａｒ^２３、Ａｒ^３１～Ａｒ^３２、Ｑ^１１、Ｑ^１２はいずれも、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に置換基を有していても良い。置換基の分子量としては、４００以下が好ましく、中でも２５０以下がより好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、下記の置換基群Ｗから選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。

置換基群Ｗ：
　メチル基、エチル基等の、炭素数が１以上、好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下のアルキル基；ビニル基等の、炭素数が２以上、好ましくは１１以下、さらに好ましくは５以下のアルケニル基；エチニル基等の、炭素数が２以上、好ましくは１１以下、さらに好ましくは５以下のアルキニル基；メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が１以上、好ましくは１０以下、さらに好ましくは６以下のアルコキシ基；フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が４以上、好ましくは５以上、好ましくは２５以下、さらに好ましくは１４以下のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が２以上、好ましくは１１以下、さらに好ましくは７以下のアルコキシカルボニル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が２以上、好ましくは２０以下、さらに好ましくは１２以下のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ－カルバゾリル基等の、炭素数が１０以上、好ましくは１２以上、好ましくは３０以下、さらに好ましくは２２以下のジアリールアミノ基；フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が６以上、さらに好ましくは７以上、好ましくは２５以下、さらに好ましくは１７以下のアリールアルキルアミノ基；アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が２以上、好ましくは１０以下、さらに好ましくは７以下のアシル基；フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；トリフルオロメチル基等の、炭素数が１以上、好ましくは８以下、さらに好ましくは４以下のハロアルキル基；メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が１以上、好ましくは１０以下、さらに好ましくは６以下のアルキルチオ基；フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が４以上、好ましくは５以上、好ましくは２５以下、さらに好ましくは１４以下のアリールチオ基；トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が２以上、好ましくは３以上、好ましくは３３以下、さらに好ましくは２６以下のシリル基；トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が２以上、好ましくは３以上、好ましくは３３以下、さらに好ましくは２６以下のシロキシ基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が６以上、好ましくは３０以下、さらに好ましくは１８以下の芳香族炭化水素基；チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が３以上、好ましくは４以上、好ましくは２８以下、さらに好ましくは１７以下の芳香族複素環基。

　上記置換基群Ｗのうち、溶解性を向上させる観点からアルキル基又はアルコキシ基が好ましく、電荷輸送性及び安定性の観点から芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好ましい。

　特に、式（６１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の中でも、下記式（６４）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が、正孔注入・輸送性が非常に高くなるので好ましい。

　上記式（６４）中、Ｒ^２１～Ｒ^２５は各々独立に、任意の置換基を表す。Ｒ^２１～Ｒ^２５の置換基の具体例は、前述の［置換基群Ｗ］に記載されている置換基と同様である。
　ｓ、ｔは各々独立に、０以上、５以下の整数を表す。
　ｕ、ｖ、ｗは各々独立に、０以上、４以下の整数を表す。

　芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（６５）及び／又は式（６６）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。

　上記式（６５）、式（６６）中、Ａｒ^４５、Ａｒ^４７及びＡｒ^４８は各々独立して、置換基を有していても良い１価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していても良い１価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ^４４及びＡｒ^４６は各々独立して、置換基を有していても良い２価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い２価の芳香族複素環基を表す。
　Ｒ^４１～Ｒ^４３は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。

　Ａｒ^４５、Ａｒ^４７及びＡｒ^４８の具体例、好ましい例、有していても良い置換基の例及び好ましい置換基の例は、Ａｒ^２２と同様であり、Ａｒ^４４及びＡｒ^４６の具体例、好ましい例、有していても良い置換基の例及び好ましい置換基の例は、Ａｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１４と同様である。Ｒ^４１～Ｒ^４３として好ましくは、水素原子又は前述の［置換基群Ｗ］に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。

　以下に、本発明において適用可能な、式（６５）、式（６６）で表される繰り返し単位の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜電子受容性化合物＞
　正孔注入層形成用組成物は、正孔注入層３の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。

　電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送材料から１電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子受容性化合物としては、電子親和力が４．０ｅＶ以上である化合物が好ましく、５．０ｅＶ以上の化合物がさらに好ましい。

　このような電子受容性化合物としては、例えばトリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、電子受容性化合物としては、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号、国際公開第２０１７／１６４２６８号）；塩化鉄（ＩＩＩ）（日本国特開平１１－２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（日本国特開２００３－３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。

　電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層３の導電率を向上させることができる。

＜その他の構成材料＞
　正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送材料や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。

（正孔輸送層）
　正孔輸送層４は、陽極２から発光層５へ輸送する層である。正孔輸送層４は、本発明の有機電界発光素子に必須の層ではないが、正孔輸送層４を設ける場合は、通常、正孔輸送層４は、正孔注入層３がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成する。

　正孔輸送層４の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔輸送層４は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。

　正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、正孔輸送層４を形成する材料は、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。多くの場合、正孔輸送層４は、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。

　正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層４の構成材料として用いられている材料であればよい。正孔輸送層４の材料としては、例えばアリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。

　正孔輸送層４の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。

　中でも、正孔輸送層４の材料としては、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
　ポリアリールアミン誘導体及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、日本国特開２００８－９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
　ポリアリールアミン誘導体としては、前記芳香族三級アミン高分子化合物を用いることが好ましい。

　湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、乾燥させる。
　正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送材料の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は、上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
　真空蒸着法により正孔輸送層４を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。

　正孔輸送層４の膜厚は、発光層中の低分子材料の浸み込みや正孔輸送材料の膨潤など要素を考慮し、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。

（発光層）
　発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層５は、通常、正孔輸送層４がある場合には正孔輸送層４の上に、正孔輸送層４が無く、正孔注入層３がある場合には正孔注入層３の上に、正孔輸送層４も正孔注入層３も無い場合は、陽極２の上に形成する。

（発光層用材料）
　本発明における発光層用材料は、少なくとも、発光材料、並びに、下記（Ａ群）、下記（Ｂ群）及び下記（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含む。
　（Ａ群）後述の式（１－Ａ）で表される化合物及び後述の式（１－Ｂ）で表される化合物からなる群
　（Ｂ群）後述の式（２）で表される化合物
　（Ｃ群）後述の式（３）で表される化合物、後述の式（１－１）で表される化合物、及び後述の式（１－２）で表される化合物からなる群

　本発明において、通常、発光層は発光層用材料として、発光材料とマトリクス化合物とを含み、内部量子効率の観点から、発光層はりん光発光性化合物マトリクス化合物とを含むことが好ましい。マトリクス化合物は、前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）及び前記（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された化合物を含む。マトリクス化合物については後述する。

　発光層５の形成方法に制限はない。発光層５は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。後述するマトリクス化合物と発光材料の分子量が大きい場合は、湿式成膜法が好ましく、インクジェット法がより好ましい。

　発光層用材料は、通常、マトリクス化合物と発光材料とを含み、内部量子効率の観点から、発光層用材料はマトリクス化合物とりん光発光性化合物とを含むことが好ましい。本明細書において言及されるマトリクス化合物は、電荷輸送材料とも呼ばれる。

＜発光材料＞
　発光材料としては、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されている任意の公知の材料を適用することができ、特に制限はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。発光材料は、蛍光発光性化合物であってもよく、りん光発光性化合物であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくはりん光発光性化合物である。さらに好ましくは、赤発光材料と緑発光材料はりん光発光性化合物であり、青発光材料は蛍光発光性化合物である。

＜りん光発光性化合物＞
　りん光発光性化合物とは、励起三重項状態から発光を示す化合物をいう。例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｅｕなどを有する金属錯体化合物がその代表例であり、材料の構造として、金属錯体を含むものが好ましい。

　金属錯体の中でも、三重項状態を経由して発光する燐光発光性有機金属錯体として、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７～１１族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体又は有機金属錯体化合物が挙げられる。このようなりん光発光性化合物としては、例えば、国際公開第２０１４／０２４８８９号、国際公開第２０１５－０８７９６１号、国際公開第２０１６／１９４７８４号、日本国特開２０１４－０７４０００号公報に記載のりん光発光性化合物が挙げられる。好ましくは、下記式（２０１）で表される化合物、又は下記式（２０５）で表される化合物が好ましく、より好ましくは下記式（２０１）で表される化合物である。

　式（２０１）において、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　環Ａ２は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２は各々独立に式（２０２）で表される構造であり、“＊”は環Ａ１又は環Ａ２との結合位置を表す。Ｒ^２０１、Ｒ^２０２は同じであっても異なっていてもよく、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０３は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　Ａｒ^２０２は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。
　環Ａ１に結合する置換基同士、環Ａ２に結合する置換基同士、又は環Ａ１に結合する置換基と環Ａ２に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。

　Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ｂ^２０１及びＢ^２０２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｌ^２００は、単結合、又は、Ｂ^２０１及びＢ^２０２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

　なお、式（２０１）、（２０２）において、
　ｉ１、ｉ２はそれぞれ独立に、０以上１２以下の整数を表し、
　ｉ３は、Ａｒ^２０２に置換可能な数を上限とする０以上の整数を表し、
　ｉ４は、Ａｒ^２０１に置換可能な数を上限とする０以上の整数を表し、
　ｋ１及びｋ２はそれぞれ独立に、環Ａ１、環Ａ２に置換可能な数を上限とする０以上の整数を表し、
　ｚは１～３の整数を表す。

　特に断りのない場合、置換基としては、次の置換基群Ｓから選ばれる基が好ましい。

置換基群Ｓ：
・アルキル基、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～１２のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～８のアルキル基、特に好ましくは炭素数１～６のアルキル基。
・アルコキシ基、好ましくは炭素数１～２０のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１～１２のアルコキシ基、さらに好ましくは炭素数１～６のアルコキシ基。
・アリールオキシ基、好ましくは炭素数６～２０のアリールオキシ基、より好ましくは炭素数６～１４のアリールオキシ基、さらに好ましくは炭素数６～１２のアリールオキシ基、特に好ましくは炭素数６のアリールオキシ基。
・ヘテロアリールオキシ基、好ましくは炭素数３～２０のヘテロアリールオキシ基、より好ましくは炭素数３～１２のヘテロアリールオキシ基。
・アルキルアミノ基、好ましくは炭素数１～２０のアルキルアミノ基、より好ましくは炭素数１～１２のアルキルアミノ基。
・アリールアミノ基、好ましくは炭素数６～３６のアリールアミノ基、より好ましくは炭素数６～２４のアリールアミノ基。
・アラルキル基、好ましくは炭素数７～４０のアラルキル基、より好ましくは炭素数７～１８のアラルキル基、さらに好ましくは炭素数７～１２のアラルキル基。
・ヘテロアラルキル基、好ましくは炭素数７～４０のヘテロアラルキル基、より好ましくは炭素数７～１８のヘテロアラルキル基、・アルケニル基、好ましくは炭素数２～２０のアルケニル基、より好ましくは炭素数２～１２のアルケニル基、さらに好ましくは炭素数２～８のアルケニル基、特に好ましくは炭素数２～６のアルケニル基。
・アルキニル基、好ましくは炭素数２～２０のアルキニル基、より好ましくは炭素数２～１２のアルキニル基。
・アリール基、好ましくは炭素数６～３０のアリール基、より好ましくは炭素数６～２４のアリール基、さらに好ましくは炭素数６～１８のアリール基、特に好ましくは炭素数６～１４のアリール基。
・ヘテロアリール基、好ましくは炭素数３～３０のヘテロアリール基、より好ましくは炭素数３～２４のヘテロアリール基、さらに好ましくは炭素数３～１８のヘテロアリール基、特に好ましくは炭素数３～１４のヘテロアリール基。
・アルキルシリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が１～２０であるアルキルシリル基、より好ましくはアルキル基の炭素数が１～１２であるアルキルシリル基。
・アリールシリル基、好ましくはアリール基の炭素数が６～２０であるアリールシリル基、より好ましくはアリール基の炭素数が６～１４であるアリールシリル基。
・アルキルカルボニル基、好ましくは炭素数２～２０のアルキルカルボニル基。
・アリールカルボニル基、好ましくは炭素数７～２０のアリールカルボニル基。

　以上の基は一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられているか、若しくは１つ以上の水素原子が重水素原子で置き換えられていてもよい。
　特に断りのない限り、アリールは芳香族炭化水素環であり、ヘテロアリールは芳香族複素環である。
・水素原子、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、又は、－ＳＦ_５。

　上記置換基群Ｓのうち、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、及びこれらの基の一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は－ＳＦ_５であり、
　より好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、及びこれらの基の一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は－ＳＦ_５であり、
　さらに好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基であり、
　特に好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、
　最も好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基である。

　これら置換基群Ｓにはさらに置換基群Ｓから選ばれる置換基を置換基として有していてもよい。有していてもよい置換基の好ましい基、より好ましい基、さらに好ましい基、特に好ましい基、最も好ましい基は置換基群Ｓの中の好ましい基と同様である。

　環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。

　芳香族炭化水素環としては、好ましくは炭素数６～３０の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましい。

　芳香族複素環としては、ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数３～３０の芳香族複素環が好ましい。さらに好ましくは、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環である。
　環Ａ１としてより好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環又はフルオレン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。

　環Ａ２は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　芳香族複素環としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数３～３０の芳香族複素環である。具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、より好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、最も好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環である。

　環Ａ１と環Ａ２の好ましい組み合せとしては、（環Ａ１－環Ａ２）と表記すると、（ベンゼン環－ピリジン環）、（ベンゼン環－キノリン環）、（ベンゼン環－キノキサリン環）、（ベンゼン環－キナゾリン環）、（ベンゼン環－ベンゾチアゾール環）、（ベンゼン環－イミダゾール環）、（ベンゼン環－ピロール環）、（ベンゼン環－ジアゾール環）、及び（ベンゼン環－チオフェン環）である。

　環Ａ１、環Ａ２が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Ｓから選ばれる１種又は複数種の置換基である。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０３は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　Ａｒ^２０２は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造である場合、該芳香族炭化水素環構造としては、好ましくは炭素数６～３０の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましく、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環が好ましく、最も好ましくはベンゼン環である。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２のいずれかが置換基を有していてもよいベンゼン環である場合、少なくとも一つのベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましく、少なくとも一つのベンゼン環がメタ位で隣接する構造と結合していることがより好ましい。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよいフルオレン環である場合、フルオレン環の９位及び９’位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族複素環構造である場合、芳香族複素環構造としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数３～３０の芳香族複素環であり、具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環である。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよいカルバゾール環である場合、カルバゾール環のＮ位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。

　Ａｒ^２０２が置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造である場合、直鎖、分岐鎖、又は環状構造を有する脂肪族炭化水素構造であり、好ましくは炭素数が１以上２４以下であり、さらに好ましくは炭素数が１以上１２以下であり、より好ましくは炭素数が１以上８以下である。

　ｉ１、ｉ２はそれぞれ独立に、０～１２の整数を表し、好ましくは１～１２、さらに好ましくは１～８、より好ましくは１～６である。この範囲であることにより、溶解性向上や電荷輸送性向上が見込まれる。
　ｉ３は好ましくは０～５の整数を表し、さらに好ましくは０～２、より好ましくは０又は１である。
　ｉ４は好ましくは０～２の整数を表し、さらに好ましくは０又は１である。
　ｋ１、ｋ２はそれぞれ独立に、好ましくは０～３の整数を表し、さらに好ましくは１～３であり、より好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Ｓから選ばれる１種又は複数種の置換基であり、好ましい基も前記置換基群Ｓの通りであるが、より好ましくは無置換（水素原子）、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは無置換（水素原子）、アルキル基であり、最も好ましくは無置換（水素原子）またはターシャリーブチル基であり、ターシャリーブチル基はＡｒ^２０３が存在する場合はＡｒ^２０３に、Ａｒ^２０３が存在しない場合はＡｒ^２０２に、Ａｒ^２０２とＡｒ^２０３が存在しない場合はＡｒ^２０１に置換していることが好ましい。

　前記式（２０１）で表される化合物は、下記（Ｉ）～（ＩＶ）のうちのいずれか１以上を満たす化合物であることが好ましい。
（Ｉ）フェニレン連結式
　式（２０２）で表される構造はベンゼン環が連結した基を有する構造、すなわち、ベンゼン環構造、ｉ１が１～６で、少なくとも一つの前記ベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましい。
　このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。

（ＩＩ）（フェニレン）－アラルキル（アルキル）
　環Ａ１又は環Ａ２に、アルキル基若しくはアラルキル基が結合した芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基を有する構造、すなわち、Ａｒ^２０１が芳香族炭化水素構造又は芳香族複素環構造、ｉ１が１～６、Ａｒ^２０２が脂肪族炭化水素構造、ｉ２が１～１２、好ましくは３～８、Ａｒ^２０３がベンゼン環構造、ｉ３が０又は１である構造、好ましくは、Ａｒ^２０１は前記芳香族炭化水素構造であり、さらに好ましくはベンゼン環が１～５連結した構造であり、より好ましくはベンゼン環１つである。
　このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。

（ＩＩＩ）デンドロン
　環Ａ１又は環Ａ２に、デンドロンが結合した構造、例えば、Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２がベンゼン環構造、Ａｒ^２０３がビフェニル又はターフェニル構造、ｉ１、ｉ２が１～６、ｉ３が２、ｊが２である。
　このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。

（ＩＶ）Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２
　Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２で表される構造は下記式（２０３）又は下記式（２０４）で表される構造であることが好ましい。

　式（２０３）中、Ｒ^２１１、Ｒ^２１２、Ｒ^２１３はそれぞれ独立に置換基を表す。
　式（２０４）中、環Ｂ３は、置換基を有していてもよい、窒素原子を含む芳香族複素環構造を表す。環Ｂ３は好ましくはピリジン環である。

　前記式（２０１）で表されるりん光発光性化合物としては特に限定はされないが、好ましいものとして以下のものが挙げられる。

　また、下記式（２０５）で表されるりん光発光性化合物も好ましい。

［式（２０５）中、Ｍ^２は金属を表し、Ｔは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｒ^９２～Ｒ^９５は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ^９４及びＲ^９５は無い。］

　式（２０５）中、Ｍ^２の具体例としては、周期表第７～１１族から選ばれる金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。

　また、式（２０５）において、Ｒ^９２及びＲ^９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。

　更に、Ｔが炭素原子の場合、Ｒ^９４及びＲ^９５は、それぞれ独立に、Ｒ^９２及びＲ^９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Ｔが窒素原子の場合は該Ｔに直接結合するＲ^９４又はＲ^９５は存在しない。また、Ｒ^９２～Ｒ^９５は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記の置換基とすることができる。更に、Ｒ^９２～Ｒ^９５のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。

　りん光発光性化合物の分子量は、好ましくは５０００以下、更に好ましくは４０００以下、特に好ましくは３０００以下である。また、りん光発光性化合物の分子量は、好ましくは１２００以上、より好ましくは１４００以上、更に好ましくは１６００以上である。この分子量範囲であることによって、りん光発光性化合物同士が凝集せず電荷輸送材料と均一に混合し、発光効率の高い発光層を得ることができると考えられる。

　りん光発光性化合物の分子量は、Ｔｇや融点、分解温度等が高く、りん光発光性化合物及び形成された発光層の耐熱性に優れる点、及び、ガス発生、再結晶化及び分子のマイグレーション等に起因する膜質の低下や材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇等が起こり難い点では大きいことが好ましい。一方、りん光発光性化合物の分子量は、有機化合物の精製が容易である点では小さいことが好ましい。

＜マトリクス化合物＞
　発光層に用いるマトリクス化合物は、電荷輸送性に優れる骨格を有する化合物であり、電子輸送性化合物、正孔輸送性化合物及び電子と正孔の両方を輸送可能な両極性化合物、又は電荷輸送性を調整する化合物から選ばれることが好ましい。

　電荷輸送性に優れる骨格としては、具体的には、芳香族構造、芳香族アミン構造、トリアリールアミン構造、ジベンゾフラン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、フタロシアニン構造、ポルフィリン構造、チオフェン構造、ベンジルフェニル構造、フルオレン構造、キナクリドン構造、トリフェニレン構造、カルバゾール構造、ピレン構造、アントラセン構造、フェナントロリン構造、キノリン構造、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造、オキサジアゾール構造又はイミダゾール構造等が挙げられる。

　電子輸送性化合物としては、電子輸送性に優れ構造が比較的安定な化合物である観点から、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物がより好ましく、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物であることがさらに好ましい。

　正孔輸送性化合物は、正孔輸送性に優れた構造を有する化合物であり、前記電荷輸送性に優れた中心骨格の中でも、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、トリアリールアミン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造又はピレン構造が正孔輸送性に優れた構造として好ましく、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造又はトリアリールアミン構造がさらに好ましい。

　電荷輸送性を調整する化合物としては、ベンゼン環が多数連結した構造を有する化合物が好ましい。この化合物をマトリクス化合物として含むことで、発光層内で生成したエキシトンが効率よく再結合して発光効率が高くなると考えられ、また、発光層内の電荷の輸送性が適切に調整されて発光材料の劣化が抑制され、駆動寿命が長くなると考えられる。

　発光層のマトリクス化合物は、合成及び精製のしやすさ、電子輸送性能及び正孔輸送性能の設計のしやすさ、有機溶剤に溶解した時の粘度調整のしやすさの観点からは、低分子であることが好ましい。発光層に含まれるマトリクス化合物が低分子化合物である場合、分子量は、５，０００以下が好ましく、さらに好ましくは４，０００以下であり、特に好ましくは３，０００以下であり、最も好ましくは２，０００以下であり、好ましくは１２００以上、より好ましくは１４００以上、さらに好ましくは１６００以上である。

　ここで、本明細書において、発光層に含まれるマトリクス化合物を便宜的に、以下の様に（Ａ群）、（Ｂ群）、（Ｃ群）と称する。
　（Ａ群）下記式（１－Ａ）で表される化合物及び下記式（１－Ｂ）で表される化合物からなる群
　（Ｂ群）下記式（２）で表される化合物
　（Ｃ群）下記式（３）で表される化合物、下記式（１－１）で表される化合物、及び下記式（１－２）で表される化合物からなる群
　本発明において、発光層に含まれるマトリクス化合物は、（Ａ群）、（Ｂ群）及び（Ｃ群）で表される３つの群のうち、任意の２つの群からそれぞれ選択された化合物を少なくとも含む。３つの群からそれぞれ選択される化合物は１種であっても２種以上であってもよい。
　本発明において、発光層に含まれるマトリクス化合物は、（Ａ群）、（Ｂ群）及び（Ｃ群）で表される３つの群からそれぞれ選択された化合物を少なくとも含むことが好ましい。３つの群からそれぞれ選択される化合物は１種であっても２種以上であってもよい。
　さらに、本発明において、発光層に含まれるマトリクス化合物は、（Ａ群）及び（Ｃ群）で表される２つの群からそれぞれ選択された化合物を少なくとも含むことがさらに好ましい。２つの群からそれぞれ選択される化合物は１種であっても２種以上であってもよい。

［効果を奏する理由］
　本発明におけるマトリクス化合物が、（Ａ群）、（Ｂ群）及び（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を有する本発明の発光層用材料を含むことで、本発明の有機電界発光素子が高い発光効率を示す理由は、次の様に考えられる。
　（Ａ群）で表される化合物は下記式（１－Ａ）又は下記式（１－Ｂ）で表されるようなカルバゾール骨格を分子内に有し，発光層内において広いエネルギーギャップと高い正孔輸送性を有する。
　（Ｂ群）で表される化合物は下記式（２）で表される分子構造により、発光層内において広いエネルギーギャップと電荷輸送性を調整する機能を有する。
　（Ｃ群）で表される化合物は下記式（３）、下記式（１－１）、又は下記式（１－２）で表されるような複素環骨格を分子内に有し、発光層内において広いエネルギーギャップと高い電子輸送性を有する。
　本発明において、発光層に含まれるマトリクス化合物がこれらの特徴を有する（Ａ群）、（Ｂ群）及び（Ｃ群）で表される３つの群のうち、任意の２つの群から選択されることにより、本発明の組成物を用いて形成された発光層は広いエネルギーギャップと適切な電荷輸送性を有するために、高い発光効率を示す有機電界発光素子を得ることができると考えられる。
　なかでも、（Ａ群）及び（Ｃ群）の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含むことが、発光層内で高い正孔輸送性を有しつつ、正孔輸送を調整しやすく電荷バランスを調整しやすい観点から好ましく、更に（Ｂ群）から選択された化合物を含むことで、発光層内の正孔と電子の輸送性を調整できるため、好ましい。
　また、（Ｂ群）及び（Ｃ群）の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含むことが、発光層内で高い電子輸送性を有しつつ、電子輸送性を調整しやすく、電荷バランスを調整しやすい観点から好ましく、更に（Ａ群）から選択された化合物を含むことで、発光層内の正孔と電子の輸送性を調整できるため、好ましい。
　本発明の（Ａ群）、（Ｂ群）及び（Ｃ群）で表される３つの群の化合物は、芳香族炭化水素環が複数連結した基を有する。なかでも、（Ａ群）で表される化合物及び（Ｂ群）で表される化合物は、芳香族炭化水素環が複数連結した基を有する。さらに好ましくは、ベンゼン環が複数連結した基を有し、特に好ましくはベンゼン環が複数連結した基を複数有する。このような、芳香族炭化水素環、特にはベンゼン環が複数連結した部位は、電荷輸送性の観点からも好ましい。一方で、芳香族炭化水素環が複数連結した部位による立体効果により、同一化合物間での励起二量体及び、異種化合物間での励起錯体の形成を抑制すると考えられる。励起二量体及び励起錯体は、元の化合物単独の励起エネルギーよりも低い励起エネルギーを有するため、発光効率の低下を引き起こすが、本発明の（Ａ群）、（Ｂ群）及び（Ｃ群）で表される３つの群の化合物を発光層用材料として用いることにより、高い発光効率を有する有機電界発光素子を得ることが出来る。
　さらに、膜中の分子間で、各分子同士の芳香族炭化水素環が複数連結した部位が適度に絡み合うことで、単にファンデルワールス力で形成された膜よりも強固な膜となり、第１の有機溶剤に溶解しにくい膜が形成され、当該膜上に更に湿式成膜することが可能となると考えられる。

［発光層形成用組成物］
　本発明の発光層形成用組成物は、前記発光層用材料及び、第２の有機溶剤を含む。本明細書において、発光層形成用組成物が含む有機溶剤を第２の有機溶剤と称する。
　発光層を湿式成膜法にて形成する場合、前記発光層用材料を第２の有機溶剤に溶解又は分散させて発光層形成用組成物を調製し、発光層形成用組成物を湿式成膜して発光層を形成する。本発明の発光層形成用組成物は、均一な膜を形成できる観点から、本発明の発光層形成用材料が第２の有機溶剤に溶解していることが好ましい。本発明の有機電界発光素子の製造方法としては、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法であって、発光層を、発光層形成用組成物を用いて湿式成膜法にて形成する工程を含むことが好ましい。

　本発明の発光層形成用組成物は、一態様として、前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）及び前記（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物と、第２の有機溶剤とを含む。第２の有機溶剤としては、少なくとも２種の異なる有機溶剤を含むことが好ましい。前記第２の有機溶剤の少なくとも１種の沸点は２００℃以上であることが好ましい。第２の有機溶剤として好ましい有機溶剤については後述する。尚、本発明において、前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）及び前記（Ｃ群）で表される化合物を総称して、本発明の化合物と称する場合がある。

［（Ａ群）、（Ｂ群）、（Ｃ群）］
　（Ａ群）下記式（１－Ａ）で表される化合物及び下記式（１－Ｂ）で表される化合物からなる群
　（Ｂ群）下記式（２）で表される化合物
　（Ｃ群）下記式（３）で表される化合物、下記式（１－１）で表される化合物、及び下記式（１－２）で表される化合物からなる群
について以下に説明する。

（式（１－Ａ）又は式（１－Ｂ）で表される化合物）
　式（１－Ａ）又は式（１－Ｂ）で表される化合物の好ましい態様を下記に示す。

（式（１－Ａ）中、Ｇ^１及びＧ^２は各々独立して、芳香族炭化水素基を表し、Ｇ^１の炭素数及びＧ^２の炭素数の合計炭素数が４２以上、２４０以下であるか、又は、Ｇ^１及びＧ^２の少なくとも一方の炭素数が５４以上、２４０以下である。Ｘ^１～Ｘ^７は各々独立に、ＣＲ^１Ａまたは窒素原子であり、Ｒ^１Ａは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。Ｇは、水素原子、重水素原子、ＣＮ、又は置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。
　式（１－Ｂ）中、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５は各々独立して、芳香族炭化水素基を表し、Ｇ^３の炭素数、Ｇ^４の炭素数及びＧ^５の炭素数の合計炭素数が４２以上、２４０以下であるか、又は、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２８以上、２４０以下である。Ｘ^８～Ｘ^２１は各々独立に、ＣＲ^１Ｂまたは窒素原子であり、Ｒ^１Ｂは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。）

（Ｘ^１～Ｘ^７、Ｘ^８～Ｘ^２１）
　式（１－Ａ）において、Ｘ^１～Ｘ^７は各々独立に、ＣＲ^１Ａまたは窒素原子であり、好ましくはＣＲ^１Ａである。
　式（１－Ｂ）において、Ｘ^８～Ｘ^２１は各々独立に、ＣＲ^１Ｂまたは窒素原子であり、好ましくはＣＲ^１Ｂである。
　Ｘ^１～Ｘ^７がいずれもＣＲ^１Ａであること、すなわち、Ｘ^１～Ｘ^７を含む環がカルバゾール環であることが好ましい。
　Ｘ^８～Ｘ^１４がいずれもＣＲ^１Ａであること、すなわち、Ｘ^８～Ｘ^１４を含む環がカルバゾール環であることが好ましい。
　Ｘ^１５～Ｘ^２１がいずれもＣＲ^１Ｂであること、すなわち、Ｘ^１５～Ｘ^２１を含む環がカルバゾール環であることが好ましい。

（Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ）
　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂは、好ましくは、水素原子又は炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基である。

（Ｇ）
　式（１－Ａ）において、Ｇは、水素原子、重水素原子、ＣＮ、又は置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。溶剤における芳香族化合物の溶解性の難易度の観点からＧは、好ましくは、水素原子、重水素原子、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基であり、より好ましくは水素原子である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）における、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、及び、式（１－Ａ）におけるＧの、炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは２４以下であり、さらに好ましくは１８以下であり、より好ましくは１０以下である。芳香族炭化水素基として好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンゾアントラセニル基、テトラフェニレニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、ベンゾピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、ナフタセニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジヒドロフェナントレニル基、ジヒドロピレニル基またはテトラヒドロピレニル基であり、さらに好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、テトラフェニレニル基、フェナントレニル基、クリセニル基、ピレニル基、ベンゾアントラセニル基、又はペリレニル基等の１価の基である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）における、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、及び、式（１－Ａ）におけるＧの、炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基の炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基が有してもよい置換基は、好ましくは芳香族炭化水素基である。置換基としての芳香族炭化水素基としては、炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは炭素数２４以下の芳香族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数１８以下の芳香族炭化水素基である。置換基としての芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、ベンゾピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、ナフタセニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、テトラヒドロピレニル基、またはこれらを２以上連結したもの、例えばフェニル基が置換したナフチル基、フェニル基が置換したフェナントレニル基等、が挙げられる。
　合成のしやすさ、又は電荷輸送性の観点から、式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）における、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、及び、式（１－Ａ）におけるＧの炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基は置換基を有しないことも好ましい。

（Ｇ^１～Ｇ^５）
　式（１－Ａ）において、Ｇ^１、及びＧ^２は各々独立して、芳香族炭化水素基を表す。芳香族炭化水素基の炭素数は好ましくは６以上であり、より好ましくは２４以上、さらに好ましくは２８以上、特に好ましくは３０以上、特にいっそう好ましくは５４以上であり、最も好ましくは６０以上である。また、炭素数は好ましくは２４０以下であり、より好ましく１８０以下であり、さらに好ましくは１２０以下である。Ｇ^１の炭素数及びＧ^２の炭素数の合計炭素数は４２以上が好ましく、２４０以下が好ましい。
　また、Ｇ^１及びＧ^２の少なくとも一方の炭素数が５４以上であることが好ましく、６０以上であることがさらに好ましく、Ｇ^１及びＧ^２の少なくとも一方の炭素数が２４０以下であることが好ましく、１８０以下であることが更に好ましく、１２０以下であることが特に好ましい。

　式（１－Ｂ）において、Ｇ^３、Ｇ^４、及びＧ^５は各々独立して、芳香族炭化水素基を表す。芳香族炭化水素基の炭素数は好ましくは６以上であり、より好ましくは２４以上、さらに好ましくは２８以上、特に好ましくは３０以上、特にいっそう好ましくは５４以上であり、最も好ましくは６０以上である。また、炭素数は好ましくは２４０以下であり、より好ましく１８０以下であり、さらに好ましくは１２０以下である。Ｇ^３の炭素数、Ｇ^４の炭素数及びＧ^５の炭素数の合計炭素数は４２以上が好ましく、２４０以下が好ましい。
　また、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２８以上であることが好ましく、３０以上であることがさらに好ましく、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２４０以下であることが好ましく、１８０以下であることが更に好ましく、１２０以下であることが特に好ましい。

　式（１－Ａ）において、Ｇ^１とＧ^２の少なくとも一方の炭素数が５４以上、２４０以下である場合、及び、式（１－Ｂ）において、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２８以上、２４０以下である場合は、式（１－Ａ）で表される化合物の場合、及び、式（１－Ｂ）で表される化合物の場合、いずれの場合も電子輸送性が向上し、素子の駆動電圧が低く、発光効率が高くなると考えられる。この効果は、式（１－Ａ）において、Ｇ^１とＧ^２の両方の炭素数が５４以上、２４０以下である場合、及び、式（１－Ｂ）において、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の全ての炭素数が２８～２４０である場合に、より高くなると考えられる。式（１－Ａ）において、Ｇ^１とＧ^２の少なくとも一方の炭素数が５４未満であるか、または、式（１－Ｂ）において、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２８未満であると、化合物の結晶性が向上し、凝集が起こる可能性がある。他方、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^３の炭素数が２４０を超えると、素子の駆動電圧が高くなり、発光効率が低くなる可能性があると考えられる。

　Ｇ^１～Ｇ^５が芳香族炭化水素基である場合の芳香族炭化水素基としては各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１０以下である芳香族炭化水素構造の１価の基、又は、これらの構造から選択された複数の構造が鎖状に又は分岐して結合した構造の１価の基が挙げられる。好ましくは、複数のベンゼン環が複数鎖状に又は分岐して結合した１価の基又は、複数のベンゼン環及び、少なくとも一つのナフタレン環、少なくとも一つのフェナントレン環、若しくは少なくとも一つのテトラフェニレン環が鎖状に又は分岐して結合した１価の基であり、最も好ましくは、複数のベンゼン環が複数鎖状に又は分岐して結合した１価の基である。

　Ｇ^１～Ｇ^５における芳香族炭化水素基がベンゼン環をフェニレン基として含む場合、該フェニレンの少なくとも一つは、メタ位又はオルト位が結合位置であることが好ましい。

（式（１１）～（１６））
　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、Ｇ^１～Ｇ^５の少なくとも一つは、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、下記式（１１）～（１６）から選択される少なくとも一つの部分構造を含むことが好ましく、Ｇ^１～Ｇ^５が各々独立に、下記式（１１）～（１６）から選択される少なくとも一つで表される部分構造を含むことがより好ましい。

　上記式（１１）～式（１６）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。以降の記載においても、特に断りの無い限り＊の定義は同様である。

　より好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２の少なくとも一方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の少なくとも一つが、式（１１）～（１４）から選択される少なくとも一つの部分構造を有する。さらに好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２両方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の全てが、式（１１）～（１４）から選択される少なくとも一つの部分構造を有する。
　さらに好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２の少なくとも一方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の少なくとも一つが、式（１１）～（１３）から選択される少なくとも一つの部分構造を有する。さらに好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２両方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の全てが、式（１１）～（１３）から選択される少なくとも一つの部分構造を有する。
　特に好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２の少なくとも一方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の少なくとも一つが、式（１１）～（１２）から選択される少なくとも一つの部分構造を有する。さらに好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２両方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の全てが、式（１１）～（１２）から選択される少なくとも一つの部分構造を有する。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１２）として好ましくは、下記式（１２－２）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１２）としてよりさらに好ましくは、下記式（１２－３）である。

　また、化合物の溶解性及び耐久性の観点から式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２の少なくとも一方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の少なくとも一つが有することが好ましい部分構造として、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する部分構造が挙げられる。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する部分構造としては、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造である、下記式（１７）～下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造がさらに好ましい。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造とは、例えば式（１７）は、下記式（１７ａ）の様に、式（１１）で表される部分構造を１つと、式（１２）で表される部分構造を２つ有するとみなすことのできる部分構造である。

　また、さらに好ましくは、式（１－Ａ）におけるＧ^１とＧ^２の少なくとも一方、又は、式（１－Ｂ）におけるＧ^３～Ｇ^５の少なくとも一つは、少なくとも式（１７）で表される部分構造又は式（１８）で表される部分構造を有する。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１７）として好ましくは、下記式（１７－２）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１７）としてさらに好ましくは、下記式（１７－３）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１８）として好ましくは、下記式（１８－２）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１８）としてさらに好ましくは、下記式（１８－３）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（２０）として好ましくは、下記式（２０－２）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（２１）として好ましくは、下記式（２１－２）である。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（２２）として好ましくは、下記式（２２－２）である。

　また、式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）におけるＧ^１、Ｇ^２及びＧ^３の少なくとも一つは、式（１３）で表される部分構造を含む部分構造として、下記式（１３－２）～（１３－４）から選択される少なくとも一つの部分構造を有することがより好ましい。

　また、式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）におけるＧ^１、Ｇ^２及びＧ^３の少なくとも一つは、式（１４）で表される部分構造を含む部分構造として、下記式（１４－２）～（１４－３）から選択される少なくとも一つの部分構造を有することがより好ましい。

　また、式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）におけるＧ^１、Ｇ^２及びＧ^３の少なくとも一つは、式（１５）で表される部分構造を含む部分構造として、下記式（１５－２）～（１５－３）から選択される少なくとも一つの部分構造を有することがより好ましい。

　また、式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）におけるＧ^１、Ｇ^２及びＧ^３の少なくとも一つは、式（１６）で表される部分構造を含む部分構造として、下記式（１６－２）～（１６－３）から選択される少なくとも一つの部分構造を有することがより好ましい。

　上記式（１３－２）～式（１６－３）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。

　式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）において、式（１３－２）～式（１６－３）の中で、式（１３－２）～式（１４－３）が好ましく、式（１３－２）～（１３－４）が更に好ましい。

　電子耐久性の観点から、式（１－Ａ）において、Ｇ^１又はＧ^２の少なくとも一方又は両方が、式（１７－２）、式（２０－２）、式（１３）、式（１４）、式（１５）又は式（１６）で表される部分構造を含むことが好ましい。

　同様に、電子耐久性の観点から、式（１－Ｂ）において、Ｇ^３～Ｇ^５の少なくとも一つ、又は、Ｇ^３～Ｇ^５の全てが、式（１７－２）、式（２０－２）、式（１３）、式（１４）、式（１５）又は式（１６）で表される部分構造を含むことが好ましい。

（合計炭素数）
　式（１－Ａ）におけるＧ^１の炭素数及びＧ^２の炭素数の合計炭素数（以下、「合計炭素数α」と称することがある。）は４２以上、２４０以下が好ましい。式（１－Ｂ）におけるＧ^３の炭素数、Ｇ^４の炭素数及びＧ^５の炭素数の合計炭素数（以下、「合計炭素数β」と称することがある。）は４２以上、２４０以下が好ましい。また、式（１－Ａ）及び式（１－Ｂ）におけるＧ^１～Ｇ^５の少なくとも一つは６つ以上の芳香族炭化水素基を有することがさらに好ましい。

　電荷輸送性の観点から、式（１－Ａ）で表される化合物及び式（１－Ｂ）で表される化合物それぞれにおいて、合計炭素数α及び合計炭素数βいずれも、４２以上、２４０以下の範囲であると、素子の駆動電圧が低く、発光効率が高くなると考えられる。合計炭素数α及び合計炭素数βいずれの場合も４２未満であると、化合物の結晶性が向上し、凝集が起こる可能性があり、合計炭素数α及び合計炭素数βいずれの場合も２４０を超えると、素子の駆動電圧が高くなり、発光効率が低くなる可能性がある。

　合計炭素数α及び合計炭素数βはいずれの場合も、好ましくは５４以上であり、特に好ましくは７２以上であり、好ましくは１８０以下であり、特に好ましくは１６８以下である。

（置換基）
　式（１－Ａ）又は式（１－Ｂ）で表される化合物において用いられる置換基としては、下記置換基群Ｚから選択される置換基が好ましい。
＜置換基群Ｚ＞
　置換基群Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、アラルキル基、及び芳香族炭化水素基からなる置換基群である。

　アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、分岐、直鎖又は環状のプロピル基、分岐、直鎖又は環状のブチル基、分岐、直鎖又は環状のペンチル基、分岐、直鎖又は環状のヘキシル基、分岐、直鎖又は環状のオクチル基、分岐、直鎖又は環状のノニル基、分岐、直鎖又は環状のドデシル基等の、炭素数が通常１以上、好ましくは４以上であり、通常２４以下、好ましくは１０以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基が挙げられる。化合物の安定性の観点から、メチル基、エチル基、分岐、直鎖又は環状のプロピル基、分岐、直鎖又は環状のブチル基が好ましく、特に好ましくは分岐状のプロピル基である。

　アルケニル基としては、例えば、ビニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルケニル基が挙げられる。

　アルキニル基としては、例えば、エチニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルキニル基が挙げられる。

　アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシ基が挙げられる。

　アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールオキシ基若しくはヘテロアリールオキシ基が挙げられる。

　アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシカルボニル基が挙げられる。

　アシル基としては、例えば、アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下であるアシル基が挙げられる。

　ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。

　ハロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常１以上であり、通常１２以下、好ましくは６以下のハロアルキル基が挙げられる。

　アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下のアルキルチオ基が挙げられる。

　アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常４以上、好ましくは５以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるアリールチオ基が挙げられる。

　シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシリル基が挙げられる。

　シロキシ基としては、例えば、トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシロキシ基が挙げられる。

　アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２－フェニルエチル基、２－フェニルプロピル－２－イル基、２－フェニルブチル－２－イル基、３－フェニルペンチル－３－イル基、３－フェニル－１－プロピル基、４－フェニル－１－ブチル基、５－フェニル－１－ペンチル基、６－フェニル－１－ヘキシル基、７－フェニル－１－ヘプチル基、８－フェニル－１－オクチル基等の、炭素数が通常７以上、好ましくは９以上であり、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１０以下であるアラルキル基が挙げられる。

　芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１０以下である芳香族炭化水素基が挙げられる。

　上記置換基の中でも、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数３０以下のアラルキル基、炭素数３０以下の芳香族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数３０以下の芳香族炭化水素基であり、特に好ましくは、当該化合物が置換基を有さないことである。

　また、上記置換基は更に置換基を有していてもよい。有してよい更なる置換基としては、上記置換基（置換基群Ｚ）と同じのものを用いることができる。上記置換基群Ｚの置換基は更なる置換基を有さないことが好ましい。

（分子量）
　式（１－Ａ）又は式（１－Ｂ）で表される化合物の分子量は、８００以上が好ましく、さらに好ましくは１２００以上であり、特に好ましくは１３００以上であり、最も好ましくは１４００以上であり、５０００以下が好ましく、さらに好ましくは４０００以下であり、特に好ましくは３０００以下であり、最も好ましくは２５００以下である。

（具体例）
　以下に、式（１－Ａ）又は式（１－Ｂ）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

（式（２）で表される化合物）
　式（２）で表される化合物の好ましい態様を下記に示す。

（式（２）中、
　Ａｒ^１～Ａｒ^５は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
　Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５の少なくとも一つは、下記式（４）又は下記式（５）で表され、
　Ａｒ^３及びＡｒ^４は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
　Ｌ^１～Ｌ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
　Ｒは、各々独立に、置換基を表し、
　ｍ１、ｍ２及びｍ５は、各々独立に、０～５の整数を表し、
　ｍ３及びｍ４は、各々独立に、１～５の整数を表し、
　ｎは、０～１０の整数を表し、
　ａ１及びａ２は、各々独立に、０～３の整数を表し、
　ａ３は０～４の整数を表し、
　ａ４は０又は１の整数を表す。
　ただし、ａ３が４の場合はａ４は０である。
　式（２）中、Ａｒ^１－（Ｌ^１）_ｍ１－、Ａｒ^２－（Ｌ^２）_ｍ２－、Ａｒ^３－（Ｌ^３）_ｍ３－、Ａｒ^４－（Ｌ^４）_ｍ４－は、いずれも水素原子にはならない。）

（式（４）又は式（５）中、
　アスタリスク（＊）は、式（２）との結合を表し、
　Ｒ^２１～Ｒ^４６は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。）

（Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^５）（式（４）、式（５））
　式（２）におけるＡｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基である。Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５の少なくとも一方は、下記式（４）又は下記式（５）で表される。安定性の観点から、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５は、各々独立に、式（５）であることが好ましい。

（式（４）又は式（５）中、
　アスタリスク（＊）は、式（２）との結合を表し、
　Ｒ^２１～Ｒ^４６は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。）

　式（２）におけるＡｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５は、化合物の溶解性、耐久性の観点から、水素原子、ベンゼン環の１価の基、ナフタレン環の１価の基、式（４）又は式（５）で表される構造が好ましく、水素原子、ベンゼン環の１価の基、式（４）又は式（５）で表される構造がより好ましく、水素原子、ベンゼン環の１価の基、式（５）で表される構造がさらに好ましく、式（５）で表される構造が特に好ましい。

　耐久性の観点から、Ａｒ^１及びＡｒ^２と、ｎが１以上である場合のＡｒ^５又はｎが２以上である場合の少なくとも一つのＡｒ^５とが上記式（４）又は上記式（５）で表される構造であることが好ましく、これらは特に上記式（５）で表される構造であることが好ましい。

（Ａｒ^３、Ａｒ^４）
　式（２）におけるＡｒ^３及びＡｒ^４は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基を表す。

　１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラフェニレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、ペリレン環、ビフェニル環、又はターフェニル環の１価の基が挙げられる。

　式（２）におけるＡｒ^３、Ａｒ^４は、化合物の溶解性、耐久性の観点から、各々独立に、水素原子、ベンゼン環の１価の基、ナフタレン環の１価の基が好ましく、水素原子、ベンゼン環の１価の基がより好ましい。

（Ｌ^１～Ｌ^５）
　式（２）におけるＬ^１～Ｌ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基を表す。

　２価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環の２価の基が挙げられる。
　Ｌ^１～Ｌ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい、フェニレン基又はフェニレン基が２個以上、例えば２～５個直接結合で連結した２価の基が好ましく、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基であることが溶解性の観点からより好ましい。

（Ｒ）
　式（２）におけるＲは、各々独立に、置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ｚから選択されるものを用いることができる。それらの中でも、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、アラルキル基、又は芳香族炭化水素基が好ましい。耐熱性及び耐久性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、シリル基、シロキシ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基がさらに好ましく、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数３０以下のアラルキル基、炭素数３０以下の芳香族炭化水素基がより好ましく、ベンゼン環またはベンゼン環が２～５連結した基が特に好ましい。

（ｍ１～ｍ５）
　式（２）におけるｍ１、ｍ２及びｍ５は、各々独立に、０～５の整数を表し、
　ｍ３、ｍ４は、各々独立に、１～５の整数を表す。

　式（２）におけるｍ１、ｍ２及びｍ５は、化合物の溶解性及び、耐久性の観点から、４以下が好ましく、３以下がより好ましく、２以下がさらに好ましく、１以下が特に好ましく、０が最も好ましい。

　式（２）におけるｍ３、ｍ４は、化合物の溶解性及び、耐久性の観点から、１以上が好ましく、４以下が好ましく、３以下がさらに好ましく、２以下が特に好ましい。

　式（２）におけるｍ１が２以上の場合、複数のＬ^１は同一であっても異なってもよい。
　式（２）におけるｍ２が２以上の場合、複数のＬ^２は同一であっても異なってもよい。式（２）におけるｍ３が２以上の場合、複数のＬ^３は同一であっても異なってもよい。式（２）におけるｍ４が２以上の場合、複数のＬ^４は同一であっても異なってもよい。式（２）におけるｍ５が２以上の場合、複数のＬ^５は同一であっても異なってもよい。

（Ａｒ^１－（Ｌ^１）_ｍ１－、Ａｒ^２－（Ｌ^２）_ｍ２－、Ａｒ^５－（Ｌ^５）_ｍ５－）
　式（２）におけるＡｒ^１－（Ｌ^１）_ｍ１－、Ａｒ^２－（Ｌ^２）_ｍ２－、Ａｒ^５－（Ｌ^５）_ｍ５－は、化合物の耐久性の観点から、少なくとも一つは式（４）又は式（５）で表される構造が好ましく、少なくとも一つは式（５）で表される構造がより好ましく、少なくとも２つは前記式（５）で表される構造がより好ましく、３つ全て前記式（５）で表される構造がより好ましく、３つ全て式（５）で表される構造が最も好ましい。
　ただし、Ａｒ^１－（Ｌ^１）_ｍ１－、Ａｒ^２－（Ｌ^２）_ｍ２－、Ａｒ^３－（Ｌ^３）_ｍ３－、Ａｒ^４－（Ｌ^４）_ｍ４－は、いずれも水素原子にはならない。

（（Ｌ^３）_ｍ３、（Ｌ^４）_ｍ４）
　式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４の少なくとも一方は、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、下記式（１１）で表される部分構造、下記式（１２）で表される部分構造、及び下記式（１５）で表される部分構造から選択される少なくとも一つの部分構造を有することが好ましい。

　上記式（１１）、上記式（１２）、上記式（１５）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。以降の記載においても、特に断りの無い限り＊の定義は同様である。

　より好ましくは、式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４の少なくとも一方は、少なくとも式（１１）で表される部分構造又は式（１２）で表される部分構造を有する。
　さらに好ましくは、式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４がそれぞれ、少なくとも式（１１）で表される部分構造又は式（１２）で表される部分構造を有する。
　特に好ましくは、式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４がそれぞれ、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する。

　式（２）において、式（１２）として好ましくは、下記式（１２－２）である。

　式（２）において、式（１２）としてよりさらに好ましくは、下記式（１２－３）である。

　また、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４の少なくとも一方が有することが好ましい部分構造として、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する部分構造が挙げられる。

　式（２）において、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する部分構造としては、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造である、下記式（１７）～下記式（１９）、下記式（２１）、下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造がさらに好ましい。

　式（２）において、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造とは、例えば式（１７）は、下記式（１７ａ）の様に、式（１１）で表される部分構造を１つと、式（１２）で表される部分構造を２つ有するとみなすことのできる部分構造である。

　また、さらに好ましくは、式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４の少なくとも一方は、少なくとも式（１７）で表される部分構造又は式（１８）で表される部分構造を有する。

　式（２）において、式（１７）として好ましくは、下記式（１７－２）である。

　式（２）において、式（１７）としてさらに好ましくは、下記式（１７－３）である。

　式（２）において、式（１８）として好ましくは、下記式（１８－２）である。

　式（２）において、式（１８）としてさらに好ましくは、下記式（１８－３）である。

　式（２）において、式（２１）として好ましくは、下記式（２１－２）である。

　式（２）において、式（２２）として好ましくは、下記式（２２－２）である。

　また、式（２）における（Ｌ^３）_ｍ３、及び（Ｌ^４）_ｍ４の少なくとも一方は、式（１５）で表される部分構造を含む部分構造として、下記式（１５－２）で表される部分構造又は下記式（１５－３）で表される部分構造を有することがより好ましい。

　上記式（１４）～式（２０）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。

　式（２）において、式（１４）～式（２０）の中で、式（１４－３）及び式（１５－３）が好ましく、式（１４－３）がさらに好ましい。

（Ｌ^１～Ｌ^５の好ましい部分構造）
　式（２）中、Ｌ^１～Ｌ^５は、式（１２－３）で表される部分構造、式（１４－３）で表される部分構造又は式（１５－３）で表される部分構造を持つことが好ましい。

（ｎ）
　式（２）におけるｎは、０～１０の整数を表す。
　式（２）におけるｎは、化合物の溶解性及び、耐久性の観点から、１以上が好ましく、２以上がさらに好ましく、６以下が好ましく、５以下がさらに好ましく、４以下が特に好ましい。

（ａ１～ａ４）
　ａ１及びａ２は、各々独立に、０～３の整数を表し、
　ａ３は０～４の整数を表し、
　ａ４は０又は１の整数を表す。
　ただし、ａ３が４の場合はａ４は０である。
　式（２）におけるａ１～ａ４は、化合物の溶解性及び、耐久性の観点から、
　ａ１＝ａ２＝ａ４＝０、かつ、ａ３＝０～４の整数、
　ａ４＝１、かつ、ａ１～ａ３は各々独立に０～３の整数、又は、
　ａ１～ａ４が各々独立に０又は１が好ましく、
　ａ１＝ａ２＝ａ３＝ａ４＝０、
　ａ１＝ａ２＝ａ４＝０、かつ、ａ３＝１、
　ａ１～ａ３は各々独立に０又は１、かつａ４＝１、又は、
　ａ１＝ａ２＝ａ３＝０、かつａ４＝１がさらに好ましく、
　ａ１＝ａ２＝ａ３＝ａ４＝０、又は、
　ａ１＝ａ２＝ａ３＝０、かつａ４＝１であること、
　すなわち、ａ１＝ａ２＝ａ３＝０が最も好ましい。

（Ｒ^２１～Ｒ^４６）
　式（２）において、Ｒ^２１～Ｒ^４６は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ｚから選択されるものを用いることができる。それらの中でも、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、アラルキル基、又は芳香族炭化水素基が好ましい。耐久性の観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、シリル基、シロキシ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基が好ましく、水素原子、芳香族炭化水素基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。

（置換基）
　式（２）において、Ａｒ^１～Ａｒ^５における１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基、及び、Ｌ^１～Ｌ^５における２価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基は各々独立に、前記置換基群Ｚの中から選択することができる。それらの中でも、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、アラルキル基、又は芳香族炭化水素基が好ましく、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、シリル基、シロキシ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基がさらに好ましい。

（分子量）
　式（２）で表される化合物の分子量は、１０００以上が好ましく、さらに好ましくは１１００以上であり、特に好ましくは１２００以上であり、最も好ましくは１３００以上であり、５０００以下が好ましく、さらに好ましくは４０００以下であり、特に好ましくは３０００以下であり、最も好ましくは２０００以下である。

（具体例）
　以下に、式（２）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

（式（３）で表される化合物）
　式（３）で表される化合物の好ましい態様を下記に示す。

（式（３）中、Ｇ^３１及びＧ^３２は各々独立に、下記式（７）を表し、Ｇ^３３は、下記式（８）を表す。）

（式（７））

（式（７）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
　Ｌ^３２は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　Ａｒ^３２は、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　ａ^３２は０～５の整数を表す。）

（式（８））

（式（８）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
　Ｌ^３３は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　ａ^３３は０～５の整数を表す。）

　電子輸送性の観点から、Ｇ^３１は、下記式（６）で表されることが好ましい。

（式（６））

（式（６）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
　Ｌ^３１は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　Ａｒ^３１は、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
　ａ^３１は０～５の整数を表す。）

（Ａｒ^３１、Ａｒ^３２）
　式（６）～（７）において、Ａｒ^３１、Ａｒ^３２は、各々独立に、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基を表す。

　１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラフェニレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、ペリレン環、ビフェニル環、又はターフェニル環の１価の基が挙げられる。

　１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基の例としてはフラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、又はアズレン環の１価の基が挙げられる。

　化合物の溶解性、耐久性の観点から、フェニル基、フェニル基が複数連結した基、又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基、又はフェニル基が複数連結した基がより好ましい。

（Ｌ^３１、Ｌ^３２、Ｌ^３３）
　式（６）～（８）において、Ｌ^３１、Ｌ^３２、Ｌ^３３は、各々独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基を表す。

　２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環の２価の基が挙げられる。

　２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基の例としてはフラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、又はアズレン環の２価の基が挙げられる。

　化合物の溶解性、耐久性の観点から、フェニレン基、フェニレン基が複数連結した基、又はナフチレン基であることが好ましく、フェニレン基、又はフェニレン基が複数連結した基がより好ましい。これらのうち、１，３－フェニレン基又は１，４－フェニレン基がさらに好ましい。
　これらの中でも、式（７）及び式（８）におけるＬ^３２及びＬ^３３が、各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基であることが好ましく、１，３－フェニレン基又は１，４－フェニレン基であることがより好ましい。Ｇ^３１が式（６）で表される場合は、Ｌ^３１～Ｌ^３３が各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基であることが好ましく、１，３－フェニレン基又は１，４－フェニレン基であることがより好ましい。
　式（７）及び式（８）におけるＬ^３２及びＬ^３３、並びに、式（６）におけるＬ^３１が各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基であることがさらに好ましい。

（ａ^３１～ａ^３３）
　式（６）～（８）において、ａ^３１～ａ^３３は、各々独立に、０～５の整数を表す。化合物の溶解性及び、耐久性の観点から、ａ^３１及びａ^３３は各々独立に１上が好ましく、３以下が好ましく、２以下がさらに好ましく、１が特に好ましく、ａ^３２は１上が好ましく４以下が好ましく、３以下がさらに好ましい。

　式（６）～（８）において、ａ^３１～ａ^３３が２以上の場合、複数のＬ^３１～Ｌ^３３は同一であっても異なってもよい。

　式（６）～（８）において、（Ｌ^３１）_ａ３１、（Ｌ^３２）_ａ３２、（Ｌ^３３）_ａ３３の少なくとも一つは、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、下記式（１１）で表される部分構造、下記式（１２）で表される部分構造、及び下記式（１５）で表される部分構造から選択される少なくとも一つの部分構造を有することが好ましい。

（式（１１）、式（１２）、式（１５））

　上記式（１１）、上記式（１２）、上記式（１５）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。以降の記載においても、特に断りの無い限り＊の定義は同様である。

　式（６）～（８）において、より好ましくは、（Ｌ^３１）_ａ３１、（Ｌ^３２）_ａ３２、（Ｌ^３３）_ａ３３の少なくとも一つは、少なくとも式（１１）で表される部分構造又は式（１２）で表される部分構造を有する。
　式（６）～（８）において、さらに好ましくは、（Ｌ^３１）_ａ３１、（Ｌ^３２）_ａ３２、（Ｌ^３３）_ａ３３がそれぞれ、少なくとも式（１１）で表される部分構造又は式（１２）で表される部分構造を有する。
　式（７）において、特に好ましくは、（Ｌ^３２）_ａ３２が、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する。

　式（３）において、式（１２）として好ましくは、下記式（１２－２）である。

　式（３）において、式（１２）としてよりさらに好ましくは、下記式（１２－３）である。

　また、式（３）において、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造を有する場合としては、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造である、下記式（１７）～下記式（１９）、下記式（２１）、下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造を有することがさらに好ましい。

　式（３）において、式（１１）で表される部分構造及び式（１２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造とは、例えば式（１７）は、下記式（１７ａ）の様に、式（１１）で表される部分構造を１つと、式（１２）で表される部分構造を２つ有する部分構造である。

　また、式（６）～（８）において、さらに好ましくは、（Ｌ^３１）_ａ３１、（Ｌ^３２）_ａ３２、（Ｌ^３３）_ａ３３の少なくとも一つは、少なくとも式（１７）で表される部分構造又は式（１８）で表される部分構造を有する。

　式（３）において、式（１７）として好ましくは、下記式（１７－２）である。

　式（３）において、式（１７）としてさらに好ましくは、下記式（１７－３）である。

　式（３）において、式（１８）として好ましくは、下記式（１８－２）である。

　式（３）において、式（１８）としてさらに好ましくは、下記式（１８－３）である。

　式（３）において、式（２１）として好ましくは、下記式（２１－２）である。

　式（３）において、式（２２）として好ましくは、下記式（２２－２）である。

　また、式（３）において、式（１５）で表される部分構造を含む構造として、下記式（１５－２）で表される部分構造又は下記式（１５－３）で表される部分構造を有することがより好ましい。

　上記式（１４）～式（２０）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。

　式（３）において、式（１４）～式（２０）の中で、式（１４－３）及び式（１５－３）が好ましく、式（１４－３）がさらに好ましい。

（置換基）
　式（６）～（８）において、Ａｒ^３１～Ａｒ^３２、Ｌ^３１～Ｌ^３３が有していてもよい置換基としては、下記置換基群Ｚ２の中から選択することができる。

（置換基群Ｚ２）
　置換基群Ｚ２は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基、及びヘテロ芳香族基からなる置換基群である。

　置換基群Ｚ２における、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、アラルキル基、及び芳香族炭化水素基は、前記置換基群Ｚと同様である。

　ヘテロ芳香族基としては、例えば、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、又はアズレン環等の、炭素数が通常４以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１２以下であるヘテロ芳香族基が挙げられる。

　これら置換基群Ｚ２の中でも、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、芳香族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数３０以下のアラルキル基、炭素数３０以下の芳香族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数３０以下の芳香族炭化水素基であり、特に好ましくは、置換基を有さないことである。

　また、上記置換基群Ｚ２の各置換基は更に置換基を有していてもよい。それらの更なる置換基としては、上記置換基（置換基群Ｚ２）と同じのものを用いることができる。上記置換基群Ｚ２の置換基は更なる置換基を有さないことが好ましい。

（分子量）
　式（３）で表される化合物の分子量は、１０００以上が好ましく、さらに好ましくは１１００以上であり、最も好ましくは１２００以上であり、５０００以下が好ましく、さらに好ましくは４０００以下であり、特に好ましくは３０００以下であり、最も好ましくは２０００以下である。

（具体例）
　以下に、式（３）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

［式（１－１）で表される化合物、及び下記式（１－２）で表される化合物]
＜置換基＞
　後述の式（１－１）又は式（１－２）における、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基、フェニル基、Ｎ－カルバゾリル基が有してもよい置換基は、前記置換基群Ｚ２から選択される。

　後述の式（１－１）又は式（１－２）におけるＲ^１１については、以下の通りである。

＜Ｒ^１１＞
　式（１－１）又は式（１－２）におけるＲ^１１は各々独立に、水素原子又は置換基である。
　水素原子以外の置換基であるＲ^１１としては、上記置換基群Ｚ２から選ばれる基が挙げられる。置換基群Ｚ２の中でも好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３～３０の芳香族複素環基である。耐久性向上及び電荷輸送性の観点からは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。式（１－１）又は式（１－２）中に置換基である場合のＲ^１１が複数存在する場合、複数のＲ^１１は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。

　上述した炭素数６～３０の芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基、炭素数３～３０の芳香族複素環基が有していてもよい置換基、置換基であるＲ^１１が有していてもよい置換基としては、上記置換基群Ｚ２から選択することができる。

［化合物（１－１）］
　化合物（１－１）は、下記式（１－１）で表される化合物である。

（式（１－１）中、
　Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子であり、
　Ｘａ^１、Ｙａ^１、及びＺａ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基又は置換基を有していてもよい１，４－フェニレン基を表し、
　Ｚａ^１の少なくとも一つは、１，３－フェニレン基であり、
　Ｘａ^２及びＹａ^２は、各々独立に、置換基を有してもよいフェニル基を表し、
　Ｚａ^２は、置換基を有してもよいＮ－カルバゾリル基を表し、
　ｆ１１は１又は２であり、
　ｇ１１は１～５の整数であり、
　ｈ１１は２～５の整数であり、
　ｊ１１は１～６の整数であり、
　ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は５以上であり、
　Ｒ^１１は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。）

＜Ｗ_１、Ｗ_２、Ｗ_３＞
　式（１－１）におけるＷ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子である。電子輸送性及び電子耐久性の観点から、少なくともＷ_１は窒素原子であることが好ましく、少なくともＷ_１及びＷ_２は窒素原子であることが好ましく、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のすべてが窒素原子であることがより好ましい。
　即ち、電子輸送性を向上させる観点から、パラ位に結合する基がベンゼン環が２個又は３個パラ位で連結して共役が広がる、Ｗ_１が窒素原子であることが好ましく、Ｗ_１に加えてＷ_２またはＷ_３の一方が窒素原子であるピリミジン構造が更に好ましく、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３全てが窒素原子であるトリアジン構造が最も好ましい。

＜－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２＞
　式（１－１）において、Ｘａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。中でも、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２が下記式（Ｘａ－１）の構造群から選ばれることがさらに好ましい。

　これらの構造において、水素原子は置換基群Ｚ２から選択される置換基で置換されていてもよい。好ましくは、水素原子が置換されていない構造である。

＜－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２＞
　式（１－１）において、Ｙａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。中でも、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２が下記式（Ｙａ－１）の構造群から選ばれることがさらに好ましい。

　これらの構造において、水素原子は置換基群Ｚ２から選択される置換基で置換されていてもよい。好ましくは、水素原子が置換されていない構造である。

＜－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２＞
　式（１－１）において、Ｚａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。中でも、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２が下記式（Ｚａ－１）の構造群から選ばれることがさらに好ましい。

　これらの構造において、水素原子は置換基群Ｚ２から選択される置換基で置換されていてもよい。好ましくは、水素原子が置換されていない構造である。

＜化合物（１－１）の分子量＞
　化合物（１－１）の分子量は通常５０００以下であり、３０００以下が好ましく、より好ましくは２５００以下であり、特に好ましくは２０００以下であり、最も好ましくは１８００以下である。化合物（１－１）の分子量の下限は９３０以上が好ましく、より好ましくは１０００以上であり、特に好ましくは１２００以上である。

＜化合物（１－１）の具体例＞
　化合物（１－１）の具体的構造は特に限定されないが、例えば以下のような化合物が挙げられる。

＜化合物（１－１）が効果を奏する理由＞
　化合物（１－１）は、Ｗ_１のパラ位に結合する基がベンゼン環が２個又は３個パラ位で連結して共役が広がっており、ここにＬＵＭＯが分布し、電子輸送性に優れていると考えられる。また、Ｗ_１のパラ位に共役して連結するベンゼン環が３個以下であるため、共役が長すぎず、広いエネルギーギャップを有しており、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくく好ましいと考えられる。化合物（１－１）は、カルバゾリル基を少なくとも１つ有するため、成膜後は優れたアルコール系溶剤に対する耐性がある。

　化合物（１－１）の、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３を含む含窒素６員環において、Ｗ_３のパラ位に結合する基は１，３－フェニレン基であるため共役していない。このため、化合物（１－１）は広いエネルギーギャップを有し、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくく好ましいと考えられる。

　化合物（１－１）のＺａ^１の少なくとも一つは１，３－フェニレン基であるからカルバゾリル基であるＺａ^２と共役していない。このため、化合物（１－１）は広いエネルギーギャップを有し、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくく好ましいと考えられる。

　さらに、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２が前記好ましい構造であると、広いエネルギーギャップを有し、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくい。

　また、化合物（１－１）は、１，３－フェニレン基を適度に多く含み、かつ、ターフェニレン基より長い１，４－フェニレン連結構造を含まないため、溶解性に優れている。その一方で、ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は５以上であることにより、成膜後はアルコール系溶剤に対して難溶、すなわち耐溶剤性があると考えられる。成膜後のアルコール系溶剤に対する耐溶剤性の観点から、ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は７以上が好ましく、９以上がさらに好ましく、安定性の観点から１５以下が好ましい。

　加えて、化合物（１－１）は、Ｚａ^２にＮ－カルバゾリル基を有することから、分子間相互作用が強められ、耐溶剤性に優れ、特にアルコール系溶剤に対して高い耐溶剤性を示す。

［化合物（１－２）］
　化合物（１－２）は、下記式（１－２）で表される化合物である。

（式（１－２）中、
　Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子であり、
　Ｘａ^１、Ｙａ^１、及びＺａ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基又は置換基を有していてもよい１，４－フェニレン基を表し、
　Ｙａ^１及びＺａ^１の少なくとも一つは、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基であり、
　Ｘａ^２は、置換基を有してもよいフェニル基を表し、
　Ｙａ^２及びＺａ^２は、各々独立に、置換基を有してもよいＮ－カルバゾリル基を表し、
　ｆ１１は１又は２であり、
　ｇ１１は１～５の整数であり、
　ｈ１１は２～５の整数であり、
　ｊ１１は２～５の整数であり、
　ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は６以上であり、
　Ｒ^１１は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。）

＜Ｗ_１、Ｗ_２、Ｗ_３＞
　式（１－２）におけるＷ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子である。電子輸送性及び電子耐久性の観点から、少なくともＷ_１は窒素原子であることが好ましく、少なくともＷ_１及びＷ_２は窒素原子であることが好ましく、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のすべてが窒素原子であることがより好ましい。
　即ち、電子輸送性を向上させる観点から、パラ位に結合する基がベンゼン環が２個又は３個パラ位で連結して共役が広がる、Ｗ_１が窒素原子であることが好ましく、Ｗ_１に加えてＷ_２またはＷ_３の一方が窒素原子であるピリミジン構造が更に好ましく、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３全てが窒素原子であるトリアジン構造が最も好ましい。

　本発明の発光層用材料又は発光層形成用組成物は、前記式（１－１）で表される化合物及び前記式（１－２）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物を含み、前記少なくとも１つの化合物におけるＷ_１、Ｗ_２及びＷ_３の全てが窒素原子であることが好ましい。

＜－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２＞
　式（１－２）において、Ｘａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。中でも、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２が下記式（Ｘａ－２）の構造群から選ばれることがさらに好ましい。

　これらの構造において、水素原子は置換基群Ｚ２から選択される置換基で置換されていてもよい。好ましくは、水素原子が置換されていない構造である。

＜－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２＞
　式（１－２）において、Ｙａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。中でも、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２が下記式（Ｙａ－２）の構造群から選ばれることがさらに好ましい。

　これらの構造において、Ｙａ^２のＮ－カルバゾリル基のベンゼン環上の水素原子を含めて、すべてのベンゼン環上の水素原子は置換基群Ｚ２から選択される置換基で置換されていてもよい。好ましくは、水素原子が置換されていない構造である。

＜－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２＞
　式（１－２）において、Ｚａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。中でも、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２が下記式（Ｚａ－２）の構造群から選ばれることがさらに好ましい。

　これらの構造において、Ｚａ^２のＮ－カルバゾリル基のベンゼン環上の水素原子を含めて、すべてのベンゼン環上の水素原子は置換基群Ｚ２から選択される置換基で置換されていてもよい。好ましくは、水素原子が置換されていない構造である。

＜化合物（１－２）の好ましい構造＞
　式（１－２）において、ｈ１１は２以上であることが好ましく、２又は４であることが好ましい。
　また、ｊ１１は２以上であることが好ましく、２又は４であることが好ましい。
　ｈ１１、ｊ１１が上記下限以上であることで溶解性が良好となり、安定性も良好となる。

　式（１－２）において、Ｘａ^１の少なくとも一つは１，３－フェニレン基であることが好ましく、Ｘａ^１のすべてが１，３－フェニレン基であることがより好ましい。Ｘａ^１が１，３－フェニレン基であることにより、共役が切れ、溶解性が高くなる。
　また、式（１－２）において、Ｙａ^１の少なくとも一つは１，３－フェニレン基であることが好ましく、Ｙａ^１のすべてが１，３－フェニレン基であることがより好ましい。Ｙａ^１が１，３－フェニレン基であることにより、共役が切れ、溶解性が高くなる。
　また、式（１－２）において、Ｚａ^１の少なくとも一つは１，３－フェニレン基であることが好ましく、Ｚａ^１のすべてが１，３－フェニレン基であることがより好ましい。Ｚａ^１が１，３－フェニレン基であることにより、共役が切れ、溶解性が高くなる。
　さらに、式（１－２）において、Ｙａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であり、かつＺａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であることが好ましい。

＜化合物（１－２）の分子量＞
　化合物（１－２）の分子量は通常５０００以下であり、３０００以下が好ましく、より好ましくは２５００以下であり、特に好ましくは２０００以下であり、最も好ましくは１８００以下である。化合物（１－２）の分子量の下限は９３０以上が好ましく、より好ましくは１０００以上であり、特に好ましくは１２００以上である。

＜化合物（１－２）の具体例＞
　化合物（１－２）の具体的構造は特に限定されないが、例えば以下のような化合物が挙げられる。

＜化合物（１－２）が効果を奏する理由＞
　化合物（１－２）は、Ｗ_１のパラ位に結合する基が、ベンゼン環が２個又は３個パラ位で連結した基であるため共役が広がっており、ここにＬＵＭＯが分布し、電子輸送性に優れていると考えられる。また、Ｗ_１のパラ位に共役して連結するベンゼン環が３個以下であるため、共役が長すぎず、広いエネルギーギャップを有しており、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくく好ましいと考えられる。化合物（１－２）は、カルバゾリル基を少なくとも２つ有するため、成膜後は優れたアルコール系溶剤に対する耐性がある。

　化合物（１－２）の、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３を含む含窒素６員環において、Ｗ_３のパラ位に結合する基は１，３－フェニレン基であるため共役していない。このため、化合物（１－２）は広いエネルギーギャップを有し、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくく好ましいと考えられる。

　化合物（１－２）のＹａ^１及びＺａ^１のそれぞれ少なくとも一つは１，３－フェニレン基であるからＮ－カルバゾリル基であるＹａ^２又はＺａ^２と共役していない。このため、化合物（１－２）は広いエネルギーギャップを有し、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくく好ましいと考えられる。

　さらに、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２が前記好ましい構造であると、広いエネルギーギャップを有し、発光層のマトリクス材料として用いた場合、発光材料を消光させにくい。

　また、化合物（１－２）は、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３を含む含窒素６員環とカルバゾリル基の間のフェニレン基が３つ以上であり、１，３－フェニレン基を適度に多く含み、かつ、ターフェニレン基より長い１，４－フェニレン連結構造を含まないため、溶解性に優れている。その一方で、ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は６以上であることにより、成膜後はアルコール系溶剤に対して難溶、すなわち耐溶剤性があると考えられる。成膜後のアルコール系溶剤に対する耐溶剤性の観点から、ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は７以上が好ましく、９以上がさらに好ましく、安定性の観点から１５以下が好ましい。

　加えて、化合物（１－２）は、Ｙａ^２及びＺａ^２にＮ－カルバゾリル基を有することから、分子間相互作用が強められ、耐溶剤性に優れ、特にアルコール系溶剤に対して高い耐溶剤性を示す。

（分子量）
　湿式成膜法により発光層５を形成する場合、発光層の陰極側に接してなる層を湿式成膜法にて形成する際に発光層が影響を受けにくいことから、マトリクス化合物、すなわち、前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）又は前記（Ｃ群）の化合物として含まれる化合物、の分子量が全て１２００以上であることが好ましく、１４００以上であることがより好ましく、１６００以上であることがさらに好ましい。
　また、マトリクス化合物、すなわち、前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）又は前記（Ｃ群）の化合物として含まれる化合物、及び、発光材料の分子量が全て１２００以上であることが好ましく、１４００以上であることがより好ましく、１６００以上であることがさらに好ましい。マトリクス化合物と発光材料の分子量の上限には特に制限がないが、精製が容易であることから、５０００以下であることが好ましく、４０００以下であることがより好ましく、３０００以下であることがさらに好ましい。上述のとおり、発光材料はりん光発光性化合物であることが好ましい。

［第２の有機溶剤］
　本発明の発光層形成用組成物に含有される第２の有機溶剤は、湿式成膜により本発明の化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。

　該有機溶剤は、溶質である本発明の化合物及び前記発光材料が良好に溶解する有機溶剤が好ましい。

　第２の有機溶剤として好ましい有機溶剤は、例えば、ｎ－デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メシチレン、フェニルシクロヘキサン、テトラリン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２－ジメトキシベンゼン、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，３－ジメチルアニソール、２，４－ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等の芳香族エステル類；シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。

　これらの中でも、粘度と沸点の観点から、アルカン類、芳香族炭化水素類、芳香族エーテル類、芳香族エステル類が好ましく、芳香族炭化水素類、芳香族エーテル類及び芳香族エステル類がさらに好ましく、芳香族炭化水素類及び芳香族エステル類が特に好ましい。

　これらの有機溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。

　第２の有機溶剤として用いる有機溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃、特に好ましくは２００℃以上で、通常３８０℃以下、好ましくは３５０℃以下、より好ましくは３３０℃以下である。有機溶剤の沸点がこの範囲を下回ると、湿式成膜時において、組成物からの溶剤蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。有機溶剤の沸点がこの範囲を上回ると、湿式成膜時において、成膜後の溶剤残留により、成膜安定性が低下する可能性がある。

　第２の有機溶剤として特に、上記有機溶剤のうち、沸点が１５０℃以上の有機溶剤を２種以上と組み合わせることにより、均一な塗布膜を作製することができ、好ましい。沸点１５０℃以上の有機溶剤が１つ以下であると、塗布時に均一な膜が形成されない場合があると考えられる。

　発光層５を形成する湿式成膜法としては、インクジェット法が好ましい。発光層５をインクジェット法により形成することにより、本発明の層形成用組成物を用いて形成される有機層と連続してインクジェット法による膜の形成が可能となるため、好ましい。インクジェット法による発光層の形成方法は、前記インクジェット法による有機層の塗布形成と同様である。
　発光層形成用組成物をインクジェット法にて湿式成膜する場合、第２の有機溶剤は、上記有機溶剤のうち少なくとも２種の有機溶剤を含み、前記有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上の溶媒であることが、平坦性の良好な塗布膜を形成しやすい観点から好ましい。

　発光層５の膜厚は任意である。発光層５の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常１００ｎｍ以下、好ましくは９０ｎｍ以下である。

［正孔阻止層］
　発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、電子輸送層のうち、更に陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割をも担う層である。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。

　正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。

　正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高いことなどが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えばビス（２－メチル－８－キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２－メチル－８－キノラト）アルミニウム－μ－オキソ－ビス－（２－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（日本国特開平１１－２４２９９６号公報）、３－（４－ビフェニルイル）－４－フェニル－５（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール等のトリアゾール誘導体（日本国特開平７－４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（日本国特開平１０－７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５／０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。

　正孔阻止層６が存在する場合、正孔阻止層６は、前記正孔阻止層の材料を機能性材料として含む、本発明の層形成用組成物をインクジェット法により塗布形成することによって形成される。
　正孔阻止層６の膜厚は任意である。正孔阻止層６の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上で、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

［電子輸送層］
　電子輸送層７は、発光層５と陰極９の間に設けられた電子を輸送するための層である。

　電子輸送層７の電子輸送性化合物としては、通常、陰極９又は陰極９側の隣接層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば８－ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体やリチウム錯体などの金属錯体（日本国特開昭５９－１９４３９３号公報）、１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３－ヒドロキシフラボン金属錯体、５－ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（日本国特開平６－２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（日本国特開平５－３３１４５９号公報）、２－ｔ－ブチル－９，１０－Ｎ，Ｎ’－ジシアノアントラキノンジイミン、トリアジン化合物誘導体、ペリレンテトラカルボン酸イミド化合物誘導体などが挙げられる。

　本発明の有機電界発光素子の製造方法において、上述の正孔阻止層６が存在せず、発光層５の陰極９側に接する層が電子輸送層７であることが好ましい。この場合、電子輸送層７は、前記電子輸送性化合物を機能性材料として含む本発明の層形成用組成物を、インクジェット法により発光層５の表面に塗布することによって形成される。

　電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。電子輸送層７の膜厚は常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

［電子注入層］
　陰極９から注入された電子を効率良く発光層５に注入するために、電子輸送層７と後述の陰極９との間に電子注入層８を設けてもよい。電子注入層８は、無機塩などからなる。

　電子注入層８の材料としては、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ_３）等が挙げられる（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　１９９７年，　Ｖｏｌ．７０、ｐｐ．１５２；日本国特開平１０－７４５８６号公報；ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　１９９７年，Ｖｏｌ．４４，　ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ　０４　Ｄｉｇｅｓｔ，　ｐｐ．１５４等参照）。

　電子注入層８は、電荷輸送性を伴わない場合が多いため、電子注入を効率よく行なうには、極薄膜として用いることが好ましく、その膜厚は、通常０．１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以下である。

［陰極］
　陰極９は、発光層５側の層に電子を注入する役割を果たす電極である。

　陰極９の材料としては、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が挙げられる。これらのうち、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えばスズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、アルミニウム－リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。

　陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

　陰極９の膜厚は、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陰極９の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陰極９の厚みは任意であり、陰極は基板と同一でもよい。

　陰極９の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
　例えばナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等からなる低仕事関数の金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

［その他の層］
　本発明における有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えばその性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、上記説明にある層のうち必須でない層が省略されていてもよい。

　以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。

　本発明における有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ－Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。

　上述した各層には、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。

［有機電界発光素子］
　本発明は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有し、発光層が上述の発光層用材料を含む、有機電界発光素子に関する。
　また、本発明は、上述の有機電界発光素子の製造方法により得られる有機電界発光素子にも関する。
　本発明における有機電界発光素子に含まれる層構成、各層に含まれる化合物の具体例及び好ましい態様は、上述したとおりである。

＜表示装置の製造方法及び表示装置＞
　本発明は、上述の有機電界発光素子の製造方法を一工程として含む、表示装置の製造方法にも関する。表示装置の製造方法の一工程として含まれる、有機電界発光素子の製造方法の具体例及び好ましい態様は、上述したとおりである。
　また、本発明は、上述の表示装置の製造方法により得られる表示装置にも関する。

　本発明において得られる表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明における有機電界発光素子の製造方法により得られる有機電界発光素子を用いて、常法に従って組み立てることができる。
　例えば「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、表示装置を形成することができる。

＜照明装置の製造方法及び照明装置＞
　本発明は、上述の有機電界発光素子の製造方法を一工程として含む、照明装置の製造方法にも関する。照明装置の製造方法の一工程として含まれる、有機電界発光素子の製造方法の具体例及び好ましい態様は、上述したとおりである。
　また、本発明は、上述の照明装置の製造方法により得られる照明装置にも関する。

　本発明において得られる照明装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明における有機電界発光素子の製造方法により得られる有機電界発光素子を用いて、常法に従って組み立てることができる。

＜実施例１＞
　有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
　ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を５０ｎｍの厚さに堆積したもの（ジオマテック社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにＩＴＯをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
　正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ－１）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物３．０重量％と、電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．６重量％とを、安息香酸エチルに溶解させた組成物を調製した。

　この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中ホットプレートで２４０℃、３０分間乾燥させ、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。

　次に、下記の構造式（ＨＴ－１）を有する電荷輸送性高分子化合物を１，３，５－トリメチルベンゼンに溶解させ、２．０重量％の溶液を調製した。
　この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで２３０℃、３０分間乾燥させ、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。

　引続き、発光層の材料として、下記の構造を有するＡ群に含まれる本発明の化合物（Ａ－１）を２．７重量％、Ｃ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－１）を２．７重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、発光層形成用組成物を調製した。

　この溶液を、上記正孔輸送層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで１２０℃、２０分間乾燥させ、膜厚７０ｎｍの均一な薄膜を形成し、発光層とした。
　発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置に設置し、装置内を２×１０^－４Ｐａ以下になるまで排気した。

　次に、下記の構造式の化合物（ＥＴ－１）および８－ヒドロキシキノリノラトリチウムを２：３の膜厚比で、発光層上に真空蒸着法にて共蒸着し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

　続いて、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプとは直交するように基板に密着させて、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。

＜比較例１＞
　発光層の材料として、化合物（Ｃ－１）の代わりに下記の構造を有する比較化合物（ＣＣ－１）を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜比較例２＞
　発光層の材料として、化合物（Ａ－１）の代わりに下記の構造を有する比較化合物（ＣＣ－２）を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例１、および比較例１、２で得られた有機電界発光素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を測定した。これらの測定結果を表１に示す。表１中の数値は比較例２を１とした相対値を示す。
　表１の結果から、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子では、性能が向上することが判った。

＜実施例２＞
　発光層の材料として、下記の構造を有するＢ群に含まれる本発明の化合物（Ｂ－１）を２．７重量％、Ｃ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－１）を２．７重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜比較例３＞
　発光層の材料として、化合物（Ｃ－１）の代わりに比較化合物（ＣＣ－１）を用いた他は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例２、および比較例２、３で得られた有機電界発光素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を測定した。これらの測定結果を表２に示す。表２中の数値は比較例２を１とした相対値を示す。
　表２の結果から、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子では、性能が向上することが判った。

＜実施例３＞
　発光層の材料として、Ａ群に含まれる本発明の化合物（Ａ－１）を２．７重量％、下記の構造を有するＣ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－２）を２．７重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜実施例４＞
　発光層の材料として、Ｂ群に含まれる本発明の化合物（Ｂ－１）を２．７重量％、Ｃ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－２）を２．７重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜比較例４＞
　発光層の材料として、化合物（Ａ－１）の代わりに比較化合物（ＣＣ－２）を用いた他は、実施例３と同様にして有機電界発光素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例３、４および比較例４で得られた有機電界発光素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を測定した。これらの測定結果を表３に示す。表３中の数値は比較例４を１とした相対値を示す。
　表３の結果から、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子では、性能が向上することが判った。

＜実施例５＞
　発光層の材料として、Ａ群に含まれる本発明の化合物（Ａ－１）を１．６重量％、Ｂ群に含まれる本発明の化合物（Ｂ－１）を１．６重量％、下記の構造を有するＣ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－３）を２．２重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜実施例６＞
　発光層の材料として、Ｂ群に含まれる本発明の化合物（Ｂ－１）を３．２重量％、Ｃ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－３）を２．２重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜比較例５＞
　発光層の材料として、化合物（Ｂ－１）の代わりに比較化合物（ＣＣ－２）を用いた他は、実施例６と同様にして有機電界発光素子を作製した。

＜比較例６＞
　発光層の材料として、化合物（Ｃ－３）の代わりに比較化合物（ＣＣ－１）を用いた他は、実施例６と同様にして有機電界発光素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例５、６および比較例５、６で得られた有機電界発光素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を測定した。これらの測定結果を表４に示す。表４中の数値は比較例６を１とした相対値を示す。
　表４の結果から、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子では、性能が向上することが判った。

＜実施例７＞
　発光層の材料として、Ａ群に含まれる本発明の化合物（Ａ－１）を３．２重量％、Ｃ群に含まれる本発明の化合物（Ｃ－３）を２．２重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例７、および比較例５で得られた有機電界発光素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を測定した。これらの測定結果を表５に示す。表５中の数値は比較例５を１とした相対値を示す。
　表５の結果から、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子では、性能が向上することが判った。

＜実施例８＞
　発光層の材料として、Ａ群に含まれる本発明の化合物（Ａ－１）を１．６重量％、Ｂ群に含まれる本発明の化合物（Ｂ－１）を１．６重量％、化合物（ＣＣ－１）を２．２重量％、（Ｄ－１）を１．６重量％の濃度でシクロヘキシルベンゼンに溶解させた発光層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例８、および比較例６で得られた有機電界発光素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を測定した。これらの測定結果を表６に示す。表６中の数値は比較例６を１とした相対値を示す。
　表６の結果から、本発明の化合物を用いた有機電界発光素子では、性能が向上することが判った。

＜実施例９＞
［吐出性試験］
　下記の構造を有する化合物（ＥＴ１）を１－ヘプタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）を溶剤として５ｍｇ／ｍＬの濃度で溶解させ、層形成用組成物を調製した。

　この組成物をカートリッジ（ＤＭＣＬＣＰ－１１６１０）に充填し、富士フイルム製マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１にて組成物の吐出性試験を実施した。ピエゾ電圧２５Ｖにて組成物の吐出ができたものを〇、できなかったものを×と判定した。

［詰まり試験］
　吐出性試験にて１分間組成物の吐出を行った後、吐出を止めて１０分間待機し、その後に再び組成物の吐出を実施した。その際に吐出性試験時と同等に組成物が吐出できたものを〇、同等に吐出できないものを×と判定した。同等に吐出できないとはこの場合、吐出性試験と同じ電圧で吐出できない、あるいは組成物の飛翔の軌跡が吐出性試験時から異なることを指す。

［積層性試験］
　積層性試験を実施するにあたり、下記の構造を有する化合物（Ｃ－２）、（Ａ－１）、及び（Ｄ－２）を３５：３５：３０の重量比で、固形分濃度が７重量％となるようにシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製した。この組成物は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子を形成する際の、前記発光層形成用組成物に相当する。この組成物を、窒素グローブボックス中にてガラス基板上にスピンコートし、１３０℃で２０分焼成することで膜厚６５ｎｍの発光層を想定した膜である積層性試験用膜を用意した。

　大塚電子製顕微分光膜厚計ＯＰＴＭを用いて、この積層性試験用膜の反射率を測定した。次いで、この積層性試験用膜をスピンコーターにセットし、試験有機溶剤として１－ヘプタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）を５００μＬ、膜上に滴下し、９０秒間静置して積層性試験を実施した。
　その後、積層性試験用膜を１５００ｒｐｍで３０秒間、ついで４０００ｒｐｍで３０秒間スピンアウトさせた。試験用膜を真空乾燥装置にて３分間、次いで大気中ホットプレートにて１００℃１０分間乾燥させた。

　積層性試験を実施した試験用膜の反射率を再び顕微分光膜厚計により測定し、波長３００ｎｍ～７００ｎｍの範囲において反射率の変化が５％未満であったものを〇、５％以上の反射率の変化が観測されたものを×と判定した。反射率は膜の平坦性を反映する。すなわち、前記積層性試験用膜が前記試験有機溶剤に溶解すると表面の平坦性が損なわれ、反射率が変化する。反射率の変化が５％未満であれば前記積層性試験用膜が前記試験有機溶剤に溶解せず平坦性が良好であり、前記積層性試験用膜として用いた発光層上に前記層形成用組成物を湿式成膜法にて積層して、良好な有機電界発光素子を得ることが出来る。一方、反射率の変化が５％以上であれば前記積層性試験用膜が前記試験有機溶剤に溶解したと考えられ、有機電界発光素子を作製すると素子の特性が低下し、好ましくない。

＜実施例１０＞
　実施例９の有機溶剤組成１－ヘプタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）の代わりに、有機溶剤組成１－ブタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）を用いて吐出性試験／詰まり試験／積層性試験を実施した。

＜参考例１＞
　実施例９の有機溶剤組成１－ヘプタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）の代わりに、１－ブタノールを用いて吐出性試験／詰まり試験／積層性試験を実施した。

＜参考例２＞
　実施例９の有機溶剤組成１－ヘプタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）の代わりに、２－ブチル－１－ｎ－オクタノールを用いて吐出性試験／詰まり試験／積層性試験を実施した。

＜参考例３＞
　実施例９の有機溶剤組成１－ヘプタノール：２－ブチル－１－ｎ－オクタノール＝８：２（ｖｏｌ．／ｖｏｌ．）の代わりに、エチレングリコールを用いて吐出性試験／詰まり試験／積層性試験を実施した。

　実施例９～１０及び参考例１～３において使用した有機溶剤は、下記のとおりである。
・２－ブチル－１－ｎ－オクタノール：東京化成工業社製、沸点１０４℃（圧力０．４ｋＰａ）（ＡＣＤ／Ｌａｂｓソフトウェアによる沸点計算値２４５℃）
・１－ヘプタノール：東京化成工業社製、沸点１７６℃
・１－ブタノール：東京化成工業社製、沸点１１７℃
・エチレングリコール：東京化成工業社製、沸点１９８℃

　実施例９～１０及び参考例１～３で得られた試験結果を表７にまとめた。

　表７の結果から、本発明の発光層形成用組成物を用いて湿式成膜法にて発光層を想定した膜の上に、機能性材料と少なくとも２種の有機溶剤とを含み、前記有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上の有機溶剤である層形成用組成物を用い、インクジェット法により前記発光層を想定した膜の表面に塗布して、前記発光層を想定した膜に接する層を積層して形成することが出来た。

　以上、図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。

　なお、本出願は、２０２２年３月２５日出願の日本特許出願（特願２０２２－０５０６２４）及び２０２２年６月１日出願の日本特許出願（特願２０２２－０８９９３０）に基づくものであり、その内容は本出願の中に参照として援用される。

　本発明により、広いエネルギーギャップと適切な電荷輸送性を有するために、高い発光効率を示す有機電界発光素子を与えることができる発光層用材料を提供することができる。また、本発明により、当該発光層用材料を用いた有機電界発光素子、表示装置及び照明装置の製造方法、並びに、当該製造方法により得られる有機電界発光素子、表示装置及び照明装置を提供することができる。

　１　　基板
　２　　陽極
　３　　正孔注入層
　４　　正孔輸送層
　５　　発光層
　６　　正孔阻止層
　７　　電子輸送層
　８　　電子注入層
　９　　陰極
　１０　有機電界発光素子

Claims (24)

1. 　少なくとも、発光材料、並びに、下記（Ａ群）、下記（Ｂ群）及び下記（Ｃ群）で表される３つの群のうち、少なくとも任意の２つの群からそれぞれ選択された少なくとも２種の化合物を含む、有機電界発光素子の発光層用材料。
   　（Ａ群）下記式（１－Ａ）で表される化合物及び下記式（１－Ｂ）で表される化合物からなる群
   　（Ｂ群）下記式（２）で表される化合物
   　（Ｃ群）下記式（３）で表される化合物、下記式（１－１）で表される化合物、及び下記式（１－２）で表される化合物からなる群
   

   

   
   （式（１－Ａ）中、Ｇ^１及びＧ^２は各々独立して、芳香族炭化水素基を表し、Ｇ^１の炭素数及びＧ^２の炭素数の合計炭素数が４２以上、２４０以下であるか、又は、Ｇ^１及びＧ^２の少なくとも一方の炭素数が５４以上、２４０以下である。Ｘ^１～Ｘ^７は各々独立に、ＣＲ^１Ａまたは窒素原子であり、Ｒ^１Ａは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。Ｇは、水素原子、重水素原子、ＣＮ、又は置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。
   　式（１－Ｂ）中、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５は各々独立して、芳香族炭化水素基を表し、Ｇ^３の炭素数、Ｇ^４の炭素数及びＧ^５の炭素数の合計炭素数が４２以上、２４０以下であるか、又は、Ｇ^３、Ｇ^４及びＧ^５の少なくとも一つの炭素数が２８以上、２４０以下である。Ｘ^８～Ｘ^２１は各々独立に、ＣＲ^１Ｂまたは窒素原子であり、Ｒ^１Ｂは、出現する毎に各々独立して、水素原子、重水素原子、ＣＮ、または置換基を有していてもよい炭素数６から３０までの芳香族炭化水素基を表す。）
   

   

   
   （式（２）中、
   　Ａｒ^１～Ａｒ^５は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
   　Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^５の少なくとも一つは、下記式（４）又は下記式（５）で表され、
   　Ａｒ^３及びＡｒ^４は、各々独立に、水素原子または置換基を有していてもよい１価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
   　Ｌ^１～Ｌ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素数６以上、６０以下の芳香族炭化水素基であり、
   　Ｒは、各々独立に、置換基を表し、
   　ｍ１、ｍ２及びｍ５は、各々独立に、０～５の整数を表し、
   　ｍ３及びｍ４は、各々独立に、１～５の整数を表し、
   　ｎは、０～１０の整数を表し、
   　ａ１及びａ２は、各々独立に、０～３の整数を表し、
   　ａ３は０～４の整数を表し、
   　ａ４は０又は１の整数を表す。
   　ただし、ａ３が４の場合はａ４は０である。
   　式（２）中、Ａｒ^１－（Ｌ^１）_ｍ１－、Ａｒ^２－（Ｌ^２）_ｍ２－、Ａｒ^３－（Ｌ^３）_ｍ３－、Ａｒ^４－（Ｌ^４）_ｍ４－は、いずれも水素原子にはならない。）
   

   

   
   （式（４）又は式（５）中、
   　アスタリスク（＊）は、式（２）との結合を表し、
   　Ｒ^２１～Ｒ^４６は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。）
   

   

   
   （式（３）中、Ｇ^３１及びＧ^３２は各々独立に、下記式（７）を表し、Ｇ^３３は、下記式（８）を表す。）
   

   

   
   （式（７）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
   　Ｌ^３２は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
   　Ａｒ^３２は、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
   　ａ^３２は０～５の整数を表す。）
   

   

   
   （式（８）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
   　Ｌ^３３は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
   　ａ^３３は０～５の整数を表す。）
   

   

   
   （式（１－１）中、
   　Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子であり、
   　Ｘａ^１、Ｙａ^１、及びＺａ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基又は置換基を有していてもよい１，４－フェニレン基を表し、
   　Ｚａ^１の少なくとも一つは、１，３－フェニレン基であり、
   　Ｘａ^２及びＹａ^２は、各々独立に、置換基を有してもよいフェニル基を表し、
   　Ｚａ^２は、置換基を有してもよいＮ－カルバゾリル基を表し、
   　ｆ１１は１又は２であり、
   　ｇ１１は１～５の整数であり、
   　ｈ１１は２～５の整数であり、
   　ｊ１１は１～６の整数であり、
   　ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は５以上であり、
   　Ｒ^１１は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。）
   

   

   
   （式（１－２）中、
   　Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３は、各々独立に、－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｗ_１、Ｗ_２及びＷ_３のうち、少なくとも一つは窒素原子であり、
   　Ｘａ^１、Ｙａ^１、及びＺａ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基又は置換基を有していてもよい１，４－フェニレン基を表し、
   　Ｙａ^１及びＺａ^１の少なくとも一つは、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基であり、
   　Ｘａ^２は、置換基を有してもよいフェニル基を表し、
   　Ｙａ^２及びＺａ^２は、各々独立に、置換基を有してもよいＮ－カルバゾリル基を表し、
   　ｆ１１は１又は２であり、
   　ｇ１１は１～５の整数であり、
   　ｈ１１は２～５の整数であり、
   　ｊ１１は２～５の整数であり、
   　ｆ１１＋ｇ１１＋ｈ１１＋ｊ１１は６以上であり、
   　Ｒ^１１は、各々独立に、水素原子または置換基を表す。）
2. 　前記式（１－Ａ）及び前記式（１－Ｂ）における前記Ｇ^１～Ｇ^５の少なくとも一つが、下記式（１１）～下記式（１６）から選択される少なくとも一つの部分構造を含む、請求項１に記載の発光層用材料。
   

   

   
   （式（１１）～式（１６）それぞれにおいて、アスタリスク（＊）は、隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。）
3. 　前記式（２）におけるＬ^１～Ｌ^５が、各々独立に、置換基を有していてもよい、フェニレン基又はフェニレン基が２個以上直接結合で連結した基である、請求項１に記載の発光層用材料。
4. 　前記式（２）におけるＬ^１～Ｌ^５が、各々独立に、置換基を有していてもよい１，３－フェニレン基である、請求項１に記載の発光層用材料。
5. 　前記式（２）で表される化合物が下記式（１７）～下記式（１９）、下記式（２１）、下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造を有する、請求項１に記載の発光層用材料。
   

   

   
   （式（１７）～式（１９）、式（２１）及び式（２２）それぞれにおいて、アスタリスク（＊）は、隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す結合を表す。）
6. 　前記式（３）におけるＧ^３１が、下記式（６）で表される、請求項１に記載の発光層用材料。
   

   

   
   （式（６）中、アスタリスク（＊）は、式（３）との結合を表し、
   　Ｌ^３１は、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい２価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
   　Ａｒ^３１は、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基、又は置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下の芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい１価の炭素数６０以下のヘテロ芳香族基から選択される複数の基が連結した基であり、
   　ａ^３１は０～５の整数を表す。）
7. 　前記式（７）及び前記式（８）におけるＬ^３２及びＬ^３３が、各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基である、請求項１に記載の発光層用材料。
8. 　前記式（７）及び前記式（８）におけるＬ^３２及びＬ^３３、並びに、前記式（６）におけるＬ^３１が各々独立に、フェニレン基またはフェニレン基が複数個直接結合で連結した基である、請求項６に記載の発光層用材料。
9. 　前記式（３）で表される化合物が下記式（１７）～下記式（１９）、下記式（２１）、下記式（２２）から選択される少なくとも一つで表される部分構造を有する、請求項１に記載の発光層用材料。
   

   

   
   （式（１７）～式（１９）、式（２１）及び式（２２）それぞれにおいて、アスタリスク（＊）は、隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す結合を表す。）
10. 　前記式（１－２）におけるＹａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基であり、かつＺａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基である、請求項１に記載の発光層用材料。
11. 　前記式（１－２）におけるＸａ^１の少なくとも一つが１，３－フェニレン基である、請求項１に記載の発光層用材料。
12. 　前記式（１－１）において、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２は下記式（Ｘａ－１）の構造群から選ばれ、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２は下記式（Ｙａ－１）の構造群から選ばれ、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２は下記式（Ｚａ－１）の構造群から選ばれ、
    　前記式（１－２）において、－（Ｘａ^１）_ｇ１１－Ｘａ^２は下記式（Ｘａ－２）の構造群から選ばれ、－（Ｙａ^１）_ｈ１１－Ｙａ^２は下記式（Ｙａ－２）の構造群から選ばれ、－（Ｚａ^１）_ｊ１１－Ｚａ^２は下記式（Ｚａ－２）の構造群から選ばれる、請求項１に記載の発光層用材料。
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    

    
13. 　前記式（１－１）で表される化合物及び前記式（１－２）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物を含み、前記少なくとも１つの化合物におけるＷ_１、Ｗ_２及びＷ_３の全てが窒素原子である、請求項１に記載の発光層用材料。
14. 　前記（Ａ群）、前記（Ｂ群）又は前記（Ｃ群）の化合物として含まれる化合物及び発光材料の分子量が全て１２００以上である、請求項１に記載の発光層用材料。
15. 　陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有し、
    　前記発光層が請求項１～１４のいずれか１項に記載の発光層用材料を含む、有機電界発光素子。
16. 　請求項１～１４のいずれか１項に記載の発光層用材料及び、第２の有機溶剤を含む、発光層形成用組成物。
17. 　前記第２の有機溶剤として少なくとも２種の有機溶剤を含み、少なくとも１種の前記有機溶剤の沸点が２００℃以上である、請求項１６に記載の発光層形成用組成物。
18. 　陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法であって、
    　前記発光層を、請求項１６に記載の発光層形成用組成物を用いて湿式成膜法にて形成する工程を含む、有機電界発光素子の製造方法。
19. 　陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層と、前記発光層の前記陰極側に接する層とを少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法であって、
    　前記発光層は、請求項１６に記載の発光層形成用組成物を用いた湿式成膜法により形成され、
    　前記発光層の前記陰極側に接する層を形成する工程は、
    　機能性材料と第１の有機溶剤とを含み、第１の有機溶剤は少なくとも２種の有機溶剤を含み、前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃以上である層形成用組成物をインクジェット法により前記発光層の表面に塗布して、前記発光層の前記陰極側に接する層を形成する工程と、前記発光層の前記陰極側に接する前記層を乾燥する工程とをこの順で含む、有機電界発光素子の製造方法。
20. 　前記機能性材料が電子輸送性化合物である、請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
21. 　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２３０℃以上である、請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
22. 　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種の沸点が２００℃未満である、請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
23. 　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種がプロトン性極性有機溶剤である、請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
24. 　前記第１の有機溶剤に含まれる有機溶剤の少なくとも１種がアルコール系有機溶剤である、請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。

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