WO2023181413A1 - 半導体装置製造装置および検査方法 - Google Patents

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capillary
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ball
device manufacturing
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裕 長谷川
俊彦 富山
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株式会社新川
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation

Definitions

  • This specification discloses a semiconductor manufacturing apparatus and inspection method for manufacturing a semiconductor device.
  • Semiconductor devices are conventionally known in which one or more semiconductor chips are electrically bonded to a substrate or another semiconductor chip.
  • a crimped ball bonded to a target surface which is the electrode surface.
  • the semiconductor device manufacturing equipment melts the tip of a wire to form a metal ball (so-called FAB: Free Air Ball), and presses the ball against a target surface to form a crimped ball.
  • FAB Free Air Ball
  • the semiconductor device manufacturing apparatus electrically connects the target surface to the other electrode by connecting the other electrode to the press-bonded ball directly or via a wire.
  • Patent Document 1 a pressure bonded ball (referred to as a "solder ball” in Patent Document 1) is pressed in a direction parallel to the target surface with a dedicated probe, and the force to peel the pressure bonded ball from the target surface, that is, Techniques for measuring peel strength (also referred to as "shear strength") have been disclosed.
  • the peel strength can be measured by changing the peel angle by changing the angle of the substrate on which the crimped balls are formed. According to the technique disclosed in Patent Document 1, the bonding strength of the press-bonded ball to the target surface can be quantitatively determined.
  • the semiconductor device manufacturing apparatus disclosed in this specification includes a capillary through which a wire is inserted, and a capillary in which a ball formed at the tip of the wire is crimped onto a target surface to form a crimped ball; one or more clampers that grip the extending wire; a moving mechanism that moves the capillary relative to the target surface; and a controller, the controller forming the crimped ball at an inspection point on the target surface.
  • the capillary is moved in a test direction that is a direction intersecting the axial direction of the capillary, thereby applying a test load to the wire.
  • the method is characterized in that the load is gradually increased until a peeling timing at which the press-bonded ball peels off or the wire breaks, and the test load at the peeling timing is obtained as the peeling strength.
  • the moving mechanism includes a drive motor that outputs power for moving the capillary, and the controller performs the inspection based on the thrust of the drive motor when moving the capillary in the inspection direction. It is characterized by specifying the load.
  • the controller further includes a non-adherence detection unit that detects non-adhesion of the wire to the target surface based on the energization state between the wire and the target surface, and the controller is configured to: after crimping the ball to the inspection point;
  • the timing at which adhesion of the wire is detected by the non-adhesion detection unit may be specified as the peeling timing.
  • the controller may specify, as the peeling timing, a timing when a deviation between the actual position of the capillary and a commanded position suddenly decreases when the capillary is moved in the inspection direction in the load addition process.
  • the controller further includes a tip state detection section that detects a state of a tip portion of the wire that protrudes below the capillary, and the controller detects a state of the tip portion using the tip state detection portion after the peeling timing. is detected, and if there is no tail at the tip, a preparation process for forming the tail may be executed.
  • the one or more clampers move up and down in conjunction with the capillary, and move upward with the capillary while holding the wire in a state where the crimp ball and the wire are connected. and a second clamper that holds the wire at a position above the first clamper, and the controller closes at least the second clamper during the load application process. You may.
  • the one or more clampers move up and down in conjunction with the capillary, and move upward with the capillary while holding the wire in a state where the crimp ball and the wire are connected.
  • the first clamper may include a first clamper that breaks the first clamper, but may not include another clamper, and the controller may close the first clamper during the load application process.
  • the inspection method disclosed in this specification includes the steps of crimping a ball at the tip of a wire inserted into a capillary to an inspection point on a target surface to form a crimped ball, and using a clamper to attach the wire extending upward from the capillary.
  • the present invention is characterized by comprising the steps of: applying the test load until a peeling timing at which the crimped ball peels or the wire breaks; and acquiring the test load at the peeling timing as peel strength.
  • the peeling load of a crimped ball can be measured without using a dedicated measuring device.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a semiconductor device manufacturing apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the flow of peeling load inspection processing. It is a flow chart which shows the flow of inspection processing of peeling load.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the flow of preparation processing. It is a flowchart which shows the flow of preparation processing.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing another flow of peeling load inspection processing. It is a flow chart which shows another flow of inspection processing of peeling load.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing another flow of the preparation process.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing another flow of the preparation process.
  • 7 is a flowchart showing another flow of the preparation process.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a semiconductor device manufacturing apparatus 10.
  • This semiconductor device manufacturing apparatus 10 is a wire bonding apparatus that mechanically and electrically connects electrodes of a semiconductor chip and electrodes of a substrate or other semiconductor chip using wires. Further, as will be described in detail later, the semiconductor device manufacturing apparatus 10 of this example also has a function of inspecting the peel strength of the ball B pressed onto the target surface 110, that is, the pressed ball Bb.
  • a bonding target member such as the substrate 100 is placed on the stage 42. Further, the upper surface of the bonding target member becomes the target surface 110 to which the wire W is bonded and the crimp ball Bb is formed.
  • a bonding head 12 is provided above the stage 42.
  • the bonding head 12 bonds the wire W to the target surface 110.
  • This bonding head 12 includes a capillary 14, a first clamper 16, a second clamper 18, and a wire tensioner 20. and an air tensioner 22.
  • the capillary 14 is a cylindrical member attached to an ultrasonic horn (not shown). A through hole passing through the capillary 14 in the axial direction is formed, and a wire W such as a gold wire is inserted through this through hole. Furthermore, during bonding, ultrasonic vibrations are applied to the capillary 14 via an ultrasonic horn.
  • Both the first clamper 16 and the second clamper 18 are members that are arranged above the capillary 14 and hold the wire W.
  • the first clamper 16 moves up and down together with the capillary 14.
  • the second clamper 18 is provided above the first clamper 16, and its height position within the bonding head 12 is constant.
  • an air tensioner 22 and a wire tensioner 20 are arranged above the second clamper 18.
  • the wire tensioner 20 applies appropriate tension to the wire W by supplying air downward in the axial direction to the wire W.
  • the air tensioner 22 applies appropriate tension to the wire W by supplying air downward or upward in the axial direction to the wire W.
  • the moving mechanism 26 moves the above-mentioned bonding head 12 in the horizontal direction, and moves the capillary 14 and the first clamper 16 in the vertical direction.
  • the moving mechanism 26 includes a drive motor 28 and a current sensor 30 that detects a current value applied to the drive motor 28.
  • FIG. 1 shows only one drive motor 28 and one current sensor 30, in reality, one drive motor 28 and one current sensor 30 are provided for each direction of movement. Further, in this example, the capillary 14 is moved, but the moving mechanism 26 may move the stage 42 instead of or in addition to the capillary 14.
  • the torch electrode 24 is connected to a high voltage power source (not shown) via a discharge stabilizing resistor (not shown).
  • the torch electrode 24 generates a spark (discharge) based on a control signal from the controller 36, and the heat of the spark melts the tip of the wire W drawn out from the tip of the capillary 14, forming a ball B, so-called FAB (Free). Air Ball).
  • the non-adhesion sensor 32 functions as a non-adhesion detection unit that detects adhesion of the tip of the wire W to the target surface 110.
  • the non-adherence sensor 32 forms, for example, an electrical path from the wire W to the target surface 110, applies a voltage to this electrical path, and detects the target at the tip of the wire W based on a change in the value of the current flowing through the electrical path. Detects adhesion to a surface or grounding. Normally, when the tip of the wire W is grounded to the target surface 110, the value of the current flowing through the electrical path increases. Note that instead of using the non-adherence sensor 32, non-adherence may be determined based on a change in the deviation between the commanded position and the actual position of the capillary 14.
  • the tip camera 34 functions as a tip state detection unit that detects the state of the tip of the wire W that protrudes below the capillary 14. This tip camera 34 images the tip of the wire W.
  • the controller 36 determines the state of the tip of the wire W based on the inspection image obtained by the tip camera 34.
  • the state of the tip includes, for example, the presence or absence of the ball B and the presence or absence of the tail Tw.
  • the controller 36 controls the driving of each part mentioned above.
  • the controller 36 is physically a computer having a processor 38 and a memory 40.
  • the controller 36 controls the driving of each part and executes a wire bonding process in which two electrodes are electrically and mechanically connected using a wire W.
  • the controller 36 first operates the torch electrode 24 to melt the tip of the wire W to form a ball B (so-called FAB).
  • the controller 36 drives the bonding head 12 to perform 1st bonding in which the ball B is bonded to a first electrode (for example, an electrode of a semiconductor chip).
  • the ball B pressed onto the target surface 110 in this first bonding is hereinafter referred to as a "pressed ball Bb.”
  • the controller 36 moves the capillary 14 directly above the second electrode (for example, the electrode of the substrate) with the first clamper 16 and the second clamper 18 open while the wire W and the crimp ball Bb remain connected. 2nd bonding is performed by lowering the capillary 14 and bonding the wire W to the second electrode. Finally, the controller 36 raises the capillary 14 with the first clamper 16 open to bring out the tail, and then closes the first clamper 16 and raises the capillary 14 to wire the wire W. rupture. Further, during the bonding process, the controller 36 appropriately checks the state of the tip of the wire W, specifically, the presence or absence of the ball B or the tail Tw, based on the inspection image obtained by the tip camera 34.
  • the press-bonded balls Bb formed in the first bonding are press-bonded to the electrodes of the semiconductor device, and have a great influence on the electrical or mechanical quality of the semiconductor device. Therefore, it has conventionally been required to quantitatively evaluate the bonding strength of the press-bonded ball Bb to the target surface 110.
  • the semiconductor device manufacturing apparatus 10 is provided with a function to measure the peeling load Fa, so that the semiconductor device manufacturing apparatus 10 can inspect the peeling load Fa. This will be explained in detail below.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the flow of testing the peeling load Fa
  • FIG. 3 is a flowchart showing the flow of testing.
  • the capillary 14 is moved in a predetermined inspection direction with at least one clamper closed.
  • the inspection direction is a direction that intersects the axial direction of the capillary 14, and in this example, is a horizontal direction.
  • the controller 36 gradually increases the thrust in the inspection direction and specifies a value proportional to the thrust when the crimp ball Bb is peeled off from the target surface 110 or the wire W is broken as the peeling load Fa. .
  • the controller 36 brings the tip of the wire W close to the torch electrode 24 with the first clamper 16 closed and the second clamper 18 open, operates the torch electrode 24, and closes the tip of the wire W.
  • a ball B is formed (S10).
  • the bonding head 12 is moved to move the capillary 14 above the inspection point P1 on the target surface 110 (S12).
  • the controller 36 opens the first clamper 16, lowers the capillary 14, and grounds the ball B at the inspection point P1 (S14, S16). If the non-adherence sensor 32 detects that the ball B has touched the inspection point P1 (Yes in S16), the controller 36 closes the second clamper 18 and further lowers the capillary 14 to remove the ball B. 1st bonding is performed by pressing the object surface 110 and crimping it (S18). As a result, a crimped ball Bb is formed at the inspection point P1.
  • the controller 36 drives the drive motor 28 of the moving mechanism 26 to move the capillary 14 in a predetermined inspection direction (horizontal direction in this example), and removes the wire W from the capillary 14.
  • a predetermined inspection load Fd is added to (S20). Also, at this time, the controller 36 increases the inspection load Fd in stages until the crimp ball Bb is peeled off from the target surface 110 or the wire W is broken (S26).
  • the controller 36 moves the capillary 14 in the inspection direction with the second clamper 18 closed, and applies a predetermined inspection load Fd to the wire W (S20).
  • this test load Fd may be determined based on the current value applied to the drive motor 28. That is, normally, the inspection load Fd is proportional to the thrust of the drive motor 28, and the thrust of the drive motor 28 is approximately proportional to the applied current value. Therefore, the controller 36 may perform current feedback control on the drive motor 28, for example, so that the current value detected by the current sensor 30 becomes a value proportional to the inspection load Fd.
  • the first clamper 16 may be closed instead of or in addition to the second clamper 18.
  • step S22 If the crimp ball Bb is peeled off from the target surface 110 or the wire W is broken as a result of applying the inspection load Fd (Yes in step S22), the controller 36 proceeds to step S28.
  • the adhesion of the wire W is detected by the non-adherence sensor 32 after the press-bonded ball Bb is formed, it is determined that it is the peeling timing at which peeling or the like has occurred.
  • the deviation between the commanded position and the actual position of the capillary 14 may be monitored, and the timing at which this deviation suddenly decreases may be detected as the separation timing at which separation or the like has occurred.
  • the controller 36 continues to apply the inspection load Fd until a predetermined reference time has elapsed (until it becomes Yes in S24).
  • the reference time is, for example, several seconds, although it is not particularly limited.
  • the controller 36 updates the current inspection load Fd by adding a predetermined increase value ⁇ F as a new inspection load Fd (S26), and adds the updated inspection load Fd. Execute (S20). Then, the processes of steps S20 to S26 are repeated until the pressure-bonded ball Bb peels off or the like occurs.
  • the controller 36 specifies the inspection load Fd at that time as the peeling load Fa (S28).
  • the specified peeling load Fa is stored in the memory 40 and presented to the operator as necessary. The operator can quantitatively evaluate the bonding strength of the crimped ball Bb based on the presented peeling load Fa.
  • the controller 36 performs tailing for the next bonding (S30). Specifically, the controller 36 raises the capillary 14 with the first clamper 16 open and the second clamper 18 closed, thereby causing the wire W to protrude a predetermined distance from the tip of the capillary 14. Finally, if the first clamper 16 is closed and the second clamper 18 is opened (S32), the inspection process ends.
  • the peeling load Fa of the press-bonded balls Bb can be inspected in the semiconductor device manufacturing apparatus 10 without taking the sample outside the semiconductor device manufacturing apparatus 10.
  • the effort required to measure the peel load Fa can be reduced, and contamination of the sample can be effectively prevented.
  • the controller 36 images the tip of the wire W with the tip camera 34, checks the presence or absence of the ball B based on the obtained inspection image, and responds to the result. Then, the preparation process for the next bonding process is executed.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the flow of this preparation process
  • FIG. 5 is a flowchart showing the flow of the preparation process.
  • the preparation process as described above, first, the presence or absence of the ball B at the tip of the wire W is confirmed using the tip camera 34 (S36). As a result of the confirmation, if there is no ball B at the tip of the wire W (No in S36), that is, in the state of step S32 in FIG. 2, it can be determined that an appropriate tail Tw is formed, so the controller 36 To end the preparation process without executing any special process. On the other hand, if the ball B remains at the tip of the wire W (Yes in S36), the controller 36 discards the ball B and forms the tail Tw (S38 to S46).
  • the controller 36 moves the capillary 14 to a preliminary point P2, which is a different location from the inspection point P1, with the first clamper 16 closed and the second clamper 18 opened.
  • This preliminary point P2 may be set on the same sample as the inspection point P1, or may be set on a different member surface from the sample on which the inspection point P1 is set.
  • the controller 36 opens the first clamper 16, lowers the capillary 14, and bonds the ball B to the preliminary point P2 (S40). Thereafter, the capillary 14 is raised, and a tail is brought out to protrude a predetermined distance of the wire W from below the capillary 14 (S42). After that, the controller 36 closes the first clamper 16 (S44) and then raises the capillary 14 to break the wire W (S46). As a result, a predetermined length of wire W, ie, tail Tw, is pulled out from the tip of the capillary 14, so that the next bonding process can be started smoothly.
  • a predetermined length of wire W ie, tail Tw
  • the semiconductor device manufacturing apparatus 10 having both the first clamper 16 and the second clamper 18 has been described as an example, there are cases in which the semiconductor device manufacturing apparatus 10 has only the first clamper 16. However, there are some that do not have the second clamper 18.
  • the test load Fd may be applied to the wire W by moving the capillary 14 in the test direction with the first clamper 16 closed. .
  • FIGS. 6 and 7 are a schematic diagram and a flowchart showing the flow of the peeling load Fa inspection process in the semiconductor device manufacturing apparatus 10 having only the first clamper 16.
  • the first clamper 16 is used instead of the second clamper 18. Close.
  • the capillary 14 is raised without extending the tail (S70), Finish the process.
  • the semiconductor device manufacturing apparatus 10 has only one clamper that holds the wire W, it is possible to close the one clamper (that is, the first clamper 16) and move the capillary 14 in the inspection direction. , it is possible to apply a load in the inspection direction to the wire W, and in turn, it is possible to specify the peeling load Fa.
  • FIG. 8 and 9 are schematic diagrams showing the flow of this preparation process
  • FIG. 10 is a flowchart showing the flow of the preparation process. This preparation process differs greatly depending on the presence or absence of the ball B at the tip of the wire W. If ball B exists (Yes in S72), the controller 36 executes steps S74 to S82 shown in FIG. 8. Specifically, the controller 36 moves the capillary 14 above the preliminary point P2 while keeping the first clamper 16 closed (S74). Next, the controller 36 opens the first clamper 16 to bond the ball B to the preliminary point P2 (S76).
  • the controller 36 raises the capillary 14 while keeping the first clamper 16 open, thereby extending the tail (S78).
  • the controller 36 closes the first clamper 16 (S80) and then raises the capillary 14 to break the wire W. (S82).
  • the controller 36 executes steps S84 to S88 and steps S78 to S82 shown in FIG. Specifically, the controller 36 moves the capillary 14 above the preliminary point P2 while keeping the first clamper 16 closed (S84). Subsequently, the controller 36 bonds the wire W to the preliminary point P2 while keeping the first clamper 16 closed (S86), and then opens the first clamper 16 (S88). The process after releasing the first clamper 16 is the same as when the ball B is present. That is, the capillary 14 is raised to bring out the tail (S78), and then the first clamper 16 is closed and the wire W is broken (S80, S82). By performing such preparatory processing, the tail Tw can be appropriately formed even in the semiconductor device manufacturing apparatus 10 having only one clamper, and the next bonding process can be appropriately started.
  • the test load Fd is applied to the wire W by moving the capillary 14 in the test direction with at least one clamper closed. If the additional process is to be performed until the peeling timing occurs while gradually increasing the inspection load Fd, and the inspection load Fd at the peeling timing is specified as the peeling load Fa, the other configurations can be changed as appropriate. may be done.
  • the inspection direction that is, the direction of the inspection load Fd
  • the inspection direction is not limited to horizontal, but may be any other direction as long as it intersects the axis of the capillary.
  • the inspection load Fd is increased in stages, but the inspection load Fd may be increased continuously as long as it increases gradually.

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Abstract

半導体装置製造装置（１０）は、前記ワイヤ（Ｗ）の先端に形成されたボール（Ｂ）を対象面（１１０）に圧着して圧着ボール（Ｂｂ）を形成するキャピラリ（１４）と、１以上のクランパ（１６，１８）と、前記キャピラリ（１４）を前記対象面（１１０）に対して相対移動させる移動機構（２６）と、コントローラ（３６）と、を備え、前記コントローラ（３６）は、前記圧着ボール（Ｂｂ）を形成した後、少なくとも一つの前記クランパ（１８）を閉鎖した状態で、検査方向に前記キャピラリ（１４）を移動させることで前記ワイヤ（Ｗ）に検査荷重（Ｆｄ）を付加する荷重付加処理を、前記検査荷重（Ｆｄ）を徐々に増加させながら、前記圧着ボール（Ｂｂ）が剥離等する剥離タイミングまで行い、前記剥離タイミングにおける前記検査荷重（Ｆｄ）を剥離強度（Ｆａ）として取得する。

Description

半導体装置製造装置および検査方法
　本明細書は、半導体装置を製造する半導体製造装置および検査方法を開示する。
　従来から、１以上の半導体チップを、基板または他の半導体チップと電気的に接合して成る半導体装置が知られている。かかる半導体装置を製造する際、半導体チップ電極と、他の半導体チップまたは基板に形成された電極と、を電気的に接続するために、電極表面である対象面に接合された圧着ボールを利用することがある。具体的に説明すると、半導体装置製造装置は、ワイヤの先端を溶融して金属製のボール（いわゆるＦＡＢ：Ｆｒｅｅ　Ａｉｒ　Ｂａｌｌ）を形成し、当該ボールを、対象面に押し付けて、圧着ボールを形成する。その後、半導体装置製造装置は、この圧着ボールに、他の電極を、直接、または、ワイヤを介して接続することで、対象面と他の電極とを電気的に接続する。
　この場合、圧着ボールと対象面との機械的な接合強度は、半導体装置の品質に大きな影響を与える。そこで、従来から、圧着ボールと対象面との接合強度を検査する技術が提案されている。
　例えば、特許文献１には、圧着ボール（特許文献１では「はんだ球」と呼ぶ）を専用のプローブで、対象面と平行な方向に押圧し、圧着ボールを対象面から剥離する力、すなわち、剥離強度（「シェア強度」ともいう）を測定する技術が開示されている。また、特許文献１には、圧着ボールが形成された基板の角度を変えることにより、剥離角度を変えて、剥離強度を測定することも開示されている。かかる特許文献１の技術によれば、圧着ボールの対象面への接合強度を、定量的に把握できる。
特開２００４－３０１８１３号公報
　しかしながら、特許文献１などの従来技術の場合、プローブを用いて圧着ボールに荷重を付加している。一方、通常の半導体装置製造装置には、かかるプローブは設けられていない。したがって、従来、圧着ボールの剥離強度を検査したい場合、半導体装置製造装置を用いて対象面に圧着ボールを形成した後、当該圧着ボールが形成されたサンプルを、半導体装置製造装置の外部に持ち出し、専用の検査装置を使って検査する必要があった。しかし、このように、サンプルを半導体装置製造装置の外部に持ち出すことは、手間であるばかりでなく、サンプルの汚染等の恐れもあった。
　そこで、本明細書では、剥離強度を検査可能な半導体装置製造装置、および、キャピラリを利用した検査方法を開示する。
　本明細書開示する半導体装置製造装置は、ワイヤが挿通されるキャピラリであって、前記ワイヤの先端に形成されたボールを対象面に圧着して圧着ボールを形成するキャピラリと、前記キャピラリから上方に延びる前記ワイヤを把持する１以上のクランパと、前記キャピラリを前記対象面に対して相対移動させる移動機構と、コントローラと、を備え、前記コントローラは、前記圧着ボールを前記対象面の検査点に形成した後、少なくとも一つの前記クランパを閉鎖した状態で、前記キャピラリの軸方向と交差する方向である検査方向に前記キャピラリを移動させることで前記ワイヤに検査荷重を付加する荷重付加処理を、前記検査荷重を徐々に増加させながら、前記圧着ボールが剥離または前記ワイヤが破断する剥離タイミングまで行い、前記剥離タイミングにおける前記検査荷重を剥離強度として取得する、ことを特徴とする。
　この場合、前記移動機構は、前記キャピラリを移動させるための動力を出力する駆動モータを有し、前記コントローラは、前記キャピラリを前記検査方向に移動させる際の前記駆動モータの推力に基づいて前記検査荷重を特定する、ことを特徴とする。
　また、さらに、前記ワイヤと前記対象面との間の通電状態から前記ワイヤの前記対象面への不着を検出する不着検出部を備え、前記コントローラは、前記ボールを前記検査点に圧着した後、前記不着検出部で、前記ワイヤの付着が検知されたタイミングを前記剥離タイミングとして特定してもよい。
　また、前記コントローラは、前記荷重付加処理において、前記キャピラリを前記検査方向に移動させる際の、前記キャピラリの実位置と指令位置との偏差が急減したタイミングを、前記剥離タイミングとして特定してもよい。
　また、さらに、前記ワイヤのうち前記キャピラリより下側に飛び出る先端部の状態を検知する先端状態検知部を備え、前記コントローラは、前記剥離タイミングの後、前記先端状態検知部で前記先端部の状態を検知し、前記先端部にテールが無い場合、前記テールを形成する準備処理を実行してもよい。
　また、前記１以上のクランパは、前記キャピラリと連動して昇降し、前記圧着ボールと前記ワイヤとが繋がった状態で、前記ワイヤを保持した状態のまま前記キャピラリとともに上方に移動することで前記ワイヤを破断させる第一クランパと、前記第一クランパより上方位置において、前記ワイヤを保持する第二クランパと、を含んでおり、前記コントローラは、前記荷重付加処理の際、少なくとも前記第二クランパを閉鎖してもよい。
　また、前記１以上のクランパは、前記キャピラリと連動して昇降し、前記圧着ボールと前記ワイヤとが繋がった状態で、前記ワイヤを保持した状態のまま前記キャピラリとともに上方に移動することで前記ワイヤを破断させる第一クランパを含む一方で、他のクランパを含んでおらず、前記コントローラは、前記荷重付加処理の際、前記第一クランパを閉鎖してもよい。
　また、本明細書で開示する検査方法は、キャピラリに挿通されたワイヤの先端のボールを対象面の検査点に圧着して圧着ボールを形成するステップと、前記キャピラリから上方に延びる前記ワイヤをクランパで把持した状態で、前記キャピラリの軸方向と交差する方向である検査方向に前記キャピラリを移動させることで前記ワイヤに検査荷重を付加するステップであって、前記検査荷重を徐々に増加させながら、前記圧着ボールが剥離または前記ワイヤが破断する剥離タイミングまで前記検査荷重を付加するステップと、前記剥離タイミングにおける前記検査荷重を剥離強度として取得するステップと、を備えることを特徴とする。
　本明細書で開示する技術によれば、専用の測定装置を用いることなく、圧着ボールの剥離荷重を測定できる。
半導体装置製造装置の構成を示す模式図である。 剥離荷重の検査処理の流れを示す模式図である。 剥離荷重の検査処理の流れを示すフローチャートである。 準備処理の流れを示す模式図である。 準備処理の流れを示すフローチャートである。 剥離荷重の検査処理の他の流れを示す模式図である。 剥離荷重の検査処理の他の流れを示すフローチャートである。 準備処理の他の流れを示す模式図である。 準備処理の他の流れを示す模式図である。 準備処理の他の流れを示すフローチャートである。
　以下、図面を参照して半導体装置製造装置１０の構成について説明する。図１は、半導体装置製造装置１０の構成を示す模式図である。この半導体装置製造装置１０は、半導体チップの電極と、基板または他の半導体チップの電極と、をワイヤで機械的かつ電気的に接続するワイヤボンディング装置である。また、後に詳説するように、本例の半導体装置製造装置１０は、対象面１１０に圧着されたボールＢ、すなわち、圧着ボールＢｂの剥離強度を検査する機能も有している。
　かかる半導体装置製造装置１０において、基板１００等のボンディング対象部材は、ステージ４２に載置される。また、ボンディング対象部材の上面が、ワイヤＷがボンディングされ、圧着ボールＢｂが形成される対象面１１０となる。
　ステージ４２の上側には、ボンディングヘッド１２が設けられている。ボンディングヘッド１２は、ワイヤＷを対象面１１０にボンディングする。このボンディングヘッド１２は、キャピラリ１４と、第一クランパ１６と、第二クランパ１８と、ワイヤテンショナ２０
と、エアテンショナ２２と、を有する。
　キャピラリ１４は、超音波ホーン（図示せず）に取り付けられた筒状部材である。キャピラリ１４には、軸方向に貫通する貫通孔が形成されており、この貫通孔に金線などのワイヤＷが挿通される。また、ボンディング時には、超音波ホーンを介してキャピラリ１４に超音波振動が付与される。
　第一クランパ１６および第二クランパ１８は、いずれも、キャピラリ１４の上側に配置され、ワイヤＷを保持する部材である。第一クランパ１６は、キャピラリ１４とともに昇降する。第二クランパ１８は、第一クランパ１６よりも上方の位置に設けられており、そのボンディングヘッド１２内における高さ位置は一定である。
　さらに、第二クランパ１８の上側には、エアテンショナ２２およびワイヤテンショナ２０が配されている。ワイヤテンショナ２０は、ワイヤＷに軸方向下向きのエアを供給することで、ワイヤＷに適度なテンションを付与する。また、エアテンショナ２２は、ワイヤＷに軸方向下向きまたは上向きのエアを供給することで、ワイヤＷに適度なテンションを付与する。
　移動機構２６は、上述のボンディングヘッド１２を水平方向に移動させ、キャピラリ１４および第一クランパ１６を鉛直方向に移動させる。かかる移動機構２６は、駆動モータ２８と当該駆動モータ２８に印加される電流値を検知する電流センサ３０と、を有している。なお、図１では、駆動モータ２８および電流センサ３０を一つずつしか記載していないが、実際には、駆動モータ２８および電流センサ３０は、移動方向ごとに一つずつ設けられている。また、本例では、キャピラリ１４を移動させているが、移動機構２６は、キャピラリ１４に替えて、または、加えて、ステージ４２を移動させてもよい。
　トーチ電極２４は、図示しない放電安定化抵抗を介して図示しない高電圧電源に接続されている。トーチ電極２４は、コントローラ３６からの制御信号に基づいてスパーク（放電）を発生し、スパークの熱によってキャピラリ１４の先端から繰り出されているワイヤＷの先端を溶融してボールＢ、いわゆるＦＡＢ（Ｆｒｅｅ　Ａｉｒ　Ｂａｌｌ）を形成する。
　不着センサ３２は、ワイヤＷの先端の対象面１１０への付着を検知する不着検知部として機能する。かかる不着センサ３２は、例えば、ワイヤＷから対象面１１０に至る電気経路を形成し、この電気経路に電圧を印加し、当該電気経路に流れる電流値の変化に基づいて、ワイヤＷの先端の対象面への付着または接地を検知する。通常、ワイヤＷの先端が対象面１１０に接地すると、電気経路に流れる電流値が増加する。なお、こうした不着センサ３２に替えて、キャピラリ１４の指令位置と実位置との偏差の変化に基づいて、不着を判断してもよい。
　先端カメラ３４は、ワイヤＷのうちキャピラリ１４より下側に飛び出る先端部の状態を検知する先端状態検知部として機能する。この先端カメラ３４は、ワイヤＷの先端部を撮像する。コントローラ３６は、この先端カメラ３４で得られた検査画像に基づいて、ワイヤＷの先端部の状態を判断する。先端部の状態は、例えば、ボールＢの有無、および、テールＴｗの有無を含む。
　コントローラ３６は、上述した各部の駆動を制御する。かかるコントローラ３６は、物理的には、プロセッサ３８とメモリ４０とを有するコンピュータである。コントローラ３６は、各部の駆動を制御して、二つの電極をワイヤＷで電気的かつ機械的に接続するワイヤボンディング処理を実行させる。ここで、一般的な、ワイヤボンディング処理の制御は、公知のため、ここでは、概要のみ説明する。一般的な、ワイヤボンディング処理を行う場合、コントローラ３６は、まず、トーチ電極２４を作動して、ワイヤＷの先端を溶融して、ボールＢ（いわゆるＦＡＢ）を形成する。続いて、コントローラ３６は、ボンディングヘッド１２を駆動して、ボールＢを、第一電極（例えば半導体チップの電極）にボンディングする１ｓｔボンディングを実行させる。この１ｓｔボンディングで対象面１１０に圧着されるボールＢを以下では「圧着ボールＢｂ」と呼ぶ。
　その後、コントローラ３６は、ワイヤＷと圧着ボールＢｂが繋がった状態のまま、第一クランパ１６および第二クランパ１８を開放した状態で、キャピラリ１４を、第二電極（例えば基板の電極）の真上まで移動したうえで、キャピラリ１４を下降させてワイヤＷを第二電極にボンディングする２ｎｄボンディングを実行させる。最後に、コントローラ３６は、第一クランパ１６を開放した状態で、キャピラリ１４を上昇させることで、テール出しを行った後、第一クランパ１６を閉鎖したうえでキャピラリ１４を上昇させて、ワイヤＷを破断する。また、こうしたボンディングの過程で、コントローラ３６は、適宜、先端カメラ３４得られた検査画像に基づいて、ワイヤＷの先端部の状態、具体的には、ボールＢまたはテールＴｗの有無を確認する。
　ところで、１ｓｔボンディングで形成された圧着ボールＢｂは、半導体装置の電極に圧着されるものであり、半導体装置の電気的または機械的な品質に大きな影響を与える。そのため、従来から、この圧着ボールＢｂの対象面１１０への接合強度を定量的に評価することが求められている。
　そこで、一部では、圧着ボールＢｂを専用のプローブで、対象面１１０と平行な方向に押圧し、圧着ボールＢｂを対象面１１０から剥離させる力を、剥離荷重Ｆａとして測定することが提案されている。かかる技術によれば、圧着ボールＢｂの接合強度を定量的に評価できる。しかし、半導体装置製造装置１０は、こうした剥離荷重Ｆａの測定に用いるプローブを有していない。そのため、圧着ボールＢｂの剥離荷重Ｆａを測定するためには、半導体装置製造装置１０により圧着ボールＢｂが形成されたサンプルを、半導体装置製造装置１０の外部に持ち出し、専用の測定装置にセットする必要がある。しかし、このように、半導体装置製造装置１０の外部で剥離荷重Ｆａを測定することは手間であるばかりでなく、場合によっては、サンプルの移動過程でサンプルが汚染されるおそれもあった。
　そこで、本例では半導体装置製造装置１０に剥離荷重Ｆａの測定機能を設け、半導体装置製造装置１０で剥離荷重Ｆａが検査できるようにしている。以下、これについて詳説する。
　図２は、剥離荷重Ｆａの検査の流れを示す模式図であり、図３は、検査の流れを示すフローチャートである。
　本例では、圧着ボールＢｂを形成した後、少なくとも一つのクランパを閉鎖した状態で、キャピラリ１４を所定の検査方向に移動させる。検査方向は、キャピラリ１４の軸方向と交差する方向であり、本例の場合、水平方向である。コントローラ３６は、このとき、検査方向への推力を徐々に増加させ、圧着ボールＢｂが対象面１１０から剥離、または、ワイヤＷが破断した際の推力に比例する値を、剥離荷重Ｆａとして特定する。
　具体的に説明すると、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖、第二クランパ１８を開放の状態で、ワイヤＷの先端をトーチ電極２４に近づけ、トーチ電極２４を作動して、ワイヤＷの先端にボールＢを形成する（Ｓ１０）。続いて、ボンディングヘッド１２を移動させ、キャピラリ１４を対象面１１０の検査点Ｐ１の上に移動させる（Ｓ１２）。
　続いて、コントローラ３６は、第一クランパ１６を開放して、キャピラリ１４を下降させ、ボールＢを、検査点Ｐ１に接地させる（Ｓ１４，Ｓ１６）。不着センサ３２により、ボールＢの検査点Ｐ１への接地が検知されれば（Ｓ１６でＹｅｓ）、コントローラ３６は、第二クランパ１８を閉鎖したうえで、さらに、キャピラリ１４を下降させ、ボールＢを対象面１１０に押圧して圧着させる１ｓｔボンディングを実行させる（Ｓ１８）。これにより、検査点Ｐ１には、圧着ボールＢｂが形成される。
　圧着ボールＢｂが形成されれば、コントローラ３６は、移動機構２６の駆動モータ２８を駆動して、キャピラリ１４を所定の検査方向（本例の場合、水平方向）に移動させ、キャピラリ１４からワイヤＷに所定の検査荷重Ｆｄを付加する（Ｓ２０）。また、このとき、コントローラ３６は、圧着ボールＢｂが対象面１１０から剥離、または、ワイヤＷが破断するまで、段階的に、検査荷重Ｆｄを、増加させる（Ｓ２６）。
　具体的には、コントローラ３６は、第二クランパ１８を閉鎖した状態で、キャピラリ１４を検査方向に移動させ、ワイヤＷに所定の検査荷重Ｆｄを付加する（Ｓ２０）。ここで、この検査荷重Ｆｄは、駆動モータ２８に印加される電流値に基づいて判断してもよい。すなわち、通常、検査荷重Ｆｄは、駆動モータ２８の推力に比例し、駆動モータ２８の推力は、印加電流値にほぼ比例する。そのため、コントローラ３６は、例えば、電流センサ３０で検知される電流値が、検査荷重Ｆｄに比例した値になるように、駆動モータ２８を電流フィードバック制御してもよい。また、ステップＳ２０では、ワイヤＷに荷重を付加できればよいため、第二クランパ１８に替えて、または、加えて、第一クランパ１６を閉鎖してもよい。
　検査荷重Ｆｄを付加した結果、圧着ボールＢｂが対象面１１０から剥離、または、ワイヤＷが破断した場合（ステップＳ２２でＹｅｓ）、コントローラ３６は、ステップＳ２８に進む。なお、本例では、圧着ボールＢｂを形成後、不着センサ３２でのワイヤＷの付着が検知されれば、剥離等が生じた剥離タイミングとして判断する。また、別の形態として、キャピラリ１４の指令位置と実位置との偏差を監視し、この偏差が急激に低下したタイミングを、剥離等が生じた剥離タイミングとして検知してもよい。
　一方、圧着ボールＢｂの剥離等が生じない場合（Ｓ２２でＮｏ）、コントローラ３６は、所定の基準時間が経過するまで（Ｓ２４でＹｅｓになるまで）、検査荷重Ｆｄの付加を継続する。なお、基準時間は、特に、限定されないが、例えば、数秒である。
　基準時間が経過すれば、コントローラ３６は、現在の検査荷重Ｆｄに、所定の増加値ΔＦを加算した値を、新たな検査荷重Ｆｄとして更新し（Ｓ２６）、更新後の検査荷重Ｆｄの付加を行う（Ｓ２０）。そして、圧着ボールＢｂの剥離等が生じるまで、ステップＳ２０～Ｓ２６の処理を繰り返す。
　一方、圧着ボールＢｂの剥離等が生じた場合（Ｓ２２でＹｅｓ）、コントローラ３６は、その時点での検査荷重Ｆｄを、剥離荷重Ｆａとして特定する（Ｓ２８）。特定された剥離荷重Ｆａは、メモリ４０に記憶され、必要に応じて、オペレータに提示される。オペレータは、提示された剥離荷重Ｆａに基づいて、圧着ボールＢｂの接合強度を定量的に評価できる。
　剥離荷重Ｆａが取得できれば、続いて、コントローラ３６は、次回のボンディングのために、テール出しを行う（Ｓ３０）。具体的には、コントローラ３６は、第一クランパ１６を開放かつ第二クランパ１８を閉鎖した状態で、キャピラリ１４を上昇させることで、キャピラリ１４の先端から所定距離分のワイヤＷを飛び出させる。そして、最後に、第一クランパ１６を閉鎖かつ第二クランパ１８を開放すれば（Ｓ３２）、検査処理は、終了となる。
　以上の説明から明らかな通り、本例によれば、サンプルを半導体装置製造装置１０の外部に持ち出さなくても、半導体装置製造装置１０において、圧着ボールＢｂの剥離荷重Ｆａを検査できる。その結果、専用の測定装置を用いて剥離荷重Ｆａを測定していた従来技術に比べて、剥離荷重Ｆａ測定の手間を軽減でき、また、サンプルの汚染を効果的に防止できる。
　ところで、剥離荷重Ｆａの検査が終了した場合、ワイヤＷの先端部の状態を、次のボンディングを開始できる状態にすることが必要である。具体的には、キャピラリ１４から下方に、所定距離分のワイヤＷであるテールＴｗが飛び出しており、かつ、当該ワイヤＷの先端にボールＢが無い状態にする必要がある。そこで、剥離荷重Ｆａの検査が終了した場合、コントローラ３６は、先端カメラ３４でワイヤＷの先端部を撮像し、得られた検査画像に基づいて、ボールＢの有無を確認し、その結果に応じて、次のボンディング処理のための準備処理を実行する。
　図４は、この準備処理の流れを示す模式図であり、図５は、準備処理の流れを示すフローチャートである。準備処理では、上述した通り、まず、先端カメラ３４を用いて、ワイヤＷの先端におけるボールＢの有無を確認する（Ｓ３６）。確認の結果、ワイヤＷの先端にボールＢが無い場合（Ｓ３６でＮｏ）、すなわち、図２のステップＳ３２の状態の場合、適切なテールＴｗが形成されていると判断できるため、コントローラ３６は、特段の処理を実行することなく、準備処理を終了する。一方、ワイヤＷの先端にボールＢが残存している場合（Ｓ３６でＹｅｓ）、コントローラ３６は、当該ボールＢを破棄して、テールＴｗを形成する（Ｓ３８～Ｓ４６）。具体的には、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖、かつ、第二クランパ１８を開放した状態で、キャピラリ１４を、検査点Ｐ１と異なる箇所である予備点Ｐ２に移動させる。この予備点Ｐ２は、検査点Ｐ１と同じサンプル上に設定されてもよいし、検査点Ｐ１が設定されたサンプルと別の部材表面に設定されてもよい。
　続いて、コントローラ３６は、第一クランパ１６を開放して、キャピラリ１４を下降させ、ボールＢを、予備点Ｐ２にボンディングする（Ｓ４０）。その後、キャピラリ１４を上昇させ、キャピラリ１４の下から所定距離分のワイヤＷを飛び出させるテール出しを行う（Ｓ４２）。その後、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖（Ｓ４４）したうえで、キャピラリ１４を上昇させることで、ワイヤＷを破断させる（Ｓ４６）。これにより、キャピラリ１４の先端から、所定の長さのワイヤＷ、すなわち、テールＴｗが引き出された状態となるため、次のボンディング処理を円滑に開始できる。
　ところで、これまでは、第一クランパ１６および第二クランパ１８の双方を有する半導体装置製造装置１０を例に挙げて説明したが、半導体装置製造装置１０の中には、第一クランパ１６のみを有し、第二クランパ１８を有さないものもある。かかる半導体装置製造装置１０の場合には、圧着ボールＢｂを形成後、第一クランパ１６を閉鎖した状態で、キャピラリ１４を検査方向に移動させることで、ワイヤＷに検査荷重Ｆｄを付加すればよい。
　図６および図７は、第一クランパ１６のみを有する半導体装置製造装置１０での、剥離荷重Ｆａの検査処理の流れを示す模式図およびフローチャートである。図６，図７に示す通り、第一クランパ１６のみを有する半導体装置製造装置１０の場合、ワイヤＷに検査荷重Ｆｄを付加する際（Ｓ６０）、第二クランパ１８ではなく、第一クランパ１６を閉鎖する。また、第一クランパ１６のみを有する半導体装置製造装置１０の場合、圧着ボールＢｂの剥離等が生じた後（Ｓ６２でＹｅｓ）、テール出しを行うことなく、キャピラリ１４を上昇させて（Ｓ７０）、処理を終了する。このように、ワイヤＷを保持するクランパが一つしかない半導体装置製造装置１０であっても、当該一つのクランパ（すなわち第一クランパ１６）を閉鎖してキャピラリ１４を検査方向に移動させることで、ワイヤＷに検査方向の荷重を付加することができ、ひいては、剥離荷重Ｆａを特定できる。
　剥離荷重Ｆａが特定できれば、次のボンディング処理のための準備処理を実行する。図８，図９は、この準備処理の流れを示す模式図であり、図１０は、準備処理の流れを示すフローチャートである。この準備処理は、ワイヤＷの先端におけるボールＢの有無によって大きく異なる。ボールＢが存在する場合（Ｓ７２でＹｅｓ）、コントローラ３６は、図８に示すステップＳ７４～Ｓ８２を実行する。具体的には、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖した状態のまま、キャピラリ１４を予備点Ｐ２の上に移動させる（Ｓ７４）。次いで、コントローラ３６は、第一クランパ１６を開放して、ボールＢを予備点Ｐ２にボンディングさせる（Ｓ７６）。続いて、コントローラ３６は、第一クランパ１６を開放した状態のままキャピラリ１４を上昇させることで、テール出しを行う（Ｓ７８）。十分な長さの距離分、ワイヤＷがキャピラリ１４の下側に飛び出れば、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖し（Ｓ８０）、その後、キャピラリ１４を上昇させることで、ワイヤＷを破断する（Ｓ８２）。
　一方、ワイヤＷの先端にボールＢが無い場合、コントローラ３６は、図９に示すステップＳ８４～Ｓ８８、ステップＳ７８～Ｓ８２を実行する。具体的には、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖した状態のまま、キャピラリ１４を予備点Ｐ２の上に移動させる（Ｓ８４）。続いて、コントローラ３６は、第一クランパ１６を閉鎖した状態のまま、ワイヤＷを予備点Ｐ２にボンディングし（Ｓ８６）、その後、第一クランパ１６を開放する（Ｓ８８）。第一クランパ１６を開放後の処理は、ボールＢがある場合と同じである。すなわち、キャピラリ１４を上昇させてテール出しを行い（Ｓ７８）、その後、第一クランパ１６を閉鎖してワイヤＷを破断する（Ｓ８０，Ｓ８２）。そして、こうした準備処理を行うことで、クランパが一つしかない半導体装置製造装置１０でも、適切にテールＴｗを形成することができ、次のボンディング処理を適切に開始できる。
　なお、これまで説明した構成は、一例であり、圧着ボールＢｂを形成後、少なくとも一つのクランパを閉鎖した状態で、検査方向にキャピラリ１４を移動させることでワイヤＷに検査荷重Ｆｄを付加する荷重付加処理を、検査荷重Ｆｄを徐々に増加させながら、剥離等が生じるまで剥離タイミングまで行い、剥離タイミングにおける検査荷重Ｆｄを剥離荷重Ｆａとして特定する、のであれば、その他の構成は、適宜、変更されてもよい。例えば、上述の例では、検査方向（すなわち検査荷重Ｆｄの向き）を水平としているが、検査方向は、キャピラリの軸と交差する方向であれば、水平に限らず、他の方向でもよい。また、本例では、検査荷重Ｆｄを段階的に上昇させているが、検査荷重Ｆｄは、徐々に増加するのであれば、連続的に上昇させてもよい。
　１０　半導体装置製造装置、１２　ボンディングヘッド、１４　キャピラリ、１６　第一クランパ、１８　第二クランパ、２０　ワイヤテンショナ、２２　エアテンショナ、２４　トーチ電極、２６　移動機構、２８　駆動モータ、３０　電流センサ、３２　不着センサ、３４　先端カメラ、３６　コントローラ、３８　プロセッサ、４０　メモリ、４２　ステージ、１００　基板、１１０　対象面、Ｂ　ボール、Ｂｂ　圧着ボール、Ｐ１　検査点、Ｐ２　予備点、Ｗ　ワイヤ。

Claims (8)

  1. 　ワイヤが挿通されるキャピラリであって、前記ワイヤの先端に形成されたボールを対象面に圧着して圧着ボールを形成するキャピラリと、
    　前記キャピラリから上方に延びる前記ワイヤを把持する１以上のクランパと、
    　前記キャピラリを前記対象面に対して相対移動させる移動機構と、
    　コントローラと、
    　を備え、前記コントローラは、前記圧着ボールを前記対象面の検査点に形成した後、少なくとも一つの前記クランパを閉鎖した状態で、前記キャピラリの軸方向と交差する方向である検査方向に前記キャピラリを移動させることで前記ワイヤに検査荷重を付加する荷重付加処理を、前記検査荷重を徐々に増加させながら、前記圧着ボールが剥離または前記ワイヤが破断する剥離タイミングまで行い、前記剥離タイミングにおける前記検査荷重を剥離強度として取得する、
    　ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  2. 　請求項１に記載の半導体装置製造装置であって、
    　前記移動機構は、前記キャピラリを移動させるための動力を出力する駆動モータを有し、
    　前記コントローラは、前記キャピラリを前記検査方向に移動させる際の前記駆動モータの推力に基づいて前記検査荷重を特定する、
    　ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  3. 　請求項１または２に記載の半導体装置製造装置であって、さらに、
    　前記ワイヤと前記対象面との間の通電状態から前記ワイヤの前記対象面への不着を検出する不着検出部を備え、
    　前記コントローラは、前記ボールを前記検査点に圧着した後、前記不着検出部で、前記ワイヤの付着が検知されたタイミングを前記剥離タイミングとして特定する、
    　ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  4. 　請求項１または２に記載の半導体装置製造装置であって、
    　前記コントローラは、前記荷重付加処理において、前記キャピラリを前記検査方向に移動させる際の、前記キャピラリの実位置と指令位置との偏差が急減したタイミングを、前記剥離タイミングとして特定する、ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  5. 　請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置製造装置であって、さらに、
    　前記ワイヤのうち前記キャピラリより下側に飛び出る先端部の状態を検知する先端状態検知部を備え、
    　前記コントローラは、前記剥離タイミングの後、前記先端状態検知部で前記先端部の状態を検知し、前記先端部にテールが無い場合、前記テールを形成する準備処理を実行する、
    　ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  6. 　請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置製造装置であって、
    　前記１以上のクランパは、
    　前記キャピラリと連動して昇降し、前記圧着ボールと前記ワイヤとが繋がった状態で、前記ワイヤを保持した状態のまま前記キャピラリとともに上方に移動することで前記ワイヤを破断させる第一クランパと、
    　前記第一クランパより上方位置において、前記ワイヤを保持する第二クランパと、
    　を含んでおり、
    　前記コントローラは、前記荷重付加処理の際、少なくとも前記第二クランパを閉鎖する、
    　ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  7. 　請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置製造装置であって、
    　前記１以上のクランパは、前記キャピラリと連動して昇降し、前記圧着ボールと前記ワイヤとが繋がった状態で、前記ワイヤを保持した状態のまま前記キャピラリとともに上方に移動することで前記ワイヤを破断させる第一クランパを含む一方で、他のクランパを含んでおらず、
    　前記コントローラは、前記荷重付加処理の際、前記第一クランパを閉鎖する、
    　ことを特徴とする半導体装置製造装置。
  8. 　キャピラリに挿通されたワイヤの先端のボールを対象面の検査点に圧着して圧着ボールを形成するステップと、
    　前記キャピラリから上方に延びる前記ワイヤをクランパで把持した状態で、前記キャピラリの軸方向と交差する方向である検査方向に前記キャピラリを移動させることで前記ワイヤに検査荷重を付加するステップであって、前記検査荷重を徐々に増加させながら、前記圧着ボールが剥離または前記ワイヤが破断する剥離タイミングまで前記検査荷重を付加するステップと、
    　前記剥離タイミングにおける前記検査荷重を剥離強度として取得するステップと、
    　を備えることを特徴とする検査方法。
     
     
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