WO2023176457A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2023176457A1
WO2023176457A1 PCT/JP2023/007645 JP2023007645W WO2023176457A1 WO 2023176457 A1 WO2023176457 A1 WO 2023176457A1 JP 2023007645 W JP2023007645 W JP 2023007645W WO 2023176457 A1 WO2023176457 A1 WO 2023176457A1
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processing
processed
sheets
processing module
cumulative number
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PCT/JP2023/007645
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Inventor
大輔 森澤
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東京エレクトロン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2015—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) is stored in a processing container, and processes such as film formation are performed. After a predetermined number of wafers have been processed in a processing container, conditioning may be performed to adjust the internal environment.
  • Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus (substrate processing system) in which four processing modules each having a processing container and performing the same processing are provided. In this substrate processing apparatus, substrates are transported based on predetermined rules so that the timing of conditioning in each processing module does not overlap.
  • the present disclosure provides a technique that can increase substrate processing efficiency in a substrate processing apparatus equipped with a plurality of processing modules that perform similar processing.
  • the substrate processing apparatus of the present disclosure includes a plurality of processing modules, each of which is provided with a processing container for storing a substrate and performing similar processing, and each of which performs conditioning inside the processing container; a transport mechanism that transports the substrate to each of the plurality of processing modules; The plurality of substrates are processed based on a parameter corresponding to the cumulative number of substrates processed after the conditioning for each of the processing modules, the execution time of the conditioning, and the processing time per substrate in the processing module. a control unit that determines a processing module to which the substrate is to be transported from among the processing modules; Equipped with
  • the present disclosure can increase substrate processing efficiency in a substrate processing apparatus equipped with a plurality of processing modules that perform similar processing.
  • FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus that is an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a longitudinal side view of a processing module included in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 4 is a flowchart of determination for determining rules to be applied.
  • 5 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 1.
  • FIG. 7 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 1.
  • FIG. 7 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 2.
  • FIG. 7 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 2.
  • FIG. 10 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 3.
  • FIG. 7 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 3.
  • FIG. 12 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 4.
  • FIG. 7 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 4.
  • FIG. 12 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 5.
  • FIG. 7 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 5.
  • FIG. 7 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 6.
  • FIG. 13 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 6.
  • FIG. 12 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 7.
  • FIG. 7 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 7.
  • FIG. 12 is a table diagram showing the status of each processing module in Example 8.
  • FIG. 13 is a table showing the state of each processing module in Comparative Example 8.
  • a substrate processing apparatus 1 including a substrate transport apparatus, which is an embodiment of the present disclosure, will be described with reference to the plan view of FIG.
  • the substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs a film forming process on a wafer W, and includes a loader module 11, a load lock module 16, a vacuum transfer module 17, and processing modules PM1 to PM4.
  • the loader module 11, the load lock module 16, and the vacuum transfer module 17 are arranged horizontally in this order.
  • the side where the loader module 11 is located will be referred to as the front side
  • the side where the vacuum transfer module 17 will be located will be referred to as the rear side.
  • the right side and left side in the explanation are the right side and left side when viewed from the front to the rear.
  • the loader module 11 includes a casing whose interior is at atmospheric pressure, a wafer W transfer mechanism 12 provided inside the casing, and a plurality of load ports 13.
  • the load ports 13 are located on the front side of the casing. , a plurality of them are arranged side by side on the left and right.
  • an alignment module 15 for adjusting the orientation and eccentricity of the wafer W is provided on the left side of the loader module 11 when viewed from the rear.
  • the above-mentioned transport mechanism 12 is capable of transporting the wafer W between the transport container 14 on each load port 13, the alignment module 15, and each load lock module 16.
  • the load lock module 16 includes a housing, and the housing is connected to the loader module 11 and the vacuum transfer module 17 via gate valves G provided on the front side and the rear side, respectively.
  • gate valves G provided on the front side and the rear side, respectively.
  • the pressure inside the housing can be freely changed between atmospheric pressure and vacuum pressure.
  • a stage (not shown) on which the wafer W is placed is provided inside the housing, and the stage includes the transport mechanism 12 and the transport mechanism 18 (described later) that access the load lock module 16, respectively.
  • the wafer W is configured to be transferable to and from the wafer W.
  • the vacuum transfer module 17 includes a housing. The interior of the housing is evacuated through an exhaust port (not shown), thereby maintaining a vacuum atmosphere at a desired pressure.
  • the processing modules PM1 to PM4 are each connected to the casing of the vacuum transfer module 17 via a gate valve G1.
  • the gate valve G1 is closed except when the wafer W is transferred to the processing module PM.
  • a transport mechanism 18 is provided within the casing of the vacuum transport module 17 .
  • the transport mechanism 18 transfers the wafer W between the load lock module 16 and each of the processing modules PM1 to PM4.
  • the processing modules PM1 to PM4 have similar configurations, and may be described simply as processing modules PM without distinguishing them from each other by omitting the number attached to the end of PM. In addition, there are cases where the wording of the processing module is omitted and it is simply indicated as PM.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a control section 40 that is a computer, and the control section 40 includes a program 41 and a memory 42 .
  • the program 41 instructions (each step) are incorporated so that the wafer W can be transferred between the modules constituting the substrate processing apparatus 1, the wafer W can be processed in the processing module PM, and the conditioning described below can be performed. It is.
  • the control unit 40 outputs a control signal to each part of the substrate processing apparatus 1 by the program 41, and the operation of each part is controlled by the control signal, thereby controlling the transfer of the wafer W within the apparatus and the processing module PM, which will be described later. Processing and conditioning of the wafer W is performed at the wafer W.
  • each operation such as switching the pressure within the lock module 16 is controlled by control signals.
  • the transfer of the wafer W described above is controlled in accordance with rules and the like that will be described later.
  • the above program 41 is configured to be able to perform calculations, judgments, and counting of cumulative number of sheets to be processed (described later) necessary for conveyance according to the rules.
  • This program 41 is stored in a storage medium such as a compact disk, hard disk, memory card, or DVD, and installed in the control unit 40.
  • the memory 42 stores parameters necessary for transporting the wafer W. For example, parameters such as the processing time and conditioning execution time for each wafer W necessary for calculating an integer value n, which will be described later, and the cumulative number N of wafers processed by the conditioning trigger are stored in the memory 42.
  • [Wafer W transport route] Describing the transport route of the wafer W in the substrate processing apparatus 1, the wafer W is first transported in the order of transport container 14 ⁇ loader module 11 ⁇ alignment module 15 ⁇ load lock module 16 ⁇ vacuum transport module 17. After the wafer W is transferred to one of the processing modules PM1 to PM4 and subjected to a film forming process, it is transferred in the order of the vacuum transfer module 17 ⁇ load lock module 16 ⁇ loader module 11, and then transferred to the transfer container 14. will be returned to. Note that the pressure inside the housing of the load lock module 16 is switched from atmospheric pressure to vacuum pressure when transferring the wafer W to the vacuum transfer module 17, and from vacuum pressure to atmospheric pressure when transferring the wafer W to the loader module 11. .
  • wafers W are carried out from the transport container 14 for each lot and undergo processing. That is, after one lot is transported from the transport container 14 to each processing module PM and subjected to processing, the other lot is transported from the transport container 14 to each processing module PM and subjected to processing.
  • Each of the processing modules PM1 to PM4 performs similar processing on the wafer W. Specifically, under the same processing conditions, the same type of film is formed on the surface of the wafer W so as to have the same film thickness. Therefore, the processing time for each wafer W is the same among the processing modules PM1 to PM4.
  • conditioning is performed as described above.
  • This conditioning is an operation performed in a state where no wafer W is stored in the processing container 21 in order to adjust the environment inside the processing container 21 constituting the processing modules PM1 to PM4.
  • the conditioning in this example includes cleaning performed by supplying a cleaning gas into the processing container 21, and cleaning performed by supplying a film forming gas into the processing container 21, which is performed by supplying a film forming gas into the processing container 21. cleaning and precoating are performed in the order of cleaning and precoating.
  • a film is also formed on the inner wall of the processing container 21 and the structures within the processing container 21. If the film formed on the inner wall or the structure inside the processing container 21 becomes too thick due to repeated film forming processes, there is a risk that the film will peel off and become particles and adhere to the wafer W. Cleaning suppresses the generation of such particles. Further, by performing precoating, the environment in which each wafer W is processed is made uniform, so that the uniformity of processing among wafers W is improved.
  • the above conditioning is also performed in the same manner between the processing modules PM1 to PM4 as in the film forming process. Therefore, the time required for conditioning is the same among processing modules PM1-PM4. Hereinafter, the time required for conditioning will be referred to as conditioning execution time.
  • the processing modules PM1 to PM4 have the same configuration, and the configuration of the processing module PM1 will be described with reference to the longitudinal cross-sectional side view of FIG. 2 as a representative example.
  • the processing module PM1 forms a film on the wafer W by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the processing module PM1 includes the processing container 21, which is made of metal and is grounded.
  • the transfer port for the wafer W in the side wall of the processing container 21 is opened and closed by the aforementioned gate valve G1.
  • an exhaust port 22 is opened in the processing container 21 .
  • the inside of the processing container 21 is evacuated through the exhaust port 22 by the exhaust mechanism 23 including a vacuum pump or the like, so that the inside of the processing container 21 is maintained in a vacuum atmosphere at a desired pressure.
  • a stage 24 on which a wafer W is placed is provided in the processing container 21, and an elevating pin (not shown) that is configured to be protrusive and retractable on the stage 24 connects the stage 24 and the above-mentioned transport mechanism.
  • the wafer W is transferred to and from 18.
  • the stage 24 is configured as a grounded electrode for plasma formation.
  • a heater 25 is embedded in the stage 24 and heats the wafer W undergoing film formation to a desired temperature.
  • a gas shower head 31 is provided on the ceiling of the processing container 21 with an insulating member 27 interposed therebetween.
  • a high frequency power source 33 is connected to the gas shower head 31 via a matching box 32.
  • a gas supply mechanism 34 is connected to the gas shower head 31.
  • the gas supply mechanism 34 can supply a film forming gas and a cleaning gas to the gas shower head 31 independently of each other, and the gas supplied to the gas shower head 31 is discharged toward the stage 24 .
  • the gas shower head 31 is configured as a parallel plate electrode together with the stage 24 described above, and when the high frequency power supply 33 is turned on, the gas discharged from the gas shower head 31 onto the stage 24 is turned into plasma.
  • the wafer W is placed on the stage 24, and a film forming gas is discharged from the gas shower head 31, and the film forming gas is turned into plasma, whereby a film is formed on the surface of the wafer W by CVD.
  • Cleaning and precoating are performed by converting the cleaning gas and film-forming gas discharged from the gas shower head 31 into plasma, respectively.
  • Pre-coating is also performed by CVD. As described above, conditioning is performed without the wafer W being carried into the processing container 21, so the wafer W is not placed on the stage 24 when the cleaning and precoating described above are performed.
  • conditioning includes cleaning as described above, and as described above, this cleaning is performed to prevent the film thickness formed on each part of the processing container 21 from reaching a film thickness that may cause generation of particles.
  • the cumulative number of wafers W to be processed until the next conditioning is performed is set.
  • N the setting value for the cumulative number of sheets to be processed until the next conditioning is performed. That is, for the processing module PM that has undergone conditioning, the timing of the conditioning is controlled so that the next conditioning is performed after processing N wafers W after the conditioning.
  • N is a positive integer.
  • the set value N is a parameter that can be set depending on the thickness of the film formed on the wafer W.
  • this set value N will be referred to as the cumulative number of sheets processed by the C (conditioning) trigger N.
  • it is simply written as the cumulative number of processed wafers it is assumed that it is the cumulative number of processed wafers W after the completion of the immediately preceding conditioning.
  • transport control is performed so as to be able to meet the above requirements. That is, a cycle is formed in which conditioning is performed in order, and when all four processing modules PM are ready to process the wafer W during this cycle, the wafer W is transferred to all four processing modules PM. Conveyance control is performed so that it can be conveyed and processed.
  • transportation in an embodiment of the present technology will be described. In the transportation of this embodiment, the processing is performed based on the cumulative number of wafers W processed after conditioning for each processing module PM, the conditioning execution time in the processing module PM, and the processing time for each wafer W in the processing module PM. , the processing module PM to which the wafer W is to be transferred is determined.
  • the processing time for each wafer W does not mean only the time for supplying gas to the wafer W, but also the time from when the wafer W is carried into the processing container 21 to when gas supply is started, and the time for gas supply to the wafer W.
  • This time is preset to include the time until the wafer W is unloaded from the processing container 21 after the supply is finished. Therefore, the processing time for one wafer W is defined as the time from when one wafer W is placed on the stage 24 for processing, when the wafers W are sequentially transferred to one processing module PM for processing. , is the same time as the time it takes for the next wafer W to be placed on the stage 24 for processing.
  • control is performed so that the processing time for each wafer W is such a preset time.
  • 1st rule If the difference between the cumulative number of sheets processed by the processing module PM with the first and fourth largest cumulative number of sheets processed in descending order is less than (n x 3), then the processing module PM whose cumulative number of sheets processed is the first to third in descending order Process using.
  • 2nd rule If the difference in the cumulative number of sheets processed by the processing module PM with the first and third largest cumulative number of sheets processed in descending order is less than (n x 2), the processing module PM with the highest cumulative number of sheets processed in descending order will Process using module PM.
  • Third rule If the difference in cumulative number of sheets processed between the first and second largest processing modules PM in descending order of cumulative number of sheets processed is (n) or more, all processing modules PM are used for processing.
  • Fourth Rule If none of the first, second, and third rules apply, processing is performed using the 1st, 3rd, and 4th processing modules PM in descending order of cumulative number of sheets to be processed.
  • the first to fourth rules are applied in order of decreasing number, that is, the first rule, the second rule, the third rule, and the fourth rule. Therefore, the determination flow shown in FIG. 3 is executed by the control unit 40 described above. To describe this determination flow in detail, when transferring the wafer W to the processing module PM, it is first determined whether or not the cumulative number of wafers processed by the processing module PM falls under the conditions specified in the first rule. (Step S1). If it is determined that the first rule is applicable, the first rule is applied, and the destination processing module PM follows the first rule (step S1').
  • step S2 it is determined whether the condition specified in the second rule corresponds (step S2), and if it is determined that the condition corresponds to the condition specified in the second rule.
  • the second rule is applied, and the destination processing module PM follows the second rule (step S2'). If it is determined that the condition specified in the second rule does not apply, it is determined whether or not the condition specified in the third rule applies (step S3). If it is determined that the third rule is applicable, the third rule is applied, and the destination processing module PM follows the third rule (step S3'). If it is determined that the state specified in the third rule does not apply, the fourth rule is applied, and the destination processing module PM follows the fourth rule (step S4).
  • the wafers W are repeatedly transported one by one to the processing module PM determined as the transport destination according to the first to fourth rules. Specifically, when the third rule is applied, the wafers W are repeatedly transferred in the order of PM numbers, such as PM1, PM2, PM3, PM4, PM1, PM2, . . . . Note that, if there is a PM that has undergone conditioning immediately before, as described in principle (3) below, that PM is transported first.
  • the order shall be assigned according to a preset rule. For example, among PM1 to PM4 having the same cumulative number of sheets to be processed, a rule is applied such that the smaller the number, the lower the order in descending order of the cumulative number of sheets to be processed.
  • the first rule is applied, the first and fourth cumulative numbers of sheets to be processed may be the same because the cumulative number of sheets to be processed is the same for PM1 to PM4.
  • the cumulative number of processed sheets is assumed to be smaller in descending order of the number. That is, the first, second, third, and fourth in the descending order are PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively.
  • the first to fourth rules are defined so that a difference of n or more is created between PM1 to PM4 in terms of the cumulative number of processed sheets.
  • this cycle is performed between PMs that do not perform conditioning.
  • the PM that performs conditioning changes so that the difference in cumulative number of processed sheets for every n or more sheets is maintained.
  • the wafer W is processed using at least three PMs according to the first to fourth rules. In other words, there is only one PM to which the wafer W is not transferred before the cycle is formed, and a decrease in processing efficiency of the apparatus is prevented.
  • the transfer of the wafer W in the substrate processing apparatus 1 is performed according to, for example, the following principles (1) and (2).
  • (1) The determination to apply the above-described rule and the start of conditioning in the processing module PM are performed when the lot of wafers W transferred to the processing module PM is changed.
  • any of the processing modules PM to be transferred is a processing module PM that has just finished conditioning, the wafer W is transferred to that PM before other PMs. That's true.
  • N in the 1' and 2' rules is the cumulative number N of sheets processed by the above-mentioned C trigger.
  • the above 1' to 3' rules are applied in the order of 1', 2', and 3'.
  • the transfer method of this comparative example similarly to the transfer method of the embodiment, if the cumulative number of processed wafers is the same among the processing modules PM1 to PM4, the processing modules PM1 to PM3 are set as the transfer destination of the wafer W. As shown above, to briefly describe the conveyance in the comparative example, it is carried out so that all PMs are not used at the same time.
  • the cumulative number N of sheets processed by the C trigger is changed between the embodiments.
  • the relationship between the conditioning execution time, which forms the left and right sides of Inequality 1 above, and the processing time for (N/3 cumulative number of wafers processed by the C trigger) wafers W is made to differ between the examples. Verification was conducted. Further, verification was performed by changing the cumulative number of processed wafers W (initial state) in PM1 to PM4 at the start of transport between the examples. In addition, in accordance with the changes between the examples, the cumulative number of processed sheets N and the initial state of the C trigger were changed between the comparative examples as well, and the verification was performed.
  • Example 1 In Example 1, the cumulative number of processed sheets N of the C trigger was set to 1500. Therefore, the processing time for C trigger's cumulative number of wafers processed N/3 wafers W is 1500 minutes, and inequality 1 (conditioning execution time ⁇ C trigger's cumulative number of processed wafers N/processing time for 3 wafers W) The relationship is established. In Example 1, the difference between the left and right sides of Inequality 1 is relatively large, and the value on the right side is greater than twice the value on the left side. Further, as an initial state of the first embodiment, the cumulative number of sheets processed in all of the processing modules PM1 to PM4 is 0.
  • the table in the upper part of FIG. 4 shows the simulation results of Example 1, in which the period during which transport was performed is divided into a large number of sections, and the state of each processing module PM in each section is shown. More specifically, the vertical array of squares corresponds to a section, and the horizontal array of squares corresponds to a processing module PM.
  • the sections are arranged in ascending order downwards, and the longer the elapsed time since the start of transport, the larger the section number, indicating that a change in the applied rules or a change in the processing module that performs conditioning has occurred. If the interval number changes.
  • the letter "C" is shown in the section where conditioning is performed, and the cumulative number of sheets processed is shown in the corresponding square in the section where conditioning is not performed.
  • the cumulative number of processed sheets shown in this table is the value immediately before the end of each section. For sections where conditioning is not performed, the rules applied in that section are displayed.
  • the table showing the status of the processing module PM will be referred to as a transport table.
  • Section 1 is the initial state, and as described above, the cumulative number of processed sheets of PM1 to PM4 is 0.
  • the determination flow shown in FIG. 3 is executed. At this time, as mentioned above, if the cumulative number of processed sheets is the same, the descending order of the cumulative number of processed sheets will be according to the PM number, so the descending order will be PM1, PM2, PM3, PM4. It is regarded. Then, according to the judgment flow, it is judged whether or not it falls within the scope of application of the first rule.
  • the determination flow is executed in such a state that the difference in the cumulative number of processed sheets is formed.
  • the order of the cumulative number of processed sheets between PM1 to PM3 in descending order corresponds to the PM number. Therefore, the descending order is considered to be PM1, PM2, PM3, and PM4. Then, according to the determination flow, it is first determined that it does not fall within the scope of application of the first rule, and then it is determined whether or not it falls within the scope of application of the second rule.
  • the wafer W is transferred to PM1, PM2, and PM4 according to the second rule described above.
  • the cumulative number of sheets processed in PM1, PM2, PM3, and PM4 is 1200 sheets, 1200 sheets, 720 sheets, and 480 sheets, respectively.
  • the determination flow is executed in such a state that the difference in the cumulative number of processed sheets is formed.
  • the order of the cumulative number of processed sheets between PM1 and PM2 in descending order corresponds to the PM number. Therefore, the descending order is PM1, PM2, PM3, and PM4.
  • it is first determined whether or not it falls within the scope of application of the first rule, but the difference between the first largest PM1 (1200 sheets) and the fourth largest PM4 (480 sheets) in descending order is n ⁇ 3. 720 sheets, it is determined that the number does not fall within the scope of application of the first rule.
  • the wafer W is transferred to PM1, PM3, and PM4 according to the fourth rule described above.
  • the cumulative number of sheets processed in PM1, PM2, PM3, and PM4 is 1440 sheets, 1200 sheets, 960 sheets, and 720 sheets, respectively.
  • the wafer W is transferred to PM1 to PM3 where conditioning has not been performed. Then, while the conditioning at PM4 is completed, the cumulative number of sheets processed at PM1, PM2, and PM3 becomes 720 sheets, 480 sheets, and 240 sheets, respectively.
  • the wafer W is transferred to PM1 to PM4 according to the third rule.
  • section 11 conditioning is performed in PM1 as in section 6, and as shown in the conveyance table, a difference in the cumulative number of processed sheets similar to section 6 is formed between processing modules PM2 to PM4. Therefore, in sections 11 to 15, the same rules as in sections 6 to 10 are applied and wafers W are transferred, so a difference in the cumulative number of processed wafers similar to that in sections 6 to 10 is formed between the processing modules PM, and Conditioning of each processing module PM is performed in the same order as in sections 6-10.
  • the cycle is repeated.
  • Sections 6 to 10 are the first cycle
  • sections 11 to 15 are the second cycle.
  • the state in which the above cycle is repeated is defined as a steady state, and the period up to the end of the first cycle is defined as "until the steady state is reached.” Therefore, in the first embodiment, the period until the steady state is reached is up to section 10.
  • a dot is attached to the section that constitutes the first cycle until reaching a steady state
  • a diagonal line is attached to the section that constitutes the second cycle.
  • every 240 or more wafers (i.e., n or more) is The sections are shown to change so that the difference in number of sheets is maintained. Specifically, as shown in the conveyance table, immediately before the end of section 6, the cumulative number of sheets processed by each of the three PMs that are not undergoing conditioning is 1020 sheets, 1260 sheets, and 1500 sheets, so the difference in every 240 sheets is is formed. Immediately before the end of section 7, the cumulative number of sheets processed by each of the three PMs that are not subjected to conditioning is 240, 1260, and 1500, and therefore a difference of 240 or more sheets is formed. The same holds true for section 8 and subsequent sections, and immediately before the end of section 10 in which no conditioning is performed, a difference of every 240 sheets is formed between the four processing modules PM.
  • the difference in the number of sheets between PMs changes and there are times when it becomes less than 240 sheets. Specifically, for example, immediately after the end of section 6, the wafers W are transferred to PM1 that has finished conditioning at the start of section 7, resulting in a difference in the number of wafers of less than 240. Therefore, although it has been stated that in a steady state, a difference of n or more in cumulative number of sheets processed is maintained between PMs that do not perform conditioning, this does not mean that a difference of n or more is always formed; The conveyance is performed so that there is a timing at which a difference of n or more sheets is formed in each section of the steady state.
  • the total number of wafers W processed in PM1, PM2, PM3, and PM4 was 3000, 2760, 2520, and 2280, respectively.
  • the unprocessed times (converted to the number of sheets) of PM1, PM2, PM3, and PM4 were 0 sheets, 240 sheets, 480 sheets, and 720 sheets, respectively.
  • the number of conditioning sessions was once for each of PM1 to PM4.
  • the throughput per PM is calculated as: total number of wafers W until steady state/time (minutes) until steady state x 60 minutes, and is 18.51852 for PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively. They were 17.03704, 15.55556, and 14.07407.
  • the total number of wafers W processed in PM1, PM2, PM3, and PM4 is 1500 each.
  • the unprocessed time (converted to the number of sheets) for PM1 to PM4 is 0 sheets.
  • the throughput per PM was calculated as the total number of wafers W in one cycle/time (minutes) in one cycle x 60 minutes, and was 17.24138, 17.24238, 17.24138, and 17.24138 for PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively. .
  • Comparative example 1 As Comparative Example 1, as in Example 1, the cumulative number of processed sheets N of the C trigger is set to 1500, and transport is started from a state where the cumulative number of processed sheets is 0 in all processing modules PM1 to PM4. A simulation was performed as Note that the steady state in the comparative example in the following explanation may include a section in which transportation is performed in accordance with the third rule, but may also include transportation in accordance with the first ' rule. This is different from the steady state in the example.
  • FIG. 5 The simulation results of the conveyance of Comparative Example 1 are shown in FIG. 5 as a conveyance table and a table of various data, similar to FIG. 4 of Example 1.
  • FIG. 5 in the steady state, there occurs a section in which the wafer W is not transported for a while for the PM that has undergone conditioning.
  • conditioning of PM1 is performed in section 14, and this conditioning is completed in section 15.
  • the wafer W is transferred only to PM2 to PM4, and when the conditioning of PM2 is started in the section 16, the transfer to PM1 is started.
  • the total number of wafers W processed in PM1, PM2, PM3, and PM4 was 4500, 4010, 3490, and 3000, respectively.
  • the unprocessed times (converted to number of sheets) of PM1, PM2, PM3, and PM4 are 20 sheets, 510 sheets, 1030 sheets, and 1520 sheets, respectively.
  • the number of conditioning sessions was two times for each of PM1 to PM4.
  • the total number of sheets + unprocessed time (converted to number of sheets) is 4520 sheets, and the number of times of conditioning is 2 times.
  • the throughput per PM was calculated using the procedure described in Example 1, and was 18, 16.04, 13.96, and 12 for PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively.
  • the total number of wafers W processed in PM1, PM2, PM3, and PM4 is 1500, 1470, 1500, and 1500, respectively.
  • the unprocessed time (converted to the number of sheets) for PM1 to PM4 is 250 sheets, 280 sheets, 250 sheets, and 250 sheets, respectively.
  • the throughput per PM was calculated using the procedure described in Example 1, and was 15.07538, 14.77387, 15.07538, and 15.07538 for PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively.
  • Example 1 Comparative Example 1
  • conditioning is performed one by one in PM1 to PM4 in a steady state.
  • a section is formed in which conditioning is not performed in any PM, and in Comparative Example 1, the wafer W is not transferred immediately to the PM after conditioning in that section. It has become.
  • the wafer W is transferred to each of PM1 to PM4 and processed. In other words, in the first embodiment, the time during which the PM waits without processing the wafer W can be reduced.
  • Example 1 the time required to reach a steady state was 9720 minutes in Example 1 and 15000 minutes in Comparative Example 1, which was shorter in Example 1.
  • the wafer W does not become unable to be transferred to the PM after conditioning is completed, and processing is performed in all PMs where conditioning is not performed as described above. . Therefore, in consideration of increasing the processing efficiency of the apparatus, it is desirable for Example 1 to enter this steady state quickly, but this is a favorable result in that Example 1 reaches the steady state earlier than Comparative Example 1. It became.
  • the minimum throughput per PM until reaching a steady state is 14.07407 in Example 1 and 12 in Comparative Example 1, so if Comparative Example 1 is taken as 100%, Example 1 is 117.3%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 18.51852 in Example 1 and 18 in Comparative Example 1, so if Comparative Example 1 is taken as 100%, Example 1 is 102.9%.
  • the throughput per PM in one cycle in the steady state is 17.24138 in Example 1 and 15.07538 in Comparative Example 1, so if Comparative Example 1 is taken as 100%, Example 1 is 114.4%. In this manner, the throughput of each PM is higher in Example 1 during the period until the steady state is reached and in each of the steady state cycles. Therefore, in Example 1, it was confirmed that the processing efficiency of the apparatus was higher.
  • Example 2 and Comparative Example 2 As Example 2, a simulation was performed under the same conditions as Example 1, except that the cumulative number of processed sheets in the initial state was not 0 for PM1 to PM4. Therefore, in this Example 2, the cumulative number of wafers processed by the C trigger N is 1500, and the relationship of inequality 1 (conditioning execution time ⁇ the cumulative number of processed wafers by the C trigger N/processing time for 3 wafers W) is established. There is. Specifically, the cumulative number of processed sheets in the initial state was set to 920, 1394, 140, and 723 for PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively. Further, as a comparative example 2, a simulation was conducted under the same conditions as in Example 2.
  • FIG. 6 shows the transport table and data table of Example 2
  • FIG. 7 shows the transport table and data table of Comparative Example 2. Note that in each section of the second embodiment, the rules to be applied are determined in the same procedure as in the first embodiment, so the details will be omitted.
  • the time required to reach a steady state was 6960 minutes for Example 2 and 6240 minutes for Comparative Example 2, with Example 2 being slightly longer.
  • the minimum throughput per PM until reaching a steady state is 15.86207 in Example 2 and 13.07692 in Comparative Example 2, so if Comparative Example 2 is taken as 100%, Example 2 is 121.3%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 17.93103 in Example 2 and 17.34615 in Comparative Example 2. Therefore, if Comparative Example 2 is taken as 100%, Example 2 is 103.4%. As described above, the throughput until reaching a steady state was higher in Example 2.
  • Example 3 and Comparative Example 3 As Example 3, a simulation was performed under the same conditions as Examples 1 and 2, except that the cumulative number of processed sheets in the initial state was different from Examples 1 and 2.
  • FIG. 8 shows a transport table and data table of Example 3
  • FIG. 9 shows a transport table and data table of Comparative Example 3.
  • the rules to be applied are determined by the same procedure as in the first embodiment. The procedure for determining the rules to be applied in each section up to section 5 before reaching a steady state will be briefly described below.
  • wafers W are transferred to PM1, PM2, and PM4 according to the second rule, and the difference in cumulative number of processed wafers between PM2 and PM3 becomes 480. Applicable rules will then be decided again. Since the difference in cumulative number of processed sheets between PM2 and PM4 is 720, the first rule is not applied. Since the difference in cumulative number of processed sheets between PM2 and PM3 is 480 (n ⁇ 2 or more), the second rule is not applied. Further, since the difference in cumulative number of processed sheets between PM2 (first in descending order) and PM1 (second in descending order) is not 240 or more, the third rule is not applied, and the fourth rule is determined to be applied.
  • Example 3 As shown in the table of each data, the time to reach a steady state was 8667 minutes in Example 3 and 14487 minutes in Comparative Example 3, which was shorter in Example 3. The results were favorable.
  • the minimum throughput per PM until reaching a steady state is 15.29249 in Example 3 and 12.13088 in Comparative Example 3. Therefore, if Comparative Example 3 is taken as 100%, Example 3 is 126.1%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 18.33853 in Example 3 and 17.18368 in Comparative Example 3. Therefore, if Comparative Example 3 is taken as 100%, Example 3 is 106.7%. As described above, the throughput until reaching a steady state was higher in Example 3.
  • Comparative Example 3 As for the steady-state cycle, in Comparative Example 3, as in Comparative Examples 1 and 2, there occurs a section in which the wafer W is not immediately transferred to the PM after conditioning. In this case, such an interval does not occur. Therefore, even for one cycle in the steady state, the throughput of each PM is higher in Example 3. From the above, the processing efficiency of the apparatus in Example 3 is higher.
  • Example 4 and Comparative Example 4 As Example 4, a simulation was conducted under the same conditions as Examples 1 to 3, except that the cumulative number of processed sheets in the initial state was different from Examples 1 to 3.
  • the cumulative number of processed sheets is set to 706, 461, 205, and 81 for PM1, PM2, PM3, and PM4, respectively.
  • Comparative Example 4 a simulation was conducted under the same conditions as in Example 4.
  • FIG. 10 shows the transport table and data table of Example 4
  • FIG. 11 shows the transport table and data table of Comparative Example 4.
  • the time required to reach a steady state was 9105 minutes in Example 4 and 7632 minutes in Comparative Example 4, which was shorter in Comparative Example 4.
  • the minimum value of throughput per PM until reaching a steady state is 16.8369 in Example 4 and 11.15566 in Comparative Example 4, so if Comparative Example 4 is taken as 100%, Example 4 is 150.9%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 18.41845 in Example 4 and 18.03459 in Comparative Example 4. Therefore, if Comparative Example 4 is taken as 100%, Example 4 is 102.1%.
  • the throughput until reaching a steady state was higher in Example 4.
  • Comparative Example 4 As in Comparative Examples 1 to 3, there occurs a section in which the wafer W is not immediately transferred to the PM for which conditioning has been performed. In this case, such an interval does not occur. Therefore, also in the steady state cycle, the throughput of each PM is higher in Example 4. From the above, the processing efficiency of the apparatus in Example 4 is higher.
  • FIG. 12 shows a transport table and data table of Example 5
  • FIG. 13 shows a transport table and data table of Comparative Example 5.
  • the time required to reach a steady state was 9,630 minutes in Example 5 and 14,400 minutes in Comparative Example 5, which was a preferable result since Example 5 was shorter.
  • the minimum throughput per PM until reaching a steady state is 13.84615 in Example 5 and 12 in Comparative Example 5, so if Comparative Example 5 is taken as 100%, Example 5 is 115.4%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 18.46154 in Example 5 and 18 in Comparative Example 5. Therefore, if Comparative Example 5 is taken as 100%, Example 5 is 102.6%.
  • Example 5 had a higher throughput until reaching a steady state.
  • the throughput per PM in one cycle in the steady state is 17.14286 in Example 5 and 15 in Comparative Example 5, so if Comparative Example 5 is taken as 100%, Example 5 is 114.3%. In this way, the throughput of each PM is higher in Example 5 in each of the period until the steady state is reached and one cycle of the steady state. As described above, the throughput of each PM is higher in the fifth embodiment in each of the period until the steady state is reached and the cycle of the steady state. From the above, it was confirmed that the processing efficiency of the apparatus in Example 5 was higher.
  • FIG. 14 shows the transport table and data table of Example 6, and FIG. 15 shows the transport table and data table of Comparative Example 6.
  • the time required to reach a steady state was 11,160 minutes in Example 6 and 13,140 minutes in Comparative Example 6, and Example 6 was shorter.
  • the minimum throughput per PM until reaching a steady state is 13.54839 in Example 6 and 12.87671 in Comparative Example 6. Therefore, if Comparative Example 6 is taken as 100%, Example 6 is 105.2%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 17.41935 in Example 6 and 16.43836 in Comparative Example 6. Therefore, if Comparative Example 6 is taken as 100%, Example 6 is 109.1%.
  • the throughput until reaching a steady state was higher in Example 6.
  • the throughput per PM in one cycle in the steady state is 16.36364 in Example 6 and 15 in Comparative Example 6, so if Comparative Example 6 is taken as 100%, Example 6 is 109.1%.
  • the throughput of each PM is higher in the sixth embodiment in each of the period until the steady state is reached and the cycle of the steady state. From the above, it was confirmed that the processing efficiency of the apparatus in Example 6 was higher.
  • FIG. 16 shows the transport table and data table of Example 7
  • FIG. 17 shows the transport table and data table of Comparative Example 7.
  • the time required to reach a steady state was 9360 minutes in Example 7 and 15120 minutes in Comparative Example 7, and Example 7 was shorter. Further, the time for one cycle in a steady state was 2880 minutes in each of Example 7 and Comparative Example 7.
  • Example 7 The minimum value of throughput per PM until reaching a steady state is 12.30769 in Example 7 and 13.33333 in Comparative Example 7. Therefore, if Comparative Example 7 is taken as 100%, Example 7 is 92.3%.
  • the maximum throughput per PM until reaching a steady state is 15.38462 in Example 7 and 15.2381 in Comparative Example 7, so if Comparative Example 7 is taken as 100%, Example 7 is 101.1%. Further, the throughput per PM in one cycle in the steady state was 15 in each of Example 7 and Comparative Example 7, and there was no difference.
  • Example 7 As described above, in the steady state, there is no difference in throughput between Example 7 and Comparative Example 7, and Comparative Example 7 has a higher minimum throughput per PM during the period until the steady state is reached. . However, since the steady state was reached more quickly in Example 7, it was confirmed that the processing efficiency of the apparatus in Example 7 was higher than that in Comparative Example 7.
  • Example 8 As Example 8, a simulation was performed under the same conditions as Example 1, except that the cumulative number of processed sheets N of the C trigger was set to 480 sheets. Therefore, in Example 8, the processing time for the cumulative number N/3 wafers W processed by the C trigger is 480 minutes, which is 2/3 of the conditioning execution time. Therefore, the conditioning execution time of the processing module PM>the processing time for the cumulative number of wafers processed by the C trigger (N/3), and the relationships of Inequality 1 and Equation 1 do not hold. Further, as Comparative Example 8, a simulation was conducted under the same conditions as in Example 8.
  • FIGS. 18 and 19 show transport tables for Example 8 and Comparative Example 8, respectively.
  • Comparative Example 8 as in Comparative Example 1, there is a section in which the wafer W is not immediately transferred to the PM that has been subjected to conditioning, but in Example 8, such a section does not occur. Does not occur. Therefore, compared to Comparative Example 8, Example 8 has higher processing efficiency of the apparatus.
  • conditioning of PM1 and PM2 is performed in the same section in a steady state.
  • Example 9 the processing time for the cumulative processing number N/3 wafers W of the C trigger is 540 minutes, which is 3/4 of the conditioning execution time, so it is the same as in Example 8.
  • the relationship between Inequality 1 and Equation 1 does not hold.
  • conditioning was performed using two PMs in the same section in a steady state.
  • the processing efficiency of the apparatus can be increased by staggering the intervals in which the conditioning is performed for each PM so that only one PM performs conditioning and all other PMs process the wafer W.
  • Examples 1 to 9 such a steady state was formed in Examples 1 to 7. Therefore, the condition set in Examples 1 to 7 is that the conditioning execution time of the processing module PM ⁇ (C trigger cumulative processing number N/(number of processing modules PM - 1)) wafer processing time. It has been found that in certain cases it is preferable to apply the conveyance of the embodiment.
  • Step T1 The difference between the cumulative number of sheets processed by the PM whose cumulative number of sheets is number 1 in descending order and the cumulative number of sheets processed by the PM selected from among the PMs other than the first, and n ⁇ (in descending order of the selected PMs) (Step T1) Depending on the comparison result of process T1, the PM to be conveyed is determined, or a PM whose cumulative number of processed sheets is one less in descending order than the PM selected in the immediately preceding process 1 is selected again. PM (step T2). If PM is selected again in step T2, step T1 is performed again (step T3). - The first selected PM is the PM with the largest cumulative number of sheets processed in descending order.
  • the determination of the PM to be transported in step T2 above corresponds to either case 1 or case 2 below.
  • ⁇ Case 1> As a result of the comparison in process T1, the difference between the cumulative number of sheets processed by the first PM in descending order of cumulative number of sheets processed and the cumulative number of sheets processed by the selected PM is n If the order of number of sheets is less than -1), a PM other than the selected PM is determined as the PM to be transported.
  • ⁇ Case 2> As a result of the comparison in step T2, the difference between the cumulative number of sheets processed by the first PM in descending order and the cumulative number of sheets processed by the selected PM is n or more, and the selected PM has a cumulative number of sheets processed. is the second PM in descending order, all PMs are to be transported.
  • steps T1 to T3 and the first to fourth rules will be described. Unless otherwise specified, the cumulative number of processed sheets in the description is in descending order.
  • the PM with the largest cumulative number of sheets processed in descending order that is, the PM with the smallest cumulative number of sheets processed in descending order
  • this is the first PM selected.
  • the difference in the cumulative number of sheets processed in step T1 is calculated between the PM with the first cumulative number of sheets processed and this PM with the fourth cumulative number of sheets processed.
  • the difference between the calculated number of sheets and n ⁇ (“4” which is the order of the selected PMs ⁇ 1) is compared (step T1).
  • the difference between the cumulative number of sheets processed by the PM with the first cumulative number of sheets processed and the cumulative number of sheets processed by the selected PM is n x ("4" which is the order of the cumulative number of sheets processed by the selected PM) -1), the PMs with the first to third cumulative number of processed sheets other than the selected PM are determined as PMs to be transported (step T2). Therefore, performing the steps T1 and T2 for the first time corresponds to implementing the first rule.
  • the PM selected in the previous process T1 is the PM with the fourth cumulative number of sheets processed, so the order is one less than that.
  • the third PM is set as the newly selected PM (step T2), and step T1 is performed again (step T3). Therefore, in this second step T1, the difference in the number of cumulatively processed sheets between the first PM and the third PM is calculated, and the difference in the number of sheets and n ⁇ (the order of the selected PMs) is calculated. 3"-1). Therefore, this second step T1 and the step T2 performed subsequent to this second step T1 correspond to implementation of the second rule.
  • steps T1 to T3 are repeated without determining the PM to be transported, so that the selected PM becomes the second PM in terms of the cumulative number of sheets to be processed.
  • a comparison is made with respect to the difference in the number of sheets between the first PM and the second PM and n ⁇ (“2” ⁇ 1 which is the order of the selected PM) (step T1).
  • the difference between the cumulative number of sheets processed by the first PM and the cumulative number of sheets processed by the selected PM is greater than or equal to n, all PMs are to be transported, and if the cumulative number of sheets processed is less than n.
  • the PMs with the first, third, and fourth cumulative number of processed sheets other than the second selected PM are to be transported.
  • the above corresponds to the implementation of the third and fourth rules.
  • the number of processing modules PM provided in the substrate processing apparatus 1 is not limited to four, but may be three or any number greater than four. All you have to do is decide. If there are three PMs, steps T1 to T3 may be performed with the first selected PM as the PM that is the last in descending order in terms of the total number of sheets processed among the three. , when there are five PMs, steps T1 to T3 may be performed with the PM selected first being the PM that is the last in descending order in terms of cumulative number of sheets to be processed among the five.
  • film formation and precoating on the wafer W may be performed by ALD (Atomic Layer Deposition).
  • the processing module PM is not limited to one that performs film formation, but may also be one that performs etching processing or annealing processing. Further, the conditioning can be arbitrarily determined depending on the configuration of the processing module, and may include only cleaning without including precoating, for example. Furthermore, the processing module PM is not limited to one that processes a substrate in a vacuum atmosphere, but may also process a substrate in an air atmosphere. Therefore, the substrate transport path between the transport container 14 and the processing module PM may also have a configuration that does not include a vacuum atmosphere, but only an atmospheric pressure atmosphere. Further, the substrate is not limited to the wafer W, but may be, for example, a square substrate for manufacturing a flat panel or an organic EL display.
  • the timing of the determination for determining the rules to be applied has been described as being synchronized with the switching of lots of wafers W, but it does not have to be synchronized with the switching of lots.
  • the determination may be made every time Y wafers W are unloaded from the transport container 14. Conditioning may also be started when the total number of processed sheets reaches the cumulative number of processed sheets N of the C trigger, as in a simulation, regardless of the timing of lot switching.
  • the cumulative processing The destination of the wafer W may be determined based on the cumulative film thickness instead of the number of wafers.
  • Anm be the thickness of the film formed on each part of the wafer W and PM in one film forming process. That is, when looking at the inside of the PM processing container 21, the film thickness increases by this amount of Anm each time a film formation process is performed. Note that A is a real number.
  • the parts described as the cumulative number of processed sheets are the cumulative processed film thickness, and the parts explained as n are replaced with n x A.
  • 1st rule If the difference in the cumulative film thickness of the processing module PM with the 1st and 4th largest cumulative film thickness in descending order is less than (A ⁇ n ⁇ 3) nm, then the cumulative film thickness is 1 to 3 in descending order. Processing is performed using the th processing module PM.
  • Second rule If the difference in the cumulative film thickness of the processing module PM with the first and third largest cumulative film thicknesses in descending order is less than (A ⁇ n ⁇ 2) nm, then the cumulative film thicknesses are 1, 2 in descending order. , processed using the fourth processing module PM.
  • Third rule If the difference between the cumulative film thicknesses of the processing modules PM with the first and second largest cumulative film thicknesses in descending order is (A ⁇ n) nm or more, all the processing modules PM are used for processing. Fourth Rule If none of the first, second, and third rules apply, processing is performed using the first, third, and fourth processing modules PM in descending order of cumulative film thickness.
  • the first to fourth rules are based on the cumulative film thickness
  • the first to fourth rules are based on the cumulative film thickness of A ⁇ n (unit: nm) or more between each PM. Conveyance control is performed so that a difference in treated film thickness is formed.
  • a difference in the cumulative number of processed sheets of n sheets or more ie, 1 ⁇ n sheets or more
  • the Conveyance control is performed so that a difference greater than or equal to the value determined by n is formed between each PM.
  • transport control is performed so that a difference greater than or equal to a value obtained by multiplying n by a predetermined real number is formed.
  • the predetermined real number is the above-mentioned A, and when based on the cumulative number of processed films, the predetermined real number is 1.
  • the cumulative number of processed wafers or the cumulative processed film thickness, which is counted each time a wafer W is processed, is reset to 0 by the execution of conditioning.
  • the destination of the wafer W can be determined based on the corresponding parameters.
  • the cumulative number of sheets processed should be read as the cumulative film thickness, and n should be read as A ⁇ n. It can be implemented by That is, with no conditioning performed on any of the PMs, the cumulative film thickness of the PM whose cumulative film thickness is the first in descending order and the cumulative film thickness of the PM selected from other PMs other than the first PM. A comparison is made between the difference from the processed film thickness and A ⁇ n ⁇ (order of integrated processed film thickness in descending order of the selected PM ⁇ 1).
  • the PM to be transported is determined according to the comparison result, or the PM whose cumulative film thickness is one less than the previously selected PM in descending order is used as the newly selected PM and the comparison is performed. Then, the PM with the largest cumulative film thickness in descending order is set as the first selected PM.

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Abstract

本開示の基板処理装置は、基板を格納して同種の処理を行うための処理容器を各々備えると共に、前記処理容器の内部のコンディショニングを各々行う複数の処理モジュールと、前記基板を前記複数の処理モジュールの各々へ搬送する搬送機構と、前記各処理モジュールの各々についての前記コンディショニング後における基板の積算処理数に対応するパラメータと、前記コンディショニングの実行時間と、前記処理モジュールにおける１枚あたりの基板の処理時間と、に基づいて、前記複数の処理モジュールから前記基板の搬送先となる処理モジュールを決定する制御部と、を備える。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　半導体デバイスの製造に用いられる基板処理装置において、処理容器内に半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が格納され、成膜などの処理が行われる。処理容器について、所定の枚数のウエハを処理した後に内部の環境を調整するコンディショニングが行われる場合が有る。特許文献１では、処理容器を各々備えると共に同様の処理を行う４つの処理モジュールが設けられた基板処理装置（基板処理システム）について示されている。この基板処理装置では、各処理モジュールでのコンディショニングを行うタイミングが重ならないように、予め決められた規則に基づいて基板が搬送される。
特開２０１５－３５５３０号公報
　本開示は、同様の処理を行う複数の処理モジュールを備えた基板処理装置について、基板の処理効率を高くすることができる技術を提供する。
　本開示の基板処理装置は、基板を格納して同様の処理を行うための処理容器を各々備えると共に、前記処理容器の内部のコンディショニングを各々行う複数の処理モジュールと、
前記基板を前記複数の処理モジュールの各々へ搬送する搬送機構と、
前記各処理モジュールの各々についての前記コンディショニング後における基板の積算処理数に対応するパラメータと、前記コンディショニングの実行時間と、前記処理モジュールにおける１枚あたりの基板の処理時間と、に基づいて、前記複数の処理モジュールから前記基板の搬送先となる処理モジュールを決定する制御部と、
を備える。
　本開示によれば、本開示は、同様の処理を行う複数の処理モジュールを備えた基板処理装置について、基板の処理効率を高くすることができる。
本開示の一実施形態である基板処理装置の平面図である。 基板処理装置に含まれる処理モジュールの縦断側面図である。 適用する規則を決めるための判定のフロー図である。 実施例１における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例１における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例２における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例２における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例３における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例３における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例４における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例４における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例５における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例５における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例６における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例６における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例７における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例７における各処理モジュールの状態を示す表図である。 実施例８における各処理モジュールの状態を示す表図である。 比較例８における各処理モジュールの状態を示す表図である。
〔基板処理装置の全体構成〕
　本開示の一実施形態である基板搬送装置を含む基板処理装置１について、図１の平面図を参照して説明する。基板処理装置１は、ウエハＷに対して成膜処理を行う装置であり、ローダーモジュール１１、ロードロックモジュール１６、真空搬送モジュール１７、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４を備えている。ローダーモジュール１１、ロードロックモジュール１６、真空搬送モジュール１７は、この順に横方向に並んで設けられている。以下の基板処理装置１に関する説明ではこの並びにおいて、ローダーモジュール１１が位置する側を前方側、真空搬送モジュール１７が位置する側を後方側とする。また、説明中の右側、左側は前方から後方へ向って見たときの右側、左側である。
　ローダーモジュール１１は、内部が大気圧である筐体と、筐体内に設けられるウエハＷの搬送機構１２と、複数のロードポート１３と、を備えており、ロードポート１３は筐体の前方側に、左右に並んで複数設けられている。各ロードポート１３にはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる、ウエハＷを格納する搬送容器１４が載置される。また、後方に向けて見たときにローダーモジュール１１の左方には、ウエハＷの向きや偏心の調整を行うアライメントモジュール１５が設けられている。上記の搬送機構１２は、各ロードポート１３上の搬送容器１４と、アライメントモジュール１５と、各ロードロックモジュール１６との間でウエハＷを搬送可能である。
ロードロックモジュール１６については本例では２つ、左右に並んで設けられている。ロードロックモジュール１６は筐体を備えており、当該筐体は、その前方側、後方側に夫々設けられたゲートバルブＧを介してローダーモジュール１１、真空搬送モジュール１７に接続されている。そして、筐体の前方側及び後方側のゲートバルブＧが閉じた状態で、当該筐体内の圧力を大気圧と真空圧力との間で変更自在である。また、上記の筐体内には当該ウエハＷが載置される不図示のステージが設けられており、当該ステージは、当該ロードロックモジュール１６に各々アクセスする上記の搬送機構１２及び後述の搬送機構１８に対して、ウエハＷを受け渡し可能に構成されている。
真空搬送モジュール１７は筐体を備えている。当該筐体内は図示しない排気口を介して排気されることによって、所望の圧力の真空雰囲気に保たれる。当該真空搬送モジュール１７の筐体には、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４が各々ゲートバルブＧ１を介して接続されている。当該ゲートバルブＧ１は、処理モジュールＰＭに対してのウエハＷの受け渡し時を除いて閉鎖される。また、真空搬送モジュール１７の筐体内には搬送機構１８が設けられている。搬送機構１８は、ロードロックモジュール１６と、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４の各々との間でウエハＷを受け渡す。なお処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４は互いに同様の構成であり、ＰＭの後ろに付された番号を省略して、単に処理モジュールＰＭとして互いを区別せずに記載する場合が有る。また、処理モジュールの文言を省略して、単にＰＭとして示す場合も有る。
〔制御部の構成〕
　基板処理装置１はコンピュータである制御部４０を備えており、この制御部４０は、プログラム４１及びメモリ４２を備えている。プログラム４１については、基板処理装置１を構成する各モジュール間でのウエハＷの搬送、処理モジュールＰＭでのウエハＷの処理及び後述するコンディショニングを行うことができるように、命令（各ステップ）が組み込まれている。制御部４０は、当該プログラム４１によって基板処理装置１の各部に制御信号を出力し、各部の動作が当該制御信号によって制御されることで、後述する装置内でのウエハＷの搬送、処理モジュールＰＭでのウエハＷの処理及びコンディショニングが行われる。具体的には、処理モジュールＰＭにおける成膜、クリーニング及びコンディショニングのための処理容器２１内への各ガスの供給や、搬送機構１２、１８によるウエハＷの搬送、ゲートバルブＧ、Ｇ１の開閉、ロードロックモジュール１６内の圧力の切替えなどの各動作が制御信号により制御される。上記のウエハＷの搬送は、後述する規則などに従って行われるように制御される。
また補足しておくと、その規則に従った搬送を行うにあたって必要な演算、判定及び積算処理枚数（後述する）の計数についても実行できるように、上記のプログラム４１は構成されている。このプログラム４１は、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、メモリーカード、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納され、制御部４０にインストールされる。
メモリ４２については、ウエハＷの搬送を行うにあたり必要なパラメータが記憶されている。例えば、後述する整数値ｎを算出するために必要な１枚あたりのウエハＷの処理時間及びコンディショニング実行時間や、コンディショニングトリガの積算処理枚数Ｎなどのパラメータが当該メモリ４２に記憶される。
〔ウエハＷの搬送経路〕
　基板処理装置１におけるウエハＷの搬送経路を述べると、ウエハＷは先ず、搬送容器１４→ローダーモジュール１１→アライメントモジュール１５→ロードロックモジュール１６→真空搬送モジュール１７の順で搬送される。そして、ウエハＷは処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４のうちのいずれかに搬送されて成膜処理を受けた後、真空搬送モジュール１７→ロードロックモジュール１６→ローダーモジュール１１の順で搬送されて、搬送容器１４に戻される。なお、ロードロックモジュール１６の筐体内の圧力は、真空搬送モジュール１７へのウエハＷの搬送時には大気圧から真空圧力に、ローダーモジュール１１へのウエハＷへの搬送時には真空圧力から大気圧に切り替えられる。なお、ウエハＷはロット毎に搬送容器１４から搬出されて処理を受ける。つまり一のロットが搬送容器１４から各処理モジュールＰＭへ搬送されて処理を受けた後、他のロットが搬送容器１４から各処理モジュールＰＭへ搬送されて処理を受ける。
〔処理モジュールＰＭの概要〕
各処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４は、ウエハＷに対して同様の処理を行う。具体的には、同じ処理条件の下で、同じ種類の膜を、同じ膜厚となるようにウエハＷ表面に成膜する。従って１枚あたりのウエハＷの処理時間は、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４間で同じである。
また処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４では、上記したようにコンディショニングが行われる。このコンディショニングとは、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４を構成する処理容器２１内の環境を調整するために、処理容器２１にウエハＷが格納されていない状態で行う動作である。さらに具体的に述べると、本例のコンディショニングとしては、処理容器２１内にクリーニングガスを供給することで行うクリーニングと、処理容器２１内に成膜ガスを供給することで当該処理容器２１内の各部を薄膜で被覆するプリコートと、が含まれ、クリーニング、プリコートの順番で行われる。
ウエハＷへの成膜処理によって、処理容器２１の内壁や処理容器２１内の構造物に対しても成膜がなされる。成膜処理の繰り返しによって、当該内壁や当該処理容器２１内の構造物に対して形成された膜が厚くなりすぎると剥がれが生じて、パーティクルとなってウエハＷに付着してしまうおそれが有る。クリーニングを行うことによって、そのようなパーティクルの発生を抑制する。また、プリコートを行うことによって各ウエハＷが処理される際の環境が揃えられることになるため、ウエハＷ間での処理の均一性が高められる。以上のコンディショニングについても成膜処理と同じく、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４間で同様に行われる。従って、コンディショニングに要する時間は、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４間で同じである。以降、コンディショニングに要する時間は、コンディショニング実行時間として記載する。
〔処理モジュールＰＭの構成〕
上記したように処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４は同様に構成されており、代表して図２の縦断側面図を参照して、処理モジュールＰＭ１の構成について説明する。本例では、処理モジュールＰＭ１は、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によってウエハＷに成膜を行う。上記のように処理モジュールＰＭ１は、処理容器２１を備えており、当該処理容器２１は金属製であり、接地されている。処理容器２１の側壁におけるウエハＷの搬送口が、既述のゲートバルブＧ１により開閉される。また、処理容器２１には排気口２２が開口している。真空ポンプなどを含む排気機構２３によって、排気口２２を介して処理容器２１内が排気されることで、当該処理容器２１内が所望の圧力の真空雰囲気に保たれる。
処理容器２１内にはウエハＷを載置するステージ２４が設けられており、当該ステージ２４上にて突没自在に構成された昇降ピン（不図示）により、当該ステージ２４と、上記の搬送機構１８との間でウエハＷが受け渡される。ステージ２４は、プラズマ形成用の接地された電極として構成されている。そして、ステージ２４にはヒーター２５が埋設されており、成膜処理中のウエハＷを所望の温度に加熱する。
処理容器２１の天井部には、絶縁部材２７を介してガスシャワーヘッド３１が設けられている。ガスシャワーヘッド３１には整合器３２を介して高周波電源３３が接続されている。そして、ガスシャワーヘッド３１にはガス供給機構３４が接続されている。ガス供給機構３４は成膜ガス及びクリーニングガスを互いに独立してガスシャワーヘッド３１に供給することができ、ガスシャワーヘッド３１に供給されたガスが、ステージ２４に向けて吐出される。ガスシャワーヘッド３１は、上記したステージ２４と共に平行平板電極として構成されており、高周波電源３３がオンになることで、ガスシャワーヘッド３１からステージ２４上に吐出されたガスがプラズマ化される。
ステージ２４上にウエハＷが載置され、ガスシャワーヘッド３１から成膜ガスが吐出されて、当該成膜ガスがプラズマ化されることで、当該ウエハＷの表面にＣＶＤによる成膜がなされる。クリーニング、プリコートは、ガスシャワーヘッド３１から吐出されたクリーニングガス、成膜ガスが夫々プラズマ化されることで行われる。プリコートについてもＣＶＤによって行われる。上記したようにコンディショニングは、ウエハＷが処理容器２１内には搬入されていない状態で行われるので、上記のクリーニング及びプリコートの実行時には、ステージ２４上にウエハＷは載置されていない。
〔本技術の搬送制御の概要〕
ところで、コンディショニングは上記したようにクリーニングを含み、このクリーニングについては既述したように処理容器２１内の各部に形成される膜厚が、パーティクルの発生を引き起こすおそれがある膜厚に達しないようにするために行われる。そこで、コンディショニングを行った後、次にコンディショニングを行うまでのウエハＷの積算処理枚数が設定される。そのように次のコンディショニングを行うまでの積算処理枚数の設定値をＮとする。つまり、コンディショニングが行われた処理モジュールＰＭについては、そのコンディショニング後、Ｎ枚のウエハＷに処理を行った後に次のコンディショニングが行われるように、当該コンディショニングのタイミングが制御される。上記のＮは正の整数である。ウエハＷに対して成膜処理を行うと、ウエハＷに形成される膜厚に応じた膜厚で、処理容器２１内の各部にも成膜がなされる。従って設定値Ｎは、ウエハＷに形成する膜厚に応じて設定し得るパラメータである。以降の説明では、この設定値ＮについてＣ（コンディショニング）トリガの積算処理枚数Ｎと記載する。また、単に積算処理枚数と記載した場合には、直前のコンディショニング終了後のウエハＷの積算処理枚数であるものとする。
上記した特許文献１では、基板処理装置１と同様の構成の装置において、予め定められた規則（後述の第１′～第３′規則）に従ってウエハＷの搬送を行うことで、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４で順番にコンディショニングを実行するサイクルを形成することが示されている。そして、下記の等式１の関係が成り立つ場合は、同じサイクル内及び連続したサイクル間で、一の処理モジュールＰＭでのコンディショニングが終了した後、速やかに次の処理モジュールＰＭでコンディショニングが開始される状態となる。なお、当該状態で、コンディショニングを実行していない３つの処理モジュールＰＭについては、ウエハＷの処理が行われる。そのような状態が形成されることで、効率的にウエハＷを処理することができる。なお、等式１中の（処理モジュールＰＭの数－１）は、装置に４つの処理モジュールＰＭが設けられることによって３である。以下の説明では特許文献１に記載の規則に従ったウエハＷの搬送は、比較例の搬送と呼称する。
処理モジュールＰＭのコンディショニングの実行時間＝（Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／（処理モジュールＰＭの数－１））枚のウエハの処理時間・・・等式１
ところが半導体デバイスの微細化により、ウエハＷに形成する膜については薄膜化が進行している。それに合わせてコンディショニングトリガの積算処理枚数Ｎについては、より大きな値を設定し得る傾向にあり、下記の不等式１が成立する場合が有る。この不等式１の関係が成立する場合に比較例の搬送を行うとすると、サイクル中にいずれの処理モジュールＰＭでもコンディショニングが行われない区間が形成され、その区間においては３つの処理モジュールＰＭのみが用いられてウエハＷの処理が行われる。つまり、ウエハＷを処理可能な処理モジュールＰＭに対して、ウエハＷが搬送されない状態となる。
処理モジュールＰＭのコンディショニングの実行時間＜（Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／（処理モジュールＰＭの数－１））枚のウエハの処理時間・・・不等式１
等式１の関係となるように、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎについて設定可能な上限値よりも低い値に設定することで、上記の状態が生じることを防ぐことも考えられるが、そのようにしてコンディショニングの頻度を高めることは得策ではない。そのような事情から、各処理モジュールＰＭを有効に利用して装置の処理効率をより高いものとする技術が求められている。なお、比較例の搬送については後に詳しく説明し、本技術に係る実施例の搬送と対比させて示す。
本技術に係る基板処理装置１においては、上記の要請に対応することができるように搬送制御がなされる。即ち、コンディショニングを順番に行うサイクルを形成し、このサイクル中において４つの処理モジュールＰＭのすべてにおいてウエハＷを処理可能な状態が形成された際に、当該４つの処理モジュールＰＭのすべてにウエハＷを搬送して処理を行うことができるように搬送制御が行われる。以下、本技術に係る実施例の搬送について説明する。当該実施例の搬送では、処理モジュールＰＭの各々についてのコンディショニング後におけるウエハＷの積算処理枚数と、処理モジュールＰＭにおけるコンディショニング実行時間と、処理モジュールＰＭにおける１枚あたりのウエハＷの処理時間とに基づき、ウエハＷの搬送先とする処理モジュールＰＭが決定される。
より詳しく述べると、コンディショニング実行時間を１枚あたりのウエハＷの処理時間で除し、得られる値について少数点以下の値が０ではない場合には切り上げることで整数値が取得される。この整数値について「ｎ」として表すとすると、当該ｎに基づいた搬送制御が行われる。なお、このように計算される値であるためｎの単位は「枚」である。このｎについて、具体例を挙げて述べる。コンディショニング実行時間を７２０分とし、処理モジュールＰＭでの１枚あたりのウエハＷの処理時間が３分であるものとすると、（７２０／３＝２４０である。この除算値２４０について、少数点以下の数は０であるため、切り上げは行われず、ｎ＝２４０である。仮にこの除算値が２４０.１である場合は、切り上げてｎ＝２４１となる。
ところで１枚あたりのウエハＷの処理時間とは、ウエハＷにガスを供給する時間のみを意味するものではなく、ウエハＷを処理容器２１に搬入してガス供給が開始されるまでの時間及びガス供給の終了後にウエハＷを処理容器２１から搬出するまでの時間を含むように予め設定された時間である。従って、１枚あたりのウエハＷの処理時間とは、一つの処理モジュールＰＭにウエハＷを順次搬送して処理を行うにあたり、一のウエハＷが処理を行うためにステージ２４に載置されてから、次のウエハＷが処理を行うためにステージ２４に載置されるまでの時間と同じことである。実施例の搬送の前提として、１枚あたりのウエハＷの処理時間が、このような予め設定された時間となるように制御がなされるものとする。
〔実施例の搬送における規則〕
基板処理装置１では、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４のうち、いずれかの処理モジュールＰＭでコンディショニングが行われている場合は、コンディショニングが行われていない各処理モジュールＰＭをウエハＷの搬送先とする。そして処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４のうちのいずれでもコンディショニングが行われていない場合、以下の予め設定された規則である第１規則～第４規則に従って、搬送が行われる。
第１規則
積算処理枚数が降順で１番目と４番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理枚数の差が（ｎ×３）枚未満の場合、積算処理枚数が降順で１～３番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第２規則
積算処理枚数が降順で１番目と３番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理枚数の差が（ｎ×２）枚未満の場合、積算処理枚数が降順で１、２、４番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第３規則
積算処理枚数が降順で１番目と２番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理枚数の差が（ｎ）枚以上の場合、すべての処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第４規則
第１規則、第２規則、第３規則のいずれにも該当しない場合、積算処理枚数が降順で１、３、４番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
そして第１～第４規則は番号が若い順、即ち、第１規則、第２規則、第３規則、第４規則の順に優先して適用される。従って、上記の制御部４０によって、図３に示す判定フローが実行される。この判定フローについて具体的に述べると、ウエハＷを処理モジュールＰＭへ搬送するにあたり、処理モジュールＰＭの積算処理枚数について、先ずは第１規則中で規定される状態に該当するか否かが判定される（ステップＳ１）。該当していると判定された場合は第１規則が適用されて、搬送先の処理モジュールＰＭは当該第１規則に従ったものとなる（ステップＳ１′）。
第１規則中で規定される状態に該当しないと判定された場合は、第２規則中で規定される状態に該当するか否か判定され（ステップＳ２）、該当していると判定された場合は当該第２規則が適用されて、搬送先の処理モジュールＰＭは当該第２規則に従ったものとなる（ステップＳ２′）。第２規則中で規定される状態に該当しないと判定された場合は、第３規則中で規定される状態に該当するか否か判定される（ステップＳ３）。該当していると判定された場合は当該第３規則が適用されて、搬送先の処理モジュールＰＭは当該第３規則に従ったものとなる（ステップＳ３′）。第３規則中で規定される状態に該当しないと判定された場合は、第４規則が適用されて、搬送先の処理モジュールＰＭは当該第４規則に従ったものとなる（ステップＳ４）。
このように第１～第４規則に従って搬送先として決められる処理モジュールＰＭへ、ウエハＷは１枚ずつ順に、繰り返し搬送される。具体的には第３規則が適用される場合には、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４、ＰＭ１、ＰＭ２・・・というように、例えばＰＭの番号順に繰り返しウエハＷが搬送される。なお、後述する原則（３）として記載するように直前にコンディショニングを行ったＰＭがあれば、そのＰＭから先に搬送される。
なお上記の各規則が適用されるにあたって、複数のＰＭで積算処理枚数が同じとなっている場合が有る。その場合、予め設定された法則に従って順番が割り当てられるものとする。例えば、積算処理枚数が同じＰＭ１～ＰＭ４のうち、番号が若いものほど積算処理枚数の降順での順番が小さいものとみなして規則が適用される。具体的には、第１規則が適用されるにあたり、積算処理枚数がＰＭ１～ＰＭ４で同じであることによって、１番目と４番目の積算処理枚数が同じ場合が有る。この場合には積算処理枚数が同じＰＭ１～ＰＭ４で番号が若い順に、積算処理枚数が降順で小さいものとみなされる。つまり、当該降順の順番の１番目、２番目、３番目、４番目は、夫々ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４であるものとされる。
以上のように、第１～第４規則に関しては、概略的に述べれば積算処理枚数についてＰＭ１～ＰＭ４間でｎ枚以上の差が形成されるように定められている。このように差を形成することで、後にシミュレーションで具体的に示すが、上記したようなＰＭ１～ＰＭ４について一つずつ順番にＰＭのコンディショニングが行われるサイクルを実行することができる。そして当該サイクル中において、上記のようにＣトリガの積算処理枚数Ｎが比較的大きいことに起因して、いずれのＰＭでもコンディショニングを行う必要が無い区間が形成されたとしても、その区間では第３規則に依る搬送が実行される。それ故に、ウエハＷを処理可能な処理モジュールＰＭに対して、ウエハＷが搬送されない状態が形成されることが防止される。なお、当該サイクルの形成までに、第１～第４規則に従ってウエハＷが搬送されること、及びサイクルの実行中は第３規則のみが用いられることから、当該サイクルはコンディショニングを行わないＰＭ間で積算処理枚数についてｎ枚以上毎の差が維持されるように、コンディショニングを行うＰＭが推移することになる。また、そのように順番にコンディショニングが行われるＰＭが推移するサイクルが形成されるまでに、第１～第４規則によって、少なくとも３つのＰＭを利用してウエハＷの処理が行われることになる。つまり当該サイクルの形成前にウエハＷの搬送先とはならないＰＭは１つのみであり、装置の処理効率の低下の防止が図られている。
ところで、基板処理装置１におけるウエハＷの搬送としては、例えば下記の原則（１）～（２）に従って行われる。
（１）上記した規則を適用するための判定、及び処理モジュールＰＭでのコンディショニングの開始は、処理モジュールＰＭへ搬送されるウエハＷのロットが切り替わる際に行われる。
（２）コンディショニング終了後は、すぐにコンディショニングが終了したＰＭを使用する。
原則（２）に関しては、複数の搬送対象の処理モジュールＰＭのうちのいずれかがコンディショニングが終わった直後の処理モジュールＰＭであれば、そのＰＭに対して他のＰＭより先にウエハＷを搬送することである。
また原則（１）より、一のロットに含まれるウエハＷを処理モジュールＰＭへ搬送中、処理モジュールＰＭのいずれかで積算処理枚数がＣトリガの積算処理枚数Ｎに達したが、当該一のロット中で処理モジュールＰＭへの搬送が終わっていないウエハＷが有るとする。その場合には、適用される規則の変更は無く、コンディショニングが開始されることも無い。従って、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎを超える枚数のウエハＷが処理モジュールＰＭに搬送された後、ロットが切り替わることにより当該処理モジュールＰＭでコンディショニングが開始される場合が有る。ただし後述するシミュレーションでは、積算処理枚数がコンディショニングトリガの積算処理枚数Ｎに達するタイミングと、ロットの切替えが起きるタイミングとが一致するものとして、積算処理枚数がＣトリガの積算処理枚数Ｎに達した時点で、コンディショニングが開始されるものとしている。なお、一のロットに含まれるウエハＷの枚数としては様々であるが、仮にＸ枚（Ｘは整数）のウエハＷからなるロットが連続して基板処理装置１に搬送されるとすれば、第１～第４規則は全ＰＭの累積処理枚数がＸの倍数のタイミングで適用されることになる。またその場合には、コンディショニングは全ＰＭの累積処理枚数がＸの倍数のときに開始されることになる。ここでの累積処理枚数とは、ＰＭ１～ＰＭ４の積算処理枚数の加算値である。
〔比較例の搬送方法の規則〕
実施例の搬送方法、比較例の搬送方法の各シミュレーション結果について後で説明し、実施例の搬送の効果を示す。そのために比較例の搬送方法についてさらに説明する。当該シミュレーションでは実施例の搬送方法と比較例の搬送方法とは、搬送制御の規則についてのみ異なる。即ち、比較例では上記した第１～第４規則に従った搬送は行われず、以下の第１′～第３′規則に従って搬送が行われる。
第１′規則
積算処理枚数が降順で３番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理枚数が（Ｎ×３／６）枚未満であるとき、積算処理枚数が降順で１～３番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第２′規則
積算処理枚数が降順で２番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理枚数が（Ｎ×５／６）枚未満であるとき、積算処理枚数が降順で１～３番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第３′規則
第′１規則、第２′規則のいずれにも該当しない場合、積算処理枚数が降順で１、３、４番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第１′、第２′規則中のＮは、上記したＣトリガの積算処理枚数Ｎである。以上の第１′～第３′規則は、第１′規則、第２′規則、第３′規則の順に優先して適用される。また、この比較例の搬送方法でも実施例の搬送方法と同様に、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４間で積算処理枚数が同じである場合には、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ３をウエハＷの搬送先とする。以上に示すように、比較例の搬送について端的に述べるとすると、すべてのＰＭが同時に使用されることが無いように行われる。
〔シミュレーションの前提〕
以下に実施例の搬送、比較例の搬送について行ったシミュレーションについて説明する。このシミュレーションではコンディショニング実行時間、処理モジュールＰＭでのウエハＷの１枚あたりの処理時間については既に例示した値と同じく、夫々７２０分、３分として設定した。従って、これらのパラメータから算出されて実施例の規則で用いられるｎについても、既に例示した値と同じく２４０である。
Ｃトリガの積算処理枚数Ｎについて各実施例間で変更している。それによって上記の不等式１の左辺、右辺を夫々なすコンディショニングの実行時間と、（Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３）枚のウエハＷの処理時間との関係が、実施例間で異なるようにして検証を行った。また、搬送開始時のＰＭ１～ＰＭ４におけるウエハＷの積算処理枚数（初期状態とする）についても実施例間で変更することで検証を行った。なお、この実施例間の変更に合わせて、比較例間でもＣトリガの積算処理枚数Ｎ、初期状態の各々について変更して検証を行った。
〔実施例１〕
実施例１として、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎについて１５００に設定した。従って、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間については１５００分であり、不等式１（コンディショニングの実行時間＜Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間）の関係が成立している。そして、実施例１ではこの不等式１の左辺と右辺との差が比較的大きく、右辺の値は、左辺の値の２倍よりも大きい。また実施例１の初期状態として、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４のすべてで積算処理枚数が０である。
図４の上段の表は実施例１のシミュレーション結果を示すものであり、搬送が行われた期間を多数の区間に分割し、区間毎の各処理モジュールＰＭの状態を表したものである。さらに詳しく述べると、縦のマスの並びは区間に、横のマスの並びは処理モジュールＰＭに夫々対応する。区間は昇順で下方に向けて並べられているが、区間の番号については搬送を開始してからの経過時間が長いほど大きく、適用される規則の変化またはコンディショニングを行う処理モジュールの変化が起きた場合に、区間の番号が変わる。そして各処理モジュールＰＭ毎に、コンディショニングが行われている区間においては「Ｃ」の文字を、コンディショニングが行われていない区間においては積算処理枚数を夫々、表の対応するマスに示している。なお、この表中に示す積算処理枚数については、各区間の終了直前の値である。そして、コンディショニングが行われていない区間については、当該区間にて適用されている規則を表示している。以降はこのように処理モジュールＰＭの状態を示す表について、搬送表と呼称する。
実施例１について、区間順に処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４の状態及び適用される規則を説明する。
区間１は初期状態であり、上記したようにＰＭ１～ＰＭ４の積算処理枚数は０となっている。この初期状態から適用する規則を決めるにあたり、図３の判定フローが実行される。この際に、既述したように積算処理枚数が同じ場合は当該積算処理枚数の降順はＰＭの番号に応じたものとなることに従い、当該降順はＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の順であるとみなされる。そして判定フローに従って、第１規則の適用範囲に該当するか否か判定されるが、積算処理枚数が降順で１番目に大きいとされたＰＭ１と、４番目に大きいとされたＰＭ４との間の積算処理枚数の差は０枚、即ちｎ×３＝７２０枚未満である。そのため、第１規則の適用範囲に該当するという判定結果となり、当該第１規則が適用されることが決定されて区間１が終了する。
区間２では、第１規則によって積算処理枚数が降順で１～３番目とされたＰＭ１～ＰＭ３に対してウエハＷが搬送される。そして、積算処理枚数が降順で１番目に大きいＰＭ１と、４番目に大きいＰＭ４との間の積算処理枚数の差がｎ×３＝７２０枚となり、第１規則の適用範囲から外れる。
そのように積算処理枚数の差が形成された状態で、判定フローが実行される。この際にＰＭ１～ＰＭ３間では積算処理枚数が同じであることで、これらＰＭ１～ＰＭ３間では当該積算処理枚数の降順での順番はＰＭの番号に応じたものとなる。そのため当該降順は、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の順であるとみなされる。そして、判定フローにより先ず、第１規則の適用範囲に該当しないと判定され、続いて第２規則の適用範囲に該当するか否か判定される。積算処理枚数が降順で１番目に大きいとされたＰＭ１と３番目に大きいとされたＰＭ３との積算処理枚数の差は０枚、即ち（ｎ×２）＝４８０枚未満であるため、第２規則の適用範囲に該当すると判定され、適用される規則が第２規則に切り替わり、区間２が終了する。
区間３では、上記した第２規則によってＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そして、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４での積算処理枚数が、夫々１２００枚、１２００枚、７２０枚、４８０枚となる。つまり、積算処理枚数が降順で１番目に大きいとされるＰＭ１と、３番目に大きいＰＭ３との間の積算処理枚数の差がｎ×２＝４８０枚となり、第２規則の適用範囲から外れる。
そのように積算処理枚数の差が形成された状態で判定フローが実行される。この際にＰＭ１、ＰＭ２間で積算処理枚数が同じであることから、当該ＰＭ１、ＰＭ２間では積算処理枚数の降順での順番はＰＭの番号に応じたものとなる。それ故に当該降順は、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の順であるとされる。そして搬送フローによって先ず、第１規則の適用範囲に該当するか否か判定されるが、降順で１番目に大きいＰＭ１の１２００枚と、４番目に大きいＰＭ４の４８０枚との差がｎ×３＝７２０枚未満ではないことで、第１規則の適用範囲に該当しないと判定される。続いて、第２規則の適用範囲にも該当しないと判定されることで、第３規則の適用範囲に該当するか否か判定される。積算処理枚数が降順で１番目に大きいとされたＰＭ１と２番目に大きいとされたＰＭ２との差は０枚、即ちｎ＝２４０枚以上ではないため、第３規則の適用範囲に該当しないと判定されると共に、第４規則の適用範囲に該当すると判定される。それにより、適用される規則が第４規則に切り替わり、区間３は終了する。
区間４では、上記した第４規則によってＰＭ１、ＰＭ３、ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そして、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４での積算処理枚数が、夫々１４４０枚、１２００枚、９６０枚、７２０枚となる。つまり、積算処理枚数が降順で１番目に大きいとされたＰＭ１と、２番目に大きいとされたＰＭ２との間の積算処理枚数の差がｎ＝２４０枚以上となり、第３規則の適用範囲内となる。
そのように積算処理枚数の差が形成された状態で判定フローが実行され、第１規則の適用範囲に該当するか否か判定されるが、降順で１番目に大きいＰＭ１の１４４０枚と、４番目に大きいＰＭ４の７２０枚との差がｎ×３＝７２０枚未満ではないことで、第１規則の適用範囲に該当しないと判定される。続いて、第２規則の適用範囲に該当するか否か判定されるが、降順で１番目に大きいＰＭ１の１４４０枚と、３番目に大きいＰＭ３の９６０枚との差がｎ×２＝４８０枚未満ではないことで、第２規則の適用範囲に該当しないと判定される。続いて第３規則の適用範囲に該当するか否かの判定が行われる結果、第３規則の適用範囲に該当すると判定されることで、適用される規則が当該第３規則に切り替わり、区間４が終了する。
区間５では、上記した第３規則によってＰＭ１～ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そして、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４での積算処理枚数が、夫々１５００枚、１２６０枚、１０２０枚、７８０枚となる。即ち、ＰＭ１での積算処理枚数が、Ｃトリガの積算処理枚数であるＮ＝１５００枚に達し、コンディショニングが開始されることで区間５が終了する。
区間６では、コンディショニングが行われていないＰＭ２～ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そしてＰＭ１でのコンディショニングが終了する一方で、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４での積算処理枚数が夫々１５００枚、１２６０枚、１０２０枚となる。即ち、ＰＭ２での積算処理枚数がＣトリガの積算処理枚数であるＮ＝１５００枚に達し、コンディショニングが開始されることで、区間６が終了する。
区間７では、コンディショニングが行われていないＰＭ１、ＰＭ３、ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そしてＰＭ２でのコンディショニングが終了する一方で、ＰＭ１、ＰＭ３、ＰＭ４での積算処理枚数が夫々２４０枚、１５００枚、１２６０枚となる。即ち、ＰＭ３での積算処理枚数がＣトリガの積算処理枚数であるＮ＝１５００枚に達し、コンディショニングが開始されることで、区間７が終了する。
区間８では、コンディショニングが行われていないＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そしてＰＭ３でのコンディショニングが終了する一方、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ４での積算処理枚数が夫々４８０枚、２４０枚、１５００枚となる。即ち、ＰＭ４での積算処理枚数がＮ＝１５００枚に達し、コンディショニングが開始されることで区間８が終了する。
区間９では、コンディショニングが行われていないＰＭ１～ＰＭ３にウエハＷが搬送される。そしてＰＭ４でのコンディショニングが終了する一方、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３での積算処理枚数が夫々７２０枚、４８０枚、２４０枚となる。いずれのＰＭでもコンディショニングが行われない状態となることで判定フローが実行され、先ず、第１規則の適用範囲に該当するか否か判定される。そして積算処理枚数について、降順で１番目に大きいＰＭ１の７２０枚と、４番目に大きいＰＭ４の０枚との差がｎ×３＝７２０枚未満ではないことで、第１規則の適用範囲に該当しないと判定される。
続いて、第２規則の適用範囲に該当するか否か判定されるが、降順で１番目に大きいＰＭ１の７２０枚と、３番目に大きいＰＭ３の２４０枚との差がｎ×２＝４８０枚未満ではないことで、第２規則の適用範囲に該当しないと判定される。そして、第３規則の適用範囲に該当するか否か判定され、降順で１番目に大きいＰＭ１の７２０枚と、２番目に大きいＰＭ２の４８０枚との差がｎ＝２４０枚以上であることで、第３規則の適用範囲に該当すると判定され、当該第３規則が適用されることで、区間９が終了する。
区間１０では、上記の第３規則によってＰＭ１～ＰＭ４にウエハＷが搬送される。そして、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４での積算処理枚数が、夫々１５００枚、１２６０枚、１０２０枚、７８０枚となる。即ち、ＰＭ１での積算処理枚数が、コンディショニングトリガであるＮ＝１５００枚に達し、コンディショニングが開始されることで区間１０が終了する。
区間１１では、区間６と同様にＰＭ１でコンディショニングが行われ、且つ搬送表に示されるように、区間６と同様の積算処理枚数の差が処理モジュールＰＭ２～ＰＭ４間に形成される。そのため区間１１～１５においては区間６～１０と同様に規則が適用されてウエハＷの搬送が行われるので、処理モジュールＰＭ間には区間６～１０と同様の積算処理枚数差が形成され、且つ区間６～１０と同様の順番で各処理モジュールＰＭのコンディショニングが行われる。
第１～第４規則のうち第３規則のみに依る搬送を行う区間が含まれ得るものとし、他の区間は各処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４のコンディショニングが行われる複数の連続した区間について１つのサイクルとすると、区間６以降は当該サイクルが繰り返し行われることになる。区間６～１０が１回目のサイクル、区間１１～１５が２回目のサイクルである。上記のサイクルが繰り返される状態を定常状態とし、サイクルの１回目の終了時までを「定常状態になるまで」とする。従って、この実施例１における定常状態になるまでとは、区間１０までである。搬送表では、定常状態になるまでの１回目のサイクルをなす区間にドットを付し、２回目のサイクルをなす区間に斜線を付して示している。
なお、以上のように第１～第４規則に従ってウエハＷが搬送されることで搬送表上、定常状態ではコンディショニングが行われていないＰＭ間について、２４０枚以上（即ち、ｎ枚以上）毎の枚数差が維持されるように区間が推移するように示される。具体的には搬送表に示すように、区間６の終了直前では、コンディショニングを行っていない３つの各ＰＭでの積算処理枚数が１０２０枚、１２６０枚、１５００枚であり、従って２４０枚毎の差が形成されている。区間７の終了直前では、コンディショニングを行っていない３つの各ＰＭでの積算処理枚数が２４０枚、１２６０枚、１５００枚であり、従って、２４０枚以上毎の差が形成されている。区間８以降でも同様であり、コンディショニングが行われない区間１０の終了直前時点では、４つの処理モジュールＰＭ間で２４０枚毎の差が形成されている。
ただし、一つの区間中ではＰＭ間での枚数差は変移し、２４０枚未満となるタイミングが有る。具体的には例えば区間６の終了直後、区間７の開始時にコンディショニングを終えたＰＭ１にウエハＷが搬送されることで、そのように２４０枚未満の枚数差となる。従って、定常状態ではコンディショニングを行わないＰＭ間で積算処理枚数についてｎ枚以上の差が維持されるものと記載したが、これはｎ枚以上の差が常時形成されるという意味ではなく、以上のように定常状態の各区間においてｎ枚以上の差が形成されるタイミングが存在するように搬送がなされることである。
〔実施例１のまとめ〕
図４中の搬送表の下方に、既述した実施例１の搬送が行われることによって得られる種々のデータを、定常状態になるまでについてのデータと、定常状態の１サイクルにおけるデータとに分けた表として示している。なお、データ中の未処理時間（枚数換算）とは、コンディショニングが行われていないことでウエハＷの搬送が可能であるが、規則に従った搬送が行われることに起因して搬送がなされない時間を、その時間に対するウエハＷの枚数として表したものである。
定常状態になるまでのデータについて述べると、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で処理されるウエハＷの総枚数は、夫々３０００枚、２７６０枚、２５２０枚、２２８０枚であった。そしてＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の未処理時間（枚数換算）は、夫々０枚、２４０枚、４８０枚、７２０枚であった。コンディショニング回数は、ＰＭ１～ＰＭ４の夫々で１回であった。各処理モジュールＰＭについて、総枚数＋未処理時間（枚数換算）が３０００枚であり且つコンディショニング回数が１回であることから、定常状態になるまでの時間は、３０００枚×（１枚あたりのウエハＷの処理時間＝３分）＋１回のコンディショニングの実行時間（７２０分）＝９７２０分である。また、１ＰＭあたりのスループットについては、定常状態になるまでのウエハＷの総枚数／定常状態になるまでの時間（分）×６０分として算出され、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４について夫々、18.51852、17.03704、15.55556、14.07407であった。
定常状態の１サイクルにおけるデータについて述べると、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で処理されるウエハＷの総枚数は、各々１５００枚である。ＰＭ１～ＰＭ４の未処理時間（枚数換算）は０枚である。定常状態の１サイクルの時間については任意の一の処理モジュールＰＭについての（ウエハＷの総枚数＋未処理時間（枚数換算））×１枚あたりのウエハＷの処理時間＋１サイクル中のコンディショニングの実行時間であり、従って１５００枚×３分／枚＋７２０分＝５２２０分として算出される。１ＰＭあたりのスループットについては、１サイクルのウエハＷの総枚数／１サイクルの時間（分）×６０分として算出され、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４について夫々、17.24138、17.24238、17.24138、17.24138であった。
〔比較例１〕
比較例１として、実施例１と同様に、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎについて１５００と設定し、積算処理枚数が処理モジュールＰＭ１～ＰＭ４のすべてにおいて０になっている状態から搬送が開始されるものとしてシミュレーションを行った。なお、以下の説明における比較例での定常状態とは、第３規則に従った搬送を行う区間が含まれてよい代わりに第１′規則に従った搬送が含まれてよいとする点について、実施例の定常状態とは異なる。
比較例１の搬送のシミュレーション結果を図５に、実施例１の図４と同じく搬送表及び種々のデータの表として示している。この図５の搬送表から明らかなように、定常状態において、コンディショニングが実行されたＰＭに対してしばらくの間、ウエハＷの搬送が行われない区間が発生している。具体的に、搬送表中の区間１４～１６を説明すると、区間１４でＰＭ１のコンディショニングが行われ、区間１５ではこのコンディショニングが終了している。しかし、区間１４に続いてウエハＷはＰＭ２～ＰＭ４のみに搬送され、区間１６でＰＭ２のコンディショニングが開始されることによって、ＰＭ１への搬送が開始される。
〔比較例１のまとめ〕
定常状態になるまでのデータについて述べると、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で処理されるウエハＷの総枚数は、夫々４５００枚、４０１０枚、３４９０枚、３０００枚であった。そしてＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の未処理時間（枚数換算）は、夫々２０枚、５１０枚、１０３０枚、１５２０枚である。コンディショニング回数は、ＰＭ１～ＰＭ４の夫々で２回であった。各処理モジュールＰＭについて、総枚数＋未処理時間（枚数換算）が４５２０枚であり、且つコンディショニング回数が２回である。そのため、定常状態になるまでの時間は、４５２０枚×１枚あたりのウエハＷの処理時間（３分）＋２回分のコンディショニングの実行時間（７２０分×２）＝１５００００分である。また、１ＰＭあたりのスループットについては実施例１で述べた手順で算出され、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４について夫々、18、16.04、13．96、12であった。
定常状態の１サイクルにおけるデータについて述べると、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で処理されるウエハＷの総枚数は、夫々１５００枚、１４７０枚、１５００枚、１５００枚である。ＰＭ１～ＰＭ４の未処理時間（枚数換算）は、夫々２５０枚、２８０枚、２５０枚、２５０枚である。定常状態の１サイクルの時間については任意の一の処理モジュールＰＭについての（ウエハＷの総枚数＋未処理時間（枚数換算））×１枚あたりのウエハＷの処理時間＋１サイクル中のコンディショニングの実行時間であり、従って１７５０枚×３分／枚＋７２０分＝５９７０分として算出される。１ＰＭあたりのスループットについては実施例１で述べた手順で算出され、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４について夫々、15.07538、14.77387、15.07538、15.07538であった。
〔実施例１と比較例１との比較〕
実施例１、比較例１共に、定常状態においてはＰＭ１～ＰＭ４においてコンディショニングが、１つずつ順番に行われる。そして、この定常状態においてはいずれのＰＭでもコンディショニングが行われない区間が形成されており、比較例１では、その区間においてコンディショニング終了後のＰＭにすぐにウエハＷの搬送が行われないという状態になっている。一方、実施例１では当該区間においては、ＰＭ１～ＰＭ４の各々にウエハＷが搬送されて処理が行われる。つまり、実施例１ではＰＭがウエハＷを処理せずに待機している時間を削減することができる。
また、定常状態になるまでの時間は、実施例１が9720分、比較例１が15000分であって、実施例１の方が短い。上記したように定常状態において、実施例１では比較例１と異なり、コンディショニング終了後にＰＭへウエハＷを搬送できなくなることが無く、上記のようにコンディショニングが行われないすべてのＰＭで処理が行われる。そのため装置の処理効率を高くすることを考慮すると、実施例１では速やかにこの定常状態に入ることが望ましいが、このように実施例１は比較例１よりも早く定常状態になるという、好ましい結果となった。
そして、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例１で14.07407、比較例１で12であるため、比較例１を１００％とすれば実施例１は117.3％である。定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例１で18.51852、比較例１で18であるため、比較例１を100％とすれば実施例１は102.9％である。そして、定常状態の１サイクルにおける１ＰＭあたりのスループットは実施例１で17.24138、比較例１で15.07538であるため、比較例１を100％とすれば実施例１は114.4％である。このように定常状態になるまでの期間、及び定常状態のサイクルの各々で、各ＰＭのスループットは実施例１の方が高い。従って、実施例１では装置の処理効率がより高いことが確認された。
〔実施例２及び比較例２〕
実施例２として、初期状態における積算処理枚数がＰＭ１～ＰＭ４で０ではないことを除き、実施例１と同様の条件でシミュレーションを行った。従って、この実施例２でもＣトリガの積算処理枚数Ｎは１５００であり、不等式１（コンディショニングの実行時間＜Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間）の関係が成立している。具体的に初期状態の積算処理枚数について、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の夫々で９２０、１３９４、１４０、７２３とした。また、比較例２として実施例２と同様の条件でシミュレーションを行った。
図６は実施例２の搬送表及びデータの表を示し、図７は比較例２の搬送表、データの表を示している。なお実施例２の各区間では、実施例１と同様の手順で適用される規則が決定されるので、詳細については省略する。定常状態になるまでの時間はデータの表に示されるとおり、実施例２で6960分、比較例２で6240分であり、実施例２の方がわずかに長かった。ただし、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例２で15.86207、比較例２で13.07692であるため、比較例２を100％とすれば実施例２は121.3％である。そして定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例２で17.93103、比較例２で17.34615であるため、比較例２を100％とすれば実施例２は103.4％である。このように定常状態になるまでのスループットについて、実施例２の方が高かった。
また、定常状態の１サイクルについて、搬送表に示されるように比較例２では比較例１と同じく、コンディショニングが実行されたＰＭに対してすぐにウエハＷの搬送が行われない区間が発生するが、実施例２ではそのような区間が発生しない。従って、定常状態のサイクルについても、各ＰＭのスループットは実施例２の方が高い。以上のことから、実施例２の方が装置の処理効率が高い。
〔実施例３及び比較例３〕
実施例３として、初期状態における積算処理枚数について実施例１、２と異なることを除いて、実施例１、２と同様の条件でシミュレーションを行った。この実施例３の初期状態におけるＰＭ１～ＰＭ４の積算処理枚数は実施例２と同じく０ではないが、最大のものと最小のものとの差がｎ×２＝４８０以下となるように設定した点で実施例２と異なっている。具体的に初期状態の積算処理枚数を、ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で夫々１７１、３５１、１３５、７１に設定した。また比較例３として、実施例３と同様の条件でシミュレーションを行った。
図８は実施例３の搬送表及びデータの表を示しており、図９は比較例３の搬送表及びデータの表を示している。実施例３についても、実施例１と同様の手順により、適用される規則が決定される。定常状態に達する前の区間５までの各区間における適用規則の決定手順について、以下に簡単に示しておく。
区間１の初期状態において、積算処理枚数について降順でＰＭ２、ＰＭ１、ＰＭ３、ＰＭ４である。ＰＭ２（降順で１番目）とＰＭ４（降順で４番目）との積算処理枚数差がｎ×３未満（＝７２０未満）であるため、第１規則が適用されるように決定される。
区間２では第１規則に従ってＰＭ１～ＰＭ３にウエハＷが搬送され、ＰＭ２とＰＭ４との積算処理枚数差が７２０となる。そして、改めて適用規則が決められる。ＰＭ２とＰＭ４との積算処理枚数差が７２０であるため第１規則は適用されない。そしてＰＭ２（降順で１番目）とＰＭ３（降順で３番目）との差がｎ×２未満（＝３８０未満）であるため、第２規則が適用されるように決定される。
区間３では第２規則に従ってＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ４にウエハＷが搬送され、ＰＭ２とＰＭ３との積算処理枚数差が４８０となる。そして、改めて適用規則が決められる。ＰＭ２とＰＭ４との積算処理枚数差が７２０であるので第１規則は適用されない。そしてＰＭ２とＰＭ３との積算処理枚数差が４８０（ｎ×２以上）であるので、第２規則は適用されない。さらにＰＭ２（降順で１番目）とＰＭ１（降順で２番目）との積算処理枚数差が２４０以上ではないので第３規則も適用されず、第４規則が適用されるように決定される。
区間４では第４規則に従ってＰＭ２～ＰＭ４にウエハＷが搬送され、ＰＭ２とＰＭ１との積算処理枚数差が２４０となる。そして、改めて適用規則が決められる。ＰＭ２とＰＭ４との積算処理枚数差が７２０（ｎ×３以上）であるので第１規則は適用されない。ＰＭ２とＰＭ３との積算処理枚数差が４８０（ｎ×２以上）であるので、第２規則は適用されない。ＰＭ２（降順で１番目）とＰＭ１（降順で２番目）との積算処理枚数差が２４０以上であるため、第３規則が適用されるように決定される。区間５では第３規則に従ってＰＭ１～ＰＭ４にウエハＷが搬送され、ＰＭ２がＣトリガの積算処理枚数Ｎ（＝１５００）に達することで、区間５が終了する。
なお、実施例３における以降の各区間、及び実施例３以降の各実施例でも、この実施例３の区間１～５及び上記した実施例１の各区間と同様に適用規則が決定されるので、以降は当該規則の決定に関する説明を省略する。
実施例３、比較例３について、定常状態になるまでの時間は各データの表に示されるとおり、実施例３で8667分、比較例３で14487分であり、実施例３の方が短く、好ましい結果となった。そして、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例３で15.29249、比較例３で12.13088であるため、比較例３を100％とすれば実施例３は126.1％である。そして定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例３で18.33853、比較例３で17.18368であるため、比較例３を100％とすれば実施例３は106.7％である。このように定常状態になるまでのスループットについて、実施例３の方が高かった。そして定常状態のサイクルについては、比較例３では比較例１、２と同様、コンディショニングが実行されたＰＭに対してすぐにウエハＷの搬送が行われない区間が発生することに対し、実施例３ではそのような区間が発生しない。従って、定常状態の１サイクルについても、各ＰＭのスループットは実施例３の方が高い。以上のことから、実施例３の方が装置の処理効率が高い。
〔実施例４及び比較例４〕
実施例４として、初期状態における積算処理枚数について実施例１～３と異なることを除いて、実施例１～３と同様の条件でシミュレーションを行った。この実施例４の初期状態でのＰＭ１～ＰＭ４の積算処理枚数については、実施例２、３と同じく０ではないが、最大のものと最小のものとの差がｎ×３＝７２０以下、且つ降順で１番目と２番目との差がｎ＝２４０以上となるように設定されている点で実施例２、３と異なっている。具体的に初期状態では、積算処理枚数がＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４で夫々７０６、４６１、２０５、８１に設定されている。また比較例４として、実施例４と同様の条件でシミュレーションを行った。
図１０は実施例４の搬送表及びデータの表を示しており、図１１は比較例４の搬送表及びデータの表を示している。定常状態になるまでの時間は各データ表に示されるとおり、実施例４で9105分、比較例４で7632分であり、比較例４の方が短かった。しかし、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例４で16.8369、比較例４で11.15566であるため、比較例４を100％とすれば実施例４は150.9％である。そして定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例４で18.41845、比較例４で18.03459であるため、比較例４を100％とすれば実施例４は102.1％である。このように定常状態になるまでのスループットについて、実施例４の方が高かった。そして定常状態の１サイクルについては、比較例４では比較例１～３と同じくコンディショニングが実行されたＰＭに対してすぐにウエハＷの搬送が行われない区間が発生することに対し、実施例４ではそのような区間が発生しない。従って、定常状態のサイクルについても、各ＰＭのスループットは実施例４の方が高い。以上のことから、実施例４の方が装置の処理効率が高い。
〔実施例５及び比較例５〕
実施例５として、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎを１４４０に設定したことを除いて、実施例１と同様の条件でシミュレーションを行った。従って、実施例５ではＣトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間＝１４４０分であり、コンディショニングの実行時間と、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間との差が、実施例１よりも小さい。この差が小さいことで、既述した不等式１（処理モジュールＰＭのコンディショニングの実行時間＜（Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３）枚の処理時間）の関係が成立しているが、不等式１の左辺の値×２＝不等式の右辺の値となっている。また比較例５として、実施例５と同様の条件でシミュレーションを行った。
図１２は実施例５の搬送表及びデータの表を示しており、図１３は比較例５の搬送表及びデータの表を示している。定常状態になるまでの時間は各データの表に示されるとおり、実施例５で9630分、比較例５で14400分であり、実施例５の方が短いので好ましい結果となった。また、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例５で13.84615、比較例５で12であるため、比較例５を100％とすれば実施例５は115.4％である。そして定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例５で18.46154、比較例５で18であるため、比較例５を100％とすれば実施例５は102.6％である。このように定常状態になるまでのスループットについて、実施例５の方が高かった。
また、定常状態の１サイクルにおける１ＰＭあたりのスループットは実施例５で17.14286、比較例５で15であるため、比較例５を100％とすれば実施例５は114.3％である。このように定常状態になるまでの期間、及び定常状態の１サイクルの各々で、各ＰＭのスループットは実施例５の方が高い。以上のように、定常状態になるまでの期間、及び定常状態のサイクルの各々で、各ＰＭのスループットは実施例５の方が高い。以上のことから、実施例５の方が装置の処理効率が高いことが確認された。
〔実施例６及び比較例６〕
実施例６として、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎを１０８０枚に設定したことを除いて、実施例１と同様の条件でシミュレーションを行った。従って、実施例６では、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間＝１０８０分であり、コンディショニングの実行時間と、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間との差が、実施例１、５における差よりも小さい。既述した不等式１の関係が成立しているが、上記の差が小さいことで、不等式１（処理モジュールＰＭのコンディショニングの実行時間＜（Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３）枚の処理時間）の関係が成立しているが、不等式１の左辺の値×１．５＝不等式の右辺の値となっている。また比較例６として、実施例６と同様の条件でシミュレーションを行った。
図１４は実施例６の搬送表及びデータの表を示しており、図１５は比較例６の搬送表及びデータの表を示している。定常状態になるまでの時間は、各データ表に示されるとおり、実施例６で11160分、比較例６で13140分であり、実施例６の方が短かった。そして、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例６で13.54839、比較例６で12.87671であるため、比較例６を100％とすれば実施例６は105.2％である。そして定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例６で17.41935、比較例６で16.43836であるため、比較例６を100％とすれば実施例６は109.1％である。このように定常状態になるまでのスループットについて、実施例６の方が高かった。また、定常状態の１サイクルにおける１ＰＭあたりのスループットは実施例６で16.36364、比較例６で15であるため、比較例６を100％とすれば実施例６は109.1％である。以上のように定常状態になるまでの期間、及び定常状態のサイクルの各々で、各ＰＭのスループットは実施例６の方が高い。以上のことから、実施例６の方が装置の処理効率が高いことが確認された。
〔実施例７及び比較例７〕
実施例７として、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎを７２０枚に設定したことを除いて、実施例１と同様の条件でシミュレーションを行った。従って、実施例７では、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間＝７２０分であり、不等式１の関係は成立せず、等式１の関係が成立している。また比較例７として、実施例７と同様の条件でシミュレーションを行った。
図１６は実施例７の搬送表及びデータの表を示しており、図１７は比較例７の搬送表及びデータの表を示している。定常状態になるまでの時間は各データ表に示されるとおり、実施例７で9360分、比較例７で15120分であり、実施例７の方が短かった。また、定常状態における１サイクルの時間については実施例７、比較例７の各々で2880分であった。
そして、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最小値は実施例７で12.30769、比較例７で13.33333であるため、比較例７を100％とすれば実施例７は92.3％である。定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットの最大値は実施例７で15.38462、比較例７で15.2381であるため、比較例７を100％とすれば実施例７は101.1％である。また、定常状態の１サイクルにおける１ＰＭあたりのスループットは実施例７、比較例７の各々で15であり、差が無かった。
以上のように定常状態においては実施例７と比較例７との間のスループットに差は無く、定常状態になるまでの期間について、１ＰＭあたりのスループットの最小値に関しては比較例７の方が大きい。ただし、実施例７の方が速やかに定常状態に到達するので、実施例７は比較例７に比べて装置の処理効率がより高いことが確認された。
〔実施例８〕
実施例８として、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎを４８０枚に設定したことを除いて、実施例１と同様の条件でシミュレーションを行った。従って、実施例８では、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間＝４８０分であり、コンディショニングの実行時間の２／３の時間である。従って、処理モジュールＰＭのコンディショニングの実行時間＞Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハの処理時間であり、不等式１及び等式１の関係は成立していない。また比較例８として、実施例８と同様の条件でシミュレーションを行った。
図１８、図１９に夫々実施例８、比較例８の搬送表を示している。各搬送表に示すように
比較例８では比較例１と同じくコンディショニングが実行されたＰＭに対してすぐにウエハＷの搬送が行われない区間が発生するが、実施例８ではそのような区間が発生しない。従って、比較例８に比べれば実施例８では装置の処理効率について高い。ただし搬送表に示されるように、これまでに述べてきた実施例と異なり、実施例８においては定常状態における同じ区間でＰＭ１、ＰＭ２のコンディショニングが行われる。
搬送表の表示を省略しているが、実施例９としてＣトリガの積算処理枚数Ｎを５４０枚、として、実施例８と同様のシミュレーションを行っている。従って、実施例９では、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／３枚のウエハＷの処理時間について５４０分であり、これはコンディショニングの実行時間の３／４の時間であるので、実施例８と同じく不等式１及び等式１の関係は成立していない。この実施例９でも実施例８と同様に、定常状態において同じ区間で２つのＰＭでコンディショニングが行われる結果となった。
〔シミュレーションの結果のまとめ〕
各ＰＭのコンディショニングを行う区間が互いにずれ、一つのＰＭのみでコンディショニングを行い、他のすべてのＰＭではウエハＷの処理を行う状態を形成することで、装置の処理効率を高くすることができる。実施例１～９のうち、実施例１～７でそのような定常状態が形成された。そのため実施例１～７にて設定された条件である、処理モジュールＰＭのコンディショニングの実行時間≦（Ｃトリガの積算処理枚数Ｎ／（処理モジュールＰＭの数－１））枚のウエハの処理時間である場合に、実施例の搬送を適用することが好ましいことが確認された。
また、不等式１の関係が成立する実施例１～６と、等式１の関係が成立する実施例７とを比較すると、実施例１～６では、定常状態になるまでの１ＰＭあたりのスループットについての最小値、最大値の両方、及び定常状態の１サイクルにおける１ＰＭあたりのスループットについて比較例より大きい。従って、等式１の関係が成り立つ場合よりも不等式１の関係が成り立つ場合において、実施例の搬送が適用されることがより好ましいことが確認された。
〔他の装置構成への適用〕
ところで図３に示した適用する規則を決める判定フローを実行することは、下記の工程Ｔ１～工程Ｔ３を実施していると言える。
積算処理枚数が降順で１番目であるＰＭの当該積算処理枚数と、当該１番目以外のＰＭの中から選択されたＰＭの積算処理枚数との差と、ｎ×（選択されたＰＭの降順での積算処理枚数の順番－１）と、について比較を行う（工程Ｔ１）。
工程Ｔ１の比較結果に応じて、搬送対象のＰＭを決定するか、あるいは直前に行った工程１で選択されたＰＭよりも降順での積算処理枚数の順番が１つ少ないＰＭを改めて選択されたＰＭとする（工程Ｔ２）。
工程Ｔ２で改めてＰＭが選択された場合は、再度、工程Ｔ１を行う（工程Ｔ３）。
・最初に選択されたＰＭとするＰＭは、降順での積算処理枚数が最も大きいＰＭとする。
上記の工程Ｔ２の搬送対象のＰＭの決定は、下記のケース１、２のいずれかに該当する。
〈ケース１〉
工程Ｔ１の比較の結果、積算処理枚数が降順で１番目のＰＭの当該積算処理枚数と、選択されたＰＭの積算処理枚数との差が、ｎ×（選択されたＰＭの降順での積算処理枚数の順番－１）未満である場合に、選択されたＰＭ以外のＰＭを搬送対象のＰＭとして決定する。
〈ケース２〉
工程Ｔ２の比較の結果、積算処理枚数が降順で１番目のＰＭの当該積算処理枚数と、選択されたＰＭの積算処理枚数との差がｎ以上で且つ、選択されたＰＭが、積算処理数の順番が降順で２番目のＰＭである場合に、すべてのＰＭを搬送対象とする。
工程Ｔ１～Ｔ３と、第１～第４規則との対応を述べる。特に記載無い限り、説明中の積算処理枚数の順番は降順での順番である。
基板処理装置１においては４つのＰＭが設けられるため、降順での積算処理枚数が最も大きいＰＭ（即ち、積算処理枚数について見た場合に最も少ない枚数となるＰＭであって、降順で見ての順番としては最も後になる）は４番目のＰＭであるので、これを最初に選択されたＰＭとする。そして、工程Ｔ１の積算処理枚数が１番目のＰＭと、この４番目のＰＭとの間での積算処理枚数差を算出する。そして算出された枚数差と、ｎ×（選択されたＰＭの順番である「４」－１）との差について比較を行う（工程Ｔ１）。比較の結果、積算処理枚数が１番目のＰＭの当該積算処理枚数と、選択されたＰＭの積算処理枚数との差が、ｎ×（選択されたＰＭの積算処理枚数の順番である「４」－１）未満である場合、選択されたＰＭ以外の積算処理枚数１～３番目のＰＭを、搬送対象のＰＭとして決定する（工程Ｔ２）。従って、以上の１回目の工程Ｔ１、Ｔ２の実施は、第１規則を実施することに相当する。
上記の比較の結果、ｎ×（「４」－１）未満でない場合には、直前の工程Ｔ１で選択されたＰＭは積算処理枚数４番目のＰＭであるため、それよりも順番が１つ少ない３番目のＰＭを改めて選択されたＰＭとし（工程Ｔ２）、工程Ｔ１が再度実施される（工程Ｔ３）。
従って、この再度の工程Ｔ１は、積算処理枚数が１番目のＰＭと３番目のＰＭとの間での枚数差が算出され、当該枚数差と、ｎ×（選択されたＰＭの順番である「３」－１）との差について比較を行う。従って、この再度の工程Ｔ１と、この再度の工程Ｔ１に続いて行われる工程Ｔ２は、第２規則の実施に相当する。
そして、搬送対象のＰＭが決まらずに工程Ｔ１～Ｔ３が繰り返されることで、選択されたＰＭが、積算処理枚数について２番目のＰＭとなったとする。積算処理枚数について１番目のＰＭと当該２番目のＰＭとの枚数差と、ｎ×（選択されたＰＭの順番である「２」－１）と、について比較が行われる（工程Ｔ１）。比較の結果、積算処理枚数が１番目のＰＭの当該積算処理枚数と、選択されたＰＭの積算処理枚数との差について、ｎ以上である場合はすべてのＰＭを搬送対象とし、ｎ未満である場合は当該選択されたＰＭである２番目以外の積算処理枚数１，３，４番目のＰＭを搬送対象とする。以上が第３規則、第４規則の実施に相当する。
基板処理装置１に設けられる処理モジュールＰＭの数は４つに限られず、３つでもよいし、４つより多い任意の数であってもよく、上記の工程Ｔ１～Ｔ３に従って搬送対象のＰＭを決めればよい。ＰＭが３つの場合は、最初に選択されたＰＭとするＰＭを、３つの中で積算処理枚数について見た際の順番が降順で最も後になるＰＭとして、工程Ｔ１～工程Ｔ３を行えばよいし、ＰＭが５つの場合は、最初に選択されたＰＭとするＰＭを、５つの中で積算処理枚数について見た順番が降順で最も後になるＰＭとして、工程Ｔ１～工程Ｔ３を行えばよい。
なお、成膜処理、クリーニング、プリコートの各々についてプラズマ処理であるものとしたが、これらのうちのすべて、あるいは一部について、ガスをプラズマ化せずに行ってもよい。また、ウエハＷへの成膜及びプリコートについては、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）によって行ってもよい。
そして、処理モジュールＰＭとしては成膜を行うものに限られず、エッチング処理やアニール処理を行うものであってもよい。また、コンディショニングとしては処理モジュールの構成に応じて任意に決められるものであり、例えばプリコートを含まずにクリーニングのみを含むものであってもよい。また、処理モジュールＰＭとしては真空雰囲気で処理を行うものに限られず、大気雰囲気で基板を処理するものであってもよい。従って、搬送容器１４と処理モジュールＰＭとの間での基板の搬送路についても真空雰囲気を含まず、大気圧雰囲気のみからなる構成であってもよい。また、基板としてはウエハＷであることには限られず、例えばフラットパネルや有機ＥＬディスプレイ製造用の角型基板であってもよい。
また、既述の例では適用する規則を決めるための判定のタイミングがウエハＷのロットの切り替わりに合わせられるものとして述べたが、そのようにロットの切り替わりに合わせられなくてもよい。例えば任意のＹ枚のウエハＷを搬送容器１４から払い出す度に判定が行われてもよい。コンディショニングについても、ロットの切り替わりのタイミングに関わらず、シミュレーションのように積算処理枚数がＣトリガの積算処理枚数Ｎに達した時点で開始されるようにしてもよい。
ところで、各ＰＭにおけるウエハＷの積算処理枚数に基づいてウエハＷの搬送先のＰＭが決まるように述べてきたが、基板処理装置１のように各ＰＭが成膜処理を行う場合は、積算処理枚数の代わりに積算処理膜厚に基づいてウエハＷの搬送先が決まるようにしてもよい。１回あたりの成膜処理でウエハＷ及びＰＭの各部に形成される膜の膜厚をＡｎｍとする。即ち、ＰＭの処理容器２１内について見れば、１回成膜処理を行うたびにこのＡｎｍ分、膜厚が増加する。なお、Ａは実数である。そして、Ｃトリガの積算処理枚数Ｎの代わりにＣトリガの積算処理膜厚が設定され、ＰＭにおいて、コンディショニングを行ってからの積算処理膜厚（＝Ａｎｍ×成膜処理を行った回数）が、Ｃトリガ積算処理膜厚に達した後にコンディショニングが行われるように制御されるものとする。そして、既述した各ＰＭに対する搬送制御、判定に関する説明で積算処理枚数として記載していた箇所は積算処理膜厚とし、ｎとして説明した箇所は、ｎ×Ａと読み替えるものとして、搬送制御、判定を行うことで、既述したように積算処理枚数に基づいて搬送先を決める場合と同様に、ウエハＷの搬送先のＰＭを決めることができる。具体的には、第１～第４規則については、下記のように積算処理膜厚をベースとしたものに読み替えられることになり、この読み替えた規則に従って搬送先が決められ、搬送制御が行われる。
第１規則
積算処理膜厚が降順で１番目と４番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理膜厚の差が（Ａ×ｎ×３）ｎｍ未満の場合、積算処理膜厚が降順で１～３番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第２規則
積算処理膜厚が降順で１番目と３番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理膜厚の差が（Ａ×ｎ×２）ｎｍ未満の場合、積算処理膜厚が降順で１、２、４番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第３規則
積算処理膜厚が降順で１番目と２番目に大きい処理モジュールＰＭの積算処理膜厚の差が（Ａ×ｎ）ｎｍ以上の場合、すべての処理モジュールＰＭを使用して処理する。
第４規則
第１規則、第２規則、第３規則のいずれにも該当しない場合、積算処理膜厚が降順で１、３、４番目の処理モジュールＰＭを使用して処理する。
このように積算処理膜厚をベースとした第１～第４規則とする場合、この第１～第４規則は、積算処理膜厚に関して各ＰＭ間でＡ×ｎ（単位：ｎｍ）以上の積算処理膜厚の差が形成されるように搬送制御が行われることになる。なお、上記した積算処理枚数をベースとした第１～第４規則については、各ＰＭ間でｎ枚以上（即ち１×ｎ枚以上）の積算処理枚数差が形成される。そのため、積算処理膜厚をベースとした第１～第４規則とする場合も、積算処理枚数をベースとした第１～第４規則とする場合も、これら積算処理膜厚あるいは積算処理枚数について、各ＰＭ間ではｎによって決められる値以上の差が形成されるように搬送制御が行われることになる。より具体的には、ｎに対して予め決められた実数が乗算された値以上の差が形成されるように搬送制御がなされる。積算処理膜厚をベースとする場合は、この予め決められた実数とは上記のＡ、積算処理枚数をベースとする場合は、この予め決められた実数とは１である。
以上のように、積算処理枚数あるいは積算処理膜厚といった、ウエハＷに処理を行う毎に積算されるようにカウントされ、且つコンディショニングの実行によってリセットされて０とされるウエハＷの積算処理数に対応するパラメータに基づいてウエハＷの搬送先を決めることができる。
なお、積算処理枚数をベースとした第１～第４規則を、形態を変えて表した既述の工程Ｔ１～Ｔ３についても、積算処理枚数を積算処理膜厚、ｎについてはＡ×ｎと読み替えて実施することができる。即ち、ＰＭのいずれでもコンディショニングが行われていない状態で、積算処理膜厚が降順で１番目であるＰＭの当該積算処理膜厚と、当該１番目以外の他のＰＭから選択されたＰＭの積算処理膜厚との差と、Ａ×ｎ×（選択されたＰＭの降順での積算処理膜厚の順番－１）と、について比較を行う。そして、当該比較結果に応じて搬送対象のＰＭを決定するか、あるいは降順での積算処理膜厚の順番が先に選択されたＰＭよりも１つ少ないＰＭを改めて選択されたＰＭとして前記比較を行い、降順での積算処理膜厚が最も大きいＰＭが、前記最初に選択されたＰＭとされるようにする。
今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び／または組み合わせがなされてもよい。
ＰＭ１～ＰＭ４　　　処理モジュール
Ｗ　　　　　　　　　ウエハＷ
１２、１８　　　　　搬送機構
４０　　　　　　　　制御部

 

Claims (9)

  1. 基板を格納して同様の処理を行うための処理容器を各々備えると共に、前記処理容器の内部のコンディショニングを各々行う複数の処理モジュールと、
    前記基板を前記複数の処理モジュールの各々へ搬送する搬送機構と、
    前記各処理モジュールの各々についての前記コンディショニング後における基板の積算処理数に対応するパラメータと、前記コンディショニングの実行時間と、前記処理モジュールにおける１枚あたりの基板の処理時間と、に基づいて、前記複数の処理モジュールから前記基板の搬送先となる処理モジュールを決定する制御部と、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記コンディショニングの実行時間を前記１枚あたりの基板の処理時間で除して、０以外の少数点以下の値は切り上げて得られる整数値をｎとすると、
    前記コンディショニング後における基板の積算処理数に対応するパラメータについて、前記各処理モジュール間にｎによって決められる値以上の差が形成されるように、前記基板が当該各処理モジュールに搬送される請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記処理モジュールのうちのいずれでも前記コンディショニングが行われておらず、前記コンディショニング後における基板の積算処理数に対応するパラメータについて当該各処理モジュール間でｎによって決められる値以上の差が形成されている状態で、前記複数の処理モジュールのすべてを基板の搬送先とする請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記複数の処理モジュールにおいて前記コンディショニングが順番に実行されるサイクルが繰り返し行われ、
    前記サイクル中、いずれの処理モジュールでもコンディショニングが行われない区間が形成される場合、当該区間では前記複数の処理モジュールのすべてを基板の搬送先とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記基板の積算処理数に対応するパラメータは基板の積算処理枚数であり、且つ前記ｎによって決められる値はｎであり、
    前記制御部は、基板の搬送先となる処理モジュールを決定するにあたり、
    前記複数の処理モジュールのいずれでも前記コンディショニングが行われていない状態で、
    前記積算処理枚数が降順で１番目である処理モジュールの当該積算処理枚数と、当該１番目以外の他の処理モジュールから選択された処理モジュールの積算処理枚数との差と、
    ｎ×（選択された処理モジュールの降順での積算処理枚数の順番－１）と、
    について比較を行い、
    当該比較結果に応じて搬送対象の処理モジュールを決定するか、あるいは降順での積算処理枚数の順番が先に選択された処理モジュールよりも１つ少ない処理モジュールを改めて選択された処理モジュールとして前記比較を行い、
    積算処理枚数について降順での順番が最も後になる処理モジュールが、前記最初に選択された処理モジュールとされる請求項４記載の基板処理装置。
  6. 前記複数の処理モジュールは４つの処理モジュールであり、
    前記制御部は、以下の第１規則、第２規則、第３規則、第４規則について、番号が若い順に適用範囲であるか否かの判定を行い、適用範囲であると判定された規則に従って前記基板の搬送先とする処理モジュールを決定する請求項５記載の基板処理装置。
    第１規則：
    前記積算処理枚数が降順で１番目と４番目に大きい前記処理モジュールの前記積算処理枚数の差が（ｎ×３）枚未満の場合、当該積算処理枚数が降順で１～３番目の処理モジュールを使用して処理する
    第２規則：
    前記積算処理枚数が降順で１番目と３番目に大きい前記処理モジュールの前記積算処理枚数の差が（ｎ×２）枚未満の場合、当該積算処理枚数が降順で１、２、４番目の処理モジュールを使用して処理する
    第３規則：
    前記積算処理枚数が降順で１番目と２番目に大きい前記処理モジュールの前記積算処理枚数の差が（ｎ）枚以上の場合、すべての処理モジュールを使用して処理する
    第４規則：
    第１規則、第２規則、第３規則のいずれにも該当しない場合、前記積算処理枚数が降順で１、３、４番目の処理モジュールを使用して処理する
  7. 前記処理モジュールは前記基板に成膜を行う処理モジュールであり、
    前記基板の積算処理数に対応するパラメータは基板の積算処理膜厚であり、
    前記ｎによって決められる値は、基板に形成される膜の膜厚×ｎであり、
    前記制御部は、基板の搬送先となる処理モジュールを決定するにあたり、
    前記複数の処理モジュールのいずれでも前記コンディショニングが行われていない状態で、
    前記積算処理膜厚が降順で１番目である処理モジュールの当該積算処理膜厚と、当該１番目以外の他の処理モジュールから選択された処理モジュールの積算処理膜厚との差と、
    基板に形成される膜の膜厚×ｎ×（選択された処理モジュールの降順での積算処理膜厚の順番－１）と、
    について比較を行い、
    当該比較結果に応じて搬送対象の処理モジュールを決定するか、あるいは降順での積算処理膜厚の順番が先に選択された処理モジュールよりも１つ少ない処理モジュールを改めて選択された処理モジュールとして前記比較を行い、
    降順での積算処理膜厚が最も大きい処理モジュールが、前記最初に選択された処理モジュールとされる請求項４記載の基板処理装置。
  8. 前回のコンディショニング終了後、次のコンディショニングを行うまでの前記基板の積算処理枚数の設定値をＮ（Ｎは正の整数）とすると、
    前記コンディショニングの実行時間＜（Ｎ／（前記処理モジュールの数－１））枚の前記基板の処理時間である請求項１記載の基板処理装置。
  9. 複数の処理モジュールが各々備える処理容器に基板を格納して、当該基板に同様の処理を行う工程と、
    各処理容器の内部のコンディショニングを行う工程と、
    搬送機構により、前記基板を前記複数の処理モジュールの各々へ搬送する工程と、
    前記各処理モジュールの各々についての前記コンディショニング後における基板の積算処理数に対応するパラメータと、前記コンディショニングの実行時間と、前記処理モジュールにおける１枚あたりの基板の処理時間と、に基づいて、前記複数の処理モジュールから前記基板の搬送先となる処理モジュールを決定する工程と、
    を備える基板処理方法。

     
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