WO2023157542A1 - 樹脂組成物 - Google Patents

樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2023157542A1
WO2023157542A1 PCT/JP2023/001361 JP2023001361W WO2023157542A1 WO 2023157542 A1 WO2023157542 A1 WO 2023157542A1 JP 2023001361 W JP2023001361 W JP 2023001361W WO 2023157542 A1 WO2023157542 A1 WO 2023157542A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin composition
resin
epoxy resin
axis
cured product
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/001361
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
啓之 阪内
成 佐々木
Original Assignee
味の素株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 味の素株式会社 filed Critical 味の素株式会社
Publication of WO2023157542A1 publication Critical patent/WO2023157542A1/ja

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present invention relates to resin compositions. Furthermore, it relates to a resin sheet, a semiconductor chip package, and a semiconductor device containing the resin composition.
  • an insulating material that can be used as an insulating layer of a semiconductor chip package for example, one that is formed by curing a resin composition is known (see Patent Document 1, for example).
  • the elastic modulus of the cured product of the resin composition is increased, the flexibility of the cured product of the resin composition is impaired, and the amount of warpage of the cured product may increase.
  • the present invention was invented in view of the above problems, and it is possible to obtain a cured product in which the occurrence of cracks and delamination and the amount of warpage are suppressed even if the semiconductor chip package is enlarged.
  • a resin composition; a resin sheet using the resin composition; a semiconductor chip package; and a semiconductor device was invented in view of the above problems, and it is possible to obtain a cured product in which the occurrence of cracks and delamination and the amount of warpage are suppressed even if the semiconductor chip package is enlarged.
  • the present inventors created an SS curve showing the relationship between the bending strength and strain of the cured product of the resin composition, and the vertical line drawn from the maximum point of the bending strength to the X axis, and the vertical line
  • the epoxy resin and inorganic filler are added so that the toughness value indicated by the area of the triangle exceeds 30 MPa.
  • the present inventors have completed the present invention by discovering that the above problems can be solved by adjusting the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler to a predetermined value or more.
  • the present invention includes the following contents.
  • a resin composition containing (A) an epoxy resin and (B) an inorganic filler The strain (%) of the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes is on the X axis, and the bending strength (MPa) of the cured product by thermally curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes is on the Y axis.
  • An SS curve was created, and a vertical line extending from the maximum bending strength point to the X-axis, and a triangle having two straight sides from the intersection of the vertical line with the X-axis to the intersection of the X-axis and the Y-axis were created.
  • the toughness value indicated by the area of the triangle ((maximum bending strength (MPa) ⁇ strain (%) at maximum bending strength) / 2) exceeds 30 MPa
  • component (C) contains one or more selected from an amine curing agent, a cyanate ester curing agent, and an acid anhydride curing agent.
  • component (C) contains one or more selected from an amine curing agent, a cyanate ester curing agent, and an acid anhydride curing agent.
  • the resin composition according to any one of [1] to [4] which is for a semiconductor device having a semiconductor chip package with an area of 100 mm 2 or more.
  • a resin sheet comprising a support and a resin composition layer provided on the support and formed of the resin composition according to any one of [1] to [6].
  • a semiconductor chip package comprising a cured product layer formed from the cured product of the resin composition according to any one of [1] to [6], and a semiconductor chip mounted on the cured product layer.
  • a semiconductor device including the semiconductor chip package according to [8].
  • a resin composition capable of obtaining a cured product in which the occurrence of cracks and delamination and the amount of warpage are suppressed even if the semiconductor chip package is enlarged; resin sheets; semiconductor chip packages; and semiconductor devices.
  • FIG. 1 is a graph showing an example of an SS curve for explaining toughness values.
  • the resin composition of the present invention is a resin composition containing (A) an epoxy resin and (B) an inorganic filler, and is a cured product obtained by heat curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes ( %) as the X axis and the bending strength (MPa) of the cured product obtained by heat curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes as the Y axis.
  • the area of the triangle ((maximum bending strength (MPa) x maximum bending strength
  • the toughness value represented by (strain (%) at)/2) exceeds 30 MPa
  • the amount of carbon per unit surface area of component (B) is 0.35 mg/m 2 or more.
  • the amount of carbon per unit area of component (B) is adjusted to a predetermined value or more, and the components (A) and (B) are adjusted so that the toughness value is within a predetermined range. It was found that by suppressing the application of excessive stress to the cured product of the resin composition, the occurrence of cracks and delamination was suppressed, and the amount of warpage was also suppressed. The toughness value and carbon amount will be described later.
  • the resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, and (B) an inorganic filler in combination with (C) a curing agent, (D) a curing accelerator, (E) a silane coupling agent, and (F) Other additives may be included.
  • A an epoxy resin
  • B an inorganic filler in combination with (C) a curing agent, (D) a curing accelerator, (E) a silane coupling agent, and (F) Other additives may be included.
  • the resin composition contains (A) an epoxy resin as the (A) component.
  • Epoxy resins include, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, and naphthol novolac type epoxy resin.
  • Epoxy resin phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin , biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy Examples thereof include resins and trimethylol-type epoxy resins.
  • An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • the epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
  • the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the non-volatile components of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more. More preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more.
  • Epoxy resins are classified into liquid epoxy resins at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resins”) and solid epoxy resins at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “solid epoxy resins").
  • the resin composition may contain only a liquid epoxy resin, may contain only a solid epoxy resin, or may contain a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin. , from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, it is preferable that only the liquid epoxy resin is included.
  • the liquid epoxy resin preferably contains a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule, more preferably a liquid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule. More preferably, it contains a liquid epoxy resin having 4 or more epoxy groups in the molecule.
  • liquid epoxy resins examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and an ester skeleton.
  • liquid epoxy resins include "HP4032", “HP4032D”, and “HP4032SS” (naphthalene-type epoxy resins) manufactured by DIC; 828EL” (bisphenol A type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation “jER807”, “1750” (bisphenol F type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation “jER152” (phenol novolac type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation “JER630", “JER630LSD” (glycidylamine type epoxy resin); Nippon Steel Chemical & Materials “ZX1059” (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); Nagase ChemteX Co., Ltd.
  • EX-721 (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P” manufactured by Daicel (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); "PB-3600” manufactured by Daicel (epoxy resin having a butadiene structure) Nippon Steel Chemical & Materials "ZX1658", “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin); Showa Denko “PETG”, “BATG” (polyvalent glycidyl compound); Sumitomo Chemical "ELM-434VL” (glycidylamine-type epoxy resin) manufactured by Co., Ltd., and the like. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • the solid epoxy resin is preferably a solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule, more preferably an aromatic solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule.
  • Solid epoxy resins include bixylenol-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, novolac-type epoxy resin, cresol novolac-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, trisphenol-type epoxy resin, and naphthol. type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, and more preferably novolac type epoxy resin.
  • solid epoxy resins include “HP4032H” (naphthalene-type epoxy resin), “HP-4700”, “HP-4710” (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin), “N-690” ( cresol novolak type epoxy resin), “N-695" (cresol novolak type epoxy resin), “HP-7200”, “HP-7200HH”, “HP-7200H” (dicyclopentadiene type epoxy resin), "EXA-7311 ”, “EXA-7311-G3”, “EXA-7311-G4”, “EXA-7311-G4S”, “HP6000”, “HP6000L” (naphthylene ether type epoxy resin); “EPPN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • ESN475V naphthalene type epoxy resin
  • ESN485" naphthol novolak type epoxy resin
  • resin YX8800
  • anthracene-type epoxy resin 157S70
  • novolac-type epoxy resin PG-100” and "CG-500” manufactured by Osaka Gas Chemicals
  • YX7760 manufactured by Mitsubishi Chemical
  • YL7800 fluorene type epoxy resin
  • jER1010 solid bisphenol A type epoxy resin
  • jER1031S tetraphenylethane type epoxy resin
  • the mass ratio thereof (solid epoxy resin: liquid epoxy resin) is preferably 1:0.01 to 1:50, more preferably 1:0.05 to 1:20, particularly preferably 1:0.1 to 1:10.
  • the amount ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin within this range, 1) when used in the form of a resin sheet, moderate adhesiveness is provided, and 2) when used in the form of a resin sheet. 3) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 g/eq. ⁇ 5000g/eq. , more preferably 50 g/eq. ⁇ 3000g/eq. , more preferably 80 g/eq. ⁇ 2000g/eq. , even more preferably 110 g/eq. ⁇ 1000 g/eq. is. By setting it within this range, a cured product of a resin composition having a sufficient cross-linking density can be obtained.
  • Epoxy equivalent weight is the weight of an epoxy resin containing one equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin is the polystyrene equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC).
  • the content of the epoxy resin is preferably 1% by mass or more, more preferably 3%, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. It is at least 5% by mass, more preferably at least 5% by mass.
  • the upper limit of the epoxy resin content is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and even more preferably 10% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.
  • the content of each component in the resin composition is a value when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, unless otherwise specified. It means all non-volatile components in the substance except the solvent.
  • the resin composition contains (B) an inorganic filler as the (B) component.
  • An inorganic compound is used as the material for the inorganic filler.
  • inorganic filler materials include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide , barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate.
  • silica examples include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as silica, spherical silica is preferable.
  • the inorganic filler may be used singly or in combination of two or more.
  • inorganic fillers include, for example, "ST7030-20” manufactured by Nippon Steel Chemical &Materials; “MSS-6” and “AC-5V” manufactured by Tatsumori; “ SP60-05”, “SP507-05”; Admatechs “YC100C”, “YA050C”, “YA050C-MJE”, “YA010C”; Denka “UFP-30”, “SFP-130MC”, “FB -7SDC”, “FB-5SDC”, “FB-3SDC”; Tokuyama “Silfil NSS-3N”, “Silfil NSS-4N”, “Silfil NSS-5N”; Admatechs "SC2500SQ", “SO -C4”, “SO-C2”, “SO-C1”, “FE9” and the like.
  • the particle size distribution of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler was created on a volume basis using a laser diffraction scattering particle size distribution measuring device, and 30% particle size (D30), 50% particle size (D50), and 65% particle size. The diameter (D65) can be measured.
  • a measurement sample can be obtained by weighing 100 mg of an inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone in a vial and dispersing them with ultrasonic waves for 10 minutes.
  • a measurement sample is measured using a laser diffraction particle size distribution measuring device, the wavelengths of the light source used are blue and red, the volume-based particle size distribution of the inorganic filler is measured by the flow cell method, and from the obtained particle size distribution
  • the average particle size can be calculated as the median size.
  • the laser diffraction particle size distribution analyzer include "LA-960" manufactured by Horiba, Ltd., and the like.
  • the 30% particle size (D30) is the particle size when the cumulative amount of the volume accumulated from the smaller particle size side becomes 30% in the particle size distribution curve as a result of measuring the particle size distribution by the above method.
  • the 50% particle size (D50) is the particle size at which the cumulative volume accumulated from the smaller particle size side becomes 50% in the particle size distribution curve as a result of measuring the particle size distribution by the above method.
  • the 65% particle size (D65) is the particle size when the cumulative amount of volume accumulated from the smaller particle size side is 65% in the particle size distribution curve as a result of measuring the particle size distribution by the above method.
  • the average particle size of the inorganic filler means the particle size of the 50% particle size (D50).
  • the 50% particle size (D50) in the particle size distribution is preferably 0.3 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, still more preferably 3 ⁇ m or more, and preferably 10 ⁇ m, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. Below, more preferably 8 ⁇ m or less, still more preferably 6 ⁇ m or less.
  • the 30% particle size (D30) in the particle size distribution is 0.1 ⁇ m or more, preferably 0.15 ⁇ m or more, more preferably 0.2 ⁇ m or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. .
  • the upper limit is 8 ⁇ m or less, preferably 6 ⁇ m or less, more preferably 4 ⁇ m or less.
  • the 65% particle size (D65) in the particle size distribution is 0.2 ⁇ m or more, preferably 0.3 ⁇ m or more, more preferably 0.4 ⁇ m or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.
  • the upper limit is 15 ⁇ m or less, preferably 13 ⁇ m or less, more preferably 11 ⁇ m or less.
  • the specific surface area of the inorganic filler (B) is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, and particularly preferably 3 m 2 /g or more. Although there is no particular upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less.
  • the specific surface area is obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec) according to the BET method and calculating the specific surface area using the BET multipoint method. .
  • the inorganic filler is preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of suppressing cracks and delamination and obtaining a cured product with a suppressed amount of warpage.
  • a surface treatment agent may be used alone, or two or more types may be used in combination. Examples of surface treatment agents include silane coupling agents and alkoxysilane compounds, and silane coupling agents are preferred.
  • a silane coupling agent is a silane compound that has a functional group that contributes to bonding with an inorganic filler and a functional group that contributes to bonding with an organic component such as an epoxy resin.
  • Examples of functional groups that contribute to bonding with inorganic fillers include hydroxy groups and alkoxy groups. These may be contained individually by 1 type, and may be contained in combination of 2 or more types. Among them, an alkoxy group is preferable from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention.
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic.
  • the alkoxy group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 or 2 carbon atoms.
  • the silane coupling agent preferably has 1 to 3, more preferably 2 or 3 functional groups that contribute to bonding with the inorganic filler in one molecule.
  • Examples of functional groups that contribute to bonding with organic components include amino groups, epoxy groups, mercapto groups, (meth)acryl groups, vinyl groups, isocyanate groups, imidazolyl groups, ureido groups, sulfide groups, and isocyanurate groups. mentioned. These may be contained individually by 1 type, and may be contained in combination of 2 or more type. Among them, one or more selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a (meth)acrylic group, a vinyl group, an isocyanate group and an imidazolyl group is preferred from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. and epoxy groups are more preferred.
  • the silane coupling agent preferably has 1 to 3, more preferably 1 or 2 functional groups that contribute to bonding with an organic component in one molecule.
  • the molecular weight of the silane coupling agent is preferably 100 or more, more preferably 120 or more, still more preferably 140 or more, 160 or more, 180 or more, or 200 or more, from the viewpoint of suppressing volatilization during surface treatment or drying.
  • the upper limit of the molecular weight is preferably 800 or less, more preferably 750 or less, more preferably 700 or less, 650 or less, 600 or less, 550 or less, 500 or less, 450 or less, or 400 or less from the viewpoint of appropriate reactivity. be.
  • the silane coupling agent is a silane compound represented by the following formula (1).
  • X is an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a (meth)acrylic group, a vinyl group, an isocyanate group, an imidazolyl group, a ureido group, a sulfide group, and a monovalent containing a functional group selected from the group consisting of an isocyanurate group represents the group of R 1 represents a hydroxy group or an alkoxy group, R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, m1 and m2 each represent an integer from 1 to 3 with the condition that the sum of m1 and m2 is 4 or less.
  • X's they may be the same or different; when there are a plurality of R 1 's
  • the number of carbon atoms in the monovalent group represented by X is preferably 20 or less, more preferably 14 or less, still more preferably 12 or less, 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
  • the lower limit of the number of carbon atoms varies depending on the functional group included in the monovalent group represented by X, but is preferably 1 or more, more preferably 2 or more or 3 or more.
  • the monovalent group represented by X includes an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a (meth)acrylic group, a vinyl group, an isocyanate group and an imidazolyl group.
  • a monovalent group containing one or more functional groups selected from the group consisting of is preferred, and a monovalent group containing one or more functional groups selected from an amino group and an epoxy group is more preferred.
  • the monovalent group represented by X include N-(aminoC 1-10 alkyl)-aminoC 1-10 alkyl group, N-(phenyl)-amino C 1-10 alkyl group, N- (C 1-10 alkylidene)-amino C 1-10 alkyl group, (epoxy C 3-10 cycloalkyl) C 1-10 alkyl group, glycidoxy C 1-10 alkyl group, glycidyl C 1-10 alkyl group, mercapto C 1-10 alkyl group, acryloxy C 1-10 alkyl group, methacryloxy C 1-10 alkyl group, vinyl group, styryl group, isocyanate C 1-10 alkyl group, imidazolyl C 1-10 alkyl group, ureido C 1- 10 alkyl group, tri(C 1-10 alkoxy)silyl C 1-10 alkyltetrasulfide C 1-10 alkyl group, and di[tri(C 1-10 alk
  • C p ⁇ q (where p and q are positive integers and satisfies p ⁇ q) means that the number of carbon atoms of the organic group described immediately after this term is from p to q.
  • C 1-6 alkyl denotes an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • the alkoxy group represented by R 1 may be linear, branched or cyclic.
  • the alkoxy group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 or 2 carbon atoms.
  • R 1 is preferably an alkoxy group from the viewpoint of efficiently surface-treating the inorganic filler.
  • the alkyl group represented by R2 may be linear, branched or cyclic.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1-10, more preferably 1-6, even more preferably 1-4.
  • the number of carbon atoms in the aryl group represented by R 2 is preferably 6-20, more preferably 6-14, still more preferably 6-10.
  • R 2 is preferably an alkyl group.
  • m1 and m2 each represent an integer of 1 to 3, provided that the sum of m1 and m2 is 4 or less.
  • m1 is preferably 1 or 2 and m2 is preferably 2 or 3.
  • silane coupling agents include N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3 -aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxy Propyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane , 3-methacryloxypropylmethyld
  • Commercially available surface treatment agents may be used. Commercially available surface treatment agents include, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM1003” (vinyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM503” (3-methacryloxypropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • the amount of carbon per unit surface area of component (B) is 0.35 mg/m 2 or more, preferably 0.4 mg/m 2 or more , more preferably 0.41 mg, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. /m 2 or more, more preferably 0.42 mg/m 2 or more, preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, further preferably 0.5 mg/m 2 or less. be.
  • the amount of carbon per unit surface area refers to (B) the total amount of carbon atoms per unit surface area of the component bonded to the surface of the inorganic filler, and (B) the surface of the inorganic filler.
  • the concept of the components that are included also includes the case of components other than the surface treatment agent.
  • the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is determined by dissolving the inorganic filler (inorganic filler after surface treatment if the inorganic filler is surface-treated with a surface treatment agent) with a solvent (e.g., methyl ethyl ketone (MEK)). It can be measured after washing. Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to 30 g of the inorganic filler (inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent when the inorganic filler is surface-treated with a surface treatment agent), and 25 Ultrasonic wash for 5 minutes at °C. Solid-liquid separation is performed by centrifugation, and the supernatant is removed.
  • a solvent e.g., methyl ethyl ketone (MEK)
  • the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer.
  • a carbon analyzer As the carbon analyzer, "EMIA-321V2" and “EMIA-320V” manufactured by Horiba Ltd. can be used. The details of the measurement of the carbon content can be measured by the method described in Examples below.
  • the content of the inorganic filler is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. % or more, more preferably 70 mass % or more or 80 mass % or more.
  • the upper limit is preferably 95% by mass or less, more preferably 93% by mass or less, and even more preferably 90% by mass or less.
  • the resin composition may further contain (C) a curing agent as an optional component in combination with the components (A) to (B) described above.
  • the (C) curing agent as the (C) component does not include those corresponding to the above-mentioned (A) to (B) components.
  • the curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the (A) epoxy resin.
  • Examples include acid anhydride curing agents, cyanate ester curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, Examples include naphthol-based curing agents, active ester-based curing agents, and benzoxazine-based curing agents.
  • the curing agent preferably contains one or more selected from acid anhydride-based curing agents, cyanate ester-based curing agents, and amine-based curing agents, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention.
  • the curing agent may be used singly or in combination of two or more.
  • acid anhydride-based curing agents include curing agents having one or more acid anhydride groups in one molecule.
  • Specific examples of acid anhydride curing agents include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, and hydrogenated methylnadic acid.
  • a commercially available product may be used as the acid anhydride curing agent.
  • Commercially available products include “HNA-100” (acid anhydride equivalent: 179 g/eq.) manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd., and the like.
  • cyanate ester curing agents include bisphenol E cyanate ester, bisphenol A dicyanate, polyphenolcyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylenecyanate), 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylphenylcyanate ), 4,4′-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate- 2, such as 3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatophenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatophenyl)thioether, and bis(4-cyanatophenyl)ether.
  • cyanate ester curing agents include "PT30" and “PT60” (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), “ULL-950S” (polyfunctional cyanate ester resins) and "BA230” manufactured by Lonza Japan. , "BA230S75” (a prepolymer in which part or all of bisphenol A dicyanate is triazined to form a trimer), and "LECy” (bisphenol E type cyanate ester) manufactured by Lonza.
  • Amine-based curing agents include curing agents having one or more amino groups in one molecule, such as aliphatic amines, polyether amines, alicyclic amines, and aromatic amines. Among them, aromatic amines are preferred from the viewpoint of achieving the desired effects of the present invention.
  • Amine-based curing agents are preferably primary amines or secondary amines, more preferably primary amines. Specific examples of amine-based curing agents include 4,4′-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and 3,3′.
  • the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent are preferably a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolac structure.
  • a nitrogen-containing phenolic curing agent or a nitrogen-containing naphthol curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent or a triazine skeleton-containing naphthol curing agent is more preferable.
  • a triazine skeleton-containing phenol novolak resin is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion strength to the conductor layer.
  • These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • phenol-based curing agents and naphthol-based curing agents include “MEH-7700”, “MEH-7810” and “MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., “NHN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “CBN”, “GPH”, Nippon Steel Chemical & Materials “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475", “SN485", “SN495", “SN-495V”, “SN375”, “ SN395", DIC's "TD-2090”, “LA-7052”, “LA-7054”, “LA-1356”, “LA-3018-50P”, “EXB-9500” and the like.
  • the active ester curing agent is not particularly limited, but in general, one molecule of an ester group with high reaction activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, esters of heterocyclic hydroxy compounds, etc. A compound having two or more in it is preferably used.
  • the active ester compound is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound.
  • an active ester compound obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferred, and an active ester compound obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferred.
  • carboxylic acid compounds include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.
  • phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- cresol, p-cresol, catechol, ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, Benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, phenol novolak, and the like.
  • dicyclopentadiene-type diphenol compound refers to a diphenol compound obtained by condensing one molecule of dicyclopentadiene with two molecules of phenol.
  • active ester curing agents include dicyclopentadiene-type active ester compounds, naphthalene-type active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing acetylated phenol novolacs, and active ester compounds containing benzoylated phenol novolacs.
  • Ester compounds are preferred, and among them, at least one compound selected from dicyclopentadiene-type active ester compounds and naphthalene-type active ester compounds is more preferred.
  • the dicyclopentadiene-type active ester compound an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure is preferable.
  • active ester curing agents include "EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000L-65TM” and “HPC-8000-65T” as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure.
  • benzoxazine-based curing agents include “HFB2006M” manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd., and “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
  • carbodiimide-based curing agents include commercially available carbodiimide-based curing agents such as Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Carbodilite V-03 (carbodiimide group equivalent: 216), V-05 (carbodiimide group equivalent: 262), V -07 (carbodiimide group equivalent: 200); V-09 (carbodiimide group equivalent: 200); stabaxol P manufactured by Rhein Chemie (carbodiimide group equivalent: 302).
  • the ratio of the epoxy resin to the curing agent is [total number of epoxy groups in the epoxy resin]:[total number of active groups in the curing agent], and is preferably in the range of 1:0.01 to 1:5. 1:0.3 to 1:3 is more preferred, and 1:0.5 to 1:2 is even more preferred.
  • the number of epoxy groups in the epoxy resin is the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent.
  • the “number of active groups in the curing agent” is the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the curing agent present in the resin composition by the active group equivalent.
  • the content of the curing agent is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, and more preferably 100% by mass of non-volatile components in the resin composition. is 3% by mass or more.
  • the upper limit is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and even more preferably 10% by mass or less.
  • the resin composition may further contain (D) a curing accelerator as an optional component in combination with the components (A) to (B) described above.
  • the (D) curing accelerator as the (D) component does not include those corresponding to the above-described components (A) to (C).
  • the curing accelerator functions as a curing catalyst that accelerates the curing of the (A) epoxy resin.
  • (D) As the curing accelerator (A) a compound that accelerates the curing of the epoxy resin can be used.
  • Such (D) curing accelerators include, for example, phosphorus-based curing accelerators, urea-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, and the like. is mentioned.
  • the curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.
  • Phosphorus curing accelerators include, for example, tetrabutylphosphonium bromide, tetrabutylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium acetate, tetrabutylphosphonium decanoate, tetrabutylphosphonium laurate, bis(tetrabutylphosphonium) pyromellitate, tetrabutylphosphonium hydro Aliphatic phosphonium salts such as genhexahydrophthalate, tetrabutylphosphonium 2,6-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenolate, di-tert-butyldimethylphosphonium tetraphenylborate; methyltriphenylphosphonium bromide, ethyltriphenylphosphonium bromide, propyltriphenylphosphonium bromide, butyltriphenylphosphonium bromide, benzyltripheny
  • Urea-based curing accelerators include, for example, 1,1-dimethylurea; 1,1,3-trimethylurea, 3-ethyl-1,1-dimethylurea, 3-cyclohexyl-1,1-dimethylurea, 3- Aliphatic dimethylurea such as cyclooctyl-1,1-dimethylurea; 3-phenyl-1,1-dimethylurea, 3-(4-chlorophenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(3,4-dichlorophenyl )-1,1-dimethylurea, 3-(3-chloro-4-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(2-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4- methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(3,4-dimethylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-isopropylphenyl)-1,1-dimethyl
  • Guanidine curing accelerators include, for example, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, Pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide and
  • imidazole curing accelerators examples include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-d
  • imidazole curing accelerators include, for example, Shikoku Kasei Co., Ltd. "1B2PZ”, “2E4MZ”, “2MZA-PW”, “2MZ-OK”, “2MA-OK”, “2MA-OK- PW”, “2PHZ”, “2PHZ-PW”, "Cl1Z”, “Cl1Z-CN”, “Cl1Z-CNS”, “C11Z-A”; and "P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
  • metal-based curing accelerators include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin.
  • organometallic complexes include organocobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organocopper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate.
  • organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate.
  • organic metal salts include zinc octoate, tin octoate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.
  • amine curing accelerators examples include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8-diazabicyclo (5,4,0)-undecene and the like.
  • amine-based curing accelerator a commercially available product may be used, such as "MY-25" manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd., and the like.
  • the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. 0.03% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and even more preferably 0.1% by mass or less.
  • the resin composition may contain (E) a silane coupling agent as an optional component in combination with the components (A) to (B) described above.
  • the (E) silane coupling agent is a silane coupling agent that does not surface-treat the (B) inorganic filler, not the surface-treating agent that surface-treats the (B) inorganic filler.
  • the silane coupling agent may be the same as or different from (B) the surface treating agent for surface treating the inorganic filler.
  • (E) a silane coupling agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • the silane coupling agent is as described above.
  • the content of the silane coupling agent is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. is 0.03% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and still more preferably 0.1% by mass or less.
  • the resin composition may further contain (F) an optional additive as an optional non-volatile component in combination with the components (A) to (E) described above.
  • Optional additives include, for example, thermoplastic resins; polymerization initiators; organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds, and organocobalt compounds; Colorants such as crystal violet, titanium oxide, carbon black; polymerization inhibitors such as hydroquinone, catechol, pyrogallol, and phenothiazine; leveling agents such as silicone-based leveling agents and acrylic polymer-based leveling agents; thickeners such as bentone and montmorillonite; Antifoaming agents such as silicone antifoaming agents, acrylic antifoaming agents, fluorine antifoaming agents, vinyl resin antifoaming agents; UV absorbers such as benzotriazole UV absorbers; Adhesion improvers such as urea silane Adhesion imparting agents such as tri
  • phosphate ester dispersants such as borate stabilizers, titanate stabilizers, aluminate stabilizers, zirconate stabilizers, isocyanate stabilizers, carboxylic acid stabilizers, and carboxylic anhydride stabilizers photopolymerization initiation aids such as tertiary amines; photosensitizers such as pyrarizones, anthracenes, coumarins, xanthones, and thioxanthones; (F) Any additive may be used alone or in combination of two or more.
  • the resin composition may further contain any solvent as a volatile component.
  • solvents include organic solvents.
  • a solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types by arbitrary ratios. The smaller the amount of solvent, the better.
  • the amount of the solvent is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less, still more preferably 0.1% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile components in the resin composition. It is not more than 0.01% by mass, more preferably not more than 0.01% by mass, and is particularly preferably not contained (0% by mass).
  • the resin composition may be in the form of a paste when the amount of the solvent is small in this way.
  • the viscosity of the pasty resin composition at 25° C. is preferably in the range of 20 Pa ⁇ s to 1000 Pa ⁇ s.
  • the resin composition of the present invention is preferably liquid or paste even if the amount of solvent is within the above range.
  • the resin composition is prepared by appropriately mixing the necessary components among the above components, and if necessary, by kneading means such as a three-roll mill, ball mill, bead mill, sand mill, or stirring means such as a super mixer or planetary mixer. It can be prepared by kneading or mixing.
  • the strain (%) of the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes is on the X axis
  • the bending strength (MPa) of the cured product by thermally curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes is on the Y axis.
  • the "intersection point between the X axis and the Y axis" corresponds to the origin of the XY coordinate system in which the SS curve is created.
  • the area of the triangle ((maximum bending strength (MPa) x strain (%) at maximum bending strength)/2) is referred to as "toughness value”.
  • the resin composition of the present invention has a toughness value exceeding 30 MPa. Therefore, it is possible to form an insulating layer in which the occurrence of cracks and delamination is suppressed.
  • the X axis shows the strain (%) of the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes
  • the Y axis shows the bending of the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 150 ° C. for 60 minutes.
  • MPa strength
  • the toughness value is obtained from the perpendicular line A1 drawn from the maximum bending strength point (maximum bending strength) M1 to the X axis, and the intersection point P1 of the perpendicular line A1 with the X axis on the X axis and the Y axis.
  • a triangle having two sides of the straight line B1 to the intersection O with is created, and the area of the triangle is represented by S1. That is, the toughness value of the resin composition having the SS curve ( ⁇ ) is represented by the maximum point M1, the intersection point P1, and the area S1 of a triangle having the intersection point O as vertices.
  • the toughness value is obtained from the perpendicular line A2 drawn from the maximum bending strength point M2 to the X axis, and the intersection point P2 of the perpendicular line A2 with the X axis and the intersection point of the X axis and the Y axis.
  • a triangle having two sides of a straight line B2 to O is created and represented by the area S2 of the triangle. That is, the toughness value of the resin composition having the SS curve ( ⁇ ) is represented by the maximum point M2, the intersection point P2, and the area S2 of a triangle with the intersection point O as the vertices.
  • the toughness value exceeds 30 MPa, preferably 33 MPa or more, more preferably 35 MPa or more, and still more preferably 40 MPa, 41 MPa or more. Although the upper limit is not particularly limited, it is preferably 100 MPa or less, more preferably 90 MPa or less, and still more preferably 80 MPa or less, 70 MPa or less, and 60 MPa or less.
  • the toughness value can be measured by the method described in Examples below.
  • a cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180°C for 90 minutes exhibits the characteristic that the amount of warpage is suppressed. Therefore, an insulating layer with a suppressed amount of warpage can be formed.
  • the amount of warpage of the insulating layer having a thickness of 100 ⁇ m is preferably 1500 ⁇ m or less, more preferably 1250 ⁇ m or less, and even more preferably 1000 ⁇ m or less. Although the lower limit is not particularly limited, it may be 0 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or the like.
  • the amount of warpage can be measured by the method described in Examples below.
  • a cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180°C for 90 minutes exhibits the characteristic that the amount of warpage is suppressed. Therefore, an insulating layer with a suppressed amount of warpage can be formed.
  • the amount of warpage of the insulating layer having a thickness of 300 ⁇ m is preferably 5000 ⁇ m or less, more preferably 4500 ⁇ m or less, and even more preferably 4000 ⁇ m or less. Although the lower limit is not particularly limited, it may be 0 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, or the like.
  • the amount of warpage can be measured by the method described in Examples below.
  • a cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180°C for 90 minutes exhibits a high storage modulus at 245°C. Therefore, it is possible to form an insulating layer in which the occurrence of cracks is suppressed.
  • the storage modulus is preferably 0.5 GPa or more, more preferably 0.8 GPa or more, and still more preferably 1 GPa or more. Although the upper limit is not particularly limited, it may be 10 GPa or less, 5 GPa or less, or the like.
  • the storage modulus can be measured by the method described in Examples below.
  • a cured product obtained by thermally curing the resin composition at 150°C for 60 minutes has excellent toughness value and storage elastic modulus, so it exhibits the property of suppressing the occurrence of cracks and delamination. Therefore, it is possible to form an insulating layer in which the occurrence of cracks and delamination is suppressed.
  • the resin composition is compression-molded to a thickness of 400 ⁇ m, and mold underfill is applied to the chip component. Thereafter, the resin composition is heat-cured at 150° C. for 60 minutes to obtain a cured product.
  • a thermal cycle test of the cured product did not cause delamination with the chip component or cracks in the cured product. The details can be measured by the method described in Examples below.
  • the resin composition of the present invention is a resin composition for a semiconductor device having a semiconductor chip package having an area of 100 mm 2 or more (a resin composition used for a semiconductor device including a semiconductor chip package having a substrate having an area of 100 mm 2 or more). ) can be suitably used as.
  • the resin composition of the present invention includes a resin composition for a semiconductor device including a semiconductor chip package having a protruding electrode such as a copper post (a resin composition used for a semiconductor device including a semiconductor chip package having a protruding electrode), a protruding electrode, and a protruding electrode.
  • a resin composition for a semiconductor device including a semiconductor package including a step of polishing (a resin composition used for a semiconductor device including a semiconductor package including a step of polishing a protruding electrode) can be used in a wide range of applications.
  • the resin sheet of the present invention includes a support and a resin composition layer formed of the resin composition of the present invention provided on the support.
  • the thickness of the resin composition layer is preferably 100 ⁇ m or less, more It is preferably 70 ⁇ m or less, more preferably 55 ⁇ m or less. Although the lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, it can be usually 5 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, or the like.
  • the support examples include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.
  • plastic material examples include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PC polycarbonate
  • acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA)
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • TAC triacetyl cellulose
  • PES polyether sulfide
  • polyether ketones polyimides, and the like.
  • polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.
  • examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, with copper foil being preferred.
  • a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and other metals (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. may be used.
  • the support may be subjected to matte treatment, corona treatment, or antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.
  • a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used.
  • the release agent used in the release layer of the release layer-attached support includes, for example, one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins.
  • a commercially available product may be used, for example, "SK-1", “ AL-5", “AL-7”, Toray's "Lumirror T60", Teijin's "Purex”, and Unitika's "Unipeel”.
  • the thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 ⁇ m to 75 ⁇ m, more preferably in the range of 10 ⁇ m to 60 ⁇ m.
  • the thickness of the release layer-attached support as a whole is preferably within the above range.
  • the resin sheet may further contain other layers as necessary.
  • Such other layers include, for example, a protective film conforming to the support provided on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). be done.
  • the thickness of the protective film is not particularly limited, it is, for example, 1 ⁇ m to 40 ⁇ m.
  • a resin varnish is prepared by dissolving a resin composition in an organic solvent, the resin varnish is applied onto a support using a die coater or the like, and dried to form a resin composition layer. It can be manufactured by
  • organic solvents examples include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; cellosolve and butyl carbitol; carbitols; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone.
  • An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • Drying may be carried out by known methods such as heating and blowing hot air.
  • the drying conditions are not particularly limited, but the resin composition layer is dried so that the content of the organic solvent is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes
  • the resin composition layer can be formed.
  • the resin sheet can be rolled up and stored.
  • the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.
  • the semiconductor chip package of the present invention includes a cured product layer formed from a cured product of the resin composition of the present invention, and a semiconductor chip mounted on the cured product layer.
  • the cured material layer can be an insulating layer or a sealing layer.
  • This semiconductor chip package can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (1) to (2). Moreover, it is preferable that the steps (1) to (2) are included in this order. (1) A step of forming a resin composition layer on a substrate. (2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.
  • the method for manufacturing a semiconductor chip package preferably includes step (3) after step (2). (3) polishing the insulating layer;
  • a resin composition layer is formed on a substrate.
  • the resin composition layer may be the same as the resin composition layer of the resin sheet.
  • the resin composition layer can be formed by laminating resin sheets such that the resin composition layer of the resin sheet is bonded to the substrate.
  • Materials for the substrate include, for example, glass epoxy substrates, metal substrates, polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, and the like.
  • a substrate with metal posts having a plurality of projecting electrodes such as metal posts is preferable.
  • the substrate with metal posts preferably has a large area so that a plurality of semiconductor chips can be arranged on the metal posts.
  • the area of the substrate with metal posts is the same as that of the semiconductor chip package, preferably 100 mm 2 or more, more preferably 150 mm 2 or more, and even more preferably 200 mm 2 or more.
  • the upper limit is not particularly limited, it may be 1000 mm 2 or less.
  • a substrate with metal posts is produced by, for example, a step of laminating a dry film on a base material, and a step of forming a pattern by exposing and developing the dry film under predetermined conditions using a photomask to obtain a patterned dry film.
  • the metal posts can be formed by a plating method such as electroplating using the developed patterned dry film as a plating mask, and the step of peeling off the patterned dry film.
  • a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used.
  • a dry film made of a resin such as a novolak resin or an acrylic resin can be used.
  • the conditions for laminating the substrate and the dry film may be the same as the conditions for laminating the substrate and the resin sheet, which will be described later. Stripping of the dry film can be carried out using, for example, an alkaline stripping solution such as sodium hydroxide solution.
  • the height of the metal post is preferably 1 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and still more preferably 10 ⁇ m or more, 15 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, or 25 ⁇ m or more, from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention remarkably.
  • the upper limit is not particularly limited, it may be 100 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, or the like.
  • the width of the metal post is preferably 1 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and still more preferably 8 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 30 ⁇ m or more, 40 ⁇ m or more, or 50 ⁇ m, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. 100 ⁇ m or more, 150 ⁇ m or more, or 200 ⁇ m or more. Although the upper limit is not particularly limited, it may be 1000 ⁇ m or less, 500 ⁇ m or less, or the like.
  • the metal posts preferably contain one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium.
  • the metal post may be a single metal layer or an alloy layer.
  • the alloy layer may be, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-chromium alloy, a nickel alloys and copper-titanium alloys).
  • single metal layers of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, nickel-chromium alloys, copper- Nickel alloys and copper/titanium alloy alloy layers are preferred, and single metal layers of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or nickel/chromium alloy alloy layers are more preferred, and copper single metal layers are preferred.
  • Metal layers (copper posts) are more preferred.
  • a resin composition layer is formed on the base material.
  • the resin composition layer is preferably formed so that the metal posts are embedded in the resin composition layer.
  • the formation of the resin composition layer can be performed by compression molding.
  • an upper mold and a lower mold are prepared as molds.
  • a substrate is coated with a liquid or paste resin composition.
  • the substrate coated with the resin composition is attached to the lower mold. After that, the upper mold and the lower mold are clamped, and heat and pressure are applied to the resin composition for compression molding.
  • the specific operation of the compression molding method may be, for example, as follows.
  • An upper mold and a lower mold are prepared as molds for compression molding.
  • a resin composition is placed on the lower mold.
  • the substrate is attached to the upper mold.
  • the upper mold and the lower mold are clamped so that the resin composition placed on the lower mold is in contact with the substrate attached to the upper mold, and heat and pressure are applied to perform compression molding.
  • the molding conditions in the compression molding method differ depending on the composition of the resin composition.
  • the temperature of the mold during molding is preferably a temperature at which the resin composition can exhibit excellent compression moldability. It is 200° C. or lower, more preferably 170° C. or lower, and still more preferably 150° C. or lower.
  • the pressure applied during molding is preferably 1 MPa or higher, more preferably 3 MPa or higher, still more preferably 5 MPa or higher, and preferably 50 MPa or lower, more preferably 30 MPa or lower, and still more preferably 20 MPa or lower.
  • the curing time is preferably 1 minute or longer, more preferably 2 minutes or longer, particularly preferably 5 minutes or longer, and preferably 60 minutes or shorter, more preferably 30 minutes or shorter, and particularly preferably 20 minutes or shorter.
  • the mold is usually removed. The mold may be removed before or after heat curing of the resin composition layer.
  • the resin composition layer it may be performed by laminating a resin sheet and a substrate.
  • This lamination can be performed, for example, by bonding the resin composition layer to the substrate by thermocompression bonding the resin sheet to the substrate from the support side.
  • the member for thermocompression bonding the resin sheet to the substrate include heated metal plates (such as SUS end plates) and metal rolls (such as SUS rolls). be done.
  • thermocompression member instead of pressing the thermocompression member directly onto the resin sheet, it is preferable to press the resin sheet through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the uneven surface of the substrate.
  • the resin composition layer may be formed by applying a resin composition to the substrate instead of the resin sheet, and the resin composition of the present invention may be included. It may be carried out by laminating the prepreg with the base material.
  • the lamination of the base material and the resin sheet may be carried out, for example, by a vacuum lamination method.
  • the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C.
  • the thermocompression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa.
  • the thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds.
  • Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 13 hPa or less.
  • the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression member from the support side. Pressing conditions for the smoothing treatment may be the same as the thermocompression bonding conditions for the lamination described above. Lamination and smoothing may be performed continuously using a vacuum laminator.
  • the support may be removed after step (1) and before step (2), or after step (2) and before step (3).
  • the resin composition layer may be formed by directly applying the resin composition onto the surface of the substrate.
  • the resin composition to be applied is as described above.
  • the insulating layer is formed by thermosetting the resin composition layer.
  • the thermosetting conditions for the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, but the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably in the range of 170°C to 200°C). range), and the curing time is in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).
  • the resin composition layer Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preliminary heating treatment of heating at a temperature lower than the curing temperature.
  • the resin composition layer prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually heated at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower). may be preheated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).
  • step (3) the insulating layer is polished to expose the surface of the metal post to the main surface of the insulating layer, and if necessary, the metal post is also polished until the height of the metal post is within a predetermined range. do. Since the insulating layer is made of the resin composition of the present invention, separation between the insulating layer and the metal post can be suppressed.
  • a method for polishing the insulating layer a method capable of polishing the insulating layer can be used. Examples of such polishing methods include CMP (chemical mechanical polishing), buffing, and belt polishing. Examples of commercially available buffing devices include "NT-700IM" manufactured by Ishii Hokumon Co., Ltd., and the like. Polishing conditions may be carried out according to methods known to those skilled in the art.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the polished surface of the insulating layer is preferably 1000 nm or less, more preferably 900 nm or less, and even more preferably 800 nm or less from the viewpoint of improving adhesion.
  • the lower limit is not particularly limited, it may be 1 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, or the like.
  • the surface roughness (Ra) can be measured using, for example, a non-contact surface roughness meter.
  • the method for manufacturing a semiconductor chip package further comprises: (4) A step of bonding the semiconductor chip onto the substrate. (5) forming a sealing layer on the semiconductor chip; may contain Steps (4) and (5) are preferably performed in this order.
  • a method of forming the semiconductor chip on the metal post of the base material can be adopted.
  • the method of forming the semiconductor chip on the metal posts may be carried out according to methods known to those skilled in the art used in the manufacture of semiconductor chip packages.
  • the sealing layer is usually formed from a cured composition that is used to form the sealing layer or insulating layer of printed wiring boards.
  • the encapsulation layer is usually formed by a method comprising the steps of forming a layer containing the composition on the semiconductor chip and thermally curing the layer containing the composition to form the encapsulation layer.
  • a method of forming a layer containing a composition on a semiconductor chip is usually carried out using a sealing resin sheet having a support and a layer containing the composition. Specifically, the layer containing the composition of the sealing resin sheet and the semiconductor chip are laminated to form the layer containing the composition on the semiconductor chip.
  • the conditions for laminating the semiconductor chip and the sealing resin sheet are the same as those for laminating the base material and the resin sheet in step (1).
  • thermosetting conditions for the layer containing the composition are the same as the thermosetting conditions for the resin composition layer in step (2).
  • step (5) a step of polishing the sealing layer may be performed as necessary. Polishing of the sealing layer can be performed under the same conditions as in step (3).
  • a semiconductor device of the present invention includes the printed wiring board of the present invention.
  • the semiconductor device of the present invention can be manufactured using the printed wiring board of the present invention.
  • semiconductor devices examples include various semiconductor devices used in electrical products (such as computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (such as motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.).
  • the semiconductor device of the present invention can be manufactured by mounting components (semiconductor chips) on conductive portions of a printed wiring board.
  • a “conducting part” is a “part where an electric signal is transmitted on a printed wiring board", and the place may be a surface or an embedded part.
  • the semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.
  • the method of mounting the semiconductor chip when manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively.
  • Examples include a mounting method using a buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a mounting method using a non-conductive film (NCF).
  • BBUL buildup layer
  • ACF anisotropic conductive film
  • NCF non-conductive film
  • BBUL a mounting method using a build-up layer without bumps
  • Naphthalene type epoxy resin manufactured by DIC “HP4032D", epoxy equivalent 140 g / eq. 10 parts, inorganic filler 1 90 parts, acid anhydride curing agent (Shin Nippon Rika Co., Ltd., "HNA-100", acid anhydride Equivalent weight 179 g / eq.) 10 parts, curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., "1B2PZ”) 0.1 part, and silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-403”) 0.1 part was blended and uniformly dispersed in a mixer to obtain a resin composition.
  • acid anhydride curing agent Shin Nippon Rika Co., Ltd., "HNA-100", acid anhydride Equivalent weight 179 g / eq.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., "1B2PZ
  • silane coupling agent manufactured by Shin
  • Example 2 In Example 1, 1) Change the amount of naphthalene type epoxy resin ("HP4032D” manufactured by DIC, epoxy equivalent 140 g/eq.) from 10 parts to 5 parts, 2) Using 5 parts of glycidylamine type epoxy resin ("JER630LSD” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 95 g / eq.), 3) Inorganic filler 1 90 parts was changed to inorganic filler 2 90 parts. A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above matters.
  • HP4032D manufactured by DIC, epoxy equivalent 140 g/eq.
  • Example 3 In Example 2, 1) 5 parts of naphthalene type epoxy resin ("HP4032D” manufactured by DIC, epoxy equivalent 140 g/eq.) is changed to 5 parts of polyvalent glycidyl compound ("PETG” manufactured by Showa Denko KK, epoxy equivalent 92 g/eq.), 2) Inorganic filler 2 90 parts was changed to inorganic filler 1 90 parts. A resin composition was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above matters.
  • Epoxy resin mixture (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, "ZX-1059” manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd., epoxy equivalent 170 g / eq.) 3 parts, glycidylamine type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "JER630LSD” manufactured by Showa Denko Co., Ltd., epoxy equivalent 95 g / eq.) 5 parts, polyvalent glycidyl compound (manufactured by Showa Denko "BATG”, epoxy equivalent 119 g / eq.) 2 parts, inorganic filler 2 90 parts, amine curing agent ( Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • Example 5 Naphthalene type epoxy resin (manufactured by DIC “HP4032D”, epoxy equivalent 140 g / eq.) 5 parts, glycidylamine type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation “JER630LSD”, epoxy equivalent 95 g / eq.) 4 parts, glycidylamine type epoxy Resin ("ELM-434VL” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 1 part, inorganic filler 1 90 parts, cyanate curing agent (manufactured by Lonza, bisphenol E type cyanate ester "LECy”) 3 parts, curing accelerator (Shikoku Kasei Co., Ltd.
  • Example 6 In Example 1, 90 parts of inorganic filler 1 was changed to 110 parts of inorganic filler 3. A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above matters.
  • Example 1 ⁇ Comparative Example 1> In Example 1, 1) Using 3 parts of a polyvalent glycidyl compound (“PETG” manufactured by Showa Denko Co., Ltd., epoxy equivalent 92 g / eq.), 2) Inorganic filler 1 90 parts was changed to inorganic filler 4 90 parts. A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above matters.
  • PETG polyvalent glycidyl compound manufactured by Showa Denko Co., Ltd., epoxy equivalent 92 g / eq.
  • Example 4 Change the amount of glycidylamine type epoxy resin ("JER630LSD” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 95 g / eq.) from 5 parts to 10 parts, 2) The amount of epoxy resin mixture (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, "ZX1059” manufactured by Nippon Steel Chemical & Material, epoxy equivalent 170 g / eq.) was changed from 3 parts to 5 parts, 3) Without using 2 parts of a polyvalent glycidyl compound (“BATG” manufactured by Showa Denko Co., Ltd., epoxy equivalent 119 g / eq.), 4) 90 parts of inorganic filler 2 is changed to 90 parts of inorganic filler 3, 5) The amount of amine-based curing agent (“Kayahard AA” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was changed from 3 parts to 5 parts. A resin composition was obtained in the same manner as in Example 4 except for the above matters.
  • the cured product was cut into a test piece having a width of 7 mm and a length of 40 mm, and subjected to dynamic mechanical analysis in tensile mode using a dynamic mechanical analyzer DMS-6100 (manufactured by Seiko Instruments Inc.). After mounting the test piece on the apparatus, measurement was performed under the measurement conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 5° C./min. The value of storage modulus (E') GPa at 245°C in this measurement was read.
  • the resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were used to form a resin composition layer having a thickness of 1 mm by means of a compression molding apparatus on a SUS plate which had been subjected to mold release treatment. After that, the resin composition layer was peeled off from the SUS plate and thermally cured at 150° C. for 60 minutes. The thermoset resin composition layer was cut into a width of 10 mm, a length of 40 mm and a thickness of 1 mm to obtain a test piece for measuring three-point bending strength. A three-point bending test was performed at 245° C.
  • Chip parts with copper bumps on a 12-inch silicon wafer with a thickness of 775 ⁇ m (chip size 10 mm ⁇ 10 mm, chip thickness 300 ⁇ m, copper bump size diameter 20 ⁇ m, height 30 ⁇ m, copper bump pitch 40 ⁇ m, WALTS-TEG FBW40A-0001JY manufactured by Waltz) was mounted on a silicon wafer with adhesive on the four corners with copper bumps in contact.
  • the resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were compression-molded using a compression molding apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes) so that the resin thickness was 400 ⁇ m.
  • a mold underfill (MUF) was performed on the part.
  • a thermal cycle test ( ⁇ 55° C. to 125° C., 500 cycles) was performed and evaluated according to the following criteria. ⁇ : No delamination with the chip component or resin crack occurred after the test. x: Chip component and delamination or resin crack occurred after the test.
  • the measurement was performed in accordance with JEITA EDX-7311-24 of the Japan Electronics and Information Technology Industries Association standard. Specifically, a virtual plane calculated by the method of least squares of all data of the substrate surface in the measurement area was used as a reference plane, and the difference between the minimum value and the maximum value in the direction perpendicular to the reference plane was obtained as the amount of warpage.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体チップパッケージが大型化等されていても、クラック及びデラミネーションの発生、並びに反り量が抑制された硬化物を得ることが可能な樹脂組成物等の提供。(A)エポキシ樹脂、及び(B)無機充填材、を含有する樹脂組成物であって、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物のひずみ(%)をX軸とし、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物の曲げ強度(MPa)をY軸としたSSカーブを作成し、曲げ強度の最大点からX軸まで下した垂線、及び該垂線のX軸との交点からX軸とY軸との交点までの直線の2辺を有する三角形を作成した場合、該三角形の面積で示されるタフネス値が30MPaを超え、(B)成分の単位表面積当たりのカーボン量が0.35mg/m2以上である、樹脂組成物。

Description

樹脂組成物
 本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を含有する、樹脂シート、半導体チップパッケージ、及び半導体装置に関する。
 半導体チップパッケージの絶縁層として用いられ得る絶縁材料としては、例えば、樹脂組成物を硬化して形成されるものが知られている(例えば特許文献1参照)。
特開2013-237715号公報
 近年より高機能化の観点から、半導体チップパッケージの大型化が求められている。半導体チップパッケージが大型化されると、樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層に係る応力が増大することでクラックが発生したり、絶縁層と金属等からなる導体層や、絶縁層と半導体チップ等の部品との間にデラミネーションが発生したりすることがある。このため、樹脂組成物の硬化物は温度変化に対して高い強度を有することが求められる。樹脂組成物の硬化物の強度を高くするには、樹脂組成物の硬化物の弾性率を高める方法が考えられる。
 しかしながら、樹脂組成物の硬化物の弾性率を高めると、樹脂組成物の硬化物の柔軟性が損なわれ、硬化物の反り量が大きくなることがある。
 このように、クラック及びデラミネーションの発生の抑制と反り量の抑制とはトレードオフの関係にあり、絶縁層を半導体チップパッケージの大型化に対応させるには、クラックの発生及び反り量の抑制のバランスをとることが重要である。
 本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、半導体チップパッケージが大型化等されていても、クラック及びデラミネーションの発生、並びに反り量が抑制された硬化物を得ることが可能な樹脂組成物;当該樹脂組成物を用いた樹脂シート;半導体チップパッケージ;及び半導体装置を提供することを目的とする。
 本発明者らは、鋭意検討した結果、樹脂組成物の硬化物の曲げ強度とひずみとの関係を示すSSカーブを作成し、曲げ強度の最大点からX軸まで下した垂線、及び該垂線のX軸との交点からX軸とY軸との交点までの直線の2辺を有する三角形を作成した場合、その三角形の面積で示されるタフネス値が30MPaを超えるようにエポキシ樹脂及び無機充填材を調整し、さらに無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を所定値以上になるように調整することにより、上記課題を解決できることを見出すことで本発明を完成させるに至った。
 すなわち、本発明は以下の内容を含む。
[1] (A)エポキシ樹脂、及び
 (B)無機充填材、を含有する樹脂組成物であって、
 樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物のひずみ(%)をX軸とし、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物の曲げ強度(MPa)をY軸としたSSカーブを作成し、曲げ強度の最大点からX軸まで下した垂線、及び該垂線のX軸との交点からX軸とY軸との交点までの直線の2辺を有する三角形を作成した場合、該三角形の面積((最大曲げ強度(MPa)×最大曲げ強度におけるひずみ(%))/2)で示されるタフネス値が30MPaを超え、
 (B)成分の単位表面積当たりのカーボン量が0.35mg/m以上である、樹脂組成物。
[2] 樹脂組成物を180℃で90分熱硬化させた硬化物の245℃における弾性率が、0.5GPa以上である、[1]に記載の樹脂組成物。
[3] (B)成分の単位表面積当たりのカーボン量が1mg/m以下である、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物。
[4] さらに、(C)硬化剤を含む、[1]~[3]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5] (C)成分が、アミン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤から選択される1種以上を含む、[4]に記載の樹脂組成物。
[6] 面積が100mm以上の半導体チップパッケージを備える半導体装置用である、[1]~[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[7] 支持体と、該支持体上に設けられた、[1]~[6]のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、樹脂シート。
[8] [1]~[6]のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された硬化物層と、該硬化物層上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
[9] [8]に記載の半導体チップパッケージを含む、半導体装置。
 本発明によれば、半導体チップパッケージが大型化等されていても、クラック及びデラミネーションの発生、並びに反り量が抑制された硬化物を得ることが可能な樹脂組成物;当該樹脂組成物を用いた樹脂シート;半導体チップパッケージ;及び半導体装置を提供することができる。
図1は、タフネス値を説明するためのSSカーブの一例を示すグラフである。
 以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
[樹脂組成物]
 本発明の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、及び(B)無機充填材、を含有する樹脂組成物であって、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物のひずみ(%)をX軸とし、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物の曲げ強度(MPa)をY軸としたSSカーブを作成し、曲げ強度の最大点からX軸まで下した垂線、及び該垂線のX軸との交点からX軸とY軸との交点までの直線の2辺を有する三角形を作成した場合、該三角形の面積((最大曲げ強度(MPa)×最大曲げ強度におけるひずみ(%))/2)で示されるタフネス値が30MPaを超え、(B)成分の単位表面積当たりのカーボン量が0.35mg/m以上である。このような要件を満たす樹脂組成物によれば、半導体チップパッケージが大型化等されていても、クラック及びデラミネーションの発生、並びに反り量が抑制された硬化物を得ることができる。また、樹脂組成物は、通常、弾性率が高い硬化物を得ることができる。
 上記したが、半導体チップパッケージの大型化に伴って大型化された絶縁層を形成するにあたって、樹脂組成物の硬化物のクラック及びデラミネーションの発生を抑制するために弾性率を高めると絶縁層の反り量が大きくなり、強度と反り量との間にはトレードオフの関係にある。
 通常、樹脂組成物に含まれる無機充填材を表面処理している表面処理剤の量が多いと、経時変化により表面処理剤同士が加水分解等によりオリゴマーが形成される。本発明者らの鋭意検討の結果、このオリゴマーが樹脂組成物中に存在するとタフネス値が低下し、その結果硬化物の強度が劣ってしまうことを知見した。
 本発明では、(B)成分の単位面積当たりのカーボン量を所定値以上になるように調整しつつ、さらにタフネス値が所定の範囲となるように(A)成分、(B)成分を調整することで樹脂組成物の硬化物に過剰な応力がかかることが抑制されることでクラック及びデラミネーションの発生が抑制され、さらに反り量も抑制されることを見出した。タフネス値、カーボン量については後述する。
 本発明の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、及び(B)無機充填材に組み合わせて、(C)硬化剤、(D)硬化促進剤、(E)シランカップリング剤、及び(F)その他の添加剤を含んでいてもよい。以下、樹脂組成物に含まれうる各成分について詳細に説明する。
<(A)エポキシ樹脂>
 樹脂組成物は、(A)成分として(A)エポキシ樹脂を含有する。(A)エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、エポキシ樹脂の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。
 エポキシ樹脂は、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」という。)と、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(以下「固体状エポキシ樹脂」という。)に分類される。樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含んでいてもよいが、本発明の効果を顕著に得る観点から、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。
 液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂を含むことが好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂を含むことがより好ましく、1分子中に4個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂を含むことがさらに好ましい。
 液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、多官能脂肪族型エポキシ樹脂(多価グリシジル化合物)が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、多官能脂肪族型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂から選択される1種以上がより好ましい。
 液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「JER630」、「JER630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);日鉄ケミカル&マテリアル社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX-721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);ダイセル社製の「PB-3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂);日鉄ケミカル&マテリアル社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4-グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂);昭和電工社製の「PETG」、「BATG」(多価グリシジル化合物);住友化学社製の「ELM-434VL」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 固体状エポキシ樹脂としては、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。
 固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ノボラック型エポキシ樹脂がより好ましい。
 固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂)、「N-690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「N-695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂)、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」、「HP6000L」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN-502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂)、「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂);日鉄ケミカル&マテリアル社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000H」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂)、「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂)、「157S70」(ノボラック型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG-100」、「CG-500」、三菱ケミカル社製の「YX7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂)、「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂)、「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 エポキシ樹脂として、固体状エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの質量比(固体状エポキシ樹脂:液状エポキシ樹脂)は、好ましくは1:0.01~1:50、より好ましくは1:0.05~1:20、特に好ましくは1:0.1~1:10である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、1)樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、2)樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びに3)十分な破断強度を有する硬化物を得ることができるなどの効果が得られる。
 エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50g/eq.~5000g/eq.、より好ましくは50g/eq.~3000g/eq.、さらに好ましくは80g/eq.~2000g/eq.、さらにより好ましくは110g/eq.~1000g/eq.である。この範囲となることで、架橋密度が十分な樹脂組成物の硬化物をもたらすことができる。エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含むエポキシ樹脂の質量である。このエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができる。
 エポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは100~5000、より好ましくは250~3000、さらに好ましくは400~1500である。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
 エポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す硬化物を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上、さらに好ましくは5質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたときの値であり、不揮発成分とは、樹脂組成物中の溶剤を除く不揮発成分全体を意味する。
<(B)無機充填材>
 樹脂組成物は、(B)成分として(B)無機充填材を含む。(B)無機充填材を樹脂組成物に含有させることで樹脂組成物の硬化物の反り量を抑制することが可能になる。
 (B)無機充填材の材料としては、無機化合物を用いる。無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも炭酸カルシウム、シリカが好適であり、シリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。(B)無機充填材は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
 (B)無機充填材の市販品としては、例えば、日鉄ケミカル&マテリアル社製「ST7030-20」;龍森社製「MSS-6」、「AC-5V」;新日鉄住金マテリアルズ社製「SP60-05」、「SP507-05」;アドマテックス社製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」;デンカ社製「UFP-30」、「SFP-130MC」、「FB-7SDC」、「FB-5SDC」、「FB-3SDC」;トクヤマ社製「シルフィルNSS-3N」、「シルフィルNSS-4N」、「シルフィルNSS-5N」;アドマテックス社製「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」、「FE9」等が挙げられる。
 (B)無機充填材の粒径分布は、ミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、30%粒径(D30)、50%粒径(D50)、及び65%粒径(D65)を測定することができる。測定サンプルは、無機充填材100mg、メチルエチルケトン10gをバイアル瓶に秤取り、超音波にて10分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出できる。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「LA-960」等が挙げられる。
 30%粒径(D30)とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布曲線において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が30%となるときの粒径をいう。50%粒径(D50)とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布曲線において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が50%となるときの粒径をいう。65%粒径(D65)とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布曲線において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が65%となるときの粒径をいう。(B)無機充填材の平均粒径は、50%粒径(D50)の粒径を意味する。
 粒径分布における50%粒径(D50)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは0.3μm以上、より好ましくは1μm以上、さらに好ましくは3μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは8μm以下、さらに好ましくは6μm以下である。
 粒径分布における30%粒径(D30)としては、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、0.1μm以上であり、好ましくは0.15μm以上、より好ましくは0.2μm以上である。上限は8μm以下であり、好ましくは6μm以下、より好ましくは4μm以下である。
 粒径分布における65%粒径(D65)としては、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、0.2μm以上であり、好ましくは0.3μm以上、より好ましくは0.4μm以上である。上限は15μm以下であり、好ましくは13μm以下、より好ましくは11μm以下である。
 (B)無機充填材の比表面積としては、好ましくは1m/g以上、より好ましくは2m/g以上、特に好ましくは3m/g以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは60m/g以下、50m/g以下又は40m/g以下である。比表面積は、BET法に従って、比表面積測定装置(マウンテック社製Macsorb HM-1210)を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、BET多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。
 (B)無機充填材は、クラック及びデラミネーションの抑制、並びに反り量が抑制された硬化物を得る観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。表面処理剤としては、シランカップリング剤、アルコキシシラン化合物等が挙げられ、シランカップリング剤が好ましい。
 シランカップリング剤とは、無機充填材との結合に寄与する官能基と、エポキシ樹脂等の有機成分との結合に寄与する官能基とを有するシラン化合物をいう。
 無機充填材との結合に寄与する官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基が挙げられる。これらは1種単独で含まれてもよく、2種以上を組み合わせて含まれてもよい。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、アルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。該アルコキシ基の炭素原子数は、好ましくは1~10、より好ましくは1~6、さらに好ましくは1~4、さらにより好ましくは1又は2である。シランカップリング剤は、1分子中に、無機充填材との結合に寄与する官能基を、好ましくは1~3個、より好ましくは2又は3個有する。
 有機成分との結合に寄与する官能基としては、例えば、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基、ビニル基、イソシアネート基、イミダゾリル基、ウレイド基、スルフィド基、及びイソシアヌレート基が挙げられる。これらは1種単独で含まれてもよく、2種以上を組み合わせて含まれてもよい。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基、ビニル基、イソシアネート基及びイミダゾリル基からなる群から選択される1種以上が好ましく、アミノ基、及びエポキシ基のいずれかがより好ましい。シランカップリング剤は、1分子中に、有機成分との結合に寄与する官能基を、好ましくは1~3個、より好ましくは1又は2個有する。
 シランカップリング剤の分子量は、表面処理時や乾燥時の揮発を抑制する観点から、好ましくは100以上、より好ましくは120以上、さらに好ましくは140以上、160以上、180以上、又は200以上である。該分子量の上限は、適切な反応性の観点から、好ましくは800以下、より好ましくは750以下、さらに好ましくは700以下、650以下、600以下、550以下、500以下、450以下、又は400以下である。
 一実施形態において、シランカップリング剤は、下式(1)で表されるシラン化合物である。
  Si(X)m1(Rm2(R4-m1-m2  (1)
[式中、
 Xは、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基、ビニル基、イソシアネート基、イミダゾリル基、ウレイド基、スルフィド基、及びイソシアヌレート基からなる群から選択される官能基を含む1価の基を表し、
 Rは、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表し、
 Rは、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、
 m1及びm2は、m1とm2の和が4以下であるとの条件付きで、それぞれ1~3の整数を表す。Xが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよく、Rが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよく、Rが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]
 Xで表される1価の基の炭素原子数は、好ましくは20以下、より好ましくは14以下、さらに好ましくは12以下、10以下、9以下、8以下、7以下、又は6以下である。該炭素原子数の下限は、Xで表される1価の基が含む官能基によっても異なるが、好ましくは1以上、より好ましくは2以上又は3以上である。部品の実装工程における反りをより一層抑制し得る観点から、Xで表される1価の基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基、ビニル基、イソシアネート基及びイミダゾリル基からなる群から選択される1種以上の官能基を含む1価の基が好ましく、アミノ基及びエポキシ基から選択される1種以上の官能基を含む1価の基がより好ましい。
 Xで表される1価の基の具体例としては、N-(アミノC1-10アルキル)-アミノC1-10アルキル基、N-(フェニル)-アミノC1-10アルキル基、N-(C1-10アルキリデン)-アミノC1-10アルキル基、(エポキシC3-10シクロアルキル)C1-10アルキル基、グリシドキシC1-10アルキル基、グリシジルC1-10アルキル基、メルカプトC1-10アルキル基、アクリルオキシC1-10アルキル基、メタクリルオキシC1-10アルキル基、ビニル基、スチリル基、イソシアネートC1-10アルキル基、イミダゾリルC1-10アルキル基、ウレイドC1-10アルキル基、トリ(C1-10アルコキシ)シリルC1-10アルキルテトラスルフィドC1-10アルキル基、及びジ[トリ(C1-10アルコキシ)シリルC1-10アルキル]イソシアヌレートC1-10アルキル基が挙げられる。中でも、N-(アミノC1-10アルキル)-アミノC1-10アルキル基、N-(フェニル)-アミノC1-10アルキル基、N-(C1-10アルキリデン)-アミノC1-10アルキル基、(エポキシC3-10シクロアルキル)C1-10アルキル基、グリシドキシC1-10アルキル基、グリシジルC1-10アルキル基、メルカプトC1-10アルキル基、アクリルオキシC1-10アルキル基、メタクリルオキシC1-10アルキル基、ビニル基、スチリル基、及びイソシアネートC1-10アルキル基、イミダゾリルC1-10アルキル基が好ましく、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピル基、N-(フェニル)-3-アミノプロピル基、N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)アミノプロピル基、(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチル基、グリシドキシプロピル基、グリシジルプロピル基、メルカプトプロピル基、アクリルオキシプロピル基、メタクリルオキシプロピル基、ビニル基、スチリル基、及びイソシアネートプロピル基が特に好ましい。本明細書において、「Cp-q」(p及びqは正の整数であり、p<qを満たす。)という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がp~qであることを表す。例えば、「C1-6アルキル」という表現は、炭素原子数1~6のアルキル基を示す。
 Rで表されるアルコキシ基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。該アルコキシ基の炭素原子数は、好ましくは1~10、より好ましくは1~6、さらに好ましくは1~4、さらにより好ましくは1又は2である。
 Rとしては、無機充填材を効率よく表面処理し得る観点から、アルコキシ基が好ましい。
 Rで表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基の炭素原子数は、好ましくは1~10、より好ましくは1~6、さらに好ましくは1~4である。
 Rで表されるアリール基の炭素原子数は、好ましくは6~20、より好ましくは6~14、さらに好ましくは6~10である。
 Rとしては、アルキル基が好ましい。
 式(1)中、m1及びm2は、m1とm2の和が4以下であるとの条件付きで、それぞれ1~3の整数を表す。m1は好ましくは1又は2であり、m2は好ましくは2又は3である。
 好適なシランカップリング剤の例としては、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、[3-(1-イミダゾリル)プロピル]トリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、及びトリス(トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレートが挙げられる。
 表面処理剤は市販品を用いてもよい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM1003」(ビニルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM503」(3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM403」(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3-アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM573」(N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「SZ-31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM-4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)、信越化学工業社製「KBM-7103」(3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン)等が挙げられる。
 (B)成分の単位表面積当たりのカーボン量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、0.35mg/m以上であり、好ましくは0.4mg/m以上、より好ましくは0.41mg/m以上、さらに好ましくは0.42mg/m以上であり、好ましくは1mg/m以下が好ましく、より好ましくは0.8mg/m以下、さらに好ましくは0.5mg/m以下である。本明細書において、単位表面積当たりのカーボン量とは、(B)無機充填材の表面と結合している成分の単位表面積当たりの炭素原子の総量を表し、(B)無機充填材の表面と結合している成分は、表面処理剤以外の成分の場合も含めた概念である。
 無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材(無機充填材が表面処理剤で表面処理されている場合は表面処理後の無機充填材)を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを無機充填材(無機充填材が表面処理剤で表面処理されている場合は表面処理剤で表面処理された無機充填材)30gに加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。遠心分離により固液分離させて上澄液を除去する。超音波洗浄および固液分離を複数回行い、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA-321V2」、「EMIA-320V」等を使用することができる。カーボン量の測定の詳細は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
 無機充填材の含有量は、樹脂組成物の硬化物の反り量を抑制させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、さらに好ましくは70質量%以上又は80質量%以上である。上限は好ましくは95質量%以下、より好ましくは93質量%以下、さらに好ましくは90質量%以下である。
<(C)硬化剤>
 樹脂組成物は、上述した(A)~(B)成分に組み合わせて、任意の成分として、更に(C)硬化剤を含んでいてもよい。この(C)成分としての(C)硬化剤には、上述した(A)~(B)成分に該当するものは含めない。
 (C)硬化剤としては、(A)エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、酸無水物系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、及びベンゾオキサジン系硬化剤が挙げられる。中でも、硬化剤としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、酸無水物系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びアミン系硬化剤から選択される1種以上を含むことが好ましい。硬化剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 酸無水物系硬化剤としては、1分子内中に1個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、3,3’-4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b-ヘキサヒドロ-5-(テトラヒドロ-2,5-ジオキソ-3-フラニル)-ナフト[1,2-C]フラン-1,3-ジオン、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。
 酸無水物系硬化剤は、市販品を用いてもよい。市販品としては、新日本理化社製の「HNA-100」(酸無水物当量179g/eq.)等が挙げられる。
 シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールEシアネートエステル、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3-メチレン-1,5-フェニレンシアネート)、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルフェニルシアネート)、4,4’-エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2-ビス(4-シアネート)フェニルプロパン、1,1-ビス(4-シアネートフェニルメタン)、ビス(4-シアネート-3,5-ジメチルフェニル)メタン、1,3-ビス(4-シアネートフェニル-1-(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4-シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4-シアネートフェニル)エーテル等の2官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」及び「PT60」(フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「ULL-950S」(多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)、ロンザ社製の「LECy」(ビスフェノールE型シアネートエステル)等が挙げられる。
 アミン系硬化剤としては、1分子内中に1個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第1級アミン又は第2級アミンが好ましく、第1級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルアニリン)、ジフェニルジアミノスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、m-フェニレンジアミン、m-キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジヒドロキシベンジジン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、3,3-ジメチル-5,5-ジエチル-4,4-ジフェニルメタンジアミン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「KAYABOND C-200S」、「KAYABOND C-100」、「カヤハードA-A」、「カヤハードA-B」、「カヤハードA-S」、三菱ケミカル社製の「エピキュアW」等が挙げられる。
 フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着強度の観点から、含窒素フェノール系硬化剤又は含窒素ナフトール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤又はトリアジン骨格含有ナフトール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着強度を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂が好ましい。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」、日鉄ケミカル&マテリアル社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」「SN375」、「SN395」、DIC社製の「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」等が挙げられる。
 活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N-ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル化合物は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル化合物が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル化合物がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、カテコール、α-ナフトール、β-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
 活性エステル系硬化剤としては、具体的には、ジシクロペンタジエン型活性エステル化合物、ナフタレン構造を含むナフタレン型活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもジシクロペンタジエン型活性エステル化合物、及びナフタレン型活性エステル化合物から選ばれる少なくとも1種であることがより好ましい。ジシクロペンタジエン型活性エステル化合物としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物が好ましい。
 活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000L-65TM」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H」、「HPC-8000H-65TM」(DIC社製);ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「HP-B-8151-62T」、「EXB-8100L-65T」、「EXB-9416-70BK」、「HPC-8150-62T」、「EXB-8」(DIC社製);りん含有活性エステル化合物として、「EXB9401」(DIC社製)、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル化合物として「DC808」(三菱ケミカル社製)、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル化合物として「YLH1026」、「YLH1030」、「YLH1048」(三菱ケミカル社製)、スチリル基及びナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「PC1300-02-65MA」(エア・ウォーター社製)等が挙げられる。
 ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「HFB2006M」、四国化成工業社製の「P-d」、「F-a」が挙げられる。
 カルボジイミド系硬化剤は、1分子中にカルボジイミド基(-N=C=N-)を1個以上有する化合物であり、カルボジイミド系硬化剤は、1分子中にカルボジイミド基を2個以上有する化合物が好ましい。
 カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、市販のカルボジイミド系硬化剤としては、例えば、日清紡ケミカル社製のカルボジライトV-03(カルボジイミド基当量:216)、V-05(カルボジイミド基当量:262)、V-07(カルボジイミド基当量:200);V-09(カルボジイミド基当量:200);ラインケミー社製のスタバクゾールP(カルボジイミド基当量:302)が挙げられる。
 エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、[エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数]:[硬化剤の活性基の合計数]の比率で、1:0.01~1:5の範囲が好ましく、1:0.3~1:3がより好ましく、1:0.5~1:2がさらに好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。硬化剤として、エポキシ樹脂との量比をかかる範囲内とすることにより、本発明の効果を顕著に得ることができる。
 硬化剤の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは1質量%以上、さらに好ましくは2質量%以上、より好ましくは3質量%以上である。上限は、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。
<(D)硬化促進剤>
 樹脂組成物は、上述した(A)~(B)成分に組み合わせて、任意の成分として、更に(D)硬化促進剤を含んでいてもよい。この(D)成分としての(D)硬化促進剤には、上述した(A)~(C)成分に該当するものは含めない。(D)硬化促進剤は、(A)エポキシ樹脂の硬化を促進させる硬化触媒としての機能を有する。
 (D)硬化促進剤としては、(A)エポキシ樹脂の硬化を促進させる化合物を用いることができる。このような(D)硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、ウレア系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤等が挙げられる。(D)硬化促進剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
 リン系硬化促進剤としては、例えば、テトラブチルホスホニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムデカノエート、テトラブチルホスホニウムラウレート、ビス(テトラブチルホスホニウム)ピロメリテート、テトラブチルホスホニウムハイドロジェンヘキサヒドロフタレート、テトラブチルホスホニウム2,6-ビス[(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)メチル]-4-メチルフェノラート、ジ-tert-ブチルジメチルホスホニウムテトラフェニルボレート等の脂肪族ホスホニウム塩;メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、エチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、プロピルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、p-トリルトリフェニルホスホニウムテトラ-p-トリルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラp-トリルボレート、トリフェニルエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス(3-メチルフェニル)エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス(2-メトキシフェニル)エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、(4-メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等の芳香族ホスホニウム塩;トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン等の芳香族ホスフィン・ボラン複合体;トリフェニルホスフィン・p-ベンゾキノン付加反応物等の芳香族ホスフィン・キノン付加反応物;トリブチルホスフィン、トリ-tert-ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジ-tert-ブチル(2-ブテニル)ホスフィン、ジ-tert-ブチル(3-メチル-2-ブテニル)ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の脂肪族ホスフィン;ジブチルフェニルホスフィン、ジ-tert-ブチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ-o-トリルホスフィン、トリ-m-トリルホスフィン、トリ-p-トリルホスフィン、トリス(4-エチルフェニル)ホスフィン、トリス(4-プロピルフェニル)ホスフィン、トリス(4-イソプロピルフェニル)ホスフィン、トリス(4-ブチルフェニル)ホスフィン、トリス(4-tert-ブチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,4-ジメチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,5-ジメチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,6-ジメチルフェニル)ホスフィン、トリス(3,5-ジメチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,4,6-トリメチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,6-ジメチル-4-エトキシフェニル)ホスフィン、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4-メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4-エトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4-tert-ブトキシフェニル)ホスフィン、ジフェニル-2-ピリジルホスフィン、1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、1,4-ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)アセチレン、2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)ジフェニルエーテル等の芳香族ホスフィン等が挙げられる。
 ウレア系硬化促進剤としては、例えば、1,1-ジメチル尿素;1,1,3-トリメチル尿素、3-エチル-1,1-ジメチル尿素、3-シクロヘキシル-1,1-ジメチル尿素、3-シクロオクチル-1,1-ジメチル尿素等の脂肪族ジメチルウレア;3-フェニル-1,1-ジメチル尿素、3-(4-クロロフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(3,4-ジクロロフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(3-クロロ-4-メチルフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(2-メチルフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(4-メチルフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(3,4-ジメチルフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(4-イソプロピルフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(4-メトキシフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-(4-ニトロフェニル)-1,1-ジメチル尿素、3-[4-(4-メトキシフェノキシ)フェニル]-1,1-ジメチル尿素、3-[4-(4-クロロフェノキシ)フェニル]-1,1-ジメチル尿素、3-[3-(トリフルオロメチル)フェニル]-1,1-ジメチル尿素、N,N-(1,4-フェニレン)ビス(N’,N’-ジメチル尿素)、N,N-(4-メチル-1,3-フェニレン)ビス(N’,N’-ジメチル尿素)〔トルエンビスジメチルウレア〕等の芳香族ジメチルウレア等が挙げられる。
 グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1-メチルグアニジン、1-エチルグアニジン、1-シクロヘキシルグアニジン、1-フェニルグアニジン、1-(o-トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、7-メチル-1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、1-メチルビグアニド、1-エチルビグアニド、1-n-ブチルビグアニド、1-n-オクタデシルビグアニド、1,1-ジメチルビグアニド、1,1-ジエチルビグアニド、1-シクロヘキシルビグアニド、1-アリルビグアニド、1-フェニルビグアニド、1-(o-トリル)ビグアニド等が挙げられる。
 イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤の市販品としては、例えば、四国化成工業社製の「1B2PZ」、「2E4MZ」、「2MZA-PW」、「2MZ-OK」、「2MA-OK」、「2MA-OK-PW」、「2PHZ」、「2PHZ-PW」、「Cl1Z」、「Cl1Z-CN」、「Cl1Z-CNS」、「C11Z-A」;三菱ケミカル社製の「P200-H50」等が挙げられる。
 金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
 アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4-ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,-トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセン等が挙げられる。アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「MY-25」等が挙げられる。
 (D)硬化促進剤の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.03質量%以上、さらに好ましくは0.05質量%以上であり、好ましくは1質量%以下、より好ましくは0.5質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以下である。
<(E)シランカップリング剤>
 樹脂組成物は、上述した(A)~(B)成分に組み合わせて、任意の成分として、(E)シランカップリング剤を含有していてもよい。(E)シランカップリング剤は、(B)無機充填材を表面処理する表面処理剤ではなく、(B)無機充填材を表面処理しないシランカップリング剤である。(E)シランカップリング剤は、(B)無機充填材を表面処理する表面処理剤と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、(E)シランカップリング剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。(E)シランカップリング剤は上記において説明したとおりである。
 (E)シランカップリング剤の含有量としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.03質量%以上、さらに好ましくは0.05質量%以上であり、好ましくは1質量%以下、より好ましくは0.5質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以下である。
<(F)任意の添加剤>
 樹脂組成物は、上述した(A)~(E)成分に組み合わせて、更に任意の不揮発成分として、(F)任意の添加剤を含んでいてもよい。(F)任意の添加剤としては、例えば、熱可塑性樹脂;重合開始剤;有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物;フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤;ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤;シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤;ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤;シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤;ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤;尿素シラン等の接着性向上剤;トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤;ヒンダードフェノール系酸化防止剤等の酸化防止剤;スチルベン誘導体等の蛍光増白剤;フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤;リン系難燃剤(例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン)、窒素系難燃剤(例えば硫酸メラミン)、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤(例えば三酸化アンチモン)等の難燃剤;リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の分散剤;ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤;第三級アミン類等の光重合開始助剤;ピラリゾン類、アントラセン類、クマリン類、キサントン類、チオキサントン類等の光増感剤;が挙げられる。(F)任意の添加剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 樹脂組成物は、揮発性成分として、さらに任意の溶剤を含有していてもよい。溶剤としては、例えば、有機溶剤が挙げられる。また、溶剤は、1種を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。溶剤は、量が少ないほど好ましい。溶剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは3質量%以下、より好ましくは1質量%以下、更に好ましくは0.5質量%以下、更に好ましくは0.1質量%以下、更に好ましくは0.01質量%以下であり、含まないこと(0質量%)が特に好ましい。また、樹脂組成物は、このように溶剤の量が少ない場合に、ペースト状であってもよい。ペースト状の樹脂組成物の25℃における粘度は、20Pa・s~1000Pa・sの範囲内にあることが好ましい。なお、本発明の樹脂組成物は溶剤の量が上記範囲内であっても液状又はペースト状であることが好ましい。
 樹脂組成物は、上記の成分のうち必要な成分を適宜混合し、また、必要に応じて三本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等の混練手段、あるいはスーパーミキサー、プラネタリーミキサー等の撹拌手段により混練または混合することにより調製することができる。
<樹脂組成物の物性等>
 樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物のひずみ(%)をX軸とし、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物の曲げ強度(MPa)をY軸としたSSカーブを作成する。そして、曲げ強度の最大点からX軸まで下した垂線、及び、該垂線のX軸との交点からX軸とY軸との交点までの直線の2辺を有する三角形を作成する。前記の「X軸とY軸との交点」は、前記のSSカーブが作成されたX-Y座標系の原点に相当する。この場合に、該三角形の面積((最大曲げ強度(MPa)×最大曲げ強度におけるひずみ(%))/2)を「タフネス値」という。本発明の樹脂組成物は、タフネス値が30MPaを超える。よって、クラック及びデラミネーションの発生が抑制された絶縁層を形成することができる。
 図1は、X軸が樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物のひずみ(%)を示し、Y軸が樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物の曲げ強度(MPa)を示すSSカーブの一例である。SSカーブが(α)の場合、タフネス値は、曲げ強度の最大点(最大曲げ強度)M1からX軸まで下した垂線A1、及び該垂線A1のX軸との交点P1からX軸とY軸との交点Oまでの直線B1の2辺を有する三角形を作成し、該三角形の面積S1で表される。すなわち、SSカーブ(α)を有する樹脂組成物のタフネス値は、最大点M1、交点P1及び交点Oを頂点とする三角形の面積S1で表される。また、SSカーブが(β)の場合、タフネス値は、曲げ強度の最大点M2からX軸まで下した垂線A2、及び該垂線A2のX軸との交点P2からX軸とY軸との交点Oまでの直線B2の2辺を有する三角形を作成し、該三角形の面積S2で表される。すなわち、SSカーブ(β)を有する樹脂組成物のタフネス値は、最大点M2、交点P2及び交点Oを頂点とする三角形の面積S2で表される。
 タフネス値は、30MPaを超え、好ましくは33MPa以上、より好ましくは35MPa以上、さらに好ましくは40MPa、41MPa以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは100MPa以下、より好ましくは90MPa以下、さらに好ましくは80MPa以下、70MPa以下、60MPa以下である。タフネス値は後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
 樹脂組成物を180℃で90分熱硬化させた硬化物は、反り量が抑制されるという特性を示す。よって、反り量が抑制された絶縁層を形成することができる。厚みが100μmの絶縁層の反り量は、好ましくは1500μm以下、より好ましくは1250μm以下、さらに好ましくは1000μm以下である。下限は特に制限はないが、0μm以上、1μm以上等とし得る。反り量は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
 樹脂組成物を180℃で90分熱硬化させた硬化物は、反り量が抑制されるという特性を示す。よって、反り量が抑制された絶縁層を形成することができる。厚みが300μmの絶縁層の反り量は、好ましくは5000μm以下、より好ましくは4500μm以下、さらに好ましくは4000μm以下である。下限は特に制限はないが、0μm以上、1μm以上等とし得る。反り量は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
 樹脂組成物を180℃で90分熱硬化させた硬化物は、245℃での貯蔵弾性率が高いという特性を示す。よって、クラックの発生が抑制された絶縁層を形成することができる。貯蔵弾性率は、好ましくは0.5GPa以上、より好ましくは0.8GPa以上、さらに好ましくは1GPa以上である。上限は特に制限はないが、10GPa以下、5GPa以下等とし得る。貯蔵弾性率は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
 樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物は、タフネス値及び貯蔵弾性率に優れるので、クラックの発生及びデラミネーションの発生が抑制されるという特性を示す。よって、クラックの発生及びデラミネーションの発生が抑制された絶縁層を形成することができる。具体的には、樹脂組成物を厚みが400μmとなるように圧縮成形し、チップ部品に対してモールドアンダーフィルを行う。その後、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化処理を行い硬化物を得る。硬化物のサーマルサイクル試験を行ってもチップ部品との間のデラミネーションもしくは硬化物のクラックが生じていない。詳細は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
 上記したように、従来は、半導体チップパッケージの面積が大型化されると樹脂組成物の硬化物にかかる応力が増大し、クラックが発生しやすい傾向にあった。しかし、本発明の樹脂組成物によれば、そのように応力が増大しやすい用途においても、クラックを効果的に抑制できる。よって、本発明の樹脂組成物は、面積が100mm以上の半導体チップパッケージを備える半導体装置用樹脂組成物(面積が100mm以上の基材を有する半導体チップパッケージを含む半導体装置に用いる樹脂組成物)として好適に使用できる。また、本発明の樹脂組成物は、銅ポスト等の突起電極を有する半導体チップパッケージを含む半導体装置用樹脂組成物(突起電極を有する半導体チップパッケージを含む半導体装置に用いる樹脂組成物)、突起電極を研磨する工程を含む半導体パッケージを含む半導体装置用樹脂組成物(突起電極を研磨する工程を含む半導体パッケージを含む半導体装置に用いる樹脂組成物)等必要とされる用途で広範囲に使用できる。
[樹脂シート]
 本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む。
 樹脂組成物層の厚さは、プリント配線板の薄型化、及び当該樹脂組成物の硬化物が薄膜であっても絶縁性に優れた硬化物を提供できるという観点から、好ましくは100μm以下、より好ましくは70μm以下、さらに好ましくは55μm以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、5μm以上、10μm以上等とし得る。
 支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
 支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
 支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。
 支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。
 また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック社製の「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東レ社製の「ルミラーT60」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
 支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm~75μmの範囲が好ましく、10μm~60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
 一実施形態において、樹脂シートは、さらに必要に応じて、その他の層を含んでいてもよい。斯かるその他の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm~40μmである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。
 樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
 有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)及びシクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN-メチルピロリドン等のアミド系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
 乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%~60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃~150℃で3分間~10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
 樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
[半導体チップパッケージ及びその製造方法]
 本発明の半導体チップパッケージは、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された硬化物層と、該硬化物層上に搭載された半導体チップとを含む。硬化物層は絶縁層又は封止層となりうる。この半導体チップパッケージは、例えば、下記の工程(1)から工程(2)を含む製造方法によって製造できる。また、工程(1)から工程(2)は、この順で含むことが好ましい。
 (1)基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
 (2)樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。
 半導体チップパッケージの製造方法は、工程(2)の後に工程(3)を含むことが好ましい。
 (3)絶縁層を研磨する工程。
<工程(1)>
 工程(1)では、基材上に、樹脂組成物層を形成する。樹脂組成物層は、樹脂シートの樹脂組成物層と同じでありうる。樹脂組成物層は、樹脂シートの樹脂組成物層が基材と接合するように樹脂シートを積層することによって形成できる。
 基材の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。また、基材としては、金属ポスト等の突起電極を複数有する金属ポスト付き基板が好ましい。金属ポスト付き基板は複数の半導体チップを金属ポスト上に配置可能とするために、大面積化されていることが好ましい。金属ポスト付き基板の面積としては、半導体チップパッケージの面積と同じであり、好ましくは100mm以上であり、より好ましくは150mm以上、さらに好ましくは200mm以上である。上限は特に制限はないが、1000mm以下等とし得る。
 金属ポスト付き基板は、例えば、基材上にドライフィルムを積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって金属ポストを形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって形成できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。
 金属ポストの高さとしては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは1μm以上、より好ましくは5μm以上、さらに好ましくは10μm以上、15μm以上、20μm以上、25μm以上である。上限は特に制限はないが、100μm以下、50μm以下等とし得る。
 金属ポストの幅としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは好ましくは1μm以上、より好ましくは5μm以上、さらに好ましくは8μm以上、10μm以上、20μm以上、30μm以上、40μm以上、50μm以上、100μm以上、150μm以上、又は200μm以上である。上限は特に制限はないが、1000μm以下、500μm以下等とし得る。
 金属ポストは、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含むことが好ましい。金属ポストは、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、金属ポスト形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層(銅ポスト)が更に好ましい。
 基材を準備した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に金属ポストが形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、金属ポストが樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。
 樹脂組成物層の形成は、圧縮成型法によって行うことができる。圧縮成型法の具体的な操作は、例えば型として、上型及び下型を用意する。基材に、液状又はペースト状の樹脂組成物を塗布する。樹脂組成物を塗布された基材を下型に取り付ける。その後、上型と下型とを型締めして、樹脂組成物に熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。
 また、圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしてもよい。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。下型に、樹脂組成物を載せる。また、上型に、基材を取り付ける。その後、下型に載った樹脂組成物が上型に取り付けられた基材に接するように上型と下型とを型締めし、熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。
 圧縮成型法における成型条件は、樹脂組成物の組成により異なる。成型時の型の温度は、樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、例えば、好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上、さらに好ましくは120℃以上であり、好ましくは200℃以下、より好ましくは170℃以下、さらに好ましくは150℃以下である。また、成形時に加える圧力は、好ましくは1MPa以上、より好ましくは3MPa以上、さらに好ましくは5MPa以上であり、好ましくは50MPa以下、より好ましくは30MPa以下、さらに好ましくは20MPa以下である。キュアタイムは、好ましくは1分以上、より好ましくは2分以上、特に好ましくは5分以上であり、好ましくは60分以下、より好ましくは30分以下、特に好ましくは20分以下である。通常、樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。
 また、樹脂組成物層の形成の別の実施形態として、樹脂シートと基材とを積層することによって行ってもよい。この積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール等)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。また、樹脂組成物層の形成の他の実施形態として、樹脂シートの代わりに樹脂組成物を基材に塗布することで樹脂組成物層を形成してもよく、本発明の樹脂組成物を含むプリプレグを基材と積層することで行ってもよい。
 基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃~160℃、より好ましくは80℃~140℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa~1.77MPa、より好ましくは0.29MPa~1.47MPaの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは20秒間~400秒間、より好ましくは30秒間~300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力13hPa以下の減圧条件下で実施する。
 積層の後に、常圧下(大気圧下)、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
 支持体は、工程(1)の後工程(2)の前に除去してもよく、工程(2)の後工程(3)の前に除去してもよい。
 また、樹脂シートを用いて絶縁層を形成する代わりに、基材の表面上に直接樹脂組成物を塗布し、樹脂組成物層を形成してもよい。塗布する樹脂組成物は上記において説明したとおりである。
<工程(2)>
 工程(2)では、樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類によっても異なるが、硬化温度は通常120℃~240℃の範囲(好ましくは150℃~220℃の範囲、より好ましくは170℃~200℃の範囲)、硬化時間は5分間~120分間の範囲(好ましくは10分間~100分間、より好ましくは15分間~90分間)である。
 樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上110℃以下、より好ましくは70℃以上100℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を、通常5分間以上(好ましくは5分間~150分間、より好ましくは15分間~120分間)、予備加熱してもよい。
<工程(3)>
 工程(3)では、絶縁層を研磨し、金属ポストの表面を絶縁層の主表面に露出させ、必要に応じて、金属ポストの高さが所定の範囲内となるまで金属ポストも併せて研磨する。絶縁層は、本発明の樹脂組成物で形成されているので、絶縁層と金属ポストとの間の剥離を抑制することができる。絶縁層の研磨方法としては、絶縁層を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法としては、例えば、CMP(化学的機械研磨)、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「NT-700IM」等が挙げられる。研磨条件は当業者に公知の方法に従って実施してよい。
 絶縁層の研磨面の算術平均粗さ(Ra)としては、密着性を向上させる観点から、好ましくは1000nm以下、より好ましくは900nm以下、さらに好ましくは800nm以下である。下限は特に限定されないが、1μm以上、10μm以上等とし得る。表面粗さ(Ra)は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
 半導体チップパッケージを製造する方法は、工程(3)後にさらに、
 (4)基材上に半導体チップを接合する工程。
 (5)半導体チップ上に封止層を形成する工程。
を含んでいてもよい。工程(4)及び工程(5)はこの順で行うことが好ましい。
 基材と半導体チップとの接合は、例えば、基材の金属ポスト上に半導体チップを形成する方法を採用できる。金属ポスト上に半導体チップを形成する方法は、半導体チップパッケージの製造に用いられる、当業者に公知の方法に従って実施してよい。
 封止層は、通常、プリント配線板の封止層又は絶縁層を形成するために用いられる組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に前記組成物を含む層を形成する工程と、この組成物を含む層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。
 半導体チップ上への組成物を含む層の形成方法としては、通常、支持体と組成物を含む層とを有する封止用樹脂シートを用いて行われる。具体的には、封止用樹脂シートの組成物を含む層と半導体チップとを積層することによって、半導体チップ上に組成物を含む層を形成する。
 半導体チップと封止用樹脂シートの積層は、工程(1)における基材と樹脂シートとの積層条件と同じである。
 組成物を含む層の熱硬化条件は、工程(2)における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じである。
 また、工程(5)後、必要に応じて封止層を研磨する工程を行ってもよい。封止層の研磨は、工程(3)と同じ条件で行いうる。
[半導体装置]
 本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を含む。本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を用いて製造することができる。
 半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
 本発明の半導体装置は、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。
 本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。
 以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、「部」及び「%」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。
<カーボン量の測定>
 下記の各無機充填材3gをそれぞれ試料として用いた。試料と30gのMEK(メチルエチルケトン)とを遠心分離機の遠心管に入れ、撹拌し固形分を懸濁させて、500Wの超音波を25℃で5分間照射した。その後、遠心分離により固液分離し、上澄液20gを除去した。さらに、20gのMEK(メチルエチルケトン)を足し、撹拌して固形分を懸濁させて、500Wの超音波を25℃で5分間照射した。その後、遠心分離により固液分離し、上澄液26gを除去した。残りの懸濁液を160℃にて30分間乾燥させた。この乾燥試料0.3gを測定用坩堝に正確に量りとり、さらに測定用坩堝に助燃剤(タングステン3.0g及びスズ0.3g)を入れた。測定用坩堝をカーボン分析計(堀場製作所社製「EMIA-321V2」)にセットし、カーボン量を測定した。カーボン量の測定値を、使用した無機充填材の比表面積で除することにより、単位表面積当たりのカーボン量を算出した。
<使用した無機充填材>
・無機充填材1:球形シリカ(D30=1.3μm、D65=2.0μm、比表面積3.5m/g)に対して、エポキシシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM-403」)をミルサーで処理し、23℃で1週間保管し無機充填材1を得た。単位表面積当たりのカーボン量は0.44mg/mであった。
・無機充填材2:球形シリカ(D30=1.3μm、D65=2.0μm、比表面積3.5m/g)に対して、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)をミルサーで処理し、23℃で1週間保管し無機充填材2を得た。単位表面積当たりのカーボン量は0.43mg/mであった。
・無機充填材3:球形シリカ(D30=3.4μm、D65=4.4μm、比表面積2.8m/g)に対して、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)をミルサーで処理し、23℃で1週間保管し無機充填材3を得た。単位表面積当たりのカーボン量は0.57mg/mであった。
・無機充填材4:球形シリカ(D30=1.2μm、D65=1.7μm、比表面積2.4m/w)に対して、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM-573」)をミルサーで処理し、23℃で1週間保管し無機充填材4を得た。単位表面積当たりのカーボン量は0.32mg/mであった。
<実施例1>
 ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量140g/eq.)10部、無機充填材1 90部、酸無水物系硬化剤(新日本理化社製、「HNA-100」、酸無水物当量179g/eq.)10部、硬化促進剤(四国化成社製、「1B2PZ」)0.1部、及びシランカップリング剤(信越化学工業社製、「KBM-403」)0.1部を配合しミキサで均一に分散することで樹脂組成物を得た。
<実施例2>
 実施例1において、
1)ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量140g/eq.)の量を10部から5部に変え、
2)グリシジルアミン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「JER630LSD」、エポキシ当量95g/eq.)5部を用い、
3)無機充填材1 90部を、無機充填材2 90部に変えた。
 以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
<実施例3>
 実施例2において、
1)ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量140g/eq.)5部を、多価グリシジル化合物(昭和電工社製「PETG」、エポキシ当量92g/eq.)5部に変え、
2)無機充填材2 90部を、無機充填材1 90部に変えた。
 以上の事項以外は実施例2と同様にして樹脂組成物を得た。
<実施例4>
 エポキシ樹脂混合物(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合物、日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX-1059」、エポキシ当量170g/eq.)3部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「JER630LSD」、エポキシ当量95g/eq.)5部、多価グリシジル化合物(昭和電工社製「BATG」、エポキシ当量119g/eq.)2部、無機充填材2 90部、アミン系硬化剤(日本化薬社製「カヤハードA-A」)3部、シランカップリング剤(信越化学工業社製、「KBM-403」)0.1部、及び硬化促進剤(四国化成社製「2E4MZ」)0.1部を配合しミキサで均一に分散することで樹脂組成物を得た。
<実施例5>
 ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量140g/eq.)5部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「JER630LSD」、エポキシ当量95g/eq.)4部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(住友化学社製「ELM-434VL」)1部、無機充填材1 90部、シアネート系硬化剤(ロンザ社製、ビスフェノールE型シアネートエステル「LECy」)3部、硬化促進剤(四国化成社製、「1B2PZ」)0.1部、シランカップリング剤(信越化学工業社製、「KBM-403」)0.1部を配合しミキサで均一に分散することで樹脂組成物を得た。
<実施例6>
 実施例1において、無機充填材1 90部を、無機充填材3 110部に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
<比較例1>
 実施例1において、
1)多価グリシジル化合物(昭和電工社製「PETG」、エポキシ当量92g/eq.)3部を用い、
2)無機充填材1 90部を、無機充填材4 90部に変えた。
 以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
<比較例2>
 実施例4において、
1)グリシジルアミン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「JER630LSD」、エポキシ当量95g/eq.)の量を5部を10部に変え、
2)エポキシ樹脂混合物(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合物、日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1059」、エポキシ当量170g/eq.)の量を3部から5部に変え、
3)多価グリシジル化合物(昭和電工社製「BATG」、エポキシ当量119g/eq.)2部を用いず、
4)無機充填材2 90部を、無機充填材3 90部に変え、
5)アミン系硬化剤(日本化薬社製「カヤハードA-A」)の量を3部から5部に変えた。
 以上の事項以外は実施例4と同様にして樹脂組成物を得た。
<245℃の貯蔵弾性率の測定>
 離型処理した12インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置(金型温度:130℃、圧力:6MPa、キュアタイム:10分)を用いて圧縮成型して、厚さ300μmの樹脂組成物層を形成した。その後、離型処理したシリコンウエハから樹脂組成物層を剥がし、180℃で90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させ硬化物サンプルを作製した。上記硬化物を幅7mm、長さ40mmの試験片に切断し、動的機械分析装置DMS-6100(セイコーインスツルメンツ(株)製)を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、周波数1Hz、昇温速度5℃/分の測定条件にて測定した。かかる測定における245℃のときの貯蔵弾性率(E’)GPaの値を読み取った。
<タフネス値の測定>
 実施例及び比較例で調製した樹脂組成物を、離型処理したSUS板上コンプレッションモールド装置で厚さ1mmの樹脂組成物層を形成した。その後SUS板から樹脂組成物層を剥がし150℃、60分の条件で熱硬化した。熱硬化した樹脂組成物層を幅10mm、長さ40mm、厚み1mmにカットし、3点曲げ強度測定用の試験片を得た。オリエンテック社製引張試験機「テンシロンUCT-5T」を用いて、圧子半径3.2R、支点半径2R、支点間距離30mm、試験速度100μm/sec、245℃における3点曲げ試験を実施した。
 横軸にひずみ(%)、縦軸に曲げ強度(MPa)を現したグラフ(SSカーブ)を作成し、サンプルが破断するまでのひずみ(%)×最大曲げ強度÷2をタフネス値と定義し、以下の基準で評価した。なお、試験は5回実施しその平均値を用いた。
〇:タフネス値が30MPa以上
×:タフネス値が30MPa未満
<クラック、デラミネーション評価>
 厚み775μmの12インチシリコンウエハ上に銅バンプ付きチップ部品(チップサイズ10mm×10mm、チップ厚み300μm、銅バンプサイズ径20μm、高さ30μm、銅バンプピッチ40μm、ウォルツ社製WALTS-TEG FBW40A-0001JY)を、4隅に接着剤を用いてシリコンウエハ上に銅バンプを接触するように搭載した。実施例、比較例で調製した樹脂組成物を樹脂厚みが400μmとなるようコンプレッションモールド装置(金型温度:130℃、圧力:6MPa、キュアタイム:10分)を用いて圧縮成型することで、チップ部品に対しモールドアンダーフィル(MUF)を行った。樹脂組成物を150℃60分の熱硬化処理を行った後、サーマルサイクル試験(-55℃~125℃、500cycles)を実施し、以下の基準で評価した。
〇:試験後にチップ部品とデラミネーションもしくは樹脂クラックが生じなかった。
×:試験後にチップ部品とデラミネーションもしくは樹脂クラックが生じた。
<反りの評価>
 12インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で調整した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置(金型温度:130℃、圧力:6MPa、キュアタイム:10分)を用いて圧縮成型して、厚さ100μmおよび300μmの樹脂組成物層を形成した。その後、180℃で90分加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させた。これにより、シリコンウエハと樹脂組成物の硬化物層とを含む試料基板を得た。シャドウモアレ測定装置(Akorometrix社製「ThermoireAXP」)を用いて、前記の試料基板を25℃での反り量を測定した。測定は、電子情報技術産業協会規格のJEITA EDX-7311-24に準拠して行った。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面として、その基準面から垂直方向の最小値と最大値との差を反り量として求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 実施例1~6において、(C)~(E)成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。

Claims (9)

  1.  (A)エポキシ樹脂、及び
     (B)無機充填材、を含有する樹脂組成物であって、
     樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物のひずみ(%)をX軸とし、樹脂組成物を150℃で60分熱硬化させた硬化物の曲げ強度(MPa)をY軸としたSSカーブを作成し、曲げ強度の最大点からX軸まで下した垂線、及び該垂線のX軸との交点からX軸とY軸との交点までの直線の2辺を有する三角形を作成した場合、該三角形の面積((最大曲げ強度(MPa)×最大曲げ強度におけるひずみ(%))/2)で示されるタフネス値が30MPaを超え、
     (B)成分の単位表面積当たりのカーボン量が0.35mg/m以上である、樹脂組成物。
  2.  樹脂組成物を180℃で90分熱硬化させた硬化物の245℃における弾性率が、0.5GPa以上である、請求項1に記載の樹脂組成物。
  3.  (B)成分の単位表面積当たりのカーボン量が1mg/m以下である、請求項1に記載の樹脂組成物。
  4.  さらに、(C)硬化剤を含む、請求項1に記載の樹脂組成物。
  5.  (C)成分が、アミン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤から選択される1種以上を含む、請求項4に記載の樹脂組成物。
  6.  面積が100mm以上の半導体チップパッケージを備える半導体装置用である、請求項1に記載の樹脂組成物。
  7.  支持体と、該支持体上に設けられた、請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、樹脂シート。
  8.  請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された硬化物層と、該硬化物層上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
  9.  請求項8に記載の半導体チップパッケージを含む、半導体装置。
PCT/JP2023/001361 2022-02-21 2023-01-18 樹脂組成物 WO2023157542A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-024798 2022-02-21
JP2022024798 2022-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023157542A1 true WO2023157542A1 (ja) 2023-08-24

Family

ID=87578296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/001361 WO2023157542A1 (ja) 2022-02-21 2023-01-18 樹脂組成物

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202342603A (ja)
WO (1) WO2023157542A1 (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006036916A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Admatechs Co Ltd スラリー組成物、ワニス組成物、およびそれを用いた絶縁フィルム、プリプレグ
JP2006052357A (ja) * 2004-08-16 2006-02-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 充填材及びその製造方法
JP2007262126A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Toray Ind Inc フレキシブル印刷回路用接着剤組成物およびそれを用いたカバーレイフィルム、銅張り積層板、接着剤シート、リードフレーム固定テープ
JP2011089038A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Ajinomoto Co Inc 樹脂組成物
JP2011168650A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Daicel Chemical Industries Ltd エポキシ樹脂組成物
JP2016121294A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 信越化学工業株式会社 半導体封止用液状アンダーフィル材組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP2017048400A (ja) * 2016-11-29 2017-03-09 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2019014843A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2021161206A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 味の素株式会社 樹脂組成物、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006036916A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Admatechs Co Ltd スラリー組成物、ワニス組成物、およびそれを用いた絶縁フィルム、プリプレグ
JP2006052357A (ja) * 2004-08-16 2006-02-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 充填材及びその製造方法
JP2007262126A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Toray Ind Inc フレキシブル印刷回路用接着剤組成物およびそれを用いたカバーレイフィルム、銅張り積層板、接着剤シート、リードフレーム固定テープ
JP2011089038A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Ajinomoto Co Inc 樹脂組成物
JP2011168650A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Daicel Chemical Industries Ltd エポキシ樹脂組成物
JP2016121294A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 信越化学工業株式会社 半導体封止用液状アンダーフィル材組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP2017048400A (ja) * 2016-11-29 2017-03-09 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2019014843A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2021161206A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 味の素株式会社 樹脂組成物、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202342603A (zh) 2023-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7491343B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂組成物の硬化物、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP2022145968A (ja) 硬化体及びその製造方法、樹脂シート及び樹脂組成物
JP2019151716A (ja) 封止用樹脂組成物
JP2023121767A (ja) 樹脂組成物
JP7302496B2 (ja) 樹脂組成物
JP7192674B2 (ja) 樹脂シート
WO2023157542A1 (ja) 樹脂組成物
JP7367664B2 (ja) 樹脂組成物、硬化物、樹脂シート、回路基板、半導体チップパッケージ、半導体装置、及び構造体
JP7287348B2 (ja) 樹脂組成物
JP7259783B2 (ja) 樹脂組成物
JP7151550B2 (ja) 樹脂組成物
TW202233757A (zh) 樹脂組成物
TW202045614A (zh) 樹脂組成物
JP7396246B2 (ja) 封止用途の樹脂組成物
JP7494960B1 (ja) 硬化体
WO2023203906A1 (ja) 樹脂組成物
JP7298466B2 (ja) 樹脂組成物
JP7439575B2 (ja) 半導体装置の製造方法、及び、樹脂シート
JP2023002324A (ja) 半導体チップ接着用樹脂シート
JP2024057908A (ja) 金属箔付き樹脂シート
KR20240077441A (ko) 수지 조성물
JP2024057892A (ja) 金属箔付き樹脂シート
JP2023117601A (ja) 樹脂組成物
JP2024075949A (ja) 樹脂組成物
KR20240053541A (ko) 수지 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23756070

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2024501034

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A