WO2023145238A1 - 検査装置および検査方法 - Google Patents

検査装置および検査方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2023145238A1
WO2023145238A1 PCT/JP2022/043908 JP2022043908W WO2023145238A1 WO 2023145238 A1 WO2023145238 A1 WO 2023145238A1 JP 2022043908 W JP2022043908 W JP 2022043908W WO 2023145238 A1 WO2023145238 A1 WO 2023145238A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
inspection
ray
rays
ray detector
inspection apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/043908
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健夫 塚本
Original Assignee
キヤノンアネルバ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by キヤノンアネルバ株式会社 filed Critical キヤノンアネルバ株式会社
Priority to TW112103030A priority Critical patent/TWI845136B/zh
Priority to US18/350,093 priority patent/US11921059B2/en
Publication of WO2023145238A1 publication Critical patent/WO2023145238A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/083Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/18Investigating the presence of flaws defects or foreign matter
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2206Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K7/00Gamma- or X-ray microscopes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/16Vessels; Containers; Shields associated therewith
    • H01J35/18Windows
    • H01J35/186Windows used as targets or X-ray converters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/03Investigating materials by wave or particle radiation by transmission
    • G01N2223/04Investigating materials by wave or particle radiation by transmission and measuring absorption
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/05Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection
    • G01N2223/052Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection reflection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/071Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission combination of measurements, at least 1 secondary emission
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/076X-ray fluorescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/10Different kinds of radiation or particles
    • G01N2223/101Different kinds of radiation or particles electromagnetic radiation
    • G01N2223/1016X-ray
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/20Sources of radiation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/20Sources of radiation
    • G01N2223/204Sources of radiation source created from radiated target
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/32Accessories, mechanical or electrical features adjustments of elements during operation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/643Specific applications or type of materials object on conveyor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/652Specific applications or type of materials impurities, foreign matter, trace amounts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/14Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
    • H01J35/153Spot position control

Definitions

  • the present invention relates to an inspection device and an inspection method.
  • Patent Document 1 discloses a detector for detecting fluorescent X-rays generated from a sample by focusing an electron beam on a target for generating X-rays with an objective lens and irradiating the sample with the X-rays generated from the target; A high-resolution X-ray microscope with a fluorescent X-ray analysis function is described, which has an analysis unit for analyzing fluorescent X-rays from the detection result of the instrument. Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200000 describes incorporating all or part of the detector into the magnetic circuit of the objective lens.
  • the vibration of the foreign matter may break the separator that maintains the insulation inside the battery after the battery is shipped. In such cases, the battery may become short-circuited and catch fire or explode.
  • Fluorescent X-ray method also known as XRF
  • oblique incident fluorescent X-ray method also known as TXRF
  • TXRF oblique incident fluorescent X-ray method
  • An object of the present invention is to provide an advantageous technology for detecting foreign matter present on an inspection target surface with high sensitivity.
  • One aspect of the present invention relates to an inspection apparatus for inspecting a surface to be inspected arranged on an inspection surface, the inspection apparatus including an X-ray generator that generates X-rays by being irradiated with an electron beam. and an X-ray generating tube that emits X-rays toward the inspection surface; an X-ray detector for detecting totally reflected X-rays, said X-ray detector having an energy resolution of 1 keV or more, or said X-ray detector having no energy analysis function.
  • Another aspect of the present invention relates to an inspection method for inspecting a surface to be inspected arranged on an inspection surface, the inspection method radiating X-rays toward the inspection surface and generating X-rays existing on the surface to be inspected.
  • an advantageous technique is provided for detecting foreign matter present on the inspection target surface with high sensitivity.
  • FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration example of an inspection apparatus according to the first embodiment
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration example of an X-ray generating tube
  • FIG. 3 is a schematic diagram enlarging a part of the inspection apparatus in FIG. 2
  • FIG. 3 is a schematic diagram enlarging a part of the inspection apparatus in FIG. 2
  • FIG. 4 is a diagram illustrating the relationship between the distance D xs (horizontal axis) and the number of foreign particles detected by the X-ray detector (vertical axis);
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an inspection apparatus IA according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the inspection apparatus IA can be configured, for example, as an inspection apparatus that inspects the inspection target surface TS arranged on the inspection surface IP.
  • the inspection plane IP is a plane on which the inspection target plane TS is to be arranged
  • the inspection target plane TS is one plane of the inspection target IT.
  • the inspection apparatus IA may comprise an X-ray generator tube 101 .
  • the X-ray generating tube 101 has a target (not shown) including an X-ray generator XG that generates X-rays by being irradiated with an electron beam, and emits X-rays XR toward the inspection plane IP.
  • the foreign object FS irradiated with the X-rays XR from the X-ray generating part XG generates X-rays corresponding to the substances forming the foreign object FS, and such X-rays are also called fluorescent X-rays or characteristic X-rays.
  • Part of the X-rays generated by the foreign matter FS irradiated with the X-rays XR is totally reflected by the inspection target surface TS.
  • the X-rays emitted from the foreign object FS and totally reflected by the surface TS to be inspected are shown as X-rays XF.
  • Inspection apparatus IA may comprise an X-ray detector 120 .
  • Inspection apparatus IA may further include a processor that performs processing for detecting foreign matter FS based on the output from X-ray detector 120 .
  • the processor may further perform processing to identify the material that constitutes the foreign object FS based on the output from the X-ray detector 120 .
  • the processor can be implemented, for example, by a control unit that controls the operation of inspection apparatus IA.
  • FIG. 2 shows a more specific configuration example of the inspection apparatus IA shown in FIG.
  • the inspection apparatus IA can include an X-ray generator 100 , an X-ray detector 120 and a controller 140 .
  • the X-ray generator 100 can include an X-ray generator tube 101 and a drive circuit 103 that drives the X-ray generator tube 101 .
  • the X-ray generator 100 can further include a booster circuit 102 that supplies a boosted voltage to the drive circuit 103 .
  • the X-ray generator 100 further includes a storage container (not shown) that stores the X-ray generation tube 101, the drive circuit 103, and the booster circuit 102, and the storage container can be filled with an insulating fluid such as insulating oil. .
  • Controller 140 may be configured to control X-ray generator 100 and X-ray detector 120 .
  • the controller 140 may also include the functionality of the processor described above. More specifically, control unit 140 can perform processing for detecting foreign matter FS based on the output from X-ray detector 120 . In addition, the control unit 140 can further perform a process of identifying substances that constitute the foreign matter FS based on the output from the X-ray detector 120 .
  • the control unit 140 is, for example, PLD (abbreviation of Programmable Logic Device) such as FPGA (abbreviation of Field Programmable Gate Array), or ASIC (abbreviation of Application Specific Integrated Circuit), or a general-purpose device in which a program is incorporated. or a dedicated computer, or a combination of all or part of these.
  • PLD abbreviation of Programmable Logic Device
  • FPGA abbreviation of Field Programmable Gate Array
  • ASIC abbreviation of Application Specific Integrated Circuit
  • the inspection apparatus IA may further include an X-ray detection panel 130 that detects X-rays emitted from the X-ray generator XG and transmitted through the inspection object IT having the inspection object surface TS. Based on the output from the X-ray detection panel 130, the control unit 140 generates an image of X-rays transmitted through the inspection object IT (transmission image of the inspection object IT), and based on the image, detects the surface of the inspection object. It can be configured to detect a foreign object FS present in the TS. By using the X-ray detection panel 130, it is also possible to detect foreign matter present inside the inspection object IT and foreign matter existing on the surface opposite to the inspection object surface TS.
  • the controller 140 can be configured to detect the presence of a foreign object FS as well as the position and/or size of the foreign object FS.
  • the X-ray detection panel 130 in addition to the X-ray detector 120, the foreign matter FS that cannot be detected by the X-ray detector 120 can be detected by the X-ray detection panel 130, so the accuracy of detecting the foreign matter FS is improved.
  • the inspection apparatus IA which acquires a transmission image and detects foreign matter using X-rays emitted from one X-ray generating tube, is composed of two devices that separately acquire a transmission image and detect foreign matter. It is advantageous in terms of miniaturization and cost reduction compared to systems with
  • the inspection apparatus IA may further include a display unit 150, and the control unit 140 causes the display unit 150 to display information indicating the constituent materials of the foreign matter FS identified based on the output of the X-ray detector 120. can be configured.
  • the control unit 140 can also be configured to cause the display unit 150 to display a transmitted image of the inspection object IT generated based on the output from the X-ray detection panel 130 .
  • the control unit 140 can also be configured to cause the display unit 150 to display information indicating the position and/or size of the detected foreign object based on the output from the X-ray detection panel 130 .
  • the control unit 140 may be configured as a single unit, or may be configured by being divided into a plurality of units.
  • the X-ray generating tube 101 can include an electron gun EG, an anode 93 having a target 933 including an X-ray generating portion XG that generates X-rays by being struck by electrons from the electron gun EG, and an insulating tube 92 .
  • an anode 93 is arranged so as to block one of the two open ends of the insulating tube 92, and a block containing the electron gun EG is arranged so as to block the other of the two open ends of the insulating tube 92.
  • a member 91 may be arranged.
  • a deflector 94 that deflects the flow of electrons (electron beam) from the electron gun EG may be arranged outside the insulating tube 92 .
  • the X-ray generating tube 101 shown in FIG. 3 is a closed transmission type X-ray generating tube in which the inner space of the insulating tube 92 is maintained in a vacuum state and X-rays pass through a target 933 and a target holding plate 932, which will be described later.
  • a non-sealed open type or a non-transmissive reflecting type X-ray generating tube may be employed as the X-ray generating tube 101.
  • the deflector 94 can be arranged outside the X-ray generating tube 101 .
  • the deflector 94 can be provided between the anode 93 and the cathode (not shown).
  • the deflector 94 is provided between the electron gun EG and the target 933 .
  • a virtual plane 97 that intersects the deflector 94 can be positioned in a space sandwiched between a virtual plane 95 contacting the tip of the electron gun EG and a virtual plane 96 contacting a portion of the target 933 .
  • a virtual plane 95 , a virtual plane 96 , and a virtual plane 97 are planes perpendicular to the axis AX of the X-ray generating tube 101 .
  • the anode 93 can include a target 933 , a target holding plate 932 holding the target 933 , and an electrode 931 holding the target holding plate 932 .
  • the electrode 931 is electrically connected to the target 933 and can apply an electric potential to the target 933 .
  • the target 933 generates X-rays when electrons (electron beams) emitted from the electron gun EG collide with the target 933 .
  • the X-ray generator XG is a portion of the surface of the target 933 that is hit by electrons (electron beams).
  • the X-rays generated by the X-ray generator XG pass through the target holding plate 932 and are emitted to the outside of the X-ray generating tube 101 .
  • Anode 93 may be maintained at, for example, ground potential, but may be maintained at other potentials.
  • the target 933 is made of a metal material.
  • the target 933 is desirably made of a material with a high melting point, such as tungsten, tantalum, molybdenum, or the like, which contributes to the improvement of X-ray generation efficiency.
  • the target holding plate 932 can be made of a material that is highly transparent to X-rays, such as beryllium or diamond.
  • the target holding plate 932 is desirably made of diamond, so that the thickness of the target holding plate 932 can be reduced while maintaining the strength thereof. The distance to the line generator XG) can be shortened. It is desirable that the thickness of the target holding plate 932 is thin.
  • the thickness of the target holding plate 932 is desirably 4 mm or less, and more desirably 2 mm or less, 1 mm or less, or 0.3 mm or less.
  • the thickness of these target holding plates 932 can be set with reference to the distance from the X-ray generation unit XG to the inspection plane IP, which is necessary for identifying elements contained in foreign matter, which will be described later. In order to identify the elements contained in the foreign matter, it is desirable that the target holding plate 932 is as thin as possible. From the viewpoint of strength, etc., it is desirable that the thickness is large. Therefore, it is desirable to use an optimum target holding plate 932 thickness. Note that FIG. 3 is not intended to show the relationship between the thickness of the target 933 and the thickness of the target holding plate 932 .
  • the thickness of the target 933 may be several ⁇ m
  • the thickness of the target holding plate 932 may be several hundred ⁇ m.
  • FIG. 4 is a schematic diagram enlarging a part of the inspection apparatus IA of FIG.
  • a foreign matter FS may exist on the inspection target surface TS.
  • the X-ray capturing unit 121 of the X-ray detector 120 arranged to detect the X-rays (characteristic X-rays) XF is irradiated with the X-rays XR from the X-ray generating unit XG, and the inspection object IT Fluorescent X-rays that can be generated by itself hardly enter. Therefore, the ratio of the fluorescent X-rays emitted from the inspection object IT itself and detected by the X-ray detector 120 to the X-rays (characteristic X-rays) XF emitted from the foreign object FS and detected by the X-ray detector 120 is extremely small. can do.
  • the X-ray detector 120 may be a silicon drift detector (SDD), a CdTe detector or a CdZnTe detector.
  • X-ray detector 120 may be an energy dispersive detector. If the X-ray detector 120 is an energy dispersive detector, the controller (or processor) 140 can determine the substances or elements that make up the foreign matter FS from the energy dispersive element profile (count value for each energy). can.
  • Commercially available software may be installed in the controller (or processor) 140 to determine the substances or elements that make up the foreign matter FS. Examples of such software include AMETEK's "XRS-FP Quantitative XRF Analysis Software" and Unique's software.
  • the specifications of the X-ray detector 120 can be determined according to the energy resolution required for foreign matter detection.
  • detectors with low energy resolution include detectors using scintillators, Si pin photodiodes, or CCDs.
  • An example of a detector with higher energy resolution is a detector using a proportional counter.
  • detectors with higher energy resolution include CdTe direct transition crystals and detectors to which energy dispersive detection methods such as Si drift detectors are applied.
  • An example of a detector with a higher energy resolution is a detector to which a wavelength-dispersive detection method is applied, in which energy is obtained from an angle using an analyzing crystal.
  • the incident angle of the fluorescent X-rays from the foreign matter FS to the inspection target surface TS must be the total reflection critical angle ⁇ c or less.
  • ⁇ c Critical angle of total reflection
  • r e Classical radius of electron (2.818 ⁇ 10 ⁇ 15 m)
  • N 0 Avogadro's number
  • X-ray wavelength
  • Density (g/cm 3 )
  • Mi xi: atomic number, atomic weight and atomic number ratio (molar ratio) of the i-th atom
  • f′ i atomic scattering factor of i-th atom (anomalous dispersion term)
  • the critical angle of total reflection when the surface TS to be inspected is metal is approximately 1° or less. In many cases, the critical angle of reflection is different from the theoretical value.
  • the inspection object surface TS is irradiated with X-rays XR and the total reflection condition is satisfied, the inspection object surface TS and the characteristic X-ray XF emitted from the foreign matter FS and totally reflected by the inspection object surface TS It was confirmed through experiments that the angle between and (the critical angle for total reflection) is 5° or less.
  • the position where the radiation from the foreign matter FS is totally reflected by the inspection target surface TS is , the positions at which the X-rays XR from the X-ray generator XG are incident on the inspection surface IP.
  • the inspection surface IP inspection target surface TS
  • the position where the foreign object FS radiates and is totally reflected by the inspection object surface TS can be regarded as a position where the X-ray XR from the X-ray generator XG is perpendicularly incident on the inspection plane IP.
  • the critical angle of total reflection is 5° or less
  • the angle ⁇ formed with the plane IP can be 5° or less, preferably 2° or less, and more preferably 1° or less.
  • the smaller the angle ⁇ the more the fluorescent X-rays emitted from the inspection object IT itself and detected by the X-ray detector 120 relative to the X-rays (characteristic X-rays) XF emitted from the foreign object FS and detected by the X-ray detector 120. You can reduce the ratio.
  • the X-ray detector 120 can be arranged at a position where the extended plane of the inspection plane IP intersects the X-ray detector 120 .
  • the X-ray capturing section 121 can include a window section 122 that transmits X-rays XF, as schematically shown in FIG.
  • the window 122 can have a diameter of several mm and a thickness of several hundred ⁇ m, for example.
  • the window part 122 can be made of beryllium or the like, for example.
  • the inspection apparatus IA has a virtual plane connecting the position where the X-ray XR from the X-ray generator XG is incident on the inspection surface IP and the X-ray capturing section 121 of the X-ray detector 120 .
  • a slit member 125 having slits (openings) above the line may be provided.
  • the size of the slit provided in the slit member 125 and the arrangement position of the X-ray detector 120 are determined according to the range of the surface to be inspected TS hit by the X-ray XR, the material that can constitute the surface to be inspected TS and the foreign matter FS, and the like. can be As schematically shown in FIG. 7, foreign matter FS1 and FS3 are present at both ends of width Y on inspection target surface TS with which X-ray XR hits, and distance Z from the center of width Y to X-ray capturing unit 121 is is as long as the width Y.
  • the lower limit of the width Ws of the slit is Y ⁇ tan ⁇
  • the distance X2 between the center of the X-ray capturing portion 121 and the inspection surface IP is also Y ⁇ tan ⁇ . It is possible to detect all foreign objects within the hit range.
  • FIG. 6 shows experimentally obtained results of the relationship between the distance D xs (horizontal axis) and the count number (vertical axis) of the foreign matter FS detected by the X-ray detector 120 .
  • the count number is the total count number (peak count) of the energy corresponding to the position of the fluorescent X-ray (for example, the K ⁇ ray of Ni) emitted from the specific element contained in the foreign matter per certain time.
  • the distance Dxs from the X-ray generation unit XG to the inspection surface IP is preferably 5 mm or less, more preferably 4 mm or less, and 3 mm or less. It is even more desirable to have As the X-ray generating tube 101, for example, transparent closed microfocus X-ray sources manufactured by Canon Anelva, specifically G series, more specifically G-511 series and G-311 series are useful.
  • the distance D sf from the inspection plane IP to the X-ray detection panel 130 needs to be sufficiently larger than D xs . .
  • D sf /D xs is desirably 20 or more, and more desirably 200 or more.
  • the inspection device IA is useful, for example, in the production process of lithium-ion batteries to detect relics attached to the material, but this is only an example and it is also useful for other purposes.
  • the inspection device IA may be used, for example, to measure and analyze airborne particles such as PM2.5 that affect the environment and health.
  • the inspection apparatus IA is used to measure the number and size of particles as well as configure particles. Since it is possible to simultaneously identify the substances or elements that are affected, more advanced environmental and health measures can be taken.
  • X-rays are emitted toward an inspection surface IP (inspection target surface TS), and X-rays XF emitted from a foreign substance FS present on the inspection target surface TS and totally reflected by the inspection target surface TS are converted into X-rays.
  • It may include an x-ray detection step for detection by the detector 120 and a processing step for processing the output of the x-ray detector 120 .
  • the processing step may include a step of detecting foreign matter FS and/or a step of identifying substances that constitute foreign matter FS.
  • the inspection method can further include a step of detecting, with the X-ray detection panel 130, X-rays transmitted through the inspection object IT having the inspection object surface TS.
  • the output of the x-ray detection panel 130 may be processed.
  • the processing steps may include detecting the presence of the foreign object FS and the position of the foreign object FS based on the output of the X-ray detection panel 130 .
  • the processing may include detecting the presence of the foreign object FS, the location of the foreign object FS, and the size of the foreign object FS based on the output of the x-ray detection panel 130 .
  • the inspection device having the function of identifying the substance that constitutes the foreign matter has been described, but the inspection device does not have to have the function of identifying the substance that constitutes the foreign matter.
  • the inspection device does not have to have the function of identifying the substance that constitutes the foreign matter.
  • the detectable amount of X-rays emitted from a foreign object and totally reflected may be limited.
  • sufficient foreign matter identification accuracy cannot be obtained, and foreign matter on the object to be inspected may be overlooked, resulting in a decrease in manufacturing yield.
  • high-speed inspection can be realized by constructing an inspection apparatus that detects only the presence or absence of foreign matter without specifying the substance that constitutes the foreign matter.
  • an inexpensive X-ray detector for example, a proportional counter or NaI scintillator
  • inexpensive X-ray detectors such as PIN and CCD photodiodes, which have a high energy resolution of several eV but do not have an energy analysis function. These inexpensive X-ray detectors have high detection efficiency for low energy X-rays (50 eV to 50 keV).
  • the X-ray detector 120 may be an X-ray detector that detects X-rays having energies within the range of 50 eV to 50 keV.
  • a plurality of detectors may be provided in order to detect X-rays radiated from a foreign object and totally reflected by irradiation of X-rays from one X-ray generator. By providing a plurality of detectors, it is possible to improve the accuracy of detecting the X-rays emitted from the foreign object and totally reflected.
  • FIG. 8 schematically shows the configuration of the inspection apparatus IA of the second embodiment. Matters not described in the second embodiment may follow the first embodiment.
  • the inspection apparatus IA of the second embodiment can include multiple X-ray detectors, for example, a first X-ray detector 1201 and a second X-ray detector 1202 .
  • the first X-ray detector 1201 and the second X-ray detector 1202 can be arranged to face each other across the axis AX of the X-ray generating tube 101 .
  • the first X-ray detector 1201 and the second X-ray detector 1202 can be arranged to face each other.
  • the first X-ray detector 1201 and the second X-ray detector 1202 can be composed of inexpensive X-ray detectors such as PIN photodiodes, for example.
  • the inspection apparatus IA of the second embodiment can include slit members 1251 and 1252 similar to the slit member 125 in the inspection apparatus IA of the first embodiment. Slit members 1251 and 1252 can be provided for the first X-ray detector 1201 and the second X-ray detector 1202, respectively.
  • X-rays are emitted radially (for example, in all directions of 360 degrees) from the foreign matter FS1 irradiated with the X-rays XR from the X-ray generation unit XG, and part of the X-rays are totally reflected by the inspection target surface TS.
  • the X-rays totally reflected by the inspection target surface TS can include, for example, the X-rays XF11 incident on the first X-ray detector 1201 and the X-rays XF12 incident on the second X-ray detector 1202 .
  • the illustrated X-rays XF11 and XF12 can also be understood as trajectory vectors of X-ray photons.
  • Foreign matter other than the foreign matter FS1 may exist on the surface TS to be inspected. Therefore, the X-ray emitted from the foreign object FS1 and totally reflected by the inspection target surface TS may be blocked by another foreign object and may not enter one of the plurality of X-ray detectors. .
  • the plurality of X-ray detectors there is a possibility that one of the plurality of X-ray detectors can detect the X-ray emitted from the foreign object FS1 and totally reflected by the inspection target surface TS. increase.
  • FIG. 9 schematically shows the configuration of the inspection apparatus IA of the third embodiment.
  • FIG. 9 is an oblique view of the inspection apparatus IA. Matters not described in the third embodiment may follow the first or second embodiment. Although the description of the slit member is omitted in FIG. 9, the slit member may be provided as in the second embodiment.
  • the inspection apparatus IA can include a transport mechanism CV that transports the inspection object IT along the transport direction DIR.
  • the first X-ray detector 1201 and the second X-ray detector 1202 can be arranged at positions separated from each other in a direction parallel to the transport direction DIR or a direction parallel to the longitudinal direction of the inspection object IT.
  • FIG. 9 shows an X-ray XF11 (X-ray photon trajectory vector) and an X-ray XF12 (X ray photon trajectory vectors) are shown.
  • the X-rays XF11 enter the first X-ray detector 1201 and the X-rays XF12 enter the second X-ray detector 1202 .
  • a foreign substance FS2 different from the foreign substance FS1 may exist on the inspection target surface TS.
  • the foreign object FS2 exists between the foreign object FS1 and the first X-ray detector 1201.
  • the X-ray XF11 cannot be detected by the first X-ray detector 1201.
  • second X-ray detector 1202 can detect X-rays XF12 from foreign object FS1. As a result, the possibility of overlooking the foreign matter on the inspection surface TS of the inspection object IT is reduced, and a decrease in manufacturing yield can be prevented.
  • the position of the foreign object can be estimated from the positional relationship between the second detector 1202 that detected the foreign object and the first detector 1201 that failed to detect the foreign object. For example, in the example of FIG. 9, it can be estimated that a foreign object FS2 exists between the foreign object FS1 and the second X-ray detector 1202.
  • FIG. 9 it can be estimated that a foreign object FS2 exists between the foreign object FS1 and the second X-ray detector 1202.
  • the inspection apparatus IA may include an additional X-ray detector arranged to detect X-rays totally reflected from foreign matter present on the opposite side of the inspection target surface TS.
  • FIG. 10 schematically shows the configuration of the inspection apparatus IA of the fourth embodiment. Matters not described in the fourth embodiment can follow the first to third embodiments.
  • FIG. 10 shows X-rays XF11 and XF12 emitted from the foreign matter FS1 and totally reflected by the inspection target surface TS.
  • the inspection apparatus IA of the fourth embodiment can include an X-ray detector 1205 having an elongated X-ray capturing portion 1206 extending in a certain direction.
  • the X-ray detector 1205 may consist of inexpensive X-ray detectors such as PIN photodiodes.
  • the X-ray capturing portion 1206 extends in a direction parallel to a plane parallel to the inspection target surface TS.
  • the X-ray capturing section 1206 extends in a direction parallel to the longitudinal direction of the inspection object IT. From a further point of view, the X-ray capturing section 1206 extends in a direction parallel to the transport direction DIR.
  • the X-ray capturing portion 1206 can have a rectangular shape with short sides and long sides, the longitudinal direction being the direction parallel to the long sides.
  • the long sides can, for example, have a length that is three or more times the length of the short sides.
  • inspection apparatus IA may have a slit member having a slit, and the slit member may have a rectangular shape extending along the longitudinal direction of X-ray capturing section 1206 . .
  • the slit may be divided into a plurality of partial slits and arranged.
  • the slit member is advantageous for improving foreign matter detection accuracy. Also, by providing the slit member, the position of the foreign matter can be identified based on the positional relationship between the X-ray receiving portion 1206 and the slit.
  • the elongated X-ray capturing unit 1206 detects the foreign object FS1 even when part of the X-rays emitted from the foreign object FS1 and totally reflected by the inspection target surface TS are blocked by another foreign object FS2. It is advantageous to In the example of FIG. 10, the X-ray XF11 emitted from the foreign object FS1 and totally reflected by the inspection value front TS can be blocked by the foreign object FS2, but the X-ray XF12 emitted from the foreign object FS1 and totally reflected by the inspection value front TS It can be incident on the X-ray capturing portion 1206 .
  • Inspection apparatus IA may comprise two or more X-ray detectors 1205 .
  • Such two or more X-ray detectors 1205 can be arranged such that their longitudinal direction coincides with a direction parallel to the transport direction DIR. In addition, two or more such X-ray detectors 1205 can be stacked in a direction orthogonal to the transport direction DIR.
  • the inspection apparatus IA may further include an X-ray detector having an X-ray receiving portion having a longitudinal direction extending along a direction that intersects the transport direction DIR, for example, a direction perpendicular to the transport direction DIR.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

検査面に配置された検査対象面を検査する検査装置は、電子線が照射されることによってX線を発生するX線発生部を含むターゲットを有し、前記検査面に向けてX線を放射するX線発生管と、前記X線発生部からのX線が照射された前記検査対象面に存在する異物から放射され前記検査対象面で全反射されたX線を検出するX線検出器と、を備え、前記X線検出器は1keV以上のエネルギー分解能を有し、又は、前記X線検出器はエネルギー分析機能を有しない。

Description

検査装置および検査方法
 本発明は、検査装置および検査方法に関する。
 特許文献1には、対物レンズによって電子線をX線発生用のターゲットに集束させ、ターゲットから発生したX線を試料に照射することによって試料から発生する蛍光X線を検出する検出器と、検出器の検出結果から蛍光X線を分析する分析部とを具備した蛍光X線分析機能付き高分解能X線顕微装置が記載されている。また、特許文献1には、検出器の全部又は一部を対物レンズの磁気回路内に組み込むことが記載されている。
特開2009-236622号公報
 近年、例えば数十μm以下の寸法を有する異物が製品に取り込まれ、これが欠陥を引き起こすことが問題なっている。例えば、リチウムイオン電池では、炭素、銅、アルミニウムを原料とする構成部材に対し、ステンレスあるいは構成部材の一部が微細化した異物が製造時に電池内に取り込まれることがある。
 リチウムイオン電池の製造時に異物が電池内に取りこまれると、電池が出荷された後に、電池内の絶縁を保つセパレーターが異物の振動によって破れる場合がある。このような場合において、その電池はショート状態となり、発火したり爆発したりする可能性がある。
 異物を非破壊で検出することができれば、発火したり爆発したりする可能性がある製品を流通させることを防止することができる。X線を用いて試料の表面上に存在する異物を検出し、その元素を特定する方法として、蛍光X線法(別名XRF)や斜入射蛍光X線法(別名TXRF)がある。蛍光X線法では、試料基板の元素も励起してしまい、斜入射蛍光X線法では、入射X線が異物で散乱してしまう。したがって、これらの計測方法では、異物により発生した蛍光X線の強度比が弱くなるという問題があった。
 本発明は、検査対象面に存在する異物を高い感度で検出するために有利な技術を提供することを目的とする。
 本発明の1つの側面は、検査面に配置された検査対象面を検査する検査装置に係り、前記検査装置は、電子線が照射されることによってX線を発生するX線発生部を含むターゲットを有し、前記検査面に向けてX線を放射するX線発生管と、前記X線発生部からのX線が照射された前記検査対象面に存在する異物から放射され前記検査対象面で全反射されたX線を検出するX線検出器と、を備え、前記X線検出器は1keV以上のエネルギー分解能を有し、又は、前記X線検出器はエネルギー分析機能を有しない。
 本発明の他の1つの側面は、検査面に配置された検査対象面を検査する検査方法に係り、前記検査方法は、前記検査面に向けてX線を放射し、前記検査対象面に存在する異物から放射され前記検査対象面で全反射されたX線をX線検出器によって検出するX線検出工程と、前記X線検出器の出力を処理する処理工程と、を含み、前記X線検出器は1keV以上のエネルギー分解能を有し、又は、前記X線検出器はエネルギー分析機能を有しない。
 本発明によれば、検査対象面に存在する異物を高い感度で検出するために有利な技術が提供される。
第1実施形態の検査装置の構成を模式的に示す図。 第1実施形態の検査装置の具体的な構成例を示す図。 X線発生管の構成例を模式的に示す図。 図2の検査装置の一部を拡大した模式図。 図2の検査装置の一部を拡大した模式図。 距離Dxs(横軸)とX線検出器で検出される異物のカウント数(縦軸)との関係を例示する図。 実施形態の検査装置の具体的な構成例を示す図。 第2実施形態の検査装置の構成を模式的に示す図。 第3実施形態の検査装置の構成を模式的に示す図。 第4実施形態の検査装置の構成を模式的に示す図。
 以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
 図1には、本開示の第1実施形態の検査装置IAの構成が模式的に示されている。検査装置IAは、例えば、検査面IPに配置された検査対象面TSを検査する検査装置として構成されうる。ここで、検査面IPは、検査対象面TSを配置すべき面であり、検査対象面TSは、検査対象物ITの1つの面である。検査装置IAは、X線発生管101を備えうる。X線発生管101は、電子線が照射されることによってX線を発生するX線発生部XGを含むターゲット(不図示)を有し、検査面IPに向けてX線XRを放射する。X線発生部XGからのX線XRが照射された異物FSは、異物FSを構成する物質に応じたX線を発生し、このようなX線は、蛍光X線あるいは特性X線とも呼ばれる。X線XRが照射された異物FSが発生したX線の一部は、検査対象面TSで全反射される。異物FSから放射され検査対象面TSで全反射されたX線は、X線XFとして示されている。検査装置IAは、X線検出器120を備えうる。X線検出器120は、X線発生部XGからのX線XRが照射された検査対象面TSに存在する異物FSから放射され検査対象面TSで全反射されたX線XFを検出するように構成されうる。検査装置IAは、X線検出器120からの出力に基づいて異物FSを検出する処理を行うプロセッサを更に備えうる。該プロセッサは、X線検出器120からの出力に基づいて異物FSを構成する物質を特定する処理を更に行いうる。該プロセッサは、例えば、検査装置IAの動作を制御する制御部によって実現されうる。
 図2には、図1に示される検査装置IAをより具体化した構成例が示されている。検査装置IAは、X線発生装置100と、X線検出器120と、制御部140とを備えうる。X線発生装置100は、X線発生管101と、X線発生管101を駆動する駆動回路103とを備えうる。X線発生装置100は、昇圧された電圧を駆動回路103に供給する昇圧回路102を更に備えうる。X線発生装置100は、X線発生管101、駆動回路103および昇圧回路102を収納する収納容器(不図示)を更に備え、該収納容器の中には絶縁油等の絶縁流体が充填されうる。制御部140は、X線発生装置100およびX線検出器120を制御するように構成されうる。制御部140はまた、上記のプロセッサの機能を備えることができる。より具体的には、制御部140は、X線検出器120からの出力に基づいて異物FSを検出する処理を行いうる。また、制御部140は、X線検出器120からの出力に基づいて異物FSを構成する物質を特定する処理を更に行いうる。制御部140は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
 検査装置IAは、X線発生部XGから放射され、検査対象面TSを有する検査対象物ITを透過したX線を検出するX線検出パネル130を更に備えてもよい。制御部140は、X線検出パネル130からの出力に基づいて、検査対象物ITを透過したX線の画像(検査対象物ITの透過画像)を生成し、該画像に基づいて、検査対象面TSに存在する異物FSを検出するように構成されうる。X線検出パネル130を用いることにより、検査対象物ITの内部に存在する異物や、検査対象面TSとは反対側の面に存在する異物も検出することもできる。制御部140は、異物FSの存在を検出する他、異物FSの位置および/またはサイズを検出するように構成されうる。X線検出器120に加えてX線検出パネル130を備えることにより、X線検出器120では検出できない異物FSをX線検出パネル130によって検出することができるので、異物FSを検出する確度を向上させることができる。また、一つのX線発生管から放射されるX線を用いて透過画像の取得と異物の検出とを行う検査装置IAは、透過画像の取得と異物の検出とを個別に行う2つの装置を有するシステムと比較して、小型化およびコスト削減の観点で有利である。
 検査装置IAは、表示部150を更に備えてもよく、制御部140は、X線検出器120の出力に基づいて特定された異物FSの構成物質を示す情報を表示部150に表示させるように構成されうる。制御部140はまた、X線検出パネル130からの出力に基づいて生成された検査対象物ITの透過画像を表示部150に表示させるように構成されうる。制御部140はまた、X線検出パネル130からの出力に基づいて検出された異物の位置および/またはサイズを示す情報を表示部150に表示させるように構成されうる。制御部140は、単体のユニットで構成されもよいし、複数のユニットに分割されて構成されてもよい。
 図3には、X線発生管101の構成例が模式的に示されている。X線発生管101は、電子銃EGと、電子銃EGからの電子が衝突することによってX線を発生するX線発生部XGを含むターゲット933を有するアノード93と、絶縁管92とを備えうる。X線発生管101において、絶縁管92の2つの開口端の一方を閉塞するようにアノード93が配置され、絶縁管92の2つの開口端の他方を閉塞するように、電子銃EGを含む閉塞部材91が配置されうる。絶縁管92の外側には、電子銃EGからの電子の流れ(電子線)を偏向させる偏向器94が配置されてもよい。図3に示されたX線発生管101は、絶縁管92の内部空間が真空状態に維持され、X線がターゲット933および後述するターゲット保持板932を透過する密閉透過型のX線発生管の一例であるが、X線発生管101としては、非密閉の開放型、または、非透過の反射型のX線発生管が採用されてもよい。
 偏向器94は、X線発生管101の外側に配置されうる。X線発生管101の軸AXに平行な方向に関しては、偏向器94は、アノード93とカソード(不図示)との間に設けられうる。X線発生管101の軸AXに平行な方向に関して、一例において、偏向器94は、電子銃EGとターゲット933との間に設けられる。具体的には、偏向器94を横切る仮想平面97は、電子銃EGの先端に接する仮想平面95とターゲット933の一部に接する仮想平面96に挟まれた空間に位置しうる。仮想平面95、仮想平面96、仮想平面97は、X線発生管101の軸AXに直交する平面である。
 アノード93は、ターゲット933と、ターゲット933を保持するターゲット保持板932と、ターゲット保持板932を保持する電極931とを含みうる。電極931は、ターゲット933に電気的に接続されていて、ターゲット933に電位を与えうる。ターゲット933は、電子銃EGから放出された電子(電子線)がターゲット933に衝突することによってX線を発生する。X線発生部XGは、ターゲット933の表面における電子(電子線)が衝突する部分である。X線発生部XGで発生したX線は、ターゲット保持板932を透過してX線発生管101の外部に放射される。アノード93は、例えば、接地電位に維持されうるが、他の電位に維持されてもよい。
 ターゲット933は、金属材料で構成される。ターゲット933は、融点が高い材料、例えば、タングステン、タンタルまたはモリブデン等で構成されることが望ましく、これはX線の発生効率の向上に寄与する。ターゲット保持板932は、X線を透過し易い材料、例えば、ベリリウムまたはダイヤモンド等で構成されうる。ターゲット保持板932は、ダイヤモンドで構成されることが望ましく、これにより、ターゲット保持板932の強度を保ちつつ厚さを薄くすることができ、検査面IP(検査対象面TS)とターゲット933(X線発生部XG)との距離を近づけることができうる。ターゲット保持板932の厚さは、薄いことが望ましい。具体的には、ターゲット保持板932の厚さは、4mm以下であることが望ましく、2mm以下、1mm以下、0.3mm以下であることが更に望ましい。これらのターゲット保持板932の厚さは、後述する異物に含まれる元素を特定するために必要なX線発生部XGから検査面IPまでの距離を参考に設定されうる。異物に含まれる元素を特定するためには、ターゲット保持板932は限り無く薄いことが望ましいが、ターゲット保持板932の加工コストや個体差、絶縁管92の内部空間を真空状態に維持するための強度等の観点からは厚いことが望ましい。そのため最適なターゲット保持板932の厚さを使用することが望ましい。なお、図3は、ターゲット933の厚さとターゲット保持板932の厚さとの関係を示すことを意図したものでない。例えば、ターゲット933の厚さは数μmであってもよく、ターゲット保持板932の厚さは数百μmであってもよい。
 図4は、図2の検査装置IAの一部を拡大した模式図である。検査対象面TSには、異物FSが存在しうる。検査対象面TSで全反射するように異物FSから放射され検査対象面TSで全反射したX線(特性X線)XFは、X線検出器120のX線取込部121に入射する。一方、X線(特性X線)XFを検出するように配置されたX線検出器120のX線取込部121には、X線発生部XGからのX線XRの照射によって検査対象物IT自体から発生しうる蛍光X線は、殆ど入射しない。したがって、異物FSから放射されX線検出器120によって検出されるX線(特性X線)XFに対する検査対象物IT自体から放射されX線検出器120によって検出される蛍光X線の比率をきわめて小さくすることができる。
 X線検出器120は、シリコンドリフト型検出器(SDD)であってもよいし、CdTe検出器またはCdZnTe検出器であってもよい。X線検出器120は、エネルギー分散型検出器であってもよい。X線検出器120がエネルギー分散型検出器である場合、制御部(あるいはプロセッサ)140は、エネルギー分散の元素プロファイル(エネルギー毎のカウント値)から異物FSを構成する物質あるいは元素を決定することができる。制御部(あるいはプロセッサ)140には、異物FSを構成する物質あるいは元素を決定するために、市販のソフトウェアが組み込まれてもよい。そのようなソフトウェアとしては、例えば、AMETEK社の”XRS-FP Quantitative XRF Analysis Software”、または、Uniquant社製のソフトウェアを挙げることができる。
 X線検出器120の仕様は、異物検出に必要なエネルギー分解能に応じて決定されうる。低いエネルギー分解能を有する検出器の例としては、シンチレーター、Siのpinフォトダイオード、又はCCDを用いた検出器を挙げることができる。それよりも高いエネルギー分解能を有する検出器の例としては、比例計数管を用いた検出器を挙げることができる。さらに高いエネルギー分解能を有する検出器の例としては、CdTe直接遷移結晶、あるいはSiドリフト検出器のようなエネルギー分散型検出方法が適用された検出器を挙げることができる。さらに高いエネルギー分解能を有する検出器の例としては、分光結晶を用いて角度からエネルギーを求める波長分散型検出方法が適用された検出器を挙げることができる。
 異物FSからの蛍光X線が検査対象面TSで全反射されるためには、異物FSからの蛍光X線が検査対象面TSに入射する角度が全反射臨界角θ以下である必要がある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 ここで、
   θ:全反射臨界角
   r:電子の古典半径(2.818×10-15m)
   N:アボガドロ数
   λ:X線の波長
   ρ:密度(g/cm
   Zi,Mi,xi:i番目の原子の原子番号,原子量および原子数比(モル比)
   f’:i番目の原子の原子散乱因子(異常分散項)
 理論上、検査対象面TSが金属である場合の全反射臨界角は、おおむね1°以下であるが、現実には、金属表面は酸化または炭化されている場合や、グラファイト層で覆われている等により理論値とは異なる反射臨界角となる場合が多い。検査対象面TSに対してX線XRを照射した場合に、全反射条件を満たしている場合は、検査対象面TSと、異物FSから放射され検査対象面TSで全反射された特性X線XFとの角度(全反射臨界角)は、5°以下であることが実験を通して確認された。ここで、異物FSは、X線発生部XGと検査面IP(検査対象面TS)との距離DXSに比べてきわめて小さいので、異物FSから放射され検査対象面TSで全反射される位置は、X線発生部XGからのX線XRが検査面IPに入射する位置と見做してよい。また、図4のようにX線発生部XGからのX線XRが検査面IPに垂直に入射する位置に異物FSがある場合は、異物FSから放射され検査対象面TSで全反射される位置は、X線発生部XGからのX線XRが検査面IPに垂直に入射する位置と見做してよい。
 全反射臨界角が5°以下であることから、X線発生部XGからのX線XRが検査面IPに入射する位置とX線検出器120のX線取込部121を結ぶ仮想線と検査面IPとがなす角度θは、5°以下とすることができ、2°以下であることが望ましく、1°以下であることが更に望ましい。角度θが小さいほど、異物FSから放射されX線検出器120によって検出されるX線(特性X線)XFに対する検査対象物IT自体から放射されX線検出器120によって検出される蛍光X線の比率を小さくすることができる。
 X線検出器120は、検査面IPの延長面がX線検出器120を横切る位置に配置されうる。X線取込部121は、図5に模式的に示されるように、X線XFを透過する窓部122を含みうる。窓部122は、例えば、直径が数mm、厚さが数百μmでありうる。窓部122は、例えば、ベリリウム等で構成されうる。検査装置IAは、図5に模式的に示されるように、X線発生部XGからのX線XRが検査面IPに入射する位置とX線検出器120のX線取込部121を結ぶ仮想線の上にスリット(開口)を有するスリット部材125を備えてもよい。スリット部材125に設けられるスリットの大きさやX線検出器120の配置位置は、検査対象面TS上のX線XRが当たる範囲や検査対象面TSおよび異物FSを構成しうる物質等に応じて決定されうる。図7に模式的に示されるように、検査対象面TS上のX線XRが当たる幅Yの両端に異物FS1、FS3が存在し、幅Yの中心からX線取込部121までの距離Zが幅Yと同じ長さの場合を考える。この場合、スリットの幅Wの下限をY×tanθ、X線取込部121の中心と検査面IPの距離XもY×tanθとすることで、検査対象面TS上のX線XRが当たる範囲の異物をもれなく検知することができる。
 X線検出器120によって検出されるX線XFの強度を高めるためには、X線発生部XGから検査面IPまでの距離Dxsを小さくすることが望ましい。図6には、距離Dxs(横軸)とX線検出器120で検出される異物FSのカウント数(縦軸)との関係を実験によって得た結果が示されている。カウント数は、異物に含まれる特定の元素から出た蛍光X線(例えばNiのKα線)の位置に相当するエネルギーの一定時間当たりの総カウント数(ピークカウント)である。元素を特定するために必要なカウント数THを考慮すると、X線発生部XGから検査面IPまでの距離Dxsは5mm以下であることが望ましく、4mm以下であることが更に望ましく、3mm以下であることが一層望ましい。X線発生管101としては、例えば、キヤノンアネルバ社製の透過密閉型マイクロフォーカスX線源、具体的にはGシリーズ、更に具体的にはG-511シリーズやG-311シリーズが有用である。
 数μmから数十μmのサイズの異物を透過画像により高感度で検出するためには、検査面IPからX線検出パネル130までの距離DsfをDxsに対して十分に大きくする必要がある。例えば、直径が5μmの異物を検出するために10個の画素が必要である場合、画素ピッチが100μmのX線検出パネル(FPD)を用いると、100x10/5=200倍が検出に必要な倍率となり、直径が50μmの異物の場合は20倍が検出に必要な倍率となる。そのため、Dsf/Dxsを20以上にすることが望ましく、200以上にすることが更に望ましい。これにより、透過画像を使って異物を高感度で異検出することができる。
 検査装置IAは、例えば、リチウムイオン電池の生産工程において、その材料に付着した遺物を検出するために有用であるが、これは一例に過ぎず、他の用途にも有用である。検査装置IAは、例えば、PM2.5等の環境、健康に影響を及ぼす大気浮遊粒子の測定、分析に利用されてもよい。この場合、粒子の数およびサイズを定期的(例えば、毎時、毎日)に計測している従来技術に対し、検査装置IAを用いることで、粒子の数およびサイズの計測に加えて、粒子を構成する物質あるいは元素の特定を同時に行うことができるので、より高度な環境、健康対策が可能となる。あるいは、近年微細化が高度化している半導体、例えばEUV用マスク製造装置、検査装置や、半導体製造工程の検査装置等の分野に検査装置IAを用いることで、歩留まりの改善や、異物の元素情報を用いた異常原因の早期解決が可能となる。
 以下、検査装置IAを用いて、検査面IPに配置された検査対象面TSを検査する検査方法を説明する。該検査方法は、検査面IP(検査対象面TS)に向けてX線を放射し、検査対象面TSに存在する異物FSから放射され検査対象面TSで全反射されたX線XFをX線検出器120によって検出するX線検出工程と、X線検出器120の出力を処理する処理工程とを含みうる。該処理工程は、異物FSを検出する工程、および/または、異物FSを構成する物質を特定する工程を含みうる。該検査方法は、検査対象面TSを有する検査対象物ITを透過したX線をX線検出パネル130で検出する工程を更に含むことができ、該処理工程では、X線検出器120の出力およびX線検出パネル130の出力を処理しうる。該処理工程は、X線検出パネル130の出力に基づいて、異物FSの存在および異物FSの位置を検出する工程を含みうる。あるいは、該処理工程は、X線検出パネル130の出力に基づいて、異物FSの存在、異物FSの位置を、および、異物FSのサイズを検出する工程を含みうる。
 第1実施形態では、異物を構成する物質を特定する機能を有する検査装置について説明したが、検査装置は、異物を構成する物質を特定する機能を有しなくてもよい。例えば、検査速度を向上させる場合や、移動中の検査対象物を検査する場合、異物から放射されて全反射されたX線を検出できる量は限定されうる。そのため、十分な異物特定精度が得られずに、検査対象物上の異物が見過ごされ、製造歩留まりが低下しうる。しかし、異物を構成する物質を特定せずに、異物の有無のみを検知する検査装置を構成することで、高速な検査を実現することできる。また、検査対象物を透過したX線の画像によって異物の位置の特定する機能を除去することにより、安価な検査装置を提供することができる。また、異物を構成する物質を特定する機能が不要であれば、エネルギー分解能が1keV以上といった低い分解能(ある強度における半値幅が広い、粗い分解能)を有する安価なX線検出器(例えば比例計数管やNaIシンチレーター)を用いることが可能となる。これ以外には、PIN、CCDフォトダイオードに代表されるエネルギー分解能が数eV程度といった高い分解能を有するが、エネルギー分析機能を有しない安価なX線検出器を用いることが可能となる。これらの安価なX線検出器は、低エネルギーのX線(50eV~50keV)の検出効率が高い。そこで、X線検出器120は、50eV~50keVの範囲内のエネルギーを有するX線を検出するX線検出器でありうる。
 また、一つのX線発生装置からのX線の照射により異物から放射されて全反射されたX線を検出するために、複数の検出器が設けられてもよい。複数の検出器を設けることにより、異物から放射されて全反射されたX線を検出する精度が向上しうる。
 図8には、第2実施形態の検査装置IAの構成が模式的に示されている。第2実施形態として説明しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態の検査装置IAは、複数のX線検出器、例えば、第1X線検出器1201および第2X線検出器1202を含みうる。第1X線検出器1201および第2X線検出器1202は、X線発生管101の軸AXを挟んで対向するように配置されうる。他の観点において、第1X線検出器1201および第2X線検出器1202は、互いに対向するように配置されうる。第1X線検出器1201および第2X線検出器1202は、例えば、PINフォトダイオード等の安価なX線検出器で構成されうる。第2実施形態の検査装置IAは、第1実施形態の検査装置IAにおけるスリット部材125と同様のスリット部材1251、1252を備えうる。スリット部材1251、1252は、それぞれ第1X線検出器1201、第2X線検出器1202に対して設けられうる。X線発生部XGからのX線XRが照射された異物FS1からは、X線が放射状(例えば、360度の全方向)に放射され、そのX線の一部は検査対象面TSで全反射されうる。検査対象面TSで全反射されたX線は、例えば、第1X線検出器1201に入射するX線XF11、および、第2X線検出器1202に入射するX線XF12を含みうる。図示されたX線XF11、X線XF12は、X線光子の軌跡ベクトルとして理解することもできる。検査対象面TSには、異物FS1の他にも異物が存在しうる。したがって、異物FS1から放射され検査対象面TSで全反射されたX線は、他の異物によって遮断され、複数のX線検出器のうちの1つのX線検出器には入射しない可能性がある。しかし、複数のX線検出器を配置することによって、複数のX線検出器のいずれかによって、異物FS1から放射され検査対象面TSで全反射されたX線を検出することができる可能性が高まる。
 図9には、第3実施形態の検査装置IAの構成が模式的に示されている。図9は検査装置IAを斜め方向から見た図である。第3実施形態として説明しない事項は、第1又は第2実施形態に従いうる。図9ではスリット部材の記載が省略されているが、第2実施形態と同様にスリット部材が設けられてもよい。検査装置IAは、検査対象物ITを搬送方向DIRに沿って搬送する搬送機構CVを備えうる。
 第1X線検出器1201および第2X線検出器1202は、搬送方向DIRに平行な方向、あるいは、検査対象物ITの長手方向に平行な方向において互いに離隔した位置に配置されうる。図9には、X線発生部XGからのX線XRが照射された異物FS1から放射され検査対象面TSで全反射されたX線XF11(X線光子の軌跡ベクトル)とX線XF12(X線光子の軌跡ベクトル)が示されている。X線XF11は、第1X線検出器1201に入射し、X線XF12は、第2X線検出器1202に入射する。
 検査対象面TS上には、異物FS1とは異なる異物FS2が存在しうる。図9の例では、異物FS2は、異物FS1と第1X線検出器1201との間に存在する。X線XF11が異物FS2によって遮断されると、X線XF11を第1X線検出器1201で検出することができない。しかし、第2X線検出器1202によって異物FS1からのX線XF12を検出することができる。これにより、検査対象物ITの検査対象面TS上の異物を見過ごす可能性が低減され、製造歩留まりの低下を防止できる。また、異物を検出した第2検出器1202と検出できなかった第1検出器1201との位置関係から、異物の位置を推測することができる。例えば、図9の例では、異物FS1と第2X線検出器1202との間に異物FS2が存在することを推定することができる。
 検査装置IAは、検査対象面TSの反対側の面に存在する異物から全反射されたX線を検出するように配置された追加のX線検出器を備えてもよい。
 図10には、第4実施形態の検査装置IAの構成が模式的に示されている。第4実施形態として説明しない事項は、第1乃至第3実施形態に従いうる。図10には、異物FS1から放射され検査対象面TSで全反射されたX線XF11、XF12が示されている。第4実施形態の検査装置IAは、一定の方向に延びた長尺状のX線取込部1206を有するX線検出器1205を備えうる。X線検出器1205は、PINフォトダイオード等の安価なX線検出器で構成されうる。図10に示される例では、X線取込部1206は、検査対象面TSと平行な面に対して平行な方向に延びている。他の観点では、X線取込部1206は、検査対象物ITの長手方向に平行な方向に延びている。更に他の観点では、X線取込部1206は、搬送方向DIRに平行な方向に延びている。X線取込部1206は、短辺および長辺を有する矩形形状を有することができ、長手方向は、長辺に平行な方向である。長辺は、例えば、短辺の3倍以上の長さを有しうる。
 図10には示されていないが、検査装置IAは、スリットを有するスリット部材を有してよく、スリット部材は、X線取込部1206の長手方向に沿って延びた矩形形状を有しうる。スリットは、複数の部分スリットに分割されて配置されてもよい。スリット部材は、異物の検出精度を向上させるために有利である。また、スリット部材を設けることによって、X線取込部1206とスリットとの位置関係に基づいて、異物の位置を特定することができる。
 長尺状のX線取込部1206は、異物FS1から放射され検査対象面TSで全反射されたX線の一部が他の異物FS2で遮断されるような場合においても、異物FS1を検出するために有利である。図10の例では、異物FS1から放射され検査値正面TSで全反射されたX線XF11は異物FS2で遮断されうるが、異物FS1から放射され検査値正面TSで全反射されたX線XF12はX線取込部1206に入射しうる。検査装置IAは、2以上のX線検出器1205を備えてもよい。そのような2以上のX線検出器1205は、その長手方向が搬送方向DIRに平行な方向に一致するように配置されうる。また、そのような2以上のX線検出器1205は、搬送方向DIRに直交する方向に重ねて配置されうる。検査装置IAは、搬送方向DIRに交差する方向、例えば、直交する方向に沿って延びた長手方向を有するX線取込部を有するX線検出器を更に備えてもよい。
 発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

Claims (20)

  1.  検査面に配置された検査対象面を検査する検査装置であって、
     電子線が照射されることによってX線を発生するX線発生部を含むターゲットを有し、前記検査面に向けてX線を放射するX線発生管と、
     前記X線発生部からのX線が照射された前記検査対象面に存在する異物から放射され前記検査対象面で全反射されたX線を検出するX線検出器と、を備え、
     前記X線検出器は1keV以上のエネルギー分解能を有し、又は、前記X線検出器はエネルギー分析機能を有しない、
     ことを特徴とする検査装置。
  2.  前記X線検出器からの出力に基づいて前記異物を検出する処理を行うプロセッサを更に備える、
     ことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
  3.  前記X線検出器は、50eV~50keVの範囲内のエネルギーを有するX線を検出可能である、
     ことを特徴とする請求項1又は2に記載の検査装置。
  4.  前記検査面と前記X線発生部との距離が5mm以下である、
     ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の検査装置。
  5.  前記検査面と前記X線発生部との距離が3mm以下である、
     ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の検査装置。
  6.  前記X線発生部からのX線が前記検査面に入射する位置と前記X線検出器のX線取込部を結ぶ仮想線と前記検査面とがなす角度が5°以下である、
     ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検査装置。
  7.  前記X線発生部からのX線が前記検査面に入射する位置と前記X線検出器のX線取込部を結ぶ仮想線と前記検査面とがなす角度が2°以下である、
     ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検査装置。
  8.  前記仮想線の上にスリットを有するスリット部材を更に備える、
     ことを特徴とする請求項6又は7に記載の検査装置。
  9.  前記X線発生部から放射され、前記検査対象面を有する検査対象物を透過したX線を検出するX線検出パネルを更に備える、
     ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の検査装置。
  10.  前記X線発生管は、密閉透過型である、
     ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の検査装置。
  11.  前記X線発生管は、前記ターゲットを保持するターゲット保持板を備え、前記ターゲット保持板の厚さは、4mm以下である、
     ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の検査装置。
  12.  前記ターゲット保持板は、ダイヤモンドを含む、
     ことを特徴とする請求項11に記載の検査装置。
  13.  前記検査対象面を有する検査対象物を搬送する搬送機構を更に備える、
     ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の検査装置。
  14.  前記X線検出器の他に、前記X線発生部からのX線が照射された前記検査対象面に存在する異物から放射され前記検査対象面で全反射されたX線を検出する少なくとも1つのX線検出器を更に備える、
     ことを特徴とする請求項13に記載の検査装置。
  15.  前記X線検出器および前記少なくとも1つのX線検出器は、前記搬送機構による前記検査対象物の搬送方向に平行な方向に互いに離隔して配置されている、
     ことを特徴とする請求項14に記載の検査装置。
  16.  前記X線検出器は、長尺状のX線取込部を含む、
     ことを特徴とする請求項13に記載の検査装置。
  17.  前記X線取込部の長手方向は、前記搬送機構による前記検査対象物の搬送方向に平行な方向に平行である、
     ことを特徴とする請求項16に記載の検査装置。
  18.  検査面に配置された検査対象面を検査する検査方法であって、
     前記検査面に向けてX線を放射し、前記検査対象面に存在する異物から放射され前記検査対象面で全反射されたX線をX線検出器によって検出するX線検出工程と、
     前記X線検出器の出力を処理する処理工程と、を含み、
     前記X線検出器は1keV以上のエネルギー分解能を有し、又は、前記X線検出器はエネルギー分析機能を有しない、
     ことを特徴とする検査方法。
  19.  前記処理工程は、前記異物を検出する工程を含む、
     ことを特徴とする請求項18に記載の検査方法。
  20.  前記X線検出器は、50eV~50keVの範囲内のエネルギーを有するX線を検出可能である、
     ことを特徴とする請求項18又は19に記載の検査方法。
PCT/JP2022/043908 2022-01-31 2022-11-29 検査装置および検査方法 WO2023145238A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW112103030A TWI845136B (zh) 2022-01-31 2023-01-30 檢查裝置以及檢查方法
US18/350,093 US11921059B2 (en) 2022-01-31 2023-07-11 Inspection apparatus and inspection method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-013653 2022-01-31
JP2022013653 2022-01-31

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/350,093 Continuation US11921059B2 (en) 2022-01-31 2023-07-11 Inspection apparatus and inspection method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023145238A1 true WO2023145238A1 (ja) 2023-08-03

Family

ID=87471017

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/016709 WO2023145101A1 (ja) 2022-01-31 2022-03-31 検査装置および検査方法
PCT/JP2022/043908 WO2023145238A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 検査装置および検査方法
PCT/JP2022/043907 WO2023145237A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 検査装置および検査方法
PCT/JP2022/043905 WO2023145235A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 検査装置および検査方法
PCT/JP2022/043906 WO2023145236A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 異物検出および蛍光x線による同定装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/016709 WO2023145101A1 (ja) 2022-01-31 2022-03-31 検査装置および検査方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/043907 WO2023145237A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 検査装置および検査方法
PCT/JP2022/043905 WO2023145235A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 検査装置および検査方法
PCT/JP2022/043906 WO2023145236A1 (ja) 2022-01-31 2022-11-29 異物検出および蛍光x線による同定装置

Country Status (4)

Country Link
US (5) US11921059B2 (ja)
JP (1) JP2023111866A (ja)
TW (2) TW202338863A (ja)
WO (5) WO2023145101A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023145101A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 キヤノンアネルバ株式会社 検査装置および検査方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05346411A (ja) * 1992-04-16 1993-12-27 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光x線分析装置
JPH09318565A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Rigaku Ind Co X線分析方法および装置
JP2000055841A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Fujitsu Ltd X線分析方法
US6829327B1 (en) * 2000-09-22 2004-12-07 X-Ray Optical Systems, Inc. Total-reflection x-ray fluorescence apparatus and method using a doubly-curved optic
JP2005292077A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd X線顕微鏡装置
JP2009236622A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Tohken Co Ltd 蛍光x線分析機能付き高分解能x線顕微装置
JP2010518406A (ja) * 2007-02-12 2010-05-27 サーモ ニトン アナライザーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 小スポット蛍光x線(xrf)分析装置
JP2013044644A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法
CN105758345A (zh) * 2016-04-22 2016-07-13 武汉科技大学 一种在线测量带钢镀层厚度的x射线荧光成像装置
WO2017104659A1 (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 株式会社堀場製作所 X線管、及び、x線分析装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69510734T2 (de) 1994-03-02 2000-02-17 Koninkl Philips Electronics Nv Röntgenspektrometer mit streifendem ausfallwinkel
JP3165615B2 (ja) 1995-03-17 2001-05-14 財団法人国際超電導産業技術研究センター 表面元素分析方法及び装置
KR100233312B1 (ko) 1995-08-09 1999-12-01 야마모토 카즈모토 전반사 형광 x선 분석 장치 및 방법
US5742658A (en) 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
US6005915A (en) 1997-11-07 1999-12-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for measuring the roughness of a target material surface based upon the scattering of incident X-ray photons
DE19934987B4 (de) * 1999-07-26 2004-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Röntgenanode und ihre Verwendung
JP3998556B2 (ja) 2002-10-17 2007-10-31 株式会社東研 高分解能x線顕微検査装置
JP2007212468A (ja) 2007-03-16 2007-08-23 Tohken Co Ltd 高分解機能x線顕微検査装置
JP4914514B2 (ja) 2010-07-02 2012-04-11 株式会社リガク 蛍光x線分析装置および方法
US20140067316A1 (en) 2012-08-30 2014-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Measuring apparatus, detector deviation monitoring method and measuring method
JP6026936B2 (ja) 2013-03-28 2016-11-16 株式会社日立ハイテクサイエンス 異物検出装置
US9551677B2 (en) 2014-01-21 2017-01-24 Bruker Jv Israel Ltd. Angle calibration for grazing-incidence X-ray fluorescence (GIXRF)
US9594036B2 (en) 2014-02-28 2017-03-14 Sigray, Inc. X-ray surface analysis and measurement apparatus
WO2016059673A1 (ja) 2014-10-14 2016-04-21 株式会社リガク X線薄膜検査装置
US10269536B2 (en) * 2015-03-25 2019-04-23 Hitachi High-Technologies Corporation Electron microscope
PL3317652T3 (pl) 2015-06-30 2021-03-08 Illinois Tool Works Inc. Urządzenie i sposób pomiaru promieniowania rentgenowskiego inline
US10295486B2 (en) 2015-08-18 2019-05-21 Sigray, Inc. Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution
CN206020314U (zh) 2016-09-09 2017-03-15 广州市怡文环境科技股份有限公司 一种全反射x射线荧光分析系统
JP6867224B2 (ja) * 2017-04-28 2021-04-28 浜松ホトニクス株式会社 X線管及びx線発生装置
US10895541B2 (en) 2018-01-06 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for combined x-ray reflectometry and photoelectron spectroscopy
JP6601854B1 (ja) 2018-06-21 2019-11-06 株式会社リガク 蛍光x線分析システム
DE112019005321T5 (de) 2018-10-25 2021-08-05 Horiba, Ltd. Röntgenanalyseeinrichtung und röntgenstrahl-erzeugungseinheit
CN113877059A (zh) 2020-07-03 2022-01-04 何浩明 具有调整机构以使贴片单元贴合人体的衣物结构
CN114486971A (zh) * 2022-01-25 2022-05-13 深圳市埃芯半导体科技有限公司 多源设计的x射线分析系统和方法
WO2023145101A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 キヤノンアネルバ株式会社 検査装置および検査方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05346411A (ja) * 1992-04-16 1993-12-27 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光x線分析装置
JPH09318565A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Rigaku Ind Co X線分析方法および装置
JP2000055841A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Fujitsu Ltd X線分析方法
US6829327B1 (en) * 2000-09-22 2004-12-07 X-Ray Optical Systems, Inc. Total-reflection x-ray fluorescence apparatus and method using a doubly-curved optic
JP2005292077A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd X線顕微鏡装置
JP2010518406A (ja) * 2007-02-12 2010-05-27 サーモ ニトン アナライザーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 小スポット蛍光x線(xrf)分析装置
JP2009236622A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Tohken Co Ltd 蛍光x線分析機能付き高分解能x線顕微装置
JP2013044644A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法
WO2017104659A1 (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 株式会社堀場製作所 X線管、及び、x線分析装置
CN105758345A (zh) * 2016-04-22 2016-07-13 武汉科技大学 一种在线测量带钢镀层厚度的x射线荧光成像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230349845A1 (en) 2023-11-02
US20230349844A1 (en) 2023-11-02
US11921059B2 (en) 2024-03-05
WO2023145236A1 (ja) 2023-08-03
JP2023111866A (ja) 2023-08-10
TW202346847A (zh) 2023-12-01
TW202346853A (zh) 2023-12-01
US20230349841A1 (en) 2023-11-02
US11971370B2 (en) 2024-04-30
TW202346848A (zh) 2023-12-01
WO2023145235A1 (ja) 2023-08-03
US20230349843A1 (en) 2023-11-02
US11927554B2 (en) 2024-03-12
TW202338863A (zh) 2023-10-01
WO2023145237A1 (ja) 2023-08-03
WO2023145101A1 (ja) 2023-08-03
US11977038B2 (en) 2024-05-07
TW202338340A (zh) 2023-10-01
US20230349846A1 (en) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7627088B2 (en) X-ray tube and X-ray analysis apparatus
US9644956B2 (en) Method and apparatus for measuring thin film thickness using x-ray
US5778039A (en) Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF)
KR20200015223A (ko) 미세 결함 검사용 비파괴 검사 장치 및 방법
WO2023145238A1 (ja) 検査装置および検査方法
US11686692B2 (en) High throughput 3D x-ray imaging system using a transmission x-ray source
US7659514B2 (en) Asymmetric annular detector
US20150110244A1 (en) X-ray inspection apparatus
TWI845136B (zh) 檢查裝置以及檢查方法
TWI845135B (zh) 檢查裝置以及檢查方法
JP5684032B2 (ja) 荷電粒子線分析装置および分析方法
US6263042B1 (en) Apparatus for X-ray analysis in grazing exit conditions
US7209542B2 (en) Simultaneous measurement of the reflectivity of X-ray with different orders of reflections and apparatus for measurement thereof
Krstajic Application of Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis Down to Carbon
JPH095263A (ja) 微量元素の検出方法
Zeybek Probing of the Unoccupied Electronic States in Solids by Inverse Photoemission Spectroscopy
JP4478792B2 (ja) 背面設置型x線検出方法
JPH05256801A (ja) 薄膜表面の微細構造測定装置
Wittry For the Degree of
JPS61253760A (ja) 荷電粒子エネルギ−分析器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22924090

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1