JPH05256801A - 薄膜表面の微細構造測定装置 - Google Patents
薄膜表面の微細構造測定装置Info
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- JPH05256801A JPH05256801A JP4087893A JP8789392A JPH05256801A JP H05256801 A JPH05256801 A JP H05256801A JP 4087893 A JP4087893 A JP 4087893A JP 8789392 A JP8789392 A JP 8789392A JP H05256801 A JPH05256801 A JP H05256801A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- thin film
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- electron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の薄膜化加工が不要で、最表面数原子層
の情報が容易かつ正確に得られる装置を得る。 【構成】 電子銃１から発射され、収束レンズ２、絞り
３および対物レンズ４を通過した電子線５を超高真空試
料室６内の試料ステージ７上の試料８に照射し、照射部
位からの反射二次電子を試料８とほぼ水平な面の超高真
空試料室６の側壁面上に設けた二次電子検出器９で検出
解析して試料８の最上表面の最近接原子間距離等の構造
を知ることができる。
の情報が容易かつ正確に得られる装置を得る。 【構成】 電子銃１から発射され、収束レンズ２、絞り
３および対物レンズ４を通過した電子線５を超高真空試
料室６内の試料ステージ７上の試料８に照射し、照射部
位からの反射二次電子を試料８とほぼ水平な面の超高真
空試料室６の側壁面上に設けた二次電子検出器９で検出
解析して試料８の最上表面の最近接原子間距離等の構造
を知ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜試料の最上表面の
原子配置構造などの物質の表面局所構造解析を行うため
の薄膜表面の微細構造測定装置に関する。
原子配置構造などの物質の表面局所構造解析を行うため
の薄膜表面の微細構造測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、薄膜表面の原子配置構造を解
析する方法としては、Ｘ線、電子線、中性子線などを用
いた方法が数多くある。
析する方法としては、Ｘ線、電子線、中性子線などを用
いた方法が数多くある。
【０００３】近年、技術の進歩は激しく、薄膜とはいう
ものの１０００Åというような厚い膜によって機能を得
る（例えば、センサーやメモリー薄膜）のではなくて、
数原子層に新規な素機能をもたせたデバイスの研究がさ
かんになってきている。この場合は基板上の数原子層
（最小では１原子層）の組成や原子配置（原子構造）や
化学的結合に関する情報を得ることが重要になってきて
いる。このための手法として、従来電子線やＸ線、中性
子線を用いた方法やＳＴＭというようなトルネル顕微鏡
やイオン線、レーザーを用いた方法など数多くある。こ
の中でも電子線は原子や電子との相互作用が大きいた
め、上記目的に良く合致し、好ましく用いられる。
ものの１０００Åというような厚い膜によって機能を得
る（例えば、センサーやメモリー薄膜）のではなくて、
数原子層に新規な素機能をもたせたデバイスの研究がさ
かんになってきている。この場合は基板上の数原子層
（最小では１原子層）の組成や原子配置（原子構造）や
化学的結合に関する情報を得ることが重要になってきて
いる。このための手法として、従来電子線やＸ線、中性
子線を用いた方法やＳＴＭというようなトルネル顕微鏡
やイオン線、レーザーを用いた方法など数多くある。こ
の中でも電子線は原子や電子との相互作用が大きいた
め、上記目的に良く合致し、好ましく用いられる。
【０００４】電子線を利用する表面局所構造解析の中で
も、電子線エネルギー損失分光法（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｅｎｅｒｇｙ Ｌｏｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、
以下、ＥＥＬＳと略記する）は、軽元素でも上記の情報
が得られることや、電子顕微鏡の高精度化の進歩に伴っ
て近年多用されるようになった。
も、電子線エネルギー損失分光法（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｅｎｅｒｇｙ Ｌｏｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、
以下、ＥＥＬＳと略記する）は、軽元素でも上記の情報
が得られることや、電子顕微鏡の高精度化の進歩に伴っ
て近年多用されるようになった。
【０００５】これは電子線を用いるために真空中で測定
される。この点は本発明も同じであるが、ＥＥＬＳは電
子線を試料中に通過させ通過中に失われた（非弾性散乱
によって）エネルギーのスペクトルを測定し、スペクト
ルを解析することによって、原子の配置や、化学的結
合、原子の種類に関する情報が得られる。現在では透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の中で行われている。
される。この点は本発明も同じであるが、ＥＥＬＳは電
子線を試料中に通過させ通過中に失われた（非弾性散乱
によって）エネルギーのスペクトルを測定し、スペクト
ルを解析することによって、原子の配置や、化学的結
合、原子の種類に関する情報が得られる。現在では透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の中で行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＥＥＬＳの測定法の原
理の概略断面図を図３に示すが、ＥＥＬＳの欠点は、試
料中に電子線を透過させるために数百Å（好ましくは２
００〜３００Å）と薄くしなければこの手法を用いるこ
とができないことである。この時に膜に色々な力やエネ
ルギーが加わり、試料にダメージを与えていないかとい
う疑問が生じ、元の試料と同じ状態にあるかどうか信頼
性に欠ける。更に、試料作製のために大変手間がかかる
という問題もある。
理の概略断面図を図３に示すが、ＥＥＬＳの欠点は、試
料中に電子線を透過させるために数百Å（好ましくは２
００〜３００Å）と薄くしなければこの手法を用いるこ
とができないことである。この時に膜に色々な力やエネ
ルギーが加わり、試料にダメージを与えていないかとい
う疑問が生じ、元の試料と同じ状態にあるかどうか信頼
性に欠ける。更に、試料作製のために大変手間がかかる
という問題もある。
【０００７】また、従来のＥＥＬＳ法を改良したものと
して図４に示すように、電子線を薄膜表面と微小角をな
して表面スレスレに入射させ、スレスレに反射させて測
定する方法があり、この方法では１原子層の測定も可能
であるが、わずか２〜３ｍｍφの小さな試料を用いてこ
のような光学系をセットすることは容易でないという問
題点がある。
して図４に示すように、電子線を薄膜表面と微小角をな
して表面スレスレに入射させ、スレスレに反射させて測
定する方法があり、この方法では１原子層の測定も可能
であるが、わずか２〜３ｍｍφの小さな試料を用いてこ
のような光学系をセットすることは容易でないという問
題点がある。
【０００８】本発明は上記のＥＥＬＳ法の問題点に鑑み
なされたものであり、試料の薄膜化加工が不要であり、
かつ重要な最表面数原子層の情報を容易にかつ正確に得
ることができる、表面構造を解析するための装置を提供
することを目的とする。
なされたものであり、試料の薄膜化加工が不要であり、
かつ重要な最表面数原子層の情報を容易にかつ正確に得
ることができる、表面構造を解析するための装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、測定原理
の概略説明を図２に示す方法、すなわち電子線を薄膜試
料、これは基板上に１原子層しか成膜されていないもの
であっても良いのであるが、薄膜へ垂直に照射し、照射
部から全方位へ発生する二次電子線か蛍光Ｘ線のうち薄
膜表面と微小角（膜表面と５度以内の角度）で出射され
るものを測定することによって達成することができる。
の概略説明を図２に示す方法、すなわち電子線を薄膜試
料、これは基板上に１原子層しか成膜されていないもの
であっても良いのであるが、薄膜へ垂直に照射し、照射
部から全方位へ発生する二次電子線か蛍光Ｘ線のうち薄
膜表面と微小角（膜表面と５度以内の角度）で出射され
るものを測定することによって達成することができる。
【００１０】本発明の物質表面の局所構造解析を行うた
めの薄膜表面の微細構造測定装置は次のような構成を有
する。
めの薄膜表面の微細構造測定装置は次のような構成を有
する。
【００１１】すなわち、請求項１に記載の発明は、超高
真空試料室内に設置された薄膜試料を載置する試料ステ
ージと、前記試料面に垂直に電子線を入射させる電子銃
と電子レンズ系からなる収束レンズを有し、かつ前記試
料表面と微小角をなして該試料の電子線照射部位から出
射する二次電子を検知する検出器を前記超高真空試料室
の側壁面の前記試料表面とほぼ水平の位置に配置した電
子線エネルギー分光装置を用いることを特徴とする薄膜
表面の微細構造測定装置を要旨とする。
真空試料室内に設置された薄膜試料を載置する試料ステ
ージと、前記試料面に垂直に電子線を入射させる電子銃
と電子レンズ系からなる収束レンズを有し、かつ前記試
料表面と微小角をなして該試料の電子線照射部位から出
射する二次電子を検知する検出器を前記超高真空試料室
の側壁面の前記試料表面とほぼ水平の位置に配置した電
子線エネルギー分光装置を用いることを特徴とする薄膜
表面の微細構造測定装置を要旨とする。
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、前記検出
器が前記試料表面と微小角をなして該試料の電子線照射
部位から出射する蛍光Ｘ線を検知する検知器であるＸ線
エネルギー分光装置を用いることを特徴とする薄膜表面
の微細構造測定装置を要旨とする。
器が前記試料表面と微小角をなして該試料の電子線照射
部位から出射する蛍光Ｘ線を検知する検知器であるＸ線
エネルギー分光装置を用いることを特徴とする薄膜表面
の微細構造測定装置を要旨とする。
【００１３】さらに、請求項３に記載の発明は、前記検
出器が前記試料表面と微小角をなして該試料の電子線照
射部位から反射する反射電子を検知する検知器である電
子線エネルギー分光装置を用いることを特徴とする薄膜
表面の微細構造測定装置を要旨とする。
出器が前記試料表面と微小角をなして該試料の電子線照
射部位から反射する反射電子を検知する検知器である電
子線エネルギー分光装置を用いることを特徴とする薄膜
表面の微細構造測定装置を要旨とする。
【００１４】本発明においては、薄膜表面に対して入射
電子線はほぼ垂直に入射すればよいので光学系のセット
が容易であり、また薄膜表面と微小角をなして表面とス
レスレの反射電子等のみを測定するには、図２に示すよ
うに検出器の前にスリットを設けることにより容易に行
うことができる。
電子線はほぼ垂直に入射すればよいので光学系のセット
が容易であり、また薄膜表面と微小角をなして表面とス
レスレの反射電子等のみを測定するには、図２に示すよ
うに検出器の前にスリットを設けることにより容易に行
うことができる。
【００１５】また二次電子線や、蛍光Ｘ線は必ずしも強
くないので、検出器は照射部を中心としてできる限り大
きく（広角度に）窓をとった方が良い。この二次電子線
は入射電子線のエネルギー損失量に比例したエネルギー
を有するので、スペクトル分析をＥＥＬＳと同様に行え
ば、組成、原子構造、化学的結合に関する情報が得られ
る。
くないので、検出器は照射部を中心としてできる限り大
きく（広角度に）窓をとった方が良い。この二次電子線
は入射電子線のエネルギー損失量に比例したエネルギー
を有するので、スペクトル分析をＥＥＬＳと同様に行え
ば、組成、原子構造、化学的結合に関する情報が得られ
る。
【００１６】更に蛍光Ｘ線の波長は表面原子に特有の波
長を有するので、波長分析すれば組成が、また同様に電
子線の損失量に強度が比例するので、電子線のエネルギ
ーを変化させてスペクトルを測定すれば、ＥＥＬＳのプ
ログラムを用いて（少し変更を加えて）原子構造に関す
る情報が得られる。
長を有するので、波長分析すれば組成が、また同様に電
子線の損失量に強度が比例するので、電子線のエネルギ
ーを変化させてスペクトルを測定すれば、ＥＥＬＳのプ
ログラムを用いて（少し変更を加えて）原子構造に関す
る情報が得られる。
【００１７】薄膜試料に電子線を入射させたときに発生
する反射および透過現象を利用する分析技術を図５に示
す。本発明の薄膜表面の微細構造測定装置は、このうち
の二次電子線、反射電子線および特性Ｘ線を利用するも
のである。従来、膜表面スレスレに出てくるこれらの電
子、Ｘ線は感度が悪く利用され得なかった。例えばＥＤ
Ｘ法では、膜と２０〜３０度の角度でＸ線を検出するの
がせいぜいであった。
する反射および透過現象を利用する分析技術を図５に示
す。本発明の薄膜表面の微細構造測定装置は、このうち
の二次電子線、反射電子線および特性Ｘ線を利用するも
のである。従来、膜表面スレスレに出てくるこれらの電
子、Ｘ線は感度が悪く利用され得なかった。例えばＥＤ
Ｘ法では、膜と２０〜３０度の角度でＸ線を検出するの
がせいぜいであった。
【００１８】本発明は、これに対して長時間測定して感
度をかせぎ、また、高感度分析器を用い、かつ試料回り
全体の電子、Ｘ線を全部集めて、また入射電子線を試料
面に広げて入射せしめて反射電子、Ｘ線を多くして解析
することによってこの点を解決している。
度をかせぎ、また、高感度分析器を用い、かつ試料回り
全体の電子、Ｘ線を全部集めて、また入射電子線を試料
面に広げて入射せしめて反射電子、Ｘ線を多くして解析
することによってこの点を解決している。
【００１９】次に、本発明の薄膜表面の微細構造測定装
置に用いる主要構成機器について説明する。電子銃とし
ては、熱電子放出型と電界放出型のどちらでも良い。タ
ングステン（Ｗ）、タリウム（Ｔａ）、ランタンヘキサ
ボライト、ＬａＢ6、ＴｉＣ0.98等の単結晶、多結晶が
フィラメントとして用いられる。
置に用いる主要構成機器について説明する。電子銃とし
ては、熱電子放出型と電界放出型のどちらでも良い。タ
ングステン（Ｗ）、タリウム（Ｔａ）、ランタンヘキサ
ボライト、ＬａＢ6、ＴｉＣ0.98等の単結晶、多結晶が
フィラメントとして用いられる。
【００２０】分析器としては、円筒鏡型分析器（ｃｙｌ
ｉｎｄｒｉｃａｌ ｍｉｒｒｏｒａｎａｌｙｚｅｒ：Ｃ
ＭＡ）、半球型分析器（ｓｅｍｉｓｐｈｅｒｉｃａｌ
ａｎａｌｙｚｅｒ）、静電セクター型分析器、阻止電位
型分析器等が用いられる。これらにモノクロメーターを
加えて高分解能型としても利用可能である。
ｉｎｄｒｉｃａｌ ｍｉｒｒｏｒａｎａｌｙｚｅｒ：Ｃ
ＭＡ）、半球型分析器（ｓｅｍｉｓｐｈｅｒｉｃａｌ
ａｎａｌｙｚｅｒ）、静電セクター型分析器、阻止電位
型分析器等が用いられる。これらにモノクロメーターを
加えて高分解能型としても利用可能である。
【００２１】Ｘ線検出器としては、一般に使用されてい
るシンチレーションカウンター、プロポーショナルカウ
ンター、半導体位置検出器（ＳＳＤ）、更にはイメージ
ングプレートと称される輝尽性蛍光体（ＢａＦＢｒ；Ｅ
ｒ2+）等を用いても良い。
るシンチレーションカウンター、プロポーショナルカウ
ンター、半導体位置検出器（ＳＳＤ）、更にはイメージ
ングプレートと称される輝尽性蛍光体（ＢａＦＢｒ；Ｅ
ｒ2+）等を用いても良い。
【００２２】
【作用】本発明の薄膜表面の微細構造測定装置において
は、電子線を薄膜試料に照射したときに全方向へ発生す
る二次電子線やＸ線のうち、薄膜表面と微小角（膜表面
と５度以内の角度）をなして出射される電子やＸ線のみ
を測定するから、膜表面スレスレに出射される電子やＸ
線は膜の最上表面の原子によるものであって膜内部から
発生するものでないから、これを測定することによっ
て、ＥＥＬＳのプログラムに少し変更を加えて用いるこ
とにより表面の原子構造に関する情報が得られる。
は、電子線を薄膜試料に照射したときに全方向へ発生す
る二次電子線やＸ線のうち、薄膜表面と微小角（膜表面
と５度以内の角度）をなして出射される電子やＸ線のみ
を測定するから、膜表面スレスレに出射される電子やＸ
線は膜の最上表面の原子によるものであって膜内部から
発生するものでないから、これを測定することによっ
て、ＥＥＬＳのプログラムに少し変更を加えて用いるこ
とにより表面の原子構造に関する情報が得られる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例を示す概略断面図であ
る。本装置はＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ
Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）の装置を改造したも
のであって、相違点は二次電子検出器（ＣＭＡ）取付位
置を試料表面にほぼ平行に、試料表面と平行な線と約
０．５度の微小な角度の位置に設定したことである。な
お、この角度は必要に応じて変化させうる機構になって
いる。また、ＣＭＡは試料を中心として回転できるよう
に構成されている。試料室の真空度は５×１０-7Ｔｏｒ
ｒの超高真空になっている。
明する。図１は本発明の一実施例を示す概略断面図であ
る。本装置はＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ
Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）の装置を改造したも
のであって、相違点は二次電子検出器（ＣＭＡ）取付位
置を試料表面にほぼ平行に、試料表面と平行な線と約
０．５度の微小な角度の位置に設定したことである。な
お、この角度は必要に応じて変化させうる機構になって
いる。また、ＣＭＡは試料を中心として回転できるよう
に構成されている。試料室の真空度は５×１０-7Ｔｏｒ
ｒの超高真空になっている。
【００２４】電子銃１にはＬａＢ6 を用い、収束レンズ
２と絞り３をおよび対物レンズ４を通過した電子線５は
超高真空試料室６内にある試料ステージ７上に載置され
ている試料８に照射される。試料にはシリコンウエハ上
のＡｒイオンで最上表面をスパッタされた厚さ約３０Å
の銅（Ｃｕ）膜を用いた。入射電子線のエネルギーはＣ
ｕＫ吸収端を考慮して１０ＫｅＶとした。二次電子検出
器（ＣＭＡ）９で得られたスペクトルをフーリエ変換し
て得た動径分布からＣｕの最近接原子間距離は２．２Å
であった。理想結晶から計算によって求めた最近接原子
間距離は２．２Åであるので、本発明の方式が信頼でき
る方法であることがわかった。
２と絞り３をおよび対物レンズ４を通過した電子線５は
超高真空試料室６内にある試料ステージ７上に載置され
ている試料８に照射される。試料にはシリコンウエハ上
のＡｒイオンで最上表面をスパッタされた厚さ約３０Å
の銅（Ｃｕ）膜を用いた。入射電子線のエネルギーはＣ
ｕＫ吸収端を考慮して１０ＫｅＶとした。二次電子検出
器（ＣＭＡ）９で得られたスペクトルをフーリエ変換し
て得た動径分布からＣｕの最近接原子間距離は２．２Å
であった。理想結晶から計算によって求めた最近接原子
間距離は２．２Åであるので、本発明の方式が信頼でき
る方法であることがわかった。
【００２５】ついで、二次電子検出器の位置にＳＳＤを
配置し、試料表面からのＣｕの蛍光Ｘ線を検出し、Ｋ吸
収端付近のスペクトルを測定した。上記と同様のスペク
トルが得られ、コンピュータを用いて、同様に計算し
た。Ｃｕの最近接原子間距離は２．２Åであった。
配置し、試料表面からのＣｕの蛍光Ｘ線を検出し、Ｋ吸
収端付近のスペクトルを測定した。上記と同様のスペク
トルが得られ、コンピュータを用いて、同様に計算し
た。Ｃｕの最近接原子間距離は２．２Åであった。
【００２６】さらに、電子銃の電圧変化によって電子線
のエネルギーを変化させた。検出器は上記と同じ位置に
再度ＣＭＡを配置した。電子線のエネルギーを変えるご
とに試料表面での反射電子線の強度を測定し、エネルギ
ー損失スペクトルを求めた。このスペクトルから求めた
Ｃｕの最近接原子間距離は２．２Åで上記と良い一致を
得た。
のエネルギーを変化させた。検出器は上記と同じ位置に
再度ＣＭＡを配置した。電子線のエネルギーを変えるご
とに試料表面での反射電子線の強度を測定し、エネルギ
ー損失スペクトルを求めた。このスペクトルから求めた
Ｃｕの最近接原子間距離は２．２Åで上記と良い一致を
得た。
【００２７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の薄
膜表面の微細構造測定装置によれば、薄膜を電子線が通
過できるように薄く加工する必要がなく、従ってありの
ままの膜構造を知ることができ、かつ膜の最表面の構造
を知ることができる。
膜表面の微細構造測定装置によれば、薄膜を電子線が通
過できるように薄く加工する必要がなく、従ってありの
ままの膜構造を知ることができ、かつ膜の最表面の構造
を知ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の測定原理説明図である。
【図３】従来のＥＥＬＳの測定原理説明図である。
【図４】改良ＥＥＬＳの測定原理説明図である。
【図５】薄膜試料に電子線照射を行う分析技術の分類模
式図である。
式図である。
１ 電子銃 ２ 収束レンズ ３ 絞り ４ 対物レンズ ５ 電子線 ６ 超高真空試料室 ７ 試料ステージ ８ 試料 ９ 二次電子検出器
Claims (3)
- 【請求項１】 超高真空試料室内に設置された薄膜試料
を載置する試料ステージと、前記試料面に垂直に電子線
を入射させる電子銃と電子レンズ系からなる収束レンズ
を有し、かつ前記試料表面と微小角をなして該試料の電
子線照射部位から出射する二次電子を検知する検出器を
前記超高真空試料室の側壁面の前記試料表面とほぼ水平
の位置に配置した電子線エネルギー分光装置を用いるこ
とを特徴とする薄膜表面の微細構造測定装置。 - 【請求項２】 前記検出器が前記試料表面と微小角をな
して該試料の電子線照射部位から出射する蛍光Ｘ線を検
知する検知器であるＸ線エネルギー分光装置を用いるこ
とを特徴とする薄膜表面の微細構造測定装置。 - 【請求項３】 前記検出器が前記試料表面と微小角をな
して該試料の電子線照射部位から反射する反射電子を検
知する検知器である電子線エネルギー分光装置を用いる
ことを特徴とする薄膜表面の微細構造測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4087893A JPH05256801A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 薄膜表面の微細構造測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4087893A JPH05256801A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 薄膜表面の微細構造測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05256801A true JPH05256801A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13927568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4087893A Pending JPH05256801A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 薄膜表面の微細構造測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05256801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100743306B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2007-07-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 2차 전자 분광법 및 시스템 |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP4087893A patent/JPH05256801A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100743306B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2007-07-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 2차 전자 분광법 및 시스템 |
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