WO2023117279A1

WO2023117279A1 - Optoelektronische halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleitervorrichtung

Info

Publication number: WO2023117279A1
Application number: PCT/EP2022/083000
Authority: WO
Inventors: Susanne Brunner; Ivar Tangring
Original assignee: Ams-Osram International Gmbh
Priority date: 2021-12-22
Filing date: 2022-11-23
Publication date: 2023-06-29

Abstract

Es wird eine Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) mit einem Träger (100), einem auf dem Träger (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (3) und einer Mehrzahl von Säulen (206), wobei die Mehrzahl von Säulen (206) auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) gegenüberliegenden Bodenfläche (102) des Trägers (100) angeordnet sind und wobei die Mehrzahl von Säulen (206) eine thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) und dem Träger (100) bewirken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung (1) angegeben.

Description

Beschreibung

OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR

HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERVORRICHTUNG

Es wird eine optoelektronische Halbleitervorrichtung angegebenen . Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung angegeben .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2022 200 853 . 7 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird .

„Submount" Leuchtdiodenvorrichtungen sind aus dem Stand der Technik bekannt ( OSRAM OSLON Submount CL ) und werden beispielsweise bei Automobilscheinwerfer eingesetzt . Es ist bekannt , dass diese Bauelemente herkömmlicherweise mittels einem Polymer-basierten Kleber auf eine Wärmesenke geklebt werden . Weitergehend ist es bekannt , dass solche Polymerbasierten Kleber eine geringe thermische Leitfähigkeit aufweisen .

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Optoelektronische Halbleitervorrichtung anzugeben, die eine Verbindung zweiter Ebene aufweist , die sich durch eine besonders hohe thermische Leitfähigkeit aus zeichnet .

Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleitervorrichtung anzugeben .

Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw . durch ein Verfahren mit dem Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 20 gelöst . Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der j eweils abhängige Patentansprüche . Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung einen Träger, einen auf dem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip und einen Mehrzahl von Säulen, wobei die Mehrzahl von Säulen auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip gegenüberliegenden Bodenfläche des Trägers angeordnet sind und wobei die Mehrzahl von Säulen eine Thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger bewirken . Dabei kann die Mehrzahl von Säulen auf ein Substrat geklebt oder gelötet sein, wobei der Mehrzahl von Säulen eine thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger zum Substrat bewirken . Vorteilhafterweise kann die optoelektronische Halbleitervorrichtung mit der Träger aufweisend der Mehrzahl von Säulen auf einem Substrat geklebt oder gelötet werden, wobei der Mehrzahl von Säulen dabei die thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger in die Verbindung zweiter Ebene , zwischen der Träger und das Substrat , bewirken . Des Weiteren wird die optoelektronische Halbleitervorrichtung auf einem Substrat gelötet , lässt sich vorteilhafterweise eine Löt-verbindung, zwischen der Mehrzahl von Säulen und das Substrat , mit besonders niedrige Mechanische Verspannungen realisieren .

Insbesondere weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine höhere Thermische Wärmeleitung in die Grenz fläche , d . h . die Verbindung zweiter Ebene , zwischen der Träger und einem Substrat auf , als der aus dem Stand der Technik bekannten Leuchtdiodenvorrichtung . Insbesondere bewirken die Mehrzahl von Säulen eine besonders homogene thermische Wärmeleitung in Richtung weg von der Träger und der optoelektronischen Halbleiterchip . Dabei ist die erhörte thermische Wärmeleitung auf eine geringere Wärmewiederstand (Rth) in der Grenz fläche zwischen der Träger und das Substrat zurückzuführen und gewährleistet gleichzeitig eine Reduktion der Wärmewiderstand der Optoelektronische Halbleitervorrichtung als Gesamtvorrichtung . Insbesondere kann die Wärmewiederstand (Rth) zwischen der Träger der optoelektronischen Halbleiter- Vorrichtung zu einem angrenzenden Substrat , mit zumindest zwischen 1 bis 50% , oder mit zumindest zwischen 5 und 40% , oder mit zumindest zwischen 10-30% , reduziert werden .

Herkömmlicherweise werden „Submount" optoelektronischen Leuchtdiodenvorrichtungen mit Aluminiumnitrid (AIN) Trägern ( OSRAM OSLON submount CL ) auf einer Kupfer oder Aluminium

Wärmesenke geklebt . Die verwendeten gefüllten polymer Klebern zeigen oft eine geringe thermische Wärmeleitfähigkeit auf , die normalerweise in dem Bereich von l- 10W/mK liegen . Eine direkte , voll flächige Verlötung von solchen Leuchtdiodenvorrichtungen auf einer gedruckten Leiterplatte ist nicht möglich wegen Unterschiede in den thermischen Ausdehnungskoef fizienten zwischen der AIN Träger der Leuchtdiodenvorrichtung und der gedruckte Leiterplatte . Insbesondere kann zu große Unterschiede in den thermischen Ausdehnungskoef fi zienten zwischen dem Träger und der gedruckte Leiterplatte zu Rissen und Delamination der Verlötung führen .

Beispielsweise ist auch beim Kleben eine Dickere Kleberschicht notwendig, um die Verbindung zwischen der AIN Träger und die Leiterplatte genügend Flexibilität zu verschaf fen, sodass es nicht zu Rissen und Delamination in der Kleberschicht kommt . Nachteilerweise führt die Kombination von einer geringen thermischen Leitfähigkeit und eine dicke Klebstof fschicht zu einen hohen thermischen Wiederstand, in der Verbindung zweiter ebene , das heißt in der Klebstof f schicht zwischen dem Träger der Leuchtdiodenvorrichtung und der gedruckte Leiterplatte . Beispielsweise könnte es für eine 10mm² Leuchtdiodenvorrichtung die mit einem 40 pm dicken Klebstof fschicht geklebt wurde , mit eine thermische Leitfähigkeit von 7W/mK, gezeigt werden, dass die Klebstof f schicht eine thermische Wiederstand von ungefähr 0 . 5K/W aufweist . Diese Thermische Wiederstand, in die Klebstof f schicht bzw . der Verbindung zwischen dem Träger der Leuchtdiodenvorrichtung und dem Substrat , kann dabei mehr als 20% der totalen thermischen Widerstands der Leuchtdiodenvorrichtung ausmachen und begrenzt damit die maximale Leistung der Leuchtdiodenvorrichtung . Einem hier beschriebenen Optoelektronischen Halbleitervorrichtung liegen unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde , dass bereits sehr wenig Material , das heißt eine geringe Gesamtmaterialvolumen von die Mehrzahl von Säulen, die aus einem Material mit hohe Wärmeleitfähigkeit besteht , viel ef fi zienter Wärme weg von der optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger abführen kann, als wenn nur ein Polymerkleber verwendet wird .

Einem weiteren Vorteil besteht darin, dass eine Verbindung zwischen Materialien mit sehr unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoef fi zienten ( GTE ) ermöglicht werden können . Beispielsweise führen oft die unterschied in thermischen Ausdehnungskoef fi zienten zwischen verbundener Materialien zu mechanischen Verspannungen . Dabei kann es im bestimmungsgemäßen Betrieb nach vielen thermischen Zyklen zu Materialermüdung in der Verbindung zwischen einem Träger eines optoelektronischen Halbleiterchip und einem Substrat kommen .

Ein Weiches Material , wie ein Polymer basierten Klebstof f , in der Verbindung zwischen dem Träger und dem Substrat , kann Unterschieden in den thermischen Ausdehnungskoef fi zienten zwischen die Materialen in der Regel auf fangen und die mechanischen Verspannungen reduzieren . Nachteilerweise weisen j edoch solche Materialien auch generell niedrige Wärmeleitfähigkeiten und hohe thermische Wiederstände auf .

Vorteilerweise kann die erfindungsgemäße optoelektronische Halbleitervorrichtung insbesondere einen Träger aus einem sehr harten Material , mit einem hohen E-Modul und geringen Wärmeausdehnungskoef fi zient , umfassen, dass direkt mit einen metallischen Substrat zusammengelötet werden, ohne dass es zu hohen Materialverspannungen und ein Materialversagen kommt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung einen Träger oder eine Gehäuse aufweisend einen von den folgenden Materialien; Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Siliciumnitrid, Siliciumcarbid oder Diamant . Insbesondere kann vorteilhafterweise Träger oder Gehäusematerialien aus Sili ziumkarbid oder Diamant eingesetzt werden . Beide Materialien weisen hohe E-Modulen und geringe Wärmeausdehnungskoef fi zienten auf , und verursachen dadurch starke Verspannungen, wenn sie direkt mit einen metallischen Wärmesenke zusammengelötet werden würde . Beide Materialien zeichnen sich aber auch durch hohe Wärmeleitfähigkeiten auf und könnte daher vorteilhaft als Träger oder Gehäusematerial zum Einsatz kommen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Säulen aus Metall . Insbesondere besteht die Mehrzahl von Säulen aus Kupfer oder ein Kupferhaltigen Legierung . Die Mehrzahl von Säulen können beispielsweise auch aus Gold oder einem goldhaltigen Legierungen bestehen . Insbesondere umfasst die Mehrzahl von Säulen bevorzugt eine gut wärmeleitende oder elektrisch leitende Material . Dabei kann die Mehrzahl von Säulen unterschiedliche Teilmengen umfassen, die unterschiedliche Materialien aufweisen . Durch die Verwendung von unterschiedlichen Materialien für unterschiedliche Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen können insbesondere die Materialeigenschaften von den verschiedenen Teilmengen aus der Mehrzahl von Säulen individuell eingestellt werden . Insbesondere könnte über das Materialwahl , elektrische und/oder thermische Leitfähigkeiten, von Teilmengen aus der Mehrzahl von Säulen individuell eingestellt werden . Ferner lässt die Verwendung von unterschiedliche Materialien für verschiedenen Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen ein besonderes kostengünstigen und Ressourcenef fi zienten Herstellung zu gewährleisten . Dabei können beispielsweise manche Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen aus Gold oder eine Goldlegierung bestehen, wobei andere Teilmengen aus Kupfer oder eine Kupferlegierung besteht . Ferner kann das Material für die Mehrzahl von Säulen oder Teilmengen daraus , so gewählt werden, dass es eine bestimmte spezi fische Elektrische oder Thermische Widerstand bereitgestellt wird . Dadurch kann die Elektrische oder Thermische Wiederstand über eine Säule oder über der Mehrzahl von Säulen oder über eine Teilmenge von die Mehrzahl von Säulen, in Abhängigkeit der Länge und/oder die Querschnitts fläche von die eine Säule oder die Mehrzahl von Säulen eingestellt werden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Säule aus der Mehrzahl von Säulen aufweisend ein Aspektverhältnis , wobei eine Breite von zumindest eine Säule kurzer ist als seine Höhe . Bevorzugt weist die Mehrzahl von Säulen ein Aspektverhältnis von größer 1 auf . Insbesondere kann durch die Verwendung von eine Mehrzahl von Säulen mit einem Aspektverhältnis größer 1 , die Klebe- oder Löt-Verbindung zwischen der Träger des optoelektronischen Halbleitervorrichtung und das Substrat besonders mechanisch flexibel gestaltet werden . Beispielsweise j e schmäler und j e länger die Mehrzahl von Säulen sind und j e weiter entfernt voneinander sie angeordnet sind auf dem Träger, umso flexibler kann die Verbindung zwischen der Träger und das Substrat gestaltet werden . Insbesondere lässt sich durch der Einsatz von eine Mehrzahl von Säulen mit einer Aspektverhältnis größer 1 eine Klebe- oder Löt-Verbindung zwischen der Träger und das Substrat mit geringer mechanischen Verspannungen bei einer verbesserten thermischen Anbindung realisieren .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Säule aus der Mehrzahl von Säulen aufweisend ein Aspektverhältnis , wobei eine Breite von zumindest eine Säule , länger ist als seine Höhe . Dadurch lässt sich insbesondere mechanisch stabile Säulen oder Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen herstellen lassen . Beispielsweise kann einzelne Säulen oder Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen mit eine Breite die länger ist als seine Höhe bereitgestellten werden . Vorteilhafterweise kann dadurch einzelne Säulen oder Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen als mechanisch stabile Abstandshalter funktionieren . Insbesondere kann durch die Bereitstellung von einzelne Säulen oder Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen, die mechanisch stabiler sind als der Rest , erreicht werden, dass die Mehrzahl von Säulen weniger anfällig für mechanischen Verformung während die weitere Handhabung oder der Herstellungsprozess , insbesondere bei der Verbindungsprozess , sind . Beispielsweise kann zumindest eine Säule aus der Mehrzahl von Säulen eine Breite aufweisen, die länger ist als seine Höhe und zumindest eine Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen aufweisen, wobei eine Breite kurzer ist als seine Höhe . Dabei können alle Säulen die gleiche Höhe aufweisen . Vorteilhafterweise lässt sich dadurch eine Mehrzahl von Säulen bereitzustellen die sich in vertikaler Richtung, parallel zu den Mantel flächen der Mehrzahl von Säulen, sich nicht mechanisch verformen lässt , wobei die Mehrzahl von Säulen, die eine Breite aufweisen die kleiner ist als seine Höhe , dennoch die mechanische Flexibilität gegenüber Unterschiede in thermische Ausdehnungskoef fi zienten zwischen der Träger und das Substrat bereitstellen kann . Dabei fungiert die zumindest eine Säule , mit die Breite die länger ist als die Höhe , als mechanisch stabiler Abstandhalter, und die zumindest eine Teilmenge der Mehrzahl von Säulen, mit die Breite die kurzer ist als die Höhe , ermöglichen, dass eine mechanische flexible Verbindung zwischen der Träger und das Substrat gewährleistet werden kann .

Die Mehrzahl von Säulen kann eine Höhe zwischen 5 pm und 200 pm, oder bevorzugt eine Höhe Zwischen 10 pm und 100 pm, oder insbesondere bevorzugt eine Höhe zwischen 20 pm und 60 pm aufweisen . Insbesondere hat sich eine Säulenhöhe von 40 pm als besonders günstig erwiesen . Beispielsweise kann die Höhe von der Mehrzahl von Säulen nach die benötigte Polymerstof ffuge oder die benötigte Abstand zwischen dem Träger und dem Substrat gewählt werden . Beispielsweise kann durch die gewählte Höhe der Mehrzahl von Säulen, die Polymerstof f fuge zwischen der Träger und das Substrat gezielt kontrolliert werden . Die Mehrzahl von Säulen kann dabei die Gleiche Höhe aufweisen . Dadurch kann erzeugt werden, dass die Polymerstof f fuge zwischen der Träger und das Substrat über der gesamte Bodenfläche des Trägers die gleiche ist . Alternativ kann eine Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen eine , von ei- ne andere Teilmenge der Mehrzahl von Säulen, unterschiedliche Höhe aufweisen . Dadurch könnte ein Substrat mit eine Topologische Oberfläche oder mehrere Substraten, die zu einander auf unterschiedliche Höhen angeordnet sind, zum Einsatz kommen . Unterschiedliche Teilmengen aus der Mehrzahl von Säulen sind dabei auf unterschiedliche Stufenhöhen auf einem oder mehreren Substraten angeordnet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Säulen auf , wobei die zusammengerechnete Gesamtfläche von den Endflächen von der Mehrzahl von Säulen mindestens 10 bis 30 % der Bodenfläche des Trägers beträgt . Im Allgemein bewirkt eine größere Gesamtfläche von der Mehrzahl von Säulen, bei gleicher Höhe , dass mehr Wärme , durch die Mehrzahl von Säulen in Richtung des Substrats abgeleitet werden kann . Beispielsweise weist zumindest eine Säule aus der Mehrzahl von Säulen eine Breite auf , die kleiner ist als die Höhe . Beispielsweise weist zumindest eine Säule aus der Mehrzahl von Säulen ein Breite auf die kleiner ist als 200 pm, oder kleiner ist als 100 pm, oder kleiner ist als 60 pm, oder kleiner als 40 pm, oder kleiner als 20 pm oder kleiner als 10 pm oder kleiner als 5 pm ist . Insbesondere hat sich eine Säulenbreite von kleiner als 40 pm als besonders günstig erwiesen, um eine Mechanische Anhaftung von der Mehrzahl von Säulen in einem Lot oder in einem Klebstof f zu erhöhen . Beispielsweise wurde eine besonders gute mechanische Anhaftung gewährleistet mit eine Säulenhöhe von 40 pm und eine Säulenbreite kleiner 30 pm, oder eine Säulenbreite kleiner als 20 pm, oder eine Säulenbreite kleiner als 10 pm oder eine Säulenbreite kleiner als 5 pm .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Säule aus der Mehrzahl von Säulen in Querschnitt eine Geometrische Form auf , die Kreis förmig, und/oder Ellipsoidf örmig, und/oder quadratisch, und/oder vieleckig, insbesondere Drei- , Vier- , Fünf- , Sechs- oder Acht-Eckig, ist . Vorteilhafterweise lassen sich kreis förmige , Drei- , Vier- und Sechs-Eckige Säulen zudem besonders eng zusammenpacken in einem Matrix bestehend aus eine Mehrzahl von Säulen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung mindestens eine Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen auf , die äquidistant voneinander angeordnet sind auf dem Träger . Der Ausdruck „äquidistant" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass alle Säulen zu einander gleich distanziert sind . Insbesondere ist der Mittenpunkt einer Säule auf der gleichen Entfernung von dem Mittenpunkt einer benachbarten Säule angeordnet . Dabei können unterschiedliche Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen unterschiedliche äquidistante Entfernungen von den Säulen aufweisen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung mindestens eine erste Reihe von Säulen in einer Matrix von der Mehrzahl von Säulen oder eine Teilmenge von Säulen aus der Mehrzahl von Säulen auf , dass eine unterschiedliche Säulenabstand auf dem Träger aufweisen, als eine zweite Reihe oder eine zweite Teilmenge von Säulen . Beispielsweise kann dadurch eine erste Reihe von Säulen, in einer Matrix von der Mehrzahl von Säulen, bei gleichen Reihenlängen, mit einer unterschiedlichen Anzahlen von Säulen ausgestattet sein als eine zweite oder dritte Reihe . Ferner kann dadurch eine erste Teilmenge von Säulen, in einer Matrix von der Mehrzahl von Säulen, bei gleicher Teilmengenarea, mit einer unterschiedlichen Anzahlen von Säulen ausgestattet sein als eine zweite oder dritte Teilmenge . Insbesondere lassen sich dadurch Reihen und/oder Teilmengen von Säulen mit unterschiedliche elektrische , thermische oder mechanische Eigenschaften bereitzustellen . Beispielsweise kann eine erste Reihe oder eine erste Teilmenge von Säulen mit eine höhere Anzahl von Säulen ausgestattet werden, als eine zweite Reihe oder eine zweite Teilmenge von Säulen . Vorzugsweise lässt sich dadurch Reihen und/oder Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen bereitzustellen, die einem Bereich der Träger besonders zuverlässig elektrisch versorgen kann und/oder besonders viel Wärme ableiten kann . Des Weiteren kann durch der Anzahl von Säulen innerhalb eine Reihe oder Teilmenge von Säulen die mechanische Eigenschaft der Kleb- oder Lötverbindung Verbindung zwischen der Mehrzahl von Säulen und dem Substrat in dem Bereich einer Reihe oder einer Teilmenge von Säulen kontrolliert werden . Beispielsweise lässt sich insbesondere stabile mechanische Klebverbindungen oder Lotverbindungen realisieren, wenn die Säulenhöhe 40 pm beträgt und die zusammengerechnete Gesamtfläche von den Endflächen von der Mehrzahl von Säulen mindestens 30 % oder mindestens 20 % oder mindestens 10% der Bodenfläche des Trägers beträgt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Polymer auf , der zwischen die Mehrzahl von Säulen, der Bodenfläche des Trägers und die Oberseite des Substrats , und den Endflächen der Mehrzahl von Säulen und die Oberseite des Substrats , vorhanden ist . Dabei ist die optoelektronische Halbleitervorrichtung mittels dem Polymer auf dem Substrat befestigt .

Vorzugsweise steht der Polymer in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des Trägers , die Oberseite des Substrats , die Endflächen von den Mehrzahl von Säulen, sowie mit den Mantelflächen der Mehrzahl von Säulen . Dabei bewirkt eine direkte Kontakt , dass eine besonders zuverlässige und mechanisch stabile Stof fverbindung gewährleistet werden kann . Vorzugsweise benetzt der Polymer dabei die Bodenfläche des Trägers , die Oberseite des Substrats und die zumindest eine Mantel fläche der Mehrzahl von Säulen, flächendeckend . Vorzugsweise benetzt der Polymer die Bodenfläche des Trägers nur dort flächendeckend, wo die Mehrzahl von Säulen auf der Träger nicht angeordnet sind . Dabei benetzt der Polymer die Bodenfläche des Trägers , die Oberseite des Substrats und die zumindest eine Mantel fläche von der Mehrzahl von Säulen mit zumindest 50% , oder bevorzugt zumindest 75% , oder weiter bevorzugt zumindest 95% .

Insbesondere ist eine Klebstof f schicht zwischen die Endflächen der Mehrzahl von Säulen und dem Substrat gebildet . Vor- zugsweise ist das Polymerschicht zwischen den Endflächen von der Mehrzahl von Säulen und die Oberseite des Substrats möglichst dünn, um eine niedrige thermische Wiederstand zwischen den Endflächen von der Mehrzahl von Säulen und das Substrat zu gewährleisten . Die Dicke des Polymerschichts zwischen den Endflächen der Mehrzahl von Säulen und die Oberseite des Substrats beträgt dabei höchstens 5 gm, oder höchstens 3 gm, oder höchstens 1 gm . Dabei bedeckt die Polymerschicht die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen mit zumindest 20% , bevorzugt mit zumindest 50% , weiter bevorzugt mit zumindest 75% . Bei einer 20 prozentigen Abdeckung der Endflächen und einer Dicke der Polymerschicht von 1 gm könnte der Wärmewiderstand beispielsweise von 0 , 6 K/W auf 0 , 1 K/W, im Vergleich zu den nicht bedeckten Endflächen von der Mehrzahl von Säulen, reduziert werden .

Beispielsweise bewirkt eine hohe Flächendeckung von der Polymer, dass eine stabile und zuverlässige Stof fverbindung gewährleistet werden kann . Insbesondere erhört die Mehrzahl von Säulen die Kontaktarea des Polymers in die Klebstof fverbindung zwischen der Träger und das Substrat . Die erhörte Kontaktarea des Polymers bewirkt dabei eine verbesserte Anhaftung des Polymers . Ferner trägt eine hohe Flächendeckung von der Polymer ebenfalls zu eine verbesserte Wärmeleitung bei . Insbesondere bewirkt die gute Flächendeckung von der Polymer mit die Mantel flächen von den Mehrzahl von Säulen, in der Fall von eine partielle Delamination zwischen den Endflächen der Mehrzahl von Säulen und das Substrat , dass eine gute Haftung und Wärmeleitung zum Substrat stets gewährleistet werden kann .

Insbesondere handelt es sich beim Polymer um ein Klebstof f . Beispielsweise basiert der Klebstof f auf Silikon oder Epoxid- Hartz . Dabei bewirkt der Mehrzahl von Säulen, dass eine verbesserte Wärmeleitung in die Klebstof fverbindung zwischen der Träger und dem Substrat erzeugt ist . Die erhörte Wärmeleitung ist auf die Mehrzahl von Säulen zurückzuführen, die dazu dienen die Wärme durch den Klebstof f in Richtung dem Substrat zu führen . Beispielsweise kann eine dünne Klebstof f schicht zwischen die Endflächen der Mehrzahl von Säulen und dem Substrat vorhanden sein . Dadurch lässt sich ein besonderes niedrige thermische Wiederstand in die Grenz fläche zwischen die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen und das Substrat erzeugen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Polymer auf , der Füllmaterialien aufweist . Insbesondere handelt es sich beim Polymer um ein Klebstof f . Beispielsweise basiert der Klebstof f auf Silikon oder Epoxid-Hartz . Dabei kann der Klebstof f zusätzliche Füllmaterialien enthalten, um die Eigenschaften der Klebstof f zu beeinflussen . Die Füllmaterialien sind vorzugsweise als Pulver eingesetzt . Beispielsweise kann es sich bei den Füllmaterialien um Materialien mit hohe Durchschlags festigkeit oder um elektrisch isolierende Materialien . Beispielsweise lässt die Verwendung von solchen Füllmaterialien zusammen mit einem elektrisch isolierenden Polymer, Kurzschlüsse zwischen zwei unterschiedlich gepolten und elektrisch leitenden Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen vermieden . Als besonders geeigneten Füllmaterialen hat sich die Verwendung von ZnO oder SiC basierten Varistoren erwiesen . Beispielsweise handelt es sich bei dem I solatoren insbesondere um Keramische oder Amorphe Materialien wie Glas . Beispielsweise kann der Füllmaterial Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid oder Siliciumcarbid umfassen .

Alternativ kann auch Füllmaterialien für das Klebstof f verwendet werden, die besonders hohe thermische Leitfähigkeit aufweisen . Insbesondere kommt Partikeln aus Silber oder Silberlegierungen als Füllmaterialien für das Klebstof f zum Einsatz . Beispielsweise lässt sich dadurch die Wärmeleitfähigkeit des Klebstof fs erhöhen, wobei der Beitrag des Klebstof fs zur Wärmeleitung in Richtung des Substrats erhöht werden kann . Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine maximale Polymerstof f fuge zwischen der Träger und das Substrat auf , die durch die Höhe der Mehrzahl von Säulen bestimmt ist . Beispielsweise lässt sich dadurch eine Polymerstof f fuge realisieren, die überall zwischen eine Bodenfläche des Trägers und eine Oberseite eines Substrats reproduzierbar die gleiche Höhe aufweisen . Insbesondere lässt sich dadurch eine homogene Wärmeleitung in Richtung weg von der optoelektronischen Halbleitervorrichtung und der Träger zum Substrat realisieren . Des Weiteren lässt sich über die gesamte Träger eine flächendeckende homogene Wärmeleitung in Richtung weg von der optoelektronischen Halbleiterchip und der Träger zum Substrat erzeugen . Eine homogene Wärmeableitung von der optoelektronischen Halbleiterchip und der Träger kann zur erhörten Lebensdauer der optoelektronischen Halbleiterchip beitragen . Die Mehrzahl von Säulen können dabei auf das Substrat geklebt oder gelötet sein . Eine besonders gut definierte und kontrollierbare Polymerstof f fuge lässt sich erzeugen, wenn die Mehrzahl von Säulen auf das Substrat fest verbunden sind . Insbesondere kommt es bei die feste Verlötung von der Mehrzahl von Säulen auf das Substrat zu keine Dickenunterschiede der Polymerstof f fuge zwischen der Träger und das Substrat . Ein Polymerstof f fuge zwischen der Träger und das Substrat , die eine unter der Träger unterschiedliche Dicke aufweist , führt insbesondere zu eine zwischen der Träger und das Substrat unterschiedliche thermische wiederstand . Insbesondere weist der optoelektronische Halbleitervorrichtung zwischen der Träger und das Substrat eine geringere thermische wiederstand auf , wenn die Mehrzahl von Säulen mit ihre Endflächen direkt angrenzend an das Substrat angeordnet sind .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Polymer auf , der die Bodenfläche des Trägers lateral seitlich überläuft .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Polymer auf , der eine Trä- gerstirnseite anschließt . Beispielsweise kann das für die Klebstof fverbindung überflüssige Polymer, der die Bodenfläche des Trägers lateral seitlich überläuft , die Trägerstirnseite geringfügig hochziehen bzw . anschließen . Der Ausdruck „geringfügig" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass der Polymer zumindest 10% , oder zumindest 30% , oder zumindest 50% von die Höhe der Trägerstirnseite hochzieht . Dabei kann das überflüssige Polymer, der die Bodenfläche des Trägers lateral seitlich überläuft , von die Oberfläche des Substrat bis zur Stirnseite der Träger geneigt zulaufen . Beispielsweise lässt sich ein besonders zuverlässige Klebstof fverbindung zwischen der Träger und das Substrat erzeugen, wenn der Polymer der Trägerstirnseite anschließt und anhaftet . Insbesondere hält der optoelektronischen Halbleitervorrichtung dadurch besser mechanische Scherbeanspruchungen aus .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Polymerstirnseite auf , die mit der Trägerstirnseite bündig abschließt . Vorzugsweise sind solche optoelektronische Halbleitervorrichtungen besonders platzsparend und lassen sich näher zu anderen optoelektronischen Halbleitervorrichtungen und/oder andere Elektronische Komponenten platzieren .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Polymer auf , der die Mehrzahl von Säulen auf dem Substrat fixiert . Der Ausdruck „fixieren" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass der Polymer die Mehrzahl von Säulen mechanisch stabilisiert . Das heißt die Polymernetzwerk zwischen den Säulen bewirkt , dass der Mehrzahl von Säulen besser Druck- , Scher- oder Zugkräfte erträgt . Beispielsweise bewirkt das Polymernetzwerk, dass die Mehrzahl von Säulen sich nicht plastisch verformt oder sich Verbiegen während die Handhabung oder im Betrieb . Insbesondere bewirkt das Fixieren der Mehrzahl von Säulen durch der Polymer, dass Säulen mit hohe Aspektverhältnisse (Aspektverhältnisse = Höhe einer Säule zu Breite eine Säule ) und/oder Säulen, die eine große Entfernung voneinander aufweisen, zum Einsatz kommen kann . Beispielsweise weist die Mehrzahl von Säulen ein Aspektverhältnisse von mehr als 1 , oder mehr als 2 , oder mehr als 3 , oder mehr als 5 oder mehr als 10 . Die Entfernung von den einzelnen Säulen ist dabei größer als die Breite einer Säule aus der Mehrzahl von Säulen . Beispielsweise ist die Entfernung mehr als 2 mal die Säulenbreite , oder mehr als 5 mal die Säulenbreite , oder mehr als 10 mal die Säulenbreite oder mehr als 20 mal die Säulenbreite .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Substrat auf , das eine Leiterplatte umfasst . Das Substrat kann beispielsweise als gedruckte Leiterplatte ( PCB ) ausgebildet sein . Insbesondere weist die Leiterplatte elektrische Leitungen auf . Die Leiterplatte kann ferner als eine gedruckte Metallkernplatine ausgebildet sein . Die Leiterplatte kann beispielsweise ein Metallkern aus Kupfer oder Aluminium umfassen . Vorzugsweise fungiert die Leiterplatte als eine Wärmesenke für Wärme , die von in der optoelektronischen Halbleitervorrichtung erzeugt wird und dass über der Träger mit der Mehrzahl von Säulen auf das Substrat geleitet wird .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Leiterplatte zumindest ein von den folgenden Materialien auf ; Aluminium, Kupfer, Aluminiumoxid, Siliciumnitrid, Aluminiumnitrid, FR4 .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine erste Leiterplatte auf , die elektrische Leiterbahnen aufweist und/oder zumindest ein freigelegtes Bereich mit Metall aufweist , die senkrecht zur und in Richtung weg von der Träger Bodenfläche durch der Leiterplatte läuft und als Wärmeleiter, Verbindungs fläche und/oder Elektrischer Leiter fungiert .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Säulen auf , die direkt über, im Kontakt mit , oder verbunden mit dem freigelegten Bereich mit Metall auf der Leiterplatte , angeordnet sind . Dabei kann zwischen die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen und das Substrat ein Polymer oder ein Lot vorhanden sein, dass die Mehrzahl von Säulen zusätzlich auf dem Substrat befestigt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Säulen auf , die j e eine Endkappe aufweisen, die aus einem Lot besteht . Dabei bewirkt die Endkappen, dass die Mehrzahl von Säulen auf dem Substrat lötbar sind . Vorzugsweise kann dadurch die Optoelektronische Halbleitervorrichtung mit dem Träger, aufweisend der Mehrzahl von Säulen, mittels die Endkappen auf dem Substrat befestigt werden . Beispielsweise weist das Lot eine Legierung auf , die mindestens zwei der folgenden Elementen umfasst ; Ag, Al , Au, Bi , Cd, Cu, Fe , P, Pb, Sb, Si , Sn, Zn . Insbesondere kann die Endkappen Gold-Zinn (AuSn) oder Silber- Sinn-Kupfer ( SnAgCu) basierten Lot umfassen . Beispielsweise kann es sich beim Substrat um eine Wärmesenke handeln . Insbesondere kann es sich bei der Wärmesenke um eine Leiterplatte umfassend Kupfer oder Aluminium handeln .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Säulen auf , die j e eine der Bodenfläche des Trägers abgewandte Endfläche aufweist , und zumindest eine seitlich umlaufende Mantel flächefläche , der Senkrecht zu der Endfläche ausgerichtet ist , wobei die Endkappe von zumindest eine Säule aus den Mehrzahl von Säulen die Endfläche und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche , mit das Lot bedeckt . Beispielsweise lässt sich die Stof fverbindung zwischen die Mehrzahl von Säulen und das Substrat besonders mechanisch stabil erzeugen, wenn die Endkappen sowohl die Endflächen und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche , mit das Lot bedeckt . Dass die Endkappen zumindest partiell die Mantel flächen bedeckt sind, bewirkt dass für die Lotverbindung eine erhörte Verbindungs fläche erzeugt werden kann, wobei das Lot sowohl die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen, das Substrat und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche benetzt . Der Begri f f "partiell" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Höhe von den Endkappen in der von der Oberseite des Substrats abgewandten Richtung höchstens 5 % oder höchstens 10 % oder höchstens 20 % oder höchstens 50 % der Höhe einer Säule aus der Mehrzahl von Säulen beträgt . Die Dicke von den Endkappen beträgt dabei vorzugsweise zwischen 500 nm und 10 pm, oder bevorzugt zwischen 1 und 6 pm, oder weiter bevorzugt zwischen 2 und 4 pm . Insbesondere hat sich eine Dicke von etwa 3pm als besonders vorteilhaft erwiesen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung Endkappen auf , die eine mechanische und eine thermische und/oder einer elektrische Verbindung, bereitstellen . Insbesondere bewirkt die Endkappen, dass eine zuverlässige mechanische und thermische und oder elektrische Lotverbindung zwischen der Träger mit der Mehrzahl von Säulen und das Substrat erzeugt werden kann . Vorzugsweise bewirkt die Mehrzahl von Säulen dabei , dass ein unterschied in thermische Ausdehnungskoef fi zienten zwischen der Träger und das Substrat besonders vorteilhaft ausgeglichen werden kann . Dabei bewirkt die Mehrzahl von Säulen, dass die Thermische Spannungen in die Lotverbindung zwischen der Träger und das Substrat reduziert werden kann . Dies ist sowohl auf eine , gegenüber eine voll flächige Lotverbindung, geringe Gesamtfläche zwischen die Mehrzahl von Säulen und das Substrat , als auch die unterbrochene Lotverbindung zurückzuführen . Ferner weist die Mehrzahl von Säulen, die mittels die Endkappen aus Lot auf das Substrat befestigt sind, eine Stof f schlüssige Stof fverbindung zwischen die Endflächen der Mehrzahl von Säulen und das Substrat . Dadurch ergibt sich eine für die Thermische und/oder elektrische Leitfähigkeit besonders vorteilhafte Verbindung, die eine besonders niedrige thermische und elektrische wiederstand aufweist .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Polymer zwischen der Bodenfläche des Trägers und eine Oberseite eines Substrats auf , wobei die Oberseite des Substrats direkt angrenzend unterhalb an den Endflächen der Mehrzahl von Säulen angeordnet ist . Dabei sind die Mehrzahl von Säulen mittels die Endkappen aus Lot mit dem Substrat verbunden . Insbesondere ist in diesem Fall kein Polymer zwischen die Endflächen der Mehrzahl von Säulen und die Oberseite des Substrats vorhanden . Insbesondere füllt der Polymer in diesem Fall der Bereich zwischen den Mehrzahl von Säulen und dem Bereich zwischen dem Träger und dem Substrat vollständig . Vorzugsweise bedeckt der Polymer dabei den Mantel flächen der Mehrzahl von Säulen, die dem Substrat senkrecht ausgerichteten Seitenkanten von den Endkappen, und dem Träger und dem Substrat , dort wo der Mehrzahl von Säulen nicht angeordnet sind, flächendeckend .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung in den Zwischenräumen von der Mehrzahl von Säulen optional einem Polymer auf . Beispielsweise trägt der Polymer, zusätzlich zu den Endkappen aus Lot , zur Haftung in der Verbindung zwischen der Träger mit der Mehrzahl von Säulen und dem Substrat bei . Dabei erhört der Polymer die Mechanische Stabilität von die Mehrzahl von Säulen und/oder von den Lotverbindungen zwischen die Endkappen und dem Substrat . Vorzugsweise füllt der Polymer dabei den ganzen Volumen zwischen der Mehrzahl von Säulen und zwischen der Träger und dem Substrat . Eine hinreichende Unterfüllung der Polymer zwischen der Träger und dem Substrat bewirkt dabei , dass wenig Luftblasen unter dem Träger und zwischen der Mehrzahl von Säulen vorhanden ist . Dies Wiederum bewirkt eine bessere Haftung zwischen der Träger und dem Substrat . Die Wärmeleitung durch der Mehrzahl von Säulen ist dabei viel höher als die Wärmeleitung durch der Polymer, sodass andere Polymerstof fe als Kleber verwendet werden können, deren Eigenschaften auf eine verbesserte Anhaftung oder eine angepasste Thermische Ausdehnungskoef fi zient optimiert wurden . Beispielsweise kann dadurch vorteilhaft Polymere , ohne weiteren Füllmaterialien, als Klebstof f verwendet werden . Die Zugabe von weiteren, nicht zur Haftung beitragenden Füllmaterialien, kann sich auf die Haftung negativ auswirken . Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Substrat auf , dass zumindest eine Basisplatte umfasst . Insbesondere handelt es sich bei der Basisplatte um eine Metallplatte . Vorzugsweise kann die Metallplatte aus Kupfer oder eine Kupferlegierung bestehen . Die Metallplatte kann dabei eine Dicke zwischen 1 mm und 5 pm, oder bevorzugt eine Dicke Zwischen 500 pm und 20 pm, oder insbesondere bevorzugt eine Dicke zwischen 150 pm und 50 pm aufweisen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Basisplatte auf . Die Basisplatte kann dabei als Block, Folie , platte oder Schicht bereitgestellt werden . Beispielsweise kann der zumindest eine Basisplatte eine oder mehrere vorstrukturierten Teilen umfassen oder der zumindest eine Basisplatte ist nach der Verbindung mit der Mehrzahl von Säulen erst strukturiert .

Beispielsweise kann eine Basisplatte , die eine Teilmenge von den Mehrzahl von Säulen zugeordnet ist , ein Form und zu mindestens eine Fläche aufweisen, der den auf der Bodenfläche des Trägers angeordneten Mehrzahl von Säulen entspricht . Vorzugsweise kann eine Basisplatte , die eine Teilmenge von den Mehrzahl von Säulen zugeordnet ist , im Draufsicht ein Form aufweisen, der einen äußeren Kontur dieser Teilmenge entspricht . Der Form und Fläche eine Basisplatte , die eine Teilmenge von den Mehrzahl von Säulen zugeordnet ist , ist nicht von der Form diese Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen beschränkt , sondern kann j ede beliebige Form und Fläche aufweisen, dass auch außerhalb der äußeren Kontur von den Mehrzahl von Säulen erstreckt . Insbesondere kann die Form und Fläche der Basisplatte auf die thermische und elektrische Anforderungen der optoelektronische Halbleitervorrichtung angepasst werden . Grundsätzlich bewirkt eine Basisplatte , die größere ist als die zugeordnete Teilmenge von den Mehrzahl von Säulen, dass Wärme die von der Träger und der optoelektronische Halbleitervorrichtung in Richtung einer Wärmesenke oder Lei- terplatte geleitet wird, zeitlich auf eine größere Fläche als die von der Mehrzahl von Säulen angenommene Fläche , aufgeteilt werden kann .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung einem Träger mit einem Mehrzahl von Säulen auf , die mittels Endkappen an der zumindest eine Basisplatte befestigt sind . Insbesondere sind die Mehrzahl von Säulen mittels Endkappen aus einem Lot auf der Oberseite einer Basisplatte aufgelötet . Dabei bildet die Basisplatte für die optoelektronische Halbleitervorrichtung bzw . für den Träger mit der Mehrzahl von Säulen ein neuen Untergrund . Vorzugsweise kann die Endkappen aus einem AuSn Lotschicht bestehen . Die Dicke von den Endkappen beträgt dabei vorzugsweise zwischen 500 nm und 10 pm, oder bevorzugt zwischen 1 und 6 pm, oder weiter bevorzugt zwischen 2 und 4 pm . Insbesondere hat sich eine Dicke der Endkappe von etwa 3 pm als genügend Dick erwiesen, um eine zuverlässige Lotverbindung zwischen der Mehrzahl von Säulen und die Basisplatte zu gewährleisten .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung zwischen der Träger und die Basisplatte ein Polymer auf . Die optoelektronische Halbleitervorrichtung weist dabei einem Träger mit einem Mehrzahl von Säulen auf , die mittels Endkappen aus einem Lot an die Basisplatte befestigt sind . Beispielsweise weist der Träger zwischen der Mehrzahl von Säulen ein Silicone oder Epoxid auf . Der Polymer kann dabei durch Foil-Assisted-Molding ( FAM) , Dispensen, Aufrakeln, Casten oder Molden zwischen die Mehrzahl von Säulen eingebracht werden, wobei die Mehrzahl von Säulen zwischen die Endkappen in lateraler Richtung von der Polymer frei ist . Beispielsweise gewährleistet der Polymer zwischen zwischen die Mehrzahl Säulen, dass die Mehrzahl von Säulen gegenüber Scher- und Druckkräfte mechanisch stabiler sind . Insbesondre lässt sich dadurch eine zuverlässigere Verbindung zwischen die Mehrzahl von Säulen und die Basisplatte erstellen . Dabei stützt der Polymer die Mehrzahl von Säulen, sodass die Säulen sich nicht während die Handhabung sich Ver- biegt oder plastisch verformt . Eine Verbiegung oder Plastische Verformung der Mehrzahl von Säulen könnte eine mechanische Beanspruchung von der Lotverbindungen zwischen die Mehrzahl von Säulen mit den Endkappen und die Basisplatte bewirken . Die mechanische Beanspruchung der Lotverbindung kann infolge zu eine Materialversagen in die Lotverbindungen führen . Ferner wird erzeugt , dass die Basisplatte sein form behält . Insbesondere bewirkt der Polymer zwischen der Träger und die Basisplatte , sowie zwischen die Mehrzahl von Säulen, dass die Basisplatte seine Ebenheit behält .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine oder mehrere Teilmengen der Mehrzahl von Säulen, die eine elektrische Kontaktierung der optoelektronischen Halbleitervorrichtung bereitstellen . Die Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen stellt bevorzugt sowohl einer elektrischen Kontaktierung als einer thermischen Kontaktierung bereit . Beispielsweise kann eine erste Teilmenge der Mehrzahl von Säulen eine Anode und der Zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen eine Kathode bereitstellen . Insbesondere stellt die Anode und die Kathode elektrische Zuführungen bereit , um die optoelektronische Halbleiterchip zu bestromen . Dabei endet die Mehrzahl von Säulen, die die Anode bereitstellt auf eine dem Träger durchlaufende erste Durchkontaktierung, und die Mehrzahl von Säulen, die die Kathode bereitstellt auf eine dem Träger durchlaufende Zweite Durchkontaktierung . Die erste und zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen, die für die Anode und Kathode verwendet wird, liegen dabei insbesondere voneinander elektrisch isoliert vor . Die Optoelektronische Halbleitervorrichtung kann dabei mehr als eine erste und eine zweite Teilmenge der Mehrzahl von Säulen aufweisen . Bevorzugt kann der optoelektronische Halbleitervorrichtung drei Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen aufweisen, wobei eine erste und eine zweite Teilmenge der Mehrzahl von Säulen eine elektrische und eine Thermische Kontaktierung bereitstellen, und wobei eine dritte Teilmenge der Mehrzahl von Säulen eine Thermische Kontaktie- rung bereitstellt . Die dritte Teilmenge der Mehrzahl von Säulen liegt dabei insbesondere elektrisch neutral vor .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Säulen auf , die in distinkt abgegrenzten elektrisch isolierten Teilmengen angeordnet sind auf dem Träger . Werden beispielsweise Teilmengen aus der Mehrzahl von Säulen als elektrische Leitungen oder Kontakte eingesetzt , lässt die Verwendung von einem Polymer in den Zwischenräumen von der Mehrzahl von Säulen insbesondere elektrische Kurzschlüsse vermeiden . Durch die Verwendung von einem Füllmaterial , wie einem Keramik oder ein Varistor kann die Durchschlags festigkeit erhört werden . Insbesondere lässt sich dadurch die Anfälligkeit von elektrische Kurzschlüsse unterdrücken .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Basisplatte auf , die mehreren Teilen umfasst . Beispielsweise kann dabei eine erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen mit eine erste Basisplatte verbunden sein und eine zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen mit eine zweite Basisplatte verbunden sein und eine dritte Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen mit eine dritte Basisplatte verbunden sein . Dabei kann die unterschiedliche Basisplatten in Verbindung mit die unterschiedliche Teilmengen der Mehrzahl von Säulen, von einander unterschiedliche Funktionen bereitstellen . Beispielsweise können eine erste Basisplatte und eine erste Teilmenge der Mehrzahl von Säulen und/oder eine zweite Basisplatte und eine zweite Teilmenge der Mehrzahl von Säulen eine elektrische und thermische Kontaktierungen bereitstellen . Des Weiteren kann eine dritte Basisplatte und eine dritte Teilmenge der Mehrzahl von Säulen eine thermische Kontaktierung bereitstellen . Beispielsweise kann eine erste Basisplatte und eine erste Teilmenge der Mehrzahl von Säulen eine Anode und der zweite Basisplatte und zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen eine Kathode bereitstellen . Insbesondere liegt die erste Basisplatte mit die erste Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen von die zweite Basisplatte mit die zweite Teilmenge der Mehrzahl von Säulen voneinander elektrisch isoliert vor . Eine dritte Basisplatte mit eine dritte Teilmenge der Mehrzahl von Säulen kann dabei insbesondere elektrisch neutral vorliegen . Insbesondere ist die Dritte Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen auf dem der Halbleiterchip gegenüberliegende Bodenfläche der Träger direkt unter der Halbleiterchip auf dem Träger angeordnet . Die Mittelpunkt der Dritte Mehrzahl von Säulen weicht dabei höchstens 500 pm, bevorzugt Höchstens 100 pm, oder weiter bevorzugt höchstens 20 pm von der Mittelpunkt von der Halbleiterchip ab . Der Anzahl von Basisplatten und Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen ist nicht auf drei beschränkt , sondern kann j ede beliebige Anzahl von Basisplatten und Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen sein . Insbesondere können eine beliebige Anzahl von elektrische und thermische Verbindungen an der Träger und die optoelektronische Halbleitervorrichtung bereitgestellt werden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung auf der Träger eine erste Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen mit eine erste Basisplatte , eine zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen mit eine zweite Basisplatte und eine dritte Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen mit eine dritte Basisplatte auf . Die erste , zweite und dritte Basisplatte liegt dabei voneinander getrennt vor . Dabei stellt die erste Teilmenge von die Mehrzahl von Säulen mit die erste Basisplatte und die zweite Teilmenge von die Mehrzahl von Säulen mit die zweite Basisplatte eine Elektrische und thermische Kontaktierung bereit . Insbesondere stellt die erste Teilmenge von die Mehrzahl von Säulen mit die erste Basisplatte eine Anode bereit . Die zweite Teilmenge von die Mehrzahl von Säulen mit die zweite Basisplatte stellt dabei eine Kathode bereit . Die dritte Teilmenge von die Mehrzahl von Säulen mit die dritte Basisplatte stellt dabei eine thermische Kontaktierung bereit . Vorzugsweise ist zwischen der Träger und die erste , zweite und dritte Basisplatte , sowie zwischen die erste , zweite und dritte Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen ein polymer angeordnet . Dabei bedeckt der Polymer die Bodenfläche des Trägers flächendeckend, wo die Mehrzahl von Säulen nicht angeordnet sind .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Basisplatte auf , die ein Metall aufweist . Bevorzugt umfasst die Basisplatte ein Metall . Insbesondere umfasst die Basisplatte ein Metall mit hohe Wärmeleitfähigkeit . Beispielsweise kann die Basisplatte Kupfer oder eine Kupferhaltigen Legierung umfassen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Basisplatte auf , die auf einer dem Optoelektronischen Halbleiterchip abgewandte Unterseite einer Lotschicht aufweist . Dabei bedeckt das Lotschicht die Unterseite der zumindest eine Basisplatte voll flächig oder zumindest anteilig . Beispielsweise ist die optoelektronische Halbleitervorrichtung mittels das Lotschicht an die Basisplatte mit eine Wärmesenke verbunden . Beispielsweise ist die optoelektronische Halbleitervorrichtung mittels das Lotschicht auf eine Wärmesenke aufgelötet werden . Die zwischen der Träger und die Basisplatte angeordneten Mehrzahl von Säulen kompensieren dabei insbesondere die Unterschiede in thermischen Ausdehnungskoef fi zienten zwischen der Träger und die Wärmesenke . Insbesondere kann dadurch einem Träger der optoelektronischen Halbleitervorrichtung, die Keramik aufweist , mittels der Mehrzahl von Säulen und die Basisplatte auf eine Wärmesenke , umfassend einem Metall , aufgelötet werden . Der Träger kann dabei Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Silici- umcarbid, Siliciumnitrid, Grafite oder Diamant umfassen . Vorzugsweise besteht der Träger aus einem gut elektrisch isolierendes Material . Die Wärmesenke kann dabei vorzugsweise Kupfer oder Aluminium aufweisen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung zumindest eine Basisplatte auf , die mittels ein Lotschicht auf einer Leiterplatte oder eine Wärmesenke befestigt ist . Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung, der einem Träger aufweist mit mehrere Teilmengen von der Mehrzahl von Säulen und mehrere , den Mehrzahl von Säulen zugeordneten Basisplatten, kann vorzugsweise auf eine strukturierte Leiterplatte angeordnet sein . Beispielsweise kommt ein Metallkernplatine zum Einsatz . Der Metallkern Platine umfasst beispielsweise ein dielektrisches Passivierungsschicht aus FR4 , dass auf einem Metallkern geklebt ist . Alternativ kann der Metallkern mit ein dielektrisches Passivierungsschicht aus Keramik beschichtet sein . Dabei ist das Keramikschicht direkt auf dem Metallkern angeordnet . Der Metallkern kann aus Kupfer oder Aluminium bestehen . Das dielektrische Passivierungsschicht kann dabei vollständig oder anteilig der Metallkern bedecken . Bedeckt das dielektrische Passivierungsschicht der Metallkern nur anteilig kann der Metallkern vorzugsweise anteilig freigelegt vorliegen . Das dielektrische Passivierungsschicht aus FR4 oder Keramik kann ferner Kontaktschichten aufweisen . Auf der Metallkernplatine kann eine oder mehrere optoelektronische Halbleitervorrichtungen bestückt werden . Der Metallkernplatine weist dabei zumindest so viele Kontaktschichten und freigelegten Bereichen mit Metall wie auf dem Metallkernplatine bestückten optoelektronischen Halbleitervorrichtungen und auf die optoelektronische Halbleitervorrichtung zugeordneten Basisplatten . Dabei kann manche Basisplatten den Kontaktschichten zugeordnet sein und andere können den freigelegten Bereichen mit Metall zugeordnet sein . Beispielsweise sind die für eine elektrische Bestromung benutzten Basisplatten auf den j eweiligen Kontaktschichten der dielektrischen Passivierungsschicht auf gelötet . Beispielsweise ist die erste Mehrzahl von Säulen, aufweisend eine erste Basisplatte auf ein erstes Kontaktschicht der dielektrischen Passivierungsschicht aufgelötete und die zweite Mehrzahl von Säulen, aufweisend eine zweite Basisplatte auf ein zweites Kontaktschicht der dielektrischen Passivierungsschicht auf gelötete . Beispielsweise kann die dritte Mehrzahl von Säulen, aufweisend eine dritte Basisplatte auf ein freigelegtes Bereich mit Metall des Metallkern aufgelötet sein . Alternativ kann die dritte Mehrzahl von Säulen, aufweisend eine dritte Basisplatte auf ein drittes Kontaktschicht der dielektrischen Passivierungsschicht aufgelötete sein . Die Kontaktschichten auf der Leiterplatte kann dabei Kupfer oder eine Kupferlegierung, Gold oder eine Goldlegierung, Silber oder eine Silberlegierung, oder eine Legierung umfassend zumindest zwei der folgende Materialien; Platin, Palladium, Rhodium, Ruthenium, Iridium, Nickel , Kobalt , Kupfer, Zinn, Gold, oder Silber umfassen . Insbesondere umfasst die Kontaktschichten Kupfer oder eine Kupferlegierung oder Gold oder eine Goldlegierung . Die kontaktschichten kann dabei vorzugsweise eine elektrische Kontaktierung bereitstellen wobei die freigelegten Bereichen der Metallkern eine thermische Kontaktierung bereitstellt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Leiterplatte auf , die zumindest ein freigelegtes Bereich mit Metall aufweist , die senkrecht zur und in Richtung weg von der Träger Bodenfläche durch der Leiterplatte läuft , wobei das zumindest ein freigelegte Bereich mit Metall als Wärmeleiter und Verbindungs fläche fungiert .

Beispielsweise kann die Leiterplatte Kupfer oder Aluminium Metallkernen aufweisen, mit zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht auf die Oberseite und/oder Unterseite . Insbesondere kann die Leiterplatte dabei eine Kupfer- oder Aluminium- Platte aufweisen . Die Leiterplatte kann dabei auf eine dem Optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberseite oder auf eine dem Optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberseite und abgewandte Unterseite zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht aufweisen . Beispielsweise kann die Leiterplatte auf zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht Leiterbahnen und Kontaktschichten aufweisen . Das zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht ist zwischen die Leiterbahnen/Kontaktschichten und die Metallkern angeordnet . Das dielektrische Passivierungsschicht kann dabei FR4 , Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumnitrid, aufweisen .

Weitergehend kann die Leiterplatte eine Keramikleiterplatte mit zumindest ein freigelegten Bereich mit Metall umfassen . Insbesondere kann die zumindest ein freigelegten Bereichen mit Metall als elektrische oder thermische Kontakt flächen fungieren . Dabei kann die zumindest ein freigelegten Bereich mit Metall , eine durch die Keramikleiterplatte verlaufende Durchkontaktierung oder eine auf der Leiterplatte angeordnete Kontaktschicht bereitstellen . Insbesondere kann die zumindest eine Basisplatte der optoelektronische Halbleitervorrichtung mit die zumindest ein freigelegten Bereich mit Metall thermisch und/oder elektrisch verbunden sein . Ferner kann die Keramikleiterplatte auf eine dem Optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberseite und/oder abgewandte Unterseite elektrische Leiterbahnen aufweisen . Beispielsweise kann die zumindest ein freigelegtes Bereich mit Metall Kupfer oder eine Kupferlegierung, Gold oder eine Goldlegierung, Silber oder eine Silberlegierung, oder eine Legierung umfassend zumindest zwei der folgende Materialien; Platin, Palladium, Rhodium, Ruthenium, Iridium, Nickel , Kobalt , Kupfer, Zinn, Gold, oder Silber umfassen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Leiterplatte auf , die zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht aufweist , wobei das zumindest ein Passivierungsschicht auf der den optoelektronischen Halbleitervorrichtung zugewandte und/oder Abgewandte Seite Kontaktschichten und/oder Leiterbahnen aufweist . Beispielsweise kann die Leiterplatte eine Metallkern aus Kupfer oder Aluminium aufweisen, mit zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht auf die Oberseite und/oder Unterseite der Leiterplatte . Die Leiterplatte kann dabei auf eine dem Optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberseite oder auf eine dem Optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberseite und abgewandte Unterseite zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht aufweisen . Beispielsweise kann die Leiterplatte auf zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht Kontaktschichten und/oder Leiterbahnen aufweisen . Das zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht kann dabei zwischen die Kontaktschichten und/oder Leiterbahnen auf der Leiterplatte angeordnet sein . Das zumindest ein dielektrisches Passivierungsschicht kann dabei FR4 , Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumnitrid, aufweisen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung ein erstes elektrisches Kontakt (Anode ) und ein zweites elektrisches Kontakt (Kathode ) auf , die von einer Oberseite der optoelektronischen Halbleitervorrichtung eingeführt sind . Insbesondere liegt die erste elektrische Kontakt (Anode ) und die zweite elektrische Kontakt (Kathode ) auf die Oberseite des optoelektronischen Halbleitervorrichtung frei und läuft durch eine auf eine Oberseite des Trägers angeordneten Moldmasse durch . Dabei endet die erste elektrische Kontakt (Anode ) auf eine erste Kontaktpad und die zweite elektrische Kontakt (Kathode ) auf eine zweite Kontaktpad auf der Oberseite des Trägers . Dabei liegt das erste Kontaktpad von das zweite Kontaktpad elektrisch isoliert vor . Die Kontaktpads sind dabei als schichten ausgebildet . Von die erste elektrische Kontakt (Anode ) oder von der erste Kontaktpad auf der die erste elektrische Kontakt (Anode ) endet , läuft ein Bonddraht auf ein Anschlussschicht auf die Oberseite des Halbleiterchips . Der Bonddraht schließt dabei der optoelektronischen Halbleiterchip elektrisch an . Beispielsweise schließt der zweite Kontaktpad auf der, der Kathode ( zweite elektrische Kontakte ) endet , dabei das optoelektronischen Halbleiterchip direkt auf die dem Träger zugewandte Unterseite elektrisch an . Alternativ ist ein Kontaktschicht zwischen das optoelektronischen Halbleiterchip und der Träger angeordnet , die über ein Leiterbahn mit der zweiten Kontaktpad verbunden ist und das optoelektronischen Halbleiterchip auf die dem Träger zugewandte Unterseite elektrisch anschließt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Träger auf , der eine erste Elektrische Durchkontaktierung für eine Anode und eine zweite Elektrische Durchkontaktierung für eine Kathode aufweist . Dabei endet eine erste Mehrzahl von Säulen, die die Anode be- reitstellt , auf eine dem Träger durchlaufende erste Durchkontaktierung, und eine zweite Mehrzahl von Säulen, die die Kathode bereitstellt , endet auf eine dem Träger durchlaufende Zweite Durchkontaktierung . Dabei kontaktiert die erste elektrische Durchkontaktierung ein erstes Kontaktpad auf der Oberseite des Trägers von unten an, wobei die zweite elektrische Durchkontaktierung ein zweites Kontaktpad auf der Oberseite des Trägers von unten kontaktiert . Dabei liegt die erste Durchkontaktierung und das erste Kontaktpad von der zweite Durchkontaktierung und das zweite Kontaktpad elektrisch isoliert vor . Die Kontaktpads sind dabei als schichten ausgebildet . Alternativ kann die Endflächen von den Durchkontaktierungen auf die Oberseite des Trägers Freiliegen und somit die Kontaktpads auf die Oberseite des Trägers ausbilden . Dabei kann die Endflächen von den Durchkontaktierungen mit die Oberseite des Trägers bündig abschließen . Von die Endfläche der erste Durchkontaktierung oder von der erste Kontaktpad auf der die erste Durchkontaktierung endet , läuft ein Bonddraht auf ein Anschlussschicht auf die Oberseite der Halbleiterchip . Der Bonddraht schließt dabei der optoelektronischen Halbleiterchip elektrisch an . Beispielsweise schließt der zweite Kontaktpad auf der, der zweite Durchkontaktierung endet , dabei das optoelektronischen Halbleiterchip direkt auf die dem Träger zugewandte Unterseite elektrisch an . Alternativ ist ein Kontaktschicht zwischen das optoelektronischen Halbleiterchip und der Träger angeordnet , die über ein Leiterbahn mit der zweiten Kontaktpad verbunden ist und das optoelektronischen Halbleiterchip auf die dem Träger zugewandte Unterseite elektrisch anschließt .

Die Dicke von den Kontaktpads beträgt dabei vorzugsweise zwischen 1 und 200 pm, oder bevorzugt zwischen 10 und 100 pm, oder weiter bevorzugt zwischen 25 und 75 pm . Insbesondere hat sich eine Dicke eines Kupfer-Kontaktpads von etwa 50pm als besonders vorteilhaft erwiesen . Beispielsweise kann der Kontaktpads Kupfer oder eine Kupferlegierung, Gold oder eine Goldlegierung, Silber oder eine Silberlegierung, oder eine Legierung umfassend zumindest zwei der folgende Materialien; Platin, Palladium, Rhodium, Ruthenium, Iridium, Nickel , Kobalt , Kupfer, Zinn, Gold, oder Silber umfassen .

Insbesondre weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine erste Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen auf , die auf die erste elektrische Durchkontaktierung anschließt und eine zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen, die auf die zweite elektrische Durchkontaktierung anschließt . Dabei stellen die erste und zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen eine elektrische Kontaktierung bereit . Die erste und zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen kann dabei j eweils auf eine Basisplatte aufgelötet sein, wobei die Basisplatten voneinander elektrisch isoliert vorliegt . Insbesondere kann die optoelektronische Halbleitervorrichtung mit die zumindest eine Basisplatte auf eine oder mehrere Kontaktschichten der Leiterplatte aufgelötet sein .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung einem Träger, einem auf dem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip und eine Säule auf , wobei die eine Säule auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip gegenüberliegenden Bodenfläche des Trägers angeordnet ist und wobei die eine Säule eine Thermische Wärmeleitung weg von dem Optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger bewirken .

Die Spannung, die sich aufbauen kann in einer Lotverbindung zwischen zwei Materialien mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoef fi zienten hängt stark von den lateralen Dimensionen der Lotfläche ab . Beispielsweise könnte eine Voll flächige metallische Lotverbindung zwischen einem Träger und einem Substrat dazu führen, dass die Spannungen in der Grenzfläche zwischen der Träger und dem Substrat zu hoch wird und dass die Lotverbindung demzufolge versagt . Beispielsweise kann das Problem dadurch gelöst werden, indem die aufgelötete Fläche zwischen der Träger und das Substrat reduziert wird . Eine Reduzierte Aufgelötete Fläche , kann durch die Verwendung von eine Mehrzahl von Säulen oder durch die Verwendung von eine Säule , mit eine gegenüber der Träger der optoelektronische Halbleitervorrichtung reduzierte Bodenfläche , erzeugt werden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Säulen aus Metall . Die eine Säule umfasst bevorzugt eine gut wärmeleitende Material . Insbesondere kann die eine Säulen Kupfer oder ein Kupferhaltigen Legierung aufweisen . Alternativ kann die eine Säule auch Gold oder eine goldhaltigen Legierungen umfassen . Beispielsweise kann über das Materialwahl , die thermische Leitfähigkeit von der eine Säule gezielt eingestellt werden . Beispielsweise kann das Material für die eine Säule , so gewählt werden, dass es eine bestimmte spezi fische thermische Widerstand bereitstellt . Dadurch kann die thermische Wiederstand über die eine Säule , durch die Länge und/oder die Querschnitts fläche von die eine Säule eingestellt werden . Dadurch kann, das während dem Betrieb der optoelektronischen Halbleitervorrichtung benötigte Wärmeableitung, von der Halbleiterchip über die eine Säule auf das Substrat , gezielt eingestellt werden . Die eine Säule kann dabei eine Höhe zwischen 5 pm und 200 pm, oder bevorzugt eine Höhe Zwischen 10 pm und 100 pm, oder insbesondere bevorzugt eine Höhe zwischen 20 pm und 60 pm aufweisen . Insbesondere hat sich eine Säulenhöhe von 40 pm als besonders günstig erwiesen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Säule auf , der im Querschnitt eine Geometrische Form aufweist , die Kreis förmig, und/oder Ellipsoidf örmig, und/oder quadratisch, und/oder vieleckig, insbesondere Drei- , Vier- , Fünf- , Sechs- oder Acht-Eckig, ist .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form bedeckt die eine Säule mindestens 10 % der Bodenfläche des Trägers . Beispielsweise bedeckt die eine Säule der Bodenfläche des Trägers zu mindestens 10 % und höchstens 30% . Insbesondere kann dadurch eine ef fi ziente Wärmeabfuhr weg von der Träger gewährleistet wer- den . Im Allgemein bewirkt eine größere Bodenfläche der eine Säule , bei gleicher Höhe , dass mehr Wärme , durch die eine Säule in Richtung das Substrat abgeleitet werden kann . Beispielsweise überschreitet die laterale Dimensionen der eine Säule dabei die laterale Dimensionen von der auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip mit höchstens 500% , oder bevorzugt höchstens 200% , oder weiter bevorzugt höchstens 50% . Eine ef fi ziente Wärmeableitung vom Halbleiterchip ist insbesondere mit immer größeren lateralen Dimensionen der einen Säule gewährleistet . Die laterale Dimensionen der eine Säule kann auch in etwa die laterale Dimensionen von der auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip endsprechen . Die laterale Dimensionen der eine Säule kann auch kleiner sein als die laterale Dimensionen von der auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip . Beispielsweise unterschreitet die laterale Dimensionen der eine Säule dabei die laterale Dimensionen von der auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip mit höchstens 20% , oder bevorzugt höchstens 30% , oder weiter bevorzugt höchstens 50% .

Vorteilhafterweise ist die eine Säule dabei direkt unter der Halbleiterchip auf die dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Bodenfläche der Träger angeordnet . Beispielsweise weicht ein Mittelpunkt der eine Säule von eine Mittelpunkt des optoelektronischen Halbleiterchips mit höchsten 500 pm, oder bevorzugt höchstens 100 pm, oder weiter bevorzugt höchstens 20 pm . Insbesondere kann dadurch eine ef fi ziente Wärmeabfuhr weg von die Halbleiterchip gewährleistet werden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist die eine Säule unter einem Bereich der Träger, dass eine gegenüber der Rest der Träger erhörte Temperatur auf zeigt , d . h . ein „Hotspot" , angeordnet . Der in dem Träger Vorhandener Hotspot kann durch ein auf der Oberseite des Trägers angeordneten aktiven oder passiven elektrischen Element verursacht werden . Beispielsweise kann der Hotspot von einem auf der Oberseite des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip verursacht sein . Insbesondere überschreitet die laterale Dimensionen der eine Säule dabei die laterale Dimensionen von der in dem Träger vorhandenen Hotspot mit höchstens 500% , oder bevorzugt höchstens 200% , oder weiter bevorzugt höchstens 50% . Vorteilhafterweise ist die eine Säule dabei unter der Hotspot auf die dem Halbleiterchip gegenüberliegenden Bodenfläche der Träger angeordnet . Beispielsweise weicht ein Mittelpunkt der eine Säule von eine Mittelpunkt des Hotspots mit höchsten 500 pm, oder bevorzugt höchstens 100 pm, oder weiter bevorzugt höchstens 20 pm ab . Insbesondere kann dadurch eine besonders ef fiziente Wärmeabfuhr weg von die Halbleiterchip gewährleistet werden .

Die Mitte des Trägers eines sog . „Multi-Chip LED-Array" weist im Betrieb herkömmlicherweise eine erhörte Temperatur auf , als der Randbereich . Vorteilhafterweise kann Wärme aus die Mitte eines solchen „Multi-Chip LED-Array" besser abgeleitet werden, durch die Verwendung von einem Träger mit eine Säule , die auf die Bodenfläche der Träger mittig unter das „Multi- Chip LED-Array" angeordnet ist . Insbesondere kann dadurch die Halbleiterchips aus der Mitte von dem „Multi-Chip LED-Array" stärker gekühlt werden als die Halbleiterchips aus der Randbereich . Durch eine Stärkere Kühlung der Mitte von dem „Multi-Chip LED-Array" kann gewährleistet werden, dass eine Homogene Temperatur über die gesamte „Multi-Chip LED-Array" erzeugt ist . Insbesondere bewirkt eine homogene Temperatur über die gesamte „Multi-Chip LED-Array" , dass die Farbverschiebung von den Halbleiterchips überall über das „Multi-Chip LED- Array" die Gleiche ist . Dadurch kann vermieden werden, dass LEDs aus die Mitte der „Multi-Chip LED-Array" eine andere Farbe aufweist , als die Halbleiterchips aus dem Randbereich .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Träger mit eine Säule auf , die eine Endkappe aus Lot aufweist . Insbesondere ist der Träger mit der eine Säule mittels der Endkappe an einem Substrat befestigt . Die eine Säule weist dabei eine der Bodenfläche des Trägers abgewandte Endfläche auf , und zumindest eine seitlich umlaufende Mantel flächefläche , der Senkrecht zu der Endfläche ausgerichtet ist . Dabei bedeckt die Endkappe die Endfläche und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche mit das Lot . Beispielsweise lässt sich die Stof fverbindung, zwischen die eine Säule und das Substrat besonders mechanisch stabil erzeugen, wenn die Endkappe sowohl die Endfläche und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche , mit das Lot bedeckt . Die Dicke von der Endkappe beträgt dabei vorzugsweise zwischen 500 nm und 10 pm, oder bevorzugt zwischen 1 und 6 pm, oder weiter bevorzugt zwischen 2 und 4 pm . Insbesondere hat sich eine Dicke von etwa 3pm als besonders vorteilhaft erwiesen .

Vorzugsweise ist das Substrat entweder eine Wärmesenke oder eine Basisplatte . Liegt das Substrat als Basisplatte vor, kann die Basisplatte mittels ein Lotschicht , auf die Unterseite der Basisplatte , auf eine Wärmesenke oder eine Leiterplatte aufgelötet werden . Insbesondere weist dadurch die Optoelektronische Halbleitervorrichtung zwischen die Basisplatte und die Wärmesenke oder die Leiterplatte ein Lotschicht auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung zwischen der Träger und das Substrat ein polymer auf . Der Polymer kann dabei den Träger mit der eine Säule auf das Substrat fixieren und/oder mechanisch stützen . Fixieren bedeutet hier, dass der Polymer zusätzlich zu die Lotverbindung, zwischen die eine Säule und das Substrat eine Materialhaftung zwischen der Träger und das Substrat bereitstellt . Beispielsweise fungiert der Polymer dabei als Klebstof f um der Träger mit der eine Säule auf das Substrat zu befestigen . Insbesondere bewirkt der Polymer zwischen der Träger und das Substrat , dass die Optoelektronische Halbleitervorrichtung mechanisch stabiler auf das Substrat sitzt . Beispielsweise stabilisiert der Polymer die optoelektronische Halbleitervorrichtung indem es als einem Platzhalter allseitig um die eine Säule fungiert . Insbesondere bewirkt der Polymer dabei , dass vertikale oder laterale Kraftbeanspruchungen auf die optoelektronische Halbleitervorrichtung nur eine geringere Einfluss auf die Lotverbindung, zwischen die eine Säule und das Substrat , hat .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung ein Träger mit der eine Säule auf , wobei die Optoelektronische Halbleitervorrichtung mittels einem Polymer an einem Substrat befestigt ist . Dabei ist der Polymer zwischen der Bodenfläche des Trägers und die Oberseite des Substrats , sowie zwischen die Endfläche der eine Säule und die Oberseite des Substrats , angeordnet .

Vorzugsweise steht der Polymer in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des Trägers , die Oberseite des Substrats , die Endfläche von der eine Säule , sowie mit die zumindest eine Mantel fläche von der eine Säule . Dabei bewirkt eine direkte Kontakt , dass eine besonders zuverlässige und mechanisch stabile Stof fverbindung gewährleistet werden kann . Vorzugsweise benetzt der Polymer dabei die Bodenfläche des Trägers , die Oberseite des Substrats und die zumindest eine Mantel fläche von der eine Säule , flächendeckend . Insbesondere benetzt der Polymer die Bodenfläche des Trägers nur dort flächendeckend, wo die eine Säule auf der Bodenseite des Trägers nicht angeordnet sind . Dabei benetzt der Polymer die Bodenfläche des Trägers , die Oberseite des Substrats und die zumindest eine Mantel fläche von der eine Säule mit zumindest 50% , oder bevorzugt zumindest 75% , oder weiter bevorzugt zumindest 95% .

Insbesondere ist eine Klebstof f schicht zwischen die Endfläche von der eine Säule und dem Substrat gebildet . Vorzugsweise ist das Polymerschicht zwischen die Endfläche von der eine Säule und die Oberseite des Substrats möglichst dünn, um eine niedrige thermische Wiederstand zwischen die Endfläche von der eine Säulen und das Substrat zu gewährleisten . Die Dicke des Polymerschichts zwischen die Endfläche der eine Säule und die Oberseite des Substrats beträgt dabei höchstens 5 pm, oder bevorzugt höchstens 3 pm, oder weiter bevorzugt höchs- tens 1 pm . Dabei bedeckt die Polymerschicht die Endfläche von der eine Säule mit zumindest 20% , bevorzugt mit zumindest 50% , weiter bevorzugt mit zumindest 75% .

Beispielsweise bewirkt eine hohe Flächendeckung von der Polymer, dass eine stabile und zuverlässige Stof fverbindung gewährleistet werden kann . Ferner trägt eine hohe Flächendeckung von der Polymer ebenfalls zu eine verbesserte Wärmeleitung bei . Insbesondere bewirkt die gute Flächendeckung von der Polymer mit die zumindest eine Mantel fläche von der eine Säule , in der Fall von eine partielle Delamination zwischen die Endfläche der eine Säulen und das Substrat , dass eine gute Haftung und Wärmeleitung zum Substrat stets gewährleistet werden kann .

Insbesondere handelt es sich beim Polymer um ein Klebstof f . Beispielsweise basiert der Klebstof f auf Silikon oder Epoxid- Hartz . Dabei bewirkt der eine Säule , dass eine verbesserte Wärmeleitung in die Klebstof fverbindung zwischen der Träger und dem Substrat bewirkt wird . Die erhörte Wärmeleitung ist auf der eine Säulen zurückzuführen, der dazu dienen die Wärme durch den Klebstof f in Richtung dem Substrat zu führen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung eine Anode ( erste Kontakte ) und eine Katode ( zweite Kontakte ) auf , die von einer Oberseite der optoelektronischen Halbleitervorrichtung eingeführt sind . Insbesondere liegt die Anode ( erste Kontakte ) und Kathode ( zweite Kontakte ) auf die Oberseite der optoelektronischen Halbleitervorrichtung frei und läuft durch eine auf eine Oberseite des Trägers angeordneten Moldmasse durch . Dabei endet die Anode ( erste Kontakte ) auf eine erste Kontaktpad und die Kathode ( zweite Kontakte ) auf eine zweite Kontaktpad auf der Oberseite des Trägers , wobei das erste Kontaktpad von das zweite Kontaktpad elektrisch isoliert vorliegt . Dabei endet die Anode ( erste Kontakte ) auf eine erste Kontaktpad und die Kathode ( zweite Kontakte ) auf eine zweite Kontaktpad auf der Oberseite des Trägers , wobei das erste Kontaktpad von das zweite Kontaktpad elektrisch isoliert vorliegt . Die Kontaktpads sind dabei als schichten ausgebildet . Von der Anode ( erste Kontakte ) oder von der erste Kontaktpad auf der die Anode ( erste Kontakte ) endet , läuft ein Bonddraht auf ein Anschlussschicht auf die Oberseite der Halbleiterchip . Der Bonddraht schließt dabei der optoelektronischen Halbleiterchip elektrisch an . Beispielsweise schließt der zweite Kontaktpad auf der, der Kathode ( zweite Kontakte ) endet , dabei das optoelektronischen Halbleiterchip direkt auf die dem Träger zugewandte Unterseite elektrisch an . Alternativ ist ein Kontaktschicht zwischen das optoelektronischen Halbleiterchip und der Träger angeordnet , die über ein Leiterbahn mit der zweiten Kontaktpad verbunden ist und das optoelektronischen Halbleiterchip auf die dem Träger zugewandte Unterseite elektrisch anschließt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist ein optoelektronischen Bauteil zumindest ein optoelektronischen Halbleitervorrichtung und zumindest ein Substrat auf . Dabei ist der optoelektronischen Halbleitervorrichtung auf die Oberseite des zumindest einen Substrats angeordnet . Die optoelektronische Halbleitervorrichtung kann dabei zumindest eine Säule auf die Bodenfläche des Trägers aufweisen . Beispielsweise kann die optoelektronische Halbleitervorrichtung mit den zumindest eine Säule auf das zumindest ein Substrat geklebt oder gelötet sein . Das zumindest ein Substrat kann dabei eine Basisplatte , Wärmesenke oder Leiterplatte sein . Ferner kann das zumindest ein Substrat auf die Oberseite eines weiteren Substrat angeordnet werden . Das Weiteren Substrat kann ebenfalls eine Basisplatte , Wärmesenke oder Leiterplatte sein .

Das zumindest ein Substrat kann auf das weitere Substrat entweder geklebt oder gelötet sein .

Es wird des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung angegeben . Das hier beschriebene optoelektronische Halbleitervorrichtung kann insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt werden . Das heißt , sämtliche für das optoelektronische Halbleitervor- richtung of fenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit den folgenden Schritten hergestellt : a ) Breitstellen eines Trägers ; b ) Aufbringen eines Fotolacks auf der Bodenfläche des Trägers ; c ) Strukturieren des Fotolacks mittels Fotolithografie ; d) Freilegen der Bodenfläche des Trägers mittels Entfernens eines belichteten oder unbelichteten Bereichs des Fotolacks ; e ) Galvanisches Aufwachsen von eine Mehrzahl von Säulen auf der Bodenfläche des Trägers in den freigelegten Bereichen des Fotolacks ; f ) Entfernen der Fotolacks ; g) Bereitstellen von zumindest einem auf dem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip ; h) Vereinzeln der Träger ; i ) Befestigen der Optoelektronische Halbleitervorrichtung an einem Substrat .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird im Schritt a ) ein Keimschicht voll flächig auf die Bodenfläche des Trägers aufgebracht . Die Keimschicht ermöglich dabei , dass die Mehrzahl von Säulen im Schritt e ) mittels Galvanisches Aufwachsen auf die Bodenfläche des Trägers aufgebracht werden können . Die Keimschicht , dass zwischen die Mehrzahl von Säulen vorhanden ist , kann nach dem aufwachsen von der Mehrzahl von Säulen wieder chemisch weggeätzt werden . Alternativ kann die Keimschicht nach Schritt d) erst aufgebracht werden . Dabei wird die freigelegten Bereichen von der Bodenfläche des Trägers und das Fotolack mit das Keimschicht beschichtet . Vorteilhafterweise kann dadurch auf ein nachträgliches Ätzen verzichtet werden, indem keine Keimschicht zwischen der Mehrzahl von Säulen auf der Bodenfläche des Trägers nach die Entfernung des Fotolacks vorhanden ist . Beispielsweise kann das Keimschicht mittels Sputtern oder physikalische Gasphasenabscheidung hergestellt werden . Als Keimschichten kommt insbesondere Kupfer oder Titanium zum Einsatz . Die Keimschicht hat dabei eine Dicke zwischen l Onm und 1 pm, bevorzugt zwischen 50nm und 500nm, weiter bevorzugt zwischen 150nm und 250nm . Insbesondere hat eine Dicke der Keimschicht von 200nm als besonders stabil erwiesen, um der Mehrzahl von Säulen galvanisch auf zuwachsen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird ein optoelektronische Halbleitervorrichtung im Schritt i ) mittels einem Polymer an eine Oberseite eines Substrats befestigt , wobei das Substrat eine Leiterplatte ist . Beispielsweise kann die optoelektronische Halbleitervorrichtung mit der Träger aufweisend eine Mehrzahl von Säulen, mit der dem Halbleiterchip abgewandte Bodenseite des Trägers , in eine auf die Leiterplatte angeordnete flüssigen polymertropfen gesetzt werden . Überflüssigen Polymermaterial wird dabei seitlich ausgedrängt , sodass das Polymer die Bodenfläche des Trägers lateral seitlich Überläufen kann . Ferner kann der überflüssige Polymer, der die Bodenfläche des Trägers lateral seitlich überläuft , die Trägerstirnseite geringfügig hochziehen . Der Ausdruck „geringfügig" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass der Polymer zumindest 10% von die Höhe der Trägerstirnseite hochzieht , oder zumindest 30% , oder zumindest 50% hochzieht . Beispielsweise lässt sich dadurch ein von der Fläche größere und dadurch besonders zuverlässige Klebstof fverbindung zwischen der Träger und das Substrat erzeugen . Beispielsweise kann der Polymertropfen ein Silikon oder Epoxid basierten Klebstof f umfassen . Der polymertropfen kann beispielsweise mittels Jetten, Dispensen, casten, Molden, oder Of fset druck an der Träger angeordnet werden . Vorzugsweise können mehrere Tropfen gleichzeitig an der Träger angeordnet werden . Beispielsweise kann dadurch mehrere optoelektronische Halbleitervorrichtungen gleichzeitig in einem Batchverfahren in den auf das Substrat angeordneten Polymertropfen gesetzt werden . Das flüssige Polymer ist anschließend zu die Anordnung der optoelektronischen Halbleitervorrichtung ausgehärtet , wo- bei der Polymer der optoelektronischen Halbleitervorrichtung auf das Substrat fixiert .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die Mehrzahl von Säulen im Schritt e ) mit j eweils eine AuSn Endkappe versehen . Vorteilhaferweise kann die AuSn Endkappen auf der Mehrzahl von Säulen mittels galvanisches Aufwachsen im Schritt e ) aufgebracht werden .

Die Dicke von den Endkappen beträgt dabei vorzugsweise zwischen 500 nm und 10 pm, oder bevorzugt zwischen 1 und 6 pm, oder weiter bevorzugt zwischen 2 und 4 pm . Insbesondere hat sich eine Dicke von 3pm als besonders vorteilhaft erwiesen, indem eine stabile Lotverbindung bei geringen Materialeinsatz gewährleistet werden kann .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die Optoelektronische Halbleitervorrichtung im Schritt i ) mittels die AuSn Endkappen an die Oberseite eines Substrats gelötet , wobei das Substrat eine Leiterplatte oder Wärmesenke ist . Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleitervorrichtung aufweisend der Träger mit der Mehrzahl von Säulen auf das Substrat mittels Reflow-Löten befestigt werden . Alternativ kann die optoelektronische Halbleitervorrichtung mit den Endkappen weisend zu der Oberseite des Substrats auf das Substrat runtergedrückt werden, wobei das Substrat an eine die Oberseite des Substrats gegenüberliegende Unterseite des Substrats gehei zt wird .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird im Schritt i ) ein Polymer um der Optoelektronische Halbleitervorrichtung auf das Substrat angeordnet , wobei der Polymer zwischen der Bodenfläche des Trägers und der Oberseite des Substrats sowie zwischen die Mehrzahl an Säulen einzieht . Beispielsweise ist der flüssige Polymer dabei direkt angrenzend zu den auf das Substrat angelöteten äußeren Säulen auf das Substrat aufgebracht . Der Polymer kann dabei ganzumfänglich auf alle Seiten um der Optoelektronische Halbleitervor- richtung auf das Substrat aufgebracht werden, oder kann nur auf eine , zwei oder drei Seiten um der optoelektronische Halbleitervorrichtung angeordnet werden . Beim Anordnen der Polymer auf das Substrat schließt der flüssige Polymer die äußerste Reihen von der Mehrzahl von Säulen Seitlich direkt an . Vorzugsweise zieht der flüssige Polymer dadurch wegen die auf der Polymer wirkenden Kapillarkräfte zwischen der Mehrzahl von Säulen und der Träger und das Substrat ein . Vorzugsweise füllt der Polymer dadurch die ganze Volumen zwischen der Träger und das Substrat , sowie zwischen der Mehrzahl von Säulen . Dabei kommt bevorzugt ein Polymer ohne Füllmaterial zum Einsatz , das leichter zwischen der Mehrzahl von Säulen einziehen kann . Anschließend ist der Polymer ausgehärtet , wobei der Polymer im ausgehärteten Zustand der Mehrzahl von Säulen mechanisch stützt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Optoelektronische Halbleitervorrichtung im Schritt i ) mittels die AuSn Endkappen an die Oberseite des Substrats gelötet , wobei das Substrat zumindest eine Basisplatte umfasst .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die Unterseite der zumindest eine Basisplatte mit ein Lotschicht beschichtet , wobei der Optoelektronische Halbleitervorrichtung mittels der Lotschicht an einer Leiterplatte oder einer Wärmesenke befestigt wird .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird ein Polymer zwischen die Mehrzahl von Säulen bereitgestellt , wobei die AuSn Endkappen (X ) von dem Polymer freigelegt vorliegt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Polymer zwischen der Mehrzahl von Säulen durch Folienunterstütztes Spritzgießen ( Foil-Assisted-Molding) , Dispensen, Aufrakeln, Casten oder Molden bereitgestellt . Beispielsweise wird der Polymer infiltriert zwischen der Mehrzahl von Säulen und benetzt dadurch die Bodenfläche des Trägers vollständig dort , wo die Mehrzahl von Säulen nicht auf der Träger angeordnet sind . Dabei umschließt der Polymer die Mantel flächen der Mehrzahl von Säulen vollumfänglich . Beispielsweise kann der Polymer von der Bodenfläche des Trägers bis zu die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen aufgebracht werden, wobei die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen frei von der Polymer vorliegt . Dadurch entsteht eine Glatte Polymeroberfläche , die nur von die Endflächen der Mehrzahl von Säulen unterbrochen ist . Alternativ bedeckt der Polymer auch die Endflächen von der Mehrzahl von Säulen vollständig und bildet dadurch eine ununterbrochene Polymeroberfläche die den Endflächen von der Mehrzahl von Säulen, in Richtung abgewandt weg von der Bodenfläche der Träger, überragt . In einem folgeschritt wird der Polymer, ausgehend von die Polymeroberfläche und in Richtung zu der Bodenfläche des Trägers runtergeschli f fen und/oder Plasma-gereinigt bis zu der für die Endkappen benötigte tiefe . In einem folgeschritt wird die Mehrzahl von Säulen mit Endkappen mittels galvanisches Abscheiden versehen . Die Endkappen bedeckt dabei die freigelegten Endflächen und die freigelegten Mantel flächen der Mehrzahl von Säulen . Alternativ kann die Mehrzahl von Säulen, bis eine für die Endkappen benötigte tiefe , in eine polymer Folie reingedrückt werden . In einem Folgeschritt wird die Säulen von einem flüssigen Polymer infiltriert , wobei der Polymer von die Bodenfläche des Trägers bis zu der polymer Folie reicht . In eine Folgeschritt wird die polymer Folie entfernt . Insbesondere wird dadurch erzeugt , dass die Endflächen und anteilig auch die Mantel flächen von die Mehrzahl von Säulen, von der Polymer freigelegt vorliegt . Beispielsweise kann dadurch auf eine nachträgliche Schlei f- und/oder Plasmareinigungsprozess verzichtet werden, um die Endflächen und die Mantel flächen von der Mehrzahl von Säulen von der Polymer zu frei zulegen . In einer folgeschritt kann die Endkappen mittels galvanisches Abscheiden auf die freigelegten Endflächen und die freigelegten Mantel flächen von der Mehrzahl von Säulen aufgebracht werden . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Polymer zwischen der Mehrzahl von Säulen durch Folienunterstütztes Spritzgießen ( Foil-Assisted-Molding) , Dispensen, Auf räkeln, Casten oder Molden bereitgestellt . Dabei sind die Mehrzahl von Säulen schon mit Endkappen aus AuSn Lot versehen, vor dass die Zwischenräumen von der Mehrzahl von Säulen mit einem Polymer infiltriert wird . Die Endkappen sind dabei anschließend zum Schritt e ) mittels galvanisches Abscheiden auf die Endflächen und die Mantel flächen der Mehrzahl von Säulen aufgebracht . Insbesondere ist der Fotolack zwischen der Mehrzahl von Säulen, in Richtung der Bodenfläche des Trägers , zuerst runtergeätzt bevor die Endkappen auf der Mehrzahl von Säulen im Schritt e ) galvanisch beschichtet werden .

Beispielsweise wird ein Polymer infiltriert zwischen der Mehrzahl von Säulen und benetzt dadurch die Bodenfläche des Trägers vollständig dort , wo die Mehrzahl von Säulen nicht auf der Träger angeordnet sind . Dabei umschließt der Polymer die Mantel flächen der Mehrzahl von Säulen vollumfänglich . Beispielsweise kann der Polymer von der Bodenfläche des Trägers bis zu die Bodenflächen von den Endkappen aufgebracht werden . Dadurch entsteht eine Glatte Polymeroberfläche , die nur von die Bodenflächen von den Endkappen unterbrochen ist . Alternativ bedeckt der Polymer auch die Endkappen von der Mehrzahl von Säulen vollständig und bildet dadurch eine ununterbrochene Polymeroberfläche die den Endkappen von der Mehrzahl von Säulen, in Richtung abgewandt weg von der Bodenfläche der Träger, überragt . In einem folgeschritt kann der Polymer, ausgehend von die Polymeroberfläche und in Richtung zu der Bodenfläche des Trägers runtergeschli f fen und/oder Plas- ma-gereinigt bis zu der für die Endkappen benötigte tiefe . Das heißt , die Endkappen von der Mehrzahl von Säulen wird durch der Schlei fvorgang und/oder Plasmareinigungsvorgang komplett freigelegt .

Alternativ kann die Mehrzahl von Säulen mit den Endkappen, in eine Folie reingedrückt werden, wobei die Säulen bis eine Tiefe entsprechend die Endkappen Höhe reingedrückt werden . In einem Folgeschritt wird die Säulen von der Polymer infil- trierte , wobei der Polymer von die Bodenfläche des Trägers bis zu der Folie und die Endkappen reicht . In eine Folgeschritt wird die Folie entfernt . Insbesondere wird dadurch erzeugt , dass die Endkappen von der Polymer freigelegt vorliegen . Beispielsweise kann dadurch auf eine nachträgliche Schlei f- und/oder Plasmareinigungsprozess verzichtet werden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Optoelektronische Halbleitervorrichtung im Schritt i ) mittels die von der Polymer freigelegten AuSn Endkappen auf die Mehrzahl von Säulen an die Oberseite des Substrats gelötet , wobei das Substrat zumindest eine Basisplatte umfasst .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die Unterseite der zumindest eine Basisplatte mit ein Lotschicht beschichtet , wobei der Optoelektronische Halbleitervorrichtung mittels der Lotschicht an einer Leiterplatte oder Wärmesenke befestigt wird .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens weist das Lotschicht eine Legierung auf , die mindestens zwei der folgenden Elementen umfasst ; Ag, Al , Au, Bi , Cd, Cu, Fe , P, Pb, Sb, Si , Sn, Zn . Vorteilehaft kann ein AuSn- oder SnAgCu- basierten Lot zum Einsatz kommen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens weist der Träger des optoelektronischen Halbleitervorrichtung im Schritt h) nach der Vereinzelung der Träger eine Mehrzahl von Säulen auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens weist der Träger des optoelektronischen Halbleitervorrichtung im Schritt h) nach der Vereinzelung der Träger eine Säule auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens ist im Schritt h) nur eine Säule am Träger des optoelektronischen Halbleitervorrichtung angeordnet . Beispielsweise kann der Träger aufweisend eine Mehrzahl von Säulen im Schritt h) ver- einzelt werden, sodass ein neuer Träger aufweisend nur eine Säule auf der Bodenfläche gebildet ist .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die zumindest eine Basisplatte strukturiert oder vereinzelt be- reitgestellt . Beispielsweise kann der zumindest eine Basisplatte eine oder mehrere vorstrukturierten Teilen umfassen . Alternativ kann der zumindest eine Basisplatte erst nach der Verbindung mit der Mehrzahl von Säulen strukturiert oder vereinzelt werden . Beispielsweise kann die zumindest eine Basisplatte , bestehend aus ein vorstrukturiertes Teil oder bestehend aus mehrere Vorstrukturierten Teilen als solche bereitgestellt werden . Alternativ kann der zumindest eine Basisplatte erst nach der Verbindung mit der Mehrzahl von Säulen strukturiert werden . Dabei wird die zumindest eine Basisplatte in einem ersten Schritt als Substrat in Form von eine Folie , Platte , Block oder Schicht bereitgestellt . Beispielsweise kann der Träger aufweisend der Mehrzahl von Säulen mittels die Endkappen, auf das Substrat befestigt werden . In eine folgeschritt wird das Substrat strukturiert oder vereinzelt . Beispielsweise kann das Substrat mittels ein Chemisches oder Mechanisches Verfahren strukturiert oder vereinzelt werden . Als Chemisches Strukturierungsverfahren eignet sich insbesondere eine Fotolithografie Prozess mit einen anschließenden Ätzprozess . Dabei wird die Unterseite , des Substrats mit einen Fotolack voll flächig beschichtet und der Fotolack ist anschließend durch eine Fotomaske belichtet . In einem Folgeschritt wird die belichteten oder unbelichteten Bereichen des Fotolacks entfernt , zum Beispiel durch ein Wachvorgang . In einem Folgeschritt wird die freigelegten Bereichen der Basisplatte geätzt . Beispielsweise kann das Substrat angeätzt werden, wobei Material von die Unterseite des Substrats abgetragen wird, um eine Vertiefung in die Unterseite des Substrats zu erzeugen . Alternativ kann das Substrat komplett durchgeätzt werden, sodass zumindest eine strukturierte Basisplatte umfassend mehreren Teilen erzeugt wird . Des Weiteren erbieten sich, als alternative dazu, oder in Kombination mit das chemische Trennverfahren, die folgende materialabtragende Struk- turierungsverf ahren, um die zumindest eine Basisplatte zu bereitzustellen; Laserschneiden, sägen, bohren, fräsen oder wasser strahl schneiden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die zumindest eine Basisplatte galvanisch auf gewachsen . Beispielsweise wird dabei der Polymer bis zu den Endflächen der Mehrzahl von Säulen . Insbesondre ist dadurch eine von den Endflächen der Mehrzahl von Säulen unterbrochene Polymeroberfläche bereitgestellt . In eine Folgeschritt ist dann eine Keimschicht aus Kupfer oder Titan auf die von den Endflächen der Mehrzahl von Säulen unterbrochene Polymeroberfläche aufgebracht . Beispielsweise ist eine Basisplatte galvanisch auf der Keimschicht auf gewachsen . Vorteilhafterweise kann dadurch sehr dünne Basisplatten bereitgestellt werden . Insbesondere kann dadurch Basisplatten in Form von Schichten in der Mikrometerbereich bereitgestellt werden .

Beispielsweise kann die Basisplatte mit einem Fotolack beschichtet werden . Insbesondere ist der Fotolack in einer Folgeschritt durch Fotolithografie strukturiert , wobei die Belichtete oder unbelichtete Bereichen des Fotolacks entfernt werden . In eine Folgeschritt ist die dadurch freigelegten Bereichen der Basisplatte weggeätzt , wobei zumindest eine strukturierte Basisplatte bereitgestellt wird .

Alternativ hierzu kann die von den Endflächen der Mehrzahl von Säulen unterbrochene Polymeroberfläche aufweisend der Keimschicht mit einem Fotolack beschichtet werden . Insbesondere ist der Fotolack in einer Folgeschritt durch Fotolithografie strukturiert , wobei die Belichtete oder unbelichtete Bereichen des Fotolacks entfernt werden . In eine folgeschritt ist die zumindest eine Basisplatte in den freigelegten Bereichen des Fotolacks auf die Keimschicht galvanisch aufgewachsen . Anschließend ist der Fotolack weggewaschen, wobei die zumindest eine Basisplatte bereitgestellt wird . Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des optoelektronischen Halbleiterchips und des Verfahrens ergeben sich aus den folgenden im Zusammenhang mit schematischen Zeichnungen dargestellten Aus führungsbeispielen .

Es zeigen :

Figur 1 eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 2 eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 3 eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 4 eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 5A eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit zumindest eine Basisplatte gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 5B eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit zumindest eine Basisplatte und einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 6A eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit zumindest eine Basisplatte gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 6B eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit zumindest eine Basisplatte und einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel , Figur 7A eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 7B eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit zumindest eine Basisplatte gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 7C eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit zumindest eine Basisplatte und einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 8A eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Figur 8B eine Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleitervorrichtung mit einem Substrat gemäß einem Aus führungsbeispiel ,

Gleiche , gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugs zeichen versehen . Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten . Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein .

Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 umfasst einen Träger 100 , einen auf dem Träger 100 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip 3 und einen Mehrzahl von Säulen 206 , wobei die Mehrzahl von Säulen 206 auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip 3 gegenüberliegenden Bodenfläche des Trägers 102 angeordnet sind . Dabei befördern die Mehrzahl von Säulen 206 eine Thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip 3 und dem Träger 100 . Die Mehrzahl von Säulen 206 sind dabei äquidistant voneinander auf der Bodenfläche des Trägers 102 angeordnet , das heißt die Mehrzahl von Säulen 206 weisen die gleiche Säulenabstand 205 auf . Die Mantel flächen 203 von der Mehrzahl von Säulen 206 sind senkrecht zu der Bodenfläche des Trägers 102 angeordnet und laufen zu einander Parallel auf der Träger 100 hin . Die Endflächen 204 von der Mehrzahl von Säulen 206 endet dabei auf die gleiche Entfernung in Richtung weg von der Träger 100 .

Auf der der Oberseite des Trägers 101 abgewandte Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 4 ist ein Optisches Element 11 angeordnet . Zwischen das Optische Element 11 und der optoelektronischen Halbleiterchip 3 ist ein Kleber angeordnet . Der Kleber kann beispielsweise einem Silikon sein . Beispielsweise kann das optische Element 11 dabei eine oder mehrere lumines zierende Phosphor aufweisen, die in einem Matrix aus Silikon gemischt sind . Alternativ kann das optische Element aus Keramik bestehen, wobei der Keramik zumindest ein lumines zierendes Phosphor aufweist . Das optische Element 11 umwandelt eine von der Optoelektronischen Halbleiterchip 3 emittierten Primärstrahlung in einem von das Optische Element 11 emittierte Sekundärstrahlung . Der Peakwellenlänge der Sekundärstrahlung weist dabei eine von der Peakwellenlänge der Primärstrahlung längere Wellenlänge auf . Dabei bildet die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung eine von der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 emittierten Mischlicht .

Eine Moldmasse 9 umschließt der Optoelektronischen Halbleiterchip 3 und das Optische Element 11 vollumfänglich . Die Moldmasse 9 schließt dabei mit der Trägerstirnseite 103 und mit eine Oberseite des optischen Elements 12 bündig ab . Beispielsweise umfasst die Moldmasse 9 ein Thermoplast . Der Thermoplast kann Polyphthalamide ( PPA) oder Polychlorierte Terphenyle ( POT ) aufweisen . Der Moldmasse kann bevorzugt licht Reflektierende Füllstof fe wie z . B . Titanium Oxid aufweisen .

Der Optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 umfasst ferner ein ersten elektrischen Kontakt 5 die als Anode fungiert und ein zweiten elektrischen Kontakt 6 die als Kathode fungiert . Der erste elektrische Kontakt 5 und der zweite elektrische Kontakt 6 sind senkrecht zur Oberseite des Trägers 101 ausgerichtet und verlaufen parallel zueinander in Richtung der Oberseite des Trägers 101 . Der erste elektrische Kontakt 5 und der zweite elektrische Kontakt 6 liegt dabei voneinander elektrisch isoliert vor . Insbesondere ist die Moldmasse 9 zwischen der erste elektrische Kontakt 5 und der zweite elektrische Kontakt 6 angeordnet . Dabei umschließt die Moldmasse 9 die senkrecht zu der Oberseite des Trägers 101 verlaufenden Wandungen ( 14 , 15 ) von dem ersten elektrischen Kontakt 5 und dem zweiten elektrischen Kontakt 6 vollumfänglich . Der erste elektrische Kontakt 5 und der zweite elektrische Kontakt 6 sind auf einer der Oberseite des Trägers 101 abgewandte Oberseite der Moldmasse 10 freigelegt . Insbesondere sind der erste elektrische Kontakt und der zweite elektrische Kontakt auf eine der Oberseite des Trägers 101 abgewandte Oberseite der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 2 individuell kontaktierbar . Dabei kann der erste elektrische Kontakt 5 und der zweite elektrische Kontakt 6 die Oberseite der Moldmasse 10 in vertikaler Richtung weg von der Träger 100 überragen . Überragt den beiden Kontakten die Moldmasse 9 in Vertikaler Richtung weg von der Oberseite des Träger 101 ist eine individuelle elektrische Kontaktierung einfacher realisierbar .

Der erste elektrische Kontakt 5 und der zweite elektrische Kontakt 6 läuft senkrecht zu der Oberseite des Trägers 101 durch die Moldmasse 9 hindurch . Der erste elektrische Kontakt 5 endet dabei auf eine erste Kontaktpad 104 und der zweite elektrische Kontakt 6 endet auf eine zweite Kontaktpad 105 auf der Oberseite des Trägers 100 . Das erste Kontaktpad 104 liegt von das zweite Kontaktpad 105 elektrisch isoliert vor . Von der erste elektrische Kontakt 5 oder von der Kontaktpad 104 , auf der der erste elektrische Kontakt 5 endet , läuft ein Bonddraht 7 auf ein Anschlussschicht 13 auf die Oberseite der Halbleiterchip 4 . Der Kontaktpad 105 der zweite Elektrische Kontakt 6 schließt dabei der optoelektronischen Halbleiter- chip 3 auf eine der Träger 100 zugewandte Unterseite elektrisch an . Alternativ schließt der Kontaktpad 6 eine zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 3 und der Träger 100 angeordnete Kontaktschicht 106 über ein Leiterbahn elektrisch an .

Der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 unterscheidet sich von der Ausführungsbeispiel der Figur 1 indem der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 mittels ein Polymer 400 auf die Oberseite eines Substrats 500 befestigt ist . Der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 gemäß Figur 2 weist ein Polymer 400 auf , der zwischen die Mehrzahl von Säulen 206 bereitgestellt ist . Der Polymer 400 ist insbesondere zwischen der Bodenfläche des Trägers 102 , dort wo der Mehrzahl von Säulen 206 nicht angeordnet sind, und die Oberseite des Substrats 501 vorhanden . Ferner ist der Polymer 400 als Polymerschicht 403 zwischen den Endflächen 204 von den Mehrzahl von Säulen 206 und die Oberseite des Substrats 501 vorhanden . Dabei steht der Polymer 400 in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des Trägers 102 , den Mantel flächen 203 von der Mehrzahl von Säulen 206 , die Oberseite des Substrats 501 , sowie mit den Endflächen 203 von den Mehrzahl von Säulen 206 . Dabei bewirkt die direkte Kontakt des Polymers 400 , dass eine besonders zuverlässige und mechanisch stabile Stof fverbindung und Materialhaftung gewährleistet werden kann . Insbesondere fixiert der Polymer 400 dabei die Mehrzahl von Säulen 206 auf dem Substrat 500 .

Eine Polymerstof f fuge 402 zwischen der Träger 100 und das Substrat 500 ist insbesondere durch die Höhe der Mehrzahl von Säulen ( 202 , 206 ) bestimmt . Beispielsweise lässt sich dadurch eine Polymerstof f fuge 402 realisieren, die überall zwischen eine Bodenfläche des Trägers 102 und eine Oberseite eines Substrats 501 reproduzierbar die gleiche Höhe aufweisen . Der Polymer 400 kann dabei die Bodenfläche des Trägers 102 lateral seitlich überlaufen . Überflüssigen Polymer 400 , der die Bodenfläche des Trägers 102 lateral seitlich überläuft , kann ferner die Trägerstirnseite 103 hochziehen und anschließen . Vorzugsweise lässt sich dadurch ein besonders zuverlässige Klebstof fverbindung zwischen der Träger 100 und das Substrat 500 erzeugen . Das Substrat 500 kann dabei eine Wärmesenke 505 , Leiterplatte 503 , oder Basisplatte umfassen .

Der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 unterscheidet sich von der Ausführungsbeispiel der Figur 1 indem der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 mittels Endkappen 300 aus Lot 302 auf die Oberseite eines Substrats 500 befestigt ist . Dabei weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 eine Mehrzahl von Säulen 206 auf , die j e eine Endkappe 300 aufweisen, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 mittels die Endkappen 300 auf dem Substrat 500 gelötet ist . Das Substrat 500 kann dabei eine Wärmesenke 505 , Leiterplatte 503 , oder zumindest eine Basisplatte 504 umfassen .

Die Mehrzahl von Säulen 206 weisen j e eine der Bodenfläche des Trägers 102 abgewandte Endfläche 204 auf , und zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche 203 , der Senkrecht zu der Endfläche 204 ausgerichtet ist . Die Endkappen 300 von den Mehrzahl von Säulen 206 bedeckt dabei die Endfläche 204 j ede Säule und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche einer Säule 203 mit Lot 302 . Beispielsweise lässt sich die Stof fverbindung zwischen die Mehrzahl von Säulen 206 und das Substrat 500 besonders mechanisch stabil erzeugen, wenn die Endkappen 300 sowohl die Endflächen 204 und zumindest partiell der zumindest eine seitlich umlaufende Mantel fläche 203 mit das Lot 302 bedeckt . Indem die Endkappen 300 zumindest partiell die zumindest eine Mantelflächen einer Säule 203 bedeckt , bewirkt , dass für die Lotverbindung zwischen der Mehrzahl von Säulen 206 und das Substrat 500 eine erhörte Verbindungs fläche erzeugt werden kann . Dabei bedeckt das Lot 302 in die Lotverbindung die Endflächen 204 von der Mehrzahl von Säulen 206 , zumindest partiell die zumindest eine Mantel fläche ein Säule 203 , sowie das Substrat 500 unter den Mehrzahl von Säulen 206 . Dabei bedeckt das Lot 302 die Endflächen 204 von der Mehrzahl von Säulen 206 und weniger als die Halbe Säulenabstands 205 um eine Säule 200 aus der Mehrzahl von Säulen 206 . Dadurch ist ein unterbrochene Lotfläche erzeugt , dass eine gegenüber eine voll flächige Lotschicht geringeren thermischen Spannung aufweist .

Der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 4 unterscheidet sich von der Ausführungsbeispiel der Figur 3 indem ein Polymer 400 in den Zwischenräumen von der Mehrzahl von Säulen 206 vorhanden ist . Beispielsweise trägt der Polymer 400 , zusätzlich zu den Endkappen 300 aus Lot 302 , zur Haftung in der Verbindung zwischen der Träger 100 mit der Mehrzahl von Säulen 206 und dem Substrat 500 bei . Dabei erhört der Polymer 400 die Mechanische Stabilität von die Mehrzahl von Säulen 206 und/oder von den Lotverbindungen zwischen die Endkappen 300 und dem Substrat 500 .

Der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 weist dabei ein Polymer 400 auf , der zwischen die Mehrzahl von Säulen 206 angeordnet ist . Vorzugsweise füllt der Polymer 400 dabei den ganzen Volumen zwischen der Mehrzahl von Säulen 206 und zwischen der Träger 100 und dem Substrat 500 . Der Polymer 400 ist insbesondere zwischen der Bodenfläche des Trägers 102 , dort wo der Mehrzahl von Säulen 206 nicht angeordnet sind, und die Oberseite des Substrats 501 angeordnet . Dabei steht der Polymer 400 in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des Trägers 102 , den Mantel flächen 203 von der Mehrzahl von Säulen 206 , die Oberseite des Substrats 501 und die Endkappen 300 aus Lot 302 . Dabei bewirkt die direkte Kontakt des Polymers 400 , dass eine besonders zuverlässige und mechanisch stabile Stof fverbindung und Materialhaftung gewährleistet werden kann . Insbesondere fixiert der Polymer 400 die Mehrzahl von Säulen 206 auf dem Substrat 500 . Eine Polymerstof ffuge 402 zwischen der Träger 100 und das Substrat 500 ist insbesondere durch die Höhe 202 von den Mehrzahl von Säulen 206 bestimmt . Beispielsweise lässt sich dadurch eine Polymerstof f fuge 402 realisieren, die überall zwischen eine Boden- fläche des Trägers 102 und eine Oberseite eines Substrats 501 reproduzierbar die gleiche Höhe aufweisen . Der Polymer 400 kann dabei die Bodenfläche des Trägers 102 lateral seitlich überlaufen . Überflüssigen Polymer 400 , der die Bodenfläche des Trägers 102 lateral seitlich überläuft , kann ferner die Trägerstirnseite 103 hochziehen und anschließen . Vorzugsweise lässt sich dadurch ein besonders zuverlässige Klebstof fverbindung zwischen der Träger 100 und das Substrat 500 erzeugen . Das Substrat 500 kann dabei eine Wärmesenke 505 , Leiterplatte 503 , oder zumindest eine Basisplatte 504 umfassen .

Das im Figur 5A dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 3 beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu weist der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 als Substrat 500 eine Basisplatte 504 auf . Dabei sind der Mehrzahl von Säulen 206 mittels den Endkappen 300 aus Lot 302 auf die Oberseite 506 der Basisplatte 504 gelötet . Die Basisplatte 504 kann dabei bündig mit der Trägerstirnseite 103 abschließen . Alternativ kann die Basisplatte 504 die Trägerstirnseite 103 in lateraler Richtung überragen . Die Basisplatte 504 kann ein Form und eine Fläche aufweisen, dass der Form oder die in Anspruch genommene Fläche von den auf der Bodenfläche des Trägers 102 angeordneten Mehrzahl von Säulen 206 entspricht . Die Basisplatte 504 kann dabei ein Form aufweisen, der einen äußeren Kontur der Mehrzahl von Säulen 206 entspricht . Insbesondere weist die Basisplatte 504 die gleiche Geometrische Form auf als der Träger 100 .

Das im Figur 5B dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 5A beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu weist der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 ein weiteres Substrat 500 auf . Das zweite Substrat 500 kann dabei eine Wärmesenke 505 oder Leiterplatte 503 sein . Die Basisplatte 504 gemäß Aus führungsbeispiel 5B weist auf eine , dem Optoelektronischen Halbleiterchip 3 abgewandte Unterseite 507 , eine Lotschicht 511 auf . Das optoelektronische Halbleitervor- richtung ist mittels das Lotschicht 511 an die Unterseite der Basisplatte 507 mit die Wärmesenke 505 oder die Leiterplatte 503 stof f schlüssig verbunden . Insbesondere weist das optoelektronische Halbleitervorrichtung gemäß Figur 5B zwischen die Basisplatte 504 und das weitere Substrat 500 ein Lotschicht 511 auf . Die zwischen der Träger 100 und die Basisplatte 504 angeordneten Mehrzahl von Säulen 206 kompensieren dabei insbesondere die Unterschiede in thermischen Ausdehnungskoef fi zienten zwischen der Träger 100 und die Wärmesenke 505 oder die Leiterplatte 503 .

Das im Figur 6A dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 5A beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu weist das optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 in den Zwischenräumen von der Mehrzahl von Säulen 206 und zwischen der Träger 100 und die Basisplatte 504 ein Polymer 400 auf . Vorzugsweise füllt der Polymer 400 dabei den ganzen Volumen zwischen der Mehrzahl von Säulen 206 und zwischen der Träger 100 und die Basisplatte 504 . Der Polymer 400 ist insbesondere zwischen der Bodenfläche des Trägers 102 , dort wo der Mehrzahl von Säulen 206 nicht angeordnet sind, und die Oberseite der Basisplatte 506 angeordnet . Dabei steht der Polymer 400 in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des Trägers 102 und den Mantel flächen 203 von der Mehrzahl von Säulen 206 . Dabei fixiert der Polymer 400 der Mehrzahl von Säulen 206 und erhört dabei ihre Mechanische Stabilität indem es die Mehrzahl von Säulen 206 lateral seitlich stützt . Die Polymerstirnseite 401 schließt dabei mit der Trägerstirnseite 103 bündig ab . Beispielsweise sind solche optoelektronische Halbleitervorrichtungen 1 besonders platzsparend und lassen sich näher an einander und/oder an anderen elektronischen Komponenten platzieren .

Das im Figur 6B dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 6A beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu weist der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 ein zweites Substrat 500 auf . Das zweite Substrat kann dabei eine Wärmesenke 505 oder Leiterplatte 503 sein . Die Basisplatte 504 gemäß Aus führungsbeispiel 6B weist auf eine , dem Optoelektronischen Halbleiterchip 3 abgewandte Unterseite 507 , eine Lotschicht 511 auf . Das optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 ist mittels das Lotschicht 511 an die Unterseite der Basisplatte 507 mit die Wärmesenke 505 oder die Leiterplatte 503 stof f schlüssig verbunden . Insbesondere weist das optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 gemäß Figur 6B zwischen die Basisplatte 504 und das weitere Substrat 500 ein Lotschicht 511 auf . Die zwischen der Träger 100 und die Basisplatte 504 angeordneten Mehrzahl von Säulen 206 kompensieren dabei insbesondere die Unterschiede in thermischen Ausdehnungskoef fizienten zwischen der Träger 100 und die Wärmesenke 505 oder die Leiterplatte 503 .

Das im Figur 7A dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 1 beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu sind der Mehrzahl von Säulen 206 auf dem Träger 100 in distinkt abgegrenzten elektrisch isolierten Teilmengen ( 207 , 208 , 209 ) angeordnet . Beispielsweise stellt eine oder mehrere Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen, die eine elektrische Kontaktierung bereit . Im Figur 7A liegt der Mehrzahl von Säulen 206 in drei voneinander beanstandeten Teilmengen ( 207 , 208 , 209 ) vor . Die Säulen innerhalb den Teilmengen ( 207 , 208 , 209 ) von der Mehrzahl von Säulen 206 sind dabei äquidistant voneinander angeordnet auf dem Träger 100 . Insbesondere weisen alle die drei Teilmengen ( 207 , 208 , 209 ) die gleiche Säulenabständen 205 .

Dabei stellt die erste Teilmenge 207 von der Mehrzahl von Säulen 206 eine Anode und die zweite Teilmenge 208 von der Mehrzahl von Säulen 206 eine Kathode bereit , die als elektrische Zuführungen fungiert . Eine dritte Teilmenge 209 von der Mehrzahl von Säulen 206 kann dabei elektrisch neutral vorliegen und eine thermische Kontaktierung bereitstellen . Insbesondere ist die Dritte Teilmenge 209 von der Mehrzahl von Säulen 206 auf dem der Halbleiterchip 3 gegenüberliegende Bo- denfläche der Träger 102 direkt unter der Halbleiterchip 3 auf dem Träger 100 angeordnet .

Die Optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 weist ein Träger 100 auf , der eine erste elektrische Durchkontaktierung 107 und eine zweite elektrische Durchkontaktierung 108 umfasst . Die erste und zweite Durchkontaktierung ( 107 , 108 ) sind in den Figuren 7A bis 70 nicht dargestellt . Dabei endet eine erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 , die die Anode bereitstellt , auf eine dem Träger 100 durchlaufende erste elektrische Durchkontaktierung 107 , und die zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 208 , die die Kathode bereitstellt endet auf eine dem Träger 100 durchlaufende zweite elektrische Durchkontaktierung 108 . Dabei kontaktiert die erste elektrische Durchkontaktierung 107 ein ersten Kontaktpad 104 auf der Oberseite 101 des Trägers 100 von unten an, wobei die zweite elektrische Durchkontaktierung 108 ein zweiter Kontaktpad 105 auf der Oberseite des Trägers 101 von unten kontaktiert . Dabei liegt die erste elektrische Durchkontaktierung 107 und der erste Kontaktpad 104 von der zweite elektrische Durchkontaktierung 108 und das zweite Kontaktpad 105 elektrisch isoliert vor .

Von dem ersten Kontaktpad 104 auf der die erste elektrische Durchkontaktierung 107 endet , läuft ein Bonddraht 7 auf ein Anschlussschicht 13 auf die Oberseite 4 des optoelektronischen Halbleiterchip 3 . Der zweite Kontaktpad 105 schließt dabei direkt der Halbleiterchip 3 auf der der Oberseite des Trägers 101 zugewandte Unterseite elektrisch an . Alternativ schließt der zweite Kontaktpad 105 eine zwischen dem Halbleiterchip 3 und der Träger 100 angeordneten Kontaktschicht 106 über ein Leiterbahn an .

Das im Figur 7B dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 7A beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu weist der optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß Aus führungsbeispiel 7B einem Polymer 400 und einem Substrat 500 auf . Das Substrat 500 kann dabei mehrere Basisplatten 508 , 509 , 510 umfassen . Insbesondere ist die erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 mit eine erste Basisplatte 508 verbunden, die zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 208 mit eine zweite Basisplatte 509 verbunden und die dritte Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen 209 mit eine dritte Basisplatte 510 verbunden . Dabei weist die erste , zweite und dritte Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen ( 207 , 208 , 209 ) Endkappen 300 aus Lot 302 auf . Insbesondere ist die erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 mittels die Endkappen 300 auf eine erste Basisplatte 508 gelötet , die zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 208 mittels die Endkappen 300 auf eine zweite Basisplatte 509 gelötet und die dritte Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 209 mittels die Endkappen 300 auf eine dritte Basisplatte 510 gelötet .

Die erste , zweite und dritte Basisplatte 508 , 509 , 510 liegt dabei voneinander getrennt vor . Insbesondere liegt die erste Basisplatte 508 , die zweite Basisplatte 509 und die dritte Basisplatte 510 voneinander elektrisch isoliert vor . Die erste Basisplatte 508 und die erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 stellt dabei eine Anode bereit und die zweite Basisplatte 509 und die zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 208 stellt dabei eine Kathode bereit . Dabei stellen die erste Basisplatte 508 und die erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 und die zweite Basisplatte 509 und die zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen 208 eine Elektrische und thermische Kontaktierung bereit . Die dritte Basisplatte 510 mit die dritte Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 209 liegt dabei elektrisch neutral vor . Die dritte Teilmenge aus die Mehrzahl von Säulen 209 mit die dritte Basisplatte 510 stellt dabei eine thermische Kontaktierung bereit .

Die Oberfläche einer Oberseite 507 von der erste Basisplatte 508 ist dabei zumindest so groß , wie die für die erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 benötigte Fläche auf der Bodenfläche des Trägers 102 . Insbesondere weis der erste Basisplatte 508 dabei der gleichen Form auf , wie der Äußere Kontur von der ersten Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207. Beispielsweise nimmt die Äußeren Konturen von der erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 207 der Form von eine Quadrat auf, dann ist auch die Oberseite 506 von der ersten Basisplatte 508 quadratisch. Das gleich gilt für die mit der zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 208 verbundener zweite Basisplatte 509 und für die mit der dritte Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen 209 verbundener dritte Basisplatte 510.

Zwischen der Träger 100 und die erste, zweite und dritte Basisplatte (508,509,510) , sowie zwischen die erste, zweite und dritte Teilmengen aus der Mehrzahl von Säulen (207,208,209) ist ein polymer 400 angeordnet. Dabei bedeckt der Polymer 400 die Bodenfläche des Trägers 100 flächendeckend, wo die Mehrzahl von Säulen nicht angeordnet sind. Der Polymer 400 ist zwischen der Mehrzahl von Säulen 206 und zwischen der Träger 100 und die erste Basisplatte 508, der Träger 100 und die zweite Basisplatte 509 und der Träger 100 und die dritte Basisplatte 510. Dabei steht der Polymer 400 in direktem Kontakt mit der Bodenfläche des Trägers 102, und den Mantelflächen 203 von der Mehrzahl von Säulen 206. Dabei fixiert der Polymer 400 der Mehrzahl von Säulen (206,207,208,209) und erhört dabei ihre Mechanische Stabilität indem es die Mehrzahl von Säulen (206,207,208,209) seitlich stützt. Die Polymerstirnseite 401 schließt dabei mit der Trägerstirnseite 103 bündig ab. Beispielsweise sind optoelektronische Halbleitervorrichtungen 1 gemäß Figur 7B besonders platzsparend und lassen sich näher an einander und/oder an anderen elektronischen Komponenten platzieren.

Das im Figur 7C dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 7B beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist das optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 auf ein Substrat 500 angeordnet. Insbesondere ist das Substrat 500 eine Leiterplatte 503. Dabei umfasst die Leiterplatte 503, auf die den ersten und zweiten Basisplatten (508,509) zugewandte Sei- te, einem auf einem Metallkern 516 geklebtes dielektrisches Passivierungsschicht 512. Das dielektrische Passivierungsschicht 512 kann dabei eine FR4 Platine sein. Insbesondere ist zwischen das dielektrische Passivierungsschicht 512 und der Metallkern 516 ein Klebstoff schicht 517 vorhanden. Vorzugsweise umfasst das dielektrische Passivierungsschicht 512 mindestens so viele Kontaktschichten 513,514,515, wie auf der Leiterplatte 503 bestückten optoelektronischen Halbleitervorrichtungen 1 und auf die optoelektronischen Halbleitervorrichtungen 1 angeordneten ersten und zweiten Basisplatten (508,509) . Das dielektrische Passivierungsschicht 512 gemäß Figur 7C weist dabei zwei Kontaktschichten 513 auf. Dabei ist die erste Basisplatte 508 mit einem ersten Kontaktschicht 514 und die zweite Basisplatte 509 mit einem zweiten Kontaktschicht 515 auf das dielektrische Passivierungsschicht 512 verbunden. Dabei fungiert die erste Kontaktschicht 514 als eine Anode und die zweite Kontaktschicht 515 als eine Kathode. Die Basisplatten (508,509) sind dabei jeweils mittels einem Lotschicht 511 mit den Kontaktschichten (514,515) verbunden. Die dritte Basisplatte 510 ist dabei direkt mit der Metallkern 516 verbunden. Insbesondere ist die dritte Basisplatte 510 mittels einem Lotschicht 511 auf der Metallkern 516 verlötet. Das Lotschicht 511 ist dabei zwischen die dritte Basisplatte 510 und der Metallkern 516 angeordnet. Alternativ kann die dritte Basisplatte 510 mit eine auf das dielektrische Passivierungsschicht 512 vorhandene Kontaktschicht 513 verbunden sein.

Gemäß Figur 7C weist die Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) eine erste Teilmenge (207) von der Mehrzahl von Säulen (206) , dass die erste elektrische Durchkontaktierung (107) anschließt und eine zweite Teilmenge (208) von der

Mehrzahl von Säulen (206) , dass die zweite elektrische Durchkontaktierung (108) anschließt, wobei die erste und zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen (207,208) eine elektrische Kontaktierung bereitstellen, wobei die erste und zweite Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen (207,208) jeweils eine Basisplatte (504) aufweist, wobei eine erste Basisplatte ( 508 ) von der ersten Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen ( 207 ) an einem ersten Kontaktschicht ( 514 ) , und eine zweite Basisplatte ( 509 ) von der zweiten Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen ( 208 ) an einem zweiten Kontaktschicht ( 515 ) , auf der Leiterplatte ( 503 ) gelötet ist .

Das im Figur 8A dargestellte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 1 beschriebenen Aus führungsbeispiel . Im Unterschied hierzu weist der optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 einem Träger 100 mit genau eine Säule 200 auf , wobei die eine Säule 200 auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip 3 gegenüberliegenden Bodenfläche des Trägers 102 angeordnet ist . Die eine Säule 200 bewirkt dabei eine Thermische Wärmeleitung weg von dem Optoelektronischen Halbleiterchip 3 und dem Träger 100 . Die eine Säule 200 ist dabei direkt unter dem Halbleiterchip 3 auf die der Halbleiterchip 3 gegenüberliegende Bodenfläche der Träger 102 angeordnet . Insbesondere weicht die Mittenpunkt der eine Säule 200 höchstens 500 pm, oder höchstens 250 pm, oder höchstens 100 pm oder höchstens 50 pm, oder höchstens 20 pm von der Mittenpunkt dem optoelektronischen Halbleiterchip 3 ab .

Die eine Säule 200 weist auf die Endfläche 204 , oder auf die Endfläche 204 und zumindest partiell die Mantel fläche 203 , eine Endkappe 300 aus Lot 302 auf .

Die optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 8B umfasst ein optoelektronischen Halbleitervorrichtung 1 gemäß Figur 8A und ein Substrat 500 . Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 ist dabei mittels die Endkappe 300 auf die eine Säule 200 an einem Substrat 500 gelötet . Das Substrat 500 kann dabei bündig mit der Stirnseite des Trägers 103 abschließen . Alternativ kann das Substrat 500 der Trägerstirnseite 103 lateral seitlich, in Richtung weg von der Trägerstirnseite 103 , überragen . Insbesondere ist das Substrat 500 eine Wärmesenke 505 oder eine Basisplatte 504 . Liegt das Substrat 500 als Basisplatte 504 vor, kann diese vorzugsweise auf eine Wärmesenke 505 oder Leiterplatte 503 gelötet sein .

Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 1 weist zwischen dem Träger 100 und dem Substrat 500 ein polymer 400 auf . Der Polymer 400 umschließt dabei die eine Säule 200 vollumfänglich und benetzt die Bodenfläche des Trägers 102 dort , wo die eine Säule 200 nicht auf der Träger 100 angeordnet ist . Ein Polymerstirnseite 401 schließt dabei bündig mit die Stirnseiten der Träger 103 ab .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Aus führungsbeispiele beschränkt . Vielmehr umfasst die Erfindung j edes neue Merkmal sowie j ede Kombination von Merkmalen, was insbesondere j ede Kombination von Merkmalen in die Patentansprüche beinhaltet , auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht expli zit in den Patentansprüchen oder Aus führungsbeispielen angegeben ist .

Bezugs zeichenliste

1 Optoelektronische Halbleitervorrichtung

2 Oberseite des optoelektronischen Halbleitervorrichtung

3 Optoelektronischen Halbleiterchip

4 Oberseite des Optoelektronischen Halbleiterchip

5 Erste elektrische Kontakt

6 Zweite elektrische Kontakt

7 Bonddraht

9 Moldmasse

10 Oberseite der Moldmasse

11 Optisches Element

12 Oberseite des Optischen Elements

13 Anschlussschicht

14 Wandung des ersten elektrischen Kontakts

15 Wandung des zweiten elektrischen Kontakts

100 Träger

101 Oberseite des Trägers

102 Bodenfläche des Trägers

103 Trägerstirnseite

104 erste Kontaktpad

105 zweite Kontaktpad

106 Kontaktschicht

107 erste elektrische Durchkontaktierung

108 zweite elektrische Durchkontaktierung

200 Eine Säule

201 Breite einer Säule

202 Höhe einer Säule

203 Mantel fläche eine Säule

204 Endfläche eine Säule

205 Säulenabstand

206 Mehrzahl von Säulen eine erste Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen eine zweite Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen eine dritte Teilmenge aus der Mehrzahl von Säulen elektrisch isolierten Teilmengen von Säulen Endkappe Bodenfläche der Endkappe Lot Polymer Polymerstirnseite Polymerstof f fuge Polymerschicht Polymeroberfläche Substrat Oberseite des Substrats Höhe zwischen Träger und Substrat Leiterplatte Basisplatte Wärmesenke Oberseite der Basisplatte Unterseite der Basisplatte erste Basisplatte zweite Basisplatte dritte Basisplatte Lotschicht Dielektrisches Passivierungsschicht Kontaktschicht erstes Kontaktschicht zweites Kontaktschicht Metallkern Klebstof f schicht

Claims

65 Patentansprüche

1. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) mit

- einem Träger (100) ,

- einem auf dem Träger (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (3) und

- einer Mehrzahl von Säulen (206) , wobei die Mehrzahl von Säulen (206) auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) gegenüberliegenden Bodenfläche (102) des Trägers (100) angeordnet sind und wobei die Mehrzahl von Säulen (206) eine thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) und dem Träger (100) bewirken.

2. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 1, wobei eine oder mehrere Teilmengen der Mehrzahl von Säulen (207,208) eine elektrische Kontaktierung der optoelektronischen Halbleitervorrichtung (1) bereitstellen .

3. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem den vorherigen Ansprüchen, wobei die Mehrzahl von Säulen (206) ein Metall, insbesondere Kupfer oder eine kupferhaltige Legierung, aufweist.

4. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem den vorherigen Ansprüchen, wobei mindestens eine Teilmenge von der Mehrzahl von Säulen (207, 208, 209) äquidistant voneinander angeordnet sind auf dem Träger (100) .

5. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem den vorherigen Ansprüchen, wobei die Mehrzahl von Säulen (206) in distinkt abgegrenzten elektrisch isolierten Teilmengen (207,208,209, 210) angeordnet sind auf dem Träger (100) .

6. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem den vorherigen Ansprüchen, wobei die Mehrzahl von Säulen (206) je eine Endkappe (300) aufweisen, die aus einem Lot (302) besteht.

7. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 6, wobei die Mehrzahl von Säulen (206) ,

- je eine der Bodenfläche des Trägers (102) abgewandte Endfläche (204) aufweist, und

- zumindest eine seitlich umlaufende Mantelfläche (203) , die senkrecht zu der Endfläche (204) ausgerichtet ist, wobei

- die Endkappe (300) von zumindest einer Säule (200) der Mehrzahl von Säulen (206) die Endfläche (204) und zumindest partiell die zumindest eine seitlich umlaufende Mantelfläche (203) bedeckt.

8. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem der Ansprüchen 1 bis 7, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) ein Polymer (400) zwischen der Bodenfläche des Trägers (102) und einer Oberseite eines Substrats (500,501) aufweist, wobei die Oberseite des Substrats (501) angrenzend unterhalb an den Endflächen (204) von der Mehrzahl von Säulen (206) angeordnet ist.

9. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei ein Polymer (400) zwischen

- der Mehrzahl von Säulen (206) ,

- der Bodenfläche des Trägers (102) und der Oberseite des Substrats (501) und

- den Endflächen der Mehrzahl von Säulen (204,206) und der Oberseite des Substrats (501) angeordnet ist.

10. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem der Ansprüchen 6 bis 8, wobei der Träger (100) mit der Mehrzahl von Säulen (206) mittels der Endkappen (300) an dem Substrat (500) befestigt sind, wobei das Substrat (500) eine Basisplatte (504) umfasst.

11. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 10, wobei die zumindest eine Basisplatte (504) auf ei- 67 ner dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) abgewandten Unterseite (507) eine Lotschicht (511) aufweist.

12. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 11, wobei die zumindest eine Basisplatte (504) mittels der Lotschicht (511) auf einer Leiterplatte (503) oder Wärmesenke (505) befestigt ist.

13. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der Träger (100) eine erste elektrische Durchkontaktierung (107) für eine Anode (5) und eine zweite elektrische Durchkontaktierung (108) für eine Kathode (6) aufweist, wobei

- die erste elektrische Durchkontaktierung (107) ein erstes Kontaktpad (104) auf der Oberseite des Trägers (101) von unten kontaktiert,

- die zweite elektrische Durchkontaktierung (108) ein zweites Kontaktpad (105) auf der Oberseite des Trägers (101) von unten kontaktiert, wobei

- die erste elektrische Durchkontaktierung (107) und das erste Kontaktpad (104) von der zweiten elektrische Durchkontaktierung (108) und dem zweiten Kontaktpad (105) elektrisch isoliert sind.

14. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 13, wobei eine erste Teilmenge (207) der Mehrzahl von Säulen (206) die erste elektrische Durchkontaktierung (107) anschließt und eine zweite Teilmenge (208) der Mehrzahl von Säulen (206) die zweite elektrische Durchkontaktierung (108) anschließt, wobei

- die erste und zweite Teilmenge der Mehrzahl von Säulen (207,208) die Funktion von einer elektrischen Kontaktierung bereitstellt, wobei

- die erste und zweite Teilmenge der Mehrzahl von Säulen (207,208) jeweils eine Basisplatte aufweist, wobei

- eine erste Basisplatte (508) der ersten Teilmenge der Mehrzahl von Säulen (207) an eine erste Kontaktschicht (514) und eine zweite Basisplatte (509) der zweiten Teilmenge der Mehr- 68 zahl von Säulen (208) an eine zweite Kontaktschicht (515) auf der Leiterplatte (503) gelötet ist.

15. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) mit

- einem Träger (100) ,

- einer Säule (200) , wobei die Säule (200) auf einer dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) gegenüberliegenden Bodenfläche (102) des Trägers (100) angeordnet ist und wobei die Säule (20) eine thermische Wärmeleitung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip (3) und dem Träger (100) bewirkt .

16. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 15, wobei die Säule (200) mindestens 10 % der Bodenfläche des Trägers (102) bedeckt.

17. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei der Träger (100) mit der Säule (200) eine Endkappe (300) aus Lot (302) auf der Säule (200) aufweist, wobei der Träger (100) mit der Säule (200) mittels der Endkappe (300) an einem Substrat (500) befestigt ist.

18. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß Anspruch 17, wobei zwischen dem Träger (100) und dem Substrat (500) ein Polymer (400) angeordnet ist.

19. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) gemäß einem der Ansprüchen 15 oder 16, wobei der Träger (100) mit der Säule (200) mit einem Polymer (400) an einem Substrat (500) befestigt ist.

20. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung (1) mit den Schritten: a) Breitstellen eines Trägers (100) ; b) Aufbringen eines Fotolacks auf einer Bodenfläche (102) des Trägers (100) ; 69 c) Strukturieren des Fotolacks mittels Fotolithografie; d) Freilegen der Bodenfläche (102) des Trägers (100) mittels Entfernens eines belichteten oder unbelichteten Bereichs des Fotolacks ; e) Galvanisches Aufwachsen einer Mehrzahl von Säulen (206) auf der Bodenfläche (102) des Trägers (100) in den freigelegten Bereichen des Fotolacks; f) Entfernen der Fotolacks; g) Bereitstellen von zumindest einem auf dem Träger (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (3) ; h) Vereinzeln des Trägers (100) ; i) Befestigen der optoelektronischen Halbleitervorrichtung

(1) an einem Substrat (500) .

21. Verfahren gemäß Anspruch 20, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) im Schritt i) mittels eines Polymers (400) an einer Oberseite (501) des Substrats (500) befestigt wird.

22. Verfahren gemäß Anspruch 20, wobei die Mehrzahl von Säulen (206) im Schritt e) mit jeweils einer Endkappe (300) aus einem Lot versehen wird.

23. Verfahren gemäß Anspruch 22, wobei die optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) im Schritt i) mittels den Endkappen (300) an die Oberseite (501) des Substrats (500) gelötet wird .

24. Verfahren gemäß einem der Ansprüchen 22 oder 23, wobei ein Polymer (400) zwischen der Mehrzahl von Säulen (206) bereitgestellt wird, wobei die Endkappen (300) von dem Polymer (400) freigelegt vorliegen.

25. Verfahren gemäß Anspruch 24, wobei nach dem Schritt h) nur eine Säule (200) an dem Träger (100) der optoelektronischen Halbleitervorrichtung (1) angeordnet ist.