WO2023095830A1 - スイッチング回路、インバータ回路 - Google Patents

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WO2023095830A1
WO2023095830A1 PCT/JP2022/043346 JP2022043346W WO2023095830A1 WO 2023095830 A1 WO2023095830 A1 WO 2023095830A1 JP 2022043346 W JP2022043346 W JP 2022043346W WO 2023095830 A1 WO2023095830 A1 WO 2023095830A1
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circuit
switch
inverter
capacitor
auxiliary circuit
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PCT/JP2022/043346
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Inventor
耕一 山野上
Original Assignee
株式会社今仙電機製作所
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Definitions

  • the present invention relates to switching circuits and inverter circuits that perform ZCS/ZVS operation without resonance.
  • Patent Document 1 discloses an inverter circuit that performs ZCS operation
  • Patent Document 2 discloses an inverter circuit that uses flip-flops.
  • Fig. 27 shows one phase of the output circuit of a three-phase inverter.
  • An inductive load is connected to the high side, the power supply voltage is set to 48 V, the drive frequency is set to 50 KHz, and the duty is set to 50%. A time has been set.
  • the load is on the high side and the direction of the current is the direction into the half bridge. Therefore, the MOSFET on the bottom switch 160 side becomes the main switch, and the top switch 150 side performs flywheel circuit operation.
  • FIG. 28 shows the results of simulating the voltage, current, and loss of the top switch and the bottom switch when the bottom switch is on.
  • FIG. 29 shows simulation results of the voltage, current, and loss of the top switch and the bottom switch when the bottom switch is off.
  • a load current of approximately 160 A due to the load inductance flows through the bottom switch 160 toward GND. Since the bottom switch 160 is turned off at this time, the current value of the load current is maintained by the inductive component, and the current decrease in the bottom switch 160 increases as the current in the top switch 150 .
  • ZVS and ZCS operations are generally performed by resonance (partial resonance), and by setting a phase difference between the voltage and current of the switch element, the V ⁇ I loss is reduced.
  • this method has the drawback that the structure is complicated and the timing control is difficult.
  • the energy used for ZCS and ZVS operations is consumed as it is, so efficiency could not be improved.
  • An object of the present invention is to provide a switching circuit and an inverter circuit that have high power conversion efficiency at high frequencies, suppress generated electromagnetic noise to a low level, and improve EMC performance.
  • a switching circuit (110) according to the present invention is a switching circuit for intermittently supplying power from a power source (E) to drive a load means (R), and a switch means (M) incorporated in the switching circuit.
  • This is a soft switching method in which a time difference is provided between the voltage applied to the switch means (M) and the current flowing through the switch means (M) to reduce the switching loss.
  • the inductor (L) a second rectifying means (D2) connected in parallel via a second capacitor (C2); a connecting portion of the first rectifying means (D1) and the first capacitor (C1); and a third rectifying means (D3) disposed between the second capacitor (C2) and a connecting portion of the second rectifying means (D2).
  • the inverter circuit includes a half-bridge inverter having a top inverter switch (50) and a bottom inverter switch (60), and a top-side auxiliary circuit that performs ZVS/ZCS operation when the top inverter switch (50) is turned on and off.
  • the inverter circuit is further connected between the top inverter switch (50) and the load means (LU), which performs ZCS operation when the top inverter switch (50) and the bottom inverter switch (60) turn on.
  • the top side auxiliary circuit (20T) includes first rectifying means (D1) and a first capacitor (C1), which are arranged in series between the top inverter switch (50) and a power source or ground. and a second rectifying means (D2 ), a second capacitor (C2), a junction of the first rectifying means (D1) and the first capacitor (C1), the second capacitor (C2) and the second rectifying means and a third rectifying means (D3) disposed between the connecting portion with (D2).
  • first rectifying means (D1) and a first capacitor (C1) which are arranged in series between the top inverter switch (50) and a power source or ground.
  • a second rectifying means (D2 ) a second capacitor (C2), a junction of the first rectifying means (D1) and the first capacitor (C1), the second capacitor (C2) and the second rectifying means and a third rectifying means (D3) disposed between the connecting portion with (D2).
  • the energy in the inductor (L) used to turn on the switch means (M) at ZCS is stored in the first capacitor (C1) during the turn-on of the switch means (M). . Then, with the energy (voltage) of the first capacitor (C1), the switching means (M) is turned off by ZVS, and the energy of the first capacitor (C1) is transferred to the power supply side while the switching means (M) is off. Refluxing completely discharges the first capacitor (C1). In the conventional ZCS/ZVS inverter circuit, the energy used for the ZCS/ZVS operation is consumed as it is. is circulated to the power supply side, high efficiency can be achieved.
  • the first rectifying means (D1) prevents the electric charge of the first capacitor (C1) from being short-circuited to the switching means (M), and the third rectifying means (D3): A short circuit of the inductor (L) can be prevented.
  • the second rectifying means (D2) can circulate the charge of the second capacitor (C2) to the power supply (E).
  • the load means is a resistive load (R)
  • the switch means consists of a switching element (M) of a one-sided switch driven only in one-sided switching mode.
  • R resistive load
  • M switching element
  • the load means is an inductive load (L1) and has a rectifying element (DF) for passing a flywheel current.
  • the control configuration is simple because the flywheel current is passed through the rectifying element (DF).
  • the inductor is divided into two (L3, L4), one end (OUT) of the inductive load (L1) is connected to the divided connection point, and the other end (OUT) of the inductive load (L1) is connected.
  • One end (anode) of the rectifying element (DF) is connected in series to the two-divided inductors (L3, L4), and the other end of the rectifying element (DF) is connected to the power supply or ground. (cathode) is connected to power or ground.
  • the control configuration is simple because the flywheel current is passed through the rectifying element (DF).
  • the load means is an inductive load (L1), and further has a switching element (M1) for passing a flywheel current.
  • the flywheel current is passed through the switching element (M1), the loss is lower than when a rectifying element is used.
  • the inductor is divided into two (L3, L4), one end (OUT) of the inductive load (L1) is connected to the divided connection point, and the other end of the inductive load ( VB) is connected to the power supply or ground, one end (drain or source) of the switching element (M1) is connected in series to the two-divided inductors (L3, L4), and the other end of the switching element (source or drain) is connected to power or ground.
  • the flywheel current is passed through the switching element (M1), the loss is lower than when a rectifying element is used.
  • the switch recovery current (energy) flowing through the inverter switch opposite to the flywheel switch when the main switch turns on is accumulated in the top side inductor (L3) and the bottom side inductor (L4), Power conversion efficiency can be improved because the power is regenerated in the next switch-off operation. Also, by storing the switch recovery current in the top side inductor (L3) and the bottom side inductor (L4), it is possible to reduce noise.
  • the energy of the load means (LU) used to turn on the top switch (50) and the bottom switch (60) at ZCS is the first Stored in capacitor (C1). Then, the energy (voltage) of the first capacitor (C1) turns off the top switch and bottom switch with ZVS, and the energy of the first capacitor (C1) is transferred to the power supply side while the top switch and bottom switch are off. Reflux to completely discharge the first capacitor (C1). In the conventional ZCS/ZVS inverter circuit, the energy used for ZCS/ZVS operation is consumed as it is. is circulated to the power supply side, high efficiency can be achieved.
  • the inverter circuit of claim 10 is a three-phase inverter.
  • a three-phase motor can be driven with low loss even at high frequencies.
  • the bottom side auxiliary circuit (20B) includes a first rectifying means (D1) arranged in series between the bottom inverter switch (60) and the power supply or ground, and a first A capacitor (C1), and a second rectifying means (D1) and a second rectifying means ( D2), a second capacitor (C2), a junction of the first rectifying means (D1) and the first capacitor (C1), a second capacitor (C2) and the second rectifying means (D2) and a third rectifying means (D3) arranged between the connecting portion of the In the inverter circuit of claim 11, the switch recovery current (energy) flowing through the inverter switch is stored in the top side inductor (L3) and the bottom side inductor (L4), and is regenerated to the power supply in the next switch-off operation. Conversion efficiency can be improved.
  • the inverter circuit of claim 12 comprises detection means (70) for detecting which of the top inverter switch (50) and the bottom inverter switch (60) is to be the main switch, and a top side auxiliary circuit (20T) on the main switch side.
  • auxiliary circuit interrupting means SW1, SW2 for enabling the bottom side auxiliary circuit (20B) and disabling the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20B) on the side other than the main switch.
  • the switch recovery current (energy) flowing through the inverter switches is appropriately transferred to the top side inductor (L3) and the bottom side inductor (L4) while using the two-side switching mode of the top inverter switch and the bottom inverter switch. Power conversion efficiency can be improved by accumulating power and regenerating it to the power supply when the switch is turned off next time.
  • the inverter circuit of claim 13 comprises a flip-flop (A3) having input terminals (D, CLK) that constitute detection means and output terminals (Q, Q bar) that control auxiliary circuit cutoff means. For this reason, the inverter circuit according to claim 13 determines whether the current load flows in or out of the inverter circuit, detects the main switch, and detects the top side auxiliary circuit (20T) on the main switch side or the bottom side.
  • the auxiliary circuit (20B) can be enabled and the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20B) on the non-main switch side can be disabled.
  • the detection means (70) includes a resistor (R22 ), a first comparator (CPT) connected across the resistor and generating an output when the potential on the load side is lower than the potential on the connection side, and the potential on the load side is higher than the potential on the connection side. and a second comparator (CPB) which produces an output when the output of the second comparator (CPB) is reached.
  • Auxiliary circuit interrupting means enables the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20B) on the main switch side to operate by the outputs of the first comparator and the second comparator, and the top side auxiliary circuit (20B) on the side other than the main switch.
  • the inverter circuit of claim 14 It consists of a first switch (SW1) and a second switch (SW2) for disabling the circuit or the bottom side auxiliary circuit.
  • SW1 first switch
  • SW2 second switch
  • the detection means (70) consists of the resistor (R22), the first comparator (CPT) and the second comparator (CPB), so the configuration is simple.
  • the inverter circuit of claim 15 comprises comparing means (CPU2, CPV2, CPW2) for comparing the U-phase control input signal, the V-phase control input signal, and the W-phase control input signal, and the top side auxiliary circuit (20T) on the main switch side.
  • comparing means CPU2, CPV2, CPW2
  • SW1, SW2 auxiliary circuit cutoff means
  • SW1, SW2 is provided which enables the bottom side auxiliary circuit (20B) and disables the top side auxiliary circuit or the bottom side auxiliary circuit on the side other than the main switch.
  • the main switch is detected from the U-phase control input signal, the V-phase control input signal, and the W-phase control input signal, and the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20T) on the side of the main switch is detected.
  • the auxiliary circuit 20B can be enabled and the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20B) on the non-main switch side can be disabled.
  • the auxiliary circuit can be interrupted without causing the load current to flow through the resistance, there is no resistance loss and the efficiency is high.
  • the comparison means (80) includes a U-phase control comparator (CPU2) for comparing the W-phase control input signal and the U-phase control input signal, a U-phase control input signal and the V-phase control input. It consists of a V-phase control comparator (CPV2) that compares signals, and a W-phase control comparator (CPW2) that compares a V-phase control input signal and a W-phase control input signal.
  • CPV2 V-phase control comparator
  • CPW2 W-phase control comparator
  • Auxiliary circuit cutoff means enables the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20B) on the main switch side of the U phase (110U) to operate based on the output of the U-phase control comparator.
  • V-phase (110 V) main switch based on the output of the U-phase auxiliary circuit cutoff means (SW1U, SW2U) for disabling the top-side auxiliary circuit or the bottom-side auxiliary circuit on the absent side and the output of the V-phase control comparator.
  • V-phase auxiliary circuit interrupting means SW1V, SW2V
  • W-phase auxiliary circuit cutoff means SW1W, SW2W) that disables the top side auxiliary circuit or the bottom side auxiliary circuit on the absent side.
  • the inverter circuit of claim 16 detects the main switch from the U-phase control input signal, the V-phase control input signal, and the W-phase control input signal, and detects the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20T) on the main switch side. 20B) can be enabled and the top side auxiliary circuit (20T) or the bottom side auxiliary circuit (20B) on the non-main switch side can be disabled. In the inverter circuit of claim 16, since the auxiliary circuit can be interrupted without causing the load current to flow through the resistance, there is no resistance loss and the efficiency is high.
  • top inductor (L3) connected to the top inverter switch (122) and the bottom inductor (L4) connected to the bottom inverter switch (118) are connected to the output terminal (124). ), and consists of a pair of extension pieces (124A, 124B) formed so that their extension directions are substantially perpendicular to each other.
  • the top side inductor L3 and the bottom side inductor L4 are part of the metal plate that constitutes the output terminal 124, so that the inverter circuit can be constructed at a low cost and has high mechanical strength and high reliability.
  • Magnetic flux is generated in both extending pieces 124A and 124B in a spiral shape with respect to the extending direction, but since the extending directions are formed so as to be substantially perpendicular to each other, the magnetic fluxes do not interfere with each other.
  • the extension pieces (124A, 124B) have a constant width and extend from both side ends (124L, 124R) of the metal plate forming the output terminal (124).
  • the inverter circuit of claim 15 since the top side inductor L3 and the bottom side inductor L4 are part of the metal plate forming the output terminal 124, the inverter circuit can be configured at a low cost, and has high mechanical strength and high reliability.
  • the inverter circuit of claim 19 comprises a half-bridge inverter having a top inverter switch (50, 122) and a bottom inverter switch (60, 118) and a top side inductor (L3) connected to the top inverter switch (50). , a bottom inductor (L4) connected to the bottom inverter switch (60), a top inductor L3 connected to the top inverter switch (122), and a bottom inductor connected to the bottom inverter switch (118).
  • (L4) is a part of the metal plate that constitutes the output terminal (124), and consists of a pair of extension pieces (124A, 124B) formed so that their extension directions are substantially perpendicular to each other.
  • the inverter circuit since the top side inductor L3 and the bottom side inductor L4 are part of the metal plate forming the output terminal 124, the inverter circuit can be constructed at a low cost and has high mechanical strength and high reliability. Magnetic flux is generated in both extending pieces 124A and 124B in a spiral shape with respect to the extending direction, but since the extending directions are formed so as to be substantially perpendicular to each other, the magnetic fluxes do not interfere with each other.
  • the extension pieces (124A, 124B) have a constant width and extend from both side ends (124L, 124R) of the metal plate forming the output terminal (124).
  • the inverter circuit of claim 17 since the top side inductor L3 and the bottom side inductor L4 are part of the metal plate forming the output terminal 124, the inverter circuit can be configured at a low cost, and has high mechanical strength and high reliability.
  • FIG. 1A is a circuit example of a switching circuit according to the first embodiment of the present invention in which the source side of MOFFET(M) is grounded, and FIG. It is a circuit example of the switching circuit according to the first embodiment to which a load R is connected.
  • FIG. 2A is a circuit example of a switching circuit according to the second embodiment in which the source side of MOFFET(M) is grounded, and FIG. It is a circuit example of the connected switching circuit according to the second embodiment. It is a circuit example of a switching circuit according to the second embodiment configured with one inductor.
  • FIG. 1A is a circuit example of a switching circuit according to the first embodiment of the present invention in which the source side of MOFFET(M) is grounded
  • FIG. It is a circuit example of the switching circuit according to the first embodiment to which a load R is connected.
  • FIG. 2A is a circuit example of a switching circuit according to the second embodiment in which the source side of MOFFET(M) is grounded
  • FIG. It is a
  • FIG. 4(A) shows the circuit configuration of the switching circuit of the third embodiment in which the MOSFET (M1) operates as a flywheel circuit and the MOSFET (M2) acts as the main switch
  • FIG. 4(B) shows the MOSFET (M2).
  • This is the circuit configuration of the switching circuit of the third embodiment in which the side operates as a flywheel circuit and the MOSFET (M1) acts as the main switch.
  • Circuit diagram of the inverter circuit of the fourth embodiment Explanatory diagram of the current flowing through the inverter circuit of the fourth embodiment
  • FIG. 11 is a circuit diagram of the inverter circuit of the fifth embodiment and shows the current direction during the main switch ON operation;
  • FIG. 11 is a circuit diagram of the inverter circuit of the fifth embodiment and shows the current direction during the main switch ON operation
  • FIG. 11 is a circuit diagram of the inverter circuit of the fifth embodiment and shows the current direction during the main switch ON operation;
  • FIG. 11 is a circuit diagram of the inverter circuit of the fifth embodiment and shows the current direction during the main switch ON operation;
  • FIG. 11 is a circuit diagram of the inverter circuit of the fifth embodiment and shows the current direction during the main switch off operation.
  • Top side and bottom side drain currents, DS voltages, and drain losses are shown.
  • Top-side drain current, DS voltage, drain loss and node voltage are shown.
  • Top and bottom drain current, DS voltage, drain loss, and capacitor C2 current are shown.
  • 4 shows the FFT analysis result of the output voltage waveform.
  • 4 shows FFT analysis results of a power supply current waveform.
  • FIG. 10 shows falling waveforms in the conventional inverter circuit and the inverter circuit of the fifth embodiment;
  • FIG. 10 shows rising waveforms in the conventional inverter circuit and the inverter circuit of the fifth embodiment;
  • Schematic diagram showing a power module configured by the inverter circuit of the fifth embodiment A circuit diagram of an inverter according to a first modified example of the fifth embodiment.
  • Circuit diagram of the inverter according to the sixth embodiment 11 shows U-, V-, and W-phase output currents and U-, V-, and W-phase control signals of an inverter according to a sixth embodiment; 11 shows U-, V-, and W-phase output currents and U-, V-, and W-phase control signals of an inverter according to a sixth embodiment; 11 shows U-, V-, and W-phase output currents and U-, V-, and W-phase control signals of an inverter according to a sixth embodiment; Schematic of a conventional inverter circuit FIG. 10 shows simulation results of the voltage, current, and loss of the top switch and the bottom switch when the bottom switch is on in a conventional inverter circuit. Fig. 10 shows simulation results of the voltage, current, and loss of the top switch and the bottom switch when the bottom switch is off in a conventional inverter circuit.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a switching circuit according to the first embodiment.
  • FIG. 1A is a circuit example in which the source side of MOFFET(M) is grounded
  • FIG. 1B is a circuit example in which a resistive load R is connected to the source side of MOFFET(M).
  • the switching circuit 110 drives the load means (resistive load) R by intermittently supplying power from the power source E.
  • the switching means consist of a switching element (MOSFET) M which is driven in single-sided switching mode only.
  • the switching circuit 110 employs a soft switching method in which a time difference is provided between the voltage applied to the switching means M incorporated in the switching circuit and the current flowing through the switching means M to reduce switching loss. That is, the switching circuit 110 turns on the switching means (MOSFET) M at the timing when the current is zero (ZCS) and turns on the MOSFET (M) at the timing when the voltage is zero (ZVS) by the gate signal from the control circuit means 10. turn it off.
  • the switching circuit 110 of the first embodiment shown in FIG. 1A includes an inductor L disposed between a resistive load R and a MOSFET (M), a MOSFET (M) and a power (FIG. 1(B)), the first diode D1 and the first capacitor C1 are connected in series, and the is connected in parallel with the second diode D2, the second capacitor C2, the connection between the first diode D1 and the first capacitor C1, and the connection between the second capacitor C2 and the second diode D2. and a third diode D3 provided.
  • the input terminal VB of the resistive load R is connected to the power source E, the first capacitor C1, and the cathode side of the second diode D2.
  • the output terminal OUT of the resistive load R is connected to the junction of the inductor L and the second capacitor C2.
  • the anode side of the first diode D1 is connected to the drain side of the MOSFET (M) so as to prevent the charge of the first capacitor C1 from being short-circuited to the MOSFET (M).
  • the second diode D2 circulates the charge of the second capacitor C2 back to the power supply E.
  • the cathode side of the second diode D2 is connected to the power supply E (or ground (FIG. 1B)), and the anode side is connected to the second capacitor C2 side.
  • a third diode D3 prevents the inductor L from being shorted.
  • the anode side of the third diode D3 is connected to the connection between the first diode D1 and the first capacitor C1, and the cathode side is connected to the connection between the second capacitor C2 and the second diode D2.
  • the first capacitor (capacitor) C1 and the second capacitor (capacitor) C2 are charged, the first capacitor (capacitor) C1 and the second capacitor (capacitor) C2 are charged so that the lower end voltage of the first capacitor C1 becomes 0V. capacity is adjusted.
  • the second capacitor C2 serves to set the upper end voltage of the first capacitor C1 to the power supply voltage and the lower end voltage to 0V. ZVS of the switch element M, which will be described later, is realized by setting the lower end voltage of the first capacitor C1 to 0V.
  • the first capacitor (capacitor) C1 is charged to a voltage substantially equal to the voltage of the power supply E by the ON operation described above.
  • a load current is flowing through the inductor L just before the switching element M turns off. must produce a positive voltage at However, since the lower end of the capacitor C1 is 0V, no such positive voltage is generated, and the voltage at the left end of the inductor L remains 0V, and the current flows to the capacitor C1 through the rectifying means D1.
  • the drain voltage of the switch element M rises. This voltage is the drain voltage of the switch element M, and since the shutoff time of the switch element M is faster than the rise time of this voltage, the ZVS operation of the switch element M is realized.
  • the drain current becomes 0A, but the drain voltage starts from 0V, which is approximately equal to the voltage at the lower end of the first capacitor C1, and flows the regenerative current to the power supply side. discharges.
  • the current in the inductor L briefly circulates back to the source E via the first rectifying means (diode) D1, the third rectifying means D3 and the second rectifying means D2. do.
  • the second capacitor C2 When the OUT terminal is at the voltage of the power supply E by the load means R, the second capacitor C2 is discharged, and the charge voltage of the second capacitor C2 is set to 0V. When the switch element M is turned on, the lower end of the first capacitor C1 can be set to 0V. If there is no second rectifying means D2, the upper end of the second capacitor C2 remains positively charged. D3 - No current can flow in the path of the second capacitor C2.
  • the energy of the inductor L used to turn on the switching means M with ZCS is stored in the first capacitor C1 while the switching means M is on. Then, the energy (voltage) of the first capacitor C1 turns off the switching means M with ZVS, and while the switching means M is off, the energy of the first capacitor C1 is circulated to the power supply side, and the first capacitor C1 completely discharged.
  • the energy used for ZCS/ZVS operation is consumed as it is, but in the switching circuit of the first embodiment, it is used for ZCS/ZVS operation. Since the energy is circulated to the power supply side, high efficiency can be exhibited.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a switching circuit according to the second embodiment.
  • FIG. 2A is a circuit example in which the source side of MOFFET(M) is grounded
  • FIG. 2B is a circuit example in which an inductive load L1 is connected to the source side of MOFFET(M).
  • the switching circuit 110 intermittently supplies power from the power supply E to drive the inductive load L1.
  • the switching circuit 110 employs a soft switching method that reduces switching loss by providing a time difference between the voltage applied to the switching means (MOSFET) M built in the switching circuit and the current flowing through the MOSFET (M). be. That is, the switching circuit 110 turns on the switching means (MOSFET) M at the timing when the current is zero (ZCS) and turns on the MOSFET (M) at the timing when the voltage is zero (ZVS) by the gate signal from the control circuit means 10. turn it off.
  • the switching circuit 110 of the second embodiment shown in FIG. 2(A) includes an inductor L4 arranged between the inductive load L1 and the MOSFET (M), the MOSFET (M) and the power source E (or ground (or Inductors L3 and L4 are connected to the first diode D1 and the first capacitor C1 which are arranged in series between FIG. between the second diode D2, the second capacitor C2, the junction of the first diode D1 and the first capacitor C1, and the junction of the second capacitor C2 and the second diode D2. It has an arranged third diode D3 and a rectifying element (flywheel diode) DF for passing a flywheel current.
  • inductor L4 arranged between the inductive load L1 and the MOSFET (M), the MOSFET (M) and the power source E (or ground (or Inductors L3 and L4 are connected to the first diode D1 and the first capacitor C1 which are arranged in series between FIG. between the second diode D2, the
  • the input terminal VB of the inductive load L1 is connected to the power source E, the first capacitor C1, and the cathode side of the second diode D2.
  • the output terminal OUT of the inductive load L1 is connected to the connecting portion with the inductor L3 and the inductor L4.
  • the first diode D1 is connected with the anode side of the first diode D1 to the drain side of the MOSFET (M) so as to prevent the charge of the first capacitor C1 from being short-circuited to the MOSFET (M).
  • the second diode D2 circulates the charge of the second capacitor C2 back to the power supply E.
  • the cathode side of the second diode D2 is connected to the power supply E, and the anode side is connected to the second capacitor C2 side.
  • a third diode D3 prevents short-circuiting of inductors L3 and L4.
  • the anode side of the third diode D3 is connected to the connection between the first diode D1 and the first capacitor C1, and the cathode side is connected to the connection between the second capacitor C2 and the second diode D2.
  • the flywheel diode DF has its anode side connected in series with the inductor L3, and its cathode side connected to the power supply or ground and the input terminal VB of the inductive load L1.
  • the output terminal OUT of the inductive load L1 is connected to the connection point of the inductors L3 and L4 divided into two, and the input terminal VB of the inductive load L1 is connected to the power supply E.
  • the ground terminal GND of the inductive load L1 is grounded.
  • the flywheel diode DF shall operate as a flywheel circuit.
  • MOSFET (M) When the MOSFET (M) is off, the current in the inductive load L1 is decreasing, so the load current flows while the inductive load L1 generates a + voltage on the lower side in order to maintain the current.
  • the recovery current (energy) on the side of the flywheel diode DF becomes a current that is accumulated in inductors L3 and L4, and is regenerated to the power supply in the operation described in the next section and thereafter, so power conversion efficiency can be improved.
  • the large recovery current of the flywheel diode DF flows through the inductor L3 when the MOSFET (M) is turned on, but the current rapidly decreases as the recovery current disappears. Then, the inductor L3 generates a large voltage with a negative polarity at the top in order to maintain the current up to that point.
  • capacitors C2 and C1 are charged via diodes D1 and D3, respectively, with the left side of capacitor C2 being positive and the upper side of capacitor C1 being positive, and the recovered energy is stored in both capacitors.
  • the capacitor C1 is charged to a voltage E substantially equal to the power supply voltage by the above-described ON operation. Therefore, when the MOSFET (M) turns off, the drain current becomes 0A, but the drain voltage is approximately equal to the voltage at the bottom of the capacitor C1 as the voltage at the bottom of the inductive load L1 rises due to the decrease in the current of the inductive load L1. Starting from 0V, the capacitor C1 discharges while regenerative current flows to the power supply side. Since the flywheel diode DF is off during this operation, the capacitor C1 current does not circulate through the flywheel diode DF, inductor L3, inductor L4, and diode D1, thereby preventing power loss.
  • the flywheel current of the inductive load L1 circulates to the power supply for a short time through the diode D1, the diode D3, and the diode D2. After that, the power flows back to the power supply via the flywheel diode DF, so that the power loss of the diodes D1, D3, and D2 can be kept small.
  • ZVS/ZCS operation is also possible with the circuit configuration shown in FIG.
  • a description of the operation of the switching circuit shown in FIG. When a DC motor is driven by known PWM as an inductive load, a capacitor C is often inserted in parallel with the load in order to reduce brush noise of the DC motor.
  • the MOSFET (M) turns on and the recovery current of the flywheel diode DF, which is the flywheel rectification means, flows through the inductor L, and the hot carriers (holes) that cause the recovery current of the flywheel diode DF
  • the inductor L tries to hold the current and generates a negative voltage at the upper end, and this voltage is divided by the capacitors C2 and C1, resulting in
  • the ZVS operation is realized when the MOSFET (M) is subsequently turned off.
  • the negative voltage value is stabilized, so that the voltage at the lower end of the capacitor C1 can be set to 0V, and the voltage at the lower end of the flywheel diode DF can be accurately controlled, so that the reverse withstand voltage of the flywheel diode DF can be reduced to There is an excellent effect that it cannot be exceeded.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a switching circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 4A shows a circuit configuration in which the MOSFET (M1) side operates as a flywheel circuit and the MOSFET (M2) acts as a main switch.
  • FIG. 4B shows a circuit configuration in which the MOSFET (M2) side operates as a flywheel circuit and the MOSFET (M1) acts as the main switch.
  • the switching circuit 110 intermittently supplies power from the power source E to drive the inductive load L1.
  • the switching circuit 110 employs a soft switching method that reduces switching loss by providing a time difference between the voltage applied to the switch means (MOSFET) M2 incorporated in the switching circuit and the current flowing through the MOSFET (M2). be. That is, the switching circuit 110 of the third embodiment shown in FIG. 4A turns on the MOSFET (M2) at the timing when the current is zero (ZCS) by the gate signal from the control circuit means 10, and the voltage is zero. Turn off the MOSFET (M2) at the timing of (ZVS).
  • the switching circuit 110 of the third embodiment shown in FIG. 4A includes an inductor L4 arranged between an inductive load L1 and a MOSFET (M2), a MOSFET (M2) and a power source E (or ground (or Inductors L3 and L4 are connected to the first diode D1 and the first capacitor C1, which are arranged in series between FIG. between the second diode D2, the second capacitor C2, the junction of the first diode D1 and the first capacitor C1, and the junction of the second capacitor C2 and the second diode D2. It has an arranged third diode D3 and a switching element (MOSFET (M1)) for passing a flywheel current.
  • MOSFET MOSFET
  • the input terminal VB of the inductive load L1 is connected to the power supply E, the first capacitor C1, and the drain side of the MOSFET (M1) (the ground terminal GND of the inductive load L1 is grounded (Fig. 4 ( B))
  • the output terminal OUT of the inductive load L1 is connected to the junctions with the inductors L3 and L4.
  • the first diode D1 has the anode side of the first diode D1 connected to the drain side of the MOSFET (M2) so as to prevent the charge of the first capacitor C1 from being short-circuited to the MOSFET (M2).
  • the second diode D2 circulates the charge of the second capacitor C2 back to the power supply E.
  • the cathode side of the second diode D2 is connected to the power supply E, and the anode side is connected to the second capacitor C2 side.
  • a third diode D3 prevents short-circuiting of inductors L3 and L4.
  • the anode side of the third diode D3 is connected to the connection between the first diode D1 and the first capacitor C1, and the cathode side is connected to the connection between the second capacitor C2 and the second diode D2.
  • the MOSFET (M1) has its source side connected in series with the inductor L3 and its drain side connected to the input terminal VB of the inductive load L1.
  • the output terminal OUT of the inductive load L1 is connected to the connection point of the inductors L3 and L4 divided into two, and the input terminal VB of the inductive load L1 is connected to the power supply E.
  • the MOSFET (M1) is turned off ahead of the dead time, but the direction and value of the current described above are maintained. Since the MOSFET (M2) turns on with a delay, the body diode reverse recovery current flows through the MOSFET (M1), and the current in inductor L3 rapidly reverses. Rise time (Increases with a time constant ⁇ As a result, after the drain voltage of the MOSFET (M2) reaches 0 V, the drain current increases, realizing ZCS operation at the time of the main switch ON transition. In addition, the MOSFET (M1) side switch recovery current (energy) becomes a current that is accumulated in inductors L3 and L4, and is regenerated to the power supply in the operations described in the next section and later, so power conversion efficiency can be improved.
  • the ratio of the capacitors C1 and C2 is set so that the voltage at the lower end of the capacitor C1 after the capacitors C1 and C2 are charged is 0 V, realizing ZVS during the off operation of the MOSFET (M2) side MOSFET described later. do.
  • the capacitor C1 is charged to a voltage E substantially equal to the power supply voltage by the above-described ON operation. Therefore, when the MOSFET (M2), which is the main switch, is turned off, the drain current becomes 0A, but the drain voltage increases as the voltage at the lower end of the inductive load L1 decreases due to the decrease in the current of the inductive load L1. Since it is almost equal to the voltage at the lower end, it starts from 0V, and the capacitor C1 discharges while the regenerative current flows to the power supply side.
  • M2 MOSFET
  • the MOSFET (M1) is in the dead time period, so the capacitor C1 current does not flow back through the MOSFET (M1), inductor L3, inductor L4, and diode D1 to prevent power loss.
  • the flywheel current of the above inductive load L1 circulates back to the power supply for a short time through diode D1, diode D3, and diode D2. After that, the current flows back to the power supply via the MOSFET (M1), so the power loss in the diodes D1, D3) and D2 can be kept small.
  • the off-operation of the main switch MOSFET (M2) realizes ZVS operation in which the voltage rises after the current reaches zero, thereby suppressing the switching loss.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of an inverter circuit according to the fourth embodiment.
  • An inverter circuit 110 according to the fourth embodiment is for driving a three-phase motor including a U-phase coil LU, a V-phase coil LV, and a W-phase coil LW.
  • the inverter circuit 110 according to the fourth embodiment includes a U-layer inverter circuit 110U for driving the U-phase coil LU, a V-layer inverter circuit 110V for driving the V-phase coil LV, and a W-layer inverter circuit 110W for driving the W-phase coil LW.
  • the U-layer inverter circuit 110U, the V-layer inverter circuit 110V, and the W-layer inverter circuit 110W have the same configuration.
  • the U layer inverter circuit 110U of the switching circuit 110 includes a half bridge inverter having a top inverter switch 50 and a bottom inverter switch 60, and when the top inverter switch 50 is turned on/off, A top-side auxiliary circuit 20T that performs ZVS/ZCS operation with a gate signal, a bottom-side auxiliary circuit 20B that performs ZVS/ZCS operation with a gate signal from the control circuit means 10 when the bottom inverter switch 60 is turned on/off, Prepare.
  • U-layer inverter circuit 110U further includes top-side inductor L3 connected between top inverter switch 50 and load means (U-phase coil LU) that performs ZCS operation when top inverter switch 50 and bottom inverter switch 60 turn on. and a bottom inductor L4 connected between the bottom inverter switch 60 and the U-phase coil LU and connected to the top inductor L3.
  • load means U-phase coil LU
  • the top-side auxiliary circuit 20T includes a first diode D1 and a first capacitor C1 which are arranged in series between the top inverter switch 50 and the ground, and a first diode D1 and a first capacitor C1 which are arranged in series.
  • a second diode D2 connected in parallel to the capacitor C1 via inductors L3 and L4, a second capacitor C2, a connection portion between the first diode D1 and the first capacitor C1, a second capacitor C2 and the second diode and a third diode D3 arranged between the connection with D2.
  • the bottom side auxiliary circuit 20B includes a first diode D1 and a first capacitor C1 which are arranged in series between the bottom inverter switch 60 and the power source E, and a first diode D1 and a first capacitor C1 which are arranged in series.
  • a second diode D2 connected in parallel to one capacitor C1 via inductors L3 and L4, a second capacitor C2, a connection portion between the first diode D1 and the first capacitor C1, a second capacitor C2 and the second and a third diode D3 arranged between the junction with the diode D2.
  • the output terminal OUT of the U-layer inverter circuit 110U which is connected to the connection between the inductor L3 and the inductor L4 divided into two, is connected to one end of the inductive load U-phase coil LU. The other end is connected to the other ends of the inductive load V-phase coil LV and the inductive load W-phase coil LW.
  • the first diode D1 is connected with the anode side of the first diode D1 to the drain side of the MOSFET (M2) so as to prevent the charge of the first capacitor C1 from shorting to the MOSFET (M2). ing.
  • the second diode D2 circulates the charge of the second capacitor C2 back to the power supply E.
  • the cathode side of the second diode D2 is connected to the power supply E, and the anode side is connected to the second capacitor C2 side.
  • a third diode D3 prevents short-circuiting of inductors L3 and L4.
  • the anode side of the third diode D3 is connected to the connection between the first diode D1 and the first capacitor C1, and the cathode side is connected to the connection between the second capacitor C2 and the second diode D2.
  • the MOSFET (M1) is connected in series with the inductor L3 on the source side and connected to the power source E on the drain side.
  • a current direction detection circuit 70 in FIG. 5 detects the current direction.
  • the current direction detection circuit 70 determines whether the load current flows out or flows into the inverter circuit according to the level of the output terminal at the timing when the MOSFET (M2) is turned on.
  • the current direction of the inductive load (U-phase coil) LU is to the right in the figure
  • the voltage level on the left side of the inductive load LU is set to "L" to prevent the current from decreasing in this direction. becomes.
  • the top switch side MOSFET (M1) becomes the main switch and the bottom switch side MOSFET (M2) becomes the flywheel switch.
  • the switch SW1 is turned off to cut off the circuit elements (if the bottom switch ZCS/ZVS circuit 20B and the top switch ZCS/ZVS circuit 20T are connected at the same time, loss increases due to unintended circuit operation).
  • the ZCS/ZVS circuit 20T of the top side switch is cut off by turning off the switch SW2.
  • the MOSFET (M1) is turned off ahead of the dead time, but the direction and value of the current described above are maintained. Since the MOSFET (M2) turns on with a delay, the body diode reverse recovery current flows through the MOSFET (M1), and the current in inductor L3 rapidly reverses. Rise time (Increases with a time constant ⁇ As a result, after the drain voltage of the MOSFET (M2) reaches 0 V, the drain current increases, realizing ZCS operation at the time of the main switch ON transition. In addition, the MOSFET (M1) side switch recovery current (energy) becomes a current that is accumulated in inductors L3 and L4, and is regenerated to the power supply in the operations described in the next section and later, so power conversion efficiency can be improved.
  • the ratio of the capacitors C1 and C2 is set so that the voltage at the lower end of the capacitor C1 after the capacitors C1 and C2 are charged is 0 V, realizing ZVS during the off operation of the MOSFET (M2) side MOSFET described later. do.
  • the capacitor C1 is charged to a voltage E substantially equal to the power supply voltage by the above-described ON operation. Therefore, when the MOSFET (M2), which is the main switch, is turned off, the drain current becomes 0A. Since it is almost equal to the voltage at the lower end, it starts from 0V, and the capacitor C1 discharges while the regenerative current flows to the power supply side. During this operation, the MOSFET (M1) is in the dead time period, so the capacitor C1 current does not flow back through the MOSFET (M1), inductor L3, inductor L4, and diode D1 to prevent power loss.
  • the flywheel current of the above inductive load LU circulates back to the power supply for a short time through the diode D1, diode D3, and diode D2, but immediately after that, the voltage on the top of the inductor L3 becomes MOSFET (M2) After that, the current flows back to the power supply via the MOSFET (M1), so the power loss in the diodes D1, D3, and D2 can be kept small.
  • MOSFET MOSFET
  • FIG. 7 is a circuit diagram of an inverter circuit according to the fifth embodiment.
  • the inverter circuit according to the fifth embodiment is for driving a three-phase motor including a U-phase coil L1, a V-phase coil (not shown), and a W-phase coil, as in the fourth embodiment.
  • a U-phase coil L1 including a U-phase coil L1, a V-phase coil (not shown), and a W-phase coil, as in the fourth embodiment.
  • U-layer inverter circuit 110 for driving the U-phase coil L1 according to the fifth embodiment is shown in FIG. 7, other V-layer inverter circuits and W-layer inverter circuits have the same configuration.
  • the U-layer inverter circuit 110 of the switching circuit according to the fifth embodiment includes a half-bridge inverter having a top inverter switch 50 and a bottom inverter switch 60, and when the top inverter switch 50 is turned on/off, the control circuit means A1 and A2 and a bottom side auxiliary circuit 20B that performs ZVS/ZCS operation with signals from the control circuit means A1 and A2 when the bottom inverter switch 60 is turned on/off. , provided.
  • U-layer inverter circuit 110 further includes top-side inductor L3 connected between top inverter switch 50 and load means (U-phase coil L1) that performs ZCS operation when top inverter switch 50 and bottom inverter switch 60 turn on. and a bottom side inductor L4 connected between the bottom inverter switch 60 and the U-phase coil L1, and connected to the top side inductor L3.
  • top-side inductor L3 connected between top inverter switch 50 and load means (U-phase coil L1) that performs ZCS operation when top inverter switch 50 and bottom inverter switch 60 turn on.
  • bottom side inductor L4 connected between the bottom inverter switch 60 and the U-phase coil L1, and connected to the top side inductor L3.
  • the top-side auxiliary circuit 20T includes a first diode D1 (D1c, D1d) arranged in series between the top inverter switch 50 and the ground, a first capacitor C1c, and a first capacitor C1c arranged in series.
  • the bottom side auxiliary circuit 20B includes a first diode D1 (D1a, D1b) arranged in series between the bottom inverter switch 60 and the power supply E, a first capacitor C1, and a first capacitor C1 arranged in series.
  • the bottom-side auxiliary circuit 20B further includes a resistor R5 and a capacitor C6 that suppress voltage fluctuations.
  • a resistance R3 represents a resistance component in the inductive load U-phase coil L1.
  • the first diode D1 (D1a, D1b) is connected to the anode side of the first diode D1 (D1a, D1b) so as to prevent the charge of the first capacitor C1 from shorting to the MOSFET (M2).
  • M2 MOSFET
  • the second diode D2 (D2a, D2b) circulates the charge of the second capacitor C2 to the power source E.
  • the cathode side of the second diode D2 (D2a, D2b) is connected to the power supply E, and the anode side is connected to the second capacitor C2 side.
  • a third diode D3 prevents short-circuiting of inductors L3 and L4.
  • the anode side of the third diode D3 (D3a, D3b) is connected to the junction of the first diode D1 (D1a, D1b) and the first capacitor C1, and the cathode side is connected to the second capacitor C2 and the second diode D2 (D2a, D2b). ) is connected to the connection with
  • the MOSFET (M1) is connected in series with the inductor L3 on the source side and connected to the power source E on the drain side.
  • a current direction detection circuit 70 in FIG. 7 detects the current direction.
  • the current direction detection circuit 70 determines whether the load current flows in the outflow direction or the inflow direction to the inverter circuit according to the level of the output terminal at the timing when the bottom switch 60 is turned on.
  • the clock terminal CLK of the flip-flop A3 is the input signal of the gate driver of the MOSFET on the bottom switch 60 side, and the output terminal connected to the data terminal D at the rising edge of the clock (on timing of the bottom MOSFET) is "
  • the current direction of the inductive load L1 is to the right in the drawing, and the voltage level on the left side of the inductive load L1 becomes "L” in order to prevent the current from decreasing in this direction. ”.
  • the top switch side MOSFET becomes the main switch and the bottom switch side MOSFET becomes the flywheel switch. Therefore, since the bottom switch ZCS/ZVS circuit 20B is unnecessary, the MOSFET M4 is turned off to cut off the circuit elements.
  • the inverter circuit of the fifth embodiment requires the current direction detection circuit 70 for the same reason as the inverter circuit of the fourth embodiment. Similarly, when the current direction of the inductive load L1 is leftward, the ZCS/ZVS circuit 20T of the top side switch is cut off.
  • the top switch side MOSFET is turned off earlier by the dead time, but the direction and value of the current described above are maintained. Since the bottom switch side MOSFET turns on with a delay, the top side recovery countermeasure diode D5 and the body diode reverse recovery current of each MOSFET flow, and the current in inductor L3 rapidly reverses, and the current in inductor L4 has an initial value of 0.
  • the top-side switch recovery current (energy) is accumulated in the inductors L3 and L4 as a current, and is regenerated to the power supply in the operations described in the next section and later, so that the power conversion efficiency can be improved.
  • a large negative surge voltage of approximately 70 V is generated at node n012. becomes important.
  • the ratio of the capacitors C1 and C2 is set so that the voltage at the lower end of the capacitor C1 becomes 0 V after the capacitors C1 and C2 are charged, realizing ZVS during the off operation of the bottom switch side MOSFET, which will be described later.
  • the capacitor C1 is charged to 48V, which is approximately equal to the power supply voltage, by the above ON operation. Therefore, when the bottom switch side MOSFET, which is the main switch, is turned off, the drain current becomes 0A. Since it is almost equal to the voltage, it starts from 0V, and the capacitor C1 discharges while the regenerative current flows to the power supply side. During this operation, the top switch is in the dead time period, so the capacitor C1 current does not flow back through the top switch MOSFET, inductor L3, inductor L4, and diode D1 (D1a, D1b) to prevent power loss.
  • the flywheel current of the inductive load L1 flows back to the power supply for a short time through the diodes D1 (D1a, D1b), D3 (D3a, D3b), D2 (D2a, D2b).
  • the voltage at node n012 immediately reaches the source potential of the MOSFET on the top switch side, so after that it flows back to the power supply via the top switch, so the diodes D1 (D1a, D1b) and D3 (D3a, D3b) , the power loss of the diode D2 (D2a, D2b) can be kept small.
  • the OFF operation of the main switch realizes the ZVS operation in which the voltage rises after the current becomes zero, thereby suppressing the switching loss.
  • a rising portion C2up of the current of the capacitor C2 in FIG. 14 indicates the current regenerated to the power supply side.
  • FIG. 15 shows the FFT analysis result of the output voltage waveform. It can be seen that the noise peak envelope of the inverter circuit of the fifth embodiment is significantly lower than that of the conventional art.
  • FIG. 16 shows the FFT analysis result of the power supply current waveform. It can be seen that the noise peak envelope of the inverter circuit of the fifth embodiment is significantly lower than that of the conventional art.
  • FIG. 17 and 18 show the switching waveforms of the causes of the noise difference between the conventional inverter circuit and the ZCS/ZVS of the fifth embodiment.
  • FIG. 17 shows falling waveforms, with the upper side representing the falling of the output voltage and the lower side representing the falling of the power supply current.
  • the waveform of the inverter circuit of the prior art falls steeply, whereas the waveform of the ZCS/ZVS of the fifth embodiment falls gently.
  • the prior art inverter circuit At the fall of the power supply current on the lower side, the prior art inverter circuit generates a spark-like recovery current that varies in a short period of time. This recovery current causes power loss and large noise.
  • FIG. 18 shows rising waveforms, with the upper side representing the rising of the output voltage and the lower side representing the rising of the power supply current.
  • the waveform rises sharply in the conventional inverter circuit, whereas in the ZCS/ZVS of the fifth embodiment the waveform rises gently.
  • the waveform rises steeply in the conventional inverter circuit, whereas the waveform rises gently in the ZCS/ZVS of the fifth embodiment.
  • the switch recovery current (energy) flowing through the MOSFET on the opposite side that serves as the flywheel switch during the ON transition of the main switch becomes current and accumulates in inductors L3 and L4.
  • the power conversion efficiency can be improved because the power is regenerated in the next operation when the switch is turned off. Also, by storing the switch recovery current in inductors L3 and L4, it is possible to reduce noise.
  • the energy of the inductor L1 used to turn on the MOSFET of the top switch 50 and the MOSFET of the bottom switch 60 with ZCS is stored in capacitor C1. Then, the energy (voltage) of the capacitor C1 is used to turn off the MOSFET of the top switch 50 and the MOSFET of the bottom switch 60 with ZVS. side and completely discharge capacitor C1.
  • the energy used for ZCS/ZVS operation is consumed as it is, but in the inverter circuit of the fifth embodiment, it is used for ZCS/ZVS operation. Since the energy is circulated to the power supply side, high efficiency can be exhibited.
  • MOSFETs are used as switching elements, but various switching elements for power electronics such as SiC can be used as switching elements.
  • each diode may be a well-known ideal diode device composed of a MOSFET.
  • FIG. 19 is a circuit diagram showing regenerative operation of the inverter circuit of the fifth embodiment.
  • a vehicle-mounted three-phase inverter regenerates electric power from the motor side to charge a storage battery. Deceleration regenerative operation is required.
  • the ZCS and ZVS switches could not be turned on and off properly, resulting in a significant drop in efficiency during regeneration.
  • efficiency does not decrease even in regenerative operation.
  • FIG. 20 is a schematic diagram showing a half-bridge power module 210 configured by the inverter circuit of the fifth embodiment.
  • the power module 210 has a negative input terminal 112 , a positive input terminal 114 and an output terminal 124 .
  • a peripheral circuit 120 and a bottom inverter switch 122 such as SiC or MOSFET are attached to the - side input terminal 112 .
  • a peripheral circuit 116 and a top inverter switch 118 are attached to the + side input terminal 112 .
  • the output terminal 124 and the bottom inverter switch 122 are connected via a bottom side inductor L4 integrally formed with the output terminal.
  • the output terminal 124 and the top inverter switch 118 are connected via a top side inductor L3 integrally formed with the output terminal.
  • the components described above are arranged on the substrate 130 and molded to form the power module 210 .
  • the top-side inductor L3 connected to the top inverter switch 118 and the bottom-side inductor L4 connected to the bottom inverter switch 122 are part of a metal plate that constitutes the output terminal 124, and extend in substantially orthogonal directions. It consists of a pair of extension pieces 124A, 124B formed on the same.
  • the top side inductor L3 constitutes the inductor L3 in FIG. 17, and the bottom side inductor L4 constitutes the inductor L4.
  • Magnetic flux is generated in both extending pieces 124A and 124B in a spiral shape with respect to the extending direction, but since the extending directions are formed so as to be substantially perpendicular to each other, the magnetic fluxes do not interfere with each other.
  • the extension pieces 124A and 124B have a constant width and extend from both side ends 124R and 124L of the metal plate forming the output terminal 124. As shown in FIG.
  • the extension pieces 124A and 124B have a length Ln of 7.5 mm and an inductance of 5 nH.
  • top side inductor L3 and the bottom side inductor L4 of the power module 210 of the fifth embodiment are part of the metal plate that constitutes the output terminal 124, they can be configured at low cost, have high mechanical strength, and are highly reliable. .
  • FIG. 21 is a circuit diagram of an inverter circuit according to a first modified example of the fifth embodiment.
  • the inverter circuit according to the first modified example of the fifth embodiment is for driving a three-phase motor including a U-phase coil LU, a V-phase coil (not shown), and a W-phase coil (not shown), as in the fifth embodiment.
  • the U-layer inverter circuit 110U of the switching circuit according to the first modified example of the fifth embodiment includes a half-bridge inverter having a top inverter switch 50 and a bottom inverter switch 60, and a control circuit when the top inverter switch 50 is turned on/off.
  • a current direction detection circuit 70 in FIG. 21 detects the current direction.
  • the current direction detection circuit 70 determines whether the load current flows in the outflow direction or the inflow direction to the inverter circuit according to the level of the output terminal at the timing when the bottom switch 60 is turned on.
  • the clock terminal CLK of the flip-flop A4 is the input signal of the gate driver of the MOSFET on the side of the bottom switch 60, and the output terminal connected to the data terminal D at the rising edge of the clock (on timing of the bottom MOSFET) is " If the current direction of the inductive load LU is "L", the current direction of the inductive load LU is to the right in the figure, and the voltage level on the left side of the inductive load LU is set to "L” to prevent the current from decreasing in this direction. ”. In this case, the top switch side MOSFET becomes the main switch and the bottom switch side MOSFET (60) becomes the flywheel switch.
  • the switch SW1 is turned off to cut off the circuit elements. (If the bottom switch ZCS/ZVS circuit 20B and the top switch ZCS/ZVS circuit 2OT are connected at the same time, unintended circuit operation will occur and loss will increase). Similarly, when the current direction of the inductive load LU is leftward, the ZCS/ZVS circuit 20T of the top side switch is cut off by the switch SW2.
  • FIG. 22 is a circuit diagram of an inverter circuit according to a second modified example of the fifth embodiment.
  • the inverter circuit according to the second modification of the fifth embodiment is for driving a three-phase motor including a U-phase coil LU, a V-phase coil (not shown), and a W-phase coil (not shown), as in the fifth embodiment.
  • the U-layer inverter circuit 110U of the inverter circuit according to the second modified example of the fifth embodiment includes a half-bridge inverter having a top inverter switch 50 and a bottom inverter switch 60, and a control circuit when the top inverter switch 50 is turned on/off.
  • a current direction detection circuit 70 in FIG. 22 detects the current direction.
  • the current direction detection circuit 70 is connected between the connection portion CN of the top-side inductor L3 and the bottom-side inductor L4 and the load LU, and is connected to both ends of the resistor R22, and the potential on the load LU side is connected.
  • CN side potential that is, the load current flows to the load LU side and the potential on the load LU side is lower than the potential on the connection portion CN side due to the voltage drop across the resistor R22.
  • the potential on the comparator CPT and the load LU side is higher than the potential on the connection CN side.
  • the load current flows into the inverter side, and the voltage drop across the resistor R22 causes the potential on the load LU side to become higher than the potential on the connection CN side. and a second comparator CPB which produces an output when C is high.
  • the inverter circuit 110 according to the second modified example of the fifth embodiment determines whether the current load flows in or out of the inverter circuit, detects the main switch, and detects the main switch top side auxiliary circuit 20T.
  • the bottom-side auxiliary circuit 20B can be made operable, and the top-side auxiliary circuit 20T or the bottom-side auxiliary circuit 20B, which is not the main switch, can be made inoperable.
  • the inverter circuit according to the second modified example of the fifth embodiment has a simple configuration because the detection means 70 consists of the resistor R22, the first comparator CPT and the second comparator CPB.
  • FIG. 23 is a circuit diagram of an inverter circuit according to the sixth embodiment.
  • the inverter circuit of the sixth embodiment is for driving a three-phase motor including a U-phase coil LU, a V-phase coil (not shown), and a W-phase coil, as in the fifth embodiment.
  • the U-layer inverter circuit 110U of the switching circuit according to the sixth embodiment includes a half-bridge inverter having a top inverter switch 50 and a bottom inverter switch 60, and a signal from the control circuit means 10 when the top inverter switch 50 is turned on/off. , a top-side auxiliary circuit 20T that performs ZVS/ZCS operation, and a bottom-side auxiliary circuit 20B that performs ZVS/ZCS operation with a signal from the control circuit means 10 when the bottom inverter switch 60 is turned on/off.
  • the control circuit means 10 comprises a sawtooth oscillator 12 for generating a sawtooth wave with a fixed carrier frequency between 10 KHz and 100 KHz.
  • U-, V-, and W-phase control signals having a 120° phase difference are input to the control circuit means 10 .
  • the U-phase control signal (U-phase control input signal) is compared with the sawtooth wave by the U-phase output comparator CPU. square wave is output.
  • the rectangular wave from the U-phase output comparator CPU turns on/off the bottom inverter switch 60 through the delay means 14B, and turns on/off the top inverter switch 50 through the NOT circuit NT1 and the delay means 14T.
  • Delay means 14B and delay means 14T provide dead time between top inverter switch 50 and bottom inverter switch 60 to prevent top inverter switch 50 and bottom inverter switch 60 from being turned on at the same time.
  • the V-phase output comparator CPV and W-phase output comparator CPW operate in the same manner as the U-phase output comparator CPU.
  • the sine wave amplitudes of the U-, V-, and W-phase control signals are increased, and when increasing the rotation of the motor, the frequencies of the U-, V-, and W-phase control signals are increased.
  • the frequency of the sinusoidal waves of the U-, V-, and W-phase control signals is about 50Hz to 100Hz at the rotational speed of the motor.
  • a comparison means 80 in FIG. 23 detects the current direction.
  • a comparison means 80 includes a U-phase control comparator CPU2 that compares the W-phase control input signal and the U-phase control input signal, and a V-phase control comparator CPV2 that compares the U-phase control input signal and the V-phase control input signal. , and a W-phase control comparator CPW2 for comparing the V-phase control input signal and the W-phase control input signal.
  • FIG. 24 shows the U-, V-, and W-phase output currents and the U-, V-, and W-phase control signals.
  • the U-, V-, and W-phase output currents are 180° behind the U-, V-, and W-phase control signals.
  • the positive amplitude of the sine wave of the U, V, and W phase output currents indicates the right direction of the output current flowing in the U phase coil LU (the load current is flowing to the load LU side), and the negative amplitude of the sine wave represents the left side of the output current flowing through the U-phase coil LU (the load current is flowing into the inverter side).
  • the U-phase control comparator CPU2 compares the W-phase control input signal and the U-phase control input signal.
  • the amplitude of the U-phase output current is on the positive side. While the amplitude of the U-phase output current is on the positive side, an ON signal is output from the U-phase control comparator CPU2, the switch SW2U of the top-side auxiliary circuit 20T on the main switch side of the U-phase 110U is turned on, and the NOT circuit NT2 is turned on. The switch SW1U of the bottom-side auxiliary circuit 20B is turned off by an off-signal obtained by inverting the on-signal via .
  • the output from the U-phase control comparator CPU2 is turned off, the switch SW2U of the top side auxiliary circuit 20T on the main switch side of the U-phase 110U is turned off, and the NOT circuit The switch SW1U of the bottom-side auxiliary circuit 20B is turned on by the on-signal that is the inversion of the off-signal via NT2.
  • FIG. 25 shows U-, V-, and W-phase output currents and U-, V-, and W-phase control signals.
  • the V-phase control comparator CPU2 compares the U-phase control input signal and the V-phase control input signal. ), the amplitude of the V-phase output current is on the positive side. While the amplitude of the V-phase output current is on the positive side, an ON signal is output from the V-phase control comparator CPV2, the switch SW2V of the top-side auxiliary circuit 20T on the main switch side of the V-phase 110V is turned on, and the NOT circuit NT4 is turned on. The switch SW1V of the bottom-side auxiliary circuit 20B is turned off by an off-signal obtained by inverting the on-signal via .
  • FIG. 26 shows U-, V-, and W-phase output currents and U-, V-, and W-phase control signals.
  • the W-phase control comparator CPW2 compares the V-phase control input signal and the W-phase control input signal. ), the amplitude of the W-phase output current is on the positive side. While the amplitude of the W-phase output current is on the positive side, an ON signal is output from the W-phase control comparator CPW2, the switch SW2W of the top-side auxiliary circuit 20T on the main switch side of the W-phase 110W is turned on, and the NOT circuit NT6 is turned on.
  • the switch SW1W of the bottom-side auxiliary circuit 20B is turned off by an off-signal obtained by inverting the on-signal via .
  • the auxiliary circuit cutoff means can operate the top side auxiliary circuit 20T or the bottom side auxiliary circuit 20B on the main switch side of the U phase 110U based on the output of the U phase control comparator CPU2. Based on the output of the U-phase auxiliary circuit cutoff means (switches) SW1U and SW2U that disable the top side auxiliary circuit or the bottom side auxiliary circuit that is not the main switch, and the output of the V-phase control comparator CP2, V V-phase auxiliary circuit interrupting means for enabling operation of the top side auxiliary circuit 20T or bottom side auxiliary circuit 20B on the phase 110V main switch side and disabling the top side auxiliary circuit or bottom side auxiliary circuit on the non-main switch side.
  • the top-side auxiliary circuit 20T or bottom-side auxiliary circuit 20B on the W-phase 110W main switch side can be operated, and the top-side auxiliary circuit on the non-main switch side can be operated.
  • W-phase auxiliary circuit interrupting means SW1W and SW2W for disabling the circuit or the bottom side auxiliary circuit.
  • the inverter circuit of the sixth embodiment detects the main switch from the U-phase control input signal, the V-phase control input signal, and the W-phase control input signal, and selects the top side auxiliary circuit 2OT or the bottom side auxiliary circuit 20B on the main switch side.
  • the top side auxiliary circuit 20T or the bottom side auxiliary circuit 20B on the non-main switch side can be enabled and disabled. Since the inverter circuit of the sixth embodiment can cut off the auxiliary circuit without causing the load current to flow through the resistance, there is no resistance loss and the efficiency is high.
  • the switches SW1, SW2, SW1U, SW2U, etc. consist of semiconductor switching elements.
  • control circuit means 20T top auxiliary circuit 20B bottom auxiliary circuit 50 top inverter switch 60 bottom inverter switch C1 first capacitor C2 second capacitor D1 first rectifying means D2 second rectifying means D3 third rectifying means L inductor L1 load means L3 top side inductor L4 bottom side inductor

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Abstract

【課題】 高い周波数で、高い電力変換効率を有するスイッチング回路を提供する。 【解決手段】 スイッチング回路110は、負荷手段Rとスイッチ手段Mとの間に配設されたインダクタLと、スイッチ手段Mと電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段D1と、第一のキャパシタC1と、直列に配設された第一の整流手段D1と第一のキャパシタC1に、インダクタLを介して並列に接続された第二の整流手段D2と、第二のキャパシタC2と、第一の整流手段D1と第一のキャパシタC1の接続部と、第二のキャパシタC2と第二の整流手段D2との接続部との間に配設された第三の整流手段D3と、を有する。

Description

スイッチング回路、インバータ回路
 本発明は、非共振でZCS/ZVS動作を行うスイッチング回路、インバータ回路に関する。
 電動車両の航続距離改善、及び、ハイブリッド車両の燃費改善には搭載するインバータに高い電力変換効率が求められる。また、モータ効率向上の為にインバータの動作周波数であるキャリアの高周波化が必要である。これと同時に、発生する電磁ノイズを低く抑えてEMC性能を改善するとともに、ノイズ対策にかかるコストの削減が望まれる。
特許文献1は、ZCS動作を行うインバータ回路を開示している
特許文献2は、フィリップフロップを用いるインバータ回路を開示している。
 図27は3相インバータの出力回路1相分を表したもので、誘導性負荷をハイサイド側に接続し、電源電圧48V、駆動周波数50KHz、Duty50%に設定し、貫通防止の為所定のデッドタイムが設定してある。
負荷がハイサイド側にあり、電流方向はハーフブリッジへの流れ込み方向となる。その為、ボトムスイッチ160側MOSFET が主スイッチとなり、トップスイッチ150側はフライホイール回路動作を行う。
 図28はボトムスイッチのオン時のトップスイッチ、及び、ボトムスイッチの電圧・電流・損失をシミュレーションした結果を示す。
(条件)
・ボトムオン動作解析
・電源電圧48V
・負荷インダクタンス10uH
・負荷抵抗0.15 Ω (48V 0 .15Ω=320A、Duty50% 駆動であるので160A相当)
・ゲート抵抗2.2 Ω
・固定定数回路(配線インダクタンス=0)
 ボトムスイッチ160がオンする直前の状態は、負荷インダクタンスによる負荷電流≒160Aがトップスイッチ150を経由して電源方向へ流れている。この時ボトムスイッチ160がオンするから、トップスイッチ150のボディダイオード及び外付けショットキーダイオードの順方向電流によるホットキャリアが消滅する時間≒6ns の間、大きなリカバリ電流が上下スイッチを流れる。
 トップスイッチ側はS-D間電圧が小さいことから損失は小さく、ボトムスイッチ側で大きな電力損失が発生する。キャリア消滅後は トップスイッチ側MOSFETのD-S容量を充電しながら上下MOSFETのD-S間電圧が指数関数的に増加(減少)して、この電圧が出力端子電圧波形となる。
 また、上記リカバリ電流は、そのまま電源電流に大きな高調波リップルとなって流れる。
特開2014-220913号公報 特開2015-76989号公報
 図29はボトムスイッチのオフ時のトップスイッチ、及び、ボトムスイッチの電圧・電流・損失をシミュレーションした結果を示す。
ボトムスイッチ160がオフする直前の状態は、負荷インダクタンスによる負荷電流≒160Aがボトムスイッチ160を経由してGND方向へ流れている。
この時ボトムスイッチ160がオフするから、負荷電流は誘導成分によって電流値が保持されたままで、ボトムスイッチ160の電流減少分がトップスイッチ150の電流として増加していく。
 トップ側スイッチとボトム側スイッチのS-D間電圧とドレイン電流と損失との関係を示す。このように、トップ側スイッチは初期状態がオフであるから電圧の増加に対する電流の増加が遅れる為比較的損失が小さいが、ボトム側スイッチは負荷電流の160Aを維持したままS-D間電圧が増加するので、大きな損失を発生する。
以上の各スイッチング動作による損失と、電力変換効率は以下となる。
ボトムスイッチ側MOSFET損失 (1個分) 11.872W
ボトム側リカバリ低減ショットキーダイオード損失= 266uW
トップスイッチ側MOSFET損失 (1個分) 4.122W
トップ側リカバリ低減ショットキーダイオード損失= 373.8mW
負荷電力= 3.6757KW
電源電力= 3.7235KW
効率= 98.71%
 スイッチング損失を低減して、効率を向上させる手法として一般的には共振(部分共振)によってZVS、ZCS動作を行い、スイッチ素子の電圧と電流の位相に差を設けることで V × I 損失を低下させる方法がある。しかし、この方法は構造が複雑でタイミング制御が難しいといった難点がある。更に、従来のZCS、ZVSのインバータ回路では、ZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーはそのまま消費しているため、効率を高めることができなかった。
 本発明の目的は、高い周波数で、高い電力変換効率を有し、発生する電磁ノイズを低く抑えてEMC性能を改善したスイッチング回路、インバータ回路を提供することである。
 本発明に係るスイッチング回路(110)は、電源(E)から供給される電力を断続して負荷手段(R)を駆動するスイッチング回路であって、該スイッチング回路に内蔵されるスイッチ手段(M)へ印加される電圧と、当該スイッチ手段(M)を流れる電流との間に時間差を設けてスイッチング損失を低減するソフトスイッチング方式である。そして、前記負荷手段(R)と前記スイッチ手段(M)との間に配設されたインダクタ(L)と、前記スイッチ手段(M)と前記電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段(D1)と、第一のキャパシタ(C1)と、直列に配設された前記第一の整流手段(D1)と前記第一のキャパシタ(C1)に、前記インダクタ(L)を介して並列に接続された第二の整流手段(D2)と、第二のキャパシタ(C2)と、前記第一の整流手段(D1)と前記第一のキャパシタ(C1)の接続部と、前記第二のキャパシタ(C2)と前記第二の整流手段(D2)との接続部との間に配設された第三の整流手段(D3)と、を有する。
 本発明に係るインバータ回路はトップインバータスイッチ(50)とボトムインバータスイッチ(60)とを有するハーフブリッジインバータと、前記トップインバータスイッチ(50)のオン・オフ時に、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路(20T)と、前記ボトムインバータスイッチ(60)のオン・オフ時に、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路(20B)と、を備える。前記インバータ回路は、更に前記トップインバータスイッチ(50)、前記ボトムインバータスイッチ(60)のオン遷移時にZCS動作を行う、前記トップインバータスイッチ(50)と負荷手段(LU)との間に接続されたトップ側インダクタ(L3)と、前記ボトムインバータスイッチ(60)と負荷手段(L1)との間に接続されると共に、前記トップ側インダクタ(L3)に接続されるボトム側インダクタ(L4)を備える。そして、前記トップ側補助回路(20T)は、前記トップインバータスイッチ(50)と電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段(D1)と、第一のキャパシタ(C1)と、直列に配設された前記第一の整流手段(D1)と前記第一のキャパシタ(C2)に、前記トップ側インダクタ(L3)を介して並列に接続された第二の整流手段(D2)と、第二のキャパシタ(C2)と、前記第一の整流手段(D1)と前記第一のキャパシタ(C1)の接続部と、前記第二のキャパシタ(C2)と前記第二の整流手段(D2)との接続部との間に配設された第三の整流手段(D3)と、を有する。
 なお、上記各括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
 請求項1のスイッチング回路では、スイッチ手段(M)をZCSでオンさせるために用いられたインダクタ(L)のエネルギーが、スイッチ手段(M)のオン中に第一のキャパシタ(C1)に蓄えられる。そして、第一のキャパシタ(C1)のエネルギー(電圧)で、スイッチ手段(M)をZVSでオフし、スイッチ手段(M)のオフ中に、第一のキャパシタ(C1)のエネルギーを電源側に還流させ、第一のキャパシタ(C1)を完全に放電させる。従来のZCS、ZVSのインバータ回路では、ZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーはそのまま消費していたのに対して、請求項1のインバータ回路ではZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーを電源側に還流するため、高い効率を発揮することができる。
 請求項2のスイッチング回路は、第一の整流手段(D1)は、第一のキャパシタ(C1)の電荷がスイッチ手段(M)に短絡するのを防ぎ、第三の整流手段(D3)は、インダクタ(L)の短絡を防ぐことができる。
 請求項3のスイッチング回路は、第二の整流手段(D2)は、第二のキャパシタ(C2)の電荷を電源(E)に還流できる。
 請求項4のスイッチング回路は、負荷手段は抵抗性負荷(R)であって、スイッチ手段は、片側スイッチングモードのみで駆動される片側スイッチのスイッチング素子(M)から成る。両側スイッチングモードを用いないため、構造が簡易である。
 請求項5のスイッチング回路は、負荷手段は誘導性負荷(L1)であって、フライホイール電流を流すための整流素子(DF)を有する。請求項5のインバータ回路では、フライホイール電流を整流素子(DF)に流すため制御構成が簡易である。
 請求項6スイッチング回路は、インダクタは2分割(L3、L4)され、分割された接続点に誘導性負荷(L1)の一方の端(OUT)が接続され、誘導性負荷(L1)の他方の端(VB)が電源又はアースに接続され、2分割されたインダクタ(L3、L4)に整流素子(DF)の一方の端(アノード)が直列に接続され、整流素子(DF)の他方の端(カソード)が電源又はアースに接続される。請求項6のインバータ回路では、フライホイール電流を整流素子(DF)に流すため制御構成が簡易である。
 請求項7のスイッチング回路は、負荷手段は誘導性負荷(L1)であって、更に、フライホイール電流を流すためのスイッチング素子(M1)を有する。請求項7のインバータ回路では、フライホイール電流をスイッチング素子(M1)に流すため、整流素子を用いるよりも低損失である。
 請求項8のスイッチング回路は、インダクタは2分割(L3、L4)され、分割された接続点に誘導性負荷(L1)の一方の端(OUT)が接続され、誘導性負荷の他方の端(VB)が電源又はアースに接続され、2分割されたインダクタ(L3、L4)にスイッチング素子(M1)の一方の端(ドレイン又はソース)が直列に接続され、スイッチング素子の他方の端(ソース又はドレイン)が電源又はアースに接続される。請求項8のインバータ回路では、フライホイール電流をスイッチング素子(M1)に流すため、整流素子を用いるよりも低損失である。
 請求項9のインバータ回路は、主スイッチオン遷移ときにフライホイールスイッチと成る反対側のインバータスイッチに流れるスイッチリカバリ電流(エネルギー)をトップ側インダクタ(L3)とボトム側インダクタ(L4)に蓄積させ、次のスイッチオフ時の動作で電源へ回生させるので電力変換効率が向上できる。また、スイッチリカバリ電流をトップ側インダクタ(L3)とボトム側インダクタ(L4)に蓄えることで抑え、低ノイズ化が実現できる。
 請求項9のインバータ回路では、トップスイッチ(50)及びボトムスイッチ(60)をZCSでオンさせるために用いられた負荷手段(LU)のエネルギーが、トップスイッチ及びボトムスイッチのオン中に第1のコンデンサ(C1)に蓄えられる。そして、第一のコンデンサ(C1)のエネルギー(電圧)で、トップスイッチ及びボトムスイッチをZVSでオフし、トップスイッチ及びボトムスイッチのオフ中に、第一のコンデンサ(C1)のエネルギーを電源側に還流させ、第一のコンデンサ(C1)を完全に放電させる。従来のZCS、ZVSのインバータ回路では、ZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーはそのまま消費していたのに対して、請求項9のインバータ回路ではZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーを電源側に還流するため、高い効率を発揮することができる。
 請求項10のインバータ回路は、3相インバータである。3相モータを高周波でも低い損失で駆動できる。
 請求項11のインバータ回路は、ボトム側補助回路(20B)は、ボトムインバータスイッチ(60)と電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段(D1)と、第一のキャパシタ(C1)と、直列に配設された第一の整流手段(D1)と第一のキャパシタ(C1)に、ボトム側インダクタ(L4)を介して並列に接続された第二の整流手段(D2)と、第二のキャパシタ(C2)と、第一の整流手段(D1)と第一のキャパシタ(C1)の接続部と、第二のキャパシタ(C2)と第二の整流手段(D2)との接続部との間に配設された第三の整流手段(D3)と、を有する。請求項11のインバータ回路は、インバータスイッチに流れるスイッチリカバリ電流(エネルギー)をトップ側インダクタ(L3)とボトム側インダクタ(L4)に蓄積させ、次のスイッチオフ時の動作で電源へ回生させるので電力変換効率が向上できる。
 請求項12のインバータ回路は、トップインバータスイッチ(50)、ボトムインバータスイッチ(60)の何れが主スイッチとなるかを検出する検出手段(70)と、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作不能とする補助回路遮断手段(SW1、SW2)とを備える。請求項12のインバータ回路は、トップインバータスイッチ、ボトムインバータスイッチの両側スイッチングモードを用いながら、適切にインバータスイッチに流れるスイッチリカバリ電流(エネルギー)をトップ側インダクタ(L3)とボトム側インダクタ(L4)に蓄積させ、次のスイッチオフ時の動作で電源へ回生させるので電力変換効率が向上できる。
 請求項13のインバータ回路は、検出手段を構成する入力端子(D、CLK)と、補助回路遮断手段を制御する出力端子(Q、Qバー)と、を有するフリップフロップ(A3)を備える。このため、請求項13のインバータ回路は、電流負荷がインバータ回路からの流れだし方向か、流れ込み方向かを判断し主スイッチを検出して、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作不能とすることができる。
 請求項14のインバータ回路は、検出手段(70)が、トップ側インダクタ(L3)、ボトム側インダクタ(L4)の接続部(CN)と、負荷(LU)との間に接続される抵抗(R22)と、抵抗の両端に接続され、負荷側の電位が接続部側の電位よりも低い際に出力を発生する第1コンパレータ(CPT)と、負荷側の電位が接続部側の電位よりも高い際に出力を発生する第2コンパレータ(CPB)と、から成る。補助回路遮断手段が、第1コンパレータ、第2コンパレータの出力により、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とする第1スイッチ(SW1)と、第2スイッチ(SW2)から成る。請求項14のインバータ回路は、電流負荷がインバータ回路からの流れだし方向か、流れ込み方向かを判断し主スイッチを検出して、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作不能とすることができる。請求項14のインバータ回路は、検出手段(70)が、抵抗(R22)と、第1コンパレータ(CPT)と第2コンパレータ(CPB)と、から成るため、構成が簡易である。
 請求項15のインバータ回路は、U相制御入力信号、V相制御入力信号、W相制御入力信号を比較する比較手段(CPU2、CPV2、CPW2)と、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とする補助回路遮断手段(SW1、SW2)と、を備える。請求項15のインバータ回路は、U相制御入力信号、V相制御入力信号、W相制御入力信号から主スイッチを検出して、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作不能とすることができる。請求項15のインバータ回路は、負荷電流を抵抗に流すことなく補助回路を遮断できるので、抵抗損失が無く効率が高い。
 請求項16のインバータ回路は、比較手段(80)が、W相制御入力信号とU相制御入力信号を比較するU相制御用のコンパレータ(CPU2)と、U相制御入力信号とV相制御入力信号を比較するV相制御用のコンパレータ(CPV2)と、V相制御入力信号とW相制御入力信号を比較するW相制御用のコンパレータ(CPW2)と、から成る。補助回路遮断手段が、U相制御用のコンパレータの出力に基づき、U相(110U)の主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とするU相の補助回路遮断手段(SW1U、SW2U)と、V相制御用のコンパレータの出力に基づき、V相(110V)の主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とするV相の補助回路遮断手段(SW1V、SW2V)と、W相制御用のコンパレータの出力に基づき、W相(110W)の主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とするW相の補助回路遮断手段(SW1W、SW2W)と、から成る。請求項16のインバータ回路は、U相制御入力信号、V相制御入力信号、W相制御入力信号から主スイッチを検出して、主スイッチ側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路(20T)又はボトム側補助回路(20B)を動作不能とすることができる。請求項16のインバータ回路は、負荷電流を抵抗に流すことなく補助回路を遮断できるので、抵抗損失が無く効率が高い。
 請求項17のインバータ回路であって、トップインバータスイッチ(122)に接続されたトップ側インダクタ(L3)と、ボトムインバータスイッチ(118)に接続されたボトム側インダクタ(L4)は、出力端子(124)を構成する金属板の一部であり、延在方向が略直交するように形成された一対の延在片(124A、124B)から成る。請求項14のインバータ回路は、トップ側インダクタL3、ボトム側インダクタL4は、出力端子124を構成する金属板の一部であるため、廉価に構成できると共に、機械強度が高く、信頼性が高い。両延在片124A、124Bには、延在方向に対して渦巻き状に磁束が発生するが、延在方向が略直交するように形成されているため、磁束が干渉し合わない。
 請求項18のインバータ回路は、延在片(124A、124B)は一定幅であり、出力端子(124)を構成する金属板の両側端(124L、124R)から延在している。請求項15のインバータ回路は、トップ側インダクタL3、ボトム側インダクタL4は、出力端子124を構成する金属板の一部であるため、廉価に構成できると共に、機械強度が高く、信頼性が高い。
 請求項19のインバータ回路は、トップインバータスイッチ(50、122)とボトムインバータスイッチ(60、118)とを有するハーフブリッジインバータと、トップインバータスイッチ(50)に接続されたトップ側インダクタ(L3)と、ボトムインバータスイッチ(60)に接続されたボトム側インダクタ(L4)とを備え、トップインバータスイッチ(122)に接続されたトップ側インダクタL3と、ボトムインバータスイッチ(118)に接続されたボトム側インダクタ(L4)は、出力端子(124)を構成する金属板の一部であり、延在方向が略直交するように形成された一対の延在片(124A、124B)から成る。請求項16のインバータ回路は、トップ側インダクタL3、ボトム側インダクタL4は、出力端子124を構成する金属板の一部であるため、廉価に構成できると共に、機械強度が高く、信頼性が高い。両延在片124A、124Bには、延在方向に対して渦巻き状に磁束が発生するが、延在方向が略直交するように形成されているため、磁束が干渉し合わない。
 請求項20のインバータ回路は、延在片(124A、124B)は一定幅であり、出力端子(124)を構成する金属板の両側端(124L、124R)から延在している。請求項17のインバータ回路は、トップ側インダクタL3、ボトム側インダクタL4は、出力端子124を構成する金属板の一部であるため、廉価に構成できると共に、機械強度が高く、信頼性が高い。
図1(A)はMOFFET(M)のソース側が接地されている本発明の第1実施形態に係るスイッチング回路の回路例であり、図1(B)はMOFFET(M)のソース側に抵抗性負荷Rが接続されている第1実施形態に係るスイッチング回路の回路例である。 図2(A)はMOFFET(M)のソース側が接地されている第2実施形態に係るスイッチング回路の回路例であり、図2(B)はMOFFET(M)のソース側に誘導性負荷L1が接続されている第2実施形態に係るスイッチング回路の回路例である。 1つのインダクタで構成した第2実施形態の係るスイッチング回路の回路例である。 図4(A)はMOSFET(M1)側がフライホイール回路動作し、MOSFET(M2)が主スイッチとして作用する第3実施形態のスイッチング回路の回路構成であり、図4(B)はMOSFET(M2)側がフライホイール回路動作し、MOSFET(M1)が主スイッチとして作用する第3実施形態のスイッチング回路の回路構成である。 第4実施形態のインバータ回路の回路図 第4実施形態のインバータ回路を流れる電流の説明図 第5実施形態のインバータ回路の回路図 第5実施形態のインバータ回路の回路図であり主スイッチオン動作中の電流方向を示す。 第5実施形態のインバータ回路の回路図であり主スイッチオン動作中の電流方向を示す。 第5実施形態のインバータ回路の回路図であり主スイッチオン動作中の電流方向を示す。 第5実施形態のインバータ回路の回路図であり主スイッチオフ動作中の電流方向を示す。 トップ側、ボトム側のドレイン電流、D-S間電圧、ドレイン損失を示す。 トップ側のドレイン電流、D-S間電圧、ドレイン損失、ノード電圧を示す。 トップ側、ボトム側のドレイン電流、D-S間電圧、ドレイン損失、コンデンサC2電流を示す。 出力電圧波形のFFT解析結果を示す。 電源電流波形のFFT解析結果を示す。 従来技術のインバータ回路と第5実施形態のインバータ回路における立下がり波形を示す。 従来技術のインバータ回路と第5実施形態のインバータ回路における立上がり波形を示す。 第5実施形態のインバータ回路の回生動作を示す回路図 第5実施形態のインバータ回路により構成されるパワーモジュールを示す模式図 第5実施形態の第1改変例に係るインバータの回路図 第5実施形態の第2改変例に係るインバータの回路図 第6実施形態に係るインバータの回路図 第6実施形態に係るインバータのU、V、W相出力電流と、U、V、W相制御信号とを示す。 第6実施形態に係るインバータのU、V、W相出力電流と、U、V、W相制御信号とを示す。 第6実施形態に係るインバータのU、V、W相出力電流と、U、V、W相制御信号とを示す。 従来技術のインバータ回路の回路図 従来技術のインバータ回路で、ボトムスイッチのオン時のトップスイッチ、及び、ボトムスイッチの電圧・電流・損失をシミュレーションした結果を示す。 従来技術のインバータ回路で、ボトムスイッチのオフ時のトップスイッチ、及び、ボトムスイッチの電圧・電流・損失をシミュレーションした結果を示す。
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係るスイッチング回路の回路図である。
図1(A)はMOFFET(M)のソース側が接地されている回路例であり、図1(B)はMOFFET(M)のソース側に抵抗性負荷Rが接続されている回路例である。
 第1実施形態に係るスイッチング回路110は、電源Eから供給される電力を断続して負荷手段(抵抗性負荷)Rを駆動する。スイッチ手段は、片側スイッチングモードのみで駆動されるスイッチング素子(MOSFET)Mから成る。スイッチング回路110は、該スイッチング回路に内蔵されるスイッチ手段Mへ印加される電圧と、当該スイッチ手段Mを流れる電流との間に時間差を設けてスイッチング損失を低減するソフトスイッチング方式である。即ち、スイッチング回路110は、制御回路手段10からのゲート信号で、電流がゼロ(ZCS)のタイミングでスイッチ手段(MOSFET)Mをオンし、電圧がゼロ(ZVS)のタイミングでMOSFET(M)をオフさせる。
 図1(A)に示される第1実施形態のスイッチング回路110は、抵抗性負荷RとMOSFET(M)との間に配設されたインダクタLと、MOSFET(M)と電源E(又は、アース(図1(B))との間に直列に配設された第1ダイオードD1と、第1コンデンサC1と、直列に配設された第1ダイオードD1と第1コンデンサC1に、インダクタLを介して並列に接続された第2ダイオードD2と、第2コンデンサC2と、第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部と、第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部との間に配設された第3ダイオードD3と、を有する。
抵抗性負荷Rの入力端子VBは、電源E、第1コンデンサC1、第2ダイオードD2のカソード側に接続されている。抵抗性負荷Rの出力端子OUTは、インダクタLと第2コンデンサC2との接続部に接続されている。
第1ダイオードD1は、第1コンデンサC1の電荷がMOSFET(M)に短絡するのを防ぐように、第1ダイオードD1のアノード側がMOSFET(M)のドレイン側に接続されている。
第2ダイオードD2は、第2コンデンサC2の電荷を電源Eに還流する。第2ダイオードD2のカソード側が電源E(又は、アース(図1(B))に接続され、アノード側が第2コンデンサC2側に接続されている。
第3ダイオードD3は、インダクタLの短絡を防ぐ。第3ダイオードD3のアノード側は第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部に接続され、カソード側は第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部に接続される。
[スイッチ素子Mのオン動作]
 スイッチ素子Mがオフである時に、インダクタLに左向きの電流が流れている時間は短時間「1usec以下」である。従って、通常スイッチ素子Mがオンする直前のインダクタLの電流はゼロである。
 インダクタLは前回のオフ動作で左側に+の電圧を発生させながら負荷電流を流している。インダクタLからの電流がゼロ(ZCS)のタイミングでスイッチ手段(MOSFET)Mがオンするので、インダクタLの電流は初期値0であるので、所定の立ち上がり時間(時定数)を持って増加して行く。これによってスイッチ素子Mのドレイン電圧が0になった以降にドレイン電流が増加する。
 インダクタLの挙動に着目すると、スイッチ手段Mがオンした瞬間にキャパシタC1-整流手段D3-キャパシタC2-インダクタLの経路で流れる第一の電流と、電源Eから負荷手段Rを介して流れる第二の電流を合計した電流が流れる。第一の電流はキャパシタC1、キャパシタC2の充電に伴って短時間の内に減少するが、インダクタLは、この減少した電流を維持するように作用して右端にマイナス方向の電圧を発生する。従ってOUT端子はGNDレベル以下のマイナス電圧となり、電源Eの電圧とかかるマイナス電圧とをキャパシタC1とキャパシタC2で分圧するように作用する。
 なお、第一のキャパシタ(コンデンサ)C1、第二のキャパシタ(コンデンサ)C2が充電された後、第一のキャパシタC1の下端電圧が0Vとなるように第一のキャパシタC1、第二のキャパシタC2の容量が調整されている。第二のキャパシタC2は、第一のキャパシタC1を、上端電圧を電源電圧に、下端電圧を0Vに設定するための役割を果たす。第一のキャパシタC1の下端電圧が0Vとなることで、後述するスイッチ素子MのZVSが実現される。
[スイッチ素子Mのオフ動作]
 上述したオン動作によって、第一のキャパシタ(コンデンサ)C1は電源Eの電圧と略等しい電圧に充電されている。スイッチ素子Mがオフする直前にインダクタLには負荷電流が流れており、該スイッチ素子MがオフしてインダクタLの電流が減少しようとすると、インダクタLはそれ以前の電流値を保持しようとして左端にプラス方向の電圧を生じる必要がある。しかし、前述のキャパシタC1の下端が0Vとなっているので、かかるプラス方向の電圧は発生することなく、インダクタLの左端の電圧は0Vのままで、整流手段D1を介してキャパシタC1へ電流が流れC1を逆方向に充電しながらスイッチ素子Mのドレイン電圧が上昇していく。この電圧はスイッチ素子Mのドレイン電圧であって、かかる電圧の上昇時間よりもスイッチ素子Mの遮断時間の方が早い為、スイッチ素子MのZVS動作が実現される。
 スイッチ素子MがZVSでオフするとドレイン電流は0Aになるが、ドレイン電圧は、第一のキャパシタC1の下端の電圧と略等しい0Vからスタートし、電源側に回生電流を流しながら第一のキャパシタC1が放電する。第一のキャパシタC1が完全に放電すると、インダクタLの電流は、第一の整流手段(ダイオード)D1、第三の整流手段D3、第二の整流手段D2を介して短時間だけ電源Eに還流する。
 負荷手段Rによって、OUT端子が電源Eの電圧となっている状態の時に、第二のキャパシタC2を放電し、第二のキャパシタC2の充電電圧を0Vにする作用をし、これによって、次回のスイッチ素子Mがオンした際に、第一のキャパシタC1の下端が0Vになる動作をさせることができる。仮に、第二の整流手段D2が無い場合、第二のキャパシタC2は上端がプラスに充電されたままとなるので、スイッチ素子Mがオンしても、第一のキャパシタC1-第三の整流手段D3-第二のキャパシタC2の経路で電流を流すことができない。
 第1実施形態のスイッチング回路では、スイッチ手段MをZCSでオンさせるために用いられたインダクタLのエネルギーが、スイッチ手段Mのオン中に第一のキャパシタC1に蓄えられる。そして、第一のキャパシタC1のエネルギー(電圧)で、スイッチ手段MをZVSでオフし、スイッチ手段Mのオフ中に、第一のキャパシタC1のエネルギーを電源側に還流させ、第一のキャパシタC1を完全に放電させる。従来のZCS、ZVSのインバータ回路では、ZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーはそのまま消費していたのに対して、第1実施形態のスイッチング回路ではZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーを電源側に還流するため、高い効率を発揮することができる。
[第2実施形態]
図2は、第2実施形態に係るスイッチング回路の回路図である。
図2(A)はMOFFET(M)のソース側が接地されている回路例であり、図2(B)はMOFFET(M)のソース側に誘導性負荷L1が接続されている回路例である。
 第2実施形態に係るスイッチング回路110は、電源Eから供給される電力を断続して誘導性負荷L1を駆動する。
 スイッチング回路110は、該スイッチング回路に内蔵されるスイッチ手段(MOSFET)Mへ印加される電圧と、当該MOSFET(M)を流れる電流との間に時間差を設けてスイッチング損失を低減するソフトスイッチング方式である。即ち、スイッチング回路110は、制御回路手段10からのゲート信号で、電流がゼロ(ZCS)のタイミングでスイッチ手段(MOSFET)Mをオンし、電圧がゼロ(ZVS)のタイミングでMOSFET(M)をオフさせる。
 図2(A)に示される第2実施形態のスイッチング回路110は、誘導性負荷L1とMOSFET(M)との間に配設されたインダクタL4と、MOSFET(M)と電源E(又はアース(図2(B))との間に直列に配設された第1ダイオードD1と、第1コンデンサC1と、直列に配設された第1ダイオードD1と第1コンデンサC1に、インダクタL3、L4を介して並列に接続された第2ダイオードD2と、第2コンデンサC2と、第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部と、第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部との間に配設された第3ダイオードD3と、フライホイール電流を流すための整流素子(フライホイールダイオード)DFと、を有する。
誘導性負荷L1の入力端子VBは、電源E、第1コンデンサC1、第2ダイオードD2のカソード側に接続されている。誘導性負荷L1の出力端子OUTは、インダクタL3、インダクタL4との接続部に接続されている。
 第1ダイオードD1は、第1コンデンサC1の電荷がMOSFET(M)に短絡するのを防ぐように、第1ダイオードD1のアノード側がMOSFET(M)のドレイン側に接続されている。第2ダイオードD2は、第2コンデンサC2の電荷を電源Eに還流する。第2ダイオードD2のカソード側が電源Eに接続され、アノード側が第2コンデンサC2側に接続されている。第3ダイオードD3は、インダクタL3、インダクタL4の短絡を防ぐ。第3ダイオードD3のアノード側は第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部に接続され、カソード側は第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部に接続される。フライホイールダイオードDFは、アノード側がインダクタL3に直列に接続され、カソード側が電源又はアース、誘導性負荷L1の入力端子VBに接続される。
 2分割されたインダクタL3、インダクタL4の接続点に誘導性負荷L1の出力端子OUTが接続され、誘導性負荷L1の入力端子VBが電源Eに接続される。図2(B)の回路例では、誘導性負荷L1の接地端子GNDがアースに接続される。
[スイッチオン動作]
 フライホイールダイオードDFはフライホイール回路動作をするものとする。MOSFET(M)がオフである時に、誘導性負荷L1の電流は減少しているので、誘導性負荷L1は電流を維持する為に下側に+の電圧を発生ながら負荷電流が流れている。
 前述の電流の方向と値はフライホイールダイオードDFの順方向に流れながら維持されている。続いてMOSFET(M)がオンするので、フライホイールダイオードDFに逆回復電流が流れて、インダクタL3の電流は急速に反転するとともに、インダクタL4の電流は初期値が0であるので所定の立ち上がり時間(時定数を持って増加していく→これによってMOSFET(M)のドレイン電圧が0Vになった以降にドレイン電流が増加することになってMOSFET(M)のオン遷移時におけるZCS動作が実現される。また、フライホイールダイオードDF側リカバリ電流(エネルギー)は電流となってインダクタL3及びインダクタL4へ蓄積されて次項以降の動作で電源へ回生されるので電力変換効率が向上できる。
 インダクタL3の挙動に着目して、インダクタL3はMOSFET(M)のオン動作時にフライホイールダイオードDFの大きなリカバリ電流が流れるが、リカバリ電流の消滅に伴って急激に電流が減少する。すると、インダクタL3はそれまでの電流を維持する為に上部がマイナスとなる極性で大きな電圧を発生する。これによって、コンデンサC2とコンデンサC1はそれぞれダイオードD1、ダイオードD3を介してコンデンサC2の左がプラス、コンデンサC1の上部がプラスに充電されて、先のリカバリエネルギーは両コンデンサに蓄積される。このようにしてインダクタL3の上部には大きなマイナスサージ電圧が発生するが、この電圧がフライホイールダイオードDFの耐圧を超えない為には、コンデンサC1とコンデンサC2の容量設定が重要になる。
 尚、コンデンサC1とコンデンサC2が充電された後のコンデンサC1下端電圧は0VとなるようにコンデンサC1とコンデンサC2の比率が設定され、後述のMOSFETのオフ動作時のZVSを実現する。
[主スイッチオフ動作]
 前述のオン時の動作によってコンデンサC1は電源電圧に略等しい電圧Eに充電されている。従ってMOSFET(M)がオフするとドレイン電流は0Aになるが、ドレイン電圧は誘導性負荷L1の電流が減少することによる誘導性負荷L1下端の電圧上昇に伴って、コンデンサC1下端の電圧と略等しい0Vからスタートし、電源側へ回生電流を流しながらコンデンサC1が放電する。この動作中にフライホイールダイオードDFはオフ期間中にあるので コンデンサC1電流がフライホイールダイオードDFとインダクタL3,インダクタL4,ダイオードD1を介して還流することが無く電力損失にならないようにしてある。コンデンサC1が完全に放電すると上記誘導性負荷L1のフライホイール電流はダイオードD1、ダイオードD3、ダイオードD2を介して短時間の間電源へ還流するが直後にインダクタL3の上部の電圧がフライホイールダイオードDFのオン電位に達するから、この後はフライホイールダイオードDFを介して電源へ還流するので上記ダイオードD1、ダイオードD3、ダイオードD2の電力損失は小さく抑えられる。
 図2(A)、図2(B)中に示す分割したインダクタL3,インダクタL4を用いず、一つのインダクタLとした図3に示す回路構成でもZVS/ZCS動作は可能である。
 インダクタL3を排して1つのインダクタLとした場合の図3に示すスイッチング回路の動作の説明が以下になされる。
 誘導性負荷として、DCモータを公知のPWM駆動する際、DCモータのブラシノイズを低減する為、負荷と並列にコンデンサCを挿入する場合が多い。その際、MOSFET(M)がオンしてフライホイール整流手段であるフライホイールダイオードDFのリカバリ電流がインダクタLを流れ、フライホイールダイオードDFのリカバリ電流の原因となっているホットキャリア(正孔)の減少に伴って電流値が減少しようとした際にインダクタLはそれまでの電流を保持しようとして上端にマイナスの電圧を発生し、この電圧がコンデンサC2とコンデンサC1で分圧されて、コンデンサC1の下端電圧をGND電位(0V)にすることによって、その後のMOSFET(M)がオフする際のZVS動作を実現する点は、前述した通りである。しかしながら、負荷と並列のコンデンサCがある場合には、上記マイナスの電圧の発生が抑制されて十分に電圧が下がらないから、コンデンサC1の下端の電圧は0Vにならない。また、この時の電圧はコンデンサCの容量値によって大きく影響を受ける。
 そのため、コンデンサCの容量値に影響を受けず、一定の上記マイナス電圧を発生させるためにはLを図2中に示されるようにL3とL4に分割することが有効になる。
 これによって、上記マイナスの電圧値が安定するから、コンデンサC1の下端の電圧を0Vにすることができるとともに、フライホイールダイオードDFの下端電圧を正確に制御できるから、フライホイールダイオードDFの逆耐圧を超えることが無いといった優れた効果がある。
[第3実施形態]
図4は、第3実施形態に係るスイッチング回路の回路図である。
図4(A)はMOSFET(M1)側がフライホイール回路動作し、MOSFET(M2)が主スイッチとして作用する回路構成である。
図4(B)はMOSFET(M2)側がフライホイール回路動作し、MOSFET(M1)が主スイッチとして作用する回路構成である。
[回路構成]
 第3実施形態に係るスイッチング回路110は、電源Eから供給される電力を断続して誘導性負荷L1を駆動する。
 スイッチング回路110は、該スイッチング回路に内蔵されるスイッチ手段(MOSFET)M2へ印加される電圧と、当該MOSFET(M2)を流れる電流との間に時間差を設けてスイッチング損失を低減するソフトスイッチング方式である。即ち、図4(A)に示される第3実施形態のスイッチング回路110は、制御回路手段10からのゲート信号で、電流がゼロ(ZCS)のタイミングでMOSFET(M2)をオンし、電圧がゼロ(ZVS)のタイミングでMOSFET(M2)をオフさせる。
 図4(A)に示される第3実施形態のスイッチング回路110は、誘導性負荷L1とMOSFET(M2)との間に配設されたインダクタL4と、MOSFET(M2)と電源E(又はアース(図4(B))との間に直列に配設された第1ダイオードD1と、第1コンデンサC1と、直列に配設された第1ダイオードD1と第1コンデンサC1に、インダクタL3、L4を介して並列に接続された第2ダイオードD2と、第2コンデンサC2と、第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部と、第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部との間に配設された第3ダイオードD3と、フライホイール電流を流すためのスイッチング素子(MOSFET(M1))と、を有する。
誘導性負荷L1の入力端子VBは、電源E、第1コンデンサC1、MOSFET(M1)のドレイン側に接続されている(誘導性負荷L1の接地端子GNDはアースに接続されている(図4(B))。誘導性負荷L1の出力端子OUTは、インダクタL3、インダクタL4との接続部に接続されている。
第1ダイオードD1は、第1コンデンサC1の電荷がMOSFET(M2)に短絡するのを防ぐように、第1ダイオードD1のアノード側がMOSFET(M2)のドレイン側に接続されている。
第2ダイオードD2は、第2コンデンサC2の電荷を電源Eに還流する。第2ダイオードD2のカソード側が電源Eに接続され、アノード側が第2コンデンサC2側に接続されている。
第3ダイオードD3は、インダクタL3、インダクタL4の短絡を防ぐ。第3ダイオードD3のアノード側は第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部に接続され、カソード側は第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部に接続される。
MOSFET(M1)は、ソース側がインダクタL3に直列に接続され、ドレイン側が誘導性負荷L1の入力端子VBに接続される。
 2分割されたインダクタL3、インダクタL4の接続点に誘導性負荷L1の出力端子OUTが接続され、誘導性負荷L1の入力端子VBが電源Eに接続される。
[主スイッチオン動作]
 図4(A)に示すように、誘導性負荷L1があってMOSFET(M2)が主スイッチとして作用し、MOSFET(M1)はフライホイール回路動作をするものとする。MOSFET(M2)がオフである時に、誘導性負荷L1の電流は減少しているので、誘導性負荷L1は電流を維持する為に下側に+の電圧を発生ながら負荷電流が流れている。
 次にMOSFET(M1)はデッドタイム分だけ先行してオフになるが、前述の電流の方向と値は維持されている。遅れてMOSFET(M2)がオンするので、MOSFET(M1)にボディダイオード逆回復電流が流れて、インダクタL3の電流は急速に反転するとともに、インダクタL4の電流は初期値が0であるので所定の立ち上がり時間(時定数を持って増加していく→これによってMOSFET(M2)のドレイン電圧が0Vになった以降にドレイン電流が増加することになって主スイッチオン遷移時におけるZCS動作が実現される。また、MOSFET(M1)側スイッチリカバリ電流(エネルギー)は電流となってインダクタL3及びインダクタL4へ蓄積されて次項以降の動作で電源へ回生されるので電力変換効率が向上できる。
 インダクタL3の挙動に着目して、インダクタL3はMOSFET(M2)のオン動作時にMOSFET(M1)の大きなリカバリ電流が流れるが、リカバリ電流の消滅に伴って急激に電流が減少する。すると、インダクタL3 はそれまでの電流を維持する為に上部がマイナスとなる極性で大きな電圧を発生する。これによって、コンデンサC2とコンデンサC1はそれぞれダイオードD1、ダイオードD3を介してコンデンサC2の左がプラス、コンデンサC1の上部がプラスに充電されて、先のリカバリエネルギーは両コンデンサに蓄積される。このようにしてインダクタL3の上部には大きなマイナスサージ電圧が発生するが、この電圧がMOSFET(M1)の耐圧を超えない為には、コンデンサC1とコンデンサC2の容量設定が重要になる。
 尚、コンデンサC1とコンデンサC2が充電された後のコンデンサC1下端電圧は0VとなるようにコンデンサC1とコンデンサC2の比率が設定されて後述のMOSFET(M2)側MOSFETのオフ動作時のZVSを実現する。
[主スイッチオフ動作]
 前述のオン時の動作によってコンデンサC1は電源電圧に略等しい電圧Eに充電されている。従って主スイッチであるMOSFET(M2)側MOSFETがオフするとドレイン電流は0Aになるが、ドレイン電圧は誘導性負荷L1の電流が減少することによる誘導性負荷L1下端の電圧上昇に伴って、コンデンサC1下端の電圧と略等しいので0Vからスタートし、電源側へ回生電流を流しながらコンデンサC1が放電する。この動作中にMOSFET(M1)はデッドタイム期間中にあるので コンデンサC1電流がMOSFET(M1)とインダクタL3,インダクタL4,ダイオードD1を介して還流することが無く電力損失にならないようにしてある。コンデンサC1が完全に放電すると上記誘導性負荷L1のフライホイール電流はダイオードD1、ダイオードD3、ダイオードD2を介して短時間の間電源へ還流するが直後にインダクタL3の上部の電圧がMOSFET(M2)のソース電位に達するから、この後はMOSFET(M1)を介して電源へ還流するので上記ダイオードD1、ダイオードD3)、ダイオードD2の電力損失は小さく抑えられる。
 以上のようにして主スイッチMOSFET(M2)のオフ動作は電流がゼロになってから電圧が立ち上がるZVS動作を実現しスイッチング損失を抑制している。
[第4実施形態]
図5は、第4実施形態に係るインバータ回路の回路図である。
第4実施形態に係るインバータ回路110は、U相コイルLU、V相コイルLV、W相コイルLWを備える3相モータの駆動用である。第4実施形態に係るインバータ回路110は、U相コイルLU駆動用のU層インバータ回路110U、V相コイルLV駆動用のV層インバータ回路110V、W相コイルLW駆動用のW層インバータ回路110Wから成る。U層インバータ回路110U、V層インバータ回路110V、W層インバータ回路110Wは同一の構成から成る。
[回路構成]
 第4実施形態に係るスイッチング回路110のU層インバータ回路110Uは、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60とを有するハーフブリッジインバータと、トップインバータスイッチ50のオン・オフ時に、制御回路手段10からのゲート信号で、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路20Tと、ボトムインバータスイッチ60のオン・オフ時に、制御回路手段10からのゲート信号で、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路20Bと、を備える。
 U層インバータ回路110Uは、更にトップインバータスイッチ50、ボトムインバータスイッチ60のオン遷移時にZCS動作を行う、トップインバータスイッチ50と負荷手段(U相コイルLU)との間に接続されたトップ側インダクタL3と、ボトムインバータスイッチ60とU相コイルLUとの間に接続されると共に、トップ側インダクタL3に接続されるボトム側インダクタL4を備える。
 そして、トップ側補助回路20Tは、トップインバータスイッチ50とアースとの間に直列に配設された第1ダイオードD1と、第1コンデンサC1と、直列に配設された第1ダイオードD1と第1コンデンサC1に、インダクタL3、L4を介して並列に接続された第2ダイオードD2と、第2コンデンサC2と、第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部と、第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部との間に配設された第3ダイオードD3と、を有する。
 そして、ボトム側補助回路20Bは、ボトムインバータスイッチ60と電源Eとの間に直列に配設された第1ダイオードD1と、第1コンデンサC1と、直列に配設された第1ダイオードD1と第1コンデンサC1に、インダクタL3、L4を介して並列に接続された第2ダイオードD2と、第2コンデンサC2と、第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部と、第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部との間に配設された第3ダイオードD3と、を有する。
 2分割されたインダクタL3とインダクタL4との接続部に接続されたU層インバータ回路110Uの出力端子OUTは、誘導性負荷U相コイルLUの一端側に接続され、誘導性負荷U相コイルLUの他端は、誘導性負荷V相コイルLV、誘導性負荷W相コイルLWの他端に接続されている。
 ボトム側補助回路20Bで、第1ダイオードD1は、第1コンデンサC1の電荷がMOSFET(M2)に短絡するのを防ぐように、第1ダイオードD1のアノード側がMOSFET(M2)のドレイン側に接続されている。
 第2ダイオードD2は、第2コンデンサC2の電荷を電源Eに還流する。第2ダイオードD2のカソード側が電源Eに接続され、アノード側が第2コンデンサC2側に接続されている。
 第3ダイオードD3は、インダクタL3、インダクタL4の短絡を防ぐ。第3ダイオードD3のアノード側は第1ダイオードD1と第1コンデンサC1の接続部に接続され、カソード側は第2コンデンサC2と第2ダイオードD2との接続部に接続される。
 MOSFET(M1)は、ソース側がインダクタL3に直列に接続され、ドレイン側が電源Eに接続される。
回路動作
[電流方向検出回路]
 図5中の電流方向検出回路70が電流方向を検出する。電流方向検出回路70は、MOSFET(M2)がオンになったタイミングで出力端子のレベルに応じて、負荷電流が流れ出し方向か或いはインバータ回路への流れ込み方向なのかを判別する。誘導性負荷(U相コイル)LUの電流方向は図示右方向のときは、誘導性負荷LUはこの方向の電流が減少するのを阻止する為に誘導性負荷LU左側の電圧レベルが“ L ”となる。この場合は、トップスイッチ側MOSFET(M1)が主スイッチとなりボトムスイッチ側MOSFET(M2)はフライホイールスイッチとなる。従ってボトムスイッチZCS/ZVS回路20Bは不要であるので、スイッチSW1をオフにして回路素子を遮断してある(ボトムスイッチZCS/ZVS回路20BとトップスイッチZCS/ZVS回路20Tが同時に接続されていると意図しない回路動作となって損失が増加する) 。
 同様に誘導性負荷LUの電流方向が左方向の場合にはトップ側スイッチのZCS/ZVS回路20TがスイッチSW2をオフで遮断される。
 第4実施形態のインバータ回路でスイッチSW1、SW2が必要となる理由
 図6中に示すように負荷電流の方向が誘導性負荷LUを左方向に流れる場合、トップスイッチ側MOSFET(M1)がフライホイールスイッチ、ボトムスイッチ側MOSFET(M2)が主スイッチなる。この時、ボトムスイッチ側MOSFET(M2)がオンするとインダクタL3の上端にマイナス電圧を発生し、下端にプラス電圧を発生する。しかし、トップスイッチZCS/ZVS回路が接続されていると図6中に示す方向の電流が流れて、インダクタL3の上端はマイナス電圧にならない。従って負荷電流方向に応じて、SW1又はSW2を制御して、フライホイール側のZCS/ZVS回路を遮断しておく必要がある。
[主スイッチオン動作]
 図5に示すように、誘導性負荷LUがあってMOSFET(M2)がスイッチSW1のオンで主スイッチとして作用し、MOSFET(M1)はスイッチSW2をオフでフライホイール回路動作をするものとする。MOSFET(M2)がオフである時に、誘導性負荷LUの電流は減少しているので、誘導性負荷LUは電流を維持する為に左側に+の電圧を発生ながら負荷電流が流れている。
 次にMOSFET(M1)はデッドタイム分だけ先行してオフになるが、前述の電流の方向と値は維持されている。遅れてMOSFET(M2)がオンするので、MOSFET(M1)にボディダイオード逆回復電流が流れて、インダクタL3の電流は急速に反転するとともに、インダクタL4の電流は初期値が0であるので所定の立ち上がり時間(時定数を持って増加していく→これによってMOSFET(M2)のドレイン電圧が0Vになった以降にドレイン電流が増加することになって主スイッチオン遷移時におけるZCS動作が実現される。また、MOSFET(M1)側スイッチリカバリ電流(エネルギー)は電流となってインダクタL3及びインダクタL4へ蓄積されて次項以降の動作で電源へ回生されるので電力変換効率が向上できる。
 インダクタL3の挙動に着目して、インダクタL3はMOSFET(M2)のオン動作時にMOSFET(M1)の大きなリカバリ電流が流れるが、リカバリ電流の消滅に伴って急激に電流が減少する。すると、インダクタL3 はそれまでの電流を維持する為に上部がマイナスとなる極性で大きな電圧を発生する。これによって、コンデンサC2とコンデンサC1はそれぞれダイオードD1、ダイオードD3を介してコンデンサC2の左がプラス、コンデンサC1の上部がプラスに充電されて、先のリカバリエネルギーは両コンデンサに蓄積される。このようにしてインダクタL3の上部には大きなマイナスサージ電圧が発生するが、この電圧がMOSFET(M1)の耐圧を超えない為には、コンデンサC1とコンデンサC2の容量設定が重要になる。
 尚、コンデンサC1とコンデンサC2が充電された後のコンデンサC1下端電圧は0VとなるようにコンデンサC1とコンデンサC2の比率が設定されて後述のMOSFET(M2)側MOSFETのオフ動作時のZVSを実現する。
[主スイッチオフ動作]
 前述のオン時の動作によってコンデンサC1は電源電圧に略等しい電圧Eに充電されている。従って主スイッチであるMOSFET(M2)側MOSFETがオフするとドレイン電流は0Aになるが、ドレイン電圧は誘導性負荷LUの電流が減少することによる誘導性負荷LU左端の電圧上昇に伴って、コンデンサC1下端の電圧と略等しいので0Vからスタートし、電源側へ回生電流を流しながらコンデンサC1が放電する。この動作中にMOSFET(M1)はデッドタイム期間中にあるので コンデンサC1電流がMOSFET(M1)とインダクタL3,インダクタL4,ダイオードD1を介して還流することが無く電力損失にならないようにしてある。コンデンサC1が完全に放電すると上記誘導性負荷LUのフライホイール電流はダイオードD1、ダイオードD3、ダイオードD2を介して短時間の間電源へ還流するが直後にインダクタL3の上部の電圧がMOSFET(M2)のソース電位に達するから、この後はMOSFET(M1)を介して電源へ還流するので上記ダイオードD1、ダイオードD3、ダイオードD2の電力損失は小さく抑えられる。
 以上のようにして主スイッチMOSFET(M2)のオフ動作は電流がゼロになってから電圧が立ち上がるZVS動作を実現しスイッチング損失を抑制している。
[第5実施形態]
図7は、第5実施形態に係るインバータ回路の回路図である。
第5実施形態に係るインバータ回路は、第4実施形態と同様にU相コイルL1、図示されないV相コイル、W相コイルを備える3相モータの駆動用である。図7中には、第5実施形態に係るU相コイルL1駆動用のU層インバータ回路110のみを示すが、他のV層インバータ回路、W層インバータ回路は同一の構成から成る。
[回路構成]
 第5実施形態に係るスイッチング回路のU層インバータ回路110は、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60とを有するハーフブリッジインバータと、トップインバータスイッチ50のオン・オフ時に、制御回路手段A1、A2からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路20Tと、ボトムインバータスイッチ60のオン・オフ時に、制御回路手段A1、A2からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路20Bと、を備える。
 U層インバータ回路110は、更にトップインバータスイッチ50、ボトムインバータスイッチ60のオン遷移時にZCS動作を行う、トップインバータスイッチ50と負荷手段(U相コイルL1)との間に接続されたトップ側インダクタL3と、ボトムインバータスイッチ60とU相コイルL1との間に接続されると共に、トップ側インダクタL3に接続されるボトム側インダクタL4を備える。
 そして、トップ側補助回路20Tは、トップインバータスイッチ50とアースとの間に直列に配設された第1ダイオードD1(D1c,D1d)と、第1コンデンサC1cと、直列に配設された第1ダイオードD1(D1c,D1d)と第1コンデンサC1cに、インダクタL3、L4を介して並列に接続された第2ダイオードD2(D2c,D2d)と、第2コンデンサC2cと、第1ダイオードD1(D1c,D1d)と第1コンデンサC1cの接続部と、第2コンデンサC2cと第2ダイオードD2(D2c,D2d)との接続部との間に配設された第3ダイオードD3(D3c,D3d)と、を有する。
 そして、ボトム側補助回路20Bは、ボトムインバータスイッチ60と電源Eとの間に直列に配設された第1ダイオードD1(D1a,D1b)と、第1コンデンサC1と、直列に配設された第1ダイオードD1(D1a,D1b)と第1コンデンサC1に、インダクタL3、L4を介して並列に接続された第2ダイオードD2(D2a,D2b)と、第2コンデンサC2と、第1ダイオードD1(D1a,D1b)と第1コンデンサC1の接続部と、第2コンデンサC2と第2ダイオードD2(D2a,D2b)との接続部との間に配設された第3ダイオードD3(D3a,D13)と、を有する。ボトム側補助回路20Bは、更に、電圧の変動を抑える抵抗R5,コンデンサC6を備える。
 2分割されたインダクタL3とインダクタL4との接続部に誘導性負荷U相コイルL1の一端側が接続され、誘導性負荷U相コイルL1の他端は、電源に接続されている。抵抗R3は、誘導性負荷U相コイルL1中の抵抗分を表している。
 ボトム側補助回路20Bで、第1ダイオードD1(D1a,D1b)は、第1コンデンサC1の電荷がMOSFET(M2)に短絡するのを防ぐように、第1ダイオードD1(D1a,D1b)のアノード側がMOSFET(M2)のドレイン側に接続されている。
 第2ダイオードD2(D2a,D2b)は、第2コンデンサC2の電荷を電源Eに還流する。第2ダイオードD2(D2a,D2b)のカソード側が電源Eに接続され、アノード側が第2コンデンサC2側に接続されている。
 第3ダイオードD3(D3a,D3b)は、インダクタL3、インダクタL4の短絡を防ぐ。第3ダイオードD3(D3a,D3b)のアノード側は第1ダイオードD1(D1a,D1b)と第1コンデンサC1の接続部に接続され、カソード側は第2コンデンサC2と第2ダイオードD2(D2a,D2b)との接続部に接続される。
 MOSFET(M1)は、ソース側がインダクタL3に直列に接続され、ドレイン側が電源Eに接続される。
回路動作
[電流方向検出回路]
 図7中の電流方向検出回路70が電流方向を検出する。電流方向検出回路70は、ボトムスイッチ60がオンになったタイミングで出力端子のレベルに応じて、負荷電流が流れ出し方向か或いはインバータ回路への流れ込み方向なのかを判別する。具体的には、フリップフロップA3のクロック端子CLKはボトムスイッチ60側のMOSFETのゲートドライバーの入力信号であって、クロックの立ち上がり(ボトムMOSFETのオンタイミング)においてデータ端子Dと接続した出力端子が“ L ”であった場合には誘導性負荷L1の電流方向は図示右方向となり、誘導性負荷L1はこの方向の電流が減少するのを阻止する為に誘導性負荷L1左側の電圧レベルが“ L ”となる。この場合は、トップスイッチ側MOSFETが主スイッチとなりボトムスイッチ側MOSFETはフライホイールスイッチとなる。従ってボトムスイッチZCS/ZVS回路20Bは不要であるので、MOSFETM4をオフにして回路素子を遮断してある。(ボトムスイッチZCS/ZVS回路20BとトップスイッチZCS/ZVS回路2OTが同時に接続されていると意図しない回路動作となって損失が増加する)。即ち、第4実施形態のインバータ回路と同様な理由で、第5実施形態のインバータ回路は電流方向検出回路70を必要とする。
 同様に誘導性負荷L1の電流方向が左方向の場合にはトップ側スイッチのZCS/ZVS回路20Tが遮断される。
[主スイッチオン動作]
 図8に示すように、誘導性負荷L1が電源側にあってボトムスイッチ60が主スイッチとして作用し、トップスイッチ50はフライホイール回路動作をするものとする。ボトムスイッチ側MOSFETがオフである時に、誘導性負荷L1の電流は減少しているので、誘導性負荷L1は電流を維持する為に左側に+の電圧を発生ながら負荷電流が流れている。
 次に図9と図12を参照して、トップスイッチ側MOSFETはデッドタイム分だけ先行してオフになるが、前述の電流の方向と値は維持されている。遅れてボトムスイッチ側MOSFETがオンするので、トップ側リカバリ対策ダイオードD5と各MOSFETのボディダイオード逆回復電流が流れて、インダクタL3の電流は急速に反転するとともに、インダクタL4の電流は初期値が0であるので所定の立ち上がり時間(時定数を持って増加していく→これによってボトムスイッチ側MOSFETのドレイン電圧が0Vになった以降にドレイン電流が増加することになって主スイッチオン遷移時におけるZCS動作が実現される。また、トップ側スイッチリカバリ電流(エネルギー)は電流となってインダクタL3及びインダクタL4へ蓄積されて次項以降の動作で電源へ回生されるので電力変換効率が向上できる。
 インダクタL3の挙動に着目して、図12、図13中に示されるようにインダクタL3はボトムスイッチ側MOSFETのオン動作時にトップ側スイッチの大きなリカバリ電流が流れるが、リカバリ電流の消滅に伴って急激に電流が減少する。すると、インダクタL3 はそれまでの電流を維持する為に上部(ノード n012)がマイナスとなる極性で大きな電圧を発生する(図10、図12)。これによって、コンデンサC2とコンデンサC1はそれぞれダイオードD1(D1a,D1b)、ダイオードD3(D3a,D3b)を介してコンデンサC2の左がプラス、コンデンサC1の上部がプラスに充電されて、先のリカバリエネルギーは両コンデンサに蓄積される。このようにして図13中に示されるようにノードn012には約70V大きなマイナスサージ電圧が発生するが、この電圧がトップ側スイッチの耐圧を超えない為には、コンデンサC1とコンデンサC2の容量設定が重要になる。
尚、コンデンサC1とコンデンサC2が充電された後のコンデンサC1下端電圧は0VとなるようにコンデンサC1とコンデンサC2の比率が設定されて後述のボトムスイッチ側MOSFETのオフ動作時のZVSを実現する。
電源電圧を48Vとし、トップ側スイッチの耐圧を(48V+70V≒120V)とした場合の関係式は以下となる。
(48V+70V) × C1/(C1+C2) = 48V
[主スイッチオフ動作]
 前述のオン時の動作によってコンデンサC1は電源電圧に略等しい48Vに充電されている。従って主スイッチであるボトムスイッチ側MOSFETがオフするとドレイン電流は0Aになるが、ドレイン電圧は誘導性負荷L1の電流が減少することによる誘導性負荷L1左端の電圧上昇に伴って、コンデンサC1下端の電圧と略等しいので0Vからスタートし、電源側へ回生電流を流しながらコンデンサC1が放電する。この動作中にトップ側スイッチはデッドタイム期間中にあるので コンデンサC1電流がトップスイッチ側MOSFETとインダクタL3,インダクタL4,ダイオードD1(D1a,D1b)を介して還流することが無く電力損失にならないようにしてある。コンデンサC1が完全に放電すると上記誘導性負荷L1のフライホイール電流はダイオードD1(D1a,D1b)、ダイオードD3(D3a,D3b)、ダイオードD2(D2a,D2b)を介して短時間の間電源へ還流するが直後にノードn012の電圧がトップスイッチ側MOSFETのソース電位に達するから、この後はトップ側スイッチを介して電源へ還流するので上記ダイオードD1(D1a,D1b)、ダイオードD3(D3a,D3b)、ダイオードD2(D2a,D2b)の電力損失は小さく抑えられる。
 以上のようにして図14に示す如く主スイッチのオフ動作は電流がゼロになってから電圧が立ち上がるZVS動作を実現しスイッチング損失を抑制している。図14中のコンデンサC2の電流の盛り上がり部分C2upは電源側に回生される電流を示している。
 以上の各スイッチング動作による損失と、電力変換効率は以下となる。
ボトムスイッチ側MOSFET損失 (1個分) 3.9488 W
ボトム側リカバリ低減ショットキーダイオードD5損失= 15.25u W
トップスイッチ側MOSFET損失 (1個分) 3.7975 W
トップ側リカバリ低減ショットキーダイオードD7損失= 262.54 mW
負荷電力= 3.6925 KW
電源電力= 3.7231KW
効率= 99.178
 結果的に従来技術の高速ハードスイッチング回路として電力損失を63.72%低減可能になった。
(その他参考値)
ZCS/ZVS 回路部品損失
M4=4 54.2mW
D2a=6 99.92mW
D2b=6 99.92mW
D3a=7 90.63mW
D3b=7 90.63mW
D1a=6 89.04mW
D1b=6 89.04mW
L3=1 .3214W
L4=1 .3376W
[出力電圧/入力電流のノイズ解析]
 図15は出力電圧波形のFFT解析結果である。
従来技術のノイズピークの包絡線よりも大幅に第5実施形態のインバータ回路が下がっていることが分かる。
 図16は電源電流波形のFFT解析結果である。
従来技術のノイズピークの包絡線よりも大幅に第5実施形態のインバータ回路が下がっていることが分かる。
[図27に示す従来技術のインバータ回路と第5実施形態のZCS/ZVSにおける立上がり/立下がり波形、電源電流波形の比較]
 図17、図18に従来技術のインバータ回路と第5実施形態のZCS/ZVSの発生するノイズ差の原因を、そのスイッチング波形から表される。
 図17は立下がり波形を示し、上側は出力電圧の立下がりを表し、下側は電源電流の立下がりを表す。上側の出力電圧の立下がりで、従来技術のインバータ回路は急峻に波形が立下がっているのに対して、第5実施形態のZCS/ZVSでは緩やかに立下がっている。下側の電源電流の立下において、従来技術のインバータ回路は短時間に変化するスパーク状のリカバリ電流が発生している。このリカバリ電流は、電力損失となるとともに大きなノイズの原因となる。
 図18は立上がり波形を示し、上側は出力電圧の立上がりを表し、下側は電源電流の立上がりを表す。上側の出力電圧の立上がりで、従来技術のインバータ回路は急峻に波形が立上がっているのに対して、第5実施形態のZCS/ZVSでは緩やかに立上がっている。下側の電源電流の立下において、従来技術のインバータ回路では急峻に波形が立上がっているのに対して、第5実施形態のZCS/ZVSでは緩やかに立上がっている。
 第5実施形態のインバータ回路では、上述したように、主スイッチオン遷移ときにフライホイールスイッチと成る反対側のMOSFETに流れるスイッチリカバリ電流(エネルギー)は電流となってインダクタL3及びインダクタL4へ蓄積され、次のスイッチオフ時の動作で電源へ回生されるので電力変換効率が向上できる。また、スイッチリカバリ電流をインダクタL3及びインダクタL4に蓄えることで抑え、低ノイズ化が実現できる。
 第5実施形態のインバータ回路では、トップスイッチ50のMOSFET及びボトムスイッチ60のMOSFETをZCSでオンさせるために用いられたインダクタL1のエネルギーが、トップスイッチ50のMOSFET及びボトムスイッチ60のMOSFETのオン中にコンデンサC1に蓄えられる。そして、コンデンサC1のエネルギー(電圧)で、トップスイッチ50のMOSFET及びボトムスイッチ60のMOSFETをZVSでオフし、トップスイッチ50のMOSFET及びボトムスイッチ60のMOSFETのオフ中に、コンデンサC1のエネルギーを電源側に還流させ、コンデンサC1を完全に放電させる。従来のZCS、ZVSのインバータ回路では、ZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーはそのまま消費していたのに対して、第5実施形態のインバータ回路ではZCS、ZVS動作の為に使われたエネルギーを電源側に還流するため、高い効率を発揮することができる。
 なお、上述した実施形態では、スイッチング素子としてMOSFETを例示したが、スイッチング素子としてはSiC等種々のパワーエレクトロニクス用スイッチング素子を用いることができる。また、各ダイオードはMOSFETから構成される公知の理想ダイオードデバイスとしても良い。
 図19は、第5実施形態のインバータ回路の回生動作を示す回路図である。
 車載用の3相インバータは、モータ側からの電力を回生して蓄電池を充電する。減速回生動作が必要となる。従来技術のZCS、ZVS式のインバータ回路は、回生動作を行うとき、ZCS、ZVSでのスイッチのオン、オフが適正に行えなくなり、回生時効率が大きく低下した。これに対して、第5実施形態のインバータ回路では、MOSFETのオン時にZCS、オフ時にZVSを行えるため、回生動作においても効率が低下しない。
 図20は、第5実施形態のインバータ回路により構成されるハーフブリッジパワーモジュール210を示す模式図である。パワーモジュール210は、-側入力端子112と、+側入力端子114と、出力端子124とを有する。-側入力端子112には、周辺回路120と、SiC、MOSFET等のボトムインバータスイッチ122が取り付けられている。+側入力端子112には、周辺回路116と、トップインバータスイッチ118が取り付けられている。出力端子124とボトムインバータスイッチ122とは、出力端子と一体に形成されたボトム側インダクタL4を介して接続されている。出力端子124とトップインバータスイッチ118とは、出力端子と一体に形成されたトップ側インダクタL3を介して接続されている。上記部品が基板130上に配置された状態でモールドされ、パワーモジュール210を構成する。
 トップインバータスイッチ118に接続されたトップ側インダクタL3と、ボトムインバータスイッチ122に接続されたボトム側インダクタL4は、出力端子124を構成する金属板の一部であり、延在方向が略直交するように形成された一対の延在片124A、124Bから成る。トップ側インダクタL3は図17中のインダクタL3を構成し、ボトム側インダクタL4はインダクタL4を構成する。両延在片124A、124Bには、延在方向に対して渦巻き状に磁束が発生するが、延在方向が略直交するように形成されているため、磁束が干渉し合わない。延在片124A、124Bは一定幅であり、出力端子124を構成する金属板の両側端124R、124Lから延在している。延在片124A、124Bの長さLnは7.5mmであり、5nHのインダクタンスを持つ。
 第5実施形態のパワーモジュール210のトップ側インダクタL3、ボトム側インダクタL4は、出力端子124を構成する金属板の一部であるため、廉価に構成できると共に、機械強度が高く、信頼性が高い。
[第5実施形態の第1改変例]
図21は、第5実施形態の第1改変例に係るインバータ回路の回路図である。
第5実施形態の第1改変例に係るインバータ回路は、第5実施形態と同様にU相コイルLU、図示されないV相コイル、W相コイルを備える3相モータの駆動用である。
[回路構成]
 第5実施形態の第1改変例に係るスイッチング回路のU層インバータ回路110Uは、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60とを有するハーフブリッジインバータと、トップインバータスイッチ50のオン・オフ時に、制御回路手段10からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路20Tと、ボトムインバータスイッチ60のオン・オフ時に、制御回路手段10からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路20Bと、を備える。
[電流方向検出回路]
 図21中の電流方向検出回路70が電流方向を検出する。電流方向検出回路70は、ボトムスイッチ60がオンになったタイミングで出力端子のレベルに応じて、負荷電流が流れ出し方向か或いはインバータ回路への流れ込み方向なのかを判別する。具体的には、フリップフロップA4のクロック端子CLKはボトムスイッチ60側のMOSFETのゲートドライバーの入力信号であって、クロックの立ち上がり(ボトムMOSFETのオンタイミング)においてデータ端子Dと接続した出力端子が“ L ”であった場合には誘導性負荷LUの電流方向は図示右方向となり、誘導性負荷LUはこの方向の電流が減少するのを阻止する為に誘導性負荷LU左側の電圧レベルが“ L ”となる。この場合は、トップスイッチ側MOSFETが主スイッチとなりボトムスイッチ側MOSFET(60)はフライホイールスイッチとなる。従ってボトムスイッチZCS/ZVS回路20Bは不要であるので、スイッチSW1をオフにして回路素子を遮断してある。(ボトムスイッチZCS/ZVS回路20BとトップスイッチZCS/ZVS回路2OTが同時に接続されていると意図しない回路動作となって損失が増加する)。
 同様に誘導性負荷LUの電流方向が左方向の場合にはトップ側スイッチのZCS/ZVS回路20TがスイッチSW2で遮断される。
[第5実施形態の第2改変例]
図22は、第5実施形態の第2改変例に係るインバータ回路の回路図である。
第5実施形態の第2改変例に係るインバータ回路は、第5実施形態と同様にU相コイルLU、図示されないV相コイル、W相コイルを備える3相モータの駆動用である。
[回路構成]
 第5実施形態の第2改変例に係るインバータ回路のU層インバータ回路110Uは、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60とを有するハーフブリッジインバータと、トップインバータスイッチ50のオン・オフ時に、制御回路手段10からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路20Tと、ボトムインバータスイッチ60のオン・オフ時に、制御回路手段10からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路20Bと、を備える。
[電流方向検出手段]
 図22中の電流方向検出回路70が電流方向を検出する。電流方向検出回路70が、トップ側インダクタL3、ボトム側インダクタL4の接続部CNと、負荷LUとの間に接続される抵抗R22と、抵抗R22の両端に接続され、負荷LU側の電位が接続部CN側の電位よりも低い、即ち、負荷電流が負荷LU側に流れ出し、抵抗R22での電圧降下により負荷LU側の電位が接続部CN側の電位よりも低い際に出力を発生する第1コンパレータCPTと、負荷LU側の電位が接続部CN側の電位よりも高い、即ち、負荷電流がインバータ側に流れ込み、抵抗R22での電圧降下により負荷LU側の電位が接続部CN側の電位よりも高い際に出力を発生する第2コンパレータCPBと、から成る。第1コンパレータCPTの出力(H=オン)によりスイッチSW2がオンし、トップ側補助回路20Tを動作可能とし、第2コンパレータCPBのオフにより、スイッチSW1がオフし、ボトム側補助回路20Bを動作不能とする。
 第2コンパレータCPBの出力(H=オン)によりスイッチSW1がオンし、ボトム側補助回路20Bを動作可能とし、第1コンパレータCPTのオフにより、スイッチSW2がオフし、トップ側補助回路20Tを動作不能とする。第5実施形態の第2改変例に係るインバータ回路110は、電流負荷がインバータ回路からの流れだし方向か、流れ込み方向かを判断し主スイッチを検出して、主スイッチ側のトップ側補助回路20T又はボトム側補助回路20Bを動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路20T又はボトム側補助回路20Bを動作不能とすることができる。第5実施形態の第2改変例に係るインバータ回路は、検出手段70が、抵抗R22と、第1コンパレータCPTと第2コンパレータCPBと、から成るため、構成が簡易である。
[第6実施形態]
図23は、第6実施形態に係るインバータ回路の回路図である。
第6実施形態のインバータ回路は、第5実施形態と同様にU相コイルLU、図示されないV相コイル、W相コイルを備える3相モータの駆動用である。
[回路構成]
 第6実施形態に係るスイッチング回路のU層インバータ回路110Uは、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60とを有するハーフブリッジインバータと、トップインバータスイッチ50のオン・オフ時に、制御回路手段10からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路20Tと、ボトムインバータスイッチ60のオン・オフ時に、制御回路手段10からの信号で、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路20Bと、を備える。
[制御回路手段]
 制御回路手段10は、10KHz~100KHzの固定されたキャリア周波数の鋸波を発生する鋸波発振器12を備える。制御回路手段10には120°位相の異なるU、V、W相制御信号が入力される。U相制御信号(U相制御入力信号)は、U相出力用コンパレータCPUで鋸波と比較され、U相出力用コンパレータCPUからはU相制御信号の正弦波に即したオン、オフのデューティ変調された矩形波が出力される。U相出力用コンパレータCPUからの矩形波は、遅延手段14Bを介してボトムインバータスイッチ60のオン・オフを行い、ノット回路NT1及び遅延手段14Tを介してトップインバータスイッチ50のオン・オフを行う。遅延手段14B、遅延手段14Tは、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60と間のデッドタイムを設け、トップインバータスイッチ50とボトムインバータスイッチ60が同時にオンに成ることを防ぐ。V相出力用コンパレータCPV、W相出力用コンパレータCPWは上記U相出力用コンパレータCPUと同様な動作を行う。モータのトルクを高める際には、U、V、W相制御信号の正弦波振幅が大きくされ、モータの回転を高める際には、U、V、W相制御信号の周波数が高められる。U、V、W相制御信号の正弦波の周波数はモータの回転速度での50Hz~100Hz程度である。
[比較手段]
 図23中の比較手段80が電流方向を検出する。
 比較手段80が、W相制御入力信号とU相制御入力信号を比較するU相制御用のコンパレータCPU2と、U相制御入力信号とV相制御入力信号を比較するV相制御用のコンパレータCPV2と、V相制御入力信号とW相制御入力信号を比較するW相制御用のコンパレータCPW2と、から成る。
 図24は、U、V、W相出力電流とU、V、W相制御信号とを示す。U、V、W相出力電流はU、V、W相制御信号に対して位相が180°遅れている。U、V、W相出力電流の正弦波のプラス側の振幅はU相コイルLUに流れる出力電流が右方向(負荷電流が負荷LU側に流れ出している)を表し、正弦波のマイナス側の振幅はU相コイルLUに流れる出力電流が左方(負荷電流がインバータ側に流れ込んでいる)を表す。U相制御用のコンパレータCPU2で、W相制御入力信号とU相制御入力信号とが比較され、図中鎖線で挟んだタイミングでW相制御入力信号(2点鎖線)がU相制御入力信号(実線)よりも大きい間、U相出力電流の振幅がプラス側になっている。U相出力電流の振幅がプラス側になる間、U相制御用のコンパレータCPU2からオン信号が出力され、U相110Uの主スイッチ側のトップ側補助回路20TのスイッチSW2Uがオンされ、ノット回路NT2を介してオン信号の反転されたオフ信号がボトム側補助回路20BのスイッチSW1Uがオフされる。一方、U相出力電流の振幅がマイナス側になる間、U相制御用のコンパレータCPU2から出力がオフされ、U相110Uの主スイッチ側のトップ側補助回路20TのスイッチSW2Uがオフされ、ノット回路NT2を介してオフ信号の反転されたオン信号でボトム側補助回路20BのスイッチSW1Uがオンされる。
 図25は、U、V、W相出力電流とU、V、W相制御信号とを示す。V相制御用のコンパレータCPU2で、U相制御入力信号とV相制御入力信号とが比較され、図中鎖線で挟んだタイミングでU相制御入力信号(実線)がV相制御入力信号(一点鎖線)よりも大きい間、V相出力電流の振幅がプラス側になっている。V相出力電流の振幅がプラス側になる間、V相制御用のコンパレータCPV2からオン信号が出力され、V相110Vの主スイッチ側のトップ側補助回路20TのスイッチSW2Vがオンされ、ノット回路NT4を介してオン信号の反転されたオフ信号がボトム側補助回路20BのスイッチSW1Vがオフされる。
 図26は、U、V、W相出力電流とU、V、W相制御信号とを示す。W相制御用のコンパレータCPW2で、V相制御入力信号とW相制御入力信号とが比較され、図中鎖線で挟んだタイミングでV相制御入力信号(一点鎖線)がW相制御入力信号(二点鎖線)よりも大きい間、W相出力電流の振幅がプラス側になっている。W相出力電流の振幅がプラス側になる間、W相制御用のコンパレータCPW2からオン信号が出力され、W相110Wの主スイッチ側のトップ側補助回路20TのスイッチSW2Wがオンされ、ノット回路NT6を介してオン信号の反転されたオフ信号がボトム側補助回路20BのスイッチSW1Wがオフされる。
 第6実施形態のインバータ回路110は、補助回路遮断手段が、U相制御用のコンパレータCPU2の出力に基づき、U相110Uの主スイッチ側のトップ側補助回路20T又はボトム側補助回路20Bを動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とするU相の補助回路遮断手段(スイッチ)SW1U、SW2Uと、V相制御用のコンパレータCP2の出力に基づき、V相110Vの主スイッチ側のトップ側補助回路20T又はボトム側補助回路20Bを動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とするV相の補助回路遮断手段SW1V、SW2Vと、W相制御用のコンパレータCPW2の出力に基づき、W相110Wの主スイッチ側のトップ側補助回路20T又はボトム側補助回路20Bを動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路又はボトム側補助回路を動作不能とするW相の補助回路遮断手段SW1W、SW2Wと、から成る。第6実施形態のインバータ回路は、U相制御入力信号、V相制御入力信号、W相制御入力信号から主スイッチを検出して、主スイッチ側のトップ側補助回路2OT又はボトム側補助回路20Bを動作可能とし、主スイッチでは無い側のトップ側補助回路20T又はボトム側補助回路20Bを動作不能とすることができる。第6実施形態のインバータ回路は、負荷電流を抵抗に流すことなく補助回路を遮断できるので、抵抗損失が無く効率が高い。
 上述した実施形態で、スイッチSW1,SW2,SW1U,SW2U等は半導体スイッチング素子から成る。
 10 制御回路手段
 20T トップ側補助回路
 20B ボトム側補助回路
 50 トップインバータスイッチ
 60 ボトムインバータスイッチ
 C1 第一のキャパシタ
 C2 第二のキャパシタ
 D1 第一の整流手段
 D2 第二の整流手段
 D3 第第3の整流手段
 L インダクタ
 L1 負荷手段
 L3 トップ側インダクタ
 L4 ボトム側インダクタ

Claims (21)

  1. 電源から供給される電力を断続して負荷手段を駆動するスイッチング回路であって、該スイッチング回路に内蔵されるスイッチ手段へ印加される電圧と、当該スイッチ手段を流れる電流との間に時間差を設けてスイッチング損失を低減するソフトスイッチング方式のスイッチング回路において、
    前記負荷手段と前記スイッチ手段との間に配設されたインダクタと、
    前記スイッチ手段と前記電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段と、第一のキャパシタと、
    直列に配設された前記第一の整流手段と前記第一のキャパシタに、前記インダクタを介して並列に接続された第二の整流手段と、第二のキャパシタと、
    前記第一の整流手段と前記第一のキャパシタの接続部と、前記第二のキャパシタと前記第二の整流手段との接続部との間に配設された第三の整流手段と、を有することを特徴とするスイッチング回路。
  2. 請求項1のスイッチング回路であって、
    前記第一の整流手段は、前記第一のキャパシタの電荷が前記スイッチ手段に短絡するのを防ぎ、
    前記第三の整流手段は、前記インダクタの短絡を防ぐ。
  3. 請求項2のスイッチング回路であって、
    前記第二の整流手段は、前記第二のキャパシタの電荷を前記電源に還流する。
  4. 請求項1~請求項3のいずれか1のスイッチング回路であって、
    前記負荷手段は抵抗性負荷であって、
    前記スイッチ手段は、片側スイッチングモードのみで駆動されるスイッチング素子から成る。
  5. 請求項1~請求項3のいずれか1のスイッチング回路であって、
    前記負荷手段は誘導性負荷であって、
    更に、フライホイール電流を流すための整流素子を有する。
  6. 請求項5のスイッチング回路であって、
    前記インダクタは2分割され、分割された接続点に前記誘導性負荷の一方の端が接続され、前記誘導性負荷の他方の端が電源又はアースに接続され、
    2分割された前記インダクタに前記整流素子の一方の端が直列に接続され、前記整流素子の他方の端が電源又はアースに接続される。
  7. 請求項1~請求項3のいずれか1のスイッチング回路であって、
    前記負荷手段は誘導性負荷であって、
    更に、フライホイール電流を流すためのスイッチング素子を有する。
  8. 請求項7のスイッチング回路であって、
    前記インダクタは2分割され、分割された接続点に前記誘導性負荷の一方の端が接続され、前記誘導性負荷の他方の端が電源又はアースに接続され、
    2分割された前記インダクタに前記スイッチング素子の一方の端が直列に接続され、前記スイッチング素子の他方の端が電源又はアースに接続される。
  9. インバータ回路であって、
    トップインバータスイッチとボトムインバータスイッチとを有するハーフブリッジインバータと、
    前記トップインバータスイッチのオン・オフ時に、ZVS/ZCS動作を行うトップ側補助回路と、
    前記ボトムインバータスイッチのオン・オフ時に、ZVS/ZCS動作を行うボトム側補助回路と、
    前記インバータ回路は、更に前記トップインバータスイッチ、前記ボトムインバータスイッチのオン遷移時にZCS動作を行う、前記トップインバータスイッチと負荷手段との間に接続されたトップ側インダクタと、前記ボトムインバータスイッチと負荷手段との間に接続されると共に、前記トップ側インダクタに接続されるボトム側インダクタを備え、
    前記トップ側補助回路は、
    前記トップインバータスイッチと電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段と、第一のキャパシタと、
    直列に配設された前記第一の整流手段と前記第一のキャパシタに、前記トップ側インダクタを介して並列に接続された第二の整流手段と、第二のキャパシタと、
    前記第一の整流手段と前記第一のキャパシタの接続部と、前記第二のキャパシタと前記第二の整流手段との接続部との間に配設された第三の整流手段と、を有することを特徴とするインバータ回路。
  10. 3相インバータである請求項9のインバータ回路
  11. 請求項9又は請求項10のインバータ回路であって、
    前記ボトム側補助回路は、
    前記ボトムインバータスイッチと電源又はアースとの間に直列に配設された第一の整流手段と、第一のキャパシタと、
    直列に配設された前記第一の整流手段と前記第一のキャパシタに、前記ボトム側インダクタを介して並列に接続された第二の整流手段と、第二のキャパシタと、
    前記第一の整流手段と前記第一のキャパシタの接続部と、前記第二のキャパシタと前記第二の整流手段との接続部との間に配設された第三の整流手段と、を有する。
  12. 請求項9~請求項11のいずれか1のインバータ回路であって、
    更に、前記トップインバータスイッチ、前記ボトムインバータスイッチの何れが主スイッチとなるかを検出する検出手段と、主スイッチ側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作可能とし、主スイッチでは無い側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作不能とする補助回路遮断手段とを備える。
  13. 請求項12のインバータ回路であって、
    前記検出手段を構成する入力端子と、前記補助回路遮断手段を制御する出力端子と、を有するフリップフロップを備える。
  14. 請求項12のインバータ回路であって、
    前記検出手段が、
    前記トップ側インダクタ、前記ボトム側インダクタの接続部と、負荷との間に接続される抵抗と、
    前記抵抗の両端に接続され、前記抵抗の負荷側の電位と接続部側の電位とを比較する一対のコンパレータであって、前記負荷側の電位が前記接続部側の電位よりも低い際に出力を発生する第1コンパレータと、前記負荷側の電位が前記接続部側の電位よりも高い際に出力を発生する第2コンパレータと、から成り、
    前記補助回路遮断手段が、
    前記第1コンパレータ、前記第2コンパレータの出力により、主スイッチ側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作可能とし、主スイッチでは無い側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作不能とする第1スイッチと、第2スイッチから成る。
  15. 請求項10のインバータ回路であって、
    U相制御入力信号、V相制御入力信号、W相制御入力信号を比較する比較手段と、
    前記比較手段の比較結果に基づき、主スイッチ側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作可能とし、主スイッチでは無い側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作不能とする補助回路遮断手段と、を備える。
  16. 請求項15のインバータ回路であって、
    前記比較手段は、
    W相制御入力信号とU相制御入力信号を比較するU相制御用のコンパレータと、
    U相制御入力信号とV相制御入力信号を比較するV相制御用のコンパレータと、
    V相制御入力信号とW相制御入力信号を比較するW相制御用のコンパレータと、から成り、
    前記補助回路遮断手段は、
    前記U相制御用のコンパレータの出力に基づき、U相の主スイッチ側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作可能とし、主スイッチでは無い側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作不能とするU相の補助回路遮断手段と、
    前記V相制御用のコンパレータの出力に基づき、V相の主スイッチ側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作可能とし、主スイッチでは無い側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作不能とするV相の補助回路遮断手段と、
    前記W相制御用のコンパレータの出力に基づき、W相の主スイッチ側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作可能とし、主スイッチでは無い側の前記トップ側補助回路又は前記ボトム側補助回路を動作不能とするW相の補助回路遮断手段と、から成る。
  17. 請求項9のインバータ回路を備えて一体となしたパワーモジュール。
  18. 請求項17のパワーモジュールであって、
    前記トップインバータスイッチに接続された前記トップ側インダクタと、前記ボトムインバータスイッチに接続された前記ボトム側インダクタは、出力端子を構成する金属板の一部であり、延在方向が略直交するように形成された一対の延在片から成る。
  19. 請求項18のパワーモジュールであって、
    前記延在片は一定幅であり、前記出力端子を構成する前記金属板の両側端から延在している。
  20. インバータ回路であって、
    トップインバータスイッチとボトムインバータスイッチとを有するハーフブリッジインバータと、
    前記トップインバータスイッチに接続されたトップ側インダクタと、前記ボトムインバータスイッチに接続されたボトム側インダクタとを備え、
    前記トップインバータスイッチに接続された前記トップ側インダクタと、前記ボトムインバータスイッチに接続された前記ボトム側インダクタは、出力端子を構成する金属板の一部であり、延在方向が略直交するように形成された一対の延在片から成る。
  21. 請求項20のインバータ回路であって、
    前記延在片は一定幅であり、前記出力端子を構成する前記金属板の両側端から延在している。
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