WO2023095596A1 - 静電チャック装置 - Google Patents

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WO2023095596A1
WO2023095596A1 PCT/JP2022/041363 JP2022041363W WO2023095596A1 WO 2023095596 A1 WO2023095596 A1 WO 2023095596A1 JP 2022041363 W JP2022041363 W JP 2022041363W WO 2023095596 A1 WO2023095596 A1 WO 2023095596A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrostatic chuck
hole
adhesive layer
porous body
chuck plate
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/041363
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English (en)
French (fr)
Inventor
佳祐 前田
徳人 森下
哲朗 板垣
良樹 吉岡
Original Assignee
住友大阪セメント株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 住友大阪セメント株式会社 filed Critical 住友大阪セメント株式会社
Priority to CN202280056849.3A priority Critical patent/CN117897805A/zh
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Definitions

  • the present invention relates to an electrostatic chuck device.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2021-190892 filed in Japan on November 25, 2021, the content of which is incorporated herein.
  • an electrostatic chuck device that holds semiconductor wafers in a vacuum environment is used.
  • An electrostatic chuck device places a plate-shaped sample such as a semiconductor wafer on a mounting surface, generates an electrostatic force between the plate-shaped sample and an internal electrode, and adsorbs and fixes the plate-shaped sample.
  • the electrostatic chuck device may be provided with a through-hole for supplying gas to the mounting surface in order to cool the mounted wafer (for example, Patent Document 1).
  • An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck device that is excellent in maintainability.
  • a first aspect of the present invention provides the following electrostatic chuck device.
  • An electrostatic chuck device according to a first aspect of the present invention comprises a dielectric substrate provided with a mounting surface on which a sample is mounted; an electrostatic chuck plate having an attraction electrode positioned inside the dielectric substrate; a base supporting the electrostatic chuck plate from the opposite side of the mounting surface, wherein the electrostatic chuck plate is provided with a first through hole for supplying gas to the mounting surface; A porous body that allows the gas to pass through is inserted into the hole, and the inner peripheral surface and the outer peripheral surface of the porous body are bonded to each other between the inner peripheral surface of the first through hole and the outer peripheral surface of the porous body.
  • a first adhesive layer is provided, and the thickness dimension of the first adhesive layer is 0 mm or more and 0.15 mm or less in at least a region from the mounting surface to 0.1 mm.
  • the sample means a sample that can be mounted on the mounting surface of the electrostatic chuck device and electrostatically chucked.
  • the sample may be a wafer, a plate-like sample, or a plate-like plate.
  • the first aspect of the present invention preferably has the features described below. Combinations of two or more of these features are also preferred.
  • a second adhesive layer is provided between the electrostatic chuck plate and the base for bonding the electrostatic chuck plate and the base, and the first adhesive layer is provided between the electrostatic chuck plate and the base. and the second adhesive layer are preferably separated from each other.
  • the base is provided with a second through hole connected to the first through hole, a tubular insulator is inserted into the second through hole, and the insulator It is preferable to set it as the structure which contacts an electrostatic chuck plate.
  • a second adhesive layer is provided between the electrostatic chuck plate and the base for bonding the electrostatic chuck plate and the base.
  • the base is provided with a second through hole connected to the first through hole, a cylindrical insulator is inserted into the second through hole, and the second through hole is provided with a large-diameter portion that increases the diameter of the opening on the side of the electrostatic chuck plate, and a portion of the separation suppressing portion is disposed between the large-diameter portion and the outer peripheral surface of the insulator. , is preferred.
  • the first adhesive layer is hidden by the porous body in plan view of the mounting surface.
  • the first through-hole is provided with a tapered surface that decreases in diameter with distance from the mounting surface in the depth direction.
  • the arrangement is such that opposing conical surfaces are provided.
  • the base is provided with a second through hole connected to the first through hole, a cylindrical insulator is inserted into the second through hole, and the static insulator of the insulator is inserted into the second through hole.
  • a concave groove is provided on the end face on the side of the electric chuck plate, and a part of the first adhesive layer extends to the inside of the concave groove.
  • an electrostatic chuck device with excellent maintainability is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an electrostatic chuck device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device according to Modification 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device according to Modification 2 of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device according to Modification 3 of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device according to Modification 4 of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an electrostatic chuck device 1 of this embodiment.
  • the electrostatic chuck device 1 includes an electrostatic chuck plate 2 having a mounting surface 2s on which a wafer (sample) W is mounted, a base 3 supporting the electrostatic chuck plate 2 from the opposite side of the mounting surface 2s, and a static and a power supply terminal 16 for applying voltage to the electric chuck plate 2 .
  • a focus ring surrounding the wafer W may be arranged on the outer periphery of the upper surface of the electrostatic chuck plate 2 .
  • the shape, size and material of the wafer W can be selected arbitrarily, it is preferably a circular plate, for example.
  • the electrostatic chuck plate 2 has a dielectric substrate 11 and an attraction electrode 13 positioned inside the dielectric substrate 11 .
  • the electrostatic chuck plate 2 attracts the wafer W on a mounting surface 2 s provided on the dielectric substrate 11 .
  • each part of the electrostatic chuck device 1 will be described with the side of the electrostatic chuck plate 2 on which the wafer W is mounted as the upper side, and the base 3 side as the lower side. That is, the thickness direction of the electrostatic chuck plate 2 is the vertical direction. It should be noted that the vertical direction here is used only for the sake of simplification of explanation, and does not limit the posture of the electrostatic chuck device 1 during use.
  • the dielectric substrate 11 is made of a composite sintered body having sufficient mechanical strength and durability against corrosive gas and its plasma.
  • ceramics having mechanical strength and durability against corrosive gas and its plasma is preferably used.
  • ceramics constituting the dielectric substrate 11 include aluminum oxide (Al 2 O 3 ) sintered bodies, aluminum nitride (AlN) sintered bodies, and aluminum oxide (Al 2 O 3 )-silicon carbide (SiC) composite sintered bodies. Binds and the like are preferably used.
  • the material constituting the dielectric substrate 11 is aluminum oxide (Al 2 O 3 )-silicon carbide (SiC) composite sintered body. preferable.
  • the dielectric substrate 11 has a circular plate shape in a plan view.
  • the dielectric substrate 11 has a mounting surface 2s on which the wafer W is mounted, and a back surface 2p facing the opposite side of the mounting surface 2s.
  • a plurality of protrusions may be formed at predetermined intervals on the mounting surface 2s.
  • the mounting surface 2s supports the wafer W at the tips of the plurality of protrusions.
  • the attraction electrode 13 is arranged inside the dielectric substrate 11 .
  • the attraction electrode 13 extends like a plate along the mounting surface 2 s of the dielectric substrate 11 .
  • an electrostatic attraction force is generated to hold the wafer W on the mounting surface 2 s of the dielectric substrate 11 .
  • the adsorption electrode 13 is composed of a composite of an insulating substance and a conductive substance.
  • the insulating substance contained in the adsorption electrode 13 is not particularly limited . O 3 ), yttrium-aluminum-garnet (YAG) and SmAlO 3 .
  • Conductive substances contained in the adsorption electrode 13 include molybdenum carbide (Mo 2 C), molybdenum (Mo), tungsten carbide (WC), tungsten (W), tantalum carbide (TaC), tantalum (Ta), silicon carbide (SiC ), carbon black, carbon nanotubes and carbon nanofibers.
  • a power supply terminal 16 for applying a DC voltage to the attraction electrode 13 is connected to the attraction electrode 13 .
  • the power supply terminal 16 extends downward from the attraction electrode 13 .
  • the power supply terminal 16 is inserted inside a terminal through-hole 17 that passes through the base 3 and a part of the dielectric substrate 11 in the thickness direction.
  • a terminal insulator 23 having insulating properties is provided on the outer peripheral side of the power supply terminal 16 .
  • the terminal insulator 23 insulates the metal base 3 and the power supply terminal 16 .
  • the power supply terminal 16 is connected to an external power supply 21 .
  • a power supply 21 applies a voltage to the adsorption electrode 13 .
  • the number, shape, etc. of the power supply terminals 16 are determined according to the form of the attraction electrode 13, that is, whether it is a monopolar type or a bipolar type.
  • the base 3 supports the electrostatic chuck plate 2 from below.
  • the base 3 has a support surface 3a facing upward and a lower surface 3b facing away from the support surface 3a.
  • the support surface 3a faces the rear surface 2p of the dielectric substrate 11 in the vertical direction.
  • the support surface 3a contacts the back surface 2p. That is, the base 3 supports the back surface 2p of the dielectric substrate 11 on the supporting surface 3a.
  • the base 3 is a disc-shaped metal member in plan view.
  • the material constituting the base 3 is not particularly limited as long as it is a metal having excellent thermal conductivity, electrical conductivity and workability, or a composite material containing these metals. Alloys such as aluminum (Al), copper (Cu), stainless steel (SUS), and titanium (Ti) are preferably used as materials for the base 3 .
  • the material forming the base 3 is preferably an aluminum alloy from the viewpoint of thermal conductivity, electrical conductivity, and workability.
  • At least the surface of the base 3 exposed to plasma is preferably alumite-treated or resin-coated with a polyimide resin. Further, it is more preferable that the entire surface of the base 3 is alumite-treated or resin-coated as described above.
  • the frame of the base 3 also functions as an internal electrode for plasma generation.
  • the frame of the base 3 is connected to an external high-frequency power supply 22 via a matching device (not shown).
  • the base 3 is fixed to the electrostatic chuck plate 2 with an adhesive. That is, a second adhesive layer 55 is provided between the electrostatic chuck plate 2 and the base 3 to bond the electrostatic chuck plate 2 and the base 3 together.
  • the second adhesive layer 55 is interposed between the back surface 2p of the electrostatic chuck plate 2 and the supporting surface 3a of the base 3 to bond the electrostatic chuck plate 2 and the base 3 together.
  • a heater for heating the electrostatic chuck plate 2 may be embedded inside the second adhesive layer 55 .
  • the adhesive used for the second adhesive layer 55 can be arbitrarily selected, but an adhesive equivalent to the adhesive used for the first adhesive layer 50 described later can be used. That is, the adhesive of the second adhesive layer 55 preferably has heat resistance in the temperature range of -20°C to 150°C.
  • adhesives consisting of only at least one of the group consisting of acrylic resins, silicon-based resins, epoxy-based resins, etc., or adhesives containing at least one of these resins are suitable.
  • the adhesive used for the first adhesive layer 50 and the adhesive used for the second adhesive layer 55 may be the same or different.
  • the electrostatic chuck plate 2, the base 3, and the second adhesive layer 55 are provided with a plurality of gas introduction holes 30 vertically penetrating them.
  • the gas introduction hole 30 opens to the mounting surface 2s.
  • the gas introduction hole 30 is connected to a gas supply device (not shown).
  • the gas introduction hole 30 is provided to supply a cooling gas G such as helium (He) to the wafer W placed on the electrostatic chuck plate 2 .
  • the gas introduction hole 30 has a first through hole 31 that penetrates the electrostatic chuck plate 2 and a second through hole 32 that penetrates the base 3 . That is, the electrostatic chuck plate 2 is provided with a first through hole 31 and the base 3 is provided with a second through hole 32 . The central axes of the first through hole 31 and the second through hole 32 are aligned with each other. The first through hole 31 and the second through hole 32 communicate with each other.
  • the first through hole 31 penetrates the dielectric substrate 11 of the electrostatic chuck plate 2 in the thickness direction. Further, the attracting electrode 13 of the electrostatic chuck plate 2 is provided with a retraction hole 13 h surrounding the first through hole 31 . A portion of the dielectric substrate 11 is arranged inside the evacuation hole 13h. Therefore, the attraction electrode 13 is not exposed from the inner peripheral surface of the first through hole 31 .
  • a porous body 40 is inserted into the first through hole 31 .
  • the first through hole 31 is circular in plan view. Also, the first through hole 31 extends vertically with a uniform cross-sectional shape. Therefore, the porous body 40 has a columnar shape extending in the vertical direction.
  • the porous body 40 is composed of an insulating material.
  • the porous body 40 is made of, for example, a sprayed film or porous ceramics.
  • a large number of pores are provided inside the porous body 40 .
  • a large number of pores inside the porous body 40 are connected to each other. Therefore, the porous body 40 can pass the gas G inside the first through holes 31 .
  • the first through hole 31 is closed by the porous body 40 .
  • the porous body 40 is made of an insulating material, it restricts the gas introduction hole 30 from becoming an electric charge path, thereby suppressing the occurrence of abnormal discharge in the electrostatic chuck device 1 .
  • the highly reliable electrostatic chuck device 1 can be provided.
  • the thickness (length in the depth direction) of the porous body 40 can be arbitrarily selected, and may be larger or smaller than the thickness of the electrostatic chuck plate 2 as necessary. Alternatively, they may be the same.
  • the diameter of the porous body 40 can be arbitrarily selected, and may be, for example, equal to or greater than the inner diameter of the gas introduction hole 30 .
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view showing an example of the electrostatic chuck device 1 around the gas introduction hole 30.
  • the porous body 40 is adhesively fixed to the inner peripheral surface 31 a of the first through hole 31 .
  • a first adhesive layer 50 is provided between the inner peripheral surface 31 a of the first through hole 31 and the outer peripheral surface 40 a of the porous body 40 .
  • the first adhesive layer 50 bonds the inner peripheral surface 31a of the first through hole 31 and the outer peripheral surface 40a of the porous body 40 to each other.
  • the porous body 40 is adhered to the inner peripheral surface 31a of the first through-hole 31 by the first adhesive layer 50 . According to the present embodiment, the porous body 40 can be easily and stably fixed to the electrostatic chuck plate 2 without applying special processing to the porous body 40 and the first through holes 31 .
  • the thickness dimension of the first adhesive layer 50 is preferably 0 mm or more and 0.15 mm or less in at least the area A from the mounting surface 2s to 0.1 mm.
  • the thickness dimension of the first adhesive layer 50 means the dimension of the first adhesive layer 50 in the radial direction with respect to the center of the first through hole 31 .
  • the area A from the mounting surface 2s to 0.1 mm means the range in the depth direction of the first through hole 31. As shown in FIG. When the depth of the first through hole 31 is 0.1 mm or less, the thickness of the first adhesive layer 50 is 0.15 mm or less over the entire length of the first through hole 31 .
  • the porous body 40 of this embodiment is exposed on the mounting surface 2s side. Therefore, it is possible to realize a configuration in which the porous body 40 can be easily removed from the mounting surface 2s side, and the maintenance of the electrostatic chuck device 1 can be enhanced by facilitating replacement of the porous body 40 .
  • the first adhesive layer 50 for fixing the porous body 40 is also likely to be exposed on the mounting surface 2s side, and the first adhesive layer 50 is deformed by the plasma. vulnerable to erosion.
  • the first adhesive layer 50 of the present embodiment has a thickness of 0.15 mm or less in the area A where the plasma easily reaches up to 0.1 mm from the mounting surface 2s. Therefore, the first adhesive layer 50 is less likely to be eroded by plasma.
  • the porous body 40 is exposed on the mounting surface 2s side to improve the maintainability of the electrostatic chuck device 1, and at the same time, the erosion of the first adhesive layer 50 is suppressed, and the porous body 40 is first penetrated. It can be stably held in the hole 31 .
  • the first adhesive layer 50 of the present embodiment may have a thickness of 0 mm within a range from the mounting surface 2s to 0.1 mm. That is, the first adhesive layer 50 may be formed only below the above range. Further, as shown in FIG. 2, the first adhesive layer 50 may have a uniform thickness of 0.15 mm or less over the entire depth direction of the first through hole 31 .
  • the adhesive used for the first adhesive layer 50 can be arbitrarily selected, but an adhesive having heat resistance in the temperature range of -20°C to 150°C is preferable.
  • adhesives consisting of only at least one of the group consisting of acrylic resins, silicon-based resins, epoxy-based resins, etc., or adhesives containing at least one of these resins are suitable. It may be preferably selected from an acrylic resin adhesive, a silicone resin adhesive, an epoxy resin adhesive, and the like.
  • the first adhesive layer 50 is formed by applying an uncured adhesive to the inner peripheral surface 31a of the first through hole 31 or the outer peripheral surface 40a of the porous body 40, inserting the porous body 40 into the first through hole 31, and then curing the adhesive. formed by By inserting the porous body 40 into the first through-hole 31 from above, a large amount of the adhesive flows into the lower region of the inner peripheral surface 31a of the first through-hole 31 at the time of insertion, and the adhesive flows from the mounting surface 2s. It is possible to prevent the thickness of the first adhesive layer 50 in the range up to 0.1 mm from becoming too large.
  • the porosity of the porous body 40 is preferably 40% or more and 60% or less. Some of the pores of the porous body 40 are open to the outer peripheral surface of the porous body 40 .
  • the uncured adhesive applied to the inner peripheral surface 31a of the first through-hole 31 or the outer peripheral surface 40a of the porous body 40 can be removed from the outer peripheral surface 40a of the porous body 40. It is possible to make it easier to enter the inside of the hole. As a result, when the porous body 40 is inserted into the first through-hole 31 , the adhesive can be prevented from overflowing from the first through-hole 31 even if the applied amount of the adhesive is too large. Moreover, by setting the porosity to 60% or less, abnormal discharge originating from the gas introduction hole 30 can be more reliably suppressed.
  • the "porosity” is the ratio of the total volume of pores to a predetermined unit volume of the porous body 40.
  • the porosity may be a value determined from the ratio between the true density of the material forming the porous body 40 and the apparent density of the porous body 40, or may be determined by actually measuring the volume of pores per unit volume. . The higher the porosity of the porous body 40, the more holes there are and the easier it is for the gas G to flow out.
  • the second through hole 32 is connected to the first through hole.
  • a tubular insulator 24 is inserted into the second through hole 32 .
  • the outer peripheral surface of the insulator 24 is fixed to the second through hole 32 by, for example, an adhesive.
  • the interior of the insulator 24 functions as a path for the gas G to pass through.
  • the insulator 24 is made of ceramic, for example. That is, the insulator 24 is made of an insulating member. Thereby, the insulator 24 can suppress the gas introduction hole 30 from becoming a starting point of abnormal discharge.
  • the insulator 24 has durability against plasma.
  • Ceramics constituting the insulator 24 are selected from aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al2O3), silicon nitride (Si3N4), zirconium oxide (ZrO2), sialon, boron nitride (BN), and silicon carbide (SiC). Ceramics containing one or two or more can be employed.
  • the upper end face 24a of the insulator 24 (that is, the end face on the electrostatic chuck plate 2 side) is provided with a groove 24g recessed downward.
  • the recessed groove 24g extends annularly along the circumferential direction of the insulator 24 .
  • the groove 24g overlaps the inner peripheral surface 31a of the first through hole 31 when viewed from the axial direction.
  • the inner diameter located outside the groove 24g (the diameter of the ring formed by the groove 24g) is preferably larger than the diameter of the porous body 40. As shown in FIG.
  • the concave groove 24g of this embodiment is arranged directly below the first adhesive layer 50. As shown in FIG. Therefore, by applying an uncured adhesive to the inner peripheral surface 31a of the first through hole 31 or the outer peripheral surface 40a of the porous body 40 and inserting the porous body 40 into the first through hole 31, the uncured adhesive can be removed. Part of the adhesive can be accommodated in the groove 24g. As a result, part of the first adhesive layer 50 of this embodiment extends to the inside of the groove 24g. According to the present embodiment, when the porous body 40 is inserted into the first through-hole 31, even if the adhesive is applied in an excessive amount, the adhesive can be accumulated in the concave groove 24g. , the overflow of the adhesive from the first through hole 31 can be suppressed. This can effectively prevent the first adhesive layer 50 from becoming too thick in the region A near the mounting surface 2s.
  • the insulator 24 contacts the electrostatic chuck plate 2 . More specifically, the upper end surface 24 a of the insulator 24 contacts the back surface 2 p of the electrostatic chuck plate 2 . Therefore, the first adhesive layer 50 and the second adhesive layer 55 are each partitioned by the insulator 24 . That is, the first adhesive layer 50 and the second adhesive layer 55 are separated from each other. The first adhesive layer 50 contacts the upper end surface 24 a and the groove 24 g of the insulator 24 , and the second adhesive layer 55 contacts the outer peripheral surface of the insulator 24 .
  • the operator pulls out the porous body 40 from above or pushes it out from below to give upward force to the porous body 40, thereby separating the porous body 40 from the electrostatic chuck plate 2. Let At this time, a breaking force is applied to the first adhesive layer 50 in order to detach the porous body 40 .
  • the first adhesive layer 50 and the second adhesive layer 55 are separated from each other, it is possible to suppress the application of stress to the second adhesive layer 55 when the porous body 40 is detached. . That is, according to the present embodiment, it is possible to suppress the second adhesive layer 55 from being damaged when the porous body 40 is replaced, and to suppress the deterioration of the reliability of the electrostatic chuck plate 2 after the porous body 40 is replaced. .
  • the occurrence of abnormal discharge that propagates through the first adhesive layer 50 and the second adhesive layer 55 can be suppressed. That is, according to this embodiment, the occurrence of abnormal discharge can be suppressed by separating the first adhesive layer 50 and the second adhesive layer 55 .
  • each first adhesive layer has a thickness of 0.15 mm or less in a region A from the mounting surface to 0.1 mm.
  • FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view of the electrostatic chuck device 101 of Modification 1.
  • the porous body 140 is adhesively fixed to the inner peripheral surface 31 a of the first through hole 31 with the first adhesive layer 150 interposed therebetween, as in the above-described embodiment.
  • a tubular insulator 124 is inserted into the second through hole 32 .
  • An upper end surface 124a of the insulator 124 is provided with a step portion 124b.
  • the step portion 124b protrudes upward from the upper end surface 124a.
  • the lower end surface of the porous body 140 is recessed upward with respect to the back surface 102 p of the electrostatic chuck plate 102 .
  • the stepped portion 124b is cylindrical with the center line of the insulator 124 as the center. That is, the insulator 124 has two upper end faces with different height positions when viewed in cross section.
  • the outer diameter of the stepped portion 124b is smaller than the outer diameter of the insulator 124 other than the stepped portion 124b.
  • the stepped portion 124 b is inserted into the first through hole 31 .
  • the tip surface of the stepped portion 124b contacts the lower surface of the porous body 140.
  • the gap between the first adhesive layer 150 and the second adhesive layer 55 can be formed in a stepped configuration.
  • the thickness of the porous body 140 may be smaller than the thickness of the electrostatic chuck plate 102 .
  • the first adhesive layer 150 and the second adhesive layer 55 of this modified example are separated from each other as in the above-described embodiment.
  • the lower end position of the first adhesive layer 150 is positioned above the second adhesive layer 55 due to the stepped portion 124b of the insulator 124, and the adhesive constituting the first adhesive layer 150 is first 2
  • the adhesion layer 55 is difficult to reach. That is, according to this modified example, the first adhesive layer 150 and the second adhesive layer 55 can be separated more reliably. Therefore, when the porous body 140 is detached and replaced, the application of stress to the second adhesive layer 55 can be more reliably suppressed, and damage to the second adhesive layer 55 can be suppressed.
  • FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device 201 of Modification 2.
  • the porous body 240 is adhesively fixed to the inner peripheral surface 231a of the first through hole 231 via the first adhesive layer 250, as in the above-described embodiment.
  • a tubular insulator 224 is inserted into the second through hole 32 .
  • An inner peripheral surface 231a of the first through hole 231 is provided with a tapered surface 231b that decreases in inner diameter downward. That is, the first through-hole 231 is provided with a tapered surface 231b whose diameter decreases with distance from the mounting surface 202s of the electrostatic chuck plate 202 in the depth direction.
  • the tapered surface 231b of this modification is provided on the entire inner peripheral surface 231a in the vertical direction, the tapered surface 231b may be provided on a part of the inner peripheral surface 231a.
  • the upper portion is provided with a tapered surface
  • the lower portion following the tapered surface is formed with a through hole having a cylindrical portion having the same inner diameter as the minimum inner diameter of the tapered surface portion, or a porous body corresponding to this shape. may be used.
  • the outer peripheral surface of the porous body 240 is provided with a conical surface 240a facing the tapered surface 231b.
  • the conical surface 240a decreases in diameter toward the bottom.
  • the first adhesive layer 250 is arranged between the tapered surface 231b and the conical surface 240a.
  • the porous body 240 may have a truncated cone shape whose diameter decreases with distance from the mounting surface 202s in the depth direction.
  • the upper end of the first adhesive layer 250 is located slightly below the upper end of the gap between the tapered surface 231b and the conical surface 240a. Therefore, the first adhesive layer 250 is hidden under the upper end of the porous body 240 . That is, according to this modification, the first adhesive layer 250 is hidden behind the porous body 240 in plan view of the mounting surface 202s.
  • the planar view of the mounting surface 202s means observing the mounting surface 202s from a direction orthogonal to the mounting surface 202s. Therefore, as shown in FIG. 4, when a perpendicular line PL is drawn from the outer edge located at the upper end of the porous body 240, the first adhesive layer 250 is arranged closer to the center of the first through hole 231 than the perpendicular line PL.
  • the first adhesive layer 250 can be made difficult to be eroded by the plasma acting in the direction perpendicular to the mounting surface 202s.
  • the porous body 240 can be stably held in the first through-holes 231 by suppressing the erosion of the first adhesive layer 250 while exposing the porous body 240 to the mounting surface 202s side.
  • FIG. 5 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device 301 of Modification 3.
  • the porous body 340 is adhesively fixed to the inner peripheral surface 31a of the first through hole 31 via the first adhesive layer 350, as in the above-described embodiment.
  • a tubular insulator 324 is inserted into the second through hole 332 .
  • the second adhesive layer 355 is interposed between the upper end surface 324 a of the insulator 324 and the back surface 302 p of the electrostatic chuck plate 302 and between the upper end surface 324 a of the insulator 324 and the porous body 340 . Therefore, the insulator 324 of this modified example does not come into direct contact with the electrostatic chuck plate 302 and the porous body 340 . Also, in this modification, the first adhesive layer 350 and the second adhesive layer 355 are in direct contact.
  • the second adhesive layer 355 of this modified example has a contact portion 355 a that is located directly below the first adhesive layer 350 and contacts the first adhesive layer 350 . The contact portion 355 a of this modification contacts the first adhesive layer 350 in the depth direction of the first through hole 32 .
  • the upper opening of the second through hole 332 of this modified example is provided with a tapered surface 332b that increases in diameter (inner diameter) toward the upper side.
  • the tapered surface 332 b extends circumferentially with respect to the center of the second through hole 332 .
  • the second through hole 332 has a larger diameter in the area where the tapered surface 332b is provided. That is, a large-diameter portion 332a having a larger diameter is provided in the opening portion of the second through-hole 332 on the electrostatic chuck plate 302 side.
  • the outer peripheral surface of the insulator 324 is circular when viewed from above and below. Therefore, a gap is provided between the outer peripheral surface of the insulator 324 and the tapered surface 332b.
  • part of the adhesive that forms the second adhesive layer 355 penetrates between the outer peripheral surface of the insulator 324 and the tapered surface 332b and hardens.
  • the second adhesive layer 355 of this modified example has a thick portion (separation suppressing portion) 355b on the upper side of the large diameter portion 332a. The thick portion 355b surrounds the first through hole 31 and the second through hole 332 when viewed from above.
  • the thick portion 355 b extends along the circumferential direction of the center of the second through hole 332 .
  • the thick portion 355b is arranged outside the contact portion 355a and surrounds the contact portion 355a. Also, the thickness dimension of the thick portion 355b is larger than the thickness dimension of the contact portion 355a.
  • the contact portion 355a that contacts the first adhesive layer 350 is provided. Therefore, when the porous body 340 is replaced, the upward force applied to the first adhesive layer 350 is transmitted from the first adhesive layer 350 to the contact portion 355 a of the second adhesive layer 355 .
  • the force that separates the porous body 340 may not only break the first adhesive layer 350, but also damage a portion of the second adhesive layer 355 (contact portion 355a).
  • the contact portion 355a is surrounded by the thick portion 355b.
  • the thick portion 355b has a larger thickness than the contact portion 355a, and thus has a high strength. That is, the strength of the second adhesive layer 355 is locally increased at the thick portion 355b.
  • the force that breaks the contact portion 355a is received by the thick portion 355b, and damage to the contact portion 355a is less likely to be transmitted outside the thick portion 355b.
  • it is possible to suppress the occurrence of damage that impairs the function of the second adhesive layer 355 when the porous body 340 is replaced, and to improve the reliability of the electrostatic chuck plate 302 after the porous body 340 is replaced. can be done.
  • the second adhesive layer 355 of the modified example can form a thick portion 355b with an increased thickness dimension by providing a large-diameter portion 332a in the second through hole 332. That is, part of the thick portion 355b of this modified example is arranged between the large diameter portion 332a and the outer peripheral surface of the insulator 324 . According to this modification, the thick portion 355b surrounding the contact portion 355a can be formed without requiring a complicated structure.
  • the tapered surface 332b is formed at the opening of the second through hole 332 and the large diameter portion 332a is provided inside the tapered surface 332b has been described.
  • the configuration of the large diameter portion 332a is not limited to this modified example.
  • a stepped portion may be formed in the opening of the second through hole to provide the large diameter portion.
  • FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view of an electrostatic chuck device 401 of Modification 4. As shown in FIG. The porous body 440 is adhesively fixed to the inner peripheral surface 31 a of the first through hole 31 with the first adhesive layer 450 interposed therebetween, as in the above-described embodiment. On the other hand, a tubular insulator 424 is inserted into the second through hole 332 .
  • the second adhesive layer 455 is interposed between the upper end surface 424a of the insulator 424 and the back surface 402p of the electrostatic chuck plate 402. Therefore, the insulator 424 of this modified example does not come into contact with the electrostatic chuck plate 402 . On the other hand, the insulator 424 of this modification contacts the lower end surface of the porous body 440 at the upper end surface.
  • the lower end surface of the porous body 440 protrudes downward with respect to the back surface 402p of the electrostatic chuck plate 402 . Therefore, the lower end surface of the porous body 440 is located below the back surface 402p of the electrostatic chuck plate 402. As shown in FIG.
  • the porous body 440 is surrounded by the second adhesive layer 455 on the outer peripheral surface of the lower end located below the back surface 402p.
  • a first adhesive layer 450 is arranged between the outer peripheral surface of the porous body 440 and the second adhesive layer 455 . That is, in this modification, the first adhesive layer 450 and the second adhesive layer 455 are in direct contact.
  • the second adhesive layer 455 of this modified example has a contact portion 455 a that surrounds the first adhesive layer 450 and contacts the first adhesive layer 450 .
  • the contact portion 455 a of this modification contacts the first adhesive layer 450 in the radial direction of the first through hole 32 .
  • the second through hole 332 of this modified example has the same configuration as that of the third modified example described above. That is, a large-diameter portion 332a having a larger diameter is provided at the opening of the second through-hole 332 on the electrostatic chuck plate 402 side.
  • the second adhesive layer 455 of this modified example has a thick portion (separation suppressing portion) 455b on the upper side of the large diameter portion 332a. The thick portion 455b surrounds the first through hole 31 and the second through hole 332 when viewed from above.
  • the contact portion 455a is surrounded by the thick portion 455b. Accordingly, even if the contact portion 455a is damaged when the porous body 440 is replaced, the damage can be prevented from spreading outside the thick portion 355b. According to this modification, when the porous body 440 is replaced, damage that impairs the function of the second adhesive layer 455 can be suppressed, and the reliability of the electrostatic chuck plate 402 after the porous body 440 is replaced can be improved. can be done.
  • the present invention can provide an electrostatic chuck device with excellent maintainability.
  • Reference Signs List 1 101, 201, 301, 401 electrostatic chuck device 2, 102, 202, 302, 402 electrostatic chuck plate 2s, 202s mounting surface 2p, 102p, 302p, 402p rear surface of electrostatic chuck plate 3 base 3a base Table support surface 3b Bottom surface of base 11 Dielectric substrate 13 Attraction electrode 13h Retraction hole 15 Insertion hole 16 power supply terminal 17 through hole for terminal 21 external power supply 22 external high frequency power supply 23 insulator for terminal 24, 124, 224, 324, 424 Insulator 24a, 124a, 324a, 424a Upper end surface of insulator 24g Groove 30 Gas introduction hole 31, 231 First through hole 31a, 231a Inner peripheral surface 32, 332 Second through hole 40, 140, 240, 340, 440 Porous body 40a Peripheral surface 50, 150, 250, 350, 450 First adhesive layer 55, 355, 455 Second adhesive layer 124b Step portion 231b, 332b Tapered surface 240a Conical surface

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Abstract

試料を搭載する載置面が設けられる誘電体基板、および前記誘電体基板の内部に位置する吸着電極を有する静電チャックプレートと、前記静電チャックプレートを前記載置面の反対側から支持する基台と、を備え、前記静電チャックプレートには、前記載置面にガスを供給する第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔には、前記ガスを通過させる多孔体が挿入され、前記第１貫通孔の内周面と前記多孔体の外周面との間には、前記内周面と前記外周面とを互いに接着する第1接着層が設けられ、前記第1接着層の厚さ寸法は、少なくとも前記載置面から０．１ｍｍまでの領域において０ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下である、静電チャック装置。

Description

静電チャック装置
　本発明は、静電チャック装置に関する。
　本願は、２０２１年１１月２５日に、日本に出願された特願２０２１－１９０８９２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　半導体製造工程では、真空環境下で半導体ウエハを保持する静電チャック装置が用いられている。静電チャック装置は、載置面に半導体ウエハ等の板状試料を載置し、板状試料と内部電極との間に静電気力を発生させて、板状試料を吸着固定する。また、静電チャック装置には、搭載されるウエハを冷却するために載置面にガスを供給する貫通孔が設けられる場合がある（例えば、特許文献１）。
特許第６６３４３１５号公報
　一方で、ガス供給用の貫通孔は、ウエハの損傷に繋がる異常放電の起点となる虞がある。異常放電対策として、貫通孔に多孔体を挿入することが考えられるが、ウエハの加工時に発生するパーティクルなどで多孔体に詰まりが生じメンテナンス性に欠けるという問題があった。
　本発明は、メンテナンス性に優れる静電チャック装置を提供することを目的とする。
　本発明の第一の態様は以下の静電チャック装置を提供する。
　本発明の第一の態様の静電チャック装置は、試料を搭載する載置面が設けられる誘電体基板、および前記誘電体基板の内部に位置する吸着電極を有する静電チャックプレートと、前記静電チャックプレートを前記載置面の反対側から支持する基台と、を備え、前記静電チャックプレートには、前記載置面にガスを供給する第１貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔には、前記ガスを通過させる多孔体が挿入され、前記第１貫通孔の内周面と前記多孔体の外周面との間には、前記内周面と前記外周面とを互いに接着する第1接着層が設けられ、前記第1接着層の厚さ寸法は、少なくとも前記載置面から０．１ｍｍまでの領域において０ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下である。
　なお前記試料とは、静電チャック装置の載置面に搭載され静電チャックされ得るものを意味する。前記試料は、ウエハ、板状試料、又は板状プレートであってもよい。　
　本発明の第一の態様は、以下に述べる特徴を有することが好ましい。これら特徴は２つ以上を組み合わせることも好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記静電チャックプレートと前記基台との間には、前記静電チャックプレートと前記基台とを互いに接着する第２接着層が設けられ、前記第１接着層と前記第２接着層とは、互いに離間する、構成とすることが好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記基台には、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔が設けられ、前記第２貫通孔には、筒状の碍子が挿入され、前記碍子は、前記静電チャックプレートに接触する、構成とすることが好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記静電チャックプレートと前記基台との間には、前記静電チャックプレートと前記基台とを互いに接着する第２接着層が設けられ、前記第２接着層は、前記第１接着層と接触する接触部と、前記接触部を囲む剥離抑制部と、を有し、前記剥離抑制部の厚さ寸法は、前記接触部の厚さ寸法より大きい、構成とすることが好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記基台には、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔が設けられ、前記第２貫通孔には、筒状の碍子が挿入され、前記第２貫通孔の前記静電チャックプレート側の開口部には、直径を大きくする大径部が設けられ、前記剥離抑制部の一部は、前記大径部と前記碍子の外周面との間に配置される、構成とすることが好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記載置面の平面視において、前記第１接着層が前記多孔体に隠れる、構成とすることが好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記第１貫通孔には、前記載置面から深さ方向に離れるに従い直径を小さくするテーパ面が設けられ、前記多孔体の外周面には、前記テーパ面に対向する円錐面が設けられる、構成とすることが好ましい。
　上記の静電チャック装置において、前記基台には、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔が設けられ、前記第２貫通孔には、筒状の碍子が挿入され、前記碍子の前記静電チャックプレート側の端面には、凹溝が設けられ、前記第１接着層の一部は、前記凹溝の内部まで延びる、構成とすることが好ましい。
　本発明の１つの態様によれば、メンテナンス性に優れる静電チャック装置が提供される。
図１は、本発明の一実施形態の静電チャック装置の例を示す断面模式図である。 図２は、本発明の一実施形態の静電チャック装置の部分断面模式図である。 図３は、本発明の変形例１の静電チャック装置の部分断面模式図である。 図４は、本発明の変形例２の静電チャック装置の部分断面模式図である。 図５は、本発明の変形例３の静電チャック装置の部分断面模式図である。 図６は、本発明の変形例４の静電チャック装置の部分断面模式図である。
　以下、本発明の静電チャック装置の各実施形態の好ましい例について、図面を参照して説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせて表示する場合がある。また以下の説明は、発明の趣旨をより良く理解させるために説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。発明を逸脱しない範囲で、数、量、位置、大きさ、数値、比率、順番、種類、形状などの変更や省略や追加をする事ができる。下記記載において、特に問題のない限り、例とし示した特徴を２つ以上組み合わせても良い。
　図１は、本実施形態の静電チャック装置１を示す断面模式図である。
　静電チャック装置１は、ウエハ（試料）Ｗを搭載する載置面２ｓを有する静電チャックプレート２と、静電チャックプレート２を載置面２ｓの反対側から支持する基台３と、静電チャックプレート２に電圧を付与する給電端子１６と、を備える。なお、静電チャックプレート２の上面の外周部には、ウエハＷを囲むフォーカスリングが配置されていてもよい。ウエハＷの形状やサイズや材料は任意に選択できるが、例えば円形板状プレートであることが好ましい。
　静電チャックプレート２は、誘電体基板１１と、誘電体基板１１の内部に位置する吸着電極１３と、を有する。静電チャックプレート２は、誘電体基板１１に設けられる載置面２ｓでウエハＷを吸着する。
　以下の説明においては、静電チャック装置１の各部は、静電チャックプレート２に対しウエハＷを搭載する側を上側、基台３側を下側として説明される。すなわち、静電チャックプレート２は、上下方向を厚さ方向とする。なお、ここでの上下方向は、あくまで説明の簡素化のために用いる方向であって、静電チャック装置１の使用時の姿勢を限定するものではない。
　誘電体基板１１は、機械的に十分な強度を有し、かつ腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有する複合焼結体からなる。誘電体基板１１を構成する誘電体材料としては、機械的な強度を有し、しかも腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有するセラミックスが好適に用いられる。誘電体基板１１を構成するセラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）－炭化ケイ素（ＳｉＣ）複合焼結体などが好適に用いられる。特に、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性の観点から、誘電体基板１１を構成する材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）－炭化ケイ素（ＳｉＣ）複合焼結体が好ましい。
　誘電体基板１１は、平面視で円形の板状である。誘電体基板１１は、ウエハＷが載置される載置面２ｓと、載置面２ｓの反対側を向く裏面２ｐと、を有する。載置面２ｓには、例えば複数の突起部（図示略）が所定の間隔で形成されていてもよい。載置面２ｓは、複数の突起部の先端部でウエハＷを支持する。
　吸着電極１３は、誘電体基板１１の内部に配置される。吸着電極１３は、誘電体基板１１の載置面２ｓに沿って板状に延びる。吸着電極１３は、電圧を印加されることで、誘電体基板１１の載置面２ｓにウエハＷを保持する静電吸着力を生じさせる。
　吸着電極１３は、絶縁性物質と導電性物質の複合体から構成される。吸着電極１３に含まれる絶縁性物質は、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化イットリウム（ＩＩＩ）（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）およびＳｍＡｌＯ３からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。吸着電極１３に含まれる導電性物質は、炭化モリブデン（Ｍｏ２Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭化タングステン（ＷＣ）、タングステン（Ｗ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、タンタル（Ｔａ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、カーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　吸着電極１３には、吸着電極１３に直流電圧を印加するための給電端子１６が接続されている。給電端子１６は、吸着電極１３から下側に向かって延びる。給電端子１６は、基台３、および誘電体基板１１の一部を厚さ方向に貫通する端子用貫通孔１７の内部に挿入されている。給電端子１６の外周側には、絶縁性を有する端子用碍子２３が設けられる。端子用碍子２３は、金属製の基台３と給電端子１６とを絶縁する。
　給電端子１６は、外部の電源２１に接続されている。電源２１は、吸着電極１３に電圧を付与する。給電端子１６の数、形状等は、吸着電極１３の形態、すなわち単極型か、双極型かにより決定される。
　基台３は、静電チャックプレート２を下側から支持する。基台３は、上側を向く支持面３ａと、支持面３ａの反対側を向く下面３ｂと、を有する。支持面３ａは、誘電体基板１１の裏面２ｐと上下方向に対向する。支持面３ａは、裏面２ｐと接触する。すなわち、基台３は、支持面３ａにおいて誘電体基板１１の裏面２ｐを支持する。
　基台３は、平面視で円板状の金属部材である。基台３を構成する材料は、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限されるものではない。基台３を構成する材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、チタン（Ｔｉ）等の合金が好適に用いられる。基台３を構成する材料は、熱伝導性、導電性、加工性の観点からアルミニウム合金が好ましい。基台３における少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理またはポリイミド系樹脂による樹脂コーティングが施されていることが好ましい。また、基台３の全面が、前記のアルマイト処理または樹脂コーティングが施されていることがより好ましい。基台３にアルマイト処理または樹脂コーティングを施すことにより、基台３の耐プラズマ性が向上するとともに、異常放電が防止される。したがって、基台３の耐プラズマ安定性が向上し、また、基台３の表面傷の発生も防止することができる。
　基台３の躯体は、プラズマ発生用内部電極としても機能をも有する。基台３の躯体は、図示略の整合器を介して外部の高周波電源２２に接続されている。
　基台３は、接着剤によって静電チャックプレート２に固定されている。すなわち、静電チャックプレート２と基台３との間には、静電チャックプレート２と基台３とを互いに接着する第２接着層５５が設けられる。第２接着層５５は、静電チャックプレート２の裏面２ｐと基台３の支持面３ａとの間に介在し、静電チャックプレート２と基台３とを接着一体化する。第２接着層５５の内部には、静電チャックプレート２を加熱するヒータが埋め込まれていてもよい。
　第２接着層５５に用いる接着剤としては任意に選択できるが、後述する第１接着層５０に用いる接着剤と同等のものを用いることができる。すなわち、第２接着層５５の接着剤は、－２０℃～１５０℃の温度範囲で耐熱性を有することが好ましい。例えば、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などからなる群の、少なくとも１つのみからなる接着剤、あるいはこれら樹脂の少なくとも１つを含む接着剤が好適である。なお第１接着層５０に用いる接着剤と第２接着層５５に用いる接着剤は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
　静電チャックプレート２、基台３および第２接着層５５には、これらを上下に貫通するガス導入孔３０が複数設けられている。ガス導入孔３０は、載置面２ｓに開口する。ガス導入孔３０は、図示を省略するガス供給装置に繋がる。ガス導入孔３０は、静電チャックプレート２に載置されたウエハＷに向かってヘリウム（Ｈｅ）などの冷却用のガスＧを供給するために設けられている。
　ガス導入孔３０は、静電チャックプレート２を貫通する部分である第１貫通孔３１と、基台３を貫通する部分である第２貫通孔３２と、を有する。すなわち、静電チャックプレート２には、第１貫通孔３１が設けられ、基台３には、第２貫通孔３２が設けられる。第１貫通孔３１と第２貫通孔３２とは、互いに中心軸が一致している。第１貫通孔３１と第２貫通孔３２とは、互いに連通する。
　第１貫通孔３１は、静電チャックプレート２の誘電体基板１１を厚さ方向に貫通する。また、静電チャックプレート２の吸着電極１３には、第１貫通孔３１の周りを囲む退避孔１３ｈが設けられる。そして退避孔１３ｈの内側には、誘電体基板１１の一部が配置される。このため、第１貫通孔３１の内周面から吸着電極１３が露出することはない。
　第１貫通孔３１には、多孔体４０が挿入される。本実施形態において、第１貫通孔３１は、平面視で円形である。また、第１貫通孔３１は、一様な断面形状で上下方向に延びる。したがって、多孔体４０は、上下方向に延びる円柱状である。
　多孔体４０は、絶縁性の材料から構成される。多孔体４０は、例えば、溶射膜や多孔質セラミックを形成材料としている。多孔体４０の内部には、多数の空孔が設けられる。多孔体４０内部の多数の空孔は、互いに繋がっている。このため、多孔体４０は、第１貫通孔３１の内部でガスＧを通過させることができる。　
　本実施形態によれば、第１貫通孔３１が多孔体４０に塞がれている。多孔体４０は、絶縁性材料から構成されるために、ガス導入孔３０が電荷の通路となることを制限して、静電チャック装置１に異常放電が発生することを抑制する。これにより、信頼性の高い静電チャック装置１を提供できる。
　なお本発明において、多孔体４０の厚さ（深さ方向の長さ）は任意に選択でき、必要に応じて、静電チャックプレート２の厚さより大きくてもよく、あるいは、小さくてもよく、あるいは同じであってもよい。多孔体４０の直径は任意に選択でき、例えば、ガス導入孔３０の内径と同じ、または内径以上であってよい。
　図２は、ガス導入孔３０周りの静電チャック装置１の例を示す部分断面模式図である。
　多孔体４０は、第１貫通孔３１の内周面３１ａに接着固定される。第１貫通孔３１の内周面３１ａと多孔体４０の外周面４０ａとの間には、第１接着層５０が設けられる。第１接着層５０は、第１貫通孔３１の内周面３１ａと多孔体４０の外周面４０ａとを互いに接着する。
　本実施形態によれば、多孔体４０が第１接着層５０によって第１貫通孔３１の内周面３１ａに接着される。本実施形態によれば、多孔体４０および第１貫通孔３１に特別な加工を施すことなく多孔体４０を静電チャックプレート２に容易かつ安定的に固定することができる。
　第1接着層５０の厚さ寸法は、少なくとも載置面２ｓから０．１ｍｍまでの領域Ａにおいて０ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、ここで、第１接着層５０の厚さ寸法とは、第１貫通孔３１の中心に対する径方向における第１接着層５０の寸法を意味する。また、載置面２ｓから０．１ｍｍまでの領域Ａとは、第１貫通孔３１の深さ方向における範囲を意味する。第１貫通孔３１の深さが０．１ｍｍ以下である場合には、第１貫通孔３１の全長において、第１接着層５０の厚さが０．１５ｍｍ以下とされる。
　本実施形態の多孔体４０は、載置面２ｓ側に露出する。このため、多孔体４０を載置面２ｓ側から容易に離脱可能とさせる構成を実現することができ、多孔体４０の交換を容易として静電チャック装置１のメンテナンス性を高めることができる。しかしながら一方で、多孔体４０を載置面２ｓに露出させると、多孔体４０を固定するための第１接着層５０も載置面２ｓ側に露出し易くなり、第１接着層５０がプラズマによって侵食されやすくなる。
　これに対し、本実施形態の第１接着層５０は、載置面２ｓから０．１ｍｍまでのプラズマが届きやすい領域Ａにおいて、厚さが０．１５ｍｍ以下とされる。このため、プラズマによって第１接着層５０が侵食され難い。本実施形態によれば、多孔体４０を載置面２ｓ側に露出させて静電チャック装置１のメンテナンス性を高めつつ、第１接着層５０の侵食を抑制して多孔体４０を第１貫通孔３１に安定的に保持させることができる。
　本実施形態の第１接着層５０は、載置面２ｓから０．１ｍｍまでの範囲で、０ｍｍの厚さであってもよい。すなわち、第１接着層５０は、上述の範囲より下側にのみ形成されていてもよい。また、図２に示すように、第１接着層５０は、第１貫通孔３１の深さ方向の全域において０．１５ｍｍ以下で一様の厚さであってもよい。
　第１接着層５０に用いられる接着剤としては任意に選択できるが、－２０℃～１５０℃の温度範囲で耐熱性を有する接着剤が好ましい。例えば、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などからなる群の、少なくとも１つのみからなる接着剤、あるいはこれら樹脂の少なくとも１つを含む接着剤が好適である。アクリル系樹脂接着剤、シリコン系樹脂接着剤、エポキシ系樹脂接着剤などから好ましく選択してよい。
　第１接着層５０は、未硬化の接着剤を第１貫通孔３１の内周面３１ａ又は多孔体４０の外周面４０ａに塗布し、多孔体４０を第１貫通孔３１に挿入した後に硬化させることで形成される。多孔体４０を第１貫通孔３１に対して上側から挿入することで、挿入時に第１貫通孔３１の内周面３１ａのうち下側の領域に多くの接着剤が流れ、載置面２ｓから０．１ｍｍまでの範囲の第１接着層５０の厚さが大きくなりすぎることを抑制できる。
　多孔体４０の空孔率は、４０％以上６０％以下であることが好ましい。多孔体４０の空孔の一部は、多孔体４０の外周面に開口する。空孔率を４０％以上とすることで、第１貫通孔３１の内周面３１ａ、又は多孔体４０の外周面４０ａに塗布された未硬化の接着剤を多孔体４０の外周面４０ａから空孔の内部に侵入させ易くすることができる。これにより、多孔体４０を第１貫通孔３１に挿入する際に、接着剤の塗布量が多すぎた場合であっても、接着剤が第１貫通孔３１から溢れ出すことを抑制できる。また、空孔率を６０％以下とすることで、ガス導入孔３０を起点とする異常放電をより確実に抑制することができる。
　なお、ここで、「空孔率」とは、多孔体４０の所定の単位体積に占める空孔の合計体積の割合のことである。空孔率は、多孔体４０の形成材料の真密度と多孔体４０の見掛け密度との比から求められる値であってもよく、単位体積当たりの空孔の体積を実測して求めてもよい。空孔率が大きい多孔体４０ほど空孔が多く、ガスＧを流出させやすい。
　第２貫通孔３２は、第１貫通孔に繋がる。第２貫通孔３２には、筒状の碍子２４が挿入される。碍子２４の外周面は、例えば接着剤などによって第２貫通孔３２に固定される。碍子２４の内部は、ガスＧの通過経路として機能する。
　碍子２４は、例えばセラミックを形成材料とする。すなわち、碍子２４は、絶縁性部材から構成される。これにより、碍子２４は、ガス導入孔３０が異常放電の起点となることを抑制することができる。碍子２４は、プラズマに対する耐久性を有する。碍子２４を構成するセラミックスとしては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、サイアロン、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）から選択された１種または２種以上を含むセラミックスを採用できる。
　碍子２４の上端面２４ａの一部は、静電チャックプレート２の裏面２ｐに接触する。また、碍子２４の上端面２４ａの一部は、多孔体４０の下面に接触する。本実施形態においては、碍子２４の上端面２４ａ（すなわち、静電チャックプレート２側の端面）には、下側に窪む凹溝２４ｇが設けられる。凹溝２４ｇは、碍子２４の周方向に沿って円環状に延びる。凹溝２４ｇは、軸方向から見て、第１貫通孔３１の内周面３１ａと重なる。例えば、凹溝２４ｇの外側に位置する内径（凹溝２４ｇより作られる円環の直径）は、多孔体４０の直径よりも大きいことが好ましい。
　本実施形態の凹溝２４ｇは、第１接着層５０の直下に配置される。このため、第１貫通孔３１の内周面３１ａ、又は多孔体４０の外周面４０ａに未硬化の接着剤を塗布して第１貫通孔３１に多孔体４０を挿入させることで、未硬化の接着剤の一部を凹溝２４ｇに収容することができる。結果的に、本実施形態の第１接着層５０の一部は、凹溝２４ｇの内部まで延びる。本実施形態によれば、多孔体４０を第１貫通孔３１に挿入した際に、接着剤の塗布量が多すぎた場合であっても、接着材を凹溝２４ｇ内に溜めることができるため、接着剤が第１貫通孔３１から溢れ出すことを抑制できる。これにより、第１接着層５０が、載置面２ｓの近傍の領域Ａで厚くなりすぎることを効果的に抑制できる。
　本実施形態によれば、碍子２４は、静電チャックプレート２に接触する。より具体的には、碍子２４の上端面２４ａは、静電チャックプレート２の裏面２ｐに接触する。このため、第１接着層５０と第２接着層５５とがそれぞれ碍子２４によって区画される。すなわち、第１接着層５０と第２接着層５５とは、互いに離間する。第１接着層５０は、碍子２４の上端面２４ａ及び凹溝２４ｇに接触し、第２接着層５５は、碍子２４の外周面に接触する。
　多孔体４０を交換する際に、作業者は多孔体４０を上側から引き抜く、又は下側から押し出すことで、多孔体４０に上側に向かう力を与え、多孔体４０を静電チャックプレート２から離脱させる。この際に、第１接着層５０には、多孔体４０を離脱させるために、破断する力が加えられる。
　本実施形態によれば、第１接着層５０と第２接着層５５とが互いに離間するため、多孔体４０を離脱させる際に、第２接着層５５に応力が加わることを抑制することができる。すなわち、本実施形態によれば、多孔体４０の交換時に第２接着層５５に損傷が生じることを抑制でき、多孔体４０交換後の静電チャックプレート２の信頼性が低下することを抑制できる。
　また、本実施形態によれば、第１接着層５０と第２接着層５５とが、互いに離間するため、第１接着層５０および第２接着層５５を伝う異常放電の発生を抑制できる。すなわち、本実施形態によれば、第１接着層５０と第２接着層５５とが離間することで異常放電の発生を抑制できる。
　＜変形例＞
　次に、上述の実施形態に採用可能な複数の変形例の多孔体およびその近傍の構成の例について説明する。なお、以下に説明する各変形例の説明において、既に説明した実施形態および変形例と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。また、以下に説明する各変形例において、それぞれの第１接着層は、載置面から０．１ｍｍまでの領域Ａにおいて、厚さが０．１５ｍｍ以下とされている。
　（変形例１）
　図３は、変形例１の静電チャック装置１０１の部分断面模式図である。
　上述の実施形態と同様に、第１貫通孔３１の内周面３１ａには、第１接着層１５０を介して多孔体１４０が接着固定される。一方で、第２貫通孔３２には、筒状の碍子１２４が挿入される。
　碍子１２４の上端面１２４ａの一部は、静電チャックプレート１０２の裏面１０２ｐに接触する。碍子１２４の上端面１２４ａには、段差部１２４ｂが設けられる。段差部１２４ｂは、上端面１２４ａに対して上側に突出する。本変形例において、多孔体１４０の下端面は、静電チャックプレート１０２の裏面１０２ｐに対して上側に引っ込む。段差部１２４ｂは、碍子１２４の中心線を中心とする円筒状である。すなわち、碍子１２４は、断面から見て高さ位置の異なる、２つの上端面を有する。段差部１２４ｂの外径は、段差部１２４ｂ以外の部分の碍子１２４の外径より小さい。段差部１２４ｂは、第１貫通孔３１に挿入される。段差部１２４ｂの先端面は、多孔体１４０の下面に接触する。本変形例によれば、第１接着層１５０と第２接着層５５との間の隙間を段差状に入り組んだ構成とすることができる。本例において、多孔体１４０の厚さは静電チャックプレート１０２の厚さより小さくて良い。
　本変形例の第１接着層１５０と第２接着層５５とは、上述の実施形態と同様に、互いに離間する。特に、本変形例では、碍子１２４の段差部１２４ｂによって、第１接着層１５０の下端位置が第２接着層５５より上側に配置され、第１接着層１５０を構成する接着剤が、製造時に第２接着層５５に達し難い。すなわち、本変形例によれば、第１接着層１５０と第２接着層５５とをより確実に離間させることができる。このため、多孔体１４０を離脱させて交換する際に、第２接着層５５に応力が加わることをより確実に抑制することができ、第２接着層５５に損傷が生じることを抑制できる。
　（変形例２）
　図４は、変形例２の静電チャック装置２０１の部分断面模式図である。
　上述の実施形態と同様に、第１貫通孔２３１の内周面２３１ａには、第１接着層２５０を介して多孔体２４０が接着固定される。一方で、第２貫通孔３２には、筒状の碍子２２４が挿入される。
　第１貫通孔２３１の内周面２３１ａには、下側に向かうに従い内径を小さくするテーパ面２３１ｂが設けられる。すなわち、第１貫通孔２３１には、静電チャックプレート２０２の載置面２０２ｓから深さ方向に離れるに従い直径を小さくするテーパ面２３１ｂが設けられる。なお、本変形例のテーパ面２３１ｂは、上下方向において内周面２３１ａの全体に設けられるが、テーパ面２３１ｂは内周面２３１ａの一部に設けられていてもよい。例えば、上側部分のみにテーパ面を設け、テーパ面に続く下側部分に、テーパ面部分の最小内径と同じ内径を有する筒状部分を有する貫通孔を形成したり、この形状に対応する多孔体を用いたりしてもよい。
　一方で、多孔体２４０の外周面には、テーパ面２３１ｂに対向する円錐面２４０ａが設けられる。円錐面２４０ａは、下側に向かうに従い直径を小さくする。第１接着層２５０は、テーパ面２３１ｂと円錐面２４０ａとの間に配置される。多孔体２４０は載置面２０２ｓから深さ方向に離れるほど直径が小さくなる円錐台形状であってよい。
　図４に示すように、第１接着層２５０の上端は、テーパ面２３１ｂと円錐面２４０ａとの間の隙間の上端より、若干下側に配置される。このため、第１接着層２５０は、多孔体２４０の上端の下側に隠れて配置される。すなわち、本変形例によれば、載置面２０２ｓの平面視において、第１接着層２５０が多孔体２４０に隠れる。
　ここで、載置面２０２ｓの平面視とは、載置面２０２ｓと直交する方向から、載置面２０２ｓを観察することを意味する。したがって、図４に示すように、多孔体２４０の上端に位置する外縁から垂線ＰＬを引いた場合に、第１接着層２５０は、垂線ＰＬより第１貫通孔２３１の中心側に配置される。
　本変形例によれば、載置面２０２ｓの垂直方向に作用するプラズマに対して第１接着層２５０が侵食され難くすることができる。これにより、多孔体２４０を載置面２０２ｓ側に露出させつつ、第１接着層２５０の侵食を抑制して多孔体２４０を第１貫通孔２３１に安定的に保持させることができる。
　（変形例３）
　図５は、変形例３の静電チャック装置３０１の部分断面模式図である。
　上述の実施形態と同様に、第１貫通孔３１の内周面３１ａには、第１接着層３５０を介して多孔体３４０が接着固定される。一方で、第２貫通孔３３２には、筒状の碍子３２４が挿入される。
　本変形例において、第２接着層３５５は、碍子３２４の上端面３２４ａと静電チャックプレート３０２の裏面３０２ｐとの間、並びに碍子３２４の上端面３２４ａと多孔体３４０の間に介在する。このため、本変形例の碍子３２４は、静電チャックプレート３０２および多孔体３４０と直接接触しない。また、本変形例では、第１接着層３５０と第２接着層３５５とが、直接的に接触する。本変形例の第２接着層３５５は、第１接着層３５０の直下に位置し第１接着層３５０と接触する接触部３５５ａを有する。本変形例の接触部３５５ａは、第１貫通孔３２の深さ方向において、第１接着層３５０に接触する。
　本変形例の第２貫通孔３３２の上側の開口には、上側に向かうに従い直径（内径）を大きくするテーパ面３３２ｂが設けられる。テーパ面３３２ｂは、第２貫通孔３３２の中心に対して周方向に沿って延びる。第２貫通孔３３２は、テーパ面３３２ｂが設けられる領域において直径が大きくなる。すなわち、第２貫通孔３３２の静電チャックプレート３０２側の開口部には、直径を大きくする大径部３３２ａが設けられる。
　碍子３２４の外周面は、上下方向から見て円形である。このため、碍子３２４の外周面とテーパ面３３２ｂとの間には、隙間が設けられる。静電チャック装置１の製造工程において、第２接着層３５５を構成する接着剤の一部は、碍子３２４の外周面とテーパ面３３２ｂとの間に侵入して硬化する。本変形例の第２接着層３５５は、大径部３３２ａの上側に肉厚部（剥離抑制部）３５５ｂを有する。肉厚部３５５ｂは、上下方向から見て、第１貫通孔３１および第２貫通孔３３２を囲む。
　肉厚部３５５ｂは、第２貫通孔３３２の中心の周方向に沿って延びる。肉厚部３５５ｂは、接触部３５５ａの外側に配置され、接触部３５５ａを囲む。また、肉厚部３５５ｂの厚さ寸法は、接触部３５５ａの厚さ寸法より大きい。
　本変形例の第２接着層３５５によれば、第１接着層３５０と接触する接触部３５５ａを有する。このため、多孔体３４０を交換する際に、第１接着層３５０に付与される上側に向かう力が、第１接着層３５０から第２接着層３５５の接触部３５５ａに伝わる。多孔体３４０を離脱させる力は、第１接着層３５０を破断させるのみならず、第２接着層３５５の一部（接触部３５５ａ）に損傷を与える虞がある。
　本変形例の第２接着層３５５によれば、接触部３５５ａは、肉厚部３５５ｂに囲まれる。肉厚部３５５ｂは、接触部３５５ａと比較して厚さ寸法が大きく、これにより強度が高い。すなわち、第２接着層３５５は、肉厚部３５５ｂにおいて局所的に強度が高められている。接触部３５５ａを破断させた力は、肉厚部３５５ｂに受けられ、接触部３５５ａの損傷は肉厚部３５５ｂより外側に伝わり難い。本変形例によれば、多孔体３４０の交換時に第２接着層３５５の機能を損なうような損傷が生じることを抑制でき、多孔体３４０の交換後の静電チャックプレート３０２の信頼性を高めることができる。
　変形例の第２接着層３５５は、第２貫通孔３３２に大径部３３２ａを設けることで厚さ寸法が高めた肉厚部３５５ｂを形成できる。すなわち、本変形例の肉厚部３５５ｂの一部は、大径部３３２ａと碍子３２４の外周面との間に配置される。本変形例によれば、複雑な構造を必要とせずに、接触部３５５ａを囲む肉厚部３５５ｂを形成することができる。
　なお、本変形例では、第２貫通孔３３２に開口部にテーパ面３３２ｂを形成して、テーパ面３３２ｂの内側に大径部３３２ａを設ける場合について説明した。しかしながら、大径部３３２ａの構成は本変形例に限定されない。例えば、第２貫通孔に開口部に段差部を形成して大径部を設けてもよい。
　（変形例４）
　図６は、変形例４の静電チャック装置４０１の部分断面模式図である。
　上述の実施形態と同様に、第１貫通孔３１の内周面３１ａには、第１接着層４５０を介して多孔体４４０が接着固定される。一方で、第２貫通孔３３２には、筒状の碍子４２４が挿入される。
　本変形例において、第２接着層４５５は、碍子４２４の上端面４２４ａと静電チャックプレート４０２の裏面４０２ｐとの間に介在する。このため、本変形例の碍子４２４は、静電チャックプレート４０２と接触しない。一方で、本変形例の碍子４２４は、上端面において多孔体４４０の下端面に接触する。
　本変形例において、多孔体４４０の下端面は、静電チャックプレート４０２の裏面４０２ｐに対して下側に突出する。したがって、多孔体４４０の下端面は、静電チャックプレート４０２の裏面４０２ｐより下側に位置する。多孔体４４０は、裏面４０２ｐより下側に位置する下端部の外周面において、第２接着層４５５に囲まれる。多孔体４４０の外周面と第２接着層４５５との間には、第１接着層４５０が配置される。すなわち、本変形例では、第１接着層４５０と第２接着層４５５とが、直接的に接触する。本変形例の第２接着層４５５は、第１接着層４５０を囲み第１接着層４５０と接触する接触部４５５ａを有する。本変形例の接触部４５５ａは、第１貫通孔３２の径方向において、第１接着層４５０に接触する。
　本変形例の第２貫通孔３３２は、上述の変形例３と同様の構成を有する。すなわち、第２貫通孔３３２の静電チャックプレート４０２側の開口部には、直径を大きくする大径部３３２ａが設けられる。本変形例の第２接着層４５５は、大径部３３２ａの上側に肉厚部（剥離抑制部）４５５ｂを有する。肉厚部４５５ｂは、上下方向から見て、第１貫通孔３１および第２貫通孔３３２を囲む。
　本変形例の第２接着層４５５によれば、接触部４５５ａは肉厚部４５５ｂに囲まれる。これにより、多孔体４４０の交換時に接触部４５５ａに損傷が生じた場合であっても、その損傷が肉厚部３５５ｂの外側に広がることを抑制できる。本変形例によれば、多孔体４４０の交換時に、第２接着層４５５の機能を損なうような損傷が生じることを抑制でき、多孔体４４０交換後の静電チャックプレート４０２の信頼性を高めることができる。
　以上に、本発明の様々な実施形態を説明したが、各実施形態における各構成およびそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換およびその他の変更が可能である。また、本発明は実施形態によって限定されることはない。
　本発明は、メンテナンス性に優れる静電チャック装置を提供できる。
　１，１０１，２０１，３０１，４０１　静電チャック装置
　２，１０２，２０２，３０２，４０２　静電チャックプレート
　２ｓ，２０２ｓ　載置面
　２ｐ、１０２ｐ、３０２ｐ、４０２ｐ　静電チャックプレートの裏面
　３　基台
　３ａ　基台の支持面
　３ｂ　基台の下面
　１１　誘電体基板
　１３　吸着電極
　１３ｈ　退避孔
　１５　挿通孔　
　１６　給電端子
　１７　端子用貫通孔
　２１　外部の電源
　２２　外部の高周波電源
　２３　端子用碍子　
　２４，１２４，２２４，３２４，４２４　碍子
　２４ａ、１２４ａ、３２４ａ、４２４ａ　碍子の上端面
　２４ｇ　凹溝
　３０　ガス導入孔
　３１，２３１　第１貫通孔
　３１ａ，２３１ａ　内周面
　３２，３３２　第２貫通孔
　４０，１４０，２４０，３４０，４４０　多孔体
　４０ａ　外周面
　５０，１５０，２５０，３５０，４５０　第１接着層
　５５，３５５，４５５　第２接着層
　１２４ｂ　段差部
　２３１ｂ，３３２ｂ　テーパ面
　２４０ａ　円錐面
　３３２ａ　大径部
　３５５ａ，４５５ａ　接触部
　３５５ｂ，４５５ｂ　肉厚部（剥離抑制部）
　Ａ　載置面から０．１ｍｍまでの領域
　Ｇ　ガス
　ＰＬ　垂線
　Ｗ　ウエハ（試料）

Claims (8)

  1. 　試料を搭載する載置面が設けられる誘電体基板、および前記誘電体基板の内部に位置する吸着電極を有する静電チャックプレートと、
    　前記静電チャックプレートを前記載置面の反対側から支持する基台と、を備え、
    　前記静電チャックプレートには、前記載置面にガスを供給する第１貫通孔が設けられ、　前記第１貫通孔には、前記ガスを通過させる多孔体が挿入され、
    　前記第１貫通孔の内周面と前記多孔体の外周面との間には、前記内周面と前記外周面とを互いに接着する第1接着層が設けられ、
    　前記第1接着層の厚さ寸法は、少なくとも前記載置面から０．１ｍｍまでの領域において０ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下である、
    静電チャック装置。
  2. 　前記静電チャックプレートと前記基台との間には、前記静電チャックプレートと前記基台とを互いに接着する第２接着層が設けられ、
    　前記第１接着層と前記第２接着層とは、互いに離間する、
    請求項１に記載の静電チャック装置。
  3. 　前記基台には、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔が設けられ、
    　前記第２貫通孔には、筒状の碍子が挿入され、
    　前記碍子は、前記静電チャックプレートに接触する、
    請求項２に記載の静電チャック装置。
  4. 　前記静電チャックプレートと前記基台との間には、前記静電チャックプレートと前記基台とを互いに接着する第２接着層が設けられ、
    　前記第２接着層は、
    　　前記第１接着層と接触する接触部と、
    　　前記接触部を囲む剥離抑制部と、を有し、
    　前記剥離抑制部の厚さ寸法は、前記接触部の厚さ寸法より大きい、
    請求項１に記載の静電チャック装置。
  5. 　前記基台には、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔が設けられ、
    　前記第２貫通孔には、筒状の碍子が挿入され、
    　前記第２貫通孔の前記静電チャックプレート側の開口部には、直径を大きくする大径部が設けられ、
    　前記剥離抑制部の一部は、前記大径部と前記碍子の外周面との間に配置される、
    請求項４に記載の静電チャック装置。
  6. 　前記載置面の平面視において、前記第１接着層が前記多孔体に隠れる、
    請求項１～５の何れか一項に記載の静電チャック装置。
  7. 　前記第１貫通孔には、前記載置面から深さ方向に離れるに従い直径を小さくするテーパ面が設けられ、
    　前記多孔体の外周面には、前記テーパ面に対向する円錐面が設けられる、
    　請求項６に記載の静電チャック装置。
  8. 　前記基台には、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔が設けられ、
    　前記第２貫通孔には、筒状の碍子が挿入され、
    　前記碍子の前記静電チャックプレート側の端面には、凹溝が設けられ、
    　前記第１接着層の一部は、前記凹溝の内部まで延びる、
    請求項１～７の何れか一項に記載の静電チャック装置。
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