CN117897805A - 静电卡盘装置 - Google Patents
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Abstract
一种静电卡盘装置，其具备：静电卡盘板，具有设置有搭载试样的载置面的电介质基板及位于所述电介质基板的内部的吸附电极；以及基台，从所述载置面的相反的一侧支承所述静电卡盘板，在所述静电卡盘板中，设置有对所述载置面供给气体的第1贯穿孔，在所述第1贯穿孔中，插入有使所述气体通过的多孔体，在所述第1贯穿孔的内周面与所述多孔体的外周面之间，设置有将所述内周面和所述外周面相互粘接的第1粘接层，所述第1粘接层的厚度尺寸至少在从所述载置面起到0.1mm为止的区域中为0mm以上且0.15mm以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种静电卡盘装置。
本申请基于2021年11月25日在日本申请的特愿2021-190892号主张优先权，在此援用其内容。
背景技术
在半导体制造工序中，使用在真空环境下保持半导体晶片的静电卡盘装置。静电卡盘装置在载置面载置半导体晶片等板状试样，在板状试样与内部电极之间产生静电力，从而吸附固定板状试样。并且，在静电卡盘装置中，有时为了冷却搭载的晶片而设置对载置面供给气体的贯穿孔(例如，专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6634315号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
另一方面，气体供给用贯穿孔有可能成为导致晶片损伤的异常放电的起点。作为异常放电对策，考虑在贯穿孔中插入多孔体，但存在因晶片加工时产生的微粒等而在多孔体中产生堵塞且维护性差等问题。
本发明的目的在于提供一种维护性优异的静电卡盘装置。
用于解决技术课题的手段
本发明的第一方式提供以下静电卡盘装置。
本发明的第一方式的静电卡盘装置具备：静电卡盘板，具有设置有搭载试样的载置面的电介质基板及位于所述电介质基板的内部的吸附电极；以及基台，从所述载置面的相反的一侧支承所述静电卡盘板，在所述静电卡盘板中，设置有对所述载置面供给气体的第1贯穿孔，在所述第1贯穿孔中，插入有使所述气体通过的多孔体，在所述第1贯穿孔的内周面与所述多孔体的外周面之间，设置有将所述内周面和所述外周面相互粘接的第1粘接层，所述第1粘接层的厚度尺寸至少在从所述载置面起到0.1mm为止的区域中为0mm以上且0.15mm以下。
另外，所述试样是指能够搭载在静电卡盘装置的载置面并进行静电卡盘的试样。所述试样可以是晶片、板状试样或板状板。
本发明的第一方式优选具有以下叙述的特征。这些特征还优选组合2个以上。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述静电卡盘板与所述基台之间设置有将所述静电卡盘板和所述基台相互粘接的第2粘接层，所述第1粘接层和所述第2粘接层彼此分开。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，所述绝缘子与所述静电卡盘板接触。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述静电卡盘板与所述基台之间，设置有将所述静电卡盘板和所述基台相互粘接的第2粘接层，所述第2粘接层具有：接触部，与所述第1粘接层接触；及剥离抑制部，包围所述接触部，所述剥离抑制部的厚度尺寸大于所述接触部的厚度尺寸。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，在所述第2贯穿孔的所述静电卡盘板侧的开口部，设置有增大直径的大径部，所述剥离抑制部的一部分配置在所述大径部与所述绝缘子的外周面之间。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述载置面的俯视下，所述第1粘接层隐藏在所述多孔体中。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述第1贯穿孔中，设置有随着在深度方向上远离所述载置面而缩小直径的锥面，在所述多孔体的外周面，设置有与所述锥面对置的圆锥面。
在上述静电卡盘装置中，优选设为如下结构：在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，在所述绝缘子的所述静电卡盘板侧的端面设置有凹槽，所述第1粘接层的一部分延伸至所述凹槽的内部。
发明效果
根据本发明的1个方式，提供有维护性优异的静电卡盘装置。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的静电卡盘装置的例子的截面示意图。
图2是本发明的一实施方式的静电卡盘装置的局部截面示意图。
图3是本发明的变形例1的静电卡盘装置的局部截面示意图。
图4是本发明的变形例2的静电卡盘装置的局部截面示意图。
图5是本发明的变形例3的静电卡盘装置的局部截面示意图。
图6是本发明的变形例4的静电卡盘装置的局部截面示意图。
具体实施方式
以下，参考附图，对本发明的静电卡盘装置的各实施方式的优选例进行说明。另外，在以下的所有附图中，为了使附图容易看清，有时适当不同地显示各构成要件的尺寸或比率等。并且，以下说明是为了更好地理解发明的宗旨而进行说明的，只要没有特别指定，则并不限定本发明。在不脱离发明的范围内，能够进行个数、量、位置、大小、数值、比率、顺序、种类、形状等的变更、省略或追加。在下述记载中，只要没有特别问题，则可以组合2个以上的作为例子所示的特征。
图1是表示本实施方式的静电卡盘装置1的截面示意图。
静电卡盘装置1具备：静电卡盘板2，具有搭载晶片(试样)W的载置面2s；基台3，从载置面2s的相反的一侧支承静电卡盘板2；及供电端子16，对静电卡盘板2施加电压。另外，在静电卡盘板2的上表面的外周部可以配置有包围晶片W的聚焦环。晶片W的形状或尺寸或材料能够任意进行选择，但例如优选为圆形板状板。
静电卡盘板2具有电介质基板11、位于电介质基板11的内部的吸附电极13。静电卡盘板2在设置于电介质基板11的载置面2s吸附晶片W。
以下说明中，静电卡盘装置1的各部将相对于静电卡盘板2搭载晶片W的一侧作为上侧进行说明，将基台3侧作为下侧进行说明。即，静电卡盘板2将上下方向设为厚度方向。另外，在此的上下方向只不过是为了简化说明而使用的方向，并不限定静电卡盘装置1的使用时的姿势。
电介质基板11由复合烧结体构成，所述复合烧结体机械性地具有充分的强度，并且具有对腐蚀性气体及其等离子体的耐久性。作为构成电介质基板11的电介质材料，适宜地使用具有机械强度而且具有对腐蚀性气体及其等离子体的耐久性的陶瓷。作为构成电介质基板11的陶瓷，例如适宜地使用氧化铝(Al2O3)烧结体、氮化铝(AlN)烧结体、氧化铝(Al2O3)-碳化硅(SiC)复合烧结体等。尤其，从高温下的介电特性、高耐蚀性、耐等离子体性、耐热性的观点考虑，构成电介质基板11的材料优选氧化铝(Al2O3)-碳化硅(SiC)复合烧结体。
电介质基板11在俯视时为圆形的板状。电介质基板11具有载置有晶片W的载置面2s及朝向载置面2s的相反的一侧的背面2p。在载置面2s上，例如可以以规定的间隔形成有多个突起部(省略图示)。载置面2s在多个突起部的前端部支承晶片W。
吸附电极13配置在电介质基板11的内部。吸附电极13沿电介质基板11的载置面2s呈板状延伸。吸附电极13通过施加电压而产生在电介质基板11的载置面2s保持晶片W的静电吸附力。
吸附电极13由绝缘性物质和导电性物质的复合体构成。吸附电极13中所包含的绝缘性物质并无特别限定，但例如优选为选自由氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化钇(III)(Y2O3)、钇-铝-石榴石(YAG)及SmAlO3组成的组中的至少1种。吸附电极13中所包含的导电性物质优选为选自由碳化钼(Mo2C)、钼(Mo)、碳化钨(WC)、钨(W)、碳化钽(TaC)、钽(Ta)、碳化硅(SiC)、炭黑、碳纳米管及碳纳米纤维组成的组中的至少1种。
在吸附电极13中，连接有用于对吸附电极13施加直流电压的供电端子16。供电端子16从吸附电极13朝向下侧延伸。供电端子16被插入到在厚度方向上贯穿基台3及电介质基板11的一部分的端子用贯穿孔17的内部中。在供电端子16的外周侧，设置有具有绝缘性的端子用绝缘子23。端子用绝缘子23使金属制的基台3和供电端子16绝缘。
供电端子16连接于外部的电源21。电源21对吸附电极13施加电压。供电端子16的数量、形状等根据吸附电极13的形态，即单极型还是双极型来确定。
基台3从下侧支承静电卡盘板2。基台3具有朝向上侧的支承面3a及朝向支承面3a的相反的一侧的下表面3b。支承面3a与电介质基板11的背面2p在上下方向上对置。支承面3a与背面2p接触。即，基台3在支承面3a上支承电介质基板11的背面2p。
基台3在俯视时为圆板状的金属部件。构成基台3的材料只要是导热性、导电性、加工性优异的金属或包含这些金属的复合材料，则并无特别限制。作为构成基台3的材料，例如适宜地使用铝(Al)、铜(Cu)、不锈钢(SUS)、钛(Ti)等合金。构成基台3的材料从导热性、导电性、加工性的观点考虑，优选铝合金。基台3中的至少暴露于等离子体的面优选实施氧化铝膜处理或基于聚酰亚胺系树脂的树脂涂布。并且，更优选基台3的整个面实施所述氧化铝膜处理或树脂涂布。通过对基台3实施氧化铝膜处理或树脂涂布，提高基台3的耐等离子体性，并且防止异常放电。因此，基台3的耐等离子体稳定性得到提高，并且也能够防止基台3的表面损伤的发生。
基台3的主体还具有作为等离子体产生用内部电极的功能。基台3的主体经由省略图示的匹配器连接于外部的高频电源22。
基台3通过粘接剂固定于静电卡盘板2。即，在静电卡盘板2与基台3之间，设置有将静电卡盘板2和基台3相互粘接的第2粘接层55。第2粘接层55存在于静电卡盘板2的背面2p与基台3的支承面3a之间，并使静电卡盘板2和基台3粘接一体化。在第2粘接层55的内部中可以嵌入有加热静电卡盘板2的加热器。
作为用于第2粘接层55的粘接剂能够进行任意选择，但能够使用与用于后述的第1粘接层50的粘接剂等同的粘接剂。即，第2粘接层55的粘接剂优选在-20℃～150℃的温度范围内具有耐热性。例如，优选仅由包含丙烯酸系树脂、硅系树脂、环氧系树脂等的组中的至少1个构成的粘接剂、或者包含这些树脂中的至少1个的粘接剂。另外，用于第1粘接层50的粘接剂与用于第2粘接层55的粘接剂可以彼此相同，也可以不同。
在静电卡盘板2、基台3及第2粘接层55中，设置有多个上下贯穿它们的气体导入孔30。气体导入孔30在载置面2s上开口。气体导入孔30与省略图示的气体供给装置相连。气体导入孔30为了向载置在静电卡盘板2的晶片W供给氦(He)等冷却用气体G而设置。
气体导入孔30具有作为贯穿静电卡盘板2的部分的第1贯穿孔31及作为贯穿基台3的部分的第2贯穿孔32。即，在静电卡盘板2中设置有第1贯穿孔31，在基台3中设置有第2贯穿孔32。第1贯穿孔31和第2贯穿孔32的中心轴相互一致。第1贯穿孔31和第2贯穿孔32相互连通。
第1贯穿孔31在厚度方向上贯穿静电卡盘板2的电介质基板11。并且，在静电卡盘板2的吸附电极13中，设置有包围第1贯穿孔31的周围的退避孔13h。并且在退避孔13h的内侧配置有电介质基板11的一部分。因此，不会从第1贯穿孔31的内周面暴露吸附电极13。
在第1贯穿孔31中插入有多孔体40。本实施方式中，第1贯穿孔31在俯视时为圆形。并且，第1贯穿孔31以相同的截面形状沿上下方向延伸。因此，多孔体40为沿上下方向延伸的圆柱状。
多孔体40由绝缘性的材料构成。多孔体40例如以喷镀膜或多孔质陶瓷作为形成材料。在多孔体40的内部中设置有多个空穴。多孔体40内部的多个空穴相互相连。因此，多孔体40能够使气体G在第1贯穿孔31的内部通过。
根据本实施方式，第1贯穿孔31被多孔体40堵住。多孔体40由绝缘性材料构成，因此限制气体导入孔30成为电荷的通道，并抑制在静电卡盘装置1中产生异常放电。由此，能够提供可靠性高的静电卡盘装置1。
另外，本发明中，多孔体40的厚度(深度方向的长度)能够进行任意选择，根据需要，可以大于或者小于静电卡盘板2的厚度，或者也可以与静电卡盘板2的厚度相同。多孔体40的直径能够进行任意选择，例如，可以与气体导入孔30的内径相同或内径以上。
图2是表示气体导入孔30周围的静电卡盘装置1的例子的局部截面示意图。
多孔体40粘接固定于第1贯穿孔31的内周面31a。在第1贯穿孔31的内周面31a与多孔体40的外周面40a之间设置有第1粘接层50。第1粘接层50将第1贯穿孔31的内周面31a和多孔体40的外周面40a相互粘接。
根据本实施方式，多孔体40通过第1粘接层50粘接于第1贯穿孔31的内周面31a。根据本实施方式，无需对多孔体40及第1贯穿孔31实施特别的加工，就能够将多孔体40容易且稳定地固定于静电卡盘板2。
第1粘接层50的厚度尺寸优选至少在从载置面2s起到0.1mm为止的区域A中为0mm以上且0.15mm以下。另外，在此，第1粘接层50的厚度尺寸是指相对于第1贯穿孔31的中心的径向上的第1粘接层50的尺寸。并且，从载置面2s起到0.1mm为止的区域A是指第1贯穿孔31的深度方向上的范围。在第1贯穿孔31的深度为0.1mm以下的情况下，在第1贯穿孔31的整个长度中，第1粘接层50的厚度设为0.15mm以下。
本实施方式的多孔体40暴露在载置面2s侧。因此，能够实现可使多孔体40容易从载置面2s侧脱落的结构，能够容易进行多孔体40的更换而提高静电卡盘装置1的维护性。然而，另一方面，若使多孔体40暴露于载置面2s，则用于固定多孔体40的第1粘接层50也容易暴露在载置面2s侧，第1粘接层50容易被等离子体侵蚀。
相对于此，本实施方式的第1粘接层50在从载置面2s起到0.1mm为止的等离子体容易到达的区域A中，厚度设为0.15mm以下。因此，第1粘接层50难以被等离子体侵蚀。根据本实施方式，使多孔体40暴露在载置面2s侧而提高静电卡盘装置1的维护性，并且能够抑制第1粘接层50的侵蚀并使多孔体40稳定地保持在第1贯穿孔31中。
本实施方式的第1粘接层50可以在从载置面2s起到0.1mm为止的范围内为0mm的厚度。即，第1粘接层50可以仅形成在比上述范围更靠下侧。并且，如图2所示，第1粘接层50也可以在第1贯穿孔31的深度方向的整个区域中为0.15mm以下且具有相同的厚度。
作为用于第1粘接层50的粘接剂能够进行任意选择，但优选在-20℃～150℃的温度范围内具有耐热性的粘接剂。例如，优选仅由包含丙烯酸系树脂、硅系树脂、环氧系树脂等的组中的至少1个构成的粘接剂、或者包含这些树脂中的至少1个的粘接剂。可以优选从丙烯酸系树脂粘接剂、硅系树脂粘接剂、环氧系树脂粘接剂等进行选择。
第1粘接层50通过将未固化的粘接剂涂布在第1贯穿孔31的内周面31a或多孔体40的外周面40a，并将多孔体40插入第1贯穿孔31之后使其固化来形成。通过对第1贯穿孔31从上侧插入多孔体40，从而在插入时较多的粘接剂流到第1贯穿孔31的内周面31a中下侧的区域，能够抑制从载置面2s起到0.1mm为止的范围的第1粘接层50的厚度变得过大。
多孔体40的空穴率优选为40％以上且60％以下。多孔体40的空穴的一部分在多孔体40的外周面上开口。通过将空穴率设为40％以上，能够使涂布在第1贯穿孔31的内周面31a或多孔体40的外周面40a的未固化的粘接剂容易从多孔体40的外周面40a侵入空穴的内部。由此，将多孔体40插入第1贯穿孔31时，即使在粘接剂的涂布量过多的情况下，也能够抑制粘接剂从第1贯穿孔31溢出。并且，通过将空穴率设为60％以下，能够更可靠地抑制以气体导入孔30为起点的异常放电。
另外，在此，“空穴率”是指多孔体40的规定的单位体积中所占的空穴的合计体积的比例。空穴率可以是根据多孔体40的形成材料的真密度与多孔体40的表观密度之比求出的值，也可以实测每单位体积的空穴的体积而求出。越是空穴率大的多孔体40，空穴越多，越容易使气体G流出。
第2贯穿孔32与第1贯穿孔相连。在第2贯穿孔32中插入有筒状的绝缘子24。绝缘子24的外周面例如通过粘接剂等而固定于第2贯穿孔32。绝缘子24的内部作为气体G的通过路径而发挥功能。
绝缘子24例如将陶瓷设为形成材料。即，绝缘子24由绝缘性部件构成。由此，绝缘子24能够抑制气体导入孔30成为异常放电的起点。绝缘子24具有对等离子体的耐久性。作为构成绝缘子24的陶瓷，能够采用包含选自氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、赛隆、氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)中的1种或2种以上的陶瓷。
绝缘子24的上端面24a的一部分与静电卡盘板2的背面2p接触。并且，绝缘子24的上端面24a的一部分与多孔体40的下表面接触。本实施方式中，在绝缘子24的上端面24a(即，静电卡盘板2侧的端面)设置有向下侧凹陷的凹槽24g。凹槽24g沿绝缘子24的周向以圆环状延伸。凹槽24g从轴向观察时与第1贯穿孔31的内周面31a重叠。例如，位于凹槽24g的外侧的内径(由凹槽24g形成的圆环的直径)优选大于多孔体40的直径。
本实施方式的凹槽24g配置于第1粘接层50的正下方。因此，通过在第1贯穿孔31的内周面31a或多孔体40的外周面40a涂布未固化的粘接剂而使多孔体40插入第1贯穿孔31，能够将未固化的粘接剂的一部分容纳在凹槽24g中。结果，本实施方式的第1粘接层50的一部分延伸至凹槽24g的内部。根据本实施方式，在将多孔体40插入第1贯穿孔31时，即使在粘接剂的涂布量过多的情况下，也能够将粘接剂积存在凹槽24g内，因此能够抑制粘接剂从第1贯穿孔31溢出。由此，能够有效地抑制第1粘接层50在载置面2s的附近的区域A中变得过厚。
根据本实施方式，绝缘子24与静电卡盘板2接触。更具体而言，绝缘子24的上端面24a与静电卡盘板2的背面2p接触。因此，第1粘接层50和第2粘接层55分别由绝缘子24进行区划。即，第1粘接层50和第2粘接层55彼此分开。第1粘接层50与绝缘子24的上端面24a及凹槽24g接触，第2粘接层55与绝缘子24的外周面接触。
在更换多孔体40时，操作人员从上侧拔出多孔体40，或者从下侧推出，由此对多孔体40施加朝向上侧的力，使多孔体40从静电卡盘板2脱落。此时，为了使多孔体40脱落，对第1粘接层50施加断裂的力。
根据本实施方式，由于第1粘接层50和第2粘接层55彼此分开，因此使多孔体40脱落时，能够抑制对第2粘接层55施加应力。即，根据本实施方式，能够抑制更换多孔体40时对第2粘接层55产生损伤，且能够抑制多孔体40更换后的静电卡盘板2的可靠性降低。
并且，根据本实施方式，由于第1粘接层50和第2粘接层55彼此分开，因此能够抑制沿第1粘接层50及第2粘接层55的异常放电的产生。即，根据本实施方式，通过第1粘接层50和第2粘接层55分开而能够抑制异常放电的产生。
<变形例>
接着，对上述实施方式中可采用的多个变形例的多孔体及其附近的结构的例子进行说明。另外，在以下说明的各变形例的说明中，对与已说明的实施方式及变形例相同方式的构成要件标注相同符号，并省略其说明。并且，在以下说明的各变形例中，各个第1粘接层在从载置面起到0.1mm为止的区域A中，厚度设为0.15mm以下。
(变形例1)
图3是变形例1的静电卡盘装置101的局部截面示意图。
与上述实施方式相同地，在第1贯穿孔31的内周面31a，经由第1粘接层150粘接固定有多孔体140。另一方面，在第2贯穿孔32中插入有筒状的绝缘子124。
绝缘子124的上端面124a的一部分与静电卡盘板102的背面102p接触。在绝缘子124的上端面124a设置有台阶部124b。台阶部124b相对于上端面124a向上侧突出。在本变形例中，多孔体140的下端面相对于静电卡盘板102的背面102p向上侧凹陷。台阶部124b是以绝缘子124的中心线为中心的圆筒状。即，绝缘子124从截面观察时具有高度位置不同的2个上端面。台阶部124b的外径小于台阶部124b以外的部分的绝缘子124的外径。台阶部124b被插入到第1贯穿孔31中。台阶部124b的前端面与多孔体140的下表面接触。根据本变形例，能够设为将第1粘接层150与第2粘接层55之间的间隙以台阶状交错的结构。本例中，多孔体140的厚度可以小于静电卡盘板102的厚度。
本变形例的第1粘接层150和第2粘接层55与上述实施方式相同地彼此分开。尤其，本变形例中，通过绝缘子124的台阶部124b，第1粘接层150的下端位置配置在比第2粘接层55更靠上侧，构成第1粘接层150的粘接剂在制造时难以达到第2粘接层55。即，根据本变形例，能够更可靠地使第1粘接层150和第2粘接层55分开。因此，在使多孔体140脱落而进行更换时，能够更可靠地抑制对第2粘接层55施加应力，且能够抑制对第2粘接层55产生损伤。
(变形例2)
图4是变形例2的静电卡盘装置201的局部截面示意图。
与上述实施方式相同地，在第1贯穿孔231的内周面231a，经由第1粘接层250粘接固定有多孔体240。另一方面，在第2贯穿孔32中插入有筒状的绝缘子224。
在第1贯穿孔231的内周面231a，设置有随着朝向下侧缩小内径的锥面231b。即，在第1贯穿孔231中，设置有随着在深度方向上远离静电卡盘板202的载置面202s而缩小直径的锥面231b。另外，本变形例的锥面231b在上下方向上设置于整个内周面231a，但锥面231b也可以设置于内周面231a的一部分。例如，也可以仅在上侧部分设置锥面，在与锥面连续的下侧部分，形成具有具备与锥面部分的最小内径相同的内径的筒状部分的贯穿孔，或者使用与该形状对应的多孔体。
另一方面，在多孔体240的外周面设置有与锥面231b对置的圆锥面240a。圆锥面240a随着朝向下侧而缩小直径。第1粘接层250配置在锥面231b与圆锥面240a之间。多孔体240可以是越在深度方向上远离载置面202s其直径越小的圆锥台形状。
如图4所示，第1粘接层250的上端配置在比锥面231b与圆锥面240a之间的间隙的上端稍微靠下侧。因此，第1粘接层250隐藏配置在多孔体240的上端的下侧。即，根据本变形例，在载置面202s的俯视下，第1粘接层250隐藏在多孔体240中。
在此，载置面202s的俯视是指从与载置面202s正交的方向观察载置面202s。因此，如图4所示，在从位于多孔体240的上端的外缘画出垂线PL的情况下，第1粘接层250配置在比垂线PL更靠第1贯穿孔231的中心侧。
根据本变形例，能够使第1粘接层250难以被在载置面202s的垂直方向上发挥作用的等离子体侵蚀。由此，能够使多孔体240暴露在载置面202s侧，并且抑制第1粘接层250的侵蚀而使多孔体240稳定地保持在第1贯穿孔231中。
(变形例3)
图5是变形例3的静电卡盘装置301的局部截面示意图。
与上述实施方式相同地，在第1贯穿孔31的内周面31a，经由第1粘接层350粘接固定有多孔体340。另一方面，在第2贯穿孔332中插入有筒状的绝缘子324。
在本变形例中，第2粘接层355存在于绝缘子324的上端面324a与静电卡盘板302的背面302p之间以及绝缘子324的上端面324a与多孔体340之间。因此，本变形例的绝缘子324不与静电卡盘板302及多孔体340直接接触。并且，本变形例中，第1粘接层350与第2粘接层355直接接触。本变形例的第2粘接层355具有位于第1粘接层350的正下方并与第1粘接层350接触的接触部355a。本变形例的接触部355a在第1贯穿孔31的深度方向上与第1粘接层350接触。
在本变形例的第2贯穿孔332的上侧的开口中，设置有随着朝向上侧而增大直径(内径)的锥面332b。锥面332b相对于第2贯穿孔332的中心沿周向延伸。第2贯穿孔332在设置有锥面332b的区域中直径变大。即，在第2贯穿孔332的静电卡盘板302侧的开口部，设置有增大直径的大径部332a。
绝缘子324的外周面从上下方向观察时为圆形。因此，在绝缘子324的外周面与锥面332b之间设置有间隙。在静电卡盘装置301的制造工序中，构成第2粘接层355的粘接剂的一部分侵入绝缘子324的外周面与锥面332b之间而固化。本变形例的第2粘接层355在大径部332a的上侧具有壁厚部(剥离抑制部)355b。壁厚部355b从上下方向观察时包围第1贯穿孔31及第2贯穿孔332。
壁厚部355b沿第2贯穿孔332的中心的周向延伸。壁厚部355b配置在接触部355a的外侧，并包围接触部355a。并且，壁厚部355b的厚度尺寸大于接触部355a的厚度尺寸。
根据本变形例的第2粘接层355，具有与第1粘接层350接触的接触部355a。因此，在更换多孔体340时，施加于第1粘接层350的朝向上侧的力从第1粘接层350传递到第2粘接层355的接触部355a。使多孔体340脱落的力不仅使第1粘接层350断裂，而且有可能对第2粘接层355的一部分(接触部355a)造成损伤。
根据本变形例的第2粘接层355，接触部355a被壁厚部355b包围。壁厚部355b与接触部355a相比，厚度尺寸较大，由此强度较高。即，第2粘接层355在壁厚部355b中局部地提高了强度。使接触部355a断裂的力被壁厚部355b承受，接触部355a的损伤难以传递到比壁厚部355b更靠外侧。根据本变形例，能够抑制在更换多孔体340时产生如损害第2粘接层355的功能的损伤，能够提高多孔体340的更换后的静电卡盘板302的可靠性。
关于变形例的第2粘接层355，通过在第2贯穿孔332中设置大径部332a，能够形成厚度尺寸增高的壁厚部355b。即，本变形例的壁厚部355b的一部分配置在大径部332a与绝缘子324的外周面之间。根据本变形例，无需复杂的结构，就能够形成包围接触部355a的壁厚部355b。
另外，本变形例中，对在第2贯穿孔332的开口部形成锥面332b且在锥面332b的内侧设置大径部332a的情况进行了说明。然而，大径部332a的结构并不限定于本变形例。例如，也可以在第2贯穿孔的开口部形成台阶部而设置大径部。
(变形例4)
图6是变形例4的静电卡盘装置401的局部截面示意图。
与上述实施方式相同地，在第1贯穿孔31的内周面31a，经由第1粘接层450粘接固定有多孔体440。另一方面，在第2贯穿孔332中插入有筒状的绝缘子424。
在本变形例中，第2粘接层455存在于绝缘子424的上端面424a与静电卡盘板402的背面402p之间。因此，本变形例的绝缘子424不与静电卡盘板402接触。另一方面，本变形例的绝缘子424在上端面中与多孔体440的下端面接触。
在本变形例中，多孔体440的下端面相对于静电卡盘板402的背面402p向下侧突出。因此，多孔体440的下端面位于比静电卡盘板402的背面402p更靠下侧。多孔体440在位于比背面402p更靠下侧的下端部的外周面被第2粘接层455包围。在多孔体440的外周面与第2粘接层455之间，配置有第1粘接层450。即，本变形例中，第1粘接层450与第2粘接层455直接接触。本变形例的第2粘接层455具有包围第1粘接层450并与第1粘接层450接触的接触部455a。本变形例的接触部455a在第1贯穿孔31的径向上与第1粘接层450接触。
本变形例的第2贯穿孔332具有与上述变形例3相同的结构。即，在第2贯穿孔332的静电卡盘板402侧的开口部，设置有增大直径的大径部332a。本变形例的第2粘接层455在大径部332a的上侧具有壁厚部(剥离抑制部)455b。壁厚部455b从上下方向观察时包围第1贯穿孔31及第2贯穿孔332。
根据本变形例的第2粘接层455，接触部455a被壁厚部455b包围。由此，即使在更换多孔体440时对接触部455a产生损伤的情况下，也能够抑制该损伤扩散到壁厚部455b的外侧。根据本变形例，能够抑制在更换多孔体440时产生如损害第2粘接层455的功能的损伤，能够提高多孔体440的更换后的静电卡盘板402的可靠性。
以上，对本发明的各种实施方式进行了说明，但各实施方式中的各结构及它们的组合等是一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够进行结构的附加、省略、置换及其他变更。并且，本发明并不被实施方式所限定。
产业上的可利用性
本发明能够提供一种维护性优异的静电卡盘装置。
标号说明
1、101、201、301、401-静电卡盘装置
2、102、202、302、402-静电卡盘板
2s、202s-载置面
2p、102p、302p、402p-静电卡盘板的背面
3-基台
3a-基台的支承面
3b-基台的下表面
11-电介质基板
13-吸附电极
13h-退避孔
15-插通孔
16-供电端子
17-端子用贯穿孔
21-外部的电源
22-外部的高频电源
23-端子用绝缘子
24、124、224、324、424-绝缘子
24a、124a、324a、424a-绝缘子的上端面
24g-凹槽
30-气体导入孔
31、231-第1贯穿孔
31a、231a-内周面
32、332-第2贯穿孔
40、140、240、340、440-多孔体
40a-外周面
50、150、250、350、450-第1粘接层
55、355、455-第2粘接层
124b-台阶部
231b、332b-锥面
240a-圆锥面
332a-大径部
355a、455a-接触部
355b、455b-壁厚部(剥离抑制部)
A-从载置面起到0.1mm为止的区域
G-气体
PL-垂线
W-晶片(试样)。
Claims (8)
1.一种静电卡盘装置，其具备：
静电卡盘板，具有设置有搭载试样的载置面的电介质基板及位于所述电介质基板的内部的吸附电极；以及
基台，从所述载置面的相反的一侧支承所述静电卡盘板，
在所述静电卡盘板中，设置有对所述载置面供给气体的第1贯穿孔，在所述第1贯穿孔中，插入有使所述气体通过的多孔体，
在所述第1贯穿孔的内周面与所述多孔体的外周面之间，设置有将所述内周面和所述外周面相互粘接的第1粘接层，
所述第1粘接层的厚度尺寸至少在从所述载置面起到0.1mm为止的区域中为0mm以上且0.15mm以下。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
在所述静电卡盘板与所述基台之间，设置有将所述静电卡盘板和所述基台相互粘接的第2粘接层，
所述第1粘接层和所述第2粘接层彼此分开。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘装置，其中，
在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，
在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，
所述绝缘子与所述静电卡盘板接触。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
在所述静电卡盘板与所述基台之间，设置有将所述静电卡盘板和所述基台相互粘接的第2粘接层，
所述第2粘接层具有：
接触部，与所述第1粘接层接触；及
剥离抑制部，包围所述接触部，
所述剥离抑制部的厚度尺寸大于所述接触部的厚度尺寸。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘装置，其中，
在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，
在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，
在所述第2贯穿孔的所述静电卡盘板侧的开口部，设置有增大直径的大径部，
所述剥离抑制部的一部分配置在所述大径部与所述绝缘子的外周面之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘装置，其中，
在所述载置面的俯视下，所述第1粘接层隐藏在所述多孔体中。
7.根据权利要求6所述的静电卡盘装置，其中，
在所述第1贯穿孔中，设置有随着在深度方向上远离所述载置面而缩小直径的锥面，
在所述多孔体的外周面，设置有与所述锥面对置的圆锥面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电卡盘装置，其中，
在所述基台上，设置有与所述第1贯穿孔相连的第2贯穿孔，
在所述第2贯穿孔中，插入有筒状的绝缘子，
在所述绝缘子的所述静电卡盘板侧的端面设置有凹槽，
所述第1粘接层的一部分延伸至所述凹槽的内部。
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