WO2023020351A1 - 传感器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种传感器件制备方法，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，或者，通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，并对导电层进行刻蚀，形成网格结构。其中，网格结构的线宽小于或等于1.5微米，网格结构的厚度大于或等于2微米。
Description
本申请要求于2021年8月18日提交中国专利局、申请号为202110950865.4、发明名称为“传感器件及其制备方法”的中国专利申请的优先权，其内容应理解为通过引用的方式并入本申请中。
本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种传感器件及其制备方法。
随着无线通信技术的发展，移动通信产品得到了快速的发展。移动通信产品可以实现数据传输功能，达到资源共享目的。在移动通信产品中，天线是必备的组件之一。其中，屏上天线(AoD，Antenna on Display)技术(即在显示屏上设置透明天线)是一个重要发展方向。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种传感器件及其制备方法。
一方面，本公开实施例提供一种传感器件制备方法，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，或者，通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，并对导电层进行刻蚀，形成网格结构。其中，网格结构的线宽小于或等于1.5微米，网格结构的厚度大于或等于2微米。
在一些示例性实施方式中，所述对所述导电层进行刻蚀，包括：采用湿刻工艺对所述导电层进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述透明衬底的表面涂覆光阻材料，对所述光阻材料 进行曝光和显影，形成具有沟槽的第一辅助构图层；其中，所述沟槽的宽度大于所述网格结构的线宽。在形成导电层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层。
在一些示例性实施方式中，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述透明衬底的表面形成种子层；在形成所述第一辅助构图层之后，所述第一辅助构图层的沟槽暴露出所述种子层的表面。在去除所述第一辅助构图层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述导电层覆盖的种子层。
在一些示例性实施方式中，在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成种子层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成粘附层。在对所述导电层进行刻蚀之后，所述方法还包括：对所述粘附层进行刻蚀，保留被刻蚀后的导电层覆盖的粘附层。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层。
在一些示例性实施方式中，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成导电层。
在一些示例性实施方式中，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助图形层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层；将所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的种子层和第一电镀层去除，保留所述沟槽内的种子层和第一电镀层；通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽内形成第二电镀层。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面依次形成第二辅助构 图薄膜、硬掩模、以及图案化的第一光阻层；利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层。所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述第二辅助构图层远离所述透明衬底的表面形成第一辅助构图层，所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面与所述第二辅助构图层远离所述透明衬底的表面齐平；去除所述第二辅助构图层，形成所述第一辅助构图层的沟槽，其中，所述沟槽的宽度与所述网格结构的线宽大致相同。
在一些示例性实施方式中，所述第一辅助构图层采用光阻材料。在透明衬底的表面形成第二辅助构图薄膜之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面形成种子层。通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构之后，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层，对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述网格结构覆盖的种子层。
在一些示例性实施方式中，所述第一辅助构图层采用感光树脂材料。在透明衬底的表面形成第二辅助构图薄膜之前，所述方法还包括：在透明衬底的表面形成种子层。在利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层之后，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述第二辅助构图层覆盖的种子层。
在一些示例性实施方式中，所述对所述导电层进行刻蚀，形成网格结构，包括：在所述第一辅助构图层和导电层远离所述透明衬底的表面形成图案化的第二光阻层，所述第二光阻层暴露出目标位置的导电层；通过刻蚀工艺去除目标位置的导电层，形成网格结构。
在一些示例性实施方式中，所述第一辅助构图层采用感光树脂材料。在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层。所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成天线结构。
在一些示例性实施方式中，所述透明衬底具有有效区域、围绕所述有效区域的无效区域。所述网格结构位于所述有效区域，所述无效区域设置有无效网格；所述无效网格的线宽大于或等于所述有效区域的网格结构的线宽。
在一些示例性实施方式中，所述透明衬底还具有围绕所述无效区域的加电区域，所述加电区域配置为在所述电镀工艺中提供电镀电流。
在一些示例性实施方式中，所述有效区域包括：天线区和位于天线区至少一侧的视觉补偿区；所述天线区的网格结构的图案不同于所述视觉补偿区的网格结构的图案。
在一些示例性实施方式中，所述无效网格的线宽沿着远离所述有效区域的方向逐渐连续递增，或者，阶梯递增。
在一些示例性实施方式中，所述网格结构的厚度约为2微米至5微米。
另一方面，本公开实施例提供一种传感器件，采用如上所述的方法制备而成。
在一些示例性实施方式中，所述传感器件为透明天线。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为通过二步光刻法得到的金属线的截面形貌图；
图2为本公开至少一实施例的传感器件制备方法的流程图；
图3为本公开至少一实施例的天线基板的平面示意图；
图4为本公开至少一实施例的一种天线制备流程示意图；
图5为图4所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图6为采用图4所示的制备流程得到的网格结构在光学显微镜下的局部 平面示意图；
图7和图8为采用图4所示的制备流程得到的金属线在扫描电子显微镜下的截面示意图；
图9为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图；
图10为图9所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图11为图9所示的制备流程中形成第一电镀层并进行高压冲洗后的天线区在光学显微镜下的局部平面示意图；
图12为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图；
图13为图12所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图14为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图；
图15为图14所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图16为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图；
图17为图16所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图18为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图；
图19为图18所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图20为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图；
图21为图20所示天线制备流程中天线区的局部平面示意图；
图22为本公开至少一实施例的电子设备的示意图。
下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为其他形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、 层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有多种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，沉积工艺可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂 和刮涂中的任意一种或多种，刻蚀工艺可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。
在本说明书中，电镀工艺的完整步骤可以包括：预清洗、去离子水喷淋、电镀液浸泡、采用第一电流电镀、采用第二电流电镀以及去离子水冲洗，其中，第一电流小于第二电流。面电镀工艺为基于整面种子层进行电镀。线电镀工艺为基于图案化的种子层(例如，具有网格图案的种子层)进行电镀。湿刻工艺的完整步骤可以包括：预清洗、去离子水润湿、刻蚀液刻蚀、去离子水冲洗、洁净干燥的压缩空气(CDA，Clean Dry Air)风干。其中，刻蚀液刻蚀可采用浸泡或者喷淋模式。
本公开中的“厚度”可以为膜层在垂直于衬底方向上的尺寸。“宽度”可以为沿着延伸方向的垂直方向上的尺寸。“线宽”可以为走线在延伸方向的垂直方向的尺寸。
本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。本公开中的“大致相同”可以指数值相差10％以内的情况。
在一些实现方式中，通常采用透明导电材料(例如，氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide))，或者金属和导电氧化物的多层膜材料，或者是金属网格薄膜，来实现透明传感器件(例如，透明天线)设计。以采用ITO制备透明天线为例，虽然ITO具备一定的导电性，但是与金属材料相比，ITO的电阻难以满足应用在5G频段下天线的辐射能量效率需求。金属材料的电阻率虽然较低，但是由于金属材料的不透明性质，金属线的线宽需要保证在正常观看距离下的目视透明，以应用在透明天线中。而且，金属线的厚度需保证电阻率满足天线辐射能量效率需求。然而，目前基于玻璃基的晶体管背板工艺中的金属走线制程无法满足透明天线的工艺需求。
在一些实现方式中，可以采用二步光刻法进行金属网格的金属线制作。例如，二步光刻法可以包括以下过程：(a)在透明基底上溅射沉积厚度约为7000埃的金属层；(b)涂布光刻胶，通过曝光显影形成图案化的光阻层；(c)采用湿法刻蚀工艺对光阻层暴露出的金属层进行刻蚀，形成金属线；重 复执行上述步骤(a)至(c)。以曝光采用的掩膜版的设计线宽为1.5微米(um)为例，通过二步光刻法得到的金属线的截面形貌如图1所示。其中，金属线的截面呈现为正三角型，沿着远离透明基底的方向，金属线的宽度分别为2.74um、1.77um和640纳米(nm)；金属线的厚度约为1.58um。虽然掩膜版的设计线宽为1.5um，然而，由于掩模版对光刻胶的曝光无法产生线宽为1.5um的掩模图案，导致最终的金属线的线宽大于设计线宽1.5um。
图2为本公开至少一实施例的传感器件制备方法的流程图。如图2所示，本实施例提供的传感器件制备方法，包括以下步骤：
S1、在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；
S2、通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构；或者，通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，对导电层进行刻蚀，形成网格结构。其中，网格结构的线宽小于或等于1.5um，网格结构的厚度大于或等于2um。
本实施例提供的传感器件制备方法，利用第一辅助构图层的沟槽，并结合电镀工艺，或者结合电镀工艺和刻蚀工艺，形成线宽和厚度满足条件的网格结构，以制备传感器件。在一些示例中，以本实施例的制备方法得到的传感器件为透明天线为例，本实施例的制备方法得到的透明天线具有较佳的透光性，而且可以满足微波电路特性要求。例如，本实施例制备得到的透明天线可以设于显示屏的表面，从而有效提高对无线信号的收发性能。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，本实施例的传感器件制备方法可以得到具有网格结构的其他类型的传感器件。
在一些示例性实施方式中，网格结构的线宽可以约为1um或者1.5um。网格结构的厚度可以约为2um至5um，例如约为3um、4um或者5um。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，本实施例制备得到的传感器件的网格结构的尺寸只要可以满足传感器件所需的特性要求即可。例如，本实施例制备得到的透明天线的网格结构的尺寸只要满足透明天线的透光性和微波电路特性要求即可。
在一些示例性实施方式中，对导电层进行刻蚀可以包括：采用湿刻工艺对导电层进行刻蚀。在一些示例中，可以采用湿刻工艺对导电层进行一次或 多次刻蚀，以收窄线宽得到满足线宽和厚度条件的网格结构。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层的沟槽呈网格状，且沟槽和网格结构的形状和尺寸大致相同。第一辅助构图层的沟槽的宽度与网格结构的线宽可以大致相同。在本示例中，通过电镀工艺可以直接在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构。通过沟槽制备工艺结合电镀工艺，可以得到尺寸满足要求的网格结构。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层的沟槽可以呈网格状，且沟槽的形状与网格结构的形状可以大致相同。第一辅助构图层的沟槽的宽度大于网格结构的线宽。在本示例中，通过电镀工艺在沟槽形成导电层后，通过对导电层进行刻蚀收窄线宽进而得到网格结构。通过结合电镀工艺和刻蚀工艺(例如，湿刻工艺)可以得到尺寸满足要求的网格结构。
在一些示例性实施方式中，可以在形成第一辅助构图层之前，形成种子层，或者，可以在形成第一辅助构图层的沟槽之后，形成种子层，以便于后续在电镀工艺中使用种子层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层可以采用光阻材料(例如，光刻胶)，或者，可以采用感光树脂材料(例如，光学胶)。在一些示例中，第一辅助构图层可以采用光阻材料，利用第二辅助构图层在第一辅助构图层形成沟槽之后，直接在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构；或者，利用光刻工艺在第一辅助构图层形成沟槽后，在第一辅助构图层的沟槽形成导电层，并在去除第一辅助构图层后对导电层进行刻蚀来收窄线宽以形成网格结构。在一些示例中，第一辅助构图层可以采用感光树脂材料，利用第二辅助构图层在第一辅助构图层形成沟槽之后，直接在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，第一辅助构图层可以作为光学保护层保留。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，本示例性实施例的天线制备方法还可以包括：在透明衬底的表面依次形成第二辅助构图薄膜、硬掩模、以及图案化的第一光阻层；利用图案化的第一光阻层对第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第 二辅助构图层。在本示例中，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，可以包括：在第二辅助构图层远离透明衬底的表面形成第一辅助构图层，第一辅助构图层远离透明衬底的表面与第二辅助构图层远离透明衬底的表面齐平；去除第二辅助构图层，形成第一辅助构图层的沟槽。在本示例性实施方式中，基于图形互补的原理，利用第二辅助构图层形成与网格结构的形状和尺寸大致相同的沟槽，并在沟槽内形成网格结构。
在一些示例性实施方式中，透明衬底可以具有有效区域、围绕有效区域的无效区域。网格结构位于有效区域，无效区域设置有无效网格。无效网格的线宽可以大于或等于有效区域的网格结构的线宽。在一些示例中，无效网格的线宽可以沿着远离有效区域的方向逐渐连续递增，或者，阶梯递增。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，透明衬底还具有围绕无效区域的加电区域。加电区域配置为在电镀工艺中提供电镀电流。在一些示例中，在本示例的传感器件制备过程中，完成传感器件膜层的制备之后，切割掉无效区域和加电区域，得到传感器件。
下面通过多个示例对本实施例的方案进行举例说明。下述示例中以制备的传感器件为透明天线为例进行说明。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，采用本实施例提供的传感器件制备方法可以得到具有网格结构的其他类型的传感器件。
在一些示例性实施方式中，制备透明天线可以先制备天线基板，然后对天线基板进行切割，得到一个或多个透明天线。其中，透明天线可以绑定微波信号控制电路，并通过微波信号控制电路与电子设备(例如，手机)的主板电连接。例如，微波信号控制电路可以为印制电路板(PCB，Printed Circuit Board)或者柔性电路板(FPC，Flexible Printed Circuit)。透明天线可以设置在电子设备(例如，显示屏)的表面，以实现对无线电信号(例如，微波信号)的收发。例如，透明天线可以贴设在显示屏的触控层之上且位于玻璃盖板下方。然而，本实施例对此并不限定。
图3为本公开至少一实施例的天线基板的示意图。如图3所示，以天线基板包括一个有效区域为例进行说明。一个有效区域对应一个透明天线。然 而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，天线基板可以包括呈周期性规则排布的多个有效区域，后续对天线基板切割可以分隔成多个透明天线。
在一些示例性实施方式中，如图3所示，天线基板包括：有效区域、无效区域C和加电区域D。无效区域C围绕在有效区域的外侧，加电区域D围绕在无效区域C的外侧。无效区域C作为加电区域D和有效区域之间的缓冲区，可以隔离加电区域D和有效区域，起到工艺缓冲作用。加电区域D为电镀工艺中实现种子层和电镀设备电源之间电连接的区域，加电区域D配置为在电镀工艺中提供电镀电流。无效区域C内可以设置切割道，在完成天线基板的制备后，切割设备可以沿着切割道进行切割，切割掉加电区域D和无效区域C，保留有效区域，以得到透明天线。在一些示例中，有效区域可以呈矩形，无效区域C和加电区域D可以呈矩形环。然而，本实施例对此并不限定。例如，有效区域可以为圆形或椭圆形，无效区域可以为环形。在一些示例中，天线基板包括多个有效区域时，每个有效区域外围可以围绕有无效区域，相邻无效区域之间的区域可以均为加电区域。
在一些示例性实施方式中，如图3所示，有效区域可以包括：视觉补偿区B以及至少一个天线区A。有效区域内除天线区A以外的区域均为视觉补偿区B。天线区A可以位于视觉补偿区B的一侧。例如，天线区A可以位于视觉补偿区B的下侧居中位置。天线区A的面积可以小于视觉补偿区B的面积。然而，本实施例对此并不限定。例如，有效区域可以包括视觉补偿区和两个天线区，两个天线区可以位于视觉补偿区的相对两侧，例如视觉补偿区的左右两侧。
在一些示例性实施方式中，为适配电子设备的形状，可以在切割过程中对视觉补偿区B进行切割。如图3所示，视觉补偿区B的四个角可以被切割，以形成具有圆角的有效区域。例如，本示例性实施例制备的透明天线设置在显示装置后，有效区域在显示装置的正投影可以与显示装置的显示区域交叠，由于有效区域具有透光性，不会影响显示装置的显示效果。
在一些示例性实施方式中，有效区域设置有网格结构。天线区A的网格结构配置为实现微波收发，视觉补偿区B的网格结构配置为降低与天线区A在视觉观感上带来的差异。天线区A的网格结构可以按照微波特性建模仿真 设计，天线区A的网格结构的不同位置的线宽可以大致相同，且网格交点处为两个方向走线的自然交叠。视觉补偿区B的网格结构仅用于降低视觉观感差异，无需实现微波收发。天线区A的网格结构的图案可以不同于视觉补偿区B的网格结构的图案。在一些示例中，天线区A的网格结构可以包括多个没有交叉断点的网格图案、以及多个具有交叉断点的网格图案，视觉补偿区B的网格结构可以包括多个具有交叉断点的网格图案。在一些示例中，天线区A还具有多个绑定电极，以便与微波信号控制电路绑定。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，有效区域的网格结构的线宽可以小于或等于1.5um，厚度可以大于或等于2um，例如，约为2um至3um。如此一来，有效区域的网格结构可以保证天线区的目视光学透明，而且可以保证天线区满足微波电路特性要求，从而实现透明天线。
在一些示例性实施方式中，无效区域C可以设置无效网格。无效网格的图案可以与有效区域的网格结构的图案大致相同，无效网格的线宽可以大于或等于有效区域的网络结构的线宽。在一些示例中，无效网格的不同位置的线宽可以大致相同，例如线宽范围约为2.5um至4um。或者，无效网格的线宽可以在沿着远离有效区域的方向逐渐递增；例如，靠近加电区域D的无效网格的线宽可以约为4um，靠近有效区域的无效网格的线宽可以约为2.5um，在沿着加电区域D至有效区域的方向上，无效网格的线宽可以逐渐递减。或者，无效网格的线宽可以在沿着远离有效区域的方向阶梯状递增；例如，在沿着远离有效区域的方向上，无效网格的线宽可以按照以下四个阶梯增加：2.5um、3um、3.5um和4um。然而，本实施例对此并不限定。
图4为本公开至少一实施例的一种天线制备流程示意图。图5为图4所示的天线制备流程中天线区的局部平面示意图。其中，图5(a)为形成种子层后的局部平面示意图。图5(b)为形成第一辅助构图层后的局部平面示意图。图5(c)为形成电镀层后的局部平面示意图。图5(d)为对种子层刻蚀后的局部平面示意图。图5(e)为对电镀层刻蚀后的局部平面示意图。图5(f)为对粘附层刻蚀后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图4和图5所示，本实施例的天线制备流 程包括以下操作步骤。
(1-1)、制备透明衬底12。
在一些示例性实施方式中，在透明基材10上涂覆光学胶(OCA，Optically Clear Adhesive)11后，贴附环烯烃聚合物(COP)薄膜，形成柔性的透明衬底12。在一些示例中，透明基材10可以为玻璃或蓝宝石等硬质基材。
在一些示例中，透明衬底12的材料可以包括以下之一：玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇(Polyethylene terephthalate，PET)，聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚亚酰胺(PI，Polyimide)等。然而，本实施例对此并不限定。
(1-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底12远离透明基材10的表面形成缓冲层13。在一些示例中，在透明衬底12远离透明基材10的表面沉积无机材料，形成缓冲层13。例如，通过低温CVD工艺沉积二氧化硅(SiO
2)形成缓冲层13。在一些示例中，缓冲层13的厚度可以约为10nm至100nm。
(1-3)、在缓冲层13上形成种子层15。
在一些示例性实施方式中，在缓冲层13远离透明基材10的表面沉积粘附薄膜，形成粘附层14；随后，在粘附层14上沉积(例如，溅射沉积)金属薄膜，形成种子层15，如图5(a)所示。粘附层14配置为增加种子层15和缓冲层13之间的粘附力。
在一些示例中，粘附层14可以采用金属材料，例如钛(Ti)或钼(Mo)，或者可以为合金材料，例如，MTD(即含钼(Mo)和钛(Ti)的合金材料)。种子层15可以采用金属材料，例如，铜(Cu)、金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料。
在一些示例中，粘附层14的厚度可以约为10nm至100mm。种子层15的厚度可以约为100nm至500nm。
(1-4)、在种子层15上形成第一辅助构图层16。
在一些示例性实施方式中，在种子层15远离透明基材10的表面涂覆光刻(PR，Photoresist)胶，经过掩模曝光和显影的光刻工艺形成图案化的第 一辅助构图层16，如图5(b)所示。在一些示例中，在涂覆光刻胶之前，可以在种子层15表面进行六甲基二硅氮烷(HMDS)处理，以增强光刻胶在金属表面的粘附力。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层16具有第一沟槽K1，第一沟槽K1暴露出种子层15的表面。如图5(b)所示，第一辅助构图层16的第一沟槽K1在有效区域呈网格状。有效区域的第一沟槽K1的网格图案与网格结构的图案可以大致相同，第一沟槽K1的宽度可以大于网格结构的线宽。第一辅助构图层16在无效区域的第一沟槽也可以呈网格状，无效区域的第一沟槽的网格图案与无效区域的无效网格的图案可以大致相同，且无效区域的第一沟槽的宽度可以大于无效网格的线宽。无效区域的第一沟槽的宽度可以大于或等于有效区域的第一沟槽的宽度。加电区域的第一辅助构图层16被全部去除，暴露出种子层15的表面。
在一些示例性实施方式中，有效区域的第一沟槽K1的设计宽度可以小于1.5um。在通过曝光剂量和显影条件的设计之后，有效区域的第一沟槽K1的底面和侧壁可以大致垂直，第一沟槽K1的宽度例如可以小于4um。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层16的厚度可以约为2um至5um。第一辅助构图层16的厚度可以根据网格结构所需的厚度来确定。通过调整第一辅助构图层的厚度，可以改变网格结构的厚度。
在一些示例性实施方式中，光刻胶可以选用低温固化胶材，且固化温度不高于COP薄膜和OCA的耐受温度，例如固化温度可以约为140℃。
(1-5)、制备电镀层17。在本示例中的电镀层17即为上述实施例中的导电层。
在一些示例性实施方式中，通过电镀工艺在第一辅助构图层16的第一沟槽K1内形成电镀层17，如图5(c)所示。电镀层17可以呈网格状。电镀层17在第一沟槽K1内与种子层15的表面直接接触。在一些示例中，采用重新布线层(RDL，Redistribution Layer)电镀工艺，采用酸性系电镀液(例如，硫酸铜(CuSO
4)+硫酸(H
2SO
4)+添加剂)进行旋转电镀，电镀速率可以控制在0.03um/min至0.2um/min。电镀层17的厚度可以约为3um至5um。
在本示例中，如图4所示，电镀层17的厚度可以小于第一辅助构图层 16的厚度。有效区域和无效区域的电镀层17可以位于第一辅助构图层16的第一沟槽内，加电区域可以被电镀层17覆盖。
(1-6)、去除第一辅助构图层16。
在一些示例性实施方式中，采用去胶(strip)液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第一辅助构图层16，暴露出电镀层17和种子层15。
(1-7)、对种子层15进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对种子层15进行刻蚀，去除未被电镀层17覆盖的种子层15，即保留被电镀层17覆盖的种子层15，如图5(d)所示。经过本步骤的刻蚀，未被电镀层17覆盖的种子层15被刻蚀掉，暴露出粘附层14，远离透明基材10的一部分电镀层17也会被刻蚀。
在一些示例中，以种子层15的材料为Cu为例，可以采用双氧水系刻蚀液(例如，硫酸(H
2SO
4)的含量约为2％至3％，添加剂的含量约为2％至3％，过氧化氢(H
2O
2)浓度约为0.1％至1％)，刻蚀一定时间直至种子层15颜色消失，即铜色消失。
(1-8)、对电镀层17进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对电镀层17进行刻蚀，以收窄电镀层17的金属走线的线宽，形成网格结构18，如图5(e)所示。
在一些示例中，以电镀层17的材料为Cu为例，可以采用双氧水系刻蚀液(例如，H
2SO
4的含量约为2％至4％，添加剂的含量约为2％至3％，H
2O
2浓度约为0.01％至0.2％)，刻蚀一定时间直至电镀层17的线宽达到目标线宽，例如1.5um。本步骤可以采用较低的过氧化氢浓度来缓慢刻蚀金属线，从而实现对金属线的过刻蚀，以达到目标线宽。
(1-9)、对粘附层14进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，对粘附层14进行刻蚀，去除未被网格结构18覆盖的粘附层14，即保留被网格结构18覆盖的粘附层14，如图5(f)所示。在本示例中，通过对粘附层14刻蚀，可以使得粘附层14形成与网格结构18相同的图案。例如，网格结构18在透明基材10上的正投影可以与粘附 层14在透明基材10上的正投影大致重合。
在一些示例中，可以采用湿刻工艺或者干刻工艺对粘附层14进行刻蚀。以粘附层14的材料为金属Ti为例，在湿刻工艺中，可以选用精细调控配方的刻蚀液，仅对Ti具有腐蚀作用而不损伤以Cu为材料的电镀层17。以粘附层14的材料为MTD为例，可以采用离子束刻蚀(IBE，Ion Beam Etching)进行干法刻蚀。然而，本实施例对此并不限定。
(1-10)、形成光学保护层19。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光学胶，平坦化后形成光学保护(OC，Over Coat)层19。网格结构18远离透明基材10的表面与光学保护层19远离透明基材10的表面可以齐平。
在一些示例中，光学胶可以为SOC-5004U。光学胶的厚度可以约为3um至4um。光学胶的固化温度可以不高于COP薄膜和OCA的耐受温度，例如固化温度可以约为140℃。在另一些示例中，光学胶可以为通过紫外固化的胶材。
(1-11)、衬底剥离(Delami)以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离，得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
本示例性实施方式的制备过程仅采用一次光刻工艺，制程简单。而且，支持低温(例如，140℃)制程，不易损坏柔性的透明衬底。本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
图6为采用图4所示的制备流程得到的网格结构在光学显微镜(OM，Optical Microscopy)下的局部平面示意图。图7和图8为采用图4所示的制备流程得到的金属线在扫描电子显微镜(SEM，Scanning Electron Microscopy)下的截面示意图。图7所示为金属线在宽度方向上的剖面示意图，图8所示为金属线在延伸方向上的剖面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图6所示，本实施例提供的传感器件制备方法可以控制网格结构的金属线的线宽小于或等于1.5um，使得透明天线具有较高的光学透明度，可以实现目视透明要求。
在一些示例性实施方式中，如图7所示，网格结构的金属线在宽度方向上的截面大致为柱状，且金属线的底面和侧壁大致相互垂直。种子层经过刻蚀后在靠近透明衬底处的宽度大于远离透明衬底处的宽度，例如，靠近透明衬底处的宽度约为1.44um。在种子层和电镀层的界面处线宽明显收窄。电镀层经过刻蚀之后具有受到液体腐蚀的粗糙形貌，在远离种子层的方向上，金属线的线宽逐渐减小，例如，靠近种子层处的线宽约为1.11um，远离种子层处的线宽约为1.01um。如图7和图8所示，金属线的厚度可以为刻蚀后的电镀层和种子层的平均厚度之和，例如约为2um至3um。随着金属线的延伸方向，不同位置的厚度可以大致相同，例如金属线在延伸方向上的中间区域的厚度可以约为3.06um，在端部可以约为2.79um。
图9为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图。图10为图9所示的天线制备过程中天线区的局部平面示意图。其中，图10(a)为形成缓冲层后的局部平面示意图。图10(b)为形成第一辅助构图层后的局部平面示意图。图10(c)为形成种子层后的局部平面示意图。图10(d)为形成第一电镀层并进行高压冲洗后的局部平面示意图。图10(e)为形成第二电镀层后的局部平面示意图。图10(f)为去除第一辅助构图层并对导电层刻蚀后的局部平面示意图。图10(g)为形成第二光阻层后的局部平面示意图。图10(h)为形成网格结构后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图9和图10所示，本实施例的天线制备流程包括以下操作步骤。
(2-1)、制备透明衬底12。
在一些示例性实施方式中，在透明基材10上涂覆光学胶(OCA，Optically Clear Adhesive)11后，贴附环烯烃聚合物(COP)薄膜，形成柔性的透明衬底12。在一些示例中，透明基材10可以为玻璃或蓝宝石等硬质基材。
(2-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底12远离透明基材10的表面形成 缓冲层13，如图10(a)所示。在一些示例中，在透明衬底12远离透明基材10的表面沉积无机材料，形成缓冲层13。例如，通过低温CVD工艺沉积二氧化硅(SiO
2)形成缓冲层13。在一些示例中，缓冲层13的厚度可以约为10nm至100nm。
(2-3)、在缓冲层13上形成第一辅助构图层24。
在一些示例性实施方式中，在缓冲层13远离透明基材10的表面涂覆光刻胶，经过掩模曝光和显影的光刻工艺形成图案化的第一辅助构图层24，如图10(b)所示。在一些示例中，在涂覆光刻胶之前，可以在缓冲层13表面进行HMDS处理，以增强光刻胶的粘附力。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层24具有第二沟槽K2，第二沟槽24暴露出缓冲层13的表面。如图10(b)所示，第一辅助构图层24的第二沟槽K2在有效区域呈网格状。有效区域的第二沟槽K2的网格图案与网格结构的图案可以大致相同，第二沟槽K2的宽度可以大于网格结构的线宽。第一辅助构图层24在无效区域的第二沟槽也可以呈网格状，无效区域的第二沟槽的网格图案与无效区域的无效网格的图案可以大致相同，且无效区域的第二沟槽的宽度可以大于无效网格的线宽。无效区域的第二沟槽的宽度可以大于或等于有效区域的第二沟槽的宽度。加电区域的第一辅助构图层24被全部去除，暴露出缓冲层13的表面。
在一些示例性实施方式中，有效区域的第二沟槽K2的设计宽度可以小于1.5um。在通过曝光剂量和显影条件的设计之后，有效区域的第二沟槽K2的底面和侧壁可以大致垂直，第二沟槽K2的宽度例如可以小于3um。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层24的厚度可以约为2um至5um。第一辅助构图层24的厚度可以根据网格结构所需的厚度来确定。通过调整第一辅助构图层的厚度，可以改变网格结构的厚度。
在一些示例性实施方式中，光刻胶可以选用低温固化胶材，且固化温度不高于COP薄膜和OCA的耐受温度，例如固化温度可以约为140℃。
(2-4)、制备种子层251、第一电镀层252和第三电镀层253。在本示例中，导电层25可以包括在沟槽内依次叠设的种子层251、第一电镀层252和第二电镀层253。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上沉积金属薄膜，形成覆盖整个透明基材10的种子层251，如图10(c)所示。然后，通过电镀工艺在种子层251上形成第一电镀层252，其中，第一电镀层252覆盖整个透明基材10。然后，采用去离子水对整个透明基材10进行高压冲洗或者超声清洗，去除第一辅助构图层24远离透明基材10表面的第一电镀层252和种子层251，仅保留第二沟槽K2内的第一电镀层252和种子层251。然后，通过电镀工艺在第二沟槽K2形成第二电镀层253，第二电镀层253与第一电镀层252直接接触，如图10(e)所示。导电层25具有网格形状。在一些示例中，形成第一电镀层252的电镀工艺为面电镀工艺，可以采用10％至30％匹配电镀液的电流密度；形成第二电镀层253的电镀工艺为线电镀工艺，可以采用匹配电镀液的电流密度。
图11为图9所示天线制备流程中形成第一电镀层并进行高压冲洗后的天线区在光学显微镜下的局部平面示意图。如图11所示，在形成第一电镀层252并进行高压冲洗后，第一辅助构图层24远离透明基材10表面的第一电镀层252和种子层251被去除，第一辅助构图层24的第二沟槽K2内的种子层251和第一电镀层252可以保留。
(2-5)、去除第一辅助构图层24。
在一些示例性实施方式中，采用去胶(strip)液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第一辅助构图层24，暴露出导电层25和缓冲层13。
(2-6)、对导电层25进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层25进行刻蚀，以收窄导电层25的金属走线的线宽，如图10(f)所示。
在一些示例中，以导电层25的材料为Cu为例，可以采用双氧水系刻蚀液(例如，H
2SO
4含量约为2％至4％，添加剂含量约为2％至3％，H
2O
2浓度约为0.01％至0.2％)，刻蚀一定时间至导电层25的线宽达到目标线宽，例如1.5um。本步骤可以采用较低的过氧化氢浓度来缓慢刻蚀金属线，从而实现对金属线的过刻蚀，以达到目标线宽。
(2-7)、形成光学保护层26。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光学胶，平坦化后形成光学保护层26。刻蚀后的导电层25远离透明基材10的表面与光学保护层26的表面可以齐平。
(2-8)、形成第二光阻层27。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光刻胶，经过掩模曝光和显影形成图案化的第二光阻层27，如图10(g)所示。第二光阻层27具有第一过孔K22，第一过孔K22暴露出走线交叉位置的导电层25。
(2-9)、对导电层25进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层25进行刻蚀，去除第二光阻层27暴露出的走线交叉位置的导电层25，以去除需要断连接的网格交叉点，形成网格结构28。
(2-10)、去除第二光阻层27、衬底剥离以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用去胶液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第二光阻层27，暴露出网格结构28和光学保护层26，如图10(h)所示。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离，得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
在本示例性实施方式中，由于对第一电镀层和种子层进行高压冲洗之后，仅在第二沟槽内存在种子层和第一电镀层，而在形成第二电镀层时采用线电镀工艺，第二沟槽内的种子层和第一电镀层成为线电镀工艺中的电镀电流的唯一路径。在有效区域的网格结构存在具有交叉断点的网格图案。为了基于线电镀工艺来制备具有交叉断点的网格图案，第二沟槽的网格图案需要采用连接设计(即没有交叉断点的网格图案)，在通过线电镀工艺得到没有交叉断点的网格图案之后，再利用刻蚀工艺形成网格的交叉断点(即步骤(2-8)和(2-9))。在其他采用面电镀工艺的实施例中，第一辅助构图层在有效区 域的沟槽图案可以与网格结构的图案大致相同，无需额外的交叉断点刻蚀过程。
本示例性实施例方式提供的制备方法，通过整面预电镀形成第一电镀层，将沟槽以外的金属剥离后在沟槽进行线电镀。针对网格结构的断连接的交叉点通过电镀后的湿刻工艺去除。本实施例的制备方法无需种子层的单独刻蚀工艺制程，可以减少制备步骤，而且可以避免种子层刻蚀带来的金属线剥离风险。
图12为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图。图13为图12所示的天线制备流程中天线区的局部平面示意图。其中，图13(a)为形成缓冲层后的局部平面示意图。图13(b)为形成第一辅助构图层后的局部平面示意图。图13(c)为形成种子层后的局部平面示意图。图13(d)为形成第二电镀层后的局部平面示意图。图13(e)为对导电层进行刻蚀后的局部平面示意图。图13(f)为去除第一辅助构图层后对导电层进行刻蚀形成网格结构后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图12和图13所示，本实施例的天线制备流程包括以下操作步骤。
(3-1)、制备透明衬底12。
在一些示例性实施方式中，在透明基材10上涂覆光学胶(OCA，Optically Clear Adhesive)11后，贴附环烯烃聚合物(COP)薄膜，形成柔性的透明衬底12。在一些示例中，透明基材10可以为玻璃或蓝宝石等硬质基材。
(3-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底12远离透明基材10的表面形成缓冲层13，如图13(a)所示。在一些示例中，在透明衬底12远离透明基材10的表面沉积无机材料，形成缓冲层13。例如，通过低温CVD工艺沉积二氧化硅(SiO
2)形成缓冲层13。在一些示例中，缓冲层13的厚度可以约为10nm至100nm。
(3-3)、在缓冲层13上形成第一辅助构图层34。
在一些示例性实施方式中，在缓冲层13远离透明基材10的表面涂覆光 刻胶，经过掩模曝光和显影的光刻工艺形成图案化的第一辅助构图层34，如图13(b)所示。
在一些示例性实施方式中，第一辅助构图层34具有第三沟槽K3，第二沟槽23暴露出缓冲层13的表面。关于第一辅助构图层34和第三沟槽K3的说明可以参照前一实施例中关于第一辅助构图层24和第二沟槽K2的说明，故于此不再赘述。
(3-4)、制备种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353。在本示例中，导电层35可以包括在沟槽内依次叠设的种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上沉积金属薄膜，形成覆盖整个透明基材10的种子层351，如图13(c)所示。然后，通过电镀工艺在种子层351上依次形成第一电镀层352和第二电镀层353。然后，采用湿刻工艺对第一辅助构图层34远离透明基材10表面的种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353进行刻蚀，去除第一辅助构图层35远离透明基材10表面的种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353，仅保留第三沟槽K3内的种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353，形成导电层35，如图13(e)所示。导电层35具有网格形状。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，以导电层35的材料为Cu为例，可以采用化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)对种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353进行减薄，以去除第一辅助构图层35远离透明基材10表面的种子层351、第一电镀层352和第二电镀层353。
在一些示例中，形成第一电镀层352的电镀工艺为面电镀工艺，可以采用10％至30％匹配电镀液的电流密度；形成第二电镀层353的电镀工艺为面电镀工艺，可以采用匹配电镀液的电流密度。
(3-5)、去除第一辅助构图层34。
在一些示例性实施方式中，采用去胶液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第一辅助构图层34，暴露出导电层35和缓冲层13。
(3-6)、对导电层35进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层35进行刻蚀，以收窄导电层35的金属走线的线宽，形成网格结构36，如图13(f)所示。
(3-7)、形成光学保护层37。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光学胶，平坦化后形成光学保护层37。网格结构36远离透明基材10的表面与光学保护层37的表面可以齐平。
(3-8)、衬底剥离以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离，得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
本示例性实施方式提供的制备方法，利用完整的电镀工艺形成第一电镀层和第二电镀层后，通过对沟槽以外的金属进行刻蚀来形成具有网格形状的导电层，再通过湿刻工艺对导电层进行刻蚀来实现满足线宽和厚度条件的网格结构。本实施例的制备方法无需种子层的单独刻蚀工艺制程，可以减少制备步骤，而且可以避免种子层刻蚀带来的金属线剥离风险。而且，本实施例相较于上一实施例，可以省略线电镀过程和交叉点断线流程，降低了制备工艺的复杂度和风险。
图14为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图。图15为图14所示的天线制备流程中天线区的局部平面示意图。其中，图15(a)为对硬掩模刻蚀后的局部平面示意图。图15(b)为形成第二辅助构图层后的局部平面示意图。图15(c)为在第二辅助构图层上涂覆光刻胶后的局部平面示意图。图15(d)为形成第一辅助构图层后的局部平面示意图。图15(e)为去除第一辅助构图层后的局部平面示意图。图15(f)为刻蚀种子层之后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图14和图15所示，本实施例的天线制备流程包括以下操作步骤。
(4-1)、制备透明衬底12。
在一些示例性实施方式中，在透明基材10上涂覆OCA 11后，贴附COP薄膜，形成柔性的透明衬底12。在一些示例中，透明基材10可以为玻璃或蓝宝石等硬质基材。
(4-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底12远离透明基材10的表面形成缓冲层13。在一些示例中，在透明衬底12远离透明基材10的表面沉积无机材料，形成缓冲层13。例如，通过低温CVD工艺沉积二氧化硅(SiO
2)形成缓冲层13。在一些示例中，缓冲层13的厚度可以约为10nm至100nm。
(4-3)、在缓冲层13上形成种子层41。
在一些示例性实施方式中，在缓冲层13远离透明基材10的表面沉积金属薄膜，形成种子层41。在一些示例中，种子层41可以采用金属材料，例如，铜(Cu)、金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料。种子层41的厚度可以约为100nm至500nm。
(4-4)、在种子层41上依次形成第二辅助构图薄膜42、硬掩模43和图案化的第一光阻层44。
在一些示例性实施方式中，在种子层41远离透明基材10的表面依次形成第二辅助构图薄膜42和硬掩模43。在一些示例中，可以通过低温CVD方式在种子层41远离透明基材10的表面沉积二氧化硅(SiO
2)形成第二辅助构图薄膜42，并采用低温CVD方式在第二辅助构图薄膜42上沉积形成硬掩模43。在一些示例中，硬掩模43的材料可以为金属材料或者导电氧化物(例如，ITO)。在一些示例中，第二辅助构图薄膜42的厚度约为2um。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，在硬掩模43远离透明基材10的表面涂覆光刻胶，经过掩模曝光和显影的光刻工艺形成图案化的第一光阻层44。
(4-5)、利用第一光阻层44对硬掩模43和第二辅助构图薄膜42进行刻蚀，形成第二辅助构图层45。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对硬掩模43进行刻蚀，去除未 被第一光阻层44覆盖的硬掩模43，如图15(a)所示。随后，采用干刻工艺(例如，电感耦合等离子体(ICP，Inductively Coupled Plasma)刻蚀工艺)对第二辅助构图薄膜42进行刻蚀，刻蚀掉未被硬掩模43覆盖的第二辅助构图薄膜42，即保留被硬掩模43覆盖的第二辅助构图薄膜42，形成第二辅助构图层45，如图15(b)所示。在本示例中，通过设置硬掩模实现对第二辅助构图薄膜的刻蚀，以得到第二辅助构图层45。
(4-6)、去除第一光阻层44和硬掩模43。
在一些示例性实施方式中，采用去胶液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第一光阻层44，暴露出硬掩模43。随后，采用湿刻工艺对硬掩模43进行刻蚀，去除硬掩模43，暴露出第二辅助构图层45。
(4-7)、形成第一辅助构图层46。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光刻胶，并进行平坦化和灰化处理，形成第一辅助构图层46，如图15(c)所示。第一辅助构图层46远离透明基材10的表面与第二辅助构图层45远离透明基材10的表面可以齐平。
(4-8)、去除第二辅助构图层45。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对第二辅助构图层45进行刻蚀，去除第二辅助构图层45，在第一辅助构图层46形成第四沟槽K4，如图15(d)所示。第四沟槽K4暴露出种子层41的表面。在本示例中，第四沟槽K4的形状和尺寸与第二辅助构图层45的形状和尺寸可以大致相同。在一些示例中，第四沟槽K4的宽度可以小于1.5um，高度可以大于2um。
(4-9)、形成网格结构47。
在一些示例性实施方式中，通过电镀工艺在第一辅助构图层46的第四沟槽K4内形成网格结构47，如图15(e)所示。网格结构47在第四沟槽K4内与种子层41的表面直接接触。网格结构47远离透明基材10的表面与第一辅助构图层46远离透明基材10的表面可以齐平。
(4-10)、去除第一辅助构图层46。
在一些示例性实施方式中，采用去胶液进行光刻胶清洗，进行去离子水 清洗以及CDA风干，去除第一辅助构图层46，暴露出网格结构47和种子层41。
(4-11)、对种子层41进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对种子层41进行刻蚀，去除未被网格结构47覆盖的种子层41。
(4-12)、形成光学保护层48。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光学胶，平坦化后形成光学保护层49，如图15(f)所示。网格结构47远离透明基材10的表面与光学保护层49远离透明基材10的表面可以齐平。
(4-13)、衬底剥离以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离，得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
在本示例性实施方式中，通过控制第二辅助构图薄膜的厚度来控制网格结构的厚度，通过对硬掩模的刻蚀工艺来控制网格结构的线宽。
本示例性实施方式提供的制备方法，利用图形互补原理，将第二辅助构图层转换形成第一辅助构图层的沟槽，继而通过电镀工艺形成网格结构。本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
图16为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图。图17为图16所示的天线制备流程中天线区的局部平面示意图。其中，图17(a)为对硬掩模刻蚀后的局部平面示意图。图17(b)为形成第二辅助构图层后的局部平面示意图。图17(c)为形成第一辅助构图层后的局部平面示意图。图17(d)为形成导电层后的局部平面示意图。图17(e)为形成第二光阻层后的局部平面示意图。图17(f)为形成网格结构后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图16和图17所示，本实施例的天线制备 流程包括以下操作步骤。
(5-1)、制备透明衬底12。
在一些示例性实施方式中，在透明基材10上涂覆OCA 11后，贴附COP薄膜，形成柔性的透明衬底12。在一些示例中，透明基材10可以为玻璃或蓝宝石等硬质基材。
(5-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底12远离透明基材10的表面形成缓冲层13。在一些示例中，在透明衬底12远离透明基材10的表面沉积无机材料，形成缓冲层13。例如，通过低温CVD工艺沉积二氧化硅(SiO
2)形成缓冲层13。在一些示例中，缓冲层13的厚度可以约为10nm至100nm。
(5-3)、在缓冲层13上形成种子层51。
在一些示例性实施方式中，在缓冲层13远离透明基材10的表面沉积金属薄膜，形成种子层51。
(5-4)、在种子层51上依次形成第二辅助构图薄膜52、硬掩模53和图案化的第一光阻层54。
(5-5)、利用第一光阻层54对硬掩模53和第二辅助构图薄膜52进行刻蚀，形成第二辅助构图层55，如图17(a)和图17(b)所示。
(5-6)、对种子层51进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对种子层51进行刻蚀，去除未被第二辅助构图层55覆盖的种子层51，即保留被第二辅助构图层55覆盖的种子层51。
(5-7)、去除第一光阻层54和硬掩模53。
(5-8)、形成第一辅助构图层56。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆感光树脂材料(例如，光学胶)，并进行平坦化和灰化处理，形成第一辅助构图层56。第一辅助构图层56远离透明基材10的表面与第二辅助构图层55远离透明基材10的表面可以齐平。本示例的第一辅助构图层56可以作为光学保护 层。
(5-9)、去除第二辅助构图层55。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对第二辅助构图层55进行刻蚀，去除第二辅助构图层55，在第一辅助构图层56形成第五沟槽K5，如图17(c)所示。第五沟槽K5暴露出种子层51的表面。在本示例中，第五沟槽K5的形状和尺寸与第二辅助构图层55的形状和尺寸可以大致相同。在一些示例中，第五沟槽K5的宽度可以小于1.5um，高度可以大于2um。
(5-10)、形成导电层57。
在一些示例性实施方式中，通过电镀工艺在第一辅助构图层56的第五沟槽K5内形成导电层57，如图15(d)所示。本示例的导电层57可以采用线电镀工艺实现。导电层57可以具有网格形状。导电层57在第五沟槽K5内与种子层51的表面直接接触。导电层57远离透明基材10的表面与第一辅助构图层56远离透明基材10的表面可以齐平。
(5-11)、形成第二光阻层58。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光刻胶，经过掩模曝光和显影的光刻工艺形成图案化的第二光阻层58，如图10(e)所示。第二光阻层58具有第一过孔K52，第一过孔K52暴露出走线交叉位置的导电层57。
(5-12)、对导电层57进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层57进行刻蚀，去除第二光阻层58暴露出的走线交叉位置的导电层57，以去除需要断连接的网格交叉点，形成网格结构59。
(5-13)、去除第二光阻层58、衬底剥离以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用去胶液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第二光阻层58，暴露出网格结构59和第一辅助构图层56，如图17(f)所示。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离， 得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
本示例性实施方式中，针对网格结构的断连接的交叉点通过电镀后的湿刻工艺去除。本示例中，先对种子层进行刻蚀，后续通过线电镀工艺来形成导电层。在本示例中，通过控制第二辅助构图薄膜的厚度来控制网格结构的厚度，通过对硬掩模的刻蚀工艺来控制网格结构的线宽。
本示例性实施方式提供的制备方法，利用图形互补原理，将第二辅助构图层转换形成第一辅助构图层的沟槽，继而通过电镀工艺形成导电层，对导电层进行刻蚀形成网格结构。本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
关于本示例性实施方式的相关步骤的详细说明可以参照前述实施例的相关描述，故于此不再赘述。
图18为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图。图19为图18所示的天线制备流程中天线区的局部平面示意图。其中，图19(a)为对硬掩模刻蚀后的局部平面示意图。图19(b)为形成第二辅助构图层后的局部平面示意图。图19(c)为形成第一辅助构图层后的局部平面示意图。图19(d)为形成种子层后的局部平面示意图。图19(e)为形成电镀层后的局部平面示意图。图19(f)为形成网格结构后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图18和图19所示，本实施例的天线制备流程包括以下操作步骤。
(6-1)、制备透明衬底12。
(6-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
(6-3)、在缓冲层13上依次形成第二辅助构图薄膜61、硬掩模62和图案化的第一光阻层63。
(6-4)、利用第一光阻层63对硬掩模62和第二辅助构图薄膜61进行刻蚀，形成第二辅助构图层64。
(6-5)、去除第一光阻层63和硬掩模62。
(6-6)、形成第一辅助构图层65。在本示例中，第一辅助构图层65可以作为光学保护层。
(6-7)、去除第二辅助构图层64。
(6-8)、制备网格结构67。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上沉积金属薄膜，形成覆盖整个透明基材10的种子层661。然后，通过完整的电镀工艺在种子层661上形成电镀层662。然后，通过湿刻工艺对种子层661和电镀层662进行刻蚀，去除第一辅助构图层64远离透明基材10表面的种子层661和电镀层662，仅保留第六沟槽K6内的种子层661和电镀层662，形成网格结构67。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，以种子层661和电镀层662的材料为Cu为例，可以采用CMP对种子层661和电镀层662进行减薄，以去除第一辅助构图层65远离透明基材10表面的种子层661和电镀层662。
在一些示例中，形成电镀层662的电镀工艺为面电镀工艺，可以先采用10％至30％匹配电镀液的电流密度进行整面预电镀，再采用匹配电镀液的电流密度进行整面电镀。
(6-9)、衬底剥离以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离，得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
本示例实施方式中，利用光学保护层作为第一辅助构图层，无需金属线宽收窄的刻蚀过程，简化步骤，并可以提高线宽均匀性。
关于本示例性实施方式的相关步骤的详细说明可以参照前述实施例的相关描述，故于此不再赘述。
图20为本公开至少一实施例的又一天线制备流程示意图。图21为图20所示的天线制备流程中天线区的局部平面示意图。图21(a)为形成导电层后的局部平面示意图。图21(b)为形成第三光阻层后的局部平面示意图。 图21(c)为利用第三光阻层对导电层进行刻蚀后的局部平面示意图。图21(d)为去除第三光阻层后的局部平面示意图。图21(e)为对导电层进行第一次线宽收窄刻蚀后的局部平面示意图。图21(f)为对导电层进行第二次线宽收窄刻蚀后的局部平面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图20和图21所示，本实施例的天线制备流程包括以下操作步骤。
(7-1)、制备透明衬底12。
在一些示例性实施方式中，在透明基材10上涂覆光学胶(OCA，Optically Clear Adhesive)11后，贴附环烯烃聚合物(COP)薄膜，形成柔性的透明衬底12。在一些示例中，透明基材10可以为玻璃或蓝宝石等硬质基材。
(7-2)、在透明衬底12上形成缓冲层13。
在一些示例性实施方式中，在透明衬底12远离透明基材10的表面形成缓冲层13。在一些示例中，在透明衬底12远离透明基材10的表面沉积无机材料，形成缓冲层13。例如，通过低温CVD工艺沉积二氧化硅(SiO
2)形成缓冲层13。在一些示例中，缓冲层13的厚度可以约为10nm至100nm。
(7-3)、在缓冲层13上形成导电层72。
在一些示例性实施方式中，在缓冲层13远离透明基材10的表面沉积粘附薄膜，形成粘附层71；随后，通过真空沉积(如磁控溅射或蒸发)工艺或真空沉积和整面电镀工艺在粘附层71上形成导电层72，如图21(a)所示。粘附层71配置为增加导电层72和缓冲层13之间的粘附力。在一些示例中，导电层72的厚度约为2um至3um。
(7-4)、形成图案化的第三光阻层73。
在一些示例性实施方式中，在导电层72远离透明基材10的表面涂覆光刻胶，经过掩模曝光和显影的光刻工艺形成图案化的第三光阻层73，如图21(b)所示。在一些示例中，在涂覆光刻胶之前，可以在导电层72表面进行HMDS处理，以增强光刻胶在金属表面的粘附力。
在一些示例中，第三光阻层73的厚度约为1um至3um。第三光阻层73的厚度尽可能薄。通过第三光阻层73形成的网格图案的设计线宽可以约为 3um至5um。
在一些示例性实施方式中，光刻胶可以选用低温固化胶材，且固化温度不高于COP薄膜和OCA的耐受温度，例如固化温度可以约为140℃。
(7-5)、对导电层72和粘附层71进行刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层72和粘附层71进行刻蚀，去除未被第三光阻层73覆盖的导电层72和粘附层71，即保留被第三光阻层73覆盖的导电层72和粘附层71，如图21(c)所示，从而形成具有较宽线宽的金属网格。
(7-6)、去除第三光阻层73。
在一些示例性实施方式中，采用去胶液进行光刻胶清洗，进行去离子水清洗以及CDA风干，去除第三光阻层73，暴露出刻蚀后的导电层72和粘附层71，如图21(d)所示。
(7-7)、对导电层72和粘附层71进行第一次线宽收窄刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层72和粘附层71进行刻蚀，以收窄金属网格的线宽，如图21(e)所示。
在一些示例中，以导电层72和粘附层71的材料为Cu为例，可以采用双氧水系刻蚀液(例如，硫酸(H
2SO
4)的含量约为2％至4％，添加剂的含量约为2％至3％，过氧化氢(H
2O
2)浓度约为0.1％至1％)，刻蚀一定时间直至金属线的线宽达到目标线宽，例如2.5um。
(7-8)、对导电层72和粘附层71进行第二次线宽收窄刻蚀。
在一些示例性实施方式中，采用湿刻工艺对导电层72和粘附层71进行刻蚀，以进一步收窄金属网格的线宽，形成网格结构74，如图21(f)所示。
在一些示例中，以导电层72和粘附层71的材料为Cu为例，可以采用双氧水系刻蚀液(例如，硫酸(H
2SO
4)的含量约为2％至4％，添加剂的含量约为2％至3％，过氧化氢(H
2O
2)浓度约为0.1％至1％)，刻蚀一定时间直至金属线的线宽达到目标线宽，例如1.5um。本步骤可以采用较低的过氧化氢浓度来缓慢刻蚀金属线，从而实现对金属线的过刻蚀，以达到目标线宽。
(7-9)、形成光学保护层75。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的透明基材10上涂覆光学胶，平坦化后形成光学保护层75。网格结构74远离透明基材10的表面与光学保护层75远离透明基材10的表面可以齐平。
在一些示例中，光学胶可以为SOC-5004U。光学胶的厚度可以约为3um至4um。光学胶的固化温度可以不高于COP薄膜和OCA的耐受温度，例如固化温度可以约为140℃。在另一些示例中，光学胶可以为通过紫外固化的胶材。
(7-10)、衬底剥离以及切割处理。
在一些示例性实施方式中，采用低温(例如，-20℃以下)冷板对形成前述结构的透明基材进行冷却，然后，将柔性衬底12从透明基材10剥离，得到天线基板。然后，采用切割设备对天线基板进行切割，例如沿着无效区域的切割线进行切割，以切掉无效区域和加电区域，得到透明天线。
本示例性实施方式的制备方法，通过一次光刻工艺以及多次湿刻工艺来达到满足线宽条件的网格结构。本示例性实施方式提供的制备方法仅采用一次光刻工艺，制程简单。而且，支持低温(例如，140℃)制程，不易损坏柔性透明衬底。本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开至少一实施例还提供一种采用如上所述的方法制备而成的传感器件。在一些示例中，采用上述方式制备而成的传感器件至少包括：透明衬底、以及设置在透明衬底上的网格结构。在一些示例中，上述传感器件可以为透明天线。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，以上述传感器件为透明天线为例，在平行于透明天线所在平面内，透明天线可以包括：天线区和视觉补偿区。天线区和视觉补偿区设置有网格结构。在垂直于透明天线所在平面内，透明天线可以包括：透明衬底、依次设置在透明衬底上的缓冲层、网格结构以及光学保护层。天线区的网格结构可以配置为实现微波信号收发。视觉补偿区的网格结构配置为降低天线区和视觉补偿区的视觉观感差异。然而，本实施例对此并不限定。
本公开至少一实施例还提供一种电子设备，包括如上所述的传感器件(例如，透明天线)。在一些示例性实施方式中，电子设备可以为：智能电话、导航装置、游戏机、电视(TV)、车载音响、平板计算机、个人多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)等任何具有通信和显示功能的产品或部件。然而，本实施例对此并不限定。
图22为本公开至少一实施例的电子设备的示意图。在一些示例性实施方式中，如图22所示，本实施例的电子设备包括：显示面板911以及透明天线910。透明天线910可以位于显示面板911的出光侧。透明天线910在显示面板911上的正投影与显示面板911的显示区域存在交叠。然而，本实施例对此并不限定。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (20)
- 一种传感器件制备方法，包括：在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层；通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构；或者，通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，对所述导电层进行刻蚀，形成网格结构；其中，所述网格结构的线宽小于或等于1.5微米，所述网格结构的厚度大于或等于2微米。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述对所述导电层进行刻蚀，包括：采用湿刻工艺对所述导电层进行刻蚀。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述透明衬底的表面涂覆光阻材料，对所述光阻材料进行曝光和显影，形成具有沟槽的第一辅助构图层；其中，所述沟槽的宽度大于所述网格结构的线宽；在形成导电层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层。
- 根据权利要求3所述的方法，所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述透明衬底的表面形成种子层；在形成所述第一辅助构图层之后，所述第一辅助构图层的沟槽暴露出所述种子层的表面；在去除所述第一辅助构图层之后，对所述导电层进行刻蚀之前，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述导电层覆盖的种子层。
- 根据权利要求4所述的方法，在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成种子层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面通过沉积工艺形成粘附层；在对所述导电层进行刻蚀之后，所述方法还包括：对所述粘附层进行刻 蚀，保留被刻蚀后的导电层覆盖的粘附层。
- 根据权利要求3所述的方法，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层。
- 根据权利要求6所述的方法，其中，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成导电层。
- 根据权利要求6所述的方法，其中，所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成导电层，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助图形层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层；将所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的种子层和第一电镀层去除，保留所述沟槽内的种子层和第一电镀层；通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽内形成第二电镀层。
- 根据权利要求1所述的方法，在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面依次形成第二辅助构图薄膜、硬掩模、以及图案化的第一光阻层；利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层；所述在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层，包括：在所述第二辅助构图层远离所述透明衬底的表面形成第一辅助构图层，所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面与所述第二辅助构图层远离所述透明衬底的表面齐平；去除所述第二辅助构图层，形成所述第一辅助构图层的沟槽，其中，所述沟槽的宽度与所述网格结构的线宽大致相同。
- 根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一辅助构图层采用光阻材料；在透明衬底的表面形成第二辅助构图薄膜之前，所述方法还包括：在所述透明衬底的表面形成种子层；通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构之后，所述方法还包括：去除所述第一辅助构图层，对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述网格结构覆盖的种子层。
- 根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一辅助构图层采用感光树脂材料；在透明衬底的表面形成第二辅助构图薄膜之前，所述方法还包括：在透明衬底的表面形成种子层；在利用图案化的第一光阻层对所述第二辅助构图薄膜和硬掩模进行刻蚀，形成图案化的第二辅助构图层之后，所述方法还包括：对所述种子层进行刻蚀，去除未被所述第二辅助构图层覆盖的种子层。
- 根据权利要求8或11所述的方法，其中，所述对所述导电层进行刻蚀，形成网格结构，包括：在所述第一辅助构图层和导电层远离所述透明衬底的表面形成图案化的第二光阻层，所述第二光阻层暴露出目标位置的导电层；通过刻蚀工艺去除目标位置的导电层，形成网格结构。
- 根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一辅助构图层采用感光树脂材料；在透明衬底的表面形成具有沟槽的第一辅助构图层之后，在通过电镀工艺在第一辅助构图层的沟槽形成网格结构之前，所述方法还包括：通过沉积工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成种子层；所述通过电镀工艺在所述第一辅助构图层的沟槽形成网格结构，包括：通过电镀工艺在所述第一辅助构图层远离所述透明衬底的表面和沟槽内形成第一电镀层和第二电镀层；去除所述第一辅助构图层远离所述透明衬底表面的第二电镀层、第一电镀层和种子层，在所述第一辅助构图层的沟槽内形成 天线结构。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明衬底具有有效区域、围绕所述有效区域的无效区域；所述网格结构位于所述有效区域，所述无效区域设置有无效网格；所述无效网格的线宽大于或等于所述有效区域的网格结构的线宽。
- 根据权利要求14所述的方法，其中，所述透明衬底还具有围绕所述无效区域的加电区域，所述加电区域配置为在所述电镀工艺中提供电镀电流。
- 根据权利要求14所述的方法，其中，所述有效区域包括：天线区和位于天线区至少一侧的视觉补偿区；所述天线区的网格结构的图案不同于所述视觉补偿区的网格结构的图案。
- 根据权利要求14所述的方法，其中，所述无效网格的线宽沿着远离所述有效区域的方向逐渐连续递增，或者，阶梯递增。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述网格结构的厚度约为2微米至5微米。
- 一种传感器件，采用如权利要求1至18中任一项所述的方法制备而成。
- 根据权利要求19所述的传感器件，其中，所述传感器件为透明天线。
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