WO2023012571A1

WO2023012571A1 - 表示装置

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Publication number: WO2023012571A1
Application number: PCT/IB2022/056827
Authority: WO
Inventors: 片山雅博; 島行徳; 中田昌孝; 江口晋吾; 中村太紀; 楠紘慈
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-08-05
Filing date: 2022-07-25
Publication date: 2023-02-09
Also published as: KR20240044438A; CN117693782A; JPWO2023012571A1

Abstract

電圧降下が十分に抑制された表示装置を提供する。第１の下部電極と、第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、第２の下部電極と、第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとが有する共通電極と、共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して第１の配線層と電気的に接続され、第２の配線層は、上面視において格子状を有する、表示装置である。

Description

表示装置

本発明の一態様は、表示装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、又は入出力装置が含まれ、これらの製造方法を一例として挙げることができる。

高精細化が図られたアクティブマトリックス型表示装置であって、赤色画素のみに隣接して配置された上層補助配線と、カソード電極（上部電極）の電気抵抗を調整するために上層補助配線と接続された下層補助配線とを有する構成が提案されている（特許文献１参照）。

有機ＥＬ素子の製造方法として、標準的なＵＶフォトリソグラフィを使用した有機光電子デバイスの製造方法が開示されている（非特許文献１参照）。

特開２０１０−８５８６６号公報

Ｂ．Ｌａｍｐｒｅｃｈｔ　ｅｔ　ａｌ．，"Ｏｒｇａｎｉｃ　ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｕｓｉｎｇ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ＵＶ　ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ＲＲＬ）２，Ｎｏ．１，ｐ．１６−１８（２００８）

上記特許文献１に示すアクティブマトリックス型表示装置では、下層補助配線が電源線、走査線と同じ層に形成されているため、上部電極の電圧降下を十分に抑制できない。電圧降下とは、電極が薄膜化されている、又は電極の面積が広いこと等を主な要因として起こり、上記電極が発熱する等によってエネルギーが消費され、電極にかかる電圧が当該エネルギー分、下がってしまう状態のことを指す。

さらに上記非特許文献１の方法では高精細な表示装置を提供することが困難である。

上記を鑑み、本発明の一態様は、電圧降下が十分に抑制された表示装置及びその作製方法を提供することを課題の一とする。また本発明の一態様は、高精細な表示装置及びその作製方法を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。また、これら課題は互いに独立したものと考えられ、本発明の一態様は、これらの課題のいずれか一を解決できればよく、全てを解決する必要はない。さらに本明細書等である明細書、図面、及び請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

上記課題を鑑み本発明の一態様は、第１の下部電極と、第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、第２の下部電極と、第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとが有する共通電極と、共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して第１の配線層と電気的に接続され、第２の配線層は、上面視において格子状を有する、表示装置である。

本発明の別態様は、第１の下部電極と、第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、第２の下部電極と、第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとが有する共通電極と、共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して第１の配線層と電気的に接続され、第１の配線層は、上面視において格子状を有し、第１の下部電極、第２の下部電極及び第２の配線層はそれぞれ、絶縁層上に位置する領域を有する、表示装置である。

本発明の別態様は、第１の下部電極と、第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、第２の下部電極と、第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとが有する共通電極と、共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して第１の配線層と電気的に接続され、第１の配線層及び第２の配線層はそれぞれ、上面視において格子状を有し、第１の下部電極、第２の下部電極及び第２の配線層はそれぞれ、絶縁層上に位置する領域を有し、第２の配線層の幅は、第１の配線層の幅より小さい、表示装置である。

本発明において、第１の下部電極及び第２の下部電極の端部はそれぞれ、テーパ形状を有すると好ましい。

本発明において、第１の有機化合物層の端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。

本発明において、第２の有機化合物層の端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。

本発明の一態様により、電圧降下が十分に抑制された表示装置及びその作製方法を提供することができる。また本発明の一態様により、高精細な表示装置及びその作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他効果の存在を妨げるものではない。また、これら効果は互いに独立したものと考えられ、本発明の一態様は、これらの効果のいずれか一を奏すればよく、全てを奏する必要はない。さらに本明細書等である明細書、図面、及び請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは補助配線を有する画素部の概念図であり、図１Ｂ１乃至図１Ｃ２は画素部の上面図である。
図２Ａは補助配線を有する画素部の概念図であり、図２Ｂ１乃至図２Ｃ２は画素部の上面図である。
図３Ａは補助配線を有する画素部の概念図であり、図３Ｂ及び図３Ｃは画素部の上面図である。
図４Ａは画素部の断面図であり、図４Ｂは画素部の上面図である。
図５Ａ乃至図５Ｄは画素部の上面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは画素部の上面図である。
図７Ａは上面図であり、図７Ｂは画素部の断面図であり、図７Ｃは接続部の断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｄは画素部の上面図である。
図９Ａ乃至図９Ｄは画素部の上面図である。
図１０Ａは表示装置の概念図であり、図１０Ｂ乃至図１０Ｅは画素回路図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｄはトランジスタの断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは画素部の上面図であり、図１２Ｄは回路図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは作製方法の断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは作製方法の断面図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｃは作製方法の断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｃは作製方法の断面図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは作製方法の断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは作製方法の断面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｃは作製方法の断面図である。
図２０Ａは表示装置の上面図であり、図２０Ｂ及び図２０Ｃは表示装置の斜視図である。
図２１Ａ及び図２１Ｂは表示装置の斜視図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｄは電子機器の図である。
図２３Ａ及び図２３Ｂは電子機器の図である。

本明細書等において、構成を機能ごとに分類し、互いに独立したブロック図を用いて説明することがあるが、実際の構成は機能で切り分けることが難しく、一つの構成が複数の機能に係わることもある。

本明細書等において、トランジスタが有するソース及びドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わることがあるが、本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する場合、便宜上ソースとドレインとを固定して説明する。

本明細書等において、トランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体層の一部であるソース領域、又は上記ソース領域に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、又は上記ドレイン領域に接続されたドレイン電極を意味する。またトランジスタのゲートは、ゲート電極を意味する。

本明細書等において、トランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソース又はドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソース又はドレインの他方が第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書等において、接続とは、電気的な接続と記すことがあり、電流、電圧又は電位が供給可能、或いは電流、電圧又は電位が伝送可能な状態が含まれる。そのため、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタ等の素子を介して、互いに接続している状態も含む。また電気的な接続には、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタ等の素子を介さずに、互いに直接接続している状態を含む。

本明細書等において、トランジスタのソース及びドレインについて第１の電極及び第２の電極を用いて説明することがあるが、第１の電極及び第２の電極の一方がソースの場合、他方はドレインを指す。

本明細書等において、導電層は、配線又は電極といった複数の機能を有する場合がある。

本明細書等において、発光デバイスを発光素子と記すことがある。発光デバイスは一対の電極間に有機化合物層を挟持した構造を有する。一対の電極の一方は陽極であり、一対の電極の他方は陰極であり、有機化合物層の少なくとも一つは発光層である。発光層は発光材料を有し、発光材料には蛍光材料又は燐光材料等を用いることができる。一対の電極をそれぞれ下部電極と上部電極と記すことがある。一対の電極の一方は陽極及び陰極の一方として機能することができ、一対の電極の他方は陽極及び陰極の他方として機能することができる。

本明細書等において、メタルマスク（ＭＭ）を用いて形成された有機化合物層を有する発光デバイスを、ＭＭ構造を有する発光デバイスと記す場合がある。本明細書等において、メタルマスクは、開口部の微細化に従ってファインメタルマスク（ＦＭＭ、高精細なメタルマスク）と記すことがある。

本明細書等において、メタルマスク及びファインメタルマスクを用いずに形成された有機化合物層を有する発光デバイスを、メタルマスクレス（ＭＭＬ）構造を有する発光デバイスと記す場合がある。

本明細書等において、赤色、緑色及び青色等を発する発光デバイスをそれぞれ、赤色発光デバイス、緑色発光デバイス、及び青色発光デバイスと記す場合がある。

本明細書等において、各色発光デバイスにおいて、発光層が作り分けられた構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と記す場合がある。例えばＳＢＳ構造を用いて、赤色発光デバイス、緑色発光デバイス、及び青色発光デバイスを作製することで、フルカラーの表示装置を提供できる。

本明細書等において、白色を発する発光デバイスを白色発光デバイスと記す場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（例えば、カラーフィルタ又は色変換層）と組み合わせることで、フルカラーの表示装置を提供できる。

また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造は、一対の電極間に１つの発光ユニットを有する構造である。当該発光ユニットは１以上の発光層を含んだ積層体を指す。

シングル構造を用いた白色発光デバイスを得るには、発光ユニット内に２以上の発光層を有すればよい。発光ユニットにおいて、２以上の発光層は互いに接していてもよい。また、３以上の発光層を用いても、白色発光デバイスを得ることができる。３以上の発光層は、発光ユニットにおいて互いに接していてもよい。

タンデム構造は、一対の電極間に２以上の発光ユニットを有する。タンデム構造において、２以上の発光ユニットの間には、電荷発生層等の中間層を設けると好適である。なお、電荷発生層とは、陰極と陽極との間に電圧を印加したときに、電荷発生層に接して形成される一方の発光ユニットに対して正孔を注入する機能を有し、他方の発光ユニットに電子を注入する機能を有する。例えば、一対の電極間に、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットが積層されたタンデム構造において、電荷発生層により第１の発光ユニットに正孔が注入され、第２の発光ユニットに電子が注入されるとよい。

タンデム構造を用いて白色発光デバイスを得るには、２以上の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構造とすればよい。

また、上述の白色発光デバイスと、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

本明細書等において、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたもの、又は基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示モジュールと記すことがある。表示モジュールは表示装置の一態様である。

次に実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

＜補助配線の機能＞
本実施の形態で述べる表示装置は、補助配線を有することが特徴である。補助配線は主電極の補助機能を持つ層であり、本実施の形態で述べる補助機能とは、主電極に起因した電圧降下を抑制する機能等が含まれる。上記主電極として、発光デバイスの一対の電極等が挙げられるが、一対の電極は、発光デバイスの陰極又は陽極としての機能を有するため、仕事関数に基づき選択された導電性材料を選択しなければならないことがある。仕事関数のみを考慮した導電性材料は抵抗率が高いことがある。そこで本実施の形態で述べる表示装置は、補助配線を一対の電極のいずれか一に電気的に接続させることが一特徴であり、上記電圧降下を抑制させる効果を奏することができる。

一対の電極として上部電極があるが、上部電極は複数の発光デバイス間で分断されずに一続きの導電層から形成することができる。当該一続きの電極を共通電極と記すことがある。共通電極は表示装置が大型化するにつれて広い面積に形成される必要があり、このような共通電極に起因した電圧降下が生じやすくなる。そこで本実施の形態で述べる表示装置は、代表的には大型化された表示装置であり、補助配線を上部電極に電気的に接続させることが一特徴であり、上記電圧降下を抑制させるといった効果を奏することができる。

なお、補助配線はその形状に従い補助電極と記すこともある。本明細書等において補助配線の形状について何ら限定されるものではなく、補助配線には補助電極が含まれるものとする。

図１Ａに本発明の一態様である表示装置が有する画素部１０３の概念図を示す。画素部１０３は、少なくとも発光デバイスを有し、本発明の一態様である補助配線１５１も有する。図１Ａでは、発光デバイス１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂを示し、画素部１０３が有する３つの発光デバイスを例示している。発光デバイス１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂを区別しないときは、発光デバイス１１と記すことがある。

＜発光デバイス＞
発光デバイス１１は少なくとも、下部電極と、有機化合物層と、上部電極とが順に積層された構成を有する。図１Ａでは、下部電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂを示し、有機化合物層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂを示し、上部電極１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを示す。なお、下部電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂを区別しないときは、下部電極１１１と記すことがある。なお、有機化合物層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂを区別しないときは、有機化合物層１１２と記すことがある。なお、上部電極１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂを区別しないときは、上部電極１１３Ｅと記すことがある。画素部１０３が有する３つの発光デバイスは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）を発することができるため、上述した符号にＲＧＢを添えることで、各色に対応させている。有機化合物層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂは少なくとも発光層を有し、発光層の発光材料等が異なるため赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）を発することができる。なお有機化合物層１１２は発光層以外も有するが、発光層以外の構成については後述する。

＜有機化合物層の作製方法＞
有機化合物層１１２は、発光層及びそれ以外の層が積層されたものであり、各層はメタルマスクを用いた蒸着法で形成することができる。再掲するが、メタルマスクを用いて作製された有機化合物層を有する発光デバイスを、ＭＭ構造を有する発光デバイスと記す。また有機化合物層１１２の各層はメタルマスクを用いずに、フォトリソグラフィ工程を用いて形成することもできる。再掲するが、メタルマスクを用いずに形成された有機化合物層を有する発光デバイスを、ＭＭＬ構造を有する発光デバイスと記す。なおフォトリソグラフィ工程を用いた作製方法については後述する。

＜上部電極、共通電極＞
発光デバイスが有する上部電極１１３Ｅは各発光デバイスで分断されていてもよい。図１Ａでは分断された上部電極を示し、当該上部電極１１３Ｅに補助配線１５１を電気的に接続させた構成を示す。この電気的な接続を、図１Ａでは回路図に倣い実線で示す。補助配線１５１が電気的に接続された上部電極を用いた表示装置は、電圧降下が抑制されるため好ましい。

また上部電極は、各発光デバイスで分断せずに、一続きの電極である共通電極として設けてもよい。共通配線を用いた場合、電圧降下が生じやすくなるため、本発明の一態様である補助配線を設けた構成が好適となる。なお本明細書等に接した当業者であれば、上部電極と共通電極とを適宜読み替えて、補助配線１５１の効果を理解することができる。

さらに表示装置が大型化されるにつれて、上部電極等による電圧降下が生じやすくなるため、本明細書等に接した当業者であれば、補助配線１５１は大型の表示装置において顕著な効果を奏することも理解できる。

＜補助配線の構成＞
補助配線１５１は、互いに異なる層に設けられた２以上の配線層を有すると好ましい。例えば補助配線１５１は、図１Ａに示すように第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂを有する。第１の配線層１５１ａは、第２の配線層１５１ｂとは異なる層に形成されているものであり、第１の配線層１５１ａの被形成面は、第２の配線層１５１ｂの被形成面と異なっている。

なお、配線層はその形状に従い電極層と記すこともある。本明細書等において電極層形状について何ら限定されるものではなく、配線層には電極層が含まれるものとする。

第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂを補助配線１５１として機能させるため、第１の配線層１５１ａは第２の配線層１５１ｂと電気的に接続させる。具体的には、第１の配線層１５１ａと第２の配線層１５１ｂとの間に位置する絶縁層１４のコンタクトホール１５を介して、第１の配線層１５１ａは第２の配線層１５１ｂと電気的に接続させる。

補助配線を構成する配線層の積層数は何ら限定されず、第１の配線層乃至第３の配線層等の三層以上の配線層を有してもよい。配線層の数が増すにつれて、補助配線として機能させる配線層の配置（以降、レイアウトと記すことがある）の自由度が増すため好ましいともいえる。

このように本発明の一態様の補助配線１５１は、異なる層に設けられた配線層を２以上有し、異なる層に位置する配線層どうしは、コンタクトホールを介して電気的に接続させることを特徴とする。

＜コンタクトホール＞
コンタクトホールとは、絶縁層に形成された開口を指し、ある絶縁層より下に位置した配線層（下層配線層と記す）が、その絶縁層より上に位置した配線層（上層配線層と記す）と電気的に接続することを可能にするものである。電気的に接続するためには、具体的には下層配線層が開口から露出した領域を有し、上層配線層が当該露出した領域と電気的に接続する、代表的には接触するとよい。

またコンタクトホールが設けられる絶縁層を、積層させてもよい。これを積層構造の絶縁層と呼び、積層絶縁層と記す。たとえば第１の絶縁層と第２の絶縁層との積層絶縁層にコンタクトホールを形成することができる。この場合、第１の絶縁層には第１のコンタクトホールが形成され、第２の絶縁層には第２のコンタクトホールが形成される。第１のコンタクトホールは、少なくとも第２のコンタクトホールと重なる領域を有すれば、下層配線層が上層配線層と電気的に接続することが可能になる。たとえば第２の絶縁層が第１の絶縁層より上層に位置する場合、断面視における第２のコンタクトホールの幅が第１のコンタクトホールの幅より大きいと好ましい。勿論、下層配線層が上層配線層と電気的に接続することができる限りにおいて、各絶縁層のコンタクトホールの幅については何ら限定されない。

高精細な表示装置では下部電極１１１の間隔が狭くなるため、当該間隔に対応して補助配線１５１をレイアウトすることが難しくなる。そのため、下部電極１１１の間隔に影響を受けない又は影響の少ない補助配線１５１のレイアウトが望まれる。

下部電極１１１の影響を受けない補助配線１５１のレイアウトとして、代表的には第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂともに下部電極１１１とは異なる層に形成すればよい。たとえば第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂを、下部電極１１１より下層に位置させた補助配線１５１を形成すればよい。

さらに第１の配線層１５１ａと第２の配線層１５１ｂとでは、上面視における形状を異ならせる、代表的には面積を異ならせることができる。たとえば第１の配線層１５１ａを第２の配線層１５１ｂより小さな面積で形成すればよい。別言すれば、第２の配線層１５１ｂは第１の配線層１５１ａより大きな面積となるようにレイアウトしてもよい。たとえば、第２の配線層１５１ｂを格子状にレイアウトすることもできる。このとき、第２の配線層１５１ｂを帯状又は島状としてもよい。格子状とは、並列した複数の縦線と、並列した複数の横線とを組み合わせた模様の一を指す。帯状は、矩形状又はストライプ状と呼ぶことがある。島状は帯状よりも長さの短いものを指す。勿論、第１の配線層１５１ａを格子状としてもよく、このとき第２の配線層１５１ｂを帯状としてもよい。

図１Ｂ１及び図１Ｂ２には、画素部１０３の上面図を示し、ともに格子状の第２の配線層１５１ｂを示す。第１の配線層１５１ａは図示しないが、コンタクトホール１５を介して第２の配線層１５１ｂと電気的に接続されている。なお第１の配線層１５１ａは何れの形状であってもよく、例えば帯状又は島状を有することができる。第１の配線層１５１ａが第２の配線層１５１ｂの一部と重なる領域を有すると、コンタクトホール１５を介した電気的な接続を確保しやすく好ましい。

図１Ｂ１及び図１Ｂ２には、Ｘ方向と、Ｘ方向に交差するＹ方向とが添えられており、当該方向を用いて画素部１０３の構成等を説明することがある。

図１Ｂ１に示す格子状の第２の配線層１５１ｂは、Ｙ方向に沿うような縦線を複数有する。縦線は、副画素の間隙と重なる。副画素の間隙とは下部電極１１１Ｒの端と下部電極１１１Ｇの端との間の領域、及び下部電極１１１Ｇの端と下部電極１１１Ｂの端との間の領域を有する。

図１Ｂ２に示す第２の配線層１５１ｂは、縦線の間隔が図１Ｂ１と異なるものであり、縦線は、画素１５０の間隙と重なる。画素１５０の間隙とは、たとえば画素１５０の端に位置する副画素Ｂに対応する下部電極１１１Ｂの端と、隣接した画素の端に位置する副画素Ｒに対応する下部電極１１１Ｒの端との間の領域を有する。隣接したとはＸ方向にそって隣り合う関係、又はＹ方向に沿って隣り合う関係のいずれでもよい。別言すると図１Ｂ２に示す第２の配線層１５１ｂは、図１Ｂ１のような副画素の間隙と重なる領域を有する縦線を有さないものである。

開口率が高くなる表示装置、又は高精細化が進んだ表示装置では、下部電極の間隙が狭くなり、下部電極の間隙には補助配線をレイアウトしづらくなる。下部電極の間隙とは、たとえば下部電極１１１Ｒの端と下部電極１１１Ｇの端との距離、又は下部電極１１１Ｇの端と下部電極１１１Ｂの端との距離である。そのため、第２の配線層１５１ｂが下部電極１１１と同じ層に位置する場合、高精細化が進んだ表示装置のときは、図１Ｂ２に示すような縦線の少ない第２の配線層１５１ｂのレイアウトが好ましい。

格子状の第２の配線層１５１ｂと同じ層には、走査線、信号線及び電源線等の機能を奏する配線を有さないと好ましい。上記機能を奏する配線は、Ｘ方向に延在させるか、Ｙ方向に延在させる必要があるため、第２の配線層１５１ｂと接触してしまうためである。走査線、信号線及び電源線を設けたい場合、走査線、信号線及び電源線等のＸ方向に沿う長さ、又はＹ軸方向に沿う長さを調整し、第２の配線層と接触させないように、島状にレイアウトすればよい。そして、第２の配線層とは異なる層の導電層を用いて、島状の走査線等どうしの電気的な接続を確保する。このような電気的な接続を確保するための配線をブリッジ配線と記すことがある。

なお、ブリッジ配線はその形状に従いブリッジ電極と記すこともある。本明細書等においてブリッジ配線の形状について何ら限定されるものではなく、ブリッジ配線にはブリッジ電極が含まれるものとする。

図１Ｃ１及び図１Ｃ２には、信号線とブリッジ配線を有する画素部１０３を示す。図１Ｃ１及び図１Ｃ２では発光デバイス１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの図示を省略するが、発光デバイス１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂのレイアウト等は図１Ｂ１及び図１Ｂ２を参照することができる。

図１Ｃ１及び図１Ｃ２に示す信号線は、第３の配線層１５３ａと第４の配線層１５３ｂとを有し、第３の配線層１５３ａは第４の配線層１５３ｂと分断している。第３の配線層１５３ａと第４の配線層１５３ｂとを島状の配線層と呼んでもよい。島状の配線層は、ブリッジ配線１５４を用いて互いに電気的に接続させる。第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂはともに、第２の配線層１５１ｂと異なる被形成面に位置する導電層を用いて形成するとよい。例えば、第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂはともに、第２の配線層１５１ｂより下層に位置した導電層を用いて形成するとよい。さらに、第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂは、第２の配線層１５１ｂと同じ被形成面に位置する導電層を用いて形成してもよい。またいずれの場合においても、ブリッジ配線１５４は、第２の配線層１５１ｂと異なる被形成面に位置する導電層を用いて形成する。例えば、ブリッジ配線１５４は第２の配線層１５１ｂより下層に位置した導電層を用いればよい。

信号線以外に、走査線又は電源線を島状の配線層を用いて形成する場合も、ブリッジ配線１５４等で電気的な接続を確保することができる。

図１Ｂ２に示すような縦線の少ない第２の配線層１５１ｂのレイアウトは、図１Ｃ２に示すような信号線及びブリッジ配線を有する場合においても好適である。

次いで図２Ａに画素部１０３の別形態を示す。図２Ａは、第２の配線層１５１ｂが、下部電極１１１と同一形成面に位置する構成を有する。なお当該同一形成面とは、絶縁層１４の上面に対応する。その他の構成は、図１Ａと同様である。

図２Ｂ１及び図２Ｂ２は、画素部１０３の上面図を示し、当該上面図では格子状を有する第１の配線層１５１ａを示す。格子状のレイアウトについては、図１Ｂ１及び図１Ｂ２に示した格子状の第２の配線層１５１ｂのレイアウトを参照することができる。

図２Ｂ１及び図２Ｂ２に示すコンタクトホール１５において、格子状の第１の配線層１５１ａの交点と重なるように、第２の配線層１５１ｂが位置する。第２の配線層１５１ｂは上記交点と重なればよく、格子状の第１の配線層１５１ａの全体と重なっていなくてよい。さらに第２の配線層１５１ｂは、すべての交点と重なっていなくてよい。第２の配線層１５１ｂは下部電極１１１と同じ導電層を有するため、第２の配線層１５１ｂは下部電極１１１と互いに接しないようにレイアウトしなければならないが、第１の配線層１５１ａのレイアウトは下部電極１１１に影響を受けない。そのため第１の配線層１５１ａを大きな面積とすることができ、第２の配線層１５１ｂの面積が小さい場合であっても、電圧降下を抑制できる。小さな面積でレイアウトされた第２の配線層１５１ｂは、電極層と記す方が好ましい場合がある。

図２Ｃ１及び図２Ｃ２には、信号線とブリッジ配線を有する画素部１０３を示す。図２Ｃ１及び図２Ｃ２では発光デバイス１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの図示を省略するが、発光デバイス１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂのレイアウト等は図２Ｂ１及び図２Ｂ２を参照することができる。

図２Ｃ１及び図２Ｃ２に示す信号線は、第３の配線層１５３ａと第４の配線層１５３ｂとを有し、第３の配線層１５３ａは第４の配線層１５３ｂと分断している。上述したとおり、第３の配線層１５３ａと第４の配線層１５３ｂとを島状の配線層と呼んでもよく、島状の配線層は、ブリッジ配線１５４を用いて互いに電気的に接続させる。第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂはともに、第２の配線層１５１ｂと異なる被形成面に位置する導電層を用いて形成するとよい。例えば、第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂはともに、第２の配線層１５１ｂより下層に位置した導電層を用いて形成するとよい。さらに第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂは、第１の配線層１５１ａと同じ被形成面に位置する導電層を用いて形成するとよい。またいずれの場合においても、ブリッジ配線１５４は、第１の配線層１５１ａと異なる被形成面に位置する導電層を用いて形成する。例えば、ブリッジ配線１５４は第１の配線層１５１ａより下層に位置した導電層を用いればよい。またブリッジ配線１５４は、第２の配線層１５１ｂと同じ被形成面に位置する導電層を用いて形成してもよい。この場合、下部電極１１１とブリッジ配線１５４とが接しないようにレイアウトする。

次いで、図３Ａには本発明の一態様の画素部１０３の別形態を示す。図３Ａは、図２Ａと異なり、断面視における第２の配線層１５１ｂの幅（ｄＢを付した幅）が第１の配線層１５１ａの幅（ｄＡを付した幅）より小さい構成を有する。その他の構成は、図２Ａと同様にすることができる。

図３Ｂには、画素部１０３の上面図を示し、第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂが格子状を有する様子を示す。格子状のレイアウトについては、図１Ｂ２で示した格子状の第２の配線層１５１ｂのレイアウトを参照する。

図３Ｂに示すコンタクトホール１５は、第１の配線層１５１ａと第２の配線層１５１ｂとが重なる領域に合わせた形状を有することができる。たとえば、コンタクトホール１５は、第２の配線層１５１ｂの一辺に沿う形状を有することができる。

図３Ｃには、信号線とブリッジ配線を有する画素部１０３を示す。図３Ｃに示す信号線は、第３の配線層１５３ａと第４の配線層１５３ｂとを有し、第３の配線層１５３ａは第４の配線層１５３ｂと分断している。そのため、ブリッジ配線１５４を用いて第３の配線層１５３ａと第４の配線層１５３ｂとを電気的に接続している。第３の配線層１５３ａ及び第４の配線層１５３ｂは、第１の配線層１５１ａと同じ層の導電層を有する。ブリッジ配線１５４は、第１の配線層１５１ａと異なる層の導電層を有し、好ましくは第１の配線層１５１ａより下層の導電層を用いる。

このように本発明の一形態の補助配線１５１は異なる層に設けられた配線層を２以上有するため、一層の配線層から補助配線を形成する場合と比べて、補助配線１５１のレイアウトの自由度が高く好ましい。本発明の一態様の補助配線１５１は、高精細な表示装置に適用すると好適である。

＜補助配線が有する導電性材料＞
本発明の一態様の補助配線１５１が有する導電性材料、つまり第１の配線層１５１ａ又は第２の配線層１５１ｂが有する導電性材料として、アルミニウム、銅、銀、金、白金、クロム、モリブデン等の金属を用いることができる。また導電性材料には、上記金属の合金を用いることができる。上記導電性材料は金属であり、非透光性の導電性材料である。第１の配線層１５１ａ又は第２の配線層１５１ｂは、上記導電性材料を用いて、単層又は積層で形成することができる。例えば第１の配線層１５１ａを積層として、第２の配線層１５１ｂを単層として形成してもよい。または第１の配線層１５１ａを単層として、第２の配線層１５１ｂを積層としてもよい。または第１の配線層１５１ａを積層として、第２の配線層１５１ｂも積層としてもよい。

本発明の一態様の補助配線が有する導電性材料、つまり第１の配線層１５１ａ又は第２の配線層１５１ｂが有する導電性材料として、透光性を有する導電性材料を用いてもよい。具体的には、インジウムとスズとを有する酸化物（インジウム錫酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、インジウムとシリコンと錫とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＳＯともいう）、インジウムと亜鉛とを有する酸化物（インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物ともいう）、又はインジウムとタングステンと亜鉛とを有する酸化物（Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物ともいう）等を用いることができる。第１の配線層１５１ａ又は第２の配線層１５１ｂは、上記導電性材料を用いて、単層又は積層で形成することができる。第１の配線層１５１ａ又は第２の配線層１５１ｂに積層構造を用いる場合、少なくとも一層以上に上述の金属等を用いた導電性材料を有すると好ましい。

本発明の一態様の補助配線に用いられる導電性材料の抵抗率、つまり第１の配線層１５１ａ又は第２の配線層１５１ｂに用いられる導電性材料の抵抗率は、共通電極に用いられる導電性材料の抵抗率よりも低いことが好ましい。ただし共通電極に起因した電圧降下を十分に抑制できる場合、上記抵抗率の関係を満たさなくともよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の具体例について説明する。

＜トップエミッション構造＞
本発明の一態様の表示装置は、トップエミッション構造を用いると好ましい。トップエミッション構造では、上部電極に透光性が必要であり、上部電極の方向に光が発せられる。透光性とは可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）が通過することを指し、４０％以上の透過率を有すると好ましい。

透光性を有する導電性材料は抵抗率が高いことがあり、共通電極の抵抗が高くなることがある。すると共通電極に起因して電圧降下が生じ、表示面内の電位分布が不均一になり、発光デバイスの輝度がばらついてしまう。そこで、本発明の一態様のトップエミッション構造を有する表示装置は、共通電極と電気的に接続された補助配線を有してもよい。当該補助配線により、電圧降下抑制の効果を奏することができる。上部電極は共通電極と読み替えてもよい。

＜ボトムエミッション構造＞
なお、本発明の一態様の表示装置がボトムエミッション構造であっても、共通電極と電気的に接続された補助配線を有してもよい。当該補助配線により、電圧降下抑制の効果を奏することができる。

なおボトムエミッション構造では、下部電極に透光性が必要であり、下部電極の方向に光が発せられる。

＜デュアルエミッション構造＞
なお、本発明の一態様の表示装置がデュアルエミッション構造であっても、共通電極と電気的に接続された補助配線を有してもよい。当該補助配線により、電圧降下抑制の効果を奏することができる。

デュアルエミッション構造とは、下部電極及び上部電極に透光性が必要であり、下部電極及び上部電極の両方向に光が発せられる。デュアルエミッション型の表示装置は、透明ディスプレイと記すことができる。

本実施の形態では、トップエミッション構造の表示装置に補助配線を適用した構成について説明する。

［補助配線の具体例］
図４Ａに、トップエミッション構造の表示装置が有する画素部１０３を示し、補助配線１５１等の断面図を示す。図４Ａでは、上記実施の形態にて図３等で説明した補助配線１５１の断面構造を適用するが、トップエミッション構造の表示装置は上記実施の形態にて図１及び図２等で説明した補助配線１５１の断面構造を有してもよい。

画素部１０３は発光デバイス１１を有し、発光デバイス１１は共通電極１１３を有する。共通電極１１３は透光性を有するため、各発光デバイスから図４Ａに示した矢印方向へ光が発せられる。当該発光デバイス１１は絶縁層１０４上に形成され、絶縁層１０４は基板１０１上に形成されている。

図４（Ａ）に示すように、補助配線１５１は第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂを有する。第１の配線層１５１ａは基板１０１上に形成された配線層であり、第２の配線層１５１ｂは絶縁層１０４上に形成された配線層である。第２の配線層１５１ｂは、絶縁層１０４のコンタクトホール１９を介して第１の配線層１５１ａと電気的に接続され、補助配線１５１として機能する。共通電極１１３は、絶縁層１２６上に位置し、当該共通電極１１３は絶縁層１２６のコンタクトホール１８を介して補助配線１５１と電気的に接続することができる。

補助配線１５１は異なる層に設けられた配線層を２以上有するため、いずれか一の配線層が下部電極１１１の被形成面と同一の被形成面に設けられたとしても、下部電極のレイアウトの影響を受けずに、又は下部電極のレイアウトの影響を最小限に抑えて補助配線１５１を形成することができ好ましい。

図４Ａでは、第２の配線層１５１ｂが下部電極１１１と同じ層に設けられているが、第１の配線層１５１ａは、下部電極１１１と異なる層に設けられているため、第１の配線層１５１ａを第２の配線層１５１ｂよりも広い面積でレイアウトすることができる。第１の配線層１５１ａが下部電極１１１の下方に位置する場合、開口率が低下することもなくレイアウトの自由度が増す。開口率を低下させない位置に形成された第１の配線層１５１ａは透光性を有する必要がないため、抵抗率の低い導電性材料を適用することができる。

このように本発明の一形態の補助配線１５１は、下部電極の被形成面とは異なる被形成面の配線層を備えることができ、当該配線層は下部電極レイアウトの影響を受けることがなく広い面積に形成することが可能となり、電圧降下抑制効果を十分に発現できる。

次に、画素部１０３における補助配線１５１以外の構成を説明する。図４Ｂに示す画素部１０３の上面図も参照する。なお図４Ｂでは第２の配線層１５１ｂを示し、第１の配線層１５１ａは省略する。

図４Ｂに一点鎖線で示すＡ１−Ａ２は、図４ＡにおけるＡ１−Ａ２に対応する。図４ＢにはＸ方向と、Ｘ方向に交差するＹ方向とが添えられており、当該方向を用いて画素部１０３が有する構成のレイアウト等を説明することがある。

図４Ｂに示すように、表示領域に位置する画素部１０３は、画素１５０を複数有する。画素１５０はフルカラー表示を可能な最小単位として用いられ、図４Ｂに示すように副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを少なくとも有する。なおフルカラー表示とするために、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂはそれぞれ着色層を有してもよく、着色層として例えばカラーフィルタ又は色変換層がある。

副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。

副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂは、各発光デバイスの発光領域に対応し、図４Ｂでは各発光領域が矩形であるとして例示する。そして図４Ｂの副画素１１０Ｒに赤色発光デバイスの発光領域（Ｒと図示する）を対応させ、副画素１１０Ｇに緑色発光デバイスの発光領域（Ｇと図示する）を対応させ、副画素１１０Ｂに青色発光デバイスの発光領域（Ｂと図示する）を対応させる。なお本発明の一態様の表示装置は、上記の発光色に限定されるものではなく、例えば赤色、緑色及び青色の発光デバイスに加えて、白色の発光デバイスを有してもよい。

図４Ｂに示すように、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０ＧはＹ方向に沿うように複数配列され、交互に位置する。また副画素１１０ＢはＹ方向に沿うように複数配列される。副画素１１０Ｂは副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇより大きな面積とすることができる。例えば青色発光デバイスに蛍光材料を有する発光層を用い、赤色発光デバイスおよび緑色発光デバイスにそれぞれ、燐光材料を有する発光層を用いた場合、図４Ｂに示すように、副画素１１０Ｂが副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇより面積が大きいと好ましい。

再掲するが、図４Ａに示すように、副画素１１０Ｒには、基板１０１上に絶縁層１０４が設けられ、絶縁層１０４上に発光デバイス１１Ｒの下部電極１１１Ｒが設けられ、下部電極１１１Ｒ上に発光デバイス１１Ｒの有機化合物層１１２Ｒが設けられ、有機化合物層１１２Ｒ上に共通電極１１３が設けられている。そして発光デバイス１１Ｒは共通電極１１３側、つまり図４Ａの矢印で示す方向に光を発する。

また再掲するが、図４Ａに示すように、副画素１１０Ｇには、基板１０１上に絶縁層１０４が設けられ、絶縁層１０４上に発光デバイス１１Ｇの下部電極１１１Ｇが設けられ、下部電極１１１Ｇ上に発光デバイス１１Ｇの有機化合物層１１２Ｇが設けられ、有機化合物層１１２Ｇ上に共通電極１１３が設けられている。そして発光デバイス１１Ｇは共通電極１１３側、つまり図４Ａの矢印で示す方向に光を発する。

また再掲するが、図４Ａに示すように、副画素１１０Ｂには、基板１０１上に絶縁層１０４が設けられ、絶縁層１０４上に発光デバイス１１Ｂの下部電極１１１Ｂが設けられ、下部電極１１１Ｂ上に発光デバイス１１Ｂの有機化合物層１１２Ｂが設けられ、有機化合物層１１２Ｂ上に共通電極１１３が設けられている。そして発光デバイス１１Ｂは共通電極１１３側、つまり図４Ａの矢印で示す方向に光を発する。

副画素１１０は、上記発光デバイスに加えて、当該発光デバイスを制御するスイッチング素子を有するが、図４Ａ及び図４Ｂではスイッチング素子を図示しない。本発明の一態様の表示装置は、スイッチング素子によって制御された発光デバイスから光が発せられることで、フルカラー表示を行うことができる。

第２の配線層１５１ｂは、図４Ａに示すように、下部電極１１１と同じ層に設けられた導電層を用いて形成される。加えて第１の配線層１５１ａは下部電極１１１とは異なる層に設けられた配線層である。

図４Ａに示すように第２の配線層１５１ｂは下部電極と同一形成面の配線層を有するため、下部電極１１１に接しない、つまり副画素と重ならない領域に設けられる。たとえば第２の配線層１５１ｂは上面視において格子状を有する。格子状の第２の配線層１５１ｂは横線として、Ｘ方向に沿うように延在した領域を有し、当該領域は並列し、また縦線としてＹ方向に沿うように延在した領域を有し、当該領域は並列している。

また図４Ｂに示す第２の配線層１５１ｂは、Ｘ方向に沿うように延在した領域として、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇとの間に位置する領域を有し、当該領域が並列している。副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇとの間に位置する領域は画素間の領域に相当する。図４Ｂに示す第２の配線層１５１ｂは、Ｙ方向に沿うように延在した領域として、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂとの間に位置する領域を有し、当該領域が並列している。

下部電極１１１の間隙は、高精細な表示装置であるほど狭くなる。たとえば、高精細な表示装置が有する図４Ｂの画素部１０３では、副画素間ｄｅ及び画素間ｄｃが狭くなる。間隔が狭くなるにつれて、補助配線のための配線層を形成することが難しくなる。そのため、上面視にて副画素の間隙に重なる配線層を第１の配線層１５１ａとして、第１の配線層１５１ａを下部電極と異なる層の配線層とするとよい。

＜絶縁層１２６＞
本発明の一態様の表示装置では、図４Ａに示すように発光デバイス間に絶縁層１２６が位置すると好ましい。絶縁層１２６は画素間及び副画素間を充填することができ、第２の配線層１５１ｂは絶縁層１２６と重なるように設けるとよい。絶縁層１２６により、第２の配線層１５１ｂが下部電極１１１と接することを抑制できる。さらに、絶縁層１２６により、各発光デバイスの有機化合物層を離間させることができ、発光デバイス間のクロストークを抑制することができる。クロストークとは意図しない発光デバイスから光が射出されてしまう現象である。

図４Ａでは、絶縁層１２６の上面は、有機化合物層１１２の上面と概略一致又は一致するように示す。このような位置関係を満たすと共通電極１１３の被形成面が平坦になり、当該共通電極１１３の切断が抑制され好ましい。

図４Ａでは図示しないが、共通電極１１３が切断されないためには、絶縁層１２６の上面が有機化合物層１１２の上面よりも上に位置してもよい。この場合、絶縁層１２６の端部は、有機化合物層１１２の中心に向かって徐々に薄膜化しているとよい。徐々に薄膜化していく形状を、テーパ形状と記すことがある。

図４Ａでは図示しないが、絶縁層１２６の中央部は絶縁層１２６の端部より上に位置し、中央部に端部より盛り上がった領域を有するとさらに好ましい。このような絶縁層１２６上に共通電極１１３を設けると、共通電極１１３の切断が抑制され好ましい。

図４Ａでは補助配線１５１の第２の配線層１５１ｂが共通電極１１３の下と接する領域を有する構成を示すが、補助配線１５１が共通電極１１３と電気的に接続される限りにおいて、任意の構成をとることができる。

［補助配線のレイアウト］
本発明の一態様の補助配線１５１は、少なくとも２以上の配線層を有することが特徴であるが、図５等を用いて第１の配線層１５１ａと第２の配線層１５１ｂとのレイアウト例を説明する。図５等では、図４Ｂに従って副画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を示すが、下部電極１１１は省略する。

図５Ａに示す画素部１０３では、補助配線１５１は上面視において格子状をなし、Ｙ方向に延存した第１の配線層１５１ａと、Ｘ方向に延在した第２の配線層１５１ｂを有する。なお第１の配線層１５１ａと第２の配線層１５１ｂとが交差する領域には、コンタクトホールが位置するが図５Ａでは図示しない。

第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂのいずれか一は下部電極１１１と同じ層に形成してもよいし、いずれも下部電極１１１と異なる層に形成してもよい。

図５Ａに示す画素部１０３では、第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂは共に画素間に位置する。画素部１０３は高精細な表示装置に用いられる。

図５Ｂには、図５Ａに示した第２の配線層１５１ｂの長さが小さい補助配線１５１を示す。第２の配線層１５１ｂの長さが小さい分、第１の配線層１５１ａがＸ方向に延在した領域を有する。長さが小さい第２の配線層１５１ｂは、その一端が副画素Ｇと重なり、他端が副画素Ｂと重なる長さを有する。その他の構成は図５Ａと同様である。

図５Ｃには、図５Ａに示した第１の配線層１５１ａを第２の配線層１５１ｂとし、同図に示した第２の配線層１５１ｂを第１の配線層１５１ａとした補助配線１５１を示す。その他の構成は図５Ａと同様である。

図５Ｄには、図５Ｃに示した第１の配線層１５１ａの長さが小さい補助配線１５１を示す。第１の配線層１５１ａの長さが小さい分、第２の配線層１５１ｂがＸ方向に延在した領域を有する。長さが小さい第１の配線層１５１ａは、その一端が副画素Ｇと重なり、他端が副画素Ｂと重なる長さを有する。その他の構成は図５Ｃと同様である。

図５Ａには、第１の配線層１５１ａと第２の配線層１５１ｂとが同じ形状を有した補助配線１５１を示す。図６Ａでは、第１の配線層１５１ａを点線で示す。その他の構成は図５Ａと同様である。

図６Ｂには、第２の配線層１５１ｂよりも大きな面積の第１の配線層１５１ａを有した補助配線１５１を示す。下部電極１１１とは異なる層に形成するため、第１の配線層１５１ａを大きな面積で形成することができる。その他の構成は図５Ａと同様である。

このように本発明の一形態の補助配線１５１は第１の配線層１５１ａ及び第２の配線層１５１ｂを有するため、多様な形態を取ることができる。そして補助配線１５１が共通電極と電気的に接続することで、共通電極の電圧降下が十分に抑制できる。また本発明の一態様の表示装置は高精細な画素部を用いることができる。

またボトムエミッション構造及びデュアルエミッション構造に補助配線１５１を適用してもよい。その際、上記実施の形態にて図１乃至図３等で説明した補助配線１５１の断面構造を適用することができる。ボトムエミッション構造及びデュアルエミッション構造は下部電極１１１より下方に光が発せられるため、当該下部電極１１１より下方に設けられた第１の配線層１５１ａは、副画素の間隙又は画素の間隙と重なるような格子状又は格子状より小さな面積を有するとよい。また当該下部電極１１１より下方に設けられた第２の配線層１５１ｂは、副画素の間隙又は画素の間隙と重なるような格子状、又は格子状より小さな面積を有するとよい。

＜表示装置の具体例＞
図７Ａ乃至図７Ｃを用いて、図４等で示したトップエミッション構造の表示装置の具体例を説明する。表示装置１００は、画素部１０３と接続部１４０とを有する。画素部１０３は複数の画素１５０を有する。画素１５０は複数の副画素１１０を有し、例えば副画素１１０Ｒは赤色を呈する発光デバイス１１Ｒ、副画素１１０Ｇは緑色を呈する発光デバイス１１Ｇ、及び副画素１１０Ｂは青色を呈する発光デバイス１１Ｂをそれぞれ有する。画素部１０３は、コンタクトホール１４１を有する。コンタクトホール１４１は選択的に設けられ、例えば画素１５０の外周に対応した領域に設けることができ、当該領域のうち画素１５０の四隅に対応した領域に設けることができる。

図７Ａでは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、及び発光デバイス１１Ｂに対応した領域にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付す。図７Ａの配列は図４Ｂ等に示した配列と同様であり、規則的な配列である。

発光デバイス１１としては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、又はＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の素子を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料等）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）等が挙げられる。

また、図７Ａに示す接続部１４０は、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを有する領域である。共通電極１１３は画素部１０３の端を超えて、接続部１４０にまで延在するとよい。図７Ａでは、接続部１４０に延在した共通電極１１３を点線で示す。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位が与えられる。共通電極１１３に起因した電圧降下が生じると、上記電位の値がばらつくことになる。本実施の形態の表示装置は、少なくとも画素部１０３に補助配線１５１を有するため、上記電位のばらつきが抑制され好ましい。補助配線１５１は画素部１０３に加えて、接続部１４０に設けることもできる。

接続電極１１１Ｃは、画素部１０３の外周に沿って設けることができる。例えば、画素部１０３の外周の一辺に沿って接続電極１１１Ｃを設けてもよいし、画素部１０３の外周の二辺以上にわたって接続電極１１１Ｃを設けてもよい。すなわち、画素部１０３の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、外周の一辺に沿う帯状、外周の二辺に沿うＬ字状、外周の三辺に沿うコの字状、又は外周の四辺に沿う四角形等とすることができる。

図７Ｂ、図７Ｃはそれぞれ、図７Ａ中の一点鎖線Ｂ１−Ｂ２、一点鎖線Ｂ３−Ｂ４に対応する断面図である。図７Ｂには、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、及び補助配線１５１の断面図を示し、図７Ｃには接続電極１１１Ｃの断面図を示している。

図７Ｂにコンタクトホール１４１の断面図を示す。コンタクトホール１４１は絶縁層１２６に形成される。コンタクトホール１４１を介して、第２の配線層１５１ｂと共通電極１１３とが電気的に接続することができる。

図７Ａには図示しなかったが、絶縁層１０４はコンタクトホール１４２を有する。コンタクトホール１４２を介して、第２の配線層１５１ｂと、第１の配線層１５１ａとが電気的に接続することができる。コンタクトホール１４２は、コンタクトホール１４１と重なる領域に形成してもよいし、コンタクトホール１４１と重ならない領域に形成してもよい。絶縁層１２６の膜厚が絶縁層１０４の膜厚より大きい場合、コンタクトホール１４１のサイズ（例えば断面視における幅）は、コンタクトホール１４２のサイズ（例えば断面視における幅）よりも大きいとよい。

図７Ｂに示すように、有機化合物層１１２Ｂの端面は垂直又は概略垂直となるため、コンタクトホール１４１を加工しやすく好ましい。有機化合物層１１２Ｂの端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。その他の有機化合物層の端面のテーパ角も４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。

なお、本明細書等において、テーパ角とは、目的の層を、断面（例えば基板の表面と直交する面）に垂直な方向から観察した際に、当該層の側面と底面がなす傾斜角をいう。底面が不明確な場合、基板の表面を用いて傾斜角を定めることができる。

図７Ｂに図示しないが、発光デバイス１１Ｒは、下部電極１１１Ｒ、有機化合物層１１２Ｒ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。図７Ｂに示す発光デバイス１１Ｇは、下部電極１１１Ｇ、有機化合物層１１２Ｇ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。図７Ｂに示す発光デバイス１１Ｂは、下部電極１１１Ｂ、有機化合物層１１２Ｂ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。共通層１１４に用いることのできる機能層は、例えば電子注入層である。なお下部電極１１１はトランジスタと電気的に接続される電極であり、画素電極と記すことがある。また下部電極１１１は発光デバイスの陽極又は陰極の一方として機能し、陽極又は陰極と記すことがある。

有機化合物層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機化合物層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機化合物層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光性の有機化合物を有する層は、発光層と記すことができる。

有機化合物層１１２、及び共通層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、及び正孔輸送層から選ばれた、一又は二以上を有することができる。電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、及び正孔輸送層は機能層と記すことがある。二以上有するとは、異なる機能層を組み合わせて二以上有する場合と、同じ機能層であって異なる材料を有する層を組み合わせて二層以上有する場合とを含む。機能層に用いることのできる具体的な材料は追って説明する。

本実施の形態において、有機化合物層１１２は、下部電極１１１側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層の積層構造を有し、共通層１１４は電子注入層を有する構成とする。

なお、機能層は各機能を発揮できればよく、必ずしも有機化合物を含む必要はない。例えば、電子注入層等には無機化合物又は無機物のみを含む膜を用いることができる。

下部電極１１１Ｒ、下部電極１１１Ｇ、及び下部電極１１１Ｂは、それぞれ発光デバイス毎に設けられている。また、共通電極１１３及び共通層１１４は、各発光デバイスに共通な一続きの層として設けられている。下部電極１１１に反射性を有する導電膜を用い、共通電極１１３に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、トップエミッション型構造の表示装置とすることができる。

下部電極１１１の端部はテーパ形状を有することが好ましい。有機化合物層１１２の端部は下部電極１１１を超えた領域に位置するとよく、下部電極１１１の端部がテーパ形状を有する場合、有機化合物層１１２はテーパ形状に沿った形状を有する。下部電極１１１の側面をテーパ形状とすることで有機化合物層等の被覆性を高めることができる。

有機化合物層１１２は、フォトリソグラフィ法により加工されたものである。そのため、有機化合物層１１２の端部が被形成面となす角は、９０度に近い形状となることがある。有機化合物層１１２の端部は下部電極１１１の端部を超えた領域に位置する。

隣接する２つの発光デバイスの間には絶縁層１２６を有すると好ましい。絶縁層１２６は、隣接する２つの発光デバイスの間に位置し、少なくとも隣接する２つの有機化合物層１１２の間を埋めるように設けられている。さらに好ましくは、絶縁層１２６は、有機化合物層１１２の端部と重なる領域を有するとよい。すなわち絶縁層１２６の端部が有機化合物層１１２上に位置することができ、絶縁層１２６の上部と端部の高さの差が小さくなる。絶縁層１２６の上部と端部の高さの差が大きくなると、絶縁層１２６がはがれやすくなることがあるため、当該差は小さい方がよい。

絶縁層１２６の上部形状は、滑らかな凸状を有していると好ましい。凸状を有する上部形状とは、絶縁層１２６の中央部が端部より盛り上がった形状と記すこともできる。

当該絶縁層１２６を覆って、少なくとも共通層１１４及び共通電極１１３が設けられ、共通層１１４及び共通電極１１３の切断を抑制できる。

また、有機化合物層１１２の側面に接して、絶縁層１２５が設けられているとよい。絶縁層１２５は、絶縁層１２６と有機化合物層１１２との間に位置し、絶縁層１２６が有機化合物層１１２に接することを防ぐための保護膜として機能する。有機化合物層１１２と絶縁層１２６とが接すると、絶縁層１２６の形成又は加工時に用いられる有機溶媒等により有機化合物層１１２が溶解する可能性がある。そのため、本実施の形態に示すように、有機化合物層１１２と絶縁層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、有機化合物層１１２を保護することが可能となる。

絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等の酸化金属膜、又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、有機化合物層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

絶縁層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。

また、絶縁層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

絶縁層１２６として感光性を有する材料を用いる場合、露光及び現像を行うことで、加工された絶縁層１２６を形成することができる。加工された絶縁層１２６の表面は丸みを帯びた形状又は凹凸形状を有することがある。なお、加工された絶縁層１２６の表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２６を、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工して表面の高さを調整することができる。

絶縁層１２６は、可視光を吸収する材料を含むことが好ましい。例えば、絶縁層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、絶縁層１２６が可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。絶縁層１２６としては、例えば、赤色、青色、又は緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、又はカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂等を用いることもできる。

絶縁層１２６の上面は、有機化合物層１１２の上面の高さよりも高い部分を有することが好ましい。これにより、発光デバイス１１から斜め上方向に射出される光を吸収することができ、補助電極と相まって、一層の迷光抑制効果を発揮できる。

絶縁層１２６は、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を用いて形成することができる。特に、スピンコートにより、絶縁層１２６となる有機絶縁膜を形成することが好ましい。

絶縁層１２６を形成後、大気中で８５℃以上１２０℃以下、４５分以上１００分以下の加熱処理を実施するとよい。絶縁層１２６からの脱水又は脱気を行うことができる。

また、絶縁層１２５と、絶縁層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウム等の中から選ばれる一又は複数を含む金属膜）を設けてもよい。例えば絶縁層１２５を形成した後、上記反射膜を形成することができる。上記反射膜により、発光層から射出される光を反射させる構成とすることができる。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。

また、図７Ｂに示すように、絶縁層１２５と、有機化合物層１１２の上面との間に、絶縁層１２８が設けられていてもよい。絶縁層１２８は、有機化合物層１１２のエッチング時に、有機化合物層１１２を保護するための保護層（マスク層ともいう）の一部が残存したものである。絶縁層１２８には、上記絶縁層１２５に用いることのでる材料を用いるとよい。特に、絶縁層１２８と絶縁層１２５とに同じ材料を用いると、加工が容易となるため好ましい。例えば絶縁層１２８と絶縁層１２５とはともに、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜又は酸化シリコン膜を有するとよい。

絶縁層１２５、絶縁層１２６及び絶縁層１２８は、いずれも発光デバイス間に位置する絶縁層であり、まとめて絶縁積層体と記すことがある。絶縁積層体上に共通層１１４及び共通電極１１３が設けられるため、共通層１１４及び共通電極１１３が段切れしないように絶縁積層体の端部がテーパ形状を有するとよい。絶縁積層体の端部がテーパ形状を有するには絶縁層１２５の端部がテーパ形状を有してもよいし、絶縁層１２６の端部がテーパ形状を有してもよいし、絶縁層１２８の端部がテーパ形状を有してもよいし、絶縁層１２５、絶縁層１２６及び絶縁層１２８の端部がすべてテーパ形状を有してもよい。複数の絶縁層でテーパ形状を構成する場合、各絶縁層の端部のテーパ形状が連続的に形成されると好ましい。

さらに、絶縁積層体の中央部は、上面に丸みを有するとよい。つまり絶縁積層体の中央部は、端部より盛り上がった形状を有する。上記形状とするために絶縁積層体の最上層に位置する絶縁層１２６は有機材料を用いて形成するとよい。

さらに絶縁積層体の端部は多様な形をとることができる。例えば絶縁積層体の下方に位置する絶縁層１２５が、絶縁層１２６から突出していてもよい。この場合、絶縁層１２６の加工の際に絶縁層１２５の上部の一部が除去されることがある。絶縁層１２６から突出した絶縁層１２５の上部の一部が除去されると、共通層１１４及び共通電極１１３が切断しない効果がある。

絶縁層１２８が絶縁層１２６から突出していてもよい。この場合、絶縁層１２６の加工の際に絶縁層１２８の上部の一部が除去されることがある。絶縁層１２６から突出した絶縁層１２８の上部の一部が除去されると、共通層１１４及び共通電極１１３が切断しない効果がある。

絶縁層１２８が絶縁層１２６から突出した場合、絶縁層１２８の下方に位置する絶縁層１２５の端部は、絶縁層１２８の端部と一致又は概略一致するとよい。

図７Ｂに示すように共通電極１１３上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。

保護層１２１は、接着層１７１によって基板１７０と貼り合されている。接着層１７１には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また接着層１７１には、接着シート等を用いてもよい。

図７Ｃに示す接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上において、絶縁層１２５及び絶縁層１２６に開口部が設けられる。当該開口部を介して接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続されている。接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続するための開口部は、何れの絶縁層に設けてもよい。

なお、図７Ｃには、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を設け、共通層１１４上に共通電極１１３が設けられた構成を示す。共通層１１４に電子注入層等のキャリア注入層を用いた場合等では、当該共通層１１４に用いる材料の抵抗率が十分に低いため、接続電極１１１Ｃは、共通層１１４を介して共通電極１１３と電気的に接続することができる。これにより、共通電極１１３と共通層１１４とを同じマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう）を用いて形成することができるため、製造コストを低減できる。勿論、接続電極１１１Ｃが共通電極１１３と接する領域を有する接続部１４０としてもよい。

以下では、上記とは一部の構成が異なる表示装置の構成例について説明する。なお以下では、上記具体例と重複する部分については同一の符号を付し、繰り返しの説明は行わない場合がある。

具体例で説明した表示装置は、少なくとも有機化合物層が分離されている。当該構成により、リーク電流によるクロストークが抑制され、極めて表示品位の高い画像を表示することができる。さらに、高い開口率と、高い精細度を両立することが可能である。４０インチ以上１００インチ以上、さらには１００インチ超の超大型ディスプレイに本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では副画素のレイアウトについて説明する。

＜レイアウト＞
副画素の配列に特に限定はなく、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、又はペンタイル配列等を用いることができる。

また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。ここでいう副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域に相当する。

図８Ａに示す画素部１０３は補助配線の一部として第２の配線層１５１ｂを有し、画素１５０は角が丸い略台形の上面形状を有する発光デバイス１１ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する発光デバイス１１ｂと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を発光デバイス１１ｃと、を有する。また、発光デバイス１１ａは、発光デバイス１１ｂよりも発光面積が広い。このように、各発光デバイスの形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスほど、サイズを小さくすることができる。

図８Ａに示す画素部１０３は、図９Ａに示すように、発光デバイス１１ａを緑色の発光デバイスＧとし、発光デバイス１１ｂを赤色の発光デバイスＲとし、発光デバイス１１ｃを青色の発光デバイスＢとすることができる。

図８Ｂに示す画素部１０３は補助配線の一部として第２の配線層１５１ｂを有し、副画素の配列にはペンタイル配列が適用されている。ペンタイル配列として、発光デバイス１１ａ及び発光デバイス１１ｂを有する副画素のペア１２４ａと、発光デバイス１１ｂ及び発光デバイス１１ｃを有する副画素のペア１２４ｂと、が交互にレイアウトされている。

図８Ｂに示す画素部１０３は、図９Ｂに示すように、発光デバイス１１ａを赤色の発光デバイスＲとし、発光デバイス１１ｂを緑色の発光デバイスＧとし、発光デバイス１１ｃを青色の発光デバイスＢとすることができる。

図８Ｃに示す画素部１０３は補助配線の一部として第２の配線層１５１ｂを有し、画素１５０ａ、画素１５０ｂは、デルタ配列が適用されている。デルタ配列として、画素１５０ａは上の行（１行目）に、２つの発光デバイス（発光デバイス１１ａ、発光デバイス１１ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光デバイス（発光デバイス１１ｃ）を有する。画素１５０ｂは上の行（１行目）に、１つの発光デバイス（発光デバイス１１ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光デバイス（発光デバイス１１ａ、発光デバイス１１ｂ）を有する。

図８Ｃに示す画素部１０３は、図９Ｃに示すように、発光デバイス１１ａを赤色の発光デバイスＲとし、発光デバイス１１ｂを緑色の発光デバイスＧとし、発光デバイス１１ｃを青色の発光デバイスＢとしてもよい。

図８Ｄに示す画素部１０３は補助配線の一部として第２の配線層１５１ｂを有し、各色の発光デバイスがジグザグにレイアウトされている例である。ジグザグにレイアウトした場合、上面視において、列方向に並ぶ２つの発光デバイス（例えば、発光デバイス１１ａと発光デバイス１１ｂ、又は、発光デバイス１１ｂと発光デバイス１１ｃ）の上辺の位置がずれている。

図８Ｄに示す画素部１０３は、図９Ｄに示すように、発光デバイス１１ａを赤色の発光デバイスＲとし、発光デバイス１１ｂを緑色の発光デバイスＧとし、発光デバイス１１ｃを青色の発光デバイスＢとしてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりレジストマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、レジストマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、発光デバイスの上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。

さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いて有機化合物層に加工する。有機化合物層上に形成したレジストマスクは、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、有機化合物層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジストマスク形成のための硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジストマスクは、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、有機化合物層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、有機化合物層の上面形状が円形になることがある。

なお、有機化合物層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部等に補正用のパターンを追加する。

（実施の形態４）
本実施の形態では、発光デバイスに用いることができる材料等について説明する。

［発光デバイス］
発光デバイスにおいて光を取り出す側の電極には、透光性を有する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、可視光を反射する導電膜と、有機化合物層との間に当該電極をレイアウトすることが好ましい。つまり、発光デバイスの発光は、当該可視光を反射する導電膜によって反射されて、表示装置から取り出すことができればよい。

発光デバイスの電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ合金とも記す）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金とも記す）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジム等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウム等の希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

上記材料のうち正孔を放出できるものを陽極として用い、電子を放出できるものを陰極として用いることができる。

発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていると好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光を一対の電極間で共振させ、発光デバイスから射出される発光を狭線化させ、さらに強めることができる。

微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されると、赤色、緑色、及び青色の発光デバイスで一対の電極間距離が互いに異なる。

なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。

発光デバイスの有機化合物層は少なくとも発光層を有する。発光層は、発光材料（発光物質ともいう）を含む層である。発光層は、１種又は複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色等の発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料等が挙げられる。

蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体等が挙げられる。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、又はピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種又は複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種又は複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方又は双方を用いることができる。また、１種又は複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、又はＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

有機化合物層１１２は、それぞれ、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

例えば、有機化合物層１１２は、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有していてもよい。

共通層１１４としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を適用することができる。例えば、共通層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層又は電子注入層）を形成してもよい。なお、発光デバイスは、共通層１１４を有していなくてもよい。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料等が挙げられる。

正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体等）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

その他の電子輸送性材料として、例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ　ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ビジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属として、リチウム、セシウム、マグネシウム等があり、化合物としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ、Ｘは任意数）、又は炭酸セシウム等がある。

また電子注入層に用いることができる材料として、有機化合物を用いることもできる。有機化合物として、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）等がある。

上記有機化合物はドーパントを含んでもよい。ドーパントとして金属を用いればよく、例えば、銀（Ａｇ）又はイッテルビウム（Ｙｂ）を用いることができる。

また電子注入層に用いることができる材料として、上記アルカリ金属又はアルカリ土類金属と上記有機化合物とを含む複合材料を用いることもできる。

また、電子注入層を２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造として上述した材料を適宜組み合わせることができる。例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを用いた構成とすることができる。

電子注入層として上述した電子輸送性材料を用いてもよい。

（実施の形態５）
本実施の形態では、表示装置について説明する。

［表示装置の構成例］
図１０Ａに、表示装置１０のブロック図を示す。表示装置１０は、画素部１０３、駆動回路部１２、駆動回路部１３等を有する。

画素部１０３は、マトリクス状にレイアウトされた複数の画素１５０を有する。画素１５０は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂは、それぞれ表示デバイスとして機能する発光デバイスを有する。

画素１５０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ駆動回路部１２と電気的に接続されている。配線ＧＬは、駆動回路部１３と電気的に接続されている。駆動回路部１２は、ソース線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能し、駆動回路部１３は、ゲート線駆動回路（ゲートドライバともいう）として機能する。配線ＧＬは、ゲート線として機能し、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれソース線として機能する。

副画素１１０Ｒは、赤色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素１１０Ｇは、緑色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素１１０Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスを有する。これにより、表示装置１０はフルカラーの表示を行うことができる。なお、画素１５０は、他の色の光を呈する発光デバイスを有する副画素を有していてもよい。例えば画素１５０は、上記３つの副画素に加えて、白色の光を呈する発光デバイスを有する副画素、又は黄色の光を呈する発光デバイスを有する副画素等を有していてもよい。

配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線ＳＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、又は副画素１１０Ｂ（図示しない）と電気的に接続されている。

〔画素回路の構成例〕
図１０Ｂに、上記副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに適用することのできる画素１５０の回路図の一例を示す。画素１５０は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、容量Ｃ１、及び発光デバイスＥＬを有する。また、画素１５０には、配線ＧＬ及び配線ＳＬが電気的に接続される。配線ＳＬは、図１０Ａで示した配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢのうちのいずれかに対応する。

トランジスタＭ１は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと電気的に接続され、他方が容量Ｃ１の一方の電極、及びトランジスタＭ２のゲートと電気的に接続される。トランジスタＭ２は、ソース及びドレインの一方が配線ＡＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が発光デバイスＥＬの一方の電極、容量Ｃ１の他方の電極、及びトランジスタＭ３のソース及びドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＲＬと電気的に接続される。発光デバイスＥＬは、他方の電極が配線ＣＬと電気的に接続される。

配線ＳＬには、データ電位Ｄが与えられる。配線ＧＬには、選択信号が与えられる。当該選択信号には、トランジスタを導通状態とする電位と、非導通状態とする電位が含まれる。

配線ＲＬには、リセット電位が与えられる。配線ＡＬには、アノード電位が与えられる。配線ＣＬには、カソード電位が与えられる。画素１５０において、アノード電位はカソード電位よりも高い電位とする。また、配線ＲＬに与えられるリセット電位は、リセット電位とカソード電位との電位差が、発光デバイスＥＬのしきい値電圧よりも小さくなるような電位とすることができる。リセット電位は、カソード電位よりも高い電位、カソード電位と同じ電位、又は、カソード電位よりも低い電位とすることができる。

トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３は、スイッチとして機能する。トランジスタＭ２は、発光デバイスＥＬに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能する。例えば、トランジスタＭ１は選択トランジスタとして機能し、トランジスタＭ２は、駆動トランジスタとして機能するともいえる。

ここで、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３の全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。又は、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを適用し、トランジスタＭ２にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

又は、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３のすべてに、ＯＳトランジスタを適用してもよい。このとき、駆動回路部１２が有する複数のトランジスタ、及び駆動回路部１３が有する複数のトランジスタのうち、一以上にＬＴＰＳトランジスタを適用し、他のトランジスタにＯＳトランジスタを適用する構成とすることができる。例えば、画素部１０３に設けられるトランジスタにはＯＳトランジスタを適用し、駆動回路部１２及び駆動回路部１３に設けられるトランジスタにはＬＴＰＳトランジスタを適用することもできる。

ＯＳトランジスタとしては、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの半導体層として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。

シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。そのため、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。そのため、特に容量Ｃ１に直列に接続されるトランジスタＭ１及びトランジスタＭ３には、それぞれ、酸化物半導体が適用されたトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタＭ１及びトランジスタＭ３として酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、容量Ｃ１に保持される電荷が、トランジスタＭ１又はトランジスタＭ３を介してリークされることを防ぐことができる。また、容量Ｃ１に保持される電荷を長時間に亘って保持できるため、画素１５０のデータを書き換えることなく、静止画を長期間に亘って表示することが可能となる。

なお、図１０Ｂにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。

また、画素１５０が有する各トランジスタは、同一基板上に並べて形成されることが好ましい。

画素１５０が有するトランジスタとして、半導体層を介して重なる一対のゲートを有するトランジスタを適用することができる。

一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲートが互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、トランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与えることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気的に接続する構成としてもよいし、自身のソース又はドレインと電気的に接続する構成としてもよい。

図１０Ｃに示す画素１５０は、トランジスタＭ３に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ３は一対のゲートが電気的に接続されている。このような構成とすることで、画素１５０へのデータの書き込み期間を短縮することができる。

図１０Ｄに示す画素１５０は、トランジスタＭ３に加えて、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ２にも、一対のゲートを有するトランジスタを適用した例である。いずれのトランジスタにおいても、一対のゲートが互いに電気的に接続されている。少なくともトランジスタＭ２に、このようなトランジスタを適用することで、飽和特性が向上するため、発光デバイスＥＬの発光輝度の制御が容易となり、表示品位を高めることができる。

図１０Ｅに示す画素１５０は、図１０Ｄに示す画素１５０のトランジスタＭ２の一対のゲートの一がトランジスタＭ２のソースと電気的に接続した場合の例である。

［トランジスタの構成例］
以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構成例について説明する。

〔構成例１〕
図１１Ａは、トランジスタ４１０を含む断面図である。

トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ４１０は、画素１５０のトランジスタＭ２に対応する。すなわち、図１１Ａは、トランジスタ４１０のソース及びドレインの一方が、発光デバイスの下部電極１１１と電気的に接続されている例である。

トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３の一部は、ゲート電極として機能する。

なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トランジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。

低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例えばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素等を添加すればよい。一方、ｐチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミニウム等を添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加されていてもよい。

基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。

また、導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂが設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層１０４が設けられている。

絶縁層１０４上には、画素電極として機能する下部電極１１１が設けられる。下部電極１１１は、絶縁層１０４上に設けられ、絶縁層１０４に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。ここでは省略するが、下部電極１１１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層することができる。

〔構成例２〕
図１１Ｂには、一対のゲート電極を有するトランジスタ４１０ａを示す。図１１Ｂに示すトランジスタ４１０ａは、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図１１Ａと主に相違している。

導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６を介して導電層４１５と重なるように設けられている。

図１１Ｂに示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層４１３の一部が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層として機能する。

ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソース又はドレインとを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層４１４ａ又は導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すればよい。

画素１５０を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用する場合、図１１Ａで例示したトランジスタ４１０、又は図１１Ｂで例示したトランジスタ４１０ａを適用することができる。このとき、画素１５０を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組み合わせて用いてもよい。

〔構成例３〕
以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について説明する。

図１１Ｃに、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ４５０を含む、断面図を示している。

トランジスタ４１０ａについては、上記構成例１を援用できる。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トランジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トランジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有する構成としてもよい。

トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したトランジスタである。図１１Ｃに示す構成は、例えばトランジスタ４５０が画素１５０のトランジスタＭ１に対応し、トランジスタ４１０ａがトランジスタＭ２に対応する例である。すなわち、図１１Ｃは、トランジスタ４１０ａのソース及びドレインの一方が、下部電極１１１と電気的に接続されている例である。

また、図１１Ｃには、トランジスタ４５０が一対のゲートを有する例を示している。

トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３の一部は、トランジスタ４５０の第１のゲートとして機能し、導電層４５５の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲートとして機能する。このとき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。

また、絶縁層４２６が絶縁層４５２及び導電層４５３を覆って設けられている。絶縁層４２６上には、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂが設けられる。導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂは、絶縁層４２６及び絶縁層４５２に設けられた開口部において、半導体層４５１と電気的に接続されている。導電層４５４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４５４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４５４ａ、導電層４５４ｂ、及び絶縁層４２６を覆って、絶縁層１０４が設けられている。

ここで、トランジスタ４１０ａと電気的に接続する導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂと、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図１１Ｃでは、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、導電層４５４ａ、及び導電層４５４ｂが、同一面上に（すなわち絶縁層４２６の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。このとき、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２６、絶縁層４５２、絶縁層４２２、及び絶縁層４１２に設けられた開口を介して、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続する。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

また、トランジスタ４１０ａの第１のゲート電極として機能する導電層４１３と、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する導電層４５５とは、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図１１Ｃでは、導電層４１３と導電層４５５とが、同一面上に（すなわち絶縁層４１２の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

図１１Ｃでは、トランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層４５２が、半導体層４５１の端部を覆う構成としたが、図１１Ｄに示すトランジスタ４５０ａのように、絶縁層４５２が、導電層４５３と上面形状が一致又は概略一致するように加工されていてもよい。

なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、又は一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、又は、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。

なお、ここではトランジスタ４１０ａが、トランジスタＭ２に対応し、画素電極と電気的に接続する例を示したが、これに限られない。例えば、トランジスタ４５０又はトランジスタ４５０ａが、トランジスタＭ２に対応する構成としてもよい。このとき、トランジスタ４１０ａは、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３、又はその他のトランジスタに対応する。

上記画素回路を有し、且つ上記実施の形態の発光デバイス構造とすることで、表示装置は画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を備えることができる。上記画素回路のトランジスタに流れうるリーク電流が極めて低く、上記実施の形態の発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成となり、表示装置は黒表示時に生じうる光漏れ等が限りなく少なくなり好ましい。

（実施の形態６）
本実施の形態では、受光デバイス（受光素子とも記す）を有する表示装置について説明する。

画素部では発光デバイスに加えて受光デバイスを有してもよく、受光機能を備えた表示装置を提供できる。受光機能を有する表示装置は、画像を表示しながら、対象物の接触又は近接を検出することができる。受光デバイスが位置する領域を受光部と記し、受光部は、受光デバイスを制御するスイッチング素子も有する。スイッチング素子によって制御された受光デバイスは、光源からの光を受光する機能を備え、受光した光を電気信号に変換することができる。

さらに表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源としての光を呈し、残りの副画素で画像を表示してもよい。

図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃに示す画素１５０は、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、副画素１１０Ｒ、及び受光部Ｓ（図中、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｓと付す）を有し、さらに補助配線を有する。図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃでは補助配線１５１の一部である第２の配線層１５１ｂを示す。図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃでは、各副画素等の区別を簡単にするため、各領域内にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｓの符号を付している。

図１２Ａに示す画素１５０は、ストライプ配列が適用され、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、副画素１１０Ｒ、及び受光部Ｓ（図中、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｓと付す）を囲むように第２の配線層１５１ｂが設けられている。

図１２Ｂに示す画素は、マトリクス配列が適用され、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、副画素１１０Ｒ、及び受光部Ｓを囲むように第２の配線層１５１ｂが設けられている。

図１２Ｃに示す画素１５０は、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）の隣に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、受光部Ｓ）が縦に３つ並んだ配列が適用され、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、副画素１１０Ｒ、及び受光部Ｓを囲むように第２の配線層１５１ｂが設けられている。

なお、副画素のレイアウトは図１２Ａ乃至図１２Ｃの構成に限られない。第２の配線層１５１ｂのレイアウトは図１２Ａ乃至図１２Ｃの構成に限られない。

受光部Ｓの受光面積が他の副画素の発光面積よりも小さい場合、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び解像度の向上が可能となる。そのため本発明の一態様の表示装置は、高精細又は高解像度の撮像を行うことが可能である。例えば、受光部Ｓを用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、又は顔等を用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

また、受光部Ｓは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）又はニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）等に用いることができる。

タッチセンサ又はニアタッチセンサは、対象物（指、手、又はペン等）の近接もしくは接触を検出することができる。タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、又は傷がつくリスクを低減することができる、又は対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、又はウィルス等）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

なお、高精細な撮像を行う場合、受光部Ｓは、表示装置が有する全ての画素に設けられていることが好ましい。一方で、タッチセンサ又はニアタッチセンサ等に用いる場合は、受光部Ｓは指紋等を撮像する場合と比較して高い精度が求められないため、表示装置が有する一部の画素に設けられていればよい。表示装置が有する受光部Ｓの数を、副画素１１０Ｒ等の数よりも少なくすることで、検出速度を高めることができる。

図１２Ｄに、受光デバイスを有する副画素（ＰＩＸ１）の画素回路の一例を示す。

図１２Ｄに示す画素回路は、受光デバイスＰＤ、トランジスタＭ１１、トランジスタＭ１２、トランジスタＭ１３、トランジスタＭ１４、及び容量素子Ｃ２を有する。ここでは、受光デバイスＰＤとして、フォトダイオードを用いた例を示している。

受光デバイスＰＤは、アノードが配線Ｖ１と電気的に接続し、カソードがトランジスタＭ１１のソース又はドレインの一方と電気的に接続する。トランジスタＭ１１は、ゲートが配線ＴＸと電気的に接続し、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭ１２のソース又はドレインの一方、及びトランジスタＭ１３のゲートと電気的に接続する。トランジスタＭ１２は、ゲートが配線ＲＥＳと電気的に接続し、ソース又はドレインの他方が配線Ｖ２と電気的に接続する。トランジスタＭ１３は、ソース又はドレインの一方が配線Ｖ３と電気的に接続し、ソース又はドレインの他方がトランジスタＭ１４のソース又はドレインの一方と電気的に接続する。トランジスタＭ１４は、ゲートが配線ＳＥと電気的に接続し、ソース又はドレインの他方が配線ＯＵＴ１と電気的に接続する。

配線Ｖ１、配線Ｖ２、及び配線Ｖ３には、それぞれ定電位が供給される。受光デバイスＰＤを駆動させる場合には、配線Ｖ２に、配線Ｖ１の電位よりも高い電位を供給する。トランジスタＭ１２は、配線ＲＥＳに供給される信号により制御され、トランジスタＭ１３のゲートに接続するノードの電位を、配線Ｖ２に供給される電位にリセットする機能を有する。トランジスタＭ１１は、配線ＴＸに供給される信号により制御され、受光デバイスＰＤに流れる電流に応じて上記ノードの電位が変化するタイミングを制御する機能を有する。トランジスタＭ１３は、上記ノードの電位に応じた出力を行う増幅トランジスタとして機能する。トランジスタＭ１４は、配線ＳＥに供給される信号により制御され、上記ノードの電位に応じた出力を配線ＯＵＴ１に電気的に接続された外部回路で読み出すための選択トランジスタとして機能する。

トランジスタＭ１１、トランジスタＭ１２、トランジスタＭ１３、及びトランジスタＭ１４には、それぞれチャネルが形成される半導体層に金属酸化物（酸化物半導体）を用いたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を適用することが好ましい。

シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さいＯＳトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。

また、トランジスタＭ１１乃至トランジスタＭ１４に、チャネルが形成される半導体にシリコンを適用したトランジスタを用いることもできる。特に単結晶シリコン又は多結晶シリコン等の結晶性の高いシリコンを用いることで、高い電界効果移動度を実現することができ、より高速な動作が可能となるため好ましい。

また、トランジスタＭ１１乃至トランジスタＭ１４のうち、一以上に酸化物半導体を適用したトランジスタを用い、それ以外にシリコンを適用したトランジスタを用いる構成としてもよい。

なお、図１２Ｄにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。

また、本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、０．０１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、リフレッシュレートを低下させた駆動により、表示装置の消費電力を低減する駆動をアイドリングストップ（ＩＤＳ）駆動と呼称してもよい。

また、上記のリフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、又はニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、又はニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、且つタッチセンサ、又はニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。

金属酸化物は、少なくともインジウム又は亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ等が含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルト等から選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。

また、金属酸化物は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法等のＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等により形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

なお、膜又は基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法又はＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中又は基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜又は基板は非晶質状態であるとは言えない。

また、膜又は基板の結晶構造は、極微電子線回折（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、等が含まれる。

ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、又はＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つ又は複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が複数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタン等から選ばれた一種、又は複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°又はその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成等により変動する場合がある。

また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形等の格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化すること等によって、歪みを許容することができるためと考えられる。

なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下等を引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成等によって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損等）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ又は非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆又は低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つ又は複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、又はその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、又はパッチ状ともいう。

さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。又は、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物等が主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性又は実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

また、高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

＜不純物＞
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコン又は炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコン又は炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコン又は炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、酸化物半導体にアルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。又は、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

（実施の形態８）
上述した表示装置の作製方法の一例について、図１３乃至図１７等を参照して説明する。図中、左側に画素１５０に関する領域を示し、右側に補助配線１５１に関する領域を示す。

［作製方法例１］
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、又はＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、又は熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜、樹脂膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の方法により形成することができる。これらは湿式の成膜方法である。

表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等を用いた成膜方法により、薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線等を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、レジストマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。

〔基板の準備〕
図示しないが、基板を用意する。基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン、炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

基板として、上記半導体基板又は絶縁性基板上に、トランジスタ等の半導体素子を含む画素回路が形成された基板を用意すると好ましい。当該画素回路以外に、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、又はソース線駆動回路（ソースドライバ）等が形成された基板を用いてもよい。また、上記に加えて演算回路、又は記憶回路等が形成された基板を用いてもよい。

〔絶縁層１０２の形成〕
図１３Ａに示すように、上述した基板に絶縁層１０２を形成する。絶縁層１０２としては、無機材料、又は有機材料を用いることができる。有機材料は絶縁層１０４の上面の平坦性を確保できるため好ましい。有機材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等から選ばれた一又は二以上を用いることができる。二以上を用いる場合は、選ばれた有機材料を積層すればよい。

図１３Ａに示すように、絶縁層１０２はコンタクトホール１５８を有する。当該コンタクトホール１５８は、フォトリソグラフィ法等により形成することができる。

〔導電層１６０、第１の配線層１５１ａの形成〕
図１３Ａに示すように、絶縁層１０２上及びコンタクトホール１５８に導電層１６０及び第１の配線層１５１ａを形成する。すなわち導電層１６０及び第１の配線層１５１ａは同一の被形成面に、同一工程を経て形成されたものである。具体的には、絶縁層１０２上及びコンタクトホール１５８に形成された導電膜を加工して、導電層１６０及び第１の配線層１５１ａを得ることができる。

導電層１６０は画素回路のトランジスタと電気的に接続され、下部電極１１１とも電気的に接続される。また導電層１６０は、絶縁層１０２上で延伸形状に加工することができ、信号線、電源線、又は走査線等として機能させることができる。また導電層１６０は配線として機能させることなく、トランジスタと下部電極１１１とを電気的に接続させるための導電層としてもよい。第１の配線層１５１ａは、補助配線１５１の下層配線層として機能させることができ、絶縁層１０２上で延伸形状又は格子形状等に加工する。第１の配線層１５１ａは開口率に影響しないため、広い面積となるような形状を有してもよい。ただし、第１の配線層１５１ａは導電層１６０と接しないようにする。

導電層１６０及び第１の配線層１５１ａはアルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、及びネオジム等から選ばれた一又は二以上の金属材料、並びにこれらを適宜組み合わせた合金等を用いることができる。第１の配線層１５１ａが補助配線の下層配線層として機能するため、抵抗率の低い金属材料を用いると好ましい。

導電層１６０及び第１の配線層１５１ａは、上記金属材料を有する単層構造を有しても、上記金属材料を有する積層構造を有してもよい。

〔絶縁層１０４の形成〕
図１３Ａに示すように、絶縁層１０２上に絶縁層１０４を形成する。絶縁層１０４としては、無機材料、又は有機材料を用いることができる。有機材料は絶縁層１０４の上面の平坦性を確保できるため好ましい。有機材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等から選ばれた一又は二以上を用いることができる。二以上を用いる場合は、選ばれた有機材料を積層すればよい。

絶縁層１０４はコンタクトホール１５９を有する。当該コンタクトホール１５９は、フォトリソグラフィ法等により形成することができ、当該コンタクトホール１５９から導電層１６０の一部が露出する。当該コンタクトホール１５９は、コンタクトホール１５８と重ならず、絶縁層１０２の平坦な上面に設けられた導電層１６０と重なる位置に設けるとよい。当該コンタクトホール１５９がコンタクトホール１５８と重なる場合、コンタクトホール１５９の方がコンタクトホール１５８よりも大きいとよい。

〔導電層１６１、樹脂層１６３、導電層１６２の形成〕
図１３Ａに示すように、コンタクトホール１５９に導電層１６１を形成し、その後樹脂層１６３を形成し、その後導電層１６２を形成する。導電層１６１、樹脂層１６３、及び導電層１６２を形成することなく、下部電極１１１及び第２の配線層１５１ｂを形成しても構わない。

絶縁層１０４及びコンタクトホール１５９上に導電層１６１となる導電膜を成膜する。絶縁層１０４の上面は当該導電膜の被形成面であり、当該上面に平坦性があると導電膜が切断されにくく好ましい。導電層１６１はアルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、及びネオジム等から選ばれた一又は二以上の金属材料、並びにこれらを適宜組み合わせた合金等を用いることができる。

上記導電膜を形成後、当該導電膜の表面が凹部を有する場合、当該凹部には有機材料として樹脂を有する層（樹脂層と記す）１６３を形成するとよい。樹脂層１６３によって、絶縁層１０４、コンタクトホール１５９、及び導電層１６１に起因する凹凸を低減することができる。

樹脂層１６３として、感光性の樹脂を用いることが好ましい。このとき、まず樹脂膜を成膜したのち、レジストマスクを介して樹脂膜を露光し、その後現像処理を行うことにより、樹脂層１６３を形成することができる。さらに好ましくは、樹脂層１６３の上面の高さを調整するために、アッシング等により樹脂層１６３の上部をエッチングしてもよい。

また、樹脂層１６３として、非感光性の樹脂を用いる場合には、樹脂膜を成膜した後に、アッシング等により樹脂膜の上部をエッチングすることで、樹脂層１６３を形成することができる。アッシングは、導電層１６１となる導電膜の表面が露出するまで実施する。アッシング等により樹脂層１６３の膜厚を最適なものにすることができる。

続いて、樹脂層１６３上に導電層１６２となる導電膜を成膜する。導電層１６２は導電層１６１として示した金属等から選ばれた一又は二以上を有するとよい。

〔下部電極１１１、及び第２の配線層１５１ｂの形成〕
図１３Ａに示すように、導電層１６１となる導電膜、及び導電層１６２となる導電膜を覆って、下部電極１１１及び第２の配線層１５１ｂとなる導電膜を形成する。下部電極１１１は、陽極又は陰極の機能を有するものであり、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を適宜用いることができる。下部電極１１１に用いることのできる具体的な材料は、下部電極に係る説明を参照することができる。第２の配線層１５１ｂは下部電極１１１と同じ材料を用いて形成されるとよい。

その後、三層の導電膜上に、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、各導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、導電層１６１、導電層１６２、下部電極１１１及び第２の配線層１５１ｂを同一のレジストマスクを用いて同一のエッチング工程で形成することができる。樹脂層１６３等により下部電極１１１及び第２の配線層１５１ｂは平坦な上面を有することができる。

なお、導電層１６１と導電層１６２とを同一のレジストマスクを用いて同一のエッチング工程で形成したが、導電層１６１と導電層１６２とを別のレジストマスクを用いて個別に加工してもよい。このとき、上面視において導電層１６２が導電層１６１の輪郭よりも内側に包含されるように、導電層１６１と導電層１６２を加工することが好ましい。

また、導電層１６２と下部電極１１１等とを同一のレジストマスクを用いて同一のエッチング工程で形成したが、導電層１６２と下部電極１１１等とを別のレジストマスクを用いて個別に加工してもよい。このとき、上面視において下部電極１１１が導電層１６２等の輪郭よりも内側に包含されるように、導電層１６２と下部電極１１１等を加工することが好ましい。

〔有機化合物膜１１２ｆＲの成膜〕
図１３Ｂに示すように、下部電極１１１及び第２の配線層１５１ｂを覆って、赤色発光可能な有機化合物膜１１２ｆＲを成膜する。有機化合物膜１１２ｆＲは発光デバイスの各機能層が積層されたものである。赤色発光可能な有機化合物膜から成膜するが、本発明の一態様では緑色発光可能な有機化合物から成膜してもよい。また本発明の一態様では青色発光可能な有機化合物から成膜してもよい。

有機化合物膜１１２ｆＲは、シングル構造であってもタンデム構造であってもよい。有機化合物膜１１２ｆＲをタンデム構造とする場合、第１の発光ユニットと第２の発光ユニットとの間には、電荷発生層を有するとよい。

電荷発生層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、電荷発生層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。

電子輸送性材料として上述した電子注入層に用いる材料を適用してもよい。電荷発生層は後にエッチング等により加工されるため、電子注入層に用いる材料のうちアルカリ金属及びアルカリ土類金属を含まない材料が好ましく、例えばドーパントを含む有機化合物を用いるとよい。有機化合物にはＮＢＰｈｅｎを用い、ドーパントにはＡｇを用いることができる。

有機化合物膜１１２ｆＲが有する機能層は真空蒸着法により成膜することができる。なお、これに限られず、有機化合物膜１１２ｆＲが有する機能層は、スパッタリング法、又はインクジェット法等により成膜することもできる。

なお、図１３Ｂでは、有機化合物膜１１２ｆＲは第２の配線層１５１ｂを覆うように形成するが、第２の配線層１５１ｂを覆わなくともよい。これにより、第２の配線層１５１ｂが、有機化合物膜１１２ｆＲに接するのを防ぐことができ、さらに有機化合物膜１１２ｆＲを除去するときの除去剤が下部電極１１１、及び第２の配線層１５１ｂの表面に触れることがなく好ましい。

また、有機化合物膜１１２ｆＲは、ファインメタルマスクを用いて作り分けて成膜してもよい。この場合、有機化合物膜１１２ｆＲは、下部電極１１１Ｒだけを覆うように形成するとよい。これにより、第２の配線層１５１ｂが、有機化合物膜１１２ｆＲに接するのを防ぐことができ、さらに有機化合物膜１１２ｆＲを除去するときの除去剤が下部電極１１１、及び第２の配線層１５１ｂの表面に触れることがなく好ましい。

有機化合物膜１１２ｆＲは各機能層を有し、下部電極１１１より順に例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を少なくとも有する積層体をなすとよい。

なお、機能層の一として電子輸送層上に位置する電子注入層がある。本実施の形態では、電子注入層を共通層とするため、追って形成する。共通層は、発光層と共通電極との間に位置する機能層であればいずれでもよい。勿論、共通層を設けずに、全ての機能層を副画素毎に分断してもよい。

有機化合物膜１１２ｆＲの最上層に位置する電子輸送層は、フォトリソグラフィ法を用いた加工プロセスに曝される。そのため、電子輸送層は高い耐熱性を有する材料を用いるとよい。高い耐熱性を有する材料として、例えばガラス転移点が１１０℃以上１６５℃以下、好ましくは１２０℃以上１３５℃以下の材料を用いるとよい。

また加工に曝される電子輸送層を積層構造としてもよい。積層構造として、第１の電子輸送層上に第２の電子輸送層が積層した構造がある。加工の際、第１の電子輸送層は第２の電子輸送層で覆われている期間があるため、第１の電子輸送層は第２の電子輸送層よりも耐熱性が低くてもよい。例えば、第２の電子輸送層にガラス転移点が１１０℃以上１６５℃以下、好ましくは１２０℃以上１３５℃以下の材料を用い、第１の電子輸送層のガラス転移点は、第２の電子輸送層のガラス転移点よりも低い、例えば１００℃以上１５５℃以下、好ましくは１１０℃以上１２５℃以下の材料を用いることができる。

有機化合物膜１１２ｆＲの最上層を発光層とすることも考えられるが、当該加工によるダメージが発光層に入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層よりも上方に機能層（例えば、電子輸送層等）を形成した後に、上記加工を実施するとよい。

〔マスク膜１４４Ｒの成膜〕
さらに有機化合物膜上にはマスク層等を形成すると好ましい。マスク層により加工によるダメージが発光層へ入ることを抑制することもできる。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示パネルを提供することができる。なお、本明細書等において、マスク層とは、有機化合物膜の上方に位置し、製造工程中において、当該有機化合物膜を保護する機能を有する。そこで図１３Ｃに示すように、有機化合物膜１１２ｆＲを覆ってマスク膜１４４Ｒを成膜する。

マスク膜１４４Ｒは、有機化合物膜１１２ｆＲのエッチング処理時に、有機化合物膜１１２ｆＲとのエッチング選択比が大きい膜を用いるとよい。またマスク膜１４４Ｒを積層する場合があるが、マスク膜１４４Ｒは、後述する上層のマスク膜（具体的にはマスク膜１４６Ｒ）等とのエッチング選択比が大きい膜を用いるとよい。さらに、マスク膜１４４Ｒを除去する際、有機化合物膜１１２ｆＲへのダメージを与えにくいウェットエッチング法で除去可能な膜を用いるとよい。

マスク膜１４４Ｒとしては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜等の無機膜を好適に用いることができる。マスク膜１４４Ｒは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等の各種成膜方法により形成することができる。

特に、ＡＬＤ法は被形成層に対する成膜ダメージが小さいため、有機化合物膜１１２ｆＲ上に直接形成するマスク膜１４４Ｒは、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

マスク膜１４４Ｒとしては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。

また、マスク膜１４４Ｒとしては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）等の金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）等を用いることができる。又はシリコンを含むインジウムスズ酸化物等を用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一又は複数）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、又はイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

また、マスク膜１４４Ｒは、無機材料を有してもよい。無機材料として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の酸化物、窒化シリコン、窒化アルミニウム等の窒化物、又は酸化窒化シリコン等の酸窒化物を用いることができる。このような無機材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができる。

また、マスク膜１４４Ｒは、有機材料を有してもよい。例えば、有機材料として、有機化合物膜１１２ｆＲに対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を、マスク膜１４４Ｒに好適に用いることができる。マスク膜１４４Ｒを成膜する際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層への熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

マスク膜１４４Ｒの形成には湿式の成膜方法を用いることができる。

マスク膜１４４Ｒとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機樹脂を用いることができる。また、マスク膜１４４Ｒに、パーフルオロポリマー等のフッ素樹脂を用いてもよい。

〔マスク膜１４６Ｒの成膜〕
図１３Ｃに示すように、マスク膜１４４Ｒ上に、マスク膜１４６Ｒを成膜する。本実施の形態ではマスク膜を積層するが、単層のマスク膜としてマスク膜１４４Ｒのみ又はマスク膜１４６Ｒのみを用いて有機化合物膜１１２ｆＲを保護することも可能である。

マスク膜１４６Ｒは、後にマスク膜１４４Ｒをエッチングする際のハードマスクとして用いるとよい。マスク膜１４６Ｒの加工後、マスク膜１４４Ｒが露出する。したがって、マスク膜１４６Ｒをハーフ度マスクに用いる場合、マスク膜１４４Ｒとマスク膜１４６Ｒとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択するとよい。

マスク膜１４６Ｒは、様々な材料の中から、マスク膜１４４Ｒのエッチング条件、及びマスク膜１４６Ｒのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記マスク膜１４４Ｒに用いることのできる膜の中から選択することができ、マスク膜１４４Ｒと異なる材料を選ぶことができる。

例えば、マスク膜１４６Ｒとして、酸化物膜又は酸化窒化物膜を用いることができる。代表的な酸化物膜又は酸窒化物膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化窒化ハフニウム等がある。

また、マスク膜１４６Ｒとしては、例えば窒化物膜を用いることができる。代表的な窒化物膜は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、又は窒化ゲルマニウム等がある。

マスク膜１４４Ｒとマスク膜１４６Ｒの組み合わせとして、例えばマスク膜１４４ＲとしてＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機材料を用い、マスク膜１４６Ｒとして、スパッタリング法により形成した、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）等の、インジウムを含む金属酸化物を用いることができる。

また、上記マスク膜１４４Ｒと組み合わされるマスク膜１４６Ｒには、タングステン、モリブデン、銅、アルミニウム、チタン、及びタンタル等から選ばれた一又は二以上の金属、並びに当該金属を含む合金を用いることもできる。ハードマスクとしてマスク膜１４６Ｒを形成する場合、上記金属又は合金を用いるとよい。ハードマスクとしてマスク膜１４６Ｒを形成する場合、マスク膜１４６Ｒの膜厚はマスク膜１４４Ｒの膜厚より大きくするとよい。

〔レジストマスク１４３の形成〕
図１４Ａに示すように、マスク膜１４６Ｒ上であって、下部電極１１１Ｒと重なる位置に、レジストマスク１４３を形成する。このとき、下部電極１１１Ｇ、下部電極１１１Ｂ、及び補助配線１５１と重なる位置にはレジストマスクを形成しない。

レジストマスク１４３は、ポジ型のレジスト材料、又はネガ型のレジスト材料等、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

レジスト材料の溶媒に有機化合物膜１１２ｆＲを溶解する材料を用いる場合であって、マスク膜１４６Ｒを設けずに、且つマスク膜１４４Ｒにピンホール等の欠陥が存在するとき、有機化合物膜１１２ｆＲ等が溶解してしまう恐れがある。この場合は、レジストマスク１４３を形成する際に、マスク膜１４４Ｒ上にマスク膜１４６Ｒが位置することで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

レジスト材料の溶媒に、有機化合物膜１１２ｆＲを溶解しない材料を用いる場合では、マスク膜１４６Ｒを設けずに、マスク膜１４４Ｒ上に直接、レジストマスク１４３を形成してもよい場合がある。

〔マスク膜１４６Ｒのエッチング〕
図１４Ｂに示すように、マスク膜１４６Ｒの、レジストマスク１４３に覆われない一部をエッチングにより除去し、マスク層１４７Ｒを形成する。

マスク膜１４６Ｒのエッチングの際、マスク膜１４４Ｒが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。マスク膜１４６Ｒのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができる。

〔レジストマスク１４３の除去〕
図１４Ｂに示すように、レジストマスク１４３を除去する。レジストマスク１４３の除去は、有機化合物膜１１２ｆＲがマスク膜１４４Ｒに覆われた状態で行われる。

レジストマスク１４３の除去は、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３を除去することが好ましい。

再掲するが、レジストマスク１４３の除去は、有機化合物膜１１２ｆＲがマスク膜１４４Ｒに覆われた状態で行われるため、有機化合物膜１１２ｆＲへ加工ダメージが入ることが抑制されている。特に、酸素が有機化合物膜１１２ｆＲに触れると、特性に悪影響を及ぼす場合があるため、上記酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には、有機化合物膜１１２ｆＲがマスク膜１４４Ｒに覆われた状態で行うとよい。また、レジストマスク１４３をウェットエッチングにより除去する場合であっても、有機化合物膜１１２ｆＲが薬液に触れないため、有機化合物膜１１２ｆＲが溶解してしまうことを防ぐことができる。

〔マスク膜１４４Ｒのエッチング〕
図１４Ｃに示すように、マスク層１４７Ｒをハードマスクとして用いて、マスク膜１４４Ｒの一部をエッチングにより除去し、マスク層１４５Ｒを形成する。

マスク膜１４４Ｒのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができる。

〔有機化合物膜１１２ｆＲのエッチング〕
図１５Ａに示すように、マスク層１４５Ｒに覆われない有機化合物膜１１２ｆＲの一部をエッチングにより除去し、有機化合物層１１２Ｒを形成する。有機化合物層１１２Ｒは赤色が射出される発光デバイスの有機化合物層となる。

有機化合物膜１１２ｆＲのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。上述したように酸素が有機化合物膜１１２ｆＲに触れると、特性に悪影響を及ぼす場合があるためである。具体的には有機化合物膜１１２ｆＲが変質する場合があるが、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いると、変質を抑制することができ、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、Ｈ_２又はＨｅ等の希ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いてもよい。

なお、有機化合物膜１１２ｆＲのエッチングは上記に限られず、他のガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、ウェットエッチングにより行ってもよい。

エッチング後、有機化合物層１１２Ｒの端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。

なお、有機化合物膜１１２ｆＲのエッチングの際に、絶縁層１０４が露出する。そのため、スリット１１８と重なる領域の絶縁層１０４には凹部が形成されることがある。なお、凹部を形成したくない場合、絶縁層１０４に有機化合物膜１１２ｆＲのエッチング処理に対して耐性が高い膜を用いることが好ましい。例えば絶縁層１０４として無機材料を有する絶縁膜を用いるとよい。

〔緑色用有機化合物膜１１２ｆＧの成膜からエッチング〕
図１５Ｂに示すように、有機化合物膜１１２ｆＲの成膜からエッチングを参照し、マスク層１４５Ｇ及びマスク層１４７Ｇを用いて有機化合物層１１２Ｇを形成する。有機化合物層１１２Ｇの端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。有機化合物層１１２Ｇは緑色が射出される発光デバイスの有機化合物層となる。

〔青色用有機化合物膜１１２ｆＢの成膜からエッチング〕
図１５Ｂに示すように、有機化合物膜１１２ｆＲの成膜からエッチングを参照し、マスク層１４５Ｂ及びマスク層１４７Ｂを用いて有機化合物層１１２Ｂを形成する。有機化合物層１１２Ｂの端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たすと好ましい。有機化合物層１１２Ｂは緑色が射出される発光デバイスの有機化合物層となる。

有機化合物層１１２Ｒ、有機化合物層１１２Ｇ、有機化合物層１１２Ｂに共通する事項を説明する場合には、有機化合物層１１２と呼称して説明する。有機化合物層１１２の最表面には、少なくとも耐熱性の高い機能層、例えば電子輸送層が位置するとよい。

第２の配線層１５１ｂ上には有機化合物膜が配されず、第２の配線層１５１ｂが露出する。

また、有機化合物層１１２の間にはスリット１１８が形成される。すなわちフォトリソグラフィ法を用いて加工する工程を経て得られた有機化合物層１１２は、図１５Ｂの矢印で示すスリット１１８の幅を、８μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は１μｍ以下とすることができる。スリット１１８の幅は各副画素間の距離に対応する。各副画素間の距離が狭まることで、高い精細度と、高い開口率を有する表示装置を提供することができる。

スリット１１８で示すように、隣接する有機化合物層１１２は離間しており、電流のリーク経路（リークパス）が分断され、リーク電流（サイドリーク、サイドリーク電流ともいう）を抑制することができる。これにより、発光デバイスにおいて、輝度を高めること、コントラストを高めること、表示品位を高めること、電力効率を高めること、又は消費電力を低減すること、等ができる。

隣接する有機化合物層１１２の端面どうしは、スリット１１８を間にして向かい合う形状を有するとよい。なおメタルマスクを用いて形成された有機化合物層では、その端面どうしは向かい合うことができない。よって上記端面どうしが向かい合う形状を有する有機化合物層は、メタルマスクを用いて形成された有機化合物層との違いとなる。

なお、有機化合物膜のエッチングの際に、絶縁層１０４が露出する。そのため、スリット１１８と重なる領域の絶縁層１０４には凹部が形成されることがある。なお、凹部を形成したくない場合、絶縁層１０４に有機化合物膜のエッチングに対して耐性の高い膜を用いることが好ましい。例えば絶縁層１０４として無機材料を有する絶縁膜を用いるとよい。

〔マスク層の除去〕
図１５Ｃに示すように、マスク層１４７を除去し、マスク層１４５の上面を露出させる。

〔絶縁膜１２５ｆの形成〕
図１６Ａに示すように、マスク層１４５、及び第２の配線層１５１ｂを覆って、絶縁膜１２５ｆを成膜する。

絶縁膜１２５ｆは、有機化合物層１１２に水等の不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁膜１２５ｆは、段差被覆性に優れたＡＬＤ法により形成すると、有機化合物層１１２の側面を好適に被覆することができるため好ましい。

絶縁膜１２５ｆは、マスク層１４５及びマスク層１４７と同じ膜を用いると、後の工程のエッチング処理時に、容易に同時除去でき好ましい。例えば、絶縁膜１２５ｆ、マスク層１４５、及びマスク層１４７として、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び酸化シリコン等から選ばれた一又は二以上の無機材料を用いることが好ましい。

なお、絶縁膜１２５ｆに用いることのできる材料はこれに限られない。例えば上記マスク層１４５に用いることのできる材料を適宜用いることができる。

〔絶縁層１２６の形成〕
図１６Ａに示すように、スリット１１８と重なる領域等に、絶縁層１２６を形成する。絶縁層１２６は、樹脂層１６３と同様の方法により形成することができる。例えば、感光性の樹脂を形成した後に、露光及び現像を行うことで、絶縁層１２６を形成することができる。全体に樹脂を形成した後に、アッシング等により樹脂の一部をエッチングすることで、絶縁層１２６を形成してもよい。

ここでは、絶縁層１２６をスリット１１８の幅よりも大きな幅を有する構成を示す。なお、第２の配線層１５１ｂの上面の一部が露出するように、絶縁層１２６を設ける。

〔絶縁膜１２５ｆ、マスク層１４５のエッチング〕
図１６Ｂに示すように、絶縁膜１２５ｆ、及びマスク層１４５に対して、絶縁層１２６に覆われない部分をエッチングにより除去し、有機化合物層１１２の上面の一部を露出させる。これにより、絶縁層１２６と重なる領域では、絶縁層１２５、マスク層１４５が残存する。絶縁層１２６の中央部は絶縁層１２６の端部より上に位置し、中央部は端部より盛り上がった領域を有するとよい。絶縁層１２６の上面は、有機化合物層１１２の上面より上に位置すると好ましい。さらに絶縁層１２６の端部はテーパ形状を有するとよい。

絶縁膜１２５ｆ、及びマスク層１４５のエッチングは同一工程で行うことが好ましい。特に、マスク層１４５のエッチングは、有機化合物層１１２へのエッチングダメージの低いウェットエッチングにより行うことが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。

絶縁膜１２５ｆ、及びマスク層１４５の少なくとも一を、水又はアルコール等の溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。ここで、絶縁膜１２５ｆ、及びマスク層１４５を溶解しうるアルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等、様々なアルコールを用いることができる。

絶縁膜１２５ｆ、及びマスク層１４５の一部を除去した後に、有機化合物層１１２等の内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

絶縁膜１２５ｆの一部が除去されることで、第２の配線層１５１ｂの上面の一部が露出する。

〔共通層１１４の形成〕
図１６Ｃに示すように、有機化合物層１１２、絶縁層１２５、マスク層１４５、及び絶縁層１２６等を覆って共通層１１４を成膜する。

共通層１１４には、上述した電子注入層に用いることができる材料を用いることができ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物がある。また上記材料として、有機化合物と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属との複合材料がある。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、又はＮＢＰｈｅｎおよびＡｇを含む複合材料などを用いるとよい。

共通層１１４は、有機化合物膜１１２ｆＲ等と同様の方法で成膜することができる。上記複合材料を得るには、共蒸着を用いて成膜するとよい。

〔共通電極１１３の形成〕
図１６Ｃに示すように、共通層１１４を覆って共通電極１１３を形成する。

共通電極１１３は、蒸着法又はスパッタリング法等の成膜方法により形成することができる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

共通電極１１３は、共通層１１４が成膜される領域を包含するように、共通電極１１３を形成することが好ましい。

第２の配線層１５１ｂと共通電極１１３との間に、共通層１１４が位置してもよい。このとき、共通層１１４としては、できるだけ電気抵抗の低い材料を用いることが好ましい。又は、できるだけ薄く形成することで、共通層１１４の厚さ方向の電気抵抗を低減することが好ましい。例えば、共通層１１４として、厚さ１ｎｍ以上５ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下の電子注入性又は正孔注入性の材料を用いることで、第２の配線層１５１ｂと共通電極１１３との間の電気抵抗を無視できる程度に小さくできる。

第２の配線層１５１ｂと共通電極１１３との間に、共通層１１４が位置しなくともよい。

〔保護層の形成〕
図１６Ｃに示すように、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する。保護層１２１に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

〔対向基板の形成〕
図１７Ａに示すように、接着層１７１を用いて、基板１７０を貼り合わせる。貼り合わせられる基板１７０を対向基板と記すことがある。表示装置を中空封止構造とする場合、シール材等を用いて基板１７０を貼り合わせるとよい。シール材を用いて基板を貼り合わせると空間が生じるが、当該空間は不活性ガス（窒素又はアルゴンを有するガス）で充填されているとよい。

接着層１７１には例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤又は／及び嫌気型接着剤等の有機材料を用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接着層１７１等に用いることができる。

図１７Ｂに示すように、基板１７０には、遮光層１５２、着色層１７３Ｒ、着色層１７３Ｇ、及び着色層１７３Ｂが設けられている。遮光層１５２、は絶縁層１２６と重なる領域に設けられている。着色層１７３Ｒ、着色層１７３Ｇ、及び着色層１７３Ｂがそれぞれ、下部電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと重なるように、基板１７０を貼り合わせるとよい。

着色層１７３Ｒ、着色層１７３Ｇ、着色層１７３Ｂは、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング処理等を経て、それぞれ所望の位置に形成することができる。具体的には、画素ごとに異なる着色層１７３（着色層１７３Ｒ、着色層１７３Ｇ、又は着色層１７３Ｂ）を形成することができる。

共通電極１１３側へ射出された光は、着色層１７３Ｒ、着色層１７３Ｇ、又は着色層１７３Ｂ（図示しない）により所定の波長域の光が吸収されることで着色され、基板１７０を介して外部に射出され、フルカラー表示が可能となる。

以上により、表示装置を作製することができる。

［作製方法例２］
メタルマスクを用いて作製する方法を図１８及び図１９等を参照して説明する。図中、左側に画素１５０に関する領域を示し、右側に補助配線１５１に関する領域を示す。

上記作製方法例１と同様に、下部電極１１１、及び第２の配線層１５１ｂまで形成する。図１８Ａに示すように、メタルマスク１３５Ｒを用いて、有機化合物膜１１２ｊＲを形成する。メタルマスク１３５Ｒを用いるため、有機化合物膜１１２ｊＲは赤色発光デバイスとなる領域のみに形成することができる。

図１８Ｂに示すように、メタルマスク１３５Ｇを用いて、有機化合物膜１１２ｊＧを形成する。メタルマスク１３５Ｇを用いるため、有機化合物膜１１２ｊＧは緑色発光デバイスとなる領域のみに形成することができるが、有機化合物膜１１２ｊＧは有機化合物膜１１２ｊＲの一部と重なる領域を有する。すなわち、発光デバイスの境界では、有機化合物膜は、先に成膜された有機化合物膜の一部と重なる領域を有する。

図１８Ｃに示すように、メタルマスク１３５Ｂを用いて、有機化合物膜１１２ｊＢを形成する。メタルマスク１３５Ｂを用いるため、有機化合物膜１１２ｊＢは青色発光デバイスとなる領域のみに形成することができるが、有機化合物膜１１２ｊＢは有機化合物膜１１２ｊＧの一部と重なる領域を有する。図示しないが、有機化合物膜１１２ｊＢは有機化合物膜１１２ｊＲの一部と重なる領域も有する。すなわち、発光デバイスの境界では、有機化合物膜は、先に成膜された有機化合物膜の一部と重なる領域を有する。

図１９Ａに示すように、マスク膜１４４及びマスク膜１４６を形成する。マスク膜１４４及びマスク膜１４６は、作製方法例１と同様に形成することができる。

図１９Ｂに示すように、レジストマスク１４３Ｒ、１４３Ｇ、１４３Ｂを形成する。レジストマスク１４３Ｒ、１４３Ｇ、１４３Ｂは、作製方法例１と同様に形成することができる。

図１９Ｃに示すように、レジストマスク１４３Ｒ、１４３Ｇ、１４３Ｂを用いて、有機化合物膜１１２ｊＲ、１１２ｊＧ、１１２ｊＢをエッチングする。エッチング条件等は、作製方法例１と同様に形成することができる。すると、作製方法例１と同じように、スリット１１８の間をあけて有機化合物層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂが形成される。

その後、作製方法例１と同様に、絶縁層１２６、共通層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１を形成する。最後、基板１７０等を貼り合わせて、表示装置を作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図面を用いて説明する。

［表示装置の具体例］
上記実施の形態で示した表示装置と、ＦＰＣ７４とを有する表示モジュールＤＰを複数用いた大型の表示装置について、図２０を用いて説明する。

図２０Ａには表示モジュールＤＰの上面図を示す。表示モジュールＤＰは、画素部１０３と隣接して可視光を透過する領域７２と、可視光を遮る領域７３とを有する。

図２０Ｂ、図２０Ｃには表示モジュールＤＰを４つ有する表示装置の斜視図を示す。複数の表示モジュールＤＰを一以上の方向（例えば、一列又はマトリクス状等）に並べることで、広い表示領域を有する大型の表示装置を作製することができる。

複数の表示モジュールＤＰを用いて大型の表示装置を作製する場合、１つの表示モジュールＤＰの大きさは大型である必要がない。したがって、表示モジュールＤＰを作製するための製造装置を大型化しなくてもよく、省スペース化が可能である。また、中小型の表示パネルの製造装置を用いることができ、表示装置の大型化のために新規な製造装置を利用しなくてもよいため、製造コストを抑えることができる。また、表示モジュールＤＰの大型化に伴う歩留まりの低下を抑制できる。

画素部１０３の外周は、配線等が引き回された非表示領域が位置してしまう。非表示領域は可視光を遮る領域７３に相当する。複数の表示モジュールＤＰを重ねたとき、非表示領域等によって一つの画像が分離したように視認されてしまうことがある。

そこで、本発明の一態様では、表示モジュールＤＰに可視光を透過する領域７２を設け、重なる関係を持つ２つの表示モジュールにおいて、下側に配置される表示モジュールＤＰの画素部１０３と、上側に配置される表示モジュールＤＰの可視光を透過する領域７２とを重ねる。

このように可視光を透過する領域７２を設けると、表示モジュールＤＰにおいて非表示領域を積極的に縮小する必要がない。ただし、重ねた状態の２つの表示モジュールＤＰでは、非表示領域が縮小され、好ましい。これにより、使用者から表示モジュールＤＰの継ぎ目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができる。

上側に位置する表示モジュールＤＰでは、非表示領域の少なくとも一部に可視光を透過する領域７２を設けてもよい。当該可視光を透過する領域７２を、下側に位置する表示モジュールＤＰの画素部１０３と重ねることができる。

また、下側に位置する表示モジュールＤＰの非表示領域の少なくとも一部は、上側に位置する表示モジュールＤＰの画素部１０３、又は可視光を遮る領域７３と重なる。

表示モジュールＤＰの非表示領域が広いと、表示モジュールＤＰの端部と表示モジュールＤＰ内の素子との距離が長くなり、表示モジュールＤＰの外部から侵入する不純物によって、素子が劣化することを抑制でき好ましい。

このように、表示装置に複数の表示モジュールＤＰが設けられる場合、隣接する表示モジュールＤＰ間において画素部１０３が連続するため、広い面積の表示領域を提供できる。

画素部１０３には、複数の画素が含まれる。

可視光を透過する領域７２には、表示モジュールＤＰを構成する一対の基板、及び当該一対の基板に挟持された表示素子を封止するための樹脂材料等が設けられていてもよい。このとき、可視光を透過する領域７２に設けられる部材には、可視光に対して透光性を有する材料を用いる。

可視光を遮る領域７３には、画素部１０３に含まれる画素と電気的に接続された配線等が設けられていてもよい。また、可視光を遮る領域７３には、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一方又は双方が設けられていてもよい。また、可視光を遮る領域７３には、ＦＰＣ７４と接続された端子、当該端子と接続された配線等が設けられていてもよい。

図２０Ｂ、図２０Ｃは、図２０Ａに示す表示モジュールＤＰを２×２のマトリクス状に（縦方向及び横方向にそれぞれ２つずつ）配置した例である。図２０Ｂは、表示モジュールＤＰの表示面側の斜視図であり、図２０Ｃは、表示モジュールＤＰの表示面とは反対側の斜視図である。

４つの表示モジュールＤＰ（表示モジュールＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄ）は、互いに重なる領域を有するように配置されている。具体的には、１つの表示モジュールＤＰが有する可視光を透過する領域７２が、他の表示モジュールＤＰが有する画素部１０３の上（表示面側）に重なる領域を有するように、表示モジュールＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄが配置されている。また、１つの表示モジュールＤＰが有する可視光を遮る領域７３が、他の表示モジュールＤＰの画素部１０３の上に重畳しないように、表示モジュールＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄが配置されている。４つの表示モジュールＤＰが重なる部分では、表示モジュールＤＰａ上に表示モジュールＤＰｂが重なり、表示モジュールＤＰｂ上に表示モジュールＤＰｃが重なり、表示モジュールＤＰｃ上に表示モジュールＤＰｄが重なっている。

表示モジュールＤＰａ、ＤＰｂの短辺同士が互いに重なり、画素部１０３ａの一部と、可視光を透過する領域７２ｂの一部と、が重なっている。また、表示モジュールＤＰａ、ＤＰｃの長辺同士が互いに重なり、画素部１０３ａの一部と、可視光を透過する領域７２ｃの一部と、が重なっている。

画素部１０３ｂの一部は、可視光を透過する領域７２ｃの一部、及び可視光を透過する領域７２ｄの一部と重なっている。また、画素部１０３ｃの一部は、可視光を透過する領域７２ｄの一部と重なっている。

したがって、画素部１０３ａ乃至画素部１０３ｄがほぼ継ぎ目なく配置された領域を、表示領域７９とすることができる。

ここで、表示モジュールＤＰは、可撓性を有していることが好ましい。例えば、表示モジュールＤＰを構成する一対の基板は可撓性を有することが好ましい。

これにより、例えば、図２０Ｂ、図２０Ｃに示すように、表示モジュールＤＰａのＦＰＣ７４ａの近傍を湾曲させ、ＦＰＣ７４ａに隣接する表示モジュールＤＰｂの画素部１０３ｂの下側に、表示モジュールＤＰａの一部、及びＦＰＣ７４ａの一部を配置することができる。その結果、ＦＰＣ７４ａを表示モジュールＤＰｂの裏面と物理的に干渉することなく配置することができる。また、表示モジュールＤＰａと表示モジュールＤＰｂとを重ねて固定する場合に、ＦＰＣ７４ａの厚さを考慮する必要がないため、可視光を透過する領域７２ｂの上面と、表示モジュールＤＰａの上面との高さの差を低減できる。その結果、画素部１０３ａ上に位置する表示モジュールＤＰｂの端部を目立たなくすることができる。

さらに、各表示モジュールＤＰに可撓性を持たせることで、表示モジュールＤＰｂの画素部１０３ｂにおける上面の高さを、表示モジュールＤＰａの画素部１０３ａにおける上面の高さと一致するように、表示モジュールＤＰｂを緩やかに湾曲させることができる。そのため、表示モジュールＤＰａと表示モジュールＤＰｂとが重なる領域近傍を除き、各表示領域の高さを揃えることが可能で、表示領域７９に表示する映像の表示品位を高めることができる。

上記では、表示モジュールＤＰａと表示モジュールＤＰｂの関係を例に説明したが、他の隣接する２つの表示モジュールＤＰ間でも同様である。

なお、隣接する２つの表示モジュールＤＰ間の段差を軽減するため、表示モジュールＤＰの厚さは薄いことが好ましい。例えば、表示モジュールＤＰの厚さは、１ｍｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。

表示モジュールＤＰは、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を内蔵することが好ましい。表示パネルとは別に駆動回路を配置する場合、駆動回路を備えるプリント基板、多くの配線及び端子等が、表示パネルの裏側（表示面側とは反対側）に配置される。そのため、表示装置全体の部品点数が膨大となり、表示装置の重量が増加することがある。表示モジュールＤＰが、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を有することで、表示装置の部品点数を削減し、表示装置の軽量化を図ることができる。これにより、表示装置の可搬性を高めることができる。

ここで、走査線駆動回路及び信号線駆動回路は、表示する画像のフレーム周波数に応じて、高い駆動周波数で動作することが求められる。特に信号線駆動回路は、走査線駆動回路と比較してさらに高い駆動周波数で動作することが求められる。そのため、信号線駆動回路に適用されるトランジスタのいくつかは、大きな電流を流す能力が求められる場合がある。一方、画素部に設けられるトランジスタのいくつかは、表示素子を駆動するために十分な耐圧性能が求められる場合がある。

そこで、駆動回路が有するトランジスタと、画素部が有するトランジスタと、の構造を作り分けることが好ましい。例えば、画素部に設けられるトランジスタの一つ又は複数に、高耐圧のトランジスタを適用し、駆動回路に設けられるトランジスタの一つ又は複数に、駆動周波数の高いトランジスタを適用する。

より具体的な構成としては、信号線駆動回路に適用する一つ又は複数のトランジスタに、画素部に適用するトランジスタよりもゲート絶縁層の薄いトランジスタを適用する。このように、２種類のトランジスタを作り分けることで、信号線駆動回路を、画素部が設けられる基板上に作りこむことができる。

また、走査線駆動回路、信号線駆動回路、及び画素部に適用する各トランジスタは、チャネルが形成される半導体に、金属酸化物を適用することが好ましい。

また、走査線駆動回路、信号線駆動回路、及び画素部に適用する各トランジスタは、チャネルが形成される半導体に、シリコンを適用することが好ましい。

また、走査線駆動回路、信号線駆動回路、及び画素部に適用する各トランジスタは、チャネルが形成される半導体に、金属酸化物を適用したものと、チャネルが形成される半導体に、シリコンを適用したものを組み合わせて適用することが好ましい。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図２１を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図２１Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００と、ＦＰＣ２９０と、を有する。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、画素部１０３を有する。画素部１０３は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部１０３に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図２１Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部１０３と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部１０３と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５（ＦＰＣ端子部と記すことがある）が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部１０３は、周期的に配列した複数の画素１５０を有する。図２１Ｂの右側に、１つの画素１５０の拡大図を示している。画素１５０は、発光色が互いに異なる発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂを有する。複数の発光デバイスは、図２１Ｂに示すようにストライプ配列でレイアウトすることができる。また、デルタ配列、又は、ペンタイル配列等様々な発光デバイスの配列方法を適用することができる。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数のトランジスタ等を有する画素回路２８３ａを備える。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素１５０が有する発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部１０３の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、画素部１０３の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば画素部１０３の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素１５０を極めて高密度にレイアウトすることが可能で、画素部１０３の精細度を極めて高くすることができる。例えば、画素部１０３には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素１５０がレイアウトされることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な画素部１０３を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

（実施の形態１１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２２及び図２３を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する表示装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０等様々な画面比率に対応することができる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。

図２２Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に画素部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

画素部７０００に、本発明の一態様の画素部１０３を適用することができる。

図２２Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。又は、画素部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で画素部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、画素部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士等）の情報通信を行うことも可能である。

図２２Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、画素部７０００が組み込まれている。

図２２Ｃ、図２２Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

図２２Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、画素部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図２２Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた画素部７０００を有する。

図２２Ｃ、図２２Ｄにおいて、画素部７０００に、本発明の一態様の画素部１０３を適用することができる。

画素部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、画素部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

画素部７０００にタッチパネルを適用することで、画素部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図２２Ｃ、図２２Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、画素部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、画素部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図２３Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の画素部１０３を適用することができる。

図２３Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

１０３：画素部、１５１：補助配線、１５１ａ：第１の配線層、１５１ｂ：第２の配線層、１４：絶縁層、１５：コンタクトホール、１１Ｒ：発光デバイス、１１Ｇ：発光デバイス、１１Ｂ：発光デバイス、１１１Ｒ：下部電極、１１１Ｇ：下部電極、１１１Ｂ：下部電極、１１２Ｒ：有機化合物層、１１２Ｇ：有機化合物層、１１２Ｂ：有機化合物層、１１３：共通電極、１５３ａ：第３の配線層、１５３ｂ：第４の配線層、１５４：ブリッジ配線

Claims

　第１の下部電極と、前記第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、
　第２の下部電極と、前記第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、
　前記第１の発光デバイスと前記第２の発光デバイスとが有する共通電極と、
　前記共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、
　前記補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、
　前記第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して前記第１の配線層と電気的に接続され、
　前記第２の配線層は、上面視において格子状を有する
　表示装置。
　第１の下部電極と、前記第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、
　第２の下部電極と、前記第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、
　前記第１の発光デバイスと前記第２の発光デバイスとが有する共通電極と、
　前記共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、
　前記補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、
　前記第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して前記第１の配線層と電気的に接続され、
　前記第１の配線層は、上面視において格子状を有し、
　前記第１の下部電極、前記第２の下部電極及び前記第２の配線層はそれぞれ、前記絶縁層上に位置する領域を有する、
　表示装置。
　第１の下部電極と、前記第１の下部電極上に位置する第１の有機化合物層と、を有する第１の発光デバイスと、
　第２の下部電極と、前記第２の下部電極上に位置する第２の有機化合物層と、を有する第２の発光デバイスと、
　前記第１の発光デバイスと前記第２の発光デバイスとが有する共通電極と、
　前記共通電極と電気的に接続された補助配線と、を有し、
　前記補助配線は、第１の配線層と、第２の配線層とを有し、
　前記第２の配線層は、絶縁層のコンタクトホールを介して前記第１の配線層と電気的に接続され、
　前記第１の配線層及び前記第２の配線層はそれぞれ、上面視において格子状を有し、
　前記第１の下部電極、前記第２の下部電極及び前記第２の配線層はそれぞれ、前記絶縁層上に位置する領域を有し、
　前記第２の配線層の幅は、前記第１の配線層の幅より小さい、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極の端部はそれぞれ、テーパ形状を有する、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物層の端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たす、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物層の端面のテーパ角は４５度以上９０度未満を満たす、
　表示装置。