CN117016046A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种高清晰显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。
Description
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置。本发明的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
背景技术
近年来，高清晰显示器面板被需求。作为被要求高清晰显示器面板的设备，例如有智能手机、平板终端、笔记本型个人计算机等。另外，电视装置、监视装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。再者，作为最需求高清晰度的设备，例如有应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。
此外，作为可以应用于显示器面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、具备有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件、发光二极管(LED：Light EmittingDiode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的应用于VR的显示装置的一个例子。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际专利申请公开第2018/087625号
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一个方式的目的之一是提供一种高清晰显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种高开口率显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种对比度高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。本发明的一个方式的目的之一是至少改善现有技术的问题中的至少一个。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。
本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上，并且，第三绝缘层具有在第一像素电极上与第一绝缘层接触的区域。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括：形成像素电极的工序；在像素电极上形成第一绝缘膜的工序；在第一绝缘膜上以覆盖像素电极的端部的方式形成第二绝缘层的工序；在第一绝缘膜上及第二绝缘层上形成第二绝缘膜的工序；使用抗蚀剂掩模蚀刻第一绝缘膜及第二绝缘膜而形成覆盖像素电极的端部的第一绝缘层以及具有与第一绝缘层接触的区域的第三绝缘层的工序；在像素电极上及所述第三绝缘层上形成EL层的工序；以及在EL层上形成公共电极的工序。
另外，在上述制造方法中，优选使用同一光掩模(曝光掩模)加工第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层。具体而言，形成将成为第一绝缘层的绝缘膜X，在其上沉积感光有机树脂，使用光掩模进行曝光，然后进行显影，由此形成第二绝缘层。此时，通过控制曝光条件以其图案宽度比光掩模的图案宽度小的方式形成第二绝缘层。然后，沉积将成为第三绝缘层的绝缘膜Y，使用上述光掩模形成被图案化的抗蚀剂掩模，使用该抗蚀剂掩模蚀刻绝缘膜X及绝缘膜Y，由此可以形成第一绝缘层及第三绝缘层。此时，控制抗蚀剂掩模的曝光条件以其图案宽度比第二绝缘层大的方式形成抗蚀剂掩模。由此，可以使用同一光掩模分别形成具有不同图案宽度的绝缘层。
另外，在上述任意个中，第一绝缘层及第三绝缘层优选包含无机材料。具体而言，优选包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、铟镓氧化物或铟镓锌氧化物。
另外，在上述任意个中，第二绝缘层优选包含有机材料。具体而言，优选包含丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。
本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第二绝缘层上，第二EL层配置在第二像素电极上及第二绝缘层上，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第二绝缘层上，第一EL层具有在第一像素电极上与第一绝缘层接触的区域，第二EL层配置在第二像素电极上及第二绝缘层上，第二EL层具有在第二像素电极上与第一绝缘层接触的区域，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第二绝缘层上，第二EL层配置在第二像素电极上及第二绝缘层上，第二绝缘层具有与第一像素电极接触的区域以及与第二像素电极接触的区域，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素电极；覆盖像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；像素电极上及第二绝缘层上的EL层；以及EL层上的公共电极，其中，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素电极；覆盖像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；像素电极上及第二绝缘层上的EL层；以及EL层上的公共电极，其中，EL层具有在像素电极上与第一绝缘层接触的区域，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素电极；覆盖像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；像素电极上及第二绝缘层上的EL层；以及EL层上的公共电极，其中，第二绝缘层具有与像素电极接触的区域，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括：形成像素电极的工序；在像素电极上形成第一绝缘膜的工序；在第一绝缘膜上以覆盖像素电极的端部的方式形成第二绝缘层的工序；使用抗蚀剂掩模蚀刻第一绝缘膜而形成覆盖像素电极的端部的第一绝缘层的工序；在像素电极上及第二绝缘层上形成EL层的工序；以及在EL层上形成公共电极的工序，其中，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，本发明的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括：形成像素电极的工序；以覆盖像素电极的端部的方式形成第一绝缘层的工序；以覆盖第一绝缘层的方式形成第二绝缘层的工序；在像素电极上及第二绝缘层上形成EL层的工序；以及在EL层上形成公共电极的工序，其中，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
另外，在上述制造方法中，优选使用同一光掩模(曝光掩模)加工第一绝缘层及第二绝缘层。具体而言，形成将成为第一绝缘层的绝缘膜X，在其上沉积感光有机树脂，使用光掩模进行曝光，然后进行显影，由此形成第二绝缘层。此时，通过控制曝光条件以其图案宽度比光掩模的图案宽度小的方式形成第二绝缘层。然后，使用上述光掩模形成被图案化的抗蚀剂掩模，使用该抗蚀剂掩模蚀刻绝缘膜X，由此可以形成第一绝缘层。此时，控制抗蚀剂掩模的曝光条件以其图案宽度比第二绝缘层大的方式形成抗蚀剂掩模。由此，可以使用同一光掩模分别形成具有不同图案宽度的绝缘层。该制造方法是一个例子，也可以使用其他制造方法。
另外，在上述任意个中，第一绝缘层例如优选包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、铟镓氧化物或铟镓锌氧化物。注意，这些材料是一个例子，也可以使用其他无机材料或有机材料。
另外，在上述任意个中，第二绝缘层例如优选包含丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。注意，这些材料是一个例子，也可以使用其他无机材料或有机材料。
发明效果
根据本发明的一个方式，可以提供一种高清晰显示装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种对比度高的显示装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种可靠性高的显示装置。
另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。另外，根据本发明的一个方式，可以至少改善现有技术的问题中的至少一个。
注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。
附图简要说明
图1A至图1D是示出显示装置的结构例子的图。
图2A至图2C是示出显示装置的结构例子的图。
图3A至图3D是示出显示装置的结构例子的图。
图4A至图4C是示出显示装置的结构例子的图。
图5A至图5G是示出显示装置的制造方法例子的图。
图6A至图6F是示出显示装置的制造方法例子的图。
图7A至图7E是示出显示装置的制造方法例子的图。
图8A至图8C是示出显示装置的制造方法例子的图。
图9A至图9C是示出显示装置的制造方法例子的图。
图10A至图10D是示出显示装置的结构例子的图。
图11A至图11D是示出显示装置的结构例子的图。
图12A至图12D是示出显示装置的结构例子的图。
图13A至图13D是示出显示装置的结构例子的图。
图14A至图14C是示出显示装置的结构例子的图。
图15A至图15D是示出显示装置的结构例子的图。
图16A至图16C是示出显示装置的结构例子的图。
图17A至图17F是示出显示装置的制造方法例子的图。
图18A至图18F是示出显示装置的制造方法例子的图。
图19A至图19E是示出显示装置的制造方法例子的图。
图20A至图20C是示出显示装置的制造方法例子的图。
图21A至图21C是示出显示装置的制造方法例子的图。
图22A至图22F是示出显示装置的制造方法例子的图。
图23A至图23D是示出显示装置的结构例子的图。
图24A至图24C是示出显示装置的结构例子的图。
图25是示出显示装置的一个例子的立体图。
图26A及图26B是示出显示装置的一个例子的截面图。
图27A是示出显示装置的一个例子的截面图。图27B是示出晶体管的一个例子的截面图。
图28A及图28B是示出显示装置的一个例子的截面图。
图29是示出显示装置的一个例子的截面图。
图30A至图30F是示出发光元件的结构例子的图。
图31A至图31J是示出显示装置的结构例子的图。
图32A及图32B是示出电子设备的一个例子的图。
图33A至图33D是示出电子设备的一个例子的图。
图34A至图34F是示出电子设备的一个例子的图。
图35A至图35F是示出电子设备的一个例子的图。
实施发明的方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。但是，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。
注意，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。
注意，在本说明书所说明的各个附图中，有时为了明确起见，夸大表示各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本发明并不局限于附图中的尺寸。
在本说明书等中使用的“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附记的，而不是为了在数目方面上进行限定的。
在本说明书等中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”，将“绝缘层”变换为“绝缘膜”。另外，“上方”包括铅垂方向的上方和倾斜方向的上方。另外，“上部”、“下方”或“下部”也同样地包括倾斜方向。
注意，在本说明书中，EL层是指设置在发光元件的一对电极之间且至少包含发光物质的层(也称为发光层)或包括发光层的叠层体。
在本说明书等中，显示装置的一个方式的显示面板是指能够在显示面显示(输出)图像等的面板。因此，显示面板是输出装置的一个方式。
在本说明书等中，有时将显示面板的衬底上安装有例如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)或TCP(Tape Carrier Package：载带封装)等连接器的结构或在衬底上以COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式等直接安装IC的结构称为显示面板模块或显示模块，或者也简单地称为显示面板等。
本发明的一个方式的发光元件也可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质及双极性物质等的层。
另外，发光层以及包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质及双极性物质等的层可以分别包含量子点等无机化合物或高分子化合物(低聚物、枝状聚合物或聚合物等)。例如，通过将量子点用于发光层，也可以将其用作发光材料。
作为量子点材料，可以使用胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(CoreShell)型量子点材料、核型量子点材料等。另外，也可以使用包含第12族和第16族、第13族和第15族或者第14族和第16族的元素组的材料。或者，也可以使用包含镉、硒、锌、硫、磷、铟、碲、铅、镓、砷、铝等元素的量子点材料。
(实施方式1)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的结构例子。
[显示装置的结构例子1]
本发明的一个方式是作为显示元件包括发光元件(也称为发光器件)的显示装置。显示装置包括发射不同颜色的光的至少两个发光元件。发光元件各自包括一对电极以及该一对电极间的EL层。发光元件优选为有机EL元件(有机电致发光元件)。发射不同颜色的光的两个以上的发光元件各自包括包含不同材料的EL层。例如，通过包括分别发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的三种发光元件，可以实现全彩色显示装置。
图1A是本发明的一个方式的显示装置100的俯视示意图。显示装置100包括呈现红色的多个发光元件110R、呈现绿色的多个发光元件110G及呈现蓝色的多个发光元件110B。在图1A中，为了易于区别各发光元件，将R、G、B的符号记载于各发光元件的发光区域内。
发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B都排列为矩阵状。图1A示出在一个方向上排列同一种颜色的发光元件的所谓的条纹排列。注意，发光元件的排列方法不局限于此，可以采用S条纹排列、delta排列、拜耳排列、zigzag排列等排列方法，也可以采用pentile排列。
发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B在X方向上排列。此外，在与X方向交叉的Y方向上相同的颜色的发光元件排列。
作为发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B，优选使用如OLED(OrganicLight Emitting Diode：有机发光二极管)或QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)等EL元件。作为EL元件所包含的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)、发射磷光的物质(磷光材料)、无机化合物(量子点材料等)、呈现热活化延迟荧光的物质(热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence：TADF)材料)等。注意，作为TADF材料，也可以使用单重激发态与三重激发态间处于热平衡状态的材料。这种TADF材料由于发光寿命(激发寿命)短，所以可以抑制发光元件的高亮度区域中的效率降低。
图1B是对应于图1A中的点划线A1-A2的截面示意图，图1C是对应于点划线B1-B2的截面示意图。
图1B示出发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B的截面。发光元件110R包括像素电极111R、EL层112R及公共电极113。发光元件110G包括像素电极111G、EL层112G及公共电极113。发光元件110B包括像素电极111B、EL层112B及公共电极113。公共电极113共同设置在发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B中。
在本发明的一个方式中，优选以覆盖像素电极111R等(是指像素电极111R、像素电极111G或像素电极111B)的端部的方式设置绝缘层(也称为堤、堤坝(bank)或分隔壁)。
通过设置该分隔壁，可以提高分隔壁上的EL层112R等(是指EL层112R、EL层112G或EL层112B)的台阶覆盖性。另外，可以防止EL层112R等在像素电极111R等的端部减薄，所以可以防止泄漏电流的增大。另外，可以防止配置在EL层112R等上的公共电极113与像素电极111R等电短路。该分隔壁可以由单层的绝缘层或两层以上的绝缘层构成。
图1B示出具有三层以上的分隔壁的例子。具体而言，设置有覆盖像素电极111R等的端部的绝缘层134、绝缘层134上的绝缘层131以及绝缘层131上的绝缘层132。
绝缘层134、绝缘层131、绝缘层132都具有与EL层112R等重叠的部分和不与EL层112R等重叠的部分。
另外，绝缘层134具有与像素电极111R等重叠的部分和不与像素电极111R等重叠的部分。另外，绝缘层134上的绝缘层131具有隔着绝缘层134与像素电极111R等重叠的部分和不与像素电极111R等重叠的部分。另外，绝缘层131上的绝缘层132具有隔着绝缘层134与像素电极111R等重叠的部分、隔着绝缘层131及绝缘层134与像素电极111R等重叠的部分以及不与像素电极111R等重叠的部分。
另外，绝缘层132优选以覆盖绝缘层131的端部的方式配置。另外，绝缘层132可以以具有与绝缘层134接触的区域的方式配置。
另外，绝缘层134的端部优选具有在该端部方向上比绝缘层131的端部突出的区域(也称为比端部延伸的区域)。另外，绝缘层132的端部也优选具有比绝缘层131的端部突出的区域。在俯视时，绝缘层131优选具有其轮廓位于绝缘层134的轮廓的内侧及绝缘层132的轮廓的内侧的部分。此时，可以实现由绝缘层134及绝缘层132包围绝缘层131的端部的一部分或全部的结构。另外，优选以夹持绝缘层131的方式配置绝缘层132和绝缘层134，尤其优选的是，绝缘层132与绝缘层134在该绝缘层131的端部彼此接触。
在此，绝缘层134被用作保护像素电极111R的层(也称为保护层)。另外，绝缘层132被用作保护绝缘层131的层(也称为保护层)。
图2示出绝缘层132或绝缘层134被用作保护层的具体例子。图2A是示出图1A中的发光元件110R的一部分及其附近的图，图2B及图2C是对应于图2A中的点划线D1-D2的截面示意图的一个例子。D1-D2表示像素电极111R与层161电连接的部分。
在图2B及图2C中，层161例如为与晶体管电连接的层(导电层或半导体层等)，层161上配置有用作平坦化膜的绝缘层162。并且，配置在绝缘层162上的像素电极111R通过绝缘层162的接触孔163与层161电连接。注意，绝缘层162是图1中的衬底101所包括的绝缘层。
像素电极111R上的显示区域以外的部分(例如，包括接触孔163的部分)优选设置有分隔壁。然而，例如在作为分隔壁配置绝缘层131的单层时，有因分隔壁上的EL层的形成工序而绝缘层131消失的担忧。例如，在通过蚀刻形成EL层时分隔壁有可能消失。
于是，通过如图2B所示那样在绝缘层131上设置绝缘层132，绝缘层132用作保护层(蚀刻停止层)而可以防止绝缘层131的露出或消失。
另外，通过如图2C所示那样在绝缘层131下设置绝缘层134，即使绝缘层131的一部分消失，绝缘层134也用作保护层(蚀刻停止层)而可以防止像素电极111R的露出。其结果，可以防止像素电极111R与公共电极113的短路。
如此，通过采用绝缘层131上配置绝缘层132的结构或者绝缘层131下配置绝缘层134的结构，可以减少显示装置的不良而提高显示品质。尤其是，通过采用由绝缘层134及绝缘层132包裹绝缘层131的端部的结构可以得到增效效果，所以是优选的。
接着，示出作为绝缘层134、绝缘层131及绝缘层132优选使用的材料的一个例子。
绝缘层134优选使用包含无机绝缘材料(也称为无机材料或无机物)的绝缘膜。绝缘层134更优选使用对EL层112R的蚀刻工序具有蚀刻耐性的绝缘膜。通过使用上述材料，可以提高绝缘层134的作为保护层的功能。
绝缘层131优选使用包含有机树脂等有机绝缘材料(也称为有机材料或有机物)的绝缘膜。此时，绝缘层131的端部优选具有平缓的曲面形状。由此，可以提高形成在绝缘层131的上方的层(EL层等)的台阶覆盖性。
另外，绝缘层132优选使用包含无机绝缘材料(也称为无机材料或无机物)的绝缘膜。绝缘层132更优选使用对EL层112R的蚀刻工序具有蚀刻耐性的绝缘膜。通过使用上述材料，可以提高绝缘层132的作为保护层的功能。另外，即使绝缘层131的一部分消失，通过上述的绝缘层134的效果，也可以防止像素电极111R的露出。
作为能够用于绝缘层134及绝缘层132的无机绝缘材料的具体例子，可以使用如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪等氧化物或氮化物膜。此外，也可以使用氧化钇、氧化锆、氧化镓、氧化钽、氧化镁、氧化镧、氧化铈及氧化钕等。
作为能够用于绝缘层131的材料的具体例子，可以举出丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。
如此，通过使用适合于绝缘层134、绝缘层131、绝缘层132的材料，可以提高作为分隔壁的功能。注意，上述材料是一个例子，也可以使用其他材料。例如，作为绝缘层134及绝缘层132也可以使用有机树脂等的有机绝缘材料。此时，可以形成较高分隔壁且可以赋予与上述蚀刻停止层同样的功能。另外，绝缘层131也可以使用无机绝缘材料形成。
另外，绝缘层134、绝缘层131或绝缘层132的端部优选具有锥形形状。由此，可以提高形成在上述绝缘层上的膜的台阶覆盖性。注意，在本说明书等中，对象物的端部具有锥形形状是指：在其端部的区域中表面与被形成面所成的角度大于0度且小于90度、优选为5度以上且70度以下，并且具有从端部连续增加厚度的截面形状。
另外，绝缘层132的厚度优选比绝缘层131薄。通过形成较薄的绝缘层132，可以提高形成在绝缘层132上的膜的台阶覆盖性。绝缘层134的厚度也优选比绝缘层131薄。
注意，在图2中以发光元件110R为例进行说明，发光元件110G及发光元件110B也可以采用同样结构。
另外，发光元件110R所包括的EL层112R包含发射至少在红色波长区域中具有强度的光的发光性有机化合物。发光元件110G所包括的EL层112G包含发射至少在绿色波长区域中具有强度的光的发光性有机化合物。发光元件110B所包括的EL层112B包含发射至少在蓝色波长区域中具有强度的光的发光性有机化合物。
另外，EL层112R、EL层112G及EL层112B除了包含发光性有机化合物的层(发光层)以外还可以包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层中的一个以上。
另外，优选的是，作为像素电极111R等和公共电极113中的任一方使用对可见光具有透光性的导电膜，作为其中另一方使用具有反射性的导电膜。通过使各像素电极具有透光性并使公共电极113具有反射性，可以实现底部发射型(bottom-emission)显示装置，与此相反，通过使各像素电极具有反射性并使公共电极113具有透光性，可以实现顶部发射型(top-emission)显示装置。此外，通过使像素电极111R等和公共电极113的双方具有透光性，也可以实现双面发射型(dual-emission)显示装置。
图1A示出与公共电极113电连接的连接电极111C。连接电极111C被供应用来供应给公共电极113的电位(例如阳极电位或阴极电位)。连接电极111C设置在发光元件110R等排列的显示区域之外。此外，图1A中以虚线示出公共电极113。
连接电极111C可以沿着显示区域的外周设置。例如，也可以沿着显示区域的外周的一个边设置，也可以沿着显示区域的外周的两个以上的边设置。就是说，在显示区域的顶面形状为长方形时，连接电极111C的顶面形状可以为带状、L字状、U字状(方括号状)或四角形等。
图1D是对应于图1A中的点划线C1-C2的截面示意图。图1D示出连接电极111C与公共电极113电连接的连接部130。在连接部130中，连接电极111C上与其接触地设置有公共电极113。此外，以覆盖连接电极111C的端部的方式设置有绝缘层134、绝缘层131及绝缘层132。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式2)
下面，参照附图说明本发明的显示装置的其他结构例子。关于与结构例子1等重复的部分援用上述说明而省略其说明。
图3及图4示出本发明的显示装置的其他结构例子的显示装置100A至显示装置100E的截面示意图。显示装置100A至显示装置100E的俯视图与图1A相同。
[显示装置的结构例子2]
图3A是显示装置100A的截面示意图(相当于图1A的X方向的截面)。显示装置100A是通过改变EL层112R、EL层112G及EL层112B的厚度实现微腔结构的例子。通过采用这种结构，不需还设置光学调整层，所以可以简化工序。
例如，在显示装置100A中，发射波长最长的光的发光元件110R的EL层112R最厚，发射波长最短的发光元件110B的EL层112B最薄。注意，不局限于此，可以考虑各发光元件所发射的光波长、构成发光元件的层的光学特性以及发光元件的电特性等调整各EL层的厚度。
[显示装置的结构例子3]
图3B是显示装置100B的截面示意图(相当于图1A的X方向的截面)。显示装置100B是设置有光学调整层的例子。
发光元件110R在像素电极111R与EL层112R之间包括光学调整层115R。发光元件110G在像素电极111G与EL层112G之间包括光学调整层115G。发光元件110B在像素电极111B与EL层112B之间包括光学调整层115B。
光学调整层115R、光学调整层115G及光学调整层115B都对应于图12D等所示的导电层111b。另外，此时像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B都对应于导电层111a。
再者，光学调整层115R、光学调整层115G及光学调整层115B都对可见光具有透光性。光学调整层115R、光学调整层115G及光学调整层115B的厚度都不同。由此，可以使各发光元件间的光路长度不同。
在此，作为像素电极111R等使用对可见光具有反射性的导电膜，作为公共电极113使用对可见光具有反射性及透射性的导电膜。由此，各发光元件实现了所谓的微腔结构(微谐振器结构)，增强特定波长的光。由此，可以实现色纯度得到提高的显示装置。
作为各光学调整层，可以使用对可见光具有透光性的导电材料。例如，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、含有镓的氧化锌、含有硅的铟锡氧化物、含有硅的铟锌氧化物等导电氧化物。
各光学调整层可以在形成像素电极111R等之后且形成将成为EL层112的膜(将在后面说明的EL膜112Rf)等之前形成。各光学调整层可以使用厚度互不相同的导电膜，也可以按各光学调整层的厚度的升序依次采用单层结构、两层结构、三层结构等。另外，有时将层叠有像素电极111R和光学调整层115R的层称为像素电极。
[显示装置的结构例子4]
图3C是显示装置100C的截面示意图(相当于图1A的X方向的截面)。显示装置100C是除了图3B的显示装置100B以外还设置有像素电极111R等下的导电层116R等(是指导电层116R、导电层116G或导电层116B)的例子。
像素电极111R等与下方的层161电连接(图2B)，通过设置导电层116R等，像素电极111R等与层161的连接有时变得良好。
导电层116R等可以使用具有透光性的材料或具有反射性的材料形成。作为具有透光性的材料，可以适当地从作为光学调整层115R的材料记载的材料中选择。尤其优选使用与光学调整层115R相同的材料形成，但是也可以使用不同材料。作为具有反射性的材料，可以适当地从作为像素电极111R的材料记载的材料中选择。优选使用与像素电极111R不同的材料形成，但是也可以使用相同材料。
另外，导电层116R等可以使用单层的导电层或两层以上的导电层构成。另外，有时将层叠有导电层116R等、像素电极111R等和光学调整层115R等的层称为像素电极。
[显示装置的结构例子5]
图3D是显示装置100D的截面示意图(相当于图1A的Y方向的截面)。显示装置100D是采用在Y方向上延伸的带状EL层112R及公共电极113时的例子。图3D示出在Y方向上并排配置的两个发光元件110R的截面。另外，图3D示出在X方向上延伸的分隔壁X(绝缘层134、绝缘层131或绝缘层132等)的截面。
通过如图3D那样在Y方向上以俯视时具有带状形状的方式形成EL层112R，没有需要分割EL层112R所需的空间，而可以缩小发光元件间的非发光区域的面积，由此可以提高开口率。
另外，在X方向上延伸的分隔壁X具有高度X1的区域(图3D)。另外，在Y方向上延伸的分隔壁Y具有高度Y1的区域(图1B)。分隔壁的高度是指衬底101的顶面至分隔壁的顶面的距离。该高度X1和高度Y1也可以互不相同。例如，高度X1可以低于高度Y1。通过使高度X1低，可以容易以超过分隔壁X连续的方式形成EL层112R。就是说，EL层112R容易以俯视时具有带状形状的方式延伸。另外，也可以使高度X1低于高度Y1。
作为改变分隔壁的高度的方法，例如可以举出：使低区域中的分隔壁(绝缘层134、绝缘层131或绝缘层132等)的层数少于高区域。另外，如下方法也是有效的：使低区域中的绝缘层的厚度小于高区域。另外，例如在图1C那样的EL层112R不延伸为带状的情况下也可以采用调整分隔壁的高度的方法。另外，可以使分隔壁X中的多个区域的高度不同。例如，也可以改变像素电极111R的端部、像素电极111G的端部以及像素电极111B的端部中的分隔壁X的高度。同样地，也可以使分隔壁Y中的多个区域的高度不同。
[显示装置的结构例子6]
图4A是显示装置100E的截面示意图(相当于图1A的X方向的截面)。与显示装置100(图1)不同之处在于：包括作为公共层的EL层114；以及包括保护层121。
EL层114以与EL层112R、EL层112G及EL层112B的顶面接触的方式设置。作为EL层114，可以采用电子传输层或电子注入层。在作为EL层114例如采用电子注入层时，可以以相同工序形成发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B中的电子注入层。
另外，保护层121位于公共电极113上且设置在发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B上。保护层121具有防止水等杂质从上方扩散到各发光元件的功能。
保护层121例如可以采用至少包括无机绝缘膜的单层结构或叠层结构。作为无机绝缘膜，例如可以举出氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化铪膜等氧化物膜或氮化物膜。或者，作为保护层121也可以使用铟镓氧化物、铟镓锌氧化物等的半导体材料。
另外，作为保护层121也可以使用无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层膜。例如，优选采用在一对无机绝缘膜间夹持有机绝缘膜的结构。再者，有机绝缘膜优选被用作平坦化膜。由此，可以使有机绝缘膜的顶面平坦，因此其上的无机绝缘膜的覆盖性得到提高，而可以提高阻挡性。另外，因为保护层121的顶面变平坦，所以当在保护层121上方设置结构物(例如滤色片、触摸传感器的电极或透镜阵列等)时可以减少起因于下方的结构的凹凸形状的影响，所以是优选的。
另外，也可以在公共电极113与保护层121间设置层(也称为盖层或保护层)。盖层具有防止从各发光元件发射的光的全反射的功能。盖层优选使用其折射率高于公共电极113的材料形成。盖层可以使用有机物或无机物形成。另外，盖层的厚度优选大于公共电极113。另外，也可以对盖层赋予防止水等杂质从上方向各发光元件扩散的功能。
另外，在各结构例子中，像素电极111R等的一个端部附近的结构与其他部分端部附近的结构也可以互不相同。例如，如图4B所示，包括像素电极111R的一个端部的区域117R中的分隔壁与像素电极111R重叠的面积也可以大于包括另一个端部的区域118R中的分隔壁与像素电极111R重叠的面积。
另外，如图4C所示，绝缘层134也可以具有与绝缘层132接触的部分(也称为接触部分)，并且区域117R中的接触部分与像素电极111R重叠的面积也可以小于区域118R中的接触部分与像素电极111R重叠的面积。
另外，在像素电极111R上，绝缘层134有时不与绝缘层132接触(将在后面说明的图12B或图12C等)。在此情况下，通过分别设定区域117R及区域118R中的绝缘层134或绝缘层132的大小，可以分别制造分隔壁的结构。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式3)
以下，示出本发明的显示装置的制造方法的一个方式。
如本发明的显示装置的一个方式那样，在不同颜色的发光元件之间分别形成EL层的一部分或全部时，可以利用使用金属掩模等荫罩的蒸镀法。然而，在使用这方法时，由于金属掩模的精度、金属掩模与衬底的错位、金属掩模的弯曲以及蒸气散射等所导致的沉积了的膜的轮廓变大等的各种影响，而岛状有机膜的形状及位置有时与设计时的形状及位置产生偏差。
此时，难以实现高清晰化及高开口率化，因此可以采取如下措施：采用pentile排列等特殊像素排列方式，以模拟性地提高清晰度(也称为像素密度)。
在以下所示的本发明的显示装置的制造方法的一个方式中，可以将EL层加工为微细图案而不用金属掩模等荫罩。由此，与使用荫罩的情况相比，可以实现具有高清晰度及高开口率的显示装置。并且，因为可以分别形成EL层，所以可以实现极为鲜明、对比度极高且显示品质极高的显示装置。以下，参照附图说明制造方法的一个方式的详细内容。
[显示装置的制造方法例子1]
在此，以上述结构例子6示出的显示装置100E为例进行说明。图5A至图8C是以下示出的显示装置的制造方法的各工序中的截面示意图。此外，图5A等的右侧示出连接部130及其附近的截面示意图。
[衬底101的准备]
作为衬底101，可以使用至少具有能够承受后面的热处理程度的耐热性的衬底(图5A)。在使用绝缘衬底作为衬底101的情况下，可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、陶瓷衬底、有机树脂衬底等。此外，还可以使用以硅、碳化硅等为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、SOI衬底等半导体衬底。
尤其是，衬底101优选使用在上述半导体衬底或绝缘衬底上形成有包括晶体管等半导体元件的半导体电路的衬底。该半导体电路优选例如构成像素电路、栅极线驱动电路(栅极驱动器)、源极线驱动电路(源极驱动器)等。除此以外，还可以构成运算电路、存储电路等。尤其是，衬底101优选具有绝缘表面。例如，作为衬底101优选使用如图2B或图2A所示的形成有用作平坦化膜的绝缘层162的衬底。
[像素电极111R、111G、111B、连接电极111C的形成]
接着，在衬底101上形成像素电极111R、像素电极111G、像素电极111B及连接电极111C(图5A)。首先，沉积将成为像素电极的导电膜，通过光刻法形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻去除导电膜的不需要的部分。然后，去除抗蚀剂掩模，由此可以形成像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B。
当作为各像素电极使用对可见光具有反射性的导电膜时，优选使用可见光的波长区域整体上的反射率尽量高的材料(例如，银或铝等)。由此，不但可以提高发光元件的光提取效率，还可以提高颜色再现性。
[绝缘膜134f的形成]
接着，以覆盖像素电极111R上、像素电极111G、像素电极111B及连接电极111C的方式形成绝缘膜134f(图5A)。绝缘膜134f将在后面成为绝缘层134。
绝缘膜134f可以利用ALD法、溅射法、CVD法、PLD法、蒸镀法等沉积法或者上述方法的组合而形成。
[绝缘层131的形成]
接着，以覆盖绝缘膜134f的方式沉积绝缘膜131f。作为绝缘膜131f，可以使用包含感光有机树脂的膜。
绝缘膜131f可以通过旋涂法、喷墨法等的湿式沉积方法形成。沉积后，也可以进行加热处理以使材料中的溶剂挥发或者使材料固化。
在沉积绝缘膜131f之后使用光掩模151照射光152(图5B)。在此，示出作为绝缘膜131f使用具有对于显影液的溶解性通过感光得到提高的所谓正型感光性的材料的例子。
然后，通过进行显影处理而形成绝缘层131(图5C)。
此时，优选的是，通过调整曝光处理中的曝光时间、曝光强度等，以绝缘层131的图案宽度小于光掩模151的掩模图案的图案宽度的方式形成绝缘层131。例如，以曝光量大于适当值的条件进行曝光。
[绝缘层132、绝缘层134的形成]
接着，以覆盖绝缘膜134f、绝缘层131、像素电极111R、像素电极111G、像素电极111B等的方式沉积绝缘膜132f(图5D)。
绝缘膜132f可以利用ALD法、溅射法、CVD法、PLD法、蒸镀法等沉积法或上述方法的组合而形成。
接着，在绝缘膜132f上沉积抗蚀剂膜141f(图5E)。
抗蚀剂膜141f可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等的含有感光性树脂的抗蚀剂材料。
接着，使用光掩模151对抗蚀剂膜141f照射光153(图5E)。
接着，通过对抗蚀剂膜141f进行显影处理，形成抗蚀剂掩模141(图5F)。
在此，形成上述绝缘层131时使用的光掩模和形成抗蚀剂掩模141时使用的光掩模可以相同。注意，不需要严格地使用同一光掩模，可以使用为形成同一图案制造的光掩模。形成绝缘层131时和形成抗蚀剂掩模141时可以共同使用光掩模151，所以可以降低生产成本。
另外，形成绝缘层131时使用的光掩模和形成抗蚀剂掩模141时使用的光掩模也可以不同。
如图5F所示，优选以包围绝缘层131的方式形成抗蚀剂掩模141。
接着，蚀刻绝缘膜132f及绝缘膜134f中的不被抗蚀剂掩模141覆盖的部分。然后，去除抗蚀剂掩模141。由此，形成绝缘层132及绝缘层134(图5G)。
[EL膜112Rf的形成]
接着，在像素电极111R、像素电极111G、像素电极111B及绝缘层132上沉积EL膜112Rf(图6A)。EL膜112Rf将在后面成为EL层112R。
EL膜112Rf至少包括含有发光化合物的膜。除此以外，还可以具有层叠有一个以上的用作电子注入层、电子传输层、电荷产生层、空穴传输层或空穴注入层的膜的结构。EL膜112Rf例如可以通过蒸镀法、溅射法或喷墨法等形成。注意，不局限于此，可以适当地利用上述沉积方法。
作为一个例子，EL膜112Rf优选为依次层叠有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的叠层膜。此时，作为将在后面形成的EL层114可以使用包括电子注入层的膜。尤其是，通过以覆盖发光层的方式设置电子传输层，可以抑制由于后面的光刻工序等给发光层带来的损伤，由此可以制造可靠性高的发光元件。再者，通过作为用于EL膜112Rf等的电子传输层及用于后面的EL层114的电子注入层使用包含相同的有机化合物的层，良好地接合它们，可以实现发光效率高且可靠性高的发光元件。例如，可以作为电子传输层使用具有电子传输性的有机化合物且作为电子注入层使用包含该有机化合物及金属的材料。
EL膜112Rf优选以不在连接电极111C上设置的方式形成。例如，在通过蒸镀法或溅射法形成EL膜112Rf时，优选以不在连接电极111C上沉积EL膜112Rf的方式使用遮蔽掩模形成。
[牺牲膜144a的形成]
接着，以覆盖EL膜112Rf的方式形成牺牲膜144a(图6A)。此外，牺牲膜144a以与连接电极111C的顶面接触的方式设置。
牺牲膜144a可以使用对EL膜112Rf等各EL膜的蚀刻处理具有高耐性的膜，即蚀刻选择比大的膜。另外，牺牲膜144a可以使用相对于后面说明的牺牲膜146a等牺牲膜的蚀刻选择比大的膜。尤其优选的是，牺牲膜144a使用可通过给各EL膜带来的损伤少的湿蚀刻法去除的膜。
作为牺牲膜144a，例如可以适当地使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜、无机绝缘膜等无机膜。牺牲膜144a可以通过利用溅射法、蒸镀法、CVD法、ALD法等各种沉积方法形成。尤其是，由于ALD法对于被形成层的沉积损伤小，所以直接形成在EL膜112Rf上的牺牲膜144a优选利用ALD法形成。
作为牺牲膜144a，例如可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、铝、钇、锆及钽等金属材料或者包含该金属材料的合金材料。尤其优选使用铝或银等低熔点材料。
另外，作为牺牲膜144a可以使用铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物，也记为IGZO)等金属氧化物。并且，可以使用氧化铟、铟锌氧化物(In-Zn氧化物)、铟锡氧化物(In-Sn氧化物)、铟钛氧化物(In-Ti氧化物)、铟锡锌氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、铟钛锌氧化物(In-Ti-Zn氧化物)、铟镓锡锌氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)等。或者，也可以使用包含硅的铟锡氧化物等。
注意，可以使用元素M(M为选自铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)代替上述镓。尤其是，M优选为选自镓、铝和钇中的一种或多种。
另外，作为牺牲膜144a可以使用氧化铝、氧化铪、氧化硅等氧化物、氮化硅、氮化铝等氮化物或者氧氮化硅等氧氮化物。这种无机绝缘材料可以通过溅射法、CVD法或ALD法等沉积方法形成，作为在EL膜112Rf上直接形成的牺牲膜144a特别优选使用ALD法。
作为牺牲膜144a，也可以使用可溶解于至少对位于EL膜112Rf的最上部的膜具有化学稳定性的溶剂的材料。尤其是，可以将溶解于水或醇的材料适当地用于牺牲膜144a。当沉积牺牲膜144a时，优选的是，在溶解于水或醇等溶剂的状态下以湿式的沉积方法进行涂布，然后进行用来使溶剂蒸发的加热处理。此时，优选在减压气氛下进行加热处理，由此可以在低温且短时间下去除溶剂，而可以降低给EL膜112Rf带来的热损伤。
作为用来形成牺牲膜144a的湿式沉积方法，有旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctor knife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等。
作为牺牲膜144a，可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰、水溶性纤维素或者醇可溶性聚酰胺树脂等有机材料。
[牺牲膜146a的形成]
接着，在牺牲膜144a上形成牺牲膜146a(图6A)。
牺牲膜146a是被用作后面对牺牲膜144a进行蚀刻时的硬掩模的膜。另外，在后面的牺牲膜146a的加工时，牺牲膜144a露出。因此，作为牺牲膜144a和牺牲膜146a，选择它们之间的蚀刻选择比大的膜的组合。由此，可以根据牺牲膜144a的蚀刻条件以及牺牲膜146a的蚀刻条件而选择可用作牺牲膜146a的膜。
例如，在作为牺牲膜146a的蚀刻利用使用含有氟的气体(也称为氟类气体)的干蚀刻时，可以将硅、氮化硅、氧化硅、钨、钛、钼、钽、氮化钽、含有钼及铌的合金或者含有钼及钨的合金等用于牺牲膜146a。在此，作为相对于上述使用氟类气体的干蚀刻的蚀刻选择比很大(换言之，可以使蚀刻速率慢)的膜，有IGZO、ITO等金属氧化物膜等，可以将上述膜用于牺牲膜144a。
注意，不局限于此，牺牲膜146a可以根据牺牲膜144a的蚀刻条件以及牺牲膜146a的蚀刻条件从各种材料中选择。例如，也可以从可用于上述牺牲膜144a的膜中选择。
例如，作为牺牲膜146a可以使用氧化物膜。典型地也可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、氧氮化铪等氧化物膜或氧氮化物膜。
另外，作为牺牲膜146a，例如可以使用氮化物膜。具体而言，也可以使用氮化硅、氮化铝、氮化铪、氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化镓、氮化锗等氮化物膜。
例如，优选的是，作为牺牲膜144a使用利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料，作为牺牲膜146a使用利用溅射法形成的铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物，也记为IGZO)等的含铟的金属氧化物。
此外，作为牺牲膜146a也可以使用可用于EL膜112Rf等的有机膜。例如，可以将与用于EL膜112Rf、EL膜112Gf或EL膜112Bf的有机膜相同的膜用于牺牲膜146a。通过使用这种有机膜，可以与EL膜112Rf等共同使用沉积装置，所以是优选的。再者，在使用后面的牺牲层作为掩模蚀刻EL膜112Rf等时可以同时去除它们，所以可以简化工序。
[抗蚀剂掩模143a的形成]
接着，在牺牲膜146a上且在与像素电极111R重叠的位置及与连接电极111C重叠的位置上分别形成抗蚀剂掩模143a(图6B)。
抗蚀剂掩模143a可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等的含有感光性树脂的抗蚀剂材料。
在此，当以没有牺牲膜146a的状态在牺牲膜144a上形成抗蚀剂掩模143a时，在牺牲膜144a中有针孔等缺陷的情况下，有可能因抗蚀剂材料的溶剂而EL膜112Rf溶解。通过使用牺牲膜146a，可以防止发生这种不良。
注意，在作为牺牲膜144a使用不容易产生针孔等缺陷的膜或者作为EL膜112Rf使用不被抗蚀剂材料的溶剂溶解的材料的情况等下，有时也可以在牺牲膜144a上直接形成抗蚀剂掩模143a而不使用牺牲膜146a。
[牺牲膜146a的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除牺牲膜146a的不被抗蚀剂掩模143a覆盖的一部分，形成带状牺牲层147a(图6C)。此时，同时也在连接电极111C上形成牺牲层147a。
当对牺牲膜146a进行蚀刻时，优选采用选择比高的蚀刻条件以防止因该蚀刻而牺牲膜144a被去除。牺牲膜146a的蚀刻可以利用湿蚀刻或干蚀刻进行，但通过利用干蚀刻，可以抑制牺牲膜146a的图案缩小。
[抗蚀剂掩模143a的去除]
接着，去除抗蚀剂掩模143a(图6D)。
抗蚀剂掩模143a的去除可以利用湿蚀刻或干蚀刻进行。尤其优选的是，利用将氧气体用作蚀刻气体的干蚀刻(也称为等离子体灰化)去除抗蚀剂掩模143a。
此时，抗蚀剂掩模143a的去除在EL膜112Rf被牺牲膜144a覆盖的状态下进行，因此EL膜112Rf所受的影响得到抑制。尤其是，在EL膜112Rf暴露于氧时有时给电特性带来负面影响，所以在进行等离子体灰化等利用氧气体的蚀刻的情况下这是优选的。
[牺牲膜144a的蚀刻]
接着，将牺牲层147a用作掩模而通过蚀刻去除牺牲膜144a的不被牺牲层147a覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层145a(图6E)。此时，同时也在连接电极111C上形成牺牲层145a。
牺牲膜144a的蚀刻可以利用湿蚀刻或干蚀刻进行，但优选利用干蚀刻，此时可以抑制图案的缩小。
[EL膜112Rf的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145a覆盖的EL膜112Rf的一部分，形成岛状或带状EL层112R(图6F)。通过EL膜112Rf的蚀刻，像素电极111G、像素电极111B及绝缘层132的顶面被露出。
尤其是，EL膜112Rf的蚀刻优选利用使用主要成分中不包含氧的蚀刻气体的干蚀刻。由此，可以抑制EL膜112Rf的变质，而可以实现可靠性高的显示装置。作为主要成分中不包含氧的蚀刻气体，例如可以举出CF4、C4F8、SF6、CHF3、Cl2、H2O、BCl3、H2或者He等贵气体。另外，可以将上述气体和不包含氧的稀释气体的混合气体用作蚀刻气体。
注意，EL膜112Rf的蚀刻不局限于上述方法，既可以利用使用其他气体的干蚀刻进行，又可以利用湿蚀刻进行。
另外，当在EL膜112Rf的蚀刻中使用含氧气体的蚀刻气体或使用氧气体的干蚀刻时，可以提高蚀刻速率。由此，可以在将蚀刻速率保持为足够的速度的状态下以低功率的条件进行蚀刻，因此可以降低蚀刻所带来的损伤。并且，可以抑制蚀刻时发生的反应生成物的附着等不良。例如，可以使用对上述主要成分中不包含氧的蚀刻气体添加氧气体的蚀刻气体。
在蚀刻EL膜112Rf时绝缘层132露出。因此，作为绝缘层132优选使用对于EL膜112Rf的蚀刻具有高耐性(不容易被蚀刻)的膜。注意，在对EL膜112Rf进行蚀刻时有时绝缘层132的上部被蚀刻而不被EL层112R覆盖的部分薄膜化。另外，有时绝缘层132的一部分消失而绝缘层131的一部分露出或消失。即使绝缘层131的一部分消失，下部的绝缘层134用作蚀刻停止层而可以防止像素电极(显示区域除外)的露出及消失。
另外，可以在蚀刻EL膜112Rf的同时蚀刻牺牲层147a(图6F)。通过以同一个处理对EL膜112Rf及牺牲层147a进行蚀刻，可以简化工序，而可以减少显示装置的制造成本，因此是优选的。另外，也可以不进行蚀刻而留下牺牲层147a。通过留下牺牲层147a，可以保护EL膜112Rf。此时，在后面工序中蚀刻牺牲层145时蚀刻牺牲层147a，即可。
[EL膜112Gf的形成]
接着，在绝缘层132、像素电极111G及像素电极111B上沉积将在后面成为EL层112G的EL膜112Gf(图7A)。此时，与上述EL膜112Rf同样地，优选不在连接电极111C上设置EL膜112Gf。
EL膜112Gf的形成方法可以参照上述EL膜112Rf的记载。
[牺牲膜144b的形成]
接着，在EL膜112Gf上形成牺牲膜144b(图7A)。牺牲膜144b可以以与上述牺牲膜144a同样的方法形成。尤其是，牺牲膜144b优选使用与牺牲膜144a相同的材料。
此时，同时在连接电极111C上以覆盖牺牲层145a的方式形成牺牲膜144b。
[牺牲膜146b的形成]
接着，在牺牲膜144b上形成牺牲膜146b(图7A)。牺牲膜146b可以使用与上述牺牲膜146a同样的方法形成。尤其是，牺牲膜146b优选使用与上述牺牲膜146a相同的材料。
[抗蚀剂掩模143b的形成]
接着，在牺牲膜146b上且在与像素电极111G重叠的区域形成抗蚀剂掩模143b(图7B)。
抗蚀剂掩模143b可以使用与上述抗蚀剂掩模143a同样的方法形成。
注意，在此，连接电极111C由牺牲层145a保护，所以也可以不形成抗蚀剂掩模143b。另外，也可以以覆盖连接电极111C的方式设置抗蚀剂掩模143b。
抗蚀剂掩模143b可以使用与上述抗蚀剂掩模143a同样的方法形成。
[牺牲膜146b的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除牺牲膜146b的不被抗蚀剂掩模143b覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层147b(图7C)。此时，同时，连接电极111C上的牺牲膜146b的不被抗蚀剂掩模143b覆盖的一部分也通过蚀刻被去除。
牺牲膜146b的蚀刻可以援用上述牺牲膜146a的记载。
[抗蚀剂掩模143b的去除]
接着，去除抗蚀剂掩模143b。抗蚀剂掩模143b的去除可以援用上述抗蚀剂掩模143a的记载。
[牺牲膜144b的蚀刻]
接着，将牺牲层147b用作掩模而通过蚀刻去除牺牲膜144b的不被牺牲层147b覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层145b(图7D)。此时，同时连接电极111C上的牺牲膜144b的不被牺牲层147b覆盖的一部分也通过蚀刻被去除。
牺牲膜144b的蚀刻可以援用上述牺牲膜144a的记载。
[EL膜112Gf的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145b覆盖的EL膜112Gf的一部分，形成岛状或带状EL层112G(图7D)。
EL膜112Gf的蚀刻可以援用上述EL膜112Rf的记载。此时，通过包括绝缘层134、绝缘层131及绝缘层132，可以得到与形成EL层112R时同样的效果。
另外，EL层112R及连接电极111C被牺牲层145a保护，所以可以防止在EL膜112Gf的蚀刻工序中受到损伤。
如此，可以以高位置精度分别形成岛状或带状EL层112R及岛状或带状EL层112G。
[EL层112B的形成]
通过对EL膜112Bf(未图示)进行上述工序，可以形成岛状或带状EL层112B及岛状牺牲层145c(图7E)。
就是说，在形成EL层112G之后，依次形成EL膜112Bf、牺牲膜144c、牺牲膜146c及抗蚀剂掩模143c(都未图示)。接着，在对牺牲膜146c进行蚀刻来形成牺牲层147c(未图示)之后，去除抗蚀剂掩模143c。接着，对牺牲膜144c进行蚀刻形成牺牲层145c。然后，对EL膜112Bf进行蚀刻形成岛状或带状EL层112B。此时，通过包括绝缘层134、绝缘层131及绝缘层132，可以得到与形成EL层112R时同样的效果。
[牺牲层的去除]
接着，去除牺牲层145a、牺牲层145b及牺牲层145c，使EL层112R、EL层112G及EL层112B的顶面露出(图8A)。此时，连接电极111C的顶面也同时被露出。
牺牲层145a、牺牲层145b及牺牲层145c(以下，总称为牺牲层145)的蚀刻优选通过同一工序进行。
牺牲层145及牺牲层147可以利用湿蚀刻或干蚀刻去除。此时，优选利用尽可能不给EL层112R、EL层112G及EL层112B带来损伤的方法。尤其优选利用湿蚀刻法。例如，优选利用使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)、稀氢氟酸、草酸、磷酸、醋酸、硝酸或它们的混合液体的湿蚀刻。
或者，优选将牺牲层145和牺牲层147中的任一方或双方溶解在水或醇等溶剂中来去除。在此，作为可溶解牺牲层145或牺牲层147的醇，可以利用乙醇、甲醇、异丙醇(IPA)或甘油等各种醇。
为了在去除牺牲层145及牺牲层147之后去除包含在EL层112R、EL层112G及EL层112B内部的水及吸附于表面的水，优选进行干燥处理。例如，优选在非活性气体气氛或减压气氛下进行加热处理。加热处理可以在50℃以上且200℃以下、优选为60℃以上且150℃以下、更优选为70℃以上且120℃以下的衬底温度下进行。通过采用减压气氛，可以在更低温下进行干燥，所以是优选的。
如此，可以分别形成EL层112R、EL层112G及EL层112B。再者，通过反复进行上述工序，可以分别形成四种以上的颜色的发光元件的EL层，而可以实现包括四种以上的颜色的发光元件的显示装置。另外，在形成单一发光元件或者分别形成两种颜色的发光元件时也可以采用上述工序的一部分。
[EL层114的形成]
接着，覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B沉积EL层114(图8B)。
EL层114可以使用与EL膜112Rf等同样的方法沉积。在利用蒸镀法沉积EL层114时，优选以不使EL层114沉积在连接电极111C上的方式使用遮蔽掩模沉积。
[公共电极113的形成]
接着，以覆盖EL层114及连接电极111C的方式形成公共电极113(图8B)。
公共电极113可以利用蒸镀法或溅射法等沉积方法形成。或者，也可以层叠利用蒸镀法形成的膜及利用溅射法形成的膜。此时，优选以包围沉积EL层114的区域的方式形成公共电极113。就是说，EL层114的端部可以与公共电极113重叠。公共电极113优选使用遮蔽掩模形成。
另外，公共电极113在显示区域外与连接电极111C电连接。
[保护层121的形成]
接着，在公共电极113上形成保护层121(图8C)。用于保护层121的无机绝缘膜的沉积优选利用溅射法、PECVD法或ALD法。尤其是，ALD法由于台阶覆盖性良好且不容易产生针孔等缺陷，所以是优选的。此外，有机绝缘膜的沉积在利用喷墨法时可以在所希望的区域形成均匀的膜，所以是优选的。
构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed LaserDeposition)法、原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法或热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
此外，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等方法形成。
此外，当对构成显示装置的薄膜进行加工时，可以利用光刻法等。除了上述方法以外，还可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，可以通过利用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状的薄膜。
光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻等对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在沉积感光性薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。
在光刻法中，作为用于曝光的光，例如可以使用i线(波长为365nm)、g线(波长为436nm)、h线(波长为405nm)或将这些光混合而成的光。此外，还可以使用紫外线、KrF激光或ArF激光等。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。作为用于曝光的光，也可以使用极紫外(EUV：Extreme Ultra-violet)光、X射线等。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其微细的加工，所以是优选的。此外，在通过电子束等光束的扫描进行曝光时，不需要光掩模。
作为薄膜的蚀刻方法，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法及喷砂法等。
通过上述工序，可以制造图4A所示的显示装置100E。
[显示装置的制造方法例子2]
注意，在上述中示出以其顶面形状彼此不同的方式形成公共电极113与EL层114的情况，但是也可以在相同的区域形成它们。
图9A是上述中去除牺牲层之后的截面示意图。接着，如图9B所示，EL层114及公共电极113使用同一遮蔽掩模或不使用遮蔽掩模形成。由此，与使用不同遮蔽掩模的情况相比，可以降低制造成本。
此时，如图9B所示，在连接部130中，在连接电极111C与公共电极113之间夹持EL层114。此时，作为EL层114优选使用电阻尽可能低的材料。或者，优选的是，通过尽可能形成得薄，降低EL层114的厚度方向的电阻。例如，通过作为EL层114使用厚度为1nm以上且5nm以下、优选为1nm以上且3nm以下的具有电子注入性或空穴注入性的材料，有时可以使连接电极111C与公共电极113之间的电阻小到忽略的程度。
接着，如图9C所示，形成保护层121。此时，如图9C所示，优选以覆盖公共电极113的端部及EL层114的端部的方式设置保护层121。由此，可以有效地防止水或氧等杂质从外部扩散到EL层114及EL层114与公共电极113的界面。
例如在使用金属掩模的形成方法中，难以将不同颜色的EL层之间的间隔设为小于10μm，但是根据上述方法，可以将该间隔缩小到3μm以下、2μm以下或1μm以下。例如，通过使用用于LSI的曝光装置，可以将该间隔还缩小到500nm以下、200nm以下、100nm以下、甚至为50nm以下。由此，可以大幅度缩小两个发光元件间可存在的非发光区域的面积，而可以使开口率近似于100％。例如，还可以实现50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、甚至为90％以上，且低于100％的开口率。
再者，与使用金属掩模的情况相比，还可以使EL层本身的图案极小。另外，例如在使用金属掩模分别形成EL层时，图案的中央与端部产生厚度不均匀，由此相对于图案整体的面积的能够被用作发光区域的有效面积较小。另一方面，在上述制造方法中，通过对沉积为均匀厚度的膜进行加工来形成图案，由此可以在图案内使厚度均匀，即使是微细图案也可以将该图案的大致整体用作发光区域。由此，根据上述制造方法，可以兼具有高清晰度和高开口率。
再者，相邻的两个像素电极之间设置的分隔壁(绝缘层134、绝缘层131或绝缘层132)以覆盖像素电极的端部的方式设置。由于像素电极上的被分隔壁覆盖的区域不被用作发光元件的发光区域，所以分隔壁与像素电极重叠的区域的宽度越小，可以使显示装置的有效发光面积比即开口率越高。
EL层的端部位于分隔壁上。此时，在分隔壁上以两个EL层的端部(侧面)对置的方式配置。两个EL层的距离越近，可以使分隔壁的宽度越小，由此可以提高显示装置的开口率。例如，对置的两个EL层的侧面间的距离可以为5μm以下、优选为4μm以下、更优选为3μm以下、进一步优选为2μm以下、更进一步优选为1μm以下且为10nm以上、50nm或100nm以上。
如此，本发明的一个方式可以实现集成了微细发光元件的显示装置。例如无需采用pentile方式等特殊像素排列方式以模拟性地提高清晰度，可以以在一个方向上排列RGB各自的所谓的条纹配置实现具有500ppi以上、1000ppi以上、或者2000ppi以上、甚至为3000ppi以上、甚至为5000ppi以上的清晰度的显示装置。此外，还可以实现具有50％以上、甚至为60％以上、甚至为70％以上，且小于100％的有效发光面积比(开口率)的显示装置。
另外，本发明的一个方式可以以高精度制造微型发光元件，所以可以实现复杂的像素排列方法。例如，除了条纹排列之外，还可以采用S条纹排列、拜耳排列、Delta排列等各种排列方法。
注意，在本说明书等中，有效发光面积比是指从显示装置的像素的重复间距算出的一个像素的面积中可视为一个像素中的发光区域的区域的面积所占的比率。
以上说明显示装置的制造方法例子。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式4)
在本实施方式中，详细地说明本发明的一个方式的显示装置中的绝缘层131、绝缘层132、绝缘层134及其附近的优选结构。尤其是，应用于图2的接触孔163附近的结构是有效的。
图10至图12是图1等中的发光元件110R的一个端部附近的放大图。注意，在此为了简化说明只示出发光元件110R的一个端部附近，但是发光元件110R的另一个端部、发光元件110G的端部、发光元件110B的端部也可以采用同样结构。
图10A示出绝缘层134的端部、绝缘层131的端部、绝缘层132的端部具有锥形形状的结构。将绝缘层134的端部的底面和侧面所形成的角度记作角度θ1，将绝缘层131的端部的底面和侧面所形成的角度记作角度θ2，并且将绝缘层132的端部的底面和侧面所形成的角度记作角度θ3。另外，绝缘层131的端部附近的表面具有曲面形状，所以以虚线示出绝缘层131的端部的切线。
绝缘层131的角度θ2优选小于绝缘层134的角度θ1或绝缘层132的角度θ3。通过使绝缘层131的锥形角度θ2小，可以抑制绝缘层132中形成低密度区域。
绝缘层131的角度θ2可以大于0度且小于90度、优选为5度以上且70度以下、更优选为10度以上且60度以下、进一步优选为15度以上且50度以下。
另一方面，绝缘层132的角度θ3可以大于0度且小于90度、优选为10度以上且85度以下、更优选为20度以上且80度以下、进一步优选为25度以上且75度以下。注意，根据加工绝缘层132时的条件，角度θ3有时成为90度以上。
绝缘层134的角度θ1可以大于0度且小于90度、优选为10度以上且85度以下、更优选为20度以上且80度以下、进一步优选为25度以上且75度以下。注意，根据加工绝缘层132时的条件，角度θ1有时成为90度以上。
另外，绝缘层134的角度θ1优选小于绝缘层132的角度θ3。通过将锥形角度设定为θ1<θ3，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。另外，通过增大绝缘层134和绝缘层132中的厚度更小一方的锥形角度，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。例如，在绝缘层134的厚度小于绝缘层132的厚度时，优选将锥形角度设定为θ1>θ3。与此相反，在绝缘层134的厚度大于绝缘层132的厚度时，优选将锥形角度设定为θ1<θ3。
另外，在绝缘层131的表面具有曲面时，有时顶面和侧面连续而难以区别它们。此时，可以将绝缘层131的端部附近的表面中的厚度从端部增大的部分的表面及厚度一定的部分的表面分别设定为侧面及顶面。
图10B示出绝缘层132的一部分设置有凹部的结构。例如，在蚀刻EL层112R时，有时绝缘层132的一部分消失而形成凹部。绝缘层132被用作蚀刻停止层而可以防止绝缘层131被露出。其结果，可以提高公共电极113的台阶覆盖性。
图10C示出绝缘层132的一部分消失而绝缘层131的一部分露出的结构。在这结构中，公共电极113与绝缘层131接触。另外，在发光元件110R和与其相邻的发光元件间，绝缘层132中的不被EL层覆盖的部分通过蚀刻被消失而绝缘层132分割成两个。
另外，在EL层112R端部的下方，绝缘层132的端面也可以通过蚀刻后退。形成有由EL层112R、绝缘层132、绝缘层131及公共电极113围绕的空间133。并且，公共电极113也可以在空间133中与EL层112R重叠。
另外，当在EL层112R与公共电极113间设置EL层114(公共层)时，EL层114与绝缘层131接触。
图10D示出绝缘层131的一部分设置有凹部的结构。例如，在蚀刻EL层112R时，有时绝缘层131的一部分消失而形成凹部。另外，凹部是其厚度比绝缘层131的不被蚀刻的区域小的区域。在这结构中，公共电极113(或EL层114)在该凹部中与绝缘层131接触。
图11A示出绝缘层131的一部分消失而绝缘层134的一部分露出的结构。与图2C所示的结构同样，绝缘层134被用作保护层而可以防止像素电极111R被露出。另外，在这结构中，公共电极113(或EL层114)与绝缘层134接触。
图11B示出绝缘层134的一部分设置有凹部的结构。在这结构中，公共电极113(或EL层114)在该凹部中与绝缘层134接触。
图11C示出在EL层112R的下方绝缘层132的端部具有锥形形状的结构。例如，在蚀刻EL层112R时绝缘层132的端部有时被加工为锥形形状。此时，公共电极113的台阶覆盖性得到提高，所以是有效的。
另外，在这结构中，公共电极113(或EL层114)与绝缘层132的锥形部接触。另外，在绝缘层131不被露出时，公共电极113(或EL层114)在凹部中与绝缘层132接触(参照图10B等)。
另外，在绝缘层131被露出时，公共电极113(或EL层114)与绝缘层131接触(参照图10C或图10D等)。
另外，在绝缘层134被露出时，公共电极113(或EL层114)与绝缘层134接触(参照图11A或图11B等)。
图11D示出绝缘层134的端部比绝缘层131的端部及绝缘层132的端部突出的结构。
另外，图12A示出绝缘层132的端部覆盖绝缘层131的端部及绝缘层134的端部的结构。
另外，图12B示出绝缘层131的端部覆盖绝缘层134的端部且绝缘层132的端部覆盖绝缘层131的端部的结构。在该端部，绝缘层134不与绝缘层132接触。
另外，图12C示出绝缘层134的端部比绝缘层131的端部及绝缘层132的端部突出的结构。在该端部，绝缘层134不与绝缘层132接触。
通过采用图11D、图12A或图12B所示的结构，绝缘层134和绝缘层132的叠层所形成的台阶被缓和，由此可以提高EL层112R的台阶覆盖性。这些结构例如可以通过分别加工绝缘层134及绝缘层132而形成。
图12D示出绝缘层132、绝缘层134、像素电极111R都具有叠层结构时的例子。
绝缘层132具有从衬底101一侧依次层叠有绝缘层132a及绝缘层132b的叠层结构。绝缘层132b的厚度大于绝缘层132a。此时，绝缘层132b的锥形角度优选小于绝缘层132a的锥形角度。与此相反，绝缘层132b的厚度也可以小于绝缘层132a，此时绝缘层132b的锥形角度优选大于绝缘层132a的锥形角度。
另外，绝缘层134具有从衬底101一侧依次层叠有绝缘层134a及绝缘层134b的叠层结构。绝缘层134b的厚度大于绝缘层134a。此时，绝缘层134b的锥形角度优选小于绝缘层134a的锥形角度。与此相反，绝缘层134b的厚度也可以小于绝缘层134a，此时绝缘层134b的锥形角度优选大于绝缘层134a的锥形角度。
如此，在绝缘层132或绝缘层134采用叠层结构时，通过使厚度越厚的膜的锥形角度越小，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。
注意，不局限于上述结构，厚度较薄的膜的锥形角度也可以小于厚度较厚的膜。另外，绝缘层132或绝缘层134也可以具有三层以上的叠层结构。
另外，像素电极111R从衬底101一侧依次层叠有导电层111a及导电层111b。在此，示出导电层111b覆盖导电层111a的端部的例子。由此，可以由导电层111b保护导电层111a的表面。
导电层111a可以使用对EL层112R所发射的光具有反射性的膜。另一方面，导电层111b可以使用对该光具有透射性的膜。
作为导电层111a例如可以使用金属膜或合金膜。在作为导电层111a使用铝、银等的对可见光具有高反射性的金属膜或者它们的合金膜时，可以提高发光元件110R的光提取效率，所以是优选的。
作为导电层111b，可以使用对可见光具有透光性的导电材料。例如，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、含有硅的铟锡氧化物、含有硅的铟锌氧化物等导电氧化物。
另外，也可以作为图4B或图4C所示的像素电极111R的一个端部(区域117R)采用图10至图12中的任意结构且作为另一个端部(区域118R)采用图10至图12中的其他结构。如此那样在一个像素电极的各端部分别形成分隔壁的结构也是有效的。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式5)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的结构例子。
[显示装置的结构例子7]
图13A是本发明的一个方式的显示装置100的俯视示意图。显示装置100包括呈现红色的多个发光元件110R、呈现绿色的多个发光元件110G及呈现蓝色的多个发光元件110B。在图13A中，为了易于区别各发光元件，将R、G、B的符号记载于各发光元件的发光区域内。
发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B都排列为矩阵状。图13A示出在一个方向上排列同一种颜色的发光元件的所谓的条纹排列。注意，发光元件的排列方法不局限于此，既可以采用S条纹排列、delta排列、拜耳排列、zigzag排列等排列方法，也可以采用pentile排列。
发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B在X方向上排列。此外，相同颜色的发光元件在与X方向交叉的Y方向上排列。
图13B是对应于图13A中的点划线A1-A2的截面示意图，图13C是对应于点划线B1-B2的截面示意图。
图13B示出发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B的截面。发光元件110R包括像素电极111R、EL层112R及公共电极113。发光元件110G包括像素电极111G、EL层112G及公共电极113。发光元件110B包括像素电极111B、EL层112B及公共电极113。公共电极113共同设置在发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B中。
在本发明的一个方式中，优选以覆盖像素电极111R等(是指像素电极111R、像素电极111G或像素电极111B)的端部的方式设置绝缘层(也称为堤、堤坝或分隔壁)。
通过设置该分隔壁，可以提高分隔壁上的EL层112R等(是指EL层112R、EL层112G或EL层112B)的台阶覆盖性。另外，可以防止EL层112R等在像素电极111R等的端部减薄，所以可以防止泄漏电流的增大。另外，可以防止配置在EL层112R等上的公共电极113与像素电极111R等电短路。该分隔壁可以由单层的绝缘层或多个绝缘层构成。
图13B示出包括多个绝缘层的分隔壁的例子。具体而言，设置有覆盖像素电极111R等的端部的绝缘层134以及绝缘层134上的绝缘层131。
绝缘层134、绝缘层131都具有与EL层112R等重叠的部分和不与EL层112R等重叠的部分。
另外，绝缘层134具有与像素电极111R等重叠的部分和不与像素电极111R等重叠的部分。另外，绝缘层134上的绝缘层131具有隔着绝缘层134与像素电极111R等重叠的部分和不与像素电极111R等重叠的部分。
另外，绝缘层134的端部优选具有在该端部方向上比绝缘层131的端部突出的区域(也称为比端部延伸的区域)。在俯视时，绝缘层131优选具有其轮廓位于绝缘层134的轮廓的内侧的部分。此时，EL层112R等具有在像素电极111R等上与绝缘层134接触的区域。
另外，绝缘层134的端部也可以具有被绝缘层131覆盖的区域。此时，绝缘层134的该区域不与EL层112R等接触。
在此，绝缘层134被用作保护像素电极111R的层(也称为保护层)。
图14示出绝缘层134被用作保护层的具体例子。图14A是示出图13A中的发光元件110R的一部分及其附近的图，图14B及图14C是对应于图14A中的点划线D1-D2的截面示意图的一个例子。D1-D2表示像素电极111R与层161电连接的部分。
在图14B及图14C中，层161例如为与晶体管电连接的层(导电层或半导体层等)，层161上配置有用作平坦化膜的绝缘层162。并且，配置在绝缘层162上的像素电极111R通过绝缘层162的接触孔163与层161电连接。注意，绝缘层162是图13中的衬底101所包括的绝缘层。
如图14B所示，像素电极111R上的显示区域以外的部分(例如，包括接触孔163的部分)优选设置有分隔壁。然而，例如在作为分隔壁配置绝缘层131的单层时，有因分隔壁上的EL层的形成工序而绝缘层131消失的担忧。例如，在通过蚀刻形成EL层时分隔壁有可能消失。
通过如图14C所示那样在绝缘层131下设置绝缘层134，即使绝缘层131的一部分消失，绝缘层134也用作保护层(蚀刻停止层)而可以防止像素电极111R的露出。其结果，可以防止像素电极111R与公共电极113的短路。
如此，通过采用绝缘层131下配置绝缘层134的结构，可以减少显示装置的不良而提高显示品质。
接着，示出作为绝缘层134及绝缘层131优选使用的材料的一个例子。
绝缘层134优选使用包含无机绝缘材料(也称为无机材料或无机物)的绝缘膜。绝缘层134更优选使用对EL层112R的蚀刻工序具有蚀刻耐性的绝缘膜。通过使用上述材料，可以提高绝缘层134的作为保护层的功能。
绝缘层131优选使用包含有机树脂等的有机绝缘材料(也称为有机材料或有机物)的绝缘膜。此时，绝缘层131的端部优选具有平缓的曲面形状。由此，可以提高形成在绝缘层131的上方的层(EL层等)的台阶覆盖性。
作为能够用于绝缘层134的无机绝缘材料的具体例子，可以使用如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪等氧化物或氮化物膜。此外，也可以使用氧化钇、氧化锆、氧化镓、氧化钽、氧化镁、氧化镧、氧化铈及氧化钕等。
作为能够用于绝缘层131的材料的具体例子，可以举出丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。
如此，通过使用适合于绝缘层134及绝缘层131的材料，可以提高作为分隔壁的功能。注意，上述材料是一个例子，也可以使用其他材料。例如，作为绝缘层134也可以使用有机树脂等的有机绝缘材料。此时，可以形成较高分隔壁且可以赋予与上述蚀刻停止层同样的功能。另外，绝缘层131也可以使用无机绝缘材料形成。
另外，绝缘层134或绝缘层131的端部优选具有锥形形状。由此，可以提高形成在上述绝缘层上的膜的台阶覆盖性。注意，在本说明书等中，对象物的端部具有锥形形状是指：在其端部的区域中表面与被形成面所成的角度大于0度且小于90度，优选为5度以上且70度以下，并且具有从端部连续增加厚度的截面形状。
另外，绝缘层134的厚度优选比绝缘层131薄。通过形成较薄的绝缘层134，例如可以提高形成在绝缘层134端部上的膜的台阶覆盖性。
注意，在图14中以发光元件110R为例进行说明，发光元件110G及发光元件110B也可以采用同样结构。
图13A示出与公共电极113电连接的连接电极111C。连接电极111C被供应用来供应给公共电极113的电位(例如阳极电位或阴极电位)。连接电极111C设置在发光元件110R等排列的显示区域外。此外，图13A以虚线示出公共电极113。
连接电极111C可以沿着显示区域的外周设置。例如，既可以沿着显示区域的外周的一边设置，也可以沿着显示区域的外周的两个以上的边设置。就是说，在显示区域的顶面形状为长方形时，连接电极111C的顶面形状可以为带状、L字状、U字状(方括号状)或四角形等。
图13D是对应于图13A中的点划线C1-C2的截面示意图。图13D示出连接电极111C与公共电极113电连接的连接部130。在连接部130中，连接电极111C上与其接触地设置有公共电极113。此外，以覆盖连接电极111C的端部的方式设置有绝缘层134及绝缘层131。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式6)
下面，参照附图说明本发明的一个方式的显示装置的其他结构例子。注意，以下关于与结构例子7等重复的部分援用上述说明而省略其说明。
图15及图16是本发明的显示装置的其他结构例子的显示装置100F至100H、显示装置100J及显示装置100K的截面示意图。显示装置100F至显示装置100H、显示装置100J及显示装置100K的俯视图与图13A相同。
[显示装置的结构例子8]
图15A是显示装置100F的截面示意图(相当于图13A的X方向的截面)。显示装置100F是通过改变EL层112R、EL层112G及EL层112B的厚度实现微腔结构的例子。通过采用这种结构，不需还设置光学调整层，所以可以简化工序。
例如，在显示装置100F中，发射波长最长的光的发光元件110R的EL层112R最厚，发射波长最短的光的发光元件110B的EL层112B最薄。注意，不局限于此，可以考虑各发光元件所发射的光的波长、构成发光元件的层的光学特性以及发光元件的电特性等调整各EL层的厚度。
[显示装置的结构例子9]
图15B是显示装置100G的截面示意图(相当于图13A的X方向的截面)。显示装置100G是设置有光学调整层的例子。
发光元件110R在像素电极111R与EL层112R之间包括光学调整层115R。发光元件110G在像素电极111G与EL层112G之间包括光学调整层115G。发光元件110B在像素电极111B与EL层112B之间包括光学调整层115B。
光学调整层115R、光学调整层115G及光学调整层115B都对应于图24C等所示的导电层111b。另外，此时像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B都对应于导电层111a。
再者，光学调整层115R、光学调整层115G及光学调整层115B都对可见光具有透光性。光学调整层115R、光学调整层115G及光学调整层115B的厚度都不同。例如，以光学调整层115R的厚度>光学调整层115G的厚度>光学调整层115B的厚度的方式调整厚度，即可。由此，可以使各发光元件间的光路长度不同。另外，光学调整层优选具有与绝缘层134及绝缘层131重叠的区域。
在此，作为像素电极111R等使用对可见光具有反射性的导电膜，作为公共电极113使用对可见光具有反射性及透射性的导电膜。由此，各发光元件实现了所谓的微腔结构(微谐振器结构)，增强特定波长的光。由此，可以实现色纯度得到提高的显示装置。
作为各光学调整层，可以使用对可见光具有透光性的导电材料。例如，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、含有镓的氧化锌、含有硅的铟锡氧化物、含有硅的铟锌氧化物等导电氧化物。
各光学调整层可以在形成像素电极111R等之后且形成将成为EL层112R的膜(EL膜112Rf)等之前形成。各光学调整层可以使用厚度互不相同的导电膜，也可以按各光学调整层的厚度的升序依次采用单层结构、两层结构、三层结构等。另外，有时将层叠有像素电极111R和光学调整层115R的层称为像素电极。
另外，作为光学调整层115R等，也可以使用包含氮化硅的膜(也称为氮化硅膜)或包含氧化硅的膜(也称为氧化硅膜)等的绝缘层。通过使用上述层的单层或叠层，可以调整厚度。例如，也可以按每个颜色改变层数，例如，作为光学调整层115R使用三层绝缘层(单层氮化硅膜与两层氧化硅膜的叠层)，作为光学调整层115G使用两层绝缘层(单层氮化硅膜与单层氧化硅膜的叠层)，并且作为光学调整层115B使用单层绝缘层(氮化硅膜或氧化硅膜)。另外，也可以在想要增大厚度的颜色的发光元件中设置该绝缘层。
另外，作为光学调整层，也可以在这些绝缘层上设置上述具有透光性的导电膜。此时，该导电膜被用作发光元件的像素电极。另外，像素电极111R等可以用作反射膜。
[显示装置的结构例子10]
图15C是显示装置100H的截面示意图(相当于图13A的X方向的截面)。
显示装置100H是除了图15B的显示装置100G以外还设置像素电极111R等下的导电层116R等(是指导电层116R、导电层116G或导电层116B)的例子。
如图14B等所示，像素电极111R等与设置在其下方的层161电连接。于是，通过在像素电极111R等与层161间设置导电层116R等，像素电极111R等与层161的连接有时变得良好。导电层116R等优选具有与绝缘层134及绝缘层131重叠的区域。
导电层116R等可以使用具有透光性的材料或具有反射性的材料形成。作为具有透光性的材料，可以适当地从作为光学调整层115R的材料记载的材料中选择。此时，导电层116R等尤其优选使用与光学调整层115R相同的材料形成，也可以使用不同材料。作为具有反射性的材料，可以适当地从作为像素电极111R的材料记载的材料中选择。此时，导电层116R等优选使用与像素电极111R不同的材料形成，但是也可以使用相同材料。
另外，导电层116R等可以使用单层的导电层或两层以上的导电层构成。另外，有时将层叠有导电层116R等、像素电极111R等和光学调整层115R等的层称为像素电极。
[显示装置的结构例子11]
图15D是显示装置100J的截面示意图(相当于图13A的Y方向的截面)。显示装置100J是采用在Y方向上延伸的带状EL层112R及公共电极113时的例子。图15D示出在Y方向上排列配置的两个发光元件110R的截面。另外，图15D示出在X方向上延伸的分隔壁X(绝缘层134或绝缘层131等)的截面。
通过如图15D那样在Y方向上以具有带状形状的方式形成EL层112R，没有需要分割EL层112R所需的空间，而可以缩小发光元件间的非发光区域的面积，由此可以提高开口率。
另外，在X方向上延伸的分隔壁X具有高度X1的区域(图15D)。另外，在Y方向上延伸的分隔壁Y具有高度Y1的区域(图13B)。分隔壁的高度是指衬底101的顶面至分隔壁的顶面的距离。该高度X1和高度Y1也可以互不相同。例如，高度X1可以低于高度Y1。通过使高度X1低，可以容易以超过分隔壁X连续的方式形成EL层112R。就是说，容易将EL层112R延伸为带状。另外，也可以使高度X1低于高度Y1。
作为改变分隔壁的高度的方法，例如可以举出：使低区域中的分隔壁(绝缘层134或绝缘层131)的层数少于高区域。另外，如下方法也是有效的：使低区域中的绝缘层的厚度小于高区域。另外，例如在图13C那样的EL层112R不延伸为带状的情况下也可以采用调整分隔壁的高度的方法。另外，可以分别使分隔壁X中的多个区域的高度不同。例如，也可以改变像素电极111R的端部、像素电极111G的端部以及像素电极111B的端部中的分隔壁X的高度。同样地，也可以使分隔壁Y中的多个区域的高度不同。
[显示装置的结构例子12]
图16A是显示装置100K的截面示意图(相当于图13A的X方向的截面)。与显示装置100(图13)不同之处在于：包括作为公共层的EL层114；以及包括保护层121。
EL层114以与EL层112R、EL层112G及EL层112B的顶面接触的方式设置。作为EL层114，可以采用电子传输层或电子注入层。或者，作为EL层114也可以使用空穴注入层或空穴传输层。在作为EL层114例如采用电子注入层时，可以以相同工序形成发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B中的电子注入层。
另外，保护层121位于公共电极113上且设置在发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B上。另外，滤色片、触摸传感器的电极或透镜阵列也可以具有与本说明书所公开的分隔壁(绝缘层134或绝缘层131等)的端部重叠的区域。不局限于此，也可以不具有重叠区域。
另外，也可以在公共电极113与保护层121间设置层(也称为盖层或保护层)。盖层具有防止从各发光元件发射的光的全反射的功能。盖层优选使用其折射率高于公共电极113的材料形成。盖层可以使用有机物或无机物形成。另外，盖层的厚度优选大于公共电极113。另外，也可以对盖层赋予防止水等杂质从上方向各发光元件扩散的功能。
另外，在各结构例子中，像素电极111R等的一个端部附近的结构与其他部分端部附近的结构也可以互不相同。例如，如图16B所示，包括像素电极111R的一个端部的区域117R中的分隔壁与像素电极111R重叠的面积也可以大于包括另一个端部的区域118R中的分隔壁与像素电极111R重叠的面积。
另外，如图16C所示，绝缘层134的端部具有比绝缘层131突出的部分(也称为突出部分)。并且，区域117R中的突出部分与像素电极111R重叠的面积也可以小于区域118R中的突出部分与像素电极111R重叠的面积。
另外，在像素电极111R上，绝缘层134有时覆盖绝缘层131(将在后面说明的图24A或图24B等)。在此情况下，通过分别设定区域117R及区域118R中的绝缘层134或绝缘层131的大小，可以分别制造分隔壁的结构。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式7)
以下，示出本发明的显示装置的制造方法的一个方式。
在以下所示的本发明的显示装置的制造方法的一个方式中，可以将EL层加工为微细图案而不用金属掩模等荫罩。由此，与使用荫罩的情况相比，可以实现具有高清晰度及高开口率的显示装置。并且，因为可以分别形成EL层，所以可以实现极为鲜明、对比度极高且显示品质极高的显示装置。以下，参照附图说明制造方法的一个方式的详细内容。
[显示装置的制造方法例子3]
在此，以上述结构例子12示出的显示装置100K为例进行说明。图17A至图20C是以下示出的显示装置的制造方法的各工序中的截面示意图。此外，图17A等的右侧示出连接部130及其附近的截面示意图。
[衬底101的准备]
作为衬底101，可以使用至少具有能够承受后面的热处理程度的耐热性的衬底(图17A)。例如，作为衬底101优选使用如图14B或图14C所示的形成有用作平坦化膜的绝缘层162的衬底。
[像素电极111R、111G、111B、连接电极111C的形成]
接着，在衬底101上形成像素电极111R、像素电极111G、像素电极111B及连接电极111C(图17A)。首先，沉积将成为像素电极的导电膜，通过光刻法形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻去除导电膜的不需要的部分。然后，去除抗蚀剂掩模，由此可以形成像素电极111R、像素电极111G及像素电极111B。
[绝缘膜134f的形成]
接着，以覆盖像素电极111R上、像素电极111G、像素电极111B及连接电极111C的方式形成绝缘膜134f(图17A)。绝缘膜134f将在后面成为绝缘层134。
绝缘膜134f可以利用ALD法、溅射法、CVD法、PLD法、蒸镀法等沉积法或者上述方法的组合而形成。
[绝缘层131的形成]
接着，以覆盖绝缘膜134f的方式沉积绝缘膜131f。作为绝缘膜131f，可以使用包含感光有机树脂的膜。
绝缘膜131f可以通过旋涂法、喷墨法等的湿式沉积方法形成。沉积后，也可以进行加热处理而使材料中的溶剂挥发或者使材料固化。
在沉积绝缘膜131f之后使用光掩模151照射光152(图17B)。在此，示出作为绝缘膜131f使用具有对于显影液的溶解性通过感光得到提高的所谓正型感光性的材料的例子。
然后，通过进行显影处理而形成绝缘层131(图17C)。
此时，优选的是，通过调整曝光处理中的曝光时间、曝光强度等，以绝缘层131的图案宽度小于光掩模151的掩模图案的图案宽度的方式形成绝缘层131。例如，以曝光量大于适当值的条件进行曝光。
[绝缘层134的形成]
接着，在绝缘膜134f上及绝缘层131上沉积抗蚀剂膜141f(图17D)。
抗蚀剂膜141f可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等的含有感光性树脂的抗蚀剂材料。
接着，使用光掩模151对抗蚀剂膜141f照射光153(图17D)。
接着，通过对抗蚀剂膜141f进行显影处理，形成抗蚀剂掩模141(图17E)。
在此，形成上述绝缘层131时使用的光掩模和形成抗蚀剂掩模141时使用的光掩模可以相同。注意，不需要严格地使用同一光掩模，可以使用为形成同一图案制造的光掩模。形成绝缘层131成时和形成抗蚀剂掩模141时可以共同使用光掩模151，所以可以降低生产成本。
另外，形成绝缘层131时使用的光掩模和形成抗蚀剂掩模141时使用的光掩模也可以不同。
如图17E所示，优选以包围绝缘层131的方式形成抗蚀剂掩模141。
接着，蚀刻绝缘膜134f中的不被抗蚀剂掩模141覆盖的部分。然后，去除抗蚀剂掩模141。由此，形成绝缘层134(图17F)。绝缘层134的端部在像素电极111R上具有比绝缘层131的端部突出的部分。另外，通过适当地改变上述曝光条件及蚀刻条件等，可以形成本说明书所公开的分隔壁(绝缘层134及绝缘层131)的结构。
另外，通过使用不同光掩模形成绝缘层131及绝缘层134，可以形成各种结构。例如，绝缘层134的一个端部也可以比绝缘层131突出(例如图17F)，绝缘层134的另一个端部也可以被绝缘层131覆盖(例如图22F)。
[EL膜112Rf的形成]
接着，在像素电极111R、像素电极111G、像素电极111B及分隔壁上(绝缘层134上及绝缘层131上)沉积EL膜112Rf(图18A)。EL膜112Rf将在后面成为EL层112R。
EL膜112Rf优选以不在连接电极111C上设置的方式形成。例如，在通过蒸镀法或溅射法形成EL膜112Rf时，优选以不在连接电极111C上沉积EL膜112Rf的方式使用遮蔽掩模形成。
[牺牲膜144a的形成]
接着，以覆盖EL膜112Rf的方式形成牺牲膜144a(图18A)。此外，牺牲膜144a以与连接电极111C的顶面接触的方式设置。
牺牲膜144a可以使用对EL膜112Rf等各EL膜的蚀刻处理具有高耐性的膜，即蚀刻选择比大的膜。另外，牺牲膜144a可以使用相对于后面说明的牺牲膜146a等牺牲膜的蚀刻选择比大的膜。尤其优选的是，牺牲膜144a使用可通过给各EL膜带来的损伤少的湿蚀刻法去除的膜。
[牺牲膜146a的形成]
接着，在牺牲膜144a上形成牺牲膜146a(图18A)。
牺牲膜146a是被用作后面对牺牲膜144a进行蚀刻时的硬掩模的膜。另外，在后面的牺牲膜146a的加工时，牺牲膜144a露出。因此，作为牺牲膜144a和牺牲膜146a，选择它们之间的蚀刻选择比大的膜的组合。由此，可以根据牺牲膜144a的蚀刻条件以及牺牲膜146a的蚀刻条件而选择可用作牺牲膜146a的膜。
例如，在作为牺牲膜146a的蚀刻利用使用含有氟的气体(也称为氟类气体)的干蚀刻时，可以将硅、氮化硅、氧化硅、钨、钛、钼、钽、氮化钽、含有钼及铌的合金或者含有钼及钨的合金等用于牺牲膜146a。在此，作为相对于上述使用氟类气体的干蚀刻的蚀刻选择比很大(换言之，可以使蚀刻速率慢)的膜，有IGZO、ITO等金属氧化物膜等，可以将上述膜用于牺牲膜144a。
注意，不局限于此，牺牲膜146a可以根据牺牲膜144a的蚀刻条件以及牺牲膜146a的蚀刻条件从各种材料中选择。例如，也可以从可用于上述牺牲膜144a的膜中选择。
此外，作为牺牲膜146a也可以使用可用于EL膜112Rf等的有机膜。例如，可以将与用于EL膜112Rf、EL膜112Gf或EL膜112Bf的有机膜相同的膜用于牺牲膜146a。通过使用这种有机膜，可以与EL膜112Rf等共同使用沉积装置，所以是优选的。再者，在使用后面的牺牲层作为掩模蚀刻EL膜112Rf等时可以同时去除，所以可以简化工序。
[抗蚀剂掩模143a的形成]
接着，在牺牲膜146a上且在与像素电极111R重叠的位置及与连接电极111C重叠的位置上分别形成抗蚀剂掩模143a(图18B)。
抗蚀剂掩模143a可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等的含有感光性树脂的抗蚀剂材料。
在此，当以没有牺牲膜146a的状态在牺牲膜144a上形成抗蚀剂掩模143a时，在牺牲膜144a中有针孔等缺陷的情况下，有可能因抗蚀剂材料的溶剂而EL膜112Rf溶解。通过使用牺牲膜146a，可以防止发生这种不良。
注意，在作为牺牲膜144a使用不容易产生针孔等缺陷的膜或者作为EL膜112Rf使用不被抗蚀剂材料的溶剂溶解的材料的情况等下，有时也可以在牺牲膜144a上直接形成抗蚀剂掩模143a而不使用牺牲膜146a。
[牺牲膜146a的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除牺牲膜146a的不被抗蚀剂掩模143a覆盖的一部分，形成带状牺牲层147a(图18C)。此时，同时也在连接电极111C上形成牺牲层147a。
当对牺牲膜146a进行蚀刻时，优选采用选择比高的蚀刻条件以防止因该蚀刻而牺牲膜144a被去除。牺牲膜146a的蚀刻可以利用湿蚀刻或干蚀刻进行，但通过利用干蚀刻，可以抑制牺牲膜146a的图案缩小。
[抗蚀剂掩模143a的去除]
接着，去除抗蚀剂掩模143a(图18D)。
抗蚀剂掩模143a的去除可以利用湿蚀刻或干蚀刻进行。尤其优选的是，利用将氧气体用作蚀刻气体的干蚀刻(也称为等离子体灰化)去除抗蚀剂掩模143a。
此时，抗蚀剂掩模143a的去除在EL膜112Rf被牺牲膜144a覆盖的状态下进行，因此EL膜112Rf所受的影响得到抑制。尤其是，在EL膜112Rf暴露于氧时有时给电特性带来负面影响，所以在进行等离子体灰化等利用氧气体的蚀刻的情况下这是优选的。
[牺牲膜144a的蚀刻]
接着，将牺牲层147a用作掩模而通过蚀刻去除牺牲膜144a的不被牺牲层147a覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层145a(图18E)。此时，同时也在连接电极111C上形成牺牲层145a。
牺牲膜144a的蚀刻可以利用湿蚀刻或干蚀刻进行，但优选利用干蚀刻，由此可以抑制图案的缩小。
[EL膜112Rf的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145a覆盖的EL膜112Rf的一部分，形成岛状或带状EL层112R(图18F)。通过EL膜112Rf的蚀刻，像素电极111G、像素电极111B及绝缘层131的顶面被露出。
尤其是，EL膜112Rf的蚀刻优选利用使用主要成分中不包含氧的蚀刻气体的干蚀刻。由此，可以抑制EL膜112Rf的变质，而可以实现可靠性高的显示装置。作为主要成分中不包含氧的蚀刻气体，例如可以举出CF4、C4F8、SF6、CHF3、Cl2、H2O、BCl3、H2或者He等贵气体。另外，可以将上述气体和不包含氧的稀释气体的混合气体用作蚀刻气体。
注意，EL膜112Rf的蚀刻不局限于上述方法，既可以利用使用其他气体的干蚀刻进行，又可以利用湿蚀刻进行。
另外，当在EL膜112Rf的蚀刻中使用含氧气体的蚀刻气体或使用氧气体的干蚀刻时，可以提高蚀刻速率。由此，可以在将蚀刻速率保持为足够的速度的状态下以低功率的条件进行蚀刻，因此可以降低蚀刻所带来的损伤。并且，可以抑制蚀刻时发生的反应生成物的附着等不良。例如，可以使用对上述主要成分中不包含氧的蚀刻气体添加氧气体的蚀刻气体。
在蚀刻EL膜112Rf时绝缘层131露出。在对EL膜112Rf进行蚀刻时有时绝缘层131的上部被蚀刻而不被EL层112R覆盖的部分薄膜化。另外，绝缘层131的一部分有时被消失。即使绝缘层131的一部分消失，下部的绝缘层134用作蚀刻停止层而可以防止像素电极(显示区域除外)的露出及消失。
另外，可以在蚀刻EL膜112Rf的同时蚀刻牺牲层147a(图18F)。通过以同一个处理对EL膜112Rf及牺牲层147a进行蚀刻，可以简化工序，而可以减少显示装置的制造成本，因此是优选的。另外，也可以不进行蚀刻而留下牺牲层147a。通过留下牺牲层147a，可以保护EL膜112Rf。此时，在后面工序中蚀刻牺牲层145时蚀刻牺牲层147a，即可。
[EL膜112Gf的形成]
接着，在绝缘层131、像素电极111G及像素电极111B上沉积将在后面成为EL层112G的EL膜112Gf(图19A)。此时，与上述EL膜112Rf同样地，优选不在连接电极111C上设置EL膜112Gf。
EL膜112Gf的形成方法可以参照上述EL膜112Rf的记载。
[牺牲膜144b的形成]
接着，在EL膜112Gf上形成牺牲膜144b(图19A)。牺牲膜144b可以以与上述牺牲膜144a同样的方法形成。尤其是，牺牲膜144b优选使用与牺牲膜144a相同的材料。
此时，同时在连接电极111C上以覆盖牺牲层145a的方式形成牺牲膜144b。
[牺牲膜146b的形成]
接着，在牺牲膜144b上形成牺牲膜146b(图19A)。牺牲膜146b可以使用与上述牺牲膜146a同样的方法形成。尤其是，牺牲膜146b优选使用与上述牺牲膜146a相同的材料。
[抗蚀剂掩模143b的形成]
接着，在牺牲膜146b上且在与像素电极111G重叠的区域形成抗蚀剂掩模143b(图19B)。
抗蚀剂掩模143b可以使用与上述抗蚀剂掩模143a同样的方法形成。
注意，在此，连接电极111C由牺牲层145a保护，所以也可以不形成抗蚀剂掩模143b。另外，也可以以覆盖连接电极111C的方式设置抗蚀剂掩模143b。
抗蚀剂掩模143b可以使用与上述抗蚀剂掩模143a同样的方法形成。
[牺牲膜146b的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除牺牲膜146b的不被抗蚀剂掩模143b覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层147b(图19C)。此时，同时，连接电极111C上的牺牲膜146b的不被抗蚀剂掩模143b覆盖的一部分也通过蚀刻被去除。
牺牲膜146b的蚀刻可以援用上述牺牲膜146a的记载。
[抗蚀剂掩模143b的去除]
接着，去除抗蚀剂掩模143b。抗蚀剂掩模143b的去除可以援用上述抗蚀剂掩模143a的记载。
[牺牲膜144b的蚀刻]
接着，将牺牲层147b用作掩模而通过蚀刻去除牺牲膜144b的不被牺牲层147b覆盖的一部分，形成岛状或带状牺牲层145b(图19D)。此时，同时，连接电极111C上的牺牲膜144b的不被牺牲层147b覆盖的一部分也通过蚀刻被去除。
牺牲膜144b的蚀刻可以援用上述牺牲膜144a的记载。
[EL膜112Gf的蚀刻]
接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145b覆盖的EL膜112Gf的一部分，形成岛状或带状EL层112G(图19D)。
EL膜112Gf的蚀刻可以援用上述EL膜112Rf的记载。此时，通过包括绝缘层134及绝缘层131，可以得到与形成EL层112R时同样的效果。
另外，EL层112R及连接电极111C被牺牲层145a保护，所以可以防止在EL膜112Gf的蚀刻工序中受到损伤。
如此，岛状或带状EL层112R及岛状或带状EL层112G可以以高位置精度分别形成。
[EL层112B的形成]
通过对EL膜112Bf(未图示)进行上述工序，可以形成岛状或带状EL层112B及牺牲层145c(图19E)。
就是说，在形成EL层112G之后，依次形成EL膜112Bf、牺牲膜144c、牺牲膜146c及抗蚀剂掩模143c(都未图示)。接着，在对牺牲膜146c进行蚀刻来形成牺牲层147c(未图示)之后，去除抗蚀剂掩模143c。接着，对牺牲膜144c进行蚀刻形成牺牲层145c。然后，对EL膜112Bf进行蚀刻形成岛状或带状EL层112B。此时，通过包括绝缘层134及绝缘层131，可以得到与形成EL层112R时同样的效果。
[牺牲层的去除]
接着，去除牺牲层145a、牺牲层145b及牺牲层145c，使EL层112R、EL层112G及EL层112B的顶面露出(图20A)。此时，同时也使连接电极111C的顶面露出。
牺牲层145a、牺牲层145b及牺牲层145c(以下，总称为牺牲层145)的蚀刻优选通过同一工序进行。
牺牲层145及牺牲层147可以利用湿蚀刻或干蚀刻去除。此时，优选利用尽可能不给EL层112R、EL层112G及EL层112B带来损伤的方法。尤其优选利用湿蚀刻法。例如，优选利用使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)、稀氢氟酸、草酸、磷酸、醋酸、硝酸或它们的混合液体的湿蚀刻。
或者，优选将牺牲层145和牺牲层147中的任一方或双方溶解在水或醇等溶剂中来去除。在此，作为可溶解牺牲层145或牺牲层147的醇，可以利用乙醇、甲醇、异丙醇(IPA)或甘油等各种醇。
为了在去除牺牲层145及牺牲层147之后去除包含在EL层112R、EL层112G及EL层112B内部的水及吸附于表面的水，优选进行干燥处理。例如，优选在非活性气体气氛或减压气氛下进行加热处理。加热处理可以在50℃以上且200℃以下、优选为60℃以上且150℃以下、更优选为70℃以上且120℃以下的衬底温度下进行。通过采用减压气氛，可以在更低温下进行干燥，所以是优选的。
如此，可以分别形成EL层112R、EL层112G及EL层112B。再者，通过反复进行上述工序，可以分别形成四种以上的颜色的发光元件的EL层，而可以实现包括四种以上的颜色的发光元件的显示装置。另外，在形成单一发光元件或者分别形成两种颜色的发光元件时也可以采用上述工序的一部分。
[EL层114的形成]
接着，覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B沉积EL层114(图20B)。
EL层114可以使用与EL膜112Rf等同样的方法沉积。在利用蒸镀法沉积EL层114时，优选以不使EL层114沉积在连接电极111C上的方式使用遮蔽掩模沉积。
[公共电极113的形成]
接着，以覆盖EL层114及连接电极111C的方式形成公共电极113(图20B)。
公共电极113可以利用蒸镀法或溅射法等沉积方法形成。或者，也可以层叠利用蒸镀法形成的膜及利用溅射法形成的膜。此时，优选以包括沉积EL层114的区域的方式形成公共电极113。就是说，EL层114的端部可以与公共电极113重叠。公共电极113优选使用遮蔽掩模形成。
另外，公共电极113在显示区域外与连接电极111C电连接。
[保护层121的形成]
接着，在公共电极113上形成保护层121(图20C)。用于保护层121的无机绝缘膜的沉积优选利用溅射法、PECVD法或ALD法。尤其是，ALD法由于台阶覆盖性良好且不容易产生针孔等缺陷，所以是优选的。此外，有机绝缘膜的沉积在利用喷墨法时可以在所希望的区域形成均匀的膜，所以是优选的。
构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed LaserDeposition)法、原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法、热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
此外，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等方法形成。
此外，当对构成显示装置的薄膜进行加工时，可以利用光刻法等。除了上述方法以外，还可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，可以通过利用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状的薄膜。
光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻等对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在沉积感光性薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。
在光刻法中，作为用于曝光的光，例如可以使用i线(波长为365nm)、g线(波长为436nm)、h线(波长为405nm)或将这些光混合而成的光。此外，还可以使用紫外线、KrF激光或ArF激光等。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。作为用于曝光的光，也可以使用极紫外(EUV：Extreme Ultra-violet)光、X射线等。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其微细的加工，所以是优选的。此外，在通过电子束等光束的扫描进行曝光时，不需要光掩模。
作为薄膜的蚀刻方法，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法及喷砂法等。
通过上述工序，可以制造图16A所示的显示装置100K。
[显示装置的制造方法例子4]
注意，在上述中示出以其顶面形状彼此不同的方式形成公共电极113与EL层114的情况，但是也可以在相同的区域形成它们。
图21A是上述中去除牺牲层之后的截面示意图。接着，如图21B所示，EL层114及公共电极113使用同一遮蔽掩模或不使用遮蔽掩模形成。由此，与使用不同遮蔽掩模的情况相比，可以降低制造成本。
此时，如图21B所示，在连接部130中，在连接电极111C与公共电极113之间夹持EL层114。此时，作为EL层114优选使用电阻尽可能低的材料。或者，优选的是，通过尽可能形成得薄，降低EL层114的厚度方向的电阻。例如，通过作为EL层114使用厚度为1nm以上且5nm以下，优选为1nm以上且3nm以下的具有电子注入性或空穴注入性的材料，有时可以使连接电极111C与公共电极113之间的电阻小到忽略的程度。
接着，如图21C所示，形成保护层121。此时，优选以覆盖公共电极113的端部及EL层114的端部的方式设置保护层121。由此，可以有效地防止水或氧等杂质从外部扩散到EL层114及EL层114与公共电极113的界面。
[显示装置的制造方法例子5]
在上面示出绝缘层134的端部的一部分或全部比绝缘层131的端部突出的结构的制造方法例子，但是也可以采用绝缘层131覆盖绝缘层134的端部的一部分或全部的结构。使用图22说明其制造方法例子。省略记载的部分等可以参照制造方法例子1等。
首先，在像素电极111R等上形成绝缘膜134f(图22A)。
接着，在绝缘膜134f上形成抗蚀剂膜141f(图22B)。
接着，使用光掩模151对抗蚀剂膜141f进行曝光(照射光153)(图22B)，然后进行抗蚀剂膜141f的显影而形成抗蚀剂掩模141(图22C)。通过设定较长曝光时间，可以减小抗蚀剂掩模141的宽度。
然后，使用抗蚀剂掩模141蚀刻绝缘膜134f而形成绝缘层134(图22D)。
在去除抗蚀剂掩模141之后，在像素电极111R等上及绝缘层134上形成绝缘膜131f上(图22E)。
接着，使用光掩模151对绝缘膜131f进行曝光(照射光152)(图22E)，然后进行绝缘膜131f的显影而形成绝缘层131(图22F)。通过使这曝光时间比上述对抗蚀剂膜141f进行曝光的时间短，可以使绝缘层134的宽度大于抗蚀剂掩模141的宽度。如此，可以使用光掩模151形成绝缘层131覆盖绝缘层134的结构。
另外，通过使用不同光掩模形成绝缘层131及绝缘层134，可以形成各种结构。例如，绝缘层134的一个端部也可以被绝缘层131覆盖(例如图22F)，绝缘层134的另一个端部也可以比绝缘层131突出(例如图17F)。
通过适当地使用上述制造方法例子1至制造方法例子5，可以制造本说明书所公开的结构。
例如在使用金属掩模的形成方法中，难以将不同颜色的EL层之间的间隔设为小于10μm，但是根据上述方法，可以将该间隔缩小到3μm以下、2μm以下或1μm以下。例如，通过使用用于LSI的曝光装置，可以将该间隔还缩小到500nm以下、200nm以下、100nm以下、甚至为50nm以下。由此，可以大幅度缩小两个发光元件间可存在的非发光区域的面积，而可以使开口率近似于100％。例如，还可以实现50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、甚至为90％以上，且低于100％的开口率。
再者，与使用金属掩模的情况相比，还可以使EL层本身的图案极小。另外，例如在使用金属掩模分别形成EL层时，图案的中央与端部产生厚度不均匀，由此相对于图案整体的面积的能够被用作发光区域的有效面积较小。另一方面，在上述制造方法中，通过对沉积为均匀厚度的膜进行加工来形成图案，由此可以在图案内使厚度均匀，即使是微细图案也可以将该图案的大致整体用作发光区域。由此，根据上述制造方法，可以兼具有高清晰度和高开口率。
再者，相邻的两个像素电极之间设置的分隔壁(绝缘层134或绝缘层131)以覆盖像素电极的端部的方式设置。由于像素电极上的被分隔壁覆盖的区域不被用作发光元件的发光区域，所以分隔壁与像素电极重叠的区域的宽度越小，可以使显示装置的有效发光面积比即开口率越高。
EL层的端部位于分隔壁上。此时，在分隔壁上以两个EL层的端部(侧面)对置的方式配置。两个EL层的距离越近，可以使分隔壁的宽度越小，由此可以提高显示装置的开口率。例如，对置的两个EL层的侧面间的距离可以为5μm以下、优选为4μm以下、更优选为3μm以下、进一步优选为2μm以下、更进一步优选为1μm以下且为10nm以上、50nm或100nm以上。
如此，本发明的一个方式可以实现集成了微细发光元件的显示装置。例如无需采用pentile方式等特殊像素排列方式以模拟性地提高清晰度，可以以在一个方向上排列RGB各自的所谓的条纹配置实现具有500ppi以上、1000ppi以上、或者2000ppi以上、甚至为3000ppi以上、甚至为5000ppi以上的清晰度的显示装置。此外，还可以实现具有50％以上、甚至为60％以上、甚至为70％以上，且小于100％的有效发光面积比(开口率)的显示装置。
另外，根据本发明的一个方式可以以高精度制造微型发光元件，所以可以实现复杂的像素排列方法。例如，除了条纹排列之外，还可以采用S条纹排列、拜耳排列、Delta排列等各种排列方法。
注意，在本说明书等中，有效发光面积比是指从显示装置的像素的重复间距算出的一个像素的面积中可视为一个像素中的发光区域的区域的面积所占的比率。
以上说明显示装置的制造方法例子。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式8)
在本实施方式中，详细地说明本发明的一个方式的显示装置中的绝缘层131、绝缘层134及其附近的优选结构。尤其是，应用于图14的接触孔163附近的结构是有效的。
图23及图24是图13等中的发光元件110R的一个端部附近的放大图。注意，在此为了简化说明只示出发光元件110R的一个端部附近，但是发光元件110R的另一个端部、发光元件110G的端部、发光元件110B的端部也可以采用同样结构。
图23A示出绝缘层134的端部及绝缘层131的端部具有锥形形状的结构。将绝缘层134的端部的底面和侧面所形成的角度记作角度θ1，将绝缘层131的端部的底面和侧面所形成的角度记作角度θ2。另外，绝缘层131的端部附近的表面具有曲面形状，所以以虚线示出绝缘层131的端部的切线。
绝缘层131的角度θ2可以大于0度且小于90度、优选为5度以上且70度以下、更优选为10度以上且60度以下、进一步优选为15度以上且50度以下。
绝缘层134的角度θ1可以大于0度且小于90度、优选为10度以上且85度以下、更优选为20度以上且80度以下、进一步优选为25度以上且75度以下。注意，根据加工绝缘层134时的条件，角度θ1有时成为90度以上。
绝缘层131的角度θ2优选小于绝缘层134的角度θ1。通过使绝缘层131的锥形角度θ2小，可以抑制绝缘层134中形成低密度区域。
通过将锥形角度设定为θ2<θ1，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。另外，通过增大绝缘层134和绝缘层131中的厚度更小一方的锥形角度，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。例如，在绝缘层134的厚度小于绝缘层131的厚度时，优选将锥形角度设定为θ1>θ2。与此相反，在绝缘层134的厚度大于绝缘层131的厚度时，优选将锥形角度设定为θ1<θ2。
另外，在绝缘层131的表面具有曲面时，有时顶面和侧面连续而难以区别它们。此时，可以将绝缘层131的端部附近的表面中的厚度从端部增大的部分的表面及厚度一定的部分的表面分别设定为侧面及顶面。
图23B示出绝缘层131的一部分设置有凹部的结构。例如，在蚀刻EL层112R时，有时绝缘层131的一部分消失而形成凹部。
图23C示出绝缘层131的一部分消失而绝缘层134的一部分露出的结构。在这结构中，公共电极113与绝缘层131接触。另外，在发光元件110R和与其相邻的发光元件间，绝缘层131中的不被EL层覆盖的部分通过蚀刻被消失而绝缘层131有时分割成两个。
另外，当在EL层112R与公共电极113间设置EL层114(公共层)时，EL层114与绝缘层134接触。
图23D示出绝缘层134的一部分设置有凹部的结构。例如，在蚀刻EL层112R时，有时绝缘层134的一部分消失而形成凹部。另外，凹部是其厚度比绝缘层134的不被蚀刻的区域小的区域。在这结构中，公共电极113(或EL层114)在该凹部中与绝缘层134接触。
图24A及图24B示出绝缘层134的端部被绝缘层131覆盖的结构。通过在绝缘层131的端部设置平缓的锥形形状，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。可以使用上述制造方法例子3制造。
注意，在图24B中，绝缘层131具有不与绝缘层134和EL层112R的双方重叠的区域119R。
图24C示出绝缘层134及像素电极111R都具有叠层结构时的例子。
另外，绝缘层134具有从衬底101一侧依次层叠有绝缘层134a及绝缘层134b的叠层结构。绝缘层134b的厚度大于绝缘层134a。此时，绝缘层134b的锥形角度优选小于绝缘层134a的锥形角度。与此相反，绝缘层134b的厚度也可以小于绝缘层134a，此时绝缘层134b的锥形角度优选大于绝缘层134a的锥形角度。
如此，在绝缘层134采用叠层结构时，通过使厚度越厚的膜的锥形角度越小，可以提高EL层112R的台阶覆盖性。
注意，不局限于上述结构，厚度较薄的膜的锥形角度也可以小于厚度较厚的膜。另外，绝缘层134也可以具有三层以上的叠层结构。
另外，像素电极111R从衬底101一侧依次层叠有导电层111a及导电层111b。在此，示出导电层111b覆盖导电层111a的端部的例子。由此，可以由导电层111b保护导电层111a的表面。
导电层111a可以使用对EL层112R所发射的光具有反射性的膜。另一方面，导电层111b可以使用对该光具有透射性的膜。
作为导电层111a例如可以使用金属膜或合金膜。在作为导电层111a使用铝、银等的对可见光具有高反射性的金属膜或者它们的合金膜时，可以提高发光元件110R的光提取效率，所以是优选的。
作为导电层111b，可以使用对可见光具有透光性的导电材料。例如，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、含有硅的铟锡氧化物、含有硅的铟锌氧化物等导电氧化物。
另外，也可以作为图16B或图16C所示的像素电极111R的一个端部(区域117R)采用图23或图24中的任意结构且作为另一个端部(区域118R)采用图23或图24中的其他结构。如此那样在一个像素电极的各端部分别形成分隔壁的结构也是有效的。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
(实施方式9)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置的结构例子。
本实施方式的显示装置可以为高分辨率的显示装置或大型显示装置。因此，例如可以将本实施方式的显示装置用作如下装置的显示部：具有较大的屏幕的电子设备诸如电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等；数码相机；数字视频摄像机；数码相框；移动电话机；便携式游戏机；智能手机；手表型终端；平板终端；便携式信息终端；声音再现装置。
[显示装置400A]
图25是显示装置400A的立体图，图26A是显示装置400A的截面图。
显示装置400A具有贴合衬底452与衬底451的结构。在图25中，以虚线表示衬底452。
显示装置400A包括显示部462、电路464及布线465等。图25示出显示装置400A中安装有IC473及FPC472的例子。因此，也可以将图25所示的结构称为包括显示装置400A、IC(集成电路)及FPC的显示模块。
作为电路464，例如可以使用扫描线驱动电路。
布线465具有对显示部462及电路464供应信号及电力的功能。该信号及电力从外部经由FPC472输入到布线465或者从IC473输入到布线465。
图25示出通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封装)方式等在衬底451上设置IC473的例子。作为IC473，例如可以使用包括扫描线驱动电路或信号线驱动电路等的IC。注意，显示装置400A及显示模块不一定必须设置有IC。此外，也可以将IC利用COF方式等安装于FPC。
图26A示出显示装置400A的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分及包括端部的区域的一部分的截面的一个例子。
图26A所示的显示装置400A在衬底451与衬底452之间包括晶体管201、晶体管205、发射红色光的发光元件430a、发射绿色光的发光元件430b以及发射蓝色光的发光元件430c等。
发光元件430a、发光元件430b及发光元件430c可以使用在其他说明部分中示出的发光元件。图26A是采用上述图3B等所示的发光元件的例子。
在此，当显示装置的像素包括具有发射彼此不同颜色的光的发光元件的三个子像素时，作为该三个子像素可以举出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这三种颜色的子像素、黄色(Y)、青色(C)及品红色(M)这三种颜色的子像素等。当包括四个上述子像素时，作为该四个子像素可以举出R、G、B及白色(W)这四种颜色的子像素、R、G、B及Y这四种颜色的子像素等。
保护层416与衬底452由粘合层442粘合。作为对发光元件的密封，可以采用固体密封结构或中空密封结构等。在图26A中，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443填充有非活性气体(氮或氩等)，采用中空密封结构。粘合层442也可以与发光元件重叠。此外，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443也可以填充有与粘合层442不同的树脂。此时，也可以不设置粘合层442。
发光元件430a、发光元件430b、发光元件430c在像素电极与EL层之间包括光学调整层。发光元件430a包括光学调整层426a，发光元件430b包括光学调整层426b，发光元件430c包括光学调整层426c。发光元件的详细内容可以参照本说明书中的其他说明。
像素电极411a、像素电极411b、像素电极411c都通过设置在绝缘层214中的开口与晶体管205所包括的导电层222b连接。
像素电极及光学调整层的端部被分隔壁(绝缘层424、绝缘层421或绝缘层422)覆盖。绝缘层421优选包含有机树脂，绝缘层424及绝缘层422优选包括无机绝缘膜。另外，像素电极包含发射可见光的材料，对置电极包含透射可见光的材料。分隔壁的详细内容可以参照本说明书中的其他说明(例如，图1等中的绝缘层134、绝缘层131或绝缘层132等)。
发光元件将光发射到衬底452一侧。衬底452优选使用对可见光的透射性高的材料。
晶体管201及晶体管205都设置在衬底451上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。
在衬底451上依次设置有绝缘层211、绝缘层213、绝缘层215及绝缘层214。绝缘层211的一部分被用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层213的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层215以覆盖晶体管的方式设置。绝缘层214以覆盖晶体管的方式设置，并被用作平坦化层。此外，对栅极绝缘层的个数及覆盖晶体管的绝缘层的个数没有特别的限制，既可以为一个，又可以为两个以上。
优选的是，将水及氢等杂质不容易扩散的材料用于覆盖晶体管的绝缘层中的至少一个。由此，可以将该绝缘层用作阻挡层。通过采用这种结构，可以有效地抑制杂质从外部扩散到晶体管中，从而可以提高显示装置的可靠性。
作为绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜等。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述无机绝缘膜中的两个以上。
这里，有机绝缘膜的阻挡性在很多情况下低于无机绝缘膜。因此，有机绝缘膜优选在显示装置400A的端部附近具有开口。由此，可以抑制杂质从显示装置400A的端部通过有机绝缘膜进入。此外，也可以以其端部位于显示装置400A的端部的内侧的方式形成有机绝缘膜，以使有机绝缘膜不暴露于显示装置400A的端部。
用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘膜。作为能够用于有机绝缘膜的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。
在图26A所示的区域228中，在绝缘层214中形成有开口。由此，即使在使用有机绝缘膜作为绝缘层214的情况下，也可以抑制杂质从外部通过绝缘层214进入显示部462。由此，可以提高显示装置400A的可靠性。
另外，在区域228中，构成分隔壁的绝缘层(绝缘层424、绝缘层421或绝缘层422)优选以覆盖绝缘层214的开口的方式配置。在图26A的例子中，绝缘层424及绝缘层422设置在绝缘层214的开口中。
晶体管201及晶体管205包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；用作源极及漏极的导电层222a及导电层222b；半导体层231；用作栅极绝缘层的绝缘层213；以及用作栅极的导电层223。在此，通过对同一导电膜进行加工而得到的多个层由相同的阴影线表示。绝缘层211位于导电层221与半导体层231之间。绝缘层213位于导电层223与半导体层231之间。
对本实施方式的显示装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。
作为晶体管201及晶体管205，采用两个栅极夹着形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个供应用来控制阈值电压的电位，对另一个供应用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。
对用于晶体管的半导体层的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、单晶半导体或者具有单晶以外的结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用单晶半导体或具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
晶体管的半导体层优选使用金属氧化物(氧化物半导体)。就是说，本实施方式的显示装置优选使用将金属氧化物用于沟道形成区域的晶体管(以下，OS晶体管)。
用于晶体管的半导体层的金属氧化物的带隙优选为2eV以上，更优选为2.5eV以上。通过使用带隙较宽的金属氧化物，可以减小OS晶体管的关态电流(off-statecurrent)。
金属氧化物优选至少包含铟或锌，更优选包含铟及锌。例如，金属氧化物优选包含铟、M(M为选自镓、铝、钇、锡、硅、硼、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨、镁和钴中的一种或多种)及锌。尤其是，M优选为选自镓、铝、钇和锡中的一种或多种，更优选为镓。注意，以下有时将包含铟、M及锌的金属氧化物称为In-M-Zn氧化物。
在金属氧化物使用In-M-Zn氧化物时，该In-M-Zn氧化物中的In的原子数比优选为M的原子数比以上。作为这种In-M-Zn氧化物的金属元素的原子数比，可以举出In：M：Zn＝1：1：1或其附近的组成、In：M：Zn＝1：1：1.2或其附近的组成、In：M：Zn＝2：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝3：1：2或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：3或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：4.1或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：7或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：8或其附近的组成、In：M：Zn＝6：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：2：5或其附近的组成等。此外，附近的组成包括所希望的原子数比的±30％的范围。通过增大金属氧化物中的铟的原子数比，可以提高晶体管的通态电流或场效应迁移率等。
例如，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝4：2：3或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为4时，Ga的原子数比为1以上且3以下，Zn的原子数比为2以上且4以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝5：1：6或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为5时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比为5以上且7以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：1或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为1时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比大于0.1且为2以下。
In-M-Zn氧化物中的In的原子数比也可以小于M的原子数比。作为这种In-M-Zn氧化物的金属元素的原子数比，可以举出In：M：Zn＝1：3：2或其附近的组成、In：M：Zn＝1：3：3或其附近的组成、In：M：Zn＝1：3：4或其附近的组成等。通过增大金属氧化物中的M的原子数比，可以使In-M-Zn氧化物的带隙更宽而可以提高相对于光负偏压应力测试的耐性。具体而言，可以减小在晶体管的NBTIS(Negative Bias Temperature Illumination Stress)测试中测量出的阈值电压的变化量或漂移电压(Vsh)的变化量。注意，漂移电压(Vsh)被定义为在晶体管的漏极电流(Id)-栅极电压(Vg)曲线的倾斜程度最大的点的切线与Id＝1pA的直线交叉处的Vg。
此外，晶体管的半导体层也可以包含硅。作为硅，可以举出非晶硅、结晶硅(低温多晶硅、单晶硅等)等。
或者，晶体管的半导体层也可以具有用作半导体的层状物质。层状物质是具有层状结晶结构的材料群的总称。层状结晶结构是由共价键或离子键形成的层通过如范德华力那样的比共价键或离子键弱的键合层叠的结构。层状物质在单位层中具有高导电性，即，具有高二维导电性。通过将用作半导体并具有高二维导电性的材料用于沟道形成区域，可以提供通态电流大的晶体管。
作为上述层状物质，例如可以举出石墨烯、硅烯、硫族化物等。硫族化物是包含氧族元素(属于第16族的元素)的化合物。另外，作为硫族化物，可以举出过渡金属硫族化物、第13族硫族化物等。作为能够用作晶体管的半导体层的过渡金属硫族化物，具体地可以举出硫化钼(典型的是MoS2)、硒化钼(典型的是MoSe2)、碲化钼(典型的是MoTe2)、硫化钨(典型的是WS2)、硒化钨(典型的是WSe2)、碲化钨(典型的是WTe2)、硫化铪(典型的是HfS2)、硒化铪(典型的是HfSe2)、硫化锆(典型的是ZrS2)、硒化锆(典型的是ZrSe2)等。
电路464所包括的晶体管和显示部462所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路464所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，显示部462所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。
衬底451与衬底452不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466具有加工与像素电极相同的导电膜而得到的导电膜和加工与光学调整层的相同的导电膜而得到的导电膜的叠层结构。在连接部204的顶面上露出导电层466。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。
优选在衬底452的衬底451一侧的面设置遮光层417。此外，可以在衬底452的外侧配置各种光学构件。作为光学构件，可以使用偏振片、相位差板、光扩散层(扩散薄膜等)、防反射层及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底452的外侧也可以配置抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等。
遮光层417可以以与分隔壁的端部重叠的方式设置。尤其优选的是，在像素电极上，绝缘层424具有与绝缘层421接触的区域，该区域以与遮光层417的端部重叠的方式设置。此时，可以提高遮光性。注意，该区域也可以不与遮光层417重叠，此时有可能得到较大显示区域。
通过形成覆盖发光元件的保护层416，可以抑制水等杂质进入发光元件，由此可以提高发光元件的可靠性。
在显示装置400A的端部附近的区域228中，优选的是，绝缘层215与保护层416通过绝缘层214的开口彼此接触。尤其优选的是，绝缘层215含有的无机绝缘膜与保护层416含有的无机绝缘膜彼此接触。由此，可以抑制杂质从外部通过有机绝缘膜进入显示部462。因此，可以提高显示装置400A的可靠性。
图26B示出保护层416具有三层结构的例子。在图26B中，保护层416包括发光元件430c上的无机绝缘层416a、无机绝缘层416a上的有机绝缘层416b及有机绝缘层416b上的无机绝缘层416c。
无机绝缘层416a及无机绝缘层416c延伸到有机绝缘层416b的端部的外侧，并且它们彼此接触。在不设置有公共电极413的区域中，无机绝缘层416a与绝缘层422彼此接触。并且，绝缘层422通过绝缘层214(有机绝缘层)的开口与绝缘层215(无机绝缘层)接触。由此，可以使用绝缘层215及保护层416包围发光元件，可以提高发光元件的可靠性。
像这样，保护层416也可以具有有机绝缘膜和无机绝缘膜的叠层结构。此时，无机绝缘膜的端部优选延伸到有机绝缘膜的端部的外侧。
衬底451及衬底452可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、树脂、金属、合金以及半导体等。从发光元件提取光一侧的衬底使用使该光透射的材料。通过将具有柔性的材料用于衬底451及衬底452，可以提高显示装置的柔性。作为衬底451或衬底452，可以使用偏振片。
作为衬底451及衬底452，可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂以及纤维素纳米纤维等。此外，也可以作为衬底451和衬底452中的一方或双方使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。
在将圆偏振片重叠于显示装置的情况下，优选将光学各向同性高的衬底用作显示装置所包括的衬底。光学各向同性高的衬底的双折射较低(也可以说双折射量较少)。
光学各向同性高的衬底的相位差值(retardation value)的绝对值优选为30nm以下、更优选为20nm以下、进一步优选为10nm以下。
作为光学各向同性高的薄膜，可以举出三乙酸纤维素(也被称为TAC：Cellulosetriacetate)薄膜、环烯烃聚合物(COP)薄膜、环烯烃共聚物(COC)薄膜及丙烯酸薄膜等。
当作为衬底使用薄膜时，有可能因薄膜的吸水而发生显示面板出现皱纹等形状变化。因此，作为衬底优选使用吸水率低的薄膜。例如，优选使用吸水率为1％以下的薄膜，更优选使用吸水率为0.1％以下的薄膜，进一步优选为使用吸水率为0.01％以下的薄膜。
作为粘合层，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。
作为连接层242，可以使用各向异性导电膜(ACF：Anisotropic ConductiveFilm)、各向异性导电膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
作为可用于晶体管的栅极、源极及漏极和构成显示装置的各种布线及电极等导电层的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽及钨等金属以及以上述金属为主要成分的合金等。可以使用包含这些材料的膜的单层或叠层。
此外，作为具有透光性的导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌等导电氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料或包含该金属材料的合金材料。或者，还可以使用该金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，当使用金属材料或合金材料(或者它们的氮化物)时，优选将其形成得薄到具有透光性。此外，可以使用上述材料的叠层膜作为导电层。例如，通过使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。上述材料也可以用于构成显示装置的各种布线及电极等的导电层及发光元件所包括的导电层(被用作像素电极或公共电极的导电层)。
作为可用于各绝缘层的绝缘材料，例如可以举出丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂、无机绝缘材料如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝等。
[显示装置400B]
图27A是显示装置400B的截面图。显示装置400B的立体图与图25所示的显示装置400A相同。图27A示出显示装置400B的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分的截面的一个例子。尤其是，图27A示出显示部462的包括发射绿色光的发光元件430b及发射蓝色光的发光元件430c的区域的截面的一个例子。注意，有时省略与显示装置400A同样的部分的说明。
图27A所示的显示装置400B在衬底453与衬底454之间包括晶体管202、晶体管210、发光元件430b及发光元件430c等。
衬底454和保护层416通过粘合层442贴合。粘合层442分别与发光元件430b及发光元件430c重叠，显示装置400B采用固体密封结构。
衬底453和绝缘层212被粘合层455贴合。
显示装置400B的制造方法为如下：首先，使用粘合层442将设置有绝缘层212、各晶体管、各发光器件等的制造衬底与设置有遮光层417的衬底454贴合在一起；然后，通过将衬底453贴合到剥离制造衬底而露出的面，来将形成在制造衬底上的各构成要素转置到衬底453。衬底453和衬底454优选具有柔性。由此，可以提高显示装置400B的柔性。
作为绝缘层212，可以使用可以用于绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215的无机绝缘膜。
像素电极通过设置在绝缘层214中的开口电连接到晶体管210所包括的导电层222b。晶体管210具有控制发光元件的驱动的功能。
像素电极的端部被分隔壁(绝缘层424、绝缘层421或绝缘层422)覆盖。分隔壁的详细内容可以参照本说明书中的其他记载。
发光元件430b、发光元件430c将光发射到衬底454一侧。衬底454优选使用对可见光的透射性高的材料。
衬底453与衬底454不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466可以通过对与像素电极相同的导电膜进行加工来获得。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。
晶体管202及晶体管210包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；包含沟道形成区域231i及一对低电阻区域231n的半导体层231；与一对低电阻区域231n中的一个连接的导电层222a；与一对低电阻区域231n中的另一个连接的导电层222b；用作栅极绝缘层的绝缘层225；用作栅极的导电层223；以及覆盖导电层223的绝缘层215。绝缘层211位于导电层221与沟道形成区域231i之间。绝缘层225位于导电层223与沟道形成区域231i之间。
导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。导电层222a及导电层222b中的一个被用作源极，另一个被用作漏极。
图27A示出绝缘层225覆盖半导体层的顶面及侧面的例子。导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层225及绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。
另一方面，在图27B所示的晶体管209中，绝缘层225与半导体层231的沟道形成区域231i重叠而不与低电阻区域231n重叠。例如，通过以导电层223为掩模加工绝缘层225，可以形成图27B所示的结构。在图27B中，绝缘层215覆盖绝缘层225及导电层223，并且导电层222a及导电层222b分别通过绝缘层215的开口与低电阻区域231n连接。再者，还可以设置有覆盖晶体管的绝缘层218。
[显示装置400C]
上述图25示出400C的立体图。另外，图28A是显示装置400C的截面图。
图28A示出显示装置400C的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分及包括端部的区域的一部分的截面的一个例子。
图28A所示的显示装置400C在衬底451与衬底452之间包括晶体管201、晶体管205、发射红色光的发光元件430a、发射绿色光的发光元件430b以及发射蓝色光的发光元件430c等。
发光元件430a、发光元件430b及发光元件430c可以使用在其他说明部分中示出的发光元件。图28A是应用上述图15B等所示的发光元件的例子。
保护层416与衬底452由粘合层442粘合。作为对发光元件的密封，可以采用固体密封结构或中空密封结构等。在图28A中，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443填充有非活性气体(氮或氩等)，采用中空密封结构。粘合层442也可以与发光元件重叠。此外，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443也可以填充有与粘合层442不同的树脂。此时，也可以不设置粘合层442。
发光元件430a、发光元件430b、发光元件430c在像素电极与EL层之间包括光学调整层。发光元件430a包括光学调整层426a，发光元件430b包括光学调整层426b，发光元件430c包括光学调整层426c。发光元件的详细内容可以参照本说明书中的其他说明。
像素电极411a、像素电极411b、像素电极411c都通过设置在绝缘层214中的开口与晶体管205所包括的导电层222b连接。
像素电极及光学调整层的端部被分隔壁(绝缘层424或绝缘层421)覆盖。绝缘层421优选包含有机树脂，绝缘层424优选包含无机绝缘膜。另外，像素电极包含发射可见光的材料，对置电极包含透射可见光的材料。分隔壁的详细内容可以参照本说明书中的其他说明(例如，图13等中的绝缘层134或绝缘层131等)。
发光元件将光发射到衬底452一侧。衬底452优选使用对可见光的透射性高的材料。
晶体管201及晶体管205都设置在衬底451上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。
衬底451上依次设置有绝缘层211、绝缘层213、绝缘层215及绝缘层214。绝缘层211的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层213的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层215以覆盖晶体管的方式设置。绝缘层214以覆盖晶体管的方式设置，并被用作平坦化层。此外，对栅极绝缘层的个数及覆盖晶体管的绝缘层的个数没有特别的限制，既可以为一个，又可以为两个以上。
作为绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215优选使用无机绝缘膜。
这里，有机绝缘膜的阻挡性在很多情况下低于无机绝缘膜。因此，有机绝缘膜优选在显示装置400C的端部附近具有开口。由此，可以抑制杂质从显示装置400C的端部通过有机绝缘膜进入。此外，也可以以其端部位于显示装置400C的端部的内侧的方式形成有机绝缘膜，以使有机绝缘膜不暴露于显示装置400C的端部。
用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘膜。
在图28A所示的区域228中，绝缘层214中形成有开口。由此，即使在使用有机绝缘膜作为绝缘层214的情况下，也可以抑制杂质从外部通过绝缘层214进入显示部462。由此，可以提高显示装置400C的可靠性。
另外，在区域228中，构成分隔壁的绝缘层(绝缘层424或绝缘层421)优选以覆盖绝缘层214的开口的方式配置。在图28A的例子中，绝缘层424设置在绝缘层214的开口中。
晶体管201及晶体管205包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；用作源极及漏极的导电层222a及导电层222b；半导体层231；用作栅极绝缘层的绝缘层213；以及用作栅极的导电层223。在此，通过对同一导电膜进行加工而得到的多个层由相同的阴影线表示。绝缘层211位于导电层221与半导体层231之间。绝缘层213位于导电层223与半导体层231之间。
作为晶体管201及晶体管205，采用两个栅极夹着形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个供应用来控制阈值电压的电位，对另一个供应用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。
衬底451与衬底452不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466具有加工与像素电极相同的导电膜而得到的导电膜和加工与光学调整层的相同的导电膜而得到的导电膜的叠层结构。在连接部204的顶面上露出导电层466。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。
优选在衬底452的衬底451一侧的面设置遮光层417。此外，可以在衬底452的外侧配置各种光学构件。此外，在衬底452的外侧也可以配置抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等。
遮光层417可以以与分隔壁的端部重叠的方式设置。尤其优选的是，在像素电极上，绝缘层424的端部具有比绝缘层421的端部突出的区域(也称为延伸的区域)，该区域以与遮光层417的端部重叠的方式设置。另外，在绝缘层421覆盖绝缘层424的端部时，绝缘层421的端部具有不与绝缘层424重叠的区域。此时，该区域优选以与遮光层417的端部重叠的方式设置。通过采用上述结构，可以提高遮光性。注意，这些区域也可以不与遮光层417重叠，此时有可能得到较大显示区域。
通过形成覆盖发光元件的保护层416，可以抑制水等杂质进入发光元件，由此可以提高发光元件的可靠性。
在显示装置400C的端部附近的区域228中，优选的是，绝缘层215与保护层416通过绝缘层214的开口彼此接触。尤其优选的是，绝缘层215含有的无机绝缘膜与保护层416含有的无机绝缘膜彼此接触。由此，可以抑制杂质从外部通过有机绝缘膜进入显示部462。因此，可以提高显示装置400C的可靠性。
图28B示出保护层416具有三层结构的例子。在图28B中，保护层416包括发光元件430c上的无机绝缘层416a、无机绝缘层416a上的有机绝缘层416b及有机绝缘层416b上的无机绝缘层416c。
无机绝缘层416a及无机绝缘层416c延伸到有机绝缘层416b的端部的外侧，并且它们彼此接触。在不设置有公共电极413的区域中，无机绝缘层416a与绝缘层424彼此接触。另外，绝缘层424通过绝缘层214(有机绝缘层)的开口与绝缘层215(无机绝缘层)接触。由此，可以使用绝缘层215及保护层416包围发光元件，可以提高发光元件的可靠性。
像这样，保护层416也可以具有有机绝缘膜和无机绝缘膜的叠层结构。此时，无机绝缘膜的端部优选延伸到有机绝缘膜的端部的外侧。
[显示装置400D]
图29是显示装置400D的截面图。显示装置400D的立体图与图13所示的显示装置400C相同。图29示出显示装置400D的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分的截面的一个例子。图29示出显示部462的包括发射绿色光的发光元件430b及发射蓝色光的发光元件430c的区域的截面的一个例子。注意，有时省略与显示装置400C同样的部分的说明。
图29所示的显示装置400D在衬底453与衬底454之间包括晶体管202、晶体管210、发光元件430b及发光元件430c等。
此外，衬底454和保护层416通过粘合层442贴合。粘合层442分别与发光元件430b及发光元件430c重叠，显示装置400D采用固体密封结构。
衬底453和绝缘层212被粘合层455贴合。
显示装置400D的制造方法为如下：首先，使用粘合层442将设置有绝缘层212、各晶体管、各发光器件等的制造衬底与设置有遮光层417的衬底454贴合在一起；然后，将衬底453贴合到剥离制造衬底而露出的面，来将形成在制造衬底上的各构成要素转置到衬底453。衬底453和衬底454优选具有柔性。由此，可以提高显示装置400D的柔性。
作为绝缘层212，可以使用可以用于绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215的无机绝缘膜。
像素电极通过设置在绝缘层214中的开口连接到晶体管210所包括的导电层222b。晶体管210具有控制发光元件的驱动的功能。
像素电极的端部被分隔壁(绝缘层424或绝缘层421)覆盖。分隔壁的详细内容可以参照本说明书中的其他记载。
发光元件430b、发光元件430c将光发射到衬底454一侧。衬底454优选使用对可见光的透射性高的材料。
衬底453与衬底454不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466可以通过对与像素电极相同的导电膜进行加工来获得。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。
本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式10)
在本实施方式中，对能用于本发明的一个方式的发光装置的发光元件(也称为发光器件)进行说明。
在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。
此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光器件(这里为蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为SBS(Side By Side)结构。另外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光器件称为白色发光器件。白色发光器件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以实现以全彩色显示的显示装置。
另外，发光器件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。为了得到单结构的白色发光，以两个以上的发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的结构。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。
串联结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。通过在各发光单元中使用发射相同颜色的光的发光层，可以实现每规定电流的亮度得到提高且其可靠性比单结构更高的发光器件。为了得到串联结构的白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的发光颜色的组合与单结构中的结构同样。此外，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。
另外，在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和SBS结构的发光器件进行比较的情况下，可以使SBS结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。在想要降低功耗时优选采用SBS结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造工艺比SBS结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。
<发光元件的结构例子>
如图30A所示，发光元件在一对电极(下部电极772、上部电极788)间包括EL层786。EL层786可以由层4420、发光层4411、层4430等的多个层构成。层4420例如可以包括含有电子注入性高的物质的层(电子注入层)及含有电子传输性高的物质的层(电子传输层)等。发光层4411例如包含发光化合物。层4430例如可以包括含有空穴注入性高的物质的层(空穴注入层)及含有空穴传输性高的物质的层(空穴传输层)。层4430优选具有与本说明书所公开的分隔壁(绝缘层134或绝缘层131)的端部接触的区域。
包括设置在一对电极间的层4420、发光层4411及层4430的结构可以被用作单一的发光单元，在本说明书中将图30A的结构称为单结构。
图30B示出图30A所示的发光元件所包括的EL层786的变形例子。具体而言，图30B所示的发光元件包括下部电极772上的层4430-1、层4430-1上的层4430-2、层4430-2上的发光层4411、发光层4411上的层4420-1、层4420-1上的层4420-2以及层4420-2上的上部电极788。例如，在将下部电极772用作阳极且将上部电极788用作阴极时，层4430-1被用作空穴注入层，层4430-2被用作空穴传输层，层4420-1被用作电子传输层，层4420-2被用作电子注入层。或者，在将下部电极772用作阴极且将上部电极788用作阳极时，层4430-1被用作电子注入层，层4430-2被用作电子传输层，层4420-1被用作空穴传输层，层4420-2被用作空穴注入层。通过采用这种层结构，载流子高效地注入到发光层4411，由此可以提高发光层4411中的载流子的复合效率。
此外，如图30C、图30D所示，层4420与层4430之间设置有多个发光层(发光层4411、4412、4413)的结构也是单结构的变形例子。
如图30E、图30F所示，多个发光单元(EL层786a、EL层786b)隔着中间层(电荷产生层)4440串联连接的结构在本说明书中被称为串联结构。在本说明书等中，图30E、图30F所示的结构被称为串联结构，但是不局限于此，例如，串联结构也可以被称为叠层结构。通过采用串联结构，可以实现能够以高亮度发光的发光元件。
在图30C中，发光层4411、发光层4412及发光层4413也可以使用发射相同的光的发光材料。
另外，也可以将互不相同的发光材料用于发光层4411、发光层4412及发光层4413。在发光层4411、发光层4412及发光层4413各自所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图30D示出设置用作滤色片的着色层785的例子。通过白色光透射滤色片，可以得到所希望的颜色的光。滤色片也可以具有与本说明书所公开的分隔壁(绝缘层134或绝缘层131等)的端部重叠的区域。注意，不局限于此，也可以不具有重叠区域。
另外，在图30E中，也可以将相同发光材料用于发光层4411及发光层4412。或者，也可以将发射互不相同的颜色的光的发光材料用于发光层4411及发光层4412。在发光层4411所发射的光和发光层4412所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图30F示出还设置着色层785的例子。
注意，在图30C、图30D、图30E、图30F中，如图30B所示，层4420及层4430也可以具有由两层以上的层构成的叠层结构。
有时将这种按每个发光元件分别形成发光颜色(在此，蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))的结构称为SBS(Side By Side)结构。
发光元件的发光颜色根据构成EL层786的材料而可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色或白色等。此外，当发光元件具有微腔结构时，可以进一步提高色纯度。
发射白色光的发光元件优选具有发光层包含两种以上的发光物质的结构。为了得到白色发光，选择各发光处于补色关系的两种以上的发光物质即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光元件整体上以白色发光的发光元件。此外，包括三个以上的发光层的发光元件也是同样的。
发光层优选包含每个发光呈现R(红)、G(绿)、B(蓝)、Y(黄)、O(橙)等的两种以上的发光物质。或者，优选包含每个发光物质的发光包含R、G、B中的两种以上的颜色的光谱成分的两种以上的发光物质。
在此，说明发光元件的具体的结构例子。
发光元件至少包括发光层。另外，作为发光层以外的层，发光元件还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子阻挡材料、电子注入性高的物质或双极性物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。
发光器件可以使用低分子类化合物或高分子类化合物，还可以包含无机化合物。构成发光器件的层可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。
例如，发光器件也可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一个以上。
空穴注入层是从阳极向空穴传输层注入空穴的层且是包含空穴注入性高的材料的层。作为空穴注入性高的材料，可以使用芳香胺化合物、包含空穴传输性材料及受体材料(电子接收性材料)的复合材料等。
空穴传输层是将从阳极由空穴注入层注入的空穴传输到发光层中的层。空穴传输层是包含空穴传输性材料的层。作为空穴传输性材料，优选采用空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。另外，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述以外的物质。作为空穴传输性材料，优选使用富π电子型杂芳族化合物(例如，咔唑衍生物、噻吩衍生物、呋喃衍生物等)或者芳香胺(包含芳香胺骨架的化合物)等空穴传输性高的材料。
电子传输层是将从阴极由电子注入层注入的电子传输到发光层中的层。电子传输层是包含电子传输性材料的层。作为电子传输性材料，优选采用电子迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。另外，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，就可以使用上述以外的物质。作为电子传输性材料，除了具有喹啉骨架的金属配合物、具有苯并喹啉骨架的金属配合物、具有噁唑骨架的金属配合物、具有噻唑骨架的金属配合物等以外，还可以使用噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、菲咯啉衍生物、具有喹啉配体的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物、含氮杂芳族化合物等缺π电子型杂芳族化合物等电子传输性高的材料。
电子注入层是将电子从阴极注入到电子传输层且是包含电子注入性高的材料的层。作为电子注入性高的材料，可以使用碱金属、碱土金属或者包含上述物质的化合物。作为电子注入性高的材料，也可以使用包含电子传输性材料及供体性材料(电子给体性材料)的复合材料。
作为电子注入层，例如可以使用锂、铯、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)、8-(羟基喹啉)-锂(简称：Liq)、2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称：LiPP)、2-(2-吡啶基)-3-羟基吡啶(pyridinolato)锂(简称：LiPPy)、4-苯基-2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称：LiPPP)、锂氧化物(LiOx)、碳酸铯等碱金属、碱土金属或者它们的化合物。
另外，作为上述电子注入层，也可以使用具有电子传输性的材料。例如，可以将具有非共用电子对且具有缺电子型杂芳环的化合物用于具有电子传输性的材料。具体而言，可以使用具有吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)和三嗪环中的至少一个的化合物。
具有非共用电子对的有机化合物的最低未占有分子轨道(LUMO：LowestUnoccupied Molecular Orbital)优选为-3.6eV以上且-2.3eV以下。另外，一般来说，CV(循环伏安法)、光电子能谱法(photoelectron spectroscopy)、吸收光谱法(opticalabsorption spectroscopy)、逆光电子能谱法估计有机化合物的最高占据分子轨道(HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital)能级及LUMO能级。
例如，可以将4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：BPhen)、2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)、二喹喔啉并[2，3-a：2’，3’-c]吩嗪(简称：HATNA)、2，4，6-三[3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基]-1，3，5-三嗪(简称：TmPPPyTz)等用于具有非共用电子对的有机化合物。另外，与BPhen相比，NBPhen具有高玻璃化转变温度(Tg)和良好耐热性。
发光层是包含发光物质的层。发光层可以包含一种或多种发光物质。另外，作为发光物质，适当地使用呈现蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等的发光颜色的物质。此外，作为发光物质，也可以使用发射近红外光的物质。
作为发光物质，可以举出荧光材料、磷光材料、TADF材料、量子点材料等。
作为荧光材料，例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。
作为磷光材料，例如可以举出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、铂配合物、稀土金属配合物等。
发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料、辅助材料等)。作为一种或多种有机化合物，可以使用空穴传输性材料和电子传输性材料中的一方或双方。此外，作为一种或多种有机化合物，也可以使用双极性材料或TADF材料。
例如，发光层优选包含磷光材料、容易形成激基复合物的空穴传输性材料及电子传输性材料的组合。通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质(磷光材料)的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激基复合物-三重态能量转移)的发光。通过选择形成发射与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的组合，可以使能量转移变得顺利，从而可以高效地得到发光。由于该结构而能够同时实现发光器件的高效率、低电压驱动及长寿命。
本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式11)
在本实施方式中，说明高清晰的显示装置。
[显示面板的结构例子]
用于VR、AR等的穿戴式电子设备通过使用视差可以提供3D图像。此时，右眼用的图像及左眼用的图像需要分别显示在右眼的视角内及左眼的视角内。这里，显示装置的显示部的形状可以为横向长的矩形形状，设置在右眼及左眼的视角的外侧的像素不贡献于显示，因此该像素一直显示黑色。
于是，优选的是，显示面板的显示部分为右眼用及左眼用的两个区域，并且在不贡献于显示的外侧的区域不配置像素。由此，可以降低像素的写入所需的功耗。此外，由于减小源极线、栅极线等的负载，所以可以实现帧频高的显示。由此，由于可以显示流畅的动态图像，所以可以提高现实感。
图31A示出显示面板的结构例子。在图31A中，在衬底701的内侧配置左眼用显示部702L及右眼用显示部702R。注意，在衬底701上除了显示部702L及显示部702R以外还可以配置驱动电路、布线、IC、FPC等。
图31A所示的显示部702L及显示部702R具有正方形的顶面形状。
另外，显示部702L及显示部702R的顶面形状也可以为其他正多角形。图31B示出正六角形的情况的例子，图31C示出正八角形的情况的例子，图31D示出正十角形的情况的例子，图31E示出正十二角形的情况的例子。如此，通过使用角的数量为偶数的多角形，可以使显示部的形状为左右对称。注意，也可以使用不是正多角形的多角形。此外，也可以使用角部圆形的正多角形或多角形。
注意，由于由矩阵状配置的像素构成显示部，所以各显示部的轮廓的直线部分严密地不成为直线，会存在有台阶部分。尤其是，不与像素的排列方向平行的直线部分具有台阶状的顶面形状。注意，由于使用者在不看到像素的形状的状态下观看图像，所以即使显示部的倾斜的轮廓严格地说为台阶状，也可以将其看作直线。同样地，即使显示部的轮廓的曲线部分严格地说为台阶状，也可以将其看作曲线。
图31F示出显示部702L及显示部702R的顶面形状为圆形的情况的例子。
此外，显示部702L及显示部702R的顶面形状也可以为左右非对称。此外，也可以不是正多角形。
图31G示出显示部702L及显示部702R的顶面形状分别为左右非对称的八角形的情况的例子。此外，图31H示出正七角形的情况的例子。如此，即使显示部702L及显示部702R的顶面形状分别为左右非对称的形状，显示部702L及显示部702R也优选配置成左右对称。由此，可以提供没有不适感的图像。
在上述中，虽然说明将显示部分为两个部分的结构，但是也可以采用连续的形状。
图31I是图31F中的两个圆形的显示部连接的例子。此外，图31J是图31C中的两个正八角形的显示部连接的例子。
以上说明显示面板的结构例子。
本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式12)
在本实施方式中，说明可用于上述实施方式中说明的OS晶体管的金属氧化物(也称为氧化物半导体)。
用于OS晶体管的金属氧化物优选至少包含铟或锌，更优选包含铟及锌。例如，金属氧化物优选包含铟、M(M为选自镓、铝、钇、锡、硅、硼、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨、镁和钴中的一种或多种)及锌。尤其是，M优选为选自镓、铝、钇和锡中的一种或多种，更优选为镓。
金属氧化物可以通过溅射法、有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal OrganicChemical Vapor Deposition)法等化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法或原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。
以下，作为金属氧化物的一个例子说明包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物。注意，有时将包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物称为In-Ga-Zn氧化物。
<结晶结构的分类>
作为氧化物半导体的结晶结构，可以举出非晶(包括completely amorphous)、CAAC(c-axis-aligned crystalline)、nc(nanocrystalline)、CAC(cloud-alignedcomposite)、单晶(single crystal)及多晶(poly crystal)等。
可以使用X射线衍射(XRD：X-Ray Diffraction)谱对膜或衬底的结晶结构进行评价。例如，可以使用GIXD(Grazing-Incidence XRD)测量测得的XRD谱进行评价。此外，将GIXD法也称为薄膜法或Seemann-Bohlin法。以下，有时将GIXD测量所得的XRD谱简单地记为XRD谱。
例如，石英玻璃衬底的XRD谱的峰形状大致为左右对称。另一方面，具有结晶结构的In-Ga-Zn氧化物膜的XRD谱的峰形状是左右非对称。XRD谱的峰的形状是左右非对称说明膜中或衬底中存在结晶。换言之，除非XRD谱峰形状左右对称，否则不能说膜或衬底处于非晶状态。
此外，可以使用通过纳米束电子衍射法(NBED：Nano Beam ElectronDiffraction)观察的衍射图案(也称为纳米束电子衍射图案)对膜或衬底的结晶结构进行评价。例如，在石英玻璃衬底的衍射图案中观察到光晕图案，可以确认石英玻璃处于非晶状态。此外，以室温沉积的In-Ga-Zn氧化物膜的衍射图案中观察到斑点状的图案而没有观察到光晕。因此可以推测，以室温沉积的In-Ga-Zn氧化物膜处于既不是单晶或多晶也不是非晶的中间态，不能得出该In-Ga-Zn氧化物膜是非晶态的结论。
<<氧化物半导体的结构>>
此外，在注目于结构的情况下，有时氧化物半导体的分类与上述分类不同。例如，氧化物半导体可以分类为单晶氧化物半导体和除此之外的非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体，例如可以举出上述CAAC-OS及nc-OS。此外，在非单晶氧化物半导体中包含多晶氧化物半导体、a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor)及非晶氧化物半导体等。
在此，对上述CAAC-OS、nc-OS及a-like OS的详细内容进行说明。
[CAAC-OS]
CAAC-OS是具有多个结晶区域的氧化物半导体，该多个结晶区域的c轴取向于特定的方向。此外，特定的方向是指CAAC-OS膜的厚度方向、CAAC-OS膜的被形成面的法线方向、或者CAAC-OS膜的表面的法线方向。此外，结晶区域是具有原子排列的周期性的区域。注意，在将原子排列看作晶格排列时结晶区域也是晶格排列一致的区域。再者，CAAC-OS具有在a-b面方向上多个结晶区域连接的区域，有时该区域具有畸变。此外，畸变是指在多个结晶区域连接的区域中，晶格排列一致的区域和其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。换言之，CAAC-OS是指c轴取向并在a-b面方向上没有明显的取向的氧化物半导体。
此外，上述多个结晶区域的每一个由一个或多个微小结晶(最大径小于10nm的结晶)构成。在结晶区域由一个微小结晶构成的情况下，该结晶区域的最大径小于10nm。此外，结晶区域由多个微小结晶构成的情况下，有时该结晶区域的尺寸为几十nm左右。
此外，在In-Ga-Zn氧化物中，CAAC-OS有具有层叠有含有铟(In)及氧的层(以下，In层)、含有镓(Ga)、锌(Zn)及氧的层(以下，(Ga，Zn)层)的层状结晶结构(也称为层状结构)的趋势。此外，铟和镓可以彼此置换。因此，有时(Ga，Zn)层包含铟。此外，有时In层包含镓。注意，In层有时包含锌。该层状结构例如在高分辨率TEM(Transmission ElectronMicroscope：透射电子显微镜)图像中被观察作为晶格像。
例如，当对CAAC-OS膜使用XRD装置进行结构分析时，在使用θ/2θ扫描的Out-of-plane XRD测量中，在2θ＝31°或其附近检测出表示c轴取向的峰。注意，表示c轴取向的峰的位置(2θ值)有时根据构成CAAC-OS的金属元素的种类、组成等变动。
此外，例如，在CAAC-OS膜的电子衍射图案中观察到多个亮点(斑点)。此外，在以透射样品的入射电子束的斑点(也称为直接斑点)为对称中心时，某一个斑点和其他斑点被观察在点对称的位置。
在从上述特定的方向观察结晶区域的情况下，虽然该结晶区域中的晶格排列基本上是六方晶格，但是单位晶格并不局限于正六角形，有是非正六角形的情况。此外，在上述畸变中，有时具有五角形、七角形等晶格排列。此外，在CAAC-OS的畸变附近观察不到明确的晶界(grain boundary)。也就是说，晶格排列的畸变抑制晶界的形成。这可能是由于CAAC-OS因为a-b面方向上的氧原子的排列的低密度、因金属原子被取代而使原子间的键合距离产生变化等而能够包容畸变。
此外，确认到明确的晶界的结晶结构被称为所谓的多晶(polycrystal)。晶界成为复合中心而载流子被俘获，因而有可能导致晶体管的通态电流的减小、场效应迁移率的降低等。因此，确认不到明确的晶界的CAAC-OS是对晶体管的半导体层提供具有优异的结晶结构的结晶性氧化物之一。注意，为了构成CAAC-OS，优选为包含Zn的结构。例如，与In氧化物相比，In-Zn氧化物及In-Ga-Zn氧化物能够进一步抑制晶界的发生，所以是优选的。
CAAC-OS是结晶性高且确认不到明确的晶界的氧化物半导体。因此，可以说在CAAC-OS中，不容易发生起因于晶界的电子迁移率的降低。此外，氧化物半导体的结晶性有时因杂质的混入、缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质或缺陷(氧空位等)少的氧化物半导体。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体具有高耐热性及高可靠性。此外，CAAC-OS对制造工序中的高温度(所谓热积存；thermal budget)也很稳定。由此，通过在OS晶体管中使用CAAC-OS，可以扩大制造工序的自由度。
[nc-OS]
在nc-OS中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。换言之，nc-OS具有微小的结晶。此外，例如，该微小的结晶的尺寸为1nm以上且10nm以下，尤其为1nm以上且3nm以下，将该微小的结晶称为纳米晶。此外，nc-OS在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS在某些分析方法中与a-like OS或非晶氧化物半导体没有差别。例如，在对nc-OS膜使用XRD装置进行结构分析时，在使用θ/2θ扫描的Out-of-plane XRD测量中，检测不出表示结晶性的峰。此外，在对nc-OS膜进行使用其束径比纳米晶大(例如，50nm以上)的电子束的电子衍射(也称为选区电子衍射)时，观察到类似光晕图案的衍射图案。另一方面，在对nc-OS膜进行使用其束径近于或小于纳米晶的尺寸(例如1nm以上且30nm以下)的电子束的电子衍射(也称为纳米束电子衍射)的情况下，有时得到在以直接斑点为中心的环状区域内观察到多个斑点的电子衍射图案。
[a-like OS]
a-like OS是具有介于nc-OS与非晶氧化物半导体之间的结构的氧化物半导体。a-like OS包含空洞或低密度区域。也就是说，a-like OS的结晶性比nc-OS及CAAC-OS的结晶性低。此外，a-like OS的膜中的氢浓度比nc-OS及CAAC-OS的膜中的氢浓度高。
<<氧化物半导体的构成>>
接着，说明上述CAC-OS的详细内容。此外，CAC-OS与材料构成有关。
[CAC-OS]
CAC-OS例如是指包含在金属氧化物中的元素不均匀地分布的构成，其中包含不均匀地分布的元素的材料的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为1nm以上且3nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也将在金属氧化物中一个或多个金属元素不均匀地分布且包含该金属元素的区域混合的状态称为马赛克状或补丁(patch)状，该区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为1nm以上且3nm以下或近似的尺寸。
再者，CAC-OS是指其材料分开为第一区域与第二区域而成为马赛克状且该第一区域分布于膜中的结构(下面也称为云状)。就是说，CAC-OS是指具有该第一区域和该第二区域混合的结构的复合金属氧化物。
在此，将相对于构成In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS的金属元素的In、Ga及Zn的原子数比的每一个记为[In]、[Ga]及[Zn]。例如，在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，第一区域是其[In]大于CAC-OS膜的组成中的[In]的区域。此外，第二区域是其[Ga]大于CAC-OS膜的组成中的[Ga]的区域。此外，例如，第一区域是其[In]大于第二区域中的[In]且其[Ga]小于第二区域中的[Ga]的区域。此外，第二区域是其[Ga]大于第一区域中的[Ga]且其[In]小于第一区域中的[In]的区域。
具体而言，上述第一区域是以铟氧化物或铟锌氧化物等为主要成分的区域。此外，上述第二区域是以镓氧化物或镓锌氧化物等为主要成分的区域。换言之，可以将上述第一区域称为以In为主要成分的区域。此外，可以将上述第二区域称为以Ga为主要成分的区域。
注意，有时观察不到上述第一区域和上述第二区域的明确的边界。
此外，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS是指如下构成：在包含In、Ga、Zn及O的材料构成中，部分主要成分为Ga的区域与部分主要成分为In的区域无规律地以马赛克状存在。因此，可推测，CAC-OS具有金属元素不均匀地分布的结构。
CAC-OS例如可以通过在对衬底不进行意图性的加热的条件下利用溅射法来形成。在利用溅射法形成CAC-OS的情况下，作为沉积气体，可以使用选自非活性气体(典型的是氩)、氧气体和氮气体中的任一种或多种。此外，沉积时的沉积气体的总流量中的氧气体的流量比越低越好。例如，使沉积时的沉积气体的总流量中的氧气体的流量比为0％以上且低于30％，更优选为0％以上且10％以下。
例如，在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根据通过能量色散X射线光谱法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析(mapping)图像，可确认到具有以In为主要成分的区域(第一区域)及以Ga为主要成分的区域(第二区域)不均匀地分布而混合的结构。
在此，第一区域是具有比第二区域高的导电性的区域。就是说，当载流子流过第一区域时，呈现作为金属氧化物的导电性。因此，当第一区域以云状分布在金属氧化物中时，可以实现高场效应迁移率(μ)。
另一方面，第二区域是具有比第一区域高的绝缘性的区域。就是说，当第二区域分布在金属氧化物中时，可以抑制泄漏电流。
因此，在将CAC-OS用于晶体管的情况下，通过起因于第一区域的导电性和起因于第二区域的绝缘性的互补作用，可以使CAC-OS具有开关功能(控制开启/关闭的功能)。换言之，在CAC-OS的材料的一部分中具有导电性的功能且在另一部分中具有绝缘性的功能，在材料的整体中具有半导体的功能。通过使导电性的功能和绝缘性的功能分离，可以最大限度地提高各功能。因此，通过将CAC-OS用于晶体管，可以实现大通态电流(Ion)、高场效应迁移率(μ)及良好的开关工作。
此外，使用CAC-OS的晶体管具有高可靠性。因此，CAC-OS最适合于显示装置等各种半导体装置。
氧化物半导体具有各种结构及各种特性。本发明的一个方式的氧化物半导体也可以包含非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a-like OS、CAC-OS、nc-OS、CAAC-OS中的两种以上。
<具有氧化物半导体的晶体管>
在此，说明将上述氧化物半导体用于晶体管的情况。
通过将上述氧化物半导体用于晶体管，可以实现场效应迁移率高的晶体管。此外，可以实现可靠性高的晶体管。
优选将载流子浓度低的氧化物半导体用于晶体管。例如，氧化物半导体中的载流子浓度为1×1017cm-3以下，优选为1×1015cm-3以下，更优选为1×1013cm-3以下，进一步优选为1×1011cm-3以下，更进一步优选低于1×1010cm-3，且1×10-9cm-3以上。在以降低氧化物半导体膜的载流子浓度为目的的情况下，可以降低氧化物半导体膜中的杂质浓度以降低缺陷态密度。在本说明书等中，将杂质浓度低且缺陷态密度低的状态称为高纯度本征或实质上高纯度本征。此外，有时将载流子浓度低的氧化物半导体称为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体。
因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有较低的缺陷态密度，所以有可能具有较低的陷阱态密度。
此外，被氧化物半导体的陷阱态俘获的电荷到消失需要较长的时间，有时像固定电荷那样动作。因此，有时在陷阱态密度高的氧化物半导体中形成沟道形成区域的晶体管的电特性不稳定。
因此，为了使晶体管的电特性稳定，降低氧化物半导体中的杂质浓度是有效的。为了降低氧化物半导体中的杂质浓度，优选还降低附近膜中的杂质浓度。作为杂质有氢、氮、碱金属、碱土金属、铁、镍、硅等。注意，氧化物半导体中的杂质例如是指构成氧化物半导体的主要成分之外的元素。例如，浓度小于0.1atomic％的元素可以说是杂质。
<杂质>
在此，说明氧化物半导体中的各杂质的影响。
在氧化物半导体包含第14族元素之一的硅或碳时，在氧化物半导体中形成缺陷态。因此，将氧化物半导体中或与氧化物半导体的界面附近的硅或碳的浓度(通过二次离子质谱(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)测得的浓度)设定为2×1018atoms/cm3以下，优选为2×1017atoms/cm3以下。
此外，当氧化物半导体包含碱金属或碱土金属时，有时形成缺陷态而形成载流子。因此，使用包含碱金属或碱土金属的氧化物半导体的晶体管容易具有常开启特性。因此，使通过SIMS测得的氧化物半导体中的碱金属或碱土金属的浓度为1×1018atoms/cm3以下，优选为2×1016atoms/cm3以下。
当氧化物半导体包含氮时，容易产生作为载流子的电子，使载流子浓度增高，而n型化。其结果是，在将包含氮的氧化物半导体用于半导体的晶体管容易具有常开启特性。或者，在氧化物半导体包含氮时，有时形成陷阱态。其结果，有时晶体管的电特性不稳定。因此，将利用SIMS测得的氧化物半导体中的氮浓度设定为低于5×1019atoms/cm3，优选为5×1018atoms/cm3以下，更优选为1×1018atoms/cm3以下，进一步优选为5×1017atoms/cm3以下。
另外，包含在氧化物半导体中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，因此有时形成氧空位。当氢进入该氧空位时，有时产生作为载流子的电子。此外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。因此，使用包含氢的氧化物半导体的晶体管容易具有常开启特性。由此，优选尽可能地减少氧化物半导体中的氢。具体而言，将利用SIMS测得的氧化物半导体中的氢浓度设定为低于1×1020atoms/cm3，优选低于1×1019atoms/cm3，更优选低于5×1018atoms/cm3，进一步优选低于1×1018atoms/cm3。
通过将杂质被充分降低的氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区域，可以使晶体管具有稳定的电特性。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式13)
在本实施方式中，使用图32至图35说明本发明的一个方式的电子设备。
本实施方式的电子设备包括本发明的一个方式的显示装置。本发明的一个方式的显示装置容易实现高清晰化、高分辨率化、大型化。因此，可以将本发明的一个方式的显示装置用于各种各样的电子设备的显示部。
另外，本发明的一个方式的显示装置可以以低成本制造，由此可以降低电子设备的制造成本。
作为电子设备，例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。
特别是，因为本发明的一个方式的显示装置可以提高清晰度，所以可以适当地用于包括较小的显示部的电子设备。作为这种电子设备，例如可以举出手表型、手镯型等的信息终端设备(可穿戴设备)、可戴在头上的可穿戴设备等诸如头戴显示器等VR用设备、眼镜型AR用设备等。另外，作为可穿戴设备还可以举出SR(Substitutional Reality：替代现实)用设备以及MR(Mixed Reality：混合现实)用设备。
本发明的一个方式的显示装置优选具有极高的分辨率诸如HD(像素数为1280×720)、FHD(像素数为1920×1080)、WQHD(像素数为2560×1440)、WQXGA(像素数为2560×1600)、4K2K(像素数为3840×2160)、8K4K(像素数为7680×4320)等。尤其优选具有4K2K、8K4K或更高的分辨率。另外，本发明的一个方式的显示装置中的像素密度(清晰度)优选为300ppi以上，更优选为500ppi以上，进一步优选为1000ppi以上，更进一步优选为2000ppi以上，还进一步优选为3000ppi以上，还进一步优选为5000ppi以上，还进一步优选为7000ppi以上。通过使用上述的具有高分辨率或高清晰度的显示装置，在便携式或家用等的个人用途的电子设备中可以进一步提高真实感、纵深感等。
可以将本实施方式的电子设备沿着房屋或高楼的内壁或外壁、汽车的内部装饰或外部装饰的曲面组装。
本实施方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号，可以在显示部上显示影像及信息等。另外，在电子设备包括天线及二次电池时，可以用天线进行非接触电力传送。
本实施方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有感测、检测或测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。
本实施方式的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。
图32A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。
电子设备6500包括外壳6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、照相机6507及光源6508等。显示部6502具有触摸面板功能。
显示部6502可以使用本发明的一个方式的显示装置。
图32B是包括外壳6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。
外壳6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被外壳6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示面板6511、光学构件6512、触摸传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。
显示面板6511、光学构件6512及触摸传感器面板6513使用粘合层(未图示)固定到保护构件6510。
在显示部6502的外侧的区域中，显示面板6511的一部分叠回，且该叠回部分连接有FPC6515。FPC6515安装有IC6516。FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。
显示面板6511可以使用本发明的一个方式的柔性显示器(具有柔性的显示装置)。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示面板6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下安装大容量的电池6518。此外，通过折叠显示面板6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。
图33A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，外壳7101中组装有显示部7000。在此示出利用支架7103支撑外壳7101的结构。
可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。
可以通过利用外壳7101所具备的操作开关及另外提供的遥控操作机7111进行图33A所示的电视装置7100的操作。此外，也可以在显示部7000中具备触摸传感器，也可以通过用指头等触摸显示部7000进行电视装置7100的操作。此外，也可以在遥控操作机7111中具备显示从该遥控操作机7111输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7111所具备的操作键或触摸面板，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7000上的影像进行操作。
此外，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图33B示出笔记本型个人计算机的一个例子。笔记本型个人计算机7200包括外壳7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在外壳7211中组装有显示部7000。
可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。
图33C和图33D示出数字标牌的一个例子。
图33C所示的数字标牌7300包括外壳7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器、麦克风等。
图33D示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。
在图33C和图33D中，可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。
显示部7000越大，一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。
通过将触摸面板用于显示部7000，不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像，使用者还能够直觉性地进行操作，所以是优选的。此外，在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。
如图33C和图33D所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选可以通过无线通信与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕上。此外，通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411，可以切换显示部7000的显示。
此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。
图34A是安装有取景器8100的照相机8000的外观图。
照相机8000包括外壳8001、显示部8002、操作按钮8003、快门按钮8004等。此外，照相机8000安装有可装卸的镜头8006。在照相机8000中，镜头8006和外壳8001也可以被形成为一体。
照相机8000通过按下快门按钮8004或者触摸用作触摸面板的显示部8002，可以进行成像。
外壳8001包括具有电极的嵌入器，除了可以与取景器8100连接以外，还可以与闪光灯装置等连接。
取景器8100包括外壳8101、显示部8102以及按钮8103等。
外壳8101通过嵌合到照相机8000的嵌入器装到照相机8000。取景器8100可以将从照相机8000接收的图像等显示到显示部8102上。
按钮8103被用作电源按钮等。
本发明的一个方式的显示装置可以用于照相机8000的显示部8002及取景器8100的显示部8102。此外，也可以在照相机8000中内置有取景器。
图34B是头戴显示器8200的外观图。
头戴显示器8200包括安装部8201、透镜8202、主体8203、显示部8204以及电缆8205等。此外，在安装部8201中内置有电池8206。
通过电缆8205，将电力从电池8206供应到主体8203。主体8203具备无线接收器等，能够将所接收的图像信息等显示到显示部8204上。此外，主体8203具有照相机，由此可以利用使用者的眼球或眼睑的动作作为输入方法。
此外，也可以对安装部8201的被使用者接触的位置设置多个电极，以感测出根据使用者的眼球的动作而流过电极的电流，由此实现识别使用者的视线的功能。此外，还可以具有根据流过该电极的电流监视使用者的脉搏的功能。安装部8201可以具有温度传感器、压力传感器、加速度传感器等各种传感器，也可以具有将使用者的生物信息显示在显示部8204上的功能或与使用者的头部的动作同步地使显示在显示部8204上的图像变化的功能等。
可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8204。
图34C至图34E是头戴显示器8300的外观图。头戴显示器8300包括外壳8301、显示部8302、带状固定工具8304以及一对透镜8305。
使用者可以通过透镜8305看到显示部8302上的显示。优选的是，弯曲配置显示部8302。因为使用者可以感受高真实感。此外，通过透镜8305分别看到显示在显示部8302的不同区域上的图像，从而可以进行利用视差的三维显示等。此外，不局限于设置有一个显示部8302的结构，也可以设置两个显示部8302以对使用者的一对眼睛分别配置一个显示部。
可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8302。本发明的一个方式的显示装置还可以实现极高的清晰度。例如，如图34E所示，即使使用透镜8305对显示进行放大观看，像素也不容易被使用者看到。就是说，可以利用显示部8302使使用者观看到现实感更高的影像。
图34F是护目镜型头戴显示器8400的外观图。头戴显示器8400包括一对外壳8401、安装部8402及缓冲构件8403。一对外壳8401内各自设置有显示部8404及透镜8405。通过使一对显示部8404显示互不相同的图像，可以进行利用视差的三维显示。
使用者可以通过透镜8405看到显示部8404上的显示。透镜8405具有焦点调整机构，该焦点调整机构可以根据使用者的视力调整透镜8405的位置。显示部8404优选为正方形或横向长的长方形。由此，可以提高真实感。
安装部8402优选具有塑性及弹性以可以根据使用者的脸尺寸调整并没有掉下来。另外，安装部8402的一部分优选具有用作骨传导耳机的振动机构。由此，只要安装就可以享受影像及声音，而不需耳机、扬声器等音响设备。此外，也可以具有通过无线通信将声音数据输出到外壳8401内的功能。
安装部8402及缓冲构件8403是与使用者的脸(额头、脸颊等)接触的部分。通过使缓冲构件8403与使用者的脸密接，可以防止漏光，从而可以进一步提高沉浸感。缓冲构件8403优选使用柔软的材料以在使用者装上头戴显示器8400时与使用者的脸密接。例如，可以使用橡胶、硅酮橡胶、聚氨酯、海绵等材料。另外，当使用用布或皮革(天然皮革或合成皮革)等覆盖海绵等的表面的构件时，在使用者的脸和缓冲构件8403之间不容易产生空隙，从而可以适当地防止漏光。另外，在使用这种材料时，不仅让使用者感觉亲肤，而且当在较冷的季节等装上的情况下不让使用者感到寒意，所以是优选的。在缓冲构件8403或安装部8402等接触于使用者的皮肤的构件采用可拆卸的结构时，容易进行清洗及交换，所以是优选的。
图35A至图35F所示的电子设备包括外壳9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有感测、检测或测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。
图35A至图35F所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据并进行处理的功能；等。注意，电子设备可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。此外，也可以在电子设备中设置照相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像，且将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于照相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。
可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部9001。
下面，详细地说明图35A至图35F所示的电子设备。
图35A是示出便携式信息终端9101的立体图。可以将便携式信息终端9101例如用作智能手机。注意，在便携式信息终端9101中，也可以设置扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。此外，作为便携式信息终端9101，可以将文字及图像信息显示在其多个面上。在图35A中示出显示三个图标9050的例子。此外，也可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。作为信息9051的一个例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS或电话等的信息；电子邮件、SNS等的标题；电子邮件或SNS等的发送者姓名；日期；时间；电池余量；以及天线接收信号强度的显示等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示图标9050等。
图35B是示出便携式信息终端9102的立体图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下，使用者能够确认显示在从便携式信息终端9102的上方看到的位置上的信息9053。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，由此能够判断是否接电话。
图35G是示出平板终端9103的立体图。平板终端9103例如可以执行移动电话、电子邮件及文章的阅读和编辑、播放音乐、网络通信、计算机游戏等各种应用软件。平板终端9103在外壳9000的正面包括显示部9001、照相机9002、麦克风9008及扬声器9003，在外壳9000的左侧面包括操作键9005，在底面包括连接端子9006。
图35C是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。可以将便携式信息终端9200例如用作智能手表(注册商标)。此外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。此外，便携式信息终端9200例如通过与可进行无线通信的耳麦相互通信可以进行免提通话。此外，通过利用连接端子9006，便携式信息终端9200可以与其他信息终端进行数据传输及充电。充电也可以通过无线供电进行。
图35D至图35F是示出可以折叠的便携式信息终端9201的立体图。此外，图35E是将便携式信息终端9201展开的状态的立体图、图35F是折叠的状态的立体图、图35F是从图35E的状态和图35G的状态中的一个转换成另一个时中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个外壳9000支撑。显示部9001例如可以在曲率半径0.1mm以上且150mm以下的范围弯曲。
本实施方式所示的结构例子、制造方法例子及对应这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子、制造方法例子或附图等适当地组合。另外，在规定其他结构或制造方法时可以适当地参照说明本说明书中的结构或制造方法时使用的词句或表现。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
[符号说明]
100：显示装置、100A：显示装置、100B：显示装置、100C：显示装置、100D：显示装置、100E：显示装置、100F：显示装置、100G：显示装置、100H：显示装置、100J：显示装置、100K：显示装置、101：衬底、110B：发光元件、110G：发光元件、110R：发光元件、111a：导电层、111b：导电层、111B：像素电极、111C：连接电极、111G：像素电极、111R：像素电极、112B：EL层、112Bf：EL膜、112G：EL层、112Gf：EL膜、112R：EL层、112Rf：EL膜、113：公共电极、114：EL层、115B：光学调整层、115G：光学调整层、115R：光学调整层、116B：导电层、116G：导电层、116R：导电层、117R：区域、118R：区域、119R：区域、121：保护层、130：连接部、131：绝缘层、131f：绝缘膜、132：绝缘层、132a：绝缘层、132b：绝缘层、132f：绝缘膜、133：空间、134：绝缘层、134a：绝缘层、134b：绝缘层、134f：绝缘膜、141：抗蚀剂掩模、141f：抗蚀剂膜、143a：抗蚀剂掩模、143b：抗蚀剂掩模、143c：抗蚀剂掩模、144a：牺牲膜、144b：牺牲膜、144c：牺牲膜、145：牺牲层、145a：牺牲层、145b：牺牲层、145c：牺牲层、146a：牺牲膜、146b：牺牲膜、146c：牺牲膜、147：牺牲层、147a：牺牲层、147b：牺牲层、147c：牺牲层、151：光掩模、152：光、153：光、161：层、162：绝缘层、163：接触孔、201：晶体管、202：晶体管、204：连接部、205：晶体管、209：晶体管、210：晶体管、211：绝缘层、212：绝缘层、213：绝缘层、214：绝缘层、215：绝缘层、218：绝缘层、221：导电层、222a：导电层、222b：导电层、223：导电层、225：绝缘层、228：区域、231：半导体层、231i：沟道形成区域、231n：低电阻区域、242：连接层、400A：显示装置、400B：显示装置、400C：显示装置、400D：显示装置、411a：像素电极、411b：像素电极、411c：像素电极、413：公共电极、416：保护层、416a：无机绝缘层、416b：有机绝缘层、416c：无机绝缘层、417：遮光层、421：绝缘层、422：绝缘层、424：绝缘层、426a：光学调整层、426b：光学调整层、426c：光学调整层、430a：发光元件、430b：发光元件、430c：发光元件、442：粘合层、443：空间、451：衬底、452：衬底、453：衬底、454：衬底、455：粘合层、462：显示部、464：电路、465：布线、466：导电层、472：FPC、473：IC、701：衬底、702L：显示部、702R：显示部、772：下部电极、785：着色层、786：EL层、786a：EL层、786b：EL层、788：上部电极、4411：发光层、4412：发光层、4413：发光层、4420：层、4420-1：层、4420-2：层、4430：层、4430-1：层、4430-2：层、6500：电子设备、6501：外壳、6502：显示部、6503：电源按钮、6504：按钮、6505：扬声器、6506：麦克风、6507：照相机、6508：光源、6510：保护构件、6511：显示面板、6512：光学构件、6513：触摸传感器面板、6515：FPC、6516：IC、6517：印刷电路板、6518：电池、7000：显示部、7100：电视装置、7101：外壳、7103：支架、7111：遥控操作机、7200：笔记本型个人计算机、7211：外壳、7212：键盘、7213：指向装置、7214：外部连接端口、7300：数字标牌、7301：外壳、7303：扬声器、7311：信息终端機、7400：数字标牌、7401：柱子、7411：信息终端设备、8000：照相机、8001：外壳、8002：显示部、8003：操作按钮、8004：快门按钮、8006：镜头、8100：取景器、8101：外壳、8102：显示部、8103：按钮、8200：头戴显示器、8201：安装部、8202：透镜、8203：主体、8204：显示部、8205：电缆、8206：电池、8300：头戴显示器、8301：外壳、8302：显示部、8304：固定工具、8305：透镜、8400：头戴显示器、8401：外壳、8402：安装部、8403：缓冲构件、8404：显示部、8405：透镜、9000：外壳、9001：显示部、9002：照相机、9003：扬声器、9005：操作键、9006：连接端子、9007：传感器、9008：麦克风、9050：图标、9051：信息、9052：信息、9053：信息、9054：信息、9055：铰链、9101：便携式信息终端、9102：便携式信息终端、9200：便携式信息终端、9201：便携式信息终端
Claims (14)
1.一种显示装置，包括：
包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；
包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；
覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及
所述第二绝缘层上的第三绝缘层，
其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第三绝缘层上，
并且，所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第三绝缘层上。
2.一种显示装置，包括：
包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；
包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；
覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及
所述第二绝缘层上的第三绝缘层，
其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第三绝缘层上，
所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第三绝缘层上，
并且，所述第三绝缘层具有在所述第一像素电极上与所述第一绝缘层接触的区域。
3.一种显示装置，包括：
像素电极；
覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层上的第三绝缘层；
所述像素电极上及所述第三绝缘层上的EL层；以及
所述EL层上的公共电极。
4.一种显示装置，包括：
像素电极；
覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层上的第三绝缘层；
所述像素电极上及所述第三绝缘层上的EL层；以及
所述EL层上的公共电极，
其中，所述第三绝缘层具有与所述第一绝缘层接触的区域。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，
其中所述第一绝缘层及所述第三绝缘层包含无机材料，
并且所述第二绝缘层包含有机材料。
6.一种显示装置的制造方法，包括：
形成像素电极的工序；
在所述像素电极上形成第一绝缘膜的工序；
在所述第一绝缘膜上以覆盖所述像素电极的端部的方式形成第二绝缘层的工序；
在所述第一绝缘膜上及所述第二绝缘层上形成第二绝缘膜的工序；
使用抗蚀剂掩模蚀刻所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜而形成覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层以及具有与所述第一绝缘层接触的区域的第三绝缘层的工序；
在所述像素电极上及所述第三绝缘层上形成EL层的工序；以及
在所述EL层上形成公共电极的工序。
7.一种显示装置，包括：
包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；
包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；
覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第二绝缘层上，
所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第二绝缘层上，
所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
8.一种显示装置，包括：
包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；
包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；
覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第二绝缘层上，
所述第一EL层具有在所述第一像素电极上与所述第一绝缘层接触的区域，
所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第二绝缘层上，
所述第二EL层具有在所述第二像素电极上与所述第一绝缘层接触的区域，
所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
9.一种显示装置，包括：
包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；
包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；
覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第二绝缘层上，
所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第二绝缘层上，
所述第二绝缘层具有与所述第一像素电极接触的区域以及与所述第二像素电极接触的区域，
所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
10.一种显示装置，包括：
像素电极；
覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；
所述像素电极上及所述第二绝缘层上的EL层；以及
所述EL层上的公共电极，
其中，所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
11.一种显示装置，包括：
像素电极；
覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；
所述像素电极上及所述第二绝缘层上的EL层；以及
所述EL层上的公共电极，
其中，所述EL层具有在所述像素电极上与所述第一绝缘层接触的区域，
所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
12.一种显示装置，包括：
像素电极；
覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第二绝缘层；
所述像素电极上及所述第二绝缘层上的EL层；以及
所述EL层上的公共电极，
其中，所述第二绝缘层具有与所述像素电极接触的区域，
所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
13.一种显示装置的制造方法，包括：
形成像素电极的工序；
在所述像素电极上形成第一绝缘膜的工序；
在所述第一绝缘膜上以覆盖所述像素电极的端部的方式形成第二绝缘层的工序；
使用抗蚀剂掩模蚀刻所述第一绝缘膜而形成覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层的工序；
在所述像素电极上及所述第二绝缘层上形成EL层的工序；以及
在所述EL层上形成公共电极的工序，
其中，所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
14.一种显示装置的制造方法，包括：
形成像素电极的工序；
以覆盖所述像素电极的端部的方式形成第一绝缘层的工序；
以覆盖所述第一绝缘层的方式形成第二绝缘层的工序；
在所述像素电极上及所述第二绝缘层上形成EL层的工序；以及
在所述EL层上形成公共电极的工序，
其中，所述第一绝缘层包含无机材料，
并且，所述第二绝缘层包含有机材料。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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2022
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