WO2022255686A1 - 내플라즈마 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법 - Google Patents

내플라즈마 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법 Download PDF

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WO2022255686A1
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mol
less
plasma
glass
semiconductor manufacturing
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PCT/KR2022/006893
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김대근
석혜원
이경민
나혜인
이문기
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아이원스 주식회사
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
    • C03B11/12—Cooling, heating, or insulating the plunger, the mould, or the glass-pressing machine; cooling or heating of the glass in the mould
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
    • C03B11/12—Cooling, heating, or insulating the plunger, the mould, or the glass-pressing machine; cooling or heating of the glass in the mould
    • C03B11/125—Cooling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B25/00—Annealing glass products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal

Definitions

  • the present invention claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2021-0072961 filed with the Korean Intellectual Property Office on June 04, 2021, all of which are included in the present invention.
  • the present invention relates to plasma glass, parts for the inside of a chamber for semiconductor manufacturing process, and their manufacturing method, and specifically, to reduce the thermal expansion coefficient by adjusting the component content of the plasma glass, which can prevent damage from thermal shock when used at high temperatures. It relates to plasma-resistant glass and a manufacturing method thereof.
  • a plasma etching process is applied in the manufacture of semiconductors and/or displays. As the nano process is applied recently, the difficulty of etching is increased and the internal parts of the process chamber exposed to the high-density plasma environment are oxide-based ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ) and yttria (Y 2 O 3 ) having corrosion resistance. It is mainly used.
  • the technical problem to be achieved by the present invention is to have excellent resistance to plasma inside the chamber used in the semiconductor manufacturing process and excellent heat resistance under high temperature conditions to prevent damage to parts used inside the chamber, plasma glass for semiconductor manufacturing process It is to provide parts for the interior of a chamber for and a method for manufacturing them.
  • An exemplary embodiment of the present invention is a plasma resistant plasma comprising 55 mol% or more and 70 mol% or less of SiO 2 , 5 mol% or more and 20 mol% or less of Al 2 O 3 and 29 mol% or more and 35 mol% or less of MgO provide glass.
  • One embodiment of the present invention provides a component for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process that is made of the plasma glass.
  • An exemplary embodiment of the present invention is to melt a composition comprising 55 mol% or more and 70 mol% or less of SiO 2 , 5 mol% or more and 20 mol% or less of Al 2 O 3 and 29 mol% or more and 35 mol% or less of MgO step; And quenching the molten composition; provides a method for producing a plasma glass comprising a.
  • An exemplary embodiment of the present invention comprises melting the plasma glass; injecting the molten plasma glass into a mold; And it provides a method of manufacturing a component for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process comprising the step of annealing the injected plasma glass.
  • the plasma glass according to an exemplary embodiment of the present invention exhibits a low coefficient of thermal expansion, it is possible to prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere.
  • Components for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process can improve the use time in the semiconductor manufacturing process by implementing a low etching rate for plasma, and improve durability by preventing damage to components due to thermal shock.
  • the manufacturing method of the plasma glass according to an exemplary embodiment of the present invention can easily manufacture the plasma glass and prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere.
  • the manufacturing method of components for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process can manufacture components having various shapes and can prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere.
  • FIG. 1 is a flow chart of a manufacturing method of plasma glass according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a flowchart of a method of manufacturing a component for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a and/or B means “A and B, or A or B”.
  • An exemplary embodiment of the present invention is a plasma resistant plasma comprising 55 mol% or more and 70 mol% or less of SiO 2 , 5 mol% or more and 20 mol% or less of Al 2 O 3 and 29 mol% or more and 35 mol% or less of MgO provide glass.
  • the plasma glass according to an exemplary embodiment of the present invention exhibits a low coefficient of thermal expansion, it is possible to prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere.
  • the plasma glass contains 55 mol% or more and 70 mol% or less of SiO 2 .
  • the plasma-resistant glass is 56 mol% or more and 69 mol% or less, 57 mol% or more and 68 mol% or less, 58 mol% or more and 67 mol% or less, 59 mol% or more and 66 mol% or less, 60 mol% or more and 65 mol%
  • 61 mol% or more and 64 mol% or less, or 62 mol% or more and 63 mol% or less of SiO 2 may be included.
  • the basic physical properties of the plasma glass may be secured, durability and reliability may be improved, and processing of the plasma resistance may be performed. It is possible to reduce the production cost of parts by facilitating.
  • the plasma-resistant glass includes 5 mol% or more and 20 mol% or less of Al 2 O 3 .
  • the plasma glass is 6 mol% or more and 19 mol% or less, 7 mol% or more and 18 mol% or less, 8 mol% or more and 17 mol% or less, 9 mol% or more and 16 mol% or less, 10 mol% or more 15 mol% % or less, 11 mol% or more and 14 mol% or less, or 12 mol% or more and 13 mol% or less of Al 2 O 3 may be included.
  • the plasma glass contains 29 mol% or more and 35 mol% or less of MgO.
  • the plasma glass is 29 mol% or more and 35 mol% or less, 30 mol% or more and 34 mol% or less, 31 mol% or more and 33 mol% or less, 32 mol% or more and 33 mol% or less, or 31 mol% or more and 32 mol%
  • MgO may be included.
  • the mole ratio of the SiO 2 and the Al 2 O 3 may be 6:1 to 2.5:1.
  • the molar ratio between the SiO 2 and the Al 2 O 3 is 5.9:1 to 2.6:1, 5.8:1 to 2.7:1, 5.7:1 to 2.8:1, 5.6:1 to 2.9:1, 5.5:1 to 3.0:1, 5.4:1 to 3.1:1, 5.3:1 to 3.2:1, 5.2:1 to 3.3:1, 5.1:1 to 3.4:1, 5.0:1 to 3.5:1, 4.9:1 to 3.6 : 1, 4.8:1 to 3.7:1, 4.7:1 to 3.8:1, 4.6:1 to 3.9:1, 4.5:1 to 4.0:1, 4.4:1 to 4.1:1 or 4.3:1 to 4.2:1 can be By controlling the molar ratio of the SiO 2 and the Al 2 O 3 within the above-described range, it is possible to improve the wear resistance of the plasma glass and to easily implement work
  • the molar ratio of the SiO 2 and the MgO may be 2:1 to 1.4:1.
  • the molar ratio between the SiO 2 and the MgO is 2:1 to 1.4:1, 1.9:1 to 1.5:1, 1.8:1 to 1.6:1, 1.7:1 to 1.6:1 or 1.8:1 to 1.7: can be 1
  • the molar ratio of the MgO and the Al 2 O 3 may be 3.5: 1 to 1.5: 1.
  • the molar ratio between the MgO and the Al 2 O 3 is 3.4:1 to 1.6:1, 3.3:1 to 1.7:1, 3.2:1 to 1.8:1, 3.1:1 to 1.9:1, 3.0:1 to 3.0:1.
  • the glass transition temperature of the plasma glass may be 750 °C or more and 850 °C or less.
  • the glass transition temperature of the plasma glass may be 760 ° C or more and 840 ° C or less, 770 ° C or more and 830 ° C or less, 780 ° C or more and 820 ° C or less, or 790 ° C or more and 810 ° C or less.
  • the thermal expansion coefficient of the plasma glass may be 4.0 ⁇ 10 -6 m / (m °C) or more and 6.0 ⁇ 10 -6 m / (m °C) or less.
  • the thermal expansion coefficient of the plasma glass is 4.1 ⁇ 10 -6 m / (m °C) or more, 5.9 ⁇ 10 -6 m / (m °C) or less, 4.2 ⁇ 10 -6 m / (m °C) or more 5.8 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or less, 4.3 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or more 5.7 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or less, 4.4 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or more 5.6 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or less, 4.5 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or more 5.5 ⁇ 10 -6 m/(m°C) or less, 4.6 ⁇ 10 -6
  • the etching rate of the plasma glass by the mixed plasma of fluorine and argon (Ar) may be 18 nm/min or less.
  • the etching rate by the mixed plasma of fluorine and argon (Ar) is more than 0 nm/min and less than 17 nm/min, more than 1 nm/min and less than 16 nm/min, more than 2 nm/min and less than 15 nm/min or less, 3 nm/min or more and 14 nm/min or less, 4 nm/min or more and 13 nm/min or less, 5 nm/min or more and 12 nm/min or less, 6 nm/min or more and 11 nm/min or less, or 7 nm/min It may be more than 10 nm/min or less.
  • the parts for the inside of the chamber for the semiconductor manufacturing process realize a low etching rate for the plasma, thereby reducing the use time in the semiconductor manufacturing process. can improve
  • One embodiment of the present invention provides a component for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process that is made of the plasma glass.
  • Components for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process can improve the use time in the semiconductor manufacturing process by implementing a low etching rate for plasma, and improve durability by preventing damage to components due to thermal shock.
  • the internal parts include a focus ring, an edge ring, a cover ting, a ring shower, an insulator, and an EPD window ), electrode, view port, inner shutter, electrostatic chuck, heater, chamber liner, shower head, CVD (Chemical Boat for vapor deposition, wall liner, shield, cold pad, source head, outer liner, deposition shield, It may be any one of an upper liner, an exhaust plate, and a mask frame. From the above, by using the internal parts, it is possible to minimize the cost required for semiconductor manufacturing by extending the use time by improving the resistance to plasma in the semiconductor manufacturing process.
  • CVD Chemical Boat for vapor deposition, wall liner, shield, cold pad, source head, outer liner, deposition shield
  • An exemplary embodiment of the present invention is to melt a composition comprising 55 mol% or more and 70 mol% or less of SiO 2 , 5 mol% or more and 20 mol% or less of Al 2 O 3 and 29 mol% or more and 35 mol% or less of MgO Step (S11); and rapidly cooling the molten composition (S13).
  • the manufacturing method of the plasma glass according to an exemplary embodiment of the present invention can easily manufacture the plasma glass and prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere.
  • the content overlapping with the plasma glass is omitted.
  • the method for producing the plasma glass is 55 mol% or more and 70 mol% or less SiO 2 , 5 mol% or more and 20 mol% or less Al 2 O 3 and 29 mol% or more 35 mol% and melting the composition containing MgO below (S11). From the above, by controlling the components of the plasma glass, and adjusting the content of the components, it is possible to prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere of the plasma glass.
  • the manufacturing method of the plasma glass includes the step of rapidly cooling the molten composition (S13). As described above, the plasma glass
  • the temperature of the rapid cooling step may be room temperature.
  • the temperature of the quenching step in the above-described range, it is possible to control the crystal of the plasma glass, and it is possible to easily perform melting in the process of manufacturing the internal parts of the chamber for the semiconductor manufacturing process.
  • the melting temperature of the step of melting the composition may be 1400 °C or more and 1700 °C or less.
  • the melting temperature of the step of melting the composition may be 1400 ° C or more and 1700 ° C or less, 1450 ° C or more and 1650 ° C or less, or 1500 ° C or more and 1600 ° C or less.
  • An exemplary embodiment of the present invention is the step of melting the plasma glass (S21); Injecting the molten plasma glass into a mold (S23); and annealing the implanted plasma glass (S25).
  • the manufacturing method of components for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process can manufacture components having various shapes and can prevent damage due to thermal shock in a high-temperature atmosphere.
  • the method of manufacturing a component for the inside of a chamber for the semiconductor manufacturing process includes melting the plasma glass (S21).
  • the workability of the process of manufacturing the parts for the inside of the chamber for the semiconductor manufacturing process is improved, and at the same time, the molten metal in which the plasma glass is melted is injected into the mold. , can be molded into various shapes.
  • the method of manufacturing a component for the inside of a chamber for the semiconductor manufacturing process includes injecting the molten plasma glass into a mold (S23). As described above, various types of parts may be manufactured by injecting the molten plasma glass into a mold.
  • the mold includes a focus ring, an edge ring, a cover ting, a ring shower, an insulator, and an EPD window ), electrode, view port, inner shutter, electrostatic chuck, heater, chamber liner, shower head, CVD (Chemical Boat for vapor deposition, wall liner, shield, cold pad, source head, outer liner, deposition shield, It may have any one form of an upper liner, an exhaust plate, and a mask frame.
  • CVD Chemical Boat for vapor deposition, wall liner, shield, cold pad, source head, outer liner, deposition shield, It may have any one form of an upper liner, an exhaust plate, and a mask frame.
  • the method of manufacturing a component for the inside of a chamber for the semiconductor manufacturing process includes annealing the injected plasma glass (S25).
  • annealing the injected plasma glass S25.
  • the melting temperature of the step of melting the plasma glass may be 1400 °C or more and 1700 °C or less. Specifically, the melting temperature of the step of melting the plasma glass may be 1450 °C or more and 1650 °C or less or 1500 °C or more and 1600 °C or less.
  • the temperature of the annealing step may be 400 °C or more and 900 °C or less.
  • the temperature of the annealing step is 430 °C or more and 890 °C or less, 450 °C or more and 880 °C or less, 470 °C or more and 870 °C or less, 500 °C or more and 860 °C or less, 550 °C or more and 850 °C or less, 560 °C or more and 840 °C 570 °C or more and 830 °C or less, 580 °C or more and 820 °C or less, 590 °C or more and 810 °C or less, 600 °C or more and 800 °C or less, 610 °C or more and 790 °C or less, 620 °C or more and 780 °C or less, 630 °C or more and 770 °C or less , 640
  • a step (S27) of processing a precursor of a component for the inside of a chamber for a semiconductor manufacturing process manufactured by the annealed plasma-resistant glass may be included.
  • sophisticated components can be manufactured by processing the precursors of components for the inside of the chamber for the semiconductor manufacturing process.
  • a composition comprising 59.27 mol % SiO 2 , 10.31 mol % Al 2 O 3 and 30.43 mol % MgO was prepared. Specifically, the total amount of the chemical components was placed in a weight of 600 g, and the composition was mixed for about 1 hour using a zirconia ball milling method. That is, 600 g of the composition: 1800 g of zirconia balls (weight ratio 1:3) were dry-mixed with the composition, and then dried for 24 hours. Thereafter, the temperature of the dried composition was increased at a rate of 10 °C/min until the temperature of 1400 °C was reached using a Super Catalo, and the temperature was maintained at 1400 °C for approximately 2 hours and 30 minutes.
  • the molten composition was rapidly cooled to room temperature to prepare a plasma glass.
  • Example 1 the components and contents of the composition were the same as in Example 1, except that a composition containing 52.50 mol% of SiO 2 , 15.00 mol% of Al 2 O 3 and 32.50 mol% of MgO was prepared and used. Plasma-resistant glass was prepared.
  • Example 1 the components and contents of the composition were the same as in Example 1, except that a composition containing 52.10 mol% of SiO 2 , 11.94 mol% of Al 2 O 3 and 35.97 mol% of MgO was prepared and used. Plasma-resistant glass was prepared.
  • the exposed portion was etched for about 1 hour in a CF 4 mixed gas environment using ICP-Etcher equipment, and the etching
  • the conditions are as follows.
  • Example 1 804.7 4.34 10.09
  • Example 2 806 4.842 12.50 Comparative Example 1 794.4 5.842 7.14
  • Examples 1 and 2 have a glass transition temperature of 810 ° C or less and an hour rate of 16 nm / min or less, so that the melting point is low and the etching rate is low, so that workability and durability are improved. It can be confirmed that the thermal shock is improved, and the thermal expansion coefficient is implemented low, so that thermal shock at high temperatures can be prevented.
  • Comparative Example 1 does not satisfy all of the contents of SiO 2 , Al 2 O 3 and MgO, so that the etching rate and glass transition temperature are low, but the thermal expansion coefficient is high, so that it is vulnerable to thermal shock at high temperatures. .
  • an exemplary embodiment of the present invention satisfies the contents of SiO 2 , Al 2 O 3 and MgO of the plasma glass, thereby implementing a low etching rate and glass transition temperature and at the same time implementing a low thermal expansion coefficient to prevent thermal shock at high temperatures. can do.

Abstract

[요약] 본 발명은 내플라즈마 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마 유리의 성분 함량을 조절하여 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있는 내플라즈마 유리 및 그 제조 방법에 관한 것이다. [대표도] 도 1

Description

내플라즈마 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법
본 발명은 2021년 06월 04일에 한국특허청에 제출된 한국 특허출원 제10-2021-0072961호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 발명에 포함된다. 본 발명은 내플라즈마 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마 유리의 성분 함량을 조절하여 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있는 내플라즈마 유리 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 및/또는 디스플레이 제조 시 플라즈마 식각 공정이 적용되고 있다. 최근 나노 공정이 적용되면서, 식각의 난이도가 증가되고 고밀도 플라즈마 환경에 노출되는 공정 챔버의 내부 부품은 내식성을 갖는 알루미나(Al2O3), 이트리아(Y2O3)와 같은 산화물계 세라믹이 주로 사용되고 있다.
다결정 소재가 불소계 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마 식각 환경에 장기간 노출될 경우, 국부적인 침식으로 인해 입자가 탈락되고, 이에 따른 오염 입자의 발생 확률이 높아진다. 이는 반도체/디스플레이의 결함을 유발하며 생산 수율에 악영향을 미친다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 제조 공정에서 사용되는 챔버 내부의 플라즈마에 의하여 저항성이 우수하며 고온조건에서 내열성이 우수하여 챔버 내부에 사용되는 부품의 손상을 방지하기 위한 내플라즈마 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시상태는 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 것인 내플라즈마 유리를 제공한다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 내플라즈마 유리로 제조된 것인 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태는 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 조성물을 용융시키는 단계; 및 상기 용융된 조성물을 급냉하는 단계;를 포함하는 내플라즈마 유리의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계; 상기 용융된 내플라즈마 유리를 금형에 주입하는 단계; 및 상기 주입된 내플라즈마 유리를 어닐링하는 단계를 포함하는 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 내플라즈마 유리는 낮은 열팽창계수 특성을 발현하므로 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품은 플라즈마에 대한 식각률을 낮게 구현하여 반도체 제조 공정에서 사용시간을 향상시킬 수 있으며, 열충격에 대한 부품 손상을 방지하여 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 내플라즈마 유리의 제조방법은 용이하게 내플라즈마 유리를 제조하며 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법은 다양한 형상을 갖는 부품을 제조할 수 있으며 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 내플라즈마 유리의 제조방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법의 순서도이다.
[부호의 설명]
S 11: 조성물 용융 단계 S 13: 급냉 단계
S 21: 내플라즈마 유리 용융 단계 S 23: 금형 주입 단계
S 25: 어닐링 단계 S 27: 가공 단계
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"는 "A 및 B, 또는 A 또는 B"를 의미한다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시상태는 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 것인 내플라즈마 유리를 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 내플라즈마 유리는 낮은 열팽창계수 특성을 발현하므로 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리는 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2를 포함한다. 구체적으로 상기 내플라즈마 유리는 56 몰% 이상 69 몰% 이하, 57 몰% 이상 68 몰% 이하, 58 몰% 이상 67 몰% 이하, 59 몰% 이상 66 몰% 이하, 60 몰% 이상 65 몰% 이하, 61 몰% 이상 64 몰% 이하 또는 62 몰% 이상 63 몰% 이하의 SiO2를 포함할 수 있다. 상술한 것과 같이, 상기 SiO2를 포함하며, 상술한 범위에서 상기 SiO2의 함량을 조절함으로써, 상기 내플라즈마 유리의 기본 물성을 확보하며, 내구성과 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 상기 내플라즈마의 가공을 용이하게 하여 부품의 생산비용을 절감시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리는 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3를 포함한다. 구체적으로, 상기 내플라즈마 유리는 6 몰% 이상 19 몰% 이하, 7 몰% 이상 18 몰% 이하, 8 몰% 이상 17 몰% 이하, 9 몰% 이상 16 몰% 이하, 10 몰% 이상 15 몰% 이하, 11 몰% 이상 14 몰% 이하 또는 12 몰% 이상 13 몰% 이하의 Al2O3를 포함할 수 있다. 상술한 것과 같이, 상기 Al2O3를 포함하며, 상술한 범위에서 상기 Al2O3의 함량을 조절함으로써, 아웃개싱(outgasing)을 방지할 수 있고 파티클(particle)의 발생도 억제할 수 있으며, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 내마모성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리는 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함한다. 구체적으로 상기 내플라즈마 유리는 29 몰% 이상 35 몰% 이하, 30 몰% 이상 34 몰% 이하, 31 몰% 이상 33 몰% 이하, 32 몰% 이상 33 몰% 이하 또는 31 몰% 이상 32 몰% 이하의 MgO를 포함할 수 있다. 상술한 것과 같이, 상기 MgO를 포함하며, 상술한 범위에서 상기 MgO의 함량을 조절함으로써, 유리의 열팽창계수 및 유리전이온도를 낮게 구현함으로써, 고온에서의 열충격을 최소화하고 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 SiO2와 상기 Al2O3의 몰비는 6 : 1 내지 2.5 : 1 인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 SiO2와 상기 Al2O3의 몰비는 5.9 : 1 내지 2.6 : 1, 5.8 : 1 내지 2.7 : 1, 5.7 : 1 내지 2.8 : 1, 5.6 : 1 내지 2.9 : 1, 5.5 : 1 내지 3.0 : 1, 5.4 : 1 내지 3.1 : 1, 5.3 : 1 내지 3.2 : 1, 5.2 : 1 내지 3.3 : 1, 5.1 : 1 내지 3.4 : 1, 5.0 : 1 내지 3.5 : 1, 4.9 : 1 내지 3.6 : 1, 4.8 : 1 내지 3.7 : 1, 4.7 : 1 내지 3.8 : 1, 4.6 : 1 내지 3.9 : 1, 4.5 : 1 내지 4.0 : 1, 4.4 : 1 내지 4.1 : 1 또는 4.3 : 1 내지 4.2 : 1일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 SiO2와 상기 Al2O3의 몰비를 조절함으로써, 상기 내플라즈마 유리의 내마모성을 향상시키는 동시에 가공성을 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 SiO2와 상기 MgO의 몰비는 2 : 1 내지 1.4 : 1 인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 SiO2와 상기 MgO의 몰비는 2 : 1 내지 1.4 : 1, 1.9 : 1 내지 1.5 : 1, 1.8 : 1 내지 1.6 : 1, 1.7 : 1 내지 1.6 : 1 또는 1.8 : 1 내지 1.7 : 1일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 상기 SiO2와 상기 MgO의 몰비를 조절함으로써, 상기 내플라즈마 유리의 내구성과 신뢰성을 향상시키는 동시에 고온에서의 열충격에 대한 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 MgO와 상기 Al2O3의 몰비는 3.5 : 1 내지 1.5 : 1인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 MgO와 상기 Al2O3의 몰비는 3.4 : 1 내지 1.6 : 1, 3.3 : 1 내지 1.7 : 1, 3.2 : 1 내지 1.8 : 1, 3.1 : 1 내지 1.9 : 1, 3.0 : 1 내지 2.0 : 1, 2.9 : 1 내지 2.1 : 1, 2.8 : 1 내지 2.2 : 1, 2.7 : 1 내지 2.3 : 1 또는 2.6 : 1 내지 2.4 : 1일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 MgO와 상기 Al2O3의 몰비를 조절함으로써, 고온에서의 열충격을 최소화하고 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리의 유리전이온도는 750 ℃ 이상 850 ℃ 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 내플라즈마 유리의 유리전이온도는 760 ℃ 이상 840 ℃ 이하, 770 ℃ 이상 830 ℃ 이하, 780 ℃ 이상 820 ℃ 이하 또는 790 ℃ 이상 810 ℃ 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 내플라즈마 유리의 유리전이온도를 조절함으로써, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 고온에서의 열 충격을 최소화하며, 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리의 열팽창계수는 4.0×10-6m/(m℃) 이상 6.0×10-6m/(m℃) 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 내플라즈마 유리의 열팽창계수는 4.1×10-6m/(m℃) 이상 5.9×10-6m/(m℃) 이하, 4.2×10-6m/(m℃) 이상 5.8×10-6m/(m℃) 이하, 4.3×10-6m/(m℃) 이상 5.7×10-6m/(m℃) 이하, 4.4×10-6m/(m℃) 이상 5.6×10-6m/(m℃) 이하, 4.5×10-6m/(m℃) 이상 5.5×10-6m/(m℃) 이하, 4.6×10-6m/(m℃) 이상 5.4×10-6m/(m℃) 이하, 4.7×10-6m/(m℃) 이상 5.3×10-6m/(m℃) 이하, 4.8×10-6m/(m℃) 이상 5.2×10-6m/(m℃) 이하 또는 4.9×10-6m/(m℃) 이상 5.1×10-6m/(m℃) 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 내플라즈마 유리의 열팽창계수를 조절함으로써, 열충격에 대한 부품 손상을 방지하여 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리의 불소(fluorine)와 아르곤(Ar)의 혼합 플라즈마에 의한 식각률이 18 nm/min 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 불소(fluorine)와 아르곤(Ar)의 혼합 플라즈마에 의한 식각률이 0 nm/min 초과 17 nm/min 이하, 1 nm/min 이상 16 nm/min 이하, 2 nm/min 이상 15 nm/min 이하, 3 nm/min 이상 14 nm/min 이하, 4 nm/min 이상 13 nm/min 이하, 5 nm/min 이상 12 nm/min 이하, 6 nm/min 이상 11 nm/min 이하 또는 7 nm/min 이상 10 nm/min 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 불소(fluorine)와 아르곤(Ar)의 혼합 플라즈마에 의한 식각률을 구현함으로써, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품은 플라즈마에 대한 식각률을 낮게 구현하여 반도체 제조 공정에서 사용시간을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 내플라즈마 유리로 제조된 것인 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품은 플라즈마에 대한 식각률을 낮게 구현하여 반도체 제조 공정에서 사용시간을 향상시킬 수 있으며, 열충격에 대한 부품 손상을 방지하여 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내부용 부품은 포커스링(focus ring), 엣지링(edge ring), 커버링(cover ting), 링 샤워(ring shower), 인슐레이터(insulator), EPD 윈도우(window), 전극(electrode), 뷰포트(view port), 인너셔터(inner shutter), 정전척(electro static chuck), 히터(heater), 챔버 라이너(chamber liner), 샤워 헤드(shower head), CVD(Chemical Vapor Deposition)용 보트(boat), 월 라이너(wall liner), 쉴드(shield), 콜드 패드(cold pad), 소스 헤드(source head), 아우터 라이너(outer liner), 디포지션 쉴드(deposition shield), 어퍼 라이너(upper liner), 배출 플레이트(exhaust plate) 및 마스크 프레임(mask frame) 중에서 어느 하나인 것일 수 있다. 상술한 것으로부터 상기 내부용 부품을 이용함으로써, 상기 반도체 제조 공정에서의 플라즈마에 대한 저항성을 향상시켜 사용시간을 연장함으로써, 반도체 제조에 소요되는 비용을 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 조성물을 용융시키는 단계(S11); 및 상기 용융된 조성물을 급냉하는 단계(S13);를 포함하는 내플라즈마 유리의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 내플라즈마 유리의 제조방법은 용이하게 내플라즈마 유리를 제조하며 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태인 내플라즈마 유리의 제조방법에서 상기 내플라즈마 유리와 중복되는 내용은 생략한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리의 제조방법은 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 조성물을 용융시키는 단계(S11)를 포함한다. 상술한 것으로부터 내플라즈마 유리의 성분을 조절하며, 상기 성분의 함량을 조절함으로써, 상기 내플라즈마 유리의 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리의 제조방법은 상기 용융된 조성물을 급냉하는 단계(S13)를 포함한다. 상술한 것과 같이 상기 내플라즈마 유리의
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 급냉단계의 온도는 상온 것일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 급냉단계의 온도를 조절함으로써, 상기 내플라즈마 유리의 결정을 조절할 수 있으며, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품을 제조하는 과정에서의 용융을 용이하게 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 조성물을 용융시키는 단계의 용융시키는 온도는 1400 ℃ 이상 1700 ℃ 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 조성물을 용융시키는 단계의 용융시키는 온도는 1400 ℃ 이상 1700 ℃ 이하, 1450 ℃ 이상 1650 ℃ 이하 또는 1500 ℃ 이상 1600 ℃ 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 조성물을 용융시키는 단계의 용융시키는 온도를 조절함으로써, 상기 조성물의 점도를 조절하여 상기 내플라즈마 유리를 제조하는 과정의 작업성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계(S21); 상기 용융된 내플라즈마 유리를 금형에 주입하는 단계(S23); 및 상기 주입된 내플라즈마 유리를 어닐링하는 단계(S25)를 포함하는 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법은 다양한 형상을 갖는 부품을 제조할 수 있으며 고온 분위기에서 열충격에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법은 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계(S21)를 포함한다. 상술한 것과 같이 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계를 포함함으로써, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품을 제조하는 과정의 작업성을 향상시키는 동시에 금형에 상기 내플라즈마 유리를 용융시킨 용탕을 주입함으로써, 다양한 형태로 성형할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법은 상기 용융된 내플라즈마 유리를 금형에 주입하는 단계(S23)를 포함한다. 상술한 것과 같이 상기 용융된 내플라즈마 유리를 금형에 주입함으로써, 다양한 형태의 부품을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금형은 포커스링(focus ring), 엣지링(edge ring), 커버링(cover ting), 링 샤워(ring shower), 인슐레이텨(insulator), EPD 윈도우(window), 전극(electrode), 뷰포트(view port), 인너셔터(inner shutter), 정전척(electro static chuck), 히터(heater), 챔버 라이너(chamber liner), 샤워 헤드(shower head), CVD(Chemical Vapor Deposition)용 보트(boat), 월 라이너(wall liner), 쉴드(shield), 콜드 패드(cold pad), 소스 헤드(source head), 아우터 라이너(outer liner), 디포지션 쉴드(deposition shiled), 어퍼 라이너(upper liner), 배출 플레이트(exhaust plate) 및 마스크 프레임(mask frame) 중에서 어느 하나의 형태를 가질 수 있다. 상술한 것과 같이 상기 금형의 형상을 다양하게 구현함으로써, 용이하게 부품의 형상을 구현하여 제조시간을 절감시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법은 상기 주입된 내플라즈마 유리를 어닐링하는 단계(S25)를 포함한다. 상술한 것과 같이 상기 상기 주입된 내플라즈마 유리를 어닐링하는 단계를 포함함으로써, 상기 금형에 주입되어 제조된 부품에서 발생한 열에 의한 응력을 최소화하여 부품의 내구성을 향상시키며, 고온에서의 열 충격을 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계의 용융시키는 온도는 1400 ℃ 이상 1700 ℃ 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계의 용융시키는 온도는 1450 ℃ 이상 1650 ℃ 이하 또는 1500 ℃ 이상 1600 ℃ 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계의 용융시키는 온도를 조절함으로써, 상기 용융된 내플라즈마 유리의 점도를 조절하여 작업성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 어닐링 하는 단계의 온도는 400 ℃ 이상 900 ℃ 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 어닐링 하는 단계의 온도는 430 ℃ 이상 890 ℃ 이하, 450 ℃ 이상 880 ℃ 이하, 470 ℃ 이상 870 ℃ 이하, 500 ℃ 이상 860 ℃ 이하, 550 ℃ 이상 850 ℃ 이하, 560 ℃ 이상 840 ℃ 이하, 570 ℃ 이상 830 ℃ 이하, 580 ℃ 이상 820 ℃ 이하, 590 ℃ 이상 810 ℃ 이하, 600 ℃ 이상 800 ℃ 이하, 610 ℃ 이상 790 ℃ 이하, 620 ℃ 이상 780 ℃ 이하, 630 ℃ 이상 770 ℃ 이하, 640 ℃ 이상 760 ℃ 이하, 650 ℃ 이상 750 ℃ 이하, 660 ℃ 이상 740 ℃ 이하, 670 ℃ 이상 730 ℃ 이하, 680 ℃ 이상 720 ℃ 이하 또는 690 ℃ 이상 710 ℃ 이하일 수 있다. 상술한 범위에서 상기 어닐링 하는 단계의 온도를 조절함으로써, 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 내에 형성된 열에 의한 응력을 감소시키며, 고온에서 열충격을 최소화하여 부품의 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 어닐링된 내플라즈마 유리에 의하여 제조된 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 전구체를 가공하는 단계(S27)를 포함할 수 있다. 상술한 것과 같이 상기 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 전구체를 가공함으로써, 정교한 부품을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<실시예 1>
59.27 몰%의 SiO2, 10.31 몰%의 Al2O3 및 30.43 몰%의 MgO를 포함하는 조성물을 제조하였다. 구체적으로 화학 성분의 총합을 600g 중량으로 배치하고, 지르코니아 볼 밀링 방식으로 대략 1시간동안 상기 조성물을 혼합하였다. 즉, 조성물 600 g:지르코니아 볼 1800g(중량비 1:3)으로하여 조성물을 건식 혼합한 후, 24시간동안 건조하였다. 이후 상기 건조된 조성물을 슈퍼카탈로를 이용하여 1400℃의 온도에 도달할 때까지 10℃/min의 속도로 온도를 증가하였고, 1400℃의 온도에서 대략 2시간30분 동안 유지하였다.
상기 용융된 조성물을 상온으로 급냉하여 내플라즈마 유리를 제조하였다.
<실시예 2>
상기 실시예 1에서 상기 조성물의 성분 및 함량을 52.50 몰%의 SiO2, 15.00 몰%의 Al2O3 및 32.50 몰%의 MgO를 포함하는 조성물을 제조하여 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 내플라즈마 유리를 제조하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1에서 상기 조성물의 성분 및 함량을 52.10 몰%의 SiO2, 11.94 몰%의 Al2O3 및 35.97 몰%의 MgO를 포함하는 조성물을 제조하여 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 내플라즈마 유리를 제조하였다.
<실험예 1: 유리전이온도 및 열팽창계수 측정>
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1의 내플라즈마 유리에 대하여 열팽창계수(α=100∼300℃)와 유리전이온도(Tg)는 딜라토미터(DIL 402 C, NETZSCH, Germany)를 사용하여 N2-4wt% H2 혼합 가스 분위기 하에서 10 ℃의 승온 속도로 측정하여 하기 표 1에 정리하였다.
<실험예 2: 식각률(eathing rate) 측정>
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1의 내플라즈마 유리의 양측면을 3mm 간격으로 마스킹한 후 노출되는 부위를 ICP-Etcher 장비를 사용하여 약 1 시간 CF4 혼합 가스 환경에서 식각을 실시하였으며, 상기 식각의 조건은 하기와 같다.
RF power(W) : 600
RF power, bias(W) : 150
CF4(SCCM) : 30
Ar(SCCM) : 10
O2(SCCM) : 5
Pressure(mTorr) : 10
Time(min) : 60
상기 식각이 완료된 내플라즈마 유리의 마스킹을 제거 후, 식각 전/후 단차를 surfcorder ET3000(Kosakalaboratory Ltd.,Japan)를 이용하여 3회 측정한 후의 평균값을 하기 표 1에 정리하였다.
유리전이온도
(Tg, ℃		 열팽창계수
(CTE, ×10-6m/(m℃		 식각률
(etching rate, nm/min)
실시예 1 804.7 4.34 10.09
실시예 2 806 4.842 12.50
비교예 1 794.4 5.842 7.14
상기 표 1을 참고하면, 상기 실시예 1 및 2는 유리전이 온도가 810 ℃ 이하로 구현되는 동기에 시각률이 16 nm/min 이하로 구현되어 융점이 낮은 동시에 식각률이 낮게 구현되어 작업성과 내구성이 향상되는 것을 확인할 수 있으며, 열팽창계수가 낮게 구현되어 고온에서의 열 충격이 방지할 수 있음을 확인하였다.
이에 대하여 비교예 1은 SiO2, Al2O3 및 MgO의 함량을 각각 모두 만족시키지 못함으로써, 식각률 및 유리전이온도는 낮게 구현되지만 열팽창계수가 높게 구현되어 고온에서 열충격에 취약함을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시상태는 상기 내플라즈마 유리의 SiO2, Al2O3 및 MgO의 함량을 만족함으로써, 식각률 및 유리전이온도를 낮게 구현하는 동시에 열팽창계수를 낮게 구현하여 고온에서 열충격을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

Claims (14)

  1. 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 것인,
    내플라즈마 유리.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 SiO2와 상기 Al2O3의 몰비는 6 : 1 내지 2.5 : 1 인 것인,
    내플라즈마 유리.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 SiO2와 상기 MgO의 몰비는 2 : 1 내지 1.4 : 1 인 것인,
    내플라즈마 유리.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 MgO와 상기 Al2O3의 몰비는 3.5 : 1 내지 1.5 : 1 인 것인,
    내플라즈마 유리.
  5. 청구항 1에 있어서,
    유리전이온도는 750 ℃ 이상 850 ℃ 이하인 것인,
    내플라즈마 유리.
  6. 청구항 1에 있어서,
    열팽창계수는 4.0×10-6m/(m℃) 이상 6.0×10-6m/(m℃) 이하인 것인,
    내플라즈마 유리.
  7. 청구항 1에 있어서,
    불소(fluorine)와 아르곤(Ar)의 혼합 플라즈마에 의한 식각률이 18 nm/min 이하인 것인,
    내플라즈마 유리.
  8. 청구항 1의 내플라즈마 유리로 제조된 것인,
    반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 내부용 부품은 포커스링(focus ring), 엣지링(edge ring), 커버링(cover ting), 링 샤워(ring shower), 인슐레이터(insulator), EPD 윈도우(window), 전극(electrode), 뷰포트(view port), 인너셔터(inner shutter), 정전척(electro static chuck), 히터(heater), 챔버 라이너(chamber liner), 샤워 헤드(shower head), CVD(Chemical Vapor Deposition)용 보트(boat), 월 라이너(wall liner), 쉴드(shield), 콜드 패드(cold pad), 소스 헤드(source head), 아우터 라이너(outer liner), 디포지션 쉴드(deposition shield), 어퍼 라이너(upper liner), 배출 플레이트(exhaust plate) 및 마스크 프레임(mask frame) 중에서 어느 하나인 것인,
    반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품.
  10. 55 몰% 이상 70 몰% 이하의 SiO2, 5 몰% 이상 20 몰% 이하의 Al2O3 및 29 몰% 이상 35 몰% 이하의 MgO를 포함하는 조성물을 용융시키는 단계; 및
    상기 용융된 조성물을 급냉하는 단계;를 포함하는,
    내플라즈마 유리의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 조성물을 용융시키는 단계의 용융시키는 온도는 1400 ℃ 이상 1700 ℃ 이하인 것인,
    내플라즈마 유리의 제조방법.
  12. 청구항 1의 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계;
    상기 용융된 내플라즈마 유리를 금형에 주입하는 단계; 및
    상기 주입된 내플라즈마 유리를 어닐링하는 단계를 포함하는,
    반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 내플라즈마 유리를 용융시키는 단계의 용융시키는 온도는 1400 ℃ 이상 1700 ℃ 이하인 것인,
    반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 어닐링 하는 단계의 온도는 400 ℃ 이상 900 ℃ 이하인 것인,
    반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품의 제조방법.
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