WO2022255220A1 - 処理液、半導体基板の洗浄方法、半導体素子の製造方法 - Google Patents

処理液、半導体基板の洗浄方法、半導体素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022255220A1
WO2022255220A1 PCT/JP2022/021584 JP2022021584W WO2022255220A1 WO 2022255220 A1 WO2022255220 A1 WO 2022255220A1 JP 2022021584 W JP2022021584 W JP 2022021584W WO 2022255220 A1 WO2022255220 A1 WO 2022255220A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
compound
group
treatment liquid
mass
compounds
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/021584
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宣明 杉村
哲也 上村
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Priority to JP2023525770A priority Critical patent/JPWO2022255220A1/ja
Publication of WO2022255220A1 publication Critical patent/WO2022255220A1/ja
Priority to US18/526,588 priority patent/US20240117278A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0047—Other compounding ingredients characterised by their effect pH regulated compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3472—Organic compounds containing sulfur additionally containing -COOH groups or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02065—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being a planarization of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
    • C11D2111/44—Multi-step processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/36—Organic compounds containing phosphorus

Definitions

  • the present invention relates to a treatment liquid, a method for cleaning a semiconductor substrate, and a method for manufacturing a semiconductor device. Regarding.
  • Treatment liquids are used for the purpose of removing foreign matter in various fields, and for example, in the field of semiconductors, they are used for the following purposes.
  • Semiconductor devices such as CCDs (Charge-Coupled Devices) and memories are manufactured by forming fine electronic circuit patterns on substrates using photolithography technology. Specifically, a resist film is formed on a laminate having a metal film as a wiring material, an etching stop layer, and an interlayer insulating layer on a substrate, and a photolithography process and a dry etching process (e.g., plasma etching process, etc.) are performed.
  • a semiconductor device is manufactured by carrying out.
  • a hydrophobic anticorrosive agent e.g., benzotriazole compounds such as 5-methylbenzotriazole
  • abrasive fine particles e.g., silica
  • CMP chemical mechanical polishing
  • metal components derived from hydrophobic anticorrosive agents, abrasive fine particles used in CMP processing, polished wiring metal films and/or barrier metals, etc. tend to remain on the semiconductor substrate surface after polishing. These residues can short-circuit wiring and affect the electrical characteristics of semiconductors, so a cleaning process is generally performed to remove these residues from the surface of the semiconductor substrate.
  • hydrophobic corrosion inhibitors are often used in cutting-edge device manufacturing processes.
  • Patent Document 1 discloses a treatment liquid containing alkanolamine, quaternary ammonium, and water.
  • the present inventors have found that the hydrophobic anticorrosive agent remains on the substrate surface and the treatment liquid described in Patent Document 1 etc. is applied to the substrate having copper, and the hydrophobic anticorrosive agent is removed (hereinafter referred to as It has been found that it is difficult to achieve both "removability of hydrophobic anticorrosive agent") and prevention of copper surface roughness (hereinafter also referred to as "copper surface roughness suppression property").
  • R 11 to R 14 in formula (1) each independently represent an unsubstituted alkyl group.
  • the specific compound is a quaternary ammonium compound containing a quaternary ammonium cation having a total number of carbon atoms of 8 or more, and a quaternary phosphonium compound containing a quaternary phosphonium cation having a total carbon number of 8 or more.
  • the treatment liquid according to [1], containing at least one selected from the group consisting of [6] The treatment liquid according to any one of [1] to [5], wherein the mass ratio of the specific compound to the sulfur-containing compound is greater than 1.0.
  • the sulfur-containing compound contains at least one selected from the group consisting of thiol compounds and salts thereof, thioether compounds, thioketone compounds, thiourea compounds, disulfide compounds, polysulfide compounds, and sulfur-containing heterocyclic compounds. , the processing liquid according to any one of [1] to [6]. [8] The treatment liquid according to any one of [1] to [7], wherein the sulfur-containing compound includes at least one selected from the group consisting of a thiol compound, a salt thereof, and a thiourea compound. .
  • the sulfur-containing compound consists of cysteine, cysteamine, N-acetylcysteine, thioglycerol, mercaptopropionic acid, mercaptosuccinic acid, meso-2,3-dimercaptosuccinic acid, mercaptotriazole, and tetramethylthiourea.
  • the treatment liquid according to any one of [1] to [17] which is used for cleaning a semiconductor substrate subjected to chemical mechanical polishing.
  • a method for cleaning a semiconductor substrate comprising a cleaning step of cleaning a semiconductor substrate that has undergone chemical mechanical polishing using the treatment liquid according to any one of [1] to [18].
  • a method for manufacturing a semiconductor device using the method for cleaning a semiconductor substrate according to [19].
  • the present invention it is possible to provide a treatment liquid that is excellent in removability of a hydrophobic anticorrosive agent and in suppression of copper surface roughness. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for cleaning a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor element.
  • ppm means “parts-per-million (10 ⁇ 6 )” and “ppb” means “parts-per-billion (10 ⁇ 9 )”.
  • the “content” of that component means the total content of those two or more components.
  • the compounds described herein may include structural isomers, optical isomers and isotopes unless otherwise specified. Further, structural isomers, optical isomers and isotopes may be contained singly or in combination of two or more. Unless otherwise specified, the bonding direction of the divalent group (eg, --COO--, etc.) described is not limited. For example, in the compound represented by the formula "X-Y-Z”, when Y is -COO-, the compound may be "X-O-CO-Z", "X-CO —OZ”. "(Meth)acrylic” includes both acrylic and methacrylic, and "(meth)acrylate” includes both acrylate and methacrylate.
  • Weight average molecular weight means the weight average molecular weight in terms of polyethylene glycol measured by GPC (gel permeation chromatography).
  • On the semiconductor substrate includes, for example, both the front and back sides of the semiconductor substrate, the side surfaces, and the inside of the grooves. Moreover, the metal inclusion on the semiconductor substrate includes not only the case where the metal inclusion exists directly on the surface of the semiconductor substrate, but also the case where the metal inclusion exists on the semiconductor substrate via another layer.
  • the total mass of components excluding the solvent in the treatment liquid means the total content of all components contained in the treatment liquid other than solvents such as water and organic solvents.
  • the treatment liquid is selected from the group consisting of a quaternary ammonium compound containing a quaternary ammonium cation having a total carbon number of 5 or more, and a quaternary phosphonium compound containing a quaternary phosphonium cation having a total carbon number of 5 or more. at least one specific compound that is a sulfur-containing compound; and a solvent.
  • the treatment liquid contains a specific compound.
  • the specific compound is selected from the group consisting of a quaternary ammonium compound containing a quaternary ammonium cation having a total carbon number of 5 or more, and a quaternary phosphonium compound containing a quaternary phosphonium cation having a total carbon number of 5 or more. is at least one compound that is The total number of carbon atoms is the total number of carbon atoms in the quaternary ammonium cation contained in the quaternary ammonium compound, or the number of carbon atoms in the quaternary phosphonium cation contained in the quaternary phosphonium compound.
  • the quaternary ammonium compound contains a quaternary ammonium cation having a total of 5 or more carbon atoms as a cation.
  • the quaternary phosphonium compound contains a quaternary phosphonium cation having a total of 5 or more carbon atoms as a cation.
  • the specific compound may contain an anion in addition to the cation, as described later. The anion is not particularly limited.
  • a quaternary ammonium compound containing a quaternary ammonium cation having a total number of carbon atoms of 8 or more and a quaternary phosphonium compound containing a quaternary phosphonium cation having a total carbon number of 8 or more It is preferable to include at least one selected from the group consisting of
  • the upper limits of the total carbon number of the quaternary ammonium cation and the total carbon number of the quaternary phosphonium cation are preferably 30 or less, more preferably 20 or less, and even more preferably 10 or less.
  • the quaternary ammonium compound is a compound comprising an ammonium cation having a total of 5 or more carbon atoms and an anion.
  • the quaternary phosphonium compound is a compound comprising a phosphonium cation having a total of 5 or more carbon atoms and an anion.
  • the quaternary ammonium compound and the quaternary phosphonium compound may have two or more cations and may have two or more anions.
  • the anion may be either a monovalent anion or a divalent or higher anion. Examples of the anions include organic anions and inorganic anions.
  • acid anions such as carboxylate ions, phosphate ions, sulfate ions, phosphonate ions and nitrate ions; hydroxide ions; halide ions such as chloride ions, fluoride ions and bromide ions; and hydroxide ions are preferred.
  • the ammonium cation is a cation containing a nitrogen atom to which four substituents are attached.
  • the phosphonium cation is a cation containing a phosphorus atom to which four substituents are bonded.
  • the substituent include halogen atoms such as a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom, a hydroxy group, and an organic group.
  • a hydrocarbon group optionally having —O— is preferred. The number of carbon atoms in the hydrocarbon group is preferably 1-30, more preferably 1-10, and even more preferably 1-5.
  • hydrocarbon group examples include an alkyl group optionally having -O- which may have a substituent, and an optionally having -O- which may have a substituent.
  • alkenyl groups, optionally substituted alkynyl groups optionally having -O-, aryl groups optionally having substituents -O-, and combinations thereof Alkyl groups optionally having substituents and having —O— are preferred.
  • substituents of the above hydrocarbon groups include halogen atoms such as fluorine, chlorine and bromine atoms; alkoxy groups; hydroxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl groups; and an acyl group such as a benzoyl group; a cyano group; a nitro group; and a hydroxy group is preferred.
  • the substituents of the hydrocarbon group may be the ammonium cation and the phosphonium cation.
  • the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group may be linear, branched or cyclic.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 5, and particularly preferably 1 to 3.
  • the alkyl group is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group having a hydroxy group and optionally having -O-, more preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group having a hydroxy group.
  • An unsubstituted alkyl group is an alkyl group (eg, a methyl group, an ethyl group, etc.) having neither a substituent (eg, a hydroxy group) nor -O-.
  • the aryl group may be monocyclic or polycyclic.
  • the aryl group preferably has 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and still more preferably 6 to 8 carbon atoms.
  • the aryl group is preferably an unsubstituted aryl group (an aryl group having no substituent and -O-) or an aryl group having a hydroxy group, more preferably an unsubstituted aryl group.
  • An unsubstituted aryl group is an aryl group having neither a substituent nor -O- (eg, phenyl, naphthyl, etc.).
  • aryl group examples include benzyl group, phenyl group, naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, indenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group and pyrenyl group, with phenyl group being preferred.
  • the four substituents that the ammonium cation has on the nitrogen atom or the phosphonium cation has on the phosphorus atom preferably represent at least two groups. Further, at least two of the four substituents that the ammonium cation has on the nitrogen atom or the phosphonium cation has on the phosphorus atom preferably represent the same group, and at least three of the four substituents are More preferably, they represent the same group.
  • the specific compound has either the cation represented by formula (1) or the cation represented by formula (2).
  • X11 represents a nitrogen atom or a phosphorus atom.
  • R 11 to R 14 each independently represent an alkyl group which may have a substituent and which may have -O-. However, the case where all of R 11 to R 14 represent the same group is excluded.
  • the total carbon number of R 11 to R 14 is 5 or more.
  • X 11 represents a nitrogen atom or a phosphorus atom. X 11 is preferably a nitrogen atom.
  • R 11 to R 14 each independently represents an alkyl group which may have a substituent and which may have -O-.
  • the above alkyl group may be linear, branched or cyclic.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 5, and particularly preferably 1 to 3.
  • the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, and a halogen atom (eg, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), and a hydroxy group is preferred.
  • R 11 to R 14 are preferably unsubstituted alkyl groups (alkyl groups having neither a substituent nor --O--), more preferably unsubstituted alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms.
  • R 11 to R 14 represent the same group.
  • these groups are the same group, so the above-mentioned requirement "except when all of R 11 to R 14 represent the same group" does not meet
  • R 11 to R 13 are methyl groups and R 14 is an ethyl group, all of R 11 to R 14 are not the same group. , except for cases where they represent the same group”.
  • At least one of the types of substituents and the type of alkyl groups are different, they do not correspond to the same group. That is, when comparing two groups, if at least one of the type of substituent and the type of alkyl group is different, it can be said that both correspond to different groups. For example, an ethyl group and a hydroxyethyl group do not correspond to the same group because the groups as a whole have different structures.
  • the above “except when all of R 11 to R 14 represent the same group” means that the four groups represented by R 11 to R 14 represent at least two groups. do.
  • R 11 to R 13 are all methyl groups and R 14 is an ethyl group
  • the four groups represented by R 11 to R 14 are two groups, a methyl group and an ethyl group. represents.
  • Examples of aspects that R 11 to R 14 can take include, among the four groups represented by R 11 to R 14 , three groups represented by R 11 to R 13 are the same group, and R 14 One group represented by is a group different from the above three groups.
  • the two groups represented by R 11 to R 12 are the same group
  • the two groups represented by R 13 to R 14 are the same group. are the same groups, but the groups represented by R 11 to R 12 and the groups represented by R 13 to R 14 are different groups.
  • all four groups represented by R 11 to R 14 may be different groups.
  • the total carbon number of R 11 to R 14 is 5 or more, preferably 5 to 24, more preferably 5 to 16, even more preferably 5 to 8.
  • the total carbon number of R 11 to R 14 means the total number of carbon atoms contained in each group represented by R 11 to R 14 .
  • X21 and X22 each independently represent a nitrogen atom or a phosphorus atom.
  • L21 represents a divalent linking group.
  • R 21 to R 26 each independently represents an alkyl group which may have a substituent and which may have -O-.
  • the total carbon number of R 21 to R 26 and L 21 is 6 or more.
  • X21 and X22 each independently represent a nitrogen atom or a phosphorus atom.
  • a nitrogen atom is preferable as X 21 and X 22 . It is also preferred that X 21 and X 22 represent the same group.
  • L21 represents a divalent linking group.
  • L 21 include -COO-, -CONH-, -CO-, -O-, an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group and a group combining these.
  • the divalent linking group may further have a substituent.
  • substituents include hydroxy groups, carboxy groups, and halogen atoms (eg, fluorine, chlorine, and bromine atoms).
  • the above alkylene group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched.
  • the alkylene group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and still more preferably 1 to 10 carbon atoms.
  • the arylene group may be either monocyclic or polycyclic, preferably monocyclic.
  • the arylene group preferably has 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • R 21 to R 26 each independently represents an alkyl group which may have a substituent and which may have -O-.
  • Examples of R 21 to R 26 include alkyl groups represented by R 11 to R 14 . All of R 21 to R 26 may represent the same group, or R 21 to R 26 may represent different groups. In other words, the six groups represented by R 21 to R 26 may all be the same group, or the six groups represented by R 21 to R 26 may be at least two groups. Among them, it is preferable that the six groups represented by R 21 to R 26 are at least two groups.
  • the total carbon number of R 21 to R 26 and L 21 is 6 or more, preferably 6 to 30, more preferably 6 to 18, even more preferably 6 to 8.
  • the total carbon number of R 21 to R 26 and L 21 means the total number of carbon atoms contained in each group represented by R 21 to R 26 and L 21 .
  • Examples of quaternary ammonium compounds containing quaternary ammonium cations having a total of 5 or more carbon atoms include ethyltrimethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, 2-hydroxy Ethyltrimethylammonium hydroxide, trihydroxyethylmethylammonium hydroxide, tri((hydroxyethoxy)ethyl)methylammonium hydroxide, dimethyldioctadecylammonium chloride, N,N'-ethylenebis(trimethylammonium), decamethonium bromide, water 1,3-dihydroxypropyltrimethylammonium oxide and dihydroxide N 1 -(1-hydroxy-2-methylpropan-2-yl)-N 2 -(2-hydroxypropyl)-N 1 ,N 1 ,-N 2 , N 2 ,2-
  • Examples of quaternary phosphonium compounds containing quaternary phosphonium cations having a total of 5 or more carbon atoms include tetrabutylphosphonium hydroxide, tetraphenylphosphonium bromide, heptyltriphenylphosphonium bromide and methyltriphenylphosphonium iodide. .
  • the anions in the exemplary compounds of the specific compound may be anions other than those described above.
  • the anion is as described above.
  • decametonium bromide can be either decametonium hydroxide or decametonium iodide.
  • Specific compounds also include, for example, compounds described in WO2020/214692, the contents of which are incorporated herein.
  • a quaternary ammonium compound containing a quaternary ammonium cation having a total of 5 or more carbon atoms is preferred, and ethyltrimethylammonium salt is more preferred.
  • the molecular weight of the specific compound is preferably 105-260, more preferably 105-204, even more preferably 105-150.
  • ClogP of the specific compound is often -4.60 to 20.0, preferably -4.60 to 1.50, more preferably -4.60 to -2.50, -4.60 to -3 0.00 is more preferred.
  • ClogP is a value obtained by calculating the common logarithm logP of the partition coefficient P between 1-octanol and water.
  • ClogP is a hydrophilic index.
  • ClogP in this specification is a value calculated using ChemDraw Professional (Version: 16.0.1.4 (77), manufactured by PerkinElmer) unless otherwise specified.
  • the content of the specific compound is often 0.01 to 20.0% by mass, preferably 0.1 to 10.0% by mass, and 1.0 to 10.0% by mass, relative to the total mass of the treatment liquid. %, more preferably 2.5 to 10.0% by mass, and particularly preferably 4.0 to 10.0% by mass.
  • the content of the specific compound is often 1.0 to 98.0% by mass, preferably 5.0 to 95.0% by mass, based on the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0 to 95.0% by mass is more preferable, 70.0 to 95.0% by mass is even more preferable, and 60.0 to 95.0% by mass is particularly preferable.
  • the processing liquid contains a sulfur-containing compound.
  • a sulfur-containing compound is a compound having one or more sulfur atoms in the molecule. Also, the sulfur-containing compound is preferably a compound different from the compounds described above.
  • sulfur-containing compounds examples include thiol group, sulfo group, sulfonyl group, thioketone (--SO--) and sulfide (--S--). Further, the sulfur-containing compound may be a high molecular compound (polymer).
  • the sulfur-containing compound is selected from the group consisting of thiol compounds and salts thereof, thioether compounds, thioketone compounds, thiourea compounds, disulfide compounds, polysulfide compounds (compounds having 3 or more sulfide bonds), and sulfur-containing heterocyclic compounds.
  • Thiol compounds include, for example, cysteine, cysteamine, N-acetylcysteine, thioglycerol, mercaptopropionic acid, mercaptosuccinic acid, meso-2,3-dimercaptosuccinic acid and mercaptotriazole.
  • the above salts include compounds in which the H + (proton) in the S ⁇ H + group in the thiol compound is replaced with another cation.
  • alkali metal salts such as sodium salts and potassium salts, and ammonium salts. mentioned.
  • Thioether compounds include, for example, diethyl sulfide, diphenyl sulfide and penicillin.
  • Thioketone compounds include, for example, 2-cyanothioacetamide and thiobenzamide.
  • Thiourea compounds include, for example, thiourea, tetramethylthiourea, imidazolidinethione, 3,4,5,6-tetrahydropyrimidine-2-thiol and 4-methyl-3-thiosemicarbazide.
  • Disulfide compounds include, for example, cystine and N,N'-diacetylcystine.
  • polysulfide compounds include dimethyltrisulfide and dipropyltrisulfide.
  • a sulfur-containing heterocyclic compound is a compound having a heterocyclic ring containing a sulfur atom as a ring member atom.
  • Sulfur-containing heterocyclic compounds include, for example, 2-amino-1,3,4-thiadiazole, thiazine, benzothiazine and benzothiazole.
  • sulfur-containing compounds include sulfur-containing compounds other than those mentioned above.
  • Other sulfur-containing compounds include, for example, sulfonyl compounds (compounds having a sulfonyl group).
  • Sulfonyl compounds include, for example, sulbactam and diphenylsulfone.
  • the sulfur-containing compound is at least selected from the group consisting of cysteine, cysteamine, N-acetylcysteine, thioglycerol, mercaptopropionic acid, mercaptosuccinic acid, meso-2,3-dimercaptosuccinic acid, mercaptotriazole and tetramethylthiourea. It preferably contains one, more preferably cysteine or tetramethylthiourea, even more preferably cysteine. Also, the sulfur-containing compound preferably contains at least one selected from the group consisting of penicillin, sulbactam and diaphenylsulfone. When the above compound is contained, the antibacterial action is excellent.
  • the molecular weight of the sulfur-containing compound is preferably 75-325, more preferably 100-200, even more preferably 120-150.
  • the ClogP of the sulfur-containing compound is preferably -4.50 to 1.00, more preferably -3.50 to 0.60, and even more preferably -2.50 to -2.00.
  • the sulfur-containing compound may be used singly or in combination of two or more, preferably two or more, and more preferably two, from the viewpoint of improving the removability of the hydrophobic anticorrosive agent.
  • the content of the sulfur-containing compound is preferably 0.0001 to 20.0% by mass, more preferably 0.01 to 5.0% by mass, and 0.8 to 1.5% by mass with respect to the total mass of the treatment liquid. % is more preferred.
  • the content of the sulfur-containing compound is preferably 0.0001 to 20.0% by mass, more preferably 0.01 to 5.0% by mass, based on the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0.8 to 1.5 mass % is more preferred.
  • the processing liquid contains a solvent.
  • solvents include water and organic solvents, with water being preferred.
  • Water includes, for example, distilled water, deionized water, and pure water (ultrapure water).
  • pure water is preferable because it contains almost no impurities and has less influence on the semiconductor substrate in the manufacturing process of the semiconductor substrate.
  • the content of water is not particularly limited as long as it is the remainder of the components that can be contained in the treatment liquid.
  • the water content is preferably 1.0% by mass or more, more preferably 30.0% by mass or more, still more preferably 50.0% by mass or more, and 60.0% by mass or more with respect to the total mass of the treatment liquid. is particularly preferred.
  • the upper limit is preferably 99.99% by mass or less, more preferably 99.9% by mass or less, and even more preferably 99.0% by mass or less, relative to the total mass of the treatment liquid.
  • organic solvents examples include known organic solvents, and hydrophilic organic solvents such as alcohols and ketones are preferred.
  • Organic solvents include, for example, organic solvents described in paragraphs [0043] to [0060] of JP-A-2021-052186, the contents of which are incorporated herein.
  • the treatment liquid may contain the compound X.
  • Compound X is at least one compound selected from the group consisting of glycol compounds, monoalkyl ether compounds and alkylene oxide compounds.
  • a glycol compound is a compound having two hydroxy groups in the molecule.
  • a monoalkyl ether compound is a compound having one hydroxy group and one or more —OR (R represents an organic group) in the molecule.
  • An alkylene oxide compound is a compound having no hydroxy group and one or more alkyleneoxy groups (preferably ethyleneoxy groups) in the molecule.
  • Glycol compounds include, for example, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1, 3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,2-pentanediol, 1,5-pentanediol, 1,2-hexanediol, 1,6-hexanediol, 1,2-heptanediol, 2,2 -dimethyl-1,3-propanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2-ethyl-2-methyl-1,3-propanediol, 3-methyl-1,3-butanediol, 3-methyl -1,5-pentanediol, 2-methyl-2-propyl-1,3-propanedi
  • monoalkyl ether compounds examples include 2-butoxyethanol, ethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, and triethylene glycol monomethyl ether.
  • alkylene oxide compounds include compounds in which all the hydroxy groups in the above glycol compounds and monoalkyl ether compounds are substituted with organic groups. Specific examples include diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, triethylene glycol diethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether and triethylene glycol dimethyl ether.
  • Compound X preferably contains at least one selected from the group consisting of glycol compounds and monoalkyl ether compounds, and is selected from the group consisting of ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-butanediol and 2-butoxyethanol. and more preferably propylene glycol.
  • the compounds X may be used singly or in combination of two or more, preferably two or more, more preferably two, from the viewpoint of improving the removability of the hydrophobic anticorrosive agent.
  • the content of compound X is often 0.0001 to 20.0% by mass, preferably 0.01 to 5.0% by mass, and 0.5 to 5.0% by mass, relative to the total mass of the treatment liquid. %, more preferably 1.0 to 1.5% by mass.
  • the content of compound X is often 0.01 to 80.0% by mass, preferably 0.1 to 50.0% by mass, based on the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0 to 50.0% by mass is more preferable, and 10.0 to 20.0% by mass is even more preferable.
  • the treatment liquid may contain an amine compound.
  • the specific compounds and sulfur-containing compounds mentioned above are not included in the amine compounds. Moreover, it is also preferable that it is different from the anticorrosive agent described later.
  • An amine compound is a compound having an amino group.
  • the amino group of the amine compound is selected from the group consisting of a primary amino group ( -NH2 ), a secondary amino group (>NH) and a tertiary amino group (>N-). At least one.
  • the amine compound has multiple series of amino groups, the amine compound is classified as an amine compound having the highest amino group among them.
  • an amine compound having a primary amino group and a secondary amine group is an amine compound having a secondary amine group.
  • Amine compounds include, for example, aliphatic amines, aminoalcohols and guanidine compounds.
  • the amine compound may be either chain (linear or branched) or cyclic.
  • aliphatic amines examples include primary aliphatic amines (aliphatic amines having a primary amino group), secondary aliphatic amines (aliphatic amines having a secondary amino group) and tertiary Examples include primary aliphatic amines (aliphatic amines having a tertiary amino group).
  • Examples of primary chain aliphatic amines include methylamine, ethylamine, propylamine, dimethylamine, diethylamine, n-butylamine, 3-methoxypropylamine, tert-butylamine, n-hexylamine and n-octylamine. and 2-ethylhexylamine.
  • Cycloaliphatic primary amines include, for example, cyclohexylamine.
  • secondary chain aliphatic amines examples include ethylenediamine (EDA), 1,3-propanediamine (PDA), 1,2-propanediamine, 1,3-butanediamine and 1,4-butanediamine. alkylenediamines; polyalkylpolyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), bis(aminopropyl)ethylenediamine (BAPEDA) and tetraethylenepentamine.
  • Secondary cycloaliphatic amines include, for example, piperazine, 2-methylpiperazine, 2,5-dimethylpiperazine and 2,6-dimethylpiperazine.
  • tertiary aliphatic amines examples include tertiary aliphatic amines having a tertiary amino group in the molecule and no aromatic ring group.
  • tertiary chain aliphatic amines examples include tertiary alkylamines such as trimethylamine and triethylamine, alkylenediamines such as 1,3-bis(dimethylamino)butane, and N,N,N',N Examples include polyalkylpolyamines such as '',N''-pentamethyldiethylenetriamine.
  • Tertiary cycloaliphatic amines include, for example, tertiary aliphatic amines having a nitrogen atom as a ring member atom and a non-aromatic hetero ring.
  • Tertiary cycloaliphatic amines include, for example, cyclic amidine compounds and piperazine compounds.
  • the number of ring members of the above hetero ring in the cyclic amidine compound is preferably 5 to 6, more preferably 6.
  • Examples of cyclic amidine compounds include diazabicycloundecene (1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU), diazabicyclononene (1,5-diazabicyclo[4.3.
  • a piperazine compound is a compound having a 6-membered hetero ring (piperazine ring) in which a tertiary amino group (>N-) is substituted for the opposing -CH- group of the cyclohexane ring.
  • piperazine compounds include 1-methylpiperazine, 1-ethylpiperazine, 1-propylpiperazine, 1-butylpiperazine, 1,4-dimethylpiperazine, 1-phenylpiperazine, N-(2-aminoethyl)piperazine (AEP ), 1,4-bis(2-aminoethyl)piperazine (BAEP), 1,4-bis(3-aminopropyl)piperazine (BAPP) and 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane (DABCO) and DABCO is preferred.
  • AEP N-(2-aminoethyl)piperazine
  • BAEP 1,4-bis(2-aminoethyl)piperazine
  • BAPP 1,4-bis(3-aminopropyl)piperazine
  • DABCO 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane
  • DABCO 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane
  • tertiary cycloaliphatic amine examples include compounds having a five-membered hetero ring and compounds having a seven-membered nitrogen ring, which do not have aromaticity, such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone. mentioned.
  • Aminoalcohols are compounds having one or more amino groups and one or more hydroxy groups.
  • Examples of primary amino alcohols include monoethanolamine (MEA), 2-amino-2-methyl-1-propanol (AMP), 3-amino-1-propanol, 1-amino-2-propanol, tris Hydroxymethylaminomethane, diethyleneglycolamine (DEGA) and 2-(aminoethoxy)ethanol (AEE).
  • Secondary amino alcohols include, for example, uracil, N-methylethanolamine, 2-(ethylamino)ethanol, 2-[(hydroxymethyl)amino]ethanol, 2-(propylamino)ethanol, N,N' -bis(2-hydroxyethyl)ethylenediamine, diethanolamine, 2-(2-aminoethylamino)ethanol (AAE), N-butylethanolamine and N-cyclohexylethanolamine.
  • Tertiary amino alcohols include, for example, N-methyldiethanolamine (MDEA), 2-(dimethylamino)ethanol (DMAE), N-ethyldiethanolamine (EDEA), 2-diethylaminoethanol, 2-(dibutylamino)ethanol , 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]ethanol, 2-[2-(diethylamino)ethoxy]ethanol, triethanolamine, N-butyldiethanolamine (BDEA), N-tert-butyldiethanolamine (t-BDEA), 1-[bis(2-hydroxyethyl)amino]-2-propanol (Bis-HEAP), 1-(2-hydroxyethyl)piperazine (HEP), 1,4-bis(2-hydroxyethyl)piperazine (BHEP) , 2-(N-ethylanilino)ethanol, N-phenyldiethanolamine (Ph-DEA), N-benzyldiethanolamine, p-tolyldi
  • R represents a hydrogen atom or a substituent.
  • Guanidine compounds include, for example, guanidine, tetramethylguanidine, arginine, and chlorhexidine.
  • the amine compound preferably contains an aminoalcohol, more preferably at least one selected from the group consisting of monoethanolamine and N-methyldiethanolamine, and still more preferably monoethanolamine.
  • the content of the amine compound is often 0.0001 to 20.0% by mass, preferably 0.01 to 5.0% by mass, and 0.5 to 1.5% by mass, relative to the total mass of the treatment liquid. % is more preferred, and 1.0 to 1.5% by mass is even more preferred.
  • the content of the amine compound is often 0.01 to 80.0% by mass, preferably 0.1 to 50.0% by mass, based on the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0 to 20.0% by mass is more preferable, and 10.0 to 20.0% by mass is even more preferable.
  • the treatment liquid may contain an anticorrosive agent.
  • the anticorrosive agent is preferably a nitrogen-containing heterocyclic compound, more preferably a purine compound or an azole compound, and still more preferably a purine compound.
  • a nitrogen-containing heterocyclic compound is a compound having a heterocyclic ring containing a nitrogen atom as a ring member atom.
  • the anticorrosive agent is preferably a compound different from the above compounds that may be contained in the treatment liquid.
  • Purine compounds are at least one compound selected from the group consisting of purines and purine derivatives. When the treatment liquid contains a purine compound, it has excellent corrosion resistance and excellent residue removability.
  • Purine compounds include, for example, purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, adenosine, enprophylline, theophylline, xanthosine, 7-methylxanthosine, 7-methylxanthine, theophylline, eritadenine.
  • 3-methyladenine 3-methylxanthine, 1,7-dimethylxanthine, 1-methylxanthine, paraxanthine, 1,3-dipropyl-7-methylxanthine, 3,7-dihydro-7-methyl-1H-purine -2,6-dione, 1,7-dipropyl-3-methylxanthine, 1-methyl-3,7-dipropylxanthine, 1,3-dipropyl-7-methyl-8-dicyclopropylmethylxanthine, 1, 3-dibutyl-7-(2-oxopropyl)xanthine, 1-butyl-3,7-dimethylxanthine, 3,7-dimethyl-1-propylxanthine, 2-aminopurine, 6-aminopurine, 6-benzylamino purines, nerarabine, vidarabine, 2,6-dichloropurine, acyclovir, N 6 -benzoyladenosine, trans-ze
  • Purine compounds include purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, adenosine, enprophylline, theophylline, xanthosine, 7-methylxanthosine, 7-methylxanthine, theophylline, eritadenine, 3- It preferably contains at least one selected from the group consisting of methyladenine, 3-methylxanthine, 1,7-dimethylxanthine, 1-methylxanthine and paraxanthine, and is selected from the group consisting of adenine, guanine and xanthine It more preferably contains at least one, and more preferably contains xanthine.
  • Azole compounds are compounds containing one or more nitrogen atoms and having a five-membered heterocyclic ring with aromatic character.
  • the number of nitrogen atoms contained in the 5-membered hetero ring of the azole compound is preferably 1-4, more preferably 1-3.
  • the azole compound may have a substituent on the hetero 5-membered ring. Examples of the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may have an amino group, and a 2-imidazolyl group.
  • azole compounds include imidazole compounds in which one of the atoms constituting the azole ring is a nitrogen atom, pyrazole compounds in which two of the atoms constituting the azole ring are nitrogen atoms, and one of the atoms constituting the azole ring.
  • Thiazole compounds in which one is a nitrogen atom and the other is a sulfur atom, triazole compounds in which three of the atoms constituting the azole ring are nitrogen atoms, and tetrazole compounds in which four of the atoms constituting the azole ring are nitrogen atoms is mentioned.
  • imidazole compounds include imidazole, 1-methylimidazole, 2-methylimidazole, 5-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 4-hydroxyimidazole, 2,2′-biimidazole, 4-imidazolecarboxylic acid, Histamine and benzimidazoles are included.
  • pyrazole compounds include pyrazole, 4-pyrazolecarboxylic acid, 1-methylpyrazole, 3-methylpyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 3-amino-5-hydroxypyrazole, 3-aminopyrazole and 4- Aminopyrazoles can be mentioned.
  • Thiazole compounds include, for example, 2,4-dimethylthiazole and benzothiazole.
  • Triazole compounds include, for example, 1,2,4-triazole, 3-methyl-1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole, 1,2,3-triazole 1-methyl-1,2,3-triazole, benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-dihydroxypropylbenzotriazole, 2,3-dicarboxypropylbenzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4 -carboxybenzotriazole and 2,2'- ⁇ [(5-methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino ⁇ diethanol, with 1,2,4-triazole being preferred.
  • tetrazole compounds include 1H-tetrazole (1,2,3,4-tetrazole), 5-methyl-1,2,3,4-tetrazole, 5-amino-1,2,3, 4-tetrazole and 1,5-pentamethylenetetrazole are included.
  • the azole compound is preferably a triazole compound, more preferably 1,2,4-triazole.
  • the content of the anticorrosive agent is preferably 0.0001 to 10.0% by mass, more preferably 0.001 to 5.0% by mass, and 0.01 to 1.0% by mass with respect to the total mass of the treatment liquid. is more preferred.
  • the content of the anticorrosive agent is preferably 0.01 to 80.0% by mass, more preferably 0.1 to 50.0% by mass, based on the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0 to 10.0% by mass is more preferable.
  • the treatment liquid may contain a chelating agent.
  • the specific compounds and sulfur-containing compounds mentioned above are not included in the chelating agent.
  • the treatment liquid contains a chelating agent, the removability of the hydrophobic anticorrosive agent is improved.
  • Chelating agents include, for example, organic acids and their salts. Examples of the above salts include alkali metal salts such as sodium salts and potassium salts, and ammonium salts.
  • Organic acid examples include carboxylic acid-based organic acids, phosphonic acid-based organic acids, and salts thereof, with carboxylic acid-based organic acids being preferred, and dicarboxylic acids being more preferred.
  • acid groups possessed by organic acids include carboxy groups, phosphonic acid groups and phenolic hydroxy groups.
  • the organic acid preferably has at least one selected from the group consisting of a carboxy group and a phosphonic acid group, and more preferably has a carboxy group.
  • the molecular weight of the organic acid is preferably 600 or less, more preferably 450 or less, even more preferably 300 or less.
  • the lower limit is preferably 50 or more, more preferably 100 or more.
  • the number of carbon atoms in the organic acid is preferably 1-15, more preferably 2-15.
  • a carboxylic organic acid is a compound having one or more carboxy groups.
  • Examples of carboxylic organic acids include aliphatic carboxylic organic acids, aminopolycarboxylic organic acids, and amino acid organic acids, with aliphatic carboxylic organic acids being preferred.
  • the aliphatic carboxylic organic acid may have a hydroxy group in addition to the carboxylic acid group and the aliphatic group.
  • aliphatic carboxylic organic acids include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, sebacic acid, maleic acid, malic acid, citric acid and tartaric acid, citric acid, Succinic acid or tartaric acid are preferred.
  • aminopolycarboxylic acid-based organic acids examples include compounds described in paragraphs [0067] and [0068] of WO2018/021038, the contents of which are incorporated herein.
  • amino acid-based organic acids examples include compounds described in paragraphs [0030] to [0033] of JP-A-2020-161511, and compounds described in paragraphs [0021] to [0023] of JP-A-2016-086094. , and histidine derivatives described in JP-A-2015-165561 and JP-A-2015-165562, the contents of which are incorporated herein.
  • Examples of the phosphonic acid-based organic acid include compounds described in paragraphs [0026] to [0036] of WO 2018/020878 and paragraphs [0031] to [0046] of WO 2018/030006. compounds, the contents of which are incorporated herein.
  • the chelating agents may be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the chelating agent is preferably 0.0001 to 20.0% by mass, more preferably 0.01 to 5.0% by mass, and 1.0 to 1.5% by mass with respect to the total mass of the treatment liquid. is more preferred. 10.
  • the content of the chelating agent is preferably 0.01 to 80.0% by mass, more preferably 0.1 to 50.0% by mass, relative to the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0 to 20.0% by mass is more preferable.
  • the treatment liquid may contain an inorganic acid.
  • the specific compounds and sulfur-containing compounds mentioned above are not included in inorganic acids.
  • the treatment liquid preferably contains at least one selected from the group consisting of a chelating agent and an inorganic acid in terms of excellent removability of the hydrophobic anticorrosive agent.
  • Inorganic acids include, for example, hydrochloric acid, nitric acid, nitrous acid, phosphoric acid, boric acid, hexafluorophosphoric acid, ammonium halides, and salts thereof.
  • Examples of the above salts include alkali metal salts such as sodium salts and potassium salts, and ammonium salts. You may use an inorganic acid individually by 1 type or in 2 or more types.
  • the content of the inorganic acid is preferably 0.0001 to 20.0% by mass, more preferably 0.01 to 5.0% by mass, and 1.0 to 1.5% by mass with respect to the total mass of the treatment liquid. is more preferred.
  • the content of the inorganic acid is preferably 0.01 to 80.0% by mass, more preferably 0.1 to 50.0% by mass, relative to the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0 to 20.0% by mass is more preferable.
  • the treatment liquid may contain a surfactant.
  • the surfactant is a compound having a hydrophilic group and a hydrophobic group (lipophilic group) in one molecule. Examples include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants and amphoteric surfactants. active agents. When the treatment liquid contains a surfactant, the metal corrosion prevention property and polishing fine particle removal property are more excellent.
  • Surfactants often have at least one hydrophobic group selected from the group consisting of aliphatic hydrocarbon groups, aromatic hydrocarbon groups and combinations thereof.
  • the hydrophobic group contains an aromatic hydrocarbon group
  • the number of carbon atoms in the aromatic hydrocarbon group is preferably 6 or more, more preferably 10 or more.
  • the upper limit is preferably 20 or less, more preferably 18 or less.
  • the hydrophobic group does not contain an aromatic hydrocarbon group and consists only of an aliphatic hydrocarbon group
  • the number of carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon group is preferably 9 or more, more preferably 13 or more, and even more preferably 16 or more.
  • the upper limit is preferably 20 or less, more preferably 18 or less.
  • the total number of carbon atoms in the surfactant is preferably 16-100.
  • nonionic surfactants examples include ester-type nonionic surfactants, ether-type nonionic surfactants, ester-ether-type nonionic surfactants, and alkanolamine-type nonionic surfactants. surfactants are preferred.
  • nonionic surfactants include alkylpolyglucosides, octylphenol ethoxylates, nonylphenol ethoxylates (Tergitol NP-12, and Triton (registered trademark) X-15, X-45, X-100, X-102, X-114, BG-10, CG-110 and CG-119, etc., manufactured by Dow Chemical), silane polyalkylene oxide (copolymer) (Y-17112-SGS, manufactured by Momentive Performance Materials), Silwet HS -312 (manufactured by Momentive Performance Materials), tristyrylphenol ethoxylate (MAKON TSP-20, manufactured by Stepan), polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, alkylallylformaldehyde condensed polyoxyethylene ether, polyoxy Ethylene polyoxypropylene block polymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene ethylene
  • anionic surfactants include phosphate surfactants having a phosphate ester group, phosphonic acid surfactants having a phosphonic acid group, and carboxylic acid surfactants having a carboxy group. be done.
  • anionic surfactants include carboxylates such as decanecarboxylic acid, N-acylamino acid salts and polyoxyethylene or polyoxypropylene alkyl ether carboxylates; acylated peptides; phosphate ester salts; salt; polyoxyethylene or polyoxypropylene alkyl allyl ether phosphate; alkyl aryl ether phosphate; alkyl ether phosphate; alkyl carboxylate; fatty acid salt (soap); fluorooctanoates; and mixtures thereof.
  • carboxylates such as decanecarboxylic acid, N-acylamino acid salts and polyoxyethylene or polyoxypropylene alkyl ether carboxylates
  • acylated peptides such as decanecarboxylic acid, N-acylamino acid salts and polyoxyethylene or polyoxypropylene alkyl ether carboxylates
  • acylated peptides such as decanecarbox
  • cationic surfactants examples include quaternary ammonium salt-based surfactants and alkylpyridium-based surfactants.
  • Cationic surfactants include, for example, cetylpyridinium chloride (CPC), polyethoxylated tallowamine (POEA), benzalkonium chloride (BAC), benzethonium chloride (BZT), 5-bromo-5-nitro-1,3 - dioxane, aliphatic amine salts, benzalkonium chloride, benzethonium chloride, pyridinium salts and imidazolinium salts.
  • CPC cetylpyridinium chloride
  • POEA polyethoxylated tallowamine
  • BAC benzalkonium chloride
  • BZT benzethonium chloride
  • 5-bromo-5-nitro-1,3 - dioxane aliphatic amine salts
  • benzalkonium chloride benzethonium chloride
  • pyridinium salts imidazolinium salts.
  • amphoteric surfactants include carboxybetaine-type amphoteric surfactants, aminocarboxylates, imidazolinium betaine, lecithin, alkylamine oxides, and mixtures thereof.
  • Surfactants may be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the surfactant is preferably 0.00001 to 1.0% by mass, more preferably 0.0001 to 0.1% by mass, and 0.001 to 0.01% by mass with respect to the total mass of the treatment liquid. % is more preferred.
  • the content of the surfactant is preferably 0.000001 to 50.0% by mass, more preferably 0.00001 to 20.0% by mass, based on the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. 0.0001 to 10.0 mass % is more preferable.
  • the treatment liquid may contain a pH adjuster.
  • pH adjusters include basic compounds and acidic compounds.
  • the pH of the treatment liquid may be adjusted by adjusting the amount of each component that may be contained in the treatment liquid described above.
  • pH adjusters include paragraphs [0053] and [0054] of International Publication No. 2019-151141 and paragraph [0021] of International Publication No. 2019-151001, the contents of which are herein incorporated into.
  • the content of the pH adjuster is not particularly limited as long as the desired pH is obtained.
  • the content of the pH adjuster is preferably 0.0001 to 5.0% by mass, more preferably 0.01 to 2.0% by mass, and 0.1 to 1.0% by mass, relative to the total mass of the treatment liquid. % is more preferred.
  • the content of the pH adjuster is preferably 0.001 to 30% by mass, more preferably 0.01 to 10.0% by mass, more preferably 0.1% by mass, relative to the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. ⁇ 5.0% by mass is more preferred.
  • the treatment liquid may contain other ingredients in addition to the ingredients that can be contained in the treatment liquid.
  • Other components include, for example, polymers, oxidizing agents, polyhydroxy compounds having a molecular weight of 500 or more, fluorine compounds, and antibacterial agents.
  • Other components preferably include at least one selected from the group consisting of polymers and antibacterial agents.
  • Other components may be used singly or in combination of two or more.
  • a water-soluble polymer is preferred.
  • a “water-soluble polymer” is a compound in which two or more structural units are linked in a linear or network fashion via a covalent bond, and the mass dissolved in 100 g of water at 20°C is 0.1 g or more.
  • water-soluble polymers include polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polymaleic acid, polyvinylsulfonic acid, and salts thereof; monomers such as styrene, ⁇ -methylstyrene and/or 4-methylstyrene, and (meth) Copolymers with acid monomers such as acrylic acid and/or maleic acid, and salts thereof; polyglycerin; polyvinyl alcohol, polyoxyethylene, polyvinylpyrrolidone, polyvinylpyridine, polyacrylamide, polyvinylformamide, polyethyleneimine, polyvinyloxazoline , polyvinylimidazole and polyallylamine; and modified natural polysaccharides such as hydroxyethylcellulose, carboxymethylcellulose and modified starch.
  • monomers such as styrene, ⁇ -methylstyrene and/or 4-methylstyrene, and (meth) Copolymers with acid monomers such as acrylic acid and/or maleic acid, and
  • the water-soluble polymer may be either a polymer obtained by polymerizing one type of monomer or a copolymer obtained by copolymerizing two or more types of monomers.
  • Monomers include, for example, a monomer having a carboxy group, a monomer having a hydroxy group, a monomer having a polyethylene oxide chain, a monomer having an amino group, and a monomer having a heterocyclic ring. A monomer selected from the group may be mentioned. It is also preferred that the water-soluble polymer is substantially composed only of structural units derived from monomers selected from the above group.
  • the polymer is substantially only structural units derived from a monomer selected from the above group.
  • the content of structural units derived from a monomer selected from the above group is It is 95 to 100% by mass, preferably 99 to 100% by mass, based on the total mass.
  • polymers examples include water-soluble polymers described in paragraphs [0043] to [0047] of JP-A-2016-171294, the contents of which are incorporated herein.
  • the molecular weight of the polymer (weight average molecular weight when it has a molecular weight distribution) is preferably 300 or more, more preferably over 600, even more preferably 2000 or more, and particularly preferably 10000 or more.
  • the upper limit is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 300 or more, more preferably 2000 or more, and even more preferably 10000 or more.
  • the upper limit is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,200,000 or less, and even more preferably 1,000,000 or less.
  • the polymer preferably has a structural unit having a carboxy group (for example, a structural unit derived from (meth)acrylic acid).
  • the content of structural units having a carboxy group is preferably 30 to 100% by mass, more preferably 70 to 100% by mass, and even more preferably 85 to 100% by mass, relative to the total mass of the polymer.
  • the content of the polymer is preferably 0.00001 to 1% by mass, more preferably 0.0001 to 0.1% by mass, and further 0.001 to 0.01% by mass, relative to the total mass of the treatment liquid. preferable.
  • the content of the polymer is preferably 0.000001 to 50% by mass, more preferably 0.00001 to 20% by mass, and 0.0001 to 10% by mass with respect to the total mass of the components excluding the solvent in the treatment liquid. % is more preferred.
  • the content of the polymer is appropriately adsorbed on the surface of the substrate, contributing to the improvement of the metal corrosion inhibiting performance of the treatment liquid, and improving the viscosity and/or cleaning performance of the treatment liquid. Excellent balance.
  • Oxidizing agents include, for example, peroxides and percarbonates, their acids, and their salts. Specifically, oxide halides (e.g., periodic acids such as iodic acid, metaperiodic acid and orthoperiodic acid, salts thereof, etc.), perboric acid, perborates, cerium compounds and ferricyanide compound (for example, potassium ferricyanide, etc.).
  • the content of the oxidizing agent is preferably 0.0001 to 5.0% by mass, more preferably 0.01 to 2.0% by mass, and 0.1 to 1.0% by mass with respect to the total mass of the treatment liquid. is more preferred.
  • the content of the oxidizing agent is preferably 0.001 to 30.0% by mass, more preferably 0.01 to 10.0% by mass, more preferably 0.01 to 10.0% by mass, based on the total mass of the components in the treatment liquid excluding the solvent. 1 to 5.0% by mass is more preferable.
  • the polyhydroxy compound having a molecular weight of 500 or more is a compound different from the above compounds that may be contained in the treatment liquid.
  • the polyhydroxy compound is an organic compound having two or more (eg, 2 to 200) alcoholic hydroxy groups in one molecule.
  • the molecular weight of the polyhydroxy compound (weight average molecular weight if it has a molecular weight distribution) is 500 or more, preferably 500 to 100,000, more preferably 500 to 3,000.
  • polyhydroxy compound examples include oligosaccharides such as manninotriose, cellotriose, gentianose, raffinose, melezitose, cellotetrose and stachyose; polysaccharides such as starch, glycogen, cellulose, chitin and chitosan, and hydrolysates thereof. be done.
  • Cyclodextrin is also preferred as the polyhydroxy compound.
  • “Cyclodextrin” means one kind of cyclic oligosaccharides in which a plurality of D-glucoses are linked by glucosidic bonds to form a cyclic structure. It is a compound in which 5 or more (eg, 6 to 8) glucose atoms are bound. Cyclodextrins include, for example, ⁇ -cyclodextrin, ⁇ -cyclodextrin and ⁇ -cyclodextrin, with ⁇ -cyclodextrin being preferred.
  • fluorine compounds examples include compounds described in paragraphs [0013] to [0015] of JP-A-2005-150236, the contents of which are incorporated herein.
  • Antibacterial agents include, for example, sorbic acid, benzoic acid, dehydroacetic acid and fosfomycin.
  • the content of each of the above components in the treated liquid is determined by the gas chromatography-mass spectrometry (GC-MS) method, liquid chromatography-mass spectrometry (LC-MS) method and It can be measured by a known method such as ion-exchange chromatography (IC).
  • GC-MS gas chromatography-mass spectrometry
  • LC-MS liquid chromatography-mass spectrometry
  • IC ion-exchange chromatography
  • the mass ratio of the specific compound to the sulfur-containing compound is often 0.1 or more, preferably 1.0 or more, more preferably more than 1.0, and 2.5. More preferably, it is 5.0 or more, particularly preferably 5.0 or more, and most preferably 10.0 or more.
  • the upper limit is often 100.0 or less, preferably 50.0 or less, and more preferably 20.0 or less.
  • the mass ratio of the specific compound to compound X is preferably 50.0 or less, more preferably 10.0 or less, and even more preferably 5.0 or less.
  • the lower limit is preferably 1.0 or more.
  • the mass ratio of the sulfur-containing compound to compound X is preferably 0.1 to 10.0, more preferably 1.0 to 2.0, and 1.0 to 1.0. 5 is more preferred.
  • the mass ratio of the specific compound to the amine compound is preferably 50.0 or less, more preferably 10.0 or less, and even more preferably 5.0 or less.
  • the lower limit is preferably 1.0 or more.
  • the mass ratio of the sulfur-containing compound to the amine compound is preferably from 1.0 to 10.0, more preferably from 1.0 to 2.0, and from 1.0 to 1.0. 5 is more preferred.
  • the pH of the treatment liquid is preferably 8.0 to 14.0, more preferably 9.0 to 13.8, even more preferably 10.0 to 13.5.
  • the diluted (eg, 100-fold dilution by mass or volume) pH of the treatment liquid is preferably 8.0 to 14.0, and 9.0 to 13.0. is more preferred, and 11.0 to 12.0 is even more preferred.
  • the pH of the treatment liquid can be measured by a method conforming to JIS Z8802-1984 using a known pH meter.
  • the pH measurement temperature is 25°C.
  • Methods for adjusting the pH include, for example, a method of adjusting the type and content of each component that may be contained in the treatment liquid, and a method of adding a pH adjuster, which will be described later.
  • the content (measured as ion concentration) of metal impurities is the total mass of the treatment liquid. 5 mass ppm or less is preferable, and 1 mass ppm or less is more preferable. From the viewpoint of application to the manufacture of state-of-the-art semiconductor devices, the content of the metal impurities is more preferably 100 mass ppb or less, particularly preferably less than 10 mass ppb, and most preferably not more than the detection limit. The lower limit is preferably 0 mass ppb or more with respect to the total mass of the treatment liquid.
  • purification treatment such as distillation and filtration using an ion exchange resin or filter is performed at the stage of the raw material used when manufacturing the processing liquid or at the stage after manufacturing the processing liquid. Things are mentioned.
  • Another method for reducing the metal content is to use a container in which impurities are less eluted, as described later, as a container for storing the raw material or the manufactured treatment liquid.
  • the inner wall of the pipe may be lined with a fluororesin.
  • the total content of inorganic particles and organic particles is preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, and even more preferably 0.01% by mass or less, relative to the total mass of the treatment liquid. A limit value or less is particularly preferred. The lower limit is preferably 0% by mass or more with respect to the total mass of the treatment liquid.
  • Inorganic particles and organic particles contained in the treatment liquid include particles such as organic solids and inorganic solids contained as impurities in the raw materials, and organic solids and inorganic solids brought in as contaminants during the preparation of the treatment liquid. which are particles that do not finally dissolve in the processing solution but exist as particles.
  • the content of inorganic particles and organic particles present in the treatment liquid can be measured in the liquid phase using a commercially available measuring device in the light scattering type in-liquid particle measurement system using a laser as a light source.
  • methods for removing inorganic particles and organic particles include purification treatment such as filtering, which will be described later.
  • the treatment liquid can be produced by a known method.
  • the method for producing the treatment liquid preferably includes a liquid preparation step.
  • the process of preparing the treatment liquid is, for example, a process of preparing the treatment liquid by mixing each component that can be contained in the treatment liquid described above.
  • the order and timing of mixing the above components are not particularly limited.
  • a specific compound, a sulfur-containing compound, and, if necessary, a compound X or the like are sequentially added to a container containing purified pure water (ultrapure water), and then stirred, A method of preparing a solution by adding a pH adjuster as necessary may be mentioned.
  • the method of adding the pure water and each of the above components to the container may be either batch addition or divided addition.
  • Examples of the stirring method in the treatment liquid preparation step include a method of stirring using a known stirrer or a known disperser.
  • Examples of the stirrer include industrial mixers, portable stirrers, mechanical stirrers and magnetic stirrers.
  • Examples of the disperser include industrial dispersers, homogenizers, ultrasonic dispersers and bead mills.
  • the temperature for mixing the above components in the preparation process of the treatment liquid, the purification treatment described later, and the storage temperature of the produced treatment liquid is preferably 40°C or lower, more preferably 30°C or lower.
  • the lower limit is preferably 5°C or higher, more preferably 10°C or higher.
  • At least one of the raw materials of the treatment liquid is preferably subjected to purification treatment before the liquid preparation step.
  • the purity of the raw material after purification treatment is preferably 99% by mass or more, more preferably 99.9% by mass or more.
  • the upper limit is preferably 99.9999% by mass or less.
  • the purification treatment includes, for example, distillation treatment, and known methods such as ion exchange resin, RO membrane (Reverse Osmosis Membrane) and filtering treatment such as filtration, which will be described later.
  • the purification treatment may be performed by combining a plurality of the above purification methods. For example, after performing a primary purification treatment in which the raw material is passed through an RO membrane, the obtained raw material is further passed through a purification device composed of a cation exchange resin, an anion exchange resin, or a mixed bed ion exchange resin. A purification treatment may be performed. Further, the refining process may be performed multiple times.
  • Filters used for filtering include, for example, known filtering filters.
  • fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (PTFE) and tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), nylon and polyolefin resins (including high density or ultra high molecular weight) such as polyethylene and polypropylene (PP).
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • PFA tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer
  • nylon and polyolefin resins including high density or ultra high molecular weight
  • polyethylene and polypropylene (PP) polyethylene, polypropylene (including high density polypropylene), fluororesin (including PTFE and PFA) and polyamide resin (including nylon) are preferable, and fluororesin is more preferable.
  • the critical surface tension of the filter is preferably 70-95 mN/m, more preferably 75-85 mN/m. When the critical surface tension is within the above range, highly polar foreign matter that tends to cause defects can be removed.
  • the critical surface tension of the filter is the manufacturer's nominal value.
  • the pore size of the filter is preferably 2-20 nm, more preferably 2-15 nm. When the pore size of the filter is within the above range, clogging of filtration can be suppressed and fine foreign matter such as impurities and aggregates can be removed.
  • the filter pore size is the manufacturer's nominal value.
  • Filtering may be performed once or more than once. When filtering is performed more than once, the filters used for filtering may be the same or different.
  • the filtering temperature is preferably room temperature (25°C) or lower, more preferably 23°C or lower, and even more preferably 20°C or lower.
  • the lower limit is preferably 0°C or higher, more preferably 5°C or higher, and even more preferably 10°C or higher.
  • the treatment liquid (including the embodiment of the diluted treatment liquid to be described later) can be stored, transported and used by being filled in any container as long as the container does not corrode.
  • the container it is preferable to use a container for use in semiconductors that has a high degree of cleanliness inside and that suppresses the elution of impurities from the inner wall of the storage portion of the container into the processing liquid.
  • the container include a commercially available container for a semiconductor processing liquid. Specifically, clean bottle series (manufactured by Aicello Chemical Co., Ltd.) and pure bottle (manufactured by Kodama Resin Industry) can be mentioned.
  • the container there is a container in which the liquid contacting part such as the inner wall of the containing part of the container is made of fluororesin (perfluoro resin) or metal subjected to rust prevention treatment and metal elution prevention treatment. preferable.
  • the inner wall of the container is made of at least one resin selected from the group consisting of polyethylene resin, polypropylene resin and polyethylene-polypropylene resin or a resin different from the above resins, or rust-proofing such as stainless steel, Hastelloy, Inconel and Monel, and metal. It is preferably made of a metal that has undergone an elution prevention treatment.
  • a fluorine resin perfluoro resin
  • a container whose inner wall is made of fluororesin can suppress the elution of oligomers of ethylene and propylene compared to a container whose inner wall is made of polyethylene resin, polypropylene resin or polyethylene-polypropylene resin.
  • Examples of the container whose inner wall is a fluororesin include FluoroPure PFA composite drum (manufactured by Entegris), Japanese Patent Publication No. 3-502677, International Publication No. 2004/016526, and International Publication No. 99/46309. container.
  • the inner wall of the container is preferably made of quartz and an electropolished metal material (electropolished metal material) other than the fluororesin.
  • the metal material used for manufacturing the electropolished metal material contains at least one selected from the group consisting of chromium and nickel, and the total content of chromium and nickel is 25 mass with respect to the total mass of the metal material. % is preferred. Examples include stainless steel and nickel-chromium alloys. The total content of chromium and nickel in the metal material is more preferably 30% by mass or more with respect to the total mass of the metal material. The upper limit is preferably 90% by mass or less with respect to the total mass of the metal material.
  • Examples of the method of electropolishing a metal material include known methods, specifically, paragraphs [0011] to [0014] of JP-A-2015-227501 and paragraphs of JP-A-2008-264929. [0036] to [0042].
  • the inside of the container is preferably cleaned before filling with the processing liquid.
  • the washing method include known methods. It is preferable that the liquid used for cleaning has a reduced amount of metal impurities in the liquid.
  • the treatment liquid may be bottled in a container such as a gallon bottle or a coat bottle, and transported and stored.
  • an inert gas for example, nitrogen, argon, etc.
  • the temperature for transportation and storage may be controlled at room temperature (25°C) or -20°C to 20°C.
  • the treatment liquid may be diluted with a diluent such as water, and then used for cleaning as a diluted treatment liquid (diluted treatment liquid).
  • a diluted processing liquid is one form of the processing liquid of the present invention as long as it satisfies the requirements of the present invention.
  • the dilution ratio of the treatment liquid in the dilution step can be appropriately adjusted according to the type and content of each component that may be contained in the treatment liquid, the semiconductor substrate to be cleaned, and the like.
  • the dilution ratio of the diluted treatment solution to the treatment solution before dilution is preferably 10 to 10,000 times, more preferably 20 to 3,000 times, and even more preferably 50 to 1,000 times in terms of mass ratio or volume ratio (volume ratio at 23°C). .
  • the treatment liquid is preferably diluted with water from the viewpoint of better defect suppression performance. In other words, the treatment liquid (diluted treatment liquid) is obtained by dividing the preferred content of each component (excluding water) that can be contained in the treatment liquid by the dilution ratio (for example, 100) in the above range.
  • the preferred content of each component (excluding water) with respect to the total mass of the diluted treatment liquid is, for example, the amount described as the preferred content of each component with respect to the total weight of the treatment liquid (treatment liquid before dilution), It is the amount divided by the dilution ratio (for example, 100) in the above range.
  • the change in pH before and after dilution (the difference between the pH of the treatment liquid before dilution and the pH of the diluted treatment liquid) is preferably 2.5 or less, more preferably 1.8 or less, and even more preferably 1.5 or less.
  • the lower limit is preferably 0.1 or more. It is preferable that the pH of the treatment liquid before dilution and the pH of the diluted treatment liquid are each in the preferred mode described above.
  • the dilution process may be carried out according to the process for preparing the treatment liquid described above.
  • Examples of the stirring device and stirring method used in the dilution step include the known stirring device and stirring method used in the liquid preparation step.
  • the water used in the dilution step is preferably purified before use. Further, it is also preferable to perform a purification treatment on the diluted treated liquid obtained by the dilution step.
  • the purification treatment include ion component reduction treatment using an ion exchange resin or an RO membrane, etc., and foreign matter removal using filtering, as purification treatment for the above-mentioned treated liquid, and any one of these treatments is preferably performed.
  • the cleanroom preferably meets 14644-1 cleanroom standards.
  • ISO International Organization for Standardization
  • ISO Class 2 ISO Class 3 and ISO Class 4 are preferred, ISO Class 1 or ISO Class 2 is more preferred, and ISO Class 1 is preferred. More preferred.
  • the treatment liquid is preferably used in a cleaning process for cleaning a semiconductor substrate, and more preferably used in a cleaning process for cleaning a semiconductor substrate that has been subjected to CMP processing.
  • the treatment liquid can also be used for cleaning semiconductor substrates in the manufacturing process of semiconductor substrates.
  • the diluted processing liquid obtained by diluting the processing liquid may be used for cleaning the semiconductor substrate.
  • Objects to be cleaned with the treatment liquid include, for example, semiconductor substrates containing metal inclusions.
  • Semiconductor substrates having Cu-containing materials include, for example, semiconductor substrates having Cu-containing metal wiring and/or Cu-containing plug materials.
  • metals contained in metal inclusions include Cu (copper), Al (aluminum), Ru (ruthenium), Co (cobalt), W (tungsten), Ti (titanium), Ta (tantalum), Cr (chromium ), Hf (hafnium), Os (osmium), Pt (platinum), Ni (nickel), Mn (manganese), Zr (zirconium), palladium (Pd), Mo (molybdenum), La (lanthanum) and Ir (iridium ) at least one metal M selected from the group consisting of
  • the metal-containing material may be any substance containing a metal (metal atom). mentioned.
  • the metal inclusions may be mixtures containing two or more of these compounds.
  • the oxide, nitride, and oxynitride may be any of composite oxides containing metals, composite nitrides containing metals, and composite oxynitrides containing metals.
  • the content of metal atoms in the metal-containing material is preferably 10% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and even more preferably 50% by mass or more, relative to the total mass of the metal-containing material.
  • the upper limit is preferably 100% by mass or less.
  • the semiconductor substrate preferably has metal M inclusions containing metal M, and metal inclusions including at least one metal selected from the group consisting of Cu, Al, W, Co, Ti, Ta, Ru and Mo. It is more preferable to have metal inclusions containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, W, Co, Ru and Mo, and it is particularly preferable to have metal inclusions containing Cu metal. preferable.
  • a semiconductor substrate which is an object to be cleaned with a processing liquid, includes, for example, a substrate having a metal wiring film, a barrier metal, and an insulating film on the surface of a wafer that constitutes the semiconductor substrate.
  • Wafers constituting the semiconductor substrate include wafers made of silicon materials such as silicon (Si) wafers, silicon carbide (SiC) wafers, resin wafers containing silicon (glass epoxy wafers), and gallium phosphide (GaP) wafers. , gallium arsenide (GaAs) wafers and indium phosphide (InP) wafers.
  • silicon wafers include n-type silicon wafers obtained by doping silicon wafers with pentavalent atoms (e.g., phosphorus (P), arsenic (As) and antimony (Sb)), and silicon wafers with trivalent atoms.
  • Examples include p-type silicon wafers doped with (eg, boron (B), gallium (Ga), etc.).
  • the silicon of the silicon wafer includes, for example, amorphous silicon, monocrystalline silicon, polycrystalline silicon and polysilicon.
  • wafers made of silicon-based materials such as silicon wafers, silicon carbide wafers, and resin-based wafers containing silicon (glass epoxy wafers) are preferable.
  • the semiconductor substrate may have an insulating film on the wafer.
  • insulating films include silicon oxide films (eg, silicon dioxide (SiO 2 ) films and tetraethyl orthosilicate (Si(OC 2 H 5 ) 4 ) films (TEOS films)), silicon nitride films (eg, silicon nitride films), and the like. (Si 3 N 4 ) and silicon nitride carbide (SiNC)), and low dielectric constant (Low-k) films (such as carbon-doped silicon oxide (SiOC) films and silicon carbide (SiC) films). , low dielectric constant (Low-k) films are preferred.
  • the metal inclusion is also preferably a metal film containing metal.
  • the metal film of the semiconductor substrate is preferably a metal film containing metal M, and more preferably a metal film containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, Al, W, Co, Ti, Ta, Ru and Mo.
  • a metal film containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, W, Co, Ru and Mo is more preferred, and a metal film containing Cu metal is particularly preferred.
  • Examples of the metal film containing at least one metal selected from the group consisting of W, Co, Cu and Ru include a film containing W as a main component (W-containing film) and a film containing Co as a main component (Co-containing film). film), a film containing Cu as a main component (Cu-containing film), and a film containing Ru as a main component (Ru-containing film).
  • the “main component” means the component with the highest content among the components in the metal film.
  • the semiconductor substrate has a Cu-containing film (a metal film containing Cu as a main component).
  • the Cu-containing film includes, for example, a wiring film (Cu wiring film) composed only of metal Cu and an alloy wiring film (Cu alloy wiring film) composed of metal Cu and another metal.
  • the Cu alloy wiring film includes an alloy wiring film composed of Cu and at least one metal selected from the group consisting of Al, Ti, Cr, Mn, Ta and W. Specific examples include a Cu--Al alloy wiring film, a Cu--Ti alloy wiring film, a Cu--Cr alloy wiring film, a Cu--Mn alloy wiring film, a Cu--Ta alloy wiring film and a Cu--W alloy wiring film.
  • Ru-containing film examples include a metal film made of only metal Ru (Ru metal film) and an alloy metal film made of metal Ru and another metal (Ru alloy metal film). Ru-containing films are often used as barrier metals.
  • W-containing film for example, a metal film made of only metal W (W metal film) and an alloy metal film made of W and another metal (W alloy metal film) are used. is mentioned.
  • W alloy metal films include, for example, W—Ti alloy metal films and W—Co alloy metal films.
  • a W-containing film is used, for example, as a barrier metal or a connection between a via and a wiring.
  • Co-containing film for example, a metal film (Co metal film) made of only metal Co (Co metal film) and a metal film made of an alloy (Co alloy metal film) made of metal Co and other metals are used.
  • Co alloy metal films include alloy metal films composed of cobalt and at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Fe, Ni, Mo, Pd, Ta and W. Specifically, Co—Ti alloy metal film, Co—Cr alloy metal film, Co—Fe alloy metal film, Co—Ni alloy metal film, Co—Mo alloy metal film, Co—Pd alloy metal film, Co—Ta Alloy metal films and Co—W alloy metal films are included.
  • the treatment liquid has a metal film (cobalt barrier metal) composed only of metal Co, which is a barrier metal for the copper-containing wiring film, and at least a Cu-containing wiring film on the upper part of the wafer constituting the semiconductor substrate.
  • the Cu-containing wiring film and the cobalt barrier metal are preferably used for cleaning the substrate in which the substrate surface is in contact with the wiring film.
  • Methods for forming the insulating film, the Ru-containing film, the W-containing film, the Cu-containing film and the Co-containing film on the wafer constituting the semiconductor substrate include known methods.
  • a method for forming an insulating film for example, a wafer constituting a semiconductor substrate is subjected to heat treatment in the presence of oxygen gas to form a silicon oxide film, and then silane and ammonia gases are introduced into the wafer to form a chemical vapor.
  • a method of forming a silicon nitride film by a phase vapor deposition (CVD: Chemical Vapor Deposition) method can be mentioned.
  • a method for forming the Ru-containing film, W-containing film, Cu-containing film and Co-containing film for example, a circuit is formed on a wafer having the insulating film by a known method such as resist, and then plating and CVD are performed.
  • a method of forming a Ru-containing film, a W-containing film, a Cu-containing film and a Co-containing film by a method such as a method.
  • the CMP process is a process for flattening the surface of a substrate having, for example, a metal wiring film, a barrier metal and an insulating film, by a combined action of chemical action using a polishing slurry containing polishing fine particles (abrasive grains) and mechanical polishing.
  • Impurities such as abrasive grains (for example, silica, alumina, etc.) used in the CMP process, metal impurities (metal residue) derived from the polished metal wiring film and barrier metal are present on the surface of the semiconductor substrate subjected to the CMP process. may remain. Further, organic impurities derived from the CMP treatment liquid used in the CMP treatment may remain.
  • the semiconductor substrate subjected to the CMP process needs cleaning treatment to remove these impurities from the surface. applied.
  • a semiconductor substrate subjected to CMP processing for example, Precision Engineering Journal Vol. 84, No. 3, 2018, which is subjected to the CMP treatment.
  • the surface of the semiconductor substrate to be cleaned with the treatment liquid may be buffed after being subjected to CMP.
  • Buffing is a process that uses a polishing pad to reduce impurities on the surface of a semiconductor substrate. Specifically, the surface of the semiconductor substrate subjected to the CMP treatment is brought into contact with the polishing pad, and the semiconductor substrate and the polishing pad are slid relative to each other while supplying the buffing composition to the contact portion. As a result, impurities on the surface of the semiconductor substrate are removed by the frictional force of the polishing pad and the chemical action of the buffing composition.
  • a known buffing composition can be appropriately used depending on the type of semiconductor substrate and the type and amount of impurities to be removed.
  • Components contained in the buffing composition include, for example, a water-soluble polymer such as polyvinyl alcohol, and water and an acid such as nitric acid as a dispersion medium.
  • a buffing process it is preferable to perform a buffing process on a semiconductor substrate using the said process liquid as a buffing composition.
  • the polishing apparatus, polishing conditions, and the like used in the buffing process can be appropriately selected from known apparatuses and conditions according to the type of the semiconductor substrate, the object to be removed, and the like.
  • Buffing treatments include, for example, the treatments described in paragraphs [0085] to [0088] of WO2017/169539, the contents of which are incorporated herein.
  • a cleaning method using a treatment liquid As a cleaning method using a treatment liquid, a method for cleaning a semiconductor substrate is preferable.
  • a method for cleaning the semiconductor substrate is not particularly limited as long as it includes a cleaning step of cleaning the semiconductor substrate using the treatment liquid.
  • the semiconductor substrate a semiconductor substrate subjected to CMP processing is preferable. It is also preferable that the method for cleaning the semiconductor substrate includes a step of applying the diluted treatment liquid obtained in the dilution step to the semiconductor substrate subjected to the CMP treatment for cleaning.
  • a cleaning process for cleaning a semiconductor substrate using a treatment liquid for example, there is a known method performed on a semiconductor substrate that has been subjected to CMP processing. Specifically, there are scrub cleaning in which a cleaning member such as a brush is brought into physical contact with the surface of the semiconductor substrate while supplying the processing liquid to the semiconductor substrate to remove residues, etc., and immersion cleaning in which the semiconductor substrate is immersed in the processing liquid. Immersion-type cleaning, such as a spinning (dripping) method in which a processing liquid is dropped while a semiconductor substrate is rotated and a spraying method in which a processing liquid is sprayed, can further reduce impurities remaining on the surface of the semiconductor substrate. It is preferable to apply ultrasonic treatment to the treatment liquid in which the semiconductor substrate is immersed.
  • the washing step may be performed once or twice or more. When washing two or more times, the same method may be repeated, or different methods may be combined.
  • a method for cleaning a semiconductor substrate may be either a single-wafer method or a batch method.
  • the single-wafer method is a method for processing semiconductor substrates one by one
  • the batch method is a method for simultaneously processing a plurality of semiconductor substrates.
  • the temperature of the processing liquid used for cleaning the semiconductor substrate is not particularly limited.
  • the temperature of the treatment liquid is, for example, room temperature (25° C.), preferably 10 to 60° C., more preferably 15 to 50° C., from the viewpoint of improving cleaning performance and suppressing damage to members.
  • the pH of the treatment liquid and the pH of the diluted treatment liquid are each the preferred embodiment of the pH described above.
  • the cleaning time in cleaning the semiconductor substrate can be appropriately changed according to the type and content of the components contained in the processing liquid.
  • the washing time is preferably 10 to 120 seconds, more preferably 20 to 90 seconds, even more preferably 30 to 60 seconds.
  • the supply amount (supply rate) of the processing liquid in the semiconductor substrate cleaning process is preferably 50 to 5000 mL/min, more preferably 500 to 2000 mL/min.
  • a mechanical stirring method may be used to further improve the cleaning performance of the processing liquid.
  • mechanical stirring methods include a method of circulating the processing liquid over the semiconductor substrate, a method of flowing or spraying the processing liquid over the semiconductor substrate, and a method of stirring the processing liquid with ultrasonic waves or megasonics. .
  • a rinsing step of cleaning the semiconductor substrate by rinsing it with a solvent may be performed.
  • the rinsing step is preferably performed continuously after the cleaning step of the semiconductor substrate, and is a step of rinsing with a rinsing solvent (rinsing liquid) for 5 to 300 seconds.
  • the rinsing step may be performed using the mechanical agitation method described above.
  • rinsing solvents examples include water (preferably deionized water), methanol, ethanol, isopropyl alcohol, N-methylpyrrolidinone, ⁇ -butyrolactone, dimethylsulfoxide, ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • Aqueous rinsing solutions having a pH greater than 8.0 may also be used.
  • As a method of bringing the rinse solvent into contact with the semiconductor substrate for example, there is a method of bringing the above treatment liquid into contact with the semiconductor substrate.
  • a drying step for drying the semiconductor substrate may be performed after the rinsing step.
  • Drying methods include, for example, a spin drying method, a method of flowing a dry gas over the semiconductor substrate, a method of heating the substrate by heating means such as a hot plate and an infrared lamp, a Marangoni drying method, a Rotagoni drying method, IPA (isopropyl alcohol) drying method, and a combination thereof.
  • the method for manufacturing the semiconductor device or semiconductor element of the present invention is not particularly limited as long as it is a manufacturing method using the cleaning method described above, and examples thereof include known methods for manufacturing semiconductor devices and the like.
  • the pH of the treatment solution was measured at 25° C. using a pH meter (F-74, manufactured by Horiba, Ltd.) according to JIS Z8802-1984. Further, in the production of the treatment liquids of the examples and comparative examples, the handling of containers, the preparation, filling, storage and analysis of the treatment liquids were all carried out in a clean room satisfying ISO class 2 or less.
  • A-1 Ethyltrimethylammonium hydroxide (molecular weight: 105.2, ClogP: -4.53)
  • A-2 Tetraethylammonium hydroxide (molecular weight: 147.3, ClogP: -3.14)
  • A-3 Tetrapropylammonium hydroxide (molecular weight: 203.4, ClogP: -1.02)
  • A-4 Tetrabutylammonium hydroxide (molecular weight: 259.5, ClogP: 1.09)
  • A-5 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (molecular weight: 121.2, ClogP: -4.36)
  • A-6 trihydroxyethylmethylammonium hydroxide (molecular weight: 181.2, ClogP: -2.58)
  • A-7 tri((hydroxyethoxy)ethyl)methylammonium hydroxide (molecular weight: 313.4, ClogP: -2.39)
  • A-8 1,3-dihydroxypropyltrimethylammoni
  • B-1 L-cysteine (cysteine) (molecular weight: 121.2, ClogP: -2.35)
  • B-2 cysteamine (molecular weight: 77.2, ClogP: -0.25)
  • B-3 N-acetyl-L-cysteine (N-acetylcysteine) (molecular weight: 163.2, ClogP: -0.62)
  • B-4 Thioglycerol (molecular weight: 108.2, ClogP: -0.78)
  • B-5 Mercaptopropionic acid (molecular weight: 106.1, ClogP: 0.16)
  • B-6 mercaptosuccinic acid (molecular weight: 150.2, ClogP: -0.83)
  • B-7 meso-2,3-dimercaptosuccinic acid (molecular weight: 182.2, ClogP: -1.48)
  • B-8 mercaptotriazole (molecular weight: 101.1, ClogP: 0.53)
  • E-1 adenine
  • E-2 guanine
  • E-3 xanthine
  • E-4 1,2,4-triazole
  • Example 1 [Production of treatment liquid] After adding the specific compound A-1 and the sulfur-containing compound B-1 to the ultrapure water in an amount such that the treatment liquid finally obtained has the composition shown in the table below, it is sufficiently stirred to obtain Example 1 was obtained.
  • the treatment liquids other than those of Example 1 were each produced according to the production method of Example 1. No pH adjuster was used in the preparation of the treatment liquids of Examples and Comparative Examples.
  • Each diluted treatment liquid was prepared by diluting one of the treatment liquids of each example and each comparative example with water by 100 times (weight ratio).
  • a copper substrate cut to 2 cm ⁇ 2 cm was treated with a 1% by mass citric acid aqueous solution to remove a natural oxide film from the copper substrate.
  • the resulting copper substrate was immersed in an alkaline aqueous solution (pH 9.5) of 0.5% by mass of 5-methylbenzotriazole (hydrophobic anticorrosive agent) for 30 minutes to attach 5-methylbenzotriazole to the surface of the copper substrate.
  • the copper substrate to which 5-methylbenzotriazole had been adhered was subjected to extraction of 5-methylbenzotriazole with a 0.1N hydrochloric acid aqueous solution without the above immersion treatment.
  • the concentration of 5-methylbenzotriazole in the hydrochloric acid aqueous solution was measured by HPLC and used as the concentration of 5-methylbenzotriazole before treatment. From each concentration obtained, the removal rate was calculated by the following formula to evaluate the removability of the hydrophobic anticorrosive agent (5-methylbenzotriazole).
  • Removal rate of hydrophobic anticorrosive agent (%) ⁇ 1-(concentration of 5-methylbenzotriazole after treatment)/(concentration of 5-methylbenzotriazole before treatment) ⁇ x 100 10: Removal rate is 95% or more and 100% or less 9: Removal rate is 90% or more and less than 95% 8: Removal rate is 85% or more and less than 90% 7: Removal rate is 80% or more and less than 85% 6: Removal rate is 75 % or more and less than 80% 5: Removal rate is 70% or more and less than 75% 4: Removal rate is 65% or more and less than 70% 3: Removal rate is 60% or more and less than 65% 2: Removal rate is 50% or more and less than 60% 1 : Removal rate is less than 50%
  • Each diluted treatment liquid was prepared by diluting one of the treatment liquids of each example and each comparative example with water by 100 times (weight ratio).
  • a copper substrate cut to 2 cm ⁇ 2 cm was treated with a 1 mass % citric acid aqueous solution to remove a natural oxide film.
  • 50 mL of the diluted treatment solution was weighed out in a glass beaker, and the copper substrate was dipped for 3 minutes at room temperature with a stirrer rotating at 400 rpm.
  • the surface roughness Ra of the surface of the copper substrate after the above treatment was measured using an atomic force microscope (AFM) to evaluate the copper surface roughness suppressing property.
  • AFM atomic force microscope
  • Ra is 3 ⁇ or less 9: Ra is more than 3 ⁇ , 5 ⁇ or less 8: Ra is more than 5 ⁇ , 10 ⁇ or less 7: Ra is more than 10 ⁇ , 15 ⁇ or less 6: Ra is more than 15 ⁇ , 20 ⁇ or less 5: Ra is more than 20 ⁇ , 25 ⁇ or less 4: Ra is more than 25 ⁇ and 30 ⁇ or less 3: Ra is more than 30 ⁇ and 40 ⁇ or less 2: Ra is more than 40 ⁇ and 50 ⁇ or less 1: Ra is more than 50 ⁇
  • the “content (% by mass)” column indicates the content (% by mass) of each component with respect to the total mass of the treatment liquid.
  • the "A/B” column shows the mass ratio of the specific compound to the sulfur-containing compound (mass of the specific compound/mass of the sulfur-containing compound).
  • the "B/C” column shows the mass ratio of the sulfur-containing compound to compound X (mass of sulfur-containing compound/mass of compound X).
  • the “B/D” column shows the mass ratio of the sulfur-containing compound to the amine compound (mass of sulfur-containing compound/mass of amine compound).
  • the "pH before dilution” column shows the pH of the treatment liquid before dilution.
  • the "pH after dilution” column shows the pH of the treatment liquid after 100-fold dilution (diluted treatment liquid). All of the above pH values are measured at 25°C with a pH meter.
  • the "remainder” of “water” means the remaining component (remainder) that is not specified as a component of the treatment liquid in the table.
  • the content of the specific compound is 1.0 to 10.0% by mass (preferably 2.5 to 10.0% by mass, more preferably 4.0 to 10.0% by mass) relative to the total mass of the treatment liquid.
  • the copper surface roughness suppressing property was more excellent (comparison of Examples 1 to 5, etc.).
  • the mass ratio of the specific compound to the sulfur-containing compound is more than 1.0, the copper surface roughness suppressing property is more excellent (comparison of Examples 1 to 5, etc.).
  • the treatment liquid contained an anticorrosive agent (preferably a purine compound), the copper surface roughness suppressing property was more excellent (comparison of Examples 2 and 64 to 67, etc.). It was confirmed that when the treatment liquid contained at least one selected from the group consisting of a chelating agent and an inorganic acid, the removability of the hydrophobic anticorrosive agent was superior (comparison of Examples 2, 68 to 70 and 73 etc). It has been confirmed that the effect of the present invention is more excellent when the treatment liquid contains other components, and the effect of the present invention is more excellent when it contains at least one selected from the group consisting of a polymer and an antibacterial agent.
  • an anticorrosive agent preferably a purine compound
  • Example 92 A patterned substrate on which residue was adhered was prepared by dry etching with reference to paragraph 0084 of International Publication No. 2020/049955, and cut into 2 cm ⁇ 1 cm so as to include the observation target location. 50 mL of the treatment liquid of Example 2 was weighed into a glass beaker, and the substrate was immersed at room temperature with a stirrer rotating at 250 rpm. The obtained substrate was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the amount of residue was measured using image analysis software. As a result, no residue was observed, confirming that the treatment liquid of Example 2 also functions as a cleaning liquid.
  • SEM scanning electron microscope

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本発明は、疎水性防食剤の除去性に優れ、銅表面粗さ抑制性にも優れる処理液、半導体基板の洗浄方法及び半導体素子の製造方法の提供を課題とする。本発明の処理液は、合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つの特定化合物と、硫黄含有化合物と、溶媒と、を含む。

Description

処理液、半導体基板の洗浄方法、半導体素子の製造方法
　本発明は、処理液、半導体基板の洗浄方法及び半導体素子の製造方法。
に関する。
　処理液は、様々な分野において異物除去等の目的で使用され、例えば、半導体分野においては、以下の用途で使用される。
　ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）及びメモリ等の半導体素子は、フォトリソグラフィー技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成して製造される。具体的には、基板上に、配線材料となる金属膜、エッチング停止層及び層間絶縁層を有する積層体上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィー工程及びドライエッチング工程（例えば、プラズマエッチング処理等）を実施することにより、半導体素子が製造される。
　半導体素子の製造において、金属配線膜、バリアメタル及び絶縁膜等を有する半導体基板表面を、疎水性防食剤（例えば、５－メチルベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール化合物等）及び研磨微粒子（例えば、シリカ及びアルミナ等）等を含む研磨スラリーを用いて平坦化する化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことがある。ＣＭＰ処理では、疎水性防食剤、ＣＭＰ処理で使用する研磨微粒子、研磨された配線金属膜及び／又はバリアメタル等に由来する金属成分が、研磨後の半導体基板表面に残存しやすい。これらの残渣物は、配線間を短絡し、半導体の電気的な特性に影響を及ぼし得ることから、半導体基板の表面からこれらの残渣物を除去する洗浄工程が一般的に行われている。特に、最先端デバイス製造工程において、疎水性防食剤が使用される場合が多い。
　洗浄工程で用いられる処理液としては、例えば、特許文献１には、アルカノールアミンと、第４級アンモニウムと、水とを含む処理液が開示されている。
国際公開第２００６／１０７４７５号
　本発明者らは、基板表面に疎水性防食剤が残存し、銅を有する基板に対して特許文献１等に記載された処理液を適用したところ、疎水性防食剤を除去すること（以下、「疎水性防食剤の除去性」ともいう。）及び銅表面が粗くならないこと（以下、「銅表面粗さ抑制性」ともいう。）の両立が困難であることを知見した。
　本発明は、疎水性防食剤の除去性に優れ、銅表面粗さ抑制性にも優れる処理液を提供することを課題とする。また、本発明は、半導体基板の洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供することも課題とする。
　本発明者は、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
　〔１〕　合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つの特定化合物と、
　硫黄含有化合物と、
　溶媒と、を含む、処理液。
　〔２〕　上記特定化合物が、後述する式（１）で表されるカチオン及び後述する式（２）で表されるカチオンのいずれかを有する、〔１〕に記載の処理液。
　〔３〕　上記式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１４が、それぞれ独立に、無置換のアルキル基を表す、〔２〕に記載の処理液。
　〔４〕　上記特定化合物が、エチルトリメチルアンモニウム塩である、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔５〕　上記特定化合物が、合計炭素数が８以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が８以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む上記第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、〔１〕に記載の処理液。
　〔６〕　上記硫黄含有化合物に対する上記特定化合物の質量比が、１．０超である、〔１〕～〔５〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔７〕　上記硫黄含有化合物が、チオール化合物及びその塩、チオエーテル化合物、チオケトン化合物、チオ尿素化合物、ジスルフィド化合物、ポリスルフィド化合物、並びに、硫黄含有ヘテロ環化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、〔１〕～〔６〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔８〕　上記硫黄含有化合物が、チオール化合物及びその塩、並びに、チオ尿素化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、〔１〕～〔７〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔９〕　上記硫黄含有化合物が、システイン、システアミン、Ｎ－アセチルシステイン、チオグリセロール、メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、メソ－２，３－ジメルカプトコハク酸、メルカプトトリアゾール、並びに、テトラメチルチオ尿素からなる群から選択される少なくとも１つを含む、〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔１０〕　上記硫黄含有化合物が、システインを含む、〔１〕～〔９〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔１１〕　更に、グリコール化合物、モノアルキルエーテル化合物及びアルキレンオキシド化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物Ｘを含む、〔１〕～〔１０〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔１２〕　上記化合物Ｘが、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－ブタンジオール及び２－ブトキシエタノールからなる群から選択される少なくとも１つを含む、〔１１〕に記載の処理液。
　〔１３〕　上記化合物Ｘに対する上記硫黄含有化合物の質量比が、０．１～１０．０である、〔１１〕又は〔１２〕に記載の処理液。
　〔１４〕　更に、アミン化合物を含む、〔１〕～〔１３〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔１５〕　上記アミン化合物が、モノエタノールアミン及びメチルジエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも１つを含む、〔１４〕に記載の処理液。
　〔１６〕　上記アミン化合物に対する上記硫黄含有化合物の質量比が、１．０～１０．０である、〔１４〕又は〔１５〕に記載の処理液。
　〔１７〕　ｐＨが、８．０～１４．０である、〔１〕～〔１６〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔１８〕　化学機械研磨処理が施された半導体基板を洗浄するために用いられる、〔１〕～〔１７〕のいずれか１つに記載の処理液。
　〔１９〕　〔１〕～〔１８〕のいずれか１つに記載の処理液を用いて、化学機械研磨処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程を含む、半導体基板の洗浄方法。
　〔２０〕　〔１９〕に記載の半導体基板の洗浄方法を用いる、半導体素子の製造方法。
　本発明によれば、疎水性防食剤の除去性に優れ、銅表面粗さ抑制性にも優れる処理液を提供できる。また、本発明によれば、半導体基板の洗浄方法及び半導体素子の製造方法も提供できる。
　以下に、本発明を実施するための形態の一例を説明する。
　本明細書における各表記の意味を以下に示す。
　「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限及び上限として含む範囲を意味する。
　「ｐｐｍ」とは「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｍｉｌｌｉｏｎ（１０－６）」を意味し、「ｐｐｂ」とは「ｐａｒｔｓ－ｐｅｒ－ｂｉｌｌｉｏｎ（１０－９）」を意味する。
　「ｐｓｉ」とは、ｐｏｕｎｄ－ｆｏｒｃｅ　ｐｅｒ　ｓｑｕａｒｅ　ｉｎｃｈ（重量ポンド毎平方インチ）を意味し、１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａを意味する。
　ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
　本明細書に記載の化合物において、特段の断りがない限り、構造異性体、光学異性体及び同位体が含まれていてもよい。また、構造異性体、光学異性体及び同位体は、１種単独又は２種以上を含まれていてもよい。
　表記される２価の基（例えば、－ＣＯＯ－等）の結合方向は、特段の断りがない限り、制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、上記化合物は「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよく、「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよい。
　「（メタ）アクリル」は、アクリル及びメタクリルの両方を含み、「（メタ）アクリレート」は、アクリレート及びメタクリレートの両方を含む。
　「重量平均分子量」とは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量のことを意味する。
　「半導体基板上」とは、例えば、半導体基板の表裏、側面及び溝内等のいずれも含む。また、半導体基板上の金属含有物とは、半導体基板の表面上に直接金属含有物がある場合のみならず、半導体基板上に他の層を介して金属含有物がある場合も含む。
　本明細書において、「処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量」とは、水及び有機溶媒等の溶媒以外の処理液に含まれる全ての成分の含有量の合計を意味する。
［処理液］
　処理液は、合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つの特定化合物と、
　硫黄含有化合物と、
　溶媒と、を含む。
　上記構成によって本発明の課題が解決されるメカニズムは必ずしも明らかではないが、本発明者らは、下記のように推測している。
　疎水性防食剤は、金属（例えば、銅等）に強く相互作用して吸着しやすく、従来の処理液では除去することが困難であることを知見した。一方で、特定化合物と硫黄含有化合物とを含む本発明の処理液は、これらの化合物が相互作用して、疎水性防食剤との親和性の向上により疎水性防食剤の除去性に優れ、銅溶解能も調整できることにより銅表面粗さ抑制性にも優れると推測している。
　以下、疎水性防食剤の除去性及び銅表面粗さ抑制性の少なくとも一方の効果がより優れることを、本発明の効果がより優れるともいう。
　以下、処理液に含まれる各成分について説明する。
〔特定化合物〕
　処理液は、特定化合物を含む。
　特定化合物は、合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物である。
　なお、上記合計炭素数とは、第４級アンモニウム化合物に含まれる第４級アンモニウムカチオンの炭素原子の数の合計、又は、第４級ホスホニウム化合物に含まれる第４級ホスホニウムカチオンの炭素原子の数の合計を表す。
　換言すると、上記第４級アンモニウム化合物は、カチオンとして合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む。上記第４級ホスホニウム化合物は、カチオンとして合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む。特定化合物は、後述するように、上記カチオン以外に、アニオンを含んでいてもよい。上記アニオンは、特に制限されない。
　特定化合物の好適態様の一つとしては、合計炭素数が８以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物及び合計炭素数が８以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましい。
　第４級アンモニウムカチオンの合計炭素数及び第４級ホスホニウムカチオンの合計炭素数の上限は、３０以下が好ましく、２０以下がより好ましく、１０以下が更に好ましい。
　上記第４級アンモニウム化合物は、合計炭素数が５以上のアンモニウムカチオンと、アニオンとからなる化合物である。上記第４級ホスホニウム化合物は、合計炭素数が５以上のホスホニウムカチオンと、アニオンとからなる化合物である。
　上記第４級アンモニウム化合物及び上記第４級ホスホニウム化合物は、上記カチオンを２つ以上有していてもよく、アニオンを２つ以上有していてもよい。
　上記アニオンは、１価のアニオン及び２価以上のアニオンのいずれであってもよい。
　上記アニオンとしては、例えば、有機アニオン及び無機アニオンが挙げられる。具体的には、カルボン酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、ホスホン酸イオン及び硝酸イオン等の酸アニオン；水酸化物イオン；塩化物イオン、フッ化物イオン及び臭化物イオン等のハロゲン化物イオン；が挙げられ、水酸化物イオンが好ましい。
　上記アンモニウムカチオンは、４つの置換基が結合した窒素原子を含むカチオンである。また、上記ホスホニウムカチオンは、４つの置換基が結合したリン原子を含むカチオンである。
　上記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、並びに、有機基が挙げられる。
　上記置換基としては、置換基を有していてもよく－Ｏ－を有していてもよい炭化水素基が好ましい。
　上記炭化水素基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～５が更に好ましい。
　上記炭化水素基としては、例えば、置換基を有していてもよく－Ｏ－を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよく－Ｏ－を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよく－Ｏ－を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよく－Ｏ－を有していてもよいアリール基及びこれらを組み合わせた基が挙げられ、置換基を有していてもよく－Ｏ－を有していてもよいアルキル基が好ましい。
　上記炭化水素基が有する置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子；アルコキシ基；ヒドロキシ基；メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセチル基、プロピオニル基及びベンゾイル基等のアシル基；シアノ基；ニトロ基；が挙げられ、ヒドロキシ基が好ましい。また、上記炭化水素基が有する置換基は、上記アンモニウムカチオン及び上記ホスホニウムカチオンであってもよい。
　上記アルキル基、上記アルケニル基及び上記アルキニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
　上記アルキル基、上記アルケニル基及び上記アルキニル基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～５が更に好ましく、１～３が特に好ましい。
　上記アルキル基としては、無置換のアルキル基、ヒドロキシ基を有し－Ｏ－を有していてもよいアルキル基が好ましく、無置換のアルキル基又はヒドロキシ基を有するアルキル基がより好ましい。
　無置換のアルキル基は、置換基（例えば、ヒドロキシ基等）及び－Ｏ－のいずれも有さないアルキル基（例えば、メチル基及びエチル基等）である。
　上記アリール基は、単環及び多環のいずれであってもよい。
　上記アリール基の炭素数は、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましく、６～８が更に好ましい。
　上記アリール基としては、無置換のアリール基（置換基及び－Ｏ－を有さないアリール基）、ヒドロキシ基を有するアリール基が好ましく、無置換のアリール基がより好ましい。
　無置換のアリール基は、置換基及び－Ｏ－のいずれも有さないアリール基（例えば、フェニル基及びナフチル基等）である。
　上記アリール基としては、例えば、ベンジル基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基及びピレニル基が挙げられ、フェニル基が好ましい。
　上記アンモニウムカチオンが窒素原子上又は上記ホスホニウムカチオンがリン原子上に有する４つの置換基は、少なくとも２種以上の基を表すことが好ましい。
　また、上記アンモニウムカチオンが窒素原子上又は上記ホスホニウムカチオンがリン原子上に有する４つの置換基のうち少なくとも２つが、同一の基を表すことが好ましく、上記４つの置換基のうち少なくとも３つは、同一の基を表すことがより好ましい。
　特定化合物の他の好適態様としては、特定化合物が、式（１）で表されるカチオン及び式（２）で表されるカチオンのいずれかを有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（１）中、Ｘ１１は、窒素原子又はリン原子を表す。Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく、－Ｏ－を有していてもよいアルキル基を表す。ただし、Ｒ１１～Ｒ１４の全てが、同一の基を表す場合を除く。Ｒ１１～Ｒ１４の合計炭素数は、５以上である。
　Ｘ１１は、窒素原子又はリン原子を表す。
　Ｘ１１としては、窒素原子が好ましい。
　Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく、－Ｏ－を有していてもよいアルキル基を表す。
　上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
　上記アルキル基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～５が更に好ましく、１～３が特に好ましい。
　上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基及びハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等）が挙げられ、ヒドロキシ基が好ましい。
　Ｒ１１～Ｒ１４としては、無置換のアルキル基（置換基及び－Ｏ－のいずれも有さないアルキル基）が好ましく、炭素数１～３の無置換のアルキル基がより好ましい。
　ただし、Ｒ１１～Ｒ１４の全てが、同一の基を表す場合を除く。例えば、Ｒ１１～Ｒ１４がいずれもメチル基を表す場合は、これらの基は同一の基であるため、上記「Ｒ１１～Ｒ１４の全てが、同一の基を表す場合を除く」という要件を満たしていない。それに対して、Ｒ１１～Ｒ１３がいずれもメチル基で、Ｒ１４がエチル基である場合、Ｒ１１～Ｒ１４の全てが同一の基ではないため、上記「Ｒ１１～Ｒ１４の全てが、同一の基を表す場合を除く」という要件を満たしている。なお、置換基の種類、及び、アルキル基の種類の少なくとも一方が異なっていれば、同一の基には該当しない。つまり、２つの基を比較した際に、置換基の種類、及び、アルキル基の種類の少なくとも一方が異なっていれば、両者は異なる基に該当するといえる。例えば、エチル基と、ヒドロキシエチル基とは、基全体としては構造が異なるため、両者は同一の基には該当しない。
　上記「Ｒ１１～Ｒ１４の全てが、同一の基を表す場合を除く」とは、換言すると、Ｒ１１～Ｒ１４で表される４つの基が、少なくとも２種の基を表すことを意味する。例えば、上述した、Ｒ１１～Ｒ１３がいずれもメチル基で、Ｒ１４がエチル基である場合、Ｒ１１～Ｒ１４で表される４つの基が、メチル基とエチル基という２種の基を表している。
　Ｒ１１～Ｒ１４が取り得る態様としては、例えば、Ｒ１１～Ｒ１４で表される４つの基のうち、Ｒ１１～Ｒ１３で表される３つの基が同一の基であり、Ｒ１４で表される１つの基が上記３つ基とは異なる基である態様が挙げられる。また、Ｒ１１～Ｒ１４で表される４つの基のうち、Ｒ１１～Ｒ１２で表される２つの基同士は同一の基であり、Ｒ１３～Ｒ１４で表される２つの基同士は同一の基であるが、Ｒ１１～Ｒ１２で表される基とＲ１３～Ｒ１４で表される基とが異なる基である態様が挙げられる。また、Ｒ１１～Ｒ１４で表される４つの基が全て異なる基であってもよい。
　Ｒ１１～Ｒ１４の合計炭素数は、５以上であり、５～２４が好ましく、５～１６がより好ましく、５～８が更に好ましい。
　Ｒ１１～Ｒ１４の合計炭素数とは、Ｒ１１～Ｒ１４で表されるそれぞれの基に含まれる炭素原子の数の合計を意味する。
　式（２）中、Ｘ２１及びＸ２２は、それぞれ独立に、窒素原子又はリン原子を表す。Ｌ２１は、２価の連結基を表す。Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく、－Ｏ－を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ２１～Ｒ２６及びＬ２１の合計炭素数は、６以上である。
　Ｘ２１及びＸ２２は、それぞれ独立に、窒素原子又はリン原子を表す。
　Ｘ２１及びＸ２２としては、窒素原子が好ましい。また、Ｘ２１及びＸ２２は、同一の基を表すことも好ましい。
　Ｌ２１は、２価の連結基を表す。
　Ｌ２１としては、例えば、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。
　上記２価の連結基は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基及びハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等）が挙げられる。
　上記アルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐鎖状が好ましい。
　上記アルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１５がより好ましく、１～１０が更に好ましい。
　上記アリーレン基は、単環及び多環のいずれであってもよく、単環が好ましい。
　上記アリーレン基の炭素数は、６～２０が好ましく、６～１０がより好ましい。
　Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく、－Ｏ－を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ２１～Ｒ２６としては、例えば、Ｒ１１～Ｒ１４で表されるアルキル基が挙げられる。
　Ｒ２１～Ｒ２６の全てが同一の基を表してもよく、Ｒ２１～Ｒ２６が異なる基を表してもよい。換言すると、Ｒ２１～Ｒ２６で表される６つの基が全て同じ基であってもよく、Ｒ２１～Ｒ２６で表される６つの基が少なくとも２種の基であってもよい。なかでも、Ｒ２１～Ｒ２６で表される６つの基が少なくとも２種の基であることが好ましい。
　Ｒ２１～Ｒ２６及びＬ２１の合計炭素数は、６以上であり、６～３０が好ましく、６～１８がより好ましく、６～８が更に好ましい。
　Ｒ２１～Ｒ２６及びＬ２１の合計炭素数とは、Ｒ２１～Ｒ２６及びＬ２１で表されるそれぞれの基に含まれる炭素原子の数の合計を意味する。
　合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物としては、例えば、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化トリヒドロキシエチルメチルアンモニウム、水酸化トリ（（ヒドロキシエトキシ）エチル）メチルアンモニウム、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ’－エチレンビス（トリメチルアンモニウム）、デカメトニウムブロミド、水酸化１，３－ジヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウム及び二水酸化Ｎ１－（１－ヒドロキシ－２－メチルプロパン－２－イル）－Ｎ２－（２－ヒドロキシプロピル）－Ｎ１，Ｎ１，－Ｎ２，Ｎ２，２－ペンタメチルプロパン－１，２－ジアミニウムが挙げられる。
　合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物としては、例えば、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、ヘプチルトリフェニルホスホニウムブロミド及びメチルトリフェニルホスホニウムヨージドが挙げられる。
　上記特定化合物の例示化合物におけるアニオンは、上記以外のアニオンであってもよい。上記アニオンについては、上述したとおりである。例えば、デカメトニウムブロミドは、デカメトニウムヒドロキシド及びデカメトニウムヨージドのいずれであってもよい。
　また、特定化合物としては、例えば、国際公開第２０２０／２１４６９２号に記載の化合物も挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　特定化合物としては、合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物が好ましく、エチルトリメチルアンモニウム塩がより好ましい。
　特定化合物の分子量は、１０５～２６０が好ましく、１０５～２０４がより好ましく、１０５～１５０が更に好ましい。
　特定化合物のＣｌｏｇＰは、－４．６０～２０．０の場合が多く、－４．６０～１．５０が好ましく、－４．６０～－２．５０がより好ましく、－４．６０～－３．００が更に好ましい。
　ＣｌｏｇＰとは、１－オクタノールと水への分配係数Ｐの常用対数ｌｏｇＰを計算によって求めた値である。ＣｌｏｇＰは、親水性指標となる。本明細書におけるＣｌｏｇＰは、特段の断りのない限り、ＣｈｅｍＤｒａｗ　Ｐｒｏｆｅｓｓｉｏｎａｌ（Ｖｅｒｓｉｏｎ：１６．０．１．４（７７）、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製）用いて計算される値である。
　特定化合物は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　特定化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１～２０．０質量％の場合が多く、０．１～１０．０質量％が好ましく、１．０～１０．０質量％がより好ましく、２．５～１０．０質量％が更に好ましく、４．０～１０．０質量％が特に好ましい。
　特定化合物の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、１．０～９８．０質量％の場合が多く、５．０～９５．０質量％が好ましく、５０．０～９５．０質量％がより好ましく、７０．０～９５．０質量％が更に好ましく、６０．０～９５．０質量％が特に好ましい。
〔硫黄含有化合物〕
　処理液は、硫黄含有化合物を含む。
　硫黄含有化合物は、分子内に、１以上の硫黄原子を有する化合物である。
　また、硫黄含有化合物は、上述した化合物とは異なる化合物であることが好ましい。
　硫黄含有化合物が有する官能基としては、例えば、チオール基、スルホ基、スルホニル基、チオケトン（－ＳＯ－）及びスルフィド（－Ｓ－）が挙げられる。
　また、硫黄含有化合物は、高分子化合物（重合体）であってもよい。
　硫黄含有化合物は、チオール化合物及びその塩、チオエーテル化合物、チオケトン化合物、チオ尿素化合物、ジスルフィド化合物、ポリスルフィド化合物（スルフィド結合を３つ以上有する化合物）、並びに、硫黄含有ヘテロ環化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましく、チオール化合物及びその塩、チオ尿素化合物、並びに、ジスルフィド化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むことがより好ましく、チオール化合物及びその塩、並びに、チオ尿素化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが更に好ましい。
　チオール化合物は、例えば、システイン、システアミン、Ｎ－アセチルシステイン、チオグリセロール、メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、メソ－２，３－ジメルカプトコハク酸及びメルカプトトリアゾールが挙げられる。
　上記塩としては、チオール化合物におけるＳ－Ｈ＋基中のＨ＋（プロトン）が他のカチオンに置き換わった化合物が挙げられ、例えば、ナトリウム塩及びカリウム塩等のアルカリ金属塩、並びに、アンモニウム塩が挙げられる。
　チオエーテル化合物としては、例えば、ジエチルスルフィド、ジフェニルスルフィド及びペニシリンが挙げられる。
　チオケトン化合物としては、例えば、２－シアノチオアセトアミド及びチオベンズアミドが挙げられる。
　チオ尿素化合物としては、例えば、チオ尿素、テトラメチルチオ尿素、イミダゾリジンチオン、３，４，５，６－テトラヒドロピリミジン－２－チオール及び４－メチル－３－チオセミカルバジドが挙げられる。
　ジスルフィド化合物としては、例えば、シスチン及びＮ，Ｎ’－ジアセチルシスチンが挙げられる。
　ポリスルフィド化合物としては、例えば、ジメチルトリスルフィド及びジプロピルトリスルフィドが挙げられる。
　硫黄含有ヘテロ環化合物は、環員原子として硫黄原子を含むヘテロ環を有する化合物である。
　硫黄含有ヘテロ環化合物としては、例えば、２－アミノ－１，３，４－チアジアゾール、チアジン、ベンゾチアジン及びベンゾチアゾールが挙げられる。
　硫黄含有化合物としては、例えば、上記以外のその他硫黄含有化合物も挙げられる。
　その他硫黄含有化合物としては、例えば、スルホニル化合物（スルホニル基を有する化合物）が挙げられる。
　スルホニル化合物としては、例えば、スルバクタム及びジアフェニルスルホンが挙げられる。
　硫黄含有化合物は、システイン、システアミン、Ｎ－アセチルシステイン、チオグリセロール、メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、メソ－２，３－ジメルカプトコハク酸、メルカプトトリアゾール及びテトラメチルチオ尿素からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましく、システイン又はテトラメチルチオ尿素を含むことがより好ましく、システインを含むことが更に好ましい。
　また、硫黄含有化合物は、ペニシリン、スルバクタム及びジアフェニルスルホンからなる群から選択される少なくとも１つを含むことも好ましい。上記化合物を含む場合、抗菌作用に優れる。
　硫黄含有化合物の分子量は、７５～３２５が好ましく、１００～２００がより好ましく、１２０～１５０が更に好ましい。
　硫黄含有化合物のＣｌｏｇＰは、－４．５０～１．００が好ましく、－３．５０～０．６０がより好ましく、－２．５０～－２．００が更に好ましい。
　硫黄含有化合物は、１種単独又は２種以上で用いてもよく、疎水性防食剤の除去性が向上する点から、２種以上で用いることが好ましく、２種で用いることがより好ましい。
　硫黄含有化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～２０．０質量％が好ましく、０．０１～５．０質量％がより好ましく、０．８～１．５質量％が更に好ましい。
　硫黄含有化合物の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０００１～２０．０質量％が好ましく、０．０１～５．０質量％がより好ましく、０．８～１．５質量％が更に好ましい。
〔溶媒〕
　処理液は、溶媒を含む。
　溶媒としては、例えば、水及び有機溶媒が挙げられ、水が好ましい。
　水としては、例えば、蒸留水、脱イオン水及び純水（超純水）が挙げられる。上記水としては、不純物をほとんど含まず、半導体基板の製造工程における半導体基板への影響がより少ない点から、純水（超純水）が好ましい。
　水の含有量は、処理液に含まれ得る成分の残部であれば、特に制限されない。
　水の含有量は、処理液の全質量に対して、１．０質量％以上が好ましく、３０．０質量％以上がより好ましく、５０．０質量％以上が更に好ましく、６０．０質量％以上が特に好ましい。上限は、処理液の全質量に対して、９９．９９質量％以下が好ましく、９９．９質量％以下がより好ましく、９９．０質量％以下が更に好ましい。
　有機溶媒としては、例えば、公知の有機溶媒が挙げられ、アルコール及びケトン等の親水性有機溶媒が好ましい。
　有機溶媒としては、例えば、特開２０２１－０５２１８６号公報の段落［００４３］～［００６０］に記載の有機溶媒が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
〔化合物Ｘ〕
　処理液は、化合物Ｘを含んでいてもよい。
　処理液が化合物Ｘを含む場合、疎水性防食剤の除去性が向上する。
　化合物Ｘは、グリコール化合物、モノアルキルエーテル化合物及びアルキレンオキシド化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物である。
　グリコール化合物は、分子内に、２つのヒドロキシ基を有する化合物である。
　モノアルキルエーテル化合物は、分子内に、１つのヒドロキシ基と、１つ以上の－ＯＲ（Ｒは有機基を表す）とを有する化合物である。
　アルキレンオキシド化合物は、分子内に、ヒドロキシ基を有さず、１つ以上のアルキレンオキシ基（好ましくは、エチレンオキシ基）を有する化合物である。
　グリコール化合物としては、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，２－ペンタンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，２－ヘキサンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，２－ヘプタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、２－エチル－２－メチル－１，３－プロパンジオール、３－メチル－１，３－ブタンジオール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、２－メチル－２－プロピル－１，３－プロパンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール及び２－エチル－１，３－ヘキサンジオールが挙げられる。
　モノアルキルエーテル化合物としては、例えば、２－ブトキシエタノール、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル及びトリプロピレングリコールモノブチルエーテルが挙げられる。
　アルキレンオキシド化合物としては、例えば、上記グリコール化合物及び上記モノアルキルエーテル化合物中の全てのヒドロキシ基が有機基で置換された化合物が挙げられる。
　具体的には、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
　化合物Ｘは、グリコール化合物及びモノアルキルエーテル化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましく、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－ブタンジオール及び２－ブトキシエタノールからなる群から選択される少なくとも１つを含むことがより好ましく、プロピレングリコールを含むことが更に好ましい。
　化合物Ｘは、１種単独又は２種以上で用いてもよく、疎水性防食剤の除去性が向上する点から、２種以上で用いることが好ましく、２種で用いることがより好ましい。
　化合物Ｘの含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～２０．０質量％の場合が多く、０．０１～５．０質量％が好ましく、０．５～５．０質量％がより好ましく、１．０～１．５質量％が更に好ましい。
　化合物Ｘの含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～８０．０質量％の場合が多く、０．１～５０．０質量％が好ましく、５．０～５０．０質量％がより好ましく、１０．０～２０．０質量％が更に好ましい。
〔アミン化合物〕
　処理液は、アミン化合物を含んでいてもよい。
　上述した特定化合物及び硫黄含有化合物は、アミン化合物には含まれない。また、後述する防食剤とも異なることも好ましい。
　アミン化合物は、アミノ基を有する化合物である。上記アミン化合物が有するアミノ基は、第１級のアミノ基（－ＮＨ２）、第２級のアミノ基（＞ＮＨ）及び第３級のアミノ基（＞Ｎ－）からなる群から選択される少なくとも１つである。なお、アミン化合物が複数の級数のアミノ基を有する場合、そのアミン化合物は、そのうち最も高級なアミノ基を有するアミン化合物に分類する。具体的には、第１級のアミノ基と、第２級のアミン基とを有するアミン化合物は、第２級のアミン基を有するアミン化合物とする。
　アミン化合物としては、例えば、脂肪族アミン、アミノアルコール及びグアニジン化合物が挙げられる。上記アミン化合物は、鎖状（直鎖状又は分岐鎖状）及び環状のいずれであってもよい。
＜脂肪族アミン＞
　脂肪族アミンとしては、例えば、第１級脂肪族アミン（第１級のアミノ基を有する脂肪族アミン）、第２級脂肪族アミン（第２級のアミノ基を有する脂肪族アミン）及び第３級脂肪族アミン（第３級のアミノ基を有する脂肪族アミン）が挙げられる。
　第１級の鎖状脂肪族アミンとしては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ｎ－ブチルアミン、３－メトキシプロピルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－オクチルアミン及び２－エチルヘキシルアミンが挙げられる。
　第１級の環状脂肪族アミンとしては、例えば、シクロヘキシルアミンが挙げられる。
　第２級の鎖状脂肪族アミンとしては、例えば、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、１，３－プロパンジアミン（ＰＤＡ）、１，２－プロパンジアミン、１，３－ブタンジアミン及び１，４－ブタンジアミン等のアルキレンジアミン；ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、ビス（アミノプロピル）エチレンジアミン（ＢＡＰＥＤＡ）及びテトラエチレンペンタミン等のポリアルキルポリアミンが挙げられる。
　第２級の環状脂肪族アミンとしては、例えば、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン及び２，６－ジメチルピペラジンが挙げられる。
　第３級脂肪族アミンとしては、例えば、分子内に第３級のアミノ基を有し、芳香環基を有さない第３級脂肪族アミンが挙げられる。
　第３級の鎖状脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン及びトリエチルアミン等の第３級アルキルアミン、１，３－ビス（ジメチルアミノ）ブタン等のアルキレンジアミン、並びに、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ペンタメチルジエチレントリアミン等のポリアルキルポリアミンが挙げられる。
　第３級の環状脂肪族アミンとしては、例えば、環員原子として窒素原子を有し、非芳香性のヘテロ環を有する第３級脂肪族アミンが挙げられる。
　第３級の環状脂肪族アミンとしては、例えば、環状アミジン化合物及びピペラジン化合物が挙げられる。
（環状アミジン化合物）
　環状アミジン化合物は、環内にアミジン構造（＞Ｎ－Ｃ＝Ｎ－）を含むヘテロ環を有する化合物である。
　環状アミジン化合物が有する上記のヘテロ環の環員数は、５～６が好ましく、６がより好ましい。
　環状アミジン化合物としては、例えば、ジアザビシクロウンデセン（１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン：ＤＢＵ）、ジアザビシクロノネン（１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ－５－エン：ＤＢＮ）、３，４，６，７，８，９，１０，１１－オクタヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１．２－ａ］アゾシン、３，４，６，７，８，９－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリド［１．２－ａ］ピリミジン、２，５，６，７－テトラヒドロ－３Ｈ－ピロロ［１．２－ａ］イミダゾール、３－エチル－２，３，４，６，７，８，９，１０－オクタヒドロピリミド［１．２－ａ］アゼピン及びクレアチニンが挙げられ、ＤＢＵ又はＤＢＮが好ましい。
（ピペラジン化合物）
　ピペラジン化合物は、シクロヘキサン環の対向する－ＣＨ－基が第３級のアミノ基（＞Ｎ－）に置き換わったヘテロ６員環（ピペラジン環）を有する化合物である。
　ピペラジン化合物としては、例えば、１－メチルピペラジン、１－エチルピペラジン、１－プロピルピペラジン、１－ブチルピペラジン、１，４－ジメチルピペラジン、１－フェニルピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、１，４―ビス（２－アミノエチル）ピペラジン（ＢＡＥＰ）、１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（ＢＡＰＰ）及び１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）が挙げられ、ＤＡＢＣＯが好ましい。
　第３級の環状脂肪族アミンとしては、例えば、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等の芳香族性を有さない、ヘテロ５員環を有する化合物及び窒素７員環を有する化合物も挙げられる。
＜アミノアルコール＞
　アミノアルコールは、１以上のアミノ基と、１以上のヒドロキシ基とを有する化合物である。
　第１級のアミノアルコールとしては、例えば、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）、３－アミノ－１－プロパノール、１－アミノ－２－プロパノール、トリスヒドロキシメチルアミノメタン、ジエチレングリコールアミン（ＤＥＧＡ）及び２－（アミノエトキシ）エタノール（ＡＥＥ）が挙げられる。
　第２級のアミノアルコールとしては、例えば、ウラシル、Ｎ－メチルエタノールアミン、２－（エチルアミノ）エタノール、２－［（ヒドロキシメチル）アミノ］エタノール、２－（プロピルアミノ）エタノール、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、ジエタノールアミン、２－（２－アミノエチルアミノ）エタノール（ＡＡＥ）、Ｎ－ブチルエタノールアミン及びＮ－シクロヘキシルエタノールアミンが挙げられる。
　第３級のアミノアルコールとしては、例えば、Ｎ－メチルジエタノールアミン（ＭＤＥＡ）、２－（ジメチルアミノ）エタノール（ＤＭＡＥ）、Ｎ－エチルジエタノールアミン（ＥＤＥＡ）、２－ジエチルアミノエタノール、２－（ジブチルアミノ）エタノール、２－［２－（ジメチルアミノ）エトキシ］エタノール、２－［２－（ジエチルアミノ）エトキシ］エタノール、トリエタノールアミン、Ｎ－ブチルジエタノールアミン（ＢＤＥＡ）、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルジエタノールアミン（ｔ－ＢＤＥＡ）、１－［ビス（２－ヒドロキシエチル）アミノ］－２－プロパノール（Ｂｉｓ－ＨＥＡＰ）、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＨＥＰ）、１，４－ビス（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＢＨＥＰ）、２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノール、Ｎ－フェニルジエタノールアミン（Ｐｈ－ＤＥＡ）、Ｎ－ベンジルジエタノールアミン、ｐ－トリルジエタノールアミン、ｍ－トリルジエタノールアミン、２－（ジメチルアミノ）－１，３－プロパンジオール、２－［［２－（ジメチルアミノ）エチル］メチルアミノ］エタノール及びステアリルジエタノールアミンが挙げられ、ＭＤＥＡ、ＤＭＡＥ、ＥＤＥＡ又は２－ジエチルアミノエタノールが好ましく、ＭＤＥＡがより好ましい。
＜グアニジン化合物＞
　グアニジン化合物は、ＮＲ２－Ｃ（＝ＮＲ）－ＮＲ２を有する化合物である。Ｒは、水素原子又は置換基を表す。
　グアニジン化合物としては、例えば、グアニジン、テトラメチルグアニジン及びアルギニン、クロロヘキシジンが挙げられる。
　アミン化合物は、アミノアルコールを含むことが好ましく、モノエタノールアミン及びＮ－メチルジエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも１つを含むことがより好ましく、モノエタノールアミンを含むことが更に好ましい。
　アミン化合物は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　アミン化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～２０．０質量％の場合が多く、０．０１～５．０質量％が好ましく、０．５～１．５質量％がより好ましく、１．０～１．５質量％が更に好ましい。
　アミン化合物の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～８０．０質量％の場合が多く、０．１～５０．０質量％が好ましく、５．０～２０．０質量％がより好ましく、１０．０～２０．０質量％が更に好ましい。
〔防食剤〕
　処理液は、防食剤を含んでいてもよい。
　防食剤としては、窒素含有複素環化合物が好ましく、プリン化合物又はアゾール化合物がより好ましく、プリン化合物が更に好ましい。
　窒素含有複素環化合物は、環員原子として窒素原子を含む複素環を有する化合物である。
　防食剤は、処理液に含まれ得る上記化合物とは異なる化合物であることが好ましい。
＜プリン化合物＞
　プリン化合物は、プリン及びプリン誘導体からなる群から選択される少なくとも１つの化合物である。処理液がプリン化合物を含む場合、防食性に優れ、残渣除去性にも優れる。
　プリン化合物としては、例えば、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、アデノシン、エンプロフィリン、テオフィリン、キサントシン、７－メチルキサントシン、７－メチルキサンチン、テオフィリン、エリタデニン、３－メチルアデニン、３－メチルキサンチン、１，７－ジメチルキサンチン、１－メチルキサンチン、パラキサンチン、１，３－ジプロピル－７－メチルキサンチン、３，７－ジヒドロ－７－メチル－１Ｈ－プリン－２，６－ジオン、１，７－ジプロピル－３－メチルキサンチン、１－メチル－３，７－ジプロピルキサンチン、１，３－ジプロピル－７－メチル－８－ジシクロプロピルメチルキサンチン、１，３－ジブチル－７－（２－オキソプロピル）キサンチン、１－ブチル－３，７－ジメチルキサンチン、３，７－ジメチル－１－プロピルキサンチン、２－アミノプリン、６－アミノプリン、６－ベンジルアミノプリン、ネララビン、ビダラビン、２，６－ジクロロプリン、アシクロビル、Ｎ６－ベンゾイルアデノシン、ｔｒａｎｓ－ゼアチン、６－ベンジルアミノプリン、エンテカビル、バラシクロビル、アバカビル、２’－デオキシグアノシン、イノシン酸二ナトリウム、ガンシクロビル、グアノシン５’－一リン酸二ナトリウム、Ｏ－シクロヘキシルメチルグアニン、Ｎ２－イソブチリル－２’－デオキシグアノシン、β－ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドリン酸、６－クロロ－９－（テトラヒドロピラン－２－イル）プリン、クロファラビン、キネチン、７－（２，３－ジヒドロキシプロピル）テオフィリン、プロキシフィリン、２，６－ジアミノプリン、２’，３’－ジデオキシイノシン、テオフィリン－７－酢酸、２－クロロアデニン、２－アミノ－６－クロロプリン、８－ブロモ－３－メチルキサンチン、２－フルオロアデニン、ペンシクロビル、９－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、７－（２－クロロエチル）テオフィリン、２－アミノ－６－ヨードプリン、２－アミノ－６－メトキシプリン、Ｎ－アセチルグアニン、アデホビルジピボキシル、８－クロロテオフィリン、６－メトキシプリン、１－（３－クロロプロピル）テオブロミン、６－（ジメチルアミノ）プリン及びイノシンが挙げられる。
　プリン化合物は、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、アデノシン、エンプロフィリン、テオフィリン、キサントシン、７－メチルキサントシン、７－メチルキサンチン、テオフィリン、エリタデニン、３－メチルアデニン、３－メチルキサンチン、１，７－ジメチルキサンチン、１－メチルキサンチン及びパラキサンチンからなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましく、アデニン、グアニン及びキサンチンからなる群から選択される少なくとも１つを含むことがより好ましく、キサンチンを含むことが更に好ましい。
＜アゾール化合物＞
　アゾール化合物は、１つ以上の窒素原子を含み、芳香族性を有するヘテロ５員環を有する化合物である。
　アゾール化合物が有するヘテロ５員環に含まれる窒素原子の数は、１～４が好ましく、１～３がより好ましい。
　アゾール化合物は、ヘテロ５員環上に置換基を有していてもよい。
　上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、アミノ基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基及び２－イミダゾリル基が挙げられる。
　アゾール化合物としては、例えば、アゾール環を構成する原子のうち１つが窒素原子であるイミダゾール化合物、アゾール環を構成する原子のうち２つが窒素原子であるピラゾール化合物、アゾール環を構成する原子のうち１つが窒素原子であり、他の１つが硫黄原子であるチアゾール化合物、アゾール環を構成する原子のうち３つが窒素原子であるトリアゾール化合物及びアゾール環を構成する原子のうち４つが窒素原子であるテトラゾール化合物が挙げられる。
　イミダゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、５－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、４－ヒドロキシイミダゾール、２，２’－ビイミダゾール、４－イミダゾールカルボン酸、ヒスタミン及びベンゾイミダゾールが挙げられる。
　ピラゾール化合物としては、例えば、ピラゾール、４－ピラゾールカルボン酸、１－メチルピラゾール、３－メチルピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、３－アミノ－５－ヒドロキシピラゾール、３－アミノピラゾール及び４－アミノピラゾールが挙げられる。
　チアゾール化合物としては、例えば、２，４－ジメチルチアゾール及びベンゾチアゾールが挙げられる。
　トリアゾール化合物としては、例えば、１，２，４－トリアゾ－ル、３－メチル－１，２，４－トリアゾ－ル、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、１，２，３－トリアゾ－ル、１－メチル－１，２，３－トリアゾ－ル、ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３－ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４－ヒドロキシベンゾトリアゾール、４－カルボキシベンゾトリアゾール及び２，２’－｛［（５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ジエタノールが挙げられ、１，２，４－トリアゾ－ルが好ましい。
　テトラゾール化合物としては、例えば、１Ｈ－テトラゾール（１，２，３，４－テトラゾ－ル）、５－メチル－１，２，３，４－テトラゾ－ル、５－アミノ－１，２，３，４－テトラゾ－ル及び１，５－ペンタメチレンテトラゾールが挙げられる。
　アゾール化合物としては、トリアゾール化合物が好ましく、１，２，４－トリアゾ－ルがより好ましい。
　防食剤は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　防食剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～１０．０質量％が好ましく、０．００１～５．０質量％がより好ましく、０．０１～１．０質量％が更に好ましい。
　防食剤の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～８０．０質量％が好ましく、０．１～５０．０質量％がより好ましく、１．０～１０．０質量％が更に好ましい。
〔キレート剤〕
　処理液は、キレート剤を含んでいてもよい。
　上述した特定化合物及び硫黄含有化合物は、キレート剤には含まれない。
　処理液がキレート剤を含む場合、疎水性防食剤の除去性が向上する。
　キレート剤としては、例えば、有機酸及びそれらの塩が挙げられる。上記塩としては、例えば、ナトリウム塩及びカリウム塩等のアルカリ金属塩、並びに、アンモニウム塩が挙げられる。
＜有機酸＞
　有機酸としては、例えば、カルボン酸系有機酸、ホスホン酸系有機酸及びそれらの塩が挙げられ、カルボン酸系有機酸が好ましく、ジカルボン酸がより好ましい。
　有機酸が有する酸基としては、例えば、カルボキシ基、ホスホン酸基及びフェノール性ヒドロキシ基が挙げられる。
　有機酸は、カルボキシ基及びホスホン酸基からなる群から選択される少なくとも１つを有することが好ましく、カルボキシ基を有することがより好ましい。
　有機酸の分子量としては、６００以下が好ましく、４５０以下がより好ましく、３００以下が更に好ましい。下限は、５０以上が好ましく、１００以上がより好ましい。
　有機酸の炭素数は、１～１５が好ましく、２～１５がより好ましい。
　カルボン酸系有機酸は、１以上のカルボキシ基を有する化合物である。
　カルボン酸系有機酸としては、例えば、脂肪族カルボン酸系有機酸、アミノポリカルボン酸系有機酸及びアミノ酸系有機酸が挙げられ、脂肪族カルボン酸系有機酸が好ましい。
　脂肪族カルボン酸系有機酸は、カルボン酸基と脂肪族基と以外に、更にヒドロキシ基を有していてもよい。
　脂肪族カルボン酸系有機酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸、マレイン酸、リンゴ酸、クエン酸及び酒石酸が挙げられ、クエン酸、コハク酸又は酒石酸が好ましい。
　アミノポリカルボン酸系有機酸としては、例えば、国際公開第２０１８／０２１０３８号の段落［００６７］及び［００６８］に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　アミノ酸系有機酸としては、例えば、特開２０２０－１６１５１１号公報の段落［００３０］～［００３３］に記載の化合物、特開２０１６－０８６０９４号公報の段落［００２１］～［００２３］に記載の化合物、並びに、特開２０１５－１６５５６１号公報及び特開２０１５－１６５５６２号公報に記載のヒスチジン誘導体が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　ホスホン酸系有機酸としては、例えば、国際公開第２０１８／０２０８７８号の段落［００２６］～［００３６］に記載の化合物及び国際公開第２０１８／０３０００６号の段落［００３１］～［００４６］に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　キレート剤は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　キレート剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～２０．０質量％が好ましく、０．０１～５．０質量％がより好ましく、１．０～１．５質量％が更に好ましい。
　キレート剤の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～８０．０質量％が好ましく、０．１～５０．０質量％がより好ましく、１０．０～２０．０質量％が更に好ましい。
〔無機酸〕
　処理液は、無機酸を含んでいてもよい。
　上述した特定化合物及び硫黄含有化合物は、無機酸には含まれない。
　処理液は、疎水性防食剤の除去性が優れる点で、キレート剤及び無機酸からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましい。
　無機酸としては、例えば、塩酸、硝酸、亜硝酸、リン酸、ホウ酸、六フッ化リン酸、ハロゲン化アンモニウム及びそれらの塩が挙げられる。上記塩としては、例えば、ナトリウム塩及びカリウム塩等のアルカリ金属塩、並びに、アンモニウム塩が挙げられる。
　無機酸は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　無機酸の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～２０．０質量％が好ましく、０．０１～５．０質量％がより好ましく、１．０～１．５質量％が更に好ましい。
　無機酸の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０１～８０．０質量％が好ましく、０．１～５０．０質量％がより好ましく、１０．０～２０．０質量％が更に好ましい。
〔界面活性剤〕
　処理液は、界面活性剤を含んでいてもよい。
　界面活性剤としては、１分子中に、親水基と疎水基（親油基）とを有する化合物であり、例えば、ノニオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤が挙げられる。
　処理液が界面活性剤を含む場合、金属腐食防止性及び研磨微粒子の除去性がより優れる。
　界面活性剤は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及びそれらを組み合わせた基からなる群から選択される少なくとも１つの疎水基を有する場合が多い。
　疎水基が芳香族炭化水素基を含む場合、芳香族炭化水素基の炭素数は、６以上が好ましく、１０以上がより好ましい。上限は、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましい。
　疎水基が芳香族炭化水素基を含まず、脂肪族炭化水素基のみからなる場合、脂肪族炭化水素基の炭素数は、９以上が好ましく、１３以上がより好ましく、１６以上が更に好ましい。上限は、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましい。
　界面活性剤全体の炭素数は、１６～１００が好ましい。
　ノニオン性界面活性剤としては、例えば、エステル型ノニオン性界面活性剤、エーテル型ノニオン性界面活性剤、エステルエーテル型ノニオン性界面活性剤及びアルカノールアミン型ノニオン性界面活性剤が挙げられ、エーテル型ノニオン性界面活性剤が好ましい。
　ノニオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルポリグルコシド、オクチルフェノールエトキシレート、ノニルフェノールエトキシレート（Ｔｅｒｇｉｔｏｌ　ＮＰ－１２、並びに、Ｔｒｉｔｏｎ（登録商標）Ｘ－１５、Ｘ－４５、Ｘ－１００、Ｘ－１０２、Ｘ－１１４、ＢＧ－１０、ＣＧ－１１０及びＣＧ－１１９等、Ｄｏｗ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製）、シランポリアルキレンオキシド（コポリマー）（Ｙ－１７１１２－ＳＧＳ、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製）、Ｓｉｌｗｅｔ（登録商標）ＨＳ－３１２（Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製）、トリスチリルフェノールエトキシレート（ＭＡＫＯＮ　ＴＳＰ－２０、Ｓｔｅｐａｎ社製）、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソビタンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビトールエステルのポリオキシエチレンエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ポリグリセリンエステル、ソルビタンエステル、プロピレングリコールエステル、ショ糖エステル、脂肪族酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド、アルコールエトキシレート〔ＢＲＩＪ（登録商標）シリーズ、３５（Ｃ１２Ｈ２５（ＯＣＨ２ＣＨ２）２３ＯＨ）、５６（Ｃ１６Ｈ３３（ＯＣＨ２ＣＨ２）１０ＯＨ）及び５８（Ｃ１６Ｈ３３（ＯＣＨ２ＣＨ２）２０ＯＨ）等〕、第１級及び第２級アルコールエトキシレート、アミンエトキシレート、グルコシド、グルカミド、ポリ（エチレングリコール－ｃｏ－プロピレングリコール）、セチルアルコール、ステアリルアルコール、セトステアリルアルコール、オレイルアルコール、オクタエチレングリコールモノドデシルエーテル、ペンタエチレングリコールモノドデシルエーテル、ポリオキシプロピレングリコールアルキルエーテル、デシルグルコシド、ラウリルグルコシド、オクチルグルコシド、ポリオキシエチレングリコールオクチルフェノールエーテル、ノノキシノール－９、グリセロールアルキルエステル、ラウリン酸グリセリル、ポリオキシエチレングリコールソルビタンアルキルエステル、ポリソルベート、ソルビタンアルキルエステル、スパン、コカミドＭＥＡ、コカミドＤＥＡ、ドデシルジメチルアミンオキシド、ポリプロピレングリコールのブロックコポリマー、並びに、それらの混合物が挙げられる。
　アニオン性界面活性剤としては、例えば、リン酸エステル基を有するリン酸エステル系界面活性剤、ホスホン酸基を有するホスホン酸系界面活性剤、及び、カルボキシ基を有するカルボン酸系界面活性剤が挙げられる。
　アニオン性界面活性剤としては、例えば、デカンカルボン酸、Ｎ－アシルアミノ酸塩及びポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩；アシル化ペプチド；リン酸エステル塩；アルキルリン酸塩；ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテルリン酸塩；アルキルアリールエーテルホスフェート；アルキルエーテルホスフェート；アルキルカルボキシレート；脂肪酸塩（石鹸）；ステアリン酸ナトリウム；ラウロイルサルコシン酸ナトリウム；パーフルオロノナノエート；パーフルオロオクタノエート；並びにそれらの混合物が挙げられる。
　カチオン性界面活性剤としては、例えば、第４級アンモニウム塩系界面活性剤及びアルキルピリジウム系界面活性剤が挙げられる。
　カチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化セチルピリジニウム（ＣＰＣ）、ポリエトキシ化牛脂アミン（ＰＯＥＡ）、塩化ベンザルコニウム（ＢＡＣ）、塩化ベンゼトニウム（ＢＺＴ）、５－ブロモ－５－ニトロ－１，３－ジオキサン、脂肪族アミン塩、塩化ベンザルコニウム塩、塩化ベンゼトニウム、ピリジニウム塩及びイミダゾリニウム塩が挙げられる。
　両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン型両性界面活性剤、アミノカルボン酸塩、イミダゾリニウムベタイン、レシチン、アルキルアミンオキシド及びそれらの混合物が挙げられる。
　界面活性剤としては、例えば、特開２０１５－１５８６６２号公報の段落［００９２］～［００９６］、特開２０１２－１５１２７３号公報の段落［００４５］～［００４６］及び特開２００９－１４７３８９号公報の段落［００１４］～［００２０］に記載の化合物も挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　界面活性剤は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　界面活性剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００００１～１．０質量％が好ましく、０．０００１～０．１質量％がより好ましく、０．００１～０．０１質量％が更に好ましい。
　界面活性剤の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０００００１～５０．０質量％が好ましく、０．００００１～２０．０質量％がより好ましく、０．０００１～１０．０質量％が更に好ましい。
〔ｐＨ調整剤〕
　処理液は、ｐＨ調整剤を含んでいてもよい。
　ｐＨ調整剤としては、例えば、塩基性化合物及び酸性化合物が挙げられる。
　また、上述した処理液に含まれ得る各成分の添加量を調整することで、処理液のｐＨを調整してもよい。
　ｐＨ調整剤としては、例えば、国際公開第２０１９－１５１１４１号の段落［００５３］及び［００５４］、並びに、国際公開第２０１９－１５１００１号の段落［００２１］が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　ｐＨ調整剤は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　ｐＨ調整剤の含有量は、目的のｐＨになる量であれば特に制限されない。
　ｐＨ調整剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～５．０質量％が好ましく、０．０１～２．０質量％がより好ましく、０．１～１．０質量％が更に好ましい。
　ｐＨ調整剤の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．００１～３０質量％が好ましく、０．０１～１０．０質量％がより好ましく、０．１～５．０質量％が更に好ましい。
〔その他成分〕
　処理液は、上記処理液に含まれ得る成分以外に、その他成分を含んでいてもよい。
　その他成分としては、例えば、重合体、酸化剤、分子量５００以上のポリヒドロキシ化合物、フッ素化合物及び抗菌剤が挙げられる。
　その他成分は、重合体及び抗菌剤からなる群から選択される少なくとも１つを含むことが好ましい。
　その他成分は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　重合体としては、水溶性重合体が好ましい。
　「水溶性重合体」とは、２以上の構成単位が線状又は網目状に共有結合を介して連なった化合物であって、２０℃の水１００ｇに溶解する質量が０．１ｇ以上である化合物を意味する。
　水溶性重合体としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸、ポリビニルスルホン酸、及びそれらの塩；スチレン、α－メチルスチレン及び／又は４－メチルスチレン等のモノマーと、（メタ）アクリル酸及び／又はマレイン酸等の酸モノマーとの共重合体、並びに、それらの塩；ポリグリセリン；ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリアクリルアミド、ポリビニルホルムアミド、ポリエチレンイミン、ポリビニルオキサゾリン、ポリビニルイミダゾール及びポリアリルアミン等のビニル系合成ポリマー；ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース及び加工澱粉等の天然多糖類の変性物が挙げられる。
　水溶性重合体は、１種の単量体を重合させた重合体及び２種以上の単量体を共重合させた共重合体のいずれであってもよい。
　単量体としては、例えば、カルボキシ基を有する単量体、ヒドロキシ基を有する単量体、ポリエチレンオキシド鎖を有する単量体、アミノ基を有する単量体及び複素環を有する単量体からなる群から選択される単量体が挙げられる。
　水溶性重合体は、実質的に、上記群から選択される単量体に由来する構造単位のみからなる重合体であることも好ましい。「重合体が実質的に上記群から選択される単量体に由来する構造単位のみである」とは、上記群から選択される単量体に由来する構造単位の含有量が、重合体の全質量に対して、９５～１００質量％であり、９９～１００質量％であることが好ましい。
　重合体としては、例えば、特開２０１６－１７１２９４号公報の段落［００４３］～［００４７］に記載の水溶性重合体も挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　重合体の分子量（分子量分布を有する場合は重量平均分子量）は、３００以上が好ましく、６００超がより好ましく、２０００以上が更に好ましく、１００００以上が特に好ましい。上限は、１５０００００以下が好ましく、１００００００以下がより好ましい。
　重合体が水溶性重合体である場合、水溶性重合体の重量平均分子量は、３００以上が好ましく、２０００以上がより好ましく、１００００以上が更に好ましい。上限は、１５０００００以下が好ましく、１２０００００以下がより好ましく、１００００００以下が更に好ましい。
　重合体は、カルボキシ基を有する構成単位（例えば、（メタ）アクリル酸に由来する構成単位等）を有することが好ましい。カルボキシ基を有する構成単位の含有量は、重合体の全質量に対して、３０～１００質量％が好ましく、７０～１００質量％がより好ましく、８５～１００質量％が更に好ましい。
　重合体の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００００１～１質量％が好ましく、０．０００１～０．１質量％がより好ましく、０．００１～０．０１質量％が更に好ましい。
　重合体の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．０００００１～５０質量％が好ましく、０．００００１～２０質量％がより好ましく、０．０００１～１０質量％が更に好ましい。　重合体の含有量が上記範囲内である場合、基板の表面に重合体が適度に吸着して処理液の金属腐食防止性能の向上に寄与し、かつ、処理液の粘度及び／又は洗浄性能のバランスも優れる。
　酸化剤としては、例えば、過酸化物及び過炭酸塩、それらの酸、並びに、それらの塩が挙げられる。具体的には、酸化ハライド（例えば、ヨウ素酸、メタ過ヨウ素酸及びオルト過ヨウ素酸等の過ヨウ素酸、並びに、それらの塩等）、過ホウ酸、過ホウ酸塩、セリウム化合物及びフェリシアン化物（例えば、フェリシアン化カリウム等）が挙げられる。
　酸化剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０００１～５．０質量％が好ましく、０．０１～２．０質量％がより好ましく、０．１～１．０質量％が更に好ましい。
　酸化剤の含有量は、処理液中の溶媒を除いた成分の合計質量に対して、０．００１～３０．０質量％が好ましく、０．０１～１０．０質量％がより好ましく、０．１～５．０質量％が更に好ましい。
　分子量５００以上のポリヒドロキシ化合物は、処理液に含まれ得る上記化合物とは異なる化合物である。
　上記ポリヒドロキシ化合物は、１分子中に、２以上（例えば、２～２００等）のアルコール性ヒドロキシ基を有する有機化合物である。
　上記ポリヒドロキシ化合物の分子量（分子量分布を有する場合は重量平均分子量）は、５００以上であり、５００～１０００００が好ましく、５００～３０００がより好ましい。
　上記ポリヒドロキシ化合物としては、例えば、マンニノトリオース、セロトリオース、ゲンチアノース、ラフィノース、メレチトース、セロテトロース及びスタキオース等のオリゴ糖；デンプン、グリコーゲン、セルロース、キチン及びキトサン等の多糖類及びその加水分解物が挙げられる。
　上記ポリヒドロキシ化合物としては、シクロデキストリンも好ましい。
　「シクロデキストリン」とは、複数のＤ－グルコースがグルコシド結合によって結合し、環状構造をとった環状オリゴ糖の１種を意味する。グルコースが５個以上（例えば、６～８個）結合した化合物である。
　シクロデキストリンとしては、例えば、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン及びγ－シクロデキストリンが挙げられ、γ－シクロデキストリンが好ましい。
　フッ素化合物としては、例えば、特開２００５－１５０２３６号公報の段落［００１３］～［００１５］に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　抗菌剤としては、例えば、ソルビン酸、安息香酸、デヒドロ酢酸及びホスホマイシンが挙げられる。
　上記の各成分の処理液における含有量は、ガスクロマトグラフィー－質量分析（ＧＣ－ＭＳ：Ｇａｓ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ－Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法、液体クロマトグラフィー－質量分析（ＬＣ－ＭＳ：Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ－Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法及びイオン交換クロマトグラフィー（ＩＣ：Ｉｏｎ－ｅｘｃｈａｎｇｅ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）法等の公知の方法によって測定できる。
〔成分の質量比〕
　硫黄含有化合物に対する特定化合物の質量比（特定化合物の質量／硫黄含有化合物の質量）は、０．１以上の場合が多く、１．０以上が好ましく、１．０超がより好ましく、２．５以上が更に好ましく、５．０以上が特に好ましく、１０．０以上が最も好ましい。上限は、１００．０以下の場合が多く、５０．０以下が好ましく、２０．０以下がより好ましい。
　化合物Ｘに対する特定化合物の質量比（特定化合物の質量／化合物Ｘの質量）は、５０．０以下が好ましく、１０．０以下がより好ましく、５．０以下が更に好ましい。下限は、１．０以上が好ましい。
　化合物Ｘに対する硫黄含有化合物の質量比（硫黄含有化合物の質量／化合物Ｘの質量）は、０．１～１０．０が好ましく、１．０～２．０がより好ましく、１．０～１．５が更に好ましい。
　アミン化合物に対する特定化合物の質量比（特定化合物の質量／アミン化合物の質量）は、５０．０以下が好ましく、１０．０以下がより好ましく、５．０以下が更に好ましい。下限は、１．０以上が好ましい。
　アミン化合物に対する硫黄含有化合物の質量比（硫黄含有化合物の質量／アミン化合物の質量）は、１．０～１０．０が好ましく、１．０～２．０がより好ましく、１．０～１．５が更に好ましい。
〔処理液の物性〕
＜ｐＨ＞
　処理液のｐＨは、８．０～１４．０が好ましく、９．０～１３．８がより好ましく、１０．０～１３．５が更に好ましい。
　処理液が希釈して使用される場合、希釈された（例えば、質量比又は体積比で１００倍希釈）処理液のｐＨは、８．０～１４．０が好ましく、９．０～１３．０がより好ましく、１１．０～１２．０が更に好ましい。
　処理液のｐＨは、公知のｐＨメーターを用いて、ＪＩＳ　Ｚ８８０２－１９８４に準拠した方法により測定できる。ｐＨの測定温度は２５℃とする。
　ｐＨの調整方法としては、例えば、処理液に含まれ得る各成分の種類及び含有量を調整する方法、並びに、後述するｐＨ調整剤を添加する方法が挙げられる。
＜金属不純物の含有量＞
　金属不純物（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｇの金属元素）の含有量（イオン濃度として測定される）は、処理液の全質量に対して、いずれも５質量ｐｐｍ以下が好ましく、１質量ｐｐｍ以下がより好ましい。最先端の半導体素子の製造に適用する点から、上記金属不純物の含有量は、１００質量ｐｐｂ以下が更に好ましく、１０質量ｐｐｂ未満が特に好ましく、検出限界値以下が最も好ましい。下限は、処理液の全質量に対して、０質量ｐｐｂ以上が好ましい。
　金属含有量の低減方法としては、例えば、処理液を製造する際に使用する原材料の段階又は処理液の製造後の段階において、蒸留及びイオン交換樹脂又はフィルタを用いたろ過等の精製処理を行うことが挙げられる。
　他の金属含有量の低減方法としては、原材料又は製造された処理液を収容する容器として、後述する不純物の溶出が少ない容器を用いることが挙げられる。また、処理液の製造時に配管等から金属成分が溶出抑制のために、配管内壁にフッ素樹脂のライニングを施すことも挙げられる。
＜無機粒子及び有機粒子＞
　無機粒子及び有機粒子の合計含有量は、処理液の全質量に対して、１．０質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以下が更に好ましく、検出限界値以下が特に好ましい。下限は、処理液の全質量に対して、０質量％以上が好ましい。
　処理液に含まれる無機粒子及び有機粒子は、原料に不純物として含まれる有機固形物及び無機固形物等の粒子、並びに、処理液の調製中に汚染物として持ち込まれる有機固形物及び無機固形物等の粒子であって、最終的に処理液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
　処理液中に存在する無機粒子及び有機粒子の含有量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定できる。
　無機粒子及び有機粒子の除去方法としては、例えば、後述するフィルタリング等の精製処理が挙げられる。
［処理液の製造］
　処理液は、公知の方法により製造できる。
　処理液の製造方法は、調液工程を有することが好ましい。
〔調液工程〕
　処理液の調液工程は、例えば、上述した処理液に含まれ得る各成分を混合することにより処理液を調液する工程である。
　上記各成分を混合する順序及びタイミングは、特に制限されない。調液工程としては、例えば、精製された純水（超純水）を入れた容器に、特定化合物と、硫黄含有化合物と、必要に応じて化合物Ｘ等とを順次添加した後に撹拌して、必要に応じてｐＨ調整剤を添加して調液する方法が挙げられる。純水及び上記各成分を容器に添加する方法は、一括添加及び分割添加のいずれであってもよい。
　処理液の調液工程における撹拌方法としては、例えば、公知の撹拌機又は公知の分散機を用いて撹拌する方法が挙げられる。
　上記撹拌機としては、例えば、工業用ミキサー、可搬型撹拌器、メカニカルスターラー及びマグネチックスターラーが挙げられる。上記分散機としては、例えば、工業用分散器、ホモジナイザー、超音波分散器及びビーズミルが挙げられる。
　処理液の調液工程における上記各成分の混合及び後述する精製処理、並びに、製造された処理液の保管の温度は、４０℃以下が好ましく、３０℃以下がより好ましい。下限は、５℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。上記温度範囲である場合、処理液の保存安定性に優れる。
＜精製処理＞
　処理液の原料のうち少なくとも１つは、調液工程前に、精製処理が施されていることが好ましい。
　精製処理後の原料の純度は、９９質量％以上が好ましく、９９．９質量％以上がより好ましい。上限は、９９．９９９９質量％以下が好ましい。
　精製処理としては、例えば、蒸留処理、並びに、イオン交換樹脂、ＲＯ膜（Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｏｓｍｏｓｉｓ　Ｍｅｍｂｒａｎｅ）及びろ過等の後述するフィルタリング処理等の公知の方法が挙げられる。
　精製処理は、上記精製方法を複数組み合わせて実施してもよい。例えば、原料をＲＯ膜に通液する１次精製処理を行った後、更に、得られた原料をカチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂又は混床型イオン交換樹脂からなる精製装置に通液する２次精製処理を実施してもよい。また、精製処理は、複数回実施してもよい。
　フィルタリングに用いるフィルタとしては、例えば、公知のろ過用フィルタが挙げられる。
　フィルタの材質としては、例えば、欠陥原因になりやすい高極性の異物を除去できる点で、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド樹脂、並びに、ポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度又は超高分子量を含む）が挙げられる。なかでも、ポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ及びＰＦＡを含む）及びポリアミド樹脂（ナイロンを含む）が好ましく、フッ素樹脂がより好ましい。
　フィルタの臨界表面張力は、７０～９５ｍＮ／ｍが好ましく、７５～８５ｍＮ／ｍがより好ましい。臨界表面張力が上記範囲である場合、欠陥原因になりやすい高極性の異物を除去できる。フィルタの臨界表面張力は、製造メーカーの公称値である。
　フィルタの孔径は、２～２０ｎｍが好ましく、２～１５ｎｍがより好ましい。フィルタの孔径が上記範囲である場合、ろ過の詰まり抑制、不純物及び凝集物等の微細異物を除去できる。フィルタの孔径は、製造メーカーの公称値である。
　フィルタリングは、１回又は２回以上実施してもよい。
　フィルタリングを２回以上実施する場合、フィルタリングに用いるフィルタは同一及び異同のいずれであってもよい。
　フィルタリングの温度は、室温（２５℃）以下が好ましく、２３℃以下がより好ましく、２０℃以下が更に好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、５℃以上がより好ましく、１０℃以上が更に好ましい。上記範囲でフィルタリングを実施する場合、原料中に溶解する異物及び不純物を除去できる。
＜容器＞
　処理液（後述する希釈処理液の態様を含む）は、容器を腐食しない限り、任意の容器に充填して保管、運搬及び使用できる。
　容器としては、半導体用途向けの容器内のクリーン度が高く、容器の収容部の内壁から処理液への不純物の溶出が抑制された容器が好ましい。
　上記容器としては、市販品の半導体処理液用容器が挙げられる。具体的には、クリーンボトルシリーズ（アイセロ化学社製）及びピュアボトル（コダマ樹脂工業製）が挙げられる。
　また、容器としては、容器の収容部の内壁等の処理液との接液部が、フッ素樹脂（パーフルオロ樹脂）又は防錆処理及び金属溶出防止処理が施された金属で形成された容器が好ましい。
　容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂及びポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つの樹脂若しくは上記樹脂とは異なる樹脂、又は、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネル等の防錆処理及び金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。
　上記異なる樹脂としては、フッ素樹脂（パーフルオロ樹脂）が好ましい。
　内壁がフッ素樹脂である容器は、内壁がポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂又はポリエチレン－ポリプロピレン樹脂である容器と比較して、エチレン及びプロピレンのオリゴマーの溶出を抑制できる。
　内壁がフッ素樹脂である容器としては、例えば、ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラム（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製）、特表平３－５０２６７７号公報、国際公開第２００４／０１６５２６号、並びに、国際公開第９９／４６３０９号に記載の容器が挙げられる。
　また、容器の内壁としては、上記フッ素樹脂以外に、石英及び電解研磨された金属材料（電解研磨済みの金属材料）から形成されることも好ましい。
　上記電解研磨済みの金属材料の製造に用いられる金属材料は、クロム及びニッケルからなる群から選択される少なくとも１つを含み、クロム及びニッケルの合計含有量が金属材料の全質量に対して２５質量％超である金属材料であることが好ましい。例えば、ステンレス鋼及びニッケル－クロム合金が挙げられる。
　金属材料におけるクロム及びニッケルの合計含有量は、金属材料の全質量に対して、３０質量％以上がより好ましい。上限は、金属材料の全質量に対して、９０質量％以下が好ましい。
　金属材料を電解研磨する方法としては、例えば、公知の方法が挙げられ、具体的には、特開２０１５－２２７５０１号公報の段落［００１１］～［００１４］及び特開２００８－２６４９２９号公報の段落［００３６］～［００４２］に記載された方法が挙げられる。
　容器は、処理液を充填する前に、容器内部が洗浄されていることが好ましい。
　洗浄方法としては、例えば、公知の方法が挙げられる。洗浄に用いる液体は、液中における金属不純物の量が低減されていることが好ましい。処理液は、製造後にガロン瓶及びコート瓶等の容器にボトリングし、輸送及び保管されていてもよい。
　保管の際に、処理液中の成分の変化を防ぐ点から、容器内を純度９９．９９９９５体積％以上の不活性ガス（例えば、窒素及びアルゴン等）で置換することが好ましく、更に含水率が少ない不活性ガスがより好ましい。
　輸送及び保管の温度は、室温（２５℃）又は－２０℃～２０℃に温度制御してもよい。
〔希釈工程〕
　処理液は、水等の希釈剤を用いて希釈する希釈工程を経た後、希釈された処理液（希釈処理液）として洗浄に用いてもよい。
　希釈処理液は、本発明の要件を満たす限り、本発明の処理液の一形態である。
　希釈工程における処理液の希釈倍率は、処理液に含まれ得る各成分の種類及び含有量、並びに、洗浄対象である半導体基板等に応じて適宜調整できる。
　希釈前の処理液に対する希釈処理液の希釈倍率は、質量比又は体積比（２３℃における体積比）で、１０～１００００倍が好ましく、２０～３０００倍がより好ましく、５０～１０００倍が更に好ましい。
　欠陥抑制性能により優れる点から、処理液は、水で希釈されることが好ましい。
　つまり、処理液（希釈処理液）は、上記処理液に含まれ得る各成分（水は除く）の好適な含有量を、上記範囲の希釈倍率（例えば、１００）で除した量で各成分を含むことも好ましい。換言すると、希釈処理液の全質量に対する各成分（水は除く）の好適含有量は、例えば、処理液（希釈前の処理液）の全質量に対する各成分の好適含有量として説明した量を、上記範囲の希釈倍率（例えば、１００）で除した量である。
　希釈前後におけるｐＨの変化（希釈前の処理液のｐＨと希釈処理液のｐＨとの差分）は、２．５以下が好ましく、１．８以下がより好ましく、１．５以下が更に好ましい。下限は、０．１以上が好ましい。
　希釈前の処理液のｐＨ及び希釈処理液のｐＨは、それぞれ、上述した好適態様であることが好ましい。
　希釈工程としては、上記の処理液の調液工程に準じて実施してもよい。希釈工程に用いられる撹拌装置及び撹拌方法としては、上記調液工程に用いられる挙げた公知の撹拌装置及び撹拌方法が挙げられる。
　希釈工程に用いる水は、使用する前に、精製処理を施されることが好ましい。また、希釈工程により得られた希釈処理液に対して、精製処理を実施することも好ましい。
　精製処理としては、上記処理液に対する精製処理としてのイオン交換樹脂又はＲＯ膜等を用いるイオン成分低減処理及びフィルタリングを用いる異物除去が挙げられ、これらのうちいずれかの処理を実施することが好ましい。
〔クリーンルーム〕
　処理液の製造、容器の開封及び洗浄、処理液の充填等の取り扱い、処理分析、並びに、測定は、全てクリーンルームで実施することが好ましい。
　クリーンルームは、１４６４４－１クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ＩＳＯ（国際標準化機構）クラス１、ＩＳＯクラス２、ＩＳＯクラス３及びＩＳＯクラス４のいずれかを満たすことが好ましく、ＩＳＯクラス１又はＩＳＯクラス２を満たすことがより好ましく、ＩＳＯクラス１を満たすことが更に好ましい。
［処理液の用途］
　処理液は、半導体基板を洗浄する洗浄工程に用いられることが好ましく、ＣＭＰ処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程に用いられることがより好ましい。また、処理液は、半導体基板の製造プロセスにおける半導体基板の洗浄に用いることもできる。
　上述したとおり、半導体基板の洗浄には、処理液を希釈して得られる希釈処理液を用いてもよい。
＜洗浄対象物＞
　処理液の洗浄対象物としては、例えば、金属含有物を有する半導体基板が挙げられる。
　Ｃｕ含有物を有する半導体基板としては、例えば、Ｃｕ含有金属配線及び／又はＣｕ含有プラグ材料を有する半導体基板が挙げられる。
　金属含有物に含まれる金属としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｎ（マンガン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、パラジウム（Ｐｄ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｌａ（ランタン）及びＩｒ（イリジウム）からなる群から選択される少なくとも１つの金属Ｍが挙げられる。
　金属含有物は、金属（金属原子）を含む物質であればよく、例えば、金属Ｍの単体、金属Ｍを含む合金、金属Ｍの酸化物、金属Ｍの窒化物及び金属Ｍの酸窒化物が挙げられる。
　金属含有物は、これらの化合物のうちの２種以上を含む混合物であってもよい。
　上記酸化物、上記窒化物及び上記酸窒化物は、金属を含む複合酸化物、金属を含む複合窒化物及び金属を含む複合酸窒化物のいずれであってもよい。
　金属含有物の金属原子の含有量は、金属含有物の全質量に対して、１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は、１００質量％以下が好ましい。
　半導体基板は、金属Ｍを含む金属Ｍ含有物を有することが好ましく、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属含有物を有することがより好ましく、Ｃｕ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｕ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属含有物を有することが更に好ましく、Ｃｕ金属を含む金属含有物を有することが特に好ましい。
　処理液の洗浄対象物である半導体基板は、例えば、半導体基板を構成するウエハの表面に、金属配線膜、バリアメタル及び絶縁膜を有する基板が挙げられる。
　半導体基板を構成するウエハとしては、例えば、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハ、シリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハ、ガリウムリン（ＧａＰ）ウエハ、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウエハ及びインジウムリン（ＩｎＰ）ウエハが挙げられる。
　シリコンウエハとしては、例えば、シリコンウエハに５価の原子（例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）等）をドープしたｎ型シリコンウエハ、並びに、シリコンウエハに３価の原子（例えば、ホウ素（Ｂ）及びガリウム（Ｇａ）等）をドープしたｐ型シリコンウエハが挙げられる。シリコンウエハのシリコンとしては、例えば、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン及びポリシリコンが挙げられる。
　なかでも、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ及びシリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハが好ましい。
　半導体基板は、上記ウエハに絶縁膜を有していてもよい。
　絶縁膜としては、例えば、シリコン酸化膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜及びオルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）膜（ＴＥＯＳ膜）等）、シリコン窒化膜（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）及び窒化炭化シリコン（ＳｉＮＣ）等）、並びに、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜（例えば、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）膜及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）膜等）が挙げられ、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜が好ましい。
　金属含有物は、金属を含む金属膜であることも好ましい。
　半導体基板が有する金属膜としては、金属Ｍを含む金属膜が好ましく、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜がより好ましく、Ｃｕ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｕ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜が更に好ましく、Ｃｕ金属を含む金属膜が特に好ましい。
　Ｗ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＲｕからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜としては、例えば、Ｗを主成分とする膜（Ｗ含有膜）、Ｃｏを主成分とする膜（Ｃｏ含有膜）、Ｃｕを主成分とする膜（Ｃｕ含有膜）及びＲｕを主成分とする膜（Ｒｕ含有膜）が挙げられる。
　「主成分」とは、金属膜中の成分のうち、最も含有量が多い成分を意味する。
　半導体基板は、Ｃｕ含有膜（Ｃｕを主成分とする金属膜）を有していることも好ましい。
　Ｃｕ含有膜としては、例えば、金属Ｃｕのみからなる配線膜（Ｃｕ配線膜）及び金属Ｃｕと他の金属とからなる合金製の配線膜（Ｃｕ合金配線膜）が挙げられる。
　Ｃｕ合金配線膜としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｔａ及びＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属とＣｕとからなる合金製の配線膜が挙げられる。具体的には、Ｃｕ－Ａｌ合金配線膜、Ｃｕ－Ｔｉ合金配線膜、Ｃｕ－Ｃｒ合金配線膜、Ｃｕ－Ｍｎ合金配線膜、Ｃｕ－Ｔａ合金配線膜及びＣｕ－Ｗ合金配線膜が挙げられる。
　Ｒｕ含有膜としては、例えば、金属Ｒｕのみからなる金属膜（Ｒｕ金属膜）及び金属Ｒｕと他の金属とからなる合金製の金属膜（Ｒｕ合金金属膜）が挙げられる。Ｒｕ含有膜は、バリアメタルとして使用されることが多い。
　Ｗ含有膜（Ｗを主成分とする金属膜）としては、例えば、金属Ｗのみからなる金属膜（Ｗ金属膜）及びＷと他の金属とからなる合金製の金属膜（Ｗ合金金属膜）が挙げられる。
　Ｗ合金金属膜としては、例えば、Ｗ－Ｔｉ合金金属膜及びＷ－Ｃｏ合金金属膜が挙げられる。
　Ｗ含有膜は、例えば、バリアメタル又はビアと配線の接続部に使用される。
　Ｃｏ含有膜（Ｃｏを主成分とする金属膜）としては、例えば、金属Ｃｏのみからなる金属膜（Ｃｏ金属膜）及び金属Ｃｏと他の金属とからなる合金製の金属膜（Ｃｏ合金金属膜）が挙げられる。
　Ｃｏ合金金属膜としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ及びＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属とコバルトとからなる合金製の金属膜が挙げられる。具体的には、Ｃｏ－Ｔｉ合金金属膜、Ｃｏ－Ｃｒ合金金属膜、Ｃｏ－Ｆｅ合金金属膜、Ｃｏ－Ｎｉ合金金属膜、Ｃｏ－Ｍｏ合金金属膜、Ｃｏ－Ｐｄ合金金属膜、Ｃｏ－Ｔａ合金金属膜及びＣｏ－Ｗ合金金属膜が挙げられる。
　また、処理液を、半導体基板を構成するウエハの上部に、銅含有配線膜のバリアメタルである、金属Ｃｏのみからなる金属膜（コバルトバリアメタル）と、少なくともＣｕ含有配線膜と、を有し、Ｃｕ含有配線膜とコバルトバリアメタルとが基板表面において接触している基板の洗浄に使用することが好ましい。
　半導体基板を構成するウエハ上に、上記絶縁膜、上記Ｒｕ含有膜、上記Ｗ含有膜、Ｃｕ含有膜及びＣｏ含有膜を形成する方法としては、公知の方法が挙げられる。
　絶縁膜の形成方法としては、例えば、半導体基板を構成するウエハに対して、酸素ガス存在下、熱処理することでシリコン酸化膜を形成し、次いで、シラン及びアンモニアのガスを流入して、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりシリコン窒化膜を形成する方法が挙げられる。
　Ｒｕ含有膜、Ｗ含有膜、Ｃｕ含有膜及びＣｏ含有膜を形成する方法としては、例えば、上記絶縁膜を有するウエハ上に、レジスト等の公知の方法で回路を形成し、次いで、めっき及びＣＶＤ法等の方法により、Ｒｕ含有膜、Ｗ含有膜、Ｃｕ含有膜及びＣｏ含有膜を形成する方法が挙げられる。
＜ＣＭＰ処理＞
　ＣＭＰ処理は、例えば、金属配線膜、バリアメタル及び絶縁膜を有する基板の表面を、研磨微粒子（砥粒）を含む研磨スラリーを用いる化学作用と機械的研磨との複合作用によって平坦化する処理である。
　ＣＭＰ処理が施された半導体基板の表面には、ＣＭＰ処理で使用した砥粒（例えば、シリカ及びアルミナ等）、研磨された金属配線膜及びバリアメタルに由来する金属不純物（金属残渣）等の不純物が残存することがある。また、ＣＭＰ処理の際に用いたＣＭＰ処理液に由来する有機不純物が残存する場合もある。これらの不純物は、例えば、配線間を短絡させ、半導体基板の電気的特性を劣化させるおそれがあるため、ＣＭＰ処理が施された半導体基板は、これらの不純物を表面から除去するための洗浄処理が施される。
　ＣＭＰ処理が施された半導体基板としては、例えば、精密工学会誌　Ｖｏｌ．８４、Ｎｏ．３、２０１８に記載のＣＭＰ処理が施された基板が挙げられる。
＜バフ研磨処理＞
　処理液の洗浄対象物である半導体基板の表面は、ＣＭＰ処理が施された後、バフ研磨処理が施されていてもよい。
　バフ研磨処理は、研磨パッドを用いて半導体基板の表面における不純物を低減する処理である。具体的には、ＣＭＰ処理が施された半導体基板の表面と研磨パッドとを接触させて、その接触部分にバフ研磨用組成物を供給しながら半導体基板と研磨パッドとを相対摺動させる。その結果、半導体基板の表面の不純物が、研磨パッドによる摩擦力及びバフ研磨用組成物による化学的作用によって除去される。
　バフ研磨用組成物としては、半導体基板の種類、並びに、除去対象とする不純物の種類及び量に応じて、公知のバフ研磨用組成物を適宜使用できる。バフ研磨用組成物に含まれる成分としては、例えば、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマー、分散媒として水及び硝酸等の酸が挙げられる。
　また、バフ研磨処理としては、バフ研磨用組成物として上記処理液を用いて半導体基板にバフ研磨処理を施すことが好ましい。
　バフ研磨処理において使用する研磨装置及び研磨条件等については、半導体基板の種類及び除去対象物等に応じて、公知の装置及び条件から適宜選択できる。バフ研磨処理としては、例えば、国際公開第２０１７／１６９５３９号の段落［００８５］～［００８８］に記載の処理が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
［洗浄方法］
　処理液を用いる洗浄方法としては、半導体基板を洗浄する方法が好ましい。
　半導体基板を洗浄する方法としては、上記処理液を用いて半導体基板を洗浄する洗浄工程を含むものであれば、特に制限されない。
　上記半導体基板としては、ＣＭＰ処理が施された半導体基板が好ましい。
　半導体基板の洗浄方法は、上記希釈工程で得られる希釈処理液をＣＭＰ処理が施された半導体基板に適用して洗浄する工程を含むことも好ましい。
　処理液を用いて半導体基板を洗浄する洗浄工程としては、例えば、ＣＭＰ処理された半導体基板に対して行われる公知の方法が挙げられる。
　具体的には、半導体基板に処理液を供給しながらブラシ等の洗浄部材を半導体基板の表面に物理的に接触させて残渣物等を除去するスクラブ洗浄、処理液に半導体基板を浸漬する浸漬式、半導体基板を回転させながら処理液を滴下するスピン（滴下）式及び処理液を噴霧する噴霧（スプレー）式等の浸漬式の洗浄では、半導体基板の表面に残存する不純物をより低減できる点から、半導体基板が浸漬している処理液に対して超音波処理を施すことが好ましい。
　上記洗浄工程は、１回又は２回以上実施してもよい。２回以上洗浄する場合、同一の方法を繰り返してもよく、異なる方法を組み合わせてもよい。
　半導体基板の洗浄方法としては、枚葉方式及びバッチ方式のいずれであってもよい。
　枚葉方式は半導体基板を１枚ずつ処理する方式であり、バッチ方式は複数枚の半導体基板を同時に処理する方式である。
　半導体基板の洗浄に用いる処理液の温度は、特に制限されない。
　上記処理液の温度としては、例えば、室温（２５℃）が挙げられ、洗浄性能の向上及び部材へのダメージの抑制の点から、１０～６０℃が好ましく、１５～５０℃がより好ましい。
　処理液のｐＨ及び希釈処理液のｐＨは、それぞれ上述したｐＨの好適態様であることが好ましい。
　半導体基板の洗浄における洗浄時間は、処理液に含まれる成分の種類及び含有量等に応じて適宜変更できる。上記洗浄時間は、１０～１２０秒が好ましく、２０～９０秒がより好ましく、３０～６０秒が更に好ましい。
　半導体基板の洗浄工程における処理液の供給量（供給速度）は、５０～５０００ｍＬ／分が好ましく、５００～２０００ｍＬ／分がより好ましい。
　半導体基板の洗浄において、処理液の洗浄性能をより増進するために、機械的撹拌方法を用いてもよい。
　機械的撹拌方法としては、例えば、半導体基板上で処理液を循環させる方法、半導体基板上で処理液を流過又は噴霧させる方法及び超音波又はメガソニックにて処理液を撹拌する方法が挙げられる。
　上記の半導体基板の洗浄の後に、半導体基板を溶媒ですすいで清浄するリンス工程を行ってもよい。
　リンス工程は、半導体基板の洗浄工程の後に連続して行われ、リンス溶媒（リンス液）を用いて５～３００秒にわたってすすぐ工程であることが好ましい。リンス工程は、上記機械的撹拌方法を用いて実施してもよい。
　リンス溶媒としては、例えば、水（好ましくは脱イオン水）、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、Ｎ－メチルピロリジノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。また、ｐＨが８．０超である水性リンス液（希釈した水性の水酸化アンモニウム等）を用いてもよい。
　リンス溶媒を半導体基板に接触させる方法としては、例えば、上記処理液を半導体基板に接触させる方法が挙げられる。
　上記リンス工程の後に、半導体基板を乾燥させる乾燥工程を実施してもよい。
　乾燥方法としては、例えば、スピン乾燥法、半導体基板上に乾性ガスを流過させる方法、ホットプレート及び赤外線ランプ等の加熱手段によって基板を加熱する方法、マランゴニ乾燥法、ロタゴニ乾燥法、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥法、並びに、これらの組み合わせた方法が挙げられる。
［半導体デバイス又は半導体素子の製造方法］
　本発明の半導体デバイス又は半導体素子の製造方法としては、例えば、上述した洗浄方法を用いる製造方法であれば特に制限されず、公知の半導体デバイス等の製造方法が挙げられる。
　以下に、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量及び割合等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。よって、本発明の範囲は、以下に示す実施例に限定解釈されない。
　以下の実施例において、処理液のｐＨは、ｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｆ－７４）を用いて、ＪＩＳ　Ｚ８８０２－１９８４に準拠して２５℃において測定した。
　また、実施例及び比較例の処理液の製造において、容器の取り扱い、処理液の調液、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで実施した。
［処理液の原料］
　処理液を製造するために、以下の各成分を使用した。なお、実施例で使用した各種成分はいずれも、半導体グレードに分類されるもの又はそれに準ずる高純度グレードに分類されるものを使用した。
　なお、以下に示すＣｌｏｇＰは、ＣｈｅｍＤｒａｗ　Ｐｒｏｆｅｓｓｉｏｎａｌ（Ｖｅｒｓｉｏｎ：１６．０．１．４（７７）、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製）用いて計算した値である。
〔特定化合物〕
　Ａ－１：水酸化エチルトリメチルアンモニウム（分子量：１０５．２、ＣｌｏｇＰ：－４．５３）
　Ａ－２：水酸化テトラエチルアンモニウム（分子量：１４７．３、ＣｌｏｇＰ：－３．１４）
　Ａ－３：水酸化テトラプロピルアンモニウム（分子量：２０３．４、ＣｌｏｇＰ：－１．０２）
　Ａ－４：水酸化テトラブチルアンモニウム（分子量：２５９．５、ＣｌｏｇＰ：１．０９）
　Ａ－５：２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（分子量：１２１．２、ＣｌｏｇＰ：－４．３６）
　Ａ－６：水酸化トリヒドロキシエチルメチルアンモニウム（分子量：１８１．２、ＣｌｏｇＰ：－２．５８）
　Ａ－７：水酸化トリ（（ヒドロキシエトキシ）エチル）メチルアンモニウム（分子量：３１３．４、ＣｌｏｇＰ：－２．３９）
　Ａ－８：水酸化１，３－ジヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウム（分子量：１５１．２、ＣｌｏｇＰ：－３．０４）
　Ａ－９：二水酸化Ｎ１－（１－ヒドロキシ－２－メチルプロパン－２－イル）－Ｎ２－（２－ヒドロキシプロピル）－Ｎ１，Ｎ１，－Ｎ２，Ｎ２，２－ペンタメチルプロパン－１，２－ジアミニウム（分子量：３１０．５、ＣｌｏｇＰ：－３．８５）
　Ａ－１０：ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド（分子量：５８６．５、ＣｌｏｇＰ：１２．７３）
　Ａ－１１：二水酸化Ｎ，Ｎ’－エチレンビス（トリメチルアンモニウム）（分子量：１８０．３、ＣｌｏｇＰ：－７．３６）
　Ａ－１２：デカメトニウムブロミド（分子量：４１８．３、ＣｌｏｇＰ：－６．９７）
　Ａ－１３：テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（分子量：２７６．５、ＣｌｏｇＰ：２．１９）
　Ａ－１４：テトラフェニルホスホニウムブロミド（分子量：３３９．４、ＣｌｏｇＰ：７．５７）
〔比較用化合物〕
　ａ－１：水酸化テトラメチルアンモニウム（分子量：９１．２、ＣｌｏｇＰ：－４．８６）
〔硫黄含有化合物〕
　Ｂ－１：Ｌ－システイン（システイン）（分子量：１２１．２、ＣｌｏｇＰ：－２．３５）
　Ｂ－２：システアミン（分子量：７７．２、ＣｌｏｇＰ：－０．２５）
　Ｂ－３：Ｎ－アセチル－Ｌ－システイン（Ｎ－アセチルシステイン）（分子量：１６３．２、ＣｌｏｇＰ：－０．６２）
　Ｂ－４：チオグリセロール（分子量：１０８．２、ＣｌｏｇＰ：－０．７８）
　Ｂ－５：メルカプトプロピオン酸（分子量：１０６．１、ＣｌｏｇＰ：０．１６）
　Ｂ－６：メルカプトコハク酸（分子量：１５０．２、ＣｌｏｇＰ：－０．８３）
　Ｂ－７：メソ－２，３－ジメルカプトコハク酸（分子量：１８２．２、ＣｌｏｇＰ：－１．４８）
　Ｂ－８：メルカプトトリアゾール（分子量：１０１．１、ＣｌｏｇＰ：０．５３）
　Ｂ－９：２－アミノ－１，３，４－チアジアゾール（分子量：１０１．１、ＣｌｏｇＰ：－０．４６）
　Ｂ－１０：テトラメチルチオ尿素（分子量：１３２．２、ＣｌｏｇＰ：０．４９）
　Ｂ－１１：シスチン（分子量：２４０．３、ＣｌｏｇＰ：－４．４６）
　Ｂ－１２：Ｎ，Ｎ’－ジアセチルシスチン（分子量：３２４．４、ＣｌｏｇＰ：－０．９８）
　Ｂ－１３：ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物Ｎａ塩、「ラベリンＦＤ－４０」、第一工業製薬社製
　Ｂ－１４：硫酸（分子量：９８．１、ＣｌｏｇＰ：－２．１７）
〔化合物Ｘ〕
　Ｃ－１：プロピレングリコール
　Ｃ－２：エチレングリコール
　Ｃ－３：１，３－プロパンジオール
　Ｃ－４：２－ブトキシエタノール
〔アミン化合物〕
　Ｄ－１：モノエタノールアミン
　Ｄ－２：Ｎ－メチルジエタノールアミン
　Ｄ－３：２－（ジメチルアミノ）－１，３－プロパンジオール
　Ｄ－４：ジアザビシクロウンデセン
　Ｄ－５：ジアザビシクロノネン
　Ｄ－６：グアニジン
　Ｄ－７：テトラメチルグアニジン
〔防食剤〕
　Ｅ－１：アデニン
　Ｅ－２：グアニン
　Ｅ－３：キサンチン
　Ｅ－４：１，２，４－トリアゾール
〔有機酸及び無機酸〕
　Ｆ－１：クエン酸
　Ｆ－２：コハク酸
　Ｆ－３：酒石酸
　Ｆ－４：リン酸
〔その他〕
＜重合体＞
　Ｇ－１：ポリアクリル酸（Ｍｗ＝７００，０００）、「ジュリマーＡＣ－１０Ｈ」、東亞合成社製
　Ｇ－２：ポリアクリル酸（Ｍｗ＝５５，０００）、「ジュリマーＡＣ－１０Ｌ」、東亞合成社製
　Ｇ－３：ポリアクリル酸（Ｍｗ＝６，０００）、「アロンＡ－１０ＳＬ」、東亞合成社製
　Ｇ－４：ポリマレイン酸（Ｍｗ＝２，０００）、「ノンポールＰＷＡ－５０Ｗ」、日油社製
　Ｇ－５：スチレン－マレイン酸共重合体、「ＤＫＳディスコートＮ－１０」、第一工業製薬社製
　Ｇ－６：スチレン－マレイン酸ハーフエステル共重合体、「ＤＫＳディスコートＮ－１４」、第一工業製薬社製
＜酸化剤＞
　Ｇ－７：ヨウ素酸
　Ｇ－８：過ヨウ素酸
＜抗菌剤＞
　Ｇ－９：ソルビン酸
〔水〕
　水：超純水、富士フイルム和光純薬社製
［処理液の製造］
　超純水に、特定化合物Ａ－１及び硫黄含有化合物Ｂ－１を最終的に得られる処理液が下記表に記載の配合となる量で添加した後、十分に撹拌することにより、実施例１の処理液を得た。実施例１以外の処理液は、実施例１の製造方法に準じて、それぞれ製造した。なお、実施例及び比較例の処理液の製造には、ｐＨ調整剤を使用しなかった。
［評価］
〔疎水性防食剤の除去性〕
　各実施例及び各比較例のいずれかの処理液を、水で１００倍希釈（重量比）して、各希釈処理液を調製した。
　２ｃｍ×２ｃｍにカットした銅基板を１質量％クエン酸水溶液で処理し、上記銅基板から自然酸化膜を除去した。得られた銅基板を０．５質量％５－メチルベンゾトリアゾール（疎水性防食剤）のアルカリ性水溶液（ｐＨ９．５）に３０分間浸漬処理し、銅基板中の表面に５－メチルベンゾトリアゾールを付着させた。上記いずれかの希釈処理液５０ｍＬをガラスビーカー量り取り、室温にて撹拌子を４００ｒｐｍで回転させた状態で、５－メチルベンゾトリアゾールを付着させた銅基板を３分間浸漬処理した。そして、更に、上記処理後の銅基板を０．１Ｎ塩酸水溶液で５－メチルベンゾトリアゾールを抽出した。上記塩酸水溶液中の５－メチルベンゾトリアゾールの濃度を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定し、上記浸漬処理後の５－メチルベンゾトリアゾールの濃度とした。
　また、５－メチルベンゾトリアゾールを付着させた銅基板を、上記浸漬処理せずに、０．１Ｎ塩酸水溶液で５－メチルベンゾトリアゾールを抽出した。上記塩酸水溶液中の５－メチルベンゾトリアゾールの濃度をＨＰＬＣにて測定し、処理前の５－メチルベンゾトリアゾールの濃度とした。
　得られた各濃度から、以下の式で除去率を算出して、疎水性防食剤（５－メチルベンゾトリアゾール）の除去性を評価した。
　疎水性防食剤の除去率（％）＝｛１－（処理後の５－メチルベンゾトリアゾールの濃度）／（処理前の５－メチルベンゾトリアゾールの濃度）｝×１００
　１０：除去率が９５％以上１００％以下
　　９：除去率が９０％以上９５％未満
　　８：除去率が８５％以上９０％未満
　　７：除去率が８０％以上８５％未満
　　６：除去率が７５％以上８０％未満
　　５：除去率が７０％以上７５％未満
　　４：除去率が６５％以上７０％未満
　　３：除去率が６０％以上６５％未満
　　２：除去率が５０％以上６０％未満
　　１：除去率が５０％未満
〔銅表面粗さ抑制性〕
　各実施例及び各比較例のいずれかの処理液を、水で１００倍希釈（重量比）して、各希釈処理液を調製した。
　２ｃｍ×２ｃｍにカットした銅基板を１質量％クエン酸水溶液で処理し、自然酸化膜を除去した。上記希釈処理液５０ｍＬをガラスビーカー量り取り、室温にて撹拌子を４００ｒｐｍで回転させた状態で、上記銅基板を３分間浸漬処理した。上記処理後の銅基板の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて表面粗さＲａを測定し、銅表面粗さ抑制性を評価した。
　１０：Ｒａが３Å以下
　　９：Ｒａが３Å超、５Å以下
　　８：Ｒａが５Å超、１０Å以下
　　７：Ｒａが１０Å超、１５Å以下
　　６：Ｒａが１５Å超、２０Å以下
　　５：Ｒａが２０Å超、２５Å以下
　　４：Ｒａが２５Å超、３０Å以下
　　３：Ｒａが３０Å超、４０Å以下
　　２：Ｒａが４０Å超、５０Å以下
　　１：Ｒａが５０Å超
［結果］
　表中、「含有量（質量％）」欄は、処理液の全質量に対する各成分の含有量（質量％）を示す。
　「Ａ／Ｂ」欄は、硫黄含有化合物に対する特定化合物の質量比（特定化合物の質量／硫黄含有化合物の質量）を示す。
　「Ｂ／Ｃ」欄は、化合物Ｘに対する硫黄含有化合物の質量比（硫黄含有化合物の質量／化合物Ｘの質量）を示す。
　「Ｂ／Ｄ」欄は、アミン化合物に対する硫黄含有化合物の質量比（硫黄含有化合物の質量／アミン化合物の質量）を示す。
　「希釈前のｐＨ」欄は、希釈前の処理液のｐＨを示す。
　「希釈後のｐＨ」欄は、１００倍希釈後の処理液（希釈処理液）のｐＨを示す。
　上記ｐＨは、いずれもｐＨメーターにより測定した２５℃におけるｐＨを示す。
　「水」の「残部」は、表中に処理液の成分として明示された成分でもない、残りの成分（残部）を意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　本発明の処理液は、本発明の効果が得られることが確認された。
　特定化合物の含有量が処理液の全質量に対して１．０～１０．０質量％（好ましくは２．５～１０．０質量％、より好ましくは４．０～１０．０質量％）である場合、銅表面粗さ抑制性がより優れることが確認された（実施例１～５の比較等）。
　また、同様の比較から、硫黄含有化合物に対する特定化合物の質量比が、１．０超である場合、銅表面粗さ抑制性がより優れることが確認された（実施例１～５の比較等）。
　特定化合物がエチルトリメチルアンモニウム塩である場合、銅表面粗さ抑制性がより優れることが確認された（実施例２及び６～１８の比較等）。
　硫黄含有化合物の含有量が処理液の全質量に対して０．８～１．５質量％である場合、本発明の効果がより優れることが確認された（実施例２及び２０～２３の比較等）。
　硫黄含有化合物が、システイン又はテトラメチルチオ尿素を含む（好ましくはシステインを含む）場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例２及び２５～３４の比較等）。
　処理液が、２種以上の硫黄含有化合物を含む（好ましくは２種の硫黄含有化合物を含む）場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例２及び３８～４０の比較等）。
　処理液が、化合物Ｘを含む場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例２及び４１～４８の比較等）。
　化合物Ｘの含有量が処理液の全質量に対して０．５～５．０質量％（好ましくは１．０～１．５質量％）である場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例２及び４１～４３の比較等）。
　処理液が、２種以上の化合物Ｘを含む（好ましくは２種の化合物Ｘを含む）場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例４１、４６及び５３の比較等）。
　処理液が、アミン化合物を含む場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例２及び５４～６３の比較等）。
　アミン化合物の含有量が処理液の全質量に対して０．５～１．５質量％（好ましくは１．０～１．５質量％）である場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例５４～５６の比較等）。
　処理液が、防食剤（好ましくはプリン化合物）を含む場合、銅表面粗さ抑制性がより優れることが確認された（実施例２及び６４～６７の比較等）。
　処理液が、キレート剤及び無機酸からなる群から選択される少なくとも１つを含む場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例２、６８～７０及び７３の比較等）。
　処理液が、その他成分を含む場合、本発明の効果がより優れることが確認され、重合体及び抗菌剤からなる群から選択される少なくとも１つを含む場合、本発明の効果が更に優れることが確認された（実施例２、７１、７２、７５～８０及び８２の比較等）。
　化合物Ｘに対する硫黄含有化合物の質量比（硫黄含有化合物の質量／化合物Ｘの質量）が、１．０～２．０（好ましくは１．０～１．５）である場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例４１～４３の比較等）
　アミン化合物に対する硫黄含有化合物の質量比（硫黄含有化合物の質量／アミン化合物の質量）が、１．０～２．０（好ましくは１．０～１．５）である場合、疎水性防食剤の除去性がより優れることが確認された（実施例５４～５６の比較等）
［実施例９２］
　国際公開第２０２０／０４９９５５の段落００８４に記載を参考にドライエッチングして残渣物が付着したパターン基板を作製し、観察対象の箇所を含むように２ｃｍ×１ｃｍにカットした。実施例２の処理液５０ｍＬをガラスビーカー量り取り、室温にて撹拌子を２５０ｒｐｍで回転させた状態で、上記基板を浸漬処理した。得られた基板を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、残渣の量を画像解析ソフトを用いて計測した。その結果、残渣物は観察されず、実施例２の処理液は、洗浄液としても機能することが確認された。

Claims (20)

  1. 　合計炭素数が５以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が５以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つの特定化合物と、
    　硫黄含有化合物と、
    　溶媒と、を含む、処理液。
  2. 　前記特定化合物が、式（１）で表されるカチオン及び式（２）で表されるカチオンのいずれかを有する、請求項１に記載の処理液。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    　式（１）中、Ｘ１１は、窒素原子又はリン原子を表す。Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく、－Ｏ－を有していてもよいアルキル基を表す。ただし、Ｒ１１～Ｒ１４の全てが、同一の基を表す場合を除く。Ｒ１１～Ｒ１４の合計炭素数は、５以上である。
    　式（２）中、Ｘ２１及びＸ２２は、それぞれ独立に、窒素原子又はリン原子を表す。Ｌ２１は、２価の連結基を表す。Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく、－Ｏ－を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ２１～Ｒ２６及びＬ２１の合計炭素数は、６以上である。
  3. 　前式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１４が、それぞれ独立に、無置換のアルキル基を表す、請求項２に記載の処理液。
  4. 　前記特定化合物が、エチルトリメチルアンモニウム塩である、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  5. 　前記特定化合物が、合計炭素数が８以上の第４級アンモニウムカチオンを含む第４級アンモニウム化合物、及び、合計炭素数が８以上の第４級ホスホニウムカチオンを含む前記第４級ホスホニウム化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の処理液。
  6. 　前記硫黄含有化合物に対する前記特定化合物の質量比が、１．０超である、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  7. 　前記硫黄含有化合物が、チオール化合物及びその塩、チオエーテル化合物、チオケトン化合物、チオ尿素化合物、ジスルフィド化合物、ポリスルフィド化合物、並びに、硫黄含有ヘテロ環化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  8. 　前記硫黄含有化合物が、チオール化合物及びその塩、並びに、チオ尿素化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  9. 　前記硫黄含有化合物が、システイン、システアミン、Ｎ－アセチルシステイン、チオグリセロール、メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、メソ－２，３－ジメルカプトコハク酸、メルカプトトリアゾール、並びに、テトラメチルチオ尿素からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  10. 　前記硫黄含有化合物が、システインを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  11. 　更に、グリコール化合物、モノアルキルエーテル化合物及びアルキレンオキシド化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物Ｘを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  12. 　前記化合物Ｘが、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－ブタンジオール及び２－ブトキシエタノールからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の処理液。
  13. 　前記化合物Ｘに対する前記硫黄含有化合物の質量比が、０．１～１０．０である、請求項１１に記載の処理液。
  14. 　更に、アミン化合物を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  15. 　前記アミン化合物が、モノエタノールアミン及びメチルジエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１４に記載の処理液。
  16. 　前記アミン化合物に対する前記硫黄含有化合物の質量比が、１．０～１０．０である、請求項１４に記載の処理液。
  17. 　ｐＨが、８．０～１４．０である、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  18. 　化学機械研磨処理が施された半導体基板を洗浄するために用いられる、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
  19. 　請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液を用いて、化学機械研磨処理が施された半導体基板を洗浄する洗浄工程を含む、半導体基板の洗浄方法。
  20. 　請求項１９に記載の半導体基板の洗浄方法を用いる、半導体素子の製造方法。
PCT/JP2022/021584 2021-06-02 2022-05-26 処理液、半導体基板の洗浄方法、半導体素子の製造方法 WO2022255220A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023525770A JPWO2022255220A1 (ja) 2021-06-02 2022-05-26
US18/526,588 US20240117278A1 (en) 2021-06-02 2023-12-01 Treatment liquid, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021092788 2021-06-02
JP2021-092788 2021-06-02

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/526,588 Continuation US20240117278A1 (en) 2021-06-02 2023-12-01 Treatment liquid, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022255220A1 true WO2022255220A1 (ja) 2022-12-08

Family

ID=84324337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/021584 WO2022255220A1 (ja) 2021-06-02 2022-05-26 処理液、半導体基板の洗浄方法、半導体素子の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240117278A1 (ja)
JP (1) JPWO2022255220A1 (ja)
TW (1) TW202302833A (ja)
WO (1) WO2022255220A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027382A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokuyama Corp 基板洗浄液
JP2014154625A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
JP2018503723A (ja) * 2015-01-05 2018-02-08 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械研磨後製剤および使用方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027382A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokuyama Corp 基板洗浄液
JP2014154625A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
JP2018503723A (ja) * 2015-01-05 2018-02-08 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械研磨後製剤および使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202302833A (zh) 2023-01-16
JPWO2022255220A1 (ja) 2022-12-08
US20240117278A1 (en) 2024-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202235604A (zh) 半導體基板用洗淨液
US20240018442A1 (en) Cleaning liquid for semiconductor substrate and cleaning method for semiconductor substrate
JP7469474B2 (ja) 半導体基板用洗浄液
TW202144556A (zh) 洗淨液、半導體基板的洗淨方法
US20230099612A1 (en) Treatment liquid, chemical mechanical polishing method, and method for treating semiconductor substrate
KR20220095210A (ko) 세정액, 세정 방법
US20220403300A1 (en) Cleaning liquid and cleaning method
US20220336209A1 (en) Cleaning method and cleaning liquid
US20220325208A1 (en) Cleaning solution and cleaning method
WO2021205797A1 (ja) 半導体基板用洗浄液
WO2022255220A1 (ja) 処理液、半導体基板の洗浄方法、半導体素子の製造方法
US20230065213A1 (en) Cleaning fluid and cleaning method
US20230145012A1 (en) Cleaning liquid for semiconductor substrate
TW202142681A (zh) 洗淨液、半導體基板的洗淨方法
WO2023176708A1 (ja) 洗浄組成物、半導体基板の洗浄方法
WO2024122300A1 (ja) 処理液、被処理物の洗浄方法、電子デバイスの製造方法
JP7340614B2 (ja) 洗浄方法
TW202407087A (zh) 半導體處理液、被處理物的處理方法、電子裝置之製造方法
WO2024014224A1 (ja) 半導体処理液、被処理物の処理方法、電子デバイスの製造方法
TW202403027A (zh) 組成物、半導體元件的製造方法、半導體基板的清潔方法
TW202246476A (zh) 清洗液、半導體基板的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22815970

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023525770

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22815970

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1