WO2022227680A1 - 发光器件及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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WO2022227680A1
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light
metal
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王天锋
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TCL Technology Group Co Ltd
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Definitions

  • the present application relates to the field of display technology, and in particular, to a light-emitting device, a manufacturing method thereof, and a display panel.
  • Quantum dots are nanocrystalline particles with a radius smaller than or close to the Bohr exciton radius, and their size is generally between 1 nanometer and 10 nanometers. Quantum dots have quantum confinement effect and can emit fluorescence when excited. Moreover, quantum dots have unique luminescence properties, such as wide excitation peak, narrow emission peak, and tunable luminescence spectrum, which make them have broad application prospects in the field of photoluminescence.
  • a quantum dot light-emitting diode Quantum Dot Light Emitting Diodes, QLED
  • QLED Quantum Dot Light Emitting Diodes
  • Quantum dots can tune the band gap to obtain different red-blue-green emission properties by adjusting the size and composition of the nanoparticles.
  • metal oxide nanoparticles with high mobility and their doped materials are commonly used as electron transport layers at present; the commonly used cathode materials are Ag, Al and their doped materials or composite layers.
  • the work function of commonly used cathode materials is quite different from the conduction band energy level of quantum dots, and the large potential barrier affects electron injection, causing charge accumulation and reducing device efficiency and life.
  • the existing solutions usually form an electron transport layer with stepped energy levels by preparing multiple layers of metal oxides with different doping, so as to reduce the injection barrier and improve the device performance.
  • the conventional method requires multiple times of metal oxide printing, which increases the process of the electron transport layer, which leads to an increase in production cost and a decrease in product yield.
  • the present application provides a light-emitting device, a manufacturing method thereof, and a display panel, which are used to solve the problem of complicated manufacturing steps of an electron transport layer in the light-emitting device.
  • An embodiment of the present application provides a method for fabricating a light-emitting device, comprising the following steps:
  • a second annealing treatment is performed on the metal oxide mixed solution to form a second electron transport layer, the second electron transport layer is located in the first electron transport layer away from the first electron transport layer One side of a device board, wherein the second preset temperature is greater than the first preset temperature;
  • a second device plate is formed on the side of the second electron transport layer away from the first electron transport layer.
  • the method before the step of coating the metal oxide mixed solution on the first device board, the method further includes:
  • the metal element includes at least one of magnesium and aluminum, and the molar percentage of the metal element and the first metal oxide is between 5 Between % and 20%;
  • a ligand is added to the second metal oxide to form a coordinated metal compound, the ligand is selected from thiols, alcohol amines and polyhydroxy ethers, when the ligand is selected from the thiols or the In the case of the alkanolamines, the molar percentage of the ligand to the second metal oxide is between 0.1% and 10%, and when the ligand is selected from the polyhydroxy ethers, the ligand The molar percentage with the second metal oxide is between 10% and 50%;
  • the doped metal oxide and the coordination metal compound are dissolved in alcohol and/or ether solvent to form the metal oxide mixed solution.
  • the method before the step of adding a ligand to the second metal oxide to form a coordinated metal compound, the method further includes:
  • the second metal oxide is doped with ions, the ions are selected from at least one of tin, selenium or sulfur, and when the ions are selected from cationic tin, the ions and the second metal are oxidized
  • the mole percentage of the metal oxide is between 10% and 30%, and when the ion is selected from the anion selenium or sulfur, the mole percentage of the ion and the second metal oxide is between 1% and 15%.
  • the method before the step of coating the metal oxide mixed solution on the first device board, the method further includes:
  • the metal element includes at least one of magnesium and aluminum, and the molar percentage of the metal element and the first metal oxide is between 5 Between % and 20%;
  • the second metal oxide is doped with ions, the ions are selected from at least one of tin, selenium or sulfur, and when the ions are selected from cationic tin, the ions and the second metal are oxidized
  • the molar percentage of the metal oxide is between 10% and 30%, and when the ion is selected from the anion selenium or sulfur, the molar percentage of the ion and the second metal oxide is between 1% and 15%;
  • a ligand is added to the second metal oxide to form a coordinated metal compound, the ligand is selected from thiols, alcohol amines and polyhydroxy ethers, when the ligand is selected from the thiols or the In the case of the alkanolamines, the molar percentage of the ligand to the second metal oxide is between 0.1% and 10%, and when the ligand is selected from the polyhydroxy ethers, the ligand The molar percentage with the second metal oxide is between 10% and 50%;
  • the doped metal oxide and the coordination metal compound are dissolved in alcohol and/or ether solvent to form the metal oxide mixed solution.
  • the method before the step of coating the metal oxide mixed solution on the first device board, the method further includes:
  • the elemental metal includes at least one of magnesium and aluminum
  • the metal The molar percentage of the element and the first metal oxide is between 5% and 20%
  • the ligand is selected from thiols, alcohol amines and polyhydroxy ethers, when the ligand is selected from the In the case of thiols or the alcohol amines, the molar percentage of the ligand to the first metal oxide is between 0.1% and 10%, and when the ligand is selected from the polyhydroxy ethers , the molar percentage of the ligand to the first metal oxide is between 10% and 50%;
  • the method further includes:
  • the second metal oxide is doped with ions to form an ion-doped metal oxide, the ions are selected from at least one of tin, selenium or sulfur, and when the ions are selected from cationic tin, the The mole percentage of the ion to the second metal oxide is between 10% and 30%, and when the ion is selected from anion selenium or sulfur, the mole percentage of the ion to the second metal oxide is between 10% and 30%. between 1% and 15%.
  • the method before the step of coating the metal oxide mixed solution on the first device board, the method further includes:
  • the elemental metal includes at least one of magnesium and aluminum
  • the metal The molar percentage of the element and the first metal oxide is between 5% and 20%
  • the ligand is selected from thiols, alcohol amines and polyhydroxy ethers, when the ligand is selected from the In the case of thiols or the alcohol amines, the molar percentage of the ligand to the first metal oxide is between 0.1% and 10%, and when the ligand is selected from the polyhydroxy ethers , the molar percentage of the ligand to the first metal oxide is between 10% and 50%;
  • the second metal oxide is doped with ions to form an ion-doped metal oxide, the ions are selected from at least one of tin, selenium or sulfur, and when the ions are selected from cationic tin, the The mole percentage of the ion to the second metal oxide is between 10% and 30%, and when the ion is selected from anion selenium or sulfur, the mole percentage of the ion to the second metal oxide is between 10% and 30%. between 1% and 15%;
  • the first metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO
  • the second metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO.
  • the value of the first preset temperature is between 40 degrees Celsius and 70 degrees Celsius
  • the value of the second preset temperature is between 75 degrees Celsius and 130 degrees Celsius between degrees Celsius.
  • the first device plate is a quantum dot light-emitting layer
  • the second device plate is a cathode
  • the method before the step of providing the first device board, the method further includes:
  • a stacked anode, a hole injection layer and a hole transport layer are formed in sequence, and the first device plate is arranged on the side of the hole transport layer away from the hole injection layer.
  • the first device plate is a cathode
  • the second device plate is a quantum dot light-emitting layer
  • the method further includes:
  • a hole transport layer, a hole injection layer and an anode are sequentially formed on the second device plate.
  • the material of the first electron transport layer is a metal oxide doped with simple metal, and the metal oxide can be selected from ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , and SnO 2. At least one of Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO, and the metal element is selected from magnesium or aluminum.
  • the material of the second electron transport layer may be a coordination metal compound, and the coordination metal compound is formed by the coordination of a long-chain ligand and a metal oxide, and the long-chain ligand
  • the body is selected from thiols, alcohol amines or polyhydroxy ether compounds.
  • the thiol, alcoholamine or polyhydroxy ether compound includes ethanolamine, butanethiol or tetraethylene glycol.
  • the material of the second electron transport layer is an ion-doped coordination metal compound
  • the ion-doped coordination metal compound is made of ion-doped metal oxide, and then mixed with a long
  • the chain ligands are coordinated to form, and the long-chain ligands are selected from thiols, alcohol amines or polyhydroxy ether compounds.
  • the ionic dopant is selected from at least one of tin ions, selenium ions, or sulfide ions.
  • the embodiment of the present application further provides a light-emitting device, wherein the light-emitting device is manufactured by the above-mentioned method for manufacturing a light-emitting device.
  • An embodiment of the present application further provides a display panel, the display panel includes the above-mentioned light-emitting device, and the light-emitting device is disposed on the array substrate.
  • the present application adopts a multi-stage annealing process to form the electron transport layer, which solves the problem of complicated fabrication steps of the electron transport layer in the light-emitting device.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a light-emitting device provided by an embodiment of the present application
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of another light-emitting device according to an embodiment of the present application.
  • FIG. 3 is a flowchart of steps of a method for manufacturing a light-emitting device provided by an embodiment of the present application
  • FIGS. 4 to 9 are schematic diagrams of a method for fabricating a light-emitting device according to an embodiment of the present application.
  • FIG. 10 is a schematic structural diagram of a display panel provided by an embodiment of the present application.
  • Embodiments of the present application provide a light-emitting device, a method for manufacturing the same, and a display panel, which will be described in detail below. It should be noted that the description order of the following embodiments is not intended to limit the preferred order of the embodiments.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a light emitting device provided by an embodiment of the present application.
  • An embodiment of the present application provides a light emitting device 100 , the light emitting device 100 includes a first device board 101 , a first electron transport layer 102 , a second electron transport layer 103 and a second device board 104 .
  • the first device plate is a quantum dot light-emitting layer
  • the second device plate 104 is a cathode.
  • the light emitting device 100 may further include an anode 107 , a hole injection layer 106 , and a hole transport layer 105 .
  • the anode 107, the hole injection layer 106 and the hole transport layer 105 are stacked in this order.
  • the first device board 101 has a first surface 101a and a second surface 101b disposed opposite to each other, the second surface 101b of the first device board 101 and the hole transport layer 105 are attached to the hole transport layer 105, and the first electron transport layer 102
  • the second electron transport layer 103 is arranged on the side of the first electron transport layer 102 away from the first device board 101
  • the second device board 104 is arranged on the second electron transport layer 103 away from the first electron transport layer 102
  • the first device board 101 is a quantum dot light-emitting layer
  • the second device board 104 is a cathode.
  • the anode 107 may be a transparent conductive oxide or a conductive polymer, and the transparent conductive oxide may be indium tin oxide (ITO), fluorine-doped SnO 2 conductive glass (SnO 2 :F), or the like.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO 2 :F fluorine-doped SnO 2 conductive glass
  • the hole injection layer 106 can be a conductive polymer, such as PEDOT:PSS; it can also be an n-type semiconductor with high work function, such as HAT-CN, MoO 3 , WO 3 , V 2 O 5 , Rb 2 O and the like.
  • the hole transport layer 105 can be an organic hole transport layer, such as Poly-TPD, TFB, PVK, TCTA, CBP, NPB, NPD, etc.; it can also be an inorganic hole transport layer, such as NiO, Cu 2 O, CuSCN, etc. .
  • the first electron transport layer 102 is disposed on the first surface 101 a of the first device board 101 .
  • the material of the first electron transport layer 102 may be a metal element doped metal oxide, wherein the metal oxide may be selected from ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , at least one of AlZnO, ZnSnO and InSnO, and the metal element is selected from active metals such as magnesium or aluminum.
  • the second electron transport layer 103 is disposed on the side of the first electron transport layer 102 away from the first device board 101 .
  • the material of the second electron transport layer 103 may be a coordination metal compound.
  • the coordination metal compound is formed by coordinating a long-chain ligand with a metal oxide.
  • the long-chain ligands can be selected from thiols, alcoholamines or polyhydroxy ether compounds, for example, ethanolamine, butanethiol or tetraethylene glycol, etc.
  • the metal oxides are selected from ZnO, TiO 2 , Fe At least one of 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO, and InSnO.
  • the material of the second electron transport layer 103 may also be an ion-doped coordination metal compound, wherein the ion-doped coordination metal compound is ion-doped metal oxide and then coordinated with a long-chain ligand. form.
  • long-chain ligands can be selected from thiols, alcoholamines or polyhydroxy ether compounds, for example, ethanolamine, butanethiol or tetraethylene glycol, etc.; metal oxides are selected from ZnO, TiO 2 , Fe At least one of 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO, and InSnO; the ionic dopant can be selected from tin ions, selenium ions, sulfide ions, and the like.
  • the second device plate 104 is disposed on the side of the second electron transport layer 103 away from the first electron transport layer 102 , wherein the second device plate 104 is a cathode, and the material of the second device plate 104 may be metal aluminum, magnesium, silver, or the like.
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of another light-emitting device according to an embodiment of the present application.
  • the light emitting device 200 includes a first device board 201 , a first electron transport layer 202 , a second electron transport layer 203 and a second device board 204 .
  • the light emitting device 200 further includes a hole transport layer 205 , a hole injection layer 206 and an anode 207 .
  • the first device board 201 has a first surface 201a and a second surface 201b arranged opposite to each other, the first electron transport layer 202 is arranged on the first surface 201a, and the second electron transport layer 203 is arranged away from the first electron transport layer 202
  • One side of the first device board 201, the second device board 204 is arranged on the side of the second electron transport layer 203 away from the first electron transport layer 202, the hole transport layer 205, the hole injection layer 206 and the anode 207 are stacked in sequence and arranged on the first side. on the second device board 204 .
  • the first device plate 201 is a cathode
  • the second device plate 204 is a quantum dot light-emitting layer.
  • the material of the first electron transport layer 202 is a doped coordination metal compound, wherein the doped coordination metal compound is a metal element doped with a metal oxide, and the doped metal oxide is doped with a long-chain ligand.
  • Metal oxides undergo coordination formation.
  • the metal element includes at least one of metal magnesium and aluminum
  • the long-chain ligand can be selected from thiols, alcoholamines or polyhydroxy ether compounds, for example, ethanolamine, butanethiol or tetraethylene glycol etc.
  • the metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO.
  • the material of the second electron transport layer 203 may be a metal oxide or a metal oxide doped with ions.
  • the metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO; the ionic dopant can be selected from tin ions, selenium ions or sulfide ions, etc. .
  • the light emitting device 200 of this embodiment is different from the light emitting device 100 of the previous embodiment in that:
  • the first device plate 101 of the light-emitting device 100 is a quantum dot light-emitting layer
  • the second device plate 104 is a cathode
  • the first device plate 201 of the light-emitting device 200 is a cathode
  • the second device plate 204 is a quantum dot light-emitting layer.
  • the light emitting device 200 of the embodiment of the present application is an inverted structure of the light emitting device 100 of the embodiment of the previous application.
  • the fabrication method of the light-emitting device 100 includes the following steps:
  • Step B1 providing a first device board 101 , the first device board 101 has a first surface 101 a and a second surface 101 b disposed opposite to each other, please refer to FIG. 4 .
  • the first device board 101 is a quantum dot light-emitting layer.
  • the step of providing the first device board 101 may further include: sequentially forming an anode 107 , a hole injection layer 106 and a hole transport layer 105 in a stacked arrangement, and the first device board 101 is provided on the hole transport layer. The side of layer 105 remote from hole injection layer 106 .
  • Step B2 coating the metal oxide mixed solution on the first device board 101 .
  • step B2 before step B2, it further includes:
  • the elemental metal includes at least one of magnesium and aluminum, and the molar percentage of the metal to the first metal oxide is between 5% and 20%.
  • the first metal oxide is doped with elemental magnesium or aluminum to increase the conduction band of the first metal oxide, so that the bottom energy levels of the conduction band of the quantum dot light-emitting layer and the doped metal oxide are matched, reducing the The potential barrier between the doped metal oxide and the quantum dot light-emitting layer facilitates electron transport.
  • the molar percentage of elemental magnesium or aluminum to the first metal oxide may be any one of 5%, 7%, 10%, 12%, 15%, 18%, or 20%. In this embodiment, the molar percentage of the metal element and the first metal oxide is between 5% and 20%.
  • the doping ratio of the metal element is ensured, and the bottom energy level of the conduction band of the metal oxide is improved, so that the The conduction band bottom energy levels of the quantum dot light-emitting layer and the doped metal oxide are matched; on the other hand, the dissolution of metal elemental magnesium or aluminum in a solvent can form an intrinsic hydroxyl ligand, and the first metal oxide of the hydroxyl ligand can form an intrinsic hydroxyl ligand.
  • the steric hindrance is small, and the agglomeration deposition is easy under heating conditions, wherein the agglomeration temperature of the doped metal oxide is less than 60 degrees Celsius.
  • the first metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO2 , Fe2O3 , SnO2 , Ta2O3 , AlZnO , ZnSnO, and InSnO .
  • the second metal oxide is doped with ions, and the ions are selected from at least one of tin, selenium or sulfur, and when the ions are selected from cationic tin, the molar percentage of the ions to the second metal oxide ranges from 10% to 30%. %between. Since the doping ability of tin ions and the second metal oxide is weak, in this embodiment, the molar percentage of tin ions and the second metal oxide is between 10% and 30%.
  • the mole percentage of metal oxide can be any one of 10%, 13%, 18%, 23%, 28%, 30%, when the mole percentage of tin ions and the second metal oxide is between 10% and 30% In between, the bottom energy level of the conduction band of the formed ion-doped metal oxide decreases, so that it matches the bottom energy level of the conduction band of the cathode, which is beneficial to electron transport.
  • the ions are selected from the anion selenium or sulfur, the mole percentage of the ions and the second metal oxide is between 1% and 15%.
  • the molar percentage of selenium ions or sulfide ions and the second metal oxide in this embodiment is between 1% and 15%, for example, the molar percentage of tin ions and the second metal oxide can be 1%, 5%, Any one of 8%, 13%, 15%, when the molar percentage of selenium ions or sulfide ions and the second metal oxide is between 1% and 15%, the conductivity of the formed ion-doped metal oxide is The bottom energy level of the band is lowered to match the bottom energy level of the conduction band of the cathode, which is beneficial to electron transport.
  • the second metal oxide is doped with at least one of tin ions, selenium ions or sulfide ions to reduce the conduction band of the second metal oxide.
  • a ligand is added to the second metal oxide to form a coordination metal compound, and the ligand is selected from thiols, alcoholamines and polyhydroxy ethers.
  • the ligand is selected from thiols or alcoholamines, the ligand
  • the molar percentage with the second metal oxide is between 0.1% and 10%.
  • the molar percentage between the ligand and the second metal oxide is between 10% and 50%. .
  • the molar percentage of the thiol or alkanolamine and the second metal oxide is different. Between 0.1% and 10%, for example, the molar percentage of thiols or alcoholamines and the second metal oxide is any one of 0.1%, 1%, 3%, 5%, 8%, 10% . The molar percentage of thiols or alcoholamines and the second metal oxide is between 0.1% and 10%, which effectively increases the steric hindrance of the second metal oxide, thereby making the coordination metal oxide thermally stable Sexual enhancement.
  • the molar percentage of the polyhydroxy ether ligands and the second metal oxide is between 10% and 50%,
  • the molar percentage of the polyhydroxy ether-based ligand and the second metal oxide is any one of 10%, 15%, 30%, 45%, and 50%.
  • the molar percentage of the polyhydroxy ether ligand and the second metal oxide is between 10% and 50%, which effectively increases the steric hindrance of the second metal oxide, thereby making the coordination metal oxide more thermally stable. enhanced.
  • the second metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO.
  • thiol, alcoholamine or polyhydroxy ether ligands such as ethanolamine, butanethiol or tetraethylene glycol, etc.
  • adding thiol, alcoholamine or polyhydroxy ether ligands, such as ethanolamine, butanethiol or tetraethylene glycol, etc. to the second metal oxide, so that the second metal oxide is complexed with it. position to form a coordination metal compound, so that the steric hindrance of the second metal oxide is increased, and the thermal stability of the second metal oxide is improved, wherein the heat resistance temperature of the coordination metal oxide is greater than 60 degrees Celsius.
  • the doped metal oxide and the coordination metal compound are dissolved in an alcohol and/or ether solvent to form a metal oxide mixed solution, wherein the boiling point of the alcohol solvent and the ether solvent is greater than 80 degrees Celsius.
  • Step B3 performing a first annealing treatment on the metal oxide mixed solution at a first preset temperature to form a first electron transport layer 102 , please refer to FIG. 5 .
  • the metal oxide mixed solution is subjected to a first annealing treatment, so that the doped metal oxide is agglomerated on the first surface 101a to form the first electron transport layer 102 .
  • the first preset temperature is greater than the thermal stability temperature of the doped metal oxide.
  • the value of the first predetermined temperature is between 40 degrees Celsius and 70 degrees Celsius
  • the annealing time is between 5 minutes and 40 minutes.
  • Step B4 performing a second annealing treatment on the metal oxide mixture at a second preset temperature to form a second electron transport layer 103 , the second electron transport layer 103 is located in the first electron transport layer 102 away from the first device plate 101, wherein the second preset temperature is greater than the first preset temperature, please refer to FIG. 6 .
  • the metal oxide mixed solution is subjected to a second annealing treatment, so that the coordination metal oxide or the ion-doped coordination metal compound is agglomerated in the first electron transport layer 102 away from the first device
  • a second electron transport layer 103 is formed.
  • the value of the second preset temperature is between 75 degrees Celsius and 130 degrees Celsius
  • the annealing time is between 5 minutes and 70 minutes.
  • the more thermally stable coordination metal oxides or ion-doped coordination metal compounds in the metal oxide mixture are agglomerated and deposited first On the electron transport layer 102, a second electron transport layer 103 is formed.
  • the heating device may continue to be heated, and then the second annealing treatment may be performed.
  • the annealing treatment can be performed in a negative pressure environment or a normal pressure environment.
  • the advantage of performing the annealing treatment under negative pressure is that the solvent is more thoroughly volatilized, and the first electron transport layer 102 and the second electron transport layer 102 formed by deposition are The transport layer 103 is more uniform, increasing the stability of the first electron transport layer 102 and the second electron transport layer 103 .
  • Step B5 forming a second device board 104 on the side of the second electron transport layer 103 away from the first electron transport layer 102 , please refer to FIG. 1 .
  • the second device board 104 is a cathode.
  • the metal oxide mixture is coated on the light-emitting layer of the quantum dots, because the agglomeration temperature of the doped metal oxide and the coordination metal compound in the metal oxide mixed solution is different Therefore, the metal oxide mixed solution can be annealed by a multi-stage annealing process, thereby forming the first electron transport layer and the second electron transport layer at different annealing temperatures.
  • the fabrication method of the light-emitting device in this embodiment solves the problem of complicated fabrication steps of the electron transport layer in the light-emitting device.
  • the conduction band bottom energy levels of the doped metal oxide and the quantum dot light emitting layer is between 0.1 eV and 0.5 eV, the conduction band bottom energy levels of the quantum dot light emitting layer and the doped metal oxide are matched.
  • the potential barrier between the cathode and the cathode is conducive to the transfer of electrons from the cathode to the quantum dot light-emitting layer, thereby improving the light-emitting efficiency of the light-emitting device.
  • the manufacturing method of the light-emitting device 200 includes the following steps:
  • Step B1 Providing a first device board 201, the first device board 201 has a first surface 201a and a second surface 201b disposed opposite to each other.
  • the first device board 201 is the cathode.
  • Step B2 coating the metal oxide mixed solution on the first surface 201a.
  • step B2 before step B2, it further includes:
  • the elemental metal includes at least one of magnesium and aluminum, and the elemental metal is associated with the first metal oxide.
  • the molar percentage of the metal oxide is between 5% and 20%, and the ligand is selected from thiols, alcoholamines and polyhydroxy ethers. When the ligand is selected from thiols or alcoholamines, the ligand is combined with The molar percentage of the first metal oxide is between 0.1% and 10%, and when the ligand is selected from polyhydroxy ethers, the molar percentage between the ligand and the first metal oxide is between 10% and 50%.
  • the first metal oxide is doped with elemental metal magnesium or aluminum and a ligand is added to the first metal oxide, so that the formed doped metal compound is complexed with thiol, alcoholamine or polyhydroxy ether ligands position, forming a doped coordination metal oxide, increasing the conduction band of the first metal oxide, making the quantum dot light-emitting layer and the doped coordination metal compound band bottom energy level match, reducing the doped coordination metal compound and quantum
  • the potential barrier between the point light-emitting layers is conducive to electron transport.
  • the molar percentage of metallic magnesium or aluminum to the first metal oxide may be any of 5%, 7%, 10%, 12%, 15%, 18%, or 20%.
  • the molar percentage of the metal element and the first metal oxide is between 5% and 20%, which ensures the doping ratio of the metal element, improves the conduction band bottom energy level of the metal oxide, and makes the quantum dots emit light.
  • the conduction band bottom energy levels of the layer and the doped coordination metal compound are matched.
  • the steric hindrance of the second metal oxide is increased, the thermal stability of the first metal oxide is improved, and the heat resistance temperature of the doped coordination metal compound is improved. greater than 60 degrees Celsius.
  • the first metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO2 , Fe2O3 , SnO2 , Ta2O3 , AlZnO , ZnSnO, and InSnO .
  • a second metal oxide is provided.
  • it may further include: doping the second metal oxide with ions, the ions are selected from at least one of tin, selenium or sulfur, when the ions are selected from When the cation is tin, the mole percentage of the ion to the second metal oxide is between 10% and 30%, and when the ion is selected from the anion selenium or sulfur, the mole percentage of the ion and the second metal oxide is between 1% and 15%. %between.
  • the second metal oxide is doped with at least one of tin ions, selenium ions or sulfide ions to reduce the conduction band of the second metal oxide, so that the bottom energy of the conduction band of the second metal oxide and the cathode is reduced. level match.
  • the second metal oxide is selected from at least one of ZnO, TiO 2 , Fe 2 O 3 , SnO 2 , Ta 2 O 3 , AlZnO, ZnSnO and InSnO.
  • the doped coordination metal compound and the second metal oxide or the ion-doped metal oxide are dissolved in an alcohol and/or ether solvent to form a metal oxide mixed solution.
  • Step B3 performing a first annealing treatment on the metal oxide mixed solution at a first preset temperature to form a first electron transport layer 202 , and the first electron transport layer 202 is located on the first surface 101 a.
  • the metal oxide mixed solution is subjected to a first annealing treatment, so that the second metal oxide or ion-doped metal oxide is deposited on the first surface 201a to form the first electron transport layer 202.
  • the first preset temperature is greater than the thermal stability temperature of the second metal oxide or the ion-doped metal oxide.
  • the value of the first preset temperature is between 40 degrees Celsius and 70 degrees Celsius, and the annealing time is between 5 minutes and 40 minutes.
  • the second metal oxide or ion-doped metal oxide with poor thermal stability in the metal oxide mixed solution is preferentially agglomerated and deposited to the first
  • a first electron transport layer 202 is formed on the first surface 201a of a device board 201 .
  • Step B4 at the second preset temperature, perform a second annealing treatment on the metal oxide mixed solution to form a second electron transport layer 203, the second electron transport layer 203 is located in the first electron transport layer 202 away from the first device One side of the plate 201, wherein the second preset temperature is greater than the first preset temperature.
  • the metal oxide mixed solution is subjected to a second annealing treatment, so that the dopant coordination metal compound is agglomerated on the side of the first electron transport layer 202 away from the first device plate 201 to form The second electron transport layer 203 .
  • the value of the second preset temperature is between 75 degrees Celsius and 130 degrees Celsius
  • the annealing time is between 5 minutes and 70 minutes.
  • the annealing treatment can be performed under a negative pressure or normal temperature environment.
  • the advantage of performing the annealing treatment under a negative pressure is that the solvent is more thoroughly volatilized, and the first electron transport layer 202 and the second electron transport layer formed by deposition 203 is more uniform, increasing the stability of the first electron transport layer 202 and the second electron transport layer 203 .
  • Step B5 forming a second device board 204 on the side of the second electron transport layer 203 away from the first electron transport layer 202 .
  • the second device board 204 is a quantum dot light-emitting layer.
  • the method may further include: sequentially forming a hole transport layer 205 , a hole injection layer 206 and an anode 207 on the second device board 204 .
  • the metal oxide mixture is coated on the cathode, due to the agglomeration temperature of the doped coordination metal compound and the ion-doped metal oxide included in the metal oxide mixed solution Therefore, the metal oxide mixed solution can be annealed by a multi-stage annealing process, whereby the first electron transport layer and the second electron transport layer are formed at different annealing temperatures, which solves the problem of the electron transport layer in the light-emitting device. Problems with complicated production steps.
  • the conduction band bottom energy of the quantum dot light emitting layer and the doped coordination metal compound Level matching reducing the potential barrier between the doped coordination metal compound and the quantum dot light-emitting layer;
  • the difference in the conduction band bottom energy level between the ion-doped metal oxide or the second metal oxide and the cathode is between 0.2 From eV to 0.4 eV, the potential barrier between the ion-doped metal oxide or the second metal oxide and the cathode is reduced, which facilitates the transfer of electrons from the cathode to the quantum dot light-emitting layer, and improves the light-emitting efficiency of the light-emitting device.
  • an embodiment of the present application further provides a display panel.
  • the display panel 1000 includes an array substrate 300 and the light emitting device 100 or the light emitting device 200 disposed on the array substrate 300 .
  • the light-emitting device 100 and the light-emitting device 200 are manufactured by the above-mentioned manufacturing method of the light-emitting device.
  • the embodiments of the present application provide a light-emitting device, a method for manufacturing the same, and a display panel.
  • a multi-stage annealing process is used to form an electron transport layer, which solves the problem of cumbersome manufacturing steps for the electron transport layer in the light-emitting device. The problem.

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Abstract

本申请公开了一种发光器件及其制作方法、显示面板，发光器件的制作方法包括以下步骤：提供第一器件板；在第一器件板上涂布金属氧化物混合液；在第一预设温度下，对金属氧化物混合液进行第一次退火处理；在第二预设温度下，对金属氧化物混合液进行第二次退火处理；在第二电子传输层远离第一电子传输层的一面形成第二器件板。

Description

发光器件及其制作方法、显示面板
优先权
本申请要求申请日为2021年4月26日，申请号为“202110455293.2”，申请名称为“发光器件及其制作方法、显示面板”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法、显示面板。
 背景技术
量子点是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒,其尺寸粒径一般介于1纳米至10纳米之间，量子点具有量子限域效应,受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽,发射峰窄，发光光谱可调等性质,使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管（Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED）就是将胶体量子点作为发光层的器件，在不同的导电材料之间引入所述发光层从而得到所需要波长的光。具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点。
量子点通过调整纳米颗粒的大小和组分，来调整带隙以获得不同的红蓝绿发光特性。
在QLED器件中，目前常用电子传输层采用具有较高迁移率金属氧化物纳米颗粒及其掺杂材料；常用的阴极材料为Ag、Al及其掺杂材料或复合层。
然而，目前打印显示器件功能层存在的问题：常用的阴极材料功函数和量子点导带能级相差较大，较大的势垒影响了电子注入，引起电荷积累，降低了器件效率和寿命。现有的解决方法通常通过制备多层不同掺杂的金属氧化物来形成阶梯能级的电子传输层，以减小注入势垒，提升器件性能。但在打印显示器件中，常规的方法需要进行多次金属氧化物打印，增加了电子传输层的工序，导致生产成本提升，产品良率降低。
 技术问题
本申请提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，用于解决发光器件中电子传输层制作步骤繁琐的问题。
 技术解决方案
本申请实施例提供一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：
提供第一器件板；
在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液；
在第一预设温度下，对所述金属氧化物混合液进行第一次退火处理，以形成第一电子传输层；
在第二预设温度下，对所述金属氧化物混合液进行第二次退火处理，以形成第二电子传输层，所述第二电子传输层位于所述第一电子传输层远离所述第一器件板的一面，其中，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；
在所述第二电子传输层远离所述第一电子传输层的一面形成第二器件板。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
利用金属单质掺杂第一金属氧化物，形成掺杂金属氧化物，所述金属单质包括镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间；
在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
将所述掺杂金属氧化物和所述配位金属化合物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物的步骤之前，还包括：
利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
利用金属单质掺杂第一金属氧化物，形成掺杂金属氧化物，所述金属单质包括镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间；
利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间；
在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
将所述掺杂金属氧化物和所述配位金属化合物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
利用金属单质掺杂第一金属氧化物以及在所述第一金属氧化物中添加配体，形成掺杂配位金属化合物，所述金属单质包括金属镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
提供第二金属氧化物；
将所述掺杂配位金属化合物和所述第二金属氧化物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述提供第二金属氧化物的步骤之后，还包括：
利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，以形成离子掺杂金属氧化物，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
利用金属单质掺杂第一金属氧化物以及在所述第一金属氧化物中添加配体，形成掺杂配位金属化合物，所述金属单质包括金属镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
提供第二金属氧化物；
利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，以形成离子掺杂金属氧化物，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间；
将所述掺杂配位金属化合物和所述第二金属氧化物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第一金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种，所述第二金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第一预设温度的取值介于40摄氏度和70摄氏度之间，所述第二预设温度的取值介于75摄氏度和130摄氏度之间。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第一器件板为量子点发光层，所述第二器件板为阴极。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，在所述提供第一器件板的步骤之前，还包括：
依次形成层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层，所述第一器件板设置在空穴传输层远离空穴注入层的一面。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第一器件板为阴极，所述第二器件板为量子点发光层。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述在所述第二电子传输层远离所述第一电子传输层的一面形成第二器件板的步骤之后，还包括：
在所述第二器件板上依次形成空穴传输层、空穴注入层和阳极。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第一电子传输层的材料是金属单质掺杂的金属氧化物，金属氧化物可以选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种，金属单质选自镁或铝。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第二电子传输层的材料可以是配位金属化合物，配位金属化合物由长链配体与金属氧化物配位形成，长链配体选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物包括乙醇胺、丁硫醇或三缩四乙二醇。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，所述第二电子传输层的材料是离子掺杂配位金属化合物，离子掺杂配位金属化合物由离子掺杂金属氧化物，再与长链配体配位形成，长链配体选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，离子掺杂物选自锡离子、硒离子或硫离子中的至少一种。
本申请实施例还提供一种发光器件，其中，所述发光器件由上述发光器件的制作方法制成。
本申请实施例还一种显示面板，所述显示面板包括上述发光器件，所述发光器件设置在所述阵列基板上。
 有益效果
本申请采用多段退火工艺形成电子传输层，解决了发光器件中电子传输层制作步骤繁琐的问题。
 附图说明
图1为本申请实施例提供的发光器件结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一发光器件的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的发光器件的制作方法的步骤流程图；
图4至图9为本申请实施例提供发光器件的制作方法的示意图；
图10为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
 本发明的实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的发光器件的结构示意图。本申请实施例提供一种发光器件100，发光器件100包括第一器件板101、第一电子传输层102、第二电子传输层103和第二器件板104。在本实施例中，第一器件板为量子点发光层，第二器件板104为阴极。
具体的，在一些实施例中，发光器件100还可以包括阳极107、空穴注入层106、空穴传输层105。
阳极107、空穴注入层106和空穴传输层105依次层叠设置。第一器件板101具有相对设置的第一面101a和第二面101b，第一器件板101的第二面101b与空穴传输层105贴合于空穴传输层105，第一电子传输层102设置在第一面101a，第二电子传输层103设置在第一电子传输层102远离第一器件板101的一面，第二器件板104设置在第二电子传输层103远离第一电子传输层102的一面，其中，第一器件板101为量子点发光层，第二器件板104为阴极。
在一实施例中，阳极107可采用透明导电氧化物或者导电聚合物，透明导电氧化物可为氧化铟锡（ITO）、掺杂氟的SnO 2导电玻璃(SnO 2:F)等。
空穴注入层106可以是导电聚合物，例如：PEDOT:PSS；也可以是高功函数的n型半导体，例如：HAT-CN、MoO 3、WO 3、V 2O 5、Rb 2O等。
空穴传输层105可以是有机空穴传输层，例如：Poly-TPD、TFB、PVK、TCTA、CBP、NPB、NPD等；也可以是无机空穴传输层，例如NiO、Cu 2O、CuSCN等。
第一器件板101为量子点发光层，其中，量子点可以是II-VI族化合物半导体，例如：CdSe、ZnCdS、CdSeS、ZnCdSeS、CdSe/ZnS、CdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，例如：InP、InP/ZnS等；可以是I-III-VI族化合物半导体，例如：CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等；可以是IV族单质半导体，如Si、C、Graphene等；可以是钙钛矿量子点，例如：CsPbM 3(M＝Cl、Br、I)等。
第一电子传输层102设置在第一器件板101的第一面101a。在一些实施例中，第一电子传输层102的材料可以是金属单质掺杂的金属氧化物，其中，金属氧化物可以选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种，金属单质选自镁或铝等活泼金属。
第二电子传输层103设置在第一电子传输层102远离第一器件板101的一面。在一些实施例中，第二电子传输层103的材料可以是配位金属化合物，具体的，配位金属化合物由长链配体与金属氧化物配位形成。其中，长链配体可以选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物，例如，乙醇胺、丁硫醇或三缩四乙二醇等，金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
在一些实施例中，第二电子传输层103的材料还可以是离子掺杂配位金属化合物，其中，离子掺杂配位金属化合物由离子掺杂金属氧化物，再与长链配体配位形成。其中，长链配体可以选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物，例如，乙醇胺、丁硫醇或三缩四乙二醇等；金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种；离子掺杂物可以选自锡离子、硒离子或硫离子等。
第二器件板104设置在第二电子传输层103远离第一电子传输层102的一面，其中，第二器件板104为阴极，第二器件板104的材料可以是金属铝、镁、银等。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的另一发光器件的结构示意图。发光器件200包括第一器件板201、第一电子传输层202、第二电子传输层203和第二器件板204。
在一些实施例中，发光器件200还包括空穴传输层205、空穴注入层206和阳极207。
具体的，第一器件板201具有相对设置的第一面201a和第二面201b，第一电子传输层202设置在第一面201a，第二电子传输层203设置在第一电子传输层202远离第一器件板201的一面，第二器件板204设置在第二电子传输层203远离第一电子传输层202的一面，空穴传输层205、空穴注入层206和阳极207依次层叠设置在第二器件板204上。在本实施例中，第一器件板201为阴极，第二器件板204为量子点发光层。
在一些实施例中，第一电子传输层202的材料为掺杂配位金属化合物，其中，掺杂配位金属化合物由金属单质掺杂金属氧化物，以及利用长链配体对掺杂后的金属氧化物进行配位形成。其中，金属单质包括金属镁、铝中的至少一种，长链配体可以选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物，例如，乙醇胺、丁硫醇或三缩四乙二醇等；金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
第二电子传输层203的材料可以是金属氧化物或由离子掺杂的金属氧化物。金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种；离子掺杂物可以选自锡离子、硒离子或硫离子等。
本实施例的发光器件200与上一实施例的发光器件100的不同之处在于：
发光器件100的第一器件板101为量子点发光层，第二器件板104为阴极，发光器件200的第一器件板201为阴极，第二器件板204为量子点发光层。应该理解的是，本申请实施例的发光器件200为上一申请实施例的发光器件100的倒置结构。
接下来，本申请实施例将对发光器件的制作方法进行阐述。
请参考图1、图3、图4、图5和图6。发光器件100的制作方法包括以下步骤：
步骤B1：提供第一器件板101，第一器件板101具有相对设置的第一面101a和第二面101b，请参考图4。
在本实施例中，第一器件板101为量子点发光层。
在一些实施例中，在提供第一器件板101的步骤之前，还可以包括：依次形成层叠设置阳极107、空穴注入层106和空穴传输层105，第一器件板101设置在空穴传输层105远离空穴注入层106的一面。
步骤B2：在第一器件板101上涂布金属氧化物混合液。
在一些实施例中，在步骤B2之前，还包括：
利用金属单质掺杂第一金属氧化物，形成掺杂金属氧化物，金属单质包括镁、铝中的至少一种，金属与第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间。
具体的，利用金属单质镁或铝掺杂第一金属氧化物，用于提高第一金属氧化物的导带，使得量子点发光层和掺杂金属氧化物的导带底能级匹配，减小掺杂金属氧化物和量子点发光层之间的势垒，利于电子传输。
在一些实施例中，金属单质镁或铝与第一金属氧化物的摩尔百分比可以是5%、7%、10%、12%、15%、18%或20%中的任意一者。本实施例中金属单质与第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，一方面，保证了金属单质的掺杂比例，提高了金属氧化物的导带底能级，使得量子点发光层和掺杂金属氧化物的导带底能级匹配；另一方面，金属单质镁或铝溶解于溶剂中可形成本征的羟基配体，羟基配体的第一金属氧化物的空间位阻小，在加热条件下易于团聚沉积，其中，掺杂金属氧化物的团聚温度小于60摄氏度。
在一些实施例中，第一金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
利用离子对第二金属氧化物进行掺杂，离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当离子选自阳离子锡时，离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间。由于锡离子与第二金属氧化物的掺杂能力较弱，因此，本实施例中锡离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，例如，锡离子与第二金属氧化物的摩尔百分比可以是10%、13%、18%、23%、28%、30%中的任意一者，当锡离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间时，形成的离子掺杂金属氧化物的导带底能级降低，使其与阴极的导带底能级匹配，利于电子传输。当离子选自阴离子硒或硫时，离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间，由于硒离子或硫离子与第二金属氧化物的掺杂能力较强，因此，本实施例中硒离子或硫离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间，例如，锡离子与第二金属氧化物的摩尔百分比可以是1%、5%、8%、13%、15%中的任意一者，当硒离子或硫离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间时，形成的离子掺杂金属氧化物的导带底能级降低，使其与阴极的导带底能级匹配，利于电子传输。
具体的，利用锡离子、硒离子或硫离子中的至少一种对第二金属氧化物进行掺杂，降低第二金属氧化物的导带。
在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物，配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当配体选自硫醇类或醇胺类时，配体与第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当配体选自多羟基醚类时，配体与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间。
在一实施例中，由于硫醇类配体或醇胺类配体与第二金属氧化物的配位能力较强，因此，硫醇类或醇胺类与第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，例如，硫醇类或醇胺类与第二金属氧化物的摩尔百分比为0.1%、1%、3%、5%、8%、10%中的任意一者。硫醇类或醇胺类与第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，有效增大了第二金属氧化物的空间位阻，从而使得配位金属氧化物的热稳定性增强。
同理，由于多羟基醚类配体与第二金属氧化物的配位能力较弱，因此，多羟基醚类配体与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间，例如，多羟基醚类配体与第二金属氧化物的摩尔百分比为10%、15%、30%、45%、50%中的任意一者。多羟基醚类配体与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间，有效增大了第二金属氧化物的空间位阻，从而使得配位金属氧化物的热稳定性增强。
在一实施例中，第二金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
具体的，在第二金属氧化物中添加硫醇类、醇胺类或多羟基醚类配体，例如，乙醇胺、丁硫醇或三缩四乙二醇等，使得第二金属氧化物与其配位，形成配位金属化合物，使得第二金属氧化物的空间位阻增大，提高第二金属氧化物的热稳定性，其中，配位金属氧化物的耐热温度大于60摄氏度。
将掺杂金属氧化物和配位金属化合物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成金属氧化物混合液，其中，醇类溶剂和醚类溶剂的沸点大于80摄氏度。
步骤B3：在第一预设温度下，对金属氧化物混合液进行第一次退火处理，以形成第一电子传输层102，请参考图5。
具体的，在第一预设温度下，对金属氧化物混合液进行第一次退火处理，使得掺杂金属氧化物团聚在第一面101a上，形成第一电子传输层102。其中，第一预设温度大于掺杂金属氧化物的热稳定温度。在一实施例中，第一预设温度的取值介于40摄氏度至70摄氏度之间，退火时间介于5分钟至40分钟之间。当使用40摄氏度至70摄氏度之间的温度对金属氧化物混合液进行退火时，金属氧化物混合液中热稳定性较差的掺杂金属氧化物优先团聚沉积至第一器件板101的第一面101a，形成第一电子传输层102。
步骤B4：在第二预设温度下，对金属氧化物混合进行第二次退火处理，以形成第二电子传输层103，第二电子传输层103位于第一电子传输层102远离第一器件板101的一面，其中，第二预设温度大于第一预设温度，请参考图6。
具体的，在第二预设温度下，对金属氧化物混合液进行第二次退火处理，使得配位金属氧化物或离子掺杂配位金属化合物团聚在第一电子传输层102远离第一器件板101的一面上，形成第二电子传输层103。在一实施例中，第二预设温度的取值介于75摄氏度和130摄氏度之间，退火时间介于5分钟至70分钟之间。当使用75摄氏度至130摄氏度之间的温度对金属氧化物混合液进行退火时，金属氧化物混合液中热稳定性较强的配位金属氧化物或离子掺杂配位金属化合物团聚沉积第一电子传输层102上，形成第二电子传输层103。
应该理解是，本实施例在进行第一次退火处理后，可以继续对加热装置进行升温，然后进行第二次退火处理。
在一实施例中，可以在负压环境或常压环境下进行退火处理，在负压下进行退火处理的优点在于：溶剂挥发得更彻底，沉积形成的第一电子传输层102和第二电子传输层103更均匀，增加了第一电子传输层102和第二电子传输层103的稳定性。
步骤B5：在第二电子传输层103远离第一电子传输层102的一面形成第二器件板104，请参阅图1。
其中，第二器件板104为阴极。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，将金属氧化物混合物涂布在量子点发光层上，由于金属氧化物混合液中的掺杂金属氧化物和配位金属化合物的团聚温度不同，因此，可以采用多段退火工艺对金属氧化物混合液进行退火处理，由此，在不同温度的退火温度下形成第一电子传输层和第二电子传输层。本实施例中的发光器件的制作方法与现有技术相比，解决了发光器件中电子传输层制作步骤繁琐的问题。
另外，由于掺杂金属氧化物和量子点发光层的导带底能级的差值介于0.1eV至0.5eV之间，使得量子点发光层和掺杂金属氧化物的导带底能级匹配，减小掺杂金属氧化物和量子点发光层之间的势垒；配位金属化合物和阴极之间的导带底能级的差值介于0.2eV至0.4eV，减小配位金属化合物和阴极之间的势垒，利于电子从阴极传输至量子点发光层，提高发光器件的发光效率。
请参考图2、图3、图7、图8和图9。发光器件200的制作方法包括以下步骤：
步骤B1：提供第一器件板201，第一器件板201具有相对设置的第一面201a和第二面201b。
在本实施例中，第一器件板201为阴极。
步骤B2：在第一面201a涂布金属氧化物混合液。
在一些实施例中，在步骤B2之前，还包括：
利用金属单质掺杂第一金属氧化物以及在第一金属氧化物中添加配体，形成掺杂配位金属化合物，所述金属单质包括金属镁、铝中的至少一种，金属单质与第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当配体选自硫醇类或醇胺类时，配体与第一金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当配体选自多羟基醚类时，配体与第一金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间。
具体的，利用金属单质镁或铝掺杂第一金属氧化物并在第一金属氧化物添加配体，使得形成的掺杂金属化合物与硫醇类、醇胺类或多羟基醚类配体配位，形成掺杂配位金属氧化物，提高了第一金属氧化物的导带，使得量子点发光层和掺杂配位金属化合物带底能级匹配，减小掺杂配位金属化合物和量子点发光层之间的势垒，利于电子传输。
在一些实施例中，金属镁或铝与第一金属氧化物的摩尔百分比可以是5%、7%、10%、12%、15%、18%或20%中的任意一者。本实施例中金属单质与第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，保证了金属单质的掺杂比例，提高了金属氧化物的导带底能级，使得量子点发光层和掺杂配位金属化合物的导带底能级匹配。
另外，通过在掺杂金属氧化物中添加长链配体，使得第二金属氧化物的空间位阻增大，提高第一金属氧化物的热稳定性，掺杂配位金属化合物的耐热温度大于60摄氏度。
在一些实施例中，第一金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
提供第二金属氧化物。在一些实施例中，提供第二金属氧化物的步骤之后，还可以包括：利用离子对第二金属氧化物进行掺杂，离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当离子选自阳离子锡时，离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当离子选自阴离子硒或硫时，离子与第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间。
具体的，利用锡离子、硒离子或硫离子中的至少一种对第二金属氧化物进行掺杂，降低第二金属氧化物的导带，使得第二金属氧化物和阴极的导带底能级匹配。
在一实施例中，第二金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
将掺杂配位金属化合物和第二金属氧化物或离子掺杂金属氧化物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成金属氧化物混合液。
步骤B3：在第一预设温度下，对金属氧化物混合液进行第一次退火处理，以形成第一电子传输层202，第一电子传输层202位于第一面101a。
具体的，在第一预设温度下，对金属氧化物混合液进行第一次退火处理，使得第二金属氧化物或离子掺杂金属氧化物沉积在第一面201a上，形成第一电子传输层202。其中，第一预设温度大于第二金属氧化物或离子掺杂金属氧化物的热稳定温度。在一实施例中，第一预设温度的取值介于40摄氏度和70摄氏度之间，退火时间介于5分钟至40分钟之间。当使用40摄氏度至70摄氏度之间的温度对金属氧化物混合液进行退火时，金属氧化物混合液中热稳定性较差的第二金属氧化物或离子掺杂金属氧化物优先团聚沉积至第一器件板201的第一面201a，形成第一电子传输层202。
步骤B4：在第二预设温度下，对金属氧化物混合液进行第二次退火处理，以形成第二电子传输层203，第二电子传输层203位于第一电子传输层202远离第一器件板201的一面，其中，第二预设温度大于第一预设温度。
具体的，在第二预设温度下，对金属氧化物混合液进行第二次退火处理，使得掺杂配位金属化合物团聚在第一电子传输层202远离第一器件板201的一面上，形成第二电子传输层203。在一实施例中，第二预设温度的取值介于75摄氏度和130摄氏度之间，退火时间介于5分钟至70分钟之间。当使用75摄氏度至130摄氏度之间的温度对金属氧化物混合液进行退火时，金属氧化物混合液中热稳定性较强的掺杂配位金属化合物团聚沉积第一电子传输层202上，形成第二电子传输层203。
在一实施例中，可以在负压或常温环境下进行退火处理，在负压下进行退火处理的优点在于：溶剂挥发得更彻底，沉积形成的第一电子传输层202和第二电子传输层203更均匀，增加了第一电子传输层202和第二电子传输层203的稳定性。
步骤B5：在第二电子传输层203远离第一电子传输层202的一面形成第二器件板204。
其中，第二器件板204为量子点发光层。
在一些实施例中，在步骤B5之后，还可以包括：在第二器件板204上依次形成空穴传输层205、空穴注入层206和阳极207。
在本申请实施例提供的发光器件的制作方法中，将金属氧化物混合物涂布在阴极上，由于金属氧化物混合液中包括的掺杂配位金属化合物和离子掺杂金属氧化物的团聚温度不同，因此，可以采用多段退火工艺对金属氧化物混合液进行退火处理，由此，在不同温度的退火温度下形成第一电子传输层和第二电子传输层，解决了发光器件中电子传输层制作步骤繁琐的问题。
另外，由于掺杂配位金属化合物和量子点发光层的导带底能级的差值介于0.1eV至0.5eV之间，使得量子点发光层和掺杂配位金属化合物的导带底能级匹配，减小掺杂配位金属化合物和量子点发光层之间的势垒；离子掺杂金属氧化物或第二金属氧化物和阴极之间的导带底能级的差值介于0.2eV至0.4eV，减小了离子掺杂金属氧化物或第二金属氧化物和阴极之间的势垒，利于电子从阴极传输至量子点发光层，提高发光器件的发光效率。
请参阅图10，本申请实施例还提供一种显示面板。显示面板1000包括阵列基板300和设置在阵列基板300上的发光器件100或发光器件200。
其中，发光器件100和发光器件200由上述发光器件的制作方法制成。
本申请实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，在本申请实施提供的发光器件的制作方法中，采用多段退火工艺形成电子传输层，解决了发光器件中电子传输层制作步骤繁琐的问题。
综上所述，虽然本申请已以实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种发光器件的制作方法，其中，包括以下步骤：
    提供第一器件板；
    在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液；
    在第一预设温度下，对所述金属氧化物混合液进行第一次退火处理，以形成第一电子传输层；
    在第二预设温度下，对所述金属氧化物混合液进行第二次退火处理，以形成第二电子传输层，所述第二电子传输层位于所述第一电子传输层远离所述第一器件板的一面，其中，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；
    在所述第二电子传输层远离所述第一电子传输层的一面形成第二器件板。
  2. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
    利用金属单质掺杂第一金属氧化物，形成掺杂金属氧化物，所述金属单质包括镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间；
    在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
    将所述掺杂金属氧化物和所述配位金属化合物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
  3. 根据权利要求2所述的发光器件的制作方法，其中，所述在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物的步骤之前，还包括：
    利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间。
  4. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
    利用金属单质掺杂第一金属氧化物，形成掺杂金属氧化物，所述金属单质包括镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间；
    利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间；
    在第二金属氧化物中加入配体，形成配位金属化合物，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
    将所述掺杂金属氧化物和所述配位金属化合物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
  5. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
    利用金属单质掺杂第一金属氧化物以及在所述第一金属氧化物中添加配体，形成掺杂配位金属化合物，所述金属单质包括金属镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
    提供第二金属氧化物；
    将所述掺杂配位金属化合物和所述第二金属氧化物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
  6. 根据权利要求5所述的发光器件的制作方法，其中，所述提供第二金属氧化物的步骤之后，还包括：
    利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，以形成离子掺杂金属氧化物，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间。
  7. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述在所述第一器件板上涂布金属氧化物混合液的步骤之前，还包括：
    利用金属单质掺杂第一金属氧化物以及在所述第一金属氧化物中添加配体，形成掺杂配位金属化合物，所述金属单质包括金属镁、铝中的至少一种，所述金属单质与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于5%至20%之间，所述配体选自硫醇类、醇胺类和多羟基醚类，当所述配体选自所述硫醇类或所述醇胺类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于0.1%至10%之间，当所述配体选自所述多羟基醚类时，所述配体与所述第一金属氧化物的摩尔百分比介于10%至50%之间；
    提供第二金属氧化物；
    利用离子对所述第二金属氧化物进行掺杂，以形成离子掺杂金属氧化物，所述离子选自锡、硒或硫中的至少一种，当所述离子选自阳离子锡时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于10%至30%之间，当所述离子选自阴离子硒或硫时，所述离子与所述第二金属氧化物的摩尔百分比介于1%至15%之间；
    将所述掺杂配位金属化合物和所述第二金属氧化物溶解于醇类和/或醚类溶剂中，形成所述金属氧化物混合液。
  8. 根据权利要求2所述的发光器件的制作方法，其中，所述第一金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种，所述第二金属氧化物选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
  9. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述第一预设温度的取值介于40摄氏度和70摄氏度之间，所述第二预设温度的取值介于75摄氏度和130摄氏度之间。
  10. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述第一器件板为量子点发光层，所述第二器件板为阴极。
  11. 根据权利要求10所述的发光器件的制作方法，其中，在所述提供第一器件板的步骤之前，还包括：
    依次形成层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层，所述第一器件板设置在空穴传输层远离空穴注入层的一面。
  12. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述第一器件板为阴极，所述第二器件板为量子点发光层。
  13. 根据权利要求12所述的发光器件的制作方法，其中，所述在所述第二电子传输层远离所述第一电子传输层的一面形成第二器件板的步骤之后，还包括：
    在所述第二器件板上依次形成空穴传输层、空穴注入层和阳极。
  14. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述第一电子传输层的材料是金属单质掺杂的金属氧化物，金属氧化物可以选自ZnO、TiO 2、Fe 2O 3、SnO 2、Ta 2O 3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种，金属单质选自镁或铝。
  15. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述第二电子传输层的材料可以是配位金属化合物，配位金属化合物由长链配体与金属氧化物配位形成，长链配体选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物。
  16. 根据权利要求15所述的发光器件的制作方法，其中，硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物包括乙醇胺、丁硫醇或三缩四乙二醇。
  17. 根据权利要求1所述的发光器件的制作方法，其中，所述第二电子传输层的材料是离子掺杂配位金属化合物，离子掺杂配位金属化合物由离子掺杂金属氧化物，再与长链配体配位形成，长链配体选自硫醇类、醇胺类或多羟基醚类化合物。
  18. 根据权利要求17所述的发光器件的制作方法，其中，离子掺杂物选自锡离子、硒离子或硫离子中的至少一种。
  19. 一种发光器件，其中，所述发光器件由权利要求1所述的发光器件的制作方法制成。
  20. 一种显示面板，其中，所述显示面板包括阵列基板和如权利要求19所述的发光器件，所述发光器件设置在所述阵列基板上。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728179A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法
CN109962179A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法与qled器件
WO2020108071A1 (zh) * 2018-11-28 2020-06-04 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111653678A (zh) * 2020-06-12 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制作方法、显示面板、显示装置
CN112151648A (zh) * 2020-10-27 2020-12-29 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12058930B2 (en) * 2018-02-20 2024-08-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic apparatus
CN108550614B (zh) * 2018-05-31 2020-03-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置
CN108539034B (zh) * 2018-05-31 2020-10-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置
JP2020025068A (ja) * 2018-07-31 2020-02-13 株式会社リコー 光電変換素子、光電変換素子モジュール、有機薄膜太陽電池、電子機器、及び電源モジュール
WO2020116615A1 (ja) * 2018-12-07 2020-06-11 出光興産株式会社 新規化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN111384263B (zh) * 2018-12-29 2021-11-19 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
TWI887239B (zh) * 2019-05-17 2025-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子機器及照明裝置
US12317669B2 (en) * 2019-07-04 2025-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting element for improving electron transport efficiency
EP3809474B1 (en) * 2019-10-18 2023-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device and electronic device
CN115700039A (zh) * 2020-02-04 2023-02-03 无处不在能量公司 用于有机光伏器件的复合电荷传输层
WO2021261493A1 (ja) * 2020-06-23 2021-12-30 三国電子有限会社 塗布型無機透明酸化物半導体電子輸送層を有する逆構造エレクトロルミネセンス素子
CN112151689B (zh) * 2020-09-28 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光器件、其制备方法及显示装置
KR102914549B1 (ko) * 2020-10-15 2026-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114695752A (zh) * 2020-12-31 2022-07-01 Tcl科技集团股份有限公司 一种显示器件及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109962179A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法与qled器件
WO2020108071A1 (zh) * 2018-11-28 2020-06-04 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN109728179A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法
CN111653678A (zh) * 2020-06-12 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制作方法、显示面板、显示装置
CN112151648A (zh) * 2020-10-27 2020-12-29 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

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