WO2022220346A1 - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents

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WO2022220346A1
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윤석근
현서용
이인호
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(주)피엔에이치테크
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Definitions

  • the present invention relates to an organic compound, and more particularly, to an organic compound characterized in that it is employed as an organic layer material in an organic light emitting device, and an organic light emitting device with significantly improved light emitting characteristics such as low voltage driving and excellent luminous efficiency of the device by employing the same is about
  • the organic light emitting device can be formed on a transparent substrate as well as being able to drive at a low voltage of 10 V or less compared to a plasma display panel or an inorganic electroluminescence (EL) display, and consume relatively little power. , has the advantage of excellent color, and can represent three colors of green, blue, and red, and has recently become a subject of much interest as a next-generation display device.
  • EL electroluminescence
  • an object of the present invention is to provide a novel organic compound capable of implementing excellent light emitting characteristics such as low voltage driving and improved luminous efficiency of the device by being employed in an organic layer in an organic light emitting device and an organic light emitting device including the same.
  • the present invention provides an organic compound represented by the following [Formula I] and an organic light emitting device comprising the same in an organic layer in the device.
  • the organic compound according to the present invention is employed as a material for an organic layer such as an electron transport layer in an organic light emitting device, it is possible to realize light emitting characteristics such as low voltage driving and excellent luminous efficiency of the device, so that it can be usefully used in various display devices.
  • the present invention relates to an organic compound represented by the following [Formula I] that can achieve luminescence characteristics such as low voltage driving and excellent luminous efficiency of the device of an organic light emitting device, and structurally a skeleton structure represented by the following [Formula I], That is, it is characterized in that A and B substituents are introduced at the characteristic positions of the fluorene (dibenzofuran, dibenzothiophene) derivative structure, and through these structural features, the low voltage driving characteristics and luminous efficiency characteristics of the organic light emitting diode can be improved.
  • [Formula I] that can achieve luminescence characteristics such as low voltage driving and excellent luminous efficiency of the device of an organic light emitting device
  • structurally a skeleton structure represented by the following [Formula I] That is, it is characterized in that A and B substituents are introduced at the characteristic positions of the fluorene (dibenzofuran, dibenzothiophene) derivative structure, and through these structural features, the low voltage driving characteristics and
  • X is O, S or CR 1 R 2 .
  • R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 20 cycloalkyl group, or substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.
  • R 1 and R 2 may be combined with each other to form an alicyclic ring or an aromatic ring.
  • L 1 and L 2 are a single bond, or are selected from a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group and a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group, and o and p are each independently 0 to 4 is an integer, and when o and p are 2 or more, a plurality of L 1 and L 2 are the same as or different from each other, respectively.
  • a and B are the same or different from each other, and each independently represent a characteristic substituent other than hydrogen.
  • At least one of A and B is characterized in that it is represented by the following [Formula 1]. That is, A and B are each defined as any one substituent selected from the above definitions of substituents, and at least one of A and B is a substituted or unsubstituted pyridine derivative structure represented by the following [Structural Formula 1] It is characterized in that .
  • R is hydrogen, deuterium, halogen, cyano group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 heterocycloalkyl group, A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylamine group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 of an arylamine group, a substituted or unsubstituted C1-C20 alkylsilyl group, a substituted or unsubstituted C6-C30 arylsilyl group, and a substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, q is an integer of 0 to 4, and
  • l is an integer of 1 to 4, and when l is 2 or more, the structures in a plurality of parentheses [ ] are the same or different from each other.
  • R, R 1 , R 2 , L 1 , L 2 , A and B 'substituted or unsubstituted' means R, R 1 , R 2 , L 1 , L 2 , A and B is deuterium, a halogen group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkyl group, a halogenated alkyl group, a deuterated alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocycloalkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkoxy group, a deuterated alkoxy group, an aryl It means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a group, a heteroaryl group, an alkylsilyl group and an arylsilyl group, is substituted with a substituent to which two or more of the substituents are connected, or does not have any substitu
  • the substituted aryl group means that a phenyl group, a biphenyl group, a naphthalene group, a fluorenyl group, a pyrenyl group, a phenanthrenyl group, a perylene group, a tetracenyl group, an anthracenyl group, etc. are substituted with other substituents do.
  • the substituted heteroaryl group refers to a pyridyl group, a thiophenyl group, a triazine group, a quinoline group, a phenanthroline group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, a carbazole group and a condensed heterocyclic group thereof, such as a benzquinoline group.
  • a benzimidazole group, a benzoxazole group, a benzthiazole group, a benzcarbazole group, a dibenzothiophenyl group, a dibenzofuran group, and the like are substituted with other substituents.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 20.
  • Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, 1-methyl-butyl group, 1- Ethyl-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, hexyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 4-methyl- 2-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, heptyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, 2-
  • the alkoxy group may be straight-chain or branched.
  • the number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, it is preferably 1 to 20, which is a range that does not cause steric hindrance.
  • a deuterated alkyl group or alkoxy group, halogenated alkyl group or alkoxy group means an alkyl group or alkoxy group in which the alkyl group or alkoxy group is substituted with deuterium or a halogen group.
  • the aryl group may be monocyclic or polycyclic, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably 6 to 30, and also includes a polycyclic aryl group structure fused with cycloalkyl or the like, and a monocyclic aryl group
  • the group include a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a stilbene group
  • examples of the polycyclic aryl group include a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a tetracenyl group, and a chrysenyl group.
  • a fluorenyl group, an acenaphthacenyl group, a triphenylene group, a fluoranthrene group, and the like but the scope of the present invention is not limited to these examples.
  • the fluorenyl group is a structure in which two ring organic compounds are connected through one atom, for example, , , etc.
  • the fluorenyl group includes a structure of an open fluorenyl group, wherein the open fluorenyl group is a structure in which one ring compound is disconnected in a structure in which two ring organic compounds are connected through one atom. , for example , etc.
  • the carbon atom of the ring may be substituted with any one or more heteroatoms selected from N, S and O, for example, , , , etc.
  • the heteroaryl group is a heterocyclic group containing O, N, or S as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 2 to 30 carbon atoms, and is a polycyclic group in which cycloalkyl or heterocycloalkyl is fused.
  • a heteroaryl group structure and specific examples thereof in the present invention include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group , pyrimidyl group, triazine group, triazole group, acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzoc
  • the silyl group is an unsubstituted silyl group or a silyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, etc.
  • specific examples of the silyl group include trimethylsilyl, triethylsilyl, triphenylsilyl, trimethoxysilyl, dimethoxy phenylsilyl, diphenylmethylsilyl, diphenylvinylsilyl, methylcyclobutylsilyl, dimethylfurylsilyl, and the like, but is not limited thereto.
  • the cycloalkyl group refers to, and includes, monocyclic, polycyclic and spiro alkyl radicals, preferably containing 3 to 20 ring carbon atoms, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, bicyclo heptyl, spirodecyl, spirodecyl, adamantyl, and the like, wherein the cycloalkyl group may be optionally substituted.
  • heterocycloalkyl groups refer to and include aromatic and non-aromatic cyclic radicals containing one or more heteroatoms, wherein one or more heteroatoms are O, S, N, P, B, Si, and Se , Preferably it is selected from O, N, or S, and specifically, when N is included, it may be aziridine, pyrrolidine, piperidine, azepane, azocan, and the like.
  • the organic compound according to the present invention represented by the [Formula I] can be used as various organic layers, including the electron transport layer in the organic light emitting device due to its structural specificity.
  • Preferred examples of the organic compound represented by [Formula I] according to the present invention include the following compounds, but are not limited thereto.
  • the organic compound according to the present invention can synthesize organic compounds having various characteristics using a characteristic skeleton exhibiting intrinsic characteristics and a moiety having intrinsic characteristics introduced thereto, and as a result, organic compounds having various characteristics can be synthesized.
  • the organic compound according to the present invention can be applied to various organic layer materials such as a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer, and is preferably an electron transport material. can do it
  • the compound of the present invention can be applied to a device according to a general organic light emitting device manufacturing method.
  • the organic light emitting device may have a structure including a first electrode and a second electrode and an organic layer disposed therebetween, except that the organic compound according to the present invention is used in the organic layer of the device. and can be manufactured using conventional device manufacturing methods and materials.
  • the organic layer of the organic light emitting diode according to the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic layers are stacked.
  • it may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, etc., a structure including a light efficiency improving layer (Capping layer) provided in the organic light emitting device It may have, but is not limited thereto, and may include a smaller number or a larger number of organic layers.
  • the organic light emitting diode according to the present invention is a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation. It can be prepared by depositing an anode, forming an organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic light emitting diode may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic layer, and an anode material on a substrate.
  • the organic layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure.
  • the organic layer can be formed in a smaller number by a solvent process rather than a deposition method using various polymer materials, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method. It can be made in layers.
  • anode material a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic layer.
  • the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc.
  • Metal oxides, combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb, poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDT) , a conductive polymer such as polypyrrole and polyaniline, but is not limited thereto.
  • the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof, and multilayers such as LiF/Al or LiO 2 /Al Structural materials and the like, but are not limited thereto.
  • the hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer.
  • the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organic material, perylene-based organic material, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport material a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer is suitable, and a material having high hole mobility is suitable.
  • Specific examples include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together. can be further improved.
  • the light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ), carbazole-based compounds, dimerized styryl compounds, BAlq, 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds, benzoxazole, benzthiazole and Benzimidazole-based compounds, poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers, spiro compounds, polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transport material a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable.
  • a material having high electron mobility is suitable.
  • Specific examples of such conventional compounds include, but are not limited to, an Al complex of 8-hydroxyquinoline, a complex including Alq 3 , an organic radical compound, and a hydroxyflavone-metal complex.
  • the organic light emitting diode according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.
  • the organic compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to an organic light emitting device in an organic electronic device including an organic solar cell, an organic photoreceptor, and an organic transistor.
  • 6-Phenyldibenzofuran-4-boronic acid (10.0 g, 0.035 mol), intermediate 76-1 (11.1 g, 0.042 mol), K 2 CO 3 (14.4 g, 0.104 mol), catalyst Pd(OAc) 2 (2.0 g, 0.002 mol), the ligand X-Phos (1.7 g, 0.004 mol), 200 mL of THF and 50 mL of H 2 O were added, and the reaction was stirred at 90° C. for 6 hours. After completion of the reaction, extraction and concentration were performed, followed by column and recrystallization to obtain 11.2 g (yield 68.1%) of ⁇ Compound 76>.
  • Synthesis example 8 Synthesis of compound 104
  • 6-Phenyldibenzofuran-4-boronic acid (10.0 g, 0.035 mol), 3-Chloro-2,6-diphenylpyridine (11.1 g, 0.042 mol), K 2 CO 3 (14.4 g, 0.104 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.8 g, 0.0007 mol) was put into 140 mL of Toluene, 35 mL of EtOH, and 35 mL of H 2 O, followed by stirring at 100 °C for 6 hours. After completion of the reaction, 11.8 g (yield 71.8%) of ⁇ Compound 175> was obtained by extraction and concentration, followed by column and recrystallization.
  • the ITO transparent electrode is patterned so that the light emitting area is 2 mm ⁇ 2 mm on a glass substrate of 25 mm ⁇ 25 mm ⁇ 0.7 mm, using an ITO glass substrate to which an ITO transparent electrode is attached. and then washed. After the substrate was mounted in a vacuum chamber and the base pressure was set to 1 ⁇ 10 -6 torr or more, the organic material and the metal were deposited on the ITO in the following structure.
  • ITO / hole injection layer HAT-CN, 5 nm
  • hole transport layer ⁇ -NPB, 100 nm
  • electron blocking layer EBL1 10 nm
  • light emitting layer (20 nm
  • electron transport layer 201: Liq, 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm)
  • [HAT-CN] was used to deposit a thickness of 5 nm, and then the hole transport layer was deposited at 100 nm using ⁇ -NPB.
  • the electron blocking layer was deposited to a thickness of 10 nm using [EBL1].
  • [BH1] was used as the host compound for the light emitting layer, and the dopant compound was co-deposited to a thickness of 20 nm using [BD1], and the electron transport layer used the compound according to the present invention described in [Table 1] below. was deposited to 30 nm (Liq doping), and then LiF was deposited to a thickness of 1 nm to form an electron injection layer.
  • Al was formed into a film to a thickness of 100 nm to manufacture an organic light emitting device.
  • the organic light emitting device for Device Comparative Example 1 was manufactured in the same manner except that the following [ET1] was used instead of the compound according to the present invention as an electron transport layer material in the device structure of the above Example.
  • the organic light emitting device for Device Comparative Example 2 was manufactured in the same manner except that the following [ET2] was used instead of the compound according to the present invention as an electron transport layer material in the device structure of the above Example.
  • Example electron transport layer V cd/A CIEx CIEy One Formula 1 3.9 7.7 0.132 0.147 2 Formula 2 3.8 8.1 0.134 0.148 3 Formula 3 4.1 7.4 0.132 0.148 4 Formula 4 3.9 7.7 0.132 0.147 5 Formula 5 3.7 7.8 0.129 0.153 6 Formula 6 3.7 7.7 0.131 0.152 7 Formula 7 4.1 7.8 0.133 0.145 8 Formula 8 3.6 8.0 0.131 0.149 9 Formula 9 3.6 7.6 0.132 0.142 10 Formula 10 4.1 7.9 0.133 0.145 11 Formula 11 3.8 7.5 0.132 0.148 12 Formula 12 3.9 8.1 0.131 0.147 13 Formula 19 3.9 7.4 0.132 0.148 14 Formula 20 4.0 7.5 0.134 0.145 15 Formula 21 3.7 7.9 0.133 0.146 16 Formula 24 4.1 7.7 0.132 0.147 17 Formula 25 3.8 7.5 0.131 0.153 18 Formula 26 4.1 7.4 0.132 0.148 19 Formula 32 4.1 8.2 0.133 0.145 20 Formula 34 3.9 7.5 0.133 0.152 21 Formula 36 4.0 7.2 0.133 0.146 22 Formula 37 4.3 7.5
  • the organic compound according to the present invention is employed as a material for an organic layer such as an electron transport layer in an organic light emitting device, light emitting characteristics such as low voltage driving and excellent luminous efficiency of the device can be realized, so the present invention is industrially useful for various lighting and display devices. can be used

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Abstract

본 발명은 유기발광소자 내의 전자수송층 등의 유기층에 채용되어서 유기발광소자의 저전압 구동 특성과 함께 현저하게 향상된 우수한 발광 효율 등을 소자 특성을 구현할 수 있는 유기 화합물로서, 본 발명에 따른 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자는 다양한 조명 및 디스플레이 소자 등에 산업적으로 유용하게 활용될 수 있다.

Description

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
본 발명은 유기 화합물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기발광소자 내의 유기층 재료로 채용되는 것을 특징으로 하는 유기 화합물과 이를 채용하여 소자의 저전압 구동과 우수한 발광 효율 등의 발광 특성이 현저히 향상된 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광소자는 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel)이나 무기전계발광 (EL) 디스플레이에 비해 10 V 이하의 저전압 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있고, 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 최근에 차세대 디스플레이 소자로 많은 관심의 대상이 되고 있다.
다만, 이러한 유기발광소자가 상기와 같은 특징으로 발휘하기 위해서는 소자 내 유기층을 이루는 물질인 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지는 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다.
따라서, 더욱 안정적인 유기발광소자를 구현하고, 소자의 고효율, 장수명, 대형화 등을 위해서는 효율 및 수명 특성 측면에서 추가적인 개선이 요구되고 있는 상황이고, 특히 유기발광소자의 각 유기층을 이루는 소재에 대한 개발이 절실히 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명은 유기발광소자 내의 유기층에 채용되어 소자의 저전압 구동과 향상된 발광 효율 등의 우수한 발광 특성을 구현할 수 있는 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물 및 이를 소자 내 유기층에 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
[화학식 Ⅰ]
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000001
상기 [화학식 Ⅰ]의 특징적인 구조와 이에 의하여 구현되는 화합물, L1, L2, A 및 B의 구조 및 정의에 대해서는 후술하기로 한다.
본 발명에 따른 유기 화합물을 유기발광소자 내의 전자수송층 등의 유기층 재료로 채용할 경우에 소자의 저전압 구동과 우수한 발광 효율 등의 발광 특성을 구현할 수 있어 다양한 디스플레이 소자에 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 유기발광소자의 소자의 저전압 구동과 우수한 발광 효율 등의 발광 특성을 거둘 수 있는 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물에 관한 것으로서, 구조적으로 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 골격 구조, 즉 플루오렌 (다이벤조퓨란, 다이벤조티오펜) 유도체 구조의 특징적 위치에 A, B 치환기를 도입한 것을 특징으로 하고, 이러한 구조적 특징을 통하여 유기발광소자의 저전압 구동 특성, 발광 효율 특성을 향상시킬 수 있다.
[화학식 Ⅰ]
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000002
상기 [화학식 Ⅰ]에서,
X는 O, S 또는 CR1R2이다.
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택된다.
또한, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 지환족 고리 또는 방향족 고리를 형성할 수 있다.
L1 및 L2는 단일결합이거나, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되며, o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, 상기 o 및 p가 각각 2 이상인 경우 복수 개의 L1 및 L2는 각각 서로 동일하거나 상이하다.
A 및 B는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소가 아닌 특징적 치환기로서, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택되며, n 및 m은 각각 1 내지 2의 정수이고, 상기 n 및 m이 각각 2 이상인 경우 복수 개의 A 및 B는 각각 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 따른 [화학식 Ⅰ]에서, 상기 A 및 B 중에서 적어도 하나 이상은 하기 [구조식 1]로 표시되는 것을 특징으로 한다. 즉, A 및 B는 각각 상기 치환기 정의 중에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 정의되고, A 및 B 중에서 적어도 하나 이상은 하기 [구조식 1]로 표시되는 치환 또는 비치환된 피리딘 유도체 구조인 것을 특징으로 한다.
[구조식 1]
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000003
상기 [구조식 1]에서,
R은 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 중에서 선택되고, q는 0 내지 4의 정수이며, 상기 q가 2 이상인 경우 복수 개의 R은 서로 동일하거나 상이하다.
l은 1 내지 4의 정수이며, 상기 l이 2 이상인 경우 복수 개의 괄호 [ ] 내의 구조는 서로 동일하거나 상이하다.
한편, 상기 R, R1, R2, L1, L2, A 및 B의 정의에서, '치환 또는 비치환된'이라 함은 상기 R, R1, R2, L1, L2, A 및 B가 각각 중수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 알킬기, 할로겐화된 알킬기, 중수소화된 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알콕시기, 할로겐화된 알콕시기, 중수소화된 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기 및 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
구체적인 예를 들면, 치환된 아릴기라 함은, 페닐기, 비페닐기, 나프탈렌기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 페릴렌기, 테트라세닐기, 안트라센닐기 등이 다른 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 치환된 헤테로아릴기라 함은, 피리딜기, 티오페닐기, 트리아진기, 퀴놀린기, 페난트롤린기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 카바졸기 및 이들의 축합헤테로고리기, 예컨대 벤즈퀴놀린기, 벤즈이미다졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈티아졸기, 벤즈카바졸기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨란기 등이 다른 치환기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 치환기들의 예시들에 대해서 아래에서 구체적으로 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥틸메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 입체적 방해를 주지 않는 범위인 1 내지 20개인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, i-프로필옥시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, sec-부톡시기, n-펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 3,3-디메틸부틸옥시기, 2-에틸부틸옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기, 벤질옥시기, p-메틸벤질옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 중수소화된 알킬기 또는 알콕시기, 할로겐화된 알킬기 또는 알콕시기는 상기 알킬기 또는 알콕시기가 중수소 또는 할로겐기로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 의미한다.
본 발명에 있어서, 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 30인 것이 바람직하며, 또한 시클로알킬 등이 융합된 다환식 아릴기 구조를 포함하고, 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 스틸벤기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오안트렌기 (fluoranthrene) 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조로서, 예로는
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000004
,
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000005
,
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000006
등이 있다.
본 발명에 있어서, 플루오레닐기는 열린 플루오레닐기의 구조를 포함하며, 여기서 열린 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조에서 한쪽 고리 화합물의 연결이 끊어진 상태의 구조로서, 예로는
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000007
,
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000008
등이 있다.
또한, 상기 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며, 예로는
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000009
,
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000010
,
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000011
,
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000012
등이 있다.
본 발명에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 시클로알킬 또는 헤테로시클로알킬 등이 융합된 다환식 헤테로아릴기 구조를 포함하며, 본 발명에서 이의 구체적인 예를 들면, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난트롤린기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기, 페녹사진기, 페노티아진기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 실릴기는 비치환된 실릴기 또는 알킬기, 아릴기 등으로 치환된 실릴기로서, 이러한 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 할로겐기의 구체적인 예로는 플루오르(F), 클로린(Cl), 브롬(Br) 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 시클로알킬기는 단환, 다환 및 스피로 알킬 라디칼을 지칭하고, 이를 포함하며, 바람직하게는 탄소수 3 내지 20의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 비시클로헵틸, 스피로데실, 스피로운데실, 아다만틸 등을 포함하며, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
본 발명에 있어서, 헤테로시클로알킬기는 하나 이상의 헤테로 원자를 함유하는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼을 지칭하고, 이를 포함하며, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는 O, N 또는 S로부터 선택되며, 구체적으로 N을 포함하는 경우 아지리딘, 피롤리딘, 피페리딘, 아제판, 아조칸 등일 수 있다.
상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 본 발명에 따른 유기 화합물은 그 구조적 특이성으로 인하여 유기발광소자 내의 전자수송층을 포함하여 다양한 유기층으로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물의 바람직한 구체예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
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Figure PCTKR2021013093-appb-img-000038
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Figure PCTKR2021013093-appb-img-000040
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000041
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000042
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000043
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Figure PCTKR2021013093-appb-img-000049
이와 같이, 본 발명에 따른 유기 화합물은 고유의 특성을 발휘하는 특징적인 골격과 이에 도입되는 고유의 특성을 갖는 모이어티 (moiety)를 이용하여 다양한 특성을 갖는 유기 화합물을 합성할 수 있고, 그 결과 본 발명에 따른 유기 화합물을 발광층, 정공수송층, 전자수송층, 전자저지층, 정공저지층 등 다양한 유기층 물질로 적용할 수 있고, 바람직하게는 전자수송 재료로 소자의 발광효율 등의 발광 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물은 일반적인 유기발광소자 제조방법에 따라 소자에 적용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있으며, 본 발명에 따른 유기 화합물을 소자의 유기층에 사용한다는 것을 제외하고는 통상의 소자 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자의 유기층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층, 정공저지층 등을 포함할 수 있으며, 유기발광소자에 구비되는 광효율 개선층 (Capping layer)을 포함하는 구조를 가질 수도 있으며, 그러나, 이에 한정되지 않고 더 적은 수, 더 많은 수의 유기층을 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 바람직한 유기발광소자의 유기층 구조 등에 대해서는 후술하는 실시예에서 보다 상세하게 설명한다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링 (sputtering)이나 전자빔 증발 (e-beam evaporation)과 같은 PVD (physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다. 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스 (solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금, 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물 (ITO), 인듐 아연 산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜] (PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금, LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO (highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈 (quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 본 발명에 따른 유기 화합물을 이용하여 소자의 저전압 구동 특성, 발광효율 및 수명 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3), 카르바졸 계열 화합물, 이량체화 스티릴 (dimerized styryl) 화합물, BAlq, 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물, 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물, 폴리(p-페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자, 스피로 (spiro) 화합물, 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하고, 본 발명에 따른 화합물을 이용할 수 있으며, 또한, 종래 화합물과 함께 사용할 수도 있다. 이러한 종래 화합물의 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물, Alq3를 포함한 착물, 유기 라디칼 화합물, 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않고, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
합성예 1 : 화합물 1 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000050
4-Bromo-6-phenyldibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), 4-(Pyridin-3-yl)phenylboronic acid (7.4 g, 0.037 mol), K2CO3 (12.8 g, 0.093 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 1>을 9.1 g (수율 74.0%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=397[(M+1)+]
합성예 2 : 화합물 10 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 10-1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000051
4,6-Dibromodibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), 4-(Pyridin-3-yl)phenylboronic acid (7.3 g, 0.037 mol), K2CO3 (12.8 g, 0.093 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 10-1>을 6.3 g (수율 51.3%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 10의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000052
중간체 10-1 (10.0 g, 0.025 mol), (2-Naphthalenyl)boronic acid (5.2 g, 0.030 mol), K2CO3 (10.4 g, 0.075 mol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.0005 mol)에 Toluene 200 mL, EtOH 50 mL, H2O 50 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 10>을 8.1 g (수율 72.5%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=447[(M+1)+]
합성예 3 : 화합물 25의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 25의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000053
중간체 10-1 (10.0 g, 0.025 mol), 4-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenylboronic acid (10.6 g, 0.030 mol), K2CO3 (10.4 g, 0.075 mol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.0005 mol)에 Toluene 200 mL, EtOH 50 mL, H2O 50 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 25>를 10.5 g (수율 66.9%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=628[(M+1)+]
합성예 4 : 화합물 44의 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 44-1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000054
4,6-Dibromodibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), (3-(Pyridine-3-yl)phenyl)boronic acid (7.3 g, 0.037 mol), K2CO3 (12.7 g, 0.092 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 200 mL, EtOH 50 mL, H2O 50 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 44-1>을 6.2 g (수율 50.5%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 44의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000055
중간체 44-1 (10.0 g, 0.025 mol), (1,1'-Biphenyl)-4-boronic acid (5.9 g, 0.030 mol), K2CO3 (10.4 g, 0.075 mol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.0005 mol)에 Toluene 200 mL, EtOH 50 mL, H2O 50 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 44>를 8.9 g (수율 75.2%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=473[(M+1)+]
합성예 5 : 화합물 58의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 58의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000056
중간체 10-1 (10.0 g, 0.025 mol), 4-Cyanobenzeneboronic acid (4.4 g, 0.030 mol), K2CO3 (10.4 g, 0.075 mol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.0005 mol)에 Toluene 200 mL, EtOH 50 mL, H2O 50 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 58>을 6.3 g (수율 59.7%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=422[(M+1)+]
합성예 6 : 화합물 76의 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 76-1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000057
5-Bromo-2-phenylpyridine (10.0 g, 0.043 mol), (4-Chlorophenyl)boronic acid (8.0 g, 0.051 mol), K2CO3 (17.7 g, 0.128 mol), Pd(PPh3)4 (1.0 g, 0.001 mol)에 Toluene 200 mL, EtOH 50 mL, H2O 50 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 76-1>을 7.5 g (수율 66.1%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 76의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000058
6-Phenyldibenzofuran-4-boronic acid (10.0 g, 0.035 mol), 중간체 76-1 (11.1 g, 0.042 mol), K2CO3 (14.4 g, 0.104 mol), 촉매 Pd(OAc)2 (2.0 g, 0.002 mol), 리간드 X-Phos (1.7 g, 0.004 mol), THF 200 mL와 H2O 50 mL를 넣고 90 ℃에서 6시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 76>을 11.2 g (수율 68.1%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=473[(M+1)+]
합성예 7 : 화합물 92의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 92의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000059
중간체 10-1 (10.0 g, 0.025 mol), 9,9-Dimethyl-2-fluoreneboronic acid (7.1 g, 0.030 mol), K2CO3 (10.4 g, 0.075 mol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.0005 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 92>를 9.6 g (수율 74.8%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=513[(M+1)+]
합성예 8 : 화합물 104의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 104의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000060
4,6-Dibromodibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), 4-(Pyridin-3-yl)phenylboronic acid (14.7 g, 0.074 mol), K2CO3 (25.4 g, 0.184 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 104>를 10.8 g (수율 74.2%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=474[(M+1)+]
합성예 9 : 화합물 105의 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 105-1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000061
중간체 76-1 (10.0 g, 0.038 mol), Bis(pinacolato)diboron (11.5 g, 0.045 mol), KOAc (11.1 g, 0.113 mol), Pd(dppf)Cl2 (1.4 g, 0.002 mol), XPhos (2.7 g, 0.006 mol)에 dioxane 200 mL 넣고 100 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 105-1>을 9.3 g (수율 69.2%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 105의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000062
4,6-Dibromodibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), 중간체 105-1 (26.3 g, 0.074 mol), K2CO3 (25.4 g, 0.184 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 105>를 13.3 g (수율 69.2%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=626[(M+1)+]
합성예 10 : 화합물 127의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 127의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000063
4-Bromo-6-phenyldibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), B-(3,5-Di-3-pyridinylphenyl)boronic acid (10.3 g, 0.037 mol), K2CO3 (12.8 g, 0.093 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 127>을 10.1 g (수율 68.8%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=474[(M+1)+]
합성예 11 : 화합물 147의 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 147-1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000064
4-Bromo-6-phenyldibenzofuran (10.0 g, 0.031 mol), 3,5-Dichlorophenylboronic acid (7.1 g, 0.037 mol), K2CO3 (12.8 g, 0.093 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 147-1>을 9.2 g (수율 76.4%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 147의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000065
중간체 147-1 (10.0 g, 0.026 mol), 4-(Pyridin-3-yl)phenylboronic acid (42.3 g, 0.062 mol), K2CO3 (17.8 g, 0.128 mol), 촉매 Pd(OAc)2 (1.5 g, 0.001 mol), 리간드 X-Phos (1.2 g, 0.003 mol), THF 200 mL와 H2O 50 mL를 넣고 90℃에서 6시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 147>을 20.7 g (수율 66.2%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=626[(M+1)+]
합성예 12 : 화합물 175의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 175의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000066
6-Phenyldibenzofuran-4-boronic acid (10.0 g, 0.035 mol), 3-Chloro-2,6-diphenylpyridine (11.1 g, 0.042 mol), K2CO3 (14.4 g, 0.104 mol), Pd(PPh3)4 (0.8 g, 0.0007 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 175>를 11.8 g (수율 71.8%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=473[(M+1)+]
합성예 13 : 화합물 220의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 220의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000067
4-Bromo-6-phenyldibenzothiophene (10.0 g, 0.030 mol), 4-(Pyridin-3-yl)phenylboronic acid (7.0 g, 0.035 mol), K2CO3 (12.2 g, 0.088 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 220>을 9.6 g (수율 78.8%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=413[(M+1)+]
합성예 14 : 화합물 414의 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 414-1의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000068
4,6-Dibromodibenzothiophene (10.0 g, 0.031 mol), B-(3,5-Di-3-pyridinylphenyl)boronic acid (10.2 g, 0.037 mol), K2CO3 (12.8 g, 0.093 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 414-1>을 7.3 g (수율 47.9%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 414의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000069
중간체 414-1 (10.0 g, 0.020 mol), 4-Cyanobenzeneboronic acid (3.6 g, 0.024 mol), K2CO3 (12.1 g, 0.088 mol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.0006 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 414>를 11.4 g (수율 68.2%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=515[(M+1)+]
합성예 15 : 화합물 421의 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 421의 합성
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000070
중간체 414-1 (10.0 g, 0.020 mol), 3,5-Di-tert-butylbenzeneboronic acid (5.7 g, 0.024 mol), K2CO3 (8.4 g, 0.061 mol), Pd(PPh3)4 (0.5 g, 0.0004 mol)에 Toluene 140 mL, EtOH 35 mL, H2O 35 mL 넣고 6시간 동안 100 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 421>을 7.7 g (수율 63.0%) 수득하였다.
LC/MS: m/z=602[(M+1)+]
소자 실시예 ( ETL )
본 발명에 따른 실시예에서, ITO 투명 전극은 25 mm × 25 mm × 0.7 mm의 유리 기판 위에, ITO 투명 전극이 부착된 ITO 유리 기판을 이용하여, 발광 면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10-6 torr 이상 되도록 한 후 유기물을 상기 ITO 위에 하기 구조로 유기물과 금속을 증착하였다.
소자 실시예 1 내지 83
본 발명에 따라 구현되는 화합물을 전자수송층 재료로 사용하여 하기와 같은 소자 구조를 갖는 유기발광소자를 제작 후, 본 발명에 따라 구현되는 화합물이 갖는 발광 및 구동 특성을 측정하였다.
ITO / 정공주입층 (HAT-CN, 5 nm) / 정공수송층 (α-NPB, 100 nm) / 전자저지층 (EBL1 10 nm) / 발광층 (20 nm) / 전자수송층 (201:Liq, 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm)
ITO 투명 전극에 정공주입층을 형성하기 위해 [HAT-CN]을 이용하여 5 nm 두께로 증착하고, 이후 정공수송층은 α-NPB를 사용하여 100 nm 성막하였다. 전자저지층은 [EBL1]을 사용하여 10 nm의 두께로 증착하였다. 또한, 발광층에는 호스트 화합물로 [BH1]을 사용하고, 도판트 화합물은 [BD1]을 사용하여 두께가 20 nm 되도록 공증착하였으며, 전자수송층은 하기 [표 1]에 기재된 본 발명에 따른 화합물을 사용하여 30 nm (Liq 도핑)로 증착하였으며, 이후 LiF를 1 nm의 두께로 성막하여 전자주입층을 형성하였다. 이후, Al을 100 nm의 두께로 성막하여 유기발광소자를 제작하였다.
소자 비교예 1
소자 비교예 1을 위한 유기발광소자는 상기 실시예의 소자구조에서 전자수송층 재료로 본 발명에 따른 화합물 대신 하기 [ET1]을 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.
소자 비교예 2
소자 비교예 2를 위한 유기발광소자는 상기 실시예의 소자구조에서 전자수송층 재료로 본 발명에 따른 화합물 대신 하기 [ET2]를 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.
실험예 1 : 소자 실시예 1 내지 83의 발광 특성
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기발광소자에 대해서 Source meter (Model 237, Keithley)와 휘도계 (PR-650, Photo Research)를 이용하여 전압, 전류 및 발광 효율을 측정하였고, 1000 nit 기준의 결과값은 하기 [표 1]과 같다.
실시예 전자수송층 V cd/A CIEx CIEy
1 화학식 1 3.9 7.7 0.132 0.147
2 화학식 2 3.8 8.1 0.134 0.148
3 화학식 3 4.1 7.4 0.132 0.148
4 화학식 4 3.9 7.7 0.132 0.147
5 화학식 5 3.7 7.8 0.129 0.153
6 화학식 6 3.7 7.7 0.131 0.152
7 화학식 7 4.1 7.8 0.133 0.145
8 화학식 8 3.6 8.0 0.131 0.149
9 화학식 9 3.6 7.6 0.132 0.142
10 화학식 10 4.1 7.9 0.133 0.145
11 화학식 11 3.8 7.5 0.132 0.148
12 화학식 12 3.9 8.1 0.131 0.147
13 화학식 19 3.9 7.4 0.132 0.148
14 화학식 20 4.0 7.5 0.134 0.145
15 화학식 21 3.7 7.9 0.133 0.146
16 화학식 24 4.1 7.7 0.132 0.147
17 화학식 25 3.8 7.5 0.131 0.153
18 화학식 26 4.1 7.4 0.132 0.148
19 화학식 32 4.1 8.2 0.133 0.145
20 화학식 34 3.9 7.5 0.133 0.152
21 화학식 36 4.0 7.2 0.133 0.146
22 화학식 37 4.3 7.5 0.133 0.146
23 화학식 38 3.8 8.2 0.131 0.149
24 화학식 42 3.9 7.3 0.133 0.147
25 화학식 44 4.0 7.3 0.136 0.144
26 화학식 47 4.1 7.5 0.132 0.148
27 화학식 50 4.0 7.7 0.137 0.147
28 화학식 55 3.8 8.1 0.131 0.142
29 화학식 56 3.9 7.7 0.134 0.147
30 화학식 58 3.8 7.6 0.132 0.143
31 화학식 63 4.0 7.5 0.136 0.145
32 화학식 70 3.9 7.5 0.138 0.146
33 화학식 71 3.8 7.4 0.133 0.151
34 화학식 72 4.1 7.8 0.130 0.135
35 화학식 76 3.9 8.3 0.131 0.152
36 화학식 78 3.7 7.3 0.133 0.148
37 화학식 82 3.9 7.8 0.132 0.148
38 화학식 83 3.9 7.5 0.131 0.145
39 화학식 86 4.0 7.9 0.132 0.146
40 화학식 89 3.8 7.2 0.131 0.142
41 화학식 90 3.7 7.5 0.13 0.145
42 화학식 101 3.7 7.8 0.131 0.146
43 화학식 102 4.2 7.5 0.131 0.147
44 화학식 103 3.9 7.5 0.132 0.148
45 화학식 104 4.0 7.4 0.136 0.143
46 화학식 105 3.9 7.2 0.137 0.152
47 화학식 107 3.7 7.5 0.138 0.147
48 화학식 108 4.0 7.5 0.131 0.142
49 화학식 111 4.1 7.7 0.135 0.146
50 화학식 114 3.6 7.9 0.132 0.142
51 화학식 120 3.7 7.5 0.133 0.145
52 화학식 124 3.7 7.8 0.131 0.146
53 화학식 125 4.2 7.5 0.134 0.149
54 화학식 127 3.9 8.2 0.133 0.146
55 화학식 129 4.0 7.4 0.138 0.151
56 화학식 147 3.9 7.2 0.137 0.153
57 화학식 175 3.7 7.5 0.138 0.147
58 화학식 220 4.0 7.5 0.131 0.142
59 화학식 223 4.1 7.7 0.135 0.146
60 화학식 224 3.6 8.3 0.132 0.142
61 화학식 226 4.0 7.4 0.131 0.143
62 화학식 231 4.0 7.5 0.130 0.144
63 화학식 250 3.9 7.9 0.139 0.147
64 화학식 261 3.8 7.5 0.133 0.145
65 화학식 276 4.0 8.0 0.131 0.142
66 화학식 282 3.9 7.6 0.139 0.146
67 화학식 283 4.3 7.7 0.132 0.142
68 화학식 333 4.0 7.5 0.131 0.143
69 화학식 334 3.7 7.5 0.130 0.144
70 화학식 340 4.2 7.6 0.131 0.142
71 화학식 342 4.0 7.9 0.131 0.147
72 화학식 382 3.8 8.1 0.131 0.143
73 화학식 411 3.9 7.3 0.131 0.145
74 화학식 414 3.8 7.5 0.133 0.146
75 화학식 417 3.7 7.3 0.130 0.145
76 화학식 441 4.0 7.8 0.134 0.146
77 화학식 450 3.8 7.5 0.131 0.145
78 화학식 460 3.7 7.9 0.129 0.144
79 화학식 464 3.7 7.2 0.139 0.144
80 화학식 465 3.6 7.5 0.131 0.147
81 화학식 469 3.6 7.5 0.132 0.148
82 화학식 471 4.1 7.5 0.131 0.147
83 화학식 472 3.8 7.7 0.134 0.149
비교예 1 ET1 4.7 6.6 0.135 0.151
비교예 2 ET2 4.8 6.9 0.137 0.155
상기 [표 1]에 나타낸 결과를 살펴보면, 본 발명에 따른 화합물을 전자수송층 재료로 소자에 적용한 경우에 종래 전자수송 재료로 사용된 화합물과 본 발명에 따른 화합물이 갖는 특징적 구조와 대비되는 화합물을 각각 채용한 소자 (비교예 1 내지 2)에 비하여 저전압 구동 특성과 발광 효율, 양자 효율 등의 발광 특성이 현저히 우수함을 확인할 수 있다.
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000071
[HAT_CN] [α-NPB] [BH1] [BD1] [EBL1]
Figure PCTKR2021013093-appb-img-000072
[ET1] [ET2]
본 발명에 따른 유기 화합물을 유기발광소자 내의 전자수송층 등의 유기층 재료로 채용할 경우에 소자의 저전압 구동과 우수한 발광 효율 등의 발광 특성을 구현할 수 있어 본 발명은 다양한 조명 및 디스플레이 소자 등에 산업적으로 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (6)

  1. 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물:
    [화학식 Ⅰ]
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000073
    상기 [화학식 Ⅰ]에서,
    X는 O, S 또는 CR1R2이고,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 지환족 고리 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고,
    L1 및 L2는 단일결합이거나, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, 상기 o 및 p가 각각 2 이상인 경우 복수 개의 L1 및 L2는 각각 서로 동일하거나 상이하며,
    A 및 B는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    n 및 m은 각각 1 내지 2의 정수이고, 상기 n 및 m이 각각 2 이상인 경우 복수 개의 A 및 B는 각각 서로 동일하거나 상이하며,
    상기 A 및 B 중에서 적어도 하나 이상은 하기 [구조식 1]로 표시되고,
    [구조식 1]
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000074
    상기 [구조식 1]에서,
    R은 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
    q는 0 내지 4의 정수이며, 상기 q가 2 이상인 경우 복수 개의 R은 서로 동일하거나 상이하고,
    l은 1 내지 4의 정수이며, 상기 l이 2 이상인 경우 복수 개의 괄호 [ ] 내의 구조는 서로 동일하거나 상이하다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R, R1, R2, L1, L2, A 및 B의 정의에서, '치환 또는 비치환된'이라 함은 상기 R, R1, R2, L1, L2, A 및 B가 각각 중수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 알킬기, 할로겐화된 알킬기, 중수소화된 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알콕시기, 할로겐화된 알콕시기, 중수소화된 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기 및 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것인 것을 특징으로 하는 유기 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화합물 1] 내지 [화합물 492] 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 화합물:
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000075
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000076
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000077
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000078
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000079
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000080
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000081
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000082
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000083
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000084
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000085
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000086
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000087
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000088
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000089
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000090
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000091
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000092
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000093
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000094
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000095
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000096
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000097
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000098
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000099
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000100
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000101
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000102
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000103
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000104
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000105
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000106
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000107
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000108
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000109
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000110
    Figure PCTKR2021013093-appb-img-000111
  4. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기층을 포함하는 유기발광소자로서,
    상기 유기층 중 1 층 이상은 제1항에 따른 [화학식 Ⅰ]의 유기 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 정공주입과 정공수송 기능을 동시에 하는 층, 전자수송층, 전자주입층, 전자수송과 전자주입 기능을 동시에 하는 층, 전자저지층, 정공저지층 및 발광층 중에서 선택되는 1층 이상을 포함하고,
    상기 층들 중 1층 이상이 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전자수송층, 전자주입층 및 전자수송과 전자주입 기능을 동시에 하는 층 중 어느 하나에 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
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