WO2022208596A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2022208596A1
WO2022208596A1 PCT/JP2021/013243 JP2021013243W WO2022208596A1 WO 2022208596 A1 WO2022208596 A1 WO 2022208596A1 JP 2021013243 W JP2021013243 W JP 2021013243W WO 2022208596 A1 WO2022208596 A1 WO 2022208596A1
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bank
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light
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柏 張
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device including laminated light-emitting elements and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Literature 1 discloses a technique for bending a portion of a flexible substrate included in a display device.
  • bending of the display device may cause defects such as cracks in members on the flexible substrate.
  • a display device includes a substrate having flexibility, a convex portion having a reverse tapered surface on at least part of a side surface of the substrate, a sealing layer containing a material, and having a concave space formed by a side surface of the convex portion and a surface on which the convex portion is formed, wherein the sealing layer covers the upper surface and side surfaces of the convex portion; , and the lower surface of the recessed space, and at least a part of the side surface of the recessed space is the reverse tapered surface.
  • a method for manufacturing a display device forms, on a substrate having flexibility, a convex portion having at least a portion of a reverse tapered side surface.
  • a sealing layer containing a self-repairing material is formed to cover the top and side surfaces and the bottom surface of the recessed space.
  • the display device In addition to making it difficult for defects such as cracks to occur in the members on the flexible substrate, it is possible to provide the display device with the function of repairing the defect even if the defect occurs.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a display device according to Embodiment 1;
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to Embodiment 1;
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of the display device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the display device according to Embodiment 1.
  • FIG. 4A to 4C are process cross-sectional views showing a repairing mechanism of the organic sealing layer by the self-repairing material according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a flow chart showing a method of manufacturing the display device according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a display device according to Embodiment 1;
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to Embodiment 1;
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of the display device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of
  • 4A to 4C are process cross-sectional views in a manufacturing process of the display device according to Embodiment 1; 4A to 4C are cross-sectional views of another process in the manufacturing process of the display device according to Embodiment 1; 4A to 4C are cross-sectional views of another process in the manufacturing process of the display device according to Embodiment 1; 3 is a schematic cross-sectional view of a display device according to Embodiment 2; FIG. FIG. 11 is a partially enlarged view of a cross section of a display device according to Embodiment 2; 8 is a flow chart showing a method for manufacturing a display device according to Embodiment 2.
  • 10A to 10C are process cross-sectional views in a manufacturing process of the display device according to Embodiment 2;
  • FIG. 10 is another process cross-sectional view in the manufacturing process of the display device according to Embodiment 2;
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a display device according to Embodiment 3;
  • FIG. 11 is a partially enlarged view of a cross section of a display device according to Embodiment 3;
  • 10 is a flow chart showing a method of manufacturing a display device according to Embodiment 3;
  • 10A to 10C are process cross-sectional views in a manufacturing process of the display device according to Embodiment 3;
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a display device according to Embodiment 4;
  • 10 is a flow chart showing a method of manufacturing a display device according to Embodiment 4;
  • 10A to 10C are process cross-sectional views in the manufacturing process of the display device according to Embodiment 4;
  • FIG. 14 is another process cross-sectional view in the manufacturing process of the display device according to Embodiment 4;
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the display device 2 according to this embodiment.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes a display area DA in which display is performed by extracting light emitted from each sub-pixel, which will be described later, and a frame area NA surrounding the display area DA. Prepare. Terminals T to which signals for driving the light emitting elements of the display device 2 are input are formed in the frame area NA.
  • FIG. 3 is an enlarged view of area A, which is a partial area of display area DA, in the schematic plan view shown in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a display device 2 according to the present embodiment, particularly a cross-sectional view taken along the line BC in FIG.
  • the illustration of the sealing layer 8 and the cathode 14, which will be described in detail later, is omitted in order to more clearly illustrate the pixels and sub-pixels, which will be described in detail later.
  • the metal layer 26 formed on the upper surface 22T of the projection 22 is omitted in order to more clearly show the relationship between the projection 22 and the metal layer 26, which will be described in detail later. .
  • the display device 2 includes a plurality of pixels at positions overlapping the display area DA in plan view. Also, each pixel comprises a plurality of sub-pixels.
  • the schematic cross-sectional view of the display device 2 shown in FIG. 1 shows a pixel P among a plurality of pixels included in the display device 2 .
  • pixel P comprises a red sub-pixel SPR, a green sub-pixel SPG and a blue sub-pixel SPB.
  • the display device 2 according to this embodiment is a flexible display device having a plurality of light emitting elements on a flexible substrate.
  • the display device 2 according to this embodiment includes a flexible substrate 4, a light emitting element layer 6 on the substrate 4, and a sealing layer 8 covering the light emitting element layer 6.
  • the substrate 4 has a structure in which a TFT (Thin Film Transistor) (not shown) is formed on a flexible film substrate such as a PET film. Furthermore, a flexible light emitting element layer 6 and a sealing layer 8 are formed on the substrate 4 . Therefore, the display device 2 according to this embodiment realizes a flexible display device that can be folded with at least one of the substrate 4 and the sealing layer 8 inside.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the direction from the light-emitting layer 12 of the light-emitting element layer 6 to the anode 10 is referred to as "downward"
  • the direction from the light-emitting layer 12 to the cathode 14 is referred to as "upward”.
  • the light emitting element layer 6 includes an anode 10, a light emitting layer 12 as a functional layer, and a cathode 14 in order from the substrate 4 side.
  • the light-emitting element layer 6 includes the light-emitting layer 12 between the two electrodes of the anode 10 and the cathode 14 .
  • the anode 10 of the light emitting element layer 6 formed on the substrate 4 is formed in an island shape for each sub-pixel described above, and is electrically connected to each of the TFTs of the substrate 4 .
  • the light-emitting element layer 6 includes a plurality of light-emitting elements, particularly one light-emitting element for each sub-pixel.
  • the light-emitting element layer 6 includes, as light-emitting elements, a red light-emitting element 6R for the red sub-pixel SPR, a green light-emitting element 6G for the green sub-pixel SPG, and a blue light-emitting element 6B for the blue sub-pixel SPB. Prepare for each.
  • the term “light-emitting element” refers to any one of the red light-emitting element 6R, the green light-emitting element 6G, and the blue light-emitting element 6B included in the light-emitting element layer 6.
  • each of the anode 10 and the light-emitting layer 12 is individually formed for each sub-pixel.
  • anodes 10 include anode 10R for red light emitting element 6R, anode 10G for green light emitting element 6G, and anode 10B for blue light emitting element 6B.
  • the light emitting layer 12 also includes a red light emitting layer 12R that emits red light, a green light emitting layer 12G that emits green light, and a blue light emitting layer 12B that emits blue light.
  • the cathode 14 is formed in common for a plurality of sub-pixels.
  • the red light emitting element 6R consists of the anode 10R, the red light emitting layer 12R, and the cathode 14.
  • the green light emitting element 6G is composed of an anode 10G, a green light emitting layer 12G, and a cathode .
  • the blue light-emitting element 6B is composed of an anode 10B, a blue light-emitting layer 12B, and a cathode .
  • blue light is, for example, light having an emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • green light is, for example, light having an emission central wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and less than or equal to 600 nm.
  • Red light is light having an emission central wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and less than or equal to 780 nm, for example.
  • the light emitting element layer 6 is not limited to the above structure, and may further include additional layers in the functional layer between the anode 10 and the cathode 14 .
  • the light-emitting element layer 6 may further include at least one of a hole injection layer and a hole transport layer in addition to the light-emitting layer 12 as a functional layer between the anode 10 and the light-emitting layer 12.
  • the light-emitting element layer 6 may further include at least one of an electron-transporting layer and an electron-injecting layer between the light-emitting layer 12 and the cathode 14 .
  • Anode 10 and cathode 14 contain a conductive material and are electrically connected to light-emitting layer 12 .
  • the electrode closer to the display surface of the display device 2 is a translucent electrode.
  • the anode 10 has, for example, a structure in which ITO (Indium Tin Oxide) is laminated on an Ag--Pd--Cu alloy.
  • the anode 10 having the above configuration is, for example, a reflective electrode that reflects light emitted from the light emitting layer 12 . Therefore, of the light emitted from the light-emitting layer 12 , the downward light is reflected by the anode 10 .
  • the cathode 14 is made of, for example, a translucent Mg-Ag alloy. That is, the cathode 14 is a transparent electrode that transmits light emitted from the light emitting layer 12 . Therefore, of the light emitted from the light emitting layer 12 , the upward light is transmitted through the cathode 14 . Thus, the display device 2 can emit light emitted from the light emitting layer 12 upward.
  • both the light emitted upward and the light emitted downward from the light-emitting layer 12 can be directed toward the cathode 14 (upward). That is, the display device 2 is configured as a top emission display device.
  • the cathode 14, which is a semi-transparent electrode partially reflects the light emitted from the light emitting layer 12.
  • a cavity for light emitted from the light-emitting layer 12 may be formed between the anode 10, which is a reflective electrode, and the cathode 14, which is a semi-transparent electrode.
  • the configuration of the anode 10 and the cathode 14 described above is an example, and may have another configuration.
  • the electrode near the display surface of the display device 2 may be the anode 10 .
  • the anode 10 may be a semi-transparent electrode
  • the cathode 14 may be a reflective electrode.
  • the display device 2 can direct both the light emitted upward from the light emitting layer 12 and the light emitted downward from the light emitting layer 12 toward the anode 10 (downward). That is, the display device 2 may be configured as a bottom emission display device.
  • the light-emitting layer 12 is a layer that emits light by recombination of holes transported from the anode 10 and electrons transported from the cathode 14 .
  • Emissive layer 12 may include, for example, an organic luminescent material or an inorganic luminescent material.
  • each light-emitting element may be an OLED (Organic Light-Emitting Diode) element.
  • the light-emitting layer 12 may include a quantum dot material as a light emitter.
  • each light emitting element may be a QLED (Quantum dot Light-Emitting Diode) element.
  • the display device 2 according to this embodiment includes a light-emitting element having an anode 10 on the substrate 4 side, it is not limited to this.
  • the light-emitting element layer 6 included in the display device 2 according to this embodiment may include a cathode 14, a light-emitting layer 12, and an anode 10 which are stacked in order from the substrate 4 side.
  • the cathode 14 is a pixel electrode formed like an island for each sub-pixel
  • the anode 10 is a common electrode formed in common for a plurality of sub-pixels.
  • the display device 2 further includes a bank 16 on the upper surface 4T of the substrate 4.
  • the bank 16 includes, for example, a coatable resin material including polyimide, and is formed at a position straddling the boundary between sub-pixels adjacent to each other in plan view. Therefore, the bank 16 partitions the light emitting element layer 6 into red light emitting elements 6R, green light emitting elements 6G, and blue light emitting elements 6B.
  • anode 10 is separated by bank 16 into anode 10R, anode 10G, and anode 10B.
  • the bank 16 may be formed at a position covering each peripheral edge of the anode 10 as shown in FIG.
  • the bank 16 contains a coatable photosensitive resin.
  • the bank 16 contains a positive photosensitive resin.
  • Banks 16 each have a side surface 16S.
  • the bank 16 is formed so that the area in plan view becomes gradually smaller from the substrate 4 side toward the sealing layer 8 side. Therefore, of the normal directions of the side surfaces 16S, the direction toward the inner side of the bank 16 is closer to the substrate 4 from the sealing layer 8 than the planar direction of the upper surface 4T of the substrate 4, which is the surface on which the bank 16 is formed. direction.
  • the angle formed by the outer surface side of the side surface and the specific surface is an obtuse angle.
  • the side surface is defined as a forward tapered surface.
  • all side surfaces of the truncated quadrangular pyramid are forward tapered surfaces.
  • the bank 16 is formed on the upper surface 4T of the substrate 4. Also, the angle formed by the outer surface side of the side surface 16S of the bank 16 and the upper surface 4T is an obtuse angle. Therefore, the side surface 16S of the bank 16 is a forward tapered surface. Therefore, in the present embodiment, each light emitting element is partitioned by the bank 16 having forward tapered surfaces on its side surfaces, so that each light emitting element is formed between the side walls of the forward tapered surfaces.
  • the sealing layer 8 covers the light emitting element layer 6 and the bank 16 and seals each light emitting element included in the display device 2 .
  • the sealing layer 8 includes an inorganic sealing film 18 and an organic sealing film 20 in order from the light emitting element layer 6 side.
  • the sealing layer 8 reduces the infiltration of foreign substances including moisture and the like into the light emitting element layer 6 and the like from the outside of the display device 2 on the side of the sealing layer 8 .
  • the inorganic sealing film 18 is formed by CVD, for example, and is composed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof.
  • the organic sealing film 20 is made of, for example, a coatable resin material such as polyimide. Furthermore, the organic sealing film 20 according to this embodiment contains a self-repairing material which will be described in detail later.
  • the thickness of the inorganic sealing film 18 is, for example, 1 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less.
  • the thickness of the organic sealing film 20 is, for example, 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the sealing layer 8 according to the present embodiment is not limited to the structure described above, and may further include a second inorganic sealing film on the organic sealing film 20, for example.
  • the organic sealing film 20 also functions as a buffer layer that improves the film-forming properties of the second inorganic sealing film.
  • the display device 2 further includes a convex portion 22 between the bank 16 and the sealing layer 8 .
  • the convex portion 22 according to the present embodiment is formed outside the pixel P in plan view. Therefore, the convex portion 22 is formed on the upper surface 16T of the bank 16 positioned outside the pixel P. As shown in FIG.
  • the convex portion 22 includes, for example, a material that absorbs or reflects at least part of visible light.
  • the protrusions 22 may contain a black resin material containing carbon particles.
  • the convex portion 22 contains a coatable photosensitive resin.
  • the convex portion 22 contains a negative photosensitive resin.
  • the thickness of the convex portion 22 from the upper surface 16T of the bank 16 is, for example, 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the protrusions 22 each have a side surface 22S.
  • the convex portion 22 is formed such that the area in a plan view gradually increases from the substrate 4 side toward the sealing layer 8 side. Therefore, of the normal directions of the side surfaces 22S, the direction toward the outside of the projections 22 is farther from the sealing layer 8 than the planar direction of the upper surface 16T of the bank 16, which is the surface on which the projections 22 are formed. This is the direction toward the substrate 4 .
  • the angle formed by the outer surface side of the side surface and the specific surface is assumed to be an acute angle.
  • the side surface is referred to as a reverse tapered surface in this specification.
  • a reverse tapered surface for example, in a truncated quadrangular pyramid in which the area of the lower base is smaller than the area of the upper base, all side surfaces of the truncated quadrangular pyramid are reverse tapered surfaces.
  • the convex portion 22 is formed on the upper surface 16T of the bank 16. As shown in FIG. Further, the angle formed by the outer surface side of the side surface 22S of the convex portion 22 and the upper surface 16T is an acute angle. Therefore, the side surface 22S of the protrusion 22 is a reverse tapered surface.
  • FIG. 4 is a schematic enlarged view of the recessed space 24 and the periphery of the recessed space 24, and is a schematic enlarged view of the region D in FIG.
  • the recessed space 24 gradually widens from the sealing layer 8 side toward the substrate 4 side in plan view of the substrate 4 .
  • the concave space 24 also has a structure in which the recessed space 24 gradually widens from the side of the sealing layer 8 toward the side of the substrate 4 even in its side cross section.
  • the display device 2 has a metal layer 26 on the top surface 16T of the bank 16 located inside the recessed space 24 and the top surface 22T of the protrusion 22 .
  • metal layer 26 includes a single layer or multiple metals, or an alloy of multiple metals, and reflects at least a portion of visible light.
  • the metal layer 26 contains the same material as the cathode 14 .
  • a metal layer containing the material of the cathode 14 is formed over the entire display area DA of the display device 2, so that the metal layer 26 is formed at the same time as the cathode 14 is formed.
  • the metal layer 26 located inside the recessed space 24 is formed, for example, by stepping the metal layer containing the material of the cathode 14 at the end of the upper surface 22T of the protrusion 22 .
  • the side surface 22S of the convex portion 22 and the upper surface 16T of the bank 16, which are the side surface and the lower surface of the recessed space 24, are covered with the sealing layer 8.
  • the side and bottom surfaces of the recessed space 24 are in contact with the inorganic sealing film 18
  • the inorganic sealing film 18 is in contact with the organic sealing film 20 inside the recessed space 24 . Therefore, inside the recessed space 24 , the outer shapes of the inorganic sealing film 18 and the organic sealing film 20 have a recessed shape that conforms to the internal shape of the recessed space 24 .
  • the inorganic sealing film 18 in contact with the side surfaces and the bottom surface of the recessed space 24 is formed on the side surface 22S, which is the side surface of the recessed space 24, when the inorganic sealing film 18 is formed by the CVD method or the like. It can be formed by wrapping 18 materials. Also, the organic sealing film 20 in contact with the inorganic sealing film 18 in the concave space 24 can be formed by coating the material of the organic sealing film 20 .
  • the concave space 24 has a structure that gradually widens from the sealing layer 8 side toward the substrate 4 side. Therefore, when the substrate 4 of the display device 2 is bent inward, the convex portions 22 move in a direction in which the sealing layer 8 sides of the convex portions 22 separate from each other. Further, when the display device 2 is folded with the sealing layer 8 inward, the convex portions 22 move in a direction in which the sealing layer 8 sides of the convex portions 22 approach each other, so that the concave space 24 becomes smaller.
  • the display device 2 when the display device 2 is folded, the stress generated in each layer of the display device 2 including the light emitting element layer 6 and the sealing layer 8 realizes the above-described movement of the convex portion 22 around the concave space 24. Distributed in the force for Therefore, the display device 2 reduces the stress generated in each layer including the light emitting element layer 6 and the sealing layer 8 on the substrate 4 by the recessed space 24, and reduces the occurrence of defects such as breakage of each layer.
  • the stress generated in the sealing layer 8 concentrates inside the recessed spaces 24 . Therefore, even if the sealing layer 8 is broken when the display device 2 is bent, the breakage is concentrated inside the recessed space 24 . Therefore, defects including breakage of the sealing layer 8 are concentrated in the recessed space 24 located outside each pixel, so that the defects hardly affect the display by the display device 2 .
  • each light emitting element according to this embodiment is formed between the banks 16 having forward tapered surfaces on the side surfaces.
  • the display device 2 according to the present embodiment is a top emission type display device 2 that extracts light from each light emitting element toward the sealing layer 8 side rather than toward the substrate 4 side.
  • the space between the banks 16 where the light emitting elements are formed has a larger area in plan view on the side of the sealing layer 8 from which light is extracted than on the side of the substrate 4 . Therefore, in the display device 2 according to the present embodiment, when the display device 2 is of a top emission type, the blocking of the light from each light emitting layer 12 by the bank 16 is reduced, and the light from each light emitting element is reduced. to prevent deterioration of extraction efficiency.
  • the angle formed by the side surface 22S of the projection 22, which is the side surface of the recessed space 24, and the top surface 16T of the bank 16, which is the bottom surface of the recessed space 24, may be the same in at least one recessed space 24. good.
  • the first angle ⁇ 1 between the side surface 22S of the projection 22 located on the left side in FIG. It may be the same as the second angle ⁇ 2 formed between the side surface 22S of the convex portion 22 located and the top surface 16T of the bank 16 .
  • angles are the same
  • the angles formed by the side surfaces 22S of the mutually different projections 22 manufactured from the same material under the same manufacturing conditions and the top surface 16T of the bank 16 are errors caused during the manufacturing process of the projections 22. They can be regarded as the same as long as they are to a certain extent.
  • FIG. 5 is a process cross-sectional view for explaining the mechanism by which the self-repairing material contained in the organic sealing film 20 repairs the fractured organic sealing film 20 .
  • the organic sealing film 20 is broken into a first organic sealing film 20A and a second organic sealing film 20B inside the concave space 24, for example.
  • the first organic sealing film 20A and the second organic sealing film 20B shown in FIG. 5 have a photosensitive polymer as a self-repairing material.
  • the photosensitive polymer includes, for example, a plurality of bonding portions 20F formed by bonding two photosensitive bonding groups to each other, and bonding chains 20C connecting the bonding portions 20F.
  • the two photosensitive bonding groups included in the bonding portion 20F are radicalized by being irradiated with visible light, and cut their mutual bonds.
  • the photosensitive binding groups included in the binding portion 20F recombine with each other by coming close to other photosensitive binding groups.
  • the recombination of the two photosensitive binding groups also occurs between photosensitive binding groups different from the two photosensitive binding groups included in the original binding portion 20F.
  • the first organic sealing film 20A has a first photosensitive bonding group 20FA and a second photosensitive bonding group 20FB exposed from a first fracture surface 20AS formed by fracture with the second organic sealing film 20B. including. By bonding the first photosensitive bonding group 20FA and the second photosensitive bonding group 20FB, a bonding portion 20F exposed from the first fracture surface 20AS is formed.
  • the second organic sealing film 20B includes a third photosensitive bonding group 20FC and a fourth photosensitive bonding group 20FD exposed from a second fracture surface 20BS formed by fracture with the first organic sealing film 20A. including. By bonding the third photosensitive bonding group 20FC and the fourth photosensitive bonding group 20FD, a bonding portion 20F exposed from the second fracture surface 20BS is formed.
  • Visible light VL is irradiated to the joint portion 20F exposed from the two broken surfaces 20BS.
  • the visible light VL may be external light from outside the display device 2 .
  • the photosensitive bonding groups included in the bonding portion 20F irradiated with the visible light VL cut their bonds with each other due to a radical reaction. Therefore, as shown in reaction process R4 in FIG. 5, the bonding portion 20F exposed from the first fracture surface 20AS is cut into the first photosensitive bonding group 20FA and the second photosensitive bonding group 20FB. Also, the bonding portion 20F exposed from the second fracture surface 20BS is cut into a third photosensitive bonding group 20FC and a fourth photosensitive bonding group 20FD.
  • each of the first photosensitive bonding group 20FA and the second photosensitive bonding group 20FB becomes a cut end of the bonding portion 20F exposed from the first fracture surface 20AS.
  • each of the third photosensitive binding group 20FC and the fourth photosensitive binding group 20FD serves as a cut end of the binding portion 20F exposed from the second fracture surface 20BS.
  • the display device 2 returns to its original substantially flat state from the state in which the substrate 4 side is bent inward, so that the first fractured surface 20AS and the second fractured surface 20BS come into contact with each other, Assume that the joint portion 20J is formed.
  • the first photosensitive binding group 20FA and the fourth photosensitive binding group 20FD may approach each other and recombine with each other.
  • the second photosensitive binding group 20FB and the third photosensitive binding group 20FC may approach each other and recombine with each other.
  • At least one of the binding chains 20C connected to the binding portion 20F formed by binding the first photosensitive binding group 20FA and the fourth photosensitive binding group 20FD is It traverses the junction 20J. Further, as shown in the reaction process R6 in FIG. 5, at least one of the bonding chains 20C connected to the bonding portion 20F formed by bonding the second photosensitive bonding group 20FB and the third photosensitive bonding group 20FC Traverse section 20J.
  • the first organic sealing film 20A and the second organic sealing film 20B are connected by the bonding chain 20C that crosses the junction 20J. Therefore, the breakage between the first organic sealing film 20A and the second organic sealing film 20B is self-repaired by the self-repairing material included in the organic sealing film 20 .
  • the above-described self-repairing material for realizing the repair mechanism of the organic sealing film 20 may be, for example, polyurethane having a thiuram group as a photosensitive bonding group, represented by the following chemical formula.
  • the self-repairing material for realizing the repair mechanism of the organic sealing film 20 may be, for example, polystyrene having a diselenide group as a photosensitive binding group, represented by the following chemical formula.
  • the mechanism for repairing the organic sealing film 20 described above is realized by irradiating the fractured surfaces of the first organic sealing film 20A and the second organic sealing film 20B with visible light and contacting the fractured surfaces. do. Therefore, for example, the self-repairing of the organic sealing film 20 by the self-repairing material naturally occurs in the process of bending the display device 2 and returning to the original state.
  • the repair process using the self-healing material described above is reversible. Therefore, even if defects such as cracks occur in the organic sealing film 20 a plurality of times, the self-repairing material contained in the organic sealing film causes self-repair each time. Therefore, the self-repairing material described above can more efficiently repair defects in the organic sealing film 20 .
  • breakage of the organic sealing film 20 is more likely to occur inside the recessed space 24 as described above.
  • the recessed space 24 has a metal layer 26 on its lower surface that reflects at least part of the visible light. Therefore, when the organic sealing film 20 is broken inside the recessed space 24 , the probability that the visible light reflected by the metal layer 26 is irradiated to the broken surface formed by the breaking increases. Therefore, breakage of the organic sealing film 20 occurring inside the recessed space 24 can be repaired more efficiently than the metal layer 26 according to the present embodiment.
  • the side surface 22S of the convex portion 22, which is the side surface of the concave space 24, may reflect or scatter at least part of the visible light.
  • the visible light reflected or scattered by the side surface 22S of the convex portion 22 is more likely to irradiate the organic sealing film 20 inside the concave space 24 .
  • the breakage of the organic sealing film 20 occurring inside the recessed space 24 is repaired more efficiently by the protrusions 22 according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a flow chart showing a method for manufacturing the display device 2 according to this embodiment.
  • 7 to 9 are process cross-sectional views of the display device 2 for explaining each process shown in the flowchart of FIG. 7 to 9 each show a cross section corresponding to the cross section of the display device 2 shown in FIG.
  • the substrate 4 is formed (step S2).
  • the substrate 4 is formed, for example, by forming a TFT for each sub-pixel on a flexible film substrate. Note that the formation of the substrate 4 does not necessarily have to be completed in step S2.
  • the light emitting element layer 6 and the sealing layer 8 are formed on the glass substrate according to the formation method described later, and then the glass substrate is peeled off and the film is formed.
  • the substrate 4 may be formed by attaching the substrate.
  • the anode 10 is formed (step S4).
  • the anode 10 may be formed, for example, by forming a film of a conductive material in common with the sub-pixels by sputtering or the like, as described above, and then patterning the thin film of the conductive material for each sub-pixel. good.
  • anodes 10R, 10G, and 10B are formed at positions corresponding to red sub-pixels SPR, green sub-pixels SPG, and blue sub-pixels SPB, respectively.
  • a bank 16 forming step is performed.
  • a bank material 28 containing a positive photosensitive resin is coated on the upper surfaces of the substrate 4 and the anode 10 (step S6).
  • the bank material 28 may be applied by a coating method such as coating by a coater or coating by spin coating.
  • step S8 an exposure process is performed in which the applied bank material 28 is irradiated with light (step S8).
  • a photomask 30 having a shielding portion for shielding ultraviolet rays and a transmitting portion for transmitting ultraviolet rays is placed above the applied bank material 28 on the side opposite to the substrate 4 side.
  • the photomask 30 has a transmission portion at a position overlapping each sub-pixel including each anode 10 in plan view.
  • the photomask 30 may be a film-like member that has openings at positions overlapping each sub-pixel and blocks ultraviolet rays.
  • the photomask 30 is installed parallel to the upper surface of the substrate 4, for example.
  • the bank material 28 After placing the photomask 30 above the bank material 28, the bank material 28 is irradiated with ultraviolet rays UV from further above the photomask 30 side.
  • the ultraviolet rays UV are applied in a direction parallel to the respective normal directions of the upper surface of the substrate 4 and the photomask 30 . Therefore, in plan view, the bank material 28 is irradiated with the ultraviolet rays UV only at positions overlapping the transmission portions of the photomask 30 .
  • the exposed bank material 28 is developed (step S10) to form the bank 16. Since the bank material 28 contains a positive photosensitive resin, the portion of the bank material 28 irradiated with ultraviolet rays acquires a characteristic solubility in a developing solution. Therefore, by washing the exposed bank material 28 with the developer, only the bank material 28 formed at the position overlapping each anode 10 in plan view is removed, and the remaining bank material 28 becomes the bank 16. .
  • the light transmitted through the openings of the photomask is scattered at the edges of the openings. Therefore, in the vicinity of the photomask, the light transmitted through the opening of the photomask is slightly diffused and irradiated around the opening in a plan view. Therefore, when an object is irradiated with light through a photomask, a position of the object near the opening of the photomask is irradiated with more intense light at a position slightly wider than the opening in plan view.
  • step S ⁇ b>8 the area of the bank material 28 irradiated with the ultraviolet rays UV transmitted through the transmission portion of the photomask 30 gradually narrows toward the lower side of the photomask 30 in plan view. Also, the exposure intensity of the bank material 28 irradiated with the ultraviolet rays UV gradually decreases toward the lower side of the photomask 30 .
  • the portion of the bank material 28 irradiated with the ultraviolet rays UV becomes smaller from the photomask 30 side of the bank material 28 toward the substrate 4 side.
  • the exposure intensity in that portion also decreases from the photomask 30 side of the bank material 28 toward the substrate 4 side. Therefore, when the portions irradiated with the ultraviolet rays UV are removed by the developer in step S10, the remaining bank 16 gradually becomes larger from the upper surface 16T toward the substrate 4 side. From the above circumstances, the bank 16 having forward tapered side surfaces can be formed from the bank material 28 containing a positive photosensitive material.
  • the coating film thickness of the bank material 28 may be determined in consideration of reduction of the thickness of the bank 16 .
  • the light-emitting layer 12 is formed at a position overlapping each anode 10 exposed from the bank 16 (step S12).
  • the light-emitting layer 12 may be formed by vapor-depositing light-emitting materials for the red light-emitting layer 12R, the green light-emitting layer 12G, and the blue light-emitting layer 12B using a metal mask.
  • the luminescent layers 12 may be formed by depositing and patterning a layer of luminescent material for each luminescent layer for each luminescent color.
  • the step of forming the projections 22 is performed.
  • a projection material 32 containing a negative photosensitive resin is coated on the upper surfaces of the substrate 4 and the anode 10 (step S14).
  • the protrusion material 32 may be applied by the same technique as the bank material 28 .
  • step S16 an exposure process is performed in which the applied convex material 32 is irradiated with light (step S16).
  • a photomask 34 is placed above the applied convex material 32 on the side opposite to the substrate 4 side.
  • the photomask 34 may have, for example, the same configuration as the photomask 30, except for the positions of the transmissive portions.
  • the photomask 34 has a transparent portion at a position overlapping the bank 16 located outside the pixel P in plan view.
  • the photomask 34 is installed parallel to the upper surface 16T of the bank 16, for example.
  • the projection material 32 is irradiated with ultraviolet rays UV from further above the photomask 34 side.
  • the ultraviolet rays UV are applied in a direction parallel to the respective normal directions of the upper surface of the substrate 4 and the photomask 34 . Therefore, in a plan view, the projection material 32 is irradiated with the ultraviolet rays UV only at positions overlapping the transmission portions of the photomask 34 .
  • the exposed convex portion material 32 is developed (step S18) to form the convex portion 22 .
  • the protrusion material 32 contains a negative photosensitive resin
  • the portions of the protrusion material 32 irradiated with ultraviolet rays acquire a characteristic insolubility in a developing solution. Therefore, by washing the exposed convex portion material 32 with the developer, only a part of the convex portion material 32 formed at the position overlapping the bank 16 positioned outside the pixel P remains in plan view. Then, the remaining convex portion material 32 becomes the convex portion 22 .
  • step S16 the area of the convex portion material 32 irradiated with the ultraviolet rays UV that have passed through the transparent portion of the photomask 34 is directed toward the lower side of the photomask 34 in plan view. gradually becomes narrower, and the intensity of the irradiated light also decreases. Therefore, the portion of the projection material 32 irradiated with the ultraviolet rays UV becomes smaller from the photomask 34 side of the projection material 32 toward the substrate 4 side. In addition, the exposure intensity at that portion also decreases from the photomask 34 side of the projection material 32 toward the substrate 4 side.
  • step S18 since the remaining convex portion 22 is the portion irradiated with the ultraviolet rays UV, the convex portion 22 gradually becomes smaller from the upper surface 22T toward the upper surface 16T side of the bank 16.
  • the convex portion 22 having the side surface 22S that is a reverse tapered surface can be formed from the convex portion material 32 containing a negative photosensitive material.
  • the side surface 22S of the projection 22 can be formed into a reverse tapered surface by photolithography using a general method for the projection material 32. can. Therefore, in the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment, the manufacturing process is simplified because a specific operation for making the side surface 22S of the projection 22 into the reverse tapered surface is not required.
  • the convex portions 22 are formed on the banks 16 . For this reason, even if the formation position of the convex portion 22 is slightly misaligned, the display by the display device 2 is unlikely to be affected. Specifically, in the step of forming the convex portion 22, the alignment of the forming position of the convex portion 22 need not be as strict as the alignment of the forming position of the bank 16 in the bank 16 forming step. Therefore, in the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment, the step of forming the projections 22 is facilitated.
  • the cathode 14 is formed (step S20).
  • the cathode 14 can be formed by forming a metal thin film on the entire surface of the display area DA including the pixels P by sputtering, vapor deposition, or the like.
  • a metal thin film on the entire surface of the display area DA including the pixels P by sputtering, vapor deposition, or the like.
  • Layer 26 is formed in conjunction with cathode 14 .
  • red light emitting element 6R, green light emitting element 6G, and blue light emitting element 6B are formed at positions corresponding to red subpixel SPR, green subpixel SPG, and blue subpixel SPB, respectively.
  • an inorganic sealing film 18 is formed by forming a thin film of an inorganic material from above the cathode 14 on the side opposite to the substrate 4 (step S22).
  • the inorganic sealing film 18 is formed by wrapping a thin film of an inorganic material on the side surface 22S of the convex portion 22 and the upper surface 16T of the bank 16, including the side surface and the lower surface of the concave space 24.
  • FIG. As a result, in step S22, the inorganic sealing film 18 covering the side and bottom surfaces of the recessed space 24 is formed.
  • Step S24 From above the inorganic sealing film 18 on the side opposite to the substrate 4, an organic material containing a self-repairing material is applied by coating using a coater or by a spin coating method to form an organic sealing film 20.
  • the organic sealing film 20 covering the side and bottom surfaces of the recessed space 24 can be easily formed.
  • the display device 2 shown in FIG. 1 is manufactured.
  • the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment an example in which the bank forming process, the light emitting layer forming process, and then the convex portion forming process are performed in this order has been described. However, without being limited to this, in the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment, after the bank forming step, the convex portion forming step and then the light emitting layer forming step may be performed in this order.
  • the projection material 32 prior to the formation of the light-emitting layer 12, the projection material 32 can be exposed and developed in the projection forming step. Therefore, according to the manufacturing method described above, it is possible to prevent the light-emitting layer 12 from being damaged when the projection material 32 is exposed and developed in the projection forming step.
  • the display device 2 according to the present embodiment has recessed spaces 24 formed by the protrusions 22 located on the upper surfaces 16T of the banks 16 .
  • the stress generated in each member on the substrate 4 due to the bending of the substrate 4 can be relieved by the concave space 24, and the occurrence of defects in each light emitting element can be reduced. do.
  • the sealing layer 8 including the organic sealing film 20 having the self-repairing material is formed between the upper surface 22T of the convex portion 22 and the concave space 24 formed by the convex portion 22. cover the sides and bottom of the Therefore, the display device 2 according to the present embodiment self-repairs defects including cracks occurring in the organic sealing film 20 in the recessed space 24 , and the sealing layer 8 and the layers below the sealing layer 8 Reduces the intrusion of foreign matter including moisture into each part of the
  • the display device 2 includes projections 22 on the upper surfaces of the banks 16 that partition each light emitting element.
  • the concave space 24 formed by the convex portion 22 is not adjacent to each light emitting element. Therefore, with the above configuration, even if a defect including cracks in the organic sealing film 20 occurs in the recessed space 24, the intrusion of foreign matter including moisture into each light emitting element is more efficiently reduced. .
  • FIG. 10 is a side sectional view of the display device 2 according to this embodiment, and is a sectional view showing a section corresponding to the section shown in FIG.
  • FIG. 11 is a schematic enlarged view of the recessed space 24 and the periphery of the recessed space 24 according to the present embodiment, and is a schematic enlarged view of the region E shown in FIG.
  • members having the same function are given the same name and reference numerals, and the same description will not be repeated unless there is a difference in configuration.
  • the display device 2 according to this embodiment includes the projections 22 on the top surface 4T of the substrate 4 instead of on the top surface 16T of the bank 16, as compared with the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the display device 2 according to the present embodiment can be regarded as having a structure in which the banks 16 located outside the pixels P in plan view are the convex portions 22 in the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the convex portion 22 may be formed such that the side surface 22S facing the bank 16 is in contact with the side surface of the bank 16, for example.
  • the protrusions 22 may have, for example, substantially the same thickness as the thickness of the banks 16 that are in contact with each other.
  • the recessed space 24 formed between the protrusions 22 has the side surface 22S of the protrusions 22 as its side surface, and the upper surface 4T of the substrate 4, which is the surface on which the protrusions 22 are formed, as its lower surface. have.
  • the recessed space 24 according to this embodiment is formed on the top surface 4T of the substrate 4 .
  • a metal layer 36 includes, for example, the same material as any material of the anode 10 of each light emitting element.
  • the display device 2 according to this embodiment has the same configuration as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the display device 2 according to the present embodiment is the same as the display device 2 according to the previous embodiment in that the projections 22 are provided outside the pixels P in plan view of the display device 2 .
  • the convex portion 22 according to the present embodiment has the same configuration as the convex portion 22 according to the previous embodiment, except for the formation position. Therefore, the side surface 22S of the convex portion 22, which is the side surface of the concave portion space 24, is a reverse tapered surface.
  • the display device 2 includes the convex portion 22 and the concave space 24 on the upper surface 4T of the substrate 4. As shown in FIG. In other words, the convex portion 22 according to the present embodiment is formed at the position where the bank 16 is formed and can be regarded as part of the bank 16 .
  • the display device 2 since the bank 16 is not formed at the position where the recessed space 24 is formed, the film thickness of the display device 2 is reduced. Therefore, the display device 2 according to the present embodiment further reduces the stress generated in the recessed space 24 and the periphery of the recessed space 24 due to the bending of the display device 2, and prevents defects including cracks in the periphery of the recessed space 24. Reduce occurrence.
  • a metal layer 36 is provided inside the recessed space 24 in addition to the metal layer 26 .
  • the metal layer 36 contains the same material as any of the materials of the anode 10 which is the reflective electrode of each light emitting element according to this embodiment. Therefore, in the present embodiment, it is possible to further increase the probability that visible light is applied to the fracture surface formed by the fracture of the organic sealing film 20 inside the recessed space 24 .
  • FIG. 12 is a flow chart showing a method for manufacturing the display device 2 according to this embodiment.
  • 13 and 14 are process cross-sectional views of the display device 2 for explaining each process shown in the flowchart of FIG. 13 and 14 each show a cross section corresponding to the cross section of the display device 2 shown in FIG.
  • the details of the manufacturing process that can be executed by the same method as the manufacturing process described above will not be repeated and may be omitted.
  • the substrate 4 is formed by the same method as step S2 in the previous embodiment.
  • the anode 10 is formed by the same method as step S4 in the previous embodiment.
  • the formation of the metal layer 36 is executed together with the formation of the anode 10 .
  • the metal layer 36 is formed, for example, by leaving a part of the thin film of the conductive material even outside the formation positions of the pixels P in plan view in the patterning of the thin film of the conductive material in the process of forming the anode 10 .
  • the metal layer 36 can be manufactured in the same process as the anode 10 forming process, and there is no need to form the metal layer 36 separately. Therefore, the above method can reduce the complication of the manufacturing process of the display device 2 and the extension of the takt time in the manufacturing process.
  • a bank material 28 containing a positive photosensitive resin is applied to the upper surfaces of the substrate 4 and the anode 10 by the same method as in step S6 in the previous embodiment.
  • the applied bank material 28 is exposed by the same method as step S8 in the previous embodiment.
  • step S8 the bank material 28 is exposed using a photomask 38 having a light-transmitting portion even at a position overlapping the metal layer 36 in plan view.
  • the bank material 28 is removed also around the metal layer 36, and the bank 16 according to the present embodiment is removed. is formed.
  • step S16 the projection material 32 is exposed using a photomask 40 having a light-transmitting portion at a position not overlapping the bank 16 in plan view.
  • the projecting portion material 32 is developed to form the projecting portion 22 formed on the upper surface 4T of the substrate 4 .
  • the display device 2 shown in FIG. 10 can be manufactured. Therefore, in the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment, the step of forming the projections 22 is performed prior to the formation of the light emitting layer 12 . Therefore, in the method of manufacturing the display device 2 according to the present embodiment, it is possible to prevent the light emitting layer 12 from being damaged due to development of the convex material 32 or the like in the step of forming the convex 22 .
  • FIG. 15 is a side sectional view of the display device 2 according to this embodiment, and is a sectional view showing a section corresponding to the section shown in FIG.
  • FIG. 16 is a schematic enlarged view of the red light emitting element 6R and the periphery of the red light emitting element 6R according to this embodiment, and is a schematic enlarged view of the region F shown in FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment has projections 22 on the upper surface 4T of the substrate 4 instead of the banks 16, as compared with the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the bank that partitions each light emitting element can be considered to be the same as the convex portion 22 in the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the display device 2 according to this embodiment includes the protrusions 22 even inside the pixels P in plan view.
  • the display device 2 has recessed spaces 24 formed between the protrusions 22 even inside the pixels P in plan view. Furthermore, the display device 2 includes each light emitting element inside each concave space 24 .
  • the anode 10 , the light emitting layer 12 and the cathode 14 are provided on the lower surface of each recessed space 24 . Therefore, in this embodiment, each recessed space 24 can be regarded as comprising the anode 10 and the cathode 14 instead of the metal layer 26 and the metal layer 36 .
  • the display device 2 according to this embodiment has the same configuration as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the convex portion 22 according to the present embodiment has the same configuration as the convex portion 22 according to the previous embodiment, except for the formation position. Therefore, the side surface 22S of the convex portion 22, which is the side surface of the concave portion space 24, is a reverse tapered surface.
  • the display device 2 according to this embodiment has convex portions 22 as banks that partition each light emitting element.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes light emitting elements included in the display device 2 inside each of the concave spaces 24 formed by the convex portions 22 . Therefore, in the display device 2 according to the present embodiment, even in the region where each light emitting element is formed, the stress generated in each member on the substrate 4 due to the bending of the substrate 4 can be relieved by the concave space 24. It is possible to more efficiently reduce the occurrence of defects in each light emitting element.
  • each light-emitting element included in the display device 2 includes, for example, the anode 10 as a reflective electrode closer to the substrate 4 than the cathode 14 as a transmissive electrode.
  • the anode 10 is provided closer to the substrate 4 than the cathode 14 in the concave space 24 containing any of the light emitting elements.
  • the display device 2 becomes a top-emission display device that extracts light from each light-emitting element from the substrate 4 side toward the sealing layer 8 side.
  • the display device 2 when the organic sealing film 20 is broken at a position overlapping the light-emitting element in plan view, the fractured surface caused by the breakage is affected not only by external light but also by light from the light-emitting layer 12 of the light-emitting element. is irradiated. Therefore, the display device 2 according to this embodiment can more efficiently repair defects in the organic sealing film 20 at positions overlapping the light emitting elements.
  • the display device 2 according to the present embodiment has a structure in which all the banks 16 included in the display device 2 according to the previous embodiment are the same as the convex portions 22, but the structure is not limited to this.
  • the display device 2 according to the present embodiment among the banks 16 included in the display device 2 according to the previous embodiment, only the bank 16 positioned at the outermost edge in plan view of each pixel P is the convex portion 22. You may have a structure.
  • each concave space 24 has a structure including a plurality of light emitting elements.
  • the display device 2 according to the present embodiment is not limited to the structure including a single light emitting element inside each concave space 24, and may include a plurality of light emitting elements.
  • the display device 2 according to the present embodiment may be a bottom emission type display device 2 that extracts light from each light emitting element toward the substrate 4 side rather than toward the sealing layer 8 side.
  • the space between the projections 22 where the light emitting elements are formed has a larger area in plan view on the substrate 4 side than on the sealing layer 8 side. Therefore, when the display device 2 according to the present embodiment is of the bottom emission type, the projections 22 reduce the shielding of light from each light-emitting layer 12, and the light extraction efficiency from each light-emitting element is improved. prevent deterioration.
  • FIG. 17 is a flow chart showing the manufacturing method of the display device 2 according to this embodiment.
  • FIG. 18 is a process cross-sectional view of the display device 2 for explaining each process shown in the flowchart of FIG. 18 shows a cross section corresponding to the cross section of the display device 2 shown in FIG.
  • the same manufacturing steps as steps S2 and S4 in the previous embodiment are sequentially performed to form the substrate 4, the anode 10, and the metal layer 36.
  • the step of forming the bank 16 is omitted, and the step of forming the convex portion 22 is performed.
  • the convex portion material 32 containing the negative photosensitive resin is formed by coating in the same manner as in steps S14, S16, and S18 in the previous embodiment. , exposure, and development.
  • step S16 the projection material 32 is exposed using a photomask 42 having a light-transmitting portion at a position overlapping each anode 10 and the metal layer 36 in plan view. .
  • the protrusion material 32 is developed to form protrusions 22 between each anode 10 and the metal layer 36 .
  • the display device 2 shown in FIG. 15 can be manufactured.
  • the step of forming the bank 16 is omitted.
  • the process of forming the bank 16 in each of the above-described embodiments can be regarded as the same as the process of forming the projections 22 .
  • the manufacturing process is simplified and the material used for forming the bank 16 is consumed more than the method in which the bank 16 is formed separately. is not necessary. Therefore, the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment realizes shortening of the tact time and reduction of the manufacturing cost in the manufacturing process of the display device 2 .
  • FIG. 19 is a side sectional view of the display device 2 according to this embodiment, and is a sectional view showing a section corresponding to the section shown in FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment has a structure in which the banks 16 in contact with the convex portions 22 are the convex portions 22 in the display device 2 according to the second embodiment. Therefore, as shown in FIG. 19, the side surface 22S of the projection 22 according to the present embodiment has a first side surface 22SA that is a reverse tapered surface and a second side surface 22SB that is a forward tapered surface. In other words, the side surface 22S according to the present embodiment has not only a reverse tapered surface but also a forward tapered surface partially.
  • pixels P are formed on the second side surface 22SB side of the side surface 22S of the convex portion 22, as shown in FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes each light emitting element on the forward tapered surface side of the side surface 22S of the convex portion 22 .
  • the convex portion 22 is adjacent to the blue light emitting element 6B among the light emitting elements included in the display device 2, and has the second side surface 22SB on the blue light emitting element 6B side.
  • the side surface 22S of the convex portion 22 has a first side surface 22SA on the side opposite to the forward tapered surface side, in other words, on the outside of the pixel P in plan view.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes the concave space 24 on the first side surface 22SA side of the convex portion 22, in other words, outside the pixel P in plan view.
  • the recessed space 24 formed in the display device 2 according to the present embodiment includes the first side surface 22SA on the side surface, similar to the recessed space 24 formed in the display device 2 according to each of the above-described embodiments. It has a tapered surface. Therefore, in the display device 2 according to the present embodiment, the stress generated in each member on the substrate 4 due to the bending of the substrate 4 can be relieved by the concave space 24, and the occurrence of defects in each light emitting element can be reduced. .
  • the side surface 22S of the projection 22 further has a second side surface 22SB that is a forward tapered surface, and has the second side surface 22SB on the light emitting element side. Therefore, in the display device 2 according to the present embodiment, the light emitting element adjacent to the projection 22 is also provided between the side walls of the forward tapered surface. Therefore, in the display device 2 according to the present embodiment, when the display device 2 is of a top emission type, the projections 22 block light from the light emitting layer 12 included in the light emitting element adjacent to the projections 22. to reduce
  • FIG. 20 is a flow chart showing the manufacturing method of the display device 2 according to this embodiment.
  • 21 and 22 are process cross-sectional views of the display device 2 for explaining each process shown in the flowchart of FIG. 21 and 22 each show a cross section corresponding to the cross section of the display device 2 shown in FIG.
  • the same manufacturing steps as steps S2 and S4 in the second embodiment are sequentially performed to form the substrate 4, the anode 10, and the metal layer 36. .
  • the bank material 28 containing the positive photosensitive resin is applied, exposed, and developed by the same methods as steps S6, S8, and S10 in the second embodiment.
  • step S8 exposure is performed using a photomask 46 having no light shielding portion between the anode 10B and the metal layer 36 in plan view. Therefore, in the bank 16 formation process according to the present embodiment, the bank 16 is not formed at a position covering the peripheral edge of the anode 10B on the metal layer 36 side.
  • step S14 the convex material 32 containing the negative photosensitive material is formed by coating.
  • the projection material 32 is exposed.
  • a photomask 48 having a light-transmitting portion is placed between the anode 10B and the metal layer 36, and the convex portion material 32 is subjected to the first photomask 48.
  • Exposure is performed (step S26).
  • ultraviolet rays UV are irradiated from above the photomask 48 in a direction inclined from the metal layer 36 side to the anode 10B side with respect to the normal line direction of the upper surface 4T of the substrate 4. .
  • a photomask 50 having a light-transmitting portion is placed on the side opposite to the anode 10B from the metal layer 36, and the projection material 32 is exposed for the second time (step S28).
  • ultraviolet rays UV are irradiated from above the photomask 48 in a direction inclined from the anode 10B side toward the metal layer 36 side with respect to the normal line direction of the upper surface 4T of the substrate 4. .
  • step S26 and step S28 the projection material 32 is exposed between the anode 10B and the metal layer 36 and on the side of the metal layer 36 opposite to the anode 10B in plan view.
  • the portion located between the anode 10B and the metal layer 36 is, in the direction toward the substrate 4 side from the upper side where the ultraviolet rays UV is irradiated, Exposure is performed in a direction from the metal layer 36 side toward the anode 10B side. Therefore, in step S18, between the anode 10B and the metal layer 36 in plan view, the first side surface 22SA that is a reverse tapered surface is provided on the metal layer 36 side, and the second side surface 22SA that is a forward tapered surface is provided on the anode 10B side.
  • a convex portion 22 having a second side surface 22SB having a side surface 22SB is formed.
  • the portion of the exposed convex portion material 32 that is located on the side opposite to the anode 10B from the metal layer 36 in plan view is oriented in the direction from the upper side where the ultraviolet rays UV are irradiated toward the substrate 4 side. , exposure is performed in a direction from the anode 10B side to the metal layer 36 side. Therefore, in step S18, the convex portion 22 having the first side surface 22SA that is a reverse tapered surface facing the metal layer 36 is formed on the side of the metal layer 36 opposite to the anode 10B in plan view.
  • the convex portion 22 located on the side opposite to the anode 10B from the metal layer 36 in plan view is further from the metal layer 36 to the anode 10B. It has a second side surface 22SB, which is a forward tapered surface, on the opposite side.
  • the display device 2 shown in FIG. 19 can be manufactured.
  • the convex portions 22 are formed by photolithography on a photosensitive material. Furthermore, in the present embodiment, in the exposure step of the photolithography, ultraviolet rays UV are irradiated in a direction inclined from the normal line direction of the upper surface 4T of the substrate 4 . As a result, the convex portion 22 having both the reverse tapered first side surface 22SA and the forward tapered second side surface 22SB can be formed from the same convex portion material 32 .
  • the protrusion 22 having both the first side surface 22SA and the second side surface 22SB is formed in a direction inclined from the normal direction of the upper surface 4T of the substrate 4. It is realized by an exposure process in which irradiation is performed. Therefore, the projection material 32 may employ a positive photosensitive material instead of a negative photosensitive material.
  • steps S26 and S28 exposure is performed using the photomasks 48 and 50 in which the light-shielding portion and the light-transmitting portion are reversed. can be formed.
  • the light shielding of the photomask is performed in each of steps S26 and S28 so that the positions of the positive projection material 32 where the projections 22 are to be formed are not exposed. It is desirable to add parts as appropriate.
  • Display device 4 Substrate 6 Light-emitting element layer 8 Sealing layer 10 Anode 12 Light-emitting layer 14 Cathode 16 Bank 18 Inorganic sealing film 20 Organic sealing film 22 Convex portion 24 Concave space 26, 36 Metal layer

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Abstract

表示デバイス（２）は、可撓性を有する基板（４）と、基板上の、側面の少なくとも一部に逆テーパー面（２２Ｓ）を有する凸部（２２）と、自己修復材を含む封止層（８）とを備える。また、表示デバイスは、凸部の側面と、凸部が形成された面（１６Ｔ）とにより形成された凹部空間（２４）を有する。さらに、封止層は、凸部の上面（２２Ｔ）および側面と、凹部空間の下面とを覆い、凹部空間の側面の少なくとも一部は逆テーパー面である。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法
　本開示は、積層型の発光素子を備えた表示デバイス、および、当該表示デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１は、表示装置が備えたフレキシブル基板の一部を折り曲げる技術を開示する。
日本国特開２０１７－１８７７０５号公報
　特許文献１が開示する表示装置のように、折り曲げ可能な表示デバイスにおいては、当該表示デバイスの折り曲げによって、フレキシブル基板上の部材に、クラック等の不良が生じる可能性がある。
　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る表示デバイスは、可撓性を有する基板と、前記基板上の、側面の少なくとも一部に逆テーパー面を有する凸部と、自己修復材を含む封止層とを備え、前記凸部の側面と、前記凸部が形成された面とにより形成された凹部空間を有し、前記封止層が、前記凸部の上面および側面と、前記凹部空間の下面とを覆い、前記凹部空間の側面の少なくとも一部が前記逆テーパー面である。
　また、上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、可撓性を有する基板上に、側面の少なくとも一部が逆テーパー面である凸部を形成することにより、前記凸部の側面と、前記凸部が形成された面とにより形成され、側面の少なくとも一部が前記逆テーパー面である凹部空間を形成する凸部形成工程と、前記凸部の上面および側面と、前記凹部空間の下面とを覆い、自己修復材を含む封止層を形成する。
　フレキシブル基板上の部材にクラック等の不良を生じにくくした上、当該不良が生じた場合であっても、当該不良を修復する機能を、表示デバイスに付与することができる。
実施形態１に係る表示デバイスの概略断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの概略平面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの平面拡大図である。 実施形態１に係る表示デバイスの断面の一部拡大図である。 実施形態１に係る自己修復材による、有機封止層の修復機構について示す工程断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態１に係る表示デバイスの製造工程における工程断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造工程における他の工程断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造工程における他の工程断面図である。 実施形態２に係る表示デバイスの概略断面図である。 実施形態２に係る表示デバイスの断面の一部拡大図である。 実施形態２に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態２に係る表示デバイスの製造工程における工程断面図である。 実施形態２に係る表示デバイスの製造工程における他の工程断面図である。 実施形態３に係る表示デバイスの概略断面図である。 実施形態３に係る表示デバイスの断面の一部拡大図である。 実施形態３に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態３に係る表示デバイスの製造工程における工程断面図である。 実施形態４に係る表示デバイスの概略断面図である。 実施形態４に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態４に係る表示デバイスの製造工程における工程断面図である。 実施形態４に係る表示デバイスの製造工程における他の工程断面図である。
　〔実施形態１〕
　＜表示デバイスの概要＞
　図２は、本実施形態に係る表示デバイス２の概略平面図である。図２に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、後述する各サブ画素からの発光が取り出すことにより表示を行う表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、表示デバイス２の各発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されている。
　図３は、図２に示す概略平面図の、表示領域ＤＡの一部領域である、領域Ａについて拡大して示す図である。図１は、本実施形態に係る表示デバイス２の概略断面図であり、特に、図３における、Ｂ－Ｃ線矢視断面図である。なお、図３においては、後に詳述する画素およびサブ画素についてより明確に図示するために、後に詳述する封止層８および陰極１４の図示を省略している。また、図３においては、後に詳述する凸部２２と金属層２６との関係をより明確に図示するために、凸部２２の上面２２Ｔに形成された金属層２６の図示を省略している。
　平面視において表示領域ＤＡと重畳する位置において、本実施形態に係る表示デバイス２は複数の画素を備える。また、各画素は、複数のサブ画素を備える。図１に示す表示デバイス２の概略断面図には、表示デバイス２が備える複数の画素のうち、画素Ｐについて示している。特に、画素Ｐは、赤色サブ画素ＳＰＲと、緑色サブ画素ＳＰＧと、青色サブ画素ＳＰＢとを備える。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、可撓性を有する基板上に複数の発光素子を備えた、フレキシブルの表示デバイスである。例えば、図１に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、可撓性を有する基板４と、基板４上の発光素子層６と、発光素子層６を覆う封止層８とを備える。
　例えば、基板４は、ＰＥＴフィルム等を含む、可撓性を有するフィルム基板上に、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を形成した構造を有する。さらに、基板４上には、可撓性を有する発光素子層６および封止層８が形成される。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、基板４または封止層８の少なくとも一方を内側として折り曲げることが可能である、フレキシブルの表示デバイスを実現する。
　なお、本明細書においては、後に詳述する、発光素子層６の発光層１２から陽極１０への方向を「下方向」、発光層１２から陰極１４への方向を「上方向」として記載する。
　＜発光素子＞
　発光素子層６は、基板４側から順に、陽極１０と、機能層としての発光層１２と、陰極１４とを備える。換言すれば、発光素子層６は、発光層１２を、陽極１０と陰極１４との二電極間に備える。基板４の上層に形成された発光素子層６の陽極１０は、上述したサブ画素ごとに島状に形成され、基板４のＴＦＴのそれぞれと電気的に接続されている。
　本実施形態において、発光素子層６は、発光素子を複数備え、特に、サブ画素のそれぞれに１つずつ発光素子を備える。本実施形態においては、例えば、発光素子層６は、発光素子として、赤色サブ画素ＳＰＲに赤色発光素子６Ｒを、緑色サブ画素ＳＰＧに緑色発光素子６Ｇを、青色サブ画素ＳＰＢに青色発光素子６Ｂをそれぞれ備える。以降、本明細書において、特段の説明がない限り、『発光素子』とは、発光素子層６が含む、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ、および、青色発光素子６Ｂの何れを指す。
　ここで、陽極１０、および発光層１２のそれぞれは、サブ画素ごとに個別に形成されている。特に、本実施形態においては、陽極１０は、赤色発光素子６Ｒ用の陽極１０Ｒ、緑色発光素子６Ｇ用の陽極１０Ｇ、および青色発光素子６Ｂ用の陽極１０Ｂを含む。また、発光層１２は、赤色光を発する赤色発光層１２Ｒ、緑色光を発する緑色発光層１２Ｇ、および青色光を発する青色発光層１２Ｂを含む。一方、陰極１４は、複数のサブ画素に対し共通に形成されている。
　したがって、本実施形態において、赤色発光素子６Ｒは、陽極１０Ｒと、赤色発光層１２Ｒと、陰極１４とからなる。また、緑色発光素子６Ｇは、陽極１０Ｇと、緑色発光層１２Ｇと、陰極１４とからなる。さらに、青色発光素子６Ｂは、陽極１０Ｂと、青色発光層１２Ｂと、陰極１４とからなる。
　ここで、青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。また、緑色光とは、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。また、赤色光とは、例えば、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。
　なお、本実施形態に係る発光素子層６は、上記構成に限られず、陽極１０および陰極１４の間の機能層に、さらに追加の層を備えていてもよい。例えば、発光素子層６は、陽極１０と発光層１２との間の機能層として、発光層１２に加えて、正孔注入層、または、正孔輸送層の少なくとも一方をさらに備えていてもよい。また、発光素子層６は、発光層１２と陰極１４との間に、電子輸送層、または電子注入層の少なくとも一方をさらに備えていてもよい。
　陽極１０および陰極１４は導電性材料を含み、発光層１２と電気的に接続されている。陽極１０と陰極１４とのうち、表示デバイス２の表示面に近い電極は半透明電極である。
　陽極１０は、例えばＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide，インジウムスズ酸化物）が積層された構成を有する。上記構成を有する陽極１０は、例えば、発光層１２から発せられた光を反射する反射性電極である。したがって、発光層１２から発せられた光のうち、下方向に向かう光が、陽極１０によって反射される。
　これに対して、陰極１４は、例えば半透明のＭｇ‐Ａｇ合金によって構成されている。つまり、陰極１４は、発光層１２から発せられた光を透過する透過性電極である。したがって、発光層１２から発せられた光のうち、上方向に向かう光が、陰極１４を透過する。このように、表示デバイス２は、発光層１２から発せられた光を上方向に出射できる。
　以上のとおり、表示デバイス２においては、発光層１２から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、陰極１４（上方向）へと向かわせることができる。すなわち、表示デバイス２は、トップエミッション型の表示デバイスとして構成されている。
　また、本実施形態において、半透明電極である陰極１４は、発光層１２から発せられた光を、一部反射する。この場合、反射電極である陽極１０と、半透明電極である陰極１４との間において、発光層１２から発せられた光のキャビティが形成されてもよい。陽極１０と陰極１４との間においてキャビティを形成することにより、発光層１２から発せられた光の色度を改善することができる。
　なお、上述した陽極１０と陰極１４との構成は一例であり、別の構成を有していてもよい。例えば、表示デバイス２の表示面に近い電極が陽極１０であってもよい。この場合、当該陽極１０は半透明電極であってもよく、陰極１４が反射電極であってもよい。これにより、表示デバイス２は、発光層１２から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、陽極１０（下方向）へと向かわせることができる。すなわち、表示デバイス２は、ボトムエミッション型の表示デバイスとして構成されていてもよい。
　発光層１２は、陽極１０から輸送された正孔と、陰極１４から輸送された電子との再結合が発生することにより、光を発する層である。発光層１２は、例えば、有機発光材料、あるいは、無機発光材料を含んでいてもよい。発光層１２が有機発光材料を含む場合、各発光素子は、ＯＬＥＤ(Organic Light-Emitting Diode)素子であってもよい。また、例えば、発光層１２が、無機発光材料を含む場合、発光層１２は、発光体として、量子ドット材料を備えていてもよい。この場合、各発光素子は、ＱＬＥＤ(Quantum dot Light-Emitting Diode)素子であってもよい。
　なお、本実施形態に係る表示デバイス２は、基板４側に陽極１０を備えた発光素子を備えるが、これに限られない。例えば、本実施形態に係る表示デバイス２が備える発光素子層６は、基板４側から順に、陰極１４、発光層１２、および、陽極１０を、積層して備えていてもよい。この場合、陰極１４はサブ画素ごとに島状に形成された画素電極であり、陽極１０は複数のサブ画素に対し共通に形成された共通電極である。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、さらに、基板４の上面４Ｔ上に、バンク１６を備える。バンク１６は、例えば、ポリイミドを含む塗布可能な樹脂材料を含み、平面視において、互いに隣接するサブ画素の境界を跨ぐ位置に形成される。このため、バンク１６により、発光素子層６は、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ、および青色発光素子６Ｂに区画される。特に、陽極１０は、バンク１６によって、陽極１０Ｒ、陽極１０Ｇ、および陽極１０Ｂに分離される。なお、バンク１６は、図１に示すように、陽極１０のそれぞれの周囲端部を覆う位置に形成されていてもよい。
　また、バンク１６は、塗布可能な感光性樹脂を含む。特に、本実施形態において、バンク１６は、ポジ型の感光性樹脂を含んでいる。バンク１６は、それぞれ側面１６Ｓを有する。ここで、バンク１６は、基板４側から封止層８側に向かって、平面視における面積が、おおよそ次第に小さくなるように形成される。このため、側面１６Ｓの法線方向のうち、バンク１６の内部側へ向かう方向は、バンク１６が形成されている面である基板４の上面４Ｔの平面方向よりも、封止層８から基板４に向かう方向となる。
　ある特定部材が側面を有し、当該特定部材がある特定面上に形成される場合に、当該側面の外表面側と、当該特定面とのなす角度が鈍角であるとする。この場合、本明細書においては、当該側面を順テーパー面であるとする。例えば、上底の面積に比べて下底の面積が大きい正四角錐台において、当該正四角錐台の側面は全て順テーパー面となる。
　本実施形態において、バンク１６は基板４の上面４Ｔ上に形成される。また、バンク１６の側面１６Ｓの外表面側と上面４Ｔとがなす角度は鈍角となる。したがって、バンク１６の側面１６Ｓは順テーパー面である。ゆえに、本実施形態において、各発光素子が順テーパー面を側面に有するバンク１６によって区画されることから、当該各発光素子は、順テーパー面の側壁の間に形成される。
　＜封止層＞
　封止層８は、発光素子層６およびバンク１６を覆い、表示デバイス２が備える各発光素子を封止する。封止層８は、発光素子層６側から順に、無機封止膜１８と、有機封止膜２０とを含む。封止層８は、表示デバイス２の封止層８側の外部から、水分等を含む異物が発光素子層６等に浸透することを低減する。
　無機封止膜１８は、例えば、ＣＶＤにより形成され、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜により構成される。有機封止膜２０は、例えば、ポリイミド等を含む塗布可能な樹脂材料により構成される。さらに、本実施形態に係る有機封止膜２０は、後に詳述する自己修復材を含む。無機封止膜１８の厚みは、例えば、１μｍ以上３μｍ以下である。有機封止膜２０の厚みは、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下である。
　本実施形態に係る封止層８は、上述した構造に限られず、例えば、有機封止膜２０上にさらに第２の無機封止膜を含んでいてもよい。この場合、有機封止膜２０は、第２の無機封止膜の成膜性を向上させるバッファ層としても機能する。
　＜凸部＞
　本実施形態に係る表示デバイス２は、さらに、バンク１６と封止層８との間に、凸部２２を備える。特に、本実施形態に係る凸部２２は、平面視において、画素Ｐの外側に形成される。このため、凸部２２は、画素Ｐの外側に位置するバンク１６の上面１６Ｔ上に形成されている。
　凸部２２は、例えば、可視光の少なくとも一部を吸収または反射する材料を含む。例えば、凸部２２は、カーボン粒子を含む黒色の樹脂材料を含んでいてもよい。また、凸部２２は、塗布可能な感光性樹脂を含む。特に、本実施形態において、凸部２２は、ネガ型の感光性樹脂を含んでいる。凸部２２の、バンク１６の上面１６Ｔからの厚みは、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。
　凸部２２は、それぞれ側面２２Ｓを有する。ここで、凸部２２は、基板４側から封止層８側に向かって、平面視における面積が、おおよそ次第に大きくなるように形成される。このため、側面２２Ｓの法線方向のうち、凸部２２の外部側へ向かう方向は、凸部２２が形成されている面であるバンク１６の上面１６Ｔの平面方向よりも、封止層８から基板４に向かう方向となる。
　ある特定部材が側面を有し、当該特定部材がある特定面上に形成される場合に、当該側面の外表面側と、当該特定面とのなす角度が鋭角であるとする。この場合、本明細書においては、当該側面を逆テーパー面であるとする。例えば、上底の面積に比べて下底の面積が小さい正四角錐台において、当該正四角錐台の側面は全て逆テーパー面となる。
　本実施形態において、凸部２２はバンク１６の上面１６Ｔ上に形成される。また、凸部２２の側面２２Ｓの外表面側と上面１６Ｔとがなす角度は鋭角となる。したがって、凸部２２の側面２２Ｓは逆テーパー面である。
　＜凹部空間＞
　本実施形態において、凸部２２は複数形成されている。このため、凸部２２の間には、凸部２２が形成される面であるバンク１６の上面１６Ｔと、凸部２２の側面２２Ｓとによって、凹部空間２４が形成される。凹部空間２４のより詳細な構造について、図４を参照して説明する。図４は、凹部空間２４および当該凹部空間２４の周囲について拡大した概略拡大図であり、図１における領域Ｄの概略拡大図である。
　凹部空間２４の側面である側面２２Ｓは逆テーパー面であるため、基板４の平面視において、凹部空間２４は、封止層８側から基板４側に向かって次第に広くなる。例えば、図４に示すように、凹部空間２４は、その側断面においても、封止層８側から基板４側に向かって次第に広くなる構造を有する。さらに、表示デバイス２は、凹部空間２４の内部に位置するバンク１６の上面１６Ｔと、凸部２２の上面２２Ｔとに、金属層２６を有する。本実施形態において、金属層２６は、単一層または複数の金属、あるいは、複数の金属の合金を含み、可視光の少なくとも一部を反射する。
　例えば、金属層２６は、陰極１４と同一の材料を含む。この場合、陰極１４の形成の際に、陰極１４の材料を含む金属層を、表示デバイス２の表示領域ＤＡの全面に渡って形成することにより、金属層２６は、陰極１４の形成工程と同時に形成することが可能である。この場合、凹部空間２４の内部に位置する金属層２６は、例えば、凸部２２の上面２２Ｔの端部において、陰極１４の材料を含む金属層が段切れすることにより形成される。
　なお、凹部空間２４の側面および下面である、凸部２２の側面２２Ｓおよびバンク１６の上面１６Ｔは、封止層８によって覆われている。特に、凹部空間２４の側面および下面は、無機封止膜１８と接し、凹部空間２４の内部において、無機封止膜１８は、有機封止膜２０と接する。このため、凹部空間２４の内部において、無機封止膜１８および有機封止膜２０の外形は、凹部空間２４の内部形状に沿った凹部形状を有する。
　例えば、凹部空間２４の側面および下面に接する無機封止膜１８は、ＣＶＤ法等による無機封止膜１８の成膜の際に、凹部空間２４の側面である側面２２Ｓ上まで、無機封止膜１８の材料を回り込ませることにより形成できる。また、凹部空間２４において無機封止膜１８と接する有機封止膜２０は、塗布による有機封止膜２０の材料の成膜を実行することにより形成できる。
　＜凹部空間による、封止層の破断の低減＞
　凹部空間２４は、上述した通り、封止層８側から基板４側に向かって次第に広くなる構造を有する。このため、表示デバイス２が、基板４を内側に折り曲げられた場合、凸部２２同士の封止層８側が離れる方向に凸部２２同士が動くため、凹部空間２４は広がる。また、表示デバイス２が、封止層８を内側に折り曲げられた場合、凸部２２同士の封止層８側が近接する方向に凸部２２同士が動くため、凹部空間２４は小さくなる。
　したがって、表示デバイス２が折り曲げられた際、表示デバイス２の、発光素子層６および封止層８を含む各層に生じる応力は、上述した、凹部空間２４の周囲における凸部２２の動きを実現するための力に分散される。ゆえに、表示デバイス２は、凹部空間２４により、基板４上の発光素子層６および封止層８を含む各層に生じる応力を低減し、当該各層の破断等の不良の発生を低減する。
　また、上述した凸部２２の動きにより、表示デバイス２が折り曲げられた際、封止層８に生じる応力は、凹部空間２４の内部に集中する。このため、表示デバイス２が折り曲げられた際、封止層８の破断が生じた場合であっても、当該破断は凹部空間２４の内部に集中する。したがって、各画素の外側に位置する凹部空間２４の内部に封止層８の破断を含む不良が集中するため、当該不良が表示デバイス２による表示に影響を及ぼしにくくなる。
　なお、本実施形態において、凸部２２は、平面視における画素Ｐの外側に形成される。換言すれば、本実施形態に係る各発光素子は、何れも、側面に順テーパー面を有するバンク１６の間に形成される。
　ここで、本実施形態に係る表示デバイス２が、基板４側よりも封止層８側へ、各発光素子からの光を取り出すトップエミッション型の表示デバイス２であるとする。この場合、発光素子が形成される、バンク１６の間の空間は、基板４側と比較して、光を取り出す封止層８側において、平面視における面積が増大する。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、当該表示デバイス２をトップエミッション型とした場合に、バンク１６が、各発光層１２からの光を遮蔽することを低減し、各発光素子からの光の取り出し効率の低下を防止する。
　本実施形態において、凹部空間２４の側面である凸部２２の側面２２Ｓと、凹部空間２４の下面であるバンク１６の上面１６Ｔとのなす角度は、少なくとも１つの凹部空間２４において同一であってもよい。具体的には、図４に示すように、図４に向かって左側に位置する凸部２２の側面２２Ｓと、バンク１６の上面１６Ｔとのなす第１角度θ１は、図４に向かって右側に位置する凸部２２の側面２２Ｓと、バンク１６の上面１６Ｔとのなす第２角度θ２と同一であってもよい。
　なお、本明細書において、「二つの角度が同一」とは、厳密に角度が同一であることを指さず、互いに角度がわずかに異なっていてもよい。例えば、同一の製造条件により、同一の材料から製造された、互いに異なる凸部２２同士の側面２２Ｓのそれぞれが、バンク１６の上面１６Ｔと成す角度は、差異が凸部２２の製造過程において生じる誤差程度であれば、同一とみなしてもよい。
　＜自己修復材＞
　次いで、本実施形態に係る有機封止膜２０が含む自己修復材について、図５を参照し、より詳細に説明する。図５は、有機封止膜２０が含む自己修復材により、破断した有機封止膜２０が修復する機構を説明するための工程断面図である。図５においては、有機封止膜２０が、例えば、凹部空間２４の内部において、第１有機封止膜２０Ａと第２有機封止膜２０Ｂとに破断したとする。
　図５に示す、第１有機封止膜２０Ａと第２有機封止膜２０Ｂとは、自己修復材として、感光性ポリマーを有する。感光性ポリマーは、例えば、二つの感光性結合基が互いに結合することにより形成された、複数の結合部２０Ｆと、当該結合部２０Ｆ同士を接続する結合鎖２０Ｃとを備える。
　結合部２０Ｆが含む二つの感光性結合基は、可視光を照射されることによりラジカル化し、互いの結合を切断する。一方、結合部２０Ｆが含む感光性結合基は、他の感光性結合基と近接することにより、互いに再結合する。なお、二つの感光性結合基の再結合は、元の結合部２０Ｆが含む二つの感光性結合基とは異なる感光性結合基同士においても生じる。
　例えば、第１有機封止膜２０Ａは、第２有機封止膜２０Ｂとの破断により形成された第１破断面２０ＡＳから露出する、第１感光性結合基２０ＦＡと第２感光性結合基２０ＦＢとを含む。当該第１感光性結合基２０ＦＡと第２感光性結合基２０ＦＢとが結合することにより、第１破断面２０ＡＳから露出する結合部２０Ｆが形成される。また、第２有機封止膜２０Ｂは、第１有機封止膜２０Ａとの破断により形成された第２破断面２０ＢＳから露出する、第３感光性結合基２０ＦＣと第４感光性結合基２０ＦＤとを含む。当該第３感光性結合基２０ＦＣと第４感光性結合基２０ＦＤとが結合することにより、第２破断面２０ＢＳから露出する結合部２０Ｆが形成される。
　第１有機封止膜２０Ａは、第２有機封止膜２０Ｂとの破断の修復工程においては、図５の反応過程Ｒ２に示すように、第１破断面２０ＡＳから露出する結合部２０Ｆと、第２破断面２０ＢＳから露出する結合部２０Ｆとに、可視光ＶＬが照射される。実際には、可視光ＶＬは、表示デバイス２の外部からの外光であってもよい。
　可視光ＶＬが照射された結合部２０Ｆが含む感光性結合基は、ラジカル化反応により、互いの結合を切断する。このため、図５の反応過程Ｒ４に示すように、第１破断面２０ＡＳから露出する結合部２０Ｆは、第１感光性結合基２０ＦＡと第２感光性結合基２０ＦＢとに切断される。また、第２破断面２０ＢＳから露出する結合部２０Ｆは、第３感光性結合基２０ＦＣと第４感光性結合基２０ＦＤとに切断される。
　以上により、第１感光性結合基２０ＦＡと第２感光性結合基２０ＦＢとのそれぞれは、第１破断面２０ＡＳから露出する結合部２０Ｆの切断端となる。また、第３感光性結合基２０ＦＣと第４感光性結合基２０ＦＤとのそれぞれは、第２破断面２０ＢＳから露出する結合部２０Ｆの切断端となる。
　次に、例えば、表示デバイス２が、基板４側を内側に折り曲げられた状態から元の略平板の状態に戻ること等により、第１破断面２０ＡＳと第２破断面２０ＢＳとが互いに接触し、接合部２０Ｊが形成されたとする。この場合、例えば、図５の反応過程Ｒ６に示すように、第１感光性結合基２０ＦＡと第４感光性結合基２０ＦＤとが近接し、互いに再結合する場合がある。また、例えば、図５の反応過程Ｒ６に示すように、第２感光性結合基２０ＦＢと第３感光性結合基２０ＦＣとが近接し、互いに再結合する場合がある。
　この場合、図５の反応過程Ｒ６に示すように、第１感光性結合基２０ＦＡと第４感光性結合基２０ＦＤとの結合により形成された結合部２０Ｆと接続する結合鎖２０Ｃの少なくとも一方は、接合部２０Ｊを横断する。また、図５の反応過程Ｒ６に示すように、第２感光性結合基２０ＦＢと第３感光性結合基２０ＦＣとの結合により形成された結合部２０Ｆと接続する結合鎖２０Ｃの少なくとも一方は、接合部２０Ｊを横断する。
　上記のように、接合部２０Ｊを横断する結合鎖２０Ｃにより、第１有機封止膜２０Ａと第２有機封止膜２０Ｂとは結合される。このため、有機封止膜２０が備える自己修復材により、第１有機封止膜２０Ａと第２有機封止膜２０Ｂとの破断が自己修復される。
　なお、凸部２２の側面２２Ｓと、バンク１６の上面１６Ｔとのなす角度が、ある凹部空間２４において同一である場合、当該凹部空間２４の内部の有機封止膜２０に生じる応力は、凹部空間２４の中央部分に集中する。したがって、当該凹部空間２４の内部の有機封止膜２０に生じる破断についても、凹部空間２４の中央部分に集中するため、上記構成により、より効率的に有機封止膜２０の破断を修復することができる。
　上述した、有機封止膜２０の修復機構を実現するための自己修復材は、例えば、下記化学式にて示す、感光性結合基としてチウラム基を有するポリウレタンであってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　あるいは、有機封止膜２０の修復機構を実現するための自己修復材は、例えば、下記化学式にて示す、感光性結合基としてジセレニド基を有するポリスチレンであってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　上述した、有機封止膜２０の修復機構は、第１有機封止膜２０Ａと第２有機封止膜２０Ｂとのそれぞれの破断面への可視光の照射と、当該破断面同士の接触により実現する。このため、例えば、有機封止膜２０の、自己修復材による自己修復は、表示デバイス２の湾曲と、元の状態への復帰との過程において自然に生じる。
　また、上述した自己修復材による修復過程は、可逆性を有する。したがって、有機封止膜２０へのクラック等の不良が複数回発生した場合においても、有機封止膜が含む自己修復材による自己修復は、その都度生じることとなる。ゆえに、上述した自己修復材は、有機封止膜２０の不良の修復をより効率的に行える。
　本実施形態において、有機封止膜２０の破断は、上述した通り、凹部空間２４の内部においてより発生しやすい。ここで、凹部空間２４は、下面上に、少なくとも一部の可視光を反射する金属層２６を備えている。このため、凹部空間２４の内部において有機封止膜２０の破断が生じた場合、当該破断により形成された破断面に、金属層２６により反射された可視光が照射される蓋然性が高まる。したがって、本実施形態に係る金属層２６より、凹部空間２４の内部において生じた有機封止膜２０の破断が、より効率的に修復される。
　凹部空間２４の側面である、凸部２２の側面２２Ｓは、少なくとも一部の可視光を反射または散乱してもよい。この場合、凸部２２の側面２２Ｓにおいて反射または散乱した可視光が、凹部空間２４の内部の有機封止膜２０に照射される蓋然性が高まる。本実施形態に係る凸部２２により、凹部空間２４の内部において生じた有機封止膜２０の破断が、より効率的に修復される。
　＜表示デバイスの製造方法の概要＞
　次いで、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について、図６から図９を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について示すフローチャートである。図７から図９は、図６のフローチャートに示す各工程を説明するための表示デバイス２の工程断面図である。図７から図９のそれぞれにおいては、図１に示す表示デバイス２の断面と対応する断面を示す。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、はじめに、基板４を形成する（ステップＳ２）。基板４は、例えば、可撓性を有するフィルム基板上に、サブ画素ごとにＴＦＴを形成することにより形成される。なお、ステップＳ２において、必ずしも基板４の形成を完了する必要はない。例えば、はじめに硬直なガラス基板上にＴＦＴを形成した後、後述する形成方法に沿って、当該ガラス基板上に発光素子層６および封止層８の形成を実行した後、ガラス基板の剥離およびフィルム基板の貼り付けを行うことにより、基板４を形成してもよい。
　次いで、陽極１０を形成する（ステップＳ４）。陽極１０は、例えば、上述したように、スパッタ法等によって、導電性材料をサブ画素に対し共通に成膜したのち、当該導電性材料の薄膜をサブ画素ごとにパターニングすることにより形成してもよい。本実施形態に係るステップＳ４においては、赤色サブ画素ＳＰＲ、緑色サブ画素ＳＰＧ、および青色サブ画素ＳＰＢのそれぞれに対応する位置に、陽極１０Ｒ、陽極１０Ｇ、および陽極１０Ｂをそれぞれ形成する。
　＜バンクの形成＞
　次いで、バンク１６の形成工程を実施する。バンク１６の形成工程においては、はじめに、ポジ型の感光性樹脂を含むバンク材料２８を、基板４および陽極１０の上面に塗布形成する（ステップＳ６）。バンク材料２８は、コーターによる塗布、または、スピンコートによる塗布等の塗布方法により塗布してもよい。
　次いで、塗布したバンク材料２８に対する光照射を行う、露光工程を実施する（ステップＳ８）。ステップＳ８においては、はじめに、塗布したバンク材料２８の、基板４側と反対の側の上方に、紫外線を遮蔽する遮蔽部と、紫外線を透過する透過部とを備えたフォトマスク３０を設置する。ここで、フォトマスク３０は、平面視において、各陽極１０を含む、各サブ画素と重なる位置に透過部を備える。例えば、フォトマスク３０は、各サブ画素と重なる位置に開口を有した、紫外線を遮蔽する膜状部材であってもよい。フォトマスク３０は、例えば、基板４の上面と平行に設置する。
　バンク材料２８の上方にフォトマスク３０を設置した後、バンク材料２８の、フォトマスク３０側のさらに上方から、紫外線ＵＶを照射する。ここで、紫外線ＵＶは、基板４の上面およびフォトマスク３０のそれぞれの略法線方向と平行な方向に照射する。このため、平面視において、フォトマスク３０の透過部と重なる位置においてのみ、バンク材料２８に紫外線ＵＶが照射される。
　次いで、露光されたバンク材料２８の現像を行い（ステップＳ１０）、バンク１６を形成する。バンク材料２８は、ポジ型の感光性樹脂を含むため、バンク材料２８は、紫外線ＵＶを照射された部分が、特性の現像液に対する溶解性を獲得する。したがって、露光されたバンク材料２８を、当該現像液によって洗浄することにより、平面視において各陽極１０と重なる位置に形成されたバンク材料２８のみが除去され、残存したバンク材料２８がバンク１６となる。
　ここで、一般に、フォトマスクの開口を透過した光は、当該開口の端部において散乱される。このため、フォトマスクの開口を透過した光は、当該フォトマスクの近傍においては、平面視において、当該開口の周囲に若干拡散して照射される。このため、フォトマスクを介して物体に光を照射した場合、当該物体の、フォトマスクの開口に近い位置においては、平面視において、開口よりも若干広い位置に、より強く光が照射される。
　換言すれば、ある開口を透過した光が特定の物体に照射される面積は、当該開口と物体との距離が長くなるほど狭くなり、照射される光の強度も低下する傾向にある。このため、ステップＳ８において、平面視において、フォトマスク３０の透過部を透過した紫外線ＵＶが照射される、バンク材料２８の面積は、フォトマスク３０の下方側に向かって次第に狭くなる。また、紫外線ＵＶが照射されたバンク材料２８の露光強度に関しても、フォトマスク３０の下方側に向かって次第に低くなる。
　したがって、バンク材料２８の、紫外線ＵＶを照射された部分は、バンク材料２８の、フォトマスク３０側から基板４側に向かって小さくなる。また、当該部分における露光強度についても、バンク材料２８の、フォトマスク３０側から基板４側に向かって低くなる。ゆえに、ステップＳ１０において、紫外線ＵＶを照射された部分を現像液により除去した場合、残存するバンク１６は、上面１６Ｔから基板４側に向かって次第に大きくなる。上記事情から、ポジ型の感光性材料を含むバンク材料２８から、側面に順テーパー面を有するバンク１６を形成できる。
　なお、バンク材料２８を現像液によって洗浄する際、露光されなかったバンク材料２８についても、少量が現像液に溶解してもよい。この場合、バンク材料２８の膜減りにより、バンク１６の厚みが低減する。このため、バンク材料２８の塗布膜厚は、当該バンク１６の厚みの低減を考慮して決定してもよい。
　次いで、バンク１６から露出する各陽極１０と重なる位置に、発光層１２を形成する（ステップＳ１２）。発光層１２の形成は、赤色発光層１２Ｒ、緑色発光層１２Ｇ、および青色発光層１２Ｂのそれぞれの発光材料を、メタルマスクを用いた蒸着により形成することにより実行してもよい。あるいは、発光層１２の形成は、各発光層の発光材料の層の成膜とパターニングとを、発光色ごとに実行することにより実行してもよい。
　＜凸部の形成＞
　次いで、凸部２２の形成工程を実施する。凸部２２の形成工程においては、はじめに、ネガ型の感光性樹脂を含む凸部材料３２を、基板４および陽極１０の上面に塗布形成する（ステップＳ１４）。凸部材料３２は、バンク材料２８と同一の手法により塗布してもよい。
　次いで、塗布した凸部材料３２に対する光照射を行う、露光工程を実施する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６においては、はじめに、塗布した凸部材料３２の、基板４側と反対の側の上方に、フォトマスク３４を設置する。フォトマスク３４は、例えば、透過部の位置を除き、フォトマスク３０と同一の構成を備えていてもよい。例えば、フォトマスク３４は、平面視において、画素Ｐの外側に位置するバンク１６と重なる位置に透過部を備える。フォトマスク３４は、例えば、バンク１６の上面１６Ｔと平行に設置する。
　凸部材料３２の上方にフォトマスク３４を設置した後、凸部材料３２の、フォトマスク３４側のさらに上方から、紫外線ＵＶを照射する。ここで、紫外線ＵＶは、基板４の上面およびフォトマスク３４のそれぞれの略法線方向と平行な方向に照射する。このため、平面視において、フォトマスク３４の透過部と重なる位置においてのみ、凸部材料３２に紫外線ＵＶが照射される。
　次いで、露光された凸部材料３２の現像を行い（ステップＳ１８）、凸部２２を形成する。凸部材料３２は、ネガ型の感光性樹脂を含むため、凸部材料３２は、紫外線ＵＶを照射された部分が、特性の現像液に対する難溶性を獲得する。したがって、露光された凸部材料３２を、当該現像液によって洗浄することにより、平面視において、画素Ｐの外側に位置するバンク１６と重なる位置に形成された凸部材料３２の一部のみが残存し、残存した凸部材料３２が凸部２２となる。
　上述した理由と同一の理由から、ステップＳ１６においても、平面視において、フォトマスク３４の透過部を透過した紫外線ＵＶが照射される、凸部材料３２の面積は、フォトマスク３４の下方側に向かって次第に狭くなり、照射される光の強度も低下する。したがって、凸部材料３２の、紫外線ＵＶを照射された部分は、凸部材料３２の、フォトマスク３４側から基板４側に向かって小さくなる。また、当該部分における露光強度についても、凸部材料３２の、フォトマスク３４側から基板４側に向かって低くなる。
　ゆえに、ステップＳ１８において、残存する凸部２２は、紫外線ＵＶを照射された部分であるため、凸部２２は、上面２２Ｔからバンク１６の上面１６Ｔ側に向かって次第に小さくなる。上記事情から、ネガ型の感光性材料を含む凸部材料３２から、逆テーパー面である側面２２Ｓを有する凸部２２を形成できる。
　これにより、凸部２２の形成と併せて、少なくとも一部が逆テーパー面の側面２２Ｓであり、バンク１６の上面１６Ｔを下面とする、バンク１６と凸部２２とにより形成された凹部空間２４が形成される。凸部材料３２に、ネガ型の感光性樹脂を採用することにより、当該凸部材料３２に対する、一般的な手法を用いたフォトリソグラフィにより、凸部２２の側面２２Ｓを逆テーパー面とすることができる。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、凸部２２の側面２２Ｓを逆テーパー面とするための、特定の操作を必要としないため、製造工程が簡素化する。
　また、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、凸部２２を、バンク１６上に形成する。このため、凸部２２の形成位置に多少のずれが生じた場合においても、表示デバイス２による表示に影響を及ぼしにくい。具体的に、凸部２２の形成工程においては、凸部２２の形成位置のアライメントを、バンク１６の形成工程における、バンク１６の形成位置のアライメント程度まで厳密にする必要がない。ゆえに、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、凸部２２の形成工程が易化する。
　＜陰極および封止層の形成＞
　次いで、陰極１４を形成する（ステップＳ２０）。陰極１４は、例えば、スパッタ法または蒸着法等により、画素Ｐを含む表示領域ＤＡの全面に金属の薄膜を成膜することにより形成できる。ここで、平面視において、凸部２２が形成されるバンク１６と重なる位置においても、金属の薄膜を成膜することにより、凸部２２の上面２２Ｔ上と凹部空間２４の内部とに位置する金属層２６が、陰極１４と併せて形成される。
　これにより、陽極１０、発光層１２、および陰極１４が形成され、発光素子層６の形成が完了する。これに伴い、赤色サブ画素ＳＰＲ、緑色サブ画素ＳＰＧ、および青色サブ画素ＳＰＢのそれぞれに対応する位置に、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ、および青色発光素子６Ｂがそれぞれ形成される。
　次いで、陰極１４の、基板４と反対の側の上方から、ＣＶＤ法等による無機材料の薄膜の成膜により、無機封止膜１８を形成する（ステップＳ２２）。ここで、無機封止膜１８は、凹部空間２４の側面および下面を含む、凸部２２の側面２２Ｓおよびバンク１６の上面１６Ｔにおいても無機材料の薄膜を回り込ませて成膜する。これにより、ステップＳ２２において、凹部空間２４の側面および下面を覆う無機封止膜１８を形成する。
　次いで、無機封止膜１８の、基板４と反対の側の上方から、コーターを使用した塗布またはスピンコート法等による、自己修復材を含む有機材料の塗布により、有機封止膜２０を形成する（ステップＳ２４）。有機封止膜２０を塗布形成することにより、容易に凹部空間２４の側面および下面を覆う有機封止膜２０が形成できる。以上により、図１に示す表示デバイス２が製造される。
　なお、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法おいては、バンク形成工程の後、発光層形成工程、次いで、凸部形成工程を、この順に実行する例について説明を行った。しかしながら、これに限られず、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法おいては、バンク形成工程の後、凸部形成工程、次いで、発光層形成工程を、この順に実行してもよい。
　この場合、発光層１２の形成の前に、凸部形成工程における、凸部材料３２に対する露光および現像を実行できる。このため、上記製造方法によれば、凸部形成工程における、凸部材料３２に対する露光および現像の際に、発光層１２へのダメージが生じることを防止することができる。
　＜実施形態１のまとめおよび補遺＞
　本実施形態に係る表示デバイス２は、バンク１６の上面１６Ｔ上に位置する凸部２２により形成された凹部空間２４を有する。これにより、本実施形態に係る表示デバイス２は、基板４の湾曲に伴い、基板４上の各部材に生じる応力を、凹部空間２４により緩和することができ、各発光素子における不良の発生を低減する。
　また、本実施形態に係る表示デバイス２においては、自己修復材を有する有機封止膜２０を含む封止層８が、凸部２２の上面２２Ｔと、当該凸部２２により形成された凹部空間２４の側面および下面を覆う。このため、本実施形態に係る表示デバイス２は、凹部空間２４内の有機封止膜２０に発生した、クラック等を含む不良を自己修復し、封止層８および当該封止層８よりも下層の各部への、水分を含む異物の侵入を低減する。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、各発光素子を区画するバンク１６の上面に、凸部２２を備える。上記構成により、凸部２２によって形成された凹部空間２４は、各発光素子と隣接しない。したがって、上記構成により、凹部空間２４中において、有機封止膜２０へのクラック等を含む不良が生じた場合においても、各発光素子への、水分を含む異物の侵入が、より効率よく低減する。
　〔実施形態２〕
　＜凸部の形成位置の変更例、および、金属層の変形例＞
　図１０は、本実施形態に係る表示デバイス２の側断面図であり、図１に示す断面と対応する断面を示す断面図である。図１１は、本実施形態に係る凹部空間２４および当該凹部空間２４の周囲における概略拡大図であり、図１０に示す領域Ｅについての概略拡大図である。なお、本明細書において、同一の機能を有する各部材には、同一の名称および参照符号を付し、構成の差異がない限り、同じ説明は繰り返さない。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と比較して、凸部２２を、バンク１６の上面１６Ｔ上に備える代わりに、基板４の上面４Ｔ上に備える。これに伴い、表示デバイス２の平面視における画素Ｐの外側においては、バンク１６が一部形成されていない位置が存在し、当該位置の一部に凸部２２が形成されている。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２において、平面視における画素Ｐの外側に位置するバンク１６を、凸部２２とした構造を有すると見なすことができる。
　図１０に示すように、凸部２２は、例えば、バンク１６と対向する側面２２Ｓが、バンク１６の側面と接するように形成されていてもよい。また、凸部２２は、例えば、互いに接触するバンク１６の厚みと、略同一の厚みを有していてもよい。
　上記構成により、凸部２２の間に形成された凹部空間２４は、側面に、凸部２２の側面２２Ｓを有し、下面に、凸部２２が形成される面である基板４の上面４Ｔを有する。換言すれば、本実施形態に係る凹部空間２４は、基板４の上面４Ｔ上に形成される。
　また、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と比較して、凹部空間２４の内部において、基板４の上面４Ｔと金属層２６との間に、さらに、金属層３６を備える。金属層３６は、例えば、各発光素子の陽極１０の何れかの材料と同一の材料を含む。
　上記を除き、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の構成を備える。例えば、本実施形態に係る表示デバイス２が、凸部２２を、表示デバイス２の平面視における画素Ｐの外側に備える点については、前実施形態に係る表示デバイス２と同一である。また、本実施形態に係る凸部２２は、形成位置を除き、前実施形態に係る凸部２２と同一の構成を備えている。このため、凹部空間２４の側面である、凸部２２の側面２２Ｓは逆テーパー面である。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、凸部２２および凹部空間２４を、基板４の上面４Ｔ上に備える。換言すれば、本実施形態に係る凸部２２は、バンク１６が形成された位置に形成されており、バンク１６の一部であると見なすことができる。
　このため、本実施形態においては、凹部空間２４が形成される位置においては、バンク１６が形成されていないため、表示デバイス２の膜厚が低減する。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、表示デバイス２の湾曲に伴う、凹部空間２４および当該凹部空間２４の周囲に生じる応力をさらに低減し、凹部空間２４の周囲における、クラックを含む不良の発生を低減する。
　また、本実施形態において、凹部空間２４の内部には、金属層２６に加えて、金属層３６を備える。また、金属層３６は、本実施形態に係る各発光素子の反射電極である陽極１０の何れかの材料と同一の材料を含む。したがって、本実施形態においては、凹部空間２４の内部における有機封止膜２０の破断により形成された破断面に、可視光が照射される蓋然性をさらに高めることができる。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について、図１２から図１４を参照して説明する。図１２は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について示すフローチャートである。図１３および図１４は、図１２のフローチャートに示す各工程を説明するための表示デバイス２の工程断面図である。図１３および図１４のそれぞれにおいては、図１０に示す表示デバイス２の断面と対応する断面を示す。なお、本明細書において、前述した製造工程と同一の手法により実行できる製造工程については、その詳細については繰り返し説明せず、省略する場合がある。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、はじめに、前実施形態におけるステップＳ２と同一の方法により、基板４を形成する。次いで、前実施形態におけるステップＳ４と同一の方法により、陽極１０を形成する。ここで、本実施形態においては、図１３のステップＳ４に示すように、陽極１０の形成と併せて、金属層３６の形成を実行する。
　金属層３６は、例えば、陽極１０の形成工程における、導電性材料の薄膜のパターニングにおいて、平面視における画素Ｐの形成位置の外側においても、一部導電性材料の薄膜を残存させることにより形成してもよい。当該方法により、金属層３６を、陽極１０の形成工程と同一の工程において製造することができ、個別に金属層３６を形成する必要がない。したがって、上記方法により、表示デバイス２の製造工程の複雑化と、当該製造工程におけるタクトタイムの延長とを低減できる。
　次いで、前実施形態におけるステップＳ６と同一の方法により、ポジ型の感光性樹脂を含むバンク材料２８を、基板４および陽極１０の上面に塗布形成する。次いで、前実施形態におけるステップＳ８と同一の方法により、塗布したバンク材料２８に対する露光を実施する。
　ここで、本実施形態に係るステップＳ８においては、平面視において金属層３６と重なる位置においても透光部を有するフォトマスク３８を使用して、バンク材料２８の露光を実行する。これにより、前実施形態におけるステップＳ１０と同一の方法により、露光されたバンク材料２８の現像を行うことにより、金属層３６の周囲においても、バンク材料２８が除去され、本実施形態に係るバンク１６が形成される。
　次いで、前実施形態におけるステップＳ１４、ステップＳ１６、およびステップＳ１８のそれぞれと同一の方法により、ネガ型の感光性樹脂を含む凸部材料３２の塗布形成、露光、および現像を実施する。ここで、本実施形態に係るステップＳ１６においては、平面視において、バンク１６と重ならない位置に透光部を有するフォトマスク４０を使用して、凸部材料３２の露光を実行する。これにより、当該凸部材料３２の現像により、基板４の上面４Ｔ上に形成された凸部２２が形成される。
　次いで、前実施形態におけるステップＳ１２、ステップＳ２０、ステップＳ２２、およびステップＳ２４を順に実行することにより、図１０に示す表示デバイス２が製造できる。このため、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、発光層１２の形成に先立って、凸部２２の形成工程を実行する。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、凸部２２の形成工程における、凸部材料３２の現像等による、発光層１２へのダメージの発生を防止することができる。
　〔実施形態３〕
　＜バンクを凸部と同一とした例＞
　図１５は、本実施形態に係る表示デバイス２の側断面図であり、図１に示す断面と対応する断面を示す断面図である。図１６は、本実施形態に係る赤色発光素子６Ｒおよび当該赤色発光素子６Ｒの周囲における概略拡大図であり、図１５に示す領域Ｆについての概略拡大図である。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と比較して、バンク１６の代わりに、凸部２２を、基板４の上面４Ｔ上に備える。換言すれば、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２において、各発光素子を区画するバンクを、凸部２２と同一としたとみなすことができる。このため、本実施形態に係る表示デバイス２は、平面視における画素Ｐの内側においても、凸部２２を備えている。
　このため、図１５および図１６に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、平面視における画素Ｐの内側にいても、凸部２２の間に形成された凹部空間２４を有する。さらに、表示デバイス２は、各凹部空間２４の内部に、各発光素子を備えている。本実施形態においては、各凹部空間２４の下面上に、陽極１０と、発光層１２と、陰極１４とを備える。このため、本実施形態においては、各凹部空間２４が、金属層２６および金属層３６に代えて、陽極１０および陰極１４を備えると見なすことができる。
　上記を除き、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の構成を備える。例えば、本実施形態に係る凸部２２は、形成位置を除き、前実施形態に係る凸部２２と同一の構成を備えている。このため、凹部空間２４の側面である、凸部２２の側面２２Ｓは逆テーパー面である。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、各発光素子を区画するバンクとして、凸部２２を有する。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、当該凸部２２により形成された、凹部空間２４のそれぞれの内部に、表示デバイス２が備える発光素子をそれぞれ備える。このため、本実施形態に係る表示デバイス２は、各発光素子が形成された領域においても、基板４の湾曲に伴い、基板４上の各部材に生じる応力を、凹部空間２４により緩和することができ、各発光素子への不良の発生をより効率よく低減する。
　また、本実施形態に係る表示デバイス２が備える各発光素子は、例えば、透過電極である陰極１４と比較して、反射電極である陽極１０を、より基板４側に備える。この場合、図１５および図１６からも明らかであるように、内部に発光素子の何れかを含む凹部空間２４においては、陰極１４よりも基板４側に陽極１０を備える。
　上記構成により、表示デバイス２は、基板４側から封止層８側に向かって、各発光素子からの光を取り出す、トップエミッション型の表示デバイスとなる。この場合、平面視において発光素子と重なる位置における有機封止膜２０の破断が発生した場合、当該破断により生じた破断面に対し、外光のみならず、当該発光素子の発光層１２からの光が照射される。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、発光素子と重なる位置における有機封止膜２０の不良についても、より効率的に修復することができる。
　なお、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２が備える全てのバンク１６を、凸部２２と同一とした構造を有するが、これに限られない。例えば、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２が備えるバンク１６のうち、各画素Ｐの、平面視において最外縁に位置するバンク１６のみを、凸部２２とした構造を有していてもよい。
　この場合、当該凸部２２の間には、当該画素Ｐに形成された、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ、および青色発光素子６Ｂが位置する。したがって、上記構成においては、各凹部空間２４の内部に、複数の発光素子を含む構造となる。このように、本実施形態に係る表示デバイス２は、各凹部空間２４の内部に、単一の発光素子を含む構造に限られず、複数の発光素子を備えていてもよい。
　また、本実施形態に係る表示デバイス２は、封止層８側よりも基板４側へ、各発光素子からの光を取り出すボトムエミッション型の表示デバイス２であってもよい。本実施形態において、発光素子が形成される、凸部２２の間の空間は、封止層８側と比較して、光を基板４側において、平面視における面積が増大する。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、ボトムエミッション型である場合に、凸部２２が、各発光層１２からの光を遮蔽することを低減し、各発光素子からの光の取り出し効率の低下を防止する。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について、図１７および図１８を参照して説明する。図１７は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について示すフローチャートである。図１８は、図１７のフローチャートに示す各工程を説明するための表示デバイス２の工程断面図である。図１８においては、図１５に示す表示デバイス２の断面と対応する断面を示す。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、はじめに、前実施形態におけるステップＳ２およびステップＳ４と同一の製造工程を順に実行し、基板４、陽極１０、および金属層３６の形成を実行する。次いで、本実施形態においては、バンク１６の形成工程を省略し、凸部２２の形成工程を実行する。
　本実施形態に係る凸部２２の形成工程においては、前実施形態におけるステップＳ１４、ステップＳ１６、およびステップＳ１８のそれぞれと同一の方法により、ネガ型の感光性樹脂を含む凸部材料３２の塗布形成、露光、および現像を実施する。ここで、本実施形態に係るステップＳ１６においては、平面視において、各陽極１０および金属層３６と重なる位置に透光部を有するフォトマスク４２を使用して、凸部材料３２の露光を実行する。これにより、当該凸部材料３２の現像により、各陽極１０および金属層３６の間のそれぞれに、凸部２２が形成される。
　次いで、前実施形態におけるステップＳ１２、ステップＳ２０、ステップＳ２２、およびステップＳ２４を順に実行することにより、図１５に示す表示デバイス２が製造できる。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、バンク１６の形成工程を省略する。換言すれば、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、前述までの各実施形態における、バンク１６の形成工程を、凸部２２の形成工程と同一としたと見なすことができる。
　これにより、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、バンク１６の形成工程を別途実行する方法と比較して、製造工程が簡素化し、さらに、バンク１６の形成に使用する材料の消費が必要ない。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法により、当該表示デバイス２の製造工程における、タクトタイムの短縮と製造コストの低減とを実現する。
　〔実施形態４〕
　＜順テーパー面を有する凸部＞
　図１９は、本実施形態に係る表示デバイス２の側断面図であり、図１に示す断面と対応する断面を示す断面図である。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、実施形態２に係る表示デバイス２において、凸部２２と接するバンク１６を、凸部２２とした構造を有する。このため、図１９に示すように、本実施形態に係る凸部２２の側面２２Ｓは、逆テーパー面である第１側面２２ＳＡと、順テーパー面である第２側面２２ＳＢとを有している。換言すれば、本実施形態に係る側面２２Ｓは、逆テーパー面のみならず、一部に順テーパー面を有している。
　特に、本実施形態に係る表示デバイス２は、図１９に示すように、凸部２２の側面２２Ｓの第２側面２２ＳＢ側に、画素Ｐが形成されている。換言すれば、本実施形態に係る表示デバイス２は、凸部２２の側面２２Ｓの順テーパー面側に、各発光素子を備えている。特に、本実施形態においては、凸部２２は、表示デバイス２が備える発光素子のうち、青色発光素子６Ｂと隣接し、当該青色発光素子６Ｂの側に第２側面２２ＳＢを有する。
　一方、凸部２２の側面２２Ｓは、順テーパー面側とは反対の側、換言すれば、平面視における画素Ｐの外側に、第１側面２２ＳＡを備えている。このため、本実施形態に係る表示デバイス２は、凸部２２の第１側面２２ＳＡ側、換言すれば、平面視における画素Ｐの外側に、凹部空間２４を備えている。
　したがって、本実施形態に係る表示デバイス２に形成された凹部空間２４は、前述の各実施形態に係る表示デバイス２に形成された凹部空間２４と同じく、側面に、第１側面２２ＳＡを含む、逆テーパー面を有する。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、基板４の湾曲に伴い、基板４上の各部材に生じる応力を、凹部空間２４により緩和することができ、各発光素子における不良の発生を低減する。
　加えて、本実施形態において、凸部２２の側面２２Ｓは、順テーパー面である第２側面２２ＳＢをさらに有し、発光素子側に第２側面２２ＳＢを有する。このため、本実施形態に係る表示デバイス２は、凸部２２と隣接する発光素子についても、順テーパー面の側壁の間に備える。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、当該表示デバイス２をトップエミッション型とした場合に、凸部２２が、当該凸部２２と隣接する発光素子が含む発光層１２からの光を遮蔽することを低減する。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について、図２０から図２２を参照して説明する。図２０は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について示すフローチャートである。図２１および図２２は、図２０のフローチャートに示す各工程を説明するための表示デバイス２の工程断面図である。図２１および図２２のそれぞれにおいては、図１９に示す表示デバイス２の断面と対応する断面を示す。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法においては、はじめに、実施形態２におけるステップＳ２およびステップＳ４と同一の製造工程を順に実行し、基板４、陽極１０、および金属層３６の形成を実行する。次いで、実施形態２におけるステップＳ６、ステップＳ８、およびステップＳ１０のそれぞれと同一の方法により、ポジ型の感光性樹脂を含むバンク材料２８の塗布形成、露光、および現像を実施する。
　ここで、本実施形態に係るステップＳ８においては、平面視において、陽極１０Ｂと金属層３６との間に、遮光部を有していないフォトマスク４６を用いて露光を行う。したがって、本実施形態に係るバンク１６の形成工程においては、陽極１０Ｂの、金属層３６側の周囲端部を覆う位置には、バンク１６が形成されない。
　次いで、上述した各実施形態におけるステップＳ１４と同一の方法により、ネガ型の感光性材料を含む凸部材料３２の塗布形成を実行する。次いで、当該凸部材料３２に対する露光を実施する。ここで、本実施形態においては、ステップＳ１４に次いで、例えば、平面視において、陽極１０Ｂと金属層３６との間に透光部を有するフォトマスク４８を設置し、凸部材料３２に対する１回目の露光を実行する（ステップＳ２６）。特に、ステップＳ２６においては、フォトマスク４８の上方から、基板４の上面４Ｔの法線方向に対し、金属層３６側から陽極１０Ｂ側に向かう方向に傾斜した方向に向かって、紫外線ＵＶを照射する。
　次いで、例えば、平面視において、金属層３６よりも、さらに陽極１０Ｂと反対の側に透光部を有するフォトマスク５０を設置し、凸部材料３２に対する２回目の露光を実行する（ステップＳ２８）。特に、ステップＳ２８においては、フォトマスク４８の上方から、基板４の上面４Ｔの法線方向に対し、陽極１０Ｂ側から金属層３６側に向かう方向に傾斜した方向に向かって、紫外線ＵＶを照射する。
　次いで、上述した各実施形態におけるステップＳ１８と同一の方法により、凸部材料３２の現像を実行する。ここで、ステップＳ２６およびステップＳ２８により、凸部材料３２は、平面視において、陽極１０Ｂと金属層３６との間、および、金属層３６よりもさらに陽極１０Ｂと反対の側において露光されている。
　加えて、露光された凸部材料３２のうち、平面視において、陽極１０Ｂと金属層３６との間に位置する部分は、紫外線ＵＶが照射される上方側から、基板４側に向かう方向において、金属層３６側から陽極１０Ｂ側に向かう方向に露光される。したがって、ステップＳ１８により、平面視における陽極１０Ｂと金属層３６との間には、金属層３６側に逆テーパー面である第１側面２２ＳＡを有し、陽極１０Ｂ側に順テーパー面である第２側面２２ＳＢを有する第２側面２２ＳＢを有する凸部２２が形成される。
　さらに、露光された凸部材料３２のうち、平面視において、金属層３６よりもさらに陽極１０Ｂと反対の側に位置する部分は、紫外線ＵＶが照射される上方側から、基板４側に向かう方向において、陽極１０Ｂ側から金属層３６側に向かう方向に露光される。したがって、ステップＳ１８により、平面視における金属層３６よりもさらに陽極１０Ｂと反対の側には、金属層３６側に逆テーパー面である第１側面２２ＳＡを有する凸部２２が形成される。なお、図示の簡単のために、図２２においては省略しているが、平面視における金属層３６よりもさらに陽極１０Ｂと反対の側に位置する凸部２２は、金属層３６よりもさらに陽極１０Ｂと反対の側に、順テーパー面である第２側面２２ＳＢを有している。
　次いで、前実施形態におけるステップＳ１２、ステップＳ２０、ステップＳ２２、およびステップＳ２４を順に実行することにより、図１９に示す表示デバイス２が製造できる。
　本実施形態においては、凸部２２の形成工程において、感光性材料に対するフォトリソグラフィにより凸部２２を形成する。さらに、本実施形態においては、当該フォトリソグラフィにおける露光工程において、基板４の上面４Ｔの法線方向から傾斜した方向に対し、紫外線ＵＶの照射を行う。これにより、同一の凸部材料３２から、逆テーパー面である第１側面２２ＳＡと、順テーパー面である第２側面２２ＳＢとを、双方備えた凸部２２を形成することができる。
　また、本実施形態においては、第１側面２２ＳＡおよび第２側面２２ＳＢを双方有する凸部２２の形成を、上述の通り、基板４の上面４Ｔの法線方向から傾斜した方向に対し、紫外線ＵＶの照射を行う露光工程によって実現する。したがって、凸部材料３２は、ネガ型の感光性材料に代えて、ポジ型の感光性材料を採用してもよい。この場合、例えば、ステップＳ２６およびステップＳ２８においては、それぞれ、フォトマスク４８とフォトマスク５０との、遮光部と透光部とが反転したフォトマスクを使用した露光を実行することにより、本実施形態に係る凸部２２を形成できる。ただし、ステップＳ２６およびステップＳ２８の双方において、ポジ型の凸部材料３２の、凸部２２を形成する位置に対し、露光が行われないよう、ステップＳ２６およびステップＳ２８のそれぞれにおいて、フォトマスクの遮光部を適宜追加することが望ましい。
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　　　表示デバイス
４　　　　　基板
６　　　　　発光素子層
８　　　　　封止層
１０　　　　陽極
１２　　　　発光層
１４　　　　陰極
１６　　　　バンク
１８　　　　無機封止膜
２０　　　　有機封止膜
２２　　　　凸部
２４　　　　凹部空間
２６、３６　金属層

 

Claims (20)

  1. 　可撓性を有する基板と、
    　前記基板上の、側面の少なくとも一部に逆テーパー面を有する凸部と、
    　自己修復材を含む封止層とを備え、
    　前記凸部の側面と、前記凸部が形成された面とにより形成された凹部空間を有し、
    　前記封止層が、前記凸部の上面および側面と、前記凹部空間の下面とを覆い、
    　前記凹部空間の側面の少なくとも一部が前記逆テーパー面である表示デバイス。
  2. 　前記封止層は、前記基板の側から順に、前記凸部の上面および側面と前記凹部空間の下面とを覆う無機封止膜と、前記無機封止膜の上層の有機封止膜とを積層して含み、
    　前記有機封止膜が前記自己修復材を含む請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　前記自己修復材が、互いに結合する複数の感光性結合基を有する感光性ポリマーを含み、
    　複数の前記感光性結合基のそれぞれの結合は、光の照射に伴うラジカル化により切断され、
    　切断された前記感光性結合基の切断端が互いに近接することにより、前記感光性結合基が互いに再結合する請求項１または２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記凹部空間の下面上に形成された金属層をさらに備えた請求項２または３に記載の表示デバイス。
  5. 　前記逆テーパー面において可視光の少なくとも一部が反射または散乱される請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイス。
  6. 　前記凹部空間の側面を形成する前記逆テーパー面と、前記凹部空間の下面とのなす角度が、少なくとも１つの前記凹部空間において同一である請求項１から５の何れか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　さらに、２つの電極と、当該２つの電極の間の機能層とをそれぞれ含む、複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子の間に形成され、前記発光素子のそれぞれを分離するバンクとを備えた請求項１から６の何れか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　前記凸部の少なくとも一部を、前記バンクの上面に備えた請求項７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記凸部の少なくとも一部は、前記バンクの一部である請求項７に記載の表示デバイス。
  10. 　少なくとも一つの前記凸部が有する前記側面のうち、前記逆テーパー面と異なる面の少なくとも一部が順テーパー面であり、
    　前記凸部よりも、該凸部の前記順テーパー面の側に、前記発光素子を備えた請求項９に記載の表示デバイス。
  11. 　前記凸部が、前記バンクと同一である請求項７に記載の表示デバイス。
  12. 　少なくとも一つの前記凹部空間内に、少なくとも一つの前記発光素子を備えた請求項７から１１の何れか１項に記載の表示デバイス。
  13. 　前記凹部空間内の前記発光素子について、前記基板の側の電極が反射電極である請求項１２に記載の表示デバイス。
  14. 　可撓性を有する基板上に、側面の少なくとも一部が逆テーパー面である凸部を形成することにより、前記凸部の側面と、前記凸部が形成された面とにより形成され、側面の少なくとも一部が前記逆テーパー面である凹部空間を形成する凸部形成工程と、
    　前記凸部の上面および側面と、前記凹部空間の下面とを覆い、自己修復材を含む封止層を形成する封止層形成工程とを含む表示デバイスの製造方法。
  15. 　前記封止層形成工程は、
    　前記凸部の上面および側面と前記凹部空間の下面とを覆う無機封止膜を成膜する無機封止膜成膜工程と、
    　前記無機封止膜の上層に、前記自己修復材を含む有機封止膜を成膜する有機封止膜成膜工程とを備えた請求項１４に記載に表示デバイスの製造方法。
  16. 　２つの電極と、当該２つの電極の間の発光層とをそれぞれ含む、複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　前記複数の発光素子の間に形成され、前記発光素子のそれぞれを分離するバンクを形成するバンク形成工程とをさらに含む請求項１４または１５に記載の表示デバイスの製造方法。
  17. 　前記バンク形成工程の後に、前記凸部形成工程を実行し、
    　前記凸部形成工程において、前記凸部を前記バンク上に形成する請求項１６に記載の表示デバイスの製造方法。
  18. 　前記凸部が、前記バンクと同一であり、
    　前記バンク形成工程と前記凸部形成工程とが同一の工程である請求項１６に記載の表示デバイスの製造方法。
  19. 　前記凸部形成工程において、ネガ型の感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィにより前記凸部を形成する請求項１４から１８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  20. 　少なくとも一つの前記凸部が有する前記側面のうち、前記逆テーパー面と異なる面の少なくとも一部が順テーパー面であり、
    　前記凸部形成工程において、前記基板の上面の法線方向から傾斜した方向に対し光照射を行う露光工程を含むフォトリソグラフィにより前記凸部を形成する請求項１４から１９の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。

     
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