WO2022201279A1 - 半導電性部材、固定子コイルおよび回転電機 - Google Patents

半導電性部材、固定子コイルおよび回転電機 Download PDF

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WO2022201279A1
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semiconductive
resin
stator coil
layer
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PCT/JP2021/011847
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French (fr)
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拓実 安田
貴裕 馬渕
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三菱電機株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02KDYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K3/00Details of windings
    • H02K3/42Means for preventing or reducing eddy-current losses in the winding heads, e.g. by shielding
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02KDYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K3/00Details of windings
    • H02K3/02Windings characterised by the conductor material

Definitions

  • This application relates to semi-conductive members, stator coils, and rotating electric machines.
  • the main insulating layer that covers the conductor part where the wire conductors are bundled is used to suppress the corona discharge that occurs in the minute space between the iron core and the main insulating layer.
  • a semiconductive layer wound with a semiconductive tape is disposed on the outer layer. This semi-conductive tape plays a role in reducing the voltage distributed to the minute space on the surface of the core by alleviating the potential gradient between the core and the main insulating layer.
  • the semiconductive tape is produced by disposing a semiconductive resin layer in which conductive particles such as carbon black are added to a resin on a fibrous insulating base material such as glass cloth or nonwoven fabric.
  • a semiconductive resin layer in which at least one inorganic particle selected from layered clay mineral particles, oxide particles, and nitride particles is added to a resin is used as a fibrous insulation.
  • a semiconductive tape applied to a substrate has been disclosed (see, for example, US Pat. Further, a semi-conductive tape is disclosed in which a mixture of conductive particles and non-conductive nanoparticles added to a polymer is placed on a fibrous insulating substrate (see, for example, Patent Document 2).
  • JP 2006-246599 A (paragraph 0008, FIG. 1)
  • International patent WO2018/002974 (paragraph 0050, FIG. 4)
  • Deterioration caused by partial discharge is broadly classified into impact by charged particles, thermal decomposition by local temperature rise, and chemical action by activated gas generated by discharge. These act synergistically to progress deterioration. do.
  • activated gases such as ozone (O 3 ) and atomic oxygen (O) generated by electrical discharge
  • O 3 ozone
  • O atomic oxygen
  • the semiconductive tapes disclosed in the above patent documents can be expected to improve the initial corona resistance, etc., but the organic resins and high molecular weight polymers are not suitable for the above partial discharge. Due to the oxidation action of ozone and atomic oxygen generated in the process, it deteriorates quickly and decomposes into low-molecular volatile products, so it is difficult to maintain initial corona resistance over a long period of time. there were.
  • the present application discloses a technique for solving the above problems, and aims to provide a semiconductive member, a stator coil, and a rotating electric machine that can exhibit stable corona resistance over a long period of time. .
  • the semiconductive member disclosed in the present application is a semiconductive member in which a semiconductive resin layer in which metal particles are dispersed and mixed is arranged on a fibrous insulating base material, and the metal particles are made of a thermosetting resin. has a melting point higher than the curing temperature of the fibrous insulating base material and lower than the softening point of the fibrous insulating base material.
  • the stator coil disclosed in the present application includes a conductor portion in which strand conductors are bundled, an insulating layer formed by winding a mica member around the outer circumference of the conductor portion, and the semiconductive member described above wound around the outer circumference of the insulating layer. It is characterized by having windings formed from a semi-conductive layer formed by winding, and the thermosetting resin impregnated in the windings.
  • a rotating electrical machine disclosed in the present application is characterized by comprising the stator coil described above.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a semiconductive tape according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another configuration of the semiconductive tape according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a flow chart diagram showing a manufacturing process of the semiconductive tape according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a semiconductive tape evaluation apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a semiconductive tape 1 according to Embodiment 1 of the present application.
  • a semiconductive tape 1 as a semiconductive member includes semiconductive resin layers 14a and 14b in which metal particles 2 as conductive particles are dispersed and mixed in thermosetting resins 3a and 3b. are held on both sides of the fibrous insulating base material 4, respectively.
  • the feature of the semiconductive tape 1 according to the first embodiment is that the melting point of the metal particles 2 is higher than the curing temperature of the thermosetting resin to be impregnated, and is higher than the softening point of the fibrous insulating base material 4.
  • the object is to use low-melting-point metal particles in a low range.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the stator coil 6 using the semiconductive tape 1 according to Embodiment 1.
  • the stator coil 6 includes a conductor portion 7 in which wire conductors are bundled, a main insulating layer 8 formed by winding a mica tape around the outer periphery of the conductor portion 7, and a main insulating layer 8.
  • a winding composed of a semiconductive layer 9 formed by winding a semiconductive tape 1 on the outside is impregnated under pressure using an electrical insulating varnish, and then heat-cured.
  • the stator coil 6 shown in FIG. 2 is applied to a rotating electric machine such as a motor.
  • application examples of the semi-conductive tape 1 of the present application are not limited to the semi-conductive layer of the stator coil in the above-described rotating machine stator, etc. It can be used for various applications such as materials.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another configuration of the semiconductive tape 1 according to Embodiment 1 of the present application, and is an enlarged view of area A in FIG.
  • the metal particles 2 are locally unevenly distributed in the thermosetting resin 3b. good too.
  • the metal particles 2 are unevenly distributed on the interface side with the main insulating layer 8. As shown in FIG. In this case, when an electric discharge occurs inside the void existing at the interface between the main insulating layer and the semiconducting layer, the metal particles 2 can be melted and connected with adjacent particles, resulting in higher ozone resistance. It becomes easier to form conductivity, and the corona resistance of the thermosetting resin can be improved.
  • FIG. 4 is also a schematic cross-sectional view showing another configuration of the semiconductive tape 1 according to Embodiment 1 of the present application, and is an enlarged view of region A in FIG.
  • a semiconductive resin layer 14c in which metal particles 2 are dispersed and mixed in a thermosetting resin 3c, and other conductive particles 5 are thermoset.
  • a semiconductive resin layer composed of semiconductive resin layers 14a and 14b dispersed and mixed in the conductive resins 3a and 3b may also be used.
  • the metal particles 2 are unevenly distributed in the semiconductive resin layer 14c on the interface side with the main insulating layer 8. FIG.
  • the metal particles 2 can be melted and connected to nearby particles, thereby further improving the ozone resistance. It becomes easy to form the conductivity that it has, and it is possible to improve the corona resistance of the thermosetting resin.
  • the surface resistance value is desirably in the range of 100 ⁇ or more and 100k ⁇ or less. If the surface resistance value is less than 100 ⁇ , eddy currents are generated on the surface of the semiconductive layer during actual operation, which is not preferable.
  • Metal particles As the metal particles 2, low-melting metal particles having a curing temperature higher than the curing temperature of the thermosetting resin impregnated in the stator coil manufacturing process and lower than the softening point of the fibrous insulating base material 4 are used. This allows the metal particles 2 to melt due to the local temperature rise caused by the partial discharge.
  • the metal particles 2 include low-melting-point metals such as composite components containing Pb--Sn, composite components containing Sn--Sb, composite components containing Sn--Cu, and composite components containing Sn--Ag. These metal particles 2 are melted by heating to 200° C. or higher, which is higher than the curing temperature (100 to 190° C.) of the thermosetting resin that is generally impregnated in the manufacturing process of the stator coil (200° C.). °C or higher).
  • the melting point is the temperature at which the metal undergoes a phase transformation from solid to liquid when heated from room temperature. Defined as the melting point of the metal.
  • the composition of the Pb is 0 mass% or more (including the case of Sn alone), 2.5 mass% or less, 75 mass% or more and 100 mass% or less (Pb It is more desirable to include it in the range of (including the case of a single substance). At 2.5 mass% or more and less than 75 mass%, the melting point is below 200°C even when various additive elements are added. Desired electrical insulation properties of the child coil 6 are not obtained.
  • the composition preferably contains Sn in the range of 25 mass% or more and 100 mass% or less (including the case of single Sn).
  • the composition preferably contains Sn in the range of 15 mass % or more and 100 mass % or less (including single Sn). Outside the above range, the melting point exceeds 700° C. even when various additive elements are added, so the melting action during discharge does not occur, and the desired effect of improving ozone resistance described later cannot be obtained.
  • the metal particles 2 can be used singly or as a mixture of two or more types including other conductive particles.
  • Conductive particles can be appropriately used as long as they are particles having conductivity, and the type thereof is not particularly limited. Examples include carbon black, graphite, conductive diamond, carbon fiber, carbon nanotube, and the like.
  • Conductive carbon materials or conductive metal oxides such as indium oxide, cadmium oxide, triiron tetroxide, zinc oxide, tin oxide, titanium oxide, metals, etc. are used.
  • the metal particles 2 low-melting metal particles having a melting point in a temperature range higher than the curing temperature of the thermosetting resin to be impregnated and lower than the softening point of the fibrous insulating base material 4 are used. Even when the metal particles 2 having a melting temperature range are dispersed in the thermosetting resin 3, if a partial discharge occurs starting from the void, the deterioration effect of the partial discharge (the oxidation effect of ozone and atomic oxygen) occurs. As a result, the thermosetting resin 3 is oxidatively decomposed into low volatility products.
  • the metal particles 2 existing in the vicinity of the void melt and spread along the inner surface of the void, and the melted metal particles 2 in the vicinity are bonded together. , the inner surfaces of the voids are coated with metal particles. Therefore, the metal particles coated on the inner surfaces of the voids function as a protective layer, thereby suppressing thermal decomposition of the thermosetting resin 3 around the voids and exhibiting corona resistance.
  • the corona resistance of the thermosetting resin 3 can be improved. Therefore, it is possible to exhibit stable corona resistance over a long period of time and maintain the initial resistance value of the semiconductive tape 1 .
  • the average particle diameter of the metal particles 2 is preferably 1 nm or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 10 nm or more and 1 ⁇ m or less, in median diameter (50% diameter, D50).
  • Examples of the method for measuring the average particle size when defining the above range include a laser diffraction scattering method particle size distribution apparatus (Microtrac (registered trademark) MT3300). If the average particle size of the metal particles 2 is smaller than 1 nm, the volume melted when the temperature rises locally due to partial discharge becomes small, and the above-described desired ozone resistance cannot be exhibited. On the other hand, when the average particle size of the metal particles 2 exceeds 10 ⁇ m, the distance between the particles increases proportionally, making it difficult to connect with neighboring particles when generating heat due to discharge. unable to demonstrate sexuality.
  • the metal particles 2 are dispersed in the thermosetting resin 3, and the amount of the metal particles 2 to be blended is preferably in the range of 1 to 50 vol% with respect to the thermosetting resin 3. If the amount of the metal particles 2 is less than 1 vol % with respect to the thermosetting resin 3, the desired corona resistance cannot be exhibited. On the other hand, if the amount of the metal particles 2 exceeds 50 vol % with respect to the thermosetting resin 3, the viscosity of the thermosetting resin 3 increases, making it difficult to disperse the metal particles 2 uniformly. , the thermosetting resin 3 becomes brittle and difficult to use as a tape.
  • the metal particles 2 are locally unevenly distributed in the vicinity of one side surface of the semiconductive tape 1, It is desirable that the average particle-to-particle distance between the metal particles 2 is less than 1 ⁇ m. If the average particle-to-particle distance of the metal particles 2 exceeds 1 ⁇ m, it becomes difficult for the metal particles 2 to connect with adjacent particles when generating heat due to discharge, and the above-described desired corona resistance cannot be exhibited.
  • the surfaces of the metal particles 2 are coated with a coupling agent or a surface treatment agent. It may be modified or coated before use.
  • Such coupling agents include, for example, ⁇ -glycidoxy-propyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyl-trimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyl-trimethoxysilane.
  • Examples include silane coupling agents such as methoxysilane, titanate coupling agents, and aluminum coupling agents.
  • Surface treatment agents include aluminum laurate, aluminum stearate, iron-alumina stearate, silica, zirconia, and silicone. These coupling agents or surface treatment agents can be used alone or as a mixture of two or more.
  • thermosetting resin 3 any thermosetting resin that is flexible even after being applied to the fibrous insulating base material 4 can be used as appropriate, and the type thereof is not particularly limited.
  • Thermosetting resins 3 having such properties include, for example, phenol resins, imide resins, alkyd resins, unsaturated polyester resins, polyesterimide resins, and epoxy resins.
  • any material can be appropriately used as long as it has insulating properties and can be coated with a thermosetting resin, and the type thereof is not particularly limited.
  • the fibrous insulating base material 4 having such properties includes, for example, glass cloth (softening point 950° C.), polyester cloth (softening point 240° C.), Tetron cloth (softening point 260° C.), mica sheet (softening point 750° C.). °C) and the like.
  • additives may be blended as necessary as the constituent materials of the semiconductive tape 1 according to Embodiment 1, as long as the effects of the present application are not hindered.
  • Other additives blended as materials for the semiconductive tape 1 include reactive diluents, viscosity modifiers such as toluene and xylene, curing accelerators, anti-sagging agents, anti-settling agents, anti-foaming agents, leveling agents, Slip agents, dispersant-based wetting agents, and the like.
  • FIG. 5 is a flowchart showing manufacturing steps in the method for manufacturing the semiconductive tape 1 according to the first embodiment.
  • thermosetting resin 3 and the metal particles 2 are kneaded (step S501). It is desirable that the step of kneading the metal particles 3 into the thermosetting resin 3 is performed by applying a shearing force. It is possible to uniformly disperse the metal particles 3 in the thermosetting resin 3 by applying a shearing force.
  • any device that can mix while applying a shearing force can be used as appropriate, and the type is not particularly limited. Specific examples include bead mill mixers, three-roll mill mixers, homogenizer mixers, labo plastomill mixers, and the like.
  • a curing agent is added to and mixed with the mixture of the thermosetting resin 3 and the metal particles 2 (step S502). After mixing, it is applied to the fibrous insulating base material 4 (step S503) and heat-cured (step S504) to obtain the desired semiconductive tape 1.
  • FIG. 1 A curing agent is added to and mixed with the mixture of the thermosetting resin 3 and the metal particles 2 (step S502). After mixing, it is applied to the fibrous insulating base material 4 (step S503) and heat-cured (step S504) to obtain the desired semiconductive tape 1.
  • the coupling agent or surface treatment agent described above is appropriately added and mixed as necessary.
  • the interface between the thermosetting resin 3 and the metal particles 2 can be firmly adhered.
  • the organic compound present at the interface imparts affinity to the epoxy resin, and the metal particles 2 are uniformly dispersed in the thermosetting resin 3. becomes possible.
  • the semiconductive resin layers 14a and 14b in which the metal particles 2 are dispersed are arranged on the fibrous insulating substrate 4.
  • the metal particles 2 have a melting point higher than the curing temperature of the thermosetting resin to be impregnated and lower than the softening point of the fibrous insulating base material 4.
  • the stator coil 6 according to the first embodiment the conductor portion 7 in which the wire conductors are bundled, the main insulating layer 8 formed by winding the mica tape around the outer circumference of the conductor portion 7, and the outer circumference of the main insulating layer 8 and a thermosetting resin impregnated in the winding.
  • the stator coil since the stator coil is provided, heat generation and discharge during operation of the rotary electric machine consumes the thermosetting resin and impairs the semiconductivity. It is possible to suppress things like putting away.
  • the metal particles develop resistance to activated gases such as ozone and atomic oxygen generated by partial discharge inside the voids, and suppress the deterioration of the thermosetting resin over time. sexuality is exhibited.
  • Example 2 Pb-Sn (Pb95-Sn5, manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) type metal particles with a melting point of 300 ° C. are added to an epoxy resin (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), and a mixing device (ultrasonic homogenizer, Japan Alex) was used to mix while applying a shearing force.
  • a curing agent modified alicyclic amine, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • the semiconductive tape 1 was produced by coating it on a glass cloth, which is a fibrous insulating base material, and heating and drying it.
  • Sn—Cu (Sn40—Cu60) metal particles with a melting point of 600° C. are added to an epoxy resin (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) using a mixer (ultrasonic homogenizer, manufactured by Alex Japan). The mixture was mixed while applying shear force.
  • a curing agent modified alicyclic amine, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • the semiconductive tape 1 was produced by coating it on a glass cloth, which is a fibrous insulating base material, and heating and drying it.
  • Sn-Cu (Sn25-Cu75) metal particles with a melting point of 700 ° C. are added to an epoxy resin (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) using a mixing device (ultrasonic homogenizer, manufactured by Alex Japan). The mixture was mixed while applying shear force.
  • a curing agent modified alicyclic amine, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • the semiconductive tape 1 was produced by coating it on a glass cloth, which is a fibrous insulating base material, and heating and drying it.
  • Example 5 A silicone resin (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) is mixed with Pb-Sn (Pb2.5-Sn97.5, manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.)-based metal particles having a melting point of 200 ° C., and a mixing device (ultrasonic homogenizer, manufactured by Nippon Alex) ) was used to mix while applying shear force. After that, the semiconductive tape 1 was produced by coating it on a glass cloth, which is a fibrous insulating base material, and heating and drying it.
  • Pb-Sn Pb2.5-Sn97.5, manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.
  • a mixing device ultrasonic homogenizer, manufactured by Nippon Alex
  • Pb-Sn (Pb2.5-Sn97.5, manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) type metal particles with a melting point of 200 ° C. are added to an epoxy resin (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) in a mixing device (super A sonic homogenizer (manufactured by Nippon Alex) was used to mix while applying a shearing force.
  • a curing agent modified alicyclic amine, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • the semiconductive tape 1 was produced by applying it to a polyester cloth, which is a fibrous insulating base material, and heating and drying it.
  • Epoxy resin bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • carbon black manufactured by Denka Corporation
  • a curing agent modified alicyclic amine, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • Table 1 shows the formulations used in the semiconductive tapes of Examples 1-7 and Comparative Examples 1-3.
  • a discharge test was performed using the evaluation device 10 shown in FIG.
  • a semiconductive tape 1 was placed between the ground electrode 11a and the ground electrode 11b of the evaluation device 10, and the surface resistance value between AB before the start of discharge was measured.
  • a gap of 1 mm was provided from the surface of the semiconductive tape 1, and the electrode 12 was fixed via the insulator 13.
  • a voltage of 5.0 kV was applied between the ground electrodes 11 a and 11 b and the electrode 12 to generate a partial discharge D in the gap between the semiconductive tape 1 and the electrode 12 .
  • the surface resistance between A and B was measured.
  • the semiconductive tapes of Comparative Examples 1 to 3 were also subjected to discharge tests, and the surface resistance values between AB were measured.
  • Table 2 shows the surface resistance values between AB of the semiconductive tapes of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 before and after the discharge test.
  • the semiconductive tapes 1 of Examples 1 to 7 had lower surface resistance values due to partial discharge than the semiconductive tapes of Comparative Examples 1 and 3. rise is restrained.
  • the metal particles were melted and connected in the heating and drying process, and the surface resistance value between A and B fell below the proper range.
  • the surface resistance of the semiconductive tape is low, and eddy currents may be generated in the semiconductive layer during actual operation, which is not preferable.
  • Example 1 metal particles having a melting point of 200° C. are dispersed in epoxy resin.
  • Comparative Example 1 the epoxy resin was filled with carbon black as conductive particles instead of metal particles.
  • the surface resistance values after discharge in Table 2 in Example 1, the metal particles dispersed in the epoxy resin were melted by a local temperature rise due to partial discharge, and the corona resistance was developed, and the epoxy resin is suppressed, the rise in the surface resistance value is small.
  • Comparative Example 1 since the carbon black and the thermosetting resin are consumed by the oxidation action of ozone generated by discharge, the surface resistance increases and the properties as a semiconductive tape are lost.
  • Example 1 Compare Example 1 and Comparative Example 2.
  • the resistance value of Example 1 is reduced. The rise is kept small.
  • the metal particles dispersed in the epoxy resin are melted by a local temperature rise due to partial discharge, exhibiting corona resistance, and suppressing consumption of the epoxy resin, so that the increase in resistance value is small.
  • the melting point of the metal particles of Pb5-Sn95 is 190°C, which is within the range of the heating and drying temperature (100 to 190°C) in the semiconductive tape manufacturing process.
  • the surface resistance value fell below the appropriate range.
  • Desired electrical characteristics of the stator coil cannot be obtained due to the possibility of eddy currents being generated in the semi-conductive layers during actual operation.
  • the metal particles are not foreign matter in the electrical insulating varnish during the impregnation process. As a result, the desired electrical insulation properties of the stator coil cannot be obtained.
  • Example 4 and Comparative Example 3 are compared.
  • Sn—Cu metal particles are filled in an epoxy resin, which is a thermosetting resin.
  • the increase in the surface resistance value was kept small, but in Comparative Example 3, the surface resistance value increased greatly.
  • Sn25-Cu75 metal particles with a melting point of 700° C. are dispersed in the epoxy resin. Since consumption of the resin is suppressed, an increase in the surface resistance value is small.
  • the metal particles of Sn20-Cu80 which have a melting point of 710° C., do not melt when the temperature rises due to partial discharge. Since it is consumed by action, the surface resistance value increases and the characteristics as a semiconductive tape are lost.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Insulation, Fastening Of Motor, Generator Windings (AREA)

Abstract

金属粒子2が分散混入された半導電性樹脂層14a、14bが繊維状絶縁基材4に配置された半導電性テープ1であって、金属粒子2が、含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度よりも高く、繊維状絶縁基材4の軟化点よりも低い溶融点を有する半導電性テープ1を固定子コイル6に用い、半導電性テープ1を用いた固定子コイル6を回転電機に備え、回転電機の運転時の発熱および放電などの影響により、熱硬化性樹脂が消耗し半導電性が損なわれてしまうことなどを抑制し、長期にわたって安定した耐コロナ性を発揮する。

Description

半導電性部材、固定子コイルおよび回転電機
 本願は、半導電性部材、固定子コイルおよび回転電機に関するものである。
 高出力型回転電機の固定子などに用いられる固定子コイルでは、鉄心と主絶縁層との微小空間で発生するコロナ放電を抑制するために、素線導体を束ねた導体部を覆う主絶縁層の更に外層に半導電性テープを巻回した半導電性層を配置している。この半導電性テープは、鉄心と主絶縁層の電位傾度を緩和することで、鉄心表面の微小空間に分担される電圧を低下させる役割を担う。上記半導電性テープは、カーボンブラックなどの導電性粒子を樹脂に添加した半導電性樹脂層をガラスクロスまたは不織布などの繊維状絶縁基材に配置することで製造されている。
 近年、回転電機の更なる小型化および高出力化に伴って運転中における電気的、熱的、機械的ストレスが増大する傾向にあるため、半導電性層を経時的に劣化させる。また、主絶縁層と半導電性層との界面に完全に空隙(ボイド)無しに製造することは困難であるため、そのボイドを起点に相応に高い部分放電が発生し、半導電性層の劣化を加速させ、鉄心と主絶縁層との空間で発生するコロナ放電を長期的に抑制することが困難になっている。
 そこで、導電性粒子に加えて層状粘度鉱物系粒子、酸化物系粒子、窒化物系粒子のうちから選ばれた少なくとも1種からなる無機粒子を樹脂に添加した半導電性樹脂層を繊維状絶縁基材に塗布した半導電性テープが開示されている(例えば、特許文献1参照)。また、導電性粒子に加えて非導電性ナノ粒子を高分子重合体に添加した混合剤を繊維状絶縁基材に配置した半導電体テープが開示されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2006―246599号公報(段落0008、図1) 国際特許WO2018/002974号公報(段落0050、図4)
 部分放電による劣化作用は、荷電粒子による衝撃作用、局所的な温度上昇による熱分解作用、放電により生成された活性化ガスによる化学作用に大別され、これらが相乗的に作用して劣化が進行する。今回、我々は、これらの中でも放電で生成されたオゾン(O)および原子状酸素(O)等の活性化ガスによる酸化作用の影響が極めて大きく、半導電性層の劣化の支配要因であるとの知見を新たに見出した。したがって、この点において、上記のような特許文献で開示されている半導電性テープでは、初期の耐コロナ性向上などは期待できるものの、有機物である樹脂および高分子重合体は、上記した部分放電で生成するオゾンおよび原子状酸素の酸化作用による劣化が早く、低分子の揮発性の生成物に分解してしまうため、初期の耐コロナ性を長期的に維持することが困難であるという問題があった。
 本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、長期にわたって安定した耐コロナ性を発揮できる半導電性部材、固定子コイルおよび回転電機を提供することを目的とする。
 本願に開示される半導電性部材は、金属粒子が分散混入された半導電性樹脂層が繊維状絶縁基材に配置された半導電性部材であって、前記金属粒子は、熱硬化性樹脂が硬化する温度よりも高く、前記繊維状絶縁基材の軟化点よりも低い溶融点を有することを特徴とする。
 本願に開示される固定子コイルは、素線導体を束ねた導体部、前記導体部の外周にマイカ部材を巻回してなる絶縁層および前記絶縁層の外周に上記記載の半導電性部材を巻回してなる半導電性層とから形成された巻線と、前記巻線に含侵させた前記熱硬化性樹脂とを有することを特徴とする。
 本願に開示される回転電機は、上記記載の固定子コイルを備えることを特徴とする。
 本願によれば、長期にわたって安定した耐コロナ性を発揮できる半導電性部材、固定子コイルおよび回転電機を提供することが可能である。
実施の形態1に係る半導電性テープの構成を示す断面模式図である。 実施の形態1に係る半導電性テープを用いた固定子コイルの構成を示す断面模式図である。 実施の形態1に係る半導電性テープの他の構成を示す断面模式図である。 実施の形態1に係る半導電性テープの他の構成を示す断面模式図である。 実施の形態1に係る半導電性テープの製造工程を示すフローチャート図である。 実施の形態1に係る半導電性テープの評価装置の構成を示す断面模式図である。
 実施の形態1.
 図1は、本願の実施の形態1に係る半導電性テープ1の構成を示す断面模式図である。図1に示すように、半導電性部材としての半導電性テープ1は、熱硬化性樹脂3a、3b内に導電性粒子としての金属粒子2が分散混入された半導電性樹脂層14a、14bをそれぞれ繊維状絶縁基材4の両面に保持する。本実施の形態1に係る半導電性テープ1の特徴は、金属粒子2の溶融点が含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度よりも高く、繊維状絶縁基材4の軟化点よりも低い範囲である低融点金属粒子を用いることにある。この特徴により、部分放電に起因する局所的な温度上昇が発生するとボイド付近に存在する金属粒子が溶融して、ボイド内表面に沿って耐オゾン性を有する導電性を形成し、熱硬化性樹脂の耐コロナ性向上を図ることができる。
 図2は、実施の形態1に係る半導電性テープ1を用いた固定子コイル6の構成を示す断面模式図である。図2に示すように、固定子コイル6は、素線導体を束ねた導体部7と、導体部7の外周にマイカテープを巻回して形成される主絶縁層8と、主絶縁層8の外側に、半導電性テープ1を巻回して形成される半導電性層9と、から構成される巻線に対して、電気絶縁ワニスを用いて加圧含浸処理した後、熱硬化処理を施すことで製造される。図2に示す固定子コイル6は、モータなどの回転電機に適用される。また、本願の半導電性テープ1の適用例は、上記した回転機用固定子などにおける固定子コイルの半導電性層にのみ限られるものではなく、発電機用コイル、遮断器用ロッド、ケーブル被覆材料などの各種用途に使用することが可能である。
 なお、本実施の形態1に係る半導電性テープ1では、熱硬化性樹脂3内に金属粒子2が均一に分散された状態としたが、これに限るものではない。図3は、本願の実施の形態1に係る半導電性テープ1の他の構成を示す断面模式図であり、図2の領域Aの拡大図である。図3に示すように、半導電性テープ1の他の構成として、主絶縁層8側に配置される半導電性樹脂層14bでは熱硬化性樹脂3bに金属粒子2が局所的に偏在してもよい。この半導電性テープ1からなる半導電性層9は、主絶縁層8と半導電性層9の界面に存在するボイドを起点に発生する部分放電によって劣化するため、主絶縁層8に接して巻回する半導電性テープ1の半導電性樹脂層14bでは主絶縁層8との界面側に金属粒子2が偏在して分散されている。この場合、主絶縁層と半導電層との界面に存在するボイド内部で放電が発生する際に、金属粒子2が溶融して近傍粒子と連結することが可能であり、より耐オゾン性を有する導電性を形成しやすくなり、熱硬化性樹脂の耐コロナ性向上を図ることができる。
 また、図4も、本願の実施の形態1に係る半導電性テープ1の他の構成を示す断面模式図であり、図2の領域Aの拡大図である。図4に示すように、半導電性テープ1の他の構成として、金属粒子2が熱硬化性樹脂3c内に分散混入された半導電性樹脂層14cと、他の導電性粒子5が熱硬化性樹脂3a、3b内に分散混入された半導電性樹脂層14a、14bとで構成された半導電性樹脂層を用いもよい。この半導電性テープ1からなる半導電性層9は、主絶縁層8と半導電性層9の界面に存在するボイドを起点に発生する部分放電によって劣化するため、主絶縁層8に接して巻回する半導電性テープ1の半導電性樹脂層では主絶縁層8との界面側の半導電性樹脂層14cに金属粒子2が偏在して分散されている。この場合も、主絶縁層と半導電層との界面に存在するボイド内部で放電が発生する際に、金属粒子2が溶融して近傍粒子と連結することが可能であり、より耐オゾン性を有する導電性を形成しやすくなり、熱硬化性樹脂の耐コロナ性向上を図ることができる。
 上記いずれの半導電性テープにおいても、表面抵抗値は100Ω以上、100kΩ以下の範囲であることが望ましい。表面抵抗値が100Ω未満であると、実機運転時に半導電性層表面で渦電流が発生するため好ましくない。
  以下、本実施の形態1に係る半導電性テープ1を構成する各成分につて詳細に説明する。
<金属粒子>
 金属粒子2には、固定子コイルの製造工程において含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度よりも高く、繊維状絶縁基材4の軟化点よりも低い低融点金属粒子を用いる。これにより、部分放電に起因する局所的な温度上昇によって金属粒子2の溶融が可能となる。
 金属粒子2としては、例えば、Pb―Snを含む複合成分、Sn―Sbを含む複合成分、Sn―Cuを含む複合成分、Sn―Agを含む複合成分、などの低融点金属が挙げられる。これらの金属粒子2は、固定子コイルの製造工程における一般的な含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度(100~190℃)よりも高い200℃以上に加熱することで溶融する(200℃以上の溶融点を有する)ことを特徴とする。
 溶融点は、常温から金属を加熱したときに金属が固相から液相に相変態する温度で、二元系または三元系合金状態図を用いて推定することができ、その固相線を金属の溶融点として定義する。
 Pb―Snを含む複合成分からなる金属粒子2の場合、その組成は、Pbを0mass%以上(Sn単体の場合も含む)、2.5mass%以下の範囲、75mass%以上、100mass%以下(Pb単体の場合も含む)の範囲で含むことがより望ましい。2.5mass%以上、75mass%未満では、種々の添加元素を加えた場合においても溶融点が200℃を下回るため、含侵処理工程において金属粒子2が電気絶縁ワニス中に異物として混入し、固定子コイル6の所望の電気絶縁特性が得られない。
 Sn―Cuを含む複合成分からなる金属粒子2の場合、その組成は、Snを25mass%以上、100mass%以下(Sn単体の場合も含む)の範囲で含むことが望ましい。Sn―Agを含む複合成分からなる金属粒子の場合、その組成は、Snを15mass%以上、100mass%以下(Sn単体の場合も含む)の範囲で含むことが望ましい。上記した範囲外では、種々の添加元素を加えた場合においても溶融点が700℃を上回るため、放電時の溶融作用が発現せず、後述する所望の耐オゾン性の向上効果が得られない。
 金属粒子2は、単独あるいは他の導電性粒子を含めた2種類以上の混合物として使用することができる。導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば適宜に使用可能であり、その種類は特に限定されるものではないが、例えば、カーボンブラック、グラファイト、導電性ダイヤモンド、カーボンファイバー、カーボンナノチューブなどの導電性炭素物質、または酸化インジウム、酸化カドミウム、四酸化三鉄、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタンなどの導電性金属酸化物、金属などが用いられる。
 金属粒子2には、含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度よりも高く、繊維状絶縁基材4の軟化点よりも低い温度範囲に溶融点を有する低融点金属粒子を用いる。このような、溶融温度範囲の金属粒子2を熱硬化性樹脂3中に分散させた場合でも、ボイドを起点に部分放電が発生すると、部分放電の劣化作用(オゾンおよび原子状酸素の酸化作用)により、熱硬化性樹脂3が低揮発性の生成物に酸化分解される。しかし、部分放電に起因する局所的な温度上昇によって、ボイド付近に存在する金属粒子2が溶融して、ボイド内表面に沿って濡れ広がり、近傍の金属粒子2の溶融体同士が結合することで、ボイド内表面を金属粒子が被覆する。このため、ボイド内表面に被覆した金属粒子が防護層として機能することで、ボイド周辺の熱硬化樹脂3の熱分解を抑制するとともに耐コロナ性を発揮できる。
 ここで、金属粒子の代わりに、例えば、特許文献1で示される耐コロナ性を有する無機粒子を用いる場合、物理的なバリア効果により初期の耐コロナ性向上が期待できる。しかし、劣化進展の先端を無機粒子が濃化して完全に被覆しない限り、無機粒子間に存在する樹脂および高分子重合体はオゾンの酸化作用によって酸化分解するため、初期の耐コロナ性を長期的に維持することは困難である。また、電気絶縁性を有する無機粒子を半導電性樹脂層に添加するため、半導電性テープの初期抵抗値が低下する。
 しかし、本願のように部分放電に起因する局所的な温度上昇によって溶融・変形・結合する金属粒子2を用いることで、熱硬化性樹脂3の耐コロナ性向上を図ることができる。このため、長期にわたって安定した耐コロナ性を発揮できるとともに、半導電性テープ1の初期抵抗値を維持することができる。
 金属粒子2の平均粒径は、メジアン径(50%径、D50)で1nm以上、10μm以下が望ましく、10nm以上、1μm以下がより望ましい。上記範囲を規定した際の平均粒径の測定方法には、例えば、レーザー回折散乱法粒度分布装置(マイクロトラック(登録商標)MT3300)などが挙げられる。なお、金属粒子2の平均粒径が、1nmよりも小さくなると、部分放電によって局所的に温度が上昇する際に溶融する体積が小さくなり、上記した所望の耐オゾン性を発揮できない。一方、金属粒子2の平均粒径が、10μmよりも大きくなると、粒子間距離は比例して大きくなり、放電で発熱する際に近傍粒子と連結することが困難になり、上記した所望の耐コロナ性を発揮できない。
 金属粒子2は熱硬化性樹脂3中に分散して存在し、その際の金属粒子2の配合量は、熱硬化性樹脂3に対して1~50vоl%の範囲であることが望ましい。金属粒子2の配合量が熱硬化性樹脂3に対して1vоl%未満であると、所望の耐コロナ性を発揮できない。一方、金属粒子2の配合量が熱硬化性樹脂3に対して50vоl%を超えると、熱硬化性樹脂3の粘度が上がって、金属粒子2を均一に分散することが困難になるとともに、また、熱硬化性樹脂3がもろくなって、テープとして使用することも困難になる。
 なお、主絶縁層8と半導電性層9と界面に存在するボイドを起点に部分放電が発生するためには、金属粒子2は半導電性テープ1の片側表面近傍に局所的に偏在し、金属粒子2同士の平均粒子間距離は1μm未満とすることが望ましい。金属粒子2の平均粒子間距離が1μmを超えると、放電で発熱する際に近傍粒子と連結することが困難になり、上記した所望の耐コロナ性を発揮できない。
 また、金属粒子2は、熱硬化性樹脂3との密着性を改善する、もしくは熱硬化性樹脂3中での分散性を改善するなどの目的で、その表面をカップリング剤もしくは表面処理剤で改質またはコーティングして使用してもよい。このようなカップリング剤には、例えば、γ - グリシドオキシ-プロピルトリメトキシシラン、γ - アミノプロピル- トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、3 - メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3 - グリシジルオキシプロピル- トリメトキシシランなどのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。また、表面処理剤には、ラウリン酸アルミニウム、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸鉄アルミナ、シリカ、ジルコニア、シリコーンなどが挙げられる。これらのカップリング剤または表面処理剤は、単独もしくは2種類以上の混合物として使用することができる。
 <熱硬化性樹脂>
 熱硬化性樹脂3としては、繊維状絶縁基材4に塗布後も柔軟性を有する熱硬化性樹脂であれば適宜に使用可能であり、その種類は特に限定されるものではない。このような性質を有する熱硬化性樹脂3には、例えば、フェノール樹脂、イミド樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。
 <繊維状絶縁基材>
 繊維状絶縁基材4としては、絶縁性を有し熱硬化性樹脂を塗布できるものであれば適宜に使用可能であり、その種類は特に限定されるものではない。このような性質を有する繊維状絶縁基材4には、例えば、ガラスクロス(軟化点950℃)、ポリエステルクロス(軟化点240℃)、テトロンクロス(軟化点260℃)、マイカシート(軟化点750℃)などが挙げられる。
 なお、本実施の形態1に係る半導電性テープ1の構成材料として、上述した成分に加え、本願の効果を阻害しない範囲で、添加剤を必要に応じて配合してもよい。半導電性テープ1の材料として配合する他の添加剤には、反応性希釈剤、トルエン、キシレンなどの粘度調節剤、硬化促進剤、タレ止剤、沈降防止剤、消泡剤、レベリング剤、スリップ剤、分散剤基材湿潤剤などが挙げられる。
 次に、本実施の形態1に係る半導電性テープ1の製造方法を、図5を用いて説明する。図5は、本実施の形態1に係る半導電性テープ1の製造方法での製造工程を示すフローチャート図である。
まず、熱硬化性樹脂3と金属粒子2を混練する(ステップS501)。金属粒子3の熱硬化性樹脂3中への混練工程は、剪断力を加えて行う剪断混合を適用することが望ましい。剪断力を加えることで、金属粒子3を熱硬化性樹脂3中に均一分散させることが可能である。
 剪断混合を行う混合装置としては、剪断力を加えながら混合可能な装置であれば、適宜に使用可能でその種類は特に限定されるものではない。具体例としては、ビーズミル混合機、3本ロールミル混合機、ホモジナイザー混合機、ラボプラストミル混合機などが挙げられる。
 次いで、熱硬化性樹脂3と金属粒子2の混合物に、硬化剤を添加して混合する(ステップS502)。混合後、繊維状絶縁基材4に塗布し(ステップS503)、加熱硬化する(ステップS504)ことで目的とする半導電性テープ1を得ることができる。
 なお、上記した半導電性テープ1の製造工程において、上記したカップリング剤または表面処理剤は必要に応じて適宜に添加、混合される。金属粒子2の表面をカップリング剤または表面処理剤で改質することにより、熱硬化性樹脂3と金属粒子2との界面を強固に密着させることができる。さらに、金属粒子2としてPb―Snを含む複合成分を用いた場合、その界面に介在する有機化合物によりエポキシ樹脂に対する親和性が付与され、熱硬化性樹脂3中に金属粒子2を均一に分散させることが可能となる。
 以上のように、本実施の形態1に係る半導電性テープ1によれば、金属粒子2が分散混入された半導電性樹脂層14a、14bが繊維状絶縁基材4に配置された半導電性テープ1であって、金属粒子2は、含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度よりも高く、繊維状絶縁基材4の軟化点よりも低い溶融点を有するようにしたので、また、本実施の形態1に係る固定子コイル6によれば、素線導体を束ねた導体部7、導体部7の外周にマイカテープを巻回してなる主絶縁層8および主絶縁層8の外周に上記の半導電性テープ1を巻回してなる半導電性層9とから形成された巻線と、巻線に含侵された熱硬化性樹脂とを有するようにしたので、さらに、本実施の形態1に係る回転電機によれば、上記固定子コイルを備えるようにしたので、回転電機の運転時の発熱および放電などの影響により、熱硬化性樹脂が消耗し半導電性が損なわれてしまうことなどを抑制できる。また、鉄心と主絶縁材間の微小空間発生するコロナ放電を効果的且つ長期的に抑制することができ、長期にわたって高い信頼性を有する半導電性テープ、固定子コイルおよび回転電機を提供できる。要するに、金属粒子がボイド内部の部分放電で生成するオゾンおよび原子状酸素などの活性化ガスに対する耐性を発現して、熱硬化性樹脂の経時的な劣化を抑制するので、長期にわたって安定した耐コロナ性が発揮される。
 以下、実施例および比較例により本願の詳細を説明するが、これらによって本願が限定されるものではない。
〔実施例1〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が200℃であるPb―Sn(Pb2.5-Sn97.5、三井金属社製)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔実施例2〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が300℃であるPb―Sn(Pb95-Sn5、三井金属社製)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔実施例3〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が600℃であるSn―Cu(Sn40-Cu60)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔実施例4〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が700℃であるSn―Cu(Sn25-Cu75)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔実施例5〕
 シリコーン樹脂(信越シリコーン社製)に、溶融点が200℃であるPb―Sn(Pb2.5-Sn97.5、三井金属社製)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔実施例6〕
 不飽和ポリエステル樹脂(昭和電工社製)に、溶融点が200℃であるPb―Sn(Pb2.5-Sn97.5、三井金属社製)系の金属粒子および硬化剤(有機過酸化物、三菱ケミカル社製)を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔実施例7〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が200℃であるPb―Sn(Pb2.5-Sn97.5、三井金属社製)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるポリエステルクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープ1を作製した。
〔比較例1〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、導電性粒子としてカーボンブラック(デンカ社製)を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープを作製した。
〔比較例2〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が190℃であるPb―Sn(Pb5-Sn95、三井金属社製)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープを作製した。
〔比較例3〕
 エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製)に、溶融点が710℃であるSn-Cu(Sn20-Cu80)系の金属粒子を、混合装置(超音波ホモジナイザー、日本アレックス製)を用いて剪断力を加えながら混合した。硬化後に柔軟性を付与できる硬化剤(変性脂環族アミン、三菱ケミカル社製)を添加、混合した。その後、繊維状絶縁基材であるガラスクロスに塗布し、加熱乾燥して半導電性テープを作製した。
 ここで、実施例1~7および比較例1~3の半導電性テープに使用した配合物を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 実施例1~7半導電性テープ1について、耐コロナ性を評価するために図6に示す評価装置10を使用して放電試験を実施した。評価装置10のアース電極11aとアース電極11b間に、半導電性テープ1を設置し、放電開始前のA-B間における表面抵抗値を測定した。次に、半導電性テープ1の表面から1mmの間隙を設け、絶縁物13を介して電極12を固定した。アース電極11aおよびアース電極11bと電極12との間に5.0kVの電圧を印加して、半導電性テープ1と電極12の間隙で部分放電Dを発生させた。この後、放電開始から200時間経過後のA-B間における表面抵抗値を測定した。そして、同様の手順で、比較例1~3の半導電性テープについても放電試験を実施し、A-B間における表面抵抗値を測定した。
 実施例1~7および比較例1~3の半導電性テープにおける放電試験前後のA-B間における表面抵抗値を、表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2における放電試験後の表面抵抗値が示すように、実施例1~7の半導電性テープ1は、比較例1、3の半導電性テープと比較して、部分放電による表面抵抗値の上昇が抑制されている。なお、比較例2の半導電性テープは、加熱乾燥工程で金属粒子が溶融して連結し、A―B間における表面抵抗値が適正範囲以下となった。半導電性テープの表面抵抗値が低く、実機運転時に半導電性層内で渦電流が発生する可能性があるため好ましくない。
 実施例1と比較例1とを比較する。実施例1の半導電性テープ1では、溶融点200℃である金属粒子がエポキシ樹脂中に分散されている。一方、比較例1では、金属粒子の代わりに導電性粒子としてカーボンブラックがエポキシ樹脂に充填されている。表2の放電後の表面抵抗値が示すように、実施例1では、エポキシ樹脂中で分散している金属粒子が部分放電による局所的な温度上昇によって溶融し、コロナ耐性を発現し、エポキシ樹脂の消耗が抑制されるため、表面抵抗値の上昇が小さくなっている。しかしながら、比較例1では、カーボンブラックおよび熱硬化性樹脂が放電で生成するオゾンの酸化作用により消耗してしまうため、表面抵抗値が大きくなり半導電性テープとしての特性が失われている。
 実施例1と比較例2とを比較する。実施例1の半導電性テープでは、溶融点が200℃であるPb2.5―Sn97.5の金属粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂中に添加することで、実施例1の抵抗値の上昇は小さく抑えられている。エポキシ樹脂中で分散している金属粒子が部分放電による局所的な温度上昇によって溶融し、コロナ耐性を発現し、エポキシ樹脂の消耗が抑制されるため、抵抗値の上昇が小さくなっている。しかしながら、比較例2では、Pb5―Sn95の金属粒子の溶融点が190℃であり、半導電性テープ製造工程における加熱乾燥温度(100~190℃)の範囲内であるため、金属粒子が溶融して連結し、表面抵抗値が適正範囲以下となった。実機運転時に半導電性層内で渦電流が発生する可能性があるため固定子コイルの所望の電気特性が得られない。また、固定子コイル製造工程における一般的な含侵処理をする熱硬化性樹脂の硬化温度(100~190℃)の範囲内であるため、含侵処理工程において金属粒子が電気絶縁ワニス中に異物として混入し、固定子コイルの所望の電気絶縁特性が得られない。
 実施例4と比較例3とを比較する。実施例4および比較例3のいずれの半導電性テープにも、Sn―Cu系金属粒子が熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂中に充填されている。実施例4では、の表面抵抗値の上昇は小さく抑えられているが、比較例3の表面抵抗値は大きく上昇している。実施例4では、溶融点が700℃であるSn25―Cu75の金属粒子をエポキシ樹脂中に分散しており、金属粒子が部分放電による局所的な温度上昇によって溶融し、コロナ耐性を発現し、エポキシ樹脂の消耗が抑制されるため、表面抵抗値の上昇が小さくなっている。しかしながら、比較例3では、溶融点が710℃であるSn20―Cu80の金属粒子が部分放電による温度上昇では溶融しないためにコロナ耐性が発現されず、熱硬化性樹脂が放電で生成するオゾンの酸化作用により消耗してしまうため、表面抵抗値が大きくなり半導電性テープとしての特性が失われている。
 本願は、様々な例示的な実施の形態および実施例が記載されているが、実施の形態に記載された様々な特徴、態様、および機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
 1 半導電性テープ(半導電性部材)、2 金属粒子、4 繊維状絶縁基材、14a、14b、14c 半導電性樹脂層。

Claims (10)

  1.  金属粒子が分散混入された半導電性樹脂層が繊維状絶縁基材に配置された半導電性部材であって、
     前記金属粒子は、熱硬化性樹脂が硬化する温度よりも高く、前記繊維状絶縁基材の軟化点よりも低い溶融点を有することを特徴とする半導電性部材。
  2.  前記金属粒子は、200℃以上、700℃以下の溶融点を有することを特徴とする請求項1に記載の半導電性部材。
  3.  前記金属粒子は、Pb―Snを含む複合成分、Sn―Sbを含む複合成分、Sn―Cuを含む複合成分、またはSn―Agを含む複合成分で構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導電性部材。
  4.  前記金属粒子は、配合量が前記半導電性樹脂層の樹脂部に対して1vol%以上、50vоl%以下の範囲であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導電性部材。
  5.  前記金属粒子は、平均粒径が1nm以上、10μm以下の範囲であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導電性部材。
  6.  前記金属粒子は、前記半導電性樹脂層の樹脂部との界面にカップリング剤または表面処理剤を介在させたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導電性部材。
  7.  素線導体を束ねた導体部、前記導体部の外周にマイカ部材を巻回してなる絶縁層および前記絶縁層の外周に請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導電性部材を巻回してなる半導電性層とから形成された巻線と、前記巻線に含侵させた前記熱硬化性樹脂とを有することを特徴とする固定子コイル。
  8.  前記半導電性層は、前記絶縁層との界面に接する半導電性部材において前記絶縁層との界面側に前記金属粒子が偏在していることを特徴とする請求項7に記載の固定子コイル。
  9.  前記半導電性層は、前記偏在している金属粒子以外の金属粒子の代わりに、導電性粒子を用いることを特徴とする請求項8に記載の固定子コイル。
  10.  請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の固定子コイルを備えることを特徴とする回転電機。
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