WO2022191155A1

WO2022191155A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子パネル及び電子機器

Info

Publication number: WO2022191155A1
Application number: PCT/JP2022/009838
Authority: WO
Inventors: 弘明豊島; 和樹西村; 聡美田崎; 一馬間瀬
Original assignee: 出光興産株式会社
Priority date: 2021-03-12
Filing date: 2022-03-08
Publication date: 2022-09-15
Also published as: JP2024084865A

Abstract

一枚の基板（２）上で複数の有機ＥＬ素子（１）を製造する製造方法であって、複数の有機ＥＬ素子（１）のそれぞれの第一の発光層及び第二の発光層を基板（２）に成膜する工程を有し、第一の発光層を成膜する工程は、第一のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、第二の発光層を成膜する工程は、第二のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、数式（数１）の関係を満たす。　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１）

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子パネル及び電子機器

　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子パネル及び電子機器に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
　有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、例えば、特許文献１及び２においては、複数の発光層を積層させることについて検討がなされている。また、特許文献３には、有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、２つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象（以下、Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｆｕｓｉｏｎ＝ＴＴＦ現象と称する場合がある。）が記載されている。
　有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。

特開２００７－２９４２６１号公報米国特許出願公開２０１９／２８０２０９号明細書国際公開第２０１０／１３４３５０号

　一枚の基板の上に複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する場合に、素子性能のばらつきを抑制することができる技術が望まれている。

　本発明の目的は、素子性能のばらつきを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することである。また、本発明の別の目的は、画素としての有機エレクトロルミネッセンス素子の性能のばらつきを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを提供すること、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを搭載した電子機器を提供することである。

　本発明の一態様によれば、一枚の基板上で複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの第一の発光層及び第二の発光層を前記基板に成膜する工程を有し、
　前記第一の発光層を成膜する工程は、第一のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、
　前記第二の発光層を成膜する工程は、第二のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１）

　本発明の一態様によれば、一枚の基板と、前記基板の上に配置された複数の画素としての複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、を含み、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は、それぞれ、第一の発光層及び第二の発光層を含み、
　前記第一の発光層は、第一のホスト材料を含み、
　前記第二の発光層は、第二のホスト材料を含み、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光層は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を少なくとも含み、
　前記第二の発光層は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を少なくとも含み、
　前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）及び前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）の少なくともいずれかが、０．００３６を超える、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネルが提供される。
　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１）
（前記平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ１）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合とから、算出され、
　前記平均値Ａｖｅ（Ｄ２）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ２）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合とから、算出される。）

　本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを搭載した電子機器が提供される。

　本発明の一態様によれば、素子性能のばらつきを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供できる。また、本発明の別の一態様によれば、画素としての有機エレクトロルミネッセンス素子の性能のばらつきを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを提供できる。また、本発明の別の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを搭載した電子機器を提供できる。

本発明の一実施形態に係る製造方法で製造される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の基板上での配置を示す概略斜視図である。本発明の一実施形態に係る製造方法で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。本発明の一実施形態に係る製造方法で製造される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の基板上での配置を示す概略平面図である。本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子パネルの概略構成を示す概略斜視図である。

〔第一実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法）
　本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、一枚の基板上で複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの第一の発光層及び第二の発光層を前記基板に成膜する工程を有し、前記第一の発光層を成膜する工程は、第一のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、前記第二の発光層を成膜する工程は、第二のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たす。
　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１）

　以下、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を、本実施形態の製造方法と称する場合がある。

　従来、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させるための技術として、Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ａｎｎｈｉｌａｔｉｏｎ（ＴＴＡと称する場合がある。）が知られている。ＴＴＡは、三重項励起子と三重項励起子とが衝突して、一重項励起子を生成するという機構（メカニズム）である。なお、ＴＴＡメカニズムは、特許文献３に記載のようにＴＴＦメカニズムと称する場合もある。

　ＴＴＦ現象を説明する。陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とは、発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％の比率である。従来知られている蛍光素子においては、２５％の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの７５％の三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論限界値は２５％といわれていた。
　一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、五重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子（以下、^３Ａ^＊と記載する）の密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、^１Ａは、基底状態を表し、^１Ａ^＊は、最低励起一重項励起子を表す。
　　　^３Ａ^＊＋^３Ａ^＊→（４／９）^１Ａ＋（１／９）^１Ａ^＊＋（１３／９）^３Ａ^＊
　即ち、５^３Ａ^＊→４^１Ａ＋１Ａ^＊となり、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５即ち２０％が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は、当初生成する２５％分に７５％×（１／５）＝１５％を加えた４０％ということになる。このとき、全発光強度中に占めるＴＴＦ由来の発光比率（ＴＴＦ比率）は、１５／４０、すなわち３７．５％となる。また、当初生成した７５％の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した（２つの三重項励起子から１つの一重項励起子が生成した）とすると、当初生成する一重項励起子２５％分に７５％×（１／２）＝３７．５％を加えた６２．５％という非常に高い内部量子効率が得られる。このとき、ＴＴＦ比率は、３７．５／６２．５＝６０％である。

　本実施形態の製造方法は、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含有する第一の発光層及び第二の発光層を備えた有機ＥＬ素子を一枚の基板の上に複数形成でき、製造される有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることもできる。

　本実施形態の製造方法によって製造される有機ＥＬ素子において、第一の発光層で正孔と電子との再結合によって生成した三重項励起子は、当該第一の発光層と直接に接する有機層との界面にキャリアが過剰に存在していても、第一の発光層と当該有機層との界面に存在する三重項励起子がクエンチされ難くなると考えられる。例えば、再結合領域が、第一の発光層と正孔輸送層又は電子障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な電子によるクエンチが考えられる。一方、再結合領域が、第一の発光層と電子輸送層又は正孔障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な正孔によるクエンチが考えられる。
　本実施形態の製造方法によって製造される有機ＥＬ素子は、所定の関係を満たす、少なくとも２つの発光層（すなわち、第一の発光層及び第二の発光層）を備え、第一の発光層中の第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二の発光層中の第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、前記数式（数１）の関係を満たす。
　前記数式（数１）の関係を満たすように第一の発光層及び第二の発光層を備えることで、第一の発光層で生成した三重項励起子は、過剰キャリアによってクエンチされずに第二の発光層へと移動し、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制できる。その結果、第二の発光層において、ＴＴＦメカニズムが発現して、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。
　このように、本実施形態の製造方法によって製造される有機ＥＬ素子が、三重項励起子を主に生成させる第一の発光層と、第一の発光層から移動してきた三重項励起子を活用してＴＴＦメカニズムを主に発現させる第二の発光層と、を異なる領域として備え、第二の発光層中の第二のホスト材料として、第一の発光層中の第一のホスト材料よりも小さな三重項エネルギーを有する化合物を用いて、三重項エネルギーの差を設けることで、発光効率が向上する。

　また、電極間に１つの発光層のみ有する有機ＥＬ素子（単層型発光層の有機ＥＬ素子）においては、当該発光層中の発光性化合物の濃度（含有割合）が高くなると、ホスト材料だけでなく、発光性化合物もホール輸送を担うようになる。その結果、ホールが発光層内の陰極側へと移動し易くなり、発光位置がずれて、発光層中のキャリアバランスがずれて、素子寿命が短くなる。そのため、一枚の基板の上に複数の単層型発光層の有機ＥＬ素子を形成する場合、各有機ＥＬ素子の発光層中の発光性化合物の濃度（含有割合）がばらついて、発光性化合物の濃度（含有割合）が高い有機ＥＬ素子が形成されると、その有機ＥＬ素子の寿命が短いので、一枚の基板の上で製造する有機ＥＬ素子の歩留まりが低くなる。

　一方、電極間に２つ以上の発光層を有する有機ＥＬ素子（積層型発光層の有機ＥＬ素子）においては、全ての発光層の総膜厚が所定の厚さであるところ、当該総膜厚に占める各発光層の膜厚が薄くなる。本実施形態の製造方法では、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含有する第一の発光層及び第二の発光層を成膜する。第一の発光層が正孔と電子との再結合により三重項励起子を主に生成させる層である。第一の発光層の膜厚が、単層型発光層の有機ＥＬ素子の発光層の膜厚よりも薄くなると、第一の発光層及び第二の発光層中の発光性化合物の濃度（含有割合）が高くなっても、単層型発光層の場合と比べて、ホールが第一の発光層内で移動できる領域が狭いため、再結合領域が限定される。その結果、本実施形態の製造方法によって製造される有機ＥＬ素子（積層型発光層の有機ＥＬ素子）によれば、発光位置のずれが小さくなり、キャリアバランスのずれも抑制されて、寿命の低下が起こりにくい（素子性能が発光性化合物の濃度の影響を受けにくい）。そのため、一枚の基板の上に複数の積層型発光層の有機ＥＬ素子を形成する場合、各有機ＥＬ素子の発光層中の発光性化合物の濃度（含有割合）がばらついて、発光性化合物の濃度（含有割合）が高い有機ＥＬ素子が形成されたとしても、その有機ＥＬ素子の寿命が短くなり難いので、素子性能のばらつきが抑制され、有機ＥＬ素子の歩留まりを向上させることができる。なお、発光性化合物の種類によってキャリアバランスが異なるため、発光層中の発光性化合物の適切な濃度（含有割合）も発光性化合物の種類によって異なる。

　本実施形態において、「一枚の基板上で複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法」は、有機エレクトロルミネッセンス素子を量産するための製造方法であることが好ましい。
　本実施形態の製造方法によれば、第五世代以上のサイズの基板を用いる有機ＥＬ素子の量産において、有機ＥＬ素子性能のばらつきの低減効果が特に期待できる。例えば、第五世代の基板のサイズは、１０００ｍｍ×１２００ｍｍである。

　本実施形態の製造方法において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。
　Ｔ_１（Ｈ１）－Ｔ_１（Ｈ２）＞０．０３ｅＶ　…（数５）

　本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、第一の発光層は、例えば、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。第二の発光層は、例えば、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。

（層形成方法）
　本実施形態の製造方法において、第一の発光層及び第二の発光層を成膜する方法は、乾式成膜法であることが好ましい。乾式成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
　本実施形態の製造方法において、第一の発光層及び第二の発光層以外の各層の形成方法は、特に制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。

（有機ＥＬ素子のその他の層）
　本実施形態の製造方法は、陽極及び陰極を成膜する工程を有していてもよい。また、本実施形態の製造方法は、陽極及び陰極の一方の電極が予め形成されている基板を用いてもよい。

　本実施形態の製造方法において、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれは、陽極及び陰極を含み、第一の発光層を、第二の発光層よりも陽極側に成膜し、第二の発光層を、第一の発光層よりも陰極側に成膜することも好ましい。

　本実施形態の製造方法において、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれは、陽極及び陰極を含み、第二の発光層を、第一の発光層よりも陽極側に成膜し、第一の発光層を、第二の発光層よりも陰極側に成膜することも好ましい。

　本実施形態において、第一の発光層は、陽極と陰極との間に配置され、第二の発光層は、第一の発光層と陰極との間に配置されていることも好ましい。陽極側から、第一の発光層と第二の発光層とをこの順序に有していてもよいし、陽極側から、第二の発光層と第一の発光層とをこの順序に有していてもよい。第一の発光層と第二の発光層の順序がいずれの場合も、前記数式（数１）の関係を満たす材料の組合せを選択することにより、発光層が積層構成であることによる効果が期待できる。

　本実施形態の製造方法は、第一の発光層を成膜する工程及び第二の発光層を成膜する工程の他に、１以上の有機層を成膜する工程を有していてもよい。有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層及び電子障壁層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。

　本実施形態の有機ＥＬ素子は、有機層として第一の発光層及び第二の発光層だけで構成されていてもよいが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、及び電子障壁層等からなる群から選択される少なくともいずれかの層をさらに有していてもよい。また、本実施形態の有機ＥＬ素子は、後述する第三発光層又は中間層をさらに有していてもよい。

　図１は、本実施形態の製造方法によって一枚の基板上で製造される複数の有機ＥＬ素子を示す概略斜視図である。図１には、一枚の基板２の上に、格子状に配置されている複数の有機ＥＬ素子１が示されている。一枚の基板の上で製造される複数の有機ＥＬ素子の形状、数及び配置等は、図１に示す例に限定されない。

　図２は、本実施形態の製造方法によって一枚の基板上で製造される有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図である。
　有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７１、電子障壁層７２、第一の発光層５１、第二の発光層５２、正孔障壁層８１、電子輸送層８２、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。
　本発明は、図２に示す有機ＥＬ素子の構成に限定されない。別の構成の有機ＥＬ素子としては、例えば、有機層が、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、電子障壁層、第二の発光層、第一の発光層、正孔障壁層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されて構成される態様が挙げられる。

　本実施形態の製造方法において、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）が、０．００３６を超えてもよい。
　平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合の平均値であり、標準偏差σ（Ｄ１）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合とから、算出される。

　本実施形態の製造方法において、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）が、０．００３６を超えてもよい。
　平均値Ａｖｅ（Ｄ２）は、基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合の平均値であり、標準偏差σ（Ｄ２）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合とから、算出される。

　本実施形態の製造方法において、平均値Ａｖｅ（Ｄ１）、平均値Ａｖｅ（Ｄ２）、標準偏差σ（Ｄ１）及び標準偏差σ（Ｄ２）を算出する際に選択する有機ＥＬ素子の数は、３つ以上であり、一実施形態では、３つ又は４つであり、一実施形態では、３つであり、一実施形態では、４つである。

　図３は、基板上の複数の有機ＥＬ素子の第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）の算出を説明するための概略平面図であり、図１を平面図として表した図である。例えば、図３に示すように基板２の中心部２１から端部２２に引いた直線Ｌ２上には、５つの有機ＥＬ素子１が配置されている。５つの有機ＥＬ素子１を中心部２１側から順に、有機ＥＬ素子１ａ、有機ＥＬ素子１ｂ、有機ＥＬ素子１ｃ、有機ＥＬ素子１ｄ及び有機ＥＬ素子１ｅと表記する。平均値Ａｖｅ（Ｄ１）及び標準偏差σ（Ｄ１）を算出する際に選択される直線Ｌ２上の４つの有機ＥＬ素子として、中心部２１に最も近い有機ＥＬ素子１ａと、端部２２に最も近い有機ＥＬ素子１ｅと、中心部２１に最も近い有機ＥＬ素子１ａの端点ＤＰ１及び端部２２に最も近い有機ＥＬ素子１ｅの端点ＤＰ４を結ぶ線分を３等分する２つの区分点ＤＰ２及び区分点ＤＰ３のそれぞれに最も近い２つの有機ＥＬ素子とを選択する。２つの区分点ＤＰ２及び区分点ＤＰ３のそれぞれに最も近い２つの有機ＥＬ素子としては、図３の場合は、例えば、有機ＥＬ素子１ｂ及び有機ＥＬ素子１ｄが選択される。なお、区分点と有機ＥＬ素子との実際の距離に応じて、適宜、算出の際に選択される有機ＥＬ素子が決定される。
　基板上の複数の有機ＥＬ素子の第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）の算出方法は、上述の第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）の算出方法と同様である。
　なお、平均値及び標準偏差を算出する際に選択される有機ＥＬ素子の数が３つの場合、図３の例であれば、中心部２１に最も近い有機ＥＬ素子１ａと、端部２２に最も近い有機ＥＬ素子１ｅと、中心部２１に最も近い有機ＥＬ素子１ａの端点ＤＰ１及び端部２２に最も近い有機ＥＬ素子１ｅの端点ＤＰ４を結ぶ線分を２等分する区分点（端点ＤＰ１と端点ＤＰ４とを結ぶ中間点）に最も近い１つの有機ＥＬ素子を選択する。
　また、平均値及び標準偏差を算出する際に選択される有機ＥＬ素子の数がＮ（Ｎは、３以上の整数）の場合、（ｉ）基板の中心部に最も近い有機ＥＬ素子と、（ｉｉ）基板の端部に最も近い有機ＥＬ素子と、（ｉｉｉ）基板の中心部に最も近い有機ＥＬ素子の端点、及び基板の端部に最も近い有機ＥＬ素子の端点を結ぶ線分を（Ｎ－１）等分する（Ｎ－２）個の区分点のそれぞれに最も近い（Ｎ－２）個の有機ＥＬ素子とを選択する。

　例えば、図１の有機ＥＬ素子１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅの第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合が以下の＜含有割合例１＞の通りである場合、平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、０．０１１０であり、平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）は、０．００３６であり、標準偏差σ（Ｄ１）を平均値Ａｖｅ（Ｄ１）で除した値（変動係数Ｃｖ）は、０．３４６７である。
＜含有割合例１＞
　　有機ＥＬ素子１ａ：０．０１５（１．５質量％）
　　有機ＥＬ素子１ｂ：０．０１２（１．２質量％）
　　有機ＥＬ素子１ｄ：０．０１０（１．０質量％）
　　有機ＥＬ素子１ｅ：０．００５（０．５質量％）

　また、例えば、図１の有機ＥＬ素子１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅの第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合が上記＜含有割合例１＞の通りである場合、平均値Ａｖｅ（Ｄ２）は、０．０１１０であり、平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）は、０．００３６であり、標準偏差σ（Ｄ２）を平均値Ａｖｅ（Ｄ２）で除した値（変動係数Ｃｖ）は、０．３４６７である。

　単層型発光層の有機ＥＬ素子及び積層型発光層の有機ＥＬ素子の素子性能の低下を抑制する観点において、許容し得る発光性化合物の濃度のばらつきとしては、例えば、標準偏差σ（Ｄ１）及び標準偏差σ（Ｄ２）は、それぞれ独立に、０．００３６以下であることが好ましい。

　また、例えば、図１の有機ＥＬ素子１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅの第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合が以下の＜含有割合例２＞通りである場合、平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、０．０１６０であり、平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）は、０．００９６であり、標準偏差σ（Ｄ１）を平均値Ａｖｅ（Ｄ１）で除した値（変動係数Ｃｖ）は、０．５９０９である。
＜含有割合例２＞
　　有機ＥＬ素子１ａ：０．０３０（３．０質量％）
　　有機ＥＬ素子１ｂ：０．０２０（２．０質量％）
　　有機ＥＬ素子１ｄ：０．０１０（１．０質量％）
　　有機ＥＬ素子１ｅ：０．００５（０．５質量％）

　また、例えば、図１の有機ＥＬ素子１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅの第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合が上記＜含有割合例２＞の通りである場合、平均値Ａｖｅ（Ｄ２）は、０．０１６０であり、平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）は、０．００９６であり、標準偏差σ（Ｄ２）を平均値Ａｖｅ（Ｄ２）で除した値（変動係数Ｃｖ）は、０．５９０９である。

　例えば、大型の有機ＥＬ素子パネルを量産する際には、第一の発光性化合物の含有割合がこのようにばらつくことが想定される。単層型発光層の有機ＥＬ素子の場合、標準偏差σ（Ｄ１）が０．００９６を超えると素子性能のばらつきが大きくなるおそれがある。また、単層型発光層の有機ＥＬ素子の場合、標準偏差σ（Ｄ２）が０．００９６を超えると素子性能のばらつきが大きくなるおそれがある。

　なお、量産時に想定される、一枚の基板上の複数の有機ＥＬ素子間における発光層中の発光性化合物の濃度のばらつきは、蒸着源から成膜面全体に発光性化合物が均一に分布できるかに因るため、第一の発光層と第二の発光層とで発光性化合物の濃度のずれは、変わらないと考えられる。

　本実施形態の製造方法によって一枚の基板の上に製造される複数の有機ＥＬ素子中、第一の発光性化合物の含有割合の標準偏差σ（Ｄ１）が０．００３６を超えても、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含有する第一の発光層及び第二の発光層が成膜されていることで、有機ＥＬ素子の短寿命化を抑制することができる。

　本実施形態の製造方法によって一枚の基板の上に製造される複数の有機ＥＬ素子中、第二の発光性化合物の含有割合の標準偏差σ（Ｄ２）が０．００３６を超えても、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含有する第一の発光層及び第二の発光層が成膜されていることで、有機ＥＬ素子の短寿命化を抑制することができる。

　また、本実施形態の製造方法は、大型の有機ＥＬ素子パネルを量産する際に想定される発光層中の発光性化合物の濃度のばらつきの標準偏差である０．００９６を超えても、有機ＥＬ素子の寿命のばらつきを抑制することができる。また、本実施形態の製造方法は、第４世代以上のサイズの基板を有する有機ＥＬ素子の製造に好適である。なお、第４世代の基板のサイズは、６８０ｍｍ×８８０ｍｍである。

　標準偏差σ（Ｄ１）が０．００９６を超えても有機ＥＬ素子の短寿命化を抑制することができるが、標準偏差σ（Ｄ１）は、小さいほど、好ましい。

　標準偏差σ（Ｄ２）が０．００９６を超えても有機ＥＬ素子の短寿命化を抑制することができるが、標準偏差σ（Ｄ２）は、小さいほど、好ましい。

　標準偏差σ（Ｄ１）を平均値Ａｖｅ（Ｄ１）で除した値（下記数式（数１Ｃ）の変動係数Ｃｖ）は、０．３４６７以上であってもよい。
　Ｃｖ＝σ（Ｄ１）／Ａｖｅ（Ｄ１）…（数１Ｃ）

　標準偏差σ（Ｄ２）を平均値Ａｖｅ（Ｄ２）で除した値（下記数式（数１Ｄ）の変動係数Ｃｖ）は、０．３４６７以上であってもよい。
　Ｃｖ＝σ（Ｄ２）／Ａｖｅ（Ｄ２）…（数１Ｄ）

　本実施形態の製造方法において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３０）の関係を満たすことも好ましい。
　μｅ（Ｈ２）＜μｅ（Ｈ１）　…（数３０）

　数式（数３０）の関係を満たすように、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）よりも大きな電子移動度μｅ（Ｈ１）を有する第一のホスト材料を用いて第一の発光層を成膜することで、第一の発光層中の第一の発光性化合物の濃度が高くなってホール輸送性が高くなっても、発光位置のずれが小さく、キャリアバランスのずれも抑制され、寿命の低下が起こりにくい。

　本実施形態の製造方法において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３）の関係を満たすことも好ましい。
　μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）　…（数３）

　第一のホスト材料と第二のホスト材料とが、前記数式（数３）の関係を満たすことで、第一の発光層でのホールと電子との再結合能が向上する。

　本実施形態の製造方法において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）とが、下記数式（数３１）の関係を満たすことも好ましい。
　μｈ（Ｈ１）＞μｈ（Ｈ２）　…（数３１）

　本実施形態の製造方法において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３２）の関係を満たすことも好ましい。
　　（μｅ（Ｈ２）／μｈ（Ｈ２））＞（μｅ（Ｈ１）／μｈ（Ｈ１））　…（数３２）

（電子移動度）
　電子移動度は、下記の手順で作製された移動度評価用素子を用い、インピーダンス測定を行うことで測定できる。移動度評価用素子は、例えば、下記の手順で作製される。
　アルミニウム電極（陽極）付きガラス基板上に、アルミニウム電極を覆うようにして電子移動度の測定対象となる化合物Ｔａｒｇｅｔを蒸着して測定対象層を形成する。この測定対象層の上に、下記化合物ＥＴ－Ａを蒸着して電子輸送層を形成する。この電子輸送層の成膜の上に、ＬｉＦを蒸着して電子注入層を形成する。この電子注入層の成膜の上に金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属陰極を形成する。
　以上の移動度評価用素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
　glass/Al(50)/Target(200)/ET-A(10)/LiF(1)/Al(50)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。

　電子移動度の移動度評価用素子を、インピーダンス測定装置に設置し、インピーダンス測定を行う。インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行う。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加する。測定されたインピーダンスＺから、下記計算式（Ｃ１）の関係を用いて、モジュラスＭを計算する。
　計算式（Ｃ１）：Ｍ＝ｊωＺ
　上記計算式（Ｃ１）において、ｊは、その平方が－１になる虚数単位、ωは、角周波数［ｒａｄ／ｓ］である。
　モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数［Ｈｚ］を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを下記計算式（Ｃ２）から求める。
　計算式（Ｃ２）：τ＝１／（２πｆｍａｘ）
　上記計算式（Ｃ２）のπは、円周率を表す記号である。
　上記τを用いて、下記計算式（Ｃ３－１）の関係から電子移動度μｅを算出する。
　計算式（Ｃ３－１）：μｅ＝ｄ^２／（Ｖτ）
　上記計算式（Ｃ３－１）のｄは、素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、電子移動度の移動度評価用素子構成の場合、ｄ＝２１０［ｎｍ］である。

（正孔移動度）
　正孔移動度は、下記の手順で作製された移動度評価用素子を用い、インピーダンス測定を行うことで測定できる。移動度評価用素子は、例えば、下記の手順で作製される。
　ＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板上に、透明電極を覆うようにして下記化合物ＨＡ－２を蒸着して正孔注入層を形成する。この正孔注入層の成膜の上に、下記化合物ＨＴ－Ａを蒸着して正孔輸送層を形成する。続けて、正孔移動度の測定対象となる化合物Ｔａｒｇｅｔを蒸着して測定対象層を形成する。この測定対象層の上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属陰極を形成する。
　以上の移動度評価用素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
　ITO(130)/HA-2(5)/HT-A(10)/Target(200)/Al(80)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。

　正孔移動度の移動度評価用素子を、インピーダンス測定装置に設置し、インピーダンス測定を行う。インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行う。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加する。測定されたインピーダンスＺから、前記計算式（Ｃ１）の関係を用いて、モジュラスＭを計算する。
　モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数［Ｈｚ］を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを前記計算式（Ｃ２）から求める。
　前記計算式（Ｃ２）から求めたτを用いて、下記計算式（Ｃ３－２）の関係から正孔移動度μｈを算出する。
　計算式（Ｃ３－２）：μｈ＝ｄ^２／（Ｖτ）
　上記計算式（Ｃ３－２）のｄは、素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、正孔移動度の移動度評価用素子構成の場合、ｄ＝２１５［ｎｍ］である。

　本明細書における電子移動度及び正孔移動度は、電界強度の平方根Ｅ^１／２＝５００［Ｖ^１／２／ｃｍ^１／２］の際の値である。電界強度の平方根Ｅ^１／２は、下記計算式（Ｃ４）の関係から算出することができる。
　計算式（Ｃ４）：Ｅ^１／２＝Ｖ^１／２／ｄ^１／２
　前記インピーダンス測定にはインピーダンス測定装置としてソーラトロン社の１２６０型を用い、高精度化のため、ソーラトロン社の１２９６型誘電率測定インターフェイスを併せて用いることができる。

（有機ＥＬ素子の発光波長）
　本実施形態の有機ＥＬ素子は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
　本実施形態の有機ＥＬ素子は、素子駆動時に最大のピーク波長が、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の光を放射することがより好ましい。
　素子駆動時に有機ＥＬ素子が放射する光の最大のピーク波長の測定は、以下のようにして行う。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを最大のピーク波長（単位：ｎｍ）とする。

（第一の発光層）
　第一の発光層は、第一のホスト材料を含む。第一のホスト材料は、第二の発光層が含有する第二のホスト材料とは、異なる化合物である。
　第一の発光層は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を少なくとも含む。第一の発光性化合物は、最大のピーク波長が４８０ｎｍ以下の発光を示すことが好ましい。第一の発光性化合物は、最大のピーク波長が４３０ｎｍ以上の発光を示すことが好ましい。
　第一の発光性化合物は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す蛍光発光性化合物であることが好ましい。第一の発光性化合物は、最大のピーク波長が４８０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことが好ましい。第一の発光性化合物は、最大のピーク波長が４３０ｎｍ以上の蛍光発光を示すことが好ましい。

　本実施形態において、第一の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

　本実施形態において、第一の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第一の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

　本実施形態において、第一の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態において、第一の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

　本実施形態において、第一の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
　また、第一の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

　化合物の最大のピーク波長の測定方法は、次の通りである。測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の発光スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定する。発光スペクトルは、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ－７０００）により測定できる。なお、発光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
　発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を最大ピーク波長とする。なお、本明細書において、蛍光発光の最大ピーク波長を蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）と称する場合がある。

　第一の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となるピークを最大のピークとし、当該最大のピークの高さを１としたとき、当該発光スペクトルに現れる他のピークの高さは、０．６未満であることが好ましい。なお、発光スペクトルにおけるピークは、極大値とする。
　また、第一の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、ピークの数が３つ未満であることが好ましい。

　本実施形態において、第一の発光層は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
　素子駆動時に発光層が放射する光の最大ピーク波長の測定は、次に記載の方法で行うことができる。

・素子駆動時に発光層から放射される光の最大ピーク波長λｐ
　素子駆動時に第一の発光層から放射される光の最大ピーク波長λｐ_１は、第二の発光層を第一の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λｐ_１（単位：ｎｍ）を算出する。
　素子駆動時に第二の発光層から放射される光の最大ピーク波長λｐ_２は、第一の発光層を第二の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λｐ_２（単位：ｎｍ）を算出する。

　本実施形態において、第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ１）と、第一の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが下記数式（数２０）の関係を満たすことが好ましい。
　Ｓ_１（Ｈ１）＞Ｓ_１（Ｄ１）　…（数２０）
　一重項エネルギーＳ_１とは、最低励起一重項状態と基底状態とのエネルギー差を意味する。

　第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、数式（数２０）の関係を満たすことにより、第一のホスト材料上で生成された一重項励起子は、第一のホスト材料から第一の発光性化合物へエネルギー移動し易くなり、第一の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

　本実施形態において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが下記数式（数２０Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）　…（数２０Ａ）

　第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、数式（数２０Ａ）の関係を満たす事により、第一の発光層内で生成した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第一の発光性化合物ではなく、第一のホスト材料上を移動するため、第二の発光層へ移動し易くなる。

　本実施形態において、第一のホスト材料、第二のホスト材料及び第一の発光性化合物は、下記数式（数２０Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数２０Ｂ）

（三重項エネルギーＴ_１）
　三重項エネルギーＴ_１の測定方法としては、下記の方法が挙げられる。
　測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、１０^－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０^－４ｍｏｌ／Ｌ以下となるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とする。
　　換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

　燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

（一重項エネルギーＳ_１）
　溶液を用いた一重項エネルギーＳ_１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
　測定対象となる化合物の１０^－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０^－４ｍｏｌ／Ｌ以下のトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出する。
　　換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
　吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。

　吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
　なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

　本実施形態において、第一の発光性化合物は、第一の発光層中に、０．５質量％以上、含有されることが好ましく、１．１質量％を超えて、含有されることも好ましい。すなわち、第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の０．５質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の１．１質量％超、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがさらに好ましい。
　第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

　本実施形態において、第一の発光層は、第一のホスト材料としての第一の化合物を、第一の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
　第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の９９．５質量％以下、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することがより好ましい。
　ただし、第一の発光層が第一のホスト材料と第一の発光性化合物とを含有する場合、第一のホスト材料及び第一の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

　なお、本実施形態は、第一の発光層に、第一のホスト材料と第一の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
　第一の発光層は、第一のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第一の発光層は、第一の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

　本実施形態において、第一の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。第一の発光層の膜厚が３ｎｍ以上であれば、第一の発光層において、正孔と電子との再結合を起こすのに充分な膜厚である。
　本実施形態において、第一の発光層の膜厚は、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。第一の発光層の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、第二の発光層へ三重項励起子が移動するのに充分に薄い膜厚である。
　本実施形態において、第一の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることがより好ましい。

（第二の発光層）
　第二の発光層は、第二のホスト材料を含む。第二のホスト材料は、第一の発光層が含有する第一のホスト材料とは、異なる化合物である。
　第二の発光層は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を少なくとも含む。第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が４８０ｎｍ以下の発光を示すことが好ましい。第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が４３０ｎｍ以上の発光を示すことが好ましい。
　第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す蛍光発光性化合物であることが好ましい。第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が４８０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことが好ましい。第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が４３０ｎｍ以上の蛍光発光を示すことが好ましい。
　化合物の最大のピーク波長の測定方法は、前述の通りである。

　本実施形態において、第二の発光層は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。

　本実施形態において、第二の発光性化合物の最大のピークの半値幅が、１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

　本実施形態において、第二の発光性化合物のストークスシフトは、７ｎｍを超えることが好ましい。
　第二の発光性化合物のストークスシフトが７ｎｍを越えていれば、自己吸収による発光効率の低下を防止し易くなる。
　自己吸収とは、放出した光を同一化合物が吸収する現象であり、発光効率の低下を引き起こす現象である。自己吸収は、ストークスシフトの小さい（すなわち、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが大きい）化合物で顕著に観測されるため、自己吸収を抑制するには、ストークスシフトの大きい（吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが小さい）化合物を用いることが好ましい。ストークスシフトは、次に記載する方法で測定できる。
　測定対象となる化合物を２．０×１０^－５ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製する。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で紫外－可視領域の連続光を照射し、吸収スペクトル（縦軸：吸光度、横軸：波長）を測定する。吸収スペクトル測定には、分光光度計を用いることができ、例えば、株式会社日立ハイテクサイエンスの分光光度計Ｕ－３９００／３９００Ｈ形を用いることができる。また、測定対象となる化合物を４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、測定用試料を調製する。石英セルへ入れた測定用試料に室温（３００Ｋ）で励起光を照射し、蛍光スペクトル（縦軸：蛍光強度、横軸：波長）を測定した。蛍光スペクトル測定には、分光光度計を用いることができ、例えば、株式会社日立ハイテクサイエンスの分光蛍光光度計Ｆ－７０００形を用いることができる。
　これらの吸収スペクトルと蛍光スペクトルから、吸収極大波長と蛍光極大波長の差を算出し、ストークスシフト（ＳＳ）を求める。ストークスシフトＳＳの単位は、ｎｍである。

　本実施形態において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが下記数式（数３Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数３Ａ）

　本実施形態において、第二の発光性化合物と、第二のホスト材料とが、前記数式（数３Ａ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層に移動する際、より高い三重項エネルギーを有する第二の発光性化合物ではなく、第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。また、第二のホスト材料上で正孔及び電子が再結合して発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ第二の発光性化合物には移動しない。第二の発光性化合物の分子上で再結合し発生した三重項励起子は、速やかに第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。
　第二のホスト材料の三重項励起子が第二の発光性化合物に移動することなく、ＴＴＦ現象によって第二のホスト材料上で三重項励起子同士が効率的に衝突することで、一重項励起子が生成される。

　本実施形態において、第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ２）と第二の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ２）とが、下記数式（数４）の関係を満たすことが好ましい。
　Ｓ_１（Ｈ２）＞Ｓ_１（Ｄ２）　…（数４）

　本実施形態において、第二の発光性化合物と、第二のホスト材料とが、前記数式（数４）の関係を満たすことにより、第二の発光性化合物の一重項エネルギーは、第二のホスト材料の一重項エネルギーより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、第二のホスト材料から第二の発光性化合物へエネルギー移動し、第二の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

　本実施形態において、第二の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

　本実施形態において、第二の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第二の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

　本実施形態において、第二の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態において、第二の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

　本実施形態において、第二の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
　また、第二の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

　本実施形態において、第二の発光性化合物は、第二の発光層中に、０．５質量％以上、含有されることが好ましく、１．１質量％を超えて、含有されることも好ましい。すなわち、第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の０．５質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の１．１質量％超、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがさらに好ましい。
　第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

　第二の発光層は、第二のホスト材料としての第二の化合物を、第二の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
　第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の９９．５質量％以下、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することがより好ましい。
　第二の発光層が第二のホスト材料と第二の発光性化合物とを含有する場合、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

　なお、本実施形態は、第二の発光層に、第二のホスト材料と第二の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
　第二の発光層は、第二のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第二の発光層は、第二の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

　本実施形態において、第二の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。第二の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第一の発光層から第二の発光層へ移動してきた三重項励起子が、再び第一の発光層に戻ることを抑制し易い。また、第二の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第一の発光層における再結合部分から三重項励起子を充分離すことができる。
　本実施形態において、第二の発光層の膜厚は、２０ｎｍ以下であることが好ましい。第二の発光層の膜厚が２０ｎｍ以下であれば、第二の発光層中の三重項励起子の密度を向上させて、ＴＴＦ現象をさらに起こり易くすることができる。
　本実施形態において、第二の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

　本実施形態において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１０）の関係を満たすことが好ましい。
　　２．６ｅＶ＞Ｔ_１（ＤＸ）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１０）

　第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１０Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　　２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１０Ａ）

　第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１０Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　　２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１０Ｂ）

　本実施形態において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）とが、下記数式（数１１）の関係を満たすことが好ましい。
　　０ｅＶ＜Ｔ_１（ＤＸ）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ　…（数１１）

　第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　　０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ１）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ　…（数１１Ａ）

　第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　　０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ２）－Ｔ_１（Ｈ２）＜０．８ｅＶ　…（数１１Ｂ）

　本実施形態において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
　　Ｔ_１（Ｈ１）＞２．０ｅＶ　…（数１２）

　本実施形態において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
　　Ｔ_１（Ｈ１）＞２．１０ｅＶ　…（数１２Ａ）
　　Ｔ_１（Ｈ１）＞２．１５ｅＶ　…（数１２Ｂ）

　本実施形態において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ａ）又は前記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層へと移動し易くなり、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制し易くなる。その結果、第二の発光層において、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。

　本実施形態において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
　　２．０８ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）＞１．８７ｅＶ　…（数１２Ｃ）
　　２．０５ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）＞１．９０ｅＶ　…（数１２Ｄ）

　本実施形態において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ｃ）又は前記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子のエネルギーが小さくなり、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。

　本実施形態において、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）が、下記数式（数１４Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
　　２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１）　…（数１４Ａ）
　　２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１）　…（数１４Ｂ）
　第一の発光層が、前記数式（数１４Ａ）又は（数１４Ｂ）の関係を満たす第一の発光性化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

　本実施形態において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１４Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
　　２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２）　…（数１４Ｃ）
　　２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２）　…（数１４Ｄ）
　第二の発光層が、前記数式（数１４Ｃ）又は（数１４Ｄ）の関係を満たす化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

　本実施形態において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１３）の関係を満たすことが好ましい。
　　Ｔ_１（Ｈ２）≧１．９ｅＶ　…（数１３）

（第三の発光層）
　本実施形態の製造方法は、第三の発光層を成膜する工程をさらに含んでいてもよい。
　第三の発光層は、第三のホスト材料を含み、第一のホスト材料と第二のホスト材料と第三のホスト材料とは、互いに異なり、第三の発光層は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第三の発光性化合物を少なくとも含み、第一の発光性化合物と、第二の発光性化合物と、第三の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第三のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ３）とが、下記数式（数１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ３）　…（数１Ａ）

　本実施形態の製造方法により製造される有機ＥＬ素子が第三の発光層を含んでいる場合、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）と第三のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ３）とが、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　　Ｔ_１（Ｈ２）＞Ｔ_１（Ｈ３）　…（数１Ｂ）

　本実施形態において、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接していることが好ましい。本実施形態の製造方法において、第一の発光層を成膜する工程及び第二の発光層を成膜する工程を連続して実施することで、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している有機ＥＬ素子を製造することが好ましい。

　本明細書において、「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ１）、（ＬＳ２）及び（ＬＳ３）のいずれかの態様も含み得る。
　（ＬＳ１）第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料及び第二のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ２）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ３）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第一のホスト材料からなる領域、又は第二のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子が第三の発光層を含んでいる場合、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接しており、第二の発光層と第三の発光層とが、直接、接していることが好ましい。

　本明細書において、「第二の発光層と第三の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ４）、（ＬＳ５）及び（ＬＳ６）のいずれかの態様も含み得る。
　（ＬＳ４）第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第二のホスト材料及び第三のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ５）第二の発光層及び第三の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第二のホスト材料、第三のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ６）第二の発光層及び第三の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第二のホスト材料からなる領域、又は第三のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。

（中間層）
　また、本実施形態の製造方法は、中間層を成膜する工程を有していてもよい。
　本実施形態の製造方法が中間層を成膜する工程を有する場合、第一の発光層を成膜する工程と第二の発光層を成膜する工程との間に中間層を成膜する工程を実施することが好ましい。このように中間層を成膜して、中間層が第一の発光層と第二の発光層との間に配置された有機ＥＬ素子を製造してもよい。

　中間層は、ノンドープ層であることが好ましい。中間層は、金属原子を含まないことが好ましい。
　中間層は、中間層材料を含む。中間層材料は、発光性化合物ではないことが好ましい。
　中間層材料としては、特に限定されないが、発光性化合物以外の材料であることが好ましい。
　中間層材料としては、例えば、１）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、２）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、３）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が挙げられる。

　中間層材料は、第一の発光層が含有する第一のホスト材料及び第二の発光層が含有する第二のホスト材料の一方、又は両方のホスト材料であってもよい。

　中間層が複数の中間層材料を含有する場合、それぞれの中間層材料の含有率は、いずれも、中間層の全質量の１０質量％以上であることが好ましい。
　中間層は、前記中間層材料を、中間層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、中間層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、中間層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、中間層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、中間層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
　中間層は、中間層材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
　中間層が中間層材料を２種以上含有する場合、２種以上の中間層材料の合計含有率の上限は、１００質量％である。
　なお、本実施形態は、中間層に、中間層材料以外の材料が含まれることを除外しない。

　中間層は単層で構成されていてもよいし、二層以上積層されて構成されていてもよい。

　中間層の膜厚は、特に制限は無いが、１層あたり、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。

（有機エレクトロルミネッセンス素子パネル）
　本実施形態の製造方法によって一枚の基板の上に画素としての複数の有機ＥＬ素子を形成することにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子パネル（有機ＥＬ素子パネルと略記する場合がある。）も製造することができる。

　本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子パネル（有機ＥＬ素子パネル）は、一枚の基板と、前記基板の上に配置された複数の画素としての複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、を含み、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は、それぞれ、第一の発光層及び第二の発光層を含み、前記第一の発光層は、第一のホスト材料を含み、
前記第二の発光層は、第二のホスト材料を含み、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光層は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を少なくとも含み、前記第二の発光層は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を少なくとも含み、前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）及び前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）の少なくともいずれかが、０．００３６を超える。
　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１）
（前記平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ１）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合とから、算出され、
　前記平均値Ａｖｅ（Ｄ２）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ２）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合とから、算出される。）

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネルの画素としての有機ＥＬ素子の前記標準偏差σ（Ｄ１）及び前記標準偏差σ（Ｄ２）の少なくともいずれかが０．００３６を超えても、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含有する第一の発光層及び第二の発光層が成膜されているため、本実施形態の有機ＥＬ素子パネルによれば、画素としての有機ＥＬ素子の寿命が短くなり難く、素子性能のばらつきが抑制され、歩留まりを向上させることができる。

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネルにおいて、発光層を積層構成とすることで、大型ＴＶ等、一つのパネル内に多数の有機ＥＬ素子を有する製品でも、複数の有機ＥＬ素子同士の性能のばらつきを低減し、歩留まり向上が期待できる。

　図４は、本実施形態の有機ＥＬ素子パネルを示す概略斜視図である。図４には、一枚の基板２００の上に、格子状に配置されている複数の有機ＥＬ素子１が示されている。図４においては、一枚の基板２００上に、複数の有機ＥＬ素子１を画素として有する有機ＥＬ素子パネル１００が２つ配置されている。一枚の基板の上で製造される複数の有機ＥＬ素子パネル並びに画素としての有機ＥＬ素子の形状、数及び配置等は、図４に示す例に限定されない。

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネル中の画素としての有機ＥＬ素子も、前述の「有機ＥＬ素子のその他の層」、第三の発光層及び中間層からなる群から選択される少なくともいずれかの層と同様の層を有していることも好ましい。
　本実施形態の有機ＥＬ素子パネル中の画素としての有機ＥＬ素子は、例えば、図２に示す概略構成であってもよい。
　本実施形態の有機ＥＬ素子パネル中の画素としての有機ＥＬ素子も、陽極及び陰極を有し、第一の発光層は、陽極と陰極との間に配置され、第二の発光層は、第一の発光層と陰極との間に配置されていることも好ましい。陽極側から、第一の発光層と第二の発光層とをこの順序に有していてもよいし、陽極側から、第二の発光層と第一の発光層とをこの順序に有していてもよい。第一の発光層と第二の発光層の順序がいずれの場合も、前記数式（数１）の関係を満たす材料の組合せを選択することにより、発光層が積層構成であることによる効果が期待できる。

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネルにおいて、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３０）の関係を満たすことも好ましい。
　μｅ（Ｈ２）＜μｅ（Ｈ１）　…（数３０）

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネルにおいて、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３）の関係を満たすことも好ましい。
　μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）　…（数３）

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネルにおいて、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）とが、下記数式（数３１）の関係を満たすことも好ましい。
　μｈ（Ｈ１）＞μｈ（Ｈ２）　…（数３１）

　本実施形態の有機ＥＬ素子パネルにおいて、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３２）の関係を満たすことも好ましい。
　（μｅ（Ｈ２）／μｈ（Ｈ２））＞（μｅ（Ｈ１）／μｈ（Ｈ１））　…（数３２）

（基板）
　基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。本実施形態において、複数の有機ＥＬ素子が一枚の基板の上に形成される。基板のサイズは、複数の有機ＥＬ素子を形成可能なサイズであれば特に限定されない。
　例えば、本実施形態の製造方法及び有機ＥＬ素子パネルにおいて、基板は、第四世代以上の基板であることも好ましい。また、基板は、第五世代以上の基板であることも好ましい。
　例えば、本実施形態の製造方法及び有機ＥＬ素子パネルにおいて、基板は、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ以上のサイズであることも好ましい。また、基板は、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ以上のサイズであることも好ましい。例えば、基板は、第８世代の基板（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）でもよい。

　本実施形態の製造方法及び有機ＥＬ素子パネルにおいて、基板としては、例えば、ガラス、石英、及び樹脂等の材質の基板を用いることができる。また、本実施形態の製造方法において、基板として可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、樹脂基板等が挙げられる。樹脂基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、本実施形態の製造方法において、基板として無機蒸着フィルムを用いることもできる。また、本実施形態の製造方法において、ガラス基板の上に樹脂膜が成膜された積層基板を用いることもでき、当該樹脂膜の上に有機ＥＬ素子を形成してもよい。

（陽極）
　基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

　これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

　陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。

　仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

（陰極）
　陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。

　なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

　なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（正孔注入層）
　正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

　また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３－ｆ：２０，３０－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）も挙げられる。

　また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
　正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。

　正孔輸送層には、ＣＢＰ、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

　但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

（電子障壁層）
　電子障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該電子障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する層であることが好ましい。電子障壁層が含有する化合物は、例えば、公知の電子障壁層に用いられている化合物であり、芳香族アミン化合物及びカルバゾール誘導体からなる群から選択される少なくともいずれかの化合物であることが好ましい。また、電子障壁層が含有する化合物は、置換もしくは無置換のアミノ基を分子中に１つだけ有するモノアミン化合物でもよい。また、電子障壁層が含有する化合物は、置換もしくは無置換のカルバゾリル基と、１つの置換もしくは無置換のアミノ基とを分子中に有する化合物でもよい。
　電子障壁層は、励起エネルギーが発光層から周辺層に漏れ出さないように、発光層で生成した励起子が、電子障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層及び正孔注入層等）に移動することを阻止する層であってもよい。

（正孔障壁層）
　正孔障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該正孔障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する層であることが好ましい。正孔障壁層が含有する化合物は、例えば、公知の正孔障壁層に用いられている化合物である。正孔障壁層が含有する化合物は、例えば、後述する電子輸送層に使用することのできる化合物と同様、金属錯体、複素芳香族化合物及び高分子化合物からなる群から選択される少なくともいずれかの化合物であることが好ましい。また、正孔障壁層が含有する化合物は、例えば、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体及びフェナントロリン誘導体からなる群から選択される少なくともいずれかの化合物でもよい。
　正孔障壁層は、励起エネルギーが発光層から周辺層に漏れ出さないように、発光層で生成した励起子が、当該正孔障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層及び電子注入層等）に移動することを阻止する層であることも好ましい。

（電子輸送層）
　電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。

　また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。

（電子注入層）
　電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。

　あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（膜厚）
　本実施形態における有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した場合を除いて限定されない。一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、膜厚が厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

（第一のホスト材料、第二のホスト材料及び第三のホスト材料）
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料、第二のホスト材料及び第三のホスト材料は、例えば、下記一般式（１）、一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）又は一般式（１６Ｘ）で表される第一の化合物、及び下記一般式（２）で表される第二の化合物等が挙げられる。また、第一の化合物を第一のホスト材料及び第二のホスト材料として用いることもでき、この場合、第二のホスト材料として用いた下記一般式（１）、下記一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）又は一般式（１６Ｘ）で表される化合物を、便宜的に第二の化合物と称する場合がある。

（第一の化合物）
・一般式（１）で表される化合物

（前記一般式（１）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
　前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）

（本実施形態に係る第一の化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基は、下記一般式（１１１）で表される基であることが好ましい。

（前記一般式（１１１）において、
　Ｘ_１は、ＣＲ_１２３Ｒ_１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１２５であり、
　Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　Ａｒ_１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ_１０１と同義であり、
　Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（１１１）で表される基における下記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ_１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ_１２１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ_１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ_１２２が結合する。

　例えば、前記一般式（１１１）で表される基において、Ｌ_１１１が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ_１１２が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１）で表される基は、下記一般式（１１１ｂ）で表される。

（前記一般式（１１１ｂ）において、
　Ｘ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１）におけるＸ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５と同義であり、
　複数のＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　複数のＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１）で表される基は、前記一般式（１１１ｂ）で表される基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、０、１又は２であり、ｍｂは、０、１又は２である、ことが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のターフェニル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_１０１は、下記一般式（１２）、一般式（１３）又は一般式（１４）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）において、
　Ｒ_１１１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_１２４で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_１２５で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）中の＊は、前記一般式（１１）中のＬ_１０１との結合位置、又は前記一般式（１１１）もしくは一般式（１１１ｂ）中のＬ_１１２との結合位置を示す。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の化合物は、下記一般式（１０１）で表されることが好ましい。

（前記一般式（１０１）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、
　Ｌ_１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｌ_１０１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１０２）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０２）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、
　ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
　Ｘ_１は、ＣＲ_１２３Ｒ_１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１２５であり、
　Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　Ｒ_１２１、Ｒ_１２２、Ｒ_１２３、Ｒ_１２４及びＲ_１２５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ_１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ_１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（１０２）で表される化合物において、ｍａは、０、１又は２であり、ｍｂは、０、１又は２であることが好ましい。

　前記一般式（１０２）で表される化合物において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１０３）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０３）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、
　ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
　Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　Ｒ_１２１～Ｒ_１２６は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　前記一般式（１０３）において、Ｒ_１０３がＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１２０がＬ_１１２との結合位置を示すことが好ましい。この場合、前記一般式（１０３）で表される化合物は、下記一般式（１０３Ａ）で表される。

（前記一般式（１０３Ａ）において、
　Ｒ_１０１、Ｒ_１０２、Ｒ_１０４～Ｒ_１１９は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、
　Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、前記一般式（１０３）におけるＬ_１１１及びＬ_１１２と同義であり、
　ｍａ、ｍｂ及びｍａ＋ｍｂは、それぞれ、前記一般式（１０３）におけるｍａ、ｍｂ及びｍａ＋ｍｂと同義であり、
　Ｒ_１２１～Ｒ_１２６は、それぞれ独立に、前記一般式（１０３）におけるＲ_１２１～Ｒ_１２６と同義である。）

　前記一般式（１０３）で表される化合物において、ｍａは、０又は１であり、ｍｂは、０又は１であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１０３）で表される化合物は、下記一般式（１０４）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０４）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、
　ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち１つは、Ｒ_１２１～Ｒ_１２６が結合しているナフタレン環との結合位置を示し、Ｒ_１１１～Ｒ_１２０のうち１つは、Ｒ_１２１～Ｒ_１２６が結合しているナフタレン環との結合位置を示し、
　Ｒ_１２１～Ｒ_１２６は、それぞれ独立に、前記一般式（１０３）におけるＲ_１２１～Ｒ_１２６と同義である。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１０３）で表される化合物は、下記一般式（１０５）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０５）において、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２、Ｒ_１０４～Ｒ_１１９は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１２０と同義であり、Ｒ_１２１～Ｒ_１２６は、それぞれ独立に、前記一般式（１０３）におけるＲ_１２１～Ｒ_１２６と同義である。）

　前記一般式（１０３）及び（１０４）において、Ｌ_１１１との結合位置ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０並びにＬ_１１２との結合位置ではないＲ_１１１～Ｒ_１２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。

　前記一般式（１０３Ａ）及び（１０５）において、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２、Ｒ_１０４～Ｒ_１１９は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。

　前記一般式（１０３）、（１０３Ａ）、（１０４）及び（１０５）において、Ｒ_１２１～Ｒ_１２６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、かつ、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
　Ｌ_１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
　前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、置換もしくは無置換のピレニル基を含まないことも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、分子中にピレン環を１つのみ有する化合物であることも好ましい。分子中にピレン環を１つのみ有する化合物をモノピレン化合物と称する場合がある。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、分子中にピレン環を２つのみ有する化合物であることも好ましい。分子中にピレン環を２つのみ有する化合物をビスピレン化合物と称する場合がある。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０は、水素原子であることが好ましい。

・一般式（１Ｘ）で表される化合物
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１Ｘ）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１１２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
　ただし、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
　前記一般式（１１Ｘ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１１Ｘ）中の＊は、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１Ｘ）で表される基であることが好ましい。

（前記一般式（１１１Ｘ）において、
　Ｘ_１は、ＣＲ_１４３Ｒ_１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１４５であり、
　Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、２、３又は４であり、
　Ａｒ_１０１は、前記一般式（１１Ｘ）におけるＡｒ_１０１と同義であり、
　Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（１１１Ｘ）で表される基における下記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ_１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ_１４１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ_１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ_１４２が結合する。

　例えば、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基において、Ｌ_１１１が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ_１１２が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１ｂＸ）で表される。

（前記一般式（１１１ｂＸ）において、
　Ｘ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１Ｘ）におけるＸ_１、Ｌ_１１１、Ｌ_１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ_１０１、Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５と同義であり、
　複数のＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　複数のＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、前記一般式（１１１ｂＸ）で表される基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ_１０１は、
　　置換もしくは無置換のフェニル基、
　　置換もしくは無置換のナフチル基、
　　置換もしくは無置換のビフェニル基、
　　置換もしくは無置換のターフェニル基、
　　置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基、
　　置換もしくは無置換のピレニル基、
　　置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
　　置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０１Ｘ）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０１Ｘ）において、
　Ｒ_１１１及びＲ_１１２のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、Ｒ_１３３及びＲ_１３４のうち１つがＬ_１０１との結合位置を示し、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１１０、Ｒ_１２１～Ｒ_１３０、Ｌ_１０１との結合位置ではないＲ_１１１又はＲ_１１２、並びにＬ_１０１との結合位置ではないＲ_１３３又はＲ_１３４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ_１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１０１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０２Ｘ）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０２Ｘ）において、
　Ｒ_１１１及びＲ_１１２のうち１つがＬ_１１１との結合位置を示し、Ｒ_１３３及びＲ_１３４のうち１つがＬ_１１２との結合位置を示し、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１１０、Ｒ_１２１～Ｒ_１３０、Ｌ_１１１との結合位置ではないＲ_１１１又はＲ_１１２並びにＬ_１１２との結合位置ではないＲ_１３３又はＲ_１３４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｘ_１は、ＣＲ_１４３Ｒ_１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_１４５であり、
　Ｌ_１１１及びＬ_１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、２、３、４又は５であり、
　Ｒ_１４１、Ｒ_１４２、Ｒ_１４３、Ｒ_１４４及びＲ_１４５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ_１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ_１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１ＡＸ）で表される基、又は下記一般式（１１ＢＸ）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）において、
　Ｒ_１２１～Ｒ_１３１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　前記一般式（１１ＡＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＡＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　前記一般式（１１ＢＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＢＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１３１及びＬ_１３２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）中の＊は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０３Ｘ）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１０３Ｘ）において、
　Ｒ_１０１～Ｒ_１１０並びにＲ_１１２は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）におけるＲ_１０１～Ｒ_１１０並びにＲ_１１２と同義であり、
　Ｒ_１２１～Ｒ_１３１、Ｌ_１３１及びＬ_１３２は、それぞれ、前記一般式（１１ＢＸ）におけるＲ_１２１～Ｒ_１３１、Ｌ_１３１及びＬ_１３２と同義である。）

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ_１３２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であることも好ましい。

　本前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ_１０１～Ｒ_１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、一般式（１１Ｘ）中のＡｒ_１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、
　Ａｒ_１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではなく、
　Ｌ_１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリレン基ではなく、
　前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではないことも好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。

　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ_１０１～Ｒ_１１２は、水素原子であることが好ましい。

・一般式（１２Ｘ）で表される化合物
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１２Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１２Ｘ）において、
　Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
　前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ及び前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１２０１～Ｒ_１２１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１２１）で表される基であり、
　ただし、前記置換もしくは無置換の単環が置換基を有する場合の当該置換基、前記置換もしくは無置換の縮合環が置換基を有する場合の当該置換基、並びにＲ_１２０１～Ｒ_１２１０の少なくとも１つが、前記一般式（１２１）で表される基であり、
　前記一般式（１２１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１２１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１２０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１２０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ２は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１２０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１２０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１２１）中の＊は、前記一般式（１２Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

　前記一般式（１２Ｘ）において、Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１０のうちの隣接する２つからなる組とは、Ｒ_１２０１とＲ_１２０２との組、Ｒ_１２０２とＲ_１２０３との組、Ｒ_１２０３とＲ_１２０４との組、Ｒ_１２０４とＲ_１２０５との組、Ｒ_１２０５とＲ_１２０６との組、Ｒ_１２０７とＲ_１２０８との組、Ｒ_１２０８とＲ_１２０９との組、並びにＲ_１２０９とＲ_１２１０との組である。

・一般式（１３Ｘ）で表される化合物
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１３Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１３Ｘ）において、
　Ｒ_１３０１～Ｒ_１３１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１３１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ_１３０１～Ｒ_１３１０の少なくとも１つは、前記一般式（１３１）で表される基であり、
　前記一般式（１３１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１３１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１３０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１３０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ３は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１３０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１３０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１３１）中の＊は、前記一般式（１３Ｘ）中のフルオランテン環との結合位置を示す。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１３１）で表される基ではないＲ_１３０１～Ｒ_１３１０のうち隣接する２つ以上からなる組は、いずれも、互いに結合しない。前記一般式（１３Ｘ）において隣接する２つからなる組とは、Ｒ_１３０１とＲ_１３０２との組、Ｒ_１３０２とＲ_１３０３との組、Ｒ_１３０３とＲ_１３０４との組、Ｒ_１３０４とＲ_１３０５との組、Ｒ_１３０５とＲ_１３０６との組、Ｒ_１３０７とＲ_１３０８との組、Ｒ_１３０８とＲ_１３０９との組、並びにＲ_１３０９とＲ_１３１０との組である。

・一般式（１４Ｘ）で表される化合物
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１４Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１４Ｘ）において、
　Ｒ_１４０１～Ｒ_１４１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１４１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ_１４０１～Ｒ_１４１０の少なくとも１つは、前記一般式（１４１）で表される基であり、
　前記一般式（１４１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１４１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１４０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１４０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ４は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１４０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１４０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１４１）中の＊は、前記一般式（１４Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

・一般式（１５Ｘ）で表される化合物
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１５Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１５Ｘ）において、
　Ｒ_１５０１～Ｒ_１５１４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１５１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ_１５０１～Ｒ_１５１４の少なくとも１つは、前記一般式（１５１）で表される基であり、
　前記一般式（１５１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１５１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１５０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１５０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ５は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１５０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１５０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１５１）中の＊は、前記一般式（１５Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

・一般式（１６Ｘ）で表される化合物
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１６Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１６Ｘ）において、
　Ｒ_１６０１～Ｒ_１６１４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１６１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ_１６０１～Ｒ_１６１４の少なくとも１つは、前記一般式（１６１）で表される基であり、
　前記一般式（１６１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１６１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ_１６０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_１６０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ６は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ_１６０１が２以上存在する場合、２以上のＬ_１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_１６０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ_１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１６１）中の＊は、前記一般式（１６Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、分子中に、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造を有し、当該連結構造中のベンゼン環及びナフタレン環には、それぞれ独立に、さらに単環又は縮合環が縮合しているか又は縮合しておらず、当該連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。
　第一のホスト材料が、このような架橋を含んだ連結構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。
　この場合の第一のホスト材料は、分子中に、下記式（Ｘ１）又は式（Ｘ２）で表されるような、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造（ベンゼン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）を最小単位として有していればよく、当該ベンゼン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよいし、当該ナフタレン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよい。例えば、第一のホスト材料が、分子中に、下記式（Ｘ３）、式（Ｘ４）、又は式（Ｘ５）で表されるような、単結合で連結されたナフタレン環とナフタレン環とを含む連結構造（ナフタレン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）においても、一方のナフタレン環は、ベンゼン環を含んでいるため、ベンゼン－ナフタレン連結構造を含んでいることになる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。
すなわち、前記ベンゼン環と前記ナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋構造によりさらに連結した構造を有することも好ましい。

　ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ３）の場合、下記式（Ｘ３１）で表される連結構造（縮合環）になる。
　ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ２）の場合、下記式（Ｘ２１）又は式（Ｘ２２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ４）の場合、下記式（Ｘ４１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ５）の場合、下記式（Ｘ５１）で表される連結構造（縮合環）になる。
　ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分においてヘテロ原子（例えば、酸素原子）を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１３）で表される連結構造（縮合環）になる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、分子中に、第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが単結合で連結されたビフェニル構造を有し、当該ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の１つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。第一のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。

　前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結し、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。第一のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。

　例えば、下記式（ＢＰ１）で表される前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、当該ビフェニル構造は、下記式（ＢＰ１１）～（ＢＰ１５）等の連結構造（縮合環）になる。

　前記式（ＢＰ１１）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１２）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１３）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１４）は、前記単結合以外の２つの部分の一方において二重結合を含まない架橋によって連結し、前記単結合以外の２つの部分の他方において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１５）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。

　第一の化合物及び第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、
いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

（第一の化合物の製造方法）
　第一の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第一の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

（第一の化合物の具体例）
　第一の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第一の化合物の具体例に限定されない。
　本明細書において、化合物の具体例中、Ｄは、重水素原子を示し、Ｍｅは、メチル基を示し、ｔＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチル基を示す。

（第二の化合物）
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の化合物は、下記一般式（２）で表される化合物である。

（前記一般式（２）において、
　Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（本実施形態に係る第二の化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、又は
　　ニトロ基であり、
　Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
　　単結合、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
　Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ジフェニルフルオレニル基、ジメチルフルオレニル基、ベンゾジフェニルフルオレニル基、ベンゾジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフトベンゾフラニル基、又はナフトベンゾチエニル基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２０１）、一般式（２０２）、一般式（２０３）、一般式（２０４）、一般式（２０５）、一般式（２０６）、一般式（２０７）、一般式（２０８）又は一般式（２０９）で表される化合物であることが好ましい。

（前記一般式（２０１）～（２０９）中、Ｌ_２０１及びＡｒ_２０１は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１及びＡｒ_２０１と同義であり、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１～Ｒ_２０８と同義である。）

　前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）又は一般式（２２９）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）及び一般式（２２９）において、
　Ｒ_２０１並びにＲ_２０３～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１並びにＲ_２０３～Ｒ_２０８と同義であり、
　Ｌ_２０１及びＡｒ_２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ_２０１及びＡｒ_２０１と同義であり、
　Ｌ_２０３は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１と同義であり、
　Ｌ_２０３とＬ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ_２０１と同義であり、
　Ａｒ_２０３とＡｒ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）又は一般式（２４９）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）及び一般式（２４９）において、
　Ｒ_２０１、Ｒ_２０２並びにＲ_２０４～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１、Ｒ_２０２並びにＲ_２０４～Ｒ_２０８と同義であり、
　Ｌ_２０１及びＡｒ_２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ_２０１及びＡｒ_２０１と同義であり、
　Ｌ_２０３は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１と同義であり、
　Ｌ_２０３とＬ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ_２０１と同義であり、
　Ａｒ_２０３とＡｒ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基であることが好ましい。

　Ｌ_２０１は、単結合、又は無置換の環形成炭素数６～２２のアリーレン基であり、Ａｒ_２０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２２のアリール基であることが好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８は、分子間の相互作用が抑制されることを防ぎ、電子移動度の低下を抑制する点から、水素原子であることが好ましいが、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基でもよい。
　Ｒ_２０１～Ｒ_２０８がアルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基となった場合、分子間の相互作用が抑制され、第一のホスト材料に対し電子移動度が低下し、前記数式（数３）に記載のμｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）の関係を満たさなくなるおそれがある。第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）の関係を満たす事で第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制することが期待できる。なお、置換基としては、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基がかさ高くなるおそれがあり、アルキル基、及びシクロアルキル基がさらにかさ高くなるおそれがある。
　前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８は、かさ高い置換基ではないことが好ましく、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基であることも好ましい。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、水素原子であることが好ましい。

　第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、前述のかさ高くなるおそれのある置換基、特に置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことも好ましい。Ｒ_２０１～Ｒ_２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことにより、アルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基が存在する事による分子間の相互作用が抑制されるのを防ぎ、電子移動度の低下を防ぐことができ、また、このような第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制できる。

　アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８がかさ高い置換基ではなく、置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８は、無置換であることがさらに好ましい。また、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８がかさ高い置換基ではない場合において、かさ高くない置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８に置換基が結合する場合、当該置換基もかさ高い置換基ではないことが好ましく、置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８に結合する当該置換基は、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。

　第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

（第二の化合物の製造方法）
　第二の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第二の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

（第二の化合物の具体例）
　第二の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第二の化合物の具体例に限定されない。

（第一の発光性化合物、第二の発光性化合物及び第三の発光性化合物）
　本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物、第二の発光性化合物及び第三の発光性化合物は、例えば、下記第三の化合物、及び下記第四の化合物等が挙げられる。
　第三の化合物及び第四の化合物は、それぞれ独立に、下記一般式（３）で表される化合物、下記一般式（４）で表される化合物、下記一般式（５）で表される化合物、下記一般式（６）で表される化合物、下記一般式（７）で表される化合物、下記一般式（８）で表される化合物、下記一般式（９）で表される化合物、及び下記一般式（１０）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物である。

（一般式（３）で表される化合物）
　一般式（３）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（３）において、
　Ｒ_３０１～Ｒ_３１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　Ｒ_３０１～Ｒ_３１０の少なくとも１つは下記一般式（３１）で表される１価の基であり、
　前記単環を形成せず、前記縮合環を形成せず、かつ下記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（前記一般式（３１）において、
　Ａｒ_３０１及びＡｒ_３０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ_３０１～Ｌ_３０３は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
　＊は、前記一般式（３）中のピレン環における結合位置を示す。）

　第三の化合物及び第四の化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６及びＲ_９０７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　　好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

　前記一般式（３）において、Ｒ_３０１～Ｒ_３１０のうち２つが前記一般式（３１）で表される基であることが好ましい。

　一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３３）で表される化合物である。

（前記一般式（３３）において、
　Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
　Ｌ_３１１～Ｌ_３１６は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　前記一般式（３１）において、Ｌ_３０１は、単結合であることが好ましく、Ｌ_３０２及びＬ_３０３は単結合であることが好ましい。

　一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３４）又は一般式（３５）で表される。

（前記一般式（３４）において、
　Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
　Ｌ_３１２、Ｌ_３１３、Ｌ_３１５及びＬ_３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＬ_３１２、Ｌ_３１３、Ｌ_３１５及びＬ_３１６と同義であり、
　Ａｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＡｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６と同義である。）

（前記一般式（３５）において、
　Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
　Ａｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＡｒ_３１２、Ａｒ_３１３、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６と同義である。）

　前記一般式（３１）において、好ましくは、Ａｒ_３０１及びＡｒ_３０２のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
　前記一般式（３３）～一般式（３５）において、好ましくは、Ａｒ_３１２及びＡｒ_３１３のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
　前記一般式（３３）～一般式（３５）において、好ましくは、Ａｒ_３１５及びＡｒ_３１６のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。

（前記一般式（３６）において、
　Ｘ_３は、酸素原子又は硫黄原子を示し、
　Ｒ_３２１～Ｒ_３２７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_３２１～Ｒ_３２７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　＊は、Ｌ_３０２、Ｌ_３０３、Ｌ_３１２、Ｌ_３１３、Ｌ_３１５又はＬ_３１６との結合位置を示す。）

　Ｘ_３は、酸素原子であることが好ましい。

　Ｒ_３２１～Ｒ_３２７のうち少なくとも１つは、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

　前記一般式（３１）において、Ａｒ_３０１が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ_３０２が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記一般式（３３）～一般式（３５）において、Ａｒ_３１２が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ_３１３が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記一般式（３３）～一般式（３５）において、Ａｒ_３１５が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ_３１６が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

　一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３７）で表される。

（前記一般式（３７）において、
　Ｒ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ_３０１～Ｒ_３１０と同義であり、
　Ｒ_３２１～Ｒ_３２７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　Ｒ_３４１～Ｒ_３４７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_３２１～Ｒ_３２７並びにＲ_３４１～Ｒ_３４７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_３３１～Ｒ_３３５並びにＲ_３５１～Ｒ_３５５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（３）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（３）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（４）で表される化合物）
　一般式（４）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（４）において、
　Ｚは、それぞれ独立に、ＣＲａ又は窒素原子であり、
　Ａ１環及びＡ２環は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
　Ｒａが複数存在する場合、複数のＲａのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ独立に、０、１、２、３又は４であり、
　Ｒｂが複数存在する場合、複数のＲｂのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　Ｒｃが複数存在する場合、複数のＲｃのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　Ａ１環及びＡ２環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
　Ａ１環及びＡ２環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（４）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
　「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。

　Ａ１環及びＡ２環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
　Ａ１環及びＡ２環の「複素環」は、前記一般式（４）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
　「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。

　Ｒｂは、Ａ１環としての芳香族炭化水素環を形成する炭素原子のいずれか、又は、Ａ１環としての複素環を形成する原子のいずれかに結合する。

　Ｒｃは、Ａ２環としての芳香族炭化水素環を形成する炭素原子のいずれか、又は、Ａ２環としての複素環を形成する原子のいずれかに結合する。

　Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃのうち、少なくとも１つが、下記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましく、少なくとも２つが、下記一般式（４ａ）で表される基であることがより好ましい。

（前記一般式（４ａ）において、
　Ｌ_４０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_４０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　下記一般式（４ｂ）で表される基である。）

（前記一般式（４ｂ）において、
　Ｌ_４０２及びＬ_４０３は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ_４０２及びＡｒ_４０３からなる組は、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＡｒ_４０２及びＡｒ_４０３は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　一実施形態において、前記一般式（４）で表される化合物は下記一般式（４２）で表される。

（前記一般式（４２）において、
　Ｒ_４０１～Ｒ_４１１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４０１～Ｒ_４１１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　Ｒ_４０１～Ｒ_４１１のうち、少なくとも１つが、前記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましく、少なくとも２つ前記一般式（４ａ）で表される基であることがより好ましい。
　Ｒ_４０４及びＲ_４１１が前記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましい。

　一実施形態において、前記一般式（４）で表される化合物は、Ａ１環に下記一般式（４－１）又は一般式（４－２）で表される構造が結合した化合物である。
　また、一実施形態において、前記一般式（４２）で表される化合物は、Ｒ_４０４～Ｒ_４０７が結合する環に下記一般式（４－１）又は一般式（４－２）で表される構造が結合した化合物である。

（前記一般式（４－１）において、２つの＊は、それぞれ独立に、前記一般式（４）のＡ１環としての芳香族炭化水素環の環形成炭素原子もしくは複素環の環形成原子と結合するか、又は前記一般式（４２）のＲ_４０４～Ｒ_４０７のいずれかと結合し、
　前記一般式（４－２）の３つの＊は、それぞれ独立に、前記一般式（４）のＡ１環としての芳香族炭化水素環の環形成炭素原子もしくは複素環の環形成原子と結合するか、又は前記一般式（４２）のＲ_４０４～Ｒ_４０７のいずれかと結合し、
　Ｒ_４２１～Ｒ_４２７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　Ｒ_４３１～Ｒ_４３８のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４２１～Ｒ_４２７並びにＲ_４３１～Ｒ_４３８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物は、下記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３）、式（４１－４）及び式（４１－５）中、
　Ａ１環は、前記一般式（４）で定義した通りであり、
　Ｒ_４２１～Ｒ_４２７は、それぞれ独立に、前記一般式（４－１）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２７と同義であり、
　Ｒ_４４０～Ｒ_４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４２）におけるＲ_４０１～Ｒ_４１１と同義である。）

　一実施形態においては、前記一般式（４１－５）のＡ１環としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環は、
　　置換もしくは無置換のナフタレン環、又は
　　置換もしくは無置換のフルオレン環である。

　一実施形態においては、前記一般式（４１－５）のＡ１環としての置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環は、
　　置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
　　置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
　　置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。

　一実施形態においては、前記一般式（４）又は前記一般式（４２）で表される化合物は、下記一般式（４６１）～一般式（４６７）で表される化合物からなる群から選択される。

（前記一般式（４６１）、一般式（４６２）、一般式（４６３）、一般式（４６４）、一般式（４６５）、一般式（４６６）及び一般式（４６７）中、
　Ｒ_４２１～Ｒ_４２７は、それぞれ独立に、前記一般式（４－１）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２７と同義であり、
　Ｒ_４３１～Ｒ_４３８は、それぞれ独立に、前記一般式（４－２）におけるＲ_４３１～Ｒ_４３８と同義であり、
　Ｒ_４４０～Ｒ_４４８並びにＲ_４５１～Ｒ_４５４は、それぞれ独立に、前記一般式（４２）におけるＲ_４０１～Ｒ_４１１と同義であり、
　Ｘ_４は、酸素原子、ＮＲ_８０１、又はＣ（Ｒ_８０２）（Ｒ_８０３）であり、
　Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　　好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

　一実施形態において、前記一般式（４２）で表される化合物は、Ｒ_４０１～Ｒ_４１１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、当該実施形態について、以下一般式（４５）で表される化合物として詳述する。

（一般式（４５）で表される化合物）
　一般式（４５）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（４５）において、
　Ｒ_４６１とＲ_４６２とからなる組、Ｒ_４６２とＲ_４６３とからなる組、Ｒ_４６４とＲ_４６５とからなる組、Ｒ_４６５とＲ_４６６とからなる組、Ｒ_４６６とＲ_４６７とからなる組、Ｒ_４６８とＲ_４６９とからなる組、Ｒ_４６９とＲ_４７０とからなる組、及び、Ｒ_４７０とＲ_４７１とからなる組からなる群から選択される組のうち２以上は、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
　ただし、
　　Ｒ_４６１とＲ_４６２とからなる組及びＲ_４６２とＲ_４６３とからなる組；
　　Ｒ_４６４とＲ_４６５とからなる組及びＲ_４６５とＲ_４６６とからなる組；
　　Ｒ_４６５とＲ_４６６とからなる組及びＲ_４６６とＲ_４６７とからなる組；
　　Ｒ_４６８とＲ_４６９とからなる組及びＲ_４６９とＲ_４７０とからなる組；並びに
　　Ｒ_４６９とＲ_４７０とからなる組及びＲ_４７０とＲ_４７１とからなる組が、同時に環を形成することはなく、
　Ｒ_４６１～Ｒ_４７１が形成する２つ以上の環は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　前記一般式（４５）において、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１（ｎは４６１、４６２、４６４～４６６、及び４６８～４７０から選ばれる整数を表す）は互いに結合して、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１が結合する２つの環形成炭素原子と共に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環を形成する。当該環は、好ましくは、炭素原子、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から選択される原子で構成され、当該環の原子数は、好ましくは３～７であり、より好ましくは５又は６である。

　前記一般式（４５）で表される化合物における上記の環構造の数は、例えば、２つ、３つ、又は４つである。２つ以上の環構造は、それぞれ前記一般式（４５）の母骨格上の同一のベンゼン環上に存在してもよいし、異なるベンゼン環上に存在してもよい。例えば、環構造を３つ有する場合、前記一般式（４５）の３つのベンゼン環のそれぞれに１つずつ環構造が存在してもよい。

　前記一般式（４５）で表される化合物における上記の環構造としては、例えば、下記一般式（４５１）～（４６０）で表される構造等が挙げられる。

（前記一般式（４５１）～（４５７）において、
　＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４のそれぞれは、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、
　Ｒ_ｎが結合する環形成炭素原子は、＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４が表す２つの環形成炭素原子のどちらであってもよく、
　Ｘ_４５は、Ｃ（Ｒ_４５１２）（Ｒ_４５１３）、ＮＲ_４５１４、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ｒ_４５０１～Ｒ_４５０６及びＲ_４５１２～Ｒ_４５１３のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４５０１～Ｒ_４５１４は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

（前記一般式（４５８）～（４６０）において、
　＊１と＊２、及び＊３と＊４のそれぞれは、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、
　Ｒ_ｎが結合する環形成炭素原子は、＊１と＊２、又は＊３と＊４が表す２つの環形成炭素原子のどちらであってもよく、
　Ｘ_４５は、Ｃ（Ｒ_４５１２）（Ｒ_４５１３）、ＮＲ_４５１４、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ｒ_４５１２～Ｒ_４５１３及びＲ_４５１５～Ｒ_４５２５のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４５１２～Ｒ_４５１３、Ｒ_４５１５～Ｒ_４５２１及びＲ_４５２２～Ｒ_４５２５、並びにＲ_４５１４は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

　前記一般式（４５）において、Ｒ_４６２、Ｒ_４６４、Ｒ_４６５、Ｒ_４７０及びＲ_４７１の少なくとも１つ（好ましくは、Ｒ_４６２、Ｒ_４６５及びＲ_４７０の少なくとも１つ、さらに好ましくはＲ_４６２）が、環構造を形成しない基であると好ましい。

　（ｉ）前記一般式（４５）において、Ｒ_ｎとＲ_ｎ＋１により形成される環構造が置換基を有する場合の置換基、
　（ｉｉ）前記一般式（４５）において、環構造を形成しないＲ_４６１～Ｒ_４７１、及び
　（ｉｉｉ）式（４５１）～（４６０）におけるＲ_４５０１～Ｒ_４５１４、Ｒ_４５１５～Ｒ_４５２５は、好ましくは、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　下記一般式（４６１）～一般式（４６４）で表される基からなる群から選択される基のいずれかである。

（前記一般式（４６１）～（４６４）中、
　Ｒ_ｄは、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｘ_４６は、Ｃ（Ｒ_８０１）（Ｒ_８０２）、ＮＲ_８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　　好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なり、
　ｐ１は、５であり、
　ｐ２は、４であり、
　ｐ３は、３であり、
　ｐ４は、７であり、
　前記一般式（４６１）～（４６４）中の＊は、それぞれ独立に、環構造との結合位置を示す。）
　第三の化合物及び第四の化合物において、Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、前述のように定義した通りである。

　一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－１）～（４５－６）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－１）～（４５－６）において、
　環ｄ～ｉは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
　Ｒ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

　一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－７）～（４５－１２）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－７）～（４５－１２）において、
　環ｄ～ｆ、ｋ、ｊは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
　Ｒ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

　一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－１３）～（４５－２１）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－１３）～（４５－２１）において、
　環ｄ～ｋは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
　Ｒ_４６１～Ｒ_４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。）

　前記環ｇ又は前記環ｈがさらに置換基を有する場合の置換基としては、例えば、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　前記一般式（４６１）で表される基、
　　前記一般式（４６３）で表される基、又は
　　前記一般式（４６４）で表される基が挙げられる。

　一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－２２）～（４５－２５）のいずれかで表される。

（前記一般式（４５－２２）～（４５－２５）において、
　Ｘ_４６及びＸ_４７は、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ_８０１）（Ｒ_８０２）、ＮＲ_８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ｒ_４６１～Ｒ_４７１並びにＲ_４８１～Ｒ_４８８は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。
　Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　　好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

　一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－２６）で表される。

（前記一般式（４５－２６）において、
　Ｘ_４６は、Ｃ（Ｒ_８０１）（Ｒ_８０２）、ＮＲ_８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ｒ_４６３、Ｒ_４６４、Ｒ_４６７、Ｒ_４６８、Ｒ_４７１、及びＲ_４８１～Ｒ_４９２は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ_４６１～Ｒ_４７１と同義である。
　Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　　好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

（一般式（４）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（４）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。下記具体例中、Ｐｈは、フェニル基を示し、Ｄは、重水素原子を示す。

（一般式（５）で表される化合物）
　一般式（５）で表される化合物について説明する。一般式（５）で表される化合物は、上述した一般式（４１－３）で表される化合物に対応する化合物である。

（前記一般式（５）において、
　Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　Ｒ_５２１及びＲ_５２２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　「Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組」は、例えば、Ｒ_５０１とＲ_５０２からなる組、Ｒ_５０２とＲ_５０３からなる組、Ｒ_５０３とＲ_５０４からなる組、Ｒ_５０５とＲ_５０６からなる組、Ｒ_５０６とＲ_５０７からなる組、Ｒ_５０１とＲ_５０２とＲ_５０３からなる組等の組合せである。

　一実施形態において、Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７の少なくとも１つ、好ましくは２つが－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基である。

　一実施形態においては、Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５２）で表される化合物である。

（前記一般式（５２）において、
　Ｒ_５３１～Ｒ_５３４及びＲ_５４１～Ｒ_５４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_５３１～Ｒ_５３４、Ｒ_５４１～Ｒ_５４４、並びにＲ_５５１及びＲ_５５２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_５６１～Ｒ_５６４は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５３）で表される化合物である。

（前記一般式（５３）において、Ｒ_５５１、Ｒ_５５２及びＲ_５６１～Ｒ_５６４は、それぞれ独立に、前記一般式（５２）におけるＲ_５５１、Ｒ_５５２及びＲ_５６１～Ｒ_５６４と同義である。）

　一実施形態においては、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ_５６１～Ｒ_５６４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基（好ましくはフェニル基）である。

　一実施形態においては、前記一般式（５）におけるＲ_５２１及びＲ_５２２、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ_５５１及びＲ_５５２は、水素原子である。

　一実施形態においては、前記一般式（５）、一般式（５２）及び一般式（５３）における、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

（一般式（５）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（５）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（６）で表される化合物）
　一般式（６）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（６）において、
　ａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
　Ｒ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、前記ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　ａ環、ｂ環及びｃ環は、ホウ素原子及び２つの窒素原子から構成される前記一般式（６）中央の縮合２環構造に縮合する環（置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環）である。

　ａ環、ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
　ａ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。
　ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。

　「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
　ａ環、ｂ環及びｃ環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
　ａ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。ｂ環及びｃ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。

　Ｒ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。この場合における複素環は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の窒素原子を含む。この場合における複素環は、窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ_６０１及びＲ_６０２がａ環、ｂ環又はｃ環と結合するとは、具体的には、ａ環、ｂ環又はｃ環を構成する原子とＲ_６０１及びＲ_６０２を構成する原子が結合することを意味する。例えば、Ｒ_６０１がａ環と結合して、Ｒ_６０１を含む環とａ環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。
　Ｒ_６０１がｂ環と結合する場合、Ｒ_６０２がａ環と結合する場合、及びＲ_６０２がｃ環と結合する場合も上記と同じである。

　一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環である。
　一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環又はナフタレン環である。

　一実施形態において、前記一般式（６）におけるＲ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態において、前記一般式（６）で表される化合物は下記一般式（６２）で表される化合物である。

（前記一般式（６２）において、
　Ｒ_６０１Ａは、Ｒ_６１１及びＲ_６２１からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ_６０２Ａは、Ｒ_６１３及びＲ_６１４からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ_６０１Ａ及びＲ_６０２Ａは、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_６１１～Ｒ_６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　前記一般式（６２）のＲ_６０１Ａ及びＲ_６０２Ａは、それぞれ、前記一般式（６）のＲ_６０１及びＲ_６０２に対応する基である。
　例えば、Ｒ_６０１ＡとＲ_６１１が結合して、これらを含む環とａ環に対応するベンゼン環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ_６０１ＡとＲ_６２１が結合する場合、Ｒ_６０２ＡとＲ_６１３が結合する場合、及びＲ_６０２ＡとＲ_６１４が結合する場合も上記と同じである。

　Ｒ_６１１～Ｒ_６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成してもよい。
　例えば、Ｒ_６１１とＲ_６１２が結合して、これらが結合する６員環に対して、ベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環又はベンゾチオフェン環等が縮合した構造を形成してもよく、形成された縮合環は、ナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環となる。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６１１～Ｒ_６２１は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、Ｒ_６１１～Ｒ_６２１のうち少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

　一実施形態において、前記一般式（６２）で表される化合物は、下記一般式（６３）で表される化合物である。

（前記一般式（６３）において、
　Ｒ_６３１は、Ｒ_６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ_６３３は、Ｒ_６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ_６３４は、Ｒ_６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ_６４１は、Ｒ_６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ_６３１～Ｒ_６５１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　Ｒ_６３１は、Ｒ_６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。例えば、Ｒ_６３１とＲ_６４６が結合して、Ｒ_６４６が結合するベンゼン環と、Ｎを含む環と、ａ環に対応するベンゼン環とが縮合した３環縮合以上の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む３環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ_６３３とＲ_６４７が結合する場合、Ｒ_６３４とＲ_６５１が結合する場合、及びＲ_６４１とＲ_６４２が結合する場合も上記と同じである。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、Ｒ_６３１～Ｒ_６５１のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ａ）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ａ）において、
　Ｒ_６６１は、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_６６２～Ｒ_６６５は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

　一実施形態において、Ｒ_６６１～Ｒ_６６５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態において、Ｒ_６６１～Ｒ_６６５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｂ）において、
　Ｒ_６７１及びＲ_６７２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_６７３～Ｒ_６７５は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ’）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｂ’）において、Ｒ_６７２～Ｒ_６７５は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｂ）におけるＲ_６７２～Ｒ_６７５と同義である。）

　一実施形態において、Ｒ_６７１～Ｒ_６７５のうち少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態において、Ｒ_６７２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、Ｒ_６７１及びＲ_６７３～Ｒ_６７５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｃ）において、
　Ｒ_６８１及びＲ_６８２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　Ｒ_６８３～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ’）で表される化合物である。

（前記一般式（６３Ｃ’）において、Ｒ_６８３～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｃ）におけるＲ_６８３～Ｒ_６８６と同義である。）

　一実施形態において、Ｒ_６８１～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態において、Ｒ_６８１～Ｒ_６８６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　前記一般式（６）で表される化合物は、まずａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（Ｎ－Ｒ_６０１を含む基及びＮ－Ｒ_６０２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、ａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（ホウ素原子を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応ではバッハブルト－ハートウィッグ反応等のアミノ化反応を適用できる。第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応等を適用できる。

（一般式（６）で表される化合物の具体例）
　以下に、前記一般式（６）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、前記一般式（６）で表される化合物は下記具体例に限定されない。

（一般式（７）で表される化合物）
　一般式（７）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（７）において、
　ｒ環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７２）又は一般式（７３）で表される環であり、
　ｑ環及びｓ環は、それぞれ独立に、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７４）で表される環であり、
　ｐ環及びｔ環は、それぞれ独立に、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７５）又は一般式（７６）で表される構造であり、
　Ｘ_７は、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_７０２である。
　Ｒ_７０１が複数存在する場合、隣接する複数のＲ_７０１は、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_７０１及びＲ_７０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ_７０１は、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキレン基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニレン基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニレン基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキレン基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍ１は、０、１又は２であり、
　ｍ２は、０、１、２、３又は４であり、
　ｍ３は、それぞれ独立に、０、１、２又は３であり、
　ｍ４は、それぞれ独立に、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｒ_７０１が複数存在する場合、複数のＲ_７０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｘ_７が複数存在する場合、複数のＸ_７は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_７０２が複数存在する場合、複数のＲ_７０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_７０１が複数存在する場合、複数のＡｒ_７０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ_７０２が複数存在する場合、複数のＡｒ_７０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｌ_７０１が複数存在する場合、複数のＬ_７０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　前記一般式（７）において、ｐ環、ｑ環、ｒ環、ｓ環及びｔ環の各環は、隣接環と炭素原子２つを共有して縮合する。縮合する位置及び向きは限定されず、任意の位置及び向きで縮合可能である。

　一実施形態において、ｒ環としての前記一般式（７２）又は一般式（７３）において、ｍ１＝０又はｍ２＝０である。

　一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は、下記一般式（７１－１）～（７１－６）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－１）～一般式（７１－６）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ３は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ３と同義である。）

　一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－１１）～一般式（７１－１３）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－１１）～一般式（７１－１３）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１、ｍ３及びｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１、ｍ３及びｍ４と同義である。）

　一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－２１）～（７１－２５）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－２１）～一般式（７１－２５）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ１及びｍ４と同義である。）

　一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－３１）～一般式（７１－３３）のいずれかで表される。

（前記一般式（７１－３１）～一般式（７１－３３）において、Ｒ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ２～ｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ_７０１、Ｘ_７、Ａｒ_７０１、Ａｒ_７０２、Ｌ_７０１、ｍ２～ｍ４と同義である。）

　一実施形態においては、Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態においては、Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２の一方が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、Ａｒ_７０１及びＡｒ_７０２の他方が置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

（一般式（７）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（７）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（８）で表される化合物）
　一般式（８）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（８）において、
　Ｒ_８０１とＲ_８０２、Ｒ_８０２とＲ_８０３、及びＲ_８０３とＲ_８０４の少なくとも一組は、互いに結合して下記一般式（８２）で示される２価の基を形成し、
　Ｒ_８０５とＲ_８０６、Ｒ_８０６とＲ_８０７、及びＲ_８０７とＲ_８０８の少なくとも一組は、互いに結合して下記一般式（８３）で示される２価の基を形成する。）

（前記一般式（８２）で示される２価の基を形成しないＲ_８０１～Ｒ_８０４、及びＲ_８１１～Ｒ_８１４の少なくとも１つは下記一般式（８４）で表される１価の基であり、
　前記一般式（８３）で示される２価の基を形成しないＲ_８０５～Ｒ_８０８、及びＲ_８２１～Ｒ_８２４の少なくとも１つは下記一般式（８４）で表される１価の基であり、
　Ｘ_８は、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ_８０９であり、
　前記一般式（８２）及び一般式（８３）で表される２価の基を形成せず、かつ、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８０８、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８１１～Ｒ_８１４及びＲ_８２１～Ｒ_８２４、並びにＲ_８０９は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（前記一般式（８４）において、
　Ａｒ_８０１及びＡｒ_８０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ_８０１～Ｌ_８０３は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基からなる群から選択される２～４個の基が結合して形成される２価の連結基であり、
　前記一般式（８４）中の＊は、前記一般式（８）で表される環構造、一般式（８２）又は一般式（８３）で表される基との結合位置を示す。）

　前記一般式（８）において、前記一般式（８２）で示される２価の基及び一般式（８３）で示される２価の基が形成される位置は特に限定されず、Ｒ_８０１～Ｒ_８０８の可能な位置において当該基を形成し得る。

　一実施形態において、前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（８１－１）～（８１－６）のいずれかで表される。

（前記一般式（８１－１）～一般式（８１－６）において、
　Ｘ_８は、前記一般式（８）におけるＸ_８と同義であり、
　Ｒ_８０１～Ｒ_８２４のうち少なくとも２つは、前記一般式（８４）で表される１価の基であり、
　前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８２４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　一実施形態において、前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（８１－７）～（８１－１８）のいずれかで表される。

（前記一般式（８１－７）～一般式（８１－１８）において、
　Ｘ_８は、前記一般式（８）におけるＸ_８と同義であり、
　＊は、前記一般式（８４）で表される１価の基と結合する単結合であり、
　Ｒ_８０１～Ｒ_８２４は、それぞれ独立に、前記一般式（８１－１）～一般式（８１－６）における前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８２４と同義である。）

　前記一般式（８２）及び一般式（８３）で表される２価の基を形成せず、かつ、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８０１～Ｒ_８０８、及び、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ_８１１～Ｒ_８１４及びＲ_８２１～Ｒ_８２４は、好ましくは、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　前記一般式（８４）で表される１価の基は、好ましくは下記一般式（８５）又は一般式（８６）で表される。

（前記一般式（８５）において、
　Ｒ_８３１～Ｒ_８４０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　前記一般式（８５）中の＊は、前記一般式（８４）中の＊と同義である。）

（前記一般式（８６）において、
　Ａｒ_８０１、Ｌ_８０１及びＬ_８０３は、前記一般式（８４）におけるＡｒ_８０１、Ｌ_８０１及びＬ_８０３と同義であり、
　ＨＡｒ_８０１は、下記一般式（８７）で表される構造である。）

（前記一般式（８７）において、
　Ｘ_８１は、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ｒ_８４１～Ｒ_８４８のいずれか１つは、Ｌ_８０３に結合する単結合であり、
　単結合ではないＲ_８４１～Ｒ_８４８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（８）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（８）で表される化合物としては、国際公開第２０１４／１０４１４４号に記載の化合物の他、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（９）で表される化合物）
　一般式（９）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（９）において、
　Ａ_９１環及びＡ_９２環は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
　Ａ_９１環及びＡ_９２環からなる群から選択される１以上の環は、
　下記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。）

（前記一般式（９２）において、
　Ａ_９３環は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
　Ｘ_９は、ＮＲ_９３、Ｃ（Ｒ_９４）（Ｒ_９５）、Ｓｉ（Ｒ_９６）（Ｒ_９７）、Ｇｅ（Ｒ_９８）（Ｒ_９９）、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子であり、
　Ｒ_９１及びＲ_９２は、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_９１及びＲ_９２、並びにＲ_９３～Ｒ_９９は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　Ａ_９１環及びＡ_９２環からなる群から選択される１以上の環は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。即ち、一実施形態において、Ａ_９１環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。また、一実施形態において、Ａ_９２環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。

　一実施形態において、Ａ_９１環及びＡ_９２環のいずれか又は両方に下記一般式（９３）で表される基が結合する。

（前記一般式（９３）において、
　Ａｒ_９１及びＡｒ_９２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ_９１～Ｌ_９３は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基からなる群から選択される２～４個結合して形成される２価の連結基であり、
　前記一般式（９３）中の＊は、Ａ_９１環及びＡ_９２環のいずれかとの結合位置を示す。）

　一実施形態において、Ａ_９１環に加えて、Ａ_９２環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。この場合、前記一般式（９２）で表される構造は、互いに同一でもよいし異なってもよい。

　一実施形態において、Ｒ_９１及びＲ_９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　一実施形態において、Ｒ_９１及びＲ_９２は、互いに結合してフルオレン構造を形成する。

　一実施形態において、環Ａ_９１及び環Ａ_９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環である。

　一実施形態において、環Ａ_９３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環である。
　一実施形態において、Ｘ_９は、酸素原子又は硫黄原子である。

（一般式（９）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（９）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（１０）で表される化合物）
　一般式（１０）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（１０）において、
　Ａｘ_１環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（１０ａ）で表される環であり、
　Ａｘ_２環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（１０ｂ）で表される環であり、
　前記一般式（１０ｂ）中の２つの＊は、Ａｘ_３環の任意の位置と結合し、
　Ｘ_Ａ及びＸ_Ｂは、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ_１００３）（Ｒ_１００４）、Ｓｉ（Ｒ_１００５）（Ｒ_１００６）、酸素原子又は硫黄原子であり、
　Ａｘ_３環は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
　Ａｒ_１００１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_１００１～Ｒ_１００６は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ１は、３であり、ｍｘ２は、２であり、
　複数のＲ_１００１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　複数のＲ_１００２は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ａｘは、０、１又は２であり、
　ａｘが０又は１の場合、「３－ａｘ」で示されるカッコ内の構造は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ａｘが２の場合、複数のＡｒ_１００１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

　一実施形態において、Ａｒ_１００１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。

　一実施形態において、Ａｘ_３環は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、又は置換もしくは無置換のアントラセン環である。

　一実施形態において、Ｒ_１００３及びＲ_１００４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。

　一実施形態において、ａｘは１である。

（一般式（１０）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（１０）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

　一実施形態においては、前記発光層が、第三の化合物及び第四の化合物の少なくともいずれかの化合物として、前記一般式（４）で表される化合物、前記一般式（５）で表される化合物、前記一般式（７）で表される化合物、前記一般式（８）で表される化合物、前記一般式（９）で表される化合物及び下記一般式（６３ａ）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含有する。

（前記一般式（６３ａ）において、
　Ｒ_６３１は、Ｒ_６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　Ｒ_６３３は、Ｒ_６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　Ｒ_６３４は、Ｒ_６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　Ｒ_６４１は、Ｒ_６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　Ｒ_６３１～Ｒ_６５１のうちの隣接する２つ以上の１組以上は、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６３１～Ｒ_６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　但し、前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_６３１～Ｒ_６５１のうちの少なくとも１つは、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

　一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物が、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）で表される化合物であり、前記一般式（４１－５）中のＡ１環が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環である。

　一実施形態においては、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）、及び一般式（４１－５）における、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環が、
　　置換もしくは無置換のナフタレン環、
　　置換もしくは無置換のアントラセン環、又は
　　置換もしくは無置換のフルオレン環であり、
　前記置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環が、
　　置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
　　置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
　　置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。

　一実施形態においては、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）における、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環が、
　　置換もしくは無置換のナフタレン環、又は
　　置換もしくは無置換のフルオレン環であり、
　前記置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環が、
　　置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
　　置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
　　置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。

　一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物が、下記一般式（４６１）で表される化合物、下記一般式（４６２）で表される化合物、下記一般式（４６３）で表される化合物、下記一般式（４６４）で表される化合物、下記一般式（４６５）で表される化合物、下記一般式（４６６）で表される化合物、及び下記一般式（４６７）で表される化合物からなる群から選択される。

（前記一般式（４６１）～（４６７）中、
　Ｒ_４２１～Ｒ_４２７、Ｒ_４３１～Ｒ_４３６、Ｒ_４４０～Ｒ_４４８及びＲ_４５１～Ｒ_４５４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　Ｒ_４３７、Ｒ_４３８、並びに前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ_４２１～Ｒ_４２７、Ｒ_４３１～Ｒ_４３６、Ｒ_４４０～Ｒ_４４８及びＲ_４５１～Ｒ_４５４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｘ_４は、酸素原子、ＮＲ_８０１、又はＣ（Ｒ_８０２）（Ｒ_８０３）であり、
　Ｒ_８０１、Ｒ_８０２及びＲ_８０３は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　　好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ_８０３が複数存在する場合、複数のＲ_８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）

　一実施形態においては、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４８が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態においては、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４７が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～１８の複素環基からなる群から選択される。

　一実施形態においては、前記一般式（４１－３）で表される化合物が、下記一般式（４１－３－１）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－１）中、Ｒ_４２３、Ｒ_４２５、Ｒ_４２６、Ｒ_４４２、Ｒ_４４４及びＲ_４４５は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ_４２３、Ｒ_４２５、Ｒ_４２６、Ｒ_４４２、Ｒ_４４４及びＲ_４４５と同義である。）

　一実施形態においては、前記一般式（４１－３）で表される化合物が、下記一般式（４１－３－２）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－２）中、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４８と同義であり、
　但し、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４６の少なくとも１つは、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基である。）

　一実施形態においては、前記式（４１－３－２）における、Ｒ_４２１～Ｒ_４２７及びＲ_４４０～Ｒ_４４６のいずれか２つが、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基である。

　一実施形態においては、前記式（４１－３－２）で表される化合物が、下記式（４１－３－３）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－３）中、Ｒ_４２１～Ｒ_４２４、Ｒ_４４０～Ｒ_４４３、Ｒ_４４７及びＲ_４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ_４２１～Ｒ_４２４、Ｒ_４４０～Ｒ_４４３、Ｒ_４４７及びＲ_４４８と同義であり、
　Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄは、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。）

　一実施形態においては、前記式（４１－３－３）で表される化合物が、下記式（４１－３－４）で表される化合物である。

（前記一般式（４１－３－４）中、Ｒ_４４７、Ｒ_４４８、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄは、それぞれ独立に、前記式（４１－３－３）におけるＲ_４４７、Ｒ_４４８、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄと同義である。）

　一実施形態においては、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基である。

　一実施形態においては、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ及びＲ_Ｄが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である。

　一実施形態においては、Ｒ_４４７及びＲ_４４８が、水素原子である。

　一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
　　無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ_９０１ａ）（Ｒ_９０２ａ）（Ｒ_９０３ａ）、
　　－Ｏ－（Ｒ_９０４ａ）、
　　－Ｓ－（Ｒ_９０５ａ）、
　　－Ｎ（Ｒ_９０６ａ）（Ｒ_９０７ａ）、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_９０１ａ～Ｒ_９０７ａは、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ_９０１ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０１ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０２ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０２ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０３ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０３ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０４ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０４ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０５ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０５ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０６ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０６ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０７ａが２以上存在する場合、２以上のＲ_９０７ａは、互いに同一であるか、又は異なる。

　一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、無置換の炭素数１～５０のアルキル基、無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

　一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、無置換の炭素数１～１８のアルキル基、無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。

〔第二実施形態〕
（電子機器）
　本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機エレクトロルミネッセンス素子又は有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。

［定義］
　本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。

　本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。

　本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
　また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は、１０である。

　本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、及び環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。

　本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

　本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

　本明細書において、無置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「無置換のＺＺ基」である場合を表し、置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「置換のＺＺ基」である場合を表す。
　本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換基と置き換わっていないことを意味する。「無置換のＺＺ基」における水素原子は、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子である。
　また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。

「本明細書に記載の置換基」
　以下、本明細書に記載の置換基について説明する。

　本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
　本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。

・「置換もしくは無置換のアリール基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）及び置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
　「置換のアリール基」は、「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアリール基」としては、例えば、下記具体例群Ｇ１Ａの「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例、及び「置換のアリール基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」におけるアリール基自体の炭素原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価のアリール基。

・置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）：
ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ビス（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基、及び前記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から誘導される１価の基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基。

・「置換もしくは無置換の複素環基」
　本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
　本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であるか、又は縮合環の基である。
　本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であるか、又は非芳香族複素環基である。
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ）、及び置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）本明細書において、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
　「置換の複素環基」は、「無置換の複素環基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換の複素環基」の具体例は、下記具体例群Ｇ２Ａの「無置換の複素環基」の水素原子が置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ２Ｂの置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における複素環基自体の環形成原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

　具体例群Ｇ２Ａは、例えば、以下の窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）、酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）、硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）を含む。

　具体例群Ｇ２Ｂは、例えば、以下の窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）、酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）、硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）を含む。

・窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、及びジアザカルバゾリル基。

・酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）：
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及びジアザナフトベンゾフラニル基。

・硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、
イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、
ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、
ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基）、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基（ジナフトチエニル基）、
アザジベンゾチオフェニル基（アザジベンゾチエニル基）、
ジアザジベンゾチオフェニル基（ジアザジベンゾチエニル基）、
アザナフトベンゾチオフェニル基（アザナフトベンゾチエニル基）、及びジアザナフトベンゾチオフェニル基（ジアザナフトベンゾチエニル基）。

・下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）：

　前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、又はＣＨ_２である。ただし、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａのうち少なくとも１つは、酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨ、又はＣＨ_２である場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基には、これらＮＨ、又はＣＨ_２から１つの水素原子を除いて得られる１価の基が含まれる。

・窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、及びビフェニリルキナゾリニル基。

・酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、及びスピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

・硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、及びスピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

・前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）：

　前記「１価の複素環基の１つ以上の水素原子」とは、該１価の複素環基の環形成炭素原子に結合している水素原子、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨである場合の窒素原子に結合している水素原子、及びＸ_Ａ及びＹ_Ａの一方がＣＨ_２である場合のメチレン基の水素原子から選ばれる１つ以上の水素原子を意味する。

・「置換もしくは無置換のアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
　「置換のアルキル基」は、「無置換のアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキル基」（具体例群Ｇ３Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）の例等が挙げられる。本明細書において、「無置換のアルキル基」におけるアルキル基は、鎖状のアルキル基を意味する。そのため、「無置換のアルキル基」は、直鎖である「無置換のアルキル基」、及び分岐状である「無置換のアルキル基」が含まれる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」におけるアルキル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、及びｔ－ブチル基。

・置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）：
ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２，２，２－トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基。

・「置換もしくは無置換のアルケニル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
　「置換のアルケニル基」は、「無置換のアルケニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルケニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルケニル基」（具体例群Ｇ４Ａ）が置換基を有する基、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」におけるアルケニル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、及び３－ブテニル基。

・置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）：
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、及び１，２－ジメチルアリル基。

・「置換もしくは無置換のアルキニル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
　「置換のアルキニル基」は、「無置換のアルキニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキニル基」（具体例群Ｇ５Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基等が挙げられる。

・無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）：
エチニル基。

・「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
　「置換のシクロアルキル基」は、「無置換のシクロアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のシクロアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のシクロアルキル基」（具体例群Ｇ６Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」におけるシクロアルキル基自体の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、及び２－ノルボルニル基。

・置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）：
４－メチルシクロヘキシル基。

・「－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、及び－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
　－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

・「－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、及び－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

・「－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、及び－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

・「－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、及び－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
　－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

・「ハロゲン原子」
　本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がフッ素原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がフッ素原子で置き換わった基（パーフルオロ基）も含む。「無置換のフルオロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のフルオロアルキル基」は、「フルオロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のフルオロアルキル基」には、「置換のフルオロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のフルオロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のフルオロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がフッ素原子と置き換わった基の例等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のハロアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のハロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がハロゲン原子で置き換わった基も含む。「無置換のハロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のハロアルキル基」は、「ハロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のハロアルキル基」には、「置換のハロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のハロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のハロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がハロゲン原子と置き換わった基の例等が挙げられる。ハロアルキル基をハロゲン化アルキル基と称する場合がある。

・「置換もしくは無置換のアルコキシ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

・「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

・「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

・「置換もしくは無置換のアリールチオ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

・「置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基」
　本明細書に記載の「トリアルキルシリル基」の具体例としては、－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。「トリアルキルシリル基」の各アルキル基の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０であり、より好ましくは１～６である。

・「置換もしくは無置換のアラルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」であり、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アルキル基」の水素原子が置換基としての「アリール基」と置き換わった基であり、「置換のアルキル基」の一態様である。「無置換のアラルキル基」は、「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」であり、「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０であり、より好ましくは７～１８である。
　「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、及び９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、又は９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基等である。

　本明細書において、カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

　本明細書において、（９－フェニル）カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－Ｃｚ１）～（ＴＥＭＰ－Ｃｚ９）中、＊は、結合位置を表す。

　本明細書において、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－３４）～（ＴＥＭＰ－４１）中、＊は、結合位置を表す。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等である。

・「置換もしくは無置換のアリーレン基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換の２価の複素環基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のアルキレン基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－６８）のいずれかの基である。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、＊は、結合位置を表す。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　式Ｑ_９及びＱ_１０は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、＊は、結合位置を表す。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、＊は、結合位置を表す。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－１０２）のいずれかの基である。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－８２）中、Ｑ_１～Ｑ_９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

　前記一般式（ＴＥＭＰ－８３）～（ＴＥＭＰ－１０２）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

　以上が、「本明細書に記載の置換基」についての説明である。

・「結合して環を形成する場合」
　本明細書において、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず」という場合は、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合しない」場合と、を意味する。
　本明細書における、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（以下、これらの場合をまとめて「結合して環を形成する場合」と称する場合がある。）について、以下、説明する。母骨格がアントラセン環である下記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。

　例えば、Ｒ_９２１～Ｒ_９３０のうちの「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合において、１組となる隣接する２つからなる組とは、Ｒ_９２１とＲ_９２２との組、Ｒ_９２２とＲ_９２３との組、Ｒ_９２３とＲ_９２４との組、Ｒ_９２４とＲ_９３０との組、Ｒ_９３０とＲ_９２５との組、Ｒ_９２５とＲ_９２６との組、Ｒ_９２６とＲ_９２７との組、Ｒ_９２７とＲ_９２８との組、Ｒ_９２８とＲ_９２９との組、並びにＲ_９２９とＲ_９２１との組である。

　上記「１組以上」とは、上記隣接する２つ以上からなる組の２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、同時にＲ_９２５とＲ_９２６とが互いに結合して環Ｑ_Ｂを形成した場合は、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）で表される。

　「隣接する２つ以上からなる組」が環を形成する場合とは、前述の例のように隣接する「２つ」からなる組が結合する場合だけではなく、隣接する「３つ以上」からなる組が結合する場合も含む。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、かつ、Ｒ_９２２とＲ_９２３とが互いに結合して環Ｑ_Ｃを形成し、互いに隣接する３つ（Ｒ_９２１、Ｒ_９２２及びＲ_９２３）からなる組が互いに結合して環を形成して、アントラセン母骨格に縮合する場合を意味し、この場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）で表される。下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において、環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｃは、Ｒ_９２２を共有する。

　形成される「単環」、又は「縮合環」は、形成された環のみの構造として、飽和の環であっても不飽和の環であってもよい。「隣接する２つからなる組の１組」が「単環」、又は「縮合環」を形成する場合であっても、当該「単環」、又は「縮合環」は、飽和の環、又は不飽和の環を形成することができる。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）において形成された環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｂは、それぞれ、「単環」又は「縮合環」である。また、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において形成された環Ｑ_Ａ、及び環Ｑ_Ｃは、「縮合環」である。前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）の環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとは、環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとが縮合することによって縮合環となっている。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがベンゼン環であれば、環Ｑ_Ａは、単環である。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがナフタレン環であれば、環Ｑ_Ａは、縮合環である。

　「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環、又は非芳香族複素環を意味する。
　芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
　芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
　脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
　「環を形成する」とは、母骨格の複数の原子のみ、あるいは母骨格の複数の原子とさらに１以上の任意の元素で環を形成することを意味する。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）に示す、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して形成された環Ｑ_Ａは、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで環Ｑ_Ａを形成する場合において、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２とが結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで単環の不飽和の環を形成する場合、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで形成する環は、ベンゼン環である。

　ここで、「任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素である。任意の元素において（例えば、炭素元素、又は窒素元素の場合）、環を形成しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、後述する「任意の置換基」で置換されてもよい。炭素元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環である。
　単環または縮合環を構成する「１以上の任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは２個以上１５個以下であり、より好ましくは３個以上１２個以下であり、さらに好ましくは３個以上５個以下である。
　本明細書に別途記載のない限り、「単環」、及び「縮合環」のうち、好ましくは「単環」である。
　本明細書に別途記載のない限り、「飽和の環」、及び「不飽和の環」のうち、好ましくは「不飽和の環」である。
　本明細書に別途記載のない限り、「単環」は、好ましくはベンゼン環である。
　本明細書に別途記載のない限り、「不飽和の環」は、好ましくはベンゼン環である。
　「隣接する２つ以上からなる組の１組以上」が、「互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、又は「互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、母骨格の複数の原子と、１個以上１５個以下の炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる置換もしくは無置換の「不飽和の環」を形成する。

　上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
　上記の「飽和の環」、又は「不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
　以上が、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（「結合して環を形成する場合」）についての説明である。

・「置換もしくは無置換の」という場合の置換基
　本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（本明細書において、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、例えば、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び無置換の環形成原子数５～５０の複素環基からなる群から選択される基等であり、
　ここで、Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　Ｒ_９０１が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０２が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０３が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０４が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０４は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０５が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０５は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０６が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０６は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ_９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

　一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び環形成原子数５～５０の複素環基からなる群から選択される基である。

　一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び環形成原子数５～１８の複素環基からなる群から選択される基である。

　上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基の具体例である。

　本明細書において別途記載のない限り、隣接する任意の置換基同士で、「飽和の環」、又は「不飽和の環」を形成してもよく、好ましくは、置換もしくは無置換の飽和の５員環、置換もしくは無置換の飽和の６員環、置換もしくは無置換の不飽和の５員環、又は置換もしくは無置換の不飽和の６員環を形成し、より好ましくは、ベンゼン環を形成する。
　本明細書において別途記載のない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様である。

　本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」を用いて表される数値範囲は、「ＡＡ～ＢＢ」の前に記載される数値ＡＡを下限値とし、「ＡＡ～ＢＢ」の後に記載される数値ＢＢを上限値として含む範囲を意味する。

〔実施形態の変形〕
　なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。

　例えば、発光層は、２層に限られず、２を超える複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が２を超える複数の発光層を有する場合、少なくとも２つの発光層が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
　また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

　その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。

　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。

＜化合物＞
　実施例及び比較例の有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。

〔実施例１〕
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
　洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を成膜した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ１の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ１の割合を３質量％とした。
　正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８５ｎｍの正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚５ｎｍの電子障壁層（ＥＢＬ）を成膜した。
　電子障壁層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（第一の発光性化合物（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（第二の発光性化合物（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の電子輸送層（正孔障壁層（ＨＢＬ）と称する場合もある。）を形成した。
　第一の電子輸送層上に化合物ＥＴ２及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第二の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この第二の電子輸送層中の化合物ＥＴ２の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。
　第二の電子輸送層上に化合物Ｌｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
　実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT1:HA1(10,97%:3%)/HT1(85)/HT2(5)/BH1:BD1(5,99%:1%)/BH2:BD1(15,99%:1%)/ET1(5)/ET2:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
　同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９９％：１％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１又はＢＨ２）及び発光性化合物（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第二の電子輸送層における化合物ＥＴ２及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。

〔実施例２～３〕
　実施例２～３の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第一の発光層中の化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（第一の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）、並びに第二の発光層中の化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（第二の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）を表１に示すように変更して、第一の発光層及び第二の発光層を成膜した以外、実施例１と同様に作製した。

〔実施例４～６〕
　実施例４～６の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第一の発光層及び第二の発光層中の化合物ＢＤ１を化合物ＢＤ２に変更し、第一の発光層中の化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（第一の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）、並びに第二の発光層中の化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（第二の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）を表１に示すように変更して、第一の発光層及び第二の発光層を成膜した以外、実施例１と同様に作製した。

〔実施例７～９〕
　実施例７～９の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第一の発光層中の化合物ＢＨ１を化合物ＢＨ３に変更し、第一の発光層及び第二の発光層中の化合物ＢＤ１を化合物ＢＤ２に変更し、第一の発光層中の化合物ＢＨ３（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（第一の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）、並びに第二の発光層中の化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（第二の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）を表１に示すように変更して、第一の発光層及び第二の発光層を成膜した以外、実施例１と同様に作製した。

〔比較例１〕
　比較例１の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第一の発光層を成膜せずに、電子障壁層の上に膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜したこと以外、実施例４と同様に作製した。

〔比較例２～３〕
　比較例２～３の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第二の発光層中の化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（第二の発光性化合物（ＢＤ））の割合（質量％）を表１に示すように変更して、第二の発光層を成膜した以外、比較例１と同様に作製した。

＜有機ＥＬ素子の評価＞
　作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示す。

・外部量子効率ＥＱＥ
　電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。

　実施例１～３のＥＱＥ並びに下記数式（数１Ｘ）により、実施例１～３の「ＥＱＥ（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＥＱＥ（相対値）＝（各例のＥＱＥ／実施例２のＥＱＥ）×１００…（数１Ｘ）

　実施例４～６のＥＱＥ並びに下記数式（数１Ｙ）により、実施例４～６の「ＥＱＥ（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＥＱＥ（相対値）＝（各例のＥＱＥ／実施例５のＥＱＥ）×１００…（数１Ｙ）

　実施例７～９のＥＱＥ並びに下記数式（数１Ｗ）により、実施例７～９の「ＥＱＥ（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＥＱＥ（相対値）＝（各例のＥＱＥ／実施例８のＥＱＥ）×１００…（数１Ｗ）

　比較例１～３のＥＱＥ並びに下記数式（数１Ｚ）により、比較例１～３の「ＥＱＥ（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＥＱＥ（相対値）＝（各例のＥＱＥ／比較例２のＥＱＥ）×１００…（数１Ｚ）

・寿命ＬＴ９５
　作製した有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９５％となるまでの時間（ＬＴ９５（単位：時間））を測定した。輝度は、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて測定した。

　実施例１～３のＬＴ９５並びに下記数式（数２Ｘ）により、実施例１～３の「ＬＴ９５（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＬＴ９５（相対値）＝（各例のＬＴ９５／実施例２のＬＴ９５）×１００…（数２Ｘ）

　実施例４～６のＬＴ９５並びに下記数式（数２Ｙ）により、実施例４～６の「ＬＴ９５（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＬＴ９５（相対値）＝（各例のＬＴ９５／実施例５のＬＴ９５）×１００…（数２Ｙ）

　実施例７～９のＬＴ９５並びに下記数式（数２Ｗ）により、実施例７～９の「ＬＴ９５（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＬＴ９５（相対値）＝（各例のＬＴ９５／実施例８のＬＴ９５）×１００…（数２Ｗ）

　比較例１～３のＬＴ９５並びに下記数式（数２Ｚ）により、比較例１～３の「ＬＴ９５（相対値）」（単位：％）を算出した。
　ＬＴ９５（相対値）＝（各例のＬＴ９５／比較例２のＬＴ９５）×１００…（数２Ｚ）

　実施例１～３の有機ＥＬ素子の評価結果によれば、第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合が０．５質量％以上、２．０質量％以下の範囲で異なっていても、ＥＱＥ（相対値）及びＬＴ９５（相対値）の素子性能の差が小さいことが分かった。
　実施例４～６の有機ＥＬ素子の評価結果によれば、第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合が１．０質量％以上、３．０質量％以下の範囲で異なっていても、ＥＱＥ（相対値）及びＬＴ９５（相対値）の素子性能の差が小さいことが分かった。
　実施例７～９の有機ＥＬ素子の評価結果によれば、第一の発光層中の第一の発光性化合物の含有割合が１．０質量％以上、３．０質量％以下の範囲で異なっていても、ＥＱＥ（相対値）及びＬＴ９５（相対値）の素子性能の差が小さいことが分かった。
　実施例１～９の有機ＥＬ素子の評価結果によれば、一枚の基板の上に複数の積層型発光層の有機ＥＬ素子を形成する場合、発光層中の発光性化合物の濃度（含有割合）がばらついて、発光性化合物の濃度（含有割合）が高い有機ＥＬ素子が形成されたとしても、その有機ＥＬ素子の寿命のばらつきが小さいので、一枚の基板の上で製造する有機ＥＬ素子の歩留まり低下を抑制し易い。

　比較例１～３の有機ＥＬ素子の評価結果によれば、第二の発光層中の第二の発光性化合物の含有割合が０．５質量％以上、２．０質量％以下の範囲で異なると、ＥＱＥ（相対値）及びＬＴ９５（相対値）の素子性能の差が大きいことが分かった。
　一枚の基板の上に複数の単層型発光層の有機ＥＬ素子を形成する場合、発光層中の発光性化合物の濃度（含有割合）がばらつくと、有機ＥＬ素子の寿命のばらつきも大きくなり、一枚の基板の上で製造する有機ＥＬ素子の歩留まりが低くなることが分かった。

＜化合物の評価方法＞
（三重項エネルギーＴ_１）
　測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とした。なお、三重項エネルギーＴ_１は、測定条件によっては上下０．０２ｅＶ程度の誤差が生じ得る。
　　換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

　燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。

（一重項エネルギーＳ_１）
　測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出した。
　　換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
　吸収スペクトル測定装置としては、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）を用いた。

（蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）の測定）
　測定対象の化合物を、４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解しトルエン溶液を調製した。蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いて、測定対象の化合物のトルエン溶液を３９０ｎｍで励起した場合の蛍光発光最大ピーク波長λ（単位：ｎｍ）を測定した。

　化合物の評価結果を表２に示す。

　１…有機ＥＬ素子、１０…有機層、１００…有機ＥＬ素子パネル、１ａ…有機ＥＬ素子、１ｂ…有機ＥＬ素子、１ｃ…有機ＥＬ素子、１ｄ…有機ＥＬ素子、１ｅ…有機ＥＬ素子、２…基板、２１…中心部、２２…端部、３…陽極、４…陰極、５１…第一の発光層、５２…第二の発光層、６…正孔注入層、７…正孔輸送層、８…電子輸送層、９…電子注入層、Ｌ２…直線。

Claims

　一枚の基板上で複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの第一の発光層及び第二の発光層を前記基板に成膜する工程を有し、
　前記第一の発光層を成膜する工程は、第一のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、
　前記第二の発光層を成膜する工程は、第二のホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を用いて成膜する工程であり、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　　　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　　　…（数１）
　請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）が、０．００３６を超えており、
　前記平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ１）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合とから、算出される、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、前記第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３０）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　μｅ（Ｈ２）＜μｅ（Ｈ１）　…（数３０）
　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、前記第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）とが、下記数式（数３１）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　μｈ（Ｈ１）＞μｈ（Ｈ２）　…（数３１）
　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、前記第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、前記第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）と、前記第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３２）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　（μｅ（Ｈ２）／μｈ（Ｈ２））＞（μｅ（Ｈ１）／μｈ（Ｈ１））　…（数３２）
　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記基板は、第四世代以上の基板である、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記基板は、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ以上のサイズである、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれは、陽極及び陰極を含み、
　前記第一の発光層を、前記第二の発光層よりも前記陽極側に成膜し、
　前記第二の発光層を、前記第一の発光層よりも前記陰極側に成膜する、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれは、陽極及び陰極を含み、
　前記第二の発光層を、前記第一の発光層よりも前記陽極側に成膜し、
　前記第一の発光層を、前記第二の発光層よりも前記陰極側に成膜する、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
　前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、
　有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　一枚の基板と、前記基板の上に配置された複数の画素としての複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、を含み、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は、それぞれ、第一の発光層及び第二の発光層を含み、
　前記第一の発光層は、第一のホスト材料を含み、
　前記第二の発光層は、第二のホスト材料を含み、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光層は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光性化合物を少なくとも含み、
　前記第二の発光層は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光性化合物を少なくとも含み、
　前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とが、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ１）に対する標準偏差σ（Ｄ１）及び前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合の平均値Ａｖｅ（Ｄ２）に対する標準偏差σ（Ｄ２）の少なくともいずれかが、０．００３６を超える、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネル。
　Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２）　…（数１）
（前記平均値Ａｖｅ（Ｄ１）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ１）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第一の発光層中の前記第一の発光性化合物の含有割合とから、算出され、
　前記平均値Ａｖｅ（Ｄ２）は、前記基板を平面視して当該基板の中心部から端部に引いた直線上に位置する３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合の平均値であり、
　前記標準偏差σ（Ｄ２）は、当該平均値と当該３つ以上の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第二の発光層中の前記第二の発光性化合物の含有割合とから、算出される。）
　請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パネルにおいて、
前記第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、前記第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３０）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネル。
　μｅ（Ｈ２）＜μｅ（Ｈ１）　…（数３０）
　請求項１１又は請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パネルにおいて、
　前記第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、前記第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）とが、下記数式（数３１）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネル。
　μｈ（Ｈ１）＞μｈ（Ｈ２）　…（数３１）
　請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パネルにおいて、
　前記第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、前記第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、前記第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）と、前記第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３２）の関係を満たす、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネル。
　（μｅ（Ｈ２）／μｈ（Ｈ２））＞（μｅ（Ｈ１）／μｈ（Ｈ１））　…（数３２）
　請求項１１から請求項１４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パネルにおいて、
　前記基板は、第四世代以上の基板である、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネル。
　請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パネルにおいて、
　前記基板は、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ以上のサイズである、
　有機エレクトロルミネッセンス素子パネル。
　請求項１１から請求項１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パネルを搭載した電子機器。