WO2022185784A1 - 遅延信号生成回路、送信回路、電子制御ユニット、及び車両 - Google Patents

遅延信号生成回路、送信回路、電子制御ユニット、及び車両 Download PDF

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WO2022185784A1
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terminal
circuit
signal
variable resistance
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雄二 矢野
徹 向井
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ローム株式会社
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    • H04B3/04Control of transmission; Equalising
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    • H04L2012/40273Bus for use in transportation systems the transportation system being a vehicle

Definitions

  • the invention disclosed in this specification relates to a delay signal generation circuit that generates a plurality of delay signals, a transmission circuit that includes the delay signal generation circuit, an electronic control unit, and a vehicle.
  • ECU Electronic Control Unit
  • CAN Controller Area Network
  • Each of the CAN communication transmission signal and reception signal is a differential signal.
  • a differential signal formed by the first signal and the second signal can be decomposed into a common mode component and a differential mode component.
  • the common mode component is the average of the first signal and the second signal
  • the differential mode component is the difference between the first signal and the second signal
  • Common mode noise occurs when a time difference (skew) occurs between the first signal and the second signal.
  • skew time difference
  • the delay signal generation circuit disclosed in this specification includes 1st to nth (n is a natural number of 2 or more) delay circuits and 1st to nth output terminals, and in a first mode, , the input signal reaches the k-th output terminal through the first to the k-th (k is a natural number of 1 to n) delay circuits in order, and in the second mode,
  • the configuration is such that an input signal reaches the k-th output terminal via the k-th to n-th delay circuits in reverse order.
  • a transmitter circuit disclosed herein includes a first terminal configured to receive a first voltage, a second terminal, a third terminal, and a second voltage lower than the first voltage. a fourth terminal configured to be applied, a first variable resistance section provided between the first terminal and the second terminal and configured to vary a resistance value, and the third terminal and the fourth terminal and configured to vary a resistance value; and each resistance value of the first variable resistance unit and the second variable resistance unit based on transmission data and a control unit configured to control the first variable resistance unit and the second variable resistance unit, each including a parallel circuit in which a plurality of series circuits of resistors and switches are connected in parallel, the control unit is a configuration including the delay signal generation circuit configured as described above.
  • the electronic control unit disclosed in this specification has a configuration including a transmission circuit configured as described above and a computer that transmits the transmission data to the transmission circuit.
  • the vehicle disclosed in this specification is configured to include a communication bus and a plurality of electronic control units configured as described above connected to the communication bus.
  • FIG. 1 is an external view of a vehicle according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a CAN communication system.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of an ECU.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a transceiver circuit.
  • FIG. 5 is a time chart showing differential signals.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of the first variable resistance section.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of the second variable resistance section.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of a control unit.
  • FIG. 9 is a diagram showing another configuration example of the control unit.
  • a MOS transistor is defined as a gate structure that includes a layer made of a conductor or a semiconductor such as polysilicon with a low resistance value, an insulating layer, and a P-type, N-type, or intrinsic semiconductor.
  • layer refers to a transistor consisting of at least three layers. In other words, the structure of the gate of a MOS transistor is not limited to a three-layer structure of metal, oxide, and semiconductor.
  • a constant current means a current that is constant in an ideal state, and is actually a current that can slightly fluctuate due to temperature changes and the like.
  • a constant voltage means a voltage that is constant in an ideal state, and is actually a voltage that can slightly fluctuate due to temperature changes and the like.
  • FIG. 1 is an external view of a vehicle X according to one embodiment.
  • Vehicle X includes a plurality of ECUs 1 (not shown in FIG. 1).
  • Vehicle X also includes a battery (not shown).
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a CAN communication system provided in vehicle X.
  • the CAN communication system shown in FIG. 2 includes multiple ECUs 1, a first bus line BL1, a second bus line BL2, and resistors R101 and R102.
  • One end of the resistor R101 is connected to one end of the first bus line BL1, and one end of the resistor R102 is connected to the other end of the first bus line BL1.
  • the other end of the resistor R101 is connected to one end of the second bus line BL2, and the other end of the resistor R102 is connected to the other end of the second bus line BL2.
  • a plurality of ECUs 1 are respectively connected to a first bus line BL1 and a second bus line BL2.
  • a voltage VBAT output from the battery is supplied to each of the plurality of ECUs 1 . Further, each of the multiple ECUs 1 is connected to a ground potential.
  • a plurality of ECUs 1 use the voltage VBAT as a power supply voltage.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of the ECU 1. As shown in FIG. The ECU 1 of the configuration example shown in FIG.
  • a voltage VBAT is supplied to the terminal T1.
  • the anode of diode 5 is connected to terminal T1.
  • the cathode of diode 5 is connected to the input terminal of power supply circuit 2 and capacitor 6 .
  • the output terminal of the power supply circuit 2 is connected to the power supply voltage input terminal of the microcomputer 3, the terminal VCC of the transceiver circuit 4, and one end of the capacitor 7. A constant voltage is output from the output terminal of the power supply circuit 2 .
  • the microcomputer 3 sends transmission data to the terminal TXD of the transceiver circuit 4 and receives reception data from the terminal RXD of the transceiver circuit 4.
  • the transmitted data and received data are each single signals.
  • the terminal CANH of the transceiver circuit 4 is connected to the terminal T2, and the terminal CANL of the transceiver circuit 4 is connected to the terminal T3.
  • the terminal T2 is connected to the first bus line BL1 shown in FIG. 2, and the terminal T3 is connected to the second bus line BL2 shown in FIG.
  • the transceiver circuit 4 converts transmission data into a differential signal (CAN signal) composed of a first signal SCANH (see FIG. 5 described later) and a second signal SCANL (see FIG. 5 described later) and outputs the differential signal. Further, the transceiver circuit 4 converts a differential signal (CAN signal) composed of the first signal and the second signal into received data and outputs the received data. That is, the transceiver circuit 4 includes a transmission circuit that transmits differential signals and a reception circuit that receives the differential signals. A first signal is transmitted by a first bus line BL1 and a second signal is transmitted by a second bus line BL2.
  • the ground terminal of the power supply circuit 2 is connected to the other end of the capacitor 6, the terminal T4, the terminal GND of the transceiver circuit 4, the ground terminal of the microcomputer 3, and the other end of the capacitor 7. Terminal T4 is connected to the ground potential.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of the transceiver circuit 4. As shown in FIG.
  • the transceiver circuit 4 of the configuration example shown in FIG. 4 includes a terminal VCC, a terminal GND, a terminal TXD, a terminal RXD, a terminal CANH, and a terminal CANL.
  • the transceiver circuit 4 of the configuration example shown in FIG. It further includes an N-channel MOS transistor (NMOS transistor) Q7, which is a limiting section, and a control section CNT1.
  • NMOS transistor N-channel MOS transistor
  • the transceiver circuit 4 of the configuration example shown in FIG. 4 further includes a pull-up resistor R1, a pull-down resistor R2, backflow prevention diodes D1 and D3, and a PMOS transistor Q2 and an NMOS transistor Q6 as clamp elements.
  • the pull-up resistor R1 stabilizes the potential of the node N1 (connection point between the first variable resistance section VR1 and the diode D1) when the first variable resistance section VR1 is in a high impedance state.
  • the pull-down resistor R2 stabilizes the potential of the node N2 (the connection point between the second variable resistance section VR2 and the NMOS transistor Q6) when the second variable resistance section VR2 is in a high impedance state.
  • the PMOS transistor Q2 and the NMOS transistor Q6 are double diffusion MOS transistors with high breakdown voltage.
  • the PMOS transistor Q2 clamps the source potential of the PMOS transistor Q2
  • the NMOS transistor Q6 clamps the source potential of the NMOS transistor Q6.
  • the transceiver circuit 4 of the configuration example shown in FIG. 4 includes a receiver circuit RCV1, a diode D2, a PMOS transistor Q3, an NMOS transistor Q4, an NMOS transistor Q5, and a Zener diode ZD1.
  • the terminal VCC is connected to the source of the PMOS transistor Q1 and one end of the pull-up resistor R1.
  • a bias voltage Vbp which is a constant voltage, is supplied to the gate of the PMOS transistor Q1. Therefore, the PMOS transistor Q1 becomes a constant current source.
  • PMOS transistor Q1 limits the current flowing from terminal VCC to terminal CANH. As a result, overcurrent flowing from the terminal VCC to the terminal CANH can be suppressed.
  • the drain of the PMOS transistor Q1 is connected to one end of the first variable resistance section VR1.
  • the other end of the first variable resistor VR1 is connected to the other end of the pull-up resistor R1 and the anode of the diode D1.
  • the cathode of diode D1 is connected to the source of PMOS transistor Q2.
  • the drain of PMOS transistor Q2 is connected to terminal CANH and the first input terminal of receiver circuit RCV1.
  • a gate drive signal generation circuit composed of a PMOS transistor Q3, an NMOS transistor Q4, an NMOS transistor Q5, a diode D2, and a Zener diode ZD1 generates a gate drive signal for the PMOS transistor Q2.
  • An internal voltage VREG1 generated inside the transceiver circuit 4 is applied to the source of the PMOS transistor Q3.
  • the drain of PMOS transistor Q3 is connected to the anode of diode D2.
  • the cathode of diode D2 is connected to the anode of Zener diode ZD1 and the drain of NMOS transistor Q4.
  • the cathode of Zener diode ZD1 is connected to the source of PMOS transistor Q1.
  • An enable signal EN is supplied to each gate of the PMOS transistor Q3 and the NMOS transistor Q4.
  • the enable signal EN is at high level, the transceiver circuit 4 is enabled.
  • the enable signal EN is at low level, the transceiver circuit 4 is disabled.
  • the source of NMOS transistor Q4 is connected to the drain of NMOS transistor Q5.
  • the source of NMOS transistor Q5 is connected to the ground potential.
  • a bias voltage Vbn1 which is a constant voltage, is supplied to the gate of the NMOS transistor Q5.
  • the anode of the diode D3 is connected to the terminal CANL and the second input terminal of the receiver circuit RCV1.
  • the cathode of diode D3 is connected to the drain of NMOS transistor Q6.
  • the source of the NMOS transistor Q6 is connected to one end of the second variable resistor VR2 and one end of the pull-down resistor R2.
  • An enable signal EN is supplied to the gate of the NMOS transistor Q6.
  • the other end of the second variable resistance section VR2 is connected to the drain of the NMOS transistor Q7.
  • the source of the NMOS transistor Q7 is connected to the other end of the pull-down resistor R2 and the terminal GND.
  • a bias voltage Vbp2 which is a constant voltage, is supplied to the gate of the NMOS transistor Q7. Therefore, the NMOS transistor Q7 becomes a constant current source.
  • the control unit CNT1 receives transmission data supplied to the terminal TXD, and controls each resistance value of the first variable resistance unit VR1 and the second variable resistance unit VR2 based on the transmission data.
  • the above-mentioned first signal SCANH is a binary signal of V1 and (V1+V2) as shown in FIG. 5
  • the above-mentioned second signal SCANL is a binary signal of V1 and (V1-V2) as shown in FIG. is a signal.
  • a differential signal (CAN signal) composed of the first signal SCANH and the second signal SCANL is composed of a common mode component COM which is the average of the first signal SCANH and the second signal SCANL, the first signal SCANH and the second signal SCANL. and a differential mode component DIFF, which is the difference between .
  • the resistance value of the first variable resistance unit VR1 is gradually decreased, and the voltage value of the first signal SCANH transitions from (V1+V2) to V1 in the third transition period and the second signal SCANL During the fourth transition period in which the voltage value transitions from (V1-V2) to V1, the resistance value of the first variable resistance unit VR1 is gradually increased, and the first signal SCANH and the second signal SCANL have waveforms with small high-frequency components. no signal.
  • the control unit CNT1 sets the resistance value of the first variable resistance unit VR1 to the maximum value during periods other than the transition period described above.
  • the resistance value of the second variable resistor VR2 is gradually decreased, and the voltage value of the first signal SCANH transitions from (V1+V2) to V1 in a third transition period and the second signal SCANL During the fourth transition period in which the voltage value of (V1-V2) transitions to V1, the resistance value of the second variable resistance unit VR2 is gradually increased, and the first signal SCANH and the second signal SCANL have small high-frequency components. Waveform signal. Note that the control unit CNT1 sets the resistance value of the second variable resistance unit VR2 to the maximum value during periods other than the transition period described above.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of the first variable resistance section VR1
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of the second variable resistance section VR2.
  • the first variable resistance unit VR1 in the configuration example shown in FIG. 6 includes PMOS transistors M1 to M60 as switches and resistors Z1 to Z60, and is a circuit in which 60 series circuits of resistors and switches are connected in parallel.
  • the PMOS transistors M1 to M60 are on/off controlled by control signals S1 to S60 output from the control unit CNT1. Note that the number of series circuits may be more than 60.
  • the resistance value of the first variable resistance section VR1 is determined by the combined resistance of the resistors Z1 to Z60, so the resistance value of the first variable resistance section VR1 can be controlled with high accuracy.
  • the second variable resistance unit VR2 in the configuration example shown in FIG. 7 includes NMOS transistors M101 to M160 as switches and resistors Z101 to Z160, and is a circuit in which 60 series circuits of resistors and switches are connected in parallel.
  • the NMOS transistors M101 to M160 are on/off controlled by control signals S101 to S160 output from the control unit CNT1. Note that the number of series circuits may be more than 60.
  • the resistance value of the second variable resistance section VR2 is determined by the combined resistance of the resistors Z101 to Z160, so the resistance value of the second variable resistance section VR2 can be controlled with high accuracy.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of the control unit CNT1.
  • the first variable resistance unit VR1 includes the PMOS transistors M1 to M60 and the PMOS transistors M1 to M4, and the second variable resistance unit VR2 includes the NMOS transistors M101 to M160. M104 is provided.
  • the control unit CNT1 of the configuration example shown in FIG. 8 includes a delay signal generation circuit 41 and conversion circuits CNV1 to CNV4.
  • the delay signal generation circuit 41 includes delay circuits DL1 to DL4, selectors SEL1 to SEL4, and output terminals TM1 to TM4.
  • the transmission data STXD is supplied to the input terminal of the first delay circuit DL1.
  • the output terminal of the first delay circuit DL1 is connected to the input terminal of the second delay circuit DL2, the first input terminal of the selector SEL1, and the second input terminal of the selector SEL4.
  • the output terminal of the second delay circuit DL2 is connected to the input terminal of the third delay circuit DL3, the first input terminal of the selector SEL2, and the second input terminal of the selector SEL3.
  • the output terminal of the third delay circuit DL3 is connected to the input terminal of the fourth delay circuit DL4, the first input terminal of the selector SEL4, and the first input terminal of the selector SEL1.
  • Output terminals of selectors SEL1 to SEL4 are connected to output terminals TM1 to TM4, respectively.
  • the output terminals TM1-TM4 output the delayed signals SD1-SD4 to the conversion circuits CNV1-CNV4, respectively.
  • the conversion circuit CNV1 converts the delayed signal SD1 into control signals S1 and S101.
  • the conversion circuit CNV2 converts the delayed signal SD2 into control signals S2 and S102.
  • the conversion circuit CNV3 converts the delayed signal SD3 into control signals S3 and S103.
  • the conversion circuit CNV4 converts the delayed signal SD4 into control signals S4 and S104.
  • each of the selectors SEL1 to SEL4 selects and outputs the signal input to the first input terminal. Therefore, in the first mode, the transmission data STXD which is an input signal reaches the k-th output terminal TMk through the 1st to k-th (k is a natural number of 1 to 4) delay circuits in order. .
  • each of the selectors SEL1 to SEL4 selects and outputs the signal input to the second input terminal. Therefore, in the second mode, the transmission data STXD, which is the input signal, passes through the 1st to kth (k is a natural number between 1 and 4) delay circuits in order, and passes through the (5-k)th output terminal. TM(5-k) is reached.
  • the delay time between the delay signal SD1 and the delay signal SD2 the delay time between the delay signal SD2 and the delay signal SD3, and the delay signal SD3 and the delay
  • the delay time with the signal SD4 can be shortened.
  • the delay time between the delay signal SD1 and the delay signal SD2, the delay time between the delay signal SD2 and the delay signal SD3, and the delay time between the delay signal SD3 and the delay signal SD4 are shifted.
  • FIG. 9 is a diagram showing another configuration example of the control unit CNT1.
  • the first variable resistance unit VR1 includes the PMOS transistors M1 to M60 and the PMOS transistors M1 to M4, and the second variable resistance unit VR2 includes the NMOS transistors M101 to M160. M104 is provided.
  • the control unit CNT1 of the configuration example shown in FIG. 9 includes a delay signal generation circuit 42 and conversion circuits CNV1 to CNV4.
  • the delay signal generation circuit 42 includes delay circuits DL1 to DL4, selectors SEL1 to SEL4, and output terminals TM1 to TM4.
  • the transmission data STXD is supplied to the first input terminal of the selector SEL1 and the second input terminal of the selector SEL4.
  • a second input terminal of the selector SEL1 is connected to the output terminal of the second delay circuit DL2, the first input terminal of the selector SEL3, and the second output terminal TM2.
  • the output terminal of the selector SEL1 is connected to the input terminal of the first delay circuit DL1.
  • the output terminal of the first delay circuit DL1 is connected to the first output terminal TM1 and the first input terminal of the selector SEL2.
  • the output terminal of the selector SEL2 is connected to the input terminal of the second delay circuit DL2.
  • a second input terminal of the selector SEL2 is connected to the output terminal of the third delay circuit DL3, the first input terminal of the selector SEL4, and the third output terminal TM3.
  • the output terminal of the selector SEL3 is connected to the input terminal of the third delay circuit DL3.
  • a second input terminal of the selector SEL3 is connected to the output terminal of the fourth delay circuit DL4 and the fourth output terminal TM4.
  • the output terminal of the selector SEL4 is connected to the input terminal of the fourth delay circuit DL4.
  • the output terminals TM1-TM4 output the delayed signals SD1-SD4 to the conversion circuits CNV1-CNV4, respectively.
  • the conversion circuit CNV1 converts the delayed signal SD1 into control signals S1 and S101.
  • the conversion circuit CNV2 converts the delayed signal SD2 into control signals S2 and S102.
  • the conversion circuit CNV3 converts the delayed signal SD3 into control signals S3 and S103.
  • the conversion circuit CNV4 converts the delayed signal SD4 into control signals S4 and S104.
  • each of the selectors SEL1 to SEL4 selects and outputs the signal input to the first input terminal. Therefore, in the first mode, the transmission data STXD which is an input signal reaches the k-th output terminal TMk through the 1st to k-th (k is a natural number of 1 to 4) delay circuits in order. .
  • each of the selectors SEL1 to SEL4 selects and outputs the signal input to the second input terminal. Therefore, in the second mode, the transmission data STXD, which is the input signal, passes through the 1st to kth (k is a natural number between 1 and 4) delay circuits in reverse order and reaches the kth output terminal TMk. .
  • the delay time between the delay signal SD1 and the delay signal SD2 the delay time between the delay signal SD2 and the delay signal SD3, and the delay signal SD3 and the delay
  • the delay time with the signal SD4 can be shortened.
  • the delay is propagated from the first delay circuit DL1 to the fourth delay circuit DL4, and in the second mode, the delay is propagated from the fourth delay circuit DL4 to the first delay circuit. Since it is in the direction toward the circuit DL1, no long and complicated wiring is required. Therefore, the delay time between the delay signal SD1 and the delay signal SD2, the delay time between the delay signal SD2 and the delay signal SD3, and the delay time between the delay signal SD3 and the delay signal SD4 are prevented from occurring. can be suppressed.
  • the (m-1)-th delay circuit (m is a natural number of 2 or more and n or less) and the m-th delay circuit are arranged adjacent to each other. That is, in the circuit arrangement of the control unit CNT1 of the configuration example shown in FIG. 9, there is no other delay circuit between the first delay circuit DL1 and the second delay circuit DL2, and the third delay circuit DL3, and no other delay circuit exists between the third delay circuit DL3 and the fourth delay circuit DL4. .
  • the wiring can be shortened, the delay time between the delay signal SD1 and the delay signal SD2, the delay time between the delay signal SD2 and the delay signal SD3, and the delay time between the delay signal SD3 and the delay signal SD4 are reduced. It is possible to further suppress the occurrence of a deviation in the delay time between.
  • the communication performed by the transceiver circuit is CAN communication, but the communication performed by the transceiver circuit may be communication other than CAN communication.
  • the delay signal generation circuits (41, 42) described above include first to n-th (n is a natural number of 2 or more) delay circuits (DL1 to DL4) and first to n-th output terminals (TM1 to TM4). and so that in the first mode, the input signal reaches the k-th output terminal through the first to k-th delay circuits (k is a natural number from 1 to n) in order. and in the second mode, the input signal reaches the k-th output terminal via the k-th to n-th delay circuits in reverse order (first configuration). .
  • the delay signal generation circuit having the first configuration can generate a plurality of delay signals with little deviation in delay time.
  • the (m ⁇ 1)-th delay circuit (m is a natural number of 2 or more and n or less) and the m-th delay circuit are arranged adjacent to each other. 2 configuration).
  • the delay signal generation circuit having the second configuration can shorten the wiring, it is possible to further suppress the deviation of the delay time.
  • the transmission circuit described above includes a first terminal (VCC) configured to receive a first voltage, a second terminal (CANH), a third terminal (CANL), and a third voltage lower than the first voltage.
  • VCC first terminal
  • CANH second terminal
  • CANL third terminal
  • GND fourth terminal
  • a first variable resistance section provided between the first terminal and the second terminal and configured to vary a resistance value.
  • VR1 a second variable resistor unit (VR2) provided between the third terminal and the fourth terminal and configured to vary a resistance value
  • the first variable resistor based on transmission data and a control unit (CNT1) configured to control each resistance value of the second variable resistance unit
  • the first variable resistance unit and the second variable resistance unit are respectively resistors (Z1 to Z60, Z101 to Z160) and switches (M1 to M60, M101 to M160) are connected in parallel to form a plurality of parallel circuits
  • the control unit includes a delay signal generation circuit having the first or second configuration. This is the configuration (third configuration).
  • the transmission circuit having the third configuration can reduce delay time deviations in the plurality of delay signals generated by the delay signal generation circuit.
  • the electronic control unit (1) described above has a configuration (fourth configuration) including the transmission circuit of the third configuration and a computer (3) that transmits the transmission data to the transmission circuit.
  • the electronic control unit having the fourth configuration can reduce delay time deviations in the plurality of delay signals generated by the delay signal generation circuit.
  • the vehicle (X) described above has a configuration (fifth configuration) including communication buses (BL1, BL2) and a plurality of electronic control units of the fourth configuration connected to the communication buses.
  • the vehicle having the fifth configuration can reduce delay time deviations in the plurality of delay signals generated by the delay signal generation circuit.

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Abstract

遅延信号生成回路は、1番目からn番目(nは2以上の自然数)の遅延回路と、1番目からn番目の出力端子と、を備え、第1モードにおいて、入力信号が1番目からk番目(kは1以上n以下の各自然数)の前記遅延回路を順番に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成され、第2モードにおいて、前記入力信号がk番目からn番目の前記遅延回路を逆順に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成される。

Description

遅延信号生成回路、送信回路、電子制御ユニット、及び車両
 本明細書中に開示されている発明は、複数の遅延信号を生成する遅延信号生成回路並びに当該遅延信号生成回路を備える送信回路、電子制御ユニット、及び車両に関する。
 自動車等の車両は、多数の電子制御ユニット(ECU:Electronic Control  Unit)を搭載する。多数のECU相互間の通信として、例えばCAN(Controller Area Network)通信が用いられる(例えば特許文献1参照)。
 CAN通信の送信信号及び受信信号それぞれは、差動信号である。第1信号及び第2信号によって構成される差動信号は、コモンモード成分とディファレンシャルモード成分に分解できる。
 コモンモード成分は第1信号及び第2信号の平均であり、ディファレンシャルモード成分は第1信号と第2信号との差である。
特開昭61-195453号公報
 差動信号を構成する第1信号と第2信号との対称性が崩れると、コモンモード成分にノイズが発生する。コモンモード成分に発生するノイズ(コモンモードノイズ)は、EMC(Electromagnetic  Compatibility)特性を悪化させる。したがって、差動信号を送信する送信回路及び差動信号を受信する受信回路を含むトランシーバ回路では、コモンモードノイズの抑制が課題となっている。
 第1信号と第2信号との間に時間差(スキュー)が生じると、コモンモードノイズが発生する。しかしながら、第1信号及び第2信号を高周波成分の小さい波形の信号とすることで、スキューによって生じるコモンモードノイズを抑制することができる。
 第1信号及び第2信号を高周波成分の小さい波形の信号にするために、遅延時間が等間隔である複数の遅延信号を用いることが考えられる。上記の等間隔がずれれば、第1信号及び第2信号の波形が所望の波形からずれることになり、コモンモードノイズを効果的に抑制できないおそれがある。
 本明細書中に開示されている遅延信号生成回路は、1番目からn番目(nは2以上の自然数)の遅延回路と、1番目からn番目の出力端子と、を備え、第1モードにおいて、入力信号が1番目からk番目(kは1以上n以下の各自然数)の前記遅延回路を順番に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成され、第2モードにおいて、前記入力信号がk番目からn番目の前記遅延回路を逆順に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成される構成である。
 本明細書中に開示されている送信回路は、第1電圧が印加されるように構成される第1端子と、第2端子と、第3端子と、前記第1電圧より低い第2電圧が印加されるように構成される第4端子と、前記第1端子と前記第2端子との間に設けられ、抵抗値を可変するように構成される第1可変抵抗部と、前記第3端子と前記第4端子との間に設けられ、抵抗値を可変するように構成される第2可変抵抗部と、送信データに基づき前記第1可変抵抗部及び前記第2可変抵抗部の各抵抗値を制御するように構成される制御部と、を備え、前記第1可変抵抗部及び前記第2可変抵抗部はそれぞれ、抵抗とスイッチの直列回路を複数並列接続した並列回路を含み、前記制御部は、上記構成の遅延信号生成回路を含む構成である。
 本明細書中に開示されている電子制御ユニットは、上記構成の送信回路と、前記送信回路に前記送信データを送るコンピュータと、を備える構成である。
 本明細書中に開示されている車両は、通信バスと、前記通信バスに接続される複数の上記構成の電子制御ユニットと、を備える構成である。
 本明細書中に開示されている発明によれば、遅延時間のずれが少ない複数の遅延信号を生成することができる遅延信号生成回路を提供することができる。
図1は、一実施形態に係る車両の外観図である。 図2は、CAN通信システムの概略図である。 図3は、ECUの一構成例を示す図である。 図4は、トランシーバ回路の一構成例を示す図である。 図5は、差動信号を示すタイムチャートである。 図6は、第1可変抵抗部の一構成例を示す図である。 図7は、第2可変抵抗部の一構成例を示す図である。 図8は、制御部の一構成例を示す図である。 図9は、制御部の他の構成例を示す図である。
 本明細書において、MOSトランジスタとは、ゲートの構造が、「導電体または抵抗値が小さいポリシリコン等の半導体からなる層」、「絶縁層」、及び「P型、N型、又は真性の半導体層」の少なくとも3層からなるトランジスタをいう。つまり、MOSトランジスタのゲートの構造は、金属、酸化物、及び半導体の3層構造に限定されない。
 本明細書において、定電流とは、理想的な状態において一定である電流を意味しており、実際には温度変化等により僅かに変動し得る電流である。
 本明細書において、定電圧とは、理想的な状態において一定である電圧を意味しており、実際には温度変化等により僅かに変動し得る電圧である。
<車両及びCAN通信システム>
 図1は、一実施形態に係る車両Xの外観図である。車両Xは、複数のECU1(図1において不図示)を備える。また、車両Xは、バッテリ(不図示)を備える。
 図2は、車両Xに設けられるCAN通信システムの概略図である。図2に示すCAN通信システムは、複数のECU1と、第1バスラインBL1と、第2バスラインBL2と、抵抗R101及びR102と、を備える。
 第1バスラインBL1の一端に抵抗R101の一端が接続され、第1バスラインBL1の他端に抵抗R102の一端が接続される。第2バスラインBL2の一端に抵抗R101の他端が接続され、第2バスラインBL2の他端に抵抗R102の他端が接続される。複数のECU1はそれぞれ、第1バスラインBL1及び第2バスラインBL2に接続される。バッテリから出力される電圧VBATは、複数のECU1それぞれに供給される。また、複数のECU1はそれぞれグランド電位に接続される。複数のECU1は、電圧VBATを電源電圧として用いる。
<ECU>
 図3は、ECU1の一構成例を示す図である。図3に示す構成例のECU1は、端子T1~T4と、電源回路2と、マイクロコンピュータ3と、トランシーバ回路4と、ダイオード5と、コンデンサ6及び7と、を備える。
 端子T1には電圧VBATが供給される。ダイオード5のアノードは、端子T1に接続される。ダイオード5のカソードは電源回路2の入力端子及びコンデンサ6に接続される。
 電源回路2の出力端子は、マイクロコンピュータ3の電源電圧入力端子、トランシーバ回路4の端子VCC、及びコンデンサ7の一端に接続される。電源回路2の出力端子からは定電圧が出力される。
 マイクロコンピュータ3は、送信データをトランシーバ回路4の端子TXDに送り、トランシーバ回路4の端子RXDから受信データを受け取る。送信データ及び受信データはそれぞれシングル信号である。
 トランシーバ回路4の端子CANHは端子T2に接続され、トランシーバ回路4の端子CANLは端子T3に接続される。端子T2は図2に示す第1バスラインBL1に接続され、端子T3は図2に示す第2バスラインBL2に接続される。
 トランシーバ回路4は、送信データを、第1信号SCANH(後述する図5参照)及び第2信号SCANL(後述する図5参照)によって構成される差動信号(CAN信号)に変換して出力する。また、トランシーバ回路4は、第1信号及び第2信号によって構成される差動信号(CAN信号)を、受信データに変換して出力する。すなわち、トランシーバ回路4は、差動信号を送信する送信回路及び差動信号を受信する受信回路を含む。第1信号は第1バスラインBL1によって伝送され、第2信号は第2バスラインBL2によって伝送される。
 電源回路2のグランド端子は、コンデンサ6の他端、端子T4、トランシーバ回路4の端子GND、マイクロコンピュータ3のグランド端子、及びコンデンサ7の他端に接続される。端子T4はグランド電位に接続される。
<トランシーバ回路>
 図4は、トランシーバ回路4の一構成例を示す図である。図4に示す構成例のトランシーバ回路4は、端子VCC、端子GND、端子TXD、端子RXD、端子CANH、及び端子CANLを備える。
 図4に示す構成例のトランシーバ回路4は、第1可変抵抗部VR1と、第2可変抵抗部VR2と、第1電流制限部であるPチャネル型MOSトランジスタ(PMOSトランジスタ)Q1と、第2電流制限部であるNチャネル型MOSトランジスタ(NMOSトランジスタ)Q7と、制御部CNT1と、をさらに備える。
 図4に示す構成例のトランシーバ回路4は、プルアップ抵抗R1と、プルダウン抵抗R2と、逆流防止用のダイオードD1及びD3と、クランプ素子であるPMOSトランジスタQ2及びNMOSトランジスタQ6と、をさらに備える。
 プルアップ抵抗R1は、第1可変抵抗部VR1がハイインピーダンス状態になったときに、ノードN1(第1可変抵抗部VR1とダイオードD1との接続点)の電位を安定させる。プルダウン抵抗R2は、第2可変抵抗部VR2がハイインピーダンス状態になったときに、ノードN2(第2可変抵抗部VR2とNMOSトランジスタQ6との接続点)の電位を安定させる。
 PMOSトランジスタQ2及びNMOSトランジスタQ6は、高耐圧である二重拡散MOSトランジスタである。PMOSトランジスタQ2は、PMOSトランジスタQ2のソース電位をクランプし、NMOSトランジスタQ6は、NMOSトランジスタQ6のソース電位をクランプする。
 図4に示す構成例のトランシーバ回路4は、レシーバ回路RCV1と、ダイオードD2と、PMOSトランジスタQ3と、NMOSトランジスタQ4と、NMOSトランジスタQ5と、ツェナーダイオードZD1と、を備える。
 端子VCCは、PMOSトランジスタQ1のソース及びプルアップ抵抗R1の一端に接続される。PMOSトランジスタQ1のゲートに定電圧であるバイアス電圧Vbpが供給される。したがって、PMOSトランジスタQ1は定電流源となる。端子CANHが端子GNDに印加される電圧以下の電圧に短絡した場合、PMOSトランジスタQ1は、端子VCCから端子CANHに流れる電流を制限する。これにより、端子VCCから端子CANHに流れる過電流を抑制できる。
 PMOSトランジスタQ1のドレインは、第1可変抵抗部VR1の一端に接続される。第1可変抵抗部VR1の他端は、プルアップ抵抗R1の他端及びダイオードD1のアノードに接続される。
 ダイオードD1のカソードはPMOSトランジスタQ2のソースに接続される。PMOSトランジスタQ2のドレインは、端子CANH及びレシーバ回路RCV1の第1入力端子に接続される。
 PMOSトランジスタQ3、NMOSトランジスタQ4、NMOSトランジスタQ5、ダイオードD2、及びツェナーダイオードZD1によって構成されるゲート駆動信号生成回路は、PMOSトランジスタQ2のゲート駆動信号を生成する。PMOSトランジスタQ3のソースには、トランシーバ回路4の内部で生成される内部電圧VREG1が印加される。PMOSトランジスタQ3のドレインは、ダイオードD2のアノードに接続される。ダイオードD2のカソードは、ツェナーダイオードZD1のアノード及びNMOSトランジスタQ4のドレインに接続される。ツェナーダイオードZD1のカソードはPMOSトランジスタQ1のソースに接続される。PMOSトランジスタQ3及びNMOSトランジスタQ4の各ゲートにイネーブル信号ENが供給される。イネーブル信号ENがハイレベルであるとき、トランシーバ回路4はイネーブル状態となる。一方、イネーブル信号ENがローレベルであるとき、トランシーバ回路4はディセーブル状態となる。NMOSトランジスタQ4のソースは、NMOSトランジスタQ5のドレインに接続される。NMOSトランジスタQ5のソースは、グランド電位に接続される。NMOSトランジスタQ5のゲートに定電圧であるバイアス電圧Vbn1が供給される。
 ダイオードD3のアノードは、端子CANL及びレシーバ回路RCV1の第2入力端子に接続される。ダイオードD3のカソードは、NMOSトランジスタQ6のドレインに接続される。NMOSトランジスタQ6のソースは、第2可変抵抗部VR2の一端及びプルダウン抵抗R2の一端に接続される。NMOSトランジスタQ6のゲートにイネーブル信号ENが供給される。
 第2可変抵抗部VR2の他端は、NMOSトランジスタQ7のドレインに接続される。NMOSトランジスタQ7のソースは、プルダウン抵抗R2の他端及び端子GNDに接続される。NMOSトランジスタQ7のゲートに定電圧であるバイアス電圧Vbp2が供給される。したがって、NMOSトランジスタQ7は定電流源となる。端子CANLが端子VCCに供給される電圧以上の電圧に短絡した場合、NMOSトランジスタQ7は、端子CANLから端子GNDに流れる電流を制限する。これにより、端子CANLから端子GNDに流れる過電流を抑制できる。
 制御部CNT1は、端子TXDに供給される送信データを受け取り、当該送信データに基づき第1可変抵抗部VR1及び第2可変抵抗部VR2の各抵抗値を制御する。
 上述した第1信号SCANHは図5に示すようにV1と(V1+V2)との二値信号であり、上述した第2信号SCANLは図5に示すようにV1と(V1-V2)との二値信号である。第1信号SCANH及び第2信号SCANLによって構成される差動信号(CAN信号)は、第1信号SCANH及び第2信号SCANLの平均であるコモンモード成分COMと、第1信号SCANHと第2信号SCANLとの差であるディファレンシャルモード成分DIFFとに分解できる。
 第1信号SCANHと第2信号SCANLとの間に時間差(スキュー)が生じると、コモンモード成分COMにノイズが発生する。しかしながら、第1信号SCANH及び第2信号SCANLを高周波成分の小さい波形の信号とすることで、スキューによって生じるコモンモードノイズを抑制することができる。
 そのため、図4に示す構成例のトランシーバ回路4では、第1信号SCANHの電圧値がV1から(V1+V2)に遷移する第1遷移期間及び第2信号SCANLの電圧値がV1から(V1-V2)に遷移する第2遷移期間において、第1可変抵抗部VR1の抵抗値を徐々に小さくし、第1信号SCANHの電圧値が(V1+V2)からV1に遷移する第3遷移期間及び第2信号SCANLの電圧値が(V1-V2)からV1に遷移する第4遷移期間において、第1可変抵抗部VR1の抵抗値を徐々に大きくして、第1信号SCANH及び第2信号SCANLを高周波成分の小さい波形の信号にしている。なお、上述した遷移期間以外では、制御部CNT1は、第1可変抵抗部VR1の抵抗値を最大値に設定する。
 同様に、図4に示す構成例のトランシーバ回路4では、第1信号SCANHの電圧値がV1から(V1+V2)に遷移する第1遷移期間及び第2信号SCANLの電圧値がV1から(V1-V2)に遷移する第2遷移期間において、第2可変抵抗部VR2の抵抗値を徐々に小さくし、第1信号SCANHの電圧値が(V1+V2)からV1に遷移する第3遷移期間及び第2信号SCANLの電圧値が(V1-V2)からV1に遷移する第4遷移期間において、第2可変抵抗部VR2の抵抗値を徐々に大きくして、第1信号SCANH及び第2信号SCANLを高周波成分の小さい波形の信号にしている。なお、上述した遷移期間以外では、制御部CNT1は、第2可変抵抗部VR2の抵抗値を最大値に設定する。
 図6は第1可変抵抗部VR1の一構成例を示す図であり、図7は第2可変抵抗部VR2の一構成例を示す図である。
 図6に示す構成例の第1可変抵抗部VR1は、スイッチであるPMOSトランジスタM1~M60と、抵抗Z1~Z60と、を備え、抵抗とスイッチの直列回路を60個並列接続した回路である。PMOSトランジスタM1~M60は、制御部CNT1から出力される制御信号S1~S60によってオン/オフ制御される。なお、上記直列回路の個数は60個以外の複数であってもよい。図6に示す構成例では、抵抗Z1~Z60の合成抵抗によって第1可変抵抗部VR1の抵抗値が決まるので、第1可変抵抗部VR1の抵抗値を高精度に制御することができる。
 図7に示す構成例の第2可変抵抗部VR2は、スイッチであるNMOSトランジスタM101~M160と、抵抗Z101~Z160と、を備え、抵抗とスイッチの直列回路を60個並列接続した回路である。NMOSトランジスタM101~M160は、制御部CNT1から出力される制御信号S101~S160によってオン/オフ制御される。なお、上記直列回路の個数は60個以外の複数であってもよい。図7に示す構成例では、抵抗Z101~Z160の合成抵抗によって第2可変抵抗部VR2の抵抗値が決まるので、第2可変抵抗部VR2の抵抗値を高精度に制御することができる。
 図8は、制御部CNT1の一構成例を示す図である。なお、ここでは説明を簡単にするために、第1可変抵抗部VR1がPMOSトランジスタM1~M60ではPMOSトランジスタM1~M4を備え、第2可変抵抗部VR2がNMOSトランジスタM101~M160ではNMOSトランジスタM101~M104を備えることとする。
 図8に示す構成例の制御部CNT1は、遅延信号生成回路41と、変換回路CNV1~CNV4と、を備える。遅延信号生成回路41は、遅延回路DL1~DL4と、セレクタSEL1~SEL4と、出力端子TM1~TM4と、を備える。
 送信データSTXDは、1番目の遅延回路DL1の入力端子に供給される。1番目の遅延回路DL1の出力端子は、2番目の遅延回路DL2の入力端子、セレクタSEL1の第1入力端子、及びセレクタSEL4の第2入力端子に接続される。2番目の遅延回路DL2の出力端子は、3番目の遅延回路DL3の入力端子、セレクタSEL2の第1入力端子、及びセレクタSEL3の第2入力端子に接続される。3番目の遅延回路DL3の出力端子は、4番目の遅延回路DL4の入力端子、セレクタSEL4の第1入力端子、及びセレクタSEL1の第1入力端子に接続される。セレクタSEL1~SEL4の各出力端子はそれぞれ、出力端子TM1~TM4に接続される。
 出力端子TM1~TM4はそれぞれ、遅延信号SD1~SD4を変換回路CNV1~CNV4に出力する。変換回路CNV1は、遅延信号SD1を制御信号S1及びS101に変換する。変換回路CNV2は、遅延信号SD2を制御信号S2及びS102に変換する。変換回路CNV3は、遅延信号SD3を制御信号S3及びS103に変換する。変換回路CNV4は、遅延信号SD4を制御信号S4及びS104に変換する。
 第1モードにおいて、セレクタSEL1~SEL4はそれぞれ、第1入力端子に入力された信号を選択して出力する。したがって、第1モードでは、入力信号である送信データSTXDは、1番目からk番目(kは1以上4以下の各自然数)の遅延回路を順番に経由してk番目の出力端子TMkに到達する。
 第2モードにおいて、セレクタSEL1~SEL4はそれぞれ、第2入力端子に入力された信号を選択して出力する。したがって、第2モードでは、入力信号である送信データSTXDは、1番目からk番目(kは1以上4以下の各自然数)の遅延回路を順番に経由して(5-k)番目の出力端子TM(5-k)に到達する。
 遅延回路DL1~DL4の各遅延時間を同一にすることで、遅延信号SD1と遅延信号SD2との間の遅延時間、遅延信号SD2と遅延信号SD3との間の遅延時間、及び遅延信号SD3と遅延信号SD4との間の遅延時間を近づけることができる。
 しかしながら、第1モードと第2モードとで遅延の伝わり方が同一方向(1番目の遅延回路DL1から4番目の遅延回路DL4に向かう方向)であるため、長く複雑な配線になる。そのため、遅延信号SD1と遅延信号SD2との間の遅延時間、遅延信号SD2と遅延信号SD3との間の遅延時間、及び遅延信号SD3と遅延信号SD4との間の遅延時間にずれが生じる。
 図9は、制御部CNT1の他の構成例を示す図である。なお、ここでは説明を簡単にするために、第1可変抵抗部VR1がPMOSトランジスタM1~M60ではPMOSトランジスタM1~M4を備え、第2可変抵抗部VR2がNMOSトランジスタM101~M160ではNMOSトランジスタM101~M104を備えることとする。
 図9に示す構成例の制御部CNT1は、遅延信号生成回路42と、変換回路CNV1~CNV4と、を備える。遅延信号生成回路42は、遅延回路DL1~DL4と、セレクタSEL1~SEL4と、出力端子TM1~TM4と、を備える。
 送信データSTXDは、セレクタSEL1の第1入力端子及びセレクタSEL4の第2入力端子に供給される。セレクタSEL1の第2入力端子は、2番目の遅延回路DL2の出力端子、セレクタSEL3の第1入力端子、及び2番目の出力端子TM2に接続される。
 セレクタSEL1の出力端子は1番目の遅延回路DL1の入力端子に接続される。1番目の遅延回路DL1の出力端子は、1番目の出力端子TM1及びセレクタSEL2の第1入力端子に接続される。
 セレクタSEL2の出力端子は2番目の遅延回路DL2の入力端子に接続される。セレクタSEL2の第2入力端子は、3番目の遅延回路DL3の出力端子、セレクタSEL4の第1入力端子、及び3番目の出力端子TM3に接続される。
 セレクタSEL3の出力端子は3番目の遅延回路DL3の入力端子に接続される。セレクタSEL3の第2入力端子は、4番目の遅延回路DL4の出力端子及び4番目の出力端子TM4に接続される。
 セレクタSEL4の出力端子は4番目の遅延回路DL4の入力端子に接続される。
 出力端子TM1~TM4はそれぞれ、遅延信号SD1~SD4を変換回路CNV1~CNV4に出力する。変換回路CNV1は、遅延信号SD1を制御信号S1及びS101に変換する。変換回路CNV2は、遅延信号SD2を制御信号S2及びS102に変換する。変換回路CNV3は、遅延信号SD3を制御信号S3及びS103に変換する。変換回路CNV4は、遅延信号SD4を制御信号S4及びS104に変換する。
 第1モードにおいて、セレクタSEL1~SEL4はそれぞれ、第1入力端子に入力された信号を選択して出力する。したがって、第1モードでは、入力信号である送信データSTXDは、1番目からk番目(kは1以上4以下の各自然数)の遅延回路を順番に経由してk番目の出力端子TMkに到達する。
 第2モードにおいて、セレクタSEL1~SEL4はそれぞれ、第2入力端子に入力された信号を選択して出力する。したがって、第2モードでは、入力信号である送信データSTXDは、1番目からk番目(kは1以上4以下の各自然数)の遅延回路を逆順に経由してk番目の出力端子TMkに到達する。
 遅延回路DL1~DL4の各遅延時間を同一にすることで、遅延信号SD1と遅延信号SD2との間の遅延時間、遅延信号SD2と遅延信号SD3との間の遅延時間、及び遅延信号SD3と遅延信号SD4との間の遅延時間を近づけることができる。
 そして、第1モードでは遅延の伝わり方が1番目の遅延回路DL1から4番目の遅延回路DL4に向かう方向であり、第2モードでは遅延の伝わり方が4番目の遅延回路DL4から1番目の遅延回路DL1に向かう方向であるため、長く複雑な配線を必要としない。そのため、遅延信号SD1と遅延信号SD2との間の遅延時間、遅延信号SD2と遅延信号SD3との間の遅延時間、及び遅延信号SD3と遅延信号SD4との間の遅延時間にずれが生じることを抑制することができる。
 図9に示す構成例の制御部CNT1では、(m-1)番目(mは2以上n以下の自然数)の遅延回路とm番目の遅延回路とは隣り合って配置される。つまり、図9に示す構成例の制御部CNT1の回路配置は、1番目の遅延回路DL1と2番目の遅延回路DL2との間には他の遅延回路が存在せず、2番目の遅延回路DL2と3番目の遅延回路DL3との間には他の遅延回路が存在せず、3番目の遅延回路DL3と4番目の遅延回路DL4との間には他の遅延回路が存在しない回路配置である。これにより、配線を短くすることができるので、遅延信号SD1と遅延信号SD2との間の遅延時間、遅延信号SD2と遅延信号SD3との間の遅延時間、及び遅延信号SD3と遅延信号SD4との間の遅延時間にずれが生じることをより一層抑制することができる。
<留意点>
 なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
 例えば、上記実施形態では、トランシーバ回路が行う通信をCAN通信としたが、トランシーバ回路が行う通信はCAN通信以外の通信であってもよい。
 以上説明した遅延信号生成回路(41、42)は、1番目からn番目(nは2以上の自然数)の遅延回路(DL1~DL4)と、1番目からn番目の出力端子(TM1~TM4)と、を備え、第1モードにおいて、入力信号が1番目からk番目(kは1以上n以下の各自然数)の前記遅延回路を順番に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成され、第2モードにおいて、前記入力信号がk番目からn番目の前記遅延回路を逆順に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成される構成(第1の構成)である。
 上記第1の構成の遅延信号生成回路は、遅延時間のずれが少ない複数の遅延信号を生成することができる。
 上記第1の構成の遅延信号生成回路において、(m-1)番目(mは2以上n以下の自然数)の前記遅延回路とm番目の前記遅延回路とは隣り合って配置される構成(第2の構成)であってもよい。
 上記第2の構成の遅延信号生成回路は、配線を短くすることができるので、遅延時間にずれが生じることをより一層抑制することができる。
 以上説明した送信回路は、第1電圧が印加されるように構成される第1端子(VCC)と、第2端子(CANH)と、第3端子(CANL)と、前記第1電圧より低い第2電圧が印加されるように構成される第4端子(GND)と、前記第1端子と前記第2端子との間に設けられ、抵抗値を可変するように構成される第1可変抵抗部(VR1)と、前記第3端子と前記第4端子との間に設けられ、抵抗値を可変するように構成される第2可変抵抗部(VR2)と、送信データに基づき前記第1可変抵抗部及び前記第2可変抵抗部の各抵抗値を制御するように構成される制御部(CNT1)と、を備え、前記第1可変抵抗部及び前記第2可変抵抗部はそれぞれ、抵抗(Z1~Z60、Z101~Z160)とスイッチ(M1~M60、M101~M160)の直列回路を複数並列接続した並列回路を含み、前記制御部は、上記第1または第2の構成の遅延信号生成回路を含む構成(第3の構成)である。
 上記第3の構成の送信回路は、遅延信号生成回路によって生成される複数の遅延信号における遅延時間のずれを少なくすることができる。
 以上説明した電子制御ユニット(1)は、上記第3の構成の送信回路と、前記送信回路に前記送信データを送るコンピュータ(3)と、を備える構成(第4の構成)である。
 上記第4の構成の電子制御ユニットは、遅延信号生成回路によって生成される複数の遅延信号における遅延時間のずれを少なくすることができる。
 以上説明した車両(X)は、通信バス(BL1、BL2)と、前記通信バスに接続される複数の上記第4の構成の電子制御ユニットと、を備える構成(第5の構成)である。
 上記第5の構成の車両は、遅延信号生成回路によって生成される複数の遅延信号における遅延時間のずれを少なくすることができる。
   1 ECU
   2 電源回路
   3 マイクロコンピュータ
   4 トランシーバ回路
   5、D1~D3 ダイオード
   6、7 コンデンサ
   41、42 遅延信号生成回路
   CNT1 制御部
   BL1 第1バスライン
   BL2 第2バスライン
   DL1~DL4 遅延回路
   M1~M60 PMOSトランジスタ
   M101~M160 NMOSトランジスタ
   SEL1~SEL4 セレクタ
   CNV1~CNV4 変換回路
   Q1 PMOSトランジスタ(第1電流制限部の一例)
   Q7 NMOSトランジスタ(第2電流制限部の一例)
   Q2、Q3 PMOSトランジスタ
   Q4~Q6 NMOSトランジスタ
   R1 プルアップ抵抗
   R2 プルダウン抵抗
   R101、R102、Z1~Z60、Z101~Z160 抵抗
   RCV1 レシーバ回路
   T1~T4、VCC、GND、TXD、RXD、CANH、CANL 端子
   TM1~TM4 出力端子
   VR1 第1可変抵抗部
   VR2 第2可変抵抗部
   X 車両
   ZD1 ツェナーダイオード

Claims (5)

  1.  1番目からn番目(nは2以上の自然数)の遅延回路と、
     1番目からn番目の出力端子と、
     を備え、
     第1モードにおいて、入力信号が1番目からk番目(kは1以上n以下の各自然数)の前記遅延回路を順番に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成され、
     第2モードにおいて、前記入力信号がk番目からn番目の前記遅延回路を逆順に経由してk番目の前記出力端子に到達するように構成される、遅延信号生成回路。
  2.  (m-1)番目(mは2以上n以下の自然数)の前記遅延回路とm番目の前記遅延回路とは隣り合って配置される、請求項1に記載の遅延信号生成回路。
  3.  第1電圧が印加されるように構成される第1端子と、
     第2端子と、
     第3端子と、
     前記第1電圧より低い第2電圧が印加されるように構成される第4端子と、
     前記第1端子と前記第2端子との間に設けられ、抵抗値を可変するように構成される第1可変抵抗部と、
     前記第3端子と前記第4端子との間に設けられ、抵抗値を可変するように構成される第2可変抵抗部と、
     送信データに基づき前記第1可変抵抗部及び前記第2可変抵抗部の各抵抗値を制御するように構成される制御部と、
     を備え、
     前記第1可変抵抗部及び前記第2可変抵抗部はそれぞれ、抵抗とスイッチの直列回路を複数並列接続した並列回路を含み、
     前記制御部は、請求項1または請求項2に記載の遅延信号生成回路を含む、送信回路。
  4.  請求項3に記載の送信回路と、
     前記送信回路に前記送信データを送るコンピュータと、を備える、電子制御ユニット。
  5.  通信バスと、
     前記通信バスに接続される複数の請求項4に記載の電子制御ユニットと、
     を備える、車両。
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