WO2022163255A1 - 転写装置および転写基板 - Google Patents

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WO2022163255A1
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transfer
holding
active energy
energy ray
substrate
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浩一 風間
義之 新井
潤 稲垣
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東レエンジニアリング株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a transfer device that irradiates a transfer substrate with light energy and transfers an element to a transferred substrate by laser lift-off.
  • Patent Document 1 discloses an element transfer device that transfers an element using an ablation technique.
  • this device transfer device there are provided a laser irradiation section for generating a laser beam, a reflecting means for reflecting the laser beam from the laser irradiation section in a desired direction, and irradiation and non-irradiation of the laser beam in conjunction with the reflecting means.
  • a laser beam is selectively irradiated to some of the elements arranged on the original substrate to cause ablation.
  • a portion of the device is transferred onto the destination substrate by this selective ablation. That is, the elements are transferred from the source substrate to the destination substrate by laser lift-off.
  • a blister ring layer provided on a transfer substrate and having an adhesive layer on the surface side is irradiated with a laser beam to cause blistering (swelling) in the blister ring layer, and the generation of the blister causes
  • a technique is disclosed in which an article (element) adhered to an adhesive layer is extruded to separate the article from the transfer substrate.
  • the contact area between the blister 93 and the element 91 remains large, and the force (e.g., adhesive force) holding the element 91 at this contact surface is greater than the force (e.g., blister).
  • the force e.g., adhesive force
  • the element 91 does not peel off from the transfer substrate 92 as a result of overcoming the kinetic energy and gravitational force accompanying the generation.
  • the object of the present invention is to provide a transfer device and a transfer substrate that can reliably separate an element from a transfer substrate and transfer the element to a substrate to be transferred.
  • the transfer apparatus of the present invention irradiates an ablation layer of a transfer substrate with an active energy ray to cause ablation, thereby transferring elements held by the ablation layer from the transfer substrate to the transfer substrate.
  • a transfer substrate gripping unit that grips the transfer substrate; and a transfer substrate gripping unit that grips the transfer substrate such that the ablation layer of the transfer substrate faces the transfer substrate.
  • an active energy ray irradiating section for irradiating the ablation layer of the transfer substrate held by the transfer substrate holding section with an active energy ray, wherein the active energy ray irradiating section irradiates one element in the ablation layer. It is characterized by irradiating the active energy ray to a plurality of locations of the holding area to be held.
  • the contact area between the ablation layer and the device after irradiation with active energy rays can be reliably reduced, and the device can be reliably separated from the transfer substrate.
  • the irradiation range of the active energy ray is smaller than the holding area.
  • the ablation layer may disappear by ablation.
  • the ablation layer may cause blisters due to ablation.
  • the active energy ray irradiating part controls the location where the active energy ray is irradiated so that the blister is formed for each irradiation of the active energy ray.
  • the ablation layer is preferably composed of a plurality of independent holding portions, and the active energy ray is preferably applied to the plurality of holding portions holding one element individually.
  • the contact area between the element and the transfer substrate via the holding portion can be reduced, so the output of the active energy ray for transferring one element can be suppressed, and the running cost can be suppressed.
  • a non-holding site may be mixed.
  • the active energy ray irradiation unit preferably irradiates the plurality of holding portions holding one element with the active energy ray in a predetermined order.
  • the active energy ray irradiator preferably irradiates the active energy ray sequentially from the outer holding portion to the inner holding portion with respect to the plurality of holding portions holding one element.
  • the active energy ray irradiating unit preferably irradiates the active energy ray so that the trajectory of the irradiation of the active energy ray becomes spiral with respect to the plurality of holding portions that hold one element.
  • the active energy ray emitted from the active energy ray irradiation unit is converted into an energy ray flux composed of a plurality of active energy ray, and the energy ray flux simultaneously irradiates all the holding portions holding one element. It is preferable to irradiate the active energy ray.
  • the active energy ray irradiator preferably irradiates active energy rays of uniform power to all the holding portions that hold one element.
  • control is easy and the element can be stably flown in a predetermined direction.
  • a transfer apparatus of the present invention is a transfer apparatus that irradiates a transfer substrate with light energy to transfer a transfer target held by the transfer substrate to a transfer substrate using laser lift-off. and a laser light source that emits laser light forming the light energy, and a light energy shift means that adjusts the irradiation position of the light energy on the transfer substrate, wherein the transfer target is the transfer substrate. It is held on the transfer substrate via a plurality of adhesive points provided on the surface facing the transfer target, and the laser light source individually applies the optical energy to the plurality of adhesive points holding one transfer target. By irradiating the transfer target, the transfer target is transferred to the transfer target substrate arranged to face the transfer substrate with the transfer target interposed therebetween.
  • this transfer device can reduce the contact area between the transfer target and the transfer substrate via the adhesive point, it is possible to suppress the output of the laser beam for transferring one transfer target and reduce the running cost. can.
  • the transfer substrate of the present invention is a transfer substrate that holds an element in an ablation layer in which ablation occurs when irradiated with an active energy ray, and a holding region that holds one element in the ablation layer.
  • a holding portion that has a holding force for the element and causes blistering due to irradiation of the active energy ray and a non-holding portion that does not have the holding force for the element and does not cause blistering due to the active energy ray.
  • the element can be reliably separated from the transfer substrate and transferred to the transferred substrate.
  • FIG. 4A and 4B are diagrams for explaining the form of light rays on a real image plane of laser light in the transfer device of the first embodiment;
  • FIG. It is a figure explaining the holding
  • FIG. 2nd Embodiment of this invention It is a figure explaining the transcription
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a transfer form of a chip according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a transfer form of a chip according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a transfer form of a chip according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a transfer form of a chip according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 1A is a side view of the transfer device 1
  • FIG. 1B is a top view of the transfer device 1.
  • the transfer apparatus 1 of the present embodiment irradiates light energy formed by a light spot onto an arbitrary position in the in-plane direction of the surface to be irradiated of the surface of the transfer substrate, so that the chip 21 held by the transfer substrate utilizes laser lift-off. (elements) are transferred to a substrate to be transferred.
  • Light energy is a type of activation energy in this description.
  • the transfer device 1 has a laser irradiation section 11, a beam expander 12, a phase diffraction element 13, a zoom lens 14, a collimating lens 15, a galvanomirror 16, and an F ⁇ lens 17.
  • the light B passes through the beam expander 12, the phase diffraction element 13, the zoom lens 14, the collimating lens 15, the galvanomirror 16, and the F.theta.
  • the phase diffraction element 13 splits the single laser beam B into a plurality of beams B1 (energy beams).
  • beams B1 energy beams
  • the surface to be irradiated S is the surface (lower surface) of the transfer substrate 22 on which the chip 21 is held. reach.
  • a set of portions irradiated with light rays on the irradiated surface S is referred to as a light image 2 as shown in FIG. 1(b).
  • the irradiated surface is irradiated with light energy according to the irradiation area of each light beam forming the light beam image 2 .
  • the vertical direction is called the Z-axis direction
  • the horizontal direction in which the laser beam B is emitted from the laser irradiation unit 11 is called the X-axis direction
  • the horizontal direction perpendicular to the X-axis direction is called the Y-axis direction.
  • the laser irradiation unit 11 is an active energy irradiation unit referred to in this description, and is a device that emits a single laser beam B, which is an active energy ray. is emitted in pulses.
  • the active energy ray is not limited to visible light as in the present embodiment, and ultraviolet rays, electron beams, and the like can also be applied.
  • the beam expander 12 is a combination of lenses for expanding the diameter of the laser beam B emitted from the laser irradiation unit 11.
  • the laser beam B having a diameter suitable for branching by the phase diffraction element 13 enters the phase diffraction element 13.
  • the beam expander 12 adjusts the diameter of the laser beam B in order to make it possible.
  • a phase diffraction element (Diffractive Optical Element: DOE) 13 is configured by combining a plurality of diffraction gratings with different grating periods, and converts the shape of the laser beam B into an arbitrary shape using the diffraction phenomenon of light. It is.
  • the phase diffraction elements 13 used in the present embodiment are a plurality of phase diffraction elements arranged in a matrix with an equal pitch on a predetermined plane (on the YZ plane when the laser light B is incident from the X-axis direction). It is converted into a ray bundle B1 consisting of a single ray.
  • the phase diffraction element 13 is designed.
  • a DOE divides a laser beam into a plurality of beams obtained as diffraction patterns by a diffraction grating, and obtains a light intensity distribution consisting of a desired diffraction pattern on a virtual plane at a predetermined distance from the DOE. It is. Therefore, in many cases, the desired light intensity distribution cannot be obtained on surfaces other than the predetermined distance. Therefore, although the expression "dividing a laser beam into a plurality of beams" as used in this specification is not strictly correct, for the sake of convenience, obtaining a light intensity distribution consisting of a plurality of diffraction patterns by means of the above-mentioned DOE is simply referred to as a plurality of beams. It is expressed as dividing into .
  • FIG. 2 is a cross-sectional view along line aa in FIG. 1(a), which is the real image plane of the ray bundle B1. 2 ( As indicated by the pitch P1 in a), the light spots corresponding to the number of light rays forming the light beam B1 are arranged at equal pitches on the YZ plane. Although FIG. 2 shows that the light beams forming the light beam B1 are arranged in a 3 ⁇ 3 matrix, the number of light beams may be larger than this.
  • the zoom lens 14 which is a variable focus optical system, is provided immediately downstream of the phase diffraction element 13 as described above.
  • the focal length (magnification of the zoom lens 14) of this varifocal optical system it is possible to expand or reduce the pitch of the light spots.
  • the bundle B1' it is possible to arbitrarily change and adjust the pitch of each ray of the ray bundle forming the ray image 2 compared with the pitch P1 in FIG. 2(a).
  • each light ray is arranged on the real image plane so that each light ray of the light bundle B1 forming the light ray image 2 with which the irradiated surface S is irradiated has a predetermined size and shape.
  • An aperture member 18 with an opening (aperture 19) is provided. Specifically, as shown in FIG.
  • an aperture member 18 in which apertures 19 are arranged at pitch P1 is used for a bundle of rays B1 having a pitch P1.
  • an aperture member 18' having apertures 19' arranged at a pitch P1' is used for a bundle of rays B1' having a pitch P1'.
  • the aperture member is replaceable or deformable so that it can be replaced. By doing so, it is possible to irradiate the surface S to be irradiated with the light energy of the irradiation range (size and shape) suitable for the application in addition to the pitch suitable for the application.
  • the light is condensed and imaged again on the surface S to be illuminated.
  • an optical system for forming an image of light again is referred to as an imaging optical system, and in this embodiment, the combination of the collimating lens 15 and the F ⁇ lens 17 corresponds to this imaging optical system.
  • a galvanomirror 16 is provided between the collimator lens 15 and the F ⁇ lens 17 .
  • the galvanomirror 16 has two mirrors, and by controlling the positions and angles of these mirrors, incident light rays can be emitted in any direction.
  • the galvanomirror 16 functions as light energy shift means for changing the position on the surface S to be irradiated with the light energy. By having such a light energy shift means, the irradiation position of the light energy with respect to the transfer substrate 22 having the surface S to be irradiated can be adjusted.
  • a transfer substrate 22 is disposed on the downstream side of the F ⁇ lens 17 in the optical path of the laser beam B emitted from the laser irradiation unit 11 .
  • a substrate 23 is arranged. The transfer substrate 22 and the transfer substrate 23 are held by gripping means (transfer substrate gripping portion and transfer substrate gripping portion) (not shown).
  • the transfer substrate 22 is a substrate made of glass or the like and capable of transmitting the light beam B1, and holds the chip 21 on the lower surface side.
  • the chip 21 is, for example, a semiconductor chip, and more specifically, an LED chip or the like that constitutes each pixel of RGB in a display panel.
  • FIG. 3A and 3B are diagrams for explaining the holding form of the chip 21 by the transfer substrate 22, where FIG. 3(a) is a front view and FIG. 3(b) is a top view.
  • An adhesive point 24a (also referred to as a holding portion in this description) is provided on the lower surface side of the transfer substrate 22, and the surface of the adhesive point 24a adhesively holds the chip 21 so that the transfer substrate 22 is attached to the adhesive point 24a.
  • a form for holding the chip 21 is configured through the .
  • one transfer substrate 22 holds a plurality of chips 21 .
  • the surface area of the adhesive point 24a is the chip's surface area.
  • One chip 21 is adhesively held by a plurality of adhesive points 24a which are sufficiently smaller than the area of the surface of 21 facing the transfer substrate 22 and which are each independent. That is, a holding area for holding one chip 21 is configured by a plurality of adhesive points 24a (holding portions).
  • 3 ⁇ 3 adhesive points 24a adhere and hold one chip 21.
  • the shape of the surface of each adhesive point 24a may be circular as shown in FIG. 3(b), or other shapes.
  • the transferred substrate 23 may be a circuit substrate on which the chip 21 is finally mounted, or an intermediate substrate on which the chip 21 is intermediately held when the transfer is repeated a plurality of times before being mounted on the circuit substrate.
  • the transfer substrate 23 is arranged to face the transfer substrate 22 with the chip 21 interposed therebetween, and the chip 21 separated from the transfer substrate 22 lands on the surface of the transfer substrate 23 facing the transfer substrate 22.
  • a bonding material such as an anisotropic conductive film (ACF) or an adhesive material is provided on the landing surface so that the chip 21 can be held.
  • a laser beam B is emitted from the laser irradiation unit 11, and a light beam image 2 is formed (i.e., light energy is irradiated) on the irradiated surface S, which is the boundary between the transfer substrate 22 and the adhesive point 24a.
  • 24a is decomposed and gas is generated. That is, laser ablation occurs.
  • This generation of gas energizes the tip 21 when the tip 21 is separated from the transfer substrate 22 .
  • a layer such as the adhesive point 24a that is ablated by irradiation with an active energy ray is also called an ablation layer in this description.
  • the number of light rays forming the light image 2 is the same as the number of adhesive points 24a, and the pitch of each light ray (the dimension P in FIG. 4(a) ), the ray bundle B1 is adjusted by the phase diffraction element 13 and the zoom lens 14 so as to have the same pitch as the arrangement of the adhesive points 24a.
  • all the adhesive points 24a that adhesively hold one chip 21 are individually and simultaneously irradiated with light energy.
  • the chip 21 is laser lifted off by one emission of the laser beam B, flies in a predetermined direction (downward direction), and lands on the transferred substrate 23 .
  • the chip 21 is transferred from the transfer substrate 22 to the transferred substrate 23 .
  • the irradiation position of the light energy is shifted by the size of the chip 21 by the light energy shift means (the galvanomirror 16 in this embodiment), and then the laser irradiation section 11 emits the laser light B according to the cycle of the emitted pulse.
  • the adjacent chip 21 is irradiated with the light beam image 2 as shown in FIG.
  • the chips 21 are continuously transferred to the transferred substrate 23 .
  • the irradiation area of each light beam forming the light beam image 2 and the surface area of the adhesive point 24a are almost the same, or the irradiation area of the light beam is slightly larger (about 2 to 10 ⁇ m protruding from the adhesive point). preferable.
  • the shape of the adhesive point 24a is set according to the irradiation area of the light beam, or the irradiation area of the light beam is set by the aperture member 18 according to the shape of the adhesive point 24a so as to have such an area relationship. be.
  • the adhesive point 24a can be completely separated from the chip 21 by irradiation of light energy.
  • the chip 21 will remain held on the transfer substrate 22 through the gap and will not be lifted off by laser, or even if lifted off by laser, the chip 21 will fly in a direction tilted from the predetermined direction.
  • the light beam B1 is configured so that the power of each laser beam is uniform. By doing so, the timing at which the chip 21 separates from each adhesive point 24a and the thrust force generated during laser ablation can be made uniform. can.
  • FIG. 5A is a side view of the transfer device 10
  • FIG. 5B is a top view of the transfer device 10.
  • FIG. 5A is a side view of the transfer device 10
  • FIG. 5B is a top view of the transfer device 10.
  • the transfer device 10 has a laser irradiation section 11, a beam expander 12, a zoom lens 14, a collimating lens 15, a galvanomirror 16, and an F ⁇ lens 17, and the laser beam B emitted from the laser irradiation section 11 passes through the beam expander. 12, the zoom lens 14, the collimating lens 15, the galvanomirror 16, and the F.theta. That is, unlike the transfer device 1 of the first embodiment, the phase diffraction element 13 is not provided. Therefore, the laser beam B emitted from the laser irradiation unit 11 is not split into the light beam B1, and the light beam forming the light beam image 2 on the irradiated surface S is only one. The irradiation position of the light beam image 2 on the surface S to be irradiated is controlled by a galvanomirror 16, which is light energy shifting means.
  • a plurality of adhesive points 24a holding one chip 21 are individually irradiated one by one with the light beam image 2 (i.e., irradiated with light energy) to cause laser ablation. Then, when the light beam image 2 is irradiated onto the last remaining adhesive point 21, the chip 21 is completely separated from the transfer substrate 22, and flies to the transfer substrate 23 by laser lift-off. be transcribed.
  • 6(a) to 6(c) illustrate the form of transfer of the chip 21 when the chip 21, the transfer substrate 22, and the adhesive points 24a are viewed from the side. As shown in FIG. 6(c), three adhesive points 24a are shown to hold one chip 21. First, as shown in FIG. Ablation occurs.
  • the right end adhesive point 24a is irradiated with the light beam image 2, thereby leaving the center adhesive point 24a to hold the chip 21. Then, as shown in FIG. 6(b), the right end adhesive point 24a is irradiated with the light beam image 2, thereby leaving the center adhesive point 24a to hold the chip 21. Then, as shown in FIG. 6(b), the right end adhesive point 24a is irradiated with the light beam image 2, thereby leaving the center adhesive point 24a to hold the chip 21. Then, as shown in FIG.
  • the center adhesive point 24a is irradiated with the light beam image 2, and the chip 21 is separated from the transfer substrate 22 and transferred to the transferred substrate 23.
  • the thrust applied to the chip 21 during laser lift-off is Since the thrust is generated when laser ablation is performed, the chip 21 flies to the transferred substrate 23 with a relatively small thrust. As a result, it is possible to prevent the chip 21 from cracking due to the impact when it lands on the transferred substrate 23 .
  • the chip 21 is held by controlling the irradiation of the light energy so that the adhesive point 24a that holds the central portion of the chip 21 remains until the end. It is possible to prevent the part from being biased to the edge, and as a result, the chip 21 flies stably in a predetermined direction when the last sticking point 24a is irradiated with light energy and the chip 21 is laser lifted off.
  • the transfer device 1 and the transfer device 10 irradiate the transfer substrate 22 with light energy to transfer the chip 21 held by the transfer substrate 22 to the transferred substrate 23 using laser lift-off. Equipped with a laser irradiation unit 11 (active energy ray irradiation unit) that emits the laser beam B to be formed, and a light energy shift unit 16 that adjusts the irradiation position of the light energy with respect to the transfer substrate 22.
  • the laser light source 11 is held on the transfer substrate 22 via a plurality of adhesive points 24a provided on the surface (illuminated surface S) facing the chip 21 of the laser light source 11. By irradiating light energy to 24a individually, the chip 21 is transferred to the transferred substrate 23 arranged so as to face the transfer substrate 22 with the chip 21 interposed therebetween.
  • the contact area between the chip 21 and the transfer substrate 22 via the adhesive point 24a can be reduced, so the output of the laser beam B for transferring one chip 21 is suppressed. As a result, the chip 21 can be reliably transferred to the transferred substrate 23 while suppressing the running cost.
  • the transfer device 1 further includes a phase diffraction element 13 that converts the laser beam B emitted from the laser light source 11 into a beam bundle B1 composed of a plurality of beams.
  • the light energy is simultaneously applied to all the adhesive points 24a to be attached. By doing so, the time required for laser lift-off of one chip 21 can be relatively shortened.
  • the laser light source 11 irradiates the plurality of adhesive points 24a holding one chip 21 with light energy in order from the adhesive point 24a positioned on the outer side to the adhesive point 24a positioned on the inner side. do. By doing so, it is possible to prevent the portion where the chip 21 is held from being biased toward the end, and the chip 21 can be stably flown in a predetermined direction.
  • the laser light source 11 irradiates light energy to a plurality of adhesive points 24a holding one chip 21 so that the trajectory of light energy irradiation becomes spiral.
  • the part where the chip 21 is held is always prevented from being biased toward the edge until the last sticking point 24a is irradiated with light energy, so that the chip 21 can fly stably in a predetermined direction.
  • the laser light source 11 irradiates all the adhesive points 24a holding one chip 21 with light energy of uniform power. By doing so, the control is easy and the chip 21 can be stably flown in a predetermined direction.
  • the transfer device 100 includes a laser irradiation unit 102 that irradiates a laser beam 101, a transfer substrate gripping unit 103 that holds the transfer substrate 22 and can move in at least the X-axis direction and the Y-axis direction, and a A transfer substrate holding portion 104 that holds the transfer substrate 23 so as to face the transfer substrate 22 with a gap therebetween and a control unit (not shown) are provided, and the transfer substrate 22 is irradiated with the laser beam 101 . causes ablation in the transfer substrate, and the chip 21 is transferred from the transfer substrate 22 to the transferred substrate 23 .
  • the laser irradiation unit 102 is an embodiment of the active energy ray irradiation unit in the present invention, is a device that irradiates laser light 101 such as an excimer laser that is an active energy ray, and is fixed to the transfer device 100 .
  • the laser irradiation unit 102 irradiates a spot-shaped laser beam 101, and the laser beam 101 passes through a galvanomirror 105 and an f ⁇ lens 106 whose angle is adjusted by the control unit.
  • the irradiation position in the direction is controlled, and a plurality of chips 21 arranged on the transfer substrate 22 held by the transfer substrate holding portion 103 are selectively irradiated.
  • the transfer substrate gripping portion 103 has an opening and grips the transfer substrate 22 in the vicinity of its outer peripheral portion by suction. A laser beam 101 emitted from a laser irradiation unit 102 can be applied through this opening to the transfer substrate 22 held by the transfer substrate gripping unit 13 .
  • the transfer substrate 22 is a substrate made of glass or the like and capable of transmitting the laser beam 101, and holds the chip 21 on the lower surface side. Further, an ablation layer 24, which will be described later, is formed on the surface of the transfer substrate 22 that holds the chip 21, and the surface of the ablation layer 24 has adhesiveness. The adhesive force of the surface of the ablation layer 24 serves as a holding force for the chip 21 and holds the chip 21 by adhesion.
  • the transfer substrate gripping portion 103 is moved relative to the transfer substrate gripping portion 104 at least in the X-axis direction and the Y-axis direction by a moving mechanism (not shown).
  • a control unit (not shown) controls this moving mechanism and adjusts the position of the transfer substrate gripping unit 103, thereby adjusting the relative position of the chip 21 held on the transfer substrate 22 with respect to the transferred substrate 23.
  • the transfer substrate holding part 104 has a flat upper surface, and during the transfer process of the chip 21, the ablation layer 24 of the transfer substrate 22 and the chip 21 held by the ablation layer 24 and the transfer surface of the transfer substrate 23 face each other.
  • the substrate to be transferred 23 is gripped so as to do so.
  • a plurality of suction holes are provided on the upper surface of the transfer substrate gripping portion 104, and the back surface of the transfer substrate 23 (the surface to which the chips 21 are not transferred) is gripped by a suction force.
  • the transfer substrate 23 in this embodiment is a substrate made of glass or the like, and the surface to be transferred (the surface on the side that receives the chip 21) has adhesiveness, and the chip transferred from the transfer substrate 22 is adhesive. 21 is adhesively held.
  • the transfer substrate gripping portion 103 moves in the X-axis direction and the Y-axis direction so that the transfer substrate gripping portion 103 and the transferred substrate gripping portion 104 move relative to each other. If the substrate to be transferred 23 has a large dimension and the entire surface of the substrate to be transferred 23 cannot be positioned directly under the irradiation range of the laser beam 101, the substrate to be transferred gripping portion 104 also has a moving mechanism in the X-axis direction and the Y-axis direction. It may be provided.
  • the ablation layer 24 is formed on the surface of the transfer substrate 22 that holds the chip 21 as described above.
  • the ablation layer 24 has adhesiveness on the surface and is ablated by being irradiated with the laser beam 11 .
  • the ablation layer 24 is formed on the entire surface of the transfer substrate 22 on the side of the chip 21 holding side.
  • the range in which one chip 21 is held in the ablation layer 24 is called a holding region R in this description.
  • the material of the ablation layer 24 is decomposed near the interface between the ablation layer 24 and the main body of the transfer substrate 22, generating gas. That is, ablation occurs.
  • the surface side of the ablation 24 remains.
  • a blister 25 (bulge) corresponding to the irradiation range BR of the laser beam 101 is formed.
  • the irradiation range BR of the laser beam 101 is smaller than the holding region R, and the range in which the blisters 25 are generated by one irradiation of the laser beam 101 is also the holding region R. less than
  • the controller controls the galvanomirror 105 or the like so that the irradiation points of the laser beams 101 in the holding area R are appropriately spaced apart, so that the laser beams 101 are arranged as shown in FIG.
  • the blisters 25 generated by the irradiation can be formed independently for each laser beam irradiation. That is, the blisters 25 can be individually formed without the blisters 25 coalescing.
  • the adhesive holding power of the chip 21 by the ablation layer 24 is approximately proportional to the contact area, the adhesive holding power is greatly reduced after the blister 25 occurs.
  • this adhesive holding force becomes smaller than the force that separates the chip 21, which is the sum of the kinetic energy and gravity applied to the chip 21 by the generation of the blister 25, the chip 21 is transferred to the transfer substrate as shown in FIG. 9(d). 22 and transferred to a substrate 23 to be transferred.
  • the contact area between the ablation layer 24 and the chip 21 is reliably reduced by irradiating the laser beam 101 having the irradiation range BR smaller than the holding region R at a plurality of locations in the holding region R to cause ablation. , and the chip 21 can be reliably separated from the transfer substrate 22 . Also, since there is no need to increase the laser diameter, an increase in running costs can be prevented.
  • FIG. 10 is an AA view shown in FIG. 9(a), and shows the irradiation procedure of the laser beam 101 for transferring one chip 21 in the transfer device 100 of this embodiment.
  • FIG. 10 shows that the laser beam 101 having the irradiation range BR is irradiated nine times within the holding region R of the ablation layer 24 .
  • the holding region R is irradiated with the laser beam 101 in order from the outside to the inside.
  • FIG. 10 shows that ablation occurs only in the upper left irradiation range BR, which is the start point, of the nine irradiation ranges BR immediately after the start of transfer.
  • the blisters 25 are formed according to the irradiation order of the laser beams 101. It is possible to prevent the tip 21 from becoming cantilevered during the process until the blister 25 is formed. As a result, when the chip 21 is peeled off, variations in the falling direction can be prevented, and the chip 21 can be transferred to the transferred substrate 23 with good positional accuracy.
  • FIG. 11 shows an irradiation procedure of laser light 101 in another embodiment.
  • the laser light 11 is simultaneously irradiated to all the irradiation locations within the holding region R, and a plurality of blisters 25 are formed simultaneously.
  • a plurality of blisters 25 are formed simultaneously.
  • the ablation layer 24 is not limited to the form in which the blisters 25 are generated by the irradiation of the laser beam 101, and as shown in FIG. It may also be in a form in which it disappears. Even in this case, by irradiating the laser beam 101 having the irradiation range BR at a plurality of locations in the holding region R, ablation is performed in each irradiation range BR as in the processes shown in FIGS. As the layer 24 disappears, the contact area between the ablation layer 24 and the chip 21 can be reliably reduced. When the adhesion holding force of the chip 21 by the ablation layer 24, which is proportional to the contact area, becomes smaller than the force separating the chip 21, the chip 21 is separated from the transfer substrate 22 as shown in FIG. It is transferred to the substrate 23 .
  • the chip 21 can be transferred to the transferred substrate 23 with good positional accuracy.
  • FIG. 13 shows a transfer substrate 22 according to another embodiment of the present invention.
  • the ablation layer 24 is formed on the entire surface of the transfer substrate 22 on which the chip 21 is held.
  • the holding area R has an adhesive holding force to the chip 21, and the holding portion 24a where the blister 25 is generated by the irradiation of the laser beam 101, and the adhesive holding portion 24a. Therefore, there is a non-holding portion 24b that does not have a holding force for the chip 21 and does not cause ablation or blistering even if the laser beam 101 is irradiated.
  • the holding portions 24a are arranged in a zigzag manner, and the respective holding portions 24a are separated by the non-holding portions 24b.
  • the chip 21 is separated from the transfer substrate 22 by irradiating each holding portion 24a with a laser beam 101 having an irradiation range BR to cause a blister 25 at each holding portion 24a.
  • the non-retaining portions 24b prevent the blisters 25 generated at the respective holding portions 24a from coalescing. As a result, the chip 21 is finally held by a plurality of small blisters 25 as in FIG. can do.
  • the non-holding portion 24b since the non-holding portion 24b is present, the number of irradiation points of the laser beam 101 required for peeling off the chip 21 is reduced compared to the form in which the entire holding region R is the ablation layer 24, resulting in transfer time and running cost. can be reduced.
  • the ablation layer 24 is first formed on the entire surface of the transfer substrate 22 on the side holding the chip 21 as in the above-described embodiment. . That is, the non-retaining portion 24b is originally the same material as each retaining portion 24a. A portion corresponding to the non-holding portion 24b is selectively irradiated with ultraviolet rays to cure the portion. As a result, the non-holding portion 24b that is not sticky and does not cause abrasion is formed.
  • the transfer device and transfer substrate of the present invention are not limited to the forms described above, and may be of other forms within the scope of the present invention.
  • the light beam image 2 formed by the phase diffraction element 13 in the transfer device 1 of the first embodiment does not necessarily have to be a matrix of light beams as shown in FIG.
  • the light beams may be arranged in a zigzag pattern in accordance with the arrangement of the adhesive portions 24 .
  • the transfer substrate gripping means may move the transfer substrate 22 in the X-axis direction and the Y-axis direction to change the position relative to the light beam image 2, thereby functioning as the light energy shifting means.
  • the transferred substrate gripping means is also provided with a mechanism for moving the transferred substrate 23 in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the positions where the chips 21 on the transferred substrate 23 are transferred are adjusted.
  • all the adhesive points 24 holding one chip 21 are not necessarily irradiated with light energy at the same time. good.
  • the number of laser beams forming the beam B1'' (2 ⁇ 2 in FIG. 8) is larger than the number of adhesive points 24a holding the chip 21 (6 ⁇ 6 in FIG. 8).
  • the chip 21 may be separated from the transfer substrate 22 by sequentially irradiating a plurality of light energies.
  • the time interval between light energy irradiations may or may not be uniform.
  • the last time interval may be set longer than the other time intervals.
  • the light energy is necessarily irradiated in order from the outer adhesive point 24a to the inner adhesive point 24a. is not limited to
  • the irradiation range of the light energy was spot-shaped, but it may be line-shaped.
  • the adhesive points are also linear like the adhesive points 24' shown in FIG.
  • the adhesive point 24a irradiated with the laser beam B or the light beam B1 completely disappears. and the adhesive point 24, and the adhesive point 24a may remain on the chip 21 side even after the laser beam B or the light beam B1 is irradiated. By doing so, the adhesive points 24a remaining on the chip 21 stick to another base material W later, so that the transfer of the chip 21 by laser lift-off can be performed again.
  • the power of the laser beam 101 irradiated to a plurality of locations in the holding region R may be uniform, and the closer to the central portion of the holding region R, the higher the power, for example. It may be uniform.
  • the holding portions 24a are arranged in a zigzag pattern, but the arrangement is not limited to this and may be, for example, in a matrix pattern. Alternatively, they may be arranged irregularly. Further, the holding portions 24a do not need to be completely separated from each other, and the corner portions may be slightly connected within a range that prevents the blister 25 from being combined.
  • the irradiation range BR of the laser beam 101 is smaller than the holding region R, but this is not necessarily the case, and the irradiation range BR of the laser beam 101 may be larger than the holding region R. Then, as shown in FIGS. 17A and 17B, the laser light 101 may be irradiated while slightly shifting the irradiation range BR, so that a plurality of locations in the holding region R are sequentially ablated.

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Abstract

確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することができる転写装置および転写基板を提供する。具体的には、転写基板２２のアブレーション層２４ａへ活性エネルギー線Ｂ１を照射してアブレーションを生じさせることにより、アブレーション層２４ａが保持する素子２１を転写基板２２から被転写基板２３へ転写させる転写装置であり、転写基板２２を把持する転写基板把持部と、転写基板２２のアブレーション層２４ａと被転写基板２３が対向するように被転写基板２３を把持する被転写基板把持部と、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２のアブレーション層２４へ活性エネルギー線Ｂ１を照射する活性エネルギー線照射部と、を備え、活性エネルギー線照射部は、アブレーション層２４ａにおいて１つの素子２１を保持する保持領域の複数箇所に活性エネルギー線Ｂ１を照射する。

Description

転写装置および転写基板
　本発明は、光エネルギーを転写基板に照射し、レーザリフトオフにより素子を被転写基板へ転写する、転写装置に関する。
　近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。
　特許文献１には、アブレーション技術を用いて素子を転写する素子の転写装置が開示されている。この素子の転写装置では、レーザビームを発生させるレーザ照射部と、そのレーザ照射部からのレーザビームを所要の方向に反射させる反射手段と、その反射手段と連動してレーザビームの照射及び非照射を制御する制御手段とを有するレーザ照射装置を用いて、転写元基板上に複数配列された素子の一部に対してレーザビームを選択的に照射し、アブレーション（溶発）を発生させる。この選択的なアブレーションによって素子の一部が転写先基板上に転写される。すなわち、レーザリフトオフにより素子が転写元基板から転写先基板へ転写される。
　また、特許文献２には、転写基板に設けられ、表面側に接着材層を有するブリスタリング層にレーザビームを照射することによりブリスタリング層にブリスター（膨らみ）を生じさせ、このブリスターの発生によって接着剤層に接着されていた物品（素子）を押し出すことにより物品を転写基板から切り離す技術が開示されている。
特開２００６－０４１５００号公報 特表２０１４－５１５８８３号公報
　しかしながら、特許文献１および特許文献２で示される素子の転写装置では、レーザ照射後も転写基板（転写元基板）が素子を保持する力の方が素子を切り離す力に勝り、転写基板から素子が剥離しない可能性があるおそれがあった。特に、転写基板の素子を保持する部位がアブレーションによりブリスターを生じる場合、図１８に示すように、転写基板９２において１つの素子９１を保持する保持領域Ｒにレーザを照射することによって１つのブリスター９３が生じたとしても、ブリスター９３と素子９１との間の接触面積が大きいままであって、この接触面において素子９１を保持する力（たとえば粘着力）の方が素子９１を切り離す力（たとえばブリスター発生に伴う運動エネルギー、重力）に勝り、その結果素子９１が転写基板９２から剥離しないという問題があった。
　本願発明は、上記問題点を鑑み、確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することができる転写装置および転写基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために本発明の転写装置は、転写基板が有するアブレーション層へ活性エネルギー線を照射してアブレーションを生じさせることにより、当該アブレーション層が保持する素子を前記転写基板から被転写基板へ転写させる転写装置であり、前記転写基板を把持する転写基板把持部と、前記転写基板の前記アブレーション層と前記被転写基板が対向するように前記被転写基板を把持する被転写基板把持部と、前記転写基板把持部に保持された前記転写基板の前記アブレーション層へ活性エネルギー線を照射する活性エネルギー線照射部と、を備え、前記活性エネルギー線照射部は、前記アブレーション層において１つの素子を保持する保持領域の複数箇所に活性エネルギー線を照射することを特徴としている。
　この転写装置により、活性エネルギー線の照射後のアブレーション層と素子の接触面積を確実に小さくすることができ、確実に素子を転写基板から剥離させることができる。
　また、活性エネルギー線の照射範囲は、前記保持領域よりも小さいことが好ましい。
　また、前記アブレーション層は、アブレーションにより消失しても良い。
　また、前記アブレーション層は、アブレーションによりブリスターを生じても良い。
　また、前記活性エネルギー線照射部は、各々の活性エネルギー線の照射毎に前記ブリスターが形成されるよう、活性エネルギー線を照射する箇所が制御されると良い。
　こうすることにより、ブリスター同士が合わさって素子との接触面積の減少が抑制されることを防ぐことができる。
　また、前記アブレーション層は、各々独立した複数の保持部位により構成されており、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に個別に前記活性エネルギー線が照射されると良い。
　こうすることにより、保持部位を介した素子と転写基板との接触面積を削減することができるため、１つの素子を転写させるための活性エネルギー線の出力を抑制し、ランニングコストを抑えることができる。
　また、前記アブレーション層の前記保持領域には、素子に対する保持力を有し、活性エネルギー線の照射によりブリスターが生じる保持部位と、素子に対する保持力を有さず、活性エネルギー線によるブリスターを生じない非保持部位と、が混在しても良い。
　こうすることにより、ブリスター同士が合わさって素子との接触面積の減少が抑制されることを防ぐことができる。
　また、前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に対し、所定の順序で活性エネルギー線を照射すると良い。
　こうすることにより、所定の方向に安定して素子を飛行させることができる。
　また、前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に対し、外寄りに位置する前記保持部位から内寄りに位置する前記保持部位へ順に活性エネルギー線を照射すると良い。
　こうすることにより、素子が保持されている部分が端に偏ることを防ぐことができ、所定の方向に安定して素子を飛行させることができる。
　また、前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に対し、活性エネルギー線の照射の軌跡が渦巻き状となるよう活性エネルギー線を照射すると良い。
　こうすることにより、所定の方向に安定して素子を飛行させることができる。
　また、前記活性エネルギー線照射部から出射された活性エネルギー線は複数本の活性エネルギー線からなるエネルギー線束に変換され、前記エネルギー線束は、１つの素子を保持する全ての前記保持部位に対し、同時に活性エネルギー線を照射すると良い。
　こうすることにより、１つの素子の転写に要する時間を比較的短くすることができる。
　また、前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する全ての前記保持部位に対し、均等なパワーの活性エネルギー線を照射すると良い。
　こうすることにより、制御が容易であり、かつ所定の方向に安定して素子を飛行させることができる。
　また、上記課題を解決するために本発明の転写装置は、転写基板に光エネルギーを照射することにより、レーザリフトオフを利用して当該転写基板が保持する転写対象を被転写基板へ転写する転写装置であり、前記光エネルギーを形成するレーザ光を射出するレーザ光源と、前記転写基板に対する前記光エネルギーの照射位置を調節する光エネルギーシフト手段と、を備え、前記転写対象は、前記転写基板の前記転写対象と対向する面に設けられた複数の粘着ポイントを介して前記転写基板に保持されており、前記レーザ光源は、１つの前記転写対象を保持する複数の前記粘着ポイントに個別に前記光エネルギーを照射することにより、前記転写対象を挟んで前記転写基板に対向するよう配置された前記被転写基板へ前記転写対象を転写することを特徴としている。
　この転写装置により、粘着ポイントを介した転写対象と転写基板との接触面積を削減することができるため、１つの転写対象を転写させるためのレーザ光の出力を抑制し、ランニングコストを抑えることができる。
　また、上記課題を解決するために本発明の転写基板は、活性エネルギー線の照射によりアブレーションが生じるアブレーション層で素子を保持する転写基板であり、前記アブレーション層における１つの素子を保持する保持領域には、素子に対する保持力を有し、活性エネルギー線の照射によりブリスターが生じる保持部位と、素子に対する保持力を有さず、活性エネルギー線によるブリスターを生じない非保持部位と、が混在することを特徴としている。
　この転写基板により、保持領域内でブリスター同士が合わさって素子との接触面積の減少が抑制されることを防ぐことができる。
　本発明の転写装置および転写基板により、確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することができる。
本発明の第１実施形態における転写装置を説明する図である。 第１実施形態の転写装置におけるレーザ光の実像面での光線の形態を説明する図である。 本発明の転写装置におけるチップの保持形態を説明する図である。 第１実施形態の転写装置によるチップの転写形態を説明する図である。 本発明の第２実施形態における転写装置を説明する図である。 第２実施形態の転写装置におけるチップの転写形態を説明する図である。 第２実施形態の転写装置におけるチップの転写形態を説明する図である。 本発明の第３実施形態における転写装置を説明する図である。 第３実施形態の転写装置により素子を転写基板から剥離させる過程を説明する図である。 第３実施形態の転写装置により素子を転写基板から剥離させる過程を説明する図である。 本発明の他の実施形態の転写装置により素子を転写基板から剥離させる過程を説明する図である。 本発明の他の実施形態の転写装置により素子を転写基板から剥離させる過程を説明する図である。 本発明の他の実施形態の転写基板を説明する図である。 本発明の他の実施形態によるチップの転写形態を説明する図である。 本発明の他の実施形態によるチップの転写形態を説明する図である。 本発明の他の実施形態によるチップの転写形態を説明する図である。 本発明の他の実施形態の転写装置により素子を転写基板から剥離させる過程を説明する図である。 従来の転写装置により素子を転写基板から剥離させる過程を説明する図である。
　（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態における転写装置１について、図１を参照して説明する。図１（ａ）は転写装置１の側面図であり、図１（ｂ）は、転写装置１の上面図である。
　本実施形態の転写装置１は、光スポットよりなる光エネルギーを転写基板表面の被照射面の面内方向の任意の位置に照射することにより、レーザリフトオフを利用して転写基板が保持するチップ２１（素子）を被転写基板へ転写するものである。光エネルギーは、本説明における活性エネルギーの一種である。
　転写装置１は、レーザ照射部１１、ビームエキスパンダー１２、位相回折素子１３、ズームレンズ１４、コリメートレンズ１５、ガルバノミラー１６、およびＦθレンズ１７を有しており、レーザ照射部１１から出射されたレーザ光Ｂはビームエキスパンダー１２、位相回折素子１３、ズームレンズ１４、コリメートレンズ１５、ガルバノミラー１６、Ｆθレンズ１７の順に経由して被照射面Ｓへと到達する。この間に、位相回折素子１３によって１本のレーザ光Ｂは複数の光線である光線束Ｂ１（エネルギー線束）へと分岐される。なお、本説明では、レーザ照射により生じるアブレーション（レーザアブレーション）によってチップを保持する基板からチップを分離させることをレーザリフトオフと呼ぶ。
　ここで、本実施形態では、被照射面Ｓは、転写基板２２のチップ２１を保持している側の面（下面）であり、光線束Ｂ１は転写基板２２を透過して被照射面Ｓへ到達する。また、本説明では、被照射面Ｓ上で光線が照射された部位の集合を図１（ｂ）に示すように光線像２と呼ぶ。被照射面Ｓに光線像２が形成されることにより、光線像２を構成する各光線の照射面積に応じて被照射面に光エネルギーが照射される。
　なお、本説明では、鉛直方向をＺ軸方向、水平方向においてレーザ照射部１１からレーザ光Ｂが出射される方向をＸ軸方向、水平方向においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向と呼ぶ。
　レーザ照射部１１は、本説明でいう活性エネルギー照射部であって、活性エネルギー線である１本のレーザ光Ｂを出射する装置であり、本実施形態ではＹＡＧレーザ、可視光レーザなどのレーザ光をパルス状に出射する。なお、活性エネルギー線として、本実施形態のような可視光に限らず、紫外線、電子線なども適用可能である。
　ビームエキスパンダー１２は、レーザ照射部１１から出射されたレーザ光Ｂの径を拡張するためのレンズの組合せであり、位相回折素子１３による分岐に適した径のレーザ光Ｂを位相回折素子１３に入射させるために、ビームエキスパンダー１２がレーザ光Ｂの径を調節する。
　位相回折素子（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｌｅｍｅｎｔ：ＤＯＥ）１３は、格子周期の異なる複数の回折格子が組合わされることにより構成され、光の回折現象を利用してレーザ光Ｂの形状を任意の形状に変換するものである。本実施形態で用いられる位相回折素子１３は、１本のレーザ光Ｂを所定平面上（Ｘ軸方向からレーザ光Ｂが入射した場合、ＹＺ平面上）に等ピッチのマトリクス状に配列された複数本の光線からなる光線束Ｂ１に変換する。ここで、上記の構成を有する位相回折素子１３では、光線の形状だけでなく光線のパワーも任意に設計可能であり、本実施形態では光線束Ｂ１を形成する各光線のパワーが均一となるよう、位相回折素子１３が設計されている。
　なお、ＤＯＥとは、レーザ光を回折格子によって回折パターンとして得られる複数の光束に分割するものであって、当該ＤＯＥから所定距離にある仮想面上に所望の回折パターンからなる光強度分布を得るものである。したがって、前記の所定距離以外の面上においてはその所望の光強度分布は得られないことが多い。よって、本明細書に言う、レーザ光を複数の光線に分割するとの表現は厳密には正しくないが、便宜上上記ＤＯＥによって複数個の回折パターンからなる光強度分布を得ることを、単に複数の光線に分割すると表現することとする。
　図２は図１（ａ）におけるａａ断面図であり、光線束Ｂ１の実像面である。上記の通り、本実施形態では位相回折素子１３がレーザ光ＢをＹＺ平面上に等ピッチのマトリクス状に配列された複数本の光線からなる光線束Ｂ１に変換し、実像面上では図２（ａ）にてピッチＰ１で示すように光線束Ｂ１を形成する光線の本数分の光スポットがＹＺ平面上に等ピッチで並ぶ。なお、図２では光線束Ｂ１を構成する光線は３×３個のマトリクス状に配列されているように図示しているが、光線の本数はこれより多くても構わない。
　ここで、本実施形態では上記の通り位相回折素子１３のすぐ下流には、可変焦点光学系であるズームレンズ１４が設けられている。この可変焦点光学系の焦点距離（ズームレンズ１４における倍率）を変化させることによって、光スポットのピッチの拡大もしくは縮小が可能であり、図２（ｂ）に光線の間隔がピッチＰ１’である光線束Ｂ１’で示すように、図２（ａ）のピッチＰ１と比較して光線像２を構成する光線束の各光線のピッチを任意に変更、調節することが可能である。
　一方、ズームレンズ１４によって各光線の間隔を調節することに伴い、被照射面Ｓに照射される光エネルギーの照射領域の面積も変化し、その面積が許容可能な範囲に入らない可能性がある。ここで、本実施形態では、被照射面Ｓに照射される光線像２を形成する光線束Ｂ１の各光線の寸法および形状が所定の寸法および形状となるよう、実像面における各光線の配置に合わせて開口（アパーチャ１９）が設けられたアパーチャ部材１８が設けられている。具体的には、図２（ａ）のように各光線の間隔がピッチＰ１である光線束Ｂ１に対しては、間隔がピッチＰ１となるようにアパーチャ１９が配列されたアパーチャ部材１８が用いられ、図２（ｂ）のように各光線の間隔がピッチＰ１’である光線束Ｂ１’に対しては、間隔がピッチＰ１’となるようにアパーチャ１９’が配列されたアパーチャ部材１８’が用いられるようにアパーチャ部材が交換または変形可能に設けられている。こうすることにより、用途に適したピッチに加え、用途に適した照射範囲（寸法および形状）の光エネルギーを被照射面Ｓへ照射することができる。
　図１に戻り、本実施形態では、可変焦点光学系であるズームレンズ１４を通過した後一度結像した光線束Ｂ１の各光線は、コリメートレンズ１５により平行光にされた後、Ｆθレンズ１７で集光されて被照射面Ｓで再度結像する。本説明では、光線を再度結像させる光学系を結像光学系と呼び、本実施形態では、コリメートレンズ１５とＦθレンズ１７の組合せがこの結像光学系にあたる。また、本実施形態では、コリメートレンズ１５とＦθレンズ１７の間にガルバノミラー１６が設けられている。
　ガルバノミラー１６は、２枚のミラーを有し、これらミラーの位置および角度を制御することにより、入射される光線を任意の方向へ出射させる。本実施形態では、このガルバノミラー１６が、被照射面Ｓ上で光エネルギーが照射される位置を変化させる光エネルギーシフト手段として機能する。このような光エネルギーシフト手段を有することにより、被照射面Ｓを有する転写基板２２に対する光エネルギーの照射位置を調節することができる。
　レーザ照射部１１から出射されたレーザ光Ｂの光路におけるＦθレンズ１７の下流側には、転写基板２２が配置されており、転写基板２２のさらに下流側であり転写基板２２の直下には被転写基板２３が配置されている。これら転写基板２２および被転写基板２３は、図示しない把持手段（転写基板把持部および被転写基板把持部）により把持されている。
　転写基板２２は、ガラスなどを材料として光線束Ｂ１を透過することが可能な基板であり、下面側でチップ２１を保持する。チップ２１は、たとえば半導体チップであり、さらに具体的にはディスプレイパネルにおいてＲＧＢの各画素を構成するＬＥＤチップなどである。
　図３は、転写基板２２によるチップ２１の保持形態を説明する図であり、図３（ａ）が正面図、図３（ｂ）が上面図である。
　転写基板２２の下面側には、粘着ポイント２４ａ（本説明では、保持部位とも呼ぶ）が設けられており、粘着ポイント２４ａの表面がチップ２１を粘着保持することにより、転写基板２２が粘着ポイント２４ａを介してチップ２１を保持する形態を構成する。なお、図１（ａ）に示すように、１つの転写基板２２には複数のチップ２１が保持されている。
　ここで、本実施形態の転写基板２２では、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すようにチップ２１の全面を粘着させて保持するのではなく、粘着ポイント２４ａの表面の面積がチップ２１の転写基板２２と対向する面の面積より十分に小さく、各々独立した複数の粘着ポイント２４ａで１つのチップ２１を粘着保持している。すなわち、複数の粘着ポイント２４ａ（保持部位）によって１つのチップ２１を保持する保持領域が構成されている。なお、図３（ｂ）は、３×３個の粘着ポイント２４ａが１つのチップ２１を粘着保持している。各粘着ポイント２４ａの表面の形状は、図３（ｂ）に示すような円形でも良く、他の形状であっても良い。
　被転写基板２３は、チップ２１が最終的に実装される回路基板であっても良く、回路基板に実装されるまでに複数回転写を繰り返すにあたって中間的にチップ２１が保持される中間基板であっても良い。被転写基板２３は、チップ２１を挟んで転写基板２２と対向するように配置されており、転写基板２２から分離したチップ２１は被転写基板２３の転写基板２２と対向する方の面に着弾する。この着弾面にはＡＣＦ（異方性導電膜）などの接合材や粘着材が設けられ、チップ２１を保持できるようになっている。
　次に、転写装置１によるチップ２１の転写形態を図４（ａ）および図４（ｂ）で説明する。
　レーザ照射部１１からレーザ光Ｂが出射され、転写基板２２と粘着ポイント２４ａとの境界部である被照射面Ｓに光線像２がされる（すなわち光エネルギーが照射される）ことにより、粘着ポイント２４ａが分解され、ガスが発生する。すなわち、レーザアブレーションが生じる。このガスの発生によって、チップ２１が転写基板２２から分離する際にチップ２１が付勢される。この粘着ポイント２４ａのように活性エネルギー線の照射によりアブレーションを生じる層を、本説明ではアブレーション層とも呼ぶ。
　本実施形態では、図４（ａ）に示すように、光線像２を構成する光線の個数が粘着ポイント２４ａの個数と同じであり、また、各光線のピッチ（図４（ａ）における寸法Ｐ）は、粘着ポイント２４ａの配置のピッチと同じとなるよう、位相回折素子１３およびズームレンズ１４によって光線束Ｂ１が調節されている。これにより、１つのチップ２１を粘着保持する全ての粘着ポイント２４ａに対して個別に、かつ同時に光エネルギーが照射される。そして、１回のレーザ光Ｂの出射によってチップ２１がレーザリフトオフされて所定の方向（真下方向）へ飛行し、被転写基板２３に着弾する。この結果、チップ２１は転写基板２２から被転写基板２３へ転写される。
　そして、光エネルギーシフト手段（本実施形態では、ガルバノミラー１６）によって光エネルギーの照射位置をチップ２１の寸法分移動させ、その後レーザ照射部１１が出射パルスの周期に応じてレーザ光Ｂを出射することにより、図４（ｂ）に示すように隣のチップ２１に光線像２が照射され、被転写基板２３へ転写される。このように光エネルギーの照射位置の移動とレーザ光Ｂの出射を繰り返すことにより、連続してチップ２１が被転写基板２３に転写される。
　ここで、光線像２を構成する各光線の照射面積と粘着ポイント２４ａの表面の面積とは、ほぼ同じもしくは光線の照射面積の方がやや大きい（２～１０μｍほど粘着ポイントからはみ出す程度）ことが好ましい。そして、このような面積関係となるように、光線の照射面積に応じて粘着ポイント２４ａの形状が設定される、もしくは、粘着ポイント２４ａの形状に応じてアパーチャ部材１８によって光線の照射面積が設定される。これにより、光エネルギーの照射によって粘着ポイント２４ａをチップ２１から完全に分離させることができる。
　一方、仮に粘着ポイント２４ａの表面の面積に対して光線の照射面積が小さすぎる場合、レーザアブレーションが粘着ポイント２４ａの一部でしか生じない可能性があり、この場合、チップ２１は粘着ポイント２４ａを介して転写基板２２に保持されたままとなってレーザリフトオフされない、もしくはレーザリフトオフされても所定の方向から傾いた方向にチップ２１が飛行するおそれがある。
　また、本実施形態では、各レーザ光のパワーが均一となるように光線束Ｂ１が構成されていることが好ましい。こうすることにより、各粘着ポイント２４ａにおけるチップ２１が分離するタイミングおよびレーザアブレーションの際に生じる推力を均一とすることができるため、レーザリフトオフにおいて所定の方向へ安定してチップ２１を飛行させることができる。
　（第２実施形態）
　本発明の第２実施形態における転写装置１０について、図５を参照して説明する。図５（ａ）は転写装置１０の側面図であり、図５（ｂ）は、転写装置１０の上面図である。また、第１実施形態の転写装置１の構成要素と同じ構成要素には、同一の符号を付している。
　転写装置１０は、レーザ照射部１１、ビームエキスパンダー１２、ズームレンズ１４、コリメートレンズ１５、ガルバノミラー１６、およびＦθレンズ１７を有しており、レーザ照射部１１から出射されたレーザ光Ｂはビームエキスパンダー１２、ズームレンズ１４、コリメートレンズ１５、ガルバノミラー１６、Ｆθレンズ１７の順に経由して転写基板２２の下面である被照射面Ｓへと到達する。すなわち、第１実施形態の転写装置１と異なり位相回折素子１３を有していない。そのため、レーザ照射部１１から出射されたレーザ光Ｂは光線束Ｂ１へと分割されることなく、被照射面Ｓにおいて光線像２を構成する光線は１つのみである。この光線像２の被照射面Ｓに対する照射位置は、光エネルギーシフト手段であるガルバノミラー１６によって制御される。
　この転写装置１０によるチップ２１の転写形態を図６（ａ）乃至図６（ｃ）で説明する。
　この転写装置１０では、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに対し、個別に１つずつ順に光線像２が照射されて（すなわち光エネルギーが照射されて）レーザアブレーションを生じさせる。そして、最後に残った粘着ポイント２１に対して光線像２が照射されたときに、チップ２１は転写基板２２から完全に分離され、レーザリフトオフにより被転写基板２３へ飛行し、被転写基板２３へ転写される。
　図６（ａ）乃至図６（ｃ）では、チップ２１、転写基板２２、粘着ポイント２４ａを側方から見たときのチップ２１の転写の形態を説明しているが、図６（ａ）乃至図６（ｃ）で１つのチップ２１につき３つで保持するよう図示されている粘着ポイント２４ａに対し、まず図６（ａ）の通り左端の粘着ポイント２４ａに対し光線像２が照射されてレーザアブレーションが生じる。
　次に、図６（ｂ）に示す通り右端の粘着ポイント２４ａに対し光線像２が照射され、これにより中央の粘着ポイント２４ａが残されてチップ２１を保持する形態となる。
　最後に、図６（ｃ）に示す通り中央の粘着ポイント２４ａに対し光線像２が照射され、チップ２１は転写基板２２から分離し、被転写基板２３へ転写される。
　このように１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに対して１つずつ順に光エネルギーが照射される転写の形態では、レーザリフトオフの際にチップ２１にかかる推力は１つの粘着ポイント２４ａがレーザアブレーションしたときに発生する推力であるため、比較的小さい推力でチップ２１は被転写基板２３へ飛行する。その結果、被転写基板２３に着弾した際の衝撃によるチップ２１の割れが生じることを防ぐことができる。
　また、図６（ａ）乃至図６（ｃ）のようにチップ２１の中央部を保持する粘着ポイント２４ａを最後まで残すよう光エネルギーの照射が制御されることによって、チップ２１が保持されている部分が端に偏ることを防ぐことができ、その結果、最後の粘着ポイント２４ａに光エネルギーが照射されてチップ２１がレーザリフトオフする際にチップ２１は所定の方向に安定して飛行する。
　なお、図６（ａ）乃至図６（ｃ）では１つのチップ２１を保持する粘着ポイント２４ａは１方向において３つのみであるが、実際は２ｍｍ×２ｍｍの面積のチップ２１に対し０．１ｍｍのピッチで粘着ポイント２４ａが配置されるような形態が想定されている。その場合、粘着ポイント２４ａの個数は２０×２０個となる。このような場合にチップ２１の中央部を保持する粘着ポイント２４ａを最後まで残すようにするためには、たとえば外寄りに位置する粘着ポイント２４ａから内寄りに位置する粘着ポイント２４ａへ順に光エネルギー２を照射すると良い。
　さらに具体的には、図７に示すように、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに対し、光エネルギーの照射の軌跡Ｌが渦巻き状となるよう光線像２を照射すると良い。こうすることにより、最後の粘着ポイント２４ａに光エネルギーが照射されるまでチップ２１が保持されている部分が端に偏ることを常に防ぐことができるため、最終的に所定の方向に安定してチップ２１を飛行させることができる。
　次に、上記の第１実施形態および第２実施形態における転写装置の効果を以下に説明する。
　転写装置１および転写装置１０は、転写基板２２に光エネルギーを照射することにより、レーザリフトオフを利用して転写基板２２が保持するチップ２１を被転写基板２３へ転写するものであり、光エネルギーを形成するレーザ光Ｂを射出するレーザ照射部１１（活性エネルギー線照射部）と、転写基板２２に対する光エネルギーの照射位置を調節する光エネルギーシフト手段１６と、を備え、チップ２１は、転写基板２２のチップ２１と対向する面（被照射面Ｓ）に設けられた複数の粘着ポイント２４ａを介して転写基板２２に保持されており、レーザ光源１１は、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに個別に光エネルギーを照射することにより、チップ２１を挟んで転写基板２２に対向するよう配置された被転写基板２３へチップ２１を転写することを特徴としている。
　この転写装置１および転写装置１０により、粘着ポイント２４ａを介したチップ２１と転写基板２２との接触面積を削減することができるため、１つのチップ２１を転写させるためのレーザ光Ｂの出力を抑制し、ランニングコストを抑えつつ確実にチップ２１を被転写基板２３へ転写することができる。
　また、転写装置１では、レーザ光源１１から出射されたレーザ光Ｂを複数本の光線からなる光線束Ｂ１に変換する位相回折素子１３をさらに有し、光線束Ｂ１は、１つのチップ２１を保持する全ての粘着ポイント２４ａに対し、同時に光エネルギーを照射する。こうすることにより、１つのチップ２１のレーザリフトオフに要する時間を比較的短くすることができる。
　また、転写装置１０では、レーザ光源１１は、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに対し、外寄りに位置する粘着ポイント２４ａから内寄りに位置する粘着ポイント２４ａへ順に光エネルギーを照射する。こうすることにより、チップ２１が保持されている部分が端に偏ることを防ぐことができ、所定の方向に安定してチップ２１を飛行させることができる。
　また、転写装置１０では、レーザ光源１１は、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに対し、光エネルギーの照射の軌跡が渦巻き状となるよう光エネルギーを照射する。こうすることにより、最後の粘着ポイント２４ａに光エネルギーが照射されるまでチップ２１が保持されている部分が端に偏ることを常に防ぐ状態となるため、所定の方向に安定してチップ２１を飛行させることができる。
　また、転写装置１および転写装置１０では、レーザ光源１１は、１つのチップ２１を保持する全ての粘着ポイント２４ａに対し、均等なパワーの光エネルギーを照射する。こうすることにより、制御が容易であり、かつ所定の方向に安定してチップ２１を飛行させることができる。
　（第３実施形態）
　本発明の第３実施形態における転写装置について、図８を参照して説明する。
　転写装置１００は、レーザ光１０１を照射するレーザ照射部１０２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１０３、転写基板把持部１０３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１０４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１０１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へチップ２１を転写する。
　レーザ照射部１０２は、本発明における活性エネルギー線照射部の一実施形態であり、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１０１を照射する装置であり、転写装置１００に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ照射部１０２はスポット状のレーザ光１０１を照射し、レーザ光１０１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１０５およびｆθレンズ１０６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１０３に保持された転写基板２２に複数配置されているチップ２１に選択的に照射する。レーザ光１０１が転写基板２２のチップ２１に入射することによって、転写基板２２とチップ２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるアブレーション生じ、転写基板２２から被転写基板２３へチップ２１が転写される。
　転写基板把持部１０３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ照射部１０２から発せられたレーザ光１０１を当てることができる。
　転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１０１を透過することが可能な基板であり、下面側でチップ２１を保持する。また、この転写基板２２のチップ２１を保持する面には後述のアブレーション層２４が形成されており、このアブレーション層２４の表面は粘着性を有する。このアブレーション層２４の表面の粘着力がチップ２１の保持力となり、チップ２１を粘着保持する。
　また、転写基板把持部１０３は図示しない移動機構により、少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に関して被転写基板把持部１０４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１０３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持されたチップ２１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。
　被転写基板把持部１０４は、上面に平坦面を有し、チップ２１の転写工程中、転写基板２２のアブレーション層２４およびアブレーション層２４が保持するチップ２１と被転写基板２３の被転写面が対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１０４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（チップ２１が転写されない方の面）を把持する。
　ここで、本実施形態における被転写基板２３は、ガラスなどを材料とする基板であり、被転写面（チップ２１を受ける側の面）は粘着性を有し、転写基板２２から転写されたチップ２１を粘着保持する。
　なお、本実施形態では、転写基板把持部１０３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１０３と被転写基板把持部１０４とが相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１０１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１０４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。
　以上の構成を有する転写装置１００によりチップ２１を転写基板２２から剥離させる過程を図９で説明する。
　転写基板２２のチップ２１を保持する面には、上述の通りアブレーション層２４が形成されている。このアブレーション層２４は、表面に粘着性を有しているとともに、レーザ光１１が照射されることによりアブレーションが生じる。
　本実施形態では、このアブレーション層２４は転写基板２２のチップ２１を保持する側の面の全面に形成されている。なお、図９（ａ）に示すように、このアブレーション層２４において１つのチップ２１を保持している範囲を本説明では保持領域Ｒと呼ぶ。
　また、本実施形態では、アブレーション層２４にレーザ光１０１が照射されることによって、アブレーション層２４と転写基板２２の本体との界面近傍でアブレーション層２４の材料が分解され、ガスが発生する。つまり、アブレーションが生じる。これに対してアブレーション２４の表面側は残存する。その結果、図９（ｂ）に示すように、レーザ光１０１の照射範囲ＢＲに対応するブリスター２５（膨らみ）が形成される。
　ここで、本実施形態では、図９（ｂ）に示すようにレーザ光１０１の照射範囲ＢＲは保持領域Ｒよりも小さく、１回のレーザ光１０１の照射によってブリスター２５が生じる範囲も保持領域Ｒよりも小さい。そして、本実施形態では、転写基板２２から被転写基板２３へチップ２１を転写させる際に、保持領域Ｒ内の複数箇所にレーザ光１０１を照射する。このとき、保持領域Ｒ内での各々のレーザ光１０１の照射箇所が適度に離間するよう、制御部がガルバノミラー１０５などを制御することにより、図９（ｃ）に示すように、レーザ光１０１の照射によって生じるブリスター２５をレーザ光の照射毎に独立して形成させることができる。すなわち、ブリスター２５同士が合体することなく個々にブリスター２５を形成させることができる。
　図９（ｃ）に示すように保持領域Ｒ内の複数箇所でブリスター２５が形成され、チップ２１を転写基板２２から浮き上がらせるような状態となった場合、アブレーション層２４とチップ２１とが接触する部位は各ブリスター２５の頂点近傍に限定され、アブレーション前と比較してアブレーション層２４とチップ２１の接触面積は大幅に低減する。また、図１８に示すように保持領域Ｒ内に１つのブリスター９３が形成される場合と比較して、レーザ光照射後の接触面積は大幅に小さくなる。
　ここで、アブレーション層２４によるチップ２１の粘着保持力は、接触面積とほぼ比例するため、ブリスター２５の発生後は粘着保持力が大幅に低減する。この粘着保持力がブリスター２５の発生によってチップ２１に付加される運動エネルギーおよび重力などの和であるチップ２１を切り離す力より小さくなった時に、図９（ｄ）に示すようにチップ２１は転写基板２２から剥離し、被転写基板２３へ転写される。
　以上の通り保持領域Ｒ内の複数箇所で保持領域Ｒより小さい照射範囲ＢＲを有するレーザ光１０１を照射し、アブレーションを生じさせることにより、アブレーション層２４とチップ２１の接触面積を確実に小さくすることができ、確実にチップ２１を転写基板２２から剥離させることができる。また、レーザ径を大きくする必要が無いため、ランニングコスト増大を防ぐことができる。
　図１０は、図９（ａ）に示すＡＡ矢視図であり、本実施形態の転写装置１００において１つのチップ２１を転写させるためのレーザ光１０１の照射手順を示している。
　図１０では照射範囲ＢＲを有するレーザ光１０１をアブレーション層２４における保持領域Ｒ内で９回照射することを示している。このとき、本実施形態では、渦巻き状の軌跡Ｌで示すように、保持領域Ｒにおいて外側から内側の順にレーザ光１０１を照射している。なお、図１０は、転写の開始直後であって９個の照射範囲ＢＲのうちスタート地点である左上の照射範囲ＢＲのみアブレーションが生じていることを示している。
　このようにレーザ光１０１を順番に照射する場合、レーザ光１０１の照射順にしたがってブリスター２５は形成されるが、本実施形態のように外側から内側の順にレーザ光１０１を照射することにより、全てのブリスター２５が形成されるまでの過程においてチップ２１が片持ち状態になることを防ぐことができる。これにより、チップ２１が剥離したときに落下方向がばらつくことを防ぎ、位置精度良くチップ２１を被転写基板２３に転写することができる。
　図１１は、他の実施形態におけるレーザ光１０１の照射手順を示している。この実施形態では、保持領域Ｒ内の全ての照射箇所に同時にレーザ光１１を照射し、複数のブリスター２５を同時に形成させている。このように全てのブリスター２５を同時に形成させてチップ２１を剥離させることにより、上記と同様、チップ２１が剥離したときに落下方向がばらつくことを防ぎ、位置精度良くチップ２１を被転写基板２３に転写することができる。
　ここで、本発明の転写装置１００は、アブレーション層２４はレーザ光１０１の照射によってブリスター２５が生じる形態に限らず、図１２に示すようにアブレーションによって照射範囲ＢＲ内のアブレーション層２４全体が分解されて消失する形態であっても良い。この場合であっても、保持領域Ｒ内の複数箇所で照射範囲ＢＲを有するレーザ光１０１を照射することにより、図１２（ａ）乃至（ｃ）に示す過程のように各照射範囲ＢＲにおいてアブレーション層２４が消失してゆき、確実にアブレーション層２４とチップ２１の接触面積を低減させることができる。そして、接触面積に比例するアブレーション層２４によるチップ２１の粘着保持力がチップ２１を切り離す力より小さくなった時に、図１２（ｄ）に示すようにチップ２１は転写基板２２から剥離し、被転写基板２３へ転写される。
　なお、この実施形態であっても、保持領域Ｒにおいて外側から内側の順にレーザ光１０１を照射することにより、また、保持領域Ｒ内の全ての照射箇所に同時にレーザ光１０１を照射することにより、位置精度良くチップ２１を被転写基板２３に転写することができる。
　次に、本発明の他の実施形態における転写基板２２を図１３に示す。
　前述の実施形態では、アブレーション層２４は転写基板２２のチップ２１を保持する側の面の全面に形成されている。これに対し、本実施形態の転写基板２２では、保持領域Ｒ内には、チップ２１に対する粘着保持力を有し、レーザ光１０１の照射によりブリスター２５が生じる保持部位２４ａと、粘着性を有さないためにチップ２１に対する保持力を有さず、レーザ光１０１の照射をおこなってもアブレーションおよびブリスターを生じない非保持部位２４ｂとが混在している。また、本実施形態では保持部位２４ａが千鳥状に配置され、各々の保持部位２４ａが非保持部位２４ｂにより分離されている。
　そして、図１３に示すように、各保持部位２４ａに照射範囲ＢＲを有するレーザ光１０１を照射し、各保持部位２４ａでブリスター２５を生じさせることによってチップ２１を転写基板２２から剥離させる。
　このように保持部位２４ａと非保持部位２４ｂとが混在することにより、各保持部位２４ａにて生じたブリスター２５同士が合体することを非保持部位２４ｂが阻害する。そのため、最終的に図９（ｃ）と同様に複数の小さなブリスター２５でチップ２１を保持する形態となり、レーザ光１０１の照射前と比較してアブレーション層２４とチップ２１の接触面積を大幅に小さくすることができる。
　また、非保持部位２４ｂが存在する分、保持領域Ｒ全体がアブレーション層２４となっている形態と比較してチップ２１の剥離に要するレーザ光１０１の照射点数が少なくなるため、転写時間およびランニングコストを低減させることが可能である。
　また、本実施形態の転写基板２２は、基板自体の形成の過程において、まず、前述の実施形態と同様にアブレーション層２４が転写基板２２のチップ２１を保持する側の面の全面に形成される。すなわち、非保持部位２４ｂは元来各保持部位２４ａと同じ材料である。そして、非保持部位２４ｂに相当する部位に選択的に紫外線が照射されることによってその部位が硬化する。これにより、粘着性が無くアブレーションを生じない非保持部位２４ｂが形成される。
　以上の転写装置および転写基板により、確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することが可能である。
　ここで、本発明の転写装置および転写基板は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、第１実施形態の転写装置１において位相回折素子１３によって形成される光線像２は、必ずしも図２のようなマトリクス状に光線が配列されたものでなくても構わない。粘着部２４の配置にあわせ、たとえば光線が千鳥状に配列されていても良い。
　また、転写基板把持手段がＸ軸方向およびＹ軸方向に転写基板２２を移動させ、光線像２との相対位置を変化させることにより、転写基板把持手段が光エネルギーシフト手段として機能しても良い。また、被転写基板把持手段にもＸ軸方向およびＹ軸方向に被転写基板２３を移動させる機構が設けられ、被転写基板２３上のチップ２１が転写される位置が調整されると良い。
　また、第１実施形態の転写装置１のように複数の光エネルギーを同時に照射する形態であっても、必ずしも１つのチップ２１を保持する全ての粘着ポイント２４に同時に光エネルギーが照射されなくても良い。たとえば、図１４に示すように光線束Ｂ１’’を形成するレーザ光の本数（図８では２×２本）はチップ２１を保持する粘着ポイント２４ａの数（図８では６×６個）よりも少なく、複数の光エネルギーの照射を順番に実施することによってチップ２１を転写基板２２から分離させても良い。
　また、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに順番に光エネルギーを照射するにあたり、光エネルギーの照射の時間間隔は均一でも良く、また、均一でなくても良い。たとえば、所定の方向に安定してチップ２１を飛行させることを目的に、最後の方の時間間隔をそれ以外の時間間隔と比較して長めに設定しても良い。
　また、１つのチップ２１を保持する複数の粘着ポイント２４ａに順番に光エネルギーを照射するにあたり、必ずしも外寄りに位置する粘着ポイント２４ａから内寄りに位置する粘着ポイント２４ａへの順で光エネルギーを照射することに限定されない。
　また、上記の説明では光エネルギーの照射範囲はスポット状であったが、ライン状でも構わない。この場合、粘着ポイントも図１５に示す粘着ポイント２４’のようにライン状であることが好ましい。
　また、上記の説明ではレーザ光Ｂもしくは光線束Ｂ１が照射された粘着ポイント２４ａは完全に消滅しているが、これに限らず、図１６に示すようにレーザアブレーションは転写基板２２における基材Ｗと粘着ポイント２４との接触面でのみ生じるようにし、レーザ光Ｂもしくは光線束Ｂ１が照射された後でも粘着ポイント２４ａがチップ２１側に残存していても構わない。こうすることにより、チップ２１に残存した粘着ポイント２４ａが後に他の基材Ｗに貼り付くことによって再度レーザリフトオフによるチップ２１の転写を実施することができる。
　また、たとえば第３実施形態において、保持領域Ｒで複数箇所に照射するレーザ光１０１のパワーは、均一であっても良く、また、例えば保持領域Ｒの中央部に近いほどパワーが大きいなど、不均一であっても良い。
　また、図１３に示した転写基板２２では、保持部位２４ａが千鳥状に配置されているが、これに限らずたとえばマトリクス状であっても良い。また、不規則に配置されていても良い。また、保持部位２４ａ同士は完全に分離されている必要はなく、ブリスター２５の合体を防ぐことが可能な範囲内でたとえば角部同士が若干連結されていても良い。
　また、上記の説明ではレーザ光１０１の照射範囲ＢＲは保持領域Ｒよりも小さいが、必ずしもこれに限らず、レーザ光１０１の照射範囲ＢＲの方が保持領域Ｒより大きくても構わない。そして、図１７（ａ）および（ｂ）に示すように照射範囲ＢＲを若干ずらしながらレーザ光１０１を照射することによって、保持領域Ｒの複数箇所で順にアブレーションを生じさせる形態であっても良い。
　１　転写装置
　２　光線像
　１０　転写装置
　１１　レーザ照射部（活性エネルギー線照射部）
　１２　ビームエキスパンダー
　１３　位相回折素子
　１４　ズームレンズ（可変焦点光学系）
　１５　コリメートレンズ
　１６　ガルバノミラー（光エネルギーシフト手段）
　１７　Ｆθレンズ
　１８　アパーチャ部材
　１８’　アパーチャ部材
　１９　アパーチャ
　１９’　アパーチャ
　２１　チップ（素子）
　２２　転写基板
　２３　被転写基板
　２４　アブレーション層
　２４ａ　粘着ポイント（保持部位）
　２４ｂ　被保持部位
　２５　ブリスター
　９１　素子
　９２　転写基板
　９３　ブリスター
　１００　転写装置
　１０１　レーザ光（活性エネルギー線）
　１０２　レーザ照射部（活性エネルギー線照射部）
　１０３　転写基板把持部
　１０４　被転写基板把持部
　１０５　ガルバノミラー
　１０６　Ｆθレンズ
　Ｂ　レーザ光
　Ｂ１　光線束
　Ｂ１’　光線束
　Ｂ１’’　光線束
　ＢＲ　照射範囲
　Ｒ　保持領域
　Ｌ　軌跡
　Ｓ　被照射面
　Ｗ　基材

Claims (14)

  1. 　転写基板が有するアブレーション層へ活性エネルギー線を照射してアブレーションを生じさせることにより、当該アブレーション層が保持する素子を前記転写基板から被転写基板へ転写させる転写装置であり、
    　前記転写基板を把持する転写基板把持部と、
    　前記転写基板の前記アブレーション層と前記被転写基板が対向するように前記被転写基板を把持する被転写基板把持部と、
    　前記転写基板把持部に保持された前記転写基板の前記アブレーション層へ活性エネルギー線を照射する活性エネルギー線照射部と、
    を備え、
    　前記活性エネルギー線照射部は、前記アブレーション層において１つの素子を保持する保持領域の複数箇所に活性エネルギー線を照射することを特徴とする、転写装置。
  2. 　活性エネルギー線の照射範囲は、前記保持領域よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の転写装置。
  3. 　前記アブレーション層は、アブレーションにより消失することを特徴とする、請求項１もしくは２に記載の転写装置。
  4. 　前記アブレーション層は、アブレーションによりブリスターを生じることを特徴とする、請求項１もしくは２に記載の転写装置。
  5. 　前記活性エネルギー線照射部は、各々の活性エネルギー線の照射毎に前記ブリスターが形成されるよう、活性エネルギー線を照射する箇所が制御されることを特徴とする、請求項４に記載の転写装置。
  6. 　前記アブレーション層は、各々独立した複数の保持部位により構成されており、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に個別に前記活性エネルギー線が照射されることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の転写装置。
  7. 　前記アブレーション層の前記保持領域には、素子に対する保持力を有し、活性エネルギー線の照射によりブリスターが生じる保持部位と、素子に対する保持力を有さず、活性エネルギー線によるブリスターを生じない非保持部位と、が混在することを特徴とする、請求項４もしくは５に記載の転写装置。
  8. 　前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に対し、所定の順序で活性エネルギー線を照射することを特徴とする、請求項６もしくは７に記載の転写装置。
  9. 　前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に対し、外寄りに位置する前記保持部位から内寄りに位置する前記保持部位へ順に活性エネルギー線を照射することを特徴とする、請求項８に記載の転写装置。
  10. 　　　　　　　　前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する複数の前記保持部位に対し、活性エネルギー線の照射の軌跡が渦巻き状となるよう活性エネルギー線を照射することを特徴とする、請求項８もしくは９のいずれかに記載の転写装置。
  11. 　前記活性エネルギー線照射部から出射された活性エネルギー線は複数本の活性エネルギー線からなるエネルギー線束に変換され、前記エネルギー線束は、１つの素子を保持する全ての前記保持部位に対し、同時に活性エネルギー線を照射することを特徴とする、請求項６もしくは７に記載の転写装置。
  12. 　前記活性エネルギー線照射部は、１つの素子を保持する全ての前記保持部位に対し、均等なパワーの活性エネルギー線を照射することを特徴とする、請求項６から１１のいずれかに記載の転写装置。
  13. 　転写基板に光エネルギーを照射することにより、レーザリフトオフを利用して当該転写基板が保持する転写対象を被転写基板へ転写する転写装置であり、
    　前記光エネルギーを形成するレーザ光を射出するレーザ光源と、
    　前記転写基板に対する前記光エネルギーの照射位置を調節する光エネルギーシフト手段と、
    を備え、
    　前記転写対象は、前記転写基板の前記転写対象と対向する面に設けられた複数の粘着ポイントを介して前記転写基板に保持されており、前記レーザ光源は、１つの前記転写対象を保持する複数の前記粘着ポイントに個別に前記光エネルギーを照射することにより、前記転写対象を挟んで前記転写基板に対向するよう配置された前記被転写基板へ前記転写対象を転写することを特徴とする、転写装置。
  14. 　活性エネルギー線の照射によりアブレーションが生じるアブレーション層で素子を保持する転写基板であり、
    　前記アブレーション層における１つの素子を保持する保持領域には、
    　素子に対する保持力を有し、活性エネルギー線の照射によりブリスターが生じる保持部位と、
    　素子に対する保持力を有さず、活性エネルギー線によるブリスターを生じない非保持部位と、が混在することを特徴とする、転写基板。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041500A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sony Corp 素子の転写方法、素子の間引き方法及び素子の転写装置
JP2014515883A (ja) * 2011-04-11 2014-07-03 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション レーザで促進される、分離した部品の選択的な転写
JP2020188261A (ja) * 2017-06-12 2020-11-19 ユニカルタ・インコーポレイテッド 基板上に個別部品を並列に組み立てる方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041500A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sony Corp 素子の転写方法、素子の間引き方法及び素子の転写装置
JP2014515883A (ja) * 2011-04-11 2014-07-03 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション レーザで促進される、分離した部品の選択的な転写
JP2020188261A (ja) * 2017-06-12 2020-11-19 ユニカルタ・インコーポレイテッド 基板上に個別部品を並列に組み立てる方法

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