JP2007319921A - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で高速にレーザ加工を施すことができるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】レーザ光学系１０は、ステージ２に対向して設置された集光手段としてのレーザ光照射部１１と、レーザ光Ｌを出射するレーザ光源１２と、レーザ光源１２からのレーザ光Ｌを任意の方向に転送可能なスキャナ１３と、スキャナ１３から転送されたレーザ光Ｌをレーザ光照射部１１に転送する二次転送手段１４と、を備えている。スキャナ１３から第１の方位に転送されたレーザ光Ｌは、第１の経路Ｐｓ１を経てワークＷ内の第１の集光点Ｐｃ１に集光され、これとは異なるタイミングで、スキャナ１３から第２の方位に転送されたレーザ光Ｌは、ワークＷ内の第２の集光点Ｐｃ２に集光される。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ光を用いたレーザ加工装置およびレーザ加工方法に関する。

レーザ光は、その特性を活かして医療分野や工業分野等に広く利用されており、その一つの利用例として、レーザ光を用いて加工対象物を切断する方法がある。例えば、特許文献１には、加工対象物の内部にレーザ光を集光させて、集光点の部位に多光子吸収による改質スポット（改質部）を形成した上で、当該改質スポットを起点とするへき開により加工対象物を切断する方法についての記載がある。

特開２００２−１９２３７０号公報

上述の方法では、加工対象物とレーザ光学系との相対移動により、集光点を当該加工対象物における切断予定線（仮想線）に沿って走査させて、上記改質スポットを切断予定線に沿って形成している。しかしながら、このようなレーザ加工方法は効率性が悪く、加工に長大な時間を要してしまうことになる。また、効率性を上げるために、レーザ光の出射に係る光学系を複数系統用意することも考えられるが、装置構成の大幅な複雑化を招いてしまうことになる。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、簡易な構成で高速にレーザ加工を施すことができるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供することを目的としている。

本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光を集光させる集光手段と、前記レーザ光源からの前記レーザ光を、時分割により第１および第２の経路で前記集光手段に転送するレーザ光転送手段であって、前記第１の経路に係る前記レーザ光が集光される第１の集光点と前記第２の経路に係る前記レーザ光が集光される第２の集光点とが、互いに異なる位置となるように構成されているレーザ光転送手段と、を備えることを特徴とする。

この発明のレーザ加工装置によれば、レーザ光転送手段によりレーザ光の集光手段への転送経路を時分割で変化させ、集光点の位置を移動させることにより、第１および第２の集光点において擬似的に多点加工を施すことができる。この場合において、集光点の位置の移動は、光学系の部分的な駆動（レーザ光の転送経路の切り替え）によって行うため、光学系全体や加工対象物を移動させる場合よりも高速に行うことができる。

また好ましくは前記レーザ加工装置において、前記集光点におけるピークパワー密度が１×１０⁸Ｗ／ｃｍ²以上であることを特徴とする。
この発明のレーザ加工装置によれば、集光点においていわゆる多光子吸収を利用した加工を施すことができる。

また好ましくは、前記レーザ加工装置において、前記第１の集光点と前記第２の集光点とが、板状の加工対象物の伸展方向において互いに異なる位置となるように構成されていることを特徴とする。
この発明のレーザ加工装置によれば、第１および第２の集光点において加工対象物の伸展方向における異なる位置にレーザ加工を施すことができる。

また好ましくは、前記レーザ加工装置において、前記第１の集光点と前記第２の集光点とが、板状の加工対象物の厚み方向において互いに略同一の位置となるように構成されていることを特徴とする。
この発明のレーザ加工装置によれば、第１および第２の集光点において加工対象物の厚み方向における略同一の位置にレーザ加工を施すことができるので、擬似多点加工における加工位置の制御が容易である。

また好ましくは、前記レーザ加工装置において、前記レーザ光転送手段は、前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を少なくとも前記第１および第２の経路に係る方位に転送するスキャナと、前記スキャナで転送された前記レーザ光を、前記集光手段に転送する二次転送手段と、を備えることを特徴とする。
この発明のレーザ加工装置によれば、第１および第２の経路の切り替えを、スキャナにおけるレーザ光の転送方位の切り替えによって行うことができる。このような転送方位の切り替えは、わずかな回転駆動によって行うことができるため高い応答性を有しており、高速なレーザ加工を実現する。

また好ましくは、前記スキャナを備える前記レーザ加工装置において、前記スキャナはミラースキャナであることを特徴とする。
この発明のレーザ加工装置によれば、高速かつ高効率でレーザ光を転送することができる。

また好ましくは、前記二次転送手段を備える前記レーザ加工装置において、前記二次転送手段は、互いに光軸をそろえた二つのレンズを有していることを特徴とする。
この発明のレーザ加工装置によれば、多様な転送経路に対応した二次転送手段を比較的簡単に構成することができる。

本発明は、加工対象物内にレーザ光源から出射されたレーザ光を集光手段で集光して、当該加工対象物にレーザ加工を施すレーザ加工方法であって、前記レーザ光源からの前記レーザ光を、第１の経路で前記集光手段に転送して、第１の集光点に集光する第１集光ステップと、前記レーザ光源からの前記レーザ光を、第２の経路で前記集光手段に転送して、前記第１の集光点と異なる位置における第２の集光点に集光する第２集光ステップと、を有することを特徴とする。

この発明のレーザ加工方法によれば、レーザ光の集光手段への転送経路を時分割で変化させ、集光点の位置を移動させることにより、第１および第２の集光点において擬似的に多点加工を施すことができる。この場合において、集光点の位置の切り替えは、光学系の部分的な駆動（レーザ光の転送経路の切り替え）によって行うようになっているため、光学系全体や加工対象物を移動させる場合よりも高速に行うことができる。

また好ましくは、前記レーザ加工方法において、前記加工対象物を前記集光手段に対して相対移動させることにより、当該加工対象物内において、前記第１および第２の集光点を走査することを特徴とする。
この発明のレーザ加工方法によれば、加工対象物に対して線状にレーザ加工を施すことができる。

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、以下の説明で参照する図では、図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。

（第１実施形態）
（レーザ加工装置の構成）
まずは、図１を参照して、本発明に係るレーザ加工装置の構成について説明する。
図１は、レーザ加工装置の概略構成を示す図である。

図１において、レーザ加工装置１は、加工対象物としてのワークＷを載置するためのステージ２と、ステージ２をＸＹＺの３軸方向に移動させるステージ移動機構３と、ワークＷにレーザ光Ｌを照射するためのレーザ光学系１０と、動作制御のための制御系３０とを備えている。

レーザ光学系１０は、ステージ２に対向して設置された集光手段としてのレーザ光照射部１１と、レーザ光Ｌを出射するレーザ光源１２と、レーザ光源１２からのレーザ光Ｌを任意の方向に転送可能なスキャナ１３と、スキャナ１３から転送されたレーザ光Ｌをレーザ光照射部１１に転送する二次転送手段１４と、を備えている。

レーザ光照射部１１は、対物レンズ１５を有しており、レーザ光照射部１１に転送されたレーザ光Ｌは、対物レンズ１５によってワークＷ内に集光される。尚、本実施形態では対物レンズ１５として高開口数の凸レンズが用いられているが、非球面レンズや回折格子などを採用することもできる。

レーザ光源１２は、フェムト秒のパルス幅で出射することができるいわゆるフェムト秒レーザである。本実施形態では、チタンサファイアを固体光源とした中心波長：８００ｎｍ、半値幅：１０ｎｍのものが用いられているが、いわゆるＹＡＧレーザを採用することもできる。

スキャナ１３は、可動式のミラー１６でレーザ光Ｌを反射させるミラースキャナである。具体的には、ガルバノミラースキャナ、ポリゴンミラースキャナ、ＭＥＭＳミラースキャナなどが用いられており、スキャナ１３は、高速且つ高効率にレーザ光Ｌを任意の方向に転送することができる。

二次転送手段１４は、互いに光軸をそろえた二つの凸レンズ１７ａ，１７ｂを有しており、本実施形態では、凸レンズ１７ａ，１７ｂの光軸は、対物レンズ１５の光軸ｌａと一致するようにされている。ここで、凸レンズ１７ａ，１７ｂとしては、対物レンズ１５の径よりも十分大きなものが選ばれており、また、凸レンズ１７ａの一方の焦点はミラー１６におけるレーザ光Ｌの反射位置に、凸レンズ１７ｂの一方の焦点は対物レンズ１５の中心位置になるように配置されている。

かくして、スキャナ１３から第１の方位に光軸ｌａに対する出射角θ１で転送されたレーザ光Ｌは、第１の経路Ｐｓ１を経て光軸ｌａに対するθ１の入射角で対物レンズ１５に入射し、ワークＷ内の第１の集光点Ｐｃ１に集光される。また、これとは異なるタイミングで、スキャナ１３から第２の方位に光軸ｌａに対する出射角θ２で転送されたレーザ光Ｌは、第２の経路Ｐｓ２を経て光軸ｌａに対するθ２の入射角で対物レンズ１５に入射し、ワークＷ内の第２の集光点Ｐｃ２に集光される。尚、本実施形態では、第１および第２の経路Ｐｓ１，Ｐｓ２は光軸ｌａを含む同一平面内に設定されているが、必ずしもこのような態様に限定されるものではない。

このように、レーザ光学系１０は、レーザ光ＬのワークＷに対する入射経路（レーザ光Ｌの転送経路）を時分割で変化させることにより、ワークＷにおける集光点の位置を高速に移動させることができるようにされている。ワークＷにおける集光点の位置移動は、ステージ２の移動動作によっても行うことができるが、前者ようなレーザ光Ｌの転送経路を変化させる方法のほうが応答性に優れており、高速な集光点の移動が可能である。

これにより、レーザ加工装置１は、簡易な構成でありながら擬似的に複数の集光点にレーザ光Ｌを集光させ、ワークＷに対して高速にレーザ加工を施すことができる。本実施形態の場合は、第１の経路Ｐｓ１に係る第１の集光点Ｐｃ１、および第２の経路に係る第２の集光点Ｐｃ２の二点においてレーザ加工を施すことが可能である。

集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２の位置は、対物レンズ１５へのレーザ光Ｌの入射角θ１，θ２（スキャナ１３からのレーザ光Ｌの出射角θ１，θ２と言うこともできる）や、対物レンズ１５の特性（開口数、焦点距離）、ワークＷの屈折率などによって決まる。このため、レーザ加工装置１は、加工目的に応じてこれらの要素について適切な条件設定を行っておく必要がある。

例えば本実施形態の場合、第１および第２の経路Ｐｓ１，Ｐｓ２に係るレーザ光Ｌの入射角θ１，θ２は、互いに等しくなるように設定されている。これは、集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２のワークＷにおける深度ｄ（ワークＷの厚み方向の位置）を互いに等しくして、擬似多点加工における加工位置の制御を容易にするためである。また、レーザ光Ｌの入射角θ１，θ２は、集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２間の水平距離ｉ（ワークＷの伸展方向における距離）が加工目的に応じた距離となるように、適切な値に設定されている。

制御系３０は、スキャナ１３の駆動制御を行うスキャナ制御部３２と、レーザ光源１２の出射制御を行うレーザ制御部３３と、ステージ移動機構３の駆動制御を行うステージ制御部３４と、これらの統括制御を行うメインコンピュータ３１とを備えている。尚、メインコンピュータ３１には、装置の制御条件（上述した入出射角の設定も含まれる）の設定を行うためのユーザインタフェース（入出力機器）が付属されている。

ワークＷ内におけるレーザ光Ｌの集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２の位置は、ステージ移動機構３の駆動制御によって３軸方向（ＸＹＺ軸方向）に自由に移動（走査）させることが可能である。レーザ加工装置１は、あらかじめ設定した所定の走査軌跡に合わせてワークＷにおける集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２の位置を移動（走査）させつつ、当該集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２において次のようなレーザ加工を施すようになっている。

レーザ光ＬをワークＷ内において十分な強度で集光すると、その集光点Ｐｃ１（Ｐｃ２）には、多光子吸収と呼ばれる現象により改質部７０が形成される。この改質部７０は、ワークＷにおける分子構造（結晶構造、非晶質構造）が変化した部分のことを指しており、光学的には、周囲の部分と異なる屈折率を示すものである。このような改質部７０が形成されるワークＷの材質としては、ガラス、石英ガラス、半導体（シリコンないしその化合物）などが挙げられる。

上述のような多光子吸収により改質部７０を形成するためには、集光点Ｐｃ１（Ｐｃ２）におけるピークパワー密度を１×１０⁸Ｗ／ｃｍ²以上に高める必要があり、本実施形態のレーザ加工装置１は、ピークパワー密度が８×１０¹²Ｗ／ｃｍ²となるような構成とされている。具体的な条件としては、レーザ光Ｌのパルス幅が３００ｆｓ、出力が７００ｍＷとされ、また、対物レンズ１５には倍率１００倍、開口数が０．８のものが用いられている。

（液晶表示パネルの構成およびその製造工程の概略）
次に、図２、図３、図４を参照して、液晶表示パネルの構成とその製造工程の概略について説明する。
図２は、液晶表示パネルの要部構成を示す一部破断の斜視図である。図３は、パネルアセンブリの外観を示す平面図である。図４は、パネルアセンブリの内部構成を示す図３のＡ−Ａ断面図である。

図２に示すように、液晶表示パネル５０は、シール材５３を介して接合された素子基板５１と対向基板５２との間に液晶５４が封入された構成となっている。素子基板５１における液晶５４側の面には、所定の配列をなす駆動素子（ＴＦＴ等）や駆動素子の駆動制御を行うドライバ回路５６を含む回路層５５が形成されており、表示領域Ｄにおける画素領域毎の階調制御を行うようになっている。また、図示を省略してはいるが、回路層５５や対向基板５２の液晶５４側の面には、電極や遮光膜、配向膜などが形成されている。

素子基板５１（回路層５５を含む）の一部は、対向基板５２と対向していない拡張領域５９とされており、この拡張領域５９における回路層５５の露出面において、ドライバ回路５６と電気的に接続する入力端子５７が形成されている。入力端子５７は、制御信号を伝送するフレキシブル配線基板５８の出力端子（図示されていない）と接続されている。

液晶表示パネル５０は、図３、図４に示すパネルアセンブリ６０を、Ｘ軸方向に伸長する切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２、およびＹ軸方向に伸長する切断予定線Ｌｙに沿って切断することで得られる。この切断は、上述したレーザ加工を利用して行われる。尚、切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２，Ｌｙは仮想線であり、視覚的に識別可能な線がパネルアセンブリ６０上に描かれているわけではない。

パネルアセンブリ６０は、素子基板５１、対向基板５２にそれぞれ対応するマザー基板６１，６２を用いて、回路層５５の形成や両基板６１，６２の接合（液晶５４の封入）などの工程を経て製造される。本実施形態では、マザー基板６１として石英ガラス基板が、マザー基板６２としてガラス基板が用いられている。

パネルアセンブリ６０の切断では、まず、上述したレーザ加工装置１（図１参照）を用いて、切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２，Ｌｙに沿って連続的な軌跡を描くように、マザー基板６１およびマザー基板６２内に改質部７０（図１参照）を形成する。この改質部７０は、マザー基板６１，６２に適切な外部応力を与えた際に、へき開を生じさせる起点となる部分であり、このような方法によって高精度にマザー基板６１，６２を切断することができる。

上述のレーザ加工装置１を用いた場合、一回のレーザ光の照射で形成できる改質部７０の大きさは１００〜３００μｍ程度である。このため、確実な切断を期すためには、改質部７０をマザー基板６１，６２の厚み方向に重ねて形成することが好ましい。

切断予定線Ｌｘ１，Ｌｙについてのレーザ加工（改質部の形成）は、マザー基板６１，６２の双方に対して行われ、切断によって液晶表示パネル５０が個体単位で分離される。また、切断予定線Ｌｘ２についてのレーザ加工は、マザー基板６２に対してのみ行われ、これにより対向基板５２の一部が切り出されて、素子基板５１の拡張領域５９が形成される。

（レーザ加工方法）
次に、図１、図５を参照して、パネルアセンブリに対するレーザ加工を例として本発明に係るレーザ加工方法について説明する。
図５は、パネルアセンブリにおけるレーザ加工の過程を示す部分斜視図である。

レーザ加工は、ワークＷとしてのパネルアセンブリ６０をステージ２に載置し、３軸方向（ＸＹＺ軸方向）の位置合わせや集光点の走査軌跡の設定を行った後、次のように行われる。

レーザ加工装置１は、まず設定された走査軌跡に対応する初期位置にステージ２を移動させ、スキャナ１３、レーザ光源１２の適切な制御の下、レーザ光Ｌを第１の経路Ｐｓ１で転送し、マザー基板６２内における第１の集光点Ｐｃ１に当該レーザ光Ｌを集光する（第１集光ステップ）。続いて、スキャナ１３、レーザ光源１２の適切な制御の下、レーザ光Ｌを第２の経路Ｐｓ２で転送し、マザー基板６２内における第２の集光点Ｐｃ２に当該レーザ光Ｌを集光する（第２集光ステップ）。これにより、マザー基板６２内における第１および第２の集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２の位置には改質部７０が形成される。

図５に示す例では、第１の集光点Ｐｃ１が切断予定線Ｌｘ２の位置に、第２の集光点Ｐｃ２が切断予定線Ｌｘ１の位置にくるように、ステージ２の位置制御やレーザ光Ｌの転送経路（スキャナ１３による転送方位）の制御がなされる。そして、ステージ２をＸ軸方向に移動させることで、第１および第２の集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２は、切断予定線Ｌｘ２，Ｌｘ１に沿って走査される。

かくして、マザー基板６２には、切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２に沿って伸長した線状の改質部７０が形成される。このような線状の改質部７０の形成は、同じ切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２についてマザー基板６２の異なる深度に対しても、あるいはマザー基板６１に対しても、あるいは異なる切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２，Ｌｙについても行われる。尚、切断予定線Ｌｙに沿って改質部７０を形成する場合などは、第１または第２の集光点Ｐｃ１，Ｐｃ２のいずれか一方において、レーザ光Ｌの照射（集光）を行えば足りる。

このように、上述のレーザ加工方法によれば、互いに離間された切断予定線Ｌｘ１，Ｌｘ２に沿って伸長する線状の改質部７０を一度の走査で形成することができるため、加工時間の短縮化を図ることができる。

（変形例）
次に、図６を参照して、第１実施形態の変形例について、先の実施形態との相違点を中心に説明する。
図６は、レーザ加工装置の概略構成を示す図である。

この変形例に係るレーザ加工装置１は、光軸ｌａを含む同一平面内に設定された第１の経路Ｐｓ１、第２の経路Ｐｓ２、第３の経路Ｐｓ３でレーザ光Ｌを対物レンズ１５に転送し、それぞれワークＷ内の異なる位置において集光する。第１〜第３の経路Ｐｓ１〜Ｐｓ３に係るレーザ光Ｌは、光軸ｌａに対する対物レンズ１５への入射角を互いに違えることにより、その集光点のワークＷ内における深度を互いに違えるようにされている。

かくして、レーザ光Ｌの集光点をＹ軸方向に沿って走査させた場合において、ワークＷ内の異なる深度の位置に、線状に伸長した改質部を一度の走査で形成することができる。これにより、加工時間を大幅に短縮することができる。

この変形例のように、本発明のレーザ加工装置およびレーザ加工方法は、集光点の位置を加工対象物（ワーク）の厚み方向に違える態様とすることもできるし、また、３以上の経路でレーザ光を転送する態様とすることもできる。また、レーザ光の転送経路やその組み合わせは、本発明の趣旨を変えない範囲で様々な態様とすることができる。

（第２実施形態）
次に、図７を参照して、本発明の第２実施形態について、先の実施形態との相違点を中心に説明する。
図７は、第２実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。

第２実施形態に係る二次転送手段１４は、鏡面の法線が対物レンズ１５の光軸ｌａに対して垂直になるように互いに対向して配置されたミラー１８ａ，１８ｂを備えている。また、ミラー１８ａ，１８ｂは図示しない機構によって可動式となっており、制御系３０のミラー制御部３５によってその位置（鏡面の方位も含む）を変化させることができるようになっている。

スキャナ１３により第１の方位に転送されたレーザ光Ｌは、ミラー１８ａの反射により第１の経路Ｐｓ１を経てワークＷ内の第１の集光点に集光される。また、異なるタイミングで、スキャナ１３により第２の方位に転送されたレーザ光Ｌは、ミラー１８ｂの反射により第２の経路Ｐｓ２を経てワークＷ内の第２の集光点に集光される。この構成において、レーザ光Ｌの転送経路の制御は、図示するように、ミラー１８ａ（１８ｂ）を移動させると共にスキャナ１３からの転送の方位を変えることで行うことができる。

この第２実施形態のように、本発明に係る二次転送手段（レーザ光転送手段）の構成は、様々な態様とすることができる。例えば、ミラー１８ａ，１８ｂに代えてプリズムや回折格子などを採用することもできる。

本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。

レーザ加工装置の概略構成を示す図。 液晶表示パネルの要部構成を示す一部破断の斜視図。 パネルアセンブリの外観を示す平面図。 パネルアセンブリの内部構成を示す図３のＡ−Ａ断面図。 パネルアセンブリにおけるレーザ加工の過程を示す部分斜視図。 レーザ加工装置の概略構成を示す図。 第２実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図。

符号の説明

１…レーザ加工装置、２…ステージ、３…ステージ移動機構、１０…レーザ光学系、１１…集光手段としてのレーザ光照射部、１２…レーザ光源、１３…レーザ転送手段を構成するスキャナ、１４…レーザ転送手段を構成する二次転送手段、１５…対物レンズ、１６…ミラー、１７ａ，１７ｂ…凸レンズ、１８ａ，１８ｂ…ミラー、３０…制御系、５０…液晶表示パネル、５８…フレキシブル配線基板、５９…拡張領域、６０…パネルアセンブリ、６１，６２…マザー基板、７０…改質部、Ｌ…レーザ光、Ｗ…ワーク、Ｐｓ１…第１の経路、Ｐｓ２…第２の経路、Ｐｓ３…第３の経路、Ｐｃ１…第１の集光点、Ｐｃ２…第２の集光点。

Claims (9)

1. レーザ光を出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光を集光させる集光手段と、
   前記レーザ光源からの前記レーザ光を、時分割により第１および第２の経路で前記集光手段に転送するレーザ光転送手段であって、前記第１の経路に係る前記レーザ光が集光される第１の集光点と前記第２の経路に係る前記レーザ光が集光される第２の集光点とが、互いに異なる位置となるように構成されているレーザ光転送手段と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
2. 前記集光点におけるピークパワー密度が１×１０⁸Ｗ／ｃｍ²以上であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記第１の集光点と前記第２の集光点とが、板状の加工対象物の伸展方向において互いに異なる位置となるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ加工装置。
4. 前記第１の集光点と前記第２の集光点とが、板状の加工対象物の厚み方向において互いに略同一の位置となるように構成されていることを特徴とする請求項３に記載のレーザ加工装置。
5. 前記レーザ光転送手段は、前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を少なくとも前記第１および第２の経路に係る方位に転送するスキャナと、
   前記スキャナで転送された前記レーザ光を、前記集光手段に転送する二次転送手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
6. 前記スキャナはミラースキャナであることを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工装置。
7. 前記二次転送手段は、互いに光軸をそろえた二つのレンズを有していることを特徴とする請求項５または６に記載のレーザ加工装置。
8. 加工対象物内にレーザ光源から出射されたレーザ光を集光手段で集光して、当該加工対象物にレーザ加工を施すレーザ加工方法であって、
   前記レーザ光源からの前記レーザ光を、第１の経路で前記集光手段に転送して、第１の集光点に集光する第１集光ステップと、
   前記レーザ光源からの前記レーザ光を、第２の経路で前記集光手段に転送して、前記第１の集光点と異なる位置における第２の集光点に集光する第２集光ステップと、を有することを特徴とするレーザ加工方法。
9. 前記加工対象物を前記集光手段に対して相対移動させることにより、当該加工対象物内において、前記第１および第２の集光点を走査することを特徴とする請求項８に記載のレーザ加工方法。
   

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