WO2022157848A1 - 発光デバイスの製造方法、および発光デバイス - Google Patents

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考洋 安達
康 浅岡
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シャープ株式会社
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    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Definitions

  • the present invention relates to a light-emitting device having a plurality of light-emitting elements and a method for manufacturing the light-emitting device.
  • Patent Document 1 discloses a method of patterning a layer containing quantum dots by photolithography by mixing quantum dots into a photoresist.
  • Patent Document 1 a layer containing quantum dots of each color is formed over the entire surface, and patterning is repeated by photolithography. As such, the quantum dots can remain as residue at locations where the layer containing the quantum dots has been removed. Therefore, there is a problem that color mixture occurs.
  • a method for manufacturing a light-emitting device of the present disclosure is a method for manufacturing a light-emitting device including a light-emitting element forming step of forming a first light-emitting element including a first light-emitting layer on a substrate, In the light-emitting element forming step, a first laminate is formed by laminating a first reversal resist, a first light-emitting material layer containing a light-emitting material for the first light-emitting layer, and a first positive resist in this order from the substrate side.
  • the method includes a first light-emitting layer forming step of forming the first light-emitting layer by patterning.
  • the light emitting device of the present disclosure includes a substrate, a first lower layer electrode, a first light emitting layer, and a first upper layer electrode, which are laminated in this order from the substrate side.
  • the upper first light emitting element and the first light emitting element further include a photosensitive resin layer between the first lower layer electrode and the first light emitting layer, and the photosensitive resin layer has the following structural formula: At least one selected from the group consisting of compounds represented by (1) to (3), and selected from the group consisting of aromatic hydrocarbons having a hydroxyl group, 1-hydroxyethyl-2-alkylimidazoline, and shellac and at least one type.
  • R1 and R2 each independently represent a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • contamination of the luminescent material of the first luminescent layer as residue into regions where the first luminescent layer is not formed is reduced.
  • FIG. 4 is a flow chart showing an example of a method for manufacturing a display device according to the present invention
  • 1 is a schematic plan view showing an example of the configuration of a display device according to the invention
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a display area of a display device according to the present invention
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a light-emitting element layer in a display device according to one embodiment of the invention
  • FIG. FIG. 5 is a schematic flow diagram showing an example of a process for forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate
  • FIG. 6 is a schematic flow chart showing processes performed in the process of performing the process including the formation of the red light emitting layer and the process of performing the process including the formation of the green light emitting layer 35g shown in FIG. 5; 6 is a schematic flow diagram showing a process performed in the step of performing a process including formation of a blue light-emitting layer shown in FIG. 5; FIG. 5A and 5B are schematic cross-sectional views showing an example of a process of forming an example of a light-emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate; 5A and 5B are schematic cross-sectional views showing an example of a process of forming an example of a light-emitting element layer shown in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate.
  • FIG. 5] is a schematic cross-sectional view showing another example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 4 on a substrate.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of the configuration of the light-emitting element layer in the display device according to one embodiment of the invention.
  • FIG. FIG. 27 is a schematic flow diagram showing an example of a process for forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 26 on a substrate; 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of the configuration of the light-emitting element layer in the display device according to one embodiment of the invention.
  • FIG. 5 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of a hole transport layer, a lower resin layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of the light emitting element layer shown in FIG. 4.
  • FIG. 21 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of a hole transport layer, a lower resin layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of the light emitting element layer shown in FIG. 20;
  • FIG. 21 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of a hole transport layer, a lower resin layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of the light emitting element layer shown in FIG. 20;
  • FIG. FIG. 27 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of a hole transport layer, a lower resin layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of the light emitting element layer shown in FIG.
  • FIG. 26 29 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of a hole transport layer, a lower resin layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of the light emitting element layer shown in FIG. 28.
  • FIG. 29 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of a hole transport layer, a lower resin layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of the light emitting element layer shown in FIG. 28.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a light-emitting element layer in a display device according to another embodiment of the invention
  • FIG. 36 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG.
  • FIG. 36 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 35 on a substrate;
  • FIG. 36 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 35 on a substrate;
  • FIG. 36 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 35 on a substrate;
  • FIG. 36 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 35 on a substrate;
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a light-emitting element layer in a display device according to still another embodiment of the invention
  • FIG. 42 is a schematic flow diagram showing the process performed to form the light emitting device layer shown in FIG. 41
  • FIG. 43 is a schematic cross-sectional view showing the processing shown in FIG. 42
  • FIG. 46 is a schematic cross-sectional view showing the processing shown in FIG. 42 and the processing shown in FIG. 45 to be described later
  • FIG. 42 is a schematic flow diagram showing another process performed to form the light emitting device layer shown in FIG. 41
  • FIG. 46 is a schematic cross-sectional view showing the processing shown in FIG. 45
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a light-emitting element layer in a display device according to still another embodiment of the invention
  • 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate;
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate;
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate;
  • FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming an example of the light emitting element layer shown in FIG. 47 on a substrate;
  • Embodiment 1 Manufacturing method and configuration of display device
  • “same layer” means formed in the same process (film formation process)
  • “lower layer” means formed in a process earlier than the layer to be compared
  • the “upper layer” means that it is formed in a process after the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flow chart showing an example of a display device manufacturing method.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of the configuration of the display device 2 (light emitting device).
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the display area DA of the display device 2 shown in FIG.
  • a resin layer 12 is formed on a translucent support substrate (for example, mother glass) (step S1).
  • a barrier layer 3 is formed (step S2).
  • a thin film transistor layer 4 (TFT layer) is formed (step S3).
  • a top emission type light emitting element layer 5 is formed (step S4).
  • a sealing layer 6 is formed (step S5).
  • the top film 9 is attached onto the sealing layer 6 via the adhesive layer 8 (step S6).
  • the support substrate is peeled off from the resin layer 12 by laser light irradiation or the like (step S7).
  • the bottom film 10 is attached to the bottom surface of the resin layer 12 (step S8).
  • the laminate including the lower film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the thin film transistor layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is cut to obtain a plurality of individual pieces (step S9).
  • the functional film 39 is attached to the obtained individual piece via the adhesive layer 38 (step S10).
  • an electronic circuit board for example, an IC chip and an FPC is mounted on a portion (terminal portion) of the frame area NA (non-display area) surrounding the display area DA in which a plurality of sub-pixels are formed (step S11).
  • steps S1 to S11 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs steps S1 to S5).
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 (anode, so-called pixel electrode) above the planarizing film 21 , an insulating edge cover 23 covering the edge of the anode 22 , and an EL (electroluminescence) layer above the edge cover 23 . ) layer and a cathode 25 (cathode, so-called common electrode) above the active layer 24 .
  • a light-emitting element ES (electroluminescence element), which is a QLED, is formed in the light-emitting element layer 5 and includes an island-shaped anode 22, an active layer 24, and a cathode 25.
  • a sub-pixel circuit controls the light-emitting element ES. is formed in the thin film transistor layer 4 .
  • the sealing layer 6 is translucent and includes an inorganic sealing film 26 covering the cathode 25 , an organic buffer film 27 above the inorganic sealing film 26 , and an inorganic sealing film 28 above the organic buffer film 27 . including.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents permeation of foreign substances such as water and oxygen into the light emitting element layer 5 .
  • a translucent sealing member may be adhered with a sealing adhesive under a nitrogen atmosphere.
  • the translucent sealing member can be made of glass, plastic, or the like, and preferably has a concave shape.
  • the first embodiment particularly relates to the step of forming the light emitting element layer 5 (step S4) in the method of manufacturing the display device described above.
  • the first embodiment particularly relates to the active layer 24 in the configuration of the display device described above.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light emitting element layer 5 in the display device 2 according to the first embodiment.
  • a red sub-pixel Pr first light emitting element, red light emitting element
  • a green sub A pixel Pg second light emitting element, green light emitting element
  • a blue sub-pixel Pb third light emitting element, blue light emitting element
  • An example of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 4 includes, in order from the substrate side (lower side in FIG. 4), the anode 22 (lower layer electrode, first lower layer electrode), the hole injection layer 31, Hole transport layer 33 (carrier transport layer), red lower resin layer 34r (photosensitive resin layer), red light emitting layer 35r (first light emitting layer), electron transport layer 37, and cathode 25 (upper electrode, first upper electrode )including.
  • an example of the light emitting element layer 5 includes, in order from the substrate side, the anode 22 (second lower layer electrode), the hole injection layer 31, the hole transport layer 33, and the green lower layer resin layer 34g ( photosensitive resin layer), green light emitting layer 35g (second light emitting layer), electron transport layer 37, and cathode 25 (second upper layer electrode).
  • an example of the light emitting element layer 5 includes, in order from the substrate side, the anode 22 (third lower layer electrode), the hole injection layer 31, the hole transport layer 33, and the blue light emitting layer 35b (second layer) in the region of the blue subpixel Pb. 3 light emitting layer), electron transport layer 37, and cathode 25 (third top layer electrode).
  • the red lower resin layer 34r and the green lower resin layer 34g are collectively referred to as the "lower resin layer 34".
  • the red light emitting layer 35r, the green light emitting layer 35g, and the blue light emitting layer 35b are collectively referred to as "light emitting layer 35".
  • the hole injection layer 31 may be omitted.
  • Hole-transport layer 33 includes a hole-transport material.
  • Hole - transporting materials are, for example, inorganic materials such as NiO, CuI, Cu2O, CoO, Cr2O3 , and CuAlS.
  • hole-transporting materials include, for example, PEDOT:PSS, poly((9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co(4,4′-(N-(4-sec-butylphenyl) diphenylamine))) (TFB), poly(N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)benzidine) (poly-TPD), (1,1-bis(4-(N,N- di(p-tolyl)amino)phenyl)cyclohexane) (TAPC), organic polysilane compound, N4,N4'-bis(4-(6-((3-ethyloxetan-3-yl)methoxy
  • the lower resin layer 34 is a resin layer made of a reversal resist material.
  • reversal resist material means a material that includes a reversal photoresist.
  • positive resist material means a material that includes a positive photoresist.
  • a positive resist contains, for example, an uncured resin and a sensitizer.
  • the resin is soluble in the developer and includes, for example, acrylic resins, novolac resins, rubber-based resins, styrene-based resins, and epoxy-based resins.
  • the sensitizer is, for example, an NQD (NaphtoQuinoneDiazide) compound.
  • the NQD compound is insoluble in the developer.
  • the NQD compound is converted into an indenecarboxylic acid compound by exposure as shown in the following reaction formula (1). Indene carboxylic acids are soluble in compound developers.
  • NQD compounds are also called DNQ (DiazoNaphtoQuinone) compounds.
  • R1 is a portion other than the NQD group of the NQD compound and represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • the developer is an alkaline aqueous solution or an organic solvent.
  • Alkaline aqueous solutions are, for example, aqueous solutions of inorganic materials such as KOH and NaOH, and aqueous solutions of organic materials such as TMAH (tetramethylammonium).
  • organic solvents include PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), acetone, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), DMSO (dimethyl sulfoxide), IPA (isopropanol), and the like.
  • the positive resist is insoluble in the developer in the initial state before exposure, and becomes soluble in the developer upon exposure.
  • a reversal resist is, for example, a positive resist to which a negative working agent is added.
  • Negative working agents include amines, hydroxyl-containing aromatic hydrocarbons, 1-hydroxyethyl-2-alkylimidazolines, and shellac.
  • the negative working agent acts as a catalyst on the indenecarboxylic acid compound to promote decarboxylation. Therefore, the indenecarboxylic acid compound is transformed into a developer-insoluble compound by heating as shown in the following reaction formulas (2) to (4).
  • reaction formula (2) when the cross-linking reaction represented by reaction formula (2) is dominant, the reversal resist is cured.
  • R2 is a portion other than the indenecarboxyl group of the resin contained in the reversal resist or the indenecarboxylic acid compound, and represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • the reversal resist is insoluble in the developer in the initial state before exposure, and becomes soluble in the developer upon exposure. Furthermore, after the reversal resist is solubilized by exposure to light, it is again insolubilized in the developer by heating or laser irradiation.
  • re-insolubilization means that the reversal resist becomes insoluble again after becoming soluble in the developer. The re-insolubilized reversal resist does not become soluble even if it is exposed again.
  • the lower resin layer 34 is formed by re-insolubilizing the reversal resist as described above, or by re-insolubilizing and firing the reversal resist. For this reason, at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following structural formulas (1) to (3), an aromatic hydrocarbon having a hydroxyl group, 1-hydroxyethyl-2-alkylimidazoline, and shellac
  • the lower resin layer 34 includes at least one selected from the group consisting of
  • R1 and R2 each independently represent a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • the thickness of the lower resin layer 34 is preferably 50 nm or less, more preferably 40 nm or less. Since resin is generally a dielectric and has a high electrical resistivity, the thickness of the lower resin layer 34 greatly contributes to the level of the electrical resistance of the entire light emitting element. Therefore, in order to reduce the electrical resistance of the entire light emitting element in the direction perpendicular to the substrate of the light emitting layer 35, the lower resin layer 34 is preferably thin.
  • the red lower resin layer 34r and the green lower resin layer 34g may be integrated with or separate from each other.
  • the light-emitting material included in each light-emitting layer 35 may be an organic light-emitting material or an inorganic light-emitting material such as quantum dots.
  • the quantum dots may be core-shell quantum dots or core-multishell quantum dots.
  • Combinations of core materials/shell materials of core-shell quantum dots include, for example, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdTe/CdS, INP/ZNS, GaP/ZNS, Si/ZNS, INN/GaN, INP/CdSSe, INP/ ZNSeTe, GaINP/ZNSe, GaINP/ZNS, Si/AlP, INP/ZNSTe, GaINP/ZNSTe, GaINP/ZNSSe and the like.
  • the light-emitting material included in the red light-emitting layer 35r is referred to as a red light-emitting material.
  • a red-emitting material emits red light.
  • the light-emitting material included in the green light-emitting layer 35g is referred to as a green light-emitting material.
  • Green emitting materials differ from red emitting materials in that they emit green light.
  • a light-emitting material included in the blue light-emitting layer 34b is referred to as a blue light-emitting material. Blue-emitting materials emit blue light and are distinct from both red- and green-emitting materials.
  • the light-emitting material included in each of the light-emitting layers 35 is preferably quantum dots for the development process described later. This is because, in the case of quantum dots, the developing solution permeates the light-emitting material layer, and the layers below the light-emitting material layer can be developed from above.
  • the electron-transporting layer 37 contains an electron-transporting material.
  • Electron-transporting materials are, for example, metal oxides such as ZnO, ZrO, MgZnO, AlZnO and TiO2 , and metal sulfides such as ZnS.
  • step S4 light emitting element forming step
  • FIG. 5 is a schematic flow diagram showing an example of a step (step S4) of forming an example of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 4 on a substrate.
  • FIG. 6 shows the process (process P1) performed in the process including the formation of the red light emitting layer 35r (step S25) and the process including the formation of the green light emitting layer 35g (step S26) shown in FIG. It is a schematic flow diagram showing .
  • FIG. 7 is a schematic flow chart showing the process (process P2) performed in the process (step S27) of performing the process including the formation of the blue light emitting layer 35b shown in FIG.
  • step S4 of forming an example of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 4 on a substrate.
  • steps S1 to S3 are performed to prepare a substrate in which the resin layer 12, the barrier layer 3 and the thin film transistor layer 4 are formed in this order on the mother glass 70 (substrate).
  • the anode 22 is formed in an island shape for each region of each sub-pixel P (step S21), and the edge cover 23 is formed to cover the edge of the anode 22 (step S22), the hole injection layer 31 is formed over the entire surface (step S23), and the hole transport layer 33 is formed over the entire surface (step S24).
  • “overall” means that the target layer is commonly formed over a plurality of sub-pixels P without patterning.
  • step S25 processing including formation of the red light emitting layer 35r is performed (step S25).
  • a red lower resin layer 34r is also formed before main baking.
  • step S25 the process P1 shown in FIG. 6 is executed.
  • a reversal resist material is applied to the entire surface of the hole transport layer 33 to completely cover the red lower reversal resist layer 41 (first reversal resist).
  • Form that is, form a film
  • Step S41 a part of the laminate forming step of the first light emitting layer forming step.
  • a material containing a red light-emitting material is vapor-deposited over the entire surface, or a solution containing the red light-emitting material is applied over the entire surface.
  • the red light emitting material layer 44 (first light emitting material layer) is formed over the entire surface (step S42, part of the laminate forming step in the first light emitting layer forming step). . Subsequently, a red upper layer positive resist layer 45 (first positive resist) is formed to a sufficient thickness over the entire surface by applying a positive resist material on the red light emitting material layer 44 as will be described later. (Step S43, a part of the laminate forming process in the first light emitting layer forming process).
  • the method of applying the material of each member may be any method such as an inkjet method, a spin coating method, or a bar coating method.
  • the resin material and sensitizer contained in the positive resist material in step S43 are preferably the same as the resin material and sensitizer contained in the reversal resist material in step S41. This is because the red lower reversal resist layer 41 and the red upper positive resist layer 45 can be patterned by photolithography under the same conditions including the exposure wavelength and developer.
  • a laminate (first laminate) is formed that includes the red lower reversal resist layer 41, the red light emitting material layer 44, and the red upper positive resist layer 45 in this order from the substrate side. At this time, each of the red lower reversal resist layer 41 and the red upper positive resist layer 45 is insoluble in the developer.
  • step S44 layered body exposure step of the first light emitting layer forming step. Since the red first mask 47 is used, part of the laminate is exposed and other parts are not exposed.
  • the red first mask 47 is formed with an optical opening 47A so that the portion corresponding to the formation region of the red light emitting layer 35r is light blocking and the other portion is light transmitting.
  • the NQD compound insoluble in the developer is converted into the developer by the photochemical reaction caused by the ultraviolet irradiation, as shown in the above reaction formula (1). It turns into a soluble indenecarboxylic acid compound.
  • the portions of the red lower reversal resist layer 41 and the red upper positive resist layer 45 that do not correspond to the optical openings 47A do not undergo a photochemical reaction and are insoluble in the developer.
  • the insoluble portions 41A and 45A remain as they are.
  • the other portions corresponding to the optical opening 47A become soluble portions 41B and 45B soluble in the developer by photochemical reaction.
  • a strong developer is the developer described above, and (i) dissolves the soluble portion of the resist layer above the light-emitting material layer (or the light-emitting layer) from the upper surface and the side surface. (ii) by dissolving the soluble portion of the resist layer below the luminescent material layer from the side, the entire soluble portion can be melted, and as a result, (iii) It means a liquid capable of liberating a portion of the light-emitting material layer where the underlying resist is soluble. Further, as described above, when the light-emitting material is a quantum dot, the developer can permeate the light-emitting material layer and dissolve the soluble portion of the resist layer below the light-emitting material layer from the upper surface and side surfaces.
  • a strong developer is, for example, a concentrated alkaline aqueous solution or an alkaline solution to which a high concentration of surfactant is added.
  • a concentrated alkaline aqueous solution is, for example, pH 12 or higher.
  • Surfactants are, for example, nonionic surfactants such as fatty acid esters, polyoxyethylene alkyl ethers, fatty acid polyethylene glycols, and fatty acid alkanolamides, and high concentrations are, for example, 1% by weight or more. Nonionic surfactants are less susceptible to acids and alkalis. Surfactants facilitate penetration into the light-emitting material layer. In this specification, developing with a strong developer is expressed as "performing strong development" or "strongly developing".
  • the exposed portion of the stack including the red light emitting material layer 44 is removed by removing the fusible portion 41B (exposed first reversal resist) of the red lower reversal resist layer 41.
  • the insoluble portion 41A of the red lower reversal resist layer 41 remains, the unexposed portion of the laminate remains. Therefore, the soluble portions 41B and 45B of the red lower reversal resist layer 41 and the red upper positive resist layer 45, and the portion of the red light emitting material layer 44 therebetween are removed.
  • the insoluble portions 41A and 45A of the red lower reversal resist layer 41 and the red upper positive resist layer 45, and the portion of the red light emitting material layer 44 therebetween remain. This remainder of the red light emitting material layer 44 becomes the red light emitting layer 35r.
  • the above-described laminate is patterned, and as a result, the red light emitting layer 35r is formed.
  • the insoluble portions 41A and 45A of the red lower reversal resist layer 41 and the red upper positive resist layer 45 are formed so as to overlap the red light emitting layer 35r in a plan view seen from the direction perpendicular to the substrate.
  • a red second mask 48 is used to expose the above-described patterned laminate to ultraviolet light for a second time (step S46, first re-insolubilization). reversal resist exposure process).
  • the second red mask 48 has an optical aperture 48A so that the portion corresponding to the formation region of the red light emitting layer 35r is translucent and the other portion is opaque.
  • the insoluble portion 41A of the red lower reversal resist layer 41 (the first reversal resist overlapping the first light emitting layer) and the insoluble portion 45A of the red upper positive resist layer 45 become soluble in the developing solution by photochemical reaction.
  • a fusible portion 41C (exposed first reversal resist) and a fusible portion 45C are formed.
  • the second exposure may be performed without using a mask, it is preferable to use the red second mask 48 from the viewpoint of reducing photodegradation.
  • step S47 heating step of the first re-insolubilization step.
  • Reversal baking is heating or laser irradiation performed so that red upper positive resist layer 45 is not cured, while red lower reversal resist layer 41 is reinsolubilized.
  • Reversal firing is preferably performed by heating because it is simple.
  • the reversal baking performed by heating is preferably performed at a temperature lower than the temperature at which the positive resist constituting the red upper positive resist layer 45 is cured, and at a time shorter than the curing time. For example, if the red upper positive resist layer 45 is cured at 120 degrees Celsius or more and 10 minutes or more, the reversal baking is preferably performed at less than 120 degrees Celsius and less than 10 minutes.
  • the developer-soluble indenecarboxylic acid compound is converted into a developer-insoluble compound by decarboxylation as shown in the above reaction formulas (2) to (4). turn into On the other hand, in the red upper positive resist layer 45, the indenecarboxylic acid compound soluble in the developer remains the indenecarboxylic acid compound.
  • the soluble portion 41C of the red lower reversal resist layer 41 becomes a re-insoluble portion 41D that is insoluble in the developer by decarboxylation.
  • the re-insoluble portion 41D of the red lower reversal resist layer 41 becomes the red lower resin layer 34r as it is or through main baking (step S29) described later.
  • the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45 remains the fusible portion 45C.
  • step S25 as described above, the red light emitting layer 35r is sandwiched and protected between the reinsoluble portion 41D of the red lower reversal resist layer 41 and the soluble portion 45C of the red upper positive resist layer 45. be done.
  • step S26 processing including formation of the green light emitting layer 35g is performed.
  • a green lower resin layer 34g before main firing is also formed.
  • step S26 the process P1 shown in FIG. 6 is executed.
  • the hole transport layer 33 and the fusible portion 45C of the red upper layer positive resist layer 45 are entirely coated with a reversal resist material to obtain a green lower layer reversal resist.
  • a layer 51 (second reversal resist) is formed over the entire surface (step S41, part of the second light emitting layer forming step).
  • a material containing a green light emitting material (light emitting material of the second light emitting layer) is vapor-deposited over the entire surface, or a solution containing a green light emitting material is applied over the entire surface.
  • the green light-emitting material layer 54 (second light-emitting material layer) is formed over the entire surface (step S42, part of the second light-emitting layer forming process). Subsequently, a green upper layer positive resist layer 55 (second positive resist) is formed to a sufficient thickness over the entire surface by applying a positive resist material on the green light emitting material layer 54 as will be described later. (Step S43, part of the second light-emitting layer forming step).
  • the reversal resist material used in the process P1 in step S26 preferably has the same composition as the reversal resist material used in the process P1 in step S25. This is because the green lower reversal resist layer 51 can be patterned and reinsolubilized under the same conditions as the red lower reversal resist layer 41 .
  • the positive resist material used in the process P1 in step S26 preferably has the same composition as the positive resist material used in the process P1 in step S25. This is because the green upper positive resist layer 55 can be patterned under the same conditions as the red upper positive resist layer 45 .
  • a laminate (second laminate) is formed that includes the green lower reversal resist layer 51, the green light emitting material layer 54, and the green upper positive resist layer 55 in this order from the substrate side.
  • the green first mask 57 is used to perform the first exposure of the above laminate with ultraviolet light (step S44, part of the process of forming the second light emitting layer). Since the green first mask 57 is used, part of the laminate is exposed and other parts are not exposed.
  • the first green mask 57 has an optical opening 57A so that the portion corresponding to the formation region of the green light emitting layer 35g is light shielding and the other portion is light transmitting.
  • the portions of the green lower reversal resist layer 51 and the green upper positive resist layer 55 that do not correspond to the optical openings 57A do not undergo a photochemical reaction and are insoluble in the developer.
  • the portions 51A and 55A remain as they are.
  • the other portions corresponding to the optical opening 47A become soluble portions 51B and 55B soluble in the developer by photochemical reaction.
  • step S45 part of the second light-emitting layer forming process.
  • the fusible portion 51B of the green lower reversal resist layer 51 is removed, thereby removing the exposed portion of the laminate including the green light emitting material layer 54.
  • the insoluble portion 51A of the green lower reversal resist layer 51 remains, the unexposed portion of the laminate remains. Therefore, the soluble portions 51B and 55B of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55, and the portions of the green light emitting material layer 54 therebetween are removed.
  • the insoluble portions 51A and 55A of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55, and the portions of the green light emitting material layer 54 therebetween remain. This remainder of the green light emitting material layer 54 becomes the green light emitting layer 35g.
  • the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45 protects the red light emitting layer 35r by the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45 in step S25 (and step S27, which will be described later). It is formed to a sufficient thickness that can be maintained at Further, the re-insoluble portion 41D of the red lower reversal resist layer 41 is insoluble even in a strong developing solution. For these reasons, the red light emitting layer 35r is not removed and remains protected as described above.
  • the above laminate is patterned, and as a result, the green light emitting layer 35g is formed.
  • the insoluble portions 51A and 55A of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55 are formed so as to overlap the green light emitting layer 35g in a plan view seen from the direction perpendicular to the substrate.
  • a green second mask 58 is used to expose the above-described patterned laminate to ultraviolet light for a second time (step S46, second re-insolubilization). part of the process).
  • the green second mask 58 has an optical opening 58A so that the portion corresponding to the formation region of the green light emitting layer 35g is translucent and the other portion is light shielding.
  • the insoluble portions 51A and 55A of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55 become soluble portions 51C and 55C that are soluble in the developer due to the photochemical reaction.
  • the second exposure may be performed without using a mask, it is preferable to use the green second mask 58 from the viewpoint of reducing photodegradation.
  • step S47 part of the second re-insolubilization step.
  • Reversal baking is heating or laser irradiation performed such that red upper positive resist layer 45 and green upper positive resist layer 55 are not cured, while green lower reversal resist layer 51 is re-insolubilized.
  • the soluble portion 51C of the green lower reversal resist layer 51 becomes a re-insoluble portion 51D that is insoluble in the developer by decarboxylation.
  • the fusible portion 55C of the green upper positive resist layer 55 remains the fusible portion 55C.
  • step S26 as described above, the green light emitting layer 35g is sandwiched and protected between the reinsoluble portion 51D of the lower green reversal resist layer 51 and the soluble portion 55C of the upper green positive resist layer 55. be done.
  • step S27 processing including formation of the blue light emitting layer 35b is performed (step S27).
  • step S27 the process P2 shown in FIG. 7 is executed.
  • a blue light-emitting material (third light-emitting material) is deposited on the soluble portions 45C and 55C of the hole transport layer 33, the red upper positive resist layer 45, and the green upper positive resist layer 55.
  • the blue light emitting material layer 64 (the third light emitting material layer) is vapor-deposited on the entire surface, or a solution containing the blue light emitting material is applied on the entire surface and the solvent is volatilized from the solution.
  • light-emitting material layer is formed over the entire surface (step S42, part of the third light-emitting layer forming step).
  • a blue upper positive resist layer 65 (third positive resist) is formed over the entire surface by applying a positive resist material over the blue light emitting material layer 64 (step S43, formation of third light emitting layer). part of the process).
  • the positive resist material used in the process P1 in step S27 preferably has the same composition as the positive resist material used in the process P1 in steps S25 and S26 described above. This is because the blue upper positive resist layer 65 can be patterned under the same conditions as the red upper positive resist layer 45 and the green upper positive resist layer 55 .
  • a laminate (third laminate) is formed that includes the blue light emitting material layer 64 and the blue upper positive resist layer 65 in this order from the substrate side.
  • the laminate described above is exposed for the first time with ultraviolet light using the blue first mask 67 (step S44, part of the third light-emitting layer forming process). Since the blue first mask 67 is used, part of the laminate is exposed and other parts are not exposed.
  • the first blue mask 67 has an optical opening 67A so that the portion corresponding to the formation region of the blue light emitting layer 35b is light shielding and the other portion is light transmitting.
  • the portions of the blue lower reversal resist layer 61 and the blue upper positive resist layer 65 that do not correspond to the optical openings 67A do not undergo a photochemical reaction and are insoluble in the developer.
  • the insoluble portions 61A and 65A remain as they are.
  • the other portions corresponding to the optical opening 47A become soluble portions 61B and 65B soluble in the developer by photochemical reaction.
  • step S45 part of the third light emitting layer forming process
  • the soluble portion 65B of the blue upper positive resist layer 65 is removed, and the soluble portions 45C, 55C of the red upper positive resist layer 45 and the green upper positive resist layer 55 are partially removed. These remove the exposed portions of the stack, including the blue emitting material layer 64 . Since the insoluble portion 65A of the blue upper positive resist layer 65 remains, the unexposed portion of the laminate remains. Therefore, the soluble portion 65B of the blue upper positive resist layer 65 and the underlying portion of the blue light emitting material layer 64 are removed. On the other hand, the insoluble portion 65A of the blue upper positive resist layer 65 and the underlying portion of the blue light emitting material layer 64 remain. This remainder of the blue light emitting material layer 64 becomes the blue light emitting layer 35b.
  • the fusible portion 51B of the green lower reversal resist layer 51 is removed, thereby removing the exposed portion of the laminate including the green light emitting material layer 54.
  • the insoluble portion 51A of the green lower reversal resist layer 51 remains, the unexposed portion of the laminate remains.
  • the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45 is formed in step S25 to a thickness sufficient to maintain the protection of the red light emitting layer 35r by the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45 in step S27. It is It is sandwiched between the re-insoluble portion 41D of the red lower reversal resist layer 41 and the soluble portion 45C of the red upper positive resist layer 45 and remains protected.
  • the fusible portion 55C of the green upper positive resist layer 55 has a thickness sufficient to maintain the protection of the green light emitting layer 35g by the fusible portion 55C of the green upper positive resist layer 55 in step S27. formed. Further, the re-insoluble portions 41D and 51D of the red lower reversal resist layer 41 and the green lower reversal resist layer 51 are insoluble even in a strong developing solution. For these reasons, the red light emitting layer 35r and the green light emitting layer 35g are not removed and remain protected as described above.
  • the above laminate is patterned, and as a result, the blue light emitting layer 35b is formed.
  • the insoluble portion 65A of the blue upper positive resist layer 65 is formed so as to overlap the blue light emitting layer 35b in a plan view seen from the direction perpendicular to the substrate.
  • the above-described patterned laminate is subjected to second exposure with ultraviolet light using a blue second mask 68 (step S46).
  • the second blue mask 68 has an optical opening 68A so that the portion corresponding to the blue light emitting layer 35b is translucent and the other portion is opaque.
  • the insoluble portion 65A of the blue upper positive resist layer 65 becomes a soluble portion 55C that is soluble in the developer due to the photochemical reaction.
  • the second exposure may be performed without using a mask, it is preferable to use the blue second mask 68 from the viewpoint of reducing photodegradation.
  • step S27 as described above, the blue light-emitting layer 35b is formed in a state covered and protected under the fusible portion 65C of the blue upper positive resist layer 65. As shown in FIG.
  • Step S28 positive resist removing step
  • the term “weak developer” refers to the developer described above, and (i) dissolves the soluble portion of the resist layer above the light-emitting material layer (or light-emitting layer) from the upper surface and the side surface. However, (ii) by dissolving the soluble portion of the resist layer below the light-emitting material layer from the side, the entire soluble portion cannot be melted, and as a result, ( ii) means a liquid that cannot liberate the luminescent material layer.
  • Weak developers are, for example, dilute alkaline aqueous solutions without added surfactants, or organic solvents without added surfactants. A dilute alkaline aqueous solution has a pH of 7 or more and less than 11, for example.
  • the soluble portions 45C, 55C, 65C of the red upper positive resist layer 45, the green upper positive resist layer 55, and the blue upper positive resist layer 65 are removed from the upper layer of each light emitting layer 35.
  • each light-emitting layer 35 remains.
  • the re-insoluble portions 41D and 51D of the red lower reversal resist layer 41 and the green lower reversal resist layer 51 remain.
  • step S29 main firing is performed (step S29).
  • the reinsoluble portions 41D and 51D of the red lower reversal resist layer 41 and the green lower reversal resist layer 51 are cured to form a red lower resin layer 34r and a green lower resin layer 34g.
  • the electron transport layer 37 is entirely formed on the light emitting layer 35 (step S30), and the cathode 25 is entirely formed on the electron transport layer 37 (step S31). .
  • the light emitting element layer 5 shown in FIG. 4 is formed.
  • step S29 (see FIG. 5) may not be performed. Otherwise, the re-insoluble portions 41D and 51D remain uncured and become the red lower resin layer 34r and the green lower resin layer 34g.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing another example of the configuration of the light-emitting element layer 5 in the display device 2 (light-emitting device) according to the first embodiment.
  • the order of performing steps S25 to S27 can be changed.
  • the process P2 shown in FIG. 7 is executed in the last process among steps S25 to S27, and the process P1 shown in FIG. 6 is executed in the processes other than the last.
  • the lower resin layer 34 is not formed under the light-emitting layer of the last color among the light-emitting layers 35, and the lower resin layer 34 is formed under the light-emitting layers of other colors.
  • step S25 may be performed last.
  • the red lower resin layer is not formed under the red light emitting layer 35r, and instead the blue lower resin layer 34b is formed under the blue light emitting layer 35b.
  • the green lower resin layer 34g and the blue lower resin layer 34b are collectively referred to as the "lower resin layer 34".
  • Modification 3 21 to 25 are schematic cross-sectional views showing another example of the step (step S4) of forming an example of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 4 on the substrate.
  • the last step of the plurality of steps for performing the process P1 is the first exposure (step S44) in the process P1 shown in FIG.
  • a different third mask can be used.
  • the third mask has a light-shielding property at least in the portion corresponding to the formation region of the light-emitting layer formed in the last step.
  • any of the portions of the third mask corresponding to the formation regions of the previously formed light-emitting layer may be light-shielding, and the portions corresponding to the gap regions between the light-emitting layer formation regions may be light-shielding. may be opaque.
  • step S25 performs process P1
  • step S26 performs process P1
  • step S27 performs process P2.
  • step S26 performs process P1 as shown in FIGS. 21-24 instead of FIGS. 12-15.
  • a laminate which includes a green lower reversal resist layer 51, a green light emitting material layer 54, and a green upper positive resist layer 55 in this order from the substrate side (steps S41 to S43).
  • the laminate is exposed for the first time with ultraviolet light using the green third mask 59 (step S44).
  • the green third mask 59 has a light-shielding property in the portion corresponding to the formation region of the green light emitting layer 35g.
  • the third green mask 59 has a light shielding property in a portion corresponding to the forming region of the red light emitting layer 35r and a portion corresponding to the gap region between the forming regions of the red light emitting layer 35r and the green light emitting layer 35g. .
  • the green third mask 59 is formed with an optical aperture 59A so that the rest of the mask is translucent.
  • the portions overlapping the red light emitting layer 35r and the red light emitting layer 35r and the green light emitting layer 35g were formed.
  • the portions corresponding to the gaps are the insoluble portions 51A and 55A that do not undergo photochemical reaction and are insoluble in the developer.
  • other portions become soluble portions 51B and 55B that are soluble in the developer by a photochemical reaction.
  • step S45 development is performed using a strong developer (step S45).
  • the insoluble portions 51A and 55A of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55, and the portion of the green light emitting material layer 54 between them remain.
  • the portion corresponding to the formation region of the green light-emitting layer 35g becomes the green light-emitting layer 35g, while the surplus portion 54A that does not correspond is finally removed.
  • the patterned laminate is exposed to ultraviolet light for the second time using a green second mask 58 (step S46).
  • the exposed portions of the insoluble portions 51A and 55A of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55 become soluble portions 51C and 55C soluble in the developer due to the photochemical reaction.
  • the portions of the insoluble portions 51A and 55A that are not exposed to light do not undergo a photochemical reaction and remain insoluble in the developer.
  • portions of the insoluble portions 51A and 55A that are not exposed are referred to as insoluble portions 51E and 55E.
  • the portion corresponding to the surplus portion 54A of the green light-emitting material layer 54 is light-shielding, Also, it should be noted that it is necessary to use a mask having openings so that the portion corresponding to the green light emitting layer 35g is translucent.
  • step S47 the patterned laminate is subjected to reversal firing.
  • the soluble portion 51C of the green lower reversal resist layer 51 becomes a re-insoluble portion 51D that is insoluble in the developer by decarboxylation.
  • the fusible portion 55C of the green upper positive resist layer 55 remains the fusible portion 55C.
  • the insoluble portions 51E and 55E of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55 remain as the insoluble portions 51E and 55E.
  • step S27 in FIG. 5 the process proceeds to the step of forming the blue light emitting layer 35b (step S27 in FIG. 5), and as shown in FIGS. , forming a laminate in this order (steps S42 and S43).
  • step S44 the laminate is exposed for the first time with ultraviolet light using the blue first mask 67 (step S44).
  • the portions of the blue lower reversal resist layer 61 and the blue upper positive resist layer 65 that do not overlap the blue light emitting layer 35b become soluble portions 61B and 65B that are soluble in the developer by photochemical reaction.
  • the insoluble portions 51E and 55E of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55 become soluble portions 51F and 55F soluble in the developer by photochemical reaction.
  • step S45 strong development is performed.
  • the soluble portions 61B and 65B of the lower blue reversal resist layer 61 and the upper blue positive resist layer 65, and the portion of the blue light emitting material layer 64 between them are removed.
  • the soluble portions 51F and 55F of the lower green reversal resist layer 51 and the upper green positive resist layer 55, and the portions of the green light emitting material layer 54 therebetween are removed.
  • Modification 4 26 and 28 are schematic cross-sectional views each showing still another example of the configuration of the light-emitting element layer 5 in the display device 2 (light-emitting device) according to the first embodiment.
  • FIG. 27 is a schematic flow diagram showing an example of a step (step S4) of forming an example of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 26 on a substrate.
  • the light emitting element layer 5 includes, in order from the substrate side, a cathode 25 (first lower electrode), an electron transport layer 37, a lower resin layer 34 (photosensitive resin), a light emitting layer 35, and a hole transport layer 33. , a hole injection layer 31, and an anode 22 (first upper layer electrode).
  • the step of forming the light-emitting element layer 5 includes, as shown in FIG.
  • the edge cover 23 is formed so as to cover it (step S22), the electron transport layer 37 is formed over the entire surface (step S30), processing including the formation of the red light emitting layer 35r is performed (step S25), and the green light emitting layer 35g is formed.
  • Processing including formation is performed (step S26), processing including formation of the blue light emitting layer 35b is performed (step S27), weak development is performed (step S28), main baking is performed (step S29), and the hole transport layer 33 is formed over the entire surface (step S24), the hole injection layer 31 is formed over the entire surface (step S23), and the anode 22 is formed over the entire surface (step S21).
  • step S25 may be performed last.
  • the red lower resin layer is not formed under the red light emitting layer 35r, and instead the blue lower resin layer 34b is formed under the blue light emitting layer 35b.
  • the red light emitting material layer 44 may be formed by applying a solution containing a light emitting material and a positive resist to the entire surface and volatilizing the solvent from the solution.
  • the positive resist contained in the portion of the red light emitting material layer 44 corresponding to the region other than the formation region of the red light emitting layer 35r becomes soluble in the developer. Therefore, in the following step S45, compared to the case where the red light emitting material layer 44 is formed from a solution containing no positive resist, the portion of the red light emitting material layer 44 corresponding to the area other than the formation region of the red light emitting layer 35r is reduced. is easily removed.
  • step S45 development can be performed using a slightly stronger developer.
  • the “slightly strong developer” is the developer described above, and (i) dissolves the soluble portion of the resist layer above the light-emitting material layer (or light-emitting layer) from the upper surface and the side surface. (ii) dissolves or penetrates a light-emitting material layer formed from a solution containing a positive resist; and as a result, (iii) the resist layer below the light-emitting material layer is dissolved. It means a liquid capable of dissolving the entire fusible part by dissolving the fusible part from the upper and side surfaces.
  • the slightly strong developer is, for example, a slightly concentrated aqueous alkaline solution, a diluted alkaline solution containing a low concentration of surfactant, or an organic solvent containing a low concentration of surfactant.
  • a slightly concentrated alkaline aqueous solution has a pH of 11 or more and less than 12, for example.
  • a low concentration is, for example, less than 0.5% by weight.
  • the red light emitting layer 35r contains a positive photosensitive resin derived from a positive resist.
  • the green light-emitting material layer 54 and the blue light-emitting material layer 64 are formed by applying a solution containing a light-emitting material and a positive resist over the entire surface, and removing the solvent from the solution. may be formed by volatilizing the
  • Embodiment 1 includes an example in which only one of the elements has the lower resin layer and an example in which only (N-1) out of N light emitting elements have the lower resin layer.
  • N is an integer of 2 or more.
  • Modifications 1 to 6 can be combined with each other in arbitrary combinations.
  • Modifications 1 to 5 described above and arbitrary combinations thereof are applicable to Embodiment 2 described later.
  • Modifications 2 to 6 described above and arbitrary combinations thereof are applicable to Embodiment 3 described later.
  • the above-described Modifications 1 to 6 and arbitrary combinations thereof are applicable to Embodiment 4 described later.
  • FIG. 29 is a schematic energy level diagram showing an example of bandgaps of the hole transport layer 33, the lower resin layer 34, the light emitting layer 35, and the electron transport layer 37 of the light emitting element layer 5 shown in FIG.
  • FIG. 30 and 31 are schematic energy level diagrams showing examples of bandgaps of the hole transport layer 33, the lower resin layer 34, the light emitting layer 35, and the electron transport layer 37 of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 20, respectively. is.
  • FIG. 32 is a schematic energy level diagram showing bandgaps of the hole transport layer 33, the lower resin layer 34, the light emitting layer 35, and the electron transport layer 37 of the light emitting element layer 5 shown in FIG.
  • 33 and 34 are schematic energy level diagrams showing the bandgaps of the hole transport layer 33, the lower resin layer 34, the light emitting layer 35, and the electron transport layer 37 of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 28, respectively. .
  • the conduction band on the upper side and the valence band on the lower side each show the conduction band on the upper side and the valence band on the lower side.
  • the Lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) or the lower end of the conduction band or the Highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) or the upper end of the valence band is close to the vacuum energy level (that is, Fig. 29 to the upper side of FIG. 34 and having a small electron affinity or ionization energy) is expressed as “shallow”.
  • being far from the vacuum energy level that is, being located on the lower side of FIGS. 29 to 34 and having a large electron affinity or ionization energy
  • the HOMO of the lower resin layer 34 transports holes as shown in FIGS. It should be deeper than the HOMO of layer 33 . This is because when the HOMO of the lower resin layer 34 is equal to or shallower than the HOMO of the hole transport layer 33 , holes moving from the hole transport layer 33 toward the light emitting layer 35 are trapped in the lower resin layer 34 . It is from.
  • the red lower resin layer 34r when the HOMO of the red lower resin layer 34r is deeper than the HOMO of the hole transport layer 33 and deeper than the upper end of the valence band of the red light emitting layer 35r, the red lower resin layer 34r can function as a layer that inhibits hole injection from the hole transport layer 33 to the red light emitting layer 35r. As a result, excessive injection of holes can be reduced.
  • the red lower resin layer 34r when the HOMO of the red lower resin layer 34r is deeper than the HOMO of the hole transport layer 33 and is shallower than the upper end of the valence band of the red light emitting layer 35r, the red lower resin layer 34r is separated from the hole transport layer 33. It can function as a layer that assists hole injection into the red light emitting layer 35r. The same applies to the green lower resin layer 34g and the blue lower resin layer 34b.
  • the HOMO of the lower resin layer 34 is preferably deeper than the upper end of the valence band of the blue light emitting layer 35b as shown in FIG. This prevents holes from moving from the hole transport layer 33 to the red light emitting layer 35r and the green light emitting layer 35g.
  • the lower resin layer is not formed between the light-emitting layer having the deepest upper end of the valence band among the different light-emitting layers and the hole-transport layer, and the other light-emitting layers and the hole-transport layer are not formed.
  • the HOMO of the lower resin layer is deeper than the upper end of the valence band of the light-emitting layer in which the upper end of the valence band among the different light-emitting layers is the deepest.
  • the HOMO of the lower resin layer 34 is preferably shallower than the upper end of the valence band of the blue light emitting layer 35b as shown in FIGS. According to this, the HOMO of the hole transport layer 33, the HOMO of the blue lower resin layer 34b, and the upper ends of the valence bands of the blue light emitting layer 35b are arranged in this order in a stepped manner. As a result, the movement of holes from the hole transport layer 33 to the blue light emitting layer 35b is promoted.
  • the lower resin layer is not formed between the light-emitting layer having the shallowest upper end of the valence band among the different light-emitting layers and the hole-transport layer, and the other light-emitting layers and the hole-transport layer are not formed.
  • the HOMO of the lower resin layer is shallower than the upper end of the valence band of the light-emitting layer in which the upper end of the valence band among the different light-emitting layers is the deepest. .
  • the LUMO of the lower resin layer 34 is located between the electron transport layer 37 and the electron transport layer 37 as shown in FIGS. should be shallower than the LUMO of This is because when the LUMO of the lower resin layer 34 is equal to or deeper than the LUMO of the electron transport layer 37, electrons moving from the electron transport layer 37 toward the light emitting layer 35 are trapped in the lower resin layer 34. .
  • the red lower resin layer 34r when the LUMO of the red lower resin layer 34r is shallower than the LUMO of the electron transport layer 37 and shallower than the lower end of the conduction band of the red light emitting layer 35r, the red lower resin layer 34r is , can function as a layer that inhibits injection of electrons from the electron transport layer 37 to the red light emitting layer 35r. As a result, excessive injection of electrons can be reduced.
  • the red lower resin layer 34r when the LUMO of the red lower resin layer 34r is shallower than the LUMO of the electron-transporting layer 37 and deeper than the lower end of the conduction band of the red light-emitting layer 35r, the red lower resin layer 34r extends from the electron-transporting layer 37 to the red light-emitting layer. It can function as a layer that assists electron injection into 35r. The same applies to the green lower resin layer 34g and the blue lower resin layer 34b.
  • the LUMO of the lower resin layer 34 is shallower than the lower end of the conduction band of the blue light emitting layer 35b as shown in FIG. This inhibits movement of electrons from the electron transport layer 37 to the red light emitting layer 35r and the green light emitting layer 35g.
  • the lower resin layer is not formed between the light-emitting layer having the shallowest lower end of the conduction band among the different light-emitting layers, the electron-transporting layer, and the electron-transporting layer, and the other light-emitting layers and the electron-transporting layer are not formed.
  • the LUMO of the lower resin layer is shallower than the lower end of the conduction band of the light emitting layer, which has the shallowest lower end of the conduction band among the different light emitting layers.
  • the LUMO of the lower resin layer 34 is deeper than the lower end of the conduction band of the blue light emitting layer 35b as shown in FIGS. According to this, the LUMO of the electron transport layer 37, the LUMO of the lower blue resin layer 34b, and the lower end of the conduction band of the blue light emitting layer 35b are arranged in this order in a stepped manner. As a result, electron transfer from the electron transport layer 37 to the blue light emitting layer 35b is promoted.
  • the lower resin layer is not formed between the light-emitting layer having the deepest lower end of the conduction band and the electron-transporting layer among the plurality of different light-emitting layers, and the other light-emitting layers and the hole-transporting layer are not formed.
  • the LUMO of the lower resin layer is deeper than the lower end of the conduction band of the light emitting layer having the shallowest lower end of the conduction band among the different light emitting layers.
  • the layer containing quantum dots and the layer containing photoresist are separate. Therefore, a layer containing quantum dots can be sufficiently containing quantum dots and patterned.
  • the red light emitting material layer 44 is formed on the red lower reversal resist layer 41 as shown in FIG.
  • the portion which does not become the layer 35r) is removed together with the soluble portion 41B of the red lower reversal resist layer 41, as shown in FIG. Therefore, it is possible to reduce the contamination of the luminescent material of the red luminescent layer 35r as a residue in the region other than the region where the red luminescent layer 35r is formed.
  • color mixture between sub-pixels (light-emitting elements) can be reduced.
  • the red light emitting material layer 44 is formed entirely between the red lower reversal resist layer 41 and the red upper red positive resist layer 45 .
  • a red light emitting layer 35r is then formed by patterning the red light emitting material 44 using a photoresist technique. For these reasons, even when the red light-emitting material layer 44 is formed by applying a solution containing a red light-emitting material to the entire surface and volatilizing the solvent from the solution, the coffee ring effect and the surface tension of the red light-emitting layer 35r do not occur. There is no unevenness caused by As a result, the red light emitting layer 35r can be formed flat and uniform. The same applies to the green light emitting layer 35g and the blue light emitting layer 35b.
  • the blue light-emitting material layer 64 is formed on the soluble portions 45C and 55C of the red upper positive resist layer 45 and the green upper positive resist layer 55, as shown in FIG.
  • the unnecessary portion of the blue light-emitting material layer 64 that is, the portion which does not become the blue light-emitting layer 35b
  • 55C are removed as shown in FIG. Therefore, it is possible to reduce the contamination of the luminescent material of the blue luminescent layer 35b as a residue in the regions of the red sub-pixel Pr and the green sub-pixel Pg.
  • the insoluble portion 41A of the red lower reversal resist layer 41 is exposed and reversal baked to become the reinsoluble portion 41D insoluble in the developer. . Even if the re-insoluble part 41D is further exposed or baked, it remains insoluble in the developer. Therefore, it is possible to reduce the removal of the red light emitting layer 35r by the developer in the subsequent steps. Similarly, removal of the green light emitting layer 35g by the developer can be reduced. Therefore, it is easy to control the thicknesses of the red light emitting layer 35r, the green light emitting layer 35g, and the blue light emitting layer 35b.
  • the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45 is removed as shown in FIG. Therefore, in the display device 2, the red upper positive resist layer 45 or the resin layer derived from the red upper positive resist layer 45 does not exist on the red light emitting layer 35r. Therefore, the luminous efficiency of the red sub-pixel Pr can be improved. Similarly, the luminous efficiency of the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb can be improved.
  • the red upper positive resist layer 45 since it is removed, even if the thickness of the red upper positive resist layer 45 is increased, it does not affect the luminous efficiency of the red sub-pixel Pr. Therefore, during the period from the formation of the red upper positive resist layer 45 to the removal of the fusible portion 45C of the red upper positive resist layer 45, the red upper positive resist layer 45 is not damaged or thinned.
  • the thickness of layer 45 can be sufficiently large.
  • the thicknesses of the green upper positive resist layer 55 and the blue upper positive resist layer 65 can be made sufficiently large. Therefore, it is easy to control the thicknesses of the red light emitting layer 35r, the green light emitting layer 35g, and the blue light emitting layer 35b.
  • the red light-emitting layer 35r and the green light-emitting layer 35g are each re-insoluble in the red lower reversal resist layer 41 and the green lower reversal resist layer in the step of developing with a strong developer. It is attached to the substrate through 41D and 51D. Therefore, it is possible to reduce the peeling of the red light emitting layer 35r and the green light emitting layer 35g from the substrate during the manufacturing process.
  • the main baking for thermally curing the red lower reversal resist layer 41 and the green lower reversal resist layer 51 can be performed once as shown in FIG.
  • the main firing may not be performed. Therefore, it is possible to reduce chemical or mechanical damage caused by heating or temperature change due to main firing.
  • FIG. 35 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light emitting element layer 5 in the display device 2 according to Embodiment 2.
  • FIG. 35 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light emitting element layer 5 in the display device 2 according to Embodiment 2.
  • An example of the light-emitting element layer 5 according to Embodiment 2 is similar to the light-emitting element layer 5 according to Embodiment 1 described above in that it includes a blue lower resin layer 34b between the hole transport layer 33 and the blue light-emitting layer 35b.
  • the red lower resin layer 34r, the green lower resin layer 34g, and the blue lower resin layer 34b are collectively referred to as the "lower resin layer 34".
  • the light-emitting element layer 5 according to Embodiment 2 differs from the light-emitting element layer 5 according to Embodiment 1 described above in that the lower resin layer 34 is included under all the light-emitting layers 35 .
  • the configuration according to the second embodiment can be realized by performing each process P1 shown in FIG. 6 for the process of forming all the light emitting layers.
  • step S4 light emitting element forming process
  • step S4 of forming an example of the light emitting element layer 5 shown in FIG. 35 on a substrate.
  • the flow shown in FIG. 5 is performed up to the step of performing processing including the formation of the green light emitting layer 35g (step S26).
  • step S27 processing including formation of the blue light emitting layer 35b is performed (step S27).
  • step S27 the process P1 shown in FIG. 6 is executed.
  • a reversal resist material is applied to the entire surface of the hole transport layer 33, the red upper positive resist layer 45, and the fusible portions 45C and 55C of the green upper positive resist layer 55.
  • a blue lower reversal resist layer 61 (third reversal resist) is formed over the entire surface (step S41, part of the third light emitting layer forming step).
  • a blue light emitting material layer 64 and a blue upper positive resist layer 65 are formed (steps S42 and S43, part of the third light emitting layer forming step).
  • a laminate third laminate is formed that includes the blue lower reversal resist layer 61, the blue light emitting material layer 64, and the blue upper positive resist layer 65 in this order from the substrate side.
  • step S44 part of the third light-emitting layer forming process.
  • the portions of the blue lower reversal resist layer 61 and the blue upper positive resist layer 65 overlapping the blue light emitting layer 35b do not undergo a photochemical reaction and remain insoluble portions 61A and 65A insoluble in the developer.
  • the other portions become soluble portions 61B and 65B that are soluble in the developer due to a photochemical reaction.
  • step S45 part of the third light-emitting layer forming process.
  • the soluble portions 61B and 65B of the lower blue reversal resist layer 61 and the upper blue positive resist layer 65, and the portions of the blue light emitting material layer 64 therebetween are removed.
  • the insoluble portions 61A and 65A of the blue lower reversal resist layer 61 and the blue upper positive resist layer 65, and the portion of the blue light emitting material layer 64 between them remain. This remainder of the blue light emitting material layer 64 becomes the blue light emitting layer 35b.
  • the above laminate is patterned, and as a result, the blue light emitting layer 35b is formed.
  • a blue second mask 68 is used to expose the above-described patterned laminate to ultraviolet light for a second time (step S46, third re-insolubilization). part of the process).
  • step S46 third re-insolubilization
  • the insoluble portions 61A and 56A of the blue lower reversal resist layer 61 and the blue upper positive resist layer 65 become soluble portions 61C and 65C soluble in the developing solution by photochemical reaction.
  • step S47 part of the third re-insolubilization step.
  • the soluble portion 61C of the blue lower reversal resist layer 61 becomes a re-insoluble portion 61D that is insoluble in the developer by decarboxylation.
  • the fusible portion 65C of the blue upper positive resist layer 65 remains the fusible portion 65C.
  • step S27 as described above, the blue light emitting layer 35b is sandwiched and protected between the reinsoluble portion 61D of the lower blue reversal resist layer 61 and the soluble portion 65C of the upper blue positive resist layer 65. Form.
  • step S28 in FIG. 5, positive resist removal step the step of performing weak development and the following steps are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • step S28 in FIG. 5, positive resist removal step the step of performing weak development
  • step S28 in FIG. 5, positive resist removal step the step of performing weak development
  • step S28 in FIG. 5, positive resist removal step the step of performing weak development
  • step S30 in FIG. 5, positive resist removal step the step of performing weak development
  • step S28 in FIG. 5, positive resist removal step the following steps are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the light emitting element layer 5 shown in FIG. 30 is formed.
  • the blue light emitting material layer 64 is formed on the blue lower reversal resist layer 61 as shown in FIG. 37, are removed together with the fusible portion 61B of the blue lower reversal resist layer 61. As shown in FIG. 37
  • the luminescent material of the blue light emitting layer 35b compared with the method according to the first embodiment described above, it is possible to prevent the luminescent material of the blue light emitting layer 35b from being mixed as a residue in areas other than the formation region of the blue light emitting layer 35b. can be reduced.
  • the light-emitting material of the blue light-emitting layer 35b is left on the side surfaces of the red light-emitting layer 35r and the green light-emitting layer 35g, the side surfaces of the red lower resin layer 34r and the green lower resin layer 34g, and the upper surface of the hole transport layer 33. contamination can be reduced.
  • the blue light-emitting layer 35b adheres to the substrate via the reinsoluble portion 61D of the blue lower reversal resist layer 61 in the step of performing development using a strong developer. Therefore, it is possible to further reduce the separation of the blue light emitting layer 35b from the substrate during the manufacturing process.
  • FIG. 41 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light-emitting element layer 5 in the display device 2 according to Embodiment 3.
  • FIG. 41 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light-emitting element layer 5 in the display device 2 according to Embodiment 3.
  • An example of the light-emitting element layer 5 according to the third embodiment includes the lower resin layer 34 under all the light-emitting layers 35, and the red upper resin layer 36r between the red light-emitting layer 35r and the electron transport layer 37. It differs from the example of the light-emitting element layer 5 according to the first embodiment described above in that it includes
  • step S4 light emitting element forming step
  • the configuration according to the second embodiment can be realized by performing step S25 last among steps S25 to S27 shown in FIG. 4, and performing step S25 by executing process P3 shown in FIG. Steps S26 and S27 execute the process P1 shown in FIG.
  • FIG. 42 is a schematic flow diagram showing the process (process P3) performed to form the light emitting element layer 5 shown in FIG.
  • FIG. 43 is a schematic cross-sectional view showing the process P3 shown in FIG.
  • FIG. 44 is a schematic sectional view showing the process P3 shown in FIG. 42 and the process P4 shown in FIG. 45 which will be described later.
  • a step of performing processing including formation of the blue light emitting layer 35b (step S27, first light emitting layer forming step) and a step of performing processing including formation of the green light emitting layer 35g. (Step S26, second light emitting layer forming step).
  • step S25 a step (step S25) of performing processing including formation of the red light emitting layer 35r is performed.
  • a positive resist material is applied over the entire surface of the hole transport layer 33 to form the red lower positive resist layer 42 over the entire surface (step S48, the second layer). 3 part of the light-emitting layer forming process).
  • the red light emitting material layer 44 and the red upper positive resist layer 45 are formed over the entire surface (steps S42 and S43, part of the third light emitting layer forming step).
  • step S49 part of the third light emitting layer forming process.
  • exposure is performed only once, unlike the process P1 (see FIG. 6) and the process P2 (see FIG. 7).
  • the portions of the red lower positive resist layer 42 and the red upper positive resist layer 45 overlapping the red light emitting layer 35r do not undergo a photochemical reaction and remain insoluble portions 42A and 45A that are insoluble in the developer.
  • other portions become soluble portions 42B and 45B that are soluble in the developer by photochemical reaction.
  • step S45 part of the third light emitting layer forming process.
  • the soluble portions 42B and 45B of the red lower positive resist layer 42 and the red upper positive resist layer 45, and the portion of the red light emitting material layer 44 therebetween are removed.
  • the insoluble portions 42A and 45A of the red lower positive resist layer 42 and the red upper positive resist layer 45, and the portion of the red light emitting material layer 44 therebetween remain. This remainder of the red light emitting material layer 44 becomes the red light emitting layer 35r.
  • step S25 as described above, the red light emitting layer 35r is formed in a protected state sandwiched between the insoluble portions 42A and 45A of the red lower positive resist layer 42 and the red upper positive resist layer 45.
  • step S28 in FIG. 5 the step of performing weak development (step S28 in FIG. 5) and the following steps are performed in the same manner as in the first embodiment described above.
  • the insoluble portions 42A and 45A of the red lower positive resist layer 42 and the red upper positive resist layer 45 become the red lower resin layer 34r and the red upper resin layer 36r as they are or through the main baking, respectively.
  • the light emitting element layer 5 shown in FIG. 41 is formed.
  • the configuration according to the second embodiment can be realized by executing the process P4 shown in FIG. 45 in step S25 among steps S25 to S27 shown in FIG.
  • steps S26 and S27 execute the process P1 shown in FIG.
  • process P4 uses a negative resist material, the order in which steps S25 to S27 (see FIG. 5) are performed is interchangeable.
  • FIG. 45 is a schematic flow diagram showing another process (process P4) performed to form the light emitting element layer 5 shown in FIG.
  • FIG. 46 is a schematic cross-sectional view showing process P4 shown in FIG.
  • a step of performing processing including formation of the blue light emitting layer 35b (step S27, first light emitting layer forming step) and a step of performing processing including formation of the green light emitting layer 35g. (Step S26, second light emitting layer forming step).
  • a step (step S25) of performing processing including formation of the red light emitting layer 35r is performed.
  • a negative resist material is applied to the entire surface of the hole transport layer 33 to form the red lower layer negative resist layer 43 (step S450, the first layer). 3 part of the light-emitting layer forming process).
  • the red light emitting material layer 44 is formed over the entire surface (step S42, part of the third light emitting layer forming process).
  • a red upper layer negative resist layer 46 is formed by applying a negative resist material over the entire surface of the red light emitting material layer 44 (step S51, part of the third light emitting layer forming process).
  • negative resist material means a material that includes a negative photoresist.
  • step S52 part of the third light emitting layer forming step.
  • This processing P4 performs exposure only once, unlike the processing P1 (see FIG. 6) and the processing P2 (see FIG. 7).
  • the portions of the red lower negative resist layer 43 and the red upper negative resist layer 46 overlapping the red light emitting layer 35r become insoluble portions 43A and 46A that are insoluble in the developing solution due to the photochemical reaction.
  • the other portions remain soluble portions 43B and 46B that are soluble in the developer without photochemical reaction.
  • step S45 part of the third light-emitting layer forming process.
  • the fusible portions 43B and 46B of the red lower negative resist layer 43 and the red upper negative resist layer 46, and the portion of the red light emitting material layer 44 therebetween are removed.
  • the insoluble portions 43A and 46A of the red lower negative resist layer 43 and the red upper negative resist layer 46, and the portion of the red light emitting material layer 44 therebetween remain. This remainder of the red light emitting material layer 44 becomes the red light emitting layer 35r.
  • step S25 as described above, the red light emitting layer 35r is formed in a protected state sandwiched between the insoluble portions 43A and 46A of the red lower negative resist layer 43 and the red upper negative resist layer 46.
  • step S28 in FIG. 5 the step of performing weak development (step S28 in FIG. 5) and the following steps are performed in the same manner as in the first embodiment described above.
  • the insoluble portions 43A and 46A of the red lower negative resist layer 43 and the red upper negative resist layer 46 become the red lower resin layer 34r and the red upper resin layer 36r as they are or through the main baking, respectively.
  • the light emitting element layer 5 shown in FIG. 41 is formed.
  • FIG. 47 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light emitting element layer 5 in the display device 2 according to Embodiment 4.
  • FIG. 47 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the light emitting element layer 5 in the display device 2 according to Embodiment 4.
  • An example of the light-emitting element layer 5 according to Embodiment 4 includes a patterned red hole-transporting layer 33r, a green hole-transporting layer 33g, and a blue hole-transporting layer 33g instead of the hole-transporting layer 33 formed over the entire surface. It differs from the example of the light-emitting element layer 5 according to the first embodiment described above in that it includes a transport layer 33b.
  • step S4 light emitting element forming step
  • step S4 light emitting element formation process
  • step S23 the steps up to the step of forming a hole injection layer (step S23) in the flow shown in FIG. 46 are performed in the same manner as in Embodiment 1 described above.
  • step S60 a process including formation of the red light emitting layer 35r and the red hole transport layer 33r is performed.
  • process P5 shown in FIG. 49 is executed.
  • Process P5 shown in FIG. 49 differs from process P1 shown in FIG. 6 in that it includes a step of forming a hole transport material layer (step S63).
  • the red lower reversal resist layer 41 is formed over the entire surface (step S41). Subsequently, by vapor-depositing a hole-transporting material (material for the carrier-transporting layer) over the entire surface of the red lower reversal resist layer 41, or by coating a material containing the hole-transporting material over the entire surface, A red hole transport material layer 71 (carrier transport material layer) is formed over the entire surface (step S63). Subsequently, the red light emitting material layer 44 and the red upper positive resist layer 45 are formed over the entire surface (steps S42 and S43).
  • a hole-transporting material material for the carrier-transporting layer
  • a red hole transport material layer 71 carrier transport material layer
  • a laminate (first laminate) is formed that includes the red lower reversal resist layer 41, the red hole transport material layer 71, the red light emitting material layer 44, and the red upper positive resist layer 45 in this order from the substrate side. do.
  • steps S44 to S45 are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the red hole-transporting material layer 71 is patterned together with the red light-emitting material layer 44, and the remainder of the red hole-transporting material layer 71 becomes the red hole-transporting layer 33r.
  • steps S46 and S47 are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the red light-emitting layer 35r and the red hole-transporting layer 33r are protected by being sandwiched between the reinsoluble portion 41D of the red lower reversal resist layer 41 and the soluble portion 45C of the red upper positive resist layer 45. formed in
  • step S61 processing including formation of the green light emitting layer 35g and the green hole transport layer 33g is performed (step S61).
  • step S61 process P5 shown in FIG. 49 is executed.
  • a green lower reversal resist layer 51 is formed over the entire surface (step S41).
  • Green hole transport material layer 72 is then blanket deposited on top of green lower reversal resist layer 51 by blanket evaporating a hole transport material or blanket coating a material containing a hole transport material. is formed over the entire surface (step S63).
  • the green light-emitting material layer 54 and the green upper positive resist layer 55 are formed over the entire surface (steps S42 and S43).
  • steps S44 to S45 are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the green hole-transporting material layer 72 is patterned together with the green light-emitting material layer 54, and the remainder of the green hole-transporting material layer 72 becomes the green hole-transporting layer 33g.
  • steps S46 and S47 are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the green light emitting layer 35g and the green hole transport layer 33g are protected by being sandwiched between the reinsoluble portion 51D of the lower green reversal resist layer 51 and the soluble portion 55C of the upper green positive resist layer 55. formed in
  • step S62 a process including formation of the blue light emitting layer 35b and the blue hole transport layer 33b is performed.
  • process P6 shown in FIG. 50 is executed.
  • Process P3 shown in FIG. 50 differs from process P2 shown in FIG. 7 in that it includes a step of forming a hole transport material layer (step S62).
  • a hole transport material is applied entirely on the soluble portions 45C and 55C of the hole injection layer 31, the red upper positive resist layer 45, and the green upper positive resist layer 55.
  • a blue hole-transporting material layer 73 is formed over the entire surface by vapor-depositing a layer of a material containing a hole-transporting material on the entire surface (step S63).
  • the blue light emitting material layer 64 and the blue upper positive resist layer 65 are formed over the entire surface (steps S42 and S43).
  • steps S44 to S45 are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the blue hole-transporting material layer 73 is patterned together with the blue light-emitting material layer 64, and the remainder of the blue hole-transporting material layer 73 becomes the blue hole-transporting layer 33b.
  • step S46 is performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the blue light-emitting layer 35b and the blue hole-transporting layer 33b are covered under the soluble portion 65C of the blue-blue upper positive resist layer 65 and are protected.
  • step S28 in FIG. 5 the step of performing weak development
  • step S28 in FIG. 5 the step of performing weak development
  • step S28 in FIG. 5 the step of performing weak development
  • step S28 in FIG. 5 the step of performing weak development
  • the red hole transport layer 33r corresponding to the red light emitting layer 35r can be patterned together with the red light emitting layer 35r. Therefore, the red hole transport layer 33r suitable for the red light emitting layer can be formed. In addition, it is possible to reduce the possibility that the hole transport material of the red hole transport layer 33r is mixed as a residue in a region other than the formation region of the red hole transport layer 33r. The same applies to the green hole transport layer 33g and the blue hole transport layer 33b.
  • the scope of the fourth embodiment is not limited to this, and examples of patterning layers other than the hole transport layer together with the light emitting layer, in the above-described Embodiments 2 and 3, patterning layers such as the hole transport layer together with the light emitting layer. Examples include patterning a layer such as a hole transport layer along with only one or some of the light-emitting layers of the plurality of light-emitting layers.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is a method for manufacturing a light-emitting device including a light-emitting element forming step of forming a first light-emitting element including a first light-emitting layer on a substrate, The step includes patterning a first laminate obtained by laminating a first reversal resist, a first light-emitting material layer containing a light-emitting material for the first light-emitting layer, and a first positive resist in this order from the substrate side. and a first light emitting layer forming step of forming the first light emitting layer.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 1, wherein the first light-emitting layer forming step includes a laminate forming step of forming each layer of the first laminate, Next to the laminate forming step, a laminate exposure step of exposing a part of the first laminate; and, following the laminate exposure step, removing the exposed first reversal resist. and a developing step of removing the exposed portions of the laminate.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 1 or 2, wherein the light-emitting element forming step further includes the first light-emitting layer forming step and the first light-emitting layer forming step.
  • the method may include a first re-insolubilization step of solubilizing and insolubilizing the first reversal resist overlapping with.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 3, wherein the first re-insolubilization step comprises a reversal resist exposure step of exposing the first reversal resist, and a reversal resist exposure step of exposing the first reversal resist.
  • the method may further comprise a heating step of heating the exposed first reversal resist.
  • a method for manufacturing a light-emitting device according to aspect 5 of the present invention is the method according to aspect 3 or 4, wherein in the light-emitting element forming step, a second light-emitting layer having a material different from that of the first light-emitting layer is further formed.
  • the light-emitting element forming step further includes, after the first re-insolubilization step, forming a second reversal resist and a second light-emitting element including a light-emitting material of the second light-emitting layer
  • a method comprising a second light-emitting layer forming step of forming the second light-emitting layer by patterning a second laminate in which a material layer and a second positive resist are laminated in this order from the substrate side, good.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 5, wherein the light-emitting element forming step further overlaps the second light-emitting layer after the second light-emitting layer forming step.
  • the method may include a second re-insolubilization step of solubilizing and insolubilizing the second reversal resist.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 6, wherein the light-emitting element forming step further includes, after the second re-insolubilization step, the first positive resist, and The method may include a positive resist removing step of removing each of the second positive resists from the upper layers of the first light emitting layer and the second light emitting layer.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 6 or 7, wherein in the light-emitting element forming step, both the first light-emitting layer and the second light-emitting layer are different.
  • a method comprising a third light-emitting layer forming step of forming the third light-emitting layer by patterning a third laminate obtained by stacking three light-emitting material layers and a third positive resist in this order from the substrate side. It's okay.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 6, wherein in the light-emitting element forming step, a material different from both the first light-emitting layer and the second light-emitting layer is used.
  • a method comprising a third light-emitting layer forming step of forming the third light-emitting layer by patterning a third laminate obtained by stacking three light-emitting material layers and a third positive resist in this order from the substrate side. It's okay.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 9, wherein the step of forming a light-emitting element further overlaps with the third light-emitting layer subsequent to the step of forming a third light-emitting layer.
  • the method may include a third re-insolubilization step of solubilizing and insolubilizing the third reversal resist.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to aspect 10 above, wherein the light-emitting element forming step further includes, after the third re-insolubilization step, the first positive resist, the third a positive resist removing step of removing each of the second positive resist and the third positive resist from an upper layer of each of the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the third light emitting layer; It's okay.
  • a method for manufacturing a light-emitting device according to aspect 12 of the present invention is the method according to aspect 6 or 7, wherein in the light-emitting element forming step, both the first light-emitting layer and the second light-emitting layer are different.
  • the method may include a third light-emitting layer forming step of forming the third light-emitting layer by patterning a third laminate including a material layer laminated between two layers of third positive resist. .
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to Aspect 6 or 7, wherein in the light-emitting element forming step, both the first light-emitting layer and the second light-emitting layer are different.
  • forming a third light-emitting element including a third light-emitting layer having a material on the substrate wherein the light-emitting element forming step includes forming a third light-emitting material layer including the light-emitting material of the third light-emitting layer by two layers of negative resist;
  • the method may include a third light-emitting layer forming step of forming the third light-emitting layer by patterning a third laminate that is laminated between and included.
  • a method for manufacturing a light-emitting device is the method according to any one of Aspects 1 to 13, wherein the first light-emitting element further comprises: and a carrier transport layer between the lower electrode and the first light-emitting layer, and the first stack further includes a lower layer electrode between the first reversal resist and the first light-emitting material layer.
  • a method comprising laminating a carrier transport material layer containing a material for the carrier transport layer, and further patterning the carrier transport material layer to form the carrier transport layer in the step of forming the first light emitting layer. you can
  • a light emitting device includes a substrate, a first lower layer electrode, a first light emitting layer, and a first upper layer electrode, which are stacked in this order from the substrate side.
  • the light-emitting element and the first light-emitting element further include a photosensitive resin layer between the first lower layer electrode and the first light-emitting layer, and the photosensitive resin layer has the following structural formulas (1) to It is a configuration containing at least one selected from the group consisting of the compounds represented by (3).
  • R1 and R2 each independently represent a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
  • a light-emitting device has the configuration according to aspect 15, wherein the photosensitive resin layer comprises an aromatic hydrocarbon having a hydroxyl group, 1-hydroxyethyl-2-alkylimidazoline, and shellac.
  • the configuration may further include at least one selected from the group.
  • a light-emitting device may have the configuration according to aspect 15 or 16, and may have a configuration in which the first light-emitting layer contains quantum dots as a light-emitting material.
  • a light-emitting device may have a configuration according to any one of aspects 15 to 17, and may have a configuration in which the first light-emitting layer contains a positive photosensitive resin.
  • a light-emitting device has a configuration according to any one of Aspects 15 to 18, wherein the first lower layer electrode is a cathode, the first upper layer electrode is an anode, and the first 1 light emitting device further comprising an electron transport layer between the first lower electrode and the photosensitive resin layer, the electron affinity of the photosensitive resin layer being smaller than the electron affinity of the electron transport layer, Moreover, the electron affinity may be smaller than that of the first light-emitting layer.
  • a light-emitting device has a configuration according to any one of Aspects 15 to 18, wherein the first lower layer electrode is a cathode, the first upper layer electrode is an anode, and the first 1 light emitting device further comprising an electron transport layer between the first lower electrode and the photosensitive resin layer, the electron affinity of the photosensitive resin layer being smaller than the electron affinity of the electron transport layer, In addition, the electron affinity may be greater than that of the first light-emitting layer.
  • a light-emitting device has a configuration according to any one of Aspects 15 to 18, wherein the first lower layer electrode is an anode, the first upper layer electrode is a cathode, and the first 1
  • the light emitting device further includes a hole transport layer between the first lower electrode and the photosensitive resin layer, wherein the ionization energy of the photosensitive resin layer is higher than the ionization energy of the hole transport layer. It may be large and larger than the ionization energy of the first light-emitting layer.
  • a light-emitting device has a configuration according to any one of Aspects 15 to 18, wherein the first lower layer electrode is an anode, the first upper layer electrode is a cathode, and the first 1
  • the light emitting device further includes a hole transport layer between the first lower electrode and the photosensitive resin layer, wherein the ionization energy of the photosensitive resin layer is higher than the ionization energy of the hole transport layer. It may be large and smaller than the ionization energy of the first light-emitting layer.
  • a light-emitting device may have a configuration according to any one of aspects 15 to 22, and only the first light-emitting element may include the photosensitive resin layer.
  • a light-emitting device has a configuration according to any one of Aspects 15 to 22, comprising: a second lower layer electrode; a second light-emitting layer having a material different from that of the first light-emitting layer; and a second upper layer electrode stacked in this order from the substrate side, the second light emitting element further comprising the second lower layer electrode and the second light emitting layer. It may be a configuration in which the photosensitive resin layer is provided between.
  • a light-emitting device has a structure according to aspect 24, and includes a third lower electrode and a third light-emitting layer having a material different from that of both the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. , and a third upper layer electrode stacked in this order from the substrate side.
  • a light-emitting device has a structure according to aspect 24, and includes a third lower electrode and a third light-emitting layer having a material different from that of both the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. , and a third upper layer electrode stacked in this order from the substrate side, wherein only the first light emitting element and the second light emitting element are the photosensitive resin layer. It may be a configuration with
  • a light-emitting device has the configuration according to aspect 25 or 26, wherein the first light-emitting element is a red light-emitting element including a red light-emitting layer as the first light-emitting layer, and The light emitting element may be a green light emitting element including a green light emitting layer as the second light emitting layer, and the third light emitting element may be a blue light emitting element including a blue light emitting layer as the third light emitting layer.
  • a light-emitting device has the configuration according to Aspect 27, and includes a display region having a plurality of pixels, and a frame region surrounding the display region, wherein each of the plurality of pixels includes the A configuration comprising a red light emitting element, the green light emitting element, and the blue light emitting element, and wherein the substrate includes a thin film transistor layer that drives the red light emitting element, the green light emitting element, and the blue light emitting element, respectively.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the claims, and can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. is also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, new technical features can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.
  • Display device 10 lower film (substrate) 22 anode (lower layer electrode, first lower layer electrode, second lower layer electrode, third lower layer electrode, upper layer electrode, first upper layer electrode) 25 cathode (upper electrode, first upper electrode, second upper electrode, third upper electrode, lower electrode, first lower electrode) 33 hole transport layer (carrier transport layer) 33r red hole transport layer (carrier transport layer) 33g green hole transport layer (carrier transport layer) 33b blue hole transport layer (carrier transport layer) 34r Red lower layer resin layer (photosensitive resin layer) 34 g green lower resin layer (photosensitive resin layer) 34b Blue lower resin layer (photosensitive resin layer) 35r red light-emitting layer (first light-emitting layer, third light-emitting layer) 35g Green light-emitting layer (second light-emitting layer) 35b blue light-emitting layer (third light-emitting layer, first light-emitting layer) 37 electron transport layer (carrier transport layer) 41 red lower reversal resist layer (first

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Abstract

本発明に係る発光デバイスの製造方法は、第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程に、下層リバーサルレジスト層と第１発光層の発光材料を含む発光材料層と上層ポジレジストとを基板側からこの順に積層した積層体を形成し（ステップＳ４１～Ｓ４３）、当該積層体をパターニングする（ステップＳ４４～Ｓ４５）ことにより、第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備える。

Description

発光デバイスの製造方法、および発光デバイス
　本発明は、複数の発光素子を備えた発光デバイス、および当該発光デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１には、フォトレジストに量子ドットを混合することによって、量子ドットを含む層をフォトリソグラフィによりパターニングする手法が開示されている。
ＵＳ２０１７／０１７６８５４Ａ１
　特許文献１においては、各色の量子ドットを含む層を全面的に形成して、フォトリソグラフィによりパターニングすることを繰り返す。このため、量子ドットを含む層が除去された位置に、量子ドットが残渣として残り得る。したがって、混色が発生する問題がある。
　上記課題を解決するために、本開示の発光デバイスの製造方法は、第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程を備えた発光デバイスの製造方法であって、前記発光素子形成工程は、第１リバーサルレジストと、前記第１発光層の発光材料を含む第１発光材料層と、第１ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第１積層体をパターニングすることにより、前記第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備えた方法である。
　上記課題を解決するために、本開示の発光デバイスは、基板と、第１下層電極と、第１発光層と、第１上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第１発光素子と、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記第１発光層との間に、感光性樹脂層を備え、前記感光性樹脂層は、下記構造式（１）～（３）で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種と、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種と、を含む構成である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　ここで、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す。
　本開示の一態様によれば、第１発光層の発光材料が、第１発光層を形成しない領域に残渣として混入することを低減する。
本発明に係る表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本発明に係る表示デバイスの構成の一例を示す概略平面図である。 本発明に係る表示デバイスの表示領域の構成の一例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略フロー図である。 図５に示した赤色発光層の形成を含む処理を行う工程および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程において実行する処理を示す概略フロー図である。 は、図５に示した青色発光層の形成を含む処理を行う工程において実行する処理を示す概略フロー図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の別の一例を示す概略断面図である。 図２６に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略フロー図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の別の一例を示す概略断面図である。 図４に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２０に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２０に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２６に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２８に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２８に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 本発明の別の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図４１に示す発光素子層を形成するために実行する処理を示す概略フロー図である。 図４２に示した処理を示す概略断面図である。 図４２に示した処理および後述の図４５に示す処理を示す概略断面図である。 図４１に示す発光素子層を形成するために実行する別の処理を示す概略フロー図である。 図４５に示した処理を示す概略断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。
　〔実施形態１〕
　（表示デバイスの製造方法及び構成）
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイス２（発光デバイス）の構成の一例を示す平面図である。図３は図２に示した表示デバイス２の表示領域ＤＡの構成の一例を示す概略断面図である。
　フレキシブルな表示デバイス２を製造する場合、図１から図３に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、薄膜トランジスタ層４（ＴＦＴ層）を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して上面フィルム９を貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、薄膜トランジスタ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域ＤＡを囲む額縁領域ＮＡ（非表示領域）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２（陽極，いわゆる画素電極）と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層である活性層２４と、活性層２４よりも上層のカソード２５（陰極，いわゆる共通電極）とを含む。
　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、活性層２４、およびカソード２５を含み、ＱＬＥＤである発光素子ＥＳ（電界発光素子）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路が薄膜トランジスタ層４に形成される。
　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後、ステップＳ９に移行する。また、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、封止層６を形成する代わりに或いは加えて、透光性の封止部材を、封止接着剤によって、窒素雰囲気下で接着してもよい。透光性の封止部材は、ガラスおよびブラスチックなどから形成可能であり、凹形状であることが好ましい。
　本実施形態１は、特に、上述した表示デバイスの製造方法のうち、発光素子層５を形成する工程（ステップＳ４）に関する。本実施形態１は、特に、上述した表示デバイスの構成のうち、活性層２４に関する。
　（発光素子層の構成）
　図４は、本実施形態１に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
　図４に示した発光素子層５の一例には、基板（すなわち、下面フィルム１０または後述のマザーガラス７０）の上に、赤色サブ画素Ｐｒ（第１発光素子、赤色発光素子）と、緑色サブ画素Ｐｇ（第２発光素子、緑色発光素子）と、青色サブ画素Ｐｂ（第３発光素子、青色発光素子）と、が形成されている。以降、赤色サブ画素Ｐｒと緑色サブ画素Ｐｇと青色サブ画素Ｐｂとを「サブ画素Ｐ」と総称する。
　図４に示した発光素子層５の一例は基板側（図４の下側）から順に、赤色サブ画素Ｐｒの領域において、アノード２２（下層電極、第１下層電極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３３（キャリア輸送層）、赤色下層樹脂層３４ｒ（感光性樹脂層）、赤色発光層３５ｒ（第１発光層）、電子輸送層３７、およびカソード２５（上層電極、第１上層電極）を含む。
　同様に、発光素子層５の一例は基板側から順に、緑色サブ画素Ｐｇの領域において、アノード２２（第２下層電極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３３、緑色下層樹脂層３４ｇ（感光性樹脂層）、緑色発光層３５ｇ（第２発光層）、電子輸送層３７、およびカソード２５（第２上層電極）を含む。
　同様に、発光素子層５の一例は基板側から順に、青色サブ画素Ｐｂの領域において、アノード２２（第３下層電極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３３、青色発光層３５ｂ（第３発光層）、電子輸送層３７、およびカソード２５（第３上層電極）を含む。
　以降、赤色下層樹脂層３４ｒと緑色下層樹脂層３４ｇとを「下層樹脂層３４」と総称する。また、赤色発光層３５ｒと緑色発光層３５ｇと青色発光層３５ｂとを「発光層３５」と総称する。
　正孔注入層３１は無くてもよい。
　正孔輸送層３３は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料は例えば、ＮｉＯ、ＣｕＩ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ２Ｏ３、およびＣｕＡｌＳなどの無機材料である。また、正孔輸送材料は例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－コー（４，４’―（Ｎ―（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル)ジフェニルアミン）））（ＴＦＢ）、ポリ（Ｎ,Ｎ’－ジフェニル－Ｎ,Ｎ’―ジ（ｍ－トリル）ベンジジン）（ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、（１，１－ビス（４－（Ｎ,Ｎ―ジ（ｐ－トリル）アミノ）フェニル）シクロヘキサン）（ＴＡＰＣ）、有機ポリシラン化合物、Ｎ４，Ｎ４´‐ビス（４‐（６‐（（３‐エチルオキセタン‐３‐イル）メトキシ）ヘキシル）フェニル‐Ｎ４，Ｎ４´‐ジェフェニルビフェニル‐４，４´ジアミン）（ＯＴＰＤ）、Ｎ４，Ｎ４´‐ビス（４‐（６‐（（３‐エチルオキセタン‐３‐イル）メトキシ）ヘキシロキシ）フェニル‐Ｎ４，Ｎ４´‐ビス（４‐メトキシフェニル）ビジェニル‐４，４´‐ジアミン）（ＱＵＰＤ）、およびＮ，Ｎ´‐（４，４´‐（シクロヘキサン‐１，１‐ジイル）ビス（４，４‐フェニレン））ビス（Ｎ‐（４‐（６‐（２‐エチルオキセンタン‐２‐イルオキシ）ヘキシル）フェニル）‐３，４，５‐トリフルオロアニリン）（Ｘ‐Ｆ６‐ＴＡＰＣ）などの光硬化性の有機材料である。
　下層樹脂層３４は、リバーサルレジスト材料から形成された樹脂層である。本明細書において、「リバーサルレジスト材料」は、リバーサル型フォトレジストを含む材料を意味する。これに対して、「ポジレジスト材料」は、ポジ型フォトレジストを含む材料を意味する。
　ポジレジストは、例えば、未硬化の樹脂と増感剤とを含む。樹脂は、現像液に可溶であり、例えば、アクリル系樹脂、ノボラック計樹脂、ゴム系樹脂、スチレン系樹脂、およびエポキシ系樹脂などである。増感剤は、例えば、ＮＱＤ（NaphtoQuinoneDiazide，ナフトキノンジアジド）化合物である。ＮＱＤ化合物は、現像液に不溶である。ＮＱＤ化合物は、下記反応式（１）に示すように感光によって、インデンカルボン酸化合物に転じる。インデンカルボン酸は化合物現像液に可溶である。ＮＱＤ化合物は、ＤＮＱ（DiazoNaphtoQuinone，ジアゾナフトキノン）化合物とも呼ばれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　ここで、Ｒ１は、ＮＱＤ化合物のＮＱＤ基以外の部分であり、置換または無置換の炭化水素基を示す。
　また、現像液は、アルカリ性水溶液または有機溶媒である。アルカリ性水溶液は例えば、ＫＯＨおよびＮａＯＨなどの無機材料の水溶液、ならびにＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム）などの有機材料の水溶液である。有機溶媒は例えば、ＰＧＭＥＡ（propylene glycol monomethyl ether acetate）、アセトン、ＮＭＰ（N-methyl-2-pyrrolidone）、ＤＭＳＯ（dimethyl sulfoxide）、ＩＰＡ（isopropanol）などである。
　このため、ポジレジストは、感光前の初期状態において現像液に不溶であり、感光によって現像液に可溶になる。
　リバーサルレジストは、例えば、ポジレジストにネガティブワーキング化剤を添加したものである。ネガティブワーキング化剤は、アミン、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックなどである。リバーサル焼成時にネガティブワーキング剤は触媒としてインデンカルボン酸化合物に作用し、脱カルボキシル化を進める。このため、インデンカルボン酸化合物は、下記反応式（２）～（４）に示すように加熱によって、現像液に不溶な化合物に転じる。特に、反応式（２）に示す架橋反応が支配的な場合、リバーサルレジストが硬化する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　ここで、Ｒ２は、リバーサルレジストに含有されている樹脂、またはインデンカルボン酸化合物のインデンカルボキシル基以外の部分であり、置換または無置換の炭化水素基を示す。
　このため、リバーサルレジストはポジレジストと同様に、感光前の初期状態において現像液に不溶であり、感光によって現像液に可溶になる。さらに、リバーサルレジストは、感光により可溶化された後、さらに加熱またはレーザ照射などによって再度現像液に不溶化される。本明細書において「再不溶化」は、リバーサルレジストが現像液に可溶になった後に再度不溶になることを意味する。再不溶化されたリバーサルレジストは、再度感光されても可溶化しない。
　下層樹脂層３４は、以上のようなリバーサルレジストを再不溶化することによって、または再不溶化して本焼成することによって、形成されている。このため、下記構造式（１）～（３）で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種と、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種と、を下層樹脂層３４は含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 　ここで、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す。
　下層樹脂層３４の厚さは、５０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましい。樹脂は一般的に誘電体であり、電気抵抗率が高いため、下層樹脂層３４の厚みは、発光素子全体の電気抵抗の高低に大きく寄与する。したがって、発光層３５の基板に垂直な方向における、発光素子全体の電気抵抗を低減するために、下層樹脂層３４は薄いことが好ましい。
　赤色下層樹脂層３４ｒと緑色下層樹脂層３４ｇとは、互いに一体であっても別個であってもよい。
　発光層３５の各々が含む発光材料は、有機発光材料であっても、量子ドットなどの無機発光材料であってもよい。量子ドットは、コアシェル型量子ドットであっても、コアマルチシェル型量子ドットであってもよい。コアシェル型量子ドットのコア材料／シェル材料の組合せは、例えば、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＩＮＰ／ＺＮＳ、ＧａＰ／ＺＮＳ、Ｓi／ＺＮＳ、ＩＮＮ／ＧａＮ、ＩＮＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩＮＰ／ＺＮＳｅＴｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳ、Ｓi／ＡｌＰ、ＩＮＰ／ＺＮＳＴｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳＴｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳＳｅなどである。本明細書においては発光材料のうち、赤色発光層３５ｒが含む発光材料を赤色発光材料と称する。赤色発光材料は赤色に発光する。また、緑色発光層３５ｇが含む発光材料を緑色発光材料と称する。緑色発光材料は、赤色発光材料から異なり、緑色に発光する。また、青色発光層３４ｂが含む発光材料を青色発光材料と称する。青色発光材料は、青色に発光し、赤色発光材料および緑色発光材料の双方から異なる。
　発光層３５の各々が含む発光材料は、後述する現像工程のために、量子ドットであることが好ましい。なぜならば、量子ドットである場合、現像液が発光材料層を浸透して、発光材料層よりも下層を上面から現像できるからである。
　電子輸送層３７は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料は例えば、ＺｎＯ、ＺｒＯ、ＭｇＺｎＯ、ＡｌＺｎＯおよびＴｉＯ２などの金属酸化物、ならびにＺｎＳなどの金属硫化物である。
　（製造方法）
　以下、図４～図１９を参照して、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
　図５は、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略フロー図である。図６は、図５に示した赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２５）および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６）において実行する処理（処理Ｐ１）を示す概略フロー図である。図７は、図５に示した青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２７）において実行する処理（処理Ｐ２）を示す概略フロー図である。
　図８～図１９は各々、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略断面図である。
　まず、上述したステップＳ１～Ｓ３（図１参照）を行い、マザーガラス７０（基板）の上に樹脂層１２とバリア層３と薄膜トランジスタ層４とがこの順に形成された基板を用意する。
　次に、図５および図８に示すように、アノード２２を各サブ画素Ｐの領域毎に島状に形成し（ステップＳ２１）、アノード２２のエッジを覆うようにエッジカバー２３を形成し（ステップＳ２２）、正孔注入層３１を全面的に形成し（ステップＳ２３）、正孔輸送層３３を全面的に形成する（ステップＳ２４）。本明細書において「全面的」には、パターニングせずに、対象層を複数のサブ画素Ｐにわたって共通に形成することを意味する。
　＜赤色発光層の形成を含む処理＞
　次に、図６および図８～図１１に示すように、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う（ステップＳ２５）。この工程において、本焼成前の赤色下層樹脂層３４ｒも形成する。ステップＳ２５において、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
　すなわち、まず、図６および図８に示すように、正孔輸送層３３の上にリバーサルレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色下層リバーサルレジスト層４１（第１リバーサルレジスト）を全面的に形成（すなわち、成膜）する（ステップＳ４１、第１発光層形成工程のうちの積層体形成工程の一部）。続いて、赤色下層リバーサルレジスト層４１の上に赤色発光材料（第１発光像の発光材料）を含む材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、赤色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって、赤色発光材料層４４（第１発光材料層）を全面的に形成する（ステップＳ４２、第１発光層形成工程のうちの積層体形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色上層ポジレジスト層４５（第１ポジレジスト）を全面的に後述するように十分な厚さに形成する（ステップＳ４３、第１発光層形成工程のうちの積層体形成工程の一部）。
　本明細書において、各部材の材料を塗布する方法は、特に指定が無い限り、インクジェット法、スピンコート法、バーコート法などの何れの方法であってもよい。
　ステップＳ４３におけるポジレジスト材料に含まれる樹脂材料および増感剤は、ステップＳ４１におけるリバーサルレジスト材料に含まれる樹脂材料および増感剤と同一であることが好ましい。なぜならば、赤色下層リバーサルレジスト層４１および赤色上層ポジレジスト層４５を、露光波長および現像液などを含めて同一条件で、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングできるからである。
　このようにして、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色発光材料層４４と赤色上層ポジレジスト層４５とを基板側からこの順に含む積層体（第１積層体）を形成する。このとき、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との各々は、現像液に不溶である。
　次に、赤色第１マスク４７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第１発光層形成工程のうちの積層体露光工程）。赤色第１マスク４７を用いるため、積層体の一部を露光し、その他の部分を露光しない。赤色第１マスク４７は、赤色発光層３５ｒの形成領域に対応する部分が遮光性であり、その他の部分が透光性であるように、光学開口４７Ａが形成されている。
　このとき、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５とにおいて、紫外線照射による光化学反応によって、上記反応式（１）に示したように、現像液に不溶なＮＱＤ化合物が、現像液に可溶なインデンカルボン酸化合物に転じる。
　この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５とのうち光学開口４７Ａに対応しない部分（すなわち、赤色発光層３５ｒに重なる部分）は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部４１Ａ，４５Ａのままである。一方、光学開口４７Ａに対応するその他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部４１Ｂ，４５Ｂになる。
　次に、図６および図９に示すように、強い現像液を用いて現像を行う（ステップＳ４５、第１発光層形成工程のうちの現像工程）。本明細書において「強い現像液」は、上述の現像液であって、(i)発光材料層（または発光層）より上層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができ、さらに、(ii)発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができ、その結果、(iii)発光材料層のうちの下層のレジストが可溶部である部分を遊離させることができる液を意味する。また、前述のように、発光材料が量子ドットである場合、現像液が発光材料層を浸透して、発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことができる。
　強い現像液は、例えば、濃いアルカリ性水溶液、または界面活性剤が高濃度に添加されたアルカリ性溶液などである。濃いアルカリ水溶液は例えば、ｐＨ１２以上である。界面活性剤は例えば、脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、脂肪酸ポリエチレングリコール、脂肪酸アルカノールアミドなどの非イオン界面活性剤であり、高濃度は例えば１重量％以上である。非イオン界面活性剤は、酸およびアルカリの影響を受け難い。界面活性剤は、発光材料層への浸透を促進する。本明細書において、強い現像液を用いて現像を行うことを、「強い現像を行う」または「強く現像する」と表現する。
　この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１の可溶部４１Ｂ（露光された第１リバーサルレジスト）が除去されることによって、赤色発光材料層４４も含めて積層体の露光された部分が除去される。一方、赤色下層リバーサルレジスト層４１の不溶部４１Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。したがって、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との可溶部４１Ｂ，４５Ｂと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは除去される。一方、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４１Ａ，４５Ａと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは残る。赤色発光材料層４４のこの残部は、赤色発光層３５ｒになる。
　このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、赤色発光層３５ｒが形成される。同時に、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４１Ａ，４５Ａが、基板に直交する方向から見る平面視で赤色発光層３５ｒに重なるように形成される。
　次に、図６および図１０に示すように、赤色第２マスク４８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６、第１再不溶化工程のうちのリバーサルレジスト露光工程）。赤色第２マスク４８は、赤色発光層３５ｒの形成領域に対応する部分が透光性であり、その他の部分が遮光性であるように、光学開口４８Ａが形成されている。
　この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１の不溶部４１Ａ（第１発光層と重なる第１リバーサルレジスト）と赤色上層ポジレジスト層４５の不溶部４５Ａとは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部４１Ｃ（露光された第１リバーサルレジスト）と可溶部４５Ｃになる。なお、マスクを用いずに第２回目の露光を行ってもよいが、光劣化を低減する観点から、赤色第２マスク４８を用いることが好ましい。
　次に、図６および図１１に示すように、上述のパターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７、第１再不溶化工程のうちの加熱工程）。リバーサル焼成は、赤色上層ポジレジスト層４５が硬化せず、一方で、赤色下層リバーサルレジスト層４１が再不溶化するように行われる加熱またはレーザ照射である。リバーサル焼成は、加熱によって行われることが、簡単なため好ましい。加熱によって行われるリバーサル焼成は、赤色上層ポジレジスト層４５を構成するポジレジストが硬化する温度よりも低い温度、および硬化する時間長さより短い時間長さで行われることが好ましい。例えば、赤色上層ポジレジスト層４５が摂氏１２０度以上かつ１０分以上で硬化する場合、リバーサル焼成は、摂氏１２０度未満かつ１０分未満で行われることが好ましい。
　このとき、赤色下層リバーサルレジスト層４１において、脱カルボキシル化によって、上記反応式（２）～（４）に示したように、現像液に可溶なインデンカルボン酸化合物が、現像液に不溶な化合物に転じる。一方、赤色上層ポジレジスト層４５において、現像液に可溶なインデンカルボン酸化合物が、インデンカルボン酸化合物のままである。
　この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１の可溶部４１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部４１Ｄになる。赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄは、そのまま、または後述の本焼成（ステップＳ２９）を経て、赤色下層樹脂層３４ｒになる。一方、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは、可溶部４５Ｃのままである。
　ステップＳ２５において以上のように、赤色発光層３５ｒが、赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄと赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
　＜緑色発光層の形成を含む処理＞
　次に、図５および図１２～図１５に示すように、緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う（ステップＳ２６）。この工程において、本焼成前の緑色下層樹脂層３４ｇも形成する。ステップＳ２６においても、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
　すなわち、まず、図６および図１２に示すように、正孔輸送層３３と赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃの上にリバーサルレジスト材料を全面的に塗布することによって、緑色下層リバーサルレジスト層５１（第２リバーサルレジスト）を全面的に形成する（ステップＳ４１、第２発光層形成工程の一部）。続いて、緑色下層リバーサルレジスト層５１の上に緑色発光材料（第２発光層の発光材料）を含む材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、緑色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって、緑色発光材料層５４（第２発光材料層）を全面的に形成する（ステップＳ４２、第２発光層形成工程の一部）。続いて、緑色発光材料層５４の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、緑色上層ポジレジスト層５５（第２ポジレジスト）を全面的に後述するように十分な厚さに形成する（ステップＳ４３、第２発光層形成工程の一部）。
　本ステップＳ２６における処理Ｐ１で用いるリバーサルレジスト材料は、上述のステップＳ２５における処理Ｐ１で用いるリバーサルレジスト材料と、組成が同一であることが好ましい。なぜならば、赤色下層リバーサルレジスト層４１と同一条件で、緑色下層リバーサルレジスト層５１をパターニングおよび再不溶化できるからである。本ステップＳ２６における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料は、上述のステップＳ２５における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料と、組成が同一であることが好ましい。なぜならば、赤色上層ポジレジスト層４５と同一条件で、緑色上層ポジレジスト層５５をパターニングできるからである。
　このようにして、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色発光材料層５４と緑色上層ポジレジスト層５５とを基板側からこの順に含む積層体（第２積層体）を形成する。
　次に、緑色第１マスク５７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第２発光層形成工程の一部）。緑色第１マスク５７を用いるため、積層体の一部を露光し、その他の部分を露光しない。緑色第１マスク５７は、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分が遮光性であり、その他の部分が透光性であるように、光学開口５７Ａが形成されている。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうち光学開口５７Ａに対応しない部分（すなわち緑色発光層３５ｇに重なる部分）は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部５１Ａ，５５Ａのままである。一方、光学開口４７Ａに対応するその他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｂ，５５Ｂになる。
　次に、図６および図１３に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第２発光層形成工程の一部）。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｂが除去されることによって、緑色発光材料層５４も含めて積層体の露光された部分が除去される。一方、緑色下層リバーサルレジスト層５１の不溶部５１Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。したがって、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの可溶部５１Ｂ，５５Ｂと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とは除去される。一方、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの不溶部５１Ａ，５５Ａと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とは残る。緑色発光材料層５４のこの残部は、緑色発光層３５ｇになる。
　このとき、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｂが除去された後、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃの上面が強い現像液に曝されることに留意されたい。したがって、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは、前述のステップＳ２５において、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃによる赤色発光層３５ｒの保護を本ステップＳ２６（および後述のステップＳ２７）において維持できる十分な厚さに形成されている。また、赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄは強い現像液にも不溶である。これらのため、赤色発光層３５ｒは除去されずに、前述のように保護された状態のままである。
　このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、緑色発光層３５ｇが形成される。同時に、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５との不溶部５１Ａ，５５Ａが、基板に直交する方向から見る平面視で緑色発光層３５ｇに重なるように形成される。
　次に、図６および図１４に示すように、緑色第２マスク５８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６、第２再不溶化工程の一部）。緑色第２マスク５８は、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分が透光性であり、その他の部分が遮光性であるように、光学開口５８Ａが形成されている。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５との不溶部５１Ａ，５５Ａは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｃ，５５Ｃになる。なお、マスクを用いずに第２回目の露光を行ってもよいが、光劣化を低減する観点から、緑色第２マスク５８を用いることが好ましい。
　次に、図６および図１５に示すように、上述のパターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７、第２再不溶化工程の一部）。リバーサル焼成は、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５が硬化せず、一方で、緑色下層リバーサルレジスト層５１が再不溶化するように行われる加熱またはレーザ照射である。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部５１Ｄになる。一方、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃは、可溶部５５Ｃのままである。
　ステップＳ２６において以上のように、緑色発光層３５ｇが、緑色下層リバーサルレジスト層５１の再不溶部５１Ｄと緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
　＜青色発光層の形成を含む処理＞
　次に、図５および図１６～図１８に示すように、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う（ステップＳ２７）。ステップＳ２７において、図７に示す処理Ｐ２を実行する。
　すなわち、まず、図７および図１６に示すように、正孔輸送層３３と赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ，５５Ｃの上に青色発光材料（第３発光層の発光材料）を含む材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、青色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって、青色発光材料層６４（第３発光材料層）を全面的に形成する（ステップＳ４２、第３発光層形成工程の一部）。続いて、青色発光材料層６４の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、青色上層ポジレジスト層６５（第３ポジレジスト）を全面的に形成する（ステップＳ４３、第３発光層形成工程の一部）。
　本ステップＳ２７における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料は、上述のステップＳ２５，Ｓ２６における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料と、組成が同一であることが好ましい。なぜならば、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５と同一条件で、青色上層ポジレジスト層６５をパターニングできるからである。
　このようにして、青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体（第３積層体）を形成する。
　次に、青色第１マスク６７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第３発光層形成工程の一部）。青色第１マスク６７を用いるため、積層体の一部を露光し、その他の部分を露光しない。青色第１マスク６７は、青色発光層３５ｂの形成領域に対応する部分が遮光性であり、その他の部分が透光性であるように、光学開口６７Ａが形成されている。
　この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうち光学開口６７Ａに対応しない部分（すなわち、青色発光層３５ｂに重なる部分）は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部６１Ａ，６５Ａのままである。一方、光学開口４７Ａに対応するその他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｂ，６５Ｂになる。
　次に、図７および図１７に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。
　この結果、青色上層ポジレジスト層６５のうちの可溶部６５Ｂが除去され、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ,５５Ｃが部分的に除去される。これらによって、青色発光材料層６４も含めて積層体の露光された部分が除去される。青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。したがって、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｂと青色発光材料層６４のその下の部分とは除去される。一方、青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａと、青色発光材料層６４のその下の部分とは残る。青色発光材料層６４のこの残部は、青色発光層３５ｂになる。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｂが除去されることによって、緑色発光材料層５４も含めて積層体の露光された部分が除去される。一方、緑色下層リバーサルレジスト層５１の不溶部５１Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。
　このとき、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｂが除去された後、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ、５５Ｃの上面が強い現像液に曝されることに留意されたい。したがって、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃによる赤色発光層３５ｒの保護を本ステップＳ２７において維持できる十分な厚さに、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは、ステップＳ２５において形成されている。赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄと赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃとの間に挟まれて保護された状態のままである。同様に、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃによる緑色発光層３５ｇの保護を本ステップＳ２７において維持できる十分な厚さに、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃは、ステップＳ２６において形成されている。また、赤色下層リバーサルレジスト層４１および緑色下層リバーサルレジスト層５１の再不溶部４１Ｄ、５１Ｄは強い現像液にも不溶である。これらのため、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇは除去されずに、前述のように保護された状態のままである。
　このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、青色発光層３５ｂが形成される。同時に、青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａが、基板に直交する方向から見る平面視で青色発光層３５ｂに重なるように形成される。
　次に、図７および図１８に示すように、青色第２マスク６８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６）。青色第２マスク６８は、青色発光層３５ｂに対応する部分が透光性であり、その他の部分が遮光性であるように、光学開口６８Ａが形成されている。
　この結果、青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５５Ｃになる。なお、マスクを用いずに第２回目の露光を行ってもよいが、光劣化を低減する観点から、青色第２マスク６８を用いることが好ましい。
　ステップＳ２７において以上のように、青色発光層３５ｂが、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃの下に覆われて保護された状態に形成される。
　次に、図５および図１９に示すように、弱い現像液を用いて現像を行う。（ステップＳ２８、ポジレジスト除去工程）。本明細書において「弱い現像液」は、上述の現像液であって、(i)発光材料層（または発光層）より上層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができるが、しかし、(ii)発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができず、その結果、(ii)発光材料層を遊離させることができない液を意味する。弱い現像液は、例えば、界面活性剤が添加されていない薄いアルカリ性水溶液、または界面活性剤が添加されていない有機溶媒などである。薄いアルカリ水溶液は例えば、ｐＨ７以上１１未満である。
　この結果、赤色上層ポジレジスト層４５と緑色上層ポジレジスト層５５と青色上層ポジレジスト層６５との可溶部４５Ｃ，５５Ｃ，６５Ｃは各発光層３５の上層から除去される。一方、各発光層３５は残る。また、赤色下層リバーサルレジスト層４１と緑色下層リバーサルレジスト層５１との再不溶部４１Ｄ、５１Ｄも残る。
　次に、本焼成を行う（ステップＳ２９）。この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１と緑色下層リバーサルレジスト層５１との再不溶部４１Ｄ，５１Ｄが硬化して、赤色下層樹脂層３４ｒ，緑色下層樹脂層３４ｇになる。
　次に、図５に示すように、発光層３５の上に電子輸送層３７を全面的に形成し（ステップＳ３０）、電子輸送層３７の上にカソード２５を全面的に形成する（ステップＳ３１）。このようにして、図４に示す発光素子層５を形成する。
　（変形例１）
　本実施形態１に係る方法において、ステップＳ２９（図５参照）は行わなくてもよい。行わない場合、再不溶部４１Ｄ，５１Ｄが未硬化のまま、赤色下層樹脂層３４ｒ，緑色下層樹脂層３４ｇになる。
　（変形例２）
　図２０は、本実施形態１に係る表示デバイス２（発光デバイス）における発光素子層５の構成の別の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態１に係る方法において、ステップＳ２５～Ｓ２７（図５参照）を行う順序は交換可能である。順序交換した場合、ステップＳ２５～Ｓ２７のうちの最後に行う工程において図７に示す処理Ｐ２を実行し、最後以外に行う工程において図６に示す処理Ｐ１を実行する。この結果、発光層３５のうち最後に形成される色の発光層の下には下層樹脂層３４が形成されず、その他の色の発光層の下には下層樹脂層３４が形成される。
　例えば、ステップＳ２５～Ｓ２７のうちステップＳ２５を最後に行ってもよい。この場合、図２０に示すように、赤色下層樹脂層が赤色発光層３５ｒの下に形成されず、代わりに、青色下層樹脂層３４ｂが青色発光層３５ｂの下に形成される。この場合、緑色下層樹脂層３４ｇと青色下層樹脂層３４ｂとを「下層樹脂層３４」と総称する。
　（変形例３）
　図２１～図２５は各々、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の別の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態１に係る方法において、処理Ｐ１を行う複数の工程のうちの最後の工程は、図６に示した処理Ｐ１における第１回目の露光（ステップＳ４４）に、第１マスクおよび第２マスクと異なる第３マスクを用いることができる。第３マスクは、少なくとも、当該最後の工程が形成する発光層の形成領域に対応する部分が遮光性である。第３マスクは、加えて任意選択で、先だって形成済みの発光層の形成領域に対応する部分の何れかが遮光性であってよく、発光層の形成領域同士の間の隙間領域に対応する部分の何れかが遮光性であってよい。
　例えば、ステップＳ２５が処理Ｐ１行い、ステップＳ２６が処理Ｐ１行い、次いで、ステップＳ２７が処理Ｐ２を行う場合の一例を示す。この例において、ステップＳ２６は、図１２～図１５の代わりに図２１～図２４のように、処理Ｐ１を行う。
　まず、図６および図２１に示すように、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色発光材料層５４と緑色上層ポジレジスト層５５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する（ステップＳ４１～Ｓ４３）。次に、緑色第３マスク５９を用いて紫外光で、積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４）。緑色第３マスク５９は、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分が遮光性である。緑色第３マスク５９は、加えて、赤色発光層３５ｒの形成領域に対応する部分と、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇの形成領域の間の隙間領域に対応する部分とが遮光性である。緑色第３マスク５９は、その他の部分が透光性であるように、光学開口５９Ａが形成されている。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの緑色発光層３５ｇに重なる部分に加えて、赤色発光層３５ｒに重なる部分と、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇの隙間に対応する部分とは、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部５１Ａ，５５Ａのままである。一方、その他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｂ，５５Ｂになる。
　次に、図６および図２２に示すように、強い現像液を用いて現像を行う（ステップＳ４５）。この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの不溶部５１Ａ，５５Ａと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とは残る。本変形例においては、緑色発光材料層５４のこの残部のうち、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分は緑色発光層３５ｇになるが、一方、対応しない余剰部５４Ａは最終的に除去される。
　次に、図６および図２３に示すように、緑色第２マスク５８を用いて紫外光で、パターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６）。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５との不溶部５１Ａ，５５Ａのうち露光される部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｃ，５５Ｃになる。不溶部５１Ａ，５５Ａのうち露光されない部分は、光化学反応が起きず、現像液に不溶なままである。ここで、不溶部５１Ａ，５５Ａのうち露光されない部分を不溶部５１Ｅ，５５Ｅと称する。
　なお、第１回目の露光で緑色第１マスク５７を用いた場合と異なり、第２回目の露光（ステップＳ４６）において、緑色発光材料層５４の余剰部５４Ａに対応する部分が遮光性であり、かつ、緑色発光層３５ｇに対応する部分が透光性であるように開口が形成されたマスクを用いる必要があることに留意されたい。
　次に、図６および図２４に示すように、パターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７）。
　この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部５１Ｄになる。一方、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃは、可溶部５５Ｃのままである。同様に、緑色下層リバーサルレジスト層５１および緑色上層ポジレジスト層５５の不溶部５１Ｅ，５５Ｅは不溶部５１Ｅ，５５Ｅのままである。
　次に、青色発光層３５ｂを形成する工程（図５のステップＳ２７）に進み、図６および図７および図２５に示すように、青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する（ステップＳ４２～Ｓ４３）。次に、青色第１マスク６７を用いて紫外光で積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４）。
　この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの青色発光層３５ｂに重ならない部分が、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｂ，６５Ｂになる。同時に、緑色下層リバーサルレジスト層５１および緑色上層ポジレジスト層５５の不溶部５１Ｅ，５５Ｅが、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｆ，５５Ｆになる。
　次に、強い現像を行う（ステップＳ４５）。
　この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの可溶部６１Ｂ，６５Ｂと、青色発光材料層６４のうちのその間の部分とが除去される。同時に、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの可溶部５１Ｆ，５５Ｆと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とが除去される。
　したがって、上述したプロセスにより、図１７に示した、各サブ画素における積層体の構造と、同様の構造の積層体を得ることができる。
　（変形例４）
　図２６および図２８は各々、本実施形態１に係る表示デバイス２（発光デバイス）における発光素子層５の構成のさらに別の一例を示す概略断面図である。
　図２７は、図２６に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略フロー図である。
　発光素子層５は、図２６に示すように基板側から順に、カソード２５（第１下層電極）、電子輸送層３７、下層樹脂層３４（感光性樹脂）、発光層３５、正孔輸送層３３、正孔注入層３１、およびアノード２２（第１上層電極）を含んでもよい。
　この場合、発光素子層５を形成する工程（ステップＳ４）は、図２７に示すように、カソード２５を各サブ画素Ｐの領域毎に島状に形成し（ステップＳ３１）、カソード２５のエッジを覆うようにエッジカバー２３を形成し（ステップＳ２２）、電子輸送層３７を全面的に形成し（ステップＳ３０）、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行い（ステップＳ２５）、緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行い（ステップＳ２６）、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行い（ステップＳ２７）、弱い現像を行い（ステップＳ２８）、本焼成を行い（ステップＳ２９）、正孔輸送層３３を全面的に形成し（ステップＳ２４）、正孔注入層３１を全面的に形成し（ステップＳ２３）、アノード２２を全面的に形成する（ステップＳ２１）。
　この場合においても、ステップＳ２５～Ｓ２７を行う順序は交換可能である。ステップＳ２５～Ｓ２７のうちの最後に行う工程において図７に示す処理Ｐ２を実行し、それ以外の工程において図６に示す処理Ｐ１を実行する。例えば、ステップＳ２５を最後に行ってもよい。この場合、図２８に示すように、赤色下層樹脂層が赤色発光層３５ｒの下に形成されず、代わりに、青色下層樹脂層３４ｂが青色発光層３５ｂの下に形成される。
　（変形例５）
　ステップＳ２５が実行するステップＳ４２において、赤色発光材料層４４は、発光材料とポジレジストとを含む溶液を全面的に塗布して、当該溶液から溶媒を揮発することによって、形成されてもよい。この場合、ステップＳ４４において、赤色発光材料層４４の赤色発光層３５ｒの形成領域以外に対応する部分に含まれるポジレジストは、現像液に可溶になる。このため、続くステップＳ４５において、赤色発光材料層４４がポジレジストを含まない溶液から形成された場合と比較して、赤色発光材料層４４のうちの赤色発光層３５ｒの形成領域以外に対応する部分が、除去されやすい。
　この結果、ステップＳ４５において、少し強い現像液を用いて現像を行うことができる。本明細書において「少し強い現像液」は、上述の現像液であって、(i)発光材料層（または発光層）より上層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができ、さらに、(ii)ポジレジストを含む溶液から形成された発光材料層を溶かしたり浸透したりでき、その結果、(iii)発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができる液を意味する。少し強い現像液は、例えば、少し濃いアルカリ性水溶液、界面活性剤が低濃度に添加された薄いアルカリ性溶液、または、界面活性剤が低濃度に添加された有機溶剤などである。少し濃いアルカリ水溶液は例えば、ｐＨ１１以上１２未満である。低濃度は例えば０．５重量％未満である。
　少し強い現像液を用いることによって、強い現像液を用いる場合と比較して、各層または各部材に与えるダメージを低減することができる。
　また、表示デバイス２において赤色発光層３５ｒが、ポジレジストに由来するポジ型の感光性樹脂を含む。
　同様に、ステップＳ２６およびステップＳ２７が実行するステップＳ４２の各々において、緑色発光材料層５４および青色発光材料層６４は、発光材料とポジレジストを含む溶液を全面的に塗布して、当該溶液から溶媒を揮発することによって、形成されてもよい。
　（変形例６）
　上述においては、赤色サブ画素Ｐｒと緑色サブ画素Ｐｇと青色サブ画素Ｐｂの３つのうち２つが下層樹脂層を備える例を説明したが、本実施形態の範囲はこれに限らず、Ｎ個の発光素子のうち１つのみが下層樹脂層を備える例から、Ｎ個の発光素子のうち（Ｎ－１）個のみが下層樹脂層を備える例まで本実施形態１に含まれる。Ｎは２以上の整数である。
　上述の変形例１～６は、任意の組合せで、互いに組合せ可能である。また、上述の変形例１～５およびその任意の組み合わせは、後述の実施形態２に適用可能である。また上述の変形例２～６およびその任意の組み合わせは、後述の実施形態３に適用可能である。また、上述の変形例１～６およびその任意の組合せは、後述の実施形態４に適用可能である。
　（発光素子層のエネルギー準位）
　以下、図２９～図３４を参照して、本実施形態に係る下層樹脂層３４のバンドギャップについて詳細に説明する。
　図２９は、図４に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。
　図３０および図３１は各々、図２０に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。
　図３２は、図２６に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップを示す概略エネルギー準位図である。
　図３３および図３４は各々、図２８に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップを示す概略エネルギー準位図である。
　図２９～図３４は各々、伝導帯を上側に示し、価電子帯を下側に示す。以降、最低空軌道（Lowest Unoccupied Molecular Orbital：ＬＵＭＯ）または伝導帯の下端あるいは最高被占有軌道（Highest Occupied Molecular Orbital：ＨＯＭＯ）または価電子帯の上端が真空のエネルギー準位に近い（すなわち、図２９～図３４の上側に位置し、電子親和力またはイオン化エネルギーが小さい）ことを、「浅い」と表現する。また、真空のエネルギー準位から遠い（すなわち、図２９～図３４の下側に位置し、電子親和力またはイオン化エネルギーが大きい）ことを、「深い」と表現する。
　図４および図２０のように下層樹脂層３４が正孔輸送層３３と発光層３５との間に位置する構成においては、図２９～図３１のように下層樹脂層３４のＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯよりも深い必要がある。なぜならば、下層樹脂層３４のＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯと同等またはよりも浅い場合、正孔輸送層３３から発光層３５へ向かって移動する正孔が下層樹脂層３４にトラップされるからである。
　図４および図２０のような構成において、赤色下層樹脂層３４ｒのＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯより深く、かつ、赤色発光層３５ｒの価電子帯の上端よりも深い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、正孔輸送層３３から赤色発光層３５ｒへの正孔注入を阻害する層として機能し得る。この結果、正孔の過剰注入を低減することができる。一方、赤色下層樹脂層３４ｒのＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯより深く、かつ、赤色発光層３５ｒの価電子帯の上端よりも浅い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、正孔輸送層３３から赤色発光層３５ｒへの正孔注入を補助する層として機能し得る。緑色下層樹脂層３４ｇおよび青色下層樹脂層３４ｂについても同様である。
　図４に示す構成においては、図２９のように下層樹脂層３４のＨＯＭＯが、青色発光層３５ｂの価電子帯の上端よりも、深いことが好ましい。これによれば、正孔輸送層３３から赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇへの正孔の移動が阻害される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も深い発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も深い発光層の価電子帯の上端よりも、下層樹脂層のＨＯＭＯが深いことが好ましい。
　図２０に示す構成においては、図３０および図３１のように下層樹脂層３４のＨＯＭＯが、青色発光層３５ｂの価電子帯の上端よりも、浅いことが好ましい。これによれば、正孔輸送層３３のＨＯＭＯと青色下層樹脂層３４ｂのＨＯＭＯと青色発光層３５ｂの価電子帯の上端がこの順に階段状に並ぶ。この結果、正孔輸送層３３から青色発光層３５ｂへの正孔移動が促進される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も浅い発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も深い発光層の価電子帯の上端よりも、下層樹脂層のＨＯＭＯが浅いことが好ましい。
　図２６および図２８のように下層樹脂層３４が電子輸送層３７と発光層３５との間に位置する構成においては、図３２～図３４のように下層樹脂層３４のＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯよりも浅い必要がある。なぜならば、下層樹脂層３４のＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯと同等またはよりも深い場合、電子輸送層３７から発光層３５へ向かって移動する電子が下層樹脂層３４にトラップされるからである。
　図２６および図２８のような構成において、赤色下層樹脂層３４ｒのＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯより浅く、かつ、赤色発光層３５ｒの伝導帯の下端よりも浅い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、電子輸送層３７から赤色発光層３５ｒへの電子注入を阻害する層として機能し得る。この結果、電子の過剰注入を低減することができる。一方、赤色下層樹脂層３４ｒのＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯより浅く、かつ、赤色発光層３５ｒの伝導帯の下端よりも深い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、電子輸送層３７から赤色発光層３５ｒへの電子注入を補助する層として機能し得る。緑色下層樹脂層３４ｇおよび青色下層樹脂層３４ｂについても同様である。
　図２６に示す構成においては、図３２のように下層樹脂層３４のＬＵＭＯが、青色発光層３５ｂの伝導帯の下端よりも、浅いことが好ましい。これによれば、電子輸送層３７から赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇへの電子の移動が阻害される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も浅い発光層と電子輸送層と電子輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と電子輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も浅い発光層の伝導帯の下端よりも、下層樹脂層のＬＵＭＯが浅いことが好ましい。
　図２８に示す構成においては、図３３および図３４のように下層樹脂層３４のＬＵＭＯが、青色発光層３５ｂの伝導帯の下端よりも、深いことが好ましい。これによれば、電子輸送層３７のＬＵＭＯと青色下層樹脂層３４ｂのＬＵＭＯと青色発光層３５ｂの伝導帯の下端がこの順に階段状に並ぶ。この結果、電子輸送層３７から青色発光層３５ｂへの電子移動が促進される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も深い発光層と電子輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も浅い発光層の伝導帯の下端よりも、下層樹脂層のＬＵＭＯが深いことが好ましい。
　（作用効果）
　本実施形態１に係る方法によれば、量子ドットを含む層とフォトレジストを含む層とは別個である。このため、量子ドットを含む層が十分に量子ドットを含み、かつ、パターニングされることができる。
　本実施形態１に係る方法によれば、赤色発光材料層４４は図８に示すように、赤色下層リバーサルレジスト層４１の上に形成され、赤色発光材料層４４の不用な部分（すなわち、赤色発光層３５ｒにならない部分）は図９に示すように、赤色下層リバーサルレジスト層４１の可溶部４１Ｂと共に除去される。このため、赤色発光層３５ｒの発光材料が、赤色発光層３５ｒの形成領域以外に、残渣として混入することを低減できる。同様に、緑色発光層３５ｇの発光材料が緑色発光層３５ｇの形成領域以外に残渣として混入することを低減できる。混入低減により、サブ画素（発光素子）間の混色を低減できる。
　本実施形態１に係る方法によればさらに、赤色発光材料層４４が、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層赤色上層ポジレジスト層４５との間に、全面的に形成される。そして、赤色発光層３５ｒが、フォトレジスト技術を用いて赤色発光材料４４をパターニングすることによって、形成される。これらのため、赤色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって赤色発光材料層４４を形成する場合においても、赤色発光層３５ｒにコーヒーリング効果および表面張力に起因する凹凸が生じない。この結果、赤色発光層３５ｒを平坦かつ均一に形成することができる。緑色発光層３５ｇおよび青色発光層３５ｂについても同様である。
　本実施形態１に係る方法によれば、青色発光材料層６４は図１６に示すように、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ、５５Ｃの上に形成され、青色発光材料層６４の不用な部分（すなわち、青色発光層３５ｂにならない部分）が図１７に示すように除去された後、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ、５５Ｃが図１９に示すように除去される。このため、青色発光層３５ｂの発光材料が赤色サブ画素Ｐｒおよび緑色サブ画素Ｐｇの領域に残渣として混入することを低減できる。
　本実施形態１に係る方法によれば、赤色発光層３５ｒの形成に続いて、赤色下層リバーサルレジスト層４１の不溶部４１Ａを、露光およびリバーサル焼成によって、現像液に不溶な再不溶部４１Ｄにする。再不溶部４１Ｄはさらに露光または焼成しても、現像液に不溶なままである。このため、以降の工程において、赤色発光層３５ｒが現像液によって除去されることを低減できる。同様に、緑色発光層３５ｇが現像液によって除去されることを低減できる。したがって、赤色発光層３５ｒ、緑色発光層３５ｇ、青色発光層３５ｂの厚さを制御しやすい。
　本実施形態１に係る方法によれば、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは図１９に示すように除去される。このため、表示デバイス２において、赤色発光層３５ｒの上に、赤色上層ポジレジスト層４５または赤色上層ポジレジスト層４５に由来する樹脂層が存在しない。したがって、赤色サブ画素Ｐｒの発光効率を向上することができる。同様に、緑色サブ画素Ｐｇおよび青色サブ画素Ｐｂの発光効率を向上することができる。
　また、除去されるので、赤色上層ポジレジスト層４５の厚さを大きくしても、赤色サブ画素Ｐｒの発光効率に影響しない。したがって、赤色上層ポジレジスト層４５を形成してから赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃを除去するまでの期間に赤色発光層３５ｒが損傷したり薄くなったりしないように、赤色上層ポジレジスト層４５の厚さを十分に大きくできる。同様に、緑色上層ポジレジスト層５５および青色上層ポジレジスト層６５の厚さを十分に大きくできる。したがって、赤色発光層３５ｒ、緑色発光層３５ｇ、青色発光層３５ｂの厚さを制御しやすい。
　本実施形態１に係る方法によれば、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇは各々、強い現像液を用いて現像を行う工程において、赤色下層リバーサルレジスト層４１緑色下層リバーサルレジスト層の再不溶部４１Ｄ、５１Ｄを介して基板に付着している。このため、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇが製造工程の途中で基板から剥離することを低減できる。
　本実施形態１に係る方法によれば、赤色下層リバーサルレジスト層４１および緑色下層リバーサルレジスト層５１を熱硬化するための本焼成は、図５に示すように１回で行うことができる。あるいは、本焼成を行わなくてもよい。このため、本焼成による加熱または温度変化に起因する化学的または機械的な損傷を低減することができる。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図３５は、本実施形態２に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態２に係る発光素子層５の一例は、正孔輸送層３３と青色発光層３５ｂとの間に青色下層樹脂層３４ｂを含む点において、前述の実施形態１に係る発光素子層５の一例から異なる。この場合、赤色下層樹脂層３４ｒと緑色下層樹脂層３４ｇと青色下層樹脂層３４ｂとを「下層樹脂層３４」と総称する。換言すれば、本実施形態２に係る発光素子層５は、全ての発光層３５の下に下層樹脂層３４を含む点において、前述の実施形態１に係る発光素子層５から異なる。
　（製造方法）
　本実施形態２に係る構成は、全ての発光層を形成する工程が図６に示す処理Ｐ１を各々実行することによって実現し得る。
　以下、図３６～図４０を参照して、図３５に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
　図３６～図４０は各々、図３５に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略断面図である。
　まず、前述の実施形態１と同様に、図５に示すフローを、緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６）まで行う。
　＜青色発光層の形成を含む処理＞
　次に、図６および図３６に示すように、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う（ステップＳ２７）。ステップＳ２７において、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
　すなわち、まず、図６および図３６に示すように、正孔輸送層３３と赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ，５５Ｃの上にリバーサルレジスト材料を全面的に塗布することによって、青色下層リバーサルレジスト層６１（第３リバーサルレジスト）を全面的に形成する（ステップＳ４１、第３発光層形成工程の一部）。続いて、青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３、第３発光層形成工程の一部）。このようにして、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体（第３積層体）を形成する。
　次に、青色第１マスク６７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第３発光層形成工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの青色発光層３５ｂに重なる部分は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部６１Ａ，６５Ａのままである。一方、その他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｂ，６５Ｂになる。
　次に、図６および図３７示すように、強い現像液を用いて現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの可溶部６１Ｂ，６５Ｂと、青色発光材料層６４のうちのその間の部分とは除去される。一方、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの不溶部６１Ａ，６５Ａと、青色発光材料層６４のうちのその間の部分とは残る。青色発光材料層６４のこの残部は、青色発光層３５ｂになる。
　このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、青色発光層３５ｂが形成される。
　次に、図６および図３８に示すように、青色第２マスク６８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６、第３再不溶化工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５との不溶部６１Ａ，５６Ａは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｃ，６５Ｃになる。
　次に、図６および図３９に示すように、上述のパターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７、第３再不溶化工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１の可溶部６１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部６１Ｄになる。一方、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃは、可溶部６５Ｃのままである。
　ステップＳ２７において以上のように、青色発光層３５ｂを、青色下層リバーサルレジスト層６１の再不溶部６１Ｄと青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に、形成する。
　以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８、ポジレジスト除去工程）および続く工程を行う。このようにして、図３０に示す発光素子層５を形成する。
　（作用効果）
　本実施形態２に係る方法によれば、青色発光材料層６４は図３６に示すように、青色下層リバーサルレジスト層６１の上に形成され、青色発光材料層６４の不用な部分（すなわち、青色発光層３５ｂにならない部分）は図３７に示すように、青色下層リバーサルレジスト層６１の可溶部６１Ｂと共に除去される。
　このため、本実施形態２に係る方法によれば前述の実施形態１に係る方法と比較して、青色発光層３５ｂの発光材料が、青色発光層３５ｂの形成領域以外に残渣として混入することを低減できる。具体的には、青色発光層３５ｂの発光材料が、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇの側面、赤色下層樹脂層３４ｒおよび緑色下層樹脂層３４ｇの側面、ならびに正孔輸送層３３の上面に残渣として混入することを低減できる。
　本実施形態２に係る方法によれば、青色発光層３５ｂは、強い現像液を用いて現像を行う工程において、青色下層リバーサルレジスト層６１の再不溶部６１Ｄを介して基板に付着している。このため、青色発光層３５ｂが製造工程の途中で基板から剥離することをより低減できる。
　〔実施形態３〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図４１は、本実施形態３に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態３に係る発光素子層５の一例は、全ての発光層３５の下に下層樹脂層３４を含む点と、赤色発光層３５ｒと電子輸送層３７との間に赤色上層樹脂層３６ｒを含む点とにおいて、前述の実施形態１に係る発光素子層５の一例から異なる。
　（製造方法１）
　以下、図４２～図４４を参照して、図４１に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
　本実施形態２に係る構成は、図４に示すステップＳ２５～Ｓ２７のうちステップＳ２５を最後に行い、ステップＳ２５が、図４２に示す処理Ｐ３を実行することによって実現し得る。なお、ステップＳ２６およびステップＳ２７は、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
　図４２は、図４１に示す発光素子層５を形成するために実行する処理（処理Ｐ３）を示す概略フロー図である。図４３は、図４２に示した処理Ｐ３を示す概略断面図である。図４４は、図４２に示した処理Ｐ３および後述の図４５に示す処理Ｐ４を示す概略断面図である。
　まず、前述の実施形態１の変形例と同様に、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２７、第１発光層形成工程）および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６、第２発光層形成工程）まで行う。
　次に、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２５）を行う。ここにおいて、図４２および図４３に示すように、正孔輸送層３３の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色下層ポジレジスト層４２を全面的に形成する（ステップＳ４８、第３発光層形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４および赤色上層ポジレジスト層４５を全面的に形成する（ステップＳ４２、Ｓ４３、第３発光層形成工程の一部）。
　このようにして、赤色発光材料層４４（第３発光材料層）を赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５と（２層のポジレジスト）の間に積層して含む積層体（第３積層体）を形成する。このとき、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との各々は、現像液に不溶である。
　次に、赤色第１マスク４７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して露光を行う（ステップＳ４９、第３発光層形成工程の一部）。本処理Ｐ３は、処理Ｐ１（図６参照）および処理Ｐ２（図７参照）と異なり、露光を１回のみ行う。
　この結果、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５とのうちの赤色発光層３５ｒに重なる部分は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部４２Ａ，４５Ａのままである。一方、その他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部４２Ｂ，４５Ｂになる。
　次に、図４２および図４４に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。この結果、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との可溶部４２Ｂ，４５Ｂと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは除去される。一方、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４２Ａ，４５Ａと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは残る。赤色発光材料層４４のこの残部は、赤色発光層３５ｒになる。
　ステップＳ２５において以上のように、赤色発光層３５ｒを、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４２Ａ，４５Ａの間に挟まれて保護された状態に、形成する。
　以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８）および続く工程を行う。赤色下層ポジレジスト層４２および赤色上層ポジレジスト層４５の不溶部４２Ａ，４５Ａが各々そのまま、あるいは本焼成を経て、赤色下層樹脂層３４ｒおよび赤色上層樹脂層３６ｒになる。このようにして、図４１に示す発光素子層５を形成する。
　この方法によっても、各発光層３５の発光材料が、当該発光層３５の形成領域以外に残渣として混入することを低減することができる。
　（製造方法２）
　以下、図４４～図４６を参照して、図４１に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の別の一例について詳細に説明する。
　本実施形態２に係る構成は、図５に示すステップＳ２５～Ｓ２７のうちステップＳ２５が、図４５に示す処理Ｐ４を実行することによって実現し得る。ここで、ステップＳ２６およびステップＳ２７は、図６に示す処理Ｐ１を実行する。また、処理Ｐ４がネガレジスト材料を用いているため、ステップＳ２５～Ｓ２７（図５参照）を行う順序は交換可能である。
　図４５は、図４１に示す発光素子層５を形成するために実行する別の処理（処理Ｐ４）を示す概略フロー図である。図４６は、図４５に示した処理Ｐ４を示す概略断面図である。
　まず、前述の実施形態１の変形例と同様に、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２７、第１発光層形成工程）および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６、第２発光層形成工程）まで行う。
　次に、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２５）を行う。ここにおいて、図４５および図４６に示すように、正孔輸送層３３の上にネガレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色下層ネガレジスト層４３を全面的に形成する（ステップＳ４５０、第３発光層形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４を全面的に形成する（ステップＳ４２、第３発光層形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４の上にネガレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色上層ネガレジスト層４６を全面的に形成する（ステップＳ５１、第３発光層形成工程の一部）。本明細書において、「ネガレジスト材料」は、ネガ型フォトレジストを含む材料を意味する。
　このようにして、赤色発光材料層４４（第３発光材料層）を赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６と（２層のネガレジスト）の間に積層して含む積層体（第３積層体）を形成する。このとき、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６の各々は、現像液に可溶である。
　次に、赤色第２マスク４８を用いて紫外光で、上述の積層体に対して露光を行う（ステップＳ５２、第３発光層形成工程の一部）。本処理Ｐ４は、処理Ｐ１（図６参照）および処理Ｐ２（図７参照）と異なり、露光を１回のみ行う。
　この結果、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６とのうちの赤色発光層３５ｒに重なる部分は、光化学反応によって、現像液に不溶な不溶部４３Ａ，４６Ａになる。一方、その他の部分は、光化学反応が起きず、現像液に可溶な可溶部４３Ｂ，４６Ｂのままである。
　次に、図４５および図４４に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。この結果、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６との可溶部４３Ｂ，４６Ｂと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは除去される。一方、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６との不溶部４３Ａ，４６Ａと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは残る。赤色発光材料層４４のこの残部は、赤色発光層３５ｒになる。
　ステップＳ２５において以上のように、赤色発光層３５ｒを、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６との不溶部４３Ａ，４６Ａの間に挟まれて保護された状態に、形成する。
　以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８）および続く工程を行う。赤色下層ネガレジスト層４３および赤色上層ネガレジスト層４６の不溶部４３Ａ，４６Ａが各々そのまま、あるいは本焼成を経て、赤色下層樹脂層３４ｒおよび赤色上層樹脂層３６ｒになる。このようにして、図４１に示す発光素子層５を形成する。
　この方法によっても、各発光層３５の発光材料が、当該発光層３５の形成領域以外に残渣として混入することを低減することができる。
　（作用効果）
　本実施形態３に係る方法によれば、前述の実施形態１に係る方法と比較して、各発光層の発光材料が別の発光層の形成領域に残渣として混入することをより低減できる。
　〔実施形態４〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図４７は、本実施形態４に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態４に係る発光素子層５の一例は、全面的に形成された正孔輸送層３３の代わりに、各々パターニングされた赤色正孔輸送層３３ｒと緑色正孔輸送層３３ｇと青色正孔輸送層３３ｂとを含む点において、前述の実施形態１に係る発光素子層５の一例から異なる。
　（製造方法）
　以下、図４８～図５３を参照して、図４７に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
　図４８～図５３は各々、図４７に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例を示す断面図である。
　まず、図４６に示すフローの正孔注入層を形成する工程（ステップＳ２３）まで、前述の実施形態１と同様に行う。
　＜赤色発光層および赤色正孔輸送層の形成を含む処理＞
　次に、図４８に示すように、赤色発光層３５ｒおよび赤色正孔輸送層３３ｒの形成を含む処理を行う（ステップＳ６０）。ステップＳ６０において、図４９に示す処理Ｐ５を実行する。図４９に示す処理Ｐ５は、正孔輸送材料層を形成する工程（ステップＳ６３）を含む点において、図６に示す処理Ｐ１から異なる。
　すなわち、図４９および図５１に示すように、まず、赤色下層リバーサルレジスト層４１を全面的に形成する（ステップＳ４１）。続いて、赤色下層リバーサルレジスト層４１の上に正孔輸送材料（キャリア輸送層の材料）を全面的に蒸着することによって、あるいは、正孔輸送材料を含む材料を全面的に塗布することによって、赤色正孔輸送材料層７１（キャリア輸送材料層）を全面的に形成する（ステップＳ６３）。続いて、赤色発光材料層４４および赤色上層ポジレジスト層４５を全面的に形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。
　このようにして、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色正孔輸送材料層７１と赤色発光材料層４４と赤色上層ポジレジスト層４５とを基板側からこの順に含む積層体（第１積層体）を形成する。
　次に、図４９に示すように、前述の実施形態１と同様にステップＳ４４～Ｓ４５を行う。これによって、赤色正孔輸送材料層７１が赤色発光材料層４４と共にパターニングされ、赤色正孔輸送材料層７１の残部が赤色正孔輸送層３３ｒになる。
　続いて、前述の実施形態１と同様にステップＳ４６～Ｓ４７を行う。これによって、赤色発光層３５ｒおよび赤色正孔輸送層３３ｒが、赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄと赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
　＜緑色発光層および緑色正孔輸送層の形成を含む処理＞
　次に、図４８に示すように、緑色発光層３５ｇおよび緑色正孔輸送層３３ｇの形成を含む処理を行う（ステップＳ６１）。ステップＳ６１において、図４９に示す処理Ｐ５を実行する。
　すなわち、図４９および図５２に示すように、まず、緑色下層リバーサルレジスト層５１を全面的に形成する（ステップＳ４１）。続いて、緑色下層リバーサルレジスト層５１の上に正孔輸送材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、正孔輸送材料を含む材料を全面的に塗布することによって、緑色正孔輸送材料層７２を全面的に形成する（ステップＳ６３）。続いて、緑色発光材料層５４および緑色上層ポジレジスト層５５を全面的に形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。
　このようにして、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色正孔輸送材料層７２と緑色発光材料層５４と緑色上層ポジレジスト層５５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する。
　次に、図４９に示すように、前述の実施形態１と同様にステップＳ４４～Ｓ４５を行う。これによって、緑色正孔輸送材料層７２が緑色発光材料層５４と共にパターニングされ、緑色正孔輸送材料層７２の残部が緑色正孔輸送層３３ｇになる。
　続いて、前述の実施形態１と同様にステップＳ４６～Ｓ４７を行う。これによって、緑色発光層３５ｇおよび緑色正孔輸送層３３ｇが、緑色下層リバーサルレジスト層５１の再不溶部５１Ｄと緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
　＜青色発光層および青色正孔輸送層の形成を含む処理＞
　次に、図４８に示すように、青色発光層３５ｂおよび青色正孔輸送層３３ｂの形成を含む処理を行う（ステップＳ６２）。ステップＳ６２において、図５０に示す処理Ｐ６を実行する。図５０に示す処理Ｐ３は、正孔輸送材料層を形成する工程（ステップＳ６２）を含む点において、図７に示す処理Ｐ２から異なる。
　すなわち、図５０および図５３に示すように、まず、正孔注入層３１と赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ，５５Ｃの上に正孔輸送材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、正孔輸送材料を含む材料を全面的に塗布することによって、青色正孔輸送材料層７３を全面的に形成する（ステップＳ６３）。続いて、青色発光材料層６４および青色上層ポジレジスト層６５を全面的に形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。
　このようにして、青色正孔輸送材料層７３と青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する。
　次に、図５０に示すように、前述の実施形態１と同様にステップＳ４４～Ｓ４５を行う。これによって、青色正孔輸送材料層７３が青色発光材料層６４と共にパターニングされ、青色正孔輸送材料層７３の残部が青色正孔輸送層３３ｂになる。
　続いて、前述の実施形態１と同様にステップＳ４６を行う。これによって、青色発光層３５ｂおよび青色正孔輸送層３３ｂが、青青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃの下に覆われて保護された状態に形成される。
　以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８）および続く工程を行う。このようにして、図４７に示す発光素子層５を形成する。
　（作用効果）
　本実施形態４に係る方法によれば、赤色発光層３５ｒと共に、赤色発光層３５ｒに対応する赤色正孔輸送層３３ｒもパターニングすることができる。このため、赤色発光層に適した赤色正孔輸送層３３ｒを形成可能である。また、赤色正孔輸送層３３ｒの正孔輸送材料が、赤色正孔輸送層３３ｒの形成領域以外に残渣として混入することを低減できる。緑色正孔輸送層３３ｇおよび青色正孔輸送層３３ｂについても同様である。
　なお、本実施形態４の範囲はこれに限らず、正孔輸送層以外の層を発光層と共にパターニングする例、上述の実施形態２，３において発光層と共に正孔輸送層などの層をパターニングする例、複数の発光層のうちの１つまたは幾つかの発光層についてのみ当該発光層と共に正孔輸送層などの層をパターニングする例、などを含む様々な変形例を含む。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る発光デバイスの製造方法は、第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程を備えた発光デバイスの製造方法であって、前記発光素子形成工程は、第１リバーサルレジストと、前記第１発光層の発光材料を含む第１発光材料層と、第１ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第１積層体をパターニングすることにより、前記第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備えた方法である。
　本発明の態様２に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１に係る方法であって、前記第１発光層形成工程は、前記第１積層体の各層を成膜する積層体形成工程と、前記積層体形成工程に次いで、前記第１積層体の一部を露光する積層体露光工程と、前記積層体露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを除去することにより、前記第１積層体の露光された部分を除去する現像工程と、を備えた方法であってよい。
　本発明の態様３に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１または２に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１発光層形成工程に次いで、前記第１発光層と重なる前記第１リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第１再不溶化工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様４に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様３に係る方法であって、前記第１再不溶化工程は、前記第１リバーサルレジストを露光するリバーサルレジスト露光工程と、前記リバーサルレジスト露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを加熱する加熱工程とを備えた方法であってよい。
　本発明の態様５に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様３または４に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層を含む第２発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１再不溶化工程より後に、第２リバーサルレジストと、前記第２発光層の発光材料を含む第２発光材料層と、第２ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第２積層体をパターニングすることにより、前記第２発光層を形成する第２発光層形成工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様６に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様５に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２発光層形成工程に次いで、前記第２発光層と重なる前記第２リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第２再不溶化工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様７に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、および、前記第２ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、および、前記第２発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様８に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６または７に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様９に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を形成し、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、第３リバーサルレジストと、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様１０に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様９に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３発光層形成工程に次いで、前記第３発光層と重なる前記第３リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第３再不溶化工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様１１に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１０に係る方法であって、　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、前記第２ポジレジスト、および、前記第３ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、前記第２発光層、および、前記第３発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様１２に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６または７に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層の第３ポジレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様１３に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６または７に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層のネガレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
　本発明の態様１４に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１から１３の何れか１態様に係る方法であって、前記第１発光素子は、さらに、前記基板と前記第１発光層との間の下層電極と、該下層電極と前記第１発光層との間のキャリア輸送層を備え、前記第１積層体は、さらに、前記第１リバーサルレジストと前記第１発光材料層との間に、前記キャリア輸送層の材料を含むキャリア輸送材料層を積層して含み、前記第１発光層形成工程において、さらに、前記キャリア輸送材料層をパターニングして、前記キャリア輸送層を形成する方法であってよい。
　本発明の態様１５に係る発光デバイスは、基板と、第１下層電極と、第１発光層と、第１上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第１発光素子と、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記第１発光層との間に、感光性樹脂層を備え、前記感光性樹脂層は、下記構造式（１）～（３）で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種を含む構成である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　ここで、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す。
　本発明の態様１６に係る発光デバイスは、上記態様１５に係る構成であって、前記感光性樹脂層は、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種をさらに含む構成であってよい。
　本発明の態様１７に係る発光デバイスは、上記態様１５または１６に係る構成であって、前記第１発光層が、発光材料として量子ドットを含む構成であってよい。
　本発明の態様１８に係る発光デバイスは、上記態様１５から１７の何れか１態様に係る構成であって、前記第１発光層が、ポジ型の感光性樹脂を含む構成であってよい。
　本発明の態様１９に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がカソードであり、前記第１上層電極がアノードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、電子輸送層を備え、前記感光性樹脂層の電子親和力は、前記電子輸送層の電子親和力よりも小さく、かつ、前記第１発光層の電子親和力よりも小さい構成であってよい。
　本発明の態様２０に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がカソードであり、前記第１上層電極がアノードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、電子輸送層を備え、前記感光性樹脂層の電子親和力は、前記電子輸送層の電子親和力よりも小さく、かつ、前記第１発光層の電子親和力よりも大きい構成であってよい。
　本発明の態様２１に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がアノードであり、前記第１上層電極がカソードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、正孔輸送層を備え、前記感光性樹脂層のイオン化エネルギーは、前記正孔輸送層のイオン化エネルギーよりも大きく、かつ、前記第１発光層のイオン化エネルギーよりも大きい構成であってよい。
　本発明の態様２２に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がアノードであり、前記第１上層電極がカソードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、正孔輸送層を備え、前記感光性樹脂層のイオン化エネルギーは、前記正孔輸送層のイオン化エネルギーよりも大きく、かつ、前記第１発光層のイオン化エネルギーよりも小さい構成であってよい。
　本発明の態様２３に係る発光デバイスは、上記態様１５から２２の何れか１態様に係る構成であって、前記第１発光素子のみが、前記感光性樹脂層を備えた構成であってよい。
　本発明の態様２４に係る発光デバイスは、上記態様１５から２２の何れか１態様に係る構成であって、第２下層電極と、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層と、第２上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第２発光素子をさらに備え、前記第２発光素子が、さらに、前記第２下層電極と前記第２発光層との間に、前記感光性樹脂層を備えた構成であってよい。
　本発明の態様２５に係る発光デバイスは、上記態様２４に係る構成であって、第３下層電極と、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層と、第３上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第３発光素子をさらに備えた構成であってよい。
　本発明の態様２６に係る発光デバイスは、上記態様２４に係る構成であって、第３下層電極と、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層と、第３上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第３発光素子をさらに備え、前記第１発光素子および前記第２発光素子のみが、前記感光性樹脂層を備えた構成であってよい。
　本発明の態様２７に係る発光デバイスは、上記態様２５または２６に係る構成であって、前記第１発光素子が、前記第１発光層として赤色発光層を含む赤色発光素子であり、前記第２発光素子が、前記第２発光層として緑色発光層を含む緑色発光素子であり、前記第３発光素子が、前記第３発光層として青色発光層を含む青色発光素子である構成であってよい。
　本発明の態様２８に係る発光デバイスは、上記態様２７に係る構成であって、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域とを備え、前記複数の画素のそれぞれに、前記赤色発光素子と、前記緑色発光素子と、前記青色発光素子とを備え、前記基板が、前記赤色発光素子と、前記緑色発光素子と、前記青色発光素子とをそれぞれ駆動する薄膜トランジスタ層を備えた構成であってよい。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　表示デバイス（発光デバイス）
　１０　下面フィルム（基板）
　２２　アノード（下層電極、第１下層電極、第２下層電極、第３下層電極、上層電極、第１上層電極）
　２５　カソード（上層電極、第１上層電極、第２上層電極、第３上層電極、下層電極、第１下層電極）
　３３　正孔輸送層（キャリア輸送層）
　３３ｒ　赤色正孔輸送層（キャリア輸送層）
　３３ｇ　緑色正孔輸送層（キャリア輸送層）
　３３ｂ　青色正孔輸送層（キャリア輸送層）
　３４ｒ　赤色下層樹脂層（感光性樹脂層）
　３４ｇ　緑色下層樹脂層（感光性樹脂層）
　３４ｂ　青色下層樹脂層（感光性樹脂層）
　３５ｒ　赤色発光層（第１発光層、第３発光層）
　３５ｇ　緑色発光層（第２発光層）
　３５ｂ　青色発光層（第３発光層、第１発光層）
　３７　電子輸送層（キャリア輸送層）
　４１　赤色下層リバーサルレジスト層（第１リバーサルレジスト、第３リバーサルレジスト）
　４２　赤色下層ポジレジスト層（２層の第３ポジレジストの一層）
　４３　赤色下層ネガレジスト層（２層のネガレジストの一層）
　４４　赤色発光材料層（第１発光材料層、第３発光材料）
　４５　赤色上層ポジレジスト層（第１ポジレジスト、２層の第２ポジレジストのもう一層）
　４６　赤色上層ネガレジスト層（２層のネガレジストのもう一層）
　５１　緑色下層リバーサルレジスト層（第２リバーサルレジスト）
　５４　緑色発光材料層（第２発光材料層）
　５５　緑色上層ポジレジスト層（第２ポジレジスト）
　６１　青色下層リバーサルレジスト層（第３リバーサルレジスト、第１リバーサルレジスト）
　６４　青色発光材料層（第３発光材料層、第１発光材料層）
　６５　青色上層ポジレジスト層（第３ポジレジスト、第１ポジレジスト）
　７０　マザーガラス（基板）
　７１　赤色正孔輸送材料層（キャリア輸送材料層）
　７２　緑色正孔輸送材料層（キャリア輸送材料層）
　７３　青色正孔輸送材料層（キャリア輸送材料層）
　Ｐｒ　赤色サブ画素（第１発光素子、赤色発光素子）
　Ｐｇ　緑色サブ画素（第２発光素子、緑色発光素子）
　Ｐｂ　青色サブ画素（第３発光素子、青色発光素子）

Claims (28)

  1. 　第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程を備えた発光デバイスの製造方法であって、
    　前記発光素子形成工程は、第１リバーサルレジストと、前記第１発光層の発光材料を含む第１発光材料層と、第１ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第１積層体をパターニングすることにより、前記第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備えた発光デバイスの製造方法。
  2. 　前記第１発光層形成工程は、
    　　前記第１積層体の各層を成膜する積層体形成工程と、
    　　前記積層体形成工程に次いで、前記第１積層体の一部を露光する積層体露光工程と、
    　　前記積層体露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを除去することにより、前記第１積層体の露光された部分を除去する現像工程と、を備えた請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  3. 　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１発光層形成工程に次いで、前記第１発光層と重なる前記第１リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第１再不溶化工程を備えた請求項１または２に記載の発光デバイスの製造方法。
  4. 　前記第１再不溶化工程は、
    　　前記第１リバーサルレジストを露光するリバーサルレジスト露光工程と、
    　　前記リバーサルレジスト露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを加熱する加熱工程とを備えた請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
  5. 　前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層を含む第２発光素子を前記基板上に形成し、
    　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１再不溶化工程より後に、第２リバーサルレジストと、前記第２発光層の発光材料を含む第２発光材料層と、第２ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第２積層体をパターニングすることにより、前記第２発光層を形成する第２発光層形成工程を備えた請求項３または４に記載の発光デバイスの製造方法。
  6. 　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２発光層形成工程に次いで、前記第２発光層と重なる前記第２リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第２再不溶化工程を備えた請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。
  7. 　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、および、前記第２ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、および、前記第２発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
  8. 　前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、
    　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６または７に記載の発光デバイスの製造方法。
  9. 　前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を形成し、
    　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、第３リバーサルレジストと、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
  10. 　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３発光層形成工程に次いで、前記第３発光層と重なる前記第３リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第３再不溶化工程を備えた請求項９に記載の発光デバイスの製造方法。
  11. 　前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、前記第２ポジレジスト、および、前記第３ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、前記第２発光層、および発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた請求項１０に記載の発光デバイスの製造方法。
  12. 　前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、
    　前記発光素子形成工程は、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層の第３ポジレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６または７に記載の発光デバイスの製造方法。
  13. 　前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、
    　前記発光素子形成工程は、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層のネガレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６または７に記載の発光デバイスの製造方法。
  14. 　前記第１発光素子は、さらに、前記基板と前記第１発光層との間の下層電極と、該下層電極と前記第１発光層との間のキャリア輸送層を備え、
    　前記第１積層体は、さらに、前記第１リバーサルレジストと前記第１発光材料層との間に、前記キャリア輸送層の材料を含むキャリア輸送材料層を積層して含み、
    　前記第１発光層形成工程において、さらに、前記キャリア輸送材料層をパターニングして、前記キャリア輸送層を形成する請求項１から１３の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
  15. 　基板と、
    　第１下層電極と、第１発光層と、第１上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第１発光素子と、
    　前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記第１発光層との間に、感光性樹脂層を備え、
    　前記感光性樹脂層は、
    　　下記構造式（１）～（３）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　（式中、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す）
    で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種を含む発光デバイス。
  16. 　前記感光性樹脂層は、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種をさらに含む請求項１５に記載の発光デバイス。
  17. 　前記第１発光層が、発光材料として量子ドットを含む請求項１５または１６に記載の発光デバイス。
  18. 　前記第１発光層が、ポジ型の感光性樹脂を含む請求項１５から１７の何れか１項に記載の発光デバイス。
  19. 　前記第１下層電極がカソードであり、前記第１上層電極がアノードであり、
    　前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、電子輸送層を備え、
    　前記感光性樹脂層の電子親和力は、前記電子輸送層の電子親和力よりも小さく、かつ、前記第１発光層の電子親和力よりも小さい請求項１５から１８の何れか１項に記載の発光デバイス。
  20. 　前記第１下層電極がカソードであり、前記第１上層電極がアノードであり、
    　前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、電子輸送層を備え、
    　前記感光性樹脂層の電子親和力は、前記電子輸送層の電子親和力よりも小さく、かつ、前記第１発光層の電子親和力よりも大きい請求項１５から１８の何れか１項に記載の発光デバイス。
  21. 　前記第１下層電極がアノードであり、前記第１上層電極がカソードであり、
    　前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、正孔輸送層を備え、
    　前記感光性樹脂層のイオン化エネルギーは、前記正孔輸送層のイオン化エネルギーよりも大きく、かつ、前記第１発光層のイオン化エネルギーよりも大きい請求項１５から１８の何れか１項に記載の発光デバイス。
  22. 　前記第１下層電極がアノードであり、前記第１上層電極がカソードであり、
    　前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、正孔輸送層を備え、
    　前記感光性樹脂層のイオン化エネルギーは、前記正孔輸送層のイオン化エネルギーよりも大きく、かつ、前記第１発光層のイオン化エネルギーよりも小さい請求項１５から１８の何れか１項に記載の発光デバイス。
  23. 　前記第１発光素子のみが、前記感光性樹脂層を備えた請求項１５から２２の何れか１項に記載の発光デバイス。
  24. 　第２下層電極と、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層と、第２上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第２発光素子をさらに備え、
    　前記第２発光素子が、さらに、前記第２下層電極と前記第２発光層との間に、前記感光性樹脂層を備えた請求項１５から２２の何れか１項に記載の発光デバイス。
  25. 　第３下層電極と、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層と、第３上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第３発光素子をさらに備えた請求項２４に記載の発光デバイス。
  26. 　第３下層電極と、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層と、第３上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第３発光素子をさらに備え、
    　前記第１発光素子および前記第２発光素子のみが、前記感光性樹脂層を備えた請求項２４に記載の発光デバイス。
  27. 　前記第１発光素子が、前記第１発光層として赤色発光層を含む赤色発光素子であり、
    　前記第２発光素子が、前記第２発光層として緑色発光層を含む緑色発光素子であり、
    　前記第３発光素子が、前記第３発光層として青色発光層を含む青色発光素子である請求項２５または２６に記載の発光デバイス。
  28. 　複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域とを備え、
    　前記複数の画素のそれぞれに、前記赤色発光素子と、前記緑色発光素子と、前記青色発光素子とを備え、
    　前記基板が、前記赤色発光素子と、前記緑色発光素子と、前記青色発光素子とをそれぞれ駆動する薄膜トランジスタ層を備えた請求項２７に記載の発光デバイス。
PCT/JP2021/001796 2021-01-20 2021-01-20 発光デバイスの製造方法、および発光デバイス WO2022157848A1 (ja)

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