CN116648670A - 发光装置的制造方法以及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明所涉及的发光装置的制造方法具备:发光元件形成工序，在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件；以及第一发光层形成工序，形成从基板侧依次层叠下层反转抗蚀剂层、包含第一发光层的发光材料的发光材料层以及上层正抗蚀剂而成的层叠体(步骤S41～S43)，对该层叠体进行图案化(步骤S44～S45)，从而形成第一发光层。
Description
技术领域
本发明涉及具备多个发光元件的发光装置及该发光装置的制造方法。
背景技术
专利文献1中公开了通过在光致抗蚀剂中混合量子点，利用光刻法对包含量子点的层进行图案化的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:US2017/0176854A1
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1中，重复着整面形成包含各色的量子点的层并通过光刻进行图案化。因此，在去除了含有量子点的层的位置，量子点会作为残渣留下。因此，存在发生混色的问题。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述问题，本公开的发光装置的制造方法是如下的方法:包括在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件的发光元件形成工序，所述发光元件形成工序包括第一发光层形成工序，所述第一发光层形成工序通过对第一层叠体进行图案化来形成所述第一发光层，所述第一层叠体从所述基板侧依次层叠有第一反转抗蚀剂、包含所述第一发光层的发光材料的第一发光材料层以及第一正抗蚀剂。
为了解决上述问题，本公开的发光装置包括:基板；以及所述基板上的第一发光元件，其从所述基板侧起依次层叠地包含第一下层电极、第一发光层和第一上层电极；所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述第一发光层之间还具备感光性树脂层，所述感光性树脂层包含选自由下述结构式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种，以及选自由具有羟基的芳香族烃、1-羟乙基-2-烷基咪唑啉和紫胶组成的组中的至少一种。
[化1]
在此，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的烃基。
有益效果
根据本公开的一方式，也能够减少第一发光层的发光材料作为残渣混入不形成第一发光层的区域。
附图说明
图1是表示本发明涉及的显示装置的制造方法的一例的流程图。
图2是表示本发明涉及的显示装置的构成的一例的概略俯视图。
图3是表示本发明涉及的显示装置的显示区域的构成的一例的概略剖视图。
图4是表示本发明的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的一例的概略剖视图。
图5是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略流程图。
图6是表示在进行包含图5所示的红色发光层的形成的处理的工序以及进行包含绿色发光层35g的形成的处理的工序中进行的处理的概略流程图。
图7是表示在进行包含图5所示的蓝色发光层的形成的处理的工序中执行的处理的概略流程图。
图8是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图9是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图10是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图11是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图12是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图13是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图14是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图15是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图16是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图17是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图18是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图19是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图20是表示本发明的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的另一例的概略剖视图。
图21是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。
图22是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。
图23是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。
图24是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。
图25是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。
图26是表示本发明的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的另一例的概略剖视图。
图27是表示在基板上形成图26所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略流程图。
图28是表示本发明的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的另一例的概略剖视图。
图29是示出图4所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。
图30是示出图20所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。
图31是示出图20所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。
图32是示出图26所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。
图33是示出图28所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。
图34是示出图28所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。
图35是表示本发明的另一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的概略剖视图。
图36是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图37是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图38是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图39是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图40是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图41是表示本发明的又一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的概略剖视图。
图42是示出为了形成图41所示的发光元件层而执行的处理的概略流程图。
图43是示出图42中所示的处理的概略剖视图。
图44是示出图42所示的处理和后述的图45所示的处理的概略剖视图。
图45是示出为了形成图41所示的发光元件层而执行的其他处理的概略流程图。
图46是示出图45所示的处理的概略剖视图。
图47是表示本发明的又一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的概略剖视图。
图48是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图49是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图50是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图51是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图52是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图53是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
具体实施方式
[实施方式1]
(显示装置的制造方法及构成)
在下文中，“同层”指的是在同一工序(成膜工序)中由同一材料形成的，“下层”指的是在比比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比比较对象层更后面的工序中形成的。
图1是表示显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图2是显示装置2(发光装置)的构成的一例的的俯视图。图3是图2中示出显示装置2的显示区域DA的构成的一例的概略剖视图。
当制造柔性显示装置时，如图1至图3所示，首先，在透光性的支承基板(例如，母玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成薄膜晶体管层4(TFT层)(步骤S3)。接着，形成顶发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6上通过粘接层8粘贴上表面膜9(步骤S6)。
接着，利用激光的照射等将支承基板从树脂层12剥离(步骤S7)。接着，在密封层12的下表面粘贴下表面膜10(步骤S8)。接着，将包含下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、薄膜晶体管层4、发光元件层5、密封膜6的层叠体切割以获得多个单片(步骤S9)。接着，在得到的单片上经由粘接层38粘贴功能膜39(步骤S10)。接下来，将电子电路板(例如，IC芯片和FPC)安装在边框区域NA的一部分(端子部)上(步骤S11)，边框区域NA包围形成有多个子像素的显示区域DA。此外，步骤S1～S11由显示装置制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)进行。
发光元件层5包括比平坦化膜21更上层的阳极22(即像素电极)、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的作为EL(电致发光)层的活性层24、以及比活性层24更上层的阴极25(即公共电极)。
在每个子像素中，包含岛状的阳极22、活性层24以及阴极25，QLED即发光元件ES(电场发光元件)形成于发光元件层5，用于控制发光元件ES的子像素电路形成于薄膜晶体管层4。
密封层6具有透光性，且包含覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27、以及比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物向发光元件层5渗透。
以上，对柔性显示装置进行了说明，但是，在制造非柔性显示装置的情况下，由于通常无需树脂层的形成、基材的更换等，例如进行S2～S5的层叠工序，其后进入步骤S9。另外，在制造非柔性的显示装置时，也可以代替形成密封层6或者在此基础上，通过密封粘接剂将具有透光性的密封构件在氮气气氛下粘接。具有透光性的密封构件能够由玻璃及塑料等制成，优选为凹形状。
本实施方式1特别涉及上述显示装置的制造方法中的形成发光元件层5的工序(步骤S4)。本实施方式1特别涉及上述显示装置的构成中的活性层24。
(发光元件层的构成)
图4是表示本发明实施方式1涉及的显示装置2中的发光元件层5的构成的的一例概略剖视图。
在图4所示的发光元件层5的一个例子中，在基板(即，下面膜10或者后述的母玻璃70)之上形成有红色子像素Pr(第一发光元件、红色发光元件)、绿色子像素Pg(第二发光元件、绿色发光元件)以及蓝色子像素Pb(第三发光元件、蓝色发光元件)。以下，将红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb总称为“子像素P”。
图4所示的发光元件层5的一例在红色子像素Pr的区域中从基板侧(图4的下侧)起依次包含阳极22(下层电极、第一下层电极)、空穴注入层31、空穴传输层33(载流子传输层)、红色下层树脂层34r(感光性树脂层)、红色发光层35r(第一发光层)、电子传输层37以及阴极25(上层电极、第一上层电极)。
同样地，发光元件层5的一例在绿色子像素Pg的区域中从基板侧起依次包含阳极22(第二下层电极)、空穴注入层31、空穴传输层33、绿色下层树脂层34g(感光性树脂层)、绿色发光层35g(第二发光层)、电子传输层37以及阴极25(第二上层电极)。
同样地，发光元件层5的一例在蓝色子像素Pb的区域中从基板侧起依次包含阳极22(第三下层电极)、空穴注入层31、空穴传输层33、蓝色发光层35b(第三发光层)、电子传输层37以及阴极25(第三上层电极)。
以下，将红色下层树脂层34r和绿色下层树脂层34g统称为“下层树脂层34”。此外，将红色发光层35r、绿色发光层35g和蓝色发光层35b统称为“发光层35”。
也可以没有空穴注入层31。
空穴传输层33包含空穴传输性材料。空穴传输性材料例如是NiO、CuI、Cu2O、CoO、Cr2O3以及CuAlS等无机材料。此外，空穴传输材料例如是PEDOT:PSS、聚((9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))(TFB)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-二苯胺)(poly-TPD)、(1,1-双(4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基)环己烷)(TAPC)、有机多硅烷、N4,N4’-双(4-(6-((3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲氧基)己基)苯基)-N4,N4’-二苯基联苯-4,4’-二胺)(OTPD)、N4,N4'-双(4-(6-((3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲氧基)己基)苯基-N4,N4'-双(4-甲氧基苯基)二甲苯基-4,4'-二胺)(QUPD)、N,N'-(4,4'-(环己烷-1,1-二基)双(4,4-亚苯基))双(N-(4-(6-(2-乙基氧杂环丁烷-2-基氧基)己基)苯基)-3,4,5-三氟苯胺)(X-F6-TAPC)等光固化性有机材料。
下层树脂层34是由反转抗蚀剂材料形成的树脂层。在本说明书中，“反转抗蚀剂材料”意指包含反转型光致抗蚀剂的材料。与此相对，“正抗蚀剂材料”是指包含正型光致抗蚀剂的材料。
正抗蚀剂例如包含未固化的树脂和敏化剂。树脂可溶于显影液，例如是丙烯酸系树脂、酚醛清漆树脂、橡胶系树脂、苯乙烯系树脂以及环氧系树脂等。敏化剂例如为NQD(NaphtoQuinoneDiazide，萘醌二叠氮化物)化合物。NQD化合物不溶于显影液。NQD化合物如下述反应式(1)所示，通过感光而转化为茚羧酸化合物。茚羧酸可溶于化合物显影液中。NQD化合物也被称为DNQ(DiazoNaphtoQuinone，重氮萘醌)化合物。
[化2]
在此，R1是NQD化合物中除NQD基以外的部分，表示取代或未取代的烃基。
另外，显影液为碱性水溶液或有机溶剂。碱性水溶液例如是KOH和NaOH等无机材料的水溶液、以及TMAH(四甲基铵)等有机材料的水溶液。有机溶剂例如为PGMEA(propyleneglycolmonomethyletheracetate)、丙酮、NMP(N-methyl-2-pyrrolidone)、DMSO(dimethylsulfoxide)、IPA(isopropanol)等。
因此，正抗蚀剂在感光前的初始状态下不溶于显影液，因感光可溶于显影液。
反转抗蚀剂例如是在正抗蚀剂中添加负性工作剂而成的。负性工作剂是胺、具有羟基的芳香族烃、1-羟乙基-2-烷基咪唑啉以及紫胶等。在反转烧结时，负性工作剂作为催化剂作用于茚羧酸化合物进行脱羧化。因此，茚羧酸化合物如下述反应式(2)～(4)所示，通过加热转变为不溶于显影液的化合物。特别是，在反应式(2)所示的交联反应占主导的情况下，反转抗蚀剂固化。
[化3]
[化4]
[化5]
在此，R2是反转抗蚀剂中含有的树脂、或茚羧酸化合物的除茚羧基以外的部分，表示取代或未取代的烃基。
因此，与正抗蚀剂同样地，反转抗蚀剂在感光前的初始状态下不溶于显影液，因感光而可溶于显影液。此外，反转抗蚀剂因感光而可溶化后，再通过加热或激光照射等再次不溶于显影液。在本说明书中，“再不溶化”是指反转抗蚀剂可溶于显影液后又变为再次不溶。再不溶化的反转抗蚀剂即使再次感光也不会变为可溶化。
下层树脂层34通过使以上那样的反转抗蚀剂再不溶化、或通过再不溶化并进行主烧结来形成。为此，下层树脂层34包含:选自由下述结构式(1)～(3)所示的化合物组成的组中的至少一种，以及选自由具有羟基的芳香族烃、1-羟乙基-2-烷基咪唑啉和紫胶组成的组中的至少一种。
[化6]
在此，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的烃基。
下层树脂层34的厚度优选为50nm以下，更优选为40nm以下。树脂通常为电介质，电阻率高，因此下层树脂层34的厚度对发光元件整体的电阻的高低有很大的贡献。因此，为了降低与发光层35的基板垂直的方向上的发光元件整体的电阻，优选下层树脂层34较薄。
红色下层树脂层34r与绿色下层树脂层34g既可以相互为一体，也可以单独形成。
发光层35各自所包含的发光材料既可以是有机发光材料，也可以是量子点等无机发光材料。量子点可以是核壳型量子点，也可以是核多壳型量子点。核壳型量子点的核材料/壳材料的组合例如是CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdTe/CdS、INP/ZnS、GaP/ZnS、Si/ZnS、INN/GaN、INP/CdSSe、INP/ZnSeTe、GaINP/ZnSe、GaINP/ZnS、Si/AlP、INP/ZNSTe、GaINP/ZnSTe、GaINP/ZnSSe等。在本说明书中，将发光材料中的红色发光层35r所包含的发光材料称为红色发光材料。红色发光材料发出红色光。此外，将绿色发光层35g所包含的发光材料称为绿色发光材料。绿色发光材料与红色发光材料不同，发出绿色光。另外，将蓝色发光层34b所包含的发光材料称为蓝色发光材料。蓝色发光材料发出蓝色，与红色发光材料以及绿色发光材料这两者不同。
发光层35各自所包含的发光材料为了后述的显影工序而优选为量子点。这是因为，在是量子点的情况下，显影液能够渗透发光材料层，能够从上面使比发光材料层靠下层显影。
电子传输层37包含电子传输材料。电子传输性材料例如为ZnO、ZrO、MgZnO、AlZnO及TiO2等金属氧化物、以及ZnS等金属硫化物。
(制造方法)
以下，参照图4～图19，对在基板上形成图4所示的发光元件层5的一例的工序(步骤S4、发光元件形成工序)的一个例子进行详细说明。
图5是示出在基板上形成图4所示的发光元件层5的一例的工序(步骤S4)的一例的概略流程图。图6是示出进行包含图5所示的红色发光层35r的形成的处理的工序(步骤S25)以及进行包含绿色发光层35g的形成的处理的工序(步骤S26)中执行的处理(处理P1)的概略流程图。图7是表示在进行包括图5所示的蓝色发光层35b的形成的处理的工序(步骤S27)中执行的处理(处理P2)的概略流程图。
图8～图19分别是示出将图4所示的发光元件层5的一例形成于基板上的工序(步骤S4)的一例的概略剖面图。
首先，进行上述步骤(参照图1)，准备在母玻璃70(基板)上依次形成有树脂层12、阻挡层3和薄膜晶体管层4的基板。
接着，如图5和图8所示，在各子像素P的每个区域岛状地形成阳极22(步骤S21)，以覆盖阳极22的边缘的方式形成边缘罩23(步骤S22)，整面地形成空穴注入层31(步骤S23)，整面地形成空穴传输层33(步骤S24)。在本说明书中，“整面地”意指不进行图案化而在多个子像素P上共同形成对象层。
<包含形成红色发光层的处理>
接着，如图6及图8～图11所示，进行包含红色发光层35r的形成的处理(步骤S25)。在该工序中，也形成主烧结前的红色下层树脂层34r。在步骤S25中，执行图6所示的处理P1。
即，首先，如图6及图8所示，通过在空穴传输层33上整面地涂布反转抗蚀剂材料，整面地形成红色下层反转抗蚀剂层41(第一反转抗蚀剂)(即，成膜)(步骤S41、第一发光层形成工序中的层叠体形成工序的一部分)。接着，通过在红色下层反转抗蚀剂层41上整面地蒸镀包含红色发光材料(第一发光像的发光材料)的材料，或者整面地涂布包含红色发光材料的溶液，并使溶剂从该溶液中挥发，从而整面地形成红色发光材料层44(第一发光材料层)(步骤S42，第一发光层形成工序中的层叠体形成工序的一部分)。接着，通过在红色发光材料层44上整面地涂布正抗蚀剂材料，从而整面地如后述那样将红色上层正抗蚀剂层45(第一正抗蚀剂)形成为足够的厚度(步骤S43，第一发光层形成工序中的层叠体形成工序的一部分)。
在本说明书中，涂布各部件的材料的方法只要没有特别指定，可以为喷墨法、旋涂法、棒涂法等任一种方法。
步骤S43中的正抗蚀剂材料中包含的树脂材料及敏化剂优选与步骤S41中的反转抗蚀剂材料中包含的树脂材料及敏化剂相同。这是因为，包含曝光波长和显影液等在内的同一条件下，可以使用光刻技术对红色下层反转抗蚀剂层41和红色上层正抗蚀剂层45进行图案化。
以此方式，形成从基板侧开始依次包含红色下层反转抗蚀剂层41、红色发光材料层44和红色上层正抗蚀剂层45的层叠体(第一层叠体)。此时，红色下层反转抗蚀剂层41和红色上层正抗蚀剂层45分别不溶于显影液。
接着，使用红色第一掩模47以紫外光对上述层叠体进行第一次曝光(步骤S44，第一发光层形成工序中的层叠体曝光工序)。由于使用红色第一掩膜47，因此，对层叠体的一部分进行曝光，而不对其它部分进行曝光。红色第一掩膜47以与红色发光层35r的形成区域对应的部分为遮光性，其他部分为透光性的方式形成光学开口47A。
此时，在红色下层反转抗蚀剂层41和红色上层正抗蚀剂层45中，通过紫外线照射的光化学反应，如上述反应式(1)所示，不溶于显影液的NQD化合物转变为可溶于显影液的茚羧酸化合物。
其结果，红色下层反转抗蚀剂层41和红色上层正抗蚀剂层45中不与光学开口47A对应的部分(即，与红色发光层35r重叠的部分)不会发生光化学反应，保持不溶于显影液的不溶部41A、45A。另一方面，与光学开口47A对应的其它部分通过光化学反应成为可溶于显影液的可溶部41B、45B。
接着，如图6以及图9所示，使用强显影液进行显影(步骤S45，第一发光层形成工序中的显影工序)。在本说明书中，“强显影液”是上述的显影液，是指如下的液体:(i)通过从上面和侧面溶解比发光材料层(或发光层)靠上层的抗蚀剂层的可溶部，从而能够溶解该可溶部的整体，进而，(ii)通过从侧面溶解比发光材料层靠下层的抗蚀剂层的可溶部，从而能够溶解该可溶部的整体，其结果，(iii)能够使发光材料层中的下层的抗蚀剂为可溶部的部分游离。另外，如上所述，在发光材料为量子点的情况下，显影液浸透发光材料层，能够使比发光材料层下层的抗蚀剂层的可溶部从上面及侧面溶解。
强显影液例如是浓的碱性水溶液、或者高浓度地添加了表面活性剂的碱性溶液等。浓的碱水溶液例如pH为12以上。表面活性剂例如为脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚、脂肪酸聚乙二醇、脂肪酸烷醇酰胺等非离子表面活性剂，高浓度例如为1重量％以上。非离子表面活性剂很难受到酸和碱的影响。表面活性剂促进向发光材料层的渗透。在本说明书中，将使用强显影液进行显影表现为“进行强显影”或“强烈地显影”。
其结果，通过除去红色下层反转抗蚀剂层41的可溶部41B(曝光的第一反转抗蚀剂)，从而除去包括红色发光材料层44在内的层叠体的被曝光的部分。另一方面，由于红色下层反转抗蚀剂层41的不溶部41A残留，因此层叠体的未被曝光的部分残留。因此，红色下层反转抗蚀剂层41和红色上层正抗蚀剂层45的可溶部41B、45B以及红色发光材料层44在可溶部41B、45B之间的部分被除去。另一方面，红色下层反转抗蚀层41和红色上层正抗蚀层45的不溶部41A、45A以及红色发光材料层44在不溶部41A、45A之间的部分残留。红色发光材料层44的其剩余部分为红色发光层35r。
如此使用光刻技术及反转抗蚀剂的再不溶化，对上述层叠体进行图案化，其结果，形成红色发光层35r。同时，红色下层反转抗蚀剂层41和红色上层正抗蚀剂层45的不溶部41A、45A形成为从与基板正交的方向看时的俯视时与红色发光层35r重叠。
接着，如图6和图10所示，使用红色第二掩模48用紫外光对上述图案化的层叠体进行第二次曝光(步骤S46、第一再不溶化工序中的反转抗蚀剂曝光工序)。红色第二掩膜48以与红色发光层35r的形成区域对应的部分为透光性，其他部分为遮光性的方式形成有光学开口48A。
其结果，红色下层反转抗蚀剂层41的不溶部41A(与第一发光层重叠的第一反转抗蚀剂)和红色上层正抗蚀剂层45的不溶部45A，通过光化学反应，变为可溶于显影液的可溶部41C(曝光的第一反转抗蚀剂)和可溶部45C。此外，也可以不使用掩模而进行第二次曝光，但从降低光劣化的观点出发，优选使用红色第二掩模48。
接着，如图6和图11所示，对上述图案化的层叠体进行反转烧结(步骤S47、第一再不溶化工序中的加热工序)。反转烧结是以红色上层抗蚀剂层45不固化、而红色下层反转抗蚀剂层41再不溶化的方式进行的加热或激光照射。由于利用加热进行反转烧结是简单的，因而是优选的。通过加热进行的反转烧结，优选以比构成红色上层正抗蚀剂层45的正抗蚀剂固化的温度低的温度和比固化的时间长度短的时间长度进行。例如，在红色上层正抗蚀剂层45以摄氏120度以上且10分钟以上固化的情况下，优选反转烧结以低于摄氏120度且低于10分钟进行。
此时，在红色下层反转抗蚀剂层41中，通过脱羧化，如上述反应式(2)～(4)所示，可溶于显影液的茚羧酸化合物转变为不溶于显影液的化合物。另一方面，在红色上层正抗蚀剂层45中，可溶于显影液的茚羧酸化合物仍保持为茚羧酸化合物。
其结果，红色下层反转抗蚀剂层41的可溶部41C由于脱羧化而成为不溶于显影液的再不溶部41D。红色下层反转抗蚀剂层41的再不溶部41D直接形成或通过后述的主烧结(步骤S29)形成红色下层树脂层34r。另一方面，红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C保持可溶部45C。
在步骤S25中，如上所述，红色发光层35r形成为被夹在红色下层反转抗蚀剂层41的再不溶部41D与红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C之间被保护的状态。
<包含形成绿色发光层的处理>
接着，如图5和图图15所示，进行包含绿色发光层35g的形成的处理(步骤S26)。在该工序中，也形成主烧结前的绿色下层树脂层34g。在步骤S26中，也执行图6所示的处理P1。
即，首先，如图6和图12所示，通过在空穴传输层33和红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C上整面地涂布反转抗蚀剂材料，从而整面地形成绿色下层反转抗蚀剂层51(第二负相抗蚀剂)(步骤S42，第二发光层形成工序的一部分)。接着，通过在绿色下层反转抗蚀剂层51上整面地蒸镀包含绿色发光材料(第二发光层的发光材料)的材料，或者整面地涂布包含绿色发光材料的溶液，从该溶液挥发溶剂，从而整面地形成绿色发光材料层54(第二发光材料层)(步骤S42，第二发光层形成工序的一部分)。接着，通过在绿色发光材料层54上整面地涂布正抗蚀剂材料，从而整面地如后述那样将绿色上层正抗蚀剂层55(第二正抗蚀剂)形成为足够的厚度(步骤S43，第二发光层形成工序的一部分)。
优选的是，在本步骤S26中的处理P1中使用的反转抗蚀剂材料与在上述步骤S25中的处理P1中使用的反转抗蚀剂材料的组成相同。这是因为，在与红色下层反转抗蚀剂层41相同的条件下，能够使绿色下层反转抗蚀剂层51图案化和再不溶化。优选在本步骤S26中的处理P1中使用的正抗蚀剂材料与在上述步骤S25中的处理P1中使用的正抗蚀剂材料的组成相同。这是因为，能够在与红色上层正抗蚀剂层45相同的条件下对绿色上层正抗蚀剂层55进行图案化。
以此方式，形成从基板侧开始依次包含绿色下层反转抗蚀剂层51、绿色发光材料层54和绿色上层正抗蚀剂层55的层叠体(第二层叠体)。
接着，使用绿色第一掩模57用紫外光对上述层叠体进行第一次曝光(步骤S44，第二发光层形成工序的一部分)。由于使用绿色第一掩模57，因此，对层叠体的一部分进行曝光，而不对其他部分进行曝光。绿色第一掩模57形成光学开口57A，使得与绿色发光层35g的形成区域对应的部分为遮光性，其他部分为透光性。
其结果，绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55中与光学开口57A不对应的部分(即与绿色发光层35g重叠的部分)不会发生光化学反应，保持不溶于显影液的不溶部51A、55A。另一方面，与光学开口47A对应的其他部分通过光化学反应而成为可溶于显影液的可溶部51B、55B。
接着，如图6以及图13所示，进行强显影(步骤S45，第二发光层形成工序的一部分)。
其结果，通过除去绿色下层反转抗蚀剂层51的可溶部51B，除去包括绿色发光材料层54在内的层叠体被曝光的部分。另一方面，由于残存有绿色下层反转抗蚀剂层51的不溶部51A，因此残留有层叠体未被曝光的部分。因此，绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55中的可溶部51B、55B以及绿色发光材料层54中在可溶部51B、55B之间的部分被除去。另一方面，绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55中的不溶部51A、55A和绿色发光材料层54中在不溶部51A、55A之间的部分残留。绿色发光材料层54的该残留部成为绿色发光层35g。
此时，请留意在绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55B被除去后，红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C的上表面暴露于强显影液中。因此，红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C形成为在上述步骤S25中能够将红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C对红色发光层35r的保护维持在本步骤S26(以及后述的步骤S27)中的足够的厚度。另外，红色下层反转抗蚀剂层41的再不溶部41D也不溶于强显影液。因此，红色发光层35r未被除去，保持如上所述的被保护的状态。
如此使用光刻技术及反转抗蚀剂的再不溶化，对上述层叠体进行图案化，其结果，形成绿色发光层35g。同时，绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55的不溶部51A、55A形成为在从与基板正交的方向看时的俯视时与绿色发光层35g重叠。
接着，如图6和图14所示，使用绿色第二掩模58用紫外光对上述图案化的层叠体进行第二次曝光(步骤S46，第二再不溶化工序的一部分)。绿色第二掩模58形成光学开口58A，使得与绿色发光层35g的形成区域对应的部分为透光性，其他部分为遮光性。
其结果，绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55的不溶部51A、55A由于光化学反应变成可溶于显影液的可溶部51C、55C。此外，也可以不使用掩模地进行第二次曝光，但从降低光劣化的观点出发，优选使用绿色第二掩模58。
接着，如图6和图15所示，对上述图案化的层叠体进行反转烧结(步骤S47，第二再不溶化工序的一部分)。反转烧结是以红色上层正抗蚀剂层45和绿色上层正抗蚀剂层55不固化、而绿色下层反转抗蚀剂层51再不溶化的方式进行的加热或激光照射。
其结果，绿色下层反转抗蚀剂层51的可溶部51C由于脱羧化而成为不溶于显影液的再不溶部51D。另一方面，绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55C仍然是可溶部55C。
在步骤S26中，如上所述，绿色发光层35g形成为被夹在绿色下层反转抗蚀剂层51的再不溶部51D与绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55C之间被保护的状态。
<包含形成蓝色发光层的处理>
接着，如图5和图图18所示，进行包括蓝色发光层35b的形成的处理(步骤S27)。在步骤S27中，执行图7所示的处理P2。
即，首先，如图7及图16所示，通过在空穴传输层33、红色上层正抗蚀剂层45及绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部45C、55C上整面地蒸镀包含蓝色发光材料(第三发光层的发光材料)的材料，或者通过整面地涂布包含蓝色发光材料的溶液而使溶剂从该溶液挥发，从而整面地形成蓝色发光材料层64(第三发光材料层)(步骤S42，第三发光层形成工序的一部分)。接着，通过在蓝色发光材料层64上整面地涂布正抗蚀剂材料，从而整面地形成蓝色上层正抗蚀剂层65(第三正抗蚀剂)(步骤S43，第三发光层形成工序的一部分)。
优选在本步骤S27中的处理P1中使用的正抗蚀剂材料的组成与在上述步骤S25、S26中的处理P1中使用的正抗蚀剂材料相同。这是因为，能够在与红色上层正抗蚀剂层45和绿色上层正抗蚀剂层55相同的条件下对蓝色上层正抗蚀剂层65进行图案化。
这样，形成从基板侧开始依次包含蓝色发光材料层64和蓝色上层正抗蚀层65的层叠体(第三层叠体)。
接着，使用蓝色第一掩膜67以紫外光对上述层叠体进行第一次曝光(步骤S44、第三发光层形成工序的一部分)。由于使用蓝色第一掩膜67，因此，对层叠体的一部分进行曝光，而不对其它部分进行曝光。蓝色第一掩膜67形成有光学开口67A，使得与蓝色发光层35b的形成区域对应的部分为遮光性，其他部分为透光性。
其结果，蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65中与光学开口67A不对应的部分(即，与蓝色发光层35b重叠的部分)不发生光化学反应，保持不溶于显影液的不溶部61A、65A。另一方面，与光学开口47A对应的其他部分通过光化学反应而成为可溶于显影液的可溶部61B、65B。
接着，如图7以及图17所示，进行强显影(步骤S45，第三发光层形成工序的一部分)。
其结果，蓝色上层正抗蚀剂层65中的可溶部分65B被除去，红色上层正抗蚀剂层45和绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部分45C、55C被除去。由此，包括蓝色发光材料层64在内的层叠体的被曝光的部分被去除。由于残存蓝色上层正抗蚀剂层65的不溶部65A，因此残存有层叠体未被曝光的部分。因此，蓝色上层正抗蚀剂层65的可溶部65B和蓝色发光材料层64下方的部分被去除。另一方面，蓝色上层正抗蚀剂层65的不溶部65A与蓝色发光材料层64下方的部分残留。蓝色发光材料层64的残留部为蓝色发光层35b。
其结果，通过除去绿色下层反转抗蚀剂层51的可溶部51B，除去包括绿色发光材料层54在内的层叠体被曝光的部分。另一方面，由于残存有绿色下层反转抗蚀剂层51的不溶部51A，因此残留有层叠体未被曝光的部分。
此时，请留意在蓝色上层正抗蚀剂层65的可溶部65B被除去后，红色上层正抗蚀剂层45和绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部45C、55C的上表面被暴露于强显影液中。因此，以在步骤S27中能够维持红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C对红色发光层35r的保护的足够的厚度，在步骤S35中形成红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C。处于夹持在红色下层反转抗蚀剂层41的再不溶部41D与红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C之间被保护的状态。同样地，绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55C在步骤S26中形成为能够在本步骤S27中维持绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55C对绿色发光层35g的保护的足够的厚度。另外，红色下层反转抗蚀剂层41及绿色下层反转抗蚀剂层51的再不溶部41D、51D也不溶于强显影液。因此，红色发光层35r及绿色发光层35g未被除去，保持如上所述的被保护的状态。
如此使用光刻技术及反转抗蚀剂的再不溶化，对上述层叠体进行图案化，其结果，形成蓝色发光层35b。同时，蓝色上层正抗蚀剂层65的不溶部65A被形成为在从与基板正交的方向观察的俯视下与蓝色发光层35b重叠。
接着，如图7及图18所示，使用蓝色第二掩膜68以紫外光对上述图案化的层叠体进行第二次曝光(步骤S46)。蓝色第二掩膜68与蓝色发光层35b对应的部分具有透光性，其他部分具有遮光性，从而形成光学开口68A。
其结果，蓝色上层正抗蚀剂层65的不溶部65A通过光化学反应成为可溶于显影液的可溶部55C。此外，也可以不使用掩模地进行第二次曝光，但从降低光劣化的观点出发，优选使用蓝色第二掩模68。
在步骤S27中，如以上那样，蓝色发光层35b形成为被蓝色上层正抗蚀剂层65的可溶部65C的下方覆盖而被保护的状态。
接着，如图5和图19所示，使用弱显影液进行显影。(步骤S28、正抗蚀剂除去工序)在本说明书中，“弱显影液”是上述的显影液，是指如下的液体:通过从上面和侧面溶解比发光材料层(或发光层)靠上层的抗蚀剂层的可溶部，从而能够溶解该可溶部的整体，但是，(ii)通过从侧面溶解比发光材料层靠下层的抗蚀剂层的可溶部不能溶解该可溶部的整体，其结果，(ii)是不能使发光材料层游离的液体。弱显影液例如是未添加表面活性剂的稀碱性水溶液、或者未添加表面活性剂的有机溶剂等。稀碱水溶液例如pH为7以上且小于11。
其结果，红色上层正抗蚀剂层45、绿色上层正抗蚀剂层55和蓝色上层正抗蚀剂层65的可溶部45C、55C、65C被从各发光层35的上层除去。另一方面，留下各发光层35。另外，也留下了红色下层反转抗蚀剂层41与绿色下层反转抗蚀剂层51的再不溶部41D、51D。
接着，进行主烧结(步骤S29)。其结果，红色下层反转抗蚀剂层41与绿色下层反转抗蚀剂层51的再不溶部41D、51D固化，成为红色下层树脂层34r、绿色下层树脂层34g。
接着，如图5所示，在发光层35上整面地形成电子传输层37(步骤S30)，在电子传输层37上整面地形成阴极25(步骤S31)。这样，形成图4所示的发光元件层5。
(变形例1)
在本实施方式1所涉及的方法中，也可以不进行步骤S29(参照图5)。在不进行的情况下，再不溶部41D、51D保持未固化，成为红色下层树脂层34r、绿色下层树脂层34g。
(变形例2)
图20是示出本实施方式1涉及的显示装置2(发光装置)中的发光元件层5的构成的另一例的概略剖面图。
在本实施方式1所涉及的方法中，能够进行步骤 (参照图5)的顺序的交换。在顺序交换的情况下，在步骤/> 中的最后进行的工序中执行图7所示的处理P2，在最后以外进行的工序中执行图6所示的处理P1。其结果，在发光层35中最后形成的颜色的发光层之下没有形成下层树脂层34，在其他颜色的发光层之下形成有下层树脂层34。
例如，也可以在步骤中最后进行步骤S25。在该情况下，如图20所示，红色下层树脂层不形成在红色发光层35r之下，取而代之的是，蓝色下层树脂层34b形成在蓝色发光层35b之下。在该情况下，将绿色下层树脂层34g和蓝色下层树脂层34b统称为“下层树脂层34”。
(变形例3)
图21～图25分别是示出将图4所示的发光元件层5的一例形成于基板上的工序(步骤S4)的另一例的概略剖面图。
在本实施方式1所涉及的方法中，在进行处理P1的多个工序中的最后工序中，在图6所示的处理P1中的第一次曝光(步骤S44)中能够使用与第一掩模和第二掩模不同的第三掩模。第三掩模至少与该最后的工序中形成的发光层的形成区域对应的部分为遮光性。另外，可选地，第三掩模可以是与先前已形成的发光层的形成区域对应的部分中的任一个为遮光性的，也可以是与发光层的形成区域彼此之间的间隙区域对应的部分中的任一个为遮光性的。
例如，示出步骤S25进行处理P1，步骤S26进行处理P1，接着，步骤S27进行处理P2的情况下的一例。在该例子中，步骤S26代替图图15而如图/>图24那样进行处理P1。
首先，如图6以及图21所示，形成从基板侧起依次包含绿色下层反转抗蚀剂层51、绿色发光材料层54和绿色上层正抗蚀剂层55的层叠体(步骤S41～S43)。接着，使用绿色第三掩模59以紫外光对层叠体进行第一次曝光(步骤S44)。绿色第三掩模59与绿色发光层35g的形成区域对应的部分是遮光性的。绿色第三掩模59除此之外还与红色发光层35r的形成区域对应的部分以及与红色发光层35r和绿色发光层35g的形成区域之间的间隙区域对应的部分是遮光性的。绿色第三掩模59以其他部分为透光性的方式形成有光学开口59A。
其结果，除了与绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55中的绿色发光层35g重叠的部分以外，与红色发光层35r重叠的部分和与红色发光层35r和绿色发光层35g的间隙对应的部分不发生光化学反应，保持不溶于显影液的不溶部51A、55A。另一方面，其他部分通过光化学反应成为可溶于显影液的可溶部51B、55B。
接着，如图6以及图22所示，使用强显影液进行显影(步骤S45)。其结果，绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55中的不溶部51A、55A与绿色发光材料层54中的其间的部分残留。在本变形例中，绿色发光材料层54的残留部中，与绿色发光层35g的形成区域对应的部分成为绿色发光层35g，但不对应的剩余部54A最终被除去。
接着，如图6和图23所示，使用绿色第二掩模58用紫外光对图案化的层叠体进行第二次曝光(步骤S46)。
其结果，在绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55的不溶部51A、55A中被曝光的部分通过光化学反应变为可溶于显影液的可溶部51C、55C。不溶部51A、55A中的未被曝光的部分不发生光化学反应，保持不溶于显影液的状态。在此，将不溶部51A、55A中的未被曝光的部分称为不溶部51E、55E。
另外，请留意:与在第一次曝光中使用绿色第一掩模57的情况不同，在第二次曝光(步骤S46)中，需要使用形成有开口的掩模，以使与绿色发光材料层54的剩余部54A对应的部分为遮光性，与绿色发光层35g对应的部分为透光性。
接着，如图6以及图24所示，对图案化的层叠体进行反转烧结(步骤S47)。
其结果，绿色下层反转抗蚀剂层51的可溶部51C由于脱羧化而成为不溶于显影液的再不溶部51D。另一方面，绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55C仍然是可溶部55C。同样地，绿色下层反转抗蚀剂层51及绿色上层正抗蚀剂层55的不溶部51E、55E仍保持为不溶部51E、55E。
接着，进入形成蓝色发光层35b的工序(图5的步骤S27)，如图6以及图7以及图25所示，形成从基板侧开始依次包含蓝色发光材料层64和蓝色上层正抗蚀剂层65的层叠体(步骤S42～S43)。接着，使用蓝色第一掩膜67以紫外光对层叠体进行第一次曝光(步骤S44)。
其结果是，不与蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65中的蓝色发光层35b重叠的部分通过光化学反应成为可溶于显影液的可溶部61B、65B。同时，绿色下层反转抗蚀剂层51及绿色上层正抗蚀剂层55的不溶部51E、55E由于光化学反应，成为可溶于显影液的可溶部51F、55F。
接着，进行强显影(步骤S45)。
其结果，蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65中的可溶部61B、65B以及蓝色发光材料层64中在可溶部61B、65B之间的部分被除去。同时，除去绿色下层反转抗蚀剂层51和绿色上层正抗蚀剂层55中的可溶部51F、55F以及绿色发光材料层54中在可溶部51F、55F之间的部分。
因此，通过上述工序，能够得到与图17所示的各子像素中的层叠体相同结构的层叠体。
图26和图28分别是示出本实施方式1的显示装置2(发光装置)中的发光元件层5的构成的又一例的概略剖面图。
图27是示出将图26所示的发光元件层5的一例形成于基板上的工序(步骤S4)的一例的概略流程图。
如图26所示，发光元件层5也可以从基板侧起依次包括阴极25(第一下层电极)、电子传输层37、下层树脂层34(感光性树脂)、发光层35、空穴传输层33、空穴注入层31和阳极22(第一上层电极)。
在该情况下，形成发光元件层5的工序(步骤S4)如图27所示，在各子像素P的每个区域岛状地形成阴极25(步骤S31)，以覆盖阴极25的边缘的方式形成边缘罩23(步骤S22)，整面地形成电子传输层37(步骤S30)，进行包含红色发光层35r的形成的处理(步骤S25)，进行包含绿色发光层35g的形成的处理(步骤S26)，进行包含蓝色发光层35b的形成的处理(步骤S27)，进行弱显影(步骤S28)，进行主烧结(步骤S29)，整面地形成空穴传输层33(步骤S24)，整面地形成空穴注入层31(步骤S23)，整面地形成阳极22(步骤S21)。
在该情况下，也可以交换进行步骤的顺序。在步骤/>中的最后进行的工序中执行图7所示的处理P2，在除此以外的工序中执行图6所示的处理P1。例如，也可以在最后进行步骤S25。在该情况下，如图28所示，红色下层树脂层不形成在红色发光层35r之下，取而代之的是，蓝色下层树脂层34b形成在蓝色发光层35b之下。
(变形例5)
在步骤S25执行的步骤S42中，也可以整面地涂布包含发光材料和正抗蚀剂的溶液，使溶剂从该溶液挥发，由此形成红色发光材料层44。在该情况下，在步骤S44中，与红色发光材料层44的红色发光层35r的形成区域以外的部分所包含的正抗蚀剂可溶于显影液。因此，在接下来的步骤S45中，与红色发光材料层44由不含正抗蚀剂的溶液形成的情况相比，红色发光材料层44中与红色发光层35r的形成区域以外对应的部分容易被去除。
其结果，在步骤S45中，能够使用稍强的显影液进行显影。在本说明书中，“稍强的显影液”是上述的显影液，是指如下的液体:(i)通过从上表面和侧面溶解比发光材料层(或发光层)靠上层的抗蚀剂层的可溶部，从而能够将该可溶部的整体溶解，并且，(ii)能够将由包含正抗蚀剂的溶液形成的发光材料层溶解或浸透，其结果，(iii)通过将比发光材料层靠下层的抗蚀剂层的可溶部从上面和侧面溶解而能够将该可溶部的整体溶解。稍强的显影液例如是稍浓的碱性水溶液、以低浓度添加有表面活性剂的稀碱性溶液、或者以低浓度添加有表面活性剂的有机溶剂等。稍浓的碱性水溶液例如pH为11以上且小于12。低浓度例如小于0.5重量％。
通过使用稍强的显影液，与使用强显影液的情况相比，能够降低对各层或各部件造成的损伤。
另外，在显示装置2中，红色发光层35r包含来自正抗蚀剂的正型感光性树脂。
同样，在步骤S26以及步骤S27执行的步骤S42的各个步骤S42中，绿色发光材料层54以及蓝色发光材料层64也可以通过整面地涂布包含发光材料和正面抗蚀剂的溶液，使溶剂从该溶液挥发而形成。
(变形例6)
在上述中，说明了红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb这三个子像素中的两个具备下层树脂层的例子，但本实施方式的范围不限于此，从N个发光元件中仅一个具备下层树脂层的例子到N个发光元件中仅(N-1)个具备下层树脂层的例子也包含在本实施方式1中。n是2以上的整数。
上述的变形例1～6能够以任意的组合相互组合。另外，上述的变形例1～5及其任意的组合能够适用于后述的实施方式2。另外，上述的变形例2～6及其任意的组合能够适用于后述的实施方式3。另外，上述的变形例1～6及其任意的组合能够适用于后述的实施方式4。
(发光元件层的能级)
以下，参照图29～图34，详细地说明本实施方式的下层树脂层34的带隙。
图29是示出图4所示的发光元件层5的空穴传输层33、下层树脂层34、发光层35以及电子传输层37的带隙的一例的概略能级图。
图30以及图31是示出图20所示的发光元件层5的空穴传输层33、下层树脂层34、发光层35以及电子传输层37的带隙的一例的概略能级图。
图32是示出图26所示的发光元件层5的空穴传输层33、下层树脂层34、发光层35以及电子传输层37的带隙的概略能级图。
图33以及图34是示出图28所示的发光元件层的发光元件层5的空穴传输层33、下层树脂层34、发光层35以及电子传输层37的带隙的概略能级图。
图29～图34各自在上侧表示导带，在下侧表示价带。以下，将最低空轨道(LowestUnocupied Molecular Orbital:LUMO)或导带的下端或最高被占轨道(Highest OccupiedMolecular Orbital:HOMO)或价电子带的上端接近真空的能级(即，图29～图34的上侧，电子亲和力或离子化能量小)表现为“浅”。另外，将远离真空的能级(即，图29～图34的下侧，电子亲和力或离子化能量大)表现为“深”。
如图4及图20所示，在下层树脂层34位于空穴传输层33与发光层35之间的构成中，如图29～图31所示，下层树脂层34的HOMO需要比空穴传输层33的HOMO深。这是因为，在下层树脂层34的HOMO等于或浅于空穴传输层33的HOMO时，从空穴传输层33向发光层35移动的空穴被下层树脂层34捕获。
在图4和图20那样的构成中，在红色下层树脂层34r的HOMO比空穴传输层33的HOMO深、且比红色发光层35r的价带上端深的情况下，红色下层树脂层34r作为阻碍空穴从空穴传输层33向红色发光层35r注入的层发挥功能。其结果，能够降低空穴的过度注入。另一方面，在红色下层树脂层34r的HOMO比空穴传输层33的HOMO深、且比红色发光层35r的价带上端浅的情况下，红色下层树脂层34r作为辅助从空穴传输层33向红色发光层35r注入空穴的层发挥功能。关于绿色下层树脂层34g及蓝色下层树脂层34b也同样。
在图4所示的构成中，如图29所示，优选下层树脂层34的HOMO比蓝色发光层35b的价带上端深。由此，空穴从空穴传输层33向红色发光层35r及绿色发光层35g的移动受到阻碍。换言之，在多个不同的发光层中的价带上端最深的发光层与空穴传输层之间不形成下层树脂层，而在其它的发光层与空穴传输层之间形成下层树脂层的构成中，优选相比不同的多个发光层中的价带上端最深的发光层的价带上端，下层树脂层的HOMO更深。
在图20所示的构成中，优选如图30及图31所示，下层树脂层34的HOMO比蓝色发光层35b的价带上端浅。由此，空穴传输层33的HOMO和蓝色下层树脂层34b的HOMO和蓝色发光层35b的价带上端依次呈阶梯状排列。其结果，空穴从空穴传输层33向蓝色发光层35b的移动得到促进。换言之，在多个不同的发光层中的价带上端最浅的发光层与空穴传输层之间不形成下层树脂层，而在其它的发光层与空穴传输层之间形成下层树脂层的构成中，优选相比不同的多个发光层中的价带上端最深的发光层的价带上端，下层树脂层的HOMO更浅。
如图26和图28所示，在下层树脂层34位于电子传输层37和发光层35之间的构成中，需要图32～图34所示的下层树脂层34的LUMO比电子传输层37的LUMO浅。这是因为，在下层树脂层34的LUMO等于或深于电子传输层37的LUMO的情况下，从电子传输层37向发光层35移动的电子被下层树脂层34捕获。
在图26和图28所示的构成中，在红色下层树脂层34r的LUMO比电子传输层37的LUMO浅且比红色发光层35r的导带下端浅的情况下，红色下层树脂层34r作为阻碍从电子传输层37向红色发光层35r注入电子的层发挥作用。其结果，能够降低电子的过剩注入。另一方面，在红色下层树脂层34r的LUMO比电子传输层37的LUMO浅且比红色发光层35r的导带下端深的情况下，红色下层树脂层34r作为辅助从电子传输层37向红色发光层35r注入电子的层发挥作用。关于绿色下层树脂层34g及蓝色下层树脂层34b也同样。
在图26所示的构成中，如图32所示，优选下层树脂层34的LUMO比蓝色发光层35b的导带下端浅。由此，阻碍电子从电子传输层37向红色发光层35r以及绿色发光层35g的移动。换言之，在多个不同的发光层中的传导带的下端最浅的发光层、电子传输层与电子传输层之间未形成下层树脂层，并在其它发光层和电子传输层之间形成下层树脂层的构成中，优选下层树脂层的LUMO比不同的多个发光层中的导带下端最浅的发光层的导带下端浅。
在图28所示的结构中，如图33及图34所示，优选下层树脂层34的LUMO比蓝色发光层35b的导带下端深。由此，电子传输层37的LUMO、蓝色下层树脂层34b的LUMO和蓝色发光层35b的导带下端依次呈阶梯状排列。其结果，促进从电子传输层37向蓝色发光层35b的电子移动。换言之，在多个不同的发光层中的导带下端最深的发光层与电子传输层之间不形成下层树脂层，在其它的发光层和空穴传输层之间形成下层树脂层的构成中，优选下层树脂层的LUMO比不同的多个发光层中的导带下端最浅的发光层的导带下端深。
(作用效果)
根据本实施方式1涉及的方法，包含量子点的层和包含光致抗蚀剂的层是独立的。因此，含有量子点的层充分地含有量子点，且能够进行图案化。
根据本实施方式1涉及的方法，如图8所示，红色发光材料层44形成在红色下层反转抗蚀剂层41上，红色发光材料层44的不需要的部分(即，不成为红色发光层35r的部分)如图9所示，与红色下层反转抗蚀剂层41的可溶部41B—起被除去。因此，能够减少红色发光层35r的发光材料作为残渣混入红色发光层35r的形成区域以外。同样地，能够减少绿色发光层35g的发光材料作为残渣混入绿色发光层35g的形成区域以外的情况。通过混入减少，能减少子像素(发光元件)间的混色。
根据本实施形态1的方法，在红色下层反转抗蚀剂层41与红色上层红色上层正抗蚀剂层45之间整面地形成红色发光材料层44。并且，红色发光层35r通过使用光致抗蚀剂技术对红色发光材料44进行图案化形成。因此，在通过整面地涂布包含红色发光材料的溶液并使溶剂从该溶液中挥发来形成红色发光材料层44的情况下，也不会因咖啡环效应及表面张力在红色发光层35r产生凹凸。其结果，能够平坦且均匀地形成红色发光层35r。绿色发光层35g和蓝色发光层35b也是同样的。
根据本实施方式1所涉及的方法，如图16所示那样，蓝色发光材料层64形成在红色上层正抗蚀剂层45及绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部45C、55C上，蓝色发光材料层64的不需要的部分(即，不成为蓝色发光层35b的部分)如图17所示那样被去除之后，红色上层正抗蚀剂层45及绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部45C、55C如图19所示那样被去除。因此，能够减少蓝色发光层35b的发光材料作为残渣混入红色子像素Pr和绿色子像素Pg的区域。
根据本实施方式1的方法，在红色发光层35r的形成之后，通过曝光及反转烧结，使红色下层反转抗蚀剂层41的不溶部41A成为不溶于显影液的再不溶部41D。再不溶部41D即使进一步曝光或烧结，也保持不溶于显影液的状态。因此，在之后的工序中，能够减少红色发光层35r被显影液去除。同样地，能够减少绿色发光层35g被显影液除去。因此，容易控制红色发光层35r、绿色发光层35g、蓝色发光层35b的厚度。
根据本实施方式1涉及的方法，如图19所示，将红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C除去。因此，在显示装置2中，在红色发光层35r上不存在来自红色上层正抗蚀剂层45或红色上层正抗蚀剂层45的树脂层。因此，能够提高红色子像素Pr的发光效率。同样，能够提高绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb的发光效率。
另外，由于被除去，因此即使增大红色上层正抗蚀剂层45的厚度，也不会影响红色子像素Pr的发光效率。因此，能够充分增大红色上层正抗蚀剂层45的厚度，使得在从形成红色上层正抗蚀剂层45起到除去红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C为止的期间红色发光层35r不会损伤或变薄。同样地，能够充分增大绿色上层正抗蚀剂层55及蓝色上层正抗蚀剂层65的厚度。因此，容易控制红色发光层35r、绿色发光层35g、蓝色发光层35b的厚度。
根据本实施方式1的方法，红色发光层35r及绿色发光层35g分别在使用强显影液进行显影的步骤中，经由红色下层负抗蚀层41绿色下层反转抗蚀层的再不溶部41D、51D而附着在基板上。因此，能够减少红色发光层35r和绿色发光层35g在制造工序的中途从基板上剥离。
根据本实施方式1涉及的方法，用于热固化红色下层反转抗蚀剂层41及绿色下层反转抗蚀剂层51的主烧结，如图5所示可以一次进行。或者，也可以不进行主烧结。因此，能够减少主烧结引起的加热或温度变化引起的化学或机械性的损伤。
[实施方式2]
以下，说明本发明的另一实施方式。并且，为了便于说明，对与在第一实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
图35是表示本发明实施方式2涉及的显示装置2中的发光元件层5的构成的的一例概略剖视图。
本实施方式2所涉及的发光元件层5的一例与上述实施方式1所涉及的发光元件层5的一例的不同点在于，在空穴传输层33与蓝色发光层35b之间包括蓝色下层树脂层34b。在该情况下，将红色下层树脂层34r、绿色下层树脂层34g和蓝色下层树脂层34b统称为“下层树脂层34”。换言之，本实施方式2的发光元件层5在全部的发光层35之下包括下层树脂层34这一点上与上述实施方式1的发光元件层5不同。
(制造方法)
本实施方式2的构成可以通过形成全部的发光层的工序分别执行图6所示的处理P1来实现。
以下，参照图36～图40，对在基板上形成图35所示的发光元件层5的一例的工序(步骤S4、发光元件形成工序)的一例进行详细说明。
图36～图40分别是示出将图35所示的发光元件层5的一例形成于基板上的工序(步骤S4)的一例的概略剖面图。
首先，与上述实施方式1同样地，进行图5示出的流程直至包含进行绿色发光层35g的形成的处理的工序(步骤S26)。
<包含形成蓝色发光层的处理>
接着，如图6以及图36所示，进行包括蓝色发光层35b的形成的处理(步骤S27)。在步骤S27中，执行图6所示的处理P1。
即，首先，如图6和图36所示，通过在空穴传输层33和红色上层正抗蚀剂层45及绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部45C、55C上整面地涂布反转抗蚀剂材料，从而整面地形成绿色下层反转抗蚀剂层61(第三反转抗蚀剂)(步骤S41，第三发光层形成工序的一部分)。接着，形成蓝色发光材料层64和蓝色上层正抗蚀层65(步骤S42，S43、第三发光层形成工序的一部分)。以此方式，形成从基板侧开始依次包含蓝色下层反转抗蚀剂层61、蓝色发光材料层64和蓝色上层正抗蚀剂层65的层叠体(第三层叠体)。
接着，使用蓝色第一掩膜67以紫外光对上述层叠体进行第一次曝光(步骤S44、第三发光层形成工序的一部分)。其结果，蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65中与蓝色发光层35b重叠的部分不发生光化学反应，保持不溶于显影液的不溶部61A、65A。另一方面，其他部分通过光化学反应成为可溶于显影液的可溶部61B、65B。
接着，如图6以及图37所示，使用强显影液进行显影(步骤S45，第三发光层形成工序的一部分)。其结果，蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65中的可溶部61B、65B以及蓝色发光材料层64中在可溶部61B、65B之间的部分被除去。另一方面，蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65中的不溶部51A、55A和蓝色发光材料层64中在不溶部61A、65A之间的部分残留。蓝色发光材料层64的残留部成为蓝色发光层35b。
如此使用光刻技术及反转抗蚀剂的再不溶化，对上述层叠体进行图案化，其结果，形成蓝色发光层35b。
接着，如图6和图38所示，使用蓝色第二掩模68用紫外光对上述图案化的层叠体进行第二次曝光(步骤S46，第三再不溶化工序的一部分)。其结果，蓝色下层反转抗蚀剂层61和蓝色上层正抗蚀剂层65的不溶部61A、65A由于光化学反应变成可溶于显影液的可溶部61C、65C。
接着，如图6和图39所示，对上述图案化的层叠体进行反转烧结(步骤S47，第三再不溶化工序的一部分)。其结果，蓝色下层反转抗蚀剂层61的可溶部61C由于脱羧化而成为不溶于显影液的再不溶部61D。另一方面，蓝色上层正抗蚀剂层65的可溶部65C仍然是可溶部65C。
在步骤S27中，如上所述，蓝色发光层35b形成为被夹在蓝色下层反转抗蚀剂层61的再不溶部61D与蓝色上层正抗蚀剂层65的可溶部65C之间被保护的状态。
之后，与上述实施方式1同样地，进行进行弱显影的工序(图5的步骤S28、正抗蚀剂除去工序)和接下来的工序。这样，形成图30所示的发光元件层5。
(作用效果)
根据本实施方式2涉及的方法，如图36所示，蓝色发光材料层64形成在蓝色下层反转抗蚀剂层61上，蓝色发光材料层64的不需要的部分(即，不成为蓝色发光层35b的部分)如图37所示与蓝色下层反转抗蚀剂层61的可溶部61B一起被去除。
因此，根据本实施方式2的方法，与上述实施方式1的方法相比较，能够减少蓝色发光层35b的发光材料作为残渣混入蓝色发光层35b的形成区域以外。具体而言，能够减少蓝色发光层35b的发光材料作为残渣混入红色发光层35r及绿色发光层35g的侧面、红色下层树脂层34r及绿色下层树脂层34g的侧面以及空穴传输层33的上面。
根据本实施方式2涉及的方法，蓝色发光层35b在使用强显影液进行显影的工序中，经由蓝色下层反转抗蚀剂层61的再不溶部61D附着在基板上。因此，能够进一步降低蓝色发光层35b在制造工序的中途从基板剥离。
[实施方式3]
以下，说明本发明的另一实施方式。并且，为了便于说明，对与在第一实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
图41是表示本发明实施方式3涉及的显示装置2中的发光元件层5的构成的一例概略剖视图。
本实施方式3所涉及的发光元件层5的一例与在所有的发光层35之下包含下层树脂层34这一点，以及在红色发光层35r与电子传输层37之间包含红色上层树脂层36r这一点，与上述实施方式1所涉及的发光元件层5的一例不同。
(制造方法1)
以下，参照图42～图44，对在基板上形成图41所示的发光元件层5的一例的工序(步骤S4，发光元件形成工序)的一个例子进行详细说明。
本实施方式2的构成能够通过在图4所示的步骤中最后进行步骤S25，步骤S25执行图42所示的处理P3来实现。此外，步骤S26以及步骤S27执行图6所示的处理P1。
图42是示出为了形成图41所示的发光元件层5而执行的处理(处理P3)的概略流程图。图43是示出图42中所示的处理P3的概略剖视图。图44是示出图42所示的处理P3和后述的图45所示的处理P4的概略剖视图。
首先，与上述实施方式1的变形例相同，进行包含形成蓝色发光层35b的处理的工序(步骤S27、第一发光层形成工序)以及进行包含形成绿色发光层35g的处理的工序(步骤S26、第二发光层形成工序)。
接着，进行包括形成红色发光层35r的处理的工序(步骤S25)。在此，如图42及图43所示，通过在空穴传输层33上整面地涂布正抗蚀剂材料，整面地形成红色下层正抗蚀剂层42(步骤S48、第三发光层形成工序的一部分)。接着，整面地形成红色发光材料层44和红色上层正抗蚀剂层45(步骤S42、S43、第三发光层形成工序的一部分)。
这样，形成将红色发光材料层44(第三发光材料层)层叠在红色下层正抗蚀剂层42和红色上层正抗蚀剂层45(两层正抗蚀剂)之间而包含的层叠体(第三层叠体)。此时，红色下层正抗蚀剂层42和红色上层正抗蚀剂层45分别不溶于显影液。
接着，使用红色第一掩膜47以紫外光对上述层叠体进行曝光(步骤S49、第三发光层形成工序的一部分)。本处理P3与处理P1(参照图6)和处理P2(参照图7)不同，仅进行一次曝光。
其结果，红色下层正抗蚀剂层42和红色上层正抗蚀剂层45中与红色发光层35r重叠的部分不发生光化学反应，保持不溶于显影液的不溶部42A、45A。另一方面，其他部分通过光化学反应成为可溶于显影液的可溶部42B、45B。
接着，如图42以及图44所示，进行强显影(步骤S45，第三发光层形成工序的一部分)。其结果，红色下层正抗蚀剂层42和红色上层正抗蚀剂层45的可溶部42B、45B以及红色发光材料层44在可溶部42B、45B之间的部分被除去。另一方面，红色下层正抗蚀层42和红色上层正抗蚀层45的不溶部42A、45A以及红色发光材料层44在不溶部42A、45A之间的部分残留。红色发光材料层44的该残留部为红色发光层35r。
在步骤S25中，如上所述，红色发光层35r形成为被夹在红色下层正抗蚀剂层42与红色上层正抗蚀剂层45之间的不溶部42A、45A被保护的状态。
之后，与上述实施方式1同样地，进行进行弱显影的工序(图5的步骤S28)和接下来的工序。红色下层正抗蚀剂层42和红色上层正抗蚀剂层45的不溶部42A、45A分别保持原状态或经过主烧结而成为红色下层树脂层34r和红色上层树脂层36r。这样，形成图41所示的发光元件层5。
通过该方法，也能够减少各发光层35的发光材料作为残渣混入该发光层35的形成区域以外。
(制造方法2)
以下，参照图44～图46，对在基板上形成图41所示的发光元件层5的一例的工序(步骤S4、发光元件形成工序)的一例进行详细说明。
本实施方式2的构成能够通过图5所示的步骤中的步骤S25执行图45所示的处理P4来实现。在此，步骤S26以及步骤S27执行图6所示的处理P1。另外，处理P4使用负抗蚀剂材料，因此能够更换进行步骤/>(参照图5)的顺序。
图45是示出为了形成图41所示的发光元件层5而执行的其他处理(处理P4)的概略流程图。图46是示出图45中所示的处理P4的概略剖视图。
首先，与上述实施方式1的变形例相同，进行包含形成蓝色发光层35b的处理的工序(步骤S27、第一发光层形成工序)以及进行包含形成绿色发光层35g的处理的工序(步骤S26、第二发光层形成工序)。
接着，进行包括形成红色发光层35r的处理的工序(步骤S25)。在此，如图45和图46所示，通过在空穴传输层33上整面地涂布负抗蚀剂材料，整面地形成红色下层负抗蚀剂层43(步骤S450、第三发光层形成工序的一部分)。接着，整个面地形成红色发光材料层44(步骤S42、第三发光层形成工序的一部分)。接着，通过在红色发光材料层44上整面地涂布负抗蚀剂材料，从而整面地形成红色上层负抗蚀剂层46(步骤S51，第三发光层形成工序的一部分)。在本说明书中，“负抗蚀剂材料”意指包含负型光致抗蚀剂的材料。
以此方式，形成将红色发光材料层44(第三发光材料层)层叠包含在红色下层负抗蚀剂层43和红色上层负抗蚀剂层46(两层负抗蚀剂)之间的层叠体(第三层叠体)。此时，红色下层负抗蚀剂层43和红色上层负抗蚀剂层46分别不溶于显影液。
接着，使用红色第二掩膜48以紫外光对上述层叠体进行曝光(步骤S52、第三发光层形成工序的一部分)。本处理P4与处理P1(参照图6)及处理P2(参照图7)不同，仅进行一次曝光。
其结果，红色下层负抗蚀层43和红色上层负抗蚀层46中与红色发光层35r重叠的部分因光化学反应成为不溶于显影液的不溶部43A、46A。另一方面，其他部分不光化学反应，仍保持为可溶于显影液的可溶部43B、46B。
接着，如图45以及图44所示，进行强显影(步骤S45，第三发光层形成工序的一部分)。因此，红色下层负抗蚀剂层43和红色上层负抗蚀剂层46的可溶部43B、46B以及红色发光材料层44在可溶部43B、46B之间的部分被除去。另一方面，红色下层负抗蚀层43和红色上层负抗蚀层46的不溶部43A、46A以及红色发光材料层44在不溶部43A、46A之间的部分残留。红色发光材料层44的该残留部为红色发光层35r。
在步骤S25中，如上所述，红色发光层35r形成为被夹在红色下层负抗蚀剂层43与红色上层负抗蚀剂层46之间的不溶部43A、46A被保护的状态。
之后，与上述实施方式1同样地，进行进行弱显影的工序(图5的步骤S28)和接下来的工序。红色下层负抗蚀剂层43和红色上层负抗蚀剂层46的不溶部43A、46A分别保持原状态或经过主烧结而成为红色下层树脂层34r和红色上层树脂层36r。这样，形成图41所示的发光元件层5。
通过该方法，也能够减少各发光层35的发光材料作为残渣混入该发光层35的形成区域以外。
(作用效果)
根据本实施方式3的方法，与上述实施方式1的方法相比较，能够进一步减少各发光层的发光材料作为残渣混入其他发光层的形成区域。
[实施方式4]
以下，说明本发明的另一实施方式。并且，为了便于说明，对与在第一实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
图47是表示本发明实施方式4涉及的显示装置2中的发光元件层5的构成的一例概略剖视图。
本实施方式4涉及的发光元件层5的一例，取代整面形成的空穴传输层33而包含分别图案化的红色空穴传输层33r、绿色空穴传输层33g和蓝色空穴传输层33b这点上，与上述实施方式1涉及的发光元件层5的一例不同。
(制造方法)
以下，参照图48～图53，对在基板上形成图47所示的发光元件层5的一例的工序(步骤S4、发光元件形成工序)的一个例子进行详细说明。
图48～图53分别是示出将图47所示的发光元件层5的一例形成于基板上的工序(步骤S4、发光元件形成工序)的一例的剖面图。
首先，直至形成图46所示的流程的空穴注入层的工序(步骤S23)，与上述实施方式1同样地进行。
<包含形成红色发光层以及红色空穴传输层的处理>
接着，如图48所示，进行包含红色发光层35r以及红色空穴传输层33r的形成的处理(步骤S60)。在步骤S60中，执行图49所示的处理P5。图49所示的处理P5在包括形成空穴传输材料层的工序(步骤S63)这一点上与图6所示的处理P1不同。
即，如图49以及图51所示，首先，整面地形成红色下层反转抗蚀剂层41(步骤S41)。接着，通过在红色下层反转抗蚀剂层41上整面地蒸镀空穴传输材料(载流子传输层的材料)，或者整面地涂布包含空穴传输材料的材料，从而整面地形成红色空穴传输材料层71(载流子传输材料层)(步骤S63)。接着，整面地形成红色发光材料层44和红色上层正抗蚀剂层45(步骤S42、S43)。
以此方式，形成从基板侧开始依次包含红色下层负抗蚀剂层41、红色空穴传输材料层71、红色发光材料层44和红色上层正抗蚀剂层45的层叠体(第一层叠体)。
接着，如图49所示，与上述实施方式1同样地，进行步骤 步骤S45。由此，红色空穴传输材料层71与红色发光材料层44一起被图案化，红色空穴传输材料层71的剩余部分成为红色空穴传输层33r。
接着，与实施方式1同样地，进行步骤步骤S47。由此，红色发光层35r以及红色空穴传输材料层33r形成为被夹在红色下层负抗蚀剂层41的再不溶部41D与红色上层正抗蚀剂层45的可溶部45C之间被保护的状态。
<包含形成绿色发光层以及绿色空穴传输层的处理>
接着，如图48所示，进行包含绿色发光层35g以及绿色空穴传输层33g的形成的处理(步骤S61)。在步骤S61中，执行图49所示的处理P5。
即，如图49以及图52所示，首先，整面地形成绿色下层反转抗蚀剂层51(步骤S41)。接着，通过在绿色下层反转抗蚀剂层51上整面地蒸镀空穴传输材料、或者整面地涂布包含空穴传输材料的材料，从而整面地形成绿色空穴传输材料层72(步骤S63)。接着，整面地形成绿色发光材料层54和绿色上层正抗蚀剂层55(步骤S42、S43)。
以此方式，形成从基板侧开始依次包含绿色下层反转抗蚀剂层51、绿色空穴传输材料层72、绿色发光材料层54和绿色上层正抗蚀剂层55的层叠体。
接着，如图49所示，与上述实施方式1同样地，进行步骤 步骤S45。由此，绿色空穴传输材料层72与绿色发光材料层54一起被图案化，绿色空穴传输材料层72的剩余部分成为绿色空穴传输层33g。
接着，与实施方式1同样地，进行步骤步骤S47。在步骤S26中，如上所述，绿色发光层35g以及绿色空穴传输层33g形成为被夹在绿色下层反转抗蚀剂层51的再不溶部51D与绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部55C之间被保护的状态。
<包含形成蓝色发光层以及蓝色空穴传输层的处理>
接着，如图48所示，进行包含蓝色发光层35b以及蓝色空穴传输层33b的形成的处理(步骤S62)。在步骤S62中，执行图50所示的处理P6。图50所示的处理P3在包括形成空穴传输材料层的工序(步骤S62)这一点上与图7所示的处理P2不同。
即，首先，如图50及图53所示，通过在空穴传输层31、红色上层正抗蚀剂层45及绿色上层正抗蚀剂层55的可溶部45C、55C上整面地蒸镀空穴传输材料，或者通过整面地涂布空穴传输材料，从而整面地形成蓝色空穴传输材料层73(步骤S63)。接着，整面地形成蓝色发光材料层64和蓝色上层正抗蚀剂层65(步骤S42、S43)。
这样，形成从基板侧开始依次包含蓝色空穴传输材料层73、蓝色发光材料层64和蓝色上层正抗蚀层65的层叠体。
接着，如图50所示，与上述实施方式1同样地，进行步骤 步骤S45。由此，蓝色空穴传输材料层73与蓝色发光材料层64一起被图案化，蓝色空穴传输材料层73的剩余部分成为蓝色空穴传输层33b。
接着，与上述实施方式1同样地进行步骤S46。由此，蓝色发光层35b及蓝色空穴传输层33b形成为被覆盖在蓝蓝色上层正抗蚀层65的可溶部65C的下方被保护的状态。
之后，与上述实施方式1同样地，进行进行弱显影的工序(图5的步骤S28)和接下来的工序。这样，形成图47所示的发光元件层5。
(作用效果)
根据本实施方式4的方法，与红色发光层35r一起地，与红色发光层35r对应的红色空穴传输层33r也能够形成图案。因此，能够形成适合于红色发光层的红色空穴传输层33r。另外，能够减少红色空穴传输层33r的空穴传输材料作为残渣混入红色空穴传输层33r的形成区域以外。关于绿色空穴传输层33g及蓝色空穴传输层33b也是同样的。
此外，本实施方式4的范围不限于此，包含各种变形例，包括发光层对空穴传输层以外的层进行图案化的例子、在上述的实施方式2、3中与发光层一起对空穴传输层等的层进行图案化的例子、仅对多个发光层中的一个或几个发光层与该发光层一起对空穴传输层等的层进行图案化的例子等。
[总结]
本发明的方式1涉及的发光装置的制造方法是如下的方法:包括在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件的发光元件形成工序，所述发光元件形成工序包括第一发光层形成工序，所述第一发光层形成工序通过对第一层叠体进行图案化来形成所述第一发光层，所述第一层叠体从所述基板侧依次层叠有第一反转抗蚀剂、包含所述第一发光层的发光材料的第一发光材料层以及第一正抗蚀剂。
本发明的方式2涉及的发光装置的制造方法在方式1涉及的方法的基础上，所述第一发光层形成工序包括:层叠体形成工序，成膜所述第一层叠体的各层；层叠体曝光工序，该工序在所述层叠体形成工序之后，对所述第一层叠体的一部分进行曝光；以及显影工序，该工序在所述层叠体曝光工序之后，通过除去被曝光的所述第一反转抗蚀剂以除去所述第一层叠体的被曝光的部分。
本发明的方式3涉及的发光装置的制造方法在方式1或2涉及的方法的基础上，所述发光元件形成工序在所述第一发光层形成工序之后，还包括第一再不溶化工序，使与所述第一发光层重叠的所述第一反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。
本发明的方式4涉及的发光装置的制造方法在方式3涉及的方法的基础上，所述第一再不溶化工序包括:反转抗蚀剂曝光工序，对所述第一反转抗蚀剂进行曝光；以及加热工序，在所述反转抗蚀剂曝光工序后，对被曝光的所述第一反转抗蚀剂进行加热。
本发明的方式5涉及的发光装置的制造方法在方式3或4涉及的方法的基础上，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第二发光元件，所述第二发光元件包含第二发光层，所述第二发光层具有与所述第一发光层不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第二发光层形成工序，所述第二发光层形成工序是在所述第一再不溶化工序之后，通过对第二层叠体进行图案化，以形成所述第二发光层，所述第二层叠体是将第二反转抗蚀剂、包含所述第二发光层的发光材料的第二发光材料层以及第二正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。
本发明的方式6涉及的发光装置的制造方法在5涉及的方法的基础上，所述发光元件形成工序还包括第二再不溶化工序，所述第二再不溶化工序在所述第二发光层形成工序之后，使与所述第二发光层重叠的所述第二反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。
本发明的方式7涉及的发光装置的制造方法在6涉及的方法的基础上，所述发光元件形成工序还包括正抗蚀剂除去工序，所述正抗蚀剂除去工序在所述第二再不溶化工序之后，从所述第一发光层和所述第二发光层的各自的上层分别除去所述第一正抗蚀剂以及所述第二正抗蚀剂。
本发明的方式8涉及的发光装置的制造方法在方式6或7涉及的方法的基础上，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层以及第三正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。
本发明的方式9涉及的发光装置的制造方法在方式6涉及的方法的基础上，在所述发光元件形成工序中，还形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三层叠体在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体将第三反转抗蚀剂、包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层以及第三正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。
本发明的方式10涉及的发光装置的制造方法在9涉及的方法的基础上，所述发光元件形成工序还包括第三再不溶化工序，所述第三再不溶化工序在所述第三发光层形成工序之后，使与所述第三发光层重叠的所述第三反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。
本发明的方式11涉及的发光装置的制造方法在10涉及的方法的基础上，所述发光元件形成工序还包括正抗蚀剂除去工序，所述正抗蚀剂除去工序在所述第三再不溶化工序之后，从所述第一发光层、所述第二发光层以及各发光层的上层分别除去所述第一正抗蚀剂、所述第二正抗蚀剂以及所述第三正抗蚀剂。
本发明的方式12涉及的发光装置的制造方法在方式6或7涉及的方法的基础上，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层层叠在两层的第三正抗蚀剂之间而成。
本发明的方式13涉及的发光装置的制造方法在方式6或7涉及的方法的基础上，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，其将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层层叠在两层的负抗蚀剂之间而成的第三层叠体进行图案化以形成所述第三发光层。
本发明的方式14涉及的发光装置的制造方法在方式1至13中的任一方式涉及的方法的基础上，所述第一发光元件还具备:所述基板与所述第一发光层之间的下层电极、该下层电极与所述第一发光层之间的载流子传输层，所述第一层叠体还在所述第一反转抗蚀剂与所述第一发光材料层之间层叠地包含载流子传输材料层，所述载流子传输材料层包含所述载流子传输层的材料，在所述第一发光层形成工序中，进一步对所述载流子传输材料层进行图案化，以形成所述载流子传输层。
本发明的方式15涉及的发光装置包括:基板；以及所述基板上的第一发光元件，其从所述基板侧起依次层叠地包含第一下层电极、第一发光层和第一上层电极；所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述第一发光层之间还具备感光性树脂层，所述感光性树脂层含有选自由下述结构式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种。
[化7]
在此，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的烃基。
本发明的方式16涉及的发光装置在方式15涉及的构成的基础上，也可以是所述感光性树脂层包含选自由具有羟基的芳香族烃、1-羟乙基-2-烷基咪唑啉和紫胶组成的组中的至少一种。
本发明的方式17涉及的发光装置是在上述方式15或16涉及的构成的基础上，也可以是所述第一发光层含有量子点作为发光材料。
本发明的方式18涉及的发光装置是在上述方式15至17中的任一方式涉及的构成的基础上，所述第一发光层含有正型的感光性树脂。
本发明的方式19涉及的发光装置是在上述方式15至18中的任一方式涉及的构成的基础上，所述第一下层电极为阴极，所述第一上层电极为阳极，所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备电子传输层，所述感光性树脂层的电子亲和力小于所述电子传输层的电子亲和力、且小于所述第一发光层的电子亲和力。
本发明的方式20涉及的发光装置是在上述方式15至18中的任一方式涉及的构成的基础上，所述第一下层电极为阴极，所述第一上层电极为阳极，所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备电子传输层，所述感光性树脂层的电子亲和力小于所述电子传输层的电子亲和力、且大于所述第一发光层的电子亲和力。
本发明的方式21涉及的发光装置是在上述方式15至18中的任一方式涉及的构成的基础上，所述第一下层电极为阳极，所述第一上层电极为阴极，所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备空穴传输层，所述感光性树脂层的离子化能量大于所述空穴传输层的离子化能量、且大于所述第一发光层的离子化能量。
本发明的方式22涉及的发光装置是在上述方式15至18中的任一方式涉及的构成的基础上，所述第一下层电极为阳极，所述第一上层电极为阴极，所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备空穴传输层，所述感光性树脂层的离子化能量大于所述空穴传输层的离子化能量、且小于所述第一发光层的离子化能量。
本发明的方式23涉及的发光装置是在上述方式15至22中的任一方式涉及的构成的基础上，仅所述第一发光元件具备所述感光性树脂层。
本发明的方式24涉及的发光装置是在上述方式15至22中的任一方式涉及的构成的基础上，还包括所述基板上的第二发光元件，所述第二发光元件从所述基板侧依次层叠地包含第二下层电极、具有与所述第一发光层不同的材料的第二发光层以及第二上层电极，所述第二发光元件在所述第二下层电极与所述第二发光层之间还具有所述感光性树脂层。
本发明的方式25涉及的发光装置是在上述方式24涉及的构成的基础上，还包括所述基板上的第三发光元件，所述第三发光元件从所述基板侧依次层叠地包含第三下层电极、具有与所述第一发光层及所述第二发光层不同的材料的第三发光层以及第三上层电极。
本发明的方式26涉及的发光装置是在上述方式24涉及的构成的基础上，还包括所述基板上的第三发光元件，所述第三发光元件从所述基板侧依次层叠地包含第三下层电极、具有与所述第一发光层及所述第二发光层材料的第三发光层以及第三上层电极，仅所述第一发光元件以及所述第二发光元件具备所述感光性树脂层。
本发明的方式27涉及的发光装置是在上述方式25或26涉及的构成的基础上，所述第一发光元件是包含红色发光层作为所述第一发光层的红色发光元件，所述第二发光元件是包含绿色发光层作为所述第二发光层的绿色发光元件，所述第三发光元件是包含蓝色发光层作为所述第三发光层的蓝色发光元件。
本发明的方式28涉及的发光装置是在上述方式27涉及的构成的基础上，包括:具有多个像素显示区域以及包围所述显示区域边框区域，在所述多个像素中分别具备所述红色发光元件、所述绿色发光元件和所述蓝色发光元件，所述基板具有分别驱动所述红色发光元件、所述绿色发光元件和所述蓝色发光元件的薄膜晶体管层。
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。
附图标记说明
2显示装置(发光装置)
10下面膜(基板)
22阳极(下层电极、第一下层电极、第二下层电极、第三下层电
极、上层电极、第一上层电极)
25阴极(上层电极、第一上层电极、第二上层电极、第三上层电
极、下层电极、第一下层电极)
33空穴传输层(载流子传输层)
33r红色空穴传输层(载流子传输层)
33g绿色空穴传输层(载流子传输层)
33b蓝色空穴传输层(载流子传输层)
34r红色下层树脂层(感光性树脂层)
34g绿色下层树脂层(感光性树脂层)
34b蓝色下层树脂层(感光性树脂层)
35r红色发光层(第一发光层、第三发光层)
35g绿色发光层(第二发光层)
35b蓝色发光层(第三发光层、第一发光层)
37电子传输层(载流子传输层)
41红色下层反转抗蚀剂层(第一反转抗蚀剂、第三反转抗蚀剂)
42红色下层正抗蚀剂层(两层第三正抗蚀剂中的一层)
43红色下层负抗蚀剂层(两层负抗蚀剂中的一层)
44红色发光材料层(第一发光材料层、第三发光材料)
45红色上层正抗蚀剂层(第一正抗蚀剂和第二层的第二正抗蚀
剂的又一层)
46红色上层负型抗蚀剂层(两层负抗蚀剂的另一个层)
51绿色下层反转抗蚀剂层(第二反转抗蚀剂)
54绿色发光材料层(第二发光材料层)
55绿色上层正抗蚀剂层(第二正抗蚀剂)
61蓝色下层反转抗蚀剂层(第三反转抗蚀剂、第一反转抗蚀剂)
64蓝色发光材料层(第三发光材料层、第一发光材料层)
65蓝色上层正抗蚀剂层(第三正抗蚀剂、第一正抗蚀剂)
70母玻璃(基板)
71红色空穴传输材料层(载流子传输材料层)
72绿色空穴传输材料层(载流子传输材料层)
73蓝色空穴传输材料层(载流子传输材料层)
Pr红色子像素(第一发光元件、红色发光元件)
Pg绿色子像素(第二发光元件、绿色发光元件)
Pb蓝色子像素(第三发光元件、蓝色发光元件)
Claims (28)
1.一种发光装置的制造方法，包括在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件的发光元件形成工序，其特征在于，
所述发光元件形成工序包括第一发光层形成工序，所述第一发光层形成工序通过对第一层叠体进行图案化来形成所述第一发光层，所述第一层叠体从所述基板侧依次层叠有第一反转抗蚀剂、包含所述第一发光层的发光材料的第一发光材料层以及第一正抗蚀剂。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一发光层形成工序包括:
层叠体形成工序，成膜所述第一层叠体的各层；
层叠体曝光工序，该工序在所述层叠体形成工序之后，对所述第一层叠体的一部分进行曝光；以及
显影工序，该工序在所述层叠体曝光工序之后，通过除去被曝光的所述第一反转抗蚀剂以除去所述第一层叠体的被曝光的部分。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序在所述第一发光层形成工序之后，还包括第一再不溶化工序，使与所述第一发光层重叠的所述第一反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。
4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一再不溶化工序包括:
反转抗蚀剂曝光工序，对所述第一反转抗蚀剂进行曝光；以及
加热工序，在所述反转抗蚀剂曝光工序后，对被曝光的所述第一反转抗蚀剂进行加热。
5.根据权利要求3或4所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第二发光元件，所述第二发光元件包含第二发光层，所述第二发光层具有与所述第一发光层不同的材料，
所述发光元件形成工序还具有第二发光层形成工序，所述第二发光层形成工序是在所述第一再不溶化工序之后，通过对第二层叠体进行图案化，以形成所述第二发光层，所述第二层叠体是将第二反转抗蚀剂、包含所述第二发光层的发光材料的第二发光材料层以及第二正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。
6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括第二再不溶化工序，所述第二再不溶化工序在所述第二发光层形成工序之后，使与所述第二发光层重叠的所述第二反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。
7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括正抗蚀剂除去工序，所述正抗蚀剂除去工序在所述第二再不溶化工序之后，从所述第一发光层和所述第二发光层的各自的上层分别除去所述第一正抗蚀剂以及所述第二正抗蚀剂。
8.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，
所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层以及第三正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。
9.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述发光元件形成工序中，还形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，
所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三层叠体在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体将第三反转抗蚀剂、包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层以及第三正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括第三再不溶化工序，所述第三再不溶化工序在所述第三发光层形成工序之后，使与所述第三发光层重叠的所述第三反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。
11.根据权利要求10所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括正抗蚀剂除去工序，所述正抗蚀剂除去工序在所述第三再不溶化工序之后，从所述第一发光层、所述第二发光层以及各发光层的上层分别除去所述第一正抗蚀剂、所述第二正抗蚀剂以及所述第三正抗蚀剂。
12.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，
所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层层叠在两层的第三正抗蚀剂之间而成。
13.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，
所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层层叠在两层的负抗蚀剂之间而成。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述第一发光元件还具备:所述基板与所述第一发光层之间的下层电极、该下层电极与所述第一发光层之间的载流子传输层，
所述第一层叠体还在所述第一反转抗蚀剂与所述第一发光材料层之间层叠地包含载流子传输材料层，所述载流子传输材料层包含所述载流子传输层的材料，
在所述第一发光层形成工序中，进一步对所述载流子传输材料层进行图案化，以形成所述载流子传输层。
15.一种发光装置，其特征在于，包括:
基板；以及
所述基板上的第一发光元件，其从所述基板侧起依次层叠地包含第一下层电极、第一发光层和第一上层电极；
所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述第一发光层之间还具备感光性树脂层，
所述感光性树脂层含有选自由下述结构式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种，式中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的烃基，
[化1]
16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于，所述感光性树脂层包含选自由具有羟基的芳香族烃、1-羟乙基-2-烷基咪唑啉和紫胶组成的组中的至少一种。
17.根据权利要求15或16所述的发光装置，其特征在于，所述第一发光层含有量子点作为发光材料。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第一发光层含有正型的感光性树脂。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第一下层电极为阴极，所述第一上层电极为阳极，
所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备电子传输层，
所述感光性树脂层的电子亲和力小于所述电子传输层的电子亲和力、且小于所述第一发光层的电子亲和力。
20.根据权利要求15至18中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第一下层电极为阴极，所述第一上层电极为阳极，
所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备电子传输层，
所述感光性树脂层的电子亲和力小于所述电子传输层的电子亲和力、且大于所述第一发光层的电子亲和力。
21.根据权利要求15至18中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第一下层电极为阳极，所述第一上层电极为阴极，
所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备空穴传输层，
所述感光性树脂层的离子化能量大于所述空穴传输层的离子化能量、且大于所述第一发光层的离子化能量。
22.根据权利要求15至18中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第一下层电极为阳极，所述第一上层电极为阴极，
所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述感光性树脂层之间还具备空穴传输层，
所述感光性树脂层的离子化能量大于所述空穴传输层的离子化能量、且小于所述第一发光层的离子化能量。
23.根据权利要求15至22中任一项所述的发光装置，其特征在于，仅所述第一发光元件具备所述感光性树脂层。
24.根据权利要求15至22中任一项所述的发光装置，其特征在于，
还包括所述基板上的第二发光元件，所述第二发光元件从所述基板侧依次层叠地包含第二下层电极、具有与所述第一发光层不同的材料的第二发光层以及第二上层电极，
所述第二发光元件在所述第二下层电极与所述第二发光层之间还具有所述感光性树脂层。
25.根据权利要求24所述的发光装置，其特征在于，
还包括所述基板上的第三发光元件，所述第三发光元件从所述基板侧依次层叠地包含第三下层电极、具有与所述第一发光层及所述第二发光层不同的材料的第三发光层以及第三上层电极。
26.根据权利要求24所述的发光装置，其特征在于，
还包括所述基板上的第三发光元件，所述第三发光元件从所述基板侧依次层叠地包含第三下层电极、具有与所述第一发光层及所述第二发光层不同的材料的第三发光层以及第三上层电极，
仅所述第一发光元件以及所述第二发光元件具备所述感光性树脂层。
27.根据权利要求25或26所述的发光装置，其特征在于，
所述第一发光元件是包含红色发光层作为所述第一发光层的红色发光元件，
所述第二发光元件是包含绿色发光层作为所述第二发光层的绿色发光元件，
所述第三发光元件是包含蓝色发光层作为所述第三发光层的蓝色发光元件。
28.根据权利要求27所述的发光装置，其特征在于，
包括:具有多个像素显示区域以及包围所述显示区域边框区域，
在所述多个像素中分别具备所述红色发光元件、所述绿色发光元件和所述蓝色发光元件，
所述基板具有分别驱动所述红色发光元件、所述绿色发光元件和所述蓝色发光元件的薄膜晶体管层。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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