WO2022137613A1

WO2022137613A1 - Ａｇめっき材、Ａｇめっき材の製造方法、および、電気部品

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Publication number: WO2022137613A1
Application number: PCT/JP2021/026414
Authority: WO
Inventors: 陽介佐藤; 悠太郎平井; 健太郎荒井
Original assignee: Ｄｏｗａメタルテック株式会社
Priority date: 2020-12-23
Filing date: 2021-07-14
Publication date: 2022-06-30
Also published as: MX2023006862A; US20240026558A1; JP2022100002A; CN116601339A; EP4269659A1

Abstract

導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材であって、基材の上に、基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を複数備えている、Ａｇめっき材およびその関連技術を提供する。

Description

Ａｇめっき材、Ａｇめっき材の製造方法、および、電気部品

　本発明は、Ａｇめっき材、Ａｇめっき材の製造方法、および、電気部品に関する。

　従来、自動車などに用いられるスイッチやコネクタ、端子などの摺動接点部品などの材料として、摺動過程における加熱による銅や銅合金などの導体素材の酸化を防止するために、導体素材に銀めっきを形成した銀（Ａｇ）めっき材が使用されている。

　特許文献１には、導電性金属からなる基材の上に多層めっき皮膜が形成されためっき品であって、基材の上に、Ｎｉ又はＣｕを主成分とする多孔質めっき層と、Ａｕ又はＡｇを主成分とする表面めっき層とをこの順序で有し、多層めっき皮膜の表面に多数の孔が形成されてなることを特徴とするめっき品が記載されている（請求項１）。

　そして、特許文献１には、多層めっき皮膜の表面に多数の孔を形成する理由として、以下の内容を開示している（［００２０］）。

　すなわち、多孔質めっき層上に表面めっき層を形成することにより、多孔質めっき層の凹凸に沿うように表面めっき層が形成され、表面めっき層にも孔が形成されることになる。多孔質めっき層表面の凸部には表面めっき層が形成され易く、多孔質めっき層表面に形成された孔の底面や側面では、表面めっき層が形成されにくい。その結果、表面めっき層が形成されていない部分や、表面めっき層の厚みが薄い部分が生じることになる。Ａｕ又はＡｇを主成分とする表面めっき層が不均一であることによって、ガルバニック腐食を引き起こす腐食電流の集中を防止でき、むしろ耐食性が向上する。

　特許文献２には、特許文献１に記載のめっき皮膜の表面に多数の孔を有するとともに該孔に潤滑性粒子がブラスト処理により充填され、摺動性を備わらせることが記載されている（要約）。

　特許文献３には、耐摩耗性に優れ、コネクタの挿抜を繰り返しても電気的接続性を長期間良好に維持可能とすべく、金属材料よりなる基材と、該基材上に設けられた多数の細孔を有する多孔質金属層と、該多孔質金属層における上記細孔内に充填された充填部とを有しており、該充填部は、上記多孔質金属層を構成する金属材料よりも硬度が低い金属材料よりなるコネクタ用電気接点材料が記載されている（要約、請求項１）。

　特許文献４、５には、基材上に形成されたニッケルからなる下地層の表面に銀からなる表層が形成され、耐摩耗性に優れた銀めっき材を提供するとともに、その銀めっき材の生産性を向上させるべく、基材の表面を粗面化し、この粗面化した基材の表面にニッケルからなる下地層を形成した後、又は、基材上にニッケルからなる下地層を形成し、この下地層の表面を粗面化した後、この下地層の表面に銀からなる表層を形成することが記載されている（いずれも要約、請求項１）。

ＷＯ２０１３／０９４７６６号パンフレット特開２０１３－１２９９０２号公報特開２０１５－５９２６０号公報特開２０１７－１４５８８号公報特開２０１７－１４５８９号公報

　近年、環境規制の問題からＥＶ、ＰＨＶなどの電動車両のニーズが増えている。電動車両には通電性、接触信頼性の観点から銀めっき処理した伸銅材が使用されることが多い。
このような高圧端子に求められる特性として、耐挿抜性と耐摩耗性（本明細書ではまとめて耐摩耗性と呼称する。）があり、好適には微摺動摩耗に耐えるための性能（耐振動性）がある。

　本発明の課題は、優れた耐摩耗性を備えるＡｇめっき材を提供することにある。

　本発明の第１の態様は、
　導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材であって、
　前記基材の上に、基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を複数備えている、Ａｇめっき材である。

　本発明の第２の態様は、第１の態様に記載の態様であって、
　最も基材側にある前記２層のめっき構造と前記基材との間に、下地Ｎｉめっき層が更に形成されている。

　本発明の第３の態様は、第２の態様に記載の態様であって、
　前記下地Ｎｉめっき層の厚さが０．０５～２μｍである。

　本発明の第４の態様は、第１～第３のいずれか一つの態様に記載の態様であって、
　前記Ａｇめっき材の表面に多数の孔が形成されてなる。

　本発明の第５の態様は、第４の態様に記載の態様であって、
　前記孔の個数密度が５０００～１００，０００個／ｍｍ²である。

　本発明の第６の態様は、第４又は第５の態様に記載の態様であって、
　前記孔の平均直径が１～１０μｍである。

　本発明の第７の態様は、第１～第６のいずれか一つの態様に記載の態様であって、
　前記ポーラスＮｉめっき層の厚さが０．１～３μｍである。

　本発明の第８の態様は、第１～第７のいずれか一つの態様に記載の態様であって、
　前記Ａｇめっき層の厚さが０．１～３μｍである。

　本発明の第９の態様は、
　導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材の製造方法であって、
　前記基材の上に、基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造を形成し、この２層のめっき構造を複数形成する、Ａｇめっき材の製造方法である。

　本発明の第１０の態様は、第９の態様に記載の態様であって、
　最も基材側にある前記２層のめっき構造と前記基材との間に、下地Ｎｉめっき層を更に形成する。

　本発明の第１１の態様は、第１０の態様に記載の態様であって、
　前記下地Ｎｉめっき層の厚さを０．０５～２μｍとする。

　本発明の第１２の態様は、第９～第１１のいずれか一つの態様に記載の態様であって、
　前記ポーラスＮｉめっき層の厚さを０．１～３μｍとする。

　本発明の第１３の態様は、第９～第１２のいずれか一つの態様に記載の態様であって、
　前記Ａｇめっき層の厚さを０．１～３μｍとする。

　本発明の第１４の態様は、
　第１～第８のいずれか一つの態様に記載のＡｇめっき材を材料として用いた接点又は端子部品である、電気部品である。

　本発明によれば、優れた耐摩耗性を備えるＡｇめっき材を提供できる。

実施例１のＡｇめっき材の表面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）による二次電子像（２０００倍）である。実施例１のＡｇめっき材の断面のＳＩＭ（走査イオン顕微鏡）像である。実施例５のＡｇめっき材の断面のＳＩＭ像である。比較例２のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。比較例３のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。比較例４のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。比較例６のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。比較例７のＡｇめっき材の断面のＳＩＭ像である。（ａ）は、実施例１のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による二次電子像（２０００倍）である。（ｂ）は、Ａｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による反射電子組成像（２０００倍）である。（ｃ）は、Ａｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＡｇの特性Ｘ線像である。（ｄ）は、Ａｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＮｉの特性Ｘ線像である。（ａ）は、実施例１のＡｇめっき材に対して耐摩耗性試験後の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による二次電子像（２０００倍）である。（ｂ）は、耐摩耗性試験後のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による反射電子組成像（２０００倍）である。（ｃ）は、耐摩耗性試験後のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＡｇの特性Ｘ線像である。（ｄ）は、耐摩耗性試験後のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＮｉの特性Ｘ線像である。めっき膜厚の算出方法を説明する図である。

　以下、本実施形態について説明する。本明細書における「～」は所定の数値以上かつ所定の数値以下を指す。

＜Ａｇめっき材＞
　本実施形態に係るＡｇめっき材は、導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材であって、前記基材の上に、基材側（下側）から、ポーラスＮｉ（ニッケル）めっき層とＡｇ（銀）めっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を複数備えていることを特徴とする。

　前記基材は導電性金属からなれば限定は無いが、銅又は銅合金であってもよい。

　ポーラスＮｉめっき層は、その名の通り、多孔質のめっき層である。

　ポーラスＮｉめっき層は、例えば公知のポーラスＮｉめっき液および電解めっき方法により作製することができる３次元構造からなる多孔性のＮｉめっき皮膜であり、その表面から観察したときの孔の直径が概ね１μｍ前後から数１０μｍの孔であって、高い比表面積を有するものである。

　ポーラスＮｉめっき層は、Ｎｉを主成分とするめっき層であり、本発明の効果を奏する範囲においてＰ、Ｂ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ等の他の元素を含有していてもよい。以降、Ｎｉめっき層、Ａｇめっき層は、それぞれＮｉ、Ａｇが主成分であることを意味する。

　ポーラスＮｉめっき層中における具体的なＮｉの含有量は、例えば９０質量％以上であり、好ましくは９５質量％以上、さらには９９質量％以上としてもよい。

　前記ポーラスＮｉめっき層の厚さが０．１～３μｍであるのが好ましい。この厚さならば、Ｎｉめっき層を、孔の個数密度、孔の平均直径を適切に設定したうえで多孔質化できる。ポーラスＮｉめっき層の厚さは０．３～２μｍであるのがより好ましく、０．８μｍ以上であるのが更に好ましい。

　Ａｇめっき層は、Ａｇストライクめっきを施した後にＡｇめっき（本めっき）を施して得られるＡｇめっき皮膜であってもよい。そして、Ａｇを主成分とするめっき層である。Ａｇめっき層に他の元素例えばＣ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｂｉ等を本発明の効果を奏する範囲において含有してもよい。なお便宜上、本明細書中においてＡｇストライクめっきとその上に形成するＡｇめっき層を区別するために、Ａｇストライクめっき層上に形成したＡｇめっき層をＡｇ本めっき層と表すことがある。

　Ａｇめっき層中における具体的なＡｇの含有量は、例えば９０質量％以上であり、好ましくは９５質量％以上、さらには導電性の観点から９９質量％以上としてもよい。

　Ａｇめっき材の表面に多数の孔が形成されてなるのが好ましい。つまり、複数あるＡｇめっき層の最も表面側（露出面）に多数の孔が観察されてなるのが好ましい。また、Ａｇめっき材を構成するＡｇめっき層のいずれの上側の面にも多数の孔が観察されてもよい。Ａｇめっき層の孔は、その下に形成されているポーラスＮｉめっき層の表面にＡｇめっき層が被覆され、そのポーラスＮｉめっき層の孔部分が完全に埋まるまでＡｇめっきが被覆されないために、観察されたものと考えられる。

　基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する（交互に重なっている）２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を複数備えているのは、断面を電子顕微鏡で観察して確認することができる。例えば、図２は本発明（実施例１）のＡｇめっき材の断面をＳＩＭ（走査イオン顕微鏡）で観察したＳＩＭ像（走査イオン顕微鏡像）である。図２により、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を複数（図２では３つ）、備えていることが確認できる。２層のめっき構造は、３つ以上備えていることがより好ましい。ポーラスＮｉめっき層は薄い灰色の層であり、Ａｇめっき層は濃い灰色である。ポーラスＮｉめっき層には凸凹（孔部）が観察され、その表面にＡｇめっきが形成されている。

　また、Ａｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔のサイズを評価した。株式会社キーエンス製のレーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ１５０を使用して、対物レンズ×１００を用いて形状測定を実施し、マルチファイル解析アプリケーションを使用し、体積・面積測定を実施し、解析範囲を１００μｍ×１００μｍとした。検出される最も面積の大きい高さを基準（高さ０）（解析アプリケーションで算出される）として、その基準の高さからＡｇめっき層の深さ方向に０．５μｍの距離（位置）に物体（めっき表面）が検出されなかった部分を孔（ポーラス部）とみなし、その個数と面積を計測する。それから単位面積当たりの孔の個数密度と孔の平均直径を算出した。なお、孔の直径が１μｍ未満のものは計測対象から除外した。

　また、Ａｇめっき材を構成する最表層以外のＡｇめっき層の上側（Ａｇめっき材の表面側）の面に多数の孔（凹凸）が形成され、そのＡｇめっき層の上側の面にポーラスＮｉめっき層が形成されている。

　Ａｇめっき材の表面の前記孔の個数密度が５，０００～１００，０００個／ｍｍ²であるのが好ましい。

　前記孔の平均直径が１～３０μｍであるのが好ましく、２～２０μｍであるのがより好ましい。　

　前記Ａｇめっき層の厚さが０．１～３μｍであるのが好ましく、０．２～２μｍであるのがより好ましい。この厚さならば、孔の個数密度、孔の平均直径を適切に設定したうえでＡｇめっき層に多数の孔を形成できる。３μｍより厚いとポーラスＮｉめっき層の表面の孔がＡｇめっき層で埋められる等により表面に多数の孔が十分に形成されない恐れがある。但し、上記数値範囲は一例であり、結局のところ、Ａｇめっき層の厚さは、Ａｇめっき層の上側の面に多数の孔が形成される厚さであればよい。Ａｇめっき材を構成するいずれのＡｇめっき層の厚さも、Ａｇめっき層の上側の面に多数の孔が形成される厚さであるのがより好ましく、具体的には０．２～２μｍであるのがより好ましく、０．５μｍ以上であるのが更に好ましい。

　本実施形態では、ポーラスＮｉめっき層とその直上に形成されたＡｇめっき層とを一組とした２層のめっき構造を複数備える。この構成により、本実施形態のＡｇめっき材は優れた耐摩耗性有し、好適には優れた耐振動性を有する。

　最も基材側にある前記２層のめっき構造と前記基材との間に、下地Ｎｉめっき層が更に形成されているのが好ましい。特に、基材直上に下地Ｎｉめっき層を形成し、下地Ｎｉめっき層の直上にポーラスＮｉめっき層を形成するのが好ましい。

　下地Ｎｉめっき層を形成することにより、例えばＡｇめっき材が加熱された場合に、基材の成分であるＣｕやＦｅなどの元素がＡｇめっき層に拡散することを防止し、基材とポーラスＮｉめっき層との密着性の劣化など、特性の低下を抑制することができる。

　基材（又は基材に何らかの層が形成されている場合は該層）とポーラスＮｉめっき層との間で良好な密着性を担保できるのならば、下地Ｎｉめっき層には限定は無い。良好な密着性や曲げ加工性の観点から、下地Ｎｉめっき層の厚さが０．０５～２μｍであるのが好ましい。

＜Ａｇめっき材の製造方法＞
　本実施形態のＡｇめっき材の製造方法としては、導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材の製造方法であって、前記基材の上に、基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造を形成し、この２層のめっき構造を複数形成することを特徴とする。以下に記載の無い内容は、＜Ａｇめっき材＞の項目に記載の内容と同様とする。

（工程１：前処理工程）
　前処理として、基材に対する電解脱脂および酸洗を行うのが好ましい。例えば、基材を陰極、別途用意したＳＵＳ板を陽極とし、電解脱脂を行い、基材上の有機物を除去するのが好ましい。その後、硫酸などの酸を含む水溶液により基材を酸洗するのが好ましい。

（工程２：下地Ｎｉめっき層形成工程）
　次に、下地Ｎｉめっき層を形成するのが好ましい。下地Ｎｉめっき層を形成する際のめっき浴の構成（組成）およびめっき条件には限定は無く、後掲の実施例の項目で挙げるめっき浴（スルファミン酸浴；スルファミン酸ニッケルとホウ酸、塩化ニッケル等からなる）およびめっき条件を使用可能である。他のめっき浴としては、ワット浴（硫酸ニッケルと塩化ニッケル、ホウ酸等からなる）、全塩化物浴（塩化ニッケルとホウ酸等からなる）が挙げられる。

　この下地Ｎｉめっき液中のＮｉ濃度は、５～２００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１０～１８０ｇ／Ｌであるのが更に好ましく、２０～１５０ｇ／Ｌであるのが最も好ましく、このようなめっき液を用いて電気めっきを行うことが好ましい。

　下地Ｎｉめっき層を形成する際のめっき液の液温は、好ましくは１０～７０℃、更に好ましくは２５～５５℃である。電流密度は、好ましくは１５Ａ／ｄｍ^２以下であり、より好ましくは１０Ａ／ｄｍ^２以下、更には好ましくは０．５～７Ａ／ｄｍ^２である。

（工程３：ポーラスＮｉめっき層形成工程）
　下地Ｎｉめっき層の直上に、ポーラスＮｉめっき層を形成するのが好ましい。ポーラスＮｉめっき層を形成する際のめっき浴（液）の構成（組成）およびめっき条件には限定は無く、Ｎｉイオンを含有するめっき浴中でめっきを施し、Ｎｉを主成分とする多孔質めっき層が形成されるのであればよい。

　具体的には、Ｎｉイオンを含有し、かつ疎水性基を有する水溶性の第４級アンモニウム塩が添加されているめっき浴中で電気めっきする方法などが例示される。前記第４級アンモニウム塩は、公知のＮｉ電気めっき浴に添加することができる。

　公知の電気めっき浴としては、例えば、ワット浴、スルファミン酸Ｎｉ浴、有機酸Ｎｉ浴などを例示することができる。

　このポーラスＮｉめっき液中のＮｉ濃度は、５～２００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１０～１８０ｇ／Ｌであるのが更に好ましく、２０～１５０ｇ／Ｌであるのが最も好ましい。

　ポーラスＮｉめっき層を形成する際のめっき液の液温は、好ましくは１０～７０℃、更に好ましくは２５～５５℃である。電流密度は、好ましくは１５Ａ／ｄｍ^２以下であり、より好ましくは１０Ａ／ｄｍ^２以下、更には好ましくは０．５～７Ａ／ｄｍ^２である。

（工程４：Ａｇストライクめっき層形成工程）
　ポーラスＮｉめっき層の直上に、Ａｇストライクめっき層を形成するのが好ましい。Ａｇストライクめっき層を形成する際のめっき浴の構成およびめっき条件には限定は無く、公知のめっき浴、めっき条件を適用できる。また、後掲の実施例の項目で挙げるめっき浴およびめっき条件を使用可能である。

　このＡｇストライクめっき液中のＡｇ濃度は、０．０１～１５ｇ／Ｌであるのが好ましく、０．１～１０ｇ／Ｌであるのが更に好ましく、０．２～５ｇ／Ｌあるのが最も好ましい。また、電気めっきによりＡｇストライクめっきを行うことが好ましい。

　Ａｇストライクめっき層を形成する際のめっき液の液温は、好ましくは１０～６０℃、更に好ましくは１５～５５℃である。電流密度は、好ましくは８Ａ／ｄｍ^２以下であり、より好ましくは５Ａ／ｄｍ^２以下、更には好ましくは０．２～３Ａ／ｄｍ^２である。

（工程５：Ａｇ本めっき層形成工程）
　Ａｇストライクめっき層の直上に、Ａｇ本めっき層を形成するのが好ましい。Ａｇ本めっき層を形成する際のめっき浴の構成およびめっき条件には限定は無く、後掲の実施例の項目で挙げるめっき浴およびめっき条件を使用可能である。Ａｇ本めっき層の厚さは、Ａｇ本めっき層に多数の孔が形成される厚さに設定すればよく、電気めっきにより形成することが好ましい。

　このＡｇ本めっき液中のＡｇ濃度は、５～２００ｇ／Ｌであるのが好ましく、２０～１８０ｇ／Ｌであるのが更に好ましく、５０～１５０ｇ／Ｌであるのが最も好ましい。

　Ａｇ本めっき層を形成する際のめっき液の液温は、好ましくは１０～６０℃、更に好ましくは１５～５５℃である。電流密度は、好ましくは１５Ａ／ｄｍ^２以下であり、より好ましくは１０Ａ／ｄｍ^２以下、更には好ましくは０．５～７Ａ／ｄｍ^２である。

　Ａｇストライクめっき層と、Ａｇストライクめっき層上に形成されたＡｇ本めっき層は、例えばＡｇめっき材の断面を顕微鏡で観察してもＡｇストライクめっき層の厚さが非常に薄く、組成もＡｇで区別が困難であるので、１層のＡｇめっき層とみなす。

　次に、（工程３）～（工程５）のセットを繰り返す。そして、２層のめっき構造を所望の数（複数）形成する。その後、適宜水洗し、Ａｇめっき材を得る。

　本実施形態のＡｇめっき材を材料として用いて、スイッチやコネクタ、接点又は端子部品のような電気部品を作製すると、耐摩耗性および耐振動性に優れた電子部品が得られる。

　本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。

　次に実施例を示し、本発明について具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下に記載のない内容は、本実施形態で述べた内容と同様とする。

［実施例１］（工程１：前処理（電解脱脂と酸洗））
　まず、基材として６７ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍの純銅金属板（Ｃ１０２０）を用意し、この基材と別途用意したＳＵＳ板とをアルカリ脱脂液に入れ、基材を陰極、ＳＵＳ板を陽極とし、電圧５Ｖで３０秒間電解脱脂した。その後、３％硫酸水溶液中で１５秒間、基材を酸洗した。各作業間では１５秒の水洗を実施した。

（工程２：下地Ｎｉめっき層の形成）
　次に、５４０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル四水和物と２５ｇ／Ｌの塩化ニッケルと３５ｇ／Ｌのホウ酸を含む水溶液からなるめっき液（浴）を用意した。そして該めっき液中において、基材を陰極、別途用意したＳＫ（硫黄含有）ニッケル電極板を陽極とし、マグネチックスターラにより５００ｒｐｍで撹拌しつつ、電流密度７Ａ／ｄｍ^２、液温５０℃で電気めっきを行い、基材の直上に０．２μｍの厚さの下地Ｎｉめっき層を形成した。

（工程３：ポーラスＮｉめっき層の形成）
　次に、５４０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル四水和物と２５ｇ／Ｌの塩化ニッケルと３５ｇ／Ｌのホウ酸と多孔性構造のニッケルめっき皮膜が得られるニッケルめっき用添加剤として１０ｍＬ／ＬのトップポーラスニッケルＲＳＮ（奥野製薬工業株式会社製）を含む水溶液からなるめっき液を用意した。めっき液の総量は１Ｌとした。

　そして該めっき中において、下地Ｎｉめっき層が形成された基材（以降、中間物は「被めっき材」と呼称する。）を陰極、ＳＫニッケル電極板を陽極とし、マグネチックスターラにより５００ｒｐｍで撹拌しつつ、厚さ１μｍ（設定値）の多孔質でないＮｉめっき層に相当する体積のＮｉが形成されるように電流密度１Ａ／ｄｍ^２、液温５０℃で５００秒間電気めっきを行い、下地Ｎｉめっき層の直上にポーラスＮｉめっき層を形成した。その際のポーラスＮｉめっき層の厚さ（上記設定値）は後掲の表１に記載する。

　ポーラスＮｉめっき層の形成後の素材について、蛍光Ｘ線膜厚計（株式会社日立ハイテクサイエンス製ＦＴ－１１０Ａ）使用し、コリメータ径φ０．２ｍｍ、測定時間１０ｓｅｃでサンプルの中央部のＮｉめっき層の厚さを測定した結果、１．２μｍであり設定値通りの膜厚が形成されていることが確認された。なお、蛍光Ｘ線膜厚計の測定原理より、下地Ｎｉめっき層とポーラスＮｉめっき層の厚さの和が、Ｎｉめっき層の厚さとして測定されていると考えられる。

（工程４：Ａｇストライクめっき層の形成）
　次に、３ｇ／Ｌのシアン化銀カリウムと９０ｇ／Ｌのシアン化カリウムを含む水溶液からなるめっき液を用意した。そして該めっき液中において、被めっき材を陰極、白金で被覆したチタン電極板を陽極とし、マグネチックスターラにより５００ｒｐｍで撹拌しつつ、液温２５℃、表に記載の電流密度で１０秒間電気めっきを行った後、１５秒間水洗した。

（工程５：Ａｇ本めっき層の形成）
　次に、１７５ｇ／Ｌのシアン化銀カリウムと９５ｇ／Ｌのシアン化カリウムと６ｍｇ／Ｌのセレンを含む水溶液からなる銀めっき浴を用意した。該めっき浴中において、被めっき材を陰極、純度９９．９９％以上の銀電極板を陽極とし、マグネチックスターラにより５００ｒｐｍで撹拌しつつ、厚さ１μｍ（設定値）のＡｇめっき層が形成されるように電流密度０．５Ａ／ｄｍ^２、液温１８℃で２４０秒間電気めっきを行い、Ａｇストライクめっき層の直上にＡｇ本めっき層を形成した。表１のＡｇめっき層の厚さはＡｇストライクめっき層とＡｇ本めっき層との合計厚さ（上記設定値）である。Ａｇ本めっき層の形成後、１５秒間水洗した。

　Ａｇめっき層の形成後の素材について、蛍光Ｘ線膜厚計（株式会社日立ハイテクサイエンス製ＦＴ－１１０Ａ）使用し、コリメータ径φ０．２ｍｍ、測定時間１０ｓｅｃでサンプルの中央部のＡｇめっき層の厚さを測定した結果、１μｍであり設定値通りの膜厚が形成されていることが確認された。

　次に、（工程３）～（工程５）（のセット）を２回繰り返し、下地Ｎｉめっき層を含め合計７層のめっき層からなるＡｇめっき材を作製した（Ａｇストライクめっき層はＡｇ本めっき層とまとめて一つの層としてカウント）。

（めっき膜厚）
　作製したＡｇめっき材の各層のめっきの膜厚を、オージェ電子分光装置（日本電子株式会社製のオージェマイクロプローブＪＡＭＰ－７８００）を用い、加速電圧１０ｋＶ、照射電流１×１０^－７Ａ、ビーム径１００μｍφの条件で、Ａｇめっき材の表面をＡｒスパッタリング（加速電圧３ｋＶ、エミッション電流２５ｍＡ）により深さ方向にエッチングしながらＡｇとＮｉについて測定し、ＡｇとＮｉの深さ方向プロファイルよりめっき厚を算出した。測定データステップ間隔は、０～３００秒の間では０．５分、３００～６００秒の間では１分、６００秒以上では２分とした。

　測定例を図１１に示す。以下、めっき膜厚の算出方法を説明する。

　図１１の横軸がスパッタリング時間、縦軸が濃度（原子百分率）のＡｇとＮｉのそれぞれの深さ方向プロファイル（デプスプロファイル）において、測定データについて１０区間移動平均を計算して移動平均線を作成する。

　それぞれの移動平均線において極大値と極小値をプロット（図示しない）し（Ａｇの移動平均線の極大値は２つ、極小値は２つ、Ｎｉの移動平均線の極大値は３つ、極小値は２つ、ただし最表面は除く）、更にＡｇとＮｉのそれぞれの移動平均線の隣り合った（濃度の）極大値と極小値の和を２で除した値を中間値とし、当該極大値と極小値の間の線分に中間値をプロットして中間点（図中に白丸で示す）とした。

　なお、Ａｇの深さ方向のプロファイルの移動平均線において、最も表面に近い極小値よりもスパッタ時間の小さい側（最表面側）の中間点は、当該極小値に隣接し且つスパッタ時間の大きい側にプロットされている中間点と同じ濃度を（当該極小値と最表面との間の）移動平均線上にプロットして中間点とする。

　また、Ａｇの深さ方向のプロファイルの移動平均線において、最も基材に近い極大値よりもスパッタ時間の大きい側（基材側）の中間点は、当該極大値に隣接し且つスパッタ時間の小さい側にプロットされている中間点と同じ濃度を（当該極大値と基材側との間の）移動平均線上にプロットして中間点とする。

　Ｎｉの深さ方向のプロファイルの移動平均線において、最も表面に近い極大値よりもスパッタ時間の小さい側（最表面側）の中間点は、当該極大値に隣接するスパッタ時間の大きい側にプロットされている中間点と同じ濃度を（当該極大値と最表面との間の）移動平均線上にプロットして中間点とする。

　Ｎｉの深さ方向のプロファイルの移動平均線において、最も基材に近い極大値よりもスパッタ時間の大きい側（基材側）の中間点は、当該極大値に隣接するスパッタ時間の小さい側にプロットされている中間点と同じ濃度を（当該極大値と基材側との間の）移動平均線上にプロットして中間点とする。

　そして、ＡｇとＮｉのそれぞれの移動平均線において、隣り合ったこの中間点同士を線で結び、この線の上側に極大値がくる区間の横軸方向の長さ（スパッタリング時間）を測定し、この長さをＳｉＯ_２のエッチングレート（エッチング速度２０ｎｍ／ｍｉｎ）より厚さに換算し、Ａｇめっき層とＮｉめっき層のそれぞれのめっき膜厚とした。

　なお、最表面のＡｇめっき層（図中に７層で表示される）については、最表面（スパッタ時間がゼロ）と最表面に最も近い中間点までの横軸の長さ（時間）より、上述のエッチングレートで換算してＡｇめっき層の厚さを求めた。
　本発明の請求項に規定するめっきの厚さはこのような方法で算出する。

　その結果、Ａｇめっき材の表面側から順に、Ａｇめっき層（７層）の厚さは０．６１１μｍ、ポーラスＮｉめっき層（６層）の厚さは１．１４８μｍ、Ａｇめっき層（５層）の厚さは０．７３９μｍ、ポーラスＮｉめっき層（４層）の厚さは１．４５３μｍ、Ａｇめっき層（３層）の厚さは０．６９μｍ、ポーラスＮｉめっき層（２層）の厚さは１．０９９μｍであった。

（Ａｇめっき材の耐摩耗性）
　作製した銀めっき材の耐摩耗性を評価するために、株式会社山崎精機研究所製　精密摺動試験機ＣＲＳ－Ｇ２０５０－ＤＷＡ型を使用し、銀めっき材の一方を内径Ｒ＝１．５ｍｍのエンボス状（半球面状）に加工し、他方の（同じ平板状の）銀めっき材の板面上に荷重５Ｎで接触させたのち、摺動速度１．６７ｍｍ／ｓｅｃ、摺動距離５ｍｍで往復摺動をし、銅素地が露出するまでの回数を測定した。ただし接触抵抗が１ｍΩを超えた場合、その時点でＮＧとした。

　その結果、実施例１のＡｇめっき材は、摺動回数１，０００回後においても銅素地の露出がなく、接触抵抗も１ｍΩ未満であり、耐摩耗性に優れていた。

（Ａｇめっき材の耐振動性（微摺動摩耗性））
　作製した銀めっき材の耐摩耗性を評価するために、株式会社山崎精機研究所製　精密摺動試験機ＣＲＳ－Ｇ２０５０－ＤＷＡ型を使用し、銀めっき材の一方を内径Ｒ＝１．５ｍｍのエンボス状（半球面状）に加工し、他方の（同じ平板状の）銀めっき材の板面上に荷重５Ｎで接触させたのち、摺動速度０．２ｍｍ／ｓｅｃ、摺動距離０．１ｍｍで往復摺動をし、接触抵抗が１ｍΩ以上になるまでの回数を測定した。

　その結果、実施例１のＡｇめっき材は、摺動回数５０，０００回後においても接触抵抗が１ｍΩ未満であり、耐振動性に優れていた。

（Ａｇめっき材の表面の孔の個数密度、平均直径）
　Ａｇめっき材の表面に観察される孔について、個数密度および平均直径を評価した。

　株式会社キーエンス製のレーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ１５０を使用して、対物レンズ×１００を用いて形状測定を実施、マルチファイル解析アプリケーションを使用し、体積・面積測定を実施し、解析範囲１００μｍ×１００μｍとした。

　解析範囲において、検出される最も面積の大きい高さを表面（解析アプリケーションで算出される）として、その表面から深さ方向に０．５μｍの距離（位置）に物体（めっき表面）が検出されなかった部分を孔（ポーラス部）とみなし、孔の個数と面積を計測する。計測した孔の個数と孔の面積より孔の平均面積を計算し、この孔の平均面積と同じ面積の円の直径を算出して孔の平均直径とした。また、計測結果より単位面積当たりの孔の個数密度を算出した。

　その結果、孔の個数密度は９，３００個／ｍｍ^２、孔の平均直径は１６．３μｍであった。

　各例でのＡｇめっき材の構造や評価結果等は以下の表１に記載する。

［実施例２］
　実施例２では、ポーラスＮｉめっきの際のＮｉめっき液の組成として、５４０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル四水和物と２５ｇ／Ｌの塩化ニッケルと３５ｇ／Ｌのホウ酸と多孔性構造のニッケルめっき皮膜が得られるニッケルめっき用添加剤として８ｍＬ／ＬのトップポーラスニッケルＲＳＮ（奥野製薬工業株式会社製）を含む水溶液からなるめっき液を使用し、Ａｇ本めっきの際のＡｇめっき液の組成として、１７５ｇ／Ｌのシアン化銀カリウムと９５ｇ／Ｌのシアン化カリウムと５５ｍｇ／Ｌのセレンを含む水溶液からなるめっき液を用意し、Ａｇ本めっき層の形成工程において、被めっき材を陰極、純度９９．９９質量％以上の銀電極板を陽極として、スターラにより５００ｒｐｍで撹拌しつつ、厚さ１μｍのＡｇめっき層が形成されるように電流密度を５Ａ／ｄｍ^２、液温を１８℃として２４秒間電気めっきを行いＡｇ本めっき層を形成した、以外は実施例１と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例と同様の方法で各めっき厚を測定、算出した結果、Ａｇめっき材の表面側から順に、Ａｇめっき層（７層）の厚さは０．６１３μｍ、ポーラスＮｉめっき層（６層）の厚さは０．９９８μｍ、Ａｇめっき層（５層）の厚さは０．８２５μｍ、ポーラスＮｉめっき層（４層）の厚さは１．３８４μｍ、Ａｇめっき層（３層）の厚さは０．６３７μｍ、ポーラスＮｉめっき層（２層）の厚さは１．４１５μｍであった。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数１０００回後においても銅素地の露出がなく、接触抵抗も１ｍΩ未満であり、耐摩耗性に優れていた。

　また、Ａｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５０，０００回摺動後も接触抵抗は１ｍΩ未満であり、耐振動性に優れていた。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ１０，８００個／ｍｍ^２、１６．２μｍであった。

［実施例３］
　（工程３）～（工程５）（のセット）を１回繰り返し、合計５層とした以外は、実施例２と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　また、Ａｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、１３，０００回摺動後も接触抵抗は１ｍΩ未満であり耐振動性に優れていた。（２０，０００回摺動後の接触抵抗は１ｍΩを超えた。）

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ２５，５００個／ｍｍ^２、７．１μｍであった。

［実施例４］
　（工程３）～（工程５）（のセット）を３回繰り返し、合計９層とした以外は、実施例２と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　また、実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５０，０００回摺動後も接触抵抗は１ｍΩ未満であり、耐振動性に優れていた。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ２３，１００個／ｍｍ^２、７．７μｍであった。

［実施例５］
　ポーラスＮｉめっきの電気めっきの時間を２５０秒、Ａｇ本めっきの電気めっきの時間を１２秒とした以外は、実施例２と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例と同様の方法で各めっき厚を測定、算出した結果、Ａｇめっき材の表面側から順に、Ａｇめっき層（７層）の厚さは０．４３９μｍ、ポーラスＮｉめっき層（６層）の厚さは０．４２５μｍ、Ａｇめっき層（５層）の厚さは０．４６３μｍ、ポーラスＮｉめっき層（４層）の厚さは０．５６１μｍ、Ａｇめっき層（３層）の厚さは０．３８６μｍ、ポーラスＮｉめっき層（２層）の厚さは０．４３９μｍであった。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数４００回後においても銅素地の露出がなく、接触抵抗も１ｍΩ未満であり、耐摩耗性に優れていた。

　また、Ａｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、２０，０００回摺動後も接触抵抗は１ｍΩ未満であり耐振動性に優れていた。（３０，０００回摺動後の接触抵抗は１ｍΩを超えた。）

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ４３，４００個／ｍｍ^２、４．９μｍであった。

［実施例６］
　ポーラスＮｉめっきの電気めっきの時間を２５０秒、Ａｇ本めっきの電気めっきの時間を１２秒とした以外は、実施例４と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数８００回後においても銅素地の露出がなく、接触抵抗も１ｍΩ未満であり、耐摩耗性に優れていた。

　また、Ａｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５０，０００回摺動後も接触抵抗は１ｍΩ未満であり耐振動性に優れていた。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ３８，８００個／ｍｍ^２、４．５μｍであった。

［実施例７］
　ポーラスＮｉめっきの電気めっきの時間を２５０秒、Ａｇ本めっきの電気めっきの時間を１２秒とした以外は、実施例３と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数１５０回後においても銅素地の露出がなく、接触抵抗も１ｍΩ未満であり、耐摩耗性に優れていた。

　また、Ａｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、１０，０００回摺動後も接触抵抗は１ｍΩ未満であり耐振動性に優れていた。（１５，０００回摺動後の接触抵抗は１ｍΩを超えた。）

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ３６，６００個／ｍｍ^２、６．０μｍであった。

［比較例１］
　比較例１は、２層のめっき構造を１つのみ（（工程３）～（工程５）を繰り返さず合計３層）とした以外は実施例２と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数１００回後において銅素地の露出があり、耐摩耗性が十分でなかった。

　また、Ａｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５，０００回摺動後に接触抵抗は１ｍΩを超え、耐振動性は十分でなかった。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ１８，８００個／ｍｍ^２、９．０μｍであった。

［比較例２］
　２層のめっき構造を１つのみ（（工程３）～（工程５）を繰り返さず合計３層）とし、本Ａｇめっきの電気めっきの時間を７２０秒とした以外は、実施例１と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数１００回後において銅素地の露出があり、耐摩耗性は十分でなかった。

　また、Ａｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、２，０００回摺動後に接触抵抗は１ｍΩを超え、耐振動性は十分でなかった。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ１２，４００個／ｍｍ^２、９．４μｍであった。

［比較例３］
　２層のめっき構造を１つのみ（（工程３）～（工程５）を繰り返さず合計３層）とし、本Ａｇめっきの電気めっき時間を１，２００秒とした以外は、実施例１と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

　また、Ａｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５，０００回摺動後に接触抵抗は１ｍΩを超え、耐振動性は十分でなかった。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度を評価したところ、孔は認められなかった（０個／ｍｍ^２であった）。

［比較例４］
　ポーラスＮｉめっき形成時の電流密度を３Ａ／ｄｍ^２、電気めっき時間を１６５秒とし、Ａｇストライクめっき形成時の電流密度を２Ａ／ｄｍ^２、２層のめっき構造を１つのみ（（工程３）～（工程５）を繰り返さず合計３層）とし、本Ａｇめっきの電気めっき時間を１２００秒とした以外は、実施例１と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

［比較例５］
　ポーラスＮｉめっき形成時の電流密度５Ａ／ｄｍ^２、電気めっき時間を１００秒とした以外は、比較例４と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数１，００回後において銅素地の露出があり、耐摩耗性が十分でなかった。

［比較例６］
　２層のめっき構造を１つのみ（（工程３）～（工程５）を繰り返さず合計３層）とし、ポーラスＮｉめっきの電気めっき時間を１，５００秒、本Ａｇめっきの電気めっき時間を７２０秒とした以外は、実施例１と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

　このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐摩耗性を評価した結果、摺動回数１００回後において接触抵抗が１ｍΩを超え、耐摩耗性が十分でなかった。

　また、このＡｇめっき材を実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、３，０００回摺動後に接触抵抗は１ｍΩを超え、耐振動性は十分でなかった。

　また、実施例１と同様の方法でＡｇめっき材の表面の孔の個数密度および孔の平均直径を評価したところ、それぞれ４，６００個／ｍｍ^２、３１．２μｍであった。

［比較例７］
　比較例７では、下地Ｎｉめっきを設けず、前記実施例１の工程３のＮｉめっき液に添加剤（トップポーラスニッケルＲＳＮ）を添加せず（すなわちポーラスＮｉめっき層を設けず）に厚さ１μｍのＮｉめっき層を形成し、Ａｇストライクめっきの電流密度を２Ａ／ｄｍ^２とした以外は実施例１と同様の方法で、Ａｇめっき材を作製した。

　また、このＡｇめっき材を、実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５，０００回摺動後に接触抵抗は１ｍΩを超え、耐振動性は十分でなかった。

［比較例８］
　比較例８では、下地Ｎｉめっき層を設けず、前記実施例１の工程３のＮｉめっき液に添加剤（トップポーラスニッケルＲＳＮ）を添加せず（すなわちポーラスＮｉめっき層を設けず）に厚さ１μｍのＮｉめっき層を形成し、この上にＡｇストライクめっきの電流密度を２Ａ／ｄｍ^２、Ａｇ本めっきの時間を１２０秒として厚さ５μｍのＡｇめっき層を１層のみ形成した以外は、実施例２と同様の方法でＡｇめっき材を作製した。

　また、実施例１と同様の方法で耐振動性を評価した結果、５，０００回摺動後に接触抵抗は１ｍΩを超え、耐振動性は十分でなかった。

　図１は、実施例１のＡｇめっき材の表面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）による二次電子像（２０００倍）である。
　図２は、実施例１のＡｇめっき材の断面のＳＩＭ（走査イオン顕微鏡）像である。
　図３は、実施例５のＡｇめっき材の断面のＳＩＭ像である。
　図４は、比較例２のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。
　図５は、比較例３のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。
　図６は、比較例４のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。
　図７は、比較例６のＡｇめっき材の表面のＳＥＭによる二次電子像（２０００倍）である。
　図８は、比較例７のＡｇめっき材の断面のＳＩＭ像である。
　図９（ａ）は、実施例１のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による二次電子像（２０００倍）である。
　図９（ｂ）は、Ａｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による反射電子組成像（２０００倍）である。
　図９（ｃ）は、Ａｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＡｇの特性Ｘ線像である。
　図９（ｄ）は、Ａｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＮｉの特性Ｘ線像である。
　図１０（ａ）は、実施例１のＡｇめっき材に対して耐摩耗性試験後の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による二次電子像（２０００倍）である。
　図１０（ｂ）は、耐摩耗性試験後のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）による反射電子組成像（２０００倍）である。
　図１０（ｃ）は、耐摩耗性試験後のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＡｇの特性Ｘ線像である。
　図１０（ｄ）は、耐摩耗性試験後のＡｇめっき材の表面のＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）によるＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）によるＮｉの特性Ｘ線像である。

　図１に示すように、実施例１では、Ａｇめっき材の表面に多数の孔が形成されてなる。

　図２に示すように、実施例１では、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順で有する２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を３組備えていることが確認できる。また、Ａｇめっき材の最表面側以外のポーラスＮｉめっき層の表面にも多数の孔が確認でき、各ポーラスＮｉめっき層の直上に設けられた各Ａｇめっき層が該孔に入り込んでいる様子が確認できる。実施例５に係るＡｇめっき材の断面のＳＩＭ像を示す図３でも、その様子が確認できる。

　図９（ｃ）に示すように、図９（ｂ）の像の白色部分はＡｇが確認できる。その一方、図９（ｄ）に示すように、図９（ｂ）の像の黒色部分（すなわちＡｇめっき層に形成された孔）ではＮｉが観察された。

　Ａｇめっき材の耐摩耗性の試験を行った後の図１０（ｃ）に示すように、図１０（ｂ）の像の白色部分はＡｇが確認され、Ａｇめっきが残存していることがわかる。その一方、図１０（ｄ）に示すように、図１０（ｂ）の像の黒色部分では図９（ｄ）と比べ網目状にＮｉの濃度が高い部分が観察された。摺動試験により表面の柔らかいＡｇめっき層の一部が削れ、ポーラスＮｉめっき層の一部が露出して、このような網目状に観察されたと考えられる。

　表１に示すように、各実施例では耐摩耗性も耐振動性も良好であったが、各比較例では各実施例ほどの耐摩耗性も耐振動性も得られなかった。

　なお、実施例、比較例のＮｉめっき層、ポーラスＮｉめっき層のＮｉの純度はいずれも９９質量％以上であり、Ａｇストライクめっき層、Ａｇ本めっき層のＡｇの純度はいずれも９９質量％以上である。

Claims

　導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材であって、
　前記基材の上に、基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造が形成され、この２層のめっき構造を複数備えている、Ａｇめっき材。
　最も基材側にある前記２層のめっき構造と前記基材との間に、下地Ｎｉめっき層が更に形成されている、請求項１に記載のＡｇめっき材。
　前記下地Ｎｉめっき層の厚さが０．０５～２μｍである、請求項２に記載のＡｇめっき材。
　前記Ａｇめっき材の表面に多数の孔が形成されてなる、請求項１～３のいずれか一つに記載のＡｇめっき材。
　前記孔の個数密度が５，０００～１００，０００個／ｍｍ²である、請求項４に記載のＡｇめっき材。
　前記孔の平均直径が１～３０μｍである、請求項４又は５に記載のＡｇめっき材。
　前記ポーラスＮｉめっき層の厚さが０．１～３μｍである、請求項１～６のいずれか一つに記載のＡｇめっき材。
　前記Ａｇめっき層の厚さが０．１～３μｍである、請求項１～７のいずれか一つに記載のＡｇめっき材。
　導電性金属からなる基材の上にＡｇめっき層が形成されたＡｇめっき材の製造方法であって、
　前記基材の上に、基材側から、ポーラスＮｉめっき層とＡｇめっき層とをこの順序で有する２層のめっき構造を形成し、この２層のめっき構造を複数形成する、Ａｇめっき材の製造方法。
　最も基材側にある前記２層のめっき構造と前記基材との間に、下地Ｎｉめっき層を更に形成する、請求項９に記載のＡｇめっき材の製造方法。
　前記下地Ｎｉめっき層の厚さを０．０５～２μｍとする、請求項１０に記載のＡｇめっき材の製造方法。
　前記ポーラスＮｉめっき層の厚さを０．１～３μｍとする、請求項９～１１のいずれか一つに記載のＡｇめっき材の製造方法。
　前記Ａｇめっき層の厚さを０．１～３μｍとする、請求項９～１２のいずれか一つに記載のＡｇめっき材の製造方法。
　請求項１～８のいずれか一つに記載のＡｇめっき材を材料として用いた接点又は端子部品である、電気部品。