WO2022107571A1 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388—Lenses

Definitions

  • the second convex portion may include a dummy light emitting element. This makes it possible to easily form, for example, a second convex portion (dummy light emitting element) at the same time as the light emitting element.
  • the light emitted from the light emitting element may pass through the first substrate from the lower surface to the upper surface of the first substrate and enter the lens. This makes it possible to suppress damage to the lens in, for example, a back-emission type light emitting device.
  • a in FIG. 2 shows a first example of the structure of the light emitting device 1 of the present embodiment.
  • the light emitting device 1 of this example includes the above-mentioned LD chip 41 and LDD substrate 42, a mounting substrate 43, a heat dissipation substrate 44, a correction lens holding portion 45, one or more correction lenses 46, and wiring 47. ing.
  • the height of the uppermost portion of the first portion X1 of the antireflection film 73 on each lens 71 is equal to or lower than the height of the uppermost portion of the second portion X2 of the antireflection film 73 on the convex portion 72. ..
  • the top of the first portion X1 on each lens 71 is above the top of each lens 71.
  • the uppermost portion of the second portion X2 on the convex portion 72 exists above the upper surface of the convex portion 72. Therefore, the height of the uppermost portion of the first portion X1 existing above the top of each lens 71 is equal to or lower than the height of the uppermost portion of the second portion X2 existing above the upper surface of the convex portion 72.
  • FIG. 5 is a plan view and a cross-sectional view showing the structure of the substrate 51 of the light emitting device 1 of the comparative example.
  • a of FIG. 5 is a plan view showing the structure of the substrate 51 before dicing
  • B of FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ shown in A of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the light emitting device 1 of the comparative example.
  • Each convex portion 72 of the present embodiment is arranged in the + X direction or the ⁇ X direction of one scribe line 82b. Specifically, each convex portion 72 of the present embodiment includes a portion formed in the peripheral region 81b and a portion formed in the scribe line 82a, and has a linear planar shape extending in the Y direction. have.
  • each chip region 81 is formed along a convex portion 72 extending linearly along one side of the back surface S2 of the substrate 51 and another side of the back surface S2 of the substrate 51. It will include the convex portion 72 extending linearly.
  • the diced substrate 51 of the present embodiment can be easily adsorbed by the collet 83 as well as the diced substrate 51 of the third and fourth embodiments.
  • the substrate 51 of FIG. 17 includes a plurality of lenses 71 which are convex lenses having a one-to-one correspondence with the light emitting element 53.
  • each of the substrates 51 of B, C, and D in FIG. 17 includes a plurality of lenses 71 having a one-to-one correspondence with the light emitting element 53.
  • the substrate 51 of B in FIG. 17 is provided with a concave lens
  • the substrate 51 of C in FIG. 17 is provided with convex lenses having different shapes (curvatures) from each other
  • the substrate 51 of D in FIG. 17 is a convex lens. It has both concave lenses.
  • each lens 71 of the present embodiment may be a convex lens or a concave lens.
  • One or more of the light emitting elements are provided on the lower surface of the first substrate.
  • One or more of the lenses are provided on the upper surface of the first substrate.

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Abstract

［課題］基板にレンズや発光素子を好適な態様で設けることが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。　［解決手段］本開示の発光装置（１）は、第１基板（５１）と、第１基板（５１）の下面（Ｓ１）に設けられた発光素子（５３）と、第１基板（５１）の上面（Ｓ２）に設けられたレンズ（７１）と、第１基板（５１）の上面（Ｓ２）に設けられた第１凸部（７２）と、第１基板（５１）の上面（Ｓ２）に設けられた第１膜（７３）であって、レンズ（７１）上に配置されているかまたはレンズ（７１）を形成している第１部分（Ｘ１）と、第１凸部（７２）上に配置されているかまたは第１凸部（７２）を形成している第２部分（Ｘ２）と、を含む第１膜（７３）とを備え、第１部分（Ｘ１）の最上部の高さ（Ｂ２）は、第２部分（Ｘ２）の最上部の高さ（Ｃ２）以下である。

Description

発光装置およびその製造方法
　本開示は、発光装置およびその製造方法に関する。
　半導体レーザーの一種として、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザーが知られている。一般に、面発光レーザーを利用した発光装置では、基板の表面または裏面に複数の発光素子が２次元アレイ状に設けられる。
特表２００４－５２６１９４号公報
　上記の発光装置では例えば、基板の表面に複数の発光素子が設けられ、基板の裏面に複数のレンズが設けられる。この場合、これらのレンズや発光素子に関する種々の問題が生じるおそれがある。例えば、上記の基板を吸着して別の基板上に搭載する際などに、レンズや発光素子に圧力が加わってレンズや発光素子が傷つくおそれや、上記の基板がレンズや発光素子のせいで吸着しにくくなるおそれがある。
　そこで、本開示は、基板にレンズや発光素子を好適な態様で設けることが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
　本開示の第１の側面の発光装置は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、前記第１基板の上面に設けられたレンズと、前記第１基板の上面に設けられた第１凸部と、前記第１基板の上面に設けられた第１膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記第１凸部上に配置されているかまたは前記第１凸部を形成している第２部分と、を含む第１膜とを備え、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さ以下である。これにより、第１基板にレンズを好適な態様で設けることが可能となる。例えば、第１基板を吸着して第２基板上に搭載する際に、第１基板を第２部分での吸着により保持することで、レンズに圧力が加わってレンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記レンズは、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレンズ、バイナリレンズ、またはフラットレンズでもよい。これにより例えば、第１基板に種々の形状のレンズを好適な態様で形成することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１基板の下面には、１つ以上の前記発光素子が設けられており、前記第１基板の上面には、１つ以上の前記レンズが設けられており、前記発光素子と前記レンズは、１：１で、Ｎ：１で、または１：Ｎで対応していてもよい（Ｎは２以上の整数）。これにより例えば、第１基板に種々のサイズのレンズを好適な態様で形成することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１凸部は、前記レンズを環状に包囲する形状を有していてもよい。これにより例えば、第１凸部をレンズの周りの広い範囲に配置することが可能となる。
　また、この第１の側面の発光装置は、前記第１凸部として、前記第１基板の上面の複数の角または辺に設けられた複数の第１凸部を備えていてもよい。これにより例えば、第１凸部を第１基板の上面の角付近または辺付近に限定して配置することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１凸部は、前記第１基板の上面の１つの辺に沿って延びる線状の形状を有していてもよい。これにより例えば、第１凸部を第１基板の上面の１つの辺付近に限定して配置することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１凸部は、前記第１基板の上面の２つの辺の沿って延びるＬ字型の形状を有していてもよい。これにより例えば、第１凸部を第１基板の上面の２つの辺付近に限定して配置することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１凸部は、ダミーレンズを含んでいてもよい。これにより例えば、第１凸部（ダミーレンズ）をレンズと同時に簡単に形成することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜でもよい。これにより例えば、第１基板を保持する第１基板保持装置に接触する部分を反射防止膜とすることが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１膜はさらに、光吸収膜、無機膜、または有機膜を含んでいてもよい。これにより例えば、第１膜の光吸収性により発光素子からの光の反射を防止することや、第１膜の剛性により第１基板の反りを防止することや、第１膜の弾性により第１基板への圧力を分散することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記光吸収膜、前記無機膜、または前記有機膜は、前記反射防止膜上に設けられていてもよい。これにより例えば、第１基板上に反射防止膜と光吸収膜、無機膜、または有機膜とを順に設けることが可能となる。
　また、この第１の側面の発光装置は、前記第１基板の下面に設けられた第２凸部をさらに備え、前記発光素子の最下部の高さは、前記第２凸部の最下部の高さ以上でもよい。これにより、第１基板に発光素子を好適な態様で設けることが可能となる。例えば、第１基板を吸着して第２基板上に搭載する際に、第１基板を第２凸部での吸着により保持することで、発光素子に圧力が加わって発光素子が傷つくことや、第１基板が発光素子のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第２凸部は、前記発光素子を環状に包囲する形状を有していてもよい。これにより例えば、第２凸部を発光素子の周りの広い範囲に配置することが可能となる。
　また、この第１の側面の発光装置は、前記第２凸部として、前記第１基板の下面の複数の角または辺に設けられた複数の第２凸部を備えていてもよい。これにより例えば、第２凸部を第１基板の下面の角付近または辺付近に限定して配置することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第２凸部は、前記第１基板の下面の１つの辺に沿って延びる線状の形状を有していてもよい。これにより例えば、第２凸部を第１基板の下面の１つの辺付近に限定して配置することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第２凸部は、ダミー発光素子を含んでいてもよい。これにより例えば、第２凸部（ダミー発光素子）を発光素子と同時に簡単に形成することが可能となる。
　また、この第１の側面の発光装置は、前記第１基板の下面に設けられ、前記第２凸部を形成している第２膜をさらに備えていてもよい。これにより例えば、第２凸部を発光素子の材料と別の材料（第２膜）で形成することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第２膜は、光吸収膜、無機膜、または有機膜を含んでいてもよい。これにより例えば、第２膜の光吸収性により発光素子からの光の反射を防止することや、第２膜の剛性により第１基板の反りを防止することや、第２膜の弾性により第１基板への圧力を分散することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第１基板は、ガリウム（Ｇａ）およびヒ素（Ａｓ）を含む半導体基板でもよい。これにより例えば、傷つきやすいＧａＡｓ基板にレンズを形成する場合でも、レンズが傷つくことを抑制することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記発光素子から出射された光は、前記第１基板の下面から上面へと前記第１基板内を透過し、前記レンズに入射してもよい。これにより例えば、裏面出射型の発光装置におけるレンズが傷つくことを抑制することが可能となる。
　また、この第１の側面の発光装置は、前記発光素子を介して前記第１基板が搭載された第２基板をさらに備えていてもよい。これにより例えば、第１基板をこの第２基板上に搭載する際に、レンズに圧力が加わってレンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第１の側面において、前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）を含む半導体基板でもよい。これにより例えば、発光素子やレンズを高特性なＧａＡｓ基板に形成しつつ、発光装置用の回路を安価なＳｉ基板に形成することが可能となる。
　本開示の第２の側面の発光装置は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、前記第１基板の上面に設けられたレンズと、前記第１基板の上面に設けられた第１凸部とを備え、前記レンズの最上部の高さは、前記第１凸部の最上部の高さ以下である。これにより、第１基板にレンズを好適な態様で設けることが可能となる。例えば、第１基板を吸着して第２基板上に搭載する際に、第１基板を第１凸部での吸着により保持することで、レンズに圧力が加わってレンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　本開示の第３の側面の発光装置の製造方法は、第１基板の下面に発光素子を形成し、前記第１基板の上面にレンズを形成し、前記第１基板の上面に第１凸部を形成し、前記第１基板の上面に、第１部分と第２部分とを含む第１膜を形成することを含み、前記第１膜は、前記第１部分が前記レンズ上に配置されるかまたは前記レンズを形成し、前記第２部分が前記第１凸部上に配置されるかまたは前記第１凸部を形成するように形成され、前記第１膜は、前記第１部分の最上部の高さが、前記第２部分の最上部の高さ以下となるように形成される。これにより、第１基板にレンズを好適な態様で設けることが可能となる。例えば、第１基板を吸着して第２基板上に搭載する際に、第１基板を第２部分での吸着により保持することで、レンズに圧力が加わってレンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第３の側面の発光装置の製造方法は、前記レンズ、前記第１凸部、および前記第１膜の形成後に、前記第１基板を複数にチップにダイシングすることをさらに含んでいてもよい。これにより例えば、第１基板の保持のための第１凸部や第１膜を、レンズと同様にダイシング前に形成することが可能となり、レンズを形成する工程と同様の工程で第１凸部や第１膜を簡単に形成することが可能となる。
　また、この第３の側面において、前記第１凸部の一部は、前記第１基板のダイシング領域内に形成されてもよい。これにより例えば、第１凸部の存在がレンズの配置の邪魔になることを抑制することが可能となる。
　また、この第３の側面において、前記第１凸部の少なくとも一部は、前記第１基板のダイシング領域以外の領域内に形成されてもよい。これにより例えば、第１凸部をダイシング後も残存させることが可能となり、第１凸部や第２部分をダイシング後の第１基板の保持に利用することが可能となる。
　また、この第３の側面の発光装置の製造方法は、前記第１基板のダイシング後に前記第１膜に第１基板保持装置を接触させて、前記第１基板を前記第１基板保持装置により保持し、前記第１基板保持装置により保持されている前記第１基板を前記発光素子を介して第２基板上に搭載することをさらに含んでいてもよい。これにより例えば、第１凸部や第２部分を第１基板の保持に利用することで、レンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第３の側面において、前記第１基板保持装置は、前記第２部分に接触し前記第１部分に接触しないように前記第１基板を保持してもよい。これにより例えば、レンズや第１部分を第１基板の保持に利用しないことで、レンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第３の側面において、前記第１基板の下面に第２凸部を形成することをさらに含み、前記発光素子および前記第２凸部は、前記発光素子の最下部の高さが、前記第２凸部の最下部の高さ以上となるように形成されてもよい。これにより、第１基板に発光素子を好適な態様で設けることが可能となる。例えば、第１基板を吸着して第２基板上に搭載する際に、第１基板を第２凸部での吸着により保持することで、発光素子に圧力が加わって発光素子が傷つくことや、第１基板が発光素子のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第３の側面において、前記第２凸部は、前記第１基板の下面に形成された第２膜を含むように形成されてもよい。これにより例えば、第２凸部を発光素子の材料と別の材料（第２膜）で形成することが可能となる。
　また、この第３の側面の発光装置の製造方法は、前記発光素子、前記レンズ、前記第１凸部、前記第１膜、および前記第２凸部の形成後に、前記第１基板を複数にチップにダイシングすることをさらに含んでいてもよい。これにより例えば、第１基板の保持のための第２凸部を、発光素子と同様にダイシング前に形成することが可能となり、発光素子を形成する工程と同様の工程で第２凸部を簡単に形成することが可能となる。
　また、この第３の側面の発光装置の製造方法は、前記第１基板のダイシング後に前記第２凸部に第２基板保持装置を接触させて、前記第１基板を前記第２基板保持装置により保持し、前記第２基板保持装置により保持されている前記第１基板を前記発光素子を介して第２基板上に搭載することをさらに含んでいてもよい。これにより例えば、第２凸部を第１基板の保持に利用することで、発光素子が傷つくことや、第１基板が発光素子のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　また、この第３の側面において、前記第２基板保持装置は、前記第２凸部に接触し前記発光素子に接触しないように前記第１基板を保持してもよい。これにより例えば、発光素子や第２凸部を第１基板の保持に利用しないことで、発光素子が傷つくことや、第１基板が発光素子のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　本開示の第４の側面の発光装置の製造方法は、第１基板の下面に発光素子を形成し、前記第１基板の上面にレンズを形成し、前記第１基板の上面に第１凸部を形成することを含み、前記レンズおよび前記第１凸部は、前記レンズの最上部の高さが、前記第１凸部の最上部の高さ以下となるように形成される。これにより、第１基板にレンズを好適な態様で設けることが可能となる。例えば、第１基板を吸着して第２基板上に搭載する際に、第１基板を第１凸部での吸着により保持することで、レンズに圧力が加わってレンズが傷つくことや、第１基板がレンズのせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
第１実施形態の測距装置の構成を示すブロック図である。 第１実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図である。 図２のＢに示す発光装置の構造を示す断面図である。 第１実施形態の発光装置の構造を示す断面図および平面図である。 比較例の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第１実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 比較例の発光装置の製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図である。 第２実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第３実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第４実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第５実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第６実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第７実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第８実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第９実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第１０実施形態の発光装置の基板の構造の例を示す断面図(1/2)である。 第１０実施形態の発光装置の基板の構造の例を示す断面図(2/2)である。 第１０実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図(1/2)である。 第１０実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図(2/2)である。 第１１実施形態の発光装置の構造を示す平面図および断面図である。 第１１実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。 第１１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図である。 第１１実施形態の変形例の発光装置の構造を示す断面図である。 第１１実施形態の変形例の発光装置の構造を示す断面図である。 第１２実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図である。 第１３実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図である。 第１４実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図である。 第１５実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図である。 第１６実施形態の発光装置の構造を示す断面図(1/2)である。 第１６実施形態の発光装置の構造を示す断面図(2/2)である。 第１７実施形態の発光装置の製造方法の第１の例を示す断面図である。 第１７実施形態の発光装置の製造方法の第２の例を示す断面図である。 第１７実施形態の発光装置の製造方法の第３の例を示す断面図である。 第１７実施形態の発光装置の製造方法の第４の例を示す断面図である。
　以下、本開示の実施形態を、図面を参照して説明する。
　（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の測距装置の構成を示すブロック図である。
　図１の測距装置は、発光装置１と、撮像装置２と、制御装置３とを備えている。図１の測距装置は、発光装置１から発光された光を被写体に照射する。撮像装置２は、被写体で反射した光を受光して被写体を撮像する。制御装置３は、撮像装置２から出力された画像信号を用いて被写体までの距離を測定（算出）する。発光装置１は、撮像装置２が被写体を撮像するための光源として機能する。
　発光装置１は、発光部１１と、駆動回路１２と、電源回路１３と、発光側光学系１４とを備えている。撮像装置２は、イメージセンサ２１と、画像処理部２２と、撮像側光学系２３とを備えている。制御装置３は、測距部３１を備えている。
　発光部１１は、被写体に照射するためのレーザー光を発光する。本実施形態の発光部１１は、後述するように、２次元アレイ状に配置された複数の発光素子を備え、各発光素子は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）構造を有している。これらの発光素子から出射された光が、被写体に照射される。本実施形態の発光部１１は、図１に示すように、ＬＤ（Laser Diode）チップ４１と呼ばれるチップ内に設けられている。
　駆動回路１２は、発光部１１を駆動する電気回路である。電源回路１３は、駆動回路１２の電源電圧を生成する電気回路である。図１の測距装置では例えば、電源回路１３が、測距装置内のバッテリから供給される入力電圧から電源電圧を生成し、駆動回路１２が、この電源電圧を用いて発光部１１を駆動する。本実施形態の駆動回路１２は、図１に示すように、ＬＤＤ（Laser Diode Driver）基板４２と呼ばれる基板内に設けられている。
　発光側光学系１４は、種々の光学素子を備えており、これらの光学素子を介して発光部１１からの光を被写体に照射する。同様に、撮像側光学系２３は、種々の光学素子を備えており、これらの光学素子を介して被写体からの光を受光する。
　イメージセンサ２１は、被写体からの光を撮像側光学系２３を介して受光し、この光を光電変換により電気信号に変換する。イメージセンサ２１は例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサまたはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサである。本実施形態のイメージセンサ２１は、上記の電子信号をＡ／Ｄ（Analog to Digital）変換によりアナログ信号からデジタル信号に変換し、デジタル信号としての画像信号を画像処理部２２に出力する。また、本実施形態のイメージセンサ２１は、フレーム同期信号を駆動回路１２に出力し、駆動回路１２は、フレーム同期信号に基づいて、発光部１１をイメージセンサ２１におけるフレーム周期に応じたタイミングで発光させる。
　画像処理部２２は、イメージセンサ２１から出力された画像信号に対し種々の画像処理を施す。画像処理部２２は例えば、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）などの画像処理プロセッサを備えている。
　制御装置３は、図１の測距装置の種々の動作を制御し、例えば、発光装置１の発光動作や、撮像装置２の撮像動作を制御する。制御装置３は例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などを備えている。
　測距部３１は、イメージセンサ２１から出力されて、画像処理部２２により画像処理を施された画像信号に基づいて、被写体までの距離を測定する。測距部３１は、測距方式として例えば、ＳＴＬ（Structured Light）方式またはＴｏＦ（Time of Flight）方式を採用している。測距部３１はさらに、上記の画像信号に基づいて、測距装置と被写体との距離を被写体の部分ごとに測定して、被写体の３次元形状を特定してもよい。
　図２は、第１実施形態の発光装置１の構造の例を示す断面図である。
　図２のＡは、本実施形態の発光装置１の構造の第１の例を示している。この例の発光装置１は、上述のＬＤチップ４１およびＬＤＤ基板４２と、実装基板４３と、放熱基板４４と、補正レンズ保持部４５と、１つ以上の補正レンズ４６と、配線４７とを備えている。
　図２のＡは、互いに垂直なＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。Ｘ方向とＹ方向は横方向（水平方向）に相当し、Ｚ方向は縦方向（垂直方向）に相当する。また、＋Ｚ方向は上方向に相当し、－Ｚ方向は下方向に相当する。－Ｚ方向は、厳密に重力方向に一致していてもよいし、厳密には重力方向に一致していなくてもよい。
　ＬＤチップ４１は、放熱基板４４を介して実装基板４３上に配置され、ＬＤＤ基板４２も、実装基板４３上に配置されている。実装基板４３は、例えばプリント基板である。本実施形態の実装基板４３には、図１のイメージセンサ２１や画像処理部２２も配置されている。放熱基板４４は例えば、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）基板やＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板などのセラミック基板である。
　補正レンズ保持部４５は、ＬＤチップ４１を囲むように放熱基板４４上に配置されており、ＬＤチップ４１の上方に１つ以上の補正レンズ４６を保持している。これらの補正レンズ４６は、上述の発光側光学系１４（図１）に含まれている。ＬＤチップ４１内の発光部１１（図１）から発光された光は、これらの補正レンズ４６により補正された後、被写体（図１）に照射される。図２のＡは、一例として、補正レンズ保持部４５に保持された２つの補正レンズ４６を示している。
　配線４７は、実装基板４３の表面、裏面、内部などに設けられており、ＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２とを電気的に接続している。配線４７は例えば、実装基板４３の表面や裏面に設けられたプリント配線や、実装基板４３を貫通するビア配線である。本実施形態の配線４７はさらに、放熱基板４４の内部または付近を通過している。
　図２のＢは、本実施形態の発光装置１の構造の第２の例を示している。この例の発光装置１は、第１の例の発光装置１と同じ構成要素を備えているが、配線４７の代わりにバンプ４８を備えている。
　図２のＢでは、放熱基板４４上にＬＤＤ基板４２が配置されており、ＬＤＤ基板４２上にＬＤチップ４１が配置されている。このようにＬＤチップ４１をＬＤＤ基板４２上に配置することにより、第１の例の場合に比べて、実装基板４３のサイズを小型化することが可能となる。図２のＢでは、ＬＤチップ４１が、ＬＤＤ基板４２上にバンプ４８を介して配置されており、バンプ４８によりＬＤＤ基板４２と電気的に接続されている。バンプ４８は、例えば金（Ａｕ）で形成されている。
　以下、本実施形態の発光装置１について、図２のＢに示す第２の例の構造を有しているとして説明する。ただし、以下の説明は、第２の例に特有の構造についての説明を除き、第１の例の構造を有する発光装置１にも適用可能である。
　図３は、図２のＢに示す発光装置１の構造を示す断面図である。
　図３は、発光装置１内のＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２の断面を示している。図３に示すように、ＬＤチップ４１は、基板５１と、積層膜５２と、複数の発光素子５３と、複数のアノード電極５４と、複数のカソード電極５５とを備えている。また、ＬＤＤ基板４２は、基板６１と、複数の接続パッド６２とを備えている。基板５１は、本開示の第１基板の例であり、基板６１は、本開示の第２基板の例である。なお、図３では、後述するレンズ７１、凸部７２、および反射防止膜７３の図示は省略されている（図４を参照）。
　基板５１は、例えばＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板などの化合物半導体基板である。図３は、－Ｚ方向を向いている基板５１の表面Ｓ１と、＋Ｚ方向を向いている基板５１の裏面Ｓ２とを示している。図３では、表面Ｓ１が基板５１の下面となっており、裏面Ｓ２が基板５１の上面となっている。
　積層膜５２は、基板５１の表面Ｓ１に積層された複数の層を含んでいる。これらの層の例は、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、および光反射層や、光の射出窓を有する絶縁層などである。積層膜５２は、－Ｚ方向に突出した複数のメサ部Ｍを含んでいる。これらのメサ部Ｍの一部が、複数の発光素子５３となっている。
　発光素子５３は、積層膜５２の一部として、基板５２の表面Ｓ１に設けられている。本実施形態の発光素子５３は、ＶＣＳＥＬ構造を有しており、光を＋Ｚ方向に出射する。発光素子５３から出射された光は、図３に示すように、基板５１の表面Ｓ１から裏面Ｓ２へと基板５１内を透過し、基板５１から上述の補正レンズ４６（図２）に入射する。このように、本実施形態のＬＤチップ４１は、裏面出射型のＶＣＳＥＬチップとなっている。
　アノード電極５４は、発光素子５３の下面に形成されている。カソード電極５５は、発光素子５３以外のメサ部Ｍの下面に形成されており、メサ部Ｍの下面から、メサ部Ｍ間にある積層膜５２の下面まで延びている。各発光素子５３は、対応するアノード電極５４と対応するカソード電極５５との間に電流が流れることで光を出射する。
　上述のように、ＬＤチップ４１は、ＬＤＤ基板４２上にバンプ４８を介して搭載されており、バンプ４８によりＬＤＤ基板４２と電気的に接続されている。具体的には、ＬＤＤ基板４２に含まれる基板６１上に接続パッド６２が形成されており、接続パッド６２上にバンプ４８を介してメサ部Ｍが配置されている。各メサ部Ｍは、アノード電極５４またはカソード電極５５を介してバンプ４８上に配置されている。基板６１は、例えばＳｉ（シリコン）基板などの半導体基板である。
　ＬＤＤ基板４２は、発光部１１を駆動する駆動回路１２を含んでいる（図１）。図３は、駆動回路１２に含まれる複数のスイッチＳＷを模式的に示している。各スイッチＳＷは、バンプ４８を介して、対応する発光素子５３と電気的に接続されている。本実施形態の駆動回路１２は、これらのスイッチＳＷを個々のスイッチＳＷごとに制御（オン・オフ）することができる。よって、駆動回路１２は、複数の発光素子５３を個々の発光素子５３ごとに駆動させることができる。これにより、例えば測距に必要な発光素子５３のみを発光させるなど、発光部１１から出射される光を精密に制御することが可能となる。このような発光素子５３の個別制御は、ＬＤＤ基板４２をＬＤチップ４１の下方に配置することにより、各発光素子５３を対応するスイッチＳＷと電気的に接続しやすくなったことで実現可能となっている。
　図４は、第１実施形態の発光装置１の構造を示す断面図および平面図である。
　図４のＡは、発光装置１内のＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２の断面を示している。上述のように、ＬＤチップ４１は、基板５１と、積層膜５２と、複数の発光素子５３と、複数のアノード電極５４と、複数のカソード電極５５とを備えており、ＬＤＤ基板４２は、基板６１と、複数の接続パッド６２とを備えている。ただし、図４のＡでは、アノード電極５４、カソード電極５５、および接続パッド６２の図示が省略されている。
　本実施形態のＬＤチップ４１は、基板５１の表面Ｓ１に複数の発光素子５３を備えると共に、基板５１の裏面Ｓ２に複数のレンズ７１と、凸部７２と、反射防止膜７３とを備えている。凸部７２は、本開示の第１凸部の例である。反射防止膜７３は、本開示の第１膜の例である。
　レンズ７１は、発光素子５３と同様に、２次元アレイ状に配置されている。本実施形態のレンズ７１は、発光素子５３と１対１で対応しており、レンズ７１の各々が、１つの発光素子５３の＋Ｚ方向に配置されている。また、本実施形態のレンズ７１は、図４のＡに示すように、基板５１の裏面Ｓ２に基板５１の一部として設けられている。具体的には、本実施形態のレンズ７１は凸レンズであり、基板５１の裏面Ｓ２を凸形状にエッチング加工することで、基板５１の一部として形成されている。本実施形態によれば、基板５１のエッチング加工によりレンズ７１を形成することで、レンズ７１を簡単に形成することができる。なお、凸レンズ以外のレンズ７１の例や、基板５１のエッチング加工の詳細については、後述する。
　凸部７２は、基板５１の裏面Ｓ２に設けられており、基板５１から＋Ｚ方向に突出した凸型の形状を有している。よって、基板５１の裏面Ｓ２には、凸部７２に起因する段差が形成されている。凸部７２は、凸レンズである本実施形態のレンズ７１と同様に、凸型の形状を有しているが、レンズ７１としては使用されない。本実施形態の凸部７２は、後述するように、基板５１上の全レンズ７１を環状に包囲する形状を有している（図４のＢを参照）。また、本実施形態の凸部７２は、レンズ７１と同様に、基板５１の裏面Ｓ２に基板５１の一部として設けられている。よって、本実施形態によれば、基板５１のエッチング加工により凸部７２を形成することで、凸部７２を簡単に形成することができる。
　反射防止膜７３は、レンズ７１および凸部７２を覆うように、基板５１の裏面Ｓ２に設けられている。よって、反射防止膜７３は、レンズ７１上に配置された第１部分Ｘ１と、凸部７２上に配置された第２部分Ｘ２とを含んでいる。反射防止膜７３は、基板５１の内部からレンズ７１に入射した光が、基板５１の内部へと反射されることを防止する機能を有している。反射防止膜７３は、例えば酸化シリコン膜である。反射防止膜７３は、本実施形態では均一な厚さを有しているが、不均一な厚さを有していてもよい。
　上記複数の発光素子５３から出射された光は、基板５１の表面Ｓ１から裏面Ｓ２へと基板５１内を透過し、上記複数のレンズ７１に入射する。本実施形態では、各発光素子５３から出射された光が、対応する１つのレンズ７１に入射する。これにより、上記複数の発光素子５３から出射された光を、個々のレンズ７１ごとに成形することが可能となる。上記複数のレンズ７１を通過した光は、補正レンズ４６（図２）を通過し、被写体（図１）に照射される。なお、発光素子５３とレンズ７１が１対１に対応しない場合の例については、後述する。
　ここで、図４のＡに示す厚さＡ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２や幅Ｄ１、Ｄ２について説明する。
　本実施形態では、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さ以下となっている。別言すると、各レンズ７１の最上部のＺ座標が、凸部７２の最上部のＺ座標以下となっている。本実施形態の各レンズ７１は凸レンズであるため、各レンズ７１の最上部は、各レンズ７１の頂部である。一方、本実施形態の凸部７２は平坦な上面を有しているため、凸部７２の最上部は、凸部７２の上面である。よって、本実施形態では、各レンズ７１の頂部の高さが、凸部７２の上面の高さ以下となっている。
　その結果、各レンズ７１上の反射防止膜７３の第１部分Ｘ１の最上部の高さは、凸部７２上の反射防止膜７３の第２部分Ｘ２の最上部の高さ以下となっている。各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部は、各レンズ７１の頂部の上方に存在している。一方、凸部７２上の第２部分Ｘ２の最上部は、凸部７２の上面の上方に存在している。よって、各レンズ７１の頂部の上方に存在する第１部分Ｘ１の最上部の高さは、凸部７２の上面の上方に存在する第２部分Ｘ２の最上部の高さ以下となっている。
　厚さＡ１、Ｂ１、Ｃ１はそれぞれ、基板５１、レンズ７１、凸部７２のＺ方向の厚さを表している。幅Ｄ１は、図４のＡにおける凸部７２のＸ方向の幅を表している。基板５１の厚さＡ１は、例えば１００～６００μｍである。レンズ７１の厚さＢ１は、例えば０．１～１０μｍである。凸部７２の厚さＣ１は、例えば０．１～１０μｍである。凸部７２の幅Ｄ１は、例えば１０～１００μｍである。さらに、反射防止膜７３の厚さは、例えば０．１～１μｍである。
　各レンズ７１の厚さＢ１は、基板５１の裏面Ｓ２の平坦部に対する各レンズ７１の最上部の高さに相当している。同様に、凸部７２の厚さＣ１は、基板５１の裏面Ｓ２の平坦部に対する凸部７２の最上部の高さに相当している。よって、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さ以下であることは、各レンズ７１の厚さＢ１が、凸部７２の厚さＣ１以下であると言い換えることができる（Ｂ１≦Ｃ１）。
　さらに、厚さＡ２、Ｂ２、Ｃ２はそれぞれ、基板５１と反射防止膜７３の合計厚、レンズ７１と反射防止膜７３の合計厚、凸部７２と反射防止膜７３の合計厚を表している。幅Ｄ２は、図４のＡにおける凸部７２と反射防止膜７４の合計幅を表している。各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、凸部７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さ以下であることは、各レンズ７１と反射防止膜７３の合計厚Ｂ２が、凸部７２と反射防止膜７３の合計厚Ｃ２以下であると言い換えることができる（Ｂ２≦Ｃ２）。
　本実施形態の発光装置１を製造する際には、後述するように、基板５１を吸着することで基板５１を保持し、吸着により保持されている基板５１を基板６１上に搭載する。この際、レンズ７１上の第１部分Ｘ１で基板５１を吸着しようとすると、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくおそれや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなるおそれがある。しかしながら、本実施形態の第１部分Ｘ１の最上部の高さは第２部分Ｘ２の最上部の高さ以下となっているので、凸部７２上の第２部分Ｘ２で基板５１を吸着することができる。これにより、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　なお、上記複数のレンズ７１は、本実施形態では同じ形状を有しているが、互いに異なる形状を有していてもよい。また、凸部７２は、本実施形態では平坦な上面を有しているが、非平坦な上面を有していてもよい。これらの場合でも、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さを、凸部７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さ以下に設定することで、上記の効果を得ることができる。
　図４のＢは、基板５１の裏面Ｓ２に設けられたレンズ７１や凸部７２のレイアウトを示している。図４のＢでは、レンズ７１が、基板５１の裏面Ｓ２に２次元アレイ状に配置されており、具体的には、正方格子状に配置されている。また、凸部７２は、四角形の裏面Ｓ２の四辺に沿って延びる四角形の環状の形状を有しており、基板５１上の全レンズ７１を環状に包囲している。なお、図４のＡは、図４のＢに示すＡ－Ａ’線に沿った断面を示している。
　次に、図５から図８を参照して、第１実施形態の発光装置１と比較例の発光装置１とを比較する。本比較例の発光装置１の説明では、本実施形態の発光装置１の説明で使用した符号と同じ符号を使用する。
　図５は、比較例の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図５のＡは、ダイシングされる前の基板５１の構造を示す平面図であり、図５のＢは、図５のＡに示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。
　本比較例の基板５１は、図５のＡおよびＢに示すように、複数のチップ領域８１と、スクライブ領域（ダイシング領域）８２とを備えている。各チップ領域８１は、基板５１のダイシング後に１つのチップとなる領域である。スクライブ領域８２は、基板５１のダイシング時にカットされる領域である。本比較例の基板５１は、スクライブ領域８２においてカットされることで、複数のチップ領域８１に分割（ダイシング）される。
　各チップ領域８１は、長方形（または正方形）の平面形状を有しており、レンズ領域８１ａと、周辺領域８１ｂとを含んでいる。レンズ領域８１ａは、２次元アレイ状に配置された複数のレンズ７１を含んでいる（図５のＢ）。周辺領域８１ｂは、レンズ領域８１ａを環状に包囲している。
　スクライブ領域８２は、上記複数のチップ領域８１を個々のチップ領域８１ごとに環状に包囲する平面形状を有しており、Ｘ方向に延びる複数のスクライブライン（ダイシングライン）８２ａと、Ｙ方向に延びる複数のスクライブライン８２ｂとを含んでいる。本比較例の基板５１は、これらのスクライブライン８２ａ、８２ｂにダイサーを当ててカットされることで、複数のチップ領域８１に分割される。符号Ｌは、スクライブライン８２ｂを通過する平面を示している。
　本比較例の基板５１には、凸部７２が設けられていないことに留意されたい。なお、反射防止膜７３は、図５のＡおよびＢに示す基板５１上に、後に形成される。すなわち、図５のＡおよびＢは、反射防止膜７３が形成される前の基板５１を示している。
　図６は、第１実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図６のＡは、ダイシングされる前の基板５１の構造を示す平面図であり、図６のＢは、図６のＡに示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。
　本実施形態の基板５１は、図６のＡおよびＢに示すように、複数のチップ領域８１と、スクライブ領域８２とを備えている。本実施形態のチップ領域８１およびスクライブ領域８２の構造は、おおむね比較例のチップ領域８１およびスクライブ領域８２の構造と同じである。
　ただし、本実施形態の基板５１には、複数の凸部７２が設けられている。これらの凸部７２は、基板５１のチップ領域８１内に設けられており、具体的には、１つのチップ領域８１内に１つの凸部７２が設けられている（図６のＡ）。各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に設けられており、レンズ領域８１ａを環状に包囲する平面形状を有している。本実施形態の各凸部７２は、図６のＡおよびＢに示すように、スクライブ領域８２内には設けられていないことに留意されたい。
　図６のＡにおいて、各チップ領域８１の面積に占めるレンズ領域８１ａおよび周辺領域８１ｂの面積の割合はそれぞれ、例えば約７０％および約３０％である。また、各チップ領域８１の面積に占める凸部７２の面積の割合は、例えば１．５～３０％である。これは後述する第２～第１７実施形態でも同様である。なお、これらの割合の値は、上記の値と異なる値に設定してもよい。
　図７は、比較例の発光装置１の製造方法を示す断面図である。
　まず、基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２を形成し、積層膜５２に、発光素子５３を含むメサ部Ｍを形成する（図７のＡ）。具体的には、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態にて、基板５１の上面（表面Ｓ１）に積層膜５２やメサ部Ｍを形成し、その後に基板５１の表面Ｓ１を下向きにする。このようにして、図７のＡに示すように、基板５１の下面（表面Ｓ１）に、積層膜５２やメサ部Ｍが形成される。図７のＡの工程ではさらに、基板５１の表面Ｓ１にアノード電極５４やカソード電極５５が形成される。
　次に、リソグラフィおよびドライエッチングにより、基板５１の裏面Ｓ２（上面）にレンズ７１を形成する（図７のＢ）。本比較例のレンズ７１は、基板５１の裏面Ｓ２に、基板５１の一部として形成される。次に、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１を覆うように反射防止膜７３を形成する（図７のＢ）。
　次に、基板５１を、上述のスクライブ領域８２においてカットする（図７のＣ）。これにより、基板５１が、図７のＤに示すように、上述の複数のチップ領域８１に分割される。
　次に、基板５１（チップ）をコレット８３により保持し、コレット８３により保持されている基板５１を基板６１上に搭載する（図７のＤ）。具体的には、基板５１に設けられたメサ部Ｍが、不図示のアノード電極５４またはカソード電極５５と、バンプ４８と、不図示の接続パッド６２とを介して、基板６１上に配置される。これにより、基板５１が基板６１と電気的に接続される。このようにして、本比較例の発光装置１が製造される。
　コレット８３は、基板５１上の露出面に接触して基板５１を吸着することで、基板５１を保持することができる。本比較例の基板５１上の露出面は、基板５１上の反射防止膜７３の上面であるため、コレット８３は反射防止膜７３の上面に接触している。コレット８３は、本開示の第１基板保持装置の例である。
　本比較例では、基板５１からレンズ７１が＋Ｚ方向に突出しているため、レンズ７１上の反射防止膜７３が、反射防止膜７３のその他の部分から＋Ｚ方向に突出している。そのため、コレット８３は、レンズ７１上の反射防止膜７３に接触する。一般にコレット８３は硬い材料で形成されており、コレット８３がレンズ７１上の反射防止膜７３に接触しても、コレット８３の形状は、レンズ７１上の反射防止膜７３の凹凸形状に追従しない。よって、コレット８３がレンズ７１上の反射防止膜７３に接触すると、コレット８３からレンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくおそれや、基板５１がレンズ７１のせいでコレット８３により吸着しにくくなるおそれがある。
　図８は、第１実施形態の発光装置１の製造方法を示す断面図である。
　まず、基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２を形成し、積層膜５２に、発光素子５３を含むメサ部Ｍを形成する（図８のＡ）。具体的には、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態にて、基板５１の上面（表面Ｓ１）に積層膜５２やメサ部Ｍを形成し、その後に基板５１の表面Ｓ１を下向きにする。このようにして、図８のＡに示すように、基板５１の下面（表面Ｓ１）に、積層膜５２やメサ部Ｍが形成される。図８のＡの工程ではさらに、基板５１の表面Ｓ１にアノード電極５４やカソード電極５５が形成される。
　次に、リソグラフィおよびドライエッチングにより、基板５１の裏面Ｓ２（上面）にレンズ７１および凸部７２を形成する（図８のＢ）。本実施形態のレンズ７１および凸部７２は、基板５１の裏面Ｓ２に、基板５１の一部として形成される。なお、レンズ７１および凸部７２は、本実施形態では同じエッチングにより同時に形成されるが、異なるエッチングにより順番に形成されてもよい。次に、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１および凸部７２を覆うように反射防止膜７３を形成する（図８のＢ）。
　本実施形態のレンズ７１および凸部７２は、上述のように、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さ以下となるように形成される（図４のＡ参照）。その結果、本実施形態の反射防止膜７３は、上述のように、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、凸部７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さ以下となるように形成される（図４のＡ参照）。図８のＢでは、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さよりも低くなっているため、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、凸部７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも低くなっている。
　次に、基板５１を、上述のスクライブ領域８２においてカットする（図８のＣ）。これにより、基板５１が、図８のＤに示すように、上述の複数のチップ領域８１に分割される。
　次に、基板５１（チップ）をコレット８３により保持し、コレット８３により保持されている基板５１を基板６１上に搭載する（図８のＤ）。具体的には、基板５１に設けられたメサ部Ｍが、不図示のアノード電極５４またはカソード電極５５と、バンプ４８と、不図示の接続パッド６２とを介して、基板６１上に配置される。これにより、基板５１が基板６１と電気的に接続される。このようにして、本実施形態の発光装置１が製造される。
　本実施形態では、レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、凸部７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さよりも低くなっている。そのため、コレット８３は、凸部７２上の反射防止膜７３に接触し、レンズ７１上の反射防止膜７３に接触しないように、基板５１を吸着することができる。これにより、コレット８３からレンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことや、基板５１がレンズ７１のせいでコレット８３により吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　本実施形態では、レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、凸部７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さと同じでもよい。この場合には、コレット８３が、凸部７２上の反射防止膜７３だけでなく、レンズ７１上の反射防止膜７３にも接触する可能性がある。しかしながら、これらの最上部の高さが同じであれば、コレット８３からレンズ７１に大きな圧力が加わることは抑制できるし、基板５１は凸部７２の上方で好適に吸着できる。よって、レンズ７１上の反射防止膜７３の最上部の高さは、凸部７２上の反射防止膜７３の最上部の高さより低くてもよいし、凸部７２上の反射防止膜７３の最上部の高さと同じでもよい。
　また、本実施形態によれば、凸部７２上に反射防止膜７３を形成することで、反射防止膜７３を基板５１から剥がれにくくすることが可能となる。理由は、反射防止膜７３が凸部７２にひっかかることで、基板５１の端面からの反射防止膜７３の剥がれが生じにくくなるからである。反射防止膜７３が剥がれにくくなる効果は、発光装置１の製造中にも製造後にも享受できる。
　本実施形態の基板５１のダイシング後の面積は小さく、本実施形態の各レンズ７１の面積も小さい。そのため、本実施形態のレンズ７１は、コレット８３からの圧力により傷つきやすい。さらに、本実施形態の基板５１はＧａＡｓ基板であるため、このこともレンズ７１が傷つきやすい原因となる。本実施形態によれば、傷つきやすい構造物であるレンズ７１が傷つくことを抑制することが可能となる。
　本実施形態の基板５１は、ダイシング後に基板６１上に搭載される。この際、本実施形態によれば、コレット８３からレンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことや、基板５１がレンズ７１のせいでコレット８３により吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。よって、本実施形態によれば、発光素子５３やレンズ７１を高性能なＧａＡｓ基板（基板５１）に形成しつつ、発光装置１用の回路を安価なＳｉ基板（基板６１）に形成することが可能となる。
　以上のように、本実施形態の発光装置１では、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、凸部７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さ以下となっている。よって、本実施形態によれば、基板５１にレンズ７１を好適な態様で設けることが可能となる。例えば、基板５１を吸着して基板６１上に搭載する際に、基板５１を第２部分Ｘ２での吸着により保持することで、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことを抑制することや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　なお、本実施形態のレンズ７１や凸部７２は、基板５１上の膜により覆われており、具体的には、基板５１上の反射防止膜７３により覆われている。しかしながら、レンズ７１や凸部７２は、基板５１上の膜により形成されていてもよい。この膜は、反射防止膜７３でもよいし、反射防止膜７３とは異なる膜でもよい。このような膜の詳細については、後述する。
　（第２～第９実施形態）
　図９は、第２実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図９のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の凸部７２は、図９のＡおよびＢに示すように、基板５１のチップ領域８１およびスクライブ領域８２内に連続して形成されている。具体的には、本実施形態の凸部７２は、各周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブライン８２ａ、８２ｂ内に形成された部分とを含んでおり、各レンズ領域８１ａを環状に包囲している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、１つの凸部７２が、個々のチップ領域８１内の凸部７２に分割される。本実施形態の凸部７２の幅は、第１実施形態の凸部７２の幅よりも広いことから、本実施形態の凸部７２は一般に、第１実施形態の凸部７２よりも容易に形成することが可能である。
　図１０は、第３実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１０のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、スクライブライン８２ａとスクライブライン８２ｂとの各交点やその付近に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、互いに隣接する４つの周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブ領域８２内に形成された部分とを含んでおり、正方形（または長方形）の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の４つの角に設けられた４つの凸部７２を含むこととなる。本実施形態のダイシング後の基板５１は、４つの角に４つの凸部７２を含んでいるため、コレット８３が反射防止膜７３の４箇所で接触することになり、コレット８３により基板５１を容易に吸着することができる。
　図１１は、第４実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１１のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、１本のスクライブライン８２ｂ内やその付近に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブ領域８２内に形成された部分とを含んでおり、Ｙ方向に延びる線状の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の１つの辺に沿って線状に延びる凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２の別の１つの辺に沿って線状に延びる凸部７２とを含むことになる。本実施形態のダイシング後の基板５１も、第３実施形態のダイシング後の基板５１と同様に、コレット８３により容易に吸着することができる。
　図１２は、第５実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１２のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、１本のスクライブライン８２ｂの＋Ｘ方向または－Ｘ方向に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブライン８２ａ内に形成された部分とを含んでおり、Ｙ方向に延びる線状の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の１つの辺に沿って線状に延びる凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２の別の１つの辺に沿って線状に延びる凸部７２とを含むことになる。本実施形態のダイシング後の基板５１も、第３および第４実施形態のダイシング後の基板５１と同様に、コレット８３により容易に吸着することができる。
　なお、第４および第５実施形態の各凸部７２は、Ｙ方向の代わりにＸ方向に線状に延びていてもよい。
　図１３は、第６実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１３のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、１組のスクライブライン８２ａ、８２ｂ内やその付近に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブ領域８２内に形成された部分とを含んでおり、Ｘ方向およびＹ方向に延びるＬ字型の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の２つの辺に沿ってＬ字型に延びる凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２の１つの角に設けられた凸部７２とを含むことになる（チップ領域８１によっては、１つの辺に沿って線状に延びる１つの凸部７２と、２つの角に設けられた２つの凸部７２とを含むこととなる）。本実施形態のダイシング後の基板５１も、これらの２つの凸部７２で吸着されるため、コレット８３により容易に吸着することができる。
　図１４は、第７実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１４のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、１組のスクライブライン８２ａ、８２ｂの＋Ｘおよび＋Ｙ方向または－Ｘおよび－Ｙ方向に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブライン８２ａ、８２ｂ内に形成された部分とを含んでおり、Ｘ方向およびＹ方向に延びるＬ字型の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の２つの辺に沿ってＬ字型に延びる凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２の１つの角付近に設けられた凸部７２とを含むことになる（チップ領域８１によっては、１つの辺に沿って線状に延びる１つの凸部７２と、２つの角に設けられた２つの凸部７２とを含むこととなる）。本実施形態のダイシング後の基板５１も、これらの２つの凸部７２で吸着されるため、コレット８３により容易に吸着することができる。
　図１５は、第８実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１５のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、１本のスクライブライン８２ａまたは８２ｂの＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｘ方向、または－Ｘ方向に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に形成されており、Ｘ方向またはＹ方向に延びる線状の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の４つの辺に沿って線状に延びる４つの凸部７２を含むことになる。本実施形態のダイシング後の基板５１は、これらの４つの凸部７２で吸着されるため、コレット８３により容易に吸着することができる。
　図１６は、第９実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１６のＡおよびＢの関係は、図６のＡおよびＢの関係と同様である。
　本実施形態の各凸部７２は、１本のスクライブライン８２ａまたは８２ｂ内やその付近に配置されている。具体的には、本実施形態の各凸部７２は、周辺領域８１ｂ内に形成された部分と、スクライブライン８２ａまたは８２ｂ内に形成された部分とを含んでおり、Ｘ方向またはＹ方向に延びる線状の平面形状を有している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の４つの辺に沿って線状に延びる４つの凸部７２を含むことになる。本実施形態のダイシング後の基板５１は、これらの４つの凸部７２で吸着されるため、コレット８３により容易に吸着することができる。
　これらの実施形態では、第１実施形態と同様に、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、凸部７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さ以下に設定される。よって、これらの実施形態によれば、基板５１にレンズ７１を好適な態様で設けることが可能となる。
　これらの実施形態の発光装置１は、第１実施形態の発光装置１と同様に、図８に示す方法により製造可能である。ただし、図８のＢに示す工程では、凸部７２を、第２～第９実施形態の各々の凸部７２の形状を有するように形成する。
　（第１０実施形態）
　第１０実施形態の発光装置１は、第１～第９実施形態の変形例の発光装置１に相当している。以下、図１７～図２０を参照して、第１０実施形態の発光装置１の種々の例を説明する。
　図１７および図１８は、第１０実施形態の発光装置１の基板５１の構造の例を示す断面図である。図１７のＡ～図１８のＤの各々は、図４のＡと同様に発光装置１の基板５１等の断面を示しているが、凸部７２や反射防止膜７３等の図示は省略されている。
　図１７のＡの基板５１は、図４のＡの基板５１と同様に、発光素子５３と１対１で対応する凸レンズである複数のレンズ７１を備えている。同様に、図１７のＢ、Ｃ、およびＤの各々の基板５１は、発光素子５３と１対１で対応する複数のレンズ７１を備えている。ただし、図１７のＢの基板５１は、凹レンズを備えており、図１７のＣの基板５１は、互いに形状（曲率）の異なる凸レンズを備えており、図１７のＤの基板５１は、凸レンズと凹レンズの両方を備えている。このように、本実施形態の各レンズ７１は、凸レンズでも凹レンズでもよい。
　図１８のＡの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１がＮ：１で対応している（Ｎは２以上の整数）。よって、図１８のＡでは、Ｎ個の発光素子５３から出射された光が、１個のレンズ７１に入射する。一方、図１８のＢの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：Ｎで対応している。よって、図１８のＢでは、１個の発光素子５３から出射された光が、Ｎ個のレンズ７１に入射する。このように、本実施形態の各レンズ７１は、発光素子５３と１：１で対応していなくてもよい。
　図１８のＣの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：１で対応している。ただし、図１８のＣの基板５１は、フレネルレンズを備えている。同様に、図１８のＤの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：１で対応している。ただし、図１８のＤの基板５１は、バイナリレンズおよびフラットレンズを備えている。このように、本実施形態の各レンズ７１は、凸レンズや凹レンズ以外のレンズでもよい。
　図１９および図２０は、第１０実施形態の発光装置１の構造の例を示す断面図である。図１９のＡ～図２０のＢの各々は、図４のＡと同様に発光装置１の基板５１等の断面を示している。
　図１９のＡの基板５１では、図４のＡの基板５１と同様に、発光素子５３とレンズ７１が１：１で対応している。ただし、図１９のＡの基板５１は、凸レンズではなく凹レンズを備えている。図１９のＡはさらに、基板５１の裏面Ｓ２に設けられた凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１および凸部７２を覆うように形成された反射防止膜７３とを示している。図１９のＡでは、図４のＡと同様に、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、凸部７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さ以下となっている。なお、図１９のＡの各レンズ７１の最上部は、レンズ７１の縁の部分である。
　図１９のＡのレンズ７１は、凹レンズである。この場合にも、レンズ７１上の反射防止膜７３の上面には、レンズ７１に起因する凹凸が生じる。そのため、基板５１をレンズ７１上の反射防止膜７３で吸着しようとすると、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくおそれや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなるおそれがある。しかしながら、図１９のＡの基板５１は凸部７２上の反射防止膜７３で吸着することができるため、これらの問題を抑制することが可能となる。
　図１９のＢの基板５１は、図４のＡの基板５１と同様に、レンズ７１として凸レンズを備えている。ただし、図１９のＢの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１がＮ：１で対応している。図１９のＡはさらに、基板５１の裏面Ｓ２に設けられた凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１および凸部７２を覆うように形成された反射防止膜７３とを示している。図１９のＢでは、図４のＡと同様に、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、凸部７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さ以下となっている。図１９のＢの基板５１も凸部７２上の反射防止膜７３で吸着することができるため、上記の問題を抑制することが可能となる。
　図２０のＡの発光装置１は、レンズ７１、凸部７２、反射防止膜７３等に加えて、半導体膜７４を備えている。図２０のＡでは、半導体膜７４が、基板５１の裏面Ｓ２に形成されている。さらには、レンズ７１および凸部７２が、半導体膜７４の上面に、半導体膜７４の一部として設けられている。さらには、反射防止膜７３が、半導体膜７４の上面に、レンズ７１および凸部７２を覆うように形成されている。図２０のＡの反射防止膜７３および半導体膜７４は、本開示の第１膜の例である。具体的には、反射防止膜７３は、レンズ７１および凸部７２上に配置されている膜となっており、半導体膜７４は、レンズ７１および凸部７２を形成している膜となっている。半導体膜７４は、例えばＳｉ（シリコン）膜である。
　図２０のＡの反射防止膜７３および半導体膜７４は、レンズ７１上に配置されているかまたはレンズ７１を形成している第１部分Ｙ１と、凸部７２上に配置されているかまたは凸部７２を形成している第２部分Ｙ２とを含んでいる。そして、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さ以下となっている。その結果、反射防止膜７３および半導体膜７４の第１部分Ｙ１の最上部の高さが、反射防止膜７３および半導体膜７４の第２部分Ｙ２の最上部の高さ以下となっている。これにより、基板５１を吸着して基板６１上に搭載する際に、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　なお、図２０のＡに示す反射防止膜７３は、凸部７２上に配置されている膜と解する代わりに、凸部７２を形成している膜と解してもよい。前者のように解する場合でも、後者のように解する場合でも、反射防止膜７３および半導体膜７４の第１部分Ｙ１の最上部の高さは、反射防止膜７３および半導体膜７４の第２部分Ｙ２の最上部の高さ以下に設定される。これは、第１～第９実施形態の反射防止膜７３や、第１０実施形態のその他の例の反射防止膜７３についても同様である。
　図２０のＢの発光装置１は、図４のＡの発光装置１と同様に、レンズ７１や凸部７２等を備えているが、反射防止膜７３は備えていない。このように、本実施形態の発光装置１は、反射防止膜７２を備えていなくてもよい。この場合、コレット８３は、反射防止膜７３の上面ではなく基板５１の裏面Ｓ２に接触することになる。
　図２０のＢでは、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さ以下となっている。そのため、基板５１を凸部７２での吸着により保持することができる。これにより、基板５１を吸着して基板６１上に搭載する際に、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　図１７のＡ～図２０のＢの例の発光装置１は、第１実施形態の発光装置１と同様に、図８に示す方法により製造可能である。ただし、図８のＢに示す工程では、レンズ７１や凸部７２を、各例のレンズ７１や凸部７２の形状を有するように形成する。また、図２０のＡの発光装置１を製造する際には、図８のＢに示す工程を、基板５１の裏面Ｓ２に半導体膜７４を形成してから、基板５１の代わりに半導体膜７４に対して行う。また、図２０のＢの発光装置１を製造する際には、図８のＢに示す工程で、反射防止膜７３の形成を省略する。
　（第１１実施形態）
　図２１は、第１１実施形態の発光装置１の構造を示す平面図および断面図である。
　図２１のＡは、図４のＡと同様に、発光装置１内のＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２の断面を示している。本実施形態のＬＤチップ４１は、図４のＡに示す構成要素に加えて、凸部５６と、凸部形成膜５７と、凸部形成膜７５とを備えている。凸部５６は、本開示の第２凸部の例である。凸部形成膜５７は、本開示の第２膜の例である。一方、凸部形成膜７５は、本開示の第１膜の例である。なお、図２１のＡは、図４のＡと同様に、アノード電極５４、カソード電極５５、および接続パッド６２の図示を省略している。
　図４のＡに示す凸部７２が、基板５１の一部により形成されているのに対し、本実施形態の凸部７２は、凸部形成膜７５により形成されている。凸部形成膜７５は、基板５１の裏面Ｓ２上に反射防止膜７３を介して形成されている。凸部形成膜７５は、例えば光吸収膜、無機膜、または有機膜である。本実施形態の凸部７２は、図４のＢに示す凸部７２と同様に、基板５１上の全レンズ７１を環状に包囲する形状を有している。
　以上のように、本実施形態のＬＤチップ４１は、基板５１の裏面Ｓ２に反射防止膜７３および凸部形成膜７５を備えている。本実施形態の反射防止膜７３および凸部形成膜７５は、レンズ７１上に配置された第１部分Ｚ１と、凸部７２を形成している第２部分Ｚ２とを含んでいる。第１部分Ｚ１は、反射防止膜７３および凸部形成膜７５のうちの反射防止膜７３のみを含んでいる。第２部分Ｚ２は、反射防止膜７３および凸部形成膜７５のうちの凸部形成膜７５のみを含んでいる。
　凸部５６は、基板５１の表面Ｓ１に設けられており、基板５１から－Ｚ方向に突出した凸型の形状を有している。本実施形態の凸部５６は、凸部形成膜５７により形成されている。凸部形成膜５７は、基板５１の表面Ｓ１下に積層膜５２の一部を介して形成されている。凸部形成膜５７は、例えば光吸収膜、無機膜、または有機膜である。本実施形態の凸部５６は、後述するように、基板５１下の全発光素子５３を環状に包囲する形状を有している（図２１のＢを参照）。
　ここで、本実施形態のレンズ５１や発光素子５３の形状について説明する。
　本実施形態では、第１実施形態（図４のＡ）と同様、各レンズ７１の最上部の高さが、凸部７２の最上部の高さ以下となっている。別言すると、各レンズ７１の最上部のＺ座標が、凸部７２の最上部のＺ座標以下となっている。本実施形態の各レンズ７１は凸レンズであるため、各レンズ７１の最上部は、各レンズ７１の頂部である。一方、本実施形態の凸部７２は平坦な上面を有しているため、凸部７２の最上部は、凸部７２の上面である。よって、本実施形態では、各レンズ７１の頂部の高さが、凸部７２の上面の高さ以下となっている。加えて、各レンズ７１上の第１部分Ｚ１の最上部の高さが、凸部７２内の第２部分Ｚ２の最上部の高さ以下となっている。
　さらに、本実施形態では、各発光素子５３の最下部の高さが、凸部５６の最下部の高さ以上となっている。別言すると、各発光素子５３の最下部のＺ座標が、凸部５６の最下部のＺ座標以上となっている。本実施形態の各発光素子５３はおおむね平坦な下面を有しているため、各発光素子５３の最下部は、各発光素子５３の下面である。同様に、本実施形態の凸部５６は平坦な下面を有しているため、凸部５６の最下部は、凸部５６の下面である。よって、本実施形態では、各発光素子５３の下面の高さが、凸部５６の下面の高さ以上となっている。
　本実施形態の発光装置１を製造する際には、後述するように、基板５１を吸着することで基板５１を保持し、吸着により保持されている基板５１を基板６１上に搭載する。この際、発光素子５３の位置で基板５１を吸着しようとすると、発光素子５３に圧力が加わって発光素子５３が傷つくおそれや、基板５１が発光素子５３のせいで吸着しにくくなるおそれがある。しかしながら、本実施形態の発光素子５３の最下部の高さは凸部５６の最下部の高さ以上となっているので、凸部５６の位置で基板５１を吸着することができる。これにより、発光素子５３に圧力が加わって発光素子５３が傷つくことや、基板５１が発光素子５３のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　なお、上記複数の発光素子５３は、本実施形態では同じ形状を有しているが、互いに異なる形状を有していてもよい。また、凸部５６は、本実施形態では平坦な下面を有しているが、非平坦な下面を有していてもよい。また、ＬＤチップ４１は、本実施形態では凸部５６および凸部７２を備えているが、凸部５６および凸部７２のうちの凸部５６のみを備えていてもよい。これらの場合でも、各発光素子５３の最下部の高さを、凸部５６の最下部の高さ以上に設定することで、上記の効果を得ることができる。
　図２１のＢは、基板５１の表面Ｓ１に設けられた発光素子５３や凸部５６のレイアウトを示している。図２１のＢでは、発光素子５３が、基板５１の表面Ｓ１に２次元アレイ状に配置されており、具体的には、正方格子状に配置されている。また、凸部５６は、四角形の表面Ｓ１の四辺に沿って延びる四角形の環状の形状を有しており、基板５１上の全発光素子５３を環状に包囲している。なお、図２１のＡは、図２１のＢに示すＡ－Ａ’線に沿った断面を示している。
　本実施形態では、凸部５６が、図２１のＢに示す平面形状を有し、凸部７２が、図４のＢに示す平面形状を有している。よって、本実施形態の凸部５６と凸部７２は、平面視において同じ形状を有し、平面視において同じ位置に配置されている。よって、本実施形態の凸部５６と凸部７２は、Ｚ方向に互いに重なるように配置されている。なお、凸部５６と凸部７２は、後述するように、平面視において異なる形状を有していてもよいし、平面視において異なる位置に配置されていてもよい。
　図２２は、第１１実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図２２のＡは、ダイシングされる前の基板５１の構造を示す平面図であり、図２２のＢは、図２２のＡに示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。
　本実施形態の基板５１は、図２２のＡおよびＢに示すように、複数のチップ領域８１と、スクライブ領域８２とを備えている。本実施形態のチップ領域８１およびスクライブ領域８２の構造は、おおむね第１実施形態のチップ領域８１およびスクライブ領域８２の構造と同じである（図６のＡおよびＢを参照）。
　ただし、本実施形態の基板５１には、複数の凸部５６が設けられている。これらの凸部５６は、基板５１のチップ領域８１内に設けられており、具体的には、１つのチップ領域８１内に１つの凸部５６が設けられている（図２２のＡ）。各凸部５６は、周辺領域８１ｂ内に設けられており、レンズ領域８１ａを環状に包囲する平面形状を有している。本実施形態の各凸部５６は、図２２のＡおよびＢに示すように、スクライブ領域８２内には設けられていないことに留意されたい。
　本実施形態の基板５１は、図２２のＢに示すように、基板５１の表面Ｓ１に複数の凸部５６を備え、基板５１の裏面Ｓ２に複数の凸部７２を備えている。本実施形態の凸部５６と凸部７２は、平面視において同じ形状を有し、平面視において同じ位置に配置されている。よって、本実施形態の凸部５６と凸部７２は、Ｚ方向に互いに重なるように配置されている。図２２のＡは、凸部５６を図示しているが、凸部７２の図示は省略している。本実施形態の凸部７２の平面形状については、図６のＡを参照されたい。
　図２３は、第１１実施形態の発光装置１の製造方法を示す断面図である。
　まず、基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２を形成し、積層膜５２に、発光素子５３を含むメサ部Ｍを形成し、基板５１の表面Ｓ１に、積層膜５２の一部を介して凸部５６を形成する（図２３のＡ）。具体的には、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態にて、基板５１の上面（表面Ｓ１）に積層膜５２やメサ部Ｍや凸部５６を形成し、その後に基板５１の表面Ｓ１を下向きにする。このようにして、図２３のＡに示すように、基板５１の下面（表面Ｓ１）に、積層膜５２やメサ部Ｍや凸部５６が形成される。図２３のＡの工程ではさらに、基板５１の表面Ｓ１にアノード電極５４やカソード電極５５が形成される。アノード電極５４やカソード電極５５は、凸部５６の形成前に形成してもよいし、凸部５６の形成後に形成してもよい。
　次に、リソグラフィおよびドライエッチングにより、基板５１の裏面Ｓ２（上面）にレンズ７１を形成する（図２３のＢ）。本実施形態のレンズ７１は、基板５１の裏面Ｓ２に、基板５１の一部として形成される。次に、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１を覆うように反射防止膜７３を形成し、基板５１の裏面Ｓ２に、反射防止膜７３を介して凸部７２を形成する（図２３のＢ）。
　次に、基板５１を、上述のスクライブ領域８２においてカットする（図２３のＣ）。これにより、基板５１が、図２４のＤに示すように、上述の複数のチップ領域８１に分割される。
　次に、基板５１（チップ）をコレット８３とコレット８４により保持し、コレット８３とコレット８４により保持されている基板５１を基板６１上に搭載する（図２３のＤ）。具体的には、基板５１に設けられたメサ部Ｍが、不図示のアノード電極５４またはカソード電極５５と、バンプ４８と、不図示の接続パッド６２とを介して、基板６１上に配置される。これにより、基板５１が基板６１と電気的に接続される。このようにして、本実施形態の発光装置１が製造される。コレット８４は、本開示の第２基板保持装置の例である。
　本実施形態のレンズ７１および凸部７２は、レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｚ１）の最上部の高さが、凸部７２内の凸部形成膜７５（第２部分Ｚ２）の最上部の高さよりも低くなるように形成される。そのため、コレット８３は、凸部７２内の凸部形成膜７５に接触し、レンズ７１上の反射防止膜７３に接触しないように、基板５１を吸着することができる。これにより、コレット８３からレンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことや、基板５１がレンズ７１のせいでコレット８３により吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　本実施形態では、レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｚ１）の最上部の高さが、凸部７２内の凸部形成膜７５（第２部分Ｚ２）の最上部の高さと同じでもよい。この場合には、コレット８３が、凸部７２内の凸部形成膜７５だけでなく、レンズ７１上の反射防止膜７３にも接触する可能性がある。しかしながら、これらの最上部の高さが同じであれば、コレット８３からレンズ７１に大きな圧力が加わることは抑制できるし、基板５１は凸部７２の上方で好適に吸着できる。よって、レンズ７１上の反射防止膜７３の最上部の高さは、凸部７２内の凸部形成膜７５の最上部の高さより低くてもよいし、凸部７２内の凸部形成膜７５の最上部の高さと同じでもよい。
　また、本実施形態の発光素子５３および凸部５６は、発光素子５３の最下部の高さが、凸部５６の最下部の高さよりも高くなるように形成される。そのため、コレット８４は、凸部５６に接触し、発光素子５３に接触しないように、基板５１を吸着することができる。これにより、コレット８４から発光素子５３に圧力が加わって発光素子５３が傷つくことや、基板５１が発光素子５３のせいでコレット８４により吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　本実施形態では、発光素子５３の最下部の高さが、凸部５６の最下部の高さと同じでもよい。この場合には、コレット８４が、凸部５６だけでなく、発光素子５３にも接触する可能性がある。しかしながら、これらの最下部の高さが同じであれば、コレット８４から発光素子５３に大きな圧力が加わることは抑制できるし、基板５１は凸部５６の下方で好適に吸着できる。よって、発光素子５３の最下部の高さは、凸部５６の最下部の高さより低くてもよいし、凸部５６の最下部の高さと同じでもよい。
　本実施形態の基板５１のダイシング後の面積は小さく、本実施形態の各レンズ７１や各発光素子５３の面積も小さい。そのため、本実施形態のレンズ７１や発光素子５３は、コレット８３、８４からの圧力により傷つきやすい。さらに、本実施形態の基板５１はＧａＡｓ基板であるため、このこともレンズ７１が傷つきやすい原因となる。本実施形態によれば、傷つきやすい構造物であるレンズ７１や発光素子５３が傷つくことを抑制することが可能となる。
　図２３のＡを参照して説明したように、アノード電極５４およびカソード電極５５は、凸部５６の形成前に形成してもよいし、凸部５６の形成後に形成してもよい。凸部５６の形成後にアノード電極５４およびカソード電極５５を形成する場合、アノード電極５４およびカソード電極５５用の電極材料は、図２３のＤにおいて、発光素子５３の下面には形成されているが、凸部形成膜５７の下面には形成されていない。この場合、コレット８４が各発光素子５３に大きな圧力を加えることを抑制するため、発光素子５３下の電極材料の最下部の高さは、凸部５６の最下部の高さ以上とすることが望ましい。一方、電極材料が発光素子５３の下面にも凸部形成膜５７の下面にも形成される場合には、発光素子５３の最下部の高さが、凸部形成膜５７の最下部の高さ以上であれば、発光素子５３下の電極材料の最下部の高さは、凸部形成膜５７下の電極材料の最下部の高さ以上となる。
　図２４および図２５は、第１１実施形態の変形例の発光装置１の構造を示す断面図である。
　図２４のＡに示す変形例では、凸部形成膜７５、５７の各々が、光を吸収する機能を有する光吸収膜となっている。このような光吸収膜の例は、有機膜である。図２４のＡは、発光素子５３から出射された光が、凸部形成膜７５や凸部形成膜５７で吸収される様子を示している。これにより、発光素子５３からの迷光が凸部７２や凸部５６で反射することを抑制することが可能となる。なお、発光素子５３が可視光を出射する場合には、可視光を吸収可能な光吸収膜を用いることが望ましく、発光素子５３が赤外光を出射する場合には、赤外光を吸収可能な光吸収膜を用いることが望ましい。
　図２４のＢに示す変形例では、凸部７２がダミーレンズとなっており、凸部５６がダミー発光素子となっている。本変形例のダミー発光素子は、発光素子５３と同様の構造を有しているが、発光素子５３として使用されない凸部５６である。よって、ダミー発光素子は、例えばアノード電極５４やスイッチＳＷと電気的に接続されていなくてもよい（図３を参照）。また、本変形例のダミーレンズは、レンズ７１と同様の構造を有しているが、レンズ７１として使用されない凸部７２である。よって、本変形例のダミーレンズは、ダミー発光素子と対応する位置、すなわち、ダミー発光素子のＺ方向に配置されている。本変形例によれば、凸部７２をダミーレンズとすることで、凸部７２をレンズ７１と同時に簡単に形成することが可能となる。また、本変形例によれば、凸部５６がダミー発光素子とすることで、凸部５６を発光素子５３と同時に簡単に形成することが可能となる。
　図２４のＡに示す変形例では、凸部形成膜７５が、弾性を有する膜（例えば有機膜）となっている。よって、凸部７２にコレット８３が接触すると、凸部７２が変形して緩衝材として機能する。これにより、コレット８３から基板５１への圧力を分散することが可能となり、基板５１を基板６１上に安定して搭載することが可能となる。
　図２４のＢに示す変形例では、凸部形成膜５７が、弾性を有する膜（例えば有機膜）となっている。よって、凸部５６にコレット８４が接触すると、凸部５６が変形して緩衝材として機能する。これにより、コレット８４から基板５１への圧力を分散することが可能となり、基板５１を基板６１上に安定して搭載することが可能となる。
　なお、凸部形成膜７５は、剛性を有する膜（例えば無機膜）でもよい。これにより、凸部７２にコレット８３が接触した際に、コレット８３からの圧力により基板５１が反ることを抑制することが可能となる。これは、凸部形成膜５７についても同様である。
　また、凸部形成膜７５は、遮水性を有する膜でもよい。これにより、レンズ領域８１ａ内に水が浸入して、レンズ７１や発光素子５３が水に触れることを抑制することが可能となる。これは、凸部形成膜５７についても同様である。
　以上のように、本実施形態の発光装置１では、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｚ１）の最上部の高さが、凸部７２内の凸部形成膜７５（第２部分Ｚ２）の最上部の高さ以下となっている。よって、本実施形態によれば、基板５１にレンズ７１を好適な態様で設けることが可能となる。例えば、基板５１を吸着して基板６１上に搭載する際に、基板５１を第２部分Ｘ２での吸着により保持することで、レンズ７１に圧力が加わってレンズ７１が傷つくことを抑制することや、基板５１がレンズ７１のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　さらに、本実施形態の発光装置１では、各発光素子５３の最下部の高さが、凸部５６の最下部の高さ以上となっている。よって、本実施形態によれば、基板５１に発光素子５３を好適な態様で設けることが可能となる。例えば、基板５１を吸着して基板６１上に搭載する際に、基板５１を凸部５６での吸着により保持することで、発光素子５３に圧力が加わって発光素子５３が傷つくことを抑制することや、基板５１が発光素子５３のせいで吸着しにくくなることを抑制することが可能となる。
　（第１２～第１５実施形態）
　図２６は、第１２実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図である。図２６のＡは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部７２を示している。図２６のＢは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部５６を示している。
　本実施形態の各凸部７２は、Ｘ方向に延びる１本のスクライブライン８２ａ内やその付近に配置されている（図２６のＡ）。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の１つの辺に沿って線状に延びる凸部７２と、基板５１の裏面Ｓ２の別の１つの辺に沿って線状に延びる凸部７２とを含むことになる。
　また、本実施形態の各凸部５６も、Ｘ方向に延びる１本のスクライブライン８２ａ内やその付近に配置されている（図２６のＢ）。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の表面Ｓ１の１つの辺に沿って線状に延びる凸部５６と、基板５１の表面Ｓ１の別の１つの辺に沿って線状に延びる凸部５６とを含むことになる。
　このように、本実施形態の基板５１は、基板５１の表面Ｓ１に複数の凸部５６を備え、基板５１の裏面Ｓ２に複数の凸部７２を備えている。本実施形態の凸部５６と凸部７２は、平面視において同じ形状を有し、平面視において同じ位置に配置されている。よって、本実施形態の凸部５６と凸部７２は、Ｚ方向に互いに重なるように配置されている。
　図２７は、第１３実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図である。図２７のＡは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部７２を示している。図２７のＢは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部５６を示している。
　本実施形態の各凸部７２は、Ｘ方向に延びる１本のスクライブライン８２ａ内やその付近に配置されている（図２７のＡ）。一方、本実施形態の各凸部５６は、Ｙ方向に延びる１本のスクライブライン８２ａ内やその付近に配置されている（図２７のＢ）。本実施形態の凸部５６と凸部７２は、平面視において異なる形状を有している。
　図２８は、第１４実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図である。図２８のＡは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部７２を示している。図２８のＢは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部５６を示している。
　本実施形態の各凸部７２は、スクライブライン８２ａとスクライブライン８２ｂとの各交点の付近に配置されている（図２８のＡ）。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の４つの角に設けられた４つの凸部７２を含むこととなる。
　一方、本実施形態の各凸部５６は、スクライブライン８２ａまたはスクライブライン８２ｂの付近に配置されている（図２８のＢ）。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の表面Ｓ１の４つの辺に設けられた４つの凸部５６を含むこととなる。
　本実施形態の凸部５６と凸部７２は、平面視において同じ形状を有しているが、平面視において異なる位置に配置されている。なお、凸部５６は、図２８のＡに示す凸部７２と同じレイアウトで配置されていてもよい。一方、凸部７２は、図２８のＢに示す凸部５６と同じレイアウトで配置されていてもよい。
　図２９は、第１５実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図である。図２９のＡは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部７２を示している。図２９のＢは、ダイシング前の基板５１に設けられた複数の凸部５６を示している。
　本実施形態の各凸部７２は、第１４実施形態の各凸部７２と同様に、スクライブライン８２ａとスクライブライン８２ｂとの各交点の付近に配置されている（図２９のＡ）。ただし、第１４実施形態の各凸部７２が、四角形の平面形状を有しているのに対し、本実施形態の各凸部７２は、円形の平面形状を有している。
　一方、本実施形態の各凸部５６は、第１４実施形態の各凸部５６と同様に、スクライブライン８２ａまたはスクライブライン８２ｂの付近に配置されている（図２９のＢ）。ただし、第１４実施形態の各凸部５６が、四角形の平面形状を有しているのに対し、本実施形態の各凸部５６は、円形の平面形状を有している。
　本実施形態の凸部５６と凸部７２は、平面視において同じ形状を有しているが、平面視において異なる位置に配置されている。なお、凸部５６は、図２９のＡに示す凸部７２と同じレイアウトで配置されていてもよい。一方、凸部７２は、図２９のＢに示す凸部５６と同じレイアウトで配置されていてもよい。
　（第１６実施形態）
　第１６実施形態の発光装置１は、第１１～第１５実施形態の変形例の発光装置１に相当している。以下、図３０および図３１を参照して、第１６実施形態の発光装置１の種々の例を説明する。
　図３０および図３１は、第１６実施形態の発光装置１の構造を示す断面図である。
　図３０のＡの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１がＮ：１で対応している（Ｎは２以上の整数）。よって、Ｎ個の発光素子５３から出射された光が、１個のレンズ７１に入射する。図３０のＡの基板５１では、ダミー発光素子（凸部５６）とダミーレンズ（凸部７２）もＮ：１で対応している。これにより例えば、ダミー発光素子を発光素子５３と同時に形成することや、ダミーレンズをレンズ７１と同時に形成することが容易になる。
　図３０のＢの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：Ｎで対応している。よって、１個の発光素子５３から出射された光が、Ｎ個のレンズ７１に入射する。図３０のＢの基板５１では、ダミー発光素子（凸部５６）とダミーレンズ（凸部７２）も１：Ｎで対応している。これにより例えば、ダミー発光素子を発光素子５３と同時に形成することや、ダミーレンズをレンズ７１と同時に形成することが容易になる。
　図３１のＡの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１がＮ：１で対応し、かつ多くのダミー発光素子（凸部５６）とダミーレンズ（凸部７２）が１：１で対応している。ただし、一部のダミー発光素子は、ダミーレンズと対応していない。このように、本実施形態の発光装置１は、ダミーレンズと対応していないダミー発光素子を備えていてもよい。
　図３１のＢの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１がＮ：１で対応し、かつ多くのダミー発光素子（凸部５６）とダミーレンズ（凸部７２）が１：１で対応している。ただし、一部のダミーレンズは、ダミー発光素子と対応していない。このように、本実施形態の発光装置１は、ダミー発光素子と対応していないダミーレンズを備えていてもよい。
　（第１７実施形態）
　第１７実施形態の発光装置１の製造方法は、第１または第２の例と、第３または第４の例とを組み合わせることで実施可能である。第１の例は、ダミー発光素子を含む凸部５６を形成する。第２の例は、凸部形成膜５７を含む凸部５６を形成する。第３の例は、ダミーレンズを含む凸部７２を形成する。第４の例は、凸部形成膜７５を含む凸部７２を形成する。
　図３２は、第１７実施形態の発光装置１の製造方法の第１の例を示す断面図である。
　まず、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態にて、基板５１上に積層膜５２を形成する（図３２のＡ）。次に、積層膜５２上にレジスト膜５８を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングによりレジスト膜５８をパターニングする（図３２のＡ）。
　次に、レジスト膜５８をマスクとして用いて、積層膜５２をエッチングする（図３２のＢ）。その結果、積層膜５２の一部が、発光素子５３やダミー発光素子（凸部５６）に加工される。第１の例によれば、発光素子５３と凸部５６とを同じ工程で形成することが可能となる。
　図３３は、第１７実施形態の発光装置１の製造方法の第２の例を示す断面図である。
　まず、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態にて、基板５１上に積層膜５２を形成する（図３２のＡ）。次に、積層膜５２上にレジスト膜５８を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、レジスト膜５８をパターニングする（図３３のＡ）。
　次に、レジスト膜５８をマスクとして用いて、積層膜５２をエッチングする（図３３のＢ）。その結果、積層膜５２の一部が、発光素子５３に加工される。
　次に、基板５１上に積層膜５２を介して凸部形成膜５７を形成し、凸部形成膜５７をエッチングする（図３３のＣ）。その結果、凸部形成膜５７から凸部５６が形成される。第２の例によれば、発光素子５３と凸部５６とを異なる工程で形成することが可能となる。
　図３４は、第１７実施形態の発光装置１の製造方法の第３の例を示す断面図である。
　まず、基板５１の裏面Ｓ２を上向きにした状態にて、基板５１上にレジスト膜７６を形成する（図３４のＡ）。次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、レジスト膜７６をパターニングする（図３４のＡ）。この場合のレジスト膜７６は、凸レンズと似た形状にパターニングされる。
　次に、レジスト膜７６をマスクとして用いて、基板５１をエッチングする（図３４のＢ）。その結果、基板５１の一部が、レンズ７１やダミーレンズ（凸部７２）に加工される。第３の例によれば、レンズ７１と凸部７２とを同じ工程で形成することが可能となる。
　次に、基板５１上に反射防止膜７３を形成する（図３４のＣ）。その結果、レンズ７１および凸部７２が反射防止膜７３で覆われ、上述の第１部分Ｘ１および第２部分Ｘ２が形成される（図４のＡを参照）。
　図３５は、第１７実施形態の発光装置１の製造方法の第４の例を示す断面図である。
　まず、基板５１の裏面Ｓ２を上向きにした状態にて、基板５１上にレジスト膜７６を形成する（図３５のＡ）。次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、レジスト膜７６をパターニングする（図３５のＡ）。この場合のレジスト膜７６は、凸レンズと似た形状にパターニングされる。
　次に、レジスト膜７６をマスクとして用いて、基板５１をエッチングする（図３５のＢ）。その結果、基板５１の一部が、レンズ７１に加工される。
　次に、基板５１上に反射防止膜７３を形成する（図３５のＣ）。その結果、レンズ７１が反射防止膜７３で覆われる。次に、基板５１上に反射防止膜７３を介して凸部形成膜７５を形成し、凸部形成膜７５をエッチングする（図３５のＣ）。その結果、凸部形成膜７５から凸部７２が形成され、上述の第１部分Ｚ１および第２部分Ｚ２が形成される（図２１のＡを参照）。第４の例によれば、レンズ５３と凸部７２とを異なる工程で形成することが可能となる。
　図３４のＣまたは図３５のＣに示す工程を経た後の基板５１は、例えば図２３のＤに示す工程により基板６１上に搭載される。このようにして、本実施形態の発光装置１が製造される。
　本実施形態によれば、第１１～第１６実施形態で説明した種々の発光装置１を製造することが可能となる。例えば、ダミー発光素子を備える発光装置１は、第１の例を用いることで製造可能である。また、ダミーレンズを備える発光装置１は、第３の例を用いることで製造可能である。
　なお、第１～第１７実施形態の発光装置１は、測距装置の光源として使用されているが、その他の態様で使用されてもよい。例えば、これらの実施形態の発光装置１は、プリンタなどの光学機器の光源として使用されてもよいし、照明装置として使用されてもよい。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変更を加えて実施してもよい。例えば、２つ以上の実施形態を組み合わせて実施してもよい。
　なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
　（１）
　第１基板と、
　前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
　前記第１基板の上面に設けられたレンズと、
　前記第１基板の上面に設けられた第１凸部と、
　前記第１基板の上面に設けられた第１膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記第１凸部上に配置されているかまたは前記第１凸部を形成している第２部分と、を含む第１膜とを備え、
　前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さ以下である、
　発光装置。
　（２）
　前記レンズは、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレンズ、バイナリレンズ、またはフラットレンズである、（１）に記載の発光装置。
　（３）
　前記第１基板の下面には、１つ以上の前記発光素子が設けられており、
　前記第１基板の上面には、１つ以上の前記レンズが設けられており、
　前記発光素子と前記レンズは、１：１で、Ｎ：１で、または１：Ｎで対応している（Ｎは２以上の整数）、（１）に記載の発光装置。
　（４）
　前記第１凸部は、前記レンズを環状に包囲する形状を有する、（１）に記載の発光装置。
　（５）
　前記第１凸部として、前記第１基板の上面の複数の角または辺に設けられた複数の第１凸部を備える、（１）に記載の発光装置。
　（６）
　前記第１凸部は、前記第１基板の上面の１つの辺に沿って延びる線状の形状を有する、（１）に記載の発光装置。
　（７）
　前記第１凸部は、前記第１基板の上面の２つの辺の沿って延びるＬ字型の形状を有する、（１）に記載の発光装置。
　（８）
　前記第１凸部は、ダミーレンズを含む、（１）に記載の発光装置。
　（９）
　前記第１膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜を含む、（１）に記載の発光装置。
　（１０）
　前記第１膜はさらに、光吸収膜、無機膜、または有機膜を含む、（９）に記載の発光装置。
　（１１）
　前記光吸収膜、前記無機膜、または前記有機膜は、前記反射防止膜上に設けられている、（１０）に記載の発光装置。
　（１２）
　前記第１基板の下面に設けられた第２凸部をさらに備え、
　前記発光素子の最下部の高さは、前記第２凸部の最下部の高さ以上である、
　（１）に記載の発光装置。
　（１３）
　前記第２凸部は、前記発光素子を環状に包囲する形状を有する、（１２）に記載の発光装置。
　（１４）
　前記第２凸部として、前記第１基板の下面の複数の角または辺に設けられた複数の第２凸部を備える、（１２）に記載の発光装置。
　（１５）
　前記第２凸部は、前記第１基板の下面の１つの辺に沿って延びる線状の形状を有する、（１２）に記載の発光装置。
　（１６）
　前記第２凸部は、ダミー発光素子を含む、（１２）に記載の発光装置。
　（１７）
　前記第１基板の下面に設けられ、前記第２凸部を形成している第２膜をさらに備える、（１２）に記載の発光装置。
　（１８）
　前記第２膜は、光吸収膜、無機膜、または有機膜を含む、（１７）に記載の発光装置。
　（１９）
　前記第１基板は、ガリウム（Ｇａ）およびヒ素（Ａｓ）を含む半導体基板である、（１）に記載の発光装置。
　（２０）
　前記発光素子から出射された光は、前記第１基板の下面から上面へと前記第１基板内を透過し、前記レンズに入射する、（１）に記載の発光装置。
　（２１）
　前記発光素子を介して前記第１基板が搭載された第２基板をさらに備える、（１）に記載の発光装置。
　（２２）
　前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）を含む半導体基板である、（２１）に記載の発光装置。
　（２３）
　第１基板と、
　前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
　前記第１基板の上面に設けられたレンズと、
　前記第１基板の上面に設けられた第１凸部とを備え、
　前記レンズの最上部の高さは、前記第１凸部の最上部の高さ以下である、
　発光装置。
　（２４）
　第１基板の下面に発光素子を形成し、
　前記第１基板の上面にレンズを形成し、
　前記第１基板の上面に第１凸部を形成し、
　前記第１基板の上面に、第１部分と第２部分とを含む第１膜を形成する、
　ことを含み、
　前記第１膜は、前記第１部分が前記レンズ上に配置されるかまたは前記レンズを形成し、前記第２部分が前記第１凸部上に配置されるかまたは前記第１凸部を形成するように形成され、
　前記第１膜は、前記第１部分の最上部の高さが、前記第２部分の最上部の高さ以下となるように形成される、
　発光装置の製造方法。
　（２５）
　前記レンズ、前記第１凸部、および前記第１膜の形成後に、前記第１基板を複数にチップにダイシングすることをさらに含む、（２４）に記載の発光装置の製造方法。
　（２６）
　前記第１凸部の一部は、前記第１基板のダイシング領域内に形成される、（２５）に記載の発光装置の製造方法。
　（２７）
　前記第１凸部の少なくとも一部は、前記第１基板のダイシング領域以外の領域内に形成される、（２５）に記載の発光装置の製造方法。
　（２８）
　前記第１基板のダイシング後に前記第１膜に第１基板保持装置を接触させて、前記第１基板を前記第１基板保持装置により保持し、
　前記第１基板保持装置により保持されている前記第１基板を前記発光素子を介して第２基板上に搭載する、
　ことをさらに含む、（２５）に記載の発光装置の製造方法。
　（２９）
　前記第１基板保持装置は、前記第２部分に接触し前記第１部分に接触しないように前記第１基板を保持する、（２８）に記載の発光装置の製造方法。
　（３０）
　前記第１基板の下面に第２凸部を形成することをさらに含み、
　前記発光素子および前記第２凸部は、前記発光素子の最下部の高さが、前記第２凸部の最下部の高さ以上となるように形成される、
　（２４）に記載の発光装置の製造方法。
　（３１）
　前記第２凸部は、前記第１基板の下面に形成された第２膜を含むように形成される、（３０）に記載の発光装置の製造方法。
　（３２）
　前記発光素子、前記レンズ、前記第１凸部、前記第１膜、および前記第２凸部の形成後に、前記第１基板を複数にチップにダイシングすることをさらに含む、（３０）に記載の発光装置の製造方法。
　（３３）
　前記第１基板のダイシング後に前記第２凸部に第２基板保持装置を接触させて、前記第１基板を前記第２基板保持装置により保持し、
　前記第２基板保持装置により保持されている前記第１基板を前記発光素子を介して第２基板上に搭載する、
　ことをさらに含む、（３２）に記載の発光装置の製造方法。
　（３４）
　前記第２基板保持装置は、前記第２凸部に接触し前記発光素子に接触しないように前記第１基板を保持する、（３３）に記載の発光装置の製造方法。
　（３５）
　第１基板の下面に発光素子を形成し、
　前記第１基板の上面にレンズを形成し、
　前記第１基板の上面に第１凸部を形成する、
　ことを含み、
　前記レンズおよび前記第１凸部は、前記レンズの最上部の高さが、前記第１凸部の最上部の高さ以下となるように形成される、
　発光装置の製造方法。
　１：発光装置、２：撮像装置、３：制御装置、
　１１：発光部、１２：駆動回路、１３：電源回路、１４：発光側光学系、
　２１：イメージセンサ、２２：画像処理部、２３：撮像側光学系、３１：測距部、
　４１：ＬＤチップ、４２：ＬＤＤ基板、４３：実装基板、４４：放熱基板、
　４５：補正レンズ保持部、４６：補正レンズ、４７：配線、４８：バンプ、
　５１：基板、５２：積層膜、５３：発光素子、５４：アノード電極、
　５５：カソード電極、５６：凸部、５７：凸部形成膜、５８：レジスト膜、
　６１：基板、６２：接続パッド、
　７１：レンズ、７２：凸部、７３：反射防止膜、
　７４：半導体膜、７５：凸部形成膜、７６：レジスト膜、
　８１：チップ領域、８１ａ：レンズ領域、８１ｂ：周辺領域、
　８２：スクライブ領域、８２ａ：スクライブライン、８２ｂ：スクライブライン、
　８３：コレット、８４：コレット

Claims (35)

  1. 　第１基板と、
    　前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
    　前記第１基板の上面に設けられたレンズと、
    　前記第１基板の上面に設けられた第１凸部と、
    　前記第１基板の上面に設けられた第１膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記第１凸部上に配置されているかまたは前記第１凸部を形成している第２部分と、を含む第１膜とを備え、
    　前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さ以下である、
    　発光装置。
  2. 　前記レンズは、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレンズ、バイナリレンズ、またはフラットレンズである、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１基板の下面には、１つ以上の前記発光素子が設けられており、
    　前記第１基板の上面には、１つ以上の前記レンズが設けられており、
    　前記発光素子と前記レンズは、１：１で、Ｎ：１で、または１：Ｎで対応している（Ｎは２以上の整数）、請求項１に記載の発光装置。
  4. 　前記第１凸部は、前記レンズを環状に包囲する形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
  5. 　前記第１凸部として、前記第１基板の上面の複数の角または辺に設けられた複数の第１凸部を備える、請求項１に記載の発光装置。
  6. 　前記第１凸部は、前記第１基板の上面の１つの辺に沿って延びる線状の形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
  7. 　前記第１凸部は、前記第１基板の上面の２つの辺の沿って延びるＬ字型の形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
  8. 　前記第１凸部は、ダミーレンズを含む、請求項１に記載の発光装置。
  9. 　前記第１膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜を含む、請求項１に記載の発光装置。
  10. 　前記第１膜はさらに、光吸収膜、無機膜、または有機膜を含む、請求項９に記載の発光装置。
  11. 　前記光吸収膜、前記無機膜、または前記有機膜は、前記反射防止膜上に設けられている、請求項１０に記載の発光装置。
  12. 　前記第１基板の下面に設けられた第２凸部をさらに備え、
    　前記発光素子の最下部の高さは、前記第２凸部の最下部の高さ以上である、
    　請求項１に記載の発光装置。
  13. 　前記第２凸部は、前記発光素子を環状に包囲する形状を有する、請求項１２に記載の発光装置。
  14. 　前記第２凸部として、前記第１基板の下面の複数の角または辺に設けられた複数の第２凸部を備える、請求項１２に記載の発光装置。
  15. 　前記第２凸部は、前記第１基板の下面の１つの辺に沿って延びる線状の形状を有する、請求項１２に記載の発光装置。
  16. 　前記第２凸部は、ダミー発光素子を含む、請求項１２に記載の発光装置。
  17. 　前記第１基板の下面に設けられ、前記第２凸部を形成している第２膜をさらに備える、請求項１２に記載の発光装置。
  18. 　前記第２膜は、光吸収膜、無機膜、または有機膜を含む、請求項１７に記載の発光装置。
  19. 　前記第１基板は、ガリウム（Ｇａ）およびヒ素（Ａｓ）を含む半導体基板である、請求項１に記載の発光装置。
  20. 　前記発光素子から出射された光は、前記第１基板の下面から上面へと前記第１基板内を透過し、前記レンズに入射する、請求項１に記載の発光装置。
  21. 　前記発光素子を介して前記第１基板が搭載された第２基板をさらに備える、請求項１に記載の発光装置。
  22. 　前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）を含む半導体基板である、請求項２１に記載の発光装置。
  23. 　第１基板と、
    　前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
    　前記第１基板の上面に設けられたレンズと、
    　前記第１基板の上面に設けられた第１凸部とを備え、
    　前記レンズの最上部の高さは、前記第１凸部の最上部の高さ以下である、
    　発光装置。
  24. 　第１基板の下面に発光素子を形成し、
    　前記第１基板の上面にレンズを形成し、
    　前記第１基板の上面に第１凸部を形成し、
    　前記第１基板の上面に、第１部分と第２部分とを含む第１膜を形成する、
    　ことを含み、
    　前記第１膜は、前記第１部分が前記レンズ上に配置されるかまたは前記レンズを形成し、前記第２部分が前記第１凸部上に配置されるかまたは前記第１凸部を形成するように形成され、
    　前記第１膜は、前記第１部分の最上部の高さが、前記第２部分の最上部の高さ以下となるように形成される、
    　発光装置の製造方法。
  25. 　前記レンズ、前記第１凸部、および前記第１膜の形成後に、前記第１基板を複数にチップにダイシングすることをさらに含む、請求項２４に記載の発光装置の製造方法。
  26. 　前記第１凸部の一部は、前記第１基板のダイシング領域内に形成される、請求項２５に記載の発光装置の製造方法。
  27. 　前記第１凸部の少なくとも一部は、前記第１基板のダイシング領域以外の領域内に形成される、請求項２５に記載の発光装置の製造方法。
  28. 　前記第１基板のダイシング後に前記第１膜に第１基板保持装置を接触させて、前記第１基板を前記第１基板保持装置により保持し、
    　前記第１基板保持装置により保持されている前記第１基板を前記発光素子を介して第２基板上に搭載する、
    　ことをさらに含む、請求項２５に記載の発光装置の製造方法。
  29. 　前記第１基板保持装置は、前記第２部分に接触し前記第１部分に接触しないように前記第１基板を保持する、請求項２８に記載の発光装置の製造方法。
  30. 　前記第１基板の下面に第２凸部を形成することをさらに含み、
    　前記発光素子および前記第２凸部は、前記発光素子の最下部の高さが、前記第２凸部の最下部の高さ以上となるように形成される、
    　請求項２４に記載の発光装置の製造方法。
  31. 　前記第２凸部は、前記第１基板の下面に形成された第２膜を含むように形成される、請求項３０に記載の発光装置の製造方法。
  32. 　前記発光素子、前記レンズ、前記第１凸部、前記第１膜、および前記第２凸部の形成後に、前記第１基板を複数にチップにダイシングすることをさらに含む、請求項３０に記載の発光装置の製造方法。
  33. 　前記第１基板のダイシング後に前記第２凸部に第２基板保持装置を接触させて、前記第１基板を前記第２基板保持装置により保持し、
    　前記第２基板保持装置により保持されている前記第１基板を前記発光素子を介して第２基板上に搭載する、
    　ことをさらに含む、請求項３２に記載の発光装置の製造方法。
  34. 　前記第２基板保持装置は、前記第２凸部に接触し前記発光素子に接触しないように前記第１基板を保持する、請求項３３に記載の発光装置の製造方法。
  35. 　第１基板の下面に発光素子を形成し、
    　前記第１基板の上面にレンズを形成し、
    　前記第１基板の上面に第１凸部を形成する、
    　ことを含み、
    　前記レンズおよび前記第１凸部は、前記レンズの最上部の高さが、前記第１凸部の最上部の高さ以下となるように形成される、
    　発光装置の製造方法。
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