JP2019192889A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents
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Abstract
Description
第1半導体層と、
前記第1半導体層と導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発生させることが可能な発光層と、
を有し、
前記発光層は、前記第1半導体層および前記発光層の積層方向から見た平面視において、
第1部分と、
前記第1部分から第1方向に突出している第2部分と、
前記第1部分から第2方向に突出している第3部分と、
を有する。
前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と接触された第2電極と、
を有し、
前記積層方向から見た平面視において、前記第2電極は、前記発光層と重なり、
前記第2半導体層と前記第2電極との接触領域は、前記積層方向から見た平面視において、
前記第2部分と重なる第1領域と、
前記第3部分と重なる第2領域と、
を有し、
前記第1領域の前記第1方向と直交する方向の大きさ、および前記第2領域の前記第2方向と直交する方向の大きさは、1μm以上5μm以下であってもよい。
前記第1領域の前記第1方向と直交する方向の大きさ、および前記第2領域の前記第2方向と直交する方向の大きさは、1μm以上2μm以下であってもよい。
前記第1方向と前記第2方向とは、同じ方向であってもよい。
本発明に係るプロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様と、
前記発光装置から出射された光を投射する投射装置と、
を有する。
1.1. 発光装置
まず、第1実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。図2は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。また、図1および図2では、互い直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
した光に対して高い反射率を有する導電体ある。図示の例では、隣り合う発光素子20において、第2電極32は、連続しており、複数の発光素子20において、第2電極32は、1つの共通した電極である。
、より明るい光を出射することができる。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4は、第1実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
1.3.1. 第1変形例
次に、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図5は、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置110を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図5および後述する図6,7では、第2電極32および絶縁層40の図示を省略している。また、図5および後述する図6,7では、互い直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
次に、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図6は、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置120を模式的に示す平面図である。
次に、第1実施形態の第3変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図7は、第1実施形態の第3変形例に係る発光装置130を模式的に示す平面図である。
2.1. 発光装置
次に、第2実施形態に係る発光装置200について、図面を参照しながら説明する。図8は、第2実施形態に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。図9は、第2実施形態に係る発光装置200を模式的に示す平面図である。なお、図8は、図9のVIII−VIII線断面図である。また、図8および図9では、互い直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
用いる。第2電極32のTiと、第1貫通ビア80のTiと、を十分に平滑かつ清浄して加圧および加熱することにより、第2電極32と第1貫通ビア80とを金属接合させることができる。
次に、第2実施形態に係る発光装置200の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
3.1. プロジェクター
次に、第3実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図10は、第3実施形態に係るプロジェクター400を模式的に示す図である。
3.2.1. 第1変形例
次に、第3実施形態の第1変形例に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図11は、第3実施形態の第1変形例に係るプロジェクター410を模式的に示す断面図である。なお、便宜上、図11では、光源100R,100G,100Bを簡略化して図示している。また、図11では、スクリーン408の図示を省略している。
次に、第3実施形態の第2変形例に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図12は、第3実施形態の第2変形例に係るプロジェクター420を模式的に示す断面図である。なお、便宜上、図12では、スクリーン408の図示を省略している。
光、青色光を出射する。さらに、プロジェクター420は、フィリップスプリズム422を有している。
以下に実験例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実験例によって何ら限定されるものではない。
Claims (5)
- 第1半導体層と、
前記第1半導体層と導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発生させることが可能な発光層と、
を有し、
前記発光層は、前記第1半導体層および前記発光層の積層方向から見た平面視において、
第1部分と、
前記第1部分から第1方向に突出している第2部分と、
前記第1部分から第2方向に突出している第3部分と、
を有する、発光装置。 - 請求項1において、
前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と接触された第2電極と、
を有し、
前記積層方向から見た平面視において、前記第2電極は、前記発光層と重なり、
前記第2半導体層と前記第2電極との接触領域は、前記積層方向から見た平面視において、
前記第2部分と重なる第1領域と、
前記第3部分と重なる第2領域と、
を有し、
前記第1領域の前記第1方向と直交する方向の大きさ、および前記第2領域の前記第2方向と直交する方向の大きさは、1μm以上5μm以下である、発光装置。 - 請求項2において、
前記第1領域の前記第1方向と直交する方向の大きさ、および前記第2領域の前記第2方向と直交する方向の大きさは、1μm以上2μm以下である、発光装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1方向と前記第2方向とは、同じ方向である、発光装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を投射する投射装置と、
を有する、プロジェクター。
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