JPH11126892A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH11126892A JPH11126892A JP9293026A JP29302697A JPH11126892A JP H11126892 A JPH11126892 A JP H11126892A JP 9293026 A JP9293026 A JP 9293026A JP 29302697 A JP29302697 A JP 29302697A JP H11126892 A JPH11126892 A JP H11126892A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体撮像素子の外周に沿って、高分子材料の
外周層を形成することにより、ウェハ切断時の基板の欠
け、コレットによる素子保持時の基板の破片による画質
欠陥を防止し、製造時間短縮ができる固体撮像装置及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子表面に外周に沿って高分子
材料の外周層１３が形成されている。このことにより、
ウェハ切断時の基板の欠けを防止でき、コレット１０の
素子保持の際に、エッジ部１３ａの欠けによる破片１３
ｂが、オンチップ材料層やフォトダイオードに付着して
も、後の洗浄工程で完全に除去することが可能であり、
画質欠陥を防止することができる。また、撮像領域以外
のオンチップ材料層の除去の際に、同一マスクにて、ス
クライブライン上の部分を外周層１３用に残すことによ
り、除去時間を短縮でき、製造時間が短縮される。
外周層を形成することにより、ウェハ切断時の基板の欠
け、コレットによる素子保持時の基板の破片による画質
欠陥を防止し、製造時間短縮ができる固体撮像装置及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子表面に外周に沿って高分子
材料の外周層１３が形成されている。このことにより、
ウェハ切断時の基板の欠けを防止でき、コレット１０の
素子保持の際に、エッジ部１３ａの欠けによる破片１３
ｂが、オンチップ材料層やフォトダイオードに付着して
も、後の洗浄工程で完全に除去することが可能であり、
画質欠陥を防止することができる。また、撮像領域以外
のオンチップ材料層の除去の際に、同一マスクにて、ス
クライブライン上の部分を外周層１３用に残すことによ
り、除去時間を短縮でき、製造時間が短縮される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオカメラ等に
用いる固体撮像装置の素子構造および製造方法に関す
る。
用いる固体撮像装置の素子構造および製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のカラー固体撮像素子の製造方法の
一例について、図面を用いて説明する。図５（ａ）〜
（ｃ）は、マイクロレンズを形成した後の工程の一例を
示している。図５（ａ）は、マイクロレンズ形成後の状
態を示している。
一例について、図面を用いて説明する。図５（ａ）〜
（ｃ）は、マイクロレンズを形成した後の工程の一例を
示している。図５（ａ）は、マイクロレンズ形成後の状
態を示している。
【０００３】シリコン基板１上には、オンチップフィル
タ層２、フォトダイオード３を介してマイクロレンズ形
成層４が形成されている。オンチップフィルタ層とマイ
クロレンズ形成層とをオンチップ材料層と呼ぶことにす
る。また、アルミ配線５、パッド６とシリコン基板１と
の間にはＬＯＣＯＳ（厚膜酸化膜）７が形成されてい
る。オンチップフィルタ層２は、図示は省略しているが
平坦化層、カラーフィルター形成層、中間膜形成層から
なる。
タ層２、フォトダイオード３を介してマイクロレンズ形
成層４が形成されている。オンチップフィルタ層とマイ
クロレンズ形成層とをオンチップ材料層と呼ぶことにす
る。また、アルミ配線５、パッド６とシリコン基板１と
の間にはＬＯＣＯＳ（厚膜酸化膜）７が形成されてい
る。オンチップフィルタ層２は、図示は省略しているが
平坦化層、カラーフィルター形成層、中間膜形成層から
なる。
【０００４】図５（ｂ）は、マスク８によって、オンチ
ップフィルタ層２の不要部分を除去した状態を示してい
る。本図はウェハ完成の状態を示しており、本図の状態
を上から見た図を図６に示している。図６の点線はスク
ライブライン９を示している。図５（ｃ）はダイシング
後を示しており、スクライブライン９でウェハは１つず
つの素子に切り離される。
ップフィルタ層２の不要部分を除去した状態を示してい
る。本図はウェハ完成の状態を示しており、本図の状態
を上から見た図を図６に示している。図６の点線はスク
ライブライン９を示している。図５（ｃ）はダイシング
後を示しており、スクライブライン９でウェハは１つず
つの素子に切り離される。
【０００５】図７に示した製造工程は、図５の場合とは
異なり、オンチップフィルタ層、マイクロレンズを形成
しない白黒用の固体撮像装置の製造工程を示している。
図７（ａ）〜（ｃ）は、図５（ａ）〜（ｃ）と同様にダ
イシング前後の工程を示しており、ダイシング自体は、
図５に示したものと同様である。
異なり、オンチップフィルタ層、マイクロレンズを形成
しない白黒用の固体撮像装置の製造工程を示している。
図７（ａ）〜（ｃ）は、図５（ａ）〜（ｃ）と同様にダ
イシング前後の工程を示しており、ダイシング自体は、
図５に示したものと同様である。
【０００６】図５（ｃ）、図７（ｃ）に示したダイシン
グ後は、ダイボンディング工程にて、各素子はパッケー
ジ（図示せず）上に固定される。各素子のパッケージ上
までの搬送には、コレットを用いる。図８に素子がコレ
ット１０によって保持されている状態を示している。図
８（ａ）は、図５に示した製造工程を経たカラー固体撮
像素子の場合を示しており、図８（ｂ）は、図７に示し
た製造工程を経た白黒用の固体撮像素子の場合を示して
いる。また、図８（ａ）、（ｂ）では、マイクロレンズ
４、配線８等の図示は省略している。
グ後は、ダイボンディング工程にて、各素子はパッケー
ジ（図示せず）上に固定される。各素子のパッケージ上
までの搬送には、コレットを用いる。図８に素子がコレ
ット１０によって保持されている状態を示している。図
８（ａ）は、図５に示した製造工程を経たカラー固体撮
像素子の場合を示しており、図８（ｂ）は、図７に示し
た製造工程を経た白黒用の固体撮像素子の場合を示して
いる。また、図８（ａ）、（ｂ）では、マイクロレンズ
４、配線８等の図示は省略している。
【０００７】コレット１０の傾斜部１０ａは、シリコン
基板１のエッジ部１ａに当接している。素子の上側に
は、素子とコレット１０とで囲まれた密閉空間１１が形
成されている。密閉空間１１は、コレット１０の真空引
き孔１０ｂを用いて矢印ａ方向に真空引きがされてい
る。この真空引きによって、素子はコレット１０に吸着
され、この吸着状態で素子は搬送され、パッケージ上に
搭載される。
基板１のエッジ部１ａに当接している。素子の上側に
は、素子とコレット１０とで囲まれた密閉空間１１が形
成されている。密閉空間１１は、コレット１０の真空引
き孔１０ｂを用いて矢印ａ方向に真空引きがされてい
る。この真空引きによって、素子はコレット１０に吸着
され、この吸着状態で素子は搬送され、パッケージ上に
搭載される。
【０００８】なお、コレット１０の材料には、高硬度の
金属材料が用いられる。これは、パッケージ上に固体撮
像素子を搭載した固体撮像装置では、素子の撮像中心と
カメラ等の光学系の光軸とを一致させる必要があり、パ
ッケージ上の固体撮像素子の位置には極めて高い精度が
要求されるからである。したがって、例えばゴム等の軟
質材料では、その弾性により高精度の位置決めは困難で
ある。
金属材料が用いられる。これは、パッケージ上に固体撮
像素子を搭載した固体撮像装置では、素子の撮像中心と
カメラ等の光学系の光軸とを一致させる必要があり、パ
ッケージ上の固体撮像素子の位置には極めて高い精度が
要求されるからである。したがって、例えばゴム等の軟
質材料では、その弾性により高精度の位置決めは困難で
ある。
【０００９】ダイボンディング工程で素子が、パッケー
ジ上に搭載された後は、ワイヤーボンディング工程等の
組み立て工程、及び各種検査工程を経て、固体撮像装置
として完成する。
ジ上に搭載された後は、ワイヤーボンディング工程等の
組み立て工程、及び各種検査工程を経て、固体撮像装置
として完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来の固体撮像装置及びその製造方法では、以下
のような問題があった。 （１）ダイシングソーによるスクライブライン上のウェ
ハ切断の際には、ダイシングソーの刃がシリコン基板に
当たりながらウェハ切断を行うため、シリコン基板のエ
ッジ部のが欠けが生じる場合があった。この欠けが大き
く配線５（図８）にまで広がったものは、固体撮像素子
の信頼性が大きく低下する場合があり、歩留まりが悪く
なっていた。 （２）また、シリコン基板の欠けはコレットによっても
発生していた。すなわちコレットの材料は、高硬度の金
属材料であるため、コレットの傾斜部が、素子のシリコ
ン基板のエッジ部に当接した際に、この当接部において
シリコン基板の欠けが生じる場合がある。このシリコン
基板の欠けにより発生したシリコン片１ｂ（図８）は、
カラー固体撮像素子の場合（図８（ａ））は装置及真空
引きの吸引作用により、飛散しその一部は、矢印ｂ方向
（図８）に移動し、マイクロレンズに付着する。また白
黒用の固体撮像素子の場合（図８（ｂ））は、シリコン
片１ｂはシリコン基板１上のフォトダイオード（図８で
は図示せず）に付着する。これら付着したシリコン片１
ｂは、後の洗浄工程で完全に除去できない場合があっ
た。この場合は検査工程で画質欠陥（黒キズ）として表
われ、歩留まりが悪くなっていた。 （３）オンチップ材料層の形成は、いったん、撮像領域
を含む部分に連続的にオンチップ材料層を形成し、その
後マスクにより配線部等の不要部分を除去することによ
り行う。この除去領域は、撮像領域部以外のすべてであ
り、この除去には相当時間を要していた。
ような従来の固体撮像装置及びその製造方法では、以下
のような問題があった。 （１）ダイシングソーによるスクライブライン上のウェ
ハ切断の際には、ダイシングソーの刃がシリコン基板に
当たりながらウェハ切断を行うため、シリコン基板のエ
ッジ部のが欠けが生じる場合があった。この欠けが大き
く配線５（図８）にまで広がったものは、固体撮像素子
の信頼性が大きく低下する場合があり、歩留まりが悪く
なっていた。 （２）また、シリコン基板の欠けはコレットによっても
発生していた。すなわちコレットの材料は、高硬度の金
属材料であるため、コレットの傾斜部が、素子のシリコ
ン基板のエッジ部に当接した際に、この当接部において
シリコン基板の欠けが生じる場合がある。このシリコン
基板の欠けにより発生したシリコン片１ｂ（図８）は、
カラー固体撮像素子の場合（図８（ａ））は装置及真空
引きの吸引作用により、飛散しその一部は、矢印ｂ方向
（図８）に移動し、マイクロレンズに付着する。また白
黒用の固体撮像素子の場合（図８（ｂ））は、シリコン
片１ｂはシリコン基板１上のフォトダイオード（図８で
は図示せず）に付着する。これら付着したシリコン片１
ｂは、後の洗浄工程で完全に除去できない場合があっ
た。この場合は検査工程で画質欠陥（黒キズ）として表
われ、歩留まりが悪くなっていた。 （３）オンチップ材料層の形成は、いったん、撮像領域
を含む部分に連続的にオンチップ材料層を形成し、その
後マスクにより配線部等の不要部分を除去することによ
り行う。この除去領域は、撮像領域部以外のすべてであ
り、この除去には相当時間を要していた。
【００１１】本発明の固体撮像装置及びその製造方法
は、前記従来の問題を解決するものであり、固体撮像素
子表面の外周に沿って、高分子材料の外周層を形成する
ことにより、ウェハ切断時の基板の欠け、コレットによ
る素子保持の際の基板の破片による画質欠陥を防止し、
かつ製造時間の短縮ができる固体撮像装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
は、前記従来の問題を解決するものであり、固体撮像素
子表面の外周に沿って、高分子材料の外周層を形成する
ことにより、ウェハ切断時の基板の欠け、コレットによ
る素子保持の際の基板の破片による画質欠陥を防止し、
かつ製造時間の短縮ができる固体撮像装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に撮像領域
が形成された固体撮像素子を備え、前記固体撮像素子表
面の外周に沿って高分子材料の外周層が形成されている
ことを特徴とする。
に、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に撮像領域
が形成された固体撮像素子を備え、前記固体撮像素子表
面の外周に沿って高分子材料の外周層が形成されている
ことを特徴とする。
【００１３】前記のような固体撮像装置によれば、ウェ
ハ切断時の基板の欠けを防止できるので、基板の欠けが
配線に広がることがなく、固体撮像装置の信頼性の低下
を防止できる。また、製造時のコレットによる素子保持
に外周層を用いることができるので、外周層の一部が破
片として撮像領域に付着しても、洗浄工程で除去できる
ので画質欠陥を防止できる。
ハ切断時の基板の欠けを防止できるので、基板の欠けが
配線に広がることがなく、固体撮像装置の信頼性の低下
を防止できる。また、製造時のコレットによる素子保持
に外周層を用いることができるので、外周層の一部が破
片として撮像領域に付着しても、洗浄工程で除去できる
ので画質欠陥を防止できる。
【００１４】前記固体撮像装置においては、前記高分子
材料は、オンチップ材料層を形成する層から選ばれる少
なくとも一つの層の材料であることが好ましい。また、
前記オンチップ材料層は、平坦化層、カラーフィルタ
層、中間膜形成層、及びマイクロレンズ形成層から選ば
れる少なくとも一つの層で形成されていることが好まし
い。
材料は、オンチップ材料層を形成する層から選ばれる少
なくとも一つの層の材料であることが好ましい。また、
前記オンチップ材料層は、平坦化層、カラーフィルタ
層、中間膜形成層、及びマイクロレンズ形成層から選ば
れる少なくとも一つの層で形成されていることが好まし
い。
【００１５】また、前記撮像領域と前記外周層とは離れ
て形成されていることが好ましい。また、前記固体撮像
素子内の配線と前記外周層とは離れて形成されているこ
とが好ましい。前記のような固体撮像装置によれば、素
子をコレットで保持した際に配線の破損を防止すること
ができる。
て形成されていることが好ましい。また、前記固体撮像
素子内の配線と前記外周層とは離れて形成されているこ
とが好ましい。前記のような固体撮像装置によれば、素
子をコレットで保持した際に配線の破損を防止すること
ができる。
【００１６】次に、本発明の固体撮像装置の製造方法
は、半導体基板上に撮像領域が形成された固体撮像素子
を備えた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体
基板上のスクライブラインを含む領域に高分子材料のス
クライブパターン層を形成した後、前記スクライブライ
ンでウェハ切断することにより、一つずつに切り離され
た各固体撮像素子表面の外周に沿って前記スクライブパ
ターン層の一部を残した外周層を形成することを特徴と
する。
は、半導体基板上に撮像領域が形成された固体撮像素子
を備えた固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体
基板上のスクライブラインを含む領域に高分子材料のス
クライブパターン層を形成した後、前記スクライブライ
ンでウェハ切断することにより、一つずつに切り離され
た各固体撮像素子表面の外周に沿って前記スクライブパ
ターン層の一部を残した外周層を形成することを特徴と
する。
【００１７】前記のような固体撮像装置の製造方法によ
れば、ウェハ切断時の基板の欠けを防止できるので、基
板の欠けが配線に広がることがなく、固体撮像装置の信
頼性の低下を防止できる。また、コレットによる素子保
持に外周層を用いることができるので、外周層の一部が
破片として撮像領域に付着しても、洗浄工程で除去でき
るので画質欠陥を防止できる。さらに、ウェハ切断によ
り外周層を形成できるので、外周層の形成は容易であ
る。
れば、ウェハ切断時の基板の欠けを防止できるので、基
板の欠けが配線に広がることがなく、固体撮像装置の信
頼性の低下を防止できる。また、コレットによる素子保
持に外周層を用いることができるので、外周層の一部が
破片として撮像領域に付着しても、洗浄工程で除去でき
るので画質欠陥を防止できる。さらに、ウェハ切断によ
り外周層を形成できるので、外周層の形成は容易であ
る。
【００１８】前記固体撮像装置の製造方法においては、
前記高分子材料は、オンチップ材料層を形成する層から
選ばれる少なくとも一つの層の材料で、撮像領域及びス
クライブラインを含む領域にオンチップ材料層を形成し
た後ウェハ切断前に、前記オンチップ材料層を撮像領域
部とスクライブライン部とに同一マスクで分離すること
により前記スクライブパターン層を形成することが好ま
しい。
前記高分子材料は、オンチップ材料層を形成する層から
選ばれる少なくとも一つの層の材料で、撮像領域及びス
クライブラインを含む領域にオンチップ材料層を形成し
た後ウェハ切断前に、前記オンチップ材料層を撮像領域
部とスクライブライン部とに同一マスクで分離すること
により前記スクライブパターン層を形成することが好ま
しい。
【００１９】前記のような固体撮像装置の製造方法によ
れば、スクライブライン部のオンチップ材料層を除去す
る必要がないので、マスクによるオンチップ材料層の除
去時間を短縮でき、製造時間を短縮することができる。
れば、スクライブライン部のオンチップ材料層を除去す
る必要がないので、マスクによるオンチップ材料層の除
去時間を短縮でき、製造時間を短縮することができる。
【００２０】また、コレットを前記外周層に当接させる
ことにより、前記固体撮像素子の搬送を行うことが好ま
しい。前記のような固体撮像装置の製造方法によれば、
外周層の一部が破片として撮像領域に付着しても、洗浄
工程で除去できるので画質欠陥を防止できる。
ことにより、前記固体撮像素子の搬送を行うことが好ま
しい。前記のような固体撮像装置の製造方法によれば、
外周層の一部が破片として撮像領域に付着しても、洗浄
工程で除去できるので画質欠陥を防止できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を用いて説明する。 （実施の形態１）実施形態１に係る固体撮像素子の製造
方法について、図１を用いて説明する。実施形態１に係
る固体撮像素子は、カラー用でありオンチップ材料層を
設けたものである。図１（ａ）〜（ｃ）は、マイクロレ
ンズを形成した後の工程を示している。従来例と同一の
ものは同一符号を付して、その詳細な説明は省略する
（以下の図２〜４も同じ）。
て図面を用いて説明する。 （実施の形態１）実施形態１に係る固体撮像素子の製造
方法について、図１を用いて説明する。実施形態１に係
る固体撮像素子は、カラー用でありオンチップ材料層を
設けたものである。図１（ａ）〜（ｃ）は、マイクロレ
ンズを形成した後の工程を示している。従来例と同一の
ものは同一符号を付して、その詳細な説明は省略する
（以下の図２〜４も同じ）。
【００２２】図１（ａ）は、マイクロレンズ４形成後の
状態を示している。本図に示した状態は、マスクを除き
従来例の図５（ａ）に示したものと同じである。すなわ
ち、シリコン基板１上には、オンチップフィルタ層２、
フォトダイオード３を介してマイクロレンズ４が形成さ
れている。オンチップフィルタ層とマイクロレンズとを
オンチップ材料層と呼ぶ。また、アルミ配線５、パッド
６と基板１との間にはＬＯＣＯＳ（厚膜酸化膜）７が形
成されている。
状態を示している。本図に示した状態は、マスクを除き
従来例の図５（ａ）に示したものと同じである。すなわ
ち、シリコン基板１上には、オンチップフィルタ層２、
フォトダイオード３を介してマイクロレンズ４が形成さ
れている。オンチップフィルタ層とマイクロレンズとを
オンチップ材料層と呼ぶ。また、アルミ配線５、パッド
６と基板１との間にはＬＯＣＯＳ（厚膜酸化膜）７が形
成されている。
【００２３】また、図示は省略しているがオンチップフ
ィルタ層２は、平坦化層、カラーフィルター層、中間膜
形成層からなる。カラーフィルタ層には例えばゼラチ
ン、カゼイン、グリュー、ＰＶＡが用いられる。平坦化
層、中間膜形成層には透光性の高分子樹脂が用いられ、
例えばＰＭＭＡ等のアクリル透明樹脂が用いられる。マ
イクロレンズには透光性の高分子樹脂が用いられ、例え
ば、フェノール系透明樹脂が用いられる。
ィルタ層２は、平坦化層、カラーフィルター層、中間膜
形成層からなる。カラーフィルタ層には例えばゼラチ
ン、カゼイン、グリュー、ＰＶＡが用いられる。平坦化
層、中間膜形成層には透光性の高分子樹脂が用いられ、
例えばＰＭＭＡ等のアクリル透明樹脂が用いられる。マ
イクロレンズには透光性の高分子樹脂が用いられ、例え
ば、フェノール系透明樹脂が用いられる。
【００２４】本図に示したものは、マスク１２が従来例
と異なっている。図５（ａ）に示した従来例のマスク８
は、隣接する撮像領域の間のすべてのオンチップ材料層
を除去するよう設定されている。本実施形態のマスク１
２は、これとは異なり、隣接する撮像領域の間の内、ア
ルミ配線５、パッド６を含むＬＯＣＯＳ７上の所定領域
のオンチップフィルタ層２を除去し、スクライブライン
９を含む隣接するＬＯＣＯＳ７間の部分はオンチップフ
ィルタ層２を残し、スクライブライン部にパターン層を
形成する設定としている。すなわちマスク１２によっ
て、オンチップフィルタ層２は撮像領域部とスクライブ
ライン部とに分離される。
と異なっている。図５（ａ）に示した従来例のマスク８
は、隣接する撮像領域の間のすべてのオンチップ材料層
を除去するよう設定されている。本実施形態のマスク１
２は、これとは異なり、隣接する撮像領域の間の内、ア
ルミ配線５、パッド６を含むＬＯＣＯＳ７上の所定領域
のオンチップフィルタ層２を除去し、スクライブライン
９を含む隣接するＬＯＣＯＳ７間の部分はオンチップフ
ィルタ層２を残し、スクライブライン部にパターン層を
形成する設定としている。すなわちマスク１２によっ
て、オンチップフィルタ層２は撮像領域部とスクライブ
ライン部とに分離される。
【００２５】図１（ｂ）は、マスク１３によって、オン
チップフィルタ層２の不要部分を除去した状態を示して
いる。また、図１（ｂ）の状態を上から見た図を図３に
示している。これらの図から分かるように、隣接するＬ
ＯＣＯＳ７間の部分すなわちスクライブライン９を含む
部分はオンチップフィルタ層２が残っている。このため
本実施形態のものは、スクライブライン９上のオンチッ
プフィルタ層２を除去する必要が無いので、従来例と比
べて除去面積が減少し、オンチップフィルタ層２の除去
時間は従来例と比べて短縮され、製造時間を短縮するこ
とができる。また、スクライブライン９上のオンチップ
フィルタ層２とアルミ配線５との間には一定間隔Ａが確
保されている。これは、詳細は後述するが、コレット保
持によるアルミ配線５の破損を防止するためである。
チップフィルタ層２の不要部分を除去した状態を示して
いる。また、図１（ｂ）の状態を上から見た図を図３に
示している。これらの図から分かるように、隣接するＬ
ＯＣＯＳ７間の部分すなわちスクライブライン９を含む
部分はオンチップフィルタ層２が残っている。このため
本実施形態のものは、スクライブライン９上のオンチッ
プフィルタ層２を除去する必要が無いので、従来例と比
べて除去面積が減少し、オンチップフィルタ層２の除去
時間は従来例と比べて短縮され、製造時間を短縮するこ
とができる。また、スクライブライン９上のオンチップ
フィルタ層２とアルミ配線５との間には一定間隔Ａが確
保されている。これは、詳細は後述するが、コレット保
持によるアルミ配線５の破損を防止するためである。
【００２６】図１（ｃ）は、ダイシング後を示してお
り、スクライブライン９で、ウェハは１つずつの素子に
切り離される。ダイシングは、まずスクライブライン９
上のオンチップフィルタ層２を切断した後、シリコン基
板１を切断することになる。このようなダイシングによ
れば、シリコン基板１のエッジ部の欠けを防止すること
ができる。すなわち、シリコン基板１の欠けが配線にま
で広がることによる、素子の信頼性低下を防止できる。
り、スクライブライン９で、ウェハは１つずつの素子に
切り離される。ダイシングは、まずスクライブライン９
上のオンチップフィルタ層２を切断した後、シリコン基
板１を切断することになる。このようなダイシングによ
れば、シリコン基板１のエッジ部の欠けを防止すること
ができる。すなわち、シリコン基板１の欠けが配線にま
で広がることによる、素子の信頼性低下を防止できる。
【００２７】このように、シリコン基板１のエッジ部の
欠けを防止できるのは、スクライブライン９上のオンチ
ップフィルタ層２を先に切断することにより、切断部の
オンチップフィルタ層２の材料がダイシングソーとシリ
コン基板１との間に挟まりながら、ウェハ切断されるた
め、ダイシングソーとシリコン基板１との直接接触を低
減できるためと考えられる。
欠けを防止できるのは、スクライブライン９上のオンチ
ップフィルタ層２を先に切断することにより、切断部の
オンチップフィルタ層２の材料がダイシングソーとシリ
コン基板１との間に挟まりながら、ウェハ切断されるた
め、ダイシングソーとシリコン基板１との直接接触を低
減できるためと考えられる。
【００２８】本図に示したように、切断後の各素子のシ
リコン基板１上の外周部には、オンチップフィルタ層２
が、外周層１３として残っている。以上のように外周層
１３の形成には、スクライブライン９上にオンチップフ
ィルタ層２を残しておく必要があるが、これは前記のよ
うに製造時間の短縮となり、本来除去すべき部分を残す
だけであるからコスト増にもならない。またダイシング
完了と同時に外周層１３の形成も完了するので、特別な
工程は不要であり、形成も容易である。
リコン基板１上の外周部には、オンチップフィルタ層２
が、外周層１３として残っている。以上のように外周層
１３の形成には、スクライブライン９上にオンチップフ
ィルタ層２を残しておく必要があるが、これは前記のよ
うに製造時間の短縮となり、本来除去すべき部分を残す
だけであるからコスト増にもならない。またダイシング
完了と同時に外周層１３の形成も完了するので、特別な
工程は不要であり、形成も容易である。
【００２９】ダイシング後は、ダイボンディング工程に
て、各素子はパッケージ（図示せず）上に固定される。
各素子のパッケージ上までの搬送には、コレットを用い
る。図３（ａ）に素子がコレット１０によって保持され
ている状態を示している。本図では、マイクロレンズ４
等の細部の図示は省略している。
て、各素子はパッケージ（図示せず）上に固定される。
各素子のパッケージ上までの搬送には、コレットを用い
る。図３（ａ）に素子がコレット１０によって保持され
ている状態を示している。本図では、マイクロレンズ４
等の細部の図示は省略している。
【００３０】密閉空間１１の矢印ａ方向の真空引きによ
って、素子はコレット１０に吸着され、素子はコレット
１０により保持されている。この状態では、コレット１
０の傾斜部１０ａは、外周層１３のエッジ部１３ａに当
接している。外周層１３とこれと隣接するアルミ配線５
とは、図１に示したように一定間隔Ａだけ離れている。
このため、コレット１０がエッジ部１３ａに当接した際
の外周層１３に加わった応力はアルミ配線５に伝わらな
いので、アルミ配線５の破損を防止することができる。
って、素子はコレット１０に吸着され、素子はコレット
１０により保持されている。この状態では、コレット１
０の傾斜部１０ａは、外周層１３のエッジ部１３ａに当
接している。外周層１３とこれと隣接するアルミ配線５
とは、図１に示したように一定間隔Ａだけ離れている。
このため、コレット１０がエッジ部１３ａに当接した際
の外周層１３に加わった応力はアルミ配線５に伝わらな
いので、アルミ配線５の破損を防止することができる。
【００３１】ただし、コレットの材料は、高硬度の金属
材料であるため、従来例と同様にコレットの傾斜部１０
ａが、素子の外周層１３のエッジ部１３ａに当接した際
に、この当接部において外周層１３の欠けが生じる場合
がある。この外周層１３の欠けにより発生した破片１３
ｂは、真空引きの吸引作用により飛散し、その一部は、
矢印ｂ方向に移動しオンチップフィルタ層２上のマイク
ロレンズ４（図示せず）上に付着する。
材料であるため、従来例と同様にコレットの傾斜部１０
ａが、素子の外周層１３のエッジ部１３ａに当接した際
に、この当接部において外周層１３の欠けが生じる場合
がある。この外周層１３の欠けにより発生した破片１３
ｂは、真空引きの吸引作用により飛散し、その一部は、
矢印ｂ方向に移動しオンチップフィルタ層２上のマイク
ロレンズ４（図示せず）上に付着する。
【００３２】従来例と異なり、付着した破片は、後のＩ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）やキシレン等の有機溶
剤による洗浄工程で完全に除去することが可能であり、
画質欠陥を防止することができる。
ＰＡ（イソプロピルアルコール）やキシレン等の有機溶
剤による洗浄工程で完全に除去することが可能であり、
画質欠陥を防止することができる。
【００３３】これは、外周層１３は、オンチップフィル
タ層２と同じ材料であり、マイクロレンズ層４を形成す
る材料と同質の高分子材料であるため、破片はオンチッ
プフィルタ層２やマイクロレンズ層４に突き刺さる場合
がないためと考えられる。
タ層２と同じ材料であり、マイクロレンズ層４を形成す
る材料と同質の高分子材料であるため、破片はオンチッ
プフィルタ層２やマイクロレンズ層４に突き刺さる場合
がないためと考えられる。
【００３４】ダイボンディング工程で素子が、パッケー
ジ上に搭載された後は、ワイヤーボンディング工程等の
組み立て工程、及び各種検査工程を経て、固体撮像素子
として完成する。
ジ上に搭載された後は、ワイヤーボンディング工程等の
組み立て工程、及び各種検査工程を経て、固体撮像素子
として完成する。
【００３５】なお、本実施形態ではスクライブライン上
に、オンチップフィルタ層２のみを残したが、オンチッ
プフィルタ層とマイクロレンズ層を共に残してもよい。
また、オンチップ材料層を形成する平坦化層、カラーフ
ィルタ層、中間膜形成層、及びマイクロレンズ形成層か
ら選ばれる少なくとも一つの層を残してもよい。
に、オンチップフィルタ層２のみを残したが、オンチッ
プフィルタ層とマイクロレンズ層を共に残してもよい。
また、オンチップ材料層を形成する平坦化層、カラーフ
ィルタ層、中間膜形成層、及びマイクロレンズ形成層か
ら選ばれる少なくとも一つの層を残してもよい。
【００３６】（実施の形態２）実施形態２に係る固体撮
像素子の製造方法について、図４を用いて説明する。実
施形態２に係る固体撮像素子は、実施形態１のものとは
異なり白黒画像用のものであり、製造の中間段階ではオ
ンチップ材料層を形成するが、最終的には撮像領域には
オンチップ材料層は形成されない。
像素子の製造方法について、図４を用いて説明する。実
施形態２に係る固体撮像素子は、実施形態１のものとは
異なり白黒画像用のものであり、製造の中間段階ではオ
ンチップ材料層を形成するが、最終的には撮像領域には
オンチップ材料層は形成されない。
【００３７】図４（ａ）は、オンチップ材料層２０形成
後の状態を示している。オンチップ材料層２０は、カラ
ー固体撮像素子用のオンチップ材料層を形成するすべて
の層が必要ではなく、平坦化層、カラーフィルタ層、中
間膜形成層、及びマイクロレンズ層から選ばれる少なく
とも一つの層が形成されていればよい。例えば、透光性
のアクリル透明樹脂やゼラチンから選べばよい。
後の状態を示している。オンチップ材料層２０は、カラ
ー固体撮像素子用のオンチップ材料層を形成するすべて
の層が必要ではなく、平坦化層、カラーフィルタ層、中
間膜形成層、及びマイクロレンズ層から選ばれる少なく
とも一つの層が形成されていればよい。例えば、透光性
のアクリル透明樹脂やゼラチンから選べばよい。
【００３８】また、これらオンチップフィルタ層やマイ
クロレンズの材料以外であっても、ＩＰＡやキシレン等
の有機溶剤による洗浄が可能な材料で、コレットで保持
した際に支障が無い程度の強度があり、ダイシング時に
ダイシングソーの刃を痛めないような高分子材料であれ
ばよい。
クロレンズの材料以外であっても、ＩＰＡやキシレン等
の有機溶剤による洗浄が可能な材料で、コレットで保持
した際に支障が無い程度の強度があり、ダイシング時に
ダイシングソーの刃を痛めないような高分子材料であれ
ばよい。
【００３９】図４（ｂ）は、マスク１４によりオンチッ
プ材料層２０の内、スクライブライン９上の部分以外を
除去した状態を示している。図４（ｃ）は、ダイシング
後を示しており、スクライブライン９で、ウェハは１つ
ずつの素子に切り離される。本図に示したように、切断
後の各素子のシリコン基板１上の外周部には、オンチッ
材料層２０が、外周層１３として残っている。実施形態
１と同様に、ウェハ切断時の基板の欠けを防止できるの
で、固体撮像装置の信頼性低下を防止できる。
プ材料層２０の内、スクライブライン９上の部分以外を
除去した状態を示している。図４（ｃ）は、ダイシング
後を示しており、スクライブライン９で、ウェハは１つ
ずつの素子に切り離される。本図に示したように、切断
後の各素子のシリコン基板１上の外周部には、オンチッ
材料層２０が、外周層１３として残っている。実施形態
１と同様に、ウェハ切断時の基板の欠けを防止できるの
で、固体撮像装置の信頼性低下を防止できる。
【００４０】ダイシング後は、実施形態１と同様にコレ
ットにより、各素子はパッケージ（図示せず）上まで搬
送される。図３（ｂ）に素子がコレットによって保持さ
れてる状態を示している。実施形態１と同様に、コレッ
トの傾斜部１０ａが、素子の外周層１３のエッジ部１３
ａに当接した際に、当接部１３ａにおいて外周層１３は
欠け破片１３ｂが生じる場合がある。この破片１３ｂ
は、真空引きの吸引作用により、飛散しその一部は、シ
リコン基板１上のフォトダイオード（図示せず）上に付
着する。
ットにより、各素子はパッケージ（図示せず）上まで搬
送される。図３（ｂ）に素子がコレットによって保持さ
れてる状態を示している。実施形態１と同様に、コレッ
トの傾斜部１０ａが、素子の外周層１３のエッジ部１３
ａに当接した際に、当接部１３ａにおいて外周層１３は
欠け破片１３ｂが生じる場合がある。この破片１３ｂ
は、真空引きの吸引作用により、飛散しその一部は、シ
リコン基板１上のフォトダイオード（図示せず）上に付
着する。
【００４１】実施形態１と同様に、付着した破片は、後
の洗浄工程で完全に除去することが可能であり、画質欠
陥を防止することができる。これは、外周層１３は、オ
ンチップ材料層２０を形成する材料で形成されており、
シリコンと比べると軟質材料であり、破片はシリコン基
板のフォトダイオードに突き刺さる場合がないためと考
えられる。
の洗浄工程で完全に除去することが可能であり、画質欠
陥を防止することができる。これは、外周層１３は、オ
ンチップ材料層２０を形成する材料で形成されており、
シリコンと比べると軟質材料であり、破片はシリコン基
板のフォトダイオードに突き刺さる場合がないためと考
えられる。
【００４２】実施形態１と同様に、ダイボンディング工
程で素子が、パッケージ上に搭載された後は、ワイヤー
ボンディング工程等の組み立て工程、及び各種検査工程
を経て、固体撮像素子として完成する。
程で素子が、パッケージ上に搭載された後は、ワイヤー
ボンディング工程等の組み立て工程、及び各種検査工程
を経て、固体撮像素子として完成する。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明の固体撮像装置によ
れば、固体撮像素子表面に高分子材料の外周層が形成さ
れていることにより、ウェハ切断時の基板の欠けを防止
できるので、基板の欠けが配線に広がることがなく、固
体撮像素子の信頼性の低下を防止できる。また、製造時
のコレットによる素子保持に外周層を用いることができ
るので、外周層の一部が破片として撮像領域に付着して
も、洗浄工程で除去できるので画質欠陥を防止できる。
れば、固体撮像素子表面に高分子材料の外周層が形成さ
れていることにより、ウェハ切断時の基板の欠けを防止
できるので、基板の欠けが配線に広がることがなく、固
体撮像素子の信頼性の低下を防止できる。また、製造時
のコレットによる素子保持に外周層を用いることができ
るので、外周層の一部が破片として撮像領域に付着して
も、洗浄工程で除去できるので画質欠陥を防止できる。
【００４４】次に、本発明の固体撮像装置の製造方法に
よれば、スクライブライン上に外周層形成のための層を
形成することにより、ウェハ切断時の基板の欠けを防止
できるので、基板の欠けが配線に広がることがなく、固
体撮像素子の信頼性の低下を防止できる。また、ウェハ
切断により容易に外周層を形成することができ、さらに
コレットによる素子保持の際に外周層の一部が破片とし
て撮像領域に付着しても、洗浄工程で除去できるので画
質欠陥を防止できる。
よれば、スクライブライン上に外周層形成のための層を
形成することにより、ウェハ切断時の基板の欠けを防止
できるので、基板の欠けが配線に広がることがなく、固
体撮像素子の信頼性の低下を防止できる。また、ウェハ
切断により容易に外周層を形成することができ、さらに
コレットによる素子保持の際に外周層の一部が破片とし
て撮像領域に付着しても、洗浄工程で除去できるので画
質欠陥を防止できる。
【００４５】また、撮像領域以外のオンチップ材料層を
除去する工程では、スクライブライン部のオンチップ材
料層を除去する必要が無いので、マスクによるオンチッ
プ材料層の除去時間を短縮でき、製造時間を短縮するこ
とができる。
除去する工程では、スクライブライン部のオンチップ材
料層を除去する必要が無いので、マスクによるオンチッ
プ材料層の除去時間を短縮でき、製造時間を短縮するこ
とができる。
【図１】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図２】図１の固体撮像素子のウェハ完成状態の平面図
【図３】本発明の実施形態に係る固体撮像素子のコレッ
トによる保持状態を示す断面図
トによる保持状態を示す断面図
【図４】本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造
工程を示す断面図
工程を示す断面図
【図５】従来の固体撮像素子の一例の製造工程を示す断
面図
面図
【図６】図５の固体撮像素子のウェハ完成状態の平面図
【図７】従来の固体撮像素子の一例の製造工程を示す断
面図
面図
【図８】従来の固体撮像素子のコレットによる保持状態
を示す断面図
を示す断面図
１ シリコン基板 ２ オンチップフィルタ層 ３ フォトダイオード ４ マイクロレンズ ５ アルミ配線 ６ パッド ７ ＬＯＣＯＳ ８，１２，１４ マスク ９ スクライブライン １０ コレット １０ａ 傾斜部 １０ｂ 真空引孔 １１ 密閉空間 １３ 外周層 １３ａ 外周層の破片 ２０ オンチップ材料層
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に撮像領域が形成された固
体撮像素子を備え、前記固体撮像素子表面の外周に沿っ
て高分子材料の外周層が形成されていることを特徴とす
る固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記高分子材料は、オンチップ材料層を
形成する層から選ばれる少なくとも一つの層の材料であ
る請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記オンチップ材料層は、平坦化層、カ
ラーフィルタ層、中間膜形成層、及びマイクロレンズ形
成層から選ばれる少なくとも一つの層で形成されている
請求項２に記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 前記撮像領域と前記外周層とは離れて形
成されている請求項１から３のいずれかに記載の固体撮
像装置。 - 【請求項５】 前記固体撮像素子内の配線と前記外周層
とは離れて形成されている請求項１から４のいずれかに
記載の固体撮像装置。 - 【請求項６】 半導体基板上に撮像領域が形成された固
体撮像素子を備えた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上のスクライブラインを含む領域に高分
子材料のスクライブパターン層を形成した後、前記スク
ライブラインでウェハ切断することにより、一つずつに
切り離された各固体撮像素子表面の外周に沿って前記ス
クライブパターン層の一部を残した外周層を形成するこ
とを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記高分子材料は、オンチップ材料層を
形成する層から選ばれる少なくとも一つの層の材料で、
撮像領域及びスクライブラインを含む領域にオンチップ
材料層を形成した後ウェハ切断前に、前記オンチップ材
料層を撮像領域部とスクライブライン部とに同一マスク
で分離することにより前記スクライブパターン層を形成
する請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】 コレットを前記外周層に当接させること
により、前記固体撮像素子の搬送を行う請求項６または
７に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293026A JPH11126892A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293026A JPH11126892A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126892A true JPH11126892A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17789535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9293026A Pending JPH11126892A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126892A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082023A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器 |
| WO2022107571A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04273475A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0563013A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07335851A (ja) * | 1994-06-11 | 1995-12-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09139484A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPH09148551A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップおよびチップ結線装置およびチップ切り出し装置およびチップ移送装置 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP9293026A patent/JPH11126892A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04273475A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
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| JPH09148551A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップおよびチップ結線装置およびチップ切り出し装置およびチップ移送装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2004082023A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器 |
| EP1605513A1 (en) * | 2003-03-10 | 2005-12-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector |
| EP1605513A4 (en) * | 2003-03-10 | 2008-04-09 | Hamamatsu Photonics Kk | PHOTODIODENARY ARRAY, MANUFACTURING METHOD AND RADIATION DETECTOR |
| CN100438054C (zh) * | 2003-03-10 | 2008-11-26 | 浜松光子学株式会社 | 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 |
| US7696620B2 (en) | 2003-03-10 | 2010-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector |
| KR101029178B1 (ko) | 2003-03-10 | 2011-04-12 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 포토다이오드 어레이 및 그 제조방법 그리고 방사선 검출기 |
| WO2022107571A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
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