WO2022102234A1 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents

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WO2022102234A1
WO2022102234A1 PCT/JP2021/033359 JP2021033359W WO2022102234A1 WO 2022102234 A1 WO2022102234 A1 WO 2022102234A1 JP 2021033359 W JP2021033359 W JP 2021033359W WO 2022102234 A1 WO2022102234 A1 WO 2022102234A1
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semiconductor device
lid member
recess
space
protrusion
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PCT/JP2021/033359
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義浩 吉田
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株式会社村田製作所
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    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/142—Multiple part housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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    • G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
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    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
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    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G—PHYSICS
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    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0002—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using variations in ohmic resistance
    • G—PHYSICS
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    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors

Definitions

  • the present invention relates to a waterproof semiconductor device and an electronic device provided with the semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses a waterproof semiconductor device that is attached to an electronic device such as a pressure measuring device and measures the pressure.
  • the semiconductor device includes a base substrate, a detection element, and a resin package.
  • the detection element detects the pressure and is mounted on the base substrate.
  • the detection element is electrically connected to the base substrate and the circuit element mounted on the base substrate via a connecting member such as a wire.
  • the resin package is provided on the base substrate.
  • the detection element and the connecting member are embedded in the resin package.
  • the resin package is provided with an exposed hole for exposing the detection portion of the detection element to the outside. Pressure acts on the detection part of the detection element through the exposed hole.
  • the semiconductor device disclosed in Patent Document 1 includes a tubular member having a through hole communicating with an exposed hole.
  • the tubular member is penetrated by the O-ring.
  • an O-ring is fitted around the tubular member.
  • the O-ring can be easily fitted to the semiconductor device. Therefore, for example, the O-ring is formed so that the inner diameter of the O-ring is equal to or larger than the outer diameter of the tubular member. This facilitates the penetration of the cylindrical member into the O-ring. As a result, the O-ring can be easily fitted to the tubular member.
  • the tubular member can easily penetrate the O-ring as described above, the O-ring can easily fall out of the tubular member. Then, when the semiconductor device fitted with the O-ring is attached to the electronic device, the possibility that the O-ring will come off from the tubular member increases. Therefore, it may be difficult to attach the semiconductor device to which the O-ring is fitted to the electronic device.
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of preventing the fitted O-ring from coming off in order to solve the above-mentioned problems.
  • the semiconductor device is A semiconductor device that detects pressure With the base board A detection element mounted on the upper surface of the base substrate and having a detection unit for detecting pressure, A resin package provided on the upper surface of the base substrate, the detection element is embedded, and has an exposed hole for exposing the detection portion of the detection element upward. A lid member supported by the resin package so as to close the exposed hole, A communication portion for communicating the exposed hole with the outside is provided.
  • the resin package is The base in which the detection element is embedded and Provided with a protrusion that projects upward from the base and has the exposed hole. In a plan view, the base extends outward from the outer surface of the protrusion.
  • the lid member is supported on the upper surface of the protrusion and is supported.
  • the lid member includes, at least a part of the outer peripheral portion of the lid member, an extending portion extending outward from the outer surface of the protruding portion in a plan view.
  • the communication portion is communicated with the outside by opening to the side of the semiconductor device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a state in which the semiconductor device of FIG. 3 is attached to an article of an electronic device.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. The perspective view from the bottom surface side of the lid member provided in the semiconductor device which concerns on 7th Embodiment of this invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
  • the semiconductor device is A semiconductor device that detects pressure With the base board A detection element mounted on the upper surface of the base substrate and having a detection unit for detecting pressure, A resin package provided on the upper surface of the base substrate, the detection element is embedded, and has an exposed hole for exposing the detection portion of the detection element upward. A lid member supported by the resin package so as to close the exposed hole, A communication portion for communicating the exposed hole with the outside of the semiconductor device is provided.
  • the resin package is The base in which the detection element is embedded and Provided with a protrusion that projects upward from the base and has the exposed hole. In a plan view, the base extends outward from the outer surface of the protrusion.
  • the lid member is supported on the upper surface of the protrusion and is supported.
  • the lid member includes, at least a part of the outer peripheral portion of the lid member, an extending portion extending outward from the outer surface of the protruding portion in a plan view.
  • the communication portion is communicated with the outside by opening to the side of the semiconductor device.
  • the lid member is provided with an extension portion.
  • the extending portion extends outward from the outer surface of the protruding portion. Therefore, when the inner peripheral portion of the O-ring is arranged so as to surround the protruding portion in a plan view, the o-ring from above can be regulated by the extending portion.
  • the semiconductor device does not have a lid member, foreign matter falling from above may come into contact with the detection unit through the exposed hole, which may affect the pressure detection by the detection unit. According to this configuration, since the exposed hole is closed by the lid member, foreign matter falling from above is prevented from entering the exposed hole.
  • the communication portion may have a space formed by a slit formed inward from the outer peripheral portion of the lid member in a plan view.
  • the function of the communication part can be realized only by providing a slit in the lid member.
  • the lid member is opened not only laterally but also upward by the slit. Therefore, the communication portion can communicate the exposed hole and the outside of the semiconductor device not only on the side of the semiconductor device but also on the upper side. This facilitates the flow of the fluid from the outside to the exposed hole, so that the responsiveness of the detection unit that detects the pressure of the fluid can be improved. Further, even if the upper part of the slit is blocked by a foreign substance, the communication from the side of the semiconductor device to the exposed hole can be maintained.
  • the slit may be located at a position away from the detection unit.
  • the slit may include a wide portion that at least partially overlaps the exposed hole in a plan view and a narrow portion that is connected to the wide portion and does not overlap the exposed hole in a plan view.
  • the wide portion facilitates the flow of fluid between the upper part of the lid member and the exposed hole. Therefore, the responsiveness of the detection unit that detects the pressure of the fluid can be improved.
  • the width of the slit is narrowed in the portion that does not overlap with the exposed hole in the plan view, that is, the portion where the lid member and the upper surface of the protruding portion are in contact with each other. Therefore, the contact area between the lid member and the protruding portion can be increased. This stabilizes the lid member.
  • the lid member may include three or more of the slits.
  • the outer surface of the protruding portion is visually recognized at three or more places through each of the slits provided with three or more. This makes it possible to accurately align the lid member with respect to the protruding portion.
  • the semiconductor device includes an adhesive portion that is interposed between the upper surface of the protrusion and the lid member to fix the lid member to the protrusion, and the communication portion is a communication portion. There may be a space between the upper surface of the protruding portion and the lid member facing each other in the portion where the adhesive portion is not interposed between the upper surface of the protruding portion and the lid member.
  • the region when the lid member is adhered to the protruding portion, the region can be made to function as a communication portion only by providing a region between the lid member and the protruding portion without applying an adhesive. Can be done.
  • the protrusion may include a first recess that is recessed downward from the upper surface of the protrusion, and the communication portion may have a space formed by the first recess.
  • the function of the communication portion can be realized only by providing the first concave portion in the protruding portion.
  • the lid member includes a second recess that is recessed upward from the lower surface of the lid member, and the communication portion has a space formed by the second recess.
  • the function of the communication portion can be realized only by providing the second recess in the lid member.
  • the semiconductor device is A slit formed inward from the outer peripheral portion of the lid member in a plan view, and an adhesive portion that is interposed between the upper surface of the protrusion and a part between the lid member and fixes the lid member to the protrusion.
  • the communication portion comprises a first space formed by the slits when the semiconductor device comprises the slits.
  • the communication portion is an upper surface of the protruding portion facing each other in a portion between the upper surface of the protruding portion and the lid member where the adhesive portion is not provided.
  • the communication portion includes a third space formed by the first recess when the semiconductor device includes the first recess.
  • the communication portion includes a fourth space formed by the second recess when the semiconductor device includes the second recess. In a plan view, the first space, the second space, the third space, and the fourth space may overlap each other.
  • the cross-sectional area of the communication portion can be increased. This facilitates the flow of the fluid in the communication section, so that the responsiveness of the detection section that detects the pressure of the fluid can be improved.
  • the semiconductor device is A slit formed inward from the outer peripheral portion of the lid member in a plan view, and an adhesive portion that is interposed between the upper surface of the protrusion and a part between the lid member and fixes the lid member to the protrusion.
  • the communication portion comprises a first space formed by the slits when the semiconductor device comprises the slits.
  • the communication portion is an upper surface of the protruding portion facing each other in a portion between the upper surface of the protruding portion and the lid member where the adhesive portion is not provided.
  • a second space between the lid member and the lid member is provided.
  • the communication portion includes a third space formed by the first recess when the semiconductor device includes the first recess.
  • the communication portion includes a fourth space formed by the second recess when the semiconductor device includes the second recess. In a plan view, the first space, the second space, the third space, and the fourth space do not have to overlap each other.
  • the number of routes through which the fluid is circulated can be increased. This facilitates the flow of the fluid in the communication section, so that the responsiveness of the detection section that detects the pressure of the fluid can be improved.
  • the semiconductor device may include a circuit element mounted on the upper surface of the base substrate and a connecting member for electrically connecting the circuit element and the detection element.
  • the electronic device is arranged so as to surround the semiconductor device and the protrusion of the resin package of the semiconductor device in a plan view, and the inner peripheral portion contacts the outer surface of the protrusion.
  • An O-ring and a housing to which the semiconductor device is attached may be provided.
  • the o-ring from above can be regulated by an extension portion.
  • FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor device 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the state in which the semiconductor device of FIG. 3 is attached to an article of an electronic device.
  • the XYZ Cartesian coordinate systems shown in these figures and the figures described later are for facilitating the understanding of the present invention and do not limit the invention.
  • the semiconductor device 10 is a pressure sensor that detects pressure. As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor device 10 includes a base substrate 12, a circuit element 14 mounted on the base substrate 12, a detection element 16 mounted on the base substrate 12, a resin package 22, and a lid. A member 26 is provided.
  • the base substrate 12 is a rigid substrate such as a glass epoxy substrate or a ceramic substrate, but is not limited to this.
  • the base substrate 12 may be a lead frame.
  • the circuit element 14 and the detection element 16 are mounted on the upper surface 12a of the base substrate 12.
  • the base substrate 12 includes a pad 12b on the upper surface 12a. In FIG. 3, one pad 12b is shown, but the number of pads 12b is not limited to one.
  • the pad 12b is electrically connected to the circuit element 14 via the bonding wire 18.
  • the base substrate 12 includes an external connection terminal 12c on the lower surface 12d, which is the back surface of the upper surface 12a.
  • the semiconductor device 10 is electrically connected to another external device (not shown) by the external connection terminal 12c.
  • the circuit element 14 includes an upper surface 14a and a lower surface 14b which is the back surface of the upper surface 14a.
  • the circuit element 14 is an element provided with an integrated circuit (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) for a specific application.
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • the lower surface 14b of the circuit element 14 is adhered to the upper surface 12a of the base substrate 12 by a die attach film, a die attach material, or the like.
  • the circuit element 14 includes a first pad 14c on the upper surface 14a. In FIG. 3, only one first pad 14c is shown, but the number of the first pad 14c is not limited to one.
  • the first pad 14c is electrically connected to the pad 12b of the base substrate 12 via the bonding wire 18.
  • the circuit element 14 is provided with a second pad 14d on the upper surface 14a in addition to the first pad 14c.
  • a second pad 14d is described, but the number of the second pad 14d is not limited to one.
  • the second pad 14d is electrically connected to the detection element 16 via the bonding wire 20.
  • the bonding wire 20 is an example of a connecting member.
  • the circuit element 14 includes a signal processing circuit that processes the signal output from the detection element 16 and outputs the processed signal to the base board 12.
  • the circuit element 14 includes a converter, a filter, a temperature sensor, a processor, a memory, and the like.
  • the converter converts the voltage signal output from the detection element 16 into a digital signal.
  • the filter filters the digital signal from the converter.
  • the temperature sensor detects the temperature.
  • the processor corrects the filtered digital signal based on the temperature detected by the temperature sensor.
  • the memory stores a correction coefficient and the like used when correcting a digital signal using the detected temperature.
  • the detection element 16 is a pressure sensor element for measuring pressure.
  • the detection element 16 includes an upper surface 16a and a lower surface 16b which is a back surface of the upper surface 16a.
  • the detection element 16 is, for example, a piezo resistance type pressure sensor element or a capacitance type pressure sensor element, and is a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) element.
  • the lower surface 16b of the detection element 16 is adhered to the upper surface 12a of the base substrate 12 by a die attach film, a die attach material, or the like.
  • the detection element 16 is mounted on the upper surface 12a of the base substrate 12, but the detection element 16 may be mounted on the circuit element 14.
  • the detection element 16 is provided with a pad 16c on the upper surface 16a. In FIG. 3, one pad 16c is shown, but the number of pads 16c is not limited to one.
  • the pad 16c is electrically connected to the second pad 14d of the circuit element 14 via the bonding wire 20. That is, the bonding wire 20 of the detection element 16 is electrically connected to the base substrate 12 via the circuit element 14 and the bonding wire 18.
  • the detection element 16 includes a detection unit 16d on which a pressure acts on the upper surface 16a. That is, the detection unit 16d detects the pressure.
  • the detection unit 16d of the detection element 16 which is a pressure sensor element is a membrane or a diaphragm that receives pressure.
  • the detection unit 16d is provided with a passivation film, for example, and is waterproof.
  • the resin package 22 is a package manufactured by molding a hard resin such as a thermosetting resin onto the upper surface 12a of the base substrate 12. That is, as shown in FIG. 3, the resin package 22 is provided on the upper surface 12a of the base substrate 12. The portion of the upper surface 12a (particularly the pad 12b) of the base substrate 12 is protected and waterproof by being covered with the resin package 22.
  • a hard resin such as a thermosetting resin
  • the circuit element 14, the detection element 16, and the bonding wires 18 and 20 are embedded in the resin package 22.
  • the circuit element 14 particularly the first pad 14c and the second pad 14d
  • the detection element 16 particularly the pad 16c
  • the bonding wires 18 and 20 are protected and waterproof. ..
  • the resin package 22 waterproofs the electrical connection between the base substrate 12 and the circuit element 14 and the electrical connection between the circuit element 14 and the detection element 16.
  • the resin package 22 includes a base 23 and a protrusion 24.
  • the base portion 23 constitutes the base substrate 12 side (Z-axis negative direction side) of the resin package 22. As shown in FIG. 3, the lower surface 23a of the base 23 is in contact with the upper surface 12a of the base substrate 12.
  • the circuit element 14, the detection element 16, and the bonding wires 18 and 20 are embedded in the base 23.
  • the protruding portion 24 constitutes the opposite side (Z-axis positive direction side) of the base substrate 12 with respect to the base portion 23 of the resin package 22.
  • the protruding portion 24 protrudes from the base portion 23 so as to be separated from the base substrate 12.
  • the protruding portion 24 protrudes from the base portion 23 in the positive direction (upward) of the Z axis.
  • the projecting portion 24 is provided at the central portion of the base portion 23 in a plan view.
  • the base 23 extends outward from the outer surface 24a of the protrusion 24.
  • the protruding portion 24 includes an exposed hole 22a.
  • the exposed hole 22a penetrates the protruding portion 24 in the Z-axis direction (vertical direction).
  • the protruding portion 24 has a tubular shape.
  • a part of the upper surface 16a of the detection element 16 and the detection unit 16d face the lower end portion of the exposed hole 22a. That is, a part of the upper surface 16a of the detection element 16 and the detection unit 16d are exposed to the outside of the resin package 22 through the exposed holes 22a. That is, the exposed hole 22a exposes the detection unit 16d of the detection element 16 to the outside of the resin package 22.
  • the opening of the exposed hole 22a is provided on the upper surface 24b (the surface in the positive direction of the Z axis) of the protruding portion 24. That is, the resin package 22 exposes the detection unit 16d of the detection element 16 upward.
  • a pressure acts on the detection unit 16d of the detection element 16 from the outside of the semiconductor device 10 through the slit 27 of the lid member 26 and the exposed hole 22a, which will be described later, and the detection element 16 can measure the pressure.
  • the protrusion 24 is located around the detection unit 16d of the detection element 16 in a plan view. That is, the protrusion 24 is located outside the detection unit 16d in a plan view.
  • the detection unit 16d which is a portion exposed to the outside by the exposed hole 22a, is waterproofed by, for example, a passivation film.
  • the shape of the exposed hole 22a is such that the opening is circular when viewed from the upper surface (Z-axis direction) as shown in FIGS. 1 and 2, and the opening is as shown in FIG.
  • the tapered shape is such that the cross-sectional area along the XY plane decreases as the portion approaches the detection portion 16d of the detection element 16, but another shape may be used.
  • the exposed hole 22a may function as a pressure introduction hole for introducing pressure into the detection unit 16d.
  • the lid member 26 is supported by the upper surface 24b of the protruding portion 24 of the resin package 22 so as to close the exposed hole 22a.
  • the lid member 26 is attached to the upper surface 24b of the protrusion 24 by an adhesive (not shown).
  • the adhesive is applied over the entire circumference of the upper surface 24b of the protrusion 24 in a plan view. The adhesive is shown only in FIGS. 8 and 9 of the fifth embodiment described later, and is omitted in each of the other drawings.
  • the lid member 26 has a substantially disk shape.
  • the shape of the lid member 26 is not limited to the disk shape, and may be, for example, a rectangular parallelepiped shape.
  • the lid member 26 is made of a resin such as a liquid crystal polymer.
  • the lid member 26 is not limited to the resin, and may be made of a metal such as stainless steel (SUS).
  • the thickness (length in the Z-axis direction) of the lid member 26 is 50 to 200 ( ⁇ m), and the diameter of the lid member 26 is 2 to 4 (mm).
  • the lid member 26 has a slit 27.
  • the slit 27 is formed from the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 toward the central portion 26b of the lid member 26 in a plan view.
  • the slit 27 is formed from the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 toward the inside of the lid member 26 in a plan view.
  • the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 is a portion composed of an outer surface 26c of the lid member 26 and a portion in the vicinity of the outer surface 26c.
  • the central portion 26b of the lid member 26 is a portion of the lid member 26 that overlaps with the exposed hole 22a in a plan view.
  • the slit 27 extends from the outer surface 26c of the lid member 26 to the central portion 26b of the lid member 26. That is, in a plan view, a part (back portion) of the slit 27 overlaps with the exposed hole 22a.
  • the inner portion of the slit 27 does not overlap with the detection unit 16d of the detection element 16 in a plan view. That is, in the first embodiment, in the plan view, the slit 27 is located at a position away from the detection unit 16d of the detection element 16.
  • the slit 27 may overlap with the detection unit 16d of the detection element 16 in a plan view.
  • the slits 27 are radially extending from the center of the lid member 26 in a plan view toward the outer peripheral portion 26a in the upper direction (Z-axis positive direction side), lower side (Z-axis negative direction side), and outer side (Z-axis negative direction side) of the lid member 26. ) Is open.
  • the slit 27 communicates with the exposed hole 22a by being opened downward.
  • the slit 27 communicates with the outside of the semiconductor device 10 by being opened above and outside the lid member 26. As a result, the slit 27 communicates the outside of the semiconductor device 10 with the exposed hole 22a.
  • the width W (see FIG. 2) of the slit 27 is 50 to 500 ( ⁇ m), but is not limited to this.
  • the slit 27 (specifically, the space formed by the slit 27) is an example of the communication portion.
  • the space formed by the slit 27 is an example of the first space. It can be said that the inner side surfaces 27a, 27b, 27c of the lid member 26 constituting the slit 27 are an example of the communication portion.
  • the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 extends radially outward from the outer surface 24a of the protruding portion 24.
  • the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 corresponds to the extending portion. That is, in the first embodiment, the entire outer peripheral portion 26a of the lid member 26 is an extending portion extending outward from the outer surface 24a of the protruding portion 24 in a plan view.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the state in which the semiconductor device of FIG. 3 is attached to an article of an electronic device. As shown in FIGS. 3 and 4, the resin package 22 is configured to support the O-ring OR.
  • the semiconductor device 10 is used by being attached to the housing 2 of the electronic device 1.
  • the electronic device 1 is, for example, a pressure measuring device, and includes a semiconductor device 10, an O-ring OR, and a housing 2.
  • the O-ring OR is circular.
  • the inner diameter of the O-ring OR is the same as or substantially the same as the outer diameter of the protruding portion 24 of the resin package 22.
  • the O-ring OR is made of a member that is easily compressed and deformed, such as nitrile rubber.
  • the O-ring OR is mounted from above on the protruding portion 24 of the resin package 22 before the lid member 26 is attached.
  • the O-ring OR mounted on the protrusion 24 is arranged so as to surround the protrusion 24 in a plan view.
  • the inner diameter of the O-ring OR is configured to be larger than the outer diameter of the protruding portion 24.
  • the O-ring OR mounted on the protruding portion 24 is restricted from coming off from the upper end portion of the protruding portion 24 by the outer peripheral portion 26a of the lid member 26.
  • the O-ring OR mounted on the protrusion 24 is restricted from coming off from the lower end of the protrusion 24 by the base 23 of the resin package 22.
  • the housing 2 has an internal space 2a in which the semiconductor device 10 on which the O-ring OR is mounted is arranged.
  • the semiconductor device 10 arranged in the internal space 2a is attached to the housing 2 by a known means (not shown) such as fitting.
  • the housing 2 has a through hole 2b.
  • the through hole 2b communicates the outside of the housing 2 with the internal space 2a.
  • the exposed hole 22a of the semiconductor device 10 communicates with the outside of the electronic device 1 through the slit 27 of the lid member 26, the internal space 2a of the housing 2, and the through hole 2b of the housing 2. As a result, the external pressure of the electronic device 1 can be measured by the semiconductor device 10.
  • An O-ring OR is arranged in the gap between the semiconductor device 10 arranged as described above and the inner peripheral surface 2c constituting the internal space 2a of the housing 2.
  • the gap G between the outer surface 24a of the protrusion 24 and the inner peripheral surface 2c constituting the internal space 2a is the diameter R of the O-ring OR. Shorter than (see Figure 3). Therefore, when the semiconductor device 10 is arranged in the internal space 2a, the O-ring OR is compressionally deformed (see FIG. 4). As a result, the inner peripheral portion ORa of the O-ring OR comes into contact with the outer peripheral surface 24a of the protruding portion 24, and the outer peripheral portion ORb of the O-ring OR comes into contact with the inner peripheral surface 2c constituting the inner space 2a. As a result, the gap between the semiconductor device 10 and the housing 2 is sealed, and the O-ring OR prevents the liquid from entering the inside of the electronic device 1 from the outside of the electronic device 1 through the gap. To.
  • the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 is an extending portion extending outward in the radial direction from the outer surface 24a of the protruding portion 24. Therefore, when the O-ring OR is arranged so as to surround the protrusion 24 in a plan view, the o-ring OR can be regulated by the extending portion from above.
  • the semiconductor device 10 does not include the lid member 26, foreign matter falling from above may come into contact with the detection unit 16d through the exposed hole 22a, which may affect the pressure detection by the detection unit 16d. According to the first embodiment, since the exposed hole 22a is closed by the lid member 26, foreign matter falling from above is prevented from entering the exposed hole 22a.
  • the lid member 26 While closing the exposed hole 22a with the lid member 26, in order to apply pressure from the outside to the detection unit 16d, the lid member 26 is penetrated in the vertical direction (Z-axis direction) to communicate the outside and the exposed hole 22a. It is conceivable to provide a hole. However, if the foreign matter falling from above closes the through hole, the pressure from the outside cannot be applied to the detection unit 16d. However, according to the first embodiment, the pressure from the outside is applied to the detection unit 16d from the side of the semiconductor device 10 through the slit 27 and the exposed hole 22a. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the foreign matter falling from above cannot reach the exposed hole 22a.
  • the function of the communication portion can be realized only by providing the slit 27 in the lid member 26.
  • the lid member 26 is opened not only laterally but also upward by the slit 27. Therefore, the slit 27 can communicate the exposed hole 22a and the outside of the semiconductor device 10 not only on the side of the semiconductor device 10 but also on the upper side. This facilitates the flow of the fluid from the outside to the exposed hole 22a, so that the responsiveness of the detection unit 16d for detecting the pressure of the fluid can be improved. Further, even if the upper part of the slit 27 is blocked by a foreign substance, the communication from the side of the semiconductor device 10 to the exposed hole 22a can be maintained.
  • the first embodiment it is possible to reduce the possibility that a foreign substance dropped from above comes into contact with the detection unit 16d through the slit 27.
  • the o-ring OR in the electronic device 1 provided with the semiconductor device 10, can be prevented from coming off from above by the outer peripheral portion 26a of the lid member 26.
  • the configuration such as the shape of the resin package 22 is not limited to the configuration described above (the configuration shown in FIGS. 1 to 4).
  • the base 23 of the resin package 22 is a quadrangle in a plan view, but the base 23 may have a shape other than a quadrangle (for example, a circle) in a plan view.
  • the circuit element 14 is electrically connected to the base substrate 12 via the bonding wire 18, and the detection element 16 is electrically connected to the circuit element 14 via the bonding wire 20.
  • the connection mode of the base substrate 12, the circuit element 14, and the detection element 16 is not limited to this.
  • the detection element 16 may be connected to the base substrate 12 via a bonding wire in the same manner as the circuit element 14. In this case, the detection element 16 is electrically connected to the circuit element 14 via the base substrate 12.
  • the base substrate 12, the circuit element 14, and the detection element 16 are each electrically connected via a bonding wire.
  • the base substrate 12, the circuit element 14, and the detection element 16 may be electrically connected by means other than the bonding wire.
  • the circuit element 14 may be mounted on the base substrate 12 by a flip chip. In this case, the circuit element 14 and the base substrate 12 are electrically connected by solder.
  • FIG. 5 is a plan view of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
  • the difference between the semiconductor device 10A according to the second embodiment and the semiconductor device 10 according to the first embodiment is that the lid member 26 includes a slit 28 instead of the slit 27.
  • the slit 28 is formed from the outer peripheral portion 26a of the lid member 26 toward the central portion 26b of the lid member 26, similarly to the slit 27 shown in FIG.
  • the slit 28 includes a wide portion 28A and a narrow portion 28B.
  • the wide portion 28A is longer in the width direction than the narrow portion 28B.
  • the width direction is the X-axis direction.
  • the wide portion 28A constitutes the inner portion of the slit 28. At least a part of the wide portion 28A overlaps the exposed hole 22a in a plan view. In the second embodiment, the wide portion 28A does not overlap with the detection unit 16d of the detection element 16 in a plan view, but may overlap.
  • the narrow portion 28B constitutes a portion other than the inner portion of the slit 28.
  • One end of the narrow portion 28B is connected to the wide portion 28A.
  • the other end of the narrow portion 28B is open to the outer surface 26c of the lid member 26.
  • the narrow portion 28B is located outside the lid member 26 in the radial direction with respect to the exposed hole 22a in a plan view. That is, the narrow portion 28B does not overlap with the exposed hole 22a in a plan view.
  • the slit 28 (specifically, the space formed by the slit 28) is an example of the communication portion.
  • the space formed by the slit 28 is an example of the first space. It can be said that the inner side surface 28a of the lid member 26 constituting the slit 28 is an example of the communication portion.
  • the slit 28 has a tapered shape that tapers toward the outside in the radial direction of the lid member 26.
  • the shape of the slit 28 is not limited to the tapered shape.
  • the slit 28 may have a step at the boundary between the wide portion 28A and the narrow portion 28B.
  • the wide portion 28A facilitates the flow of the fluid between the upper part of the lid member 26 and the exposed hole 22a. Therefore, the responsiveness of the detection unit 16d that detects the pressure of the fluid can be improved.
  • the width of the slit 28 is narrowed in the portion that does not overlap with the exposed hole 22a in the plan view, that is, the portion where the lid member 26 and the upper surface 24b of the protruding portion 24 are in contact with each other. Therefore, the contact area between the lid member 26 and the protruding portion 24 can be increased. This stabilizes the lid member 26.
  • FIG. 6 is a plan view of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.
  • the difference between the semiconductor device 10B according to the third embodiment and the semiconductor device 10 according to the first embodiment is that the lid member 26 includes a plurality of slits 27.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10B includes four slits 27.
  • the four slits 27 are arranged at equal intervals in the circumferential CD of the lid member 26. In other words, the four slits 27 are arranged at 90 degree intervals in the circumferential CD.
  • the number of slits 27 included in the lid member 26 is not limited to four. Further, each of the plurality of slits 27 may be arranged at different intervals from each other in the circumferential direction CD of the lid member 26. Further, the widths of the slits 27 may be the same width as shown in FIG. 6 or may be different widths from each other. Further, the width of each slit 27 is not limited to the width shown in FIG.
  • the outer surface 24a of the protrusion 24 is 3 when the lid member 26 is supported by the upper surface 24b of the protrusion 24. It is visually recognized at three or more places through each of the two or more slits 27 provided. This makes it possible to accurately align the lid member 26 with respect to the protruding portion 24.
  • FIG. 7 is a plan view of the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the difference between the semiconductor device 10C according to the fourth embodiment and the semiconductor device 10 according to the first embodiment is that the semiconductor device 10C includes a lid member 29 instead of the lid member 26.
  • the lid member 29 is supported by the upper surface 24b of the protruding portion 24 of the resin package 22 so as to close the exposed hole 22a, and has a slit.
  • the slit 27 has the same configuration as the lid member 26 (see FIG. 2) of the semiconductor device 10 of the first embodiment.
  • the lid member 29 has a substantially disk shape.
  • the diameter of the lid member 29 is equal to or less than the outer diameter of the protruding portion 24.
  • the diameter of the lid member 29 is the same as the outer diameter of the protruding portion 24.
  • the lid member 29 includes four extension portions 29A. Each extending portion 29A extends outward from the outer surface 29c of the lid member 29 in the radial direction of the lid member 29.
  • the radial direction of the lid member 29 is a direction extending radially from the center of the lid member 29 toward the outer peripheral portion 29a in a plan view.
  • the four extension portions 29A are arranged at equal intervals in the circumferential direction CD of the lid member 29. In other words, the four extension portions 29A are arranged at 90 degree intervals in the circumferential direction CD.
  • the portion of the outer peripheral portion 29a of the lid member 29 in the vicinity of the outer surface 29c is not only the inner portion in the radial direction from the outer surface 29c in the plan view but also the outer portion in the radial direction from the outer surface 29c in the plan view.
  • the number of extension portions 29A included in the lid member 29 is not limited to four. Further, each of the plurality of extending portions 29A may be arranged at different intervals from each other in the circumferential direction CD of the lid member 29. Further, the length of the circumferential CD of each extending portion 29A is not limited to the length shown in FIG. 7.
  • FIG. 8 is a plan view of the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • the difference between the semiconductor device 10D according to the fifth embodiment and the semiconductor device 10 according to the first embodiment is that the lid member 26 does not have a slit 27 and is between the lid member 26 and the upper surface 24b of the protrusion 24. The point is that there is a part where the adhesive does not intervene.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10D does not have the slit 27 as shown in FIG.
  • the lid member 26 is attached to the upper surface 24b of the protrusion 24 by an adhesive.
  • the adhesive portion 30 composed of the adhesive is interposed between the protrusion 24 and the lid member 26.
  • a space 31 is formed between the lower surface 26d of the lid member 26 and the upper surface 24b of the protruding portion 24. That is, the lower surface 26d of the lid member 26 and the upper surface 24b of the protruding portion 24 face each other via the space 31 in the Z-axis direction.
  • each space 31 is formed from the outer surface 24a of the protrusion 24 to the inner surface 24c in a plan view.
  • the inner side surface 24c of the protrusion 24 is a surface constituting the exposed hole 22a. That is, the exposed hole 22a and the outside of the semiconductor device 10D are communicated with each other through each space 31.
  • the two spaces 31 face each other in the Y-axis direction with the detection unit 16d of the detection element 16 interposed therebetween.
  • the two spaces 31 are arranged at 180 degree intervals in the circumferential CD.
  • the number of spaces 31 formed between the lower surface 26d of the lid member 26 and the upper surface 24b of the protruding portion 24 is not limited to two. Further, the position where each space 31 is formed is not limited to the position shown in FIG. Further, the two spaces 31 may be arranged at intervals other than 180 degrees in the circumferential direction CD. For example, the distance between the circumferential CDs on the narrow side of the two spaces 31 may be 90 degrees, and the distance between the circumferential CDs on the wide side may be 270 degrees. Further, when three or more spaces 31 are formed, the spaces 31 may be arranged at equal intervals in the circumferential direction CD, or may be arranged at different intervals. Further, the length of the circumferential CD in each space 31 is not limited to the length shown in FIG. Further, the lengths of the circumferential CDs in each space 31 may be the same length as each other as shown in FIG. 8, or may be different lengths from each other.
  • Space 31 is an example of a communication section. Further, the space 31 is an example of the second space. It can be said that the lower surface 26d of the lid member 26 constituting the space 31, the upper surface 24b of the protruding portion 24, and the side end portion 30a of the adhesive portion 30 are examples of the communication portion.
  • a space 31 without an adhesive is provided in a part between the lid member 26 and the projecting portion 24, and the space 31 is provided.
  • FIG. 10 is a perspective view of the semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • the illustration of the lid member 26 is omitted.
  • the semiconductor device 10E according to the sixth embodiment is different from the semiconductor device 10 according to the first embodiment in that the lid member 26 does not have the slit 27 and the protruding portion 24 of the resin package 22 has the recess 24A. be.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10E does not have the slit 27 as shown in FIG.
  • the protruding portion 24 of the resin package 22 includes two recesses 24A.
  • the recess 24A is an example of the first recess.
  • Each recess 24A is formed by the upper surface 24b of the protrusion 24 being recessed downward.
  • Each recess 24A is formed from the outer surface 24a of the protrusion 24 to the inner surface 24c. That is, as shown in FIGS. 10 and 11, the exposed hole 22a and the outside of the semiconductor device 10D are communicated with each other via the recesses 24A.
  • the two recesses 24A are located in a straight line in the Y-axis direction. In other words, the two recesses 24A are arranged at 180 degree intervals in the circumferential CD.
  • the number of recesses 24A provided in the protrusion 24 is not limited to two. Further, the position where each recess 24A is formed is not limited to the position shown in FIG. Further, the two recesses 24A may be arranged at intervals other than 180 degrees in the circumferential direction CD. For example, the distance between the circumferential CDs on the narrow side of the two recesses 24A may be 90 degrees, and the distance between the circumferential CDs on the wide side may be 270 degrees. Further, when three or more recesses 24A are formed, the recesses 24A may be arranged at equal intervals in the circumferential direction CD or may be arranged at different intervals.
  • the length of the circumferential CD of each recess 24A is not limited to the length shown in FIG. Further, the lengths of the circumferential CDs of the recesses 24A may be the same length as shown in FIG. 10 or may be different lengths from each other. Further, in the sixth embodiment, the depth (length in the Z-axis direction) of each recess 24A is 10 to 100 ( ⁇ m), but is not limited to this.
  • the recess 24A (specifically, the space formed by the recess 24A) is an example of a communication portion.
  • the space formed by the recess 24A is an example of the third space. It can be said that the pair of inner side surfaces 24d and 24e and the inner bottom surface 24f of the protruding portion 24 constituting the recess 24A are examples of the communicating portion.
  • the function of the communicating portion can be realized only by providing the recess 24A in the protruding portion 24.
  • FIG. 12 is a perspective view from the bottom surface side of the lid member included in the semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a vertical sectional view of the semiconductor device according to the seventh embodiment of the present invention. The difference between the semiconductor device 10F according to the seventh embodiment and the semiconductor device 10 according to the first embodiment is that the lid member 26 does not have the slit 27 but has the recess 26A.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10F does not have the slit 27 as shown in FIG.
  • the lid member 26 includes two recesses 26A.
  • the recess 26A is an example of the second recess.
  • Each recess 26A is formed by the lower surface 26d of the lid member 26 being recessed upward.
  • each recess 26A extends from the inner side surface 24c of the protruding portion 24 of the resin package 22 toward the exposed hole 22a in the Y-axis direction. As a result, each recess 26A communicates with the exposed hole 22a. Each recess 26A extends outward from the outer surface 24a of the protrusion 24 in the Y-axis direction. As a result, each recess 26A communicates with the outside of the semiconductor device 10F. From the above, the exposed hole 22a and the outside of the semiconductor device 10D are communicated with each other through each recess 26A.
  • the two recesses 26A are located in a straight line in the Y-axis direction. In other words, as shown in FIG. 12, the two recesses 26A are arranged 180 degree apart in the circumferential CD.
  • the number of recesses 26A included in the lid member 26 is not limited to two. Further, the position where each recess 26A is formed is not limited to the position shown in FIG. Further, the two recesses 26A may be arranged at intervals other than 180 degrees in the circumferential direction CD. For example, the distance between the circumferential CDs on the narrow side of the two recesses 26A may be 90 degrees, and the distance between the circumferential CDs on the wide side may be 270 degrees. Further, when three or more recesses 26A are formed, the recesses 26A may be arranged at equal intervals in the circumferential direction CD, or may be arranged at different intervals. Further, the size and shape of each recess 26A is not limited to the size and shape shown in FIG. For example, in the seventh embodiment, the depth of each recess 26A is 10 to 100 ( ⁇ m), but is not limited to this. Further, the sizes and shapes of the recesses 26A may be the same as each other or may be different from each other.
  • the recess 26A (specifically, the space formed by the recess 26A) is an example of a communication portion.
  • the space formed by the recess 26A is an example of the fourth space. It can be said that the inner side surface 26e and the inner bottom surface 26f of the lid member 26 constituting the recess 26A are examples of the communication portion.
  • the function of the communication portion can be realized only by providing the recess 26A in the lid member 26.
  • FIG. 14 is a plan view of the semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
  • the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment is different from the semiconductor device 10 according to the first embodiment in that the lid member 26 is provided with the slit 27 and the protruding portion 24 of the resin package 22 is provided with the recess 24A.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10G includes two slits 27.
  • the number, formation position, shape, and size of the slits 27 included in the lid member 26 are arbitrary.
  • the protruding portion 24 of the resin package 22 of the semiconductor device 10G includes two recesses 24A as in the sixth embodiment.
  • the number, formation position, shape, and size of the recesses 24A provided in the protrusion 24 are arbitrary.
  • the communication portion includes each slit 27 and each recess 24A. Specifically, the communication portion includes a first space formed by each slit 27 and a third space formed by each recess 24A.
  • the slit 27 and the recess 24A overlap in a plan view. That is, in a plan view, the first space and the third space overlap. As a result, as shown in FIG. 15, the first space formed by each slit 27 and the third space formed by each recess 24A communicate with each other.
  • the lid member 26 is provided with a slit 27, and the protruding portion 24 of the resin package 22 is provided with a recess 24A.
  • the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment may include at least one of the adhesive portion 30 and the recess 26A in addition to the slit 27 and the recess 24A, or instead of the slit 27 and the recess 24A. That is, the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment may include at least two of the slit 27, the adhesive portion 30, the recess 24A, and the recess 26A. As described in the fifth embodiment, the adhesive portion 30 is interposed between the protrusion 24 and the lid member 26. The recess 26A is formed on the lower surface 26d of the lid member 26 as described in the seventh embodiment.
  • the communication portion of the semiconductor device 10G includes the first space formed by the slit 27.
  • the adhesive portion 30 is not applied over the entire circumference of the upper surface 24b of the protruding portion 24 in a plan view.
  • the communication portion of the semiconductor device 10G includes a space 31 (second space) formed in the portion where the adhesive portion 30 is not applied.
  • the communication portion of the semiconductor device 10G includes a third space formed by the recess 24A.
  • the communication portion of the semiconductor device 10G includes a fourth space formed by the recess 26A.
  • the communication portion of the semiconductor device 10G includes at least two spaces, a first space, a second space, a third space, and a fourth space.
  • the at least two spaces included in the communication unit overlap each other in a plan view.
  • the first space to the fourth space may partially overlap or may completely overlap in a plan view.
  • the communication portion includes the first space to the third space
  • the first space and the second space overlap in a plan view
  • the third space is the first space and the second space. It does not have to overlap with.
  • the communication portion includes the first space to the fourth space
  • the first space and the second space overlap each other
  • the third space and the fourth space overlap each other in a plan view. Therefore, the first space and the second space and the third space and the fourth space do not have to overlap each other.
  • the cross-sectional area of the communication portion can be increased. This facilitates the flow of the fluid in the communication section, so that the responsiveness of the detection section 16d for detecting the pressure of the fluid can be improved.
  • the first space and the third space each independently communicate the exposed hole 22a and the outside of the semiconductor device 10G.
  • two or more spaces from the first space to the fourth space may cooperate to communicate the exposed hole 22a with the outside of the semiconductor device 10G.
  • FIG. 16 is a vertical sectional view of a modified example of the semiconductor device according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the slit 27 of the lid member 26 communicates with the outside of the semiconductor device 10H but does not communicate with the exposed hole 22a, and the recess 24A of the protruding portion 24 of the resin package 22. Is not open to the side of the semiconductor device 10H while communicating with the exposed hole 22a.
  • the slit 27 and the recess 24A overlap with each other, so that the slit 27 and the recess 24A communicate with each other.
  • the exposed hole 22a and the outside of the semiconductor device 10H communicate with each other via the recess 24A and the slit 27.
  • FIG. 17 is a plan view of the semiconductor device according to the ninth embodiment of the present invention.
  • the difference between the semiconductor device 10I according to the ninth embodiment and the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment is that the first space and the third space do not overlap each other in a plan view.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10I includes two slits 27, and the protruding portion 24 of the resin package 22 of the semiconductor device 10I includes two recesses 24A.
  • the semiconductor device 10I has the same configuration as the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment. However, in the semiconductor device 10I, the two slits 27 and the two recesses 24A do not overlap each other in a plan view. In this respect, the semiconductor device 10I is different from the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment.
  • the semiconductor device 10I according to the ninth embodiment may include at least two of the slit 27, the adhesive portion 30, the recess 24A, and the recess 26A, similarly to the semiconductor device 10G according to the eighth embodiment. That is, the communication portion of the semiconductor device 10I according to the ninth embodiment may include at least two spaces, a first space, a second space, a third space, and a fourth space. In this case, the at least two spaces included in the communication portion do not overlap each other in a plan view in the ninth embodiment.
  • the number of routes through which the fluid is circulated can be increased. This facilitates the flow of the fluid in the communication section, so that the responsiveness of the detection section 16d for detecting the pressure of the fluid can be improved.
  • the lid member 26 of the semiconductor device 10B according to the third embodiment may include a plurality of slits 28 (slits 28 having a wide portion 28A and a narrow portion 28B) of the second embodiment, or the first. At least one slit 27 of the embodiment and one slit 28 of the second embodiment may be provided.

Abstract

嵌装されたＯリングの抜けを防止することができる半導体装置を提供する。本発明に係る半導体装置１０は、ベース基板１２上に実装され、圧力を検出する検出部１６ｄを備える検出素子１６と、ベース基板１２上に設けられ、検出素子１６が埋設された基部２３と、基部２３から上方へ突出し、検出部１６ｄを上方へ露出させる露出穴２２ａを有する突出部２４と、突出部２４の上面２４ｂに支持されて露出穴２２ａを塞ぐ蓋部材２６とを備える。蓋部材２６の外周部２６ａは、平面視において突出部２４より外側へ延出している。蓋部材２６は、外側面２６ｃに開口されたスリット２７を備える。スリット２７は、露出穴２２ａを半導体装置１０の側方から外部に連通させる。

Description

半導体装置及び電子機器
　本発明は、防水型の半導体装置、及び当該半導体装置を備えた電子機器に関する。
　特許文献１には、圧力測定装置等の電子機器に取り付けられ、圧力を測定する防水型の半導体装置が開示されている。半導体装置は、ベース基板と、検出素子と、樹脂パッケージとを備える。検出素子は、圧力を検出するもので、ベース基板に実装されている。検出素子は、ワイヤ等の接続部材を介して、ベース基板や、ベース基板に実装された回路素子と電気的に接続されている。樹脂パッケージは、ベース基板に設けられている。検出素子及び接続部材は、樹脂パッケージに埋設されている。樹脂パッケージは、検出素子の検出部を外部に露出させるための露出穴を備えている。露出穴を介して検出素子の検出部に圧力が作用する。
　特許文献１に開示された半導体装置は、露出穴に連通した貫通孔を有する筒状部材を備えている。筒状部材は、Ｏリングに貫通されている。これにより、筒状部材の周りには、Ｏリングが嵌装されている。半導体装置が電子機器に取り付けられた状態において、電子機器の筐体と半導体装置との間の隙間が、Ｏリングによって封止される。これにより、当該隙間を介して外部から電子機器の内部に液体が浸入することが防止されている。
国際公開第２０１９／２０８１２７号公報
　特許文献１に開示された半導体装置が電子機器に取り付けられる際、最初にＯリングが半導体装置に嵌装される。次に、Ｏリングが嵌装された半導体装置が電子機器に取り付けられる。
　Ｏリングの半導体装置への嵌装は容易に実行可能であることが望ましい。そこで、例えば、Ｏリングは、Ｏリングの内径が筒状部材の外径以上となるように形成されている。これにより、筒状部材のＯリングへの貫通が容易となる。その結果、Ｏリングを筒状部材へ容易に嵌装することができる。
　しかし、上記のように筒状部材のＯリングへの貫通が容易であると、Ｏリングの筒状部材からの抜け落ちも容易となってしまう。すると、Ｏリングが嵌装された半導体装置が電子機器へ取り付けられる際に、Ｏリングが筒状部材から抜け落ちる可能性が高まる。そのため、Ｏリングが嵌装された半導体装置の電子機器への取り付けが困難になるおそれがある。
　従って、本発明の目的は、前記課題を解決することにあって、嵌装されたＯリングの抜けを防止することができる半導体装置を提供することにある。
　前記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
　本発明の一態様に係る半導体装置は、
　圧力を検出する半導体装置であって、
　ベース基板と、
　前記ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を備える検出素子と、
　前記ベース基板の上面に設けられ、前記検出素子が埋設され、前記検出素子の前記検出部を上方へ露出させる露出穴を有する樹脂パッケージと、
　前記露出穴を塞ぐように前記樹脂パッケージに支持された蓋部材と、
　前記露出穴を外部と連通させる連通部と、を備え、
　前記樹脂パッケージは、
　前記検出素子が埋設された基部と、
　前記基部から上方へ突出し、前記露出穴を有する突出部と、を備え、
　平面視において、前記基部は、前記突出部の外側面より外側へ延出し、
　前記蓋部材は、前記突出部の上面に支持され、
　前記蓋部材は、前記蓋部材の外周部の少なくとも一部に、平面視において前記突出部の外側面より外側へ延出した延出部を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置の側方に開口されることによって外部と連通されている。
　本発明によれば、嵌装されたＯリングの抜けを防止することができる。
本発明の第１実施形態に係る半導体装置の斜視図。 本発明の第１実施形態に係る半導体装置の平面図。 図２のＡ－Ａ線に沿った断面図。 図３の半導体装置が電子機器の物品に取り付けられた状態の断面図。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の平面図。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の平面図。 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の平面図。 本発明の第５実施形態に係る半導体装置の平面図。 図８のＢ－Ｂ線に沿った断面図。 本発明の第６実施形態に係る半導体装置の斜視図。 図１０のＣ－Ｃ線に沿った断面図。 本発明の第７実施形態に係る半導体装置が備える蓋部材の底面側からの斜視図。 本発明の第７実施形態に係る半導体装置の縦断面図。 本発明の第８実施形態に係る半導体装置の平面図。 図１４のＤ－Ｄ線に沿った断面図。 本発明の第８実施形態に係る半導体装置の変形例の縦断面図。 本発明の第９実施形態に係る半導体装置の平面図。
　本発明の一態様に係る半導体装置は、
　圧力を検出する半導体装置であって、
　ベース基板と、
　前記ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を備える検出素子と、
　前記ベース基板の上面に設けられ、前記検出素子が埋設され、前記検出素子の前記検出部を上方へ露出させる露出穴を有する樹脂パッケージと、
　前記露出穴を塞ぐように前記樹脂パッケージに支持された蓋部材と、
　前記露出穴を前記半導体装置の外部と連通させる連通部と、を備え、
　前記樹脂パッケージは、
　前記検出素子が埋設された基部と、
　前記基部から上方へ突出し、前記露出穴を有する突出部と、を備え、
　平面視において、前記基部は、前記突出部の外側面より外側へ延出し、
　前記蓋部材は、前記突出部の上面に支持され、
　前記蓋部材は、前記蓋部材の外周部の少なくとも一部に、平面視において前記突出部の外側面より外側へ延出した延出部を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置の側方に開口されることによって外部と連通されている。
　この構成によれば、蓋部材が延出部を備えている。延出部は、突出部の外側面より外側へ延出している。そのため、Ｏリングが、その内周部が平面視において突出部を囲むように配置された場合、Ｏリングの上方からの抜けは、延出部によって規制可能である。
　仮に、半導体装置が蓋部材を備えていない場合、上方から落下する異物が露出穴を介して検出部に接触し、検出部による圧力の検出に影響を及ぼすおそれがある。この構成によれば、露出穴が蓋部材によって塞がされているため、上方から落下する異物の露出穴への進入が防止される。
　蓋部材で露出穴を塞ぎつつ、外部からの圧力を検出部に作用させるために、蓋部材を上下方向に貫通して外部と露出穴とを連通させる貫通孔を設けることが考えられる。しかし、上方から落下する異物が貫通孔を塞いでしまうと、外部からの圧力を検出部に作用させることができなくなる。しかし、この構成によれば、外部からの圧力は、半導体装置の側方から連通部及び露出穴を介して検出部に作用される。そのため、上方から落下する異物が連通部を塞いでしまう可能性を低くすることができる。
　前記連通部は、平面視において前記蓋部材の外周部から内側へ向けて形成されたスリットによって形成される空間を有していてもよい。
　この構成によれば、蓋部材にスリットを設けるだけで、連通部の機能を実現することができる。
　この構成によれば、蓋部材は、スリットによって、側方だけでなく、上方にも開口されている。そのため、連通部は、半導体装置の側方だけでなく上方においても、露出穴と半導体装置の外部とを連通させることができる。これにより、外部から露出穴への流体の流通が容易となるため、流体の圧力を検出する検出部の応答性を向上させることができる。また、仮に、スリットの上方が異物によって塞がれた場合であっても、半導体装置の側方から露出穴への連通を維持することができる。
　平面視において、前記スリットは、前記検出部から外れた位置にあってもよい。
　この構成によれば、上方から落下した異物がスリットを介して検出部に接触する可能性を低くすることができる。
　前記スリットは、平面視において少なくとも一部が前記露出穴と重複した幅広部と、前記幅広部と繋がっており、平面視において前記露出穴と重複しない幅狭部と、を備えていてもよい。
　この構成によれば、幅広部によって蓋部材の上方と露出穴との流体の流通が容易となる。そのため、流体の圧力を検出する検出部の応答性を向上させることができる。
　この構成によれば、平面視において露出穴と重複していない部分、つまり蓋部材と突出部の上面とが接触する部分において、スリットの幅が狭くなっている。そのため、蓋部材と突出部との接触面積を大きくすることができる。これにより、蓋部材が安定する。
　前記蓋部材は、３つ以上の前記スリットを備えていてもよい。
　この構成によれば、蓋部材が突出部の上面に支持されるときに、突出部の外側面が３つ以上設けられたスリットの各々を介して３か所以上で視認される。これにより、蓋部材の突出部に対する位置合わせを精度よく実行することができる。
　本発明の一態様に係る半導体装置は、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の一部に介在して前記蓋部材を前記突出部に固定する接着部を備え、前記連通部は、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の前記接着部が介在していない部分において互いに対向する前記突出部の上面と前記蓋部材との間の空間を有していてもよい。
　この構成によれば、蓋部材が突出部に接着されるときに、蓋部材と突出部との間の一部に接着剤をつけない領域を設けるだけで、当該領域を連通部として機能させることができる。
　前記突出部は、前記突出部の上面から下方へ凹んだ第１凹部を備え、前記連通部は、前記第１凹部によって形成される空間を有していてもよい。
　この構成によれば、突出部に第１凹部を設けるだけで、連通部の機能を実現することができる。
　前記蓋部材は、前記蓋部材の下面から上方へ凹んだ第２凹部を備え、前記連通部は、前記第２凹部によって形成される空間を有する。
　この構成によれば、蓋部材に第２凹部を設けるだけで、連通部の機能を実現することができる。
　本発明の一態様に係る半導体装置は、
　平面視において前記蓋部材の外周部から内側へ向けて形成されたスリット、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の一部に介在して前記蓋部材を前記突出部に固定する接着部、前記突出部の上面から下方へ凹んだ第１凹部、及び前記蓋部材の下面から上方へ凹んだ第２凹部の少なくとも２つを備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記スリットを備えている場合に、前記スリットによって形成される第１空間を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記接着部を備えている場合に、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の前記接着部が設けられていない部分において互いに対向する前記突出部の上面と前記蓋部材との間の第２空間を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記第１凹部を備えている場合に、前記第１凹部によって形成される第３空間を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記第２凹部を備えている場合に、前記第２凹部によって形成される第４空間を備え、
　平面視において、前記第１空間、前記第２空間、前記第３空間、及び前記第４空間は、互いに重複していてもよい。
　この構成によれば、連通部の断面積を大きくすることができる。これにより、連通部における流体の流通が容易となるため、流体の圧力を検出する検出部の応答性を向上させることができる。
　本発明の一態様に係る半導体装置は、
　平面視において前記蓋部材の外周部から内側へ向けて形成されたスリット、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の一部に介在して前記蓋部材を前記突出部に固定する接着部、前記突出部の上面から下方へ凹んだ第１凹部、及び前記蓋部材の下面から上方へ凹んだ第２凹部の少なくとも２つを備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記スリットを備えている場合に、前記スリットによって形成される第１空間を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記接着部を備えている場合に、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の前記接着部が設けられていない部分において互いに対向する前記突出部の上面と前記蓋部材との間の第２空間を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記第１凹部を備えている場合に、前記第１凹部によって形成される第３空間を備え、
　前記連通部は、前記半導体装置が前記第２凹部を備えている場合に、前記第２凹部によって形成される第４空間を備え、
　平面視において、前記第１空間、前記第２空間、前記第３空間、及び前記第４空間は、互いに重複していなくてもよい。
　この構成によれば、流体が流通される経路の数を増やすことができる。これにより、連通部における流体の流通が容易となるため、流体の圧力を検出する検出部の応答性を向上させることができる。
　本発明の一態様に係る半導体装置は、前記ベース基板の上面に実装された回路素子と、前記回路素子と前記検出素子とを電気的に接続する接続部材と、を備えていてもよい。
　本発明の一態様に係る電子機器は、前記半導体装置と、平面視において前記半導体装置の前記樹脂パッケージの前記突出部を囲むように配置され、内周部が前記突出部の外側面に接触したＯリングと、前記半導体装置が取り付けられた筐体と、を備えていてもよい。
　この構成によれば、半導体装置を備える電子機器において、Ｏリングの上方からの抜けを、延出部によって規制することができる。
　＜第１実施形態＞
　図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１０の斜視図である。図２は、第１実施形態に係る半導体装置１０の平面図である。図３は、図２のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図４は、図３の半導体装置が電子機器の物品に取り付けられた状態の断面図である。これらの図及び後述する図に示すＸ－Ｙ－Ｚ直交座標系は本発明の理解を容易にするためのものであって、発明を限定するものではない。
　半導体装置１０は、圧力を検出する圧力センサである。図１～図３に示すように、半導体装置１０は、ベース基板１２と、ベース基板１２に実装された回路素子１４と、ベース基板１２に実装された検出素子１６と、樹脂パッケージ２２と、蓋部材２６とを備える。
　第１実施形態において、ベース基板１２は、ガラスエポキシ基板やセラミック基板等のリジッド基板であるが、これに限らない。例えば、ベース基板１２は、リードフレームであってもよい。
　図３に示すように、ベース基板１２の上面１２ａに、回路素子１４及び検出素子１６が実装されている。ベース基板１２は、上面１２ａにパッド１２ｂを備える。図３において、パッド１２ｂは１つ記されているが、パッド１２ｂは１つに限らない。パッド１２ｂは、ボンディングワイヤ１８を介して回路素子１４と電気的に接続される。ベース基板１２は、上面１２ａの裏面である下面１２ｄに外部接続端子１２ｃを備える。半導体装置１０は、外部接続端子１２ｃによって、外部の他の装置（不図示）と電気的に接続される。
　回路素子１４は、上面１４ａと、上面１４ａの裏面である下面１４ｂとを備える。第１実施形態において、回路素子１４は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）を備える素子である。第１実施形態の場合、回路素子１４の下面１４ｂが、ダイアタッチフィルムやダイアタッチ材等によって、ベース基板１２の上面１２ａに接着されている。
　回路素子１４は、上面１４ａに第１パッド１４ｃを備える。図３において、第１パッド１４ｃは１つのみ記されているが、第１パッド１４ｃは１つに限らない。第１パッド１４ｃは、ボンディングワイヤ１８を介してベース基板１２のパッド１２ｂと電気的に接続される。
　回路素子１４は、第１パッド１４ｃとは別に、上面１４ａに第２パッド１４ｄを備える。図３において、第２パッド１４ｄは１つ記されているが、第２パッド１４ｄは１つに限らない。第２パッド１４ｄは、ボンディングワイヤ２０を介して検出素子１６と電気的に接続される。ボンディングワイヤ２０は、接続部材の一例である。
　回路素子１４は、検出素子１６から出力された信号を処理し、処理後の信号をベース基板１２に出力する信号処理回路を備える。例えば、第１実施形態の場合、回路素子１４は、コンバータ、フィルタ、温度センサ、プロセッサ、及びメモリ等を備える。コンバータは、検出素子１６から出力された電圧信号をデジタル信号に変換する。フィルタは、コンバータからのデジタル信号をフィルタリングする。温度センサは、温度を検出する。プロセッサは、温度センサの検出温度に基づいてフィルタリングされたデジタル信号を補正する。メモリは、検出温度を用いてデジタル信号を補正するときに使用する補正係数などを記憶する。
　第１実施形態の場合、検出素子１６は、圧力を測定するための圧力センサ素子である。検出素子１６は、上面１６ａと、上面１６ａの裏面である下面１６ｂとを備える。検出素子１６は、例えば、ピエゾ抵抗型の圧力センサ素子または静電容量型の圧力センサ素子であり、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子である。第１実施形態の場合、検出素子１６の下面１６ｂが、ダイアタッチフィルムやダイアタッチ材等によって、ベース基板１２の上面１２ａに接着されている。なお、第１実施形態では、検出素子１６はベース基板１２の上面１２ａに実装されているが、検出素子１６は回路素子１４上に実装されていてもよい。
　検出素子１６は、上面１６ａにパッド１６ｃを備える。図３において、パッド１６ｃは１つ記されているが、パッド１６ｃは１つに限らない。パッド１６ｃは、ボンディングワイヤ２０を介して回路素子１４の第２パッド１４ｄと電気的に接続される。すなわち、検出素子１６のボンディングワイヤ２０は、回路素子１４とボンディングワイヤ１８とを介して、ベース基板１２に電気的に接続されている。
　検出素子１６は、上面１６ａに、圧力が作用する検出部１６ｄを備える。つまり、検出部１６ｄは、圧力を検出する。第１実施形態の場合、圧力センサ素子である検出素子１６の検出部１６ｄは、圧力を受けるメンブレンやダイヤフラムである。なお、検出部１６ｄは、例えば、パッシベーション膜を備えており、防水されている。
　樹脂パッケージ２２は、例えば熱硬化性樹脂などの硬質樹脂をベース基板１２の上面１２ａにモールド成型することによって作製されたパッケージである。つまり、図３に示すように、樹脂パッケージ２２は、ベース基板１２の上面１２ａに設けられている。ベース基板１２の上面１２ａの部分（特にパッド１２ｂ）は、樹脂パッケージ２２に覆われることにより保護されつつ防水されている。
　図３に示すように、回路素子１４、検出素子１６、及びボンディングワイヤ１８、２０は、樹脂パッケージ２２に埋設されている。樹脂パッケージ２２内に埋設されることにより、回路素子１４（特に第１パッド１４ｃ及び第２パッド１４ｄ）、検出素子１６（特にパッド１６ｃ）、及びボンディングワイヤ１８、２０が保護されつつ防水されている。
　以上より、樹脂パッケージ２２により、ベース基板１２と回路素子１４との間の電気的接続および回路素子１４と検出素子１６との間の電気的接続が、樹脂パッケージ２２によって防水されている。
　図１及び図３に示すように、樹脂パッケージ２２は、基部２３と、突出部２４とを備える。
　基部２３は、樹脂パッケージ２２のうち、ベース基板１２側（Ｚ軸負方向側）を構成している。図３に示すように、基部２３の下面２３ａは、ベース基板１２の上面１２ａに接触している。
　回路素子１４、検出素子１６、及びボンディングワイヤ１８、２０は、基部２３に埋設されている。
　突出部２４は、樹脂パッケージ２２のうち、基部２３に対してベース基板１２の反対側（Ｚ軸正方向側）を構成している。突出部２４は、ベース基板１２から離れるように基部２３から突出している。言い換えると、突出部２４は、基部２３からＺ軸正方向（上方）へ突出している。
　図１及び図２に示すように、突出部２４は、平面視における基部２３の中央部に設けられている。言い換えると、平面視において、基部２３は、突出部２４の外側面２４ａより外側へ延出している。
　突出部２４は、露出穴２２ａを備える。露出穴２２ａは、突出部２４をＺ軸方向（上下方向）に貫通している。突出部２４は、筒状である。
　図３に示すように、検出素子１６の上面１６ａの一部と検出部１６ｄとは、露出穴２２ａの下端部に面している。つまり、検出素子１６の上面１６ａの一部と検出部１６ｄとは、露出穴２２ａを介して樹脂パッケージ２２の外部に露出されている。すなわち、露出穴２２ａは、検出素子１６の検出部１６ｄを樹脂パッケージ２２の外部に露出させる。露出穴２２ａの開口部は、突出部２４の上面２４ｂ（Ｚ軸正方向の面）に設けられている。つまり、樹脂パッケージ２２は、検出素子１６の検出部１６ｄを上方へ露出させる。後述する蓋部材２６のスリット２７と露出穴２２ａを介して、半導体装置１０の外部から検出素子１６の検出部１６ｄに圧力が作用し、検出素子１６はその圧力を測定することができる。
　図２に示すように、突出部２４は、平面視において、検出素子１６の検出部１６ｄの周りに位置している。つまり、突出部２４は、平面視において、検出部１６ｄの外側に位置している。
　なお、検出素子１６において、露出穴２２ａによって外部に露出する部分である検出部１６ｄは、例えばパッシベーション膜によって防水されている。また、第１実施形態の場合、露出穴２２ａの形状は、図１及び図２に示すように開口部が上面（Ｚ軸方向）視で円形状であって、また図３に示すように開口部から検出素子１６の検出部１６ｄに接近するにしたがってＸＹ平面に沿った断面積が減少するテーパ形状であるが、別の形状であってもよい。露出穴２２ａは、圧力を検出部１６ｄに導入する圧力導入孔として機能できればよい。
　図１～図３に示すように、蓋部材２６は、露出穴２２ａを塞ぐように、樹脂パッケージ２２の突出部２４の上面２４ｂに支持されている。第１実施形態において、蓋部材２６は、接着剤（不図示）によって突出部２４の上面２４ｂに取り付けられている。第１実施形態では、平面視における突出部２４の上面２４ｂの全周に亘って、接着剤が塗布されている。なお、接着剤は、後述する第５実施形態の図８及び図９のみにおいて図示されており、他の各図において図示が省略されている。
　図１及び図２に示すように、第１実施形態において、蓋部材２６は、略円盤形状である。なお、蓋部材２６の形状は、円盤形状に限らず、例えば直方体形状であってもよい。
　第１実施形態において、蓋部材２６は、液晶ポリマー等の樹脂で構成されている。なお、蓋部材２６は、樹脂に限らず、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属で構成されていてもよい。第１実施形態において、蓋部材２６の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、５０～２００（μｍ）であり、蓋部材２６の直径は、２～４（ｍｍ）である。
　蓋部材２６は、スリット２７を有している。スリット２７は、平面視において、蓋部材２６の外周部２６ａから蓋部材２６の中央部２６ｂへ向けて形成されている。言い換えると、スリット２７は、平面視において、蓋部材２６の外周部２６ａから蓋部材２６の内側へ向けて形成されている。蓋部材２６の外周部２６ａは、蓋部材２６の外側面２６ｃと外側面２６ｃの近傍部分とよりなる部分である。蓋部材２６の中央部２６ｂは、蓋部材２６のうち、平面視において露出穴２２ａと重複する部分である。
　第１実施形態において、スリット２７は、図１～図３に示すように、蓋部材２６の外側面２６ｃから蓋部材２６の中央部２６ｂまで延びている。つまり、平面視において、スリット２７の一部（奥部）は、露出穴２２ａと重複している。但し、第１実施形態では、図２に示すように、平面視において、スリット２７の奥部は、検出素子１６の検出部１６ｄと重複していない。つまり、第１実施形態では、平面視において、スリット２７は、検出素子１６の検出部１６ｄから外れた位置にある。なお、スリット２７は、平面視において、検出素子１６の検出部１６ｄと重複していてもよい。
　スリット２７は、蓋部材２６の上方（Ｚ軸正方向側）、下方（Ｚ軸負方向側）、及び外側方（平面視における蓋部材２６の中心から外周部２６ａへ向けて放射状に延びる径方向）に開口されている。スリット２７は、下方に開口されていることによって露出穴２２ａと連通されている。スリット２７は、蓋部材２６の上方及び外側方に開口されていることによって、半導体装置１０の外部と連通されている。これにより、スリット２７は、半導体装置１０の外部と露出穴２２ａとを連通させている。
　第１実施形態において、スリット２７の幅Ｗ（図２参照）は、５０～５００（μｍ）であるが、これに限らない。
　スリット２７（詳細には、スリット２７によって形成される空間）は、連通部の一例である。スリット２７によって形成される空間は、第１空間の一例である。スリット２７を構成する蓋部材２６の内側面２７ａ，２７ｂ，２７ｃが、連通部の一例であるとも言える。
　第１実施形態では、図２に示すように、平面視において、蓋部材２６の外周部２６ａは、突出部２４の外側面２４ａより、径方向の外側へ延出されている。第１実施形態では、蓋部材２６の外周部２６ａが延出部に相当する。つまり、第１実施形態では、蓋部材２６の外周部２６ａの全部が、平面視において突出部２４の外側面２４ａより外側へ延出した延出部である。
　図４は、図３の半導体装置が電子機器の物品に取り付けられた状態の断面図である。図３及び図４に示すように、樹脂パッケージ２２は、ＯリングＯＲを支持するように構成されている。
　図４に示すように、半導体装置１０は、電子機器１の筐体２に取り付けられて使用される。電子機器１は、例えば圧力測定装置であり、半導体装置１０と、ＯリングＯＲと、筐体２とを備えている。
　ＯリングＯＲは、環状である。ＯリングＯＲの内径は、樹脂パッケージ２２の突出部２４の外径と同一または略同一に構成されている。ＯリングＯＲは、ニトリルゴム等の圧縮変形容易な部材によって構成されている。
　図３に破線で示すように、ＯリングＯＲは、蓋部材２６が取り付けられる前の樹脂パッケージ２２の突出部２４に、上方から装着される。突出部２４に装着されたＯリングＯＲは、平面視において、突出部２４を囲むように配置されている。第１実施形態では、ＯリングＯＲの内径は、突出部２４の外径より大きく構成されている。これにより、上記の装着が容易に実行可能である。ＯリングＯＲの突出部２４への装着後に、蓋部材２６が突出部２４の上面２４ｂに接着される。
　図３に示すように、突出部２４に装着されたＯリングＯＲが、突出部２４の上端部から抜けることは、蓋部材２６の外周部２６ａによって規制される。突出部２４に装着されたＯリングＯＲが、突出部２４の下端部から抜けることは、樹脂パッケージ２２の基部２３によって規制される。
　図４に示すように、筐体２は、ＯリングＯＲが装着された半導体装置１０が配置される内部スペース２ａを有する。内部スペース２ａに配置された半導体装置１０は、嵌合等の公知の手段（不図示）によって、筐体２に取り付けられている。
　筐体２は、貫通孔２ｂを有する。貫通孔２ｂは、筐体２の外部と内部スペース２ａとを連通している。半導体装置１０の露出穴２２ａは、蓋部材２６のスリット２７、筐体２の内部スペース２ａ、及び筐体２の貫通孔２ｂを介して、電子機器１の外部と連通している。これにより、半導体装置１０によって、電子機器１の外部の圧力が測定可能となる。
　上記のように配置された半導体装置１０と筐体２の内部スペース２ａを構成する内周面２ｃとの間の隙間を封止するために、この隙間にＯリングＯＲが配置される。
　半導体装置１０が筐体２の内部スペース２ａに配置された状態において、突出部２４の外側面２４ａと内部スペース２ａを構成する内周面２ｃとの間のギャップＧは、ＯリングＯＲの直径Ｒ（図３参照）より短い。そのため、半導体装置１０が内部スペース２ａに配置されるとき、ＯリングＯＲは圧縮変形する（図４参照）。これにより、ＯリングＯＲの内周部ＯＲａは、突出部２４の外側面２４ａに接触し、ＯリングＯＲの外周部ＯＲｂは、内部スペース２ａを構成する内周面２ｃに接触する。その結果、半導体装置１０と筐体２との間の隙間が封止され、電子機器１の外部から当該隙間を介して電子機器１の内部へ液体が浸入することが、ＯリングＯＲによって防止される。
　第１実施形態によれば、蓋部材２６の外周部２６ａが、突出部２４の外側面２４ａより、径方向の外側へ延出された延出部である。そのため、ＯリングＯＲが、平面視において突出部２４を囲むように配置された場合、ＯリングＯＲの上方からの抜けは、延出部によって規制可能である。
　仮に、半導体装置１０が蓋部材２６を備えていない場合、上方から落下する異物が露出穴２２ａを介して検出部１６ｄに接触し、検出部１６ｄによる圧力の検出に影響を及ぼすおそれがある。第１実施形態によれば、露出穴２２ａが蓋部材２６によって塞がされているため、上方から落下する異物の露出穴２２ａへの進入が防止される。
　蓋部材２６で露出穴２２ａを塞ぎつつ、外部からの圧力を検出部１６ｄに作用させるために、蓋部材２６を上下方向（Ｚ軸方向）に貫通して外部と露出穴２２ａとを連通させる貫通孔を設けることが考えられる。しかし、上方から落下する異物が貫通孔を塞いでしまうと、外部からの圧力を検出部１６ｄに作用させることができなくなる。しかし、第１実施形態によれば、外部からの圧力は、半導体装置１０の側方からスリット２７及び露出穴２２ａを介して検出部１６ｄに作用される。そのため、上方から落下する異物が露出穴２２ａへ到達することができなくなる可能性を低くすることができる。
　第１実施形態によれば、蓋部材２６にスリット２７を設けるだけで、連通部の機能を実現することができる。
　第１実施形態によれば、蓋部材２６は、スリット２７によって、側方だけでなく、上方にも開口されている。そのため、スリット２７は、半導体装置１０の側方だけでなく上方においても、露出穴２２ａと半導体装置１０の外部とを連通させることができる。これにより、外部から露出穴２２ａへの流体の流通が容易となるため、流体の圧力を検出する検出部１６ｄの応答性を向上させることができる。また、仮に、スリット２７の上方が異物によって塞がれた場合であっても、半導体装置１０の側方から露出穴２２ａへの連通を維持することができる。
　第１実施形態によれば、上方から落下した異物がスリット２７を介して検出部１６ｄに接触する可能性を低くすることができる。
　第１実施形態によれば、半導体装置１０を備える電子機器１において、ＯリングＯＲの上方からの抜けを、蓋部材２６の外周部２６ａによって規制することができる。
　樹脂パッケージ２２の形状等の構成は、上述した構成（図１～図４に示された構成）に限らない。例えば、第１実施形態において、樹脂パッケージ２２の基部２３は平面視において四角形であるが、基部２３は平面視において四角形以外の形状（例えば円形）であってもよい。
　第１実施形態では、回路素子１４はボンディングワイヤ１８を介してベース基板１２と電気的に接続され、検出素子１６はボンディングワイヤ２０を介して回路素子１４と電気的に接続されていた。しかし、ベース基板１２、回路素子１４、及び検出素子１６の接続態様は、これに限らない。例えば、検出素子１６は、回路素子１４と同様にボンディングワイヤを介してベース基板１２と接続されていてもよい。この場合、検出素子１６は、ベース基板１２を介して回路素子１４と電気的に接続される。
　第１実施形態では、ベース基板１２、回路素子１４、検出素子１６は、それぞれボンディングワイヤを介して電気的に接続されていた。しかし、ベース基板１２、回路素子１４、検出素子１６は、ボンディングワイヤ以外の手段によって電気的に接続されていてもよい。例えば、回路素子１４がフリップチップによってベース基板１２に実装されていてもよい。この場合、回路素子１４とベース基板１２とは半田によって電気的に接続される。
　＜第２実施形態＞
　図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の平面図である。第２実施形態に係る半導体装置１０Ａが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、蓋部材２６がスリット２７の代わりにスリット２８を備える点である。
　図５に示すように、スリット２８は、図２に示すスリット２７と同様に、蓋部材２６の外周部２６ａから蓋部材２６の中央部２６ｂへ向けて形成されている。
　スリット２８は、幅広部２８Ａと幅狭部２８Ｂとを備える。幅広部２８Ａは、幅狭部２８Ｂよりも幅方向に長い。第２実施形態において、幅方向は、Ｘ軸方向である。
　幅広部２８Ａは、スリット２８の奥部を構成している。幅広部２８Ａの少なくとも一部は、平面視において、露出穴２２ａと重複している。第２実施形態では、幅広部２８Ａは、平面視において検出素子１６の検出部１６ｄと重複していないが重複していてもよい。
　幅狭部２８Ｂは、スリット２８の奥部以外の部分を構成している。幅狭部２８Ｂの一端部は、幅広部２８Ａと繋がっている。幅狭部２８Ｂの他端部は、蓋部材２６の外側面２６ｃに開口している。幅狭部２８Ｂは、平面視において露出穴２２ａより、蓋部材２６の径方向の外側に位置している。つまり、幅狭部２８Ｂは、平面視において露出穴２２ａと重複していない。
　スリット２８（詳細には、スリット２８によって形成される空間）は、連通部の一例である。スリット２８によって形成される空間は、第１空間の一例である。スリット２８を構成する蓋部材２６の内側面２８ａが、連通部の一例であるとも言える。
　第２実施形態では、スリット２８は、蓋部材２６の径方向の外側へ向かうにしたがって先細りとなるテーパ状である。しかし、スリット２８の形状は、テーパ状に限らない。例えば、図５に一点鎖線で示すように、スリット２８は、幅広部２８Ａと幅狭部２８Ｂとの境界部に段差を備えていてもよい。
　第２実施形態によれば、幅広部２８Ａによって蓋部材２６の上方と露出穴２２ａとの流体の流通が容易となる。そのため、流体の圧力を検出する検出部１６ｄの応答性を向上させることができる。
　第２実施形態によれば、平面視において露出穴２２ａと重複していない部分、つまり蓋部材２６と突出部２４の上面２４ｂとが接触する部分において、スリット２８の幅が狭くなっている。そのため、蓋部材２６と突出部２４との接触面積を大きくすることができる。これにより、蓋部材２６が安定する。
　＜第３実施形態＞
　図６は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の平面図である。第３実施形態に係る半導体装置１０Ｂが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、蓋部材２６が複数のスリット２７を備える点である。
　図６に示すように、半導体装置１０Ｂの蓋部材２６は、４つのスリット２７を備える。４つのスリット２７は、蓋部材２６の周方向ＣＤにおいて等間隔を開けて配置されている。言い換えると、４つのスリット２７は、周方向ＣＤにおいて９０度間隔で配置されている。
　なお、蓋部材２６が備えるスリット２７の数は、４つに限らない。また、複数のスリット２７の各々は、蓋部材２６の周方向ＣＤにおいて互いに異なる間隔を開けて配置されていてもよい。また、各スリット２７の幅は、図６に示すように互いに同一の幅であってもよいし、互いに異なる幅であってもよい。また、各スリット２７の幅は、図６に示す幅に限らない。
　第３実施形態によれば、半導体装置１０Ｂが３つ以上のスリット２７を備えている場合、蓋部材２６が突出部２４の上面２４ｂに支持されるときに、突出部２４の外側面２４ａが３つ以上設けられたスリット２７の各々を介して３か所以上で視認される。これにより、蓋部材２６の突出部２４に対する位置合わせを精度よく実行することができる。
　＜第４実施形態＞
　図７は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の平面図である。第４実施形態に係る半導体装置１０Ｃが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、半導体装置１０Ｃが、蓋部材２６の代わりに蓋部材２９を備える点である。
　蓋部材２９は、第１実施形態の半導体装置１０の蓋部材２６（図２参照）と同様に、露出穴２２ａを塞ぐように樹脂パッケージ２２の突出部２４の上面２４ｂに支持されており、スリット２７を有している。スリット２７は、第１実施形態の半導体装置１０の蓋部材２６（図２参照）と同構成である。
　第３実施形態において、蓋部材２９は、略円盤形状である。蓋部材２９の直径は、突出部２４の外径以下である。図７では、蓋部材２９の直径は、突出部２４の外径と同一である。蓋部材２９は、４つの延出部２９Ａを備えている。各延出部２９Ａは、蓋部材２９の外側面２９ｃから、蓋部材２９の径方向の外側へ延出されている。蓋部材２９の径方向は、平面視における蓋部材２９の中心から外周部２９ａへ向けて放射状に延びた方向である。
　４つの延出部２９Ａは、蓋部材２９の周方向ＣＤにおいて等間隔を開けて配置されている。言い換えると、４つの延出部２９Ａは、周方向ＣＤにおいて９０度間隔で配置されている。第４実施形態では、蓋部材２９の外周部２９ａにおける外側面２９ｃの近傍部分は、平面視における外側面２９ｃより径方向の内側部分のみならず、平面視における外側面２９ｃより径方向の外側部分である４つの延出部２９Ａを含む。つまり、第４実施形態において、蓋部材２９は、外周部２９ａの一部に延出部２９Ａを備えている。
　なお、蓋部材２９が備える延出部２９Ａの数は、４つに限らない。また、複数の延出部２９Ａの各々は、蓋部材２９の周方向ＣＤにおいて互いに異なる間隔を開けて配置されていてもよい。また、各延出部２９Ａの周方向ＣＤの長さは、図７に示される長さに限らない。
　＜第５実施形態＞
　図８は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の平面図である。図９は、図８のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。第５実施形態に係る半導体装置１０Ｄが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、蓋部材２６がスリット２７を備えておらず、蓋部材２６と突出部２４の上面２４ｂとの間に接着剤が介在していない部分がある点である。
　図８に示すように、半導体装置１０Ｄの蓋部材２６は、図２に示すようなスリット２７を備えていない。
　図９に示すように、蓋部材２６は、接着剤によって突出部２４の上面２４ｂに取り付けられている。接着剤によって構成される接着部３０は、突出部２４と蓋部材２６との間に介在されている。第５実施形態では、平面視における突出部２４の上面２４ｂの周方向ＣＤの２箇所において、接着剤が塗布されていない部分がある。言い換えると、第５実施形態では、蓋部材２６の下面２６ｄと突出部２４の上面２４ｂとの間において、接着部３０が介在していない部分がある。当該部分では、蓋部材２６の下面２６ｄと突出部２４の上面２４ｂとの間に、空間３１が形成されている。つまり、蓋部材２６の下面２６ｄと突出部２４の上面２４ｂとは、Ｚ軸方向において空間３１を介して対向している。
　図８に示すように、各空間３１は、平面視において、突出部２４の外側面２４ａから内側面２４ｃに亘って形成されている。突出部２４の内側面２４ｃは、露出穴２２ａを構成する面である。つまり、各空間３１を介して、露出穴２２ａと半導体装置１０Ｄの外部とは連通されている。
　第５実施形態では、平面視において、２つの空間３１は、検出素子１６の検出部１６ｄを挟んでＹ軸方向に対向している。言い換えると、２つの空間３１は、周方向ＣＤにおいて１８０度間隔で配置されている。
　なお、蓋部材２６の下面２６ｄと突出部２４の上面２４ｂとの間に形成される空間３１の数は、２つに限らない。また、各空間３１が形成される位置は、図８に示す位置に限らない。また、２つの空間３１は、周方向ＣＤにおいて１８０度以外の間隔で配置されていてもよい。例えば、２つの空間３１の狭い側の周方向ＣＤの間隔が９０度で、広い側の周方向ＣＤの間隔が２７０度であってもよい。また、空間３１が３つ以上形成されている場合において、各空間３１は、周方向ＣＤにおいて等間隔で配置されていてもよいし、異なる間隔で配置されていてもよい。また、各空間３１の周方向ＣＤの長さは、図８に示す長さに限らない。また、各空間３１の周方向ＣＤの長さは、図８に示すように互いに同一の長さであってもよいし、互いに異なる長さであってもよい。
　空間３１は、連通部の一例である。また、空間３１は、第２空間の一例である。空間３１を構成する蓋部材２６の下面２６ｄ、突出部２４の上面２４ｂ、及び接着部３０の側端部３０ａが、連通部の一例であるとも言える。
　第５実施形態によれば、蓋部材２６が突出部２４に接着されるときに、蓋部材２６と突出部２４との間の一部に接着剤をつけない空間３１を設けるだけで、空間３１を連通部として機能させることができる。
　＜第６実施形態＞
　図１０は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の斜視図である。図１１は、図１０のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。なお、図１０では、蓋部材２６の図示が省略されている。第６実施形態に係る半導体装置１０Ｅが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、蓋部材２６がスリット２７を備えておらず、樹脂パッケージ２２の突出部２４が凹部２４Ａを備える点である。
　図１１に示すように、半導体装置１０Ｅの蓋部材２６は、図２に示すようなスリット２７を備えていない。
　図１０に示すように、樹脂パッケージ２２の突出部２４は、２つの凹部２４Ａを備える。凹部２４Ａは、第１凹部の一例である。各凹部２４Ａは、突出部２４の上面２４ｂが下方へ凹むことによって形成されている。各凹部２４Ａは、突出部２４の外側面２４ａから内側面２４ｃに亘って形成されている。つまり、図１０及び図１１に示すように、各凹部２４Ａを介して、露出穴２２ａと半導体装置１０Ｄの外部とは連通されている。
　第６実施形態では、図１０に示すように、２つの凹部２４Ａは、Ｙ軸方向に一直線上に位置している。言い換えると、２つの凹部２４Ａは、周方向ＣＤにおいて１８０度間隔で配置されている。
　なお、突出部２４が備える凹部２４Ａの数は、２つに限らない。また、各凹部２４Ａが形成される位置は、図１０に示す位置に限らない。また、２つの凹部２４Ａは、周方向ＣＤにおいて１８０度以外の間隔で配置されていてもよい。例えば、２つの凹部２４Ａの狭い側の周方向ＣＤの間隔が９０度で、広い側の周方向ＣＤの間隔が２７０度であってもよい。また、凹部２４Ａが３つ以上形成されている場合において、各凹部２４Ａは、周方向ＣＤにおいて等間隔で配置されていてもよいし、異なる間隔で配置されていてもよい。また、各凹部２４Ａの周方向ＣＤの長さは、図１０に示す長さに限らない。また、各凹部２４Ａの周方向ＣＤの長さは、図１０に示すように互いに同一の長さであってもよいし、互いに異なる長さであってもよい。また、第６実施形態において、各凹部２４Ａの深さ（Ｚ軸方向の長さ）は、１０～１００（μｍ）であるが、これに限らない。
　凹部２４Ａ（詳細には、凹部２４Ａによって形成される空間）は、連通部の一例である。凹部２４Ａによって形成される空間は、第３空間の一例である。凹部２４Ａを構成する突出部２４の一対の内側面２４ｄ，２４ｅと内底面２４ｆとが、連通部の一例であるとも言える。
　第６実施形態によれば、突出部２４に凹部２４Ａを設けるだけで、連通部の機能を実現することができる。
　＜第７実施形態＞
　図１２は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置が備える蓋部材の底面側からの斜視図である。図１３は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置の縦断面図である。第７実施形態に係る半導体装置１０Ｆが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、蓋部材２６がスリット２７を備えておらず、凹部２６Ａを備える点である。
　図１２に示すように、半導体装置１０Ｆの蓋部材２６は、図２に示すようなスリット２７を備えていない。
　蓋部材２６は、２つの凹部２６Ａを備える。凹部２６Ａは、第２凹部の一例である。各凹部２６Ａは、蓋部材２６の下面２６ｄが上方へ凹むことによって形成されている。
　図１３に示すように、各凹部２６Ａは、Ｙ軸方向において、樹脂パッケージ２２の突出部２４の内側面２４ｃより露出穴２２ａ側へ延出している。これにより、各凹部２６Ａは露出穴２２ａと連通している。各凹部２６Ａは、Ｙ軸方向において、突出部２４の外側面２４ａより外側へ延出している。これにより、各凹部２６Ａは半導体装置１０Ｆの外部と連通している。以上より、各凹部２６Ａを介して、露出穴２２ａと半導体装置１０Ｄの外部とは連通されている。
　第７実施形態では、図１３に示すように、２つの凹部２６Ａは、Ｙ軸方向に一直線上に位置している。言い換えると、図１２に示すように、２つの凹部２６Ａは、周方向ＣＤにおいて１８０度間隔で配置されている。
　なお、蓋部材２６が備える凹部２６Ａの数は、２つに限らない。また、各凹部２６Ａが形成される位置は、図１２に示す位置に限らない。また、２つの凹部２６Ａは、周方向ＣＤにおいて１８０度以外の間隔で配置されていてもよい。例えば、２つの凹部２６Ａの狭い側の周方向ＣＤの間隔が９０度で、広い側の周方向ＣＤの間隔が２７０度であってもよい。また、凹部２６Ａが３つ以上形成されている場合において、各凹部２６Ａは、周方向ＣＤにおいて等間隔で配置されていてもよいし、異なる間隔で配置されていてもよい。また、各凹部２６Ａの大きさや形状は、図１０に示す大きさや形状に限らない。例えば、第７実施形態において、各凹部２６Ａの深さは、１０～１００（μｍ）であるが、これに限らない。また、各凹部２６Ａの大きさや形状は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
　凹部２６Ａ（詳細には、凹部２６Ａによって形成される空間）は、連通部の一例である。凹部２６Ａによって形成される空間は、第４空間の一例である。凹部２６Ａを構成する蓋部材２６の内側面２６ｅと内底面２６ｆとが、連通部の一例であるとも言える。
　第７実施形態によれば、蓋部材２６に凹部２６Ａを設けるだけで、連通部の機能を実現することができる。
　＜第８実施形態＞
　図１４は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置の平面図である。図１５は、図１４のＤ－Ｄ線に沿った断面図である。第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇが第１実施形態に係る半導体装置１０と異なる点は、蓋部材２６がスリット２７を備え、且つ樹脂パッケージ２２の突出部２４が凹部２４Ａを備える点である。
　図１４及び図１５に示すように、半導体装置１０Ｇの蓋部材２６は、２つのスリット２７を備える。なお、蓋部材２６が備えるスリット２７の数、形成位置、形状、大きさは任意である。
　半導体装置１０Ｇの樹脂パッケージ２２の突出部２４は、第６実施形態と同様に、２つの凹部２４Ａを備える。なお、突出部２４が備える凹部２４Ａの数、形成位置、形状、大きさは任意である。
　連通部は、各スリット２７と各凹部２４Ａとを備える。詳細には、連通部は、各スリット２７によって形成される第１空間と、各凹部２４Ａによって形成される第３空間とを備える。
　図１４に示すように、平面視において、スリット２７と凹部２４Ａとは重複している。つまり、平面視において、第１空間と第３空間とは重複している。これにより、図１５に示すように、各スリット２７によって形成される第１空間と、各凹部２４Ａによって形成される第３空間とは、互いに連通している。
　図１４及び図１５に示す半導体装置１０Ｇでは、蓋部材２６がスリット２７を備え、且つ樹脂パッケージ２２の突出部２４が凹部２４Ａを備えていた。
　しかし、第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇは、スリット２７、凹部２４Ａに加えて、またはスリット２７、凹部２４Ａの代わりに、接着部３０及び凹部２６Ａの少なくとも一方を備えていてもよい。つまり、第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇは、スリット２７、接着部３０、凹部２４Ａ、及び凹部２６Ａのうちの少なくとも２つを備えていればよい。接着部３０は、第５実施形態において説明したように、突出部２４と蓋部材２６との間に介在されている。凹部２６Ａは、第７実施形態において説明したように、蓋部材２６の下面２６ｄに形成されている。
　第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇの蓋部材２６がスリット２７を備えている場合、半導体装置１０Ｇの連通部は、スリット２７によって形成される第１空間を備える。
　第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇが接着部３０を備えている場合、接着部３０は平面視における突出部２４の上面２４ｂの全周に亘っては塗布されていない。この場合、半導体装置１０Ｇの連通部は、接着部３０が塗布されていない部分に形成される空間３１（第２空間）を備える。
　第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇの樹脂パッケージ２２の突出部２４が凹部２４Ａを備えている場合、半導体装置１０Ｇの連通部は、凹部２４Ａによって形成される第３空間を備える。
　第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇの蓋部材２６が凹部２６Ａを備えている場合、半導体装置１０Ｇの連通部は、凹部２６Ａによって形成される第４空間を備える。
　以上より、第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇの連通部は、第１空間、第２空間、第３空間、及び第４空間の少なくとも２つの空間を備える。当該連通部が備える当該少なくとも２つの空間は、平面視において互いに重複している。第１空間～第４空間は、平面視において一部のみ重複していてもよいし、全部重複していてもよい。
　なお、当該連通部が備える当該少なくとも２つの空間の全てが、平面視において互いに重複している必要はない。例えば、当該連通部が第１空間～第３空間を備えている場合に、平面視において、第１空間及び第２空間が重複している一方で、第３空間は第１空間及び第２空間と重複していなくてもよい。また、例えば、当該連通部が第１空間～第４空間を備えている場合に、平面視において、第１空間及び第２空間が重複し、第３空間及び第４空間が重複している一方で、第１空間及び第２空間と第３空間及び第４空間とは互いに重複していなくてもよい。
　第８実施形態によれば、第１空間～第４空間のうちの２つ以上の空間が平面視において重複して互いに連通するため、連通部の断面積を大きくすることができる。これにより、連通部における流体の流通が容易となるため、流体の圧力を検出する検出部１６ｄの応答性を向上させることができる。
　第８実施形態の一例として説明した図１４及び図１５に示す構成では、第１空間及び第３空間は、それぞれ単独で露出穴２２ａと半導体装置１０Ｇの外部とを連通させていた。しかし、第１空間～第４空間のうちの２つ以上の空間が協同して、露出穴２２ａと半導体装置１０Ｇの外部とを連通させてもよい。
　図１６は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置の変形例の縦断面図である。例えば、図１６に示す半導体装置１０Ｈでは、蓋部材２６のスリット２７が半導体装置１０Ｈの外部と連通している一方で露出穴２２ａと連通しておらず、樹脂パッケージ２２の突出部２４の凹部２４Ａが露出穴２２ａと連通している一方で半導体装置１０Ｈの側方に開口していない。しかし、平面視において、スリット２７と凹部２４Ａとが重複していることによって、スリット２７と凹部２４Ａとが互いに連通している。これにより、露出穴２２ａと半導体装置１０Ｈの外部とは、凹部２４Ａ及びスリット２７を介して連通している。
　＜第９実施形態＞
　図１７は、本発明の第９実施形態に係る半導体装置の平面図である。第９実施形態に係る半導体装置１０Ｉが第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇと異なる点は、平面視において第１空間及び第３空間が互いに重複していない点である。
　図１７に示すように、半導体装置１０Ｉの蓋部材２６は、２つのスリット２７を備え、半導体装置１０Ｉの樹脂パッケージ２２の突出部２４は、２つの凹部２４Ａを備える。この点、半導体装置１０Ｉは、第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇと同構成である。但し、半導体装置１０Ｉにおいて、２つのスリット２７と２つの凹部２４Ａとは、平面視において互いに重複していない。この点、半導体装置１０Ｉは、第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇと異なっている。
　第９実施形態に係る半導体装置１０Ｉは、第８実施形態に係る半導体装置１０Ｇと同様に、スリット２７、接着部３０、凹部２４Ａ、及び凹部２６Ａのうちの少なくとも２つを備えていればよい。つまり、第９実施形態に係る半導体装置１０Ｉの連通部は、第１空間、第２空間、第３空間、及び第４空間の少なくとも２つの空間を備えていればよい。この場合、当該連通部が備える当該少なくとも２つの空間は、第９実施形態では、平面視において互いに重複していない。
　第９実施形態によれば、流体が流通される経路の数を増やすことができる。これにより、連通部における流体の流通が容易となるため、流体の圧力を検出する検出部１６ｄの応答性を向上させることができる。
　なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。例えば、第３実施形態に係る半導体装置１０Ｂの蓋部材２６が、第２実施形態のスリット２８（幅広部２８Ａと幅狭部２８Ｂとを備えるスリット２８）を複数備えていてもよいし、第１実施形態のスリット２７と第２実施形態のスリット２８との各々を少なくとも１つずつ備えていてもよい。
　本発明は、適宜図面を参照しながら好ましい実施の形態に関連して充分に記載されているが、この技術に熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
　　１　電子機器
　　２　筐体
　１０　半導体装置
　１２　ベース基板
１２ａ　上面
　１４　回路素子
　１６　検出素子
１６ｄ　検出部
　２０　ボンディングワイヤ（接続部材）
　２２　樹脂パッケージ
２２ａ　露出穴
　２３　基部
　２４　突出部
２４Ａ　凹部（第１凹部）
２４ａ　外側面
２４ｂ　上面
　２６　蓋部材
２６Ａ　凹部（第２凹部）
２６ａ　外周部（延出部）
　２７　スリット
　２８　スリット
２８Ａ　幅広部
２８Ｂ　幅狭部
　３０　接着部
　３１　空間
　ＯＲ　Ｏリング
ＯＲａ　内周部

Claims (12)

  1. 　圧力を検出する半導体装置であって、
    　ベース基板と、
    　前記ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を備える検出素子と、
    　前記ベース基板の上面に設けられ、前記検出素子が埋設され、前記検出素子の前記検出部を上方へ露出させる開口部を有する樹脂パッケージと、
    　前記開口部を塞ぐように前記樹脂パッケージに支持された蓋部材と、
    　前記開口部を前記半導体装置の外部と連通させる連通部と、を備え、
    　前記樹脂パッケージは、
    　前記検出素子が埋設された基部と、
    　前記基部から上方へ突出し、前記開口部を有する突出部と、を備え、
    　平面視において、前記基部は、前記突出部の外側面より外側へ延出し、
    　前記蓋部材は、前記突出部の上面に支持され、
    　前記蓋部材は、前記蓋部材の外周部の少なくとも一部に、平面視において前記突出部の外側面より外側へ延出した延出部を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置の側方に開口されることによって外部と連通されている半導体装置。
  2. 　前記連通部は、平面視において前記蓋部材の外周部から内側へ向けて形成されたスリットによって形成される空間を有する請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　平面視において、前記スリットは、前記検出部から外れた位置にある請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記スリットは、
    　平面視において少なくとも一部が前記開口部と重複した幅広部と、
    　前記幅広部と繋がっており、平面視において前記開口部と重複しない幅狭部と、を備える請求項２または３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  5. 　前記蓋部材は、３つ以上の前記スリットを備える請求項２から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 　前記突出部の上面と前記蓋部材との間の一部に介在して前記蓋部材を前記突出部に固定する接着部を備え、
    　前記連通部は、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の前記接着部が介在していない部分において互いに対向する前記突出部の上面と前記蓋部材との間の空間を有する請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 　前記突出部は、前記突出部の上面から下方へ凹んだ第１凹部を備え、
    　前記連通部は、前記第１凹部によって形成される空間を有する請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  8. 　前記蓋部材は、前記蓋部材の下面から上方へ凹んだ第２凹部を備え、
    　前記連通部は、前記第２凹部によって形成される空間を有する請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置。
  9. 　平面視において前記蓋部材の外周部から内側へ向けて形成されたスリット、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の一部に介在して前記蓋部材を前記突出部に固定する接着部、前記突出部の上面から下方へ凹んだ第１凹部、及び前記蓋部材の下面から上方へ凹んだ第２凹部の少なくとも２つを備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記スリットを備えている場合に、前記スリットによって形成される第１空間を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記接着部を備えている場合に、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の前記接着部が設けられていない部分において互いに対向する前記突出部の上面と前記蓋部材との間の第２空間を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記第１凹部を備えている場合に、前記第１凹部によって形成される第３空間を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記第２凹部を備えている場合に、前記第２凹部によって形成される第４空間を備え、
    　平面視において、前記第１空間、前記第２空間、前記第３空間、及び前記第４空間は、互いに重複している請求項１に記載の半導体装置。
  10. 　平面視において前記蓋部材の外周部から内側へ向けて形成されたスリット、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の一部に介在して前記蓋部材を前記突出部に固定する接着部、前記突出部の上面から下方へ凹んだ第１凹部、及び前記蓋部材の下面から上方へ凹んだ第２凹部の少なくとも２つを備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記スリットを備えている場合に、前記スリットによって形成される第１空間を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記接着部を備えている場合に、前記突出部の上面と前記蓋部材との間の前記接着部が設けられていない部分において互いに対向する前記突出部の上面と前記蓋部材との間の第２空間を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記第１凹部を備えている場合に、前記第１凹部によって形成される第３空間を備え、
    　前記連通部は、前記半導体装置が前記第２凹部を備えている場合に、前記第２凹部によって形成される第４空間を備え、
    　平面視において、前記第１空間、前記第２空間、前記第３空間、及び前記第４空間は、互いに重複していない請求項１に記載の半導体装置。
  11. 　前記ベース基板の上面に実装された回路素子と、
    　前記回路素子と前記検出素子とを電気的に接続する接続部材と、を備える請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
  12. 　請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体装置と、
    　平面視において前記半導体装置の前記樹脂パッケージの前記突出部を囲むように配置され、内周部が前記突出部の外側面に接触したＯリングと、
    　前記半導体装置が取り付けられた筐体と、を備える電子機器。
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