JP2019052948A - 圧力温度センサ - Google Patents

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俊太郎 吉田
Shuntaro Yoshida
俊太郎 吉田
文明 青木
Fumiaki Aoki
文明 青木
和正 荻野
Kazumasa Ogino
和正 荻野
大野 和幸
Kazuyuki Ono
和幸 大野
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Abstract

【課題】圧力及び温度の両方が検出可能であると共にウェハレベルパッケージとして構成されたセンサチップを備えた圧力温度センサにおいて、圧力測定精度と温度応答性とを両立させること。【解決手段】モールド樹脂部140は、側面の一部が円柱側面状の外周側面145を有している。ハウジング110の圧力導入孔114は、モールド樹脂部140の外周側面145が嵌合する径に形成された内周側面117を有している。そして、ハウジング110及び成形樹脂部120は、モールド樹脂部140の外周側面145が圧力導入孔114の内周側面117に嵌合する共に、センサチップ150の圧力検出部及び温度検出部が圧力導入孔114のうち先端部116に位置する状態で、モールド樹脂部140を保持している。【選択図】図1

Description

本発明は、測定対象の圧力及び温度を検出可能に構成された圧力温度センサに関する。
従来より、温度センサと圧力センサとを備えた複合センサが、例えば特許文献1で提案されている。具体的には、圧力センサは本体部に設けられ、温度センサは本体部から突出した温度アームの先端部に設けられた構成が提案されている。本体部は、圧力センサに通じる圧力導入通路を有している。
特開2014−109571号公報
上記従来の技術では、圧力センサと温度センサとが別体の構成になっている。そこで、圧力センサと温度センサとをウェハレベルパッケージとして一体的に構成することが考えられる。この場合、圧力センサ及び温度センサは平面構造を持つ1つのセンサチップとして構成される。したがって、複合センサは1つのセンサチップを備えた構成となる。
しかしながら、ウェハレベルパッケージのセンサチップは、平板状であるので、剛性が低く、複合センサが外力を受けたときに動圧を受けやすいという問題がある。このため、複合センサが配管に固定され、センサチップが配管の中空部に突き出すように配置される場合、配管に流れる流体からセンサチップが動圧の影響を受けやすくなる。このため、圧力測定精度が低下してしまうという問題がある。
そこで、センサチップが配管内の肉厚部側に位置するように複合センサを構成することが考えられる。しかし、センサチップが流体の流れの中心から外れた位置に配置されるので、センサチップ側の流体が滞留してしまい、温度応答性が低下しまう。このため、実際の流体温度と測定温度との乖離が大きくなってしまうという問題がある。
本発明は上記点に鑑み、圧力及び温度の両方が検出可能であると共にウェハレベルパッケージとして構成されたセンサチップを備えた圧力温度センサにおいて、圧力測定精度と温度応答性とを両立させることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、圧力温度センサは、ウェハレベルパッケージとして複数の層(151〜155)が積層されて構成された板状の積層基板(156)と、複数の層のうちの一つに形成されていると共に測定対象の圧力が印加されるダイヤフラム(157)と、ダイヤフラムに設けられた圧力検出部(158)と積層基板に設けられた温度検出部(158)と、を有し、ダイヤフラムの歪みに応じた圧力信号を圧力検出部から出力する一方、積層基板が測定対象から受ける熱に応じた温度信号を温度検出部から出力するセンサチップ(150)を備えている。
圧力温度センサは、一端部(141)と、一端部とは反対側の他端部(142)と、を有する柱状であって、センサチップのうち圧力検出部及び温度検出部に対応する部分が露出するように、センサチップを一端部側に封止したモールド樹脂部(140)を備えている。
圧力温度センサは、圧力導入孔(114)が形成された筒状の圧力導入部(112)を有し、圧力導入部の一部が取付対象である配管の肉厚部に固定されることで圧力導入部の先端部(116)を配管の内部に位置させる保持部(110、120、130)を備えている。
モールド樹脂部は、側面の一部が円柱側面状の外周側面(145)を有し、保持部の圧力導入孔は、モールド樹脂部の外周側面が嵌合する径に形成された内周側面(117)を有している。
保持部は、モールド樹脂部の外周側面が圧力導入孔の内周側面に嵌合する共に、センサチップの圧力検出部及び温度検出部が圧力導入孔のうち先端部に位置する状態で、モールド樹脂部を保持する。
これによると、モールド樹脂部の外周側面が円柱側面状に構成されているので、センサチップを保持部の先端部に位置させるために柱状に構成されたモールド樹脂部の剛性を向上させることができる。
また、モールド樹脂部の外周側面が圧力導入孔の内周側面に嵌合しているので、保持部が外力を受けたときのモールド樹脂部のがたつきを抑制することができる。
さらに、モールド樹脂部が保持部に保持された状態では、センサチップの圧力検出部が保持部の先端部に位置しているので、圧力検出部が測定対象の影響を直接受けることがない。このため、圧力検出部が測定対象から受ける動圧の影響を低減することができる。したがって、センサチップの圧力測定精度を確保することができる。
一方、温度検出部が配管の中央部に配置されるので、温度検出部が配管の肉厚部に配置される場合よりも測定対象の熱が温度検出部に伝わりやすくなる。したがって、センサチップの温度応答性を確保することができる。
以上により、ウェハレベルパッケージとして構成されたセンサチップを備えた圧力温度センサにおいて、圧力測定精度と温度応答性とを両立させることができる。
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
第1実施形態に係る圧力温度センサの断面図である。 センサチップの一部断面図である。 圧力導入部の先端部の拡大断面図である。 圧力導入部の先端部の斜視図である。 第2実施形態に係る圧力温度センサの断面図である。 第3実施形態に係る圧力温度センサの断面図である。 第4実施形態に係るモールド樹脂部の断面図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る圧力温度センサは、測定対象の圧力及び温度の両方を検出可能に構成されたものである。圧力温度センサは配管に固定され、配管内の測定対象の圧力及び温度を検出する。測定対象は、例えばオイルである。もちろん、測定対象は他の液体や気体等の他の流体の場合もある。
図1に示されるように、圧力温度センサ100は、ハウジング110、成形樹脂部120、ポッティング樹脂部130、モールド樹脂部140、及びセンサチップ150を備えている。
ハウジング110は、SUS等の金属材料が切削等により加工された中空形状のケースである。ハウジング110の外周面には、取付対象である配管にネジ結合可能な雄ネジ部111が形成されている。
ハウジング110は、一端側に圧力導入部112を有し、他端側に開口部113を有している。圧力導入部112は圧力導入孔114が形成された筒状の部分であり、圧力導入孔114は開口部113に連通している。ハウジング110の開口部113は周壁115に囲まれることで構成されている。ハウジング110は、圧力導入部112の一部が取付対象である配管の肉厚部に設けられた貫通ネジ穴に固定される。これにより、圧力導入部112の先端部116が配管の内部に位置することになる。
成形樹脂部120は、圧力温度センサ100と外部装置とを電気的に接続するためのコネクタを構成する部分である。成形樹脂部120は、例えばPPS等の樹脂材料で形成されており、一端側がハウジング110の開口部113に固定される固定部121として形成され、他端側がコネクタ部122として形成されている。固定部121はコネクタ部122側に凹んだ凹部123を有している。
また、成形樹脂部120は、ターミナル124がインサート成形により一体成形されている。ターミナル124の一端側は固定部121に封止され、他端側はコネクタ部122の内側に露出するように成形樹脂部120にインサート成形されている。ターミナル124の一端側は、モールド樹脂部140の一部が凹部123に収容されることでモールド樹脂部140の電気的部品に接続される。
そして、成形樹脂部120は、固定部121がOリング125を介してハウジング110の開口部113に嵌め込まれた状態で、ハウジング110の周壁115の端部が当該固定部121を押さえるようかしめ固定されている。
ポッティング樹脂部130は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成されており、成形樹脂部120の凹部123とモールド樹脂部140との隙間に充填されている。ポッティング樹脂部130は、測定対象であるオイルからモールド樹脂部140の一部やターミナル124の接合部等をシール・保護する役割を果たす。
モールド樹脂部140は、センサチップ150を保持する部品である。モールド樹脂部140は、一端部141と、一端部141とは反対側の他端部142と、を有する柱状に構成されている。モールド樹脂部140は、一端部141側にセンサチップ150を封止している。
また、モールド樹脂部140は、リードフレーム143の一部及び回路チップ144を封止している。リードフレーム143は、センサチップ150及び回路チップ144が実装されるベースとなる部品である。リードフレーム143の一端側にはセンサチップ150が実装され、他端側には回路チップ144が実装されている。
リードフレーム143の他端側の先端部分は、モールド樹脂部140の他端部142から露出していると共に、ターミナル124の一端側に接続されている。なお、リードフレーム143は、複数に分割されていても良い。この場合、ボンディングワイヤによって電気的接続を行えば良い。リードフレーム143とターミナル124ともボンディングワイヤで接続されていても良い。
回路チップ144は、メモリ等の半導体集積回路が形成されたICチップである。回路チップ144は、半導体基板等を用いて形成されている。回路チップ144は、センサチップ150への電源(定電流)の供給、センサチップ150から圧力信号及び温度信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて各信号の信号処理を行う。信号処理値とは、各信号の信号値を増幅や演算等するための調整値である。回路チップ144は、図示しないボンディングワイヤによってリードフレーム143を介してセンサチップ150と電気的に接続されている。
センサチップ150は、測定対象の圧力及び温度を検出する電子部品である。センサチップ150は、例えば銀ペースト等でリードフレーム143に実装されている。
図2に示されるように、センサチップ150は、複数の層151〜155が積層されて構成された板状の積層基板156を有して構成されている。複数の層151〜155は、ウェハレベルパッケージとして複数のウェハが積層され、半導体プロセス等で加工された後、センサチップ150毎にダイシングカットされる。
複数の層151〜155は、第1層151、第2層152、第3層153、第4層154、及び第5層155が積層されて構成されている。例えば、第1層151、第2層152、及び第3層153によってSOI基板が構成され、第4層154及び第5層155によってキャップ基板が構成されている。
第2層152及び第3層153は、薄肉状のダイヤフラム157として構成されている。第3層153は例えばシリコン等の半導体層であり、複数のゲージ抵抗158が形成されている。各ゲージ抵抗158は、第3層153に対するイオン注入により形成された拡散抵抗である。各ゲージ抵抗158はダイヤフラム157の上に形成された薄膜抵抗として構成されていても良い。なお、第3層153には、各ゲージ抵抗158に接続された図示しない配線部やパッド等も形成されている。
各ゲージ抵抗158は、ダイヤフラム157の歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子である。また、各ゲージ抵抗158は温度に応じて抵抗値が変化する素子である。各ゲージ抵抗158は、ホイートストンブリッジ回路を構成するように電気的に接続されている。ホイートストンブリッジ回路は、回路チップ144から定電流の電源が供給される。これにより、各ゲージ抵抗158のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム157の歪みや温度に応じた電圧をセンサ信号として検出することができる。
具体的には、センサチップ150は、ダイヤフラム157の歪みに応じた複数のゲージ抵抗158の抵抗変化をホイートストンブリッジ回路の中点電圧の変化として検出し、当該中点電圧を圧力信号として出力する。一方、センサチップ150は、積層基板156が測定対象から受ける熱に応じた複数のゲージ抵抗158の抵抗変化をホイートストンブリッジ回路のブリッジ電圧として検出し、当該ブリッジ電圧を温度信号として出力する。
したがって、本実施形態では、各ゲージ抵抗158は、圧力検出部及び温度検出部の両方の機能を有すると言える。センサチップ150は、圧力検出部及び温度検出部に対応した部分が露出するように、モールド樹脂部140の一端部141側に封止されている。
また、第1層151は、ダイヤフラム157のうち各ゲージ抵抗158が設けられたセンシング領域に対応する開口部159を有する。これにより、ダイヤフラム157のセンシング領域が第1層151の開口部159に露出する。測定対象の圧力は、この開口部159に露出するダイヤフラム157の受圧面160に印加される。
一方、第4層154及び第5層155は、ダイヤフラム157のセンシング領域に対応した部分が凹んだ凹部161を有する。この凹部161は、第3層153、第4層154、及び第5層155が積層されることで密閉された空間部162を構成している。空間部162は、例えば真空室になっている。したがって、センサチップ150によって測定される圧力は絶対圧である。
なお、第1層151は例えば半導体基板であり、第2層152及び第4層154は例えば絶縁層である。第5層155は、半導体基板やガラス基板等で構成されている。以上が、圧力温度センサ100の全体構成である。
次に、モールド樹脂部140及び圧力導入部112の具体的な構成及びその効果について説明する。
まず、図1に示されるように、モールド樹脂部140は、一端部141と他端部142との間の側面の一部が円柱側面状の外周側面145を有している。外周側面145は、他端部142側の径が一端部141側に向かって小さくなる外周側テーパ部146を有している。つまり、外周側面145は一端部141側の径が他端部142側の径よりも細くなっている。
外周側テーパ部146は、外周側面145のうちセンサチップ150が配置されていない位置に形成されている。すなわち、外周側テーパ部146は、センサチップ150を避けるようにモールド樹脂部140に封止されている。
一方、圧力導入孔114は、モールド樹脂部140の外周側面145が嵌合する径に形成された内周側面117を有している。内周側面117は、圧力導入部112の先端部116側に向かって径が小さくなると共に、外周側テーパ部146に対応する内周側テーパ部118を有している。
上記の形状に基づき、モールド樹脂部140の一端部141側からモールド樹脂部140が圧力導入孔114に差し込まれる。そして、モールド樹脂部140の外周側面145が圧力導入孔114の内周側面117に嵌合する共に、センサチップ150の圧力検出部及び温度検出部が圧力導入孔114のうち先端部116に位置する。このとき、モールド樹脂部140の外周側面145の外周側テーパ部146と、圧力導入孔114の内周側面117の内周側テーパ部118と、が嵌合した状態で、モールド樹脂部140を保持する。
このような状態で、モールド樹脂部140の他端部142が成形樹脂部120の固定部121の凹部123に押し込まれると共に、ハウジング110の周壁115の端部が固定部121にかしめられることで、モールド樹脂部140が成形樹脂部120及びハウジング110に保持される。
このように、モールド樹脂部140の外周側面145は圧力導入部112の内周側面117に嵌合されているので、柱状に構成されたモールド樹脂部140の剛性を向上させることができる。このため、センサチップ150を圧力導入部112の先端部116に位置させるために、モールド樹脂部140を圧力導入部112の延設方向に長さを持った形状に構成することができる。
また、配管を介してハウジング110が外力を受けた場合やハウジング110が測定対象から外力を受けた場合に、モールド樹脂部140のがたつきを抑制することができる。外周側面145及び内周側面117にテーパ形状が採用されているので、圧力導入部112の保持力を強固にすることができ、がたつきの抑制効果を高めることができる。
そして、モールド樹脂部140の外周側テーパ部146は、外周側面145のうちセンサチップ150が配置されていない位置に形成されているので、センサチップ150に対してモールド樹脂部140の外周側テーパ部146に掛かる応力の影響が抑制される。したがって、当該応力によるセンサチップ150へのピエゾ抵抗効果を防止することができる。
さらに、モールド樹脂部140が圧力導入部112に収容された状態では、センサチップ150の圧力検出部が圧力導入部112の先端部116に位置するので、圧力検出部が測定対象の影響を直接受けることがない。このため、圧力検出部が測定対象から受ける動圧の影響を低減することができる。モールド樹脂部140は外周側テーパ部146が内周側テーパ部118に接触することによって圧力導入孔114における位置が規制されるので、先端部116におけるセンサチップ150の位置決めを容易にすることができる。
図3及び図4に示されるように、圧力導入部112は、先端部116の先端が圧力導入部112の延設方向に開口している。これにより、圧力導入部112は、開口端116aを有している。開口端116aは、圧力導入孔114の壁面側がモールド樹脂部140側に傾斜したテーパ状に形成されている。このテーパ状の開口端116aの形状により、測定対象が圧力導入部112の先端から圧力導入孔114に入り込みやすくなるので、測定対象の滞留防止による温度応答性を確保することができる。
また、先端部116は、複数の開口部116bを有している。各開口部116bは、圧力導入部112の延設方向に沿って開口している。先端部116の先端は開口しているので、各開口部116bはスリット状に形成されている。
さらに、各開口部116bは、圧力導入部112の先端部116のうち延設方向において先端部116の先端からセンサチップ150の圧力検出部に至らない範囲に形成されている。言い換えると、延設方向に垂直な方向においてセンサチップ150の圧力検出部が開口部116bから露出しないように、各開口部116bが先端部116に形成されている。つまり、延設方向におけるモールド樹脂部140側の開口部116bの端部が延設方向においてセンサチップ150の圧力検出部よりも先端部116の先端側に位置している。
これによると、測定対象が延設方向に垂直な方向から開口部116bを介して圧力導入孔114に入り込む際にセンサチップ150の圧力検出部に直接当たらないので、動圧の影響を抑制することができる。また、測定対象が開口部116bを介して圧力導入孔114に入り込むことで、測定対象が圧力導入孔114に滞留することを抑制し、温度応答性を確保することができる。このような位置関係は、上記の外周側テーパ部146及び内周側テーパ部118によって容易に実現できる。
以上のように、センサチップ150の圧力検出部が動圧の影響を受けにくくなるので、センサチップ150の圧力測定精度を確保することができる。
一方、センサチップ150の温度検出部が圧力導入部112の先端部116に配置されることにより配管の中央部に位置することになるので、温度検出部が配管の肉厚部に位置する場合よりも測定対象の熱が温度検出部に伝わりやすくなる。したがって、センサチップ150の温度応答性を確保することができ、圧力温度センサ100において圧力測定精度と温度応答性とを両立させることができる。
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、ハウジング110、成形樹脂部120、及びポッティング樹脂部130が特許請求の範囲の「保持部」に対応する。また、複数のゲージ抵抗158が特許請求の範囲の「圧力検出部」及び「温度検出部」に対応する。
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、圧力導入部112の先端部116の先端は開口していない構造になっている。すなわち、圧力導入部112は有底筒状になっており、先端が塞がっている。
しかしながら、図5に示されるように、先端部116は、圧力導入部112の延設方向に沿って開口した複数の開口部116bを有している。各開口部116bは窓状に形成されていると言える。圧力導入部112を以上のような形状としても良い。
(第3実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図6に示されるように、モールド樹脂部140は、当該モールド樹脂部140の径方向に凹んだOリング溝147と、Oリング溝147に配置されたOリング148と、を有している。これにより、圧力導入孔114は、Oリング148によってシールされている。
また、Oリング溝147は、モールド樹脂部140の外周側面145のうちセンサチップ150が配置されていない位置に形成されている。これにより、センサチップ150に対してOリング148からモールド樹脂部140に掛かる応力の影響が抑制される。したがって、当該応力によるセンサチップ150へのピエゾ抵抗効果を防止することができる。
なお、Oリング148によって圧力導入孔114がシールされるので、固定部121に設けられていたOリング125を廃止することができる。もちろん、Oリング125を採用する構成としても良い。モールド樹脂部140を以上のような構成としても良い。
(第4実施形態)
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。図7に示されたモールド樹脂部140は外周側面145において圧力導入部112の延設方向に垂直な方向の断面であるが、外周部140aと本体部140bとに分かれて構成されている。
外周部140aは、外周側面145を有する円筒状の部分である。本体部140bは、外周部140aに差し込まれた状態で外周部140aに一体化されていると共にセンサチップ150を封止した部分である。モールド樹脂部140を以上のように複数の部品で構成しても良い。
(他の実施形態)
上記各実施形態で示された圧力温度センサ100の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、センサチップ150の構成は5つの層151〜155に限られず、ウェハレベルパッケージとして構成されていれば層の数は適宜変更しても構わない。
また、上記各実施形態では、複数のゲージ抵抗158が圧力と温度の両方を検出するように構成されているが、圧力を検出する素子と温度を検出する素子とは別々に構成されていても良い。つまり、圧力検出部と温度検出部とがセンサチップ150に別々に設けられていても良い。
110 ハウジング、112 圧力導入部、114 圧力導入孔、116 先端部、117 内周側面、120 成形樹脂部、130 ポッティング樹脂部、140 モールド樹脂部、141 一端部、142 他端部、145 外周側面、150 センサチップ、151〜155 層、156 積層基板、157 ダイヤフラム、158 ゲージ抵抗

Claims (7)

  1. ウェハレベルパッケージとして複数の層(151〜155)が積層されて構成された板状の積層基板(156)と、前記複数の層のうちの一つに形成されていると共に測定対象の圧力が印加されるダイヤフラム(157)と、前記ダイヤフラムに設けられた圧力検出部(158)と前記積層基板に設けられた温度検出部(158)と、を有し、前記ダイヤフラムの歪みに応じた圧力信号を前記圧力検出部から出力する一方、前記積層基板が測定対象から受ける熱に応じた温度信号を前記温度検出部から出力するセンサチップ(150)と、
    一端部(141)と、前記一端部とは反対側の他端部(142)と、を有する柱状であって、前記センサチップのうち前記圧力検出部及び前記温度検出部に対応する部分が露出するように、前記センサチップを前記一端部側に封止したモールド樹脂部(140)と、
    圧力導入孔(114)が形成された筒状の圧力導入部(112)を有し、前記圧力導入部の一部が取付対象である配管の肉厚部に固定されることで前記圧力導入部の先端部(116)を前記配管の内部に位置させる保持部(110、120、130)と、
    を備え、
    前記モールド樹脂部は、側面の一部が円柱側面状の外周側面(145)を有し、
    前記保持部の前記圧力導入孔は、前記モールド樹脂部の前記外周側面が嵌合する径に形成された内周側面(117)を有し、
    前記保持部は、前記モールド樹脂部の前記外周側面が前記圧力導入孔の前記内周側面に嵌合する共に、前記センサチップの前記圧力検出部及び前記温度検出部が前記圧力導入孔のうち前記先端部に位置する状態で、前記モールド樹脂部を保持する圧力温度センサ。
  2. 前記外周側面は、前記他端部側の径が前記一端部側に向かって小さくなる外周側テーパ部(146)を有し、
    前記内周側面は、前記先端部側に向かって径が小さくなると共に、前記外周側テーパ部に対応する内周側テーパ部(118)を有し、
    前記保持部は、前記モールド樹脂部の前記外周側面の前記外周側テーパ部と、前記圧力導入孔の前記内周側面の前記内周側テーパ部と、が嵌合した状態で、前記モールド樹脂部を保持する請求項1に記載の圧力温度センサ。
  3. 前記外周側テーパ部は、前記外周側面のうち前記センサチップが配置されていない位置に形成されている請求項2に記載の圧力温度センサ。
  4. 前記モールド樹脂部は、前記外周側面のうち前記センサチップが配置されていない位置に形成されたOリング溝(147)と、前記Oリング溝に配置されたOリング(148)と、を有し、
    前記圧力導入孔は、前記Oリングによってシールされている請求項1ないし3のいずれか1つに記載の圧力温度センサ。
  5. 前記先端部は、前記圧力導入部の延設方向に沿って開口した複数の開口部(116b)を有し、
    前記複数の開口部は、前記先端部のうち前記延設方向において前記先端部の先端から前記圧力検出部に至らない範囲に形成されている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の圧力温度センサ。
  6. 前記圧力導入部は、前記先端部の先端が前記延設方向に開口していることによる開口端(116a)を有し、
    前記開口端は、前記圧力導入孔の壁面側が前記モールド樹脂部側に傾斜したテーパ状に形成されている請求項5に記載の圧力温度センサ。
  7. 前記モールド樹脂部は、前記外周側面を有する円筒状の外周部(140a)と、前記外周部に差し込まれた状態で前記外周部に一体化されていると共に前記センサチップを封止した本体部(140b)と、に分かれて構成されている請求項1ないし6のいずれか1つに記載の圧力温度センサ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116026516A (zh) * 2022-12-30 2023-04-28 中国航天空气动力技术研究院 一种带温度气压测量功能的三分量测力传感器

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