CN115597766A - 差压传感器及其工艺方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种差压传感器及其工艺方法，所述差压传感器工艺方法包括将MEMS电路以及IC电路集成在硅晶板上；在玻璃基板上开设第一气孔；将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通；对所述玻璃基板及所述硅晶板进行封装。本发明技术方案在制备所述硅晶板的过程中，将所述MEMS电路和所述IC电路直接集成在所述硅晶板上。从而减小了对所述硅晶板封装后的整体体积大小，并能够应用在体积较小的电子元器件中，从而提高产品的兼容性以及时长竞争力。

Description

差压传感器及其工艺方法

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种差压传感器及其工艺方法。

背景技术

差压传感器DPS(Differential Pressure Sensor)是一种用来测量两个压力之间差值的传感器，通常用于测量某一设备或部件前后两端的压差。

现有技术中，在差压传感器的电路设计上，通常将MEMS芯片与IC芯片分开设计，芯片所占用的安装空间较大，从而在封装后导致传感器的体积增大，无法应用在体积较小的电气设备，例如耳机、音箱上，兼容性较差。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种差压传感器及其工艺方法，旨在解决现有技术中差压传感器集成度较低，从而导致传感器体积较大，兼容性较差的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种差压传感器工艺方法，所述差压传感器工艺方法包括：

将MEMS电路以及IC电路集成在硅晶板上；

在玻璃基板上开设第一气孔；

将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通；

对所述玻璃基板及所述硅晶板进行封装。

可选地，将MEMS电路以及IC电路集成在所述硅晶板上的步骤包括：

对所述硅晶板的底面进行蚀刻，以在对应所述敏感膜的位置形成背腔；

在所述硅晶板对应所述背腔位置处设置敏感膜，且在所述硅晶板的顶面以及底面均设置有所述敏感膜；

在每个所述敏感膜的边缘均设置压敏电阻条，将所述压敏电阻条与其对应的所述敏感膜连接以形成所述MEMS电路；

在所述敏感膜四周蚀刻出IC电路，并将所述IC电路与所述压敏电阻条电连接。

可选地，将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通的步骤包括：

调整所述硅晶板与所述玻璃基板的键合位置，以使所述第一气孔与所述背腔连通；

通过键合的方式将所述硅晶板与所述玻璃基板的连接位置连接。

可选地，将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通的步骤之后，还包括：

对盖板第一次蚀刻，以在所述盖板的底面形成空腔；

对盖板第二次蚀刻，以在所述盖板形成与所述空腔连通的第二气孔；

将所述盖板的底面键合在所述硅晶板的顶面上，并使所述空腔覆盖住所述MEMS电路。

可选地，所述第二气孔的数量为多个，多个所述第二气孔间隔设置在所述盖板上。

可选地，对所述玻璃基板及所述硅晶板进行封装的步骤包括：

将所述玻璃基板设置在PCB基板上；

将所述IC电路通过线缆与所述PCB基板电连接；

在所述PCB基板上注塑，以形成包裹住所述玻璃基板以及所述硅晶板的壳体，其中，所述壳体在对应所述MEMS电路的位置具有开口以暴露出所述MEMS电路。

可选地，在所述PCB基板上注塑的步骤之后，还包括：

在所述壳体的顶面制作环状的凹槽，并使所述凹槽围绕在所述开口周围；

在所述凹槽中设置密封环。

可选地，在所述PCB基板注塑的步骤之后，还包括：

在所述PCB基板上对应所述第一气孔的位置处设置焊环；

在所述焊环开设第三气孔，以使所述第三气孔与所述第一气孔连通。

可选地，所述第三气孔与所述第一气孔错位设置。

此外，为解决上述问题，本发明还提出了一种差压传感器，所述差压传感器通过如上述的差压传感器工艺方法制作得到，所述差压传感器包括：

玻璃基板，所述玻璃基板上具有第一气孔；

硅晶板，所述硅晶板设置在所述玻璃基板上，所述硅晶板上设有MEMS电路以及IC电路；

其中，所述第一气孔与所述硅晶板连通。

可选地，所述硅晶板朝向所述玻璃基板的一侧具有背腔，所述第一气孔与所述背腔连通；

所述硅晶板的顶面以及底面均设置有所述敏感膜，所述敏感膜的位置与所述背腔对应；

其中，每个所述敏感膜的边缘均对应设有压敏电阻条，所述压敏电阻条与所述敏感膜电连接以形成所述MEMS电路；

所述IC电路设置在所述敏感膜四周，所述IC电路与所述压敏电阻条电连接。

可选地，所述差压传感器还包括盖板，所述盖板设置在所述硅晶板背离所述玻璃基板的一侧，所述盖板朝向所述硅晶板的一侧具有空腔；

所述盖板上具有第二气孔，所述第二气孔与所述空腔连通，所述盖板设置在所述硅晶板上时，所述空腔覆盖在所述MEMS电路上。

可选地，所述差压传感器还包括：

PCB基板，所述PCB基板设置在所述玻璃基板背离所述硅晶板的一侧，所述IC电路与所述PCB基板电连接；

壳体，所述壳体设置在所述PCB基板上，并将所述玻璃基板、所述硅晶板封装在所述PCB基板与所述壳体之间，所述壳体靠近所述硅晶板的一面具有开口以暴露出所述MEMS电路。

可选地，所述差压传感器还包括密封环，所述壳体上具有凹槽，所述凹槽包绕在所述开口周围，所述密封环设置在所述凹槽内。

可选地，所述PCB基板上具有焊环，所述焊环上设有第三气孔，所述第三气孔与所述第一气孔连通。

可选地，所述第一气孔余所述第三气孔错位设置。

本发明技术方案在制备所述硅晶板的过程中，将所述MEMS电路和所述IC电路直接集成在所述硅晶板上。从而减小了对所述硅晶板封装后的整体体积大小，并能够应用在体积较小的电子元器件中，从而提高产品的兼容性以及时长竞争力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明差压传感器工艺方法第一实施例的流程示意图；

图2为本发明差压传感器工艺方法第二实施例的流程示意图；

图3为本发明差压传感器工艺方法第三实施例的流程示意图；

图4为本发明差压传感器工艺方法第四实施例的流程示意图；

图5为本发明差压传感器工艺方法第五实施例的流程示意图；

图6为本发明差压传感器工艺方法第六实施例的流程示意图；

图7为本发明差压传感器的第一实施例顶部结构示意图；

图8为本发明差压传感器的第一实施例底部结构示意图；

图9为本发明差压传感器的剖面图；

图10为本发明差压传感器的内部结构主视图；

图11为本发明差压传感器的内部结构俯视图；

图12为本发明差压传感器第二实施例的结构示意图；

图13为本发明差压传感器注塑时的结构示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出了一种差压传感器工艺方法，请参照图1，图1为本发明所述差压传感器工艺方法第一实施例的流程示意图；所述差压传感器工艺方法包括以下步骤：

步骤S10：将MEMS电路以及IC电路集成在硅晶板10上；

步骤S20：在玻璃基板20上开设第一气孔21；

步骤S30：将所述硅晶板10的底面键合在所述玻璃基板20的顶面上，以使所述第一气孔21与所述硅晶板10连通；

步骤S40：对所述玻璃基板20及所述硅晶板10进行封装。

请参照图7～图9，所述差压传感器包括玻璃基板20及硅晶板10，所述玻璃基板20上具有第一气孔21；所述硅晶板10设置在所述玻璃基板20上，所述硅晶板20上设有MEMS电路以及IC电路；其中，所述第一气孔21与所述硅晶板10连通。

所述MEMS电路与所述IC电路可以采用蚀刻、印刷等方式进行制作。所述MEMS电路可以制作在所述硅晶板10靠近中心的位置处；而所述IC电路则可设置在所述硅晶板10靠近边缘的位置处，从而便于与其他零部件进行连接。

所述硅晶板10为单晶硅材质，所述硅晶板10和所述玻璃基板20均采用矩形板状结构设置。在针对不同需求的安装环境下，所述硅晶板10、所述玻璃基板20以及其他封装件的形状可以根据需求进行调整。请参照图12，例如可以设置为圆形、三角形或者其他异型均可。

利用蚀刻、热熔等方式实现在所述玻璃基板20上制作所述第一气孔21。在正常装配的情况下，所述第一气孔21的延伸方向与所述硅晶板10的底面垂直，从而保证在装配后，所述硅晶板10上的MEMS电路能够通过所述第一气孔21与所述玻璃基板20的底面一侧连通，以检测所述玻璃基板20底面一侧的气压等参数。

同理，在进行封装后，所述硅晶板10的顶面的MEMS电路暴露在外部，从而通过所述MEMS电路可以检测对所述硅晶板10顶面一侧的气压等参数，通过比较顶面、底面两侧的气压参数大小，从而得出压差大小。

本发明技术方案在制备所述硅晶板10的过程中，将所述MEMS电路和所述IC电路直接集成在所述硅晶板10上。从而减小了对所述硅晶板10封装后的整体体积大小，并能够应用在体积较小的电子元器件中，从而提高产品的兼容性以及时长竞争力。

进一步地，请参照图2，图2为本发明所述差压传感器工艺方法第二实施例的流程示意图，步骤S10包括：

步骤S11：对所述硅晶板10的底面进行蚀刻，以在对应所述敏感膜11的位置形成背腔13；

步骤S12：在所述硅晶板10对应所述背腔13位置处设置敏感膜11，且在所述硅晶板10的顶面以及底面均设置有所述敏感膜11；

步骤S13：在每个所述敏感膜11的边缘均设置压敏电阻条12，将所述压敏电阻条12与其对应的所述敏感膜11连接以形成所述MEMS电路；

步骤S14：在所述敏感膜11四周蚀刻出IC电路，并将所述IC电路与所述压敏电阻条12电连接。

请参照图10～图11，所述硅晶板10朝向所述玻璃基板20的一侧具有背腔13，所述第一气孔21与所述背腔13连通；所述硅晶板10的顶面以及底面均设置有所述敏感膜11，所述敏感膜11的位置与所述背腔13对应；其中，每个所述敏感膜11的边缘均对应设有压敏电阻条12，所述压敏电阻条12与所述敏感膜11电连接以形成所述MEMS电路；所述IC电路设置在所述敏感膜11四周，所述IC电路与所述压敏电阻条12电连接。

选取所述硅晶板10后，通过蚀刻的方法在底面一侧蚀刻出一个槽状结构，作为所述背腔13，所述MEMS电路则设置在所述背腔13位置处，所述背腔13内的气压参数即为所述硅晶板10底面一侧的气压参数。

所述IC电路通过蚀刻的方式形成在所述硅晶板10上。包括硅片清洗-烘干-光刻胶旋涂-前烘-掩膜对准-曝光-显影-竖膜-蚀刻/离子注入-去胶-重复涂胶至去胶的工艺流程，直到线路刻蚀/掺杂完毕。

在对应所述背腔13顶面的位置处同样设置有所述MEMS电路，以满足同时对两面的气压进行检测。可以理解，为了能够适应不同的结构，可对顶面一侧的所述MEMS电路的位置进行微调，不需要完全与所述背腔13的位置对准。

其中，所述MEMS电路包括有所述敏感膜11以及所述压敏电阻条12。所述敏感膜11的厚度在10微米左右，例如9～10微米之间。当气压变化时，导致所述敏感膜11产生形变，形变后则导致在所述压敏电阻条12上的应力出现变化，进而导致电信号的电压、电流等参数出现变化。所述IC电路则用于捕捉电信号的细微变化，并通过数模转换从而得出气压的变化情况。

本实施例中，所述压敏电阻条12的数量可以是多个，沿所述敏感膜11的四周边缘间隔设置。根聚各个位置上的变换综合计算出气压的变换情况，提高检测精确度。

在所述硅晶板10的顶面和底面均设置有所述敏感膜11和所述压敏电阻条12，从而保证能够对两侧同时检测。可以认为，位于所述硅晶板10同一面上的敏感膜11和压敏电阻条12组成了所述MEMS电路，则所述硅晶板10两侧均设置了所述MEMS电路；也可以认为，位于所述硅晶板10两面(顶面即底面)的全部敏感膜11和压敏电阻条12组成了所述MEMS电路。

进一步地，请参照图3，图3为本发明所述差压传感器工艺方法第三实施例的流程示意图，步骤S30包括：

步骤S31：调整所述硅晶板10与所述玻璃基板20的键合位置，以使所述第一气孔21与所述背腔13连通；

步骤S32：通过键合的方式将所述硅晶板10与所述玻璃基板20的连接位置连接。

本实施例中，所述硅晶板10和所述玻璃基板20采用相同尺寸，所述背腔13位于所述硅晶板10的中心位置。所述硅晶板10放置在所述玻璃基板20上之后，则异于所述背腔13的位置可以通过键合的方式实现与所述玻璃基板20的连接。

连接后，则将所述背腔13围合成了密封腔体。因此需要通过所述第一气孔21实现与外界的连通，实现外界气压的检测。

所述硅晶板10和所述玻璃基板20之间的尺寸大小可以根据不同场景相应的调整，保证所述第一气孔21和所述背腔13连通即可。

进一步地，请参照图4，图4为本发明所述差压传感器工艺方法第四实施例的流程示意图，步骤S40之后，还包括：

步骤S50：对盖板30第一次蚀刻，以在所述盖板30的底面形成空腔32；

步骤S60：对盖板30第二次蚀刻，以在所述盖板30形成与所述空腔32连通的第二气孔31；

步骤S70：将所述盖板30的底面键合在所述硅晶板10的顶面上，并使所述空腔32覆盖住所述MEMS电路。

在封装之前，在所述硅晶板10上还设置了一层盖板30。所述盖板30设置在所述硅晶板10背离所述玻璃基板20的一侧，所述盖板30朝向所述硅晶板10的一侧具有空腔32；所述盖板30上具有第二气孔31，所述第二气孔31与所述空腔32连通，所述盖板30设置在所述硅晶板10上时，所述空腔32覆盖在所述MEMS电路上。

所述盖板30可采用纯硅材质，通过蚀刻的方式，在所述盖板30的底面蚀刻出空腔32。

所述盖板30和所述硅晶板10之间同样可以采用键合方式连接，连接后空腔32在围合成了一密封腔体。因此需要通过所述第二气孔31实现与外界连通，实现外界气压的检测。

本实施例中，所述第二气孔31可以采用多数量、小孔径的方式制作，从而避免异物通过所述第二气孔31进入到所述空腔32内，影响检测效果。

多个所述第二气孔31可间隔设置在所述盖板30上。例如，多个所述第二气孔31采用“米”字形结构设置，从而保证所述敏感膜11各个位置上的感受的气压均匀；或者也可以采用阵列分布的方式设置等。

进一步地，请参照图5，图5为本发明所述差压传感器工艺方法第五实施例的流程示意图，步骤S40包括：

步骤S41：将所述玻璃基板20设置在PCB基板40上；

步骤S42：将所述IC电路通过线缆与所述PCB基板40电连接；

步骤S43：在所述PCB基板40上注塑，以形成包裹住所述玻璃基板20以及所述硅晶板10的壳体50，其中，所述壳体50在对应所述MEMS电路的位置具有开口51以暴露出所述MEMS电路。

所述差压传感器还包括PCB基板及壳体50，所述PCB基板设置在所述玻璃基板20背离所述硅晶板10的一侧，所述IC电路与所述PCB基板电连接；所述壳体50设置在所述PCB基板上，并将所述玻璃基板20、所述硅晶板10封装在所述PCB基板与所述壳体50之间，所述壳体50靠近所述硅晶板10的一面具有开口51以暴露出所述MEMS电路。

所述玻璃基板20可以通过胶水粘接的方式固定在所述PCB基板40上。所述IC电路可以通过金线等有线的方式实现与所述PCB基板40之间的连接。

所述PCB基板40安装完毕后，则可以通过模具70在所述PCB基板40上进行注塑，具体可以采用molding工艺注塑，模具70压盖在所述MEMS电路上，或者所述板上，从而防止树脂通过气孔进入到内部。

注塑后树脂凝固形成所述壳体50。在模具70的作用下，注塑过程中，则可以在所述硅晶板10顶面对应所述MEMS电路位置处预留出所述开口51，从而使所述MEMS电路暴露在所述壳体50之外。

可以理解，当设置有所述盖板30时，则所述开口51设置在所述盖板30顶部，以使所述盖板30暴露在所述壳体50外，并且所述盖板30上的第二气孔31和所述开口51保证连通，也即保证所述MEMS电路检测到的气压参数则为所述壳体50外的气压参数。

需要说明的时，在所述PCB基板40上也设置有对应的开口51结构来与所述第一气孔21连通。

为提高生产效率，请参照图13，在注塑过程中，可以同时对多个差压传感器产品同时进行注塑，相邻的两个差压传感器产品之间预留出划切道即可。

进一步地，请参照图6，图6为本发明所述差压传感器工艺方法第六实施例的流程示意图，步骤S43之后，还包括：

步骤S44：在所述壳体50的顶面制作环状的凹槽52，并使所述凹槽52围绕在所述开口51周围；

步骤S45：在所述凹槽52中设置密封环60。

所述差压传感器还包括密封环60，所述壳体50上具有凹槽52，所述凹槽52包绕在所述开口51周围，所述密封环60设置在所述凹槽52内。

在注塑的过程中，通过模具70形状，可以在所述壳体50的顶面上形成所述凹槽52，所述凹槽52环绕在所述开口51周围。

所述密封环60形状与所述凹槽52形状相适配，所述密封环60采用橡胶材质制作。

在进行测试时，将所述开口51贴合在需要测试的产品表面，则在所述MEMS电路和被测产品表面之间形成了一个密封空间，从而通过所述MEMS电路检测该密封空间中的气压参数。

步骤S46：在所述PCB基板40上对应所述第一气孔21的位置处设置焊环41；

步骤S47：在所述焊环41开设第三气孔42，以使所述第三气孔42与所述第一气孔21连通。

所述PCB基板上具有焊环41，所述焊环41上设有第三气孔42，所述第三气孔42与所述第一气孔21连通。

所述焊环41的位置为通孔结构，并通过所述第三气孔42与外部连通。可以将所述焊环41暴露在空气中，或者贴合在参考件的表面。从而通过所述MEMS电路检测出大气的气压参数作为参考，或者参考件之间的气压作为参考。最终计算后得到两侧之间的压差大小。

需要说明的是，所述第三气孔42和所述第一气孔21之间采用错位设置的方式，从而避免异物直接通过所述第三气孔42掉落到所述第一气孔21中。降低气孔被堵塞的可能性。

此外，为解决上述问题，本发明还提出了一种差压传感器，所述差压传感器通过如上述的差压传感器工艺方法制作得到。

所述MEMS电路与所述IC电路可以采用蚀刻、印刷等方式进行制作。所述MEMS电路可以制作在所述硅晶板10靠近中心的位置处；而所述IC电路则可设置在所述硅晶板10靠近边缘的位置处，从而便于与其他零部件进行连接。

所述硅晶板10为单晶硅材质，所述硅晶板10和所述玻璃基板20均采用矩形板状结构设置。在针对不同需求的安装环境下，所述硅晶板10、所述玻璃基板20以及其他封装件的形状可以根据需求进行调整。请参照图12，例如可以设置为圆形、三角形或者其他异型均可。

利用蚀刻、热熔等方式实现在所述玻璃基板20上制作所述第一气孔21。在正常装配的情况下，所述第一气孔21的延伸方向与所述硅晶板10的底面垂直，从而保证在装配后，所述硅晶板10上的MEMS电路能够通过所述第一气孔21与所述玻璃基板20的底面一侧连通，以检测所述玻璃基板20底面一侧的气压等参数。

同理，在进行封装后，所述硅晶板10的顶面的MEMS电路暴露在外部，从而通过所述MEMS电路可以检测对所述硅晶板10顶面一侧的气压等参数，通过比较顶面、底面两侧的气压参数大小，从而得出压差大小。

本发明技术方案在制备所述硅晶板10的过程中，将所述MEMS电路和所述IC电路直接集成在所述硅晶板10上。从而减小了对所述硅晶板10封装后的整体体积大小，并能够应用在体积较小的电子元器件中，从而提高产品的兼容性以及时长竞争力。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (16)

1.一种差压传感器工艺方法，其特征在于，所述差压传感器工艺方法包括：

将MEMS电路以及IC电路集成在硅晶板上；

在玻璃基板上开设第一气孔；

将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通；

对所述玻璃基板及所述硅晶板进行封装。

2.根据权利要求1所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，将MEMS电路以及IC电路集成在所述硅晶板上的步骤包括：

对所述硅晶板的底面进行蚀刻，以在对应所述敏感膜的位置形成背腔；

在所述硅晶板对应所述背腔位置处设置敏感膜，且在所述硅晶板的顶面以及底面均设置有所述敏感膜；

在每个所述敏感膜的边缘均设置压敏电阻条，将所述压敏电阻条与其对应的所述敏感膜连接以形成所述MEMS电路；

在所述敏感膜四周蚀刻出IC电路，并将所述IC电路与所述压敏电阻条电连接。

3.根据权利要求2所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通的步骤包括：

调整所述硅晶板与所述玻璃基板的键合位置，以使所述第一气孔与所述背腔连通；

通过键合的方式将所述硅晶板与所述玻璃基板的连接位置连接。

4.根据权利要求1所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，将所述硅晶板的底面键合在所述玻璃基板的顶面上，以使所述第一气孔与所述硅晶板连通的步骤之后，还包括：

对盖板第一次蚀刻，以在所述盖板的底面形成空腔；

对盖板第二次蚀刻，以在所述盖板形成与所述空腔连通的第二气孔；

将所述盖板的底面键合在所述硅晶板的顶面上，并使所述空腔覆盖住所述MEMS电路。

5.根据权利要求4所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，所述第二气孔的数量为多个，多个所述第二气孔间隔设置在所述盖板上。

6.根据权利要求1所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，对所述玻璃基板及所述硅晶板进行封装的步骤包括：

将所述玻璃基板设置在PCB基板上；

将所述IC电路通过线缆与所述PCB基板电连接；

在所述PCB基板上注塑，以形成包裹住所述玻璃基板以及所述硅晶板的壳体，其中，所述壳体在对应所述MEMS电路的位置具有开口以暴露出所述MEMS电路。

7.根据权利要求6所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，在所述PCB基板上注塑的步骤之后，还包括：

在所述壳体的顶面制作环状的凹槽，并使所述凹槽围绕在所述开口周围；

在所述凹槽中设置密封环。

8.根据权利要求6所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，在所述PCB基板注塑的步骤之后，还包括：

在所述PCB基板上对应所述第一气孔的位置处设置焊环；

在所述焊环开设第三气孔，以使所述第三气孔与所述第一气孔连通。

9.根据权利要求8所述的差压传感器工艺方法，其特征在于，所述第三气孔与所述第一气孔错位设置。

10.一种差压传感器，其特征在于，所述差压传感器通过如权利要求1～9种任一项所述的差压传感器工艺方法制作得到，所述差压传感器包括：

玻璃基板，所述玻璃基板上具有第一气孔；

硅晶板，所述硅晶板设置在所述玻璃基板上，所述硅晶板上设有MEMS电路以及IC电路；

其中，所述第一气孔与所述硅晶板连通。

11.根据权利要求10所述的差压传感器，其特征在于，所述硅晶板朝向所述玻璃基板的一侧具有背腔，所述第一气孔与所述背腔连通；

所述硅晶板的顶面以及底面均设置有所述敏感膜，所述敏感膜的位置与所述背腔对应；

其中，每个所述敏感膜的边缘均对应设有压敏电阻条，所述压敏电阻条与所述敏感膜电连接以形成所述MEMS电路；

所述IC电路设置在所述敏感膜四周，所述IC电路与所述压敏电阻条电连接。

12.根据权利要求10所述的差压传感器，其特征在于，所述差压传感器还包括盖板，所述盖板设置在所述硅晶板背离所述玻璃基板的一侧，所述盖板朝向所述硅晶板的一侧具有空腔；

所述盖板上具有第二气孔，所述第二气孔与所述空腔连通，所述盖板设置在所述硅晶板上时，所述空腔覆盖在所述MEMS电路上。

13.根据权利要求10所述的差压传感器，其特征在于，所述差压传感器还包括：

PCB基板，所述PCB基板设置在所述玻璃基板背离所述硅晶板的一侧，所述IC电路与所述PCB基板电连接；

壳体，所述壳体设置在所述PCB基板上，并将所述玻璃基板、所述硅晶板封装在所述PCB基板与所述壳体之间，所述壳体靠近所述硅晶板的一面具有开口以暴露出所述MEMS电路。

14.根据权利要求13所述的差压传感器，其特征在于，所述差压传感器还包括密封环，所述壳体上具有凹槽，所述凹槽包绕在所述开口周围，所述密封环设置在所述凹槽内。

15.根据权利要求13所述的差压传感器，其特征在于，所述PCB基板上具有焊环，所述焊环上设有第三气孔，所述第三气孔与所述第一气孔连通。

16.根据权利要求15所述的差压传感器，其特征在于，所述第一气孔余所述第三气孔错位设置。

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