WO2024009712A1 - 圧力センサ装置 - Google Patents

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WO2024009712A1
WO2024009712A1 PCT/JP2023/022062 JP2023022062W WO2024009712A1 WO 2024009712 A1 WO2024009712 A1 WO 2024009712A1 JP 2023022062 W JP2023022062 W JP 2023022062W WO 2024009712 A1 WO2024009712 A1 WO 2024009712A1
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WO
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membrane
pressure sensor
sensor device
valve
hole
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/022062
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
剛 齋藤
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L7/00—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
    • G01L7/02—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
    • G01L7/08—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure

Definitions

  • the present invention relates to a pressure sensor device that detects pressure.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor device that detects pressure.
  • the semiconductor device includes a detection element provided on a base substrate, and a resin package provided on the base substrate in which the detection element is embedded.
  • the detection element has a detection section that detects pressure.
  • the resin package includes an exposure hole that exposes the detection section to the outside. Since the detection section is exposed to the outside through the exposure hole, the detection section can detect pressure applied from the outside.
  • the detection section is exposed to the outside through the exposure hole, so there is a risk that liquid such as water may reach the detection section through the exposure hole.
  • liquid such as water
  • the detection part detects pressure according to the amount of deflection due to the applied pressure, but if there is residue on the detection part, the detection part may be bent even when no pressure is applied. becomes. Therefore, there is a possibility that the characteristics of the detected pressure may shift from proper characteristics.
  • residue on the detection section may restrict deformation of the detection section. In this case, there is a possibility that the sensitivity of the detection section to the applied pressure may change.
  • an object of the present invention is to provide a pressure sensor device that can reduce the amount of liquid reaching the detection section in order to solve the above problems.
  • a pressure sensor device includes: a base board; a detection element that is mounted on the upper surface of the base substrate and has a detection section that detects pressure;
  • a pressure sensor device comprising: a resin package provided on the upper surface of the base substrate, in which the detection element is embedded, and has an exposure hole that exposes the detection section upward; comprising an on-off valve arranged to close the exposed hole,
  • the on-off valve is a membrane having an outer surface facing the exterior of the pressure sensor device; a communication path that is partially constituted by an inner surface that is a back surface of the outer surface and that communicates the detection section with the outside of the pressure sensor device; When the membrane is bent by the pressure acting on the outer surface, the inner surface closes the communication path.
  • FIG. 1 is a plan view of a pressure sensor device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1 of a pressure sensor device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view of a pressure sensor device according to a third embodiment of the present invention.
  • 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4.
  • FIG. 5 is a sectional view corresponding to a position along line BB in FIG. 4 in a pressure sensor device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of a pressure sensor device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • terms indicating directions such as “up” and “down” will be used, but these terms do not limit the usage state of the pressure sensor device according to the present invention.
  • the pressure sensor device 10 is an element that detects pressure. As shown in FIGS. 1 and 2, the pressure sensor device 10 includes a base substrate 20, a detection element 30 mounted on the upper surface 20A of the base substrate 20, and a detection element 30 for detecting pressure, provided on the upper surface 20A of the base substrate 20, A resin package 50 that covers a part of the detection element 30 is provided.
  • the base substrate 20 is a rigid substrate made of ceramic, but is not limited to this.
  • the base substrate 20 may be a rigid substrate made of glass epoxy or the like other than ceramic.
  • the base substrate 20 may be a lead frame instead of a rigid substrate.
  • the base substrate 20 has a rectangular parallelepiped shape that is thin in the vertical direction 101. That is, in the first embodiment, the base substrate 20 has a rectangular shape when viewed from above, in other words when viewed from the vertical direction 101.
  • the shape of the base substrate 20 is not limited to a rectangular parallelepiped shape (a quadrangular shape when viewed from the up-down direction 101).
  • the base substrate 20 may have a polygonal shape other than a quadrangle when viewed from the up-down direction 101.
  • an electrode 21 is formed on the upper surface 20A of the base substrate 20. Although one electrode is shown in FIG. 2, the number of electrodes is not limited to one and may be plural.
  • the electrode 21 is electrically connected to a circuit element (not shown).
  • the circuit elements may be mounted on the base substrate 20 or may be provided outside the base substrate 20.
  • the circuit element is, for example, an element including an application specific integrated circuit (ASIC).
  • the circuit element includes, for example, a signal processing circuit that processes a signal input from a detection element 30 (described later) via the electrode 21 and outputs the processed signal.
  • circuit elements include converters, filters, temperature sensors, processors, memory, and the like.
  • the converter converts the voltage signal input from the detection element 30 into a digital signal.
  • the filter filters the digital signal from the converter.
  • a temperature sensor detects temperature.
  • the processor corrects the filtered digital signal based on the temperature detected by the temperature sensor.
  • the memory stores correction coefficients used when correcting the digital signal using the detected temperature.
  • the detection element 30 is a pressure sensor for measuring pressure. As shown in FIG. 2, the detection element 30 includes an upper surface 30A and a lower surface 30B which is the back surface of the upper surface 30A.
  • the detection element 30 is, for example, a piezoresistive pressure sensor or a capacitance pressure sensor.
  • the detection element 30 constitutes MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) together with an on-off valve 60 which will be described later. In other words, the detection element 30 and the on-off valve 60 are MEMS.
  • the lower surface 30B of the detection element 30 is bonded to the upper surface 20A of the base substrate 20 with a die attach film, die attach material, or the like.
  • the detection element 30 is mounted on the upper surface 20A of the base substrate 20.
  • the detection element 30 may be mounted on the base substrate 20 using solder or the like.
  • the detection element 30 may be adhered and mounted on a circuit element mounted on the base substrate 20 using a die attach film, a die attach material, or the like.
  • the detection element 30 includes a detection portion 33 on the upper surface 30A to which pressure acts.
  • the detection unit 33 detects pressure.
  • the detection portion 33 of the detection element 30 is a membrane or diaphragm that receives pressure.
  • the detection unit 33 includes, for example, a passivation film and is waterproof.
  • An electrode 31 is formed on the upper surface 30A of the detection element 30. Although one electrode is shown in FIG. 2, the number of electrodes is not limited to one and may be plural.
  • the electrode 31 is electrically connected to the electrode 21 of the base substrate 20 via a bonding wire 41.
  • the detection element 30 outputs a signal corresponding to the pressure detected by the detection unit 33 to the outside from the electrode 31. That is, a signal corresponding to the pressure detected by the detection unit 33 is output to the circuit element via the electrode 31 and the bonding wire 41.
  • the resin package 50 is manufactured by, for example, molding a hard resin such as a thermosetting resin, an epoxy mold resin, or the like onto the upper surface 20A of the base substrate 20. That is, as shown in FIG. 2, the resin package 50 is provided on the upper surface 20A of the base substrate 20. The upper surface 20A of the base substrate 20 and the electrode 21 formed on the upper surface 20A are protected and waterproofed by being covered with the resin package 50.
  • a hard resin such as a thermosetting resin, an epoxy mold resin, or the like onto the upper surface 20A of the base substrate 20. That is, as shown in FIG. 2, the resin package 50 is provided on the upper surface 20A of the base substrate 20. The upper surface 20A of the base substrate 20 and the electrode 21 formed on the upper surface 20A are protected and waterproofed by being covered with the resin package 50.
  • the detection element 30 and bonding wire 41 are embedded in the resin package 50. By being embedded in the resin package 50, the detection element 30 and bonding wire 41 are protected and waterproof.
  • the resin package 50 includes a base portion 51 and a cylindrical portion 52.
  • the base portion 51 constitutes the base substrate 20 side of the resin package 50. That is, the base portion 51 constitutes the lower part of the resin package 50. As shown in FIG. 2, the base 51 is in contact with the upper surface 20A of the base substrate 20. That is, the base portion 51 is provided on the upper surface 20A of the base substrate 20.
  • the base 51 has a rectangular parallelepiped shape that is thin in the vertical direction 101. That is, in the first embodiment, the base 51 has a quadrangular shape when viewed from the up-down direction 101. When viewed from the vertical direction 101, the base portion 51 and the base substrate 20 have the same shape and the same size. That is, in the first embodiment, the base portion 51 covers the entire upper surface 20A of the base substrate 20.
  • the shape of the base 51 is not limited to a rectangular parallelepiped shape (a quadrangular shape when viewed from the up-down direction 101).
  • the base 51 may be a polygon other than a quadrangle or a circle when viewed from the up-down direction 101.
  • the base portion 51 and the base substrate 20 may have different shapes or sizes. That is, the base portion 51 may cover only a portion of the upper surface 20A of the base substrate 20.
  • the cylindrical portion 52 constitutes the opposite side of the base substrate 20 to the base portion 51 of the resin package 50. That is, the cylindrical portion 52 constitutes the upper part of the resin package 50.
  • the cylindrical portion 52 protrudes from the base portion 51 so as to separate from the base substrate 20. In other words, the cylindrical portion 52 protrudes upward from the base portion 51.
  • the outer surface 52B of the cylindrical portion 52 is located inside the base 51 when viewed from the vertical direction 101.
  • the base portion 51 extends outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52.
  • the base portion 51 extends outward from the outer surface 52B over the entire circumference of the outer surface 52B of the cylindrical portion 52, as shown in FIG.
  • the base portion 51 may extend outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52 not over the entire circumference but only over a portion thereof.
  • the cylindrical portion 52 includes an exposure hole 52C.
  • the exposure hole 52C passes through the cylindrical portion 52 in the vertical direction 101 and is defined by the inner surface 52A of the cylindrical portion 52. Thereby, the cylindrical portion 52 has a cylindrical shape.
  • the exposure hole 52C is square when viewed from the vertical direction 101, but may have another shape such as a circle.
  • a portion of the upper surface 30A of the detection element 30 and the detection section 33 face the exposure hole 52C. That is, a portion of the upper surface 30A of the detection element 30 and the detection section 33 are exposed upward through the exposure hole 52C. In other words, the exposure hole 52C exposes the detection section 33 upward.
  • the pressure sensor device 10 includes an on-off valve 60 in addition to the base substrate 20, the detection element 30, and the resin package 50 described above.
  • the on-off valve 60 is arranged to close the exposure hole 52C. Thereby, the upper part of the detection part 33 is covered by the on-off valve 60.
  • the on-off valve 60 is arranged at the bottom of the exposure hole 52C.
  • the on-off valve 60 is supported by a support film 34 formed on the upper surface 30A of the detection element 30.
  • the support film 34 is a bonding agent that bonds the detection element 30 and the on-off valve 60, and is made of, for example, polycrystalline silicon.
  • the arrangement position of the on-off valve 60 in the exposure hole 52C is not limited to the lower part of the exposure hole 52C.
  • the on-off valve 60 may be arranged above the exposure hole 52C similarly to the on-off valve 70 (see FIG. 5) described later.
  • the on-off valve 60 includes a lower portion 61 that faces the detection element 30 in the vertical direction 101, and an upper portion 62 that is provided above the lower portion 61 and faces the outside of the pressure sensor device 10.
  • the upper portion 62 includes a membrane 63 and a peripheral portion 64.
  • the membrane 63 is formed at the center of the upper portion 62 when viewed from the vertical direction 101 .
  • the peripheral edge portion 64 is formed to surround the membrane 63 when viewed from the vertical direction 101 .
  • the lower surface of the peripheral portion 64 is joined to the lower portion 61 .
  • the upper surface 63A of the membrane 63 faces the outside of the pressure sensor device 10.
  • the upper surface 63A is an example of an outer surface.
  • the lower surface 63B of the membrane 63 is the back surface of the upper surface 63A and is located inside the upper portion 62.
  • the lower surface 63B faces the lower portion 61 in the vertical direction 101 via an internal space 65B, which will be described later.
  • the lower surface 63B is an example of the inner surface.
  • the membrane 63 includes a thick part 631 and a thin part 632.
  • the thickness of the thick film portion 631 is greater than the thickness of the thin film portion 632.
  • the thickness of the thick part 631 and the thin part 632 is the length of the thick part 631 and the thin part 632 in the vertical direction 101.
  • the thick portion 631 is located at the center of the membrane 63 when viewed from the vertical direction 101 .
  • the thin film portion 632 is provided so as to surround the thick film portion 631 when viewed from the vertical direction 101 .
  • the thin film portion 632 is connected to the peripheral edge portion 64.
  • a communication passage 65 is formed in the on-off valve 60.
  • the communication path 65 allows the detection section 33 to communicate with the outside of the pressure sensor device 10 .
  • the on-off valve 60 closes the exposure hole 52C while communicating the detection section 33 with the outside of the pressure sensor device 10 via the communication path 65.
  • the communication path 65 includes an upper through hole 65A formed in the upper portion 62, an internal space 65B formed between the upper portion 62 and the lower portion 61, and a lower through hole 65C formed in the lower portion 61. .
  • the upper through hole 65A is formed in the peripheral edge 64 of the upper portion 62. That is, the upper through hole 65A is formed on the outside of the membrane 63 when viewed from the up-down direction 101. As shown in FIG. 1, four upper through holes 65A are formed in the upper portion 62. However, the number of upper through holes 65A is not limited to four.
  • the upper through hole 65A passes through the peripheral portion 64 in the vertical direction 101.
  • the upper through hole 65A communicates with the internal space 65B. Further, the upper through hole 65A communicates with the outside of the pressure sensor device 10 via the opening 65Aa. As described above, the upper through hole 65A communicates the internal space 65B with the outside of the pressure sensor device 10. Note that in the first embodiment, the diameter of the opening 65Aa is larger than the diameter of the upper through hole 65A.
  • the internal space 65B is formed directly below the membrane 63 of the upper portion 62. That is, the internal space 65B is formed between the membrane 63 and the lower portion 61. That is, the internal space 65B is partially constituted by the lower surface 63B of the membrane 63, and another part is constituted by the lower portion 61. Note that the internal space 65B may extend not only directly below the membrane 63 but also directly below the peripheral portion 64.
  • the lower through hole 65C penetrates the lower portion 61 in the vertical direction 101.
  • the lower through hole 65C includes an upper opening 65Ca that opens into the internal space 65B, and a lower opening 65Cb that opens into the space between the lower portion 61 and the detection section 33 of the exposure hole 52C.
  • the upper opening 65Ca faces the membrane 63 in the vertical direction 101. In other words, the upper opening 65Ca overlaps the membrane 63 when viewed from the up-down direction 101.
  • the lower opening 65Cb is opened toward the detection section 33.
  • the lower through hole 65C communicates the internal space 65B with the detection section 33.
  • one lower through hole 65C is formed in the lower portion 61.
  • the number of lower through holes 65C is not limited to one, and may be plural.
  • Excessive pressure may act on the upper surface 63A of the membrane 63 of the on-off valve 60.
  • liquid such as water that has entered the exposure hole 52C of the pressure sensor device 10 from above comes into contact with the upper surface 63A of the membrane 63, excessive pressure acts on the upper surface 63A of the membrane 63.
  • the membrane 63 is bent downward due to the pressure acting on the upper surface 63A.
  • a thick film portion 631 located at the center of the membrane 63 when viewed from the vertical direction 101 is connected to a thin film portion 632 located around the thick film portion 631 and connected to the peripheral edge portion 64 when viewed from the vertical direction 101. Deflects downward more.
  • the thick part 631 of the membrane 63 bent downward contacts the upper opening 65Ca of the lower through hole 65C opened to the internal space 65B of the communication path 65, and closes the upper opening 65Ca.
  • the communication path 65 is closed. That is, the lower surface 63B of the thick portion 631 of the lower surface 63B of the membrane 63 closes the communication path 65.
  • liquid such as water that has entered the exposure hole 52C of the pressure sensor device 10 from above may enter the upper through hole 65A from the opening 65Aa formed in the upper portion 62 of the on-off valve 60.
  • the liquid that has entered the upper through hole 65A passes through the upper through hole 65A and reaches the internal space 65B, it does not enter the lower through hole 65C.
  • the position of the upper opening 65Ca is an example of a closed position.
  • the thick part 631 of the membrane 63 which is bent downward by the pressure applied to the upper surface 63A of the membrane 63, closes the upper opening 65Ca.
  • the on-off valve 60 is configured.
  • the membrane 63 since the membrane 63 includes the thick portion 631, the membrane 63 is configured to deflect faster than a configuration in which the membrane 63 does not include the thick portion 631.
  • the membrane 63 since the membrane 63 includes the thick film part 631 and the thin film part 632, a space that is longer in the vertical direction 101 than other parts is created directly below the thin film part 632 in the internal space 65B. It is formed. By having this space, it is possible to make the time it takes for the liquid that has entered the internal space 65B to reach the upper opening 65Ca via the space to be longer than in a configuration without the space.
  • the membrane 63 when a liquid such as water comes into contact with the upper surface 63A of the membrane 63, excessive pressure may be applied from the liquid to the upper surface 63A of the membrane 63 due to the weight of the liquid.
  • the membrane 63 bends.
  • the lower surface 63B of the membrane 63 closes the communication path 65.
  • the communication path 65 is closed by the lower surface 63B of the membrane 63.
  • the detection unit 33 can detect the pressure of the gas.
  • the lower surface 63B of the membrane 63 closes the upper opening 65Ca of the lower through hole 65C, thereby closing the communication path 65.
  • the upper opening 65Ca opens into the internal space 65B. Therefore, when viewed from above, the area of the upper opening 65Ca is smaller than the area of the internal space 65B. Therefore, it is easier to close the upper opening 65Ca than to close the internal space 65B.
  • the communication path 65 can be easily closed.
  • the thickness of the central portion of the membrane 63 made up of the thick film portion 631 is thicker than the peripheral portion of the membrane 63 made of the thin film portion 632. Therefore, the center portion of the membrane 63 is heavier than the peripheral portion of the membrane 63. This allows the membrane 63 to easily bend when pressure is applied to the upper surface 63A of the membrane 63. Therefore, the communication path 65 can be easily and quickly blocked by the membrane 63.
  • the thickness of the membrane 63 is uniform, the pressure of the liquid that has entered the communication path 65 and acts on the lower surface 63B of the membrane 63 is balanced with the pressure of the liquid that acts on the upper surface 63A of the membrane 63 from the outside. , there is a risk that the membrane 63 may not bend.
  • the membrane 63 since the membrane 63 includes the thick part 631 and the thin part 632, the thickness of the membrane 63 is not uniform. Thereby, the pressure of the liquid acting on the lower surface 63B of the membrane 63 and the pressure of the liquid acting on the upper surface 63A of the membrane 63 are balanced, thereby making it possible to reduce the possibility that the membrane 63 will not bend.
  • the thick part 631 of the membrane 63 is bent downward due to the pressure acting on the upper surface 63A of the membrane 63.
  • the upper opening 65Ca is closed. Thereby, the liquid can be prevented from passing through the communication path 65 before the lower surface 63B of the membrane 63 closes the communication path 65. As a result, it is possible to suppress the liquid from reaching the detection section 33.
  • the on-off valve 60 constitutes a MEMS together with the detection element 30, the on-off valve 60 can be manufactured using MEMS processing technology. Thereby, the on-off valve 60 can be made with high processing accuracy that does not depend on the molding accuracy of the resin package 50. As a result, it is possible to prevent liquid from reaching the detection unit 33 from the outside of the pressure sensor device 10 via the on-off valve 60.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a pressure sensor device according to a second embodiment of the present invention, taken along line AA in FIG.
  • the pressure sensor device 10A according to the second embodiment differs from the pressure sensor device 10 according to the first embodiment in that it includes an occlusion membrane 66.
  • points in common with the pressure sensor device 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted in principle and will be explained as necessary.
  • the closure membrane 66 is formed on the on-off valve 60.
  • the occlusion membrane 66 is laminated above the peripheral edge 64 of the upper portion 62 of the on-off valve 60.
  • the closure membrane 66 covers the opening 65Aa.
  • the closure membrane 66 closes the opening of the communication path 65 to the outside of the pressure sensor device 10.
  • the closure membrane 66 is provided at the peripheral edge part 64 of the upper part 62 and covers the opening 65Aa.
  • the range in which the occlusion membrane 66 is provided is not limited to the range shown in FIG. 3 .
  • the blocking film 66 may cover both the peripheral edge 64 and the membrane 63, that is, the entire upper surface of the upper portion 62, as long as the behavior of the membrane 63 of the upper portion 62 of the on-off valve 60 is not suppressed.
  • the closure membrane 66 is made of a material that allows gas to pass through but does not allow liquid to pass through.
  • the closure membrane 66 is a porous membrane made of polytetrafluoroethylene (PTFE).
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • the membrane 63 may not bend sufficiently and the lower surface 63B of the membrane 63 may not close the communication path 65.
  • liquid that has entered the communication path 65 of the on-off valve 60 from outside the pressure sensor device may pass through the communication path 65 and reach the detection section 33 .
  • the opening 65Aa of the communication path 65 to the outside of the pressure sensor device 10A is closed with a closure membrane 66 that does not allow liquid to pass therethrough. Therefore, intrusion of liquid into the communication path 65 can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the liquid from reaching the detection section 33.
  • FIG. 4 is a plan view of a pressure sensor device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4.
  • the pressure sensor device 10B according to the third embodiment differs from the pressure sensor device 10 according to the first embodiment in that it includes an on-off valve 70 instead of the on-off valve 60.
  • the difference between the on-off valve 70 of the pressure sensor device 10B according to the third embodiment and the on-off valve 60 of the pressure sensor device 10 according to the first embodiment is that a part of the on-off valve 70 is packaged in a resin package when viewed from the vertical direction 101. 50 extends outward from the cylindrical portion 52.
  • Points in common with the pressure sensor device 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted in principle and will be explained as necessary.
  • the pressure sensor device 10B includes an on-off valve 70 instead of the on-off valve 60.
  • the on-off valve 70 is arranged above the exposure hole 52C. Thereby, the on-off valve 70 faces the detection section 33 in the vertical direction 101 via the space below the exposure hole 52C.
  • the position of the opening/closing valve 70 in the exposure hole 52C is not limited to the upper part of the exposure hole 52C.
  • the on-off valve 70 may be arranged over the entire area from the top to the bottom of the exposure hole 52C.
  • the on-off valve 70 includes an inner portion 71 located inside the exposure hole 52C, and an outer portion 72 located above the exposure hole 52C and outside the exposure hole 52C.
  • the inner portion 71 is fitted into the exposure hole 52C.
  • the inner portion 71 closes the exposure hole 52C.
  • the inner portion 71 corresponds to the lower portion 61 of the on-off valve 60 of the first embodiment. Note that the inner portion 71 does not need to be fitted into the exposure hole 52C.
  • the inner portion 71 may be separated from the cylindrical portion 52.
  • the on-off valve 70 may be attached to the resin package 50 by, for example, bonding the lower surface of the outer portion 72 to the upper surface 52D of the cylindrical portion 52.
  • the outer part 72 is located above the inner part 71 and is connected to the inner part 71.
  • the outer portion 72 is integrally formed with the inner portion 71.
  • the outer portion 72 is located above the cylindrical portion 52 of the resin package 50.
  • a portion of the outer portion 72 is supported by the upper surface 52D of the cylindrical portion 52.
  • the outer portion 72 corresponds to the upper portion 62 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the outer portion 72 includes a membrane 73 and a peripheral edge 74.
  • the membrane 73 is formed at the center of the outer portion 72 when viewed from the vertical direction 101 .
  • the peripheral edge portion 74 is formed to surround the membrane 73 when viewed from the vertical direction 101 .
  • the lower surface of the peripheral portion 74 is joined to the inner portion 71 .
  • the peripheral edge portion 74 of the outer portion 72 extends outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52 when viewed from the vertical direction 101.
  • the inner portion 71 has the same configuration as the lower portion 61 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the outer portion 72 differs from the upper portion 62 of the on-off valve 60 of the first embodiment in that a peripheral portion 74 extends outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52. In other respects, the outer portion 72 has the same configuration as the upper portion 62 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the on-off valve 70 has the same configuration as the on-off valve 60 of the first embodiment, except that the peripheral edge 74 of the outer portion 72 extends outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52. Therefore, each component included in the on-off valve 70 shown in FIGS. 4 and 5 has the same configuration as each component included in the on-off valve 60 shown in FIGS. 1 and 2, except for the peripheral portion 64. Below, the correspondence relationship between each component with which the on-off valve 70 shown in FIGS. 4 and 5 is provided and each component with which the on-off valve 60 shown in FIGS. 1 and 2 is provided is shown.
  • the inner portion 71 corresponds to the lower portion 61 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the outer portion 72 corresponds to the upper portion 62 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the membrane 73 corresponds to the membrane 63 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the upper surface 73A corresponds to the upper surface 63A of the on-off valve 60 of the first embodiment, and is an example of the outer surface.
  • the lower surface 73B corresponds to the lower surface 63B of the on-off valve 60 of the first embodiment, and is an example of the inner surface.
  • the peripheral edge portion 74 corresponds to the peripheral edge portion 64 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the communication path 75 corresponds to the communication path 65 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the upper through hole 75A corresponds to the upper through hole 65A of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the opening 75Aa corresponds to the opening 65Aa of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the internal space 75B corresponds to the internal space 65B of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the lower through hole 75C corresponds to the lower through hole 65C of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the upper opening 75Ca corresponds to the upper opening 65Ca of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the lower opening 75Cb corresponds to the lower opening 65Cb of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • an O-ring 80 shown by a broken line in FIG. 5 can be fitted into the recess formed by the outer portion 72, the outer surface 52B of the cylindrical portion 52, and the base portion 51.
  • the O-ring 80 is annular when viewed from the up-down direction 101.
  • the inner diameter of the O-ring 80 is configured to be the same or approximately the same as the outer diameter of the cylindrical portion 52 of the resin package 50.
  • the O-ring 80 is made of a member such as nitrile rubber that can be easily compressed and deformed.
  • the outer portion 72 extends outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52 over the entire circumference of the cylindrical portion 52 in the circumferential direction.
  • the outer portion 72 may extend outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52 only in a portion of the circumferential direction of the cylindrical portion 52.
  • the internal space 75B of the communication path 75 is formed above the cylindrical portion 52, that is, outside the exposure hole 52C.
  • the internal space 75B may be formed inside the exposure hole 52C.
  • the lower part of the membrane 73 of the outer portion 72 is located inside the exposure hole 52C.
  • retrofitting of the on-off valve 70 is easier than in a configuration in which the on-off valve 70 is disposed below the exposure hole 52C. Therefore, it is easy to make the on-off valve 70 an optional component that can be selectively attached to the pressure sensor device 10B.
  • the O-ring 80 can be fitted between the outer portion 72 of the on-off valve 70 and the base 51 of the resin package 50.
  • the O-ring 80 seals the gap between the pressure sensor device 10B and the device when the pressure sensor device 10B is attached to the device.
  • the outer portion 72 of the on-off valve 70 can prevent the O-ring 80 from coming off.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a pressure sensor device according to a fourth embodiment of the present invention, corresponding to a position along line BB in FIG. 4.
  • the difference between the pressure sensor device 10C according to the fourth embodiment and the pressure sensor device 10B according to the third embodiment is that the on-off valve 70 includes a lower portion 76 instead of the inner portion 71.
  • Points in common with the pressure sensor device 10B according to the third embodiment are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted in principle and will be explained as necessary.
  • the on-off valve 70 includes a lower portion 76 located outside the exposure hole 52C, and an outer portion 72 located outside the exposure hole 52C and provided above the lower portion 76.
  • the outer portion 72 of the fourth embodiment has the same configuration as the outer portion 72 of the third embodiment.
  • the lower portion 76 is located above the cylindrical portion 52. Like the outer portion 72, the lower portion 76 extends outward from the outer surface 52B of the cylindrical portion 52 when viewed from the vertical direction 101. As a result, the lower portion 76 and the outer portion 72 overlap on both the inside and outside of the cylindrical portion 52 when viewed from the up-down direction 101. In addition, in FIG. 6, the lower part 76 has the same shape and the same size as the outer part 72 when viewed from the vertical direction 101, but it may have a different shape or a different size.
  • the on-off valve 70 is attached to the resin package 50. For example, the on-off valve 70 is attached to the resin package 50 by bonding the lower surface 76A of the lower portion 76 to the upper surface 52D of the cylindrical portion 52.
  • the other configurations of the lower portion 76 are the same as those of the inner portion 71 of the third embodiment and the lower portion 61 of the on-off valve 60 of the first embodiment.
  • the pressure sensor device described above can also be expressed as follows.
  • the pressure sensor device of the first aspect includes: a base board; a detection element that is mounted on the upper surface of the base substrate and has a detection section that detects pressure;
  • a pressure sensor device comprising: a resin package provided on the upper surface of the base substrate, in which the detection element is embedded, and has an exposure hole that exposes the detection section upward; comprising an on-off valve arranged to close the exposed hole,
  • the on-off valve is a membrane having an outer surface facing the exterior of the pressure sensor device; a communication path that is partially constituted by an inner surface that is a back surface of the outer surface and that communicates the detection section with the outside of the pressure sensor device; When the membrane is bent by the pressure acting on the outer surface, the inner surface closes the communication path.
  • the pressure sensor device of the second aspect is In the pressure sensor device of the first aspect,
  • the on-off valve is a lower portion facing the detection element in the vertical direction; an upper part provided above the lower part, facing the outside of the pressure sensor device, and having the membrane;
  • the communication path is an upper through hole formed outside the membrane in the upper portion when viewed from the vertical direction, opened toward the outside of the pressure sensor device, and penetrating the upper portion in the vertical direction; an internal space formed between the membrane and the lower portion and communicating with the upper through hole; a lower through hole that penetrates the lower portion in the vertical direction and has an upper opening that opens into the internal space at a position facing the membrane in the vertical direction and a lower opening that opens toward the detection element; and,
  • the inner surface closes the upper opening of the lower through hole as the membrane is deflected by the pressure applied to the outer surface.
  • the pressure sensor device of the third aspect includes: In the pressure sensor device of the first aspect or the second aspect,
  • the membrane is a thick film portion located at the center of the membrane when viewed from the top and bottom; a thin film part that is provided so as to surround the thick film part when viewed from the vertical direction and is thinner than the thick film part, Among the inner surfaces of the membrane, the inner surface located in the thick portion closes the communication path.
  • the pressure sensor device of the fourth aspect includes: In the pressure sensor device according to any one of the first to third aspects, When liquid that has come into contact with the on-off valve enters the communication passage from outside the pressure sensor device, pressure is applied to the outer surface from the liquid earlier than the liquid reaches the position where the communication passage is closed by the inner surface. The inner surface of the membrane, which is bent by the action of the inner surface of the membrane, closes the communication path.
  • the pressure sensor device of the fifth aspect includes: In the pressure sensor device according to any one of the first to fourth aspects, The pressure sensor device further includes a closing membrane that closes an opening of the communication path to the outside of the pressure sensor device and allows gas to pass therethrough but not liquid.
  • the pressure sensor device of the sixth aspect includes: In the pressure sensor device according to any one of the first to fifth aspects, The detection element and the on-off valve are MEMS (Micro Electro Mechanical Systems).
  • the pressure sensor device of the seventh aspect includes: In the pressure sensor device according to any one of the first to sixth aspects, The on-off valve is disposed above the exposure hole, and faces the detection section through the bottom of the exposure hole.
  • the pressure sensor device of the eighth aspect includes: In the pressure sensor device according to any one of the first to seventh aspects,
  • the resin package is a base provided on the upper surface of the base substrate; a cylindrical portion that protrudes upward from the base and has the exposure hole; When viewed from the top and bottom, the base extends outward from the outer surface of the cylindrical portion,
  • the on-off valve is an inner portion located inside the exposure hole; an outer portion located above the exposure hole and supported by the cylindrical portion, When viewed from the up-down direction, at least a portion of the outer portion extends outward from the outer surface of the cylindrical portion.

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Abstract

液体の検出部への到達を低減することができる圧力センサ装置を提供する。本発明に係る圧力センサ装置は、ベース基板と、ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を有する検出素子と、ベース基板の上面に設けられ、検出素子が埋設され、検出部を上方へ露出させる露出穴を有する樹脂パッケージと、露出穴を塞ぐように配置された開閉弁と、を備える。開閉弁は、圧力センサ装置の外部に面した外面を有するメンブレンと、外面の裏面である内面によって一部を構成され且つ検出部を圧力センサ装置の外部と連通させる連通路と、を備える。メンブレンが外面に作用する圧力によって撓むことにより、内面が連通路を閉塞する。

Description

圧力センサ装置
　本発明は、圧力を検出する圧力センサ装置に関する。
　特許文献１には、圧力を検出する半導体装置が開示されている。半導体装置は、ベース基板上に設けられた検出素子と、ベース基板上に設けられて検出素子を埋設する樹脂パッケージとを備える。検出素子は、圧力を検出する検出部を有する。樹脂パッケージは、検出部を外部に露出させる露出穴を備える。検出部が露出穴を介して外部に露出しているため、検出部は外部から作用する圧力を検出することができる。
国際公開第２０１９／２０８１２７号公報
　特許文献１に開示された半導体装置では、検出部が露出穴を介して外部に露出しているため、水等の液体が露出穴を介して検出部に到達するおそれがある。検出部に到達した液体が乾燥すると残渣が検出部上に残る。この残渣によって検出部が検出する圧力の精度が低下するおそれがある。例えば、検出部は作用する圧力による撓み量に応じて圧力を検出するものであるが、検出部上に残渣が存在すると、圧力が作用していない状態であっても検出部が撓んだ状態となる。そのため、検出される圧力の特性が適正な特性に対してシフトするおそれがある。また、例えば、検出部上の残渣が検出部の変形を拘束するおそれがある。この場合、作用する圧力に対する検出部の感度が変化してしまうおそれがある。
　従って、本発明の目的は、前記課題を解決することにあって、液体の検出部への到達を低減することができる圧力センサ装置を提供することにある。
　前記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
　本発明の一態様に係る圧力センサ装置は、
　ベース基板と、
　前記ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を有する検出素子と、
　前記ベース基板の上面に設けられ、前記検出素子が埋設され、前記検出部を上方へ露出させる露出穴を有する樹脂パッケージと、を備える圧力センサ装置であって、
　前記露出穴を塞ぐように配置された開閉弁を備え、
　前記開閉弁は、
　前記圧力センサ装置の外部に面した外面を有するメンブレンと、
　前記外面の裏面である内面によって一部を構成され且つ前記検出部を前記圧力センサ装置の外部と連通させる連通路と、を備え、
　前記メンブレンが前記外面に作用する圧力によって撓むことにより、前記内面が前記連通路を閉塞する。
　本発明によれば、液体の検出部への到達を抑制することができる。
本発明の第１実施形態に係る圧力センサ装置の平面図。 図１のＡ－Ａ線に沿った断面図。 本発明の第２実施形態に係る圧力センサ装置の図１のＡ－Ａ線に対応する断面図。 本発明の第３実施形態に係る圧力センサ装置の平面図。 図４のＢ－Ｂ線に沿った断面図。 本発明の第４実施形態に係る圧力センサ装置における図４のＢ－Ｂ線に沿った位置に対応する断面図。
　＜第１実施形態＞
　図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサ装置の平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。以下では、説明の便宜上、「上」、「下」等の方向を示す用語が用いられるが、これらの用語は、本発明に係る圧力センサ装置の使用状態等を限定するものではない。
　圧力センサ装置１０は、圧力を検出する素子である。図１及び図２に示すように、圧力センサ装置１０は、ベース基板２０と、ベース基板２０の上面２０Ａに実装され、圧力を検出する検出素子３０と、ベース基板２０の上面２０Ａに設けられ、検出素子３０の一部を覆う樹脂パッケージ５０とを備える。
　第１実施形態において、ベース基板２０は、セラミックで構成されたリジッド基板であるが、これに限らない。例えば、ベース基板２０は、セラミック以外のガラスエポキシ等で構成されたリジッド基板であってもよい。また、例えば、ベース基板２０は、リジッド基板でなく、リードフレームであってもよい。
　第１実施形態において、ベース基板２０は、上下方向１０１に薄い直方体形状である。つまり、第１実施形態において、ベース基板２０は、上方から見た平面視において、言い換えると上下方向１０１から見て、四角形である。なお、ベース基板２０の形状は直方体形状（上下方向１０１から見て四角形である形状）に限らない。例えば、ベース基板２０は、上下方向１０１から見て四角形以外の多角形であってもよい。
　図２に示すように、ベース基板２０の上面２０Ａには、電極２１が形成されている。図２において、電極は１つ記されているが、電極は１つに限らず複数であってもよい。
　電極２１は、回路素子（図示せず）と電気的に接続されている。回路素子は、ベース基板２０に実装されていてもよいし、ベース基板２０の外部に設けられていてもよい。回路素子は、例えば、特定用途向け集積回路(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)を備える素子である。
　回路素子は、例えば、後述する検出素子３０から電極２１を経由して入力された信号を処理し、処理された信号を出力する信号処理回路を備える。例えば、回路素子は、コンバータ、フィルタ、温度センサ、プロセッサ、及びメモリ等を備える。コンバータは、検出素子３０から入力された電圧信号をデジタル信号に変換する。フィルタは、コンバータからのデジタル信号をフィルタリングする。温度センサは、温度を検出する。プロセッサは、温度センサの検出温度に基づいてフィルタリングされたデジタル信号を補正する。メモリは、検出温度を用いてデジタル信号を補正するときに使用する補正係数などを記憶する。
　第１実施形態において、検出素子３０は、圧力を測定するための圧力センサである。図２に示すように、検出素子３０は、上面３０Ａと、上面３０Ａの裏面である下面３０Ｂとを備える。検出素子３０は、例えば、ピエゾ抵抗型の圧力センサまたは静電容量型の圧力センサである。検出素子３０は、後述する開閉弁６０と共にMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を構成している。つまり、検出素子３０及び開閉弁６０は、MEMSである。
　第１実施形態の場合、検出素子３０の下面３０Ｂが、ダイアタッチフィルムやダイアタッチ材等によって、ベース基板２０の上面２０Ａに接着されている。これにより、検出素子３０は、ベース基板２０の上面２０Ａに実装されている。なお、検出素子３０は、半田等によってベース基板２０に実装されていてもよい。また、検出素子３０は、ベース基板２０に実装された回路素子上に、ダイアタッチフィルムやダイアタッチ材等によって接着および実装されていてもよい。
　検出素子３０は、上面３０Ａに、圧力が作用する検出部３３を備える。検出部３３は、圧力を検出する。検出素子３０の検出部３３は、圧力を受けるメンブレンやダイヤフラムである。なお、検出部３３は、例えば、パッシベーション膜を備えており、防水されている。
　検出素子３０の上面３０Ａには、電極３１が形成されている。図２において、電極は１つ記されているが、電極は１つに限らず複数であってもよい。
　電極３１は、ボンディングワイヤ４１を介してベース基板２０の電極２１と電気的に接続されている。検出素子３０は、検出部３３によって検出された圧力に応じた信号を電極３１から外部に出力する。つまり、検出部３３によって検出された圧力に応じた信号は、電極３１及びボンディングワイヤ４１を介して回路素子に出力される。
　樹脂パッケージ５０は、例えば熱硬化性樹脂などの硬質樹脂、エポキシモールド樹脂等をベース基板２０の上面２０Ａにモールド成型することによって作製される。つまり、図２に示すように、樹脂パッケージ５０は、ベース基板２０の上面２０Ａに設けられている。ベース基板２０の上面２０Ａと、上面２０Ａに形成された電極２１は、樹脂パッケージ５０に覆われることにより保護されつつ防水されている。
　検出素子３０及びボンディングワイヤ４１は、樹脂パッケージ５０に埋設されている。樹脂パッケージ５０内に埋設されることにより、検出素子３０及びボンディングワイヤ４１は保護されつつ防水されている。
　図１及び図２に示すように、樹脂パッケージ５０は、基部５１と、筒部５２とを備える。
　基部５１は、樹脂パッケージ５０のうち、ベース基板２０側を構成している。つまり、基部５１は、樹脂パッケージ５０の下部を構成している。図２に示すように、基部５１は、ベース基板２０の上面２０Ａに接触している。つまり、基部５１は、ベース基板２０の上面２０Ａに設けられている。
　第１実施形態において、基部５１は、上下方向１０１に薄い直方体形状である。つまり、第１実施形態において、基部５１は、上下方向１０１から見て四角形である。上下方向１０１から見て、基部５１とベース基板２０とは同一形状且つ同一の大きさである。つまり、第１実施形態において、基部５１は、ベース基板２０の上面２０Ａの全部を覆っている。
　なお、基部５１の形状は直方体形状（上下方向１０１から見て四角形である形状）に限らない。例えば、基部５１は、上下方向１０１から見て四角形以外の多角形や円形であってもよい。また、上下方向１０１から見て、基部５１とベース基板２０とは異なる形状であってもよいし、異なる大きさであってもよい。つまり、基部５１は、ベース基板２０の上面２０Ａの一部のみを覆っていてもよい。
　筒部５２は、樹脂パッケージ５０のうち、基部５１に対してベース基板２０の反対側を構成している。つまり、筒部５２は、樹脂パッケージ５０の上部を構成している。筒部５２は、ベース基板２０から離れるように基部５１から突出している。言い換えると、筒部５２は、基部５１から上方へ突出している。
　図１に示すように、上下方向１０１から見て、筒部５２の外側面５２Ｂは、基部５１より内側に位置している。言い換えると、図１及び図２に示すように、基部５１は、筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出している。なお、第１実施形態では、基部５１は、図１に示すように、筒部５２の外側面５２Ｂの全周に亘って外側面５２Ｂより外側へ延出している。しかし、基部５１は、筒部５２の外側面５２Ｂの全周ではなく一部のみに亘って外側面５２Ｂより外側へ延出していてもよい。
　図１及び図２に示すように、筒部５２は、露出穴５２Ｃを備える。露出穴５２Ｃは、筒部５２を上下方向１０１に貫通し、筒部５２の内側面５２Ａによって構成されている。これにより、筒部５２は、筒状となっている。
　図１に示すように、上下方向１０１から見て、露出穴５２Ｃは四角形であるが、円形等の他の形状であってもよい。
　図２に示すように、検出素子３０の上面３０Ａの一部と検出部３３とは、露出穴５２Ｃに面している。つまり、検出素子３０の上面３０Ａの一部と検出部３３とは、露出穴５２Ｃを介して上方へ露出されている。言い換えると、露出穴５２Ｃは、検出部３３を上方へ露出させる。
　図１及び図２に示すように、圧力センサ装置１０は、前述したベース基板２０、検出素子３０、及び樹脂パッケージ５０に加えて、開閉弁６０を備える。
　図２に示すように、開閉弁６０は、露出穴５２Ｃを塞ぐように配置されている。これにより、検出部３３の上方は、開閉弁６０によって覆われている。
　開閉弁６０は、露出穴５２Ｃの下部に配置されている。第１実施形態において、開閉弁６０は、検出素子３０の上面３０Ａに形成された支持膜３４によって支持されている。支持膜３４は、検出素子３０と開閉弁６０とを接合する接合剤であり、例えば多結晶シリコンによって構成されている。なお、開閉弁６０の露出穴５２Ｃにおける配置位置は、露出穴５２Ｃの下部に限らない。例えば、開閉弁６０は、後述する開閉弁７０（図５参照）と同様に、露出穴５２Ｃの上部に配置されていてもよい。
　開閉弁６０は、検出素子３０と上下方向１０１に対向する下部分６１と、下部分６１の上方に設けられて圧力センサ装置１０の外部に面する上部分６２とを備える。
　上部分６２は、メンブレン６３と、周縁部６４とを備える。上下方向１０１から見て、メンブレン６３は、上部分６２の中央部に形成されている。上下方向１０１から見て、周縁部６４は、メンブレン６３を囲むように形成されている。周縁部６４の下面は、下部分６１に接合されている。
　メンブレン６３の上面６３Ａは、圧力センサ装置１０の外部に面している。上面６３Ａは、外面の一例である。メンブレン６３の下面６３Ｂは、上面６３Ａの裏面であり、上部分６２の内部に位置している。下面６３Ｂは、後述する内部空間６５Ｂを介して、下部分６１と上下方向１０１に対向している。下面６３Ｂは、内面の一例である。
　メンブレン６３は、膜厚部６３１と膜薄部６３２とを備える。膜厚部６３１の厚みは、膜薄部６３２の厚みより厚い。膜厚部６３１及び膜薄部６３２の厚みは、膜厚部６３１及び膜薄部６３２の上下方向１０１の長さである。上下方向１０１から見て、膜厚部６３１は、メンブレン６３の中央部に位置する。上下方向１０１から見て、膜薄部６３２は、膜厚部６３１を囲むように設けられている。膜薄部６３２は、周縁部６４と繋がっている。
　開閉弁６０には、連通路６５が形成されている。連通路６５は、検出部３３を圧力センサ装置１０の外部と連通させる。つまり、開閉弁６０は、露出穴５２Ｃを塞ぐ一方で、連通路６５を介して検出部３３を圧力センサ装置１０の外部と連通させている。
　連通路６５は、上部分６２に形成された上貫通穴６５Ａと、上部分６２及び下部分６１の間に形成された内部空間６５Ｂと、下部分６１に形成された下貫通穴６５Ｃとを備える。
　上貫通穴６５Ａは、上部分６２の周縁部６４に形成されている。つまり、上貫通穴６５Ａは、上下方向１０１から見てメンブレン６３の外側に形成されている。図１に示すように、上部分６２に、４つの上貫通穴６５Ａが形成されている。しかし、上貫通穴６５Ａの数は４つに限らない。
　上貫通穴６５Ａは、周縁部６４を上下方向１０１に貫通する。上貫通穴６５Ａは、内部空間６５Ｂと連通している。また、上貫通穴６５Ａは、開口６５Ａａを介して、圧力センサ装置１０の外部と連通する。以上より、上貫通穴６５Ａは、内部空間６５Ｂを圧力センサ装置１０の外部と連通する。なお、第１実施形態では、開口６５Ａａの直径は、上貫通穴６５Ａの直径より大きい。
　内部空間６５Ｂは、上部分６２のメンブレン６３の真下に形成されている。つまり、内部空間６５Ｂは、メンブレン６３と下部分６１との間に形成されている。すなわち、内部空間６５Ｂは、一部をメンブレン６３の下面６３Ｂによって構成され、別の一部を下部分６１によって構成されている。なお、内部空間６５Ｂは、メンブレン６３の真下に加えて周縁部６４の真下にまで拡がっていてもよい。
　下貫通穴６５Ｃは、下部分６１を上下方向１０１に貫通する。下貫通穴６５Ｃは、内部空間６５Ｂに開口された上側開口６５Ｃａと、露出穴５２Ｃのうち下部分６１と検出部３３との間の空間に開口された下側開口６５Ｃｂとを備える。上側開口６５Ｃａは、メンブレン６３と上下方向１０１に対向している。言い換えると、上側開口６５Ｃａは、上下方向１０１から見て、メンブレン６３と重なっている。下側開口６５Ｃｂは、検出部３３へ向けて開口されている。以上より、下貫通穴６５Ｃは、内部空間６５Ｂを検出部３３と連通する。第１実施形態では、下部分６１に、１つの下貫通穴６５Ｃが形成されている。しかし、下貫通穴６５Ｃの数は１つに限らず複数であってもよい。
　以下、開閉弁６０の動作が説明される。
　開閉弁６０のメンブレン６３の上面６３Ａに過大な圧力が作用することがある。例えば、圧力センサ装置１０の露出穴５２Ｃへ上方から浸入した水等の液体がメンブレン６３の上面６３Ａに接触することによって、メンブレン６３の上面６３Ａに過大な圧力が作用する。
　この場合、メンブレン６３は、上面６３Ａに作用した圧力によって下方へ撓む。詳細には、上下方向１０１から見てメンブレン６３の中央部に位置する膜厚部６３１が、上下方向１０１から見て膜厚部６３１の周囲に位置し且つ周縁部６４と繋がった膜薄部６３２より大きく下方へ撓む。下方へ撓んだメンブレン６３の膜厚部６３１は、連通路６５の内部空間６５Ｂに開口された下貫通穴６５Ｃの上側開口６５Ｃａに接触して、上側開口６５Ｃａを塞ぐ。これにより、連通路６５は閉塞される。つまり、メンブレン６３の下面６３Ｂのうち膜厚部６３１の下面６３Ｂが連通路６５を閉塞する。
　一方、圧力センサ装置１０の露出穴５２Ｃへ上方から浸入した水等の液体が開閉弁６０の上部分６２に形成された開口６５Ａａから上貫通穴６５Ａに浸入するおそれがある。しかし、上貫通穴６５Ａに浸入した液体は、上貫通穴６５Ａを通過して内部空間６５Ｂに至るものの、下貫通穴６５Ｃには浸入しない。
　なぜなら、上貫通穴６５Ａに浸入した液体が上側開口６５Ｃａに到達するよりも早く、メンブレン６３の上面６３Ａに作用した圧力によって下方へ撓んだメンブレン６３の膜厚部６３１が上側開口６５Ｃａを塞ぐためである。上側開口６５Ｃａの位置は、閉塞位置の一例である。
　上貫通穴６５Ａに浸入した液体が上側開口６５Ｃａに到達するよりも早く、メンブレン６３の上面６３Ａに作用した圧力によって下方へ撓んだメンブレン６３の膜厚部６３１が上側開口６５Ｃａを塞ぐように、開閉弁６０は構成されている。例えば、第１実施形態では、メンブレン６３が膜厚部６３１を備えることによって、メンブレン６３が膜厚部６３１を備えない構成よりも、メンブレン６３が速く撓むように構成されている。また、例えば、第１実施形態では、メンブレン６３が膜厚部６３１と膜薄部６３２とを備えることによって、内部空間６５Ｂにおける膜薄部６３２の真下に他部分よりも上下方向１０１に長い空間が形成される。この空間があることによって、内部空間６５Ｂに浸入した液体が当該空間を経て上側開口６５Ｃａに到達するまでの時間を、当該空間が無い構成よりも長くすることが可能である。
　第１実施形態によれば、メンブレン６３の上面６３Ａに水等の液体が接触したときに、液体の重量等によって液体からメンブレン６３の上面６３Ａに過大な圧力が作用するおそれがある。過大な圧力がメンブレン６３の上面６３Ａに作用すると、メンブレン６３が撓む。これにより、メンブレン６３の下面６３Ｂが連通路６５を閉塞する。液体が検出部３３に接触するためには、液体が連通路６５を通過する必要がある。しかし、前述したように、連通路６５はメンブレン６３の下面６３Ｂによって閉塞される。これにより、圧力センサ装置１０の外部から連通路６５に浸入した液体が連通路６５を通過して検出部３３に到達することを抑制することができる。その結果、検出部３３上に液体の残渣が発生すること、及び残渣によって検出部３３の検出特性が変動することを抑制することができる。
　なお、メンブレン６３の上面６３Ａに気体が接触して過大でない圧力がメンブレン６３の上面６３Ａに作用した場合、メンブレン６３の撓み量が小さいため、当該気体は連通路６５を通過して検出部３３に到達する。これにより、検出部３３は、当該気体の圧力を検出することができる。
　第１実施形態によれば、メンブレン６３の下面６３Ｂが下貫通穴６５Ｃの上側開口６５Ｃａを塞ぐことによって、連通路６５が閉塞される。ここで、上側開口６５Ｃａは内部空間６５Ｂに開口されている。そのため、上方から見て、上側開口６５Ｃａの面積は、内部空間６５Ｂの面積より小さい。よって、上側開口６５Ｃａを塞ぐことは、内部空間６５Ｂを塞ぐより容易である。以上より、第１実施形態によれば、連通路６５を容易に閉塞することができる。
　第１実施形態によれば、膜厚部６３１で構成されるメンブレン６３の中央部の厚みは、膜薄部６３２で構成されるメンブレン６３の周縁部より厚い。そのため、メンブレン６３の中央部はメンブレン６３の周縁部より重い。これにより、メンブレン６３の上面６３Ａに圧力が作用したときに、メンブレン６３は撓みやすい。そのため、メンブレン６３による連通路６５の閉塞を容易且つ迅速に実行することができる。
　また、仮に、メンブレン６３の厚みが均一である場合、連通路６５に浸入してメンブレン６３の下面６３Ｂに作用する液体の圧力と、外部からメンブレン６３の上面６３Ａに作用する液体の圧力とが釣り合い、メンブレン６３が撓まないおそれがある。しかし、第１実施形態によれば、メンブレン６３が膜厚部６３１と膜薄部６３２とを備えているため、メンブレン６３の厚みは均一でない。これにより、メンブレン６３の下面６３Ｂに作用する液体の圧力と、メンブレン６３の上面６３Ａに作用する液体の圧力とが釣り合うことによってメンブレン６３が撓まない可能性を低くすることができる。
　第１実施形態によれば、上貫通穴６５Ａに浸入した液体が上側開口６５Ｃａに到達するよりも早く、メンブレン６３の上面６３Ａに作用した圧力によって下方へ撓んだメンブレン６３の膜厚部６３１が上側開口６５Ｃａを塞ぐ。これにより、メンブレン６３の下面６３Ｂが連通路６５を閉塞する前に、液体が連通路６５を通過することを防止することができる。その結果、液体が検出部３３に到達することを抑制することができる。
　第１実施形態によれば、開閉弁６０が検出素子３０と共にMEMSを構成しているため、開閉弁６０はMEMSの加工技術によって製造可能である。これにより、開閉弁６０を樹脂パッケージ５０のモールディング精度に依存しない加工精度の高いものとすることができる。その結果、液体が圧力センサ装置１０の外部から開閉弁６０を介して検出部３３に到達することを抑制することができる。
　＜第２実施形態＞
　図３は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサ装置の図１のＡ－Ａ線に対応する断面図である。第２実施形態に係る圧力センサ装置１０Ａが第１実施形態に係る圧力センサ装置１０と異なることは、閉塞膜６６を備えることである。以下、第１実施形態との相違点が説明される。第１実施形態に係る圧力センサ装置１０との共通点については、同一の符号が付された上で、その説明は原則省略され、必要に応じて説明される。
　図３に示すように、閉塞膜６６は、開閉弁６０に形成されている。閉塞膜６６は、開閉弁６０の上部分６２の周縁部６４の上方に積層されている。閉塞膜６６は、開口６５Ａａを覆っている。つまり、閉塞膜６６は、圧力センサ装置１０の外部への連通路６５の開口を塞いでいる。なお、図３では、閉塞膜６６は、上部分６２の周縁部６４に設けられて開口６５Ａａを覆っている。しかし、閉塞膜６６が設けられる範囲は、図３に示す範囲に限らない。例えば、閉塞膜６６は、開閉弁６０の上部分６２のメンブレン６３の挙動を抑制しない範囲で、周縁部６４とメンブレン６３の双方、つまり上部分６２の上面の全体を覆っていてもよい。
　閉塞膜６６は、気体を通し且つ液体を通さない材料で構成されている。第２実施形態において、閉塞膜６６は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE: polytetrafluoroethylene)で構成された多孔質膜である。これにより、第２実施形態に係る圧力センサ装置１０Ａの検出素子３０は、作用する気体の圧力を検出可能である。一方、圧力センサ装置１０Ａの検出素子３０には、液体は作用しない。
　メンブレン６３の上面６３Ａに作用する圧力が軽微である場合、メンブレン６３が十分に撓まず、メンブレン６３の下面６３Ｂが連通路６５を閉塞しないおそれがある。この場合、圧力センサ装置の外部から開閉弁６０の連通路６５に浸入した液体は、連通路６５を通過して検出部３３に到達するおそれがある。しかし、第２実施形態によれば、圧力センサ装置１０Ａの外部への連通路６５の開口６５Ａａが液体を通さない閉塞膜６６で塞がれている。そのため、液体の連通路６５への浸入を抑制することができる。その結果、液体が検出部３３に到達することを抑制することができる。
　＜第３実施形態＞
　図４は、本発明の第３実施形態に係る圧力センサ装置の平面図である。図５は、図４のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。第３実施形態に係る圧力センサ装置１０Ｂが第１実施形態に係る圧力センサ装置１０と異なることは、開閉弁６０の代わりに開閉弁７０を備えることである。第３実施形態に係る圧力センサ装置１０Ｂの開閉弁７０が第１実施形態に係る圧力センサ装置１０の開閉弁６０と異なることは、開閉弁７０の一部が、上下方向１０１から見て樹脂パッケージ５０の筒部５２より外側へ延出していることである。以下、第１実施形態との相違点が説明される。第１実施形態に係る圧力センサ装置１０との共通点については、同一の符号が付された上で、その説明は原則省略され、必要に応じて説明される。
　図４及び図５に示すように、圧力センサ装置１０Ｂは、開閉弁６０の代わりに開閉弁７０を備える。
　図５に示すように、開閉弁７０は、露出穴５２Ｃの上部に配置されている。これにより、開閉弁７０は、露出穴５２Ｃの下部の空間を介して検出部３３と上下方向１０１に対向している。なお、開閉弁７０の露出穴５２Ｃにおける配置位置は、露出穴５２Ｃの上部に限らない。例えば、開閉弁７０は、露出穴５２Ｃの上部から下部の全域に亘って配置されていてもよい。
　開閉弁７０は、露出穴５２Ｃの内部に位置する内部分７１と、露出穴５２Ｃより上方に位置し且つ露出穴５２Ｃの外部に位置する外部分７２とを備える。
　内部分７１は、露出穴５２Ｃに嵌合されている。内部分７１は、露出穴５２Ｃを塞いでいる。内部分７１は、第１実施形態の開閉弁６０の下部分６１に対応している。なお、内部分７１は、露出穴５２Ｃに嵌合されていなくてもよい。例えば、内部分７１が筒部５２から離れていてもよい。この場合、例えば、外部分７２の下面が筒部５２の上面５２Ｄに接着されることによって、開閉弁７０が樹脂パッケージ５０に取り付けられてもよい。
　外部分７２は、内部分７１の上方に位置しており、内部分７１と繋がっている。第３実施形態において、外部分７２は、内部分７１と一体に形成されている。外部分７２は、樹脂パッケージ５０の筒部５２より上方に位置する。外部分７２の一部は、筒部５２の上面５２Ｄに支持されている。外部分７２は、第１実施形態の開閉弁６０の上部分６２に対応している。
　外部分７２は、メンブレン７３と、周縁部７４とを備える。上下方向１０１から見て、メンブレン７３は、外部分７２の中央部に形成されている。上下方向１０１から見て、周縁部７４は、メンブレン７３を囲むように形成されている。周縁部７４の下面は、内部分７１に接合されている。
　外部分７２の周縁部７４は、上下方向１０１から見て、筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出している。
　内部分７１は、第１実施形態の開閉弁６０の下部分６１と同構成である。外部分７２は、周縁部７４が筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出している点において、第１実施形態の開閉弁６０の上部分６２と異なる。その他の点において、外部分７２は、第１実施形態の開閉弁６０の上部分６２と同構成である。
　つまり、開閉弁７０は、外部分７２の周縁部７４が筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出している点を除いて、第１実施形態の開閉弁６０と同構成である。よって、図４及び図５に示す開閉弁７０が備える各構成要素は、周縁部６４を除いて、図１及び図２に示す開閉弁６０が備える各構成要素と同構成である。以下に、図４及び図５に示す開閉弁７０が備える各構成要素と、図１及び図２に示す開閉弁６０が備える各構成要素との対応関係が示される。
　内部分７１は、第１実施形態の開閉弁６０の下部分６１に対応している。外部分７２は、第１実施形態の開閉弁６０の上部分６２に対応している。メンブレン７３は、第１実施形態の開閉弁６０のメンブレン６３に対応している。上面７３Ａは、第１実施形態の開閉弁６０の上面６３Ａに対応しており、外面の一例である。下面７３Ｂは、第１実施形態の開閉弁６０の下面６３Ｂに対応しており、内面の一例である。周縁部７４は、第１実施形態の開閉弁６０の周縁部６４に対応している。連通路７５は、第１実施形態の開閉弁６０の連通路６５に対応している。上貫通穴７５Ａは、第１実施形態の開閉弁６０の上貫通穴６５Ａに対応している。開口７５Ａａは、第１実施形態の開閉弁６０の開口６５Ａａに対応している。内部空間７５Ｂは、第１実施形態の開閉弁６０の内部空間６５Ｂに対応している。下貫通穴７５Ｃは、第１実施形態の開閉弁６０の下貫通穴６５Ｃに対応している。上側開口７５Ｃａは、第１実施形態の開閉弁６０の上側開口６５Ｃａに対応している。下側開口７５Ｃｂは、第１実施形態の開閉弁６０の下側開口６５Ｃｂに対応している。
　図５に示すように、外部分７２と、筒部５２の外側面５２Ｂと、基部５１とによって構成された凹部に、図５に破線で示すＯリング８０を嵌めることができる。Ｏリング８０は、上下方向１０１から見て環状である。上下方向１０１から見て、Ｏリング８０の内径は、樹脂パッケージ５０の筒部５２の外径と同一または略同一に構成されている。Ｏリング８０は、ニトリルゴム等の圧縮変形容易な部材によって構成されている。
　図４及び図５に示す構成では、外部分７２は、筒部５２の周方向の全周に亘って筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出している。しかし、外部分７２は、筒部５２の周方向の一部のみにおいて筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出していてもよい。
　図４及び図５に示す構成では、連通路７５の内部空間７５Ｂは、筒部５２より上方に、つまり露出穴５２Ｃの外部に形成されている。しかし、内部空間７５Ｂは、露出穴５２Ｃの内部に形成されていてもよい。この場合、例えば、外部分７２のメンブレン７３の下部が露出穴５２Ｃの内部に位置する。
　第３実施形態によれば、開閉弁７０が露出穴５２Ｃの下部に配置されている構成よりも、開閉弁７０の後付けが容易である。そのため、開閉弁７０を、圧力センサ装置１０Ｂへの取付けの有無を選択可能なオプション部品とすることが容易である。
　第３実施形態によれば、開閉弁７０の外部分７２と樹脂パッケージ５０の基部５１との間に、Ｏリング８０を嵌めることができる。Ｏリング８０は、圧力センサ装置１０Ｂが装置に取り付けられているときに、圧力センサ装置１０Ｂと装置との隙間を封止するものである。第３実施形態によれば、開閉弁７０の外部分７２によってＯリング８０の抜けを抑制することができる。
　＜第４実施形態＞
　図６は、本発明の第４実施形態に係る圧力センサ装置における図４のＢ－Ｂ線に沿った位置に対応する断面図である。第４実施形態に係る圧力センサ装置１０Ｃが第３実施形態に係る圧力センサ装置１０Ｂと異なることは、開閉弁７０が内部分７１の代わりに下部分７６を備えることである。以下、第３実施形態との相違点が説明される。第３実施形態に係る圧力センサ装置１０Ｂとの共通点については、同一の符号が付された上で、その説明は原則省略され、必要に応じて説明される。
　開閉弁７０は、露出穴５２Ｃの外部に位置する下部分７６と、露出穴５２Ｃの外部に位置して下部分７６の上方に設けられる外部分７２とを備える。第４実施形態の外部分７２は、第３実施形態の外部分７２と同構成である。
　下部分７６は、筒部５２の上方に位置している。下部分７６は、外部分７２と同様に、上下方向１０１から見て、筒部５２の外側面５２Ｂより外側へ延出している。これにより、下部分７６と外部分７２とは、上下方向１０１から見て筒部５２の内側及び外側の双方で重なっている。なお、図６では、上下方向１０１からみて下部分７６は外部分７２と同じ形状及び同じ大きさであるが、異なる形状であってもよいし、異なる大きさであってもよい。開閉弁７０は樹脂パッケージ５０に取り付けられている。例えば、下部分７６の下面７６Ａが筒部５２の上面５２Ｄに接着されることによって、開閉弁７０が樹脂パッケージ５０に取り付けられる。その他の下部分７６の構成は、第３実施形態の内部分７１及び第１実施形態の開閉弁６０の下部分６１と同構成である。
　以上説明した圧力センサ装置は、以下のようにも表現することができる。
　第１態様の圧力センサ装置は、
　ベース基板と、
　前記ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を有する検出素子と、
　前記ベース基板の上面に設けられ、前記検出素子が埋設され、前記検出部を上方へ露出させる露出穴を有する樹脂パッケージと、を備える圧力センサ装置であって、
　前記露出穴を塞ぐように配置された開閉弁を備え、
　前記開閉弁は、
　前記圧力センサ装置の外部に面した外面を有するメンブレンと、
　前記外面の裏面である内面によって一部を構成され且つ前記検出部を前記圧力センサ装置の外部と連通させる連通路と、を備え、
　前記メンブレンが前記外面に作用する圧力によって撓むことにより、前記内面が前記連通路を閉塞する。
　第２態様の圧力センサ装置は、
　第１態様の圧力センサ装置において、
　前記開閉弁は、
　前記検出素子と上下方向に対向する下部分と、
　前記下部分の上方に設けられて前記圧力センサ装置の外部に面し、前記メンブレンを有する上部分と、を備え、
　前記連通路は、
　前記上下方向から見て前記上部分における前記メンブレンの外側に形成され、前記圧力センサ装置の外部へ向けて開口され、前記上部分を前記上下方向に貫通する上貫通穴と、
　前記メンブレン及び前記下部分の間に形成されて前記上貫通穴と連通する内部空間と、
　前記下部分を前記上下方向に貫通し、前記メンブレンと前記上下方向に対向する位置において前記内部空間に開口された上側開口と前記検出素子へ向けて開口された下側開口とを有する下貫通穴と、を備え、
　前記メンブレンが前記外面に作用する圧力によって撓むことにより、前記内面が前記下貫通穴の前記上側開口を塞ぐ。
　第３態様の圧力センサ装置は、
　第１態様または第２態様の圧力センサ装置において、
　前記メンブレンは、
　上下方向から見て前記メンブレンの中央部に位置する膜厚部と、
　前記上下方向から見て前記膜厚部を囲むように設けられ前記膜厚部より薄い膜薄部と、を備え、
　前記メンブレンの前記内面のうち前記膜厚部に位置する前記内面が前記連通路を閉塞する。
　第４態様の圧力センサ装置は、
　第１態様から第３態様のいずれか１つの圧力センサ装置において、
　前記圧力センサ装置の外部から前記開閉弁に接触した液体が前記連通路に浸入したときに、前記内面による前記連通路の閉塞位置に前記液体が到達するよりも早く、前記液体から前記外面に圧力が作用することによって撓んだ前記メンブレンの前記内面が前記連通路を閉塞する。
　第５態様の圧力センサ装置は、
　第１態様から第４態様のいずれか１つの圧力センサ装置において、
　前記圧力センサ装置の外部への前記連通路の開口を塞ぎ、気体を通し且つ液体を通さない閉塞膜を更に備える。
　第６態様の圧力センサ装置は、
　第１態様から第５態様のいずれか１つの圧力センサ装置において、
　前記検出素子及び前記開閉弁は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)である。
　第７態様の圧力センサ装置は、
　第１態様から第６態様のいずれか１つの圧力センサ装置において、
　前記開閉弁は、前記露出穴の上部に配置されており、前記露出穴の下部を介して前記検出部と対向している。
　第８態様の圧力センサ装置は、
　第１態様から第７態様のいずれか１つの圧力センサ装置において、
　前記樹脂パッケージは、
　前記ベース基板の上面に設けられた基部と、
　前記基部から上方へ突出し、前記露出穴を有する筒部と、を備え、
　上下方向から見て、前記基部は、前記筒部の外側面より外側へ延出し、
　前記開閉弁は、
　前記露出穴の内部に位置する内部分と、
　前記露出穴より上方に位置し、前記筒部に支持された外部分と、を備え、
　前記上下方向から見て、前記外部分の少なくとも一部は、前記筒部の外側面より外側へ延出している。
　なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
　本発明は、適宜図面を参照しながら好ましい実施の形態に関連して充分に記載されているが、この技術に熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
　　１０　圧力センサ装置
　　２０　ベース基板
　２０Ａ　上面
　　３０　検出素子
　　３３　検出部
　　５０　樹脂パッケージ
　　５１　基部
　　５２　筒部
　５２Ｂ　外側面
　５２Ｃ　露出穴
　　６０　開閉弁
　　６１　下部分
　　６２　上部分
　　６３　メンブレン
　６３Ａ　上面（外面）
　６３Ｂ　下面（内面）
　６３１　膜厚部
　６３２　膜薄部
　　６５　連通路
　６５Ａ　上貫通穴
　６５Ｂ　内部空間
　６５Ｃ　下貫通穴
６５Ｃａ　上側開口
６５Ｃｂ　下側開口
　　６６　閉塞膜
　　７０　開閉弁
　　７１　内部分
　　７２　外部分

Claims (8)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板の上面に実装され、圧力を検出する検出部を有する検出素子と、
    　前記ベース基板の上面に設けられ、前記検出素子が埋設され、前記検出部を上方へ露出させる露出穴を有する樹脂パッケージと、を備える圧力センサ装置であって、
    　前記露出穴を塞ぐように配置された開閉弁を備え、
    　前記開閉弁は、
    　前記圧力センサ装置の外部に面した外面を有するメンブレンと、
    　前記外面の裏面である内面によって一部を構成され且つ前記検出部を前記圧力センサ装置の外部と連通させる連通路と、を備え、
    　前記メンブレンが前記外面に作用する圧力によって撓むことにより、前記内面が前記連通路を閉塞する圧力センサ装置。
  2. 　前記開閉弁は、
    　前記検出素子と上下方向に対向する下部分と、
    　前記下部分の上方に設けられて前記圧力センサ装置の外部に面し、前記メンブレンを有する上部分と、を備え、
    　前記連通路は、
    　前記上下方向から見て前記上部分における前記メンブレンの外側に形成され、前記圧力センサ装置の外部へ向けて開口され、前記上部分を前記上下方向に貫通する上貫通穴と、
    　前記メンブレン及び前記下部分の間に形成されて前記上貫通穴と連通する内部空間と、
    　前記下部分を前記上下方向に貫通し、前記メンブレンと前記上下方向に対向する位置において前記内部空間に開口された上側開口と前記検出素子へ向けて開口された下側開口とを有する下貫通穴と、を備え、
    　前記メンブレンが前記外面に作用する圧力によって撓むことにより、前記内面が前記下貫通穴の前記上側開口を塞ぐ請求項１に記載の圧力センサ装置。
  3. 　前記メンブレンは、
    　上下方向から見て前記メンブレンの中央部に位置する膜厚部と、
    　前記上下方向から見て前記膜厚部を囲むように設けられ前記膜厚部より薄い膜薄部と、を備え、
    　前記メンブレンの前記内面のうち前記膜厚部に位置する前記内面が前記連通路を閉塞する請求項１または２に記載の圧力センサ装置。
  4. 　前記圧力センサ装置の外部から前記開閉弁に接触した液体が前記連通路に浸入したときに、前記内面による前記連通路の閉塞位置に前記液体が到達するよりも早く、前記液体から前記外面に圧力が作用することによって撓んだ前記メンブレンの前記内面が前記連通路を閉塞する請求項１から３のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
  5. 　前記圧力センサ装置の外部への前記連通路の開口を塞ぎ、気体を通し且つ液体を通さない閉塞膜を更に備える請求項１から４のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
  6. 　前記検出素子及び前記開閉弁は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)である請求項１から５のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
  7. 　前記開閉弁は、前記露出穴の上部に配置されており、前記露出穴の下部を介して前記検出部と対向している請求項１から６のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
  8. 　前記樹脂パッケージは、
    　前記ベース基板の上面に設けられた基部と、
    　前記基部から上方へ突出し、前記露出穴を有する筒部と、を備え、
    　上下方向から見て、前記基部は、前記筒部の外側面より外側へ延出し、
    　前記開閉弁は、
    　前記露出穴の内部に位置する内部分と、
    　前記露出穴より上方に位置し、前記筒部に支持された外部分と、を備え、
    　前記上下方向から見て、前記外部分の少なくとも一部は、前記筒部の外側面より外側へ延出している請求項１から７のいずれか１項に記載の圧力センサ装置。
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