WO2022085255A1 - シャント抵抗器およびシャント抵抗装置 - Google Patents

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shunt
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浩一 平沢
進 豊田
圭史 仲村
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Koa株式会社
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    • H01C7/006Thin film resistors

Definitions

  • the present invention relates to a shunt resistor and a shunt resistor device.
  • Such a shunt resistor includes a disc-shaped resistor and two electrodes formed on both sides of the resistor. One of the two electrodes is connected to the wiring (pad) and the other is connected to the bonding wire.
  • the electrode connected to the bonding wire has a potential distribution. Therefore, the detected resistance value and the temperature coefficient of resistance (TCR) of the shunt resistor may change due to the deviation of the connection position of the bonding wire.
  • the temperature coefficient of resistance is an index showing the rate of change in resistance value with temperature.
  • an object of the present invention is to provide a shunt resistor and a shunt resistor device that can suppress variations in the characteristics of the shunt resistor depending on the connection position of the wiring for voltage detection.
  • a shunt resistor comprising an electrode member made of a conductive material.
  • the electrode member includes a contact portion that comes into contact with the resistor and a slit formed in the contact portion.
  • the slit extends in a direction perpendicular to the current direction.
  • the contact site has a first surface adjacent to the resistor and a second surface opposite to the first surface, and the slit has the first surface and the second surface. It is a through hole connected to.
  • a shunt resistance device including a resistor, an electrode member having a contact portion in contact with the resistor, and a voltage detection wiring connected to the electrode member.
  • the electrode member includes a slit formed in the contact portion, and the voltage detection wiring is arranged in a first wiring region between the slit and the slit side end portion of the electrode member.
  • the shunt resistance device comprises a current wiring connected to the electrode member, and the current wiring is located in a second wiring region opposite to the first wiring region with the slit interposed therebetween. Have been placed.
  • the slit extends in a direction perpendicular to the current direction.
  • the contact site has a first surface adjacent to the resistor and a second surface opposite to the first surface, and the slit has the first surface and the second surface. It is a through hole connected to.
  • the present invention by forming the slit at the contact portion, it is possible to suppress the variation in the characteristics of the shunt resistor depending on the connection position of the wiring for voltage detection.
  • the shunt resistor 1 is a plate-shaped (thin plate-shaped) resistor 5 having a predetermined thickness and width, and a plate-shaped (thin plate-shaped) electrode made of a conductive material. 6 and an electrode member 10 made of a conductive material are provided.
  • An example of the material of the resistor 5 is a low resistance alloy material such as a Cu—Mn—Ni based alloy or a Ni—Cr based alloy.
  • a low resistance alloy material such as a Cu—Mn—Ni based alloy or a Ni—Cr based alloy.
  • copper (Cu) which is a highly conductive metal, can be mentioned.
  • the resistor 5 has a first resistor surface 5a and a second resistor surface 5b which is a surface opposite to the first resistor surface 5a.
  • the electrode member 10 is connected to the first resistor surface 5a, and the electrode 6 is connected to the second resistor surface 5b. That is, the electrode 6, the resistor 5, and the electrode member 10 are laminated in this order in the thickness direction of the shunt resistor 1.
  • the thickness direction of the shunt resistor 1 is a direction parallel to the vertical direction.
  • the first direction is the length direction of the shunt resistor 1.
  • the second direction is the width direction of the shunt resistor 1 and is the direction perpendicular to the first direction.
  • the electrode member 10 includes a main body portion 11 having a rectangular shape and a terminal portion 14 extending from the main body portion 11 in the thickness direction.
  • the main body portion 11 and the terminal portion 14 are integrally molded members.
  • the electrode member 10 (more specifically, the main body portion 11) includes a contact portion 10a that comes into contact with the resistor 5.
  • the contact portion 10a of the electrode member 10 is connected to the resistor 5 (see FIG. 2).
  • the terminal portion 14 is arranged on the opposite side of the contact portion 10a with respect to the center line CL of the electrode member 10.
  • the center line CL is a virtual line segment that extends parallel to the second direction of the shunt resistor 1 and bisects the electrode member 10.
  • the terminal portion 14 and the electrode 6 (and the resistor 5) are arranged apart from each other in the first direction of the shunt resistor 1. This first direction is parallel to the current direction of the current passing through the shunt resistor 1.
  • the electrode member 10 is connected to the first resistance of the resistor 5 by welding such as pressure welding, soldering, or connecting means such as metal nanoparticles (silver paste using silver nanoparticles or copper paste using copper nanoparticles). It may be connected to the body surface 5a.
  • the electrode 6 may also be connected to the second resistor surface 5b of the resistor 5 by the same connecting means.
  • the terminal portion 14 and the electrode 6 are subjected to surface treatment such as Sn plating or Ni plating in order to enable solder mounting.
  • the electrode member 10 includes a slit 20 formed in the contact portion 10a.
  • the slit 20 is an elongated hole extending in a direction perpendicular to the current direction (that is, a direction parallel to the second direction).
  • the slit 20 penetrates from the surface of the electrode member 10 so as to reach the resistor 5. More specifically, the contact portion 10a has a first surface 21 adjacent to the resistor 5 and a second surface 22 opposite to the first surface 21, and the slit 20 has these first surface 21. And a through hole connected to the second surface 22.
  • the electrode member 10 has both ends 23, 24 in the first direction.
  • the end portion 23 is a slit side end portion adjacent to the slit 20, and the end portion 24 is an opposite side end portion separated from the slit 20. Therefore, the distance between the slit 20 and the slit side end portion 23 is smaller than the distance between the slit 20 and the opposite side end portion 24.
  • the voltage detection wiring 25 is connected to the wiring region A1 (frame surrounded by the dotted line) between the slit 20 and the slit side end portion 23 at the time of mounting.
  • the voltage detection wiring 25 is a wiring (terminal) for detecting a potential difference (potential difference generated between the first resistor surface 5a and the second resistor surface 5b) in the resistor 5.
  • the voltage detection wiring 25 connected to the resistor 5, the electrode member 10, and the electrode member 10 constitutes the shunt resistance device 100.
  • the voltage detection wiring 25 may be a bonding wire.
  • the wiring region A1 of the electrode member 10 (more specifically, the contact portion 10a) is subjected to a surface treatment (for example, NiP plating, Ni plating, etc.) that enables bonding.
  • FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the mounting land pattern.
  • FIG. 4 is a diagram showing a shunt resistor device 100 mounted on the mounting land pattern shown in FIG.
  • a leader wire 33 is arranged between the energization patterns 30 and 31, and the leader wire 33 is connected to the energization pattern 31.
  • the lead wire 33 is a voltage detection terminal for detecting the voltage of the resistor 5.
  • the energization patterns 30 and 31 are formed on a circuit board such as a printed circuit board (not shown). Each of the terminal portion 14 and the electrode 6 is connected (bonded) to each of the energization patterns 30 and 31 by means such as soldering. A current path is formed by the energization pattern 30, the shunt resistor 1, and the energization pattern 31.
  • the voltage measuring device 26 can be used to measure the potential difference between the voltage detection wiring 25 and the lead wire 33 (that is, the potential difference in the resistor 5). The current value is calculated by measuring the potential difference. For example, various devices mounted on the automobile are controlled by the calculated current value.
  • FIG. 5 shows the resistance value and T.I. C. It is a figure explaining the measurement position of R.
  • FIG. 6 is a graph showing changes in the resistance value of the shunt resistor 1 depending on the measurement position.
  • FIG. 7 shows the T.I. C. It is a graph which shows the change by the measurement position of R.
  • FIG. 6 shows a simulation of the resistance value when the width of the slit 20 (1.5 mm to 4.5 mm) and the measurement position (1.5 mm, 3.0 mm, 3.7 mm, 5.0 mm) are changed. The result is shown.
  • FIG. 7 shows T.I. C. The simulation result of R is shown.
  • the set resistance value of the shunt resistor 1 is 100 ⁇ . Resistance value and T.I. C.
  • the measurement position of R corresponds to the distance from this reference position to the slit side end portion 23 when the position 0 mm is set as the reference position (the center position of the electrode member 10 on the center line CL (see FIG. 1)).
  • the horizontal axis of FIG. 6 indicates the measurement position of the resistance value
  • the vertical axis of FIG. 6 indicates the resistance value [m ⁇ ].
  • the resistance value characteristic changes depending on the connection position of the voltage detection wiring 25.
  • the resistance value characteristic hardly changes according to the connection position of the voltage detection wiring 25. Therefore, in order to suppress variations in the characteristics of the shunt resistor 1, it is desirable to connect the voltage detection wiring 25 to a position closer to the slit side end portion 23 than to the position of the slit 20.
  • the resistance value can be changed according to the position where the slit 20 is formed. That is, when the slit 20 is formed at the position on the reference position side, the resistance value becomes large, and when the slit 20 is formed at the position on the slit side end portion 23 side, the resistance value becomes small.
  • the horizontal axis in FIG. 7 is T.I. C.
  • the measurement position of R is shown, and the vertical axis of FIG. 7 is T.I. C. It shows R [ppm / deg].
  • R [ppm / deg].
  • T.I. C. R becomes negative. Even if the measurement position changes, T.I. C. R hardly changes.
  • T.I. C As is clear from FIG. 7, by changing the size of the width of the slit 20, T.I. C.
  • the R characteristics can be changed.
  • T.I. C The R characteristic changes more significantly at the position of the slit side end portion 23 than at the position on the reference position side.
  • T.I. C. R can be changed. That is, when the slit 20 is formed at the position on the reference position side, the T.I. C. R is adjusted to the plus side, and when the slit 20 is formed at the position on the slit side end portion 23 side, T.I. C. R is adjusted to the minus side.
  • the additional effects of forming the slit 20 are as follows.
  • a method of cutting the resistor can be mentioned. For example, by cutting the side surface of the resistor, the cross-sectional area (that is, the current path) of the resistor is reduced and the resistance value is increased.
  • residual stress may be generated in the resistor. Such residual stress may cause the resistance value to fluctuate after being mounted on the circuit board.
  • the resistance value can be changed without cutting the resistor 5. Therefore, the resistance value does not fluctuate due to the residual stress.
  • FIGS. 8 and 9 are views showing another embodiment of the shunt resistor 1. Since the configuration of the present embodiment, which is not particularly described, is the same as that of the above-described embodiment, the overlapping description thereof will be omitted. As shown in FIGS. 8 and 9, the electrode member 50 has a smaller size than the electrode member 10 according to the above-described embodiment. More specifically, the electrode member 50 has a shorter length in the first direction than the electrode member 10.
  • the electrode member 50 as a whole includes a contact portion 50a that comes into contact with the resistor 5. By moving the electrode member 50 in the direction indicated by the white arrow in FIG. 8, the contact portion 50a of the electrode member 50 is connected to the resistor 5 (see FIG. 9). As shown in FIG. 9, the electrode member 50 has the same size as the resistor 5 and the electrode 6.
  • the surface of the electrode member 50 (the surface surrounded by the dotted line in FIG. 9 (in other words, the entire surface of the contact portion 50a)) is subjected to surface treatment (for example, NiP plating, Ni plating, etc.) that enables bonding. Will be done.
  • the electrode 6 is subjected to surface treatment such as Sn plating or Ni plating in order to enable solder mounting.
  • the slit 20 is an elongated hole extending in a direction perpendicular to the current direction.
  • the contact portion 50a of the electrode member 50 has a first surface 51 adjacent to the resistor 5 and a second surface 52 opposite to the first surface 51, and the slit 20 has the first surface 51 and the first surface 51. It is a through hole connected to the two surfaces 52.
  • FIG. 10 is a diagram showing an embodiment of a shunt resistor device 100 configured by mounting the shunt resistor shown in FIG. 9 on the mounting land pattern shown in FIG.
  • the shunt resistance device 100 includes a voltage detection wiring 25 and a current wiring 55 connected to the electrode member 50.
  • the voltage detection wiring 25 is arranged in the wiring region A1 (frame surrounded by a dotted line) between the slit 20 and the slit side end portion 53.
  • the current wiring 55 is arranged in the wiring area A2 (frame surrounded by the dotted line) on the opposite side of the wiring area A1 with the slit 20 interposed therebetween.
  • This wiring region A2 is a region between the slit 20 and the opposite end portion 54.
  • the current wiring 55 is a plurality of (four in FIG. 10) bonding wires, but the number of current wiring 55 is not limited to this embodiment.
  • the current wiring 55 is connected to the energization pattern 30 and the electrode member 50.
  • a current path is formed by the energization pattern 30, the current wiring 55, the shunt resistor 1, and the energization pattern 31.
  • FIG. 11 is a diagram showing another embodiment of the shunt resistor device 100 configured by mounting the shunt resistor shown in FIG. 9 on the mounting land pattern shown in FIG.
  • the shunt resistor device 100 includes a current wiring 56 composed of clip-shaped terminals instead of the current wiring 55 composed of a plurality of bonding wires.
  • the shunt resistor device 100 may include at least one of a plurality of bonding wires and clip-like terminals as current wiring.
  • the present invention can be used for shunt resistors and shunt resistor devices.
  • Electrode member 10 1 Shunt resistor 5 Resistor 5a 1st resistor surface 5b 2nd resistor surface 6 Electrode 10 Electrode member 10a Contact part 11 Main body 14 Terminal part 20 Slit 21 1st surface 22 2nd surface 23 Slit side end 24 Opposite Side end 25 Voltage detection wiring 26 Voltage measuring device 30 Energization pattern 31 Energization pattern 33 Lead wire 50 Electrode member 50a Contact part 51 First surface 52 Second surface 53 Slit side end 54 Opposite end 55 Current wiring 56 Current wiring

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Abstract

本発明は、シャント抵抗器およびシャント抵抗装置に関する。シャント抵抗器(1)は電極部材(10)を備えている。電極部材(10)は、抵抗体(5)に接触する接触部位(10a)と、接触部位(10a)に形成されたスリット(20)と、を備える。

Description

シャント抵抗器およびシャント抵抗装置
 本発明は、シャント抵抗器およびシャント抵抗装置に関する。
 電流を抵抗体に流し、その両端の電圧から電流の大きさを検出するシャント抵抗器が存在する(例えば、特許文献1参照)。このようなシャント抵抗器は、円板状の抵抗体と、抵抗体の両面に形成された2つの電極と、を備えている。2つの電極のうちの一方は配線(パッド)に接続されており、他方はボンディングワイヤに接続されている。
特開2018-170478号公報
 ボンディングワイヤに接続された電極は、電位分布を有している。したがって、ボンディングワイヤの接続位置がずれることで、検出される抵抗値やシャント抵抗器の抵抗温度係数(T.C.R)が変化することがある。抵抗温度係数は、温度による抵抗値の変化の割合を示す指標である。
 そこで、本発明は、電圧検出用の配線の接続位置によるシャント抵抗器の特性のばらつきを抑制することができるシャント抵抗器およびシャント抵抗装置を提供することを目的とする。
 一態様では、導電性材料から構成された電極部材を備えるシャント抵抗器が提供される。前記電極部材は、抵抗体に接触する接触部位と、前記接触部位に形成されたスリットと、を備える。
 一態様では、前記スリットは、電流方向に垂直な方向に延びている。
 一態様では、前記接触部位は、前記抵抗体に隣接する第1面および前記第1面とは反対側の第2面を有しており、前記スリットは、前記第1面および前記第2面に接続された貫通孔である。
 一態様では、抵抗体と、前記抵抗体に接触する接触部位を備える電極部材と、前記電極部材に接続された電圧検出配線と、を備えるシャント抵抗装置が提供される。前記電極部材は、前記接触部位に形成されたスリットを備えており、前記電圧検出配線は、前記スリットと前記電極部材のスリット側端部との間の第1配線領域に配置されている。
 一態様では、前記シャント抵抗装置は、前記電極部材に接続された電流配線を備えており、前記電流配線は、前記スリットを挟んで、前記第1配線領域とは反対側の第2配線領域に配置されている。
 一態様では、前記スリットは、電流方向に垂直な方向に延びている。
 一態様では、前記接触部位は、前記抵抗体に隣接する第1面および前記第1面とは反対側の第2面を有しており、前記スリットは、前記第1面および前記第2面に接続された貫通孔である。
 本発明によれば、スリットを接触部位に形成することにより、電圧検出用の配線の接続位置によるシャント抵抗器の特性のばらつきを抑制することができる。
電流検出用のシャント抵抗器の一実施形態を示す斜視図である。 電流検出用のシャント抵抗器の一実施形態を示す斜視図である。 実装ランドパターンの一実施形態を示す図である。 図3に示す実装ランドパターンに実装されたシャント抵抗装置を示す図である。 本実施形態におけるスリットを形成したシャント抵抗器の有効性を検証するため、抵抗値およびT.C.Rの測定位置を説明する図である。 シャント抵抗器の抵抗値の測定位置による変化を示すグラフである。 シャント抵抗器のT.C.Rの測定位置による変化を示すグラフである。 シャント抵抗器の他の実施形態を示す図である。 シャント抵抗器の他の実施形態を示す図である。 図3に示す実装ランドパターンに、図9に示すシャント抵抗器を実装して構成されたシャント抵抗装置の一実施形態を示す図である。 図3に示す実装ランドパターンに、図9に示すシャント抵抗器を実装して構成されたシャント抵抗装置の他の実施形態を示す図である。
 以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下で説明する図面において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
 図1および図2は、電流検出用のシャント抵抗器の一実施形態を示す斜視図である。図1および図2に示すように、シャント抵抗器1は、所定の厚みと幅を有する板状(薄板状)の抵抗体5と、導電性材料から構成された板状(薄板状)の電極6と、導電性材料から構成された電極部材10と、を備えている。
 抵抗体5の材料の一例として、Cu-Mn-Ni系合金やNi-Cr系合金などの低抵抗合金材が挙げられる。電極6および電極部材10の材料の一例として、高導電性金属である銅(Cu)が挙げられる。
 抵抗体5は、第1抵抗体表面5aと、第1抵抗体表面5aの反対側の面である第2抵抗体表面5bと、を有している。電極部材10は、第1抵抗体表面5aに接続されており、電極6は、第2抵抗体表面5bに接続されている。すなわち、電極6、抵抗体5、および電極部材10は、この順にシャント抵抗器1の厚さ方向に積層されている。
 図1および図2において、シャント抵抗器1の厚さ方向は、鉛直方向と平行な方向である。第1方向は、シャント抵抗器1の長さ方向である。第2方向は、シャント抵抗器1の幅方向であり、第1方向に垂直な方向である。
 電極部材10は、長方形状を有する本体部11と、本体部11から厚さ方向に延びる端子部14と、を備えている。本体部11および端子部14は、一体成形部材である。
 電極部材10(より具体的には、本体部11)は、抵抗体5に接触する接触部位10aを備えている。図1の白抜き矢印で示す方向に電極部材10を移動させることにより、電極部材10の接触部位10aは抵抗体5に接続される(図2参照)。端子部14は、電極部材10の中心線CLに関して、接触部位10aの反対側に配置されている。中心線CLは、シャント抵抗器1の第2方向と平行に延び、かつ電極部材10を二等分する仮想の線分である。
 端子部14および電極6(および抵抗体5)は、シャント抵抗器1の第1方向において、互いに離間して配置されている。この第1方向は、シャント抵抗器1を通過する電流の電流方向と平行である。
 電極部材10は、加圧溶接などの溶接、はんだ、金属ナノ粒子(銀ナノ粒子を用いた銀ペーストや、銅ナノ粒子を用いた銅ペースト)などの接続手段により、抵抗体5の第1抵抗体表面5aに接続されてもよい。電極6も同様の接続手段により抵抗体5の第2抵抗体表面5bに接続されてもよい。端子部14および電極6には、はんだ実装を可能とするために、SnめっきやNiめっき等の表面処理が施されている。
 図1および図2に示すように、電極部材10は、接触部位10aに形成されたスリット20を備えている。スリット20は、電流方向に垂直な方向(すなわち、第2方向と平行な方向)に延びる長孔である。
 スリット20は、電極部材10の表面から抵抗体5に達するように貫通している。より具体的には、接触部位10aは、抵抗体5に隣接する第1面21および第1面21とは反対側の第2面22を有しており、スリット20は、これら第1面21および第2面22に接続された貫通孔である。
 電極部材10は、第1方向における両端部23,24を有している。端部23はスリット20に隣接するスリット側端部であり、端部24はスリット20から離間する反対側端部である。したがって、スリット20とスリット側端部23との間の距離は、スリット20と反対側端部24との間の距離よりも小さい。
 図2に示すように、スリット20とスリット側端部23との間の配線領域A1(点線で囲まれた枠)には、実装の際に電圧検出配線25が接続される。この電圧検出配線25は、抵抗体5における電位差(第1抵抗体表面5aと、第2抵抗体表面5bとの間に発生する電位差)を検出するための配線(端子)である。抵抗体5、電極部材10、電極部材10に接続された電圧検出配線25は、シャント抵抗装置100を構成している。
 一実施形態では、電圧検出配線25は、ボンディングワイヤであってもよい。この場合、電極部材10(より具体的には、接触部位10a)の配線領域A1には、ボンディングを可能にする表面処理(例えば、NiPめっきやNiめっき等)が施される。
 図3は、実装ランドパターンの一実施形態を示す図である。図4は、図3に示す実装ランドパターンに実装されたシャント抵抗装置100を示す図である。図3および図4に示すように、通電パターン30,31の間には、引き出し線33が配置されており、引き出し線33は、通電パターン31に接続されている。引き出し線33は、抵抗体5の電圧を検出するための電圧検出端子である。
 通電パターン30,31は、図示しないプリント基板などの回路基板に形成されている。端子部14および電極6のそれぞれは、はんだなどの手段により通電パターン30,31のそれぞれに接続(接合)されている。通電パターン30、シャント抵抗器1、および通電パターン31により電流経路が形成される。本実施形態では、電圧測定装置26を用いて、電圧検出配線25と引き出し線33との間の電位差(すなわち、抵抗体5における電位差)を測定することができる。かかる電位差の測定により電流値が算出される。算出された電流値により、例えば自動車に搭載された各種機器の制御が行われる。
 図5は、本実施形態におけるスリット20を形成したシャント抵抗器1の有効性を検証するため、抵抗値およびT.C.Rの測定位置を説明する図である。図6は、シャント抵抗器1の抵抗値の測定位置による変化を示すグラフである。図7は、シャント抵抗器1のT.C.Rの測定位置による変化を示すグラフである。
 図6は、スリット20の幅の大きさ(1.5mm~4.5mm)および測定位置(1.5mm、3.0mm、3.7mm、5.0mm)を変化させたときの抵抗値のシミュレーション結果を示している。図7は、スリット20の幅の大きさ(1.5mm~4.5mm)および測定位置(1.5mm、3.0mm、3.7mm、5.0mm)を変化させたときのT.C.Rのシミュレーション結果を示している。
 本実施形態では、シャント抵抗器1の設定抵抗値は、100μΩである。抵抗値およびT.C.Rの測定位置は、位置0mmを基準位置(中心線CL(図1参照)上の電極部材10の中心位置)としたとき、この基準位置からスリット側端部23までの距離に相当する。
 図6の横軸は抵抗値の測定位置を示しており、図6の縦軸は抵抗値[mΩ]を示している。図6から明らかなように、電極部材10の基準位置側の位置においては、スリット20の幅の大きさが大きくなるほど、抵抗値は大きくなる。測定位置が電極部材10の基準位置から離れるほど、抵抗値が小さくなる。したがって、スリット20の幅の大きさを変更することにより、抵抗値を変更することができる。その一方で、スリット20の位置よりもスリット側端部23の位置においては、スリット20の幅の大きさが大きくなると、抵抗値は小さくなるが、それほど大きく変化しない。
 このことから、スリット20の位置よりも基準位置側の位置に電圧検出配線25を接続(ボンディング)する場合、電圧検出配線25の接続位置によって抵抗値特性が変化する。その一方で、スリット20の位置よりもスリット側端部23の位置に電圧検出配線25を接続(ボンディング)する場合、電圧検出配線25の接続位置に応じて抵抗値特性はほとんど変化しない。したがって、シャント抵抗器1の特性のばらつきを抑制するために、スリット20の位置よりもスリット側端部23側の位置に電圧検出配線25を接続することが望ましい。
 図6のシミュレーション結果には示されていないが、スリット20を形成する位置に応じて、抵抗値は変更可能である。つまり、スリット20を基準位置側の位置に形成すると、抵抗値は大きくなり、スリット20をスリット側端部23側の位置に形成すると、抵抗値は小さくなる。
 図7の横軸はT.C.Rの測定位置を示しており、図7の縦軸はT.C.R[ppm/deg]を示している。図7から明らかなように、電極部材10の基準位置側の位置においては、スリット20の幅の大きさが大きくなるほど、T.C.Rはプラス側になる。測定位置が電極部材10の基準位置から離れるほど、T.C.Rがマイナス側になる。したがって、スリット20の幅の大きさを変更することにより、T.C.Rを変更することができる。その一方で、スリット20の位置よりもスリット側端部23の位置においては、スリット20の幅の大きさが大きくなると、T.C.Rはマイナスになる。測定位置が変わってもT.C.Rはほとんど変化しない。
 このことから、スリット20の位置よりも基準位置側の位置に電圧検出配線25を接続(ボンディング)する場合、電圧検出配線25の接続位置によってT.C.R特性が変化する。その一方で、スリット20の位置よりもスリット側端部23の位置に電圧検出配線25を接続(ボンディング)する場合、電圧検出配線25の接続位置に応じてT.C.R特性はほとんど変化しない。したがって、シャント抵抗器1の特性のばらつきを抑制するために、スリット20の位置よりもスリット側端部23側の位置に電圧検出配線25を接続することが望ましい。
 図7から明らかなように、スリット20の幅の大きさを変更することにより、T.C.R特性を変更することができる。特に、図7に示すように、スリット20の幅の大きさの変更に起因するT.C.R特性は、基準位置側の位置よりもスリット側端部23の位置において顕著に変化する。
 図7のシミュレーション結果には示されていないが、スリット20を形成する位置に応じて、T.C.Rは変更可能である。つまり、スリット20を基準位置側の位置に形成すると、T.C.Rはプラス側に調整され、スリット20をスリット側端部23側の位置に形成すると、T.C.Rはマイナス側に調整される。
 スリット20を形成することによる追加的な効果は、次の通りである。特許文献1(すなわち、特開2018-170478号公報)のシャント抵抗器において、抵抗値を変更する方法の1つとして、抵抗体を切削する方法が挙げられる。例えば、抵抗体の側面を切削することにより、抵抗体の断面積(すなわち、電流経路)を減少させて、抵抗値を増加させる。しかしながら、このような方法では、抵抗体に残留応力が発生することがある。このような残留応力は、回路基板に実装した後に、抵抗値が変動する原因となるおそれがある。本実施形態によれば、スリット20を形成することにより、抵抗体5を切削することなく、抵抗値を変更することができる。したがって、残留応力に起因する抵抗値の変動は生じない。
 図8および図9は、シャント抵抗器1の他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態と同じであるのでその重複する説明を省略する。図8および図9に示すように、電極部材50は、上述した実施形態に係る電極部材10よりも小さなサイズを有している。より具体的には、電極部材50は、電極部材10よりも第1方向において、短い長さを有している。
 電極部材50は、その全体において、抵抗体5に接触する接触部位50aを備えている。図8の白抜き矢印で示す方向に電極部材50を移動させることにより、電極部材50の接触部位50aは抵抗体5に接続される(図9参照)。図9に示すように、電極部材50は抵抗体5および電極6と同一のサイズを有している。
 電極部材50の表面(図9の点線で囲まれた面(言い換えれば、接触部位50aの全体の面))には、ボンディングを可能にする表面処理(例えば、NiPめっきやNiめっき等)が施される。電極6には、はんだ実装を可能とするために、SnめっきやNiめっき等の表面処理が施されている。
 上述した実施形態と同様に、スリット20は、電流方向に垂直な方向に延びる長孔である。電極部材50の接触部位50aは、抵抗体5に隣接する第1面51および第1面51とは反対側の第2面52を有しており、スリット20は、これら第1面51および第2面52に接続された貫通孔である。
 図10は、図3に示す実装ランドパターンに、図9に示すシャント抵抗器を実装して構成されたシャント抵抗装置100の一実施形態を示す図である。図10に示す実施形態では、シャント抵抗装置100は、電極部材50に接続された電圧検出配線25および電流配線55を備えている。
 図10に示すように、電圧検出配線25は、スリット20とスリット側端部53との間の配線領域A1(点線で囲まれた枠)に配置されている。電流配線55はスリット20を挟んで配線領域A1とは反対側の配線領域A2(点線で囲まれた枠)に配置されている。この配線領域A2は、スリット20と反対側端部54との間の領域である。
 図10に示す実施形態では、電流配線55は、複数(図10では、4つ)のボンディングワイヤであるが、電流配線55の数は本実施形態には限定されない。電流配線55は、通電パターン30および電極部材50に接続されている。通電パターン30、電流配線55、シャント抵抗器1、および通電パターン31により、電流経路が形成される。
 図11は、図3に示す実装ランドパターンに、図9に示すシャント抵抗器を実装して構成されたシャント抵抗装置100の他の実施形態を示す図である。図11に示す実施形態では、シャント抵抗装置100は、複数のボンディングワイヤから構成された電流配線55の代わりに、クリップ状端子から構成された電流配線56を備えている。図10および図11に示すように、シャント抵抗装置100は、電流配線として、複数のボンディングワイヤおよびクリップ状端子の少なくとも1つを備えてもよい。
 上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
 本発明は、シャント抵抗器およびシャント抵抗装置に利用可能である。
 1   シャント抵抗器
 5   抵抗体
5a   第1抵抗体表面
5b   第2抵抗体表面
 6   電極
10   電極部材
10a  接触部位
11   本体部
14   端子部
20   スリット
21   第1面
22   第2面
23   スリット側端部
24   反対側端部
25   電圧検出配線
26   電圧測定装置
30   通電パターン
31   通電パターン
33   引き出し線
50   電極部材
50a  接触部位
51   第1面
52   第2面
53   スリット側端部
54   反対側端部
55   電流配線
56   電流配線

Claims (7)

  1.  導電性材料から構成された電極部材を備えるシャント抵抗器であって、
     前記電極部材は、
      抵抗体に接触する接触部位と、
      前記接触部位に形成されたスリットと、を備える、シャント抵抗器。
  2.  前記スリットは、電流方向に垂直な方向に延びている、請求項1に記載のシャント抵抗器。
  3.  前記接触部位は、前記抵抗体に隣接する第1面および前記第1面とは反対側の第2面を有しており、
     前記スリットは、前記第1面および前記第2面に接続された貫通孔である、請求項1または請求項2に記載のシャント抵抗器。
  4.  抵抗体と、
     前記抵抗体に接触する接触部位を備える電極部材と、
     前記電極部材に接続された電圧検出配線と、を備え、
     前記電極部材は、前記接触部位に形成されたスリットを備えており、
     前記電圧検出配線は、前記スリットと前記電極部材のスリット側端部との間の第1配線領域に配置されている、シャント抵抗装置。
  5.  前記シャント抵抗装置は、前記電極部材に接続された電流配線を備えており、
     前記電流配線は、前記スリットを挟んで、前記第1配線領域とは反対側の第2配線領域に配置されている、請求項4に記載のシャント抵抗装置。
  6.  前記スリットは、電流方向に垂直な方向に延びている、請求項4または請求項5に記載のシャント抵抗装置。
  7.  前記接触部位は、前記抵抗体に隣接する第1面および前記第1面とは反対側の第2面を有しており、
     前記スリットは、前記第1面および前記第2面に接続された貫通孔である、請求項4~請求項6のいずれか一項に記載のシャント抵抗装置。
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