WO2022075093A1 - クランプ用治具および洗浄装置 - Google Patents

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WO2022075093A1
WO2022075093A1 PCT/JP2021/035103 JP2021035103W WO2022075093A1 WO 2022075093 A1 WO2022075093 A1 WO 2022075093A1 JP 2021035103 W JP2021035103 W JP 2021035103W WO 2022075093 A1 WO2022075093 A1 WO 2022075093A1
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浩 浜島
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京セラ株式会社
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    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to a clamping jig and a cleaning device.
  • a cleaning device that cleans a semiconductor substrate with a predetermined chemical solution or a cleaning solution such as pure water in order to remove contaminants such as particles, organic contaminants, metal impurities, etc. adhering to the semiconductor substrate, and a polymer after etching treatment has been used. It is used.
  • Patent Document 1 discloses a liquid treatment apparatus having a holding means for horizontally holding a substrate, and the holding means has a claw portion for holding an end face of the substrate. There is. Further, as a holding means for holding the substrate horizontally, Patent Document 2 discloses a clamper that presses the substrate from above, and describes that the material of the clamper is silicon carbide.
  • the clamp jig is located at one end of the strut portion and the strut portion, and is located at the grip portion that grips the outer peripheral portion of the substrate and the other end portion of the strut portion.
  • the upper main surface of the base has a cutting level of 25% load length on the longitudinal roughness curve of the base and a load length of 75% on the roughness curve than the lower main surface of the base.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) representing the difference from the cutting level of is small.
  • the other clamping jigs are located at one end of the strut portion and the strut portion, and are located at the grip portion that grips the outer peripheral portion of the substrate and the other end portion of the strut portion.
  • the upper main surface of the base has a cutting level at a load length ratio of 25% on the lateral roughness curve of the base and a load length ratio of 75% on the roughness curve than the lower main surface of the base.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cs) representing the difference from the cutting level in is small.
  • the method for manufacturing a clamping jig includes a step of filling a molding die with granules containing silicon carbide as a main component and molding the molding die to obtain a molded body; and a step of cutting the molded body to obtain a precursor. It includes a step of firing the precursor to obtain a sintered body; and a step of buffing at least the upper main surface of the sintered body.
  • the cleaning device according to the present disclosure includes the above-mentioned clamp jig.
  • a clamping jig made of ceramics containing silicon carbide as a main component is used as a holding means as in the liquid treatment apparatus of Patent Document 1, an acid containing fluorine such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid is used.
  • an object to be cleaned such as a semiconductor substrate is repeatedly washed over a long period of time, fluorine adheres to the carbon on the surface of the clamping jig and whitens. Therefore, there is a demand for a clamping jig that does not cause a whitening phenomenon on the surface even when the object to be cleaned is repeatedly washed for a long period of time using an acid containing fluorine such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid.
  • the upper main surface of the base is cut at a load length ratio of 25% in the longitudinal roughness curve of the base than the lower main surface of the base.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) which represents the difference between the level and the cutting level at a load length rate of 75% on the roughness curve, is small.
  • the upper main surface of the base has a cutting level at a load length rate of 25% on the lateral roughness curve of the base and a load length of 75% on the roughness curve than the lower main surface of the base.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cs) representing the difference from the cutting level in the curve is small.
  • the clamping jig according to the present disclosure even if the object to be cleaned is repeatedly washed with a fluorine-containing acid such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid for a long period of time, the acid contains fluorine. Whitening is less likely to occur on the upper main surface of the base, which is easily exposed. Therefore, the clamping jig according to the present disclosure can be used for a long period of time with reduced deterioration in appearance.
  • a fluorine-containing acid such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a cleaning device 30 equipped with a clamp jig 22 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the cleaning device 30 shown in FIG. 1 includes a housing 1 and a chamber 2 that provides a space inside the housing 1 for cleaning various substrates W such as semiconductor wafers and liquid crystal display (LCD) substrates. ..
  • substrates W such as semiconductor wafers and liquid crystal display (LCD) substrates.
  • the substrate W is a semiconductor wafer
  • the semiconductor wafer is made of, for example, Si, SiC, GaN, or the like.
  • the housing 1 has a first window portion 3 for carrying the substrate W into the housing 1 and carrying out the substrate W from the housing 1.
  • the first window portion 3 is opened and closed by the first shutter 4.
  • the transfer arm 5 mounts the substrate W, and carries the substrate W into the housing 1 through the first window portion 3 and carries out the substrate W from the housing 1.
  • the first window portion 3 is closed by the first shutter 4 except when the substrate W is carried in and out.
  • the first shutter 4 is installed inside the housing 1 and opens and closes the first window portion 3 from the inside of the housing 1.
  • the chamber 2 has a second window portion 6 for carrying the substrate W into the chamber 2 and carrying out the substrate W from the chamber 2.
  • the second window portion 6 is opened and closed by the second shutter 7.
  • the transfer arm 5 enters or exits the chamber 2 through the second window portion 6 and transfers the substrate W to the rotary chuck 8 installed inside the chamber 2.
  • the second shutter 7 is installed inside the chamber 2 and opens and closes the second window portion 6 from the inside of the chamber 2.
  • a gas supply unit 9 for supplying a dry gas such as nitrogen into the chamber 2 is provided on the top plate of the chamber 2.
  • the gas supply unit 9 is used to prevent filling of the chamber 2 due to evaporation of the cleaning liquid (for example, an acid containing fluorine such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid) supplied to the substrate W held by the rotary chuck 8. , Supply dry gas downward.
  • the cleaning liquid for example, an acid containing fluorine such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid
  • the processing cup 10 for accommodating the substrate W, the rotary chuck 8 for holding the substrate W in the processing cup 10, the under plate 11 located away from the back surface of the substrate W, and the surface of the substrate W A top plate 16 located at a distance is provided.
  • the processing cup 10 has an inclined portion at the top and a drain 10a at the bottom.
  • a position where the upper portion of the processing cup 10 on which the inclined portion is formed is located above the substrate W held by the rotary chuck 8 (the position shown by the solid line in FIG. 1; hereinafter referred to as “processing position”). (There is), and the upper part is a position below the substrate W held by the rotary chuck 8 (in FIG. 1, it is a position indicated by a two-dot chain line. Hereinafter, it may be described as a “retracted position”. ) And can be raised and lowered.
  • the processing cup 10 When the substrate W is transferred between the transfer arm 5 and the rotary chuck 8, the processing cup 10 is held in the retracted position so as not to hinder the entry and exit of the transfer arm 5. On the other hand, when cleaning the substrate W held by the rotary chuck 8, the processing cup 10 is held at the processing position. The processing cup 10 held at the processing position prevents the cleaning liquid supplied to the substrate W from scattering around, and further guides the cleaning liquid used for cleaning the substrate W to the drain 10a.
  • the drain 10a is connected to the cleaning liquid recovery line and the exhaust duct (neither is shown).
  • the drain 10a is designed to dispose of mist and the like generated in the processing cup 10 and to collect the cleaning liquid in the chamber 2.
  • the rotary chuck 8 has a disk-shaped rotary plate 12 and a cylindrical cylindrical body 13 connected to the rotary plate 12.
  • a support tool (not shown) for supporting the substrate W and a clamping jig 22 for fixing the substrate W are attached to the outer peripheral portion of the rotating plate 12.
  • Supports are arranged at at least three locations along the circumferential direction at equal intervals to support the substrate W from the back surface side.
  • the clamp jigs 22 are arranged at at least three locations along the circumferential direction at equal intervals, and the substrate W is fixed from the outer peripheral surface side.
  • a belt 14 is wound around the outer peripheral surface of the cylindrical body 13. By driving the belt 14 by the motor 15, the cylindrical body 13 and the rotating plate 12 can be rotated, and the substrate W fixed by the clamping jig 22 can be rotated.
  • the under plate 11 is connected to the central portion of the rotating plate 12 and the first shaft body 24 penetrating the inside of the cylindrical body 13.
  • the first shaft body 24 is fixed to the horizontal plate 25, and the horizontal plate 25 can be raised and lowered together with the first shaft body 24 by a first raising and lowering mechanism 26 such as an air cylinder.
  • the underplate 11 and the first shaft body 24 are provided with a first flow path 23 for supplying a cleaning liquid and a drying gas toward the substrate W.
  • the disk-shaped top plate 16 located near the top plate of the chamber 2 is connected to the lower end of the cylindrical second shaft body 17.
  • the top plate 16 can be rotated by a motor 19 provided on the horizontal plate 18.
  • the second shaft body 17 is rotatably supported on the lower surface of the second horizontal plate 18.
  • the second horizontal plate 18 can be moved up and down in the vertical direction by a second raising and lowering mechanism 20 such as an air cylinder fixed to the top plate of the chamber 2.
  • a second flow path 21 for supplying a cleaning liquid and a drying gas is provided along the axial direction.
  • the top plate 16 When the substrate W is transferred between the rotary chuck 8 and the transfer arm 5, the top plate 16 is held at a position close to the top plate of the chamber 2 so as not to collide with the transfer arm 5. When cleaning the surface (upper surface) of the substrate W, the top plate 16 is lowered to a position close to the surface of the substrate W held by the clamping jig 22. The cleaning liquid or the like is supplied toward the substrate W through the second flow path 21.
  • the back surface of the substrate W is cleaned using the under plate 11 and the first flow path 23 at the same time as cleaning the front surface of the substrate W described above.
  • Examples of the method for cleaning the back surface of the substrate W include the following methods. First, the under plate 11 is brought close to the back surface of the substrate W. Next, a cleaning liquid is supplied from the first flow path 23 between the substrate W and the underplate 11 to form a cleaning liquid layer. Hold for a predetermined time to perform cleaning liquid treatment. Next, pure water or the like is supplied from the first flow path 23 between the substrate W and the underplate 11, and the chemical solution is poured out to perform a rinsing treatment. Next, the substrate W is rotated at high speed while supplying dry gas between the substrate W and the underplate 11 from the first flow path 23.
  • cleaning liquid examples include fluorine-containing acids such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid.
  • the substrate W is held by the clamping jig 22, the substrate W is cleaned. At this time, after raising the treatment cup 10, the used chemical solution, pure water, or the like is discharged from the drain 10a.
  • the substrate W is transferred from the clamping jig 22 to the support.
  • the first shutter 4 and the second shutter 7 are opened to allow the transfer arm 5 to enter the chamber 2.
  • the substrate W is transferred from the rotary chuck 8 to the transfer arm 5 by the reverse procedure of the procedure for transferring the substrate W from the transfer arm 5 to the rotary chuck 8 described above, and the substrate W is transferred from the cleaning device 30. Carry out.
  • the clamp jig 22 is located at one end of the strut portion 22a and the strut portion 22a, and has a grip portion 22b for gripping the outer peripheral portion of the substrate and the strut portion 22a. It is located at the other end of the struts and includes a base 22c for supporting the stanchions.
  • the strut portion 22a is a member for connecting the grip portion and the base portion, which will be described later, and is made of, for example, ceramics.
  • the ceramics are not limited, and examples thereof include ceramics containing silicon carbide as a main component, ceramics containing boron carbide as a main component, and ceramics containing aluminum oxide as a main component.
  • the "main component” means a component that occupies 80% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the ceramic when the main component is silicon carbide or boron carbide.
  • the main component is aluminum oxide, it means a component that accounts for 99.6% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the ceramics.
  • the support column 22a is made of ceramics containing silicon carbide as a main component, metallic silicon, boron, free carbon and the like may be contained as other components.
  • metallic silicon When metallic silicon is contained, the metallic silicon may be either crystalline or amorphous silicon.
  • the support column 22a is made of ceramics containing aluminum oxide as a main component, magnesium, silicon and calcium oxides may be contained as other components.
  • the components constituting the ceramics can be identified by an X-ray diffractometer using CuK ⁇ rays.
  • the content of each component can be determined by, for example, an ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectroscopic analyzer or a fluorescent X-ray analyzer.
  • the grip portion 22b is a member for gripping the outer peripheral portion of the substrate W.
  • the grip portion 22b is located at one end of the strut portion 22a.
  • the grip portion 22b is made of, for example, ceramics.
  • the ceramics are not limited, and examples thereof include ceramics containing silicon carbide as a main component, ceramics containing boron carbide as a main component, and ceramics containing aluminum oxide as a main component.
  • the grip portion 22b is made of ceramics containing silicon carbide as a main component, boron or free carbon may be contained as other components.
  • the grip portion 22b is made of ceramics containing boron carbide as a main component, iron, aluminum, silicon, yttrium and the like may be contained as other components.
  • the grip portion 22b is made of ceramics containing aluminum oxide as a main component, it may contain oxides of magnesium, silicon and calcium as other components.
  • the grip portion 22b is processed into a shape that makes it easy to grip the outer peripheral portion of the substrate W. Specifically, a slit, a groove, or the like is formed in the grip portion 22b.
  • the base portion 22c is located so as to face the other end portion of the support column portion 22a, that is, the grip portion 22b.
  • the base 22c is made of ceramics containing silicon carbide as a main component.
  • the ceramics forming the base 22c may contain, for example, metallic silicon, boron, free carbon, and the like.
  • the metallic silicon may be either crystalline or amorphous silicon.
  • the upper main surface 22c' has a load length of 25% in the longitudinal roughness curve of the base 22c rather than the lower main surface 22c''.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) representing the difference between the cutting level at the rate and the cutting level at the loading length rate of 75% in the roughness curve is small. Therefore, even if the object to be cleaned such as the substrate W is repeatedly washed with a fluorine-containing acid such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid for a long period of time, the upper main surface of the base 22c is easily exposed to the fluorine-containing acid. Whitening phenomenon is less likely to occur. As a result, the clamping jig 22 according to the present disclosure is reduced in appearance deterioration and can be used for a long period of time.
  • an urging member such as a spring existing in the central portion of the support column portion 22a located on the outer peripheral portion and the upper main surface 22c'.
  • an urging member such as a spring existing in the central portion of the support column portion 22a located on the outer peripheral portion and the upper main surface 22c'.
  • the contact angle of the cleaning liquid with respect to the upper main surface 22c'can be increased. Therefore, the water repellency of the upper main surface 22c'can be enhanced, and the adhesion of fluorine contained in the cleaning liquid can be suppressed.
  • the upper main surface 22c' has a cut level at a load length factor of 25% on the longitudinal roughness curve of the base 22c and 75% on the roughness curve than the lower main surface 22c''. If the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) representing the difference from the cutting level in the load length ratio of is small, the difference is not limited. However, the difference between the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) of the upper main surface 22c'of the base 22c and the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) between the lower main surface 22c'' of the base 22c and the cutting level difference (R ⁇ cl) is 0.16 ⁇ m. That should be the above.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) representing the above is preferably 0.35 ⁇ m or less.
  • the shape of the base portion 22c in a plan view is rectangular, the longitudinal direction of the upper main surface 22c'and the lower main surface 22c'' is the radial direction of the substrate W, and the lateral direction described later is the substrate. It becomes the circumferential direction of W.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) on the lower main surface 22c ′′ is 0.35 ⁇ m or less, the particles desorbed from the lower main surface 22c ′′ are suppressed. Therefore, it is possible to suppress contamination in the cleaning device due to the desorbed particles.
  • the upper main surface 22c' is 25% of the roughness curve in the lateral direction of the base 22c than the lower main surface 22c''.
  • the average value of the cutting level difference (R ⁇ cs) representing the difference between the cutting level at the load length ratio and the cutting level at the loading length ratio of 75% in the roughness curve may be small. The reason is as described above, and the water repellency of the upper main surface 22c'can be enhanced, and the adhesion of fluorine contained in the cleaning liquid can be suppressed.
  • the difference between the average value of the cutting level difference (R ⁇ cs) of the upper main surface 22c'of the base 22c and the average value of the cutting level difference (R ⁇ cs) between the lower main surface 22c'' of the base 22c and the cutting level difference (R ⁇ cs) is 0.16 ⁇ m. That should be the above.
  • the cutting level at the load length ratio of 25% in the roughness curve of the base 22c in the lateral direction and the cutting level at the load length ratio of 75% in the roughness curve are preferably 0.35 ⁇ m or less. The reason is as described above, and it is possible to suppress contamination in the cleaning device by the desorbed particles.
  • the upper main surface 22c'of the base portion 22c may be a mirror surface or a glossy surface.
  • the ratio (Ra1 / Ra2) of the average value of the arithmetic mean roughness Ra1 in the longitudinal direction of the base 22c to the average value of the arithmetic mean roughness Ra2 in the lateral direction of the base 22c is 0.9 or more. It should be 3 or less. With such a ratio, the difference in the direction of the arithmetic mean roughness Ra is small. As a result, it is possible to further suppress the adhesion of fluorine contained in the cleaning liquid, and it can be used for a long period of time.
  • the mirror surface or the glossy surface may have cutting marks along at least one of the lateral direction and the longitudinal direction of the base 22c. Cutting marks are particularly likely to be formed in the lateral direction of the base 22c.
  • Cutting level difference (R ⁇ cl), cutting level difference (R ⁇ cs), arithmetic mean roughness Ra1 and arithmetic mean roughness Ra2 are based on JIS B 0601: 2001, laser microscope (manufactured by KEYENCE CORPORATION, ultra-deep color 3D shape). It can be measured using a measuring microscope (VK-X1000 or its successor model).
  • the measurement conditions are coaxial lighting for the illumination method, 480 times the measurement magnification, no cutoff value ⁇ s, 0.08 mm for the cutoff value ⁇ c, and correction for the termination effect, and the measurement range per location is 710 ⁇ m ⁇ .
  • the measurement range may be set to 533 ⁇ m from a total of three points, the right end, the center, and the left end of the base 22c in the lateral direction.
  • the length per line to be measured is, for example, 401 ⁇ m in the vertical direction of the measurement range when the longitudinal direction of the base 22c is targeted, and the measurement is performed when the lateral direction of the base 22c is targeted.
  • the range is 560 ⁇ m in the horizontal direction.
  • the average values of the cutting level difference (R ⁇ cl), the cutting level difference (R ⁇ cs), the arithmetic mean roughness Ra1 and the arithmetic mean roughness Ra2 are the average values of the measured values obtained from a total of 12 lines to be measured. Is.
  • the cutting level difference (R ⁇ cl) and the cutting level difference (R ⁇ cs) of the lower main surface may also be obtained by the same method as described above.
  • the upper main surface 22c'of the base portion 22c and at least one side surface of the base portion 22c may be connected by a curved surface.
  • a curved surface When formed by a curved surface, it becomes an inclined surface having a curvature from the upper main surface 22c'to the side surface. Therefore, the drainage of the acid (cleaning liquid) containing fluorine is improved. Further, the risk of threshing is reduced as compared with the case where the upper main surface 22c'and the side surface are orthogonal to each other.
  • the curved surface may have a plurality of grooves along the lateral direction of the base 22c.
  • the acid containing fluorine (cleaning liquid) is dispersed in the groove.
  • the shape of the groove is not limited, and for example, it may be a U groove.
  • the U-groove has no surface orthogonal to the surface forming the groove. As a result, the risk of shedding is reduced as compared to the case where orthogonal surfaces are present.
  • the average value of the arithmetic mean roughness Ra3 of the curved surface in the longitudinal direction is preferably 0.1 ⁇ m or more and 0.8 ⁇ m or less. If the average value of the arithmetic mean roughness Ra3 of the curved surface is in such a range, the water repellency is high. Therefore, the residue due to the adhesion of the acid (cleaning liquid) containing fluorine is less likely to remain. Further, the risk of shedding from the curved surface is reduced.
  • the arithmetic mean roughness Ra3 can be measured using the above laser microscope.
  • the measurement conditions are coaxial lighting for the illumination method, 480 times the measurement magnification, no cutoff value ⁇ s, 0.08 mm for the cutoff value ⁇ c, and correction for the termination effect, and the measurement range per location is 710 ⁇ m ⁇ .
  • the measurement range may be set to 533 ⁇ m from a total of two locations, the right end and the left end of the base 22c in the lateral direction.
  • the length per line to be measured is, for example, 560 ⁇ m.
  • the average value of the arithmetic mean roughness Ra3 is the average value of the measured values obtained from a total of eight lines to be measured.
  • the clamp jig 22 may be obtained by forming the strut portion 22a, the grip portion 22b, and the base portion 22c separately and joining them.
  • it may be an integrally formed product in which at least two of the support portion 22a, the grip portion 22b and the base portion 22c are integrally formed.
  • the joint layer since the joint layer does not exist, the joint layer is not separated as a boundary.
  • the strut portion 22a, the grip portion 22b, and the base portion 22c are all integrally formed.
  • the ceramics containing silicon carbide as a main component contained in the base 22 have, for example, a relative density of 95% or more. This relative density is a percentage of the apparent density of the ceramics determined in accordance with JIS R 1634: 1998 with respect to the theoretical density of the ceramics.
  • the theoretical density of ceramics is determined by ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectroscopy or fluorescent X-ray analysis, and each component is identified by X-ray diffraction using CuK ⁇ rays. .. If the identified component is SiC or B 4 C, it is converted to SiC or B 4 C using the Si and B content values obtained by ICP emission spectroscopy or X-ray fluorescence spectrometry.
  • At least the upper main surface 22c'of the base portion 22c includes, for example, coarse-grained silicon carbide particles having an area of 170 ⁇ m 2 or more and fine-grained silicon carbide particles having a crystal grain size of 8 ⁇ m or less. Needless to say, silicon carbide particles having a crystal grain size of more than 8 ⁇ m and an area of less than 170 ⁇ m 2 may be present.
  • the at least upper main surface 22c'of the base portion 22c contains coarse granular silicon carbide particles having an area of 170 ⁇ m 2 or more in an area of 6 area% or more and 15 area% or less, fine cracks are generated by thermal shock or mechanical shock. Even if it occurs in the upper main surface 22c', the growth of cracks can be suppressed by the coarse-grained silicon carbide particles. As a result, mechanical properties such as strength and rigidity and thermal shock resistance are improved.
  • the coarse-grained silicon carbide particles may contain at least one of open pores and closed pores.
  • the coarse-grained silicon carbide particles contain at least one of open pores and closed pores, the open pores and closed pores are formed even if fine cracks are generated in the coarse-grained silicon carbide particles due to thermal shock or mechanical shock. Therefore, the growth of cracks can be suppressed. As a result, the heat impact resistance is improved.
  • the upper main surface 22c' may particularly contain coarse-grained silicon carbide particles containing at least one of open pores and closed pores, for example, 2 or more and 5 or less.
  • coarse-grained silicon carbide particles containing at least one of open pores and closed pores, for example, 2 or more and 5 or less.
  • the equivalent circle diameters of the individual open pores and closed pores are, for example, 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less, and are independent of each other.
  • the circle-equivalent diameter of the open pores and the closed pores is the arithmetic mean of the major axis and the minor axis of the target pores, and may be obtained by using the observation surface described later.
  • the major axis is the length of the longest portion of the pores whose equivalent circle diameter is to be measured, and the minor axis is the length of the longest portion in the direction perpendicular to the major axis.
  • a lapping machine made of tin is used, and diamond abrasive grains having a particle size of 1 to 3 ⁇ m are used, as specified in JIS B 0601: 2013 (ISO 4287: 1997). Polish until the arithmetic mean roughness Ra is 0.01 ⁇ m or less.
  • the base 22C is immersed in a heat-melted solution having a mass ratio of sodium hydroxide and potassium nitrate of 1: 1 for 20 seconds to etch the polished surface.
  • the etched surface is observed with an optical microscope at a magnification of 500 times, and the surface on which silicon carbide particles of various sizes are observed on average is used as the observation surface.
  • the surface on which silicon carbide particles of various sizes are observed on average is a region where particles having an area of more than 15,000 ⁇ m 2 are present, which is not observed in other regions, or an area of 170 ⁇ m 2 or more. Rather than deliberately selecting a region without particles, it refers to a location where coarse-grained silicon carbide particles and fine-grained silicon carbide particles are present on average by observing a wide area of the etched surface.
  • the area ratio (area%) of the coarse-grained silicon carbide particles on the observation surface is the particles of the image analysis software "A image-kun" (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.) using the image taken of the observation surface. This is done by applying a technique called analysis.
  • the threshold value which is an index indicating the shade of the image, is set to 150
  • the total area of the coarsely granular silicon carbide particles whose extracted area is 170 ⁇ m 2 or more is the area of the observation surface, for example, 0.054 mm 2 (horizontal direction).
  • the area ratio of the coarsely granular silicon carbide particles is the value expressed as a percentage by dividing by 0.27 mm in length and 0.2 mm in length).
  • the particles observed on the observation surface are silicon carbide particles confirm the distribution of Si and C using a wavelength dispersion type X-ray microanalyzer device (JXA-8600M type manufactured by JEOL Ltd.). However, when the distributions of Si and C are overlapped, it can be confirmed that they overlap.
  • the method for manufacturing a clamp jig according to an embodiment includes the following steps (a) to (d).
  • step (a) first, granules containing silicon carbide as a main component are prepared by, for example, the following procedure.
  • Coarse-granular powder and fine-granular powder are prepared as silicon carbide powder, and ion-exchanged water and, if necessary, a dispersant are pulverized and mixed by a ball mill or a bead mill for 40 to 60 hours to form a slurry.
  • the mass ratio of the fine granular powder to the coarse granular powder for example, the fine granular powder may be 85% by mass or more and 94% by mass or less, and the coarse granular powder may be 6% by mass or more and 15% by mass or less. good.
  • the range of the respective particle sizes of the fine granular powder and the coarse granular powder after pulverization and mixing is 0.4 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less and 11 ⁇ m or more and 34 ⁇ m or less.
  • a sintering aid composed of boron carbide powder and amorphous carbon powder or phenol resin and a binder were added to and mixed with the obtained slurry, and then spray-dried to carbonize the main component.
  • the binder include acrylic emulsion, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polyethylene oxide and the like.
  • the main component in the granule means a component that occupies 80% by mass or more when the total of the components excluding the binder is 100% by mass.
  • the content of the components constituting the granules can be determined by, for example, an ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectroscopic analyzer or a fluorescent X-ray analyzer.
  • the obtained granules are filled in a molding die and pressed with a pressure of, for example, 49 MPa or more and 147 MPa to obtain a molded product.
  • the obtained molded product is subjected to the step (b).
  • the obtained molded body is machined to obtain a precursor of a clamping jig according to an embodiment.
  • the obtained precursor is subjected to the step (c).
  • the obtained precursor is held in a nitrogen atmosphere at a temperature of 450 ° C. or higher and 650 ° C. or lower for 2 hours or more and 10 hours or less to degreas it, thereby obtaining a degreased body.
  • the degreased body is held in a reduced pressure atmosphere of an inert gas such as argon at a temperature of 1800 ° C. or higher and 2200 ° C. or lower for 3 hours or longer and 6 hours or lower to obtain a sintered body.
  • an inert gas such as argon
  • the obtained sintered body is subjected to the step (d). Specifically, at least the upper main surface of the sintered body obtained in the step (c) is buffed.
  • the base material of the buff is not limited, and examples thereof include felt, cotton strips, and cotton strips.
  • Examples of the abrasive include diamond powder, green carbonundum (GC) powder and the like. These abrasives may be added to oils and fats and used in a paste state.
  • the average particle size of the abrasive is, for example, 0.5 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the outer diameter of the base material is 150 mm, and the rotation speed thereof is, for example, 28 m / min or more and 170 m / min or less.
  • the polishing time is, for example, 0.5 minutes or more and 5 minutes or less.
  • a clamping jig in which the ratio (Ra1 / Ra2) of the average value of the arithmetic average roughness Ra1 and the average value of the arithmetic average roughness Ra2 is 0.9 or more and 1.3 or less, it is necessary to use a polishing agent.
  • the average particle size may be 2 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the cutting level difference (R ⁇ cl) was measured for the clamp jig obtained by the method for manufacturing the clamp jig according to the embodiment. First, for the upper main surface 22c'of the base portion 22c, the above-mentioned cutting level difference (R ⁇ cl) was measured and an average value was obtained. The average value was 0.1821 ⁇ m. Similarly, for the lower main surface 22c ′′ of the base 22c, the above-mentioned cutting level difference (R ⁇ cl) was measured and an average value was obtained. The average value was 0.2586 ⁇ m.
  • the upper main surface 22c' has a cut level at a load length factor of 25% in the longitudinal roughness curve of the base 22c and 75% in the roughness curve than the lower main surface 22c''. It can be seen that the average value of the cutting level difference (R ⁇ cl) representing the difference from the cutting level in the load length ratio of is small.
  • the above-mentioned cutting level difference (R ⁇ cs) was measured and an average value was obtained. The average value was 0.1659 ⁇ m.
  • the above-mentioned cutting level difference (R ⁇ cs) was measured and an average value was obtained. The average value was 0.2614 ⁇ m.
  • the upper main surface 22c' has a cutting level at a load length ratio of 25% in the lateral roughness curve of the base 22c and 75 in the roughness curve than the lower main surface 22c''. It can be seen that the average value of the cutting level difference (R ⁇ cs) representing the difference from the cutting level at the load length rate of% is small.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the upper main surface 22c'of the base portion 22c was measured.
  • the arithmetic mean roughness Ra1 in the longitudinal direction of the upper main surface 22c'of the base portion 22c was 0.1296 ⁇ m.
  • the arithmetic mean roughness Ra2 in the lateral direction of the upper main surface 22c'of the base portion 22c was 0.1218 ⁇ m.
  • the ratio (Ra1 / Ra2) of the arithmetic mean roughness Ra1 and the arithmetic mean roughness Ra2 was 1.06.
  • the cutting level difference (R ⁇ cl), the cutting level difference (R ⁇ cs), the arithmetic mean roughness Ra1 and the arithmetic mean roughness Ra2 are all measured values obtained by the above-mentioned measuring methods, and the respective average values are these measured values. It is a value calculated from the measured value.
  • the clamp jig obtained by the above-mentioned manufacturing method is less likely to cause a whitening phenomenon on the upper main surface of the base which is easily exposed to an acid containing fluorine such as hydrofluoric acid and hypofluorous acid. Therefore, the clamping jig according to the present disclosure has reduced deterioration in appearance, and can be continuously used for a long period of time as a member of, for example, a cleaning device.

Abstract

本開示に係るクランプ用治具は、支柱部と、支柱部の一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持する把持部と、支柱部の他方の端部に位置しており、支柱部を支持する基部とを含む。少なくとも基部は、炭化珪素を主成分とするセラミックスを含む。基部の上側主面は、基部の下側主面よりも、基部の長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さい。

Description

クランプ用治具および洗浄装置
　本発明は、クランプ用治具および洗浄装置に関する。
　従来、半導体基板に付着したパーティクル、有機汚染物、金属不純物などのコンタミネーション、エッチング処理後のポリマーなどを除去するために、半導体基板を所定の薬液や純水などの洗浄液によって洗浄する洗浄装置が使用されている。
　このような洗浄装置を含む液処理装置として、特許文献１には、基板を水平に保持する保持手段を備え、この保持手段が基板の端面を保持する爪部を有する液処理装置が開示されている。さらに、基板を水平に保持する保持手段として、特許文献２には、基板を上から押さえつけるクランパが開示されており、クランパの材質が炭化珪素であることが記載されている。
特許第５７２６６８６号公報 特開平４－１３０６２７号公報
　本開示に係るクランプ用治具は、支柱部と、支柱部の一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持する把持部と、支柱部の他方の端部に位置しており、支柱部を支持する基部とを含む。少なくとも基部は、炭化珪素を主成分とするセラミックスを含む。基部の上側主面は、基部の下側主面よりも、基部の長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さい。
　本開示に係る他のクランプ用治具は、支柱部と、支柱部の一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持する把持部と、支柱部の他方の端部に位置しており、支柱部を支持する基部とを含む。少なくとも基部は、炭化珪素を主成分とするセラミックスを含む。基部の上側主面は、基部の下側主面よりも、基部の短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値が小さい。
　本開示に係るクランプ用治具の製造方法は、炭化珪素を主成分とする顆粒を成形型に充填し、成形して成形体を得る工程と；成形体を切削して前駆体を得る工程と；前駆体を焼成して焼結体を得る工程と；焼結体の少なくとも上側主面をバフ研磨する工程とを含む。
　さらに、本開示に係る洗浄装置は上記クランプ用治具を含む。
本開示の一実施形態に係るクランプ用治具を装着した洗浄装置の概略構成を示す模式図である。 本開示の一実施形態に係るクランプ用治具を示す拡大図である。
　上記特許文献１の液処理装置のように、保持手段として炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成されたクランプ用治具を用いている場合、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸を用いて、半導体基板などの被洗浄物を長期間にわたって繰り返し洗浄すると、フッ素がクランプ用治具の表面の炭素に固着して白化する。そのため、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸を用いて、被洗浄物を長期間にわたって繰り返し洗浄しても、表面に白化現象が生じないクランプ用治具が求められている。
　本開示に係るクランプ用治具は、上記のように、基部の上側主面は、基部の下側主面よりも、基部の長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さい。あるいは、基部の上側主面は、基部の下側主面よりも、基部の短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値が小さい。その結果、本開示に係るクランプ用治具によれば、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸を用いて、被洗浄物を長期間にわたって繰り返し洗浄しても、フッ素を含む酸に曝されやすい基部の上側主面に白化現象が生じにくい。したがって、本開示に係るクランプ用治具は、外観の劣化が低減され、長期間にわたって使用することができる。
　以下、本開示のクランプ用治具を、図１および２に基づいて詳細に説明する。図１は、本開示の一実施形態に係るクランプ用治具２２を装着した洗浄装置３０の概略構成を示す模式図である。
　図１に示す洗浄装置３０は、ハウジング１と、ハウジング１の内部に半導体ウェハや液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用基板などの種々の基板Ｗを洗浄するための空間を提供するチャンバ２とを備えている。基板Ｗが半導体ウェハである場合、半導体ウェハは、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮなどからなる。
　ハウジング１はハウジング１に基板Ｗを搬入したり、ハウジング１から基板Ｗを搬出したりするための第１窓部３を有している。第１窓部３は第１シャッタ４によって開閉される。搬送アーム５は基板Ｗを搭載し、第１窓部３を通してハウジング１に基板Ｗを搬入したり、ハウジング１から基板Ｗを搬出したりする。第１窓部３は基板Ｗの搬入出時以外、第１シャッタ４によって閉じられている。第１シャッタ４はハウジング１の内部に設置され、ハウジング１の内部から第１窓部３を開閉するようになっている。
　チャンバ２はチャンバ２に基板Ｗを搬入したり、チャンバ２から基板Ｗを搬出したりするための第２窓部６を有している。第２窓部６は第２シャッタ７によって開閉される。搬送アーム５は、第２窓部６を通してチャンバ２内に進入あるいはチャンバ２から退出して、チャンバ２の内部に設置された回転チャック８に対して基板Ｗの受け渡しを行うようになっている。第２シャッタ７はチャンバ２の内部に設置され、チャンバ２の内部から第２窓部６を開閉するようになっている。
　チャンバ２内に窒素などの乾燥ガスを供給するガス供給部９が、チャンバ２の天板に設けられている。ガス供給部９は、回転チャック８に保持された基板Ｗに供給された洗浄液（例えば、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸）の蒸発によるチャンバ２内の充満を防止するために、乾燥ガスを下向きに供給する。乾燥ガスが下向きに供給されると、基板Ｗの表面に汚染物であるウォーターマークが生じにくくなる。
　チャンバ２内には、基板Ｗを収容する処理カップ１０と、処理カップ１０内で基板Ｗを保持する回転チャック８と、基板Ｗの裏面から離れて位置するアンダープレート１１と、基板Ｗの表面から離れて位置するトッププレート１６が設けられている。
　処理カップ１０は、上部に傾斜部を、底部にドレイン１０ａをそれぞれ備えている。処理カップ１０の傾斜部が形成された上部が回転チャック８に保持された基板Ｗよりも上方に位置する位置（図１では、実線で示される位置である。以下「処理位置」と記載する場合がある。）と、上部が回転チャック８に保持された基板Ｗよりも下側の位置（図１では、２点鎖線で示される位置である。以下「退避位置」と記載する場合がある。）との間で昇降自在となっている。
　処理カップ１０は、搬送アーム５と回転チャック８との間で基板Ｗを受け渡しする場合、搬送アーム５の進入や退出を妨げないように退避位置に保持される。一方、回転チャック８に保持された基板Ｗを洗浄する場合、処理カップ１０は処理位置に保持される。処理位置に保持された処理カップ１０は、基板Ｗに供給された洗浄液の周囲への飛散を防止し、さらに基板Ｗの洗浄で用いられた洗浄液をドレイン１０ａへ導く。
　ドレイン１０ａは、洗浄液回収ラインと排気ダクト（いずれも図示せず）に接続されている。ドレイン１０ａは、処理カップ１０内で発生するミストなどを廃棄したり、チャンバ２内の洗浄液を回収したりするようになっている。
　回転チャック８は、円板状の回転板１２と、回転板１２と接続された円筒状の円筒体１３とを有する。基板Ｗを支持する支持具（図示せず）と基板Ｗを固定するクランプ用治具２２が回転板１２の外周部に取り付けられている。支持具は、円周方向に沿って少なくとも３箇所に等間隔に配置され、基板Ｗを裏面側から支持する。
　クランプ用治具２２は、円周方向に沿って少なくとも３箇所に等間隔に配置され、基板Ｗを外周面側から固定する。円筒体１３の外周面にはベルト１４が巻かれている。ベルト１４をモータ１５によって従動させることにより、円筒体１３および回転板１２を回転させて、クランプ用治具２２によって固定された基板Ｗを回転させることができる。
　アンダープレート１１は、回転板１２の中央部および円筒体１３内を貫挿する第１軸体２４に接続されている。第１軸体２４は水平板２５に固定されており、水平板２５は第１軸体２４とともに、エアーシリンダなどの第１昇降機構２６によって昇降可能とされている。アンダープレート１１および第１軸体２４には、洗浄液や乾燥ガスを基板Ｗに向けて供給する第１流路２３が設けられている。
　チャンバ２の天板近傍に位置する円板状のトッププレート１６は、円筒状の第２軸体１７の下端に接続されている。トッププレート１６は、水平板１８に設けられたモータ１９によって回転可能となっている。第２軸体１７は第２水平板１８の下面に回転自在に支持されている。この第２水平板１８は、チャンバ２の天板に固定されたエアーシリンダなどの第２昇降機構２０により鉛直方向に昇降することができる。トッププレート１６と第２軸体１７のそれぞれの内部には、いずれも軸方向に沿って、洗浄液や乾燥ガスを供給する第２流路２１が設けられている。
　回転チャック８と搬送アーム５との間で基板Ｗを受け渡しする場合、トッププレート１６は搬送アーム５と衝突しないように、チャンバ２の天板に近い位置に保持される。基板Ｗの表面（上面）を洗浄する場合、トッププレート１６はクランプ用治具２２に保持された基板Ｗの表面に近接する位置へ降下される。洗浄液などは第２流路２１を通して基板Ｗに向かって供給される。
　基板Ｗの表裏面（上下面）を同時に洗浄する場合には、上述した基板Ｗの表面の洗浄と同時に、アンダープレート１１および第１流路２３を用いて基板Ｗの裏面を洗浄する。この基板Ｗの裏面の洗浄方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、最初にアンダープレート１１を基板Ｗの裏面に近接させる。次に、第１流路２３から基板Ｗとアンダープレート１１との間に洗浄液を供給して洗浄液層を形成する。所定時間保持して洗浄液処理を行う。次いで、基板Ｗとアンダープレート１１との間に第１流路２３から純水などを供給して薬液を流し出してリンス処理を行う。次に、第１流路２３から基板Ｗとアンダープレート１１との間に乾燥ガスを供給しながら、基板Ｗを高速回転させる。
　洗浄液は、例えば、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸などが挙げられる。
　基板Ｗがクランプ用治具２２に保持された後に基板Ｗを洗浄する。このとき、処理カップ１０を上昇させた後、使われた薬液や純水などがドレイン１０ａから排出されるようにする。
　基板Ｗの洗浄が終了したら、処理カップ１０およびアンダープレート１１を降下させる。トッププレート１６を上昇させた状態で、基板Ｗをクランプ用治具２２から支持具に移し替える。次に、第１シャッタ４と第２シャッタ７を開いて、搬送アーム５をチャンバ２内に進入させる。この状態で、先に説明した搬送アーム５から回転チャック８に基板Ｗを移し替える手順とは逆の手順によって、基板Ｗを回転チャック８から搬送アーム５へ移し替え、基板Ｗを洗浄装置３０から搬出する。
　次に、本開示の一実施形態に係るクランプ用治具２２について説明する。図２に示すように、クランプ用治具２２は、支柱部２２ａと、支柱部２２ａの一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持するための把持部２２ｂと、支柱部２２ａの他方の端部に位置しており、支柱部を支持するための基部２２ｃとを含む。
　支柱部２２ａは、後述する把持部と基部とを接続するための部材であり、例えば、セラミックスで形成されている。セラミックスとしては限定されず、例えば、炭化珪素を主成分とするセラミックス、炭化硼素を主成分とするセラミックス、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックスなどが挙げられる。
　本明細書において「主成分」とは、主成分が炭化珪素または炭化硼素である場合、セラミックスを構成する成分の合計１００質量％のうち、８０質量％以上を占める成分を意味する。主成分が酸化アルミニウムである場合、セラミックスを構成する成分の合計１００質量％のうち、９９．６質量％以上を占める成分を意味する。
　支柱部２２ａが炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成される場合、その他の成分として、金属珪素、硼素、遊離炭素などを含んでいてもよい。金属珪素が含まれる場合、金属珪素は結晶質、非晶質いずれの珪素であってもよい。支柱部２２ａが酸化アルミニウムを主成分とするセラミックスで形成される場合、その他の成分として、マグネシウム、珪素およびカルシウムの酸化物を含んでいてもよい。
　セラミックスを構成している成分は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折装置によって同定することができる。各成分の含有量は、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）発光分光分析装置または蛍光Ｘ線分析装置により求めることができる。
　把持部２２ｂは、基板Ｗの外周部を把持するための部材である。把持部２２ｂは、支柱部２２ａの一方の端部に位置している。把持部２２ｂは、例えば、セラミックスで形成されている。セラミックスとしては限定されず、例えば、炭化珪素を主成分とするセラミックス、炭化硼素を主成分とするセラミックス、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックスなどが挙げられる。
　把持部２２ｂが炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成される場合、その他の成分として、硼素や遊離炭素を含んでいてもよい。把持部２２ｂが炭化硼素を主成分とするセラミックスで形成される場合、その他の成分として、鉄、アルミニウム、珪素、イットリウムなどを含んでいてもよい。把持部２２ｂが酸化アルミニウムを主成分とするセラミックスで形成される場合、その他の成分として、マグネシウム、珪素およびカルシウムの酸化物を含んでいてもよい。
　図２では具体的に図示していないが、把持部２２ｂは、基板Ｗの外周部を把持しやすい形状に加工されている。具体的には、把持部２２ｂにスリット、溝などが形成されている。
　基部２２ｃは、支柱部２２ａの他方の端部、すなわち把持部２２ｂと対向するように位置している。基部２２ｃは、炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成されている。基部２２ｃを形成しているセラミックスには、炭化珪素以外に、例えば、金属珪素、硼素、遊離炭素などが含まれていてもよい。金属珪素が含まれる場合、金属珪素は結晶質、非晶質いずれの珪素であってもよい。
　炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成されている基部２２ｃにおいて、上側主面２２ｃ’は、下側主面２２ｃ’’よりも、基部２２ｃの長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さい。したがって、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸を用いて、基板Ｗなどの被洗浄物を長期間にわたって繰り返し洗浄しても、フッ素を含む酸に曝されやすい基部２２ｃの上側主面に白化現象が生じにくくなる。その結果、本開示に係るクランプ用治具２２は、外観の劣化が低減され、長期間にわたって使用することができる。
　具体的には、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’側には、外周部に位置する支柱部２２ａおよび上側主面２２ｃ’の中央部に存在するバネなどの付勢部材（図示せず）のような洗浄液（フッ素を含む酸）を除去する遠心力を妨げる部材が存在する。さらに、下側主面２２ｃ’’のように、重力による洗浄液の自然落下による除去も期待できない。その結果、基板Ｗを回転板１２に載置して回転させながら基板Ｗを洗浄しても、上側主面２２ｃ’には洗浄液が残存しやすくなる。そのため、切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値を上記のように規定することによって、上側主面２２ｃ’に対する洗浄液の接触角を大きくすることができる。したがって、上側主面２２ｃ’の撥水性を高めることができ、洗浄液に含まれるフッ素の固着を抑制することができる。
　基部２２ｃにおいて、上側主面２２ｃ’は、下側主面２２ｃ’’よりも、基部２２ｃの長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さければ、その差は限定されない。但し、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’の切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値と、基部２２ｃの下側主面２２ｃ’’と切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値との差は、０．１６μｍ以上であるとよい。
　下側主面２２ｃ’’において、基部２２ｃの長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値は０．３５μｍ以下であるのがよい。ここで、基部２２ｃを平面視した形状は、矩形状であり、上側主面２２ｃ’および下側主面２２ｃ’’の長手方向は、基板Ｗの径方向となり、後述する短手方向は、基板Ｗの周方向となる。
　下側主面２２ｃ’’における切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が０．３５μｍ以下であれば、下側主面２２ｃ’’から脱離する粒子が抑制される。そのため、脱離した粒子による洗浄装置内の汚染を抑制することができる。
　あるいは、炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成されている基部２２ｃにおいて、上側主面２２ｃ’は、下側主面２２ｃ’’よりも、基部２２ｃの短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値が小さくてもよい。理由については上述の通りであり、上側主面２２ｃ’の撥水性を高めることができ、洗浄液に含まれるフッ素の固着を抑制することができる。
　特に、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’の切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値と、基部２２ｃの下側主面２２ｃ’’と切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値との差は、０．１６μｍ以上であるとよい。
　さらに、下側主面２２ｃ’’において、基部２２ｃの短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値は０．３５μｍ以下であるのがよい。理由については上述の通りであり、脱離した粒子による洗浄装置内の汚染を抑制することができる。
　基部２２ｃの上側主面２２ｃ’は、鏡面または光沢面であってもよい。この場合、基部２２ｃの長手方向の算術平均粗さＲａ１の平均値と、基部２２ｃの短手方向の算術平均粗さＲａ２の平均値との比（Ｒａ１／Ｒａ２）が、０．９以上１．３以下であるのがよい。このような比であれば、算術平均粗さＲａの方向による相違が小さい。その結果、洗浄液に含まれるフッ素の固着をより抑制することができ、長期間にわたって使用することができる。さらに、鏡面または光沢面は、基部２２ｃの短手方向および長手方向の少なくとも一方に沿って切削痕を有していてもよい。切削痕は、特に、基部２２ｃの短手方向に形成されやすい。
　切断レベル差（Ｒδｃｌ）、切断レベル差（Ｒδｃｓ）、算術平均粗さＲａ１および算術平均粗さＲａ２は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２００１に準拠し、レーザー顕微鏡（(株)キーエンス製、超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡（ＶＫ－Ｘ１０００またはその後継機種））を用いて測定することができる。測定条件としては、照明方式を同軸照明、測定倍率を４８０倍、カットオフ値λｓを無し、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍ、終端効果の補正を有り、１か所当たりの測定範囲を７１０μｍ×５３３μｍとして、基部２２ｃの短手方向の右端、中央および左端の計３か所から測定範囲をそれぞれ設定すればよい。
　そして、各測定範囲毎に、測定対象とする線を略等間隔に４本引いて、表面粗さ計測を行えばよい。計測の対象とする線１本当たりの長さは、例えば、基部２２ｃの長手方向を対象とする場合、測定範囲の垂直方向４０１μｍであり、基２２ｃ部の短手方向を対象とする場合、測定範囲の水平方向５６０μｍである。
　切断レベル差（Ｒδｃｌ）、切断レベル差（Ｒδｃｓ）、算術平均粗さＲａ１および算術平均粗さＲａ２の各平均値は、計測の対象とする合計１２本の線から得られた測定値の平均値である。下側主面の切断レベル差（Ｒδｃｌ）および切断レベル差（Ｒδｃｓ）についても、上述した方法と同じ方法で求めればよい。
　基部２２ｃの上側主面２２ｃ’と、基部２２ｃの少なくとも一方の側面とは曲面によって接続されていてもよい。曲面によって形成されていると、上側主面２２ｃ’から側面に向かって曲率を有する傾斜面となる。そのため、フッ素を含む酸（洗浄液）の液切れが向上する。さらに、上側主面２２ｃ’と側面とが直交する場合よりも、脱粒のおそれが低減する。
　曲面は、基部２２ｃの短手方向に沿って複数の溝を有していてもよい。曲面がこのような溝を有することによって、フッ素を含む酸（洗浄液）は溝に分散される。その結果、フッ素を含む酸（洗浄液）の液切れが向上する。溝の形状は限定されず、例えば、Ｕ溝であるのがよい。Ｕ溝は溝を形成する表面に直交する表面が存在しない。その結果、直交する表面が存在する場合よりも、脱粒のおそれが低減する。
　長手方向における前記曲面の算術平均粗さＲａ３の平均値は、０．１μｍ以上０．８μｍ以下であるのがよい。曲面の算術平均粗さＲａ３の平均値がこのような範囲であれば、撥水性が高くなる。そのため、フッ素を含む酸（洗浄液）の付着による残渣が残りにくくなる。さらに、曲面からの脱粒のおそれが低減する。
　算術平均粗さＲａ３は、上記レーザー顕微鏡を用いて測定することができる。測定条件としては、照明方式を同軸照明、測定倍率を４８０倍、カットオフ値λｓを無し、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍ、終端効果の補正を有り、１か所当たりの測定範囲を７１０μｍ×５３３μｍとして、基部２２ｃの短手方向の右端および左端の計２か所から測定範囲をそれぞれ設定すればよい。
　そして、測定範囲毎に、測定対象とする線を略等間隔に測定範囲の水平方向に４本引いて、表面粗さ計測を行えばよい。計測の対象とする線１本当たりの長さは、例えば、５６０μｍである。算術平均粗さＲａ３の平均値は、計測の対象とする合計８本の線から得られた測定値の平均値である。
　一実施形態に係るクランプ用治具２２は、支柱部２２ａ、把持部２２ｂおよび基部２２ｃを、それぞれ別々に形成し、それらを接合することによって得られたものであってもよい。あるいは、支柱部２２ａ、把持部２２ｂおよび基部２２ｃの少なくとも２つが一体形成された一体形成品であってもよい。一体形成品の場合、接合層が存在しないため、接合層を境界として分離することがない。特に、支柱部２２ａ、把持部２２ｂおよび基部２２ｃすべてが一体形成された一体形成品であるとよい。
　基部２２に含まれる炭化珪素を主成分とするセラミックスは、例えば、相対密度が９５％以上である。この相対密度は、セラミックスの理論密度に対するＪＩＳ　Ｒ　１６３４：１９９８に準拠して求められたセラミックスの見掛密度の百分率である。セラミックスの理論密度については、セラミックスを構成するそれぞれの含有量をＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析法または蛍光Ｘ線分析法により求め、各成分はＣｕＫα線を用いたＸ線回折法によって同定する。同定された成分がＳｉＣやＢ4Ｃであれば、ＩＣＰ発光分光分析法または蛍光Ｘ線分析法により求めたＳｉおよびＢの含有量の値を用いてＳｉＣやＢ4Ｃに換算する
　基部２２ｃの少なくとも上側主面２２ｃ’は、例えば、面積が１７０μｍ2以上の粗粒状炭化珪素粒子と、結晶粒径が８μｍ以下の微粒状炭化珪素粒子とを備えている。ここで、結晶粒径が８μｍを超えて面積が１７０μｍ2未満の炭化珪素粒子が存在してもよいことは、言うまでもない。
　そして、基部２２ｃの少なくとも上側主面２２ｃ’は、面積が１７０μｍ2以上の粗粒状炭化珪素粒子を６面積％以上１５面積％以下含んでいると、熱衝撃または機械的な衝撃により微細なクラックが上側主面２２ｃ’内に生じたとしても粗粒状炭化珪素粒子によってクラックの進展を抑制することができる。その結果、強度、剛性などの機械的特性や耐熱衝撃性が向上する。
　粗粒状炭化珪素粒子は、開気孔および閉気孔の少なくともいずれかを含んでいてもよい。粗粒状炭化珪素粒子が開気孔および閉気孔の少なくともいずれかを含んでいると、熱衝撃または機械的な衝撃により微細なクラックが粗粒状炭化珪素粒子内に生じたとしても、開気孔や閉気孔によって、クラックの進展を抑制することができる。その結果、耐熱衝撃性が向上する。
　上側主面２２ｃ’は、特に、開気孔および閉気孔の少なくともいずれかを複数、例えば、２個以上５個以下含む粗粒状炭化珪素粒子を含んでいるとよい。開気孔および閉気孔の少なくともいずれかを複数含んでいると、熱衝撃または機械的な衝撃により微細なクラックが粗粒状炭化珪素粒子内に生じたとしても、隣り合う開気孔や閉気孔によってクラックの進展が抑制される。その結果、隣接する炭化珪素粒子にその影響を及ぼしにくくなる。
　個々の開気孔や閉気孔の円相当径は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下であり、互いに独立している。開気孔や閉気孔の円相当径は、対象とする気孔の長径と短径の相加平均であり、後述する観察面を用いて求めればよい。長径とは、円相当径の測定の対象とする気孔のうち最も長い部分の長さであり、短径とは、長径に垂直方向で最も長い部分の長さである。
　粗粒状炭化珪素粒子を特定するには、必要に応じて、錫からなるラップ盤を用い、粒径が１～３μｍのダイヤモンド砥粒により、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２０１３（ＩＳＯ　４２８７：１９９７）で規定される算術平均粗さＲａが０．０１μｍ以下になるまで研磨する。次に、水酸化ナトリウムおよび硝酸カリウムが１：１の質量比からなる加熱溶融された溶液に基部２２Ｃを２０秒浸し、研磨された面をエッチングする。
　そして、このエッチングされた面を５００倍の倍率で光学顕微鏡を用いて観察し、様々な大きさの炭化珪素粒子が平均的に観察される面を観察面とする。様々な大きさの炭化珪素粒子が平均的に観察される面とは、他の領域では観察されないような１個の粒子の面積が１５０００μｍ2を超える粒子が存在する領域や、面積が１７０μｍ2以上の粒子がない領域を故意に選ぶのではなく、エッチングされた面の広い範囲を観察して、粗粒状炭化珪素粒子や微粒状炭化珪素粒子が平均的に存在する箇所のことを指す。
　そして、観察面における粗粒状炭化珪素粒子の面積比率（面積％）は、観察面を撮影した画像を用いて、画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製）の粒子解析という手法を適用して行なう。設定としては、画像の濃淡を示す指標であるしきい値を１５０とし、抽出された面積が１７０μｍ2以上の粗粒状炭化珪素粒子の合計面積を観察面の面積、例えば０．０５４ｍｍ2（横方向の長さが０．２７ｍｍ，縦方向の長さが０．２ｍｍ）で除して百分率で表わした値が粗粒状炭化珪素粒子の面積比率である。
　観察面において観察される粒子が炭化珪素粒子であることは、波長分散型Ｘ線マイクロアナライザー装置（日本電子（株）製、ＪＸＡ－８６００Ｍ型）を用いて、ＳｉおよびＣのそれぞれの分布を確認し、ＳｉおよびＣの分布を重ねたとき、これらが重複していることで確認することができる。
　次に、本開示に係るクランプ用治具の製造方法の一実施形態について説明する。一実施形態に係るクランプ用治具の製造方法は、下記の工程（ａ）～（ｄ）を含む。
　（ａ）炭化珪素を主成分とする顆粒を成形型に充填し、成形して成形体を得る工程。
　（ｂ）成形体を切削して前駆体を得る工程。
　（ｃ）前駆体を焼成して焼結体を得る工程。
　（ｄ）焼結体の少なくとも基部の上側主面となる部分をバフ研磨する工程。
　工程（ａ）について、まず、炭化珪素を主成分とする顆粒を、例えば次の手順で調製する。炭化珪素粉末として、粗粒状粉末および微粒状粉末を準備し、イオン交換水と、必要に応じて分散剤とを、ボールミルまたはビーズミルにより４０～６０時間粉砕混合してスラリーとする。微粒状粉末と粗粒状粉末との質量比率としては、例えば、微粒状粉末が８５質量％以上９４質量％以下であってもよく、粗粒状粉末が６質量％以上１５質量％以下であってもよい。
　粉砕混合した後の微粒状粉末および粗粒状粉末のそれぞれの粒径の範囲は０．４μｍ以上４μｍ以下および１１μｍ以上３４μｍ以下である。次に、得られたスラリーに、炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末またはフェノール樹脂からなる焼結助剤と、バインダとを添加して混合した後、噴霧乾燥することで主成分が炭化珪素からなる顆粒を得る。バインダとしては、例えば、アクリルエマルジョン、ポリビニールアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイドなどが挙げられる。
　顆粒における主成分とは、バインダを除く成分の合計を１００質量％とした場合、８０質量％以上を占める成分を意味する。顆粒を構成する成分の含有量は、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）発光分光分析装置または蛍光Ｘ線分析装置により求めることができる。
　次いで、得られた顆粒を成形型に充填し、例えば４９ＭＰａ以上１４７ＭＰａ程度の圧力で加圧して成形体を得る。得られた成形体を工程（ｂ）に供する。具体的には、得られた成形体に切削加工を施して、一実施形態に係るクランプ用治具の前駆体を得る。得られた前駆体を工程（ｃ）に供する。具体的には、得られた前駆体を窒素雰囲気中、４５０℃以上６５０℃以下の温度で、２時間以上１０時間以下保持して脱脂し、脱脂体を得る。次いで、この脱脂体を、アルゴンなどの不活性ガスの減圧雰囲気中、１８００℃以上２２００℃以下の温度で、３時間以上６時間以下保持することによって焼結体を得る。
　次いで、得られた焼結体を工程（ｄ）に供する。具体的には、工程（ｃ）で得られた焼結体の少なくとも基部の上側主面となる部分をバフ研磨する。バフの基材は限定されず、例えば、フェルト、綿帯体、木綿帯体などが挙げられる。研磨剤としては、例えば、ダイヤモンド粉末、グリーンカーボランダム（ＧＣ）粉末などが挙げられる。これらの研磨剤を油脂類に添加し、ペースト状態で使用すればよい。
　研磨剤の平均粒径は、例えば、０．５μｍ以上６μｍ以下である。基材の外径は１５０ｍｍであり、その回転速度は、例えば、２８ｍ／分以上１７０ｍ／分以下である。研磨時間は、例えば、０．５分以上５分以下である。算術平均粗さＲａ１の平均値と、算術平均粗さＲａ２の平均値との比（Ｒａ１／Ｒａ２）が、０．９以上１．３以下であるクランプ用治具を得るには、研磨剤の平均粒径を２μｍ以上６μｍ以下とすればよい。
　一実施形態に係るクランプ用治具の製造方法によって得られたクランプ用治具について、切断レベル差（Ｒδｃｌ）を測定した。まず、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’について、上述の切断レベル差（Ｒδｃｌ）を測定して平均値を求めた。平均値は０．１８２１μｍであった。同様に、基部２２ｃの下側主面２２ｃ’’について、上述の切断レベル差（Ｒδｃｌ）を測定して平均値を求めた。平均値は０．２５８６μｍであった。
　このように、上側主面２２ｃ’は、下側主面２２ｃ’’よりも、基部２２ｃの長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さいことがわかる。
　さらに、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’について、上述の切断レベル差（Ｒδｃｓ）を測定して平均値を求めた。平均値は０．１６５９μｍであった。同様に、基部２２ｃの下側主面２２ｃ’’について、上述の切断レベル差（Ｒδｃｓ）を測定して平均値を求めた。平均値は０．２６１４μｍであった。
　このように、上側主面２２ｃ’は、下側主面２２ｃ’’よりも、基部２２ｃの短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値が小さいことがわかる。
　次に、一実施形態に係るクランプ用治具の製造方法によって得られたクランプ用治具について、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’の算術平均粗さＲａを測定した。基部２２ｃの上側主面２２ｃ’の長手方向の算術平均粗さＲａ１は、０．１２９６μｍであった。一方、基部２２ｃの上側主面２２ｃ’の短手方向の算術平均粗さＲａ２は、０．１２１８μｍであった。算術平均粗さＲａ１と算術平均粗さＲａ２との比（Ｒａ１／Ｒａ２）は、１．０６であった。
　切断レベル差（Ｒδｃｌ）、切断レベル差（Ｒδｃｓ）、算術平均粗さＲａ１および算術平均粗さＲａ２は、いずれも上述した測定方法によって求められた測定値であり、それぞれの平均値は、これらの測定値から算出した値である。
　上述した製造方法で得られたクランプ用治具は、フッ酸、次亜フッ素酸などのフッ素を含む酸に曝されやすい基部の上側主面に白化現象が生じにくい。したがって、本開示に係るクランプ用治具は外観の劣化が低減され、例えば、洗浄装置などの部材として、長期間にわたって継続的に使用することができる。
　１　ハウジング
　２　チャンバ
　３　第１窓部
　４　第１シャッタ
　５　搬送アーム
　６　第２窓部
　７　第２シャッタ
　８　回転チャック
　９　ガス供給部
　１０　処理カップ
　１１　アンダープレート
　１２　回転板
　１３　円筒体
　１４　ベルト
　１５　モータ
　１６　トッププレート
　１７　第２軸体
　１８　第２水平板
　１９　モータ
　２０　第２昇降機構
　２１　第２流路
　２２　クランプ用治具
　２２ａ　支柱部
　２２ｂ　把持部
　２２ｃ　基部
　２２ｃ’　上側主面
　２２ｃ’’　下側主面
　２３　第１流路
　２４　第１軸体
　２５　水平板
　２６　第１昇降機構
　３０　洗浄装置

Claims (17)

  1. 　支柱部と、
    　該支柱部の一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持する把持部と、
    　該支柱部の他方の端部に位置しており、前記支柱部を支持する基部と、
    を含み、
    　少なくとも前記基部が、炭化珪素を主成分とするセラミックスを含み、
    　前記基部の上側主面は、前記基部の下側主面よりも、前記基部の長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が小さい、
    クランプ用治具。
  2. 　前記基部の上側主面の前記切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値と、前記基部の下側主面と前記切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値との差は、０．１６μｍ以上である、請求項１に記載のクランプ用治具。
  3. 　前記基部の下側主面の前記基部の長手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｌ）の平均値が、０．３５μｍ以下である、請求項２に記載のクランプ用治具。
  4. 　支柱部と、
    　該支柱部の一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持する把持部と、
    　該支柱部の他方の端部に位置しており、前記支柱部を支持する基部と、
    を含み、
    　少なくとも前記基部が、炭化珪素を主成分とするセラミックスを含み、
    　前記基部の上側主面は、前記基部の下側主面よりも、前記基部の短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値が小さい、
    クランプ用治具。
  5. 　前記基部の上側主面の前記切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値と、前記基部の下側主面と前記切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値との差は、０．１６μｍ以上である、請求項４に記載のクランプ用治具。
  6. 　前記基部の下側主面の前記基部の短手方向の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差（Ｒδｃｓ）の平均値が、０．３５μｍ以下である、請求項４または５に記載のクランプ用治具。
  7. 　前記基部の上側主面が、鏡面または光沢面であり、
    　前記基部の長手方向の算術平均粗さＲａ１の平均値と、前記基部の短手方向の算術平均粗さＲａ２の平均値との比（Ｒａ１／Ｒａ２）が、０．９以上１．３以下である、請求項１～６のいずれかに記載のクランプ用治具。
  8. 　前記鏡面または前記光沢面が、前記基部の短手方向および長手方向の少なくとも一方に沿った切削痕を有する、請求項７に記載のクランプ用治具。
  9. 　前記基部の上側主面と前記基部の少なくとも一方の側面とが、曲面によって接続されている、請求項１～８のいずれかに記載のクランプ用治具。
  10. 　前記曲面が、前記短手方向に沿った複数の溝を有する請求項９に記載のクランプ用治具。
  11. 　前記溝がＵ溝である、請求項１０に記載のクランプ用治具。
  12. 　前記長手方向における前記曲面の算術平均粗さＲａ３の平均値が、０．１μｍ以上０．８μｍ以下である、請求項９～１１のいずれかに記載のクランプ用治具。
  13. 　前記支柱部が炭化珪素を主成分とするセラミックスを含み、少なくとも前記支柱部と前記基部とが一体形成品である、請求項１～１２のいずれかに記載のクランプ用治具。
  14. 　前記基部の少なくとも上側主面は、面積が１７０μｍ2以上の粗粒状炭化珪素粒子を６面積％以上１５面積％以下含む、請求項１～１３のいずれかに記載のクランプ用治具。
  15. 　前記粗粒状炭化珪素粒子は、開気孔および閉気孔の少なくともいずれかを含んでいる、請求項１４に記載のクランプ用治具。
  16. 　炭化珪素を主成分とする顆粒を成形型に充填し、成形して成形体を得る工程と、
    　該成形体を切削して前駆体を得る工程と、
    　該前駆体を焼成して焼結体を得る工程と、
    　該焼結体の少なくとも基部の上側主面となる部分をバフ研磨する工程と、
    を含む、クランプ用治具の製造方法。
  17. 　請求項１～１５のいずれかに記載のクランプ用治具を含む、洗浄装置。
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