WO2022053327A1 - Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung einer wafer-haltevorrichtung für eine wafer-lithographie - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung einer wafer-haltevorrichtung für eine wafer-lithographie Download PDF

Info

Publication number
WO2022053327A1
WO2022053327A1 PCT/EP2021/073640 EP2021073640W WO2022053327A1 WO 2022053327 A1 WO2022053327 A1 WO 2022053327A1 EP 2021073640 W EP2021073640 W EP 2021073640W WO 2022053327 A1 WO2022053327 A1 WO 2022053327A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diamond
holding device
electrode
wafer
counter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2021/073640
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Constans Weber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Priority to JP2023515822A priority Critical patent/JP7791177B2/ja
Priority to CN202180054877.7A priority patent/CN116349004A/zh
Priority to US18/025,851 priority patent/US20260115821A1/en
Publication of WO2022053327A1 publication Critical patent/WO2022053327A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H3/00—Electrochemical machining, i.e. removing metal by passing current between an electrode and a workpiece in the presence of an electrolyte
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7614—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7616—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating, a hardness or a material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Definitions

  • the invention relates to a method for processing a wafer holding device for wafer lithography, the wafer holding device comprising a carrier body with an electrically conductive diamond cover layer.
  • the invention also relates to a surface processing device that is set up for processing a wafer holding device for wafer lithography.
  • Applications of the invention are in the manufacture and processing, in particular cleaning of wafer holding devices for lithographic processes such. B. given the immersion lithography or lithography under vacuum conditions.
  • Immersion lithography is a lithographic technique for structuring surfaces, e.g. B. in wafer structuring, well known.
  • the wafer surface is exposed using an exposure device and an immersion liquid which, at a given wavelength, enables an increased numerical aperture and thus the production of smaller structures.
  • the wafer is arranged on a wafer holding device which comprises a carrier body with projections (nubs), the end faces of which span a carrier surface for receiving the wafer.
  • whetstone cleaning has disadvantages in that it does not completely remove contamination and can cause mechanical damage to the wafer chuck.
  • the above object is achieved by a method for processing a wafer holding device for wafer lithography, the wafer holding device comprising a carrier body with an electrically conductive diamond cover layer.
  • a counter electrode on the wafer chuck by the diamond top layer, a counter electrode, an electrolytic liquid in a space between the diamond top layer and the counter electrode, and a power source electrically connected to the diamond top layer and the counter electrode, a electrochemical cell formed.
  • an electrochemical removal of material takes place on the wafer holding device by means of the electrochemical cell.
  • coating the surface of the wafer chuck with diamond performs multiple functions.
  • the diamond topcoat provides low friction and high surface mechanical durability during operation of the wafer chuck.
  • diamond is a particularly advantageous electrode material, since diamond enables the electrochemical cell to be subjected to such a high operating voltage that the water in the electrolyte liquid is split and the desired OH radicals are generated.
  • the removal of material includes an electrochemical decomposition of foreign substances on the surface of the wafer holding device.
  • the electrochemical cell is configured to electrochemically decompose the impurities on the surface of the wafer chuck.
  • the decomposition of foreign matter on the surface includes detachment of foreign matter adhering to the surface and/or chemical conversion of the foreign matter by the action of the OH radicals.
  • operating parameters of the electrochemical cell in particular the applied voltage and the duration of the application of the voltage to the cell, can be selected in such a way that the impurities are reactively decomposed, but the surface of the wafer holding device remains unchanged (or only a negligibly small reaction with the OH radicals).
  • the counter-electrode can be connected to exposure optics of the immersion lithography machine pointing to the wafer holding device and/or have a diamond surface.
  • the immersion liquid which is the electrolyte liquid, is arranged between the exposure optics and the diamond cover layer provides.
  • the coupling of the counter-electrode to the exposure optics advantageously promotes in particular the local processing of the wafer holding device.
  • the use of the counter-electrode with a diamond surface (diamond electrode) offers particular advantages with regard to the voltage that can be applied to the electrochemical cell and the avoidance of contamination at the counter-electrode.
  • FIG. 1 Features of embodiments of the method according to the invention and of the surface treatment device according to the invention.
  • lithography machine 100 Other parts of the lithography machine 100, such as for example a light source and a projection system for the exposure, tools for placing wafers on the wafer holding device 10 and a control unit of the lithography machine 100 are not shown in FIG.
  • the wafer holding device 10 comprises a carrier body 11 whose structured surface is formed by a multiplicity of protruding nubs 13 .
  • the carrier body 11 has, for example, a diameter of 30 cm and several thousand nubs 13 each with a diameter of less than one mm.
  • the carrier body 11 consists, for example, of silicon-infiltrated silicon carbide (SiSiC), which has inherent electrical conductivity.
  • Flat end faces of the knobs 13 span a carrier surface for receiving a wafer (not shown).
  • the exposure optics 110 and the counter-electrode 21 are coupled to the positioning device 30, with which the exposure optics 110 and the counter-electrode 21 are relative to the wafer holding device 10 are positionable.
  • the adjusting device 30 comprises, for example, an xy translation drive which is set up for displacement parallel to the surface of the carrier body 11 .
  • the immersion liquid is provided as an electrolyte liquid 22 between the surface of the carrier body 11 and the counter-electrode 21.
  • the electrochemical processing of the surface of the wafer holding device 10 takes place on all nubs 13 simultaneously or, as shown in Figure 1, stepwise by means of a restriction to a surface section of the carrier body 11 with a single nub or a group of nubs and a subsequent displacement of the counter-electrode 21 and the electrolytic liquid 22 to further nubs until the entire surface of the wafer jig 10 or a part of the surface is processed.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Ein Verfahren zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung (10) für eine Wafer-Lithographie, wie z. B. die Immersionslithographie oder die Lithographie unter Vakuumbedingungen, wobei die Wafer-Haltevorrichtung (10) einen Trägerkörper (11) mit einer elektrisch leitfähigen Diamant-Deckschicht (12) umfasst. An der Wafer-Haltevorrichtung (10) wird durch die Diamant-Deckschicht (12), eine Gegenelektrode (21), eine Elektrolytflüssigkeit (22) in einem Abstand zwischen der Diamant-Deckschicht (12) und der Gegenelektrode (21), und eine Spannungsquelle (23), die mit der Diamant-Deckschicht (12) und der Gegenelektrode (21) elektrisch verbunden ist, eine elektrochemische Zelle (20) gebildet. An der Wafer-Haltevorrichtung erfolgt mittels der elektrochemischen Zelle (20) ein elektrochemischer Materialabtrag. Es wird auch eine Oberflächenbearbeitungsvorrichtung (200) beschrieben, die zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung (10) für eine Wafer-Lithographie eingerichtet ist.

Description

VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEARBEITUNG EINER WAFER-HALTEVORRICHTUNG FÜR EINE WAFER-LITHOGRAPHIE
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer- Lithographie, wobei die Wafer-Haltevorrichtung einen Trägerkörper mit einer elektrisch leitfähigen Diamant-Deckschicht umfasst. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Oberflächenbearbeitungsvorrichtung, die zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie eingerichtet ist. Anwendungen der Erfindung sind bei der Herstellung und Bearbeitung, insbesondere Reinigung von Wafer-Haltevorrichtungen für lithographische Verfahren, wie z. B. die Immersionslithographie oder die Lithographie unter Vakuumbedingungen gegeben.
In der vorliegenden Beschreibung wird auf den folgenden Stand der Technik Bezug genommen, der den technischen Hintergrund der Erfindung darstellt:
[1] WO 2018/007498 Al;
[2] WO 2019/0115195 Al;
[3] O. Debus "Auf die harte Tour - Vollständige Oxidation von Abwasserschadstoffen mit Diamantelektroden" in "CHEMIE TECHNIK" Nr. 6 2004 (33. Jahrgang);
[4] A. Kraft "Doped Diamond: A Compact Review on a New, Versatile Electrode Material" in "Int. J. Electrochem. Sei." 2 (2007) 355 - 385; und
[5] B. Marselli et al. "Electrogeneration of Hydroxyl Radicals on Boron-Doped Diamond Electrodes" in "Journal of The Electrochemical Society" 150(3), März 2003.
Die Immersionslithographie ist als lithographische Technik zur Strukturierung von Oberflächen, z. B. bei der Waferstrukturierung, allgemein bekannt. Die Belichtung der Waferoberfläche erfolgt mit einer Belichtungseinrichtung und einer Immersionsflüssigkeit, die bei gegebener Wellenlänge eine vergrößerte numerische Apertur und damit die Herstellung von kleineren Strukturen ermöglicht. Der Wafer wird für die Belichtung auf einer Wafer-Haltevorrichtung angeordnet, die einen Trägerkörper mit Vorsprüngen (Noppen) umfasst, deren Stirnseiten eine Trägerfläche zur Aufnahme des Wafers aufspannen.
Die von den Stirnseiten der Noppen gebildete Trägerfläche einer Wafer-Haltevorrichtung für die Lithographie soll einen möglichst geringen Reibwert und eine möglichst dauerhaft hohe Ebenheit aufweisen. Beide Anforderungen können durch Hartstoffbeschichtungen, wie z. B. durch eine DLC-(diamond-like carbon)-Schicht oder eine Diamant-Schicht erfüllt werden (siehe z. B. [1] o- der[2]). Im Laufe der Betriebszeit kann jedoch abrasiver und/oder korrosiver Verschleiß an der Trägerfläche auftreten. Der abrasive Verschleiß wird durch den mechanischen Kontakt von Trägerfläche und Wafer verursacht, während der korrosive Verschleiß speziell bei der Immersionslithographie durch die Immersionsflüssigkeit bewirkt wird. Durch den Verschleiß können die gewünschten Eigenschaften in Bezug auf Reibung und Ebenheit verloren gehen und Kontaminationen der Oberfläche auftreten. Diese Kontaminationen wirken sich ebenfalls negativ auf die genannten Eigenschaften aus, da durch einen Materialaufbau die Ebenheit verloren geht und die Reibeigenschaften ggf. nur noch durch die Kontamination bestimmt werden.
Es ist aus der Praxis der Nutzung von Wafer-Haltevorrichtungen bekannt, Kontaminationen mechanisch mit einem so genannten Wetzstein zu entfernen. Die Reinigung mit dem Wetzstein hat jedoch Nachteile, da sie Kontaminationen nicht vollständig beseitigt und eine mechanische Beschädigung der Wafer-Haltevorrichtung verursachen kann.
Aus einem anderen technischen Gebiet ist ferner bekannt, Bor-dotierte Diamant-Schichten auf Elektroden (so genannte Diamantelektroden) für eine elektrochemische Wasserreinigung zu verwenden (siehe z. B. [3] bis [5]). Das zu reinigende Wasser wird als Elektrolytflüssigkeit zwischen den Diamantelektroden angeordnet, wodurch eine elektrochemische Zelle gebildet wird. Bei Beaufschlagung der Diamantelektroden mit einer elektrischen Spannung wird das Wasser gespalten, und an den Oberflächen der Diamantelektroden werden OH-Radikale gebildet. Das hohe Oxidationspotential der Radikale sorgt für einen effizienten Abbau insbesondere von organischen Verbindungen im Wasser.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für die Lithographie und eine verbesserte Oberflächenbearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für die Lithographie bereitzustellen, mit denen Nachteile herkömmlicher Techniken vermieden werden. Mit dem Verfahren und der Oberflächenbearbeitungsvorrichtung sollen Kontaminationen, insbesondere Rückstände von Lithographielacken, möglichst einfach, insbesondere innerhalb und/oder außerhalb einer Lithographiemaschine, entfernt werden können. Des Weiteren soll die Beseitigung von Kontaminationen mit verbesserter Zuverlässigkeit und ohne das Risiko einer unerwünschten Beschädigung der Wafer-Haltevorrichtung ermöglicht werden. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für die Immersionslithographie bzw. durch eine Oberflächenbearbeitungsvorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Gemäß einem ersten allgemeinen Gesichtspunkt der Erfindung wird die obige Aufgabe durch ein Verfahren zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie gelöst, wobei die Wafer-Haltevorrichtung einen Trägerkörper mit einer elektrisch leitfähigen Diamant-Deckschicht umfasst. Gemäß der Erfindung wird an der Wafer-Haltevorrichtung durch die Diamant- Deckschicht, eine Gegenelektrode, eine Elektrolytflüssigkeit in einem Abstand zwischen der Diamant-Deckschicht und der Gegenelektrode, und eine Spannungsquelle, die mit der Diamant-Deckschicht und der Gegenelektrode elektrisch verbunden ist, eine elektrochemische Zelle gebildet. Des Weiteren erfolgt gemäß der Erfindung an der Wafer-Haltevorrichtung mittels der elektrochemischen Zelle ein elektrochemischer Materialabtrag.
Gemäß einem zweiten allgemeinen Gesichtspunkt der Erfindung wird die obige Aufgabe durch eine Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gelöst, die zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie eingerichtet ist, und die Wafer-Haltevorrichtung, die einen Trägerkörper mit einer elektrisch leitfähigen Diamant-Deckschicht umfasst, eine Gegenelektrode, die mit einem Abstand von der Wafer-Haltevorrichtung angeordnet ist, der zur Aufnahme einer Elektrolytflüssigkeit gebildet ist, und eine Spannungsquelle umfasst, die zur Beaufschlagung der Diamant-Deckschicht mit einer elektrischen Betriebsspannung relativ zu der Gegenelektrode angeordnet ist. Durch die Diamant-Deckschicht, die Gegenelektrode, die Elektrolytflüssigkeit in dem Abstand zwischen der Diamant-Deckschicht und der Gegenelektrode, und die Spannungsquelle wird eine elektrochemische Zelle gebildet, die für einen elektrochemischen Materialabtrag an der Wafer-Haltevorrichtung eingerichtet ist. Vorzugsweise ist die Oberflächenbearbeitungsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem ersten allgemeinen Gesichtspunkt der Erfindung oder einer seiner Ausführungsformen konfiguriert. Die Wafer-Haltevorrichtung, insbesondere deren Diamant-Deckschicht, ist Teil der Oberflächenbearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung der Wafer-Haltevorrichtung.
Mit der Erfindung wird die Eignung von dotiertem Diamant, das auf der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung, insbesondere auf den Noppen angeordnet ist, zur Bereitstellung einer Elektrode einer elektrochemischen Zelle ausgenutzt. Die Diamant-Deckschicht wird als Reinigungselektrode verwendet. Die Erfinder haben festgestellt, dass die Erzeugung von Radikalen beim Betrieb der elektrochemischen Zelle, wie es von der herkömmlichen Wasseraufbereitung bekannt ist, ausgenutzt werden kann, um unter der Wirkung der Radikale Verunreinigungen an der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung abzubauen. Im Unterschied zur Wasseraufbereitung sind bei der erfindungsgemäßen Bearbeitung der Wafer-Haltevorrichtung die Verunreinigungen nicht in der Elektrolytflüssigkeit der elektrochemischen Zelle enthalten, sondern auf der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung vorhanden.
Vorteilhafterweise erfüllt die Beschichtung der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung mit Diamant eine Mehrfachfunktion. Erstens werden durch die Diamant-Deckschicht eine geringe Reibung und eine hohe mechanische Haltbarkeit der Oberfläche bei Betrieb der Wafer-Haltevorrichtung bereitgestellt. Zweitens stellt Diamant ein besonders vorteilhaftes Elektrodenmaterial dar, da Diamant die Beaufschlagung der elektrochemischen Zelle mit einer derart hohen Betriebsspannung ermöglicht, dass das Wasser in der Elektrolytflüssigkeit gespalten und die gewünschten OH- Radikale erzeugt werden.
Die Wafer-Haltevorrichtung kann durch die Erfindung mit einer Selbstreinigungsfunktion ausgestattet werden, die ermöglicht, Kontaminationen aktiv und gezielt zu beseitigen. Eine in-situ-An- wendung der Erfindung ist möglich, so dass vorteilhafterweise Stillstandzeiten einer Lithographie- maschine minimiert werden.
Mit dem Begriff "Wafer-Haltevorrichtung" werden alle Wafer-Halter oder -Träger bezeichnet, die für die Lithographie geeignet sind. Der Trägerkörper der Wafer-Haltevorrichtung ist typischerweise eine ebene Platte mit einer strukturierten Oberfläche, auf der Noppen zur Aufnahme eines Wafers angeordnet sind. Der Trägerkörper kann elektrisch leitfähig oder elektrisch isolierend sein. Im bevorzugten Fall eines elektrisch leitfähigen Trägerkörpers ist es ausreichend, wenn sich die elektrisch leitfähige Diamant-Deckschicht aus einer Vielzahl von getrennten Deckschichtabschnitten zusammensetzt, die jeweils auf den Stirnflächen der Noppen angeordnet sind. Die Gesamtheit der Deckschichtabschnitte bildet die Diamant-Deckschicht. Die Beaufschlagung der Deckschichtabschnitte mit der Betriebsspannung der elektrochemischen Zelle erfolgt über den Trägerkörper. Im alternativen Fall eines elektrisch nicht leitfähigen Trägerkörpers ist die elektrisch leitfähige Diamant-Deckschicht vorzugsweise als freiliegende zusammenhängende Schicht, besonders bevorzugt als lückenlose, geschlossene Schicht auf der strukturierten Oberfläche, soweit diese den Wafer aufnimmt, vorgesehen und elektrisch mit der Spannungsquelle verbunden. Optional kann die elektrisch leitfähige Diamant-Deckschicht mehrere Diamant-Deckschichtabschnitte auf der strukturierten Oberfläche umfassen, die jeweils als freiliegende zusammenhängende Schichten, besonders bevorzugt als lückenlose, geschlossene Schichten, gebildet und elektrisch miteinander und/oder mit der Spannungsquelle verbunden sind.
Die elektrochemische Zelle (oder: Elektrolysezelle), welche durch die Diamant-Deckschicht und die Gegenelektrode und die Elektrolytflüssigkeit zwischen diesen gebildet wird, ist konfiguriert, bei Beaufschlagung der Diamant-Deckschicht und der Gegenelektrode mit einer elektrischen Spannung, in der Elektrolytflüssigkeit OH-Radikale zu erzeugen. Hierzu enthält die Elektrolytflüssigkeit Wasser. Der Abstand der Gegenelektrode von der Diamant-Deckschicht ist vorzugsweise im Bereich von weniger als 5 mm gewählt.
Vorzugsweise besteht die Elektrolytflüssigkeit aus Reinstwasser (Wasser, das keine oder vernachlässigbar wenig Fremdstoffe enthält). Die Verwendung von Reinstwasser bietet besondere Vorteile als Immersionsflüssigkeit und bei der Minimierung unerwünschter elektrochemischer Reaktionen.
Die OH-Radikale bewirken einen Materialabtrag an den Oberflächen, die an die Elektrolytflüssigkeit angrenzen, d. h. insbesondere an der Diamant-Deckschicht. Die Stärke und Geschwindigkeit des Materialabtrags wird durch Betriebsparameter der elektrochemischen Zelle, insbesondere die angelegte Spannung und die Dauer der Beaufschlagung der Zelle mit der Spannung, bestimmt. Die Betriebsparameter der elektrochemischen Zelle werden vom Fachmann in Abhängigkeit von den konkreten Anwendungsbedingungen, insbesondere unter Verwendung von Tests oder von Referenzwerten, gewählt. Die Spannung zwischen der Diamant-Deckschicht und der Gegenelektrode ist so gewählt, dass in der elektrochemischen Zelle freie OH-Radikale gebildet werden, und sie beträgt vorzugsweise mindestens 2,2 V, besonders bevorzugt mindestens 2,4 V.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst der Materialabtrag eine elektrochemische Zerlegung von Fremdstoffen an der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung. Die elektrochemische Zelle ist für eine elektrochemische Zerlegung der Fremdstoffe auf der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung eingerichtet. Die Zerlegung von Fremdstoffen an der Oberfläche umfasst eine Ablösung von an der Oberfläche anhaftenden Fremdstoffen und/oder eine chemische Umwandlung der Fremdstoffe durch die Wirkung der OH-Radikale. Vorteilhafterweise können Betriebsparameter der elektrochemischen Zelle, insbesondere die angelegte Spannung und die Dauer der Beaufschlagung der Zelle mit der Spannung, so gewählt werden, dass die Fremdstoffe reaktiv zerlegt werden, jedoch die Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung unverändert bleibt (oder eine nur vernachlässigbar geringe Reaktion mit den OH-Radikalen aufweist). Die Fremdstoffe umfassen jegliche Substanzen, die nicht Teil des Wafers oder der Wafer-Haltevorrichtung sind. Besonders bevorzugt umfassen die Fremdstoffe Rückstände eines Lithogra- phielacks. Des Weiteren werden bevorzugt die von der Oberfläche abgelösten Fremdstoffe und/ oder die Reaktionsprodukte der Zerlegung der Fremdstoffe mit der Elektrolytflüssigkeit von der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung gespült. Die Elektrolytflüssigkeit wird während der Bearbeitung vorteilhafterweise ausgetauscht, so dass Kontaminationen abtransportiert werden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Variante der Erfindung umfasst der Materialabtrag eine elektrochemische Zerlegung von Diamant an der Oberfläche der Diamant-Deckschicht. Die elektrochemische Zelle ist bei dieser Ausführungsform für eine elektrochemische Zerlegung von Diamant an der Oberfläche der Diamant-Deckschicht eingerichtet. Die Erfinder haben festgestellt, dass die elektrochemische Reaktion zusätzlich genutzt werden kann, um gezielt Diamant von der Diamant- Deckschicht abzubauen und deren Ebenheit korrigieren. Die Betriebsparameter der elektrochemischen Zelle werden so eingestellt, dass Diamant elektrochemisch zersetzt und Kohlenstoff abgetragen werden kann. Vorteilhafterweise ist ein Abtrag bis zu einige Nanometer möglich. Die elektrochemische Zelle kann vorteilhafterweise derart reproduzierbar betrieben werden, dass eine unkontrollierte Beschädigung der Diamant-Deckschicht ausgeschlossen ist.
Vorteilhafterweise kann die Diamant-Deckschicht durch die elektrochemische Bearbeitung einer Ebenheitskorrektur und/oder einem Aufrauen unterzogen werden. Die elektrochemische Zerlegung von Diamant an der Oberfläche der Diamant-Deckschicht bewirkt eine Korrektur der Dicke der Diamant-Deckschicht und damit der Höhe der Noppen und/oder eine gezielte Einstellung der Rauheit, wie z. B. ein tribologisch nützliches Aufrauen insbesondere der Stirnflächen der Noppen. Mit dieser Ausführungsform der Erfindung wird vorteilhafterweise eine Wafer-Haltevorrichtung für die Immersionslithographie mit einer intrinsischen Reinigungsfunktionalität und mit einer Fähigkeit zur Ebenheitskorrektur der von den Noppen aufgespannten Trägerfläche geschaffen.
Insbesondere für den Materialabtrag von der Diamant-Deckschicht kann es von Vorteil sein, den Materialabtrag lokal selektiv einzustellen. Der Materialabtrag kann in Abhängigkeit von der Position an der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung eingestellt werden. Hierfür wird gemäß einer weiteren Variante der Erfindung die Gegenelektrode so dimensioniert und angeordnet, dass die elektrochemische Zelle mit einem Teilbereich der Diamant-Deckschicht gebildet wird und ein lokal beschränkter Materialabtrag erfolgt. Vorzugsweise erstreckt sich die Gegenelektrode über den Teilbereich der Diamant-Deckschicht und die elektrochemische Zelle ist für einen lokal beschränkten Materialabtrag eingerichtet. Vorteilhafterweise kann die Anpassung der Größe der Gegenelektrode mit einer kleinräumigen Führung der Elektrolytflüssigkeit kombiniert werden, wodurch die Abgrenzung der elektrochemischen Zelle gegenüber der Umgebung und die Selektivität der lokalen Behandlung verbessert wird. Die lokal selektive Einstellung des Materialabtrags kann insbesondere eine Beschränkung der Erzeugung der OH-Radikale auf eine Gruppe von Noppen oder sogar auf eine einzige Noppe umfassen. Vorteilhafterweise wird dadurch eine lokale Korrektur und/oder eine gezielte lokale Einstellung der Rauheit, wie z. B. ein tribologisch nützliches Aufrauen, ermöglicht.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Variante der Erfindung kann die Gegenelektrode parallel zur Diamant-Deckschicht bewegt werden und der Materialabtrag in verschiedenen Teilbereichen der Diamant-Deckschicht mit verschiedenen Reaktionsbedingungen erfolgen. Vorrichtungsbezogen ist hierfür die Gegenelektrode parallel zur Diamant-Deckschicht beweglich angeordnet und die elektrochemische Zelle, insbesondere eine Steuerung der Spannungsquelle, so eingerichtet, dass der Materialabtrag in verschiedenen Teilbereichen der Diamant-Deckschicht mit verschiedenen Reaktionsbedingungen erfolgt. Beispielsweise kann eine Steuerung der Spannungsquelle derart vorgesehen sein, dass die Betriebsparameter der elektrochemischen Zelle in Abhängigkeit von der gegenseitigen Positionierung der Gegenelektrode und der Diamant-Deckschicht variiert werden, um einen vorbestimmten positionsabhängigen Materialabtrag zu erzielen.
Vorteilhafterweise erhalten Wafer-Haltevorrichtungen mit der erfindungsgemäßen elektrochemischen Bearbeitung eine neue Funktion. Die für den Betrieb der elektrochemischen Zelle erforderliche Elektrolytflüssigkeit wird vorzugsweise durch die Immersionsflüssigkeit beim Betrieb einer Im- mersions-Lithographiemaschine bereitgestellt. Entsprechend erfolgt die Bearbeitung der Wafer- Haltevorrichtung vorzugsweise in situ in einer Immersionslithographiemaschine. Die Oberflächenbearbeitungsvorrichtung ist bei dieser Variante der Erfindung vorzugsweise ein Teil einer Immersionslithographiemaschine. Alternativ kann die Bearbeitung der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung in einem gesonderten Aufbau außerhalb der Lithographiemaschine erfolgen.
Gemäß weiteren bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung kann die Gegenelektrode mit einer zur Wafer-Haltevorrichtung weisenden Belichtungsoptik der Immersionslithographiemaschine verbunden sein und/oder eine Diamant-Oberfläche aufweisen. Zwischen der Belichtungsoptik und der Diamant-Deckschicht ist die Immersionsflüssigkeit angeordnet, welche die Elektrolytflüssigkeit bereitstellt. Durch die Kopplung der Gegenelektrode mit der Belichtungsoptik wird vorteilhafterweise insbesondere die lokale Bearbeitung der Wafer-Haltevorrichtung begünstigt. Die Verwendung der Gegenelektrode mit einer Diamant-Oberfläche (Diamant-Elektrode) bietet besondere Vorteile in Bezug auf die an die elektrochemische Zelle anlegbare Spannung und die Vermeidung von Kontaminationen an der Gegenelektrode.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden im Folgenden unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung beschrieben. Es zeigt schematisch:
Figur 1: Merkmale von Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Oberflächenbearbeitungsvorrichtung.
Es wird betont, dass Merkmale von Ausführungsformen der Erfindung in Figur 1 schematisch illustriert sind. Aus Übersichtlichkeitsgründen sind die einzelnen Teile nicht maßstabsgerecht dargestellt. Beispielhaft wird auf die Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für die Immersionslithographie Bezug genommen. Die Erfindung ist nicht auf diese Anwendung beschränkt, sondern entsprechend bei der Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung (EUV-Chuck) für die Lithographie unter Vakuum anwendbar. Einzelheiten des jeweiligen Lithographieverfahrens und der Gestaltung einer Wafer-Haltevorrichtung werden nicht beschrieben, soweit diese an sich aus dem Stand der Technik bekannt sind.
Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden insbesondere unter beispielhaftem Bezug auf die Bereitstellung einer Oberflächenbearbeitungsvorrichtung als Teil einer Lithographie- maschine beschrieben, wobei eine Gegenelektrode einer elektrochemischen Zelle mit einer Belichtungsoptik der Lithographiemaschine gekoppelt ist. Es wird betont, dass die Umsetzung der Erfindung in der Praxis nicht auf diese Variante beschränkt ist. Vielmehr sind Abwandlungen insbesondere dahingehend möglich, dass die Gegenelektrode unabhängig von der Belichtungsoptik bereitgestellt wird und/oder die Oberflächenbearbeitungsvorrichtung außerhalb der Lithographiemaschine angeordnet und betrieben wird.
Figur 1 zeigt schematisch die Lithographiemaschine 100, umfassend eine Wafer-Haltevorrichtung
10, eine Belichtungsoptik 110 und eine Stelleinrichtung 30 zur Einstellung der Belichtungsoptik
110 relativ zu der Wafer-Haltevorrichtung 10. Weitere Teile der Lithographiemaschine 100, wie zum Beispiel eine Lichtquelle und ein Projektionssystem für die Belichtung, Werkzeuge zur Auflage von Wafern auf der Wafer-Haltevorrichtung 10 und eine Steuereinheit der Lithographiema- schine 100, sind in Figur 1 nicht dargestellt.
Die Wafer-Haltevorrichtung 10 umfasst einen Trägerkörper 11, dessen strukturierte Oberfläche durch eine Vielzahl von vorstehenden Noppen 13 gebildet wird. In der Praxis weist der Trägerkörper 11 zum Beispiel einen Durchmesser von 30 cm und mehreren tausend Noppen 13 jeweils mit einem Durchmesser von weniger als einem mm auf. Der Trägerkörper 11 besteht zum Beispiel aus Silizium-infiltriertem Siliziumkarbid (SiSiC), das eine inhärente elektrische Leitfähigkeit besitzt. Ebenen Stirnflächen der Noppen 13 spannen eine Trägerfläche zur Aufnahme eines Wafers (nicht dargestellt) auf.
Auf der Oberfläche des Trägerkörpers 11 ist eine Diamant-Deckschicht 12 vorgesehen, die eine Vielzahl von Diamant-Deckschichtabschnitten jeweils auf den ebenen Stirnflächen der Noppen 13 umfasst. Die Diamant-Deckschicht 12 weist eine Dicke von 0,5 pm bis 20 pm auf und sie besteht aus Bor-dotiertem Diamant (Bor-Konzentration z. B. 4000 ppm). Die Diamant-Deckschicht 12 wird beispielweise durch Kohlenstoff-Abscheidung mittels CVD unter Verwendung von Methan und Wasserstoff in Anwesenheit von borhaltigem Gas hergestellt.
Die Oberflächenbearbeitungsvorrichtung 200 ist beim gezeigten Beispiel Teil der Lithographiema- schine 100. Die elektrochemische Zelle 20 der Oberflächenbearbeitungsvorrichtung 200 wird durch die Diamant-Deckschicht 12, insbesondere die von der Elektrolytflüssigkeit 22 benetzten Diamant-Deckschichtabschnitte, und die Gegenelektrode 21 gebildet. Einerseits die Diamant- Deckschicht 12 und andererseits die Gegenelektrode 21 sind mit einer Spannungsquelle 23 zur Bereitstellung einer Betriebsspannung der elektrochemischen Zelle 20 elektrisch verbunden. Die Spannungsquelle 23 ist zum Beispiel eine variable Quelle mit einer steuerbaren Ausgangsspannung von bis zu 3 V.
Die Gegenelektrode 21 umfasst zum Beispiel eine ringförmige Elektrodenschicht aus Bor-dotiertem Diamant, die auf der zur Wafer-Haltevorrichtung 10 weisenden Seite der Belichtungsoptik 110 angeordnet ist. Die Dicke der Diamant-Schicht der Gegenelektrode 21 beträgt zum Beispiel 8 pm. Der Abstand der Gegenelektrode von den Stirnflächen der Noppen 13 beträgt z. B. 1 mm.
Die Belichtungsoptik 110 und die Gegenelektrode 21 sind mit der Stelleinrichtung 30 gekoppelt, mit der die Belichtungsoptik 110 und die Gegenelektrode 21 relativ zur Wafer-Haltevorrichtung 10 positionierbar sind. Die Stelleinrichtung 30 umfasst zum Beispiel einen x-y-Translationsantrieb, der für eine Verschiebung parallel zur Oberfläche des Trägerkörpers 11 eingerichtet ist.
Die Stelleinrichtung 30 und die Spannungsquelle 23 sind mit einer Steuereinrichtung 40 gekoppelt. Die Steuereinrichtung 40, die zum Beispiel einen Computer-Schaltkreis umfasst, ist dafür ausgelegt, die Spannungsquelle 23 entsprechend vorbestimmter Betriebsparameter der elektrochemischen Bearbeitung der Oberfläche des Trägerkörpers 11 und die Stelleinrichtung 30 zur Positionierung der Belichtungsoptik 110 und der Gegenelektrode 21 anzusteuern. Beispielsweise kann vorgesehen sein, die Betriebsparameter, insbesondere die Spannung und die Dauer der Beaufschlagung der Gegenelektrode 21 mit der Spannung, in Abhängigkeit von der Position relativ zu der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung 10 einzustellen.
Abweichend von Figur 1 kann die Gegenelektrode 21 an einem von der Belichtungsoptik 110 getrennten Reinigungskopf vorgesehen sein, der mit der Stelleinrichtung 30 oder einem alternativen Antrieb verfahrbar ist. Gemäß einer weiteren Abwandlung kann sich abweichend von Figur 1 die Gegenelektrode 21 flächig parallel zur Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung 10 und die Anordnung aller Noppen abdeckend erstrecken.
Bei Betrieb der Lithographiemaschine 100 wird der an sich bekannte Ablauf der Immersionslithographie, umfassend eine Auflage eines Wafers auf die Noppen 13, eine Belichtung des Wafers durch die Immersionsflüssigkeit und eine nachfolgende Prozessierung des belichteten Wafers, ausgeführt. Aufgrund der Handhabung des Wafers unter praktischen Produktionsbedingungen treten Kontaminationen 1 auf, die zum Beispiel durch Reste von Lithographielacken auf einzelnen oder allen Noppen 13 gebildet werden.
Zur Beseitigung der Kontamination 1 wird die Immersionsflüssigkeit als Elektrolytflüssigkeit 22 zwischen der Oberfläche des Trägerkörpers 11 und der Gegenelektrode 21 bereitgestellt. Durch Beaufschlagung der Diamant-Deckschicht 12 und der Gegenelektrode 21 mit der Spannung der Spannungsquelle 23 werden in der Elektrolytflüssigkeit 22 gemäß
H2O ^>*OH+H+ + e
OH-Radikale gebildet, welche eine Ablösung der Kontamination 1 von den Noppen 13 bewirken. Durch Austausch der Elektrolytflüssigkeit 22 werden die abgelösten Kontaminationsreste von der Oberfläche des Trägerkörpers 11 entfernt. Wird z. B. bei der Wartung der Wafer-Haltevorrichtung 10 mit einem Test-Wafer eine Unebenheit der von den Noppen 13 aufgespannten Trägerfläche festgestellt, kann mit der elektrochemischen Bearbeitung ein Ausgleich der Unebenheit durch einen Abtrag von den Diamant-Deckschichtabschnitten vorgenommen werden. Hierzu wird die Betriebsspannung der Spannungsquelle 23 so eingestellt, dass Diamant elektrochemisch zersetzt wird, was einen Diamant-Materialabtrag erlaubt.
Die elektrochemische Bearbeitung der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung 10 erfolgt an allen Noppen 13 gleichzeitig oder, wie in Figur 1 dargestellt, schrittweise mittels einer Beschränkung auf einen Oberflächenabschnitt des Trägerkörpers 11 mit einer einzigen Noppe oder einer Gruppe von Noppen und einer nachfolgenden Verschiebung der Gegenelektrode 21 und der Elektrolytflüssigkeit 22 zu weiteren Noppen, bis die gesamte Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung 10 oder ein Teil der Oberfläche bearbeitet ist. Die in der vorstehenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in Kombination oder Unterkombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Gestaltungen von Bedeutung sein.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung (10) für eine Wafer-Lithographie, wobei die Wafer-Haltevorrichtung (10) einen Trägerkörper (11) mit einer elektrisch leitfähigen Diamant-Deckschicht (12) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass
- an der Wafer-Haltevorrichtung (10) durch die Diamant-Deckschicht (12), eine Gegenelektrode (21), eine Elektrolytflüssigkeit (22) in einem Abstand zwischen der Diamant-Deckschicht (12) und der Gegenelektrode (21), und eine Spannungsquelle (23), die mit der Diamant-Deckschicht (12) und der Gegenelektrode (21) elektrisch verbunden ist, eine elektrochemische Zelle (20) gebildet wird, und
- an der Wafer-Haltevorrichtung mittels der elektrochemischen Zelle (20) ein elektrochemischer Materialabtrag erfolgt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem
- der Materialabtrag eine elektrochemische Zerlegung von Fremdstoffen (1) an der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung (10) umfasst.
3. Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem
- Reaktionsprodukte der Zerlegung der Fremdstoffe mit der Elektrolytflüssigkeit von der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung (10) gespült werden, und/oder
- die Fremdstoffe Rückstände eines Lithographielacks umfassen.
4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- der Materialabtrag eine elektrochemische Zerlegung von Diamant an der Oberfläche der Diamant-Deckschicht (12) umfasst.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem
- die Diamant-Deckschicht (12) einem Aufrauen und/oder einer Ebenheitskorrektur unterzogen wird.
6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die Gegenelektrode (21) so angeordnet wird, dass die elektrochemische Zelle (20) mit einem Teilbereich der Diamant-Deckschicht (12) gebildet wird und ein lokal beschränkter Materialabtrag erfolgt.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem
- die Gegenelektrode (21) parallel zur Diamant-Deckschicht (12) bewegt wird und der Materialab- trag in verschiedenen Teilbereichen der Diamant-Deckschicht (12) mit verschiedenen Reaktionsbedingungen erfolgt.
8. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die Bearbeitung der Wafer-Haltevorrichtung (10) in situ in einer Immersionslithographiema- schine (100) erfolgt.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem
- die Gegenelektrode (21) mit einer zur Wafer-Haltevorrichtung (10) weisenden Belichtungsoptik (110) der Immersionslithographiemaschine (100) verbunden ist.
10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die Elektrolytflüssigkeit (22) Reinstwasser umfasst.
11. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung (200), die zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung (10) für eine Wafer- Lithographie eingerichtet ist, umfassend
- die Wafer-Haltevorrichtung (10), die einen Trägerkörper (11) mit einer elektrisch leitfähigen Diamant-Deckschicht (12) umfasst,
- eine Gegenelektrode (21), die mit einem Abstand von der Wafer-Haltevorrichtung (10) angeordnet ist, der zur Aufnahme einer Elektrolytflüssigkeit (22) gebildet ist, und
- eine Spannungsquelle (23), die zur Beaufschlagung der Diamant-Deckschicht (12) mit einer elektrischen Betriebsspannung relativ zu der Gegenelektrode (21) angeordnet ist, wobei
- durch die Diamant-Deckschicht (12), die Gegenelektrode (21), die Elektrolytflüssigkeit (22) in dem Abstand zwischen der Diamant-Deckschicht (12) und der Gegenelektrode (21), und die Spannungsquelle (23) eine elektrochemische Zelle (20) gebildet wird, die für einen elektrochemischen Materialabtrag an der Wafer-Haltevorrichtung (10) eingerichtet ist. 14
12. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 11, bei der
- die elektrochemische Zelle (20) für eine elektrochemische Zerlegung von Fremdstoffen auf der Oberfläche der Wafer-Haltevorrichtung (10) eingerichtet ist.
13. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 12, bei der
- die elektrochemische Zelle (20) für eine elektrochemische Zerlegung von Diamant an der Oberfläche der Diamant-Deckschicht (12) eingerichtet ist.
14. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, bei der
- die Gegenelektrode (21) sich über einen Teilbereich der Diamant-Deckschicht (12) erstreckt und die elektrochemische Zelle (20) für einen lokal beschränkten Materialabtrag eingerichtet ist.
15. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 14, bei der
- die Gegenelektrode (21) parallel zur Diamant-Deckschicht (12) beweglich angeordnet ist, und
- die elektrochemische Zelle (20) so eingerichtet ist, dass der Materialabtrag in verschiedenen Teilbereichen der Diamant-Deckschicht (12) mit verschiedenen Reaktionsbedingungen erfolgt.
16. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, die ein Teil einer Immersionslithographiemaschine (100) ist.
17. Oberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 16, bei der
- die Gegenelektrode (21) mit einer zur Wafer-Haltevorrichtung (10) weisenden Belichtungsoptik der Immersionslithographiemaschine (100) verbunden ist, und/oder
- die Gegenelektrode (21) eine Diamant-Oberfläche aufweist.
PCT/EP2021/073640 2020-09-10 2021-08-26 Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung einer wafer-haltevorrichtung für eine wafer-lithographie Ceased WO2022053327A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023515822A JP7791177B2 (ja) 2020-09-10 2021-08-26 ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置を機械加工する方法および装置
CN202180054877.7A CN116349004A (zh) 2020-09-10 2021-08-26 用于晶圆光刻的晶圆保持装置的处理方法和装置
US18/025,851 US20260115821A1 (en) 2020-09-10 2021-08-26 Method and Device for Machining a Wafer-Holding Device for a Wafer Lithography Process

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020123660.3 2020-09-10
DE102020123660.3A DE102020123660A1 (de) 2020-09-10 2020-09-10 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022053327A1 true WO2022053327A1 (de) 2022-03-17

Family

ID=77801656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2021/073640 Ceased WO2022053327A1 (de) 2020-09-10 2021-08-26 Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung einer wafer-haltevorrichtung für eine wafer-lithographie

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20260115821A1 (de)
JP (1) JP7791177B2 (de)
CN (1) CN116349004A (de)
DE (1) DE102020123660A1 (de)
WO (1) WO2022053327A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200150549A1 (en) * 2017-06-29 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. A system, a lithographic apparatus, and a method for reducing oxidation or removing oxide on a substrate support
DE102014008031B4 (de) * 2014-05-28 2020-06-25 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung
WO2020135971A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus and a method of manufacturing a substrate holder

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5812362A (en) * 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks
US20040104120A1 (en) * 1998-11-28 2004-06-03 Hui Wang Method and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
JP2004014603A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 吸着用チャック
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1895571A4 (de) * 2005-06-21 2011-04-27 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren, wartungsverfahren und bauelemente-herstellungsverfahren
US7841352B2 (en) * 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
JP5605530B2 (ja) 2008-01-11 2014-10-15 栗田工業株式会社 電解方法
JP2013247304A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Nikon Tec Corp 基板保持装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US9318347B2 (en) * 2014-08-14 2016-04-19 International Business Machines Corporation Wafer backside particle mitigation
JP6774507B2 (ja) 2016-07-06 2020-10-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダ及び基板ホルダを製造する方法
KR102617773B1 (ko) * 2017-06-01 2023-12-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 입자 제거 장치 및 관련 시스템
CN120161685A (zh) 2017-12-13 2025-06-17 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备中的衬底保持器
JP6822534B2 (ja) 2019-09-12 2021-01-27 株式会社ニコン 物体支持装置及び露光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014008031B4 (de) * 2014-05-28 2020-06-25 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung
US20200150549A1 (en) * 2017-06-29 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. A system, a lithographic apparatus, and a method for reducing oxidation or removing oxide on a substrate support
WO2020135971A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus and a method of manufacturing a substrate holder

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. KRAFT: "Doped Diamond: A Compact Review on a New, Versatile Electrode Material", INT. J. ELECTROCHEM. SCI., vol. 2, 2007, pages 355 - 385, XP055006318
B. MARSELLI ET AL.: "Electrogeneration of Hydroxyl Radicals on Boron-Doped Diamond Electrodes", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. 150, March 2003 (2003-03-01), pages 3
O. DEBUS: "Auf die harte Tour - Vollständige Oxidation von Abwasserschadstoffen mit Diamantelektroden ", CHEMIE TECHNIK, no. 6, 2004

Also Published As

Publication number Publication date
CN116349004A (zh) 2023-06-27
DE102020123660A1 (de) 2022-03-10
US20260115821A1 (en) 2026-04-30
TW202215163A (zh) 2022-04-16
JP2023541596A (ja) 2023-10-03
JP7791177B2 (ja) 2025-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69607231T2 (de) Verfahren zur Verwendung eines Rasterkraftmikroskops das die Reinigung des Mikroskops oder des Taststifts in der Umgebungsluft erlaubt
DE69123216T2 (de) Verfahren und Gerät zum Schreiben oder Gravieren von feinen Linienmustern auf isolierenden Materialien
DE2647242A1 (de) Elektrolithographische vorrichtung
DE112006000129T5 (de) Verfahren zum Reparieren einer alternierenden Phasenverschiebungsmaske
WO2018099805A1 (de) Verfahren und vorrichtungen zum verlängern einer zeitspanne bis zum wechseln einer messspitze eines rastersondenmikroskops
DE102014216240A1 (de) Reflektives optisches Element
DE102018200118B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur ldentifikation von Verunreinigungen
WO2005026837A2 (de) Stempellithografieverfahren sowie vorrichtung und stempel für die stempellithografie
DE102016114521B4 (de) Lithografische Substratmarkierungseinrichtung, lithografische Wafermarkierungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen von Substratcodierungsmarken
DE69938491T2 (de) Plasmaerzeuger mit substratelektrode und verfahren zur behandlung von stoffen/ materialen
DE2620998A1 (de) Verfahren zur herstellung von traegern fuer die verarbeitung von ic-chips
DE102020123660A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie
DE69016823T2 (de) Vorrichtung zum Aufbringen eines Leiterbahnmusters unter Verwendung eines Rastertunnelmikroskops.
DE19945847A1 (de) Druckform und Verfahren zum Ändern ihrer Benetzungseigenschaften
EP4275096A1 (de) Verfahren zum reinigen einer oberfläche eines bauteils für ein euv-lithographiesystem
DE102018203674A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102006007431A1 (de) Durch Halbleitersilizium-Verfahrenstechnik gebildeter Probenträger
DE19529170B4 (de) Verfahren zum Bilden einer Fotolithographiemaske
DE102014205660B4 (de) Prüfkörper zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops
DE102007049556A1 (de) Verfahren zum Korrigieren eines Defektes einer Fotomaske
DE102022209792A1 (de) Verfahren zur reinigung von oberflächen optischer anordnungen mit adhäsionsfolie
DE19510852C2 (de) Verfahren zum Behandeln von Oberflächen flacher Siliziumkörper
DE102019200642A1 (de) Verfahren zur herstellung von euv - masken
WO2004107055A2 (de) Elektrodenanordnung und deren verwendung
TWI924698B (zh) 對用於晶圓微影的晶圓保持裝置進行處理的方法及設備

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21772687

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2023515822

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21772687

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1