WO2022034869A1

WO2022034869A1 - 高周波モジュールおよび通信装置

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Publication number: WO2022034869A1
Application number: PCT/JP2021/029447
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Inventors: 宏通北嶋; 孝紀上嶋; 塁田中
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Priority date: 2020-08-13
Filing date: 2021-08-06
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Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、モジュール基板（９１）の主面（９１ａ）に配置された第１インダクタおよび第２インダクタと、樹脂部材（９２）と、樹脂部材（９２）の表面を覆う金属シールド層（９５）と、主面（９１ａ）上であって第１インダクタと第２インダクタとの間に配置された金属シールド板（７０）と、を備え、金属シールド板（７０）は、主面（９１ａ）のグランド電極および金属シールド層（９５）に接しており、第１インダクタは、送信経路（ＡＴ）、受信経路（ＡＲ）および送受信経路（ＣＴＲ）のいずれかに配置されており、第２インダクタは、送信経路（ＡＴ）、受信経路（ＡＲ）および送受信経路（ＣＴＲ）のうちの第１インダクタが配置された経路を除く経路のいずれかに配置されている。

Description

高周波モジュールおよび通信装置

　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。

　特許文献１には、複数の送信機（送信経路）および複数の受信機（受信経路）と、当該複数の送信機および複数の受信機とアンテナとの間に配置されたスイッチプレクサ（アンテナスイッチ）と、を備えたトランシーバ（送受信回路）の回路構成が開示されている。上記複数の送信機のそれぞれは、送信回路、ＰＡ（送信電力増幅器）、および出力回路を有し、上記複数の受信機のそれぞれは、受信回路、ＬＮＡ（受信低雑音増幅器）、および入力回路を有している。出力回路は、送信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含み、入力回路は、受信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含む。上記構成によれば、スイッチプレクサの切り替え動作により、同時送信、同時受信、または同時送受信を実行できる。

特表２０１４－５２２２１６号公報

　しかしながら、特許文献１に開示されたトランシーバ（送受信回路）を、移動体通信機器に搭載される高周波モジュールで構成する場合、送信経路、受信経路、およびアンテナスイッチを含む送受信経路のそれぞれに配置されたインダクタの少なくとも２つが電磁界結合することが想定される。この場合、ＰＡ（送信電力増幅器）で増幅された高出力の送信信号の高調波成分が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、上記電磁界結合により送受信間のアイソレーションが低下し、上記高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。

　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、主面を有するモジュール基板と、主面に配置された第１インダクタおよび第２インダクタと、主面、第１インダクタおよび第２インダクタの少なくとも一部を覆う樹脂部材と、樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、主面上であって、モジュール基板を平面視した場合に第１インダクタと第２インダクタとの間に配置された第１金属シールド板と、を備え、第１金属シールド板は、主面のグランド電極および金属シールド層に接しており、第１インダクタは、送信信号を伝送する送信経路、受信信号を伝送する受信経路、および、送信信号および受信信号を伝送する送受信経路のいずれかに配置されており、第２インダクタは、送信経路、受信経路および送受信経路のうちの第１インダクタが配置された経路を除く経路のいずれかに配置されている。

　本発明によれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。図２は、実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。図３Ａは、金属シールド板の第１例を示す外観斜視図である。図３Ｂは、金属シールド板の第２例を示す外観斜視図である。図３Ｃは、金属シールド板の第３例を示す外観斜視図である。図３Ｄは、金属シールド板の第４例を示す外観斜視図である。図３Ｅは、金属シールド板の第５例を示す外観斜視図である。図３Ｆは、金属シールド板の第６例を示す外観斜視図である。図４Ａは、２つのインダクタおよび金属シールド板の配置関係の第１例を示す図である。図４Ｂは、２つのインダクタおよび金属シールド板の配置関係の第２例を示す図である。図４Ｃは、２つのインダクタおよび金属シールド板の配置関係の第３例を示す図である。図５は、２つのインダクタおよび金属シールド板の配置関係の第４例を示す図である。図６は、実施の形態１の変形例１に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。図７Ａは、実施の形態１の変形例２に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。図７Ｂは、実施の形態１の変形例３に係る高周波モジュールの平面図である。図８は、実施の形態１の変形例４に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。図９は、実施の形態１の変形例５に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。図１０は、実施の形態２に係る高周波モジュールの平面図である。図１１は、実施の形態２の変形例に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。

　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、包括的または具体的な例を示すものである。また、以下の実施の形態、実施例および変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。

　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　また、本開示の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路部品を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。

　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。「ＡがＢおよびＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。また、「平行」および「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、および、「矩形」などの要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送受信経路」とは、高周波送信信号および高周波受信信号の双方を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　（実施の形態１）
　［１．１　高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

　また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ４０、４１および４２の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ４０～４２の接続を切り替える。具体的には、ＲＦＩＣ３は、スイッチ４０～４２を制御するためのディジタル制御信号をＰＡ制御回路１５に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路１５は、ＲＦＩＣ３から入力されたディジタル制御信号によって、スイッチ４０～４２にディジタル制御信号を出力することで、スイッチ４０～４２の接続および非接続を制御する。

　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器１０の利得、電力増幅器１０に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ディジタル制御信号を高周波モジュール１の制御信号端子１３０に出力する。ＰＡ制御回路１５は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号によって、電力増幅器１０に制御信号、電源電圧Ｖｃｃまたはバイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力することで、電力増幅器１０の利得を調整する。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。

　図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１０と、低雑音増幅器２０と、ＰＡ制御回路１５と、送信フィルタ３１および３３と、受信フィルタ３２および３４と、整合回路５０、５１、５２、５３、および５４と、スイッチ４０、４１および４２と、アンテナ接続端子１００と、送信入力端子１１０と、受信出力端子１２０と、制御信号端子１３０と、を備える。

　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。送信入力端子１１０は、送信信号を高周波モジュール１の外部（ＲＦＩＣ３）から受けるための端子である。受信出力端子１２０は、受信信号を高周波モジュール１の外部（ＲＦＩＣ３）に供給するための端子である。

　電力増幅器１０は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの送信信号を増幅する送信増幅器である。電力増幅器１０の入力端子は送信入力端子１１０に接続され、電力増幅器１０の出力端子は、スイッチ４１を介して整合回路５１および５３に接続される。

　低雑音増幅器２０は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの受信信号を低雑音で増幅する受信増幅器である。低雑音増幅器２０の入力端子は、スイッチ４２を介して整合回路５２および５４に接続され、低雑音増幅器２０の出力端子は、受信出力端子１２０に接続される。

　ＰＡ制御回路１５は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号ＭＩＰＩなどによって、電力増幅器１０の利得を調整する。なお、ＰＡ制御回路１５は、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）で形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

　送信フィルタ３１は、電力増幅器１０とスイッチ４０とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、電力増幅器１０で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ３３は、電力増幅器１０とスイッチ４０とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、電力増幅器１０で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。

　受信フィルタ３２は、低雑音増幅器２０とスイッチ４０とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ３４は、低雑音増幅器２０とスイッチ４０とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。

　なお、上記の送信フィルタ３１および３３、受信フィルタ３２および３４は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。

　送信フィルタ３１および受信フィルタ３２は、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ３０を構成している。また、送信フィルタ３３および受信フィルタ３４は、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ３５を構成している。

　なお、デュプレクサ３０および３５のそれぞれは、時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送する１つのフィルタであってもよい。この場合には、上記１つのフィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。

　整合回路５０は、アンテナ接続端子１００とスイッチ４０とを結ぶ送受信経路ＣＴＲに配置され、アンテナ２と、スイッチ４０、デュプレクサ３０および３５とのインピーダンス整合をとる。整合回路５０は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５０は、送受信経路ＣＴＲに直列配置されていてもよいし、送受信経路ＣＴＲとグランドとの間に接続されていてもよい。

　整合回路５１は、電力増幅器１０と送信フィルタ３１とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、電力増幅器１０と送信フィルタ３１とのインピーダンス整合をとる。整合回路５１は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５１は、送信経路ＡＴに直列配置されていてもよいし、送信経路ＡＴとグランドとの間に接続されていてもよい。

　整合回路５３は、電力増幅器１０と送信フィルタ３３とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、電力増幅器１０と送信フィルタ３３とのインピーダンス整合をとる。整合回路５３は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５３は、送信経路ＢＴに直列配置されていてもよいし、送信経路ＢＴとグランドとの間に接続されていてもよい。

　整合回路５２は、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２とのインピーダンス整合をとる。整合回路５２は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５２は、受信経路ＡＲに直列配置されていてもよいし、受信経路ＡＲとグランドとの間に接続されていてもよい。

　整合回路５４は、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３４とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３４とのインピーダンス整合をとる。整合回路５４は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５４は、受信経路ＢＲに直列配置されていてもよいし、受信経路ＢＲとグランドとの間に接続されていてもよい。

　なお、整合回路５１および５３に代わって、または、整合回路５１および５３に加えて、電力増幅器１０とスイッチ４１との間の送信経路に整合回路が配置されていてもよい。

　スイッチ４０は、共通端子４０ａ、選択端子４０ｂおよび４０ｃを有し、共通端子４０ａが整合回路５０を介してアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子４０ｂがデュプレクサ３０に接続され、選択端子４０ｃがデュプレクサ３５に接続されている。つまり、スイッチ４０は、アンテナ接続端子１００とデュプレクサ３０および３５との間に配置されたアンテナスイッチであり、（１）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ３０との接続および非接続を切り替え、（２）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ３５との接続および非接続を切り替える。なお、スイッチ４０は、上記（１）および（２）の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　なお、整合回路５２および５４に代わって、または、整合回路５２および５４に加えて、低雑音増幅器２０とスイッチ４２との間の受信経路に整合回路が配置されていてもよい。

　また、整合回路５０に代わって、または、整合回路５０に加えて、スイッチ４０とデュプレクサ３０とを結ぶ送受信経路およびスイッチ４０とデュプレクサ３５とを結ぶ送受信経路に、整合回路が配置されていてもよい。

　スイッチ４１は、共通端子４１ａ、選択端子４１ｂおよび４１ｃを有し、電力増幅器１０と送信フィルタ３１および３３とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１０と送信フィルタ３１との接続、および、電力増幅器１０と送信フィルタ３３との接続、を切り替える。スイッチ４１は、例えば、共通端子４１ａが電力増幅器１０の出力端子に接続され、選択端子４１ｂが整合回路５１を介して送信フィルタ３１に接続され、選択端子４１ｃが整合回路５３を介して送信フィルタ３３に接続された、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。

　スイッチ４２は、共通端子４２ａ、選択端子４２ｂおよび４２ｃを有し、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２および３４とを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２との接続、および、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３４との接続、を切り替える。スイッチ４２は、例えば、共通端子４２ａが低雑音増幅器２０の入力端子に接続され、選択端子４２ｂが整合回路５２を介して受信フィルタ３２に接続され、選択端子４２ｃが整合回路５４を介して受信フィルタ３４に接続された、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

　なお、送信経路ＡＴは、通信バンドＡの送信信号を伝送し、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、送信経路ＢＴは、通信バンドＢの送信信号を伝送し、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、受信経路ＡＲは、通信バンドＡの受信信号を伝送し、受信出力端子１２０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、受信経路ＢＲは、通信バンドＢの受信信号を伝送し、受信出力端子１２０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、送受信経路ＣＴＲは、通信バンドＡの送信信号および受信信号、ならびに、通信バンドＢの送信信号および受信信号を伝送し、アンテナ接続端子１００とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。

　上記回路構成を有する高周波モジュール１において、電力増幅器１０、スイッチ４１、整合回路５１、および送信フィルタ３１は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器１０、スイッチ４１、整合回路５３、および送信フィルタ３３は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を出力する第２送信回路を構成する。

　また、低雑音増幅器２０、スイッチ４２、整合回路５２、および受信フィルタ３２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２０、スイッチ４２、整合回路５４、および受信フィルタ３４は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を入力する第２受信回路を構成する。

　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、（１）通信バンドＡの高周波信号の送受信、（２）通信バンドＢの高周波信号の送受信、および（３）通信バンドＡの高周波信号と通信バンドＢの高周波信号との同時送信、同時受信、または同時送受信、の少なくともいずれかを実行することが可能である。

　なお、本発明に係る高周波モジュールでは、送信回路および受信回路がスイッチ４０を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記送信回路および上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールの回路構成として、送信経路、受信経路、および送受信経路のうちの少なくとも２つの経路と、当該２つの経路に配置された各整合回路を有していればよい。また、第１送信回路および第２送信回路のうちのいずれかを有していればよい。また、第１受信回路および第２受信回路のうちのいずれかを有していればよい。

　ここで、上記回路構成を有する高周波モジュール１において、送信経路、受信経路、および送受信経路のそれぞれに配置された整合回路の少なくとも２つが電磁界結合すると、電力増幅器で増幅された高出力の送信信号の高調波成分が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、上記電磁界結合により送受信間のアイソレーションが低下し、上記高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。

　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、上記電磁界結合を抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記電磁界結合を抑制する構成について説明する。

　［１．２　実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａの回路部品配置構成］
　図２は、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａの平面図および断面図である。図２の（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図２の（ｂ）には、図２の（ａ）のＩＩ－ＩＩ線における断面図が示されている。高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図２に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。

　モジュール基板９１は、主面９１ａ上に、第１および第２送信回路、ならびに第１および第２受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板９１上に、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１０、受信出力端子１２０および制御信号端子１３０が形成されていてもよい。

　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、第１および第２送信回路、ならびに第１および第２受信回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびにモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。

　外部接続端子１５０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のうちのグランド端子１５０ｇは、外部基板のグランド電位に設定される。なお、外部接続端子１５０は、図２に示すように、主面９１ｂに形成された平面電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。

　金属シールド層９５は、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定されている。金属シールド層９５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。

　金属シールド板７０は、第１金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板７０は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。つまり、金属シールド板７０は、その上方および下方の少なくとも２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板７０は、主面９１ａのグランド電極、および、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の天面に接するシールド面と接していてもよく、また、主面９１ａのグランド電極、および、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の側面に接するシールド面と接していてもよい。金属シールド板７０の詳細な構造については図３Ａ～図３Ｆを用いて後述する。

　また、金属シールド板７０は、主面９１ａを、領域Ｐと領域Ｑとに区画している。図２の（ａ）に示すように、電力増幅器１０、ＰＡ制御回路１５、整合回路５１、５３、およびスイッチ４１は、主面９１ａの領域Ｐに配置されている。また、低雑音増幅器２０、デュプレクサ３０および３５、整合回路５０、５２および５４、ならびにスイッチ４０および４２は、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。

　なお、図２には図示していないが、図１に示された送信経路ＡＴおよびＢＴ、受信経路ＡＲおよびＢＲ、並びに送受信経路ＣＴＲを構成する配線は、モジュール基板９１の内部、主面９１ａおよび９１ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面９１ａ、９１ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。

　本実施の形態では、整合回路５０は、アンテナ接続端子１００とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ送受信経路ＣＴＲに配置され、第１インダクタを含む。一方、整合回路５１は、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、第２インダクタを含む。

　ここで、図２に示すように、金属シールド板７０は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に整合回路５０の第１インダクタと整合回路５１の第２インダクタとの間に配置されている。

　これによれば、送信経路ＡＴに配置された第２インダクタと送受信経路ＣＴＲに配置された第１インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７０を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１０で増幅され、高調波成分が重畳された高出力の送信信号が送信フィルタ３１を経由せずにアンテナ接続端子１００から出力されることで送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、上記電磁界結合により上記高調波または送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを抑制できる。

　なお、金属シールド板７０により分離配置される第１インダクタおよび第２インダクタの組み合わせは、送受信経路に配置されたインダクタおよび送信経路に配置されたインダクタの組み合わせに限られない。

　第１インダクタおよび第２インダクタの組み合わせとしては、送受信経路に配置されたインダクタおよび受信経路に配置されたインダクタの組み合わせであってもよい。これによれば、電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号およびその高調波成分が受信フィルタ３２または３４を経由せずに受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを抑制できる。

　また、第１インダクタおよび第２インダクタの組み合わせとしては、送信経路に配置されたインダクタおよび受信経路に配置されたインダクタの組み合わせであってもよい。これによれば、電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号およびその高調波成分が送信フィルタ３１または３３、および、受信フィルタ３２または３４を経由せずに受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを抑制できる。

　つまり、第１インダクタは、送信経路、受信経路および送受信経路のいずれかに配置されており、第２インダクタは、送信経路、受信経路および送受信経路のうちの第１インダクタが配置された経路を除く経路のいずれかに配置されていればよい。

　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信経路ＡＴおよびＢＴに配置された回路部品（電力増幅器１０、ＰＡ制御回路１５、整合回路５１、５３、およびスイッチ４１）は、主面９１ａの領域Ｐに配置されており、受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された回路部品（低雑音増幅器２０、整合回路５２および５４、ならびにスイッチ４２）は、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。つまり、送信経路に配置された回路部品と受信経路に配置された回路部品とが、金属シールド板７０で分離配置されている。これによれば、送受信間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａにおいて、低雑音増幅器２０およびスイッチ４２は、１つの半導体ＩＣ６０に含まれていてもよい。これにより、高周波モジュール１Ａを低背化でき、また主面９１ａの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ａを小型化できる。さらに、半導体ＩＣ６０は、スイッチ４０および４１の少なくとも１つを含んでもよい。

　［１．３　金属シールド板の構造］
　次に、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａが有する金属シールド板７０の構造について説明する。

　図３Ａは、金属シールド板７０Ａの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ａは、実施の形態に係る金属シールド板７０の一例である。金属シールド板７０Ａは、主面９１ａ（図示せず）から樹脂部材９２（図示せず）の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設されている。金属シールド板７０Ａと主面９１ａとの間には、金属シールド板７０Ａの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。

　また、金属シールド板７０Ａは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された本体部７１と、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部７３と、を有している。

　金属シールド板７０Ａの構造によれば、本体部７１と主面９１ａとの間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ａの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ａの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　図３Ｂは、金属シールド板７０Ｂの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｂは、実施の形態に係る金属シールド板７０の一例である。金属シールド板７０Ｂは、主面９１ａ（図示せず）から樹脂部材９２（図示せず）の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設されている。金属シールド板７０Ｂと樹脂部材９２の天面との間には、金属シールド板７０Ｂの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。

　また、金属シールド板７０Ｂは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された本体部７１と、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部７３と、を有している。

　金属シールド板７０Ｂの構造によれば、本体部７１と上記天面との間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｂの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｂの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。さらに、主面９１ａと接する領域（本体部７１の下方領域）には、穴７２が形成されていないので、金属シールド板７０Ｂを介して主面９１ａ上に配置された回路部品間のアイソレーションが向上する。

　図３Ｃは、金属シールド板７０Ｃの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｃは、実施の形態に係る金属シールド板７０の一例である。金属シールド板７０Ｃは、主面９１ａ（図示せず）から樹脂部材９２（図示せず）の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設されている。主面９１ａと樹脂部材９２の天面との間には、金属シールド板７０Ｃの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。

　また、金属シールド板７０Ｃは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された本体部７１と、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部７３と、を有している。金属シールド板７０Ｃでは、複数の本体部７１が穴７２を介して離散的に配置されており、また、複数の接合部７３が穴７２を介して離散的に配置されている。

　金属シールド板７０Ｃの構造によれば、主面９１ａと上記天面との間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｃの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｃの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　図３Ｄは、金属シールド板７０Ｄの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｄは、実施の形態に係る金属シールド板７０の一例である。金属シールド板７０Ｄは、主面９１ａ（図示せず）から樹脂部材９２（図示せず）の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設されている。金属シールド板７０Ｄと主面９１ａとの間には、金属シールド板７０Ｄの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。

　また、金属シールド板７０Ｄは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された平板状の本体部７１と、本体部７１の主面９１ａと平行な方向に位置する端部に配置され、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された平板状の本体端部７７と、を有している。ここで、本体部７１と本体端部７７とは、非平行である。

　金属シールド板７０Ｄの構造によれば、本体部７１と主面９１ａとの間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｄの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｄの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。また、本体部７１と本体端部７７とが非平行であるため、金属シールド板７０Ｄの主面９１ａ上における自立性を確保できる。また、金属シールド板７０Ａ～７０Ｃが有する接合部７３が無いので、金属シールド板７０Ｄの配置スペースを低減できる。

　図３Ｅは、金属シールド板７０Ｅの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｅは、実施の形態に係る金属シールド板７０の一例である。金属シールド板７０Ｅは、主面９１ａ（図示せず）から樹脂部材９２（図示せず）の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設されている。金属シールド板７０Ｅと樹脂部材９２の天面との間には、金属シールド板７０Ｅの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。

　また、金属シールド板７０Ｅは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された平板状の本体部７１と、本体部７１の主面９１ａと平行な方向に位置する端部に配置され、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された平板状の本体端部７７と、を有している。ここで、本体部７１と本体端部７７とは、非平行である。

　金属シールド板７０Ｅの構造によれば、本体部７１と主面９１ａとの間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｅの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｅの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。さらに、主面９１ａと接する領域（本体部７１の下方領域）には、穴７２が形成されていないので、金属シールド板７０Ｅを介して主面９１ａ上に配置された回路部品間のアイソレーションが向上する。また、本体部７１と本体端部７７とが非平行であるため、金属シールド板７０Ｅの主面９１ａ上における自立性を確保できる。また、金属シールド板７０Ａ～７０Ｃが有する接合部７３が無いので、金属シールド板７０Ｅの配置スペースを低減できる。

　図３Ｆは、金属シールド板７０Ｆの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｆは、実施の形態に係る金属シールド板７０の一例である。金属シールド板７０Ｆは、主面９１ａ（図示せず）から樹脂部材９２（図示せず）の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設されている。主面９１ａと樹脂部材９２の天面との間には、金属シールド板７０Ｆの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。

　また、金属シールド板７０Ｆは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された平板状の本体部７１と、本体部７１の主面９１ａと平行な方向に位置する端部に配置され、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された平板状の本体端部７７と、を有している。ここで、本体部７１と本体端部７７とは、非平行である。

　金属シールド板７０Ｆの構造によれば、主面９１ａと上記天面との間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｆの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｆの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。また、本体部７１と本体端部７７とが非平行であるため、金属シールド板７０Ｆの主面９１ａ上における自立性を確保できる。また、金属シールド板７０Ａ～７０Ｃが有する接合部７３が無いので、金属シールド板７０Ｆの配置スペースを低減できる。

　なお、金属シールド板７０の構造例は、上記の金属シールド板７０Ａ～７０Ｆに限られるものではない。例えば、穴７２は、主面９１ａから上記天面に向けて複数配置されていてもよい。また、接合部７３が延設される方向は、図３Ａ～図３Ｃに示されるようなｘ軸負方向に限られず、ｘ軸正方向であってもよく、さらには、金属シールド板７０は、ｘ軸負方向に延設される接合部７３およびｘ軸正方向に延設される接合部７３の双方を有していてもよい。また、本体端部７７が延設される方向は、図３Ｄ～図３Ｆに示されるようなｘ軸負方向に限られず、ｘ軸正方向であってもよく、さらには、金属シールド板７０は、ｘ軸負方向に延設される本体端部７７およびｘ軸正方向に延設される本体端部７７の双方を有していてもよい。

　［１．４　金属シールド板と第１インダクタおよび第２インダクタとの配置構成］
　次に、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａが有する金属シールド板７０と整合回路のインダクタとの配置関係について説明する。

　図４Ａは、２つのインダクタおよび金属シールド板７０の配置関係の第１例を示す図である。同図には、整合回路５０の第１インダクタおよび整合回路５１の第２インダクタと、金属シールド板７０との配置関係が示されている。同図に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとが対面する領域Ｓには、隣り合う穴７２で挟まれた金属シールド板７０の本体部７１が配置されている。

　これによれば、第１インダクタおよび第２インダクタにより形成される電磁界のうち高強度の電磁界を本体部７１で遮断できる。よって、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を効果的に抑制できる。

　図４Ｂは、２つのインダクタおよび金属シールド板７０Ａの配置関係の第２例を示す図である。同図には、整合回路５０の第１インダクタおよび整合回路５１の第２インダクタと、金属シールド板７０Ａとの配置関係が示されている。同図に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとが対面する領域Ｓには、穴７２が配置されている。なお、図示されていないが、領域Ｓにおける、穴７２の上方（ｚ軸正方向）には、本体部７１が配置されている。

　これによれば、第１インダクタおよび第２インダクタの電磁界結合により形成される電磁界ループは、金属シールド板７０Ａ内に形成されるが、当該電磁界ループは、領域Ｓを囲み、穴７２の周囲に配置された本体部７１に形成される。このため、上記電磁界ループの磁束密度は、領域Ｓに穴７２が配置されず本体部７１のみが配置された場合に形成される電磁界ループの磁束密度よりも低くなる。よって、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を効果的に抑制できる。

　なお、図４Ｂには図示していないが、第１インダクタと第２インダクタとの間に、金属シールド板７０Ｂが配置されている場合にも、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとが対面する領域Ｓには、穴７２が配置されていてもよい。なお、この場合には、領域Ｓにおける、穴７２の下方（ｚ軸負方向）に、本体部７１が配置されている。

　これによれば、第１インダクタおよび第２インダクタの電磁界結合により形成される電磁界ループは、金属シールド板７０Ｂ内に形成されるが、当該電磁界ループは、領域Ｓを囲み、穴７２の周囲に配置された本体部７１に形成される。このため、上記電磁界ループの磁束密度は、領域Ｓに穴７２が配置されず本体部７１のみが配置された場合に形成される電磁界ループの磁束密度よりも低くなる。よって、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を効果的に抑制できる。

　図４Ｃは、２つのインダクタおよび金属シールド板７０Ｃの配置関係の第３例を示す図である。同図には、整合回路５０の第１インダクタおよび整合回路５１の第２インダクタと、金属シールド板７０Ｃとの配置関係が示されている。同図に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとが対面する領域Ｓには、穴７２が配置されている。また、領域Ｓには、穴７２を挟んで本体部７１が配置されている。

　これによれば、第１インダクタおよび第２インダクタの電磁界結合により形成される電磁界ループは、金属シールド板７０Ｃ内に形成されるが、当該電磁界ループは、領域Ｓを囲み、穴７２の周囲に配置された本体部７１に形成される。このため、上記電磁界ループの磁束密度は、領域Ｓに穴７２が配置されず本体部７１のみが配置された場合に形成される電磁界ループの磁束密度よりも低くなる。よって、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を効果的に抑制できる。

　図５は、２つのインダクタおよび金属シールド板７０の配置関係の第４例を示す図である。同図には、整合回路５１の第２インダクタおよび整合回路５３の第３インダクタと、金属シールド板７０との配置関係が示されている。同図に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、第２インダクタおよび第３インダクタのそれぞれは、金属シールド板７０の隣り合う２つの接合部７３の間に配置されている。

　これによれば、第２インダクタおよび第３インダクタを、金属シールド板７０の本体部７１により接近させて配置できる。よって、第２インダクタおよび第３インダクタに対する金属シールド板７０の電磁界遮蔽機能を強化できる。

　なお、図４Ａ～図４Ｃ、図５に示された第１インダクタは、送信経路、受信経路および送受信経路のいずれかに配置されており、第２インダクタは、送信経路、受信経路および送受信経路のうちの第１インダクタが配置された経路を除く経路のいずれかに配置されていればよい。

　図６は、実施の形態１の変形例１に係る高周波モジュール１Ｂの平面図および断面図である。図６の（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図６の（ｂ）には、図６の（ａ）のＶＩ－ＶＩ線における断面図が示されている。本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図６に示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、整合回路５３およびデュプレクサ３０の配置が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　整合回路５３の第３インダクタは、側面に電極を有する第３部品の一例である。

　デュプレクサ３０は、底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さない第４部品の一例である。

　整合回路５３の第３インダクタは、主面９１ａの領域Ｐに配置されており、デュプレクサ３０は、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。

　ここで、図６に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５３の第３インダクタと金属シールド板７０との間には導電部材は配置されておらず、デュプレクサ３０と金属シールド板７０との間には導電部材は配置されていない。このとき、整合回路５３の第３インダクタと金属シールド板７０との距離Ｄ１は、デュプレクサ３０と金属シールド板７０との距離Ｄ２よりも大きい。

　これによれば、側面電極のある第３インダクタは半田が側面に付着しているため、当該側面と金属シールド板７０の本体部７１とは、半田を介して接触し易い。これに対して、側面電極のないデュプレクサ３０は側面に半田が付着していないため、当該側面と金属シールド板７０の本体部７１とは、接近しても半田を介して接触することはない。これに対して、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、第３インダクタと金属シールド板７０との距離Ｄ１を、デュプレクサ３０と金属シールド板７０との距離Ｄ２よりも大きくしているため、第３インダクタと本体部７１とが半田を介して接触することを抑制できる。

　なお、側面に電極を有する第３部品は、整合回路５３の第３インダクタに限定されない。また、底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さない第４部品は、デュプレクサ３０に限定されない。

　図７Ａは、実施の形態１の変形例２に係る高周波モジュール１Ｃの平面図および断面図である。図７Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図７Ａの（ｂ）には、図７Ａの（ａ）のＶＩＩ－ＶＩＩ線における断面図が示されている。本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図７Ａに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０Ａと、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属シールド板７０Ａの配置が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　金属シールド板７０Ａは、第１金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板７０Ａは、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。つまり、金属シールド板７０Ａは、その上方および下方の少なくとも２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。

　また、金属シールド板７０Ａは、主面９１ａを、領域Ｐと領域Ｑとに区画している。図７Ａの（ａ）に示すように、電力増幅器１０、ＰＡ制御回路１５、整合回路５１、５３、およびスイッチ４１は、主面９１ａの領域Ｐに配置されている。また、低雑音増幅器２０、デュプレクサ３０および３５、整合回路５０、５２および５４、ならびにスイッチ４０および４２は、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。

　金属シールド板７０Ａは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された本体部７１と、主面９１ａ上であってｘ軸負方向（領域Ｐ側）に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部７３と、を有している。

　整合回路５３の第３インダクタは、側面に電極を有する第１部品の一例である。

　デュプレクサ３０は、底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さない第２部品の一例である。

　ここで、図７Ａに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５３の第３インダクタと金属シールド板７０との間には導電部材は配置されておらず、デュプレクサ３０と金属シールド板７０との間には導電部材は配置されていない。このとき、接合部７３は、第３インダクタと本体部７１との間に配置され、デュプレクサ３０と本体部７１との間に配置されていない。

　これによれば、金属シールド板７０Ａは、接合部７３がｘ軸負方向側（領域Ｐ側）へ延設されているため、金属シールド板７０Ａを主面９１ａ上に立設する工程において、本体部７１は、接合部７３のある領域Ｐ側へは倒れないが、接合部７３のない領域Ｑ側へは倒れ易くなる。これに対して、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、本体部７１が倒れにくい領域Ｐ側には、側面電極のある第３インダクタが配置され、本体部７１が倒れ易い領域Ｑ側には、側面電極のないデュプレクサが配置されている。よって、本体部７１が傾いてデュプレクサ３０と接触しても、半田を介して接触することを抑制できる。

　なお、図７Ａに示された高周波モジュール１Ｃにおいて、金属シールド板７０Ａに代わって、金属シールド板７０Ｄ、７０Ｅおよび７０Ｆのいずれかが配置されてもよい。すなわち、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５３の第３インダクタと金属シールド板７０Ｄとの間には導電部材は配置されておらず、デュプレクサ３０と金属シールド板７０Ｄとの間には導電部材は配置されていない。このとき、本体端部７７は、第３インダクタと本体部７１との間に配置され、デュプレクサ３０と本体部７１との間に配置されていない。これによっても、本体部７１が傾いてデュプレクサ３０と接触しても、半田を介して接触することを抑制できる。

　図７Ｂは、実施の形態１の変形例３に係る高周波モジュール１Ｈの平面図である。図７Ｂには、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。本変形例に係る高周波モジュール１Ｈは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図７Ｂに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｈは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０Ａと、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。本変形例に係る高周波モジュール１Ｈは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、金属シールド板７０Ａの構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｈについて、変形例２に係る高周波モジュール１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　金属シールド板７０Ａは、主面９１ａを、領域Ｐと領域Ｑとに区画している。図７Ｂに示すように、電力増幅器１０、ＰＡ制御回路１５、整合回路５１、５３、およびスイッチ４１は、主面９１ａの領域Ｐに配置されている。また、低雑音増幅器２０、デュプレクサ３０および３５、整合回路５０、５２および５４、ならびにスイッチ４０および４２は、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。

　ここで、整合回路５１と本体部７１との間の領域、整合回路５３と本体部７１との間の領域、およびスイッチ４１と本体部７１との間の領域には、接合部７３が配置されておらず、これらの領域以外の領域には接合部７３が配置されている。

　これによれば、整合回路５１および５３、ならびにスイッチ４１を、本体部７１により近付けて配置できる。よって、整合回路５１および５３、ならびにスイッチ４１に対する金属シールド板７０Ａの電磁界遮蔽機能を強化できる。

　なお、図７Ｂでは、接合部７３は２箇所に配置されているが、１箇所以上配置されていればよい。

　図８は、実施の形態１の変形例４に係る高周波モジュール１Ｄの平面図および断面図である。図８の（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図８の（ｂ）には、図８の（ａ）のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線における断面図が示されている。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図８に示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、デュプレクサ３０の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　デュプレクサ３０は、主面９１ａに配置されている。デュプレクサ３０の底面電極は主面９１ａの電極と接続され、デュプレクサ３０の天面は、金属シールド層９５に接している。

　これによれば、製造工程において、樹脂部材９２が形成された時点で、樹脂部材９２の天面を、例えば化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により研磨でき、デュプレクサ３０の天面を樹脂部材９２から露出させることができる。その後、デュプレクサ３０の天面に直接金属シールド層９５を形成することができる。よって、高周波モジュール１Ｄを低背化することができるとともに、デュプレクサ３０のグランドおよび放熱性を強化できる。

　なお、デュプレクサ３０を構成する送信フィルタ３１および３２の少なくとも一方は、弾性波フィルタであってもよい。これによれば、弾性波フィルタの放熱性が強化されるので、弾性波フィルタの温度変化による周波数ドリフトを低減することができる。

　また、デュプレクサ３０は、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５３と整合回路５２との間に配置されている。つまり、デュプレクサ３０は、第１インダクタと第２インダクタとの間に配置されていてもよい。

　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７０だけでなく、天面がグランド電位に設定されたデュプレクサ３０を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合をより一層抑制できる。

　なお、天面が金属シールド層９５に接している回路部品は、デュプレクサ３０に限定されない。

　図９は、実施の形態１の変形例５に係る高周波モジュール１Ｅの平面図および断面図である。図９の（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の金属シールド板７０、整合回路５１、およびグランド電極９１ｇの配置図が示されている。また、図９の（ｂ）には、図９の（ａ）のＩＸ－ＩＸ線における断面図が示されている。本変形例に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。本変形例に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属シールド板７０、整合回路５１、およびグランド電極９１ｇの配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｅについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　金属シールド板７０は、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて（ｚ軸方向に）立設された本体部７１（図示せず）と、主面９１ａ上であってｘ軸正方向（領域Ｑ側）に延設された接合部７３と、を有している。

　整合回路５１が有するインダクタは、高周波信号を入出力させるための信号電極５１ｈおよびグランド電極５１ｇを有する第５部品の一例である。ここで、整合回路５１のインダクタのグランド電極５１ｇと金属シールド板７０との距離は、整合回路５１のインダクタの信号電極５１ｈと金属シールド板７０との距離よりも小さい。

　これによれば、整合回路５１のインダクタにおいて、グランド電極５１ｇのほうが信号電極５１ｈよりも金属シールド板７０に近く配置されているため、製造工程において信号電極５１ｈのほうがグランド電極５１ｇよりも金属シールド板７０に接触しにくい。仮に、グランド電極５１ｇと金属シールド板７０とが接触しても同じグランド電位であるため高周波モジュール１Ｅの電気特性に支障はない。よって、信号電極５１ｈが金属シールド板７０と接触して高周波モジュール１Ｅの電気特性が劣化することを抑制できる。

　また、整合回路５１のインダクタのグランド電極５１ｇと、金属シールド板７０とは、主面９１ａに形成された同一のグランド電極９１ｇに接合されていてもよい。

　これによれば、グランド電極５１ｇと金属シールド板７０とが接続される主面９１ａ上に形成されるグランド電極９１ｇの面積を縮小できるので、モジュール基板９１を省面積化できる。

　（実施の形態２）
　本実施の形態では、高周波モジュール１の主面９１ａに複数の金属シールド板が配置された構成について説明する。

　［２．１　実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｆの回路部品配置構成］
　図１０は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｆの平面図である。図１０には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。高周波モジュール１Ｆは、図１に示された高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図１０に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｆは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０および７４と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２（図示せず）と、外部接続端子１５０（図示せず）と、を有している。本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｆは、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属シールド板７４が付加されている点が異なる。以下、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｆについて、実施の形態１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　金属シールド板７４は、第３金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板７４は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。つまり、金属シールド板７４は、その上方および下方の少なくとも２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板７４は、主面９１ａのグランド電極、および、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の天面に接するシールド面と接していてもよく、また、主面９１ａのグランド電極、および、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の側面に接するシールド面と接していてもよい。

　本実施の形態では、整合回路５０は、アンテナ接続端子１００とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ送受信経路ＣＴＲに配置され、第１インダクタを含む。また、整合回路５１は、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、第２インダクタを含む。また、整合回路５２は、受信出力端子１２０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、第３インダクタを含む。

　ここで、図１０に示すように、金属シールド板７０は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に整合回路５０の第１インダクタと整合回路５１の第２インダクタとの間に配置されている。また、金属シールド板７４は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に整合回路５０の第１インダクタと整合回路５２の第３インダクタとの間に配置されている。

　つまり、金属シールド板７０および７４は、主面９１ａを、領域Ｐと領域Ｑと領域Ｒとに区画している。図１０に示すように、電力増幅器１０、ＰＡ制御回路１５、整合回路５１、５３、およびスイッチ４１は、主面９１ａの領域Ｐに配置されている。また、デュプレクサ３０および３５、整合回路５０、ならびにスイッチ４０は、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。また、低雑音増幅器２０、整合回路５２および５４、ならびにスイッチ４２は、主面９１ａの領域Ｒに配置されている。

　これによれば、送信経路ＡＴに配置された第２インダクタと送受信経路ＣＴＲに配置された第１インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７０を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を抑制できる。また、送受信経路ＣＴＲに配置された第１インダクタと受信経路ＡＲに配置された第３インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７４を挟んで配置されているので、第１インダクタと第３インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１０で増幅され、高調波成分が重畳された高出力の送信信号が送信フィルタ３１を経由せずにアンテナ接続端子１００から出力されることで送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、上記電磁界結合により上記高調波または送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを、より一層抑制できる。

　なお、本実施の形態では、モジュール基板９１を平面視した場合、受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された低雑音増幅器２０、整合回路５２および５４、ならびにスイッチ４２が、金属シールド板７４で囲まれている。

　これによれば、高出力の送信信号、その高調波、および相互変調歪成分が、受信経路ＡＲおよびＢＲに流入することを、高度に抑制できる。

　なお、金属シールド板７４は、整合回路５２および５４の少なくとも一方を囲んでいてもよい。これによっても、回路部品のなかでもっとも電磁界結合し易いインダクタ同士を金属シールド板７４で分離配置できる。

　なお、金属シールド板７４に代わり、または、金属シールド板７４に加えて、金属シールド板７０が、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５１および５３の少なくとも一方を囲んでいてもよい。

　また、金属シールド板７４に代わり、または、金属シールド板７４に加えて、金属シールド板７０が、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５０を囲んでいてもよい。

　これらによれば、高調波が重畳された高出力の送信信号がアンテナ接続端子１００から出力されることで送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、高出力の送信信号、その高調波、および相互変調歪成分が受信経路ＡＲおよびＢＲに流入して受信感度が低下することを抑制できる。

　なお、金属シールド板７０または７４が、回路部品を囲む構成において、金属シールド板の一部が、金属シールド層９５であってもよい。

　［２．２　変形例に係る高周波モジュール１Ｇの回路部品配置構成］
　図１１は、実施の形態２の変形例に係る高周波モジュール１Ｇの平面図および断面図である。図１１の（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図１１の（ｂ）には、図１１の（ａ）のＸＩ－ＸＩ線における断面図が示されている。本変形例に係る高周波モジュール１Ｇは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。

　図１１に示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｇは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７５ａ～７５ｄおよび７６ａおよび７６ｂと、金属シールド層９５と、樹脂部材９２（図示せず）と、外部接続端子１５０（図示せず）と、を有している。本変形例に係る高周波モジュール１Ｇは、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｆと比較して、金属シールド板の構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｇについて、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ｆと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　金属シールド板７５ａおよび７５ｃのそれぞれは、第１金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板７５ａおよび７５ｃのそれぞれは、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。

　金属シールド板７５ｂおよび７５ｄのそれぞれは、第２金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板７５ｂおよび７５ｄのそれぞれは、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。金属シールド板７５ｂは、モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板７５ａと離間して配置されている。金属シールド板７５ｄは、モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板７５ｃと離間して配置されている。

　金属シールド板７５ａおよび７５ｂは、金属シールド板７５ａおよび７５ｂの法線方向から見て、重なり部を有しており、金属シールド板７５ａと金属シールド板７５ｂとは、当該重なり部において平行である。また、金属シールド板７５ｃおよび７５ｄは、金属シールド板７５ｃおよび７５ｄの法線方向から見て、重なり部を有しており、金属シールド板７５ｃと金属シールド板７５ｄとは、当該重なり部において平行である。

　上記構成によれば、高周波モジュール１Ｇは、上記重なり部により、金属シールド板の電磁界遮蔽機能を増強することが可能となる。

　本変形例では、整合回路５０は、送受信経路ＣＴＲに配置され、第１インダクタを含む。整合回路５１は、送信経路ＡＴに配置され、第２インダクタを含む。整合回路５２は、受信経路ＡＲに配置され、第３インダクタを含む。

　ここで、図１１に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとの間には、金属シールド板７５ａと金属シールド板７５ｂとの重なり部が配置されている。

　これによれば、送信経路ＡＴに配置された第２インダクタと送受信経路ＣＴＲに配置された第１インダクタとが、上記重なり部を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を、より一層抑制できる。よって、電力増幅器１０で増幅され、高調波成分が重畳された高出力の送信信号が送信フィルタ３１を経由せずにアンテナ接続端子１００から出力されることで送信信号の品質が低下することを、より一層抑制できる。また、上記電磁界結合により上記高調波または送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを、より一層抑制できる。

　なお、上記重なり部により分離配置される第１インダクタおよび第２インダクタの組み合わせは、送受信経路に配置されたインダクタおよび送信経路に配置されたインダクタの組み合わせに限られない。第１インダクタおよび第２インダクタの組み合わせとしては、送受信経路に配置されたインダクタおよび受信経路に配置されたインダクタの組み合わせであってもよい。これによれば、電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号およびその高調波成分が受信フィルタ３２または３４を経由せずに受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを、より一層抑制できる。

　また、第１インダクタおよび第２インダクタの組み合わせとしては、送信経路に配置されたインダクタおよび受信経路に配置されたインダクタの組み合わせであってもよい。これによれば、電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号およびその高調波成分が送信フィルタ３１または３３、および、受信フィルタ３２または３４を経由せずに受信経路ＡＲまたはＢＲに流入して受信感度が劣化することを、より一層抑制できる。

　なお、金属シールド板７５ａと金属シールド板７５ｂとは、同一形状を有することが望ましい。これによれば、金属シールド板の製造工程を簡素化でき、製造コストを低減できる。

　また、モジュール基板９１を平面視した場合、受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された低雑音増幅器２０、整合回路５２および５４、ならびにスイッチ４２は、金属シールド板７６ａおよび７６ｂ、ならびに金属シールド層９５で囲まれている。

　なお、金属シールド板７６ａおよび７６ｂ、ならびに金属シールド層９５は、整合回路５２および５４の少なくとも一方を囲んでいてもよい。これによっても、回路部品のなかでもっとも電磁界結合し易いインダクタ同士を分離配置できる。

　また、金属シールド板７６ａおよび７６ｂのみで、整合回路５２および５４の少なくとも一方を囲んでいてもよい。これによっても、回路部品のなかでもっとも電磁界結合し易いインダクタ同士を分離配置できる。

　なお、金属シールド板７６ａと金属シールド板７６ｂとは、別体であるが接触している。また、モジュール基板９１を平面視した場合に金属シールド板７６ａと金属シールド板７６ｂとのなす角度は略９０度となっている。この構成によれば、金属シールド板７６ａと金属シールド板７６ｂとが、互いに支え合って立設されているので、各回路部品を主面９１ａ上に高精度に配置できる。

　なお、金属シールド板７６ａおよび７６ｂに代わり、または、金属シールド板７４に加えて、金属シールド板７０が、２つの金属シールド板で構成されていてもよく、モジュール基板９１を平面視した場合、当該２つの金属シールド板と金属シールド層とで整合回路５１および５３の少なくとも一方を囲んでいてもよい。あるいは、上記２つの金属シールド板と金属シールド層とで整合回路５０を囲んでいてもよい。

　なお、上記２つの金属シールド板のみで、整合回路５１および５３の少なくとも一方、または、整合回路５０を囲んでいてもよい。これらによっても、回路部品のなかでもっとも電磁界結合し易いインダクタ同士を分離配置できる。

　［３．効果など］
　以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、主面９１ａを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された第１インダクタおよび第２インダクタと、主面９１ａ、第１インダクタおよび第２インダクタの少なくとも一部を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層９５と、主面９１ａ上であってモジュール基板９１を平面視した場合に第１インダクタと第２インダクタとの間に配置された金属シールド板７０と、を備え、金属シールド板７０は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接しており、第１インダクタは、送信信号を外部から受けるための送信入力端子１１０と共通端子４０ａとを結ぶ送信経路ＡＴ、受信信号を外部に供給するための受信出力端子１２０と共通端子４０ａとを結ぶ受信経路ＡＲ、および、アンテナ接続端子１００と共通端子４０ａとを結ぶ送受信経路ＣＴＲのいずれかに配置されており、第２インダクタは、送信経路ＡＴ、受信経路ＡＲおよび送受信経路ＣＴＲのうちの第１インダクタが配置された経路を除く経路のいずれかに配置されている。

　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７０を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、例えば、電力増幅器１０で増幅され、高調波成分が重畳された高出力の送信信号が送信フィルタ３１を経由せずにアンテナ接続端子１００から出力されることで送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、上記電磁界結合により上記高調波または送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路ＡＲに流入して受信感度が劣化することを抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板７０Ａは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて立設されており、金属シールド板７０Ａと主面９１ａとの間には、金属シールド板７０Ａの法線方向に貫通する穴７２が形成されていてもよい。

　これによれば、本体部７１と主面９１ａとの間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ａの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ａの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとが対面する領域Ｓには、隣り合う穴７２で挟まれた金属シールド板７０の本体部７１が配置されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板７０Ｂは、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて立設されており、金属シールド板７０Ｂと天面との間には、金属シールド板７０Ｂの法線方向に貫通する穴７２が形成されていてもよい。

　これによれば、本体部７１と上記天面との間に穴７２が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｂの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｂの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。さらに、主面９１ａと接する領域（本体部７１の下方領域）には、穴７２が形成されていないので、金属シールド板７０Ｂを介して主面９１ａ上に配置された回路部品間のアイソレーションが向上する。

　また、金属シールド板７０は、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて立設された本体部７１と、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａのグランド電極と接合された接合部７３と、を有してもよい。

　これによれば、金属シールド板７０と主面９１ａとは、接合部７３により接合されるので、金属シールド板７０の配置精度、および、金属シールド板７０と主面９１ａとの接合強度が向上する。

　また、実施の形態１の変形例２に係る高周波モジュール１Ｃは、主面９１ａに配置された第１部品および第２部品を備え、第１部品は側面に電極を有し、第２部品は底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さず、モジュール基板９１を平面視した場合、第１部品と金属シールド板７０Ａとの間には導電部材は配置されておらず、第２部品と金属シールド板７０Ａとの間には導電部材は配置されておらず、接合部７３は、第１部品と本体部７１との間に配置され、第２部品と本体部７１との間に配置されていなくてもよい。

　これによれば、金属シールド板７０Ａは、接合部７３が領域Ｐ側へ延設されているため、金属シールド板７０Ａを主面９１ａ上に立設する工程において、接合部７３のない領域Ｑ側へは倒れ易くなる。これに対して、高周波モジュール１Ｃでは、本体部７１が倒れにくい領域Ｐ側には第１部品が配置され、本体部７１が倒れ易い領域Ｑ側には第２部品が配置されている。よって、本体部７１が傾いて第１部品と接触しても、半田を介して電気的に接触することを抑制できる。

　また、金属シールド板７０は、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて立設され、主面９１ａのグランド電極と接合された平板状の本体部７１と、本体部７１の主面９１ａと平行な方向に位置する端部に配置され、主面９１ａから樹脂部材９２の天面に向けて立設された平板状の本体端部７７と、を備え、本体部７１と本体端部７７とは、非平行であってもよい。

　これによれば、本体部７１と本体端部７７とが非平行であるため、金属シールド板７０の主面９１ａ上における自立性を確保できる。また、接合部７３が無いので、金属シールド板７０の配置スペースを低減できる。

　また、実施の形態１の変形例２に係る高周波モジュール１Ｃは、主面９１ａに配置された第１部品および第２部品を備え、第１部品は側面に電極を有し、第２部品は底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さず、モジュール基板９１を平面視した場合、第１部品と金属シールド板７０Ｄとの間には導電部材は配置されておらず、第２部品と金属シールド板７０Ｄとの間には導電部材は配置されておらず、本体端部７７は、第１部品と本体部７１との間に配置され、第２部品と本体部７１との間に配置されていなくてもよい。

　これによれば、金属シールド板７０Ｄは、本体端部７７が領域Ｐ側へ延設されているため、金属シールド板７０Ｄを主面９１ａ上に立設する工程において、本体端部７７のない領域Ｑ側へは倒れ易くなる。これに対して、高周波モジュール１Ｃでは、本体部７１が倒れにくい領域Ｐ側には第１部品が配置され、本体部７１が倒れ易い領域Ｑ側には第２部品が配置されている。よって、本体部７１が傾いて第１部品と接触しても、半田を介して電気的に接触することを抑制できる。

　また、実施の形態２の変形例に係る高周波モジュール１Ｇは、さらに、モジュール基板９１を平面視した場合に金属シールド板７５ａと離間して配置された金属シールド板７５ｂを備えてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｇにおいて、金属シールド板７５ａおよび７５ｂは金属シールド板７５ａおよび７５ｂの法線方向から見て、重なり部を有し、金属シールド板７５ａと金属シールド板７５ｂとは、上記重なり部において平行であってもよい。

　これによれば、上記重なり部により、金属シールド板の電磁界遮蔽機能を増強することが可能となる。

　また、高周波モジュール１Ｇにおいて、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとの間には、上記重なり部が配置されていてもよい。

　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとが、上記重なり部を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を、より一層抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ｇにおいて、金属シールド板７５ａと金属シールド板７５ｂとは、同一形状を有してもよい。

　これによれば、金属シールド板の製造工程を簡素化でき、製造コストを低減できる。

　また、高周波モジュール１Ｇにおいて、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５２のインダクタは、金属シールド板７６ａ、７６ｂおよび金属シールド層９５で囲まれていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｆにおいて、モジュール基板９１を平面視した場合、整合回路５２のインダクタは、金属シールド板７４で囲まれていてもよい。

　これらによれば、高出力の送信信号、その高調波、および相互変調歪成分が、受信経路ＡＲに流入することを、高度に抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ｂにおいて、整合回路５３の第３インダクタは側面に電極を有し、デュプレクサ３０は底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さず、モジュール基板９１を平面視した場合、第３インダクタと金属シールド板７０との間には導電部材は配置されておらず、デュプレクサ３０と金属シールド板７０との間には導電部材は配置されておらず、第３インダクタと金属シールド板７０との距離Ｄ１は、デュプレクサ３０と金属シールド板７０との距離Ｄ２よりも大きくてもよい。

　これによれば、第３インダクタの側面と金属シールド板７０の本体部７１とは、半田を介して接触し易い。これに対して、デュプレクサ３０の側面と金属シールド板７０の本体部７１とは、接近しても半田を介して接触することはない。これに対して、距離Ｄ１を距離Ｄ２よりも大きくしているため、第３インダクタと本体部７１とが半田を介して接触することを抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、デュプレクサ３０の底面電極は主面９１ａの電極と接続され、デュプレクサ３０の天面は金属シールド層９５に接していてもよい。

　これによれば、製造工程において、樹脂部材９２の天面を研磨することでデュプレクサ３０の天面を樹脂部材９２から露出させることができる。その後、デュプレクサ３０の天面に直接金属シールド層９５を形成することができる。よって、高周波モジュール１Ｄを低背化することができるとともに、デュプレクサ３０のグランドおよび放熱性を強化できる。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、デュプレクサ３０は弾性波フィルタであってもよい。

　これによれば、弾性波フィルタの放熱性が強化されるので、弾性波フィルタの温度変化による周波数ドリフトを低減することができる。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、デュプレクサ３０は、モジュール基板９１を平面視した場合、第１インダクタと第２インダクタとの間に配置されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｅにおいて、整合回路５１の第２インダクタは、底面に信号電極５１ｈおよびグランド電極５１ｇを有し、グランド電極５１ｇと金属シールド板７０との距離は、信号電極５１ｈと金属シールド板７０との距離よりも小さくてもよい。

　これによれば、製造工程において信号電極５１ｈのほうがグランド電極５１ｇよりも金属シールド板７０に接触しにくい。仮に、グランド電極５１ｇと金属シールド板７０とが接触しても同じグランド電位であるため高周波モジュール１Ｅの電気特性に支障はない。よって、信号電極５１ｈが金属シールド板７０と接触して高周波モジュール１Ｅの電気特性が劣化することを抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ｅにおいて、グランド電極５１ｇと金属シールド板７０とは、主面９１ａに形成された同一のグランド電極９１ｇに接合されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｆは、さらに、主面９１ａに配置された第３インダクタと、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に第３インダクタと第２インダクタとの間、または、第３インダクタと第１インダクタとの間に配置された金属シールド板７４と、を備え、金属シールド板７４は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接しており、第３インダクタは、送信経路ＡＴ、受信経路ＡＲおよび送受信経路ＣＴＲのうちの第１インダクタが配置された経路および第２インダクタが配置された経路を除く経路に配置されていてもよい。

　これによれば、例えば送信経路ＡＴに配置された第２インダクタと送受信経路ＣＴＲに配置された第１インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７０を挟んで配置されているので、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合を抑制できる。また、例えば送受信経路ＣＴＲに配置された第１インダクタと受信経路ＡＲに配置された第３インダクタとが、グランド電位に設定された金属シールド板７４を挟んで配置されているので、第１インダクタと第３インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１０で増幅され、高調波成分が重畳された高出力の送信信号が送信フィルタ３１を経由せずにアンテナ接続端子１００から出力されることで送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、上記電磁界結合により上記高調波または送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路ＡＲに流入して受信感度が劣化することを、より一層抑制できる。

　また、通信装置５は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

　これによれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された通信装置５を提供できる。

　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態およびその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、実施の形態１および２に係る高周波モジュールでは、高周波モジュールを構成する各回路部品がモジュール基板９１の片方主面に配置されているが、各回路部品がモジュール基板の互いに対向する第１主面および第２主面に振り分けられて配置されていてもよい。つまり、上記高周波モジュールを構成する各回路部品は、モジュール基板に片面実装されていてもよく、また、両面実装されていてもよい。

　例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ　　高周波モジュール
　２　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１０　　電力増幅器
　１５　　ＰＡ制御回路
　２０　　低雑音増幅器
　３０、３５　　デュプレクサ
　３１、３３　　送信フィルタ
　３２、３４　　受信フィルタ
　４０、４１、４２　　スイッチ
　４０ａ、４１ａ、４２ａ　　共通端子
　４０ｂ、４０ｃ、４１ｂ、４１ｃ、４２ｂ、４２ｃ　　選択端子
　５０、５１、５２、５３、５４　　整合回路
　５１ｈ　　信号電極
　５１ｇ、９１ｇ　　グランド電極
　６０　　半導体ＩＣ
　７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ、７０Ｄ、７０Ｅ、７０Ｆ、７４、７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄ、７６ａ、７６ｂ　　金属シールド板
　７１　　本体部
　７２　　穴
　７３　　接合部
　７７　　本体端部
　９１　　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　　主面
　９２　　樹脂部材
　９５　　金属シールド層
　１００　　アンテナ接続端子
　１１０　　送信入力端子
　１２０　　受信出力端子
　１３０　　制御信号端子
　１５０　　外部接続端子
　１５０ｇ　　グランド端子
　ＡＲ、ＢＲ　　受信経路
　ＡＴ、ＢＴ　　送信経路
　ＣＴＲ　　送受信経路
　Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ　　領域

Claims

　主面を有するモジュール基板と、
　前記主面に配置された第１インダクタおよび第２インダクタと、
　前記主面、前記第１インダクタおよび前記第２インダクタの少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
　前記樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、
　前記主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置された第１金属シールド板と、を備え、
　前記第１金属シールド板は、前記主面のグランド電極および前記金属シールド層に接しており、
　前記第１インダクタは、送信信号を伝送する送信経路、受信信号を伝送する受信経路、および、送信信号および受信信号を伝送する送受信経路のいずれかに配置されており、
　前記第２インダクタは、前記送信経路、前記受信経路および前記送受信経路のうちの前記第１インダクタが配置された経路を除く経路のいずれかに配置されている、
　高周波モジュール。
　前記第１金属シールド板は、前記主面から前記樹脂部材の天面に向けて立設されており、
　前記第１金属シールド板と前記主面との間には、前記第１金属シールド板の法線方向に貫通する穴が形成されている、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１インダクタと前記第２インダクタとが対面する領域には、隣り合う前記穴で挟まれた前記第１金属シールド板が配置されている、
　請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属シールド板は、前記主面から前記樹脂部材の天面に向けて立設されており、
　前記第１金属シールド板と前記天面との間には、前記第１金属シールド板の法線方向に貫通する穴が形成されている、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１インダクタと前記第２インダクタとが対面する領域には、前記穴が配置されている、
　請求項２または４に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属シールド板は、
　前記主面から前記樹脂部材の天面に向けて立設された本体部と、
　前記主面側であって前記主面と平行に延設され、前記グランド電極と接合された接合部と、を有する、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記主面に配置された第１部品および第２部品を備え、
　前記第１部品は、側面に電極を有し、
　前記第２部品は、底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さず、
　前記モジュール基板を平面視した場合、
　前記第１部品と前記第１金属シールド板との間には導電部材は配置されておらず、
　前記第２部品と前記第１金属シールド板との間には導電部材は配置されておらず、
　前記接合部は、前記第１部品と前記本体部との間に配置され、前記第２部品と前記本体部との間に配置されていない、
　請求項６に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属シールド板は、
　前記主面から前記樹脂部材の天面に向けて立設され、前記グランド電極と接合された平板状の本体部と、
　前記本体部の前記主面と平行な方向に位置する端部に配置され、前記主面から前記樹脂部材の天面に向けて立設された平板状の本体端部と、を備え、
　前記本体部と前記本体端部とは、非平行である、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記主面に配置された第１部品および第２部品を備え、
　前記第１部品は、側面に電極を有し、
　前記第２部品は、底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さず、
　前記モジュール基板を平面視した場合、
　前記第１部品と前記第１金属シールド板との間には導電部材は配置されておらず、
　前記第２部品と前記第１金属シールド板との間には導電部材は配置されておらず、
　前記本体端部は、前記第１部品と前記本体部との間に配置され、前記第２部品と前記本体部との間に配置されていない、
　請求項８に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１金属シールド板と離間して配置された第２金属シールド板を備える、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属シールド板および前記第２金属シールド板は、前記第２金属シールド板の法線方向から見て、重なり部を有し、
　前記第２金属シールド板と前記第１金属シールド板とは、前記重なり部において平行である、
　請求項１０に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間には、前記重なり部が配置されている、
　請求項１１に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属シールド板と前記第２金属シールド板とは、同一形状を有する、
　請求項１０～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１インダクタは、前記受信経路に配置されており、
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１インダクタは、前記第１金属シールド板および前記金属シールド層で囲まれている、
　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１インダクタは、前記受信経路に配置されており、
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１インダクタは、前記第１金属シールド板で囲まれている、
　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記主面に配置された第３部品および第４部品を備え、
　前記第３部品は、側面に電極を有し、
　前記第４部品は、底面に電極を有し、かつ、側面に電極を有さず、
　前記モジュール基板を平面視した場合、
　前記第３部品と前記第１金属シールド板との間には導電部材は配置されておらず、
　前記第４部品と前記第１金属シールド板との間には導電部材は配置されておらず、
　前記第３部品と前記第１金属シールド板との距離は、前記第４部品と前記第１金属シールド板との距離よりも大きい、
　請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記主面に配置されたフィルタを備え、
　前記フィルタの底面電極は前記主面の電極と接続され、前記フィルタの天面は、前記金属シールド層に接している、
　請求項１～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記フィルタは、弾性波フィルタである、
　請求項１７に記載の高周波モジュール。
　前記フィルタは、前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置されている、
　請求項１７または１８に記載の高周波モジュール。
　前記主面に配置された第５部品を備え、
　前記第５部品は、底面に、高周波信号を入出力させるための信号電極およびグランド電極を有し、
　前記第５部品の前記グランド電極と前記第１金属シールド板との距離は、前記第５部品の前記信号電極と前記第１金属シールド板との距離よりも小さい、
　請求項１～１９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第５部品の前記グランド電極と、前記第１金属シールド板とは、前記主面に形成された同一のグランド電極に接合されている、
　請求項２０に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記主面に配置された第３インダクタと、
　前記主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に、前記第３インダクタと前記第２インダクタとの間、または、前記第３インダクタと前記第１インダクタとの間に配置された第３金属シールド板と、を備え、
　前記第３金属シールド板は、前記主面のグランド電極および前記金属シールド層に接しており、
　前記第３インダクタは、前記送信経路、前記受信経路および前記送受信経路のうちの前記第１インダクタが配置された経路および前記第２インダクタが配置された経路を除く経路に配置されている、
　請求項１～２１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項１～２２のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
　通信装置。