WO2022018858A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2022018858A1
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emitting region
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康 浅岡
惇 佐久間
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • Patent Document 1 discloses a light emitting device in which an anode, a first light emitting layer, a second light emitting layer, and a cathode are laminated in this order.
  • the first light emitting layer is divided into a light emitting region and a non-light emitting region by partially treating the first light emitting layer to make it non-light emitting.
  • the light emitting device described in Patent Document 1 has a structure in which a non-light emitting region of the first light emitting layer and a second light emitting layer are laminated, and holes supplied from the anode are non-light emitting of the first light emitting layer. By reaching the second light emitting layer through the region, light is emitted in the second light emitting layer.
  • the non-light emitting region of the first light emitting layer may block holes reaching the second light emitting layer, and the light emitting efficiency may decrease.
  • a main object of the present disclosure is to provide, for example, a light emitting device capable of suppressing a decrease in luminous efficiency.
  • the light emitting device of one embodiment of the present invention includes a first light emitting region having a light emitting center wavelength of the first wavelength, and a second light emitting region having a light emitting center wavelength of a second wavelength shorter than the first wavelength.
  • a cathode arranged in the first light emitting region and the second light emitting region, an anode arranged so as to face the cathode in the first light emitting region and the second light emitting region, and the cathode and the above. It is arranged between the anode and the first light emitting layer having a emission center wavelength of the first wavelength, and is arranged between the anode and the first light emitting layer at least in the second light emitting region.
  • the second light emitting layer having a emission center wavelength of the second wavelength and having an electron affinity smaller than the electron affinity of the first light emitting layer, and the first light emitting layer and the second light emitting layer in the second light emitting region.
  • the electron affinity includes a first electron transport layer having a wavelength between the electron affinity of the first light emitting layer and the electron affinity of the second light emitting layer.
  • FIG. 3 is an energy level diagram of an example of each layer in the red light emitting region of the light emitting device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is an energy level diagram of an example of each layer in the green light emitting region of the light emitting device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is an energy level diagram of an example of each layer in the blue light emitting region of the light emitting device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of a light emitting device 100A according to the present embodiment.
  • the light emitting device 100A is a device that emits light.
  • the light emitting device 100A may be, for example, a lighting device (for example, a backlight or the like) that emits light such as white light, or displays an image (for example, including character information or the like) by emitting light. It may be a display device.
  • a display device In this embodiment, an example in which the light emitting device 100A is one pixel in the display device will be described.
  • a display device can be configured by arranging a plurality of pixels in a matrix.
  • the light emitting device 100A includes, for example, a red light emitting region (first light emitting region) 101R, a green light emitting region (second light emitting region) 101G, and a blue light emitting region (third light emitting region) 101B.
  • the red emission region 101R has a emission center wavelength of the first wavelength, and emits light at, for example, about 630 nm.
  • the green light emitting region 101G is a second wavelength in which the emission center wavelength is shorter than the first wavelength, and is, for example, about 530 nm.
  • the blue light emitting region 101B is a third wavelength in which the emission center wavelength is shorter than the second wavelength, and is, for example, about 440 nm.
  • the red light emitting region 101R is a region that emits red light in the light emitting device 100A.
  • the red light emitting region 101R corresponds to, for example, the red light emitting element in the light emitting device 100A.
  • the cathode 1R, the second electron transport layer 2R, the first light emitting layer 3R, the first electron block layer 4R, the second light emitting layer 3G, the third light emitting layer 3B, and the anode 5 are laminated in this order. It has a structure that has been constructed. That is, in the red light emitting region 101R, each layer is arranged between the cathode 1R and the anode 5 arranged so as to face the cathode 1R.
  • the cathode 1R for example, injects electrons into the first light emitting layer 3R.
  • the anode 5 injects holes into the first light emitting layer 3R, for example.
  • the cathode 1R and the anode 5 are made of a conductive material such as a metal, a transparent conductive oxide, or a conductive nanomaterial.
  • a conductive material such as a metal, a transparent conductive oxide, or a conductive nanomaterial.
  • the metal include alloys such as Al, Cu, Au, Ag and MgAg.
  • the transparent conductive oxide include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (ZnO: Al (AZO)), and boron zinc oxide. (ZnO: B (BZO)) and the like.
  • the conductive nanomaterial include Ag nanowires, carbon nanotubes, ITO nanoparticles and the like.
  • the cathode 1R and the anode 5 may be, for example, a laminate including at least one metal layer and / or at least one transparent conductive oxide layer.
  • the first light emitting layer 3R is arranged between the cathode 1R and the anode 5.
  • the first light emitting layer 3R has a light emitting center wavelength of the first wavelength, and emits light at, for example, about 630 nm.
  • the first light emitting layer 3R includes, for example, a first light emitting material having a light emitting center wavelength of the first wavelength and emitting light at, for example, about 630 nm.
  • the first light emitting material emits light, for example, by recombination of the injected electrons and the injected holes. That is, it can be said that the first light emitting layer 3R emits light by recombination of the injected electrons and the injected holes, for example.
  • the first light emitting layer 3R in the present embodiment for example, as shown in FIG. 6, holes (from the anode 5 through the third light emitting layer 3B, the second light emitting layer 3G, and the first electron block layer 4R) ( h +) is injected.
  • holes from the anode 5 through the third light emitting layer 3B, the second light emitting layer 3G, and the first electron block layer 4R
  • h + is injected.
  • electrons (e ⁇ ) are injected from the cathode 1R via the second electron transport layer 2R.
  • the emission center wavelength represents, for example, an emission peak in the emission layer.
  • the electron affinity in the first light emitting layer 3R is the energy level of LUMO when the first light emitting layer 3R is an organic material, or the case where the first light emitting layer 3R is an inorganic crystal material. Corresponds to the magnitude required to extract an electron from the energy level of CBM to the vacuum level.
  • the ionization potential of the first light emitting layer 3R is based on the energy level of HOMO when the first light emitting layer 3R is an organic material or the energy level of VBM when the first light emitting layer 3R is an inorganic crystal material. It is the size required to extract electrons to the vacuum level, and corresponds to the value obtained by adding the band gap to the electron affinity.
  • the first light emitting layer 3R has been described, but the same applies to the other layers.
  • Examples of the first light emitting material include quantum dots.
  • Quantum dots are, for example, semiconductor fine particles having a particle size of 100 nm or less, and are MgS, MgSe, MgTe, MgZnS, MgZnSe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, etc.
  • the II-VI group semiconductor compounds such as ZnTe, ZnSSe, ZnTeS, ZnTeSe, CdS, CdSe, CdSSe, CdTe, CdSeTe, CdZnSe, CdZnTe, HgS, HgSe, HgTe, and / or GaAs, GaP, InN, In It can have a crystal of a group III-V semiconductor compound such as InSb and / or a crystal of a group IV semiconductor compound such as Si and Ge.
  • the quantum dots may have, for example, a core / shell structure in which the above semiconductor crystal is used as a core and the core is overcoated with a shell material having a high bandgap.
  • the second electron transport layer 2R is arranged between the cathode 1R and the first light emitting layer 3R.
  • the second electron transport layer 2R transports the electrons injected from the cathode 1R to the first light emitting layer 3R.
  • the energy level of the LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) of the second electron transport layer 2R is lower than the energy level of the LUMO of the first light emitting layer 3R.
  • the electrons injected from the cathode 1R can be easily transported to the first light emitting layer 3R via the second electron transport layer 2R.
  • the energy level of the HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) of the second electron transport layer 2R is lower than the energy level of the HOMO of the first light emitting layer 3R.
  • the energy level of the HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) of the second electron transport layer 2R is lower than the energy level of the HOMO of the first light emitting layer 3R.
  • Examples of the material forming the second electron transport layer 2R include zinc oxide (for example, ZnO), titanium oxide (for example, TiO 2 ), strontium oxide titanium (for example, SrTiO 3 ), In 2 O 3 , CdS, LZO, and SiTe. Electron-transporting materials such as SiSe, SiS, fullerene derivatives, and In 2 O 3 are used. Only one kind of these electron transporting materials may be used, or two or more kinds may be mixed and used as appropriate. The material forming the second electron transport layer 2R is appropriately selected according to the energy level of HOMO and the energy level of LUMO of each layer.
  • the first electron block layer 4R is arranged between the first light emitting layer 3R and the second light emitting layer 3G.
  • the first electron block layer 4R blocks the injection of electrons injected from the cathode 1R into the second light emitting layer 3G side.
  • the energy level of LUMO of the first electron block layer 4R is higher than the energy level of LUMO of the first light emitting layer 3R.
  • the energy level of LUMO of the first electron block layer 4R is higher than the energy level of LUMO of the first light emitting layer 3R.
  • the energy level of HOMO of the first electron block layer 4R is equal to or higher than the energy level of HOMO of the first light emitting layer 3R.
  • the holes injected from the anode 5 can be more easily injected into the first light emitting layer 3R.
  • the material for forming the first electron block layer 4R is, for example, any one of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, and Sr.
  • TFB Second butylphenyl imino) -1,4-phenylene
  • Poly-TPD poly (triphenylamine) derivative
  • Poly-TPD poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonic acid
  • Examples thereof include a hole-transporting organic material such as (PEDOT-PSS).
  • the material forming the first electron block layer 4R is appropriately adjusted to the HOMO energy level and LUMO energy level of each layer. Be selected.
  • the second light emitting layer 3G has a emission center wavelength of the second wavelength, and emits light at, for example, about 530 nm.
  • the second light emitting layer 3G includes, for example, a second light emitting material having a light emitting center wavelength of the second wavelength and emitting light at, for example, about 530 nm.
  • the second light emitting material emits light, for example, by recombination of the injected electrons and the injected holes. That is, it can be said that the second light emitting layer 3G emits light by, for example, recombination of the injected electrons and the injected holes.
  • Examples of the second light emitting material include quantum dots similar to those of the first light emitting material.
  • the diameter of the quantum dots is smaller in the second light emitting material, and the band gap becomes wider due to the quantum effect.
  • the energy level of the conduction band becomes shallower and the level of the valence band becomes deeper, but the level of the valence band changes.
  • the change in the level of the conduction band is larger than that of.
  • the second light emitting material is appropriately selected according to the energy level of HOMO and the energy level of LUMO of each layer.
  • the energy level of LUMO is higher than the energy level of LUMO of the first light emitting layer 3R.
  • the holes injected from the anode 5 can be more easily injected into the first light emitting layer 3R via the second light emitting layer 3G.
  • the electrons injected from the cathode 1R are blocked by the first electron block layer 4R arranged between the second light emitting layer 3G and the cathode 1R. Therefore, almost no electrons are injected. Therefore, in the second light emitting layer 3G, the holes injected from the anode 5 and the electrons injected from the cathode 1R are hardly recombined and hardly emit light.
  • the third light emitting layer 3B is arranged between the anode 5 and the second light emitting layer 3G.
  • the third light emitting layer 3B has a emission center wavelength of the third wavelength, and emits light at, for example, about 440 nm.
  • the third light emitting layer 3B contains, for example, a third light emitting material having a light emitting center wavelength of the third wavelength and emitting light at, for example, about 440 nm.
  • the third light emitting material emits light, for example, by recombination of the injected electrons and the injected holes. That is, it can be said that the second light emitting layer 3G emits light by, for example, recombination of the injected electrons and the injected holes.
  • Examples of the third light emitting material include quantum dots similar to those of the first light emitting material.
  • the third light emitting material is appropriately selected according to the energy level of HOMO and the energy level of LUMO of each layer.
  • the energy level of LUMO is higher than the energy level of LUMO of the second light emitting layer 3G.
  • the holes injected from the anode 5 are easily transferred to the first light emitting layer 3R via the third light emitting layer 3B, the second light emitting layer 3G, and the first electron block layer 4R. Can be injected into.
  • the third light emitting layer 3B may be arranged so as to be in direct contact with the second light emitting layer 3G.
  • the electrons injected from the cathode 1R are blocked by the first electron block layer 4R arranged between the third light emitting layer 3B and the cathode 1R, so that the electrons are substantially injected. Not done. Therefore, in the third light emitting layer 3B, the holes injected from the anode 5 and the electrons injected from the cathode 1R cannot be recombined, and almost no light is emitted.
  • the first light emitting layer 3R emits light
  • the second light emitting layer 3G and the third light emitting layer 3B emit almost no light, so that the light emitting center wavelength emits light at the first wavelength.
  • the green light emitting region 101G is a region that emits green light in the light emitting device 100A.
  • the green light emitting region 101G corresponds to, for example, a green light emitting element in the light emitting device 100A.
  • the anode 5 has a structure in which the anodes 5 are laminated in this order.
  • each layer is arranged between the cathode 1G and the anode 5 arranged so as to face the cathode 1G.
  • the cathode 1G can be made of the same material as the cathode 1R by injecting electrons into the second light emitting layer 3G.
  • the cathode 1R is used as the cathode 1G, the first electron block layer 4R is not provided, and the cathode 1R is between the first light emitting layer 3R and the second light emitting layer 3G.
  • the first electron transport layer 2G is arranged, and the second electron block layer 4G is further arranged between the second light emitting layer 3G and the third light emitting layer 3B.
  • the first electron transport layer 2G transports electrons injected from the cathode 1G to the second light emitting layer 3G.
  • the energy level of LUMO is located between the energy level of LUMO of the first light emitting layer 3R and the energy level of LUMO of the second light emitting layer 3G.
  • the electrons injected from the cathode 1G are transferred to the second light emitting layer 3G via the second electron transport layer 2R, the first light emitting layer 3R, and the first electron transport layer 2G. Injection can be made easier.
  • the energy level of HOMO of the first electron transport layer 2G is lower than the energy level of HOMO of the second light emitting layer 3G.
  • the holes injected from the anode 5 are transferred to the first light emitting layer 3R via the third light emitting layer 3B, the second electron block layer 4G, and the second light emitting layer 3G.
  • the infusion can be blocked.
  • the holes injected from the anode 5 can be confined in the second light emitting layer 3G, the luminous efficiency in the green light emitting region 101G can be improved.
  • the material for forming the first electron transport layer 2G for example, TPBi and ZrO 2 can be used in addition to the same material as the second electron transport layer 2R.
  • the material forming the first electron transport layer 2G is appropriately selected according to the energy level of HOMO and the energy level of LUMO of each layer.
  • the first electron transport layer 2G blocks the injection of holes into the first light emitting layer 3R, so that the first light emitting layer 3R hardly emits light.
  • the second electron block layer 4G is arranged between the first light emitting layer 3R and the second light emitting layer 3G.
  • the second electron block layer 4G blocks the injection of electrons injected from the cathode 1G into the third light emitting layer 3B side.
  • the LUMO energy level of the second electron block layer 4G is higher than the LUMO energy level of the second light emitting layer 3G.
  • the LUMO energy level of the second electron block layer 4G is higher than the LUMO energy level of the second light emitting layer 3G.
  • the energy level of HOMO of the second electron block layer 4G is equal to or higher than the energy level of HOMO of the second light emitting layer 3G. This makes it easier, for example, to inject the holes injected from the anode 5 into the second light emitting layer 3G via the third light emitting layer 3B and the second electron block layer 4G, as shown in FIG. 7. be able to.
  • the same material as the first electron block layer 4R can be used.
  • the material forming the second electron block layer 4G is appropriately selected according to the energy level of HOMO and the energy level of LUMO of each layer.
  • the second electron block layer 4G blocks the injection of electrons injected from the cathode 1G into the third light emitting layer 3B, so that the third light emitting layer 3B hardly emits light. ..
  • the second light emitting layer 3G emits light
  • the first light emitting layer 3R and the third light emitting layer 3B emit almost no light, so that the light emitting center wavelength emits light at the second wavelength.
  • the blue light emitting region 101B is a region that emits blue light in the light emitting device 100A.
  • the blue light emitting region 101B corresponds to, for example, a blue light emitting element in the light emitting device 100A.
  • the three-electron block layer 4B and the anode 5 are laminated in this order.
  • each layer is arranged between the cathode 1B and the anode 5 arranged so as to face the cathode 1B.
  • the cathode 1B can be made of the same material as the cathode 1R by injecting electrons into the third light emitting layer 3B.
  • the first light emitting layer 3R and the second light emitting layer 3G may be arranged so as to be in direct contact with each other.
  • the cathode 1G is used as the cathode 1B, the second electron block layer 4G is not provided, and the second light emitting layer 3G and the third light emitting layer 3B are separated from each other.
  • the third electron transport layer 2B is arranged, and the third electron block layer 4B is further arranged between the third light emitting layer 3B and the anode 5.
  • the third electron transport layer 2B transports the electrons injected from the cathode 1B to the third light emitting layer 3B.
  • the energy level of LUMO is located between the energy level of LUMO of the second light emitting layer 3G and the energy level of LUMO of the third light emitting layer 3B.
  • the electrons injected from the cathode 1B are passed through the second electron transport layer 2R, the first light emitting layer 3R, the first electron transport layer 2G, and the second light emitting layer 3G. , Can be easily injected by the third light emitting layer 3B.
  • the energy level of HOMO of the third electron transport layer 2B is lower than the energy level of HOMO of the third light emitting layer 3B.
  • the holes injected from the anode 5 can be blocked from being injected into the second light emitting layer 3G via the third electron block layer 4B and the third light emitting layer 3B. can.
  • the holes injected from the anode 5 can be confined in the third light emitting layer 3B, the luminous efficiency in the blue light emitting region 101B can be improved.
  • the material for forming the third electron transport layer 2B for example, Bphen and TAZ can be used in addition to the same material as the first electron transport layer 2G.
  • the material forming the third electron block layer 2B is appropriately selected according to the energy level of HOMO and the energy level of LUMO of each layer. As described above, in the blue light emitting region 101B, since the injection of holes into the second light emitting layer 3G is blocked by the third electron transport layer 2B, the second light emitting layer 3G hardly emits light.
  • the third electron block layer 4B is arranged between the anode 5 and the third light emitting layer 3B.
  • the third electron block layer 4B blocks the passage of electrons injected from the cathode 1G through the third light emitting layer 3B. It is preferable that the energy level of LUMO of the third electron block layer 4B is higher than the energy level of LUMO of the third light emitting layer 3B.
  • the electrons are injected from the cathode 1B, and the second electron transport layer 2R, the first light emitting layer 3R, the first electron transport layer 2G, the second light emitting layer 3G, and the third electron transport layer 2B. Since the electrons injected into the third light emitting layer 3B can be confined in the third light emitting layer 3B, the luminous efficiency in the blue light emitting region 101B can be improved.
  • the energy level of HOMO of the third electron block layer 4B is equal to or higher than the energy level of HOMO of the third light emitting layer 3B.
  • the holes injected from the anode 5 can be easily injected by the third light emitting layer 3B.
  • the cathodes 1R, 1G, and 1R in the present embodiment correspond to the pixel electrodes of the light emitting device 100A, and it is preferable that they are insulated from each other in each light emitting region.
  • the cathodes 1R, 1G, and 1R can be referred to as a first portion, a second portion, and a third portion of the cathode in the light emitting device 100A.
  • the anode 5 in the present embodiment corresponds to the common electrode of the light emitting device 100A, and is formed in common in each light emitting region.
  • the configuration of the cathode and the anode in the present embodiment is not limited to this, and for example, the cathode may be the common electrode and the anode may be the pixel electrode. Further, the stacking order of each layer in the present embodiment may be reversed.
  • a substrate (not shown) is placed on the surface of the cathode 1 of each light emitting region 101R / 101G / 101B opposite to the surface on which the second electron transport layer 2R is arranged. ) May be arranged.
  • the substrate is made of, for example, glass or the like, and functions as a support for supporting each of the above layers.
  • the substrate may be, for example, an array substrate on which a thin film transistor (TFT) or the like is formed.
  • the third light emitting layer corresponding to the blue light emitting layer having a large band gap and a higher electron injection barrier than the light emitting layers of other colors. It is possible to facilitate injecting electrons between the third light emitting layer 3B and the cathode 1B into the light emitting layer 3B. Thereby, in particular, the luminous efficiency in the third light emitting layer 3B can be improved, and the light emitting balance with the light emitting region of another color can be more easily obtained.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a manufacturing flow of the light emitting device 100A.
  • cathodes 1R, 1G, and 1B are formed on the substrate (S1).
  • the cathodes 1R, 1G, and 1B are portions corresponding to the red light emitting region 101R, the green light emitting region 101G, and the blue light emitting region 101B after forming a solid layer by various conventionally known methods such as a sputtering method and a vacuum vapor deposition method. It can be formed by patterning by removing other than the above.
  • the cathodes 1R, 1G, and 1B may be configured to insulate each other by forming, for example, an insulating layer or the like.
  • the second electron transport layer 2R is formed on the cathodes 1R, 1G, and 1B (S2).
  • the second electron transport layer 2R can be formed by various conventionally known methods such as vacuum deposition, sputtering, transfer method, inkjet method or coating method.
  • the second electron transport layer 2R in the present embodiment is common to the red light emitting region 101R, the green light emitting region 101G, and the blue light emitting region 101B. Therefore, it is not necessary to form each light emitting region, and the manufacturing process of the light emitting device 100A can be reduced.
  • the first light emitting layer 3R is formed on the second electron transport layer 2R (S3).
  • the first light emitting layer 3R can be formed by various conventionally known methods such as vacuum deposition, sputtering, or a coating method.
  • the first light emitting layer 3R in the present embodiment is common to the red light emitting region 101R, the green light emitting region 101G, and the blue light emitting region 101B. Therefore, it is not necessary to form each light emitting region, and the manufacturing process of the light emitting device 100A can be reduced.
  • the first electron block layer 4R is formed on the first light emitting layer 3R (S4).
  • the first electron block layer 4R has a solid layer formed by various conventionally known methods such as vacuum vapor deposition, sputtering, transfer method, inkjet method or coating method, and then leaves a portion corresponding to the red light emitting region 101R. In other words, it can be patterned and formed so as to remove the portions corresponding to the green light emitting region 101G and the blue light emitting region 101B.
  • the first electron transport layer 2G is formed on the first light emitting layer 3R on which the first electron block layer 4R in the red light emitting region 101R is not formed (S5).
  • the first electron transport layer 2G forms a solid layer by various conventionally known methods such as vacuum vapor deposition, sputtering, or a coating method, and then leaves a portion corresponding to a green light emitting region 101G and a blue light emitting region 101B. In other words, it can be patterned and formed by removing the portion corresponding to the red light emitting region 101R.
  • the first electron transport layer 2G can collectively form the portions corresponding to the green light emitting region 101G and the blue light emitting region 101B, the manufacturing process of the light emitting device 100A can be reduced.
  • the order of S4 and S5 may be changed.
  • a second light emitting layer 3G is formed on the first electron block layer 4R and the first electron transport layer 2G (S6).
  • the second light emitting layer 3G can be formed by various conventionally known methods such as vacuum deposition, sputtering, or a coating method, as in the case of the first light emitting layer 3R, for example.
  • the second light emitting layer 3G in the present embodiment is common to the red light emitting region 101R, the green light emitting region 101G, and the blue light emitting region 101B. Therefore, it is not necessary to form each light emitting region, and the manufacturing process of the light emitting device 100A can be reduced.
  • a second electron block layer 4G is formed on the second light emitting layer 3G (S7).
  • the second electron block layer 4G forms a solid layer by various conventionally known methods such as vacuum vapor deposition, sputtering, or a coating method, and then leaves a portion corresponding to the green light emitting region 101G, in other words, red light emission. It can be formed by patterning so as to remove the portion corresponding to the region 101R and the blue light emitting region 101B.
  • the third electron transport layer 2B is formed on the second light emitting layer 3G on which the second electron block layer 4G is not formed in the blue light emitting region 101B (S8).
  • the third electron transport layer 2B forms a solid layer by various conventionally known methods such as, for example, vacuum vapor deposition, sputtering, or a coating method, and then leaves a portion corresponding to the blue light emitting region 101B, in other words. It can be patterned and formed by removing the portions corresponding to the red light emitting region 101R and the green light emitting region 101G.
  • a third light emitting layer 3B is formed on the second light emitting layer 3G in the red light emitting region 101R, the second electron block layer 4G in the green light emitting region 101G, and the third electron transporting layer 2B in the blue light emitting region 101B (S9).
  • the third light emitting layer 3B can be formed by various conventionally known methods such as vacuum deposition, sputtering, or a coating method.
  • the third light emitting layer 3B in the present embodiment is common to the red light emitting region 101R, the green light emitting region 101G, and the blue light emitting region 101B. Therefore, it is not necessary to form each light emitting region, and the manufacturing process of the light emitting device 100A can be reduced.
  • a third electron block layer 4B is formed on the third light emitting layer 3B (S10).
  • the third electron block layer 4B forms a solid layer by various conventionally known methods such as, for example, vacuum deposition, sputtering, or a coating method, and then leaves a portion corresponding to the blue light emitting region 101B, in other words, red. It can be patterned and formed by removing the portions corresponding to the light emitting region 101R and the green light emitting region 101G.
  • the anode 5 is formed on the third light emitting layer 3B in the red light emitting region 101R and the green light emitting region 101G, and the third electron block layer 4B in the blue light emitting region 101B (S11).
  • the anode 5 can be formed by various conventionally known methods such as vacuum deposition, sputtering, or a coating method.
  • the anode 5 in this embodiment is common to the red light emitting region 101R, the green light emitting region 101G, and the blue light emitting region 101B. Therefore, it is not necessary to form each light emitting region, and the manufacturing process of the light emitting device 100A can be reduced.
  • the light emitting device 100A can be manufactured.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of the laminated structure of the light emitting device 100B according to the present embodiment.
  • the second electron transport layer 2R is not formed in the green light emitting region 101G, and the second electron transport layer 2R and the first electron transport layer 2R are formed in the blue light emitting region 101B.
  • the structure is such that the electron transport layer 2G is not formed.
  • the second electron transport layer 2R is patterned so as to remove the portions corresponding to the green light emitting region 102G and the blue light emitting region 102B in S2 in the first embodiment. , Can be formed.
  • the first electron transport layer 2G is patterned so as to remove the portion corresponding to the blue light emitting region 102B in addition to the portion corresponding to the red light emitting region 101R in S5 in the first embodiment. , Can be formed.
  • the number of layers formed in the red light emitting region 101R, the green light emitting region 102G, and the blue light emitting region 102B can be made equal.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of the laminated structure of the light emitting device 100C according to the present embodiment.
  • the light emitting device 100C has a configuration in which a bank 6 for partitioning a red light emitting region 101R, a green light emitting region 101G, and a blue light emitting region 101B is formed in the light emitting device 100A according to the first embodiment.
  • the bank 6 may be formed between S1 and S2 in the first embodiment.
  • the inkjet method can be used when forming each layer by using a solution or the like in S2 to S10 in the first embodiment.
  • the red light emitting region 103R, the green light emitting region 103G, and the blue light emitting region 102B are partitioned by the bank 6, color mixing in each region can be suppressed.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the laminated structure of the light emitting device 100D according to the present embodiment.
  • the second electron block layer 4G and the third electron block layer 4B are formed in the red light emitting region 101R, and the third electron block layer is formed in the green light emitting region 101G. It is a configuration in which 4B is formed.
  • the second electron block layer 4G leaves a portion corresponding to the red light emitting region 104R in addition to the portion corresponding to the green light emitting region 104G in the second electron block layer in S7 in the first embodiment. It can be formed by patterning in such a manner.
  • the third electron block layer 4B does not have to pattern the third electron block layer in S10 in the first embodiment.
  • the number of layers formed in the red light emitting region 104R, the green light emitting region 104G, and the blue light emitting region 101B can be made equal. As a result, it becomes easy to make the thicknesses in the red light emitting region 104R, the green light emitting region 104G, and the blue light emitting region 101B uniform, and it becomes easy to balance the light emitting intensity among the respective light emitting regions.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, but is substantially the same as the configuration shown in the above-described embodiment, a configuration having the same action and effect, or a configuration capable of achieving the same object. May be replaced with.
  • each layer is an organic material
  • the heights of the HOMO energy level and the LUMO energy level in each layer are compared.
  • the energy level of HOMO and the energy level of LUMO in each layer are set to the lower end (CBM) of the conduction band in each layer, respectively. It can be replaced with the energy level and the energy level at the top of the valence band (VBM).
  • VBM valence band
  • each layer is composed of an organic material and an inorganic crystalline material
  • the energy level of HOMO and the energy level of LUMO in each layer can be replaced with the magnitudes of ionization potential and electron affinity in each layer, respectively.
  • the magnitude of the energy required to extract electrons from the LUMO energy level in an organic material or the CBM energy level in an inorganic crystalline material to a vacuum order is the electron affinity, and the HOMO energy level in an organic material.
  • the magnitude of the energy required to extract electrons from the energy level of VBM in the inorganic crystal material to the vacuum level is the value obtained by adding the band gap to the electron affinity, that is, the ionization potential.

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Abstract

発光装置は、発光中心波長が第１波長である第１発光領域と、発光中心波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、を含み、前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光中心波長が前記第１波長である第１発光層と、少なくとも前記第２発光領域において前記アノードと前記第１発光層との間に配されており、発光中心波長が前記第２波長であり、電子親和力が前記第１発光層の電子親和力よりも小さい第２発光層と、前記第２発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、電子親和力が、前記第１発光層の電子親和力と、前記第２発光層の電子親和力との間の大きさの第１電子輸送層と、を備える。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　例えば、特許文献１には、アノード、第１発光層、第２発光層、カソードがこの順で積層された発光装置が開示されている。そして、第１発光層は、その一部が処理されて非発光化されることにより、発光領域と非発光領域に分割されている。
国際公開第２０１１／１４８７９１号
　特許文献１に記載の発光装置では、第１発光層の非発光領域と、第２発光層とが積層された構造となっており、アノードから供給される正孔が第１発光層の非発光領域を介して第２発光層に至ることにより、第２発光層で発光する。上記発光装置においては、第１発光層の非発光領域が、第２発光層に至る正孔をブロックする場合があり、発光効率が低下し得る。
　本開示の主な目的は、例えば、発光効率の低下を抑制することができる発光装置を提供することにある。
　本発明の一形態の発光装置は、発光中心波長が第１波長である第１発光領域と、発光中心波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、を含み、前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光中心波長が前記第１波長である第１発光層と、少なくとも前記第２発光領域において前記アノードと前記第１発光層との間に配されており、発光中心波長が前記第２波長であり、電子親和力が前記第１発光層の電子親和力よりも小さい第２発光層と、前記第２発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、電子親和力が、前記第１発光層の電子親和力と、前記第２発光層の電子親和力との間の大きさの第１電子輸送層と、を備える。
実施形態１に係る発光装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態１に係る発光装置の製造フローの一例を示す図である。 実施形態２に係る発光装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態３に係る発光装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態４に係る発光装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態１に係る発光装置の赤色発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。 実施形態１に係る発光装置の緑色発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。 実施形態１に係る発光装置の青色発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。
　以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
　〔実施形態１〕
　図１は、本実施形態に係る発光装置１００Ａの積層構造の一例を模式的に示す図である。
　発光装置１００Ａは、光を出射する装置である。発光装置１００Ａは、例えば、白色光等の光を出射する照明装置（例えば、バックライト等）であってもよいし、光を出射することにより画像（例えば、文字情報等を含む。）を表示する表示装置であってもよい。本実施形態では、発光装置１００Ａが、表示装置における１つの画素である例について説明する。例えば、複数の画素をマトリクス状に配列することにより表示装置を構成することができる。
　図１に示すように、発光装置１００Ａは、例えば、赤色発光領域（第１発光領域）１０１Ｒ、緑色発光領域（第２発光領域）１０１Ｇ、青色発光領域（第３発光領域）１０１Ｂを含む。赤色発光領域１０１Ｒは、発光中心波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する。緑色発光領域１０１Ｇは、発光中心波長が第１波長よりも短波長である第２波長であり、例えば約５３０ｎｍである。青色発光領域１０１Ｂは、発光中心波長が第２波長よりも短波長である第３波長であり、例えば、約４４０ｎｍである。
　赤色発光領域１０１Ｒは、発光装置１００Ａにおいて赤色に発光する領域である。赤色発光領域１０１Ｒは、例えば、発光装置１００Ａにおける赤色発光素子に相当する。赤色発光領域１０１Ｒにおいては、カソード１Ｒ、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ、第１電子ブロック層４Ｒ、第２発光層３Ｇ、第３発光層３Ｂ、およびアノード５が、この順に積層された構造となっている。つまり、赤色発光領域１０１Ｒにおいては、カソード１Ｒと、カソード１Ｒに対向するように配されたアノード５との間に、各層が配された構造となっている。
　カソード１Ｒは、例えば、第１発光層３Ｒに電子を注入する。
　アノード５は、例えば、第１発光層３Ｒに正孔を注入する。
　カソード１Ｒおよびアノード５は、例えば、金属や透明導電性酸化物や導電性ナノ材料等の導電材料により構成される。上記金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、ＡｇやＭｇＡｇなどの合金等が挙げられる。上記透明導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ホウ素亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ｂ（ＢＺＯ））等が挙げられる。導電ナノ材料としては、Ａｇナノワイヤー、カーボンナノチューブやＩＴＯナノ粒子等が挙げられる。なお、カソード１Ｒおよびアノード５は、例えば、少なくとも１層の金属層および／または少なくとも１層の透明導電性酸化物層を含む積層体であってもよい。
　第１発光層３Ｒは、カソード１Ｒとアノード５との間に配されている。第１発光層３Ｒは、発光中心波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する。第１発光層３Ｒは、例えば、発光中心波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する第１発光材料を含む。第１発光材料は、例えば、注入された電子と、注入された正孔との再結合により発光する。つまり、第１発光層３Ｒは、例えば、注入された電子と、注入された正孔との再結合により発光するということができる。なお、本実施形態における第１発光層３Ｒにおいては、例えば、図６に示すように、アノード５から第３発光層３Ｂ、第２発光層３Ｇおよび第１電子ブロック層４Ｒを介して正孔（ｈ+）が注入される。一方、本実施形態における第１発光層３Ｒにおいては、例えば、図６に示すように、カソード１Ｒから第２電子輸送層２Ｒを介して電子（ｅ－）が注入される。また、上記発光中心波長とは、例えば、発光層における発光ピークを表すものである。さらに、図６に示すように、第１発光層３Ｒにおける電子親和力は、第１発光層３Ｒが有機材料である場合のＬＵＭＯのエネルギー準位、もしくは第１発光層３Ｒが無機結晶材料である場合のＣＢＭのエネルギー準位から電子を真空準位に取り出すのに必要な大きさに相当する。また、第１発光層３Ｒにおけるイオン化ポテンシャルは、第1発光層３Ｒが有機材料である場合のＨＯＭＯのエネルギー準位、もしくは第１発光層３Ｒが無機結晶材料である場合のＶＢＭのエネルギー準位から電子を真空準位に取り出すのに必要な大きさであり、電子親和力にバンドギャップを加えた値に相当する。ここでは、第１発光層３Ｒについて説明したが、他の層においても同様である。
　第１発光材料としては、例えば、量子ドット等が挙げられる。量子ドットは、例えば、１００ｎｍ以下の粒子サイズを有する半導体微粒子であり、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＭｇＺｎＳ、ＭｇＺｎＳｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等のＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、及び／又は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等のＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の結晶、及び／又は、Ｓｉ、Ｇｅ等のＩＶ族半導体化合物の結晶を有することができる。また、量子ドットは、例えば、上記の半導体結晶をコアとして、当該コアをバンドギャップの高いシェル材料でオーバーコートしたコア／シェル構造を有していてもよい。更に、量子ドットは、ＡＰｂＸ３[Ａ=Ｃｓ，ＭＡ（メチルアンモニウム），ＦＡ（ホルムアミジニウム），Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ]、（ＣＨ３ＮＨ３）３Ｂｉ２Ｘ９などのペロブスカイト構造を有していてもよい。
　第２電子輸送層２Ｒは、カソード１Ｒと第１発光層３Ｒとの間に配されている。第２電子輸送層２Ｒは、カソード１Ｒから注入される電子を第１発光層３Ｒに輸送する。
　第２電子輸送層２Ｒは、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）のエネルギー準位が第１発光層３ＲのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも低いことが好ましい。これにより、例えば、図６に示すように、カソード１Ｒから注入される電子を第２電子輸送層２Ｒを介して第１発光層３Ｒに容易に輸送することができる。
　さらに、第２電子輸送層２Ｒは、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）のエネルギー準位が、第１発光層３ＲのＨＯＭＯのエネルギー準位よりも低いことが好ましい。これにより、例えば、図６に示すように、アノード５から、第３発光層３、第２発光層３Ｇおよび第１電子ブロック層４Ｒを介して注入された正孔を第１発光層３Ｒにより閉じ込めることができ、赤色発光領域１０１Ｒにおける発光効率を向上させることができる。
　第２電子輸送層２Ｒを形成する材料としては、例えば、酸化亜鉛（例えばＺｎＯ）、酸化チタン（例えばＴｉＯ２）、酸化ストロンチウムチタン（例えばＳｒＴｉＯ３）、In2O3、CdS、LZO、SiTe、SiSe、SiS、フラーレン誘導体、In2O3等の電子輸送性材料が用いられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。なお、第２電子輸送層２Ｒを形成する材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　第１電子ブロック層４Ｒは、第１発光層３Ｒと第２発光層３Ｇとの間に配されている。第１電子ブロック層４Ｒは、カソード１Ｒから注入される電子の、第２発光層３Ｇ側への注入をブロックする。
　さらに、第１電子ブロック層４Ｒは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が、第１発光層３ＲのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いことが好ましい。これにより、例えば、図６に示すように、カソード１Ｒから第１発光層３Ｒを介して注入される電子の、第２発光層３Ｇ側への注入をより容易にブロックすることができる。さらに、第１発光層３Ｒに注入された電子を第１発光層３Ｒに閉じ込めることができるため、赤色発光領域１０１Ｒにおける発光効率を向上させることができる。
　第１電子ブロック層４Ｒは、ＨＯＭＯのエネルギー準位が、第１発光層３ＲのＨＯＭＯのエネルギー準位以上であることが好ましい。これにより、例えば、図６に示すように、アノード５から注入される正孔の、第１発光層３Ｒへの注入をより容易にすることができる。
　第１電子ブロック層４Ｒを形成する材料としては、例えば、例えば、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちのいずれか１つ以上を含む酸化物、窒化物、または炭化物からなる群から選択される一種以上を含む材料や、４,４´，４´´－トリス（９－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４´－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］－ビフェニル（ＮＰＢ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰＣ）、ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４´－ビス（カルバゾ－ル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴＣＮ）、ＭｏＯ３などの材料や、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（２，７－（９,９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン）－（１，４－フェニレン－（（４－第２ブチルフェニル）イミノ）－１，４－フェニレン（ＴＦＢ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸)（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）などの正孔輸送性有機材料等が挙げられる。なお、第１電子ブロック層４Ｒを形成する材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　第２発光層３Ｇは、発光中心波長が第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する。第２発光層３Ｇは、例えば、発光中心波長が第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する第２発光材料を含む。第２発光材料は、例えば、注入された電子と、注入された正孔との再結合により発光する。つまり、第２発光層３Ｇは、例えば、注入された電子と、注入された正孔との再結合により発光するということができる。第２発光材料としては、例えば、第１発光材料と同様の量子ドット等が挙げられる。第1発光材料と第2発光材料が同一組成量子ドットの材料の場合、第２発光材料の方が量子ドットの径が小さく、量子効果によりバンドギャップが広くなる。一般的に、同一材料の量子ドットにおいて、直径が変わり、バンドギャップが変わると、伝導帯のエネルギー準位が浅くなり、価電子帯の準位が深くなるが、価電子帯の準位の変化に比べ伝導帯の準位の変化の方が大きい。なお、第２発光材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　また、第２発光層３Ｇは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が第１発光層３ＲのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高い。これにより、例えば、図６に示すように、アノード５から注入された正孔の、第２発光層３Ｇを介した第１発光層３Ｒへの注入をより容易にすることができる。
　ただし、赤色発光領域１０１Ｒにおいては、上記のように、第２発光層３Ｇには、カソード１Ｒとの間に配された第１電子ブロック層４Ｒにより、カソード１Ｒから注入される電子がブロックされるため、電子がほぼ注入されない。そのため、第２発光層３Ｇにおいては、アノード５から注入された正孔とカソード１Ｒから注入された電子がほぼ再結合せず、ほぼ発光しない。
　第３発光層３Ｂは、アノード５と第２発光層３Ｇとの間に配されている。第３発光層３Ｂは、発光中心波長が第３波長であり、例えば約４４０ｎｍで発光する。第３発光層３Ｂは、例えば、発光中心波長が第３波長であり、例えば約４４０ｎｍで発光する第３発光材料を含む。第３発光材料は、例えば、注入された電子と、注入された正孔との再結合により発光する。つまり、第２発光層３Ｇは、例えば、注入された電子と、注入された正孔との再結合により発光するということができる。第３発光材料としては、例えば、第１発光材料と同様の量子ドット等が挙げられる。なお、第３発光材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　また、第３発光層３Ｂは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が第２発光層３ＧのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高い。これにより、例えば、図７に示すように、アノード５から注入された正孔を、第３発光層３Ｂ、第２発光層３Ｇおよび第１電子ブロック層４Ｒを介して第１発光層３Ｒにより容易に注入することができる。なお、第３発光層３Ｂは、第２発光層３Ｇと直接接するように配されていてよい。
　ただし、第３発光層３Ｂは、赤色発光領域１０１Ｒにおいては、カソード１Ｒとの間に配された第１電子ブロック層４Ｒにより、カソード１Ｒから注入される電子がブロックされるため、電子がほぼ注入されない。そのため、第３発光層３Ｂにおいては、アノード５から注入された正孔とカソード１Ｒから注入された電子が再結合することができず、ほぼ発光しない。
　以上のように、赤色発光領域１０１Ｒは、第１発光層３Ｒが発光し、第２発光層３Ｇおよび第３発光層３Ｂがほぼ発光しないため、発光中心波長が第１波長で発光する。
　続いて、緑色発光領域１０１Ｇについて説明する。
　緑色発光領域１０１Ｇは、発光装置１００Ａにおいて緑色に発光する領域である。緑色発光領域１０１Ｇは、例えば、発光装置１００Ａにおける緑色発光素子に相当する。緑色発光領域１０１Ｇにおいては、カソード１Ｇ、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ、第１電子輸送層２Ｇ、第２発光層３Ｇ、第２電子ブロック層４Ｇ、第３発光層３Ｂ、およびアノード５が、この順に積層された構造となっている。つまり、緑色発光領域１０１Ｇにおいては、カソード１Ｇと、カソード１Ｇに対向するように配されたアノード５との間に、各層が配された構造となっている。なお、カソード１Ｇは、第２発光層３Ｇに電子を注入し、カソード１Ｒと同じ材質を用いることが可能である。
　また、緑色発光領域１０１Ｇは、赤色発光領域１０１Ｒの構成において、カソード１Ｒをカソード１Ｇとするとともに、第１電子ブロック層４Ｒを設けず、第１発光層３Ｒと第２発光層３Ｇとの間に第１電子輸送層２Ｇが配され、さらに第２発光層３Ｇと第３発光層３Ｂとの間に第２電子ブロック層４Ｇが配された構成となっている。
　第１電子輸送層２Ｇは、カソード１Ｇから注入される電子を第２発光層３Ｇに輸送する。第１電子輸送層２Ｇは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が、第１発光層３ＲのＬＵＭＯのエネルギー準位と、第２発光層３ＧのＬＵＭＯのエネルギー準位との間に位置している。これにより、例えば、図７に示すように、カソード１Ｇから注入された電子の、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ及び第１電子輸送層２Ｇを介した第２発光層３Ｇへの注入をより容易にすることができる。
　さらに、第１電子輸送層２Ｇは、ＨＯＭＯのエネルギー準位が、前記第２発光層３ＧのＨＯＭＯのエネルギー準位よりも低いことが好ましい。これにより、例えば、図７に示すように、アノード５から注入された正孔の、第３発光層３Ｂ、第２電子ブロック層４Ｇおよび第２発光層３Ｇを介した第１発光層３Ｒへの注入をブロックすることができる。さらにまた、アノード５から注入された正孔を第２発光層３Ｇに閉じ込めることができるため、緑色発光領域１０１Ｇにおける発光効率を向上させることができる。
　第１電子輸送層２Ｇを形成する材料としては、例えば、上記第２電子輸送層２Ｒと同様の材料に加えTPBi、ZrO2を使用することができる。なお、第１電子輸送層２Ｇを形成する材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　上記のように、緑色発光領域１０１Ｇにおいては、第１電子輸送層２Ｇにより第１発光層３Ｒへの正孔の注入がブロックされるため、第１発光層３Ｒはほぼ発光しない。
　第２電子ブロック層４Ｇは、第１発光層３Ｒと第２発光層３Ｇとの間に配されている。第２電子ブロック層４Ｇは、カソード１Ｇから注入される電子の、第３発光層３Ｂ側への注入をブロックする。
　第２電子ブロック層４Ｇは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が、第２発光層３ＧのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いことが好ましい。これにより、例えば、図７に示すように、カソード１Ｇから、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ、第１電子輸送層２Ｇ、および第２発光層３Ｇを介して注入される電子の、第３発光層３Ｂ側への注入をより容易にブロックすることができる。さらに、第２発光層３Ｇに注入された電子を第２発光層３Ｇに閉じ込めることができるため、緑色発光領域１０１Ｇにおける発光効率を向上させることができる。
　さらに、第２電子ブロック層４Ｇは、ＨＯＭＯのエネルギー準位が、第２発光層３ＧのＨＯＭＯのエネルギー準位以上であることが好ましい。これにより、例えば、図７に示すように、アノード５から注入される正孔の、第３発光層３Ｂ及び第２電子ブロック層４Ｇを介した第２発光層３Ｇへの注入をより容易にすることができる。
　第２電子ブロック層４Ｇを形成する材料としては、例えば、上記第１電子ブロック層４Ｒと同様の材料を使用することができる。なお、第２電子ブロック層４Ｇを形成する材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　上記のように、緑色発光領域１０１Ｇにおいては、第２電子ブロック層４Ｇにより第３発光層３Ｂへのカソード１Ｇから注入された電子の注入がブロックされるため、第３発光層３Ｂはほぼ発光しない。
　以上のように、緑色発光領域１０１Ｇは、第２発光層３Ｇが発光し、第１発光層３Ｒおよび第３発光層３Ｂがほぼ発光しないため、発光中心波長が第２波長で発光する。
　続いて、青色発光領域１０１Ｂについて説明する。
　青色発光領域１０１Ｂは、発光装置１００Ａにおいて青色に発光する領域である。青色発光領域１０１Ｂは、例えば、発光装置１００Ａにおける青色発光素子に相当する。青色発光領域１０１Ｂにおいては、カソード１Ｂ、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ、第１電子輸送層２Ｇ、第２発光層３Ｇ、第３電子輸送層２Ｂ、第３発光層３Ｂ、第３電子ブロック層４Ｂおよびアノード５が、この順に積層された構造となっている。つまり、青色発光領域１０１Ｂにおいては、カソード１Ｂと、カソード１Ｂに対向するように配されたアノード５との間に、各層が配された構造となっている。なお、カソード１Ｂは、第３発光層３Ｂに電子を注入し、カソード１Ｒと同じ材質を用いることが可能である。また、第１発光層３Ｒと第２発光層３Ｇとは直接接するように配されていてよい。
　また、青色発光領域１０１Ｂは、緑色発光領域１０１Ｇの構成において、カソード１Ｇをカソード１Ｂとするとともに、第２電子ブロック層４Ｇを設けず、第２発光層３Ｇと第３発光層３Ｂとの間に第３電子輸送層２Ｂが配され、さらに第３発光層３Ｂとアノード５との間に第３電子ブロック層４Ｂが配された構成となっている。
　第３電子輸送層２Ｂは、カソード１Ｂから注入される電子を第３発光層３Ｂに輸送する。第３電子輸送層２Ｂは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が、第２発光層３ＧのＬＵＭＯのエネルギー準位と、第３発光層３ＢのＬＵＭＯのエネルギー準位との間に位置している。これにより、例えば、図８に示すように、カソード１Ｂから注入された電子を、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ、第１電子輸送層２Ｇ、および第２発光層３Ｇを介して、第３発光層３Ｂにより容易に注入することができる。
　また、第３電子輸送層２Ｂは、ＨＯＭＯのエネルギー準位が、第３発光層３ＢのＨＯＭＯのエネルギー準位よりも低いことが好ましい。これにより、例えば、図８に示すように、アノード５から注入された正孔の、第３電子ブロック層４Ｂおよび第３発光層３Ｂを介した第２発光層３Ｇへの注入をブロックすることができる。さらに、アノード５から注入された正孔を第３発光層３Ｂに閉じ込めることができるため、青色発光領域１０１Ｂにおける発光効率を向上させることができる。
　第３電子輸送層２Ｂを形成する材料としては、例えば、上記第１電子輸送層２Ｇと同様の材料に加え、Bphen、TAZを使用することができる。なお、第３電子ブロック層２Ｂを形成する材料は、各層のＨＯＭＯのエネルギー準位、ＬＵＭＯのエネルギー準位に合わせて、適宜選択される。
　上記のように、青色発光領域１０１Ｂにおいては、第３電子輸送層２Ｂにより第２発光層３Ｇへの正孔の注入がブロックされるため、第２発光層３Ｇはほぼ発光しない。
　第３電子ブロック層４Ｂは、アノード５と第３発光層３Ｂとの間に配されている。第３電子ブロック層４Ｂは、カソード１Ｇから注入される電子の、第３発光層３Ｂの通過をブロックする。第３電子ブロック層４Ｂは、ＬＵＭＯのエネルギー準位が第３発光層３ＢのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも高いことが好ましい。これにより、例えば、図８に示すように、カソード１Ｂから注入され、第２電子輸送層２Ｒ、第１発光層３Ｒ、第１電子輸送層２Ｇ、第２発光層３Ｇおよび第３電子輸送層２Ｂを介して第３発光層３Ｂに注入された電子を、第３発光層３Ｂに閉じ込めることができるため、青色発光領域１０１Ｂにおける発光効率を向上させることができる。
　第３電子ブロック層４Ｂは、ＨＯＭＯのエネルギー準位が、第３発光層３ＢのＨＯＭＯのエネルギー準位以上であることが好ましい。これにより、例えば、図８に示すように、アノード５から注入される正孔を第３発光層３Ｂにより容易に注入することができる。
　なお、本実施形態における、カソード１Ｒ・１Ｇ・１Ｒは、発光装置１００Ａの画素電極に相当し、各発光領域において互いに絶縁されていることが好ましい。そして、カソード１Ｒ・１Ｇ・１Ｒは、発光装置１００Ａにおけるカソードの第１部分、第２部分、第３部分と呼ぶことができる。さらに、本実施形態におけるアノード５は、発光装置１００Ａの共通電極に相当し、各発光領域で共通に形成されている。また、本実施形態におけるカソードおよびアノードの構成は、これに限らず、例えば、カソードが上記共通電極であり、アノードが上記画素電極であってもよい。さらに、本実施形態における各層の積層順が逆であってもよい。
　さらに、本実施形態における発光装置においては、各発光領域１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂのカソード１における第２電子輸送層２Ｒが配された面とは反対側の面には、例えば、基板（図示せず）が配されていてもよい。基板は、例えばガラス等からなり、上記各層を支持する支持体として機能する。基板は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されたアレイ基板であってよい。
　本実施形態の発光装置１００Ａによれば、特に青色発光領域に相当する第３発光領域３Ｂにおいて、バンドギャップが大きく他の色の発光層よりも電子注入障壁が高い青色発光層に相当する第３発光層３Ｂに、第３発光層３Ｂとカソード１Ｂ間の電子を注入しやすくすることができる。これにより、特に、第３発光層３Ｂにおける発光効率を向上させることができ、他の色の発光領域との発光バランスをより容易にとることができる。
　以下に、本実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法の一例について、説明する。図２は、発光装置１００Ａの製造フローの一例を示す図である。
　まず、図２に示すように、基板上にカソード１Ｒ・１Ｇ・１Ｂを形成する（Ｓ１）。カソード１Ｒ・１Ｇ・１Ｂは、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、従来公知の各種方法によりべたの層を形成した後、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分以外を除去することによりパターニングして形成することができる。なお、カソード１Ｒ・１Ｇ・１Ｂは、例えば、絶縁層等を形成することにより互いに絶縁するように構成してもよい。
　カソード１Ｒ・１Ｇ・１Ｂ上に、第２電子輸送層２Ｒを形成する（Ｓ２）。第２電子輸送層２Ｒは、例えば、真空蒸着やスパッタ、転写法、インクジェット法あるいは塗布法等、従来公知の各種方法により形成することができる。本実施形態における第２電子輸送層２Ｒは、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂで共通である。そのため、各発光領域毎に形成する必要はなく、発光装置１００Ａの製造工程を削減することができる。
　第２電子輸送層２Ｒ上に第１発光層３Ｒを形成する（Ｓ３）。第１発光層３Ｒは、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法により形成することができる。本実施形態における第１発光層３Ｒは、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂで共通である。そのため、各発光領域毎に形成する必要はなく、発光装置１００Ａの製造工程を削減することができる。
　第１発光層３Ｒ上に第１電子ブロック層４Ｒを形成する（Ｓ４）。第１電子ブロック層４Ｒは、例えば、真空蒸着やスパッタ、転写法、インクジェット法あるいは塗布法等、従来公知の各種方法によりべたの層を形成した後、赤色発光領域１０１Ｒに相当する部分を残す、言い換えれば、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分を除去するようにパターニングして形成することができる。もしくは、マスク蒸着法、転写法やインクジェット法などを用いて選択的に赤色発光領域１０１Ｒに相当する部分のみに形成する、言い換えれば、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分以外に選択的に形成することができる。
　Ｓ４において、赤色発光領域１０１Ｒにおける第１電子ブロック層４Ｒが形成されていない第１発光層３Ｒ上に第１電子輸送層２Ｇを形成する（Ｓ５）。第１電子輸送層２Ｇは、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法によりべたの層を形成した後、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分を残す、言い換えれば赤色発光領域１０１Ｒに相当する部分を除去することにより、パターニングして形成することができる。もしくは、マスク蒸着法、転写法やインクジェット法などを用いて選択的に赤色発光領域緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分のみに形成する、言い換えれば、赤色発光領域１０１Ｒに相当する部分以外に選択的に形成することができる。
　このように、第１電子輸送層２Ｇは、緑色発光領域１０１Ｇおよび青色発光領域１０１Ｂに対応する部分を一括して形成することができるため、発光装置１００Ａの製造工程を削減することができる。なお、Ｓ４とＳ５とは、順番を入れ替えてもよい。
　第１電子ブロック層４Ｒおよび第１電子輸送層２Ｇ上に第２発光層３Ｇを形成する（Ｓ６）。第２発光層３Ｇは、例えば、第１発光層３Ｒと同様に、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法により形成することができる。本実施形態における第２発光層３Ｇは、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂで共通である。そのため、各発光領域毎に形成する必要はなく、発光装置１００Ａの製造工程を削減することができる。
　第２発光層３Ｇ上に第２電子ブロック層４Ｇを形成する（Ｓ７）。第２電子ブロック層４Ｇは、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法によりべたの層を形成した後、緑色発光領域１０１Ｇに相当する部分を残す、言い換えれば、赤色発光領域１０１Ｒ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分を除去するようにパターニングして形成することができる。もしくは、マスク蒸着法、転写法やインクジェット法などを用いて選択的に緑色発光領域１０１Ｇに相当する部分のみに形成する、言い換えれば、赤色発光領域１０１Ｒ、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分以外に選択的に形成することができる。
　Ｓ７において、青色発光領域１０１Ｂにおける第２電子ブロック層４Ｇが形成されていない第２発光層３Ｇ上に第３電子輸送層２Ｂを形成する（Ｓ８）。第３電子輸送層２Ｂは、例えば、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法によりべたの層を形成した後、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分を残す、言い換えれば、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇに相当する部分を除去することにより、パターニングして形成することができる。もしくは、マスク蒸着法、転写法やインクジェット法などを用いて選択的に青色発光領域１０１Ｂに相当する部分のみに形成する、言い換えれば、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇに相当する部分以外に選択的に形成することができる。なお、Ｓ７とＳ８とは、順番を入れ替えてもよい。
　赤色発光領域１０１Ｒにおける第２発光層３Ｇ、緑色発光領域１０１Ｇにおける第２電子ブロック層４Ｇ、青色発光領域１０１Ｂにおける第３電子輸送層２Ｂ上に第３発光層３Ｂを形成する（Ｓ９）。第３発光層３Ｂは、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法により形成することができる。本実施形態における第３発光層３Ｂは、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂで共通である。そのため、各発光領域毎に形成する必要はなく、発光装置１００Ａの製造工程を削減することができる。
　第３発光層３Ｂ上に第３電子ブロック層４Ｂを形成する（Ｓ１０）。第３電子ブロック層４Ｂは、例えば、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法によりべたの層を形成した後、青色発光領域１０１Ｂに相当する部分を残す、言い換えれば赤色発光領域１０１Ｒおよび緑色発光領域１０１Ｇに相当する部分を除去することにより、パターニングして形成することができる。もしくは、マスク蒸着法、転写法やインクジェット法などを用いて選択的に青色発光領域１０１Ｂに相当する部分のみに形成する、言い換えれば、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇに相当する部分以外に選択的に形成することができる。
　赤色発光領域１０１Ｒおよび緑色発光領域１０１Ｇにおける第３発光層３Ｂ、青色発光領域１０１Ｂにおける第３電子ブロック層４Ｂ上にアノード５を形成する（Ｓ１１）。アノード５は、例えば、真空蒸着やスパッタ、あるいは塗布法等、従来公知の各種方法により形成することができる。本実施形態におけるアノード５は、赤色発光領域１０１Ｒ、第緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂで共通である。そのため、各発光領域毎に形成する必要はなく、発光装置１００Ａの製造工程を削減することができる。
　以上により、発光装置１００Ａを製造することができる。
　〔実施形態２〕
　図３は、本実施形態に係る発光装置１００Ｂの積層構造の一例を模式的に示す図である。
　本実施形態に係る発光装置１００Ｂは、実施形態１における発光装置において、緑色発光領域１０１Ｇにおいて第２電子輸送層２Ｒが形成されておらず、青色発光領域１０１Ｂにおいて第２電子輸送層２Ｒおよび第１電子輸送層２Ｇが形成されていない構成である。
　なお、本実施形態において、第２電子輸送層２Ｒは、実施形態１におけるＳ２において、第２電子輸送層を緑色発光領域１０２Ｇおよび青色発光領域１０２Ｂに相当する部分を除去するようにパターニングすることにより、形成することができる。
　また、本実施形態において、第１電子輸送層２Ｇは、実施形態１におけるＳ５において、赤色発光領域１０１Ｒに相当する部分に加え、青色発光領域１０２Ｂに相当する部分を除去するようにパターニングすることにより、形成することができる。
　本実施形態における発光装置１００Ｂにおいては、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０２Ｇ、青色発光領域１０２Ｂにおいて形成される層の数を等しくすることができる。これにより、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０２Ｇ、青色発光領域１０２Ｂにおける厚さをそろえることが容易となり、各発光領域での発光層に印加される電界強度を等しくしやすくなり、各発光領域間の発光強度のバランスをとることが容易となる。
　〔実施形態３〕
　図４は、本実施形態に係る発光装置１００Ｃの積層構造の一例を模式的に示す図である。
　本実施形態に係る発光装置１００Ｃは、実施形態１における発光装置１００Ａにおいて、赤色発光領域１０１Ｒ、緑色発光領域１０１Ｇ、青色発光領域１０１Ｂを区画するバンク６が形成された構成である。
　バンク６は、実施形態１におけるＳ１とＳ２との間で形成すればよい。バンク６を設けることより、実施形態１におけるＳ２～Ｓ１０において、溶液等を使用して各層を形成する際に、インクジェット法を使用することができる。また、赤色発光領域１０３Ｒ、緑色発光領域１０３Ｇ、青色発光領域１０２Ｂがバンク６により区画されるため、各領域における色の混色を抑制することができる。
　〔実施形態４〕
　図５は、本実施形態に係る発光装置１００Ｄの積層構造の一例を模式的に示す図である。
　本実施形態に係る発光装置１００Ｄは、実施形態１における発光装置において、赤色発光領域１０１Ｒにおいて第２電子ブロック層４Ｇおよび第３電子ブロック層４Ｂが形成され、緑色発光領域１０１Ｇにおいて第３電子ブロック層４Ｂが形成された構成である。
　なお、本実施形態において、第２電子ブロック層４Ｇは、実施形態１におけるＳ７において、第２電子ブロック層における、緑色発光領域１０４Ｇに相当する部分に加え、赤色発光領域１０４Ｒに相当する部分を残すようにパターニングすることにより、形成することができる。
　また、本実施形態において、第３電子ブロック層４Ｂは、実施形態１におけるＳ１０において、第３電子ブロック層をパターニングしなければよい。
　本実施形態における発光装置１００Ｄにおいては、赤色発光領域１０４Ｒ、緑色発光領域１０４Ｇ、青色発光領域１０１Ｂにおいて形成される層の数を等しくすることができる。これにより、赤色発光領域１０４Ｒ、緑色発光領域１０４Ｇ、青色発光領域１０１Ｂにおける厚さをそろえることが容易となり、各発光領域間の発光強度のバランスをとることが容易となる。
　本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。
　なお、上記実施形態においては、各層が有機材料であることを想定して、各層におけるＨＯＭＯのエネルギー準位，ＬＵＭＯのエネルギー準位の高さで比較している。しかしながら、各層が無機結晶材料の場合には、例えば、図６～図８に示すように、各層におけるＨＯＭＯのエネルギー準位およびＬＵＭＯのエネルギー準位を、それぞれ、各層における伝導帯下端（ＣＢＭ）のエネルギー準位および価電子帯上端（ＶＢＭ）のエネルギー準位と置き換えることができる。さらに、各層が有機材料および無機結晶材料で構成される場合、各層におけるＨＯＭＯのエネルギー準位およびＬＵＭＯのエネルギー準位を、それぞれ、各層におけるイオン化ポテンシャルおよび電子親和力の大きさに置き換えることができる。
　すなわち、有機材料におけるＬＵＭＯのエネルギー準位、もしくは無機結晶材料におけるＣＢＭのエネルギー準位から電子を真空順位に取り出すのに必要なエネルギーの大きさが電子親和力であり、有機材料におけるＨＯＭＯのエネルギー準位、もしくは無機結晶材料におけるＶＢＭのエネルギー準位から電子を真空準位に取り出すのに必要なエネルギーの大きさが電子親和力にバンドギャップを加えた値、すなわちイオン化ポテンシャルとなる。

Claims (17)

  1. 　発光中心波長が第１波長である第１発光領域と、
    　発光中心波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、
    を含み、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、
    　前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光中心波長が前記第１波長である第１発光層と、
    　少なくとも前記第２発光領域において前記アノードと前記第１発光層との間に配されており、発光中心波長が前記第２波長であり、電子親和力が前記第１発光層の電子親和力よりも小さい第２発光層と、
    　前記第２発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、電子親和力が、前記第１発光層の電子親和力と、前記第２発光層の電子親和力との間の大きさの第１電子輸送層と、
    を備える、発光装置。
  2. 　前記第１電子輸送層のイオン化ポテンシャルが、前記第２発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きい、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第２発光層は、前記第１発光領域にも配されており、
    　前記第１発光領域において、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、電子親和力が前記第２発光層の電子親和力よりも小さい第１電子ブロック層をさらに備える、
    請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 　前記第１電子ブロック層のイオン化ポテンシャルは、前記第１発光層のイオン化ポテンシャル以下である、
    請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記第１発光領域において前記カソードと前記第１発光層との間に配されており、電子親和力が前記第１発光層の電子親和力よりも大きい第２電子輸送層をさらに含む、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 　前記第２電子輸送層のイオン化ポテンシャルが前記第１発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きい、請求項５に記載の発光装置。
  7. 　前記第１発光領域に配されている層の数と、前記第２発光領域に配されている層の数とが相互に等しい、
    請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 　発光中心波長は前記第２波長よりも短波長である第３波長である第３発光領域をさらに含み、
    　前記カソード及び前記第２発光層は、前記第３発光領域にも配されており、
    　少なくとも前記第３発光領域において前記カソードと前記アノードとの間で前記第２発光層に重なるように配されており、発光中心波長が前記第３波長であり、電子親和力が前記第２発光層の電子親和力よりも小さい第３発光層と、
    　前記第３発光領域において前記第２発光層と前記第３発光層との間に配されており、電子親和力が、前記第２発光層の電子親和力と、前記第３発光層の電子親和力との間の大きさの第３電子輸送層と、
    をさらに備える、
    請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 　前記第３電子輸送層のイオン化ポテンシャルが、前記第３発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きい、
    請求項８に記載の発光層。
  10. 　前記第３発光層は、前記第２発光領域にも配されており、
    　前記第２発光領域において、前記第２発光層と前記第３発光層との間に配されており、電子親和力が前記第３発光層の電子親和力よりも小さい第２電子ブロック層をさらに備える、
    請求項８または９に記載の発光装置。
  11. 　前記第２電子ブロック層のイオン化ポテンシャルは、前記第２発光層のイオン化ポテンシャル以下である、
    請求項１０に記載の発光装置。
  12. 　前記第３発光領域において前記アノードと前記第３発光層との間に配されており、電子親和力が前記第３発光層の電子親和力よりも小さい第３電子ブロック層をさらに含む、
    請求項８～１１のいずれか１項に記載の発光装置。
  13. 　前記第３電子ブロック層のイオン化ポテンシャルは、前記第３発光層のイオン化ポテンシャル以下である、
    請求項１２に記載の発光装置。
  14. 　前記第３発光層は、前記第１発光領域にも配されており、
    　前記第１発光領域において前記２発光層と前記第３発光層とが直接接し、重なるように配されている、
    請求項１０～１３のいずれか１項に記載の発光装置。
  15. 　前記第３発光領域において、前記第１発光層と前記第２発光層とが直接接し、重なるように配されている、
    請求項１０～１４のいずれか１項に記載の発光装置。
  16. 　前記カソードと前記アノードとのうちの少なくとも一方は、
    　前記第１発光領域に位置する第１部分と、
    　前記第２発光領域に位置し、前記第１部分とは絶縁された第２部分と、
    を含む、
    請求項１～１５のいずれか１項に記載の発光装置。
  17. 　前記第２発光領域に配されている層の数と、前記第２発光領域に配されている層の数と、前記第３発光領域に配されている層の数とが相互に等しい、
    請求項８～１６のいずれか１項に記載の発光装置。
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